JP2004165993A - Multiple power supply interface of semiconductor integrated circuit - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数電源を有する半導体集積回路の多電源インターフェース装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
システムLSIなどの半導体集積回路では、半導体プロセスの微細化にともなうシュリンク則により、動作電源電圧が低電圧化される傾向にある。しかし、システムを構成するその他のデバイスは必ずしもシステムLSIと同じ電圧で動作するとは限らない。そのため、外部のデバイスとのインターフェースの関係から、システムLSIには外部I/O電源と内部電源の複数の電源を持つことが多くなっている(特許文献1等)。
【0003】
【特許文献1】
特開2001−144600号公報
【0004】
複数電源(内部電源と外部I/O電源)における電源立ち上げシーケンスには明確な規程が無く、一般的には低い側の電源(内部電源)から立ち上げ、高い側の電源(外部I/O電源)を次に立ち上げるケースが多い。
【0005】
図6は内部電源と外部I/O電源を有する半導体集積回路における従来のインターフェース構成を示す回路図である。ここで、内部電源が立ち上り、外部I/O電源がまだ立ち上がっていない過渡的な状況における動作について説明する。
【0006】
図6において、101は外部端子から入力バッファまでの信号線、102は外部I/O電源で動作するバッファ回路、103は外部I/O電源、104は内部電源で動作するバッファ回路、105は内部電源、106はバッファ回路102とバッファ回路104を接続するインターフェース信号線、107はバッファ回路104から内部回路への信号線、108は内部回路である。
【0007】
外部I/O電源103が立ち上がっていないフローティング状態では、バッファ回路102は動作せず、インターフェース信号線106はハイインピーダンス状態となる。そのため、内部回路への信号線107はHレベルまたはLレベルを確定することができず、内部回路は状態を確定することができない。
【0008】
その結果、CPUやDSPなどの内部に双方向バスを多用している内部回路では、内部回路の状態を初期化する(リセットを確定する)ことができないことになり、双方向バスなどで大電流の貫通電流が発生することがあった。特に、モバイル端末のように最大電流量制限のある端末ではリミットがかかり、システムが正常動作に移行できない状態になる可能性があった。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
上記説明したように、従来の方式では、内部電源が立ち上り外部I/O電源がまだ立ち上がっていない過渡的状態においては、内部回路の状態を初期化する(リセットを確定する)ことができないため、内部回路の双方向バスなどで貫通電流が発生していた。
【0010】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、複数電源(内部電源と外部I/O電源)を有する半導体装置において、一方の電源が立ち上り他方の電源がまだ立ち上がっていない過渡的状態においても、内部回路の状態を確定し貫通電流を抑制することができる多電源インターフェース装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するために、請求項1に係る半導体集積回路の多電源インターフェース装置は、複数電源を有する半導体集積回路の多電源インターフェース装置において、前記複数電源の間に立ち上げ時間差が存在する場合に、電源立ち上げ時に、電源電圧が低い電源から電源電圧が高い電源に電源を供給する回路を有するものである。
【0012】
上記構成によれば、電源立ち上げ時に、電源電圧が低い電源から電源電圧が高い電源に電源を供給することにより、まだ立ち上がっていない電源電圧が高い電源側のインターフェース回路の信号レベルを確定させることができ、インターフェース回路における貫通電流を防止することができる。
【0013】
請求項2に係る半導体集積回路の多電源インターフェース装置は、請求項1記載の半導体集積回路の多電源インターフェース装置において、前記電源立ち上げ時に、電源電圧が低い電源から電源電圧が高い電源に供給される電源により電源電圧が高い電源側のインターフェース回路を動作させ、特定の外部信号を前記半導体集積回路の内部に伝達することで半導体集積回路の状態を確定させるものである。
【0014】
上記構成によれば、まだ立ち上がっていない電源電圧が高い電源側のインターフェース回路を動作させることより、特定の外部信号がインターフェース回路を介して半導体集積回路の内部に伝えられ、内部回路の状態を特定の外部信号に応じて初期化することができ、内部回路の双方向バスにおける貫通電流を防止することができる。
【0015】
本発明の請求項3に係る半導体集積回路の多電源インターフェース装置は、請求項1または2記載の半導体集積回路の多電源インターフェース装置において、前記電源電圧が低い電源は半導体集積回路の内部電源であり、前記電源電圧が高い電源は半導体集積回路の外部I/O電源とするものである。
【0016】
上記構成によれば、通常動作状態で外部I/O電源に内部電源より高電圧が印加されているシステムにおいて、まだ立ち上がっていない外部I/O電源側のインターフェース回路の信号レベルを確定させることができ、また、特定の外部信号がインターフェース回路を介して半導体集積回路の内部に伝えられることで内部回路の状態を特定の外部信号に応じて初期化することができ、内部回路の双方向バスにおける貫通電流を防止することができる。
【0017】
本発明の請求項4に係る半導体集積回路の多電源インターフェース装置は、請求項1または2記載の半導体集積回路の多電源インターフェース装置において、前記電源電圧が低い電源は半導体集積回路の外部I/O電源であり、前記電源電圧が高い電源は半導体集積回路の内部電源とするものである。
【0018】
上記構成によれば、通常動作状態で内部電源に外部I/O電源より高電圧が印加されているシステムにおいて、まだ立ち上がっていない内部電源側のインターフェース回路の信号レベルを確定させることができ、また、特定の外部信号がインターフェース回路を介して半導体集積回路の内部に伝えられることで、内部回路の双方向バスにおける貫通電流を防止することができる。
【0019】
本発明の請求項5に係る半導体集積回路の多電源インターフェース装置は、請求項1から4のいずれか一項記載の半導体集積回路の多電源インターフェース装置において、前記特定の外部信号はリセット信号とするものである。
【0020】
上記構成によれば、複数の電源間に立ち上げ時間差が存在する場合にも、リセット信号がインターフェース回路を介して半導体集積回路の内部に伝えられることで、内部回路の双方向バスにおける貫通電流を防止することができ、また内部電源の電圧の方が低い場合には内部回路の状態をリセットすることができる。
【0021】
本発明の請求項6に係る半導体集積回路の多電源インターフェース装置は、内部電源と外部I/O電源とを有する半導体集積回路において、内部電源が立ち上り外部I/O電源が立ち上がっていない過渡状態時に、特定の外部信号を前記半導体集積回路の内部に伝達する、電源に接続されない回路を有するものである。
【0022】
上記構成によれば、外部I/O電源の立ち上げ状況に影響されずに、特定の外部信号を半導体集積回路の内部に伝えることができるため、内部回路の状態を特定の外部信号に応じて初期化することができ、内部回路の双方向バスにおける貫通電流を防止することができる。
【0023】
本発明の請求項7に係る半導体集積回路の多電源インターフェース装置は、内部電源と外部I/O電源とを有する半導体集積回路において、内部電源が立ち上り外部I/O電源が立ち上がっていない過渡状態時に、特定の外部信号を前記半導体集積回路の内部に伝える回路の出力信号の論理レベルを確定させる、電源に接続されない回路を有するものである。
【0024】
上記構成によれば、外部I/O電源の立ち上げ状況に影響されずに、特定の外部信号を受ける回路の論理を確定させて半導体集積回路の内部に伝えることができるため、内部回路の状態を特定の外部信号に応じて初期化することができ、内部回路の双方向バスにおける貫通電流を防止することができる。
【0025】
本発明の請求項8に係る半導体集積回路の多電源インターフェース装置は、請求項6または7記載の半導体集積回路の多電源インターフェース装置において、前記特定の外部信号はリセット信号とするものである。
【0026】
上記構成によれば、外部I/O電源の立ち上げ状況に影響されずに、リセット信号がインターフェース回路を介して半導体集積回路の内部に伝えられることで、内部回路の双方向バスにおける貫通電流を防止することができ、また内部電源の電圧の方が低い場合には内部回路の状態をリセットすることができる。
【0027】
本発明の請求項9に係る半導体集積回路の多電源インターフェース装置は、リセット信号を前記特定の外部信号とする請求項7記載の半導体集積回路の多電源インターフェース装置を複数設け、前記複数の半導体集積回路の多電源インターフェース装置により論理レベルが確定された前記複数のリセット信号を入力し内部回路へのリセット信号を出力する論理積回路を備えるものである。
【0028】
上記構成によれば、論理レベルが確定された複数のリセット信号を入力する論理積回路により、複数のリセット信号のうち少なくとも1つでも検出されると、半導体集積回路の内部回路の状態を初期化することができるため、内部回路の双方向バスでの貫通電流を防止することができる。
【0029】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
(実施の形態1)
図1は、内部電源と外部I/O電源を有する半導体集積回路における、本発明の実施の形態1に係る多電源インターフェース装置を用いたインターフェース構成を示す回路図である。
【0030】
図1において、10は内部電源から外部I/O電源に電源を供給する多電源インターフェース装置となるトランジスタによる回路、11は外部端子から入力バッファまでの信号線、12は外部I/O電源で動作するバッファ回路、13は外部I/O電源、14は内部電源で動作するバッファ回路、15は内部電源、16はバッファ回路12とバッファ回路14を接続するインターフェース信号線、17は内部回路への信号線、18は内部回路、19は内部電源から外部I/O電源に電源を供給する電源ラインである。
【0031】
上記構成の回路において、通常動作状態で外部I/O電源に内部電源より高電圧が印加されているシステムを想定する。例えば、外部I/O電源が3.0V、内部電源が1.8Vとする。
【0032】
ここで、内部電源15が先に1.8Vまで立ち上り、外部I/O電源13がまだ立ち上がっていない過渡的状態においては、外部I/O電源13で動作するバッファ回路12は動作することができない。
【0033】
しかし、内部電源15から外部I/O電源13に電源を供給する回路10により、電源ライン19を通して、内部電源15の電源電圧から回路10の閾値レベルを差し引いた電圧(約1.2V)がバッファ回路12に供給される。
【0034】
これにより、外部端子11(例えばリセット信号)の信号レベルがバッファ回路12を介してインターフェース信号線16に伝えられ、内部回路18の状態を初期化する(リセットを確定する)ことができ、内部回路の双方向バスにおける貫通電流を防止することができる。
【0035】
なお、その後、外部I/O電源13が3.0Vまで立ち上がったときは、回路10はカットオフされ、内部電源15から外部I/O電源13への電源供給機能は働かなくなる。
【0036】
(実施の形態2)
図2は、内部電源と外部I/O電源を有する半導体集積回路における、本発明の実施の形態2に係る多電源インターフェース装置を用いたインターフェース構成を示す回路図である。
【0037】
図2において、20は外部I/O電源から内部電源に電源を供給する多電源インターフェース装置となるトランジスタによる回路、21は外部端子から入力バッファまでの信号線、22は外部I/O電源で動作するバッファ回路、23は外部I/O電源、24は内部電源で動作するバッファ回路、26はバッファ回路22とバッファ回路24を接続するインターフェース信号線、27は内部回路への信号線、28は内部回路、29は外部I/O電源から内部電源に電源を供給する電源ラインである。
【0038】
さらに、2aはレベルシフタ、2bは出力端子の出力回路を制御する端子制御回路、25はバッファ回路24とレベルシフタ2aと端子制御回路2bとに専用の内部電源、2cは端子制御回路2bへの入力信号線、2dは出力端子の出力回路、2eは出力端子信号線、2fは内部回路28専用の内部電源、2gは出力回路2dの制御信号である。
【0039】
上記構成の回路において、通常動作状態で内部電源に外部I/O電源より高電圧が印加されているシステムを想定する。例えば、外部I/O電源が3.0V、内部電源が5.0Vとする。
【0040】
ここで、外部I/O電源23が先に3.0Vまで立ち上り、内部電源25がまだ立ち上がっていない過渡的状態においては、内部電源25で動作するバッファ回路24は動作することはできず、出力回路2dの制御信号2gがハイインピーダンス状態となって出力回路を制御できず、外部デバイスとの間で衝突電流や貫通電流が発生することが懸念される。
【0041】
しかし、外部I/O電源23から内部電源25に電源を供給する回路20により、電源ライン29を通して、外部I/O電源23の電源電圧から回路20の閾値レベルを差し引いた電圧(約2.4V)がレベルシフタ2aとバッファ回路24と端子制御回路2bに供給される。また、内部電源2fはまだ立ち上がっていないためフローティング状態であり、内部回路28には電圧が供給されないので内部回路での貫通電流は発生しない。
【0042】
これにより、外部端子21(例えばリセット信号)の信号レベルがレベルシフタ2aとバッファ回路24を介して内部回路への信号線27に伝えられ、端子制御回路2bを初期化することができ、外部デバイスとの間で衝突電流や貫通電流が発生しないように出力回路2dを制御することができる。
【0043】
また、内部電源25と内部電源2fを同一にしていたとしても、内部回路への信号線27により内部回路28の状態を初期化する(リセットを確定する)ことができるため、内部回路の双方向バスでの貫通電流を防止することができる。
【0044】
なお、その後、内部電源25が5.0Vまで立ち上がったときは、回路20はカットオフされ、外部I/O電源23から内部電源25への電源供給機能は働かなくなる。
【0045】
(実施の形態3)
図3は、内部電源と外部I/O電源を有する半導体集積回路における、本発明の実施の形態3に係る多電源インターフェース装置を用いたインターフェース構成を示す回路図である。
【0046】
図3において、30は外部端子の信号を内部回路に伝える多電源インターフェース装置を構成するトランジスタによる回路、31は外部端子から入力バッファまでの信号線、32は外部I/O電源で動作するバッファ回路、33は外部I/O電源、34は内部電源で動作するバッファ回路、35は内部電源、36はバッファ回路32とバッファ回路34を接続するインターフェース信号線、37は内部回路への信号線、38は内部回路、39は内部回路を保護する回路である。
【0047】
上記構成の回路において、通常動作状態で外部I/O電源に内部電源より高電圧が印加されているシステムを想定する。例えば、外部I/O電源が3.0V、内部電源が1.8Vとする。
【0048】
ここで、内部電源35が先に1.8Vまで立ち上り、外部I/O電源33がまだ立ち上がっていない過渡的状態においては、外部I/O電源33で動作するバッファ回路32は動作することはできない。
【0049】
しかし、外部端子31の信号(例えばリセット信号)を内部回路に伝える回路30により、リセット信号のLレベルを回路30を介してバッファ回路34に伝えることができため、内部回路38の状態を初期化する(リセットを確定する)ことで、内部回路の双方向バスでの貫通電流を防止することができる。
【0050】
なお、その後、外部I/O電源33が3.0Vまで立ち上り、通常動作状態(リセット信号がHレベル)に移行したときは、回路30はカットオフされ、インターフェース信号線36に対して影響することはなくなる。
【0051】
(実施の形態4)
図4は、内部電源と外部I/O電源を有する半導体集積回路における、本発明の実施の形態4に係る多電源インターフェース装置を用いたインターフェース構成を示す回路図である。
【0052】
図4において、40は外部端子の信号のLレベルをホールドする多電源インターフェース装置を構成するトランジスタによる回路、41は外部端子から入力バッファまでの信号線、42は外部I/O電源で動作するバッファ回路、43は外部I/O電源、44は内部電源で動作するバッファ回路、45は内部電源、46はバッファ回路42とバッファ回路44を接続するインターフェース信号線、47は内部回路への信号線、48は内部回路、49はLレベルを認識する回路である。
【0053】
上記構成の回路において、通常動作状態で外部I/O電源に内部電源より高電圧が印加されているシステムを想定する。例えば、外部I/O電源が3.0V、内部電源が1.8Vとする。
【0054】
ここで、内部電源45が先に1.8Vまで立ち上り、外部I/O電源43がまだ立ち上がっていない過渡的状態においては、外部I/O電源43で動作するバッファ回路42は動作することはできない。そのため、インターフェース信号線46はハイインピーダンス状態となる。
【0055】
しかし、ここにおいて、インターフェース信号線46のハイインピーダンス状態からLレベルを認識する回路49がLレベルと認識すれば、Lレベルをホールドする回路40により、インターフェース信号線46をLレベルに確定することができる。
【0056】
この信号にリセット信号を用いることにより、内部回路48の状態を初期化する(リセットを確定する)ことができ、内部回路の双方向バスでの貫通電流を防止することができる。
【0057】
なお、その後、外部I/O電源43が3.0Vまで立ち上り、通常動作状態(リセット信号がHレベル)に移行したときは、回路40はカットオフされ、インターフェース信号線46に対して影響することはなくなる。
【0058】
また、Lレベルを認識する回路49の閾値レベルを高めに調整しておくことにより、インターフェース信号線46のハイインピーダンス状態からLレベルを認識する感度を高めることができ、過渡状態において効率的に内部回路48の状態を初期化する(リセットを確定する)ことができる。
【0059】
(実施の形態5)
図5は、内部電源と外部I/O電源を有する半導体集積回路における、本発明の実施の形態5に係る多電源インターフェース装置を用いたインターフェース構成を示す回路図である。
【0060】
図5において、51は外部端子1から入力バッファまでの信号線、52は実施の形態4の多電源インターフェース装置を用いたインターフェース回路1、53はインターフェース回路52の出力信号、54は外部端子2から入力バッファまでの信号線、55は実施の形態4の多電源インターフェース装置を用いたインターフェース回路2、56はインターフェース回路55の出力信号、57は内部回路への信号線、58は内部回路、59は論理積回路である。
【0061】
実施の形態4の多電源インターフェース装置を用いたインターフェース回路を少なくとも2本以上の端子(例えば、リセット端子1とリセット端子2)に対して設け、それらのインターフェース回路の出力信号を論理積回路59に入力することにより、外部端子のうち少なくとも1端子でもLレベルであれば、これが検出されて信号線57がLレベルになり、内部回路58の状態を初期化する(リセットを確定する)ことができるため、内部回路の双方向バスでの貫通電流を防止することができる。
【0062】
また、この複数の端子(リセット端子)は、半導体装置のレイアウトにおいて、それぞれの端子を異なる場所に配置することで、より効率的に58の内部回路の状態を初期化する(リセットを確定する)ことができる。
【0063】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、電源立ち上げ時に、電源電圧が低い電源から電源電圧が高い電源に電源を供給することにより、まだ立ち上がっていない電源電圧が高い電源側のインターフェース回路の信号レベルを確定させることができ、インターフェース回路における貫通電流を防止することができる。
【0064】
さらに本発明によれば、外部I/O電源の立ち上げ状況に影響されずに、リセット信号等の特定の外部信号を半導体集積回路の内部に伝えることができるため、内部回路の状態を特定の外部信号に応じて初期化することができ、内部回路の双方向バスにおける貫通電流を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1に係る多電源インターフェース装置を用いたインターフェース構成を示す回路図。
【図2】本発明の実施の形態2に係る多電源インターフェース装置を用いたインターフェース構成を示す回路図。
【図3】本発明の実施の形態3に係る多電源インターフェース装置を用いたインターフェース構成を示す回路図。
【図4】本発明の実施の形態4に係る多電源インターフェース装置を用いたインターフェース構成を示す回路図。
【図5】本発明の実施の形態5に係る多電源インターフェース装置を用いたインターフェース構成を示す回路図。
【図6】複数電源を有する半導体集積回路における従来のインターフェース構成を示す回路図。
【符号の説明】
10 内部電源から外部I/O電源に電源を供給する回路
11、21、31、41、101 外部端子から入力バッファまでの信号線
12、22、32、42、102 外部I/O電源で動作するバッファ回路
13、23、33、43、103 外部I/O電源
14、24、34、44、104 内部電源で動作するバッファ回路
15、35、45、105 内部電源
16、26、36、46、106 インターフェース信号線
17、27、37、47、107 内部回路への信号線
18、28、38、48、108 内部回路
19、29 電源ライン
20 外部I/O電源から内部電源に電源を供給する回路
25 バッファ回路とレベルシフタと端子制御回路とに専用の内部電源
2a レベルシフタ
2b 出力端子の出力回路を制御する端子制御回路
2c 端子制御回路への入力信号線
2d 出力端子の出力回路
2e 出力端子信号線
2f 内部回路専用の内部電源
2g 出力回路の制御信号
30 外部端子の信号を内部回路に伝える回路
39 内部回路を保護する回路
40 外部端子の信号のLレベルをホールドする回路
49 Lレベルを認識する回路
51 外部端子1から入力バッファまでの信号線
52 実施の形態4を用いた多電源インターフェース回路1
53 多電源インターフェース回路1の出力信号
54 外部端子2から入力バッファまでの信号線
55 実施の形態4を用いた多電源インターフェース回路2
56 多電源インターフェース回路2の出力信号
57 内部回路への信号線
58 内部回路
59 論理積回路[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a multi-power supply interface device for a semiconductor integrated circuit having a plurality of power supplies.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art In semiconductor integrated circuits such as system LSIs, the operating power supply voltage tends to be reduced due to the shrinkage rule accompanying the miniaturization of semiconductor processes. However, other devices constituting the system do not always operate at the same voltage as the system LSI. For this reason, system LSIs often have a plurality of power supplies, an external I / O power supply and an internal power supply, due to the interface relationship with external devices (Patent Document 1 and the like).
[0003]
[Patent Document 1]
JP 2001-144600 A
There is no clear rule in the power-up sequence for a plurality of power supplies (internal power supply and external I / O power supply), and in general, the power supply is started from a lower power supply (internal power supply) and is supplied from a higher power supply (external I / O power supply). Power supply) is started next.
[0005]
FIG. 6 is a circuit diagram showing a conventional interface configuration in a semiconductor integrated circuit having an internal power supply and an external I / O power supply. Here, an operation in a transitional state in which the internal power supply has risen and the external I / O power supply has not yet risen will be described.
[0006]
6, 101 is a signal line from an external terminal to an input buffer, 102 is a buffer circuit operated by an external I / O power supply, 103 is an external I / O power supply, 104 is a buffer circuit operated by an internal power supply, and 105 is an internal circuit. A power supply, 106 is an interface signal line connecting the
[0007]
In a floating state where the external I /
[0008]
As a result, in an internal circuit such as a CPU or DSP in which a bidirectional bus is frequently used, the state of the internal circuit cannot be initialized (reset is determined), and a large In some cases. In particular, a terminal having a maximum current amount limit, such as a mobile terminal, is limited, and the system may not be able to shift to a normal operation.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, in the conventional method, in a transient state in which the internal power supply has risen and the external I / O power supply has not yet risen, it is not possible to initialize the state of the internal circuit (determine the reset). Through current was generated in the bidirectional bus of the internal circuit.
[0010]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and in a semiconductor device having a plurality of power supplies (an internal power supply and an external I / O power supply), even in a transient state in which one power supply rises and the other power supply has not yet risen, It is an object of the present invention to provide a multiple power supply interface device that can determine the state of an internal circuit and suppress a through current.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve this problem, a multi-power supply interface device for a semiconductor integrated circuit according to claim 1 is a multi-power supply interface device for a semiconductor integrated circuit having a plurality of power supplies, wherein a rise time difference exists between the plurality of power supplies. And a circuit for supplying power from a power supply having a low power supply voltage to a power supply having a high power supply voltage when the power supply is turned on.
[0012]
According to the above configuration, at the time of power-on, by supplying power from a power supply with a low power supply voltage to a power supply with a high power supply voltage, the signal level of the interface circuit on the power supply side with a high power supply voltage that has not yet risen can be determined. Therefore, a through current in the interface circuit can be prevented.
[0013]
A multi-power supply interface device for a semiconductor integrated circuit according to claim 2 is the multi-power supply interface device for a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the power supply is supplied from a power supply having a low power supply voltage to a power supply having a high power supply voltage when the power supply is started. The power supply operates a power supply-side interface circuit having a high power supply voltage, and transmits a specific external signal to the inside of the semiconductor integrated circuit to determine the state of the semiconductor integrated circuit.
[0014]
According to the above configuration, a specific external signal is transmitted to the inside of the semiconductor integrated circuit through the interface circuit and the state of the internal circuit is specified by operating the interface circuit on the power supply side where the power supply voltage that has not yet risen is high. Can be initialized according to the external signal of the internal circuit, and a through current in the bidirectional bus of the internal circuit can be prevented.
[0015]
A multi-power supply interface device for a semiconductor integrated circuit according to claim 3 of the present invention is the multi-power supply interface device for a semiconductor integrated circuit according to claim 1 or 2, wherein the power supply having a low power supply voltage is an internal power supply of the semiconductor integrated circuit. The power supply having a high power supply voltage is an external I / O power supply for a semiconductor integrated circuit.
[0016]
According to the above configuration, in a system in which a higher voltage is applied to the external I / O power supply than the internal power supply in the normal operation state, it is possible to determine the signal level of the interface circuit on the external I / O power supply side that has not yet started up. Also, by transmitting a specific external signal to the inside of the semiconductor integrated circuit via the interface circuit, the state of the internal circuit can be initialized according to the specific external signal. Through current can be prevented.
[0017]
A multi-power supply interface device for a semiconductor integrated circuit according to claim 4 of the present invention is the multi-power supply interface device for a semiconductor integrated circuit according to claim 1 or 2, wherein the power supply having a low power supply voltage is an external I / O of the semiconductor integrated circuit. And a power supply having a high power supply voltage is used as an internal power supply of the semiconductor integrated circuit.
[0018]
According to the above configuration, in a system in which a higher voltage is applied to the internal power supply than the external I / O power supply in the normal operation state, the signal level of the interface circuit on the internal power supply side that has not yet started up can be determined. By transmitting a specific external signal to the inside of the semiconductor integrated circuit via the interface circuit, it is possible to prevent a through current in the bidirectional bus of the internal circuit.
[0019]
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a multi-power supply interface device for a semiconductor integrated circuit according to any one of the first to fourth aspects, wherein the specific external signal is a reset signal. Things.
[0020]
According to the above configuration, even when there is a rise time difference between the plurality of power supplies, the reset signal is transmitted to the inside of the semiconductor integrated circuit via the interface circuit, thereby reducing the through current in the bidirectional bus of the internal circuit. In addition, when the voltage of the internal power supply is lower, the state of the internal circuit can be reset.
[0021]
A multi-power supply interface device for a semiconductor integrated circuit according to claim 6 of the present invention is a semiconductor integrated circuit having an internal power supply and an external I / O power supply in a transient state in which the internal power supply rises and the external I / O power supply does not rise. And a circuit that transmits a specific external signal to the inside of the semiconductor integrated circuit and is not connected to a power supply.
[0022]
According to the above configuration, since a specific external signal can be transmitted to the inside of the semiconductor integrated circuit without being affected by the rise state of the external I / O power supply, the state of the internal circuit can be changed according to the specific external signal. The initialization can be performed, and the through current in the bidirectional bus of the internal circuit can be prevented.
[0023]
A multi-power supply interface device for a semiconductor integrated circuit according to claim 7 of the present invention is a semiconductor integrated circuit having an internal power supply and an external I / O power supply in a transient state in which the internal power supply rises and the external I / O power supply does not rise. And a circuit that is not connected to a power supply and that determines a logic level of an output signal of a circuit that transmits a specific external signal to the inside of the semiconductor integrated circuit.
[0024]
According to the above configuration, the logic of the circuit that receives a specific external signal can be determined and transmitted to the inside of the semiconductor integrated circuit without being affected by the rise state of the external I / O power supply. Can be initialized according to a specific external signal, and a through current in the bidirectional bus of the internal circuit can be prevented.
[0025]
According to an eighth aspect of the present invention, in the multiple power supply interface device for a semiconductor integrated circuit according to the sixth or seventh aspect, the specific external signal is a reset signal.
[0026]
According to the above configuration, the reset signal is transmitted to the inside of the semiconductor integrated circuit via the interface circuit without being affected by the rise state of the external I / O power supply. In addition, when the voltage of the internal power supply is lower, the state of the internal circuit can be reset.
[0027]
A multi-power interface device for a semiconductor integrated circuit according to claim 9 of the present invention, wherein a plurality of multi-power interface devices for a semiconductor integrated circuit according to claim 7 are provided with a reset signal as the specific external signal. And a logical product circuit for receiving the plurality of reset signals whose logical levels are determined by the multi-power supply interface device of the circuit and outputting a reset signal to an internal circuit.
[0028]
According to the above configuration, the state of the internal circuit of the semiconductor integrated circuit is initialized when at least one of the plurality of reset signals is detected by the AND circuit that inputs the plurality of reset signals whose logical levels are determined. Therefore, it is possible to prevent a through current in the bidirectional bus of the internal circuit.
[0029]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a circuit diagram showing an interface configuration in a semiconductor integrated circuit having an internal power supply and an external I / O power supply, using the multiple power supply interface device according to the first embodiment of the present invention.
[0030]
In FIG. 1,
[0031]
In the circuit having the above configuration, a system in which a higher voltage is applied to the external I / O power supply than the internal power supply in a normal operation state is assumed. For example, assume that the external I / O power supply is 3.0 V and the internal power supply is 1.8 V.
[0032]
Here, in a transient state in which the
[0033]
However, the voltage (about 1.2 V) obtained by subtracting the threshold level of the
[0034]
As a result, the signal level of the external terminal 11 (for example, a reset signal) is transmitted to the
[0035]
After that, when the external I /
[0036]
(Embodiment 2)
FIG. 2 is a circuit diagram showing an interface configuration in a semiconductor integrated circuit having an internal power supply and an external I / O power supply using a multiple power supply interface device according to a second embodiment of the present invention.
[0037]
In FIG. 2,
[0038]
Further, 2a is a level shifter, 2b is a terminal control circuit for controlling an output circuit of an output terminal, 25 is an internal power supply dedicated to the
[0039]
In the circuit having the above configuration, a system in which a higher voltage is applied to the internal power supply than the external I / O power supply in a normal operation state is assumed. For example, assume that the external I / O power supply is 3.0 V and the internal power supply is 5.0 V.
[0040]
Here, in a transient state in which the external I /
[0041]
However, a voltage (about 2.4 V) obtained by subtracting the threshold level of the
[0042]
As a result, the signal level of the external terminal 21 (for example, a reset signal) is transmitted to the signal line 27 to the internal circuit via the level shifter 2a and the
[0043]
Further, even if the
[0044]
After that, when the
[0045]
(Embodiment 3)
FIG. 3 is a circuit diagram showing an interface configuration in a semiconductor integrated circuit having an internal power supply and an external I / O power supply, using a multiple power supply interface device according to a third embodiment of the present invention.
[0046]
In FIG. 3,
[0047]
In the circuit having the above configuration, a system in which a higher voltage is applied to the external I / O power supply than the internal power supply in a normal operation state is assumed. For example, assume that the external I / O power supply is 3.0 V and the internal power supply is 1.8 V.
[0048]
Here, in a transient state in which the
[0049]
However, the
[0050]
After that, when the external I /
[0051]
(Embodiment 4)
FIG. 4 is a circuit diagram showing an interface configuration in a semiconductor integrated circuit having an internal power supply and an external I / O power supply using a multiple power supply interface device according to a fourth embodiment of the present invention.
[0052]
In FIG. 4, reference numeral 40 denotes a circuit including transistors constituting a multi-power supply interface device that holds an L level of a signal from an external terminal; 41, a signal line from the external terminal to an input buffer; 42, a buffer operated by an external I / O power supply Circuit, 43 an external I / O power supply, 44 a buffer circuit operated by an internal power supply, 45 an internal power supply, 46 an interface signal line connecting the
[0053]
In the circuit having the above configuration, a system in which a higher voltage is applied to the external I / O power supply than the internal power supply in a normal operation state is assumed. For example, assume that the external I / O power supply is 3.0 V and the internal power supply is 1.8 V.
[0054]
Here, in a transient state in which the
[0055]
However, here, if the circuit 49 that recognizes the L level from the high impedance state of the
[0056]
By using a reset signal as this signal, the state of the internal circuit 48 can be initialized (reset is determined), and a through current in the bidirectional bus of the internal circuit can be prevented.
[0057]
After that, when the external I / O power supply 43 rises to 3.0 V and shifts to the normal operation state (the reset signal is at the H level), the circuit 40 is cut off and affects the
[0058]
In addition, by adjusting the threshold level of the circuit 49 for recognizing the L level to be higher, the sensitivity for recognizing the L level from the high impedance state of the
[0059]
(Embodiment 5)
FIG. 5 is a circuit diagram showing an interface configuration in a semiconductor integrated circuit having an internal power supply and an external I / O power supply using a multiple power supply interface device according to a fifth embodiment of the present invention.
[0060]
In FIG. 5, reference numeral 51 denotes a signal line from the external terminal 1 to the input buffer; 52, an interface circuit 1 using the multiple power supply interface device of the fourth embodiment; 53, an output signal of the
[0061]
An interface circuit using the multiple power supply interface device according to the fourth embodiment is provided for at least two or more terminals (for example, a reset terminal 1 and a reset terminal 2), and an output signal of the interface circuit is sent to an AND
[0062]
The plurality of terminals (reset terminals) are arranged at different locations in the layout of the semiconductor device, thereby more efficiently initializing the state of the 58 internal circuit (determining the reset). be able to.
[0063]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, when power is turned on, by supplying power from a power supply having a low power supply voltage to a power supply having a high power supply voltage, an interface circuit of a power supply having a high power supply voltage which has not yet started up is provided. The signal level can be determined, and a through current in the interface circuit can be prevented.
[0064]
Further, according to the present invention, a specific external signal such as a reset signal can be transmitted to the inside of the semiconductor integrated circuit without being affected by the rise state of the external I / O power supply. Initialization can be performed according to an external signal, and a through current in a bidirectional bus of an internal circuit can be prevented.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit diagram showing an interface configuration using a multiple power supply interface device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a circuit diagram showing an interface configuration using a multiple power supply interface device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a circuit diagram showing an interface configuration using a multiple power supply interface device according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a circuit diagram showing an interface configuration using a multiple power supply interface device according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a circuit diagram showing an interface configuration using a multiple power supply interface device according to a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a circuit diagram showing a conventional interface configuration in a semiconductor integrated circuit having a plurality of power supplies.
[Explanation of symbols]
10 Circuits 11, 21, 31, 41, 101 for supplying power from an internal power supply to an external I / O power supply Signal lines 12, 22, 32, 42, 102 from an external terminal to an input buffer Operate with an external I / O power supply Buffer circuits 13, 23, 33, 43, 103 External I / O power supplies 14, 24, 34, 44, 104 Buffer circuits 15, 35, 45, 105 operated by internal power supplies Internal power supplies 16, 26, 36, 46, 106 Interface signal lines 17, 27, 37, 47, 107 Signal lines to internal circuits 18, 28, 38, 48, 108 Internal circuits 19, 29 Power supply line 20 Circuit 25 for supplying power from external I / O power supply to internal power supply Internal power supply 2a dedicated to buffer circuit, level shifter, and terminal control circuit Level shifter 2b Terminal control circuit 2c for controlling the output circuit of the output terminal Input signal line 2d to control circuit Output circuit 2e of output terminal Output terminal signal line 2f Internal power supply 2g dedicated to internal circuit Control signal 30 of output circuit Circuit 39 for transmitting external terminal signal to internal circuit 39 Circuit 40 for protecting internal circuit Circuit 49 for holding L level of signal from external terminal 49 Circuit for recognizing L level 51 Signal line 52 from external terminal 1 to input buffer Multiple power supply interface circuit 1 using the fourth embodiment
53 output signal of multiple power supply interface circuit 54
56 output signal 57 of multi-power supply interface circuit 2
Claims (9)
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006121345A (en) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Rohm Co Ltd | Ic, interface system between ics, module, mobile electronic equipment, and electronic equipment |
EP1684430A1 (en) * | 2005-01-24 | 2006-07-26 | Fujitsu Limited | Buffer circuit and integrated circuit |
JP2008311996A (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Denso Corp | Signal output device, and communication driver device |
WO2009125595A1 (en) * | 2008-04-10 | 2009-10-15 | パナソニック株式会社 | Semiconductor integrated circuit device |
US7639065B2 (en) | 2006-08-09 | 2009-12-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit including circuit blocks and voltage controller |
US7656210B2 (en) | 2005-04-14 | 2010-02-02 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor integrated circuit |
-
2002
- 2002-11-13 JP JP2002329728A patent/JP2004165993A/en active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006121345A (en) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Rohm Co Ltd | Ic, interface system between ics, module, mobile electronic equipment, and electronic equipment |
JP4573620B2 (en) * | 2004-10-20 | 2010-11-04 | ローム株式会社 | IC, inter-IC interface system, module, portable electronic device and electronic device |
EP1684430A1 (en) * | 2005-01-24 | 2006-07-26 | Fujitsu Limited | Buffer circuit and integrated circuit |
JP2006203801A (en) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Fujitsu Ltd | Buffer circuit and integrated circuit |
KR100730015B1 (en) * | 2005-01-24 | 2007-06-20 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | Buffer circuit and integrated circuit |
US7414442B2 (en) | 2005-01-24 | 2008-08-19 | Fujitsu Limited | Buffer circuit and integrated circuit |
US7656210B2 (en) | 2005-04-14 | 2010-02-02 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor integrated circuit |
US7639065B2 (en) | 2006-08-09 | 2009-12-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit including circuit blocks and voltage controller |
JP2008311996A (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Denso Corp | Signal output device, and communication driver device |
WO2009125595A1 (en) * | 2008-04-10 | 2009-10-15 | パナソニック株式会社 | Semiconductor integrated circuit device |
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