JP2004094785A - Memory module and auxiliary module for memory - Google Patents

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豊後 基彦
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a memory module capable of effectively utilizing a memory region of a memory which rejects access to all memory regions by only a preset number of address signals input from a computer body by permitting access through the computer body to the memory region to which access by only the address signals is rejected, and an auxiliary module for the memory. <P>SOLUTION: A circuit 30 for the memory is provided for inputting the preset number of address signals A0-A11 and a plurality of select signals CS0, CS1 from the computer body, generating a select signal CS for the memory and an additional address signal A12 added to the signals A0-A11 in accordance with the input signals CS0, CS1, and supplying the signal CS as well as the signal A12 and the signals A0-A11 to a 256 Mbit SDRAM (memory), thereby permitting access through the computer body to corresponding data. Thus, access can be gained through the computer body to the data corresponding to the generated additional address signal A12 and the preset number of input address signals A0-A11. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コンピュータ本体に接続可能なメモリモジュールおよびメモリ用補助モジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、コンピュータ本体のソケット(スロット)にメモリモジュールを接続することにより、コンピュータのメモリを増設することが行われている。メモリモジュールとしては、128M(メガ)ビットSDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)を8個実装した128MバイトのDIMM(Dual Inline Memory Module)や、128MビットSDRAMを16個実装した256MバイトのDIMM等が用いられている。通常、128MビットSDRAMのアドレス信号端子はA0〜A11の12個設けられており、行アドレス(Row Address)の信号線12本および列アドレス(Column Address)の信号線10本を接続可能となっている。そして、コンピュータ本体からA0〜A11のアドレス信号が入力されると、全SDRAMの128Mビット全領域について、対応するアドレスのデータを読み書きすることができる。
上記256MバイトのDIMMでは、SDRAMが二つのブロックのSDRAM群に分割されて2バンク(BANK)とされている。そして、A0〜A11のアドレス信号の他に、アクセスを行うSDRAM群の複数のバンクのそれぞれに対応した複数のチップセレクト信号を入力することにより、DIMMの256Mバイト全領域について、対応するバンクおよびアドレスのデータを読み書き可能となっている。このように、バンクのいずれかを選択する複数のチップセレクト信号を利用することにより、コンピュータ本体が扱うことの可能なメモリ容量を増加させることが可能となっている。
また、特許3022255号公報(特許文献1参照。)に開示された技術のように、コンピュータ本体から入力される最上位のアドレス信号の状態に応じてアクセスさせるメモリを切り替えるモジュールも知られている。
【0003】
【特許文献1】
特許3022255号公報(段落0014−0054、第1−8図)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の技術においては、次のような課題があった。
近年、256MビットSDRAMを8個実装した256MバイトのDIMMが用いられるようになってきた。しかし、同256MビットSDRAMの全メモリ領域にアクセスするためにはA0〜A12の行アドレスの信号をSDRAMに入力する必要があるため、旧機種のようにA0〜A11のアドレス信号しか出力しないコンピュータ本体ではSDRAMの256Mビットのうちの半分の128Mビットの領域しか扱うことができなかった。特許3022255号公報に開示されたモジュールを用いても、最上位のアドレス信号A11の状態に応じてアクセスするメモリが切り替わるだけであり、同様のことが言える。
【0005】
本発明は、上記課題にかんがみてなされたもので、コンピュータ本体から入力される所定数のアドレス信号だけでは全メモリ領域にアクセスできないメモリであっても、同アドレス信号だけではアクセスできないメモリ領域に対してコンピュータ本体からアクセスすることを可能として、メモリ領域を有効利用することが可能なメモリモジュールおよびメモリ用補助モジュールの提供を目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1にかかる発明は、所定数のアドレス信号および当該所定数のアドレス信号に対応した容量の複数のメモリ空間のそれぞれについて選択状態または非選択状態を表す複数のセレクト信号を生成するコンピュータ本体に接続可能な規格化されたメモリモジュールであって、選択状態または非選択状態を表すメモリ用セレクト信号および上記所定数のアドレス信号より多い複数のアドレス信号を入力して同メモリ用セレクト信号が選択状態であるときに同複数のアドレス信号に対応するデータのアクセスが可能なメモリと、上記コンピュータ本体から上記所定数のアドレス信号および複数のセレクト信号を入力し、入力したセレクト信号に基づいて、上記メモリ用セレクト信号を生成するとともに上記所定数のアドレス信号に追加された追加アドレス信号を生成し、生成したメモリ用セレクト信号並びに生成した追加アドレス信号および入力した所定数のアドレス信号を上記メモリに供給することにより対応するデータへのアクセスを上記コンピュータ本体から可能とするメモリ用回路とを具備する構成としてある。
【0007】
規格化された本メモリモジュールは、コンピュータ本体に接続されて、メモリへのアクセスをコンピュータ本体から可能とする。コンピュータ本体からメモリ用回路へは、所定数のアドレス信号と、当該所定数のアドレス信号に対応した容量の複数のメモリ空間のそれぞれについて選択状態または非選択状態を表す複数のセレクト信号とが入力される。一方、本メモリモジュールに設けられたメモリは、選択状態または非選択状態を表すメモリ用セレクト信号と、上記所定数のアドレス信号より多い複数のアドレス信号を入力して同メモリ用セレクト信号が選択状態であるときに同複数のアドレス信号に対応するデータのアクセスが可能である。
【0008】
ここで、メモリ用セレクト信号は、メモリ用回路にてセレクト信号に基づいて生成される。また、上記所定数のアドレス信号に追加された追加アドレス信号も、メモリ用回路にてセレクト信号に基づいて生成される。生成されたメモリ用セレクト信号はメモリに供給されるので、同メモリ用セレクト信号が選択状態であるときにメモリはアクセス可能となる。生成された追加アドレス信号は入力された所定数のアドレス信号とともにメモリに供給されるので、コンピュータ本体からは生成された追加アドレス信号および入力された所定数のアドレス信号に対応するデータへのアクセスが可能となる。
【0009】
すなわち、コンピュータ本体から入力される所定数のアドレス信号だけでは全メモリ領域にアクセスできないメモリであっても、セレクト信号に基づいて同所定数のアドレス信号以外のアドレス信号が生成されるので、同アドレス信号だけではアクセスできないメモリ領域に対してコンピュータ本体からアクセスすることが可能となる。例えば、コンピュータ本体が128Mビット以下のDRAMしか全メモリ領域にアクセスできないアドレス信号を出力する場合に、256Mビット以上のDRAMに対して128Mビットより大きいメモリ領域にアクセスすることが可能となる。むろん、様々なメモリ容量のメモリに対して本発明を適用可能である。
また、メモリ用セレクト信号を生成することにより、コンピュータ本体からアクセス可能なメモリ数を増やすことができるので、コンピュータ本体が扱うことができるメモリ容量を大きくとることが可能である。
【0010】
ここで、上記メモリは、一つのみ設けられていてもよいし、複数設けられていてもよい。メモリに対しては、データの書き込みおよび読み出しが可能である以外にも、データの書き込みのみが可能であってもよいし、データの読み出しのみが可能であってもよく、これらの場合であっても本発明にいうアクセス可能に該当する。従って、SDRAM、ROM、等、様々なメモリを採用することが可能である。
また、上記所定数のアドレス信号に追加アドレス信号を追加することによりメモリの全領域にアクセス可能となるとメモリ容量を有効に利用できて好適であるものの、追加アドレス信号は、同所定数のアドレス信号に追加されたアドレス信号であればよいため、メモリの全領域にアクセス可能とさせる必要はない。この場合でも、追加アドレス信号をメモリに供給することにより、所定数のアドレス信号に対応した容量のメモリ空間よりも多い容量のメモリ領域にアクセス可能とさせることができる。
【0011】
上記メモリ用セレクト信号を生成する構成は、様々考えられる。その一例として、請求項2にかかる発明は、上記メモリ用回路は、上記入力した複数のセレクト信号のいずれかが上記メモリ空間の選択状態であるときに上記メモリ用セレクト信号を上記メモリの選択状態とし、同入力した複数のセレクト信号の全てが上記メモリ空間の非選択状態であるときに上記メモリ用セレクト信号を上記メモリの非選択状態とする構成としてある。
すなわち、複数のセレクト信号にて複数のメモリ空間のいずれかが選択された状態でメモリ用セレクト信号はメモリを選択した状態となり、複数のセレクト信号にて複数のメモリ空間全てが選択されていない状態でメモリ用セレクト信号はメモリを選択しない状態となる。
【0012】
例えば、セレクト信号とメモリ用セレクト信号がローのときに選択状態であってハイのときに非選択状態である場合、複数のセレクト信号をANDゲートに入力して同ゲートからの出力をメモリ用セレクト信号とすることが可能である。また、セレクト信号とメモリ用セレクト信号がハイのときに選択状態であってローのときに非選択状態である場合、複数のセレクト信号をORゲートに入力して同ゲートからの出力をメモリ用セレクト信号とすることが可能である。なお、セレクト信号とメモリ用セレクト信号とで選択状態と非選択状態の信号の状態が異なる場合、NANDゲートやNORゲート等を使用してメモリ用セレクト信号を生成することが可能である。
【0013】
上記コンピュータ本体が上記所定数のアドレス信号に対応した容量の二つのメモリ空間のそれぞれについて選択状態または非選択状態を表す二種類のセレクト信号を生成する場合、請求項3にかかる発明のように、上記メモリ用回路は、上記二種類のセレクト信号のいずれかを上記コンピュータ本体から入力して上記追加アドレス信号として上記メモリに供給する構成としてもよい。すなわち、簡易な構成にて、二種類のセレクト信号のいずれかが追加アドレス信号とされ、メモリに供給される。
むろん、三種類以上のセレクト信号を生成する場合に、複数のセレクト信号から追加アドレス信号を生成することも可能である。
【0014】
コンピュータ本体には、省電力のために使用していないバンクのメモリをスリープさせる信号を出力するものもある。そこで、請求項4にかかる発明は、上記メモリは、パルス状のクロック信号および同クロック信号入力の有効状態または無効状態を表すメモリ用クロックイネーブル信号を入力して同クロックイネーブル信号が有効状態であるときに同クロック信号に基づいて動作可能であり、上記コンピュータ本体は、上記クロック信号および上記複数のメモリ空間のそれぞれについて上記クロック信号入力の有効状態または無効状態を表す複数のクロックイネーブル信号を生成し、上記メモリ用回路は、上記コンピュータ本体から上記クロック信号および上記複数のクロックイネーブル信号を入力し、入力した複数のクロックイネーブル信号に基づいて上記メモリ用クロックイネーブル信号を生成して入力したクロック信号とともに上記メモリに供給する構成としてある。
【0015】
すなわち、コンピュータ本体からメモリ用回路へは、パルス状のクロック信号と、複数のメモリ空間のそれぞれについてクロック信号入力の有効状態または無効状態を表す複数のクロックイネーブル信号とが入力される。一方、メモリは、クロック信号と、同クロック信号入力の有効状態または無効状態を表すメモリ用クロックイネーブル信号とを入力して、同クロックイネーブル信号が有効状態であるときに同クロック信号に基づいて動作可能である。
ここで、メモリ用クロックイネーブル信号は、メモリ用回路にて複数のクロックイネーブル信号に基づいて生成される。生成されたメモリ用クロックイネーブル信号は、クロック信号とともにメモリに供給されるので、同メモリ用クロックイネーブル信号が有効状態であるときにメモリは動作可能となる。
【0016】
上記メモリ用クロックイネーブル信号を生成する構成は、様々考えられる。その一例として、請求項5にかかる発明は、上記メモリ用回路は、上記入力した複数のクロックイネーブル信号のいずれかが上記メモリ空間のクロック信号入力の有効状態であるときに上記メモリ用クロックイネーブル信号を上記メモリのクロック信号入力の有効状態とし、同入力した複数のクロックイネーブル信号の全てが上記メモリ空間のクロック信号入力の無効状態であるときに上記メモリ用クロックイネーブル信号を上記メモリのクロック信号入力の無効状態とする構成としてある。
【0017】
すなわち、複数のクロックイネーブル信号にて複数のメモリ空間のいずれかのクロック信号入力が有効とされた状態でメモリ用クロックイネーブル信号はメモリのクロック信号入力を有効とした状態となり、複数のクロックイネーブル信号にて複数のメモリ空間全てのクロック信号入力が無効とされた状態でメモリ用クロックイネーブル信号はメモリのクロック信号入力を無効とした状態となる。なお、メモリ用クロックイネーブル信号は、上記メモリ用セレクト信号と同様、ORゲート、ANDゲート、NORゲート、NANDゲート等を使用して生成することが可能である。
【0018】
なお、請求項6にかかる発明のように、上記追加アドレス信号は、上記所定数のアドレス信号にて表されるアドレスよりも上位のアドレスを表すことが可能な信号とされている構成としてもよい。すなわち、上記所定数のアドレス信号よりも上位の追加アドレス信号が生成され、同所定数のアドレス信号とともにメモリに供給される。
ここで、追加アドレス信号は、上記複数のアドレス信号の最上位のアドレス信号であってもよい。
【0019】
ところで、メモリにメモリ用セレクト信号を供給しなくても、セレクト信号から追加アドレス信号を生成することにより、所定数のアドレス信号だけではアクセスできないメモリ領域に対してコンピュータ本体からアクセスすることが可能となるので、請求項7にかかる発明のように構成してもよい。
すなわち、コンピュータ本体からメモリ用回路へは、所定数のアドレス信号と、当該所定数のアドレス信号に対応した容量の複数のメモリ空間のそれぞれについて選択状態または非選択状態を表すセレクト信号とが入力される。一方、本メモリモジュールに設けられたメモリは、上記所定数のアドレス信号より多い複数のアドレス信号を入力して同複数のアドレス信号に対応するデータのアクセスが可能である。
【0020】
ここで、上記所定数のアドレス信号に追加された追加アドレス信号は、メモリ用回路にてセレクト信号に基づいて生成される。生成されたアドレス信号は入力された所定数のアドレス信号とともにメモリに供給されるので、コンピュータ本体からは生成されたアドレス信号および入力された所定数のアドレス信号に対応するデータへのアクセスが可能となる。
すなわち、コンピュータ本体から入力される所定数のアドレス信号だけでは全メモリ領域にアクセスできないメモリであっても、セレクト信号に基づいて同所定数のアドレス信号以外のアドレス信号が生成されるので、同アドレス信号だけではアクセスできないメモリ領域に対してコンピュータ本体からアクセスすることが可能となる。
【0021】
また、メモリが実装される前のメモリモジュールであっても、メモリを実装することにより、所定数のアドレス信号だけではアクセスできないメモリ領域に対してコンピュータ本体からアクセスすることが可能となる。そこで、請求項8にかかる発明は、所定数のアドレス信号および当該所定数のアドレス信号に対応した容量の複数のメモリ空間のそれぞれについて選択状態または非選択状態を表す複数のセレクト信号を生成するコンピュータ本体に接続され、選択状態または非選択状態を表すメモリ用セレクト信号および同所定数のアドレス信号より多い複数のアドレス信号を入力して同メモリ用セレクト信号が選択状態であるときに同複数のアドレス信号に対応するデータのアクセスが可能なメモリに対して同コンピュータ本体からのアクセスを可能とするにあたり、上記コンピュータ本体から上記所定数のアドレス信号および複数のセレクト信号を入力し、入力したセレクト信号に基づいて、上記メモリ用セレクト信号を生成するとともに上記所定数のアドレス信号に追加された追加アドレス信号を生成し、生成したメモリ用セレクト信号並びに生成した追加アドレス信号および入力した所定数のアドレス信号を上記メモリに供給することにより対応するデータへのアクセスを上記コンピュータ本体から可能とする構成としてある。
【0022】
また、請求項9にかかる発明は、所定数のアドレス信号および当該所定数のアドレス信号に対応した容量の複数のメモリ空間のそれぞれについて選択状態または非選択状態を表すセレクト信号を生成するコンピュータ本体に接続され、同所定数のアドレス信号より多い複数のアドレス信号を入力して対応するデータのアクセスが可能なメモリに対して同コンピュータ本体からのアクセスを可能とするにあたり、上記コンピュータ本体から上記所定数のアドレス信号およびセレクト信号を入力し、入力したセレクト信号に基づいて上記所定数のアドレス信号に追加された追加アドレス信号を生成し、当該追加アドレス信号および入力した所定数のアドレス信号を上記メモリに供給することにより対応するデータへのアクセスを上記コンピュータ本体から可能とする構成としてある。
すなわち、本発明は、メモリを備えていないメモリ用補助モジュールであっても有効である。また、請求項2〜請求項6に記載した構成をメモリ用補助モジュールに対応させることも可能である。
【0023】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項1、請求項7〜請求項9にかかる発明によれば、コンピュータ本体から入力される所定数のアドレス信号だけでは全メモリ領域にアクセスできないメモリであっても、同アドレス信号だけではアクセスできないメモリ領域に対してコンピュータ本体からアクセスすることを可能として、メモリ領域を有効利用することが可能となる。
請求項2にかかる発明によれば、適切にメモリ用セレクト信号を生成する一例を提供することができる。
請求項3にかかる発明によれば、簡易な構成で追加アドレス信号を生成することができる。
【0024】
請求項4にかかる発明によれば、コンピュータ本体から複数のメモリ空間に対して複数のクロックイネーブル信号が出力されているときに、適切にメモリに対してアクセス可能にさせることができる。
請求項5にかかる発明によれば、適切にメモリ用クロックイネーブル信号を生成する一例を提供することができる。
請求項6にかかる発明によれば、簡易な構成にて、追加アドレス信号を生成することができる。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、下記の順序に従って本発明の実施形態を説明する。
(1)メモリモジュールの構成:
(2)メモリモジュールの作用:
(3)変形例:
【0026】
(1)メモリモジュールの構成:
図1は、本発明の一実施形態にかかるメモリモジュール10の外観を示す正面図である。なお、上下左右の位置関係を説明するときには、同図を基準として説明する。
本メモリモジュール10は、規格化された形状のプリント基板10aに、8個の256MビットSDRAM20、複数のゲートIC31、図示しない抵抗回路、等が実装されている。また、基板10aの下側縁部には、正面側と背面側とに各84ピンとされた168ピン端子40が形成されている。同メモリモジュール10は、デスクトップ型パーソナルコンピュータ(PC)用の増設メモリカードであり、DIMM仕様とされた168ピン端子40をデスクトップ型PC(コンピュータ本体)のマザーボード90のコネクタ(スロット)91に挿入可能である。コネクタ91には、端子40の配置に対応して、168箇所の導通部を形成してある。同コネクタ91は、規格化された168ピンのDIMMを装着可能な形状とされている。メモリモジュール10を上方からコネクタ91に挿入すると、マザーボード90に対して略垂直に取り付けることができ、デスクトップ型PCに接続することができる。その結果、デスクトップ型PCのメモリを増設することができる。
【0027】
メモリモジュール10が接続されるデスクトップ型PCは、最新機種ではなく、256Mバイトのメモリ容量を扱う際に128Mバイトずつ2バンクとして扱うようになっている。従って、例えば128MビットSDRAMを16個実装した256MバイトのDIMMを増設するのに好適な構成となっている。
図2は、デスクトップ型PCのコネクタ91と、128MビットSDRAMを16個実装した従来の256MバイトのDIMMを用いたとして形成される仮想的なメモリ空間との配線上の対応関係の一部を示している。
図において、128Mビット仮想メモリR11〜R18,R21〜R28は8個ずつSDRAM群のブロックとされ、2バンクとされている。ここで、図の上側のSDRAM群をBANK1と呼び、下側のSDRAM群をBANK2と呼ぶことにする。コネクタ91には、CLK、RAS、CAS、A0〜A11、D0〜D63、CS0、CS1、CKE1、CKE2、等の各種信号線の接続部が形成されている。
【0028】
ここで、CLK信号はクロック信号を意味しており、PCが所定周波数のパルス状のクロック信号を生成してCLK信号線に供給する。
RAS(Row Address Strobe)信号はSDRAMに対して行アドレスを与えるタイミングを伝える信号を意味しており、CAS(Column Address Strobe)信号はSDRAMに対して列アドレスを与えるタイミングを伝える信号を意味している。A0〜A11信号は、メモリ空間内のアドレスを指定する所定数(12種類)のアドレス信号を意味している。8ビットのデータが入出力可能な128MビットSDRAMを実装したDIMMでは、行アドレスとして12種類、列アドレスとして10種類のアドレス信号がSDRAMに供給される。PCは、RAS、CAS、A0〜A11信号を生成し、CLK信号に合わせて信号線に供給する。
【0029】
D0〜D63信号は、64種類のデータ信号を意味している。64本のデータ信号線は8本ずつ8組に分けられ、SDRAM群中の各SDRAMに8本ずつ接続されている。
CS0、CS1信号は、アクセスするSDRAM群を選択するチップセレクト信号(セレクト信号)であり、各SDRAM群のそれぞれについて選択状態または非選択状態を表す信号である。同信号は、SDRAM群の選択状態がL(ロー)、非選択状態がH(ハイ)で表された負論理の信号である。CS0、CS1信号は、同時にLとなることはなく、SDRAMにアクセスする際にいずれか一つのみLとなるようになっている。
【0030】
CKE1、CKE2信号は、二つのSDRAM群のそれぞれについてCLK信号入力の有効状態または無効状態を表すクロックイネーブル信号であり、クロック信号入力の有効状態がH、無効状態がLの正論理の信号である。PCは、CS0、CS1、CKE1、CKE2信号を生成し、CLK信号に合わせて信号線に供給する。
これらの他、コネクタ91には、二種類の拡張アドレス信号BA0、BA1の信号線や、電源ライン、等の接続部も形成されている。
そして、CLK、RAS、CAS、A0〜A11、D0〜D63信号はBANK1,2の両方に供給され、CS0、CKE0信号はBANK1に供給され、CS1、CKE1信号はBANK2に供給されている。
【0031】
図3は、各SDRAM群内の仮想メモリに対応する従来の128MビットSDRAMの端子と同端子に接続される信号線の要部を示している。なお、SDRAM内に端子名を記載するとともにSDRAM外に信号線名を記載している。
同SDRAMは、セレクト信号と、A0〜A11信号を入力して、同セレクト信号がL(選択状態)であるときにA0〜A11信号に対応するデータのアクセスが可能なメモリである。また、クロックイネーブル信号をCKE端子に入力して同クロックイネーブル信号がH(有効状態)であるときにCLK信号に基づいて動作可能である。
【0032】
BANK1内の仮想メモリR11に対しては、CLK、RAS、CAS、A0〜A11、D0〜D7信号線が、それぞれ、クロック信号入力端子CLK、行アドレス信号入力端子RAS、列アドレス信号入力端子CAS、アドレス信号入力端子A0〜A11、データ信号入出力端子D0〜D7に接続され、対応する信号が同端子から入出力される仕様となっている。なお、同じBANK1内の別の仮想メモリR12〜R18に対するデータ信号入出力端子D0〜D7には、異なる8本ずつのデータ信号線が接続される仕様である。また、CS0、CKE0信号線が、それぞれ、チップセレクト信号入力端子CS、クロックイネーブル信号入力端子CKEに接続され、BANK1について選択状態または非選択状態を表すチップセレクト信号がCS端子に入力され、同BANK1についてクロック信号入力の有効状態または無効状態を表すクロックイネーブル信号がCKE端子に入力される仕様となっている。仮想メモリR12〜R18についても、同じCS0、CKE0信号線が接続される仕様である。
【0033】
一方、BANK2内の仮想メモリR21に対して、CLK、RAS、CAS、A0〜A11、D0〜D7端子については仮想メモリR11と同じ信号線が接続される仕様である。そして、CS1、CKE1信号線が、それぞれ、CS、CKE端子に接続され、BANK2について選択状態または非選択状態を表すチップセレクト信号がCS端子に入力され、同BANK2についてクロック信号入力の有効状態または無効状態を表すクロックイネーブル信号がCKE端子に入力される仕様となっている。仮想メモリR22〜R28についても、同じCS1、CKE1信号線が接続される仕様である。
なお、128MビットSDRAMは、拡張アドレス信号を入力可能なBA0、BA1端子等も備えている。従って、行アドレスとして12ビット、列アドレスとして10ビット、拡張アドレスとして2ビットの計24ビットを入力し、アドレスに対応する8ビットのデータを入出力するので、2の24乗×8ビット、すなわち、128Mビットのメモリ空間を有している。
【0034】
図4は、上記デスクトップ型PCがコネクタ91から出力する信号の状態を表したタイミングチャートである。
本デスクトップ型PCは、省電力のために使用していないバンクのメモリをスリープさせるようにクロックイネーブル信号を出力する。BANK1のSDRAMにアクセスするとき、同SDRAMをスリープ状態から解除させるためにCKE0信号をL→Hに立ち上げる(タイミングt1)。同SDRAMにアクセスするとき、CS0信号をH→Lに立ち下げる(タイミングt2)。BANK1のSDRAMへのアクセスを終了するときには、CS0信号をL→Hに立ち上げる(タイミングt3)。BANK1のSDRAMをスリープ状態にするときにはCKE0信号をH→Lに立ち下げ、BANK2のSDRAMにアクセスするとき、同SDRAMをスリープ状態から解除させるためにCKE1信号をL→Hに立ち上げる(タイミングt4)。BANK2のSDRAMにアクセスするとき、CS1信号をH→Lに立ち下げ(タイミングt5)、同SDRAMへのアクセスを終了するときには、CS1信号をL→Hに立ち上げる(タイミングt6)。両BANK1,2のSDRAMをスリープ状態にするときには、両CKE0、CKE1信号をLの状態にする。
【0035】
このように、本デスクトップ型PCは、CS0、CS1信号が同時にはLとならないように、所定数のアドレス信号に対応した容量(128Mビット×8)の二つのメモリ空間のそれぞれについて二つのセレクト信号を生成する。また、CKE0、CKE1信号が同時にはHとならないように、二つのメモリ空間のそれぞれについて二つのクロックイネーブル信号を生成する。
【0036】
近年、256MビットSDRAMを8個実装した256MバイトのDIMMが用いられるようになってきた。図5は、上記デスクトップ型PCを用いたときに256MビットSDRAMの端子と同端子に接続可能な信号線の要部を示している。
256MビットSDRAMは、メモリ用セレクト信号と、所定数のアドレス信号A0〜A11より多い複数のアドレス信号A0〜A12を入力して、同メモリ用セレクト信号がL(選択状態)であるときにA0〜A12信号に対応するデータのアクセスが可能なメモリである。また、メモリ用クロックイネーブル信号をCKE端子に入力して同メモリ用クロックイネーブル信号がH(有効状態)であるときにCLK信号に基づいて動作可能である。
【0037】
図に示すように、CLK、RAS、CAS、D0〜D7端子については、対応する信号が存在するため、信号を直接入力可能である。しかし、アドレス信号入力端子については、A12端子に対応する信号が存在しないため、メモリ容量の半分である128Mビットの領域にしかアクセスできないことになる。また、CS、CKE端子に相当する信号は存在せず、CS0、CSK0信号、または、CS1、CSK1信号を入力すると、結局のところ128Mビットの領域にしかアクセスできず、A0〜A11のアドレス信号しか出力しないコンピュータ本体では256MビットSDRAMの半分の領域しか扱うことができないことになる。
本メモリモジュール10は、後述するメモリ用回路により、A0〜A11信号よりも上位のA12のアドレス信号(追加アドレス信号)を生成し、A0〜A11信号だけではアクセスできないメモリ領域に対してコンピュータ本体からアクセスすることが可能である。
【0038】
図6は、メモリモジュール10の回路の要部を示した回路図である。図の256MビットSDRAM20は、図1で示した8個のSDRAM20のうちの一つ(例えば、一番左端のSDRAM)を代表して示している。実際には、同じような回路が8個のSDRAM20全てに対して形成してある。各SDRAM20に対しては、D0〜D7端子に接続されるデータ信号線の種類が異なるのみであり、残りの端子には同じデータ信号線が接続されている。なお、分かりやすく説明するため、RAS、CAS、A0〜A11、D0〜D7端子については入出力される信号名のみを記載しているが、実際にはこれらの信号の信号線は168ピン端子40に接続されている。
【0039】
図において、メモリ用回路30と端子40とから、メモリ用補助モジュール12が構成される。メモリ用回路30は、ANDゲート31a、ORゲート31bを備えている。同ゲート31a,bは、ゲートIC31内に設けられている。
ANDゲート31aの二つの入力端子には、それぞれ端子40内のCS0端子41a、CS1端子41bが接続されている。また、ANDゲート31aの出力端子には、SDRAM20のCS端子が接続されている。そして、128MビットSDRAM用のセレクト信号であるCS0、CS1信号の論理積がメモリ用セレクト信号CSとして256MビットSDRAM20のCS端子に供給される。
すなわち、本メモリモジュール10は、入力したCS0、CS1信号のいずれかがL(128Mビット仮想メモリのメモリ空間の選択状態)であるときにメモリ用セレクト信号CSをL(256MビットSDRAMの選択状態)とし、入力したCS0、CS1信号の全てがH(128Mビット仮想メモリのメモリ空間の非選択状態)であるときにCS信号をH(256MビットSDRAMの非選択状態)とする。同回路にて、複数のセレクト信号を入力し、入力した複数のセレクト信号に基づいて、適切にメモリ用セレクト信号を生成することができる。
【0040】
また、SDRAM20のA12端子には、CS1が接続されている。すなわち、CS1信号がLであるときにはA12端子から入力されるA12信号は「0」となり、CS0信号がLであるときはCS1信号がHであってA12端子から入力されるA12信号は「1」となる。同回路にて、複数のセレクト信号を入力し、入力したセレクト信号に基づいて、簡易な構成ながら所定数のアドレス信号A0〜A11に追加された追加アドレス信号A12を生成することができる。この追加アドレス信号A12は、A0〜A11信号にて表されるアドレスよりも上位のアドレスを表すことが可能な信号とされている。すると、図7に示すように、256MビットSDRAM20の半分のメモリ領域がCS0信号=Lすなわち上記BANK1に割り当てられ、残りの半分のメモリ領域がCS1信号=Lすなわち上記BANK2に割り当てられる。なお、上述した可能メモリR11〜R18,R21〜R28に対応して割り当てられるメモリ領域に同じ符号を付している。図に示すように、例えば、BANK1に割り当てられた仮想メモリR11と、BANK2に割り当てられた仮想メモリR21とが、左端にある同じ256MビットSDRAM20の内部に設けられていることが分かる。このように、セレクト信号に応じて同一のSDRAMのメモリ領域を使い分けることができ、本メモリモジュールを擬似的に128MビットSDRAMを使用した2バンク構成のメモリモジュールとして扱うことが可能となる。
なお、二種類のセレクト信号CS0,CS1からA12信号を生成してA12端子に入力する際には、CS1信号をA12端子に入力する代わりに、CS0信号をA12端子に入力するようにしてもよい。
【0041】
このように、メモリ用回路30は、デスクトップ型PCから所定数のアドレス信号A0〜A11と複数のセレクト信号CS0,CS1とを入力して、メモリ用セレクト信号CSと追加アドレス信号A12とを生成し、CS信号、追加アドレス信号A12、所定数のアドレス信号A0〜A11を256MビットSDRAM20に供給することにより対応するデータへのアクセスをデスクトップ型PCから可能とする。
デスクトップ型PCには、使用していないバンクの128MビットSDRAMをスリープさせる複数のクロックイネーブル信号を出力するものもある。そこで、メモリ用回路30は、デスクトップ型PCからCLK信号および複数のクロックイネーブル信号CKE0,CKE1を入力し、入力したCKE0、CKE1信号に基づいてメモリ用クロックイネーブル信号CKEを生成してCLK信号とともにSDRAM20に供給する。
【0042】
SDRAM20のCLK端子には、端子40内のCLK端子41cが接続されている。従って、メモリ用回路30は、CLK信号をデスクトップ型PCから入力してSDRAM20に供給するようになっている。
また、ORゲート31bの二つの入力端子には、それぞれ端子40内のCKE0端子41d、CKE1端子41eが接続されている。同ORゲート31bの出力端子には、SDRAM20のCKE端子が接続されている。そして、128MビットSDRAM用のCKE0、CKE1信号の論理和がCKE信号として256MビットSDRAM20のCKE端子に供給される。すなわち、本メモリモジュール10は、入力したCKE0、CKE1信号のいずれかがH(128Mビット仮想メモリのメモリ空間のクロック信号入力の有効状態)であるときにCKE信号をH(256MビットSDRAMのクロック信号入力の有効状態)とし、入力したCKE0、CKE1の全てがL(128Mビット仮想メモリのメモリ空間のクロック信号入力の無効状態)であるときにCKE信号をL(256MビットSDRAMのクロック信号入力の無効状態)とする。
【0043】
(2)メモリモジュールの作用:
次に、図8に示すタイミングチャートを参照しながら、本メモリモジュール10の作用を説明する。なお、タイミングt1〜t7は、図4と同じタイミングとしている。
CKE0信号がL→Hに立ち上がって(タイミングt1)BANK1の仮想メモリをスリープ状態から解除させる状態となると、ORゲート31bの入力端子の一方にHが入力されるので、ORゲート31bから出力されるCKE信号はH(有効状態)となる。また、CKE0信号がH→Lに立ち下がるとともにCKE1信号がL→Hに立ち上がって(タイミングt4)BANK2の仮想メモリをスリープ状態から解除させる状態となっても、ORゲート31bの入力端子の一方にHが入力されるので、ORゲート31bから出力されるCKE信号はH(有効状態)となる。一方、CKE1信号がH→Lに立ち下がって(タイミングt7)両BANK1,2の仮想メモリをスリープさせる状態になると、ORゲート31bの両入力端子にLが入力されるので、ORゲート31bから出力されるCKE信号はL(無効状態)となる。
【0044】
すると、256MビットSDRAM20は、両BANK1,2の仮想メモリをスリープ状態にさせるときのみCKE端子にLが入力され、CLK信号入力が無効となる。一方、BANK1,2のいずれかの仮想メモリをスリープ状態から解除させる状態となるとCKE端子にHが入力され、CLK信号入力が有効となって入力されるCLK信号に基づいて動作する。
このように、デスクトップ型PCから複数の128Mビット仮想メモリのメモリ空間に対して複数のクロックイネーブル信号が出力されているときに、適切に256MビットSDRAMに対してアクセス可能にさせることができる。
【0045】
CKE0信号がHであるときにCS0信号がH→Lに立ち下がって(タイミングt2)BANK1の仮想メモリにアクセスする状態となると、ANDゲート31aの入力端子の一方にLが入力されるので、ANDゲート31aから出力されるCS信号はL(選択状態)となる。このとき、CS1信号はHであるので、A12信号は1を意味するHとなり、SDRAM20のA12端子にはHが入力される。
また、CKE1信号がHであるときにCS1信号がH→Lに立ち下がって(タイミングt5)BANK2の仮想メモリにアクセスする状態となっても、ANDゲート31aの入力端子の一方にLが入力されるので、ANDゲート31aから出力されるCS信号はL(選択状態)となる。このとき、CS1信号はLであるので、A12信号は0を意味するLとなり、SDRAM20のA12端子にはLが入力される。
【0046】
すると、256MビットSDRAM20は、デスクトップ型PCから両BANK1,2の仮想メモリにアクセスする状態となるとCS端子にLが入力され、同デスクトップ型PCからアクセス可能となる。
ここで、BANK1の仮想メモリにアクセスする状態であるときにはA12信号が1となり、BANK2の仮想メモリにアクセスする状態であるときにはA12信号が0となるので、デスクトップ型PCからは追加アドレス信号A12と所定数のアドレス信号A0〜A11に対応する256Mビット分のデータへのアクセスが可能となる。
【0047】
このように、コンピュータ本体から入力される所定数のアドレス信号A0〜A11だけでは128Mビットのメモリ領域にしかアクセスできない256Mビットメモリであっても、セレクト信号に基づいてA0〜A11信号以外の追加アドレス信号A12が生成されるので、従来ではアクセスできなかったメモリ領域に対してコンピュータ本体からアクセスすることが可能となり、メモリ領域を有効利用することが可能となる。その結果、256MビットSDRAMを使用したメモリモジュールでありながら、あたかも128MビットSDRAMを使用して2バンク構成としたメモリモジュールのようにしてコンピュータ本体からアクセスすることが可能となる。現在、256MビットSDRAMがSDRAMの主流となり、128MビットSDRAMを入手することが困難となってきているが、本発明により最新機種ではないコンピュータ本体であっても256MビットSDRAMを実装したメモリモジュールを有効に利用することが可能となる。
また、複数のセレクト信号CS0,CS1からメモリ用セレクト信号CSを生成することにより、コンピュータ本体からアクセス可能なメモリ数を増やすことができるので、コンピュータ本体が扱うことができるメモリ容量を大きくとることが可能である。
【0048】
(3)変形例:
本発明のメモリモジュールは、様々な変形例が考えられる。
上述したメモリモジュール10はECC(Error Correction Code)無しのDIMMであるが、ECC付きのメモリモジュールであってもECC用のメモリが増えるだけであり、本発明を適用可能である。むろん、DIMM以外にも、SIMM等であってもよい。
SDRAMには、データ信号入出力端子が16本のメモリもある。このようなメモリであっても、コンピュータ本体が生成する所定数のアドレス信号よりも多い複数のアドレス信号を入力可能なメモリであれば、本発明を適用することにより、メモリ領域を有効利用することが可能となる。むろん、データ信号入出力端子が8本、16本以外のメモリに対しても本発明を適用可能である。また、データの読み出しのみ可能なROM等であっても、本発明を適用可能である。
さらに、コンピュータ本体が所定数のアドレス信号だけで128Mビットメモリまで扱うことが可能なもの以外であっても、本発明を適用可能である。例えば、64Mビットメモリまで扱うことが可能なコンピュータ本体である場合、本発明を適用することにより、128Mビットメモリを扱うことが可能になるし、後述するように256Mビット以上のメモリ容量を有するメモリも扱うことが可能となる。また、256Mビットメモリまで扱うことが可能なコンピュータ本体である場合、本発明を適用することにより、512Mビット以上のメモリ容量を有するメモリを扱うことが可能となる。
【0049】
セレクト信号とメモリ用セレクト信号が正論理である場合、図9に示すように、ANDゲート31aの代わりにORゲート32aを使用すればよい。すると、CS0、CS1信号のいずれかがH(選択状態)であるときにメモリ用セレクト信号CSがH(選択状態)となり、SDRAMに対してアクセス可能となる。
また、クロックイネーブル信号とメモリ用クロックイネーブル信号が負論理である場合、同図に示すように、ORゲート31bの代わりにANDゲート32bを使用すればよい。すると、CKE0、CKE1信号のいずれかがL(有効状態)であるときにCKE信号がL(有効状態)となり、SDRAMはCLK信号に基づいて動作可能となる。
【0050】
さらに、本発明のメモリモジュールに実装されるメモリにメモリ用セレクト信号を供給しなくても、本メモリモジュールを動作させることが可能である。コンピュータ本体が所定数のアドレス信号に対応した容量の二つのメモリ空間のそれぞれについて二種類のセレクト信号を生成する場合、メモリ用セレクト信号を生成せず、実装されたメモリのCS端子を常時選択状態としておいてもよい。むろん、メモリは、所定数のアドレス信号より多い複数のアドレス信号を入力して対応するデータのアクセスが可能であればよく、CS端子が設けられていなくてもよい。
この場合、メモリ用回路は、コンピュータ本体から所定数のアドレス信号とセレクト信号とを入力し、入力したセレクト信号に基づいて所定数のアドレス信号に追加された追加アドレス信号を生成し、当該追加アドレス信号と入力した所定数のアドレス信号とをメモリに供給することにより対応するデータへのアクセスをコンピュータ本体から可能とすればよい。上記の例では、コンピュータ本体から入力される二種類のセレクト信号のいずれかを追加アドレス信号としてメモリに供給することにより、セレクト信号に応じて同一のメモリのメモリ領域を使い分けることができ、メモリ領域を有効利用することが可能となる。
【0051】
追加アドレス信号は、メモリに入力可能な最上位アドレスを表すアドレス信号以外であってもよい。図10は、別の変形例にかかるメモリモジュールに実装された256MビットSDRAMに入力される信号の要部を示したブロック図である。A11、A12端子が列アドレス入力に用いられず行アドレス入力にのみ用いられる場合、端子から入力されるA0〜A10信号を256MビットSDRAMのA0〜A10端子に入力するとともにA11信号を256MビットSDRAMのA12端子に入力し、CS1信号を追加アドレス信号としてA11端子に入力してもよい。また、A10〜A12端子が行アドレス入力にのみ用いられるSDRAMである場合、168ピン端子から入力されるA0〜A9信号をSDRAMのA0〜A9端子に入力するとともにA10、A11信号をそれぞれSDRAMのA11、A12端子に入力し、CS1信号を追加アドレス信号としてA10端子に入力してもよい。むろん、A0端子が行アドレス入力にのみ用いられる場合には、168ピン端子から入力されるCS1信号を追加アドレス信号としてA0端子に入力してもよい。
【0052】
また、三以上のバンクを選択する三種類以上のセレクト信号から複数の追加アドレス信号を生成してもよい。図11は、別の変形例にかかるメモリモジュールの回路の要部を示した回路図である。
本メモリモジュールは、512MビットSDRAMを8個実装した512MバイトのDIMMである。同512MビットSDRAMは、14種類のアドレス信号A0〜A13を入力可能であり、デスクトップ型PCから入力される所定数のアドレス信号A0〜A11と比べて二種類多く、同SDRAMの全メモリ領域にアクセスするためにはアドレス信号をさらに二種類必要とする。図の512MビットSDRAMは、8個のSDRAMのうちの一つを代表して示している。
一方、デスクトップ型PCは、512Mバイトのメモリ容量を扱う際に128Mバイトずつ4バンクとして扱うようになっているものを例にとって説明する。
【0053】
図において、メモリ用回路50は、ANDゲート51a〜d、ORゲート51e〜gを備えている。
ANDゲート51aの二つの入力端子にはそれぞれ168ピン端子40内のCS0、CS1端子が接続され、ANDゲート51bの二つの入力端子にはそれぞれ168ピン端子40内のCS2、CS3端子が接続されている。ANDゲート51cの二つの入力端子にはそれぞれANDゲート51a,bの出力端子が接続されている。また、ANDゲート51cの出力端子には、SDRAMのCS端子が接続されている。すなわち、本メモリモジュールは、入力した複数のセレクト信号CS0〜CS3のいずれかがL(128Mビット仮想メモリのメモリ空間の選択状態)であるときにメモリ用セレクト信号CSをL(512MビットSDRAMの選択状態)とし、入力したCS0〜CS3信号の全てがH(128Mビット仮想メモリのメモリ空間の非選択状態)であるときにCS信号をH(512MビットSDRAMの非選択状態)とする。
【0054】
SDRAMのA13端子には、ANDゲート51bの出力端子が接続されている。また、ANDゲート51dの二つの入力端子にはそれぞれ端子40内のCS1、CS3端子が接続されている。そして、SDRAMのA12端子には、ANDゲート51cの出力端子が接続されている。
すなわち、図12に示すように、CS0〜CS3信号が順に0,1,1,1であるときA13、A12信号はそれぞれ1,1となり、CS0〜CS3信号が順に1,0,1,1であるときA13、A12信号はそれぞれ1,0となる。また、CS0〜CS3信号が順に1,1,0,1であるときA13、A12信号はそれぞれ0,1となり、CS0〜CS3信号が順に1,1,1,0であるときA13、A12信号はそれぞれ0,0となる。このように、LとなるCS0〜CS3信号が異なればA13、A12信号の組み合わせも異なるので、同回路にて、複数のセレクト信号を入力し、入力したセレクト信号に基づいて、所定数のアドレス信号A0〜A11に追加された追加アドレス信号A12,A13を生成することができる。その結果、512MビットSDRAM20のメモリ領域の1/4ずつがCS0〜CS3信号=LすなわちBANK1〜BANK4に割り当てられる。
【0055】
なお、A13信号を生成してA13端子に入力する際には、CS2、CS3信号の論理積を入力する代わりに、CS0、CS1信号の論理積を入力してもよい。また、A12信号を生成してA12端子に入力する際には、CS1、CS3信号の論理積を入力する代わりに、CS0、CS2信号の論理積を入力してもよい。
このようなメモリ用回路50であっても、デスクトップ型PCから所定数のアドレス信号A0〜A11と複数のセレクト信号CS0〜CS3とを入力して、メモリ用セレクト信号CSと追加アドレス信号A12,A13とを生成し、CS信号、追加アドレス信号A12,A13、所定数のアドレス信号A0〜A11を512MビットSDRAMに供給することにより全メモリ領域について対応するデータへのアクセスをデスクトップ型PCから可能とする。
【0056】
また、ORゲート51eの二つの入力端子にはそれぞれ端子40内のCKE0、CKE1端子が接続され、ORゲート51fの二つの入力端子にはそれぞれ端子40内のCKE2、CKE3端子が接続されている。ORゲート51gの二つの入力端子にはそれぞれORゲート51e,fの出力端子が接続されている。また、ORゲート51gの出力端子には、SDRAMのCKE端子が接続されている。すなわち、本メモリモジュールは、入力した複数のクロックイネーブル信号CKE0〜CKE3のいずれかがH(128Mビット仮想メモリのメモリ空間のクロック信号入力の有効状態)であるときにメモリ用クロックイネーブル信号CKEをH(512MビットSDRAMのクロック信号入力の有効状態)とし、入力したCKE0〜CKE3信号の全てがL(128Mビット仮想メモリのメモリ空間のクロック信号入力の無効状態)であるときにCKE信号をL(512MビットSDRAMのクロック信号入力の無効状態)とする。従って、デスクトップ型PCから複数の128Mビット仮想メモリのメモリ空間に対して複数のクロックイネーブル信号が出力されているときに、適切に512MビットSDRAMに対してアクセス可能にさせることができる。
【0057】
むろん、コンピュータ本体が、128Mバイトずつ3バンクを扱うものである場合、メモリモジュールにはCS3、CKE3信号が入力されないことになるが、図11で示した回路を利用して512MビットSDRAMのうち、128×3=384Mビット分のメモリ領域を使用することが可能となる。この場合、512MビットSDRAMの全メモリ領域は使用されないことになるが、所定数のアドレス信号A0〜A11だけでアクセス可能な128Mビットのメモリ領域よりは広い領域をコンピュータ本体から扱うことが可能となるので、512MビットSDRAMのメモリ領域を有効利用することが可能となることに変わりはない。
【0058】
なお、メモリモジュールに、A0〜A14信号を入力可能な1G(ギガ)ビットSDRAMを実装する場合でも、コンピュータ本体が所定数のアドレス信号A0〜A11と8種類のセレクト信号CS0〜CS7とを生成可能であれば、本発明を適用可能である。このとき、メモリ用回路は、コンピュータ本体からA0〜A11信号とCS0〜CS7信号とを入力して、メモリ用セレクト信号CSと追加アドレス信号A12〜A14とを生成し、CS信号、追加アドレス信号A12〜A14、所定数のアドレス信号A0〜A11を1GビットSDRAMに供給することにより全メモリ領域について対応するデータへのアクセスをデスクトップ型PCから可能とする。また、8種類のクロックイネーブル信号CKE0〜CKE7を入力して、メモリ用クロックイネーブル信号CKEを生成することができる。
【0059】
さらに、メモリが実装される前のメモリモジュールであっても、メモリを実装することにより、所定数のアドレス信号だけではアクセスできないメモリ領域に対してコンピュータ本体からアクセスすることが可能となる。従って、図6で示したように、メモリモジュール10からSDRAM20を除いたメモリ用補助モジュール12であっても本発明は有効である。むろん、メモリ用補助モジュールは、メモリを装着するためのメモリソケットを備えていてもよいし、メモリを半田付け可能な形状としたものであってもよい。
以上説明したように、本発明によると、種々の態様により、コンピュータ本体から入力される所定数のアドレス信号だけでは全メモリ領域にアクセスできないメモリであっても、同アドレス信号だけではアクセスできないメモリ領域に対してコンピュータ本体からアクセスすることを可能として、メモリ領域を有効利用することが可能なメモリモジュールおよびメモリ用補助モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態にかかるメモリモジュールの外観を示す正面図である。
【図2】デスクトップ型PCのコネクタと従来の128MビットSDRAMとの配線上の対応関係の一部を示す図である。
【図3】各SDRAM群内の従来の128MビットSDRAMの端子と同端子に接続される信号線の要部を示す図である。
【図4】デスクトップ型PCがコネクタから出力する信号の状態を表すタイミングチャートである。
【図5】上記デスクトップ型PCを用いたときに256MビットSDRAMの端子と同端子に接続可能な信号線の要部を示す図である。
【図6】メモリモジュールの回路の要部を示す回路図である。
【図7】256Mビットのメモリ領域に割り当てられる128Mビットのメモリ空間の様子を模式的に示す図である。
【図8】各種信号の状態を表すタイミングチャートである。
【図9】変形例にかかるメモリモジュールの回路の要部を示す回路図である。
【図10】別の変形例にかかるメモリモジュールに実装されたSDRAMに入力される信号の要部を示すブロック図である。
【図11】別の変形例にかかるメモリモジュールの回路の要部を示す回路図である。
【図12】CS0〜CS3信号の状態とA12、A13信号との対応関係を示す表形式の図である。
【符号の説明】
10…メモリモジュール
10a…プリント基板
12…メモリ用補助モジュール
20…256MビットSDRAM
30…メモリ用回路
31…ゲートIC
31a…ANDゲート
31b…ORゲート
40…168ピン端子
50…メモリ用回路
90…マザーボード
91…コネクタ
R11〜R18,R21〜R28…仮想メモリ
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a memory module and a memory auxiliary module connectable to a computer main body.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, a memory module of a computer is expanded by connecting a memory module to a socket (slot) of a computer main body. As the memory module, a 128 Mbyte DIMM (Dual Inline Memory Module) in which eight 128 Mbit (Synchronous Dynamic Random Access Memory) are mounted, or a 256 Mbyte DIMM in which sixteen 128 Mbit SDRAM are mounted are used. Has been. Usually, twelve address signal terminals A0 to A11 of a 128 Mbit SDRAM are provided, and twelve signal lines of a row address (Row Address) and ten signal lines of a column address (Column Address) can be connected. I have. When the address signals A0 to A11 are input from the computer main body, the data of the corresponding address can be read and written in all the 128 Mbit areas of all the SDRAMs.
In the 256 Mbyte DIMM, the SDRAM is divided into two blocks of SDRAM groups to form two banks (BANK). Then, in addition to the address signals A0 to A11, a plurality of chip select signals corresponding to each of a plurality of banks of the SDRAM group to be accessed are inputted, so that the corresponding bank and address are obtained for the entire 256 Mbyte area of the DIMM. Data can be read and written. As described above, by using a plurality of chip select signals for selecting one of the banks, it is possible to increase the memory capacity that can be handled by the computer main body.
Further, there is also known a module for switching a memory to be accessed according to a state of an uppermost address signal input from a computer main body, as disclosed in Japanese Patent No. 3022255 (see Patent Document 1).
[0003]
[Patent Document 1]
Japanese Patent No. 3022255 (paragraphs 0014-0054, FIG. 1-8)
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
The above-described conventional technology has the following problems.
In recent years, 256-Mbyte DIMMs having eight 256-Mbit SDRAMs have been used. However, in order to access the entire memory area of the 256-Mbit SDRAM, it is necessary to input signals of row addresses A0 to A12 to the SDRAM. Can handle only a 128 Mbit area, which is half of the 256 Mbit of the SDRAM. Even if the module disclosed in Japanese Patent No. 3022255 is used, the same can be said, except that the memory to be accessed is switched according to the state of the highest address signal A11.
[0005]
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and is intended for a memory area that cannot access the entire memory area only by a predetermined number of address signals input from the computer body, but cannot be accessed only by the same address signal. It is an object of the present invention to provide a memory module and a memory auxiliary module which can be accessed from a computer main body and can effectively use a memory area.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 includes a plurality of select signals indicating a selected state or a non-selected state for each of a predetermined number of address signals and a plurality of memory spaces having a capacity corresponding to the predetermined number of address signals. A standardized memory module that can be connected to a computer that generates a signal. The memory module receives a memory select signal indicating a selected state or a non-selected state and a plurality of address signals greater than the predetermined number of address signals. A memory capable of accessing data corresponding to the plurality of address signals when the memory select signal is in a selected state, and the predetermined number of address signals and a plurality of select signals from the computer main body, The memory select signal is generated based on the signal and the predetermined number of addresses are generated. An additional address signal added to the address signal, and supplying the generated memory select signal and the generated additional address signal and a predetermined number of input address signals to the memory to access the corresponding data by the computer. And a memory circuit that is enabled from the main body.
[0007]
The standardized memory module is connected to the computer main body to enable access to the memory from the computer main body. A predetermined number of address signals and a plurality of select signals indicating a selected state or a non-selected state for each of a plurality of memory spaces having a capacity corresponding to the predetermined number of address signals are input from the computer main body to the memory circuit. You. On the other hand, the memory provided in the present memory module receives a memory select signal indicating a selected state or a non-selected state, and a plurality of address signals greater than the predetermined number of address signals, and selects the memory select signal. , Data corresponding to the plurality of address signals can be accessed.
[0008]
Here, the memory select signal is generated by the memory circuit based on the select signal. An additional address signal added to the predetermined number of address signals is also generated by the memory circuit based on the select signal. Since the generated memory select signal is supplied to the memory, the memory can be accessed when the memory select signal is in the selected state. Since the generated additional address signal is supplied to the memory together with the predetermined number of input address signals, the computer itself can access the data corresponding to the generated additional address signal and the predetermined number of input address signals. It becomes possible.
[0009]
That is, even in a memory in which all memory areas cannot be accessed only by a predetermined number of address signals input from the computer main body, address signals other than the predetermined number of address signals are generated based on the select signal. It becomes possible to access a memory area that cannot be accessed only by a signal from the computer main body. For example, when the computer outputs an address signal that allows only a DRAM of 128 Mbits or less to access the entire memory area, it becomes possible to access a memory area of more than 128 Mbits for a DRAM of 256 Mbits or more. Of course, the present invention is applicable to memories having various memory capacities.
Further, by generating the memory select signal, the number of memories accessible from the computer main body can be increased, so that the memory capacity that can be handled by the computer main body can be increased.
[0010]
Here, only one memory may be provided, or a plurality of memories may be provided. In addition to being capable of writing and reading data, a memory may be capable of only writing data, or may be capable of only reading data. Also corresponds to the accessible of the present invention. Therefore, various memories such as an SDRAM and a ROM can be adopted.
Further, it is preferable that the entire area of the memory can be accessed by adding an additional address signal to the predetermined number of address signals, so that the memory capacity can be effectively used. Therefore, it is not necessary to make the entire area of the memory accessible. Even in this case, by supplying the additional address signal to the memory, it is possible to access a memory area having a larger capacity than a memory space having a capacity corresponding to a predetermined number of address signals.
[0011]
Various configurations are possible for generating the memory select signal. As one example, the invention according to claim 2 is the memory circuit, wherein when any of the plurality of input select signals is in the selected state of the memory space, the memory select signal is set to the selected state of the memory. When all of the plurality of input select signals are in the non-selected state of the memory space, the memory select signal is set to the non-selected state of the memory.
In other words, a state in which one of the plurality of memory spaces is selected by the plurality of select signals, the state in which the memory select signal selects the memory, and a state in which all of the plurality of memory spaces are not selected by the plurality of select signals. As a result, the memory select signal enters a state in which no memory is selected.
[0012]
For example, when the select signal and the memory select signal are in a selected state when low and in a non-selected state when high, a plurality of select signals are input to an AND gate and the output from the same gate is selected for memory. It can be a signal. When the select signal and the memory select signal are in a selected state when high and in a non-selected state when low, a plurality of select signals are input to an OR gate and the output from the gate is selected for memory. It can be a signal. When the state of the selected signal and the state of the non-selected signal are different between the select signal and the memory select signal, the memory select signal can be generated using a NAND gate, a NOR gate, or the like.
[0013]
When the computer body generates two types of select signals indicating a selected state or a non-selected state for each of two memory spaces having a capacity corresponding to the predetermined number of address signals, as in the invention according to claim 3, The memory circuit may be configured so that one of the two types of select signals is input from the computer main body and supplied to the memory as the additional address signal. That is, with a simple configuration, one of the two types of select signals is used as an additional address signal and supplied to the memory.
Of course, when generating three or more types of select signals, it is also possible to generate an additional address signal from a plurality of select signals.
[0014]
Some computer bodies output a signal that causes a memory of a bank not used for power saving to sleep. According to a fourth aspect of the present invention, in the memory, a clock signal having a pulse shape and a memory clock enable signal indicating a valid state or an invalid state of the clock signal input are input, and the clock enable signal is in a valid state. The computer main body is sometimes operable based on the same clock signal, and the computer main body generates a plurality of clock enable signals indicating the valid state or the invalid state of the clock signal input for each of the clock signal and the plurality of memory spaces. The memory circuit inputs the clock signal and the plurality of clock enable signals from the computer main body, generates the memory clock enable signal based on the input plurality of clock enable signals, and generates the memory clock enable signal together with the input clock signal. Supply to the above memory There as formed.
[0015]
That is, a pulse-like clock signal and a plurality of clock enable signals indicating the valid or invalid state of the clock signal input for each of the plurality of memory spaces are input from the computer main body to the memory circuit. On the other hand, the memory receives a clock signal and a memory clock enable signal indicating whether the clock signal input is valid or invalid, and operates based on the clock signal when the clock enable signal is valid. It is possible.
Here, the memory clock enable signal is generated by the memory circuit based on the plurality of clock enable signals. Since the generated memory clock enable signal is supplied to the memory together with the clock signal, the memory can operate when the memory clock enable signal is in the valid state.
[0016]
Various configurations for generating the memory clock enable signal are conceivable. As an example, the invention according to claim 5 is the memory circuit, wherein the memory clock enable signal is set when any of the plurality of input clock enable signals is in a valid state of the clock signal input in the memory space. When the clock signal input of the memory is enabled, and when all of the plurality of input clock enable signals are in the disabled state of the clock signal input of the memory space, the memory clock enable signal is input to the memory clock signal input. In the invalid state.
[0017]
In other words, the memory clock enable signal is in a state in which the clock signal input of the memory is enabled in a state where any one of the clock signal inputs in the plurality of memory spaces is enabled by the plurality of clock enable signals, and the plurality of clock enable signals are enabled. The clock enable signal for the memory is in a state where the clock signal input of the memory is invalidated in a state where the clock signal inputs of all of the plurality of memory spaces are invalidated in the above. Note that the memory clock enable signal can be generated using an OR gate, an AND gate, a NOR gate, a NAND gate, or the like, like the memory select signal.
[0018]
According to a sixth aspect of the present invention, the additional address signal may be a signal capable of indicating an address higher than the address represented by the predetermined number of address signals. . That is, an additional address signal higher than the predetermined number of address signals is generated and supplied to the memory together with the predetermined number of address signals.
Here, the additional address signal may be an uppermost address signal of the plurality of address signals.
[0019]
By the way, even if a memory select signal is not supplied to a memory, by generating an additional address signal from the select signal, it is possible to access from a computer body to a memory area that cannot be accessed only by a predetermined number of address signals. Therefore, it may be configured as in the invention according to claim 7.
That is, a predetermined number of address signals and a select signal indicating a selected state or a non-selected state for each of a plurality of memory spaces having a capacity corresponding to the predetermined number of address signals are input from the computer main body to the memory circuit. You. On the other hand, the memory provided in the present memory module can access a plurality of address signals larger than the predetermined number of address signals and access data corresponding to the plurality of address signals.
[0020]
Here, the additional address signal added to the predetermined number of address signals is generated by the memory circuit based on the select signal. Since the generated address signal is supplied to the memory together with the predetermined number of input address signals, the computer body can access the generated address signal and data corresponding to the predetermined number of input address signals. Become.
That is, even in a memory in which all memory areas cannot be accessed only by a predetermined number of address signals input from the computer main body, address signals other than the predetermined number of address signals are generated based on the select signal. It becomes possible to access a memory area that cannot be accessed only by a signal from the computer main body.
[0021]
Further, even in a memory module before the memory is mounted, by mounting the memory, it becomes possible to access from the computer body to a memory area that cannot be accessed only by a predetermined number of address signals. Therefore, the present invention provides a computer which generates a plurality of select signals indicating a selected state or a non-selected state for each of a predetermined number of address signals and a plurality of memory spaces having a capacity corresponding to the predetermined number of address signals. A memory select signal that is connected to the main body and indicates a selected state or a non-selected state and a plurality of address signals greater than the predetermined number of address signals are input, and the plurality of addresses are selected when the memory select signal is in the selected state. In order to enable access from the computer main body to a memory capable of accessing data corresponding to the signal, the predetermined number of address signals and a plurality of select signals are input from the computer main body, and the input select signal The memory select signal is generated based on the Generating an additional address signal added to the address signal, and supplying the generated memory select signal and the generated additional address signal and a predetermined number of input address signals to the memory to access the corresponding data by the computer; It is configured to be possible from the main body.
[0022]
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a computer main body for generating a select signal indicating a selected state or a non-selected state for each of a predetermined number of address signals and a plurality of memory spaces having a capacity corresponding to the predetermined number of address signals. When a plurality of address signals that are connected and input to a plurality of address signals greater than the predetermined number of address signals are input to enable access from the computer main body to the memory capable of accessing the corresponding data, the computer main body And generates an additional address signal added to the predetermined number of address signals based on the input select signal, and stores the additional address signal and the input predetermined number of address signals in the memory. Access to the corresponding data by supplying the computer It is constituted to enable the body.
That is, the present invention is effective even for a memory auxiliary module having no memory. It is also possible to make the configuration described in claims 2 to 6 correspond to the auxiliary module for memory.
[0023]
【The invention's effect】
As described above, according to the first, seventh to ninth aspects of the present invention, even if the memory cannot access the entire memory area only by a predetermined number of address signals input from the computer main body, The memory area that cannot be accessed only by the address signal can be accessed from the computer main body, and the memory area can be effectively used.
According to the second aspect of the invention, it is possible to provide an example of appropriately generating a memory select signal.
According to the third aspect, an additional address signal can be generated with a simple configuration.
[0024]
According to the invention according to claim 4, when a plurality of clock enable signals are output from the computer main body to a plurality of memory spaces, it is possible to appropriately access the memory.
According to the invention of claim 5, it is possible to provide an example of appropriately generating a clock enable signal for memory.
According to the invention according to claim 6, the additional address signal can be generated with a simple configuration.
[0025]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in the following order.
(1) Configuration of memory module:
(2) Function of memory module:
(3) Modification:
[0026]
(1) Configuration of memory module:
FIG. 1 is a front view showing the appearance of a memory module 10 according to one embodiment of the present invention. In addition, when explaining the positional relationship of up, down, left, and right, the description will be made with reference to FIG.
In the memory module 10, eight 256 Mbit SDRAMs 20, a plurality of gate ICs 31, a resistance circuit (not shown), and the like are mounted on a printed board 10a having a standardized shape. 168-pin terminals 40 each having 84 pins are formed on the lower edge of the substrate 10a on the front side and the rear side. The memory module 10 is an additional memory card for a desktop personal computer (PC), and can insert a 168-pin terminal 40 conforming to the DIMM specification into a connector (slot) 91 of a motherboard 90 of the desktop PC (computer body). It is. The connector 91 has 168 conductive portions corresponding to the arrangement of the terminals 40. The connector 91 has a shape in which a standardized 168-pin DIMM can be mounted. When the memory module 10 is inserted into the connector 91 from above, the memory module 10 can be attached substantially vertically to the motherboard 90 and can be connected to a desktop PC. As a result, the memory of the desktop PC can be increased.
[0027]
The desktop PC to which the memory module 10 is connected is not the latest model, but handles 256 Mbytes of memory capacity as two banks of 128 Mbytes each. Therefore, for example, the configuration is suitable for adding a 256 Mbyte DIMM on which 16 128 Mbit SDRAMs are mounted.
FIG. 2 shows a part of a wiring correspondence between a connector 91 of a desktop PC and a virtual memory space formed by using a conventional 256 Mbyte DIMM on which 16 128 Mbit SDRAMs are mounted. ing.
In the figure, 128M-bit virtual memories R11 to R18 and R21 to R28 are divided into eight blocks each of which is a group of an SDRAM group, and have two banks. Here, the upper SDRAM group in the figure is called BANK1, and the lower SDRAM group is called BANK2. The connector 91 has connection portions for various signal lines such as CLK, RAS, CAS, A0 to A11, D0 to D63, CS0, CS1, CKE1, and CKE2.
[0028]
Here, the CLK signal means a clock signal, and the PC generates a pulse-like clock signal of a predetermined frequency and supplies it to the CLK signal line.
A RAS (Row Address Strobe) signal means a signal for transmitting a timing of giving a row address to the SDRAM, and a CAS (Column Address Strobe) signal means a signal for transmitting a timing of giving a column address to the SDRAM. I have. The A0 to A11 signals mean a predetermined number (12 types) of address signals that specify addresses in the memory space. In a DIMM mounted with a 128 Mbit SDRAM capable of inputting / outputting 8-bit data, 12 types of address signals are supplied to the SDRAM as row addresses and 10 types of column signals are supplied as column addresses. The PC generates the RAS, CAS, and A0 to A11 signals and supplies them to the signal lines in accordance with the CLK signal.
[0029]
The D0 to D63 signals mean 64 types of data signals. The 64 data signal lines are divided into eight sets of eight data lines, and eight data signal lines are connected to each SDRAM in the SDRAM group.
The CS0 and CS1 signals are chip select signals (select signals) for selecting an SDRAM group to be accessed, and are signals indicating a selected state or a non-selected state for each of the SDRAM groups. This signal is a negative logic signal in which the selected state of the SDRAM group is represented by L (low) and the unselected state is represented by H (high). The CS0 and CS1 signals do not go low at the same time, and only one of them goes low when accessing the SDRAM.
[0030]
The CKE1 and CKE2 signals are clock enable signals indicating the valid state or invalid state of the CLK signal input for each of the two SDRAM groups, and are positive logic signals in which the valid state of the clock signal input is H and the invalid state is L. . The PC generates the CS0, CS1, CKE1, and CKE2 signals and supplies them to the signal lines in accordance with the CLK signal.
In addition to these, the connector 91 is also provided with connection portions such as signal lines for two types of extended address signals BA0 and BA1 and power supply lines.
The CLK, RAS, CAS, A0 to A11, and D0 to D63 signals are supplied to both BANK1 and BANK2, the CS0 and CKE0 signals are supplied to BANK1, and the CS1 and CKE1 signals are supplied to BANK2.
[0031]
FIG. 3 shows a terminal of a conventional 128 Mbit SDRAM corresponding to a virtual memory in each SDRAM group and a main part of a signal line connected to the terminal. Note that the terminal names are described in the SDRAM and the signal line names are described outside the SDRAM.
The SDRAM is a memory to which a select signal and signals A0 to A11 are input and data corresponding to the signals A0 to A11 can be accessed when the select signal is L (selected state). When the clock enable signal is input to the CKE terminal and the clock enable signal is H (valid state), operation is possible based on the CLK signal.
[0032]
For the virtual memory R11 in BANK1, CLK, RAS, CAS, A0 to A11, and D0 to D7 signal lines are respectively connected to a clock signal input terminal CLK, a row address signal input terminal RAS, a column address signal input terminal CAS, It is connected to the address signal input terminals A0 to A11 and the data signal input / output terminals D0 to D7, and the specification is such that corresponding signals are input and output from the terminals. It is to be noted that data signal input / output terminals D0 to D7 for different virtual memories R12 to R18 in the same BANK1 are connected to eight different data signal lines. The CS0 and CKE0 signal lines are connected to a chip select signal input terminal CS and a clock enable signal input terminal CKE, respectively. A chip select signal indicating a selected state or a non-selected state for BANK1 is input to the CS terminal. The specification is such that a clock enable signal indicating the valid state or invalid state of the clock signal input is input to the CKE terminal. The virtual memories R12 to R18 also have the specifications that the same CS0 and CKE0 signal lines are connected.
[0033]
On the other hand, the same signal lines as those of the virtual memory R11 are connected to the virtual memory R21 in the BANK2 for the CLK, RAS, CAS, A0 to A11, and D0 to D7 terminals. The CS1 and CKE1 signal lines are connected to the CS and CKE terminals, respectively. A chip select signal indicating a selected state or a non-selected state is input to the CS terminal for BANK2, and the clock signal input is enabled or disabled for BANK2. The specification is such that a clock enable signal indicating a state is input to the CKE terminal. The virtual memories R22 to R28 also have the specification that the same CS1 and CKE1 signal lines are connected.
The 128 Mbit SDRAM also has BA0 and BA1 terminals to which an extended address signal can be input. Accordingly, a total of 24 bits, ie, 12 bits as a row address, 10 bits as a column address, and 2 bits as an extension address, are input and output as 8-bit data corresponding to the address. , 128 Mbits of memory space.
[0034]
FIG. 4 is a timing chart showing a state of a signal output from the connector 91 by the desktop PC.
The desktop PC outputs a clock enable signal so that the memory of a bank not used for power saving is put to sleep. When accessing the SDRAM of BANK1, the CKE0 signal is raised from L to H in order to release the SDRAM from the sleep state (timing t1). When accessing the SDRAM, the CS0 signal falls from H to L (timing t2). When ending the access of the BANK1 to the SDRAM, the CS0 signal rises from L to H (timing t3). When the SDRAM of BANK1 is put into the sleep state, the CKE0 signal falls from H to L, and when the SDRAM of BANK2 is accessed, the CKE1 signal rises from L to H to release the SDRAM from the sleep state (timing t4). . When accessing the SDRAM of BANK2, the CS1 signal falls from H to L (timing t5), and when ending the access to the SDRAM, the CS1 signal rises from L to H (timing t6). To put the SDRAMs of both BANK1 and BANK2 into the sleep state, the signals CKE0 and CKE1 are set to the L state.
[0035]
As described above, this desktop PC is provided with two select signals for each of two memory spaces (128 Mbits × 8) corresponding to a predetermined number of address signals so that the CS0 and CS1 signals do not become L at the same time. Generate Also, two clock enable signals are generated for each of the two memory spaces so that the CKE0 and CKE1 signals do not become H at the same time.
[0036]
In recent years, 256-Mbyte DIMMs having eight 256-Mbit SDRAMs have been used. FIG. 5 shows a terminal of a 256 Mbit SDRAM and a main part of a signal line connectable to the terminal when the desktop PC is used.
The 256 Mbit SDRAM receives a memory select signal and a plurality of address signals A0 to A12 which are larger than a predetermined number of address signals A0 to A11, and outputs a signal A0 to A0 when the memory select signal is L (selected state). This is a memory from which data corresponding to the A12 signal can be accessed. When the clock enable signal for memory is input to the CKE terminal and the clock enable signal for memory is H (valid state), operation is possible based on the CLK signal.
[0037]
As shown in the figure, signals are directly input to CLK, RAS, CAS, and D0 to D7 terminals because corresponding signals exist. However, as for the address signal input terminal, since there is no signal corresponding to the A12 terminal, only the 128 Mbit area which is half of the memory capacity can be accessed. In addition, there is no signal corresponding to the CS and CKE terminals, and when the CS0 and CSK0 signals or the CS1 and CSK1 signals are input, only the 128 Mbit area can be accessed after all, and only the address signals A0 to A11 can be accessed. The computer that does not output data can handle only half the area of the 256 Mbit SDRAM.
The memory module 10 generates an address signal (additional address signal) of A12 higher than the A0 to A11 signals by a memory circuit to be described later. It is possible to access.
[0038]
FIG. 6 is a circuit diagram showing a main part of a circuit of the memory module 10. The 256 Mbit SDRAM 20 shown in the figure represents one of the eight SDRAMs 20 shown in FIG. 1 (for example, the leftmost SDRAM). In practice, a similar circuit is formed for all eight SDRAMs 20. The only difference between the SDRAMs 20 is the type of data signal line connected to the D0 to D7 terminals, and the same data signal line is connected to the remaining terminals. For simplicity of description, only the names of the signals to be input and output are described for the RAS, CAS, A0 to A11, and D0 to D7 terminals. It is connected to the.
[0039]
In the figure, a memory auxiliary module 12 is composed of a memory circuit 30 and a terminal 40. The memory circuit 30 includes an AND gate 31a and an OR gate 31b. The gates 31a and 31b are provided in the gate IC 31.
The CS0 terminal 41a and the CS1 terminal 41b in the terminal 40 are connected to the two input terminals of the AND gate 31a, respectively. The CS terminal of the SDRAM 20 is connected to the output terminal of the AND gate 31a. Then, the logical product of the CS0 and CS1 signals, which are the select signals for the 128 Mbit SDRAM, is supplied to the CS terminal of the 256 Mbit SDRAM 20 as the memory select signal CS.
That is, the memory module 10 changes the memory select signal CS to L (the selection state of the 256 Mbit SDRAM) when either the input CS0 or CS1 signal is L (the selection state of the memory space of the 128 Mbit virtual memory). When all of the input CS0 and CS1 signals are H (the non-selected state of the memory space of the 128-Mbit virtual memory), the CS signal is set to H (the non-selected state of the 256-Mbit SDRAM). In this circuit, a plurality of select signals are input, and a memory select signal can be appropriately generated based on the input plurality of select signals.
[0040]
In addition, CS1 is connected to the A12 terminal of the SDRAM 20. That is, when the CS1 signal is L, the A12 signal input from the A12 terminal is “0”, and when the CS0 signal is L, the CS1 signal is H and the A12 signal input from the A12 terminal is “1”. It becomes. In this circuit, a plurality of select signals are input, and based on the input select signals, an additional address signal A12 added to a predetermined number of address signals A0 to A11 can be generated with a simple configuration. The additional address signal A12 is a signal capable of representing an address higher than the address represented by the signals A0 to A11. Then, as shown in FIG. 7, half of the memory area of the 256 Mbit SDRAM 20 is assigned to the CS0 signal = L, that is, the BANK1, and the other half of the memory area is assigned to the CS1 signal = L, that is, the BANK2. Note that the same reference numerals are given to the memory areas allocated corresponding to the possible memories R11 to R18 and R21 to R28 described above. As shown in the figure, for example, it can be seen that the virtual memory R11 assigned to BANK1 and the virtual memory R21 assigned to BANK2 are provided inside the same 256 Mbit SDRAM 20 at the left end. In this manner, the same memory area of the SDRAM can be selectively used according to the select signal, and the present memory module can be treated as a pseudo-two-bank memory module using a 128 Mbit SDRAM.
When the A12 signal is generated from the two types of select signals CS0 and CS1 and input to the A12 terminal, the CS0 signal may be input to the A12 terminal instead of inputting the CS1 signal to the A12 terminal. .
[0041]
As described above, the memory circuit 30 receives the predetermined number of address signals A0 to A11 and the plurality of select signals CS0 and CS1 from the desktop PC, and generates the memory select signal CS and the additional address signal A12. , CS signal, an additional address signal A12, and a predetermined number of address signals A0 to A11 are supplied to the 256 Mbit SDRAM 20, thereby enabling access to corresponding data from the desktop PC.
Some desktop PCs output a plurality of clock enable signals that cause a 128 Mbit SDRAM in an unused bank to sleep. Therefore, the memory circuit 30 receives the CLK signal and the plurality of clock enable signals CKE0 and CKE1 from the desktop PC, generates the memory clock enable signal CKE based on the input CKE0 and CKE1 signals, and generates the SDRAM 20 together with the CLK signal. To supply.
[0042]
The CLK terminal of the SDRAM 20 is connected to the CLK terminal 41 c of the terminal 40. Therefore, the memory circuit 30 receives the CLK signal from the desktop PC and supplies it to the SDRAM 20.
The CKE0 terminal 41d and the CKE1 terminal 41e in the terminal 40 are connected to the two input terminals of the OR gate 31b, respectively. The output terminal of the OR gate 31b is connected to the CKE terminal of the SDRAM 20. Then, the logical sum of the CKE0 and CKE1 signals for the 128 Mbit SDRAM is supplied to the CKE terminal of the 256 Mbit SDRAM 20 as a CKE signal. That is, the memory module 10 changes the CKE signal to H (the clock signal of the 256 Mbit SDRAM) when one of the input CKE0 and CKE1 signals is H (the valid state of the clock signal input in the memory space of the 128 Mbit virtual memory). When the input CKE0 and CKE1 are all L (the clock signal input of the memory space of the 128 Mbit virtual memory is invalid), the CKE signal is set to L (the clock signal input of the 256 Mbit SDRAM is invalid). State).
[0043]
(2) Function of memory module:
Next, the operation of the memory module 10 will be described with reference to the timing chart shown in FIG. The timings t1 to t7 are the same as those in FIG.
When the CKE0 signal rises from L to H (timing t1) and the virtual memory of BANK1 is released from the sleep state, H is input to one of the input terminals of the OR gate 31b, and is output from the OR gate 31b. The CKE signal becomes H (valid state). Also, even if the CKE0 signal falls from H → L and the CKE1 signal rises from L → H (at timing t4), and the virtual memory of BANK2 is released from the sleep state, it remains connected to one of the input terminals of the OR gate 31b. Since H is input, the CKE signal output from the OR gate 31b becomes H (valid state). On the other hand, when the CKE1 signal falls from H to L (timing t7) to put the virtual memories of both BANKs 1 and 2 to sleep, L is input to both input terminals of the OR gate 31b, so that the output from the OR gate 31b is output. The CKE signal is L (invalid state).
[0044]
Then, in the 256 Mbit SDRAM 20, L is input to the CKE terminal only when the virtual memories of both the BANKs 1 and 2 are put into the sleep state, and the CLK signal input becomes invalid. On the other hand, when one of the virtual memories BANK1 and BANK2 is released from the sleep state, H is input to the CKE terminal, the CLK signal input becomes valid, and operation is performed based on the input CLK signal.
As described above, when a plurality of clock enable signals are output from the desktop PC to the memory space of the plurality of 128 Mbit virtual memories, it is possible to appropriately access the 256 Mbit SDRAM.
[0045]
When the CS0 signal falls from H to L while the CKE0 signal is at H (timing t2) and the virtual memory of BANK1 is accessed, L is input to one of the input terminals of the AND gate 31a. The CS signal output from the gate 31a becomes L (selected state). At this time, since the CS1 signal is H, the A12 signal becomes H meaning 1 and H is input to the A12 terminal of the SDRAM 20.
Further, even when the CS1 signal falls from H to L when the CKE1 signal is H (timing t5) and the virtual memory of BANK2 is accessed, L is input to one of the input terminals of the AND gate 31a. Therefore, the CS signal output from the AND gate 31a becomes L (selected state). At this time, since the CS1 signal is L, the A12 signal becomes L meaning 0, and L is input to the A12 terminal of the SDRAM 20.
[0046]
Then, when the 256 Mbit SDRAM 20 is in a state of accessing the virtual memories of both BANK 1 and 2 from the desktop PC, L is input to the CS terminal and can be accessed from the desktop PC.
Here, the A12 signal becomes 1 when the virtual memory of BANK1 is accessed, and the A12 signal becomes 0 when the virtual memory of BANK2 is accessed. It is possible to access data of 256 Mbits corresponding to the number of address signals A0 to A11.
[0047]
As described above, even in a 256 Mbit memory in which only a predetermined number of address signals A0 to A11 input from the computer main unit can access a memory area of 128 Mbits, additional addresses other than the A0 to A11 signals are generated based on the select signal. Since the signal A12 is generated, the memory area that could not be accessed conventionally can be accessed from the computer main body, and the memory area can be used effectively. As a result, even though the memory module uses a 256 Mbit SDRAM, it can be accessed from the computer main body as if it were a memory module having a two-bank configuration using a 128 Mbit SDRAM. At present, 256 Mbit SDRAMs have become the mainstream of SDRAMs, and it is becoming difficult to obtain 128 Mbit SDRAMs. However, the present invention enables effective use of a memory module equipped with 256 Mbit SDRAMs even in a computer that is not the latest model. It can be used for
Further, by generating the memory select signal CS from the plurality of select signals CS0 and CS1, the number of memories accessible from the computer main body can be increased, so that the memory capacity that can be handled by the computer main body can be increased. It is possible.
[0048]
(3) Modification:
Various modifications of the memory module of the present invention are conceivable.
The above-described memory module 10 is a DIMM without an ECC (Error Correction Code). However, a memory module with an ECC only increases the memory for the ECC, and the present invention is applicable. Of course, a SIMM or the like may be used instead of the DIMM.
The SDRAM also has a memory having 16 data signal input / output terminals. Even if such a memory is a memory that can input a plurality of address signals larger than a predetermined number of address signals generated by the computer main body, the memory area can be effectively used by applying the present invention. Becomes possible. Of course, the present invention can be applied to memories other than eight and sixteen data signal input / output terminals. Further, the present invention is applicable to a ROM or the like that can only read data.
Further, the present invention can be applied to a computer other than a computer that can handle up to a 128-Mbit memory using only a predetermined number of address signals. For example, in the case of a computer body capable of handling up to 64 Mbit memory, by applying the present invention, it is possible to handle 128 Mbit memory, and as described later, a memory having a memory capacity of 256 Mbit or more. Can also be handled. In addition, in the case of a computer main body that can handle up to a 256 Mbit memory, by applying the present invention, a memory having a memory capacity of 512 Mbit or more can be handled.
[0049]
When the select signal and the memory select signal are of positive logic, an OR gate 32a may be used instead of the AND gate 31a as shown in FIG. Then, when either the CS0 or CS1 signal is H (selected state), the memory select signal CS becomes H (selected state), and the SDRAM can be accessed.
When the clock enable signal and the memory clock enable signal have negative logic, an AND gate 32b may be used instead of the OR gate 31b as shown in FIG. Then, when one of the CKE0 and CKE1 signals is L (valid state), the CKE signal becomes L (valid state), and the SDRAM can operate based on the CLK signal.
[0050]
Further, the present memory module can be operated without supplying a memory select signal to the memory mounted on the memory module of the present invention. When the computer generates two types of select signals for each of two memory spaces with the capacity corresponding to the predetermined number of address signals, the memory select signal is not generated and the CS terminal of the mounted memory is always selected. It may be set as. Of course, the memory only needs to be able to access a corresponding data by inputting a plurality of address signals more than the predetermined number of address signals, and it is not necessary to provide the CS terminal.
In this case, the memory circuit receives a predetermined number of address signals and a select signal from the computer main body, generates an additional address signal added to the predetermined number of address signals based on the input select signal, and generates the additional address signal. A signal and a predetermined number of input address signals may be supplied to the memory to enable access to corresponding data from the computer main body. In the above example, by supplying one of the two types of select signals input from the computer body to the memory as an additional address signal, the memory area of the same memory can be selectively used according to the select signal. Can be used effectively.
[0051]
The additional address signal may be other than the address signal representing the highest address that can be input to the memory. FIG. 10 is a block diagram showing a main part of a signal input to a 256 Mbit SDRAM mounted on a memory module according to another modification. When the A11 and A12 terminals are not used for column address input but are used only for row address input, the A0 to A10 signals input from the terminals are input to the A0 to A10 terminals of a 256 Mbit SDRAM, and the A11 signal is input to the 256 Mbit SDRAM. The signal may be input to the A12 terminal and the CS1 signal may be input to the A11 terminal as an additional address signal. When the A10 to A12 terminals are SDRAMs used only for row address input, the A0 to A9 signals input from the 168 pin terminals are input to the A0 to A9 terminals of the SDRAM, and the A10 and A11 signals are respectively transmitted to the A11 of the SDRAM. , A12 terminal and the CS1 signal may be input to the A10 terminal as an additional address signal. Of course, when the A0 terminal is used only for the row address input, the CS1 signal input from the 168-pin terminal may be input to the A0 terminal as an additional address signal.
[0052]
Further, a plurality of additional address signals may be generated from three or more types of select signals for selecting three or more banks. FIG. 11 is a circuit diagram showing a main part of a circuit of a memory module according to another modification.
This memory module is a 512 Mbyte DIMM on which eight 512 Mbit SDRAMs are mounted. The 512 Mbit SDRAM is capable of inputting 14 types of address signals A0 to A13, two types more than the predetermined number of address signals A0 to A11 input from the desktop PC, and accesses the entire memory area of the SDRAM. This requires two more types of address signals. The 512 Mbit SDRAM shown in the figure is representative of one of the eight SDRAMs.
On the other hand, a desktop PC will be described as an example in which a memory capacity of 512 Mbytes is handled as four banks of 128 Mbytes.
[0053]
In the figure, the memory circuit 50 includes AND gates 51a to 51d and OR gates 51e to 51g.
The two input terminals of the AND gate 51a are connected to the CS0 and CS1 terminals in the 168 pin terminal 40, respectively, and the two input terminals of the AND gate 51b are connected to the CS2 and CS3 terminals in the 168 pin terminal 40, respectively. I have. The output terminals of the AND gates 51a and 51b are connected to the two input terminals of the AND gate 51c, respectively. The output terminal of the AND gate 51c is connected to the CS terminal of the SDRAM. That is, the memory module changes the memory select signal CS to L (selection of the 512 Mbit SDRAM) when any of the plurality of input select signals CS0 to CS3 is L (selection state of the memory space of the 128 Mbit virtual memory). State), and when all of the input CS0 to CS3 signals are H (the non-selection state of the memory space of the 128 Mbit virtual memory), the CS signal is set to H (the 512 Mbit SDRAM is not selected).
[0054]
The output terminal of the AND gate 51b is connected to the A13 terminal of the SDRAM. The CS1 and CS3 terminals in the terminal 40 are connected to the two input terminals of the AND gate 51d, respectively. The output terminal of the AND gate 51c is connected to the A12 terminal of the SDRAM.
That is, as shown in FIG. 12, when the CS0 to CS3 signals are 0, 1, 1, 1 in order, the A13 and A12 signals are 1, 1 respectively, and the CS0 to CS3 signals are 1, 0, 1, 1 in order. At some point, the A13 and A12 signals are 1, 0, respectively. When the CS0 to CS3 signals are 1,1,0,1 in order, the A13 and A12 signals are 0,1, respectively. When the CS0 to CS3 signals are 1,1,1,0 in order, the A13 and A12 signals are Each becomes 0,0. As described above, since the combination of the signals A13 and A12 is different when the signals CS0 to CS3 which are L are different, a plurality of select signals are input in the same circuit, and a predetermined number of address signals are determined based on the input select signals. Additional address signals A12 and A13 added to A0 to A11 can be generated. As a result, 1/4 of the memory area of the 512 Mbit SDRAM 20 is assigned to CS0 to CS3 signals = L, that is, BANK1 to BANK4.
[0055]
When the A13 signal is generated and input to the A13 terminal, the logical AND of the CS0 and CS1 signals may be input instead of the logical AND of the CS2 and CS3 signals. When generating the A12 signal and inputting it to the A12 terminal, instead of inputting the logical AND of the CS1 and CS3 signals, the logical AND of the CS0 and CS2 signals may be input.
Even in such a memory circuit 50, a predetermined number of address signals A0 to A11 and a plurality of select signals CS0 to CS3 are input from a desktop PC, and a memory select signal CS and additional address signals A12 and A13 are input. By supplying the CS signal, additional address signals A12 and A13, and a predetermined number of address signals A0 to A11 to the 512 Mbit SDRAM, it is possible to access the corresponding data in the entire memory area from the desktop PC. .
[0056]
The two input terminals of the OR gate 51e are connected to the CKE0 and CKE1 terminals in the terminal 40, respectively, and the two input terminals of the OR gate 51f are connected to the CKE2 and CKE3 terminals in the terminal 40, respectively. The output terminals of the OR gates 51e and f are connected to the two input terminals of the OR gate 51g, respectively. The output terminal of the OR gate 51g is connected to the CKE terminal of the SDRAM. That is, the memory module changes the memory clock enable signal CKE to H when any of the plurality of input clock enable signals CKE0 to CKE3 is H (the clock signal input in the memory space of the 128 Mbit virtual memory is valid). (When the clock signal input of the 512 Mbit SDRAM is valid), and when all of the input CKE0 to CKE3 signals are L (invalid state of the clock signal input in the memory space of the 128 Mbit virtual memory), the CKE signal is changed to L (512M Bit SDRAM clock signal input is invalid). Therefore, when a plurality of clock enable signals are output from the desktop PC to the memory space of the plurality of 128 Mbit virtual memories, the 512 Mbit SDRAM can be appropriately made accessible.
[0057]
Of course, if the computer itself handles three banks of 128 Mbytes each, the CS3 and CKE3 signals will not be input to the memory module, but of the 512 Mbit SDRAM using the circuit shown in FIG. It is possible to use a memory area of 128 × 3 = 384 Mbits. In this case, the entire memory area of the 512 Mbit SDRAM is not used, but a wider area than the 128 Mbit memory area accessible only by a predetermined number of address signals A0 to A11 can be handled from the computer main body. Therefore, the memory area of the 512 Mbit SDRAM can be used effectively.
[0058]
Even when a 1G (gigabit) SDRAM capable of inputting A0 to A14 signals is mounted on the memory module, the computer body can generate a predetermined number of address signals A0 to A11 and eight types of select signals CS0 to CS7. Then, the present invention can be applied. At this time, the memory circuit inputs the A0 to A11 signals and the CS0 to CS7 signals from the computer main body, generates the memory select signal CS and the additional address signals A12 to A14, and outputs the CS signal and the additional address signal A12. A14 to A14, by supplying a predetermined number of address signals A0 to A11 to the 1 Gbit SDRAM, it is possible to access the corresponding data in the entire memory area from the desktop PC. In addition, the memory clock enable signal CKE can be generated by inputting eight types of clock enable signals CKE0 to CKE7.
[0059]
Further, even in a memory module before the memory is mounted, by mounting the memory, a memory area that cannot be accessed only by a predetermined number of address signals can be accessed from the computer main body. Therefore, as shown in FIG. 6, the present invention is effective even with the memory auxiliary module 12 except for the SDRAM 20 from the memory module 10. Of course, the auxiliary module for memory may include a memory socket for mounting the memory, or may have a shape in which the memory can be soldered.
As described above, according to the present invention, according to various aspects, even if a memory cannot access the entire memory area only by a predetermined number of address signals input from the computer main body, the memory area cannot be accessed only by the same address signal. Can be accessed from the computer main body, and a memory module and a memory auxiliary module that can effectively use a memory area can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a front view showing the appearance of a memory module according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing a part of a wiring correspondence between a connector of a desktop PC and a conventional 128 Mbit SDRAM.
FIG. 3 is a diagram showing a terminal of a conventional 128 Mbit SDRAM in each SDRAM group and a main part of a signal line connected to the terminal.
FIG. 4 is a timing chart illustrating a state of a signal output from a connector by a desktop PC.
FIG. 5 is a diagram showing a main part of a 256 Mbit SDRAM terminal and a signal line connectable to the terminal when the desktop PC is used.
FIG. 6 is a circuit diagram showing a main part of a circuit of the memory module.
FIG. 7 is a diagram schematically showing a state of a 128 Mbit memory space allocated to a 256 Mbit memory area;
FIG. 8 is a timing chart showing states of various signals.
FIG. 9 is a circuit diagram showing a main part of a circuit of a memory module according to a modification.
FIG. 10 is a block diagram showing a main part of a signal input to an SDRAM mounted on a memory module according to another modification.
FIG. 11 is a circuit diagram showing a main part of a circuit of a memory module according to another modification.
FIG. 12 is a table showing the correspondence between the states of CS0 to CS3 signals and A12 and A13 signals.
[Explanation of symbols]
10 ... Memory module
10a ... Printed circuit board
12 ... Auxiliary module for memory
20 ... 256 Mbit SDRAM
30 ... Memory circuit
31 ... Gate IC
31a… AND gate
31b… OR gate
40 ... 168 pin terminal
50 ... Memory circuit
90 ... Motherboard
91… Connector
R11 to R18, R21 to R28 ... virtual memory

Claims (9)

所定数のアドレス信号および当該所定数のアドレス信号に対応した容量の複数のメモリ空間のそれぞれについて選択状態または非選択状態を表す複数のセレクト信号を生成するコンピュータ本体に接続可能な規格化されたメモリモジュールであって、
選択状態または非選択状態を表すメモリ用セレクト信号および上記所定数のアドレス信号より多い複数のアドレス信号を入力して同メモリ用セレクト信号が選択状態であるときに同複数のアドレス信号に対応するデータのアクセスが可能なメモリと、
上記コンピュータ本体から上記所定数のアドレス信号および複数のセレクト信号を入力し、入力したセレクト信号に基づいて、上記メモリ用セレクト信号を生成するとともに上記所定数のアドレス信号に追加された追加アドレス信号を生成し、生成したメモリ用セレクト信号並びに生成した追加アドレス信号および入力した所定数のアドレス信号を上記メモリに供給することにより対応するデータへのアクセスを上記コンピュータ本体から可能とするメモリ用回路とを具備することを特徴とするメモリモジュール。
A standardized memory connectable to a computer body that generates a plurality of select signals indicating a selected state or a non-selected state for each of a predetermined number of address signals and a plurality of memory spaces each having a capacity corresponding to the predetermined number of address signals. Module
When a memory select signal indicating a selected state or a non-selected state and a plurality of address signals greater than the predetermined number of address signals are input and the memory select signal is in a selected state, data corresponding to the plurality of address signals Accessible memory,
The predetermined number of address signals and a plurality of select signals are input from the computer main body, and based on the input select signals, the memory select signal is generated and an additional address signal added to the predetermined number of address signals is generated. A memory circuit that enables the computer body to access corresponding data by supplying the generated memory select signal and the generated additional address signal and the input predetermined number of address signals to the memory. A memory module, comprising:
上記メモリ用回路は、上記入力した複数のセレクト信号のいずれかが上記メモリ空間の選択状態であるときに上記メモリ用セレクト信号を上記メモリの選択状態とし、同入力した複数のセレクト信号の全てが上記メモリ空間の非選択状態であるときに上記メモリ用セレクト信号を上記メモリの非選択状態とすることを特徴とする請求項1に記載のメモリモジュール。The memory circuit sets the memory select signal to the memory select state when any of the input select signals is in the memory space select state, and all of the input plural select signals are in the memory select state. 2. The memory module according to claim 1, wherein the memory select signal is set to a non-selection state of the memory when the memory space is in a non-selection state. 上記コンピュータ本体は、上記所定数のアドレス信号に対応した容量の二つのメモリ空間のそれぞれについて選択状態または非選択状態を表す二種類のセレクト信号を生成し、
上記メモリ用回路は、上記二種類のセレクト信号のいずれかを上記コンピュータ本体から入力して上記追加アドレス信号として上記メモリに供給することを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載のメモリモジュール。
The computer body generates two types of select signals indicating a selected state or a non-selected state for each of two memory spaces having a capacity corresponding to the predetermined number of address signals,
3. The memory circuit according to claim 1, wherein the memory circuit inputs one of the two types of select signals from the computer main body and supplies the selected address signal to the memory as the additional address signal. Memory module.
上記メモリは、パルス状のクロック信号および同クロック信号入力の有効状態または無効状態を表すメモリ用クロックイネーブル信号を入力して同クロックイネーブル信号が有効状態であるときに同クロック信号に基づいて動作可能であり、
上記コンピュータ本体は、上記クロック信号および上記複数のメモリ空間のそれぞれについて上記クロック信号入力の有効状態または無効状態を表す複数のクロックイネーブル信号を生成し、
上記メモリ用回路は、上記コンピュータ本体から上記クロック信号および上記複数のクロックイネーブル信号を入力し、入力した複数のクロックイネーブル信号に基づいて上記メモリ用クロックイネーブル信号を生成して入力したクロック信号とともに上記メモリに供給することを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載のメモリモジュール。
The memory is operable based on the clock signal when the clock enable signal is in a valid state by inputting a pulsed clock signal and a memory clock enable signal indicating a valid state or an invalid state of the clock signal input. And
The computer main body generates a plurality of clock enable signals indicating the valid state or the invalid state of the clock signal input for each of the clock signal and the plurality of memory spaces,
The memory circuit receives the clock signal and the plurality of clock enable signals from the computer main body, generates the memory clock enable signal based on the input plurality of clock enable signals, and generates the memory clock enable signal together with the input clock signal. The memory module according to claim 1, wherein the memory module is supplied to a memory.
上記メモリ用回路は、上記入力した複数のクロックイネーブル信号のいずれかが上記メモリ空間のクロック信号入力の有効状態であるときに上記メモリ用クロックイネーブル信号を上記メモリのクロック信号入力の有効状態とし、同入力した複数のクロックイネーブル信号の全てが上記メモリ空間のクロック信号入力の無効状態であるときに上記メモリ用クロックイネーブル信号を上記メモリのクロック信号入力の無効状態とすることを特徴とする請求項4に記載のメモリモジュール。The memory circuit sets the memory clock enable signal to the valid state of the clock signal input of the memory when any of the plurality of input clock enable signals is in the valid state of the clock signal input in the memory space, The memory clock enable signal is set to an invalid state of the clock signal input of the memory when all of the plurality of input clock enable signals are in an invalid state of the clock signal input of the memory space. 5. The memory module according to 4. 上記追加アドレス信号は、上記所定数のアドレス信号にて表されるアドレスよりも上位のアドレスを表すことが可能な信号とされていることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかに記載のメモリ用補助モジュール。6. The signal according to claim 1, wherein the additional address signal is a signal capable of representing an address higher than an address represented by the predetermined number of address signals. An auxiliary module for a memory according to claim 1. 所定数のアドレス信号および当該所定数のアドレス信号に対応した容量の複数のメモリ空間のそれぞれについて選択状態または非選択状態を表すセレクト信号を生成するコンピュータ本体に接続可能な規格化されたメモリモジュールであって、
上記所定数のアドレス信号より多い複数のアドレス信号を入力して対応するデータのアクセスが可能なメモリと、
上記コンピュータ本体から上記所定数のアドレス信号およびセレクト信号を入力し、入力したセレクト信号に基づいて上記所定数のアドレス信号に追加された追加アドレス信号を生成し、当該追加アドレス信号および入力した所定数のアドレス信号を上記メモリに供給することにより対応するデータへのアクセスを上記コンピュータ本体から可能とするメモリ用回路とを具備することを特徴とするメモリモジュール。
A standardized memory module connectable to a computer body that generates a select signal indicating a selected state or a non-selected state for each of a predetermined number of address signals and a plurality of memory spaces having a capacity corresponding to the predetermined number of address signals. So,
A memory capable of accessing a corresponding data by inputting a plurality of address signals greater than the predetermined number of address signals;
The predetermined number of address signals and the select signal are input from the computer main body, an additional address signal added to the predetermined number of address signals is generated based on the input select signal, and the additional address signal and the input predetermined number are generated. A memory circuit that supplies access to corresponding data from the computer main body by supplying the address signal to the memory.
所定数のアドレス信号および当該所定数のアドレス信号に対応した容量の複数のメモリ空間のそれぞれについて選択状態または非選択状態を表す複数のセレクト信号を生成するコンピュータ本体に接続され、選択状態または非選択状態を表すメモリ用セレクト信号および同所定数のアドレス信号より多い複数のアドレス信号を入力して同メモリ用セレクト信号が選択状態であるときに同複数のアドレス信号に対応するデータのアクセスが可能なメモリに対して同コンピュータ本体からのアクセスを可能とするにあたり、
上記コンピュータ本体から上記所定数のアドレス信号および複数のセレクト信号を入力し、入力したセレクト信号に基づいて、上記メモリ用セレクト信号を生成するとともに上記所定数のアドレス信号に追加された追加アドレス信号を生成し、生成したメモリ用セレクト信号並びに生成した追加アドレス信号および入力した所定数のアドレス信号を上記メモリに供給することにより対応するデータへのアクセスを上記コンピュータ本体から可能とすることを特徴とするメモリ用補助モジュール。
A selected number of address signals and a plurality of memory signals having a capacity corresponding to the predetermined number of address signals are connected to a computer main body that generates a plurality of select signals indicating a selected state or a non-selected state, and are connected to a selected state or a non-selected state. When a memory select signal indicating a state and a plurality of address signals greater than the predetermined number of address signals are input, data corresponding to the plurality of address signals can be accessed when the memory select signal is in a selected state. To make the memory accessible from the computer itself,
The predetermined number of address signals and a plurality of select signals are input from the computer main body, and based on the input select signals, the memory select signal is generated and an additional address signal added to the predetermined number of address signals is generated. By supplying the generated memory select signal, the generated additional address signal, and the input predetermined number of address signals to the memory, the computer can access the corresponding data from the memory. Auxiliary module for memory.
所定数のアドレス信号および当該所定数のアドレス信号に対応した容量の複数のメモリ空間のそれぞれについて選択状態または非選択状態を表すセレクト信号を生成するコンピュータ本体に接続され、同所定数のアドレス信号より多い複数のアドレス信号を入力して対応するデータのアクセスが可能なメモリに対して同コンピュータ本体からのアクセスを可能とするにあたり、
上記コンピュータ本体から上記所定数のアドレス信号およびセレクト信号を入力し、入力したセレクト信号に基づいて上記所定数のアドレス信号に追加された追加アドレス信号を生成し、当該追加アドレス信号および入力した所定数のアドレス信号を上記メモリに供給することにより対応するデータへのアクセスを上記コンピュータ本体から可能とすることを特徴とするメモリ用補助モジュール。
A predetermined number of address signals and a plurality of memory spaces each having a capacity corresponding to the predetermined number of address signals are connected to a computer main body that generates a select signal indicating a selected state or a non-selected state. In order to enable access from the same computer to a memory that can access the corresponding data by inputting many address signals,
The predetermined number of address signals and the select signal are input from the computer main body, an additional address signal added to the predetermined number of address signals is generated based on the input select signal, and the additional address signal and the input predetermined number are generated. A memory auxiliary module, wherein access to corresponding data is enabled from the computer main body by supplying the address signal to the memory.
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