JP2003059415A - Plasma ion source device - Google Patents
Plasma ion source deviceInfo
- Publication number
- JP2003059415A JP2003059415A JP2001243255A JP2001243255A JP2003059415A JP 2003059415 A JP2003059415 A JP 2003059415A JP 2001243255 A JP2001243255 A JP 2001243255A JP 2001243255 A JP2001243255 A JP 2001243255A JP 2003059415 A JP2003059415 A JP 2003059415A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnet
- plasma
- cusp
- ion
- discharge vessel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/10—Nuclear fusion reactors
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマイオン源装
置に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a plasma ion source device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】現在、例えば核融合装置の高速中性粒子
ビーム源としてプラズマイオン源装置を用いることが検
討されている。この場合には、プラズマイオン源装置か
ら加速電極で加速されて引き出された高速のイオンによ
り、中性化セルにおいて高速の中性粒子を生成し、この
高速中性粒子が核融合装置本体の真空容器内に導入され
る。2. Description of the Related Art At present, for example, the use of a plasma ion source device as a fast neutral particle beam source for a nuclear fusion device is under study. In this case, high-speed neutral particles are generated in the neutralization cell by the high-speed ions accelerated and extracted by the acceleration electrode from the plasma ion source device. It is introduced into the container.
【０００３】かかる核融合装置などに用いられるプラズ
マイオン源装置においては、放電容器の外周にカスプ磁
石を配置して、放電容器の内表面付近に磁場を形成し、
この表面磁場（例えば数千ガウスの磁場）により、放電
容器の内表面近くまで移動してきたプラズマ粒子（電子
及びイオン）を放電容器の中央部へと反射させて、放電
容器の内表面でのプラズマ粒子の損失（パワーの損失）
を抑制し、放電容器内のプラズマ密度を高めている。な
お、放電容器の中央部では磁場がほとんどないため、プ
ラズマ粒子は自由に動くことができる。In the plasma ion source device used in such a nuclear fusion device, a cusp magnet is arranged on the outer circumference of the discharge vessel to form a magnetic field near the inner surface of the discharge vessel.
Due to this surface magnetic field (for example, a magnetic field of several thousand gauss), plasma particles (electrons and ions) that have moved near the inner surface of the discharge vessel are reflected to the central part of the discharge vessel, and plasma on the inner surface of the discharge vessel is reflected. Particle loss (power loss)
Is suppressed and the plasma density in the discharge vessel is increased. Since there is almost no magnetic field in the central part of the discharge vessel, the plasma particles can move freely.
【０００４】そして、プラズマイオン源装置におけるカ
スプ磁石の構成としては、棒状の永久磁石をイオン引出
方向に沿う状態で且つ内面の磁極が放電容器の周方向に
沿ってＮ，Ｓ又はＳ，Ｎの順に交互に位置するように配
置した構成のものと、リング状の永久磁石をイオン引出
方向に対して垂直な状態で且つ内周面の磁極がイオン引
出方向に沿ってＮ，Ｓ又はＳ，Ｎの順に交互に位置する
ように配置した構成のものとがある。これらのカスプ磁
石構成を比較すると、前者ではプラズマ粒子の回転方向
がイオン引出方向に沿う面の周方向になるのに対し、後
者ではプラズマ粒子の回転方向がイオン引出方向と垂直
な面の周方向になるため、後者の方が前者に比べてプラ
ズマの閉じ込め効果が高くなる。As the structure of the cusp magnet in the plasma ion source device, the rod-shaped permanent magnet is in a state along the ion extracting direction and the inner magnetic pole is N, S or S, N along the circumferential direction of the discharge vessel. And the ring-shaped permanent magnets are perpendicular to the ion extraction direction and the magnetic poles on the inner peripheral surface are N, S or S, N along the ion extraction direction. There is a configuration in which they are arranged so as to be alternately located in this order. Comparing these cusp magnet configurations, in the former case, the rotation direction of the plasma particles is the circumferential direction of the plane along the ion extraction direction, whereas in the latter case, the rotation direction of the plasma particles is the circumferential direction of the plane perpendicular to the ion extraction direction. Therefore, the latter has a higher plasma confinement effect than the former.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、後者の
カスプ磁石構成を採用しようとした場合、単にリング状
のカスプ磁石をイオン引出方向に対して垂直な状態で且
つイオン引出方向に沿って配置するだけでは、イオン引
出面（加速電極の表面）におけるイオン引出方向と垂直
な方向の磁束密度分布により、イオン引出分布が不均一
となってしまう。例えば核融合装置ではプラズマイオン
源装置の放電容器内にプラズマ状態の水素ガスを閉じ込
めるが、このときプラズマ中には核融合装置に必要な質
量の小さいＨ+ だけでなく、質量の大きなＨ2 + も存在
するため、カスプ磁石によって形成された磁場により、
Ｈ+ は放電容器の中央部まで反射される一方、Ｈ2 + は
余り遠くまで反射されずに放電容器の内表面近傍に存在
することから、イオン分布の不均一が生じる。However, in the case of adopting the latter cusp magnet structure, the ring-shaped cusp magnet is simply arranged in a state perpendicular to the ion extraction direction and along the ion extraction direction. Then, the ion extraction distribution becomes non-uniform due to the magnetic flux density distribution in the direction perpendicular to the ion extraction direction on the ion extraction surface (surface of the acceleration electrode). For example, in a fusion device, hydrogen gas in a plasma state is confined in a discharge vessel of a plasma ion source device. At this time, not only H + having a small mass necessary for the fusion device but also H 2 + having a large mass is required in the plasma. Also exists, the magnetic field created by the cusp magnet causes
Since H + is reflected to the center of the discharge vessel, H 2 + is not reflected too far and is present in the vicinity of the inner surface of the discharge vessel, resulting in non-uniform ion distribution.
【０００６】つまり、プラズマを閉じ込めるという観点
からは、イオン引出方向の下流端部においてもカスプ磁
石によって磁場を形成したいが、イオン引出分布を均一
にするという観点からは、イオン引出面での磁場を放電
容器の内表面近くにおいてもできるだけ小さくして、イ
オン引出面におけるイオン引出方向と垂直な方向の磁束
密度分布を均一にしたい。That is, from the viewpoint of confining the plasma, it is desired to form a magnetic field by the cusp magnet even at the downstream end in the ion extraction direction, but from the viewpoint of making the ion extraction distribution uniform, the magnetic field at the ion extraction surface is It is desired to make it as small as possible near the inner surface of the discharge vessel so that the magnetic flux density distribution in the direction perpendicular to the ion extraction direction on the ion extraction surface is uniform.
【０００７】従って、本発明は上記の問題点に鑑み、プ
ラズマを閉じ込めることができ、且つ、イオン引出分布
を略均一にすることができるプラズマイオン源装置を提
供することを課題とする。Therefore, in view of the above problems, it is an object of the present invention to provide a plasma ion source device capable of confining plasma and making the ion extraction distribution substantially uniform.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する第１
発明のプラズマイオン源装置は、円筒状の放電容器と、
この放電容器内にプラズマを閉じ込めるための複数のカ
スプ磁石とを有し、これらのカスプ磁石はリング状であ
り、イオン引出方向に対して垂直な状態で且つ各カスプ
磁石の内周面の磁極がイオン引出方向に沿ってＮ，Ｓ又
はＳ，Ｎの順に交互に位置するように放電容器の外周に
配置されているプラズマイオン源装置において、前記複
数のカスプ磁石のうち、イオン引出方向の下流端部に位
置する１つ又は複数のカスプ磁石を補整磁石とし、この
補整磁石の内径を他のカスプ磁石よりも大きくすること
により、放電容器に対して補整磁石を他のカスプ磁石よ
りもイオン引出方向と垂直な方向へ遠ざけるようにし
て、補整磁石の前記垂直方向における位置を調整するこ
とにより、イオン引出面における前記垂直方向の磁束密
度分布がゼロ近傍の略均一な分布となるように調整して
なることを特徴とする。[Means for Solving the Problems] First to solve the above problems
The plasma ion source device of the invention comprises a cylindrical discharge vessel,
The discharge container has a plurality of cusp magnets for confining plasma, and these cusp magnets are ring-shaped, and the magnetic poles on the inner peripheral surface of each cusp magnet are perpendicular to the ion extraction direction. A plasma ion source device arranged on the outer periphery of a discharge vessel so as to be alternately positioned in the order of N, S or S, N along the ion extraction direction, wherein a downstream end of the plurality of cusp magnets in the ion extraction direction is provided. One or a plurality of cusp magnets located in the portion is used as a compensating magnet, and the inner diameter of this compensating magnet is made larger than that of the other cusp magnets, so that the compensating magnets are made to move toward the discharge vessel more than the other cusp magnets. By adjusting the position of the compensating magnet in the vertical direction so that the magnetic flux density distribution in the vertical direction on the ion extraction surface is near zero, And characterized by being adjusted so that a uniform distribution.
【０００９】また、第２発明のプラズマイオン源装置
は、第１発明のプラズマイオン源装置において、補整磁
石のイオン引出方向における位置も調整することによ
り、前記垂直方向の磁束密度分布がゼロ近傍の略均一な
分布となるように調整してなることを特徴とする。The plasma ion source device of the second invention is the plasma ion source device of the first invention, in which the magnetic flux density distribution in the vertical direction is close to zero by adjusting the position of the compensating magnet in the ion extraction direction. It is characterized in that it is adjusted so as to have a substantially uniform distribution.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【００１１】図１は本発明の実施の形態に係るプラズマ
イオン源装置の構成を示す断面図、図２は図１のＡ方向
矢視図である。これらの図に示すようにプラズマイオン
源装置１は円筒状の放電容器２と、この放電容器２内に
プラズマを閉じ込めるための複数のカスプ磁石３−１〜
３−１３とを有している。FIG. 1 is a sectional view showing the structure of a plasma ion source device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a view taken in the direction of arrow A in FIG. As shown in these drawings, the plasma ion source device 1 includes a cylindrical discharge vessel 2 and a plurality of cusp magnets 3-1 to 3-1 for confining plasma in the discharge vessel 2.
3-13.
【００１２】カスプ磁石３−１〜３−１３はリング状の
永久磁石であって、内周面がＮ極（又はＳ極）、外周面
がＳ極（又はＮ極）となっており、図１中に矢印Ｂで示
すイオン引出方向に対して垂直（左右の側面が垂直）な
状態で、且つ、各カスプ磁石３−１〜３−１３の内周面
の磁極がイオン引出方向に沿ってＮ，Ｓの順（Ｓ，Ｎの
順でもよい）に交互に位置するように放電容器２の外周
に配置されている。The cusp magnets 3-1 to 3-13 are ring-shaped permanent magnets and have an N-pole (or S-pole) on the inner peripheral surface and an S-pole (or N-pole) on the outer peripheral surface. 1 is perpendicular to the ion extraction direction indicated by arrow B (left and right side surfaces are vertical), and the magnetic poles on the inner peripheral surface of each cusp magnet 3-1 to 3-13 are along the ion extraction direction. They are arranged on the outer periphery of the discharge vessel 2 so as to be alternately positioned in the order of N and S (the order of S and N is also acceptable).
【００１３】このことにより、図１中に一点鎖線で磁力
線を示すように、隣接するカスプ磁石同士の間（カスプ
磁石３−１，３−２間、カスプ磁石３−２，３−３間な
ど）で磁場２０が形成される。この表面磁場２０によ
り、放電容器２の内表面近くまで移動してきたプラズマ
粒子（電子及びイオン）を放電容器２の中央部へと反射
させて、放電容器２の内表面でのプラズマ粒子の損失
（パワーの損失）を抑制し、放電容器２内のプラズマ密
度を高めている。As a result, as shown by the dashed lines in FIG. 1, the lines of magnetic force are between adjacent cusp magnets (between cusp magnets 3-1, 3-2, cusp magnets 3-2, 3-3, etc.). ) Forms a magnetic field 20. The surface magnetic field 20 causes the plasma particles (electrons and ions) that have moved to the vicinity of the inner surface of the discharge vessel 2 to be reflected toward the central portion of the discharge vessel 2, and the loss of the plasma particles on the inner surface of the discharge vessel 2 ( Power loss) and the plasma density in the discharge vessel 2 is increased.
【００１４】また、放電容器２の一端側（図１中の左端
側）は端板４によって塞がれており、この端板４の外側
にも、放電容器２内にプラズマを閉じ込めるための複数
のカスプ磁石５−１〜５−６が配置されている。これら
のカスプ磁石５−１〜５−６は大きさの異なるリング状
の永久磁石であって、一方の側面（端板側の側面）がＮ
極（又はＳ極）、他方の側面（反端板側の側面）がＳ極
（又はＮ極）となっており、イオン引出方向に対して垂
直（左右の側面が垂直）な状態で、且つ、同心円状に配
置されている。Further, one end side (the left end side in FIG. 1) of the discharge container 2 is closed by an end plate 4, and a plurality of outside the end plate 4 for confining plasma in the discharge container 2 is also provided. Cusp magnets 5-1 to 5-6 are arranged. These cusp magnets 5-1 to 5-6 are ring-shaped permanent magnets having different sizes, and one side surface (side surface on the end plate side) is N-shaped.
The pole (or S pole) and the other side surface (side surface on the side opposite to the end plate) are S poles (or N poles), which are perpendicular to the ion extraction direction (the left and right side surfaces are vertical), and , Are arranged concentrically.
【００１５】このことにより、図１中に一点鎖線で磁力
線を示すように、隣接するカスプ磁石同士の間（カスプ
磁石５−１，５−２間、カスプ磁石５−２，５−３間な
ど）で磁場２０が形成される。この表面磁場２０によっ
ても、放電容器２の内表面（端板４）近くまで移動して
きたプラズマ粒子（電子及びイオン）を放電容器２の中
央部へと反射させて、放電容器２の内表面でのプラズマ
粒子の損失（パワーの損失）を抑制し、放電容器２内の
プラズマ密度を高めている。As a result, as shown by the dashed lines in FIG. 1, the lines of magnetic force are between adjacent cusp magnets (between cusp magnets 5-1 and 5-2, between cusp magnets 5-2 and 5-3, etc.). ) Forms a magnetic field 20. This surface magnetic field 20 also causes the plasma particles (electrons and ions) that have moved to the vicinity of the inner surface (end plate 4) of the discharge vessel 2 to be reflected to the central portion of the discharge vessel 2 and to be reflected on the inner surface of the discharge vessel 2. The loss of plasma particles (power loss) is suppressed, and the plasma density in the discharge vessel 2 is increased.
【００１６】また、放電容器２のイオン引出方向中央部
には複数のフィラメント１０が配設されている。これら
のフィラメント１０は放電容器２の周方向に所定の間隔
で配置され、図示しない加熱用の直流電源からの給電に
より加熱される。そして、フィラメント１０と放電容器
２との間にも、フィラメント１０が陰極、放電容器２が
陽極となるように図示しない直流パルス電源が接続され
ており、この直流パルス電源によってフィラメント１０
と放電容器２とにパルス電圧が印加されると、フィラメ
ント１０から放電容器２の内表面に向かって熱電子が放
出される。A plurality of filaments 10 are arranged in the central portion of the discharge vessel 2 in the direction of extracting ions. These filaments 10 are arranged at predetermined intervals in the circumferential direction of the discharge vessel 2 and are heated by power supply from a heating DC power source (not shown). A DC pulse power supply (not shown) is connected between the filament 10 and the discharge vessel 2 so that the filament 10 serves as a cathode and the discharge vessel 2 serves as an anode.
When a pulse voltage is applied to the discharge vessel 2 and the discharge vessel 2, thermoelectrons are emitted from the filament 10 toward the inner surface of the discharge vessel 2.
【００１７】また、放電容器２内にはプラズマを生成す
るためのガス（例えば水素ガス）が、図示しないガス導
入ポートを介して図１中に矢印Ｃで示すように導入され
る。プラズマを生成する際には、まず、フィラメント１
０を加熱し、続いて、真空の放電容器２内に水素ガスを
導入する。その後、直流パスル電源により、フィラメン
ト１０と放電容器２とにパルス電圧を印加してフィラメ
ント１０から熱電子を放出させる。その結果、熱電子に
より放電容器２内の水素ガスが励起されて電離し、プラ
ズマ状態となる。A gas (for example, hydrogen gas) for generating plasma is introduced into the discharge vessel 2 through a gas introduction port (not shown) as shown by an arrow C in FIG. When generating plasma, first, the filament 1
0 is heated, and then hydrogen gas is introduced into the vacuum discharge vessel 2. After that, a pulse voltage is applied to the filament 10 and the discharge vessel 2 by the DC pulse power source to cause the filament 10 to emit thermoelectrons. As a result, the hydrogen gas in the discharge vessel 2 is excited by the thermoelectrons and ionized, and becomes a plasma state.
【００１８】放電容器２の他端側（図１中の右側）に
は、イオン引出方向に沿って順にお碗状の加速電極６、
減速電極７、接地電極８が配設されている。これらの電
極６，７，８はイオン引出方向に貫通する孔が多数形成
された多孔電極となっており、図示しない直流電源によ
る電圧の印加によって、例えば加速電極６は数十ｋＶ
（放電容器と同電位）、減速電極７は−数ｋＶとなり、
また、接地電極８は０Ｖとなる。従って、放電容器２内
に生成されたプラズマ中の水素イオンは、加速電極６へ
と移動してきて加速電極６の孔を通過すると、この加速
電極６と減速電極７との間に形成される電場により加速
され、高速の水素イオンとなって引き出される。At the other end of the discharge vessel 2 (on the right side in FIG. 1), a bowl-shaped accelerating electrode 6 is provided in order along the ion extracting direction.
A deceleration electrode 7 and a ground electrode 8 are provided. These electrodes 6, 7 and 8 are porous electrodes in which a large number of holes penetrating in the ion extracting direction are formed. For example, when a voltage is applied by a DC power source (not shown)
(Same potential as the discharge vessel), the deceleration electrode 7 has a voltage of −several kV,
Further, the ground electrode 8 becomes 0V. Therefore, when the hydrogen ions in the plasma generated in the discharge vessel 2 move to the acceleration electrode 6 and pass through the hole of the acceleration electrode 6, an electric field formed between the acceleration electrode 6 and the deceleration electrode 7. Is accelerated by and is extracted as high-speed hydrogen ions.
【００１９】このとき、放電容器２内に滞在しているプ
ラズマ粒子（電子又はイオン）は放電容器２の内表面に
衝突しようとするが、このことをカスプ磁石３−１〜３
−１３やカスプ磁石５−１〜５−６によって生成した表
面磁場２０により防止する。At this time, the plasma particles (electrons or ions) staying in the discharge vessel 2 tend to collide with the inner surface of the discharge vessel 2, and this is caused by cusp magnets 3-1 to 3-3.
-13 and the cusp magnets 5-1 to 5-6 prevent the surface magnetic field 20.
【００２０】そして、本実施の形態では、カスプ磁石３
−１〜３−１３のうち、イオン引出方向の下流端部に位
置するカスプ磁石３−１３を補整磁石とし、この補整磁
石３−１３のｙ方向位置を調整し、更には、ｘ方向位置
も調整することにより、イオン引出面となる加速電極８
の表面において、イオン引出方向と垂直な方向の磁束密
度分布が、できるだけ小さいゼロ近傍（例えば０．５ガ
ウス以下）の略均一な分布となるように調整している。In this embodiment, the cusp magnet 3
Of the -1 to 3-13, the cusp magnet 3-13 located at the downstream end in the ion extraction direction is used as a compensating magnet, and the position of the compensating magnet 3-13 in the y direction is adjusted. Accelerating electrode 8 that becomes the ion extraction surface by adjusting
On the surface of, the magnetic flux density distribution in the direction perpendicular to the ion extraction direction is adjusted to be a substantially uniform distribution near zero (for example, 0.5 Gauss or less) as small as possible.
【００２１】即ち、リング状の補整磁石３−１３の内径
を他のカスプ磁石３−１〜３−１２よりも大きくするこ
とにより、放電容器２に対して補整磁石３−１３を他の
カスプ磁石３−１〜３−１２よりもイオン引出方向と垂
直な方向（ｙ方向）へ遠ざけるようにして、補整磁石３
−１３の前記垂直方向における位置（ｙ方向位置）を調
整し、更には、補整磁石３−１３のイオン引出方向にお
ける位置（ｘ方向位置）も調整することにより、イオン
引出面における前記垂直方向の磁束密度分布がゼロ近傍
の略均一な分布となるように調整している。That is, by making the inner diameter of the ring-shaped compensating magnet 3-13 larger than that of the other cusp magnets 3-1 to 3-12, the compensating magnet 3-13 is moved to the other cusp magnet with respect to the discharge vessel 2. The compensating magnet 3 is arranged so as to be farther from the 3-1 to 3-12 in the direction (y direction) perpendicular to the ion extraction direction.
By adjusting the position (−y direction position) of −13 in the vertical direction and further adjusting the position (x direction position) of the compensating magnet 3-13 in the ion extraction direction, the position of the ion extraction surface in the vertical direction can be adjusted. The magnetic flux density distribution is adjusted to have a substantially uniform distribution near zero.
【００２２】なお、イオン引出面における前記垂直方向
の磁束密度分布をゼロ近傍の略均一な分布とするに際し
て、補整磁石３−１３のｙ方向位置を調整する（ｙ方向
に適宜の距離遠ざける）だけでもかなりの成果を得るこ
とができるが、これに加えて、補整磁石３−１３のｘ方
向位置も適宜調整すれば、より望ましい成果を得ること
ができる。When the vertical magnetic flux density distribution on the ion extraction surface is made to be a substantially uniform distribution near zero, the position of the compensating magnet 3-13 in the y direction is adjusted (distance is set to an appropriate distance in the y direction). However, a considerable result can be obtained, but in addition to this, a more desirable result can be obtained by appropriately adjusting the position of the compensating magnet 3-13 in the x direction.
【００２３】以上のように、本実施の形態のプラズマイ
オン源装置１によれば、複数のカスプ磁石３−１〜３−
１３のうち、イオン引出方向の下流端部に位置するカス
プ磁石１３−１３を補整磁石とし、この補整磁石３−１
３の内径を他のカスプ磁石３−１〜３−１２よりも大き
くすることにより、放電容器２に対して補整磁石３−１
３を他のカスプ磁石３−１〜３−１２よりもイオン引出
方向と垂直な方向へ遠ざけるようにして、補整磁石３−
１３の前記垂直方向における位置（ｙ方向位置）を調整
することにより、イオン引出面における前記垂直方向の
磁束密度分布がゼロ近傍の略均一な分布となるように調
整したため、プラズマを閉じ込めることができ、且つ、
イオン引出分布を均一にすることができる。As described above, according to the plasma ion source device 1 of the present embodiment, the plurality of cusp magnets 3-1 to 3-3-
Among these 13, the cusp magnet 13-13 located at the downstream end in the ion extraction direction is used as a compensating magnet, and the compensating magnet 3-1
By making the inner diameter of 3 larger than that of the other cusp magnets 3-1 to 3-12, the compensating magnet 3-1 for the discharge vessel 2 can be obtained.
3 so as to be farther from the other cusp magnets 3-1 to 3-12 in the direction perpendicular to the ion extraction direction, and the compensating magnet 3-
By adjusting the position of 13 in the vertical direction (the position in the y direction), the magnetic flux density distribution in the vertical direction on the ion extraction surface is adjusted to be a substantially uniform distribution near zero, so that the plasma can be confined. ,and,
The ion extraction distribution can be made uniform.
【００２４】また、補整磁石３−１３のイオン引出方向
における位置（ｘ方向位置）も調整することにより、前
記垂直方向の磁束密度分布がゼロ近傍の略均一な分布と
なるように調整したため、イオン引出分布をより均一に
することができる。Further, by adjusting the position of the compensating magnet 3-13 in the ion extraction direction (position in the x direction), the magnetic flux density distribution in the vertical direction is adjusted to be a substantially uniform distribution near zero. The withdrawal distribution can be made more uniform.
【００２５】ここで本発明のプラズマイオン源装置を核
融合装置の高速中性粒子ビーム源として用いた場合の構
成例を、図３に基づいて説明する。図３は本発明の実施
の形態に係るプラズマイオン源装置を備えた核融合装置
の断面図である。An example of the structure in which the plasma ion source device of the present invention is used as a high speed neutral particle beam source of a nuclear fusion device will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a sectional view of a nuclear fusion device equipped with a plasma ion source device according to an embodiment of the present invention.
【００２６】図３に示すように、核融合装置１１には、
高速の中性粒子を得るためのイオン源としてプラズマイ
オン源装置１を備えている。このプラズマイオン源装置
１は図１及び図２に示すプラズマイオン源装置１と同様
のものである。As shown in FIG. 3, the nuclear fusion device 11 includes:
A plasma ion source device 1 is provided as an ion source for obtaining high-speed neutral particles. This plasma ion source device 1 is similar to the plasma ion source device 1 shown in FIGS. 1 and 2.
【００２７】なお、図１では放電容器２の外周に３−１
〜３−１３の１３個のカスプ磁石が設けられているが、
図３では放電容器２の外周に３−１〜３−１１の１１個
のカスプ磁石が設けられている。これらのカスプ磁石３
−１〜３−１１のうち、イオン引出方向（矢印Ｂ方向）
の下流端部に位置するカスプ磁石３−１１を補整磁石と
し、この補整磁石３−１１のｙ方向位置を調整し、更に
は、ｘ方向位置も調整することによって、イオン引出面
となる加速電極８の表面において、イオン引出方向と垂
直な方向の磁束密度分布が、できるだけ小さいゼロ近傍
の略均一な分布となるように調整している。In FIG. 1, the outer circumference of the discharge vessel 2 is 3-1.
There are 13 cusp magnets from 3 to 13
In FIG. 3, eleven cusp magnets 3-1 to 3-11 are provided on the outer circumference of the discharge vessel 2. These cusp magnets 3
Ion extraction direction (arrow B direction) among -1 to 3-11
The cusp magnet 3-11 located at the downstream end of the is used as a compensating magnet, the y-direction position of the compensating magnet 3-11 is adjusted, and further, the x-direction position is also adjusted to serve as an ion extraction surface. On the surface of No. 8, the magnetic flux density distribution in the direction perpendicular to the ion extraction direction is adjusted so as to have a substantially uniform distribution near zero, which is as small as possible.
【００２８】即ち、カスプ磁石の具体的な個数は放電容
器の大きさなどに応じて適宜設定される。補整磁石の具
体的なｙ方向位置やｘ方向位置も、放電容器の大きさな
どに応じて、適宜、イオン引出方向と垂直な方向の磁束
密度分布がゼロ近傍の略均一な分布となる最適な位置に
調整される。That is, the specific number of cusp magnets is appropriately set according to the size of the discharge vessel. The specific y-direction position and the x-direction position of the compensating magnet are also optimally set such that the magnetic flux density distribution in the direction perpendicular to the ion extraction direction is a substantially uniform distribution near zero, depending on the size of the discharge vessel. Adjusted to position.
【００２９】また、放電容器２内にプラズマを生成する
ための水素ガスは、図示しない電磁弁を開閉することに
より、放電容器２の端板４に設けた複数のガス導入ポー
ト１２を介して図３中に矢印Ｃで示すように放電容器２
内にパルス的に導入される。The hydrogen gas for generating plasma in the discharge vessel 2 is transferred through a plurality of gas introduction ports 12 provided on the end plate 4 of the discharge vessel 2 by opening and closing an electromagnetic valve (not shown). As shown by the arrow C in FIG.
It is introduced in a pulsed manner.
【００３０】そして、このプラズマイオン源装置１を備
えた核融合装置１１では、プラズマイオン源装置１から
加速電極６で加速されて引き出された高速の水素イオン
１３が、拡散槽１８内に設けられた中性化セル１４の内
部に導入される。中性化セル１４の内部にはガス導入ポ
ート１５から導入された水素ガスが滞在しているため、
この水素ガスの粒子（中性粒子）中に高速の水素イオン
が流入すると、水素イオンは中性粒子と荷電交換を行い
中性化される。中性化された高速中性粒子２０は中性化
セル１４から出て核融合装置本体のドーナツ状真空容器
１６内に導入される。In the fusion device 11 equipped with this plasma ion source device 1, high-speed hydrogen ions 13 accelerated and extracted from the plasma ion source device 1 by the acceleration electrode 6 are provided in the diffusion tank 18. Introduced inside the neutralization cell 14. Since the hydrogen gas introduced from the gas introduction port 15 stays inside the neutralization cell 14,
When high-speed hydrogen ions flow into the particles of the hydrogen gas (neutral particles), the hydrogen ions undergo charge exchange with the neutral particles and are neutralized. The neutralized high-speed neutral particles 20 leave the neutralization cell 14 and are introduced into the donut-shaped vacuum container 16 of the main body of the fusion device.
【００３１】なお、このときのビーム軌道（エンベロー
プ）２１は、加速電極６をお碗状にすることによって図
示のように中心部に向かうような軌道となり、このこと
によって、高速中性粒子２０を真空容器１６の狭い入口
から真空容器１６内に導入することができるようになっ
ている。一方、荷電交換の結果発生した低速の水素イオ
ンは中性化セル１４内の浮遊の電子との衝突、あるいは
中性化セル壁面との衝突により中性化された後、拡散槽
１８に流入し、拡散槽１８に接続された真空ポンプ１７
によって外部へと排出される。The beam trajectory (envelope) 21 at this time becomes a trajectory toward the central portion as shown by making the accelerating electrode 6 into a bowl shape, which causes the fast neutral particles 20 to move. It can be introduced into the vacuum container 16 from a narrow inlet of the vacuum container 16. On the other hand, the low-speed hydrogen ions generated as a result of charge exchange are neutralized by collision with floating electrons in the neutralization cell 14 or collision with the wall surface of the neutralization cell, and then flow into the diffusion tank 18. , A vacuum pump 17 connected to the diffusion tank 18
Is discharged to the outside by.
【００３２】拡散槽１８は真空容器１６の内部を高真空
状態に維持するために設けられている。つまり、真空容
器１６は高真空状態に保持する必要がある一方、プラズ
マイオン源装置１の放電容器２の内部は水素ガスが供給
されることから真空容器１６に比べて真空度が低い。そ
こで、プラズマイオン源装置１と真空容器１６との間に
拡散槽１８を設け、この拡散槽１８の内部のガスを真空
ポンプ１７で排気して同内部の真空度を高めることによ
り、真空容器１６の内部を高真空状態に維持するように
している。The diffusion tank 18 is provided to maintain the inside of the vacuum container 16 in a high vacuum state. That is, the vacuum container 16 needs to be maintained in a high vacuum state, while the inside of the discharge container 2 of the plasma ion source device 1 is supplied with hydrogen gas, so that the degree of vacuum is lower than that of the vacuum container 16. Therefore, the diffusion vessel 18 is provided between the plasma ion source device 1 and the vacuum vessel 16, and the gas inside the diffusion vessel 18 is exhausted by the vacuum pump 17 to increase the degree of vacuum in the interior of the diffusion vessel 18. The inside of is kept in a high vacuum state.
【００３３】上記構成の核融合装置１１によれば、イオ
ン源として本発明のプラズマイオン源装置１を備えたこ
とにより、イオン引出分布が均一になるため、効率よく
高速中性粒子を生成することができ、高性能な核融合装
置を実現することができる。According to the nuclear fusion device 11 having the above-mentioned structure, since the plasma ion source device 1 of the present invention is provided as an ion source, the ion extraction distribution becomes uniform, so that high-speed neutral particles can be efficiently generated. Therefore, it is possible to realize a high-performance fusion device.
【００３４】なお、上記ではイオン引出方向の下流端部
に位置する１つのカスプ磁石（図１ではカスプ磁石３−
１３、図３ではカスプ磁石３−１１）を補整磁石として
いるが、これに限定するものではなく、イオン引出方向
の下流端部に位置する複数のカスプ磁石（例えば図１で
はカスプ磁石３−１２と３−１３、図３ではカスプ磁石
３−１０と３−１１）を補整磁石とし、これらの補整磁
石のｙ方向位置を調整し、更にはｘ方向位置も調整し
て、イオン引出面におけるイオン引出方向と垂直な方向
の磁束密度分布がゼロ近傍の均一な分布となるように調
整してもよい。In the above description, one cusp magnet located at the downstream end in the ion extracting direction (in FIG. 1, cusp magnet 3-
13, the cusp magnet 3-11) is used as a compensating magnet in FIG. 3, but the invention is not limited to this, and a plurality of cusp magnets (for example, cusp magnet 3-12 in FIG. 1) located at the downstream end in the ion extraction direction are not limited thereto. And 3-13, and in FIG. 3, the cusp magnets 3-10 and 3-11) are used as compensating magnets, and the position of these compensating magnets in the y direction is adjusted, and also in the x direction, the ions on the ion extraction surface are adjusted. The magnetic flux density distribution in the direction perpendicular to the drawing direction may be adjusted so as to be a uniform distribution near zero.
【００３５】また、上記のプラズマイオン源装置１では
フィラメント１０から放出される熱電子によってプラズ
マを生成するが、本発明は必ずしもこのようなプラズマ
イオン源装置に限定するものではなく、その他のプラズ
マ生成手段（例えば高周波放電によるプラズマ生成手段
など）を備えたプラズマイオン源装置にも適用すること
ができる。Further, in the plasma ion source device 1 described above, plasma is generated by thermoelectrons emitted from the filament 10, but the present invention is not necessarily limited to such a plasma ion source device, and other plasma generation It can also be applied to a plasma ion source device provided with means (for example, plasma generation means by high-frequency discharge).
【００３６】また、本発明のプラズマイオン源装置は核
融合装置だけでなく、その他の装置にも広く適用するこ
とができる。例えば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor
Deposition)装置や半導体製造用のイオン注入装置など
に適用することもできる。プラズマＣＶＤ装置では、イ
オン引出面（シリコンなどのウエハの表面）におけるイ
オン引出方向と垂直な方向の磁束密度分布がゼロ近傍の
均一な分布となるため、ウエハ表面に均一な膜を生成す
ることができる。イオン注入装置では、プラズマイオン
源装置からｐ型又はｎ型の不純物原子のイオンが均一に
引き出され、このイオンがシリコンなどのウエハに注入
（ドープ）されて半導体が生成される。The plasma ion source device of the present invention can be widely applied not only to the nuclear fusion device but also to other devices. For example, plasma CVD (Chemical Vapor)
It can also be applied to a deposition device, an ion implantation device for semiconductor manufacturing, and the like. In the plasma CVD apparatus, since the magnetic flux density distribution in the direction perpendicular to the ion extraction direction on the ion extraction surface (the surface of the wafer such as silicon) is a uniform distribution near zero, it is possible to form a uniform film on the wafer surface. it can. In the ion implantation apparatus, ions of p-type or n-type impurity atoms are uniformly extracted from the plasma ion source apparatus, and the ions are implanted (doped) into a wafer such as silicon to produce a semiconductor.
【００３７】[0037]
【発明の効果】以上、発明の実施の形態とともに具体的
に説明したように、第１発明のプラズマイオン源装置
は、円筒状の放電容器と、この放電容器内にプラズマを
閉じ込めるための複数のカスプ磁石とを有し、これらの
カスプ磁石はリング状であり、イオン引出方向に対して
垂直な状態で且つ各カスプ磁石の内周面の磁極がイオン
引出方向に沿ってＮ，Ｓ又はＳ，Ｎの順に交互に位置す
るように放電容器の外周に配置されているプラズマイオ
ン源装置において、前記複数のカスプ磁石のうち、イオ
ン引出方向の下流端部に位置する１つ又は複数のカスプ
磁石を補整磁石とし、この補整磁石の内径を他のカスプ
磁石よりも大きくすることにより、放電容器に対して補
整磁石を他のカスプ磁石よりもイオン引出方向と垂直な
方向へ遠ざけるようにして、補整磁石の前記垂直方向に
おける位置を調整することにより、イオン引出面におけ
る前記垂直方向の磁束密度分布がゼロ近傍の略均一な分
布となるように調整してなることを特徴とする。As described above in detail with the embodiments of the invention, the plasma ion source device of the first invention has a cylindrical discharge vessel and a plurality of plasma ion confinement means for confining plasma therein. A cusp magnet, and these cusp magnets are ring-shaped, and are perpendicular to the ion extraction direction, and the magnetic poles on the inner peripheral surface of each cusp magnet are N, S, or S along the ion extraction direction. In the plasma ion source device arranged on the outer periphery of the discharge vessel so as to be alternately positioned in the order of N, one or more cusp magnets located at the downstream end in the ion extraction direction among the plurality of cusp magnets are By using a compensating magnet and making the inner diameter of this compensating magnet larger than other cusp magnets, the compensating magnet can be separated from the other cusp magnets in the direction perpendicular to the ion extraction direction with respect to the discharge vessel. And, by adjusting the position in the vertical direction of the compensation magnet, wherein the magnetic flux density distribution of the vertical direction in the ion extracting surface is adjusted to be substantially uniform distribution of near zero.
【００３８】従って、この第１発明のプラズマイオン源
装置によれば、補整磁石のイオン引出方向と垂直な方向
における位置を調整することにより、イオン引出面にお
ける前記垂直方向の磁束密度分布がゼロ近傍の略均一な
分布となるように調整したため、プラズマを閉じ込める
ことができ、且つ、イオン引出分布を均一にすることが
できる。Therefore, according to the plasma ion source device of the first aspect of the present invention, by adjusting the position of the compensating magnet in the direction perpendicular to the ion extraction direction, the vertical magnetic flux density distribution on the ion extraction surface is near zero. Since it is adjusted so as to have a substantially uniform distribution, the plasma can be confined and the ion extraction distribution can be made uniform.
【００３９】また、第２発明のプラズマイオン源装置
は、第１発明のプラズマイオン源装置において、補整磁
石のイオン引出方向における位置も調整することによ
り、前記垂直方向の磁束密度分布がゼロ近傍の略均一な
分布となるように調整してなることを特徴とする。The plasma ion source device of the second invention is the plasma ion source device of the first invention, in which the magnetic flux density distribution in the vertical direction is near zero by adjusting the position of the compensating magnet in the ion extraction direction. It is characterized in that it is adjusted so as to have a substantially uniform distribution.
【００４０】従って、この第２発明のプラズマイオン源
装置によれば、補整磁石のイオン引出方向における位置
も調整することにより、前記垂直方向の磁束密度分布が
ゼロ近傍の略均一な分布となるように調整したため、イ
オン引出分布をより均一にすることができる。Therefore, according to the plasma ion source device of the second aspect of the present invention, by adjusting the position of the compensating magnet in the ion extracting direction, the magnetic flux density distribution in the vertical direction becomes a substantially uniform distribution near zero. The ion extraction distribution can be made more uniform because it is adjusted to.
【図１】本発明の実施の形態に係るプラズマイオン源装
置の構成を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a plasma ion source device according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１のＡ方向矢視図である。FIG. 2 is a view on arrow A in FIG.
【図３】本発明の実施の形態に係るプラズマイオン源装
置を備えた核融合装置の断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a nuclear fusion device including a plasma ion source device according to an embodiment of the present invention.
１ プラズマイオン源装置 ２ 放電容器 ３−１〜３−１３ カスプ磁石 ３−１１，３−１３ 補整磁石 ４ 端板 ５−１〜５−６ カスプ磁石 ６ 加速電極 ７ 減速電極 ８ 接地電極 １０ フィラメント １１ 核融合装置 １２ ガス導入ポート １４ 中性化セル １５ ガス導入ポート １６ 真空容器 １７ 真空ポンプ １８ 拡散槽 1 Plasma ion source device 2 discharge vessel 3-1 to 3-13 Cusp magnet 3-11, 3-13 Compensation magnet 4 end plates 5-1-5-6 Cusp magnet 6 Accelerating electrode 7 Deceleration electrode 8 ground electrode 10 filament 11 Nuclear fusion device 12 Gas introduction port 14 Neutralization cell 15 Gas introduction port 16 vacuum container 17 Vacuum pump 18 diffusion tank
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｈ 3/02 Ｈ０５Ｈ 3/02 (72)発明者 木山 学 茨城県つくば市東１−１−１ 独立行政法 人産業技術総合研究所つくばセンター内 (72)発明者 平野 洋一 茨城県つくば市東１−１−１ 独立行政法 人産業技術総合研究所つくばセンター内 (72)発明者 島田 寿男 茨城県つくば市東１−１−１ 独立行政法 人産業技術総合研究所つくばセンター内 (72)発明者 小口 治久 茨城県つくば市東１−１−１ 独立行政法 人産業技術総合研究所つくばセンター内 (72)発明者 松田 竜一 兵庫県高砂市荒井町新浜２丁目１番１号 三菱重工業株式会社高砂研究所内 (72)発明者 小田 泰嗣 兵庫県神戸市兵庫区和田崎町一丁目１番１ 号 三菱重工業株式会社神戸造船所内 (72)発明者 上田 憲照 兵庫県神戸市兵庫区和田崎町一丁目１番１ 号 三菱重工業株式会社神戸造船所内 Ｆターム(参考） 2G085 BA02 BE10 EA09 4K029 DE02 5C030 DD05 DD06 DE04 DE07 DE08 DG06 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H05H 3/02 H05H 3/02 (72) Inventor Manabu Kiyama 1-1-1 East, Tsukuba City, Ibaraki Prefecture (72) Inventor, Yoichi Hirano 1-1-1 East, Tsukuba City, Ibaraki Prefecture Independent Administrative Law (72) Inst., Inst. Tsukuba Center (72) Inventor, Hisao Shimada 1-Higashi, Tsukuba City, Ibaraki Prefecture 1-1 Independent Administrative Law, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology Tsukuba Center (72) Inventor Haruhisa Oguchi 1-1-1 East, Tsukuba City, Ibaraki Prefecture Independent Administrative Law, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (72) Inventor Ryuichi Matsuda 2-1-1, Niihama, Arai-cho, Takasago-shi, Hyogo Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Takasago Laboratory (72) Inventor Yasushi Oda 1-1 1-1 Wadazaki-cho, Hyogo-ku, Kobe-shi, Kyogo Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Kobe Shipyard (72) Inventor Kenteru Ueda 1-1-1 Wadazaki-cho, Hyogo-ku, Kobe-shi, Hyogo Mitsubishi Heavy Industries Kobe F-term inside shipyard (reference) 2G085 BA02 BE10 EA09 4K029 DE02 5C030 DD05 DD06 DE04 DE07 DE08 DG06
Claims (2)
プラズマを閉じ込めるための複数のカスプ磁石とを有
し、これらのカスプ磁石はリング状であり、イオン引出
方向に対して垂直な状態で且つ各カスプ磁石の内周面の
磁極がイオン引出方向に沿ってＮ，Ｓ又はＳ，Ｎの順に
交互に位置するように放電容器の外周に配置されている
プラズマイオン源装置において、 前記複数のカスプ磁石のうち、イオン引出方向の下流端
部に位置する１つ又は複数のカスプ磁石を補整磁石と
し、この補整磁石の内径を他のカスプ磁石よりも大きく
することにより、放電容器に対して補整磁石を他のカス
プ磁石よりもイオン引出方向と垂直な方向へ遠ざけるよ
うにして、補整磁石の前記垂直方向における位置を調整
することにより、イオン引出面における前記垂直方向の
磁束密度分布がゼロ近傍の略均一な分布となるように調
整してなることを特徴とするプラズマイオン源装置。1. A discharge vessel having a cylindrical shape and a plurality of cusp magnets for confining plasma in the discharge vessel, the cusp magnets having a ring shape and being perpendicular to an ion extracting direction. And the magnetic poles on the inner peripheral surface of each cusp magnet are arranged on the outer periphery of the discharge vessel such that the magnetic poles are alternately located in the order of N, S or S, N along the ion extraction direction. Among the cusp magnets, the one or more cusp magnets located at the downstream end in the ion extraction direction are used as compensating magnets, and the inner diameter of this compensating magnet is made larger than other cusp magnets, so that By moving the compensating magnet away from the other cusp magnets in a direction perpendicular to the ion extracting direction, and adjusting the position of the compensating magnet in the vertical direction, Plasma ion source and wherein the magnetic flux density distribution in the straight direction is adjusted to be substantially uniform distribution of near zero.
置において、 補整磁石のイオン引出方向における位置も調整すること
により、前記垂直方向の磁束密度分布がゼロ近傍の略均
一な分布となるように調整してなることを特徴とするプ
ラズマイオン源装置。2. The plasma ion source device according to claim 1, wherein the position of the compensating magnet in the ion extraction direction is also adjusted so that the magnetic flux density distribution in the vertical direction becomes a substantially uniform distribution near zero. A plasma ion source device characterized by being adjusted.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001243255A JP2003059415A (en) | 2001-08-10 | 2001-08-10 | Plasma ion source device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001243255A JP2003059415A (en) | 2001-08-10 | 2001-08-10 | Plasma ion source device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003059415A true JP2003059415A (en) | 2003-02-28 |
Family
ID=19073385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001243255A Pending JP2003059415A (en) | 2001-08-10 | 2001-08-10 | Plasma ion source device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003059415A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106847661A (en) * | 2017-01-24 | 2017-06-13 | 北京丹华科技发展有限公司 | A kind of plasma source and coating machine |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02132939A (en) * | 1988-07-13 | 1990-05-22 | Philips Gloeilampenfab:Nv | Method and device for simultaneously transmitting two signal over same communication channel |
| JPH03257747A (en) * | 1990-03-07 | 1991-11-18 | Hitachi Ltd | Ion source |
| JPH03283246A (en) * | 1990-03-29 | 1991-12-13 | Ulvac Japan Ltd | Ion source |
| JPH0864142A (en) * | 1994-06-15 | 1996-03-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Magnetic field generating device for gyrotron |
-
2001
- 2001-08-10 JP JP2001243255A patent/JP2003059415A/en active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02132939A (en) * | 1988-07-13 | 1990-05-22 | Philips Gloeilampenfab:Nv | Method and device for simultaneously transmitting two signal over same communication channel |
| JPH03257747A (en) * | 1990-03-07 | 1991-11-18 | Hitachi Ltd | Ion source |
| JPH03283246A (en) * | 1990-03-29 | 1991-12-13 | Ulvac Japan Ltd | Ion source |
| JPH0864142A (en) * | 1994-06-15 | 1996-03-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Magnetic field generating device for gyrotron |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106847661A (en) * | 2017-01-24 | 2017-06-13 | 北京丹华科技发展有限公司 | A kind of plasma source and coating machine |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4239116B2 (en) | Ion beam neutralizer and neutralization method thereof | |
| KR100846484B1 (en) | Rotation magnetron in magnetron electrode and method of manufacturing the same and sputtering apparatus with the same | |
| EP2057300B1 (en) | Ion source with recess in electrode | |
| US7851772B2 (en) | Ion implantation apparatus and ion implantation method | |
| EP0286132A2 (en) | Plasma generating apparatus | |
| KR20110057178A (en) | High density helicon plasma source for wide ribbon ion beam generation | |
| US20060030134A1 (en) | Ion sources and ion implanters and methods including the same | |
| KR20020009503A (en) | Method and system for microwave excitation of plasma in an ion beam guide | |
| KR102204217B1 (en) | Plasma-based material modification using a plasma source with magnetic confinement | |
| WO2011139587A1 (en) | Small form factor plasma source for high density wide ribbon ion beam generation | |
| US20160233047A1 (en) | Plasma-based material modification with neutral beam | |
| US20090095894A1 (en) | Techniques for commensurate cusp-field for effective ion beam neutralization | |
| JP4533112B2 (en) | Wafer electrification suppression apparatus and ion implantation apparatus equipped with the same | |
| JP6379187B2 (en) | Substrate charge neutralization pinch, plasma bridge, flood gun | |
| TW202220005A (en) | Ion gun and vacuum processing device | |
| US20200040877A1 (en) | Ion thruster with external plasma discharge | |
| US20190259559A1 (en) | Plasma bridge neutralizer for ion beam etching | |
| US6242749B1 (en) | Ion-beam source with uniform distribution of ion-current density on the surface of an object being treated | |
| JP2003059415A (en) | Plasma ion source device | |
| TW464918B (en) | Plasma vacuum pump | |
| JPH0692638B2 (en) | Thin film device | |
| JP4151695B2 (en) | Bending electromagnet and ion beam irradiation device | |
| JPH01310179A (en) | Ecr type ion thruster | |
| JP3700496B2 (en) | Inertial electrostatic confinement fusion device | |
| JP4263806B2 (en) | Ion generation method and ion source |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080805 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110316 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110426 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111004 |