JP2004063521A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】半導体装置の製造過程におけるドライ洗浄で半導体装置の歩留まり低下を防止する。
【解決手段】真空容器１内にウエハ４を設置し、プラズマ生成手段２により生成する第１のガス種によるプラズマの電気的作用および化学的作用と、ウエハ４の主面に近接して配置する平面状構造体５で形成する高速ガス流の摩擦応力による物理的作用を併用し、そのウエハ４の主面を洗浄する。洗浄後のウエハ４は、同一真空容器１内にて第２のガス種によるプラズマで処理したのちに大気に出す。
【選択図】　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、洗浄を含む半導体装置の製造技術、特に半導体ウエハ表面に残存する異物等を除去する洗浄工程を含む半導体装置の製造技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置（ＬＳＩ，ＶＬＳＩ等）の製造技術は微細化が急速に進んできている。このような状況下において、半導体装置の製造工程での半導体ウエハの洗浄は、半導体装置の製造歩留り向上のための重要なプロセスの一つである。このため、成膜やエッチングのようなそれぞれの製造工程での前処理あるいは後処理として洗浄が行われる。
従来、半導体ウエハ（以下、ウエハと言う）の洗浄は、純水または純水に各種酸やアルカリ溶液を希釈した溶液を用い、前記溶液中にウエハを浸すまたは溶液を吹き付ける方法にてウエハ表面の異物を洗い流すことで実施されている。また、ウエハを溶液に浸すと同時にブラシによりウエハ表面を機械的に洗浄する方法等も用いられている。そして、これらの洗浄方法は、溶液を用いていることからウエット洗浄（Ｗｅｔ　ｃｌｅａｎｉｎｇ）と呼ばれている。
しかしながら、ウエット洗浄では、洗浄のほかに、その洗浄に続くリンス、乾燥を処理する工程が必要となり、製造工程の増加をまねく問題があった。
【０００３】
このようなウエット洗浄の問題解決を成す洗浄方法として、ドライ洗浄（（Ｄｒｙ　ｃｌｅａｎｉｎｇ）がある。
ドライ洗浄の一つは、例えば、特開平８−１３１９８１号公報（以下、公知文献１と言う）に開示されている。この公知文献１によれば、被洗浄物は、例えば単結晶シリコンをスライス、ラッピング、ポリシングした半導体用６インチシリコンウエハーを対象とし、静電気の帯電によってその被洗浄物に付着した付着物の洗浄を活性化された空気を用いて常温乾式で洗浄を行うことが記載されている。すなわち、その活性空気は、空気イオンと、水クラスターとを含み、高湿度雰囲気を形成し、流動しつつ洗浄室内の被洗浄物に接触してその行う。空気イオンは被洗浄物の電荷を中和し、水クラスターは、付着物を被洗浄物表面から遊離させる。流動する活性空気は、被洗浄から付着物を剥離してこれを除去する。なお、この公知文献１は、具体的にはウエハーメーカーからＳｉウエハーを購入後、ＬＳＩ製造時の前処理洗浄について開示している。
また、他のドライ洗浄として、特開平８−８５８８７号公報（以下、公知文献２と言う）に開示の技術がある。この公知文献２によれば、被エッチング材がＷを用いた単層膜あるいは積層膜を有した試料のエッチング処理後、その試料は真空搬送装置によって後処理装置（次工程の処理装置）に搬送される。そして、試料を大気に暴露することなく同処理装置内（真空中）でレジストと付着物を同時に除去（プラズマアッシング）するというものである。
そしてさらに、特開平９−１７７７６号公報（以下、公知文献３と言う）に開示のドライ洗浄がある。この公知文献３によれば、半導体基板上の吸着有機物により成膜時の膜厚形成に影響を受けやすい膜の形成に際して、その下地膜の成膜前に、同一の半導体製造装置内部で室温または高温でＯ３クリーニングを行うことにより吸着有機物を除去し、半導体基板の表面状態に影響を受けやすい成膜の安定化を図るというものである。すなわち、公知文献３に記載の発明によれば、半導体基板上に下層配線パターンを形成した半導体製造装置をそのまま使用して、Ｏ３ガスを導入して半導体基板をクリーニングし、半導体基板表面の残留有機物と反応させ、ＣＯあるいはＣＯ２のような揮発生成物として除去することが開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
近年、ＤＲＡＭで代表される少品種多量生産から多品種少量生産に象徴されるシステム・オン・チップ（いわゆるシステムＬＳＩ）が主流になってきた。多品種少量生産の場合、生産効率を上げるために、短ＴＡＴ（Ｔｕｒｎ　Ａｒｏｕｎｄ　Ｔｉｍｅ）化が重要視されてきている。
【０００５】
このため、半導体装置の製造工程の前処理あるいは後処理として行う洗浄は、ドライ洗浄により半導体製造効率の向上を図ることが求められている。
また、半導体装置の新材料、特に層間絶縁膜としての絶縁膜材料に、Ｌｏｗ−ｋ膜（比誘電率３．０以下の低誘電率膜）と呼ばれる有機系膜やポーラスな有機系膜等の吸湿性の高い材料が高性能デバイスでは必要となってきている。それら材料を用いた半導体装置の製造ではウエット洗浄または場合によっては大気にさらすだけでデバイスの特性劣化が引き起こされる。
【０００６】
本発明の目的は、先に記したウエット洗浄に伴う課題を解決するため、半導体装置の製造過程において、真空中での洗浄でかつ真空中で効果的な洗浄力が得られる洗浄技術を提供することにある。
【０００７】
本発明の他の目的は、半導体装置の製造における歩留まり向上と低コスト化を図ることにある。
本発明の他の目的は、０．１μｍプロセスによる半導体装置を低コストでかつ高精度に製造することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
本発明の一つは、真空排気ポンプが接続された容器と、プラズマを生成する手段と、プラズマの原料となるガスを供給するガス供給手段と、前記容器内に設けられたウエハを設置するためのウエハテーブルと、ウエハに向かってガスを噴出するガス孔、およびウエハとの対向面が平面部を具備する平面状の構造体と、前記平面状の構造体を前記ウエハ面上で走査する手段とを有するドライ洗浄装置を準備する工程と、
前記ウエハテーブルにウエハを設置する工程と、
前記真空排気ポンプにより前記容器内を減圧維持し、前記前記容器内に前記ガス供給手段より前記容器内にプラズマの原料となるガスを供給させ、前記プラズマを生成する手段により前記容器内にプラズマを生成する工程と、
前記平面状の構造体の平面部を前記ウエハ主面に近接させ、第１のガス種を前記ガス孔より噴出させて前記第１のガス種のガス流により流体摩擦応力と、前記プラズマで生成された電荷あるいは活性粒子の作用との併用にて前記ウエハ主面を洗浄する工程と、
前記洗浄工程の後、前記容器内にて、第２のガス種でプラズマを生成し、前記ウエハの主面をそのプラズマにさらす工程と、しかる後、前記ウエハを前記容器外に搬出する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０００９】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
はじめに、図１を参照し、本発明の洗浄技術に適用されるドライ洗浄装置の構成を説明する。
【００１０】
なお、以下の具体的な実施の形態で説明する「ウエハ」は、特に説明がない限り、シリコンウエハ、エピタキシャルウエハ、化合物半導体ウエハ（例えば、ＧａＡｓウエハ）あるいは、絶縁層上に形成された半導体層から成るＳＯＩウエハを総称している。
図１に示すドライ洗浄装置の基本な構成は、容器（ｃｈａｍｂｅｒ）１、容器１内を所定の圧力に減圧するための真空排気ポンプ、例えば２０００ｌ／ｓｅｃ以上の性能を有するターボ分子ポンプＴＭＰ、プラズマを生成する手段２、プラズマの原料となるガスを供給する手段（マスフローコントローラＭＦＣ）６、被処理試料であるウエハを設置するためのウエハ設置手段（円形状テーブル）３、ウエハ面に向かってガスを噴出する機能を有した平面状構造体５、平面状構造体５をウエハ面上で走査する揺動機構８真空容器１にプラズマ生成手段２、および回転機能を有するウエハ設置手段３から成る。
ウエハ４は、搬送アーム１０により容器１内にバルブ１１を介して接続された搬送室１２から輸送され、そしてウエハ設置手段（ウエハテーブル）３に設置される。
【００１１】
プラズマの原料となるガス供給手段６から容器１内へＣＦ４、Ｏ２、Ａｒ、Ａｒ＋Ｈ２（３％）が供給される。さらに、ガス噴出機能を有する平面状構造体５に接続されたガス導入手段７がプラズマ生成手段によるプラズマの原料となるガス供給手段６と独立して設置されている。
ガス供給手段６からＡｒが平面状構造体５を通して円形状テーブル３に設置されたウエハ４の主面に噴出される。平面状構造体５にはウエハ４面上で走査するための揺動機構８および前記平面状構造体５をウエハ４面に近接させるためのアクチュエータ機能９が設置されている。搬送アーム搬送アーム真空容器１には窓１３を介して赤外ランプ１４が設置されている。前記赤外ランプ１４から発せられる光は、後で詳しく述べるが、ウエハを加熱するために照射される。
図２に平面状構造体５の詳細な構成図を示す。図２（Ａ）は平面状構造体５の断面図である。そして、図２（Ｂ）はパット部１５の平面図である。平面状構造体５は、ウエハ４面に近接するパット部１５、パット部を保持するパット保持部１６、ガス噴出部１７、パット部を被処理面に常に平行に近接させるための可動部１８、ウエハ面に近接させた際のウエハ面とパット部間に作用する荷重を検出する荷重検出部１９からなる。荷重検出部１９は、図１に示した制御部２０に電気的に接続されている。荷重検出部１９にて検出した荷重により制御部２０を介しアクチュエータ機能９を制御して、平面状構造体５とウエハ４との間隔が制御される。パット部１５は、プラズマに曝されても安定な材質であるテフロンから成る。他の材質としては、ポリビニルアルコール、デルリン、ベスペル、カプトン、ポリ塩化ビニール、ポリエステル、酸化シリコン、シリコン、酸化アルミニュウムの一つが選択される。
【００１２】
次に、上記のドライ洗浄装置を用いた半導体装置の製造過程を、図３を参照し、説明する。
（ａ）まず、洗浄の対象となるウエハ４を搬送室１２より搬送アーム１０を用いてウエハ設置手段３に設置する。ウエハ４は、例えば、その主面に絶縁膜（酸化膜）を有し、その絶縁膜にコンタクトホールあるいはスルーホール形成が行われたものである。
（ｂ）続いて、容器１内をターボ分子ポンプにより減圧を保ち、そしてウエハ設置手段３の回転機能によりウエハ４を円周方向に回転する。本実施の形態１では、ウエハ４の回転速度を２００回転／分とした。この回転速度は、異物除去のスループットに関係し、任意に制御される。
（ｃ）続いて、ガス導入手段６より、第１のガスとしてＣＦ４、Ｏ２を真空容器内に導入する。この時、本実施の形態１ではＣＦ４を２０ｓｃｃｍ、Ｏ２を４０ｓｃｃｍ導入した。この第１のガスを原料にプラズマ生成手段２によりプラズマを生成する。このプラズマからウエハ４面に供給さるフッ素ラジカルや、微小な電荷により、ウエハ４面上に付着する微小な異物の吸着力が緩和される。例えば、微小な電荷は、ウエハ面に帯電により静電吸着する微粒子の帯電を中和し吸着力を緩和する作用がある。また、フッ素ラジカルはウエハ面を極わずかエッチングすることで食い込んで吸着している異物の吸着力を緩和する機能や、異物とウエハ面の化学吸着力そのものを緩和する作用がある。
（ｄ）続いて、平面状構造体５のガス噴出部１７よりＡｒガスを１５０００ｓｃｃｍ噴出させながら、アクチュエータ機能９により平面状構造体５のパット部１５をウエハ４面に１００μｍ以下に近接させる。この時、平面状構造体５はＡｒガスをウエハ４面に向けて噴出しながら近接するため、接触する前から平面状構造体５とウエハ４面間に反発力が作用する。この反発力を荷重検出部１９で検出し、一定の荷重となるようアクチュエータ機能９を制御部２０で制御することで、平面状構造体５とウエハ４面間の距離を一定に保つことができる。
本実施の形態１では、荷重を１５０ニュートンと一定に保つことで、平面状構造体５とウエハ４面との間隔を３０μｍとした。すなわち、荷重検出部１９によりパット部１５とウエハ４との間に作用する力を検出することでパット面（１５）とウエハ面（４）との間隔が制御される。具体的には、平面構造体５より供給したＡｒガスによりパット面（１５）とウエハ面（４）との隙間は高ガス圧力状態となる。パット部１５がウエハ４に接しなくてもパット部およびウエハ２間に荷重が生じるため、その荷重と流すガスの流量を管理することでパット面とウエハ面との間隔を制御することができる。荷重検出部１９には圧電素子、歪計、バネ、弾力材、おもりのそれぞれ、またはそれらを組合わせた部材を用いることができる。パット部表面とウエハ２主面の間隔を１〜１００μｍの範囲、より好ましくは５〜３０μｍとすることで効果が得られる。洗浄力のみを考慮すればパット面とウエハ面の間隔が狭いほど高い洗浄力が得られるが、間隔を一定に保つのが困難となると同時にあまり近接させ過ぎると接触する可能性が高くなりウエハ２表面にダメージを誘発する。このため、上記の５〜３０μｍの間隔が最も効果的である。
【００１３】
このように、Ａｒガスを噴出しながら平面状構造体５をウエハ面に近接させることで、平面状構造体５とウエハ４との間には高速なガス流が生成される。このガス流によりウエハ面の水平方向に流体摩擦応力が作用する。そして、この流体摩擦応力により、非接触のまま大きな物質移動力を生成することができる。このため、ウエハ４面上に付着した微小な異物を除去することができる。要するに、本発明の考え方の一つは摩擦応力を利用してそのガス流によりウエハ面に付着していた異物２６を除去するというものである。
（ｅ）さらに、平面状構造体５をウエハ４面上で揺動させる。高速なガス流による流体摩擦応力は、平面状構造体５の揺動機構８とウエハ設置手段３の回転機能により、一定時間（Ｔ１）、ウエハ４面に与えられる。これによって、ウエハ面全面に作用させることができる。
（ｆ）続いて、前記第１のガス種によるプラズマをオフさせる。すなわち、プラズマ生成を停止させる。
（ｇ）続いて、平面状構造体５をウエハ４面上から退避させ、また平面状構造体５のガス噴出部１７からのガス噴出を停止させる。以上により洗浄が終了する。
【００１４】
上述したように、第１のガスによるプラズマから供給される電荷および活性なラジカルにより、ウエハ４面に付着する異物の吸着力緩和と、ウエハ４面に近接させる平面状構造体５により生成される高速ガス流による流体摩擦応力の両方を作用させることによりウエハ面上の異物を真空中のドライな雰囲気にて除去することが可能となる。
【００１５】
なお、制御部２０は、荷重検出部１９の信号によるアクチュエータ機能９の制御の他に、ウエハ設置手段３の回転制御、ガス導入手段６、ガス導入手段７、揺動機構８、プラズマ生成手段２および赤外ランプ制御部２４を制御し、プログラムに従い連動して動作させる機能を有する。
【００１６】
洗浄の過程では、ＣＦ４ガスを含むプラズマをウエハに照射していることから、洗浄後のウエハ面には大量のフッ素が残留した状態となっている。このフッ素が吸着した状態でウエハを大気中に出すと、大気中の水分とフッ素が反応しフッ酸ができ、ウエハ面を変質してしまう場合がある。よって、洗浄後のウエハ４表面のフッ素を無害化してから大気に出す必要がある。
（ｈ）洗浄終了後、平面状構造体５をウエハ４面上より退避させる。そして、ガス導入手段６より第２のガス種としてＡｒで３％に希釈された水素（Ａｒ＋Ｈ２（３％））およびＯ２を導入し、プラズマ生成手段２にて生成したプラズマをウエハ４に照射する工程を一定時間（Ｔ２）行う。水素を原料とするプラズマからＨラジカルをウエハ面に供給することで、ウエハ面に吸着しているフッ素をＨＦに変換する。変換されたＨＦは、真空中であるためウエハ面から揮発し、排気される。これにより、洗浄後のウエハ４表面からフッ素を除去し、大気に出した場合における変質を防止できる。
【００１７】
第２のガス種に含まれる酸素は、真空容器１内に残留するカーボンと水素が反応して生成される堆積膜を除去する役割をもつ。また、Ａｒガスで希釈した水素を用いるのは、３％程度以下に希釈された水素は可燃性を持たないためであり、安全上や取り扱い上の面でコストを大幅に低減できるからである。必要な水素濃度は３％程度の希釈状態でも十分である。
【００１８】
また、第２のガス種のプラズマにおける洗浄後のウエハ面の処理中に赤外ランプ１４にてウエハ４を２００度以下程度に加熱している。この加熱によりＨラジカルにて生成されたウエハ４面上のＨＦの揮発が促進され、ＨＦ除去効果をあげることができる。
【００１９】
なお、赤外ランプ１４によるウエハ４の加熱を第１のガス種導入による洗浄時から行っていても同様の効果が期待できる。洗浄時にウエハ４を過熱することで洗浄効果を向上させる作用もある。この工程では、ウエハを回転させることで、プラズマ照射およびランプ加熱のウエハ面内均一化を図っている。
（ｉ）前記（ｈ）工程を行った後、ウエハ４の回転を停止させる。
（ｊ）続いて、バルブ１１を開放させ、ウエハ４を搬送アーム１０により容器１から搬送室１２へ搬送させる。
（実施の形態２）
図４を参照し、実施の形態１とは別の実施の形態２を説明する。前記実施の形態１では、第１のガス種によるプラズマ生成と平面状構造体５によるウエハ４面への高速ガス流での流体摩擦応力作用を同時に行った場合を説明した。本実施の形態２では、第１のガス種によるウエハ４へのプラズマ照射と平面状構造体５による高速ガス流による流体摩擦応力の作用をそれぞれ別々に行うものである。
（ａ）図１に示したドライ洗浄装置において、ウエハ４がウエハ設置手段３に設置される。
（ｂ）続いて、ウエハ設置手段３の回転機能によりウエハ４を回転する。この時、平面状構造体５はウエハ４面上より退避した状態となっている。
（ｃ）続いて、プラズマ生成手段により第１のガス種をプラズマ化し、回転しているウエハ４に一定時間（Ｔ１）のプラズマ照射を行い、ウエハ４面上に吸着した異物の吸着力緩和を行う。この工程を工程（ｅ）で行われる洗浄の前処理という。（ｄ）続いて、プラズマ生成を停止する。
（ｅ）続いて、平面状構造体５をウエハ面４上に移動し、前記実施の形態１と同様に、Ａｒガスを噴出しながらウエハ４面上に近接させる。ウエハ４面上で平面状構造体５を水平方向に揺動させ高速ガス流による流体摩擦応力をウエハ４全面に作用させる。この工程で、流体摩擦応力による洗浄をある一定時間（Ｔ２）行う。
（ｆ）工程（ｅ）後に、再び、平面状構造体５をウエハ４面上より退避させる。また、平面状構造体５からのガス噴出を停止する。
上記第１のガス種によるプラズマ照射と、流体摩擦応力作用による洗浄工程を必要回数繰り返すことで洗浄を行う。すなわち、工程（ｃ）から工程（ｆ）までの処理が必要回数繰り返される。洗浄終了後は、以下に説明するように、前記実施の形態１と同様の工程に進む。
（ｇ）洗浄終了後、平面状構造体５をウエハ４面上より退避させる。
（ｈ）続いて、ガス導入手段６より第２のガス種としてＡｒで３％に希釈された水素（Ａｒ＋Ｈ２（３％））およびＯ２を導入し、プラズマ生成手段２にて生成したプラズマをウエハ４に照射する工程を一定時間（Ｔ１）行う。水素を原料とするプラズマからＨラジカルをウエハ面に供給することで、ウエハ面に吸着しているフッ素をＨＦに変換する。変換されたＨＦは、真空中であるためウエハ面から揮発し、排気される。
【００２０】
これにより、洗浄後のウエハ４表面からフッ素を除去し、大気に出した場合における変質を防止できる。第２のガス種に含まれる酸素は、真空容器１内に残留するカーボンと水素が反応して生成される堆積膜を除去する役割をもつ。また、Ａｒガスで希釈した水素を用いるのは、３％程度以下に希釈された水素は可燃性を持たないためであり、安全上や取り扱い上の面でコストを大幅に低減できるからである。必要な水素濃度は３％程度の希釈状態でも十分である。
【００２１】
また、第２のガス種のプラズマにおける洗浄後のウエハ面の処理中に赤外ランプ１４にてウエハ４を２００度以下程度に加熱している。この加熱によりＨラジカルにて生成されたウエハ４面上のＨＦの揮発が促進され、ＨＦ除去効果をあげることができる。もちろん、赤外ランプ１４によるウエハ４の加熱を第１のガス種導入による洗浄時から行っていても同様の効果が期待できる。洗浄時にウエハ４を過熱することで洗浄効果を向上させる作用もある。
この工程では、ウエハを回転させることで、プラズマ照射およびランプ加熱のウエハ面内
均一化を図っている。
（ｉ）前記（ｈ）工程の後、ウエハの回転を停止させる。
（ｊ）続いて、バルブ１１を開放させ、ウエハ４を搬送アーム１０により容器１から搬送室１２へ搬送させる。
【００２２】
本実施の形態２によれば、、ウエハ４面上に平面状構造体５がある状態でプラズマ照射さ
れることはなく、前記実施の形態１に比べて以下の点で有効である。
工程（ｃ）において、平面状構造体４はウエハ面上から退避している。このため、被処理試料４面へのプラズマ照射を平面状構造体４が部分的に阻害することがない。このため、プラズマ作用による異物吸着力緩和の効率向上が図れる。また、ウエハ面全体にわたり異物吸着力緩和の均一化が図れる。
【００２３】
さらに、プラズマ照射中の被処理試料４面を部分的に平面状構造体４で覆っていないために、プラズマによる被処理試料面での電位不均一を生じさせない。このため、ウエハ面内にトランジスタ等のデバイスが造りこまれている場合でも、そのデバイスに損傷を与えることがない。
【００２４】
前記実施の形態１および前記実施の形態２において、ウエハ４を加熱する手段として赤外ランプを用いたが、ウエハ設置手段３内にヒータを内蔵し、このヒータによりウエハ４を加熱しても前記赤外ランプ加熱と同様な効果が得られる。ウエハ４面内均一加熱化のためには、ヒータ内蔵のウエハ設置手段３の適用が有効である。
【００２５】
また、洗浄後の活性粒子除去において、前記実施の形態１および前記実施の形態２では第２のガス種によるプラズマ処理を用いたが、洗浄後のウエハ４を真空容器１内にて赤外ランプ１４等の加熱手段により、例えば２００℃〜３００℃の温度に加熱するだけでも除去効果はある。すなわち、フッ素の吸着エネルギーよりも大きなエネルギーを与えることで、基板表面のフッ素を活性化し、熱離脱を起こさせ、排気させる。
【００２６】
前記実施の形態１および前記実施の形態２では第１のガス種としてＣＦ４とデポジション膜生成を抑制するための酸素（Ｏ２）との混合ガスを用いた。他の第１のガス種としては、たとえば、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、の如き塩素元素を含むガス、Ｃ２Ｆ６、ＳＦ６、Ｆ２、ＨＦの如きフッ素元素を含むガス、あるいはＮＨ３、Ｈ２、ＣＨ４の如き水素元素を含むガスから選択された一つのガスと酸素（Ｏ２）とを添加させたガスを用いることも可能である。この第１のガス種の選択は洗浄の対象となるウエハ面の材料および構造により選択される。したがって、第１のガス種として酸素（Ｏ２）ガスを単独で適用することもありえる。
【００２７】
また、前記実施の形態１および前記実施の形態２では、平面状構造体５より噴出するガスにＡｒを用いたが、他にＮ２、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅでも同様の効果がある。但し、コストや化学的に影響が少ない等の点を考慮するとＡｒ、Ｈｅ、Ｎｅが効果的である。
【００２８】
さらに、前記実施の形態１および前記実施の形態２では第２のガス種としてＡｒ希釈水素（Ａｒ＋Ｈ２（３％））＋Ｏ２を用いたが、水素の希釈ガスにＡｒ以外のＮｅ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｈｅ、Ｎ２のいずれか一つのガスを選択しても同様な効果がある。
そしてさらに、第２のガス種に水素を含まないＮｅ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｈｅ、Ｎ２　、Ｏ２のいずれかを原料とするプラズマでも活性粒子の残留の程度によっては十分な効果がある。第１のガス種による活性粒子の残留および影響が小さい場合には、第２のガス種によるプラズマ処理を必要とせず、先の実施の形態にしめした赤外ランプ等でのウエハの過熱で十分である。
このような場合には第２のガス種の導入およびそのガスによるプラズマ処理は必ずしも必要としない。
（実施の形態３）
次に、前記実施の形態１および前記実施の形態２で説明した洗浄技術をウエハ内にアクテイブ領域（ＭＩＳＦＥＴ）を形成する段階で適用した実施の形態を説明する。アクテイブ領域の形成段階での実施の形態１あるいは実施の形態２の適用はＭＩＳＦＥＴの如き半導体デバイスの特性劣化の防止に有効である。
ＭＩＳＦＥＴの形成は、図５に示すように、（ａ）素子分離形成およびゲート用ポリシリコン堆積、（ｂ）ゲート電極形成（ポリシリコンエッチング）、（ｃ）イオン打ち込みによるエクステンション（Ｎ−領域）形成、（ｄ）窒化膜堆積、（ｅ）ゲート電極側壁保護膜形成（窒化膜エッチング）、（ｆ）シリサイド層形成の順で行われる。上記（ａ）〜（ｆ）の各工程間では、例えば前記実施の形態２で述べた洗浄が行われる。上記（ａ）〜（ｆ）の各工程を以下に簡単に説明する。
（ａ）　シリコン基板４５に素子間分離のための溝分離領域４６が形成される。なお、シリコン基板４５はＰ型基板にＰウエルが形成されたものである。続いて、ゲート酸化膜（図示せず）を介してゲート用ポリシリコン４７が堆積される。このゲート用ポリシリコン４７は、真空処理室内でＣＶＤ法により形成される。
（ｂ）　真空処理室内でポリシリコンのドライエッチ加工が行われ、ゲート電極４９が形成される。
（ｃ）　イオン打ち込み法により、ゲート電極４９に整合されたエクステンション（Ｎ−領域５０、５１）が形成される。このエクステンションはホットエレクトロン対策として形成された比較的低濃度を有するソース・ドレイン領域である。
（ｄ）　プラズマＣＶＤ法により窒化膜５２がゲート電極４９を有する半導体基板４５上に堆積される。
（ｅ）　窒化膜５２をドライエッチング（異方性エッチング）することにより、ゲート電極４９の側壁にゲート側壁保護膜５３を形成する。この後、前記実施の形態１で述べたドライ洗浄を行う。そして、イオン打ち込み法により、ゲート側壁保護膜５３に整合された比較的高濃度を有するコンタクト用Ｎ＋領域（ソース、ドレイン領域５０Ｓ、５１Ｄ）が形成される。
（ｆ）　続いて、低抵抗化のためにソース、ドレイン領域５０Ｓ、５１Ｄ表面およびゲート電極４９表面にシリサイド層５４がそれぞれ形成される。シリサイド層５４は、例えば、コバルトをソース、ドレイン領域５０Ｓ、５１Ｄ表面およびゲート電極４９表面に付着させ、熱処理することにより形成される。
【００２９】
本実施の形態３では、第１のガス種に先の実施の形態１あるいは実施の形態２と同様なＣＦ４＋Ｏ２を用いた。また第２のガス種においても同様にＡｒ希釈水素（Ａｒ＋Ｈ２（３％））＋Ｏ２を用いた。
通常、ＭＩＳＦＥＴのゲート電極形成プロセスでは、各種薬液によるウエット洗浄が施される。
本ドライ洗浄を施すことで、各工程後に残留する異物をこの過程にて除去できるため、薬液による処理が不要または大幅に軽減できる。特に薬液濃度を薄くしても必要十分な洗浄効果が得られることから、薬液処理の際に生じるゲート電極の寸法シフトや廃液の処理コストを抑制することができる。
【００３０】
以上、本実施に形態３によれば、ＭＩＳＦＥＴ形成プロセスにおいて、各工程間の洗浄をドライ洗浄で行っているため、製造歩留まり向上とともに低コストで高性能な半導体装置を製造することが可能となる。
なお、本実施の形態では、図１１に示した一つのＭＩＳＦＥＴを例に半導体装置の製造プロセスを説明した。実際には、このような　ＭＩＳＦＥＴが一つの半導体基板に複数個形成され、ＬＳＩ、ＶＬＳＩの如き半導体集積回路装置を構成する。
（実施の形態４）
図６は、半導体集積回路装置の製造過程の一部を示す斜視図である。特に、ドライエッチング技術による層間絶縁膜へのビアコンタクト部形成工程を示す。絶縁膜３３は半導体デバイスの高速化、省電力化に有効なＬｏｗ−ｋと呼ばれる低誘電率材料（有機系材料）よりなる絶縁膜である。
図６に示すように、低誘電率膜３３には水素あるいはアンモニアガスを主体とするプラズマにてエッチングを行い、デュアルダマシン配線を得るためのビアコンタクト部および溝部が形成される。すなわち、主面にビアコンタクト部および溝部を形成された絶縁膜を有するウエハ（基板３７）がされる。低誘電率膜３３に挟まれた窒化膜３４は、上層の低誘電率膜３３をドライエッチングする際のエッチストッパ膜である。
続いて、ドライ洗浄を施す。本実施の形態４によるドライ洗浄では、前記実施の形態１が採用される。そして、第１のガス種に水素またはアンモニアを用いた。低誘電率膜には、有機系膜の他に、各種ポーラス状の材料やＳｉＯＣ、ＳｉＯＦ等種々ある。これら材料により最適な本発明の洗浄における第１のガス種および第２のガス種は選択される。
通常、層間絶縁膜のエッチング後も各種薬液によるウエット洗浄が行なわれる。しかし、低誘電率材料よりなる絶縁膜は一般に水分や化学種に弱く、変質や膜特性劣化をもたらす。
本発明による洗浄をエッチング後に施せば、ウエットによる洗浄を軽減でき、低誘電率膜を用いた半導体デバイスの製造精度および歩留まりを高めることができる。
続いて、ビアコンタクト部３５および溝部３６に銅がメッキ法等により導体層が埋め込まれる。図示していないが、このような導体層（配線構造）は４層あるいは５層に形成される。よって、各層でのエッチング後における残留異物の量が最終的な歩留まりに大きく影響する。本発明による洗浄を各層のエッチング後に施すことで高い歩留まりを得ることが可能となる。
【００３１】
なお、本実施の形態４によるドライ洗浄は、前記実施の形態２を採用してもよい。
以上、本発明者によってなされた発明を、発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。以下、その具体例を列挙する。
【００３２】
半導体集積回路装置の製造過程には、スパッタリング法により各種導電性膜（タングステン、アルミニュム、コバルト等）あるいは絶縁膜（ＳｉＯ２等）を生成する場合がある。このようなスパッタ膜の生成後に本発明によるドライ洗浄の適用も有効である。スパッタリング法は一般的にダスト発生が多く、スパッタ膜の生成後、強力な洗浄を必要とする。この場合、特にウエットによるブラシ洗浄では、比較的高い応力がウエハに加わるため、ウエハ面上に形成されているデバイスの構造によっては機械的ダメージを受ける。したがって、本発明によるドライ洗浄をスパッタ膜の生成後に施すことで、ウエットによる強力洗浄工程を省くことが可能となり、デバイス構造の自由度およびデバイス製造の歩留まりを向上することが出来る。
【００３３】
前記実施の形態３において、ウエハをエッチング工程（または成膜工程）とドライ洗浄工程との間で大気にさらすことなく真空中で一貫処理する。これにより、半導体集積回路装置の信頼性および生産性を向上できる。
【００３４】
【発明の効果】
本発明により、ドライでかつ真空中の雰囲気にて高効率な洗浄が行える。特に、水分や過剰な化学種および過度な応力に対して影響を受けやすい材料で構成される半導体装置の製造過程における基板（ウエハ）の洗浄に有効である。
半導体集積回路装置の製造過程でのウエハ主面には、図７に示すコンタクトホール（あるいはスルーホール）５５、また図８に示す配線６０のコーナ部がいたるところに存在する。このようなウエハ面での洗浄効果を以下に簡単に説明する。
【００３５】
図７および図８に示したように、パット型構造体５６の主面とウエハの表面部２ａとの隙間５７において、異物５９を除去するための物理的な作用をガスの流れ５８による粘性摩擦で生じさせるため、ガス流の及ぶ範囲であれば洗浄効果を発揮することができる。
【００３６】
従来のウエット洗浄では液体の表面張力により微細部に液体が進入しにくく、０．３μｍ以下のプロセス技術においては、十分な洗浄効果が得られない場合が想定される。しかしながら、本発明ではガス流を用いるため、今後益々、微細化する半導体集積回路装置の製造過程における洗浄に効果を発揮できる。
また、本発明によれば、プラズマ照射と高速ガス流による摩擦応力作用を同時またはそれぞれ時間的に独立して行うことにより、処理効率向上およびプラズマによる損傷の低減を図ることが可能となる。
さらに、本発明によれば、洗浄後のウエハを第２のガス種によるプラズマで処理することにより、ウエハの大気開放後における変質を防止することができ、高精度・高歩留りの半導体装置の製造プロセスを構築することができる。
【００３７】
そしてさらに、本発明による半導体装置の製造方法は、短ＴＡＴが要求されるシステムＬＳＩ、例えばメモＬＳＩとロジックＬＳＩとがチップ上に混裁したＬＳＩの製造において有効である。洗浄を効率よく行うことにより短期間で、低コスト、高歩留まりのシステムＬＳＩが製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に適用されるドライ洗浄装置の基本構成図である。
【図２】本発明に適用されるドライ洗浄装置おける平面状構造体部の構成図である。
【図３】本発明の実施の形態１における洗浄フロー図である。
【図４】本発明の実施の形態２における洗浄フロー図である。
【図５】本発明の実施の形態３における半導体装置の製造過程を示す工程断面図である。
【図６】本発明の実施の形態４における半導体装置の製造過程を示す断面図である。
【図７】本発明におけるコンタクトホール（またはスルーホール）内の異物除去を示す説明図である。
【図８】本発明における配線コーナ部の異物除去を示す説明図である。
【符号の説明】１…真空容器、２…プラズマ生成手段、３…ウエハ設置手段、４…ウエハ、５…平面状構造体、６…ガス導入手段、７…ガス導入手段、８…揺動機構、９…アクチュエータ機能、１０…搬送アーム、１１…バルブ、１２…搬送室、１３…窓、１４…赤外ランプ、１５…パット部、１６…パット保持部、１７…ガス噴出部、１８…間接機能部、１９…荷重検出部、２０…制御部、２１…回転機構、２２…プラズマ、２３…赤外光、２４…赤外ランプ制御部、２５…ポリシリコン膜、２６…素子分離絶縁膜、２７…シリコン、２８…ゲート電極、２９…エクステンション、３０…シリコン窒化膜、３１…ゲート側壁、３２…シリサイド、３３…有機系絶縁膜、３４…中間ストッパ膜、３５…ビアコンタクト部、３６…溝部、３７…基板、４５…シリコン基板、４６…素子分離、４７…ポリシリコン、４８…素子分離、４９…ゲート電極、５０…ソース、５１…ドレイン、５２…窒化膜、５３…ゲート側壁保護膜、５４…シリサイド、５５…微細ホール構造、５６…パット型構造体、５７…パット型構造体とウエハの隙間、５８…高速ガス流、５９…異物、６０…微細配線断面。

Claims (22)

  1. 真空排気ポンプが接続された容器と、プラズマを生成する手段と、プラズマの原料となるガスを供給するガス供給手段と、前記容器内に設けられたウエハを設置するためのウエハテーブルと、ウエハに向かってガスを噴出するガス孔、およびウエハとの対向面が平面部を具備する平面状の構造体と、前記平面状の構造体を前記ウエハ面上で走査する手段と
    を有するドライ洗浄装置を準備する工程と、
    前記ウエハテーブルにウエハを設置する工程と、
    前記真空排気ポンプにより前記容器内を減圧維持し、前記前記容器内に前記ガス供給手段より前記容器内にプラズマの原料となるガスを供給させ、前記プラズマを生成する手段により前記容器内にプラズマを生成する工程と、
    前記平面状の構造体の平面部を前記ウエハ主面に近接させ、第１のガス種を前記ガス孔より噴出させて前記第１のガス種のガス流により流体摩擦応力と、前記プラズマで生成された電荷あるいは活性粒子の作用との併用にて前記ウエハ主面を洗浄する工程と、
    前記洗浄工程の後、前記容器内にて、第２のガス種でプラズマを生成し、前記ウエハの主面をそのプラズマにさらす工程と、しかる後、前記ウエハを前記容器外に搬出する工程と、
    を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 容器と、プラズマを生成する手段と、プラズマの原料となるガスを供給するガス供給手段と、
    前記容器内に設けられたウエハを設置するためのウエハテーブルと、ウエハに向かってガスを噴出するガス孔、およびウエハとの対向面が平面部を具備する平面状の構造体と、
    前記平面状の構造体を前記ウエハ面上で走査する手段とを有するドライ洗浄装置を準備する工程と、
    前記ウエハテーブルにウエハを設置する工程と、
    前記容器内を減圧維持し、前記前記容器内に前記ガス供給手段より前記容器内にプラズマの原料となるガスを供給させ、前記プラズマを生成する手段により前記容器内にプラズマを生成し、前記プラズマで生成された電荷あるいは活性粒子の作用により前記ウエハ主面に対する洗浄の前処理を行う工程と、
    前記平面状の構造体の平面部を前記ウエハ主面に近接させ、第１のガス種を前記ガス孔より噴出させて前記第１のガス種のガス流により流体摩擦応力により前記ウエハ主面を洗浄する工程と、
    前記洗浄工程の後、前記容器内にて、第２のガス種でプラズマを生成し、前記ウエハの主面をそのプラズマにさらす工程と、しかる後、前記ウエハを前記容器外に搬出する工程と、
    を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  3. 請求項２において、前記前洗浄を行う工程と前記洗浄工程とを同時に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  4. 容器と、プラズマを生成する手段と、プラズマの原料となるガスを供給するガス供給手段と、前記容器内に設けられたウエハを設置するためのウエハテーブルと、ウエハに向かってガスを噴出するガス孔、およびウエハとの対向面が平面部を具備する平面状の構造体と、前記平面状の構造体を前記ウエハ面上で走査する手段と、ウエハの加熱手段とを有するドライ洗浄装置を準備する工程と、
    前記ウエハテーブルにウエハを設置する工程と、
    前記容器内を減圧維持し、前記前記容器内に前記ガス供給手段より前記容器内にプラズマの原料となるガスを供給させ、前記プラズマを生成する手段により前記容器内にプラズマを生成する工程と、
    前記平面状の構造体の平面部を前記ウエハ主面に近接させ、第１のガス種を前記ガス孔より噴出させて前記第１のガス種のガス流により流体摩擦応力と、前記プラズマで生成された電荷あるいは活性粒子の作用との併用にて前記ウエハ主面を洗浄する工程と、
    前記洗浄工程の後、前記容器内にて、第２のガス種によるプラズマを生成し、前記ウエハの主面をそのプラズマにさらす工程と、しかる後、前記ウエハを前記容器外に搬出する工程とを含み、前記洗浄工程および前記ウエハの主面をそのプラズマにさらす工程においてそれぞれ、前記ウエハの加熱手段により前記ウエハを加熱させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  5. 容器と、プラズマを生成する手段と、プラズマの原料となるガスを供給するガス供給手段と、前記容器内に設けられたウエハを設置するためのウエハテーブルと、ウエハに向かってガスを噴出するガス孔、およびウエハとの対向面が平面部を具備する平面状の構造体と、前記平面状の構造体を前記ウエハ面上で走査する手段と、
    ウエハの加熱手段とを有するドライ洗浄装置を準備する工程と、
    前記ウエハテーブルにウエハを設置する工程と、
    前記容器内を減圧維持し、前記前記容器内に前記ガス供給手段より前記容器内にプラズマの原料となるガスを供給させ、前記プラズマを生成する手段により前記容器内にプラズマを生成する工程と、
    前記平面状の構造体の平面部を前記ウエハ主面に近接させ、第１のガス種を前記ガス孔より噴出させて前記第１のガス種のガス流により流体摩擦応力と、前記プラズマで生成された電荷あるいは活性粒子の作用との併用にて前記ウエハ主面を洗浄する工程と、しかる後、前記ウエハを前記容器内にて一定時間加熱する工程と、
    を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  6. 請求項１乃至請求項５において、前記第１のガス種の成分が塩素元素、フッ素元素、水素元素、酸素元素のいずれかを含む分子を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  7. 請求項１記において、第１のガス種に酸素ガスを添加することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  8. 請求項６において、前記塩素元素を含むガスはＣｌ２、ＢＣｌ３から、前記フッ素元素を含むガスはＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＳＦ６、Ｆ２、ＨＦから、前記水素元素を含むガスはＮＨ３、Ｈ２、ＣＨ４から、前記酸素元素を含むガスはＯ２から選択されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  9. 請求項１において、前記第２のガス種の成分が水素元素含む分子を有し、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン、ヘリウム、窒素のいずれか一種類のガスにて希釈されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  10. 請求項１において、第２のガス種がアルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン、ヘリウム、窒素、酸素のいずれか一種類のガスであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  11. 請求項１０において、第２のガス種に酸素ガスを添加することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  12. 請求項２、４、５のいずれか一つの請求項において、平面状の構造体からウエハ面に向かい噴出するガスが、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素のいずれか一種類であることを特長とする半導体装置の製造方法。
  13. 請求項４、５において、前記ウエハの加熱手段が、ウエハ設置手段内に設けられた電流による発熱体であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  14. 請求項４、５において、前記ウエハの加熱手段が、赤外ランプであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  15. 請求項１、２、４、５のいずれか一つの請求項において、前記ウエハテーブルに設置された前記ウエハの主面にはドライエッチングにより加工されたゲート電極を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  16. 請求項１、２、４、５のいずれか一つの請求項において、前記ウエハテーブルに設置された前記ウエハの主面には絶縁膜を有し、前記絶縁膜にはドライエッチングにより加工されたコンタクトホールもしくはスルーホールを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  17. 請求項１、２、４、５のいずれか一つの請求項において、前記ウエハテーブルに設置された前記ウエハの主面にはスパッタリングによる成膜を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  18. 請求項１４において、前記のドライエッチングによるゲート加工と前記洗浄工程との間は大気にさらすことなく真空中で一貫処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  19. 請求項１４において、前記ドライエッチングによるコンタクトホールもしくはスルーホール加工と前記洗浄工程との間は大気にさらすことなく真空中で一貫処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  20. （１）　主面にビアコンタクト部および溝部を形成された絶縁膜を有するウエハを準備する工程と、続いて、
    （２）　容器と、プラズマを生成する手段と、プラズマの原料となるガスを供給するガス供給手段と、前記容器内に設けられたウエハを設置するためのウエハテーブルと、ウエハに向かってガスを噴出するガス孔、およびウエハとの対向面が平面部を具備する平面状の構造体と、前記平面状の構造体を前記ウエハ面上で走査する手段と、ウエハの加熱手段とを有するドライ洗浄装置に前記ウエハが搬送され、前記ウエハテーブルに前記ウエハを設置する工程と、
    （３）　　前記真空排気ポンプにより前記容器内を減圧維持し、前記前記容器内に前記ガス供給手段より前記容器内にプラズマの原料となるガスを供給させ、前記プラズマを生成する手段により前記容器内にプラズマを生成する工程と、
    （４）　前記平面状の構造体の平面部を前記ウエハ主面に近接させ、第１のガス種を前記ガス孔より噴出させて前記第１のガス種のガス流により流体摩擦応力と、前記プラズマで生成された電荷あるいは活性粒子の作用との併用にて前記ウエハ主面を洗浄する工程と、
    （５）　前記洗浄工程の後、前記容器内にて、第２のガス種でプラズマを生成し、前記ウエハの主面をそのプラズマにさらす工程と、しかる後、
    前記ウエハを前記容器外に搬出する工程と、
    を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  21. 請求項２０において、前記（５）工程に引き続き、前記ホールおよび溝部に導体層を埋め込むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  22. 請求項２０において、前記絶縁膜は有機系の絶縁膜より成ることを特徴とするに記載の半導体集積回路装置の製造方法。
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