JP2003142015A - Planar display device and its manufacturing method - Google Patents

Planar display device and its manufacturing method

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JP2003142015A
JP2003142015A JP2001337793A JP2001337793A JP2003142015A JP 2003142015 A JP2003142015 A JP 2003142015A JP 2001337793 A JP2001337793 A JP 2001337793A JP 2001337793 A JP2001337793 A JP 2001337793A JP 2003142015 A JP2003142015 A JP 2003142015A
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JP
Japan
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direction bus
bus conductor
thick film
conductor
rear substrate
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JP2001337793A
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Japanese (ja)
Inventor
Susumu Sakamoto
進 阪本
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Noritake Co Ltd
Noritake Electronics Ltd
Original Assignee
Noritake Co Ltd
Noritake Electronics Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a planar display device suitably suppressing drop in electron emission amount or electron emission efficiency of an electron emission element and obtaining bright display. SOLUTION: A high melting point particle layer 38 present in a part where an X direction bus conductor 24 and a Y direction bus conductor 26 are mutually crossed is an aggregate of porous high melting point particles, has extremely large surface area, and functions as a getter adsorbing gas inside a space between a front side substrate 12 and a rear side substrate 14 after sealing. For example, if particles having a high adsorbing function such as zirconia particles are selected, the function is made noticeable. The contamination of the electron emission element is reduced, drop in electron emission amount or electron emission efficiency is suppressed, and bright display is sufficiently obtained.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、わずかな空間を隔
てて平行に配置された前側基板および後側基板を備え、
その後側基板上において互いに交差する複数本のX方向
バス導体およびY方向バス導体の組み合わせにより選択
的に作動させられる多数の電子放出素子を配列し、その
電子放出素子から放出させた電子により前側基板に設け
られた多数の蛍光体を選択的に発光させる形式の平面型
表示装置およびその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention comprises a front substrate and a rear substrate which are arranged in parallel with each other with a small space therebetween.
A large number of electron-emitting devices that are selectively operated by a combination of a plurality of X-direction bus conductors and Y-direction bus conductors that intersect each other on the rear substrate are arranged, and the front substrate is formed by the electrons emitted from the electron-emitting devices. The present invention relates to a flat-panel display device of a type which selectively emits a large number of phosphors provided in the display device and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子部品の分野において、わずかな空間
を隔てて平行に配置された前側基板および後側基板を備
え、その後側基板上において互いに交差する複数本のX
方向バス導体およびY方向バス導体の組み合わせにより
選択的に作動させられる多数の電子放出素子を配列し、
その電子放出素子から放出させた電子により前側基板の
裏面に設けられた多数の蛍光体を選択的に発光させる形
式の平面型表示装置がある。たとえば、SED(Surface
-Conduction Electron-Emitter Display) 表示装置がそ
れである。
2. Description of the Related Art In the field of electronic components, a plurality of Xs are provided on a rear substrate, the front substrate and the rear substrate being arranged in parallel with each other with a small space therebetween.
Arranging a number of electron-emitting devices that are selectively activated by a combination of directional bus conductors and Y-direction bus conductors,
There is a flat-panel display device of a type in which a large number of phosphors provided on the back surface of the front substrate are selectively made to emit light by electrons emitted from the electron-emitting device. For example, SED (Surface
-Conduction Electron-Emitter Display) It is a display device.

【0003】上記のような平面型表示装置では、互いに
交差する複数本のX方向バス導体およびY方向バス導体
の交差部分には、高融点ガラスフリットやセラミック粉
などのような骨材として機能する無機粉体とそれらの結
合剤として機能する低融点ガラスフリットとが液状樹脂
および溶剤と混合されて構成される厚膜誘電体ペースト
がスクリーン印刷などにより塗布され厚膜誘電体層(厚
膜絶縁層)が形成された後、その厚膜誘電体層の上に第
2厚膜導体が形成され且つ上記厚膜誘電体層と同時に或
いは別に焼成されることにより、クロスオーバが構成さ
れる。
In the flat-panel display device as described above, the intersections of a plurality of X-direction bus conductors and Y-direction bus conductors that intersect each other function as aggregates such as high-melting glass frit and ceramic powder. A thick-film dielectric layer (thick-film insulating layer) is formed by applying a thick-film dielectric paste formed by mixing inorganic powder and a low-melting-point glass frit that functions as a binder with a liquid resin and a solvent by screen printing or the like. 2) is formed, a second thick film conductor is formed on the thick film dielectric layer and is fired simultaneously with or separately from the thick film dielectric layer to form a crossover.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、電子放出素
子から放出される電子の量(電流)のばらつきを小さく
するためにX方向バス導体およびY方向バス導体の配線
抵抗を可及的に低くすることが望まれることから、銀な
どの電気抵抗の低い材質から成り且つ膜圧の大きい厚膜
導体を用いると共に、X方向バス導体およびY方向バス
導体の交差部分においては複数回印刷を要するような十
分な厚みの絶縁層(誘電体層)を用いて絶縁が行われる
必要がある。このため、後側基板における印刷および焼
成が繰り替えされることが避けられず、その後側基板に
予め固着された電子放出素子の表面が汚染されることに
より初期的或いは経時的に電子放出量或いは電子放出効
率が低下させられ、たとえば表示の明るさが十分に得ら
れないという不都合があった。
By the way, the wiring resistance of the X-direction bus conductor and the Y-direction bus conductor is made as low as possible in order to reduce the variation in the amount (current) of the electrons emitted from the electron-emitting device. Therefore, it is desired to use a thick film conductor made of a material having low electric resistance such as silver and having a large film pressure, and it is necessary to print a plurality of times at the intersection of the X-direction bus conductor and the Y-direction bus conductor. Insulation needs to be performed using an insulating layer (dielectric layer) having a sufficient thickness. For this reason, it is unavoidable that printing and firing on the rear substrate are repeated, and the surface of the electron-emitting device that is previously fixed to the rear substrate is contaminated, so that the electron emission amount or the electron emission amount can be increased initially or over time. There is a disadvantage that the emission efficiency is lowered and, for example, sufficient display brightness cannot be obtained.

【0005】本発明は以上の事情を背景として為された
ものであり、その目的とするところは、電子放出素子の
電子放出量或いは電子放出効率の低下が好適に抑制さ
れ、明るい表示が得られるようにされた平面型表示装置
を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to suitably suppress a decrease in electron emission amount or electron emission efficiency of an electron-emitting device and obtain a bright display. The present invention is to provide a flat panel display device.

【0006】[0006]

【課題を解決するための第1の手段】斯かる目的を達成
するため、第1発明の要旨とするところは、所定の空間
を隔てて平行に配置された前側基板および後側基板を備
え、その後側基板上において互いに交差する複数本のX
方向バス導体およびY方向バス導体の組み合わせにより
選択的に作動させられる多数の電子放出素子を配列し、
その電子放出素子から放出させた電子により前側基板に
設けられた多数の蛍光体を選択的に発光させる形式の平
面型表示装置であって、上記X方向バス導体およびY方
向バス導体が相互に交差させられる部分において、それ
らX方向バス導体およびY方向バス導体の焼成温度より
も高い融点の粒子が固着されることにより構成された高
融点粒子層が介在させられていることにある。
In order to achieve such an object, the gist of the first invention is to provide a front substrate and a rear substrate which are arranged in parallel with each other with a predetermined space therebetween, A plurality of Xs intersecting each other on the rear substrate
Arranging a number of electron-emitting devices that are selectively activated by a combination of directional bus conductors and Y-direction bus conductors,
A flat-panel display device of a type in which a large number of phosphors provided on a front substrate are selectively caused to emit light by electrons emitted from the electron-emitting device, wherein the X-direction bus conductor and the Y-direction bus conductor intersect each other. The high-melting-point particle layer formed by fixing particles having a melting point higher than the firing temperature of the X-direction bus conductor and the Y-direction bus conductor is interposed in the portion to be made.

【0007】[0007]

【第1発明の効果】このようにすれば、X方向バス導体
およびY方向バス導体が相互に交差させられる部分にお
いてはそれらX方向バス導体およびY方向バス導体の焼
成温度よりも高い融点の粒子から構成された非焼結の高
融点粒子層が介在させられている。この高融点粒子層
は、高融点粒子の集合体であって気孔率が高くあたかも
空間が存在しているかの如く作用する。このため、X方
向バス導体およびY方向バス導体が銀を主成分とする厚
膜導体であってもその銀の拡散による絶縁低下がなく、
電気的に高い信頼性が得られるので、その電子放出量或
いは電子放出効率の低下が抑制されて表示の明るさが十
分に得られるようになる。
According to this structure, the particles having a melting point higher than the firing temperature of the X-direction bus conductor and the Y-direction bus conductor are present at the portion where the X-direction bus conductor and the Y-direction bus conductor intersect each other. A non-sintered high-melting point particle layer composed of is interposed. This high-melting-point particle layer is an aggregate of high-melting-point particles and has a high porosity and acts as if a space exists. Therefore, even if the X-direction bus conductor and the Y-direction bus conductor are thick film conductors containing silver as a main component, there is no deterioration in insulation due to diffusion of silver,
Since high electrical reliability is obtained, a decrease in the electron emission amount or electron emission efficiency is suppressed and sufficient display brightness can be obtained.

【0008】また、上記高融点粒子層は、気孔率の高い
高融点粒子の集合体であってきわめて大きな表面積を有
しているので、封着後においては前側基板と後側基板と
の間の空間内のガスを吸着するゲッタとして機能する。
たとえばジルコニヤなどのように特に吸着機能に優れた
粒子が選択される場合はその作用が顕著となる。このた
め、電子放出素子の汚染が軽減されてその電子放出量或
いは電子放出効率の低下が抑制されて表示の明るさが十
分に得られるようになる。
Further, the high melting point particle layer is an aggregate of high melting point particles having a high porosity and has an extremely large surface area. Therefore, after the sealing, the space between the front substrate and the rear substrate is increased. It functions as a getter that adsorbs the gas in the space.
For example, when particles having a particularly excellent adsorption function such as zirconia are selected, the action becomes remarkable. Therefore, the pollution of the electron-emitting device is reduced, the decrease in the electron emission amount or the electron emission efficiency is suppressed, and the display brightness is sufficiently obtained.

【0009】[0009]

【第1発明の他の態様】ここで、好適には、前記X方向
バス導体およびY方向バス導体が相互に交差させられる
部分において、そのX方向バス導体およびY方向バス導
体のうちの一方の厚膜導体には、絶縁保護膜が被覆され
たものである。このようにすれば、X方向バス導体およ
びY方向バス導体の間の絶縁性や信頼性が一層高められ
る。
According to another aspect of the first aspect of the present invention, preferably, at a portion where the X-direction bus conductor and the Y-direction bus conductor intersect each other, one of the X-direction bus conductor and the Y-direction bus conductor is formed. The thick film conductor is covered with an insulating protective film. By doing so, the insulation and reliability between the X-direction bus conductor and the Y-direction bus conductor can be further improved.

【0010】[0010]

【課題を解決するための第2の手段】また、前記目的を
達成するため、第2発明の要旨とするところは、所定の
空間を隔てて平行に配置された前側基板および後側基板
を備え、その後側基板上において互いに交差する複数本
のX方向バス導体およびY方向バス導体の組み合わせに
より選択的に作動させられる多数の電子放出素子を配列
し、その電子放出素子から放出させた電子により前側基
板に設けられた多数の蛍光体を選択的に発光させる形式
の平面型表示装置の製造方法であって、(a) 前記後側基
板の一面に前記電子放出素子を構成するための素子電極
ベースを固着する素子電極ベース固着工程と、(b) 所定
の基板上に形成された第1温度よりも高い融点を有する
粒子が樹脂で結合されて成る剥離層上に、互いに交差す
る前記X方向バス導体およびY方向バス導体を塗布して
該第1温度にて焼成することにより厚膜シートを作成す
る厚膜シート作成工程と、(c) その厚膜シート作成工程
により作成された厚膜シートを前記剥離層から剥離した
後、前記素子電極ベース固着工程により素子電極ベース
が固着された後側基板の一面に載置し、低温にて固着可
能な導体ペーストを介して該素子電極ベースにそれぞれ
接続する接続工程と、(d) その接続工程により後側基板
上の素子電極ベースに接続された厚膜シート上にスペー
サを配置した状態で、前側基板と該後側基板とを相互に
封着する封着工程とを、含むことにある。
In order to achieve the above object, the gist of the second invention is to provide a front substrate and a rear substrate which are arranged in parallel with each other with a predetermined space therebetween. , A plurality of electron-emitting devices which are selectively operated by a combination of a plurality of X-direction bus conductors and Y-direction bus conductors intersecting each other on the rear side substrate, and the front side by electrons emitted from the electron-emitting devices. A method of manufacturing a flat-panel display device in which a large number of phosphors provided on a substrate are selectively emitted, comprising: (a) an element electrode base for forming the electron-emitting device on one surface of the rear substrate. And (b) the X-direction bus intersecting with each other on a peeling layer formed by bonding particles having a melting point higher than the first temperature formed on a predetermined substrate with a resin. Guide And a thick film sheet forming step of forming a thick film sheet by applying a Y-direction bus conductor and firing at the first temperature, and (c) the thick film sheet formed by the thick film sheet forming step described above. After peeling from the peeling layer, it is placed on one surface of the rear substrate to which the element electrode base is fixed in the element electrode base fixing step, and is connected to each of the element electrode bases via a conductive paste that can be fixed at low temperature. A connecting step, and (d) a seal for sealing the front substrate and the rear substrate to each other with the spacers arranged on the thick film sheet connected to the element electrode base on the rear substrate by the connecting process. And a dressing step.

【0011】[0011]

【第2発明の効果】このようにすれば、互いに交差する
前記X方向バス導体およびY方向バス導体を塗布して第
1温度にて焼成することにより厚膜シートを作成する厚
膜シート作成工程は、電子放出素子を構成するための素
子電極ベースを固着する素子電極ベース固着工程とは独
立に、印刷および焼成を行うことにより厚膜シートを作
成することから、素子電極ベースが固着された後側基板
の印刷回数および焼成回数を減らすことができるので、
後側基板上に形成される電子放出素子の汚染が可及的に
少なくされる。このため、電子放出素子の初期的或いは
経時的な電子放出量或いは電子放出効率の低下が抑制さ
れ、表示の明るさが十分に得られるようになる。
According to the second aspect of the invention, a thick film sheet forming step of forming a thick film sheet by applying the X-direction bus conductor and the Y-direction bus conductor intersecting each other and firing at a first temperature Since a thick film sheet is created by printing and firing independently of the element electrode base fixing step of fixing the element electrode base for forming the electron-emitting device, after the element electrode base is fixed, Since it is possible to reduce the number of times of printing and firing of the side substrate,
Contamination of electron-emitting devices formed on the rear substrate is reduced as much as possible. For this reason, a decrease in the electron emission amount or the electron emission efficiency of the electron-emitting device in the initial stage or with the passage of time is suppressed, and sufficient display brightness can be obtained.

【0012】[0012]

【第2発明の他の態様】ここで、好適には、前記厚膜シ
ート作成工程は、前記X方向バス導体およびY方向バス
導体の交差部分において、それらX方向バス導体および
Y方向バス導体の間において前記第1温度よりも高い融
点を有する粒子が固着されることにより構成された高融
点粒子層を介在させるための高融点粒子層形成工程を、
さらに含むものである。このようにすれば、その高融点
粒子層は、気孔率の高い高融点粒子の集合体であってき
わめて大きな表面積を有しているので、封着後において
は前側基板と後側基板との間の空間内のガスを吸着する
ゲッタとして機能する。たとえばジルコニヤ、アルミナ
などのように吸着機能に優れた無機粒子が選択される場
合はその作用が顕著となる。このため、電子放出素子の
汚染が軽減されてその電子放出量或いは電子放出効率の
低下が抑制されて表示の明るさが十分に得られるように
なる。
According to another aspect of the second aspect of the present invention, preferably, in the thick film sheet forming step, the X-direction bus conductor and the Y-direction bus conductor are formed at intersections of the X-direction bus conductor and the Y-direction bus conductor. A high melting point particle layer forming step for interposing a high melting point particle layer constituted by fixing particles having a melting point higher than the first temperature between
It is also included. By doing so, the high-melting-point particle layer is an aggregate of high-melting-point particles having a high porosity and has an extremely large surface area. Therefore, after sealing, the space between the front substrate and the rear substrate is high. Functions as a getter that adsorbs the gas in the space. For example, when inorganic particles having an excellent adsorption function such as zirconia and alumina are selected, the action becomes remarkable. Therefore, the pollution of the electron-emitting device is reduced, the decrease in the electron emission amount or the electron emission efficiency is suppressed, and the display brightness is sufficiently obtained.

【0013】また、好適には、前記厚膜シート作成工程
は、前記X方向バス導体およびY方向バス導体の交差部
分において、それらX方向バス導体およびY方向バス導
体の一方を被覆するための絶縁保護層を形成する絶縁保
護層形成工程を、さらに含むものである。このようにす
れば、X方向バス導体およびY方向バス導体が相互に交
差させられる部分において、そのX方向バス導体および
Y方向バス導体のうちの前記後側基板に固着された側の
一方の厚膜導体には、絶縁保護膜が被覆されることか
ら、X方向バス導体およびY方向バス導体の間の絶縁性
や信頼性が一層高められる。
Preferably, in the thick film sheet forming step, insulation for covering one of the X-direction bus conductor and the Y-direction bus conductor at an intersection of the X-direction bus conductor and the Y-direction bus conductor. It further includes an insulating protective layer forming step of forming a protective layer. With this configuration, the thickness of one of the X-direction bus conductor and the Y-direction bus conductor, which is fixed to the rear substrate, at the portion where the X-direction bus conductor and the Y-direction bus conductor intersect each other. Since the film conductor is covered with the insulating protective film, the insulation and reliability between the X-direction bus conductor and the Y-direction bus conductor are further enhanced.

【0014】また、好適には、前記接続工程は、前記厚
膜シート作成工程により作成された厚膜シートを前記剥
離層から剥離するとともに反転させた後、前記素子電極
ベース固着工程により素子電極ベースが固着された後側
基板上に載置し、低温にて固着可能な導体ペーストを介
してその素子電極ベースにそれぞれ接続するものであ
る。このようにすれば、後側基板上の一面に載置される
厚膜シートが反転させられていることから、その上面は
凹凸の少ない平坦な形状とされているので、前側基板と
後側基板との間に介そうするためのスペーサを上記厚膜
シートを構成するX方向バス導体およびY方向バス導体
の一方の上に位置させることが容易となり、組立が簡単
となる。一般に、このスペーサの配置位置は、表示或い
は発光の障害とならない位置すなわちX方向バス導体ま
たはY方向バス導体の上に位置させられ、前側基板のブ
ラックストライプの下に位置させられる。
Preferably, in the connecting step, the thick film sheet formed in the thick film sheet forming step is peeled from the peeling layer and inverted, and then the element electrode base fixing step is performed. Is placed on the rear side substrate to which is adhered and is connected to the element electrode base via a conductive paste which can be adhered at a low temperature. In this way, since the thick film sheet placed on one surface of the rear substrate is inverted, the upper surface of the thick film sheet has a flat shape with little unevenness, so that the front substrate and the rear substrate are It becomes easy to position the spacer for interposing between the above and the above one of the X-direction bus conductor and the Y-direction bus conductor constituting the thick film sheet, and the assembly becomes easy. Generally, this spacer is arranged at a position where it does not hinder display or light emission, that is, above the X-direction bus conductor or the Y-direction bus conductor, and below the black stripe of the front substrate.

【0015】[0015]

【発明の好適な実施の形態】以下、本発明の一実施例を
図面を参照して詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0016】図1および図2は、平面表示装置であるS
EC表示装置10の構成を説明する図であって、図1は
要部断面部、図2は後側基板14の要部平面図である。
SED表示装置10は、所定の間隔たとえば1mm程度
の間隔で互いに平行に相互に固定すなわち封着された前
側基板12および後側基板14と、それらの間の真空の
空間16において所定の間隔で且つ表示或いは発光の障
害とならない位置に配置された1mm程度の高さと0.
05〜0.1mm程度の厚みとを有するスペーサ18
と、前側基板12の裏面すなわち後側基板14との対向
面の多数の箇所に固着され且つ図示しないメタルバック
(裏面金属薄膜)が施された蛍光体層20と、後側基板
14の表面すなわち前側基板12との対向面において、
上記多数の蛍光体層20に対応して規則的且つ等密度
(等間隔)の位置に固着された多数の電子放出素子2
2、およびその多数の電子放出素子22を選択的に作動
させるためにその電子放出素子22に接続され且つ互い
に直交する複数本のX方向バス電極24およびY方向バ
ス電極26とを備えている。
1 and 2 show a flat panel display device S.
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of an EC display device 10, FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part, and FIG. 2 is a plan view of a main part of a rear substrate 14.
The SED display device 10 includes a front substrate 12 and a rear substrate 14 that are fixed or sealed in parallel to each other at a predetermined interval, for example, an interval of about 1 mm, and a predetermined space in a vacuum space 16 between them. A height of about 1 mm and a position of 0.
Spacer 18 having a thickness of about 05 to 0.1 mm
A phosphor layer 20 fixed to a large number of points on the back surface of the front substrate 12, that is, the surface facing the rear substrate 14, and provided with a metal back (back surface metal thin film) not shown, and the front surface of the rear substrate 14. On the surface facing the front substrate 12,
A large number of electron-emitting devices 2 fixed at regular and equal density (equal spacing) positions corresponding to the large number of phosphor layers 20.
2 and a plurality of X-direction bus electrodes 24 and Y-direction bus electrodes 26 that are connected to the electron-emitting devices 22 and are orthogonal to each other in order to selectively operate the electron-emitting devices 22.

【0017】上記前側基板12は、たとえば400×2
00×2.0(mm)程度の大きさの矩形を成すソーダガラ
ス、耐熱ガラスなどのガラス製の透明基板である。ま
た、上記後側基板14も、たとえば400×200×
2.0(mm)程度の大きさの矩形を成すが、必ずしも透明
である必要はなく、たとえばソーダガラス、耐熱ガラ
ス、アルミナセラミックス、フォルステライト、ステア
タイトなどから構成される。これら前側基板12および
後側基板14は、後述の厚膜焼成温度(第1温度)より
も十分に高い融点を備えてその温度で変形しないもので
ある。上記X方向バス電極24およびY方向バス電極2
6は、銀などを金属成分の主成分とする厚膜導体ペース
トが焼成されることにより10乃至15μm程度の厚み
に形成されたものである。
The front substrate 12 is, for example, 400 × 2.
It is a transparent substrate made of glass, such as soda glass or heat-resistant glass, which forms a rectangle with a size of about 00 × 2.0 (mm). The rear substrate 14 is also 400 × 200 ×, for example.
Although it has a rectangular shape with a size of about 2.0 (mm), it is not necessarily transparent and is made of, for example, soda glass, heat-resistant glass, alumina ceramics, forsterite, steatite, or the like. The front substrate 12 and the rear substrate 14 have a melting point sufficiently higher than a thick film baking temperature (first temperature) described later and do not deform at that temperature. The X-direction bus electrode 24 and the Y-direction bus electrode 2
No. 6 is formed to have a thickness of about 10 to 15 μm by firing a thick film conductor paste containing silver or the like as a main component of a metal component.

【0018】図2に示すように、上記電子放出素子22
は、蒸着やスパッタなどにより矩形を成すように形成さ
れた白金Pt、ITOから成る金属薄膜製の一対の素子
電極ベース28、30と、それら素子電極ベース28お
よび30の互いに接近した部分において、両者に重なる
ように形成された円形の素子電極32とを備えている。
この素子電極32は、酸化パラジウムPdOなどを主成
分とする金属薄膜であり、その中央に数nm程度の非常
に狭いスリット34がたとえば放電破壊などにより形成
されている。このような素子電極32では、所定の電圧
値たとえば10V以上が印加されると、トンネリング効
果と散乱によって効率良く電子が放出されるようになっ
ている。この素子電極32から放出された電子は前記蛍
光体層20の裏面に固着されたアルミニウム薄膜である
図示しないメタルバックに印加される電圧によって加速
され、その蛍光体層20に衝突してそれを発光させる。
すなわち、選択的に多数の素子電極32のうちの所望の
ものに電圧が印加されることにより、その所望の素子電
極32に対応して位置する蛍光体層20が発光させられ
て所望の画像が表示される。なお、RGB3原色をそれ
ぞれ発光する3種類の蛍光体から成る互いに隣接した3
個の蛍光体層20が1個の画素を構成する場合には、カ
ラー表示が行われる。
As shown in FIG. 2, the electron-emitting device 22 is used.
Is a pair of element electrode bases 28, 30 made of a metal thin film made of platinum Pt and ITO and formed in a rectangular shape by vapor deposition, sputtering, etc. And a circular element electrode 32 formed so as to overlap with.
The element electrode 32 is a metal thin film containing palladium oxide PdO or the like as a main component, and a very narrow slit 34 of about several nm is formed in the center thereof by, for example, discharge breakdown. In such an element electrode 32, when a predetermined voltage value, for example, 10 V or more is applied, electrons are efficiently emitted due to the tunneling effect and scattering. The electrons emitted from the device electrode 32 are accelerated by a voltage applied to a metal back (not shown), which is an aluminum thin film fixed to the back surface of the phosphor layer 20, and collide with the phosphor layer 20 to emit light. Let
That is, when a voltage is selectively applied to a desired one of the large number of device electrodes 32, the phosphor layer 20 located corresponding to the desired device electrode 32 is caused to emit light and a desired image is displayed. Is displayed. It should be noted that three adjacent phosphors made up of three types of phosphors that respectively emit the three primary colors of RGB.
When each phosphor layer 20 constitutes one pixel, color display is performed.

【0019】上記X方向バス導体24およびY方向バス
導体26は、互いに直交するように立体的に交差させら
れており、相互の絶縁が維持できるように、ガラス質の
絶縁保護層36と、前記厚膜焼成温度よりも十分に高い
融点を備えた高融点粒子の集合体である高融点粒子層3
8とが両者間に積層状態で介在させられている。
The X-direction bus conductor 24 and the Y-direction bus conductor 26 are three-dimensionally crossed so as to be orthogonal to each other, and a glassy insulating protection layer 36 and the aforesaid insulating protection layer 36 are provided so that mutual insulation can be maintained. High melting point particle layer 3 which is an aggregate of high melting point particles having a melting point sufficiently higher than the thick film baking temperature
And 8 are interposed between the two in a laminated state.

【0020】以上のように構成されたSED表示装置1
0は、たとえば図3に示す工程図に従って製造される。
図3において、P1乃至P10は後側基板製造工程を示
し、P4乃至P10は後側基板14とは別の場所で厚膜
印刷および厚膜焼成を行うことによりX方向バス電極2
4およびY方向バス電極26を含む厚膜シートを製造す
る工程を示している。
The SED display device 1 configured as described above
0 is manufactured, for example, according to the process chart shown in FIG.
In FIG. 3, P1 to P10 indicate the rear substrate manufacturing process, and P4 to P10 perform thick film printing and thick film baking at a place different from the rear substrate 14 to form the X-direction bus electrode 2
4 shows a process for manufacturing a thick film sheet including the 4 and Y direction bus electrodes 26.

【0021】素子電極ベース固着工程P1では、たとえ
ば白金Pt、ITOなどから成る素子電極ベース28、
30が後側基板14上に固着される。次いで、素子電極
固着工程P2では、たとえば酸化パラジウムPdOから
成る円形の素子電極32が素子電極ベース28、30の
相互に近接している部分上に重ねた状態で固着される。
図4はこの状態を示している。これらの素子電極ベース
28、30および素子電極32は、真空チャンパ内にお
いて蒸着或いはスパッタにより全面に数ミクロン程度の
厚みで固着された後に所定のパターン形状が得られるよ
うにホトマスクを通して不要部分がエッチングで除去さ
れるか、或いはパターン部分が抜かれたホトマスクを通
して蒸着或いはスパッタされることにより所定のパター
ン形状に形成される。そして、低温導体ペースト塗布工
程P3では、図4の破線に示すように、後述の厚膜シー
トと電気的に接続するための接着位置、すなわち厚膜シ
ートを構成するX方向バス電極24およびY方向バス電
極26を、素子電極ベース28および30へ接続するた
めの接着位置に、低温導体ペーストが塗布される。この
低温導体ペーストは、たとえば銀の微粉末を主成分とす
るペースト状の接着剤であり、後述の厚膜焼成温度(第
1温度)よりも十分に低い温度たとえば300℃におい
て硬化させられる。
In the element electrode base fixing step P1, the element electrode base 28 made of, for example, platinum Pt or ITO,
30 is fixed on the rear substrate 14. Next, in the element electrode fixing step P2, the circular element electrodes 32 made of, for example, palladium oxide PdO are fixed in a state of being overlaid on the portions of the element electrode bases 28 and 30 which are close to each other.
FIG. 4 shows this state. The device electrode bases 28, 30 and the device electrode 32 are fixed to the entire surface by vapor deposition or sputtering in a vacuum chamfer with a thickness of about several microns and then unnecessary portions are etched through a photomask so that a predetermined pattern shape can be obtained. It is formed into a predetermined pattern shape by being removed or vapor-deposited or sputtered through a photomask in which the pattern portion is removed. Then, in the low-temperature conductor paste applying step P3, as shown by a broken line in FIG. 4, an adhesion position for electrically connecting to a thick film sheet described later, that is, an X direction bus electrode 24 and a Y direction forming the thick film sheet. The low temperature conductor paste is applied to the bonding positions for connecting the bus electrodes 26 to the device electrode bases 28 and 30. The low-temperature conductor paste is, for example, a paste-like adhesive containing silver fine powder as a main component, and is cured at a temperature sufficiently lower than a thick film baking temperature (first temperature) described later, for example, 300 ° C.

【0022】剥離層形成工程P4では、図5に示すよう
に、750乃至800℃程度の厚膜焼成温度(第1温
度)よりも高い融点を有する無機粒子たとえばアルミナ
粉と、適度の粘度のペースト状とするためのエチルセル
ローズなどの消失可能な樹脂およびブチルカルビトール
アセテート或いはテルピネオールなどの溶剤とが混練さ
れて成る剥離ペーストを用いてスクリーン印刷すること
により、基板40の上面全体に剥離層42が形成され
る。この基板40は、後側基板14とは別の場所で厚膜
シートを製造するために用いられるものであり、たとえ
ばアルミナ、ステアタイト、フォルステライトなどの上
記厚膜焼成温度では軟化しない耐熱性の高い材料を用い
て焼結されている。次いで、X、Y方向バス導体形成工
程P5では、銀、パラジウム、白金などの金属粉と、そ
れらを結合させるために厚膜焼成温度(第1温度)にお
いて溶融するガラスフリットと、エチルセルローズなど
の樹脂と、ブチルカルビトールアセテート或いはテルピ
ネオールなどの溶剤とが高粘性流動体状に混練された厚
膜導体ペーストを用いてスクリーン印刷されることによ
り、図5に示すように、X方向バス導体24およびY方
向バス導体26が形成される。
In the peeling layer forming step P4, as shown in FIG. 5, inorganic particles such as alumina powder having a melting point higher than the thick film baking temperature (first temperature) of about 750 to 800 ° C. and a paste having an appropriate viscosity are used. The release layer 42 is formed on the entire upper surface of the substrate 40 by screen printing using a release paste formed by kneading a decomposable resin such as ethyl cellulose and a solvent such as butyl carbitol acetate or terpineol for forming a shape. It is formed. This substrate 40 is used to manufacture a thick film sheet at a place different from the rear substrate 14, and is made of, for example, alumina, steatite, forsterite or the like, which is heat resistant and does not soften at the above thick film baking temperature. Sintered with high material. Next, in the X- and Y-direction bus conductor forming step P5, metal powder such as silver, palladium, and platinum, a glass frit that melts at the thick film firing temperature (first temperature) to bond them, and ethyl cellulose and the like. The resin and a solvent such as butyl carbitol acetate or terpineol are screen-printed using a thick film conductor paste kneaded in a highly viscous fluid state, so that as shown in FIG. The Y-direction bus conductor 26 is formed.

【0023】次に、絶縁保護層形成工程P6では、誘電
体を構成する無機フィラーと、それらを結合させるため
に厚膜焼成温度(第1温度)において溶融するガラスフ
リットと、エチルセルローズなどの樹脂と、ブチルカル
ビトールアセテート或いはテルピネオールなどの溶剤と
が高粘性流動体状に混練された厚膜導体ペーストを用い
てスクリーン印刷されることにより、図5に示すよう
に、X方向バス導体24のY方向バス導体26と交差す
る部分上に絶縁保護層36が形成される。また、高融点
粒子層形成工程P7では、750乃至800℃程度の厚
膜焼成温度(第1温度)よりも高い融点を有し且つ吸着
機能を有する無機粒子たとえばジルコニヤ粉或いはアル
ミナ粉と、適度の粘度のペースト状とするためのエチル
セルローズなどの消失可能な樹脂およびブチルカルビト
ールアセテート或いはテルピネオールなどの溶剤とが混
練されて成る剥離ペーストを用いてスクリーン印刷する
ことにより、X方向バス導体24上の交差部分すなわち
上記絶縁保護層36の上に高融点粒子層38が形成され
る。次いで、クロスオーバ導体形成工程P8では、厚膜
導体ペーストを用いてスクリーン印刷されることによ
り、図5に示すように、X方向バス導体24上の交差部
分上の高融点粒子層38に重ねて、クロスオーバ導体4
4が形成される。図5はこの状態を示している。このク
ロスオーバ導体44は上記工程P2において印刷された
Y方向バス導体26を接続させるものであって、そのY
方向バス導体26の一部を構成している。
Next, in the insulating protective layer forming step P6, the inorganic filler constituting the dielectric, the glass frit which is melted at the thick film firing temperature (first temperature) to bind them, and the resin such as ethyl cellulose. And a solvent such as butyl carbitol acetate or terpineol are screen-printed using a thick film conductor paste kneaded in a highly viscous fluid state, and as shown in FIG. An insulating protection layer 36 is formed on a portion intersecting with the directional bus conductor 26. In the high melting point particle layer forming step P7, inorganic particles having a melting point higher than the thick film baking temperature (first temperature) of about 750 to 800 ° C. and having an adsorption function, such as zirconia powder or alumina powder, and an appropriate amount of On the X-direction bus conductor 24, screen-printing is performed by using a peeling paste formed by kneading a erasable resin such as ethyl cellulose and a solvent such as butyl carbitol acetate or terpineol for forming a viscous paste. The high melting point particle layer 38 is formed on the intersecting portion, that is, on the insulating protection layer 36. Next, in a crossover conductor forming step P8, by screen printing using a thick film conductor paste, as shown in FIG. 5, it is superposed on the high melting point particle layer 38 on the intersecting portion on the X-direction bus conductor 24. , Crossover conductor 4
4 is formed. FIG. 5 shows this state. The crossover conductor 44 connects the Y-direction bus conductor 26 printed in the process P2, and
It constitutes a part of the directional bus conductor 26.

【0024】続く焼成工程P9では、上記X方向バス導
体24およびY方向バス導体26、絶縁保護層36、高
融点粒子層38、このクロスオーバ導体44が順次印刷
され且つ乾燥された基板40が、たとえば750乃至8
00℃程度の厚膜焼成温度(第1温度)で焼成される。
このため、X方向バス導体24およびY方向バス導体2
6、絶縁保護層36、高融点粒子層38、クロスオーバ
導体44は、それに含まれる樹脂および溶剤が消失する
と同時にそれに含まれるガラスフリットが溶融して焼結
させられて相互に結合されるが、ガラスフリットが含ま
れないか殆ど含まれない前記剥離層42および上記高融
点粒子層38では、高融点粒子が比較的緩い結合力で集
合させられている。そして、厚膜シート剥離反転工程P
10では、上記相互に結合されたX方向バス導体24お
よびY方向バス導体26、絶縁保護層36、高融点粒子
層38、クロスオーバ導体44から成る厚膜シートが剥
離層42から剥離され且つ反転させられた後、前記低温
導体ペースト塗布工程P3において低温導体ペーストが
塗布された図4の後側基板14上に載置される。このと
き、厚膜シートを構成するX方向バス導体24およびY
方向バス導体26は、低温導体ペーストが塗布された上
に位置させられる。次いで、固着工程P11では、たと
えば300℃程度の温度で処理されることにより上記低
温導体ペーストが硬化させられることにより、厚膜シー
トを構成するX方向バス導体24およびY方向バス導体
26が素子電極ベース28および30と接続導体層46
を介してそれぞれ接続される。この固着工程P11は接
続工程としても機能するものであり、上記接続導体層4
6は前記低温導体ペーストが硬化させられたものであ
る。
In the subsequent firing step P9, the substrate 40 on which the X-direction bus conductor 24 and the Y-direction bus conductor 26, the insulating protective layer 36, the high melting point particle layer 38, and the crossover conductor 44 are sequentially printed and dried, For example, 750 to 8
The film is baked at a thick film baking temperature (first temperature) of about 00 ° C.
Therefore, the X-direction bus conductor 24 and the Y-direction bus conductor 2
6, the insulating protective layer 36, the high melting point particle layer 38, and the crossover conductor 44 are bonded to each other by melting and sintering the glass frit contained therein as soon as the resin and solvent contained therein disappear. In the exfoliation layer 42 and the high melting point particle layer 38, which contain little or no glass frit, the high melting point particles are aggregated with a relatively loose bonding force. Then, the thick film sheet peeling reversal step P
10, the thick film sheet including the X-direction bus conductor 24 and the Y-direction bus conductor 26, the insulating protection layer 36, the high melting point particle layer 38, and the crossover conductor 44, which are coupled to each other, is peeled from the peeling layer 42 and inverted. Then, the low temperature conductor paste is applied on the rear substrate 14 of FIG. 4 to which the low temperature conductor paste is applied in the low temperature conductor paste applying step P3. At this time, the X-direction bus conductors 24 and Y forming the thick film sheet
The directional bus conductor 26 is positioned on top of the low temperature conductor paste applied. Next, in the fixing step P11, the low-temperature conductor paste is cured by being treated at a temperature of, for example, about 300 ° C., so that the X-direction bus conductors 24 and the Y-direction bus conductors 26 constituting the thick film sheet become the element electrodes. Bases 28 and 30 and connection conductor layer 46
Are connected to each other. This fixing step P11 also functions as a connecting step, and the connecting conductor layer 4 is formed.
No. 6 is a cured product of the low temperature conductor paste.

【0025】以上のようにして後側基板14が完成させ
られると、スペーサ設置工程P12において、その後側
基板14上の発光或いは表示を損なわない位置たとえば
X方向バス導体24上に、図1に示すようにスペーサ1
8が立設されるように設置される。そして、続く真空封
着工程P13では、予め蛍光体層20および図示しない
メタルバックが固着された前側基板12が上記後側基板
14上に載置された状態で相互に封着され、且つ空間1
6が真空引きされた状態で封止される。前記スリット3
2は、たとえばこの状態で破壊電圧が個々の素子電極3
4に印加されることによって形成される。
When the rear substrate 14 is completed as described above, in the spacer installation step P12, a position on the rear substrate 14 where light emission or display is not impaired, for example, on the X-direction bus conductor 24, is shown in FIG. As spacer 1
8 is installed upright. Then, in the subsequent vacuum sealing step P13, the front substrate 12 to which the phosphor layer 20 and the metal back (not shown) are previously fixed is mutually sealed while being placed on the rear substrate 14, and the space 1
6 is sealed in a vacuumed state. The slit 3
2 is, for example, the device electrode 3 whose breakdown voltage is individual in this state.
It is formed by being applied to No. 4.

【0026】上述のように、本実施例によれば、X方向
バス導体24およびY方向バス導体26が相互に交差さ
せられる部分においてはそれらX方向バス導体24およ
びY方向バス導体26の厚膜焼成温度よりも高い融点の
粒子から構成された非焼結の高融点粒子層38が介在さ
せられている。この高融点粒子層38は、高融点粒子の
集合体であって気孔率が高くあたかも空間が存在してい
るかの如く作用するので、X方向バス導体24およびY
方向バス導体26が銀を主成分とする厚膜導体であって
もその銀の拡散による絶縁低下がなく、電気的に高い信
頼性が得られるので、その電子放出量或いは電子放出効
率の低下が抑制されて表示の明るさが十分に得られるよ
うになる。
As described above, according to this embodiment, the thick film of the X-direction bus conductor 24 and the Y-direction bus conductor 26 is formed in the portion where the X-direction bus conductor 24 and the Y-direction bus conductor 26 intersect each other. A non-sintered high melting point particle layer 38 made of particles having a melting point higher than the firing temperature is interposed. The high-melting-point particle layer 38 is an aggregate of high-melting-point particles and has a high porosity and acts as if a space exists.
Even if the direction bus conductor 26 is a thick film conductor containing silver as its main component, the insulation is not deteriorated due to the diffusion of silver, and high electrical reliability is obtained, so that the electron emission amount or the electron emission efficiency is reduced. The brightness of the display is suppressed and sufficient display brightness can be obtained.

【0027】また、上記高融点粒子層38は、気孔率の
高い高融点粒子の集合体であってきわめて大きな表面積
を有しているので、封着後においては前側基板12と後
側基板14との間の空間16内のガスを吸着するゲッタ
として機能する。たとえばジルコニヤなどのように特に
吸着機能に優れた粒子が選択される場合はその作用が顕
著となる。このため、電子放出素子22の汚染が軽減さ
れてその電子放出量或いは電子放出効率の低下が抑制さ
れて表示の明るさが十分に得られるようになる。
Further, since the high melting point particle layer 38 is an aggregate of high melting point particles having a high porosity and has an extremely large surface area, after the sealing, the front substrate 12 and the rear substrate 14 are separated from each other. It functions as a getter that adsorbs the gas in the space 16 between them. For example, when particles having a particularly excellent adsorption function such as zirconia are selected, the action becomes remarkable. Therefore, the pollution of the electron-emitting device 22 is reduced, the decrease of the electron emission amount or the electron emission efficiency is suppressed, and the display brightness is sufficiently obtained.

【0028】また、本実施例では、X方向バス導体24
およびY方向バス導体26が相互に交差させられる部分
において、そのX方向バス導体24およびY方向バス導
体26のうちの一方の厚膜導体には、絶縁保護膜36が
被覆されたものであるので、X方向バス導体24および
Y方向バス導体26の間の絶縁性や信頼性が一層高めら
れる。
In this embodiment, the X-direction bus conductor 24 is also used.
Since the thick film conductor of one of the X-direction bus conductor 24 and the Y-direction bus conductor 26 is covered with the insulating protective film 36 in the portion where the Y-direction bus conductor 26 and the Y-direction bus conductor 26 intersect each other. , X-direction bus conductor 24 and Y-direction bus conductor 26 are further improved in insulation and reliability.

【0029】また、本実施例において、互いに交差する
X方向バス導体24およびY方向バス導体26を印刷に
より塗布して第1温度にて焼成することにより厚膜シー
トを作成する厚膜シート作成工程P4乃至P10は、電
子放出素子22を構成するための素子電極ベース28、
30を固着する素子電極ベース固着工程P1および素子
電極固着工程P2とは独立に、印刷および焼成を行うこ
とにより厚膜シートを作成することから、素子電極ベー
ス28、30が固着された後側基板14の印刷回数およ
び焼成回数を減らすことができるので、後側基板14上
に形成される電子放出素子22の汚染が可及的に少なく
される。このため、電子放出素子22の初期的或いは経
時的な電子放出量或いは電子放出効率の低下が抑制さ
れ、表示の明るさが十分に得られるようになる。
Further, in the present embodiment, a thick film sheet forming step of forming a thick film sheet by applying the X-direction bus conductors 24 and the Y-direction bus conductors 26 intersecting with each other by printing and firing at the first temperature. P4 to P10 are element electrode bases 28 for forming the electron-emitting device 22,
Since a thick film sheet is created by printing and firing independently of the element electrode base fixing step P1 and the element electrode fixing step P2 for fixing the element 30, the rear substrate to which the element electrode bases 28, 30 are fixed Since the number of times of printing and firing of 14 can be reduced, contamination of the electron-emitting device 22 formed on the rear substrate 14 is reduced as much as possible. For this reason, a decrease in the amount of electron emission or the efficiency of electron emission of the electron-emitting device 22 in the initial stage or with time is suppressed, and sufficient display brightness can be obtained.

【0030】また、本実施例において、厚膜シート作成
工程P4乃至P10は、X方向バス導体24およびY方
向バス導体26の交差部分において、それらX方向バス
導体24およびY方向バス導体26の間において前記第
1温度よりも高い融点を有する粒子が固着されることに
より構成された高融点粒子層(吸着層)38を介在させ
るための高融点粒子層形成工程(吸着層形成工程)P7
を含むものである。高融点粒子層38は、気孔率の高い
高融点粒子の集合体であってきわめて大きな表面積を有
しているので、封着後においては前側基板12と後側基
板14との間の空間16内のガスを吸着するゲッタとし
て機能することから、電子放出素子22の汚染が軽減さ
れてその電子放出量或いは電子放出効率の低下が抑制さ
れて表示の明るさが十分に得られるようになる。
In the present embodiment, the thick film sheet forming steps P4 to P10 are performed between the X-direction bus conductor 24 and the Y-direction bus conductor 26 at the intersection of the X-direction bus conductor 24 and the Y-direction bus conductor 26. At the high melting point particle layer forming step (adsorption layer forming step) P7 for interposing the high melting point particle layer (adsorption layer) 38 constituted by fixing particles having a melting point higher than the first temperature
Is included. The high-melting-point particle layer 38 is an aggregate of high-melting-point particles having a high porosity and has an extremely large surface area. Therefore, after the sealing, the space 16 between the front substrate 12 and the rear substrate 14 is closed. Since it functions as a getter for adsorbing the gas, the contamination of the electron-emitting device 22 is reduced, the decrease of the electron emission amount or the electron emission efficiency is suppressed, and sufficient display brightness can be obtained.

【0031】また、本実施例において、厚膜シート作成
工程P4乃至P10は、X方向バス導体24およびY方
向バス導体26の交差部分において、それらX方向バス
導体24およびY方向バス導体26の一方を被覆するた
めの絶縁保護層36を形成する絶縁保護層形成工程P6
を含むものであることから、X方向バス導体24および
Y方向バス導体26が相互に交差させられる部分におい
て、それらの間の絶縁性や信頼性が一層高められる。
Further, in this embodiment, in the thick film sheet forming steps P4 to P10, one of the X-direction bus conductor 24 and the Y-direction bus conductor 26 is formed at the intersection of the X-direction bus conductor 24 and the Y-direction bus conductor 26. Insulating protective layer forming step P6 for forming an insulating protective layer 36 for covering
Therefore, in the portion where the X-direction bus conductor 24 and the Y-direction bus conductor 26 intersect with each other, the insulation property and reliability between them are further enhanced.

【0032】また、本実施例において、固着工程(接続
工程)P11は、厚膜シート作成工程P4乃至P10に
より作成された厚膜シートを剥離層42から剥離すると
ともに反転させた後、素子電極ベース固着工程P1によ
り素子電極ベース28、30が固着された後側基板14
上に載置し、低温にて固着可能な導体ペーストを介して
その素子電極ベース28、30にそれぞれ接続するもの
である。後側基板14上に載置される厚膜シートはそれ
が製造された基板40上の姿勢から反転させられている
ことから、その上面は凹凸の少ない平坦な形状とされて
いるので、前側基板12と後側基板14との間に介そう
するためのスペーサ18を上記厚膜シートを構成するX
方向バス導体24およびY方向バス導体26の一方の上
に位置させることが容易となり、組立が簡単となる。一
般に、このスペーサ18の配置位置は、表示或いは発光
の障害とならない位置すなわちX方向バス導体24また
はY方向バス導体26の上に位置させられ、前側基板1
2のブラックストライプの下に位置させられる。
Further, in this embodiment, in the fixing step (connection step) P11, the thick film sheet prepared in the thick film sheet forming steps P4 to P10 is peeled from the peeling layer 42 and inverted, and then the element electrode base is formed. The rear substrate 14 to which the element electrode bases 28 and 30 are fixed by the fixing process P1
It is placed on the device electrode and is connected to the element electrode bases 28 and 30 via a conductive paste which can be fixed at a low temperature. Since the thick film sheet placed on the rear substrate 14 is inverted from the posture on the substrate 40 on which it is manufactured, the upper surface of the thick film sheet has a flat shape with little unevenness, so that the front substrate The spacer 18 for interposing between the substrate 12 and the rear substrate 14 constitutes the thick film sheet X
It is easy to position on one of the directional bus conductor 24 and the Y-direction bus conductor 26, and the assembly is easy. Generally, the arrangement position of the spacer 18 is set at a position that does not hinder display or light emission, that is, on the X-direction bus conductor 24 or the Y-direction bus conductor 26.
Located under two black stripes.

【0033】次に、本発明の他の実施例について説明す
る。なお、以下の説明において前述の実施例と共通する
部分には同一の符号を付して説明を省略する。
Next, another embodiment of the present invention will be described. In the following description, the same parts as those in the above-described embodiment will be designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

【0034】図6および図7は、SEC方式の電界電子
放射型表示装置(FED)すなわちSEC表示装置50
に用いるために多数個の表面伝導型電子放出素子がマト
リックス状に配置された厚膜配線基板である後側基板5
2を示すものである。図6はその後側基板52の要部断
面図を示している。図7はその後側基板52の製造工程
を説明する斜視図であって、(a) は電子放出素子を構成
する多数対の素子電極54aおよび54bが形成された
状態を、(b) はX方向バス導体24が形成された状態
を、(c) は高融点粒子層38が形成された状態を、(d)
はY方向バス導体26が形成された状態をそれぞれ示し
ている。
FIGS. 6 and 7 show a SEC field electron emission display (FED), that is, an SEC display 50.
Rear substrate 5 which is a thick film wiring substrate in which a large number of surface conduction electron-emitting devices are arranged in a matrix for use in
2 is shown. FIG. 6 shows a cross-sectional view of the main part of the rear substrate 52. 7A and 7B are perspective views for explaining the manufacturing process of the rear substrate 52. FIG. 7A shows a state in which a large number of pairs of device electrodes 54a and 54b forming an electron-emitting device are formed, and FIG. 7B shows an X direction. The state where the bus conductor 24 is formed, (c) is the state where the high melting point particle layer 38 is formed, (d)
Shows the state where the Y-direction bus conductor 26 is formed.

【0035】図6に示すように、後側基板52は、基板
として機能するガラス板上において、複数本のX方向バ
ス導体24と複数本のY方向バス導体26との交差部分
Aにおいて、X方向バス導体24毎に、高融点粒子層3
8がX方向バス導体24とY方向バス導体26との間に
設けられるように、Y方向バス導体26がX方向バス導
体24を跨いだ状態で、素子電極54bに固着された素
子電極ベース(厚膜導体)56を備えている。この後側
基板52は、以下に述べる製造工程を経て製造される。
As shown in FIG. 6, the rear substrate 52 is formed on the glass plate functioning as a substrate at the intersection X of the plurality of X-direction bus conductors 24 and the plurality of Y-direction bus conductors 26 at the X portion. High melting point particle layer 3 for each directional bus conductor 24
8 is provided between the X-direction bus conductor 24 and the Y-direction bus conductor 26 so that the Y-direction bus conductor 26 straddles the X-direction bus conductor 24 and is fixed to the device electrode 54b. Thick film conductor) 56. The rear substrate 52 is manufactured through the manufacturing process described below.

【0036】先ず、ガラス製の後側基板52上には、多
数対の素子電極54aおよび54bが形成される。この
素子電極54aおよび54bは、酸化パラジウム(Pd
O)から10nm程度の厚さの薄膜に構成され、スパッ
タリングなどにより付着させられるとともにホトエッチ
ングによりパターン化される。また、一対の素子電極5
4aおよび54bの間には、電子放出のための10nm
程度のスリットが高い電圧が両者に印加されることによ
り形成されている。図7の(a) はこの状態を示してい
る。次いで、厚膜導体ペーストが直接スクリーン印刷さ
れ且つ乾燥されることにより、複数本のX方向バス導体
24と素子電極ベース56とが、上記素子電極54aお
よび54bがの端部と重なる位置にそれぞれ形成され
る。図7の(b) はこの状態を示している。次に、剥離層
ペーストが直接スクリーン印刷され且つ乾燥されること
によって、高融点粒子層38がX方向バス導体24のう
ちY方向バス導体26と交差部分Aの上にその交差部分
Aを十分に覆うように形成される。図7の(c) はこの状
態を示している。続いて、厚膜導体ペーストが直接スク
リーン印刷され且つ乾燥されることにより、Y方向バス
導体26がX方向バス導体24と交差するようにすなわ
ち素子電極ベース56間を導通させるように上記高融点
粒子層38の上に形成される。図7の(d) はこの状態を
示している。上記厚膜導体ペーストは、焼成後に導体と
して用いられる低抵抗値、ファインライン可能な印刷適
性、酸化パラジウムから成る素子電極54aおよび54
bとの間の良好なマッチングなどを備えたものが用いら
れる。そして、図示しない焼成工程において厚膜焼成さ
れることにより、図6に示す後側基板52が得られる。
本実施例によれば、X方向バス導体24とY方向バス導
体26との間には高融点粒子層38が設けられるので前
述の実施例と同様の効果が得られる。
First, a large number of pairs of device electrodes 54a and 54b are formed on the glass rear substrate 52. The device electrodes 54a and 54b are made of palladium oxide (Pd
O) to a thin film having a thickness of about 10 nm, which is attached by sputtering or the like and patterned by photoetching. In addition, the pair of element electrodes 5
10 nm for electron emission between 4a and 54b
A slit of a certain degree is formed by applying a high voltage to both. FIG. 7A shows this state. Then, the thick-film conductor paste is directly screen-printed and dried to form a plurality of X-direction bus conductors 24 and device electrode bases 56 at positions where the device electrodes 54a and 54b overlap the ends thereof. To be done. FIG. 7B shows this state. Then, the release layer paste is directly screen-printed and dried, so that the high melting point particle layer 38 sufficiently crosses the intersection A of the X direction bus conductor 24 and the intersection A of the Y direction bus conductor 26. It is formed so as to cover. FIG. 7 (c) shows this state. Subsequently, the thick-film conductor paste is directly screen-printed and dried, so that the Y-direction bus conductor 26 intersects with the X-direction bus conductor 24, that is, the element electrode bases 56 are electrically connected to each other. Formed on layer 38. FIG. 7D shows this state. The thick film conductor paste has a low resistance value used as a conductor after firing, printability capable of fine line, and device electrodes 54a and 54 made of palladium oxide.
The one with a good match with b is used. Then, the back side substrate 52 shown in FIG. 6 is obtained by performing thick film firing in a firing process (not shown).
According to this embodiment, since the high melting point particle layer 38 is provided between the X-direction bus conductor 24 and the Y-direction bus conductor 26, the same effect as that of the above-described embodiments can be obtained.

【0037】以上、本発明を図面を参照して詳細に説明
したが、本発明は更に別の態様でも実施できる。
Although the present invention has been described in detail above with reference to the drawings, the present invention can be implemented in other modes.

【0038】例えば、前述の実施例の後側基板14、5
2では、X方向バス導体24およびY方向バス導体26
とがその交差部分Aにおいて直交させられていたが、必
ずしも直交でなくてもよく、直角よりも小さな角度で交
差させられるものであってもよい。
For example, the rear substrates 14 and 5 of the above-described embodiment.
2, the X-direction bus conductor 24 and the Y-direction bus conductor 26
Although and have been made to intersect at the intersection A, they may not necessarily be orthogonal and may intersect at an angle smaller than a right angle.

【0039】また、前述の実施例では、X方向バス導体
24およびY方向バス導体26、絶縁保護層36、高融
点粒子層38は同時焼成であったが、個別に焼成される
ものであってもよい。
Further, in the above-described embodiment, the X-direction bus conductor 24 and the Y-direction bus conductor 26, the insulating protection layer 36, and the high melting point particle layer 38 are fired simultaneously, but they are fired individually. Good.

【0040】また、前述の図1乃至図3の実施例におい
て、スペーサ18はX方向バス導体24上に立設されて
いたが、Y方向バス導体26上に立設されていてもよ
い。また、X方向バス導体24とY方向バス導体26と
が逆に配置されていてもよい。また、互いに積層された
絶縁保護層36と高融点粒子層38とは上下逆であって
もよい。また、上記絶縁保護層36は必ずしも設けられ
ていなくてもよい。
Although the spacer 18 is erected on the X-direction bus conductor 24 in the embodiments shown in FIGS. 1 to 3, it may be erected on the Y-direction bus conductor 26. Further, the X-direction bus conductor 24 and the Y-direction bus conductor 26 may be arranged in reverse. Further, the insulating protective layer 36 and the high melting point particle layer 38, which are laminated on each other, may be upside down. The insulating protection layer 36 does not necessarily have to be provided.

【0041】また、前述の実施例では、スリット34か
ら電子を放出する電子放出素子22が設けられていた
が、カーボンナノチューブなどの尖頭から電子を放出す
る素子が設けられていてもよい。
Further, in the above-mentioned embodiment, the electron emitting element 22 for emitting electrons from the slit 34 is provided, but an element for emitting electrons from the tip such as carbon nanotube may be provided.

【0042】その他、一々例示はしないが、本発明は、
その主旨を逸脱しない範囲で種々変更を加え得るもので
ある。
Although not specifically exemplified, the present invention is
Various changes can be made without departing from the spirit of the invention.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例の平面表示装置の要部構成を
説明する断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a main part configuration of a flat panel display device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の実施例の後側基板の要部を説明する平面
図である。
FIG. 2 is a plan view illustrating a main part of a rear substrate of the embodiment of FIG.

【図3】図1の平面表示装置の製造工程を説明する工程
図である。
3A to 3C are process diagrams illustrating a manufacturing process of the flat panel display device of FIG.

【図4】図1の平面表示装置の後側基板であって、素子
電極ベースおよび素子電極が形成された状態を示す斜視
図である。
FIG. 4 is a perspective view showing a rear substrate of the flat panel display of FIG. 1, in which an element electrode base and an element electrode are formed.

【図5】図1の後側基板に用いられる厚膜シートを説明
する斜視図である。
5 is a perspective view illustrating a thick film sheet used for the rear substrate of FIG. 1. FIG.

【図6】本発明の他の実施例における後側基板の要部を
説明する断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a main part of a rear substrate according to another embodiment of the present invention.

【図7】図6の実施例の製造工程を説明する図であっ
て、(a) は電子放出素子を構成する多数対の素子電極が
形成された状態を、(b) はX方向バス導体が形成された
状態を、(c) は高融点粒子層が形成された状態を、(d)
はY方向バス導体が形成された状態をそれぞれ示してい
る。
7A and 7B are views for explaining the manufacturing process of the embodiment of FIG. 6, where FIG. 7A is a state in which a large number of pairs of device electrodes forming an electron-emitting device are formed, and FIG. 7B is an X-direction bus conductor. Is formed, (c) is the state where the high melting point particle layer is formed, (d)
Shows the state where the Y-direction bus conductor is formed.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10:SEC表示装置(平面表示装置) 12:前側基板 14:後側基板 24:X方向バス導体 26:Y方向バス導体 36:絶縁保護層 38:高融点粒子層 42:剥離層 P1:素子電極ベース固着工程 P4〜P10:厚膜シート作成工程 P6:絶縁保護層形成工程 P7:高融点粒子層形成工程 P11:固着工程(接続工程) P13:真空封着工程(封着工程) 10: SEC display device (flat display device) 12: Front substrate 14: rear substrate 24: X-direction bus conductor 26: Y-direction bus conductor 36: Insulation protection layer 38: High melting point particle layer 42: Release layer P1: Element electrode base fixing process P4 to P10: Thick film sheet making process P6: Insulation protection layer forming step P7: High melting point particle layer forming step P11: Fixing process (connection process) P13: Vacuum sealing process (sealing process)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阪本 進 福岡県朝倉郡夜須町大字三並字八ツ並2160 番地 ノリタケ電子工業株式会社夜須工場 内 Fターム(参考) 5C027 BB01 5C036 EE01 EE14 EE19 EF01 EF06 EF09 EG02 EG29 EH10 EH11   ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Susumu Sakamoto             2160 Yatsunami, Sanjo, Yasu-cho, Asakura-gun, Fukuoka Prefecture             Address Noritake Electronics Co., Ltd. Yasu Factory             Within F term (reference) 5C027 BB01                 5C036 EE01 EE14 EE19 EF01 EF06                       EF09 EG02 EG29 EH10 EH11

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定の空間を隔てて平行に配置された前
側基板および後側基板を備え、該後側基板上において互
いに交差する複数本のX方向バス導体およびY方向バス
導体の組み合わせにより選択的に作動させられる多数の
電子放出素子を配列し、該電子放出素子から放出させた
電子により前側基板に設けられた多数の蛍光体を選択的
に発光させる形式の平面型表示装置であって、 前記X方向バス導体およびY方向バス導体が相互に交差
させられる部分において、該X方向バス導体およびY方
向バス導体の焼成温度よりも高い融点の粒子が固着され
ることにより構成された高融点粒子層が介在させられて
いることを特徴とする平面型表示装置。
1. A front substrate and a rear substrate which are arranged in parallel with a predetermined space therebetween, and are selected by a combination of a plurality of X-direction bus conductors and Y-direction bus conductors which intersect each other on the rear substrate. A flat display device of a type in which a large number of electron-emitting devices that are operated in an array are arranged, and a large number of phosphors provided on a front substrate are selectively emitted by electrons emitted from the electron-emitting devices, High melting point particles formed by fixing particles having a melting point higher than the firing temperature of the X-direction bus conductor and the Y-direction bus conductor at a portion where the X-direction bus conductor and the Y-direction bus conductor intersect each other. A flat-panel display device characterized in that layers are interposed.
【請求項2】 前記X方向バス導体およびY方向バス導
体が相互に交差させられる部分において、該X方向バス
導体およびY方向バス導体のうちの前記後側基板に固着
された側の一方の厚膜導体には絶縁保護膜が被覆された
ものである請求項1の平面型表示装置。
2. The thickness of one of the X-direction bus conductor and the Y-direction bus conductor, which is fixed to the rear substrate, at a portion where the X-direction bus conductor and the Y-direction bus conductor intersect each other. The flat panel display device according to claim 1, wherein the film conductor is covered with an insulating protective film.
【請求項3】 所定の空間を隔てて平行に配置された前
側基板および後側基板を備え、該後側基板上において互
いに交差する複数本のX方向バス導体およびY方向バス
導体の組み合わせにより選択的に作動させられる多数の
電子放出素子を配列し、該電子放出素子から放出させた
電子により前側基板に設けられた多数の蛍光体を選択的
に発光させる形式の平面型表示装置の製造方法であっ
て、 前記後側基板の一面に前記電子放出素子を構成するため
の素子電極ベースを固着する素子電極ベース固着工程
と、 所定の基板上に形成された第1温度よりも高い融点を有
する粒子が樹脂で結合されて成る剥離層上に、互いに交
差する前記X方向バス導体およびY方向バス導体を塗布
して該第1温度にて焼成することにより厚膜シートを作
成する厚膜シート作成工程と、 該厚膜シート作成工程により作成された厚膜シートを前
記剥離層から剥離した後、前記素子電極ベース固着工程
により素子電極ベースが固着された後側基板の一面に載
置し、低温にて固着可能な導体ペーストを介して該素子
電極ベースにそれぞれ接続する接続工程と、 該接続工程により後側基板上の素子電極ベースに接続さ
れた厚膜シート上にスペーサを配置した状態で、前側基
板と該後側基板とを相互に封着する封着工程とを、含む
ことを特徴とする平面型表示装置の製造方法。
3. A front substrate and a rear substrate which are arranged in parallel with each other with a predetermined space therebetween, and are selected by a combination of a plurality of X-direction bus conductors and Y-direction bus conductors which intersect each other on the rear substrate. A method of manufacturing a flat-panel display device of a type in which a large number of electron-emitting devices that are activated electrically are arranged, and a large number of phosphors provided on a front substrate are selectively emitted by electrons emitted from the electron-emitting devices. An element electrode base fixing step of fixing an element electrode base for constituting the electron-emitting device on one surface of the rear substrate, and particles having a melting point higher than a first temperature formed on a predetermined substrate. A thick film sheet for forming a thick film sheet by applying the X-direction bus conductor and the Y-direction bus conductor intersecting each other on a release layer formed by bonding with a resin and firing at the first temperature. And the step of forming the thick film sheet, the thick film sheet formed in the step of forming the thick film sheet is peeled from the release layer, and then placed on one surface of the rear substrate to which the element electrode base is fixed in the element electrode base fixing step. A connecting step of connecting to the element electrode base via a conductor paste that can be fixed at a low temperature, and a state in which spacers are arranged on the thick film sheet connected to the element electrode base on the rear substrate by the connecting step. 2. A method of manufacturing a flat panel display device, comprising: a sealing step of mutually sealing the front substrate and the rear substrate.
【請求項4】 前記厚膜シート作成工程は、前記X方向
バス導体およびY方向バス導体の交差部分において、該
X方向バス導体およびY方向バス導体の間において前記
第1温度よりも高い融点を有する粒子が固着されること
により構成された高融点粒子層を介在させるための高融
点粒子層形成工程を、さらに含むものである請求項3の
平面型表示装置の製造方法。
4. The thick film sheet forming step has a melting point higher than the first temperature between the X-direction bus conductor and the Y-direction bus conductor at an intersection of the X-direction bus conductor and the Y-direction bus conductor. 4. The method for manufacturing a flat-panel display device according to claim 3, further comprising a high-melting point particle layer forming step for interposing a high-melting point particle layer formed by fixing the included particles.
【請求項5】 前記厚膜シート作成工程は、前記X方向
バス導体およびY方向バス導体の交差部分において、該
X方向バス導体およびY方向バス導体の一方を被覆する
ための絶縁保護層を形成する絶縁保護層形成工程を、さ
らに含むものである請求項3または4の平面型表示装置
の製造方法。
5. The thick film sheet forming step forms an insulating protective layer for covering one of the X-direction bus conductor and the Y-direction bus conductor at an intersection of the X-direction bus conductor and the Y-direction bus conductor. 5. The method for manufacturing a flat panel display device according to claim 3, further comprising an insulating protective layer forming step.
【請求項6】 前記接続工程は、前記厚膜シート作成工
程により作成された厚膜シートを前記剥離層から剥離す
るとともに反転させた後、前記素子電極ベース固着工程
により素子電極ベースが固着された後側基板上に載置
し、低温にて固着可能な導体ペーストを介してその素子
電極ベースにそれぞれ接続するものである請求項3乃至
5のいずれかの平面型表示装置の製造方法。
6. In the connecting step, after the thick film sheet formed in the thick film sheet forming step is peeled from the peeling layer and inverted, the element electrode base is fixed in the element electrode base fixing step. 6. The method for manufacturing a flat-panel display device according to claim 3, wherein the flat-panel display device is placed on a rear substrate and connected to the element electrode bases via a conductive paste that can be fixed at a low temperature.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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