JP2002033284A - Wafer holder for vertical cvd - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
製造工程でウェハを処理するのに使用し、ウェハを載置
するとともに、ウェハボートで保持される好適な縦型Ｃ
ＶＤ用ウェハホルダーに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vertical type C which is used for processing a wafer in a manufacturing process of a semiconductor device, on which a wafer is mounted and which is held by a wafer boat.
The present invention relates to a VD wafer holder.
【０００２】[0002]
【従来の技術】シリコン単結晶を基板とする半導体デバ
イスは、シリコン基板（シリコンウェハ）の表面に酸化
膜を形成する酸化工程や不純物を拡散する拡散工程、さ
らには減圧下で窒化ケイ素膜、多結晶シリコン膜（ポリ
シリコン膜）などを形成する減圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）
工程等を経て、シリコンウェハ上に微細な回路が形成さ
れる。これらの工程には、拡散装置、ＬＰＣＶＤ装置な
どと呼ばれる半導体製造装置が使用される。そして、こ
れらの装置は、いずれも複数のシリコンウェハを炉内に
挿入し、シリコンウェハ本体を高温に加熱する炉体部分
と、反応性ガスを炉内に供給するガス導入部、排気部な
どからなっており、多数枚のシリコンウェハを同時処理
（バッチ処理）できるようになっている。図１６は、縦
型ＬＰＣＶＤ装置の一例を示したものである。2. Description of the Related Art Semiconductor devices using a silicon single crystal as a substrate include an oxidation step of forming an oxide film on the surface of a silicon substrate (silicon wafer), a diffusion step of diffusing impurities, and a silicon nitride film under reduced pressure. Low pressure CVD (LPCVD) for forming crystalline silicon film (polysilicon film)
Through a process and the like, a fine circuit is formed on the silicon wafer. In these steps, a semiconductor manufacturing apparatus called a diffusion apparatus, an LPCVD apparatus, or the like is used. Each of these devices inserts a plurality of silicon wafers into a furnace and heats the silicon wafer body to a high temperature, a gas introduction unit that supplies a reactive gas into the furnace, and an exhaust unit. Thus, a large number of silicon wafers can be processed simultaneously (batch processing). FIG. 16 shows an example of a vertical LPCVD apparatus.
【０００３】図１６において、ＣＶＤ装置１０は、炉本
体１２の内周面に図示しないヒータが配設してあって内
部を高温に加熱、維持できるようになっているととも
に、図示しない真空ポンプに接続してあり、内部を１０
Ｔｏｒｒ以下に減圧できるようにしてある。また、炉本
体１２の内部には、高純度石英や炭化ケイ素（ＳｉＣ）
によって形成したプロセスチューブ１４が設けてある。In FIG. 16, a CVD apparatus 10 is provided with a heater (not shown) on the inner peripheral surface of a furnace body 12 so that the inside can be heated and maintained at a high temperature. 10 connected inside
The pressure can be reduced to Torr or less. Further, inside the furnace body 12, high-purity quartz or silicon carbide (SiC)
Is provided.
【０００４】プロセスチューブ１４によって覆われるベ
ース１６の中央部には、ボート受け１８が設けてあっ
て、このボート受け１８上にＳｉＣや石英などから形成
した縦型ラック状のウェハボート２０が配置してある。
そして、ウェハボート２０の上下方向には、大規模集積
回路（ＬＳＩ）などの半導デバイスを形成するための多
数のシリコンウェハ２２が適宜の間隔をあけて保持させ
てある。具体的には、シリコンウェハ２２は、図１７に
示すように、ウェハホルダー２４に載置された後に、ウ
ェハホルダー２４がウェハボート２０の溝２６に挿入さ
れて保持されている。ウェハホルダー２４は、円板型あ
るいはドーナツ板型のＳｉＣ製ウェハホルダーが用いら
れている。また、ウェハボート２０の側部には、反応ガ
スを炉内に導入するためのガス導入管２８が配設してあ
るとともに、炉内温度を測定する熱電対を内蔵した熱電
対保護管３０が設けてある。A boat receiver 18 is provided at the center of the base 16 covered by the process tube 14. A vertical rack-shaped wafer boat 20 made of SiC, quartz, or the like is arranged on the boat receiver 18. It is.
A large number of silicon wafers 22 for forming semiconductor devices such as large-scale integrated circuits (LSI) are held at appropriate intervals in the vertical direction of the wafer boat 20. Specifically, as shown in FIG. 17, after the silicon wafer 22 is placed on the wafer holder 24, the wafer holder 24 is inserted and held in the groove 26 of the wafer boat 20. As the wafer holder 24, a disk-shaped or donut-shaped SiC wafer holder is used. A gas introduction pipe 28 for introducing a reaction gas into the furnace is provided on a side portion of the wafer boat 20, and a thermocouple protection pipe 30 having a built-in thermocouple for measuring a furnace temperature is provided. It is provided.
【０００５】このように構成したＣＶＤ装置１０は、ウ
ェハボート２０を介して多数のシリコンウェハ２２が炉
内に配置される。そして、炉内を１００Ｔｏｒｒ以下に
減圧するとともに、例えば８００〜１２００℃の高温に
加熱し、ガス導入管２８を介してＨ2などのキャリアガ
スとともにＳｉＣｌ4などの反応性ガス（原料ガス）を
炉内に導入し、シリコンウェハ２２の表面に多結晶シリ
コン膜（ポリシリコン膜）やシリコン酸化膜（Ｓｉ
Ｏ2）の形成などが行われる。[0005] In the CVD apparatus 10 configured as described above, a large number of silicon wafers 22 are placed in a furnace via a wafer boat 20. Then, the furnace while reducing the pressure in the furnace to below 100 Torr, for example by heating to a high temperature of 800 to 1200 ° C., reactive gases such as SiCl 4 together with a carrier gas such as H 2 through the gas introduction pipe 28 a (raw material gas) And a polycrystalline silicon film (polysilicon film) or a silicon oxide film (Si
O 2 ) is formed.
【０００６】ところで、このようなＣＶＤ装置１０にお
いては、炉内の全体でガスの流れや温度等を均一な状態
にすることは困難である。そこで、従来からウェハボー
ト２０の上下部には、炉内のガスの流れや温度の均一性
を保持すること等を目的として、シリコンウェハ２２と
同一形状のダミーウェハ３２と称するウェハを数枚ずつ
配置している。また、ウェハボート２０の上下方向に
は、シリコンウェハ２２に付着するパーティクルの状態
や、シリコンウェハ２２に所定の膜厚が形成されている
か等を調べるために、適宜の位置に複数枚のモニタウェ
ハ３４をシリコンウェハ２２と混在させて配置してい
る。前記ウェハホルダー２４は、従来、シリコン単結晶
や高純度石英によって形成した厚さが０．２〜５ｍｍ程
度のものを使用してきた。[0006] In such a CVD apparatus 10, it is difficult to make the gas flow, temperature, and the like uniform throughout the furnace. Therefore, conventionally, several wafers called dummy wafers 32 having the same shape as the silicon wafer 22 are arranged in the upper and lower portions of the wafer boat 20 for the purpose of maintaining the uniformity of the gas flow and the temperature in the furnace. are doing. In order to check the state of particles adhering to the silicon wafer 22 and whether a predetermined film thickness is formed on the silicon wafer 22, a plurality of monitor wafers are placed at appropriate positions in the vertical direction of the wafer boat 20. 34 are arranged in a mixture with the silicon wafer 22. Conventionally, the wafer holder 24 has a thickness of about 0.2 to 5 mm formed of silicon single crystal or high-purity quartz.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、シリコ
ンウェハは、前記のように、縦型ＣＶＤ装置で熱処理す
る場合、高温によるシリコンウェハ自身やウェハボート
の変形、あるいは、シリコンウェハとウェハボートとの
熱膨張率との差により、シリコンウェハとウェハホルダ
ーとの間に相対移動が生じ、シリコンウェハにはこれに
起因する結晶欠陥としてのスリップが発生している。こ
れを防ぐため、シリコンウェハを保持するウェハホルダ
ーがいくつか考えられてきたが、どれもウェハホルダー
自身の変形や材質、熱容量等から完全なものが得られて
いない。また、ウェハホルダーの変形を防ぐために厚さ
を厚くすれば良いが、シリコンウェハの処理枚数が減少
して生産性が低下するという問題があり、ただ単に厚さ
を厚くすることは困難である。シリコンウェハの口径が
８インチから１２インチに大きくなるに伴って、スリッ
プの発生が多くなっている。また、シリコンウェハの熱
処理の中でも、特に、ウエル拡散やＳＩＭＯＸアニール
では、シリコンウェハの結晶欠陥としてのスリップの発
生が大きな問題となっており、これを解決できるウェハ
ホルダーの開発が期待されている。However, as described above, when a silicon wafer is heat-treated by a vertical CVD apparatus, deformation of the silicon wafer itself or the wafer boat due to high temperature, or heat between the silicon wafer and the wafer boat, occurs. Due to the difference from the expansion coefficient, relative movement occurs between the silicon wafer and the wafer holder, and a slip as a crystal defect caused by the silicon wafer occurs. In order to prevent this, several wafer holders for holding a silicon wafer have been considered, but none of them has been completely obtained from the deformation, material, heat capacity and the like of the wafer holder itself. Although the thickness may be increased in order to prevent the deformation of the wafer holder, there is a problem that the number of processed silicon wafers is reduced and the productivity is reduced, and it is difficult to simply increase the thickness. As the diameter of the silicon wafer increases from 8 inches to 12 inches, the occurrence of slip increases. Also, among the heat treatments of silicon wafers, in particular, in well diffusion and SIMOX annealing, occurrence of slip as a crystal defect of the silicon wafer has become a serious problem, and development of a wafer holder that can solve this problem is expected.
【０００８】本発明は、前記従来技術の欠点を解消する
ためになされたもので、ウェハ処理用ホルダー自身の変
形を少なくし、シリコンウェハのスリップの発生が少な
い縦型ＣＶＤ用ウェハホルダーを提供することを目的と
している。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned drawbacks of the prior art, and provides a vertical CVD wafer holder in which the deformation of the wafer processing holder itself is reduced and the occurrence of slip of the silicon wafer is reduced. It is intended to be.
【０００９】また、本発明は、ウェハホルダーをＣＶＤ
−ＳｉＣ製で高剛性、高耐熱性で製作してスリップの発
生を少なくし、生産性の良い縦型ＣＶＤ用ウェハホルダ
ーを提供することを目的としている。Further, the present invention provides a method for manufacturing a wafer holder by using a CVD method.
An object of the present invention is to provide a vertical CVD wafer holder that is made of SiC and has high rigidity and high heat resistance to reduce occurrence of slip and has high productivity.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明に係る縦型ＣＶＤ用ウェハホルダーは、半
導体デバイスの製造で使用し、複数のウェハを水平方向
に並列に保持してＣＶＤ装置に挿入する縦型ＣＶＤ用ウ
ェハホルダーにおいて、ウェハの載置側にウェハホルダ
ーの変形を防止する凸型リブを設けた構成としている。In order to achieve the above object, a vertical CVD wafer holder according to the present invention is used in the manufacture of semiconductor devices, and holds a plurality of wafers in parallel in a horizontal direction. The vertical CVD wafer holder inserted into the CVD apparatus has a configuration in which a convex rib for preventing deformation of the wafer holder is provided on the wafer mounting side.
【００１１】また、リブは円形形状、多角形状、放射形
状、格子形状、あるいは、これらの組み合わせ形状によ
り形成すると良い。また、ウェハを保持するリブの位置
が、ウェハの芯とリブの位置の距離：外周とリブの位置
の距離との比率が７：３に設けられていると良い。ま
た、リブを有するウェハホルダーが所定厚さのＣＶＤ−
ＳｉＣ製の膜により形成されていると良い。The ribs may be formed in a circular shape, a polygonal shape, a radial shape, a lattice shape, or a combination thereof. Further, it is preferable that the ratio of the distance between the center of the wafer and the position of the rib: the distance between the outer periphery and the position of the rib is 7: 3. In addition, the wafer holder having the rib is a CVD-
It is preferable to be formed by a film made of SiC.
【００１２】[0012]
【作用】上記のごとく形成した本発明は、ウェハホルダ
ーは、従来の円板形状のウェハホルダーに加えて、変形
を少なくする同心円形状、放射形状、格子形状、あるい
はこれらを組み合わせたリブを設けている。これによ
り、ウェハホルダーの変形を少なくして、高温状態下に
おいても、ウェハとウェハホルダーの相対移動を少なく
し、ウェハに発生するスリップの発生を少なくしてい
る。また、シリコンウェハとリブの接触位置、幅、面積
等を調整することでより良い支持状態を得ることが可能
となり、ウェハに発生するスリップの発生を少なくして
いる。また、ウェハホルダーの材質、熱容量とリブの接
触位置、幅、面積等を調整することでより良い加熱、冷
却状態を得ることが可能となり、ウェハに発生するスリ
ップの発生を少なくしている。According to the present invention formed as described above, the wafer holder is provided with a concentric circular shape, a radial shape, a lattice shape, or a combination of these, in addition to a conventional disk-shaped wafer holder, in order to reduce deformation. I have. As a result, the deformation of the wafer holder is reduced, the relative movement between the wafer and the wafer holder is reduced even under a high temperature state, and the occurrence of slip generated on the wafer is reduced. Further, by adjusting the contact position, width, area, and the like between the silicon wafer and the rib, a better support state can be obtained, and the occurrence of slip on the wafer is reduced. Further, by adjusting the material of the wafer holder, the contact position of the heat capacity and the rib, the width, the area, and the like, it is possible to obtain a better heating and cooling state, thereby reducing the occurrence of slip generated on the wafer.
【００１３】ウェハを保持するリブの位置が、ウェハに
接触して保持するリブとの間の滑りが少ない位置である
ウェハの芯とリブの位置の距離：外周とリブの位置の距
離との比率７：３の位置に設けることでウェハとリブと
の間の滑りがより少なくなり、ウェハに発生するスリッ
プを防止することが出来る。The position of the rib for holding the wafer is such that there is little slippage between the rib for contacting and holding the wafer. The distance between the center of the wafer and the position of the rib: the ratio of the distance between the outer periphery and the position of the rib. By providing them at the position of 7: 3, slip between the wafer and the ribs is further reduced, and slip generated on the wafer can be prevented.
【００１４】また、リブを有するウェハホルダーが所定
厚さのＣＶＤ−ＳｉＣ製の膜により製作することで、高
剛性、高耐熱性のホルダーがえられる。また、リブを有
するＣＶＤ−ＳｉＣ製の膜により形成されるウェハホル
ダーは、軽量、薄肉でできることから、全体の重量を軽
減できるとともに、シリコンウェハの処理枚数を減少す
ることがなくなり、不良率の低減に伴い生産性が向上す
る。また、ＣＶＤ−ＳｉＣ製の膜によるウェハホルダー
は、熱伝導に優れた材料であり、肉厚つまりは全体の熱
容量を調整することができ、熱容量による変形を少なく
出来る。Further, by manufacturing a wafer holder having ribs by a CVD-SiC film having a predetermined thickness, a holder having high rigidity and high heat resistance can be obtained. Further, since the wafer holder formed of a CVD-SiC film having ribs can be made lightweight and thin, the total weight can be reduced, and the number of processed silicon wafers does not decrease, thereby reducing the defect rate. As a result, productivity is improved. Further, the wafer holder made of a film made of CVD-SiC is a material having excellent heat conductivity, and its thickness, that is, the entire heat capacity can be adjusted, and deformation due to the heat capacity can be reduced.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】本発明に係る縦型ＣＶＤ用ウェハ
ホルダーの好ましい実施の形態を添付図面に従って詳細
に説明する。なお、従来と同一部品には同一符号を付し
て説明は省略する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the vertical CVD wafer holder according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The same parts as those in the related art are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
【００１６】図１は、本発明の第１実施の形態に係る第
１縦型ＣＶＤ用ウェハホルダー４０を示した平面図、図
２は側面断面図である。図１あるいは図２において、第
１縦型ＣＶＤ用ウェハホルダー４０（以下、第１縦型ホ
ルダー４０という）は、外周Ｓｄが円板形状で形成さ
れ、かつ、芯Ｐｏと外周Ｓｄとの間に芯Ｐｏを中心とす
る同心円で、所定の幅Ｂｄを有する凸部形状の凸部リブ
４２が設けられている。この凸部リブ４２は、例えば、
第１円状凸部４４、第２円状凸部４６、第３円状凸部４
８、および第４円状凸部５０の複数個（図示では４個）
が設けられている。この第１円状凸部４４、第２円状凸
部４６、第３円状凸部４８、および第４円状凸部５０の
上面にはシリコンウェハ２２を載置側に平面の載置面５
２が形成されている。また、凸部リブ４２の個数（図示
では４個）および凸部幅Ｂｄはシリコンウェハ２２の口
径に合わせて設けられるようになされている。この第１
縦型ホルダー４０は、凸部リブ４２を設けることにより
剛性を高めるとともに、軽量化を図っている。第１縦型
ホルダー４０は、剛性が高められることにより変形が防
止され、シリコンウェハ２２との間の相対移動を少なく
なる。これにより、シリコンウェハ２２は、載置面５２
に接する表面に生ずるスリップのキズが防止される。ま
た、第１縦型ホルダー４０は、軽量化が図られることに
より、シリコンウェハ２２の処理枚数を増加させ生産性
を向上している。FIG. 1 is a plan view showing a first vertical CVD wafer holder 40 according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a side sectional view. In FIG. 1 or FIG. 2, a first vertical CVD wafer holder 40 (hereinafter, referred to as a first vertical holder 40) has an outer periphery Sd formed in a disk shape, and has a space between the core Po and the outer periphery Sd. A convex rib 42 of a convex shape having a predetermined width Bd and a concentric circle centered on the core Po is provided. This convex rib 42 is, for example,
First circular convex portion 44, second circular convex portion 46, third circular convex portion 4
8 and a plurality (four in the figure) of the fourth circular convex portions 50
Is provided. On the upper surfaces of the first circular convex portion 44, the second circular convex portion 46, the third circular convex portion 48, and the fourth circular convex portion 50, the silicon wafer 22 is placed flat on the mounting side. 5
2 are formed. Further, the number (four in the figure) of the convex ribs 42 and the convex width Bd are provided according to the diameter of the silicon wafer 22. This first
The vertical holder 40 is provided with the convex ribs 42 to increase rigidity and reduce weight. The first vertical holder 40 is prevented from being deformed by increasing the rigidity, and the relative movement between the first vertical holder 40 and the silicon wafer 22 is reduced. Thereby, the silicon wafer 22 is placed on the mounting surface 52.
Is prevented from occurring on the surface in contact with the slip. Further, the first vertical holder 40 is reduced in weight, thereby increasing the number of processed silicon wafers 22 and improving productivity.
【００１７】上記において、第１縦型ホルダー４０のシ
リコンウェハ２２を載置する載置面５２の平坦度、すな
わち、底面Ｕｇから第１円状凸部４４の高さｈａ、第２
円状凸部４６の高さｈｂ、第３円状凸部４８の高さｈ
ｃ、および第４円状凸部５０の高さｈｄの最小値と最大
値の高さの差Ｈｅは、０．２ｍｍ以下にすると相対移動
が少なくなり、スリップの発生を防止することが出来
る。また、第１縦型ホルダー４０の厚さは０．７ｍｍ以
上にすると変形が少なくなり、ウェハとの相対移動が少
なくなり、スリップの発生を防止することが出来る。こ
の第１縦型ホルダー４０の厚さは厚いほど剛性が強くな
って良くなるが、シリコンウェハ２２の処理枚数が少な
くなり生産性が低下するため、上限として５ｍｍ程度が
適当である。以下の実施形態においても同様である。In the above description, the flatness of the mounting surface 52 of the first vertical holder 40 on which the silicon wafer 22 is mounted, that is, the height ha of the first circular convex portion 44 from the bottom surface Ug,
The height hb of the circular convex portion 46 and the height h of the third circular convex portion 48
When the height He of c and the height hd of the fourth circular projection 50 is less than or equal to 0.2 mm, the relative movement is reduced, and the occurrence of slip can be prevented. When the thickness of the first vertical holder 40 is 0.7 mm or more, deformation is reduced, relative movement with respect to the wafer is reduced, and occurrence of slip can be prevented. As the thickness of the first vertical holder 40 increases, the rigidity increases and the better, but the number of processed silicon wafers 22 decreases and productivity decreases. Therefore, an upper limit of about 5 mm is appropriate. The same applies to the following embodiments.
【００１８】また、図３は、第１実施の形態に係る他の
第１縦型ホルダー４１の側面断面図を示す。第１実施の
形態の第１縦型ホルダー４０では、シリコンウェハ２２
を載置する側の第１円状凸部４４、第２円状凸部４６、
第３円状凸部４８、および第４円状凸部５０の載置面５
２は同一平面を有している。FIG. 3 is a side sectional view of another first vertical holder 41 according to the first embodiment. In the first vertical holder 40 of the first embodiment, the silicon wafer 22
The first circular convex portion 44, the second circular convex portion 46 on the side where the
Placement surface 5 of third circular convex portion 48 and fourth circular convex portion 50
2 have the same plane.
【００１９】これに対して、他の第１縦型ホルダー４１
では、シリコンウェハ２２を載置する側の第１円状凸部
４４、第２円状凸部４６、第３円状凸部４８、および第
４円状凸部５０の載置面５２には段差Ｇａを設けてい
る。例えば、段差Ｇａは、第３円状凸部４８の第１載置
面４８ａのみが他の第１円状凸部４４、第２円状凸部４
６、および第４円状凸部５０のそれぞれの上面４４ａ、
４６ａ、５０ａよりも高く形成されて、シリコンウェハ
２２の第１載置面４８ａとしている。このとき、第３円
状凸部４８の第１載置面４８ａは、芯Ｐｏと第３円状凸
部４８の第１載置面４８ａとの距離Ｒｉに対して外周Ｓ
ｄと第３円状凸部４８の第１載置面４８ａとの距離Ｒｕ
が、７：３（Ｒｉ：Ｒｕ＝７：３）の位置に形成されて
いるようにしている。これにより、リブの各円状凸面４
４、４６、４８、５０により他の第１縦型ホルダー４１
は剛性を増して変形を少なくし、また、第１載置面４８
ａをＲｉ：Ｒｕ＝７：３にすることにより、変形量が少
ない一定の位置にシリコンウェハ２２を載置して、載置
時の保持の安定性を増すとともに相対移動量の少ない位
置で保持して、高温状態下においてもシリコンウェハ２
２と他の第１縦型ホルダー４１の相対移動を少なくし、
シリコンウェハ２２に発生するスリップの発生を更に少
なくなるようにしている。上記実施形態では、円環形状
により凸部リブ４２を形成したが、芯Ｐｏを中心として
同心状に三角形状、四角形状、あるいは、多角形状でも
良い。On the other hand, the other first vertical holder 41
Then, the mounting surface 52 of the first circular convex portion 44, the second circular convex portion 46, the third circular convex portion 48, and the fourth circular convex portion 50 on the side on which the silicon wafer 22 is mounted is provided. A step Ga is provided. For example, the step Ga is such that only the first mounting surface 48a of the third circular convex portion 48 has the other first circular convex portion 44 and the second circular convex portion 4.
6, and the upper surface 44a of each of the fourth circular convex portions 50,
The first mounting surface 48a of the silicon wafer 22 is formed higher than 46a and 50a. At this time, the first mounting surface 48a of the third circular convex portion 48 has an outer circumference S with respect to a distance Ri between the core Po and the first mounting surface 48a of the third circular convex portion 48.
d and the distance Ru between the first mounting surface 48a of the third circular projection 48
Are formed at the position of 7: 3 (Ri: Ru = 7: 3). Thereby, each circular convex surface 4 of the rib
4, 46, 48, 50, the other first vertical holder 41
Increases the rigidity to reduce the deformation, and the first mounting surface 48
By setting a to Ri: Ru = 7: 3, the silicon wafer 22 is placed at a fixed position where the deformation amount is small, the holding stability at the time of mounting is increased, and the silicon wafer 22 is held at a position where the relative movement amount is small. And the silicon wafer 2
2 to reduce the relative movement of the other first vertical holder 41,
The generation of the slip generated on the silicon wafer 22 is further reduced. In the above-described embodiment, the convex ribs 42 are formed in an annular shape. However, the convex ribs 42 may be formed concentrically with the center Po as a center, a triangular shape, a square shape, or a polygonal shape.
【００２０】図４は、本発明の第２実施の形態に係る第
２縦型ＣＶＤ用ウェハホルダー４０Ａを示した平面図、
図５は側面断面図（図４のＡ−Ｐｏ−Ａ断面図）であ
る。図４あるいは図５において、第２縦型ＣＶＤ用ウェ
ハホルダー４０Ａ（以下、第２縦型ホルダー４０Ａとい
う）は、外周Ｓｄは円板形状であり、かつ、芯Ｐｏと外
周Ｓｄとの間に芯Ｐｏを中心として放射状に外周Ｓｄに
向けて所定の幅Ｂｄを有する放射形状の凸部リブ６０が
設けられている。この放射形状の凸部リブ６０は、例え
ば、第１放射状凸部６２、第２放射状凸部６４、第３放
射状凸部６６…の複数個（図示では６個）が平面視で円
周上の均等位置に設けられている。この第１放射状凸部
６２、第２放射状凸部６４、第３放射状凸部６６…の上
面はシリコンウェハ２２を載置する載置面６８が形成さ
れている。また、前記の放射状凸部リブ６０の個数（図
示では６個）および放射状凸部幅Ｂｄはシリコンウェハ
２２の口径に合わせて設けられるようになされている。
放射状凸部幅Ｂｄは、図示では一定の幅Ｂｄで描いてい
るが一定の幅でなく、先端部Ｖａを根元部Ｖｂよりも狭
くしても良く、あるいは、反対に先端部Ｖａを根元部Ｖ
ｂよりも広くしても良い。FIG. 4 is a plan view showing a second vertical CVD wafer holder 40A according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a side sectional view (A-Po-A sectional view of FIG. 4). In FIG. 4 or FIG. 5, a second vertical CVD wafer holder 40A (hereinafter, referred to as a second vertical holder 40A) has an outer periphery Sd in a disk shape and a core between the core Po and the outer periphery Sd. Radially-shaped convex ribs 60 having a predetermined width Bd are provided radially toward the outer periphery Sd with Po as a center. For example, a plurality of (six in the drawing) of the first radial convex portion 62, the second radial convex portion 64, the third radial convex portion 66,... They are provided at equal positions. A mounting surface 68 on which the silicon wafer 22 is mounted is formed on the upper surfaces of the first radial convex portion 62, the second radial convex portion 64, the third radial convex portion 66, and so on. The number of the radial convex ribs 60 (six in the drawing) and the radial convex width Bd are provided in accordance with the diameter of the silicon wafer 22.
The radial convex portion width Bd is illustrated as a constant width Bd in the drawing, but is not a constant width, and the distal end portion Va may be narrower than the root portion Vb.
It may be wider than b.
【００２１】この第２縦型ホルダー４０Ａは、第１縦型
ホルダー４０と同様に、放射状凸部リブ６０を設けるこ
とにより剛性を高めるとともに、軽量化を図っている。
第２縦型ホルダー４０Ａは、前記の第１縦型ホルダー４
０と同様に、剛性が高められることにより変形を防止
し、シリコンウェハ２２との間の相対移動を少なくして
スリップの発生を防止し、軽量化が図られることによ
り、シリコンウェハ２２の処理枚数を増加させ生産性を
向上している。Like the first vertical holder 40, the second vertical holder 40A is provided with radial convex ribs 60 to increase rigidity and reduce weight.
The second vertical holder 40A is provided with the first vertical holder 4 described above.
As in the case of 0, deformation is prevented by increasing rigidity, slip is prevented by reducing relative movement between the silicon wafer 22 and the number of processed silicon wafers 22 is reduced by reducing weight. To increase productivity.
【００２２】また、図６は、第２実施の形態に係る他の
第２縦型ホルダー４１Ａの側面断面図を示す。第２実施
の形態の第２縦型ホルダー４０Ａでは、シリコンウェハ
２２を載置する側の第１放射状凸部６２、第２放射状凸
部６４、第３放射状凸部６６…の載置面６８は同一平面
を有している。FIG. 6 is a side sectional view of another second vertical holder 41A according to the second embodiment. In the second vertical holder 40A of the second embodiment, the mounting surface 68 of the first radial convex portion 62, the second radial convex portion 64, the third radial convex portion 66,. They have the same plane.
【００２３】これに対して、他の第２縦型ホルダー４１
Ａでは、シリコンウェハ２２を載置する側の第１放射状
凸部６２、第２放射状凸部６４、第３放射状凸部６６…
の載置面６８ａには、図６の二点鎖線部（斜線部Ｗａ）
に示すように、段差Ｇａを設けている。この段差Ｇａの
図示で示す外周Ｍａ、および内周は、芯Ｐｏを中心とし
て同心で円環形状に凸部円弧幅Ｍｂを有する載置面６８
ａとしても良く、また図示しないが直線でも良い。この
とき、載置面６８ａの段差Ｇａは、芯Ｐｏと段差Ｇａと
の距離Ｒｉに対して外周Ｓｄと段差Ｇａとの距離Ｒｕ
が、７：３（Ｒｉ：Ｒｕ＝７：３）の位置に形成されて
いるようにしている。これにより、他の第１縦型ホルダ
ー４１と同様に、各放射状凸面６２、６４、６６、…に
より他の第２縦型ホルダー４１Ａは剛性を増して変形を
少なくし、また、載置面６８ａの段差ＧａをＲｉ：Ｒｕ
＝７：３にすることにより、変形量が少ない一定の位置
にシリコンウェハ２２を載置して、載置時の保持の安定
性を増すとともに相対移動量の少ない位置で保持して、
高温状態下においてもシリコンウェハ２２と他の第２縦
型ホルダー４１Ａの相対移動を少なくし、シリコンウェ
ハ２２に発生するスリップの発生を更に少なくなるよう
にしている。On the other hand, the other second vertical holder 41
In A, the first radial convex portion 62, the second radial convex portion 64, the third radial convex portion 66 on the side on which the silicon wafer 22 is mounted,...
The mounting surface 68a of FIG. 6 has a two-dot chain line portion (hatched portion Wa) of FIG.
As shown in FIG. The outer periphery Ma and the inner periphery of the step Ga shown in the drawing have a mounting surface 68 which is concentric with the center Po and has a circular arc-shaped convex arc width Mb.
a, and may be a straight line (not shown). At this time, the step Ga of the mounting surface 68a is equal to the distance Ru between the outer periphery Sd and the step Ga with respect to the distance Ri between the core Po and the step Ga.
Are formed at the position of 7: 3 (Ri: Ru = 7: 3). As a result, similarly to the other first vertical holder 41, the other second vertical holder 41A increases rigidity and reduces deformation by the radial convex surfaces 62, 64, 66,. The step Ga of Ri: Ru
= 7: 3, the silicon wafer 22 is placed at a fixed position where the amount of deformation is small, the holding stability at the time of mounting is increased, and the silicon wafer 22 is held at a position where the relative movement amount is small.
Even under a high temperature state, the relative movement between the silicon wafer 22 and the other second vertical holder 41A is reduced, so that the occurrence of slip generated on the silicon wafer 22 is further reduced.
【００２４】図７は、本発明の第３実施の形態に係る第
３縦型ＣＶＤ用ウェハホルダー４０Ｂを示した平面図、
図８は側面断面図（図７のＢ−Ｃ−Ｂ断面図）である。
図７あるいは図８において、第３縦型ＣＶＤ用ウェハホ
ルダー４０Ｂは、外周Ｓｄが円板形状であり、円板形状
の内部には芯Ｐｏを中心として対称形状で格子状の凸部
リブ７０、例えば、第１格子状凸部７２、第２格子状凸
部７４、第３格子状凸部７６、第４格子状凸部７８、…
が設けられている。この第１格子状凸部７２、第２格子
状凸部７４、第３格子状凸部７６、第４格子状凸部７
８、…の上面はシリコンウェハ２２を載置する載置面８
０が同一平面で形成されている。この格子状凸部リブ７
０の個数（図示では４個）および格子状凸部幅Ｂｄは、
載置するシリコンウェハ２２の口径に合わせて設けられ
るようになされている。このとき、格子状凸部幅Ｂｄは
一定の幅に設定されている。FIG. 7 is a plan view showing a third vertical CVD wafer holder 40B according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a side cross-sectional view (a cross-sectional view taken along the line B-C-B of FIG. 7).
7 or 8, the third vertical CVD wafer holder 40B has a disk-shaped outer periphery Sd, and has a grid-shaped convex rib 70 symmetrical with respect to the core Po inside the disk. For example, the first lattice-shaped protrusion 72, the second lattice-shaped protrusion 74, the third lattice-shaped protrusion 76, the fourth lattice-shaped protrusion 78,...
Is provided. The first grid-shaped projection 72, the second grid-shaped projection 74, the third grid-shaped projection 76, and the fourth grid-shaped projection 7
The upper surface of 8,... Is the mounting surface 8 on which the silicon wafer 22 is mounted.
0 are formed on the same plane. This lattice-shaped convex rib 7
The number of 0 (four in the figure) and the lattice-shaped convex portion width Bd are
It is provided in accordance with the diameter of the silicon wafer 22 to be mounted. At this time, the lattice-shaped convex portion width Bd is set to a constant width.
【００２５】この第３縦型ホルダー４０Ｂは、第１縦型
ホルダー４０あるいは第２縦型ホルダー４０Ａと同様
に、格子状凸部リブ７０を設けることにより剛性を高め
るとともに、軽量化を図っている。第３縦型ホルダー４
０Ｂの格子状凸部リブ７０は、前記と同様に、剛性が高
められることにより変形を防止し、シリコンウェハ２２
との間の相対移動を少なくしてスリップの発生を防止
し、軽量化が図られることにより、シリコンウェハ２２
の処理枚数を増加させ生産性を向上している。In the third vertical holder 40B, similar to the first vertical holder 40 or the second vertical holder 40A, the rigidity is increased and the weight is reduced by providing the lattice-shaped convex ribs 70. . Third vertical holder 4
In the same manner as described above, the lattice-shaped convex ribs 70 of 0B prevent deformation by increasing rigidity, and
To prevent the occurrence of slip and reduce the weight, the silicon wafer 22
And the productivity is improved.
【００２６】また、図９は第３実施の形態に係る他の第
３縦型ホルダー４１Ｂの平面図、図１０は側面断面図
（図９のＤ−Ｅ−Ｄ断面図）を示す。第３実施の形態の
第３縦型ホルダー４０Ｂでは、シリコンウェハ２２を載
置する側の格子状凸部リブ７０、すなわち、第１格子状
凸部７２、第２格子状凸部７４、第３格子状凸部７６、
第４格子状凸部７８、…の載置面８０は同一平面を有し
ている。FIG. 9 is a plan view of another third vertical holder 41B according to the third embodiment, and FIG. 10 is a side sectional view (a sectional view taken along line DED of FIG. 9). In the third vertical holder 40B of the third embodiment, the lattice-shaped convex rib 70 on the side on which the silicon wafer 22 is mounted, that is, the first lattice-shaped convex part 72, the second lattice-shaped convex part 74, the third lattice-shaped convex part 74, Lattice-shaped convex portion 76,
The mounting surfaces 80 of the fourth lattice-shaped convex portions 78 have the same plane.
【００２７】これに対して、他の第３縦型ホルダー４１
Ｂでは、シリコンウェハ２２を載置する側の第１格子状
凸部７２、第２格子状凸部７４、第３格子状凸部７６、
第４格子状凸部７８、…の載置面８０ａには、図９の斜
線部Ｖａに示すように、段差Ｇａを設けている。この斜
線部Ｖａの段差Ｇａは、芯Ｐｏを中心として対象位置に
設けられ、ている。このとき、斜線部Ｖａの面積の重心
位置Ｋｏは、芯Ｐｏと段差Ｇａとの距離Ｒｉに対して外
周Ｓｄと段差Ｇａとの距離Ｒｕが、７：３（Ｒｉ：Ｒｕ
＝７：３）の位置に形成されているようにしている。こ
れにより、他の第１縦型ホルダー４１および他の第２縦
型ホルダー４１Ａと同じ効果が得られるが詳細な説明は
省略する。On the other hand, the other third vertical holder 41
In B, the first lattice-like convex part 72, the second lattice-like convex part 74, the third lattice-like convex part 76 on the side on which the silicon wafer 22 is mounted,
The mounting surface 80a of the fourth lattice-shaped convex portions 78,... Is provided with a step Ga as shown by a hatched portion Va in FIG. The step Ga of the hatched portion Va is provided at a target position with the center Po as a center. At this time, the center of gravity position Ko of the area of the hatched portion Va is such that the distance Ru between the outer periphery Sd and the step Ga with respect to the distance Ri between the core Po and the step Ga is 7: 3 (Ri: Ru).
= 7: 3). As a result, the same effects as those of the other first vertical holder 41 and the other second vertical holder 41A can be obtained, but detailed description is omitted.
【００２８】図１１および図１２は、本発明の第４実施
の形態に係る第４縦型ＣＶＤ用ウェハホルダー４０Ｃを
示した平面図、図１１は側面断面図（図１１のＦ−Ｐｏ
−Ｆ断面図）である。図１１あるいは図１２において、
第４縦型ＣＶＤ用ウェハホルダー４０Ｃ（以下、第４縦
型ホルダー４０Ｃという）は、第１実施の形態および第
２実施の形態を組み合わせたものである。第４縦型ホル
ダー４０Ｃは、円板形状で形成されており、第１実施の
形態である芯Ｐｏを中心として同心円状の第１円状凸部
４４、第２円状凸部４６、および第３円状凸部４８の凸
部リブ４２が設けられている。また、第２実施の形態で
ある芯Ｐｏを中心として放射状に外周Ｓｄに向けて第１
放射状凸部６２、第２放射状凸部６４、第３放射状凸部
６６…の放射形状の凸部リブ６０が設けられている。凸
部リブ４２および放射形状の凸部リブ６０の上面にはシ
リコンウェハ２２を載置する載置面８４が同一平面で形
成されている。これにより、前記第１実施の形態および
第２実施の形態と同様に、凸部リブを設けることにより
更に剛性が高められるために変形が少なくなり、スリッ
プの発生を更に少なくしている。FIGS. 11 and 12 are plan views showing a fourth vertical CVD wafer holder 40C according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a side sectional view (F-Po of FIG. 11).
-F sectional view). In FIG. 11 or FIG.
A fourth vertical CVD wafer holder 40C (hereinafter, referred to as a fourth vertical holder 40C) is a combination of the first embodiment and the second embodiment. The fourth vertical holder 40C is formed in a disk shape, and has a first circular convex portion 44, a second circular convex portion 46, and a concentric circular shape centered on the core Po of the first embodiment. The convex ribs 42 of the three circular convex portions 48 are provided. In addition, the first embodiment is directed radially toward the outer periphery Sd with the center Po being the center of the second embodiment.
Radial convex ribs 60 of the radial convex portion 62, the second radial convex portion 64, the third radial convex portion 66,... Are provided. A mounting surface 84 on which the silicon wafer 22 is mounted is formed in the same plane on the upper surface of the convex rib 42 and the radial-shaped convex rib 60. Thus, similarly to the first and second embodiments, the provision of the protruding ribs further increases the rigidity, so that the deformation is reduced and the occurrence of slip is further reduced.
【００２９】また、図１３は第４実施の形態に係る他の
第４縦型ホルダー４１Ｃの平面図、図１４は側面断面図
（図１３のＧ−Ｐｏ−Ｇ断面図）を示す。図１１の第４
縦型ホルダー４１は凸部リブ４２および放射形状の凸部
リブ６０の上面にシリコンウェハ２２を載置する載置面
８４が同一平面で形成されている。FIG. 13 is a plan view of another fourth vertical holder 41C according to the fourth embodiment, and FIG. 14 is a side sectional view (G-Po-G sectional view of FIG. 13). Fourth of FIG.
In the vertical holder 41, a mounting surface 84 on which the silicon wafer 22 is mounted is formed in the same plane on the upper surfaces of the convex rib 42 and the radial convex rib 60.
【００３０】これに対して、他の第４縦型ホルダー４１
Ｃは、第３円状凸部４８の凸部リブ４２がシリコンウェ
ハ２２を載置するように段差Ｇａの載置面８４ａが設け
られている。この載置面８４ａは、第３円状凸部４８の
凸部リブ４２が全周で他の面、すなわち、第１円状凸部
４４、第２円状凸部４６、第１放射状凸部６２、第２放
射状凸部６４、および、第３放射状凸部６６…の放射形
状の凸部リブ６０よりも高く形成されている。円環形状
である第３円状凸部４８の段差Ｇａの位置は、第１実施
形態と同様に、芯Ｐｏと段差Ｇａとの距離Ｒｉに対して
外周Ｓｄと段差Ｇａとの距離Ｒｕが、７：３（Ｒｉ：Ｒ
ｕ＝７：３）の位置に形成されているようにしている。
これにより、前記他の実施の形態と同様な効果が得られ
る。On the other hand, the other fourth vertical holder 41
In C, a mounting surface 84a of a step Ga is provided so that the projection rib 42 of the third circular projection 48 mounts the silicon wafer 22 thereon. The mounting surface 84a is such that the convex ribs 42 of the third circular convex portion 48 have other surfaces all around, that is, the first circular convex portion 44, the second circular convex portion 46, and the first radial convex portion. 62, the second radial convex portions 64, and the third radial convex portions 66 are formed higher than the radial convex ribs 60. As in the first embodiment, the position of the step Ga of the third circular convex portion 48 having an annular shape is such that the distance Ru between the outer periphery Sd and the step Ga with respect to the distance Ri between the core Po and the step Ga, 7: 3 (Ri: R
u = 7: 3).
Thereby, the same effect as in the other embodiments can be obtained.
【００３１】また、上記実施例において、図１０の側面
断面図および図１１の平面図に示すように、シリコンウ
ェハ２２を載置する側の第２円状凸部４４が一番高くな
るように円環形状の段差Ｇａを設けても良い。これによ
り、第１実施形態と同様に、円環形状の段差Ｇａは、芯
Ｐｏと段差Ｇａとの距離Ｒｉに対して外周Ｓｄと段差Ｇ
ａとの距離Ｒｕが、７：３（Ｒｉ：Ｒｕ＝７：３）の位
置に形成されているようにしている。これにより、前記
第１実施の形態および第２実施の形態と同様に、シリコ
ンウェハ２２の載置時に、保持の安定性を増すとともに
相対移動量の少ない位置で保持して、高温状態下におい
てもシリコンウェハ２２と第４縦型ホルダー４０Ｃの相
対移動を少なくし、シリコンウェハ２２に発生するスリ
ップの発生を防止している。Further, in the above embodiment, as shown in the side sectional view of FIG. 10 and the plan view of FIG. 11, the second circular convex portion 44 on the side where the silicon wafer 22 is mounted is set to be highest. An annular step Ga may be provided. Accordingly, as in the first embodiment, the annular step Ga is formed by the outer periphery Sd and the step G with respect to the distance Ri between the core Po and the step Ga.
The distance Ru to a is formed at a position of 7: 3 (Ri: Ru = 7: 3). As a result, similarly to the first and second embodiments, when the silicon wafer 22 is placed, the holding stability is increased and the silicon wafer 22 is held at a position where the relative movement amount is small. The relative movement between the silicon wafer 22 and the fourth vertical holder 40C is reduced, thereby preventing the occurrence of a slip generated on the silicon wafer 22.
【００３２】上記実施例では、第１実施形態と第２実施
形態との組み合わせを用いて説明したが、第１実施形態
と第３実施形態、あるいは、第２実施形態と第３実施形
態、とを組み合わせても良い。Although the above embodiment has been described using a combination of the first and second embodiments, the first and third embodiments, or the second and third embodiments, May be combined.
【００３３】図１５は、本発明の第５実施の形態に係る
第４縦型ＣＶＤ用ウェハホルダー４０Ｄを示した側面断
面図である。図１５において、第５縦型ＣＶＤ用ウェハ
ホルダー４０Ｄ（以下、第４縦型ホルダー４０Ｄとい
う）は、ＣＶＤ−ＳｉＣ製の膜のみで製作した一例を示
し、第１実施形態の例を示す側面図である。FIG. 15 is a side sectional view showing a fourth vertical CVD wafer holder 40D according to a fifth embodiment of the present invention. In FIG. 15, a fifth vertical CVD wafer holder 40D (hereinafter, referred to as a fourth vertical holder 40D) shows an example in which only a film made of CVD-SiC is manufactured, and a side view showing an example of the first embodiment. It is.
【００３４】第４縦型ホルダー４０Ｄは、先ず、高純度
黒鉛からなる所定寸法のホルダー形状黒鉛基材９０（以
下、黒鉛基材９０という）を製作する。次に、図１６に
示したように、黒鉛基材９０を図示しない減圧ＣＶＤ装
置に搬入し、ＣＶＤ装置の内部（炉内）を例えば１００
Ｔｏｒｒ以下に減圧したのち、炉内を１０００〜１６０
０℃に加熱、保持する。そして、炉内にキャリアガスで
ある水素ガス（Ｈ2）とともに原料ガスであるＳｉＣｌ4
とＣＨ4とを各々体積％で５〜２０％供給し、減圧ＣＶ
Ｄ法によって黒鉛基材９０の表面に炭化けい素膜９２を
所定の厚さＴｈ、例えば、０．５〜１．５ｍｍ程度蒸着
して成膜する。As the fourth vertical holder 40D, first, a holder-shaped graphite base material 90 (hereinafter, referred to as a graphite base material 90) of a predetermined size made of high-purity graphite is manufactured. Next, as shown in FIG. 16, the graphite substrate 90 is carried into a low-pressure CVD apparatus (not shown), and the inside of the CVD apparatus (inside the furnace) is, for example, 100
After the pressure was reduced to Torr or less, the inside of the furnace was 1000 to 160
Heat and hold at 0 ° C. Then, SiCl 4, which is a source gas, together with hydrogen gas (H 2 ), which is a carrier gas, is placed in the furnace.
And CH 4 are supplied at 5% to 20% by volume, respectively,
A silicon carbide film 92 is deposited on the surface of the graphite substrate 90 by a method D by vapor deposition to a predetermined thickness Th, for example, about 0.5 to 1.5 mm.
【００３５】炭化ケイ素膜９２が被膜されたら黒鉛基材
９０を炉から取り出す。次に、炭化ケイ素膜９２によっ
て被膜された状態の黒鉛基材９０を９００〜１４００℃
の炉に入れ、酸素を供給して黒鉛基材９０を酸化孔９４
により酸化燃焼して除去し、図１５に示すように、ＣＶ
Ｄ−ＳｉＣ製の膜のみの第４縦型ホルダー４０Ｄを得
る。After the silicon carbide film 92 is coated, the graphite substrate 90 is taken out of the furnace. Next, the graphite substrate 90 coated with the silicon carbide film 92 is heated at 900 to 1400 ° C.
And supply oxygen to the graphite substrate 90 to oxidize the holes 94.
As shown in FIG. 15, CV
A fourth vertical holder 40D made of only a film made of D-SiC is obtained.
【００３６】ＣＶＤ−ＳｉＣ製の膜のみの外観形状は、
前記の第１実施形態で説明したが、他の第２実施形態乃
至第４実施形態でも同様に行なうことができるが詳細な
説明は省略する。The appearance of only the CVD-SiC film is as follows:
Although described in the first embodiment, the same can be performed in the other second to fourth embodiments, but detailed description is omitted.
【００３７】[0037]
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、ウェハホルダーは、ウェハホルダーの上面に変形を
少なくするリブを設け、このリブの上面にウェハを載置
しているため、高温状態下でもウェハとウェハホルダー
の相対移動が少なくなりスリップの発生を無くしてウェ
ハの結晶欠陥の発生を防止し、ウェハの不良率を低減し
ている。また、シリコンウェハとリブの接触位置、幅、
面積等を調整することでより良い支持状態を得ることが
可能となり、ウェハに発生するスリップの発生を防止で
きる。また、ウェハホルダーの材質、熱容量とリブの接
触位置、幅、面積等を調整することでより良い加熱、冷
却状態を得ることが可能となり、ウェハに発生するスリ
ップによる不良率を低減している。As described above, according to the present invention, the wafer holder is provided with the rib for reducing the deformation on the upper surface of the wafer holder, and the wafer is placed on the upper surface of the rib. Even under this condition, the relative movement between the wafer and the wafer holder is reduced, and the occurrence of slip is eliminated to prevent the occurrence of crystal defects of the wafer, thereby reducing the defect rate of the wafer. In addition, the contact position, width,
By adjusting the area and the like, a better support state can be obtained, and the occurrence of slip on the wafer can be prevented. Further, by adjusting the material of the wafer holder, the contact position of the heat capacity and the rib, the width, the area, and the like, it is possible to obtain a better heating and cooling state, thereby reducing the defective rate due to slip generated on the wafer.
【００３８】ウェハを保持するリブの位置が、ウェハに
接触して保持するリブとの間の滑りが少ない位置である
ウェハの芯とリブの位置の距離：外周とリブの位置の距
離との比率７：３の位置に設けることでウェハとリブと
の間の滑りが少なくなり、ウェハにスリップ等のキズを
より防止することが出来、スリップによる不良率を更に
低減している。The position of the rib for holding the wafer is such that there is little slippage between the rib for contacting and holding the wafer and the distance between the center of the wafer and the position of the rib: the ratio of the distance between the outer periphery and the position of the rib. By providing it at the position of 7: 3, slippage between the wafer and the ribs is reduced, so that scratches such as slippage on the wafer can be further prevented, and the defective rate due to slippage is further reduced.
【００３９】また、ウェハホルダーはＣＶＤ−ＳｉＣ製
の膜のみで製作することで、高剛性、高耐熱性のホルダ
ーが得られるために、軽量、薄肉にできるから全体の重
量が軽減でき、また、シリコンウェハの処理枚数が多く
できる。また、高剛性により形成されるため変形が少な
くなるとともに、熱伝導に優れた材料のため全体の熱容
量による変形を少なく出来るので、不良率が低減し生産
性が向上する。特に、１２インチの口径、あるいは、ウ
エル拡散やＳＩＭＯＸアニールでは不良率の低減に大き
な効果が得られる。Further, by manufacturing the wafer holder using only a film made of CVD-SiC, a holder having high rigidity and high heat resistance can be obtained, so that the wafer holder can be made light and thin, so that the total weight can be reduced. The number of processed silicon wafers can be increased. Further, since the material is formed with high rigidity, the deformation is reduced, and since the material is excellent in heat conduction, the deformation due to the entire heat capacity can be reduced, so that the defective rate is reduced and the productivity is improved. In particular, in the case of a 12-inch aperture, well diffusion or SIMOX annealing, a great effect can be obtained in reducing the defective rate.
【図１】本発明の第１実施の形態に係る第１縦型ＣＶＤ
用ウェハホルダーを示した平面図である。FIG. 1 shows a first vertical CVD according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view showing a wafer holder for use.
【図２】本発明の第１実施の形態に係る第１縦型ＣＶＤ
用ウェハホルダーを示した側面断面図である。FIG. 2 shows a first vertical CVD according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a side sectional view showing a wafer holder for use in the present invention.
【図３】本発明の第１実施の形態に係る第１縦型ＣＶＤ
用ウェハホルダーの他の例を示した側面断面図である。FIG. 3 shows a first vertical CVD according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a side sectional view showing another example of the wafer holder for use in the present invention.
【図４】本発明の第２実施の形態に係る第２縦型ＣＶＤ
用ウェハホルダーを示した平面図である。FIG. 4 shows a second vertical CVD according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view showing a wafer holder for use.
【図５】本発明の第２実施の形態に係る第２縦型ＣＶＤ
用ウェハホルダーを示した側面断面図である。FIG. 5 shows a second vertical CVD according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a side sectional view showing a wafer holder for use in the present invention.
【図６】本発明の第２実施の形態に係る第２縦型ＣＶＤ
用ウェハホルダーの他の例を示した側面断面図である。FIG. 6 shows a second vertical CVD according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a side sectional view showing another example of the wafer holder for use in the present invention.
【図７】本発明の第３実施の形態に係る第３縦型ＣＶＤ
用ウェハホルダーを示した平面図である。FIG. 7 shows a third vertical CVD according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view showing a wafer holder for use.
【図８】本発明の第３実施の形態に係る第３縦型ＣＶＤ
用ウェハホルダーを示した側面断面図である。FIG. 8 shows a third vertical CVD according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a side sectional view showing a wafer holder for use in the present invention.
【図９】本発明の第３実施の形態に係る第３縦型ＣＶＤ
用ウェハホルダーの他の例を示した平面図である。FIG. 9 shows a third vertical CVD according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a plan view showing another example of the wafer holder.
【図１０】本発明の第３実施の形態に係る第３縦型ＣＶ
Ｄ用ウェハホルダーの他の例を示した側面断面図であ
る。FIG. 10 shows a third vertical CV according to a third embodiment of the present invention.
It is side surface sectional drawing which showed other examples of the wafer holder for D.
【図１１】本発明の第４実施の形態に係る第４縦型ＣＶ
Ｄ用ウェハホルダーを示し平面図である。FIG. 11 shows a fourth vertical CV according to a fourth embodiment of the present invention.
It is a top view which shows the wafer holder for D.
【図１２】本発明の第４実施の形態に係る第４縦型ＣＶ
Ｄ用ウェハホルダーを示した側面図である。FIG. 12 shows a fourth vertical CV according to a fourth embodiment of the present invention.
It is a side view showing the wafer holder for D.
【図１３】本発明の第４実施の形態に係る第４縦型ＣＶ
Ｄ用ウェハホルダーの他の例を示した平面図である。FIG. 13 shows a fourth vertical CV according to a fourth embodiment of the present invention.
It is the top view which showed the other example of the wafer holder for D.
【図１４】本発明の第４実施の形態に係る第４縦型ＣＶ
Ｄ用ウェハホルダーの他の例を示した側面図である。FIG. 14 shows a fourth vertical CV according to a fourth embodiment of the present invention.
It is a side view showing other examples of the wafer holder for D.
【図１５】本発明の第５実施の形態に係る第５縦型ＣＶ
Ｄ用ウェハホルダーでＣＶＤ−ＳｉＣ製の膜のみの例を
示した側面断面図である。FIG. 15 shows a fifth vertical CV according to a fifth embodiment of the present invention.
It is a side sectional view showing an example of only a film made of CVD-SiC in a wafer holder for D.
【図１６】減圧ＣＶＤ装置の説明図である。FIG. 16 is an explanatory view of a low pressure CVD apparatus.
【図１７】従来の減圧ＣＶＤ装置に用いた縦型ＣＶＤ用
ウェハホルダーの一部側面図である。FIG. 17 is a partial side view of a vertical CVD wafer holder used in a conventional low-pressure CVD apparatus.
１０……ＣＶＤ装置、２２……シリコンウェハ、４０…
…第１縦型ＣＶＤ用ウェハホルダー、４０Ａ……第２縦
型ＣＶＤ用ウェハホルダー、４０Ｂ……第３縦型ＣＶＤ
用ウェハホルダー、４０Ｃ……第４縦型ＣＶＤ用ウェハ
ホルダー、４０Ｄ……第５縦型ＣＶＤ用ウェハホルダ
ー、４２、６０、７０……凸部リブ、４４……第１円状
凸部、４６……第２円状凸部、４８……第３円状凸部、
４８ａ……第１載置面、５０……第４円状凸部、５２、
６８、６８ａ、８０、８０ａ、８４、８４ａ……載置面 ４８ａ……上面、４８ｂ……第２載置面、６２……第１
放射状凸部、６４……第２放射状凸部、６６……第３放
射状凸部、７２……第１格子状凸部、７４……第２格子
状凸部、７６……第３格子状凸部、７８……第４格子状
凸部、９０……ホルダー形状黒鉛基材、９２……炭化ケ
イ素膜、９４……酸化孔10 CVD apparatus, 22 silicon wafer, 40
... 1st vertical CVD wafer holder, 40A ... 2nd vertical CVD wafer holder, 40B ... 3rd vertical CVD
Wafer holder, 40C Fourth vertical CVD wafer holder, 40D Fifth vertical CVD wafer holder, 42, 60, 70 Projecting rib, 44 First circular convex, 46 ... A second circular convex, 48... A third circular convex,
48a: first mounting surface, 50: fourth circular convex portion, 52,
68, 68a, 80, 80a, 84, 84a Mounting surface 48a Upper surface, 48b Second mounting surface, 62 First
Radial convex part, 64 second radial convex part, 66 third radial convex part, 72 first lattice convex part, 74 second lattice convex part, 76 third lattice convex part Part, 78... Fourth grid-shaped convex part, 90,... Holder-shaped graphite base material, 92,... Silicon carbide film, 94,.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 BA37 CA04 CA12 GA02 KA47 5F031 CA02 CA11 DA13 FA01 HA65 MA28 5F045 AA20 BB13 DP19 EM02 EM08 EM09 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4K030 BA37 CA04 CA12 GA02 KA47 5F031 CA02 CA11 DA13 FA01 HA65 MA28 5F045 AA20 BB13 DP19 EM02 EM08 EM09
Claims (4)
ウェハを水平方向に並列に保持してＣＶＤ装置に挿入す
る縦型ＣＶＤ用ウェハホルダーにおいて、ウェハの載置
側にウェハホルダーの変形を防止する凸型リブを設けた
ことを特徴とする縦型ＣＶＤ用ウェハホルダー。1. A vertical CVD wafer holder which is used in the manufacture of semiconductor devices and holds a plurality of wafers in parallel in a horizontal direction and inserts the wafer into a CVD apparatus. A vertical CVD wafer holder characterized in that a convex rib is provided.
ダーにおいて、リブは円形形状、多角形状、放射形状、
格子形状、あるいは、これらの組み合わせ形状により形
成されることを特徴とする縦型ＣＶＤ用ウェハホルダ
ー。2. The vertical CVD wafer holder according to claim 1, wherein the rib has a circular shape, a polygonal shape, a radial shape,
A vertical CVD wafer holder formed by a lattice shape or a combination thereof.
ＶＤ用ウェハホルダーにおいて、ウェハを保持するリブ
の位置が、ウェハの芯とリブの位置の距離：外周とリブ
の位置の距離との比率が７：３に設けられていることを
特徴とする縦型ＣＶＤ用ウェハホルダー。3. The vertical type C according to claim 1 or claim 2.
In the VD wafer holder, the ratio of the distance between the center of the wafer and the position of the rib: the distance between the outer periphery and the position of the rib is set to 7: 3 in the VD wafer holder. Type wafer holder for CVD.
用ウェハホルダーにおいて、リブを有するウェハホルダ
ーが所定厚さのＣＶＤ−ＳｉＣ製の膜により形成されて
いることを特徴とする縦型ＣＶＤ用ウェハホルダー。4. The vertical CVD according to claim 1, wherein
A wafer holder having ribs is formed of a CVD-SiC film having a predetermined thickness.
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|---|---|---|---|
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