JP2002318283A - ２次元アレイ型放射線検出器とそのｘ線遮蔽壁の製造方法 - Google Patents
２次元アレイ型放射線検出器とそのｘ線遮蔽壁の製造方法Info
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- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ２次元方向の散乱Ｘ線を除去し、画素ピッチ
との干渉縞、グリッド板傾斜による濃淡縞を発生しない
２次元アレイ型放射線検出器を提供する。 【解決手段】 板状の感光性ガラス１に、フォトマスク
を用いて、Ｘ線検出部の画素ピッチのｎ倍（ｎは整数）
となるピッチで、紫外線光源により光露光を行い、加熱
現像処理で結晶化させ、再露光後、エッチングしてＸ線
入射方向に格子溝をつくり、Ｘ線吸収材を充填して表面
に２次元状の表面縦溝遮蔽２と表面横溝遮蔽３を、裏面
に２次元状の裏面縦溝遮蔽２ａと裏面横溝遮蔽３ａを形
成したグリッドを製作する。そして、ＴＦＴガラス基板
５上に設けられたシンチレータ７と光電変換素子６と走
査回路８からなるＸ線検出部に、画素と一致するように
スペーサ４を用いて精度よく前面にグリッドを配置す
る。
との干渉縞、グリッド板傾斜による濃淡縞を発生しない
２次元アレイ型放射線検出器を提供する。 【解決手段】 板状の感光性ガラス１に、フォトマスク
を用いて、Ｘ線検出部の画素ピッチのｎ倍（ｎは整数）
となるピッチで、紫外線光源により光露光を行い、加熱
現像処理で結晶化させ、再露光後、エッチングしてＸ線
入射方向に格子溝をつくり、Ｘ線吸収材を充填して表面
に２次元状の表面縦溝遮蔽２と表面横溝遮蔽３を、裏面
に２次元状の裏面縦溝遮蔽２ａと裏面横溝遮蔽３ａを形
成したグリッドを製作する。そして、ＴＦＴガラス基板
５上に設けられたシンチレータ７と光電変換素子６と走
査回路８からなるＸ線検出部に、画素と一致するように
スペーサ４を用いて精度よく前面にグリッドを配置す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、２次元アレイ型放
射線検出器に係わり、特に、Ｘ線フラットパネルディテ
クタの散乱線除去用のグリッド、もしくは、Ｘ線コーン
ビームＣＴの散乱線除去用のコリメータに用いられるＸ
線遮蔽壁及びその製造方法に関する。
射線検出器に係わり、特に、Ｘ線フラットパネルディテ
クタの散乱線除去用のグリッド、もしくは、Ｘ線コーン
ビームＣＴの散乱線除去用のコリメータに用いられるＸ
線遮蔽壁及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線によって被検者を透視し、撮影して
診断するとき、被検者で散乱する散乱Ｘ線は、入射Ｘ線
とはほとんど無関係な方向に放射されるため、被検者の
有用な情報を伝達せず画質を低下させる。そのため、透
視・撮影において散乱Ｘ線量を低減することは高画質を
得るために重要なことである。Ｘ線検出部に入射する散
乱Ｘ線の量が減少すると、Ｘ線像のコントラストが向上
する。そのためにＸ線検出部の前面にグリッドが備えら
れる。グリッドは、Ｘ線吸収の大きい金属のはく（Ｘ線
遮蔽壁）と、Ｘ線吸収の小さい中間物質の薄板を交互に
並べ板状にしたもので、金属のはくによって方向性の定
まらない散乱Ｘ線を吸収し減少させる。図６に、被検者
２９で散乱した散乱Ｘ線３２がグリッド３４で除去され
る様子を示す。Ｘ線管焦点３０から放射されたＸ線は、
被検者２９に入射Ｘ線（一次Ｘ線）３１として照射さ
れ、被検者２９をまっすぐに透過した透過Ｘ線３３と、
散乱した散乱Ｘ線（二次Ｘ線）３２となる。透過Ｘ線３
３はグリッド３４を透過しその背後に設けられたＸ線検
出部３８に入射する。散乱Ｘ線３２は、グリッド３４の
Ｘ線遮蔽壁３５に吸収され消滅する。グリッド３４は、
Ｘ線吸収の大きい金属のはく（主に鉛）などからなるＸ
線遮蔽壁３５と、Ｘ線吸収の小さい中間物質３６（アル
ミニウム、紙、木、合成樹脂、カーボン樹脂など）の薄
板を交互に並べ、Ｘ線入射側とＸ線検出部３８側の両面
を保持板３７で補強した板状のものである。そのグリッ
ド密度は、４０〜６０本／ｃｍのものが使われている。
上記のグリッド３４に対するＸ線検出部３８として、Ｘ
線フイルムを用いるもの、イメージインテンシファイア
を用いるもの、フラットパネルディテクタを用いるもの
等がある。フラットパネルディテクタは、Ｘ線の照射強
度に応じて良好な光導電特性を有し、電荷信号を発生す
るフラットな形状をしたフラットパネルディテクタ（Ｆ
ＰＤ）である。このようなフラットパネルのＸ線撮影装
置を、従来のＸ線透視撮影台に組込むことにより、Ｘ線
フイルムカセッテやカセッテレスの速写装置に比べて、
大きな空間を占有することが無く全体が小型になり、し
かも、軽量であるので、Ｘ線透視撮影台の操作性が向上
する。さらに、フイルム現像処理を必要としないので、
電気的な画像処理によって迅速に撮影画像を得ることが
できる。このＦＰＤは、通常、Ｘ線を光に変換するＸ線
変換膜と、その直下に行列状に配置されたフォトダイオ
ードアレイと、各フォトダイオードアレイに接続された
ＴＦＴスイッチによって構成され、Ｘ線照射後、各ＴＦ
Ｔスイッチを順次ＯＮすることで、各画素に蓄積された
信号電荷を読み出しＸ線画像を形成するタイプのもの
と、放射線に感応し入射線量に対応した電荷信号を直接
出力する変換層からなる放射線センサーアレイを有し、
その直下に行列状に配置され電極にＴＦＴスイッチが接
続され、照射時に各ＴＦＴスイッチを順次ＯＮすること
で、各画素に蓄積された信号電荷を読み出し、Ｘ線画像
を形成するタイプの２種類のものがある。
診断するとき、被検者で散乱する散乱Ｘ線は、入射Ｘ線
とはほとんど無関係な方向に放射されるため、被検者の
有用な情報を伝達せず画質を低下させる。そのため、透
視・撮影において散乱Ｘ線量を低減することは高画質を
得るために重要なことである。Ｘ線検出部に入射する散
乱Ｘ線の量が減少すると、Ｘ線像のコントラストが向上
する。そのためにＸ線検出部の前面にグリッドが備えら
れる。グリッドは、Ｘ線吸収の大きい金属のはく（Ｘ線
遮蔽壁）と、Ｘ線吸収の小さい中間物質の薄板を交互に
並べ板状にしたもので、金属のはくによって方向性の定
まらない散乱Ｘ線を吸収し減少させる。図６に、被検者
２９で散乱した散乱Ｘ線３２がグリッド３４で除去され
る様子を示す。Ｘ線管焦点３０から放射されたＸ線は、
被検者２９に入射Ｘ線（一次Ｘ線）３１として照射さ
れ、被検者２９をまっすぐに透過した透過Ｘ線３３と、
散乱した散乱Ｘ線（二次Ｘ線）３２となる。透過Ｘ線３
３はグリッド３４を透過しその背後に設けられたＸ線検
出部３８に入射する。散乱Ｘ線３２は、グリッド３４の
Ｘ線遮蔽壁３５に吸収され消滅する。グリッド３４は、
Ｘ線吸収の大きい金属のはく（主に鉛）などからなるＸ
線遮蔽壁３５と、Ｘ線吸収の小さい中間物質３６（アル
ミニウム、紙、木、合成樹脂、カーボン樹脂など）の薄
板を交互に並べ、Ｘ線入射側とＸ線検出部３８側の両面
を保持板３７で補強した板状のものである。そのグリッ
ド密度は、４０〜６０本／ｃｍのものが使われている。
上記のグリッド３４に対するＸ線検出部３８として、Ｘ
線フイルムを用いるもの、イメージインテンシファイア
を用いるもの、フラットパネルディテクタを用いるもの
等がある。フラットパネルディテクタは、Ｘ線の照射強
度に応じて良好な光導電特性を有し、電荷信号を発生す
るフラットな形状をしたフラットパネルディテクタ（Ｆ
ＰＤ）である。このようなフラットパネルのＸ線撮影装
置を、従来のＸ線透視撮影台に組込むことにより、Ｘ線
フイルムカセッテやカセッテレスの速写装置に比べて、
大きな空間を占有することが無く全体が小型になり、し
かも、軽量であるので、Ｘ線透視撮影台の操作性が向上
する。さらに、フイルム現像処理を必要としないので、
電気的な画像処理によって迅速に撮影画像を得ることが
できる。このＦＰＤは、通常、Ｘ線を光に変換するＸ線
変換膜と、その直下に行列状に配置されたフォトダイオ
ードアレイと、各フォトダイオードアレイに接続された
ＴＦＴスイッチによって構成され、Ｘ線照射後、各ＴＦ
Ｔスイッチを順次ＯＮすることで、各画素に蓄積された
信号電荷を読み出しＸ線画像を形成するタイプのもの
と、放射線に感応し入射線量に対応した電荷信号を直接
出力する変換層からなる放射線センサーアレイを有し、
その直下に行列状に配置され電極にＴＦＴスイッチが接
続され、照射時に各ＴＦＴスイッチを順次ＯＮすること
で、各画素に蓄積された信号電荷を読み出し、Ｘ線画像
を形成するタイプの２種類のものがある。
【０００３】また、Ｘ線ＣＴ装置用の散乱Ｘ線３２の除
去には、Ｘ線検出部３８の前面にＸ線吸収の大きい金属
（タングステン、モリブデンなど）の薄板を、円弧状の
支持金具にその両端が保持されて、Ｘ線入射方向に並べ
られたコリメータが用いられる（コリメータの構成はグ
リッドと同様であるが、Ｘ線ＣＴ装置ではコリメータと
呼ばれる）。
去には、Ｘ線検出部３８の前面にＸ線吸収の大きい金属
（タングステン、モリブデンなど）の薄板を、円弧状の
支持金具にその両端が保持されて、Ｘ線入射方向に並べ
られたコリメータが用いられる（コリメータの構成はグ
リッドと同様であるが、Ｘ線ＣＴ装置ではコリメータと
呼ばれる）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のグリッド３４も
しくはコリメータとＸ線検出部３８を組合せた放射線検
出器は以上のように構成されているが、従来のグリッド
３４又はコリメータは直線的に一方向しかＸ線遮蔽壁３
５（金属はく）が設けられていないため、それと水平直
角方向の散乱線除去能力が無く、Ｘ線画像のコントラス
トが低下するという問題がある。また、フラットパネル
ディテクタにグリッド３４を用いる場合、グリッド３４
のＸ線遮蔽壁３５（金属はく）のピッチと、Ｘ線検出部
３８のフラットパネルディテクタの画素ピッチが異な
り、整合する構造になっていないため、得られたＸ線画
像に干渉縞を発生させアーティファクトとなるという問
題がある。さらに、精度よくＸ線管焦点３０の方向（Ｘ
線入射方向）にＸ線遮蔽壁３５（金属はく）が向けられ
ていないためＸ線画像にグリッド縞が見られたりする現
象が発生し、良好なＸ線画像を得ることが出来ず、Ｘ線
の検出効率の低下を招くなどの問題がある。
しくはコリメータとＸ線検出部３８を組合せた放射線検
出器は以上のように構成されているが、従来のグリッド
３４又はコリメータは直線的に一方向しかＸ線遮蔽壁３
５（金属はく）が設けられていないため、それと水平直
角方向の散乱線除去能力が無く、Ｘ線画像のコントラス
トが低下するという問題がある。また、フラットパネル
ディテクタにグリッド３４を用いる場合、グリッド３４
のＸ線遮蔽壁３５（金属はく）のピッチと、Ｘ線検出部
３８のフラットパネルディテクタの画素ピッチが異な
り、整合する構造になっていないため、得られたＸ線画
像に干渉縞を発生させアーティファクトとなるという問
題がある。さらに、精度よくＸ線管焦点３０の方向（Ｘ
線入射方向）にＸ線遮蔽壁３５（金属はく）が向けられ
ていないためＸ線画像にグリッド縞が見られたりする現
象が発生し、良好なＸ線画像を得ることが出来ず、Ｘ線
の検出効率の低下を招くなどの問題がある。
【０００５】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、Ｘ−Ｙの２次元方向の散乱Ｘ線を除去
し、Ｘ線検出部のフラットパネルディテクタの画素ピッ
チに合致したピッチを有し、Ｘ線入射方向に精度よく傾
斜したＸ線遮蔽壁を有するグリッドを、Ｘ線検出部の前
面に精度よく取付けた２次元アレイ型放射線検出器とそ
のＸ線遮蔽壁の製造方法を提供することを目的とする。
たものであって、Ｘ−Ｙの２次元方向の散乱Ｘ線を除去
し、Ｘ線検出部のフラットパネルディテクタの画素ピッ
チに合致したピッチを有し、Ｘ線入射方向に精度よく傾
斜したＸ線遮蔽壁を有するグリッドを、Ｘ線検出部の前
面に精度よく取付けた２次元アレイ型放射線検出器とそ
のＸ線遮蔽壁の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の２次元アレイ型放射線検出器は、Ｘ線検出
部と散乱線除去用のグリッドとを備え、Ｘ線源からコー
ン状のＸ線ビームを被検者に照射して得られる透過Ｘ線
が、前記グリッドを介してＸ線検出部に導かれるように
構成した２次元アレイ型放射線検出器において、前記Ｘ
線検出部と平行なＸ−Ｙ方向にＸ線検出部の画素ピッチ
のｎ倍（ｎは整数）となるピッチでＸ線入射方向に格子
溝を形成し、その格子溝にＸ線吸収材を充填したＸ線遮
蔽壁と、そのＸ線遮蔽壁に対応して配置されたＸ線検出
部とを備えるものである。
め、本発明の２次元アレイ型放射線検出器は、Ｘ線検出
部と散乱線除去用のグリッドとを備え、Ｘ線源からコー
ン状のＸ線ビームを被検者に照射して得られる透過Ｘ線
が、前記グリッドを介してＸ線検出部に導かれるように
構成した２次元アレイ型放射線検出器において、前記Ｘ
線検出部と平行なＸ−Ｙ方向にＸ線検出部の画素ピッチ
のｎ倍（ｎは整数）となるピッチでＸ線入射方向に格子
溝を形成し、その格子溝にＸ線吸収材を充填したＸ線遮
蔽壁と、そのＸ線遮蔽壁に対応して配置されたＸ線検出
部とを備えるものである。
【０００７】そして、そのＸ線遮蔽壁の製造方法は、感
光性ガラスの板に紫外線光源によりフォトマスクを用い
て光露光を行い、加熱現像処理により感光した部分を結
晶化させ、再露光後、酸で表裏両面からエッチングによ
り、Ｘ線検出部と平行なＸ−Ｙ方向に格子溝を形成し、
その格子溝にＸ線吸収材を充填するものである。
光性ガラスの板に紫外線光源によりフォトマスクを用い
て光露光を行い、加熱現像処理により感光した部分を結
晶化させ、再露光後、酸で表裏両面からエッチングによ
り、Ｘ線検出部と平行なＸ−Ｙ方向に格子溝を形成し、
その格子溝にＸ線吸収材を充填するものである。
【０００８】また、他のＸ線遮蔽壁の製造方法は、感光
性ガラスの板に紫外線光源によりフォトマスクを用いて
光露光を行い、加熱現像処理により感光した部分を結晶
化させ、再露光後、酸で表裏何れかの面のみエッチング
によりＸ線検出部と平行なＸ−Ｙ方向に格子溝を形成
し、その格子溝にＸ線吸収材を充填し、その後、エッチ
ングしなかったもう一方の面からエッチングを行い結晶
化された部分はすべて除去するように格子溝を形成し、
その格子溝にＸ線吸収材を充填するものである。
性ガラスの板に紫外線光源によりフォトマスクを用いて
光露光を行い、加熱現像処理により感光した部分を結晶
化させ、再露光後、酸で表裏何れかの面のみエッチング
によりＸ線検出部と平行なＸ−Ｙ方向に格子溝を形成
し、その格子溝にＸ線吸収材を充填し、その後、エッチ
ングしなかったもう一方の面からエッチングを行い結晶
化された部分はすべて除去するように格子溝を形成し、
その格子溝にＸ線吸収材を充填するものである。
【０００９】本発明の２次元アレイ型放射線検出器は上
記のように構成されており、感光性ガラスの板に、Ｘ−
Ｙの２次元方向にマスキングされたフォトマスクを用い
て、フラットパネルディテクタの画素ピッチのｎ倍（ｎ
は整数）となるピッチで、入射Ｘ線方向と同じ方向から
紫外線光源により光露光を行い、加熱現像処理により感
光した部分を結晶化させ、再露光後、酸で表裏両面から
エッチングして、Ｘ線入射方向に格子溝を形成し、その
格子溝にＸ線吸収材を充填してグリッドを形成し、フラ
ットパネルディテクタの画素に一致するように前面に配
置される。また、再露光後、酸で表裏何れかの面のみエ
ッチングによりＸ線検出部と平行なＸ−Ｙ方向に格子溝
を形成し、その格子溝にＸ線吸収材を充填し、その後、
エッチングしなかったもう一方の面から同様にエッチン
グを行い、結晶化された部分はすべて除去するように格
子溝を形成してから、その格子溝にＸ線吸収材を充填し
てグリッドを形成し、フラットパネルディテクタの画素
に一致するように前面に配置される。そのため、Ｘ−Ｙ
の２次元方向の散乱Ｘ線を除去することができ、コント
ラストのよい画像を得ることができる。さらに、フラッ
トパネルディテクタの画素ピッチに合致したピッチを有
し、Ｘ線入射方向に精度よく傾斜したＸ線遮蔽壁を有す
るグリッドを、フラットパネルディテクタの前面に精度
よく取付けることにより、画素のピッチとグリッドのピ
ッチとによる干渉縞、Ｘ線遮蔽壁の傾斜不一致によるグ
リッド濃淡縞等がＸ線画像上に生じることが無く、鮮明
な画像を得ることができる。
記のように構成されており、感光性ガラスの板に、Ｘ−
Ｙの２次元方向にマスキングされたフォトマスクを用い
て、フラットパネルディテクタの画素ピッチのｎ倍（ｎ
は整数）となるピッチで、入射Ｘ線方向と同じ方向から
紫外線光源により光露光を行い、加熱現像処理により感
光した部分を結晶化させ、再露光後、酸で表裏両面から
エッチングして、Ｘ線入射方向に格子溝を形成し、その
格子溝にＸ線吸収材を充填してグリッドを形成し、フラ
ットパネルディテクタの画素に一致するように前面に配
置される。また、再露光後、酸で表裏何れかの面のみエ
ッチングによりＸ線検出部と平行なＸ−Ｙ方向に格子溝
を形成し、その格子溝にＸ線吸収材を充填し、その後、
エッチングしなかったもう一方の面から同様にエッチン
グを行い、結晶化された部分はすべて除去するように格
子溝を形成してから、その格子溝にＸ線吸収材を充填し
てグリッドを形成し、フラットパネルディテクタの画素
に一致するように前面に配置される。そのため、Ｘ−Ｙ
の２次元方向の散乱Ｘ線を除去することができ、コント
ラストのよい画像を得ることができる。さらに、フラッ
トパネルディテクタの画素ピッチに合致したピッチを有
し、Ｘ線入射方向に精度よく傾斜したＸ線遮蔽壁を有す
るグリッドを、フラットパネルディテクタの前面に精度
よく取付けることにより、画素のピッチとグリッドのピ
ッチとによる干渉縞、Ｘ線遮蔽壁の傾斜不一致によるグ
リッド濃淡縞等がＸ線画像上に生じることが無く、鮮明
な画像を得ることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の２次元アレイ型放射線検
出器の一実施例を図１を参照しながら説明する。図１は
本発明の２次元アレイ型放射線検出器の断面構造を示す
図である。本２次元アレイ型放射線検出器は、感光性ガ
ラス１の表裏両面の縦溝と横溝にＸ線吸収材を充填し表
面縦溝遮蔽２、表面横溝遮蔽３、裏面縦溝遮蔽２ａ、裏
面横溝遮蔽３ａによるＸ線遮蔽壁を２次元状に形成した
グリッドと、行列状に配置され電極にＴＦＴスイッチが
設けられたＴＦＴガラス基板５上に光電変換素子６とＣ
ｓＩ：Ｔｌ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓに代表されるシンチレータ７
を組合せた間接変換タイプ、もしくは、ａ‐Ｓｅ、Ｃｄ
Ｔｅに代表される光導電膜を組合せた直接変換タイプと
走査回路８が設けられたＸ線検出部と、前記グリッドと
前記Ｘ線検出部とを所定の間隔離して上下に配置するた
めのスペーサ４とから構成され、位置決め孔９、もしく
は、顕微鏡などで観察しながら配置することにより、グ
リッドとＸ線検出器との位置合わせが正確に行われ固定
される。
出器の一実施例を図１を参照しながら説明する。図１は
本発明の２次元アレイ型放射線検出器の断面構造を示す
図である。本２次元アレイ型放射線検出器は、感光性ガ
ラス１の表裏両面の縦溝と横溝にＸ線吸収材を充填し表
面縦溝遮蔽２、表面横溝遮蔽３、裏面縦溝遮蔽２ａ、裏
面横溝遮蔽３ａによるＸ線遮蔽壁を２次元状に形成した
グリッドと、行列状に配置され電極にＴＦＴスイッチが
設けられたＴＦＴガラス基板５上に光電変換素子６とＣ
ｓＩ：Ｔｌ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓに代表されるシンチレータ７
を組合せた間接変換タイプ、もしくは、ａ‐Ｓｅ、Ｃｄ
Ｔｅに代表される光導電膜を組合せた直接変換タイプと
走査回路８が設けられたＸ線検出部と、前記グリッドと
前記Ｘ線検出部とを所定の間隔離して上下に配置するた
めのスペーサ４とから構成され、位置決め孔９、もしく
は、顕微鏡などで観察しながら配置することにより、グ
リッドとＸ線検出器との位置合わせが正確に行われ固定
される。
【００１１】感光性ガラス１は、紫外線を照射すると、
照射された部分が結晶化しやすくなり、加熱すると金属
コロイドを生成し、結晶が析出する。そして、再び紫外
線を照射し、酸でエッチングすると照射された部分がエ
ッチングされ、照射されなかった部分との境界にシャー
プなエッジを形成して溝が出来る。溝の深さは、感光性
ガラスの材質、紫外線の照射条件、エッチング時間等で
決まり、制御することができる。外形寸法は用途に応じ
て、縦×横が２２８．６×２２８．６ｍｍ〜４３１．８
〜３５５．６ｍｍ、厚さ１〜３ｍｍを用いる。表面縦溝
遮蔽２、表面横溝遮蔽３、裏面縦溝遮蔽２ａ、裏面横溝
遮蔽３ａは、感光性ガラス１に光パターンマスク露光法
で形成された格子状の溝に、タングステンやモリブデン
などの重金属を熱ＣＶＤ法により充填したり、ビスマス
を主成分とする共晶合金、インジウム‐スズ共晶合金等
の低融点金属を液状にして充填したものである。一般に
市販されているフラットパネルディテクタの画素ピッチ
は、約０．１５ｍｍであるが、感光性ガラス１の格子溝
のピッチは、干渉縞の発生を防止するために、そのｎ倍
（ｎ：整数）にする。最適な値としてｎ＝１、もしく
は、ｎ＝２が望ましく、０．１５ｍｍ、もしくは、０．
３ｍｍとなる。そして、溝となる部分の幅は、開口率の
観点から狭いほうが望ましいが、製造上の制限から、
０．０５〜０．１ｍｍとする。その溝の方向は、Ｘ線入
射方向に収斂して形成される。また、製造上の制限か
ら、溝の深さは、溝幅との関係から一般に、深さ：幅＝
１０：１とする。例えば、溝幅０．０５ｍｍの場合、溝
の深さは０．５ｍｍとなる。一般に中心部のＸ線遮蔽壁
のピッチ（間隔）と深さ（高さ）の比を「グリッド比」
と呼び、グリッドの散乱線除去能力（コントラスト改
善）を示すパラメータとされる。この場合、グリッド比
が制限を受けてしまうが、感光性ガラス１の表裏表面に
グリッドを形成しているため、通常の２倍のグリッド比
が得られることになる。このように形成された表面縦溝
遮蔽２、表面横溝遮蔽３、裏面縦溝遮蔽２ａ、裏面横溝
遮蔽３ａが不要な散乱Ｘ線を除去し、グリッドの役割を
果たしてＸ線検出部に被検者を透過した必要な透過Ｘ線
の情報を取り込むことができる。
照射された部分が結晶化しやすくなり、加熱すると金属
コロイドを生成し、結晶が析出する。そして、再び紫外
線を照射し、酸でエッチングすると照射された部分がエ
ッチングされ、照射されなかった部分との境界にシャー
プなエッジを形成して溝が出来る。溝の深さは、感光性
ガラスの材質、紫外線の照射条件、エッチング時間等で
決まり、制御することができる。外形寸法は用途に応じ
て、縦×横が２２８．６×２２８．６ｍｍ〜４３１．８
〜３５５．６ｍｍ、厚さ１〜３ｍｍを用いる。表面縦溝
遮蔽２、表面横溝遮蔽３、裏面縦溝遮蔽２ａ、裏面横溝
遮蔽３ａは、感光性ガラス１に光パターンマスク露光法
で形成された格子状の溝に、タングステンやモリブデン
などの重金属を熱ＣＶＤ法により充填したり、ビスマス
を主成分とする共晶合金、インジウム‐スズ共晶合金等
の低融点金属を液状にして充填したものである。一般に
市販されているフラットパネルディテクタの画素ピッチ
は、約０．１５ｍｍであるが、感光性ガラス１の格子溝
のピッチは、干渉縞の発生を防止するために、そのｎ倍
（ｎ：整数）にする。最適な値としてｎ＝１、もしく
は、ｎ＝２が望ましく、０．１５ｍｍ、もしくは、０．
３ｍｍとなる。そして、溝となる部分の幅は、開口率の
観点から狭いほうが望ましいが、製造上の制限から、
０．０５〜０．１ｍｍとする。その溝の方向は、Ｘ線入
射方向に収斂して形成される。また、製造上の制限か
ら、溝の深さは、溝幅との関係から一般に、深さ：幅＝
１０：１とする。例えば、溝幅０．０５ｍｍの場合、溝
の深さは０．５ｍｍとなる。一般に中心部のＸ線遮蔽壁
のピッチ（間隔）と深さ（高さ）の比を「グリッド比」
と呼び、グリッドの散乱線除去能力（コントラスト改
善）を示すパラメータとされる。この場合、グリッド比
が制限を受けてしまうが、感光性ガラス１の表裏表面に
グリッドを形成しているため、通常の２倍のグリッド比
が得られることになる。このように形成された表面縦溝
遮蔽２、表面横溝遮蔽３、裏面縦溝遮蔽２ａ、裏面横溝
遮蔽３ａが不要な散乱Ｘ線を除去し、グリッドの役割を
果たしてＸ線検出部に被検者を透過した必要な透過Ｘ線
の情報を取り込むことができる。
【００１２】次に、本２次元アレイ型放射線検出器のＸ
線遮蔽壁の製造方法を、図２を参照しながら説明する。
図２はＸ線遮蔽壁の製造工程を示す図である。まず、
（１）感光性ガラス１を、外形寸法２２８．６×２２
８．６ｍｍ〜４３１．８×３５５．６ｍｍ、厚さ１〜３
ｍｍから用途に応じて準備する。次に（２）感光性ガラ
ス１を露光するためのフォトマスク１０を作成する。図
２（２）に示す白線の部分が光が透過する部分であり、
最終的に溝部１２になる。用途に応じてピッチは０．１
５ｍｍもしくは０．３ｍｍなどフラットパネルディテク
タの画素ピッチのｎ倍（ｎ：整数）となるように作成さ
れ、また、溝になる部分の溝幅は、０．０５〜０．１ｍ
ｍになるようなパターンを作成する。次に（３）点焦点
照射となるような紫外線露光装置を準備し、感光性ガラ
ス１と紫外線点焦点１１との距離Ｌが、フラットパネル
ディテクタと組合せて２次元アレイ型放射線検出器を形
成する場合に、グリッドのすべての開口部がＸ線管焦点
の方向に向くように、かつ、紫外線が入射される空気層
と感光性ガラス１の層との間に屈折率の違いがあること
により、光の屈折が発生するが、そのことを考慮して、
通常、Ｌ＝５００〜１０００ｍｍに設定される。感光性
ガラス１の上面にフォトマスク１０をセットし、紫外線
の強度を所定の値に設定し所定の時間露光する。図３に
具体的な露光装置の概略図を示す。Ｈｇ−Ｘｅランプ１
７で発光した紫外線は楕円反射鏡１６で反射して、イン
テグレータ２０に入る。その上部にシャッター１９が設
けられロータリソレノイド１８で駆動され、所定の時
間、開口して露光が制御される。インテグレータ２０は
熱をもつので冷却ブロアー２１で冷却される。そして、
紫外線は石英製のコリメータレンズ２２と集束レンズ２
３によって集束され、紫外線点焦点１１に集光される。
その紫外線点焦点１１から距離Ｌだけ離れた位置に感光
性ガラス１をセットし、その上部にフォトマスク１０を
セットして、必要な時間、露光される。次に（４）加熱
現像処理して感光した部分に、金属コロイドを生成さ
せ、さらに、結晶物を析出させる。そして、全体に結晶
化しない条件で再露光する。次に（５）結晶析出部分を
表裏両面とも希沸酸溶液にてエッチングして除去する。
一具体例として、感光性ガラス１の基板厚さ１．３〜
１．５ｍｍ、溝ピッチ０．０５ｍｍとすると、限界溝部
１２の深さは０．５ｍｍとなるため、表裏両面から深さ
０．５ｍｍの溝部１２がエッチングでき、残り肉厚は
０．３ｍｍ〜０．５ｍｍとなる。次に（６）ヒータ１５
の熱による熱ＣＶＤ法によって、タングステン、もしく
は、モリブデンなどの重金属を溝部１２に充填する。あ
るいは、ビスマスを主成分とする共晶合金等の低融点金
属を液状にして溝部１２に充填してもよい。次に（７）
熱ＣＶＤ法等の工程で、溝部１２のＸ線遮蔽材１３以外
に、感光性ガラス１の表面に重金属や共晶合金等の堆積
Ｘ線遮蔽材１４が生成するので、これをラッピング加工
により研磨して除去する。さらにＸ線の透過率をよくす
るために、あらかじめ工程（５）の後に、露光及び加熱
現像処理をしておいて、Ｘ線受光部のガラスをすべてエ
ッチング除去する方法をとっても良い。上記の工程によ
り、感光性ガラス１の表面に２次元状の表面縦溝遮蔽２
と表面横溝遮蔽３を、裏面に２次元状の裏面縦溝遮蔽２
ａと裏面横溝遮蔽３ａを形成することが出来る。
線遮蔽壁の製造方法を、図２を参照しながら説明する。
図２はＸ線遮蔽壁の製造工程を示す図である。まず、
（１）感光性ガラス１を、外形寸法２２８．６×２２
８．６ｍｍ〜４３１．８×３５５．６ｍｍ、厚さ１〜３
ｍｍから用途に応じて準備する。次に（２）感光性ガラ
ス１を露光するためのフォトマスク１０を作成する。図
２（２）に示す白線の部分が光が透過する部分であり、
最終的に溝部１２になる。用途に応じてピッチは０．１
５ｍｍもしくは０．３ｍｍなどフラットパネルディテク
タの画素ピッチのｎ倍（ｎ：整数）となるように作成さ
れ、また、溝になる部分の溝幅は、０．０５〜０．１ｍ
ｍになるようなパターンを作成する。次に（３）点焦点
照射となるような紫外線露光装置を準備し、感光性ガラ
ス１と紫外線点焦点１１との距離Ｌが、フラットパネル
ディテクタと組合せて２次元アレイ型放射線検出器を形
成する場合に、グリッドのすべての開口部がＸ線管焦点
の方向に向くように、かつ、紫外線が入射される空気層
と感光性ガラス１の層との間に屈折率の違いがあること
により、光の屈折が発生するが、そのことを考慮して、
通常、Ｌ＝５００〜１０００ｍｍに設定される。感光性
ガラス１の上面にフォトマスク１０をセットし、紫外線
の強度を所定の値に設定し所定の時間露光する。図３に
具体的な露光装置の概略図を示す。Ｈｇ−Ｘｅランプ１
７で発光した紫外線は楕円反射鏡１６で反射して、イン
テグレータ２０に入る。その上部にシャッター１９が設
けられロータリソレノイド１８で駆動され、所定の時
間、開口して露光が制御される。インテグレータ２０は
熱をもつので冷却ブロアー２１で冷却される。そして、
紫外線は石英製のコリメータレンズ２２と集束レンズ２
３によって集束され、紫外線点焦点１１に集光される。
その紫外線点焦点１１から距離Ｌだけ離れた位置に感光
性ガラス１をセットし、その上部にフォトマスク１０を
セットして、必要な時間、露光される。次に（４）加熱
現像処理して感光した部分に、金属コロイドを生成さ
せ、さらに、結晶物を析出させる。そして、全体に結晶
化しない条件で再露光する。次に（５）結晶析出部分を
表裏両面とも希沸酸溶液にてエッチングして除去する。
一具体例として、感光性ガラス１の基板厚さ１．３〜
１．５ｍｍ、溝ピッチ０．０５ｍｍとすると、限界溝部
１２の深さは０．５ｍｍとなるため、表裏両面から深さ
０．５ｍｍの溝部１２がエッチングでき、残り肉厚は
０．３ｍｍ〜０．５ｍｍとなる。次に（６）ヒータ１５
の熱による熱ＣＶＤ法によって、タングステン、もしく
は、モリブデンなどの重金属を溝部１２に充填する。あ
るいは、ビスマスを主成分とする共晶合金等の低融点金
属を液状にして溝部１２に充填してもよい。次に（７）
熱ＣＶＤ法等の工程で、溝部１２のＸ線遮蔽材１３以外
に、感光性ガラス１の表面に重金属や共晶合金等の堆積
Ｘ線遮蔽材１４が生成するので、これをラッピング加工
により研磨して除去する。さらにＸ線の透過率をよくす
るために、あらかじめ工程（５）の後に、露光及び加熱
現像処理をしておいて、Ｘ線受光部のガラスをすべてエ
ッチング除去する方法をとっても良い。上記の工程によ
り、感光性ガラス１の表面に２次元状の表面縦溝遮蔽２
と表面横溝遮蔽３を、裏面に２次元状の裏面縦溝遮蔽２
ａと裏面横溝遮蔽３ａを形成することが出来る。
【００１３】一方、Ｘ線検出部は、図１に示すように、
ＴＦＴガラス基板５上に、行列状に配置された電極とＴ
ＦＴスイッチとが設けられ、その上部に形成されたフォ
トダイオードアレイからなる光電変換素子６と、その上
面に形成されたシンチレータ７と、電子走査をするため
の走査回路８とから構成される。透過Ｘ線３３がシンチ
レータ７に入射すると、シンチレータ７内でＸ線が光に
変換されて、その発光は光電変換素子６で検知され、電
気信号に変換されて、走査回路８から入射Ｘ線量に比例
した信号が取出される。入射Ｘ線量を電気信号に変換す
る方法として、フォトダイオードアレイの光電変換素子
６上にＣｓＩ：Ｔｌシンチレータ柱状結晶を蒸着等によ
り形成し、または、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ増感紙を密着配置して
形成し、一旦Ｘ線を光に変換した後、光を電気に変換す
るタイプ、すなわち、間接変換型フラットパネルディテ
クタと、ＴＦＴスイッチング素子の基板上に、Ｘ線を直
接電気信号に変換できるＸ線変換半導体素子、例えば、
ａ‐Ｓｅ、ＣｄＴｅ等が形成された直接変換型フラット
パネルディテクタがある。いずれも入射Ｘ線量が走査回
路８で走査されて電気信号として読み出される。
ＴＦＴガラス基板５上に、行列状に配置された電極とＴ
ＦＴスイッチとが設けられ、その上部に形成されたフォ
トダイオードアレイからなる光電変換素子６と、その上
面に形成されたシンチレータ７と、電子走査をするため
の走査回路８とから構成される。透過Ｘ線３３がシンチ
レータ７に入射すると、シンチレータ７内でＸ線が光に
変換されて、その発光は光電変換素子６で検知され、電
気信号に変換されて、走査回路８から入射Ｘ線量に比例
した信号が取出される。入射Ｘ線量を電気信号に変換す
る方法として、フォトダイオードアレイの光電変換素子
６上にＣｓＩ：Ｔｌシンチレータ柱状結晶を蒸着等によ
り形成し、または、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ増感紙を密着配置して
形成し、一旦Ｘ線を光に変換した後、光を電気に変換す
るタイプ、すなわち、間接変換型フラットパネルディテ
クタと、ＴＦＴスイッチング素子の基板上に、Ｘ線を直
接電気信号に変換できるＸ線変換半導体素子、例えば、
ａ‐Ｓｅ、ＣｄＴｅ等が形成された直接変換型フラット
パネルディテクタがある。いずれも入射Ｘ線量が走査回
路８で走査されて電気信号として読み出される。
【００１４】図４にＸ線検出部の信号読み出し回路を示
す。Ｘ線が入射すると図１に示すシンチレータ７が入射
Ｘ線量に応じて発光し、その光がフォトダイオードアレ
イの光電変換素子６に入る。光電変換素子６は入射した
光に応じて電荷を発生する。ＴＦＴガラス基板５には横
にゲート線２５と縦に読出信号線２７が、各光電変換素
子６に対応して配線されており、各光電変換素子６には
スイッチング素子の役割をするＴＦＴ２６がパターンに
より形成されている。ゲートドライバー回路２４の順次
信号をＴＦＴ２６へ送ることによりＴＦＴ２６がスイッ
チングされて、光電変換素子６の電荷信号を読出信号線
２７から順次読出し読出アンプ２８に入力される。そし
て、読出アンプ２８から外部の回路にＸ線画像信号が送
り出される。
す。Ｘ線が入射すると図１に示すシンチレータ７が入射
Ｘ線量に応じて発光し、その光がフォトダイオードアレ
イの光電変換素子６に入る。光電変換素子６は入射した
光に応じて電荷を発生する。ＴＦＴガラス基板５には横
にゲート線２５と縦に読出信号線２７が、各光電変換素
子６に対応して配線されており、各光電変換素子６には
スイッチング素子の役割をするＴＦＴ２６がパターンに
より形成されている。ゲートドライバー回路２４の順次
信号をＴＦＴ２６へ送ることによりＴＦＴ２６がスイッ
チングされて、光電変換素子６の電荷信号を読出信号線
２７から順次読出し読出アンプ２８に入力される。そし
て、読出アンプ２８から外部の回路にＸ線画像信号が送
り出される。
【００１５】最後に、上記グリッドとフラットパネルデ
ィテクタは、図１に示すように、スペーサ４を用いてグ
リッドとフラットパネルディテクタを所定の間隔離し
て、位置決め孔９もしくは顕微鏡などで観察しながら配
置することにより、位置精度が正確に設定され、各画素
の検出感度を一様かつ最大になるようにしている。そし
て、グリッドとフラットパネルディテクタを一体とした
ものが主筐体に取付けられる。
ィテクタは、図１に示すように、スペーサ４を用いてグ
リッドとフラットパネルディテクタを所定の間隔離し
て、位置決め孔９もしくは顕微鏡などで観察しながら配
置することにより、位置精度が正確に設定され、各画素
の検出感度を一様かつ最大になるようにしている。そし
て、グリッドとフラットパネルディテクタを一体とした
ものが主筐体に取付けられる。
【００１６】次に、本２次元アレイ型放射線検出器のＸ
線遮蔽壁の他の製造方法を、図５を参照しながら説明す
る。図５はＸ線遮蔽壁の他の製造工程を示す図である。
工程（１）〜（４）については図２に示す工程と同じで
ある。（５）１回目エッチング工程では、感光性ガラス
１の表裏一方の面にダミーガラス１ａを貼り付けた上
で、結晶析出部分を希沸酸溶液にてエッチングして除去
する。このとき一具体例として、感光性ガラス１の基板
厚さ１．０ｍｍ、溝幅０．０５ｍｍとすると、限界溝の
深さは０．５ｍｍとなるため、ダミーガラス１ａが貼り
付けられていない側の表面から深さ０．５ｍｍの溝部１
２ａがエッチングでき、残り肉厚は０．５ｍｍとなる。
次に、（６）熱ＣＶＤ法により、タングステン、もしく
は、モリブデンなどの重金属を溝部１２ａに充填する。
あるいは、ビスマスを主成分とする共晶合金やインジウ
ム‐スズ共晶合金等の低融点金属を液状にして、Ｘ線遮
蔽材１３として溝部１２ａに充填しても良い。この場
合、感光性ガラス１の表面にも堆積Ｘ線遮蔽材１４が堆
積する。次に、（７）ダミーガラス１ａを取外し、もう
一方の面の結晶析出部分を希沸酸溶液にてエッチング除
去する。この場合、すでに同位相の溝部１２ａには金属
が充填されているため、エッチングをしても感光性ガラ
ス１の基板は剛性が保たれている。次に、（８）熱ＣＶ
Ｄ法により、タングステン、もしくは、モリブデンなど
の重金属を溝部１２ａに充填する。あるいは、ビスマス
を主成分とする共晶合金やインジウム‐スズ共晶合金等
の低融点金属を液状にして、Ｘ線遮蔽材１３として溝部
１２ａに充填しても良い。この場合、感光性ガラス１の
表面にも堆積Ｘ線遮蔽材１４が堆積する。次に、（９）
最後に（６）及び（８）工程で溝部１２ａ以外に堆積し
た重金属や共晶合金を、表裏面ともラッピング工程によ
り研磨して除去する。
線遮蔽壁の他の製造方法を、図５を参照しながら説明す
る。図５はＸ線遮蔽壁の他の製造工程を示す図である。
工程（１）〜（４）については図２に示す工程と同じで
ある。（５）１回目エッチング工程では、感光性ガラス
１の表裏一方の面にダミーガラス１ａを貼り付けた上
で、結晶析出部分を希沸酸溶液にてエッチングして除去
する。このとき一具体例として、感光性ガラス１の基板
厚さ１．０ｍｍ、溝幅０．０５ｍｍとすると、限界溝の
深さは０．５ｍｍとなるため、ダミーガラス１ａが貼り
付けられていない側の表面から深さ０．５ｍｍの溝部１
２ａがエッチングでき、残り肉厚は０．５ｍｍとなる。
次に、（６）熱ＣＶＤ法により、タングステン、もしく
は、モリブデンなどの重金属を溝部１２ａに充填する。
あるいは、ビスマスを主成分とする共晶合金やインジウ
ム‐スズ共晶合金等の低融点金属を液状にして、Ｘ線遮
蔽材１３として溝部１２ａに充填しても良い。この場
合、感光性ガラス１の表面にも堆積Ｘ線遮蔽材１４が堆
積する。次に、（７）ダミーガラス１ａを取外し、もう
一方の面の結晶析出部分を希沸酸溶液にてエッチング除
去する。この場合、すでに同位相の溝部１２ａには金属
が充填されているため、エッチングをしても感光性ガラ
ス１の基板は剛性が保たれている。次に、（８）熱ＣＶ
Ｄ法により、タングステン、もしくは、モリブデンなど
の重金属を溝部１２ａに充填する。あるいは、ビスマス
を主成分とする共晶合金やインジウム‐スズ共晶合金等
の低融点金属を液状にして、Ｘ線遮蔽材１３として溝部
１２ａに充填しても良い。この場合、感光性ガラス１の
表面にも堆積Ｘ線遮蔽材１４が堆積する。次に、（９）
最後に（６）及び（８）工程で溝部１２ａ以外に堆積し
た重金属や共晶合金を、表裏面ともラッピング工程によ
り研磨して除去する。
【００１７】上記のように製作されたグリッドとフラッ
トパネルディテクタは、図１に示すように、スペーサ４
を用いてグリッドとフラットパネルディテクタを所定の
間隔離して、位置決め孔９もしくは顕微鏡などで観察し
ながら配置することにより、位置精度が正確に設定さ
れ、各画素の検出感度を一様かつ最大になるようにして
いる。そして、グリッドとフラットパネルディテクタを
一体としたものが主筐体に取付けられる。
トパネルディテクタは、図１に示すように、スペーサ４
を用いてグリッドとフラットパネルディテクタを所定の
間隔離して、位置決め孔９もしくは顕微鏡などで観察し
ながら配置することにより、位置精度が正確に設定さ
れ、各画素の検出感度を一様かつ最大になるようにして
いる。そして、グリッドとフラットパネルディテクタを
一体としたものが主筐体に取付けられる。
【００１８】
【発明の効果】本発明の２次元アレイ型放射線検出器は
上記のように構成されており、感光性ガラスの板に、フ
ォトマスクを用いて、フラットパネルディテクタの画素
ピッチのｎ倍（ｎは整数）となるピッチで、紫外線光源
により光露光を行い、加熱現像処理で結晶化させ、再露
光後、エッチングしてＸ線入射方向に格子溝をつくり、
Ｘ線吸収材を充填してグリッドを製作し、そのグリッド
がフラットパネルディテクタの画素に一致するように前
面に配置されるので、２次元方向の散乱Ｘ線を除去して
コントラストのよい画像を得ることができる。さらに、
画素ピッチに合致したピッチでＸ線入射方向に精度よく
傾斜したＸ線遮蔽壁を有し、そのグリッドがフラットパ
ネルディテクタの前面に精度よく取付けられるので、画
素のピッチとグリッドのピッチとによる干渉縞、Ｘ線遮
蔽壁の傾斜不一致によるグリッド濃淡縞等を生じること
が無く、鮮明な画像を得ることができ、Ｘ線の有効利用
によって被検者への被曝線量を下げることができる。
上記のように構成されており、感光性ガラスの板に、フ
ォトマスクを用いて、フラットパネルディテクタの画素
ピッチのｎ倍（ｎは整数）となるピッチで、紫外線光源
により光露光を行い、加熱現像処理で結晶化させ、再露
光後、エッチングしてＸ線入射方向に格子溝をつくり、
Ｘ線吸収材を充填してグリッドを製作し、そのグリッド
がフラットパネルディテクタの画素に一致するように前
面に配置されるので、２次元方向の散乱Ｘ線を除去して
コントラストのよい画像を得ることができる。さらに、
画素ピッチに合致したピッチでＸ線入射方向に精度よく
傾斜したＸ線遮蔽壁を有し、そのグリッドがフラットパ
ネルディテクタの前面に精度よく取付けられるので、画
素のピッチとグリッドのピッチとによる干渉縞、Ｘ線遮
蔽壁の傾斜不一致によるグリッド濃淡縞等を生じること
が無く、鮮明な画像を得ることができ、Ｘ線の有効利用
によって被検者への被曝線量を下げることができる。
【図１】 本発明の２次元アレイ型放射線検出器の一実
施例を示す図である。
施例を示す図である。
【図２】 本発明の２次元アレイ型放射線検出器のＸ線
遮蔽壁の製造方法を示す図である。
遮蔽壁の製造方法を示す図である。
【図３】 本発明のＸ線遮蔽壁の製造方法に用いる光露
光用の光源を示す図である。
光用の光源を示す図である。
【図４】 本発明の２次元アレイ型放射線検出器のＸ線
検出部のＴＦＴガラス基板を示す図である。
検出部のＴＦＴガラス基板を示す図である。
【図５】 本発明のＸ線遮蔽壁の他の製造方法を示す図
である。
である。
【図６】 従来の散乱線除去用のグリッドを示す図であ
る。
る。
１…感光性ガラス １ａ…ダミーガラス ２…表面縦溝遮蔽 ２ａ…裏面縦溝遮蔽 ３…表面横溝遮蔽 ３ａ…裏面横溝遮蔽 ４…スペーサ ５…ＴＦＴガラス基板 ６…光電変換素子 ７…シンチレータ ８…走査回路 ９…位置決め孔 １０…フォトマスク １１…紫外線点焦点 １２、１２ａ…溝部 １３…Ｘ線遮蔽材 １４…堆積Ｘ線遮蔽材 １５…ヒータ ２９…被検者 ３０…Ｘ線管焦点 ３１…入射Ｘ線 ３２…散乱Ｘ線 ３３…透過Ｘ線 ３４…グリッド ３５…Ｘ線遮蔽壁 ３６…中間物質 ３７…保持板 ３８…Ｘ線検出部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ２１Ｋ 1/02 Ｇ２１Ｋ 1/02 Ｍ
Claims (3)
- 【請求項１】Ｘ線検出部と散乱線除去用のグリッドとを
備え、Ｘ線源からコーン状のＸ線ビームを被検者に照射
して得られる透過Ｘ線が、前記グリッドを介してＸ線検
出部に導かれるように構成した２次元アレイ型放射線検
出器において、前記Ｘ線検出部と平行なＸ−Ｙ方向にＸ
線検出部の画素ピッチのｎ倍（ｎは整数）となるピッチ
でＸ線入射方向に格子溝を形成し、その格子溝にＸ線吸
収材を充填したＸ線遮蔽壁と、そのＸ線遮蔽壁に対応し
て配置されたＸ線検出部とを備えることを特徴とする２
次元アレイ型放射線検出器。 - 【請求項２】感光性ガラスの板に紫外線光源によりフォ
トマスクを用いて光露光を行い、加熱現像処理により感
光した部分を結晶化させ、再露光後、酸で表裏両面から
エッチングにより、Ｘ線検出部と平行なＸ−Ｙ方向に格
子溝を形成し、その格子溝にＸ線吸収材を充填すること
を特徴とする請求項１記載の２次元アレイ型放射線検出
器に用いるＸ線遮蔽壁の製造方法。 - 【請求項３】感光性ガラスの板に紫外線光源によりフォ
トマスクを用いて光露光を行い、加熱現像処理により感
光した部分を結晶化させ、再露光後、酸で表裏何れかの
面のみエッチングによりＸ線検出部と平行なＸ−Ｙ方向
に格子溝を形成し、その格子溝にＸ線吸収材を充填し、
その後、エッチングしなかったもう一方の面からエッチ
ングを行い結晶化された部分はすべて除去するように格
子溝を形成し、その格子溝にＸ線吸収材を充填すること
を特徴とする請求項１記載の２次元アレイ型放射線検出
器に用いるＸ線遮蔽壁の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001125823A JP2002318283A (ja) | 2001-04-24 | 2001-04-24 | ２次元アレイ型放射線検出器とそのｘ線遮蔽壁の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001125823A JP2002318283A (ja) | 2001-04-24 | 2001-04-24 | ２次元アレイ型放射線検出器とそのｘ線遮蔽壁の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002318283A true JP2002318283A (ja) | 2002-10-31 |
Family
ID=18974974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001125823A Pending JP2002318283A (ja) | 2001-04-24 | 2001-04-24 | ２次元アレイ型放射線検出器とそのｘ線遮蔽壁の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002318283A (ja) |
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