JP2001281479A - High-polymer optical waveguide element and method for manufacturing the same - Google Patents

High-polymer optical waveguide element and method for manufacturing the same

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JP2001281479A
JP2001281479A JP2000090848A JP2000090848A JP2001281479A JP 2001281479 A JP2001281479 A JP 2001281479A JP 2000090848 A JP2000090848 A JP 2000090848A JP 2000090848 A JP2000090848 A JP 2000090848A JP 2001281479 A JP2001281479 A JP 2001281479A
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groove
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substrate
core
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Katsuaki Umibe
勝晶 海部
Mitsuro Mita
充郎 見田
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a structure of an optical waveguide element which does not require the self-alignment of an optical waveguide element and an optical fiber as well as a method for easily manufacturing the optical waveguide element. SOLUTION: The high-polymer optical waveguide element has a silicon substrate 1, an optical waveguide part 10 which is formed integrally with the substrate 1 near the central part of the substrate 1, V-groove parts 20 which are formed on both sides of the optical waveguide part 10 so as to hold the optical waveguide part in-between and groove parts 30 which are disposed at the boundary between the optical waveguide part 10 and the V-groove parts 20. The V-groove parts 20 are regions where many V-grooves 20a of a V shape in sectional shape are formed in parallel. These regions are optical fiber packaging parts where the optical fibers are packaged into the respective V-grooves 20a and are self-aligned and fastened to the corresponding cores of the optical waveguide part 10.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバ実装部
を有する高分子光導波路素子及びこの高分子光導波路素
子を簡便に製造する方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polymer optical waveguide device having an optical fiber mounting portion and a method for easily manufacturing the polymer optical waveguide device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、光通信、光インターコネクトなど
に用いる光導波路素子としては、赤外線波長領域で低損
失の石英系材料を用いた光導波路素子が主流であった
が、最近、安価な高分子材料を用いて形成されたフレキ
シブルな高分子光導波路の開発が盛んに行われている。
石英系材料は、その薄膜の形成を、火炎堆積法や、CV
D法などを用いて行うが、そのために真空成膜装置等の
大がかりな装置を必要とするため、光導波路素子を製造
するのに高コストなものとなっている。一方、高分子材
料は、スピンコート法などにより簡単に薄膜が形成でき
るため、安価に光導波路素子を形成することができる。
この光導波路素子の形成に用いる高分子材料として、種
々の高分子材料が用いられているが、中でも特にポリイ
ミドは、耐熱温度が高く、またフッ素化することによ
り、光通信に用いる、1.3μm、1.55μmの波長
域においても損失が少ないため、光導波路の形成に好適
な材料である。
2. Description of the Related Art Conventionally, as an optical waveguide device used for optical communication, optical interconnect, and the like, an optical waveguide device using a silica-based material having a low loss in an infrared wavelength region has been mainly used. BACKGROUND ART Flexible polymer optical waveguides formed using materials have been actively developed.
Quartz-based materials can be formed by flame deposition, CV
The method is performed by the method D or the like, but for this, a large-scale apparatus such as a vacuum film forming apparatus is required, so that it is expensive to manufacture an optical waveguide element. On the other hand, since a thin film of a polymer material can be easily formed by a spin coating method or the like, an optical waveguide device can be formed at low cost.
Various polymer materials are used as the polymer material used for forming the optical waveguide element. Among them, polyimide is particularly high in heat resistance and is used for optical communication by fluorinating 1.3 μm. Since the loss is small even in the wavelength range of 1.55 μm, the material is suitable for forming the optical waveguide.

【0003】フッ素化ポリイミドを用いる光導波路素子
の製造行程について、以下に説明する。先ず、シリコン
基板上に屈折率の小さいフッ素化ポリイミドを下部クラ
ッド層として形成し、その上に屈折率の大きいフッ素化
ポリイミドをコア層として形成する。次いで、シリコン
含有フォトレジストを用いたフォトリソグラフィによ
り、コア層上に、形成すべきコアのパターンに対応した
レジストパターンを形成し、このレジストパターンをマ
スクにして反応性イオンエッチング装置(以下、RIE
装置という)により酸素プラズマを用いてコア層をドラ
イエッチングすることによりコアのパターンを形成す
る。次いで、レジストパターン除去した後、上部クラッ
ド層として屈折率の小さいフッ素化ポリイミドを形成す
る。
The manufacturing process of an optical waveguide device using fluorinated polyimide will be described below. First, a fluorinated polyimide having a low refractive index is formed on a silicon substrate as a lower cladding layer, and a fluorinated polyimide having a high refractive index is formed thereon as a core layer. Next, a resist pattern corresponding to the pattern of the core to be formed is formed on the core layer by photolithography using a silicon-containing photoresist, and the resist pattern is used as a mask to form a reactive ion etching apparatus (hereinafter referred to as RIE).
The core pattern is formed by dry-etching the core layer using oxygen plasma by an apparatus. Next, after removing the resist pattern, a fluorinated polyimide having a small refractive index is formed as an upper cladding layer.

【0004】これにより下部クラッド層、コア、上部ク
ラッドをフッ素化ポリイミドで形成した高分子光導波路
素子が完成する。なお、下部クラッド層、コア、上部ク
ラッドに用いるフッ素化ポリイミドは、フッ素化ポリイ
ミドの前駆体であるフッ素化ポリアミド酸の溶液をスピ
ンコートによりシリコン基板上に膜形成し、これを焼成
することよりイミド化し、フッ素化ポリイミド膜を得て
いる。従来は、光導波路素子を光インターコネクト等に
用いる際には、ファイバ導入用のV溝を形成したベース
基板に光導波路素子基板を接着する方法、光導波路素子
基板の端面にV溝基板を接着する方法等により、光導波
路素子と光ファイバとの接続を行っていた。
As a result, a polymer optical waveguide device in which the lower clad layer, the core, and the upper clad are formed of fluorinated polyimide is completed. The fluorinated polyimide used for the lower cladding layer, the core, and the upper cladding is formed by spin-coating a solution of a fluorinated polyamic acid, which is a precursor of the fluorinated polyimide, on a silicon substrate by spin coating, and baking this to form an imide. To obtain a fluorinated polyimide film. Conventionally, when an optical waveguide device is used for an optical interconnect or the like, a method of bonding the optical waveguide device substrate to a base substrate having a V-groove for introducing a fiber, and bonding the V-groove substrate to an end surface of the optical waveguide device substrate The connection between the optical waveguide element and the optical fiber has been performed by a method or the like.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光導波
路素子からの光配線として、光ファイバを接続する際
に、上述のファイバ導入用のV溝を形成したベース基板
に光導波路素子基板を接着する方法、光導波路素子基板
の端面にV溝基板を接着する方法等を用いても、光導波
路素子のコアと光ファイバのコアとの調芯接続の工程、
基板の位置調整の工程などが煩雑で、コスト高の要因と
もなり、量産には適していないという問題があった。
However, when connecting an optical fiber as an optical wiring from the optical waveguide element, a method of bonding the optical waveguide element substrate to the base substrate having the above-described V-groove for fiber introduction formed therein. Even if a method of bonding a V-groove substrate to an end face of an optical waveguide element substrate or the like is used, a process of aligning the core of the optical waveguide element and the core of the optical fiber,
There is a problem that the process of adjusting the position of the substrate is complicated, which causes an increase in cost, and is not suitable for mass production.

【0006】本発明は、上記問題点を解決し、光導波路
素子と光ファイバとの接続時の調芯を不要とした光導波
路素子の構造並びにこの光導波路素子を容易に製造する
方法を提供することを目的とする。
The present invention solves the above problems, and provides a structure of an optical waveguide device which does not require alignment when connecting the optical waveguide device to an optical fiber, and a method of easily manufacturing the optical waveguide device. The purpose is to:

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1の発明に係る高分子光導波路素子は、光フ
ァイバ実装用のV溝を形成した基板上に、高分子材料を
用いて形成された光導波路部を一体的に形成したことを
特徴とする。請求項2の発明は、請求項1記載の高分子
光導波路素子において、前記光導波路部と前記V溝を形
成した領域が隣接して配置され、前記光導波路部には複
数の光導波路がアレイ状に配列され、当該各光導波路の
コアに対応して、光ファイバ実装用の前記V溝が設けら
れていることを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems, a polymer optical waveguide device according to the present invention uses a polymer material on a substrate on which a V-groove for mounting an optical fiber is formed. The optical waveguide portion formed by the above process is integrally formed. According to a second aspect of the present invention, in the polymer optical waveguide device according to the first aspect, the optical waveguide portion and the region where the V-groove is formed are arranged adjacent to each other, and a plurality of optical waveguides are arrayed in the optical waveguide portion. The optical waveguide is characterized in that the V-grooves for mounting optical fibers are provided corresponding to the cores of the respective optical waveguides.

【0008】この請求項1又は2に係る高分子光導波路
素子は、各V溝の角度と光導波路のコアの位置とを考慮
したサイズの光ファイバを選定してV溝に実装し且つ対
応するコア13aの端面に当接させた後、光ファイバを
固着することすることにより、光導波路部のコアと光フ
ァイバのコアとを無調芯で接続することができる。
In the polymer optical waveguide device according to the first or second aspect, an optical fiber having a size in consideration of the angle of each V-groove and the position of the core of the optical waveguide is selected and mounted on the V-groove. By fixing the optical fiber after it is brought into contact with the end face of the core 13a, the core of the optical waveguide portion and the core of the optical fiber can be connected without adjustment.

【0009】請求項3の発明は、基板上の光導波路部形
成予定領域に高分子材料から成る光導波路部を形成し、
且つ、基板上の当該光導波路部形成予定領域に隣接する
領域に光ファイバ実装用のV溝を形成したV溝形成領域
を設ける高分子光導波路素子の製造方法において、基板
上の当該光導波路部形成予定領域に隣接する領域に、光
ファイバ実装用のV溝を形成したV溝形成領域を設ける
工程と、前記V溝形成領域上に溶解性薄膜を被着する工
程と、前記光導波路部形成予定領域上及び前記V溝形成
領域上に高分子材料を用いて下部クラッド層を形成する
工程と、前記下部クラッド層上に高分子材料を用いてコ
ア層を形成し、当該コア層のパターニングを行い、コア
のパターンを少なくとも前記基板の光導波路形成予定領
域上に形成する工程と、前記下部クラッド層上及び前記
コアのパターン上に高分子材料を用いて上部クラッド層
を形成する工程と、前記光導波路部形成予定領域と前記
V溝形成領域との境界である前記溶解性薄膜のエッジ部
分に溝を形成し、これにより基板の光導波路部形成予定
領域に下部クラッド層、コアのパターン、上部クラッド
層からなる光導波路部を完成させる工程と、前記溶解性
薄膜を溶解除去し、この溶解性薄膜の除去に伴うリフト
オフによりV溝形成領域上に残存する高分子材料からな
る各層を除去し、これによりV溝を露出させる工程と、
を具備することを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, an optical waveguide portion made of a polymer material is formed in a region where an optical waveguide portion is to be formed on a substrate,
In the method for manufacturing a polymer optical waveguide element, a V-groove forming region in which a V-groove for mounting an optical fiber is formed in a region adjacent to the region where the optical waveguide portion is to be formed on the substrate is provided. Providing a V-groove forming region in which a V-groove for mounting an optical fiber is formed in a region adjacent to the region to be formed; applying a soluble thin film on the V-groove forming region; Forming a lower cladding layer using a polymer material on the planned region and the V-groove forming region, forming a core layer using a polymer material on the lower cladding layer, and patterning the core layer. Performing, a step of forming a core pattern at least on an optical waveguide formation scheduled region of the substrate, and a step of forming an upper clad layer using a polymer material on the lower clad layer and the core pattern. A groove is formed at an edge portion of the soluble thin film which is a boundary between the optical waveguide portion forming region and the V-groove forming region, whereby a lower cladding layer and a core pattern are formed in an optical waveguide portion forming region of the substrate. A step of completing an optical waveguide portion comprising an upper cladding layer, dissolving and removing the soluble thin film, and removing each layer made of a polymer material remaining on the V-groove forming region by lift-off accompanying the removal of the soluble thin film. Exposing the V-groove thereby,
It is characterized by having.

【0010】この方法によれば、光導波路部及び光ファ
イバ実装部は一体的に形成され、光ファイバの接続はV
溝に沿って、光導波路部のコアに突き当てるのみで良
く、煩雑な調芯の必要がなく、予めV溝に置いてみた場
合の光ファイバの中心の高さを予測しておき、下部クラ
ッド層の膜厚をそれに合わせて制御するのみで十分であ
る。
According to this method, the optical waveguide portion and the optical fiber mounting portion are integrally formed, and the connection of the optical fiber is
It is only necessary to hit the core of the optical waveguide along the groove, there is no need for complicated alignment, and the height of the center of the optical fiber when it is placed in the V groove is predicted in advance, and the lower clad It is sufficient to control the layer thickness accordingly.

【0011】請求項4の発明は、請求項3記載の高分子
光導波路素子の製造方法において、前記V溝の形成を、
ダイシングソーにより行うことを特徴とする。請求項5
の発明は、請求項3記載の高分子光導波路素子の製造方
法において、前記基板としてシリコン基板を用い、前記
V溝の形成をシリコン基板の異方性エッチングにより行
うことを特徴とする。これら請求項4又は5の方法によ
り、V溝を良好に形成することができ、特に請求項5の
方法によれば、請求項4の方法よりさらに精度良くV溝
を形成できる。
According to a fourth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a polymer optical waveguide device according to the third aspect, the formation of the V-groove is performed by:
It is characterized in that it is performed by a dicing saw. Claim 5
According to a third aspect of the present invention, in the method for manufacturing a polymer optical waveguide device according to the third aspect, a silicon substrate is used as the substrate, and the V-groove is formed by anisotropic etching of the silicon substrate. According to the method of claim 4 or 5, a V-groove can be formed satisfactorily. In particular, according to the method of claim 5, the V-groove can be formed more accurately than the method of claim 4.

【0012】請求項6の発明は、請求項3乃至5のいず
れかの請求項に記載の高分子光導波路素子の製造方法に
おいて、前記溶解性薄膜として、銅薄膜若しくはアルミ
ニウム薄膜のいずれかを用いることを特徴とする。この
請求項6の方法により、リフトオフ工程を良好に行うこ
とができる。
According to a sixth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a polymer optical waveguide device according to any one of the third to fifth aspects, any one of a copper thin film and an aluminum thin film is used as the soluble thin film. It is characterized by the following. According to the method of claim 6, the lift-off step can be performed favorably.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態について詳細に説明する。先ず、図1を参照
して、本発明の第1の実施の形態に係る高分子光導波路
素子の構造について、以下詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. First, the structure of the polymer optical waveguide device according to the first embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to FIG.

【0014】図1の斜視図に示すように、この高分子光
導波路素子は、シリコン基板1、この基板1の中央部付
近に基板1と一体的に形成された光導波路部10、光導
波路部10を挟むようにその両側に形成されたV溝部2
0、光導波路部10とV溝部20との境界に設けられた
溝部30を有している。図1に示すように、シリコン基
板1の表面は、大きく分けて、光導波路部10の形成領
域と、その両側の2つのV溝部20の形成領域の、3つ
の領域からなっている。V溝部20は断面形状がV字状
の溝(以下、V溝と呼ぶ)20aを多数並列に形成した
領域で、光ファイバ実装部であり、各V溝20aに光フ
ァイバが実装される。
As shown in the perspective view of FIG. 1, this polymer optical waveguide device comprises a silicon substrate 1, an optical waveguide portion 10 formed integrally with the substrate 1 near the center of the substrate 1, and an optical waveguide portion. V-shaped groove portions 2 formed on both sides thereof so as to sandwich
0, a groove portion 30 provided at a boundary between the optical waveguide portion 10 and the V groove portion 20 is provided. As shown in FIG. 1, the surface of the silicon substrate 1 is roughly divided into three regions, that is, a region where the optical waveguide portion 10 is formed and regions where two V-groove portions 20 are formed on both sides thereof. The V-groove portion 20 is an optical fiber mounting portion in which a plurality of V-shaped grooves (hereinafter referred to as V-grooves) 20a are formed in parallel, and an optical fiber is mounted in each V-groove 20a.

【0015】また、光導波路部10はアレイ状に配列さ
れた複数の光導波路を備えている。この光導波路部10
は、フッ素化ポリイミド等の高分子材料で形成された下
部クラッド層11と、フッ素化ポリイミド等の高分子材
料で形成されしかも下部クラッド層11の屈折率より高
くなるように形成されたコア13aと、フッ素化ポリイ
ミド等の高分子材料で形成されしかも下部クラッド層1
1と同等の屈折率となるように形成された上部クラッド
層15とで構成され、端面を除いてコア13aの周囲は
下部クラッド層11及び上部クラッド層15で囲まれた
構造となっている。図1に示した例では、コア13aが
3本(即ち、3本の光導波路)ある例を模式的に示して
いるが、このコア13aの数、即ちコアの数に対応する
光導波路のアレイの数は設計に応じ適宜増減できるもの
である。
The optical waveguide section 10 has a plurality of optical waveguides arranged in an array. This optical waveguide section 10
Is a lower clad layer 11 formed of a polymer material such as fluorinated polyimide, and a core 13a formed of a polymer material such as fluorinated polyimide and formed to have a refractive index higher than that of the lower clad layer 11. , A lower clad layer 1 made of a polymer material such as fluorinated polyimide
The upper cladding layer 15 is formed so as to have a refractive index equivalent to that of 1. The core 13a is surrounded by the lower cladding layer 11 and the upper cladding layer 15 except for the end face. In the example shown in FIG. 1, an example in which there are three cores 13a (that is, three optical waveguides) is schematically shown. However, the number of cores 13a, that is, an array of optical waveguides corresponding to the number of cores is shown. Can be appropriately increased or decreased according to the design.

【0016】また、V溝部20に形成された各V溝20
aはそれぞれ所定のコア13aと対応するように設けら
れ、各V溝20aの中心軸及びその延長線を含んで基板
1表面に垂直な平面上に、対応するコア13aの光軸が
位置するように形成されている。図1の例ではコア13
aの数(3本)に対応してV溝の数は3本となってい
る。各V溝20aの傾斜部の角度は、このV溝20aに
所定の直径の光ファイバを実装した際に、実装する光フ
ァイバのコアの光軸と光導波部10のコア13aの光軸
とが一致するように形成されている。
Each V-groove 20 formed in the V-groove 20
a are provided so as to correspond to the predetermined cores 13a, respectively, so that the optical axis of the corresponding core 13a is located on a plane perpendicular to the surface of the substrate 1 including the central axis of each V-groove 20a and an extension thereof. Is formed. In the example of FIG.
The number of V-grooves is three corresponding to the number a (three). The angle of the inclined portion of each V-groove 20a is such that when an optical fiber having a predetermined diameter is mounted in the V-groove 20a, the optical axis of the core of the optical fiber to be mounted and the optical axis of the core 13a of the optical waveguide 10 are set. It is formed to match.

【0017】従って、各V溝20aの角度とコア13a
の位置とを考慮したサイズの光ファイバを選定してV溝
20aに実装し且つ対応するコア13aの端面に当接さ
せた後、エポキシ樹脂等を用いて光ファイバを固着する
ことすることにより、光導波路部10のコア13aと光
ファイバのコア(図示せず)とを無調芯で接続すること
ができる。
Therefore, the angle of each V-groove 20a and the core 13a
By selecting an optical fiber having a size in consideration of the position and mounting the optical fiber in the V-groove 20a and abutting the end face of the corresponding core 13a, the optical fiber is fixed by using an epoxy resin or the like. The core 13a of the optical waveguide unit 10 and the core (not shown) of the optical fiber can be connected without adjustment.

【0018】次に、この第1の実施の形態に係る高分子
光導波路素子の製造工程について、図2〜図12を用い
て説明する。以下の図で、図1と同一の部位については
同一番号を付して説明する。
Next, a manufacturing process of the polymer optical waveguide device according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. In the following drawings, the same parts as those in FIG.

【0019】先ず、図2に示すシリコン基板1表面への
V溝20a形成工程を実施する。この工程では、図2
(C)の平面図に示すように、例えば、3インチのシリ
コンウエハから成るシリコン基板(600μm厚)1の
中央部の幅20mmの領域を光導波路部形成予定領域1
aとして残し、その両側に、多数のV溝20aが形成さ
れたV溝形成領域1bを設けた。各V溝20aは傾斜角
45°のV溝用ブレードを取り付けたダイシングソー
(ディスコ社製)を用いて、幅100μm深さ50μm
のV溝を250μm間隔で形成した。ここで、図2
(A)は、図2(C)においてシリコン基板1における
V溝形成領域1bの矢印X方向に沿った一部の部分拡大
断面図を示す。また、図2(B)は、図2(C)におい
てシリコン基板1における光導波路部形成予定領域1a
の矢印X方向に沿った一部の部分拡大断面図を示す。な
お、図2(C)ではV溝20aは一部しか図示していな
いが、図2(C)において点線Tで示している部分にも
実際はV溝20aが形成され、これら多数のV溝20a
が矢印X方向に向かって配列され、設計に応じた必要数
形成されている。
First, a step of forming a V groove 20a on the surface of the silicon substrate 1 shown in FIG. 2 is performed. In this step, FIG.
As shown in the plan view of FIG. 1C, for example, a region having a width of 20 mm at the center of a silicon substrate (600 μm thick) 1 made of a 3-inch silicon wafer is a region 1 where an optical waveguide is to be formed
a, and a V-groove forming region 1b having a large number of V-grooves 20a formed on both sides thereof. Each V-groove 20a is 100 μm wide and 50 μm deep using a dicing saw (manufactured by Disco Corporation) equipped with a V-groove blade with a 45 ° inclination angle.
Were formed at intervals of 250 μm. Here, FIG.
FIG. 2A is a partially enlarged cross-sectional view of a part of the V-groove forming region 1b in the silicon substrate 1 along the arrow X direction in FIG. 2C. FIG. 2 (B) is a plan view of a region 1a where an optical waveguide section is to be formed on the silicon substrate 1 in FIG.
3 is a partially enlarged cross-sectional view taken along the arrow X direction of FIG. Although only a part of the V-groove 20a is shown in FIG. 2C, the V-groove 20a is actually formed also in a portion shown by a dotted line T in FIG.
Are arranged in the direction of the arrow X, and the required number is formed according to the design.

【0020】次に、図3に示す基板1のV溝形成領域1
b上への銅薄膜41の形成工程を実施する。この工程で
は、先ず、基板1の表面全面にスパッタで銅の薄膜を被
着形成する。その膜厚は、約200nmとした。次い
で、図3(C)の平面図に示すように、この銅の薄膜を
通常のフォトリソグラフィ及びエッチングにより、基板
1中央部の光導波路部形成予定領域1a上の銅薄膜を除
去し、これにより基板1のV溝形成領域1b上にのみ銅
の薄膜41が残存する形で被着される。ここで、図3
(A)は、図3(C)においてシリコン基板1における
V溝形成領域1bの矢印X方向に沿った一部の部分拡大
断面図を示す。また、図3(B)は、図3(C)におい
てシリコン基板1における光導波路部形成予定領域1a
の矢印X方向に沿った一部の部分拡大断面図を示す。
Next, the V-groove forming region 1 of the substrate 1 shown in FIG.
The step of forming the copper thin film 41 on b is performed. In this step, first, a copper thin film is deposited on the entire surface of the substrate 1 by sputtering. The thickness was about 200 nm. Then, as shown in the plan view of FIG. 3C, the copper thin film is removed from the copper thin film on the optical waveguide portion forming region 1a at the center of the substrate 1 by ordinary photolithography and etching. The copper thin film 41 is adhered only on the V-groove forming region 1b of the substrate 1 so as to remain. Here, FIG.
FIG. 3A is a partially enlarged cross-sectional view of a part of the V-groove forming region 1 b in the silicon substrate 1 along the arrow X direction in FIG. FIG. 3B shows an area 1a where the optical waveguide portion is to be formed in the silicon substrate 1 in FIG.
3 is a partially enlarged cross-sectional view taken along the arrow X direction of FIG.

【0021】次に、図4に示すように、下部クラッド層
の形成工程を実施する。この工程では、図4(C)の平
面図に示すように、V溝形成領域1b上に銅薄膜41を
被着した領域を含め、基板1上の全面に、ディッピング
法により、クラッド材料であるフッ素化ポリイミド溶液
(商品名OPI−N3205、日立化成(株)製)をコ
ートし、所定のオーブン内に載置して窒素ガス雰囲気下
において370℃で1時間加熱してイミド化処理を行
い、下部クラッド層11を形成した。この状態を、図4
(A)、(B)の部分断面図にも示す。
Next, as shown in FIG. 4, a step of forming a lower cladding layer is performed. In this step, as shown in the plan view of FIG. 4C, the entire surface of the substrate 1 including the region where the copper thin film 41 is applied on the V-groove forming region 1b is formed of a cladding material by a dipping method. A fluorinated polyimide solution (trade name: OPI-N3205, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) is coated, placed in a predetermined oven, and heated at 370 ° C. for 1 hour in a nitrogen gas atmosphere to perform imidization treatment. The lower cladding layer 11 was formed. This state is shown in FIG.
(A) and (B) are also shown in partial sectional views.

【0022】ここで、下部クラッド層11の膜厚は、V
溝形成時に光ファイバを載せ、基板表面からの光ファイ
バのコア中心の高さを測長し、3.5μm差し引いた値
とし、形成される光導波路部のコア(幅、厚み共に7μ
m)の光軸とV溝5aに実装される光ファイバのコア
(コア径10μm)の光軸とが一致するように設定し
た。この例では、下部クラッド層11の膜厚は約35μ
mと設定した。
Here, the thickness of the lower cladding layer 11 is V
The optical fiber is placed at the time of forming the groove, the height of the center of the optical fiber from the substrate surface is measured, and a value obtained by subtracting 3.5 μm is obtained.
The optical axis of m) was set so as to coincide with the optical axis of the core (core diameter 10 μm) of the optical fiber mounted in the V groove 5a. In this example, the thickness of the lower cladding layer 11 is about 35 μm.
m.

【0023】なお、ここで、フッ素化ポリイミドの下部
クラッド層11の基板1との接着を強固にするために、
下部クラッド層を形成する前に、予めカプラー処理を行
うことが好ましく、この実施の形態においても、図示は
省略しているが、フッ素化ポリイミド溶液をコートする
前に予めカプラー処理を行っている。このカプラー処理
は、カプラー(商品名OPI−Coupler、日立化
成(株)製)をスピンコートし、窒素ガス雰囲気下25
0℃で1時間焼成することにより行っている。なお、図
4(A)は、図4(C)においてシリコン基板1におけ
るV溝形成領域1bの矢印X方向に沿った一部の部分拡
大断面図を示す。また、図4(B)は、図4(C)にお
いてシリコン基板1における光導波路部形成予定領域1
aの矢印X方向に沿った一部の部分拡大断面図を示す。
Here, in order to strengthen the adhesion of the lower cladding layer 11 made of fluorinated polyimide to the substrate 1,
It is preferable to perform a coupler treatment before forming the lower clad layer. In this embodiment, though not shown, the coupler treatment is performed before coating the fluorinated polyimide solution. This coupler treatment is performed by spin-coating a coupler (OPI-Coupler, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) under a nitrogen gas atmosphere.
It is performed by firing at 0 ° C. for 1 hour. FIG. 4A is a partially enlarged cross-sectional view of a part of the V-groove forming region 1b in the silicon substrate 1 along the direction of the arrow X in FIG. 4C. FIG. 4 (B) shows the region 1 where the optical waveguide section is to be formed in the silicon substrate 1 in FIG. 4 (C).
FIG. 3A is a partially enlarged cross-sectional view of a part along the arrow X direction of FIG.

【0024】次に、図5に示すように、コア層の形成工
程を実施する。この工程では、コア用の高分子材料とし
てクラッド材料よりもフッ素含有量が小さいフッ素化ポ
リイミド溶液(商品名OPI−N3405、日立化成
製)を用い、下部クラッド層11上の全面にこのフッ素
化ポリイミド溶液をスピンコート法を用いて膜を形成
し、下部クラッド層と同様の焼成処理を行い、コア層1
3とした。このコア層の膜厚は、7μmとした。また、
コア用の高分子材料としてクラッド材料よりもフッ素含
有量が小さいフッ素化ポリイミド溶液を用いているた
め、形成されたコア層13の光学的屈折率は下部クラッ
ド層11の光学的屈折率に比べ大きいものとなってい
る。ここで、図5(A)は、図4(A)と同様の断面位
置に対応する図であり、シリコン基板1におけるV溝形
成領域1bの矢印X方向(例えば、図4(C)参照)に
沿った一部の部分拡大断面図を示す。また、図5(B)
は、図4(B)と同様の断面位置に対応する図であり、
シリコン基板1における光導波路部形成予定領域1aの
矢印X方向(例えば、図4(C)参照)に沿った一部の
部分拡大断面図を示す。
Next, as shown in FIG. 5, a step of forming a core layer is performed. In this step, a fluorinated polyimide solution (trade name: OPI-N3405, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) having a smaller fluorine content than the cladding material is used as a polymer material for the core, and the fluorinated polyimide solution is formed on the entire lower cladding layer 11. The solution is formed into a film by spin coating, and the same baking treatment as that for the lower clad layer is performed.
It was set to 3. The thickness of this core layer was 7 μm. Also,
Since a fluorinated polyimide solution having a smaller fluorine content than the cladding material is used as the polymer material for the core, the optical refractive index of the formed core layer 13 is larger than that of the lower cladding layer 11. It has become something. Here, FIG. 5A is a view corresponding to a cross-sectional position similar to that of FIG. 4A, and the arrow X direction of the V-groove forming region 1b in the silicon substrate 1 (for example, see FIG. 4C). 2 shows a partially enlarged cross-sectional view along a line. FIG. 5 (B)
Is a diagram corresponding to a cross-sectional position similar to that of FIG.
FIG. 4 is a partially enlarged cross-sectional view of a part of an area 1a where an optical waveguide section is to be formed in the silicon substrate 1 taken along the direction of arrow X (see, for example, FIG. 4C).

【0025】次に、図6に示すように、レジスト層の形
成工程を実施する。この工程では、コア層13上の全面
にシリコン含有レジスト(商品名RU−1600P、日
立化成製)をスピンコートしてレジスト層43を形成し
た。ここで、図6(A)は、図5(A)と同様の断面位
置に対応する図であり、シリコン基板1におけるV溝形
成領域1bの矢印X方向(例えば、図4(C)参照)に
沿った一部の部分拡大断面図を示す。また、図6(B)
は、図5(B)と同様の断面位置に対応する図であり、
シリコン基板1における光導波路部形成予定領域1aの
矢印X方向(例えば、図4(C)参照)に沿った一部の
部分拡大断面図を示す。
Next, as shown in FIG. 6, a step of forming a resist layer is performed. In this step, a silicon-containing resist (trade name: RU-1600P, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was spin-coated on the entire surface of the core layer 13 to form a resist layer 43. Here, FIG. 6A is a view corresponding to the same cross-sectional position as FIG. 5A, and the direction of the arrow X in the V-groove forming region 1b in the silicon substrate 1 (for example, see FIG. 4C). 2 shows a partially enlarged cross-sectional view along a line. FIG. 6 (B)
Is a view corresponding to a cross-sectional position similar to FIG.
FIG. 4 is a partially enlarged cross-sectional view of a part of an area 1a where an optical waveguide section is to be formed in the silicon substrate 1 taken along the direction of arrow X (see, for example, FIG. 4C).

【0026】次に、図7に示すように、コアのパターン
に対応したレジストパターンの形成工程を実施する。こ
の工程では、線幅10μmでその長さが光導波路部形成
予定領域1aの幅20μmとした開口部を250μmピ
ッチで平行に複数本配列した開口部パターンを持つフォ
トマスク(図示せず)を用い、このフォトマスクの開口
部パターンを光導波路部形成予定領域1a(例えば、図
4(C)参照)のコアパターン形成位置に対応させ、且
つ線幅10μmの各開口部パターンの中心軸の延長線上
に、それぞれ、対応するV溝の中心軸が重なるようにし
て露光・現像し、後で形成されるコアのパターンに対応
したレジストパターン43aを基板1の光導波路部形成
予定領域1a上に形成した。図7(B)にその状態を示
す。また、図7(A)に示すように、上記現像工程によ
り、V溝形成領域1b上に設けられたレジスト層43は
除去される。
Next, as shown in FIG. 7, a step of forming a resist pattern corresponding to the pattern of the core is performed. In this step, a photomask (not shown) having an opening pattern in which a plurality of openings each having a line width of 10 μm and a length of 20 μm in the region 1a where the optical waveguide portion is to be formed is arranged in parallel at a pitch of 250 μm is used. The opening pattern of this photomask is made to correspond to the core pattern forming position of the optical waveguide portion forming region 1a (for example, see FIG. 4C), and is on the extension of the central axis of each opening pattern having a line width of 10 μm. Then, exposure and development were performed so that the central axes of the corresponding V-grooves overlap each other, and a resist pattern 43a corresponding to a core pattern to be formed later was formed on the optical waveguide portion forming region 1a of the substrate 1. . FIG. 7B shows the state. Further, as shown in FIG. 7A, the resist layer 43 provided on the V-groove forming region 1b is removed by the above-described developing step.

【0027】なお、ここでは、レジストパターン43a
は図7(A)のV溝形成領域1bには設けていない例を
示しているが、このV溝形成領域1bまで延びた形でレ
ジストパターン15aを形成することも当然可能であ
る。ここで、図7(A)は、図6(A)と同様の断面位
置に対応する図であり、シリコン基板1におけるV溝形
成領域1bの矢印X方向(例えば、図4(C)参照)に
沿った一部の部分拡大断面図を示す。また、図7(B)
は、図6(B)と同様の断面位置に対応する図であり、
シリコン基板1における光導波路部形成予定領域1aの
矢印X方向(例えば、図4(C)参照)に沿った一部の
部分拡大断面図を示す。
Here, the resist pattern 43a is used.
FIG. 7A shows an example in which the resist pattern 15a is not provided in the V-groove forming region 1b, but it is of course possible to form the resist pattern 15a so as to extend to the V-groove forming region 1b. Here, FIG. 7A is a view corresponding to a cross-sectional position similar to that of FIG. 6A, and the arrow X direction of the V-groove forming region 1b in the silicon substrate 1 (for example, see FIG. 4C). 2 shows a partially enlarged cross-sectional view along a line. FIG. 7B
Is a view corresponding to a cross-sectional position similar to that of FIG.
FIG. 5 is a partially enlarged cross-sectional view of a part of an area 1a where an optical waveguide portion is to be formed in the silicon substrate 1 taken along a direction indicated by an arrow X (for example, see FIG. 4C).

【0028】次に、図8に示すように、コアのパターン
の形成工程を実施する。この工程では、レジストパター
ン43aをマスクとして酸素プラズマを用いたイオンエ
ッチングを行って、コア13aのパターンを基板1の光
導波路部形成予定領域1a上にのみ並列のアレイ状に形
成した。図8(B)にその状態を示す。また、図8
(A)に示すように、上記イオンエッチング工程によ
り、V溝形成領域1b上に設けられたコア層13は除去
される。ここで、図8(A)は、図7(A)と同様の断
面位置に対応する図であり、シリコン基板1におけるV
溝形成領域1bの矢印X方向(例えば、図4(C)参
照)に沿った一部の部分拡大断面図を示す。また、図8
(B)は、図7(B)と同様の断面位置に対応する図で
あり、シリコン基板1における光導波路部形成予定領域
1aの矢印X方向(例えば、図4(C)参照)に沿った
一部の部分拡大断面図を示す。
Next, as shown in FIG. 8, a step of forming a core pattern is performed. In this step, ion etching using oxygen plasma was performed using the resist pattern 43a as a mask, and the pattern of the core 13a was formed in a parallel array only on the region 1a where the optical waveguide portion is to be formed on the substrate 1. FIG. 8B shows the state. FIG.
As shown in (A), the core layer 13 provided on the V-groove forming region 1b is removed by the above-described ion etching process. Here, FIG. 8A is a view corresponding to a cross-sectional position similar to FIG.
FIG. 5 is a partially enlarged cross-sectional view of a part of the groove forming region 1b along the arrow X direction (for example, see FIG. 4C). FIG.
7B is a view corresponding to a cross-sectional position similar to that of FIG. 7B, and is along the arrow X direction of the region 1a where the optical waveguide portion is to be formed in the silicon substrate 1 (for example, see FIG. 4C). 2 shows a partially enlarged cross-sectional view.

【0029】次に、図9に示すように、上部クラッド層
の形成工程を実施する。この工程では、まずコア13a
のパターン上に残存するレジストパターン43aを除去
した後、基板1上に形成されたコア13aのパターン上
及び下部クラッド層11上の全面に、下部クラッド層1
1形成工程と同様にして、下部クラッド層11形成に用
いたのと同じクラッド用材料であるフッ素化ポリイミド
溶液(商品名OPI−N3205、日立化成製)をスピ
ンコートし、下部クラッド層11及びコア層13形成時
と同様の焼成処理を行い、上部クラッド層15を形成し
た。この上部クラッド層15の下部クラッド層11表面
からの膜厚は、20μmとした。なお、この上部クラッ
ド層15の光学的屈折率は、下部クラッド層11のそれ
と同様のものとなる。
Next, as shown in FIG. 9, a step of forming an upper clad layer is performed. In this step, first, the core 13a
After removing the resist pattern 43a remaining on the pattern of the lower clad layer 1, the lower clad layer 1 is formed on the pattern of the core 13a formed on the substrate 1 and on the entire surface of the lower clad layer 11.
In the same manner as in the formation step 1, a fluorinated polyimide solution (trade name: OPI-N3205, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), which is the same clad material used for forming the lower clad layer 11, is spin-coated to form the lower clad layer 11 and the core. The same sintering process as that for forming the layer 13 was performed to form the upper clad layer 15. The thickness of the upper clad layer 15 from the surface of the lower clad layer 11 was set to 20 μm. The optical refractive index of the upper cladding layer 15 is similar to that of the lower cladding layer 11.

【0030】この上部クラッド層15を形成した状態の
平面図を図9(C)に示す。この図9(C)の基板1の
光導波路形成領域1a’に下部クラッド層11、コアパ
ターン13a、上部クラッド層15からなる光導波路部
10が形成される。すなわち、図9(B)に示すよう
に、基板1の光導波路形成領域1a’に下部クラッド層
11、コアのパターン13a、上部クラッド層15から
なる光導波路部10が形成される。この光導波路部10
には、コア13aの数に対応した光導波路が並列のアレ
イ状に配列されることになる。図9(B)は、シリコン
基板1における光導波路部形成領域1a’の矢印X方向
(図9(C)参照)に沿った一部の部分拡大断面図を示
す。 また、図9(A)に示すように、V溝形成領域1
bの下部クラッド層11形成部分上にも上部クラッド層
15が形成される。ここで、図9(A)は、シリコン基
板1におけるV溝形成領域1bの矢印X方向(図9
(C)参照)に沿った一部の部分拡大断面図を示す。
FIG. 9C is a plan view showing a state in which the upper clad layer 15 is formed. An optical waveguide section 10 including a lower cladding layer 11, a core pattern 13a, and an upper cladding layer 15 is formed in the optical waveguide forming region 1a 'of the substrate 1 in FIG. 9C. That is, as shown in FIG. 9B, an optical waveguide portion 10 including the lower cladding layer 11, the core pattern 13a, and the upper cladding layer 15 is formed in the optical waveguide forming region 1a 'of the substrate 1. This optical waveguide section 10
, Optical waveguides corresponding to the number of cores 13a are arranged in a parallel array. FIG. 9B is a partially enlarged cross-sectional view of a part of the optical waveguide portion forming region 1a ′ in the silicon substrate 1 along the arrow X direction (see FIG. 9C). Also, as shown in FIG. 9A, the V-groove formation region 1
The upper cladding layer 15 is also formed on the portion where the lower cladding layer 11 is formed. Here, FIG. 9A shows the V-groove forming region 1b of the silicon substrate 1 in the direction of arrow X (FIG.
(See (C)).

【0031】次に、図10に示すように、光導波路形成
領域1a’とV溝形成領域1bとの境界に溝を形成する
と共に、V溝形成領域の端部を切断する工程を実施す
る。
Next, as shown in FIG. 10, a step of forming a groove at the boundary between the optical waveguide forming region 1a 'and the V-groove forming region 1b and cutting the end of the V-groove forming region is performed.

【0032】先ず、図9までの工程で得られた基板に対
し、図10(A)の平面図において矢印Aで示す光導波
路形成領域1a’とV溝形成領域1bとの境界即ち銅薄
膜41(図3(C)参照)のエッジに沿って、20μm
幅のダイシングブレードを用いて、溝30を形成した。
この溝30の深さは、V溝の底20abより約10μm
深くなるようにした。次いで、図10(A)の平面図に
おいて矢印Bで示すV溝形成領域1bの端部(例えば溝
30より外側5mmのところ)を切断除去した。図10
(B)は、この切断後の状態を拡大して示した断面図で
ある。
First, the boundary between the optical waveguide forming region 1a 'and the V-groove forming region 1b indicated by an arrow A in the plan view of FIG. (See FIG. 3 (C).)
The groove 30 was formed using a dicing blade having a width.
The depth of the groove 30 is about 10 μm from the bottom 20ab of the V groove.
I tried to get deeper. Next, the end of the V-groove forming region 1b indicated by arrow B in the plan view of FIG. 10A (for example, 5 mm outside the groove 30) was cut and removed. FIG.
(B) is an enlarged sectional view showing the state after the cutting.

【0033】次に、リフトオフ工程を実施する。ここで
は、図10の工程で得られた基板を濃塩酸(35%)−
水の(1:1)混合溶液に浸漬することにより、V溝形成
領域1bの銅薄膜41が溶解し、この銅薄膜41上に堆
積した下部クラッド層11及び上部クラッド層15がリ
フトオフにより除去される。その様子を、図11(A)
の平面図、及び図11(B)の拡大断面図に示す。
Next, a lift-off step is performed. Here, the substrate obtained in the step of FIG. 10 is concentrated hydrochloric acid (35%)-
By immersing in a (1: 1) mixed solution of water, the copper thin film 41 in the V-groove forming region 1b is dissolved, and the lower clad layer 11 and the upper clad layer 15 deposited on the copper thin film 41 are removed by lift-off. You. Fig. 11 (A)
And an enlarged sectional view of FIG. 11B.

【0034】次に、ダイシング工程を実施する。ここで
は、所定の設計条件に対応したコア13aの数及びそれ
に対応するV溝の数を有するようにして、図12に一点
鎖線Cで示すダイシングラインに沿って、光導波路のコ
アのパターンの長尺方向と平行にダイシングを行うこと
により、個々にチップ化した。このチップ化された高分
子光導波路素子が図1に示す素子である。この高分子光
導波路素子のV溝形成領域が光ファイバ実装部となる。
Next, a dicing step is performed. Here, the number of cores 13a corresponding to a predetermined design condition and the number of V-grooves corresponding thereto are set, and the length of the core pattern of the optical waveguide is set along the dicing line indicated by the one-dot chain line C in FIG. By dicing in parallel with the length direction, individual chips were formed. This chipped polymer optical waveguide device is the device shown in FIG. The V-groove forming region of the polymer optical waveguide device becomes an optical fiber mounting portion.

【0035】このようにして作製した高分子光導波路素
子の光導波路部10の両側のV溝20aに沿って、直径
125μmのシングルモード光ファイバ(コア径10μ
m)のコアをそれぞれ光導波路10のコア13aの端面
に突き当てるように設置し、接着剤で固定した。
A single-mode optical fiber (having a core diameter of 10 μm) having a diameter of 125 μm is formed along the V-grooves 20 a on both sides of the optical waveguide section 10 of the polymer optical waveguide device thus manufactured.
The cores of m) were respectively installed so as to abut against the end faces of the cores 13a of the optical waveguide 10, and were fixed with an adhesive.

【0036】次いで、光導波路部10の所定のコアの両
側に接続された2つの光ファイバの内の一方の光ファイ
バから、波長1.3μmのレーザ光を導入し、他方の光
ファイバを光パワーメータに接続して、導波損失を測定
したところ、1.0dB程度であった。
Next, a laser beam having a wavelength of 1.3 μm is introduced from one of the two optical fibers connected to both sides of a predetermined core of the optical waveguide section 10, and the other optical fiber is supplied with optical power. When connected to a meter and the waveguide loss was measured, it was about 1.0 dB.

【0037】このように、この実施の形態の光導波路素
子によれば、光導波路部及び光ファイバ実装部を一体で
形成しているため、光ファイバの接続はV溝に沿って、
光導波路部のコアに突き当てるのみで良く、煩雑な調芯
の必要がない。この場合、予めV溝に置いてみた場合の
光ファイバの中心の高さを予測しておき、下部クラッド
層の膜厚をそれに合わせて制御するのみで十分である。
As described above, according to the optical waveguide device of this embodiment, since the optical waveguide portion and the optical fiber mounting portion are integrally formed, the connection of the optical fiber is performed along the V-groove.
It is only necessary to hit the core of the optical waveguide section, and there is no need for complicated alignment. In this case, it is sufficient to predict the height of the center of the optical fiber when the optical fiber is placed in the V-groove in advance, and to control the thickness of the lower cladding layer in accordance with it.

【0038】ここでは、試験サンプルとして、250μ
mピッチの平行ラインの光導波路アレイ素子を作製例を
示したが、寸法本数に関しては、これに限定されるもの
ではなく、また、素子の回路は任意に設計されるもので
ある。
Here, 250 μm was used as a test sample.
Although an example of manufacturing an optical waveguide array element having m pitches of parallel lines has been described, the number of dimensions is not limited to this, and the circuit of the element is arbitrarily designed.

【0039】なお、前述の説明では、溶解性薄膜とし
て、銅薄膜41を用いた場合について説明したが、この
銅薄膜に代えて、アルミニウム真空蒸着薄膜を用いた場
合についても実施してみた。このアルミニウム薄膜を用
いた場合、図11を用いて説明したリフトオフ工程にお
ける溶解剥離は、リン酸−水(1:1)に浸漬して行っ
た。それ以外の点については、前述の工程と全く同様に
して、光導波路素子の製造、及び光ファイバの接続を行
って、前述と同様の測定を行い、この場合も、1dB程
度の損失と良好であった。
In the above description, the case where the copper thin film 41 is used as the dissolvable thin film has been described. However, a case where an aluminum vacuum deposited thin film is used instead of the copper thin film was also examined. When this aluminum thin film was used, the dissolution and peeling in the lift-off step described with reference to FIG. 11 was performed by immersion in phosphoric acid-water (1: 1). In other respects, the production of the optical waveguide element and the connection of the optical fiber were performed in exactly the same manner as in the above-described steps, and the same measurement as described above was performed. In this case, the loss was about 1 dB, which was good. there were.

【0040】次に、本発明の第2の実施の形態について
説明する。この第2の実施の形態において、第1の実施
の形態と異なるのは、V溝の形成の方法のみである。こ
こでは、シリコン基板(面方位100面;以下、100
面と記す)を用い、異方性エッチングによりV溝を形成
した例について説明する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described. The second embodiment differs from the first embodiment only in the method of forming the V-groove. Here, a silicon substrate (100 plane orientation; hereinafter, 100
An example in which a V groove is formed by anisotropic etching will be described.

【0041】先ず、図13(A)に示すように、3イン
チのシリコンウエハ(100面)からなるシリコン基板
(100面)1上に、スピンコート法を用いて、全面に
所定のレジストを塗布した後、所定のマスクを用いたフ
ォトリソグラフィー(露光、現像等)を行うことによ
り、基板1中央部の幅20mmの光導波路部形成予定領
域1a(図2(C)等参照)の両側に、115μm幅で
250μmのピッチのラインが多数開口されるレジスト
パターン50を形成した。図13(A)では、レジスト
パターン50により画成されるライン状の開口部(後で
形成されるV溝部分に対応)は、その一部しか図示して
いないが、点線で示している部分にも実際はライン状の
開口部が形成され、これら並置されるライン状開口部が
矢印X方向に向かって必要数配列されている。図13
(B)に、ライン状開口部60が並置されている基板1
の領域の部分断面図を示す。
First, as shown in FIG. 13A, a predetermined resist is applied to the entire surface of a silicon substrate (100 surface) 1 made of a 3-inch silicon wafer (100 surface) by spin coating. After that, by performing photolithography (exposure, development, etc.) using a predetermined mask, on both sides of an optical waveguide portion forming region 1a having a width of 20 mm at the center of the substrate 1 (see FIG. 2C), A resist pattern 50 in which a large number of lines having a width of 115 μm and a pitch of 250 μm were formed was formed. In FIG. 13A, only a part of a linear opening defined by the resist pattern 50 (corresponding to a V-groove part to be formed later) is shown, but a part shown by a dotted line. Actually, linear openings are formed, and a required number of these linear openings are arranged in the direction of the arrow X. FIG.
(B) Substrate 1 on which linear openings 60 are juxtaposed
FIG.

【0042】次に、レジストパターン50を形成したシ
リコン基板(100面)1に対し、KOH水溶液(KO
H500g、水1000ml)を用い、80℃でウェッ
トエッチングによる異方性エッチングを行ったところ、
図14に示すように、上記開口部60に対応して、幅1
18μm、深さ87μmのV溝20aが250μmピッ
チで形成できた。
Next, a KOH aqueous solution (KO) is applied to the silicon substrate (100 surface) 1 on which the resist pattern 50 is formed.
H500 g, water 1000 ml) and anisotropic etching by wet etching at 80 ° C.
As shown in FIG.
V-grooves 20a having a thickness of 18 μm and a depth of 87 μm were formed at a pitch of 250 μm.

【0043】次に、図15(B)の部分断面図に示すよ
うに、レジストパターン50を除去する。これにより、
図15(A)の平面図に示すように、例えば、3インチ
のシリコンウエハから成るシリコン基板(100面)1
の中央部の幅20mmの領域を光導波路部形成予定領域
1aとして残し、その両側に、多数のV溝20aが形成
されたV溝形成領域1bが形成された。なお、図15
(A)の平面図ではV溝20aは一部しか図示していな
いが、図15(A)において点線Tで示している部分に
も実際はV溝20aが形成され、これら多数のV溝20
aが矢印X方向に向かって配列され、設計に応じた必要
数形成されている。ここで、図15(B)は、図15
(A)においてシリコン基板1におけるV溝形成領域1
bの矢印X方向に沿った一部の部分拡大断面図を示す。
このようにして形成されたV溝20a上に外径125μ
m、コア径10μmの光ファイバをのせて、基板表面面
からの光ファイバのコア中心までの高さを測定したとこ
ろ、約25μmであった。
Next, as shown in the partial sectional view of FIG. 15B, the resist pattern 50 is removed. This allows
As shown in the plan view of FIG. 15A, for example, a silicon substrate (100 surfaces) 1 made of a 3-inch silicon wafer
A V-groove forming region 1b having a large number of V-grooves 20a was formed on both sides thereof, leaving a region having a width of 20 mm at the central portion as the optical waveguide portion forming planned region 1a. Note that FIG.
Although only a part of the V-groove 20a is shown in the plan view of FIG. 15A, the V-groove 20a is actually formed in a portion indicated by a dotted line T in FIG.
a are arranged in the direction of the arrow X, and a required number according to the design is formed. Here, FIG.
1A, a V-groove formation region 1 in a silicon substrate 1 is formed.
FIG. 3B is a partial enlarged cross-sectional view taken along the arrow X direction of FIG.
An outer diameter of 125 μm is formed on the V groove 20a thus formed.
m, an optical fiber having a core diameter of 10 μm was placed, and the height from the surface of the substrate to the center of the core of the optical fiber was measured to be about 25 μm.

【0044】上述のようにして、シリコン基板1上に多
数のV溝20aを形成したV溝形成領域1bを設けた後
の工程は、前述の第1の実施の形態における製造工程と
同様となる。即ち、上述したV溝形成工程に引き続い
て、基板1のV溝形成領域1b上への銅薄膜41の形成
工程(図3参照)、下部クラッド層11の形成工程(図
4参照)、コア層13の形成工程(図5参照)、レジス
ト層43の形成工程(図6参照)、コア13aのパター
ンに対応したレジストパターン43aの形成工程(図7
参照)、コア13a(幅、厚み共に7μm)のパターン
の形成工程(図8参照)、上部クラッド層15の形成工
程(図9参照)、光導波路形成領域1a’とV溝形成領
域1bとの境界への溝30の形成およびV溝形成領域1
bの端部を切断する工程(図10参照)、リフトオフ工
程(図11参照)、ダイシング工程(図12参照)、の
各工程を順次実施することにより、銅薄膜41、光導波
路用薄膜の形成(但し、この場合、下部クラッド層11
の膜厚は、21.5μmとなるように形成した)、光導
波路部形成、その後のリフトオフによる銅薄膜とともに
V溝形成領域上のフッ素化ポリイミド膜の除去、ダイシ
ングによるチップ化を行った。このようにして、チップ
化された光ファイバ実装部付き高分子光導波路素子が完
成する。
As described above, the steps after providing the V-groove forming region 1b in which a large number of V-grooves 20a are formed on the silicon substrate 1 are the same as the manufacturing steps in the first embodiment. . That is, following the above-described V-groove formation step, a step of forming a copper thin film 41 on the V-groove formation region 1b of the substrate 1 (see FIG. 3), a step of forming the lower cladding layer 11 (see FIG. 4), and a core layer 13, a step of forming a resist layer 43 (see FIG. 6), and a step of forming a resist pattern 43a corresponding to the pattern of the core 13a (FIG. 7).
), A step of forming a pattern of the core 13a (both in width and thickness of 7 μm) (see FIG. 8), a step of forming the upper cladding layer 15 (see FIG. 9), and a process of forming the optical waveguide forming region 1a 'and the V-groove forming region 1b. Formation of groove 30 at boundary and V-groove formation region 1
Steps of cutting the end of b (see FIG. 10), lift-off step (see FIG. 11), and dicing step (see FIG. 12) are sequentially performed to form the copper thin film 41 and the thin film for the optical waveguide. (However, in this case, the lower cladding layer 11
Was formed so as to have a thickness of 21.5 μm), an optical waveguide portion was formed, and then a fluorinated polyimide film on the V-groove forming region was removed together with a copper thin film by lift-off, and a chip was formed by dicing. In this manner, a chip-formed polymer optical waveguide device with an optical fiber mounting portion is completed.

【0045】このようにして作製した高分子光導波路素
子の光導波路部10の両側のV溝20aに沿って、直径
125μmのシングルモード光ファイバ(コア径10μ
m)のコアをそれぞれ光導波路10のコア13aの端面
に突き当てるように設置し、接着剤で固定した。
A single-mode optical fiber (having a core diameter of 10 μm) having a diameter of 125 μm was formed along the V-grooves 20 a on both sides of the optical waveguide section 10 of the polymer optical waveguide device thus manufactured.
The cores of m) were respectively installed so as to abut against the end faces of the cores 13a of the optical waveguide 10, and were fixed with an adhesive.

【0046】次いで、光導波路部10の所定のコアの両
側に接続された2つの光ファイバの内の一方の光ファイ
バから、波長1.3μmのレーザ光を導入し、他方の光
ファイバを光パワーメータに接続して、導波損失を測定
したところ、1.0dB程度と良好な特性を示した。
Next, a laser beam having a wavelength of 1.3 μm is introduced from one of two optical fibers connected to both sides of a predetermined core of the optical waveguide section 10, and the other optical fiber is supplied with optical power. When connected to a meter and the waveguide loss was measured, it showed good characteristics of about 1.0 dB.

【0047】このように、この第2の実施の形態の光導
波路素子においても、光導波路部及び光ファイバ実装部
を一体的に形成しているため、光ファイバの接続はV溝
に沿って、光導波路部のコアに突き当てるのみで良く、
煩雑な調芯の必要がない。この場合、予めV溝に置いて
みた場合の光ファイバの中心の高さを予測しておき、下
部クラッド層の膜厚をそれに合わせて制御するのみで十
分である。
As described above, also in the optical waveguide device of the second embodiment, since the optical waveguide portion and the optical fiber mounting portion are integrally formed, the connection of the optical fiber is performed along the V groove. It only needs to hit the core of the optical waveguide,
There is no need for complicated alignment. In this case, it is sufficient to predict the height of the center of the optical fiber when the optical fiber is placed in the V-groove in advance, and to control the thickness of the lower cladding layer in accordance with it.

【0048】この第2の実施の形態においては、V溝の
加工において、フォトリソグラフィー、エッチングの工
程が入るが、シリコン基板の異方性エッチングを用いる
ので、第1の実施の形態におけるダイシングソーを使う
場合と比較して、V溝の加工精度がさらに向上し、光フ
ァイバと光導波路との位置合わせをさらに精度良く行う
ことができる。
In the second embodiment, the steps of photolithography and etching are included in the processing of the V-groove. However, since the anisotropic etching of the silicon substrate is used, the dicing saw of the first embodiment can be used. The processing accuracy of the V-groove is further improved as compared with the case where it is used, and the alignment between the optical fiber and the optical waveguide can be performed with higher accuracy.

【0049】ここでは、試験サンプルとして、250μ
mピッチの平行ラインの光導波路アレイ素子を作製例を
示したが、寸法、本数等に関しては、これに限定される
ものではなく、また、素子の光導波路部分の回路は任意
に設計されるものである。本発明の高分子光導波路素子
は、光通信、光インターコネクトなどに用いる光結合
や、光分岐などに用いる際に、面倒な調芯の工程が必要
なく、光ファイバとの接続を簡単に行うことができる。
なお、ここでは、一例として、光導波路アレイを示した
が、回路部分には、Y分岐や、方向性結合器、光スイッ
チなどを作ることも可能である。さらに、量産製造にも
好適である。
Here, 250 μm was used as a test sample.
An example of fabricating an optical waveguide array element having m-pitch parallel lines has been described, but the dimensions, number, etc., are not limited thereto, and the circuit of the optical waveguide portion of the element is arbitrarily designed. It is. The polymer optical waveguide device of the present invention can be easily connected to an optical fiber without a troublesome alignment step when used for optical coupling or optical branching for optical communication, optical interconnect, and the like. Can be.
Although an optical waveguide array is shown here as an example, a Y-branch, a directional coupler, an optical switch, and the like can be formed in a circuit portion. Furthermore, it is also suitable for mass production.

【0050】[0050]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の高
分子光導波路素子によれば、V溝を形成した基板上に、
直接高分子光導波路部が一体的に形成されているため、
V溝の角度と光導波路のコアの位置とを考慮したサイズ
の光ファイバを予め選定してV溝に実装し且つ対応する
コアの端面に当接させた後、光ファイバを固着すること
することにより、光導波路部のコアと光ファイバのコア
とを無調芯で接続することができるという効果を有す
る。
As described in detail above, according to the polymer optical waveguide device of the present invention, the V-groove is formed on the substrate.
Because the polymer optical waveguide part is directly formed integrally,
An optical fiber having a size considering the angle of the V-groove and the position of the core of the optical waveguide is preliminarily selected, mounted on the V-groove and brought into contact with the end face of the corresponding core, and then the optical fiber is fixed. Thereby, the core of the optical waveguide and the core of the optical fiber can be connected without any adjustment.

【0051】また、本発明の高分子光導波路素子の製造
方法では、基板上にあらかじめ形成したV溝のあるファ
イバ実装部上を、銅薄膜やアルミニウム薄膜等の溶解性
薄膜で覆った後、高分子材料を用いて光導波路部を形成
し、その後、リフトオフ法により溶解性薄膜の溶解とと
もにその上にのっている高分子材料薄膜を除去し、V溝
からなるファイバ実装部を露出させるようにしている。
この方法によれば、光導波路部及び光ファイバ実装部は
一体的に形成され、光ファイバの接続はV溝に沿って、
光導波路部のコアに突き当てるのみで良く、煩雑な調芯
の必要がなく、予めV溝に置いてみた場合の光ファイバ
の中心の高さを予測しておき、下部クラッド層の膜厚を
それに合わせて制御するのみで十分である。従って、面
倒な調芯の工程が必要なく、光ファイバとの接続を簡単
に行うことができる光導波路素子を容易に製造でき、量
産にも好適であるという効果を有する。
In the method of manufacturing a polymer optical waveguide device according to the present invention, a fiber mounting portion having a V-groove formed on a substrate is covered with a soluble thin film such as a copper thin film or an aluminum thin film. An optical waveguide section is formed using a molecular material, and then, the soluble thin film is dissolved by a lift-off method, and the polymer material thin film on the soluble thin film is removed, so that the fiber mounting portion including the V-groove is exposed. ing.
According to this method, the optical waveguide portion and the optical fiber mounting portion are integrally formed, and the connection of the optical fiber is performed along the V-groove.
It is only necessary to abut against the core of the optical waveguide part, there is no need for complicated alignment, and the height of the center of the optical fiber when it is placed in the V groove is predicted in advance, and the thickness of the lower cladding layer is adjusted. It is enough to control it accordingly. Therefore, an optical waveguide element that can easily connect to an optical fiber can be easily manufactured without requiring a troublesome alignment process, which is advantageous for mass production.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係る、高分子光導
波路素子の構造を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a structure of a polymer optical waveguide device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施の形態に係る、シリコン基
板表面へのV溝形成工程を説明するための図である。
FIG. 2 is a view for explaining a V-groove forming step on a silicon substrate surface according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1の実施の形態に係る、基板のV溝
形成領域上への銅薄膜の形成工程を説明するための図で
ある。
FIG. 3 is a view for explaining a step of forming a copper thin film on a V-groove formation region of a substrate according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第1の実施の形態に係る、下部クラッ
ド層の形成工程を説明するための図である。
FIG. 4 is a view for explaining a step of forming a lower cladding layer according to the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第1の実施の形態に係る、コア層の形
成工程を説明するための図である。
FIG. 5 is a view illustrating a step of forming a core layer according to the first embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第1の実施の形態に係る、レジスト層
の形成工程を説明するための図である。
FIG. 6 is a view illustrating a step of forming a resist layer according to the first embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第1の実施の形態に係る、コアパター
ンに対応したレジストパターンの形成工程を説明するた
めの図である。
FIG. 7 is a view illustrating a step of forming a resist pattern corresponding to a core pattern according to the first embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第1の実施の形態に係る、コアのパタ
ーンの形成工程を説明するための図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating a step of forming a core pattern according to the first embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第1の実施の形態に係る、上部クラッ
ド層の形成工程を説明するための図である。
FIG. 9 is a view for explaining a step of forming an upper cladding layer according to the first embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第1の実施の形態に係る、光導波路
形成領域とV溝形成領域との境界への溝形成およびV溝
形成領域の端部を切断する工程を説明するための図であ
る。
FIG. 10 is a diagram for explaining a step of forming a groove at a boundary between the optical waveguide forming region and the V groove forming region and cutting an end of the V groove forming region according to the first embodiment of the present invention. It is.

【図11】本発明の第1の実施の形態に係る、リフトオ
フ工程を説明するための図である。
FIG. 11 is a view for explaining a lift-off step according to the first embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第1の実施の形態に係る、ダイシン
グ工程を説明するための図である。
FIG. 12 is a view for explaining a dicing step according to the first embodiment of the present invention.

【図13】本発明の第2の実施の形態に係る、V溝形成
のためのレジストパターンの形成工程を説明するための
図である。
FIG. 13 is a view illustrating a step of forming a resist pattern for forming a V-groove according to a second embodiment of the present invention.

【図14】本発明の第2の実施の形態に係る、V溝形成
のための異方性エッチング工程を説明するための図であ
る。
FIG. 14 is a view for explaining an anisotropic etching step for forming a V-groove according to a second embodiment of the present invention.

【図15】本発明の第2の実施の形態に係る、V溝形成
工程を説明するための図である。
FIG. 15 is a view for explaining a V-groove forming step according to the second embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 シリコン基板 10 光導波路部 11 下部クラッド層 13 コア層 13a コア 15 上部クラッド層 20 V溝部 20a V溝 30 溝 41 銅薄膜 43 レジスト層 43a レジストパターン 50 レジストパターン DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Silicon substrate 10 Optical waveguide part 11 Lower clad layer 13 Core layer 13a Core 15 Upper clad layer 20 V groove part 20a V groove 30 groove 41 Copper thin film 43 Resist layer 43a Resist pattern 50 Resist pattern

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H037 AA01 BA24 CA34 DA04 DA06 DA12 2H047 KA04 MA05 PA01 PA24 PA28 QA02 QA05 QA07 TA43  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H037 AA01 BA24 CA34 DA04 DA06 DA12 2H047 KA04 MA05 PA01 PA24 PA28 QA02 QA05 QA07 TA43

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光ファイバ実装用のV溝を形成した基板
上に、高分子材料を用いて形成された光導波路部が一体
的に形成されていることを特徴とする高分子光導波路素
子。
1. A polymer optical waveguide device, wherein an optical waveguide portion formed using a polymer material is integrally formed on a substrate on which a V-groove for mounting an optical fiber is formed.
【請求項2】 前記光導波路部と前記V溝を形成した領
域が隣接して配置され、 前記光導波路部には複数の光導波路がアレイ状に配列さ
れ、当該各光導波路のコアに対応して、光ファイバ実装
用の前記V溝が設けられていることを特徴とする請求項
1記載の高分子光導波路素子。
2. The optical waveguide portion and a region where the V-groove is formed are arranged adjacent to each other, and a plurality of optical waveguides are arranged in an array in the optical waveguide portion, and correspond to a core of each optical waveguide. 2. The polymer optical waveguide device according to claim 1, wherein said V-groove for mounting an optical fiber is provided.
【請求項3】 基板上の光導波路部形成予定領域に高分
子材料から成る光導波路部を形成し、且つ、基板上の当
該光導波路部形成予定領域に隣接する領域に光ファイバ
実装用のV溝を形成したV溝形成領域を設ける高分子光
導波路素子の製造方法において、 基板上の当該光導波路部形成予定領域に隣接する領域
に、光ファイバ実装用のV溝を形成したV溝形成領域を
設ける工程と、 前記V溝形成領域上に溶解性薄膜を被着する工程と、 前記光導波路部形成予定領域上及び前記V溝形成領域上
に高分子材料を用いて下部クラッド層を形成する工程
と、 前記下部クラッド層上に高分子材料を用いてコア層を形
成し、当該コア層のパターニングを行い、コアのパター
ンを少なくとも前記基板の光導波路形成予定領域上に形
成する工程と、 前記下部クラッド層上及び前記コアのパターン上に高分
子材料を用いて上部クラッド層を形成する工程と、 前記光導波路部形成予定領域と前記V溝形成領域との境
界である前記溶解性薄膜のエッジ部分に溝を形成し、こ
れにより基板の光導波路部形成予定領域に下部クラッド
層、コアのパターン、上部クラッド層からなる光導波路
部を完成させる工程と、 前記溶解性薄膜を溶解除去し、この溶解性薄膜の除去に
伴うリフトオフによりV溝形成領域上に残存する高分子
材料からなる各層を除去し、これによりV溝を露出させ
る工程と、を具備することを特徴とする高分子光導波路
素子の製造方法。
3. An optical waveguide portion made of a polymer material is formed in a region where an optical waveguide portion is to be formed on a substrate, and a V for optical fiber mounting is formed in a region adjacent to the region where the optical waveguide portion is to be formed on the substrate. In a method of manufacturing a polymer optical waveguide device having a V-groove forming region in which a groove is formed, a V-groove forming region in which a V-groove for mounting an optical fiber is formed in a region adjacent to a region where the optical waveguide portion is to be formed on a substrate. Providing a dissolvable thin film on the V-groove forming region; and forming a lower cladding layer using a polymer material on the optical waveguide portion forming region and the V-groove forming region. Forming a core layer using a polymer material on the lower cladding layer, patterning the core layer, forming a core pattern at least on an optical waveguide formation scheduled region of the substrate, beneath Forming an upper clad layer on the lad layer and the pattern of the core using a polymer material; and an edge portion of the dissolvable thin film which is a boundary between the region where the optical waveguide portion is to be formed and the V groove forming region. Forming a groove in the substrate, thereby completing an optical waveguide section comprising a lower clad layer, a core pattern, and an upper clad layer in an area where an optical waveguide section is to be formed on the substrate; and dissolving and removing the soluble thin film. Removing each layer of the polymer material remaining on the V-groove formation region by lift-off accompanying the removal of the conductive thin film, thereby exposing the V-groove. Production method.
【請求項4】 前記V溝の形成を、ダイシングソーによ
り行うことを特徴とする請求項3記載の高分子光導波路
素子の製造方法。
4. The method for manufacturing a polymer optical waveguide device according to claim 3, wherein the V-groove is formed by a dicing saw.
【請求項5】 前記基板としてシリコン基板を用い、前
記V溝の形成をシリコン基板の異方性エッチングにより
行うことを特徴とする請求項3記載の高分子光導波路素
子の製造方法。
5. The method according to claim 3, wherein a silicon substrate is used as the substrate, and the V-groove is formed by anisotropic etching of the silicon substrate.
【請求項6】 前記溶解性薄膜として、銅薄膜若しくは
アルミニウム薄膜のいずれかを用いることを特徴とする
請求項3乃至5のいずれかの請求項に記載の高分子光導
波路素子の製造方法。
6. The method for manufacturing a polymer optical waveguide device according to claim 3, wherein one of a copper thin film and an aluminum thin film is used as the soluble thin film.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100476317B1 (en) * 2002-10-24 2005-03-16 한국전자통신연구원 Optical coupling device and method for fabricating the same, master for fabricating the optical coupling device and method for fabricating the same
WO2007074653A1 (en) * 2005-12-28 2007-07-05 Mitsumi Electric Co., Ltd. Optical waveguide device and method for manufacturing optical waveguide device
JP2007178643A (en) * 2005-12-27 2007-07-12 Mitsumi Electric Co Ltd Optical waveguide device
US7269309B2 (en) 2004-03-17 2007-09-11 Omron Corporation Optical waveguide device, manufacturing method for optical waveguide device and intermediate of optical waveguide device
US7492995B2 (en) 2004-03-31 2009-02-17 Hitachi Chemical Company, Ltd. Optical element combination structure and optical fiber structure
WO2009063649A1 (en) 2007-11-15 2009-05-22 Hitachi Chemical Co., Ltd. Optical connection structure
US7639904B2 (en) 2005-11-18 2009-12-29 Hitachi Chemical Company, Ltd. Optical device
US7734124B2 (en) 2007-05-11 2010-06-08 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Optical waveguide and method of manufacturing the same, and method of manufacturing optical/electrical hybrid substrate
JP2010286652A (en) * 2009-06-11 2010-12-24 Sumitomo Electric Ind Ltd Optical fiber array component and optical component

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7010199B2 (en) 2002-10-24 2006-03-07 Electronics And Telecommunications Research Institute Optical coupling device and method for fabricating the same, and master used in fabricating optical coupling device and method for fabricating the same
US7167617B2 (en) 2002-10-24 2007-01-23 Electronics And Telecommunications Research Institute Optical coupling device and method for fabricating the same, and master used in fabricating optical coupling device and method for fabricating the same
KR100476317B1 (en) * 2002-10-24 2005-03-16 한국전자통신연구원 Optical coupling device and method for fabricating the same, master for fabricating the optical coupling device and method for fabricating the same
CN100356215C (en) * 2004-03-17 2007-12-19 欧姆龙株式会社 Optical waveguide device, manufacturing method for optical waveguide device and intermediate of optical waveguide device
US7269309B2 (en) 2004-03-17 2007-09-11 Omron Corporation Optical waveguide device, manufacturing method for optical waveguide device and intermediate of optical waveguide device
US7492995B2 (en) 2004-03-31 2009-02-17 Hitachi Chemical Company, Ltd. Optical element combination structure and optical fiber structure
US7639904B2 (en) 2005-11-18 2009-12-29 Hitachi Chemical Company, Ltd. Optical device
JP2007178643A (en) * 2005-12-27 2007-07-12 Mitsumi Electric Co Ltd Optical waveguide device
WO2007074653A1 (en) * 2005-12-28 2007-07-05 Mitsumi Electric Co., Ltd. Optical waveguide device and method for manufacturing optical waveguide device
US7734124B2 (en) 2007-05-11 2010-06-08 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Optical waveguide and method of manufacturing the same, and method of manufacturing optical/electrical hybrid substrate
WO2009063649A1 (en) 2007-11-15 2009-05-22 Hitachi Chemical Co., Ltd. Optical connection structure
CN101861538B (en) * 2007-11-15 2013-01-30 日立化成工业株式会社 Optical connection structure
US8721192B2 (en) 2007-11-15 2014-05-13 Hitachi Chemical Co., Ltd. Optical connecting structure
JP2010286652A (en) * 2009-06-11 2010-12-24 Sumitomo Electric Ind Ltd Optical fiber array component and optical component

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