JP2002033193A - Oragnic light emitting element - Google Patents
Oragnic light emitting elementInfo
- Publication number
- JP2002033193A JP2002033193A JP2000217214A JP2000217214A JP2002033193A JP 2002033193 A JP2002033193 A JP 2002033193A JP 2000217214 A JP2000217214 A JP 2000217214A JP 2000217214 A JP2000217214 A JP 2000217214A JP 2002033193 A JP2002033193 A JP 2002033193A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- organic light
- injection layer
- light emitting
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 63
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 claims description 3
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 claims 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 104
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 abstract description 16
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 abstract description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 3
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、有機発光層の上下
に電極を形成し、電圧を印加することにより有機物質を
発光させる有機発光素子および有機発光表示装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light-emitting device and an organic light-emitting display device in which electrodes are formed above and below an organic light-emitting layer, and which emits an organic substance by applying a voltage.
【0002】[0002]
【従来の技術】有機単層薄膜あるいは有機多層薄膜の上
下に電極を形成した有機発光素子の様々な形態が、応用
物理学会有機分子・バイオエレクトロニクス分科会会誌
第11巻,1号(2000)の3〜12頁にまとめられ
ている。2. Description of the Related Art Various forms of organic light-emitting devices in which electrodes are formed above and below an organic single-layer thin film or an organic multilayer thin film are described in Journal of the Applied Physics Society of Japan, Vol. 11, No. 1 (2000). It is summarized on pages 3-12.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】有機物質の移動度は一
般に、0.001平方センチメートル/Vs以下と低い
ために、上記従来の有機発光素子を数ボルトの低電圧で
駆動するためには、薄膜化が必要であった。また場合に
よっては、電子注入層やホール注入層を発光層と電極と
の間に設ける必要があり、素子構造が非常に複雑であっ
た。Since the mobility of an organic substance is generally as low as 0.001 square centimeters / Vs or less, it is necessary to reduce the thickness of the organic light-emitting device in order to drive it at a low voltage of several volts. Was needed. In some cases, it is necessary to provide an electron injection layer or a hole injection layer between the light emitting layer and the electrode, and the element structure is very complicated.
【0004】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明は、有機発光素子
の有機発光層にカーボンナノチューブなどからなる微細
繊維物質をドーピングし、上記有機発光層のキャリア移
動度を大きくすることを特徴とするものである。The present invention is characterized in that the organic light emitting layer of an organic light emitting device is doped with a fine fiber material such as carbon nanotubes to increase the carrier mobility of the organic light emitting layer. It is.
【0005】カーボンナノチューブはカイラリティーに
より、金属的な性質あるいは半導体的な性質を示す。半
導体の場合のバンドギャップは、ナノチューブの直径に
ほぼ反比例し、ある程度大きなナノチューブは、室温で
はほぼ金属的な性質を示すと期待できる。そのため、有
機発光層にカーボンナノチューブを含有させることによ
り、移動度を大きくすることができる。また、カーボン
ナノチューブは、可視光の波長にくらべて十分小さいた
め、有機発光層から発光する光強度を減衰させる効果は
極めて少ない。[0005] Depending on chirality, carbon nanotubes exhibit metallic or semiconducting properties. The band gap in the case of a semiconductor is almost inversely proportional to the diameter of the nanotube, and a somewhat large nanotube can be expected to exhibit almost metallic properties at room temperature. Therefore, the mobility can be increased by including carbon nanotubes in the organic light emitting layer. Further, since the carbon nanotube is sufficiently smaller than the wavelength of visible light, the effect of attenuating the light intensity emitted from the organic light emitting layer is extremely small.
【0006】このように、有機発光層にカーボンナノチ
ューブをドーピングして、有機発光層のキャリア移動度
を大きくすることにより、数ミクロンの厚い有機発光層
を用いることができるため、作製が非常に容易になると
ともに、素子の信頼性も大幅に向上させることができ
る。また移動度が高いことから、複雑な多層積層構造を
用いることなく、3層程度の積層構造により、有機発光
層で効率的に電子とホールを再結合させることができる
ため、素子構造を大幅に簡略化することができる。As described above, since the organic light emitting layer is doped with carbon nanotubes to increase the carrier mobility of the organic light emitting layer, a thick organic light emitting layer having a thickness of several microns can be used. And the reliability of the element can be greatly improved. In addition, since the mobility is high, electrons and holes can be efficiently recombined in the organic light emitting layer with a three-layer structure without using a complicated multi-layer structure. It can be simplified.
【0007】[0007]
【発明の実施の形態】(実施例1)本発明の第1の実施
例を図1を用いて説明する。本実施例の有機発光素子
は、有機発光層101の両面に電子注入層102および
ホール注入層103が形成されている。上記電子注入層
102の上にマイナス電極111を、ホール注入層10
3の下にプラス透明電極112を形成し、両電極間に数
Vの電圧を印加する。そして、上記発光層101におい
て電子とホールを効率的に結合させることにより光を発
生させ、発生した光を矢印方向に取り出す構成になって
いる。(Embodiment 1) A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the organic light emitting device of this embodiment, an electron injection layer 102 and a hole injection layer 103 are formed on both surfaces of an organic light emitting layer 101. On the electron injection layer 102, a minus electrode 111 is formed.
3, a plus transparent electrode 112 is formed, and a voltage of several volts is applied between both electrodes. Then, light is generated by efficiently coupling electrons and holes in the light emitting layer 101, and the generated light is extracted in the direction of the arrow.
【0008】ここで、電子注入層102とホール注入層
103には、直径が30nmのマルチウォールカーボンナ
ノチューブを5wt%添加する。電子注入層102の膜
厚およびホール注入層103の膜厚はいずれも1ミクロ
ンとした。Here, 5 wt% of a multi-wall carbon nanotube having a diameter of 30 nm is added to the electron injection layer 102 and the hole injection layer 103. The thickness of the electron injection layer 102 and the thickness of the hole injection layer 103 were both 1 μm.
【0009】本実施例のように電子注入層102および
ホール注入層103にカーボンナノチューブを添加する
ことにより、移動度を従来の3桁以上大きくすることが
できる。このため上記のような厚膜の電子注入層102
およびホール注入層103を用いることができる。By adding carbon nanotubes to the electron injection layer 102 and the hole injection layer 103 as in this embodiment, the mobility can be increased by three digits or more. Therefore, the thick electron injection layer 102 as described above is used.
And the hole injection layer 103 can be used.
【0010】また、発光層101の膜厚は50nmであ
り、ホスト有機物に色素を添加したものである。発光は
色素のLUMO(lowest unoccupied molecular orb
ital)レベルからHOMO(highest occupied molec
ular orbital)レベルの遷移によるものである。そこ
で、所望のLUMO−HOMO間エネルギを有する色素
を選択することにより、所望の発光色を得ることができ
る。The light-emitting layer 101 has a thickness of 50 nm and is obtained by adding a dye to an organic host material. Luminescence is based on the dye LUMO (lowest unoccupied molecular orb)
HOMO (highest occupied molec) from ital level
(ular orbital) level transition. Therefore, a desired emission color can be obtained by selecting a dye having a desired LUMO-HOMO energy.
【0011】発光層101で効率的に電子とホールを結
合させるためには、下記のようなエネルギダイアグラム
を構成できる有機物質を選択することが望ましい。In order to efficiently combine electrons and holes in the light emitting layer 101, it is desirable to select an organic substance capable of forming the following energy diagram.
【0012】〔1〕電子注入層102のLUMOレベル
が、発光層101のホスト有機物のLUMOレベルと同
程度であるか高い。[1] The LUMO level of the electron injection layer 102 is similar to or higher than the LUMO level of the host organic substance of the light emitting layer 101.
【0013】〔2〕ホール注入層103のLUMOレベ
ルが、発光層101のホスト有機物のLUMOレベルよ
りも高い。電子注入層102から注入された電子が、ホ
ール注入層102のLUMOレベル障壁により、十分せ
き止められる程度に高いことが望ましい。[2] The LUMO level of the hole injection layer 103 is higher than the LUMO level of the host organic substance in the light emitting layer 101. It is desirable that electrons injected from the electron injection layer 102 be high enough to be sufficiently blocked by the LUMO level barrier of the hole injection layer 102.
【0014】〔3〕ホール注入層103のHOMOレベ
ルが、発光層101のホスト有機物のHOMOレベルと
同程度であるか低い。[3] The HOMO level of the hole injection layer 103 is similar to or lower than the HOMO level of the host organic substance of the light emitting layer 101.
【0015】〔4〕電子注入層1023のHOMOレベ
ルが、発光層101のホスト有機物のLUMOレベルよ
りも低い。ホール注入層103から注入されたホール
が、電子注入層102のHOMOレベル障壁により、十
分せき止められる程度に低いことが望ましい。[4] The HOMO level of the electron injection layer 1023 is lower than the LUMO level of the host organic substance of the light emitting layer 101. The holes injected from the hole injection layer 103 are desirably low enough to be blocked by the HOMO level barrier of the electron injection layer 102.
【0016】〔5〕発光層101のホスト有機物のLU
MOレベルが、色素のLUMOレベルよりも高い。[5] LU of the host organic substance of the light emitting layer 101
The MO level is higher than the LUMO level of the dye.
【0017】〔6〕発光層101のホスト有機物のHO
MOレベルが、色素のHOMOレベルよりも低い。[6] HO of the host organic substance of the light emitting layer 101
The MO level is lower than the HOMO level of the dye.
【0018】上記のガイドラインに沿う有機物であれ
ば、低分子・高分子に関わらず、種々の物質を利用する
ことができる。As long as it is an organic substance that meets the above guidelines, various substances can be used irrespective of low molecular weight or high molecular weight.
【0019】本発明によれば、このようにして作製した
有機発光素子に3Vの電圧を印加することにより、5%
以上の外部量子効率を達成することができた。また、こ
の素子をガラス基板とエポキシ樹脂を用いて封じること
により、3万時間の長期安定性を確認することができ
た。According to the present invention, by applying a voltage of 3 V to the organic light emitting device thus manufactured, 5%
The above external quantum efficiency was able to be achieved. Further, by sealing this element with a glass substrate and an epoxy resin, long-term stability of 30,000 hours could be confirmed.
【0020】なお、上記実施例では、電子注入層102
とホール注入層103にカーボンナノチューブを5wt
%添加した例を示したが、有機層膜厚の設計により、カ
ーボンナノチューブの含有量を増減させることができ
る。また、発光層101にカーボンナノチューブを添加
することも可能である。In the above embodiment, the electron injection layer 102
And 5 wt% carbon nanotubes in the hole injection layer 103
Although the example of adding% is shown, the content of the carbon nanotube can be increased or decreased by designing the thickness of the organic layer. Further, carbon nanotubes can be added to the light emitting layer 101.
【0021】また、上記実施例では電子注入層102と
ホール注入層103を発光層101の両側に設けたが、
電子注入層102だけあるいはホール注入層103だけ
を設けた構造でも同様に良好な特性が得られた。In the above embodiment, the electron injection layer 102 and the hole injection layer 103 are provided on both sides of the light emitting layer 101.
Similarly, good characteristics were obtained in a structure in which only the electron injection layer 102 or the hole injection layer 103 was provided.
【0022】(実施例2)つぎに、本発明の第2の実施
例を図2を用いて説明する。本実施例の有機発光素子に
おいて有機発光層201が、電子注入層202とホール
注入層203ではさまれた構造は第1の実施例と同じで
ある。本実施例では、電子注入層202の上にマイナス
バッファー層204を形成し、その上にマイナス電極2
11を形成している。また、ホール注入層203の下に
プラスバッファー層205を形成し、その下にプラス透
明電極212を形成した構成になっている。(Embodiment 2) Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The structure of the organic light emitting device of the present embodiment in which the organic light emitting layer 201 is sandwiched between the electron injection layer 202 and the hole injection layer 203 is the same as that of the first embodiment. In this embodiment, a minus buffer layer 204 is formed on the electron injection layer 202, and a minus electrode 2 is formed thereon.
11 are formed. Further, a plus buffer layer 205 is formed below the hole injection layer 203, and a plus transparent electrode 212 is formed thereunder.
【0023】電子注入層202とホール注入層203の
膜厚はそれぞれ1ミクロンであり、それら両方に直径3
0nmのマルチウォールカーボンナノチューブを5wt%
添加した。また、マイナスバッファー層204とプラス
バッファー層205の膜厚は3ミクロンであり、直径3
0nmのマルチウォールナノチューブを10wt%添加し
た。The thickness of each of the electron injection layer 202 and the hole injection layer 203 is 1 μm, and both of them have a diameter of 3 μm.
5 wt% of 0 nm multi-wall carbon nanotubes
Was added. The film thickness of the minus buffer layer 204 and the plus buffer layer 205 is 3 μm, and the diameter is 3 μm.
10 wt% of 0 nm multi-wall nanotubes was added.
【0024】各有機層を構成する物質のエネルギダイア
グラムに関する必要事項は、第1の実施例で記載した項
目にくわえて、つぎのようなガイドラインに沿う有機物
であれば、低分子・高分子に関わらず、種々の物質を利
用することができる。In addition to the items described in the first embodiment, the requirements for the energy diagram of the material constituting each organic layer are as follows. Instead, various substances can be used.
【0025】〔7〕マイナスバッファー層204のLU
MOレベルが、電子注入層204のLUMOレベルと同
程度か高い。[7] LU of minus buffer layer 204
The MO level is equal to or higher than the LUMO level of the electron injection layer 204.
【0026】〔8〕プラスバッファー層205のHOM
Oレベルが、ホール注入層203のHOMOレベルと同
程度か低い。[8] HOM of plus buffer layer 205
The O level is equal to or lower than the HOMO level of the hole injection layer 203.
【0027】このようにして作製した本実施例の有機発
光素子に3Vの電圧を印加することにより、5%以上の
外部量子効率を達成することができた。また、この素子
をガラス基板とエポキシ樹脂を用いて封じることによ
り、3万時間の長期安定性を確認することができた。By applying a voltage of 3 V to the organic light-emitting device of this example manufactured as described above, an external quantum efficiency of 5% or more could be achieved. Further, by sealing this element with a glass substrate and an epoxy resin, long-term stability of 30,000 hours could be confirmed.
【0028】なお、本実施例では、電子注入層202に
とホール注入層203にカーボンナノチューブを5wt
%、さらにマイナスバッファー層204とプラスバッフ
ァー層205にカーボンナノチューブを10wt%添加
した例を示したが、有機層膜厚の設計により、カーボン
ナノチューブの含有量を増減させることができる。また
実施例1と同様に、発光層201にカーボンナノチュー
ブを添加することも可能である。In this embodiment, 5 wt% of carbon nanotubes are used for the electron injection layer 202 and the hole injection layer 203.
%, And an example in which 10 wt% of carbon nanotubes are added to the minus buffer layer 204 and the plus buffer layer 205, the content of carbon nanotubes can be increased or decreased by designing the thickness of the organic layer. As in the first embodiment, it is also possible to add carbon nanotubes to the light emitting layer 201.
【0029】また、本実施例では、マイナスバッファー
層204とプラスバッファー層205を設けたが、マイ
ナスバッファー層204だけ、あるいはプラスバッファ
ー層205だけを設けた構造でも同様の良好な特性が得
られた。In the present embodiment, the minus buffer layer 204 and the plus buffer layer 205 are provided. However, similar good characteristics can be obtained with a structure in which only the minus buffer layer 204 or only the plus buffer layer 205 is provided. .
【0030】(実施例3)つぎに本発明の第3の実施例
を図3を用いて説明する。本実施例では有機発光層30
1の上側にマイナス電極311を、下側にプラス透明電
極312を設けた構造になっている。そして、有機発光
層301の膜厚は1ミクロンであり、カーボンナノチュ
ーブを5wt%添加した。有機発光層には、低分子・高
分子に関わらず、所望の波長域で発光するLUMO−H
OMO間エネルギギャップを有するあらゆる有機物ある
いはその混合物を用いることができる。(Embodiment 3) Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, the organic light emitting layer 30
1 is provided with a minus electrode 311 on the upper side and a plus transparent electrode 312 on the lower side. The thickness of the organic light emitting layer 301 was 1 micron, and 5 wt% of carbon nanotubes were added. LUMO-H that emits light in a desired wavelength range regardless of low molecular weight or high molecular weight
Any organic substance having an energy gap between OMOs or a mixture thereof can be used.
【0031】このようにして作製した有機発光素子に3
Vの電圧を印加することにより、5%以上の外部量子効
率を達成することができた。また、この素子をガラス基
板とエポキシ樹脂を用いて封じることにより、3万時間
の長期安定性を確認することができた。The organic light-emitting device thus prepared was
By applying a voltage of V, an external quantum efficiency of 5% or more could be achieved. Further, by sealing this element with a glass substrate and an epoxy resin, long-term stability of 30,000 hours could be confirmed.
【0032】(実施例4)つぎに本発明の第4の実施例
を図4を用いて説明する。図4(a)に示すように、ガ
ラス基板410上に横電極401を複数本形成し、後で
説明する有機多層膜を形成した後、R縦電極402、G
縦電極403、B縦電極404からなる組を複数形成す
る。横電極401と縦電極セットの交点が発光ピクセル
である。(Embodiment 4) Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 4A, a plurality of horizontal electrodes 401 are formed on a glass substrate 410, and an organic multilayer film described later is formed.
A plurality of sets each including the vertical electrode 403 and the B vertical electrode 404 are formed. The intersection of the horizontal electrode 401 and the vertical electrode set is a light emitting pixel.
【0033】図4(b)には、図4(a)のA−A’断
面の一つのピクセルの構造を示す。R縦電極402の下
側には、R電子注入層4021、R発光層4022、R
ホール注入層4023の有機3層構造が形成されてい
る。また、G縦電極403の下側には、G電子注入層4
031、G発光層4032、Gホール注入層4033の
有機3層構造が、さらにB縦電極404の下側には、B
電子注入層4041、B発光層4042、Bホール注入
層4043の有機3層構造が形成されている。FIG. 4B shows the structure of one pixel in the AA ′ section of FIG. 4A. Under the R vertical electrode 402, an R electron injection layer 4021, an R light emitting layer 4022, and an R
An organic three-layer structure of the hole injection layer 4023 is formed. The G electron injection layer 4 is provided below the G vertical electrode 403.
031, a G light emitting layer 4032, and a G hole injection layer 4033.
An organic three-layer structure of an electron injection layer 4041, a B light emitting layer 4042, and a B hole injection layer 4043 is formed.
【0034】このような構成の有機発光素子アレイの横
電極401に走査電圧を、縦電極ペアーに信号電極を印
加することにより、動画を表示させることができた。By applying a scanning voltage to the horizontal electrodes 401 and a signal electrode to the vertical electrode pairs of the organic light emitting element array having such a configuration, a moving image can be displayed.
【0035】ここで、本実施例では有機層として3層構
造を示したが、第1、第2および第3の実施例に示した
あらゆる有機多層構造が適応可能である。Here, in this embodiment, a three-layer structure is shown as the organic layer, but any of the organic multilayer structures shown in the first, second and third embodiments can be applied.
【0036】[0036]
【発明の効果】以上の実施例に示したように、本発明に
よれば有機層にカーボンナノチューブをドーピングし
て、有機層のキャリア移動度を大きくすることにより、
数ミクロンの厚い有機層を用いることができ、移動度が
高いことから、複雑な多層積層構造を用いることなく、
3層程度の積層構造により発光層で効率的に電子とホー
ルを再結合させることができ、素子構造を大幅に簡略化
することができる。また、これにより素子の信頼性も大
幅に向上させることがでる。As described in the above embodiments, according to the present invention, the organic layer is doped with carbon nanotubes to increase the carrier mobility of the organic layer.
Since a thick organic layer of several microns can be used and the mobility is high, without using a complicated multilayer laminated structure,
With a laminated structure of about three layers, electrons and holes can be efficiently recombined in the light emitting layer, and the element structure can be greatly simplified. In addition, the reliability of the device can be greatly improved.
【図1】本発明の第1の実施例の有機発光素子を示す断
面図。FIG. 1 is a sectional view showing an organic light emitting device according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第2の実施例の有機発光素子を示す断
面図。FIG. 2 is a sectional view showing an organic light emitting device according to a second embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第3の実施例の有機発光素子を示す断
面図。FIG. 3 is a sectional view showing an organic light emitting device according to a third embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第4の実施例の有機発光装置を示す平
面図および断面図。FIG. 4 is a plan view and a sectional view showing an organic light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention.
101…有機発光層、102…電子注入層、103…ホ
ール注入層、111…マイナス電極、112…プラス透
明電極、201…有機発光層、202…電子注入層、2
03…ホール注入層、204…マイナスバッファー層、
211…マイナス電極、205…プラスバッファー層、
212…プラス透明電極。Reference Signs List 101: organic light emitting layer, 102: electron injection layer, 103: hole injection layer, 111: negative electrode, 112: positive transparent electrode, 201: organic light emitting layer, 202: electron injection layer, 2
03: hole injection layer, 204: minus buffer layer,
211: minus electrode, 205: plus buffer layer,
212 ... plus a transparent electrode.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 矢口 富雄 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグル−プ内 (72)発明者 佐々木 進 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグル−プ内 Fターム(参考) 3K007 AB06 AB11 BA06 CA01 CB01 DA01 DB03 DC00 EB00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Tomio Yaguchi 3300 Hayano, Mobara-shi, Chiba Hitachi, Ltd. Display Group (72) Inventor Susumu Sasaki 3300, Hayano, Mobara-shi, Chiba Hitachi, Ltd. −F F term (reference) 3K007 AB06 AB11 BA06 CA01 CB01 DA01 DB03 DC00 EB00
Claims (6)
光層に接する電子注入層もしくはホール注入層のいずれ
かを有し、上記有機発光層、電子注入層およびホール注
入層の少なくともいずれかに微細繊維物質を含ませたこ
とを特徴とする有機発光素子。1. An organic light-emitting layer and, if necessary, an electron injection layer or a hole injection layer in contact with the organic light-emitting layer, and at least one of the organic light-emitting layer, the electron injection layer, and the hole injection layer. An organic light emitting device comprising a fine fiber material.
電子注入層もしくはホール注入層のいずれか、ならびに
上記電子注入層に接するマイナスバッファー層もしくは
上記ホール注入層に接するプラスバッファー層のいずれ
かを有し、上記有機発光層、電子注入層、ホール注入
層、マイナスバッファー層およびプラスバッファー層の
少なくともいずれかに微細繊維物質を含ませたことを特
徴とする有機発光素子。2. An organic light-emitting layer, an electron injection layer or a hole injection layer in contact with the organic light-emitting layer, and a negative buffer layer in contact with the electron injection layer or a plus buffer layer in contact with the hole injection layer. An organic light-emitting device comprising: a fine fiber substance contained in at least one of the organic light-emitting layer, the electron injection layer, the hole injection layer, the minus buffer layer, and the plus buffer layer.
おいて、上記有機発光層の一方の面またはホール注入層
もしくはプラスバッファー層に透明電極を形成し、上記
有機発光層のもう一方の面または電子注入層もしくはマ
イナスバッファー層に透明または不透明な電極を形成し
たことを特徴とする有機発光素子。3. The organic light-emitting device according to claim 1, wherein a transparent electrode is formed on one surface of the organic light-emitting layer or on a hole injection layer or a plus buffer layer, and the other surface of the organic light-emitting layer is formed. Alternatively, an organic light emitting device comprising a transparent or opaque electrode formed on an electron injection layer or a minus buffer layer.
電極の積層構造を有する有機発光素子において、有機多
層薄膜の特定の層または複数の層もしくはすべての層に
微細繊維物質が含有されていることを特徴とする有機発
光素子。4. An organic light-emitting device having a laminated structure of a negative electrode, an organic multilayer thin film, and a positive transparent electrode, wherein a specific layer or a plurality of layers or all layers of the organic multilayer thin film contain a fine fiber substance. An organic light-emitting device comprising:
発光素子において、上記微細繊維物質が微細炭素繊維あ
ることを特徴とする有機発光素子。5. The organic light emitting device according to claim 1, wherein said fine fiber material is a fine carbon fiber.
光素子を一次元あるいは二次元的に複数個並べ、それぞ
れの有機発光素子を独立に駆動させる制御手段を設けた
ことを特徴とする平面表示装置。6. An organic light emitting device according to claim 1, wherein a plurality of organic light emitting devices are arranged one-dimensionally or two-dimensionally, and control means for independently driving each organic light emitting device is provided. Flat panel display.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000217214A JP2002033193A (en) | 2000-07-13 | 2000-07-13 | Oragnic light emitting element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000217214A JP2002033193A (en) | 2000-07-13 | 2000-07-13 | Oragnic light emitting element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002033193A true JP2002033193A (en) | 2002-01-31 |
Family
ID=18712359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000217214A Pending JP2002033193A (en) | 2000-07-13 | 2000-07-13 | Oragnic light emitting element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002033193A (en) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1388903A2 (en) * | 2002-08-09 | 2004-02-11 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
JP2004095549A (en) * | 2002-08-09 | 2004-03-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Organic electroluminescent element |
WO2005055672A1 (en) * | 2003-12-04 | 2005-06-16 | Rohm Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device |
EP1487030A3 (en) * | 2003-06-11 | 2006-02-15 | STMicroelectronics S.r.l. | IR-light emitters based on SWNTs (single walled carbon nanotubes): semiconducting SWNTs-light emitting diodes and lasers |
US7199521B2 (en) | 2003-01-29 | 2007-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescence device |
US7329902B2 (en) | 2003-06-11 | 2008-02-12 | Stmicroelectronics S.R.L. | IR-light emitters based on SWNT's (single walled carbon nanotubes), semiconducting SWNTs-light emitting diodes and lasers |
KR100813248B1 (en) | 2006-03-09 | 2008-03-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | Electroluminescence device using nanorods |
KR100848151B1 (en) | 2006-02-25 | 2008-07-28 | 고려대학교 산학협력단 | Organic light emitting diode display panel and method for preparing the same |
US7420203B2 (en) | 2001-12-05 | 2008-09-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic semiconductor element |
WO2008143636A1 (en) * | 2006-11-01 | 2008-11-27 | Wake Forest University | Solid state lighting compositions and systems |
JP2010141161A (en) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Sony Corp | Organic semiconductor device, and method of manufacturing the same |
JP2011044511A (en) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Hitachi Zosen Corp | Solar cell and method of manufacturing the same, and solar cell device |
US8183559B2 (en) | 2002-05-21 | 2012-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic field effect transistor |
US8629429B2 (en) | 2003-08-25 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrode device for organic device and electronic device having the same |
US8890404B2 (en) | 2002-08-09 | 2014-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
-
2000
- 2000-07-13 JP JP2000217214A patent/JP2002033193A/en active Pending
Cited By (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7420203B2 (en) | 2001-12-05 | 2008-09-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic semiconductor element |
US8941096B2 (en) | 2001-12-05 | 2015-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic semiconductor element |
US7956349B2 (en) | 2001-12-05 | 2011-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic semiconductor element |
US9312507B2 (en) | 2001-12-05 | 2016-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic semiconductor element |
US7473923B2 (en) | 2001-12-05 | 2009-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic semiconductor element |
US11217764B2 (en) | 2001-12-05 | 2022-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic semiconductor element |
US8183559B2 (en) | 2002-05-21 | 2012-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic field effect transistor |
CN100454567C (en) * | 2002-08-09 | 2009-01-21 | 株式会社半导体能源研究所 | Organic electroluminescence element |
KR100975779B1 (en) * | 2002-08-09 | 2010-08-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Organic electroluminescent device |
EP1388903A2 (en) * | 2002-08-09 | 2004-02-11 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
JP2004095549A (en) * | 2002-08-09 | 2004-03-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Organic electroluminescent element |
US7239081B2 (en) * | 2002-08-09 | 2007-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
US9209419B2 (en) | 2002-08-09 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
US8890404B2 (en) | 2002-08-09 | 2014-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
US9650245B2 (en) | 2002-08-09 | 2017-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
JP4493951B2 (en) * | 2002-08-09 | 2010-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Organic electroluminescent device |
EP1388903B1 (en) * | 2002-08-09 | 2016-03-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
US7199521B2 (en) | 2003-01-29 | 2007-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescence device |
US8207665B2 (en) | 2003-01-29 | 2012-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescence device |
US7548022B2 (en) | 2003-01-29 | 2009-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescence device |
EP1487030A3 (en) * | 2003-06-11 | 2006-02-15 | STMicroelectronics S.r.l. | IR-light emitters based on SWNTs (single walled carbon nanotubes): semiconducting SWNTs-light emitting diodes and lasers |
US8008102B2 (en) | 2003-06-11 | 2011-08-30 | Stmicroelectronics S.R.L. | Method of forming light emitting devices comprising semiconducting single walled carbon nanotubes |
US7329902B2 (en) | 2003-06-11 | 2008-02-12 | Stmicroelectronics S.R.L. | IR-light emitters based on SWNT's (single walled carbon nanotubes), semiconducting SWNTs-light emitting diodes and lasers |
US8629429B2 (en) | 2003-08-25 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrode device for organic device and electronic device having the same |
WO2005055672A1 (en) * | 2003-12-04 | 2005-06-16 | Rohm Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device |
KR100848151B1 (en) | 2006-02-25 | 2008-07-28 | 고려대학교 산학협력단 | Organic light emitting diode display panel and method for preparing the same |
KR100813248B1 (en) | 2006-03-09 | 2008-03-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | Electroluminescence device using nanorods |
US8476820B2 (en) | 2006-11-01 | 2013-07-02 | Wake Forest University | Solid state lighting compositions and systems |
WO2008143636A1 (en) * | 2006-11-01 | 2008-11-27 | Wake Forest University | Solid state lighting compositions and systems |
JP2010141161A (en) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Sony Corp | Organic semiconductor device, and method of manufacturing the same |
JP2011044511A (en) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Hitachi Zosen Corp | Solar cell and method of manufacturing the same, and solar cell device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2002033193A (en) | Oragnic light emitting element | |
TWI425693B (en) | Vertical drive and parallel drive organic light emitting crystal structure | |
JP3249297B2 (en) | Organic electroluminescent device | |
JP4972730B2 (en) | Organic semiconductor light emitting device and display device using the same | |
CN100485994C (en) | Organic electroluminescence device and fabrication method thereof | |
JP2008108439A (en) | Electroluminescent element and electroluminescent panel | |
KR20030011657A (en) | Light-Emitting Device and Display Device Employing Electroluminescence with no Light Leakage and Improved Light Extraction Efficiency | |
JP2011048962A (en) | Organic el display device | |
WO2016184265A1 (en) | Display substrate and production method and driving method therefor, and display device | |
JPH11329745A (en) | Luminescent element and laminated display element | |
JP2004192969A (en) | Organic el display device | |
TW201017876A (en) | Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof | |
JP2001217081A (en) | Organic light emitting display device | |
JP2004281085A (en) | Flexible organic el device and flexible organic el display | |
US20020158262A1 (en) | Organic electroluminescence unit | |
CN108987431A (en) | Dot structure and preparation method thereof | |
KR102284357B1 (en) | Transparent crystal display device | |
EP1520451A1 (en) | Electroluminescent device with improved light output | |
KR20070033702A (en) | Display | |
JP2006344606A (en) | Organic el element and light emitting device using it | |
KR20070105082A (en) | Dual el display device and fabricating method thereof | |
TWI364018B (en) | Organic el display apparatus and method of driving the same | |
KR100490536B1 (en) | Top emission type organic electro luminescence display device | |
KR20030001156A (en) | Organic electroluminescence device having multiple sheild cover plate | |
JPS63121296A (en) | Thin film light emitting device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060418 |