JP2001194426A - Device for tester inspection, semiconductor integrated circuit device and method for inspection of tester - Google Patents

Device for tester inspection, semiconductor integrated circuit device and method for inspection of tester

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JP2001194426A
JP2001194426A JP2000000077A JP2000000077A JP2001194426A JP 2001194426 A JP2001194426 A JP 2001194426A JP 2000000077 A JP2000000077 A JP 2000000077A JP 2000000077 A JP2000000077 A JP 2000000077A JP 2001194426 A JP2001194426 A JP 2001194426A
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tester
power supply
semiconductor integrated
integrated circuit
terminal
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Yoichi Murata
洋一 村田
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device, for tester inspection, by which whether a voltage and a signal are supplied normally to a device to be evaluated can be determined simply, by using a tester for a prescribed semiconductor integrated circuit device. SOLUTION: The device for tester inspection has the outer shape of a package, which is nearly identical to that of a semiconductor integrated circuit device to be evaluated by the tester. The device has the arrangement structure of an external terminal, which is nearly identical to that of the semiconductor integrated-circuit device. The device can be connected to the tester in the same manner as the semiconductor integrated circuit device. A resistance which has a prescribed resistance value is installed across the power-supply terminal and the grounding terminal of the device. In a state where a device body is connected to the tester and that a power-supply voltage is applied to the power-supply terminal, a current expected value, across the power-supply terminal and the grounding terminal, which is calculated approximately on the basis of the value of the power-supply voltage to be applied and on the basis of the resistance value of the resistance, is compared with a measured current value. Whether the power-supply voltage which is applied by the tester is normal is determined.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、所定の半導体集積
回路装置向けテスタを検査するのに使用されるデバイ
ス,半導体集積回路装置及びテスタを検査する方法に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a device used for testing a tester for a predetermined semiconductor integrated circuit device, a semiconductor integrated circuit device, and a method for testing a tester.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えばDRAM,SRAM又はフラッシ
ュメモリ等の半導体集積回路装置の製造に関して、良好
な品質を確保するためには、一般的に、製造の間若しく
は製造後に、装置の評価(検査)が行われる。この評価方
法の1つに、装置の電源端子に電源電圧を印加した状態
で、出力端子からの出力信号を検出して、装置品質の良
否を判定可能なテストが従来知られている。かかるテス
トを実施するに際して、装置の電源端子に電源電圧を印
加した状態で、入力端子に所定レベルの信号を供給しつ
つ、装置からの出力信号を検出するテスタが用いられ
る。
2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor integrated circuit devices such as DRAMs, SRAMs, and flash memories, in order to ensure good quality, evaluation (inspection) of the devices is generally performed during or after manufacturing. Done. As one of the evaluation methods, there has been conventionally known a test capable of detecting an output signal from an output terminal in a state where a power supply voltage is applied to a power supply terminal of the device and determining whether the device quality is good or not. In performing such a test, a tester that detects an output signal from the device while supplying a signal of a predetermined level to an input terminal while a power supply voltage is applied to a power supply terminal of the device is used.

【0003】図7に、従来の典型的な半導体集積回路装
置としての半導体記憶装置を示す。この半導体記憶装置
50は、外部端子として、電源ピン51,54及び接地
ピン55,58を有するとともに、各制御信号及びデー
タの入出力用に、読出し制御ピン52,アドレスピン5
3,書込み制御ピン56およびデータ入出力ピン57を
有している。この装置50の使用時に、電源ピン51,
54及び接地ピン55,58を除くピンには、2値信号
が入力される。この半導体記憶装置50では、アドレス
ピン53が1つのみ設けられるため、2ビットのデータ
の読書きが可能である。
FIG. 7 shows a semiconductor memory device as a conventional typical semiconductor integrated circuit device. The semiconductor memory device 50 has power supply pins 51 and 54 and ground pins 55 and 58 as external terminals, and a read control pin 52 and an address pin 5 for inputting and outputting control signals and data.
3. It has a write control pin 56 and a data input / output pin 57. When the device 50 is used, the power supply pins 51,
Binary signals are input to pins other than the ground pin 55 and the ground pins 55 and 58. In the semiconductor memory device 50, only one address pin 53 is provided, so that 2-bit data can be read and written.

【0004】上記半導体記憶装置50を評価するテスト
の実施に際して、図8に示すようなテスタ60が用いら
れる。このテスタ60は、電源,GND,読出し制御,
書込み制御,アドレス指定,データ入出力用の内部配線
(それぞれ、符号61,62,63,64,65,66
であらわす)を介して、ソケット70に装着された半導
体記憶装置50(図8では不図示)と電気的に接続され
る。これらの各配線を通じて、テスタ60から半導体記
憶装置50へ電源および2値信号が供給される。このと
き、供給する信号の組合せによりデータの書込み及び読
出し動作を実行させることが可能である。
When a test for evaluating the semiconductor memory device 50 is performed, a tester 60 as shown in FIG. 8 is used. The tester 60 includes a power supply, GND, read control,
Internal wiring for write control, address specification, and data input / output
(Reference numerals 61, 62, 63, 64, 65, 66, respectively)
) Is electrically connected to the semiconductor memory device 50 (not shown in FIG. 8) mounted on the socket 70. A power supply and a binary signal are supplied from the tester 60 to the semiconductor memory device 50 through these wirings. At this time, data write and read operations can be performed by a combination of supplied signals.

【0005】そして、半導体記憶装置50の入出力ピン
57から出力される2値信号をテスタ60側で読み取
り、この信号のレベルに基づいて、半導体記憶装置50
が正常に動作しているか否かを検査することができる。
通常、半導体記憶装置50からの出力信号が期待値に反
する場合に、その半導体記憶装置50が、正常に動作し
ていないと判断されるようになっている。
Then, the binary signal output from the input / output pin 57 of the semiconductor memory device 50 is read by the tester 60, and based on the level of this signal, the semiconductor memory device 50 is read.
Can be checked whether it is operating normally.
Normally, when the output signal from the semiconductor memory device 50 deviates from an expected value, it is determined that the semiconductor memory device 50 is not operating normally.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、実際には、
半導体記憶装置50からの出力信号が期待値に反する原
因が、テスタ60自体およびその一部であるソケット7
0や配線等を含む評価対象以外の異常に起因している可
能性がある。例えば、半導体記憶装置50のピンへ電気
的に接続される配線同士がショートしている場合、つま
り、テスタ60側に異常がある場合には、半導体記憶装
置50に対して所望の信号が供給されないため、半導体
記憶装置50は、期待値に反する信号を出力することに
なる。このように、前述したようなテスタ60を用いた
テストでは、検出される異常が、テスタ60の異常に起
因するものか、若しくは、評価対象である半導体記憶装
置50に起因するものかどうか判断し難いという問題が
あった。また、出力信号が期待値と一致した場合には決
まって「パス」と判定されるため、必ずしも正しくテス
トが行われているとはいえない。更に、テスタ60側の
異常が、装置の長期間の使用による性能の劣化などによ
っても起こり得ることであるため、テスタ60の定期検
査の他にも、テスタ60を簡単に検査する方法があるこ
とが望ましい。
By the way, actually,
The reason that the output signal from the semiconductor memory device 50 deviates from the expected value is the tester 60 itself and the socket 7 which is a part thereof.
It may be caused by an abnormality other than the evaluation target including 0 or wiring. For example, when wires electrically connected to the pins of the semiconductor memory device 50 are short-circuited, that is, when there is an abnormality on the tester 60 side, a desired signal is not supplied to the semiconductor memory device 50. Therefore, the semiconductor memory device 50 outputs a signal that is contrary to the expected value. As described above, in the test using the tester 60 as described above, it is determined whether the detected abnormality is due to the abnormality of the tester 60 or the semiconductor storage device 50 to be evaluated. There was a problem that it was difficult. In addition, when the output signal matches the expected value, it is determined to be "pass", so that the test is not necessarily performed correctly. Further, since an abnormality on the tester 60 side may occur due to deterioration of performance due to long-term use of the apparatus, there is a method for easily inspecting the tester 60 in addition to the periodic inspection of the tester 60. Is desirable.

【0007】なお、例えば特開平11−2658号で
は、印加されている電源電圧が所定範囲内の電圧である
か否かを検出し、印加電源電圧が上記所定範囲外である
ときには所定レベルの検出信号を出力する電源電圧判定
回路と、その一端が各信号端子に接続された抵抗と、該
抵抗の他端と電源又は接地との間に接続され、上記電源
電圧判定回路よりの上記検出信号により導通して上記各
信号端子をプルアップ又はプルダウンするスイッチング
トランジスタとを設けることにより、電源電圧の判定を
装置内部で行い、DC電圧の印加のみで製品の良否判定
が可能である半導体集積回路装置が開示されている。し
かし、かかる半導体集積回路装置では、電源電圧の判定
が装置内部で行われるため、外部からの十分な電力供給
が確保し得ない可能性があり、また、電源電圧について
のみ判定が行われるため、複数の入力端子を介した複数
の信号の供給についての異常を確認することができな
い。
In Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-2658, for example, it is detected whether or not the applied power supply voltage is within a predetermined range, and when the applied power supply voltage is out of the predetermined range, a predetermined level is detected. A power supply voltage determination circuit that outputs a signal, one end of which is connected to a resistor connected to each signal terminal, and the other end of the resistor is connected between the power supply or ground, and the detection signal from the power supply voltage determination circuit By providing a switching transistor that conducts and pulls up or pulls down each of the signal terminals, a power supply voltage is determined inside the device, and a semiconductor integrated circuit device that can determine the quality of a product only by applying a DC voltage is provided. It has been disclosed. However, in such a semiconductor integrated circuit device, since the determination of the power supply voltage is performed inside the device, there is a possibility that a sufficient power supply from the outside cannot be ensured, and since the determination is performed only for the power supply voltage, An abnormality in the supply of a plurality of signals via a plurality of input terminals cannot be confirmed.

【0008】本発明は、上記技術的課題に鑑みてなされ
たもので、所定の半導体集積回路装置向けのテスタを用
いて、その評価対象である装置に対して電圧および信号
が正常に供給されているか否かを簡単に判定することが
できるテスタ検査用デバイス,半導体集積回路装置、お
よび、テスタを検査する方法を提供することを目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned technical problems, and uses a tester for a predetermined semiconductor integrated circuit device to normally supply a voltage and a signal to a device to be evaluated. It is an object of the present invention to provide a tester inspection device, a semiconductor integrated circuit device, and a method for inspecting a tester, which can easily determine whether or not there is a tester.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本願の第1の発明は、所
定の半導体集積回路装置向けテスタが評価対象とする半
導体集積回路装置と略同じパッケージ外形及び外部端子
の配置構造を有して、該半導体集積回路装置と同様にテ
スタと接続可能であるテスタ検査用デバイスであって、
デバイスの電源端子と接地端子との間には、所定の抵抗
値を有する抵抗が介在させられており、デバイス本体が
上記テスタと接続させられ、上記電源端子に電源電圧が
印加された状態で、印加される電源電圧の値および上記
抵抗の抵抗値から概算される電源端子と接地端子との間
の電流期待値と、測定された電流値とを比較して、上記
テスタにより印加される電源電圧が正常であるか否かを
判定し得るように構成されてなることを特徴としたもの
である。
According to a first aspect of the present invention, a tester for a predetermined semiconductor integrated circuit device has substantially the same package outer shape and external terminal arrangement structure as a semiconductor integrated circuit device to be evaluated. A tester inspection device connectable to a tester like the semiconductor integrated circuit device,
A resistor having a predetermined resistance value is interposed between the power supply terminal and the ground terminal of the device, and the device body is connected to the tester, and a power supply voltage is applied to the power supply terminal. The power supply voltage applied by the tester is compared with the expected current value between the power supply terminal and the ground terminal, which is estimated from the value of the applied power supply voltage and the resistance value of the resistor, and the measured current value. Is configured to be able to determine whether or not is normal.

【0010】また、本願の第2の発明は、所定の半導体
集積回路装置向けテスタが評価対象とする半導体集積回
路装置と略同じパッケージ外形及び外部端子の配置構造
を有して、該半導体集積回路装置と同様にテスタに接続
可能であるテスタ検査用デバイスであって、上記テスタ
から所定レベルの信号が供給される入力端子を複数有す
るとともに、該入力端子を介して供給された複数の信号
からNANDをとるNAND回路が設けられており、デ
バイス本体が上記テスタと接続させられ、デバイスの電
源端子に電源電圧が印加された状態で、上記入力端子を
介して供給される複数の信号の組合せに基づくNAND
回路の出力期待値と、検出されたNAND回路の出力値
とを比較して、上記テスタにより入力端子に供給される
信号が正常であるか否かを判定し得るように構成されて
なることを特徴としたものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor integrated circuit device having substantially the same package outer shape and external terminal arrangement structure as a semiconductor integrated circuit device to be evaluated by a tester for a predetermined semiconductor integrated circuit device. A tester inspection device connectable to a tester similarly to an apparatus, comprising a plurality of input terminals to which a signal of a predetermined level is supplied from the tester, and a NAND from a plurality of signals supplied through the input terminals. A NAND circuit is provided, the device body is connected to the tester, and a power supply voltage is applied to a power supply terminal of the device, based on a combination of a plurality of signals supplied through the input terminal. NAND
The tester is configured to compare the expected output value of the circuit with the detected output value of the NAND circuit to determine whether or not the signal supplied to the input terminal by the tester is normal. It is a characteristic.

【0011】また、更に、本願の第3の発明は、所定の
半導体集積回路装置向けテスタの評価対象となる半導体
集積回路装置において、上記テスタから所定レベルの制
御信号が供給される制御信号用の入力端子を複数有する
とともに、該制御信号用の入力端子を介して供給された
複数の制御信号からNANDをとるNAND回路が設け
られており、装置本体が上記テスタと接続させられ、装
置の電源端子に電源電圧が印加された状態で、上記制御
信号用の入力端子を介して供給される複数の制御信号の
組合せに基づくNAND回路の出力期待値と、検出され
たNAND回路の出力値とを比較して、上記テスタによ
り入力端子に供給される制御信号が正常であるか否かを
判定し得るように構成されてなることを特徴としたもの
である。
Further, according to a third invention of the present application, in a semiconductor integrated circuit device to be evaluated by a tester for a predetermined semiconductor integrated circuit device, a control signal for a control signal supplied from the tester at a predetermined level is provided. A plurality of input terminals are provided, and a NAND circuit is provided for taking a NAND from a plurality of control signals supplied via the control signal input terminals. The apparatus main body is connected to the tester, and a power supply terminal of the apparatus is provided. In the state where the power supply voltage is applied, the expected output value of the NAND circuit based on the combination of the plurality of control signals supplied through the control signal input terminal is compared with the detected output value of the NAND circuit. The tester is configured to be able to determine whether the control signal supplied to the input terminal is normal or not.

【0012】また、更に、本願の第4の発明は、上記制
御信号用の入力端子を介して供給された複数の制御信号
からNORをとるNOR回路が設けられており、該NO
R回路の出力に応答して、上記テスタの検査作業がリセ
ットされることを特徴としたものである。
Further, in a fourth aspect of the present invention, there is provided a NOR circuit for taking NOR from a plurality of control signals supplied through the control signal input terminal.
The test operation of the tester is reset in response to the output of the R circuit.

【0013】また、更に、本願の第5の発明は、請求項
1又は2に記載のテスタ検査用デバイスを用いて、所定
の半導体集積回路装置向けテスタを検査する方法であっ
て、上記テスタ検査用デバイスがテスタと接続させられ
た状態で、該デバイスの電源端子に電源電圧を印加し、
上記所定の抵抗値を有する抵抗が介在させられた電源端
子と接地端子との間の電流値を測定し、測定された電流
値と、上記抵抗の抵抗値およびテスタにより印加される
電源電圧値から概算される電流期待値とを比較して、上
記テスタにより電源端子に対して電源電圧が正常に印加
されているか否かを判定することを特徴としたものであ
る。
Further, a fifth invention of the present application is a method for inspecting a tester for a predetermined semiconductor integrated circuit device using the tester inspection device according to claim 1 or 2, wherein the tester inspection is performed. While the device is connected to the tester, a power supply voltage is applied to a power supply terminal of the device,
The current value between the power terminal and the ground terminal where the resistor having the predetermined resistance value is interposed is measured, and the measured current value and the resistance value of the resistor and the power voltage value applied by the tester are used. It is characterized by comparing the estimated current expected value with the estimated current value to determine whether the power supply voltage is normally applied to the power supply terminal by the tester.

【0014】また、更に、本願の第6の発明は、請求項
1又は2に記載のテスタ検査用デバイスを用いて、所定
の半導体集積回路装置向けテスタを検査する方法であっ
て、デバイス本体が上記テスタと接続させられ、該デバ
イスの電源端子に電源電圧が印加された状態で、上記デ
バイスの複数の入力端子に信号を供給し、上記各入力端
子を介して供給される制御信号からNANDをとるNA
ND回路を経て出力される信号を検出し、上記各入力端
子を介して供給される信号の組合せに基づき得られる出
力期待値と、検出される出力信号とを比較して、上記テ
スタにより入力端子に供給される信号が正常であるか否
かを判定することを特徴としたものである。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method for testing a tester for a predetermined semiconductor integrated circuit device using the tester testing device according to claim 1 or 2, wherein the device body is A signal is supplied to a plurality of input terminals of the device in a state where a power supply voltage is applied to a power supply terminal of the device, connected to the tester, and a NAND is generated from a control signal supplied through each of the input terminals. NA to take
A signal output through the ND circuit is detected, and an output expected value obtained based on a combination of signals supplied through the input terminals is compared with a detected output signal. Is determined whether or not the signal supplied to the terminal is normal.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付図面を参照しながら説明する。 実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1に係る半
導体集積回路装置向けテスタを検査するデバイスを示す
平面図である。このデバイス10は、図7に示す典型的
な半導体記憶装置50と同じパッケージ外形を有するも
ので、デバイス本体に沿って複数の外部端子が設けられ
ている。上記デバイス10は、この外部端子として、電
源ピン1,4,接地(GND)ピン5,8,第1,2及び
3の入力ピン2,3,6、並びに、出力ピン7を有して
いる。これら各ピンは、それぞれ、上記半導体記憶装置
50に設けられた8本のピンに対応する。デバイス10
の電源ピン1,4及びGNDピン5,8は、半導体記憶
装置50の電源ピン51,54及びGNDピン55,5
8に対応しており、デバイス10は、これらピンについ
て、半導体記憶装置50のピンと同じ配置構造を有して
いる。また、デバイス10の第1,2及び3の入力ピン
2,3及び6は、半導体記憶装置50の制御ピン及びア
ドレスピン等の信号入力にのみ使用されるピンに対応
し、更に、デバイス10の出力ピン7は、半導体記憶装
置50の入出力ピン57に対応している。上記第1,2
及び3の入力ピン2,3及び6には2値信号(すなわち
「0」又は「1」)が供給され、出力ピン7より2値信
号が出力される。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. Embodiment 1 FIG. FIG. 1 is a plan view showing a device for testing a tester for a semiconductor integrated circuit device according to a first embodiment of the present invention. This device 10 has the same package outer shape as the typical semiconductor memory device 50 shown in FIG. 7, and is provided with a plurality of external terminals along the device body. The device 10 has power supply pins 1 and 4, ground (GND) pins 5 and 8, first, second and third input pins 2, 3, and 6, and an output pin 7 as external terminals. . These pins correspond to the eight pins provided in the semiconductor memory device 50, respectively. Device 10
The power supply pins 1 and 4 and the GND pins 5 and 8 are connected to the power supply pins 51 and 54 and the GND pins 55 and 5 of the semiconductor memory device 50, respectively.
8, the device 10 has the same arrangement structure of these pins as the pins of the semiconductor memory device 50. The first, second, and third input pins 2, 3, and 6 of the device 10 correspond to pins used only for signal input, such as control pins and address pins, of the semiconductor memory device 50. The output pin 7 corresponds to the input / output pin 57 of the semiconductor memory device 50. The first and second
2 and 3 are supplied with a binary signal (ie, “0” or “1”), and an output pin 7 outputs a binary signal.

【0016】このように、上記デバイス10のパッケー
ジ外形および外部端子の配置構造を、半導体記憶装置5
0のそれと同じにすることにより、半導体記憶装置50
のダミーデバイスを実現可能である。以下の説明では、
デバイス10をダミーデバイスと呼び、これに対応し
て、半導体記憶装置50を実デバイスと呼ぶ。
As described above, the package outer shape of the device 10 and the arrangement of the external terminals are changed according to the semiconductor memory device 5.
0, the semiconductor memory device 50
Can be realized. In the following description,
The device 10 is called a dummy device, and correspondingly, the semiconductor storage device 50 is called a real device.

【0017】図2は、上記ダミーデバイス10の内部で
の電源ピン1,4とGNDピン5,8との接続関係をあ
らわすもので、電源ピン1,4とGNDピン5,8と
は、抵抗11を介して接続されている。また、図3は、
上記ダミーデバイス10の内部での第1,2及び3入力
ピン2,3及び6と出力ピン7との関係をあらわすもの
で、上記入力ピン2,3及び6と出力ピン7との間に
は、3本の入力ピン2,3及び6を介して供給された信
号からNANDをとるNAND回路13が設けられてい
る。このNAND回路13は、各入力ピンからの信号が
全て「1」である場合に「0」を出力し、他の場合に
は、「1」を出力する。
FIG. 2 shows a connection relationship between the power supply pins 1 and 4 and the GND pins 5 and 8 inside the dummy device 10. The power supply pins 1 and 4 and the GND pins 5 and 8 are connected by resistors. 11 are connected. Also, FIG.
It represents the relationship between the first, second and third input pins 2, 3 and 6 and the output pin 7 inside the dummy device 10, and the relationship between the input pins 2, 3 and 6 and the output pin 7 And a NAND circuit 13 for taking NAND from signals supplied through three input pins 2, 3 and 6. The NAND circuit 13 outputs “0” when all the signals from the input pins are “1”, and outputs “1” otherwise.

【0018】上記ダミーデバイス10は、実デバイス5
0と同じパッケージ外形を有し、従来の典型的な半導体
集積回路装置と同様に、シリコンウエハ加工を施したチ
ップ(不図示)を内部に有している。そのデバイス内部の
チップには、図2に示す抵抗11,図3のNAND回路
13を構成するトランジスタ,各種ピン及び内部チップ
とを接続するためのパッドが設けられている。チップ上
に形成されるべき素子は、ごく単純な構成であり、チッ
プ上にトランジスタや配線を形成する場合にも、高度な
微細化技術は特に必要とされず、トランジスタのサイズ
もパッケージに納めることができれば大きくてもよい。
これにより、上記ダミーデバイス10は、実デバイス5
0に比べて簡単なウエハプロセスにより実現可能で、こ
のダミーデバイス10の製造は、歩留りの面において有
利である。
The dummy device 10 is a real device 5
It has the same package outer shape as that of the conventional semiconductor integrated circuit device, and has a chip (not shown) on which a silicon wafer has been processed, similarly to a typical semiconductor integrated circuit device of the related art. The chip inside the device is provided with a resistor 11 shown in FIG. 2, a transistor constituting the NAND circuit 13 of FIG. 3, various pins, and pads for connecting the internal chip. The elements to be formed on the chip have a very simple configuration.Even when transistors and wiring are formed on the chip, advanced miniaturization technology is not particularly required, and the size of the transistor must be included in the package. May be larger if possible.
Thereby, the dummy device 10 is replaced with the real device 5.
The dummy device 10 can be realized by a simpler wafer process as compared with the case of 0, and is advantageous in terms of yield.

【0019】この実施の形態では、かかるダミーデバイ
ス10を用いて、所定の半導体集積回路装置向けのテス
タが検査される。このテスタとしては、従来技術におい
て説明されたテスタ60(図8参照)と同じものが用いら
れ、テスタ60の検査に際して、上記ダミーデバイス1
0は、テスタ60の評価対象である半導体記憶装置50
と同様に、テスタ60に対してセットされる。すなわ
ち、ダミーデバイス10は、図8に示すような各種の配
線を介してテスタ60へ接続されたソケット70に装着
される。
In this embodiment, a tester for a predetermined semiconductor integrated circuit device is inspected using the dummy device 10. As this tester, the same tester 60 (see FIG. 8) described in the related art is used.
0 is the semiconductor memory device 50 to be evaluated by the tester 60.
Is set to the tester 60 in the same manner as described above. That is, the dummy device 10 is mounted on the socket 70 connected to the tester 60 via various wirings as shown in FIG.

【0020】次に、上記半導体集積回路装置向けテスタ
60に接続されたダミーデバイス10の簡単な動作につ
いて、図4を参照しながら説明する。上記テスタ60を
用いて、ダミーデバイス10の電源ピン1,4に電圧V
ddを印加する。前述したように、上記電源ピン1,4
は、抵抗11(抵抗値Rを有する)を介して、GNDピン
5,8と接続しており、この場合、電源電流Iddを概算
すると、 となる。この概算値と実際に測定された電流値とを比較
して、テスタ60の電源電圧に異常があるか否かが調べ
られる。
Next, a simple operation of the dummy device 10 connected to the tester 60 for a semiconductor integrated circuit device will be described with reference to FIG. The voltage V is applied to the power pins 1 and 4 of the dummy device 10 using the tester 60.
Apply dd. As described above, the power supply pins 1, 4
Is connected to GND pins 5 and 8 via a resistor 11 (having a resistance value R). In this case, when the power supply current Idd is roughly calculated, Becomes The estimated value is compared with the actually measured current value to determine whether or not the power supply voltage of the tester 60 is abnormal.

【0021】また、この実施の形態では、電源電圧が印
加された状態で、テスタ60から上記第1,2及び3の
入力ピン2,3および6に供給される信号を変化させ、
それぞれの場合において、上記出力ピン7から出力され
る信号をチェックする。出力ピン7から出力される信号
が、出力期待値に反する場合に、テスタ60側に異常が
存在すると判断される。表1に、上記各入力ピン2,3
及び6に供給される信号と出力期待値との関係を示す。
前述したように、上記各入力ピンには2値信号が供給さ
れ、第1,2及び3の入力ピン2,3,6より供給され
た2値信号は、上記NAND回路13を経て、出力ピン
7から2値信号で出力される。なお、この表中のHは
「1」をあらわし、他方、Lは「0」をあらわす。
1:入力信号−出力期待値の関係 この関係に基づき、タイプA〜C使用時に異常が見られ
る場合には、上記電源と入力との間に、若しくは、出力
とGNDとの間にショートがあると判断され、また、タ
イプDの使用時に異常が見られる場合には、GNDと入
力との間に、若しくは、電源と出力との間にショートが
あると判断される。
In this embodiment, the signals supplied from the tester 60 to the first, second and third input pins 2, 3 and 6 are changed while the power supply voltage is applied.
In each case, the signal output from the output pin 7 is checked. When the signal output from the output pin 7 is different from the expected output value, it is determined that an abnormality exists on the tester 60 side. Table 1 shows the above input pins 2 and 3
6 and 7 show the relationship between the signals supplied to the second and sixth and the expected output values.
As described above, a binary signal is supplied to each of the input pins, and the binary signals supplied from the first, second, and third input pins 2, 3, and 6 are output through the NAND circuit 13 to the output pin. 7 is output as a binary signal. Note that H in the table represents "1", while L represents "0". table
1: Relationship between input signal and expected output value Based on this relationship, if an abnormality is observed when using types A to C, it is determined that there is a short circuit between the power supply and the input or between the output and GND. If an abnormality is sometimes seen, it is determined that there is a short circuit between GND and the input or between the power supply and the output.

【0022】図4は、ダミーデバイス10を用いたテス
タ60の検査プロセスのフローチャートである。この検
査プロセスでは、ダミーデバイス10がテスタ60のソ
ケット70に装着された状態で、まず、テスタ60から
ダミーデバイス10の電源ピン1,4に電源電圧Vddを
印加させる(♯10)。これにより、ダミーデバイス10
の電源ピン1,4からデバイス内部への電流が発生す
る。前述したように、電源ピン1,4とGNDピン5,
8との間には抵抗11が介在させられ、この抵抗11の
抵抗値Rおよびテスタ60より印加される電圧Vddとを
用いて、デバイス内部に流れる電流の所望の大きさが求
まる。♯11では、デバイス内部に流れる電流を測定
し、それを所望の大きさと比較することにより、テスタ
60から上記電源ピン1,4に対して所望の電圧が印加
されているか否かを確認する。♯11の結果、測定した
電流が所望の大きさから大きく外れる場合、テスタ60
から所望の電圧が印加されていないと判断され、検査結
果はNGとなる。他方、測定した電流が所望の大きさに
ほぼ一致する場合、♯12へ進む。
FIG. 4 is a flowchart of a test process of the tester 60 using the dummy device 10. In this inspection process, the power supply voltage Vdd is first applied from the tester 60 to the power supply pins 1 and 4 of the dummy device 10 in a state where the dummy device 10 is mounted on the socket 70 of the tester 60 (# 10). Thereby, the dummy device 10
A current flows from the power supply pins 1 and 4 into the device. As described above, the power supply pins 1, 4 and the GND pins 5,
A resistor 11 is interposed between the resistor 11 and the resistor 8, and a desired magnitude of a current flowing inside the device is determined using the resistance value R of the resistor 11 and the voltage Vdd applied from the tester 60. In step # 11, it is determined whether or not a desired voltage is applied from the tester 60 to the power supply pins 1 and 4 by measuring a current flowing in the device and comparing the measured current with a desired magnitude. If the measured current greatly deviates from the desired value as a result of # 11, the tester 60
, It is determined that the desired voltage has not been applied, and the inspection result is NG. On the other hand, when the measured current substantially matches the desired magnitude, the process proceeds to # 12.

【0023】♯12では、テスタ60より電源電圧が印
加された状態で、ダミーデバイス10の第1,2及び3
の入力ピン2,3及び6に、表1に示す組合せによる制
御信号の供給を開始する。このとき、ダミーデバイス1
0の出力ピン7は入力のNANDをとるため、各信号の
組合せに基づき、出力ピン7から出力される信号の期待
値が決まっている。♯13では、出力ピン7から出力さ
れる信号をその期待値と比較する。出力信号が期待値に
反する場合、検査結果はNGとなる。例えば、第1及び
2の入力ピン2,3がテスタ60の一部でショートして
おり、同じ信号しか与えられない場合、表1におけるタ
イプA及びBのテストで出力期待値はHであるものの、
ダミーデバイス10からの出力信号はLとなり、NGと
判定される。また、一方、♯13において、出力信号が
期待値に一致する場合には、判定パスとなる。♯11及
び13の過程で、NGと判定された場合には、テスタ6
0の異常が存在するものと判断される。
In # 12, the first, second, and third dummy devices 10 are placed in a state where the power supply voltage is applied from the tester 60.
To the input pins 2, 3 and 6 of FIG. At this time, dummy device 1
Since the 0 output pin 7 takes an input NAND, the expected value of the signal output from the output pin 7 is determined based on the combination of the signals. In # 13, the signal output from the output pin 7 is compared with its expected value. If the output signal deviates from the expected value, the test result is NG. For example, when the first and second input pins 2 and 3 are short-circuited in a part of the tester 60 and only the same signal is given, the output expected value is H in the tests of types A and B in Table 1 ,
The output signal from the dummy device 10 becomes L and is determined to be NG. On the other hand, if the output signal matches the expected value in # 13, the path is determined. ♯ If it is determined to be NG in the process of 11 and 13, the tester 6
It is determined that there is an abnormality of 0.

【0024】以上のように、上記ダミーデバイス10を
用いれば、テスタ60により電源電圧が印加された状態
で電源ピン1,4とGNDピン5,8との間で測定され
た電流値と予め概算された期待値と比較することによ
り、テスタ60側の電源電圧の供給に関する異常の有無
を判定することができるとともに、入力ピン2,3,6
から信号を供給した場合に、出力ピン7から検出される
出力信号と、信号の組合せに基づいた出力期待値とを比
較することにより、テスタ60側の信号の供給に関する
異常の有無を判定することができる。この結果、上記テ
スタ60の検査を容易に行うことができるようになり、
異常を比較的簡単に見つけることが可能となる。この効
果は、例えば量産時の出荷テスト工程において定期的に
(例えば1ロット毎に)使用すれば非常に有効である。
As described above, if the dummy device 10 is used, the current value measured between the power supply pins 1 and 4 and the GND pins 5 and 8 with the power supply voltage applied by the tester 60 is roughly estimated in advance. By comparing with the expected value obtained, it is possible to determine whether or not there is an abnormality related to the supply of the power supply voltage on the tester 60 side, and to determine whether the input pins 2, 3, 6
, The output signal detected from the output pin 7 is compared with an expected output value based on a combination of the signals to determine whether there is an abnormality in the signal supply on the tester 60 side. Can be. As a result, the tester 60 can be easily inspected,
Anomalies can be found relatively easily. This effect can be seen periodically during the shipping test process during mass production, for example.
It is very effective if used (for example, for each lot).

【0025】以下、本発明の他の実施の形態について、
詳細に説明する。 実施の形態2.図5(a)及び5(b)は、それぞれ、本発
明の実施の形態2に係る半導体集積回路装置内の構成の
一部を示す回路図である。この半導体集積回路装置20
は、データの読出し・記憶とともに記憶保持動作が可能
であるダイナミックRAMである。この実施の形態2で
は、かかる半導体集積回路装置20内に、前述した実施
の形態1に係るテスタ検査用デバイスのようなテスタ検
査用の回路構成が組み込まれており、半導体集積回路装
置20内の信号処理は、入力信号をDRAMとしての通
常の動作に基づき処理する標準モードと、入力信号をテ
スタ検査動作に基づき処理するテストモードとの間で、
任意に切換え可能である。
Hereinafter, another embodiment of the present invention will be described.
This will be described in detail. Embodiment 2 FIG. FIGS. 5A and 5B are circuit diagrams each showing a part of the configuration in the semiconductor integrated circuit device according to the second embodiment of the present invention. This semiconductor integrated circuit device 20
Is a dynamic RAM capable of performing a data holding operation as well as reading and storing data. In the second embodiment, a circuit configuration for a tester test such as the tester test device according to the first embodiment is incorporated in the semiconductor integrated circuit device 20. The signal processing is performed between a standard mode in which an input signal is processed based on a normal operation as a DRAM and a test mode in which the input signal is processed based on a tester inspection operation.
It can be arbitrarily switched.

【0026】図5(a)から分かるように、この半導体集
積回路装置20は、3つの入力ピンを有しており、該入
力ピンを経由して入力された信号は、上記標準モードに
おいて、内部制御用に用いられる。また、上記半導体集
積回路装置20には、これら入力ピンからの信号を用い
て、NANDをとるNAND回路22、および、NOR
をとるNOR回路23が設けられている。また、図5
(b)から分かるように、この半導体集積回路装置20に
は、任意に選択された出力ピンから外部へ出力しようと
する信号を反転させるインバータ回路27,28が設け
られている。なお、図5(b)では、このインバータ回路
を2つのみ示すが、実際には、インバータ回路は、半導
体集積回路装置20の出力ピンの数に対応して、それと
同じ数だけ設けられる。
As can be seen from FIG. 5 (a), the semiconductor integrated circuit device 20 has three input pins, and a signal input via the input pins is an internal signal in the standard mode. Used for control. The semiconductor integrated circuit device 20 includes a NAND circuit 22 for performing NAND using signals from these input pins, and a NOR circuit 22.
A NOR circuit 23 is provided. FIG.
As can be seen from (b), the semiconductor integrated circuit device 20 is provided with inverter circuits 27 and 28 for inverting a signal to be output from an arbitrarily selected output pin to the outside. Although only two inverter circuits are shown in FIG. 5B, in reality, the same number of inverter circuits are provided corresponding to the number of output pins of the semiconductor integrated circuit device 20.

【0027】上記半導体集積回路装置20を評価する場
合、該装置20に電源電圧を印加し、装置20からの出
力信号を検出して、装置20の良否を判定し得るテスタ
60が、図8に示される場合と同様に用いられる。上記
テスタ60に半導体集積回路装置20が装着された状態
で、アドレスキーの使用により、TM(テストモード)信
号がアドレスバスを介して入力され、テストモードが設
定される。このテストモード設定時には、NAND回路
22において、3つの入力信号からNANDがとられ、
出力信号として検出される。この場合、実施の形態1に
おける表1に示したような入力信号の組合せに基づく出
力期待値と、実際に検出された出力信号とを比較する。
このとき、出力信号が出力期待値に反すれば、テスタ6
0側に異常が存在すると判断される。また、この実施の
形態2では、上記テストモード設定時に、3つの入力信
号が全てL(「0」)である場合、この場合について考
慮する必要がないため、上記NOR回路23からリセッ
ト信号が発せられて、テスタ60の検査作業がリセット
されるようになっている。これにより、テスタ60によ
り必要とされない作業を省略し、テスタ60の検査に要
する時間を短縮することができる。
When the semiconductor integrated circuit device 20 is evaluated, a tester 60 capable of applying a power supply voltage to the device 20 and detecting an output signal from the device 20 to judge the quality of the device 20 is shown in FIG. Used as shown. With the semiconductor integrated circuit device 20 mounted on the tester 60, a TM (test mode) signal is input via an address bus by using an address key, and a test mode is set. When the test mode is set, NAND is taken from three input signals in the NAND circuit 22,
Detected as an output signal. In this case, the expected output value based on the combination of the input signals as shown in Table 1 in the first embodiment is compared with the actually detected output signal.
At this time, if the output signal deviates from the expected output value, tester 6
It is determined that an abnormality exists on the 0 side. Further, in the second embodiment, when all the three input signals are L (“0”) at the time of setting the test mode, it is not necessary to consider this case. Then, the inspection work of the tester 60 is reset. As a result, operations not required by the tester 60 can be omitted, and the time required for testing the tester 60 can be reduced.

【0028】更に、上記テストモード設定時に、アドレ
スピンの組合せにより任意の入出力ピンを選択し、その
出力信号を反転させることが可能である。これにより、
出力ピンを個々にチェックすることが可能となる。尚、
この場合には、全てのアドレスピンを利用する必要はな
い。
Further, at the time of setting the test mode, it is possible to select an arbitrary input / output pin by a combination of the address pins and invert the output signal thereof. This allows
Output pins can be individually checked. still,
In this case, it is not necessary to use all the address pins.

【0029】このように、半導体集積回路装置20の内
部にテストモードを設定し得る構成を設けることによ
り、モジュール段階においても、そのテスタ40側の信
号の供給についての異常を判定し、テスタ60の検査が
可能となる。
As described above, by providing a configuration in which the test mode can be set in the semiconductor integrated circuit device 20, an abnormality in the signal supply on the tester 40 side is determined even at the module stage, and the tester 60 Inspection becomes possible.

【0030】実施の形態3.図6(a)及び6(b)は、そ
れぞれ、本発明の実施の形態3に係るテスタ検査用デバ
イス30(ダミーデバイス)、および、一般に知られる半
導体集積回路装置40(400mil 54pin TSOP(II)の128MSD
RAM(8M×16))の平面図である。上記テスタ検査用デバイ
ス30は、前述した実施の形態1における場合と同様
に、実デバイスである該半導体集積回路装置40と同じ
パッケージ外形をなすもので、外部端子として、電源ピ
ン(Vdd),GNDピン(Vss),入力ピン及び出力ピンを
有している。電源ピン及びGNDピンは、実デバイスと
同様に配置され、入力ピンは、実デバイスの制御ピン
(/CS,/RAS,/CAS,/WE,CLK,CK
E,DQMU,DQML)及びアドレスピン(A0〜A1
3)に対応して、また、出力ピンは、実デバイスの入出
力ピン(DQ0〜DQ15)に対応して配置されている。
かかる外形及びピン配置を備えた上記テスタ検査用デバ
イス30は、128MSDRAM用ソケットに装着可能である。
Embodiment 3 6 (a) and 6 (b) show a tester inspection device 30 (dummy device) and a generally known semiconductor integrated circuit device 40 (400mil 54pin TSOP (II)) according to Embodiment 3 of the present invention, respectively. 128MSD
FIG. 3 is a plan view of a RAM (8M × 16)). The tester inspection device 30 has the same package outer shape as that of the semiconductor integrated circuit device 40 which is an actual device, similarly to the case of the first embodiment, and has power supply pins (Vdd), GND as external terminals. Pins (Vss), input pins and output pins. The power supply pin and the GND pin are arranged in the same manner as the real device, and the input pins are the control pins of the real device.
(/ CS, / RAS, / CAS, / WE, CLK, CK
E, DQMU, DQML) and address pins (A0 to A1)
The output pins are arranged corresponding to the input / output pins (DQ0 to DQ15) of the actual device.
The tester inspection device 30 having such an outer shape and a pin arrangement can be mounted in a 128 MS DRAM socket.

【0031】前述した実施の形態1における場合と同様
に、上記テスタ検査用デバイス30の電源ピンとGND
ピンとの間には、抵抗が設けられている。これにより、
電源ピンとGNDピンとの間に流れる電流を測定するこ
とで、電源電圧に所望の電圧が印加されているか否かを
確認することができる。また、上記テスタ検査用デバイ
ス30の出力ピンからの出力としては、22本の入力の
NANDがとられる。尚、NANDに限定されることな
く、各入力ピンへ供給される信号が独立していることが
確認可能であれば、いかなる回路(論理)を用いてもよ
い。その場合、入力信号と出力期待値との関係は、その
回路に適した組合せを有することが必要である。
As in the first embodiment, the power supply pin of the tester inspection device 30 is connected to GND.
A resistor is provided between the pins. This allows
By measuring the current flowing between the power supply pin and the GND pin, it is possible to confirm whether a desired voltage is applied to the power supply voltage. The output from the output pin of the tester test device 30 is a NAND of 22 inputs. In addition, without being limited to the NAND, any circuit (logic) may be used as long as it can be confirmed that the signals supplied to the respective input pins are independent. In this case, the relationship between the input signal and the expected output value needs to have a combination suitable for the circuit.

【0032】なお、本発明は、例示された実施の形態に
限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
において、種々の改良及び設計上の変更が可能であるこ
とは言うまでもない。例えば、前述した実施の形態で
は、半導体集積回路装置として半導体記憶装置を取り上
げたが、これに限定されることなく、テスタ検査用のデ
バイス及びそれを含む半導体集積回路装置は、半導体集
積回路装置全般に適用可能である。
The present invention is not limited to the illustrated embodiment, and it goes without saying that various improvements and design changes can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above-described embodiment, a semiconductor memory device is described as a semiconductor integrated circuit device. However, the present invention is not limited to this, and a device for testing a tester and a semiconductor integrated circuit device including the same can be used as a general semiconductor integrated circuit device. Applicable to

【0033】[0033]

【発明の効果】本願の請求項1の発明によれば、所定の
半導体集積回路装置向けテスタが評価対象とする半導体
集積回路装置と略同じパッケージ外形及び外部端子の配
置構造を有して、該半導体集積回路装置と同様にテスタ
と接続可能であるテスタ検査用デバイスであって、デバ
イスの電源端子と接地端子との間に、所定の抵抗値を有
する抵抗が介在させられており、デバイス本体が上記テ
スタと接続させられ、上記電源端子に電源電圧が印加さ
れた状態で、印加される電源電圧の値および上記抵抗の
抵抗値から概算される電源端子と接地端子との間の電流
期待値と、測定された電流値とを比較して、上記テスタ
により印加される電源電圧が正常に供給されているか否
かを判定し得るように構成されてなるため、上記テスタ
の検査を容易に行うことができ、また、上記テスタによ
り印加される電源電圧の供給についての異常を比較的簡
単に見つけることが可能である。
According to the first aspect of the present invention, a tester for a predetermined semiconductor integrated circuit device has substantially the same package outer shape and external terminal arrangement structure as a semiconductor integrated circuit device to be evaluated. A tester inspection device connectable to a tester similarly to a semiconductor integrated circuit device, wherein a resistor having a predetermined resistance value is interposed between a power supply terminal and a ground terminal of the device, and the device body is Connected to the tester, in a state where the power supply voltage is applied to the power supply terminal, a current expectation value between the power supply terminal and the ground terminal, which is estimated from a value of the applied power supply voltage and a resistance value of the resistor; The tester can be easily tested by comparing the measured current value with the measured current value to determine whether the power supply voltage applied by the tester is normally supplied. It can, also, it is possible to find an abnormality in the supply of the power supply voltage applied by the tester relatively easily.

【0034】また、本願の請求項2の発明によれば、所
定の半導体集積回路装置向けテスタが評価対象とする半
導体集積回路装置と略同じパッケージ外形及び外部端子
の配置構造を有して、該半導体集積回路装置と同様にテ
スタに接続可能であるテスタ検査用デバイスであって、
上記テスタから所定レベルの信号が供給される入力端子
を複数有するとともに、該入力端子を介して供給された
複数の信号からNANDをとるNAND回路が設けられ
ており、デバイス本体が上記テスタと接続させられ、デ
バイスの電源端子に電源電圧が印加された状態で、上記
入力端子を介して供給される複数の信号の組合せに基づ
くNAND回路の出力期待値と、検出されたNAND回
路の出力値とを比較して、上記テスタにより入力端子に
供給される信号が正常であるか否かを判定し得るように
構成されてなるため、上記テスタの検査を容易に行うこ
とができ、また、テスタによる信号の供給についての異
常を比較的簡単に見つけることが可能である。
According to the invention of claim 2 of the present application, a tester for a predetermined semiconductor integrated circuit device has substantially the same package outer shape and external terminal arrangement structure as a semiconductor integrated circuit device to be evaluated. A tester inspection device that can be connected to a tester similarly to a semiconductor integrated circuit device,
The tester has a plurality of input terminals to which a signal of a predetermined level is supplied from the tester, and a NAND circuit which takes a NAND from the plurality of signals supplied through the input terminals is provided. In a state where a power supply voltage is applied to a power supply terminal of the device, an output expected value of the NAND circuit based on a combination of a plurality of signals supplied through the input terminal and an output value of the detected NAND circuit are calculated. In comparison, the tester is configured to be able to determine whether or not the signal supplied to the input terminal is normal, so that the tester can be easily inspected. It is relatively easy to find out about anomalies in the supply of water.

【0035】更に、本願の請求項3の発明によれば、所
定の半導体集積回路装置向けテスタの評価対象となる半
導体集積回路装置において、上記テスタから所定レベル
の制御信号が供給される制御信号用の入力端子を複数有
するとともに、該制御信号用の入力端子を介して供給さ
れた複数の制御信号からNANDをとるNAND回路が
設けられており、装置本体が上記テスタと接続させら
れ、装置の電源端子に電源電圧が印加された状態で、上
記制御信号用の入力端子を介して供給される複数の制御
信号の組合せに基づくNAND回路の出力期待値と、検
出されたNAND回路の出力値とを比較して、上記テス
タにより入力端子に供給される制御信号が正常であるか
否かを判定し得るように構成されてなるため、上記テス
タの検査を容易に行うことができ、また、テスタによる
信号の供給についての異常を比較的簡単に見つけること
が可能である。
Further, according to the third aspect of the present invention, in a semiconductor integrated circuit device to be evaluated by a tester for a predetermined semiconductor integrated circuit device, a control signal for supplying a control signal of a predetermined level from the tester is provided. A plurality of input terminals, and a NAND circuit that takes NAND from a plurality of control signals supplied through the control signal input terminal is provided. The apparatus main body is connected to the tester, and a power supply of the apparatus is provided. With the power supply voltage applied to the terminal, the expected output value of the NAND circuit based on a combination of a plurality of control signals supplied through the control signal input terminal and the detected output value of the NAND circuit In comparison, the tester is configured to be able to determine whether the control signal supplied to the input terminal is normal or not, so that the tester can be easily inspected. It can, also, it is possible to find an abnormality in the supply of the signal by the tester relatively easily.

【0036】また、更に、本願の請求項4の発明によれ
ば、上記制御信号用の入力端子を介して供給された複数
の制御信号からNORをとるNOR回路が設けられてお
り、該NOR回路の出力に応答して、上記テスタの検査
作業がリセットされるので、テスタにより必要とされな
い作業を省略し、テスタの検査に要する時間を短縮する
ことができる。
Further, according to the invention of claim 4 of the present application, there is provided a NOR circuit which takes NOR from a plurality of control signals supplied through the control signal input terminal. In response to the output of the tester, the test operation of the tester is reset, so that the operation not required by the tester can be omitted, and the time required for the tester inspection can be shortened.

【0037】また、更に、本願の請求項5の発明によれ
ば、請求項1又は2に記載のテスタ検査用デバイスを用
いて、所定の半導体集積回路装置向けテスタを検査する
方法であって、上記テスタ検査用デバイスがテスタと接
続させられた状態で、該デバイスの電源端子に電源電圧
を印加し、上記所定の抵抗値を有する抵抗が介在させら
れた電源端子と接地端子との間の電流値を測定し、測定
された電流値と、上記抵抗の抵抗値およびテスタにより
印加される電源電圧値から概算される電流期待値とを比
較して、上記テスタにより電源端子に対して電源電圧が
正常に印加されているか否かを判定するため、上記テス
タの検査を容易に行うことができ、また、上記テスタに
より印加される電源電圧の供給についての異常を比較的
簡単に見つけることが可能である。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method for testing a tester for a predetermined semiconductor integrated circuit device using the tester testing device according to the first or second aspect, In a state where the tester inspection device is connected to the tester, a power supply voltage is applied to a power supply terminal of the device, and a current between the power supply terminal and the ground terminal in which the resistor having the predetermined resistance value is interposed. The measured current value is compared with the measured current value and the expected current value estimated from the resistance value of the resistor and the power supply voltage value applied by the tester. In order to determine whether or not the voltage is normally applied, the tester can be easily inspected, and it is relatively easy to find an abnormality in the supply of the power supply voltage applied by the tester. It is possible.

【0038】また、更に、本願の請求項6の発明によれ
ば、請求項1又は2に記載のテスタ検査用デバイスを用
いて、所定の半導体集積回路装置向けテスタを検査する
方法であって、デバイス本体が上記テスタと接続させら
れ、該デバイスの電源端子に電源電圧が印加された状態
で、上記デバイスの複数の入力端子に信号を供給し、上
記各入力端子を介して供給される制御信号からNAND
をとるNAND回路を経て出力される信号を検出し、上
記各入力端子を介して供給される信号の組合せに基づき
得られる出力期待値と、検出される出力信号とを比較し
て、上記テスタにより入力端子に供給される信号が正常
であるか否かを判定するため、上記テスタの検査を容易
に行うことができ、また、テスタによる信号の供給につ
いての異常を比較的簡単に見つけることが可能である。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method for inspecting a tester for a predetermined semiconductor integrated circuit device using the tester inspecting device according to the first or second aspect, A device main body is connected to the tester, a signal is supplied to a plurality of input terminals of the device in a state where a power supply voltage is applied to a power supply terminal of the device, and a control signal supplied through each of the input terminals From NAND
, And a signal output from the NAND circuit is compared with an expected output value obtained based on a combination of signals supplied through the input terminals, and a detected output signal. The tester can easily inspect the tester to determine whether the signal supplied to the input terminal is normal, and it is relatively easy to find an abnormality in the signal supply by the tester. It is.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施の形態1に係るテスタ検査用デ
バイスを示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a tester inspection device according to Embodiment 1 of the present invention.

【図2】 上記テスタ検査用デバイス内の電源ピン〜接
地ピン間の接続関係を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a connection relationship between a power supply pin and a ground pin in the tester inspection device.

【図3】 上記テスタ検査用デバイス内の入力ピン〜出
力ピン間の接続関係を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a connection relationship between input pins and output pins in the tester inspection device.

【図4】 上記テスタ検査用デバイスを用いた検査プロ
セスのフローチャートである。
FIG. 4 is a flowchart of an inspection process using the tester inspection device.

【図5】 (a)本発明の実施の形態2に係る半導体集
積回路装置内の構成の一部を示す回路図である。(b)
上記半導体集積回路装置内の構成の別の一部を示す回路
図である。
FIG. 5A is a circuit diagram showing a part of a configuration in a semiconductor integrated circuit device according to a second embodiment of the present invention; (B)
FIG. 3 is a circuit diagram showing another part of the configuration inside the semiconductor integrated circuit device.

【図6】 (a)本発明の実施の形態3に係るテスタ検
査用デバイスを示す平面図である。(b)典型的な半導
体集積回路装置を示す平面図である。
FIG. 6 (a) is a plan view showing a tester inspection device according to Embodiment 3 of the present invention. FIG. 1B is a plan view showing a typical semiconductor integrated circuit device.

【図7】 従来の半導体集積回路装置を簡略化して示す
平面図である。
FIG. 7 is a simplified plan view showing a conventional semiconductor integrated circuit device.

【図8】 テスタを用いて半導体集積回路装置が評価さ
れる状態を示す説明図である。
FIG. 8 is an explanatory diagram showing a state in which a semiconductor integrated circuit device is evaluated using a tester.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,4 電源ピン,2 第1入力ピン,3 第2入力ピ
ン,5,8 GNDピン,6 第3入力ピン,7 出力
ピン,10,30 テスタ検査用デバイス,20 半導
体集積回路装置
1, 4 power supply pin, 2 first input pin, 3 second input pin, 5, 8 GND pin, 6 third input pin, 7 output pin, 10, 30 tester inspection device, 20 semiconductor integrated circuit device

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定の半導体集積回路装置向けテスタが
評価対象とする半導体集積回路装置と略同じパッケージ
外形及び外部端子の配置構造を有して、該半導体集積回
路装置と同様にテスタと接続可能であるテスタ検査用デ
バイスであって、 デバイスの電源端子と接地端子との間には、所定の抵抗
値を有する抵抗が介在させられており、 デバイス本体が上記テスタと接続させられ、上記電源端
子に電源電圧が印加された状態で、印加される電源電圧
の値および上記抵抗の抵抗値から概算される電源端子と
接地端子との間の電流期待値と、測定された電流値とを
比較して、上記テスタにより印加される電源電圧が正常
であるか否かを判定し得るように構成されてなることを
特徴とする半導体集積回路装置向けテスタ検査用デバイ
ス。
1. A tester for a predetermined semiconductor integrated circuit device has substantially the same package outer shape and external terminal arrangement structure as a semiconductor integrated circuit device to be evaluated, and can be connected to a tester similarly to the semiconductor integrated circuit device. Wherein a resistor having a predetermined resistance value is interposed between a power terminal and a ground terminal of the device, a device body is connected to the tester, and the power terminal When the power supply voltage is applied to the power supply voltage, the expected current value between the power supply terminal and the ground terminal, which is estimated from the value of the applied power supply voltage and the resistance value of the resistor, is compared with the measured current value. A tester inspection device for a semiconductor integrated circuit device, which is configured to determine whether or not a power supply voltage applied by the tester is normal.
【請求項2】 所定の半導体集積回路装置向けテスタが
評価対象とする半導体集積回路装置と略同じパッケージ
外形及び外部端子の配置構造を有して、該半導体集積回
路装置と同様にテスタに接続可能であるテスタ検査用デ
バイスであって、 上記テスタから所定レベルの信号が供給される入力端子
を複数有するとともに、該入力端子を介して供給された
複数の信号からNANDをとるNAND回路が設けられ
ており、 デバイス本体が上記テスタと接続させられ、デバイスの
電源端子に電源電圧が印加された状態で、上記入力端子
を介して供給される複数の信号の組合せに基づくNAN
D回路の出力期待値と、検出されたNAND回路の出力
値とを比較して、上記テスタにより入力端子に供給され
る信号が正常であるか否かを判定し得るように構成され
てなることを特徴とする半導体集積回路装置向けテスタ
検査用デバイス。
2. A tester for a predetermined semiconductor integrated circuit device has substantially the same package outer shape and external terminal arrangement structure as a semiconductor integrated circuit device to be evaluated, and can be connected to the tester similarly to the semiconductor integrated circuit device. A tester inspection device, comprising: a plurality of input terminals to which a signal of a predetermined level is supplied from the tester; and a NAND circuit that takes a NAND from the plurality of signals supplied through the input terminals. A NAN based on a combination of a plurality of signals supplied through the input terminal in a state where a device body is connected to the tester and a power supply voltage is applied to a power supply terminal of the device.
The tester is configured to compare the expected output value of the D circuit with the detected output value of the NAND circuit to determine whether or not the signal supplied to the input terminal by the tester is normal. A tester inspection device for a semiconductor integrated circuit device, characterized in that:
【請求項3】 所定の半導体集積回路装置向けテスタの
評価対象となる半導体集積回路装置において、 上記テスタから所定レベルの制御信号が供給される制御
信号用の入力端子を複数有するとともに、該制御信号用
の入力端子を介して供給された複数の制御信号からNA
NDをとるNAND回路が設けられており、 装置本体が上記テスタと接続させられ、装置の電源端子
に電源電圧が印加された状態で、上記制御信号用の入力
端子を介して供給される複数の制御信号の組合せに基づ
くNAND回路の出力期待値と、検出されたNAND回
路の出力値とを比較して、上記テスタにより入力端子に
供給される制御信号が正常であるか否かを判定し得るよ
うに構成されてなることを特徴とする半導体集積回路装
置。
3. A semiconductor integrated circuit device to be evaluated by a tester for a predetermined semiconductor integrated circuit device, comprising: a plurality of control signal input terminals to which a control signal of a predetermined level is supplied from the tester; From a plurality of control signals supplied through input terminals for
A NAND circuit for taking ND is provided. A plurality of devices supplied through an input terminal for the control signal in a state where a device main body is connected to the tester and a power supply voltage is applied to a power supply terminal of the device. By comparing the expected output value of the NAND circuit based on the combination of the control signals with the detected output value of the NAND circuit, it can be determined whether or not the control signal supplied to the input terminal by the tester is normal. A semiconductor integrated circuit device characterized by being configured as described above.
【請求項4】 上記制御信号用の入力端子を介して供給
された複数の制御信号からNORをとるNOR回路が設
けられており、該NOR回路の出力に応答して、上記テ
スタの検査作業がリセットされることを特徴とする請求
項3記載の半導体集積回路装置。
4. A NOR circuit for taking a NOR from a plurality of control signals supplied through an input terminal for the control signal, and performing an inspection operation of the tester in response to an output of the NOR circuit. 4. The semiconductor integrated circuit device according to claim 3, wherein the device is reset.
【請求項5】 請求項1又は2に記載のテスタ検査用デ
バイスを用いて、所定の半導体集積回路装置向けテスタ
を検査する方法であって、 上記テスタ検査用デバイスがテスタと接続させられた状
態で、該デバイスの電源端子に電源電圧を印加し、 上記所定の抵抗値を有する抵抗が介在させられた電源端
子と接地端子との間の電流値を測定し、 測定された電流値と、上記抵抗の抵抗値およびテスタに
より印加される電源電圧値から概算される電流期待値と
を比較して、上記テスタにより電源端子に対して電源電
圧が正常に印加されているか否かを判定することを特徴
とする半導体集積回路装置向けテスタを検査する方法。
5. A method for inspecting a tester for a predetermined semiconductor integrated circuit device using the tester inspection device according to claim 1 or 2, wherein the tester inspection device is connected to the tester. A power supply voltage is applied to a power supply terminal of the device, and a current value between a power supply terminal and a ground terminal in which the resistor having the predetermined resistance value is interposed is measured. By comparing the resistance value of the resistor and the expected current value estimated from the power supply voltage value applied by the tester, it is determined whether or not the power supply voltage is normally applied to the power supply terminal by the tester. A method for testing a tester for a semiconductor integrated circuit device.
【請求項6】 請求項1又は2に記載のテスタ検査用デ
バイスを用いて、所定の半導体集積回路装置向けテスタ
を検査する方法であって、 デバイス本体が上記テスタと接続させられ、該デバイス
の電源端子に電源電圧が印加された状態で、上記デバイ
スの複数の入力端子に信号を供給し、 上記各入力端子を介して供給される制御信号からNAN
DをとるNAND回路を経て出力される信号を検出し、 上記各入力端子を介して供給される信号の組合せに基づ
き得られる出力期待値と、検出される出力信号とを比較
して、上記テスタにより入力端子に供給される信号が正
常であるか否かを判定することを特徴とする半導体集積
回路装置向けテスタを検査する方法。
6. A method for inspecting a tester for a predetermined semiconductor integrated circuit device using the tester inspection device according to claim 1 or 2, wherein a device main body is connected to the tester. A signal is supplied to a plurality of input terminals of the device while a power supply voltage is applied to the power supply terminal.
A signal output through a NAND circuit that takes a D signal is detected, and an expected output value obtained based on a combination of signals supplied through the input terminals is compared with a detected output signal. A method for testing a tester for a semiconductor integrated circuit device, comprising: determining whether a signal supplied to an input terminal is normal.
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