JP2001183540A - Optical waveguide device, coherent light source, integrated unit, and optical pickup device - Google Patents

Optical waveguide device, coherent light source, integrated unit, and optical pickup device

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JP2001183540A
JP2001183540A JP2000312717A JP2000312717A JP2001183540A JP 2001183540 A JP2001183540 A JP 2001183540A JP 2000312717 A JP2000312717 A JP 2000312717A JP 2000312717 A JP2000312717 A JP 2000312717A JP 2001183540 A JP2001183540 A JP 2001183540A
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optical waveguide
light
substrate
optical
waveguide device
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JP2000312717A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasuo Kitaoka
康夫 北岡
Kenichi Kasasumi
研一 笠澄
Kiminori Mizuuchi
公典 水内
Kazuhisa Yamamoto
和久 山本
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve problems that a coherent light source which uses a conventional optical waveguide device (1) increases in size along the optical axis, (2) induces a light source noise owing to the feedback of a light reflected by a waveguide projection end surface to the light source, and (3) generates an interference noise owing to the rereflection of external reflected light on the optical waveguide projection end surface. SOLUTION: This optical waveguide device is equipped with a substrate (1) which has a 1st surface (S1) and a 2nd surface (S2) and an optical waveguide (3) which is formed on the 1st surface (S1) of the substrate (1) and has a light incidence end surface and a slanting surface slanting to the optical waveguide (3); and a waveguide light which is made incident on the optical waveguide (3) from the light incidence end surface is totally reflected by the slanting surface (4) and projected from the 1st surface (S1) or 2nd surface (S2) of the substrate (1).

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光情報処理分野お
よび光通信分野等に利用される光導波路デバイス、コヒ
ーレント光源、それを用いた集積化ユニットおよび光ピ
ックアップ装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical waveguide device, a coherent light source, an integrated unit using the same, and an optical pickup device used in the fields of optical information processing and optical communication.

【0002】[0002]

【従来の技術】光情報処理分野において、光ディスクの
情報高密度化およびディスプレイの高精細化を実現する
ためには、小型の短波長光源が必要とされている。この
短波長化のための技術として、従来、半導体レーザと擬
似位相整合(以下、QPMと記す)方式の光導波路型波
長変換(山本他、Optics Letters Vo
l.16, No.15, 1156(1991))デ
バイスを用いた第2高調波発生(以下、SHGと記す)
技術が知られている。
2. Description of the Related Art In the field of optical information processing, a compact short-wavelength light source is required in order to realize high-density information on an optical disk and high definition of a display. As a technique for shortening the wavelength, conventionally, an optical waveguide type wavelength conversion (Yamamoto et al., Optics Letters Vo) of a quasi-phase matching (hereinafter, referred to as QPM) method with a semiconductor laser.
l. 16, No. 15, 1156 (1991)) Second harmonic generation using a device (hereinafter referred to as SHG)
The technology is known.

【0003】図20に、光導波路型波長変換デバイス8
3を用いたSHG青色レーザ2000の概略構成図を示
す。ここでは、半導体レーザとして分布ブラッグ反射
(以下、DBRと記す)領域を有する波長可変型半導体
レーザ80が用いられている。以下、DBR領域を有す
る波長可変型の半導体レーザを波長可変DBR半導体レ
ーザと記す。この波長可変DBR半導体レーザ80は、
0.85μm帯の100mW級AlGaAs系DBR半
導体レーザであり、活性領域81とDBR領域82を備
える。このDBR領域82への注入電流を変化させるこ
とにより、半導体レーザの発振波長を変化させることが
できる。そして、波長変換素子である光導波路型波長変
換デバイス83は、X板(基板に垂直な方向が結晶のX
軸である基板)MgOドープLiNbO3基板上に形成
された光導波路84と周期的な分極反転領域85から構
成されている。上記波長可変DBR半導体レーザ80の
出射面から出射されたレーザ光は、光導波路型波長変換
デバイス83の光導波路84に結合される。この図20
の構成では、100mWのレーザ出力に対して60mW
のレーザ光が光導波路に結合した。そして波長可変DB
R半導体レーザ80のDBR領域82への注入電流量を
制御して、発振波長を光導波路型波長変換デバイス83
の位相整合波長許容度内に固定することにより、波長4
25nmの青色光が10mW程度得られる。
FIG. 20 shows an optical waveguide type wavelength conversion device 8.
FIG. 2 shows a schematic configuration diagram of an SHG blue laser 2000 using the No. 3 laser. Here, a tunable semiconductor laser 80 having a distributed Bragg reflection (hereinafter referred to as DBR) region is used as the semiconductor laser. Hereinafter, a tunable semiconductor laser having a DBR region is referred to as a tunable DBR semiconductor laser. This wavelength tunable DBR semiconductor laser 80
This is a 100 mW-class AlGaAs-based DBR semiconductor laser in the 0.85 μm band, and includes an active region 81 and a DBR region 82. By changing the current injected into the DBR region 82, the oscillation wavelength of the semiconductor laser can be changed. The optical waveguide type wavelength conversion device 83, which is a wavelength conversion element, is provided with an X plate (X direction of a crystal perpendicular to the substrate).
The substrate is composed of an optical waveguide 84 formed on a MgO-doped LiNbO 3 substrate and a periodically poled region 85. The laser light emitted from the emission surface of the tunable DBR semiconductor laser 80 is coupled to the optical waveguide 84 of the optical waveguide type wavelength conversion device 83. This FIG.
Configuration, 60 mW for a 100 mW laser output
Was coupled to the optical waveguide. And wavelength tunable DB
The amount of current injected into the DBR region 82 of the R semiconductor laser 80 is controlled to change the oscillation wavelength to an optical waveguide type wavelength conversion device 83
Fixed within the phase matching wavelength tolerance of
About 10 mW of blue light of 25 nm is obtained.

【0004】このようなSHG青色レーザ2000を光
ディスク記録再生装置に応用する場合には、図21に示
すような構成の光ピックアップ2100に搭載して用い
る。ここでは、モジュール(SHG青色レーザ200
0)から出射した青色光は、コリメートレンズ86によ
りコリメートされ、偏光ビームスプリッタ87(以下、
PBSと記す)および1/4波長板88を透過する。そ
の後、立ち上げミラー(図示せず)によりその方向が9
0度曲げられ(紙面に対して垂直方向)、対物レンズ8
9により光ディスク95上に集光される。そして、光デ
ィスク95からの反射光は、PBS87によりその方向
が90度曲げられ、検出レンズとシリンドリカルレンズ
から構成される検出レンズ系90によってフォトディテ
クタ91(以下、PDと記す)に導かれ、信号検出が行
われる。この光ピックアップ2100を用いることによ
り、10GB以上の高密度光ディスクの再生が実現され
る。
When such an SHG blue laser 2000 is applied to an optical disk recording / reproducing apparatus, it is mounted on an optical pickup 2100 having a structure as shown in FIG. Here, the module (SHG blue laser 200
0) is collimated by a collimating lens 86, and is polarized by a polarizing beam splitter 87 (hereinafter, referred to as a polarizing beam splitter 87).
PBS) and the 波長 wavelength plate 88. Thereafter, the direction is set to 9 by a rising mirror (not shown).
Bending 0 degree (perpendicular to the paper), objective lens 8
The light is condensed on the optical disk 95 by 9. The direction of the reflected light from the optical disk 95 is bent by 90 degrees by the PBS 87, and guided to a photodetector 91 (hereinafter, referred to as PD) by a detection lens system 90 including a detection lens and a cylindrical lens. Done. By using the optical pickup 2100, reproduction of a high-density optical disk of 10 GB or more is realized.

【0005】一方、図22に示すように、光導波路中に
45度の切れ込みを入れて全反射面を形成し、基板に対
して垂直方向に出力光を取り出す方法が提案されている
(内田ら、電子情報通信学会春季大会、C3.28、1
994年)。この方法では、ガラス基板92上に2重イ
オン交換を行ってガラスからなる光導波路93を形成
し、この光導波路93中にマイクロ加工によって45度
の切り込み94を入れる。この加工は特殊なブレードを
用いて行い、切り込み94の切り込み面は切断と同時に
研磨される。これにより、0.3dBの低損失な反射面
が実現される。
On the other hand, as shown in FIG. 22, a method has been proposed in which a 45 ° cut is made in an optical waveguide to form a total reflection surface, and output light is taken out in a direction perpendicular to the substrate (Uchida et al.). , IEICE Spring Conference, C3.28, 1
994). In this method, double ion exchange is performed on a glass substrate 92 to form an optical waveguide 93 made of glass, and a 45 degree cut 94 is made in the optical waveguide 93 by micromachining. This processing is performed using a special blade, and the cut surface of the cut 94 is polished simultaneously with the cutting. Thereby, a low-loss reflective surface of 0.3 dB is realized.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】近年では、コンピュー
タの小型化に伴って、小型・薄型の光ピックアップが要
求されている。そして光ピックアップの小型化・薄型化
を実現するためには、光源の小型化だけではなく、光ピ
ックアップの構成についても重要である。また、以下の
ような戻り光や干渉ノイズ等に対する対策も重要であ
る。
In recent years, with the miniaturization of computers, small and thin optical pickups have been required. In order to reduce the size and thickness of the optical pickup, not only the size of the light source but also the configuration of the optical pickup is important. It is also important to take countermeasures against return light and interference noise as described below.

【0007】1)ピックアップの小型化・薄型化 図21に示した従来の光ピックアップ2100の構成で
は、モジュールの光軸方向と光ピックアップの光軸方向
とが平行であるため、光ピックアップ2100が光軸方
向に長くなる。半導体レーザチップを用いる場合には、
素子長が1mm以下であるためにそれほど問題にはなら
ない。しかし、SHG青色レーザ2000は半導体レー
ザと光導波路型波長変換デバイスにより構成されている
ため、モジュールサイズが10mm程度の長さとなり、
光ピックアップが極端に長くなる。また、図21に示し
た構成では、光検出系(検出レンズ、シリンドリカルレ
ンズおよびPD)が分離されているために、光ピックア
ップが大きくなる。
1) Miniaturization and Thinning of the Pickup In the configuration of the conventional optical pickup 2100 shown in FIG. 21, the optical axis direction of the module and the optical axis direction of the optical pickup are parallel, so that the optical pickup 2100 It becomes longer in the axial direction. When using a semiconductor laser chip,
Since the element length is 1 mm or less, there is not much problem. However, since the SHG blue laser 2000 is composed of a semiconductor laser and an optical waveguide type wavelength conversion device, the module size becomes about 10 mm in length,
The optical pickup becomes extremely long. Further, in the configuration shown in FIG. 21, since the light detection system (detection lens, cylindrical lens, and PD) is separated, the optical pickup becomes large.

【0008】2)戻り光対策 半導体レーザと光導波路デバイスとから構成されるモジ
ュールにおいては、光導波路デバイスの出射端面からの
反射戻り光が半導体レーザに帰還して、半導体レーザの
マルチ縦モード化が生じる。このため、ノイズ特性など
が劣化してしまう。
2) Countermeasures for return light In a module composed of a semiconductor laser and an optical waveguide device, reflected return light from the output end face of the optical waveguide device returns to the semiconductor laser, and the semiconductor laser can have a multi-longitudinal mode. Occurs. For this reason, noise characteristics and the like deteriorate.

【0009】3)干渉ノイズ低減 SHG青色レーザ2000においては、青色光が半導体
レーザ光を基本波とした波長変換により得られる。この
ため、外部での反射光による戻り光成分が半導体レーザ
に帰還しても、ノイズを増加させないという特徴を有す
る。その結果、半導体レーザが単一モードで動作し、結
果として低ノイズ(−140dB/Hz以下)が実現さ
れる。しかしながら、青色光は高い可干渉性を有するた
め、外部に共振器構造を有する場合、共振器条件が変化
すると干渉によって振幅変動を発生する。図21に示し
た光ピックアップ2100の構成では、光ディスク95
面と光導波路型波長変換デバイスの出射端面とが共焦点
光学系を形成する。このため、光ディスクが回転して干
渉条件が変化すると、PD91上で受光される光強度が
変化し、ディスク再生を行ったときの信号波形の劣化を
招く。
3) Reduction of Interference Noise In the SHG blue laser 2000, blue light is obtained by wavelength conversion using semiconductor laser light as a fundamental wave. Therefore, even if the return light component due to the external reflected light returns to the semiconductor laser, the semiconductor laser has a feature that the noise is not increased. As a result, the semiconductor laser operates in a single mode, and as a result, low noise (−140 dB / Hz or less) is realized. However, since blue light has high coherence, when an external resonator structure is used, an amplitude variation occurs due to interference when the resonator condition changes. In the configuration of the optical pickup 2100 shown in FIG.
The surface and the emission end face of the optical waveguide type wavelength conversion device form a confocal optical system. For this reason, when the optical disc rotates and the interference condition changes, the light intensity received on the PD 91 changes, and the signal waveform when the disc is reproduced is deteriorated.

【0010】本発明はこのような従来技術の課題を解決
するためになされたものであり、小型化・薄型化を図る
ことができ、半導体レーザへの戻り光や干渉ノイズによ
る問題を防ぐことができる光導波路デバイス、コヒーレ
ント光源、集積化ユニットおよび光ピックアップ装置を
提供することを目的とする。
The present invention has been made to solve such problems of the prior art, and can be made smaller and thinner, and can prevent problems due to return light to a semiconductor laser and interference noise. It is an object to provide an optical waveguide device, a coherent light source, an integrated unit, and an optical pickup device that can be used.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明の光導波路デバイ
スは、第1の表面および第2の表面を有する基板と、該
基板の第1の表面に形成される光導波路であって、該光
導波路は光入射端面と、光導波路に対して斜めに傾いて
いる斜面とを有する、光導波路と、を備え、該光入射端
面から該光導波路に入射された導波光が該斜面において
全反射され、該基板の第1の表面または該基板の第2の
表面から導波光が出射される。
According to the present invention, there is provided an optical waveguide device comprising a substrate having a first surface and a second surface, and an optical waveguide formed on the first surface of the substrate. The waveguide has a light incident end face and an optical waveguide having a slope inclined obliquely to the optical waveguide, and the guided light incident on the optical waveguide from the light incident end face is totally reflected on the slope. The guided light is emitted from the first surface of the substrate or the second surface of the substrate.

【0012】前記導波光は、前記基板の第1の表面から
出射されてもよい。
[0012] The guided light may be emitted from a first surface of the substrate.

【0013】前記導波光は、前記基板の第2の表面から
出射されてもよい。
[0013] The guided light may be emitted from a second surface of the substrate.

【0014】前記基板が非線形光学材料からなり、前記
光導波路に基本波光として入射された前記導波光が第2
高調波光に波長変換されて出射されてもよい。
The substrate is made of a non-linear optical material, and the guided light incident on the optical waveguide as fundamental wave light is a second light.
The wavelength may be converted into harmonic light and emitted.

【0015】前記第2高調波光は、前記基板の第2の表
面から出射されてもよい。
[0015] The second harmonic light may be emitted from a second surface of the substrate.

【0016】前記基板の厚みが、0.3mm以上、1.
0mm以下であってもよい。
The thickness of the substrate is 0.3 mm or more.
It may be 0 mm or less.

【0017】前記基板の第1の表面に、前記第2高調波
光が反射しない無反射部が設けられてもよい。
[0017] A non-reflection portion that does not reflect the second harmonic light may be provided on the first surface of the substrate.

【0018】前記無反射部が、反射防止コーティングに
より形成されてもよい。
The non-reflection portion may be formed by an anti-reflection coating.

【0019】前記第2高調波光は、前記基板の第1の表
面から出射されてもよい。
[0019] The second harmonic light may be emitted from a first surface of the substrate.

【0020】前記基板の第1の表面に、前記基本波が反
射しない無反射部が設けられてもよい。
[0020] A non-reflection portion that does not reflect the fundamental wave may be provided on the first surface of the substrate.

【0021】前記無反射部が、反射防止コーティングに
より形成されてもよい。
The non-reflective portion may be formed by an anti-reflection coating.

【0022】前記光導波路の斜面と該光導波路とのなす
角が、45度±1度であってもよい。
The angle formed between the inclined surface of the optical waveguide and the optical waveguide may be 45 ° ± 1 °.

【0023】前記第2高調波光が導波モードであっても
よい。
[0023] The second harmonic light may be in a guided mode.

【0024】前記光導波路の斜面に対応する前記基板の
ある面全体が、該光導波路に対して斜面であってもよ
い。
[0024] The entire surface of the substrate corresponding to the slope of the optical waveguide may be inclined with respect to the optical waveguide.

【0025】前記光導波路の斜面は、前記基板の第1の
表面近傍に該光導波路に対してほぼ直交に形成された切
り込み部により形成されてもよい。
[0025] The inclined surface of the optical waveguide may be formed by a notch formed near the first surface of the substrate and substantially orthogonal to the optical waveguide.

【0026】前記光導波路の斜面は、前記基板の第1の
表面近傍に該光導波路に対してほぼ直交に形成された凹
部により形成されてもよい。
[0026] The inclined surface of the optical waveguide may be formed by a concave portion formed near the first surface of the substrate and substantially orthogonal to the optical waveguide.

【0027】少なくとも前記凹部を除く前記基板の第1
の表面に保護層をさらに有してもよい。
At least a first portion of the substrate excluding the concave portion
May further have a protective layer on the surface thereof.

【0028】前記基板の第1の表面上に保護層をさらに
有してもよい。
[0028] A protective layer may be further provided on the first surface of the substrate.

【0029】前記保護層の屈折率n1と、前記光導波路
を導波する光に対する前記光導波路の実効屈折率n
2と、前記基板の第1の表面と前記凹部側面の法線がな
す角θとが、 Sin(θ)>n1/n2 の関係を満たしてもよい。
The refractive index n 1 of the protective layer and the effective refractive index n of the optical waveguide with respect to light guided through the optical waveguide.
2 and an angle θ formed by a normal to the first surface of the substrate and a side surface of the concave portion may satisfy a relationship of Sin (θ)> n 1 / n 2 .

【0030】前記光導波路の斜面は、前記基板の第1の
表面近傍に該光導波路に対してほぼ直交に形成された凹
部により形成され、該光導波路を導波する基本波光の導
波モードの深さt1と、該光導波路を導波する前記第2
高調波光の導波モードの深さt2と、前記凹部の深さt
とが、t2<t<t1の関係を満たしてもよい。
The inclined surface of the optical waveguide is formed by a concave portion formed near the first surface of the substrate and substantially orthogonal to the optical waveguide, and is provided with a waveguide mode of fundamental wave light guided through the optical waveguide. A depth t 1, and the second
The depth t 2 of the guided mode of the harmonic light and the depth t of the concave portion
May satisfy the relationship of t 2 <t <t 1 .

【0031】前記基板の第1の表面上に保護層をさらに
有し、前記光導波路の斜面は、前記基板の第1の表面近
傍に該光導波路に対してほぼ直交に形成された凹部によ
り形成され、該光導波路を導波する基本波光の該保護層
に対する屈折率nc1と、該光導波路を導波する第2高
調波光の該保護層に対する屈折率nc2と、該光導波路
の基本波光に対する屈折率nf1と、該光導波路の第2
高調波光に対する屈折率nf2と、該第1の表面と前記
凹部側面の法線のなす角θとがnc2/nf2<Sin
(θ)<nc1/nf1の関係を満たしてもよい。
A protective layer is further provided on the first surface of the substrate, and the slope of the optical waveguide is formed by a concave portion formed near the first surface of the substrate and substantially orthogonal to the optical waveguide. The refractive index nc 1 of the fundamental wave light guided through the optical waveguide with respect to the protective layer, the refractive index nc 2 of the second harmonic light guided through the optical waveguide with respect to the protective layer, and the fundamental wave light of the optical waveguide. And the refractive index nf 1 of the optical waveguide
The refractive index nf 2 for the harmonic light and the angle θ between the first surface and the normal to the side surface of the concave portion are nc 2 / nf 2 <Sin.
The relationship (θ) <nc 1 / nf 1 may be satisfied.

【0032】前記基板の第2の表面上に回折格子が形成
されてもよい。
[0032] A diffraction grating may be formed on the second surface of the substrate.

【0033】前記基板が第1の複屈折性光学結晶からな
ってもよい。
[0033] The substrate may be made of a first birefringent optical crystal.

【0034】前記出射される導波光の光路中に配置さ
れ、前記基板の第1の複屈折性光学結晶と光学軸が直交
する第2の複屈折性光学結晶を更に備えてもよい。
[0034] A second birefringent optical crystal arranged in the optical path of the emitted guided light and having an optical axis orthogonal to the first birefringent optical crystal of the substrate may be further provided.

【0035】前記導波光が出射される表面が略円筒形状
であってもよい。
The surface from which the guided light is emitted may have a substantially cylindrical shape.

【0036】前記光導波路デバイスから出射される導波
光の光路中に配置される円筒レンズを更に備えてもよ
い。
[0036] The apparatus may further include a cylindrical lens arranged in an optical path of the guided light emitted from the optical waveguide device.

【0037】前記光導波路デバイスが内に配置される凹
形状パッケージを更に備え、前記第2の複屈折結晶が該
凹形状パッケージを封止してもよい。
[0037] The optical waveguide device may further include a concave package disposed therein, and the second birefringent crystal may seal the concave package.

【0038】前記光導波路デバイスが内に配置される凹
形状パッケージを更に備え、前記円筒レンズが該凹形状
パッケージを封止してもよい。
[0038] The optical waveguide device may further include a concave package disposed therein, and the cylindrical lens may seal the concave package.

【0039】前記基板は、前記光導波路の光入射端面を
含む第1の端面と、該第1の端面と対向する第2の端面
とを有し、前記斜面と前記基板の第1の表面との交線
と、該基板の第2の端面と該基板の第2の表面との交線
とを含む面と、前記導波光が出射される方向との間の角
度が、該基板の第2の表面から出射される導波光の広が
り角の半分よりも大きくてもよい。
The substrate has a first end face including a light incident end face of the optical waveguide, and a second end face facing the first end face, and the inclined face and the first surface of the substrate are connected to each other. The angle between the intersection line of the substrate and the plane including the intersection line between the second end face of the substrate and the second surface of the substrate, and the direction in which the guided light is emitted is the second angle of the substrate. May be larger than half the divergence angle of the guided light emitted from the surface.

【0040】前記斜面と前記基板の第1の表面との交線
と、該第2の端面と該基板の第2の表面との交線とを含
む面と、前記導波光が出射される方向とのなす角度θ
と、該基板の第2の表面から取り出される該導波光の広
がり角θ1が、 θ1/2<θ の関係を満たしてもよい。
A plane including a line of intersection between the slope and the first surface of the substrate, a plane including a line of intersection between the second end surface and the second surface of the substrate, and a direction in which the guided light is emitted. Angle θ
And the spread angle θ1 of the guided light extracted from the second surface of the substrate may satisfy the relationship of θ1 / 2 <θ.

【0041】前記基板の第1の表面に形成される周期的
分極反転領域をさらに有しても良い。
[0041] The semiconductor device may further include a periodically poled region formed on the first surface of the substrate.

【0042】前記周期的分極反転領域は、前記光導波路
の該斜面近傍に形成されなくてもよい。
The periodic domain inversion region may not be formed near the slope of the optical waveguide.

【0043】本発明のコヒーレント光源は、半導体レー
ザと、上記に記載の光導波路デバイスとを備える。
A coherent light source according to the present invention includes a semiconductor laser and the above-described optical waveguide device.

【0044】前記半導体レーザが、波長可変型の半導体
レーザであってもよい。
The semiconductor laser may be a tunable semiconductor laser.

【0045】前記半導体レーザの光出射端面と前記光導
波路の光入射端面との距離が、0μm以上かつ10μm
以下であってもよい。
The distance between the light emitting end face of the semiconductor laser and the light incident end face of the optical waveguide is 0 μm or more and 10 μm or more.
It may be as follows.

【0046】本発明の集積化ユニットは、半導体レーザ
と、該半導体レーザからの光が入射される上記に記載の
光導波路デバイスと、を有するコヒーレント光源と、該
光導波路デバイスから出射された光に関連する光を検出
する光検出器と、該コヒーレント光源と該検出器とが同
一面上に配置されるサブマウントと、を備える。
An integrated unit according to the present invention includes a coherent light source having a semiconductor laser and the above-described optical waveguide device into which light from the semiconductor laser is incident, and a light emitting device that emits light from the optical waveguide device. A light detector for detecting relevant light; and a submount on which the coherent light source and the detector are arranged on the same plane.

【0047】前記コヒーレント光源と前記光検出器との
間に配置される遮光体を更に備えてもよい。
[0047] The image processing apparatus may further include a light shield disposed between the coherent light source and the photodetector.

【0048】前記光検出器表面の前記サブマウント面か
らの高さが、前記コヒーレント光源の光出射側の表面よ
り高くても良い。
The height of the photodetector surface from the submount surface may be higher than the surface of the coherent light source on the light emission side.

【0049】前記サブマウント表面に凹部が形成され、
前記コヒーレント光源が該凹部に配置されてもよい。
A recess is formed on the surface of the submount,
The coherent light source may be located in the recess.

【0050】本発明の集積化ユニットは、半導体レーザ
と、該半導体レーザからの光が入射される上記に記載の
光導波路デバイスと、を有するコヒーレント光源と、該
光導波路デバイスから出射された光に関連する光を検出
する光検出器と、第1の面と、該第1の面の裏面である
第2の面とを有するサブマウントであって、該コヒーレ
ント光源が該サブマウントの第1面上に配置され、該光
検出器が該第2面上に配置される、サブマウントと、を
備える。
An integrated unit according to the present invention includes a coherent light source having a semiconductor laser and the above-described optical waveguide device into which light from the semiconductor laser is incident, and a light emitting device that emits light from the optical waveguide device. A submount having a photodetector for detecting associated light, a first surface, and a second surface that is a back surface of the first surface, wherein the coherent light source is a first surface of the submount. A submount disposed on the second surface, wherein the photodetector is disposed on the second surface.

【0051】本発明の集積化ユニットは、上記に記載の
コヒーレント光源と、該コヒーレント光源を中に配置す
る凹形状パッケージと、該凹形状パッケージを封止し、
表面に回折格子が形成されている透明基板とを、備え
る。
An integrated unit according to the present invention includes a coherent light source as described above, a concave package in which the coherent light source is disposed, and sealing the concave package.
A transparent substrate having a diffraction grating formed on the surface.

【0052】本発明の光ピックアップ装置は、上記に記
載の集積化ユニットと、該集積化ユニットから出射され
た光を集光する集光光学系と、を備え、該集積化ユニッ
トの前記光導波路デバイスから導波光が出射される表面
に回折格子が形成される。
An optical pickup device according to the present invention includes the integrated unit described above, and a condensing optical system for condensing light emitted from the integrated unit, wherein the optical waveguide of the integrated unit is provided. A diffraction grating is formed on a surface from which guided light is emitted from the device.

【0053】本発明の光ピックアップ装置は、上記に記
載の集積化ユニットと、該集積化ユニットから出射され
た光を集光する集光光学系と、を備える。
An optical pickup device according to the present invention includes the integrated unit described above, and a condensing optical system for condensing light emitted from the integrated unit.

【0054】前記集積化ユニットの光検出器が、中央の
第1領域と、該第1の領域の両側の第2領域および第3
領域の少なくとも3つの領域に分割され、該第1の領域
に対する該第2領域および該第3領域は、前記回折格子
の格子縞に対して垂直な方向に配置されてもよい。
The photodetector of the integrated unit includes a first region at the center, and second and third regions on both sides of the first region.
The region may be divided into at least three regions, and the second region and the third region with respect to the first region may be arranged in a direction perpendicular to the lattice fringes of the diffraction grating.

【0055】本発明の光ピックアップ装置は、半導体レ
ーザと、該半導体レーザからの光が入射される上記に記
載の光導波路デバイスと、該光導波路デバイスから出射
された光に関連する光を検出する2つの光検出器と、該
コヒーレント光源と該検出器とが配置されるサブマウン
トと、該光導波路デバイスから出射された光を集光する
集光光学系と、該集光光学系中に配置されたレンズ作用
を有する回折素子と、を備え、該2つの光検出器は、該
光導波路デバイスに対して対向するように位置し、該2
つの検出器は各々中央部分と周辺部分に分割された領域
を少なくとも有し、該回折素子によって回折された光が
該2つの検出器の各々を照射する。
An optical pickup device according to the present invention detects a semiconductor laser, the above-described optical waveguide device into which light from the semiconductor laser is incident, and light related to the light emitted from the optical waveguide device. Two photodetectors, a submount on which the coherent light source and the detector are arranged, a condenser optical system for condensing light emitted from the optical waveguide device, and a condenser optical system disposed in the condenser optical system A diffractive element having a lens function, wherein the two photodetectors are positioned to face the optical waveguide device, and
Each of the two detectors has at least a region divided into a central portion and a peripheral portion, and light diffracted by the diffraction element illuminates each of the two detectors.

【0056】以下、本発明の作用について説明する。Hereinafter, the operation of the present invention will be described.

【0057】本発明にあっては、光導波路デバイスの基
板の第1の表面の光導波路に設けられた斜面において導
波光が全反射し、その光導波路が設けられた基板の第1
の表面または第2の表面から光が出射される。この光導
波路デバイスと半導体レーザとを組み合わせてコヒーレ
ント光源(モジュール)を構成することにより、その光
軸とは異なる第1または第2の表面方向に光が出射され
るので、光ピックアップの小型化を図ることが可能とな
る。また、従来の出射端面を垂直に研磨した構造のよう
に、光導波路の出射端面で反射されて半導体レーザに帰
還する光が低減され、ノイズ特性が向上する。
According to the present invention, the guided light is totally reflected on the inclined surface provided on the optical waveguide on the first surface of the substrate of the optical waveguide device, and the first surface of the substrate provided with the optical waveguide is provided.
Light is emitted from the surface or the second surface. By forming a coherent light source (module) by combining this optical waveguide device and a semiconductor laser, light is emitted in the first or second surface direction different from the optical axis, so that the size of the optical pickup can be reduced. It becomes possible to plan. Further, as in the conventional structure in which the emission end face is vertically polished, light reflected on the emission end face of the optical waveguide and returned to the semiconductor laser is reduced, and noise characteristics are improved.

【0058】光導波路デバイスを構成する基板の厚み
は、0.3mm未満ではハンドリングが困難であり、
1.0mmより大きいと集光スポットにおいて非点収差
が大きくなるので、0.3mm以上1.0mm以下であ
るのが好ましい。
If the thickness of the substrate constituting the optical waveguide device is less than 0.3 mm, handling is difficult.
If it is larger than 1.0 mm, astigmatism will increase in the condensed spot, so that it is preferably 0.3 mm or more and 1.0 mm or less.

【0059】この光導波路デバイスを構成する基板が非
線形光学材料からなり、光導波路に入射した半導体レー
ザの基本波光が第2高調波光に波長変換される場合、外
部での反射による戻り光成分(第2高調波光)が半導体
レーザに帰還してもノイズは増加しない。しかし、例え
ば青色光の場合には、干渉性が高いため、第2の表面か
ら光が出射される時、第1の表面側に第2高調波光に対
する反射防止コーティングを施して、戻り光が第1の表
面で再反射されないようにするのが好ましい。
When the substrate constituting this optical waveguide device is made of a non-linear optical material and the wavelength of the fundamental wave light of the semiconductor laser incident on the optical waveguide is converted into the second harmonic light, the return light component (ref. Even if the second harmonic light) returns to the semiconductor laser, the noise does not increase. However, in the case of blue light, for example, since the coherence is high, when light is emitted from the second surface, an antireflection coating for the second harmonic light is applied to the first surface side so that the return light is Preferably, it is not re-reflected on the surface of the first.

【0060】また、本発明にあっては、光導波路デバイ
スの光導波路に設けられた斜面において導波光が全反射
し、光導波路が設けられた第1の表面から取り出される
場合、この光導波路デバイスを半導体レーザと組み合わ
せてモジュールの構成とした場合に、その光軸とは異な
る第1の表面方向に光が出射されるので、光ピックアッ
プの小型化を図ることが可能である。また、従来の出射
端面を垂直に研磨した構造に比べて、光導波路の斜面で
反射されて半導体レーザに帰還する光が少なく、ノイズ
特性が向上する。
According to the present invention, when the guided light is totally reflected on the slope provided in the optical waveguide of the optical waveguide device and is taken out from the first surface provided with the optical waveguide, the optical waveguide device Is combined with a semiconductor laser to form a module, light is emitted in a first surface direction different from the optical axis, so that the optical pickup can be reduced in size. Further, compared with the conventional structure in which the emission end face is polished vertically, less light is reflected on the slope of the optical waveguide and returns to the semiconductor laser, so that noise characteristics are improved.

【0061】この光導波路デバイスを構成する基板が非
線形光学材料からなり、光導波路に入射した基本波光が
第2高調波光に波長変換される場合、外部での反射によ
る戻り光成分(第2高調波光)が半導体レーザに帰還し
てもノイズは増加しない。しかし、この構成では、光が
斜面で全反射した直後に第1の表面に到達するので、第
1の表面側に基本波光に対する反射防止コーティングを
施し、基本波光が第1の表面で再反射して光導波路に戻
らないようにするのが好ましい。
When the substrate constituting this optical waveguide device is made of a non-linear optical material and the wavelength of the fundamental wave light incident on the optical waveguide is converted into the second harmonic light, the return light component (the second harmonic light ) Returns to the semiconductor laser, the noise does not increase. However, in this configuration, since the light reaches the first surface immediately after the light is totally reflected on the slope, the antireflection coating for the fundamental light is applied to the first surface side, and the fundamental light is re-reflected on the first surface. It is preferable not to return to the optical waveguide.

【0062】さらに、光導波路デバイスにおいて、光導
波路の斜面を光導波路に対して45度以外の角度で形成
すると、集光スポットにコマ収差が発生するので、略4
5度(45度±1度)の角をなして形成するのが好まし
い。
Further, in the optical waveguide device, when the slope of the optical waveguide is formed at an angle other than 45 degrees with respect to the optical waveguide, coma aberration occurs in the condensed spot.
It is preferable to form at an angle of 5 degrees (45 degrees ± 1 degree).

【0063】光導波路デバイスを構成する基板が非線形
光学材料からなり、光導波路に入射した半導体レーザの
基本波光が第2高調波光に波長変換される場合、高調波
光が導波モードであるのが好ましい。導波モードでは放
射モードに比べて基板を薄くし、非点収差等の抑制する
ことが可能である。また、光導波路の光が放射モードの
場合には、基板方向に放射するために基板の厚みが必要
であり、後述のように凹部等で斜面を構成する場合に
は、深い凹部が必要になる。さらに、光ディスク記録再
生装置への応用を考えると、放射モードの場合には良好
な集光特性を得ることが困難である。
When the substrate constituting the optical waveguide device is made of a non-linear optical material, and the wavelength of the fundamental light of the semiconductor laser incident on the optical waveguide is converted to the second harmonic light, it is preferable that the harmonic light be in a guided mode. . In the waveguide mode, it is possible to make the substrate thinner than in the radiation mode, and to suppress astigmatism and the like. Further, when the light of the optical waveguide is in the radiation mode, the thickness of the substrate is required to radiate in the direction of the substrate, and when forming a slope with a concave portion or the like as described later, a deep concave portion is required. . Further, in consideration of application to an optical disk recording / reproducing apparatus, it is difficult to obtain good light-collecting characteristics in the case of the radiation mode.

【0064】本発明にあっては、第1の表面近傍に光導
波路とほぼ直交するように凹部(溝)や切り込み部等を
形成して、この凹部や切り込み部の一部分(例えば側
面)を光導波路の斜面としてもよい。この場合、半導体
プロセスで用いられるエッチング等により斜面を有する
凹部を形成することができ、光学研磨等に比べて容易に
斜面を形成可能である。なお、図22のように光導波路
部の出射付近は、その周囲と比べて凸形状である場合よ
りも、凹形状である場合の方が光導波路デバイスを取り
扱う際の損傷を低減することができる。
In the present invention, a concave portion (groove), a cut portion, or the like is formed near the first surface so as to be substantially orthogonal to the optical waveguide, and a portion (for example, a side surface) of the concave portion or the cut portion is formed as a light guide. It may be a slope of a wave path. In this case, a concave portion having a slope can be formed by etching or the like used in a semiconductor process, and the slope can be formed more easily than by optical polishing or the like. It should be noted that, as shown in FIG. 22, the vicinity of the emission of the optical waveguide portion can be reduced more when handling the optical waveguide device when the optical waveguide device has a concave shape than when it has a convex shape as compared with the surrounding area. .

【0065】光導波路が形成された基板の第1の表面側
をサブマウントに配置する場合には、光導波路とサブマ
ウントが接触すると光導波路の伝搬損失が大幅に増大す
るため、光導波路の表面に保護層を設けるのが好まし
い。この場合、基板の凹部にも保護層があると、その屈
折率によっては凹部の反射率が低下する。よって、凹部
を除く基板の第1の表面に保護層を設けるのが好まし
い。
When the first surface side of the substrate on which the optical waveguide is formed is disposed on the submount, the contact loss between the optical waveguide and the submount greatly increases the propagation loss of the optical waveguide. Preferably, a protective layer is provided. In this case, if the protective layer is also provided in the concave portion of the substrate, the reflectance of the concave portion decreases depending on the refractive index. Therefore, it is preferable to provide a protective layer on the first surface of the substrate except for the concave portion.

【0066】基板の第1の表面に保護層を有している場
合、凹部側面(光導波路の斜面)での全反射条件を満足
させるためには、保護層の屈折率n1と、光導波路を導
波する光に対する光導波路の実効屈折率n2と、第1の
表面と凹部側面(斜面)の法線がなす角θとが、 Sin(θ)>n1/n2 の関係を満足しているのが好ましい。
When a protective layer is provided on the first surface of the substrate, in order to satisfy the condition of total reflection on the side surface of the concave portion (slope of the optical waveguide), the refractive index n 1 of the protective layer and the optical waveguide The effective refractive index n 2 of the optical waveguide with respect to the light propagating through the optical path and the angle θ between the first surface and the normal to the side surface (slope) of the concave portion satisfy the relationship of Sin (θ)> n 1 / n 2. Preferably.

【0067】また、光導波路を伝搬する基本波と高調波
は、波長および屈折率分散の関係から、異なる電界分布
を有しており、深さ方向の広がりが異なる。よって、光
導波路を導波する基本波光の導波モードの深さt1と、
光導波路を導波する第2高調波光の導波モードの深さt
2と、凹部の深さtとを、 t2<t<t1 の関係を満足するようにすれば、高調波は凹部によって
全反射して外部に取り出され、基本波は大半が凹部を通
過して光導波路をそのまま伝搬するので、波長分離が可
能となる。これにより、高調波出力に混ざった基本波出
力が低減されるまた、波長分離された基本波光を検出し
て基本波の出力特性をモニターすることも可能である。
The fundamental wave and the harmonic wave propagating in the optical waveguide have different electric field distributions due to the relationship between the wavelength and the refractive index dispersion, and have different spreads in the depth direction. Therefore, the depth t 1 of the guided mode of the fundamental light guided in the optical waveguide,
The depth t of the guided mode of the second harmonic light guided in the optical waveguide
If 2 and the depth t of the recess are set so as to satisfy the relationship of t 2 <t <t 1 , harmonics are totally reflected by the recess and taken out, and most of the fundamental wave passes through the recess. Then, the light propagates through the optical waveguide as it is, so that wavelength separation becomes possible. As a result, the output of the fundamental wave mixed with the output of the harmonic wave is reduced, and the output characteristic of the fundamental wave can be monitored by detecting the wavelength-separated fundamental wave light.

【0068】また、基本波と高調波とで全反射条件を満
足する保護膜の屈折率が異なることからも、波長分離が
可能となる。保護層の基本波光に対する屈折率nc
1と、保護層の第2高調波光に対する屈折率nc2と、光
導波路の基本波光に対する屈折率nf1と、光導波路の
第2高調波光に対する屈折率nf2と、第1の表面と前
記凹部側面の法線のなす角θとが nc2/nf2<Sin(θ)<nc1/nf1 の関係を満足するような保護膜を用いて膜厚を適切に設
定すれば、高調波に対してのみ全反射条件が満足されて
波長分離が可能となる。これにより、高調波出力に混ざ
った基本波出力が低減されるまた、波長分離された基本
波光を検出して基本波の出力特性をモニターすることも
可能である。
The wavelength separation is also possible because the refractive index of the protective film that satisfies the condition of total reflection differs between the fundamental wave and the harmonic. Refractive index nc for fundamental wave light of protective layer
1 , a refractive index nc 2 of the protective layer for the second harmonic light, a refractive index nf 1 of the optical waveguide for the fundamental light, a refractive index nf 2 of the optical waveguide for the second harmonic light, a first surface and the concave portion. If the film thickness is appropriately set using a protective film that satisfies the relationship of nc 2 / nf 2 <Sin (θ) <nc 1 / nf 1 with the angle θ formed by the normal line of the side surface, harmonics can be reduced. Only for this, the condition of total reflection is satisfied and wavelength separation becomes possible. As a result, the output of the fundamental wave mixed with the output of the harmonic wave is reduced, and the output characteristic of the fundamental wave can be monitored by detecting the wavelength-separated fundamental wave light.

【0069】光導波路が形成された基板の第1の表面と
は反対側の第2の表面から光を取り出す場合には、その
第2の表面上に回折格子を形成することにより、従来個
別部品として必要であった回折素子を兼用して部品点数
を削減することが可能である。
In the case where light is extracted from the second surface of the substrate on which the optical waveguide is formed, opposite to the first surface, a diffraction grating is formed on the second surface to obtain a conventional individual component. It is possible to reduce the number of parts by also using the diffractive element which was necessary as the above.

【0070】上記光導波路デバイスにおいて、基板の第
2の表面から光を取り出す場合には、斜面で反射された
光は基板中を発散ビームとして伝搬し、様々な方向成分
を有する光となる。この基板が複屈折性光学結晶からな
る場合、常光に対する屈折率と異常光に対する屈折率が
異なるため、光導波路デバイスから出射される光ビーム
は光導波路に平行な方向とそれに垂直な方向とで位相差
が生じ、コリメート後の波長板面が非点収差成分を有す
るものになる。そこで、光導波路デバイスから出射され
る光の発散光路中に、基板を構成する複屈折性光学結晶
と光学軸が直交する第2の複屈折性光学結晶を配置し
て、非点収差成分を補正するのが好ましい。
In the above optical waveguide device, when light is extracted from the second surface of the substrate, the light reflected on the inclined surface propagates as a divergent beam in the substrate, and becomes light having various directional components. When this substrate is made of a birefringent optical crystal, the refractive index for ordinary light and the refractive index for extraordinary light are different, so that the light beam emitted from the optical waveguide device is positioned in a direction parallel to the optical waveguide and in a direction perpendicular thereto. A phase difference occurs, and the collimated wavelength plate surface has an astigmatism component. Therefore, a second birefringent optical crystal whose optical axis is orthogonal to the birefringent optical crystal forming the substrate is arranged in the diverging light path of the light emitted from the optical waveguide device, and the astigmatism component is corrected. Is preferred.

【0071】または、光導波路デバイスから光が出射さ
れる基板表面(第2の表面)を略円筒形状として非点収
差成分を補正することも可能である。
Alternatively, the substrate surface (second surface) from which light is emitted from the optical waveguide device can be made substantially cylindrical to correct astigmatism components.

【0072】または、光導波路デバイスから出射される
光の光路中に円筒レンズを配置して非点収差成分を補正
することも可能である。
Alternatively, a cylindrical lens can be arranged in the optical path of the light emitted from the optical waveguide device to correct the astigmatism component.

【0073】本発明のコヒーレント光源において、光導
波路デバイスと半導体レーザとを凹形状パッケージ内に
配置する場合、凹形状パッケージを封止する封止板を上
記第2の複屈折結晶として兼用すれば、部品点数を削減
することが可能であるので好ましい。または凹形状パッ
ケージを封止する封止板を上記円筒レンズとして兼用し
てもよい。
In the coherent light source of the present invention, when the optical waveguide device and the semiconductor laser are arranged in a concave package, if the sealing plate for sealing the concave package is also used as the second birefringent crystal, This is preferable because the number of parts can be reduced. Alternatively, a sealing plate for sealing the concave package may be used also as the cylindrical lens.

【0074】また、半導体レーザの光出射端面と光導波
路の光入射端面との距離を数μm程度(例えば0μm以
上かつ10μm以下)にすることにより、結合レンズを
用いない直接結合方式により、入射端面での戻り光によ
るノイズを低減することが可能である。
Further, by setting the distance between the light emitting end face of the semiconductor laser and the light incident end face of the optical waveguide to about several μm (for example, 0 μm or more and 10 μm or less), the incident end face can be formed by a direct coupling method without using a coupling lens. It is possible to reduce the noise due to the return light at the time.

【0075】さらに、SHG素子においてはその位相整
合波長に入射光の波長を一致させる必要があり、波長安
定化機能が必要とされる。そこで、半導体レーザとして
波長可変DBRレーザ等の波長可変型半導体レーザを用
いることにより、発振波長を光導波路型波長変換デバイ
スの位相整合波長強度内に固定することが可能であり、
その機能を集積化して小型化および安定化を実現するこ
とができる。
Further, in the SHG element, it is necessary to make the wavelength of the incident light coincide with the phase matching wavelength, and a wavelength stabilizing function is required. Therefore, by using a tunable semiconductor laser such as a tunable DBR laser as the semiconductor laser, the oscillation wavelength can be fixed within the phase matching wavelength intensity of the optical waveguide type wavelength conversion device,
The functions can be integrated to achieve miniaturization and stabilization.

【0076】本発明の集積化ユニットにあっては、本発
明の光導波路が形成された基板の第1の表面とは反対側
の第2の表面から光を取り出す構成のコヒーレント光源
と、光検出器とがサブマウントの同一面上に配置されて
いる。本発明のコヒーレント光源では出射光が第2の表
面から取り出されるので、光の出射面近傍に検出器を容
易に集積化可能であり、位置合わせが容易で効率良く組
立可能である。
In the integrated unit according to the present invention, a coherent light source configured to extract light from a second surface opposite to the first surface of the substrate on which the optical waveguide according to the present invention is formed; And the container are arranged on the same surface of the submount. In the coherent light source of the present invention, the emitted light is extracted from the second surface, so that the detector can be easily integrated in the vicinity of the light emission surface, and the alignment is easy and the assembly can be performed efficiently.

【0077】コヒーレント光源と光検出器との間に遮光
体を配置すると、迷光成分が光検出器に到達するのを防
ぐことが可能である。または、光検出器表面のサブマウ
ント面からの高さを、コヒーレント光源の光出射側の表
面より高くしてもよい。または、サブマウント表面に凹
部を形成し、その凹部にコヒーレント光源を配置しても
よい。
When a light shield is arranged between the coherent light source and the photodetector, it is possible to prevent the stray light component from reaching the photodetector. Alternatively, the height of the photodetector surface from the submount surface may be higher than the surface on the light emission side of the coherent light source. Alternatively, a concave portion may be formed on the surface of the submount, and the coherent light source may be arranged in the concave portion.

【0078】また、本発明の集積化ユニットにあって
は、本発明の光導波路が形成された基板の第1の表面か
ら光を取り出す構成のコヒーレント光源がサブマウント
の第1面上に配置され、光検出器が第1面の裏面である
第2面上に配置されている。このため、上述のように遮
光体や凹部を設けなくても迷光が光検出器に到達するの
を容易に防ぐことが可能である。
Further, in the integrated unit of the present invention, a coherent light source configured to extract light from the first surface of the substrate on which the optical waveguide of the present invention is formed is disposed on the first surface of the submount. , The photodetector is arranged on the second surface, which is the back surface of the first surface. For this reason, it is possible to easily prevent the stray light from reaching the photodetector without providing the light shield or the concave portion as described above.

【0079】さらに、集積化ユニットやコヒーレント光
源を凹形状パッケージ内に配置する場合には、回折素子
を用いることにより安定した光ピックアップ光学系が実
現される。さらに、その凹形状パッケージを封止する透
明基板上に回折格子を形成することにより、光ピックア
ップの部品点数を削減することが可能である。
Further, when the integrated unit and the coherent light source are arranged in the concave package, a stable optical pickup optical system can be realized by using the diffraction element. Furthermore, by forming a diffraction grating on a transparent substrate that seals the concave package, it is possible to reduce the number of components of the optical pickup.

【0080】本発明の光ピックアップ装置にあっては、
本発明の集積化ユニットを用いているので装置の小型化
および薄型化を図ることが可能である。さらに、その集
光光学系中、光導波路デバイスの基板表面、または凹形
状パッケージを封止する透明基板上に回折格子を備えて
いるので、従来個別部品として必要であった回折素子を
兼用して部品点数を削減することが可能である。
In the optical pickup device of the present invention,
Since the integrated unit of the present invention is used, the size and thickness of the device can be reduced. Furthermore, in the focusing optics, the diffraction grating is provided on the substrate surface of the optical waveguide device or on the transparent substrate that seals the concave package, so that the diffraction element that was conventionally required as an individual component can also be used. It is possible to reduce the number of parts.

【0081】本発明の光ピックアップ装置において、集
積化ユニットの光検出器を中央の第1領域(フォーカス
用光検出器)と、第1の領域の両側の第2領域(トラッ
キング用光検出器)および第3領域(トラッキング用光
検出器)の少なくとも3つの領域に分割して第2領域お
よび第3領域を回折格子の格子縞に対して垂直な方向に
配置することにより、例えば3ビームトラッキング法に
よる信号検出が可能となる。この場合、光源に近接した
位置に回折格子が配置されるので、集積化ユニットの光
導波路デバイスを構成する基板表面に回折格子を設ける
ことが可能である。この回折格子により出射光は0次お
よび±1次の3つのビームに分割される。このうち、0
次光は光ディスク上の対象トラックを照射して、光ディ
スクからの反射光がフォーカス用検出器を照射してRF
信号が検出される。一方、±1次光はトラッキング誤差
信号を検出するためのサブビームとなって各トラッキン
グ用光検出器で検出され、それらの差動出力信号からト
ラッキング誤差信号が得られる。
In the optical pickup device of the present invention, the photodetectors of the integrated unit are divided into a first region at the center (photodetector for focusing) and second regions on both sides of the first region (photodetectors for tracking). And the third region (tracking photodetector) is divided into at least three regions, and the second region and the third region are arranged in a direction perpendicular to the lattice fringes of the diffraction grating. Signal detection becomes possible. In this case, since the diffraction grating is arranged at a position close to the light source, it is possible to provide the diffraction grating on the surface of the substrate constituting the optical waveguide device of the integrated unit. This diffraction grating divides outgoing light into three beams of 0 order and ± 1 order. Of these, 0
The next light irradiates the target track on the optical disk, and the reflected light from the optical disk irradiates the focus detector and the RF
A signal is detected. On the other hand, the ± first-order lights become sub-beams for detecting the tracking error signal, are detected by the respective tracking photodetectors, and the tracking error signal is obtained from their differential output signals.

【0082】さらに、光検出器をコヒーレント光源に対
して両側に配置し、各検出器に中央部分と周辺部分に分
割された領域(フォーカス用光検出器)を設けて、集光
光学系とレンズ作用を有する第2の回折素子(ホログラ
ム)を設けておいてもよい。この場合、第2の回折素子
により光ディスクからの反射光が回折される際に、一方
側のフォーカス用光検出器に合焦前の光スポットが形成
され、他方側のフォーカス用光検出器に合焦後の光スポ
ットが形成される。よって、例えばスポットサイズディ
テクション(SSD)法による信号検出が可能となる。
Further, the photodetectors are arranged on both sides with respect to the coherent light source, and each of the detectors is provided with a region (focusing photodetector) divided into a central portion and a peripheral portion, and a condensing optical system and a lens are provided. A second diffractive element (hologram) having an effect may be provided. In this case, when the reflected light from the optical disk is diffracted by the second diffraction element, an unfocused light spot is formed on one of the focusing photodetectors and focused on the other focusing photodetector. An in-focus light spot is formed. Therefore, for example, a signal can be detected by a spot size detection (SSD) method.

【0083】[0083]

【発明の実施の形態】従来の光導波路デバイスは、光導
波路の出射端面から、端面を透過して出力光を得てい
た。このため、このような従来の光導波路デバイスと半
導体レーザから構成されるコヒーレント光源は、以下の
ような課題を有していた。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In a conventional optical waveguide device, an output light is obtained from the exit end face of the optical waveguide through the end face. For this reason, a coherent light source including such a conventional optical waveguide device and a semiconductor laser has the following problems.

【0084】1) モジュールの大きさが、光ピックア
ップの小型化などを制約する。
1) The size of the module restricts miniaturization of the optical pickup.

【0085】2) 出射端面からの戻り光が半導体レー
ザに帰還して、ノイズ特性を劣化させる。
2) The return light from the emission end face returns to the semiconductor laser to degrade the noise characteristics.

【0086】3) 外部の共焦点面との干渉により、出
力光が変動する。
3) Output light fluctuates due to interference with an external confocal plane.

【0087】上記課題を解決するために、本実施の形態
では、光導波路に対して斜めに傾いている斜面を形成
し、光導波路の導波光をその斜面において全反射させ
て、基板の表面から導波光を取り出す構成について説明
する。なお、本実施の形態では、光導波路が形成された
基板上の第1の表面をS1とし、それと対向する基板表
面をS2とする。
In order to solve the above-mentioned problem, in the present embodiment, an inclined surface which is obliquely inclined with respect to the optical waveguide is formed, and the guided light of the optical waveguide is totally reflected on the inclined surface, so that the light is reflected from the surface of the substrate. A configuration for extracting guided light will be described. In the present embodiment, the first surface on the substrate on which the optical waveguide is formed is S1, and the substrate surface opposite to the first surface is S2.

【0088】以下、本発明の実施の形態について、図面
を参照しながら説明する。特に、光導波路デバイスとし
て、非線形光学結晶からなる基板上に周期的分極反転領
域と光導波路を形成された擬似位相整合方式(QPM)
第2高調波発生(SHG)デバイスについて説明する。
また、コヒーレント光源としては、AlGaAs系の近
赤外半導体レーザとQPM−SHGデバイスにより構成
されるSHG青色レーザについて説明する。このSHG
青色レーザは、高密度光ディスク用の光源として有望で
あり、上記課題が特に重要な問題となる。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In particular, a quasi-phase matching method (QPM) in which a periodically domain-inverted region and an optical waveguide are formed on a substrate made of a nonlinear optical crystal as an optical waveguide device.
A second harmonic generation (SHG) device will be described.
As a coherent light source, an SHG blue laser including an AlGaAs-based near-infrared semiconductor laser and a QPM-SHG device will be described. This SHG
A blue laser is promising as a light source for a high-density optical disk, and the above problem is particularly important.

【0089】(実施の形態1)本実施の形態1では、光
導波路デバイスにおいて光導波路の入射端面とは反対側
の端面が光導波路に対して斜めに傾いており、光導波路
の導波光がその斜面において全反射し、基板の光導波路
が形成された表面S1の反対側の表面S2から導波光を
取り出す構成について説明する。
(Embodiment 1) In Embodiment 1, the end face of the optical waveguide device opposite to the incident end face of the optical waveguide is obliquely inclined with respect to the optical waveguide, and the guided light of the optical waveguide is not inclined. A description will be given of a configuration in which guided light is totally reflected on the slope and is taken out from the surface S2 opposite to the surface S1 on which the optical waveguide of the substrate is formed.

【0090】図1Aは、本実施の形態1における光導波
路型QPM−SHGデバイス100の概略構成を示す斜
視図である。ここでは、MgドープLiNbO3基板1
上に周期的分極反転領域2とプロトン交換光導波路3が
形成され、光導波路3の入射側とは反対側の端面4が光
導波路3に対して斜めに傾いた斜面になっている。
FIG. 1A is a perspective view showing a schematic configuration of an optical waveguide type QPM-SHG device 100 according to the first embodiment. Here, the Mg-doped LiNbO 3 substrate 1
A periodic domain-inverted region 2 and a proton exchange optical waveguide 3 are formed thereon, and an end face 4 of the optical waveguide 3 on the opposite side to the incident side is inclined with respect to the optical waveguide 3.

【0091】図1Aにおいて、紙面の下方向をX軸、光
導波路の入射端面から出射端面の方向をY軸、および、
X軸およびY軸に垂直で紙面に対して手前側の方向をZ
軸とする。なお、この座標軸を、本明細書においてしば
しば引用する。
In FIG. 1A, the X-axis is directed downward from the plane of the paper, the Y-axis is directed from the input end face to the output end face of the optical waveguide, and
The direction perpendicular to the X-axis and Y-axis and on the near side with respect to the page is Z
Axis. In addition, this coordinate axis is often referred to in this specification.

【0092】この光導波路デバイス100は、以下のよ
うにして作製した。両面を光学研磨した厚み0.5mm
のMgドープLiNbO3基板1の+X面(S1)に、
Taからなる櫛形電極と平行電極をパターニングした。
この櫛形電極の周期は3.2μmとし、波長850nm
の光に対して擬似位相整合するように設計した。基板1
の−X面(S2)には、Taからなる裏面電極を全面に
蒸着した。そして、櫛形電極と平行電極の間、および櫛
形電極と−X面に形成された裏面電極に、それぞれ電界
を印加し、周期的分極反転領域2を形成した(2次元電
界印加法)。これらの電極を除去後、周期的分極反転領
域2と直行する方向に、厚み5μmのTaからなるスト
ライプ電極を形成し、ピロリン酸中でプロトン交換を行
った。プロトン交換後にアニールを行って、光導波路型
QPM−SHGデバイスを作製した。得られた光導波路
型QPM−SHGデバイスの端面を、光学研磨した。こ
のとき、光入射端面を垂直に研磨し、反対側の端面4を
光導波路3の方向(すなわちY軸方向)に対して45度
の角度をなすように光学研磨した。斜面4の研磨は、光
導波路型QPM−SHGデバイスを研磨ジグに45度の
角度をもたせて固定し、通常の光学研磨により行った。
研磨後、端面の反射防止コーティングを行った。入射端
面には、基本波光である波長850nmに対する反射防
止コートを形成した。この反射防止コートの反射特性は
0.03%であった。また、MgドープLiNbO3
板1の屈折率は2.2程度であり、端面(斜面)4では
全反射が生じるため、斜面4には何もコーティングを行
わなかった。基板1の両表面(すなわち、+X面(S
1)および−X面(S2))には、波長変換により得ら
れる青色光(425nm)に対する反射防止コートを形
成した。
The optical waveguide device 100 was manufactured as follows. Optically polished both sides 0.5mm thick
On the + X plane (S1) of the Mg-doped LiNbO 3 substrate 1
A comb-shaped electrode made of Ta and a parallel electrode were patterned.
The period of this comb electrode is 3.2 μm, and the wavelength is 850 nm.
Are designed to be quasi-phase-matched with respect to the light. Substrate 1
On the -X surface (S2), a back electrode made of Ta was deposited on the entire surface. Then, an electric field was applied between the comb-shaped electrode and the parallel electrode, and between the comb-shaped electrode and the back electrode formed on the -X surface, respectively, to form a periodically poled region 2 (two-dimensional electric field application method). After removing these electrodes, a stripe electrode made of Ta having a thickness of 5 μm was formed in a direction perpendicular to the periodically poled region 2 and proton exchange was performed in pyrophosphoric acid. Annealing was performed after proton exchange to produce an optical waveguide type QPM-SHG device. The end face of the obtained optical waveguide type QPM-SHG device was optically polished. At this time, the light incident end face was vertically polished, and the opposite end face 4 was optically polished so as to form an angle of 45 degrees with the direction of the optical waveguide 3 (that is, the Y-axis direction). The polishing of the slope 4 was performed by ordinary optical polishing by fixing the optical waveguide type QPM-SHG device at an angle of 45 degrees to the polishing jig.
After polishing, an antireflection coating was applied to the end face. An antireflection coat for a wavelength of 850 nm, which is a fundamental wave light, was formed on the incident end face. The reflection characteristic of this antireflection coat was 0.03%. The refractive index of the Mg-doped LiNbO 3 substrate 1 was about 2.2, and the end face (slope) 4 was totally reflected. Both surfaces of the substrate 1 (that is, the + X plane (S
An antireflection coat for blue light (425 nm) obtained by wavelength conversion was formed on the (1) and -X planes (S2)).

【0093】このようにして得られた光導波路型QPM
−SHGデバイス100を用いて図2に示すようなコヒ
ーレント光源200を構成し、その特性を評価した。基
本波としては、AlGaAs系の波長可変DBR半導体
レーザ5(波長850nm)を用いた。波長可変DBR
半導体レーザ5は、活性領域6とDBR領域7の2電極
から構成され、DBR領域7への注入電流を調整するこ
とにより、発振波長を調整することができる。レンズ8
を用いて光結合を行ったところ、半導体レーザ出力10
0mWに対して45mWの半導体レーザ光が、光導波路
3が形成された基板表面(S1)の反対面(S2)から
得られる。導波損失を1dB、基板表面の反射損失(4
25nmに対する反射防止コートが形成されているた
め)を10%程度とすると、60mW程度の半導体レー
ザ光が光導波路内に結合したものと考えられる。比較の
ために出射端面を垂直に研磨したサンプルを測定したと
ころ、45mWの半導体レーザ光が出射端面から得られ
る。
The thus-obtained optical waveguide type QPM
-A coherent light source 200 as shown in FIG. 2 was configured using the SHG device 100, and its characteristics were evaluated. As the fundamental wave, an AlGaAs-based tunable DBR semiconductor laser 5 (wavelength 850 nm) was used. Tunable DBR
The semiconductor laser 5 includes two electrodes, an active region 6 and a DBR region 7, and can adjust the oscillation wavelength by adjusting the injection current into the DBR region 7. Lens 8
When optical coupling was performed using
Semiconductor laser light of 45 mW with respect to 0 mW is obtained from the opposite surface (S2) of the substrate surface (S1) on which the optical waveguide 3 is formed. The waveguide loss is 1 dB, and the reflection loss (4
When the antireflection coat for 25 nm is formed (about 10%), it is considered that about 60 mW of semiconductor laser light is coupled into the optical waveguide. When a sample whose emission end face was polished vertically was measured for comparison, a semiconductor laser beam of 45 mW was obtained from the emission end face.

【0094】従来のように出射端面を垂直に研磨したサ
ンプルでは、出射端面での反射光が半導体レーザに帰還
するため、出射端面にも850nmに対する反射防止コ
ートを形成する必要がある。波長可変DBR半導体レー
ザでは、反射戻り光が0.05%程度であっても、波長
可変時にマルチ縦モード化を生じる。したがって、入射
および出射端面の反射防止コートの反射率をそれぞれ
0.02%以下にするという厳しい仕様が要求されてい
た。これに対して、本実施の形態のように光導波路に対
して45度の斜めに研磨した斜面4で、半導体レーザ光
が全反射することから、斜面4からの反射戻り光はな
く、入射端面からの反射戻り光のみを考慮すればよく、
反射防止コートのトレランスを大きくすることができ
る。よって、本実施の形態では斜面4からの戻り光が無
いため、入射端面の反射防止コートの反射率が0.03
%であっても、良好な波長可変特性が得られた。
In a sample in which the emission end face is polished vertically as in the prior art, since the reflected light at the emission end face returns to the semiconductor laser, it is necessary to form an antireflection coat for the emission end face at 850 nm. In a wavelength tunable DBR semiconductor laser, even if the reflected return light is about 0.05%, a multi-longitudinal mode occurs when the wavelength is tuned. Therefore, strict specifications have been required in which the reflectance of the antireflection coatings on the incident and exit end faces is set to 0.02% or less, respectively. On the other hand, since the semiconductor laser light is totally reflected on the inclined surface 4 that is polished at an angle of 45 degrees to the optical waveguide as in the present embodiment, there is no reflected light returning from the inclined surface 4 and the incident end surface. You only need to consider the reflected return light from
The tolerance of the antireflection coat can be increased. Therefore, in this embodiment, since there is no return light from the slope 4, the reflectance of the antireflection coating on the incident end face is 0.03.
%, Good wavelength tunable characteristics were obtained.

【0095】次に、波長可変DBR半導体レーザ5の発
振波長を光導波路型QPM−SHGデバイスの位相整合
波長に調整して、青色光(波長425nm)を発生し
た。青色光も斜面4で全反射し、光導波路3が形成され
た基板表面(S1)の反対面(S2)から10mWの青
色光が得られた。光導波路型QPM−SHGデバイスで
は、導波モードの基本波光と導波モードの高調波光が擬
似的に位相整合するため、青色光は導波モードとして光
導波路3を伝搬し、斜めに研磨された斜面4で全反射し
て、基板のS2表面方向にTEM00モードで出射され
た。本実施の形態では、基板のS2表面に高調波光、す
なわち青色光(425nm)に対して、反射防止コート
を形成してあるため、青色光を高効率にS2表面から取
り出すことができた。
Next, the oscillation wavelength of the wavelength tunable DBR semiconductor laser 5 was adjusted to the phase matching wavelength of the optical waveguide type QPM-SHG device, and blue light (wavelength 425 nm) was generated. The blue light was also totally reflected on the inclined surface 4, and 10 mW blue light was obtained from the opposite surface (S2) of the substrate surface (S1) on which the optical waveguide 3 was formed. In the optical waveguide type QPM-SHG device, the fundamental light in the guided mode and the harmonic light in the guided mode are quasi-phase-matched, so that blue light propagates through the optical waveguide 3 as a guided mode and is polished obliquely. The light was totally reflected by the slope 4 and emitted in the TEM00 mode in the direction of the S2 surface of the substrate. In the present embodiment, an anti-reflection coat is formed on the S2 surface of the substrate for harmonic light, that is, blue light (425 nm), so that blue light can be extracted from the S2 surface with high efficiency.

【0096】このように光導波路3が形成された基板表
面(S1)の反対面(S2)から出射した青色光を、コ
リメートレンズ9で平行光に変換し、対物レンズで集光
して青色光の集光特性を評価した。S2表面から得られ
る青色光は、光導波路斜面4、すなわち全反射面を発光
点として出射してMgドープLiNbO3基板1を透過
し、コリメートレンズ9に導かれる。そのため、通常の
コリメートレンズでは球面収差が発生してしまう。そこ
で、本実施の形態では、0.5mm厚のMgドープLi
NbO3基板1を透過した青色光に対して、収差が最小
になるように設計されたコリメートレンズ9を用いた。
コリメートレンズ9の開口数としてはNA=0.06、
対物レンズとしてはNA=0.6を用いた。集光スポッ
トを確認したところ、半値全幅で0.4μmであり、ほ
ぼ回折限界の集光スポットを得ることができた。
The blue light emitted from the opposite surface (S2) of the substrate surface (S1) on which the optical waveguide 3 is formed is converted into a parallel light by the collimating lens 9, and is condensed by the objective lens to be blue light. Were evaluated for light-collecting characteristics. The blue light obtained from the surface of S2 is emitted from the optical waveguide inclined surface 4, that is, the total reflection surface as a light emitting point, passes through the Mg-doped LiNbO 3 substrate 1, and is guided to the collimating lens 9. Therefore, a spherical aberration occurs in the ordinary collimating lens. Therefore, in the present embodiment, a 0.5 mm thick Mg-doped Li
A collimator lens 9 designed to minimize aberration for blue light transmitted through the NbO 3 substrate 1 was used.
NA = 0.06 as the numerical aperture of the collimating lens 9,
NA = 0.6 was used as the objective lens. When the converging spot was confirmed, it was 0.4 μm in full width at half maximum, and a converging spot of almost diffraction limit could be obtained.

【0097】なお、本実施の形態においては、光導波路
デバイスとして0.5mm厚のMgドープLiNbO3
基板1に光導波路型QPM−SHGデバイスを作製した
が、基板の厚みが0.3mmより薄い場合には基板のハ
ンドリングが困難であり、プロセス後の歩留まりが悪く
なる。また、1.0mmより厚い基板を用いた光導波路
デバイスにおいては、集光スポットにおいて非点収差が
大きく発生し、光ディスクのシステムで許容される収差
量よりも大きくなる。そのため、基板の光導波路が形成
された表面(S1)の反対面S2から導波光を取り出す
構成においては、基板厚みが0.3mm以上1.0mm
以下であるのが好ましい。
In this embodiment, a 0.5 mm thick Mg-doped LiNbO 3 is used as an optical waveguide device.
An optical waveguide type QPM-SHG device was manufactured on the substrate 1. However, if the thickness of the substrate is smaller than 0.3 mm, it is difficult to handle the substrate, and the yield after the process is deteriorated. In an optical waveguide device using a substrate thicker than 1.0 mm, astigmatism is largely generated at a converging spot, which is larger than the amount of aberration allowed in an optical disk system. Therefore, in a configuration in which guided light is extracted from the opposite surface S2 of the surface (S1) of the substrate on which the optical waveguide is formed, the substrate thickness is 0.3 mm or more and 1.0 mm or more.
It is preferred that:

【0098】また、本実施の形態では端面が光導波路に
対して45度になるように研磨を行ったが、光導波路に
対して45度以外の角度で端面を形成すると、集光スポ
ットにコマ収差が発生する。光ディスクのシステムで許
容される収差量以内に抑制するためには、光導波路に対
して45度±1度で斜面を形成する必要がある。
Also, in this embodiment, the polishing is performed so that the end face is at 45 degrees to the optical waveguide. However, if the end face is formed at an angle other than 45 degrees with respect to the optical waveguide, the top face is formed at the condensed spot. Aberration occurs. In order to suppress the aberration within the amount of aberration allowed in the optical disk system, it is necessary to form a slope at 45 ° ± 1 ° with respect to the optical waveguide.

【0099】また、本実施の形態においては、光導波路
デバイスとして波長変換デバイスである光導波路型QP
M−SHGデバイス100を用いており、波長変換によ
り得られる高調波光が導波モードである。チェレンコフ
光のような放射モードで得られる場合には、基板が薄く
なると基板表面でも反射が生じるので、端面(斜面)に
よって全反射を生じさせるためには、ある程度の基板厚
みが必要となる。本実施の形態では高調波光が導波モー
ドで得られるため、基板を薄くすることができ、非点収
差などの発生も抑制することができる。また、光導波路
3が形成されている基板表面(S1)に、斜めの溝など
を形成して端面(斜面)を形成することができるため、
導波モードであることの効果は大きい。詳細について
は、実施の形態3で説明する。
In this embodiment, an optical waveguide type QP which is a wavelength conversion device is used as an optical waveguide device.
The M-SHG device 100 is used, and harmonic light obtained by wavelength conversion is a guided mode. When the substrate is obtained in a radiation mode such as Cherenkov light, reflection occurs on the surface of the substrate when the substrate is thin, so that a certain amount of substrate thickness is required to cause total reflection by the end surface (slope). In the present embodiment, since the harmonic light is obtained in the guided mode, the thickness of the substrate can be reduced, and occurrence of astigmatism and the like can be suppressed. Further, since an oblique groove or the like can be formed on the substrate surface (S1) on which the optical waveguide 3 is formed, an end surface (slope) can be formed.
The effect of the waveguide mode is great. Details will be described in Embodiment 3.

【0100】さらに、本実施の形態では、結合レンズを
用いて波長可変DBR半導体レーザ5の光を光導波路3
に結合した。上述したように、斜面4を光導波路に対し
て略45度に形成することにより、導波光が斜面4にて
全反射するため、斜面4での反射戻り光が生じない。ま
た、入射端面についても反射防止コートを形成すること
で、戻り光ノイズが生じないようにすることができる。
Further, in the present embodiment, the light of the wavelength tunable DBR semiconductor laser 5 is
Bound. As described above, by forming the inclined surface 4 at approximately 45 degrees with respect to the optical waveguide, the guided light is totally reflected by the inclined surface 4, so that the reflected light returning from the inclined surface 4 does not occur. Also, by forming an anti-reflection coat on the incident end face, return light noise can be prevented.

【0101】一方、結合レンズを用いない直接結合方式
においては、入射端面の戻り光が問題とならない。この
直接結合方式では、半導体レーザの出射端面と光導波路
デバイスの入射端面の距離を数μm程度(例えば0μm
以上、かつ、10μm以下程度)にして実装される。
On the other hand, in the direct coupling system using no coupling lens, the return light from the incident end face does not pose a problem. In this direct coupling method, the distance between the emitting end face of the semiconductor laser and the incident end face of the optical waveguide device is about several μm (for example, 0 μm).
(About 10 μm or less).

【0102】図3に、本実施の形態における直接結合型
の光源モジュールの構成を示す。このコヒーレント光源
(SHG青色レーザ)300においては、波長可変DB
R半導体レーザ5と光導波路型QPM−SHGデバイス
100を、波長可変DBR半導体レーザ5の活性領域6
側の表面および光導波路型QPM−SHGデバイス10
0の光導波路3側の表面がサブマウント24に接するよ
うにして実装される。サブマウント24上には、活性領
域6およびDBR領域7に電流を注入するために、それ
ぞれ独立した電極(図示せず)を形成してある。半導体
レーザ5の出射端面と光導波路の入射端面の距離は3μ
mに設定して、光結合調整を行った。厚み方向の調整
は、光導波路上に形成した保護膜29の厚みにより行っ
た。このときの光結合効率は、レンズを用いて結合した
場合とほぼ同程度のものが得られた。この直接結合型モ
ジュールでは、半導体レーザの出射端面と光導波路デバ
イスの光導波路の入射端面との間の距離が短いので、光
導波路の入射端面からの反射光が半導体レーザへの戻り
光ノイズとして作用せず、半導体レーザの出射端面と同
様に作用する。そのため、本実施の形態のように出射端
面4を45度に形成することによって、半導体レーザ光
は光導波路3を導波して端面(斜面)4にて全反射し、
斜面4から半導体レーザへの反射戻り光は生じない。そ
の結果、光導波路3中を導波した半導体レーザ光は、波
長変換により青色光に変換され、基板のS2表面方向か
らTEM00モードで安定して得ることができた。この
ような直接結合型モジュールは、特にその実用的効果が
大きい。
FIG. 3 shows a configuration of a direct coupling type light source module according to the present embodiment. In this coherent light source (SHG blue laser) 300, a wavelength tunable DB
The R semiconductor laser 5 and the optical waveguide type QPM-SHG device 100 are connected to the active region 6 of the tunable DBR semiconductor laser 5.
Side surface and optical waveguide type QPM-SHG device 10
No. 0 is mounted so that the surface on the optical waveguide 3 side is in contact with the submount 24. On the submount 24, independent electrodes (not shown) are formed to inject current into the active region 6 and the DBR region 7, respectively. The distance between the emission end face of the semiconductor laser 5 and the incidence end face of the optical waveguide is 3 μm.
m, and the optical coupling was adjusted. The adjustment in the thickness direction was performed by adjusting the thickness of the protective film 29 formed on the optical waveguide. The optical coupling efficiency at this time was almost the same as that obtained by coupling using a lens. In this direct coupling type module, the distance between the emitting end face of the semiconductor laser and the incident end face of the optical waveguide of the optical waveguide device is short, so that the reflected light from the incident end face of the optical waveguide acts as return light noise to the semiconductor laser. Instead, it works in the same way as the emission end face of the semiconductor laser. Therefore, by forming the emission end face 4 at 45 degrees as in the present embodiment, the semiconductor laser light is guided through the optical waveguide 3 and totally reflected at the end face (slope) 4.
No reflected return light from the slope 4 to the semiconductor laser is generated. As a result, the semiconductor laser light guided in the optical waveguide 3 was converted into blue light by wavelength conversion, and could be stably obtained in the TEM00 mode from the direction of the S2 surface of the substrate. Such a direct coupling type module has a particularly large practical effect.

【0103】さらに、本実施の形態では、半導体レーザ
として波長可変型の半導体レーザを用いているため、光
導波路デバイスとして波長変換デバイス100を用いた
ときに安定して高調波光出力を得ることができる。この
波長可変機能としては、反射型グレーティングやバンド
パスフィルタなどが考えられる。本実施の形態のよう
に、波長可変機能が集積化された波長可変DBR半導体
レーザ5を半導体レーザとして用いることにより、モジ
ュールの小型化も実現可能であるため、光ディスク記録
再生装置やレーザプリンタなどの応用機器に適応した場
合に、その効果は大きい。
Further, in this embodiment, since a wavelength-tunable semiconductor laser is used as the semiconductor laser, a stable harmonic light output can be obtained when the wavelength conversion device 100 is used as the optical waveguide device. . As the wavelength variable function, a reflection grating, a band pass filter, or the like can be considered. By using a wavelength tunable DBR semiconductor laser 5 having an integrated wavelength tunable function as a semiconductor laser as in the present embodiment, the module can be downsized. The effect is great when applied to applied equipment.

【0104】図3に示した直接結合型の光モジュール
(コヒーレント光源)300を搭載した、本実施の形態
における光ピックアップの概略構成を図4に示す。この
光ピックアップ400において、SHG青色レーザ集積
化ユニット300の基板のS2表面方向から得られた青
色光は、コリメートレンズ9により平行光に変換され、
偏光ビームスプリッタ10(PBS)および1/4波長
板11を透過後、立ち上げミラーで反射され、対物レン
ズ12により光ディスク95上に集光される。光ディス
ク95からの反射光は、同じ光路を通って、PBS10
で反射されて90度回転し、検出レンズ系13(検出レ
ンズ、シリンドリカルレンズ)とフォトディテクタ(P
D)14に導かれる。そして、PD14により、サーボ
信号と再生信号が検出される。本実施の形態の光導波路
デバイス100を用いたコヒーレント光源(モジュー
ル)では、モジュールの光軸に対して垂直方向に青色光
を出射することができるため、従来例に示した構成より
もコンパクトな構成の光ピックアップ400を実現する
ことができた。
FIG. 4 shows a schematic configuration of an optical pickup according to the present embodiment, on which the direct coupling type optical module (coherent light source) 300 shown in FIG. 3 is mounted. In the optical pickup 400, the blue light obtained from the S2 surface direction of the substrate of the SHG blue laser integrated unit 300 is converted into parallel light by the collimating lens 9,
After passing through the polarizing beam splitter 10 (PBS) and the 波長 wavelength plate 11, the light is reflected by the rising mirror and condensed on the optical disk 95 by the objective lens 12. The reflected light from the optical disk 95 passes through the same optical path,
Is rotated by 90 degrees, and the detection lens system 13 (detection lens, cylindrical lens) and the photodetector (P
D) It is led to 14. Then, the PD 14 detects the servo signal and the reproduction signal. The coherent light source (module) using the optical waveguide device 100 according to the present embodiment can emit blue light in a direction perpendicular to the optical axis of the module, so that the configuration is more compact than the configuration shown in the conventional example. Optical pickup 400 was realized.

【0105】また、本実施の形態の光ピックアップ40
0では、PD14上の再生光量の変動が観測されない。
これは、本実施の形態では斜面4が光導波路3に対して
斜め方向になっているので、斜面4からの反射光が光デ
ィスク上に導かれることがないためである。しかしなが
ら、ディスクチルトとフォーカスずれが同時に生じたと
きには、光ディスク面からの反射戻り光が光導波路3の
斜面4からわずかにずれた位置に帰還する。このため、
光導波路型QPM−SHGデバイスを構成する基板1の
S1表面で戻り光が再反射されて光導波路を出射する光
との間に干渉効果を生じる。そこで、本実施の形態で
は、光導波路型QPM−SHGデバイスの光導波路3が
形成された基板1のS1表面上に、第2高調波光、すな
わち青色光(波長425nm)に対する無反射部として
反射防止コートを施した。例えば反射率0.1%程度の
反射防止コートを形成したところ、1%以下に干渉効果
を低減することができた。
The optical pickup 40 according to the present embodiment
At 0, no fluctuation in the reproduction light amount on the PD 14 is observed.
This is because, in the present embodiment, the inclined surface 4 is inclined with respect to the optical waveguide 3, so that the reflected light from the inclined surface 4 is not guided onto the optical disk. However, when the disc tilt and the focus shift occur at the same time, the reflected return light from the optical disc surface returns to a position slightly shifted from the slope 4 of the optical waveguide 3. For this reason,
Return light is re-reflected on the S1 surface of the substrate 1 constituting the optical waveguide type QPM-SHG device, and an interference effect occurs with light emitted from the optical waveguide. Therefore, in the present embodiment, antireflection is performed on the S1 surface of the substrate 1 on which the optical waveguide 3 of the optical waveguide type QPM-SHG device is formed as a non-reflection portion for the second harmonic light, ie, blue light (wavelength 425 nm). Coat applied. For example, when an antireflection coat having a reflectance of about 0.1% was formed, the interference effect could be reduced to 1% or less.

【0106】ここで、本実施の形態の変形例を図1Bに
示す。図1Bは、光導波路型QPM−SHGデバイス1
50の概略構成を示す断面図である。図1Aに示される
光導波路デバイス100では、基板1の一方の端面全体
が斜面に形成されているのに対し、図1Bで示される光
導波路デバイス150では、基板1の一方の端面の一部
のみが斜面に形成される。
Here, a modification of the present embodiment is shown in FIG. 1B. FIG. 1B shows an optical waveguide type QPM-SHG device 1.
It is sectional drawing which shows the schematic structure of 50. In the optical waveguide device 100 shown in FIG. 1A, one end face of the substrate 1 is entirely formed on an inclined surface, whereas in the optical waveguide device 150 shown in FIG. 1B, only a part of one end face of the substrate 1 is provided. Are formed on the slope.

【0107】光導波路デバイス150において光導波路
3の入射端面110とは反対側の端面120側が光導波
路3に対して斜めに傾いており(斜面4)、光導波路の
導波光がその斜面4において全反射し、基板1の光導波
路3が形成された表面S1の反対側の表面S2から導波
光を出射される。
In the optical waveguide device 150, the end face 120 of the optical waveguide 3 opposite to the incident end face 110 is inclined obliquely with respect to the optical waveguide 3 (slope 4). The reflected light is emitted from the surface S2 of the substrate 1 opposite to the surface S1 on which the optical waveguide 3 is formed.

【0108】ここでは、MgドープLiNbO3基板1
上に周期的分極反転領域2とプロトン交換光導波路3が
形成され、光導波路3の入射側110とは反対側120
において、光導波路3の方向(Y軸方向)に対して斜め
に傾いた斜面4が形成されている。波長変換により得ら
れた高調波光は、光導波路を伝搬し、斜面4において全
反射して表面S2から出射する。
Here, the Mg-doped LiNbO 3 substrate 1
A periodic domain-inverted region 2 and a proton exchange optical waveguide 3 are formed thereon, and a side 120 opposite to the incident side 110 of the optical waveguide 3.
, A slope 4 is formed which is oblique to the direction of the optical waveguide 3 (Y-axis direction). The harmonic light obtained by the wavelength conversion propagates through the optical waveguide, is totally reflected on the slope 4, and emerges from the surface S2.

【0109】本実施例においては斜面4と表面S1は4
5度の角をなしている。斜面4で全反射した高調波光が
S2から出射する際、斜面4と表面S1との交線L1
と、端面120と表面S2との交線L2とを含む面13
0と、高調波として出射される導波光の出射方向との角
度θが、高調波光の広がり角θ1の半分に対して十分な
角度を有していないと、高調波光は120面に衝突す
る。具体的には、図1Bの広がり角θ1と、面130と
出射方向のなす角θが θ1/2<θ の関係を満たすように斜面4を形成することにより、得
られる高調波光が端面120に衝突するとなく、良好な
ビームとして取り出すことができる。広がり角θ1とし
ては、強度がピーク強度に対して1/e2以下になる幅
を設定することが望ましい。
In this embodiment, the slope 4 and the surface S1 are 4
Makes a 5 degree angle. When the harmonic light totally reflected by the slope 4 exits from S2, the intersection line L1 between the slope 4 and the surface S1
13 including an end surface 120 and an intersection line L2 between the end surface 120 and the surface S2.
If the angle θ between 0 and the emission direction of the guided light emitted as a harmonic does not have a sufficient angle with respect to half of the spread angle θ1 of the harmonic light, the harmonic light collides with the 120 plane. Specifically, by forming the inclined surface 4 so that the divergence angle θ1 in FIG. 1B and the angle θ between the surface 130 and the emission direction satisfy the relationship of θ1 / 2 <θ, the obtained harmonic light is applied to the end surface 120. It can be extracted as a good beam without collision. It is desirable to set the width at which the intensity becomes 1 / e 2 or less of the peak intensity as the divergence angle θ1.

【0110】(実施の形態2)本実施の形態2では、光
導波路デバイスにおいて、光導波路の入射端面とは反対
側の端面が光導波路に対して斜めに傾いており、光導波
路の導波光がその斜面において全反射し、基板の光導波
路が形成された表面S1から導波光を取り出す構成につ
いて説明する。
(Embodiment 2) In Embodiment 2, in the optical waveguide device, the end face of the optical waveguide opposite to the incident end face is inclined with respect to the optical waveguide, and the guided light of the optical waveguide is A configuration in which the reflected light is totally reflected on the inclined surface and the guided light is extracted from the surface S1 of the substrate on which the optical waveguide is formed will be described.

【0111】図5は、本実施の形態2における光導波路
型QPM−SHGデバイス500の概略構成を示す斜視
図である。ここでは、MgドープLiNbO3基板15
の表面S1上に周期的分極反転領域16とプロトン交換
光導波路17が形成され、光導波路16の入射側とは反
対側の端面18が光導波路3に対して斜めに傾いた斜面
になっている。
FIG. 5 is a perspective view showing a schematic configuration of an optical waveguide type QPM-SHG device 500 according to the second embodiment. Here, the Mg-doped LiNbO 3 substrate 15
A periodic domain-inverted region 16 and a proton exchange optical waveguide 17 are formed on the surface S1 of the optical waveguide 3, and an end face 18 of the optical waveguide 16 opposite to the incident side is inclined with respect to the optical waveguide 3. .

【0112】この光導波路デバイス500は、以下のよ
うにして作製した。両面を光学研磨した厚み0.5mm
のMgドープLiNbO3基板15の+X面(S1)
に、実施の形態1と同様の方法により周期的分極反転領
域16とプロトン交換光導波路17を形成した。入射端
面は垂直に研磨し、端面18は光導波路17に対して4
5度になるように光学研磨した。実施の形態1の光導波
路デバイス100では、光導波路3が形成された表面
(S1)の反対面(S2)側に45度の頂角が形成され
るように端面研磨を行ったが、本実施の形態の光導波路
デバイス500では光導波路17が形成された表面(S
1)側に45度の頂角が形成されるように端面研磨を行
った。端面18の研磨は、光導波路型QPM−SHGデ
バイス500を研磨ジグに45度の角度をもたせて固定
し、通常の光学研磨により行った。研磨後、端面の反射
防止コーティングを行った。入射端面には、基本波光で
ある波長850nmに対して反射防止コートを形成し
た。反射防止コートの反射特性は0.02%であった。
また、MgドープLiNbO3基板15の屈折率は2.
2程度であり、端面(斜面)18では全反射が生じるた
め、端面18には何もコーティングを行わなかった。光
導波路17が形成された基板の表面(S1)には、基本
波光である波長850nmに対する無反射部として反射
防止コートを形成した。本実施の形態では、光が端面1
8で全反射したすぐ直後に基板表面(S1)に到達する
ため、基本波に対する反射防止コートを形成しない場合
には、基板表面(S1)で反射が生じて再び光導波路1
7を伝搬する。そのため、半導体レーザを基本波とした
構成では、戻り光ノイズとなって半導体レーザの縦モー
ド状態が劣化する。
This optical waveguide device 500 was manufactured as follows. Optically polished both sides 0.5mm thick
+ X plane of Mg-doped LiNbO 3 substrate 15 (S1)
Then, a periodically poled region 16 and a proton exchange optical waveguide 17 were formed in the same manner as in the first embodiment. The incident end face is vertically polished, and the end face 18 is
Optical polishing was performed to 5 degrees. In the optical waveguide device 100 of the first embodiment, the end surface is polished so that a vertex angle of 45 degrees is formed on the side (S2) opposite to the surface (S1) on which the optical waveguide 3 is formed. In the optical waveguide device 500 of the embodiment, the surface (S
1) The end face was polished so that a vertex angle of 45 degrees was formed on the side. Polishing of the end face 18 was performed by ordinary optical polishing by fixing the optical waveguide type QPM-SHG device 500 at an angle of 45 degrees to the polishing jig. After polishing, an antireflection coating was applied to the end face. An antireflection coat was formed on the incident end face for a wavelength of 850 nm, which is the fundamental light. The reflection characteristic of the antireflection coat was 0.02%.
The refractive index of the Mg-doped LiNbO 3 substrate 15 is 2.
Since the total reflection was about 2 and the end face (slope) 18 was totally reflected, no coating was performed on the end face 18. On the surface (S1) of the substrate on which the optical waveguide 17 was formed, an antireflection coat was formed as a non-reflection portion for a wavelength of 850 nm, which is a fundamental wave light. In this embodiment, light is emitted from the end face 1
Since the light reaches the substrate surface (S1) immediately after the total reflection at 8, if the antireflection coat for the fundamental wave is not formed, reflection occurs on the substrate surface (S1) and the optical waveguide 1
7 is propagated. Therefore, in a configuration using a semiconductor laser as a fundamental wave, return light noise occurs and the longitudinal mode state of the semiconductor laser deteriorates.

【0113】このようにして得られた光導波路型QPM
−SHGデバイス500を用いて図6に示すようなコヒ
ーレント光源600を構成し、その特性を評価した。基
本波としては、AlGaAs系の波長可変DBR半導体
レーザ19を用い、レンズ22を用いて光結合を行っ
た。その結果、半導体レーザ出力100mWに対して4
5mWの半導体レーザ光が、光導波路17が形成された
基板表面(S1)から得られた。導波損失を1dB、基
板表面の反射損失(425nmに対する反射防止コート
が形成されているため)を10%程度とすると、60m
W程度の半導体レーザ光が光導波路内に結合したものと
考えられる。
The thus-obtained optical waveguide type QPM
-A coherent light source 600 as shown in FIG. 6 was configured using the SHG device 500, and its characteristics were evaluated. As a fundamental wave, an optical coupling was performed using a lens 22 using an AlGaAs-based tunable DBR semiconductor laser 19. As a result, for a semiconductor laser output of 100 mW, 4
Semiconductor laser light of 5 mW was obtained from the substrate surface (S1) on which the optical waveguide 17 was formed. Assuming that the waveguide loss is 1 dB and the reflection loss on the substrate surface (because the antireflection coat for 425 nm is formed) is about 10%, 60 m
It is considered that about W semiconductor laser light was coupled into the optical waveguide.

【0114】本実施の形態の構成では、従来のように出
射端面を垂直に研磨したサンプルと同様、基板表面S1
での反射光が半導体レーザに帰還するため、基板S1表
面にも850nmに対する反射防止コートを形成した。
その反射率は0.02%とした。よって、両面からの反
射光量を0.05%以下に低減でき、良好な波長可変特
性が得られた。
In the configuration of the present embodiment, the substrate surface S1 is formed in the same manner as in the case of the sample whose output end face is polished vertically as in the conventional case.
Since the light reflected by the substrate returns to the semiconductor laser, an antireflection coating for 850 nm was also formed on the surface of the substrate S1.
The reflectance was 0.02%. Therefore, the amount of light reflected from both surfaces can be reduced to 0.05% or less, and good wavelength tunable characteristics are obtained.

【0115】次に、波長可変DBR半導体レーザ19の
発振波長を光導波路型QPM−SHGデバイス500の
位相整合波長に調整して、青色光を発生した。青色光も
端面18で全反射し、光導波路17が形成された基板表
面(S1)から10mWの青色光が得られた。光導波路
型QPM−SHGデバイス500では、導波モードの基
本波光と導波モードの高調波光が擬似的に位相整合する
ため、青色光は導波モードとして光導波路17を伝搬
し、斜めに研磨された出射端面18で全反射して、基板
表面方向に出射された。本実施の形態では、基板のS1
表面に高調波光、すなわち青色光(425nm)に対し
て反射防止コートを形成してあるため、青色光を高効率
にS1表面から取り出すことができた。
Next, the oscillation wavelength of the wavelength tunable DBR semiconductor laser 19 was adjusted to the phase matching wavelength of the optical waveguide type QPM-SHG device 500 to generate blue light. The blue light was also totally reflected by the end face 18, and 10 mW blue light was obtained from the substrate surface (S1) on which the optical waveguide 17 was formed. In the optical waveguide type QPM-SHG device 500, the fundamental light in the guided mode and the harmonic light in the guided mode are quasi-phase-matched, so that the blue light propagates in the optical waveguide 17 as a guided mode and is polished obliquely. The light was totally reflected by the output end face 18 and emitted toward the substrate surface. In the present embodiment, the substrate S1
Since an antireflection coat was formed on the surface for harmonic light, that is, blue light (425 nm), blue light could be extracted from the S1 surface with high efficiency.

【0116】このように光導波路17が形成された基板
表面(S1)から出射した青色光をコリメートレンズ2
3で平行光に変換し、対物レンズで集光して青色光の集
光特性を評価した。実施の形態1では、青色光が基板の
厚み方向に透過し、基板の厚みの違いによって球面収差
の発生量が異なるため、基板の厚みを制御する必要があ
る。しかしながら、本実施の形態のように光導波路17
が形成された基板表面(S1)から出射する構成では、
コリメートレンズ23をあらかじめ設計することによ
り、基板の厚みに関係なく、青色光を収差の無い平行光
に変換することができた。
The blue light emitted from the substrate surface (S1) on which the optical waveguide 17 is formed as described above is
The light was converted into a parallel light in 3 and condensed by an objective lens, and the light condensing property of blue light was evaluated. In the first embodiment, it is necessary to control the thickness of the substrate because blue light is transmitted in the thickness direction of the substrate, and the amount of occurrence of spherical aberration differs depending on the thickness of the substrate. However, as in the present embodiment, the optical waveguide 17
In the configuration in which light is emitted from the substrate surface (S1) on which
By designing the collimating lens 23 in advance, it was possible to convert blue light into parallel light without aberration, regardless of the thickness of the substrate.

【0117】本実施の形態においては、出射光が基板を
透過しないので、実施の形態1の光導波路デバイス10
0のように集光スポットにコマ収差が発生することは無
い。しかし、ビームを垂直に出射することによりコリメ
ートレンズ等の光学部品を機械的に並べることができ、
傾いて出射するとコリメートレンズ等で収差が発生する
ので、光ディスクのシステムで許容される収差量以内に
抑制するためには、光導波路に対して45度±1度で端
面を形成するのが好ましい。
In the present embodiment, since the emitted light does not pass through the substrate, the optical waveguide device 10 of the first embodiment is not used.
Coma does not occur in the condensed spot unlike 0. However, by emitting the beam vertically, optical components such as a collimating lens can be mechanically arranged,
If the light is emitted at an angle, an aberration is generated by the collimating lens or the like. Therefore, in order to suppress the aberration within the allowable amount of the optical disk system, it is preferable to form the end surface at 45 ° ± 1 ° with respect to the optical waveguide.

【0118】なお、本実施の形態のように基板の表面S
1から光を出射させる構成において、波長変換により得
られる高調波光が導波モードであるのが好ましい。導波
モード以外の放射モードでは、基板方向に放射するた
め、基板の厚みが必要であり、基板のS2面で反射され
てしまう。また、放射モードの光では、回折限界までの
集光特性が困難であり、ディスク再生装置等に応用する
のが困難である。
Note that, as in the present embodiment, the surface S
In the configuration for emitting light from No. 1, it is preferable that the harmonic light obtained by the wavelength conversion be in a guided mode. In a radiation mode other than the waveguide mode, radiation is performed in the direction of the substrate, so that the substrate needs to have a thickness and is reflected on the S2 surface of the substrate. Also, with light in the radiation mode, it is difficult to condense light up to the diffraction limit, and it is difficult to apply it to a disk reproducing device or the like.

【0119】なお、本実施の形態では、結合レンズを用
いて波長可変型半導体レーザの光を光導波路に結合し
た。しかしながら、実施の形態1でも説明したように、
半導体レーザの光出射端面と光導波路の光入射端面との
距離を数μm程度(例えば0μm以上かつ10μm以
下)にして、結合レンズを用いない直接結合方式にすれ
ば、入射端面での戻り光によるノイズが生じない。
In this embodiment, the light of the wavelength tunable semiconductor laser is coupled to the optical waveguide using the coupling lens. However, as described in Embodiment 1,
If the distance between the light emitting end face of the semiconductor laser and the light incident end face of the optical waveguide is set to about several μm (for example, 0 μm or more and 10 μm or less) and a direct coupling method without using a coupling lens is used, the return light at the incident end face No noise occurs.

【0120】図7に、本実施の形態における直接結合型
の光モジュール700の構成を示す。このコヒーレント
光源を用いた集積化ユニット700においては、波長可
変DBR半導体レーザ19と光導波路型QPM−SHG
デバイス500を、活性領域21側の表面および光導波
路17側の表面がサブマウント25に接するようにして
実装した。サブマウント25上には、活性領域21およ
びDBR領域20に電流を注入するために、それぞれ独
立した電極(図示せず)を形成してある。半導体レーザ
19の出射端面と光導波路の入射端面の距離は3μmに
設定して、光結合調整を行った。厚み方向の調整は、光
導波路上に形成した保護膜(図示せず)の厚みにより行
った。このときの光結合効率は、レンズを用いて結合し
た場合とほぼ同程度のものが得られた。この直接結合型
モジュール700では、半導体レーザ19の出射端面と
光導波路デバイス500の光導波路の入射端面との間の
距離が短いので、光導波路の入射端面からの反射光が半
導体レーザへの戻り光ノイズとして作用せず、半導体レ
ーザの出射端面と同様に作用する。
FIG. 7 shows a configuration of a direct coupling type optical module 700 according to the present embodiment. In the integrated unit 700 using this coherent light source, the wavelength tunable DBR semiconductor laser 19 and the optical waveguide type QPM-SHG are used.
The device 500 was mounted such that the surface on the active region 21 side and the surface on the optical waveguide 17 side were in contact with the submount 25. On the submount 25, independent electrodes (not shown) are formed to inject current into the active region 21 and the DBR region 20, respectively. The distance between the emission end face of the semiconductor laser 19 and the incidence end face of the optical waveguide was set to 3 μm, and the optical coupling was adjusted. The adjustment in the thickness direction was performed by adjusting the thickness of a protective film (not shown) formed on the optical waveguide. The optical coupling efficiency at this time was almost the same as that obtained by coupling using a lens. In this direct coupling type module 700, since the distance between the emission end face of the semiconductor laser 19 and the incidence end face of the optical waveguide of the optical waveguide device 500 is short, the reflected light from the incidence end face of the optical waveguide returns to the semiconductor laser. It does not act as noise, but acts in the same way as the emission end face of the semiconductor laser.

【0121】この構成においては、光導波路中を導波し
た半導体レーザ光は、波長変換により青色光に変換さ
れ、基板のS1表面方向からTEM00モードで得られ
る。よって、サブマウント25上に取り出し窓26を形
成することにより、直接結合方式においてもS1表面か
ら青色光を取り出すことができた。
In this configuration, the semiconductor laser light guided in the optical waveguide is converted into blue light by wavelength conversion and is obtained in the TEM00 mode from the direction of the S1 surface of the substrate. Therefore, by forming the extraction window 26 on the submount 25, blue light could be extracted from the S1 surface even in the direct coupling method.

【0122】さらに、本実施の形態では、半導体レーザ
として波長可変型の半導体レーザを用いているため、光
導波路デバイスとして波長変換デバイスを用いたときに
安定して高調波光出力を得ることができる。本実施の形
態のように、波長可変機能が集積化された波長可変DB
R半導体レーザ19を半導体レーザとして用いることに
より、モジュールの小型化も実現可能であるため、光デ
ィスク記録再生装置やレーザプリンタなどの応用機器に
適応した場合に、その効果は大きい。
Further, in this embodiment, since a wavelength-variable semiconductor laser is used as the semiconductor laser, a stable harmonic light output can be obtained when a wavelength conversion device is used as the optical waveguide device. A tunable DB in which a tunable function is integrated as in the present embodiment.
By using the R semiconductor laser 19 as a semiconductor laser, the size of the module can be reduced. Therefore, when the present invention is applied to an applied device such as an optical disk recording / reproducing device or a laser printer, the effect is large.

【0123】また、本実施の形態においても、モジュー
ルの光軸に対して垂直方向に青色光を出射することがで
きるため、従来例に示す構成よりコンパクトな光ピック
アップの構成を実現することができた。
Also, in this embodiment, since blue light can be emitted in the direction perpendicular to the optical axis of the module, a configuration of an optical pickup that is more compact than the configuration shown in the conventional example can be realized. Was.

【0124】また、本実施の形態のコヒーレント光源を
搭載した光ピックアップについて、実施の形態1と同様
に再生信号を評価したところ、PD上の再生光量の変動
が観測された。この変動は、通常の再生では問題とはな
らない程度であるが、反射防止膜を形成することによ
り、さらに良好な再生信号が得られる。さらに、本実施
の形態では、光導波路型QPM−SHGデバイス500
の光導波路が形成されたS1表面上に、半導体レーザか
らの基本波光(波長850nm)および第2高調波光、
すなわち青色光(波長425nm)に対する多層膜の反
射防止コートを形成することにより、波長850nmお
よび波長425nmに対して反射率が0.1%程度の反
射防止コートが得られ、1%以下に干渉効果を低減する
ことができる。
When the reproduction signal of the optical pickup equipped with the coherent light source of the present embodiment was evaluated in the same manner as in the first embodiment, the fluctuation of the reproduction light amount on the PD was observed. Although this variation does not cause a problem in normal reproduction, by forming the antireflection film, a better reproduction signal can be obtained. Furthermore, in the present embodiment, the optical waveguide type QPM-SHG device 500
The fundamental wave light (wavelength 850 nm) and the second harmonic light from the semiconductor laser are formed on the S1 surface on which the optical waveguide is formed.
That is, by forming an antireflection coat of a multilayer film for blue light (wavelength 425 nm), an antireflection coat having a reflectance of about 0.1% for wavelengths of 850 nm and 425 nm is obtained, and an interference effect of 1% or less is obtained. Can be reduced.

【0125】(実施の形態3)上述したように、光導波
路デバイスの光導波路の端面に全反射角を有する斜面を
形成することで、光導波路デバイスの導波光を有効に取
り出すことができる。また、この光導波路デバイスを半
導体レーザとモジュール化することで、光源の小型化お
よび出射光の安定化を図ることができ、さらに半導体レ
ーザへの端面からの戻り光も低減することができる。し
かしながら、光導波路の端面に全反射角を形成する場合
には、光学研磨による方法が必要となるため、大量に素
子を製造する量産工程においてはコスト削減に対して課
題を有する。そこで、本実施の形態では、量産化が容易
なウェハプロセスに適用可能な光導波路デバイスの構成
について提案する。
(Embodiment 3) As described above, by forming a slope having a total reflection angle on the end face of the optical waveguide of the optical waveguide device, the guided light of the optical waveguide device can be effectively extracted. Further, by forming this optical waveguide device into a module with a semiconductor laser, it is possible to reduce the size of the light source and stabilize the emitted light, and further reduce the light returned from the end face to the semiconductor laser. However, in the case where the total reflection angle is formed on the end face of the optical waveguide, a method by optical polishing is required. Therefore, there is a problem in cost reduction in a mass production process for manufacturing a large number of elements. Therefore, the present embodiment proposes a configuration of an optical waveguide device applicable to a wafer process that can be easily mass-produced.

【0126】図8は本実施の形態における光導波路デバ
イス800の概略構成を示す斜視図である。ここでは、
基板30上に光導波路31が形成され、その光導波路3
1が形成されている基板30の表面(S1)に凹部32
が形成されている。凹部32は、光導波路31にほぼ直
交する方向にストライプ状に形成され、凹部32の側面
32aは導波光が全反射する角度に形成されている。光
導波路31を伝搬する光は凹部32の側面32aで反射
され、基板30の裏面(S2)から出射される。
FIG. 8 is a perspective view showing a schematic configuration of an optical waveguide device 800 according to the present embodiment. here,
An optical waveguide 31 is formed on a substrate 30 and the optical waveguide 3
1 is formed on the surface (S1) of the substrate 30 on which the recesses 32 are formed.
Are formed. The concave portion 32 is formed in a stripe shape in a direction substantially orthogonal to the optical waveguide 31, and a side surface 32a of the concave portion 32 is formed at an angle at which the guided light is totally reflected. Light propagating through the optical waveguide 31 is reflected by the side surface 32a of the concave portion 32 and is emitted from the back surface (S2) of the substrate 30.

【0127】この光導波路デバイス800は、例えば以
下のようにして作製することができる。量産化を容易に
するために、凹部の形成には半導体プロセスで用いられ
ているエッチングプロセスを利用する。ここでは、イオ
ンビームミリング装置を用いた傾斜エッチングにより凹
部を形成した例について述べる。基板30としては、L
iNbO3基板を用いた。このLiNbO3基板は、プロ
トン交換により低損失の光導波路を容易に形成すること
ができる。
This optical waveguide device 800 can be manufactured, for example, as follows. In order to facilitate mass production, an etching process used in a semiconductor process is used for forming the concave portion. Here, an example in which a concave portion is formed by inclined etching using an ion beam milling device will be described. As the substrate 30, L
An iNbO 3 substrate was used. With this LiNbO 3 substrate, a low-loss optical waveguide can be easily formed by proton exchange.

【0128】反応性ガスを用いたイオンビームミリング
装置は、エッチングの選択性および一方位性が高いた
め、傾斜面を有するエッチング断面を形成することがで
きる。作製プロセスとしては、まず、Cr膜を基板30
に堆積し、フォトリソグラフィ法により凹部32のCr
膜を除去してエッチング遮蔽マスクとする。これをマス
クとして反応性ガスを用いた反応性イオンビームミリン
グ装置により基板をエッチングすることにより、凹部3
2を形成した。このとき、ミリング装置におけるイオン
ビームの出射方向に対して基板30を傾けることによ
り、エッチング側面(凹部の側面32a)を基板に対し
て斜めに形成することができた。反応性ガスとしてC3
8を用いることにより、Cr膜とLiNbO3基板30
の選択比の向上を図ることができ、基板30表面(S
1)に対して45度の側面32aを有する凹部32を形
成することができた。本実施の形態では、3インチウェ
ハ全体に渡って所望の凹部を一括プロセスにより形成す
ることができ、これによって量産化が可能となった。こ
のようにエッチングにより凹部加工を行うと、ウェハプ
ロセスが容易になるのに加え、凹部の形状、位置精度、
凹部の深さ等の精密な制御が可能となり、後述するよう
な構成を実現するのに有効である。
The ion beam milling apparatus using a reactive gas has high etching selectivity and one-sidedness, so that an etched cross section having an inclined surface can be formed. First, a Cr film is formed on the substrate 30.
On the concave portions 32 by photolithography.
The film is removed to form an etching mask. The substrate is etched by a reactive ion beam milling apparatus using a reactive gas using this as a mask, so that the recess 3 is formed.
2 was formed. At this time, the etching side surface (the side surface 32a of the concave portion) could be formed obliquely with respect to the substrate by inclining the substrate 30 with respect to the ion beam emission direction in the milling device. C 3 as reactive gas
By using F 8 , the Cr film and the LiNbO 3 substrate 30
Of the substrate 30 (S
A recess 32 having a side surface 32a at 45 degrees to 1) could be formed. In the present embodiment, a desired concave portion can be formed by a collective process over the entire 3-inch wafer, thereby enabling mass production. Performing the recess processing by etching in this manner facilitates the wafer process, as well as the shape, position accuracy,
Precise control of the depth of the concave portion and the like becomes possible, which is effective for realizing a configuration described later.

【0129】なお、凹部32を形成する方法としては、
その他に、ダイシングによる方法もあり、研削切断が可
能なブレードによって凹部32を形成することができ
る。例えば面荒さ#6000のブレードを用いれば、光
学研磨に近い断面を形成することができる。また、ブレ
ードの形状を断面45°に加工し、これにより光導波路
の厚み以上の深さ、例えば5μm程度の切り込みを光導
波路表面近傍に形成することで、光導波路を全反射する
凹部の形成が可能となる。なお、ダイシングを用いた場
合には、凹部の側面形状の加工は容易であるが、精確な
V字加工を行うためには先鋭なブレード形状を必要と
し、ブレードの消耗が激しくなる。従って、側面のみ4
5度の鏡面を形成し、底面に関しては形状を問わない方
法が適している。光導波路31は表面から数μm程度に
しか存在しないため、ダイシングの深さを10μm程度
にとれば、凹部32の底部の影響を受けることなく、必
要な全反射角を形成することができた。このようにダイ
シングによって反射端面を形成する場合には、フォトリ
ソグラフィやエッチング等の工程が不要となるため、作
製工程の単純化および短時間化を図ることができる。ま
た、ダイシングを10μm程度しか行わないことで鏡面
加工が容易になり、ブレードの消耗も少なく、歩留まり
の高い加工が容易になった。
The method of forming the recess 32 is as follows.
In addition, there is a dicing method, and the recess 32 can be formed by a blade that can be ground and cut. For example, if a blade having a surface roughness of # 6000 is used, a cross section close to optical polishing can be formed. Also, by processing the shape of the blade to a cross-section of 45 ° and forming a notch having a depth equal to or greater than the thickness of the optical waveguide, for example, about 5 μm in the vicinity of the surface of the optical waveguide, the formation of a concave portion that totally reflects the optical waveguide can be achieved. It becomes possible. When dicing is used, it is easy to process the side surface shape of the concave portion, but a sharp blade shape is required in order to perform accurate V-shape processing, and the blade is greatly consumed. Therefore, only the side 4
A method in which a mirror surface of 5 degrees is formed and the shape of the bottom surface is not limited is suitable. Since the optical waveguide 31 exists only about a few μm from the surface, if the dicing depth is about 10 μm, the required total reflection angle can be formed without being affected by the bottom of the concave portion 32. In the case where the reflection end face is formed by dicing in this manner, steps such as photolithography and etching are not required, so that the manufacturing process can be simplified and the time can be shortened. Further, by performing the dicing only about 10 μm, the mirror surface processing was facilitated, the consumption of the blade was small, and the processing with high yield was facilitated.

【0130】本実施の形態においても、実施の形態1と
同様に、光導波路に対して45度以外の角度で凹部の側
面を形成すると、集光スポットにコマ収差が発生した。
光ディスクのシステムで許容される収差量以内に抑制す
るためには、光導波路に対して45度±1度で凹部の側
面を形成する必要があった。
In the present embodiment, similarly to Embodiment 1, when the side surface of the concave portion is formed at an angle other than 45 degrees with respect to the optical waveguide, coma aberration occurs in the condensed spot.
In order to suppress the aberration within the allowable amount of the optical disk system, it is necessary to form the side surface of the concave portion at 45 ° ± 1 ° with respect to the optical waveguide.

【0131】次に、光波長変換機能を有する光導波路デ
バイスに上記構成を適用する場合について、検討を行っ
た。周期状の分極反転構造に光導波路を形成することに
より光導波路デバイスを構成することができ、基板とし
て非線形性の高いMgドープLiNbO3基板を用いる
ことにより、高効率の光波長変換素子を構成することが
できる。例えば、基本波として850nmの波長の赤外
光を入射すると、425nmの青色光を出射することが
できる。この青色光を出射するために、従来の光導波路
端面から取り出す構成に代えて、本願発明で提案してい
る光導波路に形成した全反射面(斜面)から取り出す構
成を用いた。ここでの構成上のポイントは、光導波路に
形成した全反射面を利用して基本波と高調波の波長分離
が可能となる点である。
Next, the case where the above configuration is applied to an optical waveguide device having an optical wavelength conversion function was examined. An optical waveguide device can be formed by forming an optical waveguide in a periodically poled structure, and a highly efficient optical wavelength conversion element is formed by using a highly nonlinear Mg-doped LiNbO 3 substrate as a substrate. be able to. For example, when infrared light having a wavelength of 850 nm is incident as a fundamental wave, 425 nm blue light can be emitted. In order to emit this blue light, a configuration for taking out from the total reflection surface (slope) formed in the optical waveguide proposed in the present invention was used instead of the conventional configuration for taking out from the end face of the optical waveguide. The point in the configuration here is that wavelength separation of a fundamental wave and a harmonic can be performed using the total reflection surface formed in the optical waveguide.

【0132】図9Aは本実施の形態における光波長変換
機能を有する光導波路デバイス900の概略構成を示す
断面図である。ここでは、MgドープLiNbO3基板
33の表面近傍に周期3.2μmの周期的分極反転領域
34を有する光導波路35が形成されている。そして、
光導波路35が形成されている基板表面近傍に凹部36
が形成されている。
FIG. 9A is a sectional view showing a schematic configuration of an optical waveguide device 900 having an optical wavelength conversion function according to the present embodiment. Here, an optical waveguide 35 having a periodically domain-inverted region 34 with a period of 3.2 μm is formed near the surface of the Mg-doped LiNbO 3 substrate 33. And
A concave portion 36 is provided near the surface of the substrate on which the optical waveguide 35 is formed.
Are formed.

【0133】この光導波路35において、導波路光とし
て伝搬する基本波は、実施の形態1および実施の形態2
と同様に、導波光として伝搬する高調波へと変換され
る。そして、高調波が凹部36の側面36aによって全
反射することで、MgドープLiNbO3基板33の裏
面(S2)から高調波を取り出すことが可能となる。よ
って、導波モードとして伝搬している高調波は、上記構
成により効率よく外部へ出力することが可能となる。さ
らに、この構成では、導波モードのプロファイルの違い
から、凹部36を用いた波長分離が可能となる。光導波
路35を伝搬する基本波と高調波は、波長および屈折率
分散の関係から、異なる電界分布を有している。例え
ば、プロトン交換層をアニールして形成した光導波路に
おいては、基本波モードプロファイルの深さ方向広がり
(基本波光の導波モードの深さt1)は約2.5〜3μ
m程度であり、この基本波に対して発生した高調波のモ
ードプロファイルの深さ方向広がり(第2高調波光の導
波モードの深さt2)は基本波の約半分程度である。こ
の特性を利用すれば、光導波路35に形成した凹部36
によって波長分離が可能となる。エッチングにより形成
した凹部は、上述したように、形状を精密に制御するこ
とができる。特に、イオンビームミリングによる方法
は、高い精度と量産性を有するため、本実施の形態の光
導波路デバイス900構造の作製に有効に用いることが
できる。この方法により、例えば、凹部36の深さtを
2<t<t1、例えばt=1.5μm程度に形成する
と、高調波を凹部36で全反射して外部に取り出すこと
ができ、同時に、基本波はその大半を凹部36を通過し
て光導波路35をそのまま伝搬させることができる。こ
れによって、凹部36を通過する基本波を外部で検出
し、基本波の出力特性をモニターすることができる。さ
らに、出射する高調波に混じる基本波の出力を低減する
ことが容易になる。
In this optical waveguide 35, the fundamental wave propagating as the waveguide light is the same as in the first and second embodiments.
In the same manner as described above, the light is converted into a higher harmonic that propagates as guided light. Then, the harmonic is totally reflected by the side surface 36a of the concave portion 36, so that the harmonic can be extracted from the back surface (S2) of the Mg-doped LiNbO 3 substrate 33. Therefore, harmonics propagating as a guided mode can be efficiently output to the outside by the above configuration. Further, in this configuration, wavelength separation using the concave portion 36 becomes possible due to the difference in the profile of the waveguide mode. The fundamental wave and the harmonic wave propagating in the optical waveguide 35 have different electric field distributions due to the relationship between the wavelength and the refractive index dispersion. For example, in an optical waveguide formed by annealing a proton exchange layer, the spread in the depth direction of the fundamental mode profile (the depth t 1 of the guided mode of the fundamental light) is about 2.5 to 3 μm.
m, and the mode profile of the harmonic generated with respect to this fundamental wave in the depth direction (the depth t 2 of the guided mode of the second harmonic light) is about half of the fundamental wave. By utilizing this characteristic, the concave portion 36 formed in the optical waveguide 35 can be used.
This allows wavelength separation. The shape of the recess formed by etching can be precisely controlled as described above. In particular, since the method using ion beam milling has high accuracy and mass productivity, it can be effectively used for manufacturing the structure of the optical waveguide device 900 of the present embodiment. According to this method, for example, when the depth t of the concave portion 36 is formed to be t 2 <t <t 1 , for example, about t = 1.5 μm, harmonics can be totally reflected by the concave portion 36 and extracted to the outside. Most of the fundamental wave can pass through the concave portion 36 and propagate through the optical waveguide 35 as it is. Thus, the fundamental wave passing through the concave portion 36 can be detected outside, and the output characteristics of the fundamental wave can be monitored. Further, it becomes easy to reduce the output of the fundamental wave mixed with the emitted harmonic.

【0134】さらに、光導波路構造としては、光導波路
表面に高屈折率クラッド層を有する構成を用いるのが有
効である。図9Bに、高屈折率クラッド層を設けた光導
波路デバイス950を示す。高屈折率クラッド層46
は、光導波路35よりも高い屈折率を有するクラッド層
を光導波路上に形成することで構成される。例えば、L
iNbO3基板上にプロトン交換とアニール処理を行う
ことにより光導波路35を形成し(アニール処理により
屈折率は基板に近くなる)、さらにプロトン交換を行う
ことで高屈折率クラッド層46を形成することができ
る。クラッド層46の厚みが、光導波路35を伝搬する
基本波に対してカットオフ条件(クラッド層の厚みを薄
くすることにより導波モードで伝搬できなくなり、放射
モードになる条件)を満足することで、基本波の光導波
路内への閉じ込めを強化しつつ、基本波がクラッド層4
6に閉じこもるのを防止することができる。この結果、
基本波は光導波路内に強く閉じ込められてその中を伝搬
し、パワー密度の向上を図ることができるため、変換効
率の向上が可能となる。同時に、高効率クラッド層構造
とすることにより、高調波に対しても、光導波路内への
光閉じ込めを強化することができる。この結果、高調波
の伝搬モードの深さは、高効率クラッド層を形成しない
場合に比べて80%以下に減少する。従って、基板表面
近傍に形成する凹部の深さをより小さくすることが設定
できる。なお、エッチングにより凹部を形成する際には
1μm以上の深いエッチングを行う必要があるが、基板
表面に45度の側面を1μm以上の深さに渡って形成す
るには選択性の高いマスク材料が必要となる。さらに、
深いエッチングを行うと、エッチング側面に荒れが発生
して反射面の反射率が低下し、反射光の波面の揺らぎに
よって出射光の集光特性が劣化するという問題が生じ
た。これに対して、高屈折率クラッド構造を有する光導
波路を用いることで、必要となる凹部の深さを20%低
減することが可能となり、エッチング特性の改善および
凹部の側面の面荒れを大幅に低減することが可能となっ
た。
Further, as the optical waveguide structure, it is effective to use a configuration having a high refractive index cladding layer on the surface of the optical waveguide. FIG. 9B shows an optical waveguide device 950 provided with a high refractive index cladding layer. High refractive index cladding layer 46
Is formed by forming a cladding layer having a higher refractive index than the optical waveguide 35 on the optical waveguide. For example, L
Forming the optical waveguide 35 by performing proton exchange and annealing on the iNbO 3 substrate (the refractive index becomes closer to the substrate by annealing), and forming the high refractive index cladding layer 46 by further performing proton exchange. Can be. The thickness of the cladding layer 46 satisfies the cut-off condition for the fundamental wave propagating in the optical waveguide 35 (the condition that the cladding layer becomes thinner so that it cannot be propagated in the waveguide mode and becomes a radiation mode). While the confinement of the fundamental wave in the optical waveguide is enhanced,
6 can be prevented from being trapped. As a result,
The fundamental wave is strongly confined in the optical waveguide and propagates therethrough, and the power density can be improved, so that the conversion efficiency can be improved. At the same time, by using a high-efficiency cladding layer structure, light confinement in the optical waveguide can be enhanced even for harmonics. As a result, the depth of the harmonic propagation mode is reduced to 80% or less as compared with the case where the high-efficiency cladding layer is not formed. Therefore, the depth of the concave portion formed near the substrate surface can be set smaller. Note that when forming the concave portion by etching, it is necessary to perform a deep etching of 1 μm or more, but a mask material having high selectivity is required to form a 45 ° side surface on the substrate surface over a depth of 1 μm or more. Required. further,
When deep etching is performed, roughness occurs on the etching side surface, the reflectance of the reflection surface decreases, and the fluctuation of the wavefront of the reflected light deteriorates the light-collecting characteristics of the emitted light. On the other hand, by using an optical waveguide having a high-refractive-index cladding structure, it is possible to reduce the required depth of the concave portion by 20%, thereby improving the etching characteristics and greatly reducing the side surface roughness of the concave portion. It became possible to reduce.

【0135】ここで、図9Cを参照して、本実施の形態
における好ましい光導波路デバイスを説明する。図9C
は、光導波路デバイス970の概略構成を示す断面図で
ある。ここでは、MgドープLiNbO3基板33上に光
導波路35と周期的分極反転34が形成され、その光導
波路35が形成されている基板の表面(S1)に凹部3
6が形成されている。凹部36は、光導波路にほぼ直交
する方向にストライプ状に形成され、凹部36の側面3
6aは導波光が全反射する角度に形成されている。光導
波路35を伝搬する光は凹部の側面36aで反射され、
基板の裏面(S2)から出射される。
Here, a preferred optical waveguide device in the present embodiment will be described with reference to FIG. 9C. FIG. 9C
Is a sectional view showing a schematic configuration of an optical waveguide device 970. Here, an optical waveguide 35 and a periodic domain inversion 34 are formed on a Mg-doped LiNbO 3 substrate 33, and a concave portion 3 is formed on the surface (S1) of the substrate on which the optical waveguide 35 is formed.
6 are formed. The concave portion 36 is formed in a stripe shape in a direction substantially perpendicular to the optical waveguide, and the side surface 3 of the concave portion 36 is formed.
6a is formed at an angle at which the guided light is totally reflected. Light propagating through the optical waveguide 35 is reflected by the side surface 36a of the concave portion,
The light is emitted from the back surface (S2) of the substrate.

【0136】光導波路デバイス970においては、側面
36aと表面S1は45度の角をなしている。側面36
aで全反射した高調波光がS2から出射する際、斜面3
6aと表面S1との交線L1と、基板の端面920と基
板の表面S2との交線L2とを含む面930と、高調波
光の出射方向との角度θが、高調波光の広がり角θ1の
半分に対して十分な大きな角度を有していないと、高調
波光は端面920に衝突する。具体的には、図9Cの広
がり角θ1と、面930と出射方向のなす角θが θ1/2<θ の関係を満たすように斜面36aを形成することによ
り、得られる高調波光が端面920に衝突することな
く、良好なビームとして取り出すことができる。広がり
角θ1として、強度がピーク強度に対して1/e2以下
になる幅に設定することが望ましい。
In the optical waveguide device 970, the side surface 36a and the surface S1 form an angle of 45 degrees. Side 36
When the harmonic light totally reflected at a exits from S2, the slope 3
The angle θ between the intersection line L1 between the substrate 6a and the surface S1 and the surface 930 including the intersection line L2 between the end surface 920 of the substrate and the surface S2 of the substrate, and the emission direction of the harmonic light is the angle θ of the spread angle θ1 of the harmonic light. If it does not have a large enough angle to half, the harmonic light will strike end face 920. Specifically, by forming the inclined surface 36a so that the spread angle θ1 in FIG. 9C and the angle θ between the surface 930 and the emission direction satisfy the relationship of θ1 / 2 <θ, the obtained harmonic light is reflected on the end surface 920. It can be extracted as a good beam without collision. It is desirable to set the spread angle θ1 to a width where the intensity is 1 / e 2 or less of the peak intensity.

【0137】図9Dは、光導波路型QPM−SHGデバ
イス980の概略構成を示す断面図である。ここでは、
MgドープLiNbO3基板33上に周期的分極反転領
域34とプロトン交換光導波路35が形成され、光導波
路デバイス980の入射端面910とは反対端面920
において、光導波路35に対して斜めに傾いた斜面94
0が形成されている。波長変換により得られた高調波光
は、光導波路を伝搬し、斜面940において全反射して
表面S2から出射する。
FIG. 9D is a sectional view showing a schematic configuration of the optical waveguide type QPM-SHG device 980. here,
A periodically poled region 34 and a proton exchange optical waveguide 35 are formed on a Mg-doped LiNbO 3 substrate 33, and an end surface 920 opposite to the incident end surface 910 of the optical waveguide device 980.
, The slope 94 inclined obliquely to the optical waveguide 35
0 is formed. The harmonic light obtained by the wavelength conversion propagates through the optical waveguide, is totally reflected on the slope 940, and emerges from the surface S2.

【0138】図9Dの光導波路型QPM−SHGデバイ
ス980と波長可変DBR半導体レーザから構成される
コヒーレント光源を光ディスク記録再生装置に応用する
際には、斜面940で反射し表面S2から出射した高調
波光は、コリメートレンズで平行光に変換された後、対
物レンズにより光ディスク上に集光される。光ディスク
記録再生装置などに応用する場合、その集光特性は再生
特性に大きく影響し、波面収差の小さなコヒーレント光
が望まれる。
When the coherent light source composed of the optical waveguide type QPM-SHG device 980 and the wavelength tunable DBR semiconductor laser shown in FIG. 9D is applied to an optical disk recording / reproducing apparatus, the harmonic light reflected by the slope 940 and emitted from the surface S2 is used. Is converted into parallel light by a collimator lens, and then condensed on an optical disk by an objective lens. When applied to an optical disk recording / reproducing apparatus or the like, the light-collecting characteristics greatly affect the reproducing characteristics, and coherent light with small wavefront aberration is desired.

【0139】周期的分極反転領域34が形成されたMg
ドープLiNbO3基板33では、反転された部分と基板
とでは、ウェットエッチングするときのエッチングレー
トが異なる。そのため、斜面940を形成する際、機械
加工などを用いる場合は問題とならないが、研磨加工す
る場合には研磨剤により化学エッチングが生じることが
あり、分極反転部分と基板部分で凹凸が形成されてしま
う。凹凸が生じると、斜面940で反射した高調波光に
収差が生じるため、対物レンズによる集光特性を劣化さ
せる。
The Mg on which the periodically poled regions 34 are formed
In the doped LiNbO 3 substrate 33, the inverted portion and the substrate have different etching rates when performing wet etching. Therefore, when forming the slope 940, there is no problem when using mechanical processing or the like, but when performing polishing, chemical etching may occur due to the abrasive, and unevenness is formed between the domain-inverted portion and the substrate portion. I will. When unevenness occurs, aberration occurs in the harmonic light reflected by the slope 940, and the light-collecting characteristics of the objective lens deteriorate.

【0140】出射端面部まで周期的分極反転が形成され
ていると、反転の周期が3μm程度であり、反転されて
いないところが端面部になるように調整することは困難
であるため、本実施例の図9Dの構成では、斜面940
付近において、周期的分極反転領域34が形成されてい
ない。そのため、研磨加工においても、凹凸が生じるこ
となく、鏡面に仕上げることが可能となる。
If the periodic domain inversion is formed up to the output end face, the period of the inversion is about 3 μm, and it is difficult to adjust the non-inverted portion to the end face. 9D, the slope 940
In the vicinity, the periodically poled region 34 is not formed. Therefore, even in the polishing process, it is possible to finish the mirror surface without forming irregularities.

【0141】次に、光導波路デバイスを半導体レーザと
一体化するための検討を行った。導波路型光デバイスと
しての光波長変換素子を半導体レーザと一体化する方法
については、プレーナ結合によるモジュール化が従来か
ら検討されている。
Next, a study was conducted for integrating the optical waveguide device with the semiconductor laser. As for a method of integrating an optical wavelength conversion element as a waveguide type optical device with a semiconductor laser, modularization by planar coupling has been conventionally studied.

【0142】図10は、本実施の形態における光導波路
デバイス39を用いたプレーナ結合モジュール光源(コ
ヒーレント光源)1000の概略構成を示す断面図であ
る。ここでは、Si等からなるサブマウント37上に波
長可変DBR半導体レーザ38と光導波路デバイス39
とが固定されている。このとき、波長可変DBR半導体
レーザ38および光導波路デバイス39と共に、光導波
路をサブマウント37の表面に密着させることにより、
光導波路の深さ方向の精度を向上することができる。さ
らに、光導波路デバイス39の光導波路上に形成した凹
部40の側面40aにより反射された光は、Mgドープ
LiNbO3基板41の光導波路が形成されている表面
S1とは反対側の表面S2、即ちモジュールの上面へと
出射される。このようにプレーナ型モジュールを形成す
る場合には、光導波路の表面に保護膜42が必要不可欠
である。その理由としては、サブマウント37と光導波
路の接触により光導波路の伝搬損失が大幅に増大するこ
とが挙げられる。これを防止するためには、厚み100
nm以上の保護膜が必要である。さらに、半導体レーザ
の活性領域と導波路型光デバイスの光導波路の高さ方向
を精度良く合わせるためにも、保護膜が必要である。保
護膜42の膜厚は、サブミクロン以下の精度で制御する
ことが可能である。
FIG. 10 is a sectional view showing a schematic configuration of a planar coupling module light source (coherent light source) 1000 using the optical waveguide device 39 in the present embodiment. Here, a wavelength tunable DBR semiconductor laser 38 and an optical waveguide device 39 are mounted on a submount 37 made of Si or the like.
And have been fixed. At this time, by bringing the optical waveguide into close contact with the surface of the submount 37 together with the wavelength-tunable DBR semiconductor laser 38 and the optical waveguide device 39,
The accuracy in the depth direction of the optical waveguide can be improved. Further, the light reflected by the side surface 40a of the concave portion 40 formed on the optical waveguide of the optical waveguide device 39 is the surface S2 of the Mg-doped LiNbO 3 substrate 41 on the opposite side to the surface S1 on which the optical waveguide is formed, that is, The light is emitted to the upper surface of the module. When a planar module is formed in this way, a protective film 42 is indispensable on the surface of the optical waveguide. This is because the contact between the submount 37 and the optical waveguide greatly increases the propagation loss of the optical waveguide. To prevent this, a thickness of 100
A protective film of nm or more is required. Further, a protective film is required to accurately match the height direction of the active region of the semiconductor laser with the optical waveguide of the waveguide type optical device. The thickness of the protective film 42 can be controlled with an accuracy of submicron or less.

【0143】しかしながら、この保護膜42を基板の表
面と凹部全体に堆積した場合には、その保護膜の屈折率
によっては、凹部の反射率が低下する。例えば、凹部4
0の側面40aと光導波路とがなす角度(θ)が45度
の場合に全反射条件を満足するのは、光導波路の実効屈
折率n2とし、保護膜の屈折率n1とすると、スネルの法
則より、n1/n2<Sin(45度)≒0.7のときで
ある。本実施の形態のように、基板としてMgドープL
iNbO3基板41を用いた場合には、光導波路の屈折
率n2=2.2程度であるから、保護膜42としてはn1
=1.54以下の屈折率を有する材料を用いることが必
要である。しかしながら、フォトリソグラフィ法等によ
り凹部のみ選択的に保護膜を除去することで、全反射面
への保護膜の影響を排除することが可能になる。
However, when the protective film 42 is deposited on the surface of the substrate and the entire concave portion, the reflectance of the concave portion decreases depending on the refractive index of the protective film. For example, recess 4
When the angle (θ) formed between the side surface 40a of the optical waveguide 0 and the optical waveguide is 45 degrees, the condition for satisfying the total reflection condition is that the effective refractive index n 2 of the optical waveguide and the refractive index n 1 of the protective film are: According to the law, n 1 / n 2 <Sin (45 degrees) ≒ 0.7. As in the present embodiment, Mg-doped L
When the iNbO 3 substrate 41 is used, since the refractive index n 2 of the optical waveguide is about 2.2, n 1 is used as the protective film 42.
It is necessary to use a material having a refractive index of 1.54 or less. However, by selectively removing the protective film only in the concave portion by a photolithography method or the like, it is possible to eliminate the influence of the protective film on the total reflection surface.

【0144】さらに、保護膜または全反射面に選択的に
堆積する膜によって、導波光を基本波光と高調波光に分
離することが可能となる。例えば、MgドープLiNb
3基板41に形成した光導波路の屈折率nf1は波長8
50nmの基本波に対しては2.2程度であり、波長4
25nmの高調波に対しては光導波路の屈折率nf 2
2.4程度である。従って、全反射条件を満足する保護
膜の屈折率は、nc2/nf2<Sin(θ)<nc1
nf1から、基本波に対してはnc1=1.54以下であ
り、高調波に対してはnc2=1.70以下である。そ
こで、1.54〜1.7の屈折率を有する材料を用いて
膜厚を適当な値にとれば、高調波に対してのみ全反射条
件を満足する屈折率を有する膜とすることができる。例
えば、Al23やSiNx等、多くの材料を使用するこ
とができる。さらに、多層膜を用いれば、基本波と高調
波を完全に分離することも可能になる。
Further, the protective film or the total reflection surface can be selectively formed.
The deposited film separates the guided light into fundamental light and harmonic light.
It can be separated. For example, Mg-doped LiNb
OThreeRefractive index nf of optical waveguide formed on substrate 411Is wavelength 8
It is about 2.2 for a fundamental wave of 50 nm, and the wavelength 4
For a 25 nm harmonic, the refractive index nf of the optical waveguide TwoIs
It is about 2.4. Therefore, protection that satisfies the condition of total reflection
The refractive index of the film is ncTwo/ NfTwo<Sin (θ) <nc1/
nf1Nc for the fundamental wave1= 1.54 or less
Nc for harmonicsTwo= 1.70 or less. So
Here, using a material having a refractive index of 1.54 to 1.7,
If the film thickness is set to an appropriate value, total reflection is applied only to harmonics.
A film having a refractive index satisfying the requirements can be obtained. An example
For example, AlTwoOThreeAnd SiNxUse many materials
Can be. Furthermore, if a multilayer film is used, the fundamental wave and harmonic
It is also possible to completely separate the waves.

【0145】光波長変換を行う光導波路デバイスを用い
たコヒーレント光源においては、高調波成分を有効に取
り出すと同時に、基本波の出力をモニターすることによ
り光量を安定させることが重要である。よって、基本波
と高調波の波長分離が可能になれば、基本波をモニター
する機構を集積化することもできる。また、外部に出力
する高調波に混じる基本波成分を低減することが可能と
なり、波長分離フィルターが必要無くなるという利点も
ある。
In a coherent light source using an optical waveguide device for performing light wavelength conversion, it is important to stabilize the amount of light by monitoring the output of a fundamental wave while simultaneously extracting harmonic components effectively. Therefore, if the wavelength separation of the fundamental wave and the harmonic wave becomes possible, a mechanism for monitoring the fundamental wave can be integrated. In addition, there is an advantage that the fundamental wave component mixed with the harmonic output to the outside can be reduced, and the wavelength separation filter is not required.

【0146】次に、本発明による光導波路デバイスと半
導体レーザとを備えたコヒーレント光源(光源モジュー
ル)を応用する場合について説明する。光ディスク記録
再生装置や光情報処理装置等にモジュール光源を応用す
る場合には、情報処理に用いた光を検出する機能を集積
化することが有用である。例えば、光ディスク記録再生
装置に利用される半導体レーザにおいては、光ディスク
から反射された光を半導体レーザに隣接して設けられた
フォトディテクタ(光検出器)により検出することで信
号を読みとっている。この集積化によって、光学系の単
純化、組立精度の許容度拡大やコスト削減等が可能とな
る。
Next, a case where a coherent light source (light source module) including the optical waveguide device according to the present invention and a semiconductor laser is applied will be described. When a module light source is applied to an optical disk recording / reproducing device, an optical information processing device, or the like, it is useful to integrate a function of detecting light used for information processing. For example, in a semiconductor laser used in an optical disk recording / reproducing device, a signal is read by detecting light reflected from the optical disk by a photodetector (photodetector) provided adjacent to the semiconductor laser. This integration makes it possible to simplify the optical system, increase the tolerance of assembly accuracy, reduce costs, and the like.

【0147】本発明による光導波路デバイスは、出射光
を基板の表面方向から取り出すことが可能であるため、
光検出機能を集積化することが容易になる。すなわち、
光の出射面近傍に、光検出器を容易に集積化することが
できる。但し、この場合には、光導波路からの漏れ光が
導波路の周辺部に集積化した検出器に入力して、信号検
出特性が劣化するという問題が生じる。例えば、光波長
変換機能を有する光導波路デバイスの場合には、数10
mWの基本波から10mW程度の高調波を発生する。こ
の場合、基本波の漏れ光は10mW近くになり、検出さ
れる高調波(光ディスクから反射されて光学系を介して
戻ってくる光)よりも大きくなるため、信号検出特性の
劣化が激しかった。これを防ぐためには、光導波路から
の漏れ光を検出器から遮断する必要がある。
In the optical waveguide device according to the present invention, the emitted light can be extracted from the surface direction of the substrate.
It becomes easy to integrate the light detection function. That is,
A photodetector can be easily integrated near the light emission surface. However, in this case, a problem arises in that light leaked from the optical waveguide is input to a detector integrated around the waveguide, and signal detection characteristics are degraded. For example, in the case of an optical waveguide device having an optical wavelength conversion function,
A harmonic of about 10 mW is generated from the fundamental wave of mW. In this case, the leakage light of the fundamental wave is close to 10 mW, which is larger than the detected higher harmonic wave (light reflected from the optical disk and returned through the optical system), so that the signal detection characteristic is greatly deteriorated. In order to prevent this, it is necessary to block the light leaking from the optical waveguide from the detector.

【0148】本実施の形態3の光導波路デバイスでは、
光導波路に設けた凹部で反射された光を導波路の裏面か
ら取り出すため、導波路からの漏れ光と取り出される光
との分離が非常に簡単になる。すなわち、光導波路上に
設けた凹部で反射される光が透過する基板裏面の周辺を
除く部分を、基本波および高調波を吸収する膜で被うこ
とにより、漏れ光を完全に遮断することが可能となっ
た。本願発明者は、基板の凹部が形成されている部分の
裏面と光入射端面を保護レジストで覆った後、基板全体
に光吸収膜を蒸着し、凹部の裏面と光入射端面を覆った
保護レジストと共にその部分の光吸収膜を除去すること
により、光導波路デバイスを製造した。この光導波路デ
バイスを用いることにより、光検出器への漏れ光を完全
に防止することが可能であった。
In the optical waveguide device according to the third embodiment,
Since the light reflected by the concave portion provided in the optical waveguide is extracted from the back surface of the waveguide, the separation between the leaked light from the waveguide and the extracted light is greatly simplified. That is, leakage light can be completely blocked by covering a portion excluding the periphery of the back surface of the substrate through which light reflected by the concave portion provided on the optical waveguide is transmitted with a film that absorbs fundamental waves and harmonics. It has become possible. The inventor of the present application disclosed that after covering the back surface and the light incident end face of the portion where the concave portion of the substrate was formed with a protective resist, a light absorbing film was deposited on the entire substrate, and the protective resist covering the back surface of the concave portion and the light incident end surface. At the same time, an optical waveguide device was manufactured by removing the light absorbing film in that portion. By using this optical waveguide device, it was possible to completely prevent light leaking to the photodetector.

【0149】なお、光吸収膜の代わりに金属膜等の光反
射性を有する膜を用いて漏れ光を防ぐことも可能であ
る。
It is also possible to prevent light leakage by using a light-reflective film such as a metal film instead of the light-absorbing film.

【0150】さらに、本実施の形態では、V溝を形成し
て凹部の反射面とS1(基板表面)が鈍角(>90度)
をなすようにしたが、切り込み部等を形成して反射面と
S1とが鋭角をなすようにしてもよい。この場合、S1
から光が出射し、実施の形態2と同様の効果が得られ
る。
Further, in this embodiment, a V-groove is formed so that the reflection surface of the concave portion and S1 (substrate surface) are obtuse (> 90 degrees).
However, a notch or the like may be formed so that the reflection surface and S1 form an acute angle. In this case, S1
, And the same effect as in the second embodiment can be obtained.

【0151】ところで、上述したように、光源モジュー
ルを光ピックアップ等の光学系に用いる場合には、出射
ビームの光路中にホログラム等の回折格子を設置して種
々の信号検出を行うことが一般的に行われている。この
具体的な例については後述する実施形態4に述べるが、
このように回折格子を用いた光学系に本発明のコヒーレ
ント光源を適用する場合には、図11のコヒーレント光
源1100に示すように、凹形状パッケージ72を封止
する透明基板71上に回折格子74を設けてもよい。こ
の場合、回折格子を個別部品として設置していた従来の
光学系に比べて部品点数の少ない光学系を実現すること
ができる。なお、図11において、75は光導波路デバ
イス、76はサブマウント、77は半導体レーザを示
す。
As described above, when the light source module is used in an optical system such as an optical pickup or the like, it is common to install a diffraction grating such as a hologram in the optical path of the emitted beam to detect various signals. It has been done. This specific example will be described in a fourth embodiment described later.
When the coherent light source of the present invention is applied to an optical system using a diffraction grating as described above, as shown in a coherent light source 1100 in FIG. May be provided. In this case, it is possible to realize an optical system having a smaller number of components than a conventional optical system in which a diffraction grating is installed as an individual component. In FIG. 11, reference numeral 75 denotes an optical waveguide device, 76 denotes a submount, and 77 denotes a semiconductor laser.

【0152】(実施の形態4)本実施の形態では、光導
波路デバイスおよび半導体レーザを有するコヒーレント
光源と、光検出器とコヒーレント光源とを同一サブマウ
ント上に集積化した集積化ユニット、および集積化ユニ
ットを用いた光ピックアップについて説明する。
(Embodiment 4) In this embodiment, an integrated unit in which a coherent light source having an optical waveguide device and a semiconductor laser, a photodetector and a coherent light source are integrated on the same submount, and an integrated unit An optical pickup using the unit will be described.

【0153】図12は、本実施の形態の光ディスクピッ
クアップ光学系1200の概略構成を示す斜視図であ
る。この光ピックアップ1200は、光ディスクピック
アップ用の集積化ユニットと、集光光学系としてのホロ
グラム53および対物レンズ53aを備えている。集積
化ユニットは、実施の形態において図1Aに示した光導
波路が形成された基板表面の反対側のS2表面から光を
取り出す構成の光導波路デバイス(QPM−SHGデバ
イス)50と、波長可変DBR半導体レーザ56とを有
する光源モジュールと、光検出器とが同一サブマウント
55上に配置されている。光導波路デバイス50の表面
S2上に回折格子51が形成される。光源モジュール5
0、56の両側にシリコン基板57が設けられ、シリコ
ン基板57の各々の上に、中央部分と周辺部分とを有し
ているフォーカス用光検出器52と、フォーカス用光検
出器52の両側に回折格子51の格子縞に対して垂直な
方向に2つのトラッキング用光検出器54と、が配置さ
れている。
FIG. 12 is a perspective view showing a schematic configuration of an optical disk pickup optical system 1200 according to the present embodiment. This optical pickup 1200 includes an integrated unit for an optical disk pickup, a hologram 53 as a condensing optical system, and an objective lens 53a. The integrated unit includes, in the embodiment, an optical waveguide device (QPM-SHG device) 50 configured to extract light from the S2 surface opposite to the substrate surface on which the optical waveguide shown in FIG. 1A is formed, and a tunable DBR semiconductor. A light source module having a laser 56 and a photodetector are arranged on the same submount 55. The diffraction grating 51 is formed on the surface S2 of the optical waveguide device 50. Light source module 5
A silicon substrate 57 is provided on both sides of the silicon substrate 57, and on each of the silicon substrates 57, a focusing photodetector 52 having a central portion and a peripheral portion, and on both sides of the focusing photodetector 52. Two tracking photodetectors 54 are arranged in a direction perpendicular to the lattice fringes of the diffraction grating 51.

【0154】この光ピックアップ1200において、光
導波路の斜面で反射された光は、光導波路デバイス50
のS2面上に形成された回折格子51によって0次およ
び±1次の3つのビームに分割される。このうち、0次
光は光ディスク95上の対象トラックを照射し、その反
射光をフォーカス用光検出器52が受光してRF信号が
検出される。また、光ディスク95からの反射光がホロ
グラム53によって回折される際に、ホログラム53の
レンズ作用によって一方のフォーカス用光検出器52上
には合焦前の光スポットが形成され、他方のフォーカス
用光検出器52上には合焦後の光スポットが形成される
ため、いわゆるSSD(スポットサイズディテクショ
ン)法によるフォーカス誤差信号を得ることができる。
一方、回折格子51で生じた±1次光は、いわゆる3ビ
ームトラッキング法によってトラッキング誤差信号を検
出するためのサブビームとなり、トラッキング用光検出
器54で検出される。このトラッキング用光検出器54
の差動出力信号からトラッキング誤差信号が得られる。
In the optical pickup 1200, the light reflected on the slope of the optical waveguide is transmitted to the optical waveguide device 50.
Are divided into three beams of 0 order and ± 1 order by the diffraction grating 51 formed on the S2 plane of FIG. Of these, the zero-order light irradiates the target track on the optical disk 95, and the reflected light is received by the focusing photodetector 52 to detect the RF signal. When the reflected light from the optical disc 95 is diffracted by the hologram 53, a light spot before focusing is formed on one of the focusing photodetectors 52 by the lens action of the hologram 53, and the other focusing light is formed. Since a focused light spot is formed on the detector 52, a focus error signal can be obtained by a so-called SSD (spot size detection) method.
On the other hand, the ± first-order light generated by the diffraction grating 51 becomes a sub-beam for detecting a tracking error signal by a so-called three-beam tracking method, and is detected by the tracking light detector 54. This tracking photodetector 54
, A tracking error signal is obtained from the differential output signal.

【0155】図12に示した3ビームトラッキング法と
SSD法による信号検出を組み合わせた光ディスクピッ
クアップは、ホログラムを用いた信号検出が容易である
ため、本発明による集積化ユニットが有効な光ディスク
ピックアップの構成である。特に、3ビームトラッキン
グ法では、光源に近接した位置に回折格子を設置するた
め、光導波路デバイスの基板表面に回折格子を配置可能
な本発明の集積化ユニット50、51、52、54、5
5、56が有効である。ホログラムを用いた光ディスク
ピックアップに有効な他のサーボ信号検出方式として、
位相差トラッキング方式や、ナイフエッジ法フォーカス
検出方式があり、これら方式も本実施の形態に示した集
積化ユニットを用いた光ディスクピックアップ1200
に用いることができる。
The optical disk pickup shown in FIG. 12, which combines the signal detection by the three-beam tracking method and the SSD method, can easily detect the signal using the hologram. Therefore, the configuration of the optical disk pickup in which the integrated unit according to the present invention is effective. It is. In particular, in the three-beam tracking method, since the diffraction grating is installed at a position close to the light source, the integrated units 50, 51, 52, 54, and 5 of the present invention capable of arranging the diffraction grating on the substrate surface of the optical waveguide device.
5, 56 are effective. As another servo signal detection method effective for optical disk pickup using hologram,
There are a phase difference tracking method and a knife edge method focus detection method, and these methods are also optical disk pickups 1200 using the integrated unit described in this embodiment.
Can be used.

【0156】本実施の形態において、サブマウント55
としては厚さ500μmのシリコン結晶を用いた。サブ
マウント55上には予め位置決めマーカを設置し、光導
波路デバイス50、波長可変DBR半導体レーザ56お
よび光検出器(52、54)の順に顕微鏡下で位置合わ
せを行って固定した。本実施の形態では光導波路デバイ
ス50から垂直方向に光が取り出される構成になってい
るため、波長可変DBR半導体レーザ56、光導波路デ
バイス50および光検出器(52、54)を全て同一サ
ブマウント55上に配置して、効率よく組み立てること
ができた。光ディスクピックアップ光学系では、図12
のように領域分割された光検出器上に精度良く反射光ス
ポットを導く必要があり、光源と光検出器の相対的な位
置合わせ精度が要求される。本実施の形態の光ピックア
ップでは、顕微鏡下で両者の位置合わせが可能であるこ
とに加え、光源と光検出器の位置が近接しているため、
周囲温度の変化による相対位置変化がきわめて小さく、
安定した光学系を実現することができるという効果を併
せ持つ。また、半導体レーザ光源と光検出器とを同一基
板上に配置する構成の光ピックアップ光学系は従来より
提案されているが、本実施の形態の光ピックアップでは
光源が半導体レーザと光導波路デバイスとから構成され
ており、これら両者間の位置合わせと光検出器の位置合
わせを同一サブマウント上で完了することができるとい
う、従来では得られない効果を得ることができる。
In this embodiment, the submount 55
Used a silicon crystal having a thickness of 500 μm. A positioning marker was previously set on the submount 55, and the optical waveguide device 50, the tunable DBR semiconductor laser 56, and the photodetectors (52, 54) were positioned and fixed under a microscope in this order. In the present embodiment, since light is taken out from the optical waveguide device 50 in the vertical direction, the tunable DBR semiconductor laser 56, the optical waveguide device 50, and the photodetectors (52, 54) are all mounted on the same submount 55. It was placed on top and could be assembled efficiently. In the optical disk pickup optical system, FIG.
It is necessary to accurately guide the reflected light spot on the photodetector divided into regions as described above, and the relative positioning accuracy between the light source and the photodetector is required. In the optical pickup of the present embodiment, in addition to being able to position both under a microscope, since the positions of the light source and the photodetector are close to each other,
The relative position change due to the change in ambient temperature is extremely small,
This also has the effect that a stable optical system can be realized. Further, an optical pickup optical system having a configuration in which a semiconductor laser light source and a photodetector are arranged on the same substrate has been conventionally proposed. However, in the optical pickup of the present embodiment, the light source includes a semiconductor laser and an optical waveguide device. Thus, it is possible to obtain an effect which cannot be obtained conventionally, in that the alignment between the two and the alignment of the photodetector can be completed on the same submount.

【0157】本実施の形態では、実施の形態1において
説明した光導波路の端面(斜面)において光を全反射さ
せて基板表面の反対側のS2表面から光を取り出す構成
の光導波路デバイスを用いたコヒーレント光源と光検出
器とを集積化した例について説明したが、実施の形態3
において説明した基板の表面近傍に設けた凹部において
光を全反射させて基板表面の反対側のS2表面から光を
取り出す構成の光導波路デバイスを用いたコヒーレント
光源についても、同様に集積化ユニットを構成すること
が可能である。
In the present embodiment, an optical waveguide device having a configuration in which light is totally reflected at the end face (slope) of the optical waveguide described in Embodiment 1 and light is extracted from the S2 surface opposite to the substrate surface is used. The example in which the coherent light source and the photodetector are integrated has been described.
A coherent light source using an optical waveguide device having a configuration in which light is totally reflected in a concave portion provided near the surface of the substrate and light is extracted from the S2 surface on the opposite side of the substrate surface, as described in, is also configured as an integrated unit. It is possible to

【0158】(実施の形態5)本実施の形態では光検出
器に入射する迷光成分を抑制した構成の集積化ユニット
について説明する。
(Embodiment 5) In this embodiment, an integrated unit having a configuration in which a stray light component incident on a photodetector is suppressed will be described.

【0159】図12に示した集積化ユニット1200の
構成では、光検出器が1mm厚のシリコン基板57上に
形成され、500μm厚の光導波路デバイス50の基板
表面S2に比べてサブマウント55表面からの高さが高
い位置に配置されているので、迷光成分による信号誤差
が小さくなっている。すなわち、光導波路デバイス50
の出射面S2で反射されたのち、光導波路基板内で多重
反射して基板側面から出射された光が、光検出器の表面
上には到達せず、この迷光による信号誤差が生じない構
成となっている。この光導波路デバイス50の出射面S
2には、基本波である850nmの光と波長変換された
425nmの青色光に対して、反射率が共に0.1%で
ある多層膜からなる反射防止コーティングが施されてい
る。しかし、信号光がホログラムや回折格子で光量ロス
を生じるのに加え、青色光に対して基本波光のレンズ作
用が大きいため、わずかな反射光が大きな迷光を生じ
る。よって、図12に示した光ピックアップ1200の
構成は、この迷光が光検出器表面に到達することを効果
的に抑制する効果を有する。
In the configuration of the integrated unit 1200 shown in FIG. 12, the photodetector is formed on the silicon substrate 57 having a thickness of 1 mm, and is higher than the substrate surface S2 of the optical waveguide device 50 having a thickness of 500 μm from the submount 55 surface. , The signal error due to the stray light component is small. That is, the optical waveguide device 50
Is reflected from the emission surface S2 of the optical waveguide, the light that is multiple-reflected in the optical waveguide substrate and emitted from the side surface of the substrate does not reach the surface of the photodetector, and a signal error due to the stray light does not occur. Has become. The exit surface S of the optical waveguide device 50
2 is provided with an anti-reflection coating made of a multilayer film having a reflectance of 0.1% for both the fundamental wave of 850 nm and the wavelength-converted blue light of 425 nm. However, in addition to the signal light causing a light amount loss in the hologram and the diffraction grating, since the lens function of the fundamental wave light is large with respect to the blue light, slight reflected light causes large stray light. Therefore, the configuration of the optical pickup 1200 shown in FIG. 12 has an effect of effectively suppressing the stray light from reaching the photodetector surface.

【0160】同様の効果は、図13に示す集積化ユニッ
ト1300のように、シリコンからなるサブマウント5
8上に光検出器群59を形成し、サブマウント58上の
光導波路デバイス60を設置する場所を凹形状部分にす
ることでも得ることができる。サブマウント58を凹形
状に加工するためには、シリコン結晶の異方性エッチン
グを利用する方法が効果的であり、切削加工に比べて凹
形状の底面部分の面精度を高く保つことができる。
A similar effect is obtained by using a submount 5 made of silicon as in the integrated unit 1300 shown in FIG.
The optical detector group 59 can be formed on the submount 58 and the location where the optical waveguide device 60 is installed on the submount 58 can be formed as a concave portion. In order to process the submount 58 into a concave shape, a method using anisotropic etching of silicon crystal is effective, and the surface accuracy of the bottom surface of the concave shape can be kept higher than that of the cutting process.

【0161】また、図14に示す集積化ユニット140
0のように、サブマウント64上に実装された光導波路
デバイス60と光検出器62との間に、遮光物体63を
配置することでも迷光が光検出器表面に到達するのを防
ぐことができる。本実施の形態では、光導波路デバイス
60の側面にアルミ蒸着膜を施して遮光物体63とし
た。比較のために、アルミ蒸着膜を設けない構成を作製
したところ、各光検出器の出力に大きな直流成分が重畳
して十分な振幅のRF信号を検出することができなかっ
た。この遮光物体は、光反射性を有する材料であって
も、光吸収性を有する材料であってもよく、通常の光量
では温度上昇は問題にならない。
The integrated unit 140 shown in FIG.
The stray light can also be prevented from reaching the surface of the photodetector by disposing the light-shielding object 63 between the optical waveguide device 60 mounted on the submount 64 and the photodetector 62 as shown in FIG. . In this embodiment, a light-shielding object 63 is formed by applying an aluminum vapor-deposited film on the side surface of the optical waveguide device 60. For comparison, when a structure without the aluminum vapor-deposited film was fabricated, a large DC component was superimposed on the output of each photodetector, and an RF signal with a sufficient amplitude could not be detected. This light-shielding object may be a material having light reflectivity or a material having light absorbency, and the rise in temperature does not matter with a normal light amount.

【0162】また、実施の形態2で説明したSHG青色
レーザと光検出器とを集積化した集積化ユニットにおい
ては、図15に示す光ピックアップ1500のように、
光導波路デバイス60aと光検出器59aとがサブマウ
ント25を介して反対側に配置される。図7で示したコ
ヒーレント光源700のように、光導波路デバイスのS
1面から青色光を得る光導波路デバイスの構成では、サ
ブマウント25に取り出し窓26を形成する必要があ
る。この取り出し窓26から出射した青色光は、コリメ
ートレンズ9で平行光に変換され、対物レンズ12によ
り光ディスク95に集光される。この構成では、光導波
路基板内で多重反射して発生する迷光は、取り出し窓2
6により遮断される。また、図15に示した光ピックア
ップ1500の構成では、サブマウント25において光
導波路デバイス60aが実装されていない面に光検出器
群59aが形成されている。そのため、上述のような遮
光物体や凹形状の掘込み構造を設けることなく、迷光の
影響を防ぐことができる。
In the integrated unit in which the SHG blue laser and the photodetector described in the second embodiment are integrated, like the optical pickup 1500 shown in FIG.
The optical waveguide device 60a and the photodetector 59a are arranged on opposite sides via the submount 25. As in the coherent light source 700 shown in FIG.
In the configuration of the optical waveguide device that obtains blue light from one surface, it is necessary to form the extraction window 26 in the submount 25. The blue light emitted from the extraction window 26 is converted into parallel light by the collimator lens 9 and is condensed on the optical disk 95 by the objective lens 12. In this configuration, stray light generated by multiple reflection in the optical waveguide substrate is taken out of the extraction window 2.
Blocked by 6. In the configuration of the optical pickup 1500 shown in FIG. 15, the photodetector group 59a is formed on the surface of the submount 25 where the optical waveguide device 60a is not mounted. Therefore, it is possible to prevent the influence of stray light without providing the above-described light-shielding object or the concave dug structure.

【0163】(実施の形態6)次に、光導波路デバイス
で生じる非点収差について、図16を参照しながら説明
する。
(Embodiment 6) Next, astigmatism occurring in an optical waveguide device will be described with reference to FIG.

【0164】実施の形態1において図1Aに示した光導
波路デバイス100は、図16(c)に示すような軸構
成のX板LiNbO3結晶を光導波路デバイスを構成す
る基板(光導波路基板)70として用いている。図16
に示される光ピックアップ1600の光導波路基板70
において、導波光は異常光として伝搬し、波長850n
mの基本波が波長425nmの高調波に変換される。そ
して、光導波路の入射側とは反対側の端面(斜面)で直
角に反射された光は、光導波路基板70中を発散ビーム
として伝搬し、図16(a)に示す光線イロハニホのよ
うに様々な方向成分を有する光となる。このうち、光線
イ、ロ、ホは異常光であるので基板の屈折率をneと感
じるのに対して、光線ハ、ニはわずかに常光であるた
め、屈折率noと感じる。LiNbO3結晶の異常光に
対する屈折率は約2.2であるのに対して、常光に対す
る屈折率は約2.28と大きいために、光線ハ、ニは光
線イ、ロ、ホに対して位相遅れが生じる。その結果、光
導波路から出射される光ビームは、光導波路方向に平行
な方向の曲率半径がより大きく、光導波路方向に垂直な
方向の曲率半径がより小さい波面形状となり、コリメー
ト後の波面は図のように非点収差成分を持つことにな
る。
In the optical waveguide device 100 shown in FIG. 1A in the first embodiment, an X-plate LiNbO 3 crystal having an axial configuration as shown in FIG. 16C is used as a substrate (optical waveguide substrate) 70 constituting the optical waveguide device. Used as FIG.
The optical waveguide substrate 70 of the optical pickup 1600 shown in FIG.
, The guided light propagates as extraordinary light and has a wavelength of 850 n
The m fundamental waves are converted to harmonics having a wavelength of 425 nm. The light reflected at right angles on the end surface (slope) of the optical waveguide opposite to the incident side propagates through the optical waveguide substrate 70 as a divergent beam, and is variously reflected like a light beam Irohaniho shown in FIG. Light having various directional components. Among them, the rays a, b, and e are extraordinary lights, and the refractive index of the substrate is felt as ne, whereas the rays c and d are slightly ordinary light, and thus are felt as the refractive index no. The refractive index of the LiNbO 3 crystal with respect to extraordinary light is about 2.2, whereas the refractive index with respect to ordinary light is as large as about 2.28. There is a delay. As a result, the light beam emitted from the optical waveguide has a wavefront shape having a larger radius of curvature in a direction parallel to the optical waveguide direction and a smaller radius of curvature in a direction perpendicular to the optical waveguide direction. Has an astigmatism component as shown in FIG.

【0165】図16(a)に示した封止板71は、凹形
状パッケージ72を封止するために設けられたものであ
るが、上述の非点収差を低減する効果を有する。本実施
の形態では、この封止板71としてZ板(基板に垂直な
方向が結晶のZ軸である基板)LiNbO3結晶を用
い、その厚みは光導波路基板71と同じ500μmとし
た。光導波路デバイスからの出射光は、封止板71中を
発散ビームとして伝搬する。この際、光導波路基板70
中を伝搬するときとは逆に、光線イ、ロ、ホは常光の屈
折率noを感じるのに対して、光線ハ、ニはわずかに異
常光の屈折率neを感じるため、光線ハ、ニは光線イ、
ロ、ホに対して位相進みが生じる。この位相進みによっ
て光導波路基板70での位相遅れが相殺され、封止板7
1を通過した光ビームは非点収差成分が除去された無収
差の球面波となる。本願発明者らの実験では、封止板7
1にガラス板を用いた時には約15mλの非点収差が観
測されたのに対して、Z板LiNbO3基板を用いた時
には非点収差成分を測定限界(約5mλ)以下に抑える
ことができた。
The sealing plate 71 shown in FIG. 16A is provided for sealing the concave package 72, and has an effect of reducing the above-mentioned astigmatism. In the present embodiment, a Z plate (a substrate whose direction perpendicular to the substrate is the Z axis) LiNbO 3 crystal is used as the sealing plate 71, and its thickness is 500 μm, which is the same as that of the optical waveguide substrate 71. Light emitted from the optical waveguide device propagates through the sealing plate 71 as a divergent beam. At this time, the optical waveguide substrate 70
Contrary to the case where light propagates through the inside, the rays a, b, and e feel the refractive index no of ordinary light, while the rays c and d slightly sense the refractive index ne of extraordinary light. Is a ray
A phase advance occurs for b and e. The phase advance cancels the phase delay in the optical waveguide substrate 70, and the sealing plate 7
The light beam passing through 1 becomes an astigmatic spherical wave from which the astigmatism component has been removed. In the experiments of the present inventors, the sealing plate 7 was used.
When a glass plate was used, astigmatism of about 15 mλ was observed, whereas when a Z-plate LiNbO 3 substrate was used, the astigmatism component could be suppressed to a measurement limit (about 5 mλ) or less. .

【0166】または、図17に示す光ピックアップのよ
うに、封止板として円筒レンズ73形状の基板を用い
て、図16と同様に非点収差成分を補正することもでき
る。本実施の形態では、基板としてコーニング社製#7
059ガラスを用いた。この円筒形状の研磨加工には大
きな費用がかかるため、図18に示すような階段状の断
面形状によって円筒断面形状を近似した。実際には、フ
ォトリソグラフィー法によるフォトレジストのパターニ
ングとフッ酸によるエッチングを3回繰り返して、8レ
ベル階段断面形状を形成した。図18に示したような階
段状断面形状73aで円筒レンズを近似した構成でも、
非点収差成分のない良好な出射波面が確認された。ま
た、図17に示した例では、封止板としてガラスやプラ
スチックなどの安価な光学材料を用いることができると
いう利点がある。特に、量産過程においては射出成形プ
ラスチック基板を用いることにより低コスト化を図るこ
とができる。
Alternatively, as in the optical pickup shown in FIG. 17, a substrate having a cylindrical lens 73 shape can be used as a sealing plate to correct the astigmatism component in the same manner as in FIG. In this embodiment, Corning # 7 is used as the substrate.
059 glass was used. Since a large cost is required for polishing the cylindrical shape, the cylindrical sectional shape is approximated by a step-like sectional shape as shown in FIG. Actually, the patterning of the photoresist by photolithography and the etching by hydrofluoric acid were repeated three times to form an 8-level stepped cross-sectional shape. Even in a configuration in which a cylindrical lens is approximated by a step-shaped cross-sectional shape 73a as shown in FIG.
A good outgoing wavefront without astigmatism component was confirmed. Further, the example shown in FIG. 17 has an advantage that an inexpensive optical material such as glass or plastic can be used as the sealing plate. In particular, in the mass production process, the cost can be reduced by using the injection molded plastic substrate.

【0167】本実施の形態では、非点収差を低減するた
めに、パッケージを封止する封止板として、光導波路基
板と光学軸が直交する第2の複屈折性光学結晶を用いた
り、円筒レンズ形状とした例について説明したが、第2
の複屈折性光学結晶や円筒レンズを光の光路上に別途設
けてもよく、また、光導波路デバイスからの光が出射さ
れる基板表面(S2)を略円筒形状に加工してもよい。
In this embodiment, in order to reduce astigmatism, a second birefringent optical crystal whose optical axis is orthogonal to the optical waveguide substrate is used as a sealing plate for sealing a package, or a cylindrical member is used. The example in which the lens shape is used has been described.
May be separately provided on the optical path of light, or the substrate surface (S2) from which light from the optical waveguide device is emitted may be processed into a substantially cylindrical shape.

【0168】なお、光導波路デバイスの導波路を形成し
た面(S1面)から光を取り出す構成の光源モジュール
についても、図19の光ピックアップ1900に示すよ
うに、透明封止基板71上に回折格子74を形成して部
品点数を削減することが可能である。この場合、サブマ
ウント76および凹形状パッケージ72に開口部を設け
てサブマウント76の裏面から光を取り出すことにな
る。この構成において、光検出器78と光導波路デバイ
ス75を共にサブマウント76の開口部に対して位置合
わせを行うことにより、光導波路デバイス75と光検出
器78間の相対位置精度が確保される。
The light source module having a configuration in which light is extracted from the surface (S1 surface) on which the waveguide of the optical waveguide device is formed also has a diffraction grating on a transparent sealing substrate 71 as shown in an optical pickup 1900 in FIG. 74 can be formed to reduce the number of parts. In this case, light is extracted from the back surface of the submount 76 by providing an opening in the submount 76 and the concave package 72. In this configuration, by aligning both the photodetector 78 and the optical waveguide device 75 with the opening of the submount 76, the relative positional accuracy between the optical waveguide device 75 and the photodetector 78 is ensured.

【0169】[0169]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
光導波路デバイスを構成する基板の第1の表面に設けら
れた光導波路の斜面において導波光が全反射し、その第
1の表面または第2の表面から取り出すことができる。
よって、この光導波路デバイスと半導体レーザとを組み
合わせた本発明のコヒーレント光源は、半導体レーザへ
の戻り光を低減してノイズ特性を向上することができ
る。また、このコヒーレント光源を搭載した光ピックア
ップの小型化を実現することができ、その実用的効果は
非常に大きい。
As described in detail above, according to the present invention,
The guided light is totally reflected on the slope of the optical waveguide provided on the first surface of the substrate constituting the optical waveguide device, and can be extracted from the first surface or the second surface.
Therefore, the coherent light source of the present invention in which the optical waveguide device and the semiconductor laser are combined can reduce the return light to the semiconductor laser and improve the noise characteristics. Further, it is possible to reduce the size of the optical pickup equipped with the coherent light source, and its practical effect is very large.

【0170】上記光導波路デバイスを構成する基板の厚
みが0.3mm以上1.0mm以下であれば、ハンドリ
ングが容易で量産化に適しており、しかも集光スポット
において非点収差を光ディスクシステムで許容される収
差量に抑えることができるので好ましい。
If the thickness of the substrate constituting the optical waveguide device is 0.3 mm or more and 1.0 mm or less, it is easy to handle and suitable for mass production. This is preferable because the amount of aberration can be suppressed.

【0171】さらに、上記光導波路デバイスを構成する
基板が非線形光学材料からなり、光導波路に入射した半
導体レーザの基本波光が第2高調波光に波長変換され、
第1の表面から光を出射する場合、第1の表面側に第2
高調波光に対する反射防止コーティングを施すことによ
り、戻り光が第1の表面で再反射しないようにすること
ができる。よって、第1の表面で再反射された戻り光と
導波路出射光との干渉による信号波形の劣化を防ぐこと
ができる。
Further, the substrate constituting the optical waveguide device is made of a nonlinear optical material, and the fundamental wave light of the semiconductor laser incident on the optical waveguide is wavelength-converted to the second harmonic light.
When light is emitted from the first surface, the second surface is placed on the first surface side.
By providing an anti-reflection coating for harmonic light, return light can be prevented from re-reflecting on the first surface. Therefore, it is possible to prevent the signal waveform from deteriorating due to the interference between the return light re-reflected on the first surface and the light emitted from the waveguide.

【0172】また、本発明によれば、光導波路デバイス
を構成する基板の第1の表面に設けられた光導波路の斜
面において導波光が全反射し、その第1の表面から取り
出すことができる。よって、この光導波路デバイスと半
導体レーザとを組み合わせた本発明のコヒーレント光源
は、半導体レーザへの戻り光を低減してノイズ特性を向
上することができる。また、このコヒーレント光源を搭
載した光ピックアップの小型化を実現することができ、
その実用的効果は非常に大きい。
Further, according to the present invention, the guided light is totally reflected on the slope of the optical waveguide provided on the first surface of the substrate constituting the optical waveguide device, and can be extracted from the first surface. Therefore, the coherent light source of the present invention in which the optical waveguide device and the semiconductor laser are combined can reduce the return light to the semiconductor laser and improve the noise characteristics. Also, it is possible to reduce the size of the optical pickup equipped with the coherent light source,
Its practical effect is very large.

【0173】さらに、光導波路デバイスを構成する基板
が非線形光学材料からなり、光導波路に入射した半導体
レーザの基本波光が第2高調波光に波長変換される場
合、第1の表面側に基本波光に対する反射防止コーティ
ングを施すことにより、基本波光が第1の表面で再反射
しないようにすることができる。よって、第1の表面で
再反射された光が導波路に戻るのを防ぐことができる。
Further, when the substrate constituting the optical waveguide device is made of a non-linear optical material, and the wavelength of the fundamental wave light of the semiconductor laser incident on the optical waveguide is converted to the second harmonic light, the first surface side has the fundamental wave light. By applying the anti-reflection coating, it is possible to prevent the fundamental light from re-reflecting on the first surface. Therefore, it is possible to prevent the light re-reflected on the first surface from returning to the waveguide.

【0174】上記光導波路デバイスにおいて、光導波路
の斜面を光導波路に対して略45度(45度±1度)の
角度とすれば、集光スポットにコマ収差が発生しないの
で好ましい。
In the above-mentioned optical waveguide device, it is preferable that the inclined surface of the optical waveguide is formed at an angle of approximately 45 degrees (45 degrees ± 1 degree) with respect to the optical waveguide because no coma aberration occurs in the condensed spot.

【0175】さらに、上記光導波路デバイスを構成する
基板が非線形光学材料からなり、光導波路に入射した半
導体レーザの基本波光が第2高調波光に波長変換される
場合、高調波光が導波モードであれば、放射モードに比
べて基板を薄くし、非点収差等の抑制することができる
ので、好ましい。さらに、導波モードの場合には、第1
の表面に凹部(溝)等を設けることにより、容易に端面
(斜面)を形成することができるので、容易に量産化す
ることができる。
Further, when the substrate constituting the optical waveguide device is made of a non-linear optical material, and the fundamental wave light of the semiconductor laser incident on the optical waveguide is wavelength-converted into the second harmonic light, the harmonic light may be in the waveguide mode. This is preferable because the substrate can be made thinner than in the radiation mode and astigmatism and the like can be suppressed. Further, in the case of the guided mode, the first
By providing a concave portion (groove) or the like on the surface of the device, an end surface (slope) can be easily formed, and mass production can be easily performed.

【0176】上記光導波路デバイスにおいて、第1の表
面近傍に光導波路とほぼ直交するように凹部または切り
込み部を形成することにより、この凹部や切り込み部の
一部分(例えば側面)を光導波路の斜面とすることもで
きる。この場合、半導体プロセスで用いられるエッチン
グ等により容易に斜面を形成することができ、量産工程
によるコスト削減を図ることができる。
In the above-described optical waveguide device, by forming a concave portion or a cut portion near the first surface so as to be substantially orthogonal to the optical waveguide, a part (for example, a side surface) of the concave portion or the cut portion is formed with the slope of the optical waveguide. You can also. In this case, the slope can be easily formed by etching or the like used in the semiconductor process, and the cost can be reduced by the mass production process.

【0177】光導波路が形成された基板の第1の表面側
をサブマウントに配置する場合、凹部を除く基板の第1
の表面に保護層を設ければ、保護層の屈折率が全反射面
に影響を与えるのを防ぐことができる。
When the first surface side of the substrate on which the optical waveguide is formed is arranged on the submount, the first surface of the substrate except for the concave portion is provided.
If a protective layer is provided on the surface of, the refractive index of the protective layer can be prevented from affecting the total reflection surface.

【0178】基板の第1の表面に保護層を設けた場合、
保護層の屈折率n1と、光導波路を導波する光に対する
光導波路の実効屈折率n2と、第1の表面と凹部側面
(斜面)の法線がなす角θとが、 Sin(θ)>n1/n2 の関係を満足していれば、凹部側面(光導波路の斜面)
での全反射条件を満足させることができる。
When a protective layer is provided on the first surface of the substrate,
The refractive index n 1 of the protective layer, the effective refractive index n 2 of the optical waveguide with respect to the light guided through the optical waveguide, and the angle θ between the first surface and the normal to the side surface (slope) of the concave portion are represented by Sin (θ If the relationship of n 1 / n 2 is satisfied, the concave side surface (the slope of the optical waveguide)
Satisfies the total reflection condition.

【0179】さらに、光導波路を導波する基本波光の導
波モードの深さt1と、光導波路を導波する第2高調波
光の導波モードの深さt2と、凹部の深さtとを、 t2<t<t1 の関係を満足するようにすれば、凹部において高調波は
全反射され、基本波は凹部を通過するので、高調波と基
本波とを波長分離することができる。または、保護層の
基本波光に対する屈折率nc1と、保護層の第2高調波
光に対する屈折率nc2と、光導波路の基本波光に対す
る屈折率nf1と、光導波路の第2高調波光に対する屈
折率nf2と、第1の表面と前記凹部側面の法線のなす
角θとが nc2/nf2<Sin(θ)<nc1/nf1 の関係を満足するような保護膜を用いて膜厚を適切に設
定すれば、高調波に対してのみ全反射条件が満足される
ので波長分離が可能となる。よって、高調波の出力に混
ざっている基本波の出力を容易に低減することができ、
さらに、凹部を通過した基本波を検出することにより基
本波出力特性をモニターすることができる。
Further, the depth t 1 of the guided mode of the fundamental wave light guided in the optical waveguide, the depth t 2 of the guided mode of the second harmonic light guided in the optical waveguide, and the depth t of the concave portion. When the relationship of t 2 <t <t 1 is satisfied, the harmonics are totally reflected in the concave portion and the fundamental wave passes through the concave portion, so that the wavelength of the harmonic and the fundamental wave can be separated. it can. Alternatively, the refractive index nc 1 of the protective layer for fundamental light, the refractive index nc 2 of the protective layer for second harmonic light, the refractive index nf 1 of the optical waveguide for fundamental light, and the refractive index of the optical waveguide for second harmonic light and nf 2, the first surface and the theta normal angle of said recess side surfaces nc 2 / nf 2 <Sin ( θ) < film using a protective film that satisfies the relationship of nc 1 / nf 1 If the thickness is set appropriately, the condition for total reflection is satisfied only for harmonics, and thus wavelength separation becomes possible. Therefore, the output of the fundamental wave mixed with the output of the harmonic can be easily reduced,
Further, the fundamental wave output characteristic can be monitored by detecting the fundamental wave that has passed through the concave portion.

【0180】また、光導波路が形成された基板の第1の
表面とは反対側の第2の表面から光を取り出す場合に
は、その第2の表面上に回折格子を形成することによ
り、部品点数を削減することができる。
In the case where light is extracted from the second surface of the substrate on which the optical waveguide is formed, opposite to the first surface, a component is formed by forming a diffraction grating on the second surface. Points can be reduced.

【0181】光導波路デバイスを構成する基板の第2の
表面から光を取り出す場合には、光導波路デバイスから
の出射光の発散光路中に、基板を構成する複屈折性光学
結晶と光学軸が直交する第2の複屈折性光学結晶を配置
して非点収差を補正するのが好ましい。または、光導波
路デバイスから光が出射される基板表面(第2の表面)
を略円筒形状としたり、光導波路デバイスから出射され
る光の光路中に円筒レンズを配置してもよい。
When light is extracted from the second surface of the substrate constituting the optical waveguide device, the birefringent optical crystal constituting the substrate has an optical axis orthogonal to the diverging optical path of the light emitted from the optical waveguide device. It is preferable to dispose a second birefringent optical crystal to correct astigmatism. Alternatively, the substrate surface (second surface) from which light is emitted from the optical waveguide device
May have a substantially cylindrical shape, or a cylindrical lens may be arranged in the optical path of light emitted from the optical waveguide device.

【0182】本発明のコヒーレント光源によれば、本発
明の光導波路デバイスと半導体レーザとを備えているの
で、半導体レーザへの戻り光を低減してノイズ特性を向
上することができる。また、このコヒーレント光源を搭
載した光ピックアップの小型化を実現することができ
る。さらに、光検出器と組み合わせて集積化ユニットの
構成とした場合に、光導波路デバイスと半導体レーザと
の位置合わせが不要であり、コヒーレント光源と光検出
器の位置合わせのみで、容易に精度良く装置を構成する
ことができる。
According to the coherent light source of the present invention, since the optical waveguide device of the present invention and the semiconductor laser are provided, the return light to the semiconductor laser can be reduced and the noise characteristics can be improved. Further, it is possible to realize a miniaturized optical pickup equipped with the coherent light source. Furthermore, when an integrated unit is configured in combination with a photodetector, the alignment between the optical waveguide device and the semiconductor laser is not required, and the apparatus can be easily and accurately adjusted only with the alignment between the coherent light source and the photodetector. Can be configured.

【0183】さらに、波長可変型半導体レーザを用いる
ことにより、発振波長を光導波路型波長変換デバイスの
位相整合波長強度内に固定することができるので、大き
な変換効率を得ることができる。
Further, by using a wavelength-tunable semiconductor laser, the oscillation wavelength can be fixed within the phase matching wavelength intensity of the optical waveguide type wavelength conversion device, so that a large conversion efficiency can be obtained.

【0184】さらに、半導体レーザの光出射端面と光導
波路の光入射端面との距離を数μm程度(例えば0μm
以上かつ10μm以下)にして、結合レンズを用いない
直接結合方式にすることにより、入射端面での戻り光を
防いでノイズ特性を向上させることができる。
Further, the distance between the light emitting end face of the semiconductor laser and the light incident end face of the optical waveguide is about several μm (for example, 0 μm).
(Not more than 10 μm) and using a direct coupling method without using a coupling lens, it is possible to prevent return light at the incident end face and improve noise characteristics.

【0185】本発明のコヒーレント光源において、光導
波路デバイスと半導体レーザとを凹形状パッケージ内に
配置する場合、凹形状パッケージを封止する封止板を上
記第2の複屈折結晶としたり、上記円筒レンズとするこ
とにより、部品点数を削減してさらにコストの低減化を
図ることができる。
In the coherent light source of the present invention, when the optical waveguide device and the semiconductor laser are arranged in a concave package, a sealing plate for sealing the concave package is made of the second birefringent crystal or the cylindrical plate. By using a lens, the number of components can be reduced, and the cost can be further reduced.

【0186】本発明の集積化ユニットによれば、光導波
路が形成された基板の第1の表面と対向する第2の表面
から光が取り出されるコヒーレント光源と光検出器がサ
ブマントの同一面上に配置されているので、光の出射面
近傍に光検出器を容易に集積化することができる。ま
た、光検出器とコヒーレント光源を容易に精度良く位置
合わせすることができ、効率良く集積化ユニットを組立
可能である。
According to the integrated unit of the present invention, the coherent light source for extracting light from the second surface opposite to the first surface of the substrate on which the optical waveguide is formed and the photodetector are on the same surface of the submount. Since they are arranged, the photodetector can be easily integrated near the light emission surface. In addition, the photodetector and the coherent light source can be easily and accurately aligned, and an integrated unit can be efficiently assembled.

【0187】光導波路が形成された基板の第1の表面と
対向する第2の表面から光を取り出す場合、コヒーレン
ト光源と光検出器との間に遮光体を配置して迷光が光検
出器に到達しないようにすれば、迷光成分による信号誤
差を小さくすることができる。また、光検出器表面のサ
ブマウント面からの高さを、コヒーレント光源の光出射
側の表面より高くしたり、サブマウント表面に凹部を形
成し、その凹部にコヒーレント光源を配置してもよい。
When light is extracted from the second surface opposite to the first surface of the substrate on which the optical waveguide is formed, a stray light is disposed between the coherent light source and the photodetector, and stray light is transmitted to the photodetector. If it does not reach, signal errors due to stray light components can be reduced. Further, the height of the photodetector surface from the submount surface may be higher than the surface on the light emission side of the coherent light source, or a concave portion may be formed in the submount surface, and the coherent light source may be disposed in the concave portion.

【0188】また、本発明の集積化ユニットによれば、
光導波路が形成された基板の第1の表面から光が取り出
されるコヒーレント光源がサブマウントの第1面に形成
され、検出器がサブマウントの第2面に形成されている
ので、上述のような遮光体や凹部を設けなくても迷光が
光検出器に到達するのを容易に防ぐことができる。
According to the integrated unit of the present invention,
The coherent light source from which light is extracted from the first surface of the substrate on which the optical waveguide is formed is formed on the first surface of the submount, and the detector is formed on the second surface of the submount. It is possible to easily prevent stray light from reaching the photodetector without providing a light-shielding body or a concave portion.

【0189】さらに、集積化ユニットやコヒーレント光
源を凹形状パッケージ内に配置する場合には、その凹形
状パッケージを封止する透明基板上に回折格子を形成す
ることにより、部品点数を削減することができる。
Further, when the integrated unit and the coherent light source are arranged in a concave package, the number of components can be reduced by forming a diffraction grating on a transparent substrate for sealing the concave package. it can.

【0190】本発明の光ピックアップ装置によれば、本
発明の集積化ユニットを用いて装置の小型化および薄型
化を図ることが可能である。さらに、その集光光学系
中、光導波路デバイスの基板表面、または凹形状パッケ
ージを封止する透明基板上に回折格子を備えているの
で、安定した光学系を実現することができる。
According to the optical pickup device of the present invention, it is possible to reduce the size and thickness of the device by using the integrated unit of the present invention. Further, since the diffraction grating is provided on the substrate surface of the optical waveguide device or on the transparent substrate for sealing the concave package in the condensing optical system, a stable optical system can be realized.

【0191】また、集積化ユニットの光検出器を中央の
第1領域(フォーカス用光検出器)と、第1の領域の両
側の第2領域(トラッキング用光検出器)および第3領
域(トラッキング用光検出器)の少なくとも3つの領域
に分割して第2領域および第3領域を回折格子の格子縞
に対して垂直な方向に配置することにより、例えば3ビ
ームトラッキング法により信号検出を行うことができ
る。この場合、光源に近接した位置に回折格子が配置さ
れるので、集積化ユニットの光導波路デバイスを構成す
る基板表面に回折格子を設ける構成が有効になる。
The photodetector of the integrated unit is divided into a first region (focusing photodetector) at the center, a second region (tracking photodetector) on both sides of the first region, and a third region (tracking photodetector). By dividing the second region and the third region in a direction perpendicular to the lattice fringes of the diffraction grating by dividing into at least three regions of the photodetector, signal detection can be performed by, for example, a three-beam tracking method. it can. In this case, since the diffraction grating is arranged at a position close to the light source, it is effective to provide the diffraction grating on the surface of the substrate constituting the optical waveguide device of the integrated unit.

【0192】さらに、光検出器をコヒーレント光源に対
して両側に配置し、各検出器に中央部分と周辺部分に分
割された領域(フォーカス用光検出器)を設けて、集光
光学系とレンズ作用を有する第2の回折素子(ホログラ
ム)を設けることにより、例えばスポットサイズディテ
クション(SSD)法により信号検出を行うことができ
る。このSSD法と3ビームトラッキング法の組み合わ
せによる光ピックアップにおいては、ホログラムを用い
た信号検出が容易であり、本発明の集積化ユニットが有
効である。
Further, the photodetectors are arranged on both sides with respect to the coherent light source, and each of the detectors is provided with a region (focusing photodetector) divided into a central portion and a peripheral portion, and a condensing optical system and a lens are provided. By providing the second diffraction element (hologram) having the function, signal detection can be performed by, for example, a spot size detection (SSD) method. In an optical pickup based on a combination of the SSD method and the three-beam tracking method, signal detection using a hologram is easy, and the integrated unit of the present invention is effective.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1A】実施の形態1における、端面が光導波路に対
して斜めに形成された光導波路デバイスの概略構成を示
す断面図である。
FIG. 1A is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of an optical waveguide device according to a first embodiment in which an end face is formed obliquely to an optical waveguide.

【図1B】実施の形態1の変形例における、光導波路デ
バイスの端面の一部が光導波路とともに斜めに形成され
た光導波路デバイスの概略構成を示す断面図である。
FIG. 1B is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an optical waveguide device according to a modification of the first embodiment, in which a part of an end face of the optical waveguide device is formed obliquely together with the optical waveguide.

【図2】実施の形態1において、端面が光導波路に対し
て斜めに形成された光導波路デバイスと波長可変DBR
半導体レーザを備えたコヒーレント光源を用いて波長変
換を行う方法を説明するための断面図である。
FIG. 2 shows an optical waveguide device in which an end face is formed obliquely to an optical waveguide and a wavelength-variable DBR in the first embodiment.
FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining a method of performing wavelength conversion using a coherent light source including a semiconductor laser.

【図3】実施の形態1における、端面が光導波路に対し
て斜めに形成された光導波路デバイスと波長可変DBR
半導体レーザを備えたコヒーレント光源(SHG青色レ
ーザ)の概略構成を示す断面図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating an optical waveguide device having an end face formed obliquely to an optical waveguide and a wavelength tunable DBR according to the first embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a coherent light source (SHG blue laser) including a semiconductor laser.

【図4】実施の形態1のSHG青色レーザを搭載した光
ピックアップの概略構成を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of an optical pickup on which the SHG blue laser of the first embodiment is mounted.

【図5】実施の形態2における、端面が光導波路に対し
て斜めに形成された光導波路デバイスの概略構成を示す
断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of an optical waveguide device according to a second embodiment in which an end surface is formed obliquely with respect to the optical waveguide.

【図6】実施の形態2において、端面が光導波路に対し
て斜めに形成された光導波路デバイスと波長可変DBR
半導体レーザを備えたコヒーレント光源を用いて波長変
換を行う方法を説明するための断面図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating an optical waveguide device in which an end face is formed obliquely to an optical waveguide and a wavelength tunable DBR according to the second embodiment.
FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining a method of performing wavelength conversion using a coherent light source including a semiconductor laser.

【図7】実施の形態2における、端面が光導波路に対し
て斜めに形成された光導波路デバイスと波長可変DBR
半導体レーザを備えたコヒーレント光源(SHG青色レ
ーザ)の概略構成を示す断面図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating an optical waveguide device having an end face formed obliquely to an optical waveguide and a wavelength-tunable DBR according to the second embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a coherent light source (SHG blue laser) including a semiconductor laser.

【図8】実施の形態3における、光導波路上に凹部が形
成された光導波路デバイスの概略構成を示す斜視図であ
る。
FIG. 8 is a perspective view showing a schematic configuration of an optical waveguide device according to a third embodiment in which a concave portion is formed on an optical waveguide.

【図9A】実施の形態3における、光導波路上に凹部が
形成された光導波路デバイスの概略構成を示す断面図で
ある。
FIG. 9A is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of an optical waveguide device in which a concave portion is formed on an optical waveguide according to a third embodiment.

【図9B】実施の形態3における、光導波路上に凹部が
形成され、高屈折率クラッド層が設けられた光導波路デ
バイスの概略構成を示す断面図である。
FIG. 9B is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of an optical waveguide device according to Embodiment 3 in which a concave portion is formed on an optical waveguide and a high refractive index cladding layer is provided.

【図9C】実施の形態3における、凹部と光導波路デバ
イスとの好ましい位置関係を説明するための光導波路デ
バイスの概略構成を示す断面図である。
FIG. 9C is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the optical waveguide device for describing a preferred positional relationship between the concave portion and the optical waveguide device in the third embodiment.

【図9D】実施の形態3の別の例における、光導波路上
に凹部が形成された光導波路デバイスの概略構成を示す
断面図である。
FIG. 9D is a sectional view showing a schematic configuration of an optical waveguide device in which a concave portion is formed on an optical waveguide in another example of the third embodiment.

【図10】実施の形態3における、光導波路上に凹部が
形成された光導波路デバイスと波長可変DBR半導体レ
ーザを備えたコヒーレント光源(SHG青色レーザ)の
概略構成を示す断面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a coherent light source (SHG blue laser) including an optical waveguide device in which a concave portion is formed on an optical waveguide and a tunable DBR semiconductor laser according to a third embodiment.

【図11】実施の形態3における、コヒーレント光源が
配置された凹形状パッケージを封止する封止板に回折格
子を設けた構成を示す断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a configuration in which a diffraction grating is provided on a sealing plate for sealing a concave package in which a coherent light source is arranged according to the third embodiment.

【図12】実施の形態4における、サブマウントの同一
面上に実施の形態1のコヒーレント光源と光検出器とが
集積化され、さらに、集光光学系を備えた光ピックアッ
プの概略構成を示す斜視図である。
FIG. 12 shows a schematic configuration of an optical pickup according to a fourth embodiment in which the coherent light source and the photodetector according to the first embodiment are integrated on the same surface of a submount, and further provided with a condensing optical system. It is a perspective view.

【図13】実施の形態5における、サブマウントの同一
面上に実施の形態1のコヒーレント光源と光検出器とが
集積化された集積化ユニットの概略構成を示す斜視図で
ある。
FIG. 13 is a perspective view showing a schematic configuration of an integrated unit in which a coherent light source and a photodetector according to the first embodiment are integrated on the same surface of a submount in the fifth embodiment.

【図14】実施の形態5における、サブマウントの同一
面上に実施の形態1のコヒーレント光源と光検出器とが
集積化された集積化ユニットの概略構成を示す斜視図で
ある。
FIG. 14 is a perspective view illustrating a schematic configuration of an integrated unit according to a fifth embodiment in which the coherent light source and the photodetector according to the first embodiment are integrated on the same surface of a submount.

【図15】実施の形態5における、サブマウントの一方
の面上に実施の形態2のコヒーレント光源が配置され、
他方の面上に光検出器が配置された光ピックアップの概
略構成を示す斜視図である。
FIG. 15 shows the coherent light source of the second embodiment arranged on one surface of the submount in the fifth embodiment;
It is a perspective view which shows schematic structure of the optical pickup by which the photodetector was arrange | positioned on the other surface.

【図16】(a)は実施の形態6における、コヒーレン
ト光源が配置された凹形状パッケージを複屈折封止板に
より封止した構成を示す斜視図であり、(b)は複屈折
封止板の屈折率楕円体を示す図であり、(c)は光導波
路基板の屈折率楕円体を示す図である。
FIG. 16A is a perspective view showing a configuration in which a concave package in which a coherent light source is arranged is sealed with a birefringent sealing plate according to the sixth embodiment, and FIG. 16B is a birefringent sealing plate. FIG. 3C is a diagram showing a refractive index ellipsoid of the optical waveguide substrate, and FIG.

【図17】実施の形態6における、コヒーレント光源が
配置された凹形状パッケージを円筒レンズにより封止し
た構成を示す斜視図である。
FIG. 17 is a perspective view showing a configuration in Embodiment 6 in which a concave package in which a coherent light source is arranged is sealed with a cylindrical lens.

【図18】円筒レンズの断面形状を示す断面図である。FIG. 18 is a sectional view showing a sectional shape of a cylindrical lens.

【図19】実施の形態6における、コヒーレント光源が
配置された凹形状パッケージを封止する封止板に回折格
子を設けた構成を示す断面図である。
FIG. 19 is a cross-sectional view illustrating a configuration in which a diffraction grating is provided on a sealing plate for sealing a concave package in which a coherent light source is arranged according to the sixth embodiment.

【図20】従来のSHG青色レーザの構成を示す断面図
である。
FIG. 20 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a conventional SHG blue laser.

【図21】従来のSHG青色レーザが搭載された光ピッ
クアップの構成を示す図である。
FIG. 21 is a diagram showing a configuration of an optical pickup on which a conventional SHG blue laser is mounted.

【図22】従来の切り込みを有する光導波路デバイスの
構成を示す斜視図である。
FIG. 22 is a perspective view showing a configuration of a conventional optical waveguide device having a notch.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、15、33、41 MgドープLiNbO3基板 2、16、34、85 周期的分極反転領域 3、17、31、35、84、93 光導波路 4、18 端面(斜面) 5、19、38、56、80 波長可変DBR半導体レ
ーザ 6、21、81 活性領域 7、20、82 DBR領域 8、22 レンズ 9、23、86 コリメートレンズ 10、87 偏光ビームスプリッタ 11、88 1/4波長板 12、53a、89 対物レンズ 13、90 検出レンズ系 14、91 フォトディテクタ 24、25、37、55、58、64 サブマウント 26 取り出し窓 30 基板 32a、36a、40a 凹部の側面 32、36、40 凹部 39、50、60、60a、75 光導波路デバイス 42 保護膜 46 クラッド層 51、74 回折格子 52 フォーカス用光検出器 53 ホログラム 54 トラッキング用光検出器 57 シリコン基板 58、76 サブマウント 59、59a、62、78 光検出器(群) 63 遮光物体 70 光導波路基板 71 封止板 72 凹形状パッケージ 73 円筒レンズ 73a 円筒レンズの階段状断面形状 77 半導体レーザ 83 光導波路型波長変換デバイス 92 ガラス基板 94 切り込み 95 ディスク 100、150、500、800、900、950、9
70、980 光導波路デバイス 110、910 入射端面 200、300、600、700、1000、110
0、2000 コヒーレント光源 400、1200、1500、1600、1700、1
900、2000 光ピックアップ 940 斜面 1300、1400 集積化ユニット
1, 15, 33, 41 Mg-doped LiNbO 3 substrate 2, 16, 34, 85 Periodically domain-inverted region 3, 17, 31, 35, 84, 93 Optical waveguide 4, 18 End face (slope) 5, 19, 38, 56, 80 Tunable DBR semiconductor laser 6, 21, 81 Active region 7, 20, 82 DBR region 8, 22 Lens 9, 23, 86 Collimating lens 10, 87 Polarizing beam splitter 11, 88 Quarter-wave plate 12, 53a , 89 Objective lens 13, 90 Detection lens system 14, 91 Photodetector 24, 25, 37, 55, 58, 64 Submount 26 Extraction window 30 Substrate 32a, 36a, 40a Side surface of concave portion 32, 36, 40 concave portion 39, 50, 60, 60a, 75 Optical waveguide device 42 Protective film 46 Cladding layer 51, 74 Diffraction grating 52 Focus Photodetector 53 Hologram 54 Tracking photodetector 57 Silicon substrate 58, 76 Submount 59, 59a, 62, 78 Photodetector (group) 63 Shielding object 70 Optical waveguide substrate 71 Sealing plate 72 Concave package 73 Cylindrical Lens 73a Stepped cross-sectional shape of cylindrical lens 77 Semiconductor laser 83 Optical waveguide type wavelength conversion device 92 Glass substrate 94 Cut 95 Disk 100, 150, 500, 800, 900, 950, 9
70,980 Optical waveguide device 110,910 Incident end face 200,300,600,700,1000,110
0, 2000 Coherent light source 400, 1200, 1500, 1600, 1700, 1
900, 2000 Optical pickup 940 Slope 1300, 1400 Integrated unit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G11B 7/135 H01S 5/026 H01S 5/022 G02B 6/12 A 5/026 H B (72)発明者 水内 公典 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 山本 和久 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G11B 7/135 H01S 5/026 H01S 5/022 G02B 6/12 A 5/026 HB (72) Inventor Kosuke Mizuuchi 1006 Kadoma Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture (72) Kazuhisa Yamamoto Kazuhisa Yamamoto 1006 Kadoma Kadoma, Kadoma City, Osaka Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

Claims (45)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1の表面および第2の表面を有する基
板と、 該基板の第1の表面に形成される光導波路であって、該
光導波路は光入射端面と、光導波路に対して斜めに傾い
ている斜面とを有する、光導波路と、を備え、 該光入射端面から該光導波路に入射された導波光が該斜
面において全反射され、該基板の第1の表面または該基
板の第2の表面から導波光が出射される光導波路デバイ
ス。
1. A substrate having a first surface and a second surface, and an optical waveguide formed on the first surface of the substrate, wherein the optical waveguide is a light incident end face and a light guide. An optical waveguide having an inclined surface that is obliquely inclined, and a waveguide light incident on the optical waveguide from the light incident end face is totally reflected on the inclined surface, and the first surface of the substrate or the first surface of the substrate. An optical waveguide device from which guided light is emitted from the second surface.
【請求項2】 前記導波光は、前記基板の第1の表面か
ら出射される、請求項1に記載の光導波路デバイス。
2. The optical waveguide device according to claim 1, wherein the guided light is emitted from a first surface of the substrate.
【請求項3】 前記導波光は、前記基板の第2の表面か
ら出射される、請求項1に記載の光導波路デバイス。
3. The optical waveguide device according to claim 1, wherein the guided light is emitted from a second surface of the substrate.
【請求項4】 前記基板が非線形光学材料からなり、前
記光導波路に基本波光として入射された前記導波光が第
2高調波光に波長変換されて出射される、請求項1に記
載の光導波路デバイス。
4. The optical waveguide device according to claim 1, wherein the substrate is made of a non-linear optical material, and the guided light incident on the optical waveguide as a fundamental light is wavelength-converted into a second harmonic light and emitted. .
【請求項5】 前記第2高調波光は、前記基板の第2の
表面から出射される、請求項4に記載の光導波路デバイ
ス。
5. The optical waveguide device according to claim 4, wherein said second harmonic light is emitted from a second surface of said substrate.
【請求項6】 前記基板の厚みが、0.3mm以上、
1.0mm以下である、請求項5に記載の光導波路デバ
イス。
6. The thickness of the substrate is 0.3 mm or more,
The optical waveguide device according to claim 5, which is 1.0 mm or less.
【請求項7】 前記基板の第1の表面に、前記第2高調
波光が反射しない無反射部が設けられる、請求項5に記
載の光導波路デバイス。
7. The optical waveguide device according to claim 5, wherein a non-reflection portion that does not reflect the second harmonic light is provided on the first surface of the substrate.
【請求項8】 前記無反射部が、反射防止コーティング
により形成される、請求項7に記載の光導波路デバイ
ス。
8. The optical waveguide device according to claim 7, wherein the non-reflection portion is formed by an anti-reflection coating.
【請求項9】 前記第2高調波光は、前記基板の第1の
表面から出射される、請求項4に記載の光導波路デバイ
ス。
9. The optical waveguide device according to claim 4, wherein said second harmonic light is emitted from a first surface of said substrate.
【請求項10】 前記基板の第1の表面に、前記基本波
が反射しない無反射部が設けられる、請求項9に記載の
光導波路デバイス。
10. The optical waveguide device according to claim 9, wherein a non-reflection portion that does not reflect the fundamental wave is provided on the first surface of the substrate.
【請求項11】 前記無反射部が、反射防止コーティン
グにより形成される、請求項10に記載の光導波路デバ
イス。
11. The optical waveguide device according to claim 10, wherein the non-reflection portion is formed by an anti-reflection coating.
【請求項12】 前記光導波路の斜面と該光導波路との
なす角が、45度±1度である、請求項1に記載の光導
波路デバイス。
12. The optical waveguide device according to claim 1, wherein an angle between the inclined surface of the optical waveguide and the optical waveguide is 45 ± 1 degrees.
【請求項13】 前記第2高調波光が導波モードであ
る、請求項4に記載の光導波路デバイス。
13. The optical waveguide device according to claim 4, wherein said second harmonic light is in a guided mode.
【請求項14】 前記光導波路の斜面に対応する前記基
板のある面全体が、該光導波路に対して斜面である、請
求項1に記載の光導波路デバイス。
14. The optical waveguide device according to claim 1, wherein an entire surface of the substrate corresponding to a slope of the optical waveguide is inclined with respect to the optical waveguide.
【請求項15】 前記光導波路の斜面は、前記基板の第
1の表面近傍に該光導波路に対してほぼ直交に形成され
た切り込み部により形成される、請求項1に記載の光導
波路デバイス。
15. The optical waveguide device according to claim 1, wherein the slope of the optical waveguide is formed by a cut portion formed near the first surface of the substrate and substantially orthogonal to the optical waveguide.
【請求項16】 前記光導波路の斜面は、前記基板の第
1の表面近傍に該光導波路に対してほぼ直交に形成され
た凹部により形成される、請求項1に記載の光導波路デ
バイス。
16. The optical waveguide device according to claim 1, wherein the slope of the optical waveguide is formed by a concave portion formed near the first surface of the substrate and substantially perpendicular to the optical waveguide.
【請求項17】 少なくとも前記凹部を除く前記基板の
第1の表面に保護層をさらに有する、請求項16に記載
の光導波路デバイス。
17. The optical waveguide device according to claim 16, further comprising a protective layer on at least the first surface of the substrate except for the concave portion.
【請求項18】 前記基板の第1の表面上に保護層をさ
らに有する、請求項16に記載の光導波路デバイス。
18. The optical waveguide device according to claim 16, further comprising a protective layer on the first surface of the substrate.
【請求項19】 前記保護層の屈折率n1と、前記光導
波路を導波する光に対する前記光導波路の実効屈折率n
2と、前記基板の第1の表面と前記凹部側面の法線がな
す角θとが、 Sin(θ)>n1/n2 の関係を満たす、請求項18に記載の光導波路デバイ
ス。
19. The refractive index n 1 of the protective layer and the effective refractive index n of the optical waveguide with respect to light guided through the optical waveguide.
19. The optical waveguide device according to claim 18, wherein 2 and an angle θ formed by a normal of the first surface of the substrate and a side surface of the concave portion satisfy a relationship of Sin (θ)> n 1 / n 2 .
【請求項20】 前記光導波路の斜面は、前記基板の第
1の表面近傍に該光導波路に対してほぼ直交に形成され
た凹部により形成され、 該光導波路を導波する基本波光の導波モードの深さt1
と、該光導波路を導波する前記第2高調波光の導波モー
ドの深さt2と、前記凹部の深さtとが、 t2<t<t1 の関係を満たす、請求項4に記載の光導波路デバイス。
20. The slope of the optical waveguide is formed by a concave portion formed near the first surface of the substrate and substantially orthogonal to the optical waveguide, and guides a fundamental wave light guided through the optical waveguide. Mode depth t 1
5. The depth t 2 of the waveguide mode of the second harmonic light guided through the optical waveguide and the depth t of the concave portion satisfy a relationship of t 2 <t <t 1. The optical waveguide device according to any one of the preceding claims.
【請求項21】 前記基板の第1の表面上に保護層をさ
らに有し、 前記光導波路の斜面は、前記基板の第1の表面近傍に該
光導波路に対してほぼ直交に形成された凹部により形成
され、 該光導波路を導波する基本波光の該保護層に対する屈折
率nc1と、該光導波路を導波する第2高調波光の該保
護層に対する屈折率nc2と、該光導波路の基本波光に
対する屈折率nf1と、該光導波路の第2高調波光に対
する屈折率nf2と、該第1の表面と前記凹部側面の法
線のなす角θとが nc2/nf2<Sin(θ)<nc1/nf1 の関係を満たす、請求項4に記載の光導波路デバイス。
21. A substrate further comprising a protective layer on a first surface of the substrate, wherein the slope of the optical waveguide is formed near the first surface of the substrate and formed substantially orthogonal to the optical waveguide. The refractive index nc 1 of the fundamental wave light guided through the optical waveguide with respect to the protective layer, the refractive index nc 2 of the second harmonic light guided through the optical waveguide with respect to the protective layer, and the refractive index of the optical waveguide The refractive index nf 1 for the fundamental wave light, the refractive index nf 2 for the second harmonic light of the optical waveguide, and the angle θ between the first surface and the normal to the side surface of the concave portion are nc 2 / nf 2 <Sin ( theta) satisfies the relation <nc 1 / nf 1, an optical waveguide device according to claim 4.
【請求項22】 前記基板の第2の表面上に回折格子が
形成される、請求項5に記載の光導波路デバイス。
22. The optical waveguide device according to claim 5, wherein a diffraction grating is formed on the second surface of the substrate.
【請求項23】 前記基板が第1の複屈折性光学結晶か
らなる、請求項1に記載の光導波路デバイス。
23. The optical waveguide device according to claim 1, wherein said substrate is made of a first birefringent optical crystal.
【請求項24】 前記出射される導波光の光路中に配置
され、前記基板の第1の複屈折性光学結晶と光学軸が直
交する第2の複屈折性光学結晶を更に備える、請求項2
3に記載の光導波路デバイス。
24. The optical device according to claim 2, further comprising a second birefringent optical crystal arranged in an optical path of the emitted guided light and having an optical axis orthogonal to the first birefringent optical crystal of the substrate.
4. The optical waveguide device according to 3.
【請求項25】 前記導波光が出射される表面が略円筒
形状である、請求項1に記載の光導波路デバイス。
25. The optical waveguide device according to claim 1, wherein a surface from which the guided light is emitted has a substantially cylindrical shape.
【請求項26】 前記光導波路デバイスから出射される
導波光の光路中に配置される円筒レンズを更に備える、
請求項1に記載の光導波路デバイス。
26. The apparatus according to claim 26, further comprising a cylindrical lens disposed in an optical path of guided light emitted from the optical waveguide device.
The optical waveguide device according to claim 1.
【請求項27】 前記光導波路デバイスが内に配置され
る凹形状パッケージを更に備え、前記第2の複屈折結晶
が該凹形状パッケージを封止する、請求項24に記載の
光導波路デバイス。
27. The optical waveguide device according to claim 24, further comprising a concave package in which the optical waveguide device is disposed, wherein the second birefringent crystal seals the concave package.
【請求項28】 前記光導波路デバイスが内に配置され
る凹形状パッケージを更に備え、前記円筒レンズが該凹
形状パッケージを封止する、請求項26に記載の光導波
路デバイス。
28. The optical waveguide device according to claim 26, further comprising a concave package in which the optical waveguide device is disposed, wherein the cylindrical lens seals the concave package.
【請求項29】 前記基板は、前記光導波路の光入射端
面を含む第1の端面と、該第1の端面と対向する第2の
端面とを有し、 前記斜面と前記基板の第1の表面との交線と、該基板の
第2の端面と該基板の第2の表面との交線とを含む面
と、前記導波光が出射される方向との間の角度が、該基
板の第2の表面から出射される導波光の広がり角の半分
よりも大きい、請求項1に記載の光導波路デバイス。
29. The substrate has a first end face including a light incident end face of the optical waveguide, and a second end face facing the first end face, wherein the slope and the first end face of the substrate are provided. The angle between the line of intersection with the surface, the plane including the line of intersection of the second end surface of the substrate with the second surface of the substrate, and the direction in which the guided light is emitted is defined by the angle of the substrate. The optical waveguide device according to claim 1, wherein the optical waveguide device is larger than a half of a spread angle of the guided light emitted from the second surface.
【請求項30】 前記斜面と前記基板の第1の表面との
交線と、該第2の端面と該基板の第2の表面との交線と
を含む面と、前記導波光が出射される方向とのなす角度
θと、該基板の第2の表面から取り出される該導波光の
広がり角θ1が、 θ1/2<θ の関係を満たす、請求項29に記載の光導波路デバイ
ス。
30. A surface including a line of intersection between the slope and the first surface of the substrate, a surface including a line of intersection between the second end surface and the second surface of the substrate, and the guided light is emitted. 30. The optical waveguide device according to claim 29, wherein an angle θ between the direction and the spread angle θ1 of the guided light extracted from the second surface of the substrate satisfies a relationship of θ1 / 2 <θ.
【請求項31】 前記基板の第1の表面に形成される周
期的分極反転領域をさらに有する、請求項1に記載の光
導波路デバイス。
31. The optical waveguide device according to claim 1, further comprising a periodically poled region formed on a first surface of the substrate.
【請求項32】 前記周期的分極反転領域は、前記光導
波路の該斜面近傍に形成されない、請求項31に記載の
光導波路デバイス。
32. The optical waveguide device according to claim 31, wherein the periodically poled region is not formed near the slope of the optical waveguide.
【請求項33】 半導体レーザと、 請求項1に記載の光導波路デバイスとを備える、コヒー
レント光源。
33. A coherent light source, comprising: a semiconductor laser; and the optical waveguide device according to claim 1.
【請求項34】 前記半導体レーザが、波長可変型の半
導体レーザである、請求項33に記載のコヒーレント光
源。
34. The coherent light source according to claim 33, wherein the semiconductor laser is a tunable semiconductor laser.
【請求項35】 前記半導体レーザの光出射端面と前記
光導波路の光入射端面との距離が、0μm以上かつ10
μm以下である、請求項33に記載のコヒーレント光
源。
35. The distance between the light emitting end face of the semiconductor laser and the light incident end face of the optical waveguide is 0 μm or more and 10 μm or more.
34. The coherent light source according to claim 33, which is less than or equal to μm.
【請求項36】 半導体レーザと、該半導体レーザから
の光が入射される請求項3に記載の光導波路デバイス
と、を有するコヒーレント光源と、 該光導波路デバイスから出射された光に関連する光を検
出する光検出器と、 該コヒーレント光源と該検出器とが同一面上に配置され
るサブマウントと、を備える集積化ユニット。
36. A coherent light source having a semiconductor laser and the optical waveguide device according to claim 3, into which light from the semiconductor laser is incident; and a light associated with light emitted from the optical waveguide device. An integrated unit comprising: a photodetector for detection; and a submount on which the coherent light source and the detector are arranged on the same plane.
【請求項37】 前記コヒーレント光源と前記光検出器
との間に配置される遮光体を更に備える、請求項36に
記載の集積化ユニット。
37. The integrated unit according to claim 36, further comprising a light shield disposed between the coherent light source and the light detector.
【請求項38】 前記光検出器表面の前記サブマウント
面からの高さが、前記コヒーレント光源の光出射側の表
面より高い、請求項36に記載の集積化ユニット。
38. The integrated unit according to claim 36, wherein a height of the photodetector surface from the submount surface is higher than a surface on the light emission side of the coherent light source.
【請求項39】 前記サブマウント表面に凹部が形成さ
れ、前記コヒーレント光源が該凹部に配置される、請求
項36に記載の集積化ユニット。
39. The integrated unit according to claim 36, wherein a recess is formed in the surface of the submount, and the coherent light source is disposed in the recess.
【請求項40】 半導体レーザと、該半導体レーザから
の光が入射される請求項2に記載の光導波路デバイス
と、を有するコヒーレント光源と、 該光導波路デバイスから出射された光に関連する光を検
出する光検出器と、 第1の面と、該第1の面の裏面である第2の面とを有す
るサブマウントであって、該コヒーレント光源が該サブ
マウントの第1面上に配置され、該光検出器が該第2面
上に配置される、サブマウントと、を備える集積化ユニ
ット。
40. A coherent light source comprising: a semiconductor laser; and the optical waveguide device according to claim 2, into which light from the semiconductor laser is incident; and light associated with light emitted from the optical waveguide device. A submount having a photodetector to be detected, a first surface, and a second surface that is a back surface of the first surface, wherein the coherent light source is disposed on a first surface of the submount. And a submount, wherein the photodetector is disposed on the second surface.
【請求項41】 請求項33に記載のコヒーレント光源
と、 該コヒーレント光源を中に配置する凹形状パッケージ
と、 該凹形状パッケージを封止し、表面に回折格子が形成さ
れている透明基板とを、備える集積化ユニット。
41. The coherent light source according to claim 33, a concave package in which the coherent light source is disposed, and a transparent substrate sealing the concave package and having a diffraction grating formed on the surface. , Comprising an integrated unit.
【請求項42】 請求項36に記載の集積化ユニット
と、 該集積化ユニットから出射された光を集光する集光光学
系と、を備え、 該集積化ユニットの前記光導波路デバイスから導波光が
出射される表面に回折格子が形成される、光ピックアッ
プ装置。
42. An integrated unit according to claim 36, and a condensing optical system for condensing the light emitted from the integrated unit, wherein the light guided from the optical waveguide device of the integrated unit is provided. An optical pickup device, wherein a diffraction grating is formed on a surface from which light is emitted.
【請求項43】 請求項41に記載の集積化ユニット
と、 該集積化ユニットから出射された光を集光する集光光学
系と、を備える、光ピックアップ装置。
43. An optical pickup device comprising: the integrated unit according to claim 41; and a condensing optical system that condenses light emitted from the integrated unit.
【請求項44】 前記集積化ユニットの光検出器が、中
央の第1領域と、該第1の領域の両側の第2領域および
第3領域の少なくとも3つの領域に分割され、該第1の
領域に対する該第2領域および該第3領域は、前記回折
格子の格子縞に対して垂直な方向に配置される、請求項
42に記載の光ピックアップ装置。
44. The photodetector of the integrated unit is divided into a central first region, and at least three regions, a second region and a third region on both sides of the first region, 43. The optical pickup device according to claim 42, wherein the second region and the third region with respect to a region are arranged in a direction perpendicular to a lattice fringe of the diffraction grating.
【請求項45】 半導体レーザと、 該半導体レーザからの光が入射される請求項1に記載の
光導波路デバイスと、 該光導波路デバイスから出射された光に関連する光を検
出する2つの光検出器と、 該コヒーレント光源と該検出器とが配置されるサブマウ
ントと、 該光導波路デバイスから出射された光を集光する集光光
学系と、 該集光光学系中に配置されたレンズ作用を有する回折素
子と、を備え、 該2つの光検出器は、該光導波路デバイスに対して対向
するように位置し、該2つの検出器は各々中央部分と周
辺部分に分割された領域を少なくとも有し、該回折素子
によって回折された光が該2つの検出器の各々を照射す
る、光ピックアップ装置。
45. A semiconductor laser, and the optical waveguide device according to claim 1, wherein light from the semiconductor laser is incident, and two light detectors for detecting light related to light emitted from the optical waveguide device. A submount on which the coherent light source and the detector are disposed; a condenser optical system for condensing light emitted from the optical waveguide device; and a lens function disposed in the condenser optical system. A diffractive element comprising: a light diffusing element, wherein the two photodetectors are positioned to face the optical waveguide device, and each of the two photodetectors has at least a region divided into a central portion and a peripheral portion. An optical pickup device, wherein the light diffracted by the diffraction element irradiates each of the two detectors.
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