JP2002057101A - Adjustment system of projection aligner, aligning device, adjustment method of projection aligner, aligning method, information-processing device, and projection aligner, device-manufacturing method using them, adjustment information supply method - Google Patents

Adjustment system of projection aligner, aligning device, adjustment method of projection aligner, aligning method, information-processing device, and projection aligner, device-manufacturing method using them, adjustment information supply method

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JP2002057101A
JP2002057101A JP2001161568A JP2001161568A JP2002057101A JP 2002057101 A JP2002057101 A JP 2002057101A JP 2001161568 A JP2001161568 A JP 2001161568A JP 2001161568 A JP2001161568 A JP 2001161568A JP 2002057101 A JP2002057101 A JP 2002057101A
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JP
Japan
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exposure apparatus
information
offset
manufacturing
exposure
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Hideki Ine
秀樹 稲
Seiji Miyata
誠治 宮田
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Canon Inc
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the adjustment system of a projection aligner that functions as an offset analyzer, and at the same time cancels increase in device cost. SOLUTION: The relative alignment between the first and second objects is made by the offset analyzer 10 before the shape of a plurality of marks on the second object is measured, a mark detection signal and shape information are sent from a host computer 12 to a vender 11 via the Internet, indication that a device variable is changed by the vender 11 as needed and the mark is detected with optimized conditions communicates via the Internet, the mark detection signal and shape information are sent to the vender 11, an offset generated by the simulation by the vender 11 is calculated, information containing the offset is transferred to a stepper 14 via the Internet, the alignment between the first and second objects is carried out based on the information containing the offset, and exposure is made by a stepper 14.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置の調整シ
ステム、調整方法、および露光システムに関し、特に半
導体等のデバイス製造用の露光装置において第1物体と
してのレチクル面上に形成されているIC,LSI,V
LSI等の微細な電子回路パターンと第2物体としての
ウエハとの相対的な位置合わせ(アライメント)を行う
ための位置合わせ装置、位置合わせ方法、および露光装
置に良好に適用できるものである。ここで、露光装置と
して、現在はステッパやスキャナと呼ばれているものが
ほとんどであるが、本明細書では便宜上、特別の区別が
必要ない場合には、露光装置と記載することとする。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus adjustment system, an adjustment method, and an exposure system, and more particularly, to an IC formed on a reticle surface as a first object in an exposure apparatus for manufacturing a device such as a semiconductor. , LSI, V
The present invention can be favorably applied to a positioning apparatus, a positioning method, and an exposure apparatus for performing relative positioning (alignment) between a fine electronic circuit pattern such as an LSI and a wafer as a second object. Here, most of the exposure apparatuses are currently called steppers and scanners. However, in this specification, for the sake of convenience, if no special distinction is required, the exposure apparatus will be referred to as an exposure apparatus.

【0002】更に、本発明は、情報をインターネット等
の公共データ回線を介して、露光装置のある所(=半導
体製造工場他)と遠隔地(=製造装置メーカやコンサル
タント会社他=ベンダ)とで情報をやり取りして、露光
装置を最適に使用する方法に関する。
Further, the present invention provides a method for transferring information between a place where an exposure apparatus is located (= a semiconductor manufacturing factory or the like) and a remote place (= a manufacturing apparatus maker or a consultant company or the like = a vendor) via a public data line such as the Internet. The present invention relates to a method for exchanging information and optimally using an exposure apparatus.

【0003】[0003]

【従来の技術】半導体製造用の投影露光装置において
は、集積回路の微細化、高密度化に伴いレチクル面上の
回路パターンをウエハ面上により高い解像力で投影露光
できることが要求されている。回路パターンの投影解像
力は、投影光学系の開口数(NA)と露光波長に依存す
るので、露光波長を固定にして投影光学系のNAを大き
くする方法や露光波長をより短波長化する、例えばg線
よりi線、i線よりエキシマレーザ発振波長、エキシマ
レーザ発振波長においても、248、193[nm]、
更には157[nm]を使用する露光方法の検討を行っ
ており、193[nm]の露光波長については既に製品
化されている。
2. Description of the Related Art Projection exposure apparatuses for manufacturing semiconductors are required to be able to project and expose a circuit pattern on a reticle surface with a higher resolution on a wafer surface with the miniaturization and higher density of integrated circuits. Since the projection resolution of a circuit pattern depends on the numerical aperture (NA) of the projection optical system and the exposure wavelength, a method of increasing the NA of the projection optical system by fixing the exposure wavelength or shortening the exposure wavelength, for example, From the g-line to the i-line, from the i-line to the excimer laser oscillation wavelength, and also to the excimer laser oscillation wavelength, 248, 193 [nm],
Further, an exposure method using 157 [nm] is being studied, and an exposure wavelength of 193 [nm] has already been commercialized.

【0004】一方、回路パターンの微細化に伴い、電子
回路パターンの形成されているレチクルとウエハを高精
度にアライメントすることも要求されてきている。
On the other hand, with the miniaturization of circuit patterns, it has been required to align a reticle on which an electronic circuit pattern is formed with a wafer with high accuracy.

【0005】アライメント誤差は、装置要因とプロセス
要因に大きく分けることができる。最近は、装置要因誤
差についてはできうる限りの誤差取りは終了しており、
プロセス要因誤差の別の呼び名であるWIS(Wafer In
duced Shift )対応のアライメント検出システムが本出
願人からオフセットアナライザ(Offset Analyzer )と
呼ぶシステムとして提案されている。
[0005] Alignment errors can be broadly divided into device factors and process factors. Recently, as far as possible, error correction for device-related errors has been completed.
WIS (Wafer In), another name for process factor error
The applicant has proposed an alignment detection system corresponding to duced shift) as a system called an offset analyzer.

【0006】まず、一例として、WISとは、プロセス
要因誤差により、アライメントマーク形状やその上のレ
ジスト形状が非対称になることである。最近導入された
メタルCMP(ケミカルメカニカルポリッシング:Chem
ical Mechanical Polishing)工程等における平坦化プ
ロセスにおいては、頻繁にアライメントマークの構造が
非対称となり、グローバルアライメントにおいて、図9
に示す回転エラーや図10に示す倍率エラーとなり、精
度劣化等として大きな問題となっている。ここで、図9
は、グローバルアライメントにおいて回転エラーが発生
した場合の従来例を示す図であり、図10は、グローバ
ルアライメントにおいて倍率エラーが発生した場合の従
来例を示す図である。
First, as an example, WIS means that the alignment mark shape and the resist shape thereon become asymmetric due to a process factor error. Recently introduced metal CMP (Chemical Mechanical Polishing: Chem)
In a planarization process such as a mechanical mechanical polishing process, the structure of the alignment mark frequently becomes asymmetric, and in the global alignment, the alignment mark shown in FIG.
And a magnification error shown in FIG. 10, which are serious problems such as deterioration of accuracy. Here, FIG.
FIG. 10 is a diagram showing a conventional example when a rotation error occurs in global alignment, and FIG. 10 is a diagram showing a conventional example in which a magnification error occurs in global alignment.

【0007】そこで、オフセットアナライザにおいて
は、ウエハとレチクルの相対的な位置合わせをするため
に、ウエハの位置検出をベースラインの安定性の高い非
露光光TTLオフアクシス(Through-The-Lens(TTL) Of
faxis )方式の位置合わせ検出系で検出し、それより前
に、ウエハ上のアライメントに使用する同一の複数のマ
ークの形状を位置合わせ装置(=露光装置)外におい
て、レジスト塗布前と後で表面形状をAFM(原子間力
顕微鏡:Atomic Force Microscope )等の立体形状計測
器(プロファイラ)により(較正時等に)計測する。そ
して、そのレジストとウエハマークとの3次元的な相対
位置関係を、位置合わせ装置の検出系の信号に合うよう
に合わせた時のオフセットを算出し、その値を使用して
位置合わせをする。このことによる前述のプロセスによ
り、アライメントマーク形状が非対称になることによる
精度劣化を解消する方法が提案されている。
Therefore, in the offset analyzer, in order to perform relative positioning between the wafer and the reticle, the position of the wafer is detected by a non-exposure light TTL off-axis (Through-The-Lens (TTL) with a high baseline stability. ) Of
faxis) type alignment detection system, and before that, the shape of the same multiple marks used for alignment on the wafer can be detected outside the alignment device (= exposure device) before and after resist application. The shape is measured (at the time of calibration or the like) by a three-dimensional shape measuring instrument (profiler) such as an AFM (Atomic Force Microscope). Then, an offset is calculated when the three-dimensional relative positional relationship between the resist and the wafer mark is adjusted to match the signal of the detection system of the alignment device, and alignment is performed using the value. A method has been proposed to eliminate the deterioration in accuracy due to the asymmetrical alignment mark shape by the above-described process.

【0008】位置合わせ装置(=露光装置)外におい
て、レジスト塗布前と後で表面形状をAFM等のプロフ
ァイラ(Profiler)により計測し、そのレジストとウエ
ハマークとの3次元的な相対位置関係を、位置合わせ装
置の検出系の信号に合うように合わせた時のオフセット
を算出する系をオフセットアナライザと呼ぶこととし
た。
Outside the positioning device (= exposure device), the surface shape is measured by a profiler such as an AFM before and after the application of the resist, and the three-dimensional relative positional relationship between the resist and the wafer mark is determined. A system that calculates an offset when the signal is adjusted to match the signal of the detection system of the positioning device is called an offset analyzer.

【0009】図11に、実際のアライメントマークの上
をAFMで計測したデータを示す。
FIG. 11 shows data measured by AFM on an actual alignment mark.

【0010】この信号はレジスト塗布後のもので、アラ
イメントマークの構造は図12に示した、メタルCMP
と呼ばれているものである。ここで、図12は、メタル
CMPと呼ばれるアライメントマークの構造を示す図で
ある。図11で判るように、ウエハの左右と真中のショ
ットでのアライメントマーク上のレジスト形状は、真中
のショットでの表面形状は対称であるが、左右のショッ
トの表面形状は非対称であり、その非対称性が左右で反
転していることが判る。これがWISである。
This signal is obtained after the resist is applied. The structure of the alignment mark is the same as that of the metal CMP shown in FIG.
It is what is called. Here, FIG. 12 is a diagram showing the structure of an alignment mark called metal CMP. As can be seen from FIG. 11, the resist shapes on the alignment marks in the left and right and the middle shots of the wafer have a symmetric surface shape in the middle shot, but have asymmetric surface shapes in the left and right shots. It can be seen that the sex is reversed on the left and right. This is WIS.

【0011】オフセットアナライザにより、WISに対
応してベースライン変動の少ない高精度高安定な位置合
わせ方式が可能となる。
[0011] The offset analyzer enables a highly accurate and stable alignment method with little baseline variation corresponding to WIS.

【0012】以下に、図13および図14を使用して既
に提案されているオフセットアナライザの説明を行う。
ここで、図13は、オフセットアナライザを配置したと
きのウエハと情報の流れについて示す概念図であり、図
14は、オフセットアナライザの構成について示す図で
ある。
The offset analyzer that has already been proposed will be described below with reference to FIGS.
Here, FIG. 13 is a conceptual diagram showing a wafer and a flow of information when an offset analyzer is arranged, and FIG. 14 is a diagram showing a configuration of the offset analyzer.

【0013】以下、前述のように、通称ステッパやスキ
ャナ、アライナー等の露光装置色々を露光装置、位置合
わせ検出系をアライメントスコープ、位置合わせ装置
(=露光装置)外において、レジスト塗布前と後で表面
形状をプロファイラにより計測し、そのレジストとウエ
ハマークとの3次元的な相対位置関係を位置合わせ装置
の検出系の信号に合うように合わせた時のオフセットを
算出する系をオフセットアナライザと呼ぶのは、既に本
出願人が提案しているのと同様である。
Hereinafter, as described above, various types of exposure devices such as steppers, scanners, and aligners are referred to as exposure devices, alignment detection systems are referred to as alignment scopes, and outside the alignment device (= exposure device) before and after resist coating. A system that measures the surface shape with a profiler and calculates the offset when the three-dimensional relative positional relationship between the resist and the wafer mark is adjusted to match the signal of the detection system of the alignment device is called an offset analyzer. Is the same as already proposed by the present applicant.

【0014】図13を用いて、オフセットアナライザに
おけるウエハと情報の流れについて、まず説明を行う。
Referring to FIG. 13, the flow of information in a wafer and information in the offset analyzer will be described first.

【0015】本従来例では、まず図13−で示すよう
に、図13−のウエハ31はレジストを塗布する前に
オフセットアナライザ32に運ばれ、ウエハ31上のア
ライメントマークの形状(表面形状)がプロファイラで
計測される。
In this conventional example, first, as shown in FIG. 13-, the wafer 31 shown in FIG. 13- is transferred to the offset analyzer 32 before applying a resist, and the shape (surface shape) of the alignment mark on the wafer 31 is changed. Measured with a profiler.

【0016】次に、図13−で示すように、ウエハ3
1はレジストを塗布するためにコータ33に運ばれ、レ
ジストが塗布される。
Next, as shown in FIG.
1 is transported to a coater 33 to apply a resist, and the resist is applied.

【0017】次に、図13−に示すように、ウエハ3
1は再度オフセットアナライザ32に運ばれ、アライメ
ントマーク上のレジストの表面形状をプロファイラで計
測される。
Next, as shown in FIG.
1 is again transferred to the offset analyzer 32, and the surface shape of the resist on the alignment mark is measured by a profiler.

【0018】次に、ウエハ31はオフセットアナライザ
32に構成された、露光装置に構成されるアライメント
スコープと同等な検出系により、アライメントマークの
信号を検出される。
Next, the signal of the alignment mark of the wafer 31 is detected by a detection system constituted by an offset analyzer 32 and equivalent to an alignment scope constituted by an exposure apparatus.

【0019】次に、ウエハ31はオフセットアナライザ
32の信号シミュレータにより、発生するオフセットが
算出される。このオフセットを算出する方法では、ま
ず、レジストとウエハマークとの3次元的な相対位置関
係を合わせる必要がある。レジストとウエハマークとの
3次元的な相対位置関係を変化させ、信号シミュレータ
の結果がアライメントマークの信号に一致する関係を、
レジストとウエハマークとの3次元的な相対位置関係と
する。この時の相対位置関係を使用してアライメント信
号を求め、そこからアライメント計測のオフセットを算
出し、その値を露光装置(ステッパ:Stepper )35に
送る(図12の点線矢印を参照)。
Next, the offset generated in the wafer 31 is calculated by the signal simulator of the offset analyzer 32. In the method of calculating the offset, first, it is necessary to match the three-dimensional relative positional relationship between the resist and the wafer mark. By changing the three-dimensional relative positional relationship between the resist and the wafer mark, the relationship in which the result of the signal simulator matches the signal of the alignment mark is
The three-dimensional relative positional relationship between the resist and the wafer mark is assumed. An alignment signal is obtained using the relative positional relationship at this time, an offset for alignment measurement is calculated from the alignment signal, and the value is sent to an exposure apparatus (Stepper) 35 (see the dotted arrow in FIG. 12).

【0020】このオフセットを元に、図13−に示す
ように、ステッパ35ではアライメント、露光を行う。
そして、図13−に示すように、ステッパ35におけ
る全てのショットの露光終了後、ウエハ31は現像のた
めにデベロッパ(Developer)36へ搬送され、現像工
程が行われる。
Based on the offset, the stepper 35 performs alignment and exposure, as shown in FIG.
Then, as shown in FIG. 13-, after the exposure of all shots on the stepper 35 is completed, the wafer 31 is transferred to a developer 36 for development, and a development process is performed.

【0021】次に、図14を用いて図13のオフセット
アナライザ32の構成について説明する。
Next, the configuration of the offset analyzer 32 shown in FIG. 13 will be described with reference to FIG.

【0022】オフセットアナライザ32は、ウエハ31
を支持するチャック41、立体的に移動させるXYZス
テージ(XYZstage)42、レジストの有無により表面計
測をするプロファイラ43、露光装置35(図13)に
構成されるアライメントスコープと同等な検出系44、
およびオフセットアナライザ32全体を制御し、かつ表
面形状からアライメントオフセット(アライメント計測
のオフセット量)を算出するシミュレータ(Simulator
)46を有するCPU(中央演算処理装置)45から
構成されている(図14においてウエハ搬送系やウエハ
31のフォーカス検出系は不図示)。
The offset analyzer 32 is used for the wafer 31
, A three-dimensionally moved XYZ stage (XYZ stage) 42, a profiler 43 for measuring the surface based on the presence or absence of a resist, a detection system 44 equivalent to an alignment scope configured in an exposure device 35 (FIG. 13),
And a simulator (Simulator) that controls the entire offset analyzer 32 and calculates an alignment offset (offset amount for alignment measurement) from the surface shape.
) 46 (a central processing unit) 45 (a wafer transfer system and a focus detection system for the wafer 31 are not shown in FIG. 14).

【0023】オフセットアナライザ32によるアライメ
ントオフセットを算出する時は、オフセットアナライザ
32の検出系と露光装置35のアライメントスコープの
装置誤差(=TIS:Tool Induced Shift)を管理する
か、情報を知る必要はある。例えば、光学系のコマ収差
や照明系の均一性等がそれに当たる。露光装置35のア
ライメントスコープが上記誤差を無視できるまで無い状
熊にしてもよいし、露光装置35のアライメントスコー
プとオフセットアナライザ32のアライメント検出系が
同じ誤差となるようにすることでもよい。このTISを
評価する方法としては、特開平9−280816号に示
されるような方法が既に本出願人により提案されてお
り、実際にその効果が確認されている。
When calculating the alignment offset by the offset analyzer 32, it is necessary to manage device errors (= TIS: Tool Induced Shift) between the detection system of the offset analyzer 32 and the alignment scope of the exposure device 35, or to know information. . For example, the coma aberration of the optical system, the uniformity of the illumination system, and the like correspond to this. The alignment scope of the exposure apparatus 35 may have no error until the error can be ignored, or the alignment scope of the exposure apparatus 35 and the alignment detection system of the offset analyzer 32 may have the same error. As a method of evaluating the TIS, a method as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-280816 has already been proposed by the present applicant, and its effect has been actually confirmed.

【0024】また、オフセットアナライザ32が露光装
置35のアライメントスコープの装置誤差情報を知って
いるのなら、オフセットアナライザ32に露光装置35
のアライメントスコープと同じアライメント検出系を構
成せずに(例えば、オフセットアナライザ32が明視野
検出系で、露光装置35が暗視野検出系)、その誤差を
全てシミュレータ46で考慮して、オフセット量を算出
できるようにしてもよい。
If the offset analyzer 32 knows the device error information of the alignment scope of the exposure device 35, the offset analyzer 32
(For example, the offset analyzer 32 is a bright-field detection system and the exposure device 35 is a dark-field detection system) without configuring the same alignment detection system as that of the alignment scope described above. The calculation may be performed.

【0025】このオフセットアナライザ32は、露光機
である露光装置35とは別に構成され、露光装置35の
露光を妨げないシーケンスで、アライメントオフセット
を算出するように単数または複数台の露光装置35に対
して、単数または複数(露光装置35の数に等しい必要
はない)のオフセットアナライザ32を構成すること
が、スループット面で有効である。
The offset analyzer 32 is constructed separately from the exposure device 35, which is an exposure device. The offset analyzer 32 calculates the alignment offset in a sequence that does not hinder the exposure of the exposure device 35 so as to calculate the alignment offset. Thus, it is effective in terms of throughput to configure a single or a plurality of (not necessarily equal to the number of exposure devices 35) offset analyzers 32.

【0026】以上説明してきたように、上記したオフセ
ットアナライザは、アライメントマークを計測し、そこ
で発生するオフセットを事前にオフセットアナライザに
より算出することにより、プロセスによりアライメント
マーク形状が非対称になることによる精度劣化を防ぐ、
高精度かつ高スループットの位置合わせ方式とすること
が可能となる。
As described above, the above-described offset analyzer measures the alignment mark, and calculates the offset generated therefrom in advance by the offset analyzer, thereby deteriorating the accuracy due to the asymmetric alignment mark shape due to the process. prevent,
A highly accurate and high-throughput positioning method can be realized.

【0027】このオフセットアナライザを用いた場合
は、アライメントマーク計測およびオフセット算出等を
全てのウエハにおいて実施してもよいし、例えば限定し
た条件での一番目のウエハでのシーケンスのみで実施し
て、二枚目以降のウエハでは、そのオフセットを使用す
ることも可能である。
When this offset analyzer is used, alignment mark measurement and offset calculation may be performed on all wafers, or may be performed only on the first wafer under limited conditions, for example. For the second and subsequent wafers, the offset can be used.

【0028】勿論、この二枚目以降のウエハにおいて、
そのオフセットを使用する場合は、限定した条件下(例
えば、あるロット内)においてウエハのアライメントマ
ーク形状における非対称性のばらつきが少ない場合につ
いてである。
Of course, in the second and subsequent wafers,
The case where the offset is used is a case where the asymmetry variation in the alignment mark shape of the wafer is small under limited conditions (for example, within a certain lot).

【0029】以上説明したように、少なくとも上記した
オフセットアナライザでは、一度以上使用されるような
シーケンスが可能となる。
As described above, at least in the above-described offset analyzer, a sequence that is used once or more can be realized.

【0030】[0030]

【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
WISに対応する意味において、オフセットアナライザ
は十分大きい効果を発揮できる。しかしながら、露光シ
ステム全体においては、オフセットアナライザを新たに
追加する必要がある。特に、シミュレータにより信号シ
ミュレーションを行い、アライメント信号を求めて、そ
こから計測エラーを算出する場合、オフセットアナライ
ザ毎にそのシミュレータ、それを動かすコンピュータが
必要となる。そのため、これらの処理を高速に行うため
には、計算速度の速い高価なコンピュータが個々の露光
システム毎に必要とされることになる。
As described above,
In a sense corresponding to WIS, the offset analyzer can exert a sufficiently large effect. However, in the entire exposure system, it is necessary to newly add an offset analyzer. In particular, when a signal simulation is performed by a simulator to obtain an alignment signal and calculate a measurement error therefrom, a simulator for each offset analyzer and a computer for operating the simulator are required. Therefore, in order to perform these processes at high speed, an expensive computer having a high calculation speed is required for each exposure system.

【0031】本発明は、上記問題に鑑みてなされたもの
であり、オフセットアナライザの機能を保ったまま、装
置コストの上昇という問題点を解消し、アライメントの
誤差要因の一つであるプロセス要因誤差の対応を公共デ
ータ回線を使用して対応する露光装置の調整システム、
位置合わせ装置、露光装置の調整方法、位置合わせ方
法、情報処理装置、露光装置、およびこれらを利用した
デバイス製造方法、並びに調整情報供給方法等を提供す
ることを課題とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and solves the problem of an increase in apparatus cost while maintaining the function of an offset analyzer. An exposure system adjustment system that responds using a public data line,
An object of the present invention is to provide an alignment apparatus, an exposure apparatus adjustment method, an alignment method, an information processing apparatus, an exposure apparatus, a device manufacturing method using them, an adjustment information supply method, and the like.

【0032】[0032]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の露光装置の調整システムは、第1物体のパ
ターンを第2物体上に転写する露光装置を有するシステ
ムにおいて、前記露光装置の構成に前記第1物体と前記
第2物体との相対位置合わせを行う検出系を有し、前記
検出系により、前記第2物体上のマークを検出して得ら
れたマーク検出信号と前記第2物体上の前記マークの形
状を計測して得られた形状情報とを公共データ回線を介
して遠隔地へ送信し、前記遠隔地にてシミュレーション
によりオフセットを算出し、前記公共データ回線を介し
て前記露光装置へ前記オフセットを含む情報を伝達し、
前記検出系にて前記オフセットを含む情報に基づいて、
前記第1物体と前記第2物体との位置合わせを行い、前
記露光装置にて露光を行うことを特徴とする。ここで、
「遠隔地」とは、狭義の意味での遠隔地に限らず、公共
データ回線(例えばインターネット)を介して情報を送
信可能な場所は含むものとする。
In order to solve the above-mentioned problems, an exposure apparatus adjustment system according to the present invention is directed to a system having an exposure apparatus for transferring a pattern of a first object onto a second object. Has a detection system for performing relative positioning between the first object and the second object, and the detection system detects a mark on the second object and a mark detection signal obtained by detecting a mark on the second object. The shape information obtained by measuring the shape of the mark on the two objects is transmitted to a remote place via a public data line, an offset is calculated by simulation at the remote place, and the offset is calculated via the public data line. Transmitting information including the offset to the exposure apparatus,
Based on the information including the offset in the detection system,
The position of the first object and the position of the second object are aligned, and the exposure is performed by the exposure apparatus. here,
The “remote place” is not limited to a remote place in a narrow sense, but includes a place where information can be transmitted via a public data line (for example, the Internet).

【0033】前記露光装置の調整システムは、前記シミ
ュレーションによりオフセットを算出するに際し、前記
遠隔地から必要時に前記複数のマークの検出を異なる条
件で行わす指示を前記公共データ回線を介して連絡し、
少なくとも前記異なる条件で前記検出系により得られた
前記マーク検出信号を前記公共データ回線を介して前記
遠隔地へ送ることが可能である。また、前記第2物体上
のマークの形状を露光装置外において計測する時に、レ
ジスト塗布前と後で表面形状を計測することが好まし
い。前記表面形状は、較正時に、立体形状計測器により
計測されるとよく、前記立体形状計測器は、原子間力顕
微鏡であることが好ましく、更に触針式立体形状計測器
であることが好ましい。
When calculating the offset by the simulation, the adjustment system of the exposure apparatus communicates, via the public data line, an instruction to perform the detection of the plurality of marks under different conditions from the remote location when necessary.
At least the mark detection signal obtained by the detection system under the different conditions can be sent to the remote place via the public data line. When measuring the shape of the mark on the second object outside the exposure apparatus, it is preferable to measure the surface shape before and after resist application. The surface shape may be measured by a three-dimensional shape measuring device at the time of calibration. The three-dimensional shape measuring device is preferably an atomic force microscope, and more preferably a stylus type three-dimensional shape measuring device.

【0034】前記露光装置の調整システムは、前記第2
物体上の複数のマークの形状を前記露光装置外において
レジスト塗布前と後で表面形状を計測したとき、前記第
1物体のパターンを前記第2物体上に転写する前記露光
装置の前記第1物体と前記第2物体との相対位置合わせ
を行う検出系の信号に合うように合わせたときのオフセ
ットを該露光装置にて使用することが可能である。前記
表面形状は、前記露光装置外において、非露光光による
3次元形状計測系で較正された光3次元計測により計測
されることが好ましい。更に前記遠隔地に装置誤差情報
を含む情報のデータベースが作成されることが好まし
い。
The adjustment system for the exposure apparatus is provided with the second
The first object of the exposure apparatus for transferring the pattern of the first object onto the second object when measuring the surface shape of a plurality of marks on the object before and after resist application outside the exposure apparatus It is possible to use an offset when the exposure apparatus is adjusted so as to match a signal of a detection system that performs relative positioning between the exposure apparatus and the second object. It is preferable that the surface shape is measured outside the exposure apparatus by light three-dimensional measurement calibrated by a non-exposure light three-dimensional shape measurement system. Further, it is preferable that a database of information including device error information is created at the remote place.

【0035】本発明の露光装置の調整方法は、露光装置
の調整システムにおける第2物体上の複数のマークの形
状を露光装置外において計測する時に、レジスト塗布前
と後で表面形状を計測することが可能である。前記表面
形状は、較正時に、立体形状計測器により計測されるこ
とが好ましい。前記立体形状計測器は、原子間力顕微鏡
であることが好ましく、更に触針式立体形状計測器であ
ることが好ましい。
According to the method of adjusting an exposure apparatus of the present invention, when measuring the shape of a plurality of marks on a second object outside the exposure apparatus in the adjustment system of the exposure apparatus, the surface shape is measured before and after resist application. Is possible. It is preferable that the surface shape is measured by a three-dimensional shape measuring device at the time of calibration. The three-dimensional shape measuring instrument is preferably an atomic force microscope, and more preferably a stylus type three-dimensional shape measuring instrument.

【0036】前記露光装置の調整方法は、前記第2物体
上の複数のマークの形状を前記露光装置外においてレジ
スト塗布前と後で表面形状を計測したとき、前記第1物
体のパターンを前記第2物体上に転写する前記露光装置
の前記第1物体と前記第2物体との相対位置合わせを行
う検出系の信号に合うように合わせたときのオフセット
を該露光装置にて使用することが可能である。前記表面
形状は、前記露光装置外において、非露光光による3次
元形状計測系で較正された光3次元計測により計測され
ることが好ましい。
The method of adjusting the exposure apparatus may be such that when the shape of a plurality of marks on the second object is measured before and after resist application outside the exposure apparatus, the pattern of the first object is converted to the first object pattern. It is possible to use in the exposure apparatus an offset when the exposure apparatus is transferred so as to match a signal of a detection system that performs relative positioning between the first object and the second object of the exposure apparatus. It is. It is preferable that the surface shape is measured outside the exposure apparatus by light three-dimensional measurement calibrated by a non-exposure light three-dimensional shape measurement system.

【0037】本発明の位置合わせ方法は、前記露光装置
の調整システムにおいて、複数の前記第2物体を位置合
わせする場合、一番はじめの前記第2物体について前記
第1物体と前記第2物体との相対位置合わせを行う検出
系の信号に合うように合わせたときのオフセットを計測
し、二番目の前記第2物体以降は同一の前記オフセット
を使用することが可能である。
According to the positioning method of the present invention, in the adjusting system of the exposure apparatus, when positioning a plurality of the second objects, the first object and the second object are firstly positioned with respect to the second object. It is possible to measure the offset when the signal is adjusted so as to match the signal of the detection system for performing the relative position adjustment, and to use the same offset for the second and subsequent second objects.

【0038】本発明の情報処理装置は、第1物体のパタ
ーンを第2物体上に転写する露光装置に発生するオフセ
ット情報ないしオフセットの補正情報を算出する情報処
理装置において、遠隔地にて得られた前記第2物体上の
マークの形状情報および該マークの前記露光装置による
検出情報を該遠隔地から公共のデータ回線を介して取得
する手段と、前記取得された前記形状情報および前記検
出情報に基づいて前記露光装置において発生する前記オ
フセットを算出する手段と、前記オフセット情報ないし
前記オフセットの補正情報を前記公共のデータ回線を介
して前記遠隔地の前記露光装置へ送信する手段とを有す
ることを特徴とする。
An information processing apparatus according to the present invention is an information processing apparatus for calculating offset information or offset correction information generated in an exposure apparatus for transferring a pattern of a first object onto a second object, which is obtained at a remote place. Means for acquiring the shape information of the mark on the second object and the detection information of the mark by the exposure device from a remote place via a public data line; and acquiring the acquired shape information and the detected information. Means for calculating the offset generated in the exposure apparatus based on the information, and means for transmitting the offset information or the offset correction information to the remote exposure apparatus via the public data line. Features.

【0039】本発明の露光システムは、前記情報処理装
置からの情報に基づいて、複数の遠隔地に存在する露光
装置のオフセット補正処理を行い、該各露光装置にて前
記第1物体と前記第2物体との位置合わせを行って、前
記第2物体上にパターン転写を行うことが可能である。
また、前記露光システムを用いて前記第2物体上にパタ
ーン転写を行うことによりデバイス製造を行うことが可
能である。
An exposure system according to the present invention performs offset correction processing for a plurality of distant exposure apparatuses based on information from the information processing apparatus. It is possible to perform pattern transfer on the second object by performing alignment with the two objects.
Further, it is possible to manufacture a device by transferring a pattern onto the second object using the exposure system.

【0040】本発明のデバイス製造方法は、前記露光装
置の調整システムを利用してデバイス製造を行うことが
可能である。
According to the device manufacturing method of the present invention, device manufacturing can be performed by using the adjustment system of the exposure apparatus.

【0041】本発明の露光装置は、原版のパターンを基
板に露光する際、位置合わせ装置により前記原版と前記
基板との相対位置合わせを行う露光装置において、前記
位置合わせ装置に請求項10に記載の位置合わせ装置を
用いることが可能である。前記露光装置においては、デ
ィスプレイと、ネットワークインタフェースと、ネット
ワーク用ソフトウェアを実行するコンピュータとを更に
有し、露光装置の保守情報をコンピュータネットワーク
を介してデータ通信することが可能である。前記ネット
ワーク用ソフトウェアは、前記露光装置が設置された工
場の外部ネットワークに接続され前記露光装置のベンダ
若しくはユーザが提供する保守データベースにアクセス
するためのユーザインタフェースを前記ディスプレイ上
に提供し、前記外部ネットワークを介して該データベー
スから情報を得ることが可能である。
In the exposure apparatus of the present invention, when exposing a pattern of an original onto a substrate, the positioning apparatus aligns the original and the substrate relative to each other. Can be used. The exposure apparatus further includes a display, a network interface, and a computer that executes network software, and is capable of performing data communication of maintenance information of the exposure apparatus via a computer network. The network software is connected to an external network of a factory where the exposure apparatus is installed, and provides a user interface on the display for accessing a maintenance database provided by a vendor or a user of the exposure apparatus on the display. , It is possible to obtain information from the database.

【0042】本発明のデバイス製造方法は、前記露光装
置を含む各種プロセス用の製造装置群を製造工場に設置
する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによ
ってデバイスを製造する工程とを有することが可能であ
る。また、前記製造装置群をローカルエリアネットワー
クで接続する工程と、前記ローカルエリアネットワーク
と前記製造工場外の外部ネットワークとの間で、前記製
造装置群の少なくとも1台に関する情報をデータ通信す
る工程とを更に有することが好ましい。更に、前記露光
装置のベンダ若しくはユーザが提供するデータベースに
前記外部ネットワークを介してアクセスしてデータ通信
によって前記製造装置の保守情報を得る、若しくは前記
製造工場とは別の製造工場との間で前記外部ネットワー
クを介してデータ通信して生産管理を行ってもよい。
The device manufacturing method of the present invention includes a step of installing a group of manufacturing apparatuses for various processes including the exposure apparatus in a manufacturing factory, and a step of manufacturing a device by a plurality of processes using the group of manufacturing apparatuses. It is possible to have. A step of connecting the group of manufacturing apparatuses via a local area network; and a step of performing data communication of information on at least one of the group of manufacturing apparatuses between the local area network and an external network outside the manufacturing factory. More preferably, it is provided. Further, a database provided by a vendor or a user of the exposure apparatus may be accessed via the external network to obtain maintenance information of the manufacturing apparatus by data communication, or between the manufacturing factory and another manufacturing factory. Production management may be performed by data communication via an external network.

【0043】本発明の半導体製造工場は、前記露光装置
を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を
接続するローカルエリアネットワークと、該ローカルエ
リアネットワークから工場外の外部ネットワークにアク
セス可能にするゲートウェイを有し、前記製造装置群の
少なくとも1台に関する情報をデータ通信することが可
能である。
The semiconductor manufacturing plant according to the present invention is capable of accessing a manufacturing apparatus group for various processes including the exposure apparatus, a local area network connecting the manufacturing apparatus group, and an external network outside the factory from the local area network. , And can perform data communication of information on at least one of the manufacturing apparatus groups.

【0044】本発明の露光装置の保守方法は、前記露光
装置の保守方法であって、製造工場に設置された前記露
光装置のベンダ若しくはユーザが、該製造工場の外部ネ
ットワークに接続された保守データベースを提供する工
程と、前記製造工場内から前記外部ネットワークを介し
て前記保守データベースへのアクセスを許可する工程
と、前記保守データベースに蓄積される保守情報を前記
外部ネットワークを介して製造工場側に送信する工程と
を有することが可能である。
The maintenance method for an exposure apparatus according to the present invention is a method for maintaining the exposure apparatus, wherein a vendor or a user of the exposure apparatus installed in a manufacturing factory is connected to a maintenance database connected to an external network of the manufacturing factory. Providing access to the maintenance database from within the manufacturing plant via the external network, and transmitting maintenance information stored in the maintenance database to the manufacturing plant via the external network. And a step of performing

【0045】本発明の露光装置の調整方法は、第1物体
のパターンを第2物体上に転写するための複数の露光装
置を調整する方法で各露光装置において使用されるべき
第2物体上のマークの形状情報および該マークの該当す
る露光装置による検出情報を、各露光装置それぞれの供
給先に限定して公共データ回線を介して送信するステッ
プと前記それぞれの供給先より前記公共データ回線を介
して送信されたオフセット情報ないしオフセットの補正
情報を対応する露光装置に送信するステップとを有する
ことを特徴とする。また、前記露光装置の調整方法によ
り調整された露光装置を用いてデバイスを製造すること
が可能である。
The method for adjusting an exposure apparatus according to the present invention is a method for adjusting a plurality of exposure apparatuses for transferring a pattern of a first object onto a second object. Transmitting the shape information of the mark and the detection information of the mark by the corresponding exposure apparatus via a public data line limited to the respective supply destinations of the respective exposure apparatuses; and Transmitting the offset information or the offset correction information transmitted to the corresponding exposure apparatus. Further, it is possible to manufacture a device using the exposure apparatus adjusted by the above-described method of adjusting the exposure apparatus.

【0046】本発明の調整情報供給方法は、第1物体の
パターンを第2物体に転写する露光装置の調整情報の供
給方法であって、前記露光装置の前記第1物体と前記第
2物体との位置合わせを行うための検出系により、前記
第2物体上のマークを検出して得られたマーク検出信号
と、前記第2物体上の前記マークの表面形状を計測して
得られた形状情報とを公共データ回線を介して遠隔地か
ら受信する受信工程と、該遠隔地にて受信したデータか
らデータベースを作成し、該データベースを用いて前記
露光装置のオフセットを算出する演算工程と、前記公共
データ回線を介して前記露光装置へ前記オフセットを含
む情報を伝達するオフセット伝達工程とを有し、前記オ
フセットを含む情報に基づいて前記検出系にて前記第1
物体と前記第2物体との位置合わせが実行されるととも
に、前記オフセット伝達工程に伴って前記露光装置のユ
ーザへの課金の計算を行うことを特徴とする。
An adjustment information supply method according to the present invention is a method for supplying adjustment information of an exposure apparatus for transferring a pattern of a first object onto a second object, wherein the first object and the second object of the exposure apparatus are connected to each other. A mark detection signal obtained by detecting a mark on the second object, and a shape information obtained by measuring a surface shape of the mark on the second object by a detection system for performing positioning of the mark. Receiving from a remote place via a public data line; creating a database from the data received at the remote place; calculating the offset of the exposure apparatus using the database; and And transmitting an information including the offset to the exposure apparatus via a data line. The first detection is performed by the detection system based on the information including the offset.
It is characterized in that the positioning of the object and the second object is performed, and the accounting of the user of the exposure apparatus is calculated in the offset transmitting step.

【0047】本発明の調整情報供給方法は、第1物体の
パターンを第2物体に転写する露光装置の調整情報の供
給方法であって、前記露光装置の前記第1物体と前記第
2物体との位置合わせを行うための検出系により、前記
第2物体上のマークを検出して得られたマーク検出信号
と、前記第2物体上の前記マークの表面形状を計測して
得られた形状情報とを公共データ回線を介して遠隔地か
ら受信する受信工程と、該遠隔地にて受信したデータか
らデータベースを作成し、該データベースを用いて前記
露光装置のオフセットを算出する演算工程と、前記公共
データ回線を介して前記露光装置へ前記オフセットを含
む情報を伝達するオフセット伝達工程とを有し、前記オ
フセットを含む情報に基づいて前記検出系にて前記第1
物体と前記第2物体との位置合わせが実行されるととも
に、前記オフセット伝達工程に伴って前記露光装置のユ
ーザへの課金の計算を行うことを特徴とする。
An adjustment information supply method according to the present invention is a method for supplying adjustment information of an exposure apparatus for transferring a pattern of a first object onto a second object, wherein the first object and the second object of the exposure apparatus are connected to each other. A mark detection signal obtained by detecting a mark on the second object, and a shape information obtained by measuring a surface shape of the mark on the second object by a detection system for performing positioning of the mark. Receiving from a remote place via a public data line; creating a database from the data received at the remote place; calculating the offset of the exposure apparatus using the database; and And transmitting an information including the offset to the exposure apparatus via a data line. The first detection is performed by the detection system based on the information including the offset.
It is characterized in that the positioning of the object and the second object is performed, and the accounting of the user of the exposure apparatus is calculated in the offset transmitting step.

【0048】前記調整情報供給方法は、更に前記受信工
程によるデータ取得回数情報を得る工程を有し、前記課
金計算は該データ取得回数情報を考慮して実行されるこ
とが好ましい。また、前記受信工程は複数の遠隔地に対
して実行されることが好ましく、前記形状情報は前記マ
ークの表面形状を露光装置外においてレジスト塗布前と
塗布後とで計測して得られた情報を用いることができ
る。
Preferably, the adjustment information supply method further includes a step of obtaining information on the number of times of data acquisition in the receiving step, and the accounting calculation is preferably performed in consideration of the information on the number of times of data acquisition. Preferably, the receiving step is performed for a plurality of remote locations, and the shape information is information obtained by measuring the surface shape of the mark before and after resist application outside the exposure apparatus. Can be used.

【0049】更に、前記調整情報供給方法は、これを実
行するソフトウェアを有するコンピュータ装置を可能に
する。
Furthermore, the method for supplying adjustment information enables a computer device having software for executing the same.

【0050】[0050]

【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施の形態にお
ける露光装置の調整システム、位置合わせ装置、露光装
置の調整方法、および位置合わせ方法等においては、ウ
エハとレチクルの相対的な位置合わせをするために、ウ
エハの検出位置を、例えばベースラインの安定性の高い
非露光光TTLオフアクシス方式の位置合わせ検出系で
検出し、それより前にウエハ上のアライメントに使用す
る同一の複数のマークの形状を位置合わせ装置(=露光
装置)外において、レジスト塗布前と後で表面形状をプ
ロファイラで計測し、その計測したマーク検出信号と形
状情報を、インターネットにて、遠隔地にあるベンダに
送信し、そこにおいて必要時に装置変数を変えて再度マ
ーク検出を最適条件下で行わす指示をインターネットで
連絡し、その最適化での情報(信号、形状情報)をベン
ダへ送り、そこでのシュミレーションにおいて発生する
オフセットをレジストとウエハマークとの3次元的な相
対位置関係について、露光装置外の位置合わせ検出系の
信号に合うように合わせた時のオフセット量として算出
し、再々度インターネットにおいて露光装置へ情報を伝
達し、それに基づいて、前記ウエハとレチクルの位置合
わせを行い露光する。これらのことにより、前述のプロ
セスによりアライメントマーク形状が非対称になること
による精度劣化を解消する露光装置の調整システム、位
置合わせ装置、露光装置の調整方法、位置合わせ方法、
情報処理装置、露光装置、およびこれらを利用したデバ
イス製造方法、並びに調整情報供給方法等を提供でき
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In a preferred embodiment of an exposure apparatus adjustment system, an alignment apparatus, an exposure apparatus adjustment method, an alignment method, and the like, a wafer and a reticle are aligned relative to each other. Therefore, the detection position of the wafer is detected by, for example, a non-exposure light TTL off-axis type alignment detection system having a high stability of the baseline, and before that, the same plurality of marks used for alignment on the wafer are detected. Outside the alignment device (= exposure device), the surface shape is measured by a profiler before and after resist application, and the measured mark detection signal and shape information are transmitted to a remote vendor via the Internet. Then, if necessary, change the device variables and re-detect the mark under optimal conditions. (Signals and shape information) are sent to the vendor, and the offset generated in the simulation there is adjusted so that the three-dimensional relative positional relationship between the resist and the wafer mark matches the signal of the alignment detection system outside the exposure apparatus. The information is transmitted to the exposure apparatus via the Internet again, and the wafer and the reticle are aligned and exposed based on the calculated offset amount. Due to these, an exposure apparatus adjustment system, an alignment apparatus, an exposure apparatus adjustment method, an alignment method, which eliminates accuracy degradation due to the asymmetric alignment mark shape caused by the above-described process.
An information processing apparatus, an exposure apparatus, a device manufacturing method using the same, an adjustment information supply method, and the like can be provided.

【0051】[0051]

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。 [第1の実施例]図1は、本発明の一実施例に係るオフ
セットアナライザにおけるウエハと情報の流れについて
示す図である。ここで、10はオフセットアナライザ、
11はベンダ(Vendor)、12はホストコンピュータ
(Host Computer )、13はコータ(Coater)、14は
露光装置(ステッパ:Stepper )、15はデベロッパ
(Developer )、16はオーバーレイメジャーメントツ
ール(Overlay Measurement Tool)である。
Next, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. [First Embodiment] FIG. 1 is a diagram showing a wafer and a flow of information in an offset analyzer according to an embodiment of the present invention. Where 10 is an offset analyzer,
11 is a vendor, 12 is a host computer, 13 is a coater, 14 is an exposure apparatus (stepper), 15 is a developer, 16 is an overlay measurement tool (Overlay Measurement Tool). ).

【0052】図12における既に提案済みのオフセット
アナライザとの大きな差は、信号シミュレータはベンダ
11側にあって、半導体製造工場側のホストコンピュー
タ12より、3次元形状データ、アライメント信号デー
タを、インターネットを介してべンダ11のホストコン
ピュータに送られ、そこで信号シミュレータにより発生
するオフセット量を算出する。算出の手法は前述の従来
例と同様である。そして、再度インターネットを介し
て、算出したオフセット量を半導体製造工場側のホスト
コンピュータ12ヘ送り、そこから露光装置14ヘ送っ
て露光を行う点である。
A major difference from the offset analyzer already proposed in FIG. 12 is that the signal simulator is located on the vendor 11 side, and the three-dimensional shape data and the alignment signal data are transmitted from the host computer 12 on the semiconductor manufacturing factory side to the Internet. The signal is sent to the host computer of the vendor 11 via the signal processor, where the offset amount generated by the signal simulator is calculated. The calculation method is the same as in the above-described conventional example. Then, the calculated offset amount is sent to the host computer 12 on the semiconductor manufacturing factory side again via the Internet, and then sent to the exposure device 14 to perform exposure.

【0053】図2に、本発明の一実施例に係るインター
ネットを使用してのオフセットアナライザ10の構成を
現す概念図を示す。
FIG. 2 is a conceptual diagram showing the configuration of the offset analyzer 10 using the Internet according to one embodiment of the present invention.

【0054】図13の既に提案済みのオフセットアナラ
イザ32(図12)の構成と異なる点は、オフセットア
ナライザ10のCPU21の中に信号シュミレーション
(シミュレータ46)が無いことと、ホストコンピュー
タ12(図1)とつながっている点である。
13 differs from the already proposed configuration of the offset analyzer 32 (FIG. 12) in that there is no signal simulation (simulator 46) in the CPU 21 of the offset analyzer 10 and the host computer 12 (FIG. 1). It is a point that is connected to.

【0055】インターネットを使用する産業用機器の遠
隔保守管理システムの発明は、既に本出願人により、特
開平10−97966号によって公開されている。
The invention of a remote maintenance management system for industrial equipment using the Internet has already been disclosed by the present applicant in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 10-97966.

【0056】特開平10−97966号の発明において
も本実施例と同様に、産業用機器の一例としての露光装
置のある所(=半導体製造工場他)と遠隔地(=製造装
置メーカやコンサルタント会社他=ベンダ)とで情報を
やり取りして、露光装置の保守を行うためにインターネ
ットを使用する方法についての発明が公開されている。
Also in the invention of Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 10-97966, similarly to the present embodiment, a place where an exposure apparatus as an example of industrial equipment is located (= a semiconductor manufacturing factory or the like) and a remote place (= a manufacturing apparatus maker or a consultant company). An invention has been disclosed for a method of using the Internet for exchanging information with another (vendor) and maintaining an exposure apparatus.

【0057】特開平10−97966号では保守を行う
ためのものであり、装置要因の問題の発生時に有効なシ
ステムである。これに対し、本実施例は、WISといっ
たプロセス要因の問題発生に対しての対応策(調整シス
テム等)であり、ユーザにとって有効な実施例といえ
る。また、本実施例は、露光装置等の情報を公共のデー
タ回線を利用して様々な処理を行う情報処理装置の実施
例ともいえる。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-97966 is for maintenance, and is an effective system when a problem due to a device factor occurs. On the other hand, the present embodiment is a countermeasure (adjustment system or the like) for a problem caused by a process factor such as WIS, and can be said to be an effective embodiment for the user. Further, this embodiment can be said to be an embodiment of an information processing apparatus that performs various processes on information such as an exposure apparatus using a public data line.

【0058】本実施例と特開平10−97966号との
インターネット関連部分については同様で、図1に示す
本実施例におけるオフセットアナライザ10において
も、コータ13、露光装置(ステッパ14)、デベロッ
パ15、重ね合わせ検査装置(オーバーレイメジャーメ
ントツール16)等は、LAN(イントラネット等)で
ホストコンピュータ12とつながっており、このホスト
コンピュータ12とべンダ11のコンピュータをインタ
ーネットにより通信可能として露光システムを形成して
いる。本実施例においては、使用される通信プロトコル
としては、インターネットで使用されているパケット通
信プロトコル(TCP/IP)を用いている。
The Internet-related portions of this embodiment and Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-97966 are the same. In the offset analyzer 10 of this embodiment shown in FIG. 1, the coater 13, the exposure device (stepper 14), the developer 15, The overlay inspection device (overlay measurement tool 16) and the like are connected to the host computer 12 via a LAN (intranet or the like), and the host computer 12 and the computer of the vendor 11 can communicate with each other via the Internet to form an exposure system. . In this embodiment, a packet communication protocol (TCP / IP) used on the Internet is used as a communication protocol.

【0059】[他の実施例]露光装置のある所(=半導
体製造工場他)と遠隔地(=製造装置メーカやコンサル
タント会社他=ベンダ)とで情報をやり取りして、露光
装置をWISに対応して有効的に使用していくと、新た
な機能が生じてくる。
[Other Embodiments] Information is exchanged between a place where an exposure apparatus is located (= a semiconductor manufacturing factory or the like) and a remote place (= a manufacturing apparatus maker or a consultant company or the like = a vendor), and the exposure apparatus is compatible with WIS. When used effectively, new functions will be created.

【0060】これは、ウエハの信号、形状計測値、重ね
合わせ検査結果といった情報が、ベンダ(=製造装置メ
ーカやコンサルタント会社他)にインターネットを介し
て、複数の半導体製造工場から送られてきて、ベンダ側
に装置誤差も含めて各種情報のデータベースが作成され
ることである。
This is because information such as a wafer signal, a shape measurement value, and an overlay inspection result is sent from a plurality of semiconductor manufacturing factories to a vendor (= manufacturing apparatus maker, consultant company, etc.) via the Internet. That is, a database of various information including device errors is created on the vendor side.

【0061】このデータベースを使用して、必要な精度
に対する装置要因、プロセス要因の誤差分類が実際に複
数の半導体製造工場で取得したデータに基づいて作成で
きる。別の表現をすれば、アライメントのエラーバジッ
ト(Error Budget)の再構築が可能となり、このバジッ
トは、WISも考慮したものである。
Using this database, error classification of device factors and process factors with respect to required accuracy can be created based on data actually obtained at a plurality of semiconductor manufacturing factories. In other words, it is possible to reconstruct an error budget of alignment (Error Budget), and this budget also takes WIS into account.

【0062】残念ながら現状、取得できる誤差量は装置
要因のみのものがほとんどで、本実施例または上記した
第1の実施例のようなインターネットでデータをやり取
りすることで、初めて有効に使用できるデータベースが
作成でき、そこからWISを考慮の上での初めてのエラ
ーバジットの再構築が可能となる。
Unfortunately, at present, the error amount that can be obtained is mostly due to only the device factor, and a database that can be used effectively for the first time by exchanging data over the Internet as in this embodiment or the first embodiment described above. Can be created, and from there it is possible to reconstruct the error budget for the first time in consideration of the WIS.

【0063】このことで、何のエラーを少なくすれば有
効的に精度を向上できるか判断できる訳で、現状での歩
留まり向上だけでなく、更なる高精度化のための指針と
なりうる。
In this way, it is possible to judge what error can be effectively improved by reducing the number of errors. This can serve as a guideline for not only improving the yield at present but also improving the accuracy.

【0064】このように、オフセットアナライザを使用
する方法では、プロセスによりアライメントマーク形状
が非対称になることによる精度劣化を防ぐので、CMP
等の半導体形成プロセスの影響を受けずに、高精度かつ
高スループットの位置合わせ方式(位置合わせ装置およ
び/または位置合わせ方法)を可能とするため、プロセ
スにおける複雑な最適化も不要となり、またインターネ
ットでデータをやり取りすることで、初めて有効に使用
できるデータベースが作成でき、そこからWISを考慮
の上での初めてのエラーバジットの再構築が可能とな
り、リソグラフ(Litho.)全体を考えたCoO(コスト
オブオーナーシップ:Cost of Ownership)向上が可能
となる。
As described above, in the method using the offset analyzer, the precision deterioration due to the asymmetrical alignment mark shape due to the process is prevented.
And the like, without being affected by a semiconductor forming process such as a semiconductor device, a highly accurate and high-throughput alignment method (alignment apparatus and / or alignment method) can be performed. By exchanging data by using a database, it is possible to create a database that can be used effectively for the first time, and from that, it is possible to reconstruct an error budget for the first time in consideration of WIS, and a CoO (cost of Ownership (Cost of Ownership) can be improved.

【0065】また、ここまでの説明で、回路パターンを
露光する露光機として、露光装置と表現してきたが、最
初に述べたように便宜上使用したものであり、所謂ステ
ッパと呼ばれているものや、スキャナや等倍のX線露光
やEB(Electron Beam )直描、EUV等の全ての露光
方式の位置合わせ装置および/または位置合わせ方法に
対して有効なのは、いうまでもないことである。
In the description so far, an exposure apparatus for exposing a circuit pattern has been described as an exposure apparatus. However, as described above, the exposure apparatus is used for convenience, and is referred to as a so-called stepper. It is needless to say that the present invention is effective for a positioning device and / or a positioning method of all exposure methods such as a scanner, an X-ray exposure at the same magnification, an EB (Electron Beam) direct drawing, and an EUV.

【0066】勿論、その露光方式の露光機に構成される
アライメント検出系の信号から、アライメントマークお
よびレジスト形状情報が判明すれば、そこから信号シュ
ミレーションによって、算出できうるのが前提である。
Of course, if alignment marks and resist shape information are known from signals of an alignment detection system included in the exposure type exposure apparatus, it is premised that the information can be calculated by signal simulation based on the information.

【0067】[半導体生産システムの実施例]次に、上
記説明した調整システムの管理対象である露光装置を利
用した半導体等のデバイス(ICやLSI等の半導体チ
ップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロ
マシン等)の具体的な生産システムの例を説明する。こ
れは、半導体製造工場に設置された製造装置のトラブル
対応や定期メンテナンス、若しくはソフトウェア提供等
の保守サービスを、製造工場外のコンピュータネットワ
ーク等を利用して行うものである。
[Embodiment of Semiconductor Production System] Next, devices such as semiconductors (semiconductor chips such as ICs and LSIs, liquid crystal panels, CCDs, thin-film magnetic heads) using the exposure apparatus managed by the adjustment system described above. , A micromachine, etc.) will be described. In this method, maintenance services such as troubleshooting and periodic maintenance of a manufacturing apparatus installed in a semiconductor manufacturing factory or provision of software are performed using a computer network outside the manufacturing factory.

【0068】図3は、全体システムをある角度から切り
出して表現したものである。図中、101は半導体デバ
イスの製造装置を提供するベンダ(装置供給メーカ)の
事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器(露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等)や後工程用機器(組立て装置、検査装置
等)を想定している。事業所101内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム10
8、複数の操作端末コンピュータ110、これらを結ん
でイントラネット等を構築するローカルエリアネットワ
ーク(LAN)109を備える。ホスト管理システム1
08は、LAN109を事業所の外部ネットワークであ
るインターネット105に接続するためのゲートウェイ
と、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を
備える。
FIG. 3 shows the whole system cut out from a certain angle. In the figure, reference numeral 101 denotes a business establishment of a vendor (apparatus supply maker) that provides a semiconductor device manufacturing apparatus. As an example of a manufacturing apparatus, a semiconductor manufacturing apparatus for various processes used in a semiconductor manufacturing plant, for example,
Pre-process equipment (lithography equipment such as exposure equipment, resist processing equipment, etching equipment, heat treatment equipment, film formation equipment,
It is assumed that flattening equipment and the like and post-processing equipment (assembly equipment, inspection equipment, etc.) are used. In the business office 101, a host management system 10 for providing a maintenance database of manufacturing equipment
8. It has a plurality of operation terminal computers 110 and a local area network (LAN) 109 connecting these to construct an intranet or the like. Host management system 1
Reference numeral 08 includes a gateway for connecting the LAN 109 to the Internet 105, which is an external network of the business office, and a security function for restricting external access.

【0069】一方、102〜104は、製造装置のユー
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場102〜104は、互いに異なるメーカに属する工場
であってもよいし、同一のメーカに属する工場(例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等)であってもよ
い。各工場102〜104内には、それぞれ、複数の製
造装置106(含む複数の露光装置)と、それらを結ん
でイントラネット等を構築するローカルエリアネットワ
ーク(LAN)111と、各製造装置106の稼動状況
を監視する監視装置としてホスト管理システム107と
が設けられている。各工場102〜104に設けられた
ホスト管理システム107は、各工場内のLAN111
を工場の外部ネットワークであるインターネット105
に接続するためのゲートウェイを備える。これにより各
工場のLAN111からインターネット105を介して
ベンダ101側のホスト管理システム108にアクセス
が可能となり、ホスト管理システム108のセキュリテ
ィ機能によって限られたユーザだけがアクセスが許可と
なっている。具体的には、インターネット105を介し
て、各製造装置106の稼動状況を示すステータス情報
(例えば、トラブルが発生した製造装置の症状)を工場
側からベンダ側に通知する他、その通知に対応する応答
情報(例えば、トラブルに対する対処方法を指示する情
報、対処用のソフトウェアやデータ)や、最新のソフト
ウェア、ヘルプ情報等の保守情報をベンダ側から受け取
ることができる。各工場102〜104とベンダ101
との間のデータ通信および各工場内のLAN111での
データ通信には、インターネットで一般的に使用されて
いる通信プロトコル(TCP/IP)が使用される。な
お、工場外の外部ネットワークとしてインターネットを
利用する代わりに、第三者からのアクセスができずにセ
キュリティの高い専用線ネットワーク(ISDN等)を
利用することもできる。また、ホスト管理システムはベ
ンダが提供するものに限らずユーザがデータベースを構
築して外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場
から該データベースへのアクセスを許可するようにして
もよい。
On the other hand, reference numerals 102 to 104 denote manufacturing factories of a semiconductor manufacturer as users of the manufacturing apparatus. The manufacturing factories 102 to 104 may be factories belonging to different manufacturers or factories belonging to the same manufacturer (for example, a factory for a pre-process, a factory for a post-process, etc.). In each of the factories 102 to 104, a plurality of manufacturing apparatuses 106 (including a plurality of exposure apparatuses), a local area network (LAN) 111 connecting them to construct an intranet or the like, and an operation status of each manufacturing apparatus 106 The host management system 107 is provided as a monitoring device that monitors the status of the host. The host management system 107 provided in each of the factories 102 to 104 has a LAN 111 in each of the factories.
To the Internet 105 which is an external network of the factory.
It has a gateway for connecting to. As a result, access from the LAN 111 of each factory to the host management system 108 on the vendor 101 side via the Internet 105 is possible, and only users limited by the security function of the host management system 108 are permitted to access. More specifically, the factory notifies the vendor of status information indicating the operating status of each manufacturing apparatus 106 (for example, a symptom of the manufacturing apparatus in which a trouble has occurred) via the Internet 105, and responds to the notification. Response information (for example, information instructing a coping method for a trouble, software and data for coping), and maintenance information such as the latest software and help information can be received from the vendor. Each factory 102-104 and vendor 101
The communication protocol (TCP / IP) generally used in the Internet is used for data communication between the Internet and the LAN 111 in each factory. Instead of using the Internet as an external network outside the factory, it is also possible to use a dedicated line network (such as ISDN) that is not accessible from a third party and has high security. Further, the host management system is not limited to the one provided by the vendor, and a user may construct a database and place it on an external network, and permit access from a plurality of factories of the user to the database.

【0070】このようなシステムにおいて、先に説明し
たようにホスト管理システム107より該当する露光装
置106に送られるウエハ上マークの3次元形状デー
タ、該当する露光装置106におけるアライメント信号
データをインターネットなどを介してベンダ側ホスト管
理システム108に送信し、そこで信号シュミレータに
よってオフセット算出を行い、再度インターネットなど
を介してホスト管理システム107にオフセットデータ
を送り、そこから該当する露光装置106に送ってアラ
イメントのオフセット補正を行わせる。
In such a system, as described above, the three-dimensional shape data of the mark on the wafer sent from the host management system 107 to the corresponding exposure apparatus 106 and the alignment signal data in the corresponding exposure apparatus 106 are transmitted via the Internet or the like. The data is transmitted to the vendor-side host management system 108 via a signal simulator, and the offset data is sent to the host management system 107 again via the Internet or the like. Make corrections.

【0071】さて、図4は、本実施例の全体システムを
図3とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例では、それぞれが製造装置を備えた複数のユ
ーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外
部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介し
て各工場の生産管理や少なくとも1台の製造装置の情報
をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複
数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装
置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部
ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデー
タ通信するものである。図中、201は製造装置ユーザ
(半導体デバイス製造メーカ)の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置202、レジスト処理装置203、
成膜処理装置204が導入されている。なお、図4で
は、製造工場201は1つだけ描いているが、実際は複
数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の
各装置はLAN206で接続されてイントラネット等を
構成し、ホスト管理システム205で製造ラインの稼動
管理がされている。一方、露光装置メーカ210、レジ
スト処理装置メーカ220、成膜装置メーカ230等、
ベンダ(装置供給メーカ)の各事業所には、それぞれ供
給した機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム
211,221,231を備え、これらは上述したよう
に保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイ
を備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホス
ト管理システム205と、各装置のベンダの管理システ
ム211,221,231とは、外部ネットワーク20
0であるインターネット若しくは専用線ネットワークに
よって接続されている。このシステムにおいて、製造ラ
インの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きる
と、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが
起きた機器のベンダからインターネット200を介した
遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。
FIG. 4 is a conceptual diagram showing the entire system according to the present embodiment cut out from an angle different from that of FIG. In the above example, a plurality of user factories each having a manufacturing device and a management system of a vendor of the manufacturing device are connected via an external network, and the production management of each factory and at least one device are connected via the external network. Data communication of the information of the manufacturing apparatus. On the other hand, in this example, a factory equipped with manufacturing equipment of a plurality of vendors is connected to a management system of each of the plurality of manufacturing equipments via an external network outside the factory, and maintenance information of each manufacturing equipment is stored. It is for data communication. In the figure, reference numeral 201 denotes a manufacturing plant of a manufacturing apparatus user (semiconductor device manufacturer), and a manufacturing line for performing various processes, for example, an exposure apparatus 202, a resist processing apparatus 203;
A film forming apparatus 204 is introduced. Although FIG. 4 shows only one manufacturing factory 201, a plurality of factories are actually networked in the same manner. Each device in the factory is connected by a LAN 206 to form an intranet or the like, and a host management system 205 manages the operation of the production line. On the other hand, an exposure apparatus maker 210, a resist processing apparatus maker 220, a film forming apparatus maker 230, etc.
Each business establishment of the vendor (equipment maker) is provided with host management systems 211, 221, and 231 for remote maintenance of the supplied equipment, and these are provided with the maintenance database and the gateway of the external network as described above. . The host management system 205 that manages each device in the user's manufacturing factory and the vendor management systems 211, 221, and 231 of each device are connected to the external network 20.
0 or a dedicated line network. In this system, if a trouble occurs in any of a series of manufacturing equipment in the manufacturing line, the operation of the manufacturing line is stopped, but remote maintenance is performed via the Internet 200 from the vendor of the equipment in which the trouble has occurred. As a result, quick response is possible, and downtime of the production line can be minimized.

【0072】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェア並びに装置動作用のソフトウェアを実行す
るコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモリ
やハードディスク、若しくはネットワークファイルサー
バ等である。上記ネットワークアクセス用ソフトウェア
は、専用または汎用のウェブブラウザを含み、例えば図
5に一例を示すような画面のユーザインタフェースをデ
ィスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理する
オペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種4
01、シリアルナンバー402、トラブルの件名40
3、発生日404、緊急度405、症状406、対処法
407、経過408等の情報を画面上の入力項目に入力
する。入力された情報はインターネットを介して保守デ
ータベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保
守データベースから返信されディスプレイ上に提示され
る。また、ウェブブラウザが提供するユーザインタフェ
ースは、さらに図示のごとくハイパーリンク機能41
0,411,412を実現し、オペレータは各項目の更
に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダが提供するソフ
トウェアライブラリから製造装置に使用する最新バージ
ョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペレータの
参考に供する操作ガイド(ヘルプ情報)を引出したりす
ることができる。ここで、保守データベースが提供する
保守情報には、上記説明した本発明に関する情報も含ま
れ、また前記ソフトウェアライブラリは本発明を実現す
るための最新のソフトウェアも提供する。
Each manufacturing apparatus installed in the semiconductor manufacturing factory has a display, a network interface, and a computer for executing network access software and apparatus operation software stored in a storage device. The storage device is a built-in memory, a hard disk, a network file server, or the like. The network access software includes a dedicated or general-purpose web browser, and provides, for example, a user interface having a screen as shown in FIG. 5 on a display. The operator who manages the manufacturing equipment at each factory refers to the screen and refers to the manufacturing equipment model 4.
01, serial number 402, trouble subject 40
3. Information such as date of occurrence 404, degree of urgency 405, symptom 406, coping method 407, progress 408, etc. is input to input items on the screen. The input information is transmitted to the maintenance database via the Internet, and the resulting appropriate maintenance information is returned from the maintenance database and presented on the display. The user interface provided by the web browser further includes a hyperlink function 41 as shown in the figure.
0, 411, 412, allowing the operator to access more detailed information on each item, extract the latest version of software used for manufacturing equipment from the software library provided by the vendor, and provide information for factory operators. An operation guide (help information) can be pulled out. Here, the maintenance information provided by the maintenance database includes the information on the present invention described above, and the software library also provides the latest software for realizing the present invention.

【0073】このようなシステムにおいては、ホスト管
理システム205は、該当する露光装置202の、送ら
れるウエハ上マークの3次元形状データと得られるアラ
イメント信号データを、この該当露光装置の製造元ベン
ダのホスト管理システムのみに暗号化プログラム等で高
い秘匿性を与えてデータ送信する。ベンダ側でシュミレ
ータによってオフセットデータを算出し、これをホスト
管理システム205に、同様に高い秘匿性を与えて返送
する。ホスト管理システム205は、該当する露光装置
のみにこのオフセットデータを送り、露光装置205
は、これを用いてアライメントのオフセット補正を行
う。なお、上述した図3、図4のシステムでは、第1の
実施例を適用しているが、他の実施例を適用しても良
い。
In such a system, the host management system 205 converts the three-dimensional shape data of the mark on the wafer and the obtained alignment signal data of the corresponding exposure apparatus 202 into the host of the manufacturer of the corresponding exposure apparatus. Data transmission is performed by giving high confidentiality only to the management system using an encryption program or the like. The vendor calculates offset data by using a simulator, and sends the calculated offset data to the host management system 205 with high confidentiality. The host management system 205 sends the offset data only to the corresponding exposure apparatus, and
Performs the offset correction of the alignment using this. Although the first embodiment is applied to the systems shown in FIGS. 3 and 4 described above, other embodiments may be applied.

【0074】次に、このシステムを利用したベンダによ
る管理情報提供の仕組みについて説明する。予めユーザ
と特定のベンダは、ユーザ側の各種データをベンダ側に
供出し、ベンダはユーザ側に装置のオフセットデータを
有料で随時更新して提供するようにされている。即ち各
ユーザ側は、定期的あるいは情報収集時毎にインターネ
ットを介してベンダ側に各種データを高い秘匿性を持っ
て送信でき、且つインターネットを介してベンダ側から
オフセットデータを高い秘匿性を持って引き出せるよう
なソフトウェアを、ベンダ側より供給され、各ホスト管
理システム205に入力している。同時に、ベンダ側ホ
スト管理システム、例えばホスト管理システム211
は、各装置に関するデータが何回ユーザ側から供給され
たかをカウントし、且つ装置のオフセットデータを供給
したかを各装置毎にチェックし、各装置別に課金データ
を作成する。
Next, a mechanism for providing management information by a vendor using this system will be described. In advance, the user and a specific vendor supply various data on the user side to the vendor side, and the vendor updates the offset data of the apparatus to the user side at any time and provides the data to the user side. That is, each user can transmit various data with high confidentiality to the vendor side via the Internet regularly or every time information is collected, and can transmit offset data from the vendor side with high confidentiality via the Internet. Software that can be extracted is supplied from the vendor side and is input to each host management system 205. At the same time, the vendor-side host management system, for example, the host management system 211
Counts how many times data relating to each device has been supplied from the user side, checks for each device whether offset data of the device has been supplied, and creates billing data for each device.

【0075】これを詳細に説明する。ユーザ側は、ホス
ト管理システム205からベンダ製の露光装置に送られ
るウエハ上マークの3次元形状データと得られるアライ
メント信号データを、該当する露光装置に対応付けてベ
ンダにデータ送信する。また、ユーザ側は該当する露光
装置において実行した、重ね合わせ検査の結果のデータ
も該当装置のID、実行時期、更には実際の露光の際の
各種露光条件(レジスト種別、照明条件、倍率等)とと
もにホスト管理システム205に記憶させておき、これ
らのデータもベンダに同様に送信する。
This will be described in detail. The user transmits the three-dimensional shape data of the mark on the wafer and the obtained alignment signal data sent from the host management system 205 to the exposure apparatus manufactured by the vendor to the vendor in association with the corresponding exposure apparatus. In addition, the user side also obtains the data of the result of the overlay inspection executed in the corresponding exposure apparatus, including the ID of the corresponding apparatus, the execution timing, and various exposure conditions (resist type, illumination condition, magnification, etc.) in actual exposure. The data is also stored in the host management system 205, and these data are transmitted to the vendor in the same manner.

【0076】ベンダ側では、これらのデータをインター
ネット、例えば外部ネットワーク200を介し、ベンダ
側ホスト管理システムを通して複数のユーザ、複数の工
場から集め、データベース作成用の処理装置(不図示)
によってデータベースを作成する。このデータベースを
用いたアライメント誤差の傾向等の解析から、各装置の
各露光条件において生じているアライメント誤差の装置
要因か、プロセス要因かの誤差分類が得られる。ベンダ
側は、この誤差分類に基づき、該当する露光装置の現実
に発生しているアライメント誤差に対応したオフセット
データを各露光装置毎に作成し、このオフセットデータ
を対応する露光装置を管理するユーザ側ホスト管理シス
テム205にデータ送信する。
On the vendor side, these data are collected from a plurality of users and a plurality of factories via the Internet, for example, the external network 200, through a vendor-side host management system, and a processing device for creating a database (not shown)
Create a database by From the analysis of the tendency of the alignment error and the like using this database, it is possible to obtain an error classification as to whether it is a device factor or a process factor of the alignment error occurring under each exposure condition of each device. On the basis of this error classification, the vendor creates offset data corresponding to the alignment error actually occurring in the corresponding exposure apparatus for each exposure apparatus, and uses this offset data for the user who manages the corresponding exposure apparatus. The data is transmitted to the host management system 205.

【0077】ベンダ側ホスト管理システムの課金方法
を、図6のフローを用いて説明する。ベンダ側は、オフ
セットデータをユーザ側の該当する露光装置に対応して
送信した場合(ステップ51にてYESの場合)、ステ
ップ52にて該当露光装置に関して記憶しておいたユー
ザ側からのデータの受信回数を読み出してくる。ここ
で、オフセットデータをユーザ側の該当する露光装置に
対応して送信しない場合(ステップ51にてNOの場
合)は、ステップ51を繰り返す。ベンダ側は、このオ
フセットデータを作成するに際し、該当装置に関してユ
ーザ側から得たデータの恩恵を受けており、よって課金
に際してこのデータの受信回数に対応した割引をユーザ
側に供与する。ここでは、ステップ53にて前記データ
の回数に応じた割引金額を算出し、ステップ54にて基
本課金金額に対してこの割引金額を差し引いた金額を該
当装置の課金金額として出力する。
The accounting method of the vendor-side host management system will be described with reference to the flowchart of FIG. When transmitting the offset data corresponding to the corresponding exposure apparatus on the user side (YES in step 51), the vendor side transmits the data from the user stored in step 52 with respect to the corresponding exposure apparatus. The number of receptions is read. If the offset data is not transmitted corresponding to the corresponding exposure apparatus on the user side (NO in step 51), step 51 is repeated. When creating the offset data, the vendor side has benefited from the data obtained from the user side with respect to the corresponding device, and therefore provides the user with a discount corresponding to the number of receptions of this data when charging. Here, in step 53, a discount amount according to the number of times of the data is calculated, and in step 54, the amount obtained by subtracting this discount amount from the basic charging amount is output as the charging amount of the corresponding device.

【0078】このような課金システムによって、ユーザ
側は装置に応じた適切なオフセットデータを得るに際し
て、ベンダ側に与えたデータ分だけ割安な課金でサービ
スを受けられることになり、ベンダ側もこのような割引
課金システムによって、ユーザ側に貢献度に応じた適切
な課金でサービスを提供できるという利点がある。
With such a charging system, the user side can receive the service at a discounted price for the data given to the vendor side when obtaining the appropriate offset data according to the apparatus. There is an advantage that a service can be provided to the user side with an appropriate charge according to the degree of contribution by a simple discount billing system.

【0079】次に、上記説明した生産システムを利用し
た半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図7は、
半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示
す。ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路
設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設計した回
路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステッ
プ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエ
ハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程
と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソ
グラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成す
る。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ス
テップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チッ
プ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、
ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等
の組立て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ
5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デ
バイスが完成し、これを出荷(ステップ7)する。前工
程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの
工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守が
なされる。また、前工程工場と後工程工場との間でも、
インターネットまたは専用線ネットワークを介して生産
管理や装置保守のための情報等がデータ通信される。
Next, a manufacturing process of a semiconductor device using the above-described production system will be described. FIG.
1 shows a flow of an overall semiconductor device manufacturing process. In step 1 (circuit design), the circuit of the semiconductor device is designed. Step 2 is a process for making a mask on the basis of the circuit pattern design. On the other hand, in step 3 (wafer manufacturing), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and an assembly process (dicing, dicing,
Bonding), an assembly process such as a packaging process (chip encapsulation) and the like. In step 6 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 5 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 7). The pre-process and the post-process are performed in separate dedicated factories, and maintenance is performed for each of these factories by the above-described remote maintenance system. Also, between the pre-process factory and the post-process factory,
Information and the like for production management and device maintenance are communicated via the Internet or a dedicated line network.

【0080】図8は、上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ13(電極形成)ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオ
ン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ1
5(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ16(露光)では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステッ
プ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて
半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
FIG. 8 shows a detailed flow of the wafer process. Step 11 (oxidation) oxidizes the wafer's surface. Step 12 (CVD) forms an insulating film on the wafer surface. Step 13 (electrode formation) forms electrodes on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. Step 1
In 5 (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. Step 16 (exposure) uses the above-described exposure apparatus to print and expose the circuit pattern of the mask onto the wafer. Step 17 (development) develops the exposed wafer. In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), unnecessary resist after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer. Since the manufacturing equipment used in each process is maintained by the remote maintenance system described above, troubles can be prevented beforehand, and if troubles occur, quick recovery is possible. Productivity can be improved.

【0081】[0081]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
インターネット等の公共データ回線を使用したオフセッ
トアナライザを構築、使用することで、プロセスにより
アライメントマーク形状が非対称になることによる精度
劣化を防ぐことができ、CMP等のプロセス(例えば半
導体形成プロセス)の影響を受けずに、高精度かつ高ス
ループットの位置合わせ方式を、コストを上昇させるこ
となく可能とすることができる。
As described above, according to the present invention,
By constructing and using an offset analyzer using a public data line such as the Internet, it is possible to prevent the accuracy degradation due to the asymmetric alignment mark shape caused by the process, and to be affected by processes such as CMP (for example, a semiconductor forming process). Thus, a high-accuracy and high-throughput alignment method can be realized without increasing costs.

【0082】また、本発明によれば、前記プロセスにお
ける複雑な最適化も不要となる。
According to the present invention, complicated optimization in the above process is not required.

【0083】更に、前記公共データ回線でデータをやり
取りすることで、初めて有効に使用できるデータベース
が作成でき、そこからプロセス要因誤差(WIS)を考
慮の上での初めてのエラーバジットの再構築が可能とな
り、リソグラフ全体を考えたCoOの向上が可能とな
る。
Further, by exchanging data through the public data line, a database that can be used effectively can be created for the first time, and the error budget can be reconstructed for the first time in consideration of the process factor error (WIS). Thus, it is possible to improve CoO considering the entire lithography.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の一実施例に係るインターネットを使
用してのオフセットアナライザでのウエハと情報の流れ
を現す概念図である。
FIG. 1 is a conceptual diagram showing a flow of information and a wafer in an offset analyzer using the Internet according to an embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の一実施例に係るインターネットを使
用してのオフセットアナライザの構成を現す概念図であ
る。
FIG. 2 is a conceptual diagram illustrating a configuration of an offset analyzer using the Internet according to an embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の一実施例に係る露光装置を含む半導
体デバイスの生産システムをある角度から見た概念図で
ある。
FIG. 3 is a conceptual view of a semiconductor device production system including an exposure apparatus according to one embodiment of the present invention as viewed from a certain angle.

【図4】 本発明の一実施例に係る露光装置を含む半導
体デバイスの生産システムを別の角度から見た概念図で
ある。
FIG. 4 is a conceptual view of a semiconductor device production system including an exposure apparatus according to one embodiment of the present invention, as viewed from another angle.

【図5】 本発明の一実施例に係る露光装置を含む半導
体デバイスの生産システムにおけるユーザインタフェー
スの具体例を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a specific example of a user interface in a semiconductor device production system including an exposure apparatus according to one embodiment of the present invention.

【図6】 本発明の一実施例に係る課金システムのフロ
ーを説明する図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating a flow of a billing system according to an embodiment of the present invention.

【図7】 本発明の一実施例に係る露光装置によるデバ
イスの製造プロセスのフローを説明する図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating a flow of a device manufacturing process by an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図8】 本発明の一実施例に係る露光装置によるウエ
ハプロセスを説明する図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating a wafer process by an exposure apparatus according to one embodiment of the present invention.

【図9】 グローバルアライメントにおいて回転エラー
が発生した場合の従来例を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing a conventional example when a rotation error occurs in global alignment.

【図10】 グローバルアライメントにおいて倍率エラ
ーが発生した場合の従来例を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing a conventional example when a magnification error occurs in global alignment.

【図11】 実際のアライメントマークの上をAFMで
計測したデータを示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing data measured on an actual alignment mark by AFM.

【図12】 メタルCMPと呼ばれているアライメント
マークの構造を示す図である。
FIG. 12 is a diagram showing a structure of an alignment mark called metal CMP.

【図13】 オフセットアナライザを配置した時のウエ
ハと情報の流れについて示す概念図である。
FIG. 13 is a conceptual diagram showing a wafer and a flow of information when an offset analyzer is arranged.

【図14】 オフセットアナライザの構成について示す
図である。
FIG. 14 is a diagram showing a configuration of an offset analyzer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10,32:オフセットアナライザ、11:ベンダ、1
2:ホストコンピュータ、13,33:コータ、14,
35:ステッパ(露光装置)、15,36:デベロッ
パ、16:オーバーレイメジャーメントツール、21:
CPU、31:ウエハ、41:チャック、42:XYZ
ステージ、43:プロファイラ、44:検出系、45:
CPU、46:シミュレータ、101:ベンダの事業
所、102,103,104:製造工場、105:イン
ターネット、106:製造装置、107:工場のホスト
管理システム、108:ベンダ側のホスト管理システ
ム、109:ベンダ側のローカルエリアネットワーク
(LAN)、110:操作端末コンピュータ、111:
工場のローカルエリアネットワーク(LAN)、20
0:外部ネットワーク、201:製造装置ユーザの製造
工場、202:露光装置、203:レジスト処理装置、
204:成膜処理装置、205:工場のホスト管理シス
テム、206:工場のローカルエリアネットワーク(L
AN)、210:露光装置メーカ、211:露光装置メ
ーカの事業所のホスト管理システム、220:レジスト
処理装置メーカ、221:レジスト処理装置メーカの事
業所のホスト管理システム、230:成膜装置メーカ、
231:成膜装置メーカの事業所のホスト管理システ
ム、401:製造装置の機種、402:シリアルナンバ
ー、403:トラブルの件名、404:発生日、40
5:緊急度、406:症状、407:対処法、408:
経過、410,411,412:ハイパーリンク機能。
10, 32: offset analyzer, 11: vendor, 1
2: host computer, 13, 33: coater, 14,
35: stepper (exposure device), 15, 36: developer, 16: overlay measurement tool, 21:
CPU, 31: wafer, 41: chuck, 42: XYZ
Stage, 43: profiler, 44: detection system, 45:
CPU, 46: simulator, 101: vendor's office, 102, 103, 104: manufacturing factory, 105: Internet, 106: manufacturing equipment, 107: factory host management system, 108: vendor host management system, 109: Vendor-side local area network (LAN), 110: operation terminal computer, 111:
Factory Local Area Network (LAN), 20
0: external network, 201: manufacturing apparatus user's manufacturing factory, 202: exposure apparatus, 203: resist processing apparatus
204: film forming apparatus, 205: factory host management system, 206: factory local area network (L
AN), 210: exposure equipment maker, 211: host management system of the business of the exposure equipment maker, 220: resist processing equipment maker, 221: host management system of the business establishment of the resist processing equipment maker, 230: film forming equipment maker,
231: Host management system of the office of the film forming apparatus maker, 401: Model of manufacturing apparatus, 402: Serial number, 403: Subject of trouble, 404: Date of occurrence, 40
5: urgency, 406: symptom, 407: coping method, 408:
Progress, 410, 411, 412: hyperlink function.

Claims (36)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1物体のパターンを第2物体上に転写
する露光装置を有するシステムにおいて、 前記露光装置の構成に前記第1物体と前記第2物体との
相対位置合わせを行う検出系を有し、 前記検出系により、前記第2物体上のマークを検出して
得られたマーク検出信号と前記第2物体上の前記マーク
の形状を計測して得られた形状情報とを公共データ回線
を介して遠隔地へ送信し、 前記遠隔地にてシミュレーションによりオフセットを算
出し、 前記公共データ回線を介して前記露光装置へ前記オフセ
ットを含む情報を伝達し、 前記検出系にて前記オフセットを含む情報に基づいて、
前記第1物体と前記第2物体との位置合わせを行い、前
記露光装置にて露光を行うことを特徴とする露光装置の
調整システム。
1. A system having an exposure device for transferring a pattern of a first object onto a second object, wherein a configuration of the exposure device includes a detection system for performing relative positioning between the first object and the second object. A mark detection signal obtained by detecting a mark on the second object and shape information obtained by measuring the shape of the mark on the second object by a public data line. , Calculating an offset by simulation at the remote location, transmitting information including the offset to the exposure apparatus via the public data line, and including the offset at the detection system. Based on the information,
An alignment system for an exposure apparatus, wherein the first object is aligned with the second object, and exposure is performed by the exposure apparatus.
【請求項2】 前記シミュレーションによりオフセット
を算出するに際し、前記遠隔地から必要時に前記複数の
マークの検出を異なる条件で行わす指示を前記公共デー
タ回線を介して連絡し、少なくとも前記異なる条件で前
記検出系により得られた前記マーク検出信号を前記公共
データ回線を介して前記遠隔地へ送ることを特徴とする
請求項1に記載の露光装置の調整システム。
2. When calculating an offset by the simulation, an instruction to perform the detection of the plurality of marks under different conditions when necessary from the remote location is communicated via the public data line, and at least under the different conditions, The adjustment system for an exposure apparatus according to claim 1, wherein the mark detection signal obtained by a detection system is sent to the remote place via the public data line.
【請求項3】 前記第2物体上のマークの形状を露光装
置外において計測する時に、レジスト塗布前と後で表面
形状を計測することを特徴とする請求項1または2に記
載の露光装置の調整システム。
3. The exposure apparatus according to claim 1, wherein when the shape of the mark on the second object is measured outside the exposure apparatus, a surface shape is measured before and after resist application. Adjustment system.
【請求項4】 前記表面形状は、較正時に、立体形状計
測器により計測されることを特徴とする請求項3に記載
の露光装置の調整システム。
4. The adjustment system according to claim 3, wherein the surface shape is measured by a three-dimensional shape measuring device at the time of calibration.
【請求項5】 前記立体形状計測器は、原子間力顕微鏡
であることを特徴とする請求項4に記載の露光装置の調
整システム。
5. The adjustment system according to claim 4, wherein the three-dimensional shape measuring device is an atomic force microscope.
【請求項6】 前記立体形状計測器は、触針式立体形状
計測器であることを特徴とする請求項4に記載の露光装
置の調整システム。
6. The adjusting system according to claim 4, wherein the three-dimensional shape measuring device is a stylus type three-dimensional shape measuring device.
【請求項7】 前記第2物体上の複数のマークの形状を
前記露光装置外においてレジスト塗布前と後で表面形状
を計測したとき、前記第1物体のパターンを前記第2物
体上に転写する前記露光装置の前記第1物体と前記第2
物体との相対位置合わせを行う検出系の信号に合うよう
に合わせたときのオフセットを該露光装置にて使用する
ことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の
露光装置の調整システム。
7. When the shape of a plurality of marks on the second object is measured before and after resist application outside the exposure apparatus, the pattern of the first object is transferred onto the second object. The first object and the second object of the exposure apparatus;
The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein an offset when adjusted so as to match a signal of a detection system that performs relative alignment with an object is used in the exposure apparatus. Adjustment system.
【請求項8】 前記表面形状は、前記露光装置外におい
て、非露光光による3次元形状計測系で較正された光3
次元計測により計測されることを特徴とする請求項3、
4、7のいずれか1項に記載の露光装置の調整システ
ム。
8. The light 3 calibrated by a non-exposure light three-dimensional shape measurement system outside the exposure apparatus.
4. The measurement according to claim 3, wherein the measurement is performed by dimension measurement.
An adjustment system for an exposure apparatus according to any one of claims 4 and 7.
【請求項9】 更に前記遠隔地に装置誤差情報を含む情
報のデータベースが作成されることを特徴とする請求項
1〜8のいずれか1項に記載の露光装置の調整システ
ム。
9. The adjustment system for an exposure apparatus according to claim 1, wherein a database of information including apparatus error information is created at the remote place.
【請求項10】 請求項1〜9のいずれか1項に記載の
露光装置の調整システムに含まれ、複数の前記第2物体
を位置合わせする場合、一番はじめの第2物体について
前記第1物体と前記第2物体との相対位置合わせを行う
検出系の信号に合うように合わせたときのオフセットを
計測し、二番目以降は同一の前記オフセットを使用する
ことを特徴とする位置合わせ装置。
10. An alignment system for an exposure apparatus according to claim 1, wherein when the plurality of second objects are aligned, the first second object is first aligned. An alignment apparatus, comprising: measuring an offset when matching an object with a signal of a detection system that performs relative alignment between the object and the second object; and using the same offset for the second and subsequent objects.
【請求項11】 請求項1〜9のいずれか1項に記載の
露光装置の調整システムにおける第2物体上の複数のマ
ークの形状を露光装置外において計測する時に、レジス
ト塗布前と後で表面形状を計測することを特徴とする露
光装置の調整方法。
11. When measuring the shapes of a plurality of marks on a second object outside the exposure apparatus in the adjustment system of the exposure apparatus according to claim 1, the surface is before and after resist application. A method for adjusting an exposure apparatus, comprising measuring a shape.
【請求項12】 前記表面形状は、較正時に、立体形状
計測器により計測されることを特徴とする請求項11に
記載の露光装置の調整方法。
12. The method according to claim 11, wherein the surface shape is measured by a three-dimensional shape measuring device at the time of calibration.
【請求項13】 前記立体形状計測器は、原子間力顕微
鏡であることを特徴とする請求項12に記載の露光装置
の調整方法。
13. The method according to claim 12, wherein the three-dimensional shape measuring device is an atomic force microscope.
【請求項14】 前記立体形状計測器は、触針式立体形
状計測器であることを特徴とする請求項12に記載の露
光装置の調整方法。
14. The method according to claim 12, wherein the three-dimensional shape measuring device is a stylus type three-dimensional shape measuring device.
【請求項15】 前記第2物体上の複数のマークの形状
を前記露光装置外においてレジスト塗布前と後で表面形
状を計測したとき、前記第1物体のパターンを前記第2
物体上に転写する前記露光装置の前記第1物体と前記第
2物体との相対位置合わせを行う検出系の信号に合うよ
うに合わせたときのオフセットを該露光装置にて使用す
ることを特徴とする請求項11〜14のいずれかに記載
の露光装置の調整方法。
15. When the surface shapes of a plurality of marks on the second object are measured before and after resist application outside the exposure apparatus, the pattern of the first object is changed to the second shape.
An offset used when matching the signal of a detection system that performs relative positioning between the first object and the second object of the exposure apparatus to be transferred onto an object is used in the exposure apparatus. The method for adjusting an exposure apparatus according to any one of claims 11 to 14.
【請求項16】 前記表面形状は、前記露光装置外にお
いて、非露光光による3次元形状計測系で較正された光
3次元計測により計測されることを特徴とする請求項1
1〜15のいずれか1項に記載の露光装置の調整方法。
16. The apparatus according to claim 1, wherein the surface shape is measured outside the exposure apparatus by three-dimensional optical measurement calibrated by a three-dimensional shape measurement system using non-exposure light.
16. The method for adjusting an exposure apparatus according to any one of 1 to 15.
【請求項17】 請求項1〜9のいずれか1項に記載の
露光装置の調整システムにおいて、複数の前記第2物体
を位置合わせする場合、一番はじめの前記第2物体につ
いて前記第1物体と前記第2物体との相対位置合わせを
行う検出系の信号に合うように合わせたときのオフセッ
トを計測し、二番目の前記第2物体以降は同一の前記オ
フセットを使用することを特徴とする位置合わせ方法。
17. The adjusting system for an exposure apparatus according to claim 1, wherein when aligning a plurality of the second objects, the first object is the first one of the second objects. Measuring an offset when the signal is adjusted to match a signal of a detection system that performs relative positioning between the second object and the second object, and using the same offset for the second and subsequent second objects. Alignment method.
【請求項18】 第1物体のパターンを第2物体上に転
写する露光装置に発生するオフセット情報ないしオフセ
ットの補正情報を算出する情報処理装置において、 遠隔地にて得られた前記第2物体上のマークの形状情報
および該マークの前記露光装置による検出情報を該遠隔
地から公共のデータ回線を介して取得する手段と、 前記取得された前記形状情報および前記検出情報に基づ
いて前記露光装置において発生する前記オフセットを算
出する手段と、 前記オフセット情報ないし前記オフセットの補正情報を
前記公共のデータ回線を介して前記遠隔地の前記露光装
置へ送信する手段とを有することを特徴とする情報処理
装置。
18. An information processing apparatus for calculating offset information or offset correction information generated in an exposure apparatus for transferring a pattern of a first object onto a second object, the information processing apparatus comprising: Means for acquiring the shape information of the mark and the detection information of the mark by the exposure apparatus from a remote place via a public data line; and the exposure apparatus based on the acquired shape information and the detection information. An information processing apparatus comprising: means for calculating the offset to be generated; and means for transmitting the offset information or the offset correction information to the remote exposure apparatus via the public data line. .
【請求項19】 請求項18に記載の情報処理装置から
の情報に基づいて、複数の遠隔地に存在する露光装置の
オフセット補正処理を行い、該各露光装置にて前記第1
物体と前記第2物体との位置合わせを行って、前記第2
物体上にパターン転写を行うことを特徴とする露光シス
テム。
19. An offset correction process for a plurality of remotely located exposure apparatuses based on the information from the information processing apparatus according to claim 18.
Aligning the object with the second object,
An exposure system for transferring a pattern onto an object.
【請求項20】 請求項19に記載の露光システムを用
いて前記第2物体上にパターン転写を行うことによりデ
バイス製造を行うことを特徴とするデバイス製造方法。
20. A device manufacturing method, wherein a device is manufactured by transferring a pattern onto the second object using the exposure system according to claim 19.
【請求項21】 請求項1〜9のいずれか1項に記載の
露光装置の調整システムを利用してデバイス製造を行う
ことを特徴とするデバイス製造方法。
21. A device manufacturing method, wherein the device is manufactured using the adjustment system for an exposure apparatus according to claim 1. Description:
【請求項22】 原版のパターンを基板に露光する際、
位置合わせ装置により前記原版と前記基板との相対位置
合わせを行う露光装置において、 前記位置合わせ装置に請求項10に記載の位置合わせ装
置を用いることを特徴とする露光装置。
22. When exposing a pattern of an original onto a substrate,
An exposure apparatus for performing relative positioning between the original and the substrate by a positioning apparatus, wherein the positioning apparatus according to claim 10 is used as the positioning apparatus.
【請求項23】 請求項22に記載の露光装置におい
て、ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、
ネットワーク用ソフトウェアを実行するコンピュータと
を更に有し、露光装置の保守情報をコンピュータネット
ワークを介してデータ通信することを可能にしたことを
特徴とする露光装置。
23. The exposure apparatus according to claim 22, wherein: a display; a network interface;
An exposure apparatus further comprising a computer that executes network software, wherein maintenance information of the exposure apparatus can be data-communicated via a computer network.
【請求項24】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、
前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
続され前記露光装置のベンダ若しくはユーザが提供する
保守データベースにアクセスするためのユーザインタフ
ェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネット
ワークを介して該データベースから情報を得ることを可
能にすることを特徴とする請求項23に記載の露光装
置。
24. The network software,
Provided on the display is a user interface for accessing a maintenance database provided by a vendor or a user of the exposure apparatus connected to an external network of a factory where the exposure apparatus is installed, and from the database via the external network. The exposure apparatus according to claim 23, wherein information can be obtained.
【請求項25】 請求項22〜24のいずれか1項に記
載の露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を製造
工場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプ
ロセスによってデバイスを製造する工程とを有すること
を特徴とするデバイス製造方法。
25. A step of installing a group of manufacturing apparatuses for various processes including the exposure apparatus according to claim 22 in a manufacturing factory, and a device using the group of manufacturing apparatuses by a plurality of processes. A method of manufacturing a device.
【請求項26】 前記製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
ワークと前記製造工場外の外部ネットワークとの間で、
前記製造装置群の少なくとも1台に関する情報をデータ
通信する工程とを更に有することを特徴とする請求項2
5に記載のデバイス製造方法。
26. A step of connecting the group of manufacturing apparatuses via a local area network, and a step of connecting between the local area network and an external network outside the manufacturing plant.
Data communication of information on at least one of the manufacturing apparatus groups.
6. The device manufacturing method according to 5.
【請求項27】 前記露光装置のベンダ若しくはユーザ
が提供するデータベースに前記外部ネットワークを介し
てアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保守
情報を得る、若しくは前記製造工場とは別の製造工場と
の間で前記外部ネットワークを介してデータ通信して生
産管理を行うことを特徴とする請求項26に記載のデバ
イス製造方法。
27. Access to a database provided by a vendor or a user of the exposure apparatus via the external network to obtain maintenance information of the manufacturing apparatus by data communication, or to establish a connection with a manufacturing factory different from the manufacturing factory. 27. The device manufacturing method according to claim 26, wherein production control is performed by performing data communication between the devices via the external network.
【請求項28】 請求項22〜24のいずれか1項に記
載の露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該
製造装置群を接続するローカルエリアネットワークと、
該ローカルエリアネットワークから工場外の外部ネット
ワークにアクセス可能にするゲートウェイを有し、前記
製造装置群の少なくとも1台に関する情報をデータ通信
することを可能にしたことを特徴とする半導体製造工
場。
28. A manufacturing apparatus group for various processes including the exposure apparatus according to claim 22, a local area network connecting the manufacturing apparatus group,
A semiconductor manufacturing plant, comprising: a gateway for allowing access from the local area network to an external network outside the plant; and enabling data communication of information on at least one of the manufacturing equipment groups.
【請求項29】 請求項22〜24のいずれか1項に記
載の露光装置の保守方法であって、製造工場に設置され
た前記露光装置のベンダ若しくはユーザが、該製造工場
の外部ネットワークに接続された保守データベースを提
供する工程と、前記製造工場内から前記外部ネットワー
クを介して前記保守データベースへのアクセスを許可す
る工程と、前記保守データベースに蓄積される保守情報
を前記外部ネットワークを介して製造工場側に送信する
工程とを有することを特徴とする露光装置の保守方法。
29. The maintenance method of an exposure apparatus according to claim 22, wherein a vendor or a user of the exposure apparatus installed in a manufacturing factory connects to an external network of the manufacturing factory. Providing the maintained maintenance database, allowing access to the maintenance database from within the manufacturing plant via the external network, and manufacturing the maintenance information stored in the maintenance database via the external network. And transmitting to the factory.
【請求項30】 第1物体のパターンを第2物体上に転
写するための複数の露光装置を調整する方法で各露光装
置において使用されるべき第2物体上のマークの形状情
報および該マークの該当する露光装置による検出情報
を、各露光装置それぞれの供給先に限定して公共データ
回線を介して送信するステップと前記それぞれの供給先
より前記公共データ回線を介して送信されたオフセット
情報ないしオフセットの補正情報を対応する露光装置に
送信するステップとを有することを特徴とする露光装置
の調整方法。
30. A method for adjusting a plurality of exposure apparatuses for transferring a pattern of a first object onto a second object, the shape information of a mark on the second object to be used in each exposure apparatus, and the mark information of the mark. Transmitting the detection information by the corresponding exposure apparatus, via the public data line only to the supply destination of each exposure apparatus, and offset information or offset transmitted from the respective supply destination via the public data line Transmitting the correction information to the corresponding exposure apparatus.
【請求項31】 請求項30に記載の露光装置の調整方
法により調整された露光装置を用いてデバイスを製造す
ることを特徴とするデバイス製造方法。
31. A device manufacturing method, wherein a device is manufactured using the exposure apparatus adjusted by the exposure apparatus adjustment method according to claim 30.
【請求項32】 第1物体のパターンを第2物体に転写
する露光装置の調整情報の供給方法であって、前記露光
装置の前記第1物体と前記第2物体との位置合わせを行
うための検出系により、前記第2物体上のマークを検出
して得られたマーク検出信号と、前記第2物体上の前記
マークの表面形状を計測して得られた形状情報とを公共
データ回線を介して遠隔地から受信する受信工程と、該
遠隔地にて受信したデータからデータベースを作成し、
該データベースを用いて前記露光装置のオフセットを算
出する演算工程と、前記公共データ回線を介して前記露
光装置へ前記オフセットを含む情報を伝達するオフセッ
ト伝達工程とを有し、前記オフセットを含む情報に基づ
いて前記検出系にて前記第1物体と前記第2物体との位
置合わせが実行されるとともに、前記オフセット伝達工
程に伴って前記露光装置のユーザへの課金の計算を行う
ことを特徴とする調整情報供給方法。
32. A method for supplying adjustment information of an exposure apparatus for transferring a pattern of a first object onto a second object, the method comprising: aligning the first object with the second object of the exposure apparatus. Through a public data line, a mark detection signal obtained by detecting a mark on the second object and shape information obtained by measuring the surface shape of the mark on the second object are detected by a detection system. Receiving from a remote location, and creating a database from the data received at the remote location,
An arithmetic step of calculating an offset of the exposure apparatus using the database, and an offset transmission step of transmitting information including the offset to the exposure apparatus via the public data line, the information including the offset The position of the first object and the position of the second object are adjusted by the detection system on the basis of the offset, and the accounting of the user of the exposure apparatus is calculated along with the offset transmitting step. Adjustment information supply method.
【請求項33】 更に前記受信工程によるデータ取得回
数情報を得る工程を有し、前記課金計算は該データ取得
回数情報を考慮して実行されることを特徴とする請求項
32に記載の調整情報供給方法。
33. The adjustment information according to claim 32, further comprising a step of obtaining information on the number of times of data acquisition in the receiving step, wherein the accounting calculation is performed in consideration of the information on the number of times of data acquisition. Supply method.
【請求項34】 前記受信工程は複数の遠隔地に対して
実行されることを特徴とする請求項32または33に記
載の調整情報供給方法。
34. The adjustment information supply method according to claim 32, wherein the receiving step is performed for a plurality of remote locations.
【請求項35】 前記形状情報は前記マークの表面形状
を露光装置外においてレジスト塗布前と塗布後とで計測
して得られた情報であることを特徴とする請求項32〜
34のいずれか1項に記載の調整情報供給方法。
35. The apparatus according to claim 32, wherein the shape information is information obtained by measuring the surface shape of the mark before and after resist application outside the exposure apparatus.
35. The adjustment information supply method according to any one of 34.
【請求項36】 請求項32〜35のいずれか1項に記
載の調整情報供給方法を実行するソフトウェアを有する
ことを特徴とするコンピュータ装置。
36. A computer device having software for executing the adjustment information supply method according to claim 32.
JP2001161568A 2000-05-30 2001-05-30 Adjustment system of projection aligner, aligning device, adjustment method of projection aligner, aligning method, information-processing device, and projection aligner, device-manufacturing method using them, adjustment information supply method Pending JP2002057101A (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7849304B2 (en) 2002-05-29 2010-12-07 Hitachi High-Technologies Corporation System and method for on-line diagnostics
JP2012252006A (en) * 2011-06-01 2012-12-20 Tesa Sa Coordinate measuring machine

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