JP2001244362A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
補強板の高さが半導体チップ裏面の高さより高くなった
場合、放熱板を取り付けると、放熱板たわんで半導体チ
ップ裏面に均一に伸ばした樹脂が半導体チップ中心部に
引き込まれてAgペースト樹脂が厚くなる。また、補強
板の高さが半導体チップ高さより低すぎる場合、放熱板
と補強板との隙間が広がり、補強板上部の放熱板を変形
する。 【解決手段】 補強板が貼付られた絶縁性基板上に半導
体チップが実装され、半導体チップの裏面には放熱板が
取り付けられるパッケージにおいて、基板から半導体チ
ップ裏面までの高さは基板から補強板までの高さよりも
75±50um以内で高いことを特徴とする半導体装
置。
Description
特に補強板が貼付られた絶縁性基板上に半導体チップが
実装され、半導体チップの裏面には放熱板が取り付けら
れるパッケージにおいて、基板から半導体チップ裏面ま
での高さは基板から補強板までの高さよりも高い半導体
装置に関する。
ップチップ型BGAは図3に示されるように、銅材から
なる補強板5が張り付けられた絶縁性基板1上に、ハン
ダバンプ3を持ったフリップチップ型の半導体チップ2
がフェイスダウンで絶縁性基板1上に実装して、半導体
チップ2のハンダバンプ3と基板の予備ハンダ(図示せ
ず)とが溶融接続されて半導体チップ2と基板1が電気
的に接続されている。フリップチップ型の半導体チップ
2と基板1とのギャップは140umでバンプ間ピッチ
は240um、バンプ数は3000個、チップサイズ1
5mm□で、チップ厚725umである。基板1から半
導体チップ2の裏面までの高さは、半導体チップ反りを
含めて890umである。一方、基板1から補強板5の
表面までの高さは、基板1と補強板5との間の接着剤4
を含めて910umで、補強板5の高さの方が半導体チ
ップ2の高さよりも高い。このフリップチップ型の半導
体チップ2と絶縁性基板1との間隔のハンダ接続部にア
ンダーフィル樹脂6として、エポキシ系樹脂6の適量を
充満する。その後、アンダーフィル樹脂6を適正な温度
(この例では150℃前後)で硬化させる。
て、導電性の特性を有するAgペースト7を塗布する。
尚、絶縁性基板1の補強板2の上部には接着樹脂8も塗
布しておく。その後、半導体チップ裏面及び補強板上部
に銅材からなる放熱板9を配置して、樹脂を硬化させ放
熱板9を取り付ける。その後、半導体チップが搭載され
ていない絶縁性基板の裏面にハンダボール10を搭載し
て、フリップチップ型のBGAパッケージを得る。
フリップチップBGAパッケージを製作した場合、基板
から半導体チップ裏面までの高さと基板から補強板まで
の高さの差は20umで、補強板の高さの方が半導体チ
ップ高さより高くなり、さらに、補強板を基板に取り付
ける際の製造ばらつき(±25um)によっては補強板
の高さが半導体チップ高さより40um以上高くなる場
合がある。この状態で放熱板を取り付けると、放熱板を
半導体チップ裏面に貼付する際のスクラブ作業実施後、
図4に示すように、スクラブの反動により放熱板9が凹
から凸にたわんで半導体チップ裏面に均一に伸ばした樹
脂が半導体チップ中心部に引き込まれてAgペースト樹
脂厚(約40〜80um)が厚くなり所望の熱抵抗を得
ることがむずかしい。
ップ高さより低すぎる場合、放熱板と補強板との隙間が
広がりすぎて、パッケージの取り扱いによっては補強板
上部の放熱板を変形させてしまう不具合が発生しやす
い。
補強板までの高さ870〜890umの場合、前述した
ように補強板の貼付製造ばらつきとその他製造ばらつき
を考慮すると、補強板高さが半導体チップ高さより高く
なるときがあるため、好ましくない。したがって、本発
明の目的は、半導体チップ裏面が補強板より出ること
で、放熱板を取付する際のスクラブ作業を行いやすくす
る。これによって、半導体チップ裏面のAgペースト接
着剤の均一な濡れ性を確保し、樹脂厚みを50um以下
にすることができ、低熱抵抗のフリップチップパッケー
ジを得ることができる。また、放熱板と補強板との隙間
も適度な寸法となるため、半導体チップ裏面に貼り付け
た放熱板の変形も防止することができるという効果があ
る。
補強板が貼付られた絶縁性基板上に半導体チップが実装
され、半導体チップの裏面には放熱板が取り付けられる
パッケージにおいて、基板から半導体チップ裏面までの
高さは基板から補強板までの高さよりも75±50um
以内で高いことを特徴とする。
して説明する。
す断面図である。図1に示されるように、本実施形態
は、銅材からなる補強板5が張り付けられた絶縁性基板
1の上に、ハンダバンプ3を持ったフリップチップ型の
半導体チップ2がフェイスダウンで絶縁性基板1の上に
実装されて、半導体チップのハンダバンプ3と基板1の
予備ハンダ(図示せず)とが溶融接続されて半導体チッ
プと基板1が電気的に接続されている。フリップチップ
型の半導体チップ2と基板1とのギャップは140um
でバンプ間ピッチは240um、バンプ数は3000
個、半導体チップサイズ15mm□で、チップ厚725
umである。基板1から半導体チップ裏面までの高さ
は、半導体チップ反りを含めて890umである。一
方、基板1から補強板5の表面までの高さは、基板1と
補強板5との間の接着剤4を含めて820umとなって
いる。このフリップチップ型の半導体チップ2と絶縁性
基板1との間隔のハンダ接続部にアンダーフィル樹脂6
として、エポキシ系樹脂の適量を充満する。その後、こ
のアンダーフィル樹脂6を適正な温度(この例では15
0℃前後)で硬化させる。
て、導電性の特性を有するAgペースト7を塗布する。
尚、絶縁性基板1の補強板5の上部には接着樹脂8も塗
布しておく。その後、半導体チップ2裏面及び補強板5
の上部に銅材からなる放熱板9を配置して、樹脂を硬化
させ放熱板9を取り付ける。その後、半導体チップが搭
載されていない絶縁性基板の裏面にハンダボール10を
搭載して、フリップチップ型のBGAパッケージを得
る。
と放熱板との間の接着剤厚みを50um以下を得られる
ようにコントロールするため、基板から半導体チップ裏
面までの高さと基板から補強板表面までの高さとの差
は、75um±50umで半導体チップの方の高さが高
いことを備えて構成されることが必要である。
す断面図である。図2に示されるように、本実施形態
は、テープ型BGAパッケージを説明する、なお、図2
の中でhで示されるhとaの関係は,h−a=75um
±50umである。銅材からなる補強板5が貼り付けら
れたTABの絶縁性テープ11のインナーリード12と
半導体チップ13のパッド14がボンディングにより接
続されて、インナーリード12を介して半導体チップ1
3と基板1が電気的に接続されている。テープ厚125
um、チップサイズ10mm□、チップ厚350umで
ある。テープ表面から半導体チップ裏面までの高さは、
半導体チップ反りを含めて520umである。一方、テ
ープ11の表面から補強板5の表面までの高さは、テー
プ11と補強板5との間の接着剤4を含めて440um
となっている。このインナーリード12の接続部に樹脂
として、エポキシ系樹脂14の適量をポッテイングす
る。その後、樹脂を適正な温度(この例では150℃前
後)で硬化させる。
して、導電性の特性を有するAgペースト7を塗布す
る。尚、テープ上の補強板5の上部にも接着樹脂8を塗
布しておく。その後、半導体チップ裏面及び補強板5の
上部に銅材からなる放熱板9を配置して、樹脂を硬化さ
せ放熱板9を取り付ける。その後、テープ裏面にハンダ
ボール10を搭載することによって、実施例1と同様に
低熱抵抗のテープ型のBGAパッケージを得ることがで
きる。
半導体チップ裏面までの高さを基板から補強板までの高
さよりも75±50um高く設定することによって、半
導体チップ裏面が補強板より出ることで、放熱板を取付
する際のスクラブ作業を行いやすくする。これによっ
て、半導体チップ裏面のAgペースト接着剤の均一な濡
れ性を確保し、樹脂厚みを50um以下にすることがで
き、低熱抵抗のフリップチップパッケージを得ることが
できる。また、放熱板と補強板との隙間も適度な寸法と
なるため、半導体チップ裏面に貼り付けた放熱板の変形
も防止することができる。
場合の断面図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 補強板が貼付られた絶縁性基板上に半導
体チップが実装され、前記半導体チップの裏面には放熱
板が取り付けられるパッケージにおいて、前記基板から
前記半導体チップ裏面までの高さは前記基板から前記補
強板までの高さよりも高いことを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項2】 前記基板から前記半導体チップ裏面まで
の高さは前記基板から前記補強板までの高さよりも75
±50um以内で高いことを特徴とする請求項1記載の
半導体装置。 - 【請求項3】 前記基板から前記半導体チップ裏面まで
の高さは前記基板から前記補強板までの高さよりも75
±50um以内で高く、前記放熱板と前記基板との接着
にエポキシ系樹脂を用いて硬化させる事を特徴とする請
求項1乃至2記載の半導体装置。 - 【請求項4】 前記エポキシ系樹脂の硬化を150℃前
後で行う事を特徴とする請求項1乃至3の半導体装置。 - 【請求項5】 銅材からなる補強板が貼り付けられた半
導体チップの搭載されたTABの絶縁性テープのインナ
ーリードと半導体チップのパッドが接続され、インナー
リードを介して半導体チップと基板が電気的に接続さ
れ、テープの表面から補強板の表面までの高さは、テー
プと補強板との間の接着剤を含め75±50um以内
で、このインナーリードの接続部に樹脂として、エポキ
シ系樹脂の適量をポッテイングし、樹脂を適正な温度で
硬化させ、半導体チップ裏面にAgペーストを塗布し、
テープ上の補強板の上部にも接着樹脂を塗布し、半導体
チップ裏面及び補強板の上部に銅材からなる放熱板を配
置して、樹脂を硬化して取り付け、テープ裏面にハンダ
ボールを搭載することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項6】 前記エポキシ系樹脂の硬化を150℃前
後で行う事を特徴とする請求項5の半導体装置。
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