JP2003032538A

JP2003032538A - 撮像装置

Info

Publication number: JP2003032538A
Application number: JP2001215440A
Authority: JP
Inventors: Terutake Kadohara; 輝岳門原
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2001-07-16
Filing date: 2001-07-16
Publication date: 2003-01-31

Abstract

(57)【要約】【課題】電子ビューファインダを備えた撮像装置にお
いて、位相差検出方式でＡＦを行えるようにする。【解決手段】被写体からの光を分ける分光手段２１〜
２３と、分光手段２１〜２３によって分けられた一方の
光を入射して電子ビューファインダ３に表示する画像の
画像信号を生成する表示用撮像素子１１と、分光手段２
１〜２３によって分けられた他方の光を複数の画素に異
なる瞳から露光させたときの位相差に基づいて合焦を行
う合焦用撮像素子１２と、各撮像素子１１，１２からの
画像信号を合成する合成手段４とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、撮像装置に関し、
特にデジタルカメラ、デジタルビデオカメラなどの撮像
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、デジタルカメラやデジタルビデオ
カメラなどの撮像装置は、被写体からの光の入射面の裏
面や側面に液晶モニタなどが設けられており、これをフ
ァインダ替わりに使えるようにされている。このような
液晶モニタ等を電子ビューファインダと称する。

【０００３】電子ビューファインダは、実際に撮像する
画像と同様の画像が表示されるので、構えたときの安定
度がさほどいらない場合に使用されることが多い。

【０００４】また、撮像装置のほとんどは、被写体まで
の距離に応じ、レンズを前後させて焦点を合わせる自動
焦点検出（Auto Focus：ＡＦ）を行っている。

【０００５】ＡＦを行うには種々の手法があるが、撮像
に関係ない専用のセンサや光学系を用いず、撮像を担う
撮像素子の出力を利用して行うと、ピントのずれが撮影
上でのピンぼけそのものとなるため、精度よい焦点調節
が可能となる。

【０００６】さらに、撮像素子の出力を利用するタイプ
の中でも、大きく２つに分類され、主に像信号のコント
ラスト成分に着目した方法（ＴＶ−ＡＦ）と、撮影レン
ズの射出瞳を別々の方向から見た信号のずれ量を検出す
る方法（位相差検出方式）がある。

【０００７】これらはそれぞれ特徴があり、前者は特別
な光学系などを必要としないが、ピントのずれ量そのも
のの検出は困難である。一方、後者は射出瞳を分割する
光学系あるいはセンサ構造が必要となるが、ピントのず
れ量そのものの検出が可能である。

【０００８】従って、特に撮影光学系のピントずれ量が
大きくなるようなレンズ交換式一眼レフタイプの撮像装
置においては、位相差検出方式でＡＦを行うようにする
ことが望ましい。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、位相差検出方
式でＡＦを行う場合には、時分割あるいは光学部材によ
り瞳分割で撮像を行っているため、画像信号そのものが
電子ビューファインダに適さないとか、読み出し画素数
が少ない、あるいは多くて時間がかかり過ぎるといった
問題があった。

【００１０】このため、電子ビューファインダを備えた
撮像装置では、処理時間等の関係から、ＡＦを位相差検
出方式で行うことが困難であり、改善が望まれていた。

【００１１】そこで、本発明は、電子ビューファインダ
を備えた撮像装置において、位相差検出方式でＡＦを行
えるようにすることを課題とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の撮像装置は、被写体からの光を分ける分光
手段と、前記分光手段によって分けられた一方の光を入
射して電子ビューファインダに表示する画像の画像信号
を生成する表示用撮像素子と、前記分光手段によって分
けられた他方の光を複数の画素に異なる瞳から露光させ
たときの位相差に基づいて合焦を行う合焦用撮像素子
と、前記各撮像素子からの画像信号を合成する合成手段
とを備える。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を用いて説明する。

【００１４】図１は、本発明の実施形態の撮像装置の概
略的な構成を示すブロック図である。図１において、１
は被写体からの光を集光する撮影光学系（Ｌ）、２は撮
影光学系１の駆動装置（Ｍ）、２１〜２３は撮影光束を
例えば３分割するプリズム等の光学部材（分光手段）、
１１〜１３は分割された光束を受光するカラーフィルタ
を備えた撮像素子、３１〜３３は撮像素子１１〜１３の
画像信号の読み出し等の駆動制御を行うＬＳＩ、４は撮
像素子１１〜１３からの画像信号を合成してより高解像
度の出力画像を作り出す合成手段であるＤＳＰ（digita
l signal processor）、５は撮像素子１２の出力で測光
・測距演算を行うＡＦ用ＩＣ（ＡＦＩＣ）、３は撮像素
子１１から読み出された画像信号を表示する電子ビュー
ファインダ（ＥＶＦ：electric view finder）、７はＤ
ＳＰ４で処理された画像を記憶するメモリ（ＭＥＭ），
８は外部モニタであるところの液晶ディスプレイ（ＬＣ
Ｄ：Liquid Crystal Display）、６はユーザによって撮
像時に押下されるスイッチ（ＳＷ）、９はスイッチ６か
らの指示に基づいてＤＳＰ４，メモリ７，ＬＳＩ３１〜
３３の動作を制御するＣＰＵである。

【００１５】撮像素子１１〜１３は実際に撮像する画像
の画像信号を生成するものであるが、その他に、撮像素
子１１はＥＶＦ３に表示する画像の画像信号を生成す
る。撮像素子１２は撮像面での位相差検出によって測光
・測距を行う画像信号を生成する。撮像素子１３は撮像
時の被写体周辺の明暗に応じて撮像素子１２の露光時間
を制御する制御信号を生成するための画像信号を生成す
る。

【００１６】つぎに、図１の動作について簡単に説明す
る。まず、撮影光学系１の透過光は、光学部材２１〜２
３によって分光され、撮像素子１１〜１３に入射され
る。撮像素子１１〜１３では入射光をそれぞれ電荷に変
換して蓄積する。

【００１７】つぎに、ＬＳＩ３１から撮像素子１１に対
して、画像信号の読み出し信号が印加され、蓄積されて
いた電荷が画像信号としてＥＶＦ３側へ出力される。

【００１８】また、ＬＳＩ３２から撮像素子１２に対し
て、ＡＦ信号の読み出し信号が印加され、蓄積されてい
た電荷がＡＦ信号としてＡＦＩＣ５側へ出力される。そ
して、後述するように、いわゆる位相差検出法によって
駆動装置２によって撮影光学系１の焦点制御が行われ
る。

【００１９】それから、たとえばユーザがスイッチ６を
押下することにより、撮像の指示を入力すると、この指
示に基づいてＣＰＵ９からのＬＳＩ３１〜３３に対し
て、画像信号の読み出し命令がされる。

【００２０】すると、ＬＳＩ３１〜３３は、撮像素子１
１〜１３に画像信号の読み出し信号を印加し、撮像素子
１１〜１３に蓄積されている電荷を、画像信号としてＤ
ＳＰ４側へ出力させる。

【００２１】ＤＳＰ４では、撮像素子１１〜１３からの
画像信号を入力すると、これらを合成してより高解像度
の画像を作り出し、メモリ７に保存したり、液晶ディス
プレイ８に表示する。

【００２２】ここで、撮像素子１１には、一般のビデオ
機器で用いられているような電荷結合素子（Charge Cou
pled Device：ＣＣＤ）タイプの撮像素子を用いてい
る。ＥＶＦ３には動画としてのスムーズさ等から電子シ
ャッター機能を有した撮像素子が適しているためであ
る。

【００２３】撮像素子１２，１３には、増幅型固体撮像
装置の１つであるＣＭＯＳプロセスコンパチブルのセン
サ（以下、「ＣＭＯＳセンサ」と称する。）を用いてい
る。撮像面位相差測距方式を採用しているからである。

【００２４】ちなみに、ＣＭＯＳセンサを用いると、光
電変換部のＭＯＳトランジスタと周辺回路のＭＯＳトラ
ンジスタとを同一工程で形成できるため、マスク枚数、
プロセス工程がＣＣＤと比較して大幅に削減できる。な
お、撮像素子１１にＣＭＯＳセンサを用いて、撮像素子
１２，１３にＣＣＤ撮像素子を用いてもよい。

【００２５】本実施形態では、図６を用いて後述するよ
うに、１画素に２つの受光部を備え、フローティングデ
ィフュージョン領域（以下、「ＦＤ領域」と称する。）
とソースフォロワアンプとを２つの受光部に共通して設
けて、２つの光電変換領域をＭＯＳトランジスタスイッ
チを介してそのＦＤ領域に接続するようにしている。

【００２６】従って、２つの受光部の電荷を同時、又
は、別々にＦＤ領域へ転送でき、ＦＤ領域に接続した転
送ＭＯＳトランジスタのタイミングだけで、２つの受光
部の信号電荷を加算、非加算することが簡単に行える。

【００２７】この構造を利用して、撮像光学系の射出瞳
全体からの光束による光電変換出力を行う加算出力モー
ドと、撮像光学系の射出瞳の一部からの光束による光電
変換出力を別々に行う非加算出力モードとを切り替え可
能としている。

【００２８】画素レベルで信号の加算を行う加算出力モ
ードでは、信号を読み出した後で加算する方式に比べて
ノイズの少ない信号を得ることができる。

【００２９】図２は、図１の撮像素子１１〜１３の画素
の位置関係を示す図である。物理的に異なる位置に設け
た撮像素子１１〜１３からの画像信号を、ＤＳＰ４で合
成処理する際に、撮像素子１１〜１３の同行同列の画素
からの画像信号を同じ位置で合成するのではなく、図２
に示すようにずらして合成するようにしている。

【００３０】このようにすると、実際の画素数の１．５
〜２倍程度の解像度を稼ぐことが可能となり、また色の
再現性も良くなる。このような手法は、いわゆる画素ず
らしと称されるものである。

【００３１】図２では、撮像素子１１〜１３の画素ピッ
チを実線で示し、半画素ピッチを破線で示している。ま
た、□，○，△は撮像素子１１，１２，１３の同行同列
の画素を示している。

【００３２】撮像素子１１，１２の同行同列の画素は互
いに図面横方向にずらし、撮像素子１１，１３の同行同
列の画素は互いに図面斜め方向にずらしているように画
像信号の合成処理を行う。

【００３３】図３は、図１の撮像素子１１，１２のカラ
ーフィルタ配列例を示す図である。撮像素子１１はＥＶ
Ｆ３に表示する画像用の画像信号を生成し、撮像素子１
２は測光・測距用の画像信号を生成するため、フルカラ
ーを透過するのフィルタが必要となる。

【００３４】そのため、ここではＧ（緑色）透過フィル
タを対角に配し、Ｒ（赤色）透過フィルタとＢ（青色）
透過フィルタを残る対角に配置する、いわゆるベイヤー
配列にしている。

【００３５】ベイヤー配列では、観察者が画像を見たと
きに強く感じやすいＧ透過フィルタを配した画素を、Ｒ
透過フィルタやＢ透過フィルタを配した画素よりも多く
配置することで、総合的な像性能を上げることができ
る。

【００３６】一般に、この方式の撮像素子１１〜１３で
は、輝度信号は主にＧ透過フィルタから生成し、色信号
は残りのＲ透過フィルタ，Ｇ透過フィルタ，Ｂ透過フィ
ルタから生成する。

【００３７】図４は、図１の撮像素子１３のカラーフィ
ルタ配列例を示す図である。撮像素子１３は全面Ｇ透過
フィルタのカラーフィルタを用いている。撮像素子１３
は本撮像用の画像信号の生成と、図１２を用いて後述す
るように測距領域方向を縦・横の双方向で実現、あるい
は測距時の蓄積制御用モニタ機能を担うが、特に高解像
度化に適したフィルタとしている。

【００３８】図５は、図３，図４に示すカラーフィルタ
配列を図２に示した関係にずらして配置した場合の各画
素関係を示す図である。図５において、□，○，△はそ
れぞれ図２での撮像素子１１，１２，１３の画素を示し
ている。

【００３９】図６は、図１の撮像素子１１〜１３の回路
構成図である。図６には、２列×２行画素を示している
が、実際は用途に応じて多数の画素を配置している。

【００４０】図６において、４１，５１はＭＯＳトラン
ジスタゲートとゲート下の空乏層からなる第１，第２受
光部、４２，５２はフォトゲート、４３，５３は転送ス
イッチＭＯＳトランジスタ、４４はリセット用ＭＯＳト
ランジスタ、４５はソースフォロワアンプＭＯＳトラン
ジスタ、４６は垂直選択スイッチＭＯＳトランジスタ、
４７はソースフォロワの負荷ＭＯＳトランジスタ、４８
は暗出力転送ＭＯＳトランジスタ、４９は明出力転送Ｍ
ＯＳトランジスタ、６０は暗出力蓄積容量Ｃ_TN、６１は
明出力蓄積容量Ｃ_TS、６２および５４は垂直転送ＭＯＳ
トランジスタ、６３および５５は垂直出力線リセットＭ
ＯＳトランジスタ、６４は差動出力アンプ、６５は垂直
走査部、６６は水平走査部である。

【００４１】また、３１〜３４は光電変換部であり、光
電変換部３１等と、リセット用ＭＯＳトランジスタ４４
と、ソースフォロワアンプＭＯＳトランジスタ４５と、
垂直選択スイッチＭＯＳトランジスタ４６とによって画
素が構成される。

【００４２】図７は、図６の光電変換部３１〜３４等の
断面図である。図７において、１７はＰ型ウェル、１
８，５８はゲート酸化膜、１９，５９は一層目ポリＳ
ｉ、２０，５０は二層目ポリＳｉ、２１はＦＤ領域、２
２は特定の波長域の光を透過するカラーフィルタ、２３
は撮像光学系からの光束を効率的に第１，第２受光部４
１，５１に導くためのマイクロレンズである。

【００４３】ＦＤ領域２１は、転送ＭＯＳトランジスタ
３，５３を介して第１，第２受光部４１，５１と接続さ
れる。なお、図７には、第１，第２受光部４１，５１を
互いに離した状態で示しているが、実用上これらは接し
ているとみなしてよいくらいにその境界部は極めて小さ
い。

【００４４】図８は、図６の撮像素子１１の画素と光電
変換部３１〜３４等とカラーフィルタ２２との配置を示
す平面図である。ここでは４列×４行のみを抜き出して
示している。光電変換部３１〜３４とＭＯＳトランジス
タ４４〜４６を含む各画素７１〜８６はほぼ正方形にレ
イアウトされ、格子状に隣接して配置している。

【００４５】また、撮像素子１１でも、各画素７１〜８
６にＲ透過フィルタ、Ｇ透過フィルタ、Ｂ透過フィルタ
のカラーフィルタを交互に配して、４画素が一組となる
ベイヤー配列を形成している。

【００４６】なお、ＲＧＢはフィルタの透過光を示し、
これに続く符号は、第１，第２受光部４１，５１の別を
示している。例えば、Ｒ１は赤色透過カラーフィルタを
備えた第１受光部４１であり、Ｇ２は緑色透過カラーフ
ィルタを備えた第２受光部５１を意味する。

【００４７】各画素７１〜８６の全面に設けられるマイ
クロレンズ２３は、光電変換部３１〜３４の中心と光軸
とがおおよそ一致した軸対称型の球面レンズあるいは非
球面レンズであって、各々矩形の有効部を持ち、光入射
側を凸形状として格子状に密に並べられている。

【００４８】各マイクロレンズ２３のパワーは撮像素子
１１の各光電変換部３１〜３４等を撮像光学系の射出瞳
に投影するように設定されている。このとき、各光電変
換部３１〜３４等の投影像が撮像光学系の絞りの射出瞳
よりも大きくなるように投影倍率を設定し、光電変換部
３１〜３４等に入射する光量と撮像光学系の絞りとの関
係をおおよそ線形にする。

【００４９】こうすれば、被写体輝度に応じた撮影が可
能になり、２つの受光部４１，５１を別々に動作させれ
ば焦点検出も可能となる。

【００５０】図９（ａ），図９（ｂ）は、図８に示した
光電変換部３１について、第１受光部４１に入射する光
束と、第２受光部５１に入射する光束のそれぞれを分け
て示した図であり、図８の上方から見た図である。

【００５１】図９（ａ）では、第１受光部４１（Ｇ１）
に入射する光束を示しており、図面下方からの光束が第
１受光部４１に入射している。図９（ｂ）では、第２受
光部５１（Ｇ２）に入射する光束を示しており、図面上
方からの光束が第２受光部５１に入射していることが分
かる。

【００５２】つまり、撮像素子１１では、撮像素子１１
のどの位置の第２受光部５１に入射する光束も撮像光学
系の射出瞳の左半分を通過する光束である。一方、撮像
素子１１の第１受光部４１に入射する光束は、撮影光学
系１の光軸を対称軸として左右を反転したものとして考
えればよい。すなわち、撮像光学系の射出瞳の分割は図
１０のようになる。

【００５３】図１０は、撮像光学系の射出瞳の分割の説
明図である。図１０において、２２０は撮像光学系の射
出瞳である。２２１は撮像素子１１の第１受光部４１に
入射する光束が通過する射出瞳上の第一の領域、２２２
は撮像素子１１の第２受光部５１に入射する光束が通過
する射出瞳上の第二の領域である。

【００５４】つまり、第１受光部４１から得られた画像
信号と第２受光部５１から得られた画像信号とは、何れ
も撮像光学系の射出瞳をほぼ２分割した半光束から形成
される。

【００５５】以上のような光学系にあっては、例えば撮
像素子１１よりも手前に物体像が形成されているとき、
射出瞳の右側を通る半光束は撮像素子１１上で左側にシ
フトし、射出瞳の左側を通る半光束は右側にシフトす
る。

【００５６】つまり、撮像光学系の瞳の半分ずつを通っ
た光束で形成される一対の画像信号は、物体像の結像状
態に応じて図８の左右方向に位相がシフトしたものとな
る。

【００５７】従って、上記デフォーカス量を求めるに
は、２つの被写体像の相対位置関係であるずれ量を、そ
の相関から求めればよい。これを具体的に求める演算方
法の一例を簡単に図１１を用いて説明する。

【００５８】図１１は、２つの被写体像（Ａ、Ｂ像）の
相対位置関係であるずれ量を求める手法の説明図であ
る。２つの被写体像は、ＡＮＤ領域の面積Ｕ０（Ａ、Ｂ
像の小さい方の値の総和）を片方の像（図ではＡ像）を
１画素（１ビット）毎シフトさせてＡＮＤ領域の面積を
Ｕ１とする。同様に、１画素毎シフトさせてＡＮＤ領域
の面積の最大値Ｕｍａｘを求めていく。

【００５９】２像が一致していれば必然的に、ＡＮＤ領
域の面積は最大値となるので、最大値をもたらすシフト
量が２像の相対的ずれ量となる。このずれ量と撮像光学
系で決定されるデフォーカス量への変換係数とで求まる
こととなる。

【００６０】なお、上記した左右方向は図８に示した光
電変換部３１の分割方向であり、図１０の射出瞳の分割
方向となる。従って、例えば図面に対し縦線となる信号
成分に対して焦点検出が実現する。

【００６１】よって、これと直交する様に光電変換部３
１の分割方向を９０度回転させることで図面に対し横線
となる信号成分でも焦点検出可能となる。

【００６２】従って、２つの合焦用撮像素子において、
それぞれの光電変換部３１の分割方向を直交させれば縦
横両方向に焦点検出可能な使い勝手のよい測距機能の実
眼が可能になる。

【００６３】次に、本実施形態の撮像素子１１〜１３の
駆動方法について説明を行う。上記したように、第１，
第２受光部４１，５１を備えると、これらの蓄積電荷を
簡単に加算、非加算することが可能となる。従って、撮
像や輝度算出には加算モード、焦点検出には非加算モー
ドでの動作を行うこととなる。

【００６４】まず図６、図７に基づいて撮像素子の電荷
蓄積動作の概要を述べる。フォトゲート４２，５２の下
に空乏層を拡げるため制御パルスφＰＧ₀₀、φＰＧｅ₀
に正の電圧を印加する。ＦＤ部２１は蓄積中、ブルーミ
ング防止のため制御パルスφＲ₀をハイにして電源Ｖ_DD
に固定しておく。

【００６５】光子ｈνが照射されフォトゲート４２，５
２の下でキャリアが発生すると、フォトゲート４２，５
２の下の空乏層中に電子が蓄積されていき、正孔はＰ型
ウェル１７を通して排出される。

【００６６】受光部４１とＦＤ部２１との間には、転送
ＭＯＳトランジスタ４３によるエネルギー障壁が、受光
部５１とＦＤ部２１との間には転送ＭＯＳトランジスタ
５３によるエネルギー障壁がそれぞれ形成されている。

【００６７】このため、光電荷蓄積中は電子がフォトゲ
ート４２，５２の下に存在する。この後、水平走査部６
６を走査させ、同様に電荷蓄積動作を行えば全受光部４
１，５１について電荷の蓄積が成される。

【００６８】読み出し状態になると、転送ＭＯＳトラン
ジスタ４３あるいは５３下の障壁をなくし、フォトゲー
ト４２や５２の下の電子をＦＤ部２１へ完全に転送させ
る様に制御パルスφＰＧ₀₀、φＰＧｅ₀、制御パルスφ
ＴＸ₀₀、φＴＸｅ₀を設定する。

【００６９】次に被写体への焦点調節方法に関して、撮
像光学系のピントずれ量であるデフォーカス量の検出方
法について簡単に説明を行う。

【００７０】図１２は、上記のように縦・横検知を可能
とした場合の画素ずらしと画素分割の状態を示す図であ
る。図１２には、図２に示した画素ずらしでのフィルタ
配置（撮像素子１１，１２がベイヤー配列、撮像素子１
３が全面Ｇで撮像素子１１がＧ_Rの場合）と撮像素子２
を縦線検知（図面横方向に検出領域）、撮像素子３を横
線検知（図面縦方向に検出領域）とした場合の画素の分
割状態を示している。

【００７１】図１３は、図１のＥＶＦ３に焦点検出時に
表示する測距点の様子を示す図である。図１３におい
て、□は複数の画素で構成される測距点を示しており、
ここでは３５個の測距点を配置している。

【００７２】図１４は、図１３の中心に位置する測距点
付近の拡大図である。図１４には、撮像素子１２，１３
に配列されている画素が十字形に直交するように配置し
た様子を示している。

【００７３】また、撮像素子１３を撮像素子１２の画素
での電荷の蓄積時間を制御するために用いると、露光時
間が制御された画像信号を得られるようになり、焦点検
出の動作範囲と、焦点検出の精度を向上することが可能
となる。この場合、撮像素子１３は上記制御のため、画
素の分割を行わなくてよい。

【００７４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
電子ビューファインダに表示する画像の画像信号を生成
する表示用撮像素子と、位相差検出方式でＡＦを行うた
めの合焦用撮像素子とを備え、さらに各撮像素子からの
画像信号を合成する合成手段とを備えるので、電子ビュ
ーファインダを備えた撮像装置において、位相差検出方
式でＡＦを行えるようにすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態の撮像装置の概略的な構成を
示すブロック図である。

【図２】図１の撮像素子１１〜１３の画素の位置関係を
示す図である。

【図３】図１の撮像素子１１，１２のカラーフィルタ配
列例を示す図である。

【図４】図１の撮像素子１３のカラーフィルタ配列例を
示す図である。

【図５】図３，図４に示すカラーフィルタ配列を図２に
示した関係にずらして配置した場合の各画素関係を示す
図である。

【図６】図１の撮像素子１１〜１３の回路構成図であ
る。

【図７】図６の光電変換部３１〜３４等の断面図であ
る。

【図８】図６の撮像素子１１の画素と光電変換部３１〜
３４等とカラーフィルタ２２との配置を示す平面図であ
る。

【図９】図８に示した光電変換部３１について第１，第
２受光部４１，５１に入射する光束を分けて示した図で
ある。

【図１０】撮像光学系の射出瞳の分割の説明図である。

【図１１】２つの被写体像（Ａ、Ｂ像）の相対位置関係
であるずれ量を求める手法の説明図である。

【図１２】上記のように縦・横検知を可能とした場合の
画素ずらしと画素分割の状態を表した図である。

【図１３】図１のＥＶＦ３に焦点検出時に表示する測距
点の様子を示す図である。

【図１４】図１３の中心に位置する測距点付近の拡大図
である。

【符号の説明】

１撮影光学系２撮影光学系の駆動装置３ＥＶＦ４ＤＳＰ６ＳＷ７メモリ８ＬＣＤ９ＣＰＵ１１〜１３カラーフィルタを備えた撮像素子２１〜２３撮影光束を３分割するためのプリズム等の
光学部材３１〜３３ＬＳＩ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被写体からの光を分ける分光手段と、前
記分光手段によって分けられた一方の光を入射して電子
ビューファインダに表示する画像の画像信号を生成する
表示用撮像素子と、前記分光手段によって分けられた他
方の光の異なる瞳位置の透過光に基づく像を用いて合焦
を行う合焦用撮像素子と、前記各撮像素子からの画像信
号を合成する合成手段とを備えることを特徴とする撮像
装置。
【請求項２】前記合成手段は、前記各撮像素子の同行
同列の画素からの画像信号を当該画素の半分の大きさ分
ずらした状態で合成することを特徴とする請求項１記載
の撮像装置。
【請求項３】前記各撮像素子は電荷結合素子又はＭＯ
Ｓ型撮像素子であることを特徴とする請求項１又は２記
載の撮像装置。
【請求項４】前記合焦用撮像素子は、前記位相差を検
出する画素の配置方向が互いに直交する撮像素子である
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載の
撮像装置。
【請求項５】前記合焦用撮像素子のいくつかで測光を
行うことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項記
載の撮像装置。