JP2002022993A - Method for manufacturing optical waveguide device - Google Patents

Method for manufacturing optical waveguide device

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JP2002022993A JP2000208580A JP2000208580A JP2002022993A JP 2002022993 A JP2002022993 A JP 2002022993A JP 2000208580 A JP2000208580 A JP 2000208580A JP 2000208580 A JP2000208580 A JP 2000208580A JP 2002022993 A JP2002022993 A JP 2002022993A
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宏 増田
Nobuo Miyadera
信生 宮寺
Toru Takahashi
亨 高橋
Masatoshi Yamaguchi
正利 山口
Toshihiro Kuroda
敏裕 黒田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing optical waveguide device in which a resin optical waveguide is mounted on an inorganic material substrate and is suitable for mass production. SOLUTION: This process has a first process step of forming a lower clad layer by a resin over the entire part of the top surface of the inorganic material substrate 1, a second process step of forming a plurality of the optical waveguides 4 of a predetermined shape made of the resin on the lower clad layer by longitudinally and transversely arraying the optical waveguide, a third process step of forming an upper clad layer covering the entire part of the top of the substrate 1 by the resin and a fourth process step of disconnecting the individual optical waveguides 4 by cutting the substrate 1 for every longitudinally and transversely arrayed optical waveguide. A removing process step of removing the lower clad layer and the upper clad layer to the form of belts 50 and 51 from the top of the substrate 1 along a position cut in the fourth step during the third step and the fourth step.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路に関し、
特に、無機材料基板の上に搭載された樹脂製の光導波路
に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to an optical waveguide,
In particular, the present invention relates to a resin optical waveguide mounted on an inorganic material substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年のパソコンやインターネットの普及
に伴い、情報伝送需要が急激に増大している。このた
め、伝送速度の速い光伝送を、パソコン等の末端の情報
処理装置まで普及させることが望まれている。これを実
現するには、光インターコネクション用に、高性能な光
導波路を、安価かつ大量に製造する必要がある。
2. Description of the Related Art With the spread of personal computers and the Internet in recent years, the demand for information transmission has rapidly increased. For this reason, it is desired that optical transmission with a high transmission speed be spread to terminal information processing devices such as personal computers. To achieve this, it is necessary to manufacture high-performance optical waveguides for optical interconnection at low cost and in large quantities.

【0003】光導波路の材料としては、ガラスや半導体
材料等の無機材料と、樹脂が知られている。無機材料に
より光導波路を製造する場合には、真空蒸着装置やスパ
ッタ装置等の成膜装置により無機材料膜を成膜し、これ
を所望の導波路形状にエッチングすることにより製造す
る方法が用いられる。しかしながら、真空蒸着装置やス
パッタ装置は、真空排気設備が必要であるため、装置が
大型で高価である。また、真空排気工程が必要であるた
め工程が複雑になる。これに対し、樹脂によって光導波
路を製造する場合には、成膜工程を、塗布と加熱により
大気圧中で行うことができるため、装置および工程が簡
単であるという利点がある。
As materials for optical waveguides, inorganic materials such as glass and semiconductor materials and resins are known. When an optical waveguide is manufactured from an inorganic material, a method is used in which an inorganic material film is formed by a film forming apparatus such as a vacuum evaporation apparatus or a sputtering apparatus, and the inorganic film is etched into a desired waveguide shape. . However, the vacuum evaporation apparatus and the sputtering apparatus require large-scale evacuation equipment, and are therefore large and expensive. In addition, since the evacuation step is required, the step becomes complicated. On the other hand, when an optical waveguide is manufactured using a resin, the film forming process can be performed at atmospheric pressure by coating and heating, and thus there is an advantage that the apparatus and the process are simple.

【0004】また、光導波路ならびにクラッド層を構成
する樹脂としては、種々のものが知られているが、ガラ
ス転移温度(Tg)が高く、耐熱性に優れるポリイミド
が特に期待されている。ポリイミドにより光導波路およ
びクラッド層を形成した場合、長期信頼性が期待でき、
半田付けにも耐えることができる。
Various resins are known as resins constituting the optical waveguide and the cladding layer. Polyimides having a high glass transition temperature (Tg) and excellent heat resistance are particularly expected. When the optical waveguide and cladding layer are formed of polyimide, long-term reliability can be expected,
It can withstand soldering.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】樹脂製の光導波路は、
一般的には、基板上に、樹脂製の下部クラッド層、光導
波路層および上部クラッド層を積層することにより構成
される。このような光導波路を量産するためには、基板
としてウエハ状等の大きなのものを用い、多数の光導波
路を基板上に配列して一度に成膜およびパターニングし
た後、基板をダイシング等により切り分けることによ
り、個々の光導波路デバイスとする手法を用いることが
できる。基板は、精度良く平滑な面を有するものが入手
しやすいという点で、Si基板、石英基板、ガラス基板
等の無機材料基板が用いられることが多い。これらの無
機材料と樹脂とが積層された構造を、量産時にダイシン
グにより個々の光導波路デバイスに切り分ける場合、ダ
イシングブレードは、無機材料と樹脂層とを両方切断し
なければならない。しかしながら、ダイシングブレード
として無機材料の切削に適した目の粗いものを用いる
と、樹脂がダイシングブレードの砥粒と砥粒との間に詰
まり、切削面が荒れてしまうという問題が生じる。ま
た、ダイシング時に樹脂層のクラッド層や光導波路層の
切削面に、応力が集中し、さらに切削時には樹脂に力が
加わるため端面からこれらの層が剥がれやすくなるとい
う問題も生じる。一方、ダイシングブレードとして、樹
脂層の切削に適したものを用いると、無機材料基板の切
削が遂行できないという問題が生じる。
The optical waveguide made of resin is:
Generally, it is constituted by laminating a resin lower clad layer, an optical waveguide layer and an upper clad layer on a substrate. In order to mass-produce such an optical waveguide, a large substrate such as a wafer is used as a substrate, and a large number of optical waveguides are arranged on the substrate, formed and patterned at a time, and then the substrate is cut by dicing or the like. In this way, it is possible to use a method for forming individual optical waveguide devices. As the substrate, an inorganic material substrate such as a Si substrate, a quartz substrate, or a glass substrate is often used because a substrate having a smooth surface with high accuracy is easily available. When a structure in which the inorganic material and the resin are laminated is cut into individual optical waveguide devices by dicing during mass production, the dicing blade must cut both the inorganic material and the resin layer. However, when a coarse dicing blade suitable for cutting an inorganic material is used as a dicing blade, there is a problem that the resin is clogged between the abrasive grains of the dicing blade and the cut surface becomes rough. Further, stress is concentrated on the cut surface of the cladding layer of the resin layer or the optical waveguide layer at the time of dicing, and a force is applied to the resin at the time of cutting, so that there is a problem that these layers are easily peeled off from the end face. On the other hand, if a dicing blade suitable for cutting the resin layer is used, a problem arises in that the inorganic material substrate cannot be cut.

【0006】また、樹脂製の光導波路の端面を研磨で仕
上げる場合、研磨剤や異物が樹脂層の上面に付着した
り、洗浄時に樹脂層の上面に傷が付く等の問題が発生し
ている。
[0006] Further, when the end face of the resin optical waveguide is finished by polishing, there are problems such as that an abrasive or a foreign substance adheres to the upper surface of the resin layer, and that the upper surface of the resin layer is damaged during cleaning. .

【0007】本発明では、無機材料基板上に樹脂製光導
波路を搭載した光導波路デバイスの製造方法であって、
量産に適した光導波路デバイスの製造方法を提供するこ
とを目的とする。
According to the present invention, there is provided a method for manufacturing an optical waveguide device in which a resin optical waveguide is mounted on an inorganic material substrate,
An object is to provide a method for manufacturing an optical waveguide device suitable for mass production.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によれば、以下のような光導波路デバイスの
製造方法が提供される。
According to the present invention, there is provided a method of manufacturing an optical waveguide device as described below.

【0009】すなわち、無機材料基板の上面全体に、下
部クラッド層を樹脂により形成する第1の工程と、前記
下部クラッド層の上に、樹脂製の予め定めた形状の光導
波路(コア)を複数個縦横に配列して形成する第2の工
程と、前記基板の上面全体を覆う上部クラッド層を樹脂
により形成する第3の工程と、前記縦横に配列された光
導波路ごとに前記基板を切断することにより、個々の前
記光導波路を切り離す第4の工程とを有し、前記第3の
工程と第4の工程との間に、前記第4の工程で切断され
る位置に沿って、前記下部クラッド層および上部クラッ
ド層を前記基板上から帯状に除去する除去工程を行うこ
とを特徴とする光導波路デバイスの製造方法である。
That is, a first step of forming a lower cladding layer of a resin on the entire upper surface of an inorganic material substrate, and a plurality of resin-made optical waveguides (cores) of a predetermined shape on the lower cladding layer. A second step of forming the upper clad layer covering the entire upper surface of the substrate with a resin, and a step of cutting the substrate for each of the optical waveguides arranged in the vertical and horizontal directions. A fourth step of separating the individual optical waveguides, and between the third step and the fourth step, along the position cut in the fourth step, the lower part A method for manufacturing an optical waveguide device, comprising performing a stripping step of stripping a clad layer and an upper clad layer from the substrate.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態について説
明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described.

【0011】まず、本発明の第1の実施の形態の製造方
法により製造される光導波路デバイス100の構成を図
3、図4を用いて説明する。光導波路デバイス100
は、Si基板1の上に、光導波路積層体10を備え、光
導波路積層体10が配置されていない領域に電極部7が
配置された構成である。
First, the configuration of an optical waveguide device 100 manufactured by the manufacturing method according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. Optical waveguide device 100
Has a configuration in which an optical waveguide laminate 10 is provided on a Si substrate 1 and an electrode portion 7 is arranged in a region where the optical waveguide laminate 10 is not arranged.

【0012】光導波路積層体10は、シリコン基板1の
上に配置された下部クラッド層3と、その上に搭載され
た光導波路4と、光導波路4を埋め込む上部クラッド層
5と、保護層9とを含んでいる。
The optical waveguide laminate 10 comprises a lower cladding layer 3 disposed on a silicon substrate 1, an optical waveguide 4 mounted thereon, an upper cladding layer 5 for embedding the optical waveguide 4, and a protective layer 9 And

【0013】下部クラッド層3および上部クラッド層5
は、いずれも、日立化成工業株式会社製OPI−N10
05(商品名)を用いて形成したポリイミド膜からな
る。下部クラッド層3の膜厚は、約6μm、上部クラッ
ド層5の膜厚は、下部クラッド層表面から約12μmで
ある。光導波路4は、日立化成工業株式会社製OPI−
N3205(商品名)を用いて形成したポリイミド膜か
らなり、その膜厚は約6μmで、光導波路4の幅は約6
μmであるある。保護層9は、日立化成デュポンマイク
ロシステムズ株式会社製PIX−6400(商品名)を
用いて形成したポリイミド膜であり、その膜厚は、光導
波路4から離れた端部の部分で約5μmである。
Lower cladding layer 3 and upper cladding layer 5
Are all OPI-N10 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.
05 (trade name). The thickness of the lower cladding layer 3 is about 6 μm, and the thickness of the upper cladding layer 5 is about 12 μm from the surface of the lower cladding layer. The optical waveguide 4 is an OPI- manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.
A polyimide film formed by using N3205 (trade name), the film thickness is about 6 μm, and the width of the optical waveguide 4 is about 6 μm.
μm. The protective layer 9 is a polyimide film formed using PIX-6400 (trade name) manufactured by Hitachi Chemical DuPont Microsystems Co., Ltd. The film thickness is about 5 μm at an end portion away from the optical waveguide 4. .

【0014】電極部7は、シリコン基板1の上に配置さ
れている。電極は、発光素子、発光素子の出力をモニタ
する受光素子、受光素子等を搭載するための電極であ
る。
The electrode section 7 is arranged on the silicon substrate 1. The electrodes are electrodes for mounting a light emitting element, a light receiving element for monitoring the output of the light emitting element, a light receiving element, and the like.

【0015】つぎに、本実施の形態の光導波路デバイス
の製造方法について、図1(a)〜(c)、図2
(d)、(e)、図5、図6(a)〜(d)、図7を用
いて説明する。
Next, a method of manufacturing the optical waveguide device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.
(D), (e), FIG. 5, FIG. 6 (a) to (d), and FIG.

【0016】ここでは、基板1として直径約12.7c
mのシリコンウエハを用意し、この基板1の上に図3の
構造を多数配列して形成し、後の工程でダイシングによ
り切り離して、多数の図3の光導波路デバイス100を
一度に製造する。なお、図1(a)〜(c)および図2
(d),(e)は、図示の都合上、ウエハ状の基板1の
うち、一つの光導波路デバイス100となる一部分のみ
を切り出した状態で図示している。また、成膜やパター
ニング等は、ウエハ状の基板1全体で一度に行う。
Here, the substrate 1 has a diameter of about 12.7c.
3 are formed on the substrate 1 by arranging a large number of the structures shown in FIG. 3 and then separated by dicing in a later step to manufacture a large number of the optical waveguide devices 100 shown in FIG. 1 (a) to 1 (c) and FIG.
(D) and (e) show only a part of the wafer-like substrate 1 which is to be one optical waveguide device 100, for convenience of illustration. Further, film formation, patterning, and the like are performed at once on the entire wafer-shaped substrate 1.

【0017】まず、ウエハ状の基板1の上面全体に、金
属膜を成膜してパターニングすることにより、図1
(a)のように電極7を形成する。
First, a metal film is formed on the entire upper surface of a wafer-like substrate 1 and patterned to obtain a structure shown in FIG.
The electrode 7 is formed as shown in FIG.

【0018】つぎに、基板1の上面全体に前述のOPI
−N1005をスピン塗布して材料溶液膜を形成する。
その後、乾燥器で100℃で30分、次いで、200℃
で30分加熱することにより溶媒を蒸発させ、続けて3
70℃で60分加熱することにより硬化させ、厚さ6μ
mの下部クラッド層3を形成する(図1(b))。
Next, the above-described OPI
-N1005 is spin-coated to form a material solution film.
Then, at 100 ° C for 30 minutes in a drier, then 200 ° C
The solvent is evaporated by heating for 30 minutes at
Cured by heating at 70 ° C for 60 minutes, thickness 6μ
Then, the lower clad layer 3 having a thickness of m is formed (FIG. 1B).

【0019】この下部クラッド層3の上に、前述のOP
I−N3205をスピン塗布して材料溶液膜を形成す
る。その後、乾燥器で100℃で30分、次いで、20
0℃で30分加熱することにより溶媒を蒸発させ、続け
て350℃で60分加熱することにより硬化を行い、光
導波路4となる厚さ6μmのポリイミド膜を形成する。
つぎに、このポリイミド膜をフォトリソグラフィにより
光導波路4の形状にパターニングする。具体的には、光
導波路4となるポリイミド層の上にレジストをスピン塗
布し、乾燥後、水銀ランプでマスク像を露光する。つぎ
に、レジストを現像し、レジストパターン層を形成す
る。このレジストパターン層は、前述のポリイミド膜を
光導波路4の形状に加工するためのマスクとして用いら
れる。このレジストパターン層をマスクとして、前述の
ポリイミド層を酸素でリアクティブイオンエッチング
(O2−R1E)することにより、光導波路4を基板1
上に多数配列して形成することができる(図1
(c))。その後、レジストパターン層を剥離する。
On the lower cladding layer 3, the above-mentioned OP
A material solution film is formed by spin coating I-N3205. Then, it was dried at 100 ° C. for 30 minutes,
The solvent is evaporated by heating at 0 ° C. for 30 minutes, and then cured by heating at 350 ° C. for 60 minutes to form a 6 μm thick polyimide film to be the optical waveguide 4.
Next, this polyimide film is patterned into the shape of the optical waveguide 4 by photolithography. Specifically, a resist is spin-coated on the polyimide layer to be the optical waveguide 4, dried, and then exposed to a mask image using a mercury lamp. Next, the resist is developed to form a resist pattern layer. This resist pattern layer is used as a mask for processing the above-described polyimide film into the shape of the optical waveguide 4. By using the resist pattern layer as a mask, the above-mentioned polyimide layer is subjected to reactive ion etching (O 2 -R1E) with oxygen, whereby the optical waveguide 4 is formed on the substrate 1.
It can be formed by arranging a large number on the
(C)). After that, the resist pattern layer is peeled off.

【0020】つぎに、光導波路4および下部クラッド層
3を覆うように、OPI−N1005をスピン塗布す
る。得られた材料溶液膜を、乾燥器で100℃で30
分、次いで、200℃で30分加熱して材料溶液膜中の
溶媒を蒸発させ、350℃で60分加熱することにより
ポリイミド膜の上部クラッド層5を形成する(図2
(d))。
Next, OPI-N1005 is spin-coated so as to cover the optical waveguide 4 and the lower cladding layer 3. The obtained material solution film is dried in an oven at 100 ° C. for 30 minutes.
And then heated at 200 ° C. for 30 minutes to evaporate the solvent in the material solution film, and heated at 350 ° C. for 60 minutes to form an upper clad layer 5 of a polyimide film.
(D)).

【0021】さらに、上部クラッド層5の上面に、PI
X−6400をスピン塗布し、乾燥器で100℃で30
分、200℃で30分加熱して溶媒を蒸発させ、続け
て、350℃で60分加熱して、上面がほぼ平坦な厚さ
5μmのポリイミド膜の保護層9を得る。
Further, on the upper surface of the upper cladding layer 5, a PI
X-6400 is spin-coated and dried in a dryer at 100 ° C. for 30 minutes.
After heating at 200 ° C. for 30 minutes to evaporate the solvent, and subsequently heating at 350 ° C. for 60 minutes, a protective layer 9 of a 5 μm thick polyimide film having a substantially flat upper surface is obtained.

【0022】つぎに、ウエハ状の基板1に光導波路4が
配列されている方向に沿って、電極部7の両脇すなわち
電極部7と光導波路積層体10との境界に、ダイシング
により2本の平行な切り込みを入れ、電極部7の上部の
光導波路積層体10を基板1から帯状に図5のように剥
がす。このとき、ダイシングによる切り込みの深さは、
光導波路積層体10は切り離されるが、基板1は切り離
さない深さにする。よって、この時点では基板1は図5
のようにウエハ状のままである。また、このときのダイ
シングは、樹脂層の光導波路積層体10を切断するので
あるのから、ダイシングブレードとしては樹脂の切断に
適した粗さのブレードを用いる。よって、ダイシングブ
レードに目詰まり等の不都合は生じない。このように帯
状に光導波路積層体10を除去して電極露出ライン50
を形成することにより、基板1上の電極部7の領域で
は、電極部7とシリコン基板1が露出される。また、光
導波路積層体10は、光導波路4の端面が電極部7に向
けて露出される図2(e)の形状となる。
Next, along the direction in which the optical waveguides 4 are arranged on the wafer-like substrate 1, two wires are formed by dicing on both sides of the electrode portion 7, that is, at the boundary between the electrode portion 7 and the optical waveguide laminate 10. Are cut in parallel, and the optical waveguide laminate 10 above the electrode portion 7 is stripped off from the substrate 1 as shown in FIG. At this time, the depth of cut by dicing is
The optical waveguide laminate 10 is separated, but the substrate 1 is set to a depth that does not separate. Therefore, at this time, the substrate 1 is
And remains in the shape of a wafer. Since the dicing at this time cuts the optical waveguide laminate 10 of the resin layer, a blade having a roughness suitable for cutting the resin is used as the dicing blade. Therefore, inconvenience such as clogging of the dicing blade does not occur. In this manner, the striped optical waveguide laminate 10 is removed, and the electrode exposure line 50 is removed.
In the region of the electrode portion 7 on the substrate 1, the electrode portion 7 and the silicon substrate 1 are exposed. Further, the optical waveguide laminate 10 has a shape shown in FIG. 2E in which the end face of the optical waveguide 4 is exposed toward the electrode portion 7.

【0023】つぎに、露出された電極部7に、所望の形
状のAu/Snはんだ層を形成する。つぎに、ウエハ状
の基板1に光導波路4が配列されている方向に沿って、
隣接する光導波路4と光導波路4との境界の下部クラッ
ド層3、上部クラッド層5および保護層9を予め定めた
幅の帯状に取り除き、スクライブライン51を形成す
る。スクライブライン51は、先の工程で形成した電極
露出ライン50に対して図5のように直交している。こ
のスクライブライン51の形成は、スクライブライン5
1以外の部分をレジストや金属膜によりマスクし、酸素
ガスを用いたドライエッチングまたは酸素ガスを用いた
プラズマアッシングにより下部クラッド層3、上部クラ
ッド層5および保護層9を除去することにより行う。ス
クライブライン51が設けられている位置は、後述する
光導波路デバイス100を個片化する工程(図6
(c))でダイシングにより切削される位置である。ス
クライブライン51の幅は、図6(c)のダイシング工
程に用いるダイシングブレードの幅よりも広くなるよう
に設定する。ここでは、図6(c)でダイシングブレー
ドとして幅100μmのものを用いるため、スクライブ
ライン51の幅を300μmとしている。
Next, a Au / Sn solder layer having a desired shape is formed on the exposed electrode portion 7. Next, along the direction in which the optical waveguides 4 are arranged on the wafer-like substrate 1,
The scribe line 51 is formed by removing the lower clad layer 3, the upper clad layer 5, and the protective layer 9 at the boundary between the adjacent optical waveguides 4 into strips having a predetermined width. The scribe line 51 is orthogonal to the electrode exposure line 50 formed in the previous step, as shown in FIG. The formation of the scribe line 51 is based on the scribe line 5
Masking is performed on portions other than 1 with a resist or a metal film, and the lower clad layer 3, the upper clad layer 5, and the protective layer 9 are removed by dry etching using oxygen gas or plasma ashing using oxygen gas. The position where the scribe line 51 is provided is determined by the step of dividing the optical waveguide device 100 described later (FIG. 6).
(C) is a position to be cut by dicing. The width of the scribe line 51 is set to be wider than the width of the dicing blade used in the dicing step in FIG. Here, since the dicing blade having a width of 100 μm is used in FIG. 6C, the width of the scribe line 51 is set to 300 μm.

【0024】つぎに、ウエハ状の基板1をダイシングに
より図6(a)のように切削し、基板1を短冊状に切り
出す。このときダイシングにより切削される位置は、電
極露出ライン50の位置である。
Next, the wafer-like substrate 1 is cut by dicing as shown in FIG. 6A, and the substrate 1 is cut into strips. At this time, the position cut by dicing is the position of the electrode exposure line 50.

【0025】つぎに、図6(b)のように短冊状の基板
1の上面にコート材を塗布し、光導波路積層体10およ
び電極部7をコート材の膜で被覆する。このコート材の
膜は、この後の側面11の研磨工程において、光導波路
積層体10や電極部7に、研磨剤や異物が付着したり、
洗浄時に傷が付いたりするのを防止する作用をする。こ
こでは、コート材として、日化精工株式会社製スカイコ
ートNAR−3011(商品名)を用いる。図7のよう
に光導波路積層体10および電極部7の上部にコート材
をスプレーする方法や、スピンコートで光導波路積層体
10および電極部7の上面全体に塗り広げる方法を用い
ることができる。
Next, as shown in FIG. 6B, a coating material is applied to the upper surface of the strip-shaped substrate 1, and the optical waveguide laminate 10 and the electrode portion 7 are covered with a film of the coating material. In the subsequent polishing process of the side surface 11, the coating material film may cause abrasives or foreign substances to adhere to the optical waveguide laminate 10 or the electrode portion 7,
It acts to prevent scratches during cleaning. Here, Skycoat NAR-3011 (trade name) manufactured by Nikka Seiko Co., Ltd. is used as the coating material. As shown in FIG. 7, a method of spraying a coating material on the optical waveguide laminate 10 and the electrode portion 7 or a method of spreading the entire surface of the optical waveguide laminate 10 and the electrode portion 7 by spin coating can be used.

【0026】つぎに、図6(b)の短冊状の基板1の側
面11に研磨処理を施し、光導波路4の端面を研磨す
る。このとき、光導波路積層体10および電極部7の上
面は、コート材により保護されているので、研磨材や異
物が付着したり、傷が付いたりすることはない。
Next, the side surface 11 of the strip-shaped substrate 1 shown in FIG. 6B is polished, and the end surface of the optical waveguide 4 is polished. At this time, since the upper surfaces of the optical waveguide laminate 10 and the electrode portion 7 are protected by the coating material, there is no possibility that an abrasive or a foreign substance adheres or is damaged.

【0027】つぎに、短冊状の基板1をスクライブライ
ン51に沿ってダイシングにより切り出し、光導波路デ
バイス100を完成させる(図6(c)、(d))。こ
のとき、スクライブライン51は、図8(a)のように
上部および下部クラッド層3,5と保護層9の樹脂層は
除去されているため、ダイシングブレードが切削するの
はSi基板1である。よって、ダイシングブレードとし
てはSi基板1の切削に適したものを用いることができ
る。また、スクライブライン51の幅はダイシングブレ
ードの幅よりも広いため、ダイシングブレードは、図8
(b)のように上部および下部クラッド層3,5等の樹
脂層に触れないため、ダイシングブレードが樹脂によっ
て目詰まりを起こすこともない。また、上部および下部
クラッド層3,5等の端面にダイシング時に応力が加わ
ることがないため、切削部から上部および下部クラッド
層3,5が膜剥がれを起こすおそれもない。よって、効
率よく、しかも、精密に基板1を切削して、光導波路デ
バイス100を個片化することができる。コート材は、
個片化後にアルコール洗浄等で剥がす。
Next, the strip-shaped substrate 1 is cut out along the scribe lines 51 by dicing to complete the optical waveguide device 100 (FIGS. 6C and 6D). At this time, since the scribe line 51 has the resin layers of the upper and lower cladding layers 3 and 5 and the protective layer 9 removed as shown in FIG. 8A, it is the Si substrate 1 that the dicing blade cuts. . Therefore, a dicing blade suitable for cutting the Si substrate 1 can be used. Since the width of the scribe line 51 is wider than the width of the dicing blade, the dicing blade is
Since the resin layer such as the upper and lower clad layers 3 and 5 is not touched as shown in FIG. 3B, the dicing blade is not clogged with the resin. Further, since no stress is applied to the end surfaces of the upper and lower clad layers 3, 5 and the like at the time of dicing, there is no possibility that the upper and lower clad layers 3, 5 are peeled from the cut portion. Therefore, the substrate 1 can be efficiently and precisely cut to singulate the optical waveguide device 100. The coating material is
After singulation, peel off by alcohol washing or the like.

【0028】比較例として、スクライブライン51を形
成せずに、他の工程は本実施の形態と同様にして基板1
をダイシングして個片化した。ダイシングブレードとし
てはSi基板1の切削に適したものを用いた。この場
合、ダイシングブレードは、図8(c)のように下部お
よび上部クラッド層3,5等の樹脂層と基板1とを同時
に切削することになるため、ダイシングブレードが樹脂
によって目詰まりを起こし、切削面に荒れが生じた。ま
た、切削時に樹脂に力が加わるため、下部および上部ク
ラッド層3,5等の端部が剥がれやすくなる現象が生じ
た。
As a comparative example, the substrate 1 was formed in the same manner as in this embodiment except that the scribe line 51 was not formed.
Was diced into individual pieces. A dicing blade suitable for cutting the Si substrate 1 was used. In this case, the dicing blade cuts the resin layers such as the lower and upper cladding layers 3 and 5 and the substrate 1 at the same time as shown in FIG. 8C, so that the dicing blade is clogged with the resin, The cutting surface became rough. Further, since a force is applied to the resin at the time of cutting, a phenomenon occurs in which the end portions of the lower and upper clad layers 3, 5 and the like are easily peeled off.

【0029】このように、本実施の形態で製造する光導
波路デバイス100は、無機材料基板1の上に、樹脂層
の光導波路積層体10を搭載し、予め帯状に樹脂を除去
したラインを形成した無機材料/樹脂の構造であるた
め、無機材料/樹脂/無機材料の構造であっても、ダイ
シングにより切り出す部分について、下部および上部ク
ラッド層3,5等の樹脂層を予め帯状に取り除いておく
ことにより、ダイシングによる切り出しを滑らかにかつ
効率よく行うことができる。よって、本実施の形態の製
造方法を用いることにより、樹脂製の高精度な光導波路
デバイスを効率よく量産することができる。
As described above, in the optical waveguide device 100 manufactured in the present embodiment, the optical waveguide laminate 10 of the resin layer is mounted on the inorganic material substrate 1 and a line is formed in which the resin is removed in a strip shape in advance. Because of the structure of the inorganic material / resin described above, even in the structure of the inorganic material / resin / inorganic material, the resin layers such as the lower and upper clad layers 3 and 5 are previously removed in a strip shape from the portions cut out by dicing. This makes it possible to cut out by dicing smoothly and efficiently. Therefore, by using the manufacturing method of the present embodiment, a high-precision optical waveguide device made of resin can be efficiently mass-produced.

【0030】また、本実施の形態では、光導波路4の端
面を研磨処理する工程を含んでいるが、研磨時に光導波
路積層体10の上面および電極部7の上面をコート材に
よりコートしておくことにより、光導波路積層体10お
よび電極部7に異物が付着したり傷が生じたりすること
がない。これらに異物が付着したり傷が生じると、光導
波路の伝搬特性に影響を与えたり、傷や異物の部分から
耐食性が劣化するおそれがあるが、本実施の形態では、
清浄で傷のない上面となるため、性能の安定した光導波
路デバイスを量産することができる。
Although the present embodiment includes a step of polishing the end face of the optical waveguide 4, the upper surface of the optical waveguide laminate 10 and the upper surface of the electrode portion 7 are coated with a coating material during polishing. This prevents foreign matter from adhering to the optical waveguide laminate 10 and the electrode portion 7 and causing no damage. If a foreign substance adheres or scratches on these, it may affect the propagation characteristics of the optical waveguide, or the corrosion resistance may be degraded from the scratches or the foreign matter, but in the present embodiment,
Since the upper surface is clean and free from scratches, an optical waveguide device having stable performance can be mass-produced.

【0031】なお、第1の実施の形態では、電極露出ラ
イン50をダイシングにより形成し、スクライブライン
51をドライエッチングまたはアッシングにより形成し
たが、電極露出ライン50とスクライブライン51を、
酸素ガスを用いたドライエッチングにより一度に形成す
ることもできる。これ以外の工程は、第1の実施の形態
と同じにする。このように、電極露出ライン50とスク
ライブライン51を同一工程で一度に形成することによ
り、第1の実施の形態よりも製造工程を簡略化できると
いう効果が得られる。
In the first embodiment, the electrode exposing lines 50 are formed by dicing, and the scribe lines 51 are formed by dry etching or ashing.
It can also be formed at once by dry etching using oxygen gas. Other steps are the same as those in the first embodiment. As described above, by forming the electrode exposure line 50 and the scribe line 51 at the same time at the same time, an effect that the manufacturing process can be simplified as compared with the first embodiment can be obtained.

【0032】また、スクライブライン51をダイシング
により形成することもできる。この場合、スクライブラ
イン51の幅が広いときには、電極露出ライン50と同
様にスクライブライン51の両脇に切り込みを入れ、下
部および上部クラッド層3,5を剥がすことにより形成
することができる。また、スクライブライン51の幅と
同じ厚さのダイシングブレードにより、下部および上部
クラッド層3,5を切削してスクライブライン51を形
成することも可能である。
Further, the scribe line 51 can be formed by dicing. In this case, when the width of the scribe line 51 is wide, it can be formed by making cuts on both sides of the scribe line 51 like the electrode exposure line 50 and peeling off the lower and upper clad layers 3 and 5. Alternatively, the scribe line 51 can be formed by cutting the lower and upper clad layers 3 and 5 with a dicing blade having the same thickness as the width of the scribe line 51.

【0033】上述してきた本実施の形態で製造される光
導波路デバイス100は、下部クラッド層3から保護層
9まで全ての層をポリイミドで形成しているため、Tg
が高く、耐熱性にすぐれている。よって、本実施の形態
の光導波路デバイスは、高温になっても伝搬特性を維持
できる。また、ポリイミドは、半田付け等の高温工程に
も耐えることができるため、光導波路デバイスの上にさ
らに別の光導波路デバイスや電気回路素子や受発光素子
をはんだ付けすることも可能である。
In the optical waveguide device 100 manufactured in the above-described embodiment, since all layers from the lower cladding layer 3 to the protective layer 9 are formed of polyimide, Tg
With high heat resistance. Therefore, the optical waveguide device of the present embodiment can maintain the propagation characteristics even at a high temperature. Further, since polyimide can withstand a high-temperature process such as soldering, it is possible to solder another optical waveguide device, an electric circuit element, or a light emitting / receiving element on the optical waveguide device.

【0034】本実施の形態の光導波路デバイス100
は、無機材料基板1上に樹脂製の光導波路積層体10を
搭載した無機材料/樹脂の積層構造でありながら、ダイ
シング部分の樹脂層を予め取り除いておく製造方法を用
いることにより、効率良くダイシングでき、しかも、ダ
イシング時に樹脂層に力を与えない。よって、本実施の
形態の優れた光学特性を有する光導波路デバイスを低コ
ストに量産することができる。
Optical waveguide device 100 of the present embodiment
Is efficient in dicing by using a manufacturing method in which a resin layer in a dicing portion is removed in advance while having a laminated structure of inorganic material / resin in which a resin optical waveguide laminate 10 is mounted on an inorganic material substrate 1. In addition, no force is applied to the resin layer during dicing. Therefore, it is possible to mass-produce the optical waveguide device having excellent optical characteristics according to the present embodiment at low cost.

【0035】[0035]

【発明の効果】上述してきたように、本発明によれば、
無機材料基板上に樹脂製光導波路を搭載した光導波路デ
バイスの製造方法であって、量産に適した光導波路デバ
イスの製造方法を提供することができる。
As described above, according to the present invention,
A method for manufacturing an optical waveguide device in which a resin optical waveguide is mounted on an inorganic material substrate, and a method for manufacturing an optical waveguide device suitable for mass production can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 (a)〜(c)は、本発明の一実施の形態の
模式化した光導波路デバイスの製造方法を示す切り欠き
斜視図である。
FIGS. 1A to 1C are cutaway perspective views showing a schematic method for manufacturing an optical waveguide device according to an embodiment of the present invention.

【図2】 (d)、(e)は、本発明の一実施の形態の
模式化した光導波路デバイスの製造方法を示す切り欠き
斜視図である。
FIGS. 2D and 2E are cutaway perspective views illustrating a method for manufacturing a schematic optical waveguide device according to an embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の一実施の形態の製造方法で製造した
模式化した光導波路デバイスの構成を示す斜視図であ
る。
FIG. 3 is a perspective view illustrating a configuration of a schematic optical waveguide device manufactured by a manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

【図4】 図3の光導波路デバイスのA−A’断面図で
ある。
FIG. 4 is a cross-sectional view of the optical waveguide device taken along line AA ′ of FIG. 3;

【図5】 本発明の一実施の形態の光導波路デバイスの
製造方法において電極露出ライン50とスクライブライ
ン51を形成する工程を示す上面図である。
FIG. 5 is a top view showing a step of forming an electrode exposure line 50 and a scribe line 51 in the method for manufacturing an optical waveguide device according to one embodiment of the present invention.

【図6】 (a)は、本発明の一実施の形態の光導波路
デバイスの製造方法においてウエハ状の基板1を短冊状
に切り出すダイシング位置を示すため基板1の上面図と
部分断面図であり、(b)は、短冊状の基板1の状態を
示す上面図と断面図であり、(c)は、短冊状の基板1
を個片にするダイシング位置を示す上面図であり、
(d)は、個片にされた光導波路デバイスを示す上面図
である。
FIG. 6A is a top view and a partial cross-sectional view of the substrate 1 showing a dicing position at which the wafer-like substrate 1 is cut into strips in the method for manufacturing an optical waveguide device according to one embodiment of the present invention. (B) is a top view and a cross-sectional view showing the state of the strip-shaped substrate 1, and (c) is a view showing the state of the strip-shaped substrate 1.
It is a top view showing a dicing position where the
(D) is a top view showing the individualized optical waveguide device.

【図7】 本発明の一実施の形態の光導波路デバイスの
製造方法において、短冊状に切り出された基板1上にコ
ート材を塗布する工程を示す説明図である。
FIG. 7 is an explanatory view showing a step of applying a coating material on the substrate 1 cut into strips in the method for manufacturing an optical waveguide device according to one embodiment of the present invention.

【図8】 (a)は、本発明の一実施の形態の光導波路
デバイスの製造方法においてダイシングの工程を示すB
−B’断面図であり、(b)は、上面から見たダイシン
グブレードとスクライブライン51との位置関係を示す
説明図であり、(c)は比較例のスクライブライン51
がない場合のダイシングブレードと樹脂層との関係を示
す説明図である。
FIG. 8A is a diagram illustrating a dicing process in a method of manufacturing an optical waveguide device according to an embodiment of the present invention;
FIG. 4B is a cross-sectional view, FIG. 4B is an explanatory diagram showing a positional relationship between the dicing blade and the scribe line 51 viewed from the top, and FIG. 4C is a scribe line 51 of a comparative example.
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a relationship between a dicing blade and a resin layer when no dicing blade is provided.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・シリコン基板 3・・・下部クラッド層 4・・・光導波路 5・・・上部クラッド層 7・・・電極部 9・・・保護層 10・・・光導波路積層体 50・・・電極露出ライン 51・・・スクライブライン 100・・・光導波路デバイス DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Silicon substrate 3 ... Lower clad layer 4 ... Optical waveguide 5 ... Upper clad layer 7 ... Electrode part 9 ... Protective layer 10 ... Optical waveguide laminated body 50 ... Electrode exposure line 51: scribe line 100: optical waveguide device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 亨 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社総合研究所内 (72)発明者 山口 正利 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社総合研究所内 (72)発明者 黒田 敏裕 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社総合研究所内 Fターム(参考) 2H047 KA04 MA07 PA24 PA26 PA28 QA02 QA04 QA07 TA41  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Tohru Takahashi 48 Wadai, Tsukuba, Ibaraki Prefecture Within Hitachi Chemical Co., Ltd. (72) Inventor Masatoshi Yamaguchi 48 Wadai, Tsukuba, Ibaraki Prefecture Hitachi Chemical Co., Ltd. In-house (72) Inventor Toshihiro Kuroda 48 Wadai, Tsukuba-shi, Ibaraki F-term in Hitachi Chemical Co., Ltd. Research Laboratory 2H047 KA04 MA07 PA24 PA26 PA28 QA02 QA04 QA07 TA41

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 無機材料基板の上面全体に、下部クラッ
ド層を樹脂により形成する第1の工程と、 前記下部クラッド層の上に、樹脂製の予め定めた形状の
光導波路を複数個縦横に配列して形成する第2の工程
と、 前記基板の上面全体を覆う上部クラッド層を樹脂により
形成する第3の工程と、 前記縦横に配列された光導波
路ごとに前記基板を切断することにより、個々の前記光
導波路を切り離す第4の工程とを有し、 前記第3の工程と第4の工程との間に、前記第4の工程
で切断される位置に沿って、前記下部クラッド層および
上部クラッド層を前記基板上から帯状に除去する除去工
程を行うことを特徴とする光導波路デバイスの製造方
法。
1. A first step of forming a lower cladding layer of a resin on the entire upper surface of an inorganic material substrate, and a plurality of optical waveguides of a predetermined shape made of resin are vertically and horizontally formed on the lower cladding layer. A second step of forming an array, a third step of forming an upper clad layer covering the entire upper surface of the substrate with a resin, and cutting the substrate for each of the optical waveguides arranged vertically and horizontally, A fourth step of separating the individual optical waveguides, wherein between the third step and the fourth step, the lower clad layer and A method for manufacturing an optical waveguide device, comprising: performing a stripping step of stripping an upper clad layer from above the substrate.
【請求項2】 請求項1に記載の光導波路デバイスの製
造方法において、前記第4の工程は、 前記切断をダイシングブレードを用いるダイシングによ
って行い、前記除去工程で除去する帯状部分の幅は、前
記ダイシングブレードの厚さよりも広いことを特徴とす
る光導波路デバイスの製造方法。
2. The method of manufacturing an optical waveguide device according to claim 1, wherein in the fourth step, the cutting is performed by dicing using a dicing blade, and the width of the strip portion to be removed in the removing step is A method for manufacturing an optical waveguide device, wherein the thickness is larger than the thickness of a dicing blade.
【請求項3】 請求項2に記載の光導波路デバイスの製
造方法において、前記第4の工程は、前記ダイシングブ
レードが、前記下部および上部クラッド層に接触しない
ように行われることを特徴とする光導波路デバイスの製
造方法。
3. The method of manufacturing an optical waveguide device according to claim 2, wherein the fourth step is performed so that the dicing blade does not contact the lower and upper clad layers. Manufacturing method of waveguide device.
【請求項4】 請求項2に記載の光導波路デバイスの製
造方法において、前記除去工程は、ダイシングブレード
を用いたダイシングにより、前記除去すべき帯状部の前
記下部および上部クラッド層に対して切り込みを入れた
後、前記下部および上部クラッド層を前記基板から剥が
すことによって行われることを特徴とする光導波路デバ
イスの製造方法。
4. The method of manufacturing an optical waveguide device according to claim 2, wherein the removing step cuts the lower and upper clad layers of the strip to be removed by dicing using a dicing blade. A method of manufacturing an optical waveguide device, comprising: removing the lower and upper clad layers from the substrate after the insertion.
【請求項5】 請求項4に記載の光導波路デバイスの製
造方法において、前記除去工程で用いる前記ダイシング
ブレードとして樹脂切削用のブレードを用い、前記第4
の工程で用いる前記ダイシングブレードとして無機材料
切削用のブレードを用いることを特徴とする光導波路デ
バイスの製造方法。
5. The method for manufacturing an optical waveguide device according to claim 4, wherein a resin cutting blade is used as the dicing blade used in the removing step.
Using a blade for cutting an inorganic material as the dicing blade used in the step (c).
【請求項6】 請求項1または2に記載の光導波路デバ
イスの製造方法において、前記除去工程は、ドライエッ
チングまたはアッシングによって行われることを特徴と
する光導波路デバイスの製造方法。
6. The method of manufacturing an optical waveguide device according to claim 1, wherein the removing step is performed by dry etching or ashing.
【請求項7】 無機材料基板の上面全体に、下部クラッ
ド層を樹脂により形成する第1の工程と、 前記下部クラッド層の上に、樹脂製の予め定めた形状の
光導波路を複数個縦横に配列して形成する第2の工程
と、 前記基板の上面全体を覆う上部クラッド層を樹脂により
形成する第3の工程と、 前記基板を切断する第4の工程と、 前記第4の工程で切断された基板の切断面の少なくとも
一部を研磨する第5の工程とを有し、 前記第4の工程と第5の工程との間に、前記切断された
基板の前記上部クラッド層の上面に、前記研磨時に該上
面を保護するためにコート材を塗布するコート工程を含
むことを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。
7. A first step of forming a lower clad layer of a resin on the entire upper surface of an inorganic material substrate, and forming a plurality of resin optical waveguides of a predetermined shape on the lower clad layer vertically and horizontally. A second step of forming and arranging; a third step of forming an upper clad layer covering the entire upper surface of the substrate with a resin; a fourth step of cutting the substrate; and a cutting in the fourth step A fifth step of polishing at least a part of the cut surface of the cut substrate, wherein between the fourth step and the fifth step, an upper surface of the upper clad layer of the cut substrate is provided. And a coating process for applying a coating material to protect the upper surface during the polishing.
【請求項8】 請求項7に記載の光導波路デバイスの製
造方法において、前記第5の工程の後に、前記基板をさ
らに切断することにより、個々の前記光導波路を切り離
す工程をさらに含むことを特徴とする光導波路デバイス
の製造方法。
8. The method of manufacturing an optical waveguide device according to claim 7, further comprising, after the fifth step, a step of separating the individual optical waveguides by further cutting the substrate. A method for manufacturing an optical waveguide device.
【請求項9】 請求項1〜8のいずれかに記載の光導波
路デバイスの製造方法において、切断される樹脂製以外
の無機材料が、シリコンまたはガラスであることを特徴
とする光導波路デバイスの製造方法。
9. The method of manufacturing an optical waveguide device according to claim 1, wherein the inorganic material other than resin to be cut is silicon or glass. Method.
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