JP2001185902A - Composite high-frequency component and communication device using same - Google Patents

Composite high-frequency component and communication device using same

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JP2001185902A
JP2001185902A JP37105699A JP37105699A JP2001185902A JP 2001185902 A JP2001185902 A JP 2001185902A JP 37105699 A JP37105699 A JP 37105699A JP 37105699 A JP37105699 A JP 37105699A JP 2001185902 A JP2001185902 A JP 2001185902A
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terminal
composite high
switch
diplexer
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Koji Furuya
孝治 降谷
Koji Tanaka
浩二 田中
Takahiro Watanabe
貴洋 渡辺
Hideki Muto
英樹 武藤
Takanori Uejima
孝紀 上嶋
Norio Nakajima
規巨 中島
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Murata Manufacturing Co Ltd
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  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)
  • Transceivers (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composite high-frequency component which actualizes small size and low power consumption for a microwave circuit used for the front-end part of a dual-band device. SOLUTION: A switch made of a GaAs semiconductor having a wide frequency band is used as a switch 3. To receive a signal, the switch 3 is connected to a 2nd diplexer 2 and the receive signal inputted to a 3rd common terminal a7 is outputted from a 1st output terminal a5 or 2nd output terminal a6. To send a signal, the switch 3 is connected to a 1st diplexer 1 and the transmit signal inputted to a 1st input terminal a2 or 2nd input terminal a3 is outputted from the 3rd common terminal a7. Consequently, small size and low power consumption are actualized by decreasing the number of switches and the circuit can easily be controlled.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波回路の
分野に用いられる複合高周波部品及びそれを用いた通信
装置、特に、複数の異なる無線通信システムに対応した
通信装置のフロントエンド部に利用可能な複合高周波部
品及びそれを用いた通信装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is applicable to a composite high-frequency component used in the field of microwave circuits and a communication device using the same, and more particularly, to a front end portion of a communication device compatible with a plurality of different wireless communication systems. The present invention relates to a composite high-frequency component and a communication device using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、携帯電話などの通信装置が普及
し、通信のための方式及び規格が多数存在する。例え
ば、TDMA方式の規格としては、ヨーロッパではDC
S(Digital Cellular Syste
m)やGSM(Global System comm
unication)などの規格が存在する。そして、
通常の無線通信では、いずれか一つの規格に対応した周
波数帯を用いて通信をする。
2. Description of the Related Art In recent years, communication devices such as mobile phones have become widespread, and there are many communication systems and standards. For example, as a standard of the TDMA system, in Europe, DC
S (Digital Cellular System)
m) and GSM (Global System comm
standards exist. And
In normal wireless communication, communication is performed using a frequency band corresponding to any one standard.

【0003】このような通信装置において、最近では、
複数の異なる規格に対応した通信装置である、いわゆる
デュアルバンド機が提案されている。例えば、DCSと
GSMとのデュアルバンド機は、DCSの周波数帯とG
SMの周波数帯とに対応し、ある時はDCSの周波数帯
で通信をし、またある時はGSMの周波数帯で通信をす
る。このように、複数の規格の周波数帯を扱うことによ
り、一方の規格の周波数帯で通信が不可能である場合に
は、他方の規格の周波数帯で通信をすることができる。
In such communication devices, recently,
A so-called dual band device, which is a communication device corresponding to a plurality of different standards, has been proposed. For example, a dual band machine of DCS and GSM has a frequency band of DCS and GSM.
Corresponding to the SM frequency band, communication is sometimes performed in the DCS frequency band, and communication is sometimes performed in the GSM frequency band. As described above, by handling the frequency bands of a plurality of standards, when communication is impossible in the frequency band of one standard, communication can be performed in the frequency band of the other standard.

【0004】図7にDCSとGSMとのデュアルバンド
機として用いられる従来の通信装置のブロック図を示
す。なお、信号の周波数帯域は、GSMの送信信号Tx
1が890MHzから915MHz、受信信号Rx1が
935MHzから965MHzであり、DCSの送信信
号Tx2が1710MHzから1785MHz、受信信
号Rx2が1805MHzから1880MHzの周波数
帯域である。
FIG. 7 shows a block diagram of a conventional communication device used as a dual band device of DCS and GSM. The frequency band of the signal is the GSM transmission signal Tx
1 is a frequency band from 890 MHz to 915 MHz, a reception signal Rx1 is a frequency band from 935 MHz to 965 MHz, a DCS transmission signal Tx2 is a frequency band from 1710 MHz to 1785 MHz, and a reception signal Rx2 is a frequency band from 1805 MHz to 1880 MHz.

【0005】図7において、従来の通信装置30は、受
信信号が入力され、送信信号が出力されるアンテナ29
と、複合高周波部品20と、送信信号を発生させる送信
回路281と、受信信号を処理する受信回路282とを
有する。複合高周波部品20は、ダイプレクサ23とG
SM用ダイオードスイッチ21とDCS用ダイオードス
イッチ22とを有する。ダイプレクサ23は、アンテナ
29に接続される端子a27と、GSM用ダイオードス
イッチ21に接続される端子a28と、DCS用ダイオ
ードスイッチ22に接続される端子a29と、ローパス
フィルタ特性を有しGSMの信号が伝達される信号経路
23aと、ハイパスフィルタ特性を有しDCSの信号が
伝達される信号経路23bとを有する。GSM用ダイオ
ードスイッチ21は、ダイプレクサ23に接続される端
子a21と、送信回路281から送信信号Tx1が入力
される端子a22と、受信回路282に受信信号Rx1
を出力する端子a23とを有する。そして、GSM用ダ
イオードスイッチ21は、送信時は端子a21と端子a
22とが接続され、受信時は端子a21と端子a23と
が接続される。DCS用ダイオードスイッチ22は、ダ
イプレクサ23が接続される端子a24と、送信回路2
81から送信信号Tx2が入力される端子a25と受信
回路282に受信信号Rx2を出力する端子a26とを
有する。そして、DCS用ダイオードスイッチ22は、
送信時は端子a24と端子a25とが接続され、受信時
は端子a24と端子a26とが接続される。
In FIG. 7, a conventional communication device 30 has an antenna 29 to which a reception signal is input and a transmission signal is output.
, A composite high-frequency component 20, a transmission circuit 281 for generating a transmission signal, and a reception circuit 282 for processing a reception signal. The composite high-frequency component 20 includes a diplexer 23 and a G
It has an SM diode switch 21 and a DCS diode switch 22. The diplexer 23 includes a terminal a27 connected to the antenna 29, a terminal a28 connected to the GSM diode switch 21, a terminal a29 connected to the DCS diode switch 22, and a GSM signal having a low-pass filter characteristic. It has a signal path 23a to be transmitted, and a signal path 23b having a high-pass filter characteristic and transmitting a DCS signal. The GSM diode switch 21 includes a terminal a21 connected to the diplexer 23, a terminal a22 to which the transmission signal Tx1 is input from the transmission circuit 281, and a reception signal Rx1
And a terminal a23 for outputting When transmitting, the GSM diode switch 21 is connected to the terminal a21 and the terminal a.
22 and the terminal a21 and the terminal a23 are connected during reception. The DCS diode switch 22 includes a terminal a 24 to which the diplexer 23 is connected, and a transmission circuit 2.
It has a terminal a25 to which the transmission signal Tx2 is inputted from 81 and a terminal a26 to output the reception signal Rx2 to the reception circuit 282. And the DCS diode switch 22 is
The terminal a24 and the terminal a25 are connected during transmission, and the terminal a24 and the terminal a26 are connected during reception.

【0006】複合高周波部品20の動作の例として、送
信回路281から出力されたGSMの送信信号Tx1が
アンテナ29から送信される場合と、アンテナ29から
受信されたGSMの受信信号Rx1が受信回路282に
入力される場合とについて説明する。GSMの送信信号
Tx1を送信する場合には、GSM用ダイオードスイッ
チ21の端子a21と端子a22とが接続され、端子a
21と端子a23とが切断される。そして、送信回路2
81から出力したGSMの送信信号Tx1は、配線28
1aを介して端子a22に入力され、信号経路23aを
介して、端子a27から出力され、アンテナ29から送
信される。また、GSMの受信信号Rx1を受信する場
合には、GSM用ダイオードスイッチ21の端子a21
と端子a23とが接続され、端子a21と端子a22と
が切断される。そして、アンテナ29で受信された受信
信号は、端子a27に入力され、端子a27に入力され
た受信信号のうちGSMの受信信号Rx1のみが信号経
路23a介して端子a23から配線282aを介して受
信回路282に入力されるこのように、複合高周波部品
20は、ダイプレクサ23には周波数帯域の広い900
MHzから1800MHzの送受信信号が入出力され、
GSM用ダイオードスイッチ21には周波数帯域の狭い
900MHzの近傍の送受信信号が入出力され、DCS
用ダイオードスイッチ22には周波数帯域の狭い180
0MHzの近傍の送受信信号が入出力される。そのた
め、送信信号と受信信号とを分離するためのスイッチと
して、周波数帯域の狭いダイオードスイッチが用いられ
ている。
As examples of the operation of the composite high-frequency component 20, the GSM transmission signal Tx1 output from the transmission circuit 281 is transmitted from the antenna 29, and the GSM reception signal Rx1 received from the antenna 29 is transmitted to the reception circuit 282. Will be described. When transmitting the GSM transmission signal Tx1, the terminals a21 and a22 of the GSM diode switch 21 are connected, and the terminal a
21 and the terminal a23 are disconnected. And the transmission circuit 2
The GSM transmission signal Tx1 output from the
The signal is input to terminal a22 via 1a, output from terminal a27 via signal path 23a, and transmitted from antenna 29. When the GSM reception signal Rx1 is received, the terminal a21 of the GSM diode switch 21 is received.
And the terminal a23 are connected, and the terminal a21 and the terminal a22 are disconnected. The reception signal received by the antenna 29 is input to the terminal a27, and among the reception signals input to the terminal a27, only the GSM reception signal Rx1 is transmitted from the terminal a23 via the signal path 23a to the reception circuit via the wiring 282a. As described above, the composite high-frequency component 20 input to the diplexer 23 has a wide frequency band of 900
From 1800 MHz to 1800 MHz,
The GSM diode switch 21 receives and transmits / receives a transmission / reception signal in the vicinity of 900 MHz having a narrow frequency band.
The diode switch 22 has a narrow frequency band 180.
A transmission / reception signal near 0 MHz is input / output. Therefore, a diode switch having a narrow frequency band is used as a switch for separating a transmission signal and a reception signal.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】複合高周波部品20
は、携帯電話などの通信装置30に搭載されるため、小
型化と低消費電力化が要求され、同時に、制御部分を簡
素化することで回路基板の小型化等を図ることも要求さ
れる。
SUMMARY OF THE INVENTION A composite high frequency component 20
Is mounted on the communication device 30 such as a mobile phone, so that downsizing and low power consumption are required, and at the same time, downsizing of the circuit board by simplifying the control part is also required.

【0008】複合高周波部品20の一部であり、コイル
やコンデンサ等で構成されるダイプレクサ23は、セラ
ミック多層基板内に構成することができ、小型化が可能
であり、電力の消費も少なく、制御をする必要もない。
The diplexer 23, which is a part of the composite high-frequency component 20 and is composed of a coil, a capacitor, and the like, can be formed in a ceramic multilayer substrate, can be reduced in size, consumes less power, and controls You don't have to.

【0009】一方、ダイオード、トランジスタ等で構成
されるGSM用ダイオードスイッチ21及びDCS用ダ
イオードスイッチ22は、セラミック多層基板内に構成
することが難しく、小型化が困難であり、電力の消費も
多く、制御をする必要もある。しかも、複合高周波部品
20は、用いる信号の規格の数に等しい二つのスイッチ
であるGSM用ダイオードスイッチ21及びDCS用ダ
イオードスイッチ22を有するため、複合高周波部品2
0の小型化が困難であり、電力の消費も多く、制御も複
雑になるという問題がある。
On the other hand, the GSM diode switch 21 and the DCS diode switch 22 each composed of a diode, a transistor, and the like are difficult to configure in a ceramic multilayer substrate, are difficult to reduce in size, consume a large amount of power, You also need to control. In addition, since the composite high-frequency component 20 has two switches, the GSM diode switch 21 and the DCS diode switch 22, which are equal to the number of signal standards to be used, the composite high-frequency component 2
However, there is a problem in that it is difficult to reduce the size of the device, the power consumption is large, and the control is complicated.

【0010】また、従来の複合高周波部品20によれ
ば、ダイプレクサ23、GSM用ダイオードスイッチ2
1及びDCS用ダイオードスイッチ22をディスクリー
トで一つ一つ回路基板上に実装するため、整合特性、減
衰特性、あるいはアイソレーション特性を確保するため
に、ダイプレクサ23と、GSM用ダイオードスイッチ
21及びDCS用ダイオードスイッチ22との間に整合
回路を付加する必要がある。そのため、部品点数が増加
し、また、それに伴って実装面積が増加し、小型化、低
コスト化が図れないという問題がある。
According to the conventional composite high-frequency component 20, the diplexer 23, the GSM diode switch 2
1 and the DCS diode switch 22 are discretely mounted on the circuit board one by one, and in order to ensure matching characteristics, attenuation characteristics, or isolation characteristics, the diplexer 23, the GSM diode switch 21 and the DCS It is necessary to add a matching circuit between the switch and the diode switch 22. Therefore, there is a problem that the number of components increases and the mounting area increases accordingly, so that miniaturization and cost reduction cannot be achieved.

【0011】更に、一般に複合高周波部品を用いた通信
装置を設計する際には、複合高周波部品と、通信装置か
ら複合高周波部品を除いた部分とを個別に設計し、最後
に両者を組み合わせるという工程がとられる。そして、
複合高周波部品を除いた部分の設計においては、その回
路全体の構成を送信部と受信部とに分けて設計すること
が多い。ところが、従来の複合高周波部品20は、回路
全体の構成が送信部と受信部とではなく、通信システム
で分かれている。すなわち、GSM系の信号を送受信す
る部分であるGSM用ダイオードスイッチ21と、DC
S系の信号を送受信する部分であるDCS用ダイオード
スイッチ22とに分かれている。したがって、従来の複
合高周波部品20は、複合高周波部品を除いた部分と組
み合わせる際に、複合高周波部品と通信装置から複合高
周波部品を除いた部分との間の整合回路の設計が複雑に
なったり、接続するための回路配線が複雑になったりす
るという問題がある。
Further, in general, when designing a communication device using a composite high-frequency component, the composite high-frequency component and a portion of the communication device excluding the composite high-frequency component are individually designed, and finally, the two components are combined. Is taken. And
In the design of the part excluding the composite high-frequency component, it is often the case that the configuration of the entire circuit is divided into a transmitting unit and a receiving unit. However, in the conventional composite high-frequency component 20, the configuration of the entire circuit is divided not in the transmission unit and the reception unit but in the communication system. That is, a GSM diode switch 21 for transmitting and receiving GSM-based signals and a DC
It is divided into a DCS diode switch 22 that transmits and receives S-system signals. Therefore, when the conventional composite high-frequency component 20 is combined with a portion excluding the composite high-frequency component, the design of a matching circuit between the composite high-frequency component and the portion excluding the composite high-frequency component from the communication device becomes complicated, There is a problem that circuit wiring for connection is complicated.

【0012】そこで本発明は、用いるスイッチの数を減
らすことにより、小型化と、低消費電力化が図れ、制御
が容易になる複合高周波部品及びそれを用いた通信装置
を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a composite high-frequency component which can be reduced in size and power consumption by reducing the number of switches used, and which can be easily controlled, and a communication device using the same. I do.

【0013】また、本発明は、複合高周波部品の内部の
整合回路が不要又は整合調整が容易にでき、小型化と低
コスト化が図れる複合高周波部品及びそれを用いた通信
装置を提供することを目的とする。
Another object of the present invention is to provide a composite high-frequency component that does not require a matching circuit inside the composite high-frequency component or that can easily perform matching adjustment and that can be reduced in size and cost, and a communication device using the same. Aim.

【0014】更に、本発明は、高周波部品と、通信装置
から複合高周波部品を除いた部分とを組み合わせる際
に、両者の間に設ける整合回路の設計が容易になり、両
者を接続するための回路配線の簡素化が図れる複合高周
波部品及びそれを用いた通信装置を提供することを目的
とする。
Further, the present invention facilitates the design of a matching circuit provided between a high-frequency component and a portion obtained by removing a composite high-frequency component from a communication device, and a circuit for connecting the two components. It is an object of the present invention to provide a composite high-frequency component capable of simplifying wiring and a communication device using the same.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の複合高周波部品は、第一の入力端子と第二
の入力端子と第一の共通端子とを有する第一のダイプレ
クサと、第一の出力端子と第二の出力端子と第二の共通
端子とを有する第二のダイプレクサと、第三の入力端子
と第三の出力端子と第三の共通端子とを有し、前記第三
の入力端子と前記第三の出力端子とのいずれか一方が、
前記第三の共通端子に切替接続されるスイッチとを有
し、前記第一の共通端子が前記第三の入力端子に接続さ
れ、前記第二の共通端子が前記第三の出力端子に接続さ
れていることを特徴とする。
To achieve the above object, a composite high-frequency component according to the present invention comprises a first diplexer having a first input terminal, a second input terminal, and a first common terminal. A second diplexer having a first output terminal, a second output terminal, and a second common terminal, and having a third input terminal, a third output terminal, and a third common terminal, Either a third input terminal or the third output terminal,
A switch that is switchably connected to the third common terminal, wherein the first common terminal is connected to the third input terminal, and the second common terminal is connected to the third output terminal. It is characterized by having.

【0016】また、本発明の複合高周波部品は、前記ス
イッチがスイッチ動作をする周波数帯域は、前記第一の
ダイプレクサ又は前記第二のダイプレクサ又は前記スイ
ッチに入出力する信号の全周波数帯域を含むことを特徴
とする。
Further, in the composite high-frequency component according to the present invention, the frequency band in which the switch performs a switch operation includes the entire frequency band of signals input to and output from the first diplexer or the second diplexer or the switch. It is characterized by.

【0017】また、本発明の複合高周波部品は、多層基
板を有し、前記第一のダイプレクサ及び前記第二のダイ
プレクサ及び前記スイッチが、前記多層基板に搭載さ
れ、又は、前記多層基板の内部に構成されることによっ
て、前記多層基板に一体化されていることを特徴とす
る。
Further, the composite high-frequency component of the present invention has a multilayer substrate, wherein the first diplexer, the second diplexer, and the switch are mounted on the multilayer substrate, or inside the multilayer substrate. By being constituted, it is characterized by being integrated with the multilayer substrate.

【0018】また、本発明の複合高周波部品は、前記多
層基板が、電極が銅で形成されたセラミックス基板から
なる複数のシート層を低温焼成で焼成することにより形
成され、前記多層基板に含まれるインダクタがストリッ
プラインで構成されていることを特徴とする。
Further, in the composite high-frequency component of the present invention, the multilayer substrate is formed by firing a plurality of sheet layers made of a ceramic substrate having electrodes formed of copper by low-temperature firing, and is included in the multilayer substrate. It is characterized in that the inductor is constituted by a strip line.

【0019】また、本発明の複合高周波部品は、前記多
層基板に、前記スイッチが搭載されることを特徴とす
る。
Further, the composite high frequency component of the present invention is characterized in that the switch is mounted on the multilayer substrate.

【0020】また、本発明の複合高周波部品は、前記多
層基板が凹部を有し、前記スイッチは、前記凹部に搭載
され、前記スイッチを包むように前記凹部に樹脂が充填
されていることを特徴とする。
Further, in the composite high-frequency component according to the present invention, the multilayer substrate has a concave portion, the switch is mounted in the concave portion, and the resin is filled in the concave portion so as to surround the switch. I do.

【0021】また、本発明の複合高周波部品は、前記ス
イッチが、GaAs半導体からなることを特徴とする。
Further, the composite high frequency component of the present invention is characterized in that the switch is made of a GaAs semiconductor.

【0022】また、本発明の複合高周波部品は、フィル
タを有し、前記第一のダイプレクサ及び前記第二のダイ
プレクサ及び前記スイッチの少なくとも一つの端子は前
記フィルタに接続していることを特徴とする。
Further, the composite high frequency component of the present invention has a filter, and at least one terminal of the first diplexer, the second diplexer, and the switch is connected to the filter. .

【0023】また、本発明の通信装置は、前記複合高周
波部品を用いたことを特徴とする。
Further, a communication device according to the present invention is characterized in that the composite high frequency component is used.

【0024】このように構成することにより、本発明の
複合高周波部品は、用いるスイッチの数を減らすことが
できるため、小型化と、低消費電力化が図れ、制御が容
易になる。
With this configuration, the number of switches used in the composite high-frequency component of the present invention can be reduced, so that downsizing, low power consumption, and easy control can be achieved.

【0025】また、本発明の複合高周波部品は、回路全
体の構成を送信部である第一のダイプレクサと、受信部
である第二のダイプレクサとに分けることができるた
め、複合高周波部品と、通信装置から複合高周波部品を
除いた部分とを組み合わせる際に、両者の間に設ける整
合回路の設計が容易になり、また、両者を接続するため
の回路配線の簡素化を図ることがことができる。
In the composite high-frequency component of the present invention, the entire circuit can be divided into a first diplexer as a transmitting unit and a second diplexer as a receiving unit. When a part excluding the composite high-frequency component is combined with the device, a matching circuit provided between the two can be easily designed, and circuit wiring for connecting the two can be simplified.

【0026】また、本発明の複合高周波部品は、第一の
ダイプレクサと第二のダイプレクサとスイッチとを、多
層基板に一体化するため、第一のダイプレクサ又は第二
のダイプレクサとスイッチとの間の整合調整が容易とな
り、又は、整合調整を行う整合回路が不要となり、ま
た、高周波部品の小型化、低コスト化を図ることがこと
ができる。
In the composite high-frequency component of the present invention, the first diplexer, the second diplexer, and the switch are integrated into a multilayer substrate, so that the first diplexer or the second diplexer and the switch may be integrated. The matching adjustment is facilitated, or a matching circuit for performing the matching adjustment is not required, and the size and cost of the high-frequency component can be reduced.

【0027】また、本発明の複合高周波部品は、電極が
銅で形成されたセラミックス基板からなる複数のシート
層を低温焼成により焼成した多層基板を用いるため、高
周波特性を改善することができ、また、低コスト化を図
ることがことができる。
Further, the composite high-frequency component of the present invention uses a multilayer substrate obtained by firing a plurality of sheet layers made of a ceramic substrate having electrodes formed of copper by low-temperature firing, so that high-frequency characteristics can be improved. In addition, cost can be reduced.

【0028】また、本発明の複合高周波部品は、第一の
ダイプレクサと第二のダイプレクサとスイッチとを、多
層基板に一体化し、回路の配線も多層基板の表面又は内
部に構成されるため、配線による損失を低減することが
でき、その結果、複合高周波部品全体の低消費電力化を
図ることがことができる。
In the composite high-frequency component of the present invention, the first diplexer, the second diplexer, and the switch are integrated on the multilayer substrate, and the wiring of the circuit is formed on the surface or inside of the multilayer substrate. As a result, it is possible to reduce the power consumption of the entire composite high-frequency component.

【0029】また、本発明の複合高周波部品は、インダ
クタが多層基板内にストリップラインで構成されている
ため、波長短縮効果により、インダクタとなるストリッ
プライン電極の長さを短縮することができ、複合高周波
部品の小型化と低消費電力化とを図ることがことができ
る。
Further, in the composite high-frequency component of the present invention, since the inductor is constituted by the strip line in the multilayer substrate, the length of the strip line electrode serving as the inductor can be reduced by the wavelength shortening effect. High-frequency components can be reduced in size and power consumption can be reduced.

【0030】また、本発明の通信装置も、本発明の複合
高周波部品を搭載することによって同様の作用効果を奏
するものである。
The communication device of the present invention also has the same function and effect by mounting the composite high-frequency component of the present invention.

【0031】[0031]

【発明の実施の形態】図1に本発明の複合高周波部品の
一実施例のブロック図を示す。図1において、図7と同
一もしくは同等の部分には同じ記号を付し、その説明を
省略する。なお、以下の説明では、DCSとGSMのデ
ュアルバンド機である通信装置に用いる複合高周波部品
を例に用いて説明する。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a composite high-frequency component according to the present invention. 1, the same or equivalent parts as those in FIG. 7 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. In the following description, a composite high-frequency component used in a communication device that is a dual band device of DCS and GSM will be described as an example.

【0032】図1において、複合高周波部品10は、送
信部である第一のダイプレクサ1と、受信部である第二
のダイプレクサ2と、送信と受信とを切替えるスイッチ
3とを有している。第一のダイプレクサ1は、スイッチ
3に接続される第一の共通端子である端子a1と、GS
Mの送信信号Tx1が入力される第一の入力端子である
端子a2と、DCSの送信信号Tx2が入力される第二
の入力端子である端子a3と、端子a1と端子a2との
間のローパスフィルタ特性を有する送信信号経路1a
と、端子a1と端子a3との間のハイパスフィルタ特性
を有する送信信号経路1bとを有する。第二のダイプレ
クサ2は、スイッチ3に接続される第二の共通端子であ
る端子a4と、GSMの受信信号Rx1が出力される第
一の出力端子である端子a5と、DCSの受信信号Rx
2が出力される第二の出力端子である端子a6と、端子
a4と端子a5との間のローパスフィルタ特性を有する
受信信号経路2aと、端子a4と端子a6との間のハイ
パスフィルタ特性を有する受信信号経路2bとを有す
る。スイッチ3は、アンテナに接続される第三の共通端
子である端子a7と、第一のダイプレクサ1に接続され
る第三の入力端子である端子a8と、第二のダイプレク
サ2に接続される第三の出力端子である端子a9とを有
する。そして、スイッチ3は、送信時は端子a7が端子
a8に接続され、受信時は端子a7が端子a9に接続さ
れる。
In FIG. 1, the composite high-frequency component 10 has a first diplexer 1 as a transmitting unit, a second diplexer 2 as a receiving unit, and a switch 3 for switching between transmission and reception. The first diplexer 1 has a terminal a1 which is a first common terminal connected to the switch 3, and a GS
A terminal a2 which is a first input terminal to which the M transmission signal Tx1 is input, a terminal a3 which is a second input terminal to which the DCS transmission signal Tx2 is input, and a low-pass between the terminals a1 and a2. Transmission signal path 1a having filter characteristics
And a transmission signal path 1b having a high-pass filter characteristic between the terminal a1 and the terminal a3. The second diplexer 2 includes a terminal a4 as a second common terminal connected to the switch 3, a terminal a5 as a first output terminal from which a GSM reception signal Rx1 is output, and a DCS reception signal Rx
2 has a second output terminal, a terminal a6, a reception signal path 2a having a low-pass filter characteristic between the terminals a4 and a5, and a high-pass filter characteristic between the terminals a4 and a6. And a reception signal path 2b. The switch 3 includes a terminal a7 that is a third common terminal connected to the antenna, a terminal a8 that is a third input terminal connected to the first diplexer 1, and a terminal a8 that is connected to the second diplexer 2. And a terminal a9 which is a third output terminal. In the switch 3, the terminal a7 is connected to the terminal a8 during transmission, and the terminal a7 is connected to the terminal a9 during reception.

【0033】ここで、第一のダイプレクサ1の送信信号
経路1aはGSMの送信信号のみを通過させ、送信信号
経路1bはDCSの送信信号のみを通過させる。第二の
ダイプレクサ2の受信信号経路2aはGSMの受信信号
のみを通過させ、受信信号経路2bはDCSの受信信号
のみを通過させる。
Here, the transmission signal path 1a of the first diplexer 1 passes only GSM transmission signals, and the transmission signal path 1b passes only DCS transmission signals. The reception signal path 2a of the second diplexer 2 passes only GSM reception signals, and the reception signal path 2b passes only DCS reception signals.

【0034】このような構成を有する本発明の複合高周
波部品は、送信時は第一のダイプレクサ1に入力された
送信信号Tx1、Tx2をスイッチ3を介してアンテナ
から出力し、受信時はアンテナに入力された受信信号R
x1、Rx2をスイッチ3を介して第二のダイプレクサ
2から出力する。
The composite high-frequency component of the present invention having such a configuration outputs transmission signals Tx1 and Tx2 input to the first diplexer 1 from the antenna via the switch 3 during transmission, and outputs the transmission signals Tx1 and Tx2 to the antenna during reception. Input received signal R
x1 and Rx2 are output from the second diplexer 2 via the switch 3.

【0035】なお、GSMとDCSとのデュアルバンド
機の場合、送信信号Tx1が890MHzから915M
Hz、送信信号Tx2が1710MHzから1785M
Hz、受信信号Rx1が935MHzから965MH
z、受信信号Rx2が1805MHzから1880MH
zの周波数帯域であるので、スイッチ3は、最低でも8
90MHzから1880MHzの周波数帯域を持たなけ
ればならない。そして、このような周波数帯域の広いス
イッチとしては、GaAs半導体からなるスイッチなど
がある。ダイオードからなるスイッチの周波数帯域が3
00MHz程度であるのに対して、GaAs半導体から
なるスイッチの周波数帯域は1500MHzから200
0MHz程度である。
In the case of a GSM and DCS dual band device, the transmission signal Tx1 is 890 MHz to 915 MHz.
Hz, transmission signal Tx2 is 1710MHz to 1785M
Hz, reception signal Rx1 is 935 MHz to 965 MH
z, the received signal Rx2 is from 1805 MHz to 1880 MH
switch 3 is at least 8
It must have a frequency band from 90 MHz to 1880 MHz. Such a switch having a wide frequency band includes a switch made of a GaAs semiconductor. The frequency band of the switch composed of diodes is 3
The frequency band of the switch made of GaAs semiconductor is 1500 MHz to 200 MHz, while the frequency band is about 00 MHz.
It is about 0 MHz.

【0036】このように本発明の複合高周波部品10
は、周波数帯域の広いスイッチ3をアンテナとダイプレ
クサとの間に設けることにより、用いるスイッチの数が
一つで足りる、すなわち、用いるスイッチの数を減らす
ことができる。
As described above, the composite high-frequency component 10 of the present invention
By providing the switch 3 having a wide frequency band between the antenna and the diplexer, only one switch is required, that is, the number of switches used can be reduced.

【0037】また、本発明の複合高周波部品10は、周
波数帯域の広いスイッチ3をアンテナとダイプレクサと
の間に設けることにより、回路全体の構成を送信部であ
る第一のダイプレクサ1と、受信部である第二のダイプ
レクサ2とに分けることができる。
Further, in the composite high-frequency component 10 of the present invention, the switch 3 having a wide frequency band is provided between the antenna and the diplexer, so that the entire circuit configuration includes the first diplexer 1 as a transmitting unit and the receiving unit. And the second diplexer 2.

【0038】図2に本発明の複合高周波部品10の具体
的な回路図を示す。図2において、第一のダイプレクサ
1の送信信号経路1aは、コンデンサC1とコイルL1
とが並列に接続され、コイルL1の一端が端子a1に接
続され、コイルL1の他端がコンデンサC2を介して接
地されている。そして、コイルL1の他端は端子a2に
接続されている。このような構成を有する送信信号経路
1aは、915MHz以下の周波数帯域の信号を通過さ
せるローパスフィルタ特性を有する。一方、送信信号経
路1bは、コンデンサC3の一端が端子a1に接続さ
れ、コンデンサC3の他端がコンデンサC4の一端に接
続され、更にコイルL2とコンデンサC5とを順に介し
て接地されている。また、コンデンサC4の他端は端子
a3に接続されている。このような構成を有する送信信
号経路1bは1710MHz以上の周波数帯域の信号を
通過させるハイパスフィルタ特性を有する。
FIG. 2 shows a specific circuit diagram of the composite high-frequency component 10 of the present invention. In FIG. 2, the transmission signal path 1a of the first diplexer 1 includes a capacitor C1 and a coil L1.
Are connected in parallel, one end of the coil L1 is connected to the terminal a1, and the other end of the coil L1 is grounded via the capacitor C2. The other end of the coil L1 is connected to the terminal a2. The transmission signal path 1a having such a configuration has a low-pass filter characteristic for passing a signal in a frequency band of 915 MHz or less. On the other hand, in the transmission signal path 1b, one end of the capacitor C3 is connected to the terminal a1, the other end of the capacitor C3 is connected to one end of the capacitor C4, and further grounded via the coil L2 and the capacitor C5. The other end of the capacitor C4 is connected to the terminal a3. The transmission signal path 1b having such a configuration has a high-pass filter characteristic for passing a signal in a frequency band of 1710 MHz or more.

【0039】また、第二のダイプレクサ2において、受
信信号経路2aは、コンデンサC6とコイルL3とが並
列に接続され、コイルL3の一端が端子a4に接続さ
れ、コイルL3の他端がコンデンサC7を介して接地さ
れている。そして、コイルL3の他端は端子a5に接続
されている。このような構成を有する受信信号経路2a
は、965MHz以下の周波数帯域の信号を通過させる
ローパスフィルタ特性を有する。一方、受信信号経路2
bは、コンデンサC8の一端が端子a4に接続され、コ
ンデンサC8の他端がコンデンサC9の一端に接続さ
れ、更にコイルL4とコンデンサC10とを順に介して
接地されている。また、コンデンサC9の他端は端子a
6に接続されている。このような構成を有する受信信号
経路2bは、1805MHz以上の周波数帯域の信号を
通過させるハイパスフィルタ特性を有する。
In the second diplexer 2, the reception signal path 2a is connected to the capacitor C6 and the coil L3 in parallel, one end of the coil L3 is connected to the terminal a4, and the other end of the coil L3 is connected to the capacitor C7. Grounded. The other end of the coil L3 is connected to the terminal a5. Received signal path 2a having such a configuration
Has a low-pass filter characteristic of passing a signal in a frequency band of 965 MHz or less. On the other hand, reception signal path 2
In b, one end of the capacitor C8 is connected to the terminal a4, the other end of the capacitor C8 is connected to one end of the capacitor C9, and further grounded via the coil L4 and the capacitor C10 in this order. The other end of the capacitor C9 is connected to a terminal a.
6 is connected. The reception signal path 2b having such a configuration has a high-pass filter characteristic for passing a signal in a frequency band of 1805 MHz or more.

【0040】また、スイッチ3において、端子a7と端
子a8とはトランジスタTr1を介して接続され、端子
a7と端子a9とはトランジスタTr2を介して接続さ
れている。トランジスタTr1、Tr2のゲートはそれ
ぞれR1、R2を介して制御端子Vc1、Vc2に接続
されている。
In the switch 3, the terminals a7 and a8 are connected via a transistor Tr1, and the terminals a7 and a9 are connected via a transistor Tr2. The gates of the transistors Tr1 and Tr2 are connected to control terminals Vc1 and Vc2 via R1 and R2, respectively.

【0041】このような構成を有する本発明の複合高周
波部品10は、トランジスタTr1及びTr2の一方の
みがONとなるように、制御端子Vc1、Vc2に制御
電圧が印加される。送信時には、トランジスタTr1が
ON状態にされ、端子a7と端子a8とが接続される。
そして、端子a2もしくはa3から入力される送信信号
Tx1もしくはTx2は、送信信号経路1aもしくは1
bを介してスイッチ3に入力され、端子a7から出力さ
れる。受信時には、トランジスタTr2がON状態にさ
れ、端子a7と端子a9とが接続される。そして、端子
a7からスイッチ3に入力される受信信号Rx1、Rx
2は、受信信号経路2a、2bを介して、端子a5、a
6から出力される。
In the composite high-frequency component 10 of the present invention having such a configuration, a control voltage is applied to the control terminals Vc1 and Vc2 such that only one of the transistors Tr1 and Tr2 is turned on. At the time of transmission, the transistor Tr1 is turned on, and the terminals a7 and a8 are connected.
The transmission signal Tx1 or Tx2 input from the terminal a2 or a3 is transmitted to the transmission signal path 1a or 1x.
The signal is input to the switch 3 via b and output from the terminal a7. At the time of reception, the transistor Tr2 is turned on, and the terminals a7 and a9 are connected. The received signals Rx1 and Rx input to the switch 3 from the terminal a7
2 are connected to terminals a5 and a5 via the reception signal paths 2a and 2b.
6 is output.

【0042】図3及び図4に、本発明の複合高周波部品
10の具体的な構成を示す。図3は複合高周波部品10
の斜視図を示しており、図4は複合高周波部品10の1
0a−10a断面図を示している。
FIGS. 3 and 4 show a specific structure of the composite high-frequency component 10 of the present invention. FIG. 3 shows a composite high-frequency component 10
FIG. 4 is a perspective view of the composite high-frequency component 10.
FIG. 10 shows a cross-sectional view taken along the line 0a-10a.

【0043】図3において、複合高周波部品10は、セ
ラミックで構成された多層基板8aの側面及び底面に、
端子a2、a3、a5、a6、a7と、制御端子Vc
1、Vc2と、端子GNDとがスクリーン印刷などによ
り形成されている。また、多層基板8aの上面には、凹
部8a1が設けられ、凹部8a1にはベアチップIC1
が搭載されている。ベアチップIC1の内部には、トラ
ンジスタTr1、Tr2と、抵抗R1、R2とが構成さ
れている。なお、凹部8a1には、ベアチップIC1を
包むように樹脂が充填されるが、ここでは図示を省略し
ている。
In FIG. 3, a composite high-frequency component 10 is provided on the side and bottom surfaces of a multilayer substrate 8a made of ceramic.
Terminals a2, a3, a5, a6, a7 and a control terminal Vc
1, Vc2 and the terminal GND are formed by screen printing or the like. Also, a concave portion 8a1 is provided on the upper surface of the multilayer substrate 8a, and the bare chip IC1 is provided in the concave portion 8a1.
Is installed. Inside the bare chip IC1, transistors Tr1 and Tr2 and resistors R1 and R2 are configured. Although the concave portion 8a1 is filled with resin so as to surround the bare chip IC1, it is not shown here.

【0044】また、図3では図示を省略しているが、図
4において複合高周波部品10は、多層基板8aの内部
に第一のダイプレクサ1と第二のダイプレクサ2とが構
成され、凹部8a1に凸部8a2が設けられている。そ
して、多層基板8aの内部に設けた第一のダイプレクサ
1は、ベアチップIC1の内部に構成されたトランジス
タTr1にビアホール8d1とワイヤ8c1とを介して
接続されている。また、多層基板8aの側面及び底面に
形成した端子a7は、トランジスタTr1にビアホール
8d2とワイヤ8c2とを介して接続している。そし
て、凹部8a1には、ベアチップIC1を包むように樹
脂8bが充填されている。
Although not shown in FIG. 3, the composite high-frequency component 10 in FIG. 4 has a first diplexer 1 and a second diplexer 2 formed inside a multilayer substrate 8a, and a concave portion 8a1. The projection 8a2 is provided. The first diplexer 1 provided inside the multilayer substrate 8a is connected to the transistor Tr1 configured inside the bare chip IC1 via the via hole 8d1 and the wire 8c1. Further, terminals a7 formed on the side and bottom surfaces of the multilayer substrate 8a are connected to the transistor Tr1 via the via holes 8d2 and the wires 8c2. The recess 8a1 is filled with a resin 8b so as to surround the bare chip IC1.

【0045】ここで、ベアチップIC1の高さに略一致
した凸部8a2を設けることにより、ワイヤ8c1とビ
アホール8d1、及び、ワイヤ8c2とビアホール8d
2とを接続する配線作業が容易になり、作業効率がよく
なる。
Here, the wire 8c1 and the via hole 8d1, and the wire 8c2 and the via hole 8d are provided by providing the convex portion 8a2 substantially corresponding to the height of the bare chip IC1.
2 can be easily connected, and work efficiency can be improved.

【0046】このような構成を有する複合高周波部品1
0は、多層基板8aの凹部8a1に搭載したベアチップ
及びワイヤを包むように樹脂8bが充填されている。し
たがって、凹部8a1に搭載したベアチップとワイヤと
を、外部の衝撃等から保護することができる。
The composite high frequency component 1 having such a configuration
No. 0 is filled with a resin 8b so as to surround the bare chip and the wire mounted on the concave portion 8a1 of the multilayer substrate 8a. Therefore, the bare chip and the wire mounted in the concave portion 8a1 can be protected from external impact and the like.

【0047】また、コイルやコンデンサがストリップラ
イン電極で構成され、セラミック基板に内蔵、あるいは
搭載されているため、波長短縮効果により、ストリップ
ライン電極の長さを短縮することができる。従って、こ
れらのストリップライン電極の挿入損失を減らすことが
できるので、複合高周波部品の小型化及び低消費電力化
を実現することができる。
Further, since the coil and the capacitor are formed of the strip line electrode and are built in or mounted on the ceramic substrate, the length of the strip line electrode can be shortened by the wavelength shortening effect. Therefore, since the insertion loss of these stripline electrodes can be reduced, the size and power consumption of the composite high-frequency component can be reduced.

【0048】また、多層基板8aは、酸化バリウム、酸
化アルミニウム、シリカを主成分としたセラミックスか
らなるシート層のそれぞれに、ストリップラインなどの
回路要素をスクリーン印刷などにより印刷し、それらを
上から順次積層し、1000度以下の焼成温度で焼成す
ることにより形成することが望ましい。このような、低
温焼結セラミック基板を用いることにより、銀やパラジ
ウムなどの代わりに、銅等を用いて電極を形成すること
ができる。複合高周波部品10の電極に銅を用いた場合
は、銀やパラジウムなどを用いた場合に比べて、Q値等
の高周波特性が良くなり、また、製造コストが低くな
る。なお、本実施例においては、多層基板にベアチップ
が一つのみ搭載されている実施例を用いて説明したが、
ベアチップやその他の回路素子が複数個搭載されていて
もよい。
The multilayer substrate 8a is formed by printing circuit elements such as strip lines on each of the sheet layers made of ceramics containing barium oxide, aluminum oxide, and silica as main components by screen printing or the like, and sequentially printing them from the top. It is desirable to form by laminating and firing at a firing temperature of 1000 degrees or less. By using such a low-temperature sintered ceramic substrate, an electrode can be formed using copper or the like instead of silver or palladium. When copper is used for the electrodes of the composite high-frequency component 10, the high-frequency characteristics such as the Q value are improved and the manufacturing cost is lower than when silver or palladium is used. In the present embodiment, the description has been made using the embodiment in which only one bare chip is mounted on the multilayer substrate,
A plurality of bare chips and other circuit elements may be mounted.

【0049】図5に本発明の複合高周波部品の別の実施
例であるブロック図を示す。図5において、図1と同一
もしくは同等の部分には同じ記号を付し、説明を省略す
る。
FIG. 5 is a block diagram showing another embodiment of the composite high-frequency component of the present invention. In FIG. 5, the same or equivalent parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0050】図5において、複合高周波部品11は、端
子a7と端子a8、端子a9との間にバンドパスフィル
タ特性を持つフィルタ7aを有し、端子a8と端子a1
との間にローパスフィルタ特性を持つフィルタ7bを有
し、端子a9と端子a4との間にバンドパスフィルタ特
性を持つフィルタ7cを有している。そして、フィルタ
7aはアンテナに入出力される送受信信号のノイズを除
去し、フィルタ7bは第一のダイプレクサ1から入力さ
れる送信信号のノイズを除去し、フィルタ7cは第二の
ダイプレクサ2に入力される受信信号のノイズを除去す
る。
In FIG. 5, the composite high-frequency component 11 has a filter 7a having a band-pass filter characteristic between the terminals a7 and a8 and the terminal a9.
And a filter 7b having a band-pass filter characteristic between the terminals a9 and a4. The filter 7a removes the noise of the transmission / reception signal input / output to / from the antenna, the filter 7b removes the noise of the transmission signal input from the first diplexer 1, and the filter 7c inputs the noise to the second diplexer 2. To remove noise from the received signal.

【0051】このような構成を有する複合高周波部品1
1は、フィルタ7a,7b,7cを多層基板に一体化す
ることができるため、フィルタ7a,7b,7cと、ス
イッチ3と、第一のダイプレクサ1と、第二のダイプレ
クサ2との間の整合調整が容易になり、又は、整合回路
を設ける必要がなくなる。
The composite high frequency component 1 having such a configuration
1 can match the filters 7a, 7b, 7c with the switch 3, the first diplexer 1, and the second diplexer 2 because the filters 7a, 7b, 7c can be integrated with the multilayer substrate. Adjustment is facilitated, or it is not necessary to provide a matching circuit.

【0052】なお、図5においては、フィルタ7a,7
b,7cを図示したが、フィルタ7a,7b,7cの内
の一つ、または二つだけ設けてもよいし、端子a1と端
子a2、端子a3との間、又は、端子a4と端子a5、
端子a6との間などに設けてもよい。また、フィルタ7
a,7b,7cは、多層基板表面に構成しても、多層基
板の内部に構成してもよい。また、フィルタとしては、
ハイパスフィルタ、ローパスフィルタ、バンドパスフィ
ルタ及びノッチフィルタ等の任意のフィルタを適宜用い
ることができる。
In FIG. 5, the filters 7a, 7
Although b and 7c are illustrated, one or two of the filters 7a, 7b and 7c may be provided, or between the terminals a1 and a2 and the terminal a3, or between the terminals a4 and a5,
It may be provided between the terminal a6 and the like. Filter 7
a, 7b, and 7c may be configured on the surface of the multilayer substrate or may be configured inside the multilayer substrate. Also, as a filter,
Arbitrary filters such as a high-pass filter, a low-pass filter, a band-pass filter, and a notch filter can be appropriately used.

【0053】図6に、本発明の通信装置を示す。図6に
おいて、通信装置12は、図1で説明した複合高周波部
品10とアンテナ9と送信回路81と受信回路82とを
有する。アンテナ9は端子a7に接続されている。送信
回路81は配線81aを介して端子a2に接続され、配
線81bを介して端子a3に接続されている。受信回路
82は配線82aを介して端子a5に接続され、配線8
2bを介して端子a6に接続されている。
FIG. 6 shows a communication device of the present invention. 6, the communication device 12 includes the composite high-frequency component 10, the antenna 9, the transmission circuit 81, and the reception circuit 82 described in FIG. The antenna 9 is connected to the terminal a7. The transmission circuit 81 is connected to a terminal a2 via a wiring 81a and to a terminal a3 via a wiring 81b. The receiving circuit 82 is connected to the terminal a5 via the wiring 82a,
It is connected to terminal a6 via 2b.

【0054】このような構成を有する通信装置12は、
複合高周波部品10の回路全体の構成が、送信部である
第一のダイプレクサ1と、受信部である第二のダイプレ
クサ2とに分かれている。したがって、複合高周波部品
10を用いた通信装置12を設計する際には、通信装置
12から複合高周波部品10を除いた部分である送信回
路81と受信回路82とを、複合高周波部品10とは別
に設計し、最後にこれらを組み合わせるという工程をと
ることができる。したがって、通信装置12は、複合高
周波部品10と送信回路81と受信回路82とを組み合
わせる際に、整合回路の設計が容易であり、接続するた
めの回路配線が簡素化できる。
The communication device 12 having such a configuration is
The configuration of the entire circuit of the composite high-frequency component 10 is divided into a first diplexer 1 as a transmitting unit and a second diplexer 2 as a receiving unit. Therefore, when designing the communication device 12 using the composite high-frequency component 10, the transmission circuit 81 and the reception circuit 82, which are parts of the communication device 12 excluding the composite high-frequency component 10, are separately provided from the composite high-frequency component 10. It is possible to take steps of designing and finally combining these. Therefore, when the communication device 12 combines the composite high frequency component 10, the transmission circuit 81, and the reception circuit 82, the design of the matching circuit is easy, and the circuit wiring for connection can be simplified.

【0055】なお、図6において、フィルタを有してい
ない複合高周波部品10を用いて説明したが、通信装置
12が図5に示す複合高周波部品11のようにフィルタ
を有してもよいことは言うまでもない。
Although the description has been given using the composite high-frequency component 10 having no filter in FIG. 6, the communication device 12 may have a filter like the composite high-frequency component 11 shown in FIG. Needless to say.

【0056】また、上記各実施例においては、ハイパス
フィルタ特性とローパスフィルタ特性とを持つダイプレ
クサを用いて説明したが、この組み合わせ以外にも、ハ
イパスフィルタ特性、ローパスフィルタ特性、バンドパ
スフィルタ特性及びノッチフィルタ特性等を任意に組み
合わせたダイプレクサを用いても同様の作用効果を奏す
るものであることは言うまでもない。また、本発明の複
合高周波部品に用いる送信信号又は受信信号の規格とし
ては、GSMやDCSのほか、PCS、W−CDMA、
DECT、AMPS、PDC800,PHS等でもよ
い。また、スイッチとしてFETを用いて説明したが、
トランジスタ、ダイオードなどを用いてもよい。さら
に、コンデンサやコイルは、多層基板の内部に設けて
も、外部に設けてもよく、各ダイプレクサは、必ずしも
多層基板を用いて構成する必要はない。
In each of the above embodiments, the diplexer having the high-pass filter characteristic and the low-pass filter characteristic has been described. However, other than this combination, the high-pass filter characteristic, the low-pass filter characteristic, the band-pass filter characteristic, and the notch may be used. It goes without saying that a similar effect can be obtained even if a diplexer having any combination of filter characteristics and the like is used. In addition, GSM and DCS, besides GSM and DCS, PCS, W-CDMA,
DECT, AMPS, PDC800, PHS or the like may be used. Also, although the description has been made using the FET as the switch,
A transistor, a diode, or the like may be used. Further, the capacitor and the coil may be provided inside or outside the multilayer substrate, and each diplexer does not necessarily need to be configured using the multilayer substrate.

【0057】[0057]

【発明の効果】本発明の複合高周波部品は、周波数帯域
の広いスイッチをアンテナとダイプレクサとの間に設け
ることにより、用いるスイッチの数を減らすことができ
るため、小型化と、低消費電力化が図れ、制御が容易に
なる。
According to the composite high-frequency component of the present invention, the number of switches used can be reduced by providing a switch having a wide frequency band between the antenna and the diplexer. Control becomes easy.

【0058】また、本発明の複合高周波部品は、周波数
帯域の広いスイッチをアンテナとダイプレクサとの間に
設けることにより、回路全体の構成を送信部である第一
のダイプレクサと、受信部である第二のダイプレクサと
に分けることができるため、複合高周波部品と、通信装
置から複合高周波部品を除いた部分とを組み合わせる際
に、両者の間に設ける整合回路の設計が容易になり、ま
た、両者を接続するための回路配線の簡素化を図ること
がことができる。
In the composite high-frequency component of the present invention, a switch having a wide frequency band is provided between the antenna and the diplexer, so that the entire circuit configuration is changed to the first diplexer as the transmitting unit and the second diplexer as the receiving unit. Since it can be divided into two diplexers, when a composite high-frequency component is combined with a part excluding the composite high-frequency component from a communication device, it is easy to design a matching circuit provided between the two components. The circuit wiring for connection can be simplified.

【0059】また、本発明の複合高周波部品は、第一の
ダイプレクサと第二のダイプレクサとスイッチとを、多
層基板に一体化するため、第一のダイプレクサ又は第二
のダイプレクサとスイッチとの間の整合調整が容易とな
り、又は、整合調整を行う整合回路が不要となり、ま
た、高周波部品の小型化、低コスト化を図ることがこと
ができる。
Further, in the composite high-frequency component of the present invention, the first diplexer, the second diplexer and the switch are integrated into the multilayer substrate. The matching adjustment is facilitated, or a matching circuit for performing the matching adjustment is not required, and the size and cost of the high-frequency component can be reduced.

【0060】また、本発明の複合高周波部品は、電極が
銅で形成されたセラミックス基板からなる複数のシート
層を低温焼成により焼成した多層基板を用いるため、高
周波特性を改善することができ、また、低コスト化を図
ることがことができる。
Further, the composite high-frequency component of the present invention uses a multilayer substrate obtained by firing a plurality of sheet layers made of a ceramic substrate having electrodes formed of copper by low-temperature firing, so that high-frequency characteristics can be improved. In addition, cost can be reduced.

【0061】また、本発明の複合高周波部品は、第一の
ダイプレクサと第二のダイプレクサとスイッチとを、多
層基板に一体化し、回路の配線も多層基板の表面又は内
部に構成されるため、配線による損失を低減することが
でき、その結果、複合高周波部品全体の低消費電力化を
図ることがことができる。
In the composite high frequency component of the present invention, the first diplexer, the second diplexer, and the switch are integrated on the multilayer substrate, and the circuit wiring is also formed on the surface or inside the multilayer substrate. As a result, it is possible to reduce the power consumption of the entire composite high-frequency component.

【0062】また、本発明の複合高周波部品は、インダ
クタが多層基板内にストリップラインで構成されている
ため、波長短縮効果により、インダクタとなるストリッ
プライン電極の長さを短縮することができ、複合高周波
部品の小型化と低消費電力化とを図ることがことができ
る。
Further, in the composite high-frequency component of the present invention, since the inductor is formed of the strip line in the multilayer substrate, the length of the strip line electrode serving as the inductor can be shortened by the wavelength shortening effect. High-frequency components can be reduced in size and power consumption can be reduced.

【0063】そして、本発明の通信装置も、本発明の複
合高周波部品を搭載することによって同様の効果を奏す
るものである。
The communication device of the present invention also has a similar effect by mounting the composite high-frequency component of the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の複合高周波部品の一実施例を示すブロ
ック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of a composite high-frequency component of the present invention.

【図2】図1の複合高周波部品の具体例を示す回路図で
ある。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a specific example of the composite high-frequency component of FIG.

【図3】図1の複合高周波部品の具体例を示す斜視図で
ある。
FIG. 3 is a perspective view showing a specific example of the composite high-frequency component of FIG.

【図4】図3の複合高周波部品の10a−10a断面図
である。
FIG. 4 is a cross-sectional view of the composite high-frequency component of FIG. 3 taken along the line 10a-10a.

【図5】本発明の複合高周波部品の別の実施例を示すブ
ロック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing another embodiment of the composite high-frequency component of the present invention.

【図6】本発明の通信装置の一実施例を示すブロック図
である。
FIG. 6 is a block diagram showing one embodiment of the communication device of the present invention.

【図7】従来の通信装置を示すブロック図である。FIG. 7 is a block diagram showing a conventional communication device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10、11…複合高周波部品 12…通信装置 1…第一のダイプレクサ 2…第二のダイプレクサ 3…スイッチ 1a、1b…送信信号経路 2a、2b…受信信号経路 Tx1、Tx2…送信信号 Rx1、Rx2…受信信号 81…送信回路 82…受信回路 9…アンテナ 10, 11: composite high frequency component 12: communication device 1: first diplexer 2: second diplexer 3: switch 1a, 1b: transmission signal path 2a, 2b: reception signal path Tx1, Tx2: transmission signal Rx1, Rx2 ... Received signal 81: Transmission circuit 82: Receiving circuit 9: Antenna

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H04B 1/50 H04B 1/50 (72)発明者 武藤 英樹 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 上嶋 孝紀 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 中島 規巨 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Fターム(参考) 5J006 KA01 KA11 KA24 LA21 PB00 5J012 BA03 5J024 AA01 BA11 CA09 DA01 EA01 EA02 5K011 BA03 BA10 DA02 DA21 JA01 KA01 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H04B 1/50 H04B 1/50 (72) Inventor Hideki Muto 2-26-10 Tenjin, Nagaokakyo-shi, Nagaoka, Kyoto Stock (72) Inventor Takanori Uejima 2-26-10 Tenjin, Nagaokakyo-shi, Kyoto Stock Company Murata Manufacturing Co., Ltd. (72) Inventor Norio Nakajima 2-26-10 Tenjin, Nagaokakyo-shi Kyoto Prefecture Murata Manufacturing Company F term (reference) 5J006 KA01 KA11 KA24 LA21 PB00 5J012 BA03 5J024 AA01 BA11 CA09 DA01 EA01 EA02 5K011 BA03 BA10 DA02 DA21 JA01 KA01

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第一の入力端子と第二の入力端子と第一
の共通端子とを有する第一のダイプレクサと、 第一の出力端子と第二の出力端子と第二の共通端子とを
有する第二のダイプレクサと、 第三の入力端子と第三の出力端子と第三の共通端子とを
有し、前記第三の入力端子と前記第三の出力端子とのい
ずれか一方が、前記第三の共通端子に切替接続されるス
イッチとを有し、 前記第一の共通端子が前記第三の入力端子に接続され、
前記第二の共通端子が前記第三の出力端子に接続されて
いることを特徴とする複合高周波部品。
A first diplexer having a first input terminal, a second input terminal, and a first common terminal; and a first output terminal, a second output terminal, and a second common terminal. Having a second diplexer, having a third input terminal, a third output terminal, and a third common terminal, wherein one of the third input terminal and the third output terminal is A switch that is switchably connected to a third common terminal, wherein the first common terminal is connected to the third input terminal,
The composite high-frequency component, wherein the second common terminal is connected to the third output terminal.
【請求項2】 前記スイッチがスイッチ動作をする周波
数帯域は、前記第一のダイプレクサ又は前記第二のダイ
プレクサ又は前記スイッチに入出力する信号の全周波数
帯域を含むことを特徴とする、請求項1に記載の複合高
周波部品。
2. The frequency band in which the switch performs a switch operation includes the entire frequency band of signals input / output to / from the first diplexer or the second diplexer or the switch. A composite high-frequency component according to item 1.
【請求項3】 多層基板を有し、 前記第一のダイプレクサ及び前記第二のダイプレクサ及
び前記スイッチが、前記多層基板に搭載され、又は、前
記多層基板の内部に構成されることによって、前記多層
基板に一体化されていることを特徴とする、請求項1又
は2に記載の複合高周波部品。
3. The multi-layer board according to claim 1, further comprising a multi-layer board, wherein the first diplexer, the second diplexer, and the switch are mounted on the multi-layer board or configured inside the multi-layer board. The composite high-frequency component according to claim 1, wherein the composite high-frequency component is integrated with a substrate.
【請求項4】 前記多層基板は、電極が銅で形成された
セラミックス基板からなる複数のシート層を低温焼成で
焼成することにより形成され、前記多層基板に含まれる
インダクタがストリップラインで構成されていることを
特徴とする、請求項3に記載の複合高周波部品。
4. The multilayer substrate is formed by firing a plurality of sheet layers made of a ceramic substrate having electrodes formed of copper by low-temperature firing, and an inductor included in the multilayer substrate is configured by a strip line. The composite high-frequency component according to claim 3, wherein:
【請求項5】 前記多層基板に、前記スイッチが搭載さ
れることを特徴とする、請求項3又は4に記載の複合高
周波部品。
5. The composite high-frequency component according to claim 3, wherein the switch is mounted on the multilayer substrate.
【請求項6】 前記多層基板は凹部を有し、前記スイッ
チは、前記凹部に搭載され、前記スイッチを包むように
前記凹部に樹脂が充填されていることを特徴とする、請
求項5に記載の複合高周波部品。
6. The multi-layer substrate according to claim 5, wherein the multilayer substrate has a concave portion, the switch is mounted in the concave portion, and the concave portion is filled with resin so as to surround the switch. Composite high frequency components.
【請求項7】 前記スイッチは、GaAs半導体からな
ることを特徴とする、請求項1乃至6のいずれかに記載
の複合高周波部品。
7. The composite high-frequency component according to claim 1, wherein said switch is made of a GaAs semiconductor.
【請求項8】 フィルタを有し、 前記第一のダイプレクサ及び前記第二のダイプレクサ及
び前記スイッチの少なくとも一つの端子は前記フィルタ
に接続していることを特徴とする、請求項1乃至7のい
ずれかに記載の複合高周波部品。
8. The filter according to claim 1, further comprising a filter, wherein at least one terminal of the first diplexer, the second diplexer, and the switch is connected to the filter. A composite high-frequency component according to any of the above.
【請求項9】 請求項1乃至8のいずれかに記載の複合
高周波部品を用いたことを特徴とする通信装置。
9. A communication device using the composite high-frequency component according to claim 1.
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