JP2002148187A - Optical waveguide type spr phenomenon measuring chip, manufacturing method for it and spr phenomenon measuring method - Google Patents

Optical waveguide type spr phenomenon measuring chip, manufacturing method for it and spr phenomenon measuring method

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JP2002148187A
JP2002148187A JP2000339895A JP2000339895A JP2002148187A JP 2002148187 A JP2002148187 A JP 2002148187A JP 2000339895 A JP2000339895 A JP 2000339895A JP 2000339895 A JP2000339895 A JP 2000339895A JP 2002148187 A JP2002148187 A JP 2002148187A
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optical waveguide
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metal thin
spr phenomenon
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JP2000339895A
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Osamu Niwa
修 丹羽
Gen Iwasaki
弦 岩崎
Tsutomu Horiuchi
勉 堀内
Tatsuya Hida
達也 飛田
Hisao Tabei
久男 田部井
Saburo Imamura
三郎 今村
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NTT Advanced Technology Corp
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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NTT Advanced Technology Corp
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/55Specular reflectivity
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    • G01N21/553Attenuated total reflection and using surface plasmons

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an SPR phenomenon measuring chip small-sized and convenient to be replaced, a manufacturing method for it, and an SPR phenomenon measuring method by using optical waveguide manufacturing technology having high flexibility and productivity. SOLUTION: This optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip is provided with an optical waveguide and a metal thin film 6 at least a part of which is brought into direct contact with a core 9 and which causes a surface plasmon resonance phenomenon. In this SPR phenomenon measuring apparatus, a sample, the surface palsmon resonance phenomenon of which is measured by measuring light transmitted through the core is disposed in direct contact with the metal thin film. This SPR phenomenon measuring method is characterized similarly to the above. Accordingly, the optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip is small-sized and convenient to be replaced, and allowed to be easily provided with various functions such as a sensor capable of simultaneously measuring plural portions, a multi-channel sensor capable of detecting plural samples and so on.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は光導波路型SPR現象計
測チップ、その製造方法及びSPR現象計測方法、さら
に詳細には光学系を用いて金属薄膜上の屈折率を測定す
ることにより、特定物質の定量・定性を行うことができ
る表面プラズモン共鳴(SPR)現象測定において光を
計測表面に導光できる光導波路型SPR現象計測チップ
及びその製造方法、さらには前記SPR現象計測チップ
を使用したSPR現象計測方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip, a method for manufacturing the same, and a method for measuring the SPR phenomenon. Waveguide type SPR phenomenon measuring chip capable of guiding light to a measurement surface in surface plasmon resonance (SPR) phenomenon measurement capable of performing quantitative and qualitative measurement of SPR phenomenon, and SPR phenomenon using the SPR phenomenon measuring chip Related to measurement method.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来化学プロセス計測、環境計測や臨床
検査等で呈色反応や免疫反応を利用した測定が行われて
いる。しかしこの測定方法では被測定物を抽出する必要
があるほか、煩雑な操作や標識物質を必要とするなどの
問題があり、標識物質を必要とすることなく、高感度で
被測定物中の化学物質の定性・定量測定の可能なセンサ
として光励起表面プラズモン共鳴現象を利用したセンサ
が提案・実用化されている。以下表面プラズモン共鳴
(Surface Plasmon Resonanc
e)をSPRと略して用いる。
2. Description of the Related Art Conventionally, measurement utilizing a color reaction or an immune reaction has been performed in chemical process measurement, environmental measurement, clinical examination, and the like. However, in this measurement method, there is a problem that an object to be measured needs to be extracted, and there are problems such as complicated operations and a need for a labeling substance. As a sensor capable of qualitative and quantitative measurement of a substance, a sensor using the photoexcitation surface plasmon resonance phenomenon has been proposed and put into practical use. Hereinafter, Surface Plasmon Resonance (Surface Plasmon Resonance)
e) is abbreviated as SPR.

【0003】SPR現象測定装置は図22に示すよう
に、光源1から発した光をp偏光光のみを通す偏光板2
を通しレンズ3である入射角範囲を持たせて高屈折率プ
リズム4に入射させ、被測定物6に接したセンサ膜を有
した金属薄膜5を照射し、金属薄膜からの反射光の強度
変化を、プリズム4を通して光電子検出器7で検出する
システムが一般的である。
[0003] As shown in FIG. 22, an SPR phenomenon measuring apparatus uses a polarizing plate 2 for passing light emitted from a light source 1 through only p-polarized light.
Is incident on the high-refractive-index prism 4 with an incident angle range, which is the lens 3, and irradiates the metal thin film 5 having the sensor film in contact with the object 6 to be measured. Is generally detected by the photoelectron detector 7 through the prism 4.

【0004】光源1から発した光は、プリズムと金属の
界面でエバネッセント波となり、その波数は次式により
求められる。
The light emitted from the light source 1 becomes an evanescent wave at the interface between the prism and the metal, and its wave number is obtained by the following equation.

【0005】kev=kppsinθ ここで、kpは入射光の波数、npはプリズムの屈折率、
θは入射角である。
[0005] k ev = where k p n p sinθ, k p is the incident light wave number, n p is the refractive index of the prism,
θ is the angle of incidence.

【0006】一方、金属薄膜表面では、表面プラズモン
波が生じ、その波数は次式により求められる。
On the other hand, a surface plasmon wave is generated on the surface of the metal thin film, and its wave number is obtained by the following equation.

【0007】 ksp=(C/ω)・√(εn2/(ε+n2)) ここで、Cは光速、ωは角振動数、εは金属薄膜の誘電
率、nは被測定物の屈折率である。
K sp = (C / ω) √ (εn 2 / (ε + n 2 )) where C is the speed of light, ω is the angular frequency, ε is the dielectric constant of the metal thin film, and n is the refraction of the measured object. Rate.

【0008】この、エバネッセント波と表面プラズモン
波の波数が一致する入射角θもしくは入射光の波数の
時、エバネッセント波は表面プラズモンの励起に使わ
れ、反射光として観測される光量が減少する。
When the wave number of the evanescent wave coincides with the wave number of the surface plasmon wave at the incident angle θ or the wave number of the incident light, the evanescent wave is used for exciting the surface plasmon, and the amount of light observed as reflected light decreases.

【0009】図22では、光源1から放射された光はレ
ンズ3を通して常にある入射角度範囲を持った光を入射
するようになっており、さらに広範囲の入射角の光を入
射できるように、光源1と光電子検出器7は一定の反射
角を保ちながら駆動できるタイプが多い(図22矢印参
照)。
In FIG. 22, light emitted from the light source 1 is always incident on the lens 3 through a lens 3 with light having a certain incident angle range. In many cases, the type 1 and the photoelectron detector 7 can be driven while maintaining a constant reflection angle (see the arrow in FIG. 22).

【0010】もしくは、図23に示すように入射光の角
度は一定とし、入射光の波数が可変であるタイプ、ある
いは反射光を分光できるタイプもある。図23におい
て、符号は図1と同じものを示す。
[0010] Alternatively, as shown in FIG. 23, there is a type in which the angle of incident light is fixed and the wave number of the incident light is variable, or a type in which reflected light can be separated. In FIG. 23, reference numerals indicate the same as those in FIG.

【0011】SPR現象はプリズム・金属薄膜に接した
被測定物の屈折率に依存するために、例えば試料を水と
して、図22のような構成のSPR測定装置で測定した
場合、図24に示すようにある一定の角度で極小を持つ
曲線として検出することができ、被測定物6の濃度変化
による屈折率変化等を測定するばかりか、金属薄膜5上
に抗体などを固定化することにより、抗原と結合した抗
体の屈折率変化を測定することにより、特定物質の定量
を行うことができる。
Since the SPR phenomenon depends on the refractive index of the object to be measured in contact with the prism / metal thin film, for example, when a sample is taken as water and measured with an SPR measuring apparatus having a configuration as shown in FIG. As described above, it can be detected as a curve having a minimum at a certain angle, and by not only measuring the change in the refractive index due to the change in the concentration of the DUT 6, but also immobilizing the antibody or the like on the metal thin film 5, The specific substance can be quantified by measuring the change in the refractive index of the antibody bound to the antigen.

【0012】近年、SPR現象測定装置は小型化への要
求が高まってきている。しかし、図22のような機器構
成では可動部分を有することによって装置が大きくなっ
てしまい、また、計測部分おもに金属薄膜5の交換がと
ても不便であるという欠点があった。
In recent years, there has been an increasing demand for miniaturization of the SPR phenomenon measuring apparatus. However, the apparatus configuration as shown in FIG. 22 has the drawback that the device becomes large due to the presence of the movable part, and that it is very inconvenient to replace the metal thin film 5 mainly in the measurement part.

【0013】そこで、ビアコア(Biacore)社か
らファイバ型のSPR現象測定装置(製品名Biaco
re Probe)、テキサスインスツルメント(Te
xas Instrument)社からエポキシ樹脂中
に光源、光電子検出器、偏光板、金属薄膜を配した小型
のSPR現象測定装置(製品名Spreeta)が販売
されている。また、その他様々な小型SPR現象測定装
置が提案されている。
Therefore, a fiber type SPR phenomenon measuring apparatus (product name: Biacore) was supplied by Biacore.
re Probe), Texas Instruments (Te
Xas Instrument) sells a small SPR phenomenon measuring device (product name Spreeta) in which a light source, a photoelectron detector, a polarizing plate, and a metal thin film are arranged in an epoxy resin. Also, various other small SPR phenomenon measuring devices have been proposed.

【0014】しかし、ファイバ型のものはその端面に計
測のための金属薄膜を形成しているものが多く、加工が
困難で、ファイバ1本に付き一つの計測表面しか持つこ
とができない。また、端面の反射光を取り出すためのス
プリッターやカプラなどの光部品が必要となる。エポキ
シ樹脂などにすべての光学系を配したタイプのものは、
すべての光学部品を精度よく配置しなければならず、し
かも、金属薄膜の交換の利便性を失っている。
However, most of the fiber type has a metal thin film for measurement formed on its end face, which is difficult to process, and can have only one measurement surface per fiber. Further, optical components such as a splitter and a coupler for extracting reflected light from the end face are required. For those with all optical systems on epoxy resin, etc.,
All the optical components must be arranged with high precision, and the convenience of replacing the metal thin film is lost.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような現
状を鑑みてなされたものであり、その目的は、汎用性・
生産性の高い光導波路作製技術を用いて、小型で交換の
便利なSPR現象計測チップ及びその製造方法、さらに
はSPR現象計測方法を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such circumstances, and its object is to provide a general-purpose device.
An object of the present invention is to provide a small-sized and easily replaceable SPR phenomenon measuring chip, a manufacturing method thereof, and a SPR phenomenon measuring method using an optical waveguide manufacturing technique having high productivity.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明による光導波路型SPR現象計測チップは、
コアと前記コアの周囲に設けられたクラッドとを備え、
前記コアは前記クラッドより高い屈折率を有し、前記コ
アに入射した光を閉じ込めて伝播する光導波路と、前記
コアに少なくとも一部が直接接触し、かつ表面プラズモ
ン共鳴現象を起こす金属薄膜とを備えた光導波路型SP
R現象計測チップであって、前記コアを伝播する光を計
測することによって表面プラズモン共鳴現象が測定され
る試料が前記金属薄膜に接触するように設けられること
を特徴とする。
In order to solve the above problems, an optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip according to the present invention comprises:
A core and a clad provided around the core,
The core has a higher refractive index than the cladding, an optical waveguide for confining and propagating light incident on the core, and a metal thin film that at least partially directly contacts the core and causes a surface plasmon resonance phenomenon. Provided optical waveguide type SP
An R phenomenon measuring chip, wherein a sample whose surface plasmon resonance phenomenon is measured by measuring light propagating through the core is provided so as to contact the metal thin film.

【0017】また、本発明による光導波路型SPR現象
計測チップの製造方法は、透明なクラッド基板に、コア
を形成するための所望の形状を持つ溝を形成し、その溝
にクラッド材基板よりも屈折率の高いコアを形成し、そ
の上に、表面プラズモン共鳴現象を起こす金属薄膜を形
成し、金属薄膜部分を除いた部分に、コアよりも屈折率
の低いオーバークラッドを形成することを特徴とする。
Further, in the method of manufacturing an optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip according to the present invention, a groove having a desired shape for forming a core is formed in a transparent clad substrate, and the groove is formed in the groove more than the clad material substrate. Forming a core with a high refractive index, forming a metal thin film that causes the surface plasmon resonance phenomenon on it, and forming an over cladding with a lower refractive index than the core in the part excluding the metal thin film part I do.

【0018】本発明による第二の光導波路型SPR現象
計測チップの製造方法は、透明なクラッド基板の上に、
所望の形状を持つ、クラッドよりも屈折率の高いコアを
形成し、そのコアの高さと同じになるようにクラッド形
成し、その上に、表面プラズモン共鳴現象を起こす金属
薄膜を形成し、金属薄膜部分を除いた部分に、コアより
も屈折率の低いオーバークラッドを形成することを特徴
とする。
A second method for manufacturing an optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip according to the present invention comprises the steps of:
A core having a desired shape and a refractive index higher than that of the clad is formed, a clad is formed so as to have the same height as the core, and a metal thin film that causes a surface plasmon resonance phenomenon is formed thereon. An over clad having a lower refractive index than the core is formed in a portion other than the portion.

【0019】本発明による第三の光導波路型SPR現象
計測チップの製造方法は、光学平面を有する基板上に溶
解が容易な犠牲層を形成し、その上に、所望の形状を持
つ、クラッドよりも屈折率の高いコアを形成し、その上
に、コアよりも厚くクラッドを形成し、犠牲層を溶解す
る溶解液中に浸漬し、犠牲層を溶解し、光学平面を有す
る基板を取り外し、コアが露出している面の上に、表面
プラズモン共鳴現象を起こす金属薄膜を形成し、金属薄
膜部分を除いた部分に、コアよりも屈折率の低いオーバ
ークラッドを形成することを特徴とする。
A third method of manufacturing an optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip according to the present invention is to form an easily dissolvable sacrificial layer on a substrate having an optical flat surface, and to form a sacrificial layer having a desired shape on the sacrificial layer. Also form a core with a high refractive index, form a clad on it thicker than the core, immerse it in a solution that dissolves the sacrifice layer, dissolve the sacrifice layer, remove the substrate with an optical plane, remove the core A metal thin film that causes a surface plasmon resonance phenomenon is formed on the surface where is exposed, and overcladding having a lower refractive index than the core is formed in a portion excluding the metal thin film portion.

【0020】本発明の特徴は、SPR現象計測チップに
光導波路を適応した点にある。光導波路作製技術を用い
れば、導波路コアを一つのチップ上に多数作製したり、
途中で分岐するなど、様々な機能を持たせることがで
き、それらのSPR現象計測チップを安価で多量に作製
することが可能である。
A feature of the present invention resides in that an optical waveguide is applied to an SPR phenomenon measuring chip. Using optical waveguide fabrication technology, many waveguide cores can be fabricated on one chip,
Various functions such as branching on the way can be provided, and it is possible to manufacture a large number of such SPR phenomenon measurement chips at low cost.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】本発明によるSPR現象測定の原
理は図23の形式の応用であり、プリズムの代わりに光
導波路を使用し、スペクトルを計測するものである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The principle of the SPR phenomenon measurement according to the present invention is an application of the type shown in FIG. 23, and uses an optical waveguide instead of a prism to measure a spectrum.

【0022】光導波路を用いたSPR現象計測チップの
概略図を図1に示す。光導波路は直線の導波路のコア9
と、前記コア9の周りに、前記コア9よりも屈折率の低
いクラッド8及びオーバークラッド10を設けた構造に
なっている。コア9の一部には表面プラズモン共鳴現象
を起こす金属薄膜5が直接に接する形で形成されてお
り、この部分が計測表面となる。入射光11はコア9に
入射され、計測表面上の試料6とSPR現象が生じ、出
射光12として出射される。出射された光の光量変化
や、スペクトル変化を計測することにより、SPR現象
を観察することができる。
FIG. 1 is a schematic view of an SPR phenomenon measuring chip using an optical waveguide. The optical waveguide is a linear waveguide core 9
And a structure in which a clad 8 and an over clad 10 having a lower refractive index than the core 9 are provided around the core 9. The metal thin film 5 that causes the surface plasmon resonance phenomenon is formed in a part of the core 9 so as to be in direct contact with the core 9, and this part becomes a measurement surface. The incident light 11 enters the core 9, causes the SPR phenomenon with the sample 6 on the measurement surface, and is emitted as the emitted light 12. The SPR phenomenon can be observed by measuring the change in the amount of emitted light or the change in the spectrum.

【0023】図1のようなSPR現象計測チップを作製
する場合、図2(a)に示すようにクラッド8にコアを
形成するための溝13を作製し、その溝13にコア9を
形成し(図2(b))、その上に表面プラズモン共鳴現
象を起こす金属薄膜5を形成する(図2(c))。金属
薄膜5はコア9を少なくとも一部に形成していればよ
く、クラッド8全体に形成してもよい。この段階でもS
PR現象の計測は行えるが、試料を乗せるための窪みを
オーバークラッド10で作製した方が望ましい(図2
(d))。
When an SPR phenomenon measuring chip as shown in FIG. 1 is manufactured, a groove 13 for forming a core in the clad 8 is formed as shown in FIG. (FIG. 2B), and a metal thin film 5 causing a surface plasmon resonance phenomenon is formed thereon (FIG. 2C). The metal thin film 5 has only to form the core 9 at least partially, and may be formed over the entire clad 8. S at this stage
Although it is possible to measure the PR phenomenon, it is desirable to form a recess for mounting a sample with the over clad 10 (FIG. 2).
(D)).

【0024】また、図3に示すように、クラッド8の上
に、コア9を形成する(図3(a))。その後、コア9
と同じ高さまでクラッド8を形成する(図3(b))。
その後、金属薄膜5を形成し(図3(c))、試料を乗
せるための窪みを作製する。
Further, as shown in FIG. 3, a core 9 is formed on the clad 8 (FIG. 3A). Then core 9
The cladding 8 is formed to the same height as that of FIG. 3 (FIG. 3B).
After that, a metal thin film 5 is formed (FIG. 3C), and a recess for mounting a sample is formed.

【0025】さらに、図4のように、平滑な基板14の
上に1μm程度のクロム膜(犠牲層)15を形成し(図
4(a))、その上にコア9を形成する(図4
(b))。その上に、クラッド8を形成し(図4
(c))、クロム膜(犠牲層)15を溶かして基板14
を剥離する(図4(d))。その上にオーバークラッド
10を計測領域を除いて形成し、金属薄膜5を形成する
ことによっても作製できる。
Further, as shown in FIG. 4, a chromium film (sacrifice layer) 15 of about 1 μm is formed on a smooth substrate 14 (FIG. 4A), and a core 9 is formed thereon (FIG. 4A).
(B)). A clad 8 is formed thereon (FIG. 4)
(C)) The chromium film (sacrifice layer) 15 is melted and the substrate 14 is melted.
Is peeled off (FIG. 4D). It can also be manufactured by forming the over clad 10 thereon except for the measurement region and forming the metal thin film 5.

【0026】所望の形状のコアまたはクラッドを得る方
法は、(1)コアまたはクラッドを形成した後に、ダイ
シングソーやドリルなどによって切削する方法、(2)
コアまたはクラッドを形成した後に、レジストを塗布
し、所望の部分のみレジストを硬化させ、未硬化部分を
除去し、コア、クラッドのエッチングを行うことによっ
て、レジストの無い部分を除去する方法、(3)コアま
たはクラッドに感光性物質を利用し、材料を基板に塗布
あるいは液だめに入れ、マスクを通してあるいは直接に
光を照射し、照射していない部分を溶媒で除去する方法
が挙げられる。
The method of obtaining a core or a clad having a desired shape is as follows: (1) a method of forming a core or a clad, followed by cutting with a dicing saw or a drill;
A method of applying a resist after forming a core or a clad, curing the resist only at a desired portion, removing an uncured portion, and etching a core and a clad to remove a portion without a resist; A) A method in which a photosensitive material is used for the core or the clad, the material is applied to a substrate or put into a reservoir, light is directly irradiated through a mask or directly, and the non-irradiated portion is removed with a solvent.

【0027】上記(3)の方法における、感光性物質は
感光性のポリイミド系、エポキシ系、アクリル系、シリ
コーン系オリゴマあるいはモノマである。
In the above method (3), the photosensitive substance is a photosensitive polyimide-based, epoxy-based, acrylic-based, silicone-based oligomer or monomer.

【0028】上述のポリイミド系感光性物質としては、
たとえば、下記の構造式1で表されるポリイミド系オリ
ゴマあるいはモノマを例として挙げることができる。
As the above-mentioned polyimide photosensitive material,
For example, a polyimide-based oligomer or monomer represented by the following structural formula 1 can be given as an example.

【0029】構造式1Structural formula 1

【化6】 (式中、R1はビスアルキル−あるいはビスパーフルオ
ロアルキル−ベンゼン、R2はアルキル、アルキルフェ
ニレン、パーフルオロフェニレン基、R3はアルキル基
あるいはフルオロアルキル基である。) また、上述のポリイミド系感光性物質としては、たとえ
ば、下記の構造式2で表されるエポキシ系オリゴマある
いはモノマを例として挙げることができる。
Embedded image (In the formula, R 1 is a bisalkyl- or bisperfluoroalkyl-benzene, R 2 is an alkyl, alkylphenylene, perfluorophenylene group, and R 3 is an alkyl group or a fluoroalkyl group.) In addition, the above-mentioned polyimide system As the photosensitive substance, for example, an epoxy oligomer or a monomer represented by the following structural formula 2 can be exemplified.

【0030】構造式2Structural formula 2

【化7】 (式中、R1、R2はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン
原子、アルキル基、アルキル基、アルコシ基またトリフ
ルオロメチル基を示し、X1、X2、X3は連結基、Yは
エポキシ基あるいは
Embedded image (Wherein, R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkyl group, an alkoxy group, or a trifluoromethyl group, X 1 , X 2 , and X 3 are linking groups, and Y is an epoxy group. Group or

【0031】[0031]

【化8】 を表す) さらに、上述のアクリル系感光性物質としては、たとえ
ば、下記の構造式3で表されるアクリル系オリゴマある
いはモノマを例として挙げることができる。
Embedded image Further, as the above-mentioned acrylic photosensitive substance, for example, an acrylic oligomer or monomer represented by the following structural formula 3 can be exemplified.

【0032】構造式3Structural formula 3

【化9】 (式中、R1、R2はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン
原子、アルキル基、アルキル基、アルコシ基またトリフ
ルオロメチル基を示し、X1、X2、X3は連結基、Yは
アクリル基あるいはメタアクリル基を示す。
Embedded image (Wherein, R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkyl group, an alkoxy group or a trifluoromethyl group, X 1 , X 2 , and X 3 represent a linking group, and Y represents an acryl group. Group or methacryl group.

【0033】さらに、上述のシリコーン系感光性物質と
しては、たとえば、下記の構造式4で表されるシリコー
ン系オリゴマあるいはモノマを例として挙げることがで
きる。
Further, as the above-mentioned silicone-based photosensitive substance, for example, a silicone-based oligomer or monomer represented by the following structural formula 4 can be exemplified.

【0034】構造式4Structural formula 4

【化10】 (式中、Xは水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、ア
ルキル基、アルコキシ基を表し、mは1〜4の整数を表
す。x、yは各ユニットの存在割合を示し、x、yとも
にゼロであることは無い。R1、R2は、メチル基、エチ
ル基、イソプロピル基を表し、R1とR2が相等しくても
良い。) これら本発明の感光性オリゴマあるいはモノマ材料の高
分子化は、構造式で表される成分中に含まれるエポキシ
基は水酸基などの反応基間の光による結合によって架橋
することで行われる。架橋反応を効率良く十分に起こさ
せるためには光重合開始剤を添加することが望ましい。
光重合開始剤としては、スルフォニウム塩、オスミウム
塩などの光カチオン重合開始剤が代表的なものとして挙
げられる。
Embedded image (In the formula, X represents a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, an alkyl group, or an alkoxy group, m represents an integer of 1 to 4. x and y show the abundance ratio of each unit. R 1 and R 2 represent a methyl group, an ethyl group, or an isopropyl group, and R 1 and R 2 may be the same.) Molecularization is performed by crosslinking an epoxy group contained in the component represented by the structural formula by a light bond between reactive groups such as a hydroxyl group. It is desirable to add a photopolymerization initiator in order to cause the crosslinking reaction efficiently and sufficiently.
Representative photopolymerization initiators include cationic photopolymerization initiators such as sulfonium salts and osmium salts.

【0035】また、本発明のシリコーン系感光性材料の
高分子化は感光剤とオリゴマ及びモノマの反応による場
合も含まれる。感光剤としてはアジドピレンなどのアジ
ド化合物、4,4−ジアジドベンザルアセトン、2,6
−ジ−(4’−アジドベンザル)シクロヘキサノン、
2,6−ジ−(4’−アジドベンザル)−4−メチルシ
クロヘキサノンなどのビスアジド化合物、ジアゾ化合物
が代表的なものである。
The polymerization of the silicone-based photosensitive material of the present invention includes the case where a photosensitive agent reacts with an oligomer and a monomer. Azide compounds such as azidopyrene, 4,4-diazidobenzalacetone, 2,6
-Di- (4'-azidobenzal) cyclohexanone,
Bisazide compounds and diazo compounds such as 2,6-di- (4′-azidobenzal) -4-methylcyclohexanone are typical.

【0036】また本発明のアクリル系感光性材料の高分
子化は感光剤とオリゴマ及びモノマの反応による。感光
剤としてはジフェニルトリケトンベンゾイン、ベンゾイ
ンメチルエーテル、ベンゾフェノン、アセトフェノン、
ジアセチル等のカルボニル化合物や過酸化ベンゾイル等
の過酸化物、アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合
物、アジドピレン等のアジド化合物、4,4’−ジアジ
ドベンザルアセトン、2,6−ジ−(4’−アジドベン
ザル)シクロヘキサノン、2,6−ジ−(4’−アジド
ベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン等のビスアジ
ド化合物、ジアゾ化合物が代表的なものである。
The polymerization of the acrylic photosensitive material of the present invention is carried out by the reaction of a photosensitive agent with an oligomer and a monomer. Photosensitizers include diphenyltriketone benzoin, benzoin methyl ether, benzophenone, acetophenone,
Carbonyl compounds such as diacetyl, peroxides such as benzoyl peroxide, azo compounds such as azobisisobutyronitrile, azide compounds such as azidopyrene, 4,4′-diazidobenzalacetone, 2,6-di- ( Representatives are bisazide compounds and diazo compounds such as 4'-azidobenzal) cyclohexanone and 2,6-di- (4'-azidobenzal) -4-methylcyclohexanone.

【0037】光導波路のコアの形状は、マスクのパター
ンを変えることによって様々に変えることが可能であ
る。
The shape of the core of the optical waveguide can be variously changed by changing the pattern of the mask.

【0038】図5に示すように、単なる直線のコア9の
ような形状はもちろん、図6のように、U字型に曲げた
コアを形成することができる。また、図7に示すよう
に、コア9がクラッド8の右端まで形成してあり、その
コア9に接する形で金属薄膜5を形成してもよい。
As shown in FIG. 5, it is possible to form a core which is bent into a U-shape as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 7, the core 9 may be formed up to the right end of the clad 8, and the metal thin film 5 may be formed in contact with the core 9.

【0039】以下、図5、図6中の16の領域(破線で
示す)は金属薄膜を想定しているが、説明のために透明
に表記している。また、その金属薄膜16はコア9に接
していればよく、特に形状や大きさを限定しているもの
ではない。また、図5以降、オーバークラッド10を省
略して表記しているものは、コアの形状をわかりやすく
するためである。
Hereinafter, 16 regions (shown by broken lines) in FIGS. 5 and 6 are assumed to be metal thin films, but are transparently illustrated for the sake of explanation. The metal thin film 16 only needs to be in contact with the core 9, and the shape and size are not particularly limited. In FIG. 5 and thereafter, the overcladding 10 is omitted to facilitate understanding of the shape of the core.

【0040】後述するSPR現象計測チップと光源・光
検出器とを接続する場合、図5では入射光11と出射光
12の2ケ所において接続しなければならないのに対し
て、図6、図7に示すようなコアの形状である場合、光
の入出力に光ファイバと光ファイバアレイを用いること
によって、光接続が1ケ所でできるという利点がある。
When connecting an SPR phenomenon measuring chip, which will be described later, to a light source / photodetector, two points of the incident light 11 and the outgoing light 12 must be connected in FIG. The use of an optical fiber and an optical fiber array for input / output of light has the advantage that optical connection can be made at one location when the core shape is as shown in FIG.

【0041】図8のように多数のコアを形成することも
できる。それぞれのコア9上に形成してある金属薄膜1
6a、16b、16c上に、それぞれ、ある特定の物質
A、B、Cに反応して金属薄膜16a、16b、16c
上の屈折率を変化させるセンサ膜をそれぞれ固定化すれ
ば、試料中に物質Aが含まれていれば金属薄膜16a上
に生じるSPR現象に変化が生じる。このように複数の
特定物質の検出を行うことができるマルチチャンネルセ
ンサとして使用することが可能である。
As shown in FIG. 8, a large number of cores can be formed. Metal thin film 1 formed on each core 9
6a, 16b, and 16c, respectively, react with certain substances A, B, and C to form metal thin films 16a, 16b, and 16c, respectively.
If the above-mentioned sensor films that change the refractive index are fixed, if the substance A is contained in the sample, a change occurs in the SPR phenomenon occurring on the metal thin film 16a. Thus, it can be used as a multi-channel sensor capable of detecting a plurality of specific substances.

【0042】図8に示すSPR現象計測チップでは、1
1a、11b、11cと示すように、それぞれに光を入
射しなけれぱならないが、図9、図10、図11に示す
ようなY分岐17、光カプラ18、スラブ導波路19等
の分岐構造を導波路中に形成することによって、入射光
を一つにすることができる。また、熱光学光スイッチ等
のスイッチ機能を導波路に持たせれば、任意の導波路へ
光を入射することができる。
In the SPR phenomenon measuring chip shown in FIG.
As shown by 1a, 11b, and 11c, light must be incident on each of them. However, a branch structure such as a Y-branch 17, an optical coupler 18, and a slab waveguide 19 as shown in FIGS. By forming the light in the waveguide, the incident light can be reduced to one. Also, if the waveguide has a switch function such as a thermo-optical switch, light can be incident on an arbitrary waveguide.

【0043】図10に示す光カプラ18は、コア9の近
寄った部分で光の結合が生じ、11d、11eのいずれ
かに入射された光が12d、12eにわかれて出射され
る。分岐した後に、金属薄膜16を配することによって
2ケ所でのSPR共鳴現象の計測が可能となる。光カプ
ラとY分岐導波路を多段に重ねることによって、より多
くの分岐をさせることが可能であるが、図11に示すス
ラブ導波路19では、1度に2つ以上の分岐をさせるこ
とが出来、より多くの個所(多チャンネル)でのSPR
共鳴現象を計測するのに向いている。
In the optical coupler 18 shown in FIG. 10, light coupling occurs at a portion near the core 9, and light incident on one of 11d and 11e is split into 12d and 12e and emitted. By arranging the metal thin film 16 after branching, measurement of the SPR resonance phenomenon at two places becomes possible. It is possible to make more branches by stacking the optical coupler and the Y-branch waveguide in multiple stages, but in the slab waveguide 19 shown in FIG. 11, two or more branches can be made at once. , SPR in more locations (multiple channels)
It is suitable for measuring resonance phenomena.

【0044】多チャンネル計測の方法としては、図12
に示すように、複数本のコア9が例えば45°の角度で
側面に向いており、側面に接した部分にはSPR現象を
起こす金属薄膜5を有する光導波路が考えられる。コア
の側面への角度は光が全反射する角度で、図12中の矢
印のように光電子検出器で検出されればよく、もとのコ
アを逆方向へ進まなければよい。
FIG. 12 shows a multi-channel measurement method.
As shown in (1), an optical waveguide having a metal thin film 5 that causes the SPR phenomenon in a portion where the plurality of cores 9 face the side surface at an angle of, for example, 45 ° is considered. The angle to the side surface of the core is an angle at which light is totally reflected, and may be detected by a photoelectron detector as indicated by an arrow in FIG. 12, and it is sufficient that the core does not travel in the opposite direction.

【0045】コア11に入射された光は、伝播し、金属
薄膜5でSPR現象を起こし、矢印のように反射した光
をPSD(Position Sensitive D
etector:半導体光位置検出器)、ラインセンサ
20などで検出すれば、SPR現象を多チャンネルで観
察できる。また、図12の導波路を上下方向に重ねれば
より多数のチャンネルでの計測が可能で、面領域での観
察が可能である。
The light incident on the core 11 propagates, causes an SPR phenomenon in the metal thin film 5, and converts the light reflected as shown by the arrow into a PSD (Position Sensitive D).
(detector: semiconductor optical position detector), line sensor 20, etc., the SPR phenomenon can be observed in multiple channels. In addition, if the waveguides of FIG. 12 are vertically overlapped, measurement can be performed with a greater number of channels, and observation in a plane region is possible.

【0046】また、図13に示すように、側面で反射し
た光が伝送するコアを形成する方法も考えられる。
As shown in FIG. 13, a method of forming a core for transmitting light reflected on the side surface is also conceivable.

【0047】さらに、より微小な領域での計測ができる
ように、図14に示すように、2本のコア9を有する光
導波路を光が矢印のように反射するように先端を45°
の角度で尖鋭化し、その表面には金属薄膜5を形成して
ある形状も考えられる。入射光11はコア9を伝播し、
金属薄膜5にてSPR現象を起こしつつ2回反射し、出
射光12として取り出すことができる。
Further, as shown in FIG. 14, the tip of the optical waveguide having two cores 9 is set at 45 ° so that light is reflected as shown by an arrow so that measurement can be performed in a finer area.
A shape in which the metal thin film 5 is formed on the surface thereof is also conceivable. The incident light 11 propagates through the core 9,
The light is reflected twice by the metal thin film 5 while causing the SPR phenomenon, and can be extracted as the emission light 12.

【0048】同様な方法として、図15に示すように、
2本のコアを有する光導波路の先端にプリズム21を固
定し、表面に金属薄膜5を形成する。入射光11はコア
9を伝播し、プリズム21上の金属薄膜でSPR現象を
起こしつつ2回反射し、出射光12として取り出すこと
ができる。2回反射させるうち、一方は完全な反射を起
こさせるためのミラー面としてもよい。
As a similar method, as shown in FIG.
The prism 21 is fixed to the tip of the optical waveguide having two cores, and the metal thin film 5 is formed on the surface. The incident light 11 propagates through the core 9, is reflected twice by the metal thin film on the prism 21 while causing the SPR phenomenon, and can be extracted as the outgoing light 12. One of the two reflections may be a mirror surface for causing perfect reflection.

【0049】図14のような形状のSPR現象計測チッ
プは、図16a〜図16eに示す手順で作製することが
可能である。図16aのようなクラッド8中にコア9を
埋設した光導波路を作製する。光導波路を図16bのよ
うに、先端が45°の角度で鋭くなっているブレード2
2でカットする。すると、図16cに示すように、先端
が45°で尖鋭化されている導波路が2つできる。その
2つの導波路を図16dのように貼り合わせ、図16e
のように、精鋭化されている表面に金属薄膜5を形成す
れば作製することができる。
The SPR phenomenon measuring chip having the shape as shown in FIG. 14 can be manufactured by the procedure shown in FIGS. 16A to 16E. An optical waveguide having a core 9 embedded in a clad 8 as shown in FIG. FIG. 16b shows an optical waveguide in which the tip is sharpened at an angle of 45 °.
Cut with 2. Then, as shown in FIG. 16c, two waveguides having a sharpened tip at 45 ° are formed. The two waveguides are bonded together as shown in FIG.
It can be manufactured by forming the metal thin film 5 on the sharpened surface as shown in FIG.

【0050】図14のような光導波路はコア径を数μm
程度とすれば、数μm四方でのSPR計測が可能で、例
えば試料中の任意の個所に、このSPR現象計測チップ
を挿入して計測することが可能である。
The optical waveguide shown in FIG. 14 has a core diameter of several μm.
In this case, it is possible to measure the SPR in a square of several μm, for example, by inserting the SPR phenomenon measuring chip at an arbitrary position in a sample.

【0051】SPR現象計測チップを使用した測定方法
としては、入射光として単色光源を用いれば、出射光は
光検出器で受光光量を検出し、その変化から試料の変化
を類推することができる。入射光として波数可変(波長
可変)の光源を用いれば、出射光を光検出器で測定し、
図24の横軸を波数(波長)としたスペクトル曲線を得
ることができる。これは、入射光として白色光源などの
広波長光源を用い、出射光を分光器で測定しても同じ曲
線が得られる。
As a measuring method using the SPR phenomenon measuring chip, if a monochromatic light source is used as the incident light, the amount of the outgoing light is detected by the photodetector and the change in the sample can be inferred from the change. If a wave number variable (wavelength variable) light source is used as the incident light, the outgoing light is measured by a photodetector,
A spectrum curve in which the horizontal axis in FIG. 24 is a wave number (wavelength) can be obtained. The same curve can be obtained by using a wide wavelength light source such as a white light source as the incident light and measuring the outgoing light with a spectroscope.

【0052】SPR現象計測チップと光源・光検出器の
接続は、図17のように、光ファイバ24をスプライス
もしくはアレイ等の固定具23で固定し、光導波路部分
と接着する方法が考えられる。図17の応用として、光
導波路作製の時に光ファイバを挿入固定するための溝を
作製してしまい、適当な段階で、ファイバを溝に固定す
るという方法もある。
As for the connection between the SPR phenomenon measuring chip and the light source / photodetector, as shown in FIG. 17, a method of fixing the optical fiber 24 with a fixture 23 such as a splice or an array and bonding the optical fiber 24 to the optical waveguide portion can be considered. As an application of FIG. 17, there is also a method in which a groove for inserting and fixing an optical fiber is manufactured at the time of manufacturing an optical waveguide, and the fiber is fixed to the groove at an appropriate stage.

【0053】いずれの場合も、従来の光通信用の光導波
路作製技術及び光導波路−光ファイバ接続技術を応用で
きる。また、この接続には、出射側のコア径を、入射側
のコア径よりも小さくし、結合を簡便にすることができ
る。図17のタイプのものは光ファイバコネクタ25で
光源・光検出器と簡単に接続ができることから、SPR
現象計測チップの交換も簡便で、光源・受光器の選択も
自由に変えることができる。また、損失の低い光ファイ
バを用いているのでSPR現象計測チップは真空装置の
ように挿入が困難な場合や防爆の必要がある場合など、
遠隔地に複数設置しておき、測定を手元で行うことも可
能である。
In any case, the conventional optical waveguide fabrication technology and optical waveguide-optical fiber connection technology for optical communication can be applied. Further, in this connection, the diameter of the core on the emission side is made smaller than the diameter of the core on the incidence side, so that the coupling can be simplified. The type shown in FIG. 17 can be easily connected to the light source / photodetector by the optical fiber connector 25.
The exchange of the phenomenon measurement chip is easy, and the selection of the light source and the light receiver can be freely changed. In addition, because the SPR phenomenon measurement chip is difficult to insert like a vacuum device or needs to be explosion-proof because the optical fiber with low loss is used,
It is also possible to install a plurality of devices at remote locations and perform measurements at hand.

【0054】効果的にSPR現象を起こさせるために
は、p偏光光を入射する必要があり、次の3つの方法が
考えられる。(1)図17における光ファイバ24を偏
波保持ファイバとする方法、(2)光導波路途中にコア
に重直に溝を切り、その溝に偏光板を固定する方法、
(3)図1の光導波路の入射端もしくは出射端に偏光板
を貼り付ける方法がある。さらに、光導波路作製技術を
用いれば、図18のように、測定表面上に試料の流路2
6を形成することも可能である。
In order to cause the SPR phenomenon effectively, it is necessary to input p-polarized light, and the following three methods can be considered. (1) A method in which the optical fiber 24 in FIG. 17 is used as a polarization maintaining fiber, (2) A method in which a groove is cut in a core in the middle of an optical waveguide, and a polarizing plate is fixed in the groove.
(3) There is a method of attaching a polarizing plate to the entrance end or the exit end of the optical waveguide of FIG. Further, if the optical waveguide fabrication technique is used, as shown in FIG.
6 can also be formed.

【0055】図2(d)のオーバークラッド10の形状
を試料が流れることのできる形状にし、その上に天板2
8を貼り付け、試料の出入口となる試料を流すための配
管であるキャピラリー27等を取り付ければSPR現象
を計測するためのチップとフローセルを一体化すること
ができる。なお、図18で天板28はわかりやすいよう
に透明に記載してあるが、透明でなくともよい。
The shape of the overcladding 10 shown in FIG. 2D is made to allow the sample to flow, and the top plate 2 is placed thereon.
By attaching the capillary 8 and attaching a capillary 27 or the like which is a pipe for flowing a sample serving as a sample entrance / exit, a chip for measuring the SPR phenomenon and a flow cell can be integrated. Although the top plate 28 is shown in FIG. 18 as being transparent for easy understanding, it need not be transparent.

【0056】なお、表面プラズモン共鳴現象を起こす金
属薄膜としては、従来この種のSPR現象計測装置に使
用される金属薄膜を有効に使用できる。この金属薄膜
は、好ましくは40〜52nmであるのがよい。この範
囲を外れると、表面プラズモン共鳴現象を反射光を使っ
て検出するのが困難になると言う欠点を生じるからであ
る。
As the metal thin film causing the surface plasmon resonance phenomenon, a metal thin film conventionally used in this type of SPR phenomenon measuring apparatus can be effectively used. This metal thin film preferably has a thickness of 40 to 52 nm. If it is out of this range, it becomes difficult to detect the surface plasmon resonance phenomenon using reflected light, which causes a disadvantage.

【0057】[0057]

【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに具体的に
説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0058】[0058]

【実施例1】直径10cm、厚さ1mmの透明なガラス
ウェハ基板上に高分子クラッド材をスピンコート法で塗
布し、加熱して硬化させ、400μmのクラッド層を作
製する。次にダイシングソーで幅200μm深さ200
μmの直線の溝を作製し、その溝に高分子コア材を流し
入れ、加熱して硬化させる。
Embodiment 1 A polymer clad material is applied on a transparent glass wafer substrate having a diameter of 10 cm and a thickness of 1 mm by a spin coating method, and cured by heating to form a 400 μm clad layer. Next, using a dicing saw, the width 200 μm and the depth 200
A linear groove of μm is formed, and a polymer core material is poured into the groove, and is cured by heating.

【0059】その後、表面を研磨して、平滑な表面と
し、その上にスパッタ法によりチタンを数十Å形成し、
さらにその上にスパッタ法により金を形成し、合わせて
500Åの金属薄膜を形成する。金属薄膜の上にはUV
硬化型高分子クラッド材を塗布し、マスクを用いて必要
部分を硬化させ、試料のための簡易なセルを作製する。
Thereafter, the surface is polished to a smooth surface, and several tens of titanium are formed thereon by sputtering,
Further, gold is formed thereon by sputtering, and a metal thin film having a total thickness of 500 ° is formed. UV on metal thin film
A hardening type polymer clad material is applied, and a necessary part is hardened using a mask, thereby producing a simple cell for a sample.

【0060】このままでは金属薄膜上に不純物がついて
いる可能性があるので、反応性イオンエッチング法(R
eactive Ion Etching:以下RIE
法とする)で軽くドライエッチングを行い、不純物を取
り除いたほうがよい。
Since there is a possibility that impurities may be present on the metal thin film as it is, the reactive ion etching method (R
active Ion Etching: RIE
It is better to perform dry etching lightly to remove impurities.

【0061】以上の方法により、図1のような導波路コ
アが直線形状で、断面形状が200×200μmであ
り、コアの上に金属薄膜を有し、試料のためのセルを有
したSPR現象計測チップを作製することができる。
According to the above method, the SPR phenomenon in which the waveguide core as shown in FIG. 1 has a linear shape, a cross-sectional shape of 200 × 200 μm, a metal thin film on the core, and a cell for a sample. A measurement chip can be manufactured.

【0062】この直線導波路コアを、ひとつのチップ上
に多数作製すれば簡単に多チャンネル計測のできる、図
8〜12のようなSPR現象計測チップを作製すること
ができる。
If a large number of such linear waveguide cores are manufactured on one chip, an SPR phenomenon measurement chip as shown in FIGS. 8 to 12, which can easily perform multi-channel measurement, can be manufactured.

【0063】このSPR現象計測チップを光学接続する
ために光ファイバを使用する手法は以下のようになる。
ガラスブロックにV字の溝を切り、溝にクラッド径25
0μm、コア径200μmの光ファイバを埋め込み、そ
の上からガラス板で挟み込みUV接着剤で固定する。光
ファイバを固定したガラスブロックのSPR現象計測チ
ップと接続する面を光学研磨し、SPR現象計測チップ
側も光学研磨する。光ファイバを固定したガラスブロッ
クとSPR現象計測チップは、光通信用導波路の光ファ
イバアレイとの接続装置を用いて簡単に接続することが
できる。
The method of using an optical fiber for optically connecting the SPR phenomenon measuring chip is as follows.
Cut a V-shaped groove in the glass block, and put a clad diameter 25 in the groove.
An optical fiber having a diameter of 0 μm and a core diameter of 200 μm is embedded, sandwiched between the glass fibers from above, and fixed with a UV adhesive. The surface of the glass block to which the optical fiber is fixed is connected to the SPR phenomenon measuring chip by optical polishing, and the SPR phenomenon measuring chip side is also optically polished. The glass block to which the optical fiber is fixed and the SPR phenomenon measurement chip can be easily connected using a connection device for connecting the optical communication waveguide to the optical fiber array.

【0064】図8のような多数のコアを持つSPR現象
計測チップにおいても、V字型の溝を複数作製し、その
溝と溝のピッチを、導波路のコア間のピッチと同じに
し、接続装置を用いて接続することが簡単にできる。
Also in the SPR phenomenon measuring chip having a large number of cores as shown in FIG. 8, a plurality of V-shaped grooves are formed, and the pitch between the grooves is made the same as the pitch between the cores of the waveguide. It can be easily connected using the device.

【0065】光の入射側、出射側に接続した光ファイバ
にはコネクタを作製すれば、光源、分光器への接続が非
常に容易になり、また、光源、分光器の種類を換えなが
ら測定することも可能である。
If connectors are formed on the optical fibers connected to the light input side and the light output side, connection to the light source and the spectroscope becomes very easy, and measurement is performed while changing the type of the light source and the spectrometer. It is also possible.

【0066】[0066]

【実施例2】直径10cm、厚さ1mmの透明のガラス
ウェハ基板上に、前記構造式2のエポキシ系オリゴマ材
料で屈折率1.5185(波長633nm)となる膜厚
40μmのクラッド材料を塗布した。紫外線露光、硬化
後この上に同じエポキシ系材料で屈折率1.5394
(波長633nm)の導波路コア材料を塗布、幅62.
5μmのU字パターンマスクを通して紫外線照射し、露
光後現像により露光硬化した部分以外を溶解除去し、U
字形状のコアを形成した。この上に前クラッド材と同様
の材料を40μm塗布、静置後、コアの一部を露出させ
るパターンマスクを通して紫外線照射し、硬化、未硬化
部分を溶解、除去した。
EXAMPLE 2 A 40 μm-thick cladding material having a refractive index of 1.5185 (wavelength: 633 nm) of the epoxy-based oligomer material of the structural formula 2 was applied on a transparent glass wafer substrate having a diameter of 10 cm and a thickness of 1 mm. . After ultraviolet light exposure and curing, the same epoxy-based material has a refractive index of 1.5394
(Wavelength 633 nm) of a waveguide core material, width 62.
UV irradiation through a 5 μm U-shaped pattern mask, dissolving and removing portions other than those exposed and cured by post-exposure development,
A letter-shaped core was formed. The same material as the pre-cladding material was applied thereon at 40 μm and allowed to stand, and then irradiated with ultraviolet light through a pattern mask exposing a part of the core to dissolve and remove cured and uncured portions.

【0067】以上の方法により、図6のような導波路コ
アがU字形状で、コアの断面形状が10×10μmであ
り、コアの上に金属薄膜を有したSPR現象計測チップ
を作製することが可能である。
By the above method, an SPR phenomenon measuring chip having a U-shaped waveguide core, a cross-sectional shape of 10 × 10 μm, and a metal thin film on the core as shown in FIG. Is possible.

【0068】また、U字形状のコアを作製した後、クラ
ッド層を50μm作製する。その後、U字形状のコアの
側面をダイシングソーでカットし、コアの側面に直接接
する形で金属薄膜を形成すれば、図7のような導波路コ
アがU字形状で、コアの断面形状が50×50μmであ
り、コアの側面に金属薄膜を有したSPR現象計測チッ
プを作製することができる。
After forming the U-shaped core, a cladding layer is formed to a thickness of 50 μm. Thereafter, the side surface of the U-shaped core is cut with a dicing saw and a metal thin film is formed in direct contact with the side surface of the core, so that the waveguide core as shown in FIG. An SPR phenomenon measurement chip having a size of 50 × 50 μm and having a metal thin film on the side surface of the core can be manufactured.

【0069】これら、U字形状の導波路コアを持つSP
R現象計測チップは光ファイバとの接続は1回で済むと
いう利点がある。ガラスブロックにV字型の溝を2本形
成し、この溝に光ファイバを埋め込み、ガラス板で挟み
込みUV接着剤で固定する。この時、2本の溝の幅は、
U字形状の光ファイバの入射側と出射側の間の距離と同
じにする。この、2本の光ファイバを固定したガラスブ
ロックを前述の接続装置でSPR現象計測チップと接続
する。
These SPs having a U-shaped waveguide core
The R phenomenon measuring chip has an advantage that the connection with the optical fiber only needs to be made once. Two V-shaped grooves are formed in the glass block, an optical fiber is embedded in the grooves, sandwiched between glass plates, and fixed with a UV adhesive. At this time, the width of the two grooves is
The distance between the entrance side and the exit side of the U-shaped optical fiber is set to be the same. The glass block to which the two optical fibers are fixed is connected to the SPR phenomenon measurement chip by the connection device described above.

【0070】[0070]

【実施例3】シリコンの基板上にクロムを1μm程度ス
パッタし、高分子クラッド材をスピンコート法で塗布
し、加熱して、クラッド層を50μm形成する。その
後、UV感光性コア材として、以下に示す構造式を有す
る液状のエポキシオリゴマと光重合開始剤2wt%を調
整した溶液を準備した。
Embodiment 3 Chromium is sputtered on a silicon substrate to a thickness of about 1 μm, a polymer cladding material is applied by spin coating, and heated to form a cladding layer of 50 μm. Thereafter, a solution prepared by adjusting a liquid epoxy oligomer having the following structural formula and a photopolymerization initiator of 2 wt% was prepared as a UV photosensitive core material.

【0071】[0071]

【化11】 Embedded image

【0072】UV感光性コア材を同様にスピンコート法
で塗布し、所望の形状のコアが作製できるようにパター
ンのついたマスクを通してUV光を照射し、硬化させ
る。コアの高さは10μmとする。未硬化部分は溶剤で
除去し、その後、高分子クラッド材をコアの上50μm
の厚さになるように塗布、加熱し、硬化する。
A UV-sensitive core material is similarly applied by a spin coating method, and is irradiated with UV light through a patterned mask so as to form a core having a desired shape, followed by curing. The height of the core is 10 μm. The uncured part is removed with a solvent, and then the polymer clad material is placed 50 μm above the core.
Apply, heat and cure to a thickness of

【0073】そして、ダイシングソーの歯の形状が45
°になっているもので、導波路コアと垂直の方向へ、シ
リコン基板までカットする。カット後、基板全体をクロ
ム溶解溶液中に浸し、クロムを溶かし、高分子導波路部
分をシリコン基板から剥離する。すると、先端を45°
にカットした導波路が2枚できるので、その2枚を貼り
合わせ、カットした表面に金属薄膜をスパッタする。
Then, the shape of the teeth of the dicing saw is 45
°, and cut to the silicon substrate in the direction perpendicular to the waveguide core. After cutting, the entire substrate is immersed in a chromium dissolving solution to dissolve the chromium, and the polymer waveguide portion is peeled off from the silicon substrate. Then, the tip is 45 °
The two cut waveguides are formed, and the two are bonded together, and a metal thin film is sputtered on the cut surface.

【0074】以上の方法により、図13のような2本の
導波路を有し、先端を45°に尖鋭化し、金属薄膜を形
成したSPR現象計測チッブを作製することが可能であ
る。
By the above method, it is possible to manufacture an SPR phenomenon measurement chip having two waveguides as shown in FIG. 13, having a sharpened tip at 45 ° and forming a metal thin film.

【0075】[0075]

【実施例4】ガラスの基板上に、高分子クラッド材をス
ピンコート法で塗布し、加熱して、クラッド層を50μ
m形成する。その後、UV感光性コア材として、以下に
示す構造式で表されるイミドポリゴマと光重合開始剤2
wt%を調整した溶液を準備した。
Embodiment 4 A polymer clad material was applied on a glass substrate by spin coating, and heated to form a clad layer having a thickness of 50 μm.
m. Thereafter, as a UV photosensitive core material, imide polygoma represented by the following structural formula and photopolymerization initiator 2
A solution in which wt% was adjusted was prepared.

【0076】[0076]

【化12】 Embedded image

【0077】UV感光性コア材を同様にスピンコート法
で塗布し、所望の形状のコアが作製できるようにパター
ンのついたマスクを通してUV光を照射し、硬化させ
る。コアの高さは10μmとする。未硬化部分は溶剤で
除去し、その後、高分子クラッド材をコアの上50μm
の厚さになるように塗布、加熱し、硬化する。次に、ダ
イシングソーを用いて、コアと45°の角度で切断し、
切断面は光学研磨し、金属薄膜を形成する。
A UV-sensitive core material is similarly applied by a spin coating method, and is irradiated with UV light through a mask provided with a pattern so as to form a core having a desired shape, and is cured. The height of the core is 10 μm. The uncured part is removed with a solvent, and then the polymer clad material is placed 50 μm above the core.
Apply, heat and cure to a thickness of Next, using a dicing saw, cut at an angle of 45 ° with the core,
The cut surface is optically polished to form a metal thin film.

【0078】なお、45度の入射角度で金属薄膜に入射
されて光は、反射してクラッドを伝播するため、反射し
た先には光検出器を置く必要があるが、反射方向にもコ
アを作製することによって、反射光を光ファイバで取り
出すこともできる。
Since the light incident on the metal thin film at an incident angle of 45 degrees is reflected and propagates through the clad, it is necessary to place a photodetector at the point where the light is reflected. By manufacturing, reflected light can be extracted with an optical fiber.

【0079】以上の方法により、45°の角度で切断さ
れた導波路端面の、金属薄膜で反射した光を計測するタ
イプのSPR現象計測チップを作製することが可能であ
る。
By the above-described method, it is possible to manufacture an SPR phenomenon measuring chip of a type for measuring the light reflected by the metal thin film on the end face of the waveguide cut at an angle of 45 °.

【0080】このタイプの導波路コアを多数並べて作製
すると、図8のようなマルチチャンネルのSPR現象計
測チップが作製でき、さらにこの導波路を何枚も重ねれ
ば面方向のマルチチャンネル化が可能である。
By arranging a large number of waveguide cores of this type side by side, a multi-channel SPR phenomenon measuring chip as shown in FIG. 8 can be manufactured. It is.

【0081】[0081]

【実施例5】実施例1と同じ方法で金属薄膜まで形成し
た後、UV感光性クラッド材として、以下の構造式で表
されるアクリルオリゴマを光重合開始剤2wt%を調整
した溶液を準備した。
Example 5 After a metal thin film was formed in the same manner as in Example 1, a solution prepared by adjusting an acrylic oligomer represented by the following structural formula to a photopolymerization initiator of 2 wt% was prepared as a UV-sensitive cladding material. .

【0082】[0082]

【化13】 Embedded image

【0083】UV硬化性高分子クラッドをスピンコート
法で塗布し、流路を作製できるようなパターンのマスク
を用いて、UVを照射する。もちろん流路部分はSPR
現象計測領域に重なっている。未硬化部分を溶剤で除去
した後に、流路の入口、出口にキャピラリーを取りつ
け、UV接着剤で固定する。その後、チップ全体を天板
で蓋をする。
A UV-curable polymer clad is applied by spin coating, and UV is irradiated using a mask having a pattern capable of forming a flow path. Of course, the flow path is SPR
It overlaps the phenomenon measurement area. After removing the uncured portion with a solvent, capillaries are attached to the inlet and outlet of the flow channel and fixed with a UV adhesive. Thereafter, the entire chip is covered with a top plate.

【0084】以上の方法により、図18のようなフロー
セルが一体化されたSPR現象計測チップを作製するこ
とが可能である。
By the above-described method, it is possible to manufacture an SPR phenomenon measuring chip in which a flow cell as shown in FIG. 18 is integrated.

【0085】[0085]

【実施例6】ガラス基板上にCrを1μmほどスパッタ
法により形成し、その上にコアとなるUV硬化性高分子
材料を厚さ62.5μmとなるように、塗布し、マスク
を通してUV光を照射し、コアの部分のみ硬化させる。
Embodiment 6 Cr is formed by about 1 μm on a glass substrate by a sputtering method, and a UV-curable polymer material serving as a core is applied thereon so as to have a thickness of 62.5 μm, and UV light is applied through a mask. Irradiate and cure only the core.

【0086】未硬化部分は有機溶剤で除去し、その上に
クラッドとなる高分子材料を塗布し硬化させる。その上
に、ガラス基板を貼り付け、Crを溶解する溶剤に浸漬
し、最初のガラス基板を剥離する。
The uncured portion is removed with an organic solvent, and a polymer material serving as a clad is applied thereon and cured. A glass substrate is stuck thereon, immersed in a solvent that dissolves Cr, and the first glass substrate is peeled off.

【0087】剥離した面は平滑な面となっており、研磨
などの特別な手法を必要としない。その剥離した面にU
V硬化性のオーバークラッドを塗布し、計測表面を除い
て、硬化させ、その上に接着性を高めるTiを50Å、
Auを450Å、スパッタ法により形成する。
The peeled surface is a smooth surface and does not require a special method such as polishing. U on the peeled surface
Apply V-curable overcladding, harden except for the measurement surface, and apply Ti on it to increase the adhesion to 50 °
Au is formed at 450 ° by a sputtering method.

【0088】作製した光導波路型SPR現象計測チップ
の概略図を図19に示す。図中、(a)は平面図、
(b)は側面図、(c)は図(a)のA−A断面図であ
る。光導波路のコア9はひとつのSPR現象計測チップ
に4本作製し、コアは断面形状が62.5×62.5μ
mとし、直線形状とした。そして、SPR現象計測チッ
プへの光の入出力には62.5μmコア、125μm外
径の光ファイバ30を用いた。オーバークラッド10は
図中斜線の部分には形成せず、その部分では光導波路の
コア9と金属薄膜5が直接接しており、SPR現象を引
き起こす配置となっている。
FIG. 19 is a schematic diagram of the manufactured optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip. In the figure, (a) is a plan view,
(B) is a side view, and (c) is an AA cross-sectional view of FIG. Four optical waveguide cores 9 were fabricated on one SPR phenomenon measurement chip, and the cores had a cross-sectional shape of 62.5 × 62.5 μm.
m and a linear shape. An optical fiber 30 having a core of 62.5 μm and an outer diameter of 125 μm was used for inputting and outputting light to the SPR phenomenon measurement chip. The overcladding 10 is not formed in the shaded portion in the figure, and in that portion, the core 9 of the optical waveguide and the metal thin film 5 are in direct contact, and are arranged to cause the SPR phenomenon.

【0089】光ファイバをハロゲンランプ、分光器へ接
続し、実際に測定した結果を図20、図21に示す。
The optical fiber was connected to a halogen lamp and a spectroscope, and the results of actual measurement are shown in FIGS.

【0090】図20では、試料無しの(空気を試料とし
た)場合のスペクトルと、計測領域に水を滴下した場合
のスペクトルを示している。水を滴下することによりS
PR現象が生じ、透過率が減少していることがわかる。
また、図21には試料を水(aで示す)、1wt%KC
l(bで示す)、10wt%KCl溶液(cで示す)と
して測定を行った。各溶液の屈折率の違いからスペクト
ルに変化が現れていることがわかり、SPR現象測定に
十分な性能を発揮していることがわかる。
FIG. 20 shows a spectrum when there is no sample (air is used as a sample) and a spectrum when water is dropped on the measurement area. By dropping water, S
It can be seen that the PR phenomenon has occurred and the transmittance has decreased.
FIG. 21 shows that the sample was made of water (shown by a), 1 wt% KC
The measurement was performed as 1 (shown by b) and a 10 wt% KCl solution (shown by c). From the difference in the refractive index of each solution, it can be seen that a change has appeared in the spectrum, indicating that the solution exhibits sufficient performance for measuring the SPR phenomenon.

【0091】[0091]

【実施例7】実施例8と同様な方法により、UV硬化性
高分子材料として以下の構造式で表されるアクリルオリ
ゴマと光重合開始剤2wt%を調整した溶液を用い、光
導波路型SPR現象計測チップを作製した。
Example 7 An optical waveguide type SPR phenomenon was performed in the same manner as in Example 8 by using a solution prepared by adjusting an acrylic oligomer represented by the following structural formula and 2 wt% of a photopolymerization initiator as a UV-curable polymer material. A measurement chip was prepared.

【0092】[0092]

【化14】 Embedded image

【0093】[0093]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
汎用性・生産性の高い光導波路作製技術を用いて製造す
るため、小型で交換に便利であり、かつ複数箇所の同時
測定可能なセンサや複数の試料を検出できる多チャンネ
ルセンサなど、様々な機能を容易に付加することができ
る光導波路型SPR現象計測チップを提供できる。ま
た、光導波路型SPR現象計測チップの製造方法によれ
ば、光導波路のコアを一つのチップ上に多数作製した
り、途中で分岐するなど、様々な機能を持たせることが
でき、それらのSPR現象計測チップを安価で多量に作
製することが可能である。
As described above, according to the present invention,
Since it is manufactured using optical waveguide fabrication technology with high versatility and productivity, it has various functions such as a sensor that is compact, easy to replace, and can simultaneously measure at multiple locations, and a multi-channel sensor that can detect multiple samples. Can be easily provided. Further, according to the method of manufacturing the optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip, various functions can be provided, such as manufacturing a large number of optical waveguide cores on one chip or branching in the middle. It is possible to produce a large number of phenomenon measuring chips at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による光導波路型SPR現象計測チップ
の一態様の斜視図。
FIG. 1 is a perspective view of one embodiment of an optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip according to the present invention.

【図2】光導波路型SPR現象計測チップの製造方法の
説明図。
FIG. 2 is an explanatory view of a method of manufacturing an optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip.

【図3】光導波路型SPR現象計測チップの製造方法の
説明図。
FIG. 3 is an explanatory view of a method of manufacturing an optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip.

【図4】光導波路型SPR現象計測チップの製造方法の
説明図。
FIG. 4 is an explanatory view of a method for manufacturing an optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip.

【図5】直線コア形状の光導波路型SPR現象計測チッ
プの概略図。
FIG. 5 is a schematic view of an optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip having a linear core shape.

【図6】U字コア形状の光導波路型SPR現象計測チッ
プの概略図。
FIG. 6 is a schematic view of an optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip having a U-shaped core.

【図7】U字コア形状(側面計測表面)の光導波路型S
PR現象計測チップの概略図。
FIG. 7 shows an optical waveguide type S having a U-shaped core (side surface measurement surface).
Schematic diagram of a PR phenomenon measurement chip.

【図8】複数コアを有する光導波路型SPR現象計測チ
ップの概略図。
FIG. 8 is a schematic diagram of an optical waveguide type SPR phenomenon measurement chip having a plurality of cores.

【図9】Y分岐を有する光導波路型SPR現象計測チッ
プの概略図。
FIG. 9 is a schematic diagram of an optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip having a Y-branch.

【図10】光カプラを有する光導波路型SPR現象計測
チップの概略図。
FIG. 10 is a schematic view of an optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip having an optical coupler.

【図11】スラブ導波路を有する光導波路型SPR現象
計測チップの概略図。
FIG. 11 is a schematic view of an optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip having a slab waveguide.

【図12】マルチチャンネル光導波路型SPR現象計測
チップの概略図。
FIG. 12 is a schematic diagram of a multi-channel optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip.

【図13】側面反射型光導波路型SPR現象計測チップ
の概略図。
FIG. 13 is a schematic diagram of a side reflection type optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip.

【図14】光導波路の先端を計測表面とした光導波路型
SPR計測現象チップの概略図。
FIG. 14 is a schematic view of an optical waveguide type SPR measurement phenomenon chip having a tip of the optical waveguide as a measurement surface.

【図15】光導波路とプリズムを組合せた光導波路型S
PR計測現象チップの概略図。
FIG. 15 shows an optical waveguide type S in which an optical waveguide and a prism are combined.
Schematic diagram of a PR measurement phenomenon chip.

【図16a】図14の光導波路型計測チップの製造方法
の説明図。
FIG. 16a is an explanatory view of the method for manufacturing the optical waveguide measurement chip of FIG.

【図16b】図14の光導波路型計測チップの製造方法
の説明図。
16b is an explanatory diagram of the method for manufacturing the optical waveguide measurement chip in FIG.

【図16c】図14の光導波路型計測チップの製造方法
の説明図。
16c is an explanatory diagram of the method for manufacturing the optical waveguide measurement chip in FIG.

【図16d】図14の光導波路型計測チップの製造方法
の説明図。
16D is an explanatory diagram of the method for manufacturing the optical waveguide measurement chip in FIG.

【図16e】図14の光導波路型計測チップの製造方法
の説明図。
FIG. 16e is an explanatory view of the method for manufacturing the optical waveguide measurement chip of FIG.

【図17】光ファイバスプライス、光ファイバアレイに
より光ファイバと接続した光導波路型SPR現象計測チ
ップの斜視図。
FIG. 17 is a perspective view of an optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip connected to an optical fiber by an optical fiber splice and an optical fiber array.

【図18】金属薄膜上に流路を形成した光導波路型SP
R現象計測チップの斜視図。
FIG. 18 shows an optical waveguide type SP having a flow path formed on a metal thin film.
The perspective view of an R phenomenon measurement chip.

【図19】実施例8により作製した光導波路型SPR現
象計測チップの概略図。
FIG. 19 is a schematic view of an optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip manufactured according to an eighth embodiment.

【図20】実施例8による測定結果を示す図。FIG. 20 is a view showing a measurement result according to Example 8.

【図21】実施例8による測定結果を示す図。FIG. 21 is a view showing a measurement result according to Example 8.

【図22】従来の入射角計測タイプにおけるSPR現象
測定装置の概略図。
FIG. 22 is a schematic diagram of a conventional SPR phenomenon measurement device in an incident angle measurement type.

【図23】従来のスペクトル計測タイプにおけるSPR
現象測定装置の概略図。
FIG. 23 shows an SPR in a conventional spectrum measurement type.
The schematic diagram of a phenomenon measuring device.

【図24】図22で構成される装置を用いてSPR現象
を計測した結果を示す図。
FIG. 24 is a view showing a result of measuring an SPR phenomenon using the apparatus configured in FIG. 22;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 光源 2 偏光板(偏光子) 3 レンズ 4 高屈折率プリズム 5 金属薄膜 6 試料(被測定物) 7 光電子検出器 8 クラッド 9 導波路コア 10 オーバークラッド 11 入射光 12 出射光 13 溝 14 光学平面を有する基板 15 1μm程度のクロム膜(犠牲層) 16 透明に表記の金属薄膜 17 Y分岐 18 カプラ 19 スラブ導波路 20 PSD 21 プリズム 22 ブレード 23 光ファイバスプライス(光ファイバアレイ) 24 光フアイバ 25 光ファイバコネクタ 26 計測表面上に配した流路 27 キャピラリー(試料を流すための配管) 28 天板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light source 2 Polarizer (polarizer) 3 Lens 4 High refractive index prism 5 Metal thin film 6 Sample (measured object) 7 Photoelectron detector 8 Cladding 9 Waveguide core 10 Overcladding 11 Incident light 12 Outgoing light 13 Groove 14 Optical plane Substrate having chromium 15 Chromium film of about 1 μm (sacrifice layer) 16 Metal thin film written transparently 17 Y branch 18 Coupler 19 Slab waveguide 20 PSD 21 Prism 22 Blade 23 Optical fiber splice (optical fiber array) 24 Optical fiber 25 Optical fiber Connector 26 Flow path arranged on measurement surface 27 Capillary (piping for flowing sample) 28 Top plate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩崎 弦 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 堀内 勉 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 飛田 達也 東京都新宿区西新宿二丁目1番1号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内 (72)発明者 田部井 久男 東京都新宿区西新宿二丁目1番1号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内 (72)発明者 今村 三郎 東京都新宿区西新宿二丁目1番1号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内 Fターム(参考) 2G059 AA05 EE02 EE05 EE12 GG00 JJ12 JJ17 JJ19 JJ22 KK01 KK04 2H047 KA03 KA12 KA15 KB04 LA12 NA01 QA05 RA01  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Gen Iwasaki 2-3-1 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Inside Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Tsutomu Horiuchi 2-3-3 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo 1 Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Tatsuya Tobita NTT Advanced Technology Co., Ltd. 2-1-1 Nishi Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo (72) Inventor Hisao Tabei Tokyo (1-1) Nishi Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, NTT Advanced Technology Co., Ltd. (72) Inventor Saburo Imamura 2-1-1, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo F-term in technology company (reference) 2G059 AA05 EE02 EE05 EE12 GG00 JJ12 JJ17 JJ19 JJ22 KK01 KK04 2H047 KA03 KA12 KA15 KB04 LA12 NA01 QA05 RA01

Claims (24)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 コアと前記コアの周囲に設けられたクラ
ッドとを備え、前記コアは前記クラッドより高い屈折率
を有し、前記コアに入射した光を閉じ込めて伝播する光
導波路と、前記コアに少なくとも一部が直接接触し、か
つ表面プラズモン共鳴現象を起こす金属薄膜とを備えた
光導波路型SPR現象計測チップであって、前記コアを
伝播する光を計測することによって表面プラズモン共鳴
現象を測定される試料が前記金属薄膜に接触するように
設けられることを特徴とする光導波路型SPR現象計測
チップ。
An optical waveguide having a core and a cladding provided around the core, the core having a higher refractive index than the cladding, and confining and propagating light incident on the core; An SPR phenomenon measuring chip having a metal thin film that at least partially contacts the surface and causes a surface plasmon resonance phenomenon, wherein the surface plasmon resonance phenomenon is measured by measuring light propagating through the core. An optical waveguide type SPR phenomenon measurement chip, wherein a sample to be measured is provided so as to contact the metal thin film.
【請求項2】 前記光導波路のコアは複数であり、前記
コアのそれぞれに少なくとも一部が接触するようにそれ
ぞれ金属薄膜を設けたことを特徴とする請求項1に記載
の光導波路型SPR現象計測チップ。
2. The optical waveguide type SPR phenomenon according to claim 1, wherein the optical waveguide has a plurality of cores, and each of the cores is provided with a metal thin film so that at least a part thereof is in contact with each of the cores. Measurement chip.
【請求項3】 前記光導波路のコアは分岐構造を有し、
前記分岐構造によって、出射側のコアは複数本になると
ともに、分岐したコアに少なくとも一部が接触するよう
に金属薄膜を形成したことを特徴とする請求項1に記載
の光導波路型SPR現象計測チップ。
3. The core of the optical waveguide has a branch structure,
2. The optical waveguide type SPR phenomenon measurement according to claim 1, wherein the output side has a plurality of cores by the branch structure, and a metal thin film is formed so that at least a part thereof comes into contact with the branch core. 3. Chips.
【請求項4】 分岐構造が、Y分岐、光カプラ、スラブ
導波路のいずれかあるいは組み合わせであることを特徴
とする請求項3に記載の光導波路型SPR現象計測チッ
プ。
4. The optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip according to claim 3, wherein the branching structure is any one or a combination of a Y branch, an optical coupler, and a slab waveguide.
【請求項5】 分岐構造が、スイッチ機能を持つことを
特徴とする請求項3に記載の光導波路型SPR現象計測
チップ。
5. The optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip according to claim 3, wherein the branch structure has a switching function.
【請求項6】 光導波路のコアの一方の端面に入射され
た光を逆方向へ反射する機能を有する表面プラズモン共
鳴現象を起こす金属薄膜を設けるか、あるいは入射され
光を逆方向へ反射する機能を有する前記端面までのコア
上に表面プラズモン共鳴現象を起こす金属薄膜を備えた
ことを特徴とする請求項1に記載の光導波路型SPR現
象計測チップ。
6. A metal thin film which causes a surface plasmon resonance phenomenon having a function of reflecting light incident on one end face of a core of an optical waveguide in a reverse direction, or a function of reflecting incident light in a reverse direction. The optical waveguide type SPR phenomenon measurement chip according to claim 1, further comprising a metal thin film that causes a surface plasmon resonance phenomenon on the core up to the end face having the following.
【請求項7】 前記光導波路は、前記光導波路に垂直に
形成された前記金属薄膜に、ある入射角で向かう、光を
入射するコアと、前記光を入射するコアと接続し、かつ
前記金属薄膜で反射された表面プラズモン共鳴現象の影
響を受けた光を伝播し、出射するコアとを有することを
特徴とする請求項1に記載の光導波路型SPR現象計測
チップ。
7. The optical waveguide, wherein the optical waveguide is connected to a light-entering core, the light-entering core, which is directed at a certain incident angle to the metal thin film formed perpendicularly to the optical waveguide, and The optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip according to claim 1, further comprising a core that propagates and emits light affected by the surface plasmon resonance phenomenon reflected by the thin film.
【請求項8】 前記光導波路は2本の平行に並んだコア
を有し、前記光導波路の先端は傾斜した45°の角度で
尖鋭化してあり、尖鋭化した表面に金属薄膜が形成さ
れ、一方のコアに光を入射すると、尖鋭化した表面で光
が反射し、他方のコアから表面プラズモン共鳴現象の影
響を受けた反射光が出射されるようにしたことを特徴と
する請求項1に記載の光導波路型SPR現象計測チッ
プ。
8. The optical waveguide has two cores arranged in parallel, a tip of the optical waveguide is sharpened at an inclined angle of 45 °, and a metal thin film is formed on the sharpened surface. 2. The method according to claim 1, wherein when light is incident on one of the cores, the light is reflected by the sharpened surface, and reflected light affected by the surface plasmon resonance phenomenon is emitted from the other core. The optical waveguide type SPR phenomenon measurement chip as described in the above.
【請求項9】 前記光導波路は2本の光導波路コアを有
し、前記光導波路の先端にプリズムが固定してあり、前
記プリズムの表面に金属薄膜が形成され、一方のコアに
光を入射すると、他方のコアから表面プラズモン共鳴現
象の影響を受けた反射光が出射されるようにしたことを
特徴とする請求項1に記載の光導波路型SPR現象計測
チップ。
9. The optical waveguide has two optical waveguide cores, a prism is fixed to a tip of the optical waveguide, a metal thin film is formed on the surface of the prism, and light is incident on one of the cores. 2. The optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip according to claim 1, wherein reflected light affected by the surface plasmon resonance phenomenon is emitted from the other core.
【請求項10】 前記光導波路は光の伝播方向における
金属薄膜の上流のコア部分に溝が形成され、前記溝に偏
光板を組み込むことによって、もしくは前記コアの入射
端面または出射端面に偏光板を貼り付けることによっ
て、p偏光光を計測することのできるようにしたことを
特徴とする請求項1に記載の光導波路型SPR現象計測
チップ。
10. The optical waveguide, wherein a groove is formed in a core portion upstream of the metal thin film in a light propagation direction, and a polarizing plate is incorporated in the groove, or a polarizing plate is provided on an incident end face or an output end face of the core. 2. The optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip according to claim 1, wherein the optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip can be measured by attaching it.
【請求項11】 前記光導波路は光を入射側のコアと光
を出射する出射側のコアとを有し、その断面寸法は、入
射側のコアの方が大きいことを特徴とする請求項1に記
載の光導波路型SPR現象計測チップ。
11. The optical waveguide according to claim 1, wherein the optical waveguide has a core on a light incident side and a core on a light emitting side for emitting light, and a cross-sectional dimension of the core on the light incident side is larger. 2. The optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip according to 1.
【請求項12】 金属薄膜上に試料が流れるように流路
が形成してあることを特徴とする請求項1に記載の光導
波路型SPR現象計測チップ。
12. The optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip according to claim 1, wherein a channel is formed so that the sample flows on the metal thin film.
【請求項13】 透明なクラッド基板にコアを形成する
ための所望の形状を持つ溝を形成する工程、その溝にク
ラッド材基板よりも屈折率の高いコアを形成する工程、
形成されたコア上に、表面プラズモン共鳴現象を起こす
金属薄膜を形成し、前記金属薄膜部分を除いた部分に、
前記コアよりも屈折率の低いオーバークラッドを形成す
る工程を含むことを特徴とする光導波路型SPR現象計
測チップの製造方法。
13. A step of forming a groove having a desired shape for forming a core on a transparent clad substrate, a step of forming a core having a higher refractive index than the clad material substrate in the groove.
On the formed core, a metal thin film causing a surface plasmon resonance phenomenon is formed, and in a portion excluding the metal thin film portion,
A method for manufacturing an optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip, comprising a step of forming an over cladding having a lower refractive index than the core.
【請求項14】 透明なクラッド基板の上に、所望の形
状を持つ、クラッドよりも屈折率の高いコアを形成する
工程、そのコアの高さと同じになるようにクラッドを形
成する工程、前記コアの上に、表面プラズモン共鳴現象
を起こす金属薄膜を形成し、金属薄膜部分を除いた部分
に、コアよりも屈折率の低いオーバークラッドを形成す
る工程を含むことを特徴とする光導波路型SPR現象計
測チップの製造方法。
14. A step of forming a core having a desired shape and a refractive index higher than that of the clad on a transparent clad substrate, a step of forming the clad so as to have the same height as the core, Forming a metal thin film causing a surface plasmon resonance phenomenon thereon, and forming an over cladding having a lower refractive index than the core in a portion excluding the metal thin film portion. Manufacturing method of measuring chip.
【請求項15】 光学平面を有する基板上に溶解が容易
な金属犠牲層を形成する工程、前記金属犠牲層上に、所
望の形状を持つ、クラッドよりも屈折率の高いコアを形
成する工程、前記コアの上に、コアよりも厚くクラッド
を形成する工程、前記犠牲層を溶解する溶解液中に浸漬
し、犠牲層を溶解し、光学平面を有する基板を取り外す
工程、コアが露出している面の上に、表面プラズモン共
鳴現象を起こす金属薄膜を形成する工程、前記金属薄膜
部分を除いた部分に、コアよりも屈折率の低いオーバー
クラッドを形成する工程を含むことを特徴とする光導波
路型SPR現象計測チップの製造方法。
15. A step of forming a readily dissolvable metal sacrificial layer on a substrate having an optical plane, a step of forming a core having a desired shape and a refractive index higher than that of a clad on the sacrificial metal layer, A step of forming a clad thicker than the core on the core, a step of dipping in a solution for dissolving the sacrificial layer, dissolving the sacrificial layer, and removing a substrate having an optical plane, the core being exposed Forming a metal thin film causing a surface plasmon resonance phenomenon on a surface, and forming an over cladding having a lower refractive index than a core in a portion excluding the metal thin film portion. Method for manufacturing type SPR phenomenon measurement chip.
【請求項16】 コアまたはクラッドを形成した後に、
切削により所望の形状のコアまたはクラッドを作製する
ことを特徴とする請求項13から15に記載のいずれか
の光導波路型SPR現象計測チップ。
16. After forming a core or cladding,
The optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip according to any one of claims 13 to 15, wherein a core or a clad having a desired shape is produced by cutting.
【請求項17】 コアまたはクラッドを形成した後に、
レジストを塗布し、マスクを通してあるいは直接かつ選
択された部分に光を照射してレジストを硬化させ、未硬
化部分は溶剤で除去した後、エッチングによりレジスト
のない部分のコアまたはクラッドを除去することによ
り、所望の形状のコアまたはクラッドを作製することを
特徴とする請求項13から15に記載のいずれかの光導
波路型SPR現象計測チップの製造方法。
17. After forming a core or cladding,
By applying resist, curing the resist by irradiating light through a mask or directly and directly to selected parts, removing the uncured part with a solvent, and then removing the core or clad of the part without resist by etching The method of manufacturing an optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip according to any one of claims 13 to 15, wherein a core or a clad having a desired shape is manufactured.
【請求項18】 コア、クラッドを形成する材料が透明
な感光性物質であり、前記材料を基板上に塗布した後、
マスクを通してあるいは直接かつ選択された部分に光を
照射して潜像パターンを形成し、場合により以上の操作
を繰り返した後、未照射部分を溶剤で除去することによ
り、所望の形状のコアまたはクラッドを作製することを
特徴とする請求項13から15に記載のいずれかの光導
波路型SPR現象計測チップの製造方法。
18. A material for forming a core and a clad is a transparent photosensitive material, and after applying the material on a substrate,
A latent image pattern is formed by irradiating light to a selected portion directly or through a mask, and after repeating the above operations as necessary, a non-irradiated portion is removed with a solvent to form a core or clad having a desired shape. The method for manufacturing an optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip according to any one of claims 13 to 15, wherein:
【請求項19】 前記透明の感光性物質が感光性のポリ
イミド系、エポキシ系、アクリル系、シリコーン系のう
ちのいずれかのオリゴマあるいはモノマであることを特
徴とする請求項18に記載の光導波路型SPR現象計測
チップの製造方法。
19. The optical waveguide according to claim 18, wherein the transparent photosensitive substance is a photosensitive polyimide, epoxy, acrylic, or silicone oligomer or monomer. Method for manufacturing type SPR phenomenon measurement chip.
【請求項20】 前記透明の感光性物質が化学構造式 【化1】 (式中、R1はビスアルキル−あるいはビスパーフルオ
ロアルキル−ベンゼン、R2はアルキル、アルキルフェ
ニレン、パーフルオロフェニレン基、R3はアルキル基
あるいはフルオロアルキル基である。)で表されるポリ
イミド系オリゴマあるいはモノマであることを特徴とす
る請求項19記載の光導波路型SPR現象計測チップの
製造方法。
20. The transparent photosensitive substance has a chemical structural formula: Wherein R 1 is a bisalkyl- or bisperfluoroalkyl-benzene, R 2 is an alkyl, alkylphenylene, perfluorophenylene group, and R 3 is an alkyl group or a fluoroalkyl group. 20. The method according to claim 19, wherein the chip is an oligomer or a monomer.
【請求項21】 前記透明の感光性物質が化学構造式 【化2】 (式中、R1、R2はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン
原子、アルキル基、アルキル基、アルコシ基またトリフ
ルオロメチル基を示し、X1、X2、X3は連結基、Yは
エポキシ基あるいは 【化3】 を示す。)で表されるエポキシ系オリゴマあるいはモノ
マであることを特徴とする請求項19記載の光導波路型
SPR現象計測チップの製造方法。
21. The transparent photosensitive substance has a chemical structural formula: (Wherein, R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkyl group, an alkoxy group, or a trifluoromethyl group; X 1 , X 2 , and X 3 represent a linking group; Group or Is shown. 20. The method for manufacturing an optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip according to claim 19, wherein the optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip is an epoxy oligomer or a monomer represented by the following formula:
【請求項22】 前記透明の感光性物質が化学構造式 【化4】 (式中、R1、R2はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン
原子、アルキル基、アルキル基、アルコシ基またトリフ
ルオロメチル基を示し、X1、X2、X3は連結基、Yは
アクリル基あるいはメタアクリル基を示す。)で表され
るアクリル系オリゴマあるいはモノマであることを特徴
とする請求項19記載の光導波路型SPR現象計測チッ
プの製造方法。
22. The transparent photosensitive substance has a chemical structural formula: (Wherein, R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkyl group, an alkoxy group, or a trifluoromethyl group, X 1 , X 2 , and X 3 represent a linking group, and Y represents an acrylic 20. The method of manufacturing an optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip according to claim 19, wherein the optical waveguide type SPR phenomenon measuring chip is an acrylic oligomer or a monomer represented by the following formula:
【請求項23】 前記透明の感光性物質が化学構造式 【化5】 (式中、Xは水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、ア
ルキル基、アルコキシ基を表し、mは1〜4の整数を表
す。x、yは各ユニットの存在割合を示し、x、yとも
にゼロであることは無い。R1、R2は、メチル基、エチ
ル基、イソプロピル基を表し、R1とR2が相等しくても
良い。)であるシリコーン系オリゴマあるいはモノマで
あることを特徴とする請求項19記載の光導波路型SP
R現象計測チップの製造方法。
23. The transparent photosensitive substance has a chemical structural formula: (In the formula, X represents a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, an alkyl group, or an alkoxy group, m represents an integer of 1 to 4. x and y show the abundance ratio of each unit. R 1 and R 2 represent a methyl group, an ethyl group, or an isopropyl group, and R 1 and R 2 may be the same.) 20. The optical waveguide type SP according to claim 19,
Manufacturing method of R phenomenon measurement chip.
【請求項24】 コアと前記コアの周囲に設けられたク
ラッドとを備え、前記コアは前記クラッドより高い屈折
率を有し、前記コアに入射した光を閉じ込めて伝播する
ようになっている光導波路と、前記コアに少なくとも一
部が直接接触する表面プラズモン共鳴現象を起こす金属
薄膜とを備えた光導波路型SPR現象計測チップの前記
金属薄膜に接触するように試料を設け、前記コアより光
を入射し、前記コアを伝播した光を計測することによ
り、前記金属薄膜に接した試料の屈折率の影響を受けた
表面プラズモン共鳴現象を測定することを特徴とするS
PR現象計測方法。
24. An optical waveguide comprising: a core; and a cladding provided around the core, wherein the core has a higher refractive index than the cladding and is configured to confine and propagate light incident on the core. A sample is provided so as to be in contact with the metal thin film of the optical waveguide type SPR phenomenon measurement chip including a waveguide and a metal thin film that causes a surface plasmon resonance phenomenon that at least partially contacts the core, and light is emitted from the core. S is characterized by measuring surface plasmon resonance phenomena affected by the refractive index of a sample in contact with the metal thin film by measuring light that has entered and propagated through the core.
PR phenomenon measurement method.
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