JP2001206769A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2001206769A5
JP2001206769A5 JP2000013240A JP2000013240A JP2001206769A5 JP 2001206769 A5 JP2001206769 A5 JP 2001206769A5 JP 2000013240 A JP2000013240 A JP 2000013240A JP 2000013240 A JP2000013240 A JP 2000013240A JP 2001206769 A5 JP2001206769 A5 JP 2001206769A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
piezoelectric
composition
forming
film
thin plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000013240A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2001206769A (en
JP4266474B2 (en
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2000013240A priority Critical patent/JP4266474B2/en
Priority claimed from JP2000013240A external-priority patent/JP4266474B2/en
Publication of JP2001206769A publication Critical patent/JP2001206769A/en
Publication of JP2001206769A5 publication Critical patent/JP2001206769A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4266474B2 publication Critical patent/JP4266474B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Description

【特許請求の範囲】
【請求項1】 化学式Pb(Zr1-xTix)O3(0.2<x≦1)で表される複合酸化物を主成分とする圧電体磁器組成物において、
GeO2を0.01重量%〜10重量%およびBi23を0.01重量%〜10重量%含むことを特徴とする圧電体磁器組成物。
【請求項2】 GeO2が0.01重量%〜5重量%およびBi23が0.01重量%〜5重量%含まれた請求項1記載の圧電体磁器組成物。
【請求項3】 Bi23/GeO2の重量比が0.05〜2.5である請求項1または請求項2記載の圧電体磁器組成物。
【請求項4】 Bi23/GeO2の重量比が0.1〜0.8である請求項3記載の圧電体磁器組成物。
【請求項5】 La23 およびNb2 5 の少なくとも一方が0.01重量%〜10重量%含まれた請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の圧電体磁器組成物。
【請求項6】 La23 およびNb2 5 の少なくとも一方が0.01重量%〜5重量%含まれた請求項5記載の圧電体磁器組成物。
【請求項7】 請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の圧電体磁器組成物を製造する方法において、
原料として、化学式Pb(Zr1-xTix)O3(0.2<x≦1)で表される組成の複合酸化物からなり平均粒径が0.05μm〜0.5μmである粒子を用いることを特徴とする、圧電体磁器組成物の製造方法。
【請求項8】 前記粒子が、化学式(Zr1-xTix24(0.2<x≦1)で表される組成の酸化物とPbOとを出発原料として得られたペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなる請求項7記載の、圧電体磁器組成物の製造方法。
【請求項9】 請求項5または請求項6記載の圧電体磁器組成物を製造する方法において、
原料として、化学式Pb(Zr1-xTix)O3−yLa23(0.2<x≦1)、Pb(Zr1-xTix)O3−yNb25(0.2<x≦1)またはPb(Zr1-xTix)O3−yLa23−zNb25(0.2<x≦1)で表される組成の複合酸化物からなり平均粒径が0.05μm〜0.5μmである粒子を用いることを特徴とする、圧電体磁器組成物の製造方法。
【請求項10】 前記粒子が、化学式(Zr1-xTix24(0.2<x≦1)で表される組成の酸化物とPbOとLa23 およびNb25 の少なくとも一方とを出発原料として得られたペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなる請求項9記載の、圧電体磁器組成物の製造方法。
【請求項11】 Ge成分およびBi成分を、それぞれアルコキシドもしくは金属塩またはそれらの溶液として前記粒子に添加したスラリーまたはペーストを調製する工程を経る請求項7ないし請求項10のいずれかに記載の、圧電体磁器組成物の製造方法。
【請求項12】 Ge成分、Bi成分、La成分およびNb成分を、それぞれアルコキシドもしくは金属塩またはそれらの溶液として添加したスラリーまたはペーストを調製する工程を経る請求項7または請求項8記載の、圧電体磁器組成物の製造方法。
【請求項13】 少なくとも圧電体部材と複数の電極とで構成された圧電体素子において、
前記圧電体部材を、請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の圧電体磁器組成物で形成したことを特徴とする圧電体素子。
【請求項14】 前記圧電体部材が圧電体膜であり、その圧電体膜を挟むように上部電極および下部電極が配設された請求項13記載の圧電体素子。
【請求項15】 前記圧電体膜の厚みが1μm〜25μmである請求項14記載の圧電体素子。
【請求項16】 前記圧電体部材が、分極処理された圧電体薄板であり、その圧電体薄板の両面にそれぞれ所定のパターンで電極が配設された請求項13記載の圧電体素子。
【請求項17】 基板の表面に下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上に、請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の圧電体磁器組成物からなる圧電体膜を形成する工程と、
前記圧電体膜上に上部電極を形成する工程と、
を含む圧電体素子の製造方法であって、
化学式Pb(Zr1-xTix)O3(0.2<x≦1)で表される組成の複合酸化物を含む組成物を使用して前記下部電極上に成膜した後、その組成膜を加熱処理して、前記圧電体膜を形成することを特徴とする、圧電体素子の製造方法。
【請求項18】 基板の表面に下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上に、請求項5または請求項6記載の圧電体磁器組成物からなる圧電体膜を形成する工程と、
前記圧電体膜上に上部電極を形成する工程と、
を含む圧電体素子の製造方法であって、
化学式Pb(Zr1-xTix)O3−yLa23(0.2<x≦1)、Pb(Zr1-xTix)O3−yNb25(0.2<x≦1)またはPb(Zr1-xTix)O3−yLa23−zNb25(0.2<x≦1)で表される組成の複合酸化物を含む組成物を使用して前記下部電極上に成膜した後、その組成膜を加熱処理して、前記圧電体膜を形成することを特徴とする、圧電体素子の製造方法。
【請求項19】 前記複合酸化物からなる粒子、ならびに、GeおよびBiの各アルコキシドもしくは金属塩またはそれらの溶液を用いて、前記組成物が調製される請求項17または請求項18記載の、圧電体素子の製造方法。
【請求項20】 前記複合酸化物からなる粒子、ならびにGe、Bi、LaおよびNbの各アルコキシドもしくは金属塩またはそれらの溶液を用いて、前記組成物が調製される請求項17記載の、圧電体素子の製造方法。
【請求項21】 前記組成物として、さらに少なくとも感光性有機ポリマーを含む感光性組成物が使用され、成膜後に、感光性組成膜に所定のパターンを焼き付け、現像して、所定のパターンを有する感光性組成膜を形成した後、加熱処理が行われる請求項17ないし請求項20のいずれかに記載の、圧電体素子の製造方法。
【請求項22】 前記組成膜の加熱処理が600℃〜950℃の温度で行われる請求項17ないし請求項21のいずれかに記載の、圧電体素子の製造方法。
【請求項23】 請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の圧電体磁器組成物からなる圧電体薄板を形成する工程と、
前記圧電体薄板の両面にそれぞれ所定のパターンで電極を形成する工程と、
前記圧電体薄板に分極処理を施す工程と、
を含む圧電体素子の製造方法であって、
化学式Pb(Zr1-xTix)O3(0.2<x≦1)で表される組成の複合酸化物を含む組成物を使用して薄板材を形成した後、その薄板材を加熱処理して、前記圧電体薄板を形成することを特徴とする、圧電体素子の製造方法。
【請求項24】 請求項5または請求項6記載の圧電体磁器組成物からなる圧電体薄板を形成する工程と、
前記圧電体薄板の両面にそれぞれ所定のパターンで電極を形成する工程と、
前記圧電体薄板に分極処理を施す工程と、
を含む圧電体素子の製造方法であって、
化学式Pb(Zr1-xTix)O3−yLa23(0.2<x≦1)、Pb(Zr1-xTix)O3−yNb25(0.2<x≦1)またはPb(Zr1-xTix)O3−yLa23−zNb25(0.2<x≦1)で表される組成の複合酸化物を含む組成物を使用して薄板材を形成した後、その薄板材を加熱処理して、前記圧電体薄板を形成することを特徴とする、圧電体素子の製造方法。
【請求項25】 1個もしくは2個以上のインクノズルを有し、そのインクノズルに連通したインク室の容積をアクチュエータによって変化させ、前記インクノズルからインクを噴射させるようにしたインクジェット式プリンタヘッドにおいて、
前記アクチュエータに、請求項13ないし請求項15のいずれかに記載の圧電体素子を用いたことを特徴とするインクジェット式プリンタヘッド。
【請求項26】 駆動部によって進行性振動波を発生させるステータと、前記進行性振動波によって移動させられる移動体とを備えた超音波モータにおいて、
前記駆動部に、請求項13または請求項16記載の圧電体素子を用いたことを特徴とする超音波モータ。
[Claims]
1. A chemical formula Pb (Zr 1-x Ti x ) O 3 (0.2 <x ≦ 1) piezoelectric ceramic composition composed mainly of a composite oxide represented by,
The GeO 2 0.01 wt% to 10 wt% and Bi 2 O 3 piezoelectric ceramic composition which comprises 0.01 wt% to 10 wt%.
2. The piezoelectric ceramic composition according to claim 1, wherein 0.01% to 5% by weight of GeO 2 and 0.01% to 5% by weight of Bi 2 O 3 are contained.
3. The piezoelectric ceramic composition according to claim 1, wherein the weight ratio of Bi 2 O 3 / GeO 2 is 0.05 to 2.5.
4. The piezoelectric ceramic composition according to claim 3, wherein the weight ratio of Bi 2 O 3 / GeO 2 is 0.1 to 0.8.
5. The piezoelectric ceramic composition according to claim 1 , wherein at least one of La 2 O 3 and Nb 2 O 5 is contained in an amount of 0.01% by weight to 10% by weight.
6. The piezoelectric ceramic composition according to claim 5 , wherein at least one of La 2 O 3 and Nb 2 O 5 is contained in an amount of 0.01% by weight to 5% by weight.
7. The method for producing a piezoelectric ceramic composition according to claim 1, wherein
As the raw material, the particles having an average particle diameter of 0.05μm~0.5μm consists formula Pb (Zr 1-x Ti x ) O 3 composite oxide having a composition represented by (0.2 <x ≦ 1) A method for producing a piezoelectric porcelain composition, which is used.
Wherein said particles have the formula (Zr 1-x Ti x) 2 O 4 oxide and the resulting perovskite and PbO as the starting material composition represented by (0.2 <x ≦ 1) The method for producing a piezoelectric ceramic composition according to claim 7, comprising a composite oxide having a structure.
9. The method for producing a piezoelectric ceramic composition according to claim 5, wherein
As a raw material, chemical formula Pb (Zr 1-x Ti x ) O 3 -yLa 2 O 3 (0.2 <x ≦ 1), Pb (Zr 1-x Ti x) O 3 -yNb 2 O 5 (0.2 <average particle size consists x ≦ 1) or Pb (Zr 1-x Ti x ) O 3 -yLa 2 O 3 -zNb 2 O 5 (0.2 < composite oxide having a composition represented by x ≦ 1) A method for producing a piezoelectric ceramic composition, wherein particles having a particle size of 0.05 μm to 0.5 μm are used.
Wherein said particles have the formula (Zr 1-x Ti x) 2 O 4 (0.2 <x ≦ 1) oxide having a composition represented by the PbO and La 2 O 3 and Nb 2 O 5 The method for producing a piezoelectric ceramic composition according to claim 9, comprising a composite oxide having a perovskite structure obtained by using at least one of the above as a starting material.
11. The method according to claim 7, further comprising a step of preparing a slurry or a paste in which the Ge component and the Bi component are added to the particles as an alkoxide or a metal salt or a solution thereof, respectively. A method for producing a piezoelectric ceramic composition.
12. The piezoelectric device according to claim 7, which comprises a step of preparing a slurry or a paste in which a Ge component, a Bi component, a La component, and a Nb component are added as an alkoxide or a metal salt or a solution thereof, respectively. A method for producing a body porcelain composition.
13. A piezoelectric element comprising at least a piezoelectric member and a plurality of electrodes,
A piezoelectric element, wherein the piezoelectric member is formed of the piezoelectric ceramic composition according to any one of claims 1 to 6.
14. The piezoelectric element according to claim 13, wherein the piezoelectric member is a piezoelectric film, and an upper electrode and a lower electrode are provided so as to sandwich the piezoelectric film.
15. The piezoelectric element according to claim 14, wherein the thickness of the piezoelectric film is 1 μm to 25 μm.
16. The piezoelectric element according to claim 13, wherein the piezoelectric member is a polarized piezoelectric thin plate, and electrodes are provided on both surfaces of the piezoelectric thin plate in a predetermined pattern.
17. forming a lower electrode on the surface of the substrate;
Forming a piezoelectric film made of the piezoelectric ceramic composition according to claim 1 on the lower electrode;
Forming an upper electrode on the piezoelectric film,
A method for manufacturing a piezoelectric element, comprising:
After forming on the lower electrode using a chemical formula Pb (Zr 1-x Ti x ) O 3 composition containing a composite oxide represented by the composition in (0.2 <x ≦ 1), the composition A method for manufacturing a piezoelectric element, wherein the film is subjected to a heat treatment to form the piezoelectric film.
18. A step of forming a lower electrode on a surface of a substrate;
Forming a piezoelectric film made of the piezoelectric ceramic composition according to claim 5 or 6 on the lower electrode;
Forming an upper electrode on the piezoelectric film,
A method for manufacturing a piezoelectric element, comprising:
Formula Pb (Zr 1-x Ti x ) O 3 -yLa 2 O 3 (0.2 <x ≦ 1), Pb (Zr 1-x Ti x) O 3 -yNb 2 O 5 (0.2 <x ≦ 1) or by using Pb (Zr 1-x Ti x ) O 3 -yLa 2 O 3 -zNb 2 O 5 (0.2 < composition comprising a composite oxide having a composition represented by x ≦ 1) After forming a film on the lower electrode, the composition film is subjected to a heat treatment to form the piezoelectric film.
19. The piezoelectric material according to claim 17, wherein the composition is prepared using particles made of the composite oxide, alkoxides or metal salts of Ge and Bi, or a solution thereof. Method for manufacturing a body element.
20. The piezoelectric body according to claim 17, wherein the composition is prepared using particles of the composite oxide, and alkoxides or metal salts of Ge, Bi, La, and Nb, or a solution thereof. Device manufacturing method.
21. A photosensitive composition containing at least a photosensitive organic polymer is used as the composition. After forming the film, a predetermined pattern is printed on the photosensitive composition film and developed to have a predetermined pattern. 21. The method for manufacturing a piezoelectric element according to claim 17, wherein a heat treatment is performed after forming the photosensitive composition film.
22. The method for manufacturing a piezoelectric element according to claim 17, wherein the heat treatment of the composition film is performed at a temperature of 600 ° C. to 950 ° C.
23. A step of forming a piezoelectric thin plate made of the piezoelectric ceramic composition according to any one of claims 1 to 6,
Forming electrodes in a predetermined pattern on both surfaces of the piezoelectric thin plate,
Performing a polarization process on the piezoelectric thin plate,
A method for manufacturing a piezoelectric element, comprising:
After forming a thin plate using a composition containing a composite oxide having a composition represented by the chemical formula Pb (Zr 1-x Ti x ) O 3 (0.2 <x ≦ 1), the thin plate is heated. A method of manufacturing a piezoelectric element, wherein the method is performed to form the piezoelectric thin plate.
24. A step of forming a piezoelectric thin plate comprising the piezoelectric ceramic composition according to claim 5;
Forming electrodes in a predetermined pattern on both sides of the piezoelectric thin plate,
Performing a polarization process on the piezoelectric thin plate,
A method for manufacturing a piezoelectric element, comprising:
Formula Pb (Zr 1-x Ti x ) O 3 -yLa 2 O 3 (0.2 <x ≦ 1), Pb (Zr 1-x Ti x) O 3 -yNb 2 O 5 (0.2 <x ≦ 1) or by using Pb (Zr 1-x Ti x ) O 3 -yLa 2 O 3 -zNb 2 O 5 (0.2 < composition comprising a composite oxide having a composition represented by x ≦ 1) A method for manufacturing a piezoelectric element, comprising: forming a thin plate material; and heat-treating the thin plate material to form the piezoelectric thin plate.
25. An ink jet printer head having one or two or more ink nozzles, wherein the volume of an ink chamber connected to the ink nozzle is changed by an actuator to eject ink from the ink nozzle. ,
16. An ink jet printer head, wherein the actuator uses the piezoelectric element according to claim 13.
26. An ultrasonic motor comprising: a stator for generating a traveling vibration wave by a driving unit; and a moving body moved by the traveling vibration wave.
An ultrasonic motor using the piezoelectric element according to claim 13 or 16 for the driving unit.

請求項5に係る発明は、請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の磁器組成物において、La23 およびNb2 5 の少なくとも一方を0.01重量%〜10重量%含むことを特徴とする。また、請求項6に係る発明は、請求項5記載の磁器組成物において、La23 およびNb2 5 の少なくとも一方の含有量を0.01重量%〜5重量%としたことを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, in the porcelain composition according to any one of the first to fourth aspects, at least one of La 2 O 3 and Nb 2 O 5 is contained in an amount of 0.01% by weight to 10% by weight. It is characterized by. Further, the invention is characterized in that the ceramic composition according to claim 5, in which at least one of content of La 2 O 3 and Nb 2 O 5 was 0.01 wt% to 5 wt% according to claim 6 And

この磁器組成物は、La23 およびNb2 5 の少なくとも一方が含まれていることにより、圧電特性が安定化し、耐リーク性が向上する。 Since the porcelain composition contains at least one of La 2 O 3 and Nb 2 O 5 , the piezoelectric characteristics are stabilized and the leak resistance is improved.

なお、La23 およびNb2 5 の少なくとも一方以外でも、特性を低下させない限り、この磁器組成物に他の金属成分が含まれていても差し支えない。 The ceramic composition may contain other metal components other than at least one of La 2 O 3 and Nb 2 O 5 as long as the characteristics are not deteriorated.

このPZT系磁器組成物には、La23またはNb2 5 、あるいはLa23およびNb2 5 の両方を、0.01重量%〜10重量%、好ましくは0.01重量%〜5重量%含ませることができる。これにより、PZT系磁器組成物の圧電特性が安定化し、耐リーク性が向上することになる。 The PZT-based porcelain composition contains La 2 O 3 or Nb 2 O 5 , or both La 2 O 3 and Nb 2 O 5 in an amount of 0.01% by weight to 10% by weight, preferably 0.01% by weight. -5% by weight. Thereby, the piezoelectric characteristics of the PZT-based porcelain composition are stabilized, and the leak resistance is improved.

なお、La23 およびNb2 5 の少なくとも一方以外でも、特性の低下を招くことがない限り、このPZT系磁器組成物に他の金属成分が含まれていても差し支えない。 The PZT-based porcelain composition may contain other metal components other than at least one of La 2 O 3 and Nb 2 O 5 as long as the characteristics are not deteriorated.

JP2000013240A 2000-01-21 2000-01-21 Method for manufacturing piezoelectric ceramic composition and method for manufacturing piezoelectric element Expired - Fee Related JP4266474B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000013240A JP4266474B2 (en) 2000-01-21 2000-01-21 Method for manufacturing piezoelectric ceramic composition and method for manufacturing piezoelectric element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000013240A JP4266474B2 (en) 2000-01-21 2000-01-21 Method for manufacturing piezoelectric ceramic composition and method for manufacturing piezoelectric element

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2001206769A JP2001206769A (en) 2001-07-31
JP2001206769A5 true JP2001206769A5 (en) 2007-03-01
JP4266474B2 JP4266474B2 (en) 2009-05-20

Family

ID=18540854

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000013240A Expired - Fee Related JP4266474B2 (en) 2000-01-21 2000-01-21 Method for manufacturing piezoelectric ceramic composition and method for manufacturing piezoelectric element

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4266474B2 (en)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4826744B2 (en) * 2006-01-19 2011-11-30 セイコーエプソン株式会社 Insulating target material manufacturing method
JP2009064859A (en) 2007-09-05 2009-03-26 Fujifilm Corp Perovskite-type oxide, ferroelectric film and manufacturing method thereof, ferroelectric element, and liquid discharge apparatus
JP5095315B2 (en) 2007-09-05 2012-12-12 富士フイルム株式会社 Perovskite oxide, ferroelectric film and manufacturing method thereof, ferroelectric element, and liquid ejection device
JP2009062564A (en) 2007-09-05 2009-03-26 Fujifilm Corp Perovskite type oxide, ferroelectric film and its manufacturing method, ferroelectric element, and liquid discharge apparatus
JP4993294B2 (en) 2007-09-05 2012-08-08 富士フイルム株式会社 Perovskite oxide, ferroelectric film and manufacturing method thereof, ferroelectric element, and liquid ejection device
JP5745852B2 (en) * 2007-10-18 2015-07-08 セラムテック ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングCeramTec GmbH Piezoceramic multilayer element
CA2717350A1 (en) * 2008-03-11 2009-10-15 Carnegie Institution Of Washington New class of pure piezoeletric materials
KR101328345B1 (en) * 2011-08-29 2013-11-11 삼성전기주식회사 Piezoelectric substance composition, Piezoelectric device, Inkjet Print head and the manufacturing method for Piezoelectric device and Inkjet Print head
CN108212141B (en) * 2018-01-02 2020-09-29 温州大学 Preparation method and application of bismuth oxide/bismuth nanosheet composite material

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5649316B2 (en) Piezoelectric thin film, piezoelectric element, and method for manufacturing piezoelectric element
US8646180B2 (en) Method for producing electromechanical transducer, electromechanical transducer produced by the method, liquid-droplet jetting head, and liquid-droplet jetting apparatus
JP3405498B2 (en) Piezoelectric thin film, method of manufacturing the same, and ink jet recording head using the same
JP5865410B2 (en) Piezoelectric element, piezoelectric actuator, and ink jet recording head
JP3487068B2 (en) Piezoelectric thin film, method of manufacturing the same, and ink jet recording head using the same
JP5549913B2 (en) Method for manufacturing electromechanical transducer
CN104249561B (en) Piezoelectric, piezoelectric element, jet head liquid, liquid injection apparatus, ultrasonic sensor, piezoelectric motor and TRT
JPH11214763A (en) Piezoelectric element, ink jet type recorder head using the same, ink jet printer and manufacture of piezoelectric thin-film element
JP3971279B2 (en) Method for manufacturing piezoelectric element
JP5245107B2 (en) Piezoelectric element, piezoelectric actuator, ink jet recording head
JP2001024248A (en) Multi-layered piezoelectric/electrostrictive ceramic actuator and manufacture thereof by low-temperature baking
US6803702B2 (en) Piezoelectric element and method of manufacturing same
JP2693291B2 (en) Piezoelectric / electrostrictive actuator
JP2001253774A5 (en)
JP2001206769A5 (en)
JP2004107181A (en) Composition for forming piezoelectric element, method of manufacturing piezoelectric film, piezoelectric element and inkjet recording head
JP2001196652A (en) Piezoelectric element, manufacturing method thereof and ink jet printer head using the same
JP2019522902A (en) Polarization of piezoelectric thin film elements in the direction of priority electric field drive
US20110228014A1 (en) Piezoelectric element, liquid ejecting head, and liquid ejecting apparatus
JP4905640B2 (en) Piezoelectric element, liquid ejecting head, and liquid ejecting apparatus
JP4138421B2 (en) Droplet discharge head
JP5305027B2 (en) Liquid ejecting head, liquid ejecting apparatus, and piezoelectric element
JP2002356370A (en) Piezoelectric device, method of manufacturing its solid body, and electromechanical device
JP2004111835A (en) Method of manufacturing piezoelectric element, piezoelectric element, and ink jet recording head
JP2001302347A5 (en)