JP2003224054A - 半導体露光装置 - Google Patents

半導体露光装置

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JP2003224054A
JP2003224054A JP2002020272A JP2002020272A JP2003224054A JP 2003224054 A JP2003224054 A JP 2003224054A JP 2002020272 A JP2002020272 A JP 2002020272A JP 2002020272 A JP2002020272 A JP 2002020272A JP 2003224054 A JP2003224054 A JP 2003224054A
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wafer
substrate
force
electrostatic chuck
radial direction
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Masami Yonekawa
雅見 米川
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体露光装置において、様々なプロセスを
経て、上に凸型に反ったウエハーを、静電チャックを用
いて平面矯正する場合、ウエハーの周辺部が最初に吸着
され、チャックとの摩擦力により中央部だけが局所的に
凸型に盛りあがったまま残ってしまい、平面矯正ができ
ない場合がある。本発明は、これを解決するものであ
る。 【解決手段】 変形したウエハーを静電チャックに吸着
させる際、前もってウエハーの半径方向に力を加え、機
械的に平面に近い状態まで強制的に変形させ、その状態
のまま静電チャックに載置し、静電吸着することによ
り、所定の平面度まで平面矯正するという機能を有す
る。強制変形手段の一例としては、ウエハー搬送ハンド
上に設け、ウエハーの外周端の複数点を機械的にクラン
プし、ウエハーの半径方向に力を加える、などの構成が
考えられる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体露光装置に
おいて、半導体ウエハー等の基板の固定、保持に用いる
静電チャックに関連するもので、特に反った基板を良好
に平面矯正することが可能な、平面強制手段に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】従来より静電チャックは、平板上の電極
の表面に、膜状の誘電体を付着させ、この誘電体の表面
に置かれたウエハーと電極との間に直流電流を流して、
両者の間に生ずる電位差により吸引力を生じさせて、ウ
エハーをチャック面に密着固定させるようになってい
る。
【0003】良く知られているように、この誘電体の体
積固有低効率をコントロールすることにより、ウエハー
−チャック間の吸着メカニズムを選択することが可能で
ある。すなわち、体積固有低効率の高い材料を選択する
と、ウエハー−誘電体間に電流が流れないため、誘電体
が誘電分極し、それによる電位差により吸着力が発生す
る。この吸着力は、クーロン力が支配的に働く。
【0004】一方、体積固有低効率の低い材料を選択す
ると、ウエハーと誘電体の接触部に微少なリーク電流が
流れ、電圧降下が発生する。この電圧降下により隙間部
に電位差が生じ、吸着力が発生する。この吸着力はジョ
ンソン・ラーベック力が支配的に働く。
【0005】いずれにせよ、吸着力は、クーロン力方式
では、電極−ウエハー間距離の2乗に反比例し、ジョン
ソン・ラーベック力方式では、ウエハー−誘電体層間距
離の2乗に反比例するため、ウエハーがチャックに吸着
される際、ウエハー全面がチャックに十分近接していな
いと、必要な吸着力が得られない可能性がある。
【0006】特に、さまざまなプロセスを経て、上に凸
型に反ったウエハーを、静電チャックを用いて平面矯正
する場合、ウエハーの周辺部が最初に吸着され、チャッ
クとの摩擦力により中央部だけが局所的に凸型に盛りあ
がったまま残ってしまい、平面矯正ができない場合があ
る。
【0007】特に、露光装置では、他の半導体製造装置
と異なり、要求される平面度が光学系の焦点深度内とい
うように、きわめて厳しい平面度が要求されるため、静
電チャックの矯正力不足は深刻なものがある。
【0008】従来より、この凸型に反ったウエハーを平
面矯正するために、電極の配置を工夫して吸着力に同心
円上に分布を持たせ、すなわち、中央部を強く、周辺部
を弱くなるようにしたものが特公平6−15130、特
許公報2838810、等に提案されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】このように、前述の従
来技術は、凸型に反ったウエハーを良好に平面矯正でき
るような構成となっている。しかし、吸着力にクーロン
力方式を採用した場合、吸着力を上げるために印可電圧
を高く(例えば1kV以上)すると、ウエハーをチャッ
クから離脱する際、残留吸着力により離脱時間が長くな
り、スループットが低下する。
【0010】また、吸着力にジョンソン・ラーベック力
方式を採用した場合、印可電圧は低く押さえられるが、
ウエハーに微少電流が流れ、ウエハーが発熱するという
問題が生ずる。
【0011】今後、高真空環境下で露光が行われるEU
V露光装置やEB露光装置で、このような熱の発生は、
雰囲気への熱拡散を期待できないため、印可電圧を低く
して極力発熱を押さえることが望ましい。
【0012】また、ウエハーに流れる微少電流によって
発生する磁場はEB露光装置の場合、露光に使用する電
子線に悪影響を及ぼし、露光パターン精度を低下させる
一因となる。
【0013】このように、いずれの方式の静電チャック
にせよ、様々な形に反ったウエハーを平面矯正する場
合、吸着力と離脱時間及び発熱とのトレードオフになる
ため、ベストな解は存在しないというのが現状である。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、さまざまなプロセスを経て変形したウ
エハーを静電チャックに吸着させる際、前もってウエハ
ーの半径方向に力を加え、機械的に平面に近い状態まで
強制的に変形させ、その状態のまま静電チャックに載置
し、静電吸着することにより、所定の平面度まで平面矯
正するという機能を有することを特徴とする。
【0015】強制変形手段としては、 (1)基板を基板ステージ上に搬送する搬送ハンドに設
け、基板の外周端の複数点をクランプし、基板の半径方
向に力を加える事の可能な手段 (2)基板を基板ステージ上に搬送する搬送ハンドに設
け、基板の裏面外周部の複数領域を静電吸着し、基板の
半径方向に力を加える事の可能な手段 (3)基板ステージ上に設け、基板の外周端の複数点を
クランプし、基板の半径方向に力を加える事の可能な手
段基板ステージ上に設け、基板の裏面外周部の複数領域
を静電吸着し、基板の半径方向に力を加える事の可能な
手段 (4)基板を基板ステージ上に搬送する搬送ハンドに設
け、大気圧下で基板の裏面外周部の複数領域を真空吸着
し、基板の半径方向に力を加える事の可能な手段 などが考えられる。
【0016】
【発明の実施の形態】(第一の実施例)以下、本発明の
一実施例について図を用いて説明する。
【0017】先ず、本発明の詳細について説明する前
に、本発明が適用される投影露光装置について、EUV
露光装置を例に挙げ、その構成を図2を用いて簡単に説
明する。
【0018】同図で、1はウエハー、2は電子回路パタ
ーンが形成されている反射型マスクで、3はその反射型
マスクを保持し、スキャン方向に粗微動させるためのマ
スクステージである。5はマスクからの反射光をウエハ
ー1に投影露光するための光学系である。6は本発明が
適用されたウエハーステージであり、ウエハーを保持し
て6軸方向に粗動、微動可能なので、そのxy位置は不
図示のレーザー干渉計によって常にモニターされてい
る。
【0019】通常、マスクステージ3とウエハーステー
ジ6のスキャン動作は、投影光学系の縮小倍率を1/β
とし、マスクステージの走査速度をVr、ウエハーステ
ージの走査速度をVwとすると、両者の走査速度の間に
は、Vr/Vw=βの関係が成立するように同期制御さ
れる。
【0020】8は本発明が適用された静電チャック用搬
送ハンドであり、不図示のロードロックチャンバーとウ
エハーステージ6との間でウエハーを搬入、搬出するも
のである。
【0021】露光は、真空下で行われるため、これらの
ユニットは装置チャンバー4の中に入っており、7はチ
ャンバー内を真空排気するための真空ポンプである。
【0022】以上が本発明が適用される露光装置であ
る。
【0023】次に、本発明を説明する。
【0024】さまざまなプロセスを経て変形した後のウ
エハー断面の一例を図3の20に示す。この状態のま
ま、静電チャックに載置した際、前述した理由により部
分的に平面矯正できない領域が残ってしまう可能性があ
る。
【0025】そこで、本実施例では、静電チャックに吸
着させる際、前もってウエハー外周を機械的にクランプ
し、半径方向に引っ張る事により、平面に近い状態まで
強制的に変形させ(21)、この状態のまま静電チャッ
クに載置し、最終的に静電力によって平面まで矯正す
る。
【0026】発明者の簡単な数値計算によると、ウエハ
ーの初期形状を中心部がウエハー法線方向に500μm
変形した凸型形状であるとした場合、R方向に100N
の引っ張り力を与える事で、数十μmのレベルまで平面
度を向上する事ができる。
【0027】具体的に第一実施例であるウエハー引っ張
り機構を搬送ハンドに適用した例を図を用いて説明す
る。
【0028】図1では、ウエハーが載置されたウエハー
搬送ハンドを示しており、30はウエハー、31は固定
枠、33a,b,cはウエハーをクランプし、半径方向
(以後、R方向)に力を加える事の出来るウエハー引っ
張り機構である。このウエハー引っ張り機構はウエハー
をR方向に均等に引っ張るため、120度毎に配置され
ている。
【0029】また、引っ張り力を発生するアクチュエー
ターは必ずしも3箇所必要であるわけでは無く、1箇所
に加える事により、その他2箇所はクランプするだけで
その反力により、均等に割り振られる。
【0030】しかし、本実施例では、ウエハーをステー
ジ上に搬送する際の受け渡しの便宜のため、3個所全て
にウエハー引っ張り機構を設ける事とする。
【0031】33a,b,cのウエハー引っ張り機構の
一例を図4に示す。同図では30はウエハー断面の外周
部を示しており、ウエハーをクランプする部分は、通常
ウエハーの最外周の通常チップにならない数ミリの部分
を用いる。
【0032】41は、ウエハーを支持し、クランプする
ためのベース部材である。40はウエハーをクランプす
る板であり、一端が42の押しネジにより押される事に
より、もう一端でウエハーをクランプする。42の押し
ネジ機構には、小型のDCモータ、ステッピングモータ
等により駆動される。
【0033】さらに、41のベース部材は、ウエハーを
R方向に引っ張るための引きネジ43を介して、搬送ハ
ンドの固定枠31とつながっている。こうすることによ
り、固定枠31を基準にして、引きネジ機構43によ
り、ウエハーにR方向に力を加える事ができる。この引
きネジ機構は、小型のDCモータ、ステッピングモータ
等により駆動される。
【0034】一連の動作としては、ウエハー30がクラ
ンプベース41に載置され、42の押しネジ機構によ
り、ウエハーがクランプされた後、43の引きネジ機構
でウエハーはR方向に力Fが加えられ、撓んだウエハー
を平面に近い状態まで、強制変形させる。そしてそのま
まの状態を維持して、搬送ハンドがウエハーステージの
静電チャック直上に移動する。
【0035】そしてステージが静かに所定距離上昇し、
ウエハーと静電チャックが接触する。静電チャックの電
極とウエハー間に所定電圧がかけられ、両者間に静電気
力による吸引力が生じ、ウエハーは吸着されない領域を
残さずに、ほぼ理想的に静電チャックに吸着され、平面
矯正が可能となる。
【0036】ウエハーが静電チャックに吸着されると、
ウエハーのクランプが外され、搬送ハンドは所定位置に
戻り、ウエハーステージはアライメント動作が開始され
る。
【0037】なお、本実施例では、ウエハーをクランプ
し、引っ張る機構を押しネジ、引きネジ機構を用いて行
なったが、この構成以外にも様々な形態のものが考えら
れ、本発明はこれに限定されるものではない。
【0038】また本実施例は、ウエハーをR方向に引っ
張る際、ウエハー表面と裏面を機械的にクランプする機
構を考えたが、これ以外にもウエハーの裏面外周部の複
数領域を静電吸着することも考えられる。
【0039】この場合は図7のような構成になる。すな
わち、71は、70の支持ベース部材に組み込まれた静
電吸着パッドであり、吸着力を大きくするためパッド面
積は大きいほうが好ましい。
【0040】動作としては、ウエハー30が静電吸着パ
ッド71に載置され、両者に所定電圧を印可しウエハー
を吸着させる。ウエハーを70のベース部材に固定され
ると、43の押しネジ機構によりウエハーのR方向に力
Fが加えられ、反ったウエハーを平面に近い状態まで、
強制変形させる。
【0041】さらに、この71の静電吸着パッドは、真
空吸着パッドであっても構わない。この場合は、大気圧
下で真空吸着を行う事で、70のベース部材にウエハー
を固定し、半径方向に引っ張り、この状態のまま大気圧
下で静電チャックに吸着さる。そして、別途静電チャッ
ク用搬送ハンドを設け、ウエハーを吸着させたまま静電
チャックごと真空環境下の装置内に送り込むという手順
を取る事になる。
【0042】このような構成をとることにより、ウエハ
ー表面への接触がなくなるため、摩擦によるコンタミネ
ーションの発生を少なくする事が可能となり、あるいは
ショットレイアウトの自由度が増えるといった効果も期
待できる。
【0043】また、本実施例では、ウエハー引っ張り機
構を搬送ハンド上に120度毎に3箇所配置したが、本
発明はこれに限定されるものではなく、ウエハーの反り
方、露光装置の構成などにより、様々な配置、個数が考
えられる。
【0044】(その他の実施例)第一の実施例は、歪んだ
ウエハーを強制的に近似平面まで変形させる機構を、ウ
エハー搬送ハンドに設ける例を示したが、本実施例で
は、この機構をウエハーステージ上に構成した事を特徴
とする。
【0045】図5を用いてこれを説明する。
【0046】50は、いわゆるウエハーステージ天板と
言われるもので、通常ステージの位置座標を計測するた
めの干渉計ミラーや基準マークなどが取り付けられてい
る。本実施例では、ウエハーステージ天板は十分な剛性
があるとして、第一実施例の固定枠31と同等の機能を
果たしている。
【0047】30はウエハー、51a,b,cは、第一
実施例と同様に120度ごとに配置されたウエハー引っ
張り機構である。その機能はウエハーをクランプし、引
っ張る機能の他に、ウエハーを静電チャックに受け渡す
際の便宜のため、上下に駆動する機能も有する。
【0048】具体的には、図7のようになる。
【0049】30、31,40〜43は第一の実施例と
同様なので、説明は省略する。60、61はラック&ピ
ニオンにより、ウエハー引っ張り機構全体を上下させる
ための機構を示す。
【0050】一連の動作としては、まず、ウエハー30
は、通常の用いられる一般的な搬送ハンドによって、静
電チャック真上に搬送され、本発明のクランプベース4
1に載置される。
【0051】そして、42の押しネジ機構により、ウエ
ハーがクランプされた後、43の引きネジ機構でウエハ
ーはR方向に力Fが加えられ、撓んだウエハーを平面に
近い状態まで、強制変形させる。
【0052】そしてそのままの状態を維持して、60,
61のラック&ピニオンにより所定距離降下し、ウエハ
ーと静電チャックが接触する。
【0053】そして、静電チャックの電極とウエハー間
に所定電圧をかける事により、両者間に静電気力が生
じ、ウエハーは吸着されない領域を残さずに、ほぼ理想
的に静電チャックに吸着され、平面矯正が可能となる。
【0054】ウエハーが静電チャックに吸着されると、
ウエハーのクランプが外され、ウエハーステージは所定
の位置に戻り、アライメント動作が開始される。
【0055】なお、本実施例では、ウエハーをクランプ
し、引っ張る機構を押しネジ、引きネジ機構を用いて行
ない、ウエハー引っ張り機構の上下動作には、ラック&
ピニオンを用いたが、これらの構成以外にも様々な形態
のものが考えられ、これに限定されるものではない。
【0056】また本実施例は、ウエハーをR方向に引っ
張る際、ウエハー表面と裏面を機械的にクランプする機
構を考えたが、これ以外にもウエハーの裏面外周部の複
数領域を静電吸着することも考えられる。
【0057】この場合は図8のような構成になる。すな
わち、71は、70の支持ベース部材に組み込まれた静
電吸着パッドであり、吸着力を大きくするためパッド面
積は大きいほうが好ましい。
【0058】動作としては、ウエハー30が静電吸着パ
ッド71に載置され、両者に所定電圧を印可しウエハー
を吸着させる。ウエハーが70のベース部材に固定され
ると、43の押しネジ機構によりウエハーのR方向に力
Fが加えられ、反ったウエハーを平面に近い状態まで、
強制変形させる。
【0059】このような構成をとることにより、ウエハ
ー表面への接触がなくなるため、摩擦によるコンタミネ
ーションの発生を少なくする事が可能となり、あるいは
ショットレイアウトの自由度が増えるといった効果も期
待できる。
【0060】また、本実施例では、ウエハー引っ張り機
構をウエハーステージ天板上に120度毎に3箇所配置
したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ウエ
ハーの反り方、露光装置の構成などにより、様々な配
置、個数が考えられる。
【0061】
【発明の効果】以上説明したように、本出願に関わる第
1の発明によれば、ウエハーを静電チャックに吸着させ
る際、前もってウエハーの半径方向に力を加え、平面に
近い状態まで強制的に変形させ、その状態のまま静電チ
ャックに載置し、静電吸着することにより、さまざまな
プロセスを経て変形したウエハーを、所定の平面度まで
ウエハー全領域に亘って平面矯正することが可能とな
る。
【0062】本発明では、静電チャックの印加電圧を低
く抑える事が可能となるため、静電チャックの発熱を低
く抑え、ウエハー離脱時間を短縮する事が可能となり、
静電チャックの欠点を十分に補う事が出来る。
【0063】本出願に関わる第2の発明によれば、ウエ
ハーの外周端を機械的にクランプする事で、ウエハーの
R方向に比較的大きな力を加える事が可能となる。
【0064】本出願に関わる第3の発明によれば、ウエ
ハーの裏面外周部を静電吸着する事により、コンタミネ
ーションの発生を防ぎ、ウエハー表面のショットレイア
ウト自由度を増す事ができる。
【0065】本出願に関わる第4の発明によれば、ウエ
ハー搬送ハンドの構成を簡略化する事が可能となり、か
つ、ウエハーのR方向に比較的大きな力を加える事が可
能となる。
【0066】本出願に関わる第5の発明によれば、ウエ
ハー搬送ハンドの構成を簡略化する事が可能となり、か
つ、コンタミネーションの発生を防ぎ、ウエハー表面の
ショットレイアウト自由度を増す事ができる。
【0067】本出願に関わる第6の発明によれば、ウエ
ハー吸着に真空吸着を用いるため、吸着力を大きくとる
事ができ、かつ、コンタミネーションの発生を防ぎ、ウ
エハー表面のショットレイアウト自由度を増す事ができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 第一実施例のウエハー搬送ハンドに120度
毎に配置されたウエハー引っ張り機構の図
【図2】 本発明が適用される投影露光装置の図
【図3】 複雑に反ったウエハーを近似平面まで引っ張
る概念図
【図4】 第一実施例の搬送ハンドに組み込まれるウエ
ハー引っ張り機構の詳細図
【図5】 第二実施例のステージ天板に120度毎に配
置されたウエハー引っ張り機構の図
【図6】 第二実施例のステージ天板に組み込まれるウ
エハー引っ張り機構の図
【図7】 第一実施例のウエハー固定手段に静電吸着パ
ッド、もしくは真空吸着パッドを用いた例の図
【図8】 第二実施例のウエハー固定手段に静電吸着パ
ッドを用いた例の図
【符号の説明】
30 ウエハー 31 搬送ハンド固定枠 33a,b,c 搬送ハンドウエハー引っ張り機構 50 ステージ天板 51a,b,c ステージ天板ウエハー引っ張り機構 40 ウエハークランプ板 41 ウエハークランプベース 42 押しネジ機構 43 引きネジ機構 60,61 ラック&ピニオン 71 静電吸着パッド、あるいは真空吸着パッド

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 原版上の回路パターン基板上に露光する
    際、基板を基板ステージ上に、吸着固定することの可能
    な静電チャックを有する半導体露光装置において、 基板を静電チャックに吸着させる際、前以て基板の半径
    方向に力を加え、平面に近い状態まで強制的に変形させ
    る強制変形手段と、 その基板の変形した状態を維持したまま静電チャックに
    載置し、吸着固定し、平面矯正する手段とを有すること
    を特徴とする半導体露光装置。
  2. 【請求項2】 前記強制変形手段は、基板を基板ステー
    ジ上に搬送する搬送ハンドに設け、基板の外周端の複数
    点をクランプし、基板の半径方向に力を加える事の可能
    な手段を設けた事を特徴とする請求項1に記載の半導体
    露光装置。
  3. 【請求項3】 前記強制変形手段は、基板を基板ステー
    ジ上に搬送する搬送ハンドに設け、基板の裏面外周部の
    複数領域を静電吸着し、基板の半径方向に力を加える事
    の可能な手段を設けた事を特徴とする請求項1に記載の
    半導体露光装置。
  4. 【請求項4】 前記強制変形手段は、基板ステージ上に
    設け、基板の外周端の複数点をクランプし、基板の半径
    方向に力を加える事の可能な手段を設けた事を特徴とす
    る請求項1に記載の半導体露光装置。
  5. 【請求項5】 前記強制変形手段は、基板ステージ上に
    設け、基板の裏面外周部の複数領域を静電吸着し、基板
    の半径方向に力を加える事の可能な手段を設けた事を特
    徴とする請求項1に記載の半導体露光装置。
  6. 【請求項6】 前記強制変形手段は、基板を基板ステー
    ジ上に搬送する搬送ハンドに設け、大気圧下で基板の裏
    面外周部の複数領域を真空吸着し、基板の半径方向に力
    を加える事の可能な手段を設けた事を特徴とする請求項
    1に記載の半導体露光装置。
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