JP2002122994A - Positive type photosensitive composition - Google Patents

Positive type photosensitive composition

Info

Publication number
JP2002122994A
JP2002122994A JP2001188670A JP2001188670A JP2002122994A JP 2002122994 A JP2002122994 A JP 2002122994A JP 2001188670 A JP2001188670 A JP 2001188670A JP 2001188670 A JP2001188670 A JP 2001188670A JP 2002122994 A JP2002122994 A JP 2002122994A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
acid
resin
embedded image
photosensitive composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001188670A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2002122994A5 (en
JP4226803B2 (en
Inventor
Kunihiko Kodama
邦彦 児玉
Toshiaki Aoso
利明 青合
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP2001188670A priority Critical patent/JP4226803B2/en
Priority to TW90119052A priority patent/TWI288298B/en
Publication of JP2002122994A publication Critical patent/JP2002122994A/en
Publication of JP2002122994A5 publication Critical patent/JP2002122994A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4226803B2 publication Critical patent/JP4226803B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve a problem on a technique for enhancing performance peculiar to microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light and to provide a positive type photosensitive composition excellent in density dependence and excellent also in exposure margin. SOLUTION: The positive type photosensitive composition contains (A) a compound which generates an acid when irradiated with active light or radiation, (B) a resin which is decomposed by the action of the acid to increase its solubility in an alkali developing solution and (C) an onium salt of a carboxylic acid. The resin (B) has a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、IC等の半導体製
造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さ
らにその他のフォトファブリケーション工程に使用され
るポジ型感光性組成物に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a positive photosensitive composition used in a semiconductor manufacturing process such as an IC, a circuit board such as a liquid crystal and a thermal head, and other photofabrication processes. .

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のノボラックとナフトキノンジアジ
ド化合物から成るレジストを遠紫外光やエキシマレーザ
ー光を用いたリソグラフィーのパターン形成に用いる
と、ノボラック及びナフトキノンジアジドの遠紫外領域
に於ける吸収が強いために光がレジスト底部まで到達し
にくくなり、低感度でテーパーのついたパターンしか得
られない。
2. Description of the Related Art When a conventional resist composed of a novolak and a naphthoquinonediazide compound is used for pattern formation in lithography using deep ultraviolet light or excimer laser light, the absorption of novolak and naphthoquinonediazide in the deep ultraviolet region is strong. Light hardly reaches the bottom of the resist, and only a low-sensitivity, tapered pattern can be obtained.

【0003】このような問題を解決する手段の一つが、
米国特許第4,491,628号、欧州特許第249,1
39号等に記載されている化学増幅系レジスト組成物で
ある。化学増幅系ポジ型レジスト組成物は、遠紫外光等
の放射線の照射により露光部に酸を生成させ、この酸を
触媒とする反応によって、活性放射線の照射部と非照射
部の現像液に対する溶解性を変化させ、パターンを基板
上に形成させるパターン形成材料である。
One of the means for solving such a problem is as follows.
U.S. Pat. No. 4,491,628, EP 249,1
No. 39 or the like. The chemically amplified positive resist composition generates an acid in the exposed portion by irradiation with radiation such as far ultraviolet light, and the reaction using the acid as a catalyst dissolves the active radiation-irradiated portion and the non-irradiated portion in the developing solution. It is a pattern forming material that changes the properties and forms a pattern on a substrate.

【0004】このような例として、光分解により酸を発
生する化合物と、アセタール又はO,N−アセタール化
合物との組合せ(特開昭48−89003号公報)、オ
ルトエステル又はアミドアセタール化合物との組合せ
(特開昭51−120714号公報)、主鎖にアセター
ル又はケタール基を有するポリマーとの組合せ(特開昭
53−133429号公報)、エノールエーテル化合物
との組合せ(特開昭55−12995号公報)、N−ア
シルイミノ炭酸化合物との組合せ(特開昭55−126
236号公報)、主鎖にオルトエステル基を有するポリ
マーとの組合せ(特開昭56−17345号公報)、第
3級アルキルエステル化合物との組合せ(特開昭60−
3625号公報)、シリルエステル化合物との組合せ
(特開昭60−10247号公報)、及びシリルエーテ
ル化合物との組合せ(特開昭60−37549号、特開
昭60−121446号各公報)等を挙げることができ
る。これらは原理的に量子収率が1を越えるため、高い
感光性を示す。
Examples of such a combination include a combination of a compound capable of generating an acid by photolysis with an acetal or an O, N-acetal compound (Japanese Patent Laid-Open No. 48-89003), a combination of an orthoester or an amide acetal compound. (JP-A-51-120714), combination with a polymer having an acetal or ketal group in the main chain (JP-A-53-133429), combination with an enol ether compound (JP-A-55-12995) ), N-acyliminocarbonate compounds (JP-A-55-126)
236), a combination with a polymer having an orthoester group in the main chain (JP-A-56-17345), and a combination with a tertiary alkyl ester compound (JP-A-60-1985).
No. 3625), combinations with silyl ester compounds (JP-A-60-10247), combinations with silyl ether compounds (JP-A-60-37549 and JP-A-60-12146). Can be mentioned. These have high photosensitivity because the quantum yield exceeds 1 in principle.

【0005】同様に、酸存在下に加熱することにより分
解し、アルカリ可溶化する系として、例えば、特開昭5
9−45439号、特開昭60−3625号、特開昭6
2−229242号、特開昭63−27829号、特開
昭63−36240号、特開昭63−250642号、
特開平5−181279号各公報、Polym.En
g.Sce.,23巻、1012頁(1983);AC
S.Sym.242巻、11頁(1984);Semi
conductor World 1987年、11月
号、91頁;Macromolecules,21巻、
1475頁(1988);SPIE,920巻、42頁
(1988)等に記載されている露光により酸を発生す
る化合物と、第3級又は2級炭素(例えばt−ブチル、
2−シクロヘキセニル)のエステル又は炭酸エステル化
合物との組合せ系、特開平4−219757号、同5−
249682号、同6−65332号各公報等に記載さ
れているアセタール化合物との組み合わせ系、特開平4
−211258号、同6−65333号各公報等に記載
されているt−ブチルエーテル化合物との組み合わせ系
等が挙げられる。
[0005] Similarly, a system which is decomposed by heating in the presence of an acid and solubilized in an alkali is disclosed in, for example,
9-45439, JP-A-60-3625, JP-A-6-6
2-229242, JP-A-63-27829, JP-A-63-36240, JP-A-63-250542,
JP-A-5-181279, Polym. En
g. Sce. 23, 1012 (1983); AC
S. Sym. 242, 11 (1984); Semi
conductor World, 1987, November, p. 91; Macromolecules, 21,
1475 (1988); SPIE, vol. 920, p. 42 (1988), etc., and a compound capable of generating an acid upon exposure to a tertiary or secondary carbon (for example, t-butyl,
2-cyclohexenyl) in combination with an ester or carbonate compound, JP-A-4-219775,
Nos. 2,496,682 and 6,65,332, and the like, in combination with an acetal compound described in
And combinations with t-butyl ether compounds described in JP-A-212258 and JP-A-6-65333.

【0006】これらの系は、主として248nm領域で
の吸収の小さい、ポリ(ヒドロキシスチレン)を基本骨
格とする樹脂を主成分に使用するため、KrFエキシマ
レーザーを露光光源とする場合には、高感度、高解像度
で、且つ良好なパターンを形成し、従来のナフトキノン
ジアジド/ノボラック樹脂系に比べて良好な系となり得
る。
Since these systems mainly use a resin having a poly (hydroxystyrene) basic skeleton having a small absorption in a 248 nm region as a main component, a high sensitivity is obtained when a KrF excimer laser is used as an exposure light source. A high-resolution and good pattern can be formed, and it can be a good system as compared with the conventional naphthoquinonediazide / novolak resin system.

【0007】しかしながら、更なる短波長の光源、例え
ばArFエキシマレーザー(193nm)を露光光源と
して使用する場合は、芳香族基を有する化合物が本質的
に193nm領域に大きな吸収を示すため、上記化学増
幅系でも十分ではなかった。また、193nm波長領域
に吸収の小さいポリマーとして、ポリ(メタ)アクリレ
ートの利用がJ.Vac.Sci.Technol.,
B9,3357(1991). に記載されているが、こ
のポリマーは一般に半導体製造工程で行われるドライエ
ッチングに対する耐性が、芳香族基を有する従来のフェ
ノール樹脂に比べ低いという問題があった。
However, when a light source having a shorter wavelength, for example, an ArF excimer laser (193 nm) is used as an exposure light source, the compound having an aromatic group essentially exhibits a large absorption in the 193 nm region. The system was not enough. Further, as a polymer having a small absorption in a wavelength region of 193 nm, use of poly (meth) acrylate is described in J. Am. Vac. Sci. Technol. ,
B9, 3357 (1991). However, this polymer has a problem that its resistance to dry etching generally performed in a semiconductor manufacturing process is lower than that of a conventional phenol resin having an aromatic group.

【0008】これに対し、脂環炭化水素基を有するポリ
マーが、芳香族基と同様の耐ドライエッチング性を示
し、且つ193nm領域の吸収が小さいことがPro
c.ofSPIE,1672,66(1992)で報告
され、近年同ポリマーの利用が精力的に検討されるに至
った。具体的には、特開平4−39665号、同5−8
0515号、同5−265212号、同5−29759
1号、同5−346668号、同6−289615号、
同6−324494号、同7−49568号、同7−1
85046号、同7−191463号、同7−1994
67号、同7−234511号、同7−252324号
等の公報に記載されているポリマーが挙げられる。
On the other hand, the polymer having an alicyclic hydrocarbon group has the same dry etching resistance as an aromatic group and has a small absorption in the 193 nm region.
c. of SPIE, 1672, 66 (1992), and the use of the polymer has been energetically studied in recent years. Specifically, JP-A-4-39665 and JP-A-5-8
0515, 5-265212, 5-29759
No. 1, 5-346668, 6-289615,
6-324494, 7-49568, 7-1
No. 85046, No. 7-191463, No. 7-1994
Polymers described in JP-A Nos. 67, 7-234511, 7-252324 and the like can be mentioned.

【0009】また、特開平9−43837号には、光酸
発生剤と、放射線照射に露光することにより中性化合物
に分解し得る塩基を用いることが記載され、特開平11
−125907号には沸点150℃以上のカルボン酸を
発生する化合物と、カルボン酸以外の酸を発生させる化
合物を用いることが記載されている。
JP-A-9-43837 describes the use of a photoacid generator and a base which can be decomposed into a neutral compound by exposure to radiation.
-125907 describes the use of a compound that generates a carboxylic acid having a boiling point of 150 ° C. or higher and a compound that generates an acid other than the carboxylic acid.

【0010】しかしながら、上記技術でも疎密依存性に
おいて改善の余地があった。最近のデバイスの傾向とし
て様々なパターンが含まれるためレジストには様々な性
能が求められている。その1つが疎密依存性である。デ
バイスにはラインが密集した部分と逆にラインと比較し
スペースが広いパターン、更に孤立ラインが存在する。
このため、種々のラインを高い再現性をもって解像する
ことは重要である。しかし、種々のラインを再現させる
ことは光学的な要因により必ずしも容易ではなく、レジ
ストによる解決方法が明確でないのが現状である。更
に、露光マージンにおいても更に向上させる要望が強か
った。ここで、露光マージンとは露光量が変化するとそ
れにしたがって得られるパターンの線幅が変化する現象
をいう。
However, even in the above-mentioned technology, there is room for improvement in the density dependency. Since various patterns are included as a tendency of recent devices, various performances are required for resists. One of them is sparse / dense dependency. The device has a pattern in which the space is wider than the line, and an isolated line, as opposed to a portion where the line is dense.
Therefore, it is important to resolve various lines with high reproducibility. However, it is not always easy to reproduce various lines due to optical factors, and the solution at present is not clear. Further, there has been a strong demand for further improving the exposure margin. Here, the exposure margin refers to a phenomenon in which when the exposure amount changes, the line width of the obtained pattern changes.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用
する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向
上技術の課題を解決することであり、疎密依存性が優
れ、更に露光マージンも優れたポジ型感光性組成物を提
供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to solve the problem of the performance improvement technology inherent in microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light. It is an object of the present invention to provide a positive photosensitive composition which is excellent in density dependence and exposure margin.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明は、下記構成のポ
ジ型感光性組成物であり、これにより本発明の上記目的
が達成される。
Means for Solving the Problems The present invention is a positive photosensitive composition having the following constitution, thereby achieving the above object of the present invention.

【0013】(1)(A)活性光線または放射線の照射
により酸を発生する化合物 (B)酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶
解度が増大する樹脂 (C)カルボン酸オニウム塩 を含有し、(B)酸の作用により分解し、アルカリ現像
液中での溶解度が増大する樹脂が単環または多環の脂環
炭化水素構造を有する樹脂であることを特徴とするポジ
型感光性組成物。
(1) (A) a compound which generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation; (B) a resin which is decomposed by the action of an acid to increase the solubility in an alkaline developer; and (C) an onium carboxylate. (B) a resin having a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure, wherein the resin which is decomposed by the action of an acid and has increased solubility in an alkali developing solution is a resin having a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure. Composition.

【0014】(2)(D)酸により分解しうる基を有
し、アルカリ現像液中での溶解速度が酸の作用により増
大する、分子量3000以下の低分子溶解阻止化合物を
更に含有することを特徴とする前記(1)に記載のポジ
型感光性組成物。 (3) 上記(B)の樹脂が、更にラクトン構造を有す
る樹脂であることを特徴とする前記(1)又は(2)に
記載のポジ型感光性組成物。
(2) (D) A low molecular weight dissolution inhibiting compound having a molecular weight of 3000 or less, which has a group decomposable by an acid and whose dissolution rate in an alkali developing solution is increased by the action of an acid. The positive photosensitive composition according to the above (1), which is characterized in that: (3) The positive photosensitive composition according to (1) or (2), wherein the resin (B) is a resin further having a lactone structure.

【0015】(4)(A)活性光線または放射線の照射
により酸を発生する化合物 (C)カルボン酸オニウム塩 (D)酸により分解しうる基を有し、アルカリ現像液中
での溶解速度が酸の作用により増大する、分子量300
0以下の低分子溶解阻止化合物 (E)単環または多環の脂環炭化水素構造を有し、水に
不溶でアルカリ現像液に可溶な樹脂 を含有することを特徴とする前記(1)〜(3)のいず
れかに記載のポジ型感光性組成物。
(4) (A) a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, (C) an onium carboxylate, (D) a group having a group decomposable by an acid, and having a dissolution rate in an alkaline developer. Molecular weight 300 increased by the action of acid
0 or less low molecular weight dissolution inhibiting compound (E) The above-mentioned (1), which comprises a resin having a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure, being insoluble in water and soluble in an alkali developing solution. The positive photosensitive composition according to any one of (1) to (3).

【0016】(5) 上記(C)カルボン酸オニウム塩
がカルボン酸スルホニウム塩、カルボン酸ヨードニウム
塩から選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする
前記(1)〜(4)のいずれかに記載のポジ型感光性組
成物。
(5) The method according to any one of (1) to (4), wherein the (C) onium carboxylate is at least one selected from sulfonium carboxylate and iodonium carboxylate. The positive photosensitive composition as described in the above.

【0017】(6) 上記(C)カルボン酸オニウム塩
のカルボキシレート残基が芳香族基、炭素−炭素2重結
合を含有しないことを特徴とする前記(1)〜(5)の
いずれかに記載のポジ型感光性組成物。
(6) The method according to any one of (1) to (5), wherein the carboxylate residue of the onium carboxylate (C) does not contain an aromatic group or a carbon-carbon double bond. The positive photosensitive composition as described in the above.

【0018】(7) 上記(C)カルボン酸オニウム塩
のカルボキシレート残基がフッ素置換された直鎖、分
岐、環状アルキルカルボン酸アニオンであることを特徴
とする前記(1)〜(6)のいずれかに記載のポジ型感
光性組成物。
(7) The above-mentioned (1) to (6), wherein the carboxylate residue of the onium carboxylate (C) is a fluorine-substituted linear, branched or cyclic alkyl carboxylate anion. The positive photosensitive composition according to any one of the above.

【0019】(8) 220nm以下の波長の遠紫外光
による露光用組成物であることを特徴とする前記(1)
〜(7)のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。
(8) The composition according to (1), which is a composition for exposure with far ultraviolet light having a wavelength of 220 nm or less.
The positive photosensitive composition according to any one of (1) to (7).

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】≪(A)光酸発生剤≫まず、
(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化
合物(光酸発生剤)について説明する。本発明で用いら
れる光酸発生剤は、活性光線又は放射線の照射により酸
を発生する化合物である。本発明で使用される活性光線
又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物と
しては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の
光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイ
クロレジスト等に使用されている公知の光(400〜2
00nmの紫外線、遠紫外線、特に好ましくは、g線、
h線、i線、KrFエキシマレーザー光)、ArFエキ
シマレーザー光、電子線、X線、分子線又はイオンビー
ムにより酸を発生する化合物及びそれらの混合物を適宜
に選択して使用することができる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION {(A) Photoacid Generator}
(A) A compound (photoacid generator) that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation will be described. The photoacid generator used in the present invention is a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation. Examples of the compound used in the present invention, which decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid, include a photoinitiator for photocationic polymerization, a photoinitiator for photoradical polymerization, a photodecolorant for dyes, and a photodiscoloration agent. Or a known light (400 to 2) used for a micro resist or the like.
00 nm ultraviolet light, far ultraviolet light, particularly preferably g-line,
h-rays, i-rays, KrF excimer laser light), ArF excimer laser light, electron beams, X-rays, compounds generating an acid by a molecular beam or an ion beam, and mixtures thereof can be appropriately selected and used.

【0021】また、その他の本発明に用いられる活性光
線又は放射線の照射により酸を発生する化合物として
は、たとえば S.I.Schlesinger,Ph
otogr.Sci.Eng.,18,387(197
4)、T.S.Bal etal,Polymer,2
1,423(1980)等に記載のジアゾニウム塩、米
国特許第4,069,055号、同4,069,056
号、同 Re 27,992号、特開平3−140,1
40号等に記載のアンモニウム塩、D.C.Necke
r etal,Macromolecules,17,
2468(1984)、C.S.Wen etal,T
eh,Proc.Conf.Rad.Curing A
SIA,p478 Tokyo,Oct(1988)、
米国特許第4,069,055 号、同4,069,0
56号等に記載のホスホニウム塩、J.V.Crive
llo etal,Macromorecules,1
0(6),1307(1977) 、Chem.&En
g.News,Nov.28,p31(1988)、欧
州特許第104,143 号、同第339,049号、
同第410,201号、特開平2−150,848号、
特開平2−296,514 号等に記載のヨードニウム
塩、
Other compounds that generate an acid upon irradiation with actinic rays or radiation used in the present invention include, for example, S.I. I. Schlesinger, Ph
otogr. Sci. Eng. , 18, 387 (197
4). S. Bal etal, Polymer, 2
1,423 (1980); U.S. Pat. Nos. 4,069,055 and 4,069,056;
No. Re 27,992, JP-A-3-140,1
No. 40, etc .; C. Necke
et al, Macromolecules, 17,
2468 (1984), C.I. S. Wen et al, T
eh, Proc. Conf. Rad. Curing A
SIA, p478 Tokyo, Oct (1988),
U.S. Pat. Nos. 4,069,055 and 4,069,0
No. 56, etc .; V. Clive
Ilo et al, Macromorecules, 1
0 (6), 1307 (1977), Chem. & En
g. News, Nov .; 28, p31 (1988), European Patent Nos. 104,143 and 339,049,
No. 410,201, JP-A-2-150,848,
Iodonium salts described in JP-A-2-296,514 and the like;

【0022】J.V.Crivello etal,P
olymer J.17,73 (1985)、J.
V.Crivello etal.J.Org.Che
m.,43,3055(1978)、W.R.Watt
etal,J.PolymerSci.,Polym
er Chem.Ed.,22,1789(198
4)、J.V.Crivello etal,Poly
mer Bull.,14,279(1985)、J.
V.Crivello etal,Macromore
cules,14(5),1141(1981)、J.
V.Crivelloetal,J.PolymerS
ci.,Polymer Chem.Ed.,17,2
877(1979)、欧州特許第370,693 号、
同161,811号、同410,201号、同339,
049号、同233,567号、同297,443号、
同297,442号、米国特許第3,902,114
号、同4,933,377号、同4,760,013
号、同4,734,444号、同2,833,827
号、独国特許第2,904,626号、同3,604,
580号、同3,604,581号、特開平7−282
37号、同8−27102号等に記載のスルホニウム
塩、
J. V. Crivello etal, P
polymer J .; 17, 73 (1985);
V. Crivello et al. J. Org. Che
m. 43, 3055 (1978); R. Watt
et al. PolymerSci. , Polym
er Chem. Ed. , 22, 1789 (198
4). V. Crivello etal, Poly
mer Bull. , 14, 279 (1985);
V. Crivello etal, Macromore
cules, 14 (5), 1141 (1981);
V. Crivelloetal, J. et al. PolymerS
ci. , Polymer Chem. Ed. , 17,2
877 (1979), EP 370,693,
No. 161, 811; No. 410, 201; No. 339,
No. 049, No. 233,567, No. 297,443,
No. 297,442, U.S. Pat. No. 3,902,114
Nos. 4,933,377 and 4,760,013
Nos. 4,734,444, 2,833,827
, German Patent Nos. 2,904,626 and 3,604,
Nos. 580 and 3,604,581, and JP-A-7-282.
No. 37, the sulfonium salts described in 8-27102 and the like,

【0023】J.V.Crivello etal,M
acromorecules,10(6),1307
(1977)、J.V.Crivello etal,
J.PolymerSci.,Polymer Che
m.Ed., 17,1047(1979)等に記載の
セレノニウム塩、C.S.Wen etal,Teh,
Proc.Conf.Rad.Curing ASI
A,p478 Tokyo,Oct(1988)等に記
載のアルソニウム塩等のオニウム塩、米国特許第3,9
05,815号、特公昭46−4605号、特開昭48
−36281号、特開昭55−32070号、特開昭6
0−239736号、特開昭61−169835号、特
開昭61−169837号、特開昭62−58241
号、特開昭62−212401号、特開昭63−702
43号、特開昭63−298339号等に記載の有機ハ
ロゲン化合物、K.Meier et al,J.Ra
d.Curing,13(4),26(1986) 、
T.P.Gill et al,Inorg.Che
m.,19,3007(1980)、D.Astru
c,Acc.Chem.Res.,19(12),37
7(1896)、特開平2−161445号等に記載の
有機金属/有機ハロゲン化物、
J. V. Crivello etal, M
acromorecules, 10 (6), 1307
(1977); V. Crivello etal,
J. PolymerSci. , Polymer Che
m. Ed. , 17, 1047 (1979) and the like; S. Wen et al, Teh,
Proc. Conf. Rad. Curing ASI
A, p478 Onkyo salts, such as arsonium salts described in Tokyo, Oct (1988), US Pat.
05,815, JP-B-46-4605, JP-A-48-48
JP-A-36-281, JP-A-55-32070, JP-A-55-32070
0-239736, JP-A-61-169835, JP-A-61-169837, JP-A-62-58241
JP-A-62-212401, JP-A-63-702
No. 43, JP-A-63-298339, etc .; Meier et al, J. Mol. Ra
d. Curing, 13 (4), 26 (1986),
T. P. Gill et al, Inorg. Che
m. , 19, 3007 (1980); Astru
c, Acc. Chem. Res. , 19 (12), 37
7 (1896), organic metal / organic halides described in JP-A-2-161445 and the like;

【0024】S.Hayase etal,J.Pol
ymer Sci.,25,753(1987)、E.
Reichmanis etal,J.Pholyme
r Sci.,Polymer Chem.Ed.,2
3,1(1985)、Q.Q.Zhu etal,J.
Photochem.,36,85,39,317(1
987)、 B.Amit etal,Tetrahe
dron Lett.,(24)2205(197
3)、D.H.R.Barton etal,J.Ch
em Soc.,3571(1965)、P.M.Co
llins et al, J.Chem.SoC.,
Perkin I,1695(1975)、M.Rud
instein etal,Tetrahedron
Lett.,(17),1445(1975)、J.
W.Walker etalJ.Am.Chem.So
c.,110,7170(1988)、S.C.Bus
man etal,J.Imaging Techno
l.,11(4),191(1985)、H.M.Ho
ulihan etal,Macormolecule
s,21,2001(1988)、 P.M.Coll
ins etal,J.Chem.Soc.,Che
m.Commun.,532(1972)、S.Hay
ase etal,Macromolecules,1
8,1799(1985)、E.Reichmanis
etal,J.Electrochem.Soc.,
Solid State Sci.Technol.,
130(6)、F.M.Houlihan etal,
Macromolcules,21,2001(198
8)、 欧州特許第0290,750号、同046,0
83号、同156,535号、同271,851号、同
0,388,343号、 米国特許第3,901,71
0号、同4,181,531号、特開昭60−1985
38号、特開昭53−133022号等に記載のO−ニ
トロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、
S. Hayase et al. Pol
ymer Sci. , 25, 753 (1987);
Reichmanis et al. Polyme
r Sci. , Polymer Chem. Ed. , 2
3, 1 (1985); Q. Zhu et al.
Photochem. , 36, 85, 39, 317 (1
987); Amit etal, Tetrahe
drone Lett. , (24) 2205 (197
3), D. H. R. Barton et al. Ch
em Soc. , 3571 (1965); M. Co
llins et al, J. Mol. Chem. SoC. ,
Perkin I, 1695 (1975); Rud
instein etal, Tetrahedron
Lett. , (17), 1445 (1975);
W. Walker et al. Am. Chem. So
c. , 110, 7170 (1988); C. Bus
man et al, J.M. Imaging Techno
l. , 11 (4), 191 (1985); M. Ho
ulihan etal, Macormolecule
s, 21, 2001 (1988); M. Coll
ins et al. Chem. Soc. , Che
m. Commun. , 532 (1972); Hay
ase etal, Macromolecules, 1
8, 1799 (1985); Reichmanis
et al. Electrochem. Soc. ,
Solid State Sci. Technol. ,
130 (6), F.R. M. Houlihan etal,
Macromolcules, 21, 2001 (198
8), EP 0290,750, EP 046,0
No. 83, No. 156,535, No. 271,851, No. 0,388,343, U.S. Pat. No. 3,901,71
Nos. 0 and 4,181,531, JP-A-60-1985
No. 38, a photoacid generator having an O-nitrobenzyl-type protecting group described in JP-A-53-133022 and the like,

【0025】M.TUNOOKA etal,Poly
mer Preprints Japan,35
(8)、G.Berner etal,J.Rad.C
uring,13(4)、 W.J.Mijs eta
l,Coating Technol.,55(69
7),45(1983),Akzo、H.Adachi
etal,Polymer Preprints,J
apan,37(3)、欧州特許第0199,672
号、同84515号、同044,115号、同第61
8,564号、同0101,122号、米国特許第4,
371,605号、同4,431,774 号、特開昭
64−18143号、特開平2−245756号、特開
平3−140109号等に記載のイミノスルフォネ−ト
等に代表される光分解してスルホン酸を発生する化合
物、特開昭61−166544 号、特開平2−712
70号等に記載のジスルホン化合物、特開平3−103
854号、同3−103856号、同4−210960
号等に記載のジアゾケトスルホン、ジアゾジスルホン化
合物を挙げることができる。
M. TUNOOKA etal, Poly
mer Preprints Japan, 35
(8), G. Berner et al. Rad. C
uring, 13 (4); J. Mijs eta
1, Coating Technology. , 55 (69
7), 45 (1983), Akzo, H .; Adachi
et al, Polymer Preprints, J
apan, 37 (3), EP 0199,672.
Nos. 84515, 044, 115 and 61
No. 8,564, No. 0101,122, U.S. Pat.
Nos. 371,605, 4,431,774, JP-A-64-18143, JP-A-2-245756, and JP-A-3-140109. Compounds generating sulfonic acid, JP-A-61-166544, JP-A-2-712
No. 70, etc .;
No. 854, No. 3-103856, No. 4-210960
And diazoketosulfone and diazodisulfone compounds.

【0026】また、これらの光により酸を発生する基、
あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化
合物、たとえば、M.E.Woodhouse et
al,J.Am.Chem.Soc.,104,558
6(1982)、S.P.Pappas et al,
J.Imaging Sci.,30(5),218
(1986)、S.Kondo etal,Makro
mol.Chem.,Rapid Commun.,
9,625(1988)、Y.Yamada eta
l,Makromol.Chem.,152,153,
163(1972)、J.V.Crivello et
al,J.PolymerSci.,Polymer
Chem.Ed.,17,3845(1979)、米
国特許第3,849,137号、独国特許第39144
07、特開昭63−26653号、特開昭55−164
824号、特開昭62−69263号、特開昭63−1
46038 、特開昭63−163452 号、特開昭
62−153853号、特開昭63−146029号等
に記載の化合物を用いることができる。たとえば、 ジア
ゾニウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩、ヨード
ニウム塩、スルホニウム塩、セレノニウム塩、アルソニ
ウム塩等のオニウム塩、有機ハロゲン化合物、有機金属
/有機ハロゲン化物、o−ニトロベンジル型保護基を有
する光酸発生剤、イミノスルフォネート等に代表される
光分解してスルホン酸を発生する化合物、ジスルホン化
合物、ジアゾケトスルホン、ジアゾジスルホン化合物を
挙げることができる。また、これらの光により酸を発生
する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導
入した化合物を用いることができる。
Further, a group that generates an acid by these lights,
Alternatively, a compound having a compound introduced into the main chain or side chain of a polymer, for example, E. FIG. Woodhouse et
al, J .; Am. Chem. Soc. , 104,558
6 (1982); P. Pappas et al,
J. Imaging Sci. , 30 (5), 218
(1986); Kondo etal, Makro
mol. Chem. , Rapid Commun. ,
9, 625 (1988); Yamada eta
1, Makromol. Chem. , 152, 153,
163 (1972); V. Crivello et
al, J .; PolymerSci. , Polymer
Chem. Ed. , 17, 3845 (1979), U.S. Patent No. 3,849,137, German Patent No. 39144.
07, JP-A-63-26653, JP-A-55-164
No. 824, JP-A-62-269263, JP-A-63-1
46038, JP-A-63-163452, JP-A-62-153853, and JP-A-63-14629 can be used. For example, onium salts such as diazonium salts, ammonium salts, phosphonium salts, iodonium salts, sulfonium salts, selenonium salts, and arsonium salts, organic halogen compounds, organic metal / organic halides, and photoacid generators having o-nitrobenzyl-type protecting groups , A compound that generates sulfonic acid upon photolysis, such as an agent, iminosulfonate, etc., a disulfone compound, a diazoketosulfone, and a diazodisulfone compound. Further, a group in which an acid is generated by such light or a compound in which a compound is introduced into a main chain or a side chain of a polymer can be used.

【0027】さらにV.N.R.Pillai,Syn
thesis,(1),1(1980)、A.Abad
etal,Tetrahedron Lett.,
(47)4555(1971)、D.H.R.Bart
on et al,J.Chem.Soc.,(C),
329(1970)、米国特許第3,779,778
号、欧州特許第126,712号等に記載の光により酸
を発生する化合物も使用することができる。
V. N. R. Pilai, Syn
thesis, (1), 1 (1980); Abad
et al, Tetrahedron Lett. ,
(47) 4555 (1971); H. R. Bart
on et al, J.A. Chem. Soc. , (C),
329 (1970); U.S. Pat. No. 3,779,778.
And compounds capable of generating an acid by light described in EP 126,712 and the like can also be used.

【0028】上記活性光線又は放射線の照射により分解
して酸を発生する化合物の中で、特に有効に用いられる
ものについて以下に説明する。 (1)トリハロメチル基が置換した下記一般式(PAG
1)で表されるオキサゾール誘導体又は一般式(PAG
2)で表されるS−トリアジン誘導体。
Among the compounds which decompose upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid, those which are particularly effectively used will be described below. (1) The following general formula (PAG) substituted with a trihalomethyl group
The oxazole derivative represented by 1) or the general formula (PAG)
An S-triazine derivative represented by 2).

【0029】[0029]

【化1】 Embedded image

【0030】式中、R201は置換もしくは未置換のアリ
ール基、アルケニル基、R202は置換もしくは未置換の
アリール基、アルケニル基、アルキル基、−C(Y)3
を示す。Yは塩素原子又は臭素原子を示す。
In the formula, R 201 is a substituted or unsubstituted aryl group or alkenyl group, and R 202 is a substituted or unsubstituted aryl group, alkenyl group, alkyl group, —C (Y) 3
Is shown. Y represents a chlorine atom or a bromine atom.

【0031】(2)下記の一般式(PAG3)で表され
るヨードニウム塩、又は一般式(PAG4)で表される
スルホニウム塩。
(2) An iodonium salt represented by the following general formula (PAG3) or a sulfonium salt represented by the following general formula (PAG4).

【0032】[0032]

【化2】 Embedded image

【0033】ここで式Ar1、Ar2は、各々独立に、置
換もしくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基
としては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキ
ル基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキ
シル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メル
カプト基及びハロゲン原子が挙げられる。R203
204、R205は、各々独立に、置換もしくは未置換のア
ルキル基、アリール基を示す。好ましくは、炭素数6〜
14のアリール基、炭素数1〜8のアルキル基及びそれ
らの置換誘導体である。好ましい置換基としては、アリ
ール基に対しては炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数
1〜8のアルキル基、ニトロ基、カルボキシル基、ヒロ
ドキシ基及びハロゲン原子であり、アルキル基に対して
は炭素数1〜8のアルコキシ基、カルボキシル基、アル
コシキカルボニル基である。
Here, the formulas Ar 1 and Ar 2 each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group. Preferred substituents include an alkyl group, a haloalkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an alkoxy group, a nitro group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a hydroxy group, a mercapto group, and a halogen atom. R 203 ,
R 204 and R 205 each independently represent a substituted or unsubstituted alkyl group or aryl group. Preferably, the carbon number is 6 to
They are a 14 aryl group, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and substituted derivatives thereof. Preferred substituents are an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a nitro group, a carboxyl group, a hydroxy group and a halogen atom for the aryl group, and a substituent for the alkyl group. It is an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, a carboxyl group, or an alkoxycarbonyl group.

【0034】Z-は対アニオンを示し、例えばBF4 -
AsF6 -、PF6 -、SbF6 -、SiF6 2-、ClO4 -
置換してもよいアルカンスルホン酸、パーフロロアルカ
ンスルホン酸、置換していてもよいベンゼンスルホン
酸、ナフタレンスルホン酸、アントラセンスルホン酸、
樟脳スルホン酸などが挙げられるがこれらに限定される
ものではない。好ましくは、アルカンスルホン酸、パー
フロロアルカンスルホン酸、アルキル置換ベンゼンスル
ホン酸、ペンタフロロベンゼンスルホン酸である。
[0034] Z - represents a counter anion, for example BF 4 -,
AsF 6 -, PF 6 -, SbF 6 -, SiF 6 2-, ClO 4 -,
Alkanesulfonic acid which may be substituted, perfluoroalkanesulfonic acid, benzenesulfonic acid which may be substituted, naphthalenesulfonic acid, anthracenesulfonic acid,
Examples include but are not limited to camphor sulfonic acid. Preferred are alkanesulfonic acid, perfluoroalkanesulfonic acid, alkyl-substituted benzenesulfonic acid, and pentafluorobenzenesulfonic acid.

【0035】またR203 、R204 、R205 のうちの2つ
及びAr1、Ar2はそれぞれの単結合又は置換基を介し
て結合してもよい。
Further, two of R 203 , R 204 and R 205 and Ar 1 and Ar 2 may be bonded through a single bond or a substituent.

【0036】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
Specific examples include the following compounds, but are not limited thereto.

【0037】[0037]

【化3】 Embedded image

【0038】[0038]

【化4】 Embedded image

【0039】[0039]

【化5】 Embedded image

【0040】[0040]

【化6】 Embedded image

【0041】[0041]

【化7】 Embedded image

【0042】[0042]

【化8】 Embedded image

【0043】[0043]

【化9】 Embedded image

【0044】[0044]

【化10】 Embedded image

【0045】[0045]

【化11】 Embedded image

【0046】[0046]

【化12】 Embedded image

【0047】一般式(PAG3)、(PAG4)で示さ
れる上記オニウム塩は公知であり、例えばJ.W.Kn
apczyk etal,J.Am.Chem.So
c.,91,145(1969)、A.L.Mayco
k etal, J.Org.Chem.,35,25
32,(1970)、E.Goethas etal,
Bull.Soc.Chem.Belg.,73,54
6,(1964) 、H.M.Leicester、
J.Ame.Chem.Soc.,51,3587(1
929)、J.V.Crivello etal,J.
Polym.Chem.Ed.,18,2677(19
80)、米国特許第2,807,648号及び同4,2
47,473号、特開昭53−101,331号等に記
載の方法により合成することができる。
The onium salts represented by the general formulas (PAG3) and (PAG4) are known. W. Kn
apczyk et al. Am. Chem. So
c. , 91, 145 (1969); L. Mayco
k et al. Org. Chem. , 35,25
32, (1970); Goethas etal,
Bull. Soc. Chem. Belg. , 73,54
6, (1964); M. Leicester,
J. Ame. Chem. Soc. , 51, 3587 (1
929); V. Crivello et al.
Polym. Chem. Ed. , 18, 2677 (19
80); U.S. Patent Nos. 2,807,648 and 4,2;
No. 47,473, JP-A-53-101,331 and the like.

【0048】(3)下記一般式(PAG5)で表される
ジスルホン誘導体又は一般式(PAG6)で表されるイ
ミノスルホネート誘導体。
(3) Disulfone derivatives represented by the following formula (PAG5) or iminosulfonate derivatives represented by the following formula (PAG6).

【0049】[0049]

【化13】 Embedded image

【0050】式中、Ar3、Ar4は、各々独立に、置換
もしくは未置換のアリール基を示す。R206 は置換もし
くは未置換のアルキル基、アリール基を示す。Aは置換
もしくは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリ
ーレン基を示す。具体例としては以下に示す化合物が挙
げられるが、これらに限定されるものではない。
In the formula, Ar 3 and Ar 4 each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group. R 206 represents a substituted or unsubstituted alkyl group or aryl group. A represents a substituted or unsubstituted alkylene group, alkenylene group, or arylene group. Specific examples include the following compounds, but are not limited thereto.

【0051】[0051]

【化14】 Embedded image

【0052】[0052]

【化15】 Embedded image

【0053】[0053]

【化16】 Embedded image

【0054】[0054]

【化17】 Embedded image

【0055】(4)下記一般式(PAG7)で表される
ジアゾジスルホン誘導体。
(4) A diazodisulfone derivative represented by the following general formula (PAG7).

【0056】[0056]

【化18】 Embedded image

【0057】ここでRは、直鎖状、分岐状又は環状アル
キル基、あるいは置換していてもよいアリール基を表
す。具体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、
これらに限定されるものではない。
Here, R represents a linear, branched or cyclic alkyl group or an optionally substituted aryl group. Specific examples include the following compounds,
It is not limited to these.

【0058】[0058]

【化19】 Embedded image

【0059】本発明の活性光線又は放射線の照射により
分解して酸を発生する化合物の中で、特に好ましいもの
の例を以下に挙げる。
Among the compounds which decompose upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid according to the present invention, particularly preferred examples are given below.

【0060】[0060]

【化20】 Embedded image

【0061】[0061]

【化21】 Embedded image

【0062】[0062]

【化22】 Embedded image

【0063】[0063]

【化23】 Embedded image

【0064】本発明において、上記一般式(PAG−
3)、(PAG−4)あるいは(PAG−7)で表され
る化合物が、感度、解像力の点で最も好ましい。
In the present invention, the compound represented by the above general formula (PAG-
The compound represented by 3), (PAG-4) or (PAG-7) is most preferable in terms of sensitivity and resolution.

【0065】これらの活性光線又は放射線の照射により
分解して酸を発生する化合物の添加量は、本発明のポジ
型感光性組成物の全組成物(溶剤を除く)に対し、通常
0.001〜40重量%の範囲で用いられ、好ましくは
0.01〜20重量%、さらに好ましくは0.01〜5
重量%の範囲で使用される。活性光線又は放射線の照射
により分解して酸を発生する化合物の添加量が、0.0
1重量%より少ないと感度が低くなり、また添加量が4
0重量%より多いとレジストの光吸収が高くなりすぎ、
プロファイルの悪化や、プロセス(特にベーク)マージ
ンが狭くなり好ましくない。
The amount of the compound which decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid is usually 0.001 to the total composition (excluding the solvent) of the positive photosensitive composition of the present invention. To 40% by weight, preferably 0.01 to 20% by weight, more preferably 0.01 to 5% by weight.
Used in the range of weight percent. The amount of the compound that generates an acid when decomposed by irradiation with actinic rays or radiation is 0.0
If the amount is less than 1% by weight, the sensitivity is lowered, and the addition amount is
If it exceeds 0% by weight, the light absorption of the resist becomes too high,
It is not preferable because the profile is deteriorated and the process (especially baking) margin is narrowed.

【0066】《(B)酸の作用によりアルカリ現像液に
対する溶解度が増大する樹脂》本発明において、(B)
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大す
る樹脂(以下「酸分解性樹脂」ともいう)は、酸の作用
により分解する基を有する。酸の作用により分解する基
(以下「酸分解性基」ともいう)とは、例えば、酸の作
用により加水分解し酸を形成する基、さらには酸の作用
により炭素カチオンが脱離し酸を形成する基が挙げられ
る。好ましくは下記一般式(x)、(y)で表される
基、ラクトン構造を含む酸分解性基、脂環式構造を含む
酸分解性基である。これにより、経時安定性が優れるよ
うになる。
<< (B) Resin whose solubility in an alkali developing solution is increased by the action of an acid >> In the present invention, (B)
A resin whose solubility in an alkaline developer is increased by the action of an acid (hereinafter also referred to as “acid-decomposable resin”) has a group that is decomposed by the action of an acid. A group that decomposes under the action of an acid (hereinafter also referred to as an “acid-decomposable group”) is, for example, a group that hydrolyzes under the action of an acid to form an acid, and further, a carbon cation is desorbed under the action of an acid to form an acid. Group. Preferred are groups represented by the following general formulas (x) and (y), acid-decomposable groups having a lactone structure, and acid-decomposable groups having an alicyclic structure. Thereby, the stability over time becomes excellent.

【0067】[0067]

【化24】 Embedded image

【0068】ここで、Ra、Rb、Rcは、各々独立
に、水素原子、又は置換基を有していてもよい、アルキ
ル基、シクロアルキル基もしくはアルケニル基を表す。
但し、式(x)のRa、Rb、Rcのうち、少なくとも
1つは水素原子以外の基である。Rdは置換基を有して
いてもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケ
ニル基を表す。また、式(x)のRa、Rb、Rcのう
ちの2つの基、又は式(y)のRa、Rb、Rdのうち
の2つの基が結合して3〜8個の炭素原子からなる環構
造を形成してもよいし、さらにはこれらにヘテロ原子を
含んでなる環構造を形成してもよい。このような環とし
ては具体的にはシクロプロピル基、シクロペンチル基、
シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、1−シクロヘキ
セニル基、2−テトラヒドロフラニル基、2−テトラヒ
ドロピラニル基等が挙げられる。
Here, Ra, Rb and Rc each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, a cycloalkyl group or an alkenyl group which may have a substituent.
However, at least one of Ra, Rb and Rc in the formula (x) is a group other than a hydrogen atom. Rd represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an alkenyl group which may have a substituent. Further, two groups out of Ra, Rb and Rc in the formula (x) or two groups out of Ra, Rb and Rd in the formula (y) are bonded to each other to form a ring composed of 3 to 8 carbon atoms. A structure may be formed, or a ring structure containing a hetero atom may be formed. Specific examples of such a ring include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group,
Examples thereof include a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a 1-cyclohexenyl group, a 2-tetrahydrofuranyl group, and a 2-tetrahydropyranyl group.

【0069】Za、Zbは、各々独立に、酸素原子又は
イオウ原子を表す。Ra〜Rdのアルキル基としては、
好ましくは置換基を有していてもよい、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、
ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基のよう
な炭素数1〜8個のものが挙げられる。シクロアルキル
基としては、好ましくは置換基を有していてもよい、シ
クロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基
のような炭素数3〜8個のものが挙げられる。アルケニ
ル基としては、好ましくは置換基を有していてもよい、
ビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基、ペン
テニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基の様な炭
素数2〜6個のものが挙げられる。
Za and Zb each independently represent an oxygen atom or a sulfur atom. As the alkyl group of Ra to Rd,
Preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, which may have a substituent,
Examples thereof include those having 1 to 8 carbon atoms such as a hexyl group, a 2-ethylhexyl group and an octyl group. The cycloalkyl group preferably has 3 to 8 carbon atoms such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group and a cyclohexyl group, which may have a substituent. The alkenyl group preferably may have a substituent,
Examples thereof include those having 2 to 6 carbon atoms such as vinyl group, propenyl group, allyl group, butenyl group, pentenyl group, hexenyl group and cyclohexenyl group.

【0070】また上記詳述した各置換基における更なる
置換基としては、好ましくは水酸基、ハロゲン原子(フ
ッ素、塩素、臭素、ヨウ素)、ニトロ基、シアノ基、ア
ミド基、スルホンアミド基、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル
基、2−エチルヘキシル基、オクチル基等のアルキル
基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、
プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等
のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカル
ボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、ア
セチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、
ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基が挙
げられる。
Further substituents in each of the above-mentioned substituents are preferably a hydroxyl group, a halogen atom (fluorine, chlorine, bromine, iodine), a nitro group, a cyano group, an amide group, a sulfonamide group, a methyl group. , Ethyl group, propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, hexyl group, 2-ethylhexyl group, alkyl group such as octyl group, methoxy group, ethoxy group, hydroxyethoxy group,
Propoxy group, hydroxypropoxy group, alkoxy group such as butoxy group, methoxycarbonyl group, alkoxycarbonyl group such as ethoxycarbonyl group, formyl group, acetyl group, acyl group such as benzoyl group, acetoxy group,
Examples include an acyloxy group such as a butyryloxy group and a carboxy group.

【0071】以下酸分解性基を有する繰り返し単位の具
体例を示すが、本発明の内容がこれらに限定されるもの
ではない。
Specific examples of the repeating unit having an acid-decomposable group are shown below, but the present invention is not limited thereto.

【0072】[0072]

【化25】 Embedded image

【0073】[0073]

【化26】 Embedded image

【0074】[0074]

【化27】 Embedded image

【0075】[0075]

【化28】 Embedded image

【0076】上記の中でも、(c1)、(c7)、(c
11)は、酸分解性に特に優れている。
Among the above, (c1), (c7), (c
11) is particularly excellent in acid decomposability.

【0077】本発明において、酸分解性樹脂にはラクト
ン構造を含有することが好ましい。上記の如く、脂環炭
化水素構造、ラクトン構造は、いずれも酸分解性を具備
していてもよく、必ずしも具備していなくてもよい。こ
のようなラクトン構造を有する繰り返し単位としては、
好ましくは下記一般式(IV')で表される構造単位であ
る。
In the present invention, the acid-decomposable resin preferably contains a lactone structure. As described above, each of the alicyclic hydrocarbon structure and the lactone structure may or may not have acid-decomposability. As a repeating unit having such a lactone structure,
It is preferably a structural unit represented by the following general formula (IV ′).

【0078】[0078]

【化29】 Embedded image

【0079】一般式(IV')中、R1aは、水素原子又は
メチル基を表す。W1は、単結合、アルキレン基、エー
テル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基よ
りなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組
み合わせを表す。Ra1,Rb1,Rc1,Rd1,Re1
は各々独立に、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基
を表す。m,nは各々独立に0〜3の整数を表し、m+
nは、2以上6以下である。
[0079] In the general formula (IV '), R 1 a represents a hydrogen atom or a methyl group. W 1 represents a single bond, an alkylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, or a combination of two or more groups selected from the group consisting of an ester group. Ra 1 , Rb 1 , Rc 1 , Rd 1 , Re 1
Each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. m and n each independently represent an integer of 0 to 3;
n is 2 or more and 6 or less.

【0080】Ra1〜Re1の炭素数1〜4のアルキル基
としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル
基、t−ブチル基等を挙げることができる。
Examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by Ra 1 to Re 1 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group and a t-butyl group. Can be mentioned.

【0081】一般式(IV')において、W1のアルキレン
基としては、下記式で表される基を挙げることができ
る。 −〔C(Rf)(Rg)〕r1− 上記式中、Rf、Rgは、水素原子、アルキル基、置換
アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表
し、両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好
ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基から選択される。置換アルキル基の置換基として
は、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げること
ができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキ
シ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4のも
のを挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素
原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げること
ができる。r1は1〜10の整数である。
In the general formula (IV ′), examples of the alkylene group represented by W 1 include groups represented by the following formula. -[C (Rf) (Rg)] r 1 -In the above formula, Rf and Rg represent a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, or an alkoxy group, and they may be the same or different. Good. As the alkyl group, a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, and a butyl group is preferable, and a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group are more preferable. Examples of the substituent of the substituted alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom and an alkoxy group. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom. r 1 is an integer of 1 to 10.

【0082】上記アルキル基における更なる置換基とし
ては、カルボキシル基、アシルオキシ基、シアノ基、ア
ルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、ア
ルコキシ基、置換アルコキシ基、アセチルアミド基、ア
ルコキシカルボニル基、アシル基が挙げられる。ここで
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ブチル基、シクロプロピル基、シ
クロブチル基、シクロペンチル基等の低級アルキル基を
挙げることができる。置換アルキル基の置換基として
は、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げること
ができる。置換アルコキシ基の置換基としては、アルコ
キシ基等を挙げることができる。アルコキシ基として
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等の炭素数1〜4のものを挙げることができる。アシ
ルオキシ基としては、アセトキシ基等が挙げられる。ハ
ロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原
子、沃素原子等を挙げることができる。
Further substituents in the above alkyl group include carboxyl group, acyloxy group, cyano group, alkyl group, substituted alkyl group, halogen atom, hydroxyl group, alkoxy group, substituted alkoxy group, acetylamide group, alkoxycarbonyl group, An acyl group is exemplified. Here, examples of the alkyl group include lower alkyl groups such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, and a cyclopentyl group. Examples of the substituent of the substituted alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom and an alkoxy group. Examples of the substituent of the substituted alkoxy group include an alkoxy group. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group. Examples of the acyloxy group include an acetoxy group. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom.

【0083】以下に、ラクトン構造を有する繰り返し構
造単位の具体例を示すが、本発明の内容がこれらに限定
されるものではない。
Hereinafter, specific examples of the repeating structural unit having a lactone structure will be shown, but the present invention is not limited thereto.

【0084】[0084]

【化30】 Embedded image

【0085】[0085]

【化31】 Embedded image

【0086】上記の(a1)から(a20)の内、例え
ば(a1)、(a12)、(a15)などは通常、酸分
解性が認められて好ましい。
Of the above-mentioned (a1) to (a20), for example, (a1), (a12), (a15) and the like are usually preferred because of their acid decomposability.

【0087】本発明の酸分解性樹脂は、更に下記一般式
(V−1)〜(V−4)のいずれかで表される基を有す
る繰り返し単位を含有しても良い。
The acid-decomposable resin of the present invention may further contain a repeating unit having a group represented by any of the following formulas (V-1) to (V-4).

【0088】[0088]

【化32】 Embedded image

【0089】一般式(V−1)〜(V−4)において、
1b〜R5bは、各々独立に水素原子、置換基を有してい
てもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニ
ル基を表す。R1b〜R5bの内の2つは、結合して環を形
成してもよい。
In the general formulas (V-1) to (V-4),
R 1b to R 5b each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an alkenyl group which may have a substituent. Two of R 1b to R 5b may combine to form a ring.

【0090】一般式(V−1)〜(V−4)において、
1b〜R5bにおけるアルキル基としては、直鎖状、分岐
状のアルキル基が挙げられ、置換基を有していてもよ
い。直鎖状、分岐状のアルキル基としては、炭素数1〜
12個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基が好ましく、
より好ましくは炭素数1〜10個の直鎖状あるいは分岐
状アルキル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソ
ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、
デシル基である。R1b〜R5bにおけるシクロアルキル基
としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シク
ロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等
の炭素数3〜8個のものが好ましい。R1b〜R5bにおけ
るアルケニル基としては、ビニル基、プロペニル基、ブ
テニル基、ヘキセニル基等の炭素数2〜6個のものが好
ましい。また、R1b〜R5bの内の2つが結合して形成す
る環としては、シクロプロパン環、シクロブタン環、シ
クロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロオクタン環
等の3〜8員環が挙げられる。なお、一般式(V−1)
〜(V−4)におけるR1b〜R5bは、環状骨格を構成し
ている炭素原子のいずれに連結していてもよい。
In the general formulas (V-1) to (V-4),
Examples of the alkyl group for R 1b to R 5b include a linear or branched alkyl group, and may have a substituent. The linear or branched alkyl group has 1 to 1 carbon atoms.
Twelve linear or branched alkyl groups are preferred,
More preferably, it is a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and still more preferably, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, and t -Butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group,
Decyl group. The cycloalkyl group in R 1b to R 5b is preferably a cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group and the like. The alkenyl group in R 1b to R 5b is preferably an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms such as a vinyl group, a propenyl group, a butenyl group, and a hexenyl group. Examples of the ring formed by combining two members out of R 1b to R 5b include a 3- to 8-membered ring such as a cyclopropane ring, a cyclobutane ring, a cyclopentane ring, a cyclohexane ring, and a cyclooctane ring. The general formula (V-1)
R 1b to R 5b in (V-4) may be connected to any of the carbon atoms constituting the cyclic skeleton.

【0091】また、上記アルキル基、シクロアルキル
基、アルケニル基が有してもよい好ましい置換基として
は、炭素数1〜4個のアルコキシ基、ハロゲン原子(フ
ッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、炭素数
2〜5のアシル基、炭素数2〜5のアシロキシ基、シア
ノ基、水酸基、カルボキシ基、炭素数2〜5のアルコキ
シカルボニル基、ニトロ基等を挙げることができる。
Preferred substituents which the alkyl group, cycloalkyl group and alkenyl group may have are an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom). Atom), an acyl group having 2 to 5 carbon atoms, an acyloxy group having 2 to 5 carbon atoms, a cyano group, a hydroxyl group, a carboxy group, an alkoxycarbonyl group having 2 to 5 carbon atoms, and a nitro group.

【0092】一般式(V−1)〜(V−4)で表される
基を有する繰り返し単位としては、上記一般式(II−
A)又は(II−B)中のR13'〜R16'のうち少なくとも
1つが上記一般式(V−1)〜(V−4)で表される基
を有するもの(例えば−COOR5のR5が一般式(V−
1)〜(V−4)で表される基を表す)、又は下記一般
式(AI)で表される繰り返し単位等を挙げることがで
きる。
The repeating units having groups represented by formulas (V-1) to (V-4) include those represented by formula (II-
A) or (II-B) wherein at least one of R 13 ′ to R 16 ′ has a group represented by the above general formulas (V-1) to (V-4) (for example, -COOR 5 R 5 is a group represented by the general formula (V-
1) to (V-4)), or a repeating unit represented by the following general formula (AI).

【0093】[0093]

【化33】 Embedded image

【0094】一般式(AI)中、Rb0は、水素原子、ハ
ロゲン原子、又は炭素数1〜4の置換もしくは非置換の
アルキル基を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよ
い好ましい置換基としては、前記一般式(V−1)〜
(V−4)におけるR1bとしてのアルキル基が有してい
てもよい好ましい置換基として先に例示したものが挙げ
られる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩
素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。R
b0は水素原子が好ましい。A’は、単結合、エーテル
基、エステル基、カルボニル基、アルキレン基、又はこ
れらを組み合わせた2価の基を表す。B2は、一般式
(V−1)〜(V−4)のうちのいずれかで示される基
を表す。A’において、該組み合わせた2価の基として
は、例えば下記式のものが挙げられる。
In the general formula (AI), R b0 represents a hydrogen atom, a halogen atom, or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Preferred substituents which the alkyl group of Rb0 may have are those represented by the general formulas (V-1) to (V-1).
Preferred examples of the substituent which may be possessed by the alkyl group as R 1b in (V-4) include those exemplified above. Examples of the halogen atom for R b0 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom. R
b0 is preferably a hydrogen atom. A ′ represents a single bond, an ether group, an ester group, a carbonyl group, an alkylene group, or a divalent group obtained by combining these. B 2 represents a group represented by any one of formulas (V-1) to (V-4). In A ′, examples of the combined divalent group include those represented by the following formula.

【0095】[0095]

【化34】 Embedded image

【0096】上記式において、Rab、Rbbは、水素原
子、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸
基、アルコキシ基を表し、両者は同一でも異なっていて
もよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル
基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基から選択される。置換アルキ
ル基の置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、炭素数
1〜4のアルコキシ基を挙げることができる。アルコキ
シ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものを挙げること
ができる。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原
子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。r
1は1〜10の整数、好ましくは1〜4の整数を表す。
mは1〜3の整数、好ましくは1又は2を表す。
In the above formula, Rab and Rbb represent a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, or an alkoxy group, and they may be the same or different. As the alkyl group, a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, and a butyl group is preferable, and a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group are more preferable. Examples of the substituent of the substituted alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom, and an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom. r
1 represents an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 4.
m represents an integer of 1 to 3, preferably 1 or 2.

【0097】以下に、一般式(AI)で表される繰り返
し単位の具体例を挙げるが、本発明の内容がこれらに限
定されるものではない。
Specific examples of the repeating unit represented by formula (AI) are shown below, but the invention is not limited thereto.

【0098】[0098]

【化35】 Embedded image

【0099】[0099]

【化36】 Embedded image

【0100】[0100]

【化37】 Embedded image

【0101】[0101]

【化38】 Embedded image

【0102】[0102]

【化39】 Embedded image

【0103】[0103]

【化40】 Embedded image

【0104】[0104]

【化41】 Embedded image

【0105】また、本発明の酸分解性樹脂は、更に下記
一般式(VI)で表される繰り返し単位を含有することが
できる。
Further, the acid-decomposable resin of the present invention can further contain a repeating unit represented by the following general formula (VI).

【0106】[0106]

【化42】 Embedded image

【0107】一般式(VI)において、A6は単結合、ア
ルキレン基、シクロアルキレン基、エーテル基、チオエ
ーテル基、カルボニル基、エステル基よりなる群から選
択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表
す。R6aは水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、シア
ノ基、又はハロゲン原子を表す。
In the general formula (VI), A 6 represents a single bond, an alkylene group, a cycloalkylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, an ester group, or a combination of two or more groups. Represents R 6a represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a cyano group, or a halogen atom.

【0108】一般式(VI)において、A6のアルキレン
基としては、下記式で表される基を挙げることができ
る。 −〔C(Rnf)(Rng)〕r− 上記式中、Rnf、Rngは、水素原子、アルキル基、
置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基
を表し、両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル
基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更
に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基から選択される。置換アルキル基の置換基とし
ては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げるこ
とができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4の
ものを挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩
素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げるこ
とができる。rは1〜10の整数である。一般式(VI)
において、A6のシクロアルキレン基としては、炭素数
3から10個のものが挙げられ、シクロペンチレン基、
シクロヘキシレン基、シクロオクチレン基等を挙げるこ
とができる。
In formula (VI), examples of the alkylene group represented by A 6 include groups represented by the following formula. -[C (Rnf) (Rng)] r- In the above formula, Rnf and Rng are a hydrogen atom, an alkyl group,
Represents a substituted alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, or an alkoxy group, which may be the same or different. As the alkyl group, a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, and a butyl group is preferable, and a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group are more preferable. Examples of the substituent of the substituted alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom and an alkoxy group. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom. r is an integer of 1 to 10. General formula (VI)
In the above, examples of the cycloalkylene group for A 6 include those having 3 to 10 carbon atoms, and a cyclopentylene group,
Examples thereof include a cyclohexylene group and a cyclooctylene group.

【0109】Z6を含む有橋式脂環式環は、置換基を有
していてもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原
子、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜4)、アルコキ
シカルボニル基(好ましくは炭素数1〜5)、アシル基
(例えば、ホルミル基、ベンゾイル基)、アシロキシ基
(例えば、プロピルカルボニルオキシ基、ベンゾイルオ
キシ基)、アルキル基(好ましくは炭素数1〜4)、カ
ルボキシル基、水酸基、アルキルスルホニルスルファモ
イル基(-CONHSO2CH3等)が挙げられる。尚、
置換基としてのアルキル基は、更に水酸基、ハロゲン原
子、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜4)等で置換
されていてもよい。
The bridged alicyclic ring containing Z 6 may have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom, an alkoxy group (preferably having 1 to 4 carbon atoms), an alkoxycarbonyl group (preferably having 1 to 5 carbon atoms), an acyl group (eg, a formyl group and a benzoyl group), and an acyloxy group ( For example, a propylcarbonyloxy group, a benzoyloxy group), an alkyl group (preferably having 1 to 4 carbon atoms), a carboxyl group, a hydroxyl group, an alkylsulfonylsulfamoyl group (such as —CONHSO 2 CH 3 ) are exemplified. still,
The alkyl group as a substituent may be further substituted with a hydroxyl group, a halogen atom, an alkoxy group (preferably having 1 to 4 carbon atoms), or the like.

【0110】一般式(VI)において、A6に結合してい
るエステル基の酸素原子は、Z6を含む有橋式脂環式環
構造を構成する炭素原子のいずれの位置で結合してもよ
い。
In the general formula (VI), the oxygen atom of the ester group bonded to A 6 may be bonded at any position of the carbon atom constituting the bridged alicyclic ring structure including Z 6. Good.

【0111】以下に、一般式(VI)で表される繰り返し
単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものでは
ない。
The following are specific examples of the repeating unit represented by the general formula (VI), but the invention is not limited thereto.

【0112】[0112]

【化43】 Embedded image

【0113】[0113]

【化44】 Embedded image

【0114】上記一般式(V−1)〜(V−4)で表さ
れる基を有する繰り返し単位又は上記一般式(VI)で表
される繰り返し単位を含有することにより、ドライエッ
チング耐性を向上させることができる。
The dry etching resistance is improved by containing a repeating unit having a group represented by the above formulas (V-1) to (V-4) or a repeating unit represented by the above formula (VI). Can be done.

【0115】酸分解性樹脂に含有される単環又は多環の
脂環式炭化水素構造としては、単環型として炭素数3以
上、好ましくは炭素数3〜8の単環型の脂環式骨格を有
する基を挙げることができ、たとえばシクロプロパン、
シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン等の環
状炭化水素骨格を挙げることができる。多環型として
は、炭素数5個以上、好ましくは炭素数7〜25個の脂
環式骨格を有するものを挙げることができる。たとえば
ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ等の脂環式の環状
炭化水素骨格を挙げることができる。より具体的には、
後述の構造で挙げたものが挙げられる。
The monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure contained in the acid-decomposable resin is a monocyclic alicyclic hydrocarbon having 3 or more carbon atoms, preferably 3 to 8 carbon atoms. Groups having a skeleton can be mentioned, for example, cyclopropane,
Examples thereof include cyclic hydrocarbon skeletons such as cyclobutane, cyclopentane, and cyclohexane. Examples of the polycyclic type include those having an alicyclic skeleton having 5 or more carbon atoms, preferably 7 to 25 carbon atoms. For example, an alicyclic cyclic hydrocarbon skeleton such as bicyclo, tricyclo and tetracyclo may be mentioned. More specifically,
Examples of the structure described below are given.

【0116】一方、脂環式炭化水素基が含んでいてもよ
い酸分解性基としては、酸分解構造で連結され、酸の作
用により分解し脂環式炭化水素基が脱離してもよいし、
あるいは脂環式炭化水素基に前記式(x)あるいは
(y)で示される基が直接あるいは連結基を介して結合
していてもよい。単環又は多環の脂環式炭化水素基を樹
脂の側鎖に有する場合、樹脂主鎖と脂環式炭化水素基が
3級エステル基で連結されていることが好ましい。
On the other hand, the acid-decomposable group which may be contained in the alicyclic hydrocarbon group may be linked by an acid-decomposition structure, decomposed by the action of an acid, and the alicyclic hydrocarbon group may be eliminated. ,
Alternatively, the group represented by the above formula (x) or (y) may be bonded to the alicyclic hydrocarbon group directly or via a linking group. When a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon group is provided on the side chain of the resin, it is preferable that the resin main chain and the alicyclic hydrocarbon group are connected by a tertiary ester group.

【0117】このような単環又は多環の脂環式炭化水素
構造を有する繰り返し単位としては、好ましくは下記一
般式(II)〜(V)で表される構造単位である。
The repeating unit having a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure is preferably a structural unit represented by the following general formulas (II) to (V).

【0118】[0118]

【化45】 Embedded image

【0119】[0119]

【化46】 Embedded image

【0120】式(II)〜(IV)について説明し、続いて
式(V)について説明する。式(II)〜(IV)中、繰り
返し単位の主鎖に結合している置換基、すなわちR11
12、R14〜R16は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ
基、アルキル基又はハロアルキル基を表す。R11
12、R14〜R16は、互いに同一であってもよく、異な
っていてもよい。
Formulas (II) to (IV) will be described, and then formula (V) will be described. In the formulas (II) to (IV), a substituent bonded to the main chain of the repeating unit, that is, R 11 ,
R 12 , R 14 to R 16 represent a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group or a haloalkyl group. R 11 ,
R 12 and R 14 to R 16 may be the same or different.

【0121】R11、R12、R14〜R16が示す上記アルキ
ル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、n−
ブチル基、sec−ブチル基のような炭素数1〜4個の
炭化水素基を挙げることができる。上記ハロアルキル基
としては、炭素数1〜4個のアルキル基の一部又は全部
をハロゲン原子が置換している基を挙げることができ
る。ここで、ハロゲン原子として、好ましくはフッ素原
子、塩素原子又は臭素原子を挙げることができる。ハロ
アルキル基の具体例としては、例えばフルオロメチル
基、クロロメチル基、ブロモメチル基、フルオロエチル
基、クロロエチル基、ブロモエチル基等が挙げられる。
これらのアルキル基、ハロアルキル基は、ハロゲン原子
以外の置換基をさらに有していてもよい。
The alkyl groups represented by R 11 , R 12 and R 14 to R 16 include methyl, ethyl, propyl, n-
Examples thereof include a hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms such as a butyl group and a sec-butyl group. Examples of the haloalkyl group include groups in which a part or all of an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is substituted with a halogen atom. Here, the halogen atom preferably includes a fluorine atom, a chlorine atom or a bromine atom. Specific examples of the haloalkyl group include, for example, a fluoromethyl group, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a fluoroethyl group, a chloroethyl group, a bromoethyl group, and the like.
These alkyl groups and haloalkyl groups may further have a substituent other than a halogen atom.

【0122】置換基R13は、シアノ基、−CO−OR23
又は−CO−NR2425を表す。ここで、R23は、水素
原子、アルキル基、シクロアルキル基もしくはアルケニ
ル基、又は酸分解性基を表す。酸分解性基は、上記と同
様の基を例示することができる。例えば上記と同様の繰
り返し構造単位を有する化合物が好ましい。R23の内、
アルキル基、シクロアルキル基及びアルケニル基は、置
換基をさらに有していてもよい。
The substituent R 13 is a cyano group, —CO—OR 23
Or an -CO-NR 24 R 25. Here, R 23 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an alkenyl group, or an acid-decomposable group. Examples of the acid-decomposable group include the same groups as described above. For example, a compound having the same repeating structural unit as described above is preferable. Of the R 23,
The alkyl group, cycloalkyl group and alkenyl group may further have a substituent.

【0123】また、上記R24、R25は、水素原子又は、
アルキル基、シクロアルキル基もしくはアルケニル基を
表す。アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基
は、置換基を有していてもよい。R24、R25は、互いに
同一でもよく、異なっていてもよい。互いに結合して、
窒素原子とともに環を形成してもよい。その場合の環構
造としては、5〜8員環が好ましく、具体的にはピロリ
ジン、ピペリジン、ピペラジン骨格等が挙げられる。
R 24 and R 25 are each a hydrogen atom or
Represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an alkenyl group. The alkyl group, cycloalkyl group, and alkenyl group may have a substituent. R 24 and R 25 may be the same or different. Combine with each other,
A ring may be formed together with the nitrogen atom. In such a case, the ring structure is preferably a 5- to 8-membered ring, and specific examples include pyrrolidine, piperidine, and piperazine skeletons.

【0124】R23〜R25で表すアルキル基としては、炭
素数1〜8のアルキル基が好ましく、具体的にはメチル
基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブ
チル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル
基などが挙げられる。シクロアルキル基としては、炭素
数3〜8のシクロアルキル基が好ましく、具体的にはシ
クロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基
などが挙げられる。アルケニル基としては、炭素数2〜
6のアルケニル基が好ましく、具体的にはビニル基、プ
ロペニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘ
キセニル基、シクロヘキセニル基などが挙げられる。ア
ルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基は、置換基
を有していてもよい。
The alkyl group represented by R 23 to R 25 is preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a hexyl group. Group, 2-ethylhexyl group, octyl group and the like. As the cycloalkyl group, a cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms is preferable, and specific examples include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group. The alkenyl group has 2 to 2 carbon atoms.
The alkenyl group of 6 is preferable, and specific examples include a vinyl group, a propenyl group, an allyl group, a butenyl group, a pentenyl group, a hexenyl group, and a cyclohexenyl group. The alkyl group, cycloalkyl group, and alkenyl group may have a substituent.

【0125】式(II)〜(IV)において、X1−A,X2
−A又はX3−Aの形で構成された置換基中、X1 〜X3
は、単結合又は2価の基を表す。2価の基としては、例
えばアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン
基、−O−、−SO2 −、−O−CO−R26−、−CO
−O−R27−、及び−CO−NR28−R29−などを挙げ
ることができる。X1〜X3は、互いに同一でもよく、異
なっていてもよい。
In the formulas (II) to (IV), X 1 -A, X 2
-A or X 3 -A, X 1 to X 3
Represents a single bond or a divalent group. Examples of the divalent group, such as an alkylene group, an alkenylene group, a cycloalkylene group, -O -, - SO 2 - , - O-CO-R 26 -, - CO
—O—R 27 — and —CO—NR 28 —R 29 — and the like. X 1 to X 3 may be the same or different.

【0126】X1 〜X3 の内、アルキレン基、アルケニ
レン基、シクロアルキレン基は、R11、R12、R14〜R
16が示すアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基
と炭素骨格が同一の二価の基をそれぞれ挙げることがで
きる。X1 〜X3の上記−O−CO−R26−、−CO−
O−R27−及び−CO−NR2 8−R29−におけるR26
27、R29は、それぞれ単結合又は2価の基を表す。2
価の基としては、例えばアルキレン基、アルケニレン
基、及びシクロアルキレン基を挙げることができる。こ
の場合のアルキレン基、アルケニレン基及びシクロアル
キレン基についても、R11、R12、R14〜R16が示すア
ルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基と炭素骨格
が同一の二価の基を挙げることができる。これらの基に
はさらに、エーテル基、エステル基、アミド基、ウレタ
ン基あるいはウレイド基などと結合して全体で2価の基
を形成していてもよい。R26、R27、R29の三者は互い
に同一であってもよく、異なっていてもよい。
Among X 1 to X 3 , an alkylene group, alkenylene group and cycloalkylene group are represented by R 11 , R 12 , R 14 to R
Examples of the alkyl group, alkenyl group, and cycloalkyl group represented by 16 include divalent groups having the same carbon skeleton. The above-mentioned —O—CO—R 26 — and —CO— of X 1 to X 3 ;
O-R 27 - and -CO-NR 2 8 -R 29 - in R 26,
R 27 and R 29 each represent a single bond or a divalent group. 2
Examples of the valent group include an alkylene group, an alkenylene group, and a cycloalkylene group. In this case, the alkylene group, alkenylene group, and cycloalkylene group also include divalent groups having the same carbon skeleton as the alkyl group, alkenyl group, and cycloalkyl group represented by R 11 , R 12 , and R 14 to R 16. Can be. These groups may further be bonded to an ether group, an ester group, an amide group, a urethane group or a ureide group to form a divalent group as a whole. Tripartite R 26, R 27, R 29 may be the same or may be different from one another.

【0127】X1 〜X3の内の−CO−NR28−R29
の置換基R28は、上記のR23〜R25と同様に、水素原
子、アルキル基、シクロアルキル基、又はアルケニル基
を表す。これらアルキル基、シクロアルキル基、アルケ
ニル基は、置換基を有していてもよい。R28は、R24
びR25のいずれかと同一でもよく、異なっていてもよ
い。R28で表されるアルキル基、シクロアルキル基、ア
ルケニル基の具体例などは、各々R23〜R25で表される
アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基の場合と
同様である。
-CO-NR 28 -R 29 -in X 1 -X 3
The substituents R 28, similarly to the above R 23 to R 25, represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an alkenyl group. These alkyl group, cycloalkyl group and alkenyl group may have a substituent. R 28 may be the same as or different from any of R 24 and R 25 . Alkyl group represented by R 28, a cycloalkyl group, etc. Specific examples of the alkenyl groups are each an alkyl group represented by R 23 to R 25, a cycloalkyl group, the same as for the alkenyl group.

【0128】X1等を介して繰り返し単位の主鎖に間接
的に結合している置換基Aは、単環又は多環の環状炭化
水素基を表す。Aで示される単環型の環状炭化水素基と
しては、炭素数3以上、好ましくは炭素数3〜8の脂環
式骨格を有する基を挙げることができる。たとえばシク
ロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘ
キサン等の環状炭化水素骨格を挙げることができる。多
環型の環状炭化水素基としては、炭素数5以上好ましく
は炭素数7〜25の脂環式骨格を有する基を挙げること
ができる。たとえばビシクロ、トリシクロ、テトラシク
ロ等の脂環式の環状炭化水素骨格を挙げることができ
る。これらの単環型あるいは多環型の環状炭化水素骨格
基は、さらに置換基を有して炭素数を増加させていても
よい。
The substituent A indirectly bonded to the main chain of the repeating unit via X 1 or the like represents a monocyclic or polycyclic hydrocarbon group. Examples of the monocyclic hydrocarbon group represented by A include groups having an alicyclic skeleton having 3 or more carbon atoms, preferably 3 to 8 carbon atoms. For example, a cyclic hydrocarbon skeleton such as cyclopropane, cyclobutane, cyclopentane and cyclohexane can be mentioned. Examples of the polycyclic hydrocarbon group include a group having an alicyclic skeleton having 5 or more carbon atoms, preferably 7 to 25 carbon atoms. For example, an alicyclic cyclic hydrocarbon skeleton such as bicyclo, tricyclo and tetracyclo may be mentioned. These monocyclic or polycyclic cyclic hydrocarbon skeleton groups may further have a substituent to increase the number of carbon atoms.

【0129】多環型の脂環式基の好ましい置換基として
は、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミ
ド基、スルホンアミド基、上記R23のところで記載した
アルキル基をそのまま挙げることができる。ハロゲン原
子は、フッ素、塩素、臭素又はヨウ素である。置換基と
して、さらにアルコキシ基、アルコキシカルボニル基、
アシル基、アシロキシ基、カルボキシ基が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ヒド
ロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキ
シ基、ブトキシ基等炭素数1〜8個のアルコキシ基を挙
げることができる。アルコキシカルボニル基としては、
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアル
コキシカルボニル基を挙げることができる。アシル基と
しては、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等を挙
げることができる。アシロキシ基としては、アセトキシ
基、ブチリルオキシ基等を挙げることができる。
Preferred examples of the substituent of the polycyclic alicyclic group include a hydroxyl group, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an amide group, a sulfonamide group, and the alkyl group described for R 23 as they are. it can. Halogen is fluorine, chlorine, bromine or iodine. As a substituent, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group,
Examples include an acyl group, an acyloxy group, and a carboxy group.
Examples of the alkoxy group include an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a hydroxyethoxy group, a propoxy group, a hydroxypropoxy group, and a butoxy group. As the alkoxycarbonyl group,
Examples thereof include an alkoxycarbonyl group such as a methoxycarbonyl group and an ethoxycarbonyl group. Examples of the acyl group include a formyl group, an acetyl group and a benzoyl group. Examples of the acyloxy group include an acetoxy group and a butyryloxy group.

【0130】上記多環又は単環型の環状炭化水素基のう
ちの多環又は単環型脂環式部分すなわちAで表される代
表的な構造例としては、例えば下記に示すものが挙げら
れる。
Representative examples of the polycyclic or monocyclic alicyclic moiety of the polycyclic or monocyclic cyclic hydrocarbon group, that is, A, are as follows. .

【0131】[0131]

【化47】 Embedded image

【0132】[0132]

【化48】 Embedded image

【0133】次に、上記一般式(V)について説明す
る。上記した一般式(V)中、nは0又は1である。X
a,Xbは、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を
表す。Ya,Ybは、水素原子、水酸基、又は−COO
Xcで示される基を表す。ここで、Xcは、一つの態様
として、水素原子又はアルキル基を表す。このアルキル
基としては、炭素数1〜8のアルキル基、好ましくは炭
素数1〜4のアルキル基を挙げることができ、具体的に
は、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、tert−ブチル基などを挙げることができる。これら
のアルキル基は、水酸基、ハロゲン基又はシアノ基が、
水素原子の一部又は全部を置換していてもよい。Xcの
別の態様では、−COOXc全体で酸分解性基を構成す
るような基を表す。具体的には、上記した式(x)、
(y)で表される基を挙げることができる。そのほかに
も、酸分解性のあるラクトン構造を含む基、酸分解性の
ある脂環式構造を含む基も挙げることができる。
Next, the general formula (V) will be described. In the general formula (V), n is 0 or 1. X
a and Xb represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Ya and Yb represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, or -COO
Represents a group represented by Xc. Here, Xc represents, in one embodiment, a hydrogen atom or an alkyl group. Examples of the alkyl group include an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and specifically, for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a tert group -Butyl group and the like. These alkyl groups are a hydroxyl group, a halogen group or a cyano group,
Some or all of the hydrogen atoms may be substituted. In another embodiment of Xc, -COOXc represents a group constituting an acid-decomposable group as a whole. Specifically, the above equation (x),
The group represented by (y) can be mentioned. In addition, a group containing an acid-decomposable lactone structure and a group containing an acid-decomposable alicyclic structure can also be mentioned.

【0134】以下に一般式(II)〜(V)で表される繰り
返し構造単位の具体例を示すが、本発明がこれに限定さ
れるものではない。
Specific examples of the repeating structural units represented by formulas (II) to (V) are shown below, but the present invention is not limited to these.

【0135】[0135]

【化49】 Embedded image

【0136】[0136]

【化50】 Embedded image

【0137】[0137]

【化51】 Embedded image

【0138】[0138]

【化52】 Embedded image

【0139】[0139]

【化53】 Embedded image

【0140】[0140]

【化54】 Embedded image

【0141】[0141]

【化55】 Embedded image

【0142】[0142]

【化56】 Embedded image

【0143】[0143]

【化57】 Embedded image

【0144】これら具体例の中でも、例えば(b1)、
(b2)、(b5)、(b9)、(b47)、(b4
8)、(b49)、(b50)、(b54)、(b5
8)、(b60)などは、通常、酸分解性が認められて
好ましい。とりわけ、アダマンチル基が樹脂主鎖と酸分
解性構造で連結された(b1)、(b47)、(b4
8)、(b49)が好ましい。これらを用いると、ドラ
イエッチング耐性及び解像力が向上する。
Among these specific examples, for example, (b1)
(B2), (b5), (b9), (b47), (b4)
8), (b49), (b50), (b54), (b5)
8), (b60) and the like are usually preferred because of their acid decomposability. In particular, (b1), (b47), and (b4) in which an adamantyl group is linked to the resin main chain by an acid-decomposable structure.
8) and (b49) are preferred. When these are used, dry etching resistance and resolution are improved.

【0145】上記のような酸分解性樹脂には、さらにカ
ルボキシル基を含ませることもできる。カルボキシル基
は、上記各繰り返し構造単位中に含まれてもよいし、こ
れらとは別の繰り返し構造単位中に含まれてもよい。さ
らにこれらの構造単位のうち複数の位置に含まれてもよ
い。
The above-mentioned acid-decomposable resin may further contain a carboxyl group. The carboxyl group may be contained in each of the above repeating structural units, or may be contained in another repeating structural unit other than these. Furthermore, these structural units may be included in a plurality of positions.

【0146】本発明のポジ型感光性組成物に含有される
酸分解性樹脂における上記カルボキシル基を有する全繰
り返し構造単位の含有量は、アルカリ現像性、基板密着
性、さらには感度等の性能により調整されるが、酸分解
性樹脂の全繰り返し構造単位に対して好ましくは0〜6
0モル%、より好ましくは0〜40モル%、またさらに
好ましくは0〜20モル%の範囲である。
The content of all the repeating units having a carboxyl group in the acid-decomposable resin contained in the positive photosensitive composition of the present invention depends on the performance such as alkali developability, substrate adhesion, and sensitivity. Although it is adjusted, it is preferably 0 to 6 with respect to all repeating structural units of the acid-decomposable resin.
The range is 0 mol%, more preferably 0 to 40 mol%, and still more preferably 0 to 20 mol%.

【0147】以下にカルボキシル基を有する繰り返し構
造単位の具体例を示すが、本発明がこれに限定されるも
のではない。
Specific examples of the repeating structural unit having a carboxyl group are shown below, but the present invention is not limited thereto.

【0148】[0148]

【化58】 Embedded image

【0149】[0149]

【化59】 Embedded image

【0150】更に、下記一般式(VII)で表される基を
有する繰り返し単位を含有してもよい。
Further, it may contain a repeating unit having a group represented by the following formula (VII).

【0151】[0151]

【化60】 Embedded image

【0152】一般式(VII)中、R2c〜R4cは、各々独
立に水素原子又は水酸基を表す。ただし、R2c〜R4cの
うち少なくとも1つは水酸基を表す。
[0152] In the general formula (VII), R 2 c~R 4 c represents a hydrogen atom or a hydroxyl group independently. Provided that at least one of R 2 c to R 4 c represents a hydroxyl group.

【0153】一般式(VII)で表される基は、好ましく
はジヒドロキシ体、モノヒドロキシ体であり、より好ま
しくはジヒドロキシ体である。
The group represented by the formula (VII) is preferably a dihydroxy form or a monohydroxy form, more preferably a dihydroxy form.

【0154】一般式(VII)で表される基を有する繰り
返し単位としては、上記一般式(II−A)又は(II−
B)中のR13'〜R16'のうち少なくとも1つが上記一般
式(VII)で表される基を有するもの(例えば−COO
5のR5が一般式(V−1)〜(V−4)で表される基
を表す)、又は下記一般式(AII)で表される繰り返し
単位等を挙げることができる。
The repeating unit having a group represented by the general formula (VII) includes the above-mentioned general formula (II-A) or (II-
B) wherein at least one of R 13 ′ to R 16 ′ has a group represented by the general formula (VII) (for example, —COO
R 5 of R 5 represents a group represented by formulas (V-1) to (V-4)), or a repeating unit represented by the following formula (AII).

【0155】[0155]

【化61】 Embedded image

【0156】一般式(AII)中、R1cは、水素原子又は
メチル基を表す。R2c〜R4cは、各々独立に水素原子又
は水酸基を表す。ただし、R2c〜R4cのうち少なくとも
1つは水酸基を表す。
[0156] In formula (AII), R 1 c represents a hydrogen atom or a methyl group. R 2 c to R 4 c represents a hydrogen atom or a hydroxyl group independently. Provided that at least one of R 2 c to R 4 c represents a hydroxyl group.

【0157】以下に、一般式(AII)で表される構造を
有する繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定
されるものではない。
Specific examples of the repeating unit having the structure represented by formula (AII) are shown below, but it should not be construed that the invention is limited thereto.

【0158】[0158]

【化62】 Embedded image

【0159】更に、下記一般式(VIII)で表される基を
有する繰り返し単位を含有してもよい。
Further, it may contain a repeating unit having a group represented by the following formula (VIII).

【0160】[0160]

【化63】 Embedded image

【0161】一般式(VIII)中:Z2は、−O−又は−
N(R41)−を表す。ここでR41は、水素原子、水酸
基、アルキル基、ハロアルキル基、又は−OSO2−R
42を表す。R42は、アルキル基、ハロアルキル基、シク
ロアルキル基又は樟脳残基を表す。
In the general formula (VIII): Z 2 is -O- or-
N (R 41 )-. Here, R 41 is a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a haloalkyl group, or —OSO 2 —R
Represents 42 . R 42 represents an alkyl group, a haloalkyl group, a cycloalkyl group or a camphor residue.

【0162】上記一般式(VIII)に於いて、Z2は、−
O−又は−N(R41)−を表す。ここでR41は、水素原
子、水酸基、アルキル基、ハロアルキル基、又は−OS
2−R42を表す。R42は、アルキル基、ハロアルキル
基、シクロアルキル基又は樟脳残基を表す。
In the general formula (VIII), Z 2 represents-
Represents O- or -N ( R41 )-. Here, R 41 represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a haloalkyl group, or —OS
Represents O 2 -R 42 . R 42 represents an alkyl group, a haloalkyl group, a cycloalkyl group or a camphor residue.

【0163】上記R41及びR42におけるアルキル基とし
ては、炭素数1〜10個の直鎖状あるいは分岐状アルキ
ル基が好ましく、より好ましくは炭素数1〜6個の直鎖
状あるいは分岐状アルキル基であり、更に好ましくはメ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−
ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチ
ル基である。上記R41及びR42 におけるハロアルキル
基としてはトリフルオロメチル基、ナノフルオロブチル
基、ペンタデカフルオロオクチル基、トリクロロメチル
基等を挙げることができる。上記R42 におけるシクロ
アルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシ
ル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。
The alkyl group for R 41 and R 42 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. And more preferably methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-
A butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group and a t-butyl group. Examples of the haloalkyl group for R 41 and R 42 include a trifluoromethyl group, a nanofluorobutyl group, a pentadecafluorooctyl group, and a trichloromethyl group. Examples of the cycloalkyl group for R 42 include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cyclooctyl group.

【0164】R41及びR42としてのアルキル基及びハロ
アルキル基、R42としてのシクロアルキル基又は樟脳残
基は置換基を有していてもよい。このような置換基とし
ては、例えば、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、ハ
ロゲン原子(例えば、塩素原子、臭素原子、フッソ素原
子、沃素原子)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜
4、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブ
トキシ基等)、アシル基(好ましくは炭素数2〜5、例
えば、ホルミル基、アセチル基等)、アシルオキシ基
(好ましくは炭素数2〜5、例えばアセトキシ基)、ア
リール基(好ましくは炭素数6〜14、例えばフェニル
基)等を挙げることができる。
The alkyl group and haloalkyl group as R 41 and R 42 , the cycloalkyl group or camphor residue as R 42 may have a substituent. Examples of such a substituent include a hydroxyl group, a carboxyl group, a cyano group, a halogen atom (for example, a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, an iodine atom), and an alkoxy group (preferably having 1 to 1 carbon atoms).
4, for example, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, etc., an acyl group (preferably having 2 to 5 carbon atoms, for example, a formyl group, an acetyl group, etc.), and an acyloxy group (preferably having 2 to 5 carbon atoms, for example, An acetoxy group) and an aryl group (preferably having 6 to 14 carbon atoms, for example, a phenyl group).

【0165】上記一般式(VIII)で表される繰り返し単
位の具体例として次の[I'−1]〜[I'−7]が挙げ
られるが、本発明はこれらの具体例に限定されるもので
はない。
Specific examples of the repeating unit represented by formula (VIII) include the following [I'-1] to [I'-7], but the present invention is limited to these specific examples. Not something.

【0166】[0166]

【化64】 Embedded image

【0167】[0167]

【化65】 Embedded image

【0168】酸分解性樹脂の性能を向上させる目的で、
同樹脂の220nm以下の透過性及び耐ドライエッチン
グ性を著しく損なわない範囲で、さらに他の重合性モノ
マーを共重合させてもよい。使用することができる共重
合モノマーとしては、以下に示すものが含まれる。例え
ば、アクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタク
リル酸エステル類、メタクリルアミド類、アリル化合
物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン
類、クロトン酸エステル類等から選ばれる付加重合性不
飽和結合を1個有する化合物である。
For the purpose of improving the performance of the acid-decomposable resin,
Other polymerizable monomers may be further copolymerized within a range that does not significantly impair the transmittance of the resin at 220 nm or less and the dry etching resistance. Copolymerizable monomers that can be used include those shown below. For example, it has one addition-polymerizable unsaturated bond selected from acrylates, acrylamides, methacrylates, methacrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, styrenes, crotonates, and the like. Compound.

【0169】具体的には:アクリル酸エステル類、例え
ばアルキル(アルキル基の炭素数は1〜10のものが好
ましい)アクリレート(例えば、アクリル酸メチル、ア
クリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸t−
ブチル、アクリル酸アミル、アクリル酸シクロヘキシ
ル、アクリル酸エチルヘキシル、アクリル酸オクチル、
アクリル酸−t−オクチル、クロルエチルアクリレー
ト、2−ヒドロキシエチルアクリレート2,2−ジメチ
ルヒドロキシプロピルアクリレート、5−ヒドロキシペ
ンチルアクリレート、トリメチロールプロパンモノアク
リレート、ペンタエリスリトールモノアクリレート、グ
リシジルアクリレート、ベンジルアクリレート、メトキ
シベンジルアクリレート、フルフリルアクリレート、テ
トラヒドロフルフリルアクリレート等)、アリールアク
リレート、メトキシエトキシエチルアクリレート;
Specifically, acrylates such as alkyl (preferably having 1 to 10 carbon atoms in the alkyl group) acrylate (eg, methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, t-acrylate)
Butyl, amyl acrylate, cyclohexyl acrylate, ethylhexyl acrylate, octyl acrylate,
Acrylic acid-t-octyl, chloroethyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate 2,2-dimethylhydroxypropyl acrylate, 5-hydroxypentyl acrylate, trimethylolpropane monoacrylate, pentaerythritol monoacrylate, glycidyl acrylate, benzyl acrylate, methoxybenzyl Acrylate, furfuryl acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, etc.), aryl acrylate, methoxyethoxyethyl acrylate;

【0170】メタクリル酸エステル類、例えば、アルキ
ル(アルキル基の炭素数は1〜10のものが好ましい)
メタクリレート(例えば、メチルメタクリレート、エチ
ルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソプロ
ピルメタクリレート、t−ブチルメタクリレート、アミ
ルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シクロヘ
キシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、オク
チルメタクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレ
ート、4−ヒドロキシブチルメタクリレート、5−ヒド
ロキシペンチルメタクリレート、2,2−ジメチル−3
−ヒドロキシプロピルメタクリレート、トリメチロール
プロパンモノメタクリレート、ペンタエリスリトールモ
ノメタクリレート、グリシジルメタクリレート、フルフ
リルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリ
レート等)、アリールメタクリレート(例えば、フェニ
ルメタクリレート、ナフチルメタクリレート等)、メト
キシエトキシエチルメタクリレート;
Methacrylic esters, for example, alkyl (the alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms)
Methacrylate (e.g., methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, isopropyl methacrylate, t-butyl methacrylate, amyl methacrylate, hexyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, benzyl methacrylate, octyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate, Hydroxypentyl methacrylate, 2,2-dimethyl-3
-Hydroxypropyl methacrylate, trimethylolpropane monomethacrylate, pentaerythritol monomethacrylate, glycidyl methacrylate, furfuryl methacrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate and the like, aryl methacrylate (for example, phenyl methacrylate, naphthyl methacrylate and the like), methoxyethoxyethyl methacrylate;

【0171】アクリルアミド類、例えば、アクリルアミ
ド、N−アルキルアクリルアミド、(アルキル基として
は、炭素数1〜10のもの、例えば、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、t−ブチル基、ヘプチル
基、オクチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基、ヒド
ロキシエチル基、ベンジル基等)、N−アリールアクリ
ルアミド、N,N−ジアルキルアクリルアミド(アルキ
ル基としては、炭素原子数1〜10のもの、例えば、メ
チル基、エチル基、ブチル基、イソブチル基、エチルヘ
キシル基、シクロヘキシル基等、N,N−アリールアク
リルアミド、N−ヒドロキシエチル−N−メチルアクリ
ルアミド、N−2−アセトアミドエチル−N−アセチル
アクリルアミド等;メタクリルアミド類、例えば、メタ
クリルアミド、N−アルキルメタクリルアミド(アルキ
ル基としては、炭素原子数1〜10のもの、例えば、メ
チル基、エチル基、t−ブチル基、エチルヘキシル基、
ヒドロキシエチル基、シクロヘキシル基等が)、N−ア
リールメタクリルアミド、N,N−ジアルキルメタクリ
ルアミド(アルキル基としては、エチル基、プロピル
基、ブチル基等)、N−ヒドロキシエチル−N−メチル
メタクリルアミド、N−メチル−N−フェニルメタクリ
ルアミド、N−エチル−N−フェニルメタクリルアミド
等;アリル化合物、例えば、アリルエステル類(例え
ば、酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリ
ル、ラウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリ
ン酸アリル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸
アリル等)、アリルオキシエタノール等;
Acrylamides, for example, acrylamide, N-alkylacrylamide, (alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, t-butyl group, heptyl group Octyl group, cyclohexyl group, benzyl group, hydroxyethyl group, benzyl group, etc.), N-arylacrylamide, N, N-dialkylacrylamide (alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, for example, methyl group, Ethyl group, butyl group, isobutyl group, ethylhexyl group, cyclohexyl group, etc., N, N-arylacrylamide, N-hydroxyethyl-N-methylacrylamide, N-2-acetamidoethyl-N-acetylacrylamide, etc .; methacrylamides, For example, methacrylamide, N- The Le Kill methacrylamide (the alkyl group, those having 1 to 10 carbon atoms, e.g., methyl, ethyl, t- butyl group, ethylhexyl group,
Hydroxyethyl group, cyclohexyl group, etc.), N-aryl methacrylamide, N, N-dialkyl methacrylamide (alkyl group is ethyl group, propyl group, butyl group, etc.), N-hydroxyethyl-N-methyl methacrylamide , N-methyl-N-phenylmethacrylamide, N-ethyl-N-phenylmethacrylamide and the like; allyl compounds such as allyl esters (for example, allyl acetate, allyl caproate, allyl caprylate, allyl laurate, palmitic acid) Allyl, allyl stearate, allyl benzoate, allyl acetoacetate, allyl lactate), allyloxyethanol and the like;

【0172】クロトン酸エステル類、例えば、クロトン
酸アルキル(例えば、クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘ
キシル、グリセリンモノクロトネート等);イタコン酸
ジアルキル類(例えば、イタコン酸ジメチル、イタコン
酸ジエチル、イタコン酸ジブチル等);マレイン酸ある
いはフマール酸のジアルキルエステル類(例えば、ジメ
チルマレレート、ジブチルフマレート等)、無水マレイ
ン酸、マレイミド、アクリロニトリル、メタクリロニト
リル、マレイロニトリル等が挙げられる。その他、一般
的には共重合可能である付加重合性不飽和化合物であれ
ばよい。
Crotonic esters, for example, alkyl crotonates (for example, butyl crotonate, hexyl crotonate, glycerin monocrotonate, etc.); dialkyl itaconates (for example, dimethyl itaconate, diethyl itaconate, dibutyl itaconate, etc.) And dialkyl esters of maleic acid or fumaric acid (eg, dimethyl maleate, dibutyl fumarate, etc.), maleic anhydride, maleimide, acrylonitrile, methacrylonitrile, maleilenitrile, and the like. In addition, generally, any addition-polymerizable unsaturated compound that can be copolymerized may be used.

【0173】この中でも、メトキシエトキシエチルメタ
クリレート、メトキシエトキシエチルアクリレートが特
に好ましい。(B)酸分解性樹脂中の他の重合性モノマ
ーに由来する繰り返し構造単位の含有量としては、全繰
り返し構造単位に対して、50モル%以下が好ましく、
より好ましくは30モル%以下である。活性光線又は放
射線に対する透明性確保の点から、(B)酸分解性樹脂
中には芳香環を含まないことが好ましい。芳香環の導入
により照射線に対する透明性が低下すると、レジスト膜
底部に露光光が届きにくくなり、テーパーと呼ばれるパ
ターンプロファイルとなってしまうからである。
Among them, methoxyethoxyethyl methacrylate and methoxyethoxyethyl acrylate are particularly preferred. (B) The content of the repeating structural unit derived from another polymerizable monomer in the acid-decomposable resin is preferably 50 mol% or less based on all repeating structural units,
It is more preferably at most 30 mol%. From the viewpoint of ensuring transparency to actinic rays or radiation, it is preferred that the acid-decomposable resin (B) does not contain an aromatic ring. This is because, when the transparency to the irradiation light is reduced due to the introduction of the aromatic ring, the exposure light hardly reaches the bottom of the resist film, resulting in a pattern profile called a taper.

【0174】(B)酸分解性樹脂において、酸分解性基
を有する繰り返し構造単位の含有量は、耐ドライエッチ
ング性、アルカリ現像性等とのバランスにより調整され
るが、全繰り返し単位に対して20モル%以上含有する
ことが好ましく、より好ましくは30モル%以上、さら
に好ましくは40モル%以上である。上記環状炭化水素
基を有する構造単位(好ましくは一般式(II)〜(IV)
で表される繰り返し構造単位)の含有量は、耐ドライエ
ッチング性、アルカリ現像性等とのバランスにより調整
されるが、全繰り返し構造単位に対して20モル%以上
含有することが好ましい。該含有量はより好ましくは3
0〜80モル%、さらに好ましくは35〜70モル%、
またさらに好ましくは40〜60モル%の範囲である。
(B) In the acid-decomposable resin, the content of the repeating structural unit having an acid-decomposable group is adjusted by the balance between dry etching resistance, alkali developability and the like. The content is preferably at least 20 mol%, more preferably at least 30 mol%, further preferably at least 40 mol%. The structural unit having the cyclic hydrocarbon group (preferably, any of the general formulas (II) to (IV)
The content of the repeating structural unit represented by the formula (I) is adjusted according to the balance between dry etching resistance, alkali developability, and the like, but is preferably 20 mol% or more based on all repeating structural units. The content is more preferably 3
0-80 mol%, more preferably 35-70 mol%,
More preferably, it is in the range of 40 to 60 mol%.

【0175】また、(B)酸分解性樹脂においてラクト
ン構造を有する繰り返し構造単位の含有量としては、耐
ドライエッチング性、アルカリ現像性等とのバランスに
より調整されるが、全繰り返し構造単位に対して20モ
ル%以上含有することが好ましい。該含有量はより好ま
しくは30〜80モル%、さらに好ましくは35〜70
モル%、またさらに好ましくは40〜60モル%の範囲
である。
The content of the repeating structural unit having a lactone structure in the acid-decomposable resin (B) is adjusted by the balance between dry etching resistance, alkali developability and the like. At least 20 mol%. The content is more preferably 30 to 80 mol%, further preferably 35 to 70 mol%.
Mol%, and more preferably in the range of 40 to 60 mol%.

【0176】本発明では、溶剤を除く全組成物中あるい
は固形分に対して、(B)酸の作用によりアルカリ現像
液に対する溶解度が増大する樹脂の含有割合は、20〜
99.8重量%、好ましくは50〜99.5重量%がよ
い。
In the present invention, the content of the resin whose solubility in an alkali developing solution is increased by the action of an acid (B) is 20 to the total composition or the solid content excluding the solvent.
99.8% by weight, preferably 50 to 99.5% by weight.

【0177】(B)酸分解性樹脂の重量平均分子量は、
GPC法で測定したポリスチレン換算値として、100
0〜100000の範囲にあることが好ましく、より好
ましくは2000〜50000、更に好ましくは300
0〜30000の範囲である。また、分散度は1.0〜
5.0が好ましく、より好ましくは1.0〜3.0であ
る。
(B) The weight-average molecular weight of the acid-decomposable resin is
As a polystyrene conversion value measured by the GPC method, 100
It is preferably in the range of 0 to 100,000, more preferably 2000 to 50,000, and still more preferably 300 to 50,000.
The range is from 0 to 30,000. Also, the degree of dispersion is 1.0 to
5.0 is preferred, and more preferably 1.0 to 3.0.

【0178】≪(C)カルボン酸オニウム塩≫本発明に
おける(C)カルボン酸オニウム塩としては、カルボン
酸スルホニウム塩、カルボン酸ヨードニウム塩、カルボ
ン酸アンモニウム塩などを挙げることができる。本発明
に用いることができる(C)カルボン酸オニウム塩とし
ては、下記一般式(AI)〜(AVI)で示される化合
物が挙げられる。
{(C) Onium carboxylate} As the onium carboxylate (C) in the present invention, sulfonium carboxylate, iodonium carboxylate, ammonium carboxylate and the like can be mentioned. Examples of the onium carboxylate (C) that can be used in the present invention include compounds represented by the following general formulas (AI) to (AVI).

【0179】[0179]

【化66】 Embedded image

【0180】[0180]

【化67】 Embedded image

【0181】[0181]

【化68】 Embedded image

【0182】上記式において、R301 〜R337は、各々
独立に水素原子、直鎖、分岐あるいは環状アルキル基、
直鎖、分岐あるいは環状アルコキシ基、ヒドロキシ基、
ハロゲン原子、または−S−R0基を表す。R0は直鎖、
分岐、環状アルキル基またはアリール基を表す。Rs1
s2は、各々独立に直鎖、分岐あるいは環状アルキル基
を表す。RN1〜RN4 は、各々独立に置換基を有してい
ても良い、直鎖、分岐、環状アルキル基を表す。RN1
N4 のうち任意の2つの置換基が結合して、環を形成
しても良い。更に、一般式(AV)において、RN1〜R
N4 のうち任意の1つとX-は、分子内で結合していても
良い。
In the above formula, R 301 to R 337 each independently represent a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group;
Linear, branched or cyclic alkoxy groups, hydroxy groups,
Represents a halogen atom or a —S—R 0 group. R 0 is a straight chain,
Represents a branched, cyclic alkyl or aryl group. R s1 ~
R s2 independently represents a linear, branched or cyclic alkyl group. R N1 to R N4 each independently represent a linear, branched or cyclic alkyl group which may have a substituent. R N1 ~
Any two substituents of R N4 may combine to form a ring. Further, in the general formula (AV), R N1 to R N1
Any one of the N4 X - may be linked intramolecularly.

【0183】Rs3〜Rs5は、各々独立に、置換基を有し
ていても良い、直鎖、分岐あるいは環状アルキル基また
はアリール基を表す。また、Rs3〜Rs5のうち2つ以上
が結合して環を形成しても良い。尚、一般式(AVI)
は、スルホニウム構造を2つ以上含有するものも包含す
る。
Each of R s3 to R s5 independently represents a linear, branched or cyclic alkyl group or aryl group which may have a substituent. Further, two or more of R s3 to R s5 may combine to form a ring. The general formula (AVI)
Also includes those containing two or more sulfonium structures.

【0184】上記X-は、下記式で示されるカルボン酸
化合物がアニオンになったものを表す。
The above X - represents a carboxylic acid compound represented by the following formula converted to an anion.

【0185】[0185]

【化69】 Embedded image

【0186】[0186]

【化70】 Embedded image

【0187】上記式中、R338は、炭素数1〜30の置
換もしくは非置換の直鎖状、分岐状アルキル基、炭素数
1〜30の置換もしくは非置換のシクロアルキル基(こ
こで、アルキル基またはシクロアルキル基の鎖中に酸素
原子、窒素原子を含んでいてもよい)、炭素数1〜20
の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルケニル基、炭素数
1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキニル
基、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状あるいは環状のア
ルコキシル基、炭素数6〜20の置換もしくは非置換の
アリール基、ハロゲン原子、ニトロ基、樟脳残基を示
す。前記アルキル基またはシクロアルキル基の水素原子
の少なくとも一部がハロゲン原子および/または水酸基
で置換されていても良い。また、前記アルケニル基の水
素原子の少なくとも一部がハロゲン原子および/または
水酸基で置換されていても良い。ここで、アリール基の
置換基としてはアルキル基、ニトロ基、水酸基、アルコ
キシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン
原子を挙げることができる。
In the above formula, R 338 represents a substituted or unsubstituted linear or branched alkyl group having 1 to 30 carbon atoms or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 1 to 30 carbon atoms (here, alkyl Group or cycloalkyl group may contain an oxygen atom or a nitrogen atom in the chain), having 1 to 20 carbon atoms
A linear, branched or cyclic alkenyl group, a linear, branched or cyclic alkynyl group having 1 to 20 carbon atoms, a linear, branched or cyclic alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, carbon The substituted or unsubstituted aryl group, halogen atom, nitro group, and camphor residue represented by Formulas 6 to 20 are shown. At least a part of the hydrogen atoms of the alkyl group or the cycloalkyl group may be substituted with a halogen atom and / or a hydroxyl group. Further, at least a part of the hydrogen atoms of the alkenyl group may be substituted with a halogen atom and / or a hydroxyl group. Here, examples of the substituent of the aryl group include an alkyl group, a nitro group, a hydroxyl group, an alkoxy group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, and a halogen atom.

【0188】R339は、単結合あるいは、炭素数1〜2
0の直鎖状、分岐状あるいは環状のアルキレン基(ここ
で、アルキレン基の鎖中に酸素原子、窒素原子を含んで
いてもよい)、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしく
は環状のアルケニレン基、あるいは炭素数2〜20のア
ルコキアルキレン基を示し、複数存在するR338、R3 39
は相互に同一でも異なってもよい。前記アルキレン基の
水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子および/また
は水酸基で置換されていても良く、また、前記アルケニ
レン基の水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子で置
換されていても良い。
R 339 is a single bond or a group having 1 to 2 carbon atoms.
0 linear, branched or cyclic alkylene group (here, the chain of the alkylene group may contain an oxygen atom or a nitrogen atom); a linear, branched or cyclic C 1-20 alkyl group; shows the alkenylene group or alkoxide alkylene group having 2 to 20 carbon atoms,, R 338 there are a plurality, R 3 39
May be the same or different from each other. At least a part of the hydrogen atoms of the alkylene group may be substituted with a halogen atom and / or a hydroxyl group, and at least a part of the hydrogen atoms of the alkenylene group may be substituted with a halogen atom.

【0189】R340は水酸基またはハロゲン原子を示
し、複数存在するR340は相互に同一でも異なってもよ
い。m、n、pおよびqは各々独立に、0〜3の整数
で、m+n≦5、p+q≦5である。zは0または1で
ある。
R 340 represents a hydroxyl group or a halogen atom, and a plurality of R 340 may be the same or different. m, n, p and q are each independently an integer of 0 to 3, and m + n ≦ 5 and p + q ≦ 5. z is 0 or 1.

【0190】前記一般式(AI)〜(AVI)におけ
る、R301〜R337、Rs1〜Rs5、RN1〜RN4における直
鎖、分岐アルキル基としては、置換基を有してもよい、
メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、se
c−ブチル基、t−ブチル基のような炭素数1〜4個の
ものが挙げられる。環状アルキル基としては、置換基を
有してもよい、シクロプロピル基、シクロペンチル基、
シクロヘキシル基のような炭素数3〜8個のものが挙げ
られる。
In the general formulas (AI) to (AVI), the linear or branched alkyl group in R 301 to R 337 , R s1 to R s5 , and R N1 to R N4 may have a substituent. ,
Methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, se
Those having 1 to 4 carbon atoms such as a c-butyl group and a t-butyl group are exemplified. The cyclic alkyl group may have a substituent, a cyclopropyl group, a cyclopentyl group,
Those having 3 to 8 carbon atoms such as a cyclohexyl group are exemplified.

【0191】R301〜R337のアルコキシ基としては、メ
トキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポ
キシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブ
トキシ基、t−ブトキシ基のような炭素数1〜4個のも
のが挙げられる。R301〜R337のハロゲン原子として
は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げ
ることができる。
Examples of the alkoxy group represented by R 301 to R 337 include a methoxy group, an ethoxy group, a hydroxyethoxy group, a propoxy group, an n-butoxy group, an isobutoxy group, a sec-butoxy group and a t-butoxy group. To four. Examples of the halogen atom of R 301 to R 337 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.

【0192】R0、Rs3〜Rs5のアリール基としては、
フェニル基、トリル基、メトキシフェニル基、ナフチル
基のような置換基を有してもよい炭素数6〜14個のも
のが挙げられる。これらの置換基として好ましくは、炭
素数1〜4個のアルコキシ基、ハロゲン原子(フッ素原
子、塩素原子、沃素原子)、炭素数6〜10個のアリー
ル基、炭素数2〜6個のアルケニル基、シアノ基、ヒド
ロキシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニ
トロ基等が挙げられる。
As the aryl group for R 0 and R s3 to R s5 ,
Examples thereof include those having 6 to 14 carbon atoms which may have a substituent such as a phenyl group, a tolyl group, a methoxyphenyl group, and a naphthyl group. Preferred as these substituents are alkoxy groups having 1 to 4 carbon atoms, halogen atoms (fluorine atom, chlorine atom, iodine atom), aryl groups having 6 to 10 carbon atoms, and alkenyl groups having 2 to 6 carbon atoms. , A cyano group, a hydroxy group, a carboxy group, an alkoxycarbonyl group, a nitro group and the like.

【0193】RN1〜RN4 のうち任意の2つの置換基が
結合して形成する、芳香環、単環あるいは多環の環状炭
化水素(これらの環内には酸素原子、窒素原子を含んで
いてもよい)としては、ベンゼン構造、ナフタレン構
造、シクロヘキサン構造、ノルボルネン構造、オキサビ
シクロ構造等が挙げられる。
Aromatic, monocyclic or polycyclic hydrocarbons formed by bonding any two substituents out of R N1 to R N4 (including an oxygen atom and a nitrogen atom in these rings) Benzene structure, naphthalene structure, cyclohexane structure, norbornene structure, oxabicyclo structure and the like.

【0194】本発明で使用される一般式(AI)〜(A
VI)で表されるスルホニウム、ヨードニウム、アンモ
ニウム化合物は、その対アニオンX-として、上記式
(C1)〜(C10)で示されるカルボン酸化合物のう
ち少なくとも1種の化合物のカルボキシル基(−COO
H)がアニオン(−COO-)となったものを含む。
The general formulas (AI) to (A) used in the present invention
The sulfonium, iodonium and ammonium compounds represented by VI) have, as a counter anion X , a carboxyl group (—COO) of at least one of the carboxylic acid compounds represented by the above formulas (C1) to (C10).
H) as an anion (—COO ).

【0195】R338における、炭素数1〜30の直鎖
状、分岐状アルキル基(ここで、アルキル基の鎖中に酸
素原子、窒素原子を含んでいてもよい)としては、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、
ヘキシル基、ドデシル基、2−エトキシエチル基、2−
ヒドロキシエチル基などが挙げられる。
Examples of the linear or branched alkyl group having 1 to 30 carbon atoms in R 338 (where the chain of the alkyl group may contain an oxygen atom or a nitrogen atom) include a methyl group and an ethyl group. Group, propyl group, butyl group, pentyl group,
Hexyl group, dodecyl group, 2-ethoxyethyl group, 2-
And a hydroxyethyl group.

【0196】炭素数1〜30のシクロアルキル基として
は、シクロヘキシル基、アダマンチル基、シクロペンチ
ル基、ビシクロ環、オキサビシクロ環、トリシクロ環を
有する基などの単環又は多環型脂環式基等が挙げられ
る。この単環又は多環型脂環式部分の代表的な構造例と
しては、例えば下記に示すものが挙げられる。
Examples of the cycloalkyl group having 1 to 30 carbon atoms include a monocyclic or polycyclic alicyclic group such as a cyclohexyl group, an adamantyl group, a cyclopentyl group, a bicyclo ring, an oxabicyclo ring and a tricyclo ring. No. Representative structural examples of the monocyclic or polycyclic alicyclic moiety include, for example, those shown below.

【0197】[0197]

【化71】 Embedded image

【0198】[0198]

【化72】 Embedded image

【0199】炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは
環状のアルケニル基としては、エテニル、プロペニル、
イソプロペニル、シクロヘキセン等が挙げられる。炭素
数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキニル
基としては、アセチレン、プロペニレン等が挙げられ
る。炭素数1〜20の直鎖状、分岐状あるいは環状のア
ルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ、プロピルオ
キシ、ブトキシ、シクロヘキシルオキシ、イソブトキ
シ、ドデシルオキシ等が挙げられる。炭素数6〜20の
置換もしくは非置換のアリール基としては、フェニル、
ナフチル、アントラニル等が挙げられる。
Examples of the linear, branched or cyclic alkenyl group having 1 to 20 carbon atoms include ethenyl, propenyl,
Isopropenyl, cyclohexene and the like. Examples of the linear, branched or cyclic alkynyl group having 1 to 20 carbon atoms include acetylene and propenylene. Examples of the linear, branched or cyclic alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms include methoxy, ethoxy, propyloxy, butoxy, cyclohexyloxy, isobutoxy, dodecyloxy and the like. As the substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, phenyl,
Naphthyl, anthranil and the like can be mentioned.

【0200】直鎖、分岐アルキル基、シクロアルキル
基、アリール基の置換基としてはアルキル基、ニトロ
基、水酸基、アルコキシ基、アシル基、アルコキシカル
ボニル基、ハロゲン原子を挙げることができる。
Examples of the substituent for the linear, branched alkyl, cycloalkyl and aryl groups include an alkyl group, a nitro group, a hydroxyl group, an alkoxy group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group and a halogen atom.

【0201】R339における、炭素数1〜20の直鎖
状、分岐状あるいは環状のアルキレン基(ここで、アル
キレン基の鎖中に酸素原子、窒素原子を含んでいてもよ
い)、としては、メチレン、エチレン、プロピレン、ブ
チレン、イソブチレン、エトキシエチレン、シクロヘキ
シレン等が挙げられる。炭素数1〜20の直鎖状、分岐
状もしくは環状のアルケニレン基としては、ビニレン、
アリレン等が挙げられる。
Examples of the linear, branched or cyclic alkylene group having 1 to 20 carbon atoms for R 339 (here, the chain of the alkylene group may contain an oxygen atom or a nitrogen atom) include: Examples include methylene, ethylene, propylene, butylene, isobutylene, ethoxyethylene, cyclohexylene and the like. As a linear, branched or cyclic alkenylene group having 1 to 20 carbon atoms, vinylene,
Arylene and the like.

【0202】本発明において、(C)カルボン酸オニウ
ム塩としては、ヨードニウム塩、スルホニウム塩が好ま
しい。更に、本発明の(C)カルボン酸オニウム塩のカ
ルボキシレート残基が芳香族基、炭素−炭素2重結合を
含有しないことが好ましい。特に好ましいX-として
は、炭素数1〜30の直鎖、分岐、単環または多環環状
アルキルカルボン酸アニオンが好ましい。さらに好まし
くはこれらのアルキル基の一部または全てがフッ素置換
されたカルボン酸のアニオンが好ましい。アルキル鎖中
に酸素原子を含んでいても良い。これにより220nm
以下の光に対する透明性が確保され、感度、解像力が向
上し、疎密依存性、露光マージンが改良される。
In the present invention, the onium carboxylate (C) is preferably an iodonium salt or a sulfonium salt. Further, it is preferable that the carboxylate residue of the onium carboxylate (C) of the present invention does not contain an aromatic group and a carbon-carbon double bond. Particularly preferred X is a linear, branched, monocyclic or polycyclic alkyl carboxylate anion having 1 to 30 carbon atoms. More preferably, an anion of a carboxylic acid in which some or all of these alkyl groups are substituted with fluorine is preferred. An oxygen atom may be contained in the alkyl chain. This allows 220 nm
Transparency with respect to the following light is secured, sensitivity and resolution are improved, dependency on density is improved, and exposure margin is improved.

【0203】フッ素置換されたカルボン酸のアニオンと
しては、フロロ酢酸、ジフロロ酢酸、トリフロロ酢酸、
ペンタフロロプロピオン酸、ヘプタフロロ酪酸、ノナフ
ロロペンタン酸、パーフロロドデカン酸、パーフロロト
リデカン酸、パーフロロシクロヘキサンカルボン酸、
2,2−ビストリフロロメチルプロピオン酸のアニオン
等が挙げられる。
Examples of the anion of the fluorine-substituted carboxylic acid include fluoroacetic acid, difluoroacetic acid, trifluoroacetic acid,
Pentafluoropropionic acid, heptafluorobutyric acid, nonafluoropentanoic acid, perfluorododecanoic acid, perfluorotridecanoic acid, perfluorocyclohexanecarboxylic acid,
Anion of 2,2-bistrifluoromethylpropionic acid and the like can be mentioned.

【0204】以下に、これらの(C)カルボン酸オニウ
ム塩の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるも
のではない。
Hereinafter, specific examples of the onium carboxylate (C) will be shown, but the present invention is not limited thereto.

【0205】[0205]

【化73】 Embedded image

【0206】[0206]

【化74】 Embedded image

【0207】[0207]

【化75】 Embedded image

【0208】[0208]

【化76】 Embedded image

【0209】[0209]

【化77】 Embedded image

【0210】[0210]

【化78】 Embedded image

【0211】[0211]

【化79】 Embedded image

【0212】[0212]

【化80】 Embedded image

【0213】[0213]

【化81】 Embedded image

【0214】上記一般式において、Meはメチル基、E
tはエチル基を表す。上記一般式(AI)〜(AVI)
で表される化合物は、1種単独で又は2種以上を組み合
わせて使用することができる。
In the above general formula, Me is a methyl group, E
t represents an ethyl group. The above general formulas (AI) to (AVI)
Can be used alone or in combination of two or more.

【0215】一般式(AI)〜(AVI)で表される化
合物はスルホニウムヒドロキシド、ヨードニウムヒドロ
キシド、アンモニウムヒドロキシドとカルボン酸を適当
な溶剤中反応させることによって合成できる。スルホニ
ウムヒドロキシド、ヨードニウムヒドロキシド、アンモ
ニウムヒドロキシドはスルホニウムヨージド、ヨードニ
ウムヨージド、アンモニウムヨージドを適当な溶剤中酸
化銀と反応させることによって得られる。
The compounds represented by formulas (AI) to (AVI) can be synthesized by reacting sulfonium hydroxide, iodonium hydroxide, ammonium hydroxide and carboxylic acid in a suitable solvent. Sulfonium hydroxide, iodonium hydroxide and ammonium hydroxide can be obtained by reacting sulfonium iodide, iodonium iodide and ammonium iodide with silver oxide in a suitable solvent.

【0216】(C)カルボン酸オニウム塩の組成物中の
含量は、組成物の全固形分に対し、0.1〜20重量%
が適当であり、好ましくは0.5〜10重量%、更に好
ましくは1〜7重量%である。
The content of the onium carboxylate (C) in the composition is 0.1 to 20% by weight based on the total solid content of the composition.
Is suitable, preferably 0.5 to 10% by weight, more preferably 1 to 7% by weight.

【0217】≪(D)酸分解性溶解阻止化合物≫本発明
のポジ型感光性組成物は、(D)酸の作用により分解し
てアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を有し、
分子量3000以下の溶解阻止低分子化合物(以下、
「(D)酸分解性溶解阻止化合物」ともいう)を含有す
ることが好ましい。特に220nm以下の透過性を低下
させないため、Proceeding of SPIE, 2724,355 (1996)
に記載されている酸分解性基を含むコール酸誘導体の様
な、酸分解性基を含有する脂環族又は脂肪族化合物が
(D)酸分解性溶解阻止化合物として好ましい。酸分解
性基、脂環式構造としては、上記酸分解性樹脂のところ
で説明したものと同様のものが挙げられる。(D)酸分
解性溶解阻止化合物の添加量は、ポジ型感光性組成物の
全組成物の固形分に対し、好ましくは3〜50重量%で
あり、より好ましくは5〜40重量%である。以下に
(D)酸分解性溶解阻止化合物の具体例を示すが、これ
らに限定されない。
{(D) Acid-Decomposable Dissolution Inhibiting Compound} The positive photosensitive composition of the present invention has a group (D) which is decomposed by the action of an acid to increase the solubility in an alkaline developer. ,
Dissolution inhibiting low molecular weight compounds having a molecular weight of 3000 or less (hereinafter, referred to as
"(D) acid-decomposable dissolution inhibiting compound"). Proceeding of SPIE, 2724,355 (1996)
As the acid-decomposable dissolution inhibiting compound (D), an alicyclic or aliphatic compound having an acid-decomposable group, such as the cholic acid derivative containing an acid-decomposable group described in (1), is preferred. Examples of the acid-decomposable group and the alicyclic structure include the same as those described for the acid-decomposable resin. (D) The amount of the acid-decomposable dissolution-inhibiting compound to be added is preferably 3 to 50% by weight, more preferably 5 to 40% by weight, based on the solid content of the whole positive photosensitive composition. . Specific examples of the acid-decomposable dissolution inhibiting compound (D) are shown below, but the invention is not limited thereto.

【0218】[0218]

【化82】 Embedded image

【0219】≪(F)含窒素塩基性化合物≫本発明のポ
ジ型感光性組成物は、露光から加熱までの経時による性
能変化を低減するために、(F)含窒素塩基性化合物を
含有することが好ましい。好ましい構造として、下記式
(A)〜(E)で示される構造を挙げることができる。
{(F) Nitrogen-containing basic compound} The positive photosensitive composition of the present invention contains (F) a nitrogen-containing basic compound in order to reduce a change in performance over time from exposure to heating. Is preferred. Preferred structures include those represented by the following formulas (A) to (E).

【0220】[0220]

【化83】 Embedded image

【0221】ここでR250、R251及びR252は、各々独
立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1
〜6アミノアルキル基、炭素数1〜6のヒドロキシアル
キル基又は炭素数6〜20の置換もしくは非置換のアリ
ール基であり、ここでR250とR251は互いに結合して環
を形成してもよい。
Here, R 250 , R 251 and R 252 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms,
Or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, wherein R 250 and R 251 are bonded to each other to form a ring. Good.

【0222】[0222]

【化84】 Embedded image

【0223】(式中、R253、R254、R255及びR
256は、各々独立に、炭素数1〜6のアルキル基を示
す)。好ましい具体例としては、置換もしくは未置換の
グアニジン、置換もしくは未置換のアミノピリジン、置
換もしくは未置換のアミノアルキルピリジン、置換もし
くは未置換のアミノピロリジン、置換もしくは未置換の
インダーゾル、置換もしくは未置換のピラゾール、置換
もしくは未置換のピラジン、置換もしくは未置換のピリ
ミジン、置換もしくは未置換のプリン、置換もしくは未
置換のイミダゾリン、置換もしくは未置換のピラゾリ
ン、置換もしくは未置換のピペラジン、置換もしくは未
置換のアミノモルフォリン、置換もしくは未置換のアミ
ノアルキルモルフォリン等が挙げられ、モノ、ジ、トリ
アルキルアミン、置換もしくは未置換のアニリン、置換
もしくは未置換のピペリジン、モノあるいはジエタノー
ルアミン等が挙げられる。好ましい置換基は、アミノ
基、アミノアルキル基、アルキルアミノ基、アミノアリ
ール基、アリールアミノ基、アルキル基、アルコキシ
基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオ
キシ基、ニトロ基、水酸基、シアノ基である。
(Wherein R 253 , R 254 , R 255 and R
256 independently represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms). Preferred specific examples include substituted or unsubstituted guanidine, substituted or unsubstituted aminopyridine, substituted or unsubstituted aminoalkylpyridine, substituted or unsubstituted aminopyrrolidine, substituted or unsubstituted indazol, substituted or unsubstituted Pyrazole, substituted or unsubstituted pyrazine, substituted or unsubstituted pyrimidine, substituted or unsubstituted purine, substituted or unsubstituted imidazoline, substituted or unsubstituted pyrazoline, substituted or unsubstituted piperazine, substituted or unsubstituted amino Examples include morpholine, substituted or unsubstituted aminoalkyl morpholine, and the like, and include mono, di, trialkylamine, substituted or unsubstituted aniline, substituted or unsubstituted piperidine, mono and diethanolamine, and the like. Preferred substituents are an amino group, aminoalkyl group, alkylamino group, aminoaryl group, arylamino group, alkyl group, alkoxy group, acyl group, acyloxy group, aryl group, aryloxy group, nitro group, hydroxyl group, cyano group It is.

【0224】特に好ましい化合物として、グアニジン、
1,1−ジメチルグアニジン、1,1,3,3,−テト
ラメチルグアニジン、2−アミノピリジン、3−アミノ
ピリジン、4−アミノピリジン、2−ジメチルアミノピ
リジン、4−ジメチルアミノピリジン、2−ジエチルア
ミノピリジン、2−(アミノメチル)ピリジン、2−ア
ミノ−3−メチルピリジン、2−アミノ−4−メチルピ
リジン、2−アミノ−5−メチルピリジン、2−アミノ
−6−メチルピリジン、3−アミノエチルピリジン、4
−アミノエチルピリジン、3−アミノピロリジン、ピペ
ラジン、N−(2−アミノエチル)ピペラジン、N−
(2−アミノエチル)ピペリジン、4−アミノ−2,
2,6,6−テトラメチルピペリジン、4−ピペリジノ
ピペリジン、2−イミノピペリジン、1−(2−アミノ
エチル)ピロリジン、ピラゾール、3−アミノ−5−メ
チルピラゾール、5−アミノ−3−メチル−1−p−ト
リルピラゾール、ピラジン、2−(アミノメチル)−5
−メチルピラジン、ピリミジン、2,4−ジアミノピリ
ミジン、4,6−ジヒドロキシピリミジン、2−ピラゾ
リン、3−ピラゾリン、N−アミノモルフォリン、N−
(2−アミノエチル)モルフォリン、1,5−ジアザビ
シクロ〔4.3.0〕ノナ−5−エン、1,8−ジアザ
ビシクロ〔5.4.0〕ウンデカ−7−エン、2,4,
5−トリフェニルイミダゾール、トリ(n−ブチル)ア
ミン、トリ(n−オクチル)アミン、N−フェニルジエ
タノールアミン、N−ヒドロキシエチルピペリジン、
2,6−ジイソプロピルアニリン、N−シクロヘキシル
−N’−モルホリノエチルチオ尿素等が挙げられるがこ
れに限定されるものではない。
Particularly preferred compounds are guanidine,
1,1-dimethylguanidine, 1,1,3,3-tetramethylguanidine, 2-aminopyridine, 3-aminopyridine, 4-aminopyridine, 2-dimethylaminopyridine, 4-dimethylaminopyridine, 2-diethylamino Pyridine, 2- (aminomethyl) pyridine, 2-amino-3-methylpyridine, 2-amino-4-methylpyridine, 2-amino-5-methylpyridine, 2-amino-6-methylpyridine, 3-aminoethyl Pyridine, 4
-Aminoethylpyridine, 3-aminopyrrolidine, piperazine, N- (2-aminoethyl) piperazine, N-
(2-aminoethyl) piperidine, 4-amino-2,
2,6,6-tetramethylpiperidine, 4-piperidinopiperidine, 2-iminopiperidine, 1- (2-aminoethyl) pyrrolidine, pyrazole, 3-amino-5-methylpyrazole, 5-amino-3-methyl -1-p-tolylpyrazole, pyrazine, 2- (aminomethyl) -5
-Methylpyrazine, pyrimidine, 2,4-diaminopyrimidine, 4,6-dihydroxypyrimidine, 2-pyrazoline, 3-pyrazoline, N-aminomorpholine, N-
(2-aminoethyl) morpholine, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] non-5-ene, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene, 2,4,4
5-triphenylimidazole, tri (n-butyl) amine, tri (n-octyl) amine, N-phenyldiethanolamine, N-hydroxyethylpiperidine,
Examples include, but are not limited to, 2,6-diisopropylaniline, N-cyclohexyl-N'-morpholinoethylthiourea, and the like.

【0225】これらの(F)含窒素塩基性化合物は、単
独であるいは2種以上一緒に用いられる。(F)含窒素
塩基性化合物の使用量は、感光性樹脂組成物の固形分を
基準として、通常、0.001〜10重量%、好ましく
は0.01〜5重量%である。0.001重量%未満で
は上記含窒素塩基性化合物の添加の効果が得られない。
一方、10重量%を超えると感度の低下や非露光部の現
像性が悪化する傾向がある。
These nitrogen-containing basic compounds (F) are used alone or in combination of two or more. (F) The amount of the nitrogen-containing basic compound to be used is generally 0.001 to 10% by weight, preferably 0.01 to 5% by weight, based on the solid content of the photosensitive resin composition. If the amount is less than 0.001% by weight, the effect of the addition of the nitrogen-containing basic compound cannot be obtained.
On the other hand, if it exceeds 10% by weight, the sensitivity tends to decrease and the developability of the unexposed portion tends to deteriorate.

【0226】≪(G)フッ素系及び/又はシリコン系界
面活性剤≫本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、フッ素
系及び/又はシリコン系界面活性剤(フッ素系界面活性
剤及びシリコン系界面活性剤、フッソ原子と珪素原子の
両方を含有する界面活性剤)のいずれか、あるいは2種
以上を含有することが好ましい。本発明のポジ型感光性
組成物が上記(G)界面活性剤とを含有することによ
り、250nm以下、特に220nm以下の露光光源の
使用時に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠
陥の少ないレジストパターンを与えることが可能とな
る。これらの(G)界面活性剤として、例えば特開昭62
-36663号、特開昭61-226746号、特開昭61-226745号、特
開昭62-170950号、特開昭63-34540号、特開平7-230165
号、特開平8-62834号、特開平9-54432号、特開平9-5988
号、米国特許5405720号、同5360692号、同5529881号、
同5296330号、同5436098号、同5576143号、同5294511
号、同5824451号記載の界面活性剤を挙げることがで
き、下記市販の界面活性剤をそのまま用いることもでき
る。使用できる市販の界面活性剤として、例えばエフト
ップEF301、EF303、(新秋田化成(株)製)、フロラードFC
430、431(住友スリーエム(株)製)、メガファックF171、
F173、F176、F189、R08(大日本インキ(株)製)、サ
ーフロンS−382、SC101、102、103、104、105、106(旭
硝子(株)製)、トロイゾルS−366(トロイケミカ
ル(株)製)等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界
面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポ
リマーKP−341(信越化学工業(株)製)もシリコン系
界面活性剤として用いることができる。
{(G) Fluorine and / or Silicon Surfactant} The positive photosensitive resin composition of the present invention comprises a fluorine and / or silicon surfactant (a fluorine surfactant and a silicon surfactant). Surfactant or a surfactant containing both a fluorine atom and a silicon atom), or two or more kinds. When the positive photosensitive composition of the present invention contains the surfactant (G) described above, when using an exposure light source of 250 nm or less, particularly 220 nm or less, excellent sensitivity and resolution, adhesion and development defects can be obtained. It is possible to provide a small number of resist patterns. These (G) surfactants include, for example, those described in
-36663, JP-A-61-226746, JP-A-61-226745, JP-A-62-170950, JP-A-63-34540, JP-A-7-230165
No., JP-A-8-62834, JP-A-9-54432, JP-A-9-5988
No., U.S. Pat.No. 5,405,720, No. 5,306,692, No. 5,529,881,
No. 5296330, No. 5436098, No. 5576143, No. 5294511
And No. 5824451. The following commercially available surfactants can also be used as they are. As commercially available surfactants that can be used, for example, F-top EF301, EF303, (manufactured by Shin-Akita Chemical Co., Ltd.), Florad FC
430, 431 (Sumitomo 3M Limited), Mega Fuck F171,
F173, F176, F189, R08 (manufactured by Dainippon Ink Co., Ltd.), Surflon S-382, SC101, 102, 103, 104, 105, 106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), Troysol S-366 (Troy Chemical Co., Ltd.) )) Or a silicon-based surfactant. Also, polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can be used as a silicon-based surfactant.

【0227】界面活性剤の使用量は、ポジ型感光性組成
物全量(溶剤を除く)に対して、好ましくは0.000
1〜2重量%、より好ましくは0.001〜1重量%で
ある。
The amount of the surfactant used is preferably 0.000 to the total amount of the positive photosensitive composition (excluding the solvent).
The content is 1 to 2% by weight, more preferably 0.001 to 1% by weight.

【0228】≪(E)アルカリ可溶性樹脂≫本発明のポ
ジ型フォトレジスト組成物は、酸分解性基を含有してい
ない、(E)水に不溶でアルカリ現像液に可溶な樹脂を
含有することができ、これにより感度が向上する。本発
明においては、分子量1000〜20000程度のノボ
ラック樹脂類、分子量3000〜50000程度のポリ
ヒドロキシスチレン誘導体をこのような樹脂として用い
ることができるが、これらは250nm以下の光に対し
て吸収が大きいため、一部水素添加して用いるか、又は
全樹脂量の30重量%以下の量で使用するのが好まし
い。また、カルボキシル基をアルカリ可溶性基として含
有する樹脂も用いることができる。カルボキシル基を含
有する樹脂中にはドライエッチング耐性向上のために単
環、又は多環の脂環炭化水素基を有していることが好ま
しい。具体的には酸分解性を示さない脂環式炭化水素構
造を有するメタクリル酸エステルと(メタ)アクリル酸
の共重合体あるいは末端にカルボキシル基を有する脂環
炭化水素基の(メタ)アクリル酸エステルの樹脂などを
挙げることができる。
{(E) Alkali-Soluble Resin} The positive photoresist composition of the present invention contains (E) a resin which is insoluble in water and soluble in an alkali developing solution and which does not contain an acid-decomposable group. And thus the sensitivity is improved. In the present invention, a novolak resin having a molecular weight of about 1,000 to 20,000 and a polyhydroxystyrene derivative having a molecular weight of about 3,000 to 50,000 can be used as such a resin. However, these resins have large absorption for light having a wavelength of 250 nm or less. It is preferable to use a partially hydrogenated product or to use it in an amount of 30% by weight or less of the total resin amount. Further, a resin containing a carboxyl group as an alkali-soluble group can also be used. The carboxyl group-containing resin preferably has a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon group for improving dry etching resistance. Specifically, a copolymer of a methacrylic acid ester having an alicyclic hydrocarbon structure that does not show acid-decomposability and a (meth) acrylic acid or a (meth) acrylic acid ester of an alicyclic hydrocarbon group having a terminal carboxyl group And the like.

【0229】≪その他の物質≫本発明のポジ型感光性組
成物には、必要に応じてさらに染料、可塑剤、上記
(D)成分以外の界面活性剤、光増感剤、及び現像液に
対する溶解性を促進させる化合物等を含有させることが
できる。本発明で使用できる現像液に対する溶解促進性
化合物は、フェノール性OH基を2個以上、又はカルボ
キシ基を1個以上有する分子量1,000以下の低分子
化合物である。カルボキシ基を有する場合は上記と同じ
理由で脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。これら溶解
促進性化合物の好ましい添加量は、(B)酸の作用によ
り分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂
に対して2〜50重量%であり、さらに好ましくは5〜
30重量%である。50重量%を越えた添加量では、現
像残渣が悪化し、また現像時にパターンが変形するとい
う新たな欠点が発生して好ましくない。
{Other Substances} The positive photosensitive composition of the present invention may further contain, if necessary, a dye, a plasticizer, a surfactant other than the above-mentioned component (D), a photosensitizer, and a developer. A compound or the like which promotes solubility can be contained. The compound capable of accelerating dissolution in a developer that can be used in the present invention is a low molecular compound having a molecular weight of 1,000 or less and having two or more phenolic OH groups or one or more carboxy groups. When it has a carboxy group, an alicyclic or aliphatic compound is preferable for the same reason as described above. The preferred addition amount of these dissolution promoting compounds is 2 to 50% by weight, more preferably 5 to 50% by weight, based on the resin which is decomposed by the action of the acid (B) and has increased solubility in an alkali developer.
30% by weight. An addition amount exceeding 50% by weight is not preferable because new development defects such as development residue deterioration and pattern deformation during development occur.

【0230】このような分子量1000以下のフェノー
ル化合物は、例えば、特開平4−122938、特開平
2−28531、米国特許第4916210、欧州特許
第219294等に記載の方法を参考にして、当業者に
おいて容易に合成することができる。カルボキシル基を
有する脂環族、又は脂肪族化合物の具体例としてはコー
ル酸、デオキシコール酸、リトコール酸などのステロイ
ド構造を有するカルボン酸誘導体、アダマンタンカルボ
ン酸誘導体、アダマンタンジカルボン酸、シクロヘキサ
ンカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸などが挙げ
られるがこれらに限定されるものではない。
A phenol compound having a molecular weight of 1,000 or less can be prepared by those skilled in the art by referring to the methods described in, for example, JP-A-4-122938, JP-A-2-28531, US Pat. No. 4,916,210, and EP 219294. It can be easily synthesized. Specific examples of the alicyclic group having a carboxyl group, or an aliphatic compound include carboxylic acid derivatives having a steroid structure such as cholic acid, deoxycholic acid, and lithocholic acid, adamantanecarboxylic acid derivatives, adamantanedicarboxylic acid, cyclohexanecarboxylic acid, and cyclohexane. Examples include, but are not limited to, dicarboxylic acids.

【0231】≪使用方法≫本発明の感光性組成物は、上
記の成分を所定の溶媒に混合状態で溶解してなる。所定
の支持体上に塗布して用いる。ここで使用する溶媒とし
ては、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シク
ロペンタノン、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、
メチルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2−
メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエ
チルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメ
チルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳
酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロ
ピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチ
ル、ピルビン酸プロピル、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン、テ
トラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶媒を単独あ
るいは混合して使用する。これらの中でもシクロヘキサ
ノン、2−ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、乳酸エチル、エトキシプロピオン酸エチル
を単独あるいは2種を1/9〜9/1の割合で混合して
使用するのが好ましい。
<Method of Use> The photosensitive composition of the present invention is obtained by dissolving the above components in a predetermined solvent in a mixed state. It is used by coating on a predetermined support. As the solvent used here, ethylene dichloride, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, γ-butyrolactone,
Methyl ethyl ketone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 2-
Methoxyethyl acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, toluene, ethyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, ethyl pyruvate, methyl pyruvate , Pyruvate, N, N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, N-methylpyrrolidone, tetrahydrofuran, etc., and these solvents are used alone or in combination. Among them, cyclohexanone, 2-heptanone, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl lactate, and ethyl ethoxypropionate are used alone or in a mixture of two kinds in a ratio of 1/9 to 9/1. preferable.

【0232】本発明においては、上記(D)フッ素系及
び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を
加えることもできる。具体的には、ポリオキシエチレン
ラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエー
テル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシ
エチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアル
キルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノー
ルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエー
テル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル
類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロッ
クコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタ
ンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソ
ルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、
ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エス
テル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレー
ト、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテ−ト、
ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリ
オキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシ
エチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエ
チレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面
活性剤等を挙げることができる。これらの界面活性剤は
単独で添加してもよいし、また、いくつかの組み合わせ
で添加することもできる。
In the present invention, a surfactant other than the (D) fluorine-based and / or silicon-based surfactant may be added. Specifically, polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene cetyl ether, polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octyl phenol ether, polyoxyethylene nonyl phenol ether and the like Polyoxyethylene alkyl allyl ethers, polyoxyethylene / polyoxypropylene block copolymers, sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan monostearate, sorbitan monooleate, sorbitan trioleate,
Sorbitan fatty acid esters such as sorbitan tristearate, polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopalmitate,
Nonionic surfactants such as polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters such as polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyoxyethylene sorbitan trioleate, and polyoxyethylene sorbitan tristearate can be exemplified. These surfactants may be added alone or in some combination.

【0233】溶媒に溶解したポジ型感光性組成物は、所
定の基板上に次のようにして塗布する。すなわち、上記
感光性組成物を精密集積回路素子の製造に使用されるよ
うな基板(例:シリコン/二酸化シリコン被覆)上にス
ピナー、コーター等の適当な塗布方法により塗布する。
塗布後、所定のマスクを通して露光し、ベークを行い現
像する。このようにすると、良好なレジストパターンを
得ることができる。ここで露光光としては、好ましくは
250nm以下、より好ましくは220nm以下の波長
の遠紫外線である。具体的には、KrFエキシマレーザ
ー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193n
m)、F2エキシマレーザー(157nm)、X線、電
子ビーム等が挙げられる。
The positive photosensitive composition dissolved in a solvent is applied on a predetermined substrate as follows. That is, the photosensitive composition is applied on a substrate (eg, silicon / silicon dioxide coating) such as used in the production of precision integrated circuit devices by a suitable application method such as a spinner or a coater.
After the application, the film is exposed through a predetermined mask, baked and developed. By doing so, a good resist pattern can be obtained. Here, the exposure light is preferably far ultraviolet light having a wavelength of 250 nm or less, more preferably 220 nm or less. Specifically, a KrF excimer laser (248 nm) and an ArF excimer laser (193n)
m), F 2 excimer laser (157 nm), X-ray, electron beam and the like.

【0234】現像工程では、現像液を次のように用い
る。感光性組成物の現像液としては、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウ
ム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アル
カリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の第一ア
ミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチルアミン等の第
二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン
等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエ
タノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチル
アンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウム
ヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピ
ヘリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用
することができる。さらに、上記アルカリ性水溶液にア
ルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用すること
もできる。
In the developing step, a developing solution is used as follows. As the developer of the photosensitive composition, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, inorganic alkalis such as ammonia water, ethylamine, primary amines such as n-propylamine, Secondary amines such as diethylamine and di-n-butylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcoholamines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide and the like An alkaline aqueous solution such as a quaternary ammonium salt, a cyclic amine such as pyrrole, or pyrhelidine can be used. Further, an appropriate amount of an alcohol or a surfactant may be added to the above alkaline aqueous solution for use.

【0235】[0235]

【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説
明するが、本発明の範囲は実施例によっていささかも制
限されない。
EXAMPLES The present invention will now be described in detail with reference to examples, but the scope of the present invention is not at all limited by the examples.

【0236】<樹脂の合成例> 合成例(1)〔樹脂(P1)の合成(a1)/(b1)
=50/50〕 窒素気流下60℃に加熱したN,N一ジメチルアセトア
ミド7.0gに2−メチル−2−アダマンタンメタクリ
レート5.0g、メバロニックラクトンメタクリレート
4.23g、重合開始剤2,2'−アゾビス(2,4−ジ
メチルバレロニトリル)(和光純薬製;V−65)0.
534gをN,N−ジメチルアセトアミド30.0gに
溶解させた溶液を4時間かけて滴下した。さらに60℃
で2時間反応させた後、V−65を0.267g加え、
さらに2時間反応させた。反応液をイオン交換水100
0m1に注ぎ、析出した粉体をろ取した。これをTHF
に溶解させて、ヘキサン1500m1に注ぎ、得られた
粉体を乾燥して樹脂(I−1)を得た。得られた樹脂の
重量平均分子量は5500、分散度(Mw/Mn)は
1.9であった。なお、重量平均分子量及び分散度は、
DSC法で測定したポリスチレン換算値である
<Synthesis Example of Resin> Synthesis Example (1) [Synthesis of Resin (P1) (a1) / (b1)
= 50/50] 2-methyl-2-adamantane methacrylate 5.0 g, mevalonic lactone methacrylate 4.23 g, polymerization initiator 2,2 in 7.0 g of N, N-dimethylacetamide heated to 60 ° C. under a nitrogen stream. '-Azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) (manufactured by Wako Pure Chemical; V-65)
A solution of 534 g in 30.0 g of N, N-dimethylacetamide was added dropwise over 4 hours. 60 ° C
After reacting for 2 hours, 0.267 g of V-65 was added,
The reaction was further performed for 2 hours. The reaction solution is deionized water 100
The mixture was poured into 0 ml, and the precipitated powder was collected by filtration. This is THF
, And poured into 1500 ml of hexane, and the resulting powder was dried to obtain a resin (I-1). The weight average molecular weight of the obtained resin was 5,500, and the degree of dispersion (Mw / Mn) was 1.9. Incidentally, the weight average molecular weight and the degree of dispersion,
It is a polystyrene equivalent value measured by the DSC method.

【0237】〔樹脂(P2)〜樹脂(P12)の合成〕
ほぼ同様の手法で、下記表1に示される樹脂(P2)〜
樹脂(P12)を順に合成した。これら樹脂の分子量及
び分散度を表1に示す。
[Synthesis of Resin (P2) to Resin (P12)]
In substantially the same manner, the resins (P2) to
Resin (P12) was synthesized in order. Table 1 shows the molecular weight and the degree of dispersion of these resins.

【0238】[0238]

【表1】 [Table 1]

【0239】合成例(2) 樹脂(1)の合成(側鎖
型) 2−エチル−2−アダマンチルメタクリレート、ブチロ
ラクトンメタクリレートを55/45の割合で仕込みメ
チルエチルケトン/テトラヒドロフラン=5/5に溶解
し、固形分濃度20%の溶液100mLを調製した。こ
の溶液に和光純薬製V−65を2mol%加え、これを
窒素雰囲気下、4時間かけて60℃に加熱したメチルエ
チルケトン10mLに滴下した。滴下終了後、反応液を
4時間加熱、再度V−65を1mol%添加し、4時間
攪拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、蒸留
水/ISOプロピルアルコール=1/1の混合溶媒3L
に晶析、析出した白色粉体である樹脂(1)を回収し
た。C13NMRから求めたポリマー組成比は46/54
であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチ
レン換算の重量平均分子量は10700であった。
Synthesis Example (2) Synthesis of Resin (1) (Side chain type) 2-Ethyl-2-adamantyl methacrylate and butyrolactone methacrylate were charged at a ratio of 55/45, dissolved in methyl ethyl ketone / tetrahydrofuran = 5/5, and solidified. 100 mL of a 20% concentration solution was prepared. To this solution, 2 mol% of V-65 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd. was added, and this was added dropwise to 10 mL of methyl ethyl ketone heated to 60 ° C. over 4 hours under a nitrogen atmosphere. After the addition was completed, the reaction solution was heated for 4 hours, 1 mol% of V-65 was added again, and the mixture was stirred for 4 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, and 3 L of a mixed solvent of distilled water / ISO propyl alcohol = 1/1 was used.
The resin (1) as a white powder crystallized and precipitated was recovered. The polymer composition ratio determined from C 13 NMR was 46/54.
Met. The weight average molecular weight in terms of standard polystyrene determined by GPC measurement was 10,700.

【0240】上記合成例(2)と同様の操作で樹脂
(2)〜(15)を合成した。以下に上記樹脂(2)〜
(15)の組成比、分子量を示す。(繰り返し単位1、
2、3、4は構造式の左からの順番である。)
Resins (2) to (15) were synthesized in the same manner as in Synthesis Example (2). The following resin (2) to
The composition ratio and molecular weight of (15) are shown. (Repeat unit 1,
2, 3, and 4 are the order from the left of the structural formula. )

【0241】[0241]

【表2】 [Table 2]

【0242】また、以下に上記樹脂(1)〜(15)の
構造を示す。
The structures of the resins (1) to (15) are shown below.

【0243】[0243]

【化85】 Embedded image

【0244】[0244]

【化86】 Embedded image

【0245】[0245]

【化87】 Embedded image

【0246】[0246]

【化88】 Embedded image

【0247】合成例(3) 樹脂(16)の合成(主鎖
型) ノルボルネンカルボン酸tブチルエステル、ノルボルネ
ンカルボン酸ブチロラクトンエステルと無水マレイン酸
(モル比40/10/50)およびTHF(反応温度6
0重量%)をセパラブルフラスコに仕込み、窒素気流下
60℃で加熱した。反応温度が安定したところで和光純
薬社製ラジカル開始剤V−601を2mol%加え反応
を開始させた。12時間加熱した。得られた反応混合物
をテトラヒドロフランで2倍に稀釈した後、ヘキサン/
イソプロピルアルコール=1/1の混合溶液に投入し白
色粉体を析出させた。析出した粉体を濾過取り出しし、
乾燥、目的物である樹脂(16)を得た。得られた樹脂
(16)のGPCによる分子量分析を試みたところ、ポ
リスチレン換算で8300(重量平均)であった。ま
た、NMRスペクトルより樹脂(1)のノルボルネンカ
ルボン酸tブチルエステル/ノルボルネンカルボン酸ブ
チロラクトンエステル/無水マレイン酸繰り返し単位の
モル比は42/8/50であることを確認した。
Synthesis Example (3) Synthesis of Resin (16) (Main Chain Type) Norbornenecarboxylic acid t-butyl ester, norbornenecarboxylic acid butyrolactone ester and maleic anhydride (40/10/50 molar ratio) and THF (reaction temperature 6)
0% by weight) was placed in a separable flask and heated at 60 ° C. under a nitrogen stream. When the reaction temperature was stabilized, 2 mol% of a radical initiator V-601 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd. was added to start the reaction. Heat for 12 hours. After diluting the obtained reaction mixture twice with tetrahydrofuran, hexane /
It was poured into a mixed solution of isopropyl alcohol = 1/1 to precipitate a white powder. Filter out the precipitated powder,
Drying yielded the desired resin (16). When the molecular weight analysis of the obtained resin (16) by GPC was attempted, it was 8300 (weight average) in terms of polystyrene. From the NMR spectrum, it was confirmed that the molar ratio of norbornene carboxylic acid t-butyl ester / norbornene carboxylic acid butyrolactone ester / maleic anhydride repeating unit of the resin (1) was 42/8/50.

【0248】合成例(3)と同様の方法で以下、樹脂
(17)〜(27)を合成した。以下に上記樹脂(1
7)〜(27)の組成比、分子量を示す。(脂環オレフ
ィン単位1、2、3は構造式の左からの順番である。)
Resins (17) to (27) were synthesized in the same manner as in Synthesis Example (3). The following resin (1)
The composition ratios and molecular weights of 7) to (27) are shown. (Alicyclic olefin units 1, 2, and 3 are in order from the left in the structural formula.)

【0249】[0249]

【表3】 [Table 3]

【0250】また、以下に上記樹脂(16)〜(27)
の構造を示す。
The following resins (16) to (27)
The structure of is shown.

【0251】[0251]

【化89】 Embedded image

【0252】[0252]

【化90】 Embedded image

【0253】合成例(4) 樹脂(28)の合成(ハイ
ブリッド型) ノルボルネン、無水マレイン酸、tブチルアクリレー
ト、2−メチルシクロヘキシル−2−プロピルアクリレ
ートをモル比で35/35/20/10で反応容器に仕
込み、テトラヒドロフランに溶解し、固形分60%の溶
液を調製した。これを窒素気流下65℃で加熱した。反
応温度が安定したところで和光純薬社製ラジカル開始剤
V−601を1mol%加え反応を開始させた。8時間
加熱した後、反応混合物をテトラヒドロフランで2倍に
稀釈した後、反応混合液の5倍容量のヘキサンに投入し
白色粉体を析出させた。析出した粉体を濾過取り出し
し、これをメチルエチルケトンに溶解し、5倍容量のヘ
キサン/t−ブチルメチルエーテル=1/1混合溶媒に
再沈し、析出した白色粉体を濾取、乾燥、目的物である
樹脂(28)を得た。得られた樹脂(28)のGPCに
よる分子量分析を試みたところ、ポリスチレン換算で1
2100(重量平均)であった。また、NMRスペクト
ルより樹脂(1)の組成は本発明のノルボルネン/無水
マレイン酸/tブチルアクリレート/2−メチルシクロ
ヘキシル−2−プロピルアクリレートをモル比で32/
39/19/10であった。
Synthesis Example (4) Synthesis of Resin (28) (Hybrid Type) Norbornene, maleic anhydride, tbutyl acrylate, and 2-methylcyclohexyl-2-propyl acrylate were reacted at a molar ratio of 35/35/20/10. The solution was charged in a container and dissolved in tetrahydrofuran to prepare a solution having a solid content of 60%. This was heated at 65 ° C. under a stream of nitrogen. When the reaction temperature was stabilized, 1 mol% of a radical initiator V-601 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd. was added to start the reaction. After heating for 8 hours, the reaction mixture was diluted twice with tetrahydrofuran, and then poured into 5 times the volume of hexane of the reaction mixture to precipitate a white powder. The precipitated powder was taken out by filtration, dissolved in methyl ethyl ketone, reprecipitated in a 5-fold volume hexane / t-butyl methyl ether = 1/1 mixed solvent, and the precipitated white powder was collected by filtration, dried, and dried. As a result, a resin (28) was obtained. When the molecular weight analysis of the obtained resin (28) by GPC was tried, it was 1 in terms of polystyrene.
2,100 (weight average). From the NMR spectrum, the composition of the resin (1) was as follows: norbornene / maleic anhydride / t-butyl acrylate / 2-methylcyclohexyl-2-propyl acrylate of the present invention in a molar ratio of 32 /
39/19/10.

【0254】合成例(4)と同様の方法で以下、樹脂
(29)〜(41)を合成した。以下に上記樹脂(2
9)〜(41)の組成比、分子量を示す。
Resins (29) to (41) were synthesized in the same manner as in Synthesis Example (4). The following resin (2)
The composition ratios and molecular weights of 9) to (41) are shown.

【0255】[0255]

【表4】 [Table 4]

【0256】また、以下に上記樹脂(28)〜(41)
の構造を示す。
The following resins (28) to (41)
The structure of is shown.

【0257】[0257]

【化91】 Embedded image

【0258】[0258]

【化92】 Embedded image

【0259】[0259]

【化93】 Embedded image

【0260】[0260]

【化94】 Embedded image

【0261】合成例(5) 樹脂(42)の合成(ハイ
ブリッド型) ノルボルネンカルボン酸tブチルエステル、無水マレイ
ン酸、2−メチル−2−アダマンチルアクリレート、ノ
ルボルネンラクトンアクリレートをモル比で20/20
/35/25で反応容器に仕込み、メチルエチルケトン
/テトラヒドロフラン=1/1溶媒に溶解し、固形分6
0%の溶液を調製した。これを窒素気流下65℃で加熱
した。反応温度が安定したところで和光純薬社製ラジカ
ル開始剤V−601を3mol%加え反応を開始させ
た。12時間加熱した後、反応混合物を5倍量のヘキサ
ンに投入し白色粉体を析出させた。析出した粉体を再度
メチルエチルケトン/テトラヒドロフラン=1/1溶媒
に溶解させ5倍量のヘキサン/メチルtBuエ−テルに
投入し白色粉体を析出させ、濾過取り出した。この作業
を再度繰り返し、乾燥、目的物である樹脂(42)を得
た。得られた樹脂(42)のGPCによる分子量分析
(RI分析)を試みたところ、ポリスチレン換算で11
600(重量平均)、残留モノマーの量は0.4%であ
った。また、NMRスペクトルより樹脂(1)の組成は
本発明のノルボルネン/無水マレイン酸/2−メチル−
2−アダマンチルアクリレート/ノルボルネンラクトン
アクリレートをモル比で18/23/34/25であっ
た。
Synthesis Example (5) Synthesis of Resin (42) (Hybrid Type) Norbornene carboxylic acid t-butyl ester, maleic anhydride, 2-methyl-2-adamantyl acrylate, norbornene lactone acrylate in a molar ratio of 20/20.
/ 35/25, dissolve in methyl ethyl ketone / tetrahydrofuran = 1/1 solvent, solid content 6
A 0% solution was prepared. This was heated at 65 ° C. under a stream of nitrogen. When the reaction temperature was stabilized, 3 mol% of a radical initiator V-601 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd. was added to start the reaction. After heating for 12 hours, the reaction mixture was poured into 5 times the amount of hexane to precipitate a white powder. The precipitated powder was dissolved again in a solvent of methyl ethyl ketone / tetrahydrofuran = 1/1 and poured into a 5-fold amount of hexane / methyl tBu ether to precipitate a white powder, which was filtered and taken out. This operation was repeated again to obtain the desired resin (42) by drying. When the molecular weight analysis (RI analysis) of the obtained resin (42) by GPC was attempted, it was 11 in terms of polystyrene.
600 (weight average) and the amount of residual monomer was 0.4%. From the NMR spectrum, the composition of the resin (1) was found to be the norbornene / maleic anhydride / 2-methyl-
The molar ratio of 2-adamantyl acrylate / norbornene lactone acrylate was 18/23/34/25.

【0262】合成例(5)と同様の方法で以下、樹脂
(43)〜(66)を合成した。以下に上記樹脂(4
3)〜(66)の組成比、分子量を示す。
In the same manner as in Synthesis Example (5), Resins (43) to (66) were synthesized. The following resin (4)
The composition ratios and molecular weights of 3) to (66) are shown.

【0263】[0263]

【表5】 [Table 5]

【0264】また、以下に上記樹脂(42)〜(66)
の構造を示す。
The following resins (42) to (66)
The structure of is shown.

【0265】[0265]

【化95】 Embedded image

【0266】[0266]

【化96】 Embedded image

【0267】[0267]

【化97】 Embedded image

【0268】[0268]

【化98】 Embedded image

【0269】[0269]

【化99】 Embedded image

【0270】<レジスト調整> 〔実施例1〜86、比較例1〜3〕表6に示す各成分を
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに
溶解させ固形分濃度15%の溶液を調製し、これを0.
1μmのテフロン(登録商標)フィルターでろ過して感
光性組成物を調製した。また、表7〜9に示す各成分を
表7〜9に示す溶剤に溶解させ固形分濃度15%の溶液
を調製し、これを0.1μmのテフロンフィルターでろ
過して感光性組成物を調製した。調製した組成物を下記
方法で評価を行い、結果を表10〜13に示した。
<Adjustment of resist> [Examples 1 to 86 and Comparative examples 1 to 3] The components shown in Table 6 were dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate to prepare a solution having a solid content of 15%.
The mixture was filtered through a 1 μm Teflon (registered trademark) filter to prepare a photosensitive composition. The components shown in Tables 7 to 9 were dissolved in the solvents shown in Tables 7 to 9 to prepare a solution having a solid content of 15%, and this was filtered through a 0.1 μm Teflon filter to prepare a photosensitive composition. did. The prepared compositions were evaluated by the following methods, and the results are shown in Tables 10 to 13.

【0271】[0271]

【表6】 [Table 6]

【0272】[0272]

【表7】 [Table 7]

【0273】[0273]

【表8】 [Table 8]

【0274】[0274]

【表9】 [Table 9]

【0275】(表6〜9の説明) TPSTF;トリフエニルスルホニウムトリフレート TPSPFB;トリフェニルスルホニウムパーフルオロ
ブタンスルホネート TPSPFBS;トリフェニルスルホニウムペンタフロ
ロベンゼンスルホネート TPSBTFBS;トリフェニルスルホニウム3,5−
ビストリフロロメチルベンゼンスルホネート BTBPIPFBS;ビス(t−ブチルフェニル)ヨー
ドニウムパーフロロブタンスルホネート BCHSDM;ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジア
ゾメタン
(Description of Tables 6 to 9) TPSTF; Triphenylsulfonium triflate TSPFB; Triphenylsulfonium perfluorobutanesulfonate TPSPFBS; Triphenylsulfonium pentafluorobenzenesulfonate TPSTBTFBS; Triphenylsulfonium 3,5-
Bis (trifluoromethyl) benzene sulfonate BTBPIPFBS; Bis (t-butylphenyl) iodonium perfluorobutane sulfonate BCHSDM; Bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane

【0276】DBN;1,5−ジアザビシクロ[4.
3.0]−5−ノネン TPI;2,4,5−トリフェニルイミダゾール HEP;N−ヒドロキシエチルピペリジン DIA;2,6−ジイソプロピルアニリン DCMA;ジシクロヘキシルメチルアミン TOA;トリオクチルアミン LCB;リトコール酸t−ブチル
DBN; 1,5-diazabicyclo [4.
3.0] -5-Nonene TPI; 2,4,5-triphenylimidazole HEP; N-hydroxyethylpiperidine DIA; 2,6-diisopropylaniline DCMA; dicyclohexylmethylamine TOA; trioctylamine LCB; lithocholic acid t- Butyl

【0277】W−1;メガファックF176(大日本イ
ンキ(株)製)(フッ素系) W−2;メガファックR08(大日本インキ(株)製)
(フッ素及びシリコーン系) W−3;ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化
学工業(株)製)(シリコーン系) W‐4;トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)
製)
W-1: Megafax F176 (Dainippon Ink Co., Ltd.) (fluorine) W-2: Megafax R08 (Dainippon Ink Co., Ltd.)
(Fluorine and silicone type) W-3; Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (silicone type) W-4; Troysol S-366 (Troy Chemical Co., Ltd.)
Made)

【0278】溶剤についての略号は以下のとおりであ
る。尚、表7〜9における複数使用の場合の比は重量比
である。 A1;プロピレングリコールメチルエーテルアセテート A2;2−ヘプタノン A3;エチルエトキシプロピオネート A4;γ−ブチロラクトン A5;シクロヘキサノン B1;プロピレングリコールメチルエーテル B2;乳酸エチル
The abbreviations for the solvents are as follows. In addition, the ratio in the case of multiple use in Tables 7-9 is a weight ratio. A1; propylene glycol methyl ether acetate A2; 2-heptanone A3; ethyl ethoxypropionate A4; γ-butyrolactone A5; cyclohexanone B1; propylene glycol methyl ether B2;

【0279】<画像評価法>スピンコーターにてヘキサ
メチルジシラザン処理を施したシリコン基板上にブリュ
ーワーサイエンス社製反射防止膜DUV−42を600
オングストローム均一に塗布し、100℃で90秒間ホ
ットプレート上で乾燥した後、190℃で240秒間加
熱乾燥を行った。その後、各感光性樹脂組成物をスピン
コーターで塗布し120℃で90秒乾燥を行い0.50
μmのレジスト膜を形成させた。このレジスト膜に対
し、マスクを通してArFエキシマレーザーステッパー
(ISI社製 NA=0.6)で露光し、露光後直ぐに
120℃で90秒間ホットプレート上で加熱した。さら
に2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液で23℃で60秒間現像し、30秒間純水にてリン
スした後、乾燥し、レジストラインパターンを得た。こ
のようにして得られたシリコンウエハー上のパターンを
測調走査型電子顕微鏡(CD-SEM)で観察し、表1
0〜13に示す様なレジスト性能(疎密依存性、露光マ
ージン)を得た。得られた結果について、表10〜13
に示す。
<Image Evaluation Method> An antireflection film DUV-42 manufactured by Brewer Science Co., Ltd. was coated on a silicon substrate that had been subjected to hexamethyldisilazane treatment by a spin coater.
Angstrom was uniformly applied, dried on a hot plate at 100 ° C. for 90 seconds, and then heated and dried at 190 ° C. for 240 seconds. Thereafter, each photosensitive resin composition was applied by a spin coater, dried at 120 ° C. for 90 seconds,
A μm resist film was formed. The resist film was exposed through a mask with an ArF excimer laser stepper (NA = 0.6, manufactured by ISI), and immediately after the exposure, heated on a hot plate at 120 ° C. for 90 seconds. Further, the resist was developed with a 2.38% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 23 ° C. for 60 seconds, rinsed with pure water for 30 seconds, and dried to obtain a resist line pattern. The pattern on the silicon wafer thus obtained was observed with a scanning-scanning electron microscope (CD-SEM).
Resist performances (dependency on density and exposure margin) as shown in Nos. 0 to 13 were obtained. About the obtained result, Tables 10-13
Shown in

【0280】〔疎密依存性〕: 疎密依存性(疎密差)
は、マスク寸法0.17μmでL/S=1:1.5のパ
ターンを再現する露光量において、同一寸法でL/S=
1:5のパターンの形成寸法を測長したときの0.17
μmからの寸法差を表す。
[Dependency on coarse / dense]: Dependency on coarse / dense (difference in density)
Means that, at an exposure amount that reproduces a pattern of L / S = 1: 1.5 with a mask dimension of 0.17 μm, L / S =
0.17 when measuring the formation dimension of the pattern of 1: 5
Represents the dimensional difference from μm.

【0281】〔露光マージン〕: 露光マージンは、第
一にマスク寸法0.15μmでL/S=1:1のパター
ンを再現する最適露光量を決定し、第二に現像後に形成
される寸法が150nmの±10%の範囲となる露光量
の範囲を決定し、その露光量範囲を最適露光量で割った
値を表す。
[Exposure Margin]: The exposure margin first determines the optimum exposure amount for reproducing a pattern of L / S = 1: 1 with a mask dimension of 0.15 μm, and secondly, the dimension formed after development is A value is obtained by determining a range of the exposure amount within a range of ± 10% of 150 nm and dividing the exposure amount range by the optimum exposure amount.

【0282】[0282]

【表10】 [Table 10]

【0283】[0283]

【表11】 [Table 11]

【0284】[0284]

【表12】 [Table 12]

【0285】[0285]

【表13】 [Table 13]

【0286】表10〜13に示される結果より以下のこ
とが明らかである。実施例1〜86の組成物は、疎密依
存性が優れ、更に露光マージンも優れる。
The following is clear from the results shown in Tables 10 to 13. The compositions of Examples 1 to 86 have excellent dependency on the density and the exposure margin.

【0287】[0287]

【発明の効果】本発明のポジ型感光性組成物は、疎密依
存性が優れ、更に露光マージンも優れる。
As described above, the positive photosensitive composition of the present invention has an excellent density dependency and an excellent exposure margin.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】(A)活性光線または放射線の照射により
酸を発生する化合物 (B)酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶
解度が増大する樹脂 (C)カルボン酸オニウム塩 を含有し、(B)酸の作用により分解し、アルカリ現像
液中での溶解度が増大する樹脂が単環または多環の脂環
炭化水素構造を有する樹脂であることを特徴とするポジ
型感光性組成物。
(A) a compound which generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation; (B) a resin which is decomposed by the action of an acid to increase the solubility in an alkali developing solution; and (C) an onium carboxylate. And (B) a resin having a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure, wherein the resin which is decomposed by the action of an acid and has increased solubility in an alkali developing solution is a resin having a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure. object.
【請求項2】(D)酸により分解しうる基を有し、アル
カリ現像液中での溶解速度が酸の作用により増大する、
分子量3000以下の低分子溶解阻止化合物を更に含有
することを特徴とする請求項1に記載のポジ型感光性組
成物。
(D) having a group decomposable by an acid, wherein the dissolution rate in an alkaline developer is increased by the action of an acid;
The positive photosensitive composition according to claim 1, further comprising a low molecular weight dissolution inhibiting compound having a molecular weight of 3000 or less.
【請求項3】 上記(B)の樹脂が、更にラクトン構造
を有する樹脂であることを特徴とする請求項1又は2に
記載のポジ型感光性組成物。
3. The positive photosensitive composition according to claim 1, wherein the resin (B) is a resin further having a lactone structure.
【請求項4】(A)活性光線または放射線の照射により
酸を発生する化合物(C)カルボン酸オニウム塩 (D)酸により分解しうる基を有し、アルカリ現像液中
での溶解速度が酸の作用により増大する、分子量300
0以下の低分子溶解阻止化合物 (E)単環または多環の脂環炭化水素構造を有し、水に
不溶でアルカリ現像液に可溶な樹脂 を含有することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに
記載のポジ型感光性組成物。
(A) a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation; (C) an onium carboxylate; (D) a group having a group decomposable by an acid; Molecular weight increased by the action of
0 or less low molecular dissolution inhibiting compound (E) having a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure, containing a resin which is insoluble in water and soluble in an alkali developing solution. 4. The positive photosensitive composition according to any one of 3.
【請求項5】 上記(C)カルボン酸オニウム塩がカル
ボン酸スルホニウム塩、カルボン酸ヨードニウム塩から
選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする請求項
1〜4のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。
5. The positive type according to claim 1, wherein the (C) onium carboxylate is at least one selected from sulfonium carboxylate and iodonium carboxylate. Photosensitive composition.
【請求項6】 上記(C)カルボン酸オニウム塩のカル
ボキシレート残基が芳香族基、炭素−炭素2重結合を含
有しないことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記
載のポジ型感光性組成物。
6. The positive type according to claim 1, wherein the carboxylate residue of the onium carboxylate (C) does not contain an aromatic group or a carbon-carbon double bond. Photosensitive composition.
【請求項7】 上記(C)カルボン酸オニウム塩のカル
ボキシレート残基がフッ素置換された直鎖、分岐、環状
アルキルカルボン酸アニオンであることを特徴とする請
求項1〜6のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。
7. The method according to claim 1, wherein the carboxylate residue of the onium carboxylate (C) is a fluorine-substituted linear, branched or cyclic alkyl carboxylate anion. Positive photosensitive composition.
【請求項8】 220nm以下の波長の遠紫外光による
露光用組成物であることを特徴とする請求項1〜7のい
ずれかに記載のポジ型感光性組成物。
8. The positive photosensitive composition according to claim 1, which is a composition for exposure with far ultraviolet light having a wavelength of 220 nm or less.
JP2001188670A 2000-08-08 2001-06-21 Positive photosensitive composition Expired - Lifetime JP4226803B2 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001188670A JP4226803B2 (en) 2000-08-08 2001-06-21 Positive photosensitive composition
TW90119052A TWI288298B (en) 2000-08-08 2001-08-03 Positive photosensitive composition

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000240059 2000-08-08
JP2000-240059 2000-08-08
JP2001188670A JP4226803B2 (en) 2000-08-08 2001-06-21 Positive photosensitive composition

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2002122994A true JP2002122994A (en) 2002-04-26
JP2002122994A5 JP2002122994A5 (en) 2006-01-19
JP4226803B2 JP4226803B2 (en) 2009-02-18

Family

ID=26597561

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001188670A Expired - Lifetime JP4226803B2 (en) 2000-08-08 2001-06-21 Positive photosensitive composition

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP4226803B2 (en)
TW (1) TWI288298B (en)

Cited By (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002156750A (en) * 2000-11-20 2002-05-31 Sumitomo Chem Co Ltd Chemical amplification type positive resist composition
JP2004519520A (en) * 2001-04-05 2004-07-02 アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド Perfluoroalkylsulfonic acid compounds for photoresists
EP1700890A2 (en) 2005-03-08 2006-09-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Ink composition, inkjet recording method, printed material, method of producing planographic printing plate, and planographic printing plate
EP1745935A2 (en) 2005-07-19 2007-01-24 Fuji Photo Film Co., Ltd. Ink-jet recording device
EP1757635A1 (en) 2005-08-23 2007-02-28 Fuji Photo Film Co., Ltd. Curable modified oxetane compound and ink composition comprising it
EP1757457A1 (en) 2005-08-23 2007-02-28 Fuji Photo Film Co., Ltd. Ink-jet recording device
EP1762599A1 (en) 2005-09-07 2007-03-14 FUJIFILM Corporation Ink composition, inkjet recording method, printed material, process for producing lithographic plate, and lithographic printing plate
EP1829684A1 (en) 2006-03-03 2007-09-05 FUJIFILM Corporation Curable composition, ink composition, inkjet-recording method, and planographic printing plate
EP1839891A2 (en) 2006-03-30 2007-10-03 FUJIFILM Corporation Inkjet recording apparatus
EP1839885A1 (en) 2006-03-30 2007-10-03 FUJIFILM Corporation Method of cutting recording medium, and post-processing device for recording medium
JP2008501779A (en) * 2004-06-08 2008-01-24 エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション Photoactive compound
EP1946935A2 (en) 2007-01-18 2008-07-23 FUJIFILM Corporation Ink-jet recording apparatus
EP1952982A1 (en) 2007-02-02 2008-08-06 FUJIFILM Corporation Radiation-curable polymerizable composition, ink composition, inkjet recording method, printed material, planographic printing plate, and method for forming planographic printing plate
EP1964894A2 (en) 2007-02-27 2008-09-03 FUJIFILM Corporation Ink composition, inkjetrecording method, printed material, method for producing planographic printing plate, and planographic printing plate
EP1974935A2 (en) 2007-03-29 2008-10-01 FUJIFILM Corporation Active-energy ray curable ink-jet recording apparatus
EP1975212A2 (en) 2007-03-30 2008-10-01 FUJIFILM Corporation Ink composition, inkjet recording method, printed material, planographic printing plate, and method for forming planographic printing plate
JP2008239918A (en) * 2007-03-29 2008-10-09 Shin Etsu Chem Co Ltd Resist material and patterning method using the same
EP2042570A1 (en) 2007-09-27 2009-04-01 FUJIFILM Corporation Photo-curable composition including polymerizable compound, polymerization initiator, and dye
EP2045084A2 (en) 2007-10-04 2009-04-08 FUJIFILM Corporation Image-forming method and image-forming apparatus
EP2065449A2 (en) 2007-11-29 2009-06-03 FUJIFILM Corporation Ink composition for inkjet recording, inkjet recording method, and printed material
EP2103639A1 (en) 2005-11-04 2009-09-23 Fujifilm Corporation Curable polycyclic epoxy composition, ink composition and inkjet recording method therewith
JP2010501655A (en) * 2006-08-24 2010-01-21 チバ ホールディング インコーポレーテッド UV dose indicator
EP2149457A2 (en) 2008-07-30 2010-02-03 Fujifilm Corporation Inkjet recording method, inkjet recording system, and printed material
EP2166049A1 (en) 2008-09-19 2010-03-24 Fujifilm Corporation Ink composition, inkjet recording method and method for producing printed formed article
EP2169022A1 (en) 2008-09-29 2010-03-31 Fujifilm Corporation Ink composition and inkjet recording method
EP2169018A2 (en) 2008-09-26 2010-03-31 Fujifilm Corporation Ink composition and inkjet recording method
EP2223978A1 (en) 2009-02-27 2010-09-01 FUJIFILM Corporation Radiation-curable ink composition for inkjet recording, inkjet recording method, and printed matter
EP2284229A1 (en) 2009-07-28 2011-02-16 Fujifilm Corporation Pigment dispersion, ink composition, and inkjet recording method
JP2011039502A (en) * 2009-07-14 2011-02-24 Sumitomo Chemical Co Ltd Resist composition
JP2013125146A (en) * 2011-12-14 2013-06-24 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Resist composition, resist pattern formation method, and compound
JP2013200561A (en) * 2012-02-23 2013-10-03 Sumitomo Chemical Co Ltd Resist composition and salt
JP2014016440A (en) * 2012-07-09 2014-01-30 Shin Etsu Chem Co Ltd Pattern forming method and resist composition
JP2014088367A (en) * 2012-10-01 2014-05-15 Sumitomo Chemical Co Ltd Salt, resist composition and method for producing resist pattern
KR101409577B1 (en) * 2006-12-25 2014-06-20 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Positive Resist Composition and Patterning Process
JP2014177449A (en) * 2013-02-18 2014-09-25 Sumitomo Chemical Co Ltd Salt, resist composition, and production method of resist pattern
JP2015131777A (en) * 2014-01-10 2015-07-23 信越化学工業株式会社 Onium salt, chemically amplified positive resist composition, and patterning process
JP2016035565A (en) * 2014-07-31 2016-03-17 住友化学株式会社 Resist composition
EP3088955A2 (en) 2015-04-28 2016-11-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
KR20160147644A (en) 2015-06-15 2016-12-23 제이에스알 가부시끼가이샤 Radiation-sensitive resin composition and resist pattern formation method
WO2018123388A1 (en) 2016-12-28 2018-07-05 Jsr株式会社 Radiation-sensitive composition, pattern formation method, and metal-containing resin and method for manufacturing same
KR20180100570A (en) 2016-01-13 2018-09-11 제이에스알 가부시끼가이샤 A radiation-sensitive resin composition, a resist pattern forming method, an acid diffusion controlling agent and a compound
KR20180100571A (en) 2016-01-13 2018-09-11 제이에스알 가부시끼가이샤 A radiation-sensitive resin composition, a resist pattern forming method, and an acid diffusion agent
JP2020027115A (en) * 2018-08-09 2020-02-20 住友ベークライト株式会社 Photosensitive resin composition, electronic apparatus, and polymer

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5678864B2 (en) 2011-10-26 2015-03-04 信越化学工業株式会社 Chemically amplified positive resist material for ArF immersion exposure and pattern forming method
JP5699943B2 (en) 2012-01-13 2015-04-15 信越化学工業株式会社 Pattern forming method and resist material
JP5904180B2 (en) 2013-09-11 2016-04-13 信越化学工業株式会社 Sulfonium salt, chemically amplified resist composition, and pattern forming method
JP6010564B2 (en) 2014-01-10 2016-10-19 信越化学工業株式会社 Chemically amplified negative resist composition and pattern forming method
JP6059675B2 (en) 2014-03-24 2017-01-11 信越化学工業株式会社 Chemically amplified negative resist composition and resist pattern forming method
JP6142847B2 (en) 2014-06-09 2017-06-07 信越化学工業株式会社 Chemically amplified resist composition and pattern forming method
JP6217561B2 (en) 2014-08-21 2017-10-25 信越化学工業株式会社 Novel onium salt compound, resist composition, and pattern forming method
JP6323302B2 (en) 2014-11-07 2018-05-16 信越化学工業株式会社 Novel onium salt compound, resist composition using the same, and pattern formation method
EP3032332B1 (en) 2014-12-08 2017-04-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Shrink material and pattern forming process
EP3032333B1 (en) 2014-12-08 2017-05-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Shrink material and pattern forming process
JP6515831B2 (en) 2015-02-25 2019-05-22 信越化学工業株式会社 Chemically amplified positive resist composition and method for forming resist pattern
JP6531684B2 (en) 2015-04-13 2019-06-19 信越化学工業株式会社 Chemically amplified negative resist composition using the novel onium salt compound and method for forming resist pattern
JP6583126B2 (en) 2016-04-28 2019-10-02 信越化学工業株式会社 Novel carboxylic acid onium salt, chemically amplified resist composition, and pattern forming method
JP6583136B2 (en) 2016-05-11 2019-10-02 信越化学工業株式会社 Novel sulfonium compound and method for producing the same, resist composition, and pattern forming method
JP6561937B2 (en) 2016-08-05 2019-08-21 信越化学工業株式会社 Negative resist composition and resist pattern forming method
US10416558B2 (en) 2016-08-05 2019-09-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist composition, resist pattern forming process, and photomask blank
JP6848776B2 (en) 2016-10-12 2021-03-24 信越化学工業株式会社 Sulfonium compound, resist composition, and pattern forming method
JP7009978B2 (en) 2016-12-28 2022-01-26 信越化学工業株式会社 Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming method
JP7009980B2 (en) 2016-12-28 2022-01-26 信越化学工業株式会社 Chemically amplified negative resist composition and resist pattern forming method
JP7031537B2 (en) 2018-09-05 2022-03-08 信越化学工業株式会社 Sulfonium compound, positive resist composition, and resist pattern forming method
JP7365110B2 (en) 2018-09-11 2023-10-19 信越化学工業株式会社 Iodonium salt, resist composition, and pattern forming method
JP7205419B2 (en) 2018-09-28 2023-01-17 信越化学工業株式会社 ONIUM SALT, RESIST COMPOSITION AND PATTERN FORMATION METHOD
JP7099250B2 (en) 2018-10-25 2022-07-12 信越化学工業株式会社 Onium salt, negative resist composition and resist pattern forming method
JP7367554B2 (en) 2019-03-06 2023-10-24 信越化学工業株式会社 Positive resist composition and pattern forming method
JP7192577B2 (en) 2019-03-06 2022-12-20 信越化学工業株式会社 EPOXY COMPOUND, RESIST COMPOSITION AND PATTERN FORMATION METHOD
JP7096189B2 (en) 2019-03-22 2022-07-05 信越化学工業株式会社 Resist composition and pattern forming method
JP7415972B2 (en) 2021-02-12 2024-01-17 信越化学工業株式会社 Chemically amplified negative resist composition and resist pattern forming method
JP7415973B2 (en) 2021-02-12 2024-01-17 信越化学工業株式会社 Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming method
JP2023161885A (en) 2022-04-26 2023-11-08 信越化学工業株式会社 Chemically amplified positive resist composition and method for forming resist pattern
JP2023177048A (en) 2022-06-01 2023-12-13 信越化学工業株式会社 Chemically amplified negative resist composition and resist pattern forming method
JP2023177071A (en) 2022-06-01 2023-12-13 信越化学工業株式会社 Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming method
JP2023177038A (en) 2022-06-01 2023-12-13 信越化学工業株式会社 Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming method
JP2023177272A (en) 2022-06-01 2023-12-13 信越化学工業株式会社 Chemically amplified negative resist composition and method for forming resist pattern
JP2023182038A (en) 2022-06-14 2023-12-26 信越化学工業株式会社 Onium salt, resist composition and patterning method

Cited By (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002156750A (en) * 2000-11-20 2002-05-31 Sumitomo Chem Co Ltd Chemical amplification type positive resist composition
JP2004519520A (en) * 2001-04-05 2004-07-02 アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド Perfluoroalkylsulfonic acid compounds for photoresists
JP2008501779A (en) * 2004-06-08 2008-01-24 エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション Photoactive compound
EP1700890A2 (en) 2005-03-08 2006-09-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Ink composition, inkjet recording method, printed material, method of producing planographic printing plate, and planographic printing plate
EP1745935A2 (en) 2005-07-19 2007-01-24 Fuji Photo Film Co., Ltd. Ink-jet recording device
EP1757635A1 (en) 2005-08-23 2007-02-28 Fuji Photo Film Co., Ltd. Curable modified oxetane compound and ink composition comprising it
EP1757457A1 (en) 2005-08-23 2007-02-28 Fuji Photo Film Co., Ltd. Ink-jet recording device
EP1762599A1 (en) 2005-09-07 2007-03-14 FUJIFILM Corporation Ink composition, inkjet recording method, printed material, process for producing lithographic plate, and lithographic printing plate
EP2103639A1 (en) 2005-11-04 2009-09-23 Fujifilm Corporation Curable polycyclic epoxy composition, ink composition and inkjet recording method therewith
EP1829684A1 (en) 2006-03-03 2007-09-05 FUJIFILM Corporation Curable composition, ink composition, inkjet-recording method, and planographic printing plate
EP1839891A2 (en) 2006-03-30 2007-10-03 FUJIFILM Corporation Inkjet recording apparatus
EP1839885A1 (en) 2006-03-30 2007-10-03 FUJIFILM Corporation Method of cutting recording medium, and post-processing device for recording medium
JP2010501655A (en) * 2006-08-24 2010-01-21 チバ ホールディング インコーポレーテッド UV dose indicator
KR101409577B1 (en) * 2006-12-25 2014-06-20 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Positive Resist Composition and Patterning Process
US8795942B2 (en) 2006-12-25 2014-08-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist composition and patterning process
EP1946935A2 (en) 2007-01-18 2008-07-23 FUJIFILM Corporation Ink-jet recording apparatus
EP1952982A1 (en) 2007-02-02 2008-08-06 FUJIFILM Corporation Radiation-curable polymerizable composition, ink composition, inkjet recording method, printed material, planographic printing plate, and method for forming planographic printing plate
EP1964894A2 (en) 2007-02-27 2008-09-03 FUJIFILM Corporation Ink composition, inkjetrecording method, printed material, method for producing planographic printing plate, and planographic printing plate
JP2008239918A (en) * 2007-03-29 2008-10-09 Shin Etsu Chem Co Ltd Resist material and patterning method using the same
EP1974935A2 (en) 2007-03-29 2008-10-01 FUJIFILM Corporation Active-energy ray curable ink-jet recording apparatus
EP1975212A2 (en) 2007-03-30 2008-10-01 FUJIFILM Corporation Ink composition, inkjet recording method, printed material, planographic printing plate, and method for forming planographic printing plate
EP2042570A1 (en) 2007-09-27 2009-04-01 FUJIFILM Corporation Photo-curable composition including polymerizable compound, polymerization initiator, and dye
EP2045084A2 (en) 2007-10-04 2009-04-08 FUJIFILM Corporation Image-forming method and image-forming apparatus
EP2065449A2 (en) 2007-11-29 2009-06-03 FUJIFILM Corporation Ink composition for inkjet recording, inkjet recording method, and printed material
EP2149457A2 (en) 2008-07-30 2010-02-03 Fujifilm Corporation Inkjet recording method, inkjet recording system, and printed material
EP2166049A1 (en) 2008-09-19 2010-03-24 Fujifilm Corporation Ink composition, inkjet recording method and method for producing printed formed article
EP2169018A2 (en) 2008-09-26 2010-03-31 Fujifilm Corporation Ink composition and inkjet recording method
EP2169022A1 (en) 2008-09-29 2010-03-31 Fujifilm Corporation Ink composition and inkjet recording method
EP2223978A1 (en) 2009-02-27 2010-09-01 FUJIFILM Corporation Radiation-curable ink composition for inkjet recording, inkjet recording method, and printed matter
JP2011039502A (en) * 2009-07-14 2011-02-24 Sumitomo Chemical Co Ltd Resist composition
EP2284229A1 (en) 2009-07-28 2011-02-16 Fujifilm Corporation Pigment dispersion, ink composition, and inkjet recording method
JP2013125146A (en) * 2011-12-14 2013-06-24 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Resist composition, resist pattern formation method, and compound
JP2013200561A (en) * 2012-02-23 2013-10-03 Sumitomo Chemical Co Ltd Resist composition and salt
JP2014016440A (en) * 2012-07-09 2014-01-30 Shin Etsu Chem Co Ltd Pattern forming method and resist composition
US9122152B2 (en) 2012-07-09 2015-09-01 Shin-Etsu Chemicals Co., Ltd. Patterning process and resist composition
JP2014088367A (en) * 2012-10-01 2014-05-15 Sumitomo Chemical Co Ltd Salt, resist composition and method for producing resist pattern
JP2014177449A (en) * 2013-02-18 2014-09-25 Sumitomo Chemical Co Ltd Salt, resist composition, and production method of resist pattern
JP2015131777A (en) * 2014-01-10 2015-07-23 信越化学工業株式会社 Onium salt, chemically amplified positive resist composition, and patterning process
JP2016035565A (en) * 2014-07-31 2016-03-17 住友化学株式会社 Resist composition
EP3088955A2 (en) 2015-04-28 2016-11-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
KR20160147644A (en) 2015-06-15 2016-12-23 제이에스알 가부시끼가이샤 Radiation-sensitive resin composition and resist pattern formation method
KR20180100570A (en) 2016-01-13 2018-09-11 제이에스알 가부시끼가이샤 A radiation-sensitive resin composition, a resist pattern forming method, an acid diffusion controlling agent and a compound
KR20180100571A (en) 2016-01-13 2018-09-11 제이에스알 가부시끼가이샤 A radiation-sensitive resin composition, a resist pattern forming method, and an acid diffusion agent
US11300877B2 (en) 2016-01-13 2022-04-12 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, resist pattern-forming method and acid diffusion control agent
WO2018123388A1 (en) 2016-12-28 2018-07-05 Jsr株式会社 Radiation-sensitive composition, pattern formation method, and metal-containing resin and method for manufacturing same
US11079676B2 (en) 2016-12-28 2021-08-03 Jsr Corporation Radiation-sensitive composition, pattern-forming method, and metal-containing resin and production method thereof
JP2020027115A (en) * 2018-08-09 2020-02-20 住友ベークライト株式会社 Photosensitive resin composition, electronic apparatus, and polymer
JP7200532B2 (en) 2018-08-09 2023-01-10 住友ベークライト株式会社 Photosensitive resin composition and electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
JP4226803B2 (en) 2009-02-18
TWI288298B (en) 2007-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4226803B2 (en) Positive photosensitive composition
US6492091B2 (en) Positive photosensitive composition
JP3912767B2 (en) Positive photosensitive composition
JP2002214774A (en) Positive photosensitive composition
JP2002268224A (en) Positive type photosensitive composition
US20010041303A1 (en) Positive photoresist composition
JP2000187329A (en) Positive photosensitive composition
JP4025039B2 (en) Positive photosensitive composition
JP2003122011A (en) Positive photosensitive composition
JP2001109156A (en) Positive type photosensitive composition
JP2002236359A (en) Positive type photosensitive composition
JP2000227659A (en) Positive photoresist composition for exposure to far ultraviolet
KR20000076995A (en) Positive photoresist composition for far ultraviolet exposure
JP2001125272A (en) Positive type photoresist composition
JP2001117234A (en) Positive photoresist composition for exposure with far ultraviolet ray
JP4117117B2 (en) Positive photosensitive composition
JP2000347408A (en) Positive type photoresist composition for exposure to far ultraviolet rays
JP2001235866A (en) Positive photosensitive composition
JP2002278071A (en) Positive type resist composition
JP2001147523A (en) Positive resist composition
JP2002023353A (en) Positive type photosensitive composition
JP2001159812A (en) Positive photoresist composition
JP2002207289A (en) Positive resist composition
JP2001235867A (en) Positive photosensitive composition
JP4231635B2 (en) Positive photosensitive composition

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051129

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051129

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20060324

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20061124

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20071108

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20071115

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20071122

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080509

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080521

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080718

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080813

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20081112

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20081127

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111205

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4226803

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111205

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121205

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121205

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131205

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term