JP2001340324A - X-ray detector and radiodiagnostic device using the same - Google Patents

X-ray detector and radiodiagnostic device using the same

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JP2001340324A
JP2001340324A JP2001075973A JP2001075973A JP2001340324A JP 2001340324 A JP2001340324 A JP 2001340324A JP 2001075973 A JP2001075973 A JP 2001075973A JP 2001075973 A JP2001075973 A JP 2001075973A JP 2001340324 A JP2001340324 A JP 2001340324A
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dark current
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charge
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JP2001075973A
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Japanese (ja)
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Masayuki Nishiki
雅行 西木
Kouichirou Nabuchi
好一郎 名渕
Akira Tsukamoto
明 塚本
Shinichi Yamada
真一 山田
Toru Saisu
亨 斎須
Takayuki Tomizaki
隆之 富崎
Manabu Tanaka
学 田中
Seiichiro Nagai
清一郎 永井
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Toshiba Corp
Canon Medical Systems Corp
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Toshiba Corp
Toshiba Medical Systems Corp
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    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
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    • H04N25/671Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
    • H04N25/673Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction by using reference sources
    • HELECTRICITY
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an X-ray detector and a radiodiagnostic device using the same capable of accurately removing a dark current noise. SOLUTION: In the radiodiagnostic device comprising an X-ray image detector having X-ray detecting elements 63 each for converting an X-ray exposed toward a subject and transmitted through the subject into a charge signal and accumulating the signal and arranged in a two-dimensional manner and a read control TFT 62 for controlling reading of the charges stored in the elements, the image detector has an X-ray detecting element 63 masked so that the charge is not accumulated therein at the exposure time, and a differential circuit 68 for removing the dark current noise from the charge signal based on an output of the masked element 63.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、X線を電気信号
に変換する複数のX線検出素子が2次元的に配列されて
なるX線検出器及びそれを使ったX線診断装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an X-ray detector in which a plurality of X-ray detecting elements for converting X-rays into electric signals are two-dimensionally arranged, and an X-ray diagnostic apparatus using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】X線(半導体)平面検出器は、被検体を
透過したX線を検出する手段として、フィルム等を使用
した撮像装置やI.I.(イメージング・インテンシフ
ァイア)−TV撮像装置等に将来置き換わる可能性のあ
るX線撮像装置であり、検出したX線像は、リアルタイ
ムに表示器に表示することができ、しかもデジタルデー
タとして記憶(撮影)することができる。
2. Description of the Related Art An X-ray (semiconductor) flat panel detector is a means for detecting an X-ray transmitted through a subject, such as an imaging device using a film or the like. I. (Imaging Intensifier)-An X-ray imaging device that may be replaced by a TV imaging device or the like in the future, and a detected X-ray image can be displayed on a display in real time and stored as digital data ( Shooting).

【0003】図14(a)は、フィルム等を使用した撮
像装置の一例を示す図である。X線管101から放射さ
れたX線は被検体102に曝射され、この被検体102
を透過したX線は、フィルム103に感光される。この
フィルム103を現像すると、被検体102を透過した
X線の画像が得られる。
FIG. 14A is a diagram showing an example of an image pickup apparatus using a film or the like. The X-rays emitted from the X-ray tube 101 are exposed to a subject 102, and the subject 102
X-rays transmitted through are exposed to the film 103. When the film 103 is developed, an X-ray image transmitted through the subject 102 is obtained.

【0004】また図14(b)は、I.I.−TV撮像
装置の一例を示す図である。X線管101から放射され
たX線は被検体に曝射され、この被検体102を透過し
たX線の画像は、I.I.104を介して光の画像に変
換されて、光学系機構(レンズ等から構成される)10
5へ供給される。この光学機構105により光の画像は
所望の大きさに集束され、焦点が合せられ、TVカメラ
106により撮影される。
[0004] FIG. I. It is a figure showing an example of -TV imaging device. X-rays radiated from the X-ray tube 101 are applied to the subject, and the image of the X-rays transmitted through the subject 102 is represented by I.D. I. The light is converted into an image of light via the optical system 104, and an optical system mechanism (including a lens or the like)
5. The optical mechanism 105 focuses an image of light to a desired size, focuses the image, and captures the image by a TV camera 106.

【0005】このTVカメラ106はカメラ制御器10
7により制御され、前記TVカメラ106から出力され
た画像信号は、前記カメラ制御器107により画像とし
てモニタ(CRT(cathode ray tube)ディスプレイ)1
08に表示される。
[0005] The TV camera 106 includes a camera controller 10
The camera controller 107 controls an image signal output from the TV camera 106 as an image (CRT (cathode ray tube) display) 1
08 is displayed.

【0006】さらに、図15はX線平面検出器を使用し
たX線撮像装置の一例を示す図である。X線管101か
ら放射されたX線は被検体102に曝射され、この被検
体102を透過したX線は、X線平面検出器109に入
射される。このX線平面検出器109からは前記TVカ
メラ106のように、カメラ制御器107により制御さ
れて、各画素の信号が順次出力されるようになってお
り、この信号は、カメラ制御器107により画像として
モニタ108に表示される。
FIG. 15 is a view showing an example of an X-ray imaging apparatus using an X-ray flat panel detector. X-rays radiated from the X-ray tube 101 are emitted to the subject 102, and the X-rays transmitted through the subject 102 enter the X-ray flat panel detector 109. The X-ray flat panel detector 109 is controlled by a camera controller 107 like the TV camera 106, so that signals of respective pixels are sequentially output. This signal is output by the camera controller 107. The image is displayed on the monitor 108 as an image.

【0007】図16は、前記X線平面検出器の要部構成
の一例を示す回路図である。図17は、前記X線平面検
出器を構成するX線検出素子を示す回路図であり、図1
8は、実際のX線検出素子の要部構造を示す断面図であ
る。
FIG. 16 is a circuit diagram showing an example of a configuration of a main part of the X-ray flat panel detector. FIG. 17 is a circuit diagram showing an X-ray detecting element constituting the X-ray flat panel detector.
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a main structure of an actual X-ray detection element.

【0008】X線検出素子は、光を感知し、入射光量に
応じた電荷を生成するフォトダイオード111と、この
フォトダイオード111からの電荷を蓄積するコンデン
サ(以下蓄積用コンデンサと称する)112と、この蓄
積用コンデンサ112に蓄積された電荷を読み出すスイ
ッチとして使用するTFT(薄膜トランジスタ)113
とから構成されている。
[0008] The X-ray detecting element senses light and generates a charge according to the amount of incident light, a capacitor (hereinafter referred to as a storage capacitor) 112 for storing the charge from the photodiode 111, TFT (thin film transistor) 113 used as a switch for reading out the electric charge stored in the storage capacitor 112
It is composed of

【0009】なお、フォトダイオード111のカソード
端子と蓄積用コンデンサ112の一方の端子との接続点
は逆バイアス電源(−Vn)に接続され、フォトダイオ
ード111のアノード端子と蓄積用コンデンサ112の
他方の端子との接続点はTFT113のソース端子へ接
続されている。
The connection point between the cathode terminal of the photodiode 111 and one terminal of the storage capacitor 112 is connected to a reverse bias power supply (-Vn), and the anode terminal of the photodiode 111 and the other terminal of the storage capacitor 112 are connected. The connection point with the terminal is connected to the source terminal of the TFT 113.

【0010】X線平面検出器109は、前記X線検出素
子を1素子として、それを列(Column)及びライン(Row)
にアレイ状に2次元的に配列して構成されている。さら
に、TFT113のゲート端子は、ライン毎に共通に接
続され、ゲートドライバ114の各ライン出力端子に接
続されている。
The X-ray flat panel detector 109 uses the X-ray detecting element as one element, and uses the X-ray detecting element as a column and a line.
Are arranged in a two-dimensional array. Further, the gate terminal of the TFT 113 is commonly connected to each line, and is connected to each line output terminal of the gate driver 114.

【0011】このゲートドライバ114の各ライン出力
端子から、それぞれ時間系列的に順番にパルス状の制御
信号が出力するようになっており、このパルス状の制御
信号により、同じラインのTFT113は同時にON動
作するが、異なるラインのTFT113はそれぞれ時間
系列的に順番にON動作する。
Each of the line output terminals of the gate driver 114 sequentially outputs a pulse-like control signal in time sequence, and the TFTs 113 on the same line are simultaneously turned on by the pulse-like control signal. In operation, the TFTs 113 on different lines are sequentially turned ON in time sequence.

【0012】また、TFT113のドレイン端子は、列
毎に共通に接続され、リードアウトアンプ(Read−out A
mplifier)115とコンデンサ(以下時定数用コンデン
サと称する)116とリセットスイッチ117とからな
る積分回路を介して、マルチプレクサ118の各入力端
子に接続されている。
The drain terminal of the TFT 113 is commonly connected to each column, and is connected to a read-out amplifier (Read-out A).
mplifier) 115, a capacitor (hereinafter, referred to as a capacitor for time constant) 116 and a reset switch 117 are connected to respective input terminals of a multiplexer 118 via an integrating circuit.

【0013】このマルチプレクサ118は、前記ゲート
ドライバ114の各ライン出力端子から出力される1パ
ルスの間に各入力端子に入力される信号をそれぞれ時間
系列的に順番に1つずつ取込んでその出力端子から出力
するようになっている。
The multiplexer 118 takes in the signals inputted to the respective input terminals during one pulse outputted from the respective line output terminals of the gate driver 114 one by one in time sequence and outputs the signals. Output from the terminal.

【0014】従って、ゲートドライバ114の各ライン
出力端子から出力されたパルス状の制御信号により、1
ラインのTFT113が同時のON動作すると、蓄積用
コンデンサ112に蓄積された電荷がTFT113を通
過して出力され、この電流は積分回路にを介して電圧に
変換され、マルチプレクサ118により順番に1つずつ
(1ラインの1画素ずつ)出力される。このようにして
1ラインの読取りが終了すると、次のラインの読取りが
開始される。
Accordingly, the pulse-like control signal output from each line output terminal of the gate driver 114 causes
When the TFTs 113 in the line are simultaneously turned on, the electric charge accumulated in the accumulation capacitor 112 is output through the TFT 113, and this current is converted into a voltage via an integrating circuit, and the current is converted one by one by a multiplexer 118. (One pixel per line) is output. When reading of one line is completed in this way, reading of the next line is started.

【0015】すなわち、テレビジョンの走査線のよう
に、ライン毎に各X線検出素子1個ずつ(1画素ずつ)
順番に検出信号を読取って、1画面分の撮像データ(ビ
デオ信号)として出力するようになっている。
That is, like a scanning line of a television, one X-ray detecting element is provided for each line (one pixel at a time).
The detection signals are read in order and output as image data (video signals) for one screen.

【0016】さらに、前記X線検出素子を2次元的に配
列したもの上に、X線を光に変換する蛍光体が層状に形
成されている。すなわち、支持体121上の複数のTF
T領域にはゲート電極122が形成され、その上にSi
Nx層123が形成される。このSiNx層123の上
には、TFT領域にはa−Si層124及びドレイン電
極125、ソース電極126が形成される。なお、前記
ドレイン電極125と前記ソース電極126とは、前記
a−Si層124を介して接続されており、直接接続し
ないようになっている。
Further, a fluorescent substance for converting X-rays into light is formed in a layer on a two-dimensional array of the X-ray detecting elements. That is, a plurality of TFs on the support 121
A gate electrode 122 is formed in the T region, and Si
An Nx layer 123 is formed. On the SiNx layer 123, an a-Si layer 124, a drain electrode 125, and a source electrode 126 are formed in the TFT region. The drain electrode 125 and the source electrode 126 are connected via the a-Si layer 124 and are not directly connected.

【0017】また、前記ドレイン電極125及び前記ソ
ース電極126と前記a−Si層124との間の隙間に
はn+ a−Si層127,128が形成される。以上に
よりTFT領域にTFTが形成される。
In the gap between the drain electrode 125 and the source electrode 126 and the a-Si layer 124, n + a-Si layers 127 and 128 are formed. Thus, a TFT is formed in the TFT region.

【0018】一方、支持体11上の複数のPD領域に
は、前記SiNx層123及び前記ソース電極126が
形成されており、その上にn+ 層129、i層130、
P+ 層131からなるPin構造のフォトダイオード1
11が形成されている。
On the other hand, the SiNx layer 123 and the source electrode 126 are formed in a plurality of PD regions on the support 11, and an n + layer 129, an i layer 130,
Photodiode 1 with a pin structure composed of a P + layer 131
11 are formed.

【0019】前記複数個のTFT上には第1のポリイミ
ド樹脂層132が形成され、前記複数個のフォトダイオ
ード111上には透明電極133が形成されている。前
記第1のポリイミド樹脂層132上には、前記各フォト
ダイオードの前記透明電極131間を接続する金属電極
134が形成されている。
A first polyimide resin layer 132 is formed on the plurality of TFTs, and a transparent electrode 133 is formed on the plurality of photodiodes 111. On the first polyimide resin layer 132, a metal electrode 134 connecting between the transparent electrodes 131 of each of the photodiodes is formed.

【0020】前記透明電極133及び前記金属電極13
4上には、第2のポリイミド樹脂層135が形成されて
いる。この第2のポリイミド樹脂層135上には、透明
保護膜136、蛍光体137、光反射層138が形成さ
れている。
The transparent electrode 133 and the metal electrode 13
4, a second polyimide resin layer 135 is formed. On the second polyimide resin layer 135, a transparent protective film 136, a phosphor 137, and a light reflection layer 138 are formed.

【0021】次に、X線画像を得る方法について説明す
る。上方から被検体を透過したX線が、光反射層138
を透過して蛍光体137に入射される。このとき上方か
ら入射される可視光は、光反射層138により反射され
て蛍光体137には入射されないようになっている。
Next, a method for obtaining an X-ray image will be described. X-rays transmitted through the subject from above are reflected by the light reflecting layer 138.
Is transmitted to the phosphor 137. At this time, visible light incident from above is reflected by the light reflection layer 138 and is not incident on the phosphor 137.

【0022】蛍光体137で入射X線のエネルギーは光
のエネルギー(可視光)に変換され、この可視光が透明
保護膜136及び第2のポリイミド樹脂層135を透過
し、さらに透明電極133を介して可視光に感度のある
フォトダイオード111により受光される。
The energy of the incident X-ray is converted into light energy (visible light) by the phosphor 137, and this visible light passes through the transparent protective film 136 and the second polyimide resin layer 135, and further passes through the transparent electrode 133. And is received by the photodiode 111 sensitive to visible light.

【0023】このフォトダイオード111により、光の
エネルギーに比例した電荷量に変化され、蓄積用コンデ
ンサ112に蓄積される。蓄積された電荷は、前述した
ように、データラインを通してライン毎に画素単位で読
み出される。読み出された信号はX線のエネルギーに比
例したもので、画素単位で読み出された信号を再構成す
ることによりX線画像を再現することができる。
The photodiode 111 converts the charge into a charge amount proportional to the energy of light and stores the charge in the storage capacitor 112. As described above, the accumulated charges are read out on a pixel basis for each line through the data line. The read signal is proportional to the energy of the X-ray, and an X-ray image can be reproduced by reconstructing the signal read in pixel units.

【0024】しかしながら、X線平面検出器109は、
その構造上、X線が曝射されないときに、暗電流によっ
てX線平面検出器109中の蓄積用コンデンサ112に
ノイズ電荷が蓄積される。このため、フォトダイオード
111により蓄積用コンデンサ112に蓄積される電荷
が制限されるため、広いダイナミックレンジを得る目的
からX線の入射有無にかかわらず、常に読み出しを行う
かX線を入射する直前に一度、空読み出しを行い、蓄積
用コンデンサ112に蓄積された電荷(ノイズ電荷)を
吐き出す動作が必要であった。
However, the X-ray flat panel detector 109
Due to its structure, when X-rays are not irradiated, noise charge is accumulated in the accumulation capacitor 112 in the X-ray flat panel detector 109 by dark current. For this reason, the electric charge stored in the storage capacitor 112 by the photodiode 111 is limited. Therefore, regardless of the presence or absence of X-rays, reading is always performed or immediately before X-rays are incident, regardless of the presence or absence of X-rays for the purpose of obtaining a wide dynamic range. It is necessary to perform an operation of once performing idle reading and discharging the charge (noise charge) stored in the storage capacitor 112.

【0025】[0025]

【発明が解決しようとする課題】しかし、常に読出しを
行っている場合、X線の曝射タイミングをこの読出し周
期に合せる必要があり、所望のタイミングにX線を曝射
できず、操作性が悪いという問題があった。
However, when reading is always performed, it is necessary to adjust the X-ray irradiation timing to this reading cycle, and it is not possible to irradiate X-rays at a desired timing. There was a problem of bad.

【0026】また、読出し周期に合せて曝射時間が制限
され、十分なX線量を被検体に曝射することができない
虞があり、明確なX線画像が得られない虞があるという
問題があった。
Further, the exposure time is limited in accordance with the readout cycle, so that there is a possibility that a sufficient X-ray dose cannot be applied to the subject, and a clear X-ray image may not be obtained. there were.

【0027】また、X線曝射前に、暗電流ノイズを各ラ
イン毎に順次吐き出す空読出し動作をする方法では、作
業者がX線を曝射しようとしてから準備の完了するまで
に時間がかかり、即座にX線を曝射できないという問題
があった。
In the method of performing a blank read operation in which dark current noise is sequentially emitted line by line before X-ray irradiation, it takes a long time from when an operator attempts to emit X-rays until completion of preparation. However, there is a problem that X-rays cannot be immediately emitted.

【0028】そこでこの発明は、暗電流ノイズを高精度
に除去できるX線検出器及びそれを使ったX線診断装置
を提供することを目的とする。
It is an object of the present invention to provide an X-ray detector capable of removing dark current noise with high accuracy and an X-ray diagnostic apparatus using the same.

【0029】[0029]

【課題を解決するための手段】請求項1対応の発明は、
X線を被検体に向けて曝射するX線発生手段と、前記被
検体を透過したΧ線を電荷信号に変換して蓄積するX線
検出素子を2次元的に配列したX線像検出部と、前記X
線検出素子に蓄積された電荷の読み出しを制御する読出
制御手段を備えたX線診断装置において、前記X線像検
出部はX線曝射時に電荷の蓄積が行われないようにマス
クされたX線検出素子を備え、このマスクされたX線検
出素子の出力に基づいて前記電荷信号から暗電流ノイズ
を除去する補正手段を備えたことを特徴とする。請求項
2対応の発明は、前記被検体を透過したΧ線を電荷信号
に変換して蓄積するX線検出素子を2次元的に配列した
X線像検出部を有し、前記X線検出素子に蓄積された電
荷を読み出して画像化することに診断に共するX線検出
器において、X線が曝射された際に電荷の蓄積が行われ
ないようにマスクされたX線検出素子を所定数備え、こ
のマスクされたX線検出素子の出力を前記電荷信号に含
まれる暗電流ノイズの除去に供することを特徴とする。
The invention corresponding to claim 1 is:
An X-ray image detecting unit in which X-ray generating means for irradiating X-rays toward the subject and an X-ray detecting element for converting a Χ-ray transmitted through the subject into a charge signal and accumulating them are two-dimensionally arranged. And the X
In an X-ray diagnostic apparatus including a readout control unit that controls reading out of electric charges accumulated in a X-ray detection element, the X-ray image detection unit is configured to mask X so that electric charges are not accumulated during X-ray irradiation. A line detecting element; and a correcting means for removing dark current noise from the charge signal based on the output of the masked X-ray detecting element. The invention according to claim 2 has an X-ray image detection unit in which X-ray detection elements that convert a Χ-ray transmitted through the subject into a charge signal and accumulate them are two-dimensionally arranged, and the X-ray detection element In the X-ray detector, which is used for diagnosis by reading out the charge accumulated in the X-ray and imaging it, a masked X-ray detection element is provided so that the charge is not accumulated when the X-ray is irradiated. The masked output of the X-ray detecting element is used for removing dark current noise included in the charge signal.

【0030】[0030]

【発明の実施の形態】この発明の第1の実施の形態を図
1乃至図4を参照して説明する。図1は、この発明を適
用したX線撮像装置の要部構成を示すブロック図であ
る。1は制御部である。この制御部1は、X線管球・X
線管球駆動部等から構成されたX線発生部2に対して、
所望のX線量を被検体に曝射するように制御する。ま
た、被検体を透過したX線を検出するX半導体平面検出
器3に対して、X線の曝射により蓄積された電荷の読取
制御を行うようになっている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a block diagram showing a main configuration of an X-ray imaging apparatus to which the present invention is applied. 1 is a control unit. The control unit 1 includes an X-ray tube X
For the X-ray generation unit 2 composed of a tube lamp driving unit and the like,
Control is performed so that a desired X-ray dose is applied to the subject. The X-ray semiconductor flat detector 3 that detects X-rays transmitted through the subject is controlled to read charges accumulated by X-ray irradiation.

【0031】前記制御部1には、図示しない操作パネル
に設けられた曝射開始スイッチ1−1が接続されてお
り、この曝射開始スイッチ1−1のオン操作により、前
記X線発生部2へ曝射開始のタイミングが供給される。
なお、この曝射開始スイッチ1−1は、前記制御部1で
はなく操作性の利便性から前記X線発生部2に設けても
良いものである。
An exposure start switch 1-1 provided on an operation panel (not shown) is connected to the control unit 1. When the exposure start switch 1-1 is turned on, the X-ray generation unit 2 is turned on. The timing of the start of irradiation is supplied.
The exposure start switch 1-1 may be provided in the X-ray generation unit 2 instead of the control unit 1 for convenience of operability.

【0032】図2は、前記X線平面検出器3の要部構成
を示す回路図である。なお、このX線平面検出器3の構
成は、従来の技術(図16,図17参照)で説明したも
のと同一であるので、ここではその説明は省略する。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a main configuration of the X-ray flat panel detector 3. As shown in FIG. Since the configuration of the X-ray flat panel detector 3 is the same as that described in the related art (see FIGS. 16 and 17), the description thereof is omitted here.

【0033】前記制御部1が、X線発生部2におけるX
線曝射のタイミング情報をゲートドライバ4に供給する
と、このゲートドライバ4は、その供給されたX線曝射
のタイミング情報に基づいて、全てのX線検出素子を同
時に駆動するため、全てのラインに対して同一タイミン
グのONパルスの信号を出力するようになっている。
The control unit 1 controls the X-ray generation unit 2
When the timing information of the X-ray irradiation is supplied to the gate driver 4, the gate driver 4 drives all the X-ray detecting elements simultaneously based on the supplied X-ray irradiation timing information. Are output at the same timing.

【0034】あるいは、図3に示すように、前記制御部
1からのX線曝射のタイミング情報が供給されると、前
記ゲートドライバ4は複数個(例えば3ライン)のライ
ンを1ブロックとして、各ブロック毎に同一タイミング
のONパルスの信号を出力するようになっている。
Alternatively, as shown in FIG. 3, when the X-ray irradiation timing information is supplied from the control unit 1, the gate driver 4 sets a plurality of (for example, three) lines as one block. An ON pulse signal of the same timing is output for each block.

【0035】従って、リードアウトアンプと時定数用コ
ンデンサとからなる積分回路5は、全てのライン又は複
数個のラインのTFTがON動作して、それらのライン
の全ての蓄積用コンデンサから蓄積電荷が同時に放電さ
れても、それらの蓄積電荷を流すのに十分な耐電流特性
(容量)を備えたものとなっている。
Therefore, in the integration circuit 5 composed of the readout amplifier and the capacitor for the time constant, the TFTs of all the lines or a plurality of lines are turned ON, and the accumulated electric charges are accumulated from all the accumulation capacitors of those lines. Even if they are discharged at the same time, they have a current resistance (capacity) sufficient to allow the accumulated charges to flow.

【0036】このような構成の第1の実施の形態におい
ては、例えば図4に示すように、X線曝射とTFTとの
タイミングが発生する。X線発生部2にてX線曝射のタ
イミングが発生し、制御部1はこのX線曝射のタイミン
グを得て、X線平面検出器3のゲートドライバ4に対し
てX線曝射のタイミング情報を供給する(時点t1)。
In the first embodiment having such a configuration, for example, as shown in FIG. 4, timing between X-ray irradiation and TFT occurs. The X-ray generation unit 2 generates X-ray irradiation timing, and the control unit 1 obtains the X-ray irradiation timing and sends the X-ray irradiation timing to the gate driver 4 of the X-ray flat panel detector 3. The timing information is supplied (time t1).

【0037】ゲートドライバ4は、このX線曝射のタイ
ミング情報に基づいて、図2又は図3に示すように、全
てのライン又は複数ラインを1ブロックとしたブロック
毎に同一タイミングのONパルスの信号を出力する。こ
のONパルスの信号が出力されたラインの全てのTFT
がON動作して、このTFTに接続された蓄積用コンデ
ンサに蓄積されている蓄積電荷(暗電流ノイズ)が放電
され、リードアウトアンプと時定数用コンデンサとから
なる積分回路へと流れる。このとき積分回路は、蓄積電
荷(暗電流ノイズ)を積分しないようにしておくか、積
分してもただちにリセットしてX線曝射による蓄積電荷
の積分に影響のないようにする。
Based on the timing information of the X-ray exposure, the gate driver 4 generates ON pulses of the same timing for each block in which all lines or a plurality of lines are one block as shown in FIG. 2 or FIG. Output a signal. All TFTs on the line where this ON pulse signal was output
Is turned on, the accumulated charge (dark current noise) accumulated in the storage capacitor connected to the TFT is discharged and flows to the integration circuit including the readout amplifier and the time constant capacitor. At this time, the integration circuit does not integrate the accumulated charge (dark current noise) or resets the integration immediately after the integration so as not to affect the integration of the accumulated charge due to X-ray irradiation.

【0038】このようにして、蓄積用コンデンサに蓄積
された暗電流ノイズの放電(排除)が終了すると、TF
TがOFF動作して(時点t2)、蓄積用コンデンサは
フォトダイオードにより再びX線曝射による電荷の蓄積
が開始される。すなわち、図4において、時点t1から
t2までの時間Aがノイズ掃き出し時間となり、時点t
2からX線曝射が終了する時点t3までの時間Bが撮影
時間、時点t1から時点t3までの時間CがX線の曝射
時間となる。
When the discharge (elimination) of the dark current noise stored in the storage capacitor is completed in this manner, the TF
When T is turned off (time point t2), the photodiode for the storage capacitor is again started to accumulate charges by X-ray irradiation. That is, in FIG. 4, the time A from the time t1 to the time t2 is the noise sweeping time, and the time t
The time B from time 2 to time t3 when the X-ray irradiation ends is the imaging time, and the time C from time t1 to time t3 is the X-ray irradiation time.

【0039】このように第1の実施の形態によれば、X
線の曝射タイミングに合せて、全てのライン又は複数個
のラインのX線検出素子の蓄積用コンデンサに蓄積され
ている暗電流ノイズ等の電荷を同時に掃き出すことによ
り、暗電流ノイズ等の蓄積電荷の掃き出し時間を大幅に
短縮することができ、所望のタイミングにX線撮像を行
うことができる。
As described above, according to the first embodiment, X
By simultaneously sweeping out the charge such as dark current noise accumulated in the storage capacitors of the X-ray detection elements of all lines or a plurality of lines in accordance with the line irradiation timing, the accumulated charge such as dark current noise is swept. Can be greatly reduced, and X-ray imaging can be performed at a desired timing.

【0040】この発明の第2の実施の形態を図5を参照
して説明する。この第2の実施の形態では、前述した第
1の実施の形態の構成(図1,図2,図16,図17参
照)と同一構成となっているので、ここでは構成の説明
は省略する。
A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the second embodiment, the configuration is the same as the configuration of the above-described first embodiment (see FIGS. 1, 2, 16, and 17), and the description of the configuration is omitted here. .

【0041】この第2の実施の形態において、X線曝射
とTFTとのタイミングは、図5に示すように発生す
る。曝射開始スイッチ1−1を術者がON操作する(時
点t4)と、まず、TFTの第1ラインからTFTの第
nラインまでの全てのラインに同一タイミングのONパ
ルスの信号を出力する。このONパルスの信号が出力さ
れたラインの全てのTFTがON動作して、このTFT
に接続された蓄積用コンデンサに蓄積されている蓄積電
荷(暗電流ノイズ)が積分回路へ放電される。
In the second embodiment, the timing between the X-ray irradiation and the TFT occurs as shown in FIG. When the operator turns on the exposure start switch 1-1 (time t4), first, an ON pulse signal of the same timing is output to all the lines from the first line of the TFT to the n-th line of the TFT. All the TFTs on the line to which this ON pulse signal was output are turned ON, and this TFT
The stored charge (dark current noise) stored in the storage capacitor connected to the storage capacitor is discharged to the integration circuit.

【0042】このようにして、暗電流ノイズの放電が終
了してTFTがOFF動作すると、X線曝射が開始され
る(時点t5)。このX線曝射により、蓄積用コンデン
サにはフォトダイオードからの電荷が蓄積される。そし
て、曝射開始スイッチ1−1を術者がOFF操作する
(時点t6)とX線曝射が終了し、TFTの各ラインに
順次ONパルス信号が供給されて、蓄積用コンデンサの
蓄積電荷の読取りが行われる。なお、X線曝射時間が予
め設定された最大許容曝射時間を越える場合には、術者
の曝射開始スイッチ1−1のOFF操作がなくとも、自
動的にX線曝射を終了するようになっている。
As described above, when the discharge of the dark current noise is completed and the TFT is turned off, X-ray irradiation is started (time t5). By this X-ray exposure, the charge from the photodiode is stored in the storage capacitor. Then, when the operator turns OFF the exposure start switch 1-1 (time t6), the X-ray exposure ends, an ON pulse signal is sequentially supplied to each line of the TFT, and the charge stored in the storage capacitor is stored. A reading is performed. When the X-ray irradiation time exceeds the preset maximum allowable irradiation time, the X-ray irradiation is automatically terminated without the operator's operation of turning off the irradiation start switch 1-1. It has become.

【0043】すなわち、図5において、時点t4から時
点t5までの時間Dがノイズ掃き出し時間となり、時点
t5から時点t6までの時間EがX線の曝射時間とな
り、時点t6以降の時間Fが読取り時間となる。
That is, in FIG. 5, a time D from time t4 to time t5 is a noise sweeping time, a time E from time t5 to time t6 is an X-ray irradiation time, and a time F after time t6 is read. Time.

【0044】このように第2の実施の形態によれば、第
1の実施の形態と同様な効果を得ることができ、さらに
X線の曝射開始の前に暗電流ノイズ等の電荷を掃き出す
ことができるので、X線の無駄な曝射を防止することが
できる。
As described above, according to the second embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained, and further, charges such as dark current noise are swept out before the start of X-ray irradiation. Therefore, it is possible to prevent unnecessary irradiation of X-rays.

【0045】この発明の第3の実施の形態を図6乃至図
8を参照して説明する。前述した第1の実施の形態及び
第2の実施の形態では、制御部1とX線発生部2とが直
接接続されており、X線曝射のタイミングを直接X線発
生部2から得るか又は制御していたのに対して、この第
3の実施の形態では、制御部1がX線発生部2と接続さ
れていない場合に間接的にX線曝射のタイミングを得る
幾つかの方法を説明する。
A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the first and second embodiments described above, the control unit 1 and the X-ray generation unit 2 are directly connected, and the timing of X-ray irradiation is directly obtained from the X-ray generation unit 2. In contrast, in the third embodiment, some methods for indirectly obtaining the timing of X-ray irradiation when the control unit 1 is not connected to the X-ray generation unit 2 are described. Will be described.

【0046】図6は、X線曝射のタイミングを得る第1
の方法の構成を示すブロック図である。制御部11に
は、X線平面検出器12のX線入射面又はその背面に設
けられたX線検出センサ13から出力されるX線検出信
号が入力される。
FIG. 6 shows a first example of obtaining the timing of X-ray exposure.
FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of the method. The X-ray detection signal output from the X-ray detection sensor 13 provided on the X-ray incidence surface of the X-ray flat panel detector 12 or the back surface thereof is input to the control unit 11.

【0047】このX線検出センサ13は、前記X線平面
検出器12のX線入射面に配置される場合には、X線を
透過する材料で形成されたものを使用し、なるべく前記
X線平面検出器12の不感部分に配置する。また、前記
X線平面検出器12のX線入射面の背面に配置される場
合には、前記X線平面検出器12から漏れてくるX線を
検出するため、X線感度が高いものが使用される。
When the X-ray detection sensor 13 is disposed on the X-ray incident surface of the X-ray flat panel detector 12, it is preferably formed of a material that transmits X-rays. It is arranged in a dead part of the flat panel detector 12. Further, when the X-ray detector 12 is disposed behind the X-ray incident surface of the X-ray flat panel detector 12, a detector having high X-ray sensitivity is used to detect X-rays leaking from the X-ray flat panel detector 12. Is done.

【0048】図7は、X線曝射のタイミングを得る第2
の方法の構成を示すブロック図である。制御部14に
は、X線平面検出器15の端にある1個(1画素)のX
線検出素子又は1ラインの(複数個の)X線検出素子か
ら構成されたX線センサ部15−1から出力されるX線
検出信号が入力される。
FIG. 7 shows a second example of obtaining the timing of X-ray exposure.
FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of the method. The control unit 14 has one (one pixel) X at the end of the X-ray flat panel detector 15.
An X-ray detection signal output from the X-ray sensor unit 15-1 including a line detection element or one line (a plurality of) X-ray detection elements is input.

【0049】図8は、X線曝射のタイミングを得る第3
の方法の構成を示すブロック図である。制御部16に
は、被検体にX線を曝射するX線発生部(図示せず)を
構成するX線管球17に流れる電流を検出する電流検出
センサ18から出力される電流検出信号が入力される。
FIG. 8 shows a third example of obtaining the timing of X-ray exposure.
FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of the method. The control unit 16 receives a current detection signal output from a current detection sensor 18 that detects a current flowing through an X-ray tube 17 constituting an X-ray generation unit (not shown) that irradiates the subject with X-rays. Is entered.

【0050】このような構成の第3の実施の形態におい
ては、X線検出センサ13、又はX線検出素子、又は電
流検出センサ18によりX線曝射のタイミングが検出さ
れ、この検出信号が制御部11,14,16に供給され
る。
In the third embodiment having such a configuration, the timing of X-ray irradiation is detected by the X-ray detection sensor 13, X-ray detection element, or current detection sensor 18, and this detection signal is controlled. The parts 11, 14, 16 are supplied.

【0051】制御部11,14,16はX線曝射のタイ
ミングを得て、X線平面検出器12,15,19の各ゲ
ートドライバに対してX線曝射のタイミング情報を供給
する。以降は前述した第1の実施の形態と同じ動作とな
るので、ここではその説明は省略する。このように第3
の実施の形態によれば、前述した第1及び第2の実施の
形態と同様な効果を得ることができる。
The control units 11, 14, and 16 obtain the timing of X-ray irradiation and supply timing information of X-ray irradiation to each gate driver of the X-ray flat panel detectors 12, 15, and 19. Thereafter, the operation is the same as that of the above-described first embodiment, and the description is omitted here. Thus the third
According to the embodiment, the same effects as those of the above-described first and second embodiments can be obtained.

【0052】この発明の第4の実施の形態を図9及び図
10を参照して説明する。図9は、この発明を適用した
X線撮像装置の1画素(1個のX線検出素子)周辺の要
部構成を示すブロック図である。21は制御部である。
この制御部21は、ゲートドライバ22、及び積分回路
23を構成するスイッチ23−1をそれぞれ後述するよ
うに制御する。
A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 9 is a block diagram showing a main configuration around one pixel (one X-ray detecting element) of the X-ray imaging apparatus to which the present invention is applied. 21 is a control unit.
The control unit 21 controls the gate driver 22 and the switch 23-1 included in the integration circuit 23 as described later.

【0053】この逆バイアス電源−Vnからの電力は、
X線検出素子を構成するフォトダイオード24のアノー
ド端子及びこのフォトダイオード24に並列に接続され
たコンデンサ(以下蓄積用コンデンサと称する)25の
一端に供給される。前記フォトダイオード24のカソー
ド端子と前記蓄積用コンデンサ25の他端との接続点は
TFT26のソース端子に接続されている。
The power from the reverse bias power supply -Vn is
It is supplied to an anode terminal of a photodiode 24 constituting an X-ray detecting element and one end of a capacitor (hereinafter referred to as a storage capacitor) 25 connected in parallel to the photodiode 24. The connection point between the cathode terminal of the photodiode 24 and the other end of the storage capacitor 25 is connected to the source terminal of the TFT 26.

【0054】前記ゲートドライバ22には、ライン(Ro
w) 毎に設けられたゲート駆動ラインが接続され、前記
各TFT26のゲート端子にそのゲート駆動ラインが接
続されている。前記各TFT26のドレイン端子は、列
(Column)毎に設けられたデータ信号ラインを介して積分
回路23に接続され、この積分回路23の出力端子はマ
ルチプレクサ(図示せず)へ接続されている。
The line (Ro) is connected to the gate driver 22.
w) A gate drive line provided for each TFT 26 is connected, and the gate drive line is connected to the gate terminal of each TFT 26. The drain terminal of each of the TFTs 26 is a column.
The output terminal of the integration circuit 23 is connected to a multiplexer (not shown) via a data signal line provided for each (Column).

【0055】前記積分回路23は、前記スイッチ23−
1、リードアウトアンプ(Read−out Amplifier)23
−2及びコンデンサ(以下時定数用コンデンサと称す
る)23−3から構成されている。前記リードアウトア
ンプ23−2の反転入力端子に、前記TFT26のドレ
イン端子(データ信号ライン)が接続され、その反転入
力端子と出力端子との間に前記スイッチ23−1と前記
コンデンサ23−3とからなる並列回路が接続されてい
る。なお、前記リードアウトアンプ23−2の非反転入
力端子はグラウンド(0V)に接続されている。
The integration circuit 23 is provided with the switch 23-
1. Read-out Amplifier 23
-2 and a capacitor (hereinafter referred to as a capacitor for a time constant) 23-3. The drain terminal (data signal line) of the TFT 26 is connected to the inverting input terminal of the readout amplifier 23-2, and the switch 23-1 and the capacitor 23-3 are connected between the inverting input terminal and the output terminal. Are connected. The non-inverting input terminal of the readout amplifier 23-2 is connected to ground (0V).

【0056】このような構成の第4の実施の形態におい
て、図10に示すようなタイミングで制御が行われる。
X線曝射を行う前(時点t7まで)は、ゲートドライバ
22からゲート駆動ラインを介して供給するΤFT制御
信号を正電位にしてTFΤ26を常にON状態とし、ま
た積分回路23のスイッチ23−1はON状態とする。
これによつて、暗電流ノイズは、蓄積用コンデンサ25
からTFΤ26、データ信号ライン、積分回路23を介
して掃き出される。
In the fourth embodiment having such a configuration, control is performed at timings as shown in FIG.
Before X-ray irradiation (until time t7), the ΤFT control signal supplied from the gate driver 22 via the gate drive line is set to a positive potential to keep the TF # 26 on, and the switch 23-1 of the integrating circuit 23 is turned on. Is in the ON state.
As a result, the dark current noise is reduced by the storage capacitor 25.
From the TF # 26, the data signal line, and the integration circuit 23.

【0057】次に、制御部21からX線の曝射開始信号
がONになる(時点t7)と、X線発生部はX線の曝射
を開始し、これと同時にゲートドライバ22はΤFT制
御信号を零電位(負電位)にしてΤFT26をOFFに
する。次に、制御部21からX線の曝射開始信号がOF
Fになる(時点t8)と、X線発生部はX線の曝射を停
止する。そして、X線の曝射終了後、蓄積された電荷を
読み出す前(t9より前)までに、積分回路23のスイ
ッチ23−1をOFF状態にしてから、その後時点t9
から順次信号を読み出す。
Next, when the control unit 21 turns on the X-ray emission start signal (time t7), the X-ray generation unit starts the X-ray emission, and at the same time, the gate driver 22 sets the ΤFT control. The signal is set to zero potential (negative potential) to turn off the FT26. Next, an X-ray exposure start signal is
At F (time t8), the X-ray generation unit stops the X-ray irradiation. After the X-ray irradiation is completed and before the accumulated charge is read out (before t9), the switch 23-1 of the integration circuit 23 is turned off, and thereafter, at time t9
, And sequentially read out the signals.

【0058】このようにこの第4の実施の形態によれ
ば、X線の曝射タイミングより前では、ΤFΤ26をO
Nにして常に暗電流ノイズが蓄積用コンデンサ25に蓄
積されないようになっているので、X線の曝射と同時に
電荷の蓄積を開始することができる。よって、暗電流ノ
イズ等の蓄積電荷の掃き出し時間が短く、前述した第
1、第2及び第3の実施の形態よりもX線の曝射を無駄
にすることなく、所望のタイミングでX線撮像を行うこ
とができる。
As described above, according to the fourth embodiment, before the X-ray irradiation timing, ΤFΤ26 becomes O
Since N is set to N so that dark current noise is not always accumulated in the accumulation capacitor 25, accumulation of electric charge can be started simultaneously with X-ray irradiation. Therefore, the sweeping time of the accumulated charges such as dark current noise is short, and the X-ray imaging is performed at a desired timing without wasting the X-ray exposure as compared with the above-described first, second, and third embodiments. It can be performed.

【0059】この発明の第5の実施の形態を図11を参
照して説明する。図11は、この発明を適用したX線撮
像装置の要部構成を示すブロック図である。31は制御
部である。この制御部31は、前述した第1の実施の形
態と同様に、X線発生部32及びX線平面検出器33を
制御すると共に、このX線平面検出器33への電力の供
給を制御する電源制御部33−1を制御するようになっ
ている。
A fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a block diagram showing a main configuration of an X-ray imaging apparatus to which the present invention is applied. 31 is a control unit. The control unit 31 controls the X-ray generation unit 32 and the X-ray flat panel detector 33 and controls the supply of power to the X-ray flat panel detector 33, as in the first embodiment. The power supply control section 33-1 is controlled.

【0060】すなわち、前述した第4の実施の形態と同
様に、X線の曝射タイミングの前では、X線平面検出器
33(特にこのX線平面検出器33を構成する蓄積用コ
ンデンサ)への電力供給を遮断(停止)する。そしてX
線の曝射タイミングが発生すると、X線平面検出器33
への電力供給を行う。このようにこの第5の実施の形態
によれば、前述した第4の実施の形態と同様な効果を得
ることができる。
That is, similarly to the above-described fourth embodiment, before the X-ray irradiation timing, the X-ray flat panel detector 33 (especially, the storage capacitor constituting the X-ray flat panel detector 33) is connected. Cut off (stop) the power supply. And X
When the X-ray exposure timing occurs, the X-ray flat panel detector 33
Supply power to the As described above, according to the fifth embodiment, the same effects as those of the above-described fourth embodiment can be obtained.

【0061】この発明の第6の実施の形態を図12を参
照して説明する。図12は、この発明を適用したX線撮
像装置のX線平面検出器の要部構成を示す回路図であ
る。なお、このX線平面検出器と前述した第1の実施の
形態で説明したX線平面検出器(図2参照)との異なる
点は、マルチプレクサから出力されたシリアル信号から
暗電流ノイズ(他のノイズ(固定パターンノイズ)を含
む)を除去するシェーディング補正を行う回路を設けた
点である。
A sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 12 is a circuit diagram showing a main configuration of an X-ray flat panel detector of an X-ray imaging apparatus to which the present invention is applied. The difference between this X-ray flat panel detector and the X-ray flat panel detector (see FIG. 2) described in the first embodiment is that the dark current noise (other signals) The point is that a circuit for performing shading correction for removing noise (including fixed pattern noise) is provided.

【0062】すなわち、X線曝射した後、ゲートドライ
バ41からライン毎にTFT42をONにする信号が時
間系列的に出力される。すると、ライン毎にTFT42
に接続されたX線検出素子からX線の曝射により蓄積さ
れた電荷が、データ信号ラインとして出力される。な
お、このX線検出素子43は、従来の技術(図15,図
16)で説明したように、フォトダイオードと蓄積用コ
ンデンサとから構成されている。
That is, after the X-ray irradiation, a signal for turning on the TFT 42 line by line from the gate driver 41 is output in a time sequence. Then, the TFT 42 is provided for each line.
The electric charge accumulated by the X-ray exposure from the X-ray detection element connected to the X-ray detector is output as a data signal line. The X-ray detecting element 43 is composed of a photodiode and a storage capacitor as described in the related art (FIGS. 15 and 16).

【0063】ライン毎に時間系列的に出力された電荷
は、列毎にリードアウトアンプ及び時定数用コンデンサ
(この時定数用コンデンサに蓄積された電荷を放電(リ
セット)するスイッチは省略している)から構成された
積分回路44を介してそれぞれ、マルチプレクサ45の
各入力端子に入力される。このマルチプレクサ45は、
前記各積分回路44からの出力を時間系列的に選択して
シリアル信号として出力する。
The charges output in time series for each line are readout amplifiers and time constant capacitors for each column (a switch for discharging (resetting) the charges accumulated in the time constant capacitors is omitted). ) Are input to the respective input terminals of the multiplexer 45 via the integration circuit 44 composed of. This multiplexer 45
The output from each of the integrating circuits 44 is selected in time series and output as a serial signal.

【0064】このシリアル信号はA/D変換器46に入
力される。このA/D変換器46では、アナログのシリ
アル信号をデジタル信号(デジタルデータ)に変換して
出力する。この出力されたデジタルデータは減算器47
に入力される。この減算器47には、演算処理回路48
が接続され、シェーディング用の補正データ(ノイズ量
データ)が供給されるようになっている。
This serial signal is input to the A / D converter 46. The A / D converter 46 converts an analog serial signal into a digital signal (digital data) and outputs it. The outputted digital data is subtracted by a subtractor 47.
Is input to The subtractor 47 includes an arithmetic processing circuit 48
Are connected, and correction data (noise amount data) for shading is supplied.

【0065】この演算処理回路48には、X線検出素子
(各画素)毎に単位時間当たりのノイズ量データが予め
記憶されたメモリ49及び前回のX線画像の読取りから
のライン毎の蓄積時間を計時する蓄積時間計時回路50
が接続され、前記メモリから対応するX線検出素子の単
位時間当たりのノイズ量データが供給され、蓄積時間計
時回路50からは対応するラインの蓄積時間データが供
給される。
The arithmetic processing circuit 48 includes a memory 49 in which noise amount data per unit time is stored in advance for each X-ray detecting element (each pixel) and an accumulation time for each line from the previous reading of the X-ray image. Time counting circuit 50 for counting time
Is connected, the noise amount data per unit time of the corresponding X-ray detecting element is supplied from the memory, and the accumulation time data of the corresponding line is supplied from the accumulation time counting circuit 50.

【0066】従って、この演算処理回路49は、メモリ
48からの単位時間当たりのノイズ量のデータ及び前記
蓄積時間計時回路50からの蓄積時間データに基づいて
そのデジタルデータに含まれている蓄積ノイズ量を算出
し、この蓄積ノイズ量データをシェーディング用補正デ
ータとして前記減算器47に供給する。
Therefore, based on the data of the noise amount per unit time from the memory 48 and the accumulation time data from the accumulation time counting circuit 50, the arithmetic processing circuit 49 calculates the accumulated noise amount included in the digital data. And supplies the accumulated noise amount data to the subtracter 47 as shading correction data.

【0067】この減算器47は、前記A/D変換器46
から直接供給されたデジタルデータから蓄積ノイズ量デ
ータを減算して出力するようになっている。また、前記
A/D変換器46と前記メモリ48とは接続されてお
り、予め単位時間当たりのノイズ量を設定する時に、前
記A/D変換器46から前記メモリ48へ単位時間当た
りのノイズ量データが供給される。
The subtractor 47 is provided with the A / D converter 46.
Then, the accumulated noise amount data is subtracted from the digital data directly supplied from the CPU and output. The A / D converter 46 and the memory 48 are connected to each other. When the amount of noise per unit time is set in advance, the amount of noise per unit time is transferred from the A / D converter 46 to the memory 48. Data is supplied.

【0068】このような構成の第6の実施の形態におい
て、メモリ49には、予めX線検出素子毎に単位時間当
たりのノイズ量データが記憶されている。例えば、暗電
流ノイズの掃き出しを行った後、X線を曝射しないで単
位時間待機して(撮影して)読取りを行い、この時A/
D変換器46から出力されるデジタルデータをそのまま
ノイズ量データとしてメモリ49にX線検出素子毎に記
憶する。また、蓄積時間計時回路50により、前回のX
線画像の読取りからの経過時間(蓄積時間)が計時され
る。
In the sixth embodiment having such a configuration, the memory 49 previously stores noise amount data per unit time for each X-ray detecting element. For example, after sweeping out dark current noise, reading is performed by waiting (photographing) for a unit time without exposing X-rays.
The digital data output from the D converter 46 is directly stored as noise amount data in the memory 49 for each X-ray detection element. In addition, the accumulation time counting circuit 50 determines that the previous X
The elapsed time (accumulation time) since the reading of the line image is measured.

【0069】このような状態で、実際にX線を曝射して
X線画像の読取りを行うと、A/D変換器46から出力
されたデジタルデータは、メモリ49からの単位時間当
たりのノイズ量データ及び蓄積時間計時回路50からの
蓄積時間データに基づいて、演算処理回路48で算出さ
れた蓄積ノイズ量データが減算されて、暗電流ノイズや
固定パターンノイズのないX線曝射によるデータとな
る。
In this state, when an X-ray image is read by actually exposing X-rays, the digital data output from the A / D converter 46 is output from the memory 49 as noise per unit time. Based on the amount data and the accumulation time data from the accumulation time counting circuit 50, the accumulated noise amount data calculated by the arithmetic processing circuit 48 is subtracted to obtain data obtained by X-ray irradiation without dark current noise or fixed pattern noise. Become.

【0070】このように第6の実施の形態によれば、X
線検出素子毎に単位時間当たりのノイズ量を記憶したメ
モリ49と、前回のX線画像の読取りからの蓄積時間を
計時する蓄積時間計時回路50と、その単位時間当たり
のノイズ量及び蓄積時間のデータに基づいて蓄積ノイズ
量データを算出する演算処理回路48と、A/D変換器
46からのデジタルデータから蓄積ノイズ量データを減
算する減算器47とを設けたことにより、読取ったデジ
タルデータから暗電流ノイズによる影響を排除して正確
なX線画像を得ることができる。
As described above, according to the sixth embodiment, X
A memory 49 for storing the amount of noise per unit time for each line detecting element, a storage time clock circuit 50 for measuring the storage time since the previous reading of the X-ray image, and a noise amount and a storage time for the unit time. By providing an arithmetic processing circuit 48 for calculating the accumulated noise amount data based on the data and a subtractor 47 for subtracting the accumulated noise amount data from the digital data from the A / D converter 46, the digital data read from the read digital data can be obtained. An accurate X-ray image can be obtained by eliminating the influence of dark current noise.

【0071】従って、X線の曝射タイミングの前に全て
のX線検出素子について暗電流ノイズの除去を同時に行
った場合に、読取りのラインの順番で、最初に読取るラ
インのX線検出素子からの検出データと最後に読取るラ
インのX線検出素子からの検出データとでは、最後に読
取るラインのX線検出素子の方が暗電流ノイズが多くな
り、1画面のX線画像において、暗電流ノイズによる影
響にライン毎に差が生じるという問題があるが、この第
6の実施の形態により、この暗電流ノイズによるライン
毎の影響の差を簡単に解消できるという効果を得ること
ができる。
Accordingly, when dark current noise is simultaneously removed from all the X-ray detection elements before the X-ray exposure timing, when the X-ray detection elements of the line to be read first are read in the order of the read lines. And the detection data from the X-ray detection element for the last line to be read, the dark current noise is larger for the X-ray detection element for the last line to be read. There is a problem that the influence of the dark current noise is different for each line. However, according to the sixth embodiment, the effect that the difference in the influence of the dark current noise for each line can be easily eliminated can be obtained.

【0072】この発明の第7の実施の形態を図13を参
照して説明する。図13は、この発明を適用したX線撮
像装置のX線平面検出器の要部構成を示す回路図であ
る。
A seventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 13 is a circuit diagram showing a main configuration of an X-ray flat panel detector of an X-ray imaging apparatus to which the present invention is applied.

【0073】X線曝射した後、ゲートドライバ61から
各ライン毎にTFT62をONにする信号が時間系列的
に出力される。すると、各ライン毎にTFT62に接続
されたX線検出素子からX線の曝射により蓄積された電
荷が、データ信号ラインとして出力される。なお、この
X線検出素子63はそれぞれ、従来の技術で説明したよ
うに、フォトダイオードと蓄積用コンデンサとから構成
され、これらのX線検出素子63のうち1列(最端列)
のX線検出素子のX線入射面にはX線を遮蔽するマスク
64が設けられている。
After the X-ray irradiation, a signal for turning on the TFT 62 for each line is output from the gate driver 61 in time series. Then, the charge accumulated by the X-ray irradiation from the X-ray detection element connected to the TFT 62 for each line is output as a data signal line. Each of the X-ray detection elements 63 is composed of a photodiode and a storage capacitor, as described in the background art, and one of these X-ray detection elements 63 (the end row).
A mask 64 for shielding X-rays is provided on the X-ray incidence surface of the X-ray detecting element.

【0074】ライン毎に時間系列的に出力された電荷
は、列毎にリードアウトアンプ及び時定数用コンデンサ
(この時定数用コンデンサに蓄積された電荷を放電(リ
セット)するスイッチは省略している)から構成された
積分回路65へ入力される。
The charges output in time series for each line are readout amplifiers and time constant capacitors for each column (a switch for discharging (resetting) the charges accumulated in the time constant capacitors is omitted). ) Is input to the integrating circuit 65.

【0075】前記マスク64が設けられた列の積分回路
65の出力端子は、第1の抵抗66及び第2の抵抗67
からなる直列分圧回路を介してグラウンド(0V)に接
続されている。
The output terminals of the integrating circuits 65 in the column provided with the mask 64 are connected to a first resistor 66 and a second resistor 67.
Is connected to ground (0 V) via a series voltage dividing circuit composed of

【0076】一方、他の列の積分回路65の出力端子
は、それぞれ差分回路(差動増幅回路)68を構成する
オペアンプの反転入力端子へ抵抗69を介して接続され
ている。前記第1の抵抗66と前記第2の抵抗67との
接続点(分圧出力点)は、前記差分回路68の各オペア
ンプの非反転入力端子に接続されている。
On the other hand, the output terminals of the integrating circuits 65 in the other columns are connected to the inverting input terminals of the operational amplifiers constituting the differential circuits (differential amplifier circuits) 68 via the resistors 69. A connection point (divided voltage output point) between the first resistor 66 and the second resistor 67 is connected to a non-inverting input terminal of each operational amplifier of the difference circuit 68.

【0077】この差分回路68の各出力端子はそれぞ
れ、マルチプレクサ70の各入力端子に接続される。こ
のマルチプレクサ70は、前記各差分回路68からの出
力を時間系列的に選択してシリアル信号として出力す
る。このシリアル信号はA/D変換器71に入力され
る。このA/D変換器71では、アナログのシリアル信
号をデジタル信号に変換して出力する。
Each output terminal of the difference circuit 68 is connected to each input terminal of the multiplexer 70. The multiplexer 70 selects the output from each of the difference circuits 68 in a time sequence and outputs the selected signal as a serial signal. This serial signal is input to the A / D converter 71. The A / D converter 71 converts an analog serial signal into a digital signal and outputs the digital signal.

【0078】このような構成の第7の実施の形態におい
ては、例えば全てのX線検出素子63について暗電流ノ
イズの同時掃き出しを行った後、X線を被検体に曝射す
ると、マスク64が設けらていない各X線検出素子で
は、検出した透過したX線量に応じた電荷が蓄積される
が、一方マスク64が設けられた各X線検出素子63で
は、暗電流ノイズ(その他の各種ノイズを含む)が電荷
として蓄積される。
In the seventh embodiment having such a structure, for example, when the X-rays are emitted to the subject after the simultaneous sweeping of the dark current noise for all the X-ray detecting elements 63, the mask 64 In each X-ray detecting element not provided, an electric charge corresponding to the detected transmitted X-ray dose is accumulated. On the other hand, in each X-ray detecting element 63 provided with the mask 64, dark current noise (other various noises) is stored. ) Are accumulated as electric charges.

【0079】X線の曝射を終了して、ライン毎に時間系
列的に読出しを行うと、マスク64が設けられた1つの
X線検出素子62からは、暗電流ノイズを示す電荷が出
力され、この電荷を示す電圧が第1の抵抗と第2の抵抗
との接続点から出力され、各差分回路68により、他の
X線検出素子62からの検出信号とその暗電流ノイズの
電圧との差が増幅されてマルチプレクサ70に出力され
る。すなわち、X線の曝射により電荷が蓄積された他の
X線検出素子63からの検出信号から暗電流ノイズに相
当する電圧を差し引いてマルチプレクサ70へ出力する
ことになる。
When the X-ray exposure is completed and reading is performed in a time-sequential manner for each line, one X-ray detecting element 62 provided with a mask 64 outputs a charge indicating dark current noise. A voltage indicating this charge is output from a connection point between the first resistor and the second resistor, and each difference circuit 68 outputs a voltage between the detection signal from the other X-ray detection element 62 and the voltage of the dark current noise. The difference is amplified and output to the multiplexer 70. That is, the voltage corresponding to the dark current noise is subtracted from the detection signal from the other X-ray detection element 63 in which the charge is accumulated by the X-ray irradiation, and the result is output to the multiplexer 70.

【0080】このようにこの第7の実施の形態によれ
ば、所定の1列のX線検出素子へ入射されるX線を遮蔽
するマスク64と、これらのX線検出素子63から出力
される暗電流ノイズに対応する電圧をマスク64を設け
ない他のX線検出素子63からの検出信号からにより差
し引く差分回路68とを設けたことにより、前述した第
6の実施の形態と同様な効果を得ることができる。
As described above, according to the seventh embodiment, the mask 64 for shielding the X-rays incident on a predetermined row of X-ray detection elements and the output from these X-ray detection elements 63 are provided. By providing the difference circuit 68 for subtracting the voltage corresponding to the dark current noise from the detection signal from the other X-ray detection element 63 without the mask 64, the same effect as in the above-described sixth embodiment can be obtained. Obtainable.

【0081】さらに、この第7の実施の形態では、X線
曝射前の暗電流ノイズの掃き出し方法において、1ライ
ン毎に掃き出す方法においても、また複数ライン毎のブ
ロック毎に掃き出す方法でも、さらに全てのラインを同
時に掃き出す方法においても、いずれの場合において
も、正確に暗電流ノイズの除去を行うことができる。ま
た、前述した第6の実施の形態とこの第7の実施の形態
とを組合わせるとより暗電流ノイズの除去においてより
高い効果を得ることができる。
Further, in the seventh embodiment, in the method of sweeping out dark current noise before X-ray irradiation, the method of sweeping out one line at a time, the method of sweeping out each block of a plurality of lines, and the like. Even in the method of simultaneously sweeping out all the lines, the dark current noise can be accurately removed in any case. Further, when the sixth embodiment is combined with the seventh embodiment, a higher effect in removing dark current noise can be obtained.

【0082】そこで、X線曝射前に第1の実施の形態乃
至第5の実施の形態を適切に組合わせて使用し、X線曝
射後のX線画像データの読取り時には、第6の実施の形
態と第7の実施の形態との組合わせた方法を使用する
と、暗電流ノイズによる影響の排除においてより高い効
果を得ることができる。
Therefore, the first to fifth embodiments are appropriately combined before the X-ray exposure, and the sixth embodiment is used when reading the X-ray image data after the X-ray exposure. By using the method in which the embodiment and the seventh embodiment are combined, it is possible to obtain a higher effect in eliminating the influence of dark current noise.

【0083】なお、X線平面検出器を構成するリードア
ウトアンプと時定数用コンデンサとからなる積分回路
(5,23,44,65)は、X線検出素子の列毎にマ
ルチプレクサの入力端子側に設けられていたが、これに
限定されるものではない、例えばマルチプレクサの入力
端子側には設けずに、マルチプレクサの出力端子側に1
個だけ設けても良いものである。このようにすれば、積
分回路の個数を減らすことができ、回路が単純になり基
板を小さくコストを下げることができる。
An integrating circuit (5, 23, 44, 65) comprising a readout amplifier and a capacitor for a time constant constituting the X-ray flat panel detector is provided on the input terminal side of the multiplexer for each column of X-ray detecting elements. However, the present invention is not limited to this. For example, it is not provided on the input terminal side of the multiplexer, but is connected to the output terminal side of the multiplexer.
Only one may be provided. By doing so, the number of integrating circuits can be reduced, the circuit can be simplified, the substrate can be made smaller, and the cost can be reduced.

【0084】また、X線平面検出器の構成として、マル
チプレクサを使用しない方法もある。すなわち、X線検
出素子の列毎に設けられた積分回路にそれぞれA/D変
換器を接続して、このA/D変換器からの出力を時間系
列的に選択して取り込むようにすれば良いものである。
As a configuration of the X-ray flat panel detector, there is a method that does not use a multiplexer. That is, A / D converters may be connected to integrating circuits provided for each column of X-ray detection elements, and outputs from the A / D converters may be selected and taken in time series. Things.

【0085】[0085]

【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
暗電流ノイズを高精度に除去することができる。
As described in detail above, according to the present invention,
Dark current noise can be removed with high accuracy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の第1の実施の形態のX線撮像装置の
要部構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram illustrating a main configuration of an X-ray imaging apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】同実施の形態のX線撮像装置のX線平面検出器
の要部構成を示す回路図。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a main configuration of an X-ray flat panel detector of the X-ray imaging apparatus according to the embodiment;

【図3】同実施の形態のX線撮像装置のX線平面検出器
のゲートドライバを示す図。
FIG. 3 is a diagram showing a gate driver of an X-ray flat panel detector of the X-ray imaging apparatus according to the embodiment.

【図4】同実施の形態のX線撮像装置のX線曝射とTF
TのON/OFF制御のタイミングを示す図。
FIG. 4 shows X-ray exposure and TF of the X-ray imaging apparatus according to the embodiment.
The figure which shows the timing of ON / OFF control of T.

【図5】この発明の第2の実施の形態のX線撮像装置の
X線曝射とTFTのON/OFF制御のタイミングを示
す図。
FIG. 5 is a diagram showing timings of X-ray irradiation and TFT ON / OFF control of the X-ray imaging apparatus according to the second embodiment of the present invention.

【図6】この発明の第3の実施の形態のX線撮像装置の
X線曝射タイミングを得るための第1の方法の構成を示
すブロック図。
FIG. 6 is a block diagram showing a configuration of a first method for obtaining X-ray irradiation timing of an X-ray imaging apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図7】同実施の形態のX線撮像装置のX線曝射のタイ
ミングを得る第2の方法の構成を示すブロック図。
FIG. 7 is a block diagram showing a configuration of a second method for obtaining X-ray irradiation timing of the X-ray imaging apparatus according to the embodiment.

【図8】同実施の形態のX線撮像装置のX線曝射のタイ
ミングを得る第3の方法の構成を示すブロック図。
FIG. 8 is a block diagram showing a configuration of a third method for obtaining X-ray irradiation timing of the X-ray imaging apparatus of the embodiment.

【図9】この発明の第4の実施の形態のX線撮像装置の
1個のX線検出素子周辺の要部構成を示すブロック図。
FIG. 9 is a block diagram illustrating a configuration of a main part around one X-ray detection element of an X-ray imaging apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

【図10】同実施の形態のX線撮像装置の各種信号のタ
イミングを示す図。
FIG. 10 is a view showing timings of various signals of the X-ray imaging apparatus of the embodiment.

【図11】この発明の第5の実施の形態のX線撮像装置
の要部構成を示すブロック図。
FIG. 11 is a block diagram showing a main configuration of an X-ray imaging apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.

【図12】この発明の第6の実施の形態のX線撮像装置
のX線平面検出器の要部構成を示す回路図。
FIG. 12 is a circuit diagram showing a main configuration of an X-ray flat panel detector of an X-ray imaging apparatus according to a sixth embodiment of the present invention.

【図13】この発明の第7の実施の形態のX線撮像装置
のX線平面検出器の要部構成を示す回路図。
FIG. 13 is a circuit diagram showing a main configuration of an X-ray flat panel detector of an X-ray imaging apparatus according to a seventh embodiment of the present invention.

【図14】従来のフィルム等を使用した撮像装置及び
I.I.−TV画像撮像装置の例を示す図。
FIG. 14 shows a conventional imaging apparatus using a film or the like and I.I. I. The figure which shows the example of a -TV image imaging device.

【図15】X線(半導体)平面検出器を使用したX線撮
像装置の従来例を示す図。
FIG. 15 is a diagram showing a conventional example of an X-ray imaging apparatus using an X-ray (semiconductor) flat panel detector.

【図16】同従来例のX線撮像装置のX線平面検出器の
要部構成の一例を示す回路図。
FIG. 16 is a circuit diagram showing an example of a configuration of a main part of an X-ray flat panel detector of the X-ray imaging apparatus of the conventional example.

【図17】同従来例のX線撮像装置のX線平面検出器を
構成するX線検出素子を示す回路図。
FIG. 17 is a circuit diagram showing an X-ray detection element constituting an X-ray flat panel detector of the X-ray imaging apparatus of the conventional example.

【図18】同従来例のX線撮像装置のX線平面検出器を
構成する実際のX線検出素子の要部構造を示す断面図。
FIG. 18 is a cross-sectional view showing a main structure of an actual X-ray detection element constituting an X-ray flat panel detector of the X-ray imaging apparatus of the conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,11,14,16,21,31…制御部、 2,32…X線発生部、 3,12,15,19,33…X線平面検出器、 4,22,41,61…ゲートドライバ、 5,23,44,65…積分回路、 13…X線検出センサ、 15−1…X線センサ部、 18…電流検出センサ、 33−1…電源制御部、 45,70…マルチプレクサ、 48…演算処理回路、 49…メモリ、 50…蓄積時間計時回路、 64…マスク、 68…差分回路。 1, 11, 14, 16, 21, 31, ... control unit, 2, 32 ... X-ray generation unit, 3, 12, 15, 19, 33 ... X-ray plane detector, 4, 22, 41, 61 ... gate driver , 5, 23, 44, 65: integrating circuit, 13: X-ray detection sensor, 15-1: X-ray sensor unit, 18: current detection sensor, 33-1: power supply control unit, 45, 70: multiplexer, 48 ... Arithmetic processing circuit, 49: memory, 50: accumulation time counting circuit, 64: mask, 68: difference circuit.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G03B 42/02 G03B 42/02 H01L 21/027 H04N 5/32 27/14 5/335 R 31/09 H01L 21/30 531Z H04N 5/32 27/14 K 5/335 31/00 A (72)発明者 名渕 好一郎 栃木県大田原市下石上1385番の1 株式会 社東芝那須工場内 (72)発明者 塚本 明 栃木県大田原市下石上1385番の1 株式会 社東芝那須工場内 (72)発明者 山田 真一 栃木県大田原市下石上1385番の1 株式会 社東芝那須工場内 (72)発明者 斎須 亨 栃木県大田原市下石上1385番の1 株式会 社東芝那須工場内 (72)発明者 富崎 隆之 栃木県大田原市下石上1385番の1 株式会 社東芝那須工場内 (72)発明者 田中 学 栃木県大田原市下石上1385番の1 株式会 社東芝那須工場内 (72)発明者 永井 清一郎 栃木県大田原市下石上1385番の1 東芝メ ディカルエンジニアリング株式会社内──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI Theme coat ゛ (Reference) G03B 42/02 G03B 42/02 H01L 21/027 H04N 5/32 27/14 5/335 R 31/09 H01L 21/30 531Z H04N 5/32 27/14 K 5/335 31/00 A (72) Inventor Koichiro Nabuchi 1385-1 Shimoishigami, Otawara-shi, Tochigi Pref. Toshiba Nasu Plant (72) Inventor Akira Tsukamoto 1385-1, Shimoishigami, Otawara City, Tochigi Prefecture, Japan Inside the Toshiba Nasu Factory (72) Inventor Shinichi Yamada 1385-1, Shimoishigami, Otawara City, Tochigi Prefecture, Japan 1 Toshiba Nasu Factory (72) Inventor Saisu Torugi 1385-1 Shimoishigami, Otawara City, Tochigi Prefecture Inside the Toshiba Nasu Factory (72) Inventor Takayuki Tomisaki 1385-1 Shimoishigami, Otawara City, Tochigi Prefecture 1 Inside the Toshiba Nasu Factory (72) Inventor: Manabu Tanaka Tochigi Prefectural university Changwon Shimoishigami 1385 No. 1 stock company Toshiba Nasu in the factory (72) inventor Seiichiro Nagai Tochigi Prefecture Otawara Shimoishigami 1385 No. 1 Toshiba main di Cal Engineering Co., Ltd. in

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 X線を被検体に向けて曝射するX線発生
手段と、前記被検体を透過したΧ線を電荷信号に変換し
て蓄積するX線検出素子を2次元的に配列したX線像検
出部と、前記X線検出素子に蓄積された電荷の読み出し
を制御する読出制御手段を備えたX線診断装置におい
て、前記X線像検出部はX線曝射時に電荷の蓄積が行わ
れないようにマスクされたX線検出素子を備え、このマ
スクされたX線検出素子の出力に基づいて前記電荷信号
から暗電流ノイズを除去する補正手段を備えたことを特
徴とするX線診断装置。
1. An X-ray generating means for irradiating an X-ray toward a subject, and an X-ray detecting element for converting a Χ-ray transmitted through the subject into a charge signal and accumulating the X-ray, are two-dimensionally arranged. An X-ray diagnostic apparatus comprising: an X-ray image detection unit; and a readout control unit that controls reading out of the electric charge stored in the X-ray detection element. An X-ray detector comprising: an X-ray detection element masked so as not to be performed; and a correction means for removing dark current noise from the charge signal based on an output of the masked X-ray detection element. Diagnostic device.
【請求項2】 前記被検体を透過したΧ線を電荷信号に
変換して蓄積するX線検出素子を2次元的に配列したX
線像検出部を有し、前記X線検出素子に蓄積された電荷
を読み出して画像化することに診断に共するX線検出器
において、X線が曝射された際に電荷の蓄積が行われな
いようにマスクされたX線検出素子を所定数備え、この
マスクされたX線検出素子の出力を前記電荷信号に含ま
れる暗電流ノイズの除去に供することを特徴とするX線
検出器。
2. An X-ray detector comprising two-dimensionally arranged X-ray detecting elements for converting a Χ-ray transmitted through the subject into a charge signal and storing the charge signal.
An X-ray detector having a line image detecting unit and reading out and imaging an electric charge accumulated in the X-ray detecting element performs the accumulation of the electric charge when the X-ray is irradiated. An X-ray detector comprising a predetermined number of masked X-ray detection elements so as to prevent dark current noise included in the charge signal from being output from the masked X-ray detection elements.
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