JP2001334221A - Substrate cleaning apparatus - Google Patents

Substrate cleaning apparatus

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JP2001334221A
JP2001334221A JP2000155530A JP2000155530A JP2001334221A JP 2001334221 A JP2001334221 A JP 2001334221A JP 2000155530 A JP2000155530 A JP 2000155530A JP 2000155530 A JP2000155530 A JP 2000155530A JP 2001334221 A JP2001334221 A JP 2001334221A
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JP
Japan
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substrate
cleaning
ultrasonic
vibration
ultrasonic cleaning
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Application number
JP2000155530A
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Japanese (ja)
Inventor
Sadao Hirae
貞雄 平得
Takamasa Sakai
高正 坂井
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate cleaning apparatus which can completely remove fine particles on the surface of the substrate so that the cleaning action for the surface of the substrate can be improved. SOLUTION: An ultrasonic cleaning head 21 is positioned spaced at an interval D1 i.e., a first interval being a processing position, from the upper surface Wa of a substrate W which is rotated about the axis of rotation R of the substrate W. In the head 21, a vibration surface VF provided in a substrate surface WF imparts ultrasonic wave vibration to a cleaning liquid supplied into a gap K from nozzles 220, 230. A vibration element 213 disposed on a vibration plate 212 constituting the surface VF alternates with split electrodes 252a, 252b in a comb-teeth like form, and phase-deviated alternating-current drive signals are applied to the element 213 to generate traveling waves on the surface VF.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示装置用ガラス基板、PDP(プラズマ・ディスプ
レイ・パネル)基板、あるいは、磁気ディスク用のガラ
ス基板やセラミック基板などのような各種の基板に洗浄
処理を施すための基板洗浄装置および基板洗浄方法に関
する。
The present invention relates to various substrates such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display, a PDP (plasma display panel) substrate, a glass substrate for a magnetic disk, and a ceramic substrate. The present invention relates to a substrate cleaning apparatus and a substrate cleaning method for performing a cleaning process.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置の製造工程には、半導体ウエ
ハ(以下、単に「基板」という。)の表面に成膜やエッ
チングなどの処理を繰り返し施して微細パターンを形成
していく工程が含まれる。微細加工のためには基板の両
面、特に薄膜が形成される基板の一方面(薄膜形成面)
を清浄に保つ必要があるから、必要に応じて基板の洗浄
処理が行われる。たとえば、基板の薄膜形成面上に形成
された薄膜を研磨剤を用いて化学機械研磨処理(以下、
CMP処理という)した後には、研磨剤(スラリー)が
基板両面に残留しているから、このスラリーを除去する
必要がある。
2. Description of the Related Art A semiconductor device manufacturing process includes a process of forming a fine pattern by repeatedly performing processes such as film formation and etching on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as "substrate"). . For microfabrication, both sides of the substrate, especially one side of the substrate on which the thin film is formed (thin film forming surface)
It is necessary to keep the substrate clean, and the substrate is subjected to a cleaning process as necessary. For example, a thin film formed on a thin film forming surface of a substrate is subjected to chemical mechanical polishing using an abrasive (hereinafter, referred to as a chemical mechanical polishing process).
After the CMP process, since the abrasive (slurry) remains on both surfaces of the substrate, it is necessary to remove the slurry.

【0003】上述のような従来の基板の洗浄を行う基板
洗浄装置は、たとえば、基板を回転させながらその両面
に洗浄液を供給しつつ基板の両面をスクラブ洗浄する両
面洗浄装置と、基板を回転させながらその両面に洗浄液
を供給しつつ基板の一方面(薄膜形成面)をスクラブ洗
浄および超音波洗浄する片面洗浄装置と、基板を回転さ
せながらその両面に純水を供給して水洗し、次いで純水
の供給を停止させて基板を高速回転させることで基板表
面の水分を振り切り乾燥させる水洗・乾燥装置とからな
っている。
A conventional substrate cleaning apparatus for cleaning a substrate as described above includes, for example, a double-side cleaning apparatus for scrub-cleaning both sides of a substrate while supplying a cleaning liquid to both sides while rotating the substrate, and a rotating apparatus for rotating the substrate. A single-sided cleaning device that scrubs and ultrasonically cleans one surface of the substrate (thin film forming surface) while supplying a cleaning liquid to both surfaces while supplying pure water to both surfaces of the substrate while rotating the substrate, and then washing with water. A water washing / drying device that shakes off moisture on the surface of the substrate by stopping the supply of water and rotating the substrate at high speed to dry the substrate.

【0004】ここで特に、上述の片面洗浄装置には、主
に基板表面に固着したパーティクルを除去するために、
基板の表面をスポンジブラシによってスクラブ洗浄する
ブラシ洗浄機構と、主に基板表面に残留する微細なパー
ティクルを除去するために、基板の表面に向けて超音波
が付与された洗浄液を供給する超音波洗浄機構とが備え
られ、これらの機構によって、基板表面に付着している
ゴミやスラリーなどの微細なパーティクルを除去できる
ようになっている。
[0004] In particular, the above-mentioned single-side cleaning apparatus is mainly used for removing particles stuck to the substrate surface.
A brush cleaning mechanism that scrubs the surface of the substrate with a sponge brush, and an ultrasonic cleaning that supplies a cleaning liquid to which ultrasonic waves are applied toward the surface of the substrate, mainly to remove fine particles remaining on the substrate surface. Mechanisms are provided, and by these mechanisms, fine particles such as dust and slurry adhering to the substrate surface can be removed.

【0005】そして、上記超音波洗浄機構は、超音波発
振器からのパルスを受けて超音波振動する振動板によっ
て洗浄液に超音波を付与し、この超音波が付与された洗
浄液を基板表面に向けて吐出する超音波ノズルを備えて
おり、この洗浄液の持つ超音波振動エネルギーによっ
て、微細なパーティクルが基板表面から離脱されて除去
できるようになっている。
The ultrasonic cleaning mechanism applies ultrasonic waves to the cleaning liquid by a vibration plate that receives a pulse from an ultrasonic oscillator and vibrates ultrasonically, and directs the cleaning liquid to which the ultrasonic waves have been applied toward the substrate surface. An ultrasonic nozzle for discharging is provided, and fine particles are separated from the substrate surface and can be removed by the ultrasonic vibration energy of the cleaning liquid.

【0006】しかしながら、近年の薄膜形成パターンの
高精細化に伴って、より微細なパーティクルの除去が必
要となってきており、上述した従来の基板洗浄装置の超
音波洗浄機構では、このより微細なパーティクルの除去
に対応できないという問題が生じていた。すなわち、従
来の超音波洗浄機構においては、超音波ノズルの吐出口
先端から、実際に超音波が付与された洗浄液が供給され
る基板表面までの距離(以下、吐出距離という)が大き
くされているため、この距離の間に洗浄液に付与された
超音波振動エネルギーが減衰してしまって、基板表面が
十分に超音波洗浄されず、より微細なパーティクルを除
去できないという問題があった。
[0006] However, with the recent increase in the definition of thin film formation patterns, it has become necessary to remove finer particles. In the above-described ultrasonic cleaning mechanism of the conventional substrate cleaning apparatus, the finer particles have to be removed. There has been a problem that it cannot cope with the removal of particles. That is, in the conventional ultrasonic cleaning mechanism, the distance from the tip of the discharge port of the ultrasonic nozzle to the substrate surface to which the cleaning liquid to which the ultrasonic wave is actually applied is supplied (hereinafter, referred to as discharge distance) is increased. Therefore, there is a problem that the ultrasonic vibration energy applied to the cleaning liquid during this distance is attenuated, and the substrate surface is not sufficiently ultrasonically cleaned, so that finer particles cannot be removed.

【0007】また、上述の吐出距離の間には、大気中の
空気が洗浄液に混入して気泡となり、この気泡によって
も、洗浄液の持つ超音波振動エネルギーが減衰してしま
って、基板表面が十分に超音波洗浄されず、より微細な
パーティクルを除去できないという問題もあった。
In addition, during the above-described discharge distance, air in the atmosphere mixes with the cleaning liquid to form bubbles, and the bubbles also attenuate the ultrasonic vibration energy of the cleaning liquid, so that the substrate surface becomes insufficient. However, there is also a problem that ultrasonic cleaning is not performed and finer particles cannot be removed.

【0008】しかも、常に適切な量の洗浄液を流す必要
があり、特に洗浄液量も多くなるという問題もあった。
In addition, it is necessary to always supply an appropriate amount of cleaning liquid, and there is a problem that the amount of cleaning liquid is particularly large.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】このような状況に対し
て、超音波洗浄機構において洗浄液を大幅に低減して省
液化が可能な超音波洗浄装置の一例として、特開平11
−138116号公報が提供されている。この従来の超
音波洗浄装置には、基板と振動プレート(振動板)との
間に表面張力の作用により液膜ができ、この液膜を介し
て振動プレートからの超音波が基板へ伝達される構成が
開示されている。従って、この液膜の作用により基板の
洗浄を行うことができ、しかも、洗浄液の使用量を抑え
ることができる。
To cope with such a situation, Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 11 (1999) discloses an example of an ultrasonic cleaning apparatus capable of greatly reducing the amount of cleaning liquid in an ultrasonic cleaning mechanism and saving liquid.
No. 138116 is provided. In this conventional ultrasonic cleaning apparatus, a liquid film is formed between a substrate and a vibration plate (vibration plate) by the action of surface tension, and ultrasonic waves from the vibration plate are transmitted to the substrate via the liquid film. An arrangement is disclosed. Therefore, the substrate can be cleaned by the action of the liquid film, and the amount of the cleaning liquid used can be reduced.

【0010】上記の超音波洗浄装置においては、図7に
説明図を示すように超音波洗浄機構110は振動プレー
ト120は基板Wの全体を覆う大きさに形成される。こ
のことによって、移動方向Fに移動する基板Wの表面と
の間の液膜を形成して超音波を伝達するようになってい
る。このように超音波を集中させないで広い面積に分散
せることは、超音波を一点に集めて基板に作り込まれた
回路パターンを破損することに鑑み有効である。しかし
ながら、近年の薄膜形成パターンの高精細化に伴って、
より微細なパーティクルの除去に対応できないという問
題が生じていた。すなわち、超音波を集中させずに洗浄
効率を上げることが要望されている。
In the above ultrasonic cleaning apparatus, the ultrasonic cleaning mechanism 110 is formed in such a size that the vibration plate 120 covers the entire substrate W as shown in FIG. Thus, a liquid film is formed between the substrate and the surface of the substrate W that moves in the movement direction F, and the ultrasonic waves are transmitted. Dispersing the ultrasonic waves over a wide area without concentrating the ultrasonic waves in this manner is effective in that the ultrasonic waves are collected at one point and the circuit pattern formed on the substrate is damaged. However, with the recent trend toward higher definition of thin film formation patterns,
There has been a problem that it is not possible to cope with the removal of finer particles. That is, it is desired to increase the cleaning efficiency without concentrating the ultrasonic waves.

【0011】特に、基板の裏面の洗浄に際しては、パー
ティクルの除去能力の向上が必要になるが、このように
基板裏面の洗浄をも視野にいれると、一層、洗浄効率を
上げることが要望される。
In particular, when cleaning the back surface of the substrate, it is necessary to improve the ability to remove particles. However, if the cleaning of the back surface of the substrate is also taken into consideration, it is desired to further increase the cleaning efficiency. .

【0012】また、振動プレート120が大きくなると
基板との間隙内の洗浄液は、その内部に滞留する割合が
多くなり、その結果、基板W表面にゴミやスラリーなど
の微細なパーティクルが残ってしまい、半導体装置の製
造工程において歩留りの低下につながり、大きな問題と
なっていた。
When the size of the vibration plate 120 increases, the ratio of the cleaning liquid in the gap between the substrate and the substrate increases, and as a result, fine particles such as dust and slurry remain on the surface of the substrate W. This has led to a decrease in yield in the manufacturing process of semiconductor devices, which has become a major problem.

【0013】そこで、本発明の目的は、上述の技術的課
題を解決し、基板表面の微細なパーティクルを十分に除
去し、基板表面の洗浄力を向上させることが可能な基板
洗浄装置を提供することにある。
Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned technical problems, and to provide a substrate cleaning apparatus capable of sufficiently removing fine particles on the substrate surface and improving the cleaning power of the substrate surface. It is in.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段およびその作用・効果】上
記目的を達成するために、本発明は、相対移動する基板
に間隔を空けて対向配置される振動面と、前記振動面に
超音波振動を発生させる振動子を有する超音波洗浄手段
と、前記超音波洗浄手段の振動面と基板との間隔に、基
板の処理に用いられる流体を供給する流体供給部と、を
備え、前記超音波洗浄手段は、異なる交流駆動信号をそ
れぞれ受ける複数の分割電極を前記振動面に並列して有
することを特徴とする基板洗浄装置である。
In order to achieve the above object, the present invention provides a vibrating surface opposed to a relatively moving substrate at an interval, and an ultrasonic vibrating surface provided on the vibrating surface. An ultrasonic cleaning unit having a vibrator for generating an ultrasonic wave; and a fluid supply unit for supplying a fluid used for processing the substrate at an interval between a vibrating surface of the ultrasonic cleaning unit and the substrate. The means is a substrate cleaning apparatus, wherein a plurality of divided electrodes respectively receiving different AC drive signals are provided in parallel with the vibrating surface.

【0015】請求項2に係る発明は、請求項1に記載の
基板洗浄装置において、前記複数の分割電極は、振動面
の長手方向に並列して配置することを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the substrate cleaning apparatus according to the first aspect, the plurality of divided electrodes are arranged in parallel in the longitudinal direction of the vibrating surface.

【0016】請求項3に係る発明は、請求項1または請
求項2に記載の基板洗浄装置において、前記基板を垂直
な回転軸を中心として所定の回転方向に基板を回転させ
る基板回転手段と、を備え、前記複数の分割電極のうち
基板の回転軸に近い分割電極から順に、位相をずらした
交流駆動信号を印加することを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the substrate cleaning apparatus according to the first or second aspect, substrate rotating means for rotating the substrate in a predetermined rotation direction about a vertical rotation axis; And applying an AC drive signal having a phase shifted in order from the divided electrode closer to the rotation axis of the substrate among the plurality of divided electrodes.

【0017】請求項4に係る発明は、相対移動する基板
に間隔を空けて対向配置される振動面と、前記振動面に
超音波振動を発生させる振動子を有する超音波洗浄手段
と、前記超音波洗浄手段の振動面と基板との間隔に、基
板の処理に用いられる流体を供給する流体供給部と、を
備え、前記超音波洗浄手段は、前記振動子を前記振動面
の一方端部に有することを特徴とする基板洗浄装置であ
る。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an ultrasonic cleaning means having a vibrating surface opposed to a relatively moving substrate at an interval, a vibrator for generating ultrasonic vibration on the vibrating surface, A fluid supply unit for supplying a fluid used for processing the substrate, at an interval between the vibration surface of the ultrasonic cleaning unit and the substrate, and the ultrasonic cleaning unit includes the vibrator at one end of the vibration surface. A substrate cleaning apparatus comprising:

【0018】請求項5に係る発明は、請求項4に記載の
基板洗浄装置において、前記超音波洗浄手段は、前記振
動子を前記振動面の長手方向の一方端部に配置すること
を特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, in the substrate cleaning apparatus of the fourth aspect, the ultrasonic cleaning means arranges the vibrator at one end in a longitudinal direction of the vibrating surface. I do.

【0019】請求項6に係る発明は、請求項4または請
求項5に記載の基板洗浄装置において、前記基板を垂直
な回転軸を中心として所定の回転方向に基板を回転させ
る基板回転手段と、を備え、前記超音波洗浄手段は、前
記振動子を前記振動面の基板の回転軸に近接する側に配
置されたことを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, in the substrate cleaning apparatus according to the fourth or fifth aspect, substrate rotating means for rotating the substrate in a predetermined rotation direction about a vertical rotation axis; And the ultrasonic cleaning means is characterized in that the vibrator is disposed on a side of the vibrating surface close to a rotation axis of the substrate.

【0020】本発明の作用は次のとおりである。ここ
で、請求項1に係る発明の基板洗浄装置によると、相対
移動される基板と超音波洗浄手段の振動面との間隔に、
流体供給部から基板の処理に用いられる流体が供給され
て満たされ、この間隔に満たされた流体は振動面によっ
て超音波が付与される。
The operation of the present invention is as follows. Here, according to the substrate cleaning apparatus of the invention according to claim 1, the distance between the substrate that is relatively moved and the vibration surface of the ultrasonic cleaning unit is:
The fluid used for processing the substrate is supplied and filled from the fluid supply unit, and the fluid filled in this interval is subjected to ultrasonic waves by the vibrating surface.

【0021】ここで、振動面の全域において充分な洗浄
効率が得られることが要求される。そして、上記請求項
1の発明によれば、振動面に並列して分割電極を配置す
ることで、振動面において流体に対して通常の振動に併
せて、超音波振動の進行波を発生させる。すなわち、異
なる交流駆動信号をそれぞれの分割電極に印加すること
で、振動周期が異なり進行波が発生する。その結果、振
動面と基板との間に供給された流体を移動させることが
できるとともに、移動する進行波によって効率よく基板
表面の微細なパーティクルを充分に除去し、基板の表面
の洗浄力を向上させることができる。
Here, it is required that sufficient cleaning efficiency be obtained over the entire area of the vibrating surface. According to the first aspect of the present invention, by arranging the divided electrodes in parallel with the vibrating surface, a traveling wave of ultrasonic vibration is generated along with normal vibration of the fluid on the vibrating surface. That is, by applying different AC drive signals to each of the divided electrodes, a vibration wave has a different period and a traveling wave is generated. As a result, the fluid supplied between the vibrating surface and the substrate can be moved, and at the same time, the moving particles can efficiently remove fine particles on the substrate surface sufficiently to improve the cleaning power of the substrate surface. Can be done.

【0022】また、この基板に対向する間隔内に満たさ
れた流体は、大気に曝されることがなく、気泡等の空気
の混入されることがない。したがって、このように上記
間隔に満たされた状態にある流体は、超音波振動が付与
されると効率良く超音波振動エネルギーを伝達されるの
で、基板表面の微細なパーティクルを十分に除去し、基
板表面の洗浄力を向上させることができる。
Further, the fluid filled in the space facing the substrate is not exposed to the atmosphere and no air such as air bubbles is mixed therein. Therefore, the fluid in the state filled with the above-mentioned space efficiently transmits ultrasonic vibration energy when ultrasonic vibration is applied, so that fine particles on the substrate surface are sufficiently removed, and the substrate is sufficiently removed. The detergency of the surface can be improved.

【0023】なお、ここでいう「基板表面」とは、基板
の薄膜が形成された面であっても、基板の薄膜が形成さ
れていない面であってもよく、また、基板の上面、下面
のいずれでもよい。すなわち、基板表面とは、基板の周
縁部の端面を除いたどの面であってもよい。
The “substrate surface” here may be the surface of the substrate on which the thin film is formed, the surface of the substrate on which the thin film is not formed, or the upper and lower surfaces of the substrate. Either may be used. That is, the substrate surface may be any surface excluding the end surface of the peripheral portion of the substrate.

【0024】またさらに、ここでいう「流体」とは、純
水および薬液(たとえば、フッ酸、硫酸、塩酸、硝酸、
燐酸、酢酸、アンモニアまたはこれらの過酸化水素水溶
液など)の洗浄液のいずれであってもよく、基板表面を
洗浄できる液体であればなんでもよい。
Furthermore, the term "fluid" used herein refers to pure water and chemicals (for example, hydrofluoric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid,
Cleaning liquid such as phosphoric acid, acetic acid, ammonia, or an aqueous solution of hydrogen peroxide thereof, or any liquid capable of cleaning the substrate surface.

【0025】請求項2に係る発明の基板洗浄装置による
と、分割電極は振動面の長手方向に並列して配置され
る。このことにより、進行波は振動面の長手方向に作用
してし、流体に対してより長く振動エネルギーを伝達す
ることとなる。その結果、基板表面の微細なパーティク
ルを十分に除去し、基板表面の洗浄力を向上させること
ができる。
According to the substrate cleaning apparatus of the second aspect, the divided electrodes are arranged in parallel in the longitudinal direction of the vibrating surface. As a result, the traveling wave acts in the longitudinal direction of the vibration surface, and transmits vibration energy to the fluid for a longer time. As a result, fine particles on the substrate surface can be sufficiently removed, and the detergency of the substrate surface can be improved.

【0026】請求項3に係る発明の基板洗浄装置による
と、基板洗浄装置は基板を垂直な回転軸を中心として所
定の回転方向に基板を回転させる基板回転手段を備え、
前記複数の分割電極のうち基板の回転軸に近い分割電極
から順に位相をずらした交流駆動信号を印加してもよ
い。すなわち、こうすることにより進行波が基板の回転
軸から離れる方向、言い換えると基板の端部に向けて発
生する。よって、流体は基板表面に滞留することなく置
換効率が向上して、常に新鮮な超音波振動が付与された
流体が基板表面に接していることになる。その結果、基
板表面の洗浄力をさらに向上させることができる。
According to a third aspect of the present invention, the substrate cleaning apparatus includes substrate rotating means for rotating the substrate in a predetermined rotation direction about a vertical rotation axis,
An alternating-current drive signal whose phase is shifted in order from the divided electrode closer to the rotation axis of the substrate among the plurality of divided electrodes may be applied. That is, by doing so, the traveling wave is generated in a direction away from the rotation axis of the substrate, in other words, toward the end of the substrate. Therefore, the replacement efficiency is improved without the fluid staying on the substrate surface, and the fluid to which fresh ultrasonic vibration is always applied is in contact with the substrate surface. As a result, the cleaning power of the substrate surface can be further improved.

【0027】請求項4に係る発明の基板洗浄装置による
と、超音波洗浄手段は、振動子を振動面の一方端部に有
する。その結果、振動面において超音波振動の進行波を
流体を移動させることができるとともに、振動面を移動
する進行波によって効率よく基板表面の微細なパーティ
クルを充分に除去し、基板の表面の洗浄力を向上させる
ことができる。
According to the substrate cleaning apparatus of the invention, the ultrasonic cleaning means has the vibrator at one end of the vibrating surface. As a result, the traveling wave of the ultrasonic vibration can move the fluid on the vibrating surface, and the traveling wave moving on the vibrating surface can efficiently and sufficiently remove fine particles on the substrate surface, thereby cleaning the surface of the substrate. Can be improved.

【0028】請求項5に係る発明の基板洗浄装置による
と、振動子は振動面の長手方向の一方端部に有する。そ
の結果、振動面において超音波振動の進行波を流体を長
手方向に移動させることができるとともに、長手方向に
移動する進行波によって流体に対してより長く振動エネ
ルギーを伝達することとなる。その結果、効率よく基板
表面の微細なパーティクルを充分に除去し、基板の表面
の洗浄力を向上させることができる。
According to the substrate cleaning apparatus of the invention, the vibrator is provided at one end in the longitudinal direction of the vibrating surface. As a result, the traveling wave of the ultrasonic vibration can move the fluid in the longitudinal direction on the vibration surface, and the traveling energy traveling in the longitudinal direction transmits vibration energy to the fluid longer. As a result, fine particles on the substrate surface can be efficiently and sufficiently removed, and the detergency of the substrate surface can be improved.

【0029】請求項6に係る発明によれば、基板洗浄装
置は、超音波洗浄手段の振動子を振動面の基板の回転軸
に近接する側に配置されてあってもよい。すなわち、こ
うすることにより進行波が基板の回転軸から離れる方
向、言い換えると基板の端部に向けて発生する。よっ
て、流体の置換効率が向上して、常に新鮮な超音波振動
が付与された洗浄液が基板表面に接していることにな
り、基板表面の洗浄力をさらに向上させることができ
る。
According to the sixth aspect of the present invention, in the substrate cleaning apparatus, the vibrator of the ultrasonic cleaning means may be arranged on a side of the vibrating surface close to the rotation axis of the substrate. That is, by doing so, the traveling wave is generated in a direction away from the rotation axis of the substrate, in other words, toward the end of the substrate. Therefore, the efficiency of fluid replacement is improved, and the cleaning liquid to which fresh ultrasonic vibrations are always applied is in contact with the substrate surface, and the cleaning power of the substrate surface can be further improved.

【0030】[0030]

【発明の実施の形態】以下に、上述の技術的課題を解決
するための本発明の一実施形態に係る基板洗浄装置を、
添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の
一実施形態に係る基板洗浄装置の主要部の構成を簡略的
に示す斜視図である。なお、この基板洗浄装置1は、C
MP処理後のウエハ(以下、単に「基板」という)の両
面をスクラブ洗浄して、比較的大きなパーティクルを除
去した後に、基板Wの上面Wa(薄膜形成面)を再度ス
クラブ洗浄し超音波洗浄して比較的微細なパーティクル
を除去する装置である。また、この基板洗浄装置1に対
する基板Wの搬出または搬入は、基板Wの下面Wb(薄
膜形成面とは反対側の面)を吸着保持するハンド(図1
に二点鎖線で示すH)を有する図示しない基板搬送ロボ
ット等によって適宜行われている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention for solving the above technical problems will be described.
This will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view schematically showing a configuration of a main part of a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention. Note that this substrate cleaning apparatus 1 has a C
After scrubbing both surfaces of the wafer after the MP processing (hereinafter simply referred to as “substrate”) to remove relatively large particles, the upper surface Wa (thin film forming surface) of the substrate W is again scrubbed and ultrasonically cleaned. This is an apparatus for removing relatively fine particles. The substrate W is unloaded or loaded into and out of the substrate cleaning apparatus 1 by suctioning and holding the lower surface Wb of the substrate W (the surface opposite to the thin film forming surface) (FIG. 1).
(See H) indicated by a two-dot chain line).

【0031】この基板洗浄装置1は、基板Wを回転軸R
を中心に回転方向F(移動方向)に回転させる基板回転
機構10、基板上面Waを超音波洗浄するための超音波
洗浄機構20、基板上面Waをスクラブ洗浄するための
ブラシ洗浄機構30、および基板上面Waと基板Wの回
転軸Rとが交差する点O(基板Wの中心O)付近に向け
て洗浄液を供給する補助液供給機構40と、各々の機構
の動作を制御する制御部50とからなっている。
This substrate cleaning apparatus 1 uses a rotation axis R
Rotating mechanism 10 for rotating the substrate upper surface Wa in the rotation direction F (moving direction), an ultrasonic cleaning mechanism 20 for ultrasonically cleaning the substrate upper surface Wa, a brush cleaning mechanism 30 for scrub cleaning the substrate upper surface Wa, and a substrate An auxiliary liquid supply mechanism 40 that supplies the cleaning liquid toward a point O (the center O of the substrate W) where the upper surface Wa and the rotation axis R of the substrate W intersect, and a control unit 50 that controls the operation of each mechanism. Has become.

【0032】基板回転機構10は、図示しない回転駆動
源から回転駆動力を伝達されて回転方向Fの方向に回転
するスピン軸11と、このスピン軸11の上端部に設け
られ、基板下面Wbを上面にある複数の吸着孔により吸
着保持するスピンチャック12とからなっている。これ
らの構成により、基板回転機構10は、基板下面Wbを
吸着保持しつつ、基板Wに垂直な回転軸Rを中心として
回転方向Fの方向に基板Wを回転させることができるよ
うになっている。なお、この基板回転機構10は本発明
の基板回転手段に相当する。
The substrate rotating mechanism 10 is provided at the upper end of the spin shaft 11 which receives a rotational driving force from a rotational driving source (not shown) and rotates in the direction of rotation F. And a spin chuck 12 for suction holding by a plurality of suction holes on the upper surface. With these configurations, the substrate rotation mechanism 10 can rotate the substrate W in the direction of the rotation direction F about the rotation axis R perpendicular to the substrate W while holding the substrate lower surface Wb by suction. . The substrate rotating mechanism 10 corresponds to the substrate rotating means of the present invention.

【0033】また。超音波洗浄機構20は、基板上面W
aと対向するように設けられた基板対向面WF、この基
板対向面WF内に先端部が配置されて、流体として純水
などの洗浄液を供給する後述のノズル、および、基板対
向面WF内に設けられてこのノズルから供給された洗浄
液に超音波振動を付与する振動面(後述の図2のVF)
を有し、基板対向面WFと基板上面Waとの間に供給さ
れた洗浄液に超音波振動を付与するための超音波洗浄ヘ
ッド21と、この超音波洗浄ヘッド21を一方端で保持
する揺動アーム22と、この揺動アーム22をアーム軸
23を中心として所定の角度範囲で回動(揺動)させる
モータ等の揺動駆動源24と、超音波洗浄ヘッド21お
よび揺動アーム22を上下方向に昇降させるモータ等の
昇降駆動源25とからなっている。なお、上記超音波洗
浄機構20の超音波洗浄ヘッド21を含む部位が本発明
の超音波洗浄手段に相当する。
Also, The ultrasonic cleaning mechanism 20 is provided on the upper surface W of the substrate.
a facing surface WF provided so as to oppose a, a nozzle described below that has a tip portion disposed in the substrate facing surface WF and supplies a cleaning liquid such as pure water as a fluid, and a substrate facing surface WF. A vibrating surface (a VF in FIG. 2 described later) that is provided and applies ultrasonic vibration to the cleaning liquid supplied from the nozzle.
, An ultrasonic cleaning head 21 for applying ultrasonic vibration to the cleaning liquid supplied between the substrate facing surface WF and the substrate upper surface Wa, and a swing holding the ultrasonic cleaning head 21 at one end. An arm 22, a swing drive source 24 such as a motor for rotating (swinging) the swing arm 22 within a predetermined angle range around an arm shaft 23, and moving the ultrasonic cleaning head 21 and the swing arm 22 up and down. And a lifting drive source 25 such as a motor for raising and lowering in the direction. The portion of the ultrasonic cleaning mechanism 20 including the ultrasonic cleaning head 21 corresponds to the ultrasonic cleaning means of the present invention.

【0034】なお、揺動アーム22と揺動駆動源24と
の間には、揺動駆動源24からの回転駆動力を揺動アー
ム22に伝達する揺動伝達機構24tが設けられてい
る。たとえば、この揺動伝達機構24tは、揺動駆動源
24としてのモータの出力軸とアーム軸23のそれぞれ
に取りつけられた1組のプーリと、この1組のプーリ間
に掛け渡されたベルトとからなるベルト&プーリ機構な
どである。これにより、揺動駆動源24としてのモータ
の出力軸を回動させれば、アーム軸23が回動し、揺動
アーム23が回動する。
A swing transmission mechanism 24t for transmitting the rotational driving force from the swing drive source 24 to the swing arm 22 is provided between the swing arm 22 and the swing drive source 24. For example, the swing transmission mechanism 24t includes a set of pulleys attached to the output shaft of the motor as the swing drive source 24 and the arm shaft 23, and a belt stretched between the set of pulleys. Belt and pulley mechanism. Thus, if the output shaft of the motor as the swing drive source 24 is rotated, the arm shaft 23 rotates, and the swing arm 23 rotates.

【0035】また、揺動アーム22と昇降駆動源25と
の間には、昇降駆動源25からの回転駆動力を上下方向
の駆動力に変換して揺動アーム22に伝達する昇降伝達
機構25tが設けられている。たとえば、この昇降伝達
機構25tは、昇降駆動源25としてのモータの出力軸
に対して回転可能に接続されたボールネジ軸と、揺動ア
ーム22から揺動駆動源24に至るまでの構造物を直線
移動可能に保持し、ボールネジ軸に螺合する移動子とか
らなるボールネジ機構等が設けられている。これによ
り、昇降駆動源25としてのモータの出力軸を回動させ
れば、ボールネジ軸が回転して移動子が上下移動し、揺
動アーム23から揺動駆動源24に至るまでの構造物が
昇降する。
Between the swing arm 22 and the elevation drive source 25, an elevation transmission mechanism 25t for converting the rotational driving force from the elevation drive source 25 into a vertical drive force and transmitting the same to the oscillation arm 22. Is provided. For example, the lifting transmission mechanism 25t includes a ball screw shaft rotatably connected to an output shaft of a motor serving as the lifting drive source 25 and a structure from the swing arm 22 to the swing drive source 24 that is linearly connected. A ball screw mechanism and the like, which are movably held and include a mover screwed to the ball screw shaft, are provided. Thus, if the output shaft of the motor as the elevation drive source 25 is rotated, the ball screw shaft rotates and the mover moves up and down, and the structure from the swing arm 23 to the swing drive source 24 is formed. Go up and down.

【0036】これらの構成により、超音波洗浄機構20
は、超音波洗浄ヘッド21を、揺動駆動源24によって
経路A2に沿って図1に示す処理位置と基板上面Wa外
に位置する待機位置とを往復移動させることができ、ま
た、昇降駆動源25によって経路A1およびA3に沿っ
て上下移動させることができるようになっている。すな
わち、超音波洗浄機構20は、経路A1上を上昇させ、
次に、基板上面Waと基板対向面WFとの間隔(以下、
基板対向間隔Dとする)が大きい第2の間隔D2である
状態を保ちつつ経路A2上を基板Wの回転軸Rに近づく
方向に水平移動させた後、経路A3上を下降させるよう
になっている。そして超音波洗浄ヘッド21を、基板対
向間隔Dが第1の間隔D1である処理位置の状態を保
つ。同様に、経路A3を上昇し経路A2上を基板Wの回
転軸Rから離れる方向に水平移動させた後、経路A1を
下降して待機位置となる。
With these configurations, the ultrasonic cleaning mechanism 20
Can move the ultrasonic cleaning head 21 back and forth between the processing position shown in FIG. 1 and the standby position located outside the upper surface Wa of the substrate along the path A2 by the swing drive source 24. 25 makes it possible to move up and down along the routes A1 and A3. That is, the ultrasonic cleaning mechanism 20 moves up the path A1,
Next, the distance between the substrate upper surface Wa and the substrate facing surface WF (hereinafter, referred to as the substrate facing surface WF).
The substrate A is horizontally moved on the path A2 in a direction approaching the rotation axis R of the substrate W while maintaining the state where the substrate facing distance D is the large second distance D2, and then lowered on the path A3. I have. Then, the ultrasonic cleaning head 21 maintains the state of the processing position where the substrate facing distance D is the first distance D1. Similarly, after moving up the path A3 and moving horizontally on the path A2 in a direction away from the rotation axis R of the substrate W, the path A1 is lowered to the standby position.

【0037】また、ブラシ洗浄機構30は、基板上面W
aをスクラブ洗浄するためのスポンジブラシを有するブ
ラシ部31と、このブラシ部31を一方端で回転可能に
保持する揺動アーム32と、この揺動アーム32をアー
ム軸33を中心として所定の角度範囲で回動(揺動)さ
せるモータ等の揺動駆動源34と、ブラシ部31および
揺動アーム32を上下方向に昇降させるモータ等の昇降
駆動源35とからなっている。なお、ブラシ部31は、
揺動アーム32内に設けられた図示しないモータ等の回
転駆動源により自転されるようになっている。なお、揺
動アーム32と揺動駆動源34との間、および、揺動ア
ーム32と昇降駆動源35との間には、超音波洗浄機構
20と同様な構造の揺動伝達機構34tおよび昇降伝達
機構35tが設けられている。
The brush cleaning mechanism 30 is provided on the substrate upper surface W
a brush portion 31 having a sponge brush for scrubbing a, a swing arm 32 for rotatably holding the brush portion 31 at one end, and a predetermined angle around the arm shaft 33 for the swing arm 32 A swing drive source 34 such as a motor that rotates (swings) in a range, and an elevation drive source 35 such as a motor that vertically moves the brush unit 31 and the swing arm 32 up and down. In addition, the brush part 31
The rotation is made by a rotation drive source such as a motor (not shown) provided in the swing arm 32. Note that between the swing arm 32 and the swing drive source 34 and between the swing arm 32 and the lift drive source 35, a swing transmission mechanism 34t having the same structure as the ultrasonic cleaning mechanism 20 and a lift mechanism A transmission mechanism 35t is provided.

【0038】これらの構成により、超音波洗浄機構20
と同様に、ブラシ洗浄機構30は、ブラシ部31を、揺
動駆動源24により基板上面Waに沿って水平移動させ
ることができ、また、昇降駆動源25により上下移動さ
せることができるようになっている。なお、このブラシ
部31および超音波洗浄ヘッド21が、基板Wの中心O
付近で干渉しないように、それぞれの移動は制御されて
いる。
With these structures, the ultrasonic cleaning mechanism 20
Similarly to the above, the brush cleaning mechanism 30 can horizontally move the brush unit 31 along the substrate upper surface Wa by the swing drive source 24, and can vertically move the brush unit 31 by the elevation drive source 25. ing. The brush portion 31 and the ultrasonic cleaning head 21 are positioned at the center O of the substrate W.
Each movement is controlled so as not to interfere in the vicinity.

【0039】さらに、補助液供給機構40は、基板上面
Waの中心O付近に向けて洗浄液を供給する補助液供給
ノズル41と、この補助液供給ノズル41に対して洗浄
液を送り込む補助液配管42と、この補助液配管42が
接続された洗浄液供給源43とからなっている。また、
この補助液配管42の途中部には、補助液供給ノズル4
1からの補助液の供給を開始/停止させるためのバルブ
44が介装されている。
Further, the auxiliary liquid supply mechanism 40 includes an auxiliary liquid supply nozzle 41 for supplying the cleaning liquid toward the vicinity of the center O of the substrate upper surface Wa, an auxiliary liquid pipe 42 for supplying the cleaning liquid to the auxiliary liquid supply nozzle 41, and And a cleaning liquid supply source 43 to which the auxiliary liquid pipe 42 is connected. Also,
In the middle of the auxiliary liquid pipe 42, an auxiliary liquid supply nozzle 4
A valve 44 for starting / stopping the supply of the auxiliary liquid from 1 is interposed.

【0040】なお、この補助液供給機構40からの洗浄
液は、少なくとも、ノズルを有する超音波洗浄ヘッド2
1が処理位置に位置していない間は、基板Wの中心Oに
供給されるようになっている。このため、常に、基板上
面Wa全域は洗浄液が供給される状態となる。ただし、
この基板上面Waの乾燥をさらに防止するためには、基
板Wがスピンチャック12上に保持されている間は、常
に、補助液供給ノズル41から基板上面Waに洗浄液が
供給されているのが好ましい。
It should be noted that the cleaning liquid from the auxiliary liquid supply mechanism 40 is used at least for the ultrasonic cleaning head 2 having a nozzle.
While 1 is not located at the processing position, it is supplied to the center O of the substrate W. Therefore, the entire area of the upper surface Wa of the substrate is always supplied with the cleaning liquid. However,
In order to further prevent the substrate upper surface Wa from drying, it is preferable that the cleaning liquid is always supplied from the auxiliary liquid supply nozzle 41 to the substrate upper surface Wa while the substrate W is held on the spin chuck 12. .

【0041】次に、以上の構成を有する基板洗浄装置1
による洗浄処理動作について簡単に説明する。まず、超
音波洗浄ヘッド21が待機位置に位置している状態で、
図示しない基板搬送ロボットのハンドHによって、予め
両面が洗浄された基板Wが基板洗浄装置1内に搬入さ
れ、スピンチャック12の上面に載置されて吸着保持さ
れる。このスピンチャック12による基板Wの吸着保持
とほぼ同時に、基板Wの中心O付近に向けて補助液供給
機構40の液供給ノズル41より洗浄液が供給される。
次に、基板Wを吸着保持したスピンチャック12が図示
しない回転駆動源によって高速で回転されて、基板Wが
回転軸Rを中心に回転方向Fの方向に回転される(基板
回転工程)。
Next, the substrate cleaning apparatus 1 having the above configuration
Will be briefly described. First, in a state where the ultrasonic cleaning head 21 is located at the standby position,
By a hand H of a substrate transfer robot (not shown), a substrate W whose both surfaces have been cleaned in advance is carried into the substrate cleaning apparatus 1, and is placed on the upper surface of the spin chuck 12 and held by suction. Almost simultaneously with the suction and holding of the substrate W by the spin chuck 12, the cleaning liquid is supplied from the liquid supply nozzle 41 of the auxiliary liquid supply mechanism 40 toward the vicinity of the center O of the substrate W.
Next, the spin chuck 12 holding the substrate W by suction is rotated at a high speed by a rotation driving source (not shown), and the substrate W is rotated about the rotation axis R in the rotation direction F (substrate rotation step).

【0042】そして、揺動駆動源24によって揺動アー
ム22が回動されて、超音波洗浄機構20の超音波洗浄
ヘッド21が経路A1と経路A2に沿って基板Wの中心
Oの上方に移動されるとほぼ同時に、超音波洗浄機構2
0のノズルより洗浄液が供給される(洗浄液供給工
程)。
Then, the swing arm 22 is rotated by the swing drive source 24, and the ultrasonic cleaning head 21 of the ultrasonic cleaning mechanism 20 moves above the center O of the substrate W along the paths A1 and A2. Almost at the same time, the ultrasonic cleaning mechanism 2
The cleaning liquid is supplied from the nozzle No. 0 (cleaning liquid supply step).

【0043】次に、昇降駆動源25によって経路A3に
沿って揺動アーム22が下降されて、超音波洗浄ヘッド
21が基板Wの中心O付近の基板上面Waに近接され、
第1の間隔D1である処理位置で超音波洗浄が行われる
(超音波洗浄工程)。なお、この超音波洗浄工程と同時
に、あるいは超音波洗浄工程に前後して、ブラシ洗浄機
構20によるスクラブ洗浄が行われる。また、スピンチ
ャック12の回転速度は10rpmから1000rpm
程度が好ましい。
Next, the swing arm 22 is moved down along the path A3 by the elevation drive source 25, and the ultrasonic cleaning head 21 is brought close to the substrate upper surface Wa near the center O of the substrate W.
Ultrasonic cleaning is performed at the processing position at the first interval D1 (ultrasonic cleaning step). The scrub cleaning by the brush cleaning mechanism 20 is performed simultaneously with or before or after the ultrasonic cleaning step. The rotation speed of the spin chuck 12 is from 10 rpm to 1000 rpm.
The degree is preferred.

【0044】そして、基板回転機構10による基板Wの
回転が停止されるとともに、超音波洗浄機構20からの
洗浄液の供給が停止される。そして最後に、補助液供給
機構40からの洗浄液の供給が停止された直後、超音波
洗浄機構20とブラシ洗浄機構30が経路A3から経路
A2、そして経路A1を経て待機位置へ移動するととも
に、図示しない基板搬送ロボットのハンドHによって基
板Wが基板洗浄装置1から搬出されて、1枚の基板Wに
対するこの基板処理装置1での洗浄処理が終了する。
尚、以上の動作は制御部50に予め動作フローが設定さ
れ、その設定に従って制御される。この後は、次の水洗
・乾燥装置で水洗・乾燥されて最終仕上され、基板Wを
複数枚収容可能なカセットに収容される。
Then, the rotation of the substrate W by the substrate rotating mechanism 10 is stopped, and the supply of the cleaning liquid from the ultrasonic cleaning mechanism 20 is stopped. Lastly, immediately after the supply of the cleaning liquid from the auxiliary liquid supply mechanism 40 is stopped, the ultrasonic cleaning mechanism 20 and the brush cleaning mechanism 30 move from the path A3 to the standby position via the path A2 and the path A1. The substrate W is unloaded from the substrate cleaning apparatus 1 by the hand H of the substrate transfer robot, and the cleaning processing for one substrate W in the substrate processing apparatus 1 is completed.
In the above operation, an operation flow is set in the control unit 50 in advance, and the operation is controlled according to the setting. Thereafter, the substrate is washed and dried by the next washing / drying device, and is finally finished, and is stored in a cassette capable of storing a plurality of substrates W.

【0045】さて、次に、本願発明の特徴部分となる超
音波洗浄機構20の超音波洗浄ヘッド21について図を
用いて、詳しく説明する。図2は、超音波洗浄ヘッド2
1の構成を簡略的に示す装置側方から見た断面図、図3
(a)は長手方向の装置側方から見た断面図、図3
(b)はその平面図である。超音波洗浄ヘッド21は、
たとえば、4ふっ化テフロン(登録商標)(poly tetra
fluoro ethylene)などのフッ素樹脂からなる中空の角
棒形状の本体部211と、この本体部211の底面に相
当する基板対向面WF内に振動面VFを有する平面視で
長尺平板状の振動板212と、この振動板212の上面
に貼りつけられ、超音波発振器214からのパルスを受
けて振動板212を超音波振動させる平面視で長尺平板
状の振動子213と、基板対向面WF内に先端部NSを
有し、本体部211の長手方向両側部に挿通されたノズ
ル220、230とからなっている。そして、基板対向
面WFではノズル220、230の先端部NS、NSを
含む本体部211と振動板212の振動面VFが略面一
に形成される。
Next, the ultrasonic cleaning head 21 of the ultrasonic cleaning mechanism 20, which is a feature of the present invention, will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 2 shows an ultrasonic cleaning head 2
FIG. 3 is a sectional view schematically showing the configuration of FIG.
(A) is a cross-sectional view as viewed from the side of the device in the longitudinal direction, FIG.
(B) is a plan view thereof. The ultrasonic cleaning head 21
For example, Teflon 4 (registered trademark) (poly tetra
A hollow plate-shaped diaphragm having a hollow rectangular rod-shaped body portion 211 made of fluororesin such as fluoroethylene) and a vibration surface VF in a substrate facing surface WF corresponding to the bottom surface of the body portion 211. 212, a vibrator 213, which is attached to the upper surface of the vibration plate 212 and receives a pulse from the ultrasonic oscillator 214, and ultrasonically vibrates the vibration plate 212 in a plan view, and a flat plate-shaped vibrator 213 in the substrate facing surface WF. And the nozzles 220 and 230 inserted in both longitudinal sides of the main body 211. In the substrate facing surface WF, the main body 211 including the tip portions NS of the nozzles 220 and 230 and the vibration surface VF of the vibration plate 212 are formed substantially flush.

【0046】振動板212は、上下面が平面に形成さ
れ、その両端で本体部211に支持される矩形板状に形
成される。振動板212は、振動子213から発生する
超音波に共振して振動を伝達する作用を有するもので、
石英、ステンレス、アルミニウム、SiC、タルタンな
どの材料から構成されている。
The vibrating plate 212 is formed in a rectangular plate shape having upper and lower surfaces formed as flat surfaces and both ends supported by the main body 211. The vibration plate 212 has a function of transmitting vibration by resonating with ultrasonic waves generated from the vibrator 213.
It is made of a material such as quartz, stainless steel, aluminum, SiC, and tartan.

【0047】振動子213は、圧電素子250と、圧電
素子250の下面のほぼ全面にわたって設けられた接地
電極251と、圧電素子250の上面に設けられた複数
の分割電極252と、を有している。この分割電極25
2に駆動信号が与えられると、圧電素子250内に超音
波振動が発生し、この超音波振動が振動板212を介し
て洗浄液に伝えられる。なお、圧電素子250として
は、この代わりに磁歪素子のように、他の原理で超音波
振動を発生する超音波振動発生素子を用いることも可能
である。
The vibrator 213 has a piezoelectric element 250, a ground electrode 251 provided over substantially the entire lower surface of the piezoelectric element 250, and a plurality of divided electrodes 252 provided on the upper surface of the piezoelectric element 250. I have. This split electrode 25
When a drive signal is given to the piezoelectric element 2, ultrasonic vibration is generated in the piezoelectric element 250, and the ultrasonic vibration is transmitted to the cleaning liquid via the vibration plate 212. As the piezoelectric element 250, an ultrasonic vibration generating element that generates ultrasonic vibration based on another principle, such as a magnetostrictive element, can be used instead.

【0048】図4は振動子213の分解斜視図である。
接地電極251は圧電素子250の下面を覆い、その両
端が折返され圧電素子250の上面に接触される。複数
の分割電極252は、互いに離間して圧電素子250の
上面に設置され、それぞれ櫛歯形状に形成されている。
図4の例では、2個の分割電極252a、252bが互
いに向き合い、同じピッチでスリットP1、P2が形成
されており、そのスリットP1、P2に同じ幅の電極主
部252c、252dが入り込む形で設置される。振動
板212と振動子213とは例えば接着剤で接着され
る。
FIG. 4 is an exploded perspective view of the vibrator 213.
The ground electrode 251 covers the lower surface of the piezoelectric element 250, and both ends of the ground electrode 251 are turned over and contact the upper surface of the piezoelectric element 250. The plurality of divided electrodes 252 are provided on the upper surface of the piezoelectric element 250 so as to be separated from each other, and are each formed in a comb shape.
In the example of FIG. 4, two divided electrodes 252a and 252b face each other, slits P1 and P2 are formed at the same pitch, and electrode main portions 252c and 252d having the same width enter slits P1 and P2. Will be installed. The vibration plate 212 and the vibrator 213 are bonded with, for example, an adhesive.

【0049】超音波発振器214から分割電極252
a、252bに交流駆動信号を印加すると、振動板21
2の振動面VFに超音波振動(たわみ波)の進行波が発
生する。すなわち、分割電極252a、252bには、
90°位相が異なる正弦波である2種類の交流駆動信号
が供給される。振動子213の各分割電極252a、2
52bの真下の部分は、各分割電極に与えられた駆動信
号に応じて伸縮し、この伸縮に応じて振動板212の表
面を一方に伝播する進行波が発生する。すなわち、図4
の例では、交流駆動信号の位相を分割電極252aから
分割電極252bにずらすと、図中左側に位置する分割
電極252aの1番目の電極主部252cから分割電極
252bの1番目の電極主部252dと続いて、図中右
へと進行波が生じることとなる。
The split electrode 252 from the ultrasonic oscillator 214
a, 252b when the AC drive signal is applied to the diaphragm 21
A traveling wave of ultrasonic vibration (flexure wave) is generated on the second vibration plane VF. That is, the divided electrodes 252a and 252b have
Two types of AC drive signals, which are sine waves having a 90 ° phase difference, are supplied. Each split electrode 252a, 2
The portion directly below 52b expands and contracts according to the drive signal given to each split electrode, and a traveling wave propagating to one side on the surface of diaphragm 212 is generated according to the expansion and contraction. That is, FIG.
In the example, when the phase of the AC drive signal is shifted from the split electrode 252a to the split electrode 252b, the first electrode main portion 252c of the split electrode 252b is shifted from the first electrode main portion 252c of the split electrode 252a located on the left side in the drawing. Then, a traveling wave is generated to the right in the figure.

【0050】本体部211は、角棒状の上面で上述の揺
動アーム22の一方端の下面にボルト等によって固定さ
れており、本体部211内を挿通するノズル220、2
30は、揺動アーム22の内部を通るノズル配管22
1、231を介して、上述の補助液供給機構40の補助
液配管42が接続された洗浄液供給源43に接続されて
いる。また、ノズル配管221、231の途中部には、
ノズル220、230からの洗浄液の供給を開始/停止
させるためのバルブ222、232が介装されている。
The main body portion 211 is fixed to the lower surface of one end of the swing arm 22 by a bolt or the like on the upper surface of a square rod shape.
30 is a nozzle pipe 22 passing through the inside of the swing arm 22.
The cleaning liquid supply source 43 to which the auxiliary liquid pipe 42 of the above-described auxiliary liquid supply mechanism 40 is connected is connected via 1 and 231. In the middle of the nozzle pipes 221 and 231,
Valves 222 and 232 for starting / stopping the supply of the cleaning liquid from the nozzles 220 and 230 are provided.

【0051】ノズル220、230は、超音波洗浄ヘッ
ド21に対する基板Wの移動方向である回転方向Fに関
して振動板212を挟んで下流側にノズル220が、上
流側にノズル230が配置される。ノズル220(尚、
ノズル230の構成も同様なので説明を省略する)は、
振動板212を周面で支持する本体部211の基板Wの
移動方向Fに垂直な方向の側部に立設された側板223
(233)を切削して形成される。本体部211の基板
対向面WFである先端部NSには、洗浄液の吐出孔22
4(234)がスリット状に開孔され、図3(b)に示
すように振動板212の振動面VFより長尺に形成され
ている。
The nozzles 220 and 230 are arranged with the nozzle 220 on the downstream side and the nozzle 230 on the upstream side with respect to the rotation direction F which is the moving direction of the substrate W with respect to the ultrasonic cleaning head 21 with the diaphragm 212 interposed therebetween. Nozzle 220 (in addition,
The description is omitted because the configuration of the nozzle 230 is the same)
A side plate 223 erected on a side of the main body 211 that supports the diaphragm 212 on the peripheral surface in a direction perpendicular to the moving direction F of the substrate W.
(233) is formed by cutting. The tip portion NS of the main body 211, which is the substrate facing surface WF, has a discharge hole 22 for the cleaning liquid.
4 (234) is formed in a slit shape, and is formed longer than the vibration surface VF of the vibration plate 212 as shown in FIG.

【0052】そして、吐出孔224(234)は液案内
部225(235)を介して、液溜部226(236)
に連設される。吐出孔224(234)はその断面積
が、液溜部226(236)の断面積よりも小さく形成
される。この液溜部226(236)の上部にノズル配
管221(231)が分岐した図3(a)に示す連結部
221a、221b(231a、231b)が適宜、離
れて接続される。
The discharge hole 224 (234) is connected to the liquid reservoir 226 (236) via the liquid guide 225 (235).
It will be installed continuously. The discharge hole 224 (234) is formed to have a smaller sectional area than the sectional area of the liquid reservoir 226 (236). The connecting portions 221a and 221b (231a and 231b) shown in FIG. 3A where the nozzle pipe 221 (231) is branched are connected to the upper part of the liquid reservoir 226 (236) as appropriate.

【0053】次に、第1の間隔D1は、十分に間隙空間
Kが洗浄液で満たされる間隔であればよく、通常3mm
以下、好ましくは1〜2mm程度に設定される。なお、
この一実施形態においては、この基板対向間隔の設定
は、昇降駆動源25によって行われており、上述の図1
の説明で示したように、昇降駆動源25によって基板対
向間隔Kは第1の間隔D1と第2の間隔D2との2つの
間隔に設定される。
Next, the first interval D1 may be an interval at which the gap space K is sufficiently filled with the cleaning liquid, and is usually 3 mm.
Hereinafter, it is preferably set to about 1 to 2 mm. In addition,
In this embodiment, the setting of the substrate facing distance is performed by the elevation drive source 25, and the above-described FIG.
As described in the above description, the substrate opposing interval K is set to two intervals of the first interval D1 and the second interval D2 by the lifting drive source 25.

【0054】また、以上の構成の超音波洗浄ヘッド21
の大きさは、図3(a)に示すように、基板Wの中心O
が振動面VFの一方端(図中左側)に位置し、基板Wの
端部Wcが他方端(図中右側)に対向する。すなわち、
振動面VFで基板Wの半径より少し大きい範囲を覆うよ
うに設定されている。
Further, the ultrasonic cleaning head 21 having the above configuration
Is the center O of the substrate W, as shown in FIG.
Is located at one end (the left side in the figure) of the vibration surface VF, and the end Wc of the substrate W faces the other end (the right side in the figure). That is,
The vibration surface VF is set so as to cover a range slightly larger than the radius of the substrate W.

【0055】以上の構成により、バルブ222、232
が制御部50の信号により開成されてノズル220、2
30から洗浄液が供給されるとともに、超音波洗浄ヘッ
ド21が、基板対向間隔Dが第1の間隔D1となる位置
まで近接されると、基板Wと基板対向面WFとに挟まれ
た空間(間隙空間K)に洗浄液が満たされる。そして、
この間隙空間Kに満たされた洗浄液に対して、振動板2
12からの超音波振動が付与され、基板上面Waの超音
波洗浄が行われる。ここで、超音波発振器214から4
00KHz〜1MHzの周波数の電力が出力されるよう
になっている。
With the above configuration, the valves 222, 232
Are opened by the signal of the control unit 50 and the nozzles 220 and 2 are opened.
When the cleaning liquid is supplied from the substrate 30 and the ultrasonic cleaning head 21 is brought close to the position where the substrate facing distance D becomes the first distance D1, the space (the gap) sandwiched between the substrate W and the substrate facing surface WF. The space K) is filled with the cleaning liquid. And
For the cleaning liquid filled in the gap space K, the diaphragm 2
Ultrasonic vibration from 12 is applied, and ultrasonic cleaning of the substrate upper surface Wa is performed. Here, the ultrasonic oscillators 214 to 4
Power having a frequency of 00 KHz to 1 MHz is output.

【0056】その際、まずノズル220、230ではノ
ズル配管221、231から供給された洗浄液が液案内
部225、235と液溜部226、236の断面積に違
いにより液溜部226、236の長手方向に充満する。
そして、洗浄液は液案内部225、235を流下するこ
とで、偏りが少なくスリット状に吐出孔224、234
から基板上面Waに供給される。
At that time, first, in the nozzles 220 and 230, the cleaning liquid supplied from the nozzle pipes 221 and 231 is changed in the cross-sectional areas of the liquid guides 225 and 235 and the liquid reservoirs 226 and 236, so that the longitudinal directions of the liquid reservoirs 226 and 236 are changed. Charge in the direction.
Then, the cleaning liquid flows down the liquid guide portions 225 and 235, so that there is little deviation and the discharge holes 224 and 234 have a slit shape.
From the substrate upper surface Wa.

【0057】次に、洗浄液の基板上面Wa上での挙動に
ついて説明する。基板Wと基板対向面Waとが最も近接
している部分の間隔(以下、最近接間隔という)は3m
m以下に設定される。ここで、基板上面Waの洗浄に用
いられている通常の洗浄液は、その表面張力により概ね
3mm以上の厚みの液膜を基板表面に形成する。このた
め、間隙空間Kのうち、基板対向間隔が3mm以下の部
分においては、間隙空間Kは確実に洗浄液に満たされ
る。したがって、洗浄液に伝達された超音波振動エネル
ギーを十分に維持することができ、基板表面の洗浄力を
さらに向上させることができる。しかしながら、基板上
面Wa上の洗浄液には、基板Wの回転によって、回転軸
Rから離れる方向に遠心力が、基板Wの回転方向Fの方
向に回転力が付与される。このため、基板上面Waに供
給された洗浄液は、回転軸Rから離れる方向および回転
方向Fの方向に流れようとする傾向となる。
Next, the behavior of the cleaning liquid on the upper surface Wa of the substrate will be described. The distance between the portion where the substrate W and the substrate facing surface Wa are closest (hereinafter referred to as the closest distance) is 3 m.
m or less. Here, the ordinary cleaning liquid used for cleaning the upper surface Wa of the substrate forms a liquid film having a thickness of about 3 mm or more on the surface of the substrate due to its surface tension. Therefore, in a portion of the gap space K where the substrate facing interval is 3 mm or less, the gap space K is reliably filled with the cleaning liquid. Therefore, the ultrasonic vibration energy transmitted to the cleaning liquid can be sufficiently maintained, and the cleaning power of the substrate surface can be further improved. However, due to the rotation of the substrate W, a centrifugal force is applied to the cleaning liquid on the substrate upper surface Wa in a direction away from the rotation axis R, and a rotational force is applied to the cleaning liquid in the rotational direction F of the substrate W. Therefore, the cleaning liquid supplied to the substrate upper surface Wa tends to flow in the direction away from the rotation axis R and in the direction of the rotation direction F.

【0058】ここで、洗浄液の供給が一方である基板W
の回転方向(移動方向)Fの下流側のみから行われる
と、洗浄液は間隙空間K内に表面張力をもってしても満
たさない状態となる。また、他方である上流側からのみ
行われたとしても、回転速度が早すぎると振動板212
の振動面VFの下流側で洗浄液が間隙空間Kに介在され
ない。しかしながら、この一実施形態においては、振動
板212の振動面VFの基板Wの回転方向F(移動方
向)の上流側と下流側はノズル220、230の先端部
NS、NSで取り囲まれており、また、ノズル220、
230の吐出孔224、234の開孔長さの領域内に振
動面VFが設けられているので、間隙空間K内は振動面
VFの全面に渡り常に介在することができる。即ち、振
動面VFの略周囲より洗浄液が供給され、表面張力で間
隙空間Kに洗浄液は常に介在されることとなり、洗浄液
に超音波振動を十分に付与することができる。
Here, the substrate W to which the cleaning liquid is supplied is on the other hand.
When the cleaning is performed only from the downstream side in the rotation direction (moving direction) F, the cleaning liquid is not filled even if the gap space K has a surface tension. Further, even if the rotation is performed only from the upstream side, if the rotation speed is too high, the diaphragm 212
The cleaning liquid is not interposed in the gap space K on the downstream side of the vibration surface VF. However, in this embodiment, the upstream side and the downstream side of the vibration surface VF of the vibration plate 212 in the rotation direction F (movement direction) of the substrate W are surrounded by the tip portions NS, NS of the nozzles 220, 230, Also, the nozzle 220,
Since the vibrating surface VF is provided in the area of the opening length of the discharge holes 224 and 234 of the 230, the gap space K can always intervene over the entire surface of the vibrating surface VF. That is, the cleaning liquid is supplied from substantially the periphery of the vibration surface VF, and the cleaning liquid is always interposed in the gap space K by the surface tension, so that the ultrasonic vibration can be sufficiently applied to the cleaning liquid.

【0059】さらに、洗浄液の供給流量と基板Wの回転
速度との関係が適切な場合、たとえば、超音波洗浄ヘッ
ド21の基板対向面WFに構造的凹凸があると洗浄液が
充満せず空気が介在する間隙が生じる状態となる、しか
しながら、この一実施形態においては、基板対向面WF
は略面一に形成されているので、間隙空間K内の洗浄液
の供給とともに間隙空間K内の空気が追い出されて洗浄
液により満たされる。よって、振動板212の破損を防
止することができる。
Further, when the relationship between the supply flow rate of the cleaning liquid and the rotation speed of the substrate W is appropriate, for example, if the substrate facing surface WF of the ultrasonic cleaning head 21 has structural irregularities, the cleaning liquid is not filled and air intervenes. However, in this embodiment, the substrate facing surface WF
Are formed substantially flush with each other, so that the air in the gap space K is expelled and filled with the cleaning solution together with the supply of the cleaning solution in the gap space K. Therefore, it is possible to prevent the diaphragm 212 from being damaged.

【0060】また、この間隙空間Kに満たされた洗浄液
は、間隙空間K内の領域は大気と触れることはないの
で、気泡等の空気が混入することない。したがって、こ
の洗浄液は、超音波振動が付与されると効率良く超音波
振動エネルギーを伝達されるので、基板表面の微細なパ
ーティクルを十分に除去し、基板表面の洗浄力を向上さ
せることができる。
Further, the cleaning liquid filled in the gap space K does not come into contact with the atmosphere in the region inside the gap space K, so that air such as air bubbles does not enter. Therefore, when the ultrasonic vibration is applied to the cleaning liquid, the ultrasonic vibration energy is transmitted efficiently, so that fine particles on the substrate surface can be sufficiently removed, and the cleaning power on the substrate surface can be improved.

【0061】また、この状態で交流駆動信号を分割電極
252a、252bに供給すると、振動板212の振動
面VFに進行波が基板Wの中心Oから端部Wcに向かっ
て発生する。洗浄液は、この進行波に振動され、回転方
向Fに回転しつつ基板Wの外側に移動される。すなわ
ち、進行波によって洗浄液が、最終的に基板Wの端部W
cから外側に排出される。このため、振動面VF全体に
わたって万遍なく基板表面Waが洗浄されるとともに、
間隙空間K内の洗浄液は、その内部に滞留することなく
円滑に間隙空間Kの外部に流れ出て行く。その際、進行
波が基板の中心Oから端部Wcに向かって発生されるこ
とにより、基板上面Waの再汚染を確実に防止できる。
したがって、間隙空間K内における洗浄液の置換効率が
向上し、常に新鮮な超音波振動が付与された洗浄液が基
板表面に接していることとなり、基板表面の洗浄力をさ
らに向上させることができる。また、振動面において流
体に対して通常の振動に併せて、超音波振動の進行波を
発生させるので、基板の表面の洗浄力を向上させること
ができる。
When an AC drive signal is supplied to the divided electrodes 252a and 252b in this state, a traveling wave is generated from the center O of the substrate W toward the end Wc on the vibration surface VF of the vibration plate 212. The cleaning liquid is vibrated by the traveling wave, and is moved to the outside of the substrate W while rotating in the rotation direction F. In other words, the cleaning liquid is finally moved by the traveling wave to the end W of the substrate W.
c to the outside. Therefore, the substrate surface Wa is uniformly cleaned over the entire vibration surface VF,
The cleaning liquid in the gap space K flows out of the gap space K smoothly without staying in the gap space K. At this time, since the traveling wave is generated from the center O of the substrate toward the end Wc, re-contamination of the upper surface Wa of the substrate can be reliably prevented.
Therefore, the efficiency of replacement of the cleaning liquid in the gap space K is improved, and the cleaning liquid to which fresh ultrasonic vibration is applied is always in contact with the substrate surface, so that the cleaning power of the substrate surface can be further improved. In addition, since the traveling wave of the ultrasonic vibration is generated along with the normal vibration of the fluid on the vibration surface, the cleaning power of the surface of the substrate can be improved.

【0062】なお、上記第一の実施例においては、分割
電極252a、252bに同じ波形の交流駆動信号を付
与したが、交流駆動信号が比較的周波数の低い成分と高
い成分とを重畳させた周波数特性を有するような駆動信
号を使用してもよい。
In the first embodiment, the AC drive signal having the same waveform is applied to the divided electrodes 252a and 252b. However, the AC drive signal is obtained by superimposing a relatively low frequency component and a relatively high frequency component. A drive signal having characteristics may be used.

【0063】<第二の実施例>上記の実施例においては
洗浄液に対する進行波を電極を分割するこで形成してい
るが、次の図5に示すような構造の超音波洗浄ヘッド3
00としてもよい。図5は、この超音波洗浄ヘッド30
0の基板対向面WF、振動面VF、およびノズルの先端
部NSと、基板Wとの関係を示す平面図、図6(a)は
その長手方向から見た側面図、図6(b)はその下面か
ら見た平面図である。なお、この図5乃至図6の構成に
おいて、図2乃至図4の構成と同様な部分については、
その詳細な説明を省略し、図2乃至図4の各部と同一の
参照符号を付して示す。
<Second Embodiment> In the above embodiment, the traveling wave for the cleaning liquid is formed by dividing the electrodes, but the ultrasonic cleaning head 3 having the structure shown in FIG.
00 may be set. FIG. 5 shows this ultrasonic cleaning head 30.
0A is a plan view showing the relationship between the substrate W and the substrate facing surface WF, the vibration surface VF, and the tip end portion NS of the nozzle, and FIG. 6A is a side view as viewed from the longitudinal direction, and FIG. It is the top view seen from the lower surface. In addition, in the configuration of FIGS. 5 and 6, the same portions as the configurations of FIGS.
The detailed description is omitted, and the same reference numerals as those in FIGS.

【0064】この超音波洗浄ヘッド300においては、
振動板301に対する振動子302の構成が主に異な
る。図6に示すように、この超音波洗浄ヘッド300
は、振動子302として振動板301の長手方向である
左右端部に2個の振動子303、304を有している。
1つの振動子303は、圧電素子305と、圧電素子3
05の下面に覆うようにそしてその端部が圧電素子30
5の上面に延在された接地電極306と、圧電素子30
5上面の空いた面に広がって設けられた電極307と、
でもって構成される。他方の振動子304も同様の構成
を有する。
In the ultrasonic cleaning head 300,
The configuration of the vibrator 302 with respect to the diaphragm 301 is mainly different. As shown in FIG. 6, this ultrasonic cleaning head 300
Has two vibrators 303 and 304 at the left and right ends of the vibrating plate 301 as the vibrator 302 in the longitudinal direction.
One vibrator 303 includes a piezoelectric element 305 and a piezoelectric element 3
05 so as to cover the lower surface of the piezoelectric element 30.
5, a ground electrode 306 extending on the upper surface of the piezoelectric element 30
(5) an electrode 307 which is provided on an open surface of the upper surface,
It is composed with. The other vibrator 304 has a similar configuration.

【0065】そして、この第二の実施例の構成によって
第一の実施例と同様に進行波を発生させる場合には、基
板Wの中心Oに近い振動子303を加振器として用いる
とともに、基板Wの端部Wc側の振動子304を吸振器
として用いることによって、基板Wの中心Oから端部W
cに向かって進行する進行波を発生させることができ
る。洗浄液は、振動面VFに接しており、振動面VFに
は超音波振動によって励起された進行波が図6中右方向
に進行しいている。このような進行波により洗浄液等の
物体の駆動原理は、超音波モータで利用されており、上
記実施例は洗浄液を基板表面Waの進行波によって駆動
する。
When a traveling wave is generated by the structure of the second embodiment as in the first embodiment, a vibrator 303 close to the center O of the substrate W is used as a vibrator and By using the vibrator 304 on the end Wc side of W as a vibration absorber, the end W
A traveling wave traveling toward c can be generated. The cleaning liquid is in contact with the vibration surface VF, and the traveling wave excited by the ultrasonic vibration is traveling rightward in FIG. 6 on the vibration surface VF. The principle of driving an object such as a cleaning liquid by such a traveling wave is used in an ultrasonic motor, and in the above embodiment, the cleaning liquid is driven by the traveling wave on the substrate surface Wa.

【0066】そして、振動子303を振動させるととも
に、振動子304には適切なインピーダンスの負荷を接
続し、進行波の振動による発電を行うことによって進行
波を吸収する。すなわち、図6(a)に示すように、振
動子303には超音波発振器214が接続され、振動子
304には負荷抵抗309とコイル310で構成される
回路308を接続して構成する。なお、振動子304を
吸振器として用いる代わりに、機械的な方法、例えば振
動子304を超音波吸収体に置き換えることによって進
行波を吸収するようにしてもよい。
Then, the vibrator 303 is vibrated, a load having an appropriate impedance is connected to the vibrator 304, and the traveling wave is absorbed by generating electric power by the vibration of the traveling wave. That is, as shown in FIG. 6A, an ultrasonic oscillator 214 is connected to the vibrator 303, and a circuit 308 including a load resistor 309 and a coil 310 is connected to the vibrator 304. Instead of using the vibrator 304 as a vibration absorber, the traveling wave may be absorbed by a mechanical method, for example, by replacing the vibrator 304 with an ultrasonic absorber.

【0067】以上の構成によれば、基板上面Wa上を加
振器から吸振器側にほぼ一方向に進む進行波を発生させ
ることができる。よって、振動面VF全体にわたって万
遍なく基板上面Waが洗浄されるとともに、間隙空間K
内の洗浄液は、その内部に滞留することなく円滑に間隙
空間Kの外部に流れ出て行く。よって、基板の表面の洗
浄力を向上させることができる。
According to the above configuration, it is possible to generate a traveling wave traveling substantially in one direction from the vibrator to the vibration absorber side on the upper surface Wa of the substrate. Therefore, the substrate upper surface Wa is uniformly cleaned over the entire vibration surface VF, and the gap space K
The cleaning liquid inside smoothly flows out of the gap space K without staying in the inside. Therefore, the cleaning power of the surface of the substrate can be improved.

【0068】以上、この発明の一実施形態について説明
したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものでは
なく、さらに他の形態で実施することもできる。たとえ
ば、上述した一実施形態においては、間隔設定手段とし
ての昇降駆動源25によって基板対向間隔Dを第1の間
隔D1に設定するようにしていたが、この昇降駆動源2
5とは別の間隔設定手段によって、さらに基板対向間隔
D(D1)を微調節するようにしてもよい。すなわち、
昇降駆動源25によって基板対向間隔Dを第1の間隔D
1近傍に大まかに設定するとともに、別の間隔設定手段
によって基板対向間隔Dを第1の間隔D1に精密に設定
するようにしてもよい。
As described above, one embodiment of the present invention has been described. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be embodied in other forms. For example, in the above-described embodiment, the substrate facing distance D is set to the first distance D1 by the lifting / lowering drive source 25 as the distance setting means.
The substrate facing distance D (D1) may be finely adjusted by a distance setting means different from 5. That is,
The vertical distance D is set to the first distance D by the elevation drive source 25.
The distance D may be roughly set in the vicinity of 1, and the distance D between the substrates may be precisely set to the first distance D1 by another distance setting means.

【0069】さらに、上述した一実施形態においては、
基板Wの洗浄処理中に、揺動駆動源24および揺動伝達
機構24tによって、超音波洗浄ヘッド21は基板上面
Waに固定的に配置されるが、超音波洗浄ヘッド21を
基板上面Waに沿って直線移動させるものであってもよ
い。たとえば、揺動伝達機構24tに代えて、昇降伝達
機構25tとして説明したようなボールネジ機構などを
用い、基板上面Waに沿って基板Wの回転軸Rに対して
離れる方向および近づく方向に超音波洗浄ヘッド21を
往復直線移動(揺動)させてもよい。
Further, in one embodiment described above,
During the cleaning process of the substrate W, the ultrasonic cleaning head 21 is fixedly arranged on the substrate upper surface Wa by the oscillation driving source 24 and the oscillation transmitting mechanism 24t, but the ultrasonic cleaning head 21 is moved along the substrate upper surface Wa. May be moved linearly. For example, instead of the swing transmission mechanism 24t, a ball screw mechanism or the like described as the lifting transmission mechanism 25t is used, and ultrasonic cleaning is performed in a direction away from and near the rotation axis R of the substrate W along the substrate upper surface Wa. The head 21 may be reciprocated linearly (oscillated).

【0070】さらに、上述した一実施形態においては、
超音波洗浄ヘッドを基板Wの中心Oから半径方向に1個
配置するようにしているが、基板Wの中心Oを基点とし
て対象的に2個の超音波洗浄ヘッドを配置してもよい。
こうすることでそれぞれの超音波洗浄ヘッドが基板Wの
中心Oから端部Wcに向かって進行波を発生させ、洗浄
液を移動させるようにしてもよい。
Further, in the above-described embodiment,
Although one ultrasonic cleaning head is disposed in the radial direction from the center O of the substrate W, two ultrasonic cleaning heads may be disposed symmetrically with the center O of the substrate W as a base point.
By doing so, each ultrasonic cleaning head may generate a traveling wave from the center O of the substrate W toward the end Wc to move the cleaning liquid.

【0071】さらに、上述した一実施形態において、超
音波洗浄ヘッド21に設けられたノズルの先端部NSの
形状は所定の方向に長く形成されたスリット状である
が、いかなる形状であってもよく、たとえば、複数の短
いスリット状の開口であってもよい。
Further, in the above-described embodiment, the tip portion NS of the nozzle provided in the ultrasonic cleaning head 21 has a slit shape elongated in a predetermined direction, but may have any shape. For example, a plurality of short slit-shaped openings may be used.

【0072】さらに、上述した第一の実施形態におい
て、基板対向面WFは、基板上面Waとほぼ平行に対向
する平面であるが、これに限らず、基板上面Waに対し
て傾斜して対向する平面であってもよいし、基板上面W
aに対して突出したり凹んだりした曲面であってもよ
い。
Furthermore, in the above-described first embodiment, the substrate facing surface WF is a plane that faces substantially parallel to the substrate upper surface Wa, but is not limited thereto, and faces the substrate upper surface Wa at an angle. It may be a flat surface or the substrate upper surface W
The curved surface may be protruded or depressed with respect to a.

【0073】なお、上述した一実施形態において、洗浄
液として純水を用いているが、基板を洗浄可能な液体で
あればなんでもよく、たとえば、フッ酸、硫酸、塩酸、
硝酸、燐酸、酢酸、アンモニアまたはこれらの過酸化水
素水溶液などの薬液であってもよい。
In the above-described embodiment, pure water is used as the cleaning liquid. However, any liquid can be used as long as it can clean the substrate, such as hydrofluoric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid, or the like.
It may be a chemical such as nitric acid, phosphoric acid, acetic acid, ammonia or an aqueous solution of hydrogen peroxide thereof.

【0074】また、上述した一実施形態において、超音
波洗浄ヘッド21の本体部211などの材質はフッ素樹
脂としているが、洗浄液に対する耐液性を有し、機械的
強度が十分であるものであれば何でもよい。たとえば、
洗浄液が純水である場合には、塩化ビニルやアクリルな
どの樹脂、またはステンレスやアルミニウムなどの金属
等の材質としてもよい。また、洗浄液が薬液である場合
には、その薬液の種類によって異なるが、主に、フッ素
樹脂や塩化ビニル等の樹脂が適用される。
In the above-described embodiment, the material of the main body 211 of the ultrasonic cleaning head 21 and the like is made of a fluororesin. However, the material may be a liquid having resistance to the cleaning liquid and sufficient mechanical strength. Anything is fine. For example,
When the cleaning liquid is pure water, a material such as a resin such as vinyl chloride or acrylic, or a metal such as stainless steel or aluminum may be used. When the cleaning liquid is a chemical, a resin such as a fluororesin or vinyl chloride is mainly used, although it depends on the type of the chemical.

【0075】また、上述した一実施形態において、基板
回転機構10は、基板下面Wbを吸着保持するスピンチ
ャック12によって、基板Wを保持しつつ回転させるよ
うにしていたが、基板Wの周縁部をその下方および端面
でピン保持しつつ基板Wの回転軸Rを中心に回転するピ
ン保持式のスピンチャックであってもよい。
In the above-described embodiment, the substrate rotating mechanism 10 rotates the substrate W while holding it by the spin chuck 12 that sucks and holds the lower surface Wb of the substrate. A pin holding type spin chuck that rotates around the rotation axis R of the substrate W while holding the pins below and at the end face may be used.

【0076】あるいは、基板回転機構10は、基板Wの
周縁部の端面に当接しつつ基板Wの回転軸Rに平行な軸
を中心に回転する少なくとも3つのローラピンのような
ものであってもよい。このローラピンを用いた基板回転
機構10は、特に、基板Wの両面を超音波洗浄する場合
に有効であり、超音波洗浄ヘッド21を基板Wを挟む位
置に配置すれば、基板両面(WaおよびWb)の全域を
良好に超音波洗浄できる。なお、この場合、基板下面W
bを洗浄する超音波洗浄ヘッド21は、その基板対向面
WFが上方に向いてしまうが、このような場合には、第
一実施例により超音波洗浄ヘッド21を用いることで、
洗浄液が所定量だけ一時的に保持される。このため、間
隙空間K内に洗浄液を容易に満たすことができ、洗浄液
に対して十分な超音波振動を付与することができる。
Alternatively, the substrate rotation mechanism 10 may be at least three roller pins that rotate around an axis parallel to the rotation axis R of the substrate W while abutting on the end surface of the peripheral portion of the substrate W. . The substrate rotating mechanism 10 using the roller pins is particularly effective when ultrasonic cleaning is performed on both surfaces of the substrate W. If the ultrasonic cleaning head 21 is arranged at a position sandwiching the substrate W, the substrate rotation mechanism 10 can be used for both surfaces (Wa and Wb). Ultrasonic cleaning can be performed well over the entire area of (1). In this case, the substrate lower surface W
The ultrasonic cleaning head 21 for cleaning b has its substrate facing surface WF facing upward. In such a case, by using the ultrasonic cleaning head 21 according to the first embodiment,
The cleaning liquid is temporarily held by a predetermined amount. For this reason, the gap K can be easily filled with the cleaning liquid, and sufficient ultrasonic vibration can be applied to the cleaning liquid.

【0077】また、上述した一実施形態においては、C
MP処理後の基板Wを洗浄する場合について説明してい
るが、これに限られるものではなく、本発明は、広く、
基板Wを洗浄するものに対しても適用することができ
る。
In the above-described embodiment, C
Although the case of cleaning the substrate W after the MP processing has been described, the present invention is not limited to this, and the present invention is widely used.
The present invention can also be applied to a device for cleaning the substrate W.

【0078】さらに、上述した一実施形態においては、
基板Wとして半導体ウエハを洗浄する場合について説明
しているが、本発明は、液晶表示装置用ガラス基板、P
DP(プラズマ・ディスプレイ・パネル)基板、あるい
は、磁気ディスク用のガラス基板やセラミック基板など
のような他の各種の基板の洗浄に対して広く適用するこ
とができる。また、その基板の形状についても、上述し
た一実施形態の円形基板の他、正方形や長方形の角型基
板に対しても、本発明を適用することができる。
Further, in one embodiment described above,
Although the case where a semiconductor wafer is cleaned as the substrate W has been described, the present invention relates to a glass substrate for a liquid crystal display device,
The present invention can be widely applied to cleaning of a DP (plasma display panel) substrate, or other various substrates such as a glass substrate or a ceramic substrate for a magnetic disk. Further, as for the shape of the substrate, the present invention can be applied not only to the circular substrate of the above-described embodiment but also to a square or rectangular square substrate.

【0079】その他、特許請求の範囲に記載された事項
の範囲内で種々の設計変更を施すことが可能である。
In addition, various design changes can be made within the scope of the matters described in the claims.

【0080】[0080]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
流体が間隙空間に満たされると、超音波振動が付与され
効率良く超音波振動エネルギーを伝達されるので、基板
表面の微細なパーティクルを十分に除去し、基板表面の
洗浄力を向上させることができるという効果を奏する。
その際、流体に進行波を発生させ移動させることができ
るとともに、移動する進行波によって効率よく基板表面
の微細なパーティクルを充分に除去し、基板の表面の洗
浄力を向上させることができる。
As described above, according to the present invention,
When the fluid is filled in the gap space, ultrasonic vibration is applied and the ultrasonic vibration energy is transmitted efficiently, so that fine particles on the substrate surface can be sufficiently removed, and the cleaning power of the substrate surface can be improved. This has the effect.
At that time, a traveling wave can be generated and moved in the fluid, and fine particles on the substrate surface can be efficiently and sufficiently removed by the traveling traveling wave, so that the detergency of the substrate surface can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係る基板洗浄装置の主要
部の構成を簡略的に示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view schematically showing a configuration of a main part of a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施形態に係る基板洗浄装置の超音
波洗浄ヘッドの基板対向面、振動面、およびノズルの先
端部と、基板との関係を示す装置側方から見た断面図で
ある。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing the relationship between the substrate facing surface, the vibration surface, the tip of the nozzle, and the substrate of the ultrasonic cleaning head of the substrate cleaning apparatus according to one embodiment of the present invention, as viewed from the side of the apparatus. is there.

【図3】本発明の一実施形態に係る超音波洗浄ヘッドの
構成を簡略的に示す図で、図3(a)は長手方向側方か
ら見た断面図、図3(b)は下面から見た平面図であ
る。
3A and 3B are diagrams schematically illustrating a configuration of an ultrasonic cleaning head according to an embodiment of the present invention, where FIG. 3A is a cross-sectional view as viewed from a longitudinal side, and FIG. FIG.

【図4】本発明に一実施形態に係る振動子の分解斜視図
である。
FIG. 4 is an exploded perspective view of a vibrator according to one embodiment of the present invention.

【図5】本発明に係る他の実施形態に係る超音波洗浄ヘ
ッドの基板対向面、振動面、およびノズルの先端部と、
基板との関係を示す装置側方から見た断面図である。
FIG. 5 shows a substrate facing surface, an oscillating surface, and a tip of a nozzle of an ultrasonic cleaning head according to another embodiment of the present invention;
It is sectional drawing seen from the apparatus side which shows the relationship with a board | substrate.

【図6】本発明の他の実施形態に係る超音波洗浄ヘッド
の構成を簡略的に示す図で、図6(a)は長手方向側方
から見た断面図、図6(b)は下面から見た平面図であ
る。
6A and 6B are diagrams schematically illustrating a configuration of an ultrasonic cleaning head according to another embodiment of the present invention. FIG. 6A is a cross-sectional view as viewed from the side in the longitudinal direction, and FIG. It is the top view seen from.

【図7】従来の洗浄装置の説明図である。FIG. 7 is an explanatory view of a conventional cleaning device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 基板回転機構(基板回転手段) 11 スピン軸 12 スピンチャック 20、110 超音波洗浄機構 21、300 超音波洗浄ヘッド(超音波洗浄手段) 211 本体部 212、301 振動板 213、302、303、304 振動子 250、305 圧電素子 251、306 接地電極 252、252a、252b 分割電極 307 電極 214 超音波発振器 30 ブラシ洗浄機構 40 補助液供給機構 41 補助液供給ノズル 42 補助液配管 43 洗浄液供給源 44 バルブ A1、A2、A3 基板対向面の経路 D 基板対向間隔 D1 第1の間隔 D2 第2の間隔 F 回転方向(移動方向) K 間隙空間 220、230 ノズル NS ノズルの先端部 O 基板の中心 R 基板の回転軸 VF 振動面 W 基板 Wa 基板上面 Wb 基板下面 Wc 基板端部 WF 基板対向面 Reference Signs List 10 substrate rotation mechanism (substrate rotation means) 11 spin axis 12 spin chuck 20, 110 ultrasonic cleaning mechanism 21, 300 ultrasonic cleaning head (ultrasonic cleaning means) 211 main body 212, 301 diaphragm 213, 302, 303, 304 Vibrator 250, 305 Piezoelectric element 251, 306 Ground electrode 252, 252a, 252b Split electrode 307 Electrode 214 Ultrasonic oscillator 30 Brush cleaning mechanism 40 Auxiliary liquid supply mechanism 41 Auxiliary liquid supply nozzle 42 Auxiliary liquid pipe 43 Cleaning liquid supply source 44 Valve A1 , A2, A3 Path of the substrate facing surface D Substrate facing distance D1 First distance D2 Second distance F Rotation direction (moving direction) K Gap space 220, 230 Nozzle NS Tip of nozzle O Center of substrate R Rotation of substrate Axis VF Vibration surface W Substrate Wa Substrate upper surface Wb Substrate lower surface Wc Substrate Edge WF Substrate facing surface

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/304 643 H01L 21/304 643A 643D Fターム(参考) 3B116 AA03 AB23 AB34 AB47 BA02 BA13 BB22 BB84 BB85 CC01 CC03 3B201 AA03 AB23 AB34 AB47 BA02 BA13 BB22 BB84 BB85 BB92 BB93 BB96 CC01 CC11 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI Theme coat II (Reference) H01L 21/304 643 H01L 21/304 643A 643D F-term (Reference) 3B116 AA03 AB23 AB34 AB47 BA02 BA13 BB22 BB84 BB85 CC01 CC03 3B201 AA03 AB23 AB34 AB47 BA02 BA13 BB22 BB84 BB85 BB92 BB93 BB96 CC01 CC11

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 相対移動する基板に間隔を空けて対向配
置される振動面と、前記振動面に超音波振動を発生させ
る振動子を有する超音波洗浄手段と、 前記超音波洗浄手段の振動面と基板との間隔に、基板の
処理に用いられる流体を供給する流体供給部と、を備
え、 前記超音波洗浄手段は、異なる交流駆動信号をそれぞれ
受ける複数の分割電極を前記振動面に並列して有するこ
とを特徴とする基板洗浄装置。
1. An ultrasonic cleaning means having a vibrating surface disposed opposite to a relatively moving substrate at an interval, an oscillator for generating ultrasonic vibration on the vibrating surface, and a vibrating surface of the ultrasonic cleaning means And a fluid supply unit for supplying a fluid used for processing the substrate, at an interval between the substrate and the substrate, wherein the ultrasonic cleaning unit is arranged in parallel with the vibration surface with a plurality of divided electrodes each receiving a different AC drive signal. A substrate cleaning apparatus, comprising:
【請求項2】 請求項1に記載の基板洗浄装置におい
て、 前記複数の分割電極は、振動面の長手方向に並列して配
置することを特徴とする基板洗浄装置。
2. The substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the plurality of divided electrodes are arranged in parallel in a longitudinal direction of a vibration surface.
【請求項3】 請求項1または請求項2に記載の基板洗
浄装置において、 前記基板を垂直な回転軸を中心として所定の回転方向に
基板を回転させる基板回転手段と、を備え、 前記複数の分割電極のうち基板の回転軸に近い分割電極
から順に、位相をずらした交流駆動信号を印加すること
を特徴とする基板洗浄装置。
3. The substrate cleaning apparatus according to claim 1, further comprising: a substrate rotating unit configured to rotate the substrate in a predetermined rotation direction about a vertical rotation axis. A substrate cleaning apparatus, characterized in that an alternating-current drive signal having a phase shifted is applied in order from a divided electrode closer to a rotation axis of a substrate among the divided electrodes.
【請求項4】 相対移動する基板に間隔を空けて対向配
置される振動面と、前記振動面に超音波振動を発生させ
る振動子を有する超音波洗浄手段と、 前記超音波洗浄手段の振動面と基板との間隔に、基板の
処理に用いられる流体を供給する流体供給部と、を備
え、 前記超音波洗浄手段は、前記振動子を前記振動面の一方
端部に有することを特徴とする基板洗浄装置。
4. An ultrasonic cleaning means having a vibrating surface opposed to a relatively moving substrate at an interval, a vibrator for generating ultrasonic vibration on said vibrating surface, and a vibrating surface of said ultrasonic cleaning means. A fluid supply unit for supplying a fluid used for processing the substrate at an interval between the substrate and the substrate, wherein the ultrasonic cleaning unit has the vibrator at one end of the vibrating surface. Substrate cleaning equipment.
【請求項5】 請求項4に記載の基板洗浄装置におい
て、 前記超音波洗浄手段は、前記振動子を前記振動面の長手
方向の一方端部に配置することを特徴とする基板洗浄装
置。
5. The substrate cleaning apparatus according to claim 4, wherein the ultrasonic cleaning unit arranges the vibrator at one end in a longitudinal direction of the vibrating surface.
【請求項6】 請求項4または請求項5に記載の基板洗
浄装置において、 前記基板を垂直な回転軸を中心として所定の回転方向に
基板を回転させる基板回転手段と、を備え、 前記超音波洗浄手段は、前記振動子を前記振動面の基板
の回転軸に近接する側に配置されたことを特徴とする基
板洗浄装置。
6. The substrate cleaning apparatus according to claim 4, further comprising: a substrate rotating unit configured to rotate the substrate in a predetermined rotation direction about a vertical rotation axis. The substrate cleaning apparatus, wherein the cleaning unit is arranged on the vibrator on a side of the vibrating surface close to a rotation axis of the substrate.
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