JP2002353610A - Apparatus and method for repairing semiconductor device - Google Patents

Apparatus and method for repairing semiconductor device

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JP2002353610A
JP2002353610A JP2001152242A JP2001152242A JP2002353610A JP 2002353610 A JP2002353610 A JP 2002353610A JP 2001152242 A JP2001152242 A JP 2001152242A JP 2001152242 A JP2001152242 A JP 2001152242A JP 2002353610 A JP2002353610 A JP 2002353610A
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JP
Japan
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semiconductor device
solder
substrate
hot gas
repair
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Application number
JP2001152242A
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Japanese (ja)
Inventor
Tomohiro Sakuyama
知広 作山
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NEC Saitama Ltd
Original Assignee
NEC Saitama Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/799Apparatus for disconnecting

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To separate a semiconductor device from a board with substantially no residue left on the board. SOLUTION: A semiconductor device 41 is held in position by a suction nozzle 2, and further hot air supplied to the air path 21 of an air nozzle 1 is sprayed through a spout 10a to heat and melt solder 44 connecting the semiconductor device 41 and a board 42. Further, hot air 32 supplied to the air path 21 of the air nozzle 1 is sprayed through a spout 10b to blow off and remove the melted solder 44. Thus, the semiconductor device 41 and the board 42 are separated from each other.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置のリペア方
法およびリペア装置に関し、さらに言えば、半導体装置
と基板とを接続しているはんだを加熱・溶融して半導体
装置と基板とを分離するリペア方法およびリペア装置に
関する。本発明は、例えば、BGA(Ball Grid Arra
y)型の構造を有する半導体装置に好適に使用される。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for repairing a semiconductor device and a repair device, and more particularly, to heat and melt the solder connecting the semiconductor device and the substrate to separate the semiconductor device and the substrate. The present invention relates to a repair method and a repair device. The present invention relates to, for example, BGA (Ball Grid Arra).
It is suitably used for a semiconductor device having a y) type structure.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、プリント基板などの基板に実装
された半導体装置に欠陥があった場合、代替の半導体装
置に交換する作業、すなわち「リペア」が行われる。リ
ペアでは、基板と半導体装置とを接続しているはんだを
加熱・溶融して基板から半導体装置を取り外す工程と、
代替の半導体装置を基板にはんだ接続して取り付ける工
程とが行われる。
2. Description of the Related Art Generally, when a semiconductor device mounted on a substrate such as a printed circuit board has a defect, the semiconductor device is replaced with a substitute semiconductor device, that is, "repair" is performed. In the repair, a step of heating and melting the solder connecting the substrate and the semiconductor device to remove the semiconductor device from the substrate,
Soldering and attaching the alternative semiconductor device to the substrate.

【0003】近年、高密度実装を実現するために、BG
A型半導体装置が広く用いられている。このBGA型半
導体装置をリペアする従来の方法としては、半導体装置
を吸着する吸着ノズルとホットエアを噴射するエアノズ
ルとを備えたリペア装置を使用し、はんだをホットエア
で加熱・溶融することにより、半導体装置の取り外しと
取り付けとを行うものがある。
In recent years, in order to realize high-density mounting, BG
A-type semiconductor devices are widely used. As a conventional method of repairing this BGA type semiconductor device, a repair device having a suction nozzle for sucking the semiconductor device and an air nozzle for injecting hot air is used, and the semiconductor device is heated and melted by hot air. There is a thing which removes and attaches.

【0004】すなわち、半導体装置の取り外し工程で
は、リペア装置のエアノズルでホットエアを噴射してリ
ペア対象の半導体装置およびそのはんだ接続部を加熱す
ることにより、接続部のはんだが加熱・溶融される。そ
して、はんだが溶融した状態で半導体装置を吸着ノズル
で吸着しながら引き上げることにより、半導体装置と基
板とが分離され、半導体装置が取り外される。
That is, in the step of removing the semiconductor device, the semiconductor device to be repaired and its solder connection are heated by injecting hot air from the air nozzle of the repair device to heat and melt the solder at the connection. Then, the semiconductor device is pulled up while being sucked by the suction nozzle in a state where the solder is melted, so that the semiconductor device and the substrate are separated, and the semiconductor device is removed.

【0005】この取り外し工程において、半導体装置と
基板とを分離する際に、接続部のはんだが半導体装置お
よび基板のそれぞれに付着した状態で分割され、半導体
装置が取り外された後の基板上にはんだの一部が残存す
る。すなわち、分離された半導体基板上にはんだ残渣が
生じる。
In the removal step, when the semiconductor device and the substrate are separated from each other, the solder at the connection portion is divided while being adhered to each of the semiconductor device and the substrate, and the solder is placed on the substrate after the semiconductor device is removed. Is partially left. That is, a solder residue is generated on the separated semiconductor substrate.

【0006】代替の半導体装置の取り付けに際しては、
スクリーン印刷などの方法で基板上にクリームはんだを
塗布する必要があり、基板上にはんだ残渣があると、塗
布されたクリームはんだの膜厚が不均一になってしま
う。
In mounting an alternative semiconductor device,
It is necessary to apply cream solder on the substrate by a method such as screen printing. If there is a solder residue on the substrate, the thickness of the applied cream solder becomes uneven.

【0007】そこで、代替の半導体装置を取り付ける前
に、基板をリペア装置から取り出して、基板上のはんだ
残渣をほぼ完全に除去する。そして、はんだ残渣の除去
された基板上にクリームはんだを塗布した後、リペア装
置を使用して代替の半導体装置を基板に取り付けるので
ある。
Therefore, before the replacement semiconductor device is mounted, the substrate is taken out of the repair device, and the solder residue on the substrate is almost completely removed. Then, after applying the cream solder on the substrate from which the solder residue has been removed, a replacement semiconductor device is attached to the substrate using a repair device.

【0008】基板上のはんだ残査を除去する方法として
は、従来より様々なものがあるが、いずれの方法も、凝
固したはんだ残渣を再び加熱・溶融した上で除去するも
のである。
[0008] There are various methods for removing the solder residue on the substrate. Conventionally, all of the methods remove the solidified solder residue after heating and melting it again.

【0009】周知のはんだ残渣の除去方法としては、例
えば、はんだ吸い取り線とはんだゴテとを使用するもの
がある。この方法では、はんだ吸い取り線をはんだ残査
上に置きながら、はんだの溶融に必要な加熱温度に保持
したはんだゴテをはんだ吸い取り線の上から押し付け
て、はんだ吸い取り線とはんだ残査を接触させる。それ
により、溶融したはんだ残査がはんだ吸い取り線に吸着
され、はんだ残査が除去される。
As a well-known method for removing solder residue, for example, there is a method using a solder desoldering wire and a soldering iron. In this method, a soldering iron maintained at a heating temperature required for melting the solder is pressed from above the solder blotting line while the solder blotting line is placed on the solder residue, and the solder blotting line and the solder residue are brought into contact. As a result, the molten solder residue is adsorbed on the desoldering wire, and the solder residue is removed.

【0010】また、他のはんだ残渣の除去方法として
は、はんだを加熱・溶融する手段と、溶融したはんだを
吸引するはんだ吸引手段とを有するはんだ吸い取り装置
を使用するものがある。
As another method of removing the solder residue, there is a method using a solder sucking apparatus having a means for heating and melting the solder and a means for sucking the solder for sucking the molten solder.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】上記の従来の半導体装
置のリペア方法では、半導体装置と基板とを分離して半
導体装置を取り外した後に、基板上にはんだ残渣が生じ
るという問題がある。基板上のはんだ残渣は常温に放置
されて凝固しているため、半導体装置を取り外した後
に、はんだ残渣を加熱・溶融しながら除去する工程が必
要になり、作業工数が多くなるという問題がある。
The above-described conventional method for repairing a semiconductor device has a problem that after the semiconductor device is separated from the substrate and the semiconductor device is removed, a solder residue is generated on the substrate. Since the solder residue on the substrate is left at room temperature and solidified, a step of removing the solder residue while heating and melting the semiconductor device after removing the semiconductor device is required, resulting in a problem that the number of work steps increases.

【0012】また、はんだ残査を除去する際には、はん
だ吸い取り線やはんだ吸引手段をはんだ残査に接触させ
てはんだを除去するため、基板上に形成された電極パッ
ドや配線に機械的ストレスが加わるという欠点がある。
したがって、電極パッドや配線が剥離してしまい、基板
が破損するという問題が生じる。特に、密着強度の弱い
銅配線が形成された基板では、銅配線が極めて剥がれや
すいので、剥離が一層生じやすい。
Further, when removing the solder residue, since the solder is removed by bringing the solder suction line or the solder suction means into contact with the solder residue, mechanical stress is applied to the electrode pads and wiring formed on the substrate. Has the disadvantage of adding
Therefore, there arises a problem that the electrode pad and the wiring are peeled off and the substrate is damaged. In particular, on a substrate on which a copper wiring having a low adhesion strength is formed, the copper wiring is extremely easily peeled, and thus the peeling is more likely to occur.

【0013】さらに、はんだ残査を加熱・溶融する際に
基板に熱的ストレスが加わり、基板の劣化を誘引すると
いう問題がある。
Further, there is a problem that when the solder residue is heated and melted, thermal stress is applied to the substrate, which leads to deterioration of the substrate.

【0014】そこで、本発明の目的は、半導体装置と基
板とを分離する際に、基板上にはんだ残査がほとんど生
じない半導体装置のリペア方法およびリペア装置を提供
することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method and apparatus for repairing a semiconductor device in which solder residue hardly occurs on the substrate when the semiconductor device is separated from the substrate.

【0015】本発明の他の目的は、リペアの作業工数を
減少させることができる半導体装置のリペア方法および
リペア装置を提供することにある。
It is another object of the present invention to provide a semiconductor device repair method and a repair device which can reduce the number of repair work steps.

【0016】本発明のさらに他の目的は、電極パッドや
配線に加わる機械的ストレスを減少させることができる
半導体装置のリペア方法およびリペア装置を提供するこ
とにある。
Still another object of the present invention is to provide a repair method and a repair device for a semiconductor device which can reduce mechanical stress applied to an electrode pad and a wiring.

【0017】本発明のさらに他の目的は、基板に加わる
熱的ストレスを減少させることができる半導体装置のリ
ペア方法およびリペア装置を提供することにある。
Still another object of the present invention is to provide a method and apparatus for repairing a semiconductor device, which can reduce thermal stress applied to a substrate.

【0018】本発明のさらに他の目的は、基板の破損や
劣化を防止することができる半導体装置のリペア方法お
よびリペア装置を提供することにある。
Still another object of the present invention is to provide a semiconductor device repair method and a repair device which can prevent breakage and deterioration of a substrate.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】(1) 本発明の半導体
装置のリペア方法は、基板にはんだを介して接続される
半導体装置のリペア方法において、前記基板に対して前
記半導体装置を所定の位置に保持しながら、前記はんだ
を加熱して溶融し、溶融した前記はんだを第1熱気体の
噴射により吹き飛ばして除去し、もって前記半導体装置
と前記基板とを分離することを特徴とする。
(1) A method for repairing a semiconductor device according to the present invention is a method for repairing a semiconductor device connected to a substrate via solder, in the method for repairing a semiconductor device at a predetermined position with respect to the substrate. The semiconductor device is separated from the substrate by heating and melting the solder while blowing the molten solder, and blowing off the melted solder by spraying a first hot gas to remove the solder.

【0020】(2) 本発明の半導体装置のリペア方法
では、溶融した前記はんだを前記第1熱気体の噴射で吹
き飛ばして除去することにより、前記半導体装置と前記
基板とが分離される。
(2) In the method for repairing a semiconductor device according to the present invention, the semiconductor device and the substrate are separated by blowing away the melted solder by jetting the first hot gas.

【0021】そのため、前記半導体装置と前記基板とを
分離する際に、前記基板上にはんだ残査がほとんど生じ
ない。したがって、上述した従来技術のように、半導体
装置を取り外した後に、はんだを加熱・溶融しながらは
んだ残渣を除去する工程を設ける必要がなくなるので、
リペアの作業工数が減少する。
Therefore, when the semiconductor device is separated from the substrate, little solder residue is left on the substrate. Therefore, there is no need to provide a step of removing the solder residue while heating and melting the solder after removing the semiconductor device as in the above-described related art.
Repair work is reduced.

【0022】また、はんだ残渣を除去する必要がないの
で、上述した従来技術に比べて、電極パッドや配線に加
わる機械的ストレス、および基板に加わる熱的ストレス
を減少させることができる。したがって、基板の破損や
劣化を防止することができる。
Further, since it is not necessary to remove the solder residue, the mechanical stress applied to the electrode pads and wirings and the thermal stress applied to the substrate can be reduced as compared with the above-mentioned conventional technology. Therefore, breakage and deterioration of the substrate can be prevented.

【0023】(3) 本発明の半導体装置のリペア方法
の好ましい例では、前記第1熱気体が前記はんだの融点
以上の温度を有する。
(3) In a preferred example of the method for repairing a semiconductor device according to the present invention, the first hot gas has a temperature equal to or higher than the melting point of the solder.

【0024】本発明の半導体装置のリペア方法の他の好
ましい例では、前記半導体装置の一側面側から前記半導
体装置と前記基板との間に前記第1熱気体を噴射する。
In another preferred embodiment of the method for repairing a semiconductor device according to the present invention, the first hot gas is injected between the semiconductor device and the substrate from one side of the semiconductor device.

【0025】本発明の半導体装置のリペア方法のさらに
他の好ましい例では、前記半導体装置と前記基板との間
に第2熱気体を噴射することにより、前記はんだを加熱
して溶融する。
In still another preferred example of the method for repairing a semiconductor device according to the present invention, the solder is heated and melted by injecting a second hot gas between the semiconductor device and the substrate.

【0026】本発明の半導体装置のリペア方法のさらに
他の好ましい例では、熱赤外線を放射することにより、
前記はんだを加熱して溶融する。
In still another preferred example of the method for repairing a semiconductor device according to the present invention, by radiating thermal infrared rays,
The solder is heated and melted.

【0027】本発明の半導体装置のリペア方法のさらに
他の好ましい例では、前記第1熱気体の流動により、吹
き飛ばされた前記はんだを所定の位置に移動せしめる。
In still another preferred example of the method for repairing a semiconductor device according to the present invention, the blown-out solder is moved to a predetermined position by the flow of the first hot gas.

【0028】(4) 本発明の半導体装置のリペア装置
は、基板にはんだを介して接続される半導体装置のリペ
ア装置において、前記基板に対して前記半導体装置を所
定の位置に保持する保持手段と、前記はんだを加熱して
溶融する加熱手段と、第1熱気体を噴射する熱気体噴射
手段とを備え、前記半導体装置を前記保持手段で保持し
ながら、前記加熱手段で前記はんだを溶融し、溶融した
前記はんだを前記熱気体噴射手段から噴射される前記第
1熱気体で吹き飛ばして除去し、もって前記半導体装置
と前記基板とを分離することを特徴とする。
(4) A repair device for a semiconductor device according to the present invention is a repair device for a semiconductor device connected to a substrate via solder, comprising: holding means for holding the semiconductor device at a predetermined position with respect to the substrate. A heating means for heating and melting the solder, and a hot gas injection means for injecting a first hot gas, while holding the semiconductor device by the holding means, melting the solder by the heating means, The method is characterized in that the molten solder is blown away and removed by the first hot gas injected from the hot gas injection means, thereby separating the semiconductor device and the substrate.

【0029】(5) 本発明の半導体装置のリペア装置
では、溶融した前記はんだを前記熱気体噴射手段から噴
射される前記第1熱気体で吹き飛ばして除去することに
より、前記半導体装置と前記基板とが分離される。
(5) In the repair device for a semiconductor device according to the present invention, the molten solder is blown off and removed by the first hot gas injected from the hot gas injection means, so that the semiconductor device and the substrate can be removed. Are separated.

【0030】そのため、本発明の半導体装置のリペア方
法と同様に、前記半導体装置と前記基板とを分離する際
に、前記基板上にはんだ残査がほとんど生じない。した
がって、上述した従来技術のように、半導体装置を取り
外した後に、はんだを加熱・溶融しながらはんだ残渣を
除去する工程を設ける必要がなくなるので、リペアの作
業工数が減少する。
Therefore, as in the semiconductor device repair method of the present invention, when the semiconductor device is separated from the substrate, little solder residue is generated on the substrate. Therefore, it is not necessary to provide a step of removing the solder residue while heating and melting the solder after removing the semiconductor device as in the above-described related art, so that the number of repair work is reduced.

【0031】また、はんだ残渣を除去する必要がないの
で、上述した従来技術に比べて、電極パッドや配線に加
わる機械的ストレス、および基板に加わる熱的ストレス
を減少させることができる。したがって、基板の破損や
劣化を防止することができる。
Further, since it is not necessary to remove the solder residue, the mechanical stress applied to the electrode pads and the wiring and the thermal stress applied to the substrate can be reduced as compared with the above-mentioned conventional technology. Therefore, breakage and deterioration of the substrate can be prevented.

【0032】(6) 本発明の半導体装置のリペア装置
の好ましい例では、前記第1熱気体が前記はんだの融点
以上の温度を有する。
(6) In a preferred example of the repair device for a semiconductor device according to the present invention, the first hot gas has a temperature equal to or higher than the melting point of the solder.

【0033】本発明の半導体装置のリペア装置の他の好
ましい例では、前記熱気体噴射手段が、前記半導体装置
の一側面側から前記半導体装置と前記基板との間に前記
第1熱気体を噴射する第1吹き出し口を有する。
In another preferred embodiment of the repair device for a semiconductor device according to the present invention, the hot gas injection means injects the first hot gas between the semiconductor device and the substrate from one side of the semiconductor device. A first outlet to be used.

【0034】本発明の半導体装置のリペア装置のさらに
他の好ましい例では、前記加熱手段が、前記半導体装置
と前記基板との間に第2熱気体を噴射する第2吹き出し
口を有する。
In still another preferred example of the repair device for a semiconductor device according to the present invention, the heating means has a second outlet for injecting a second hot gas between the semiconductor device and the substrate.

【0035】本発明の半導体装置のリペア装置のさらに
他の好ましい例では、前記第2吹き出し口の付近に、前
記第1熱気体で吹き飛ばされた前記はんだの入り込みを
防止する弁体が設けられる。
In still another preferred embodiment of the repair device for a semiconductor device according to the present invention, a valve body for preventing the solder blown off by the first hot gas from entering is provided near the second outlet.

【0036】本発明の半導体装置のリペア装置のさらに
他の好ましい例では、前記加熱手段が熱赤外線を放射す
る。
In still another preferred embodiment of the semiconductor device repair device of the present invention, the heating means emits thermal infrared rays.

【0037】本発明の半導体装置のリペア装置のさらに
他の好ましい例では、前記第1熱気体の流動により、吹
き飛ばされた前記はんだを移動せしめて収容する手段を
さらに備える。
In still another preferred embodiment of the repair device for a semiconductor device according to the present invention, the device further comprises means for moving and accommodating the solder blown off by the flow of the first hot gas.

【0038】[0038]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について添付図面を参照しながら説明する。
Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0039】(第1実施形態)図1は、本発明の第1実
施形態の半導体装置のリペア装置を示す。図1(a)は
要部概略平面図であり、図1(b)は図1(a)のA−
A線に沿った概略断面図である。
(First Embodiment) FIG. 1 shows a repair device for a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention. FIG. 1A is a schematic plan view of a main part, and FIG.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view along the line A.

【0040】図1のリペア装置は、ホットエア(すなわ
ち、加熱された空気)を噴射するための2つのエア経路
21、22を有するエアノズル1を備えている。エアノ
ズル1は、プリント基板(図示せず)が載置される基台
8の表面に垂直な方向に延びる、略矩形状の3つの筒部
材11、12、13で構成されている。
The repair apparatus shown in FIG. 1 includes an air nozzle 1 having two air paths 21 and 22 for injecting hot air (ie, heated air). The air nozzle 1 is composed of three substantially rectangular cylindrical members 11, 12, and 13 extending in a direction perpendicular to the surface of a base 8 on which a printed circuit board (not shown) is mounted.

【0041】筒部材11は、リペア対象の半導体装置
(図示せず)の外寸法とほぼ同じ内寸法を有している。
The cylindrical member 11 has substantially the same inner dimensions as the outer dimensions of the semiconductor device (not shown) to be repaired.

【0042】筒部材12は、筒部材11の外寸法より大
きい内寸法を有している。筒部材12は、筒部材11に
対して同心となるように、筒部材11の外部に配置され
ている。
The cylindrical member 12 has an inner dimension larger than the outer dimension of the cylindrical member 11. The tubular member 12 is arranged outside the tubular member 11 so as to be concentric with the tubular member 11.

【0043】筒部材13は、順に接続された4つの部分
13a、13b、13c、13dにより形成されると共
に、筒部材12の外寸法より大きい内寸法を有してい
る。筒部材13は、筒部材12を囲むように、筒部材1
2の外部に配置されている。
The cylindrical member 13 is formed by four portions 13a, 13b, 13c and 13d connected in order and has an inner dimension larger than the outer dimension of the cylindrical member 12. The cylindrical member 13 is arranged so as to surround the cylindrical member 12.
2 outside.

【0044】エア経路21は、筒部材11の外周面と筒
部材12の内周面との間に形成されている。エア経路2
1は、筒部材11の外周面の全体に沿って延在してい
る。エア経路21には、ヒータ5を介してエア供給器4
が接続されており、所定の流量および温度を持つホット
エア31が供給される。
The air path 21 is formed between the outer peripheral surface of the cylindrical member 11 and the inner peripheral surface of the cylindrical member 12. Air path 2
1 extends along the entire outer peripheral surface of the tubular member 11. The air path 21 is provided with an air supply device 4 through a heater 5.
Are connected, and hot air 31 having a predetermined flow rate and temperature is supplied.

【0045】筒部材11、12の下端は、エア経路21
に供給されたホットエア31を噴射する吹き出し口10
aを形成している。吹き出し口10aは、筒部材11の
下端の全周に沿って延在している。吹き出し口10aの
付近には、4つの逆止弁14が設けられている。
The lower ends of the cylindrical members 11 and 12 are
Outlet 10 for injecting hot air 31 supplied to
a. The outlet 10 a extends along the entire periphery of the lower end of the tubular member 11. Four check valves 14 are provided near the outlet 10a.

【0046】逆止弁14は、図6(a)に示すように、
筒部材12を貫通する回転軸18により開閉可能な状態
で支持されている。回転軸18にはつる巻型バネ19が
取り付けられており、このバネ19により逆止弁14が
矢印b1の方向に付勢されている。逆止弁14の開閉動
作は、ホットエア31の加圧力により制御される。
The check valve 14 is, as shown in FIG.
It is supported by a rotating shaft 18 that penetrates the cylindrical member 12 so that it can be opened and closed. A helical spring 19 is attached to the rotating shaft 18, and the check valve 14 is urged by the spring 19 in the direction of arrow b1. The opening and closing operation of the check valve 14 is controlled by the pressure of the hot air 31.

【0047】すなわち、エア経路21にホットエア31
が供給されていない場合には、バネ19の付勢力によ
り、図6(a)に示すように、逆止弁14が閉じて吹き
出し口10aが閉鎖される。他方、エア経路21にホッ
トエア31が供給されている場合には、ホットエア31
の加圧力により、バネ19の付勢力とは逆向きの力が逆
止弁14に作用する。そして、バネ19の付勢力を超え
る力が逆止弁14に作用することにより、図6(b)に
示すように、逆止弁14が矢印b2の方向に開いて吹き
出し口10aからホットエア31が噴射される。
That is, the hot air 31 flows through the air path 21.
6 is not supplied, the check valve 14 is closed and the outlet 10a is closed by the urging force of the spring 19, as shown in FIG. On the other hand, when the hot air 31 is supplied to the air path 21, the hot air 31
, A force opposite to the urging force of the spring 19 acts on the check valve 14. When the force exceeding the urging force of the spring 19 acts on the check valve 14, the check valve 14 opens in the direction of arrow b2 as shown in FIG. 6B, and the hot air 31 is discharged from the outlet 10a. It is injected.

【0048】ホットエア31が噴射される際には、ホッ
トエア31の流れる向きが逆止弁14で転換されるた
め、筒部材11の内方に向けてホットエア31が噴射さ
れる。噴射されたホットエア31は、半導体装置とプリ
ント基板とを接続しているはんだ(図示せず)を加熱・
溶融するために使用される。
When the hot air 31 is injected, the direction in which the hot air 31 flows is changed by the check valve 14, so that the hot air 31 is injected toward the inside of the cylindrical member 11. The jetted hot air 31 heats solder (not shown) connecting the semiconductor device and the printed circuit board.
Used to melt.

【0049】エア経路22は、筒部材13の部分13a
の内面と筒部材12の外面との間に形成されている。エ
ア経路22は、筒部材13の部分13aの内面の全体に
沿って延在している。エア経路22には、ヒータ7を介
してエア供給器6が接続されており、所定の流量および
温度を持つホットエア32が供給される。
The air path 22 is formed by the portion 13a of the cylindrical member 13.
Are formed between the inner surface of the cylindrical member 12 and the outer surface of the tubular member 12. The air path 22 extends along the entire inner surface of the portion 13 a of the tubular member 13. The air supply 22 is connected to the air path 22 via the heater 7, and hot air 32 having a predetermined flow rate and temperature is supplied.

【0050】筒部材12のエア経路22を形成する部分
の下端と筒部材13の部分13aの下端は、エア経路2
2に供給されたホットエア32を噴射する吹き出し口1
0bを形成している。吹き出し口10bは、筒部材13
の部分13aの下端に沿って延在している。吹き出し口
10bから噴射されたホットエア32は、ホットエア3
1によって溶融したはんだを吹き飛ばすために使用され
る。
The lower end of the portion forming the air path 22 of the cylindrical member 12 and the lower end of the portion 13a of the cylindrical member 13
Outlet 1 for injecting hot air 32 supplied to 2
0b. The outlet 10b is connected to the cylindrical member 13
Extend along the lower end of the portion 13a. The hot air 32 injected from the outlet 10b is hot air 3
1 to blow away the molten solder.

【0051】筒部材13の下端は、筒部材11、12の
下端に対して下方に突出している。筒部材13の下端か
ら筒部材11、12の下端までの高さhは、リペア対象
の半導体装置とプリント基板との間隔とほほ同じ寸法に
設定されている。
The lower end of the cylindrical member 13 projects downward with respect to the lower ends of the cylindrical members 11 and 12. The height h from the lower end of the cylindrical member 13 to the lower ends of the cylindrical members 11 and 12 is set to be substantially the same as the distance between the semiconductor device to be repaired and the printed circuit board.

【0052】エアノズル1は、エアノズル上下動機構
(図示せず)により支持されており、矢印a1の方向に
移動可能である。
The air nozzle 1 is supported by an air nozzle vertical movement mechanism (not shown), and is movable in the direction of arrow a1.

【0053】エアノズル1の筒部材11の内部には、貫
通孔23が形成された吸着ノズル2が配置されている。
貫通孔23には、エア吸引器3が接続されている。
Inside the cylindrical member 11 of the air nozzle 1, a suction nozzle 2 having a through hole 23 is arranged.
The air suction device 3 is connected to the through hole 23.

【0054】吸着ノズル2は、リペア対象の半導体装置
を所定の位置に保持するために使用される。すなわち、
吸着ノズル2の底部2aをリペア対象の半導体装置の上
面に接触させながら、エア吸引器3で貫通孔23の内部
の空気を吸引することにより、吸着ノズル2の底部2a
に半導体装置が吸着される。吸着された半導体装置は、
吸着ノズル2により所定の位置に保持される。
The suction nozzle 2 is used to hold the semiconductor device to be repaired at a predetermined position. That is,
While the bottom 2a of the suction nozzle 2 is in contact with the upper surface of the semiconductor device to be repaired, the air inside the through-hole 23 is sucked by the air suction device 3 to thereby form the bottom 2a of the suction nozzle 2.
The semiconductor device is sucked. The adsorbed semiconductor device is
It is held at a predetermined position by the suction nozzle 2.

【0055】吸着ノズル2は、吸着ノズル上下動機構
(図示せず)により支持されており、矢印a2の方向に
移動可能である。
The suction nozzle 2 is supported by a suction nozzle vertical movement mechanism (not shown), and is movable in the direction of arrow a2.

【0056】エアノズル1の筒部材13の外部には、ホ
ットエア31によって吹き飛ばされたはんだ(図示せ
ず)を収容するためのはんだ収容部9が設けられてい
る。はんだ収容部9は、ほぼ逆J字形の断面形状を持つ
内部空間24が形成された本体15を有している。
Outside the cylindrical member 13 of the air nozzle 1, there is provided a solder accommodating portion 9 for accommodating the solder (not shown) blown off by the hot air 31. The solder container 9 has a main body 15 in which an internal space 24 having a substantially inverted J-shaped cross section is formed.

【0057】はんだ収容部9の本体15は、筒部材13
の部分13cと一体で形成されており、ホットエア排出
口15aとはんだ取り出し口15bとを有している。ホ
ットエア排出口15aには、ホットエア32が通過可能
なフィルタ16が設けられている。はんだ取り出し口1
5bには、収容されたはんだを取り出すための蓋17が
設けられている。
The main body 15 of the solder container 9 is
And has a hot air outlet 15a and a solder outlet 15b. A filter 16 through which hot air 32 can pass is provided at the hot air outlet 15a. Solder outlet 1
5b is provided with a lid 17 for taking out the contained solder.

【0058】次に、図1のリペア装置を使用したリペア
方法について説明する。
Next, a repair method using the repair device of FIG. 1 will be described.

【0059】図2、図3、図4および図5は、図1のリ
ペア装置の動作を示す要部概略断面図である。
FIGS. 2, 3, 4 and 5 are schematic sectional views showing the operation of the repair device of FIG.

【0060】まず、図2に示すように、基台8上の所定
の位置にプリント基板42を載置して固定する。プリン
ト基板42の表面には電極パッド43と配線(図示せ
ず)とが形成されており、電極パッド43にはんだ44
を介してリペア対象の半導体装置41が接続されてい
る。半導体装置41とプリント基板42との間には、間
隙25が形成されている。
First, as shown in FIG. 2, the printed circuit board 42 is placed and fixed at a predetermined position on the base 8. An electrode pad 43 and a wiring (not shown) are formed on the surface of the printed board 42, and a solder 44 is attached to the electrode pad 43.
Is connected to the semiconductor device 41 to be repaired. A gap 25 is formed between the semiconductor device 41 and the printed board 42.

【0061】次に、エアノズル1の先端(すなわち、筒
部材13の下端)がプリント基板42の表面に接触する
までエアノズル1を下方に移動させて、エアノズル1の
筒部材11の内部に半導体装置41を挿入する。この
時、半導体装置41とプリント基板42との間の間隙2
5は、エアノズル1の筒状部材13で囲まれると共に、
エアノズル1のエア経路22とはんだ収容部9の内部空
間24とに連通する。
Next, the air nozzle 1 is moved downward until the tip of the air nozzle 1 (that is, the lower end of the cylindrical member 13) contacts the surface of the printed circuit board 42, and the semiconductor device 41 is placed inside the cylindrical member 11 of the air nozzle 1. Insert At this time, the gap 2 between the semiconductor device 41 and the printed circuit board 42
5 is surrounded by the cylindrical member 13 of the air nozzle 1 and
It communicates with the air path 22 of the air nozzle 1 and the internal space 24 of the solder container 9.

【0062】続いて、吸着ノズル2の底部2aが半導体
装置41の上面に接触するまで吸着ノズル2を下方に移
動させた後、エア吸引器3で吸着ノズル2の貫通孔26
の内部を吸引することにより、半導体装置41を吸着ノ
ズル2で吸着する。これにより、半導体装置41の位置
が保持される。この時の状態は、図2に示す通りであ
る。
Subsequently, the suction nozzle 2 is moved downward until the bottom 2 a of the suction nozzle 2 contacts the upper surface of the semiconductor device 41, and then the through-hole 26 of the suction nozzle 2 is moved by the air suction device 3.
The semiconductor device 41 is sucked by the suction nozzle 2 by sucking the inside of the device. Thus, the position of the semiconductor device 41 is maintained. The state at this time is as shown in FIG.

【0063】次に、図3に示すように、エア供給器4お
よびヒータ5を動作させて、エアノズル1のエア経路2
1にホットエア31を供給する。供給されたホットエア
31の加圧力により逆止弁14が開き、ホットエア31
がエアノズル1の吹き出し口10aから噴射される。
Next, as shown in FIG. 3, the air supply device 4 and the heater 5 are operated to operate the air path 2 of the air nozzle 1.
1 is supplied with hot air 31. The check valve 14 is opened by the pressure of the supplied hot air 31, and the hot air 31
Is ejected from the outlet 10 a of the air nozzle 1.

【0064】上述したように、吹き出し口10aは半導
体装置41が挿入された筒部材11の下端の全周に沿っ
て延在しているため、半導体装置41の全ての側面側か
ら半導体装置41とプリント基板42との間隙25に向
けてホットエア31が噴射される。さらに、間隙25は
筒状部材13で囲まれているため、ホットエア31が噴
射された間隙25の内部の温度が急激に上昇する。その
結果、はんだ44が効率良く加熱されて溶融する。
As described above, the outlet 10a extends along the entire circumference of the lower end of the cylindrical member 11 into which the semiconductor device 41 is inserted. Hot air 31 is jetted toward gap 25 between printed circuit board 42. Furthermore, since the gap 25 is surrounded by the cylindrical member 13, the temperature inside the gap 25 from which the hot air 31 has been injected sharply rises. As a result, the solder 44 is efficiently heated and melted.

【0065】この時、半導体装置41の位置が吸着ノズ
ル2で保持されている。そのため、はんだ44が溶融し
ても、半導体装置41とプリント基板42との間隙25
が確保される。
At this time, the position of the semiconductor device 41 is held by the suction nozzle 2. Therefore, even if the solder 44 is melted, the gap 25 between the semiconductor device 41 and the printed circuit board 42 is reduced.
Is secured.

【0066】なお、噴射されるホットエア31の温度お
よび流量は、はんだ44を容易に溶融可能な程度に設定
される。
The temperature and flow rate of the hot air 31 to be sprayed are set so that the solder 44 can be easily melted.

【0067】続いて、図4に示すように、エア供給器4
およびヒータ5の動作を停止することによりエアノズル
1のエア経路21へのホットエア31の供給を停止する
と同時に、エア供給器6とヒータ7を動作させることに
よりエアノズル1のエア経路22にホットエア32を供
給する。エア経路22に供給されたホットエア32は、
エアノズル1の吹き出し口10bから噴射される。
Subsequently, as shown in FIG.
The supply of hot air 31 to the air path 21 of the air nozzle 1 is stopped by stopping the operation of the heater 5 and the hot air 32 is supplied to the air path 22 of the air nozzle 1 by operating the air supply device 6 and the heater 7. I do. The hot air 32 supplied to the air path 22 is
It is injected from the outlet 10b of the air nozzle 1.

【0068】上述したように、吹き出し口10bは、筒
部材13の部分13aの下端に沿って延在している。そ
のため、半導体装置41の一側面側から半導体装置41
とプリント基板42との間隙25に向けて、ホットエア
32が噴射される。さらに、間隙25は、筒状部材13
で囲まれると共に、エア経路22とはんだ収容部9の内
部空間24とに連通している。そのため、図4に示すよ
うに、吹き出し口10bから噴射されたホットエア32
は、間隙25を通ってはんだ収容部9の内部空間24に
導入され、はんだ収容部9のホットエア排出口15aか
ら排出される。このようなホットエア32の経路が形成
されることにより、ホットエア32が間隙25に留まる
ことがなく、ホットエア32の対流が防止される。
As described above, the outlet 10b extends along the lower end of the portion 13a of the tubular member 13. Therefore, the semiconductor device 41 is
The hot air 32 is jetted toward the gap 25 between the substrate and the printed board 42. Further, the gap 25 is formed in the cylindrical member 13.
, And communicates with the air path 22 and the internal space 24 of the solder accommodating portion 9. Therefore, as shown in FIG. 4, the hot air 32 injected from the outlet 10b
Is introduced into the internal space 24 of the solder container 9 through the gap 25 and is discharged from the hot air outlet 15 a of the solder container 9. By forming such a path of the hot air 32, the hot air 32 does not stay in the gap 25, and convection of the hot air 32 is prevented.

【0069】ホットエア32が間隙25を通る際には、
溶融したはんだ44が吹き飛ばされて除去される。それ
により、はんだ44を介してプリント基板42に接続さ
れていた半導体装置41が、吸着ノズル2により所定の
位置に保持された状態で、プリント基板42から分離さ
れる。
When the hot air 32 passes through the gap 25,
The melted solder 44 is blown off and removed. Thus, the semiconductor device 41 connected to the printed board 42 via the solder 44 is separated from the printed board 42 while being held at a predetermined position by the suction nozzle 2.

【0070】吹き飛ばされたはんだ44は、ホットエア
32の流動に従って図4の矢印33で示すように移動
し、はんだ収容部9の内部空間24を通ってホットエア
排出口15aに向かう。そして、フィルタ16によりホ
ットエア排出口15aからの排出が防止されたはんだ4
4は、はんだ収容部9の蓋17の上に堆積される。こう
して、はんだ44がはんだ収容部9の内部に蓄積され
る。
The blown solder 44 moves as indicated by an arrow 33 in FIG. 4 according to the flow of the hot air 32 and passes through the internal space 24 of the solder accommodating section 9 toward the hot air discharge port 15a. The solder 4 whose discharge from the hot air discharge port 15a is prevented by the filter 16
4 is deposited on the lid 17 of the solder container 9. Thus, the solder 44 accumulates inside the solder accommodating portion 9.

【0071】エアノズル1の吹き出し口10bから噴射
されるホットエア32の温度は、はんだ44の融点以上
に設定される。例えば、はんだ44にSnPb共晶はん
だが使用されている場合には183℃以上に設定され、
SnAgCu系鉛フリーはんだが使用されている場合に
は220℃以上に設定される。これにより、ホットエア
31の噴射により溶融したはんだ44を凝固させずに、
ホットエア32の噴射で容易に吹き飛ばすことができ
る。
The temperature of the hot air 32 injected from the outlet 10 b of the air nozzle 1 is set to be equal to or higher than the melting point of the solder 44. For example, when SnPb eutectic solder is used for the solder 44, the temperature is set to 183 ° C. or higher,
When SnAgCu-based lead-free solder is used, the temperature is set to 220 ° C. or higher. Thereby, without solidifying the solder 44 melted by the injection of the hot air 31,
The hot air 32 can be easily blown off.

【0072】また、ホットエア32の流量は、溶融状態
にあるはんだ44を容易に吹き飛ばすことが可能な程度
に設定される。
The flow rate of the hot air 32 is set to such an extent that the solder 44 in the molten state can be easily blown off.

【0073】上述したように、ホットエア32がエアノ
ズル1のエア経路22に供給される際には、ホットエア
31の供給は停止されており、逆止弁14が閉じてエア
ノズル1の吹き出し口10aが閉鎖されている。そのた
め、エアノズル1の吹き出し口1bから噴射されるホッ
トエア32が、エアノズル1のエア経路21に流入する
ことがない。さらに、ホットエア32により吹き飛ばさ
れたはんだ44が、エアノズル1のエア経路21に入り
込むことがない。
As described above, when the hot air 32 is supplied to the air path 22 of the air nozzle 1, the supply of the hot air 31 is stopped, the check valve 14 is closed, and the outlet 10a of the air nozzle 1 is closed. Have been. Therefore, the hot air 32 injected from the outlet 1 b of the air nozzle 1 does not flow into the air path 21 of the air nozzle 1. Further, the solder 44 blown off by the hot air 32 does not enter the air path 21 of the air nozzle 1.

【0074】次に、図5に示すように、はんだ44がほ
ぼ完全に除去された状態で、エア供給器6およびヒータ
7の動作を停止してエア経路22へのホットエア32の
供給を停止する。そして、吸着ノズル2で半導体装置4
1を吸着したまま吸着ノズル2を上方に移動させること
により、半導体装置41がプリント基板42から取り外
される。
Next, as shown in FIG. 5, when the solder 44 is almost completely removed, the operation of the air supply device 6 and the heater 7 is stopped, and the supply of the hot air 32 to the air path 22 is stopped. . Then, the semiconductor device 4 is sucked by the suction nozzle 2.
The semiconductor device 41 is removed from the printed circuit board 42 by moving the suction nozzle 2 upward while holding the device 1.

【0075】なお、はんだ収容部9の内部に蓄積された
はんだ44は、随時、はんだ収容部9の蓋17を開けて
取り出される。
The solder 44 accumulated in the solder housing 9 is taken out by opening the lid 17 of the solder housing 9 at any time.

【0076】こうして、半導体装置41が取り外された
後、図1のリペア装置を使用してプリント基板42への
代替の半導体装置の取り付けが行われる。
After the semiconductor device 41 is removed in this way, the replacement semiconductor device is mounted on the printed circuit board 42 using the repair device of FIG.

【0077】すなわち、プリント基板42の電極パッド
43上にクリームはんだをスクリーン印刷などにより塗
布した後、プリント基板42上に代替の半導体装置を載
置する。そして、ホットエア31をエアノズル1の吹き
出し口10aから噴射することにより、クリームはんだ
を加熱・溶融して代替の半導体装置をプリント基板42
に接続する。
That is, after a cream solder is applied on the electrode pads 43 of the printed circuit board 42 by screen printing or the like, an alternative semiconductor device is mounted on the printed circuit board 42. Then, by injecting hot air 31 from the outlet 10a of the air nozzle 1, the cream solder is heated and melted to replace the alternative semiconductor device with the printed circuit board 42.
Connect to

【0078】以上述べたように、本発明の第1実施形態
の半導体装置のリペア装置およびリペア方法では、半導
体装置41が吸着ノズル2により所定の位置に保持され
た状態で、エアノズル1の吹き出し口10aからホット
エア31を噴射して、半導体装置41とプリント基板4
2とを接続しているはんだ44を加熱・溶融した直後
に、エアノズル1の吹き出し口10bからホットエア3
2を噴射して、溶融状態にあるはんだ44を吹き飛ば
す。それにより、溶融したはんだ44を凝固させずに除
去して、半導体装置41とプリント基板42とを分離す
る。
As described above, in the semiconductor device repair apparatus and the repair method according to the first embodiment of the present invention, while the semiconductor device 41 is held at a predetermined position by the suction nozzle 2, the outlet of the air nozzle 1 is opened. The hot air 31 is injected from 10a, and the semiconductor device 41 and the printed circuit board 4 are injected.
Immediately after heating and melting the solder 44 connecting the hot air 3 and the hot air 3 through the outlet 10 b of the air nozzle 1.
2 is blown to blow off the solder 44 in the molten state. Thus, the molten solder 44 is removed without solidifying, and the semiconductor device 41 and the printed circuit board 42 are separated.

【0079】そのため、半導体装置41とプリント基板
42とを分離する際に、プリント基板42上にはんだ残
査がほとんど生じない。したがって、上述した従来技術
のように、半導体装置を取り外した後に、はんだを加熱
・溶融しながらはんだ残渣を除去する工程を設ける必要
がなくなるので、リペアの作業工数が減少する。
Therefore, when the semiconductor device 41 and the printed board 42 are separated, little solder residue is generated on the printed board 42. Therefore, it is not necessary to provide a step of removing the solder residue while heating and melting the solder after removing the semiconductor device as in the above-described related art, so that the number of repair work is reduced.

【0080】また、はんだ残渣を除去する必要がないの
で、上述した従来技術に比べて、プリント基板42の電
極パッド43や配線に加わる機械的ストレス、および基
板に加わる熱的ストレスを減少させることができる。し
たがって、基板の破損や劣化を防止することができる。
Further, since it is not necessary to remove the solder residue, it is possible to reduce the mechanical stress applied to the electrode pads 43 and the wiring of the printed circuit board 42 and the thermal stress applied to the substrate, as compared with the above-described conventional technology. it can. Therefore, breakage and deterioration of the substrate can be prevented.

【0081】さらに、ホットエア32によって吹き飛ば
されたはんだ44は、はんだ収容部9に移動して収容さ
れる。そのため、吹き飛ばされたはんだ44がプリント
基板42上に付着するのを防止することができる。
Further, the solder 44 blown off by the hot air 32 is moved to and accommodated in the solder accommodating portion 9. Therefore, it is possible to prevent the blown solder 44 from adhering to the printed circuit board 42.

【0082】(第2実施形態)図7は、本発明の第2実
施形態のリペア装置を示す要部概略断面図である。な
お、図7では、リペア対象の半導体装置41が接続され
たプリント基板42を併せて示している。
(Second Embodiment) FIG. 7 is a schematic sectional view showing a main part of a repair device according to a second embodiment of the present invention. FIG. 7 also shows a printed circuit board 42 to which the semiconductor device 41 to be repaired is connected.

【0083】図7のリペア装置は、エア経路22が形成
されていないエアノズル1Aを使用すると共に、エア供
給器4およびヒータ5を省略し、且つはんだ44を加熱
・溶融する手段として赤外線ヒータ51を使用している
点で、第1実施形態のリペア装置と異なっている。それ
以外の構成は、第1実施形態のリペア装置のそれと同じ
である。よって、図7において、図7において同一また
は対応する構成要素に図1と同じ符号を付して、同一構
成の部分についての説明は省略する。
The repair device shown in FIG. 7 uses an air nozzle 1A in which the air path 22 is not formed, omits the air supply device 4 and the heater 5, and uses an infrared heater 51 as a means for heating and melting the solder 44. It differs from the repair device of the first embodiment in that it is used. The rest of the configuration is the same as that of the repair device of the first embodiment. Therefore, in FIG. 7, the same or corresponding components in FIG. 7 are denoted by the same reference numerals as in FIG. 1, and the description of the same components will be omitted.

【0084】図7のリペア装置では、エアノズル1Aが
筒部材11と13とで構成される。そして、筒部材11
の外面と筒部材13の内面との間に、エア経路22が形
成される。筒部材11、13の下端は、エア経路22に
供給されたホットエア32を噴射する吹き出し口10b
を形成している。
In the repair device shown in FIG. 7, the air nozzle 1A is composed of cylindrical members 11 and 13. And the cylindrical member 11
An air path 22 is formed between the outer surface of the cylindrical member 13 and the inner surface of the cylindrical member 13. A lower end of each of the cylindrical members 11 and 13 has an outlet 10 b for injecting the hot air 32 supplied to the air path 22.
Is formed.

【0085】エアノズル1Aの筒部材11の上端には、
赤外線ヒータ51が設けられている。赤外線ヒータ51
は、エアノズル1Aの筒部材11の内部に熱を放射す
る。
At the upper end of the cylindrical member 11 of the air nozzle 1A,
An infrared heater 51 is provided. Infrared heater 51
Radiates heat to the inside of the cylindrical member 11 of the air nozzle 1A.

【0086】図7のリペア装置では、赤外線ヒータ51
から放射された熱が半導体装置41を介してはんだ44
に伝導し、はんだ44が加熱・溶融される。そして、第
1実施形態と同様に、エアノズル1Aの吹き出し口10
bから噴射されたホットエア32により、溶融したはん
だ44が吹き飛ばされて除去される。
In the repair device shown in FIG.
Heat radiated from the semiconductor device 41 through the solder 44
And the solder 44 is heated and melted. Then, similarly to the first embodiment, the outlet 10 of the air nozzle 1A
The melted solder 44 is blown off and removed by the hot air 32 injected from b.

【0087】本発明の第2実施形態においても、第1実
施形態と同様の効果が得られる。
In the second embodiment of the present invention, the same effects as in the first embodiment can be obtained.

【0088】すなわち、半導体装置41とプリント基板
42とを分離する際に、プリント基板42上にはんだ残
査がほとんど生じない。そのため、リペアの作業工数が
減少する。
That is, when the semiconductor device 41 and the printed circuit board 42 are separated, little solder residue is generated on the printed circuit board 42. Therefore, the number of repair man-hours is reduced.

【0089】また、プリント基板42の電極パッド43
や配線に加わる機械的ストレス、およびプリント基板4
2に加わる熱的ストレスを減少させることができる。そ
のため、プリント基板42の破損や劣化を防止すること
ができる。
The electrode pads 43 on the printed circuit board 42
Stress on wiring and wiring, and printed circuit board 4
2 can be reduced. Therefore, breakage and deterioration of the printed circuit board 42 can be prevented.

【0090】さらに、第1実施形態のリペア装置に比
べ、エアノズル1Aの構造が簡単になり、エア供給器4
およびヒータ5も不要となるので、リペア装置全体の構
成が簡略化できる。
Further, the structure of the air nozzle 1A is simpler than that of the repair device of the first embodiment, and
Further, since the heater 5 is not required, the configuration of the repair device as a whole can be simplified.

【0091】(変形例)なお、上記第1および第2の実
施形態は、本発明の好適な例を示すものである。本発明
はこれら実施形態に限定されず、種々の変更が可能なこ
とは言うまでもない。
(Modifications) The first and second embodiments show preferred examples of the present invention. The present invention is not limited to these embodiments, and it goes without saying that various modifications are possible.

【0092】例えば、第1および第2の実施形態におい
て、基台8の下方に配置された加熱手段を追加すること
も可能であるし、基板42の反りを抑える機構を追加す
ることもできる。
For example, in the first and second embodiments, a heating means disposed below the base 8 can be added, and a mechanism for suppressing the warpage of the substrate 42 can be added.

【0093】さらに、ホットエア31、32に代えて、
窒素などの不活性ガスを加熱したものを使用することも
勿論可能である。
Further, instead of the hot air 31, 32,
Of course, it is also possible to use a heated inert gas such as nitrogen.

【0094】また、第1実施形態では、逆止弁14の開
閉動作をホットエア31の加圧力で制御しているが、例
えば、ソレノイドとセンサとを用いた電気的な制御機構
を使用して逆止弁14の開閉動作を制御してもよい。
In the first embodiment, the opening / closing operation of the check valve 14 is controlled by the pressing force of the hot air 31. For example, the opening / closing operation of the check valve 14 is controlled by an electric control mechanism using a solenoid and a sensor. The opening and closing operation of the stop valve 14 may be controlled.

【0095】[0095]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置のリペア方法およびリペア装置によれば、半導体装置
と基板とを分離する際に、基板上にはんだ残査がほとん
ど生じない。そのため、リペアの作業工数が減少する。
As described above, according to the method and apparatus for repairing a semiconductor device of the present invention, when the semiconductor device is separated from the substrate, little solder residue is generated on the substrate. Therefore, the number of repair man-hours is reduced.

【0096】また、電極パッドや配線に加わる機械的ス
トレス、および基板に加わる熱的ストレスを減少させる
ことができる。そのため、基板の破損や劣化を防止する
ことができる。
Further, the mechanical stress applied to the electrode pads and wirings and the thermal stress applied to the substrate can be reduced. Therefore, breakage and deterioration of the substrate can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)は本発明の第1実施形態のリペア装置を
示す要部概略平面図、(b)はそのA−A線に沿った要
部概略断面図である。
FIG. 1A is a schematic plan view of a main part of a repair device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a schematic cross-sectional view of the main part along line AA.

【図2】本発明の第1実施形態のリペア装置の動作を示
す要部概略断面図である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a main part showing an operation of the repair device according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1実施形態のリペア装置の動作を示
す要部概略断面図で、図2の続きである。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a main part showing an operation of the repair device according to the first embodiment of the present invention, which is a continuation of FIG. 2;

【図4】本発明の第1実施形態のリペア装置の動作を示
す要部概略断面図で、図3の続きである。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a main part showing an operation of the repair device of the first embodiment of the present invention, which is a continuation of FIG.

【図5】本発明の第1実施形態のリペア装置の動作を示
す要部概略断面図で、図4の続きである。
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a main part showing an operation of the repair device of the first embodiment of the present invention, which is a continuation of FIG. 4;

【図6】(a)は本発明の第1実施形態のリペア装置に
おける逆止弁が閉じた状態を示す図1(b)の部分拡大
断面図、(b)は逆止弁が開いた状態を示す図1(b)
の部分拡大断面図である。
6 (a) is a partially enlarged cross-sectional view of FIG. 1 (b) showing a state where the check valve is closed in the repair device according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 6 (b) is a state where the check valve is open FIG. 1 (b) showing
It is the elements on larger scale sectional view.

【図7】本発明の第2実施形態のリペア装置を示す要部
概略断面図である。
FIG. 7 is a schematic sectional view of a main part showing a repair device according to a second embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、1A エアノズル 2 吸着ノズル 2a 吸着ノズルの底部 3 エア吸引器 4、6 エア供給器 5、7 ヒータ 8 基台 9 はんだ収容部 10a、10b ホットエアの吹き出し口 11、12、13 エアノズルの筒部材 13a 筒部材13の第1部分 13b 筒部材13の第2部分 13c 筒部材13の第3部分 13d 筒部材13の第4部分 14 逆止弁 15 はんだ収容部の本体 15a ホットエアの排出口 15b はんだ片の取り出し口 16 フィルタ 17 蓋 18 回転軸 19 つる巻型バネ 21、22 エア経路 23 吸着ノズルの貫通孔 24 はんだ収容部の内部空間 25 半導体装置とプリント基板との間隙 31、32 ホットエア 33 はんだ移動経路 41 半導体装置 42 プリント基板 43 電極パッド 44 はんだ 51 赤外線ヒータ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1A Air nozzle 2 Suction nozzle 2a Bottom of suction nozzle 3 Air suction unit 4, 6 Air supply unit 5, 7 Heater 8 Base 9 Solder storage unit 10a, 10b Hot air outlet 11, 12, 13 Air nozzle tube member 13a The first part 13b of the cylindrical member 13b The second part 13c of the cylindrical member 13c The third part 13d of the cylindrical member 13d The fourth part of the cylindrical member 13 The check valve 15 The main body of the solder accommodating part 15a The outlet of hot air 15b Take-out port 16 Filter 17 Lid 18 Rotating shaft 19 Hanging spring 21, 22 Air path 23 Through-hole of suction nozzle 24 Internal space of solder storage part 25 Gap between semiconductor device and printed board 31, 32 Hot air 33 Solder movement path 41 Semiconductor device 42 Printed circuit board 43 Electrode pad 44 Solder 51 Infrared heater

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板にはんだを介して接続される半導体
装置のリペア方法において、 前記基板に対して前記半導体装置を所定の位置に保持し
ながら、前記はんだを加熱して溶融し、溶融した前記は
んだを第1熱気体の噴射により吹き飛ばして除去し、も
って前記半導体装置と前記基板とを分離することを特徴
とする半導体装置のリペア方法。
1. A method of repairing a semiconductor device connected to a substrate via solder, wherein the solder is heated and melted while holding the semiconductor device at a predetermined position with respect to the substrate. A method for repairing a semiconductor device, wherein the semiconductor device is separated from the substrate by blowing off and removing the solder by spraying a first hot gas.
【請求項2】 前記第1熱気体が前記はんだの融点以上
の温度を有する請求項1に記載の半導体装置のリペア方
法。
2. The method according to claim 1, wherein the first hot gas has a temperature equal to or higher than a melting point of the solder.
【請求項3】 前記半導体装置の一側面側から前記半導
体装置と前記基板との間に前記第1熱気体を噴射する請
求項1または2に記載の半導体装置のリペア方法。
3. The repair method for a semiconductor device according to claim 1, wherein the first hot gas is injected between the semiconductor device and the substrate from one side surface of the semiconductor device.
【請求項4】 前記半導体装置と前記基板との間に第2
熱気体を噴射することにより、前記はんだを加熱して溶
融する請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置のリ
ペア方法。
4. A second device between the semiconductor device and the substrate.
The method for repairing a semiconductor device according to claim 1, wherein the solder is heated and melted by injecting a hot gas.
【請求項5】 熱赤外線を放射することにより、前記は
んだを加熱して溶融する請求項1〜3のいずれかに記載
の半導体装置のリペア方法。
5. The semiconductor device repair method according to claim 1, wherein the solder is heated and melted by radiating thermal infrared rays.
【請求項6】 前記第1熱気体の流動により、吹き飛ば
された前記はんだを所定の位置に移動せしめる請求項1
〜5のいずれかに記載の半導体装置のリペア方法。
6. The blown solder is moved to a predetermined position by the flow of the first hot gas.
6. The method for repairing a semiconductor device according to any one of items 1 to 5.
【請求項7】 基板にはんだを介して接続される半導体
装置のリペア装置において、 前記基板に対して前記半導体装置を所定の位置に保持す
る保持手段と、 前記はんだを加熱して溶融する加熱手段と、 第1熱気体を噴射する熱気体噴射手段とを備え、 前記半導体装置を前記保持手段で保持しながら、前記加
熱手段で前記はんだを溶融し、溶融した前記はんだを前
記熱気体噴射手段から噴射される前記第1熱気体で吹き
飛ばして除去し、もって前記半導体装置と前記基板とを
分離することを特徴とする半導体装置のリペア装置。
7. A repair device for a semiconductor device connected to a substrate via solder, wherein the holding device holds the semiconductor device at a predetermined position with respect to the substrate, and the heating device heats and melts the solder. And a hot gas injecting means for injecting a first hot gas, wherein the solder is melted by the heating means while the semiconductor device is held by the holding means, and the molten solder is discharged from the hot gas injecting means. A semiconductor device repair apparatus, characterized in that the semiconductor device and the substrate are separated by blowing away the first hot gas to be blown away.
【請求項8】 前記第1熱気体が前記はんだの融点以上
の温度を有する請求項7に記載の半導体装置のリペア装
置。
8. The repair device according to claim 7, wherein the first hot gas has a temperature equal to or higher than a melting point of the solder.
【請求項9】 前記熱気体噴射手段が、前記半導体装置
の一側面側から前記半導体装置と前記基板との間に前記
第1熱気体を噴射する第1吹き出し口を有する請求項7
または8に記載の半導体装置のリペア装置。
9. The semiconductor device according to claim 7, wherein said hot gas injection means has a first outlet for injecting said first hot gas from between said semiconductor device and said substrate from one side of said semiconductor device.
Or a repair device for a semiconductor device according to item 8.
【請求項10】 前記加熱手段が、前記半導体装置と前
記基板との間に第2熱気体を噴射する第2吹き出し口を
有する請求項7〜9のいずれかに記載の半導体装置のリ
ペア装置。
10. The repair device for a semiconductor device according to claim 7, wherein said heating means has a second outlet for injecting a second hot gas between said semiconductor device and said substrate.
【請求項11】 前記第2吹き出し口の付近に、前記第
1熱気体で吹き飛ばされた前記はんだの入り込みを防止
する弁体が設けられる請求項10に記載の半導体装置の
リペア装置。
11. The repair device for a semiconductor device according to claim 10, wherein a valve body for preventing the solder blown off by the first hot gas from entering is provided near the second outlet.
【請求項12】 前記加熱手段が熱赤外線を放射する請
求項7〜9のいずれかに記載の半導体装置のリペア装
置。
12. The repair device for a semiconductor device according to claim 7, wherein said heating means emits thermal infrared rays.
【請求項13】 前記第1熱気体の流動により、吹き飛
ばされた前記はんだを移動せしめて収容する手段をさら
に備える請求項7〜12のいずれかに記載の半導体装置
のリペア装置。
13. The repair device for a semiconductor device according to claim 7, further comprising: means for moving and accommodating the solder blown off by the flow of the first hot gas.
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