JP2003254929A - Heat conductivity detector - Google Patents

Heat conductivity detector

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JP2003254929A
JP2003254929A JP2002053074A JP2002053074A JP2003254929A JP 2003254929 A JP2003254929 A JP 2003254929A JP 2002053074 A JP2002053074 A JP 2002053074A JP 2002053074 A JP2002053074 A JP 2002053074A JP 2003254929 A JP2003254929 A JP 2003254929A
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temperature
filament
metal block
detector
thermal resistance
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Hiroyuki Tsujiide
裕之 辻出
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Shimadzu Corp
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Shimadzu Corp
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  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture, easily at low cost, a filament and a temperature compensation resistor made of the same material as the filament, concerning a heat conductivity detector fed by a constant-temperature circuit. <P>SOLUTION: A hollow part 16 opened on one face of a metal block 15 constituting a cell of this heat conductivity detector is provided, and a passage for flowing a test gas 5 through the hollow part 16 is bored. First and second thermal resistance elements 31, 32 are formed from a membrane of tungsten or the like on an insulating substrate 3 comprising silicon or glass material, and the insulating substrate 3 is bonded in piles so that the membrane face is brought into contact with the opened face of the hollow part 16 of the metal block 15. The thermal resistance element 31 equivalent to the filament is brought into contact with the test gas 5 passing inside the hollow part 16 to thereby sense its heat conductivity, and the thermal resistance element 32 equivalent to a thermal compensation resistance is brought into contact with the metal block 15 to thereby sense its temperature, namely, the detector temperature. By this constitution, the two thermal resistance elements 31, 32 are molded collectively by a membrane technology and manufactured easily at low cost. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、ガスクロマトグラ
フィで用いられる熱伝導度検出器に関する。 【0002】 【従来の技術】図2は、従来の熱伝導度検出器の基本的
構成を示したものである。図において、金属ブロック1
5に被験ガス5の流路を穿設し、その流路の途中を拡げ
て空洞部16を形成し、この中にフィラメント11を設
けてセル1を構成する。フィラメント11は後述する給
電回路により電流を流して加熱しておく。被験ガス5
は、図示しないガスクロマトグラフのカラムから流出す
るキャリアガスと試料成分が混合したガスであり、通
常、キャリアガスとしては熱伝導度の高いヘリウムガス
が用いられる。セル1は、被験ガス5中の成分物質が凝
縮しないように、また、周囲温度の影響を排除するため
に、恒温槽4に収められ、一定温度に保たれる。12
は、金属ブロック15に密接して取り付けられた温度補
償抵抗である。 【0003】このように構成された熱伝導度検出器は以
下のように動作する。分析が行われていないときは、被
験ガス5はキャリアガスのみであり、その熱伝導度は前
述の如く高いので、フィラメント11で発生する熱はキ
ャリアガスを介して金属ブロック15に伝えられ、フィ
ラメント11の温度は比較的低温で平衡している。試料
成分がキャリアガスに乗ってセル1に流入すると、試料
成分の熱伝導度はキャリアガスよりも低いので被験ガス
5の熱伝導度が幾分低下することになり、フィラメント
11から奪われる熱量が減少し、その結果フィラメント
11の温度は上昇し、フィラメント11の抵抗値も上昇
する。この抵抗変化を適切な電気回路によって電気信号
として出力すれば、成分物質の濃度を定量することがで
きる。 【0004】恒温槽4の温度、即ちセル1の温度(以
下、これを検出器温度と記す)は、試料成分が気体状態
を保つように設定される。電流を流して加熱されるフィ
ラメント11の温度は検出器温度よりも高温になり、そ
の差(以下、これをフィラメント相対温度と記す)が検
出感度にほぼ比例することが知られている。但し、フィ
ラメント温度が高温になるほど検出器としての安定度は
低下し、また、フィラメント11の酸化が進み劣化が促
進されるので、所要の検出感度が確保される限りフィラ
メント温度は低温で用いるべきである。このような要件
を勘案して、検出器温度とフィラメント温度は分析目的
や分析対象に応じてその都度適切に設定されなければな
らない。 【0005】フィラメント11を加熱するための電流を
供給する給電回路としては、従来、定電圧回路、または
定電流回路が用いられたが、近年は定温度回路が用いら
れるようになった。図3は、従来例として、定温度回路
の基本構成を示す。図において、11は前記フィラメン
ト、12はフィラメント11と同じ温度係数を持つ温度
補償抵抗であり、図2に示したようにセル1に密接して
取り付けられ、検出器温度に対応してその抵抗値が変化
するものである。フィラメント11と温度補償抵抗12
は、他の2つの抵抗13、14(その温度係数は無視し
得る程度に小さい)と共にブリッジ回路10を構成して
おり、前2者の連結点と後2者の連結点を給電端として
給電電圧Vが給電されている。上記給電端を除く2つの
連結点に生じる電圧V1及びV2が差動増幅器2に入力
され、その差電圧V2−V1(以下、これをΔVと記
す)が増幅されて終段トランジスタ21を介してブリッ
ジ回路10への給電電圧Vが制御される。なお、Voは
電源電圧である。 【0006】図3の回路は以下のように働く。いま、適
当な設定がなされ、フィラメント11の周囲にはキャリ
アガスのみが流れている状態でブリッジ回路10が平衡
している(ΔV≒0)ものとし、この状態からフィラメ
ント11の周囲に試料成分が流れて来たとすると、前述
したようにフィラメント温度が上昇し、フィラメント1
1の抵抗値も上昇し、電圧V1が上がる方向に向かう
が、その結果、ΔVが負に偏り、これに応じて終段トラ
ンジスタ21を通してブリッジ回路10へ流れる電流が
減少するのでフィラメント温度は下がり、これに従って
電圧V1も下がり、結局ΔV≒0となるところで再び平
衡する。このようなフィードバック制御によりフィラメ
ント温度はほぼ一定に維持される。再平衡後、給電電圧
Vの値は以前の平衡状態における値から変化している
が、この変化分はフィラメント11の周囲を流れるガス
の熱伝導度が変化したことによってもたらされたもので
あるから、給電電圧Vは検出すべき情報を含んでいると
いえる。従って、給電電圧Vの値にバイアス除去等の適
切な処理を施せば、この検出器の出力信号を得ることが
できる。 【0007】温度補償抵抗12は、以下のように作用し
て、検出器温度の変更に際してその機能を発揮する。い
ま、検出器温度を上昇させた(恒温槽4の温度設定値を
上げた)とすると、セル1に密接している温度補償抵抗
12の温度が上がり、その抵抗値が上がり、その結果、
電圧V2が上がり、差動増幅器2の入力信号であるΔV
が増加してブリッジ回路10へ流れる電流を増加させ
る。これにより、フィラメント11に流れる電流も増加
するので、その温度および抵抗値も上昇し、電圧V1も
上昇してV1≒V2となるところで再平衡する。即ち、
検出器温度を変えたとき、フィラメント温度は自動的に
これに追従して変化し、フィラメント相対温度がほぼ一
定に維持される。フィラメント相対温度は、前述したよ
うに検出感度に比例するから、図3に示すような定温度
回路を用いると、検出感度を一定に維持しながら検出器
温度を自在に変更することが可能となる。 【0008】熱伝導度検出器は、並行する2つの流路の
各々に同一のフィラメントを設け、一方は検出側として
被験ガスを流し、他方は参照側として参照ガス(通常は
キャリアガス)を流すことにより、温度や流量の変化を
相殺するようにしたデュアルフローセルとして構成され
る場合が多い。図4は、従来例として上記の定温度回路
をデュアルフローセルに適用した場合の構成を示す。図
においては、図3に示したものと同じ給電回路を2組用
いて、検出側(図では左側)と参照側(同右側)の給電
回路によりそれぞれフィラメント11および11’に給
電し、各出力信号の差を差動増幅器25を通して取り出
すように構成されている。なお、同図では参照側は検出
側と全く同じ構成であるから、フィラメント11’以外
の構成要素の符号は省略してある。 【0009】 【発明が解決しようとする課題】上述した定温度回路で
は、温度補償抵抗12はフィラメント11と同じ温度係
数を持つことが必要条件であるから、フィラメント11
と同じ素材、例えばタングステン合金で作られる。ま
た、温度補償抵抗12はセル温度を正確に反映するため
に自己発熱が小さいことが望ましい。発熱を抑えるには
これに流れる電流を減らすことが必要であり、そのため
に温度補償抵抗12の抵抗値はフィラメント11に比べ
て2桁以上も大きい値に選定される。従って、温度補償
抵抗12は極めて細く長いフィラメントを用い、しかも
熱的応答の良好な形態に製作しなければならないが、そ
のような抵抗の製造は困難であり、敢えて製造すれば高
コストとなることが問題であった。本発明は、このよう
な事情に鑑みてなされたものであり、定温度回路により
給電される熱伝導度検出器であって、フィラメント及び
これと同じ素材から成る温度補償抵抗を容易に且つ低コ
ストで製造できるように構成した熱伝導度検出器を提供
することを目的とする。 【0010】 【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、定温度回路により給電される熱伝導度検
出器において、フィラメント及び温度補償抵抗に相当す
る感熱抵抗素子を同一の絶縁基板上に同一材質の導電性
薄膜で形成した。これにより、2つの感熱抵抗素子は薄
膜技術により一括して成形されるから、製造が容易でコ
ストも安くなる。 【0011】 【発明の実施の形態】本発明の一実施形態として熱伝導
度検出器セルの構造を図1に示す。図はデュアルフロー
セルの場合の構成を示したもので、中心線cに対して左
右対称であるから、シングルフローセルの場合は左右い
ずれか片側のみで構成すればよい。また、以下の説明で
は、片側(検出側)のみについて説明し、全く同一構造
の参照側については説明を略すと共に、図中の符号も省
く。 【0012】同図において、15は図2におけると同様
の金属ブロックであり、これに穿設した流路の途中に空
洞部16を設けたことも従来と同様であるが、空洞部1
6の一部が金属ブロック15の表面に開口している点が
従来の構造と異なる。空洞部16が開口する金属ブロッ
ク15の一面は平滑に仕上げられ、電気絶縁を確保する
ためのコーティングが施されているものとする。3は、
シリコンまたはガラス素材から成る絶縁基板であって、
この上に金属薄膜で前記フィラメントと温度補償抵抗に
相当する第1および第2の感熱抵抗素子31および32
を形成する。これらの抵抗素子はタングステン等の金属
を薄膜素材としてスパッタ蒸着法など従来から知られた
成膜技術により作成することができる。33は、同じく
薄膜で作成される端子部で、これにリード線を溶接して
給電回路との間が電気的に接続される。絶縁基板3は、
図中に弧状矢印で示すように反転して金属ブロック15
に重ね接着される。即ち、薄膜面が金属ブロック15の
前記空洞部16が開口する面に接し、且つ気密を保つよ
うに接着される。これにより、空洞部16の開口部が閉
じられると共に、フィラメントに相当する第1の感熱抵
抗素子31は空洞部16内の空間に向けて露出し、一
方、温度補償抵抗に相当する第2の感熱抵抗素子32は
金属ブロック15に絶縁性コーティング被膜を挟んで密
接する。 【0013】このように構成したことで、フィラメント
に相当する第1の感熱抵抗素子31は空洞部16内を通
過する被験ガス5に接するので、その熱伝導度に応じて
抵抗値を変化させ、また、温度補償抵抗に相当する第2
の感熱抵抗素子32は金属ブロック15に接してその温
度、即ち検出器温度を感知してその抵抗値を変化させる
ようになる。つまり、図2に示した従来構成と同等の機
能を有し、しかも2つの感熱抵抗素子は薄膜技術により
一括して成形されるから、製造が容易でコストも安く、
且つ、同一温度係数を有するという条件をも満たす。 【0014】なお、上記は本発明の一実施例を示したも
ので、本発明をこれに限定するものではない。 【0015】 【発明の効果】以上詳述したように、本発明は、従来の
フィラメントに相当する感熱抵抗素子と温度補償抵抗に
相当する感熱抵抗素子とを同一絶縁基板上に同一材質の
導電性薄膜で形成したことを特徴とする熱伝導度検出器
であるから、製造が容易でありコストも安い。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thermal conductivity detector used in gas chromatography. FIG. 2 shows a basic configuration of a conventional thermal conductivity detector. In the figure, metal block 1
A cell 1 is formed by piercing the flow path of the test gas 5 in 5, expanding the middle of the flow path to form a hollow portion 16, and providing the filament 11 therein. The filament 11 is heated by supplying a current by a power supply circuit described later. Test gas 5
Is a mixed gas of a carrier gas flowing out of a column of a gas chromatograph (not shown) and a sample component. Usually, a helium gas having high thermal conductivity is used as the carrier gas. The cell 1 is housed in a constant temperature bath 4 and kept at a constant temperature so as to prevent the component substances in the test gas 5 from condensing and to eliminate the influence of the ambient temperature. 12
Is a temperature compensation resistor closely attached to the metal block 15. [0003] The thermal conductivity detector thus configured operates as follows. When the analysis is not performed, the test gas 5 is only the carrier gas, and its thermal conductivity is high as described above. Therefore, the heat generated in the filament 11 is transmitted to the metal block 15 through the carrier gas, The temperature of 11 is equilibrated at a relatively low temperature. When the sample component flows into the cell 1 on the carrier gas, the thermal conductivity of the sample component is lower than that of the carrier gas, so that the thermal conductivity of the test gas 5 is slightly reduced. As a result, the temperature of the filament 11 increases, and the resistance of the filament 11 also increases. If this resistance change is output as an electric signal by an appropriate electric circuit, the concentration of the component substances can be quantified. [0004] The temperature of the thermostat 4, that is, the temperature of the cell 1 (hereinafter referred to as the detector temperature) is set so that the sample components are kept in a gaseous state. It is known that the temperature of the filament 11 heated by passing an electric current becomes higher than the detector temperature, and the difference (hereinafter referred to as filament relative temperature) is substantially proportional to the detection sensitivity. However, the higher the filament temperature is, the lower the stability as a detector is, and the oxidation of the filament 11 proceeds and the deterioration is promoted. Therefore, the filament temperature should be used at a low temperature as long as the required detection sensitivity is secured. is there. In consideration of such requirements, the detector temperature and the filament temperature must be appropriately set each time according to the analysis purpose and the analysis target. As a power supply circuit for supplying a current for heating the filament 11, a constant voltage circuit or a constant current circuit has been used in the past, but a constant temperature circuit has recently been used. FIG. 3 shows a basic configuration of a constant temperature circuit as a conventional example. In the figure, reference numeral 11 denotes the filament, and 12 denotes a temperature compensation resistor having the same temperature coefficient as the filament 11, which is closely attached to the cell 1 as shown in FIG. Changes. Filament 11 and temperature compensation resistor 12
Constitutes a bridge circuit 10 together with the other two resistors 13 and 14 (the temperature coefficients of which are so small as to be negligible), and uses the connection point of the former two and the connection point of the latter two as a power supply terminal to supply power. Voltage V is supplied. The voltages V1 and V2 generated at the two connection points except for the power supply end are input to the differential amplifier 2, and the difference voltage V2-V1 (hereinafter, referred to as ΔV) is amplified and passed through the final transistor 21. The power supply voltage V to the bridge circuit 10 is controlled. Vo is a power supply voltage. The circuit of FIG. 3 works as follows. Now, it is assumed that an appropriate setting is made and the bridge circuit 10 is balanced (ΔV ≒ 0) in a state where only the carrier gas flows around the filament 11. If it flows, the filament temperature rises as described above, and the filament 1
1 also increases, and the voltage V1 increases. However, as a result, ΔV is biased negatively, and accordingly, the current flowing to the bridge circuit 10 through the final transistor 21 decreases, so that the filament temperature decreases. As a result, the voltage V1 also drops, and eventually balances again when ΔV ≒ 0. By such feedback control, the filament temperature is maintained substantially constant. After the re-equilibration, the value of the supply voltage V has changed from the value in the previous equilibrium state, and this change is caused by a change in the thermal conductivity of the gas flowing around the filament 11. Therefore, it can be said that the power supply voltage V includes information to be detected. Therefore, if an appropriate process such as bias removal is performed on the value of the power supply voltage V, an output signal of the detector can be obtained. [0007] The temperature compensating resistor 12 operates as follows, and exhibits its function when the detector temperature is changed. Now, assuming that the detector temperature is increased (the temperature set value of the thermostat 4 is increased), the temperature of the temperature compensation resistor 12 which is in close contact with the cell 1 increases, and the resistance value increases.
The voltage V2 rises and ΔV which is the input signal of the differential amplifier 2
Increases and the current flowing to the bridge circuit 10 increases. As a result, the current flowing through the filament 11 also increases, so that its temperature and resistance also increase, and the voltage V1 also rises and rebalances where V1 と こ ろ で V2. That is,
When the detector temperature is changed, the filament temperature automatically changes to keep the filament relative temperature substantially constant. Since the relative temperature of the filament is proportional to the detection sensitivity as described above, if a constant temperature circuit as shown in FIG. 3 is used, it is possible to freely change the detector temperature while keeping the detection sensitivity constant. . In the thermal conductivity detector, the same filament is provided in each of two parallel flow paths, one of which flows a test gas as a detection side and the other of which flows a reference gas (usually a carrier gas) as a reference side. In many cases, the dual flow cell is configured to cancel changes in temperature and flow rate. FIG. 4 shows a configuration in which the above-described constant temperature circuit is applied to a dual flow cell as a conventional example. In the figure, two sets of the same power supply circuits as those shown in FIG. 3 are used, and power is supplied to the filaments 11 and 11 'by the power supply circuits on the detection side (the left side in the figure) and the reference side (the same right side). The difference between the signals is extracted through the differential amplifier 25. In the figure, since the reference side has exactly the same configuration as the detection side, reference numerals of components other than the filament 11 'are omitted. In the above-described constant temperature circuit, it is necessary that the temperature compensation resistor 12 has the same temperature coefficient as that of the filament 11.
It is made of the same material as, for example, a tungsten alloy. Further, it is desirable that the temperature compensation resistor 12 generate a small amount of self-heating in order to accurately reflect the cell temperature. In order to suppress heat generation, it is necessary to reduce the current flowing therethrough. For this reason, the resistance value of the temperature compensation resistor 12 is selected to be a value that is at least two orders of magnitude larger than that of the filament 11. Therefore, the temperature compensating resistor 12 must be made of an extremely thin filament, and be manufactured in a form having good thermal response. However, it is difficult to manufacture such a resistor, and if it is intentionally manufactured, the cost will be high. Was a problem. The present invention has been made in view of such circumstances, and is a thermal conductivity detector fed by a constant temperature circuit, in which a temperature compensating resistor made of a filament and the same material is easily and inexpensively manufactured. It is an object of the present invention to provide a thermal conductivity detector configured to be manufactured by the method described above. SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a thermal conductivity detector fed by a constant temperature circuit, comprising a filament and a thermosensitive resistance element corresponding to a temperature compensation resistor. They were formed on the same insulating substrate with conductive thin films of the same material. Thus, since the two thermosensitive resistance elements are formed collectively by the thin film technology, the manufacturing is easy and the cost is low. FIG. 1 shows a structure of a thermal conductivity detector cell as one embodiment of the present invention. The figure shows a configuration in the case of a dual flow cell, which is symmetrical with respect to the center line c. Therefore, in the case of a single flow cell, only one of the right and left sides may be used. Further, in the following description, only one side (detection side) will be described, and description of the reference side having exactly the same structure will be omitted, and reference numerals in the drawings will be omitted. In FIG. 1, reference numeral 15 denotes a metal block similar to that shown in FIG. 2, and a hollow portion 16 is provided in the middle of a flow path formed in the metal block.
6 differs from the conventional structure in that a part of 6 is open on the surface of the metal block 15. It is assumed that one surface of the metal block 15 in which the cavity 16 is opened is finished smoothly, and is coated to ensure electrical insulation. 3 is
An insulating substrate made of silicon or glass material,
On this, the first and second thermosensitive resistance elements 31 and 32 corresponding to the filament and the temperature compensation resistance with a metal thin film are provided.
To form These resistance elements can be formed by a conventionally known film forming technique such as a sputter deposition method using a metal such as tungsten as a thin film material. Reference numeral 33 denotes a terminal portion also made of a thin film, and a lead wire is welded to the terminal portion to electrically connect with a power supply circuit. The insulating substrate 3
The metal block 15 is inverted as shown by the arcuate arrow in the drawing.
To be glued. That is, the thin film surface is in contact with the surface of the metal block 15 where the hollow portion 16 opens, and is adhered so as to maintain airtightness. Thereby, the opening of the cavity 16 is closed, and the first thermosensitive element 31 corresponding to the filament is exposed toward the space in the cavity 16, while the second thermosensitive element 31 corresponding to the temperature compensation resistance is exposed. The resistance element 32 is in close contact with the metal block 15 with an insulating coating film interposed therebetween. With such a configuration, the first thermosensitive resistance element 31 corresponding to the filament comes into contact with the test gas 5 passing through the cavity 16, so that the resistance value is changed according to the thermal conductivity. In addition, the second element corresponding to the temperature compensation resistor
The heat-sensitive resistance element 32 contacts the metal block 15 and senses its temperature, that is, the detector temperature, and changes its resistance value. In other words, it has a function equivalent to that of the conventional configuration shown in FIG. 2, and since the two heat-sensitive resistance elements are formed collectively by the thin film technology, the manufacturing is easy and the cost is low.
In addition, the condition that they have the same temperature coefficient is also satisfied. Note that the above shows one embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to this. As described above in detail, according to the present invention, a heat-sensitive resistance element corresponding to a conventional filament and a heat-sensitive resistance element corresponding to a temperature compensation resistance are formed on the same insulating substrate by the same conductive material of the same material. Since the thermal conductivity detector is formed of a thin film, it is easy to manufacture and the cost is low.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の一実施形態を示す図である。 【図2】従来の構成を示す図である。 【図3】従来の回路構成を示す図である。 【図4】従来の他の回路構成を示す図である。 【符号の説明】 1…セル 3…絶縁基板 15…金属ブロック 16…空洞部 31…第1の感熱抵抗素子(フィラメント) 32…第2の感熱抵抗素子(温度補償抵抗) 33…端子部[Brief description of the drawings] FIG. 1 is a diagram showing one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a diagram showing a conventional configuration. FIG. 3 is a diagram showing a conventional circuit configuration. FIG. 4 is a diagram showing another conventional circuit configuration. [Explanation of symbols] 1 ... cell 3. Insulating substrate 15 ... Metal block 16 ... Cavity 31. 1st thermosensitive resistance element (filament) 32... Second thermal resistance element (temperature compensation resistance) 33 ... Terminal section

Claims (1)

【特許請求の範囲】 【請求項1】セル中を流れる被験ガスと熱的に接する第
1の感熱抵抗素子とこれと同じ温度係数を有し前記セル
に熱的に接する第2の感熱抵抗素子とが隣り合う2辺を
形成するブリッジ回路において前記両感熱抵抗素子の各
々の両端間の電圧の差をフィードバックして前記ブリッ
ジ回路に給電する給電量を制御することにより前記第1
の感熱抵抗素子の温度を制御するように構成した熱伝導
度検出器であって、前記両感熱抵抗素子を同一絶縁基板
上に同一材質の導電性薄膜で形成したことを特徴とする
熱伝導度検出器。
Claims: 1. A first thermosensitive element that is in thermal contact with a test gas flowing in a cell and a second thermosensitive element that has the same temperature coefficient and is in thermal contact with the cell. In the bridge circuit forming two sides adjacent to each other, the difference in voltage between both ends of each of the two thermosensitive resistance elements is fed back to control the amount of power supplied to the bridge circuit.
A thermal conductivity detector configured to control the temperature of the thermal resistance element, wherein both thermal resistance elements are formed of a conductive thin film of the same material on the same insulating substrate. Detector.
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