JP2002281395A - Imaging system - Google Patents

Imaging system

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JP2002281395A
JP2002281395A JP2001075909A JP2001075909A JP2002281395A JP 2002281395 A JP2002281395 A JP 2002281395A JP 2001075909 A JP2001075909 A JP 2001075909A JP 2001075909 A JP2001075909 A JP 2001075909A JP 2002281395 A JP2002281395 A JP 2002281395A
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JP
Japan
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defect
defect data
data
power
pixel
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Withdrawn
Application number
JP2001075909A
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Japanese (ja)
Inventor
Keiichi Mori
圭一 森
Hitoshi Hashimoto
仁史 橋本
Takayuki Kijima
貴行 木島
Hideaki Yoshida
英明 吉田
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Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Optical Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiently compensate defects without causing increase of waiting time due to read of defect data from a nonvolatile memory. SOLUTION: The read of the defect data is performed from an EEPROM 118 to a RAM 112a not by every application of power but based on recognition of mounting of a battery. In addition, additional write of the defect data newly detected by a defect data detecting part 112c to the EEPROM 118 is performed by every application of power. Consequently, use of control that the read of the defect data from the EEPROM 118 is performed, for example, only once after mounting the battery is enabled and the waiting time is reduced.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は撮像装置に関し、特
に画素欠陥補償機能を有する撮像装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image pickup apparatus, and more particularly to an image pickup apparatus having a pixel defect compensation function.

【0002】[0002]

【従来の技術】ビデオカメラなどの撮像装置は従来より
広く利用されている。近年主として静止画を撮像記録す
る電子スチルカメラも特にディジタルカメラとして普及
するに至り、主として動画記録用であったビデオムービ
ーにおいても静止画撮影記録機能を有するようになって
きた。そして主に静止画撮影に際して使用される長時間
露光は撮像素子における電荷蓄積時間を長くすることに
よって露光時間を長くし、これによって低照度下でもス
トロボなどの補助照明を使用することなく撮影できるよ
うにする技術として知られている。
2. Description of the Related Art Imaging devices such as video cameras have been widely used. In recent years, electronic still cameras that mainly capture and record still images have also come into widespread use especially as digital cameras, and video movies mainly for recording moving images also have a still image capturing and recording function. Long-time exposure, which is mainly used for shooting still images, increases the exposure time by increasing the charge accumulation time in the image sensor, thereby enabling shooting without using auxiliary lighting such as a strobe even under low illumination. It is known as a technology.

【0003】一方CCD等の撮像素子においてはいわゆ
る暗電流の存在などによる暗出力が存在し、これが画像
信号に重畳されるため、画質劣化を来す。この暗出力レ
ベルが大きい画素が存在する場合は画素欠陥と称され、
その画素の出力情報は用いず近隣の画素の出力情報を用
いて情報を補完することが広く実用されている。本明細
書においてはこのような補完処理を画素欠陥の補償と称
する。しばしば使用フレームレートにおける動画駆動を
前提に決められる所定の(例えばNTSCでは1/60
秒の、あるいはこれに基づいて所定のマージンを見た例
えば4倍マージンだと1/15秒の)標準露光時間で暗
出力を評価し、そのレベルが大きい画素については欠陥
画素と見做して前記画素欠陥補償を適用する。
On the other hand, an image pickup device such as a CCD has a dark output due to the presence of a so-called dark current, which is superimposed on an image signal, thereby deteriorating the image quality. If there is a pixel with a large dark output level, it is called a pixel defect,
It is widely practiced to supplement information using output information of neighboring pixels without using output information of the pixel. In the present specification, such a complementing process is referred to as pixel defect compensation. A predetermined (often 1/60 in NTSC) which is often determined on the premise of driving a moving image at the used frame rate
The dark output is evaluated at a standard exposure time of seconds or a predetermined margin based on the predetermined margin (for example, 1/15 second when the margin is 4 times), and a pixel having a large level is regarded as a defective pixel. Apply the pixel defect compensation.

【0004】そしてさらに、画素欠陥は温度依存や経時
変化を伴うから欠陥画素の評価を工場出荷前に行なうだ
けでは不十分であるという点について改善をはかった技
術も特開平06−038113号公報に公知である。す
なわちこの公報には、電源オン直後にアイリスを閉じる
ことで受光面を遮光し、カメラの使用に先立って撮像素
子の暗出力を評価することで所定の検出レベル以上の暗
出力を持つ画素を欠陥画素として検出して、欠陥補償を
行なう技術が記載されている。
Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 06-038113 discloses a technique for improving that a pixel defect involves temperature dependence and aging, so that it is not sufficient to evaluate a defective pixel just before shipment from a factory. It is known. That is, in this publication, the light receiving surface is shielded from light by closing the iris immediately after the power is turned on, and the dark output of the image sensor is evaluated prior to use of the camera. A technique for detecting defects as pixels and performing defect compensation is described.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、通常、欠陥
データは、電池交換時などにおいてもその消失を防止す
るためにEEPROMなどの不揮発性メモリに記録され
る。しかし、不揮発性メモリからの読出しには通常時間
がかかるので、例えば毎回の電源投入の度に欠陥データ
の読み出しを行うと、それによる待ち時間が大きくなる
問題があった。
Generally, defective data is recorded in a nonvolatile memory such as an EEPROM in order to prevent the data from being lost even when the battery is replaced. However, since reading from the nonvolatile memory usually takes a long time, there is a problem in that, for example, if the defective data is read each time the power is turned on, the waiting time increases.

【0006】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
で、その目的とするところは、待ち時間の増大を招くこ
となく効率よく欠陥補償を行えるようにし、経時的画素
欠陥増加による画質劣化を生じない高性能な撮像装置を
提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to enable efficient defect compensation without increasing wait time, and to reduce image quality deterioration due to an increase in pixel defects over time. It is an object of the present invention to provide a high-performance imaging device that does not cause such a problem.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明の撮像装置は、撮像素子と、前記撮像素子に
被写体像を入力する撮像光学系と、前記撮像素子の欠陥
データを記憶する不揮発性記憶手段と、前記不揮発性記
憶手段から読み出された欠陥データを保持するための内
部メモリと、前記不揮発性記憶手段および前記内部メモ
リに対するデータの読み書きを制御する記憶手段制御手
段と、装置本体へのエネルギー供給源としての電源体か
ら電源供給が開始されることによる第1の電源投入を認
識し、前記第1の電源投入がなされた後の状態における
所定の操作に基づいて、装置各部への電流供給を行なう
第2の電源投入を制御する電源制御手段と、前記撮像素
子の欠陥データに基づいて、前記撮像素子の出力に対し
て近隣画素データによる補償処理を行なう欠陥補償手段
とを具備し、前記記憶手段制御手段は、前記認識手段に
よる第1の電源投入の認識に基づいて、前記不揮発性記
憶手段に記憶された前記欠陥データを読み出して前記内
部メモリに書き込み、前記欠陥補償手段は、前記内部メ
モリ上の欠陥データに基づいて、前記補償処理を行なう
ように構成されたものであることを特徴とする。
In order to solve the above problems, an image pickup apparatus according to the present invention stores an image pickup device, an image pickup optical system for inputting a subject image to the image pickup device, and defect data of the image pickup device. A non-volatile storage unit, an internal memory for holding defect data read from the non-volatile storage unit, a storage unit control unit for controlling reading and writing of data from and to the non-volatile storage unit and the internal memory, Recognizing the first power-on due to the start of power supply from a power supply as an energy supply source to the apparatus main body, based on a predetermined operation in the state after the first power-on, the apparatus Power supply control means for controlling a second power-on for supplying a current to each unit; and, based on defect data of the image sensor, neighboring pixel data for an output of the image sensor. Defect compensation means for performing compensation processing by the storage means control means, wherein the storage means control means reads out the defect data stored in the nonvolatile storage means based on the recognition of the first power-on by the recognition means. The writing into the internal memory is performed, and the defect compensation unit is configured to perform the compensation processing based on defect data on the internal memory.

【0008】この撮像装置においては、毎回の第2の電
源投入のたびではなく、認識手段による第1の電源投入
の認識に基づいて不揮発性記憶手段から内部メモリへの
欠陥データの読み出しが行われる。よって、不揮発性記
憶手段からの欠陥データの読み込みは、例えば電池装着
などによる第1の電源投入の認識後に1回だけ行なうと
いった制御を用いることが可能となり、待ち時間の低減
を図ることが出来る。
In this imaging apparatus, the defective data is read from the nonvolatile storage means to the internal memory based on the recognition of the first power-on by the recognition means, rather than every time the second power-on is performed. . Therefore, it is possible to use control such that the defect data is read from the non-volatile storage means only once after the recognition of the first power-on, for example, when the battery is installed, and the waiting time can be reduced.

【0009】前記不揮発性記憶手段から前記内部メモリ
への前記欠陥データの読み出しは、例えば、前記第1の
電源投入後の初めての第2の電源投入に基づいて行なう
ことができる。
The reading of the defect data from the nonvolatile memory means to the internal memory can be performed, for example, based on the first power-on after the first power-on.

【0010】また、前記撮像素子の出力を解析すること
により前記撮像素子に関する画素欠陥データの検出を実
行する欠陥データ検出手段をさらに備え、前記欠陥デー
タ検出手段が検出した欠陥データのうち、少なくとも一
部のデータを、前記不揮発性記憶手段に書き込むように
構成することにより、不揮発性記憶手段の内容を常に最
新のものに維持することが可能となる。
Further, the apparatus further comprises defect data detecting means for detecting pixel defect data relating to the image sensor by analyzing an output of the image sensor, and at least one of the defect data detected by the defect data detecting means. By writing the data of the section to the nonvolatile storage means, the contents of the nonvolatile storage means can always be kept up to date.

【0011】また、前記欠陥補償手段による補償処理
を、前記不揮発性メモリから前記内部メモリに読み出さ
れた欠陥データと前記欠陥データ検出手段によって検出
された検出欠陥データとの双方に基づいて行うことによ
り、不揮発性記憶手段から内部メモリへの欠陥データの
読み出し後に検出された欠陥についても正しく補償処理
を行うことが可能となる。
Further, the compensation processing by the defect compensation means is performed based on both the defect data read from the nonvolatile memory to the internal memory and the defect data detected by the defect data detection means. Accordingly, it is possible to correctly perform the compensation process even for a defect detected after reading the defect data from the nonvolatile storage unit to the internal memory.

【0012】また、前記画素欠陥データの検出および当
該検出データの前記不揮発性記憶手段への書き込みは、
少なくとも使用者によって電源スイッチがオンされた後
に行われるように、前記第2の電源投入が行なわれてい
る状態において実行すること、または第2の電源投入に
応答して実行することが好ましい。これにより、電源ス
イッチがオンされていないにも関わらず、撮像装置が動
作するという弊害を回避できる。
In addition, the detection of the pixel defect data and the writing of the detected data to the non-volatile storage means include:
It is preferable that the processing is performed in a state where the second power is turned on, or that the processing is performed in response to the second power-on, at least after the power switch is turned on by a user. Thus, it is possible to avoid a problem that the imaging apparatus operates even when the power switch is not turned on.

【0013】また、欠陥データとしては、欠陥画素のア
ドレスデータを用いることができる。
Further, address data of a defective pixel can be used as the defect data.

【0014】また、内部メモリとしては第1の電源投入
が行われている状態においてはその内容が消失されない
ようにバックアップされた揮発性メモリを用いることが
好ましい。
Further, as the internal memory, it is preferable to use a volatile memory that is backed up so that its contents are not lost when the first power is turned on.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を説明する。図1は、本発明の一実施形態に係わ
るディジタルカメラの構成を示すブロック図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a digital camera according to an embodiment of the present invention.

【0016】図中101は各種レンズからなる撮像レン
ズ系、102はレンズ系101を駆動するためのレンズ
駆動機構、103はレンズ系101の絞り及びシャッタ
装置を制御するための露出制御機構、104はローパス
及び赤外カット用のフィルタ、105は被写体像を光電
変換するためのCCDカラー撮像素子、106は撮像素
子105を駆動するためのCCDドライバ、107はA
/D変換器等を含むプリプロセス回路、108はγ変換
などを初めとする各種のディジタル演算処理を行うため
のディジタルプロセス回路、109はカードインターフ
ェース、110はメモリカード、111はLCD画像表
示系を示している。
In FIG. 1, reference numeral 101 denotes an imaging lens system including various lenses; 102, a lens driving mechanism for driving the lens system 101; 103, an exposure control mechanism for controlling the diaphragm and shutter device of the lens system 101; A low-pass and infrared cut filter; 105, a CCD color image sensor for photoelectrically converting a subject image; 106, a CCD driver for driving the image sensor 105;
A pre-processing circuit including a / D converter, etc .; 108, a digital processing circuit for performing various digital arithmetic processing such as gamma conversion; 109, a card interface; 110, a memory card; 111, an LCD image display system; Is shown.

【0017】また、図中の112は各部を統括的に制御
するためのシステムコントローラ(CPU)、113は
各種SWからなる操作スイッチ系、114は操作状態及
びモード状態等を表示するための操作表示系、115は
レンズ駆動機構102を制御するためのレンズドライ
バ、116は発光手段としてのストロボ、117は露出
制御機構103及びストロボ116を制御するための露
出制御ドライバ、118は各種設定情報等を記憶するた
めの不揮発性メモリ(EEPROM)、119は内蔵の
バッテリ(電池)またはACアダプタを介して入力され
る外部からの電源によって各ユニットへの動作電源を供
給する電源回路である。
In the figure, reference numeral 112 denotes a system controller (CPU) for comprehensively controlling each unit, 113 denotes an operation switch system including various SWs, and 114 denotes an operation display for displaying an operation state and a mode state. System, 115 is a lens driver for controlling the lens driving mechanism 102, 116 is a strobe as a light emitting means, 117 is an exposure control driver for controlling the exposure control mechanism 103 and the strobe 116, and 118 is various kinds of setting information and the like. A non-volatile memory (EEPROM) 119 is a power supply circuit that supplies operating power to each unit by a built-in battery (battery) or an external power supply input via an AC adapter.

【0018】本実施形態のカメラにおいては、システム
コントローラ112が全ての制御を統括的に行ってお
り、露出制御機構103とCCDドライバ106による
CCD撮像素子105の駆動を制御して露光(電荷蓄
積)及び信号の読み出しを行い、それをプリプロセス回
路107を介してA/D変換してディジタルプロセス回
路108に取込んで、ディジタルプロセス回路108内
で各種信号処理を施した後にカードインターフェース1
09を介してメモリカード110に記録するようになっ
ている。
In the camera according to the present embodiment, the system controller 112 performs overall control, and controls the exposure control mechanism 103 and the CCD driver 106 to drive the CCD image pickup device 105 to perform exposure (charge accumulation). And read out the signal, A / D convert the signal through the pre-processing circuit 107 and take it into the digital process circuit 108, perform various signal processing in the digital process circuit 108, and then perform the card interface 1
09 to the memory card 110.

【0019】また、システムコントローラ112は例え
ばCISCチップなどのマイコンから構成されており、
内部メモリとしてRAM112aを備えている。このR
AM112aはSRAMなどの揮発性メモリであるが、
本カメラの電源スイッチがオフされている期間において
も電池または外部電源が供給されている間はバックアッ
プされており、その記憶内容は消失されずに保持され
る。
The system controller 112 comprises a microcomputer such as a CISC chip.
A RAM 112a is provided as an internal memory. This R
AM 112a is a volatile memory such as an SRAM,
Even when the power switch of the camera is off, backup is performed as long as the battery or external power is supplied, and the stored contents are retained without being lost.

【0020】さらに、システムコントローラ112に
は、欠陥検出および画素欠陥補償に関わる機能として、
EEPROM118とRAM112aそれぞれに対する
データ書き込み・読み出しを制御するメモリ制御部11
2bと、遮光状態で得られるCCD105からの信号を
ディジタルプロセス回路118で解析することにより画
素欠陥データの検出を行うための欠陥データ検出部11
2cと、本撮像時にCCD105から得られる信号に対
して画素欠陥補償処理を施す欠陥補償制御部112dと
が設けられている。
Further, the system controller 112 has functions relating to defect detection and pixel defect compensation,
Memory control unit 11 for controlling writing / reading of data to / from EEPROM 118 and RAM 112a
2b and a defect data detector 11 for detecting pixel defect data by analyzing a signal from the CCD 105 obtained in a light-shielded state by the digital process circuit 118.
2c, and a defect compensation control unit 112d that performs a pixel defect compensation process on a signal obtained from the CCD 105 at the time of main imaging.

【0021】画素欠陥補償処理は、欠陥補償制御部11
2dからの指令に基づいて、EEPROM118からR
AM112aに読み出された欠陥データと欠陥データ検
出部112cによって新たに検出された欠陥データとの
双方に基づいてディジタルプロセス回路108において
実行される。なお、初期(カメラの工場出荷時)におい
ては工場内の検査で取得された初期欠陥データのみがE
EPROM118に格納されているが、欠陥データ検出
部112cによって欠陥検出が行われる度に新たな欠陥
データがEEPROM118に追加登録される。
The pixel defect compensation processing is performed by the defect compensation control unit 11.
Based on the command from 2d, R
The process is executed in the digital process circuit 108 based on both the defect data read by the AM 112a and the defect data newly detected by the defect data detection unit 112c. In the initial stage (when the camera is shipped from the factory), only the initial defect data obtained by the inspection in the factory is E
Although stored in the EPROM 118, new defect data is additionally registered in the EEPROM 118 each time a defect is detected by the defect data detection unit 112c.

【0022】以下、本発明の画素欠陥の検出と補償に直
接関わる処理を中心にシステムコントローラ112によ
るカメラ制御の説明を行なう。
Hereinafter, camera control by the system controller 112 will be described focusing on processing directly related to detection and compensation of pixel defects according to the present invention.

【0023】撮影に先立ってマニュアル設定または測光
結果に基づいて撮影に必要な露光時間が設定される。次
に本撮像の撮影トリガー指令を待機し、指令を受けたら
所定の露出制御値に基いた露光を行ない、CCD105
から撮像信号を読み出して所定の信号処理を施した後に
メモリカード110に記録する。その際上記欠陥データ
で指定される欠陥画素については画素欠陥補償を行う。
欠陥補償後において記録に至るまでの映像信号処理は、
その必要に応じて適宜使用されるそれ自体は公知の、例
えば色バランス処理、マトリクス演算による輝度−色差
信号への変換あるいはその逆変換処理、帯域制限等によ
る偽色除去あるいは低減処理、γ変換に代表される各種
非線型処理、各種情報圧縮処理、等々である。
Prior to photographing, an exposure time required for photographing is set based on a manual setting or a photometric result. Next, the camera waits for a shooting trigger command for the main imaging, and upon receiving the command, performs exposure based on a predetermined exposure control value.
After the image signal is read out from the memory card and subjected to predetermined signal processing, it is recorded on the memory card 110. At this time, pixel defect compensation is performed for the defective pixel specified by the defect data.
Video signal processing up to recording after defect compensation,
It is used per se as necessary according to its necessity. For example, color balance processing, conversion to a luminance-color difference signal by matrix operation or inverse conversion processing, false color removal or reduction processing by band limitation, γ conversion, etc. Representative types of non-linear processing, various information compression processing, and the like.

【0024】本実施形態のカメラにおいての欠陥補償
は、公知の「欠陥アドレスが登録された画素に関しての
近隣画素による補完」が採用されており、具体的補完方
法は「最近接同色画素(同色の画素のうち、当該欠陥画
素に最も近い4画素:RGBベイヤ配列の場合を例示す
ればGに関しては斜め4方に隣接する4つのG画素、R
(またはB)に関しては上下左右の4方向で直接隣接で
なく間に1つのGを挟んで次に位置する各4つのR(ま
たはB)画素)たる4画素情報の平均値を代替適用す
る」ものが採用されている。
The defect compensation in the camera according to the present embodiment employs the well-known "complementation of a pixel in which a defect address is registered with a neighboring pixel". Of the pixels, four pixels closest to the defective pixel: In the case of an RGB Bayer array, for example, four G pixels, R,
For (or B), the average value of the four pixel information of four R (or B) pixels located next to each other with one G interposed therebetween instead of directly adjacent in the four directions of up, down, left, and right) is applied instead. Things have been adopted.

【0025】本カメラは必要時に欠陥検出を行ない、そ
の結果に基づき上記欠陥データを追加更新する。
The camera performs defect detection when necessary, and additionally updates the defect data based on the result.

【0026】ここで、本実施形態における欠陥データ追
記登録処理の前提となる事項について説明する。
Here, the premise of the defect data additional registration processing in the present embodiment will be described.

【0027】すなわち、本発明者らの最近の検討によっ
て、欠陥の中にも「点滅性欠陥」と称すべきものが存在
することが判ってきた。これは温度や露光(蓄積)時間
なども含めて全く同じ撮像条件下において撮像(電荷蓄
積と読出し)を繰り返した場合に、例えば同一の画素
が、或る時は白欠陥(暗電荷過大)となったり、また或
る時は正常信号を出力したりというように、あたかも白
欠陥(過大暗電荷)が点滅しているかの如き振る舞いを
示すものである。
That is, recent studies by the present inventors have revealed that some of the defects may be referred to as “flashing defects”. This is because, when image pickup (charge accumulation and readout) is repeated under exactly the same image pickup conditions including temperature and exposure (accumulation) time, for example, the same pixel sometimes becomes white defect (excessive dark charge). In other words, the behavior is as if a white defect (excessive dark charge) is blinking, for example, or a normal signal is output once.

【0028】点滅性欠陥の原因については未だ確たる理
論を見出すに至っていないが、少なくとも現象論的には
以下のような知見が得られている。すなわち、この点滅
はある種確率的な要素を含むらしく、特に定まった周期
性や読み出し回数依存性を有しないこと、また比較的短
い期間における繰り返し撮像において点滅するもの(短
周期性:上記のようにこの現象に周期性は見出されてい
ないが、比喩的に「周期」という語を用いている。以下
同じ)もあれば比較的長周期性のものもあることが判っ
ている。ここに至って、従来自然放射能や飛来宇宙線の
影響による破壊的(非復帰的)現象と考えられていた後
発性欠陥の中にも、極めて長周期性の点滅性欠陥が含ま
れていた可能性が指摘される一方、後発的に生じる短周
期性点滅欠陥が多く存在することも明らかになってい
る。
Although no clear theory has yet been found for the cause of the blinking defect, the following findings have been obtained at least phenomenologically. That is, this blinking seems to include a certain probabilistic element, has no particular periodicity or dependence on the number of readouts, and blinks during repeated imaging in a relatively short period (short periodicity: as described above). No periodicity has been found in this phenomenon, but it has been found that some metaphorically use the term "period." Up to this point, it is possible that extremely long-period flickering defects were also included in the late defects that were conventionally considered to be destructive (non-returning) phenomena due to the effects of natural radioactivity and incoming cosmic rays. On the other hand, it has been pointed out that many short-period flickering defects occur lately.

【0029】このような様々な点滅性欠陥の存在下で
は、従来のような単なる欠陥登録法(工場において登録
された欠陥アドレスを使用する)も、単なる直前検出法
(例えば電源投入時などに欠陥検出を行ない、新規に取
得した欠陥アドレスを使用する)も無力なことは明らか
である。またこの両者を併用したとしてもそれだけでは
不充分であって、さらに新規検出された欠陥アドレスを
追記登録して使用することが不可欠となってくる。本実
施形態は、このような追記登録システムを前提としてい
るものである。
In the presence of such various blinking defects, a conventional simple defect registration method (using a defect address registered at a factory) or a simple immediately preceding detection method (for example, when the power is turned on, etc.). Performing the detection and using the newly obtained defective address) is obviously ineffective. Further, even if both are used together, it is not sufficient by itself, and it is essential to additionally register and use a newly detected defect address. The present embodiment is based on such an additional registration system.

【0030】次に、図2を参照して、EEPROM11
8の構造と欠陥データのリード・ライト処理について説
明する。
Next, referring to FIG.
8 and the defect data read / write processing will be described.

【0031】EEPROM118は、図示のように、記
憶領域Aと記憶領域Bの2つの記憶領域を有している。
記憶領域Bは工場出荷前に取得されたCCD105に関
する初期欠陥データが記憶されている。この記憶領域B
は、初期欠陥データの破壊を防止するために読み出し専
用の領域となっており、記憶領域Bへの書き込みは禁止
されている。記憶領域Bには、初期欠陥データとして例
えば512乃至1024画素分の欠陥画素アドレスを登
録可能な記憶サイズが割り当てられている。
As shown, the EEPROM 118 has two storage areas, a storage area A and a storage area B.
The storage area B stores initial defect data relating to the CCD 105 obtained before shipment from the factory. This storage area B
Is a read-only area to prevent destruction of the initial defect data, and writing to the storage area B is prohibited. The storage area B is assigned a storage size capable of registering defective pixel addresses of, for example, 512 to 1024 pixels as initial defect data.

【0032】記憶領域Aは、工場出荷後に欠陥データ検
出部112cによる欠陥検出処理で新たに取得された欠
陥データを追加登録するための記憶領域である。記憶領
域Aには、例えば128画素分の欠陥画素アドレスを登
録可能な記憶サイズが割り当てられている。工場出荷後
の初期状態においては、記憶領域Aには欠陥データは何
も記憶されてない。つまり、記憶領域Aは、欠陥データ
検出部112cによって検出された後発性の欠陥画素の
登録に使用される専用領域である。
The storage area A is a storage area for additionally registering the defect data newly acquired by the defect detection processing by the defect data detection unit 112c after shipment from the factory. The storage area A is assigned a storage size capable of registering defective pixel addresses of, for example, 128 pixels. In the initial state after factory shipment, no defect data is stored in the storage area A. That is, the storage area A is a dedicated area used for registering a late defective pixel detected by the defective data detection unit 112c.

【0033】RAM112aは、図示のように、記憶領
域C,D,Eの3つの記憶領域を有している。記憶領域
DはEEPROM118の記憶領域Bから読み出された
初期欠陥データを記憶するための領域であり、また記憶
領域CはEEPROM118の記憶領域Aから読み出さ
れた追加登録の欠陥データを記憶するための領域であ
る。記憶領域C,Dの記憶サイズは、記憶領域A,Bと
それぞれ同じである。
The RAM 112a has three storage areas C, D, and E as shown in the figure. The storage area D is an area for storing initial defect data read from the storage area B of the EEPROM 118, and the storage area C is for storing additionally registered defect data read from the storage area A of the EEPROM 118. Area. The storage sizes of the storage areas C and D are the same as the storage areas A and B, respectively.

【0034】EEPROM118の記憶領域A,Bの内
容を読み出してRAM112a上の記憶領域C,Dに書
き込む処理は、例えば電池挿入後において最初に電源ス
イッチがオンされた場合など、電池挿入(またはACア
ダプタの接続)がなされたことを契機として実行され
る。前述したように電池が挿入されている状態において
は電池切れが生じない限りRAM112aの記憶内容は
消失しないが、電池交換などのために一旦電池を抜く
と、RAM112aの記憶内容は消失されてしまうこと
になる。このため、電池挿入後は一旦必ずEEPROM
118の読み出しを行ってその記憶領域A,Bの内容を
RAM112a上の記憶領域C,Dにコピーし、以降
は、次に電池挿入および電源スイッチの投入が行われる
までは、EEPROM118からの読み出しは行わず、
RAM112a上にコピーされた欠陥データを用いて欠
陥補償を行う。このように、本実施形態では、電池の装
着および電源スイッチの投入によってEEPROM11
8からの欠陥データの読み出し動作を制御し、EEPR
OM118からの読出しは電池装着後に1回だけ行なう
ように構成されている。
The process of reading the contents of the storage areas A and B of the EEPROM 118 and writing them to the storage areas C and D of the RAM 112a is performed, for example, when the power switch is first turned on after the battery is inserted. Connection) is performed. As described above, when the battery is inserted, the stored content of the RAM 112a is not lost unless the battery runs out, but once the battery is removed for battery replacement or the like, the stored content of the RAM 112a may be lost. become. For this reason, once the battery is inserted,
118, the contents of the storage areas A and B are copied to the storage areas C and D in the RAM 112a. Thereafter, the reading from the EEPROM 118 is not performed until the next time the battery is inserted and the power switch is turned on. Without doing
Defect compensation is performed using the defect data copied on the RAM 112a. As described above, in this embodiment, when the battery is mounted and the power switch is turned on, the EEPROM 11
8 to control the read operation of the defect data from
The reading from the OM 118 is performed only once after the battery is mounted.

【0035】RAM112a上の記憶領域Eは、欠陥デ
ータ検出部112cによる欠陥検出動作で検出された欠
陥画素のアドレスを記憶するために用いられる。記憶領
域Eには、例えば32画素分の欠陥画素アドレスを登録
可能な記憶サイズが割り当てられている。
The storage area E on the RAM 112a is used to store addresses of defective pixels detected by the defect detection operation by the defect data detection unit 112c. The storage area E is assigned a storage size capable of registering defective pixel addresses of, for example, 32 pixels.

【0036】欠陥データ検出部112cによる欠陥検出
は、初期欠陥データとして登録されている欠陥画素を除
外した残りの画素を対象に行われる。このため、記憶領
域Eに記憶される欠陥データは、工場出荷後に発生した
後発性欠陥のアドレスのみとなる。欠陥データ検出部1
12cによって欠陥検出動作が行われるたびに、その欠
陥検出動作で取得された新たな欠陥データが記憶領域E
に書き込まれると共に、記憶領域Eに書き込まれた新た
な欠陥データがEEPROM118の記憶領域Aに追加
登録される。記憶領域Aに既に追加登録データが存在す
る場合、欠陥データ検出部112cによって検出された
欠陥画素アドレスの内、重複しない欠陥画素アドレスだ
けが記憶領域Aに追加される。
The defect detection by the defect data detector 112c is performed on the remaining pixels excluding the defective pixels registered as the initial defect data. For this reason, the defect data stored in the storage area E is only the address of the late defect generated after the factory shipment. Defect data detector 1
12c, each time a defect detection operation is performed, new defect data acquired by the defect detection operation is stored in the storage area E.
And the new defect data written in the storage area E is additionally registered in the storage area A of the EEPROM 118. When the additional registration data already exists in the storage area A, only the non-overlapping defective pixel addresses among the defective pixel addresses detected by the defect data detection unit 112c are added to the storage area A.

【0037】欠陥検出およびそれに応答して実行される
EEPROM118への欠陥データの追記は、例えば2
4時間に1回程度の割合で、電源投入時に行なうのが好
適である。この場合、前回の欠陥検出およびデータの追
記から24時間経過した後に電源投入がなされるとその
時点で新たな欠陥検出およびデータの追記が行われるこ
とになる。また電源投入時でなくとも、電源が投入され
ている状態つまり通常動作状態において前回の欠陥検出
およびデータの追記から24時間経過した時点で新たな
欠陥検出およびデータの追記を行うようにしてもよい。
Defect detection and addition of defect data to the EEPROM 118 executed in response thereto are performed, for example, in 2 steps.
It is preferable to perform it at the time of power-on at a rate of about once every four hours. In this case, if power is turned on after 24 hours have passed since the previous defect detection and data addition, new defect detection and data addition are performed at that point. Even when the power is not turned on, a new defect may be detected and data may be additionally written 24 hours after the last defect detection and data addition in a state where the power is turned on, that is, in a normal operation state. .

【0038】本撮像時に欠陥補償制御部112dによっ
て行われる欠陥補償処理は、EEPROM118から読
み込んだ記憶領域C,Dの欠陥データのみならず、記憶
領域Eに記憶されている新たな欠陥データをも考慮して
実行される。これにより、EEPROM118からの読
出しを電池挿入後の1回のみに制限しても、常に最新の
検出欠陥に基づく欠陥補償が行われることになる。記憶
領域Cと記憶領域Eとでは欠陥画素アドレスが重複する
場合があるが、同一画素に対して欠陥補償処理を2度行
っても画質に対する影響はない。また、欠陥検出の度
に、記憶領域Eに書き込まれた新たな欠陥データを重複
を排除した状態でEEPROM118の記憶領域Aに追
記しているので、不意に電池切れなどによってRAM1
12aの記憶内容が消失しても、EEPROM118か
ら最新の追加登録データを含む全ての欠陥データを読み
出すことが可能となる。
The defect compensation processing performed by the defect compensation control unit 112d at the time of actual imaging takes into account not only the defect data in the storage areas C and D read from the EEPROM 118 but also new defect data stored in the storage area E. And executed. As a result, even if reading from the EEPROM 118 is limited to only once after the battery is inserted, defect compensation based on the latest detected defect is always performed. Although defective pixel addresses may overlap in the storage area C and the storage area E, the image quality is not affected even if the defect compensation processing is performed twice on the same pixel. In addition, every time a defect is detected, new defect data written in the storage area E is added to the storage area A of the EEPROM 118 in a state where duplication is eliminated.
Even if the storage content of 12a is lost, it is possible to read out all the defect data including the latest additional registration data from the EEPROM 118.

【0039】図3には、記憶領域A,Bそれぞれに記憶
される欠陥データの構造が示されている。記憶領域A,
Bのどちらにおいてもその記憶領域に登録される欠陥デ
ータは、 登録可能データ数 : 最大登録可能画素数(n)を示す 登録されている欠陥数: 実際に欠陥画素として登録されている画素数 データ領域 : 各欠陥画素のX.Yアドレス という構造を持つ。データ領域には、最大登録可能画素
数(領域Aはn=128、領域Bはn=512または1
024)分の画素アドレス登録エリアが設けられてい
る。
FIG. 3 shows the structure of defect data stored in each of the storage areas A and B. Storage area A,
In both cases, the defect data registered in the storage area is the number of registrable data: the maximum number of registrable pixels (n) The number of registered defects: the number of pixels actually registered as defective pixels Data Area: X. of each defective pixel It has a structure called Y address. In the data area, the maximum number of pixels that can be registered (n = 128 for area A, n = 512 or 1 for area B)
024) of pixel address registration areas.

【0040】次に、図4のフローチャートを参照して、
欠陥検出動作の手順について説明する。
Next, referring to the flowchart of FIG.
The procedure of the defect detection operation will be described.

【0041】まず、システムコントローラ112は露出
制御機構103に含まれるシャッタ装置で撮像素子の受
光面を遮光してから、その遮光状態でテスト撮像を行な
う(ステップS101)。すなわち暗黒下でCCDドラ
イバ106により本カメラの最長露出時間Tmax(設定
は任意:ここでの例示値5s)の電荷蓄積動作を行なっ
てテスト撮像信号(暗出力信号)を読み出し、ディジタ
ルプロセス108に格納する。ディジタルプロセス10
8では、最初に、欠陥補償制御部112dの制御の下に
「検出用欠陥補償処理」が行われる(ステップS10
2)。「検出用欠陥補償処理」は、初期欠陥データとし
て登録されている欠陥画素を欠陥検出動作の検出対象か
ら除外する目的で行われるものであり、記憶領域Dにコ
ピーされている初期欠陥データに基づいて最近接同色画
素による補間処理が行われる。
First, the system controller 112 shields the light-receiving surface of the image sensor with the shutter device included in the exposure control mechanism 103, and then performs test imaging in the light-shielded state (step S101). That is, in the dark, the CCD driver 106 performs a charge accumulation operation for the longest exposure time Tmax of the camera (setting is arbitrary: the example value 5 s here) to read out a test imaging signal (dark output signal) and store it in the digital process 108 I do. Digital process 10
8, first, "detection defect compensation processing" is performed under the control of the defect compensation control unit 112d (step S10).
2). The “detection defect compensation process” is performed for the purpose of excluding defective pixels registered as initial defect data from detection targets of the defect detection operation, and is performed based on the initial defect data copied to the storage area D. Then, the interpolation processing is performed by the nearest same color pixel.

【0042】記憶領域Cにコピーされている追加登録の
欠陥データに関しても重複検出を排除する目的で「検出
用欠陥補償処理」を行うことが考えられるが、初期欠陥
データに比べると追加登録の欠陥データの信頼性は必ず
しも十分とは言えないので、検出用欠陥補償処理は初期
欠陥データで指定される欠陥画素についてのみ行うこと
が好ましい。
It is conceivable to perform "detection defect compensation processing" on the additionally registered defect data copied to the storage area C in order to eliminate duplicate detection. Since the reliability of the data is not always sufficient, it is preferable that the defect compensation processing for detection is performed only on the defective pixel specified by the initial defect data.

【0043】次いで、初期欠陥データに基づいて欠陥補
償された後の画像情報をディジタルプロセス108で解
析することにより、暗出力レベルの大きい画素を欠陥画
素として選択するための欠陥検出を行う(ステップS1
03)。このように、「検出用欠陥補償処理」によっ
て、初期欠陥データに基づいて補償処理を行なった後の
画素情報に対して欠陥画素の検出処理が行われるので、
既に欠陥画素アドレスとして登録された画素については
その補償後のデータに対して欠陥検出が行われることに
なる。よって、欠陥画素として登録されている画素が検
出の度に再度欠陥として検出されてしまうという不具合
の発生を防止することが可能となり、未登録の後発性欠
陥のみを検出対象とすることが可能となる。
Next, by analyzing the image information after the defect compensation based on the initial defect data by the digital process 108, defect detection for selecting a pixel having a large dark output level as a defective pixel is performed (step S1).
03). As described above, the “detection defect compensation process” performs the defective pixel detection process on the pixel information after the compensation process is performed based on the initial defect data.
For a pixel that has already been registered as a defective pixel address, defect detection is performed on the compensated data. Therefore, it is possible to prevent a defect that a pixel registered as a defective pixel is detected again as a defect each time it is detected, and it is possible to detect only unregistered late defects. Become.

【0044】ステップS103の欠陥検出では、有効出
力画素の全データに関して各出力レベルを調べて基準と
なる検出レベルと比較するというレベル比較方式ではな
く、暗出力レベルが大きいものから順に上位32個の画
素を単純に選択するという方式が用いられる。つまり、
検出レベルとは無関係に、暗出力レベルが大きいワース
ト32個の画素が欠陥画素として判定されることにな
る。検出画素数を32個に制限しているので、補完対象
の画素数が欠陥補償処理の許容する画素数以上になると
いう検出画素数の増えすぎによる画質破綻が生じること
はない。また、CCD105が比較的欠陥の程度の軽い
素子である場合であっても、少なくともワースト32画
素についてはそれを検出できるので、欠陥画素の検出漏
れなどの不具合が生じることもない。
In the defect detection in step S103, instead of the level comparison method of checking each output level with respect to all data of effective output pixels and comparing it with a reference detection level, the upper 32 dark output levels are used in descending order. A method of simply selecting a pixel is used. That is,
Regardless of the detection level, the worst 32 pixels having a large dark output level are determined as defective pixels. Since the number of detected pixels is limited to 32, the image quality does not break down due to an excessive increase in the number of detected pixels in which the number of pixels to be complemented is equal to or larger than the number of pixels permitted by the defect compensation processing. Further, even if the CCD 105 is an element having a relatively light defect, at least the worst 32 pixels can be detected, so that there is no problem such as a failure to detect a defective pixel.

【0045】ワースト32個の画素選択動作において
は、図5に示すような32画素分のバッファが使用され
る。最初の32画素については無条件にその画素アドレ
スと暗出力レベルのペアがバッファに順次登録される。
33画素目からは、各画素毎に、その時点でバッファに
記憶されている最小の暗出力レベルとの比較が行われ、
バッファに登録するか否かが判断される。このように、
画素選択動作は単純な演算処理により行うことが出来
る。
In the worst 32 pixel selection operation, a buffer for 32 pixels as shown in FIG. 5 is used. For the first 32 pixels, a pair of the pixel address and the dark output level is unconditionally registered in the buffer.
From the 33rd pixel, each pixel is compared with the minimum dark output level currently stored in the buffer,
It is determined whether or not to register in the buffer. in this way,
The pixel selection operation can be performed by simple arithmetic processing.

【0046】なお、最大暗出力レベルの画素が同値で3
2個よりも多く存在する場合には、例外的に、検出画素
が画面の4隅などに分散するようにそれら同値最大の画
素それぞれの中から登録する画素を適宜選別する処理を
行うようにすればよい。また、実際には、例えば暗出力
レベルがほとんど零の画素については欠陥画素としない
というレベル判定を併用しても良いことはもちろんであ
る。
It is to be noted that the pixel having the maximum dark output level has the same value of 3
When there are more than two pixels, exceptionally, a process of appropriately selecting a pixel to be registered from each of the pixels having the same maximum value so that the detected pixels are dispersed at four corners of the screen or the like is performed. I just need. In practice, of course, a level determination that a pixel having a dark output level of almost zero is not regarded as a defective pixel may be used together.

【0047】次いで、画素選択動作で選択されたワース
ト32個の欠陥画素アドレスが、記憶領域Eに登録され
る(ステップS104)。そして、記憶領域Cに読み込
まれている欠陥画素アドレスとの重複をチェックし、重
複しない欠陥画素アドレスのみがEEPROM118の
記憶領域Aに追加書き込みされる(ステップS10
5)。
Next, the 32 worst defective pixel addresses selected by the pixel selection operation are registered in the storage area E (step S104). Then, the overlap with the defective pixel address read into the storage area C is checked, and only the non-overlapping defective pixel address is additionally written into the storage area A of the EEPROM 118 (step S10).
5).

【0048】次に、図6のフローチャートを参照して、
本撮像時の撮像・記録動作について説明する。
Next, referring to the flowchart of FIG.
The imaging / recording operation at the time of actual imaging will be described.

【0049】まず、撮影に先立ってマニュアル設定また
は測光結果に基づいて撮影に必要な露光時間が設定さ
れ、本撮像の撮影トリガー指令を受けたら所定の露出制
御値に基いた露光を行ない、CCD105からの撮像信
号の読み出しが行われる(ステップS111)。撮像信
号はA/D変換された後にディジタルプロセス108に
入力され、そこで欠陥補償処理が実行される(ステップ
S112)。この欠陥補償処理では、記憶領域C,D,
Eそれぞれに記憶されている欠陥画素アドレスの総和に
基づいて行われる。具体的には、記憶領域Cの欠陥画素
アドレスに基づく欠陥補償と、記憶領域Dの欠陥画素ア
ドレスに基づく欠陥補償と、記憶領域Eの欠陥画素アド
レスに基づく欠陥補償とをそれぞれ実行すればよい。欠
陥補償処理のアルゴリズム自体は「検出用欠陥補償処
理」と同じ最近接同色画素による補間処理であり、「検
出用欠陥補償処理」の場合と同じ演算処理部にて実現さ
れる。
First, prior to photographing, an exposure time required for photographing is set based on manual setting or photometric results. When a photographing trigger command for main photographing is received, exposure based on a predetermined exposure control value is performed. Is read out (step S111). After the A / D conversion, the imaging signal is input to the digital process 108, where a defect compensation process is performed (step S112). In this defect compensation processing, the storage areas C, D,
This is performed based on the total sum of the defective pixel addresses stored in each of E. Specifically, the defect compensation based on the defective pixel address in the storage area C, the defect compensation based on the defective pixel address in the storage area D, and the defect compensation based on the defective pixel address in the storage area E may be executed. The algorithm of the defect compensation process itself is an interpolation process using the same nearest-neighbor pixels as in the “defect compensation process for detection”, and is realized by the same arithmetic processing unit as in the case of the “defect compensation process for detection”.

【0050】そして、欠陥補償後の画像情報に対して各
種画像処理を施した後に(ステップS113)、メモリ
カード110に記録する(ステップS114)。
After performing various image processes on the image information after the defect compensation (step S113), the image information is recorded on the memory card 110 (step S114).

【0051】次に、図7のフローチャートを参照して、
電池挿入が検出されてからの一連の処理の流れについて
説明する。
Next, referring to the flowchart of FIG.
A flow of a series of processes after battery insertion is detected will be described.

【0052】電池交換などによって新たに電池が挿入さ
れた場合(または電池が挿入されてない状態で電源アダ
プタが接続された場合)、それによってシステムコント
ローラ112が起動され、初期動作が開始される(ステ
ップS121)。そして、システムコントローラ112
は電源スイッチの投入を待機するスタンバイモードとな
る。使用者によって電源スイッチがONされると(ステ
ップS122)、システムコントローラ112は電源回
路119を制御してカメラ内の各部への電源供給を開始
させ、カメラを電源オン状態に設定する(ステップS1
23)。この電源オンが電池挿入後の最初の電源投入で
あった場合には(ステップS124のYES)、システ
ムコントローラ112は、EEPROM118から記憶
領域A,Bの欠陥データを読み込み(ステップS12
5)、それをRAM112aの記憶領域B,Cに書き込
む(ステップS126)。
When a new battery is inserted due to battery replacement or the like (or when a power adapter is connected with no battery inserted), the system controller 112 is activated and the initial operation is started ( Step S121). Then, the system controller 112
Becomes a standby mode in which the power switch is turned on. When the power switch is turned on by the user (step S122), the system controller 112 controls the power circuit 119 to start power supply to each part in the camera, and sets the camera to a power-on state (step S1).
23). If this power-on is the first power-on after the battery is inserted (YES in step S124), the system controller 112 reads the defect data in the storage areas A and B from the EEPROM 118 (step S12).
5) Write it to the storage areas B and C of the RAM 112a (step S126).

【0053】システムコントローラ112にはタイマー
が内蔵されており、そのタイマーによって前回の欠陥検
出を実行した時点あるいは電池挿入時点から24時間経
過していることが検出されると(ステップS127のY
ES)、図4で説明した欠陥検出動作が開始され、後発
性欠陥画素の検出およびEEPROM118への追加登
録が行われる(ステップS128)。
The system controller 112 has a built-in timer. When the timer detects that 24 hours have passed since the previous defect detection or battery insertion (Y in step S127).
ES), the defect detection operation described with reference to FIG. 4 is started, and detection of a late defective pixel and additional registration in the EEPROM 118 are performed (step S128).

【0054】この後、システムコントローラ112は、
シャッタートリガ操作や電源スイッチOFF等を待機す
るモードとなる。シャッタートリガ操作(撮影トリガー
指令)がなされると(ステップS129のYES)、シ
ステムコントローラ112は、図6のフローチャートで
説明した撮像・記録動作を実行する(ステップS13
0)。また電源スイッチがOFFされた場合には(ステ
ップS131のYES)、システムコントローラ112
は、電源回路119を制御してカメラ内の各部への電源
供給を停止してカメラを電源オフした後(ステップS1
32)、電源スイッチの投入を待機するスタンバイモー
ドとなる。
Thereafter, the system controller 112
The mode is a standby mode for a shutter trigger operation, a power switch OFF, and the like. When a shutter trigger operation (photographing trigger command) is performed (YES in step S129), the system controller 112 executes the imaging / recording operation described in the flowchart of FIG. 6 (step S13).
0). If the power switch is turned off (YES in step S131), the system controller 112
Controls the power supply circuit 119 to stop the power supply to each part in the camera and to turn off the camera (step S1).
32) The standby mode is set to wait for the power switch to be turned on.

【0055】以上のように、本実施形態においては、毎
回の電源投入のたびではなく、電池装着の認識に基づい
てEEPROM118からRAM112aへの欠陥デー
タの読み出しが行われる。よって、EEPROM118
からの欠陥データの読み込みは、例えば電池装着後に1
回だけ行なうといった制御を用いることが可能となり、
待ち時間の低減を図ることが出来る。
As described above, in this embodiment, the defective data is read from the EEPROM 118 to the RAM 112a based on the recognition of the battery installation, not at every power-on. Therefore, the EEPROM 118
The reading of defect data from
It is possible to use control such as performing only once,
The waiting time can be reduced.

【0056】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範
囲で種々に変形することが可能である。例えば、上記実
施形態ではEEPROM118から欠陥データを読み出
すようにしたが、カメラに設けられたディスク記憶装置
などの他の不揮発性記憶装置から欠陥データを読み出す
ような場合にも適用することが出来る。また上記欠陥検
出、欠陥画素の登録、補償処理はいわゆる白欠陥を対象
にして説明したが、黒欠陥についても同様にして欠陥検
出、欠陥画素の登録、補償処理を行うことが出来る。黒
欠陥検出時には遮光状態にするのではなく何らかの方法
で撮像面への白色光入力を行えばよい。また上述の実施
形態においては、ディジタルスチルカメラを例示して説
明したが、ディジタルムービーに対しても同様にして適
用することができる。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and that various modifications can be made in the implementation stage without departing from the scope of the invention. For example, in the above embodiment, defective data is read from the EEPROM 118, but the present invention can be applied to a case where defective data is read from another nonvolatile storage device such as a disk storage device provided in a camera. Although the above-described defect detection, registration of defective pixels, and compensation processing have been described for so-called white defects, defect detection, registration of defective pixels, and compensation processing for black defects can be similarly performed. At the time of detecting a black defect, white light input to the imaging surface may be performed by some method instead of the light shielding state. In the above embodiment, the digital still camera has been described as an example. However, the present invention can be similarly applied to a digital movie.

【0057】更に、上記実施形態には種々の段階の発明
が含まれており、開示される複数の構成要件における適
宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例え
ば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要
件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で
述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられてい
る効果が得られる場合には、この構成要件が削除された
構成が発明として抽出され得る。
Further, the above embodiments include inventions at various stages, and various inventions can be extracted by appropriately combining a plurality of disclosed constituent elements. For example, even if some components are deleted from all the components shown in the embodiment, the problem described in the column of the problem to be solved by the invention can be solved, and the effects described in the column of the effect of the invention can be solved. Is obtained, a configuration from which this configuration requirement is deleted can be extracted as an invention.

【0058】[0058]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
撮像素子の性能によらずに欠陥補償すべき画素の検出を
適切且つ十分に行うことができ、経時的画素欠陥増加に
よる画質劣化を生じない高性能な撮像装置を実現でき
る。
As described above, according to the present invention,
It is possible to appropriately and sufficiently detect a pixel to be subjected to defect compensation irrespective of the performance of the imaging element, and to realize a high-performance imaging apparatus in which image quality does not deteriorate due to an increase in pixel defects over time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係わる電子カメラの構成
を示すブロック図。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an electronic camera according to an embodiment of the present invention.

【図2】同実施形態で用いられるEEPROMの構造と
欠陥データのリード・ライト処理を説明するための図。
FIG. 2 is an exemplary view for explaining a structure of an EEPROM used in the embodiment and a process of reading / writing defective data;

【図3】同実施形態においてEEPROMに登録される
欠陥データの構造を説明するための図。
FIG. 3 is an exemplary view for explaining a structure of defect data registered in an EEPROM in the embodiment.

【図4】同実施形態における欠陥検出動作の手順を説明
するためのフローチャート。
FIG. 4 is an exemplary flowchart for explaining the procedure of a defect detection operation in the embodiment.

【図5】図4の欠陥検出動作で行われるワースト所定数
選択処理の演算処理を説明するための図。
FIG. 5 is a diagram for explaining a calculation process of a worst predetermined number selection process performed in the defect detection operation of FIG. 4;

【図6】同実施形態における撮像・記録動作の手順を説
明するためのフローチャート。
FIG. 6 is an exemplary flowchart for explaining the procedure of an imaging / recording operation in the embodiment.

【図7】同実施形態において電池挿入が検出されてから
の一連の処理の流れを示すフローチャート。
FIG. 7 is an exemplary flowchart showing a flow of a series of processes after the battery insertion is detected in the embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101…レンズ系 102…レンズ駆動機構 103…露出制御機構 104…フィルタ系 105…CCDカラー撮像素子 106…CCDドライバ 107…プリプロセス回路 108…ディジタルプロセス回路 109…カードインターフェース 110…メモリカード 111…LCD画像表示系 112…システムコントローラ(CPU) 112a…RAM 112b…メモリ制御部 112c…欠陥データ検出部 112d…欠陥補償制御部 118…EEPROM 119…電源回路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 ... Lens system 102 ... Lens drive mechanism 103 ... Exposure control mechanism 104 ... Filter system 105 ... CCD color image sensor 106 ... CCD driver 107 ... Preprocess circuit 108 ... Digital process circuit 109 ... Card interface 110 ... Memory card 111 ... LCD image Display system 112: System controller (CPU) 112a: RAM 112b: Memory controller 112c: Defect data detector 112d: Defect compensation controller 118: EEPROM 119: Power supply circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木島 貴行 東京都渋谷区幡ヶ谷2丁目43番2号 オリ ンパス光学工業株式会社内 (72)発明者 吉田 英明 東京都渋谷区幡ヶ谷2丁目43番2号 オリ ンパス光学工業株式会社内 Fターム(参考) 5B047 BB04 CB02 CB05 DA06 EA01 EB01 5C024 AX01 BX01 CX23 HX14 HX46 HX59  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Takayuki Kijima 2-43-2 Hatagaya, Shibuya-ku, Tokyo Inside Olympus Optical Industrial Co., Ltd. (72) Hideaki Yoshida 2-43-2 Hatagaya, Shibuya-ku, Tokyo Olympus Optical Co., Ltd. F term (reference) 5B047 BB04 CB02 CB05 DA06 EA01 EB01 5C024 AX01 BX01 CX23 HX14 HX46 HX59

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】撮像素子と、 前記撮像素子に被写体像を入力する撮像光学系と、 前記撮像素子の欠陥データを記憶する不揮発性記憶手段
と、 前記不揮発性記憶手段から読み出された欠陥データを保
持するための内部メモリと、 前記不揮発性記憶手段および前記内部メモリに対するデ
ータの読み書きを制御する記憶手段制御手段と、 装置本体へのエネルギー供給源としての電源体から電源
供給が開始されることによる第1の電源投入を認識する
認識手段と、 前記第1の電源投入がなされた後の状態における所定の
操作に基づいて、装置各部への電流供給を行なう第2の
電源投入を制御する電源制御手段と、 前記撮像素子の欠陥データに基づいて、前記撮像素子の
出力に対して近隣画素データによる補償処理を行なう欠
陥補償手段とを具備し、 前記記憶手段制御手段は、前記認識手段による第1の電
源投入の認識に基づいて、前記不揮発性記憶手段に記憶
された前記欠陥データを読み出して前記内部メモリに書
き込み、前記欠陥補償手段は、前記内部メモリ上の欠陥
データに基づいて、前記補償処理を行なうように構成さ
れたものであることを特徴とする撮像装置。
An image pickup device, an image pickup optical system for inputting a subject image to the image pickup device, a non-volatile storage means for storing defect data of the image pickup device, and defect data read from the non-volatile storage means An internal memory for storing data, a storage control means for controlling reading and writing of data to and from the non-volatile storage means and the internal memory, and a power supply from a power source as an energy supply source to the apparatus body is started. Recognizing means for recognizing a first power-on by a power supply, and a power supply for controlling a second power-on for supplying current to each unit of the apparatus based on a predetermined operation in a state after the first power-on Control means, based on the defect data of the image sensor, comprising: a defect compensating means for performing a compensation process on the output of the image sensor by neighboring pixel data; The storage control unit reads the defect data stored in the nonvolatile storage unit and writes the defect data in the internal memory based on the recognition of the first power-on by the recognition unit. An imaging apparatus characterized in that the compensation processing is performed based on defect data on an internal memory.
【請求項2】前記不揮発性記憶手段から前記内部メモリ
への前記欠陥データの読み出しは、前記第1の電源投入
後の初めての第2の電源投入に基づいて行なわれるもの
であることを特徴とする請求項1記載の撮像装置。
2. The method according to claim 1, wherein the reading of the defect data from the nonvolatile storage means to the internal memory is performed based on a first power-on after the first power-on. The imaging device according to claim 1.
【請求項3】前記撮像素子の出力を解析することにより
前記撮像素子に関する画素欠陥データの検出を実行する
欠陥データ検出手段をさらに具備し、前記記憶手段制御
手段は、前記欠陥データ検出手段が検出した欠陥データ
のうち、少なくとも一部のデータを、前記不揮発性記憶
手段に書き込むように構成されたものであることを特徴
とする請求項1または2記載の撮像装置。
3. The apparatus according to claim 1, further comprising: a defect data detecting unit configured to execute a detection of pixel defect data on the image sensor by analyzing an output of the image sensor. 3. The imaging apparatus according to claim 1, wherein at least a part of the defect data is written in the nonvolatile storage unit.
【請求項4】前記欠陥補償手段による補償処理は、前記
不揮発性メモリから前記内部メモリに読み出された欠陥
データと前記欠陥データ検出手段によって検出された検
出欠陥データとの双方に基づいて行われるものであるこ
とを特徴とする請求項3記載の撮像装置。
4. The compensation processing by the defect compensation means is performed based on both the defect data read from the nonvolatile memory to the internal memory and the defect data detected by the defect data detection means. The imaging device according to claim 3, wherein:
【請求項5】前記画素欠陥データの検出および当該検出
データの前記不揮発性記憶手段への書き込みは、前記第
2の電源投入が行なわれている状態において実行される
ことを特徴とする請求項3記載の撮像装置。
5. The method according to claim 3, wherein the detection of the pixel defect data and the writing of the detected data to the nonvolatile storage means are performed in a state where the second power is turned on. An imaging device according to claim 1.
【請求項6】前記画素欠陥データの検出および当該検出
データの前記不揮発性記憶手段への書き込みは、前記第
2の電源投入に応答して実行されることを特徴とする請
求項3記載の撮像装置。
6. The imaging apparatus according to claim 3, wherein the detection of the pixel defect data and the writing of the detected data to the nonvolatile storage unit are performed in response to the second power-on. apparatus.
【請求項7】前記欠陥データは、欠陥画素のアドレスデ
ータであることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか
1項記載の撮像装置。
7. The imaging apparatus according to claim 1, wherein the defect data is address data of a defective pixel.
【請求項8】前記内部メモリは前記第1の電源投入が行
われている状態においてはその内容が消失されないよう
にバックアップされたメモリであることを特徴とする請
求項1記載の撮像装置。
8. The imaging apparatus according to claim 1, wherein the internal memory is a memory that is backed up so that its contents are not lost when the first power is turned on.
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