JP2002296782A - Positive resist composition - Google Patents

Positive resist composition

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JP2002296782A
JP2002296782A JP2001101521A JP2001101521A JP2002296782A JP 2002296782 A JP2002296782 A JP 2002296782A JP 2001101521 A JP2001101521 A JP 2001101521A JP 2001101521 A JP2001101521 A JP 2001101521A JP 2002296782 A JP2002296782 A JP 2002296782A
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substituent
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Kenichiro Sato
健一郎 佐藤
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive resist composition excellent in the resolution for contact holes and adoptability for halftone exposure. SOLUTION: The positive photoresist composition contains the following resin and compounds which generate acids by irradiation of active rays or radiation. The resin contains repeating units having aliphatic cyclic hydrocarbon groups and repeating units containing no aromatic part but containing crosslinked parts of specified structures and the resin increases the dissolving rate with respect to an alkali developer by the effect of acids.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、超LSIや高容量
マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロ
セスやその他のフォトファブリケ−ションプロセスに使
用するポジ型レジスト組成物に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a positive resist composition used in an ultra microlithography process such as the production of an ultra LSI or a high-capacity micro chip, or other photofabrication processes.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、集積回路はその集積度を益々高め
ており、超LSIなどの半導体基板の製造に於いてはハ
ーフミクロン以下の線幅から成る超微細パターンの加工
が必要とされるようになってきた。その必要性を満たす
ためにフォトリソグラフィーに用いられる露光装置の使
用波長は益々短波化し、今では、遠紫外線の中でも短波
長のエキシマレーザー光(XeCl、KrF、ArFな
ど)を用いることが検討されるまでになってきている。
この波長領域におけるリソグラフィーのパターン形成に
用いられるものとして、化学増幅系レジストがある。
2. Description of the Related Art In recent years, the degree of integration of integrated circuits has been increasing more and more, and in the manufacture of semiconductor substrates such as VLSIs, processing of ultrafine patterns having a line width of less than half a micron is required. It has become In order to meet the need, the wavelength used in an exposure apparatus used for photolithography is becoming shorter and shorter, and now it is considered to use excimer laser light (XeCl, KrF, ArF, etc.) having a short wavelength among far ultraviolet rays. Up to now.
A chemically amplified resist is used for forming a pattern in lithography in this wavelength region.

【0003】一般に化学増幅系レジストは、通称2成分
系、2.5成分系、3成分系の3種類に大別することが
できる。2成分系は、光分解により酸を発生する化合物
(以後、光酸発生剤という)とバインダー樹脂とを組み
合わせている。該バインダー樹脂は、酸の作用により分
解して、樹脂のアルカリ現像液中での溶解性を増加させ
る基(酸分解性基ともいう)を分子内に有する樹脂であ
る。2.5成分系はこうした2成分系に更に酸分解性基
を有する低分子化合物を含有する。3成分系は光酸発生
剤とアルカリ可溶性樹脂と上記低分子化合物を含有する
ものである。
In general, chemically amplified resists can be broadly classified into three types: so-called two-component, 2.5-component and three-component resists. The two-component system combines a compound that generates an acid by photolysis (hereinafter referred to as a photoacid generator) and a binder resin. The binder resin is a resin having in its molecule a group (also referred to as an acid-decomposable group) that decomposes under the action of an acid to increase the solubility of the resin in an alkaline developer. The 2.5-component system further contains a low-molecular compound having an acid-decomposable group in such a two-component system. The three-component system contains a photoacid generator, an alkali-soluble resin, and the above low molecular compound.

【0004】上記化学増幅系レジストは紫外線や遠紫外
線照射用のフォトレジストに適しているが、その中でさ
らに使用上の要求特性に対応する必要がある。ArF光
源用のフォトレジスト組成物としては、ドライエッチン
グ耐性付与の目的で脂環式炭化水素部位が導入された樹
脂が提案されているが、脂環式炭化水素部位導入の弊害
として系が極めて疎水的になるがために、従来レジスト
現像液として幅広く用いられてきたテトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド(以下TMAH)水溶液での現像が
困難となったり、現像中に基板からレジストが剥がれて
しまうなどの現象が見られる。このようなレジストの疎
水化に対応して、現像液にイソプロピルアルコールなど
の有機溶媒を混ぜるなどの対応が検討され、一応の成果
が見られるものの、レジスト膜の膨潤の懸念やプロセス
が煩雑になるなど必ずしも問題が解決されたとは言えな
い。レジストの改良というアプローチでは親水基の導入
により疎水的な種々の脂環式炭化水素部位を補うという
施策も数多くなされている。
The above-mentioned chemically amplified resist is suitable for a photoresist for irradiating ultraviolet rays or far ultraviolet rays, but among them, it is necessary to further meet the required characteristics in use. As a photoresist composition for an ArF light source, a resin having an alicyclic hydrocarbon moiety introduced therein for the purpose of imparting dry etching resistance has been proposed. However, such a phenomenon that the development with an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (hereinafter referred to as TMAH), which has been widely used as a resist developing solution in the past, becomes difficult, and the resist is peeled off from the substrate during the development. Can be seen. In response to such a resist hydrophobization, measures such as mixing an organic solvent such as isopropyl alcohol with a developing solution have been studied, and although tentative results have been obtained, the swelling of the resist film and the process become complicated. This does not necessarily mean that the problem has been solved. In the approach of improving the resist, many measures have been taken to supplement various hydrophobic alicyclic hydrocarbon sites by introducing a hydrophilic group.

【0005】特開平10−10739号公報には、ノル
ボルネン環等の脂環式構造を主鎖に有するモノマー、無
水マレイン酸、カルボキシル基を有するモノマーを重合
して得られる重合体を含むエネルギー感受性レジスト材
料を開示している。特開平10−111569号公報に
は、主鎖に脂環式骨格を有する樹脂と感放射線性酸発生
剤とを含有する感放射線性樹脂組成物が開示されてい
る。特開平11−109632号公報には、極性基含有
脂環式官能基と酸分解性基を含有する樹脂を放射線感光
材料に用いることが記載されている。
JP-A-10-10739 discloses an energy-sensitive resist containing a polymer obtained by polymerizing a monomer having an alicyclic structure such as a norbornene ring in its main chain, maleic anhydride, and a monomer having a carboxyl group. Materials are disclosed. JP-A-10-111569 discloses a radiation-sensitive resin composition containing a resin having an alicyclic skeleton in the main chain and a radiation-sensitive acid generator. JP-A-11-109632 describes that a resin containing a polar group-containing alicyclic functional group and an acid-decomposable group is used for a radiation-sensitive material.

【0006】上記のように、遠紫外線露光用フォトレジ
ストに用いられる、酸分解性基を含有する樹脂は、分子
内に同時に脂肪族の環状炭化水素基を含有することが一
般的である。このため樹脂が疎水性になり、それに起因
する問題点が存在した。それを改良する上記のような種
々の手段が種々検討されたが、上記の技術では未だ不十
分な点が多く、改善が望まれている。
As described above, a resin containing an acid-decomposable group used for a photoresist for exposure to far ultraviolet rays generally contains an aliphatic cyclic hydrocarbon group in the molecule at the same time. For this reason, the resin becomes hydrophobic, and there is a problem caused by the hydrophobicity. Various means for improving the above have been studied, but the above techniques still have many insufficient points, and improvements are desired.

【0007】また、更なるパターンの微細化に対応する
ために、変形照明法や位相シフトマスクを用いるのが一
般的であり、ラインアンドスペースパターンには輪帯照
明、コンタクトホールにはハーフトーン位相シフトマス
クが多く使用されている。輪帯照明を用いた際の高解像
力であり、デフォーカスラチチュードが広いことが望ま
れていた。デフォーカスラチチュードが広いとは、焦点
ずれに伴うライン幅の変動が小さいことを言う。ハーフ
トーン位相シフトマスクを用いた場合、僅かな透過光に
よりパターン部が溶解してしまうサイドローブの問題が
あり、この解決が望まれていた。
In order to cope with further miniaturization of patterns, it is general to use a modified illumination method or a phase shift mask. Ring and zone illumination is used for line and space patterns, and halftone phase is used for contact holes. Shift masks are often used. It has been desired to have a high resolution when using annular illumination and a wide defocus latitude. The fact that the defocus latitude is wide means that the fluctuation of the line width due to defocus is small. When a halftone phase shift mask is used, there is a problem of a side lobe in which a pattern portion is dissolved by a small amount of transmitted light, and this solution has been desired.

【0008】特開平11−143079号公報、特開平
11−265067号公報には、特定の架橋構造を有す
る繰り返し単位を共重合させた樹脂を含有する感放射線
性樹脂組成物が開示されている。しかしながら、コンタ
クトホールの解像力、ハーフトーン露光適性等に問題が
あった。
JP-A-11-143079 and JP-A-11-265067 disclose radiation-sensitive resin compositions containing a resin obtained by copolymerizing a repeating unit having a specific cross-linking structure. However, there are problems with the resolution of the contact hole, suitability for halftone exposure, and the like.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
フォトレジスト組成物の公知技術では、コンタクトホー
ルの解像力、ハーフトーン露光適性に問題があり、更な
る改良が望まれていた。従って、本発明の目的は、コン
タクトホールの解像力、ハーフトーン露光適性が優れた
ポジ型レジスト組成物を提供することにある。
As described above, the known techniques of the conventional photoresist composition have problems in the resolution of the contact hole and the suitability for halftone exposure, and further improvement has been desired. Accordingly, an object of the present invention is to provide a positive resist composition having excellent contact hole resolution and halftone exposure suitability.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、ポジ型化
学増幅系レジスト組成物の構成材料を鋭意検討した結
果、特定の酸分解性樹脂を用いることにより、本発明の
目的が達成されることを知り、本発明に至った。即ち、
上記目的は下記構成によって達成される。
Means for Solving the Problems As a result of intensive studies on the constituent materials of the positive type chemically amplified resist composition, the present inventors have achieved the object of the present invention by using a specific acid-decomposable resin. This led to the present invention. That is,
The above object is achieved by the following constitutions.

【0011】(1)(A)脂肪族環状炭化水素基を有す
る繰り返し単位と、芳香族部位を含まず、下記の一般式
(a)で表される構造の架橋部位を含む繰り返し単位と
を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解
速度が増加する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射
により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする
ポジ型レジスト組成物。
(1) (A) It contains a repeating unit having an aliphatic cyclic hydrocarbon group and a repeating unit containing no aromatic moiety and having a cross-linking moiety having a structure represented by the following general formula (a): A positive resist composition comprising: a resin whose dissolution rate in an alkaline developer is increased by the action of an acid; and (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation.

【0012】[0012]

【化8】 Embedded image

【0013】式(a)中、R101及びR102は、互いに独
立して水素原子、置換基を有していてもよい、炭素数1
〜4個のアルキル基を表す。
In the formula (a), R 101 and R 102 each independently represent a hydrogen atom or an optionally substituted substituent having 1 carbon atom.
Represents up to 4 alkyl groups.

【0014】(2) (A)の樹脂が、下記の一般式
(b)で表される構造の繰り返し単位を含有することを
特徴とする前記(1)に記載のポジ型レジスト組成物。
(2) The positive resist composition as described in (1) above, wherein the resin (A) contains a repeating unit having a structure represented by the following general formula (b).

【0015】[0015]

【化9】 Embedded image

【0016】式(b)中、R101及びR102は、互いに独
立して水素原子、置換基を有していてもよい、炭素数1
〜4個のアルキル基を表す。R103〜R108は、互いに独
立して水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル
基、シアノ基、ハロゲン原子を表す。Aは、アルキレン
基、シクロアルキレン基、エーテル基、チオエーテル
基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフォン
アミド基の群より選択される少なくとも1種の2価の連
結基を表す。
In the formula (b), R 101 and R 102 each independently represent a hydrogen atom or an optionally substituted substituent having 1 carbon atom.
Represents up to 4 alkyl groups. R 103 to R 108 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group, or a halogen atom which may have a substituent. A represents at least one divalent linking group selected from the group consisting of an alkylene group, a cycloalkylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, an ester group, an amide group, and a sulfonamide group.

【0017】(3) (A)の樹脂が、下記の一般式
(c)で表される構造の繰り返し単位を含有することを
特徴とする前記(1)に記載のポジ型レジスト組成物。
(3) The positive resist composition as described in (1) above, wherein the resin (A) contains a repeating unit having a structure represented by the following general formula (c).

【0018】[0018]

【化10】 Embedded image

【0019】式(c)中、R101及びR102は、互いに独
立して水素原子、置換基を有していてもよい、炭素数1
〜4個のアルキル基を表す。R103〜R108は、互いに独
立して水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル
基、シアノ基、ハロゲン原子を表す。Aは、アルキレン
基、シクロアルキレン基、エーテル基、チオエーテル
基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフォン
アミド基の群より選択される少なくとも1種の2価の連
結基を表す。
In the formula (c), R 101 and R 102 each independently represent a hydrogen atom or an optionally substituted substituent having 1 carbon atom.
Represents up to 4 alkyl groups. R 103 to R 108 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group, or a halogen atom which may have a substituent. A represents at least one divalent linking group selected from the group consisting of an alkylene group, a cycloalkylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, an ester group, an amide group, and a sulfonamide group.

【0020】(4) (A)の樹脂が、下記一般式(p
I)〜一般式(pVI)で示される脂環式炭化水素を含む
部分構造を有する繰り返し単位及び下記一般式(II)で
示される繰り返し単位の群から選択される少なくとも1
種を含有することを特徴とする前記(1)〜(3)のい
ずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
(4) The resin of (A) is represented by the following general formula (p)
I) to at least one selected from the group consisting of a repeating unit having a partial structure containing an alicyclic hydrocarbon represented by the general formula (pVI) and a repeating unit represented by the following general formula (II)
The positive resist composition according to any one of the above (1) to (3), comprising a seed.

【0021】[0021]

【化11】 Embedded image

【0022】(式中、R11は、メチル基、エチル基、n
−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブ
チル基又はsec−ブチル基を表し、Zは、炭素原子と
ともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を
表す。R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、
直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を
表し、但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしく
はR15、R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。R
17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個
の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素
基を表し、但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂
環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは
炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は
脂環式炭化水素基を表す。R22〜R25は、各々独立に、
炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は
脂環式炭化水素基を表し、但し、R22〜R25のうち少な
くとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R23とR
24は、互いに結合して環を形成していてもよい。)
(Wherein R 11 is a methyl group, an ethyl group, n
-Represents a propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group or sec-butyl group, and Z represents an atomic group necessary for forming an alicyclic hydrocarbon group together with a carbon atom. R 12 to R 16 each independently represent a group having 1 to 4 carbon atoms;
It represents a linear or branched alkyl group or an alicyclic hydrocarbon group, provided that at least one of R 12 to R 14 , or any of R 15 and R 16 represents an alicyclic hydrocarbon group. R
17 to R 21 each independently represent a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group or an alicyclic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 17 to R 21 Represents an alicyclic hydrocarbon group. Further, either R 19 or R 21 represents a linear or branched alkyl group or an alicyclic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms. R 22 to R 25 are each independently
It represents a linear or branched alkyl group or an alicyclic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 22 to R 25 represents an alicyclic hydrocarbon group. Also, R 23 and R
24 may combine with each other to form a ring. )

【0023】[0023]

【化12】 Embedded image

【0024】式(II)中:R11',R12'は、各々独立
に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子、又は置換基を
有していてもよいアルキル基を表す。Z'は、結合した
2つの炭素原子(C−C)を含み、置換基を有していて
もよい脂環式構造を形成するための原子団を表す。
In the formula (II), R 11 ′ and R 12 ′ each independently represent a hydrogen atom, a cyano group, a halogen atom, or an alkyl group which may have a substituent. Z ′ represents an atomic group for forming an alicyclic structure which may have a substituent and has two bonded carbon atoms (C—C).

【0025】(5) 前記一般式(II)におけるZ'
が、結合した2つの炭素原子(C−C)を含み、置換基
を有していてもよい有橋式脂環式構造を形成するための
原子団を表すことを特徴とする前記(4)に記載のポジ
型レジスト組成物。
(5) Z ′ in the general formula (II)
Represents an atomic group for forming a bridged alicyclic structure which contains two bonded carbon atoms (C-C) and may have a substituent (4). 4. The positive resist composition according to item 1.

【0026】(6) 前記一般式(II)が、下記一般式
(II−A)又は一般式(II−B)であることを特徴とす
る前記(4)に記載のポジ型レジスト組成物。
(6) The positive resist composition according to the above (4), wherein the general formula (II) is the following general formula (II-A) or (II-B).

【0027】[0027]

【化13】 Embedded image

【0028】式(II−A)、(II−B)中:R13'〜R
16'は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ
基、−COOH、−COOR5、酸の作用により分解す
る基、−C(=O)−X−A'−R17'、又は置換基を有
していてもよいアルキル基あるいは環状炭化水素基を表
す。ここで、R5は、置換基を有していてもよい、アル
キル基、環状炭化水素基又は下記の−Y基を表す。X
は、酸素原子、硫黄原子、−NH−、−NHSO2−又
は−NHSO2NH−を表す。A'は単結合又は2価の連
結基を表す。また、Rl3'〜R16'のうち少なくとも2つ
が結合して環を形成してもよい。nは0又は1を表す。
17'は、−COOH、−COOR5、−CN、水酸基、
置換基を有していてもよいアルコキシ基、−CO−NH
−R6、−CO−NH−SO2−R6又は下記の−Y基を
表す。R6は、置換基を有していてもよい、アルキル基
又は環状炭化水素基を表す。−Y基;
In the formulas (II-A) and (II-B): R 13 ′ to R 13
16 ′ is each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, —COOH, —COOR 5 , a group decomposed by the action of an acid, —C (= O) —XA′-R 17 ′, or substituted Represents an alkyl group or a cyclic hydrocarbon group which may have a group. Here, R 5 represents an alkyl group, a cyclic hydrocarbon group or the following —Y group which may have a substituent. X
It represents an oxygen atom, a sulfur atom, -NH -, - NHSO 2 - or an -NHSO 2 NH-. A ′ represents a single bond or a divalent linking group. Further, at least two of R 13 ′ to R 16 ′ may combine to form a ring. n represents 0 or 1.
R 17 ′ represents —COOH, —COOR 5 , —CN, a hydroxyl group,
An alkoxy group which may have a substituent, -CO-NH
—R 6 , —CO—NH—SO 2 —R 6 or the following —Y group. R 6 represents an alkyl group or a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent. A —Y group;

【0029】[0029]

【化14】 Embedded image

【0030】(−Y基中、R21'〜R30'は、各々独立
に、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基
を表す。a,bは1又は2を表す。)
(In the —Y group, R 21 ′ to R 30 ′ each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent. A and b represent 1 or 2.)

【0031】[0031]

【発明の実施の形態】以下、本発明に使用する成分につ
いて詳細に説明する。 〔1〕(A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶
解速度が増加する樹脂(「酸分解性樹脂」ともいう)。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, components used in the present invention will be described in detail. [1] (A) A resin whose dissolution rate in an alkali developer is increased by the action of an acid (also referred to as “acid-decomposable resin”).

【0032】本発明の(A)酸分解性樹脂としては、脂
肪族環状炭化水素基を有する繰り返し単位と、芳香族部
位を含まず、下記の一般式(a)で表される構造の架橋
部位を含む繰り返し単位とを含有し、酸の作用によりア
ルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂である。
The (A) acid-decomposable resin of the present invention includes a repeating unit having an aliphatic cyclic hydrocarbon group and a cross-linking site having a structure represented by the following general formula (a), which does not include an aromatic site. And a dissolving rate in an alkali developing solution which is increased by the action of an acid.

【0033】式(a)中、R101及びR102は、互いに独
立して水素原子、置換基を有していてもよい、炭素数1
〜4個のアルキル基を表す。炭素数1〜4個のアルキル
基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基等を挙げることができる。
In the formula (a), R 101 and R 102 each independently represent a hydrogen atom or an optionally substituted substituent having 1 carbon atom.
Represents up to 4 alkyl groups. Examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group.

【0034】上記アルキル基における更なる置換基とし
ては、水酸基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アルコ
キシ基、アシル基、シアノ基、アシルオキシ基、アルキ
ル基等を挙げることができる。ハロゲン原子としては、
塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げる
ことができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4
個のものが挙げることができ、アシル基としてはホルミ
ル基、アセチル基等を挙げることができ、アシルオキシ
基としてはアセトキシ基等を挙げることができる。
Further substituents in the above alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom, a carboxyl group, an alkoxy group, an acyl group, a cyano group, an acyloxy group, an alkyl group and the like. As a halogen atom,
Examples thereof include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom. Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group.
The acyl group includes a formyl group and an acetyl group, and the acyloxy group includes an acetoxy group.

【0035】本発明の(A)の樹脂としては、下記の一
般式(b)で表される構造の繰り返し単位を含有するこ
とが好ましい。
The resin (A) of the present invention preferably contains a repeating unit having a structure represented by the following general formula (b).

【0036】[0036]

【化15】 Embedded image

【0037】式(b)中、R101及びR102は、互いに独
立して水素原子、置換基を有していてもよい、炭素数1
〜4個のアルキル基を表す。R103〜R108は、互いに独
立して水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル
基、シアノ基、ハロゲン原子を表す。Aは、アルキレン
基、シクロアルキレン基、エーテル基、チオエーテル
基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフォン
アミド基の群より選択される少なくとも1種の2価の連
結基を表す。
In the formula (b), R 101 and R 102 each independently represent a hydrogen atom or an optionally substituted substituent having 1 carbon atom.
Represents up to 4 alkyl groups. R 103 to R 108 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group, or a halogen atom which may have a substituent. A represents at least one divalent linking group selected from the group consisting of an alkylene group, a cycloalkylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, an ester group, an amide group, and a sulfonamide group.

【0038】R103〜R108のアルキル基としては、炭素
数1〜10個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基が好ま
しく、より好ましくは炭素数1〜6個の直鎖状あるいは
分岐状アルキル基であり、更に好ましくはメチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、
イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基であ
る。
The alkyl group of R 103 to R 108 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. And more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group,
An isobutyl group, a sec-butyl group and a t-butyl group.

【0039】上記Aにおけるアルキレン基としては、例
えば、下記式で表される基を挙げることができる。 −〔C(Ra )(Rb )〕r − 式中、Ra 、Rb は、水素原子、置換基を有していても
よいアルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基
を表し、両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル
基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更
に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基から選択される。置換基としては、水酸基、ハ
ロゲン原子、アルコキシ基を挙げることができる。アル
コキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものを挙げるこ
とができる。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原
子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。r
は1〜10の整数を表す。
Examples of the alkylene group in the above A include a group represented by the following formula. -[C (R a ) (R b )] r-wherein R a and R b each represent a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent, a halogen atom, a hydroxyl group, or an alkoxy group; May be the same or different. The alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group and a butyl group, and more preferably selected from a methyl group, an ethyl group, a propyl group and an isopropyl group. Examples of the substituent include a hydroxyl group, a halogen atom, and an alkoxy group. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom. r
Represents an integer of 1 to 10.

【0040】また、上記Aにおけるシクロアルキレン基
としては、脂環式炭化水素構造を有する2価の基を挙げ
ることができる。また脂環式炭化水素構造は置換基を有
していてもよい。以下に、脂環式炭化水素構造のうち、
脂環式部分の構造例を示す。
The cycloalkylene group in the above A may be a divalent group having an alicyclic hydrocarbon structure. Further, the alicyclic hydrocarbon structure may have a substituent. Below, of the alicyclic hydrocarbon structure,
The structural example of an alicyclic part is shown.

【0041】[0041]

【化16】 Embedded image

【0042】[0042]

【化17】 Embedded image

【0043】[0043]

【化18】 Embedded image

【0044】本発明においては、上記脂環式部分の好ま
しいものとしては、アダマンチル基、ノルアダマンチル
基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラシク
ロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シク
ロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、
シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることが
できる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリン残
基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル
基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカ
ニル基、シクロドデカニル基である。
In the present invention, preferred examples of the alicyclic moiety include an adamantyl group, a noradamantyl group, a decalin residue, a tricyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group, a norbornyl group, a cedrol group, and a cyclohexyl group. , Cycloheptyl group, cyclooctyl group,
Examples thereof include a cyclodecanyl group and a cyclododecanyl group. More preferred are an adamantyl group, a decalin residue, a norbornyl group, a cedrol group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclodecanyl group, and a cyclododecanyl group.

【0045】これらの脂環式炭化水素構造の置換基とし
ては、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水
酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカル
ボニル基が挙げられる。アルキル基としてはメチル基、
エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の
低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、
エチル基、プロピル基、イソプロピル基よりなる群から
選択された置換基を表す。置換アルキル基の置換基とし
ては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げるこ
とができる。上記アルコキシ基としてはメトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4
個のものを挙げることができる。
Examples of the substituent of these alicyclic hydrocarbon structures include an alkyl group, a substituted alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, a carboxyl group and an alkoxycarbonyl group. As the alkyl group, a methyl group,
Preferred are lower alkyl groups such as ethyl group, propyl group, isopropyl group and butyl group, more preferably methyl group,
Represents a substituent selected from the group consisting of an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group. Examples of the substituent of the substituted alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom and an alkoxy group. Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group.
Individuals can be mentioned.

【0046】また、本発明の(A)の樹脂としては、下
記の一般式(c)で表される構造の繰り返し単位を含有
することが好ましい。
The resin (A) of the present invention preferably contains a repeating unit having a structure represented by the following general formula (c).

【0047】[0047]

【化19】 Embedded image

【0048】式(c)中、R101〜R108、Aは、一般式
(b)中のR101〜R108、Aと同義である。
The formula (c), R 101 ~R 108 , A have the same meanings as R 101 to R 108, A in the general formula (b).

【0049】以下に、芳香族部位を含まず、上記の一般
式(a)で表される構造の架橋部位を含む繰り返し単位
に相当するモノマーの具体例を示すが、本発明はこれら
の具体例に限定されるものではない。
The following are specific examples of monomers which do not contain an aromatic moiety and correspond to a repeating unit having a crosslinked moiety having the structure represented by the above general formula (a). It is not limited to.

【0050】[0050]

【化20】 Embedded image

【0051】[0051]

【化21】 Embedded image

【0052】本発明の(A)の樹脂における脂肪族環状
炭化水素基を有する繰り返し単位としては、主鎖又は側
鎖に脂環式炭化水素基を有するものが挙げられるが、上
記一般式(pI)〜一般式(pVI)で示される脂環式炭
化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位及び下記一
般式(II)で示される繰り返し単位の群から選択される
少なくとも1種を含有することが好ましい。
Examples of the repeating unit having an aliphatic cyclic hydrocarbon group in the resin (A) of the present invention include those having an alicyclic hydrocarbon group in a main chain or a side chain. It is preferable to contain at least one selected from the group consisting of a repeating unit having a partial structure containing an alicyclic hydrocarbon represented by the general formula (pVI) and a repeating unit represented by the following general formula (II) .

【0053】一般式(pI)〜(pVI)において、R
12〜R25におけるアルキル基としては、置換もしくは非
置換のいずれであってもよい、1〜4個の炭素原子を有
する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。そのアルキ
ル基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピ
ル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、
sec−ブチル基、t−ブチル基等が挙げられる。ま
た、上記アルキル基の更なる置換基としては、炭素数1
〜4個のアルコキシ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩
素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、アシル基、アシロキ
シ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アルコキシカ
ルボニル基、ニトロ基等を挙げることができる。
In the general formulas (pI) to (pVI), R
The alkyl group for 12 to R 25 represents a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, which may be substituted or unsubstituted. Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group,
Examples include a sec-butyl group and a t-butyl group. Further, as a further substituent of the above alkyl group, one having 1 carbon atom
And 4 to 4 alkoxy groups, halogen atoms (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), acyl group, acyloxy group, cyano group, hydroxyl group, carboxy group, alkoxycarbonyl group, nitro group and the like.

【0054】R11〜R25における脂環式炭化水素基ある
いはZと炭素原子が形成する脂環式炭化水素基として
は、単環式でも、多環式でもよい。具体的には、炭素数
5以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシ
クロ構造等を有する基を挙げることができる。その炭素
数は6〜30個が好ましく、特に炭素数7〜25個が好
ましい。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有してい
てもよい。以下に、脂環式炭化水素基のうち、脂環式部
分の構造例を示す。
[0054] The alicyclic hydrocarbon group in which the alicyclic hydrocarbon group, or Z and the carbon atoms in R 11 to R 25 form, also monocyclic, or polycyclic. Specific examples include groups having a monocyclo, bicyclo, tricyclo, tetracyclo structure or the like having 5 or more carbon atoms. The number of carbon atoms is preferably from 6 to 30, particularly preferably from 7 to 25. These alicyclic hydrocarbon groups may have a substituent. Below, the structural example of an alicyclic part among alicyclic hydrocarbon groups is shown.

【0055】[0055]

【化22】 Embedded image

【0056】[0056]

【化23】 Embedded image

【0057】[0057]

【化24】 Embedded image

【0058】本発明においては、上記脂環式部分の好ま
しいものとしては、アダマンチル基、ノルアダマンチル
基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラシク
ロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シク
ロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、
シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることが
できる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリン残
基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル
基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカ
ニル基、シクロドデカニル基である。
In the present invention, preferred examples of the alicyclic moiety include an adamantyl group, a noradamantyl group, a decalin residue, a tricyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group, a norbornyl group, a cedrol group, and a cyclohexyl group. , Cycloheptyl group, cyclooctyl group,
Examples thereof include a cyclodecanyl group and a cyclododecanyl group. More preferred are an adamantyl group, a decalin residue, a norbornyl group, a cedrol group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclodecanyl group, and a cyclododecanyl group.

【0059】これらの脂環式炭化水素基の置換基として
は、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸
基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボ
ニル基が挙げられる。アルキル基としてはメチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低
級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基よりなる群から選
択された置換基を表す。置換アルキル基の置換基として
は、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げること
ができる。上記アルコキシ基としてはメトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個
のものを挙げることができる。
Examples of the substituent of these alicyclic hydrocarbon groups include an alkyl group, a substituted alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, a carboxyl group and an alkoxycarbonyl group. The alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group and a butyl group, and more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a substituent selected from the group consisting of an isopropyl group. Represent. Examples of the substituent of the substituted alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom and an alkoxy group. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group.

【0060】上記樹脂における一般式(pI)〜(pV
I)で示される構造は、アルカリ可溶性基の保護に使用
することができる。アルカリ可溶性基としては、この技
術分野において公知の種々の基が挙げられる。具体的に
は、カルボン酸基、スルホン酸基、フェノール基、チオ
ール基などが挙げられ、好ましくはカルボン酸基、スル
ホン酸基である。上記樹脂における一般式(pI)〜
(pVI)で示される構造で保護されたアルカリ可溶性
基としては、好ましくは下記一般式(pVII)〜(p
XI)で表される基が挙げられる。
The resins represented by the general formulas (pI) to (pV)
The structure represented by I) can be used for protecting an alkali-soluble group. Examples of the alkali-soluble group include various groups known in this technical field. Specific examples include a carboxylic acid group, a sulfonic acid group, a phenol group, and a thiol group, and a carboxylic acid group and a sulfonic acid group are preferable. General formula (pI) to above resin
The alkali-soluble group protected by the structure represented by (pVI) is preferably the following general formulas (pVII) to (pVII).
XI).

【0061】[0061]

【化25】 Embedded image

【0062】ここで、R11〜R25ならびにZは、それぞ
れ前記定義に同じである。上記樹脂において、一般式
(pI)〜(pVI)で示される構造で保護されたアル
カリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、下記一般
式(pA)で示される繰り返し単位が好ましい。
Here, R 11 to R 25 and Z are the same as defined above. In the above resin, as the repeating unit having an alkali-soluble group protected by the structure represented by any of formulas (pI) to (pVI), a repeating unit represented by the following formula (pA) is preferable.

【0063】[0063]

【化26】 Embedded image

【0064】ここで、Rは、水素原子、ハロゲン原子又
は1〜4個の炭素原子を有する置換もしくは非置換の直
鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。複数のRは、各々
同じでも異なっていてもよい。Aは、単結合、アルキレ
ン基、置換アルキレン基、エーテル基、チオエーテル
基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフォン
アミド基、ウレタン基、又はウレア基よりなる群から選
択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表
す。Raは、上記式(pI)〜(pVI)のいずれかの基
を表す。
Here, R represents a hydrogen atom, a halogen atom or a substituted or unsubstituted linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. A plurality of Rs may be the same or different. A is singly or two or more selected from the group consisting of a single bond, an alkylene group, a substituted alkylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, an ester group, an amide group, a sulfonamide group, a urethane group, and a urea group. Represents a combination of groups. Ra represents any one of the above formulas (pI) to (pVI).

【0065】以下、一般式(pA)で示される繰り返し
単位に相当するモノマーの具体例を示す。
Hereinafter, specific examples of the monomer corresponding to the repeating unit represented by the general formula (pA) will be shown.

【0066】[0066]

【化27】 Embedded image

【0067】[0067]

【化28】 Embedded image

【0068】[0068]

【化29】 Embedded image

【0069】[0069]

【化30】 Embedded image

【0070】[0070]

【化31】 Embedded image

【0071】[0071]

【化32】 Embedded image

【0072】上記一般式(II)において、R11'、R12'
は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子、
又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Z'
は、結合した2つの炭素原子(C−C)を含み、置換基
を有していてもよい脂環式構造を形成するための原子団
を表す。
In the general formula (II), R 11 ′ and R 12
Is independently a hydrogen atom, a cyano group, a halogen atom,
Or an alkyl group which may have a substituent. Z '
Represents an atomic group for forming an alicyclic structure which has two bonded carbon atoms (CC) and may have a substituent.

【0073】上記R11'、R12'におけるハロゲン原子と
しては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等
を挙げることができる。上記R11'、R12'、R21'〜R
30'におけるアルキル基としては、炭素数1〜10個の
直鎖状あるいは分岐状アルキル基が好ましく、より好ま
しくは炭素数1〜6個の直鎖状あるいは分岐状アルキル
基であり、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピ
ル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、
sec−ブチル基、t−ブチル基である。
Examples of the halogen atom for R 11 ′ and R 12 ′ include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom and an iodine atom. R 11 ′, R 12 ′, R 21 ′ to R
As the alkyl group at 30 ′, a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is more preferable, and still more preferable. Methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group,
They are a sec-butyl group and a t-butyl group.

【0074】上記のアルキル基における更なる置換基と
しては、水酸基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アル
コキシ基、アシル基、シアノ基、アシルオキシ基等を挙
げることができる。ハロゲン原子としては塩素原子、臭
素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができ、
アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものを挙げる
ことができ、アシル基としてはホルミル基、アセチル基
等を挙げることができ、アシルオキシ基としてはアセト
キシ基等を挙げることができる。
Further substituents in the above alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom, a carboxyl group, an alkoxy group, an acyl group, a cyano group, an acyloxy group and the like. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, an iodine atom,
Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group. Examples of the acyl group include a formyl group and an acetyl group. Is an acetoxy group.

【0075】上記Z'の脂環式構造を形成するための原
子団は、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素の繰
り返し単位を樹脂に形成する原子団であり、中でも有橋
式の脂環式炭化水素の繰り返し単位を形成する有橋式脂
環式構造を形成するための原子団が好ましい。形成され
る脂環式炭化水素の骨格としては、下記構造で示すもの
等が挙げられる。
The atomic group for forming the alicyclic structure of Z ′ is an atomic group for forming a repeating unit of an alicyclic hydrocarbon which may have a substituent on the resin. An atomic group for forming a bridged alicyclic structure forming a repeating unit of the alicyclic hydrocarbon of the formula is preferred. Examples of the skeleton of the formed alicyclic hydrocarbon include those represented by the following structures.

【0076】[0076]

【化33】 Embedded image

【0077】[0077]

【化34】 Embedded image

【0078】好ましい有橋式の脂環式炭化水素の骨格と
しては、上記構造のうち、(5)、(6)、(7)、
(9)、(10)、(13)、(14)、(15)、
(23)、(28)、(36)、(37)、(42)、
(47)が挙げられる。
Preferable bridged alicyclic hydrocarbon skeletons include (5), (6), (7),
(9), (10), (13), (14), (15),
(23), (28), (36), (37), (42),
(47).

【0079】上記脂環式炭化水素の骨格には置換基を有
していてもよい。そのような置換基としては、上記一般
式(II−A)あるいは(II−B)中のR13'〜R16'を挙
げることができる。上記有橋式の脂環式炭化水素を有す
る繰り返し単位の中でも、上記一般式(II−A)あるい
は(II−B)で表される繰り返し単位が更に好ましい。
The skeleton of the alicyclic hydrocarbon may have a substituent. Examples of such a substituent include R 13 ′ to R 16 ′ in the above formula (II-A) or (II-B). Among the repeating units having a bridged alicyclic hydrocarbon, a repeating unit represented by the above general formula (II-A) or (II-B) is more preferable.

【0080】上記一般式(II−A)あるいは(II−B)
において、R13'〜R16'は、各々独立に、水素原子、ハ
ロゲン原子、シアノ基、−COOH、−COOR5 、酸
の作用により分解する基、−C(=O)−X−A'−R
17'、又は置換基を有していてもよいアルキル基あるい
は環状炭化水素基を表す。R5は、置換基を有していて
もよい、アルキル基、環状炭化水素基又は前記の−Y基
を表す。Xは、酸素原子、硫黄原子、−NH−、−NH
SO2−又は−NHSO2NH−を表す。A'は、単結合
または2価の連結基を表す。また、Rl3'〜R16'のうち
少なくとも2つが結合して環を形成してもよい。nは0
又は1を表す。R17'は、−COOH、−COOR5
−CN、水酸基、置換基を有していてもよいアルコキシ
基、−CO−NH−R6 、−CO−NH−SO2 −R6
又は下記の−Y基を表す。R6は、置換基を有していて
もよい、アルキル基又は環状炭化水素基を表す。前記−
Y基において、R21'〜R30'は、各々独立に、水素原子
又は置換基を有していてもよいアルキル基を表し、a、
bは1又は2を表す。
The above formula (II-A) or (II-B)
In the formula, R 13 ′ to R 16 ′ each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, —COOH, —COOR 5 , a group decomposed by the action of an acid, —C ((O) —XA ′. -R
17 ′ represents an alkyl group or a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent. R 5 represents an alkyl group, a cyclic hydrocarbon group or the above-mentioned —Y group which may have a substituent. X is an oxygen atom, a sulfur atom, -NH-, -NH
Represents SO 2 — or —NHSO 2 NH—. A ′ represents a single bond or a divalent linking group. Further, at least two of R 13 ′ to R 16 ′ may combine to form a ring. n is 0
Or represents 1. R 17 ′ represents —COOH, —COOR 5 ,
—CN, a hydroxyl group, an optionally substituted alkoxy group, —CO—NH—R 6 , —CO—NH—SO 2 —R 6
Or represents the following -Y group. R 6 represents an alkyl group or a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent. The-
In the Y group, R 21 ′ to R 30 ′ each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent;
b represents 1 or 2.

【0081】本発明に係わる樹脂において、酸分解性基
は、上記−C(=O)−X−A'−R17'に含まれてもよ
いし、一般式(II)のZ'の置換基として含まれてもよ
い。酸分解性基の構造としては、−C(=O)−X1
0 で表される。式中、R0 としては、t−ブチル基、
t−アミル基等の3級アルキル基、イソボロニル基、1
−エトキシエチル基、1−ブトキシエチル基、1−イソ
ブトキシエチル基、1−シクロヘキシロキシエチル基等
の1−アルコキシエチル基、1−メトキシメチル基、1
−エトキシメチル基等のアルコキシメチル基、3−オキ
ソアルキル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロ
フラニル基、トリアルキルシリルエステル基、3−オキ
ソシクロヘキシルエステル基、2−メチル−2−アダマ
ンチル基、メバロニックラクトン残基等を挙げることが
できる。X1は、上記Xと同義である。
In the resin according to the present invention, the acid-decomposable group may be contained in the above-mentioned —C (= O) —XA′-R 17 ′, or may be substituted for Z ′ in the general formula (II). It may be included as a group. The structure of the acid-decomposable group is -C (= O) -X 1-
It is represented by R 0 . In the formula, R 0 is a t-butyl group,
tertiary alkyl groups such as t-amyl group, isobornyl group, 1
-An ethoxyethyl group, a 1-butoxyethyl group, a 1-isobutoxyethyl group, a 1-alkoxyethyl group such as a 1-cyclohexyloxyethyl group, a 1-methoxymethyl group,
An alkoxymethyl group such as an ethoxymethyl group, a 3-oxoalkyl group, a tetrahydropyranyl group, a tetrahydrofuranyl group, a trialkylsilyl ester group, a 3-oxocyclohexyl ester group, a 2-methyl-2-adamantyl group, mevalonic Lactone residues and the like can be mentioned. X 1 has the same meaning as X described above.

【0082】上記R13'〜R16'におけるハロゲン原子と
しては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等
を挙げることができる。
Examples of the halogen atom in R 13 ′ to R 16 ′ include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom and an iodine atom.

【0083】上記R5、R6、R13'〜R16'におけるアル
キル基としては、炭素数1〜10個の直鎖状あるいは分
岐状アルキル基が好ましく、より好ましくは炭素数1〜
6個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基であり、更に好
ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル
基、t−ブチル基である。
The alkyl group for R 5 , R 6 and R 13 ′ to R 16 ′ is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms.
It is six linear or branched alkyl groups, more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, and a t-butyl group.

【0084】上記R5、R6、R13'〜R16'における環状
炭化水素基としては、例えば環状アルキル基、有橋式炭
化水素であり、シクロプロピル基、シクロペンチル基、
シクロヘキシル基、アダマンチル基、2−メチル−2−
アダマンチル基、ノルボルニル基、ボロニル基、イソボ
ロニル基、トリシクロデカニル基、ジシクロペンテニル
基、ノボルナンエポキシ基、メンチル基、イソメンチル
基、ネオメンチル基、テトラシクロドデカニル基等を挙
げることができる。上記R13'〜R16'のうち少なくとも
2つが結合して形成する環としては、シクロペンテン、
シクロヘキセン、シクロヘプタン、シクロオクタン等の
炭素数5〜12の環が挙げられる。
Examples of the cyclic hydrocarbon group for R 5 , R 6 and R 13 ′ to R 16 ′ include a cyclic alkyl group and a bridged hydrocarbon group, such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group,
Cyclohexyl group, adamantyl group, 2-methyl-2-
An adamantyl group, a norbornyl group, a boronyl group, an isobornyl group, a tricyclodecanyl group, a dicyclopentenyl group, a nobornane epoxy group, a menthyl group, an isomenthyl group, a neomenthyl group, a tetracyclododecanyl group, and the like can be given. As the ring formed by bonding at least two of R 13 ′ to R 16 ′, cyclopentene,
Rings having 5 to 12 carbon atoms such as cyclohexene, cycloheptane, cyclooctane and the like can be mentioned.

【0085】上記R17'におけるアルコキシ基として
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等の炭素数1〜4個のものを挙げることができる。
Examples of the alkoxy group for R 17 ′ include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group.

【0086】上記アルキル基、環状炭化水素基、アルコ
キシ基における更なる置換基としては、水酸基、ハロゲ
ン原子、カルボキシル基、アルコキシ基、アシル基、シ
アノ基、アシルオキシ基、アルキル基、環状炭化水素基
等を挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素
原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げること
ができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキ
シ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個の
ものが挙げることができ、アシル基としてはホルミル
基、アセチル基等を挙げることができ、アシルオキシ基
としてはアセトキシ基等を挙げることができる。また、
アルキル基、環状炭化水素基は、上記で挙げたものが挙
げられる。
Further substituents in the above alkyl group, cyclic hydrocarbon group and alkoxy group include a hydroxyl group, a halogen atom, a carboxyl group, an alkoxy group, an acyl group, a cyano group, an acyloxy group, an alkyl group, a cyclic hydrocarbon group and the like. Can be mentioned. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group. Examples of the acyl group include a formyl group and an acetyl group. Examples thereof include an acetoxy group. Also,
Examples of the alkyl group and the cyclic hydrocarbon group include those described above.

【0087】上記A'の2価の連結基としては、アルキ
レン基、置換アルキレン基、エーテル基、チオエーテル
基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフォン
アミド基、ウレタン基、ウレア基よりなる群から選択さ
れる単独あるいは2つ以上の基の組み合わせが挙げられ
る。上記A'におけるアルキレン基、置換アルキレン基
としては、下記式で表される基を挙げることができる。 −〔C(Ra )(Rb )〕r − 式中、Ra 、Rb は、水素原子、アルキル基、置換アル
キル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表し、
両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ま
しくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基から選択される。置換アルキル基の置換基としては、
水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることがで
きる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のも
のを挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素
原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げること
ができる。rは1〜10の整数を表す。
The divalent linking group represented by A ′ is selected from the group consisting of an alkylene group, a substituted alkylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, an ester group, an amide group, a sulfonamide group, a urethane group and a urea group. The selected one or a combination of two or more groups can be mentioned. Examples of the alkylene group and substituted alkylene group in A ′ include groups represented by the following formula. -[C (R a ) (R b )] r-wherein R a and R b represent a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group,
Both may be the same or different. The alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group and a butyl group, and more preferably selected from a methyl group, an ethyl group, a propyl group and an isopropyl group. As the substituent of the substituted alkyl group,
Examples include a hydroxyl group, a halogen atom and an alkoxy group. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom. r represents an integer of 1 to 10.

【0088】本発明に係る樹脂においては、酸の作用に
より分解する基は、前記一般式(pI)〜一般式(pV
I)で示される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する
繰り返し単位、一般式(II)で表される繰り返し単位、
及び後記共重合成分の繰り返し単位のうち少なくとも1
種の繰り返し単位に含有することができる。
In the resin according to the present invention, the groups decomposed by the action of an acid are represented by the general formulas (pI) to (pV).
A repeating unit having a partial structure containing an alicyclic hydrocarbon represented by I), a repeating unit represented by the general formula (II),
And at least one of repeating units of a copolymer component described later.
It can be contained in various kinds of repeating units.

【0089】上記一般式(II−A)あるいは一般式(II
−B)におけるR13'〜R16'の各種置換基は、上記一般
式(II)における脂環式構造を形成するための原子団な
いし有橋式脂環式構造を形成するための原子団Zの置換
基ともなるものである。
The above formula (II-A) or (II
The various substituents of R 13 ′ to R 16 ′ in —B) are an atomic group for forming an alicyclic structure or an atomic group for forming a bridged alicyclic structure in the above general formula (II). It is also a substituent of Z.

【0090】上記一般式(II−A)あるいは一般式(II
−B)で表される繰り返し単位の具体例として次の[II
−1]〜[II−175]が挙げられるが、本発明はこれ
らの具体例に限定されるものではない。
The above general formula (II-A) or general formula (II
-B) As specific examples of the repeating unit represented by the following [II]
-1] to [II-175], but the present invention is not limited to these specific examples.

【0091】[0091]

【化35】 Embedded image

【0092】[0092]

【化36】 Embedded image

【0093】[0093]

【化37】 Embedded image

【0094】[0094]

【化38】 Embedded image

【0095】[0095]

【化39】 Embedded image

【0096】[0096]

【化40】 Embedded image

【0097】[0097]

【化41】 Embedded image

【0098】[0098]

【化42】 Embedded image

【0099】[0099]

【化43】 Embedded image

【0100】[0100]

【化44】 Embedded image

【0101】[0101]

【化45】 Embedded image

【0102】[0102]

【化46】 Embedded image

【0103】[0103]

【化47】 Embedded image

【0104】[0104]

【化48】 Embedded image

【0105】[0105]

【化49】 Embedded image

【0106】[0106]

【化50】 Embedded image

【0107】[0107]

【化51】 Embedded image

【0108】[0108]

【化52】 Embedded image

【0109】[0109]

【化53】 Embedded image

【0110】本発明の酸分解性樹脂は、更に下記一般式
(IV)で表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を
含有することができる。
The acid-decomposable resin of the present invention may further contain a repeating unit having a lactone structure represented by the following general formula (IV).

【0111】[0111]

【化54】 Embedded image

【0112】一般式(IV)中、R1aは、水素原子又はメ
チル基を表す。W1は、単結合、アルキレン基、エーテ
ル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基より
なる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み
合わせを表す。Ra1,Rb1,Rc1,Rd1,Re1
各々独立に、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を
表す。m,nは各々独立に0〜3の整数を表し、m+n
は、2以上6以下である。
[0112] In the general formula (IV), R 1 a represents a hydrogen atom or a methyl group. W 1 represents a single bond, an alkylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, or a combination of two or more groups selected from the group consisting of an ester group. Ra 1, Rb 1, Rc 1 , Rd 1, Re 1 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. m and n each independently represent an integer of 0 to 3;
Is 2 or more and 6 or less.

【0113】Ra1〜Re1の炭素数1〜4のアルキル基
としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル
基、t−ブチル基等を挙げることができる。
Examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by Ra 1 to Re 1 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group and a t-butyl group. Can be mentioned.

【0114】一般式(IV)において、W1のアルキレン
基としては、下記式で表される基を挙げることができ
る。 −〔C(Rf)(Rg)〕r1− 上記式中、Rf、Rgは、水素原子、アルキル基、置換
アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表
し、両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好
ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基から選択される。置換アルキル基の置換基として
は、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げること
ができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキ
シ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4のも
のを挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素
原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げること
ができる。r1は1〜10の整数である。
In formula (IV), examples of the alkylene group represented by W 1 include groups represented by the following formula. — [C (Rf) (Rg)] r 1 — In the above formula, Rf and Rg represent a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, or an alkoxy group, and they may be the same or different. Good. The alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group and a butyl group, and more preferably selected from a methyl group, an ethyl group, a propyl group and an isopropyl group. Examples of the substituent of the substituted alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom and an alkoxy group. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom. r 1 is an integer of 1 to 10.

【0115】上記アルキル基における更なる置換基とし
ては、カルボキシル基、アシルオキシ基、シアノ基、ア
ルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、ア
ルコキシ基、置換アルコキシ基、アセチルアミド基、ア
ルコキシカルボニル基、アシル基が挙げられる。ここで
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ブチル基、シクロプロピル基、シ
クロブチル基、シクロペンチル基等の低級アルキル基を
挙げることができる。置換アルキル基の置換基として
は、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げること
ができる。置換アルコキシ基の置換基としては、アルコ
キシ基等を挙げることができる。アルコキシ基として
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等の炭素数1〜4のものを挙げることができる。アシ
ルオキシ基としては、アセトキシ基等が挙げられる。ハ
ロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原
子、沃素原子等を挙げることができる。
Further substituents in the above alkyl group include carboxyl group, acyloxy group, cyano group, alkyl group, substituted alkyl group, halogen atom, hydroxyl group, alkoxy group, substituted alkoxy group, acetylamide group, alkoxycarbonyl group, An acyl group is exemplified. Here, examples of the alkyl group include lower alkyl groups such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, and a cyclopentyl group. Examples of the substituent of the substituted alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom and an alkoxy group. Examples of the substituent of the substituted alkoxy group include an alkoxy group. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group. Examples of the acyloxy group include an acetoxy group. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom.

【0116】以下、一般式(IV)で示される繰り返し構
造単位に相当するモノマーの具体例を示すが、これらに
限定されるものではない。
Hereinafter, specific examples of the monomer corresponding to the repeating structural unit represented by the general formula (IV) will be shown, but it should not be construed that the invention is limited thereto.

【0117】[0117]

【化55】 Embedded image

【0118】[0118]

【化56】 Embedded image

【0119】[0119]

【化57】 Embedded image

【0120】上記一般式(IV)の具体例において、露光
マージンがより良好になるという点から(IV−17)〜
(IV−36)が好ましい。更に一般式(IV)の構造とし
ては、エッジラフネスが良好になるという点からアクリ
レート構造を有するものが好ましい。
In the specific example of the above general formula (IV), (IV-17) to (IV-17)
(IV-36) is preferred. Further, as the structure of the general formula (IV), those having an acrylate structure are preferable from the viewpoint that edge roughness is improved.

【0121】また、下記一般式(V−1)〜(V−4)
のいずれかで表される基を有する繰り返し単位を含有し
ても良い。
Further, the following general formulas (V-1) to (V-4)
And a repeating unit having a group represented by any of the above.

【0122】[0122]

【化58】 Embedded image

【0123】一般式(V−1)〜(V−4)において、
1b〜R5bは、各々独立に水素原子、置換基を有してい
てもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニ
ル基を表す。R1b〜R5bの内の2つは、結合して環を形
成してもよい。
In the general formulas (V-1) to (V-4),
R 1b to R 5b each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an alkenyl group which may have a substituent. Two of R 1b to R 5b may combine to form a ring.

【0124】一般式(V−1)〜(V−4)において、
1b〜R5bにおけるアルキル基としては、直鎖状、分岐
状のアルキル基が挙げられ、置換基を有していてもよ
い。直鎖状、分岐状のアルキル基としては、炭素数1〜
12個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基が好ましく、
より好ましくは炭素数1〜10個の直鎖状あるいは分岐
状アルキル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソ
ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、
デシル基である。R1b〜R5bにおけるシクロアルキル基
としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シク
ロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等
の炭素数3〜8個のものが好ましい。R1b〜R5bにおけ
るアルケニル基としては、ビニル基、プロペニル基、ブ
テニル基、ヘキセニル基等の炭素数2〜6個のものが好
ましい。また、R1b〜R5bの内の2つが結合して形成す
る環としては、シクロプロパン環、シクロブタン環、シ
クロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロオクタン環
等の3〜8員環が挙げられる。なお、一般式(V−1)
〜(V−4)におけるR1b〜R5bは、環状骨格を構成し
ている炭素原子のいずれに連結していてもよい。
In the general formulas (V-1) to (V-4),
Examples of the alkyl group for R 1b to R 5b include a linear or branched alkyl group, and may have a substituent. The linear or branched alkyl group has 1 to 1 carbon atoms.
Twelve linear or branched alkyl groups are preferred,
More preferably, it is a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and still more preferably, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, -Butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group,
Decyl group. The cycloalkyl group in R 1b to R 5b is preferably a cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group and the like. The alkenyl group in R 1b to R 5b is preferably an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms such as a vinyl group, a propenyl group, a butenyl group, and a hexenyl group. Examples of the ring formed by combining two members out of R 1b to R 5b include a 3- to 8-membered ring such as a cyclopropane ring, a cyclobutane ring, a cyclopentane ring, a cyclohexane ring, and a cyclooctane ring. The general formula (V-1)
R 1b to R 5b in (V-4) may be connected to any of the carbon atoms constituting the cyclic skeleton.

【0125】また、上記アルキル基、シクロアルキル
基、アルケニル基が有してもよい好ましい置換基として
は、炭素数1〜4個のアルコキシ基、ハロゲン原子(フ
ッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、炭素数
2〜5のアシル基、炭素数2〜5のアシロキシ基、シア
ノ基、水酸基、カルボキシ基、炭素数2〜5のアルコキ
シカルボニル基、ニトロ基等を挙げることができる。
Preferred substituents which the alkyl group, cycloalkyl group and alkenyl group may have are an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom). Atom), an acyl group having 2 to 5 carbon atoms, an acyloxy group having 2 to 5 carbon atoms, a cyano group, a hydroxyl group, a carboxy group, an alkoxycarbonyl group having 2 to 5 carbon atoms, and a nitro group.

【0126】一般式(V−1)〜(V−4)で表される
基を有する繰り返し単位としては、上記一般式(II−
A)又は(II−B)中のR13'〜R16'のうち少なくとも
1つが上記一般式(V−1)〜(V−4)で表される基
を有するもの(例えば−COOR5のR5が一般式(V−
1)〜(V−4)で表される基を表す)、又は下記一般
式(AI)で表される繰り返し単位等を挙げることがで
きる。
The repeating units having groups represented by formulas (V-1) to (V-4) include those represented by formula (II-
A) or (II-B) wherein at least one of R 13 ′ to R 16 ′ has a group represented by the above general formulas (V-1) to (V-4) (for example, -COOR 5 R 5 is a group represented by the general formula (V-
1) to (V-4)), or a repeating unit represented by the following general formula (AI).

【0127】[0127]

【化59】 Embedded image

【0128】一般式(AI)中、Rb0は、水素原子、ハ
ロゲン原子、又は炭素数1〜4の置換もしくは非置換の
アルキル基を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよ
い好ましい置換基としては、前記一般式(V−1)〜
(V−4)におけるR1bとしてのアルキル基が有してい
てもよい好ましい置換基として先に例示したものが挙げ
られる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩
素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。R
b0は水素原子が好ましい。A’は、単結合、エーテル
基、エステル基、カルボニル基、アルキレン基、又はこ
れらを組み合わせた2価の基を表す。B2は、一般式
(V−1)〜(V−4)のうちのいずれかで示される基
を表す。A’において、該組み合わせた2価の基として
は、例えば下記式のものが挙げられる。
In the general formula (AI), R b0 represents a hydrogen atom, a halogen atom, or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Preferred substituents which the alkyl group of Rb0 may have are those represented by the general formulas (V-1) to (V-1).
Preferred examples of the substituent which may be possessed by the alkyl group as R 1b in (V-4) include those exemplified above. Examples of the halogen atom for R b0 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom. R
b0 is preferably a hydrogen atom. A ′ represents a single bond, an ether group, an ester group, a carbonyl group, an alkylene group, or a divalent group obtained by combining these. B 2 represents a group represented by any one of formulas (V-1) to (V-4). In A ′, examples of the combined divalent group include those represented by the following formulas.

【0129】[0129]

【化60】 [Of 60]

【0130】上記式において、Rab、Rbbは、水素原
子、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸
基、アルコキシ基を表し、両者は同一でも異なっていて
もよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル
基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基から選択される。置換アルキ
ル基の置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、炭素数
1〜4のアルコキシ基を挙げることができる。アルコキ
シ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものを挙げること
ができる。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原
子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。r
1は1〜10の整数、好ましくは1〜4の整数を表す。
mは1〜3の整数、好ましくは1又は2を表す。
In the above formula, Rab and Rbb represent a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group or an alkoxy group, and they may be the same or different. The alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group and a butyl group, and more preferably selected from a methyl group, an ethyl group, a propyl group and an isopropyl group. Examples of the substituent of the substituted alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom, and an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom. r
1 represents an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 4.
m represents an integer of 1 to 3, preferably 1 or 2.

【0131】以下に、一般式(AI)で表される繰り返
し単位の具体例を挙げるが、本発明の内容がこれらに限
定されるものではない。
Hereinafter, specific examples of the repeating unit represented by the general formula (AI) will be shown, but the content of the present invention is not limited thereto.

【0132】[0132]

【化61】 Embedded image

【0133】[0133]

【化62】 Embedded image

【0134】[0134]

【化63】 Embedded image

【0135】[0135]

【化64】 Embedded image

【0136】[0136]

【化65】 Embedded image

【0137】[0137]

【化66】 Embedded image

【0138】[0138]

【化67】 Embedded image

【0139】また、本発明の酸分解性樹脂は、更に下記
一般式(VI)で表される繰り返し単位を含有することが
できる。
Further, the acid-decomposable resin of the present invention may further contain a repeating unit represented by the following general formula (VI).

【0140】[0140]

【化68】 Embedded image

【0141】一般式(VI)において、A6は単結合、ア
ルキレン基、シクロアルキレン基、エーテル基、チオエ
ーテル基、カルボニル基、エステル基よりなる群から選
択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表
す。R6aは水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、シア
ノ基、又はハロゲン原子を表す。
In the general formula (VI), A 6 is a single bond, an alkylene group, a cycloalkylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group or an ester group, or a combination of two or more groups. Represents R 6a represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a cyano group, or a halogen atom.

【0142】一般式(VI)において、A6のアルキレン
基としては、下記式で表される基を挙げることができ
る。 −〔C(Rnf)(Rng)〕r− 上記式中、Rnf、Rngは、水素原子、アルキル基、
置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基
を表し、両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル
基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更
に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基から選択される。置換アルキル基の置換基とし
ては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げるこ
とができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4の
ものを挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩
素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げるこ
とができる。rは1〜10の整数である。一般式(VI)
において、A6のシクロアルキレン基としては、炭素数
3から10個のものが挙げられ、シクロペンチレン基、
シクロヘキシレン基、シクロオクチレン基等を挙げるこ
とができる。
In formula (VI), examples of the alkylene group represented by A 6 include groups represented by the following formula. -[C (Rnf) (Rng)] r- In the above formula, Rnf and Rng are a hydrogen atom, an alkyl group,
Represents a substituted alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, or an alkoxy group, which may be the same or different. The alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group and a butyl group, and more preferably selected from a methyl group, an ethyl group, a propyl group and an isopropyl group. Examples of the substituent of the substituted alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom and an alkoxy group. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom. r is an integer of 1 to 10. General formula (VI)
In the above, examples of the cycloalkylene group for A 6 include those having 3 to 10 carbon atoms, and a cyclopentylene group,
Examples thereof include a cyclohexylene group and a cyclooctylene group.

【0143】Z6を含む有橋式脂環式環は、置換基を有
していてもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原
子、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜4)、アルコキ
シカルボニル基(好ましくは炭素数1〜5)、アシル基
(例えば、ホルミル基、ベンゾイル基)、アシロキシ基
(例えば、プロピルカルボニルオキシ基、ベンゾイルオ
キシ基)、アルキル基(好ましくは炭素数1〜4)、カ
ルボキシル基、水酸基、アルキルスルホニルスルファモ
イル基(-CONHSO2CH3等)が挙げられる。尚、
置換基としてのアルキル基は、更に水酸基、ハロゲン原
子、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜4)等で置換
されていてもよい。
The bridged alicyclic ring containing Z 6 may have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom, an alkoxy group (preferably having 1 to 4 carbon atoms), an alkoxycarbonyl group (preferably having 1 to 5 carbon atoms), an acyl group (eg, a formyl group and a benzoyl group), and an acyloxy group ( For example, a propylcarbonyloxy group, a benzoyloxy group), an alkyl group (preferably having 1 to 4 carbon atoms), a carboxyl group, a hydroxyl group, an alkylsulfonylsulfamoyl group (such as —CONHSO 2 CH 3 ) are exemplified. still,
The alkyl group as a substituent may be further substituted with a hydroxyl group, a halogen atom, an alkoxy group (preferably having 1 to 4 carbon atoms), or the like.

【0144】一般式(VI)において、A6に結合してい
るエステル基の酸素原子は、Z6を含む有橋式脂環式環
構造を構成する炭素原子のいずれの位置で結合してもよ
い。
In the general formula (VI), the oxygen atom of the ester group bonded to A 6 may be bonded at any position of the carbon atom constituting the bridged alicyclic ring structure including Z 6. Good.

【0145】以下に、一般式(VI)で表される繰り返し
単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものでは
ない。
Hereinafter, specific examples of the repeating unit represented by the general formula (VI) will be shown, but it should not be construed that the invention is limited thereto.

【0146】[0146]

【化69】 Embedded image

【0147】[0147]

【化70】 Embedded image

【0148】更に、下記一般式(VII)で表される基を
有する繰り返し単位を含有してもよい。
Further, it may contain a repeating unit having a group represented by the following formula (VII).

【0149】[0149]

【化71】 Embedded image

【0150】一般式(VII)中、R2c〜R4cは、各々独
立に水素原子又は水酸基を表す。ただし、R2c〜R4cの
うち少なくとも1つは水酸基を表す。
[0150] In the general formula (VII), R 2 c~R 4 c represents a hydrogen atom or a hydroxyl group independently. Provided that at least one of R 2 c to R 4 c represents a hydroxyl group.

【0151】一般式(VII)で表される基は、好ましく
はジヒドロキシ体、モノヒドロキシ体であり、より好ま
しくはジヒドロキシ体である。
The group represented by the formula (VII) is preferably a dihydroxy compound or a monohydroxy compound, more preferably a dihydroxy compound.

【0152】一般式(VII)で表される基を有する繰り
返し単位としては、上記一般式(II−A)又は(II−
B)中のR13'〜R16'のうち少なくとも1つが上記一般
式(VII)で表される基を有するもの(例えば−COO
5のR5が一般式(V−1)〜(V−4)で表される基
を表す)、又は下記一般式(AII)で表される繰り返し
単位等を挙げることができる。
As the repeating unit having a group represented by the general formula (VII), the above-mentioned general formula (II-A) or (II-
B) wherein at least one of R 13 ′ to R 16 ′ has a group represented by the general formula (VII) (for example, —COO
R 5 of R 5 represents a group represented by formulas (V-1) to (V-4)), or a repeating unit represented by the following formula (AII).

【0153】[0153]

【化72】 Embedded image

【0154】一般式(AII)中、R1cは、水素原子又は
メチル基を表す。R2c〜R4cは、各々独立に水素原子又
は水酸基を表す。ただし、R2c〜R4cのうち少なくとも
1つは水酸基を表す。
[0154] In formula (AII), R 1 c represents a hydrogen atom or a methyl group. R 2 c~R 4 c represents a hydrogen atom or a hydroxyl group independently. Provided that at least one of R 2 c to R 4 c represents a hydroxyl group.

【0155】以下に、一般式(AII)で表される構造を
有する繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定
されるものではない。
Specific examples of the repeating unit having the structure represented by formula (AII) are shown below, but it should not be construed that the invention is limited thereto.

【0156】[0156]

【化73】 Embedded image

【0157】更に、下記一般式(VIII)で表される基を
有する繰り返し単位を含有してもよい。
Further, it may contain a repeating unit having a group represented by the following formula (VIII).

【0158】[0158]

【化74】 Embedded image

【0159】一般式(VIII)中:Z2は、−O−又は−
N(R41)−を表す。ここでR41は、水素原子、水酸
基、アルキル基、ハロアルキル基、又は−OSO2−R
42を表す。R42は、アルキル基、ハロアルキル基、シク
ロアルキル基又は樟脳残基を表す。
In the general formula (VIII), Z 2 represents —O— or —
N (R 41 )-. Here, R 41 is a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a haloalkyl group, or —OSO 2 —R
Represents 42 . R 42 represents an alkyl group, a haloalkyl group, a cycloalkyl group or a camphor residue.

【0160】上記一般式(VIII)に於いて、Z2は、−
O−又は−N(R41)−を表す。ここでR41は、水素原
子、水酸基、アルキル基、ハロアルキル基、又は−OS
2−R42を表す。R42は、アルキル基、ハロアルキル
基、シクロアルキル基又は樟脳残基を表す。
In the general formula (VIII), Z 2 represents-
Represents O- or -N ( R41 )-. Here, R 41 represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a haloalkyl group, or —OS
Represents O 2 -R 42 . R 42 represents an alkyl group, a haloalkyl group, a cycloalkyl group or a camphor residue.

【0161】上記R41及びR42におけるアルキル基とし
ては、炭素数1〜10個の直鎖状あるいは分岐状アルキ
ル基が好ましく、より好ましくは炭素数1〜6個の直鎖
状あるいは分岐状アルキル基であり、更に好ましくはメ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−
ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチ
ル基である。上記R41及びR42 におけるハロアルキル
基としてはトリフルオロメチル基、ナノフルオロブチル
基、ペンタデカフルオロオクチル基、トリクロロメチル
基等を挙げることができる。上記R42 におけるシクロ
アルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシ
ル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。
The alkyl group for R 41 and R 42 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. And more preferably methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-
A butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group and a t-butyl group. Examples of the haloalkyl group for R 41 and R 42 include a trifluoromethyl group, a nanofluorobutyl group, a pentadecafluorooctyl group, and a trichloromethyl group. Examples of the cycloalkyl group for R 42 include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cyclooctyl group.

【0162】R41及びR42としてのアルキル基及びハロ
アルキル基、R42としてのシクロアルキル基又は樟脳残
基は置換基を有していてもよい。このような置換基とし
ては、例えば、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、ハ
ロゲン原子(例えば、塩素原子、臭素原子、フッソ素原
子、沃素原子)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜
4、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブ
トキシ基等)、アシル基(好ましくは炭素数2〜5、例
えば、ホルミル基、アセチル基等)、アシルオキシ基
(好ましくは炭素数2〜5、例えばアセトキシ基)、ア
リール基(好ましくは炭素数6〜14、例えばフェニル
基)等を挙げることができる。
The alkyl group and haloalkyl group as R 41 and R 42 , the cycloalkyl group or camphor residue as R 42 may have a substituent. Examples of such a substituent include a hydroxyl group, a carboxyl group, a cyano group, a halogen atom (for example, a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, an iodine atom), and an alkoxy group (preferably having 1 to 1 carbon atoms).
4, for example, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, etc., an acyl group (preferably having 2 to 5 carbon atoms, for example, a formyl group, an acetyl group, etc.), an acyloxy group (preferably having 2 to 5 carbon atoms, for example, An acetoxy group) and an aryl group (preferably having 6 to 14 carbon atoms, for example, a phenyl group).

【0163】上記一般式(VIII)で表される繰り返し単
位の具体例として次の[I'−1]〜[I'−7]が挙げ
られるが、本発明はこれらの具体例に限定されるもので
はない。
Specific examples of the repeating unit represented by formula (VIII) include the following [I'-1] to [I'-7], but the present invention is limited to these specific examples. Not something.

【0164】[0164]

【化75】 [Of 75]

【0165】[0165]

【化76】 Embedded image

【0166】(A)成分である酸分解性樹脂は、上記の
繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準
現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さら
にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱
性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を
含有することができる。
The acid-decomposable resin which is the component (A) has, in addition to the above-mentioned repeating structural units, dry etching resistance, suitability for a standard developing solution, substrate adhesion, resist profile, and general necessary properties of a resist. Various repeating structural units can be contained for the purpose of adjusting resolution, heat resistance, sensitivity and the like.

【0167】このような繰り返し構造単位としては、下
記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることが
できるが、これらに限定されるものではない。これによ
り、酸分解性樹脂に要求される性能、特に、(1)塗布
溶剤に対する溶解性、(2)製膜性(ガラス転移点)、
(3)アルカリ現像性、(4)膜べり(親疎水性、アル
カリ可溶性基選択)、(5)未露光部の基板への密着
性、(6)ドライエッチング耐性、等の微調整が可能と
なる。このような単量体として、例えばアクリル酸エス
テル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、
メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル
類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和
結合を1個有する化合物等を挙げることができる。
Examples of such a repeating structural unit include repeating structural units corresponding to the following monomers, but are not limited thereto. Thereby, the performance required for the acid-decomposable resin, in particular, (1) solubility in a coating solvent, (2) film-forming property (glass transition point),
Fine adjustment of (3) alkali developability, (4) film loss (hydrophobicity, selection of alkali-soluble group), (5) adhesion of unexposed portion to substrate, (6) dry etching resistance, etc. becomes possible. . As such monomers, for example, acrylates, methacrylates, acrylamides,
Examples thereof include compounds having one addition-polymerizable unsaturated bond selected from methacrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, and the like.

【0168】具体的には、以下の単量体を挙げることが
できる。アクリル酸エステル類(好ましくはアルキル基
の炭素数が1〜10のアルキルアクリレート):アクリ
ル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、
アクリル酸アミル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリ
ル酸エチルヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸
−t−オクチル、クロルエチルアクリレート、2−ヒド
ロキシエチルアクリレート2,2−ジメチルヒドロキシ
プロピルアクリレート、5−ヒドロキシペンチルアクリ
レート、トリメチロールプロパンモノアクリレート、ペ
ンタエリスリトールモノアクリレート、ベンジルアクリ
レート、メトキシベンジルアクリレート、フルフリルア
クリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート等。
Specifically, the following monomers can be mentioned. Acrylic esters (preferably alkyl acrylates having 1 to 10 carbon atoms in the alkyl group): methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate,
Amyl acrylate, cyclohexyl acrylate, ethyl hexyl acrylate, octyl acrylate, tert-octyl acrylate, chloroethyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate 2,2-dimethylhydroxypropyl acrylate, 5-hydroxypentyl acrylate, trimethylolpropane Monoacrylate, pentaerythritol monoacrylate, benzyl acrylate, methoxybenzyl acrylate, furfuryl acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate and the like.

【0169】メタクリル酸エステル類(好ましくはアル
キル基の炭素数が1〜10のアルキルメタアクリレー
ト):メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、
プロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレー
ト、アミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、
シクロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレー
ト、クロルベンジルメタクリレート、オクチルメタクリ
レート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、4−ヒ
ドロキシブチルメタクリレート、5−ヒドロキシペンチ
ルメタクリレート、2,2−ジメチル−3−ヒドロキシ
プロピルメタクリレート、トリメチロールプロパンモノ
メタクリレート、ペンタエリスリトールモノメタクリレ
ート、フルフリルメタクリレート、テトラヒドロフルフ
リルメタクリレート等。
Methacrylates (preferably alkyl methacrylates having an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms): methyl methacrylate, ethyl methacrylate,
Propyl methacrylate, isopropyl methacrylate, amyl methacrylate, hexyl methacrylate,
Cyclohexyl methacrylate, benzyl methacrylate, chlorobenzyl methacrylate, octyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate, 5-hydroxypentyl methacrylate, 2,2-dimethyl-3-hydroxypropyl methacrylate, trimethylolpropane monomethacrylate, penta Erythritol monomethacrylate, furfuryl methacrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate and the like.

【0170】アクリルアミド類:アクリルアミド、N−
アルキルアクリルアミド(アルキル基としては炭素数1
〜10のもの、例えばメチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、t−ブチル基、ヘプチル基、オクチル
基、シクロヘキシル基、ヒドロキシエチル基等があ
る。)、N,N−ジアルキルアクリルアミド(アルキル
基としては炭素数1〜10のもの、例えばメチル基、エ
チル基、ブチル基、イソブチル基、エチルヘキシル基、
シクロヘキシル基等がある)、N−ヒドロキシエチル−
N−メチルアクリルアミド、N−2−アセトアミドエチ
ル−N−アセチルアクリルアミド等。
Acrylamides: acrylamide, N-
Alkyl acrylamide (the alkyl group has 1 carbon atom
And 10 such as methyl, ethyl, propyl, butyl, t-butyl, heptyl, octyl, cyclohexyl, and hydroxyethyl. ), N, N-dialkylacrylamide (alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, for example, methyl group, ethyl group, butyl group, isobutyl group, ethylhexyl group,
A cyclohexyl group, etc.), N-hydroxyethyl-
N-methylacrylamide, N-2-acetamidoethyl-N-acetylacrylamide and the like.

【0171】メタクリルアミド類:メタクリルアミド、
N−アルキルメタクリルアミド(アルキル基としては炭
素数1〜10のもの、例えばメチル基、エチル基、t−
ブチル基、エチルヘキシル基、ヒドロキシエチル基、シ
クロヘキシル基等がある)、N,N−ジアルキルメタク
リルアミド(アルキル基としてはエチル基、プロピル
基、ブチル基等がある)、N−ヒドロキシエチル−N−
メチルメタクリルアミド等。
Methacrylamides: methacrylamide,
N-alkyl methacrylamide (an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group,
Butyl group, ethylhexyl group, hydroxyethyl group, cyclohexyl group, etc.), N, N-dialkylmethacrylamide (alkyl group includes ethyl group, propyl group, butyl group, etc.), N-hydroxyethyl-N-
Methyl methacrylamide and the like.

【0172】アリル化合物:アリルエステル類(例えば
酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリル、ラ
ウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリン酸ア
リル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸アリル
等)、アリルオキシエタノール等。
Allyl compounds: allyl esters (for example, allyl acetate, allyl caproate, allyl caprylate, allyl laurate, allyl palmitate, allyl stearate, allyl benzoate, allyl acetoacetate, allyl lactate, etc.), allyloxyethanol etc.

【0173】ビニルエーテル類:アルキルビニルエーテ
ル(例えばヘキシルビニルエーテル、オクチルビニルエ
ーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキシルビニル
エーテル、メトキシエチルビニルエーテル、エトキシエ
チルビニルエーテル、クロルエチルビニルエーテル、1
−メチル−2,2−ジメチルプロピルビニルエーテル、
2−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキシエチルビ
ニルエーテル、ジエチレングリコールビニルエーテル、
ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエチルアミノ
エチルビニルエーテル、ブチルアミノエチルビニルエー
テル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒドロフルフリ
ルビニルエーテル等。
Vinyl ethers: alkyl vinyl ethers (eg, hexyl vinyl ether, octyl vinyl ether, decyl vinyl ether, ethylhexyl vinyl ether, methoxyethyl vinyl ether, ethoxyethyl vinyl ether, chloroethyl vinyl ether,
-Methyl-2,2-dimethylpropyl vinyl ether,
2-ethylbutyl vinyl ether, hydroxyethyl vinyl ether, diethylene glycol vinyl ether,
Dimethylaminoethyl vinyl ether, diethylaminoethyl vinyl ether, butylaminoethyl vinyl ether, benzyl vinyl ether, tetrahydrofurfuryl vinyl ether and the like.

【0174】ビニルエステル類:ビニルブチレート、ビ
ニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテート、ビ
ニルジエチルアセテート、ビニルバレート、ビニルカプ
ロエート、ビニルクロルアセテート、ビニルジクロルア
セテート、ビニルメトキシアセテート、ビニルブトキシ
アセテート、ビニルアセトアセテート、ビニルラクテー
ト、ビニル−β−フェニルブチレート、ビニルシクロヘ
キシルカルボキシレート等。
Vinyl esters: vinyl butyrate, vinyl isobutyrate, vinyl trimethyl acetate, vinyl diethyl acetate, vinyl valate, vinyl caproate, vinyl chloroacetate, vinyl dichloroacetate, vinyl methoxy acetate, vinyl butoxy acetate, vinyl Acetoacetate, vinyl lactate, vinyl-β-phenylbutyrate, vinylcyclohexylcarboxylate and the like.

【0175】イタコン酸ジアルキル類:イタコン酸ジメ
チル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジブチル等。フ
マール酸のジアルキルエステル類又はモノアルキルエス
テル類;ジブチルフマレート等。
Dialkyl itaconates: dimethyl itaconate, diethyl itaconate, dibutyl itaconate and the like. Dialkyl esters or monoalkyl esters of fumaric acid; dibutyl fumarate;

【0176】その他クロトン酸、イタコン酸、無水マレ
イン酸、マレイミド、アクリロニトリル、メタクリロニ
トリル、マレイロニトリル等。
Others crotonic acid, itaconic acid, maleic anhydride, maleimide, acrylonitrile, methacrylonitrile, maleilenitrile and the like.

【0177】その他にも、上記種々の繰り返し構造単位
に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽
和化合物であれば、共重合されていてもよい。
In addition, as long as it is an addition-polymerizable unsaturated compound copolymerizable with a monomer corresponding to the above-mentioned various repeating structural units, it may be copolymerized.

【0178】酸分解性樹脂において、各繰り返し構造単
位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標
準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さ
らにはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱
性、感度等を調節するために適宜設定される。
In the acid-decomposable resin, the molar ratio of each repeating structural unit depends on the dry etching resistance of the resist, the suitability for a standard developer, the substrate adhesion, the resist profile, and the resolving power, heat resistance, which is a general required performance of the resist. It is set as appropriate to adjust properties, sensitivity, and the like.

【0179】本発明の酸分解性樹脂の好ましい態様とし
ては、以下のものが挙げられる。 (1) 上記一般式(pI)〜(pVI)で表される脂環
式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位と芳香
族部位を含まず、上記の一般式(a)で表される構造の
架橋部位を含む繰り返し単位を含有するもの(側鎖型) (2) 一般式(II)で表される繰り返し単位と芳香族
部位を含まず、上記の一般式(a)で表される構造の架
橋部位を含む繰り返し単位を含有するもの(主鎖型)但
し、(2)においては例えば、更に以下のものが挙げら
れる。 (3) 一般式(II)で表される繰り返し単位、無水マ
レイン酸誘導体及び(メタ)アクリレート構造を有する
繰り返し単位、芳香族部位を含まず、上記の一般式
(a)で表される構造の架橋部位を含む繰り返し単位を
含有するもの(ハイブリッド型)
Preferred embodiments of the acid-decomposable resin of the present invention include the following. (1) A structure represented by the above general formula (a) which does not include a repeating unit having a partial structure containing an alicyclic hydrocarbon represented by the above general formulas (pI) to (pVI) and an aromatic moiety, and (2) Structure containing the repeating unit represented by the general formula (II) and the aromatic unit but not represented by the general formula (a) (Main chain type) containing a repeating unit containing a cross-linking site of (2). However, in (2), for example, the following may be further mentioned. (3) a repeating unit having the repeating unit represented by the general formula (II), a repeating unit having a maleic anhydride derivative and a (meth) acrylate structure, and containing no aromatic moiety, Containing a repeating unit containing a crosslinking site (hybrid type)

【0180】酸分解性樹脂中、脂肪族環状炭化水素基を
有する繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中
30〜80モル%が好ましく、より好ましくは35〜7
5モル%、更に好ましくは40〜70モル%である。酸
分解性樹脂中、芳香族部位を含まず、上記の一般式
(a)で表される構造の架橋部位を含む繰り返し単位の
含有量は、全繰り返し構造単位中0.1〜15モル%が
好ましく、より好ましくは0.3〜12モル%、更に好
ましくは0.5〜8モル%である。
The content of the repeating unit having an aliphatic cyclic hydrocarbon group in the acid-decomposable resin is preferably from 30 to 80 mol%, more preferably from 35 to 7 mol%, based on all repeating structural units.
It is 5 mol%, more preferably 40 to 70 mol%. In the acid-decomposable resin, the content of the repeating unit containing no aromatic moiety and containing the crosslinked moiety having the structure represented by the general formula (a) is 0.1 to 15 mol% in all repeating structural units. It is preferably 0.3 to 12 mol%, more preferably 0.5 to 8 mol%.

【0181】酸分解性樹脂中、一般式(pI)〜(pV
I)で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する
繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中30〜
70モル%が好ましく、より好ましくは35〜65モル
%、更に好ましくは40〜60モル%である。酸分解性
樹脂中、一般式(II)で表される繰り返し単位の含有量
は、全繰り返し構造単位中10〜60モル%が好まし
く、より好ましくは15〜55モル%、更に好ましくは
20〜50モル%である。
In the acid-decomposable resin, the compounds represented by the general formulas (pI) to (pV)
The content of the repeating unit having a partial structure containing an alicyclic hydrocarbon represented by I) is 30 to
70 mol% is preferable, more preferably 35 to 65 mol%, and still more preferably 40 to 60 mol%. In the acid-decomposable resin, the content of the repeating unit represented by the general formula (II) is preferably from 10 to 60 mol%, more preferably from 15 to 55 mol%, even more preferably from 20 to 50 mol%, based on all repeating structural units. Mol%.

【0182】また、上記更なる共重合成分の単量体に基
づく繰り返し構造単位の樹脂中の含有量も、所望のレジ
ストの性能に応じて適宜設定することができるが、一般
的に、上記一般式(pI)〜(pVI)で表される脂環式
炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し構造単位と上
記一般式(II)で表される繰り返し単位の合計した総モ
ル数に対して99モル%以下が好ましく、より好ましく
は90モル%以下、さらに好ましくは80モル%以下で
ある。
The content of the repeating structural unit based on the monomer of the further copolymer component in the resin can be appropriately set according to the desired resist properties. 99 moles with respect to the total number of moles of the repeating structural unit having a partial structure containing an alicyclic hydrocarbon represented by the formula (pI) to (pVI) and the repeating unit represented by the general formula (II) % Or less, more preferably 90 mol% or less, and still more preferably 80 mol% or less.

【0183】本発明に用いる酸分解性樹脂は、常法に従
って(例えばラジカル重合)合成することができる。例
えば、一般的合成方法としては、モノマー種を、一括で
あるいは反応途中で反応容器に仕込み、これを必要に応
じ反応溶媒、例えばテトラヒドロフラン、1,4−ジオ
キサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケ
トン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、さらには後
述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
トのような本発明の組成物を溶解する溶媒に溶解させ均
一とした後、窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で
必要に応じ加熱、市販のラジカル開始剤(アゾ系開始
剤、パーオキサイドなど)を用いて重合を開始させる。
所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応
終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法
で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は20重量%
以上であり、好ましくは30重量%以上、さらに好まし
くは40重量%以上である。反応温度は10℃〜150
℃であり、好ましくは30℃〜120℃、さらに好まし
くは50〜100℃である。
The acid-decomposable resin used in the present invention can be synthesized according to a conventional method (for example, radical polymerization). For example, as a general synthesis method, monomer species are charged into a reaction vessel at once or in the middle of a reaction, and this is reacted with a reaction solvent as necessary, for example, ethers such as tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, diisopropyl ether, methyl ethyl ketone, Ketones such as methyl isobutyl ketone, ester solvents such as ethyl acetate, and further dissolved in a solvent that dissolves the composition of the present invention such as propylene glycol monomethyl ether acetate described below, and then homogenized. Under an inert gas atmosphere, if necessary, heating is performed, and polymerization is started using a commercially available radical initiator (such as an azo initiator or a peroxide).
If desired, an initiator is added or added in portions, and after completion of the reaction, the mixture is poured into a solvent and a desired polymer is recovered by a method such as powder or solid recovery. Reaction concentration is 20% by weight
It is preferably at least 30% by weight, more preferably at least 40% by weight. Reaction temperature is 10 ° C. to 150
° C, preferably from 30 ° C to 120 ° C, more preferably from 50 to 100 ° C.

【0184】本発明に係る樹脂の重量平均分子量は、G
PC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは
1,000〜200,000である。重量平均分子量が
1,000未満では耐熱性やドライエッチング耐性の劣
化が見られるため余り好ましくなく、200,000を
越えると現像性が劣化したり、粘度が極めて高くなるた
め製膜性が劣化するなど余り好ましくない結果を生じ
る。
The weight average molecular weight of the resin according to the present invention is G
It is preferably from 1,000 to 200,000 in terms of polystyrene according to the PC method. When the weight average molecular weight is less than 1,000, heat resistance and dry etching resistance are deteriorated, so that it is not preferable. When the weight average molecular weight exceeds 200,000, the developability is deteriorated and the viscosity becomes extremely high, so that the film forming property is deteriorated. And so on, which produces very unfavorable results.

【0185】本発明の遠紫外線露光用ポジ型フォトレジ
スト組成物において、本発明に係わる全ての樹脂の組成
物全体中の配合量は、全レジスト固形分中40〜99.
99重量%が好ましく、より好ましくは50〜99.9
7重量%である。
In the positive photoresist composition for exposure to far ultraviolet rays of the present invention, the amount of all the resins according to the present invention in the total composition is from 40 to 99.
It is preferably 99% by weight, more preferably 50 to 99.9.
7% by weight.

【0186】〔2〕(B)活性光線又は放射線の照射に
より酸を発生する化合物(光酸発生剤) 本発明で用いられる光酸発生剤は、活性光線又は放射線
の照射により酸を発生する化合物である。本発明で使用
される光酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始
剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光
変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている
公知の光(400〜200nmの紫外線、遠紫外線、特
に好ましくは、g線、h線、i線、KrFエキシマレー
ザー光)、ArFエキシマレーザー光、電子線、X線、
分子線又はイオンビームにより酸を発生する化合物及び
それらの混合物を適宜に選択して使用することができ
る。
[2] (B) Compound that Generates Acid by Irradiation with Actinic Ray or Radiation (Photoacid Generator) The photoacid generator used in the present invention is a compound that generates an acid by irradiation with actinic ray or radiation. It is. As the photoacid generator used in the present invention, a photoinitiator for photocationic polymerization, a photoinitiator for photoradical polymerization, a photodecolorant for dyes, a photochromic agent, or a microresist is used. Publicly known light (ultraviolet light of 400 to 200 nm, far ultraviolet light, particularly preferably g-ray, h-ray, i-ray, KrF excimer laser light), ArF excimer laser light, electron beam, X-ray,
A compound that generates an acid by a molecular beam or an ion beam and a mixture thereof can be appropriately selected and used.

【0187】また、その他の本発明に用いられる光酸発
生剤としては、たとえばジアゾニウム塩、アンモニウム
塩、ホスホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニウム
塩、セレノニウム塩、アルソニウム塩等のオニウム塩、
有機ハロゲン化合物、有機金属/有機ハロゲン化物、o
−ニトロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、イミノ
スルフォネ−ト等に代表される光分解してスルホン酸を
発生する化合物、ジスルホン化合物、ジアゾケトスルホ
ン、ジアゾジスルホン化合物等を挙げることができる。
また、これらの光により酸を発生する基、あるいは化合
物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物を用いる
ことができる。
Examples of other photoacid generators used in the present invention include onium salts such as diazonium salts, ammonium salts, phosphonium salts, iodonium salts, sulfonium salts, selenonium salts and arsonium salts.
Organic halogen compound, organic metal / organic halide, o
A photoacid generator having a nitrobenzyl-type protecting group; a compound represented by photolysis such as iminosulfonate that generates sulfonic acid; a disulfone compound; a diazoketosulfone; and a diazodisulfone compound.
Further, a group in which an acid is generated by such light or a compound in which a compound is introduced into a main chain or a side chain of a polymer can be used.

【0188】さらにV.N.R.Pillai,Synthesis,(1),1(198
0)、A.Abad etal,Tetrahedron Lett.,(47)4555(1971)、
D.H.R.Barton etal,J.Chem.Soc.,(C),329(1970)、米国
特許第3,779,778号、欧州特許第126,712号等に記載の光
により酸を発生する化合物も使用することができる。
Furthermore, VNRPillai, Synthesis, (1), 1 (198
0), A. Abad etal, Tetrahedron Lett., (47) 4555 (1971),
Compounds that generate an acid by light described in DHR Barton et al., J. Chem. Soc., (C), 329 (1970), U.S. Pat. No. 3,779,778, and EP 126,712 can also be used.

【0189】上記活性光線又は放射線の照射により分解
して酸を発生する化合物の中で、特に有効に用いられる
ものについて以下に説明する。 (1)トリハロメチル基が置換した下記一般式(PAG
1)で表されるオキサゾール誘導体又は一般式(PAG
2)で表されるS−トリアジン誘導体。
Among the compounds capable of decomposing upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid, those which are particularly effectively used are described below. (1) The following general formula (PAG) substituted with a trihalomethyl group
The oxazole derivative represented by 1) or the general formula (PAG)
An S-triazine derivative represented by 2).

【0190】[0190]

【化77】 Embedded image

【0191】式中、R201は置換もしくは未置換のアリ
ール基、アルケニル基、R202は置換もしくは未置換の
アリール基、アルケニル基、アルキル基、−C(Y)3
をしめす。Yは塩素原子又は臭素原子を示す。具体的に
は以下の化合物を挙げることができるがこれらに限定さ
れるものではない。
In the formula, R 201 is a substituted or unsubstituted aryl group or alkenyl group, and R 202 is a substituted or unsubstituted aryl group, alkenyl group, alkyl group, —C (Y) 3
Show Y represents a chlorine atom or a bromine atom. Specific examples include the following compounds, but the present invention is not limited thereto.

【0192】[0192]

【化78】 Embedded image

【0193】(2)下記の一般式(PAG3)で表され
るヨードニウム塩、又は一般式(PAG4)で表される
スルホニウム塩。
(2) An iodonium salt represented by the following formula (PAG3) or a sulfonium salt represented by the following formula (PAG4).

【0194】[0194]

【化79】 Embedded image

【0195】ここで式Ar1、Ar2は、各々独立に、置
換もしくは未置換のアリール基を示す。R203、R204
205は、各々独立に、置換もしくは未置換のアルキル
基、アリール基を示す。
Here, the formulas Ar 1 and Ar 2 each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group. R 203 , R 204 ,
R 205 each independently represents a substituted or unsubstituted alkyl group or aryl group.

【0196】Z-は、対アニオンを示し、例えばB
4 -、AsF6 -、PF6 -、SbF6 -、SiF6 2-、Cl
4 -、CF3SO3 -等のパーフルオロアルカンスルホン
酸アニオン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオ
ン、ナフタレン−1−スルホン酸アニオン等の縮合多核
芳香族スルホン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸
アニオン、スルホン酸基含有染料等を挙げることがで
きるがこれらに限定されるものではない。
Z - represents a counter anion, for example, B
F 4 , AsF 6 , PF 6 , SbF 6 , SiF 6 2− , Cl
Condensed polynuclear aromatic sulfonic acid anions such as perfluoroalkanesulfonic acid anions such as O 4 and CF 3 SO 3 , pentafluorobenzenesulfonic acid anion and naphthalene-1-sulfonic acid anion, anthraquinonesulfonic acid anion and sulfonic acid group Dyes and the like may be included, but are not limited thereto.

【0197】またR203、R204、R205のうちの2つ及
びAr1、Ar2はそれぞれの単結合又は置換基を介して
結合してもよい。
Further, two of R 203 , R 204 and R 205 and Ar 1 and Ar 2 may be bonded via a single bond or a substituent.

【0198】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
Specific examples include the following compounds, but are not limited thereto.

【0199】[0199]

【化80】 Embedded image

【0200】[0200]

【化81】 Embedded image

【0201】[0201]

【化82】 Embedded image

【0202】[0202]

【化83】 Embedded image

【0203】[0203]

【化84】 Embedded image

【0204】[0204]

【化85】 Embedded image

【0205】[0205]

【化86】 Embedded image

【0206】[0206]

【化87】 Embedded image

【0207】[0207]

【化88】 Embedded image

【0208】上記において、Phはフェニル基を表す。
一般式(PAG3)、(PAG4)で示される上記オニ
ウム塩は公知であり、例えば、米国特許第2,807,648 号
及び同4,247,473号、特開昭53-101,331号等に記載の方
法により合成することができる。
In the above, Ph represents a phenyl group.
The onium salts represented by the general formulas (PAG3) and (PAG4) are known and can be synthesized, for example, by the methods described in U.S. Pat. Nos. 2,807,648 and 4,247,473 and JP-A-53-101,331. .

【0209】(3)下記一般式(PAG5)で表される
ジスルホン誘導体又は一般式(PAG6)で表されるイ
ミノスルホネート誘導体。
(3) Disulfone derivatives represented by the following formula (PAG5) or iminosulfonate derivatives represented by the following formula (PAG6).

【0210】[0210]

【化89】 Embedded image

【0211】式中、Ar3、Ar4は、各々独立に、置換
もしくは未置換のアリール基を示す。R206は置換もし
くは未置換のアルキル基、アリール基を示す。Aは置換
もしくは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリ
ーレン基を示す。
In the formula, Ar 3 and Ar 4 each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group. R 206 represents a substituted or unsubstituted alkyl group or aryl group. A represents a substituted or unsubstituted alkylene group, alkenylene group, or arylene group.

【0212】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
Specific examples include the following compounds, but are not limited thereto.

【0213】[0213]

【化90】 Embedded image

【0214】[0214]

【化91】 Embedded image

【0215】[0215]

【化92】 Embedded image

【0216】[0216]

【化93】 Embedded image

【0217】[0219]

【化94】 Embedded image

【0218】(4)下記一般式(PAG7)で表される
ジアゾジスルホン誘導体。
(4) A diazodisulfone derivative represented by the following general formula (PAG7).

【0219】[0219]

【化95】 Embedded image

【0220】ここでRは、直鎖、分岐又は環状アルキル
基、あるいは置換していてもよいアリール基を表す。具
体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、これら
に限定されるものではない。
Here, R represents a linear, branched or cyclic alkyl group or an optionally substituted aryl group. Specific examples include the following compounds, but are not limited thereto.

【0221】[0221]

【化96】 Embedded image

【0222】[0222]

【化97】 Embedded image

【0223】これらの光酸発生剤の添加量は、組成物中
の固形分を基準として、通常0.001〜30重量%の
範囲で用いられ、好ましくは0.3〜20重量%、更に
好ましくは0.5〜10重量%の範囲で使用される。光
酸発生剤の添加量が、0.001重量%より少ないと感
度が低くなる傾向になり、また添加量が30重量%より
多いとレジストの光吸収が高くなりすぎ、プロファイル
の悪化や、プロセス(特にベーク)マージンが狭くなる
傾向がある。
The amount of the photoacid generator to be added is generally in the range of 0.001 to 30% by weight, preferably 0.3 to 20% by weight, and more preferably the solid content in the composition. Is used in the range of 0.5 to 10% by weight. If the amount of the photoacid generator is less than 0.001% by weight, the sensitivity tends to decrease. The margin (especially baking) tends to be narrow.

【0224】〔3〕その他の添加剤 本発明のポジ型レジスト組成物には、必要に応じて更に
酸分解性溶解阻止化合物、染料、可塑剤、界面活性剤、
光増感剤、有機塩基性化合物、及び現像液に対する溶解
性を促進させる化合物等を含有させることができる。
[3] Other Additives The positive resist composition of the present invention may further contain, if necessary, an acid-decomposable dissolution inhibiting compound, a dye, a plasticizer, a surfactant,
A photosensitizer, an organic basic compound, a compound that promotes solubility in a developer, and the like can be contained.

【0225】本発明のポジ型レジスト組成物には、好ま
しくはフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を含有
する。本発明のポジ型レジスト組成物には、フッ素系界
面活性剤、シリコン系界面活性剤及びフッ素原子と珪素
原子の両方を含有する界面活性剤のいずれか、あるいは
2種以上を含有することが好ましい。本発明のポジ型レ
ジスト組成物が上記酸分解性樹脂と上記界面活性剤とを
含有することにより、パターンの線幅が一層細い時に特
に有効であり、現像欠陥が一層改良される。これらの界
面活性剤として、例えば特開昭62-36663号、特開昭61-2
26746号、特開昭61-226745号、特開昭62-170950号、特
開昭63-34540号、特開平7-230165号、特開平8-62834
号、特開平9-54432号、特開平9-5988号記載の界面活性
剤を挙げることができ、下記市販の界面活性剤をそのま
ま用いることもできる。使用できる市販の界面活性剤と
して、例えばエフトップEF301、EF303、(新秋田化成
(株)製)、フロラードFC430、431(住友スリーエム(株)
製)、メガファックF171、F173、F176、F189、R08(大日
本インキ(株)製)、サーフロンS−382、SC101、102、
103、104、105、106(旭硝子(株)製)、トロイゾルS-
366(トロイケミカル(株)製)等フッ素系界面活性剤
又はシリコン系界面活性剤を挙げることができる。また
ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)
製)もシリコン系界面活性剤として用いることができ
る。
The positive resist composition of the present invention preferably contains a fluorine-based and / or silicon-based surfactant. The positive resist composition of the present invention preferably contains one or more of a fluorine-based surfactant, a silicon-based surfactant and a surfactant containing both a fluorine atom and a silicon atom. . When the positive resist composition of the present invention contains the above-mentioned acid-decomposable resin and the above-mentioned surfactant, it is particularly effective when the line width of the pattern is narrower, and the development defects are further improved. As these surfactants, for example, JP-A-62-36663, JP-A-61-2
No. 26746, JP-A-61-226745, JP-A-62-170950, JP-A-63-34540, JP-A-7-230165, JP-A-8-62834
, JP-A-9-54432 and JP-A-9-5988, and the following commercially available surfactants can be used as they are. As commercially available surfactants that can be used, for example, F-top EF301, EF303, (Shin-Akita Kasei
Co., Ltd.), Florado FC430, 431 (Sumitomo 3M Limited)
), Megafac F171, F173, F176, F189, R08 (Dai Nippon Ink Co., Ltd.), Surflon S-382, SC101, 102,
103, 104, 105, 106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), Troysol S-
366 (manufactured by Troy Chemical Co., Ltd.) or a silicon-based surfactant. In addition, polysiloxane polymer KP-341 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
Can also be used as a silicon-based surfactant.

【0226】界面活性剤の配合量は、本発明の組成物中
の固形分を基準として、通常0.001重量%〜2重量
%、好ましくは0.01重量%〜1重量%である。これ
らの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また、いく
つかの組み合わせで添加することもできる。
The amount of the surfactant is usually 0.001 to 2% by weight, preferably 0.01 to 1% by weight, based on the solid content in the composition of the present invention. These surfactants may be added alone or in some combination.

【0227】上記の他に使用することのできる界面活性
剤としては、具体的には、ポリオキシエチレンラウリル
エーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポ
リオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレン
オレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエー
テル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテ
ル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等の
ポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオ
キシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマ
ー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパル
ミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモ
ノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタン
トリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポ
リオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキ
シエチレンソルビタンモノパルミテ−ト、ポリオキシエ
チレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレ
ンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソル
ビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビ
タン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤等を挙
げることができる。これらの他の界面活性剤の配合量
は、本発明の組成物中の固形分100重量部当たり、通
常、2重量部以下、好ましくは1重量部以下である。
Examples of the other surfactants that can be used include polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene cetyl ether, polyoxyethylene oleyl ether and the like. Polyoxyethylene alkyl allyl ethers such as ethylene alkyl ethers, polyoxyethylene octyl phenol ether, polyoxyethylene nonyl phenol ether, polyoxyethylene / polyoxypropylene block copolymers, sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan monostea Sorbitan esters such as sorbitan monooleate, sorbitan trioleate, sorbitan tristearate, polyoxyethylene Nonions such as polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters such as rubitan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopalmitate, polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyoxyethylene sorbitan trioleate, polyoxyethylene sorbitan tristearate Surfactants and the like. The amount of these other surfactants is usually 2 parts by weight or less, preferably 1 part by weight or less, per 100 parts by weight of the solids in the composition of the present invention.

【0228】本発明で用いることのできる好ましい有機
塩基性化合物は、フェノールよりも塩基性の強い化合物
である。中でも含窒素塩基性化合物が好ましい。
Preferred organic basic compounds that can be used in the present invention are compounds that are more basic than phenol. Among them, a nitrogen-containing basic compound is preferable.

【0229】[0229]

【化98】 Embedded image

【0230】ここで、R250、R251及びR252は、各々
独立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数
1〜6のアミノアルキル基、炭素数1〜6のヒドロキシ
アルキル基又は炭素数6〜20の置換もしくは非置換の
アリール基であり、ここでR251とR252は互いに結合し
て環を形成してもよい。
Here, R 250 , R 251 and R 252 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aminoalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a hydroxyalkyl having 1 to 6 carbon atoms. Group or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, wherein R 251 and R 252 may be bonded to each other to form a ring.

【0231】[0231]

【化99】 Embedded image

【0232】(式中、R253、R254、R255及びR
256は、各々独立に、炭素数1〜6のアルキル基を示
す) 更に好ましい化合物は、一分子中に異なる化学的環境の
窒素原子を2個以上有する含窒素塩基性化合物であり、
特に好ましくは、置換もしくは未置換のアミノ基と窒素
原子を含む環構造の両方を含む化合物もしくはアルキル
アミノ基を有する化合物である。好ましい具体例として
は、置換もしくは未置換のグアニジン、置換もしくは未
置換のアミノピリジン、置換もしくは未置換のアミノア
ルキルピリジン、置換もしくは未置換のアミノピロリジ
ン、置換もしくは未置換のインダーゾル、置換もしくは
未置換のピラゾール、置換もしくは未置換のピラジン、
置換もしくは未置換のピリミジン、置換もしくは未置換
のプリン、置換もしくは未置換のイミダゾリン、置換も
しくは未置換のピラゾリン、置換もしくは未置換のピペ
ラジン、置換もしくは未置換のアミノモルフォリン、置
換もしくは未置換のアミノアルキルモルフォリン等が挙
げられる。好ましい置換基は、アミノ基、アミノアルキ
ル基、アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリール
アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシ
ロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、
水酸基、シアノ基である。
(Wherein R 253 , R 254 , R 255 and R
256 independently represent an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.) Further preferred compounds are nitrogen-containing basic compounds having two or more nitrogen atoms having different chemical environments in one molecule,
Particularly preferred are compounds containing both a substituted or unsubstituted amino group and a ring structure containing a nitrogen atom, or compounds having an alkylamino group. Preferred specific examples include substituted or unsubstituted guanidine, substituted or unsubstituted aminopyridine, substituted or unsubstituted aminoalkylpyridine, substituted or unsubstituted aminopyrrolidine, substituted or unsubstituted indazol, substituted or unsubstituted Pyrazole, substituted or unsubstituted pyrazine,
Substituted or unsubstituted pyrimidine, substituted or unsubstituted purine, substituted or unsubstituted imidazoline, substituted or unsubstituted pyrazoline, substituted or unsubstituted piperazine, substituted or unsubstituted aminomorpholine, substituted or unsubstituted amino And alkyl morpholine. Preferred substituents are an amino group, an aminoalkyl group, an alkylamino group, an aminoaryl group, an arylamino group, an alkyl group, an alkoxy group, an acyl group, an acyloxy group, an aryl group, an aryloxy group, a nitro group,
A hydroxyl group and a cyano group.

【0233】含窒素塩基性化合物の好ましい具体例とし
て、グアニジン、1,1−ジメチルグアニジン、1,
1,3,3,−テトラメチルグアニジン、2−アミノピ
リジン、3−アミノピリジン、4−アミノピリジン、2
−ジメチルアミノピリジン、4−ジメチルアミノピリジ
ン、2−ジエチルアミノピリジン、2−(アミノメチ
ル)ピリジン、2−アミノ−3−メチルピリジン、2−
アミノ−4−メチルピリジン、2−アミノ−5−メチル
ピリジン、2−アミノ−6−メチルピリジン、3−アミ
ノエチルピリジン、4−アミノエチルピリジン、3−ア
ミノピロリジン、ピペラジン、N−(2−アミノエチ
ル)ピペラジン、N−(2−アミノエチル)ピペリジ
ン、4−アミノ−2,2,6,6−テトラメチルピペリ
ジン、4−ピペリジノピペリジン、2−イミノピペリジ
ン、1−(2−アミノエチル)ピロリジン、ピラゾー
ル、3−アミノ−5−メチルピラゾール、5−アミノ−
3−メチル−1−p−トリルピラゾール、ピラジン、2
−(アミノメチル)−5−メチルピラジン、ピリミジ
ン、2,4−ジアミノピリミジン、4,6−ジヒドロキ
シピリミジン、2−ピラゾリン、3−ピラゾリン、N−
アミノモルフォリン、N−(2−アミノエチル)モルフ
ォリン、1,5−ジアザビシクロ〔4.3.0〕ノナ−
5−エン、1,8−ジアザビシクロ〔5.4.0〕ウン
デカ−7−エン、1,4−ジアザビシクロ〔2.2.2〕
オクタン、2,4,5−トリフェニルイミダゾール、N
−メチルモルホリン、N−エチルモルホリン、N−ヒド
ロキシエチルモルホリン、N−ベンジルモルホリン、シ
クロヘキシルモルホリノエチルチオウレア(CHMET
U)等の3級モルホリン誘導体、特開平11−5257
5号公報に記載のヒンダードアミン類(例えば該公報
〔0005〕に記載のもの)等が挙げられるがこれに限
定されるものではない。
Preferred specific examples of the nitrogen-containing basic compound include guanidine, 1,1-dimethylguanidine,
1,3,3, -tetramethylguanidine, 2-aminopyridine, 3-aminopyridine, 4-aminopyridine,
-Dimethylaminopyridine, 4-dimethylaminopyridine, 2-diethylaminopyridine, 2- (aminomethyl) pyridine, 2-amino-3-methylpyridine, 2-
Amino-4-methylpyridine, 2-amino-5-methylpyridine, 2-amino-6-methylpyridine, 3-aminoethylpyridine, 4-aminoethylpyridine, 3-aminopyrrolidine, piperazine, N- (2-amino Ethyl) piperazine, N- (2-aminoethyl) piperidine, 4-amino-2,2,6,6-tetramethylpiperidine, 4-piperidinopiperidine, 2-iminopiperidine, 1- (2-aminoethyl) Pyrrolidine, pyrazole, 3-amino-5-methylpyrazole, 5-amino-
3-methyl-1-p-tolylpyrazole, pyrazine, 2
-(Aminomethyl) -5-methylpyrazine, pyrimidine, 2,4-diaminopyrimidine, 4,6-dihydroxypyrimidine, 2-pyrazoline, 3-pyrazoline, N-
Aminomorpholine, N- (2-aminoethyl) morpholine, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] nona-
5-ene, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene, 1,4-diazabicyclo [2.2.2]
Octane, 2,4,5-triphenylimidazole, N
-Methylmorpholine, N-ethylmorpholine, N-hydroxyethylmorpholine, N-benzylmorpholine, cyclohexylmorpholinoethylthiourea (CHMET
U) and other tertiary morpholine derivatives, JP-A-11-5257
No. 5 hindered amines (for example, those described in the gazette [0005]) and the like, but are not limited thereto.

【0234】特に好ましい具体例は、1,5−ジアザビ
シクロ〔4.3.0〕ノナ−5−エン、1,8−ジアザビ
シクロ〔5.4.0〕ウンデカ−7−エン、1,4−ジア
ザビシクロ〔2.2.2〕オクタン、4−ジメチルアミノ
ピリジン、ヘキサメチレンテトラミン、4,4−ジメチ
ルイミダゾリン、ピロール類、ピラゾール類、イミダゾ
ール類、ピリダジン類、ピリミジン類、CHMETU等
の3級モルホリン類、ビス(1,2,2,6,6−ペン
タメチル−4−ピペリジル)セバゲート等のヒンダード
アミン類等を挙げることができる。中でも、1,5−ジ
アザビシクロ〔4.3.0〕ノナ−5−エン、1,8−
ジアザビシクロ〔5.4.0〕ウンデカ−7−エン、
1,4−ジアザビシクロ〔2.2.2〕オクタン、4−
ジメチルアミノピリジン、ヘキサメチレンテトラミン、
CHMETU、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチ
ル−4−ピペリジル)セバゲートが好ましい。
Particularly preferred specific examples are 1,5-diazabicyclo [4.3.0] non-5-ene, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene, 1,4-diazabicyclo [2.2.2] Tertiary morpholines such as octane, 4-dimethylaminopyridine, hexamethylenetetramine, 4,4-dimethylimidazoline, pyrroles, pyrazoles, imidazoles, pyridazines, pyrimidines, CHMETU, etc., and bis Hindered amines such as (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl) sebagate and the like can be mentioned. Among them, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] non-5-ene, 1,8-
Diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene,
1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane, 4-
Dimethylaminopyridine, hexamethylenetetramine,
CHMETU, bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl) sebagate is preferred.

【0235】これらの含窒素塩基性化合物は、単独であ
るいは2種以上組み合わせて用いられる。含窒素塩基性
化合物の使用量は、感光性樹脂組成物の全組成物の固形
分に対し、通常、0.001〜10重量%、好ましくは
0.01〜5重量%である。0.001重量%未満では
上記含窒素塩基性化合物の添加の効果が得られない。一
方、10重量%を超えると感度の低下や非露光部の現像
性が悪化する傾向がある。
These nitrogen-containing basic compounds are used alone or in combination of two or more. The amount of the nitrogen-containing basic compound to be used is generally 0.001 to 10% by weight, preferably 0.01 to 5% by weight, based on the solid content of the entire photosensitive resin composition. If the amount is less than 0.001% by weight, the effect of the addition of the nitrogen-containing basic compound cannot be obtained. On the other hand, if it exceeds 10% by weight, the sensitivity tends to decrease and the developability of the unexposed portion tends to deteriorate.

【0236】本発明のポジ型レジスト組成物は、上記各
成分を溶解する溶剤に溶かして支持体上に塗布する。こ
こで使用する溶剤としては、エチレンジクロライド、シ
クロヘキサノン、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、
γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレング
リコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノ
エチルエーテル、2−メトキシエチルアセテート、エチ
レングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピ
レングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エ
チル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸
メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチ
ル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、N,N−
ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メ
チルピロリドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、こ
れらの溶剤を単独あるいは混合して使用する。
The positive resist composition of the present invention is applied to a support by dissolving the above components in a solvent that dissolves the above components. As the solvent used here, ethylene dichloride, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone,
γ-butyrolactone, methyl ethyl ketone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 2-methoxyethyl acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, toluene, ethyl acetate, methyl lactate, lactic acid Ethyl, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, N, N-
Dimethylformamide, dimethylsulfoxide, N-methylpyrrolidone, tetrahydrofuran and the like are preferable, and these solvents are used alone or in combination.

【0237】上記の中でも、好ましい溶剤としては2−
ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、エチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロ
ピレングリコールモノエチルエーテル、乳酸メチル、乳
酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロ
ピオン酸エチル、N−メチルピロリドン、テトラヒドロ
フランを挙げることができる。
Of the above, preferred solvents are 2-
Heptanone, γ-butyrolactone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, methyl lactate, ethyl lactate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate , N-methylpyrrolidone and tetrahydrofuran.

【0238】本発明のこのようなポジ型レジスト組成物
は基板上に塗布され、薄膜を形成する。この塗膜の膜厚
は0.2〜1.2μmが好ましい。本発明において使用
することができる無機基板とは、通常のBareSi基板、SO
G基板、あるいは次に記載の無機の反射防止膜を有する
基板等を挙げることができる。また、本発明において
は、必要により、市販の無機あるいは有機反射防止膜を
使用することができる。
Such a positive resist composition of the present invention is applied on a substrate to form a thin film. The thickness of this coating film is preferably from 0.2 to 1.2 μm. The inorganic substrate that can be used in the present invention is a normal BareSi substrate, SO
Examples of the substrate include a G substrate and a substrate having an inorganic antireflection film described below. In the present invention, a commercially available inorganic or organic antireflection film can be used, if necessary.

【0239】反射防止膜としては、チタン、二酸化チタ
ン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、α−シリコン
等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜
型が用いることができる。前者は膜形成に真空蒸着装
置、CVD装置、スパッタリング装置等の設備を必要と
する。有機反射防止膜としては、例えば特公平7−69
611号記載のジフェニルアミン誘導体とホルムアルデ
ヒド変性メラミン樹脂との縮合体、アルカリ可溶性樹
脂、吸光剤からなるものや、米国特許5294680号
記載の無水マレイン酸共重合体とジアミン型吸光剤の反
応物、特開平6−118631号記載の樹脂バインダー
とメチロールメラミン系熱架橋剤を含有するもの、特開
平6−118656号記載のカルボン酸基とエポキシ基
と吸光基を同一分子内に有するアクリル樹脂型反射防止
膜、特開平8−87115号記載のメチロールメラミン
とベンゾフェノン系吸光剤からなるもの、特開平8−1
79509号記載のポリビニルアルコール樹脂に低分子
吸光剤を添加したもの等が挙げられる。また、有機反射
防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のDUV3
0シリーズや、DUV−40シリーズ、ARC25、シ
プレー社製のAC−2、AC−3、AR19、AR20
等を使用することもできる。
As the antireflection film, an inorganic film type such as titanium, titanium dioxide, titanium nitride, chromium oxide, carbon and α-silicon, and an organic film type comprising a light absorbing agent and a polymer material can be used. The former requires equipment such as a vacuum deposition apparatus, a CVD apparatus, and a sputtering apparatus for film formation. As the organic antireflection film, for example, Japanese Patent Publication No. 7-69
No. 611, consisting of a condensate of a diphenylamine derivative and a formaldehyde-modified melamine resin, an alkali-soluble resin, and a light absorbing agent; a reaction product of a maleic anhydride copolymer and a diamine type light absorbing agent described in US Pat. No. 5,294,680; No. 6,118,631 containing a resin binder and a methylolmelamine-based thermal crosslinking agent; Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-118656, an acrylic resin type antireflection film having a carboxylic acid group, an epoxy group and a light absorbing group in the same molecule; JP-A-8-87115, comprising a methylolmelamine and a benzophenone-based light-absorbing agent;
No. 79509 in which a low molecular weight light absorbing agent is added to a polyvinyl alcohol resin. As an organic anti-reflection film, DUV3 manufactured by Brewer Science Co., Ltd.
0 series, DUV-40 series, ARC25, Shipley's AC-2, AC-3, AR19, AR20
Etc. can also be used.

【0240】上記レジスト液を精密集積回路素子の製造
に使用されるような基板(例:シリコン/二酸化シリコ
ン被覆)上に(必要により上記反射防止膜を設けられた
基板上に)、スピナー、コーター等の適当な塗布方法に
より塗布後、所定のマスクを通して露光し、ベークを行
い現像することにより良好なレジストパターンを得るこ
とができる。ここで露光光としては、好ましくは150
nm〜250nmの波長の光である。具体的には、Kr
Fエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレ
ーザー(193nm)、F2エキシマレーザー(157
nm)、X線、電子ビーム等が挙げられる。
The resist solution is coated on a substrate (eg, silicon / silicon dioxide coating) used for manufacturing precision integrated circuit devices (on a substrate provided with the above antireflection film if necessary), a spinner, a coater, and the like. After coating by an appropriate coating method such as that described above, exposure through a predetermined mask, baking and development can provide a good resist pattern. Here, the exposure light is preferably 150
It is light having a wavelength of nm to 250 nm. Specifically, Kr
F excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), F 2 excimer laser (157
nm), X-rays, electron beams and the like.

【0241】現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタ
ケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、
エチルアミン、n−プロピルアミン等の第一アミン類、
ジエチルアミン、ジ−n−ブチルアミン等の第二アミン
類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三
アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノール
アミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキ
シド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン
等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用すること
ができる。更に、上記アルカリ性水溶液にアルコール
類、界面活性剤を適当量添加して使用することもでき
る。
Examples of the developing solution include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and aqueous ammonia;
Primary amines such as ethylamine and n-propylamine;
Secondary amines such as diethylamine and di-n-butylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcoholamines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide and the like An alkaline aqueous solution such as a quaternary ammonium salt, a cyclic amine such as pyrrole, or pyrhelidine can be used. Further, an appropriate amount of an alcohol or a surfactant may be added to the above alkaline aqueous solution.

【0242】[0242]

【実施例】以下、本発明を実施例によって更に具体的に
説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるもので
はない。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples.

【0243】合成例(1) 樹脂(1)の架橋繰り返し
単位に対応するモノマーの合成 2−ヒドロキシエチルメタクリレ−ト26gおよびメチ
ルエチルケトン50mL、PPTS(パラトルエンスル
フォン酸ピリジニウム塩)0.4gをナス型フラスコに
仕込み、攪拌した。反応液が均一になったところで、t
−ブチルビニルエーテル10gを添加し、そのまま室温
下、2時間攪拌した。攪拌終了後、反応液を30℃で、
減圧(15mmHg)濃縮した。濃縮した反応液に酢酸
エチル100mL、トリエチルアミン0.3gを添加し
た後、これを水洗した。水洗を2回繰り返したのち、M
gSO4乾燥し、濃縮、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィーで精製し、目的物であるモノマー(21g)を得
た。他の架橋繰り返し単位に対応するモノマーのついて
も同様の方法で合成可能である。
Synthesis Example (1) Synthesis of Monomer Corresponding to Crosslinking Repeating Unit of Resin (1) 26 g of 2-hydroxyethyl methacrylate, 50 mL of methyl ethyl ketone, and 0.4 g of PPTS (pyridinium p-toluenesulfonate) were in the form of an eggplant. The flask was charged and stirred. When the reaction liquid becomes homogeneous, t
-Butyl vinyl ether (10 g) was added, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours. After completion of the stirring, the reaction solution was heated at 30 ° C.
It concentrated under reduced pressure (15 mmHg). After 100 mL of ethyl acetate and 0.3 g of triethylamine were added to the concentrated reaction solution, it was washed with water. After repeating the washing twice,
After drying with gSO 4 , concentration and purification by silica gel column chromatography, the desired monomer (21 g) was obtained. A monomer corresponding to another crosslinking repeating unit can be synthesized in the same manner.

【0244】合成例(2) 樹脂(1)の合成(側鎖
型) 2−エチル−2−アダマンチルメタクリレート、ブチロ
ラクトンメタクリレート、2−ヒドロキシエチルメタク
リレート架橋モノマーを58/38/4の割合で仕込
み、メチルエチルケトン/テトラヒドロフラン=6/4
に溶解し、固形分濃度24%の溶液100mLを調製し
た。この溶液に和光純薬製V−65を1mol%/メチ
カプトエタノール4mol%加え、これを窒素雰囲気
下、6時間かけて60℃に加熱したメチルエチルケトン
10mLに滴下した。滴下終了後、反応液を4時間加熱
攪拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、蒸留
水/ISOプロピルアルコール=2/1の混合溶媒1L
に晶析、析出した白色粉体である樹脂(1)を回収し
た。C13NMRから求めたポリマー組成比は49/46
/5であった。また、GPC測定により求めた標準ポリ
スチレン換算の重量平均分子量は16900であった。
尚、2−ヒドロキシエチルメタクリレート架橋モノマー
は上記合成例(1)で合成した。
Synthesis Example (2) Synthesis of resin (1) (side chain type) 2-Ethyl-2-adamantyl methacrylate, butyrolactone methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate cross-linking monomer was charged at a ratio of 58/38/4, and methyl ethyl ketone was prepared. / Tetrahydrofuran = 6/4
To prepare 100 mL of a solution having a solid concentration of 24%. To this solution, V-65 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd. was added at 1 mol% / methicatoethanol 4 mol%, and added dropwise to 10 mL of methyl ethyl ketone heated to 60 ° C. over 6 hours under a nitrogen atmosphere. After completion of the dropwise addition, the reaction solution was heated and stirred for 4 hours. After the completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, and 1 L of a mixed solvent of distilled water / ISO propyl alcohol = 2/1.
The resin (1) as a white powder crystallized and precipitated was recovered. The polymer composition ratio determined from C 13 NMR was 49/46.
/ 5. The weight average molecular weight in terms of standard polystyrene determined by GPC measurement was 16,900.
The 2-hydroxyethyl methacrylate crosslinking monomer was synthesized in the above synthesis example (1).

【0245】上記合成例(2)と同様の操作で樹脂
(2)〜(10)を合成した。以下に上記樹脂(2)〜
(10)の組成比、分子量を示す。(繰り返し単位1、
2、3、4は構造式の左からの順番である。)
Resins (2) to (10) were synthesized in the same manner as in Synthesis Example (2). The following resin (2) to
The composition ratio and molecular weight of (10) are shown. (Repeat unit 1,
2, 3, and 4 are the order from the left of the structural formula. )

【0246】[0246]

【表1】 [Table 1]

【0247】また、以下に上記樹脂(1)〜(10)の
構造を示す。
The structures of the resins (1) to (10) are shown below.

【0248】[0248]

【化100】 Embedded image

【0249】[0249]

【化101】 Embedded image

【0250】[0250]

【化102】 Embedded image

【0251】[0251]

【化103】 Embedded image

【0252】合成例(3) 樹脂(11)の合成(主鎖
型、ハイブリッド型) ノルボルネンカルボン酸tアミルエステル、ノルボルネ
ンと無水マレイン酸、さらに2−ヒドロキシエチルアク
リレートの架橋モノマ−を(モル比37/10/50/
3)およびTHF(反応濃度60重量%)をセバラブル
フラスコに仕込み、窒素気流下60℃で加熱した。反応
温度が安定したところで和光純薬社製ラジカル開始剤V
−601を4mol%加え反応を開始させた。12時間
加熱した。得られた反応混合物をテトラヒドロフランで
2倍に希釈した後、ヘキサン/メチルtBuエーテル=
1/1の混合溶液に投入し白色粉体を析出させた。析出
した粉体を濾過取り出しし、再度THFに溶解、ヘキサ
ン/メチルtBuエーテル=1/1の混合溶液に再沈
し、乾燥、目的物である樹脂(11)を得た。得られた
樹脂(11)のGPCによる分子量分析を試みたとこ
ろ、ポリスチレン換算で14300(重量平均)であっ
た。また、NMRスペクトルより樹脂(11)のノルボ
ルネンカルボン酸tブチルエステル/ノルボルネン/無
水マレイン酸/架橋モノマー繰り返し単位のモル比は3
6/11/50/3であることを確認した。
Synthesis Example (3) Synthesis of Resin (11) (Main Chain Type, Hybrid Type) Norbornene carboxylic acid t-amyl ester, norbornene and maleic anhydride, and a cross-linked monomer of 2-hydroxyethyl acrylate (molar ratio: 37) / 10/50 /
3) and THF (reaction concentration: 60% by weight) were charged into a separable flask and heated at 60 ° C under a nitrogen stream. When the reaction temperature becomes stable, radical initiator V manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.
-601 was added at 4 mol% to start the reaction. Heat for 12 hours. After diluting the obtained reaction mixture twice with tetrahydrofuran, hexane / methyl tBu ether =
The mixture was put into a 1/1 mixed solution to precipitate a white powder. The precipitated powder was taken out by filtration, dissolved again in THF, reprecipitated in a mixed solution of hexane / methyl tBu ether = 1/1, and dried to obtain the target resin (11). When the molecular weight analysis of the obtained resin (11) by GPC was attempted, it was 14300 (weight average) in terms of polystyrene. From the NMR spectrum, the molar ratio of norbornene carboxylic acid t-butyl ester / norbornene / maleic anhydride / crosslinking monomer repeating unit of resin (11) was 3
It was confirmed that the ratio was 6/11/50/3.

【0253】上記合成例(3)と同様の操作で樹脂(1
2)〜(22)を合成した。以下に上記樹脂(12)〜
(22)の組成比、分子量を示す。(脂環オレフィン単
位1、2は構造式の左からの順番である。またアクリル
単位1、2は構造式の左からの順番である。)
The resin (1) was prepared in the same manner as in Synthesis Example (3).
2) to (22) were synthesized. The following resin (12) to
The composition ratio and molecular weight of (22) are shown. (Alicyclic olefin units 1 and 2 are in the order from the left of the structural formula. Acrylic units 1 and 2 are in the order from the left in the structural formula.)

【0254】[0254]

【表2】 [Table 2]

【0255】また、以下に上記樹脂(11)〜(22)
の構造を示す。
The following resins (11) to (22)
The structure of is shown.

【0256】[0256]

【化104】 Embedded image

【0257】[0257]

【化105】 Embedded image

【0258】[0258]

【化106】 Embedded image

【0259】[0259]

【化107】 Embedded image

【0260】実施例1〜22及び比較例1 (ポジ型レジスト組成物組成物の調製と評価) 上記合成例で合成した表3に示す樹脂をそれぞれ1.4
g 光酸発生剤、 有機塩基性化合物(アミン)3mg、(比較例1は1m
g) 必要により界面活性剤(10mg) を表3に示すように配合し、それぞれ固形分14重量%
の割合でプロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テートに溶解した後、0.1μmのミクロフィルターで
濾過し、実施例1〜22と比較例1のポジ型レジスト組
成物を調製した。
Examples 1 to 22 and Comparative Example 1 (Preparation and Evaluation of Positive Resist Composition) Each of the resins shown in Table 3 synthesized in the above Synthesis Examples was 1.4.
g Photoacid generator, 3 mg of organic basic compound (amine), (Comparative Example 1
g) If necessary, a surfactant (10 mg) was blended as shown in Table 3, and the solid content was 14% by weight, respectively.
And dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate at a ratio of 0.1%, and then filtered through a 0.1 μm microfilter to prepare positive resist compositions of Examples 1 to 22 and Comparative Example 1.

【0261】[0261]

【表3】 [Table 3]

【0262】比較例で使用した樹脂Rとしては、特開平
11−265067号に記載の共重合体(A−1)を使
用した。以下に樹脂Rの構造を示す。
As the resin R used in the comparative example, a copolymer (A-1) described in JP-A-11-265067 was used. The structure of the resin R is shown below.

【0263】[0263]

【化108】 Embedded image

【0264】また、PAG(a)の構造を以下に示す。The structure of PAG (a) is shown below.

【0265】[0265]

【化109】 Embedded image

【0266】界面活性剤としては、 W1:メガファックF176(大日本インキ(株)製)
(フッ素系) W2:メガファックR08(大日本インキ(株)製)
(フッ素及びシリコーン系) W3:ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学
工業(株)製) W4:ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル W5:トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)
製) を表す。
As the surfactant, W1: Megafac F176 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.)
(Fluorine) W2: Megafac R08 (Dai Nippon Ink Co., Ltd.)
(Fluorine and silicone type) W3: Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) W4: Polyoxyethylene nonylphenyl ether W5: Troysol S-366 (Troy Chemical Co., Ltd.)
Made).

【0267】アミンとしては、1は、1,5−ジアザビ
シクロ〔4.3.0〕−5−ノネン(DBN)を表し、
2は、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−
ピペリジル)セバゲート 3は、トリn−ブチルアミン 4は、トリフェニルイミダゾール 5は、アンチピリン 6は、2,6−ジイソプロピルアニリン 7は、トリn−オクチルアミンを表す。
As the amine, 1 represents 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene (DBN);
2 is bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-
Piperidyl) sebagate 3, tri-n-butylamine 4, triphenylimidazole 5, antipyrine 6, 2,6-diisopropylaniline 7, tri-n-octylamine.

【0268】(評価試験)初めにBrewer Sci
ence社製ARC−25をスピンコーターを利用して
シリコンウエハー上に78nm塗布、乾燥した後、その
上に得られたポジ型フォトレジスト組成物溶液をスピン
コータを利用して塗布し、実施例1〜10及び比較例1
は130℃、それ以外は140℃で90秒間乾燥、約
0.4μmのポジ型フォトレジスト膜を作成し、それに
ArFエキシマレーザー(193nm)で露光した。露
光後の加熱処理を実施例1〜10及び比較例1は130
℃、それ以外は130℃で90秒間行い、2.38%の
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像、
蒸留水でリンスし、レジストパターンプロファイルを得
た。このようにして得られたシリコンウエハーのレジス
トパターンを走査型顕微鏡(SEM)で観察し、レジス
トを下記のように評価した。これらの評価結果を表4に
示す。
(Evaluation Test) First, Brewer Sci
ARC-25 manufactured by ence Co., Ltd. was applied to a silicon wafer with a thickness of 78 nm using a spin coater and dried, and then the obtained positive photoresist composition solution was applied thereon using a spin coater. 10 and Comparative Example 1
Was dried at 130 ° C. and at 140 ° C. for 90 seconds to form a positive photoresist film of about 0.4 μm, which was exposed to an ArF excimer laser (193 nm). The heat treatment after the exposure was performed in Examples 1 to 10 and Comparative Example 1 at 130.
℃, otherwise at 90 ℃ 90 seconds, 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution development,
After rinsing with distilled water, a resist pattern profile was obtained. The resist pattern of the silicon wafer thus obtained was observed with a scanning microscope (SEM), and the resist was evaluated as follows. Table 4 shows the results of these evaluations.

【0269】〔解像力〕: コンタクトホールの解像力
は、0.16μmのコンタクトホールサイズ(ピッチは
1/2)を再現する露光量で解像できる限界のコンタク
トホールサイズ(μm)でもって表す。
[Resolution]: The resolution of a contact hole is represented by the limit contact hole size (μm) that can be resolved with an exposure amount that reproduces a contact hole size of 0.16 μm (pitch is 1 /).

【0270】〔サイドローブ耐性〕: サイドローブ耐
性の評価は、0.18μm(1/2)のマスクサイズを
0.15μmに再現する露光量をEopt、さらに露光量
を上げてサイドローブが出始める露光量をElimitと定
義し、Elimit/Eoptを評価した。この値が大きいほど
好ましい。
[Side lobe resistance]: The evaluation of the side lobe resistance is as follows. Eopt is the exposure amount that reproduces a 0.18 μm (1/2) mask size to 0.15 μm, and the exposure amount is further increased to start the side lobes. The exposure amount was defined as Elimit, and Elimit / Eopt was evaluated. The larger the value, the better.

【0271】[0271]

【表4】 [Table 4]

【0272】表4の結果から明らかなように、本発明の
ポジ型レジスト組成物は、コンタクトホールの解像力、
ハーフトーン露光適性が優れていることが判る。
As is evident from the results in Table 4, the positive resist composition of the present invention has a contact hole resolution,
It can be seen that the halftone exposure suitability is excellent.

【0273】[0273]

【発明の効果】本発明のポジ型レジスト組成物は、遠紫
外光、特に波長193nmのArFエキシマレーザー光
に好適で、コンタクトホールの解像力、ハーフトーン露
光適性が優れている。従って、ArFエキシマレーザー
露光を始めとする遠紫外線を用いたリソグラフィーに好
適に用いられる。
The positive resist composition of the present invention is suitable for far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light having a wavelength of 193 nm, and has excellent contact hole resolution and halftone exposure suitability. Therefore, it is suitably used for lithography using far ultraviolet rays such as ArF excimer laser exposure.

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Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)脂肪族環状炭化水素基を有する繰
り返し単位と、芳香族部位を含まず、下記の一般式
(a)で表される構造の架橋部位を含む繰り返し単位と
を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解
速度が増加する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射
により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする
ポジ型レジスト組成物。 【化1】 式(a)中、R101及びR102は、互いに独立して水素原
子、置換基を有していてもよい、炭素数1〜4個のアル
キル基を表す。
1. A resin comprising a repeating unit (A) having an aliphatic cyclic hydrocarbon group and a repeating unit not containing an aromatic moiety but having a crosslinking moiety having a structure represented by the following general formula (a). A positive resist composition comprising: a resin whose dissolution rate in an alkali developer is increased by the action of an acid; and (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation. Embedded image In the formula (a), R 101 and R 102 independently represent a hydrogen atom or an optionally substituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
【請求項2】 (A)の樹脂が、下記の一般式(b)で
表される構造の繰り返し単位を含有することを特徴とす
る請求項1に記載のポジ型レジスト組成物。 【化2】 式(b)中、R101及びR102は、互いに独立して水素原
子、置換基を有していてもよい、炭素数1〜4個のアル
キル基を表す。R103〜R108は、互いに独立して水素原
子、置換基を有していてもよい、アルキル基、シアノ
基、ハロゲン原子を表す。Aは、アルキレン基、シクロ
アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニ
ル基、エステル基、アミド基、スルフォンアミド基の群
より選択される少なくとも1種の2価の連結基を表す。
2. The positive resist composition according to claim 1, wherein the resin (A) contains a repeating unit having a structure represented by the following general formula (b). Embedded image In the formula (b), R 101 and R 102 each independently represent a hydrogen atom or an optionally substituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. R 103 to R 108 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group, or a halogen atom which may have a substituent. A represents at least one divalent linking group selected from the group consisting of an alkylene group, a cycloalkylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, an ester group, an amide group, and a sulfonamide group.
【請求項3】 (A)の樹脂が、下記の一般式(c)で
表される構造の繰り返し単位を含有することを特徴とす
る請求項1に記載のポジ型レジスト組成物。 【化3】 式(c)中、R101及びR102は、互いに独立して水素原
子、置換基を有していてもよい、炭素数1〜4個のアル
キル基を表す。R103〜R108は、互いに独立して水素原
子、置換基を有していてもよい、アルキル基、シアノ
基、ハロゲン原子を表す。Aは、アルキレン基、シクロ
アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニ
ル基、エステル基、アミド基、スルフォンアミド基の群
より選択される少なくとも1種の2価の連結基を表す。
3. The positive resist composition according to claim 1, wherein the resin (A) contains a repeating unit having a structure represented by the following general formula (c). Embedded image In the formula (c), R 101 and R 102 each independently represent a hydrogen atom or an optionally substituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. R 103 to R 108 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group, or a halogen atom which may have a substituent. A represents at least one divalent linking group selected from the group consisting of an alkylene group, a cycloalkylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, an ester group, an amide group, and a sulfonamide group.
【請求項4】 (A)の樹脂が、下記一般式(pI)〜
一般式(pVI)で示される脂環式炭化水素を含む部分構
造を有する繰り返し単位及び下記一般式(II)で示され
る繰り返し単位の群から選択される少なくとも1種を含
有することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載
のポジ型レジスト組成物。 【化4】 (式中、R11は、メチル基、エチル基、n−プロピル
基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基又は
sec−ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環
式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。R12
〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしく
は分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但
し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15
16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。R17〜R21
は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖も
しくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、
但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水
素基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜
4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化
水素基を表す。R22〜R25は、各々独立に、炭素数1〜
4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化
水素基を表し、但し、R22〜R25のうち少なくとも1つ
は脂環式炭化水素基を表す。また、R23とR24は、互い
に結合して環を形成していてもよい。) 【化5】 式(II)中:R11',R12'は、各々独立に、水素原子、
シアノ基、ハロゲン原子、又は置換基を有していてもよ
いアルキル基を表す。Z'は、結合した2つの炭素原子
(C−C)を含み、置換基を有していてもよい脂環式構
造を形成するための原子団を表す。
4. The resin of (A) has the following general formula (pI):
It is characterized by containing a repeating unit having a partial structure containing an alicyclic hydrocarbon represented by the general formula (pVI) and at least one selected from the group of a repeating unit represented by the following general formula (II). The positive resist composition according to claim 1. Embedded image (Wherein, R 11 represents a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group or a sec-butyl group, and Z represents an alicyclic hydrocarbon group together with a carbon atom. Represents an atomic group necessary for forming R 12
To R 16 each independently represent a linear or branched alkyl group or an alicyclic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 12 to R 14 or R 15 ,
Any of R 16 represents an alicyclic hydrocarbon group. R 17 to R 21
Each independently represents a hydrogen atom, a C1 to C4 linear or branched alkyl group or an alicyclic hydrocarbon group,
However, at least one of R 17 to R 21 represents an alicyclic hydrocarbon group. Further, any of R 19 and R 21 has 1 to 1 carbon atoms.
Represents four linear or branched alkyl groups or alicyclic hydrocarbon groups. R 22 to R 25 each independently have 1 to 1 carbon atoms.
It represents four linear or branched alkyl groups or alicyclic hydrocarbon groups, provided that at least one of R 22 to R 25 represents an alicyclic hydrocarbon group. R 23 and R 24 may be bonded to each other to form a ring. ) In the formula (II): R 11 ′ and R 12 ′ each independently represent a hydrogen atom,
Represents a cyano group, a halogen atom, or an alkyl group which may have a substituent. Z ′ represents an atomic group for forming an alicyclic structure which may have a substituent and has two bonded carbon atoms (C—C).
【請求項5】 前記一般式(II)におけるZ'が、結合
した2つの炭素原子(C−C)を含み、置換基を有して
いてもよい有橋式脂環式構造を形成するための原子団を
表すことを特徴とする請求項4に記載のポジ型レジスト
組成物。
5. Z ′ in the general formula (II) contains two bonded carbon atoms (CC) and forms a bridged alicyclic structure which may have a substituent. 5. The positive resist composition according to claim 4, wherein
【請求項6】 前記一般式(II)が、下記一般式(II−
A)又は一般式(II−B)であることを特徴とする請求
項4に記載のポジ型レジスト組成物。 【化6】 式(II−A)、(II−B)中:R13'〜R16'は、各々独
立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、−COO
H、−COOR5、酸の作用により分解する基、−C
(=O)−X−A'−R17'、又は置換基を有していても
よいアルキル基あるいは環状炭化水素基を表す。ここ
で、R5は、置換基を有していてもよい、アルキル基、
環状炭化水素基又は下記の−Y基を表す。Xは、酸素原
子、硫黄原子、−NH−、−NHSO2−又は−NHS
2NH−を表す。A'は単結合又は2価の連結基を表
す。また、Rl3'〜R16'のうち少なくとも2つが結合し
て環を形成してもよい。nは0又は1を表す。R17'
は、−COOH、−COOR5、−CN、水酸基、置換
基を有していてもよいアルコキシ基、−CO−NH−R
6、−CO−NH−SO2−R6又は下記の−Y基を表
す。R6は、置換基を有していてもよい、アルキル基又
は環状炭化水素基を表す。−Y基; 【化7】 (−Y基中、R21'〜R30'は、各々独立に、水素原子又
は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。a,b
は1又は2を表す。)
6. The compound represented by the following general formula (II)
The positive resist composition according to claim 4, which is represented by A) or the general formula (II-B). Embedded image In the formulas (II-A) and (II-B), R 13 ′ to R 16 ′ each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, —COO
H, —COOR 5 , a group decomposed by the action of an acid, —C
(= O) represents the -X-A'-R 17 ', or may have a substituent alkyl or cyclic hydrocarbon group. Here, R 5 is an alkyl group which may have a substituent,
Represents a cyclic hydrocarbon group or the following -Y group. X represents an oxygen atom, a sulfur atom, -NH -, - NHSO 2 - or -NHS
Representing the O 2 NH-. A ′ represents a single bond or a divalent linking group. Further, at least two of R 13 ′ to R 16 ′ may combine to form a ring. n represents 0 or 1. R 17 '
Is, -COOH, -COOR 5, -CN, a hydroxyl group, an alkoxy group which may have a substituent, -CO-NH-R
6 represents a -CO-NH-SO 2 -R 6 or -Y group shown below. R 6 represents an alkyl group or a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent. —Y group; (In the —Y group, R 21 ′ to R 30 ′ each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent. A, b
Represents 1 or 2. )
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