JP2002261148A - Treating system and preheating method of object to be treated - Google Patents

Treating system and preheating method of object to be treated

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JP2002261148A
JP2002261148A JP2001060968A JP2001060968A JP2002261148A JP 2002261148 A JP2002261148 A JP 2002261148A JP 2001060968 A JP2001060968 A JP 2001060968A JP 2001060968 A JP2001060968 A JP 2001060968A JP 2002261148 A JP2002261148 A JP 2002261148A
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wafer
chamber
transfer
load lock
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JP2001060968A
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Hiroaki Saeki
弘明 佐伯
Masaki Narishima
正樹 成島
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Tokyo Electron Ltd
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Tokyo Electron Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a treating system capable of efficiently performing degassing treating for the treating capability of an object to be treated. SOLUTION: The treating system is provided with a plurality of treating devices 32A-32F for performing prescribed treating for the object to be treated W, a common carrying chamber 34 connected commonly to the plurality of the treating devices, first and second two carrying means 40, 42 for carrying the object to be treated between the treating devices provided in the common carrying chamber, buffer parts 50, 52 having at least a degassing function installed in a range where respective carrying ranges of the two carrying means are overlapped in the common carrying chamber, load locking chambers 36A, 36B capable of evacuation connected to the common carrying chamber and having at least the degassing function, an introduction side carrying chamber 38 connected to the load locking chamber, and an introduction side carrying means 130 for carrying the object to be treated between a cassette housing a plurality of the objects to be treated and the load locking chamber. Thereby degassing treating is efficiently performed for the treating capability of the object to be treated.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
被処理体に所定の処理を施すための複数の処理装置を有
する処理システム及び被処理体の予熱方法に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a processing system having a plurality of processing apparatuses for performing predetermined processing on an object to be processed, such as a semiconductor wafer, and a method for preheating the object.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体集積回路を製造するため
にはウエハに対して成膜、エッチング、酸化、拡散等の
各種の処理が行なわれる。そして、半導体集積回路の微
細化及び高集積化によって、スループット及び歩留りを
向上させるために、同一処理を行なう複数の処理装置、
或いは異なる処理を行なう複数の処理装置を、共通の搬
送室を介して相互に結合して、ウエハを大気に晒すこと
なく各種工程の連続処理を可能とした、いわゆるクラス
タ化された処理システム装置が、例えば特開2000−
208589号公報や特開2000−299367号公
報等に開示されているように、すでに知られている。
2. Description of the Related Art Generally, in order to manufacture a semiconductor integrated circuit, various processes such as film formation, etching, oxidation and diffusion are performed on a wafer. And, in order to improve throughput and yield by miniaturization and high integration of the semiconductor integrated circuit, a plurality of processing apparatuses performing the same processing,
Alternatively, a so-called clustered processing system device, in which a plurality of processing devices performing different processes are connected to each other via a common transfer chamber to enable continuous processing of various processes without exposing a wafer to the atmosphere, For example, JP-A-2000-
It is already known as disclosed in JP-A-208589 and JP-A-2000-293367.

【0003】図8はこのようなクラスタ化された従来の
処理システムの一例を示す概略構成図である。図示する
ように、この処理システム2は、3つの処理装置4A、
4B、4Cと、第1の搬送室6と、予熱機構或いは冷却
機構を兼ね備えた2つのロードロック室8A、8Bと、
第2の搬送室10と2つのカセット収容室12A、12
Bを有している。上記3つの処理装置4A〜4Cは上記
第2の搬送室6に共通に連結され、上記2つのロードロ
ック室8A、8Bは、上記第1及び第2の搬送室6、1
0間に並列に介在されている。また、上記2つのカセッ
ト収容室12A、12Bは、上記第2の搬送室10に連
結されている。そして、各室間には気密に開閉可能にな
されたゲートバルブGが介在されている。
FIG. 8 is a schematic configuration diagram showing an example of such a clustered conventional processing system. As shown, the processing system 2 includes three processing devices 4A,
4B, 4C, a first transfer chamber 6, and two load lock chambers 8A, 8B each having a preheating mechanism or a cooling mechanism.
Second transfer chamber 10 and two cassette storage chambers 12A, 12
B. The three processing devices 4A to 4C are commonly connected to the second transfer chamber 6, and the two load lock chambers 8A and 8B are connected to the first and second transfer chambers 6, 1 and 2 respectively.
0 intervenes in parallel. Further, the two cassette storage chambers 12A and 12B are connected to the second transfer chamber 10. A gate valve G which can be opened and closed in an airtight manner is interposed between the respective chambers.

【0004】そして、上記第1及び第2の搬送室6、1
0内には、それぞれ屈伸及び旋回可能になされた多関節
式の第1及び第2搬送アーム14、16が設けられてお
り、これにより半導体ウエハWを保持して搬送すること
により、ウエハWを移載する。また、第2の搬送室10
内には、回転台18と光学センサ20よりなる位置合わ
せ機構22が設けられており、カセット収容室12A或
いは12Bより取り込んだウエハWを回転してこのオリ
エンテーションフラットやノッチを検出してその位置合
わせを行なうようになっている。半導体ウエハWの処理
に関しては、まず、N 雰囲気の大気圧に維持されて
いる第2の搬送室10内の第2の搬送アーム16によ
り、いずれか一方のカセット収容室、例えば12A内の
カセットCから未処理の半導体ウエハWを取り出し、こ
れを第2の搬送室10内の位置合わせ機構22の回転台
18に載置する。そして、回転台18が回転して位置出
しを行なっている間、この搬送アーム16は動かずに待
機している。この位置合わせ操作に要する時間は、例え
ば10〜20秒程度である。そして、位置合わせ操作が
終了すると、この待機していた搬送アーム16は再度、
この位置合わせ後のウエハWを保持し、これをいずれか
一方のロードロック室、例えば8A内に収容する。この
ロードロック室8A内では、必要に応じてウエハを予熱
すると同時に、ロードロック室8A内は所定の圧力に真
空引きされる。この予熱或いは真空引きに要する時間は
例えば30〜40秒程度である。
Then, the first and second transfer chambers 6, 1
In FIG. 2, there are provided articulated first and second transfer arms 14 and 16 which can be bent and extended and pivoted, respectively. By holding and transferring the semiconductor wafer W, the wafer W is transferred. Transfer. Also, the second transfer chamber 10
Inside, there is provided a positioning mechanism 22 composed of a turntable 18 and an optical sensor 20. The wafer W taken in from the cassette accommodating chamber 12A or 12B is rotated to detect this orientation flat or notch and to perform the positioning. Is to be performed. Regarding the processing of the semiconductor wafer W, first, the second transfer arm 16 in the second transfer chamber 10 maintained at the atmospheric pressure of the N 2 atmosphere causes the cassette in one of the cassette storage chambers, for example, the cassette in 12A. The unprocessed semiconductor wafer W is taken out from C and placed on the turntable 18 of the positioning mechanism 22 in the second transfer chamber 10. While the rotary table 18 is rotating to perform positioning, the transfer arm 16 is on standby without moving. The time required for this positioning operation is, for example, about 10 to 20 seconds. Then, when the positioning operation is completed, the transfer arm 16 that has been on standby waits again.
The wafer W after the alignment is held and accommodated in one of the load lock chambers, for example, 8A. In the load lock chamber 8A, the wafer is preheated as required, and the load lock chamber 8A is evacuated to a predetermined pressure. The time required for the preheating or evacuation is, for example, about 30 to 40 seconds.

【0005】このように予熱操作が終了したならば、こ
のロードロック室8A内と予め真空状態になされている
第1の搬送室6内とをゲートバルブGを開いて連通し、
予熱されたウエハWを第1の搬送アーム14で把持し、
これを所定の処理装置、例えば4A内に移載して所定の
処理、例えば金属膜や絶縁膜などの成膜処理を行なう。
この時の処理に要する時間は、例えば60〜90秒程度
である。処理済みの半導体ウエハWは、前述した逆の経
路を通り、例えばカセット収容室12Aの元のカセット
C内に収容される。この処理済みのウエハWを戻すとき
の経路では、例えば他方のロードロック室8Bを用い、
ここで所定の温度までウエハWを冷却して搬送する。こ
の冷却に要する時間及び大気圧に復帰するに要する時間
は30〜40秒程度である。また、処理済みのウエハW
をカセットC内に収容する前には、必要に応じて位置合
わせ機構22により位置合わせを行なう場合もある。
After the preheating operation is completed, the gate valve G is opened to communicate the interior of the load lock chamber 8A and the interior of the first transfer chamber 6 which has been evacuated.
Holding the preheated wafer W with the first transfer arm 14,
This is transferred into a predetermined processing device, for example, 4A, and subjected to a predetermined process, for example, a film forming process for forming a metal film or an insulating film.
The time required for the processing at this time is, for example, about 60 to 90 seconds. The processed semiconductor wafer W is accommodated in the original cassette C in the cassette accommodating chamber 12A, for example, through the reverse path described above. In the path for returning the processed wafer W, for example, the other load lock chamber 8B is used.
Here, the wafer W is cooled to a predetermined temperature and transferred. The time required for the cooling and the time required for returning to the atmospheric pressure are about 30 to 40 seconds. Further, the processed wafer W
Before the cassette is accommodated in the cassette C, the positioning may be performed by the positioning mechanism 22 as necessary.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体ウエ
ハ処理の高微細化、高集積化及び薄膜化の傾向が更に進
むに従って、半導体ウエハ表面上に付着している水分や
余分なガス成分を加熱により除去する処理、すなわちデ
ガス処理(予熱処理)を、より十分に行う必要が生じて
いる。このため、上記したような処理システムにあって
は、デガス処理を行うための機能を有しているロードロ
ック室8A、8Bを2個備えているとは言え、上述のよ
うにデガス処理を十分に行うためには1回当たりのデガ
ス処理時間(予熱時間)が後段の各処理装置4A〜4C
におけるプロセス時間と比較して長くなり過ぎ、この長
時間のデガス処理を行うためにウエハの搬送が滞留して
しまってスループットが低下する、といった問題があっ
た。
By the way, as the tendency of semiconductor wafer processing to become finer, more highly integrated and thinner, the moisture and extra gas components adhering on the surface of the semiconductor wafer are heated to increase. It is necessary to perform the removal process, that is, the degassing process (preheat treatment) more sufficiently. For this reason, although the above-described processing system has two load lock chambers 8A and 8B having a function for performing the degassing process, the degassing process is sufficiently performed as described above. The degassing time (preheating time) for each time is required for each of the processing units 4A to 4C in the subsequent stage.
However, there is a problem in that the process time is too long as compared with the process described in the above, and the transfer of the wafer is stagnated due to the long-time degassing process, thereby lowering the throughput.

【0007】この場合、3つの処理装置4A〜4Cの内
の一部を、デガス処理機能を有する予熱装置と取り換え
て設置することにより、デガスの処理能力を向上させる
ことも考えられるが、この場合には、逆に処理装置の数
が減少してしまうことから、半導体ウエハ自体の処理能
力が低下してしまうのみならず、予熱装置と比較してか
なり大きなサイズの処理装置を接続すべきポートに、サ
イズの小さな予熱装置を接続するのは、スペース的にも
大きな無駄を生ずる、といった問題もあった。本発明
は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決す
べく創案されたものである。本発明の目的は、被処理体
の処理能力に対してデガス処理を効率的に行うことが可
能な処理システム及び被処理体の予熱方法を提供するこ
とにある。
In this case, it is conceivable to improve the degas processing capacity by replacing a part of the three processing apparatuses 4A to 4C with a preheating apparatus having a degas processing function. On the other hand, the number of processing devices decreases, which not only reduces the processing capacity of the semiconductor wafer itself, but also connects to a port to which a processing device having a considerably larger size than the preheating device should be connected. In addition, there is a problem that connecting a preheater having a small size causes a large waste in space. The present invention has been devised in view of the above problems and effectively solving them. An object of the present invention is to provide a processing system and a preheating method of a processing object capable of efficiently performing degas processing with respect to the processing capacity of the processing object.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1に規定する発明
によれば、被処理体に対して所定の処理を行う複数の処
理装置と、前記複数の処理装置に共通に接続された共通
搬送室と、前記共通搬送室内に設けられて前記処理装置
との間で前記被処理体を搬送するための第1及び第2の
2つの搬送手段と、前記共通搬送室内であって前記2つ
の搬送手段のそれぞれの搬送範囲が重なる範囲内に設置
された少なくともデガス機能を有するバッファ部と、前
記共通搬送室に接続されて少なくともデガス機能を有す
る真空引き可能になされたロードロック室と、前記ロー
ドロック室に接続された導入側搬送室と、前記導入側搬
送室内に設けられて、前記被処理体を複数収容するカセ
ットと前記ロードロック室との間で前記被処理体を搬送
する導入側搬送手段とを備える。これにより、処理装置
に向けて搬送される被処理体を、その途中でロードロッ
ク室内とバッファ部とで2段階で予熱処理することが可
能となり、従って、被処理体の搬送を滞らせることなく
被処理体に対しては全体としてデガス処理のために十分
に長い予熱時間を確保することができるのみならず、こ
のデガス処理を効率的に行うことが可能となる。
According to the invention defined in claim 1, a plurality of processing devices for performing a predetermined process on an object to be processed, and a common transporter commonly connected to the plurality of processing devices. Chamber, first and second transfer means provided in the common transfer chamber for transferring the object between the processing apparatus, and the two transfer means in the common transfer chamber. A buffer unit having at least a degassing function installed within a range where the respective transfer ranges of the means overlap, a load lock chamber connected to the common transfer chamber and capable of being evacuated and having at least a degassing function, and the load lock An introduction-side transfer chamber connected to a chamber, and an introduction-side transfer mechanism provided in the introduction-side transfer chamber and transferring the object to be processed between the cassette that stores a plurality of the objects to be processed and the load lock chamber. Provided with a door. Thereby, the object to be processed conveyed toward the processing apparatus can be preheat-treated in two stages in the load lock chamber and the buffer section on the way, and therefore, the conveyance of the object to be processed is not delayed. As a whole, not only a sufficiently long preheating time for the degassing process can be secured for the object to be processed, but also the degassing process can be performed efficiently.

【0009】この場合、例えば請求項2に規定するよう
に、前記バッファ部の内部は、前記共通搬送室内に対し
て密閉可能になされている。また、例えば請求項3に規
定するように、前記バッファ部と前記ロードロック室
は、それぞれ2個設けられている。また、例えば請求項
4に規定するように、前記導入側搬送室には、前記被処
理体の位置合わせを行う位置合わせ装置が接続されてい
る。
In this case, for example, as defined in claim 2, the inside of the buffer section is made hermetic with respect to the common transfer chamber. Further, for example, two buffers and two load lock chambers are provided. In addition, for example, a positioning device for positioning the object to be processed is connected to the introduction-side transfer chamber.

【0010】また、例えば請求項5に規定するように、
前記各処理装置は、前記2つの搬送手段の内のいずれか
一方の搬送手段によってのみアクセスされるように配置
されている。また、例えば請求項6に規定するように、
前記2つの搬送手段のそれぞれの搬送範囲が重なる範囲
内には、前記被処理体を一時的に保持する保持台が設け
られている。この場合には、被処理体を、この保持台に
一時的に保持させておき、この間に搬送手段は他の被処
理体を搬送できるので搬送の自由度を向上させることが
可能となる。
Also, for example, as defined in claim 5,
Each of the processing devices is arranged so as to be accessed only by one of the two transport units. Also, for example, as defined in claim 6,
A holding table that temporarily holds the object to be processed is provided in a range where the respective transfer ranges of the two transfer units overlap. In this case, the object to be processed is temporarily held on the holding table, and during this time, the conveying means can convey another object to be processed, so that the degree of freedom of conveyance can be improved.

【0011】この場合、例えば請求項7に規定するよう
に、前記2つの搬送手段のそれぞれの搬送範囲が重なる
範囲内には、前記被処理体の位置合わせを行う位置合わ
せ装置が設けられている。この場合には、搬送途中で被
処理体に大きな位置ずれが生じても、これを再度位置合
わせすることが可能となる。また、この位置合わせ装置
は、被処理体を一時的に保持する上記保持台としての機
能も有している。また、例えば請求項8に規定するよう
に、前記第1及び第2の2つの搬送手段と前記導入側搬
送手段は、それぞれ前記被処理体を直接的に保持する2
つのピックを有している。
In this case, for example, a positioning device for positioning the object to be processed is provided in a range where the respective transfer ranges of the two transfer means overlap. . In this case, even if a large positional deviation occurs in the object to be processed in the middle of the conveyance, it is possible to perform the alignment again. Further, the positioning device also has a function as the holding table for temporarily holding the object to be processed. Further, for example, as defined in claim 8, the first and second two transport means and the introduction-side transport means each directly hold the object to be processed.
Have two picks.

【0012】また、例えば請求項9に規定するように、
前記ロードロック室は、クーリング機能を有している。
これによれば、処理が終了した被処理体が高温状態にな
っている場合には、これを迅速に所定の温度まで降下さ
せることが可能となる。請求項10に係る発明は、上記
処理システムにて被処理体の搬送途中に行われる予熱方
法を規定した方法発明であり、すなわち、上記処理シス
テム内にて被処理体を処理装置へ搬送する際の予熱方法
において、カセット室から取り出した被処理体をロード
ロック室内に導入して加熱することにより第1のデガス
処理を行う第1の工程と、前記第1のデガス処理がなさ
れた前記被処理体をバッファ内に導入して加熱すること
により第2のデガス処理を行う第2の工程と、前記第2
のデガス処理がなされた被処理体を前記処理装置内に搬
入する搬入工程とを有することを特徴とする被処理体の
予熱方法である。
Further, for example, as defined in claim 9,
The load lock chamber has a cooling function.
According to this, when the processed object is in a high temperature state, it can be quickly lowered to a predetermined temperature. The invention according to claim 10 is a method invention in which a preheating method performed during the transfer of the object to be processed in the processing system is defined, that is, when the object to be processed is transferred to the processing apparatus in the processing system. A first step of performing a first degassing process by introducing an object to be processed taken out of a cassette chamber into a load lock chamber and heating the object, and a step of performing the first degassing process. A second step of performing a second degassing process by introducing the body into the buffer and heating the second body;
Carrying in the object subjected to the degassing process into the processing apparatus.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る処理システ
ム及び被処理体の予熱方法の一実施例を添付図面に基づ
いて詳述する。図1は本発明に係る処理システムの一例
を示す概略平面図、図2は予熱機能と冷却機能(クーリ
ング機能)を有するバッファ部を示す断面図、図3はバ
ッファ部の動作を示す断面図、図4はバッファ部の予熱
機能側の一部を示す斜視図、図5はバッファ部の冷却機
能側を示す斜視図、図6は予熱機能と冷却機能を有する
ロードロック室を示す構成図、図7はロードロック室の
基板保持リングを示す平面図である。図示するように、
この処理システム30は、複数、例えば6つの処理装置
32A、32B、32C、32D、32E、32Fと、
細長い多角形状の共通搬送室34と、2つの第1及び第
2のロードロック室36A、36Bと、細長い導入側搬
送室38とを主に有している。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a processing system and a method for preheating an object to be processed according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. 1 is a schematic plan view showing an example of a processing system according to the present invention, FIG. 2 is a sectional view showing a buffer unit having a preheating function and a cooling function (cooling function), and FIG. 3 is a sectional view showing the operation of the buffer unit. 4 is a perspective view showing a part of the buffer unit on the preheating function side, FIG. 5 is a perspective view showing the cooling function side of the buffer unit, and FIG. 6 is a configuration diagram showing a load lock chamber having a preheating function and a cooling function. FIG. 7 is a plan view showing a substrate holding ring in the load lock chamber. As shown
The processing system 30 includes a plurality of, for example, six processing devices 32A, 32B, 32C, 32D, 32E, and 32F;
It mainly has an elongated polygonal common transfer chamber 34, two first and second load lock chambers 36A and 36B, and an elongated introduction-side transfer chamber 38.

【0014】具体的には、上記共通搬送室34は、その
対向する一対の一辺のみが、他の辺よりも長くなされ
て、多角形状、ここでは扁平な六角形状になっている。
そして、この扁平六角形状の共通搬送室34の4辺に集
中させてその各辺に上記各処理装置32A〜32Fが接
合され、他側の2つの辺に、上記第1及び第2のロード
ロック室36A、36Bがそれぞれ接合される。そし
て、この第1及び第2のロードロック室36A、36B
に、上記導入側搬送室38が共通に接続される。上記共
通搬送室34と上記6つの各処理装置32A〜32Fと
の間及び上記共通搬送室34と上記第1及び第2のロー
ドロック室36A、36Bとの間は、それぞれ気密に開
閉可能になされたゲートバルブG1〜G4、G20、G
21及びG5、G6が介在して接合されて、クラスタツ
ール化されており、必要に応じて共通搬送室34内と連
通可能になされている。また、上記第1及び第2の各ロ
ードロック室36A、36Bと上記導入側搬送室38と
の間にも、それぞれ気密に開閉可能になされたゲートバ
ルブG7、G8が介在されている。
Specifically, the common transfer chamber 34 has a polygonal shape, here a flat hexagonal shape, in which only one pair of opposing sides is made longer than the other side.
The processing devices 32A to 32F are joined to four sides of the flat hexagonal common transfer chamber 34, and the first and second load locks are attached to the other two sides. The chambers 36A and 36B are respectively joined. Then, the first and second load lock chambers 36A, 36B
In addition, the introduction-side transfer chamber 38 is commonly connected. The space between the common transfer chamber 34 and each of the six processing devices 32A to 32F and the space between the common transfer chamber 34 and the first and second load lock chambers 36A and 36B can be opened and closed in an airtight manner. Gate valves G1 to G4, G20, G
21 and G5, G6 are joined together to form a cluster tool, and can be communicated with the common transfer chamber 34 as necessary. Gate valves G7 and G8, which can be opened and closed in an airtight manner, are also interposed between the first and second load lock chambers 36A and 36B and the introduction-side transfer chamber 38, respectively.

【0015】上記6つの処理装置32A〜32Fでは、
被処理体である半導体ウエハWに対して同種の、或いは
異種の処理を施すようになっている。そして、この共通
搬送室34内の一側においては、上記2つの各ロードロ
ック室36A、36B及び2つの処理装置32E、32
Fにアクセスできる位置に、屈伸、昇降及び旋回可能に
なされた多関節アームよりなる第1の搬送手段40が設
けられており、これは、互いに反対方向へ独立して屈伸
できる2つのピック40A、40Bを有しており、一度
に2枚のウエハを取り扱うことができるようになってい
る。また、この共通搬送室40内の反対側には、上記4
つの処理装置32A〜32Dにアクセスできる位置に、
同じく屈伸、昇降及び旋回可能になされた多関節アーム
よりなる第2の搬送手段42が設けられており、これは
互いに反対方向へ独立して屈伸できる2つの保持ピック
42A、42Bを有しており、一度に2枚のウエハを取
り扱うことができるようになっている。尚、上記第1及
び第2の搬送手段40、42として1つのみのピックを
有しているものも用いることができる。
In the above-mentioned six processing units 32A to 32F,
The same or different types of processing are performed on the semiconductor wafer W to be processed. On one side of the common transfer chamber 34, the two load lock chambers 36A and 36B and the two processing devices 32E and 32
At a position accessible to F, there is provided a first transfer means 40 comprising an articulated arm which can be bent, raised, lowered and pivoted, and comprises two picks 40A which can be bent independently in opposite directions to each other, 40B, and can handle two wafers at a time. On the other side of the common transfer chamber 40,
At a position where one of the processing devices 32A to 32D can be accessed,
A second transport means 42 is also provided, consisting of an articulated arm which can also be bent, raised, lowered and pivoted, and has two holding picks 42A, 42B which can be bent independently in opposite directions. , Can handle two wafers at a time. It should be noted that the first and second transfer means 40 and 42 may have only one pick.

【0016】そして、これらの2つの第1及び第2の搬
送手段40、42の搬送範囲が重なる範囲内、具体的に
は上記第1及び第2の搬送手段40、42の略中間位置
に、半導体ウエハWのオリエンテーションフラットやノ
ッチなどを検出してその位置合わせを行なう位置合わせ
装置44が設置されている。この位置合わせ装置44
は、ウエハWを保持したままこれを回転させる回転台4
6と上述したようにウエハWのオリエンテーションフラ
ットやノッチなどを光学的に検出する光学センサ48と
により主に構成されている。従って、上記回転台46に
載置されたウエハWに対しては、第1及び第2の搬送手
段40、42が共にアクセスが可能となっている。
Then, within a range where the transport ranges of these two first and second transport means 40 and 42 overlap, specifically at a substantially intermediate position between the first and second transport means 40 and 42, A positioning device 44 for detecting an orientation flat, a notch, or the like of the semiconductor wafer W and performing positioning thereof is provided. This alignment device 44
Is a turntable 4 for rotating the wafer W while holding it.
6 and an optical sensor 48 that optically detects an orientation flat, a notch, and the like of the wafer W as described above. Therefore, both the first and second transfer means 40 and 42 can access the wafer W placed on the turntable 46.

【0017】また、この位置合わせ装置44の両側であ
って、上記第1及び第2の搬送手段40、42の搬送範
囲が重なる範囲内に位置させて、このウエハWを一時的
に保持するために、特開2000−299367号公報
で開示されたものと同様な構造の第1及び第2の2つの
バッファ部50、52が設けられている。ここでは、上
記2つの各バッファ部50、52は、図2乃至図5にも
示すようにウエハWを予熱する予熱機構54とウエハW
を冷却する冷却機構56を有している。尚、上記第1及
び第2のバッファ部50、52は全く同じように構成さ
れているので、ここでは一方のバッファ部、例えば第1
のバッファ部50を例にとって説明する。このバッファ
部50は、通常時には共通搬送室34内と連通状態であ
るが、ウエハの予熱或いは冷却時には、共通搬送室34
内からウエハWの収容空間を区画して密閉空間とするよ
うになっている。具体的には、まず、予熱機構54は、
バッファ部50の上側区画壁58に開口を形成し、この
開口に上方へ突出させて気密に取り付けた上部突出容器
60を有している。この上部突出容器60の天井部は開
口されて、これにOリング等のシール部材62を介して
石英等よりなる透過窓64が気密に接合されている。そ
して、この透過窓64の上方には、ケーシング66が設
けられており、このケーシング66内に複数の加熱ラン
プ68を設けている。尚、図4においては、ケーシング
66と加熱ランプ68の記載は省略している。
In order to temporarily hold the wafer W, it is located on both sides of the positioning device 44 and within a range where the transfer ranges of the first and second transfer means 40 and 42 overlap. There are provided first and second two buffer units 50 and 52 having the same structure as that disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-29367. Here, the two buffer units 50 and 52 include a preheating mechanism 54 for preheating the wafer W and a wafer W as shown in FIGS.
Has a cooling mechanism 56 for cooling. Since the first and second buffer sections 50 and 52 are configured in exactly the same manner, one of the buffer sections, for example, the first
The buffer unit 50 of FIG. The buffer section 50 is normally in communication with the inside of the common transfer chamber 34, but is normally in communication with the common transfer chamber 34 when preheating or cooling the wafer.
A space for accommodating the wafer W is partitioned from the inside to form a sealed space. Specifically, first, the preheating mechanism 54
An opening is formed in the upper partition wall 58 of the buffer unit 50, and an upper protruding container 60 is provided in the opening so as to protrude upward and airtightly attach. The ceiling of the upper protruding container 60 is opened, and a transmission window 64 made of quartz or the like is hermetically joined to the opening through a sealing member 62 such as an O-ring. A casing 66 is provided above the transmission window 64, and a plurality of heating lamps 68 are provided in the casing 66. In FIG. 4, the illustration of the casing 66 and the heating lamp 68 is omitted.

【0018】また、上記上部突出容器60の下端開口部
には、上部開閉蓋68がOリング等のシール部材70を
介して気密に設けられる。具体的には、この上部開閉蓋
68は、上部区画壁58側に固定した上部エアシリンダ
72により片持ち支持されて上下動可能になされてお
り、これを上昇させた時に、図2に示すように上部突出
容器60の下端の開口を塞いでこの中を密閉空間とする
ようになっている。そして、この上部開閉蓋68の上面
には、複数、例えば3本の支持ピン74(図示例では2
本のみ記す)が起立させて設けられており、この支持ピ
ン74上にウエハWの裏面を当接させて、これを支持で
きるようになっている。また、この上部開閉蓋68上に
は、天井部が開口されて側壁に2つの横長の搬送口7
6、76を有する補強部材78が設けられており、図4
に示すようにこの2つの搬送口76、76を介して2方
向からウエハWを搬入、搬出できるようになっている。
また、この上部突出容器60の側壁には、図示しない真
空ポンプ等に接続された第1の排気系78が接続されて
おり、ウエハ予熱時(デガス処理時)にウエハ面より排
出されるガスを排出できるようになっている。
At the lower end opening of the upper projecting container 60, an upper opening / closing lid 68 is hermetically provided via a sealing member 70 such as an O-ring. More specifically, the upper opening / closing lid 68 is cantilevered by an upper air cylinder 72 fixed to the upper partition wall 58 side and can be moved up and down. When this is raised, as shown in FIG. The opening at the lower end of the upper protruding container 60 is closed to form a closed space therein. A plurality of, for example, three support pins 74 (two in the illustrated example)
(Only the book is described). The back surface of the wafer W is brought into contact with the support pins 74 to support the support pins 74. A ceiling is opened on the upper opening / closing lid 68, and two laterally elongated transport ports 7 are provided on the side wall.
4 and 6, a reinforcing member 78 is provided.
As shown in (1), the wafer W can be loaded and unloaded from two directions through the two transfer ports 76, 76.
Further, a first exhaust system 78 connected to a vacuum pump or the like (not shown) is connected to the side wall of the upper protruding container 60, and gas discharged from the wafer surface during wafer preheating (during degassing) is supplied to the first exhaust system 78. It can be discharged.

【0019】一方、図2及び図5にも示すように冷却機
構46は、バッファ部50の下側区画壁80に開口を形
成し、この開口に下方へ突出させて気密に取り付けた下
部突出容器82を有している。この下部突出容器82の
上端開口部には、下部開閉蓋84がOリング等のシール
部材86を介して気密に設けられる。具体的には、この
下部開閉蓋84は、下部区画壁80側に固定した下部エ
アシリンダ88により片持ち支持されて上下動可能にな
されており、これを下降させた時に、図2に示すように
下部突出容器82の上端の開口部を塞いでこの中を密閉
空間とするようになっている。そして、この下部開閉蓋
84の上面には、側壁に2つの横長の搬送口90、90
を有する補強部材92が設けられており、図5に示すよ
うにこの2つの搬送口90、90を介して2方向からウ
エハWを搬入、搬出できるようになっている。
On the other hand, as shown in FIGS. 2 and 5, the cooling mechanism 46 has an opening formed in the lower partition wall 80 of the buffer section 50, and is protruded downward from this opening so as to be airtightly mounted. 82. A lower opening / closing lid 84 is hermetically provided at an upper end opening of the lower projecting container 82 via a sealing member 86 such as an O-ring. More specifically, the lower opening / closing lid 84 is cantilevered by a lower air cylinder 88 fixed to the lower partition wall 80 side and can be moved up and down. When this is lowered, as shown in FIG. The opening at the upper end of the lower protruding container 82 is closed to form a closed space therein. On the upper surface of the lower opening / closing lid 84, two horizontally long transport ports 90, 90 are provided on the side wall.
A reinforcing member 92 having the following configuration is provided, and as shown in FIG. 5, the wafer W can be loaded and unloaded from two directions through the two transfer ports 90, 90.

【0020】この補強部材92の底部の上面には、複
数、例えば3本の支持ピン94(図示例では2本のみ記
す)が起立させて設けられており、この支持ピン94上
にウエハWの裏面を当接させて、これを支持できるよう
になっている。また、この下部突出容器82の底部に
は、例えば冷却されたN ガスなどの冷却ガスを選択
的に導入する冷却ガス系96が接続されると共に、図示
しない真空ポンプ等に接続された第2の排気系98が接
続されており、ウエハ冷却時に冷却ガスを導入すると共
にこの導入された冷却ガスを排出できるようになってい
る。この冷却機構56が不要な場合には予熱機構54の
みを設けてもよい。尚、共通搬送室34には、不活性ガ
スとして例えばN ガスの供給系100や真空排気系
102(図1参照)が設けられているのは勿論である。
On the upper surface of the bottom of the reinforcing member 92, a plurality of, for example, three support pins 94 (only two are shown in the illustrated example) are provided upright. The back surface is abutted so that it can be supported. A cooling gas system 96 for selectively introducing a cooling gas such as a cooled N 2 gas is connected to the bottom of the lower protruding container 82, and a second pump connected to a vacuum pump or the like (not shown). The exhaust system 98 is connected so that a cooling gas can be introduced when the wafer is cooled and the introduced cooling gas can be exhausted. When the cooling mechanism 56 is unnecessary, only the preheating mechanism 54 may be provided. The common transfer chamber 34 is, of course, provided with a supply system 100 for supplying N 2 gas as an inert gas and a vacuum exhaust system 102 (see FIG. 1).

【0021】次に、図6及び図7を参照してロードロッ
ク室36A、36Bについて説明する。このロードロッ
ク室36A、36Bは特開2000−208589号公
報に開示されたものと略同様な構造を有しており、ま
た、両ロードロック室36A、36Bは同様な構造とな
っているので、ここでは一方のロードロック室、例えば
36Aを例にとって説明する。このロードロック室36
Aは、ウエハを予備加熱する予熱機能と、処理済みの加
熱状態のウエハを冷却する冷却機能とを併せもってい
る。具体的には、この第1のロードロック室36Aの容
器本体102内には、ウエハWの載置台を兼ねた円形の
冷却プレート104が配置されており、この冷却プレー
ト104内には、所定の温度の冷媒を、例えば循環可能
に流すように冷媒循環路106が形成されている。
Next, the load lock chambers 36A and 36B will be described with reference to FIGS. The load lock chambers 36A and 36B have substantially the same structure as that disclosed in JP-A-2000-208589, and the load lock chambers 36A and 36B have the same structure. Here, one load lock chamber, for example, 36A will be described as an example. This load lock chamber 36
A has both a preheating function of preheating a wafer and a cooling function of cooling a processed and heated wafer. Specifically, a circular cooling plate 104 also serving as a mounting table for the wafer W is arranged in the container main body 102 of the first load lock chamber 36A. The refrigerant circulation path 106 is formed so that the refrigerant at a temperature can be circulated, for example.

【0022】また、このロードロック室36Aの上部に
は、例えば石英よりなる透過窓108がOリング等のシ
ール部材110を介して気密に取り付けられている。更
に、この透過窓108の上方には、ケーシング112内
に取り付けて加熱ランプ114が配置されており、必要
に応じてウエハWを加熱し得るようになっている。ま
た、この容器本体102内には、ウエハWを保持するこ
とが可能となリング状の基板保持リング116が配置さ
れており、この基板保持リング116は容器本体底部を
伸縮可能なベローズ118により気密に貫通して設けら
れた昇降ロッド119の先端に取り付けられて、昇降可
能になされている。この基板保持リング116は図7に
も示すようにその直径が上記冷却プレート104よりも
少し大きく設定されると共に、その内側に突出させて略
等間隔で複数、ここでは3つの保持ピン120を設けて
おり、この保持ピン120でウエハWの周縁部を支持で
きるようになっている。
A transparent window 108 made of, for example, quartz is hermetically attached to the upper portion of the load lock chamber 36A via a seal member 110 such as an O-ring. Further, a heating lamp 114 is disposed above the transmission window 108 and mounted in the casing 112 so that the wafer W can be heated as required. Further, a ring-shaped substrate holding ring 116 capable of holding the wafer W is disposed in the container main body 102, and the substrate holding ring 116 is hermetically sealed by a bellows 118 that can expand and contract the bottom of the container main body. Is attached to the tip of an elevating rod 119 penetrating through the torch so as to be able to ascend and descend. As shown in FIG. 7, the diameter of the substrate holding ring 116 is set slightly larger than that of the cooling plate 104, and a plurality of, here three holding pins 120 are provided at substantially equal intervals so as to protrude inward. The holding pins 120 can support the peripheral edge of the wafer W.

【0023】そして、この保持ピン120の内周端より
も更に僅かな間隔だけ内側に上記冷却プレート104の
外周が位置するように設定されており、従って、この基
板保持リング116は上記冷却プレート104を通過し
て上下方向へ昇降できるようになっており、冷却プレー
ト104との間でウエハWの受け渡しをできるようにな
っている。そして、この容器本体102には、内部にN
ガス等の不活性ガスを必要に応じて供給するガス供
給系122と、内部雰囲気を必要に応じて真空引きする
真空排気系124とが接続されている。
The outer periphery of the cooling plate 104 is set so as to be further inward than the inner peripheral end of the holding pin 120 by a small distance. , So that the wafer W can be transferred to and from the cooling plate 104. The container body 102 has N inside.
A gas supply system 122 for supplying an inert gas such as two gases as needed, and a vacuum exhaust system 124 for evacuating the internal atmosphere as needed are connected.

【0024】次に、図1に戻って導入側搬送室38につ
いて説明する。上記共通搬送室38は、N ガスの不
活性ガスや清浄空気が循環される横長の箱体により形成
されており、この横長の一側には、1つ乃至複数の、図
示例ではカセット容器を載置する3台のカセット台12
6A、126B、126Cが設けられ、ここにそれぞれ
1つずつカセット128A〜128Cを載置できるよう
になっている。各カセット128A〜128Cには、最
大例えば25枚のウエハWを等ピッチで多段に載置して
収容できるようになっており、内部は例えばNガス雰
囲気で満たされた密閉構造となっている。そして、導入
側搬送室38内へは、各カセット台126A〜126C
に対応させて設けたゲートバルブG10、G11、G1
2を介してウエハを搬出入可能になされている。この導
入側搬送室38内には、ウエハWをその長手方向に沿っ
て搬送するための導入側搬送手段130が設けられる。
この導入側搬送手段130は、導入側搬送室38内の中
心部を長さ方向に沿って延びるように設けた案内レール
132上にスライド移動可能に支持されている。この案
内レール132には、移動機構として例えばリニアモー
タが内蔵されており、このリニアモータを駆動すること
により上記導入側搬送手段130は案内レール132に
沿ってX方向へ移動することになる。
Next, returning to FIG. 1, the introduction-side transfer chamber 38 will be described. The common transfer chamber 38 is formed of a horizontally long box through which an inert gas of N 2 gas or clean air is circulated, and one or a plurality of cassette containers in the illustrated example is provided on one side of the horizontally long box. Cassette tables 12 for loading
6A, 126B and 126C are provided, and one cassette 128A to 128C can be placed on each of them. Each of the cassettes 128A to 128C can accommodate up to, for example, 25 wafers W in multiple stages at equal pitches and has a sealed structure filled with, for example, an N 2 gas atmosphere. . Then, the cassette tables 126A to 126C are inserted into the introduction-side transfer chamber 38.
Gate valves G10, G11, G1 provided corresponding to
The wafer 2 can be loaded and unloaded through the interface 2. In the introduction-side transfer chamber 38, an introduction-side transfer means 130 for transferring the wafer W along its longitudinal direction is provided.
The introduction-side transfer means 130 is slidably supported on a guide rail 132 provided so as to extend along the length direction in the center of the introduction-side transfer chamber 38. The guide rail 132 incorporates, for example, a linear motor as a moving mechanism. By driving the linear motor, the introduction-side transport unit 130 moves in the X direction along the guide rail 132.

【0025】また、共通搬送室38の他端には、ウエハ
の位置合わせを行なう位置合わせ装置としてのオリエン
タ134が設けられ、更に、共通搬送室38の長手方向
の途中には、前記2つのロードロック室36A、36B
がそれぞれ開閉可能になされたゲートバルブG7、G8
を介して設けられる。上記オリエンタ134は、駆動モ
ータ(図示せず)によって回転される回転台136を有
しており、この上にウエハWを載置した状態で回転する
ようになっている。この回転台136の外周には、ウエ
ハWの周縁部を検出するための光学センサ138が設け
られ、これによりウエハWのノッチやオリエンテーショ
ンフラットの位置方向や位置ずれを検出できるようにな
っている。また、上記導入側搬送手段130は、上下2
段に配置された多関節形状になされた2つの搬送アーム
140、142を有している。この各搬送アーム14
0、142の先端にはそれぞれ2股状になされたピック
140A、142Aを取り付けており、このピック14
0A、142A上にそれぞれウエハWを直接的に保持す
るようになっている。従って、各搬送アーム140、1
42は、この中心より半径方向へ向かうR方向へ屈伸自
在になされており、また、各搬送アーム140、142
の屈伸動作は個別に制御可能になされている。上記搬送
アーム140、142の各回転軸は、それぞれ基台14
4に対して同軸状に回転可能に連結されており、例えば
基台144に対する旋回方向であるθ方向へ一体的に回
転できるようになっている。更に、この各回転軸は、基
台144を中心として、上下方向へ、すなわちZ方向へ
も例えば一体的に移動可能になっている。
At the other end of the common transfer chamber 38, there is provided an orienter 134 as a positioning device for aligning the wafers. Lock chamber 36A, 36B
Gate valves G7, G8 each of which can be opened and closed
Is provided via The orienter 134 has a turntable 136 that is rotated by a drive motor (not shown), and rotates with the wafer W placed thereon. An optical sensor 138 for detecting the peripheral edge of the wafer W is provided on the outer periphery of the turntable 136, so that the notch and the orientation flat of the wafer W can be detected. In addition, the above-mentioned introduction-side transport means 130 is
It has two articulated transfer arms 140 and 142 arranged in stages. Each of the transfer arms 14
Picks 140A and 142A each having a bifurcated shape are attached to the ends of the picks 0 and 142, respectively.
The wafers W are directly held on 0A and 142A, respectively. Therefore, each transfer arm 140, 1
Reference numeral 42 is free to bend and extend in the R direction from the center to the radial direction.
The bending and stretching motions of can be individually controlled. The rotation axes of the transfer arms 140 and 142 are respectively attached to the base 14
4 so as to be coaxially rotatable with respect to the base 4 so as to be integrally rotatable, for example, in a θ direction that is a turning direction with respect to the base 144. Further, the respective rotation shafts can be integrally moved, for example, in the vertical direction around the base 144, that is, in the Z direction.

【0026】次に、以上のような処理システム30を用
いて行なわれる搬送途中の予熱方法について説明する。
まず、3つのカセット台126A〜126Cの内のいず
れか1つのカセット台、例えばカセット台126C上の
カセット容器128C内から未処理の半導体ウエハW
を、導入側搬送手段130のいずれか一方の搬送アー
ム、例えば140を駆動することによってこのピック1
40Aで取り上げて保持し、この導入側搬送手段130
をX方向へ移動することによってこのウエハWをオリエ
ンタ134まで搬送する。
Next, a preheating method in the middle of conveyance performed by using the above-described processing system 30 will be described.
First, an unprocessed semiconductor wafer W is loaded from any one of the three cassette tables 126A to 126C, for example, from the cassette container 128C on the cassette table 126C.
By driving one of the transfer arms of the introduction-side transfer means 130, for example, 140, this pick 1
40A.
Is moved in the X direction to transfer the wafer W to the orienter 134.

【0027】次に、すでに先に搬送されてオリエンタ1
36にて位置合わせされている回転台136上の未処理
の半導体ウエハWを、空状態の他方の搬送アーム142
を駆動することによってこのピック142Aで取り上げ
て保持し、これによって回転台136上を空にする。次
に、搬送アーム140のピック140Aに保持していた
未処理のウエハを、先に空状態になった回転台136上
に載置する。尚、このウエハは次に別の未処理のウエハ
が搬送されてくるまでに位置合わせされることになる。
次に、上述のように他方の搬送アーム142で保持され
た未処理のウエハは、導入側搬送手段130をX方向へ
移動させることにより、2つのロードロック室36A、
36Bの内のいずれか一方のロードロック室、例えば3
6Aまで移動される。
Next, the orienter 1
The unprocessed semiconductor wafer W on the turntable 136 aligned at 36 is transferred to the other empty transfer arm 142.
By driving the pick-up 142A, it is picked up and held, thereby emptying the turntable 136. Next, the unprocessed wafer held by the pick 140A of the transfer arm 140 is placed on the turntable 136 that has been emptied earlier. This wafer will be aligned before another unprocessed wafer is transferred.
Next, the unprocessed wafer held by the other transfer arm 142 as described above is moved to the two load lock chambers 36A by moving the introduction-side transfer means 130 in the X direction.
36B, one of the load lock chambers, for example, 3
Moved to 6A.

【0028】このロードロック室36A内の冷却プレー
ト104上には、すでに処理装置内にて所定の処理、例
えば成膜処理やエッチング処理等が施された処理済みの
ウエハが載置されて十分に冷却されて待機しており、こ
こでゲートバルブG7を開くことによってすでに圧力調
整されているロードロック室36A内を開放する。そし
て、まず、空状態の搬送アーム140を駆動してこのピ
ック140Aで冷却プレート104A上に待機している
処理済みのウエハWを取り上げて保持する。これによ
り、冷却プレート104上は空になるので、他方の搬送
アーム142を駆動してこのピック142Aに保持して
いた未処理のウエハWを冷却プレート104上に移載し
てウエハを置き替える。尚、上記処理済みのウエハは導
入側搬送手段130により元のカセットへ戻される。
On the cooling plate 104 in the load lock chamber 36A, a processed wafer, which has been subjected to a predetermined process, for example, a film forming process or an etching process, in the processing apparatus, is sufficiently loaded. The load lock chamber 36A, which has been cooled and is on standby, is opened by opening the gate valve G7 to adjust the pressure. Then, the empty transfer arm 140 is first driven to pick up and hold the processed wafer W waiting on the cooling plate 104A with the pick 140A. As a result, the cooling plate 104 becomes empty, and the other transfer arm 142 is driven to transfer the unprocessed wafer W held by the pick 142A onto the cooling plate 104 to replace the wafer. The processed wafer is returned to the original cassette by the introduction-side transfer means 130.

【0029】このように、冷却プレート104上へ載置
されたウエハWは、ゲートバルブG7を閉じることによ
ってこのロードロック室36A内を密閉した後に、所定
の温度まで昇温されて所定の時間だけ予備加熱(予熱)
されて第1のデガス処理が行われる。ここで図6及び図
7を参照してロードロック室36A、36B内におけ
る、冷却処理と予熱処理の方法について説明する。図6
及び図7に示すように、半導体ウエハWを冷却する場合
には、この容器本体102内の冷却プレート104上に
高温のウエハWを載置した状態で冷媒循環路106内に
冷却用の熱媒体を流し、これにより冷却プレート104
上のウエハを冷却することができる。また、半導体ウエ
ハWを予熱する場合には、基板保持リング116を冷却
プレート104の上面よりも更に下方へ降下させた状態
で、冷却プレート104上にウエハWを載置し、次に、
上記基板保持リング116を上昇移動させることによっ
て、冷却プレート104上からこの基板保持リング11
6の保持ピン120でウエハWの周縁部を保持して受け
取り、このウエハWを天井部の加熱ランプ114へ近付
ける。この時の状態は図6に示されている。そして、こ
の状態で加熱ランプ114を点灯することにより、ウエ
ハWを所定の温度まで急速に昇温してこれを予備加熱
(デガス処理)することができる。このデガス処理時に
は、真空排気系124を駆動してロードロック室36A
内を真空引きし、ウエハ面から排出されるガスを系外へ
真空引きする。
After the wafer W placed on the cooling plate 104 is closed in the load lock chamber 36A by closing the gate valve G7, the temperature of the wafer W is raised to a predetermined temperature for a predetermined time. Preheating (preheating)
Then, a first degassing process is performed. Here, the method of the cooling process and the pre-heat treatment in the load lock chambers 36A and 36B will be described with reference to FIGS. FIG.
As shown in FIG. 7, when cooling the semiconductor wafer W, a cooling medium is placed in the coolant circulation path 106 with the high-temperature wafer W placed on the cooling plate 104 in the container body 102. Through the cooling plate 104
The upper wafer can be cooled. When preheating the semiconductor wafer W, the wafer W is placed on the cooling plate 104 in a state where the substrate holding ring 116 is further lowered below the upper surface of the cooling plate 104.
The substrate holding ring 116 is moved upward from the cooling plate 104 by moving the substrate holding ring 116 upward.
The holding pins 120 of No. 6 hold and receive the peripheral portion of the wafer W, and bring the wafer W close to the heating lamp 114 on the ceiling. The state at this time is shown in FIG. Then, by turning on the heating lamp 114 in this state, the temperature of the wafer W can be rapidly raised to a predetermined temperature, and the wafer W can be preheated (degas processing). During this degassing process, the vacuum evacuation system 124 is driven to load the load lock chamber 36A.
The inside is evacuated, and the gas discharged from the wafer surface is evacuated out of the system.

【0030】このようにして、所定の時間だけデガス処
理されたウエハWは、このロードロック室36内を圧力
調整した後、ゲートバルブG5を開放することにより、
予め真空雰囲気になされている共通搬送室34内と連通
する。そして、上記第1のデガス処理がなされたウエハ
Wは、共通搬送室34内の第1の搬送手段40によって
受け取られる。この際、この第1の搬送手段40は2つ
のピック40A、40Bを有しているので、処理済みの
ウエハを保持している場合には、この処理済みのウエハ
と上記第1のデガス処理が完了したウエハとの置き替え
が行われる。このように、第1のデガス処理が完了した
ウエハWは、次に、2つのバッファ部50、52の内
の、空いている方のいずれか一方のバッファ部、例えば
第1のバッファ部50へ第2のデガス処理のために導入
される。この時は、この第1のバッファ部50内に冷却
途中の処理済みのウエハWが存在する場合には、この冷
却途中のウエハと第2のデガス処理のためのウエハWと
を置き替える。ここで図2乃至図5を参照してバッファ
部50、52の内におけるウエハWの予熱処理(第2の
デガス処理)と冷却処理の方法について説明する。
The wafer W thus degassed for a predetermined time in this manner adjusts the pressure in the load lock chamber 36, and then opens the gate valve G5, thereby
It communicates with the inside of the common transfer chamber 34 which has been previously set in a vacuum atmosphere. Then, the wafer W subjected to the first degassing process is received by the first transfer unit 40 in the common transfer chamber 34. At this time, since the first transfer means 40 has two picks 40A and 40B, when the processed wafer is held, the processed wafer and the first degassing process are performed. The replacement with the completed wafer is performed. As described above, the wafer W on which the first degassing process has been completed is next transferred to one of the two buffer units 50 and 52 which is free, for example, the first buffer unit 50. Introduced for second degassing. At this time, if there is a processed wafer W that is being cooled in the first buffer unit 50, the wafer that is being cooled is replaced with a wafer W for the second degassing process. Here, with reference to FIGS. 2 to 5, a method of a pre-heat treatment (second degassing process) and a cooling process of the wafer W in the buffer units 50 and 52 will be described.

【0031】まず、バッファ部でウエハの予熱(第2の
デガス処理)を行なう場合には、予熱機構54を用いる
ために図3に示すように上部開閉蓋68を降下させた状
態で、第1の搬送手段40を伸長させることによって搬
送口76を介してウエハWを上部開閉蓋68内に導入す
る。そして、上部エアシリンダ72を駆動してこの上部
開閉蓋68を上方へ微少移動させてウエハWを支持ピン
74で支持することにより、ウエハWの受け渡しを行な
う。次に、第1の搬送手段40を屈曲させてこれをバッ
ファ部から退避した後、更に上部エアシリンダ72を駆
動してこの上部開閉蓋68を上限まで上昇させ、図2に
示すように上部突出容器60の下端開口部を上部開閉蓋
68で密閉して上部突出容器60内を密閉状態とする。
そして、この状態で加熱ランプ68を点灯することによ
り、この光エネルギは、透過窓64を通過してウエハW
の表面に照射され、このウエハWを所定の温度まで予熱
して第2のデガス処理を行うことになる。この予熱によ
って、ウエハ表面からは活性化されたガスが排出される
が、このガスは、真空引きされている第1の排気系78
から系外へ排出されるので、共通搬送室34内へ流出す
ることはない。
First, when the wafer is preheated (second degassing process) in the buffer unit, the first opening / closing lid 68 is lowered as shown in FIG. The wafer W is introduced into the upper opening / closing lid 68 via the transfer port 76 by extending the transfer means 40 of FIG. Then, the upper air cylinder 72 is driven to slightly move the upper opening / closing lid 68 upward, and the wafer W is transferred by supporting the wafer W with the support pins 74. Next, after the first transport means 40 is bent and retracted from the buffer section, the upper air cylinder 72 is further driven to raise the upper opening / closing lid 68 to the upper limit, and as shown in FIG. The lower end opening of the container 60 is sealed with the upper opening / closing lid 68 to make the inside of the upper protruding container 60 a sealed state.
When the heating lamp 68 is turned on in this state, the light energy passes through the transmission window 64 and the wafer W
The wafer W is preheated to a predetermined temperature to perform a second degassing process. The activated gas is discharged from the wafer surface by the preheating, and the activated gas is discharged from the first exhaust system 78 which is evacuated.
Is discharged out of the system, and does not flow out into the common transfer chamber 34.

【0032】これに対して、ウエハの熱処理によって例
えば600℃程度の高温状態になっているウエハを冷却
する場合には、前述した予熱の場合とは異なり、下部エ
アシリンダ88を駆動して下部開閉蓋84を上昇させて
おき、この支持ピン94に高温状態のウエハWを受け渡
す。そして、ウエハWの受け渡しが完了したならば、再
度下部エアシリンダ88を駆動して下部開閉蓋84を下
限まで降下させ、下部突出容器82内を密閉空間とす
る。次に、冷却ガス系96からこの密閉された下部突出
容器82内に冷却ガスを流すことにより、ウエハWを冷
却し、これと同時に第2の排気系98より冷却ガスを系
外へ排出する。このようにして、ウエハに対して予熱処
理や冷却処理を行うことができ、しかも、上記処理を別
々のウエハに対して同時に行うことができる。
On the other hand, when the wafer which has been heated to a high temperature of, for example, about 600 ° C. by the heat treatment of the wafer is cooled, unlike the preheating described above, the lower air cylinder 88 is driven to open and close the lower opening. With the lid 84 raised, the wafer W in a high temperature state is delivered to the support pins 94. When the transfer of the wafer W is completed, the lower air cylinder 88 is driven again to lower the lower opening / closing lid 84 to the lower limit, and the inside of the lower protruding container 82 is made a closed space. Next, the wafer W is cooled by flowing a cooling gas from the cooling gas system 96 into the closed lower protruding container 82, and at the same time, the cooling gas is discharged from the second exhaust system 98 to the outside of the system. In this way, the pre-heat treatment and the cooling process can be performed on the wafers, and the above-described processes can be simultaneously performed on different wafers.

【0033】さて、上述のようにして予熱(第2のデガ
ス処理)が終了したならば、この上部開閉蓋68を図3
に示すように再度降下させ、この状態で第2の搬送手段
42を駆動して、この予熱済みのウエハWを所定の処理
装置、例えば32A内へ移載し、所定の処理、例えば金
属膜や絶縁膜等の成膜処理を行なう。以後は、1つのウ
エハに対して複数の処理を行なう場合には、この第2の
搬送手段42を用いてウエハは各処理装置32B〜32
D間で移載される。また、ロードロック室側の2つの処
理装置32E、32Fで処理を行なう場合には、第1の
搬送手段40を用いて移載される。このようにして、必
要な処理が全て終了したならば、前述したと逆の経路を
戻ってウエハWを搬出させる。処理が完了したウエハW
は、処理内容にもよるが、例えば600℃程度の高温状
態になっているので、第1或いは第2の搬送手段40、
42を用いてこのウエハWをいずれか一方のバッファ
部、例えば第2のバッファ部52へ移載し、例えば前述
のようにウエハの冷却を行う。
When the preheating (second degassing process) is completed as described above, the upper opening / closing lid 68 is moved to the position shown in FIG.
Is lowered again as shown in FIG. 5, and in this state, the second transfer means 42 is driven to transfer the preheated wafer W into a predetermined processing apparatus, for example, 32A, and perform predetermined processing, for example, a metal film or the like. A film forming process of an insulating film or the like is performed. Thereafter, when a plurality of processes are performed on one wafer, the wafers are transferred to each of the processing devices 32B to 32
Transferred between D. Further, when processing is performed by the two processing devices 32E and 32F on the load lock chamber side, the transfer is performed using the first transfer means 40. In this way, when all necessary processes are completed, the wafer W is unloaded by returning to the path reverse to the above. Processed wafer W
Is in a high temperature state of, for example, about 600 ° C., depending on the processing content, so that the first or second transfer means 40,
The wafer W is transferred to one of the buffer units, for example, the second buffer unit 52 by using, and the wafer is cooled, for example, as described above.

【0034】このウエハWは、前述したと逆の経路を通
って元のカセットに戻される。すなわち、第2のバッフ
ァ部52内のウエハWは第1の搬送手段40により取り
出されて、第1と第2のロードロック室36A、36B
のいずれか一方の空いているロードロック室内へ搬入さ
れてここで前述したように完全に冷却される。尚、上記
第1及び第2のバッファ部50、52が冷却機能を有し
ていない場合には、各バッファ部50、52は単なるウ
エハ受け渡しの中継場所として用いられる。そして、ロ
ードロック室36A、或いは36B内で完全に冷却され
たウエハWは、導入側搬送室38内の導入側搬送手段1
30によって元のカセットに戻されることになる。
This wafer W is returned to the original cassette through the reverse path. That is, the wafer W in the second buffer unit 52 is taken out by the first transfer means 40, and the first and second load lock chambers 36A and 36B are taken out.
Is carried into one of the empty load lock chambers and is completely cooled here as described above. When the first and second buffer units 50 and 52 do not have a cooling function, each of the buffer units 50 and 52 is used as a mere wafer transfer point. Then, the wafer W completely cooled in the load lock chamber 36 </ b> A or 36 </ b> B is transferred to the introduction-side transfer unit 1 in the introduction-side transfer chamber 38.
30 will return to the original cassette.

【0035】このように、未処理のウエハWを搬入する
場合には、2つのロードロック室36A、36Bの内の
いずれか一方の空いている方で、まず、第1のデガス処
理を行い、次に、2つのバッファ部50、52の内の、
いずれか一方の空いている方で第2のデガス処理を行う
ことができるので、ウエハの搬入経路及び搬出経路を完
全に封鎖してしまってウエハを搬出入できなくなってし
まうことが非常に少なくなり、ウエハ処理のスループッ
トを大幅に向上させることができる。例えばウエハに対
して、全体で60秒間のデガス処理を必要とする場合に
は、ロードロック室36A、或いは36B内で30秒間
の第1のデガス処理を行い、続いて、このウエハをバッ
ファ部50或いは52内で30秒間の第2のデガス処理
を行うようにすればよい。この場合、ロードロック室3
6A、或いは36B内が早く空き状態となるので、ここ
を利用して処理済みのウエハを冷却して搬送することが
できる。
As described above, when loading an unprocessed wafer W, the first degassing process is first performed in one of the two load lock chambers 36A and 36B which is vacant. Next, of the two buffer units 50 and 52,
Since the second degassing process can be performed in one of the vacant ones, it is very unlikely that the wafer loading / unloading path is completely closed and the wafer cannot be loaded / unloaded. In addition, the throughput of wafer processing can be greatly improved. For example, if the wafer needs to be degassed for a total of 60 seconds, the first degassing is performed for 30 seconds in the load lock chamber 36A or 36B. Alternatively, the second degassing process may be performed within 52 for 30 seconds. In this case, the load lock chamber 3
Since the inside of 6A or 36B is quickly vacated, the processed wafer can be cooled and transported by using this.

【0036】また、共通搬送室34内にて、ウエハWの
位置ずれが生じた恐れがある場合には、このウエハを第
1及び第2の搬送手段40、42の共通の搬送エリア内
に設置した位置合わせ装置44に載置して、ここで再度
位置合わせを行うことができる。更には、ここで第1及
び第2のバッファ部50、52が共に使用状態の時に
は、位置合わせ装置44の回転台46上にウエハWを一
時的に載置して時間待ちをする待機場所として用いても
よい。或いは処理済みのウエハWを冷却するために、バ
ッファ部50、52内では冷却しないでロードロック室
36A、36B内で冷却する場合には、処理済みのウエ
ハWをパスするために、上記回転台46を一時的にウエ
ハを載置する保持台として用い、ここで第2の搬送手段
42から第1の搬送手段40へウエハを受け渡すように
してもよい。このように用いる場合には、位置合わせ装
置(オリエンタ)44に代えて、ここに単なる保持台を
設けるようにしてもよい。尚、以上の実施例では被処理
体として半導体ウエハWを例にとって説明したが、これ
に限定されず、ガラス基板、LCD基板等にも本発明を
適用することができる。
If there is a possibility that the position of the wafer W is shifted in the common transfer chamber 34, the wafer W is set in the common transfer area of the first and second transfer means 40 and 42. It can be placed on the positioning device 44 and the positioning can be performed again here. Furthermore, when the first and second buffer units 50 and 52 are both in use, a standby place where the wafer W is temporarily placed on the turntable 46 of the positioning device 44 and waits for time is provided. May be used. Alternatively, when cooling in the load lock chambers 36A and 36B without cooling in the buffer units 50 and 52 in order to cool the processed wafer W, in order to pass the processed wafer W, The wafer 46 may be temporarily used as a holding table on which the wafer is placed, and the wafer may be transferred from the second transfer means 42 to the first transfer means 40 here. In such a case, a simple holding table may be provided instead of the alignment device (orienter) 44. In the above embodiments, the semiconductor wafer W is described as an example of the object to be processed. However, the present invention is not limited to this, and the present invention can be applied to a glass substrate, an LCD substrate, and the like.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の処理シス
テム及び被処理体の予熱方法によれば、次のように優れ
た作用効果を発揮することができる。請求項1〜5、8
〜10に規定する発明によれば、処理装置に向けて搬送
される被処理体を、その途中でロードロック室内とバッ
ファ部とで2段階で予熱処理することが可能となり、従
って、被処理体の搬送を滞らせることなく被処理体に対
しては全体としてデガス処理のために十分に長い予熱時
間を確保することができるのみならず、このデガス処理
を効率的に行うことができる。請求項6に規定する発明
によれば、被処理体を、保持台に一時的に保持させてお
き、この間に搬送手段は他の被処理体を搬送できるので
搬送の自由度を向上させることができる。請求項7に規
定する発明によれば、搬送途中で被処理体に大きな位置
ずれが生じても、これを再度位置合わせすることができ
る。また、この位置合わせ装置は、被処理体を一時的に
保持する上記保持台としての機能も併せ持つことができ
る。
As described above, according to the processing system and the method for preheating the object to be processed of the present invention, the following excellent operational effects can be obtained. Claims 1 to 5, 8
According to the invention defined in (1) to (10), it is possible to preheat the workpiece to be transported toward the processing apparatus in two stages in the load lock chamber and the buffer section on the way. Not only is it possible to ensure a sufficiently long preheating time for the degassing process as a whole, but also to efficiently perform the degassing process for the object to be processed without delaying the transfer. According to the invention defined in claim 6, the object to be processed is temporarily held on the holding table, and during this time, the conveying means can convey another object to be processed, so that the degree of freedom of conveyance can be improved. it can. According to the invention defined in claim 7, even if a large positional deviation occurs in the object to be processed during the transportation, the positional deviation can be adjusted again. Further, the positioning device can also have a function as the holding table for temporarily holding the object to be processed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る処理システムの一例を示す概略平
面図である。
FIG. 1 is a schematic plan view showing an example of a processing system according to the present invention.

【図2】予熱機能と冷却機能(クーリング機能)を有す
るバッファ部を示す断面図である。
FIG. 2 is a sectional view showing a buffer unit having a preheating function and a cooling function (cooling function).

【図3】バッファ部の動作を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating an operation of a buffer unit.

【図4】バッファ部の予熱機能側の一部を示す斜視図で
ある。
FIG. 4 is a perspective view showing a part of a buffer unit on a preheating function side.

【図5】バッファ部の冷却機能側を示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing a cooling function side of the buffer unit.

【図6】予熱機能と冷却機能を有するロードロック室を
示す構成図である。
FIG. 6 is a configuration diagram showing a load lock chamber having a preheating function and a cooling function.

【図7】ロードロック室の基板保持リングを示す平面図
である。
FIG. 7 is a plan view showing a substrate holding ring in a load lock chamber.

【図8】クラスタ化された従来の処理システムの一例を
示す概略構成図である。
FIG. 8 is a schematic configuration diagram showing an example of a conventional clustered processing system.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

30 処理システム 32A〜32F 処理装置 34 共通搬送室 36A,36B ロードロック室 38 導入側搬送室 40 第1の搬送手段 40A,40B ピック 42 第2の搬送手段 42A,42B ピック 44 オリエンタ(位置合わせ装置) 50 第1のバッファ部 52 第2のバッファ部 54 予熱機構 56 冷却機構 104 加熱プレート 114 加熱ランプ 130 導入側搬送手段 134 オリエンタ(位置合わせ装置) W 半導体ウエハ(被処理体) Reference Signs List 30 processing system 32A to 32F processing device 34 common transfer chamber 36A, 36B load lock chamber 38 introduction transfer chamber 40 first transfer means 40A, 40B pick 42 second transfer means 42A, 42B pick 44 orienter (alignment device) Reference Signs List 50 first buffer section 52 second buffer section 54 preheating mechanism 56 cooling mechanism 104 heating plate 114 heating lamp 130 introduction-side transport means 134 orienter (alignment device) W semiconductor wafer (workpiece)

フロントページの続き Fターム(参考) 5F004 AA16 BA00 BC05 BC06 BC08 5F031 CA02 FA01 FA07 FA11 FA12 FA14 FA15 GA03 GA43 GA48 GA50 HA37 HA38 HA40 JA02 JA15 JA28 JA34 JA35 KA08 KA12 LA07 MA04 MA06 MA09 MA30 NA02 NA04 NA08 NA09 PA03 5F045 AA03 AA20 BB20 DQ17 EB08 EN04 EN06 HA24 Continued on the front page F term (reference) 5F004 AA16 BA00 BC05 BC06 BC08 5F031 CA02 FA01 FA07 FA11 FA12 FA14 FA15 GA03 GA43 GA48 GA50 HA37 HA38 HA40 JA02 JA15 JA28 JA34 JA35 KA08 KA12 LA07 MA04 MA06 MA09 MA30 NA02 NA04 NA08 NA09 PA03 A03A BB20 DQ17 EB08 EN04 EN06 HA24

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理体に対して所定の処理を行う複数
の処理装置と、 前記複数の処理装置に共通に接続された共通搬送室と、 前記共通搬送室内に設けられて前記処理装置との間で前
記被処理体を搬送するための第1及び第2の2つの搬送
手段と、 前記共通搬送室内であって前記2つの搬送手段のそれぞ
れの搬送範囲が重なる範囲内に設置された少なくともデ
ガス機能を有するバッファ部と、 前記共通搬送室に接続されて少なくともデガス機能を有
する真空引き可能になされたロードロック室と、 前記ロードロック室に接続された導入側搬送室と、 前記導入側搬送室内に設けられて、前記被処理体を複数
収容するカセットと前記ロードロック室との間で前記被
処理体を搬送する導入側搬送手段とを備えたことを特徴
とする処理システム。
1. A plurality of processing apparatuses for performing a predetermined process on an object to be processed, a common transfer chamber commonly connected to the plurality of processing apparatuses, and a plurality of processing apparatuses provided in the common transfer chamber. A first and a second transporting means for transporting the object to be processed, and at least one of the two transporting means provided in the common transporting chamber within a range where the respective transporting ranges of the two transporting means overlap each other. A buffer section having a degas function, a load lock chamber connected to the common transfer chamber and capable of being evacuated and having at least a degas function, an introduction transfer chamber connected to the load lock chamber, and the introduction transfer section. A processing system, comprising: a cassette provided in a room, for accommodating a plurality of the objects to be processed, and an introduction-side transport unit for transporting the objects to be processed between the load lock chamber.
【請求項2】 前記バッファ部の内部は、前記共通搬送
室内に対して密閉可能になされていることを特徴とする
請求項1記載の処理システム。
2. The processing system according to claim 1, wherein the inside of the buffer section is made hermetic with respect to the common transfer chamber.
【請求項3】 前記バッファ部と前記ロードロック室
は、それぞれ2個設けられていることを特徴とする請求
項1または2記載の処理システム。
3. The processing system according to claim 1, wherein two buffer units and two load lock chambers are provided.
【請求項4】 前記導入側搬送室には、前記被処理体の
位置合わせを行う位置合わせ装置が接続されていること
を特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の処理シ
ステム。
4. The processing system according to claim 1, wherein a positioning device for positioning the object to be processed is connected to the introduction-side transfer chamber.
【請求項5】 前記各処理装置は、前記2つの搬送手段
の内のいずれか一方の搬送手段によってのみアクセスさ
れるように配置されていることを特徴とする請求項1乃
至4のいずれかに記載の処理システム。
5. The apparatus according to claim 1, wherein each of the processing apparatuses is arranged so as to be accessed only by one of the two transport units. The processing system as described.
【請求項6】 前記2つの搬送手段のそれぞれの搬送範
囲が重なる範囲内には、前記被処理体を一時的に保持す
る保持台が設けられていることを特徴とする請求項1乃
至5のいずれかに記載の処理システム。
6. A holding table for temporarily holding the object to be processed is provided in a range where the respective transfer ranges of the two transfer means overlap each other. The processing system according to any one of the above.
【請求項7】 前記2つの搬送手段のそれぞれの搬送範
囲が重なる範囲内には、前記被処理体の位置合わせを行
う位置合わせ装置が設けられていることを特徴とする請
求項1乃至6のいずれかに記載の処理システム。
7. The apparatus according to claim 1, wherein a positioning device for positioning the object to be processed is provided in a range where the respective transport ranges of the two transport units overlap. The processing system according to any one of the above.
【請求項8】 前記第1及び第2の2つの搬送手段と前
記導入側搬送手段は、それぞれ前記被処理体を直接的に
保持する2つのピックを有していることを特徴とする請
求項1乃至7のいずれかに記載の処理システム。
8. The apparatus according to claim 1, wherein each of the first and second transfer means and the introduction-side transfer means has two picks for directly holding the object to be processed. 8. The processing system according to any one of 1 to 7.
【請求項9】 前記ロードロック室は、クーリング機能
を有していることを特徴とする請求項1乃至8のいずれ
かに記載の処理システム。
9. The processing system according to claim 1, wherein the load lock chamber has a cooling function.
【請求項10】 請求項1乃至9のいずれかに規定する
処理システム内にて被処理体を処理装置へ搬送する際の
予熱方法において、 カセット室から取り出した被処理体をロードロック室内
に導入して加熱することにより第1のデガス処理を行う
第1の工程と、 前記第1のデガス処理がなされた前記被処理体をバッフ
ァ内に導入して加熱することにより第2のデガス処理を
行う第2の工程と、 前記第2のデガス処理がなされた被処理体を前記処理装
置内に搬入する搬入工程とを有することを特徴とする被
処理体の予熱方法。
10. A preheating method for transporting an object to be processed to a processing apparatus in the processing system defined in any one of claims 1 to 9, wherein the object to be processed taken out of the cassette chamber is introduced into a load lock chamber. And performing a first degassing process by heating and then performing a second degassing process by introducing the object to which the first degassing process has been performed into a buffer and heating it. A preheating method for the object to be processed, comprising: a second step; and a carrying-in step of carrying the object to be processed, which has been subjected to the second degassing, into the processing apparatus.
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