JP2003108067A - Display device - Google Patents

Display device

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JP2003108067A
JP2003108067A JP2001302076A JP2001302076A JP2003108067A JP 2003108067 A JP2003108067 A JP 2003108067A JP 2001302076 A JP2001302076 A JP 2001302076A JP 2001302076 A JP2001302076 A JP 2001302076A JP 2003108067 A JP2003108067 A JP 2003108067A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical element
display device
transistor
voltage
turned
Prior art date
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Pending
Application number
JP2001302076A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shoichiro Matsumoto
昭一郎 松本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP2001302076A priority Critical patent/JP2003108067A/en
Publication of JP2003108067A publication Critical patent/JP2003108067A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technology for realizing a display device of an efficient voltage program system with simple constitution. SOLUTION: In this display device, the total value of the threshold voltage of a Tr21 and the operating threshold voltage of an OLED (organic light- emitting diode) 20 is made to be stored in a C21 and a Tr20 is turned ON by making a GL2 to be in a high level in this state. When a luminance signal is made to flow through a data 10, a voltage in which the voltage of the signal is put upon the total value is applied to the gate of a Tr22 and a current is made to flow through the OLED20 to make the OLED20 emit a light.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置に関す
る。本発明は特に、表示装置に用いる光学素子を制御す
るための回路設計技術に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a display device. The present invention particularly relates to a circuit design technique for controlling an optical element used in a display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、有機EL(Electro-Luminesc
ence)素子を用いた表示装置においては、回路構成のひ
とつである駆動用トランジスタのしきい値や駆動能力に
ばらつきが大きく、さらに有機EL自体の経年変化によ
って発光能力の個体差が大きいことから、入力信号に対
して輝度が一定にならないという問題があった。この問
題に対処する技術として、文献「Design of an Improve
d Pixel for a Polysilicon Active-Matrix Organic LE
D Display」(SID 98, International SymposiumProcee
dings, 1998, p.11)に電圧プログラム方式による有機
ELの回路構成が開示されている。以下、この技術を図
1および図2を用いて簡単に説明する。
2. Description of the Related Art Conventionally, organic EL (Electro-Luminesc)
In the display device using the (ence) element, there is a large variation in the threshold value and the driving ability of the driving transistor, which is one of the circuit configurations, and there is a large individual difference in the light emitting ability due to the secular change of the organic EL itself. There was a problem that the brightness was not constant with respect to the input signal. As a technique for dealing with this problem, the document “Design of an Improve
d Pixel for a Polysilicon Active-Matrix Organic LE
D Display "(SID 98, International SymposiumProcee
Dings, 1998, p. 11) discloses a circuit configuration of an organic EL by a voltage programming method. Hereinafter, this technique will be briefly described with reference to FIGS. 1 and 2.

【0003】図1は、従来技術における1ピクセルに相
当する回路構成を示す。VDDは電源電圧、Selec
t1は走査信号、Data1は輝度信号をそれぞれ入力
するラインである。さらに、4個のトランジスタTr
1、Tr2、Tr3、Tr4と、2個のコンデンサC
1、C2と、有機ELであるOLED1を含む。AZ
1、AZB1は、それぞれTr2、Tr4をオンする制
御信号のラインである。N1、N2、N3、N4、N
5、N6、N7、N8、N9はそれぞれノードを示す。
FIG. 1 shows a circuit configuration corresponding to one pixel in the prior art. V DD is the power supply voltage, Selec
t1 is a scanning signal, and Data1 is a line for inputting a luminance signal. Furthermore, four transistors Tr
1, Tr2, Tr3, Tr4 and two capacitors C
1, C2, and OLED1 which is an organic EL. AZ
Reference numerals 1 and AZB1 are control signal lines for turning on Tr2 and Tr4, respectively. N1, N2, N3, N4, N
5, N6, N7, N8 and N9 respectively represent nodes.

【0004】図2は、従来技術における動作手順を示す
タイムチャートである。図1とあわせて動作手順を説明
する。期間のとき、Select1をローレベルにす
るとTr1がオンになり、さらにAZ1をローレベルに
するとTr2がオンになる。このとき、N1、N3、お
よびN8に輝度信号ではない初期電位がData1から
供給され、これにより初期化がなされる。一方、それま
でN3に蓄積されていた電荷がTr2、Tr4、および
OLED1を経て放電され、N8は接地電位であるN9
の電位よりOLED1の動作しきい値電圧だけ高い電位
に設定される。期間のとき、AZB1をハイレベルに
するとTr4がオフになる。このとき、VDD1からの
電流がTr3およびTr2を経てN3に流入し、N3は
DD1よりTr3の動作しきい値電圧だけ低い電圧ま
で充電される。N3の電位が安定する頃にAZ1をハイ
レベルにしてTr2をオフにする。このとき、Tr3は
弱くオンされた状態である。
FIG. 2 is a time chart showing the operation procedure in the prior art. The operation procedure will be described with reference to FIG. During the period, when Select1 is set to low level, Tr1 is turned on, and when AZ1 is set to low level, Tr2 is turned on. At this time, the initial potential, which is not the luminance signal, is supplied to N1, N3, and N8 from Data1, thereby performing initialization. On the other hand, the charges accumulated in N3 until then are discharged through Tr2, Tr4, and OLED1, and N8 is the ground potential N9.
Is set to a potential higher than the potential of OLED1 by the operation threshold voltage of OLED1. During the period, when AZB1 is set to the high level, Tr4 is turned off. At this time, the current from V DD 1 flows into N3 via Tr3 and Tr2, and N3 is charged to a voltage lower than V DD 1 by the operation threshold voltage of Tr3. When the potential of N3 becomes stable, AZ1 is set to high level and Tr2 is turned off. At this time, Tr3 is weakly turned on.

【0005】期間のとき、Data1から輝度信号が
入力され、この値に応じた電位降下がN3に現れ、その
電位降下に応じてTr3がオンされてN4からN7に電
流が流れることにより、輝度の書き込みがなされる。期
間のとき、Select1をハイレベルにするとTr
1がオフになり、AZB1をローレベルにするとTr4
がオンになる。このとき、OLED1に電流が流れ、予
め書き込まれた輝度に応じた発光が得られる。その発光
は次の輝度書き込みまで継続される。
During the period, a luminance signal is input from Data1, a potential drop corresponding to this value appears in N3, Tr3 is turned on in response to the potential drop, and a current flows from N4 to N7, so that a luminance drop occurs. Writing is done. During the period, when Select1 is set to high level, Tr
When 1 turns off and AZB1 goes low, Tr4
Turns on. At this time, a current flows through the OLED 1, and light emission according to the brightness written in advance is obtained. The light emission is continued until the next luminance writing.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来技術においては、Tr2、Tr4をオンさせるため
の制御信号ラインとしてAZ1、AZB1の2本が必要
であり、これをピクセルごとに設けなければならないた
めに設計が複雑になり、周辺回路の占有面積が大きくな
る。パネル面積が大きくなれば、歩留まりの低下やコス
ト増大の原因ともなる。さらに、動作が複雑な分、制御
上の時間的マージンも少ない。
However, in the above-mentioned prior art, two control signal lines AZ1 and AZB1 are required to turn on Tr2 and Tr4, and these must be provided for each pixel. This complicates the design and occupies a large area of peripheral circuits. If the panel area becomes large, it may cause a decrease in yield and an increase in cost. Further, since the operation is complicated, the time margin for control is small.

【0007】本発明はこうした背景からなされたもので
あり、その目的は、簡素な構成で効率のよい電圧プログ
ラム方式の表示装置を実現する技術の提供にある。
The present invention has been made from such a background, and an object thereof is to provide a technique for realizing an efficient voltage program type display device with a simple structure.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明のある実施の形態
は表示装置である。この装置は、画素を構成する光学素
子を含み、その光学素子の光強度を設定するプログラム
型の表示装置において、ある光学素子に対するプログラ
ムをその光学素子以外の素子に対する制御信号を利用し
て実施する。「光学素子」は、有機EL素子やLC(Li
quid Crystal)素子であってもよい。「その光学素子以
外の素子」は、たとえば隣接する画素を構成する光学素
子を意味する。
One embodiment of the present invention is a display device. This device is a program type display device that includes an optical element that constitutes a pixel and sets the light intensity of the optical element, and executes a program for a certain optical element using a control signal for an element other than the optical element. . "Optical element" is an organic EL element or LC (Li
quid crystal) element. The “element other than the optical element” means, for example, an optical element that constitutes an adjacent pixel.

【0009】本発明の他の実施の形態もまた表示装置で
ある。この装置は、画素を構成する光学素子を含み、そ
の光学素子の光強度を設定するプログラム型の表示装置
において、ある光学素子に対するプログラムをその光学
素子よりも時間的に前に制御される光学素子に対する走
査信号を利用して実施する。
Another embodiment of the present invention is also a display device. This device is a program-type display device that includes an optical element that constitutes a pixel, and sets the light intensity of the optical element, and an optical element that controls a program for a certain optical element before the optical element in time. Is performed using the scanning signal for.

【0010】上記二つの形態において、光学素子に電流
を流すためにこの光学素子と直列に配された駆動用トラ
ンジスタをさらに含み、これら光学素子および駆動用ト
ランジスタの動作しきい値の合計電圧がこの駆動用トラ
ンジスタの制御電極にプログラムされるよう構成しても
よい。また、光学素子よりも前に制御される光学素子に
対する走査信号がアクティブになったときにオンするプ
ログラム用トランジスタをさらに含み、プログラム用ト
ランジスタがオンしたときその光学素子と駆動用トラン
ジスタとが直列に配された系と、その駆動用トランジス
タのゲートと固定電位の間に設けられた容量とが導通し
てこの容量に合計電圧が記憶されるよう構成してもよ
い。駆動用トランジスタをnチャネル電界効果トランジ
スタによって構成してもよい。「固定電位」は、接地レ
ベルでもよい。
In the above two modes, a driving transistor arranged in series with the optical element for supplying a current to the optical element is further included, and a total voltage of operating threshold values of the optical element and the driving transistor is The control electrode of the driving transistor may be programmed. Further, it further includes a programming transistor that is turned on when a scanning signal for an optical element controlled before the optical element is activated, and the optical element and the driving transistor are connected in series when the programming transistor is turned on. The arranged system and a capacitor provided between the gate of the driving transistor and the fixed potential may be electrically connected to each other to store the total voltage. The driving transistor may be an n-channel field effect transistor. The “fixed potential” may be the ground level.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】図3は、実施の形態に係る回路構
成を示す。本実施形態においては、光学素子として有機
ELを用い、駆動用トランジスタとしてMOSFET
(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transisto
r、金属酸化物電界効果トランジスタ)を用いる。Pi
x1、2はそれぞれピクセル単位の回路である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 3 shows a circuit configuration according to an embodiment. In this embodiment, an organic EL is used as an optical element, and a MOSFET is used as a driving transistor.
(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transisto
r, metal oxide field effect transistor). Pi
x1 and 2 are circuits on a pixel-by-pixel basis.

【0012】Pix1の回路は、4個のトランジスタT
r10、Tr11、Tr12、Tr13と、3個のコン
デンサC10、C11、C12と、1個の光学素子OL
ED10と、を含む。Tr10、Tr11、Tr12は
nチャネルトランジスタであり、Tr13はpチャネル
トランジスタである。Tr11は駆動用トランジスタと
して働き、OLED10と直列に接続される。C12
は、Tr11のゲート電極と固定電位であるアースの間
に設けられ、プログラム用コンデンサとして働く。GL
1はPix1に対して走査信号を入力し、Data10
はPix1に対して輝度信号を入力する。VDD10
は、電源電圧である。Tr12、Tr13をオンする制
御信号GL0から入力する。
The circuit of Pix1 has four transistors T
r10, Tr11, Tr12, Tr13, three capacitors C10, C11, C12, and one optical element OL
And ED10. Tr10, Tr11, Tr12 are n-channel transistors, and Tr13 is a p-channel transistor. Tr11 functions as a driving transistor and is connected in series with OLED10. C12
Is provided between the gate electrode of Tr11 and the ground, which is a fixed potential, and acts as a programming capacitor. GL
1 inputs a scanning signal to Pix1, and Data10
Inputs a luminance signal to Pix1. V DD 10
Is the power supply voltage. It is input from the control signal GL0 that turns on Tr12 and Tr13.

【0013】Pix2の回路もまた、4個のトランジス
タTr20、Tr21、Tr22、Tr23と、3個の
コンデンサC20、C21、C22と、1個の光学素子
OLED20と、を含む。Tr20、Tr21、Tr2
2もまたnチャネルトランジスタであり、Tr23はp
チャネルトランジスタである。Tr21は駆動用トラン
ジスタとして働き、OLED20と直列に接続される。
C22は、Tr21のゲート電極と固定電位であるアー
スの間に設けられ、プログラム用コンデンサとして働
く。GL2はPix2に対して走査信号を入力し、Da
ta10はPix2に対して輝度信号を入力する。V
DD10は、電源電圧である。Tr22、Tr23をオ
ンする制御信号として、Pix1に対する走査信号をG
L1から入力する。
The Pix2 circuit also includes four transistors Tr20, Tr21, Tr22, Tr23, three capacitors C20, C21, C22, and one optical element OLED20. Tr20, Tr21, Tr2
2 is also an n-channel transistor, and Tr23 is p
It is a channel transistor. Tr21 functions as a driving transistor and is connected in series with OLED20.
C22 is provided between the gate electrode of Tr21 and ground which is a fixed potential, and acts as a programming capacitor. GL2 inputs the scanning signal to Pix2, and Da
The ta10 inputs the luminance signal to the Pix2. V
DD 10 is the power supply voltage. As a control signal for turning on Tr22 and Tr23, the scanning signal for Pix1 is set to G
Input from L1.

【0014】これらPix1、Pix2と同様の回路を
マトリクス上にm×n個設けて表示装置を構成する。走
査信号ラインであるGLの数は(m+1)本であり、輝
度信号ラインであるDataの数はn本である。
A display device is constructed by providing m × n circuits similar to those of Pix1 and Pix2 on a matrix. The number of GL that is a scanning signal line is (m + 1), and the number of Data that is a luminance signal line is n.

【0015】図4は、実施の形態に係る回路の動作手順
を示すタイムチャートである。以下、図3および図4に
沿ってPix2を中心に説明する。まず、Pix2より
も前に制御されるべきPix1に対する走査信号として
GL1をハイレベルにしたとき、プログラム用トランジ
スタとして動作するTr22がオンになり、Tr23が
オフになる。N27はVDD10と切り離され、N23
−N24間が導通すると、C22に貯まった電荷はN2
2方向とN25方向に流入して放電される。OLED2
0に流入する電流はN22の電位がN25の電位よりT
r21の動作しきい値電圧Vth2だけ高い電位に到達
した時点で止まる。このときのN25の電位はOLED
20の動作しきい値電圧V2であり、したがってN2
2はV 2とV2の合計値V2に設定される。
FIG. 4 is a time chart showing the operation procedure of the circuit according to the embodiment. Hereinafter, the Pix2 will be mainly described with reference to FIGS. 3 and 4. First, when GL1 is set to a high level as a scanning signal for Pix1 to be controlled before Pix2, Tr22 which operates as a programming transistor is turned on and Tr23 is turned off. N27 is disconnected from V DD 10, N23
When -N24 becomes conductive, the charge stored in C22 becomes N2.
It flows in two directions and N25 direction and is discharged. OLED2
The current flowing into 0 is T when the potential of N22 is higher than that of N25.
It stops when it reaches a potential higher by the operation threshold voltage V th 2 of r21. The potential of N25 at this time is OLED
20 operating threshold voltage V f 2 and therefore N2
2 is set to the sum V s 2 of V t h 2 and V f 2.

【0016】これにより、N22の電位はOLED20
の動作しきい値電圧や駆動トランジスタTr21の動作
しきい値電圧にばらつきや経年変化が生じてもつねにV
s2に設定され、そのばらつきや経年変化が吸収され
る。このとき、Tr21は弱くオンされた状態になり、
これを初期化状態と呼ぶ。C22はその初期化に用いる
ためのコンデンサと位置づけられ、その両端にはVDD
10の電圧が印加されている。
As a result, the potential of N22 becomes OLED20.
Of the operating threshold voltage of the drive transistor Tr21 and the operating threshold voltage of the drive transistor Tr21 are constantly V
It is set to s2, and its variation and secular change are absorbed. At this time, Tr21 is weakly turned on,
This is called an initialization state. C22 is positioned as a capacitor used for its initialization, and V DD is placed across the capacitor.
A voltage of 10 is applied.

【0017】GL1をローレベルにするとTr22はオ
フになり、Tr23がオンになる。GL2をハイレベル
にするとTr20がオンになり、N20−N21間が導
通する。C20はフローティング状態なのでData1
0にPix2に対する輝度信号が流れると、その電位に
N22の電位が加算されたいわゆる「たたき上げ」られ
た電圧がTr21のゲート電極に加えられる。これによ
り、N24−N25間が導通し、OLED20が発光す
る。なお、図4に示されるように、Data10は1ラ
インを走査する間に1ラインに含まれるピクセルの数だ
け時分割で信号を入力する。
When GL1 is set to low level, Tr22 is turned off and Tr23 is turned on. When GL2 is set to a high level, Tr20 is turned on and N20-N21 are electrically connected. Since C20 is in a floating state, Data1
When a luminance signal for Pix2 flows to 0, a so-called “raised” voltage obtained by adding the potential of N22 to the potential is applied to the gate electrode of Tr21. As a result, N24-N25 are electrically connected and the OLED 20 emits light. Note that, as shown in FIG. 4, the Data 10 inputs signals in a time-division manner by the number of pixels included in one line while scanning one line.

【0018】以上の実施形態によれば、Tr21のオン
の程度によってOLED20に入力される電流値が決ま
るため、OLED20はつねにData10から入力さ
れる電流に応じた輝度が得られる。これにより、トラン
ジスタおよび有機ELの動作しきい値のばらつきや経年
変化による劣化に左右されず、輝度ばらつきの小さい安
定動作を実現できる。
According to the above-described embodiment, the current value input to the OLED 20 is determined by the degree of turning on of the Tr 21, so that the OLED 20 always obtains the brightness according to the current input from the Data 10. This makes it possible to realize a stable operation with a small variation in luminance, without being affected by variations in operating thresholds of the transistors and the organic EL and deterioration due to aging.

【0019】Tr20、Tr21、Tr22としてnチ
ャネルトランジスタを用いるので、従来技術のように4
つのトランジスタ全てにpチャネルトランジスタを用い
る場合よりも漏れ電流を抑制できる。また、nチャネル
トランジスタは、pチャネルトランジスタと比べて駆動
電流が大きいので、ゲート幅を小さくでき、画素面積を
小型化できる。
Since n-channel transistors are used as Tr20, Tr21, and Tr22, they are 4 times as in the prior art.
The leakage current can be suppressed as compared with the case where p-channel transistors are used for all one transistors. Further, since the n-channel transistor has a larger driving current than the p-channel transistor, the gate width can be reduced and the pixel area can be reduced.

【0020】nチャネルトランジスタを用いる場合、p
チャネルトランジスタを用いる場合よりも輝度信号に必
要な電圧を低く抑えることができ、よって外部駆動IC
の消費電力を低下させることができる。たとえば、pチ
ャネルトランジスタの場合は輝度信号としてVDD−V
th以下の電圧が必要であり、輝度信号の電圧範囲を4
Vとすると8.5〜12.5Vが必要となる。一方、n
チャネルトランジスタの場合は輝度信号としてV+V
th以上の電圧が必要であり、輝度信号の電圧範囲を4
Vとすると6.5〜10.5Vで足り、相対的に消費電
力が低下する。
When using an n-channel transistor, p
The voltage required for the luminance signal can be suppressed to a lower level than when a channel transistor is used.
Power consumption can be reduced. For example, in the case of a p-channel transistor, V DD -V as the luminance signal
The following voltage th requires, 4 a voltage range of the luminance signal
If V is set, 8.5 to 12.5V is required. On the other hand, n
In the case of a channel transistor, V f + V as a luminance signal
A voltage of th or more is required, and the voltage range of the luminance signal is 4
If V is set to 6.5 to 10.5V, the power consumption is relatively reduced.

【0021】例えばTr22およびTr23の制御信号
として、そのピクセルよりも前に制御されるピクセルに
対する走査信号を流用しているので、その制御信号用の
駆動回路をさらに設けることなく回路を構成できる。し
かも、Tr22およびTr23の制御信号を一つの走査
信号で代用するので、2本の信号線を追加する場合と比
べてコンパクトに回路を構成できる。
For example, as the control signal for Tr22 and Tr23, the scanning signal for the pixel to be controlled prior to the pixel is diverted, so that the circuit can be configured without further providing a drive circuit for the control signal. Moreover, since one scanning signal is used as a substitute for the control signals of Tr22 and Tr23, the circuit can be configured more compactly than in the case where two signal lines are added.

【0022】構成が簡素化される分、制御も簡素化され
るため、時間的なマージンが増加し、動作を高速化でき
る。周辺回路数が少なくなるので、歩留まりが向上して
コストを低下させることができる。
Since the structure is simplified and the control is also simplified, the time margin is increased and the operation can be speeded up. Since the number of peripheral circuits is reduced, the yield can be improved and the cost can be reduced.

【0023】以上、本発明を実施の形態をもとに説明し
た。この実施の形態は例示であり、その各構成要素や各
処理プロセスの組合せにいろいろな変形例が可能なこ
と、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当
業者に理解されるところである。以下、変形例を挙げ
る。
The present invention has been described above based on the embodiments. This embodiment is merely an example, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications can be made to the combination of each constituent element and each processing process, and such modifications are also within the scope of the present invention. . Hereinafter, modified examples will be described.

【0024】本実施形態においては、図3に示される通
り、プログラム用コンデンサであるC21の一端と初期
化用コンデンサであるC22の一端をそれぞれ固定電位
となるように接地している。変形例においては、それら
各一端をそれぞれ定電圧電源に接続してもよい。
In the present embodiment, as shown in FIG. 3, one end of the program capacitor C21 and one end of the initialization capacitor C22 are grounded so as to have a fixed potential. In a modified example, each of the ends may be connected to a constant voltage power source.

【0025】[0025]

【発明の効果】本発明によれば、電圧プログラム方式に
よる有機ELの回路構成および制御を簡素化することが
できる。
According to the present invention, it is possible to simplify the circuit configuration and control of the organic EL by the voltage programming method.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 従来技術における1ピクセルに相当する回路
構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration corresponding to one pixel in a conventional technique.

【図2】 従来技術における動作手順を示すタイムチャ
ートである。
FIG. 2 is a time chart showing an operation procedure in the related art.

【図3】 実施の形態に係る回路構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a circuit configuration according to an embodiment.

【図4】 実施の形態に係る回路の動作手順を示すタイ
ムチャートである。
FIG. 4 is a time chart showing an operation procedure of the circuit according to the exemplary embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

GL0、1、2、 Pix1、2、 Data10、
DD10、 Tr10、11、12、13、20、2
1、22、23、 C10、11、12、20、21、
22、 N10、11、12、13、14、15、1
6、17、18、20、21、22、23、24、2
5、26、27、28。
GL0, 1, 2, Pix1, 2, Data10,
V DD 10, Tr10, 11, 12, 13, 20, 2
1, 22, 23, C10, 11, 12, 20, 21,
22, N10, 11, 12, 13, 14, 15, 1
6, 17, 18, 20, 21, 22, 23, 24, 2
5, 26, 27, 28.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 33/14 H05B 33/14 A Fターム(参考) 3K007 AB02 AB17 BA06 DB03 EB00 GA02 GA04 5C080 AA06 BB05 DD03 DD22 DD29 EE28 FF11 JJ03 JJ04 5C094 AA07 AA45 AA53 AA56 BA03 BA27 CA19 CA25 DB01 DB04 EA04 EA07 FB01 FB20 GA10─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H05B 33/14 H05B 33/14 AF term (reference) 3K007 AB02 AB17 BA06 DB03 EB00 GA02 GA04 5C080 AA06 BB05 DD03 DD22 DD29 EE28 FF11 JJ03 JJ04 5C094 AA07 AA45 AA53 AA56 BA03 BA27 CA19 CA25 DB01 DB04 EA04 EA07 FB01 FB20 GA10

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 画素を構成する光学素子を含み、その光
学素子の光強度を設定するプログラム型の表示装置にお
いて、ある光学素子に対するプログラムをその光学素子
以外の素子に対する制御信号を利用して実施することを
特徴とする表示装置。
1. In a program type display device including an optical element forming a pixel and setting a light intensity of the optical element, a program for a certain optical element is executed by using a control signal for an element other than the optical element. A display device characterized by:
【請求項2】 画素を構成する光学素子を含み、その光
学素子の光強度を設定するプログラム型の表示装置にお
いて、ある光学素子に対するプログラムをその光学素子
よりも時間的に前に制御される光学素子に対する走査信
号を利用して実施することを特徴とする表示装置。
2. A program type display device including an optical element which constitutes a pixel, and setting a light intensity of the optical element, wherein an optical element in which a program for an optical element is controlled before the optical element in time. A display device, which is implemented by using a scanning signal for an element.
【請求項3】 前記光学素子に電流を流すためにこの光
学素子と直列に配された駆動用トランジスタを含み、こ
れら光学素子および駆動用トランジスタの動作しきい値
の合計電圧がこの駆動用トランジスタの制御電極にプロ
グラムされることを特徴とする請求項1または2に記載
の表示装置。
3. A driving transistor arranged in series with the optical element for passing a current through the optical element, wherein a total voltage of operating thresholds of the optical element and the driving transistor is a total voltage of the driving transistor. The display device according to claim 1, wherein the display device is programmed in the control electrode.
【請求項4】 前記光学素子よりも前に制御される光学
素子に対する走査信号がアクティブになったときにオン
するプログラム用トランジスタをさらに含み、プログラ
ム用トランジスタがオンしたとき前記光学素子と前記駆
動用トランジスタとが直列に配された系と、前記駆動用
トランジスタのゲートと固定電位の間に設けられた容量
とが導通してこの容量に前記合計電圧が記憶されること
を特徴とする請求項3に記載の表示装置。
4. A programming transistor which is turned on when a scanning signal for an optical element which is controlled before the optical element is activated, further comprising: a programming transistor which is turned on when the programming transistor is turned on. 4. A system in which a transistor is arranged in series and a capacitor provided between the gate of the driving transistor and a fixed potential are conducted to store the total voltage in the capacitor. Display device according to.
【請求項5】 前記駆動用トランジスタをnチャネル電
界効果トランジスタによって構成したことを特徴とする
請求項3または4に記載の表示装置。
5. The display device according to claim 3, wherein the driving transistor is an n-channel field effect transistor.
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