JP2003163396A - 光増幅器 - Google Patents

光増幅器

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JP2003163396A JP2001361133A JP2001361133A JP2003163396A JP 2003163396 A JP2003163396 A JP 2003163396A JP 2001361133 A JP2001361133 A JP 2001361133A JP 2001361133 A JP2001361133 A JP 2001361133A JP 2003163396 A JP2003163396 A JP 2003163396A
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pumping light
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Satoru Nakazawa
悟 中澤
Taisuke Murakami
泰典 村上
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 いわゆる無温調型励起光源装置において、Ｅ
ＤＦにおける利得の波長依存性を十分に小さくできる光
増幅器を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明の光増幅器２１は、ＥＤＦ２８
と、励起光を発生する半導体レーザ素子５及びこれを収
容するハウジング１４を有する光源装置１、光源装置１
に光学的に結合された入力３７、信号光を受ける入力３
８、励起光及び信号光をＥＤＦ２８に提供する出力３９
を有する光合波器２６を備え、半導体レーザ素子５は、
互いに異なる導電型の化合物半導体を含むクラッド層１
６、１７間に、化合物半導体を含み、当該半導体レーザ
素子５の発振波長が２０℃で１４７０ｎｍ未満であり１
４４０ｎｍ以上であるように構成される活性層１５を有
する。この場合、発振波長に対するＥＤＦ２８における
利得の変化を十分に小さくできると共に、ＮＦを十分に
小さくすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光増幅器に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】多波長成分の信号光を同時に光ファイバ
線路に導入し伝送する波長多重（ＷＤＭ：Wavelength D
ivision Multiplexing）伝送システムにおいては、長距
離にわたる多波長信号光の伝送の際に生じる伝送損失を
補うため、その中継局などにおいて光増幅器が用いられ
る。また、中継局内において装置（例えばＡＷＤ）内、
光パッシブデバイス内での伝送損失を補う場合にも同様
に光増幅器が用いられる。
【０００３】この光増幅器は、励起光により励起可能な
蛍光物質が添加され、入力信号光を増幅して出力する光
増幅部と、この光増幅部に供給される励起光を発する励
起光源装置とを有して構成され、光増幅部としては、光
ファイバにエルビウム（以下、「Ｅｒ」と言う）を添加
したＥｒ添加ファイバ（ＥＤＦ：Erbium-Doped Fiber）
がよく用いられている。このＥｒ添加ファイバの励起光
波長としては、１４８０ｎｍがよく用いられており、こ
の波長の励起光をＥｒ添加ファイバに供給すると、励起
光の持つ光エネルギーによってＥｒが励起され、Ｅｒに
よって反転分布状態が形成されるため、信号光を入力す
ると誘導放出現象が引き起こされ、信号光が増幅され
る。
【０００４】一方、励起光源装置は、励起光を発生する
半導体レーザ素子を備えている。励起光源装置として
は、半導体レーザ素子を冷却するための冷却素子を有す
るものと、有しないものの２種類が知られている。これ
らのうち、小型化、低価格化が可能であることから、冷
却素子を有しない励起光源装置（以下、「無温調型励起
光源装置」という）が望ましいと考えられる。こうした
無温調型励起光源装置として、従来、２０℃における励
起光の発振波長が１４８０ｎｍのものが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た無温調型励起光源装置は、以下に示す課題を有する。
【０００６】即ち無温調型励起光源装置においては、半
導体レーザ素子の温度が高くなると、半導体レーザ素子
の発振波長が１４８０ｎｍより長い波長領域にシフトす
るが、発振波長が１４８０ｎｍより長くなると、Ｅｒ添
加光ファイバにおける利得が急激に減少するため、Ｅｒ
添加光ファイバにおける利得が波長によって大きく異な
るという問題があった。
【０００７】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、Ｅｒ添加光ファイバにおける利得の波長依存性
を十分に小さくすることができる光増幅器を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するため鋭意検討を重ねた結果、いわゆる無温調
型の励起光源装置において、２０℃における発振波長が
１４７０ｎｍ未満であり１４４０ｎｍ以上である半導体
レーザ素子を用いることにより、上記課題を解決し得る
ことを見出し、本発明を完成するに至ったものである。
【０００９】即ち、本発明の光増幅器は、エルビウム添
加光ファイバと、励起光を発生する半導体レーザ素子及
び前記半導体レーザ素子を収容するハウジングを有する
励起光源装置と、前記励起光源装置に光学的に結合され
た第１の入力、信号光を受けるための第２の入力、並び
に前記励起光及び前記信号光を前記エルビウム添加光フ
ァイバに提供するための出力を有する光合波器とを備
え、前記半導体レーザ素子は、前記第１導電型化合物半
導体を含む第１クラッド層と、前記第２導電型化合物半
導体を含む第２クラッド層と、化合物半導体を含み、前
記第１クラッド層と前記第２クラッド層との間に設けら
れ、当該半導体レーザ素子の発振波長が２０℃において
１４７０ｎｍ未満であり１４４０ｎｍ以上であるように
構成されている活性層とを有する。
【００１０】また、本発明の光増幅器は、エルビウム添
加光ファイバと、励起光を発生する半導体レーザ素子及
び前記半導体レーザ素子を収容するハウジングを有する
励起光源装置と、前記励起光源装置に光学的に結合され
た第１の入力、信号光を受けるための第２の入力、並び
に前記励起光及び前記信号光を前記エルビウム添加光フ
ァイバに提供するための出力を有する光合波器とを備
え、前記半導体レーザ素子は、前記第１導電型ＩｎＰ半
導体を含む第１クラッド層と、前記第２導電型ＩｎＰ半
導体を含む第２クラッド層と、化合物半導体を含み、前
記第１クラッド層と前記第２クラッド層との間に設けら
れ、当該半導体レーザ素子の発振波長が２０℃において
１４７０ｎｍ未満であるように構成されている活性層と
を有する。
【００１１】更に本発明の光増幅器は、エルビウム添加
光ファイバと、励起光を発生する半導体レーザ素子及び
前記半導体レーザ素子を収容するハウジングを有する励
起光源装置と、前記励起光源装置に光学的に結合された
第１の入力、信号光を受けるための第２の入力、並びに
前記励起光及び前記信号光を前記エルビウム添加光ファ
イバに提供するための出力を有する光合波器とを備え、
前記半導体レーザ素子は、前記第１導電型ＩｎＰ半導体
を含む第１クラッド層と、前記第２導電型ＩｎＰ半導体
を含む第２クラッド層と、前記第１クラッド層と前記第
２クラッド層との間に設けられ、ＧａＩｎＡｓＰ半導体
を含む井戸層及び障壁層を有しており当該半導体レーザ
素子の発振波長が２０℃において１４７０ｎｍ未満であ
るように構成された多重量子井戸構造を有する活性層と
を有する。
【００１２】これらの発明によれば、第１クラッド層と
第２クラッド層との間に電圧を印加すると、半導体レー
ザ素子の活性層から発振波長が１４７０ｎｍ未満の励起
光が発せられる。この励起光は合波器の第１の入力およ
び出力を経てＥｒ添加光ファイバに提供される。一方、
信号光は合波器の第２の入力および出力を経て、Ｅｒ添
加光ファイバに入力される。そして、Ｅｒ添加光ファイ
バにおいては、信号光が光増幅される。ここで、半導体
レーザ素子においては、２０℃における発振波長が利得
のピーク波長である１４８０ｎｍよりも短波長側に設定
されており、発振波長の変化量に対するＥＤＦにおける
利得の変化量が十分に小さくなっている。このため、半
導体レーザ素子の温度が高いときと低いときとで利得の
差を十分に小さくすることができる。
【００１３】また本発明の光増幅器は、エルビウム添加
光ファイバと、上記光増幅器の前記励起光源装置で構成
される第１励起光源装置と、前記第１励起光源装置に光
学的に結合された第１の入力、信号光を受けるための第
２の入力、並びに前記励起光及び前記信号光を前記エル
ビウム添加光ファイバに出力するための第１の出力を有
する第１光合波器と、上記光増幅器の前記励起光源装置
で構成される第２励起光源装置と、前記第２励起光源装
置に光学的に結合された第３の入力、信号光を受けると
共に励起光を前記エルビウム添加光ファイバに出力する
ための第４の入力、並びに前記信号光を出力する第２の
出力を有する第２光合波器とを備える。
【００１４】これらの発明によれば、第１励起光源装置
において第１クラッド層と第２クラッド層との間に電圧
を印加すると、半導体レーザ素子の活性層から発振波長
が１４７０ｎｍ未満の励起光が発せられる。この励起光
は第１合波器の第１の入力および第１の出力を経て、Ｅ
ｒ添加光ファイバに提供される。一方、第２励起光源装
置において第１クラッド層と第２クラッド層との間に電
圧を印加すると、半導体レーザ素子の活性層から発振波
長が１４７０ｎｍ未満の励起光が発せられる。この励起
光は第２合波器の第３の入力および第４の入力を経て、
Ｅｒ添加光ファイバに提供される。他方、信号光は第１
合波器の第２の入力および第１の出力を経てＥｒ添加光
ファイバに入力される。そして、Ｅｒ添加光ファイバに
おいては、信号光が光増幅される。ここで、第１励起光
源装置及び第２励起光源装置の半導体レーザ素子におい
ては、２０℃における発振波長が利得のピーク波長であ
る１４８０ｎｍよりも短波長側に設定されており、発振
波長の変化量に対するＥｒ添加光ファイバにおける利得
の変化量が十分に小さくなっている。このため、半導体
レーザ素子の温度が高いときと低いときとでＥｒ添加光
ファイバにおける利得の差を十分に小さくすることがで
きる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
詳細に説明する。
【００１６】図１は、本発明の光増幅器に用いる励起光
源装置の一実施形態を示す一部切欠き斜視図であり、い
わゆる無温調型の励起光源装置を示している。図１に示
すように、励起光源装置１は、ステム２といった金属製
の搭載部材を備えている。ステム２は、円盤状の基台３
と、断面半月状の搭載部４とを備えている。基台３は、
平坦面３ａを有し、搭載部４は、平坦面３ａから延びる
ように一体に設けられている。搭載部４は、平坦面３ａ
に垂直な搭載面４ａを有しており、搭載面４ａには、レ
ーザ光を発生する半導体レーザ素子５がはんだ材等によ
って固定されている。半導体レーザ素子５は、レーザ光
を出射する第１端面５ａと、第１端面５ａに対向する第
２端面５ｂとを有しており、第１端面５ａ及び第２端面
５ｂが搭載面４ａに垂直となるように搭載面４ａに固定
されている。なお、レーザ光の光軸４３は、第１端面５
ａにほぼ直交している。
【００１７】また平坦面３ａ上には、第２端面５ｂと対
向するように、モニタ用フォトダイオード６が固定さ
れ、モニタ用フォトダイオード６により第２端面５ｂか
ら出てくるレーザ光がモニタされる。
【００１８】またステム２の基台３には、真っ直ぐ延び
る第１導電性ピン７が絶縁物を介して固定されており、
第１導電性ピン７の先端７ａは、基台３の平坦面３ａ側
に露出している。そして、第１導電性ピン７の先端７ａ
は、Ａｕ又はＡｌからなる第１ワイヤ８を介して半導体
レーザ素子５に接続されて導通されている。またステム
２の基台３の裏面３ｂには真っ直ぐ延びる第２導電性ピ
ン９が設けられており、第２導電性ピン９は、ステム２
と導通されており、グランド用の端子として機能する。
更にステム２の基台３には、真っ直ぐ延びる第３導電性
ピン１１が絶縁物を介して固定されており、第３導電性
ピン１１の先端１１ａは、基台３の平坦面３ａ側に露出
している。そして、第３導電性ピン１１の先端１１ａ
は、Ａｕ又はＡｌからなる第２ワイヤ１０を介してモニ
タ用フォトダイオード６に接続されている。
【００１９】第１導電性ピン７、第２導電性ピン９、第
３導電性ピン１１はいずれも、半導体レーザ素子５から
出射されるレーザ光の出射方向に延びている。なお、基
台３、搭載部４および第２導電性ピン９は、ともに同じ
材料（例えばＦｅ、Ｃｕなど）で構成されている。
【００２０】更に基台３の平坦面３ａ上には、搭載部４
を覆うようにキャップ状のカバー部材１２が設けられて
いる。カバー部材１２は、フランジ部１２ａを備えてお
り、フランジ部１２ａと平坦面３ａとが溶接により接合
されている。また、カバー部材１２には、開口１２ｂが
形成され、開口１２ｂを塞ぐようにガラス窓（光学窓）
１３が溶着されている。ガラス窓１３は、半導体レーザ
素子５の光軸４３と交差する位置に配置されている。従
って、半導体レーザ素子５からのレーザ光はガラス窓１
３を通過する。上記カバー部材１２とステム２とにより
ハウジング１４が構成されている。ハウジング１４内に
は、乾燥窒素が封入されており、半導体レーザ素子５の
性能劣化が十分に防止される。
【００２１】図２は、上記半導体レーザ素子５の断面図
である。図２に示すように、半導体レーザ素子５は、キ
ャリアが注入されると光を発生し増幅する活性層１５
と、活性層１５を挟む第１クラッド層１６及び第２クラ
ッド層１７とを半導体基板１８上に備える。第１クラッ
ド層１６は、第１導電型化合物半導体を含んでおり、活
性層１５よりも低い屈折率を有する。第２クラッド層１
７は、第２導電型化合物半導体を含んでおり、活性層１
５よりも低い屈折率を有する。半導体レーザ素子５は、
活性層１５にその両側の第１クラッド層１６、第２クラ
ッド層１７からキャリアを注入し反転分布を形成するこ
とによってレーザ発振を起こさせる素子である。
【００２２】半導体レーザ素子５は、上述したように、
第１端面５ａと、これに対面する第２端面５ｂとを有す
る。第１端面５ａの光反射率は第２端面５ｂの光反射率
に比べて小さい。これを実現するために、第１端面５ａ
には低反射膜が設けられ、０．１〜３％程度の反射率が
達成されているので、ほとんどの光は第１端面５ａを透
過する。一方、第２端面５ｂには高反射膜が設けられ、
８０％以上の反射率が達成されている。このため、第１
端面５ａは光出射面となり、第２端面５ｂは光反射面と
なる。レーザ光は、図２の矢印Ａに示す方向に出射され
る。
【００２３】半導体レーザ素子５の電極１９ａは第１ワ
イヤ８を介して第１導電性ピン７に接続され、電極１９
ｂは、搭載部４及び基台３を介して第２導電性ピン９に
接続され導通されている。なお、上記励起光源装置１の
使用時には、第１導電性ピン７に電源（図示せず）の正
極が接続され、第２導電性ピン９に電源の負極が接続さ
れる。電源は、半導体レーザ素子５においてレーザ発振
を引き起こすために必要とされる電流を半導体レーザ素
子５に加えるための電源である。電源は、半導体レーザ
素子５の活性層１５を挟むＰＮダイオード部またはＰＮ
接合部を順方向にバイアスするので、活性層１５にはそ
れぞれの第１クラッド層１６、第２クラッド層１７から
キャリアが注入される。半導体レーザ素子５において
は、第１クラッド層１６および第２クラッド層１７から
キャリアが注入されると、活性層１５において誘導放出
現象が引き起こされ、半導体レーザ素子５の第１端面５
ａからレーザ光が出射され、このレーザ光は、ガラス窓
１３を経てハウジング１４の外部へ放出される。このレ
ーザ光は、後述するように光増幅器の励起光として使用
される。
【００２４】ここで、当該半導体レーザ素子５の温度が
２０℃である場合に、半導体レーザ素子５から発せられ
るレーザ光の発振波長は１４７０ｎｍ未満（例えば１４
６５ｎｍ）である。このように２０℃におけるレーザ光
の発振波長を後述するＥｒ添加光ファイバ２８における
利得のピーク波長である１４８０ｎｍより短波長側に設
定することにより、発振波長の変化量に対するＥＤＦに
おける利得の変化量が十分に小さくすることができる。
このため、半導体レーザ素子５の温度が高いときと低い
ときとで、後述するＥｒ添加光ファイバ２８における利
得の差を十分に小さくすることができる。また、２０℃
におけるレーザ光の発振波長を後述するＥｒ添加光ファ
イバ２８における利得のピーク波長である１４８０ｎｍ
より短波長側に設定することにより、半導体レーザ素子
５の温度が上昇し、発振波長が１４７０ｎｍより長い波
長領域にシフトする場合でも、小さいＮＦ（Noise Figu
re）で光増幅を行うことができる。
【００２５】半導体レーザ素子５の２０℃におけるレー
ザ光の発振波長が１４７０ｎｍ未満となるようにするた
めには、半導体基板１８として、例えばｎ型ＩｎＰ半導
体基板を使用すると共に、活性層１５として、Ｉｎ1-X
ＧａXＡｓ1-YＰYを使用する。ここで、２０℃における
レーザ光の発振波長を１４６５ｎｍとするためには、Ｘ
＝０．３４、Ｙ＝０．２７である必要がある。
【００２６】なお、レーザ光の２０℃における発振波長
は、上述した１４６５ｎｍに限定されるものではなく、
１４７０ｎｍ未満であればよい。従って、レーザ光の発
振波長は１４６０ｎｍ以下でもよく、１４５５ｎｍ以下
でもよい。但し、レーザ光の発振波長は、１４４０ｎｍ
以上である。発振波長が１４４０ｎｍ以上となるように
するためには、例えば第１クラッド層１６がｎ型ＩｎＰ
半導体を含み、第２クラッド層１７がｐ型ＩｎＰ半導体
を含むようにすればよい。なお、第１クラッド層１６と
第２クラッド層１７は、互いに導電型が異なればよいの
で、第１クラッド層１６がｐ型ＩｎＰ半導体を含み、第
２クラッド層１７がｎ型ＩｎＰ半導体を含むようにして
もよい。
【００２７】レーザ光の所望の発振波長を得るために
は、活性層１５に使用する多数の構成元素からなるＩｎ
1-XＧａXＡｓ1-YＰYのＸ，Ｙを適切に変える必要があ
る。
【００２８】なお、半導体レーザ素子５においては、活
性層１５は、多重量子井戸構造を有することが好まし
い。即ち、活性層１５は、互いに組成の異なる薄膜を交
互に積層することにより構成されることが好ましい。こ
れにより、活性層１５における吸収損失を低減できる。
活性層１５において、多重量子井戸構造は、例えばＩｎ
ＧａＡｓＰの混晶比を変えた薄膜１５ａ，１５ｂを交互
に積層させることにより構成される（図３参照）。な
お、薄膜１５ａは障壁層として機能し、薄膜１５ｂは井
戸層として機能する。
【００２９】次に、本発明の光増幅器２１の一実施形態
について説明する。図４は、本実施形態に係る光増幅器
２１の構成図である。図４に示すように、本実施形態に
かかる光増幅器２１は、信号光を入力する入力端２１ａ
と、信号光を出力する出力端２１ｂとを有する。信号光
は、入力端２１ａから入力され、入力光アイソレータ２
２、第１分岐器２４、第１光合波器２６、Ｅｒ添加光フ
ァイバ２８、第２光合波器３０、第２分岐器３２及び出
力光アイソレータ３４を経て出力端２１ｂから出力され
る。以下、入力端２１ａから出力端２１ｂに向かう方向
を「前方」とし、出力端２１ｂから入力端２１ａに向か
う方向を「後方」と称することとする。
【００３０】光増幅器２１は、第１分岐器２４で分岐さ
れた信号光をモニタする入力モニタフォトダイオード２
５と、第２分岐器３２で分岐された信号光をモニタする
出力モニタフォトダイオード３３を備えている。更に、
光増幅器２１は、励起光を第１光合波器２６に向けて出
射する前方励起光源装置２７と、励起光を第２光合波器
３０に向けて出射する後方励起光源装置３１を備えてい
る。
【００３１】なお、入力光アイソレータ２２、第１分岐
器２４、入力モニタフォトダイオード２５、第１光合波
器２６及び前方励起光源装置２７により前方励起（順方
向励起）用光モジュール３５が構成され、第２光合波器
３０、後方励起光源装置３１、第２分岐器３２、出力モ
ニタフォトダイオード３３及び出力光アイソレータ３４
により後方励起（逆方向励起）用光モジュール３６が構
成されている。
【００３２】以下、上記構成要素のうち主要な構成要素
について詳細に説明する。Ｅｒ添加光ファイバ２８は、
シリカ系光ファイバであって、そのコアにはＥｒが添加
されている。Ｅｒは、前方励起光源装置２７，３１から
出力される励起光によって励起されるとともに、入力端
２１ａから入力される信号光の入射に伴って当該信号光
とほぼ同一波長の誘導放出光を発する。Ｅｒ元素は、波
長１４８０ｎｍを用いることにより励起される。また、
Ｅｒ元素が励起された状態で１５５０ｎｍ波長帯の信号
光が入射すると、１５５０ｎｍ波長帯の誘導放出光が当
該Ｅｒ元素から発せられ、信号光が増幅される。ここ
で、１５５０ｎｍ波長帯は、シリカ系光ファイバにおけ
る最低損失波長帯であるため、光通信においては１５５
０ｎｍ波長帯の信号光を用いる場合が多く、ＥＤＦを用
いた光増幅器の用途は極めて多い。また、Ｅｒ添加光フ
ァイバ２８は、一定の増幅率を確保すべく、所定の長さ
（例えば３０ｍ）を有しており、コイル状に巻かれてい
る。なお、Ｅｒ添加光ファイバ２８には通常、信号帯域
を広げるために、Ｇｅ、Ａｌなどが共添加される。
【００３３】Ｅｒ添加光ファイバ２８の端部であって入
力端２１ａ側には、第１光合波器２６が設けられてい
る。第１光合波器２６は、前方励起光源装置２７から発
せられる励起光（以下、「前方励起光」という）を受け
る第１の入力３７と、入力端２１ａから入力される信号
光を受ける第２の入力３８と、第１の入力３７から入力
される前方励起光と第２の入力３８で受けた信号光を出
力する第１の出力３９とを有する。
【００３４】同様に、Ｅｒ添加光ファイバ２８の端部で
あって出力端２１ｂ側には、第２光合波器３０が設けら
れている。第２光合波器３０は、後方励起光源装置３１
から発せられる励起光（以下、「後方励起光」という）
を入力させる第３の入力４０と、Ｅｒ添加光ファイバ２
８から出力される上記信号光を入力するとともに、第３
の入力４０で入力される後方励起光を出力する第４の入
力４１と、第４の入力４１で入力された信号光を出力す
る第２の出力４２とを有する。
【００３５】第１光合波器２６、第２光合波器３０とし
ては、例えば、屈折率の異なる２種の物質を交互に積層
して形成される多層膜フィルタが挿入された多層膜フィ
ルタ付き合波器が用いられる。
【００３６】励起光源装置２７，３１は、同一波長の励
起光を出力する。ここで、励起光源装置２７，３１とし
ては、前述した励起光源装置１が用いられる（図１及び
図２参照）。従って、半導体レーザ素子５が２０℃であ
る場合におけるレーザ光の発振波長は例えば１４６５ｎ
ｍとなっている。
【００３７】また、上記構成から、励起光源装置２７に
よって発せられた前方励起光は、第２光合波器３０の作
用により励起光源装置３１の方向に進行するため、前方
励起光が第２光合波器３０よりも後方に進行することが
防止される。同様に、励起光源装置３１によって発せら
れた後方励起光は、第１光合波器２６の作用により励起
光源装置２７の方向に進行するため、後方励起光が第１
光合波器２６の前方に進行することが防止される。
【００３８】第１光合波器２６の前方及び第２光合波器
３０の後方にはそれぞれ、前方に進行する光を選択的に
通過させる入力光アイソレータ２２、出力光アイソレー
タ３４が設けられている。すなわち、入力光アイソレー
タ２２は、入力端２１ａから入力されて前方に進行する
信号光を通過させるとともに、励起光源装置３１から発
せられる後方励起光、後段の光学部品による信号光等の
反射光など、後方に進行する光を遮断する。また、出力
光アイソレータ３４は、前方に進行する信号光を通過さ
せるとともに、出力端２１ａから入射するノイズ等、後
方に進行する光を遮断する。
【００３９】続いて、本実施形態にかかる光増幅器２１
の作用及び効果について説明する。先ず前方励起光源装
置２７において、電源により、第１導電性ピン７、第２
導電性ピン９を通じて半導体レーザ素子５に電圧を印加
すると、電源は、半導体レーザ素子５の活性層１５を挟
むＰＮダイオード部またはＰＮ接合部を順方向にバイア
スするので、活性層１５には第１クラッド層１６、第２
クラッド層１７のそれぞれからキャリアが注入される。
半導体レーザ素子５においては、第１クラッド層１６お
よび第２クラッド層１７からキャリアが注入されると、
活性層１５において光が発生する。
【００４０】そして、この光が、活性層１５内を第１端
面５ａと第２端面５ｂに向かい、第２端面５ｂで反射さ
れた光は、第１端面５ａに向かう。この間、この光は、
誘導放出現象によりレーザ光を発生させる。第１端面５
ａに到達するレーザ光は、第１端面５ａを透過して半導
体レーザ素子５から出射される。出射されたレーザ光
は、Ｅｒ元素を励起するための励起光として使用され
る。
【００４１】こうして半導体レーザ素子５から出射され
た励起光は、第１光合波器２６を経てＥｒ添加光ファイ
バ２８に入射される。
【００４２】一方、後方励起光源装置３１においても、
上記前方励起光源装置２７と同様にして励起光が出射さ
れ、この励起光は、第２光合波器３０を経てＥｒ添加光
ファイバ２８に入射される。
【００４３】他方、入力端２１ａに１５５０ｎｍ帯の信
号光を入力すると、信号光は、入力光アイソレータ２
２、第１分岐器２４、第１光合波器２６を経てＥｒ添加
光ファイバ２８に入射される。
【００４４】このとき、Ｅｒ添加光ファイバ２８中のＥ
ｒにおいては、励起光によって反転分布状態が形成され
ているため、Ｅｒ添加光ファイバ２８に信号光が入力さ
れると、信号光により誘導放出現象が引き起こされ、信
号光が増幅されてＥｒ添加光ファイバ２８から出射され
る。
【００４５】ここで、前方励起光源装置２７及び後方励
起光源装置３１において、半導体レーザ素子５は、２０
℃において発振波長が１４７０ｎｍ未満の励起光を発す
る。このように発振波長が、Ｅｒ添加光ファイバ２８に
おける利得のピーク波長である１４８０ｎｍより短波長
側に設定されることにより、発振波長の変化量に対する
Ｅｒ添加光ファイバ２８における利得の変化量を十分に
小さくすることができ、Ｅｒ添加光ファイバにおける利
得の波長依存性を十分に小さくすることができる。この
ため、半導体レーザ素子５の温度が高いときと低いとき
とで利得の差を十分に小さくできる。また、発振波長
が、Ｅｒ添加光ファイバ２８における利得のピーク波長
である１４８０ｎｍより短波長側に設定されることによ
り、ＮＦを十分に小さくでき、且つＮＦの波長依存性を
小さくすることができる。
【００４６】こうして増幅された信号光は、Ｅｒ添加光
ファイバ２８から出射された後、第２光合波器３０、第
２分岐器３２、出力光アイソレータ３４を経て出力端２
１ｂから出力される。
【００４７】図５は、本発明による光増幅器の出力特性
のシミュレーション実験の結果を示すグラフであり、半
導体レーザ素子５から出射される励起光の発振波長に対
して、信号光の出力パワー及びＮＦ（Noise Figure）を
プロットしたものである。図５において、「□」は信号
光の出力パワー（ｄＢｍ）を、「◇」はＮＦ（ｄＢ）を
示す。コンピュータシミュレーションは、図４に示す光
増幅器において下記の条件に従って行った。 信号光の入力：−１４ｄＢｍ 信号光波長 ：１５５０ｎｍ ＥＤＦ長 ：１３ｍ 前方励起光源装置出力：１６ｍＷ 後方励起光源装置出力：１６ｍＷ 励起光源装置の発振波長（２０℃）：１４６０〜１５０
０ｎｍ
【００４８】図５に示す結果より、１４８０ｎｍにおい
て信号光の出力パワーが極大となっており、それより長
波長側及び短波長側ではいずれも、出力パワーが低下し
ていることが分かった。しかし、発明者らは、半導体レ
ーザ素子から出射される励起光の発振波長が１４８０ｎ
ｍより短波長側にある場合には、長波長側にある場合と
比べて、発振波長に対する出力パワーの変化率は小さく
なり、一方、長波長領域では出力パワーが急激に小さく
なっていることに着目した。また、発明者らは、図５に
示すように、半導体レーザ素子の発振波長は温度が高く
なるにつれて長波長側にシフトすることにも着目した。
【００４９】更に、図５から分かるように、ＮＦが小さ
く、且つ波長依存性の小さい領域は、利得のピーク波長
よりも短波長の領域にある。
【００５０】従って、２０℃における励起光の発振波長
を１４８０ｎｍより短波長側に設定しておくことによ
り、半導体レーザ素子の温度が高いときと低いときとで
出力パワーの差を小さくすることができる。つまり、動
作温度範囲を１４８０ｎｍより短波長側に設定すること
により、半導体レーザ素子の温度が高いときと低いとき
とで出力パワーの差を小さくすることができる。
【００５１】図６は、特に励起光の発振波長が１４８０
ｎｍより短波長側にある場合の光増幅器の出力特性の実
験の結果を示すグラフであり、半導体レーザ素子から出
射される励起光の発振波長に対して、信号光の出力パワ
ーのみをプロットしたものである。図６において、
「◆」は信号光の出力パワー（ｄＢｍ）を示す。縦軸
は、励起光の発振波長が１４８０ｎｍのときの信号光の
出力パワーに対する出力パワーの変化量（Δ）である。
実験は、図４に示す光増幅器において下記条件に従って
行った。 信号光の入力：−１５ｄＢｍ 信号光波長 ：１５５０ｎｍ ＥＤＦ長 ：１７ｍ 前方励起光源装置出力：１３ｍＷ 後方励起光源装置出力：１３ｍＷ 励起光源装置の発振波長（２０℃）：１４１０〜１４８
０ｎｍ
【００５２】図６に示す結果より、励起光の発振波長が
１４８０ｎｍより短波長側にあると、信号光の出力パワ
ーは短波長側に向かうにつれて低下することが分かっ
た。
【００５３】本発明は、前述した実施形態に限定される
ものではない。例えば、上記実施形態では、光増幅器２
１は、前方励起用光モジュール３５と、後方励起用光モ
ジュール３６とを備えているが、いずれか一方のみを備
えても良い。
【００５４】また、上記実施形態では、前方励起光源装
置２７および後方励起光源装置３１の両方について発振
波長が１４７０ｎｍ未満とされているが、少なくとも前
方励起光源装置２７および後方励起光源装置３１のいず
れか一方において発振波長が１４７０ｎｍ未満であれば
よい。
【００５５】
【発明の効果】以上説明したように本発明の光増幅器に
よれば、励起光源装置の発振波長が、エルビウム添加光
ファイバにおける利得のピーク波長である１４８０ｎｍ
より短波長側に設定されることにより、発振波長の変化
量に対するエルビウム添加光ファイバにおける利得の変
化量を十分に小さくすることができ、エルビウム添加光
ファイバにおける利得の波長依存性を十分に小さくする
ことができる。このため、半導体レーザ素子の温度が高
いときと低いときとで、エルビウム添加光ファイバにお
ける利得の差を十分に小さくすることができる。また、
発振波長が、エルビウム添加光ファイバにおける利得の
ピーク波長である１４８０ｎｍより短波長側に設定され
ることにより、ＮＦを十分に小さくでき、且つＮＦの波
長依存性を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光増幅器に用いる励起光源装置の一実
施形態を示す一部切欠き斜視図である。
【図２】図１の半導体レーザ素子の構成を示す断面図で
ある。
【図３】活性層における多重量子井戸構造を示す断面図
である。
【図４】本発明の光増幅器の一実施形態を示す構成図で
ある。
【図５】本発明による光増幅器に係る出力特性のシミュ
レーション実験の結果を示すグラフである。
【図６】特に励起光の発振波長が１４８０ｎｍより短波
長側にある場合における光増幅器の出力特性の実験結果
を示すグラフである。
【符号の説明】
１…励起光源装置、２…ステム（搭載部材）、３…基台
（搭載部材）、４…搭載部、５…半導体レーザ素子、７
…第１導電性ピン、９…第２導電性ピン、１２…カバー
部材、１３…ガラス窓（光学窓）、１４…ハウジング、
１５…活性層、１５ａ…薄膜（障壁層）、１５ｂ…薄膜
（井戸層）、１６…第１クラッド層、１７…第２クラッ
ド層、１８…半導体基板、２１…光増幅器、２６…第１
光合波器、２７…前方励起光源装置（励起光源装置）、
２８…光ファイバ（エルビウム添加ファイバ）、３０…
第２光合波器、３１…後方励起光源装置（励起光源装
置）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｂ 10/02 Ｈ０４Ｂ 9/00 Ｗ 10/28 Ｆターム(参考） 5F072 AB09 AB13 AK06 JJ05 PP07 QQ07 YY17 5F073 AA74 AB15 BA03 CA12 EA15 EA27 FA02 FA27 FA29 5K002 BA05 BA13 CA13 FA02

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 エルビウム添加光ファイバと、 励起光を発生する半導体レーザ素子及び前記半導体レー
    ザ素子を収容するハウジングを有する励起光源装置と、 前記励起光源装置に光学的に結合された第１の入力、信
    号光を受けるための第２の入力、並びに前記励起光及び
    前記信号光を前記エルビウム添加光ファイバに提供する
    ための出力を有する光合波器とを備え、 前記半導体レーザ素子は、 前記第１導電型化合物半導体を含む第１クラッド層と、 前記第２導電型化合物半導体を含む第２クラッド層と、 化合物半導体を含み、前記第１クラッド層と前記第２ク
    ラッド層との間に設けられ、当該半導体レーザ素子の発
    振波長が２０℃において１４７０ｎｍ未満であり１４４
    ０ｎｍ以上であるように構成されている活性層と、を有
    する、光増幅器。
  2. 【請求項２】 エルビウム添加光ファイバと、 励起光を発生する半導体レーザ素子及び前記半導体レー
    ザ素子を収容するハウジングを有する励起光源装置と、 前記励起光源装置に光学的に結合された第１の入力、信
    号光を受けるための第２の入力、並びに前記励起光及び
    前記信号光を前記エルビウム添加光ファイバに提供する
    ための出力を有する光合波器とを備え、 前記半導体レーザ素子は、 前記第１導電型ＩｎＰ半導体を含む第１クラッド層と、 前記第２導電型ＩｎＰ半導体を含む第２クラッド層と、 化合物半導体を含み、前記第１クラッド層と前記第２ク
    ラッド層との間に設けられ、当該半導体レーザ素子の発
    振波長が２０℃において１４７０ｎｍ未満であるように
    構成されている活性層と、を有する、光増幅器。
  3. 【請求項３】 エルビウム添加光ファイバと、 励起光を発生する半導体レーザ素子及び前記半導体レー
    ザ素子を収容するハウジングを有する励起光源装置と、 前記励起光源装置に光学的に結合された第１の入力、信
    号光を受けるための第２の入力、並びに前記励起光及び
    前記信号光を前記エルビウム添加光ファイバに提供する
    ための出力を有する光合波器とを備え、 前記半導体レーザ素子は、 前記第１導電型ＩｎＰ半導体を含む第１クラッド層と、 前記第２導電型ＩｎＰ半導体を含む第２クラッド層と、 前記第１クラッド層と前記第２クラッド層との間に設け
    られ、ＧａＩｎＡｓＰ半導体を含む井戸層及び障壁層を
    有しており当該半導体レーザ素子の発振波長が２０℃に
    おいて１４７０ｎｍ未満であるように構成された多重量
    子井戸構造を有する活性層と、を有する、光増幅器。
  4. 【請求項４】 前記励起光源装置を構成する前記ハウジ
    ングは、金属製の搭載部材を有しており、前記半導体レ
    ーザ素子は、前記搭載部材上に配置されている、請求項
    １〜３のいずれか一項に記載の光増幅器。
  5. 【請求項５】 前記励起光源装置を構成する前記ハウジ
    ングは、 前記半導体レーザ素子の光軸が所定の軸方向に向くよう
    に前記半導体レーザ素子を搭載する搭載部と、前記所定
    の軸方向に延びる部分を有する複数の導電性ピンと、前
    記半導体レーザ素子からの光が通過する光学窓とを有す
    るステムと、 前記半導体レーザ素子を覆うように前記ステム上に配置
    されたカバー部材と、を有する、請求項１〜４のいずれ
    か一項に記載の光増幅器。
  6. 【請求項６】 エルビウム添加光ファイバと、 請求項１〜５のいずれか一項に記載の光増幅器の前記励
    起光源装置で構成される第１励起光源装置と、 前記第１励起光源装置に光学的に結合された第１の入
    力、信号光を受けるための第２の入力、並びに前記励起
    光及び前記信号光を前記エルビウム添加光ファイバに出
    力するための第１の出力を有する第１光合波器と、 請求項１〜５のいずれか一項に記載の光増幅器の前記励
    起光源装置で構成される第２励起光源装置と、 前記第２励起光源装置に光学的に結合された第３の入
    力、信号光を受けると共に励起光を前記エルビウム添加
    光ファイバに出力するための第４の入力、並びに前記信
    号光を出力する第２の出力を有する第２光合波器と、を
    備える、光増幅器。
  7. 【請求項７】 前記励起光源装置は、無温調型光源装置
    である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の光増幅
    器。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007288124A (ja) * 2006-03-22 2007-11-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光ファイバ増幅器
JP2009059938A (ja) * 2007-08-31 2009-03-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光ファイバ増幅器
JP2012080138A (ja) * 2012-01-24 2012-04-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光ファイバ増幅器
JP2016111237A (ja) * 2014-12-08 2016-06-20 浜松ホトニクス株式会社 量子カスケードレーザ装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012093993A1 (en) * 2011-01-04 2012-07-12 Ipg Photonics Corporation Methof for stabilizing optical output power of fiber laser

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59177986A (ja) * 1983-03-28 1984-10-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レ−ザの製造方法
JPS59208886A (ja) * 1983-05-13 1984-11-27 Hitachi Ltd 発光半導体装置
JPH03217065A (ja) * 1990-01-23 1991-09-24 Toshiba Corp レーザダイオード装置
WO2001057976A1 (fr) * 2000-02-03 2001-08-09 The Furukawa Electric Co., Ltd. Module laser a semiconducteur et source lumineuse de pompage utilisant ledit module
AU2000233234A1 (en) * 2000-03-03 2001-09-12 Optical Technologies Italia S.P.A. Optical amplifier and optical transmission system

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007288124A (ja) * 2006-03-22 2007-11-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光ファイバ増幅器
JP2009059938A (ja) * 2007-08-31 2009-03-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光ファイバ増幅器
JP2012080138A (ja) * 2012-01-24 2012-04-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光ファイバ増幅器
JP2016111237A (ja) * 2014-12-08 2016-06-20 浜松ホトニクス株式会社 量子カスケードレーザ装置
US10333279B2 (en) 2014-12-08 2019-06-25 Hamamatsu Photonics K.K. Quantum cascade laser device

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