JP2002062824A - Light emitting device - Google Patents
Light emitting deviceInfo
- Publication number
- JP2002062824A JP2002062824A JP2001169098A JP2001169098A JP2002062824A JP 2002062824 A JP2002062824 A JP 2002062824A JP 2001169098 A JP2001169098 A JP 2001169098A JP 2001169098 A JP2001169098 A JP 2001169098A JP 2002062824 A JP2002062824 A JP 2002062824A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- tft
- emitting device
- light emitting
- current control
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 60
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 106
- 239000010408 film Substances 0.000 description 79
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 66
- 230000006870 function Effects 0.000 description 12
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電極間に発光性材
料を挟んだ素子（以下、発光素子という）を有する装置
（以下、発光装置という）に関する。特に発光性材料と
してＥＬ（Electro Luminescence）が得られる有機化合
物を用いた発光素子（以下、ＥＬ素子という）を有する
発光装置に関する。なお、有機ＥＬディスプレイや有機
発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting D
iode）は本発明の発光装置に含まれる。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus (hereinafter, referred to as a light emitting device) having an element (hereinafter, referred to as a light emitting element) having a light emitting material interposed between electrodes. In particular, the present invention relates to a light-emitting device having a light-emitting element using an organic compound capable of obtaining EL (Electro Luminescence) as a light-emitting material (hereinafter, referred to as an EL element). In addition, an organic EL display or an organic light emitting diode (OLED: Organic Light Emitting D
iode) is included in the light emitting device of the present invention.
【０００２】また、本発明に用いることのできる発光性
材料は、一重項励起もしくは三重項励起または両者の励
起を経由して発光（燐光および／または蛍光）するすべ
ての発光性材料を含む。[0002] The luminescent material that can be used in the present invention includes all luminescent materials that emit light (phosphorescence and / or fluorescence) via singlet excitation, triplet excitation, or both.
【０００３】[0003]
【従来の技術】近年、有機ＥＬ膜を発光層として用いた
ＥＬ素子の開発が進み、様々な有機ＥＬ膜を用いたＥＬ
素子が提案されている。そして、そのようなＥＬ素子を
発光素子として用いた発光装置を使ってフラットパネル
ディスプレイを実現する試みがなされている。2. Description of the Related Art In recent years, the development of EL elements using an organic EL film as a light emitting layer has been advanced, and EL devices using various organic EL films have
Devices have been proposed. Attempts have been made to realize a flat panel display using a light emitting device using such an EL element as a light emitting element.
【０００４】ＥＬ素子を用いた発光装置には、パッシブ
マトリクス型とアクティブマトリクス型が知られてい
る。パッシブマトリクス型は、ストライプ状の陽極およ
び陰極を互いに直交するように設け、その間にＥＬ膜を
挟んだ構造からなるＥＬ素子を用いた発光装置である。
また、アクティブマトリクス型は画素ごとに薄膜トラン
ジスタ（以下、ＴＦＴと呼ぶ）を設け、ＥＬ素子の陽極
もしくは陰極の片方に接続したＴＦＴでＥＬ素子に流れ
る電流を制御する方式である。As a light emitting device using an EL element, a passive matrix type and an active matrix type are known. The passive matrix type is a light-emitting device using an EL element having a structure in which a striped anode and a cathode are provided so as to be orthogonal to each other and an EL film is interposed therebetween.
The active matrix type is a method in which a thin film transistor (hereinafter, referred to as a TFT) is provided for each pixel, and a current flowing through the EL element is controlled by a TFT connected to one of an anode and a cathode of the EL element.
【０００５】また、ＥＬ素子を用いた発光装置をカラー
表示させる方式として様々な方法が提案されているが、
赤色に発光する画素、緑色に発光する画素および青色に
発光する画素の三つの画素を一つの単位として、発光を
混色させることによりカラー表示を行う方式が知られて
いる。Further, various methods have been proposed as a method for displaying a light emitting device using an EL element in color.
2. Description of the Related Art There is known a method of performing color display by mixing light emission using three pixels of a pixel emitting red light, a pixel emitting green light, and a pixel emitting blue light as one unit.
【０００６】同方式は、明るいカラー表示を得やすいこ
とから注目されるが、各色に発光するＥＬ素子は各々異
なる有機ＥＬ膜を発光層として用いることになるため、
発光層の輝度特性（動作電圧に対する輝度の関係）が異
なる。その結果、所望の輝度を得るに必要な動作電圧が
ＥＬ素子ごとに異なることになり、さらには発光層の信
頼性（寿命）がＥＬ素子ごとに異なることになる。This method is noted because it is easy to obtain a bright color display. However, since EL elements that emit light of each color use different organic EL films as light emitting layers,
The luminance characteristics of the light emitting layer (the relationship of the luminance to the operating voltage) are different. As a result, the operating voltage required to obtain the desired luminance differs for each EL element, and the reliability (lifetime) of the light emitting layer differs for each EL element.
【０００７】以上のことは、発光装置に必要な電源の種
類が増えるだけでなく、ＥＬ素子の寿命（劣化率）の違
いによる色バランスのずれを生じる可能性を招くという
問題が懸念されていた。[0007] The above concerns not only increase the types of power supplies required for the light emitting device, but also cause a problem that the color balance may be shifted due to the difference in the life (deterioration rate) of the EL element. .
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、発光装置を
カラー表示させるにあたって、赤色発光のＥＬ素子、緑
色発光のＥＬ素子および青色発光のＥＬ素子の動作電圧
を揃えるための技術を提供することを課題とする。そし
て、色バランスの良好なカラー表示を可能とする発光装
置を提供することを課題とする。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a technique for making operating voltages of a red light emitting EL element, a green light emitting EL element, and a blue light emitting EL element uniform in displaying a light emitting device in color. As an issue. It is another object of the present invention to provide a light emitting device capable of performing color display with good color balance.
【０００９】さらに、色バランスの良好なカラー表示を
可能とする発光装置を表示部に用いることで画質の良好
な表示部を有した電気器具を提供することを課題とす
る。Another object of the present invention is to provide an electric appliance having a display unit with good image quality by using a light emitting device capable of color display with good color balance for the display unit.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明では、発光層とし
て一重項励起子（シングレット）により発光する有機化
合物（以下、シングレット化合物と呼ぶ）および三重項
励起子（トリプレット）により発光する有機化合物（以
下、トリプレット化合物と呼ぶ）を併用する点に特徴が
ある。なお、本明細書中において、シングレット化合物
とは一重項励起のみを経由して発光する化合物を指し、
トリプレット化合物とは三重項励起を経由して発光する
化合物を指す。In the present invention, an organic compound emitting light by a singlet exciton (singlet) (hereinafter referred to as a singlet compound) and an organic compound emitting light by a triplet exciton (triplet) are used as a light emitting layer. (Hereinafter, referred to as a triplet compound). Note that in this specification, a singlet compound refers to a compound that emits light only through singlet excitation,
A triplet compound refers to a compound that emits light via triplet excitation.
【００１１】トリプレット化合物は、としては以下の論
文に記載の有機化合物が代表的な材料として挙げられ
る。 （１）T.Tsutsui, C.Adachi, S.Saito, Photochemical
Processes in Organized Molecular Systems, ed.K.Hon
da, (Elsevier Sci.Pub., Tokyo,1991) p.437. （２）M.A.Baldo, D.F.O'Brien, Y.You, A.Shoustikov,
S.Sibley, M.E.Thompson, S.R.Forrest, Nature 395
(1998) p.151. この論文には次の式で示される有機化合物が開示されて
いる。 （３）M.A.Baldo, S.Lamansky, P.E.Burrrows, M.E.Tho
mpson, S.R.Forrest,Appl.Phys.Lett.,75 (1999) p.4. （４）T.Tsutsui, M.-J.Yang, M.Yahiro, K.Nakamura,
T.Watanabe, T.tsuji,Y.Fukuda, T.Wakimoto, S.Mayagu
chi, Jpn.Appl.Phys., 38 (12B) (1999) L1502.As the triplet compound, organic compounds described in the following articles are mentioned as typical materials. (1) T.Tsutsui, C.Adachi, S.Saito, Photochemical
Processes in Organized Molecular Systems, ed.K. Hon
da, (Elsevier Sci. Pub., Tokyo, 1991) p. 437. (2) MABaldo, DFO'Brien, Y. You, A. Shoustikov,
S. Sibley, METhompson, SRForrest, Nature 395
(1998) p.151. This article discloses an organic compound represented by the following formula. (3) MABaldo, S.Lamansky, PEBurrrows, METho
mpson, SRForrest, Appl. Phys. Lett., 75 (1999) p. 4. (4) T. Tsutsui, M.-J. Yang, M. Yahiro, K. Nakamura,
T.Watanabe, T.tsuji, Y.Fukuda, T.Wakimoto, S.Mayagu
chi, Jpn.Appl.Phys., 38 (12B) (1999) L1502.
【００１２】また、本発明者は、上記論文に記載された
発光性材料だけでなく、次の分子式で表される発光性材
料（具体的には金属錯体もしくは有機化合物）を用いる
ことが可能であると考えている。Further, the present inventor can use not only the luminescent material described in the above-mentioned paper but also a luminescent material represented by the following molecular formula (specifically, a metal complex or an organic compound). I think there is.
【００１３】[0013]
【式１】 (Equation 1)
【００１４】[0014]
【式２】 (Equation 2)
【００１５】上記分子式において、Ｍは周期表の８〜１
０族に属する元素である。上記論文では、白金、イリジ
ウムが用いられている。また、本発明者はニッケル、コ
バルトもしくはパラジウムは、白金やイリジウムに比べ
て安価であるため、発光装置の製造コストを低減する上
で好ましいと考えている。特に、ニッケルは錯体を形成
しやすいため、生産性も高く好ましい。In the above molecular formula, M is 8 to 1 in the periodic table.
It is an element belonging to Group 0. In the above paper, platinum and iridium are used. In addition, the present inventor considers that nickel, cobalt, or palladium is preferable in reducing the manufacturing cost of a light-emitting device because nickel, cobalt, or palladium is less expensive than platinum or iridium. In particular, nickel is preferable because it easily forms a complex and thus has high productivity.
【００１６】上記トリプレット化合物は、シングレット
化合物よりも発光効率が高く、同じ発光輝度を得るにも
動作電圧（ＥＬ素子を発光させるに要する電圧）を低く
することが可能である。本発明ではこの特徴を利用す
る。The triplet compound has a higher luminous efficiency than the singlet compound, and can lower the operating voltage (the voltage required for causing the EL element to emit light) to obtain the same emission luminance. The present invention utilizes this feature.
【００１７】本発明の発光装置における画素部の断面構
造を図１に示す。図１において、１０は絶縁体、１１は
電流制御ＴＦＴ、１２は画素電極（陽極）、１３は画素
電極上に開口部を有した絶縁膜（以下、バンクとい
う）、１４は正孔注入層、１５は赤色に発光する発光
層、１６は緑色に発光する発光層、１７は青色に発光す
る発光層、１８は電子輸送層、１９は陰極である。FIG. 1 shows a sectional structure of a pixel portion in the light emitting device of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 10 denotes an insulator, 11 denotes a current control TFT, 12 denotes a pixel electrode (anode), 13 denotes an insulating film having an opening on the pixel electrode (hereinafter referred to as a bank), 14 denotes a hole injection layer, Reference numeral 15 denotes a light emitting layer that emits red light, 16 denotes a light emitting layer that emits green light, 17 denotes a light emitting layer that emits blue light, 18 denotes an electron transport layer, and 19 denotes a cathode.
【００１８】なお、図１では電流制御ＴＦＴとしてボト
ムゲート型ＴＦＴ（具体的には逆スタガ型ＴＦＴ）を用
いる例を示しているが、トップゲート型ＴＦＴでも良
い。また、正孔注入層１４、赤色に発光する発光層１
５、緑色に発光する発光層１６、青色に発光する発光層
１７もしくは電子輸送層１８は各々公知の有機化合物も
しくは無機化合物を用いることが可能である。Although FIG. 1 shows an example in which a bottom gate TFT (specifically, an inverted staggered TFT) is used as the current control TFT, a top gate TFT may be used. Further, the hole injection layer 14 and the light emitting layer 1 emitting red light
5, the light emitting layer 16 that emits green light, the light emitting layer 17 that emits blue light, or the electron transport layer 18 can be formed using a known organic compound or inorganic compound.
【００１９】このとき本実施例では、赤色に発光する発
光層１５としてトリプレット化合物を用い、緑色に発光
する発光層１６および青色に発光する発光層１７として
シングレット化合物を用いる。即ち、赤色に発光するＥ
Ｌ素子としてトリプレット化合物を用いたＥＬ素子を用
い、緑色もしくは青色に発光するＥＬ素子としてシング
レット化合物を用いたＥＬ素子を用いる。At this time, in this embodiment, a triplet compound is used as the light emitting layer 15 that emits red light, and a singlet compound is used as the light emitting layer 16 that emits green light and the light emitting layer 17 that emits blue light. That is, E that emits red light
An EL element using a triplet compound is used as an L element, and an EL element using a singlet compound is used as an EL element emitting green or blue light.
【００２０】低分子の有機化合物を発光層として用いる
場合、現状では赤色に発光する発光層の寿命が他の色に
発光する発光層よりも短い。これは発光効率が他の色よ
りも劣るため、他の色と同じ発光輝度を得るためには動
作電圧を高く設定しなければならず、その分劣化の進行
も早いためである。When a low molecular weight organic compound is used for the light emitting layer, the life of the light emitting layer that emits red light is shorter than the light emitting layer that emits other colors at present. This is because the luminous efficiency is inferior to the other colors, so that the operating voltage must be set high to obtain the same luminous brightness as the other colors, and the deterioration proceeds accordingly.
【００２１】しかしながら、本発明では赤色に発光する
発光層１５として発光効率の高いトリプレット化合物を
用いているため、緑色に発光する発光層１６や青色に発
光する発光層１７と同じ発光輝度を得ながらも動作電圧
を揃えることが可能である。従って、赤色に発光する発
光層１５の劣化が極端に早まることはなく、色バランス
のずれ等の問題を起こさずにカラー表示を行うことが可
能となる。また、動作電圧を低く抑えることができるこ
とは、トランジスタの耐圧のマージンを低く設定できる
点からも好ましいことである。However, in the present invention, since a triplet compound having high luminous efficiency is used as the luminescent layer 15 emitting red light, the same luminescent luminance as the luminescent layer 16 emitting green light and the luminescent layer 17 emitting blue light can be obtained. It is also possible to make the operating voltages uniform. Therefore, the deterioration of the light emitting layer 15 that emits red light is not extremely accelerated, and a color display can be performed without causing a problem such as a color balance shift. The fact that the operating voltage can be kept low is also preferable from the viewpoint that the margin of the withstand voltage of the transistor can be set low.
【００２２】なお、本発明では、赤色に発光する発光層
１５としてトリプレット化合物を用いた例を示している
が、さらに緑色に発光する発光層１６もしくは青色に発
光する発光層１７にトリプレット化合物を用いることで
各々のＥＬ素子の動作電圧を揃えることは可能である。In the present invention, an example is shown in which a triplet compound is used as the light emitting layer 15 that emits red light. However, a triplet compound is used for the light emitting layer 16 that emits green light or the light emitting layer 17 that emits blue light. This makes it possible to make the operating voltages of the EL elements uniform.
【００２３】次に、本発明の発光装置における画素部の
回路構成を図２に示す。なお、ここでは赤色に発光する
ＥＬ素子を含む画素（画素（赤））２０a、緑色に発光
するＥＬ素子を含む画素（画素（緑））２０bおよび青
色に発光するＥＬ素子を含む画素（画素（青））２０c
の三つを図示しているが、いずれも回路構成は同一であ
る。Next, FIG. 2 shows a circuit configuration of a pixel portion in the light emitting device of the present invention. Here, a pixel (pixel (red)) 20a including an EL element emitting red light, a pixel (pixel (green)) 20b including an EL element emitting green light, and a pixel (pixel (pixel) including an EL element emitting blue light Blue)) 20c
3 are shown, but all have the same circuit configuration.
【００２４】図２（Ａ）において、２１はゲート配線、
２２a〜２２cはソース配線（データ配線）、２３a〜２
３cは電流供給線である。電流供給線２３a〜２３cはＥ
Ｌ素子の動作電圧を決定する配線であり、赤色発光の画
素２０a、緑色発光の画素２０bおよび青色発光の画素２
０cのいずれの画素においても同じ電圧が印加される。
従って、配線の線幅（太さ）も全て同一設計で良い。In FIG. 2A, 21 is a gate wiring,
22a to 22c are source wiring (data wiring), 23a to 2
3c is a current supply line. The current supply lines 23a to 23c are E
The wiring which determines the operating voltage of the L element is a red light emitting pixel 20a, a green light emitting pixel 20b and a blue light emitting pixel 2b.
The same voltage is applied to any pixel of 0c.
Therefore, the line width (thickness) of the wiring may be the same design.
【００２５】また、２４a〜２４cはスイッチングＴＦＴ
（電流制御ＴＦＴのゲートに入力される信号を制御する
ためのＴＦＴ）であり、ここではｎチャネル型ＴＦＴで
形成されている。なお、ここではソース領域とドレイン
領域との間に二つのチャネル形成領域を有した構造を例
示しているが、一つもしくは三つ以上であっても構わな
い。Also, reference numerals 24a to 24c denote switching TFTs.
(TFT for controlling a signal input to the gate of the current control TFT), which is formed by an n-channel TFT here. Although a structure having two channel formation regions between a source region and a drain region is illustrated here, one or three or more channel formation regions may be used.
【００２６】また、２５a〜２５cは電流制御ＴＦＴ（Ｅ
Ｌ素子に流れる電流を制御するためのＴＦＴ）であり、
電流制御ＴＦＴ２５a〜２５cのゲート電極はスイッチン
グＴＦＴ２４a〜２４cのいずれかに、ソース領域は電流
供給線２３a〜２３cのいずれかに、ドレイン領域はＥＬ
素子２６a〜２６cのいずれかに接続される。なお、２７
a〜２７cはコンデンサであり、各々電流供給線２５a〜
２５cのゲート電極に印加される電圧を保持する。但
し、コンデンサ２７a〜２７cは省略することも可能であ
る。Further, 25a to 25c are current control TFTs (E
TFT for controlling the current flowing through the L element)
The gate electrodes of the current control TFTs 25a to 25c are on one of the switching TFTs 24a to 24c, the source region is on one of the current supply lines 23a to 23c, and the drain region is EL.
Connected to any of elements 26a to 26c. Note that 27
a to 27c are capacitors, each of which is a current supply line 25a to 25c.
The voltage applied to the gate electrode 25c is held. However, the capacitors 27a to 27c can be omitted.
【００２７】なお、図２（Ａ）ではｎチャネル型ＴＦＴ
からなるスイッチングＴＦＴ２４a〜２４cおよびｐチャ
ネル型ＴＦＴからなる電流制御ＴＦＴ２５a〜２５cを設
けた例を示しているが、図２（Ｂ）に示すように、画素
（赤）３０a、画素（緑）３０bおよび画素（青）３０c
の各々に、ｐチャネル型ＴＦＴからなるスイッチングＴ
ＦＴ２８a〜２８cおよびｎチャネル型ＴＦＴからなる電
流制御ＴＦＴ２９a〜２９cを設けることも可能である。FIG. 2A shows an n-channel type TFT.
2A and 2B, the current control TFTs 25a to 25c formed of p-channel TFTs are provided. As shown in FIG. 2B, a pixel (red) 30a, a pixel (green) 30b and Pixel (blue) 30c
Each have a switching T composed of a p-channel TFT.
It is also possible to provide current control TFTs 29a to 29c composed of FTs 28a to 28c and n-channel TFTs.
【００２８】さらに、図２（Ａ）、（Ｂ）では一つの画
素内に二つのＴＦＴを設けた例を示しているが、ＴＦＴ
の個数は三つ以上（代表的には三つ〜六つ）であっても
良い。その場合においても、ｎチャネル型ＴＦＴとｐチ
ャネル型ＴＦＴとをどのように組み合わせて設けても構
わない。FIGS. 2A and 2B show an example in which two TFTs are provided in one pixel.
May be three or more (typically three to six). In that case, the n-channel TFT and the p-channel TFT may be provided in any combination.
【００２９】図２（Ａ）、（Ｂ）では、ＥＬ素子２６a
が赤色発光のＥＬ素子であり、発光層としてトリプレッ
ト化合物を用いている。また、ＥＬ素子２６bが緑色発
光のＥＬ素子、ＥＬ素子２６cが青色発光のＥＬ素子で
あり、いずれも発光層としてシングレット化合物を用い
ている。In FIGS. 2A and 2B, the EL element 26a
Is a red light emitting EL element, and uses a triplet compound as a light emitting layer. The EL element 26b is an EL element that emits green light, and the EL element 26c is an EL element that emits blue light. In each case, a singlet compound is used as a light emitting layer.
【００３０】以上のようにトリプレット化合物とシング
レット化合物を使い分けることで赤色に発光するＥＬ素
子、緑色に発光するＥＬ素子および青色に発光するＥＬ
素子の動作電圧をすべて同一（１０Ｖ以下、好ましくは
３〜１０Ｖ）とすることが可能となる。従って、ＥＬ素
子の寿命の違いによる色バランスのずれを抑制すること
ができ、さらに発光装置に必要な電源を例えば３Ｖもし
くは５Ｖで統一することができるため、回路設計が容易
となる利点がある。As described above, by selectively using a triplet compound and a singlet compound, an EL element that emits red light, an EL element that emits green light, and an EL element that emits blue light
The operating voltages of the elements can all be the same (10 V or less, preferably 3 to 10 V). Accordingly, it is possible to suppress a shift in color balance due to a difference in the life of the EL element, and furthermore, it is possible to unify the power supply required for the light emitting device to, for example, 3 V or 5 V, and thus there is an advantage that circuit design becomes easy.
【００３１】[0031]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について、以
下に示す実施例を用いて詳細な説明を行うこととする。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the following examples.
【００３２】[0032]
【実施例】〔実施例１〕本実施例では、本発明の発光装
置として、同一の絶縁体上に画素部とそれを駆動する駆
動回路を有した発光装置の例（但し封止前の状態）を図
３に示す。なお、駆動回路１５０には基本単位となるＣ
ＭＯＳ回路を示し、画素部１５１には一つの画素を示
す。但し、実際には画素部１５１の構造は図１に示すよ
うに複数の画素が集合してなる。[Embodiment 1] In this embodiment, as a light emitting device of the present invention, an example of a light emitting device having a pixel portion and a driving circuit for driving the pixel portion on the same insulator (however, a state before sealing) will be described. ) Is shown in FIG. Note that the drive circuit 150 has a basic unit C
2 illustrates a MOS circuit, and a pixel portion 151 illustrates one pixel. However, in actuality, the structure of the pixel portion 151 is formed by a plurality of pixels as shown in FIG.
【００３３】図３において、１００は絶縁体（絶縁基
板、絶縁膜もしくは絶縁膜を表面に有した基板を含む）
であり、その上にはｎチャネル型ＴＦＴ２０１、ｐチャ
ネル型ＴＦＴ２０２、ｎチャネル型ＴＦＴからなるスイ
ッチングＴＦＴ２０３およびｐチャネル型ＴＦＴからな
る電流制御ＴＦＴ２０４が形成されている。このとき、
画素部１５１の回路構成は図２（Ａ）に示す構造となっ
ている。また、本実施例では、ＴＦＴはすべて逆スタガ
型ＴＦＴで形成されている。In FIG. 3, reference numeral 100 denotes an insulator (including an insulating substrate, an insulating film, or a substrate having an insulating film on its surface).
An n-channel TFT 201, a p-channel TFT 202, a switching TFT 203 composed of an n-channel TFT, and a current control TFT 204 composed of a p-channel TFT are formed thereon. At this time,
The circuit configuration of the pixel portion 151 has a structure illustrated in FIG. Further, in this embodiment, all the TFTs are formed by inverted staggered TFTs.
【００３４】まず、ｎチャネル型ＴＦＴ２０１およびｐ
チャネル型ＴＦＴ２０２の構造について説明する。First, the n-channel TFT 201 and the p-channel TFT
The structure of the channel type TFT 202 will be described.
【００３５】ｎチャネル型ＴＦＴ２０１において、１０
１はゲート電極、１０２はゲート絶縁膜、１０３はソー
ス領域、１０４はドレイン領域、１０５aおよび１０５b
はＬＤＤ（ライトドープドレイン）領域、１０６はチャ
ネル形成領域、１０７チャネル保護膜、１０８は第１層
間絶縁膜、１０９はソース配線、１１０はドレイン配線
である。In the n-channel TFT 201, 10
1 is a gate electrode, 102 is a gate insulating film, 103 is a source region, 104 is a drain region, 105a and 105b.
Is an LDD (lightly doped drain) region, 106 is a channel forming region, 107 is a channel protective film, 108 is a first interlayer insulating film, 109 is a source wiring, and 110 is a drain wiring.
【００３６】ｐチャネル型ＴＦＴ２０２において、１１
１はゲート電極、１０２はゲート絶縁膜、１１２はソー
ス領域、１１３はドレイン領域、１１４はチャネル形成
領域、１１５チャネル保護膜、１０８は第１層間絶縁
膜、１１６はソース配線、１１０はドレイン配線であ
る。このドレイン配線１１０はｎチャネル型ＴＦＴ２０
１と共通の配線となっている。In the p-channel type TFT 202, 11
1 is a gate electrode, 102 is a gate insulating film, 112 is a source region, 113 is a drain region, 114 is a channel formation region, 115 channel protective film, 108 is a first interlayer insulating film, 116 is a source wiring, and 110 is a drain wiring. is there. The drain wiring 110 is an n-channel type TFT 20
1 and common wiring.
【００３７】スイッチングＴＦＴ２０３はソース領域お
よびドレイン領域の間に二つのチャネル形成領域を有し
た構造となっているが、ｎチャネル型ＴＦＴ２０１の構
造の説明を参照すれば容易に理解できるので説明は省略
する。また、電流制御ＴＦＴ２０４はｐチャネル型ＴＦ
Ｔ２０２の構造の説明を参照すれば容易に理解できるの
で説明は省略する。Although the switching TFT 203 has a structure having two channel forming regions between the source region and the drain region, the description is omitted because it can be easily understood by referring to the description of the structure of the n-channel TFT 201. . The current control TFT 204 is a p-channel type TF
The description is omitted because it can be easily understood by referring to the description of the structure of T202.
【００３８】そして、ｎチャネル型ＴＦＴ２０１、ｐチ
ャネル型ＴＦＴ２０２、スイッチングＴＦＴ２０３およ
び電流制御ＴＦＴ２０４を覆って第２層間絶縁膜（平坦
化膜）１１９が設けられている。A second interlayer insulating film (flattening film) 119 is provided so as to cover the n-channel TFT 201, the p-channel TFT 202, the switching TFT 203, and the current control TFT 204.
【００３９】なお、第２層間絶縁膜１１９が設けられる
前に、電流制御ＴＦＴ２０４のドレイン領域１１７の上
には第１層間絶縁膜１０８にコンタクトホール１１８が
設けられている。これは第２層間絶縁膜１１９にコンタ
クトホールを形成する際に、エッチング工程を簡単にす
るためである。Before the second interlayer insulating film 119 is provided, a contact hole 118 is provided in the first interlayer insulating film 108 above the drain region 117 of the current control TFT 204. This is to simplify the etching process when forming a contact hole in the second interlayer insulating film 119.
【００４０】また、第２層間絶縁膜１１９にはドレイン
領域１１７に到達するようにコンタクトホールが形成さ
れ、ドレイン領域１１７に接続された画素電極１２０が
設けられている。画素電極１２０はＥＬ素子の陽極とし
て機能し、仕事関数の大きい導電膜、代表的には酸化物
導電膜が用いられる。酸化物導電膜としては、酸化イン
ジウム、酸化スズ、酸化亜鉛もしくはそれらの化合物を
用いれば良い。A contact hole is formed in the second interlayer insulating film 119 so as to reach the drain region 117, and a pixel electrode 120 connected to the drain region 117 is provided. The pixel electrode 120 functions as an anode of the EL element, and is formed using a conductive film having a large work function, typically, an oxide conductive film. As the oxide conductive film, indium oxide, tin oxide, zinc oxide, or a compound thereof may be used.
【００４１】次に、１２１はバンクであり、画素電極１
２０の端部を覆うように設けられた絶縁膜である。バン
ク１２１は珪素を含む絶縁膜もしくは樹脂膜で形成すれ
ば良い。樹脂膜を用いる場合、樹脂膜の比抵抗が１×１
０6〜１×１０12Ωｍ（好ましくは１×１０8〜１×１０
10Ωｍ）となるようにカーボン粒子もしくは金属粒子を
添加すると、成膜時の絶縁破壊を抑えることができる。Next, reference numeral 121 denotes a bank, which is a pixel electrode 1
20 is an insulating film provided so as to cover the end of the insulating film 20. The bank 121 may be formed of an insulating film containing silicon or a resin film. When a resin film is used, the specific resistance of the resin film is 1 × 1
0 6 ~1 × 10 12 Ωm (preferably 1 × 10 8 ~1 × 10
When carbon particles or metal particles are added so as to be 10 Ωm), dielectric breakdown during film formation can be suppressed.
【００４２】次に、１２２はＥＬ層である。なお、本明
細書中では発光層に対して正孔注入層、正孔輸送層、正
孔阻止層、電子輸送層、電子注入層もしくは電子阻止層
を組み合わせた積層体をＥＬ層と定義する。この発光層
としてシングレット化合物とトリプレット化合物を併用
する点が本発明の特徴である。Next, reference numeral 122 denotes an EL layer. In this specification, a laminate in which a hole injection layer, a hole transport layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, or an electron blocking layer is combined with a light emitting layer is defined as an EL layer. A feature of the present invention is that a singlet compound and a triplet compound are used in combination as the light emitting layer.
【００４３】なお、本実施例では、赤色発光のＥＬ素子
に用いる有機化合物としてトリプレット化合物を用い、
緑色発光のＥＬ素子および青色発光のＥＬ素子に用いる
有機化合物としてシングレット化合物を用いる。このと
きトリプレット化合物としては、前述の有機化合物を用
いれば良く、シングレット化合物としては蛍光色素を共
蒸着したＡｌｑ3（アルミキノリラト錯体）を用いれば
良い。In this example, a triplet compound was used as an organic compound used for a red light emitting EL device.
A singlet compound is used as an organic compound used for a green light emitting EL element and a blue light emitting EL element. At this time, the above-mentioned organic compound may be used as the triplet compound, and Alq 3 (aluminum quinolylato complex) on which a fluorescent dye is co-deposited may be used as the singlet compound.
【００４４】次に、１２３はＥＬ素子の陰極であり、仕
事関数の小さい導電膜が用いられる。仕事関数の小さい
導電膜としては、周期表の１族もしくは２族に属する元
素を含む導電膜を用いれば良い。本実施例では、リチウ
ムとアルミニウムとの化合物からなる導電膜を用いる。Next, reference numeral 123 denotes a cathode of the EL element, and a conductive film having a small work function is used. As the conductive film having a small work function, a conductive film containing an element belonging to Group 1 or 2 of the periodic table may be used. In this embodiment, a conductive film made of a compound of lithium and aluminum is used.
【００４５】なお、画素電極（陽極）１２０、ＥＬ層１
２２および陰極１２３からなる積層体２０５がＥＬ素子
である。ＥＬ素子２０５で生成された発光は、絶縁体１
００側（図中矢印の方向）へと放射される。また、本実
施例のように電流制御ＴＦＴ２０４にｐチャネル型ＴＦ
Ｔを用いる場合、電流制御ＴＦＴ２０４のドレイン領域
１１７にはＥＬ素子２０５の陽極を接続することが好ま
しい。The pixel electrode (anode) 120 and the EL layer 1
A laminate 205 including the cathode 22 and the cathode 123 is an EL element. The light generated by the EL element 205 corresponds to the insulator 1
It is radiated to the 00 side (the direction of the arrow in the figure). Further, as in the present embodiment, the p-channel type TF
When T is used, it is preferable to connect the anode of the EL element 205 to the drain region 117 of the current control TFT 204.
【００４６】なお、ここでは図示しないが陰極１２３を
形成した後、ＥＬ素子２０５を完全に覆うようにしてパ
ッシベーション膜を設けることは有効である。パッシベ
ーション膜としては、炭素膜、窒化珪素膜もしくは窒化
酸化珪素膜を含む絶縁膜からなり、該絶縁膜を単層もし
くは組み合わせた積層で用いる。Although not shown here, it is effective to provide a passivation film so as to completely cover the EL element 205 after the cathode 123 is formed. As the passivation film, an insulating film including a carbon film, a silicon nitride film, or a silicon nitride oxide film is used, and the insulating film is used as a single layer or a stacked layer in which the insulating films are combined.
【００４７】この際、カバレッジの良い膜をパッシベー
ション膜として用いることが好ましく、炭素膜、特にＤ
ＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜を用いることは
有効である。ＤＬＣ膜は室温から１００℃以下の温度範
囲で成膜可能であるため、耐熱性の低いＥＬ層１２２の
上方にも容易に成膜することができる。また、ＤＬＣ膜
は酸素に対するブロッキング効果が高く、ＥＬ層１２２
の酸化を抑制することが可能である。そのため、この後
に続く封止工程を行う間にＥＬ層１２２が酸化するとい
った問題を防止できる。At this time, it is preferable to use a film having good coverage as the passivation film,
It is effective to use an LC (diamond-like carbon) film. Since the DLC film can be formed in a temperature range from room temperature to 100 ° C. or less, it can be easily formed above the EL layer 122 having low heat resistance. Further, the DLC film has a high blocking effect against oxygen, and the EL layer 122
Can be suppressed. Therefore, the problem that the EL layer 122 is oxidized during the subsequent sealing step can be prevented.
【００４８】以上の構造の画素部および駆動回路を有し
た本発明の発光装置は、ＥＬ素子にシングレット化合物
とトリプレット化合物とを使い分けているため、ＥＬ素
子の動作電圧を揃えることができ、色バランスに優れた
良好なカラー表示を行うことが可能である。In the light emitting device of the present invention having the pixel portion and the driving circuit having the above structure, since the EL device uses a singlet compound and a triplet compound, the operating voltage of the EL device can be made uniform and the color balance can be improved. And excellent color display can be performed.
【００４９】また、ＥＬ素子の動作電圧をすべて１０Ｖ
以下（典型的には３〜１０Ｖ）とすることができるた
め、回路設計が容易になるという利点が得られる。The operating voltages of the EL elements are all 10 V
Since it can be set to the following (typically 3 to 10 V), there is an advantage that circuit design becomes easy.
【００５０】〔実施例２〕本実施例では、本発明の発光
装置として、同一の絶縁体上に画素部とそれを駆動する
駆動回路を有した発光装置の例（但し封止前の状態）を
図４に示す。なお、駆動回路２５０には基本単位となる
ＣＭＯＳ回路を示し、画素部２５１には一つの画素を示
す。但し、実際には画素部２５１の構造は図１に示すよ
うになっている。また、図３と同一の符号が付してある
部分は実施例１の説明を参照すれば良い。[Embodiment 2] In this embodiment, as a light emitting device of the present invention, an example of a light emitting device having a pixel portion and a drive circuit for driving the pixel portion on the same insulator (however, before sealing) Is shown in FIG. Note that the driving circuit 250 shows a CMOS circuit as a basic unit, and the pixel portion 251 shows one pixel. However, the structure of the pixel portion 251 is actually as shown in FIG. The portions denoted by the same reference numerals as in FIG. 3 may refer to the description of the first embodiment.
【００５１】図４において、１００は絶縁体であり、そ
の上にはｎチャネル型ＴＦＴ２０１、ｐチャネル型ＴＦ
Ｔ２０２、ｐチャネル型ＴＦＴからなるスイッチングＴ
ＦＴ２０６およびｎチャネル型ＴＦＴからなる電流制御
ＴＦＴ２０７が形成されている。このとき、画素部２５
１の回路構成は図２（Ｂ）に示す構造となっている。ま
た、本実施例では、ＴＦＴはすべて逆スタガ型ＴＦＴで
形成されている。In FIG. 4, reference numeral 100 denotes an insulator, on which an n-channel TFT 201 and a p-channel TF
T202, switching T composed of p-channel TFT
An FT 206 and a current control TFT 207 composed of an n-channel TFT are formed. At this time, the pixel unit 25
The circuit configuration of No. 1 has a structure shown in FIG. Further, in this embodiment, all the TFTs are formed by inverted staggered TFTs.
【００５２】ｎチャネル型ＴＦＴ２０１およびｐチャネ
ル型ＴＦＴ２０２の説明は実施例１を参照すれば良いの
で省略する。また、スイッチングＴＦＴ２０６はソース
領域およびドレイン領域の間に二つのチャネル形成領域
を有した構造となっているが、ｐチャネル型ＴＦＴ２０
２の構造の説明を参照すれば容易に理解できるので説明
は省略する。また、電流制御ＴＦＴ２０７はｎチャネル
型ＴＦＴ２０１の構造の説明を参照すれば容易に理解で
きるので説明は省略する。The description of the n-channel type TFT 201 and the p-channel type TFT 202 will be omitted because Embodiment 1 can be referred to. The switching TFT 206 has a structure having two channel formation regions between a source region and a drain region.
Since the structure can be easily understood by referring to the description of the structure 2, the description is omitted. The current control TFT 207 can be easily understood by referring to the description of the structure of the n-channel type TFT 201, and thus the description is omitted.
【００５３】本実施例の場合、ＥＬ素子の構造が実施例
１と異なる。電流制御ＴＦＴ２０７のドレイン領域３０
１には、画素電極３０２が接続されている。画素電極３
０２はＥＬ素子２０８の陰極として機能する電極であ
り、周期表の１族もしくは２族に属する元素を含む導電
膜を用いて形成されている。本実施例では、リチウムと
アルミニウムとの化合物からなる導電膜を用いる。In the present embodiment, the structure of the EL element is different from that of the first embodiment. The drain region 30 of the current control TFT 207
1 is connected to the pixel electrode 302. Pixel electrode 3
An electrode 02 functions as a cathode of the EL element 208 and is formed using a conductive film containing an element belonging to Group 1 or 2 of the periodic table. In this embodiment, a conductive film made of a compound of lithium and aluminum is used.
【００５４】また、ＥＬ素子２０８は画素電極（陰極）
３０２、ＥＬ層３０３および陽極３０４からなる。な
お、本実施例では、赤色発光のＥＬ素子に用いる有機化
合物としてトリプレット化合物を用い、緑色発光のＥＬ
素子および青色発光のＥＬ素子に用いる有機化合物とし
てシングレット化合物を用いる。このときトリプレット
化合物としては、前述の有機化合物を用いれば良く、シ
ングレット化合物としては蛍光色素を共蒸着したＡｌｑ
3（アルミキノリラト錯体）を用いれば良い。The EL element 208 is a pixel electrode (cathode).
302, an EL layer 303 and an anode 304. In this embodiment, a triplet compound is used as an organic compound used for a red light emitting EL element, and a green light emitting EL element is used.
A singlet compound is used as the organic compound used for the device and the EL device emitting blue light. At this time, the above-mentioned organic compound may be used as the triplet compound, and as the singlet compound, Alq in which a fluorescent dye is co-evaporated is used.
3 (aluminoquinolate complex) may be used.
【００５５】また、本実施例では、陽極３０４として酸
化亜鉛に酸化ガリウムを添加した酸化物導電膜を用い
る。この酸化物導電膜は可視光を透過するため、ＥＬ素
子２０８で生成された発光は陽極３０４の上面側（図中
矢印の方向）に向かって放射される。なお、本実施例の
ように電流制御ＴＦＴ２０７にｎチャネル型ＴＦＴを用
いる場合、電流制御ＴＦＴ２０７のドレイン領域３０１
にはＥＬ素子２０８の陰極を接続することが好ましい。In this embodiment, an oxide conductive film obtained by adding gallium oxide to zinc oxide is used as the anode 304. Since this oxide conductive film transmits visible light, light generated by the EL element 208 is emitted toward the upper surface of the anode 304 (in the direction of the arrow in the figure). When an n-channel TFT is used for the current control TFT 207 as in this embodiment, the drain region 301 of the current control TFT 207 is used.
Is preferably connected to the cathode of the EL element 208.
【００５６】なお、ここでは図示しないが陽極３０４を
形成した後、ＥＬ素子２０８を完全に覆うようにしてパ
ッシベーション膜を設けることは有効である。パッシベ
ーション膜としては、炭素膜、窒化珪素膜もしくは窒化
酸化珪素膜を含む絶縁膜からなり、該絶縁膜を単層もし
くは組み合わせた積層で用いる。Although not shown here, it is effective to provide a passivation film so as to completely cover the EL element 208 after the anode 304 is formed. As the passivation film, an insulating film including a carbon film, a silicon nitride film, or a silicon nitride oxide film is used, and the insulating film is used as a single layer or a stacked layer in which the insulating films are combined.
【００５７】以上の構造の画素部および駆動回路を有し
た本発明の発光装置は、ＥＬ素子にシングレット化合物
とトリプレット化合物とを使い分けているため、ＥＬ素
子の動作電圧を揃えることができ、色バランスに優れた
良好なカラー表示を行うことが可能である。In the light emitting device of the present invention having the pixel portion and the driving circuit having the above structure, since the EL element uses a singlet compound and a triplet compound, the operating voltage of the EL element can be made uniform and the color balance can be improved. And excellent color display can be performed.
【００５８】また、ＥＬ素子の動作電圧をすべて１０Ｖ
以下（典型的には３〜１０Ｖ）とすることができるた
め、回路設計が容易になるという利点が得られる。The operating voltages of the EL elements are all 10 V
Since it can be set to the following (typically 3 to 10 V), there is an advantage that circuit design becomes easy.
【００５９】なお、本実施例の構成は、実施例１に記載
された構成を組み合わせて実施することが可能である。The structure of the present embodiment can be implemented by combining the structures described in the first embodiment.
【００６０】〔実施例３〕本実施例では、本発明の発光
装置において、画素部および駆動回路をすべてｎチャネ
ル型ＴＦＴで形成する場合について説明する。なお、本
実施例の画素の回路構成は図５に示すような構造とな
る。また、図２と同一の符号を付した部分については図
２の説明を参照すれば良い。[Embodiment 3] In this embodiment, a case will be described in which the pixel portion and the driving circuit are all formed of n-channel TFTs in the light emitting device of the present invention. The circuit configuration of the pixel of this embodiment has a structure as shown in FIG. 2 may be referred to the description of FIG.
【００６１】図５に示すように、画素（赤）３５a、画
素（緑）３５b、画素（青）３５cの各々に設けられたス
イッチングＴＦＴ２４a〜２４cおよび電流制御ＴＦＴ３
６a〜３６cはすべてｎチャネル型ＴＦＴで形成されてい
る。As shown in FIG. 5, the switching TFTs 24a to 24c and the current control TFT 3 provided in the pixel (red) 35a, the pixel (green) 35b, and the pixel (blue) 35c, respectively.
6a to 36c are all formed by n-channel TFTs.
【００６２】ここで本実施例の発光装置の断面構造（但
し封止前の状態）を図６に示す。なお、駆動回路３５０
には基本単位となるＣＭＯＳ回路を示し、画素部３５１
には一つの画素を示す。但し、実際には画素部３５１の
構造は図１に示すようになっている。また、図３もしく
は図４と同一の符号が付してある部分は実施例１もしく
は実施例２の説明を参照すれば良い。FIG. 6 shows a cross-sectional structure of the light emitting device of this embodiment (however, before sealing). The driving circuit 350
Shows a CMOS circuit serving as a basic unit, and includes a pixel portion 351.
Shows one pixel. However, the structure of the pixel portion 351 is actually as shown in FIG. 3 or 4 may be referred to the description of the first or second embodiment.
【００６３】図６において、１００は絶縁体であり、そ
の上にはｎチャネル型ＴＦＴ２０１、ｎチャネル型ＴＦ
Ｔ２０９、ｎチャネル型ＴＦＴからなるスイッチングＴ
ＦＴ２０３およびｎチャネル型ＴＦＴからなる電流制御
ＴＦＴ２０７が形成されている。このとき、画素部３５
１の回路構成は図５に示す構造となっている。In FIG. 6, reference numeral 100 denotes an insulator, on which an n-channel TFT 201 and an n-channel TF
T209, switching T composed of n-channel TFT
A current control TFT 207 including an FT 203 and an n-channel TFT is formed. At this time, the pixel unit 35
The circuit configuration of No. 1 has a structure shown in FIG.
【００６４】また、本実施例では、ＴＦＴはすべてｎチ
ャネル型の逆スタガ型ＴＦＴで形成されている。このと
きｎチャネル型ＴＦＴはすべてエンハンスメント型ＴＦ
Ｔであっても良いし、すべてデプレッション型ＴＦＴで
あっても良い。勿論、両者を作り分けて組み合わせて用
いることも可能である。エンハンスメント型にするかデ
プレッション型にするかは、チャネル形成領域にＮ型ま
たはＰ型の不純物を添加することで選択することができ
る。In this embodiment, the TFTs are all formed of n-channel inverted staggered TFTs. At this time, the n-channel TFTs are all enhancement-type TFs.
T may be used, or all may be depletion type TFTs. Of course, it is also possible to separately use both of them and use them in combination. Whether to use an enhancement type or a depletion type can be selected by adding an N-type or P-type impurity to a channel formation region.
【００６５】ｎチャネル型ＴＦＴ２０１およびｎチャネ
ル型ＴＦＴ２０９は同一の構造であり、説明は実施例１
を参照すれば良いので省略する。また、スイッチングＴ
ＦＴ２０３はソース領域およびドレイン領域の間に二つ
のチャネル形成領域を有した構造となっているが、ｎチ
ャネル型ＴＦＴ２０１の構造の説明を参照すれば容易に
理解できるので説明は省略する。また、電流制御ＴＦＴ
２０７はｎチャネル型ＴＦＴ２０１の構造の説明を参照
すれば容易に理解できるので説明は省略する。The n-channel TFT 201 and the n-channel TFT 209 have the same structure.
, So it is omitted. Switching T
The FT 203 has a structure having two channel formation regions between a source region and a drain region. However, since it can be easily understood by referring to the description of the structure of the n-channel TFT 201, the description is omitted. In addition, current control TFT
Reference numeral 207 can be easily understood by referring to the description of the structure of the n-channel TFT 201, and a description thereof will not be repeated.
【００６６】本実施例の場合、ＥＬ素子の構造が実施例
２と同様となる。即ち、本実施例では電流制御ＴＦＴ２
０７にｎチャネル型ＴＦＴを用いるため電流制御ＴＦＴ
２０７のドレイン領域３０１にはＥＬ素子２０８の陰極
３０２を接続することが好ましい。ＥＬ素子に関する説
明は実施例２を参照すれば良い。In the case of this embodiment, the structure of the EL element is the same as that of the second embodiment. That is, in this embodiment, the current control TFT 2
Current control TFT for using n-channel TFT for 07
It is preferable to connect the cathode 302 of the EL element 208 to the drain region 301 of 207. Embodiment 2 can be referred to for the description of the EL element.
【００６７】なお、ここでは図示しないが陽極３０４を
形成した後、ＥＬ素子２０８を完全に覆うようにしてパ
ッシベーション膜を設けることは有効である。パッシベ
ーション膜としては、炭素膜、窒化珪素膜もしくは窒化
酸化珪素膜を含む絶縁膜からなり、該絶縁膜を単層もし
くは組み合わせた積層で用いる。Although not shown here, it is effective to provide a passivation film so as to completely cover the EL element 208 after the anode 304 is formed. As the passivation film, an insulating film including a carbon film, a silicon nitride film, or a silicon nitride oxide film is used, and the insulating film is used as a single layer or a stacked layer in which the insulating films are combined.
【００６８】以上の構造の画素部３５１および駆動回路
３５０を有した本発明の発光装置は、ＥＬ素子にシング
レット化合物とトリプレット化合物とを使い分けている
ため、ＥＬ素子の動作電圧を揃えることができ、色バラ
ンスに優れた良好なカラー表示を行うことが可能であ
る。In the light emitting device of the present invention having the pixel portion 351 and the driving circuit 350 having the above structure, since the EL element uses a singlet compound and a triplet compound, the operating voltages of the EL elements can be made uniform. Good color display with excellent color balance can be performed.
【００６９】また、ＥＬ素子の動作電圧をすべて１０Ｖ
以下（典型的には３〜１０Ｖ）とすることができるた
め、回路設計が容易になるという利点が得られる。The operating voltages of the EL elements were all set to 10V.
Since it can be set to the following (typically 3 to 10 V), there is an advantage that circuit design becomes easy.
【００７０】さらに本実施例の構成によれば、ｐチャネ
ル型ＴＦＴを形成するためのフォトリソグラフィ工程を
省略することができるため、製造工程を簡略化すること
が可能である。Further, according to the structure of the present embodiment, the photolithography process for forming the p-channel TFT can be omitted, so that the manufacturing process can be simplified.
【００７１】なお、本実施例の構成は、実施例１もしく
は実施例２に記載された構成を組み合わせて実施するこ
とが可能である。The structure of this embodiment can be implemented by combining the structures described in the first and second embodiments.
【００７２】〔実施例４〕本実施例では、本発明の発光
装置において、画素部および駆動回路をすべてｐチャネ
ル型ＴＦＴで形成する場合について説明する。なお、本
実施例の画素の回路構成は図７に示すような構造とな
る。また、図２と同一の符号を付した部分については図
２の説明を参照すれば良い。[Embodiment 4] In this embodiment, a case will be described in which the pixel portion and the driving circuit are all formed of p-channel TFTs in the light emitting device of the present invention. The circuit configuration of the pixel of this embodiment has a structure as shown in FIG. 2 may be referred to the description of FIG.
【００７３】図７に示すように、画素（赤）５０a、画
素（緑）５０b、画素（青）５０cの各々に設けられたス
イッチングＴＦＴ５１a〜５１cおよび電流制御ＴＦＴ５
２a〜５２cはすべてｐチャネル型ＴＦＴで形成されてい
る。As shown in FIG. 7, the switching TFTs 51a to 51c and the current control TFT 5 provided in the pixel (red) 50a, the pixel (green) 50b, and the pixel (blue) 50c, respectively.
2a to 52c are all formed by p-channel TFTs.
【００７４】ここで本実施例の発光装置の断面構造（但
し封止前の状態）を図８に示す。なお、駆動回路には基
本単位となるＣＭＯＳ回路を示し、画素部には一つの画
素を示す。但し、実際には画素部の構造は図１に示すよ
うになっている。また、図３もしくは図４と同一の符号
が付してある部分は実施例１もしくは実施例２の説明を
参照すれば良い。FIG. 8 shows a sectional structure of the light emitting device of this embodiment (however, before sealing). Note that the driving circuit shows a CMOS circuit as a basic unit, and the pixel portion shows one pixel. However, actually, the structure of the pixel portion is as shown in FIG. 3 or 4 may be referred to the description of the first or second embodiment.
【００７５】図８において、１００は絶縁体であり、そ
の上にはｐチャネル型ＴＦＴ２１０、ｐチャネル型ＴＦ
Ｔ２０２、ｐチャネル型ＴＦＴからなるスイッチングＴ
ＦＴ２０６およびｐチャネル型ＴＦＴからなる電流制御
ＴＦＴ２０４が形成されている。このとき、画素部４５
１の回路構成は図７に示す構造となっている。In FIG. 8, reference numeral 100 denotes an insulator, on which a p-channel TFT 210 and a p-channel TF
T202, switching T composed of p-channel TFT
A current control TFT 204 including an FT 206 and a p-channel TFT is formed. At this time, the pixel unit 45
1 has a structure shown in FIG.
【００７６】また、本実施例では、ＴＦＴはすべてｐチ
ャネル型の逆スタガ型ＴＦＴで形成されている。このと
きｐチャネル型ＴＦＴはすべてエンハンスメント型ＴＦ
Ｔであっても良いし、すべてデプレッション型ＴＦＴで
あっても良い。勿論、両者を作り分けて組み合わせて用
いることも可能である。エンハンスメント型にするかデ
プレッション型にするかは、チャネル形成領域にＮ型ま
たはＰ型の不純物を添加することで選択することができ
る。Further, in this embodiment, all the TFTs are formed by p-channel type inverted stagger type TFTs. At this time, the p-channel TFTs are all enhancement-type TFs.
T may be used, or all may be depletion type TFTs. Of course, it is also possible to separately use both of them and use them in combination. Whether to use an enhancement type or a depletion type can be selected by adding an N-type or P-type impurity to a channel formation region.
【００７７】ｐチャネル型ＴＦＴ２１０およびｐチャネ
ル型ＴＦＴ２０２は同一の構造であり、説明は実施例１
を参照すれば良いので省略する。また、スイッチングＴ
ＦＴ２０６はソース領域およびドレイン領域の間に二つ
のチャネル形成領域を有した構造となっているが、ｐチ
ャネル型ＴＦＴ２０２の構造の説明を参照すれば容易に
理解できるので説明は省略する。また、電流制御ＴＦＴ
２０４はｐチャネル型ＴＦＴ２０２の構造の説明を参照
すれば容易に理解できるので説明は省略する。The p-channel type TFT 210 and the p-channel type TFT 202 have the same structure.
, So it is omitted. Switching T
The FT 206 has a structure having two channel formation regions between a source region and a drain region. However, since it can be easily understood by referring to the description of the structure of the p-channel TFT 202, the description is omitted. In addition, current control TFT
Reference numeral 204 can be easily understood by referring to the description of the structure of the p-channel TFT 202, and thus the description is omitted.
【００７８】本実施例の場合、ＥＬ素子の構造が実施例
１と同様となる。即ち、本実施例では電流制御ＴＦＴ２
０４にｐチャネル型ＴＦＴを用いるため電流制御ＴＦＴ
２０４のドレイン領域１１７にはＥＬ素子２０５の陽極
１２０を接続することが好ましい。ＥＬ素子に関する説
明は実施例１を参照すれば良い。In the case of this embodiment, the structure of the EL element is the same as that of the first embodiment. That is, in this embodiment, the current control TFT 2
Current control TFT for using p-channel TFT for 04
It is preferable to connect the anode 120 of the EL element 205 to the drain region 117 of 204. Embodiment 1 can be referred to for the description of the EL element.
【００７９】なお、ここでは図示しないが陰極１２３を
形成した後、ＥＬ素子２０５を完全に覆うようにしてパ
ッシベーション膜を設けることは有効である。パッシベ
ーション膜としては、炭素膜、窒化珪素膜もしくは窒化
酸化珪素膜を含む絶縁膜からなり、該絶縁膜を単層もし
くは組み合わせた積層で用いる。Although not shown here, it is effective to provide a passivation film so as to completely cover the EL element 205 after the cathode 123 is formed. As the passivation film, an insulating film including a carbon film, a silicon nitride film, or a silicon nitride oxide film is used, and the insulating film is used as a single layer or a stacked layer in which the insulating films are combined.
【００８０】以上の構造の画素部４５１および駆動回路
４５０を有した本発明の発光装置は、ＥＬ素子にシング
レット化合物とトリプレット化合物とを使い分けている
ため、ＥＬ素子の動作電圧を揃えることができ、色バラ
ンスに優れた良好なカラー表示を行うことが可能であ
る。In the light emitting device of the present invention having the pixel portion 451 and the driving circuit 450 having the above structure, since the EL element uses a singlet compound and a triplet compound, the operating voltages of the EL elements can be made uniform. Good color display with excellent color balance can be performed.
【００８１】また、ＥＬ素子の動作電圧をすべて１０Ｖ
以下（典型的には３〜１０Ｖ）とすることができるた
め、回路設計が容易になるという利点が得られる。The operating voltages of the EL elements are all set to 10 V
Since it can be set to the following (typically 3 to 10 V), there is an advantage that circuit design becomes easy.
【００８２】さらに本実施例の構成によれば、ｎチャネ
ル型ＴＦＴを形成するためのフォトリソグラフィ工程を
省略することができるため、製造工程を簡略化すること
が可能である。Further, according to the structure of this embodiment, the photolithography process for forming the n-channel TFT can be omitted, so that the manufacturing process can be simplified.
【００８３】なお、本実施例の構成は、実施例１もしく
は実施例２に記載された構成を組み合わせて実施するこ
とが可能である。The structure of this embodiment can be implemented by combining the structures described in the first and second embodiments.
【００８４】〔実施例５〕本実施例では、スイッチング
ＴＦＴや電流制御ＴＦＴとして、トップゲート型ＴＦＴ
（具体的には、プレーナ型ＴＦＴ）を用いた例を示す。Embodiment 5 In this embodiment, a top gate type TFT is used as a switching TFT and a current control TFT.
An example using a (specifically, a planar type TFT) will be described.
【００８５】本実施例のアクティブマトリクス型発光装
置における画素部の断面構造を図９に示す。図９におい
て、９１０は絶縁体、９１１は電流制御ＴＦＴ、９１２
は画素電極（陽極）、９１３はバンク、９１４は公知の
正孔注入層、９１５は赤色に発光する発光層、９１６は
緑色に発光する発光層、９１７は青色に発光する発光
層、９１８は公知の電子輸送層、９１９は陰極である。FIG. 9 shows a sectional structure of a pixel portion in the active matrix light emitting device of this embodiment. In FIG. 9, reference numeral 910 denotes an insulator; 911, a current control TFT;
Denotes a pixel electrode (anode), 913 denotes a bank, 914 denotes a known hole injection layer, 915 denotes a red light-emitting layer, 916 denotes a green light-emitting layer, 916 denotes a blue light-emitting layer, and 918 denotes a known light-emitting layer. 919 is a cathode.
【００８６】このとき本実施例では、赤色に発光する発
光層９１５としてトリプレット化合物を用い、緑色に発
光する発光層９１６および青色に発光する発光層９１７
としてシングレット化合物を用いる。即ち、シングレッ
ト化合物を用いたＥＬ素子は緑色もしくは青色に発光す
るＥＬ素子であり、前記トリプレット化合物を用いたＥ
Ｌ素子は赤色に発光するＥＬ素子である。At this time, in this embodiment, a triplet compound is used as the light emitting layer 915 emitting red light, and the light emitting layer 916 emitting green light and the light emitting layer 917 emitting blue light are used.
As a singlet compound. That is, an EL element using a singlet compound is an EL element emitting green or blue light, and an E element using the triplet compound is used.
The L element is an EL element that emits red light.
【００８７】本実施例では赤色に発光する発光層９１５
として発光効率の高いトリプレット化合物を用いている
ため、緑色に発光する発光層９１６や青色に発光する発
光層９１７と同じ発光輝度を得ながらも動作電圧を揃え
ることが可能である。従って、赤色に発光する発光層９
１５の劣化が極端に早まることはなく、色ずれ等の問題
を起こさずにカラー表示を行うことが可能となる。ま
た、動作電圧を低く抑えることができることは、トラン
ジスタの耐圧のマージンを低く設定できる点からも好ま
しいことである。In this embodiment, the light emitting layer 915 emitting red light is used.
Since a triplet compound having high luminous efficiency is used, the operating voltage can be made uniform while obtaining the same luminous luminance as the luminescent layer 916 emitting green light or the luminescent layer 917 emitting blue light. Therefore, the light emitting layer 9 that emits red light
Thus, the color display can be performed without causing a problem such as color misregistration. The fact that the operating voltage can be kept low is also preferable from the viewpoint that the margin of the withstand voltage of the transistor can be set low.
【００８８】なお、本実施例では、赤色に発光する発光
層９１５としてトリプレット化合物を用いた例を示して
いるが、さらに緑色に発光する発光層９１６もしくは青
色に発光する発光層９１７にトリプレット化合物を用い
ることも可能である。In this embodiment, an example in which a triplet compound is used as the light emitting layer 915 emitting red light is shown. However, the triplet compound is further added to the light emitting layer 916 emitting green light or the light emitting layer 917 emitting blue light. It is also possible to use.
【００８９】また、本実施例の回路構成は、図２と同様
の構成である。勿論、実施例１〜４のいずれの構成とす
ることも可能である。The circuit configuration of this embodiment is the same as that of FIG. Of course, any configuration of the first to fourth embodiments is also possible.
【００９０】〔実施例６〕本実施例では、ＥＬ素子を保
護するための封止（または封入）工程まで行った後の本
発明の発光装置について図１０（Ａ）、（Ｂ）を用いて
説明する。なお、本実施例では実施例１（図３）に示し
た構造を封止する例を示すが、本実施例の封止構造は実
施例１〜実施例５に示したいずれの構造に対しても実施
することが可能である。また、必要に応じて図３の符号
を引用する。Embodiment 6 In this embodiment, a light emitting device of the present invention after performing a sealing (or encapsulation) step for protecting an EL element will be described with reference to FIGS. 10A and 10B. explain. In this embodiment, an example in which the structure shown in Embodiment 1 (FIG. 3) is sealed is shown. However, the sealing structure of this embodiment is different from any of the structures shown in Embodiments 1 to 5. It is also possible to carry out. Further, the reference numerals in FIG. 3 are referred to as needed.
【００９１】図１０（Ａ）は、ＥＬ素子の封止までを行
った状態を示す上面図、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）を
Ａ−Ａ’で切断した断面図である。点線で示された５０
１は画素部、５０２はソース側駆動回路、５０３はゲー
ト側駆動回路である。また、５０４はカバー材、５０５
は第１シール材、５０６は第２シール材である。FIG. 10A is a top view showing a state in which the process up to sealing of the EL element has been performed, and FIG. 10B is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 10A. 50 indicated by dotted line
1 is a pixel portion, 502 is a source side drive circuit, and 503 is a gate side drive circuit. 504 is a cover material, 505
Denotes a first sealing material, and 506 denotes a second sealing material.
【００９２】なお、５０７はソース側駆動回路５０２及
びゲート側駆動回路５０３に入力される信号を伝送する
ための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキ
シブルプリントサーキット）５０８からビデオ信号やク
ロック信号を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示
されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（Ｐ
ＷＢ）が取り付けられていても良い。Reference numeral 507 denotes wiring for transmitting signals input to the source-side drive circuit 502 and the gate-side drive circuit 503, and a video signal or a clock signal from an FPC (flexible print circuit) 508 serving as an external input terminal. Receive. Although only the FPC is shown here, this FPC has a printed wiring board (P
WB) may be attached.
【００９３】次に、断面構造について図１０（Ｂ）を用
いて説明する。絶縁体１００の上方には画素部５０１、
ソース側駆動回路５０２が形成されており、画素部５０
１は電流制御ＴＦＴ２０４とそのドレインに電気的に接
続された画素電極１２０を含む複数の画素により形成さ
れる。また、ソース側駆動回路５０２はｎチャネル型Ｔ
ＦＴ２０１とｐチャネル型ＴＦＴ２０２とを組み合わせ
たＣＭＯＳ回路を用いて形成される。なお、絶縁体５０
１には偏光板（代表的には円偏光板）を貼り付けても良
い。Next, a sectional structure will be described with reference to FIG. Above the insulator 100, the pixel portion 501,
A source side drive circuit 502 is formed, and the pixel portion 50
1 is formed by a plurality of pixels including a current control TFT 204 and a pixel electrode 120 electrically connected to its drain. The source side driving circuit 502 is an n-channel type T
It is formed using a CMOS circuit in which the FT 201 and the p-channel TFT 202 are combined. The insulator 50
A polarizing plate (typically a circular polarizing plate) may be attached to 1.
【００９４】画素電極１２０はＥＬ素子の陽極として機
能する。また、画素電極１２０の両端にはバンク１２１
が形成され、画素電極１２０上にはＥＬ層１２２および
ＥＬ素子の陰極１２３が形成される。陰極１２３は全画
素に共通の配線としても機能し、接続配線５０７を経由
してＦＰＣ５０８に電気的に接続されている。さらに、
画素部５０１及びソース側駆動回路５０２に含まれる素
子は全てパッシベーション膜５０９で覆われている。The pixel electrode 120 functions as an anode of the EL element. Further, banks 121 are provided at both ends of the pixel electrode 120.
Are formed, and an EL layer 122 and a cathode 123 of an EL element are formed on the pixel electrode 120. The cathode 123 also functions as a common wiring for all pixels, and is electrically connected to the FPC 508 via the connection wiring 507. further,
All elements included in the pixel portion 501 and the source-side driver circuit 502 are covered with a passivation film 509.
【００９５】また、第１シール材５０５によりカバー材
５０４が貼り合わされている。なお、カバー材５０４と
ＥＬ素子との間隔を確保するためにスペーサを設けても
良い。そして、第１シール材５０５の内側には空隙５１
０が形成されている。なお、第１シール材５０５は水分
や酸素を透過しない材料であることが望ましい。さら
に、空隙５１０の内部に吸湿効果をもつ物質や酸化防止
効果をもつ物質を設けることは有効である。Further, the cover member 504 is bonded by the first seal member 505. Note that a spacer may be provided to secure an interval between the cover member 504 and the EL element. The space 51 is provided inside the first sealant 505.
0 is formed. Note that the first sealant 505 is desirably a material that does not transmit moisture or oxygen. Further, it is effective to provide a substance having a moisture absorbing effect or a substance having an antioxidant effect inside the void 510.
【００９６】なお、カバー材５０４の表面および裏面に
は保護膜として炭素膜（具体的にはダイヤモンドライク
カーボン膜）５１１a、５１１bを２〜３０ｎｍの厚さに
設けると良い。このような炭素膜は、酸素および水の侵
入を防ぐとともにカバー材５０４の表面を機械的に保護
する役割をもつ。Note that carbon films (specifically, diamond-like carbon films) 511a and 511b are preferably provided as protective films on the front and back surfaces of the cover material 504 to a thickness of 2 to 30 nm. Such a carbon film has a role of preventing oxygen and water from entering and mechanically protecting the surface of the cover member 504.
【００９７】また、カバー材５０４を接着した後、第１
シール材５０５の露呈面を覆うように第２シール材５０
６を設けている。第２シール材５０６は第１シール材５
０５と同じ材料を用いることができる。After bonding the cover member 504, the first
The second sealing material 50 is so formed as to cover the exposed surface of the sealing material 505.
6 are provided. The second sealing material 506 is the first sealing material 5
The same material as 05 can be used.
【００９８】以上のような構造でＥＬ素子を封入するこ
とにより、ＥＬ素子を外部から完全に遮断することがで
き、外部から水分や酸素等のＥＬ層の酸化による劣化を
促す物質が侵入することを防ぐことができる。従って、
信頼性の高い発光装置が得られる。By encapsulating the EL element with the above structure, the EL element can be completely shut off from the outside, and a substance such as moisture or oxygen, which accelerates the deterioration of the EL layer due to oxidation, enters from the outside. Can be prevented. Therefore,
A highly reliable light-emitting device can be obtained.
【００９９】なお、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示したよう
に、同一の基板上に画素部および駆動回路を有しＦＰＣ
まで取り付けられた発光装置を、本明細書中では特に駆
動回路内蔵型発光装置と呼ぶ。Note that, as shown in FIGS. 10A and 10B, an FPC having a pixel portion and a driving circuit on the same substrate.
The light emitting device mounted up to this point is particularly referred to as a light emitting device with a built-in drive circuit in this specification.
【０１００】〔実施例７〕実施例６において、図１０に
示した駆動回路内蔵型発光装置は、同一の絶縁体上に画
素部および駆動回路が一体形成された例であるが、駆動
回路を外付けＩＣ（集積回路）で設けることも可能であ
る。このような場合、構造は図１１（Ａ）のようにな
る。Embodiment 7 In Embodiment 6, the light emitting device with a built-in drive circuit shown in FIG. 10 is an example in which a pixel portion and a drive circuit are integrally formed on the same insulator. It is also possible to provide an external IC (integrated circuit). In such a case, the structure is as shown in FIG.
【０１０１】図１１（Ａ）に示すモジュールは、ＴＦＴ
およびＥＬ素子を含む画素部が形成された基板６０（画
素部６１、配線６２a、６２bを含む）にＦＰＣ６３が取
り付けられ、そのＦＰＣ６３を介してプリント配線板６
４が取り付けられている。ここでプリント配線板６４の
機能ブロック図を図１１（Ｂ）に示す。The module shown in FIG.
The FPC 63 is attached to the substrate 60 (including the pixel portion 61 and the wirings 62a and 62b) on which the pixel portion including the EL element is formed, and the printed wiring board 6 is connected via the FPC 63.
4 is attached. Here, a functional block diagram of the printed wiring board 64 is shown in FIG.
【０１０２】図１１（Ｂ）に示すように、プリント配線
板６４の内部には少なくともＩ／Ｏポート（入力もしく
は出力部ともいう）６５及び６８、ソース側駆動回路６
６およびゲート側駆動回路６７として機能するＩＣが設
けられている。As shown in FIG. 11B, at least I / O ports (also referred to as input or output units) 65 and 68,
6 and an IC functioning as the gate-side drive circuit 67 are provided.
【０１０３】このように、基板面に画素部が形成された
基板にＦＰＣが取り付けられ、そのＦＰＣを介して駆動
回路としての機能を有するプリント配線板が取り付けら
れた構成のモジュールを、本明細書では特に駆動回路外
付け型発光モジュールと呼ぶことにする。A module having a configuration in which an FPC is mounted on a substrate having a pixel portion formed on a substrate surface and a printed wiring board having a function as a driving circuit is mounted via the FPC in this specification. In this case, the light-emitting module will be referred to as a drive circuit external light-emitting module.
【０１０４】また、図１２（Ａ）に示すモジュールは、
駆動回路内蔵型発光装置７０（画素部７１、ソース側駆
動回路７２、ゲート側駆動回路７３、配線７２a、７３a
を含む）にＦＰＣ７４が取り付けられ、そのＦＰＣ７４
を介してプリント配線板７５が取り付けられている。こ
こでプリント配線板７５の機能ブロック図を図１２
（Ｂ）に示す。The module shown in FIG.
Light emitting device with built-in driving circuit 70 (pixel portion 71, source side driving circuit 72, gate side driving circuit 73, wirings 72a, 73a
Is attached to the FPC 74, and the FPC 74
The printed wiring board 75 is attached via the. Here, a functional block diagram of the printed wiring board 75 is shown in FIG.
It is shown in (B).
【０１０５】図１２（Ｂ）に示すように、プリント配線
板７５の内部には少なくともＩ／Ｏポート７６及び７
９、コントロール部７７として機能するＩＣが設けられ
ている。なお、ここではメモリ部７８が設けられている
が、必ずしも必要ではない。また、コントロール部７７
は、駆動回路の制御、映像データの補正などをコントロ
ールするための機能を有した部位である。As shown in FIG. 12B, at least I / O ports 76 and 7 are provided inside printed wiring board 75.
9. An IC functioning as the control unit 77 is provided. Although the memory unit 78 is provided here, it is not always necessary. The control unit 77
Is a portion having a function of controlling a drive circuit, correcting image data, and the like.
【０１０６】このように、基板面に画素部および駆動回
路が形成された駆動回路内蔵型発光装置にコントローラ
ーとしての機能を有するプリント配線板が取り付けられ
た構成のモジュールを、本明細書では特にコントローラ
ー外付け型発光モジュールと呼ぶことにする。In this specification, a module having a structure in which a printed circuit board having a function as a controller is attached to a light emitting device with a built-in driving circuit in which a pixel portion and a driving circuit are formed on a substrate surface is described. It will be referred to as an external light emitting module.
【０１０７】〔実施例８〕本発明を実施して形成された
発光装置（実施例７に示した形態のモジュールも含む）
は様々な電気器具に内蔵され、画素部は映像表示部とし
て用いられる。本発明の電気器具としては、ビデオカメ
ラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッド
マウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音
響機器、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機
器、携帯機器（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯
型ゲーム機または電子書籍）、記録媒体を備えた画像再
生装置などが挙げられる。それら電気器具の具体例を図
１３、図１４に示す。[Embodiment 8] A light emitting device formed by carrying out the present invention (including the module of the form shown in Embodiment 7)
Is built in various electric appliances, and the pixel portion is used as a video display portion. Examples of the electric appliance of the present invention include a video camera, a digital camera, a goggle type display (head mounted display), a navigation system, an audio device, a notebook personal computer, a game device, and a portable device (mobile computer, mobile phone, and portable game machine). Or an electronic book), and an image reproducing apparatus provided with a recording medium. Specific examples of these electric appliances are shown in FIGS.
【０１０８】図１３（Ａ）はＥＬディスプレイであり、
筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３を含
む。本発明の発光装置は表示部２００３に用いることが
できる。表示部２００３にＥＬ素子を有した発光装置を
用いる場合、ＥＬ素子が自発光型であるためバックライ
トが必要なく薄い表示部とすることができる。FIG. 13A shows an EL display.
A housing 2001, a support base 2002, and a display unit 2003 are included. The light emitting device of the present invention can be used for the display portion 2003. In the case where a light-emitting device having an EL element is used for the display portion 2003, a thin display portion can be provided without a backlight because the EL element is a self-luminous type.
【０１０９】図１３（Ｂ）はビデオカメラであり、本体
２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作
スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０
６を含む。本発明の発光装置は表示部２１０２に用いる
ことができる。FIG. 13B shows a video camera, which includes a main body 2101, a display portion 2102, an audio input portion 2103, operation switches 2104, a battery 2105, and an image receiving portion 210.
6 inclusive. The light emitting device of the present invention can be used for the display portion 2102.
【０１１０】図１３（Ｃ）はデジタルカメラであり、本
体２２０１、表示部２２０２、接眼部２２０３、操作ス
イッチ２２０４を含む。本発明の発光装置もしくは液晶
表示装置は表示部２２０２に用いることができる。FIG. 13C shows a digital camera, which includes a main body 2201, a display section 2202, an eyepiece section 2203, and operation switches 2204. The light emitting device or the liquid crystal display device of the present invention can be used for the display portion 2202.
【０１１１】図１３（Ｄ）は記録媒体を備えた画像再生
装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２３０
１、記録媒体（ＣＤ、ＬＤまたはＤＶＤ等）２３０２、
操作スイッチ２３０３、表示部（ａ）２３０４、表示部
（ｂ）２３０５を含む。表示部（ａ）は主として画像情
報を表示し、表示部（ｂ）は主として文字情報を表示す
るが、本発明の発光装置はこれら表示部（ａ）、（ｂ）
に用いることができる。なお、記録媒体を備えた画像再
生装置には、ＣＤ再生装置、ゲーム機器なども含まれう
る。FIG. 13D shows an image reproducing apparatus (specifically, a DVD reproducing apparatus) provided with a recording medium.
1, a recording medium (CD, LD, DVD, etc.) 2302,
An operation switch 2303, a display portion (a) 2304, and a display portion (b) 2305 are included. The display unit (a) mainly displays image information, and the display unit (b) mainly displays character information. The light emitting device of the present invention employs these display units (a) and (b).
Can be used. Note that the image reproducing device provided with the recording medium may include a CD reproducing device, a game machine, and the like.
【０１１２】図１３（Ｅ）は携帯型（モバイル）コンピ
ュータであり、本体２４０１、表示部２４０２、受像部
２４０３、操作スイッチ２４０４、メモリスロット２４
０５を含む。本発明の発光装置は表示部２４０２に用い
ることができる。この携帯型コンピュータはフラッシュ
メモリや不揮発性メモリを集積化した記録媒体に情報を
記録したり、それを再生したりすることができる。FIG. 13E shows a portable (mobile) computer having a main body 2401, a display portion 2402, an image receiving portion 2403, operation switches 2404, and a memory slot 24.
05. The light emitting device of the present invention can be used for the display portion 2402. This portable computer can record information on a recording medium in which a flash memory or a nonvolatile memory is integrated, and can reproduce the information.
【０１１３】図１３（Ｆ）はパーソナルコンピュータで
あり、本体２５０１、筐体２５０２、表示部２５０３、
キーボード２５０４を含む。本発明の発光装置は表示部
２５０３に用いることができる。FIG. 13F shows a personal computer, which includes a main body 2501, a housing 2502, a display portion 2503,
A keyboard 2504 is included. The light-emitting device of the present invention can be used for the display portion 2503.
【０１１４】また、上記電気器具はインターネットやＣ
ＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて
配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情
報を表示する機会が増してきている。表示部にＥＬ素子
を有した発光装置を用いた場合、ＥＬ素子の応答速度が
非常に高いため遅れのない動画表示が可能となる。Further, the above-mentioned electric appliances are available on the Internet or C
Information distributed through an electronic communication line such as an ATV (cable television) is frequently displayed, and in particular, opportunities to display moving image information are increasing. In the case where a light-emitting device having an EL element in a display portion is used, a moving image can be displayed without delay because the response speed of the EL element is extremely high.
【０１１５】また、発光装置は発光している部分が電力
を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報
を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特
に携帯電話や音響機器のような文字情報を主とする表示
部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景とし
て文字情報を発光部分で形成するように駆動することが
望ましい。In the light emitting device, since the light emitting portion consumes power, it is desirable to display information so that the light emitting portion is reduced as much as possible. Therefore, when the light emitting device is used for a portable information terminal, particularly a display portion mainly for character information such as a mobile phone or an audio device, the character information is driven by the light emitting portion with the non-light emitting portion as a background. It is desirable.
【０１１６】ここで図１４（Ａ）は携帯電話であり、キ
ー操作を行う部位（操作部）２６０１、情報表示を行う
部位（情報表示部）２６０２であり、操作部２６０１お
よび情報表示部２６０２は連結部２６０３で連結してい
る。また、操作部２６０１には音声入力部２６０４、操
作キー２６０５が設けられ、情報表示部２６０２には音
声出力部２６０６、表示部２６０７が設けられている。Here, FIG. 14A shows a cellular phone, which is a part for performing key operation (operation part) 2601 and a part for displaying information (information display part) 2602. The operation part 2601 and the information display part 2602 They are connected by a connecting portion 2603. The operation unit 2601 is provided with a voice input unit 2604 and operation keys 2605, and the information display unit 2602 is provided with a voice output unit 2606 and a display unit 2607.
【０１１７】本発明の発光装置は表示部２６０７に用い
ることができる。なお、表示部２６０７に発光装置を用
いる場合、黒色の背景に白色の文字を表示することで携
帯電話の消費電力を抑えることができる。[0117] The light emitting device of the present invention can be used for the display portion 2607. Note that in the case where a light-emitting device is used for the display portion 2607, power consumption of the mobile phone can be suppressed by displaying white characters on a black background.
【０１１８】図１４（Ａ）に示した携帯電話の場合、表
示部２６０４に用いた発光装置にＣＭＯＳ回路でセンサ
（ＣＭＯＳセンサ）を内蔵させ、指紋もしくは手相を読
みとることで使用者を認証する認証システム用端末とし
て用いることもできる。また、外部の明るさ（照度）を
読みとり、設定されたコントラストで情報表示が可能と
なるように発光させることもできる。In the case of the mobile phone shown in FIG. 14A, a sensor (CMOS sensor) is built in a light emitting device used for the display portion 2604 with a CMOS circuit, and authentication is performed to authenticate a user by reading a fingerprint or palm. It can also be used as a system terminal. In addition, external brightness (illuminance) can be read and light can be emitted so that information can be displayed with the set contrast.
【０１１９】さらに、操作スイッチ２６０５を使用して
いる時に輝度を下げ、操作スイッチの使用が終わったら
輝度を上げることで低消費電力化することができる。ま
た、着信した時に表示部２６０４の輝度を上げ、通話中
は輝度を下げることによっても低消費電力化することが
できる。また、継続的に使用している場合に、リセット
しない限り時間制御で表示がオフになるような機能を持
たせることで低消費電力化を図ることもできる。なお、
これらはマニュアル制御であっても良い。Further, the power consumption can be reduced by lowering the luminance when using the operation switch 2605 and increasing the luminance when the operation switch has been used. Further, power consumption can be reduced by increasing the luminance of the display portion 2604 when an incoming call is received and decreasing the luminance during a call. In addition, when the device is continuously used, the power can be reduced by providing a function of turning off the display by time control unless resetting is performed. In addition,
These may be manually controlled.
【０１２０】また、図１４（Ｂ）は車載用オーディオで
あり、筐体２７０１、表示部２７０２、操作スイッチ２
７０３、２７０４を含む。本発明の発光装置は表示部２
７０２に用いることができる。また、本実施例では音響
機器の例として車載用オーディオ（カーオーディオ）を
示すが、据え置き型のオーディオ（オーディオコンポー
ネント）に用いても良い。なお、表示部２７０４に発光
装置を用いる場合、黒色の背景に白色の文字を表示する
ことで消費電力を抑えられる。FIG. 14B shows an audio system for a vehicle, which includes a housing 2701, a display portion 2702, and an operation switch 2.
703 and 2704. The light emitting device of the present invention has a display unit 2
702. Further, in the present embodiment, an in-vehicle audio (car audio) is shown as an example of the audio equipment, but it may be used for a stationary audio (audio component). Note that in the case where a light-emitting device is used for the display portion 2704, power consumption can be reduced by displaying white characters on a black background.
【０１２１】さらに、以上に示した電気器具は、表示部
に用いた発光装置に光センサを内蔵させ、使用環境の明
るさを検知する手段を設けることもできる。表示部に発
光装置を用いる場合、使用環境の明るさに応じて発光輝
度を変調させるような機能を持たせることもできる。Furthermore, in the electric appliance described above, a light sensor used in the light emitting device used for the display portion may be incorporated, and means for detecting the brightness of the use environment may be provided. In the case where a light-emitting device is used for the display portion, a function of modulating the light emission luminance in accordance with the brightness of the use environment can be provided.
【０１２２】具体的には表示部に用いた発光装置にＣＭ
ＯＳ回路で形成したイメージセンサ（面状、線状もしく
は点状のセンサ）を設けたり、本体もしくは筐体にＣＣ
Ｄ（Charge Coupled Device）を設けることで実施でき
る。使用者は使用環境の明るさに比べてコントラスト比
で１００〜１５０の明るさを確保できれば問題なく画像
もしくは文字情報を認識できる。即ち、使用環境が明る
い場合は画像の輝度を上げて見やすくし、使用環境が暗
い場合は画像の輝度を抑えて消費電力を抑えるといった
ことが可能である。More specifically, the light emitting device used for the display unit has CM
An image sensor (a planar, linear, or point-like sensor) formed by an OS circuit is provided.
This can be implemented by providing a D (Charge Coupled Device). The user can recognize the image or the character information without any problem if the brightness of the contrast ratio of 100 to 150 can be secured as compared with the brightness of the use environment. That is, when the usage environment is bright, the brightness of the image can be increased to make it easier to see, and when the usage environment is dark, the brightness of the image can be suppressed to reduce power consumption.
【０１２３】以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広
く、あらゆる分野の電気器具に用いることが可能であ
る。また、本実施例の電気器具は実施例１〜７のいずれ
の構成を含む発光装置もしくはモジュールを用いても良
い。As described above, the applicable range of the present invention is extremely wide, and the present invention can be used for electric appliances in various fields. Further, the electric appliance of the present embodiment may use a light emitting device or a module including any configuration of the first to seventh embodiments.
【０１２４】[0124]
【発明の効果】本発明を実施することにより、赤色発光
のＥＬ素子、緑色発光のＥＬ素および青色発光のＥＬ素
子の動作電圧を揃えることが可能となり、色バランスの
良好なカラー表示を可能とする発光装置を提供すること
ができる。According to the present invention, the operating voltages of the red, green, and blue light emitting EL elements can be made uniform, and a color display with a good color balance can be achieved. Light emitting device can be provided.
【０１２５】また、色バランスの良好なカラー表示を可
能とする発光装置を表示部に用いることで画質の良好な
表示部を有した電気器具を提供することができる。Further, by using a light emitting device capable of color display with good color balance for the display portion, an electric appliance having a display portion with good image quality can be provided.
【図１】 発光装置の画素部における断面構造を示す
図。FIG. 1 illustrates a cross-sectional structure of a pixel portion of a light-emitting device.
【図２】 発光装置の画素部の回路構成を示す図。FIG. 2 illustrates a circuit configuration of a pixel portion of a light-emitting device.
【図３】 発光装置の画素部における断面構造を示す
図。FIG. 3 illustrates a cross-sectional structure of a pixel portion of a light-emitting device.
【図４】 発光装置の画素部における断面構造を示す
図。FIG. 4 illustrates a cross-sectional structure of a pixel portion of a light-emitting device.
【図５】 発光装置の画素部の回路構成を示す図。FIG. 5 illustrates a circuit configuration of a pixel portion of a light-emitting device.
【図６】 発光装置の画素部における断面構造を示す
図。FIG. 6 illustrates a cross-sectional structure of a pixel portion of a light-emitting device.
【図７】 発光装置の画素部の回路構成を示す図。FIG. 7 illustrates a circuit configuration of a pixel portion of a light-emitting device.
【図８】 発光装置の画素部における断面構造を示す
図。FIG. 8 illustrates a cross-sectional structure of a pixel portion of a light-emitting device.
【図９】 発光装置の画素部における断面構造を示す
図。FIG. 9 illustrates a cross-sectional structure of a pixel portion of a light-emitting device.
【図１０】 駆動回路内蔵型発光装置の構造を示す図。FIG. 10 illustrates a structure of a light-emitting device with a built-in drive circuit.
【図１１】 駆動回路外付け型発光装置の構造を示す
図。FIG. 11 is a diagram illustrating a structure of a light-emitting device with an external drive circuit.
【図１２】 コントローラー外付け型発光装置の構造を
示す図。FIG. 12 is a diagram illustrating a structure of a light emitting device with an external controller.
【図１３】 電気器具の具体例を示す図。FIG. 13 illustrates a specific example of an electric appliance.
【図１４】 電気器具の具体例を示す図。FIG. 14 illustrates a specific example of an electric appliance.
Claims (15)
ＦＴおよび該電流制御ＴＦＴに電気的に接続されたＥＬ
素子を含む発光装置において、 前記スイッチングＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴであり、 前記電流制御ＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴであり、 前記画素部には、赤色に発光するＥＬ素子を含む画素、
緑色に発光するＥＬ素子を含む画素および青色に発光す
るＥＬ素子を含む画素が設けられ、 前記赤色に発光するＥＬ素子にはトリプレット化合物が
用いられ、前記緑色に発光するＥＬ素子もしくは前記青
色に発光するＥＬ素子にはシングレット化合物が用いら
れることを特徴とする発光装置。1. A switching TFT and a current control T in a pixel portion.
EL electrically connected to the FT and the current control TFT
In a light emitting device including an element, the switching TFT is an n-channel TFT, the current control TFT is a p-channel TFT, and the pixel portion includes a pixel including an EL element that emits red light.
A pixel including an EL element emitting green light and a pixel including an EL element emitting blue light are provided. A triplet compound is used for the EL element emitting red light, and the EL element emitting green light or the blue light emitting element is used. A light-emitting device, wherein a singlet compound is used for the EL element.
ＦＴおよび該電流制御ＴＦＴに電気的に接続されたＥＬ
素子を含む発光装置において、 前記スイッチングＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴであり、 前記電流制御ＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴであり、 前記画素部には、赤色に発光するＥＬ素子を含む画素、
緑色に発光するＥＬ素子を含む画素および青色に発光す
るＥＬ素子を含む画素が設けられ、 前記赤色に発光するＥＬ素子にはトリプレット化合物が
用いられ、前記緑色に発光するＥＬ素子もしくは前記青
色に発光するＥＬ素子にはシングレット化合物が用いら
れることを特徴とする発光装置。2. A switching TFT and a current control T in a pixel portion.
EL electrically connected to the FT and the current control TFT
In a light emitting device including an element, the switching TFT is a p-channel TFT, the current control TFT is an n-channel TFT, and the pixel portion includes a pixel including an EL element that emits red light.
A pixel including an EL element emitting green light and a pixel including an EL element emitting blue light are provided. A triplet compound is used for the EL element emitting red light, and the EL element emitting green light or the blue light emitting element is used. A light-emitting device, wherein a singlet compound is used for the EL element.
ＦＴおよび該電流制御ＴＦＴに電気的に接続されたＥＬ
素子を含む発光装置において、 前記スイッチングＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴであり、 前記電流制御ＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴであり、 前記画素部には、赤色に発光するＥＬ素子を含む画素、
緑色に発光するＥＬ素子を含む画素および青色に発光す
るＥＬ素子を含む画素が設けられ、 前記赤色に発光するＥＬ素子にはトリプレット化合物が
用いられ、前記緑色に発光するＥＬ素子もしくは前記青
色に発光するＥＬ素子にはシングレット化合物が用いら
れることを特徴とする発光装置。3. A switching TFT and a current control T in a pixel portion.
EL electrically connected to the FT and the current control TFT
In a light emitting device including an element, the switching TFT is an n-channel TFT, the current control TFT is an n-channel TFT, and the pixel portion includes a pixel including an EL element that emits red light.
A pixel including an EL element emitting green light and a pixel including an EL element emitting blue light are provided. A triplet compound is used for the EL element emitting red light, and the EL element emitting green light or the blue light emitting element is used. A light-emitting device, wherein a singlet compound is used for the EL element.
ＦＴおよび該電流制御ＴＦＴに電気的に接続されたＥＬ
素子を含む発光装置において、 前記スイッチングＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴであり、 前記電流制御ＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴであり、 前記画素部には、赤色に発光するＥＬ素子を含む画素、
緑色に発光するＥＬ素子を含む画素および青色に発光す
るＥＬ素子を含む画素が設けられ、 前記赤色に発光するＥＬ素子にはトリプレット化合物が
用いられ、前記緑色に発光するＥＬ素子もしくは前記青
色に発光するＥＬ素子にはシングレット化合物が用いら
れることを特徴とする発光装置。4. A switching TFT and a current control T in a pixel portion.
EL electrically connected to the FT and the current control TFT
In the light-emitting device including an element, the switching TFT is a p-channel TFT, the current control TFT is a p-channel TFT, and the pixel portion includes a pixel including an EL element that emits red light.
A pixel including an EL element emitting green light and a pixel including an EL element emitting blue light are provided. A triplet compound is used for the EL element emitting red light, and the EL element emitting green light or the blue light emitting element is used. A light-emitting device, wherein a singlet compound is used for the EL element.
て、前記トリプレット化合物は、式 【式１】 で示される有機化合物であることを特徴とする発光装
置。5. The method according to claim 1, wherein the triplet compound has the formula: A light emitting device characterized by being an organic compound represented by the formula:
て、前記トリプレット化合物は、式 【式２】 で示される有機化合物であることを特徴とする発光装
置。6. The method according to claim 1, wherein the triplet compound has the formula: A light emitting device characterized by being an organic compound represented by the formula:
期表の８〜１０族に属する元素は、白金、イリジウム、
ニッケル、コバルトもしくはパラジウムであることを特
徴とする発光装置。7. The element according to claim 5, wherein the element belonging to groups 8 to 10 of the periodic table is platinum, iridium,
A light-emitting device comprising nickel, cobalt, or palladium.
て、前記スイッチングＴＦＴおよび前記電流制御ＴＦＴ
はボトムゲート型ＴＦＴであることを特徴とする発光装
置。8. The switching TFT and the current control TFT according to claim 1,
Is a light emitting device characterized by being a bottom gate type TFT.
て、前記スイッチングＴＦＴおよび前記電流制御ＴＦＴ
は逆スタガ型ＴＦＴであることを特徴とする発光装置。9. The switching TFT and the current control TFT according to claim 1,
A light emitting device, which is an inverted staggered TFT.
載の発光装置を含むことを特徴とするモジュール。10. A module comprising the light emitting device according to claim 1. Description:
載の発光装置を用いたことを特徴とする電気器具。11. An electric appliance using the light emitting device according to any one of claims 1 to 9.
載の発光装置を用いたことを特徴とする携帯電話。12. A mobile phone using the light emitting device according to claim 1. Description:
載の発光装置を用いたことを特徴とするデジタルカメ
ラ。13. A digital camera using the light emitting device according to claim 1. Description:
載の発光装置を用いたことを特徴とする音響機器。14. An acoustic device using the light emitting device according to claim 1. Description:
を１０Ｖ以下の電圧で動作させることを特徴とする発光
装置の動作方法。15. A method for operating a light-emitting device, comprising operating the EL element according to claim 1 at a voltage of 10 V or less.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001169098A JP2002062824A (en) | 2000-06-05 | 2001-06-05 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000168325 | 2000-06-05 | ||
| JP2000-168325 | 2000-06-05 | ||
| JP2001169098A JP2002062824A (en) | 2000-06-05 | 2001-06-05 | Light emitting device |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005217013A Division JP2005338877A (en) | 2000-06-05 | 2005-07-27 | Light emitting device |
| JP2006226420A Division JP2007005821A (en) | 2000-06-05 | 2006-08-23 | Light emitting device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002062824A true JP2002062824A (en) | 2002-02-28 |
| JP2002062824A5 JP2002062824A5 (en) | 2005-10-27 |
Family
ID=26593362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001169098A Withdrawn JP2002062824A (en) | 2000-06-05 | 2001-06-05 | Light emitting device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002062824A (en) |
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003308978A (en) * | 2002-04-12 | 2003-10-31 | Canon Inc | Organic light-emitting element |
| EP1424381A2 (en) | 2002-11-26 | 2004-06-02 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, and display and illuminator |
| JP2004192935A (en) * | 2002-12-11 | 2004-07-08 | Hitachi Displays Ltd | Organic el (electro-luminescence) display |
| JP2007123286A (en) * | 2006-12-21 | 2007-05-17 | Hitachi Displays Ltd | Organic el display device |
| WO2007097149A1 (en) | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescence element, white light emitting element, display device and illuminating device |
| WO2007108362A1 (en) | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent device, display and illuminating device |
| WO2007108459A1 (en) | 2006-03-23 | 2007-09-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent device, display and illuminating device |
| JPWO2006092964A1 (en) * | 2005-03-03 | 2008-08-07 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Organic electroluminescence display device and organic electroluminescence illumination device |
| EP1973386A2 (en) | 2007-03-23 | 2008-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device |
| JP2008257271A (en) * | 2008-07-04 | 2008-10-23 | Canon Inc | Display device |
| WO2010087222A1 (en) | 2009-01-28 | 2010-08-05 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Organic electroluminescent element, display device, and illumination device |
| WO2010090077A1 (en) | 2009-02-06 | 2010-08-12 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Organic electroluminescent element, and illumination device and display device each comprising the element |
| WO2011004639A1 (en) | 2009-07-07 | 2011-01-13 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Organic electroluminescent element, novel compound, lighting device and display device |
| WO2012111548A1 (en) | 2011-02-16 | 2012-08-23 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Organic electroluminescent element, lighting device, and display device |
| EP2562229A1 (en) | 2011-08-25 | 2013-02-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescence element, lighting device and display device |
| WO2013073301A1 (en) | 2011-11-14 | 2013-05-23 | コニカミノルタ株式会社 | Organic electroluminescence element and planar light-emitting body |
| EP2671935A1 (en) | 2012-05-21 | 2013-12-11 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescence device, lighting equipment and display device |
| EP2677559A1 (en) | 2012-06-21 | 2013-12-25 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescent element, display device and lighting device |
| USRE44756E1 (en) | 2002-05-31 | 2014-02-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Display panel with phosphorescent and fluorescent pixels |
| WO2014091958A1 (en) | 2012-12-10 | 2014-06-19 | コニカミノルタ株式会社 | Material for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, illumination device, and display device |
| WO2014092014A1 (en) | 2012-12-10 | 2014-06-19 | コニカミノルタ株式会社 | Organic electroluminescence element, illumination device and display device |
| JP2014219688A (en) * | 2003-08-08 | 2014-11-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
| US9099659B2 (en) | 2005-07-01 | 2015-08-04 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescent element material, organic electroluminescent element, display device, and lighting device |
| US9722212B2 (en) | 2011-02-14 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting device, light-emitting device, and manufacturing method and manufacturing apparatus thereof |
| JP2018121067A (en) * | 2000-06-05 | 2018-08-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Active Matrix Light Emitting Device |
| JP2022109274A (en) * | 2008-07-31 | 2022-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
-
2001
- 2001-06-05 JP JP2001169098A patent/JP2002062824A/en not_active Withdrawn
Cited By (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10777615B2 (en) | 2000-06-05 | 2020-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| JP2018121067A (en) * | 2000-06-05 | 2018-08-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Active Matrix Light Emitting Device |
| US10446615B2 (en) | 2000-06-05 | 2019-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US7232618B2 (en) | 2002-04-12 | 2007-06-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light-emitting device |
| JP2003308978A (en) * | 2002-04-12 | 2003-10-31 | Canon Inc | Organic light-emitting element |
| USRE44756E1 (en) | 2002-05-31 | 2014-02-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Display panel with phosphorescent and fluorescent pixels |
| EP1424381A2 (en) | 2002-11-26 | 2004-06-02 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, and display and illuminator |
| EP2762546A1 (en) | 2002-11-26 | 2014-08-06 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, and display and illuminator |
| EP2759585A1 (en) | 2002-11-26 | 2014-07-30 | Konica Minolta Business Technologies, Inc. | Organic electroluminescent element, and display and illuminator |
| EP2765174A1 (en) | 2002-11-26 | 2014-08-13 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, and display and illuminator |
| EP2248870A2 (en) | 2002-11-26 | 2010-11-10 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminscent element and display and illuminator |
| JP2004192935A (en) * | 2002-12-11 | 2004-07-08 | Hitachi Displays Ltd | Organic el (electro-luminescence) display |
| JP2014219688A (en) * | 2003-08-08 | 2014-11-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
| JP2021073521A (en) * | 2003-08-08 | 2021-05-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
| JPWO2006092964A1 (en) * | 2005-03-03 | 2008-08-07 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Organic electroluminescence display device and organic electroluminescence illumination device |
| US9099659B2 (en) | 2005-07-01 | 2015-08-04 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescent element material, organic electroluminescent element, display device, and lighting device |
| US9379337B2 (en) | 2005-07-01 | 2016-06-28 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescent element material, organic electroluminescent element, display device, and lighting device |
| WO2007097153A1 (en) | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescence element material, organic electroluminescence element, display device and illuminating device |
| WO2007097149A1 (en) | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescence element, white light emitting element, display device and illuminating device |
| WO2007108362A1 (en) | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent device, display and illuminating device |
| EP3081619A1 (en) | 2006-03-23 | 2016-10-19 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, display device and illuminating device |
| WO2007108459A1 (en) | 2006-03-23 | 2007-09-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent device, display and illuminating device |
| JP4503586B2 (en) * | 2006-12-21 | 2010-07-14 | 株式会社 日立ディスプレイズ | Organic EL display device |
| JP2007123286A (en) * | 2006-12-21 | 2007-05-17 | Hitachi Displays Ltd | Organic el display device |
| EP1973386A2 (en) | 2007-03-23 | 2008-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device |
| US8053980B2 (en) | 2007-03-23 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device |
| JP2008257271A (en) * | 2008-07-04 | 2008-10-23 | Canon Inc | Display device |
| JP2022109274A (en) * | 2008-07-31 | 2022-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
| WO2010087222A1 (en) | 2009-01-28 | 2010-08-05 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Organic electroluminescent element, display device, and illumination device |
| WO2010090077A1 (en) | 2009-02-06 | 2010-08-12 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Organic electroluminescent element, and illumination device and display device each comprising the element |
| EP3046156A1 (en) | 2009-02-06 | 2016-07-20 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, and illumination device and display device each comprising the element |
| WO2011004639A1 (en) | 2009-07-07 | 2011-01-13 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Organic electroluminescent element, novel compound, lighting device and display device |
| US9722212B2 (en) | 2011-02-14 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting device, light-emitting device, and manufacturing method and manufacturing apparatus thereof |
| WO2012111548A1 (en) | 2011-02-16 | 2012-08-23 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Organic electroluminescent element, lighting device, and display device |
| EP2562229A1 (en) | 2011-08-25 | 2013-02-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescence element, lighting device and display device |
| WO2013073301A1 (en) | 2011-11-14 | 2013-05-23 | コニカミノルタ株式会社 | Organic electroluminescence element and planar light-emitting body |
| EP2671935A1 (en) | 2012-05-21 | 2013-12-11 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescence device, lighting equipment and display device |
| EP2677559A1 (en) | 2012-06-21 | 2013-12-25 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescent element, display device and lighting device |
| WO2014092014A1 (en) | 2012-12-10 | 2014-06-19 | コニカミノルタ株式会社 | Organic electroluminescence element, illumination device and display device |
| WO2014091958A1 (en) | 2012-12-10 | 2014-06-19 | コニカミノルタ株式会社 | Material for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, illumination device, and display device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6561164B2 (en) | Active matrix light emitting device | |
| JP2002062824A (en) | Light emitting device | |
| US6677621B2 (en) | Light emitting device and electrical appliance | |
| JP2002075645A (en) | Light-emitting device | |
| US6787249B2 (en) | Organic light emitting element and light emitting device using the same | |
| JP2003007471A (en) | Organic light emitting element and luminescence equipment using the element | |
| JP2002359082A (en) | Organic luminescent element and light emitting device using it | |
| JP2007005821A (en) | Light emitting device | |
| JP2005338877A (en) | Light emitting device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050715 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050715 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20050715 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060314 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060330 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060512 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060704 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060901 |
|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20060914 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061212 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070208 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070404 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20070525 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20081107 |