JP2001177007A - Semiconductor device and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特に、リードフレームを用いて製造される半導体装
置に適用して有効な技術に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, to a technology effective when applied to a semiconductor device manufactured using a lead frame.
【０００２】[0002]
【従来の技術】リードフレームを用いて製造される半導
体装置においては、種々な構造のものが提案され、製品
化されている。例えば、特開平６−４５５０１号（１９
９４年、２月１８日公開）には、実装基板上に複数個積
み重ねて実装することが可能な半導体装置が開示されて
いる。2. Description of the Related Art Various types of semiconductor devices manufactured using lead frames have been proposed and commercialized. For example, JP-A-6-45501 (19)
(Published on Feb. 18, 1994) discloses a semiconductor device which can be stacked and mounted on a mounting board.
【０００３】前記公報に開示された半導体装置は、主
に、樹脂封止体と、樹脂封止体の内部に位置し、表裏面
（互いに対向する一主面及び他の主面）のうちの表面
（一主面）である回路形成面に電極が形成された半導体
チップと、樹脂封止体の内外に亘って延在し、半導体チ
ップの電極に導電性のワイヤを介して電気的に接続され
たリードとを有する構成になっている。[0003] The semiconductor device disclosed in the above publication mainly includes a resin sealing body and a resin sealing body which is located inside the resin sealing body and has one of a front surface and a back surface (one main surface and another main surface facing each other). A semiconductor chip having electrodes formed on a circuit forming surface, which is a front surface (one main surface), and extends inside and outside the resin sealing body, and is electrically connected to the electrodes of the semiconductor chip via conductive wires. And a connected lead.
【０００４】リードは、樹脂封止体の内部に位置する内
部リード部（インナーリードとも言う）と、この内部リ
ード部と一体に形成され、かつ樹脂封止体の外部に位置
する外部リード部（アウターリードとも言う）とを有す
る構成になっている。リードの外部リード部は、樹脂封
止体の側面から突出する第１部分と、この第１部分から
上方に折れ曲がる第２部分と、この第２部分から第１部
分の延在方向と同一方向に延びる第３部分と、この第３
部分から下方に折れ曲がる第４部分と、この第４部分か
ら樹脂封止体に向かって延びる第５部分とを有する構成
になっている。[0004] The lead has an internal lead portion (also referred to as an inner lead) located inside the resin-sealed body, and an external lead portion formed integrally with the internal lead portion and located outside the resin-sealed body. (Also referred to as an outer lead). The external lead portion of the lead has a first portion protruding from the side surface of the resin sealing body, a second portion bent upward from the first portion, and a second portion extending from the second portion in the same direction as the extending direction of the first portion. A third portion extending therefrom and the third
A fourth portion is bent downward from the portion, and a fifth portion extends from the fourth portion toward the resin sealing body.
【０００５】このように構成された半導体装置において
は、例えば実装基板に二つの半導体装置を実装する場
合、第１半導体装置の外部リード部の第５部分を実装基
板の接続用端子に半田付けし、第２半導体装置の外部リ
ード部の第５部分を第１半導体装置の外部リード部の第
３部分に半田付けすることにより、実装基板上に二つの
半導体装置を積み重ねた状態で実装することができる。In the semiconductor device configured as described above, for example, when two semiconductor devices are mounted on a mounting substrate, the fifth portion of the external lead portion of the first semiconductor device is soldered to connection terminals of the mounting substrate. By soldering the fifth portion of the external lead portion of the second semiconductor device to the third portion of the external lead portion of the first semiconductor device, the two semiconductor devices can be mounted in a stacked state on the mounting board. it can.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前述の半
導体装置について検討した結果、以下の問題点を見出し
た。前述の半導体装置においては、樹脂封止体の外部に
導出された外部リード部を折り曲げ成形して外部端子部
分（第３部分及び第５部分）を形成しているため、半導
体装置の平面サイズが大きくなる。また、前述の半導体
装置においては、外部リード部の折り曲げ成形が複雑に
なるため、半導体装置の生産性が低くなる。The present inventor has studied the above-described semiconductor device, and has found the following problems. In the above-described semiconductor device, since the external terminal portions (the third portion and the fifth portion) are formed by bending the external lead portion led out of the resin sealing body, the planar size of the semiconductor device is reduced. growing. Further, in the above-described semiconductor device, the bending of the external lead portion is complicated, so that the productivity of the semiconductor device is reduced.
【０００７】本発明の目的は、半導体装置の小型化を図
ることが可能な技術を提供することにある。An object of the present invention is to provide a technique capable of reducing the size of a semiconductor device.
【０００８】本発明の他の目的は、半導体装置の生産性
を高めることが可能な技術を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a technique capable of increasing the productivity of a semiconductor device.
【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows.
【００１１】（１）半導体装置において、主面に電極を
有する半導体チップと、前記半導体チップの電極に接続
手段を介して電気的に接続されるリードと、互いに対向
する第１主面及び第２主面を有し、かつ前記半導体チッ
プ、前記接続手段及び前記リードを封止する樹脂封止体
とを有し、前記リードは、前記樹脂封止体の内部に位置
し、かつ前記接続手段が接続される接続部分と、前記樹
脂封止体の第１主面から露出する第１外部端子部分と、
前記樹脂封止体の第２主面から露出する第２外部端子部
分とを有する構成になっている。(1) In a semiconductor device, a semiconductor chip having an electrode on a main surface, a lead electrically connected to an electrode of the semiconductor chip via a connection means, a first main surface and a second main surface opposed to each other. Having a main surface, and having a resin sealing body for sealing the semiconductor chip, the connection means and the lead, wherein the lead is located inside the resin sealing body, and the connection means A connection portion to be connected, a first external terminal portion exposed from a first main surface of the resin sealing body,
And a second external terminal portion exposed from a second main surface of the resin sealing body.
【００１２】（２）半導体装置の製造方法において、部
分的に厚さが異なるリードであって、接続部分と、前記
接続部分よりも上方に位置する第１外部端子部分と、前
記接続部分よりも下方に位置する第２外部端子部分とを
有するリードを備えたリードフレームを準備する工程
と、半導体チップの電極と前記リードの接続部分とを接
続手段で電気的に接続する工程と、前記リードの第１外
部端子部分及び第２外部端子部分が露出するように、前
記半導体チップ、前記リードの接続部分及び前記接続手
段を樹脂で封止して樹脂封止体を形成する工程とを備え
る。(2) In the method for manufacturing a semiconductor device, the leads are partially different in thickness, and include a connection portion, a first external terminal portion located above the connection portion, and a connection portion. A step of preparing a lead frame including a lead having a second external terminal portion located below; a step of electrically connecting an electrode of a semiconductor chip to a connection portion of the lead by a connection means; Forming a resin-sealed body by sealing the semiconductor chip, the connection portion of the lead, and the connection means with resin so that the first external terminal portion and the second external terminal portion are exposed.
【００１３】前記手段（１）によれば、第１外部端子部
分及び第２外部端子部分は、樹脂封止体の占有面積内に
配置されるので、半導体装置の小型化を図ることができ
る。According to the means (1), since the first external terminal portion and the second external terminal portion are arranged within the area occupied by the resin sealing body, the size of the semiconductor device can be reduced.
【００１４】前記手段（２）によれば、リードを折り曲
げ成形する必要がないので、半導体装置の生産性を高め
ることができる。According to the means (2), it is not necessary to bend and form the leads, so that the productivity of the semiconductor device can be improved.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態及び実施例】以下、図面を参照して
本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実
施の形態を説明するための全図において、同一機能を有
するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略
する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In all the drawings for describing the embodiments of the present invention, components having the same functions are denoted by the same reference numerals, and their repeated description will be omitted.
【００１６】（実施形態１）図１は本発明の一実施形態
である半導体装置の樹脂封止体の上部を除去した状態の
模式的平面図であり、図２は図１に示す半導体装置の模
式的断面図であり、図３は図１に示す半導体装置の模式
的平面図であり、図４は図１に示す半導体装置の模式的
側面図であり、図５は図１に示す半導体装置の模式的底
面図である。(Embodiment 1) FIG. 1 is a schematic plan view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention in which an upper portion of a resin sealing body is removed, and FIG. 2 is a plan view of the semiconductor device shown in FIG. FIG. 3 is a schematic plan view of the semiconductor device shown in FIG. 1, FIG. 4 is a schematic side view of the semiconductor device shown in FIG. 1, and FIG. 5 is a semiconductor device shown in FIG. FIG. 3 is a schematic bottom view of FIG.
【００１７】図１及び図２に示すように、本実施形態の
半導体装置１は、半導体チップ２、接続手段である複数
の導電性ワイヤ４、複数本のリード５、ダイパッド（タ
ブとも言う）６、四本の吊りリード７等を絶縁性の樹脂
からなる樹脂封止体９で封止した構成になっている。As shown in FIGS. 1 and 2, a semiconductor device 1 of this embodiment has a semiconductor chip 2, a plurality of conductive wires 4 as connection means, a plurality of leads 5, and a die pad (also referred to as a tab) 6. , Four suspension leads 7 and the like are sealed with a resin sealing body 9 made of an insulating resin.
【００１８】半導体チップ２は、表裏面（互いに対向す
る一主面及び他の主面）のうちの表面（一主面）である
回路形成面２Ｘが上向きとなる状態でダイパッド６のチ
ップ搭載面に接着材を介在して搭載されている。半導体
チップ２は、例えば、単結晶シリコンからなる半導体基
板と、この半導体基板の主面上において絶縁層、導電層
の夫々を複数段積み重ねた多層配線層と、この多層配線
層を覆うようにして形成された表面保護膜（最終保護
膜）とを主体とする構成になっている。半導体チップ２
の平面形状は方形状で形成され、本実施形態においては
正方形で形成されている。半導体チップ２には集積回路
として例えば制御回路が内蔵されている。The semiconductor chip 2 has a chip mounting surface of the die pad 6 in a state where the circuit forming surface 2X, which is the front surface (one main surface) of the front and back surfaces (one main surface and the other main surface facing each other), faces upward. It is mounted with an adhesive in between. The semiconductor chip 2 covers, for example, a semiconductor substrate made of single-crystal silicon, a multilayer wiring layer in which an insulating layer and a conductive layer are stacked in a plurality of stages on a main surface of the semiconductor substrate, and covers the multilayer wiring layer. The structure is mainly composed of the formed surface protective film (final protective film). Semiconductor chip 2
Is formed in a square shape, and in the present embodiment, is formed in a square shape. For example, a control circuit is built in the semiconductor chip 2 as an integrated circuit.
【００１９】半導体チップ２の回路形成面２Ｘには、半
導体チップ２の外周囲の各辺に沿って配列された複数個
の電極（ボンディングパッド）３が形成されている。複
数個の電極３の夫々は、半導体チップ２の多層配線層の
うちの最上層の配線層に形成されている。最上層の配線
層はその上層に形成された表面保護膜で被覆され、この
表面保護膜には電極３の表面を露出するボンディング開
口が形成されている。複数個の電極３の夫々は、例え
ば、アルミニウム（Ａｌ）膜又はアルミニウム合金膜等
の金属膜で形成されている。On the circuit forming surface 2X of the semiconductor chip 2, a plurality of electrodes (bonding pads) 3 arranged along each outer peripheral side of the semiconductor chip 2 are formed. Each of the plurality of electrodes 3 is formed on the uppermost wiring layer of the multilayer wiring layers of the semiconductor chip 2. The uppermost wiring layer is covered with a surface protection film formed thereon, and a bonding opening for exposing the surface of the electrode 3 is formed in the surface protection film. Each of the plurality of electrodes 3 is formed of, for example, a metal film such as an aluminum (Al) film or an aluminum alloy film.
【００２０】ダイパッド３の平面形状は例えば円形状で
形成され、その平面サイズ（外形寸法）は半導体チップ
の平面サイズよりも小さくなっている。The plane shape of the die pad 3 is formed, for example, in a circular shape, and its plane size (outer dimension) is smaller than the plane size of the semiconductor chip.
【００２１】樹脂封止体９の平面形状は方形状で形成さ
れ、本実施形態においては正方形で形成されている。樹
脂封止体９は、低応力化を図る目的として、例えば、フ
ェノール系硬化剤、シリコーンゴム及びフィラー等が添
加されたビフェニール系の熱硬化性樹脂で形成されてい
る。樹脂封止体９は、大量生産に好適なトランスファ・
モールディング法で形成されている。トランスファ・モ
ールディング法は、ポット、ランナー、流入ゲート及び
キャビティ等を備えた成形金型を使用し、ポットからラ
ンナー及び流入ゲートを通してキャビティ内に流動性の
樹脂を加圧注入して樹脂封止体を形成する方法である。The planar shape of the resin sealing body 9 is formed in a square shape, and in this embodiment, is formed in a square shape. The resin sealing body 9 is formed of, for example, a biphenyl-based thermosetting resin to which a phenol-based curing agent, silicone rubber, a filler, and the like are added for the purpose of reducing stress. The resin encapsulant 9 is a transfer molding suitable for mass production.
It is formed by a molding method. The transfer molding method uses a molding die having a pot, a runner, an inflow gate, a cavity, and the like, and pressurizes and injects a fluid resin into the cavity from the pot through the runner and the inflow gate to form a resin sealing body. It is a method of forming.
【００２２】複数本のリード５の夫々は、半導体チップ
２の外側において、樹脂封止体９の各辺に沿って配列さ
れている。複数本のリード５の夫々は、半導体チップ２
の各電極３に導電性ワイヤ４を介して夫々電気的に接続
されている。導電性ワイヤ４としては、例えば、金（Ａ
ｕ）ワイヤを用いている。また、導電性ワイヤ４の接続
方法としては、例えば、熱圧着に超音波振動を併用した
ボール・ボンディング法を用いている。Each of the plurality of leads 5 is arranged outside the semiconductor chip 2 along each side of the resin sealing body 9. Each of the plurality of leads 5 is a semiconductor chip 2
Are electrically connected to the respective electrodes 3 via conductive wires 4. As the conductive wire 4, for example, gold (A
u) A wire is used. As a method for connecting the conductive wires 4, for example, a ball bonding method using ultrasonic vibration in combination with thermocompression bonding is used.
【００２３】四本の吊りリード７の夫々は、一端側がダ
イパッド６と一体に形成され、他端側が樹脂封止体９の
四つの角部に夫々配置されている。One end of each of the four suspension leads 7 is formed integrally with the die pad 6, and the other end is disposed at each of four corners of the resin sealing body 9.
【００２４】複数本のリード５の夫々は、厚さが部分的
に異なる構成になっている。更に、複数本のリード５の
夫々は、樹脂封止体９の内部に位置し、かつ導電性ワイ
ヤ４が接続される接続部分５ａ（図２参照）と、樹脂封
止体９の一主面９Ｘから露出する外部端子部分５ｂ（図
２及び図３参照）と、樹脂封止体９の一主面９Ｘと対向
する他の主面９Ｙから露出する外部端子部分５ｃ（図２
及び図５参照）と、樹脂封止体９の側面９Ｚから露出す
る外部端子部分５ｄ（図２及び図４参照）とを有する構
成になっている。本実施形態において、複数のリード５
の夫々は、リード部分５Ｌと、このリード部分５Ｌより
も厚さが厚いリード部分５Ｍとを有する構成になってい
る。また、本実施形態において、接続部分５ａはリード
部分５Ｌに形成され、外部端子部分５ｂ，５ｃ，５ｄの
夫々はリード部分５Ｍに形成されている。外部端子部分
５ｂ，５ｃの夫々は互いに対向する位置に配置され、外
部端子部分５ｄは外部端子５ｂ，５ｃの夫々と連続して
いる。リード部分５Ｍの外部端子部分５ｃ側はリード部
分５Ｌよりも突出している。このような形状のリード５
は、リードフレームの製造段階において、リードの厚さ
が部分的に異なるようにエッチング加工を工夫すること
によって容易に形成することができる。Each of the plurality of leads 5 has a configuration in which the thickness is partially different. Further, each of the plurality of leads 5 is located inside the resin sealing body 9 and has a connection portion 5 a (see FIG. 2) to which the conductive wire 4 is connected, and one main surface of the resin sealing body 9. The external terminal portion 5b (see FIGS. 2 and 3) exposed from 9X and the external terminal portion 5c (FIG. 2) exposed from the other main surface 9Y facing one main surface 9X of the resin sealing body 9.
And FIG. 5) and an external terminal portion 5d (see FIGS. 2 and 4) exposed from the side surface 9Z of the resin sealing body 9. In the present embodiment, the plurality of leads 5
Have a lead portion 5L and a lead portion 5M thicker than the lead portion 5L. In the present embodiment, the connection portion 5a is formed in the lead portion 5L, and each of the external terminal portions 5b, 5c, 5d is formed in the lead portion 5M. Each of the external terminal portions 5b and 5c is arranged at a position facing each other, and the external terminal portion 5d is continuous with each of the external terminals 5b and 5c. The external terminal portion 5c side of the lead portion 5M projects more than the lead portion 5L. Lead 5 having such a shape
Can be easily formed by devising an etching process so that the thickness of the lead is partially different in a manufacturing stage of the lead frame.
【００２５】なお、本実施形態において、半導体チップ
２は、例えば０．２８［ｍｍ］程度の厚さで形成されて
いる。リード５の第１部分５Ｌ及びダイパッド６は、例
えば０．１［ｍｍ］程度の厚さで形成されている。リー
ド５の第２部分５Ｍ及び樹脂封止体９は、例えば０．８
［ｍｍ］程度の厚さで形成されている。ダイパッド６に
半導体チップ２を固定する接着材は、例えば０．０１
［ｍｍ］程度の厚さで形成されている。半導体チップ２
及びダイパッド６は、パッケージの温度サイクルの信頼
性を保つために、半導体チップ２の回路形成面２Ｘ上に
おける樹脂厚と、ダイパッド６のチップ搭載面と対向す
る裏面上における樹脂厚とがほぼ同一となる位置に配置
されている。吊りリード７は、図１に示すように、樹脂
封止体９の角部からダイパッド６に向かって順次配置さ
れた第１部分７Ｌ及び第２部分７Ｍを有し、第１部分７
Ｌはリード５の第１部分５Ｌと同様の厚さで形成され、
第２部分７Ｍはダイパッド６と同様の厚さで形成されて
いる。In this embodiment, the semiconductor chip 2 is formed with a thickness of, for example, about 0.28 [mm]. The first portion 5L of the lead 5 and the die pad 6 are formed with a thickness of, for example, about 0.1 [mm]. The second portion 5M of the lead 5 and the resin sealing body 9 are, for example, 0.8
It is formed with a thickness of about [mm]. The adhesive for fixing the semiconductor chip 2 to the die pad 6 is, for example, 0.01
It is formed with a thickness of about [mm]. Semiconductor chip 2
In order to maintain the reliability of the temperature cycle of the package, the resin thickness of the die pad 6 on the circuit forming surface 2X of the semiconductor chip 2 is substantially the same as the resin thickness on the back surface of the die pad 6 opposite to the chip mounting surface. It is located at a position. As shown in FIG. 1, the suspension lead 7 has a first portion 7L and a second portion 7M sequentially arranged from the corner of the resin sealing body 9 toward the die pad 6.
L is formed with the same thickness as the first portion 5L of the lead 5,
The second portion 7M is formed with the same thickness as the die pad 6.
【００２６】本実施形態の半導体装置１において、リー
ド５は、樹脂封止体９の内部に位置し、かつ導電性ワイ
ヤ４が接続される接続部分５ａと、樹脂封止体９の一主
面９Ｘから露出する外部端子部分５ｂと、樹脂封止体９
の一主面９Ｘと対向する他の主面９Ｙから露出する外部
端子部分５ｃと、樹脂封止体９の側面９Ｚから露出する
外部端子部分５ｄとを有する構成になっている。このよ
うな構成にすることにより、外部端子部分５ｂ，５ｃの
夫々は樹脂封止体９の占有面積内に配置されるので、樹
脂封止体の外部に導出された外部リード部を折り曲げて
外部端子部分を形成する従来の場合に比べて、半導体装
置の小型化を図ることができる。In the semiconductor device 1 of the present embodiment, the lead 5 is located inside the resin sealing body 9 and has a connection portion 5 a to which the conductive wire 4 is connected, and one main surface of the resin sealing body 9. External terminal portion 5b exposed from 9X and resin sealing body 9
It has an external terminal portion 5c exposed from the other main surface 9Y facing one main surface 9X, and an external terminal portion 5d exposed from the side surface 9Z of the resin sealing body 9. With such a configuration, since each of the external terminal portions 5b and 5c is arranged within the area occupied by the resin sealing body 9, the external lead portion led out of the resin sealing body is bent to form an external terminal. The size of the semiconductor device can be reduced as compared with the conventional case in which the terminal portion is formed.
【００２７】また、例えば、二つの半導体装置１を実装
基板に実装する場合、図９（模式的断面図）に示すよう
に、第１半導体装置１Ａの外部端子部分５ｃを実装基板
１５の接続用端子（配線の一部）１６に導電性接着材
（例えば半田材）１７を介して電気的にかつ機械的に接
続し、第２半導体装置１Ｂの外部端子部分５ｃを第１半
導体装置１Ａの外部端子部分５ｂに導電性接着材１７を
介して電気的にかつ機械的に接続することができるの
で、実装基板１５上に二つの半導体装置１を積み重ねた
状態で実装することができる。For example, when two semiconductor devices 1 are mounted on a mounting board, as shown in FIG. 9 (schematic sectional view), the external terminal portion 5c of the first semiconductor device 1A is connected to the mounting board 15 for connection. Terminals (parts of wiring) 16 are electrically and mechanically connected to each other via a conductive adhesive (eg, a solder material) 17 so that the external terminal portion 5c of the second semiconductor device 1B is connected to the outside of the first semiconductor device 1A. Since the semiconductor device 1 can be electrically and mechanically connected to the terminal portion 5b via the conductive adhesive 17, the two semiconductor devices 1 can be mounted on the mounting board 15 in a stacked state.
【００２８】また、樹脂封止体９の主面９Ｘ又は他の主
面９Ｙが実装基板と向かい合う状態で半導体装置１を実
装することができるので、半導体装置１の実装に対する
自由度が向上する。Further, since the semiconductor device 1 can be mounted with the main surface 9X or the other main surface 9Y of the resin sealing body 9 facing the mounting substrate, the degree of freedom for mounting the semiconductor device 1 is improved.
【００２９】本実施形態の半導体装置１において、リー
ド５は、樹脂封止体９の側面から露出する外部端子部分
９ｄを更に有する構成になっている。このような構成に
することにより、図９に示すように、積み重ねた状態で
半導体装置１を実装しても、外部端子５ｄにプローブ針
を接触されることができるので、実装した後においても
半導体装置１のテスティングを容易に行うことができ
る。In the semiconductor device 1 of the present embodiment, the lead 5 is configured to further have an external terminal portion 9 d exposed from the side surface of the resin sealing body 9. With this configuration, as shown in FIG. 9, even when the semiconductor devices 1 are mounted in a stacked state, the probe needle can be brought into contact with the external terminal 5d. Testing of the device 1 can be easily performed.
【００３０】本実施形態の半導体装置１において、外部
端子部分５ｂ，５ｃ，５ｄの夫々は、樹脂封止体９で保
持されたリード５に形成されている。従って、樹脂封止
体の外部に導出されたリードを折り曲げ成形して外部端
子部分を形成する従来の場合に比べて、リード５が外力
によって変形するといった不具合を基本的に排除するこ
とができ、半導体装置の歩留まりを高めることができ
る。In the semiconductor device 1 of the present embodiment, each of the external terminal portions 5b, 5c, 5d is formed on a lead 5 held by a resin sealing body 9. Therefore, it is possible to basically eliminate the disadvantage that the lead 5 is deformed by an external force as compared with the conventional case in which the lead led out of the resin sealing body is formed by bending the external terminal portion. The yield of semiconductor devices can be increased.
【００３１】次に、半導体装置１の製造に用いられるリ
ードフレームについて、図６及び図７を用いて説明す
る。図６はリードフレームの模式的平面図であり、図７
は図６に示すリードフレームの一部を示す模式的断面図
である。なお、実際のリードフレームは複数の半導体装
置を製造できるように多連構造になっているが、図面を
見易くするため、図６は一つの半導体装置が製造される
一個分の領域を示している。Next, a lead frame used for manufacturing the semiconductor device 1 will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a schematic plan view of the lead frame, and FIG.
FIG. 7 is a schematic sectional view showing a part of the lead frame shown in FIG. Although an actual lead frame has a multiple structure so that a plurality of semiconductor devices can be manufactured, FIG. 6 shows an area for one semiconductor device to be manufactured, in order to make the drawing easy to see. .
【００３２】図６に示すように、リードフレームＬＦ
は、枠体８で周囲を囲まれ、かつ平面が方形状に形成さ
れたリード配置領域内において、複数本のリード５、ダ
イパッド６及び四本の吊りリード７等を有する構成にな
っている。ダイパッド６は、リード配置領域の中央部に
位置し、四本の吊りリード７を介して枠体８に一体化さ
れ支持されている。As shown in FIG. 6, the lead frame LF
Has a configuration in which a plurality of leads 5, a die pad 6, four suspension leads 7, and the like are provided in a lead arrangement region surrounded by a frame 8 and formed in a rectangular plane. The die pad 6 is located at the center of the lead arrangement area, and is integrated with and supported by the frame 8 via four suspension leads 7.
【００３３】複数本のリード５は四つのリード群に分割
されている。四つのリード群の夫々は、ダイパッド６を
囲むようにして枠体８の各辺毎に設けられている。各リ
ード群のリード５は、枠体８の各辺に沿って配列されて
いる。また、各リード群のリード５は、一端側がダイパ
ッド６側に位置し、他端側が枠体８に一体化され支持さ
れている。The plurality of leads 5 are divided into four lead groups. Each of the four lead groups is provided on each side of the frame 8 so as to surround the die pad 6. The leads 5 of each lead group are arranged along each side of the frame 8. One end of the lead 5 of each lead group is located on the die pad 6 side, and the other end is integrated with and supported by the frame 8.
【００３４】複数本のリード５の夫々は、図７に示すよ
うに、リードフレームＬＦの段階において、既に、リー
ド部分５Ｌ、リード部分５Ｍ、接続部分５ａ、外部端子
部分５ｂ及び外部端子部分５ｃを有する構成になってい
る。外部端子部分５ｂは接続部分５ａよりも上方に位置
し、外部端子部分５ｃは接続部分５ａよりも下方に位置
している。図２に示す外部端子部分５ｄは、樹脂封止体
９を形成した後、樹脂封止体９の外部に導出されたリー
ド５の導出部分を切断することによって形成されるた
め、リードフレームＬＦの段階においては形成されてい
ない。As shown in FIG. 7, each of the plurality of leads 5 has already connected the lead portion 5L, the lead portion 5M, the connection portion 5a, the external terminal portion 5b, and the external terminal portion 5c at the stage of the lead frame LF. It has a configuration to have. The external terminal portion 5b is located above the connection portion 5a, and the external terminal portion 5c is located below the connection portion 5a. The external terminal portion 5d shown in FIG. 2 is formed by forming the resin sealing body 9 and then cutting the lead-out portion of the lead 5 led out of the resin sealing body 9; Not formed at the stage.
【００３５】リードフレームＬＦは、例えば鉄（Ｆｅ）
−ニッケル（Ｎｉ）系の合金材（例えば、Ｎｉ含有率４
２又は５０［％］）からなる平板材にエッチング加工を
施すことによって形成される。このリードフレームＬＦ
の製造段階において、エッチング加工を工夫することに
より、リード部分５Ｌ、リード部分５Ｍ、接続部分５
ａ、外部端子部分５ｂ及び外部端子部分５ｃを有するリ
ード５を容易に形成することができる。The lead frame LF is made of, for example, iron (Fe).
A nickel (Ni) based alloy material (for example, Ni content 4
2 or 50 [%]) by performing an etching process on a flat plate material. This lead frame LF
In the manufacturing stage, the lead portion 5L, the lead portion 5M, and the connection portion 5 are formed by devising an etching process.
a, the lead 5 having the external terminal portion 5b and the external terminal portion 5c can be easily formed.
【００３６】次に、半導体装置１の製造について、図８
を用いて説明する。図８は、半導体装置の製造におい
て、封止工程を説明するための模式的断面図である。Next, the manufacture of the semiconductor device 1 will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a schematic cross-sectional view for explaining a sealing step in manufacturing a semiconductor device.
【００３７】まず、図６及び図７に示すリードフレーム
ＬＦを準備し、その後、リードフレームＬＦのダイパッ
ド６のチップ搭載面に接着材を介在して半導体チップ２
を搭載し、その後、半導体チップ２の電極３とリード５
の接続部分５ａとを導電性ワイヤ４で電気的に接続す
る。First, the lead frame LF shown in FIGS. 6 and 7 is prepared, and then the semiconductor chip 2 is placed on the chip mounting surface of the die pad 6 of the lead frame LF with an adhesive interposed.
After that, the electrodes 3 and the leads 5 of the semiconductor chip 2 are mounted.
Is electrically connected to the connection portion 5a with the conductive wire 4.
【００３８】次に、リード５の外部端子部分５ｂ及び５
ｃが露出するように、半導体チップ２、リード５、ダイ
パッド６、吊りリード７及び導電性ワイヤ４等を樹脂で
封止して樹脂封止体９を形成する。このような樹脂封止
体９はトランスファ・モールド法で形成することができ
る。具体的には、まず、図８に示すように、リードフレ
ームＬＦをトランスファ・モールド装置の成形金型１０
の上型１０Ａと下型１０Ｂとの間に位置決めする。リー
ドフレームＬＦの位置決めは、上型１０Ａ及び下型１０
Ｂによって形成されるキャビティ１１の内部に、半導体
チップ２、リード５、ダイパッド６、吊りリード７及び
導電性ワイヤ４等が配置されるように行う。また、リー
ドフレームＬＦの位置決めは、上型１０Ａのクランプ面
にリード５の外部端子部分５ｂが接触し、下型１０Ｂの
クランプ面にリード５の外部端子部分５ｃが接触するよ
うに行う。次に、成形金型１０のポットからランナー及
び流入ゲートを通してキャビティ１１内に流動性の樹脂
を加圧注入する。これにより、リード５の外部端子部分
５ｂ及び５ｃが露出する樹脂封止体９を形成することが
できる。樹脂としては、例えば、フェノール系硬化剤、
シリコーンゴム及びフィラー等が添加されたエポキシ系
の熱硬化性樹脂を用いる。Next, the external terminal portions 5b and 5
The semiconductor chip 2, the leads 5, the die pad 6, the suspension leads 7, the conductive wires 4, and the like are sealed with resin so that c is exposed to form a resin sealing body 9. Such a resin sealing body 9 can be formed by a transfer molding method. Specifically, first, as shown in FIG. 8, the lead frame LF is connected to a molding die 10 of a transfer molding apparatus.
Is positioned between the upper mold 10A and the lower mold 10B. The positioning of the lead frame LF is performed by the upper mold 10A and the lower mold 10A.
The semiconductor chip 2, the lead 5, the die pad 6, the suspension lead 7, the conductive wire 4, and the like are arranged inside the cavity 11 formed by B. The positioning of the lead frame LF is performed such that the external terminal portion 5b of the lead 5 contacts the clamp surface of the upper die 10A, and the external terminal portion 5c of the lead 5 contacts the clamp surface of the lower die 10B. Next, a fluid resin is injected under pressure from the pot of the molding die 10 into the cavity 11 through the runner and the inflow gate. Thereby, the resin sealing body 9 in which the external terminal portions 5b and 5c of the lead 5 are exposed can be formed. As the resin, for example, a phenolic curing agent,
An epoxy-based thermosetting resin to which silicone rubber, filler, and the like are added is used.
【００３９】次に、成形金型１０からリードフレームＬ
Ｆを取り出し、その後、樹脂封止体９の外部に導出され
たリード５の導出部分及び吊りリード７の導出部分を切
断する。これらの導出部分の切断は樹脂封止体９の側面
９Ｚから切断面がなるべく突出しないように行うことが
望ましい。この工程により、樹脂封止体９の側面９Ｚか
ら露出する外部端子部分５ｄがリード５に形成される。
また、図１乃至図５に示す半導体装置１がほぼ完成す
る。Next, the lead frame L
Then, the lead portion of the lead 5 and the lead portion of the suspension lead 7 led out of the resin sealing body 9 are cut. It is desirable to cut these lead portions so that the cut surface does not protrude from the side surface 9Z of the resin sealing body 9 as much as possible. By this step, the external terminal portion 5d exposed from the side surface 9Z of the resin sealing body 9 is formed on the lead 5.
Further, the semiconductor device 1 shown in FIGS. 1 to 5 is almost completed.
【００４０】本実施形態の半導体装置１の製造において
は、部分的に厚さが異なるリード５であって、接続部分
５ａと、接続部分５ａよりも上方に位置する外部端子部
分５ｂと、接続部分５ａよりも下方に位置する外部端子
部分５ｃとを有するリード５を備えたリードフレームＬ
Ｆを用いて行っている。また、リード５の外部端子部分
５ｂ及び５ｃが露出するように、半導体チップ２、リー
ド５の接続部分５ａ及び導電性ワイヤ４を樹脂で封止し
て樹脂封止体９を形成している。このようにして半導体
装置１を製造することにより、半導体装置１の組立工程
においてリードを折り曲げて外部端子部分を形成する必
要がないので、半導体装置１の生産性を高めることがで
きる。In the manufacture of the semiconductor device 1 according to the present embodiment, the leads 5 having partially different thicknesses, the connection portion 5a, the external terminal portion 5b located above the connection portion 5a, and the connection portion Lead frame L having a lead 5 having an external terminal portion 5c positioned below the lead frame 5a
F is used. In addition, the semiconductor chip 2, the connection portion 5 a of the lead 5, and the conductive wire 4 are sealed with a resin to form a resin sealing body 9 so that the external terminal portions 5 b and 5 c of the lead 5 are exposed. By manufacturing the semiconductor device 1 in this manner, it is not necessary to bend the leads in the assembly process of the semiconductor device 1 to form the external terminal portions, so that the productivity of the semiconductor device 1 can be increased.
【００４１】また、リード５はリードフレームＬＦの製
造段階においてエッチング加工を工夫することによって
容易に形成することができるので、特殊な技術を用いる
ことなく、半導体装置１を容易に製造することができ
る。Further, since the leads 5 can be easily formed by devising an etching process at the stage of manufacturing the lead frame LF, the semiconductor device 1 can be easily manufactured without using a special technique. .
【００４２】なお、リード５は、リードフレームＬＦの
製造段階においてエッチング加工を工夫することによっ
て種々な形状に加工することができる。以下、リード５
の形状を変えた例について、図１０及び図１１（要部模
式的断面図）を用いて説明する。The leads 5 can be formed into various shapes by devising an etching process at the stage of manufacturing the lead frame LF. Hereafter, lead 5
An example in which the shape is changed will be described with reference to FIGS. 10 and 11 (schematic sectional views of main parts).
【００４３】（変形例ａ）図１０（ａ）に示すリード５
は、リード部分５Ｌ１，５Ｌ２及び５Ｍを有する構成に
なっており、更に、接続部分５ａ、外部端子部分５ｂ，
５ｃ及び５ｄを有する構成になっている。リード部分５
Ｌ１及び５Ｌ２はリード部分５Ｍよりも薄い厚さで形成
され、リード部分５Ｍはリード部分５Ｌ１と５Ｌ２との
間に配置されている。接続部分５ａはリード部分５Ｌ１
に形成され、外部端子部分５ｂ及び５ｃはリード部分５
Ｍに形成され、外部端子部分５ｄはリード部分５Ｌ２に
形成されている。外部端子部分５ｂ，５ｃの夫々は互い
に対向する位置に配置され、外部端子部分５ｄは外部端
子部分５ｂ，５ｃの夫々から離れている。外部端子部分
５ｃは、リード部分５Ｌ１及び５Ｌ２よりも樹脂封止体
９の他の主面９Ｙ側に位置している。このような形状の
リード５においては、リード部分５Ｌ２の長さを長くす
ることによって、樹脂封止体９の中心に外部端子部分５
ｂ及び５ｃを近づけることができるので、実装基板に半
導体装置を実装する時の熱膨張によって実装箇所（実装
基板の接続用端子と半導体装置の外部端子部分との接合
部）に集中する応力や、実装後の実装基板の反りによっ
て実装箇所に集中する応力を緩和することができる。(Modification a) Lead 5 shown in FIG.
Has a configuration having lead portions 5L1, 5L2, and 5M, and further has a connection portion 5a, an external terminal portion 5b,
It has a configuration having 5c and 5d. Lead part 5
L1 and 5L2 are formed to be thinner than the lead portion 5M, and the lead portion 5M is disposed between the lead portions 5L1 and 5L2. The connection part 5a is a lead part 5L1
And the external terminal portions 5b and 5c are
M, and the external terminal portion 5d is formed on the lead portion 5L2. Each of the external terminal portions 5b and 5c is arranged at a position facing each other, and the external terminal portion 5d is apart from each of the external terminal portions 5b and 5c. The external terminal portion 5c is located closer to the other main surface 9Y of the resin sealing body 9 than the lead portions 5L1 and 5L2. In the lead 5 having such a shape, by increasing the length of the lead portion 5L2, the external terminal portion 5
Since b and 5c can be brought close to each other, stress concentrated on the mounting location (the junction between the connection terminal of the mounting board and the external terminal portion of the semiconductor device) due to thermal expansion when the semiconductor device is mounted on the mounting board, The stress concentrated on the mounting location due to the warpage of the mounting board after mounting can be reduced.
【００４４】（変形例ｂ）図１０（ｂ）に示すリード５
は、リード部分５Ｌ，５Ｍ及び５Ｎを有する構成になっ
ており、更に、接続部分５ａ、外部端子部分５ｂ，５ｃ
及び５ｄを有する構成になっている。リード部分５Ｎは
リード部分５Ｍよりも薄い厚さで形成され、リード部分
５Ｌはリード部分５Ｎよりも薄い厚さで形成されてい
る。接続部分５ａはリード部分５Ｌに形成され、外部端
子部分５ｂはリード部分５Ｍに形成され、外部端子部分
５ｃ及び５ｄはリード部分５Ｎに形成されている。外部
端子５ｄは外部端子部分５ｂと離れているが、外部端子
部分５ｃとは連続している。外部端子部分５ｃは、リー
ド部分５Ｌ及び５Ｍよりも樹脂封止体９の他の主面９Ｙ
側に位置している。このような形状のリード５において
は、リード部分５Ｎの長さを長くすることによって、樹
脂封止体９の中心に外部端子部分５ｂを近づけることが
できる。(Modification b) Lead 5 shown in FIG.
Has lead portions 5L, 5M and 5N, and further has a connection portion 5a, external terminal portions 5b and 5c.
And 5d. The lead portion 5N is formed with a smaller thickness than the lead portion 5M, and the lead portion 5L is formed with a smaller thickness than the lead portion 5N. The connection portion 5a is formed on the lead portion 5L, the external terminal portion 5b is formed on the lead portion 5M, and the external terminal portions 5c and 5d are formed on the lead portion 5N. The external terminal 5d is separated from the external terminal portion 5b, but is continuous with the external terminal portion 5c. The external terminal portion 5c is formed on the other main surface 9Y of the resin sealing body 9 more than the lead portions 5L and 5M.
Located on the side. In the lead 5 having such a shape, the external terminal portion 5b can be brought closer to the center of the resin sealing body 9 by increasing the length of the lead portion 5N.
【００４５】（変形例ｃ）図１０（ｃ）に示すリード５
は、リード部分５Ｌ，５Ｍ及び５Ｎを有する構成になっ
ており、更に、接続部分５ａ、外部端子部分５ｂ，５ｃ
及び５ｄを有する構成になっている。接続部分５ａはリ
ード部分５Ｌ及び５Ｎに形成され、外部端子部分５ｂ及
び５ｄはリード部分５Ｍに形成され、外部端子部分５ｃ
はリード部分５Ｎに形成されている。接続部分５ａ、外
部端子部分５ｃの夫々は互いに対向する位置に配置され
ている。外部端子部分５ｄは外部端子５ｃから離れてい
るが、外部端子５ｂとは連続している。外部端子部分５
Ｃは、リード部分５Ｌ及び５Ｍよりも樹脂封止体９の他
の主面９Ｙ側に位置している。このような形状のリード
５においては、リード部分５Ｍの長さを長くすることに
よって、樹脂封止体９の中心に外部端子部分５ｃを近づ
けることができる。(Modification c) Lead 5 shown in FIG.
Has lead portions 5L, 5M and 5N, and further has a connection portion 5a, external terminal portions 5b and 5c.
And 5d. The connection portion 5a is formed on the lead portions 5L and 5N, the external terminal portions 5b and 5d are formed on the lead portion 5M, and the external terminal portions 5c
Are formed in the lead portion 5N. Each of the connection portion 5a and the external terminal portion 5c is arranged at a position facing each other. The external terminal portion 5d is separated from the external terminal 5c, but is continuous with the external terminal 5b. External terminal part 5
C is located on the other main surface 9Y side of the resin sealing body 9 with respect to the lead portions 5L and 5M. In the lead 5 having such a shape, the external terminal portion 5c can be brought closer to the center of the resin sealing body 9 by increasing the length of the lead portion 5M.
【００４６】（変形例ｄ）図１１（ｄ）に示すリード５
は、リード部分５Ｌ１，５Ｌ２，５Ｍ及び５Ｎを有する
構成になっており、更に、接続部分５ａ、外部端子部分
５ｂ，５ｄ及び二つの外部端子部分５ｃを有する構成に
なっている。接続部分５ａはリード部分５Ｌ１，５Ｌ２
及び５Ｎに形成され、外部端子部分５ｂ，５ｄ及び一方
の外部端子部分５ｃはリード部分５Ｍに形成され、他方
の外部端子部分５ｃはリード部分５Ｎに形成されてい
る。接続部分５ａ、他方の外部端子部分５ｃの夫々は互
いに対向する位置に配置され、外部端子部分５ｂ、一方
の外部端子部分５ｃの夫々は互いに対向する位置に配置
されている。外部端子部分５ｄは、外部端子部分５ｂ及
び一方の外部端子部分５ｃと連続している。一方の外部
端子部分５ｃは他方の外部端子部分５ｃから離れてい
る。一方及び他方の外部端子部分５ｃは、リード部分５
Ｌ１及び５Ｌ２よりも樹脂封止体９の他の主面９Ｙ側に
位置している。このような形状のリード５においては、
リード部分５Ｍ及び５Ｌ２の長さを長くすることによっ
て、樹脂封止体９の中心に他方の外部端子部分５ｃを近
づけることができる。(Modification d) Lead 5 shown in FIG.
Has a configuration having lead portions 5L1, 5L2, 5M and 5N, and further has a configuration having a connection portion 5a, external terminal portions 5b and 5d, and two external terminal portions 5c. The connection part 5a is composed of the lead parts 5L1 and 5L2.
5N, the external terminal portions 5b and 5d and one external terminal portion 5c are formed on the lead portion 5M, and the other external terminal portion 5c is formed on the lead portion 5N. Each of the connection portion 5a and the other external terminal portion 5c is disposed at a position facing each other, and each of the external terminal portion 5b and one external terminal portion 5c is disposed at a position facing each other. The external terminal portion 5d is continuous with the external terminal portion 5b and one external terminal portion 5c. One external terminal portion 5c is separated from the other external terminal portion 5c. One and the other external terminal portions 5c are the lead portions 5
It is located on the other main surface 9Y side of the resin sealing body 9 than L1 and 5L2. In the lead 5 having such a shape,
By increasing the length of the lead portions 5M and 5L2, the other external terminal portion 5c can be brought closer to the center of the resin sealing body 9.
【００４７】（変形例ｅ）図１１（ｅ）に示すリード５
は、リード部分５Ｌ１，５Ｌ２，５Ｍ及び５Ｎを有する
構成になっており、更に、接続部分５ａ、外部端子部分
５ｃ，５ｄ及び二つの外部端子部分５ｂを有する構成に
なっている。接続部分５ａはリード部分５Ｌ１に形成さ
れ、外部端子部分５ｃ，５ｄ及び一方の外部端子部分５
ｂはリード部分５Ｍに形成され、他方の外部端子部分５
ｂはリード部分５Ｎに形成されている。外部端子部分５
ｃ、一方の外部端子部分５ｂの夫々は互いに対向する位
置に配置されている。外部端子部分５ｄは、外部端子部
分５ｃ及び一方の外部端子部分５ｂと連続している。外
部端子部分５ｃは、リード部分５Ｌ１，５Ｌ２及び５Ｎ
よりも樹脂封止体９の他の主面９Ｙ側に位置している。
このような形状のリード５においては、リード部分５Ｍ
及び５Ｌ２の長さを長くすることによって、樹脂封止体
９の中心に他方の外部端子部分５ｂを近づけることがで
きる。(Modification e) Lead 5 shown in FIG.
Has a configuration having lead portions 5L1, 5L2, 5M and 5N, and further has a configuration having a connection portion 5a, external terminal portions 5c and 5d, and two external terminal portions 5b. The connection portion 5a is formed in the lead portion 5L1, and the external terminal portions 5c and 5d and one of the external terminal portions 5L1 are formed.
b is formed on the lead portion 5M and the other external terminal portion 5
b is formed in the lead portion 5N. External terminal part 5
c, each of the one external terminal portions 5b is arranged at a position facing each other. The external terminal portion 5d is continuous with the external terminal portion 5c and one of the external terminal portions 5b. The external terminal portion 5c includes lead portions 5L1, 5L2 and 5N.
It is located on the other main surface 9Y side of the resin sealing body 9.
In the lead 5 having such a shape, the lead portion 5M
And by increasing the length of 5L2, the other external terminal portion 5b can be brought closer to the center of the resin sealing body 9.
【００４８】（変形例ｆ）図１１（ｆ）に示すリード５
は、リード部分５Ｌ及び５Ｍを有する構成になってお
り、更に、接続部分５ａ、外部端子部分５ｂ，５ｃ及び
５ｄを有する構成になっている。接続部分５ａはリード
部分５Ｌに形成され、外部端子部分５ｂ及び５ｄはリー
ド部分５Ｍに形成され、外部端子部分５ｃはリード部分
５Ｌ及び５Ｍに形成されている。接続部分５ａ及び外部
端子部分５ｂは外部端子部分５ｃと対向する位置に配置
されている。外部端子部分５ｄは外部端子部分５ｂ及び
５ｃと連続している。このような形状のリード５におい
ては、厚さが薄い部分を一箇所だけ形成すればよいの
で、微細化が要求されるリードに好適である。(Modification f) Lead 5 shown in FIG.
Has a configuration having lead portions 5L and 5M, and further has a configuration having a connection portion 5a and external terminal portions 5b, 5c and 5d. The connection portion 5a is formed on the lead portion 5L, the external terminal portions 5b and 5d are formed on the lead portion 5M, and the external terminal portion 5c is formed on the lead portions 5L and 5M. The connection portion 5a and the external terminal portion 5b are arranged at positions facing the external terminal portion 5c. The external terminal portion 5d is continuous with the external terminal portions 5b and 5c. In the lead 5 having such a shape, only one thin portion needs to be formed, so that the lead 5 is suitable for a lead that requires miniaturization.
【００４９】なお、本実施形態では、半導体チップ２の
電極３とリード５の接続部分５ａとを電気的に接続する
接続手段として導電性ワイヤ４を用いた例で説明した
が、接続手段としては、図１２（模式的断面図）に示す
ように、突起状電極２０を用いてもよい。In the present embodiment, an example has been described in which the conductive wire 4 is used as the connecting means for electrically connecting the electrode 3 of the semiconductor chip 2 and the connecting portion 5a of the lead 5, but the connecting means is As shown in FIG. 12 (schematic sectional view), a protruding electrode 20 may be used.
【００５０】また、本実施形態では、リード５の平面形
状として、リード部分５Ｌの幅をリード部分５Ｍの幅よ
りも広くした例について説明したが、リード５の平面形
状としては、例えば、通常のＰ−ＶＱＦＮ（Ｐlastic−
Ｖery Ｑuad Ｆlatpack Ｎon-leaded Ｐackage）型半導
体装置のように幅がほぼ一定の平面形状、又は通常のＱ
ＦＰ（Ｑuad Ｆlatpack Ｐackage）型半導体装置のよう
に屈曲部を有する平面形状で形成してもよい。Further, in the present embodiment, an example has been described in which the width of the lead portion 5L is wider than the width of the lead portion 5M as the planar shape of the lead 5, but the planar shape of the lead 5 may be, for example, a normal shape. P-VQFN ( P lastic-
V ery Q uad F latpack N on -leaded Package) type substantially constant planar shape width as a semiconductor device, or a normal Q
It may be formed in a planar shape having a bent portion as FP (Q uad F latpack P ackage ) type semiconductor device.
【００５１】また、本実施形態では、半導体チップ２の
周縁部とリード５の内側先端部との間に所定の距離を持
たせた例について説明したが、本実施形態よりも更に半
導体チップ２の周縁部の近傍にリード５の内側先端部を
配置してもよい。In this embodiment, an example in which a predetermined distance is provided between the peripheral edge of the semiconductor chip 2 and the inner tip of the lead 5 has been described. The inner tip of the lead 5 may be arranged near the periphery.
【００５２】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、
前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論で
ある。As described above, the invention made by the present inventor
Although specifically described based on the embodiment, the present invention
It is needless to say that the present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be variously modified without departing from the scope of the invention.
【００５３】[0053]
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。本発明によれば、半導体装置の小型
化を図ることができる。本発明によれば、半導体装置の
生産性を高めることができる。The effects obtained by the representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. According to the present invention, the size of a semiconductor device can be reduced. According to the present invention, the productivity of a semiconductor device can be improved.
【図１】本発明の一実施形態である半導体装置の樹脂封
止体の上部を除去した状態を示す模式的平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view showing a state in which an upper portion of a resin sealing body of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention has been removed.
【図２】図１に示す半導体装置の模式的断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view of the semiconductor device shown in FIG.
【図３】図１に示す半導体装置の模式的平面図である。FIG. 3 is a schematic plan view of the semiconductor device shown in FIG.
【図４】図１に示す半導体装置の模式的側面図である。FIG. 4 is a schematic side view of the semiconductor device shown in FIG. 1;
【図５】図１に示す半導体装置の模式的底面図である。FIG. 5 is a schematic bottom view of the semiconductor device shown in FIG. 1;
【図６】図１に示す半導体装置の製造に用いられるリー
ドフレームの模式的平面図である。6 is a schematic plan view of a lead frame used for manufacturing the semiconductor device shown in FIG.
【図７】図６に示すリードフレームの模式的断面図であ
る。FIG. 7 is a schematic sectional view of the lead frame shown in FIG. 6;
【図８】図１に示す半導体装置の製造において、封止工
程を説明するための模式的断面図である。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view for explaining a sealing step in manufacturing the semiconductor device shown in FIG.
【図９】図１に示す半導体装置を実装基板に二段実装し
た状態の模式的断面図である。9 is a schematic cross-sectional view showing a state where the semiconductor device shown in FIG. 1 is mounted on a mounting board in two stages.
【図１０】本発明の一実施形態の変形例を示す半導体装
置の要部模式的断面図である。FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of a main part of a semiconductor device showing a modification of one embodiment of the present invention.
【図１１】本発明の一実施形態の変形例を示す半導体装
置の要部模式的断面図である。FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of a main part of a semiconductor device showing a modification of one embodiment of the present invention.
【図１２】本発明の一実施形態の変形例を示す半導体装
置の模式的断面図である。FIG. 12 is a schematic cross-sectional view of a semiconductor device showing a modification of one embodiment of the present invention.
１…半導体装置、２…半導体チップ、２Ｘ…回路形成
面、３…電極、４…導電性ワイヤ、５…リード、５ａ…
接続部分、５ｂ，５ｃ，５ｄ，…外部端子部分、５Ｌ，
５Ｌ１，５Ｌ２，５Ｍ，５Ｎ…リード部分、６…ダイパ
ッド、７…吊りリード、８…枠体、９…樹脂封止体、１
０…成形金型、１１…キャビティ、１５…実装基板、１
６…接続用端子、１７…接着材、２０…突起状電極、Ｌ
Ｆ…リードフレーム。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor device, 2 ... Semiconductor chip, 2X ... Circuit formation surface, 3 ... Electrode, 4 ... Conductive wire, 5 ... Lead, 5a ...
Connection parts, 5b, 5c, 5d, ... external terminal parts, 5L,
5L1, 5L2, 5M, 5N: Lead portion, 6: Die pad, 7: Suspended lead, 8: Frame, 9: Resin sealing, 1
0: molding die, 11: cavity, 15: mounting board, 1
6 ... Connection terminal, 17 ... Adhesive, 20 ... Protrusion electrode, L
F: Lead frame.
Claims (8)
続されるリードと、 互いに対向する第１主面及び第２主面を有し、かつ前記
半導体チップ、前記接続手段及び前記リードを封止する
樹脂封止体とを有し、 前記リードは、前記樹脂封止体の内部に位置し、かつ前
記接続手段が接続される接続部分と、前記樹脂封止体の
第１主面から露出する第１外部端子部分と、前記樹脂封
止体の第２主面から露出する第２外部端子部分とを有す
る構成になっていることを特徴とする半導体装置。1. A semiconductor chip having an electrode on a main surface, a lead electrically connected to an electrode of the semiconductor chip via connection means, and a first main surface and a second main surface facing each other. And a resin sealing body for sealing the semiconductor chip, the connecting means and the lead, wherein the lead is located inside the resin sealing body and to which the connecting means is connected. And a first external terminal portion exposed from a first main surface of the resin sealing body, and a second external terminal portion exposed from a second main surface of the resin sealing body. Characteristic semiconductor device.
る第３外部端子部分を有する構成になっていることを特
徴とする半導体装置。2. The semiconductor device according to claim 1, wherein said lead further has a third external terminal portion exposed from a side surface of said resin sealing body. .
置において、 前記第１外部端子部分、前記第２外部端子部分の夫々
は、互いに対向する位置に配置されていることを特徴と
する半導体装置。3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the first external terminal portion and the second external terminal portion are arranged at positions facing each other. Semiconductor device.
置において、 前記第１外部端子部分、前記接続部分の夫々は、前記第
２外部端子部分と対向する位置に配置されていることを
特徴とする半導体装置。4. The semiconductor device according to claim 1, wherein each of the first external terminal portion and the connection portion is disposed at a position facing the second external terminal portion. Characteristic semiconductor device.
置において、 前記第２外部端子部分は、前記接続部分と対向する位置
に配置されていることを特徴とする半導体装置。5. The semiconductor device according to claim 1, wherein the second external terminal portion is disposed at a position facing the connection portion.
記第２外部端子部分から離れていることを特徴とする半
導体装置。6. The semiconductor device according to claim 2, wherein the third external terminal portion is separated from the first external terminal portion and the second external terminal portion.
記第２外部端子部分のうち少なくとも何れか一方と連続
していることを特徴とする半導体装置。7. The semiconductor device according to claim 2, wherein the third external terminal portion is continuous with at least one of the first external terminal portion and the second external terminal portion. Semiconductor device.
接続部分と、前記接続部分よりも上方に位置する第１外
部端子部分と、前記接続部分よりも下方に位置する第２
外部端子部分とを有するリードを備えたリードフレーム
を準備する工程と、 半導体チップの電極と前記リードの接続部分とを接続手
段で電気的に接続する工程と、 前記リードの第１外部端子部分及び第２外部端子部分が
露出するように、前記半導体チップ、前記リードの接続
部分及び前記接続手段を樹脂で封止して樹脂封止体を形
成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製
造方法。8. A lead having a partially different thickness,
A connection portion, a first external terminal portion located above the connection portion, and a second external terminal portion located below the connection portion
A step of preparing a lead frame having a lead having an external terminal portion; a step of electrically connecting an electrode of a semiconductor chip to a connection portion of the lead by a connecting means; and a first external terminal portion of the lead; Forming a resin-sealed body by sealing the semiconductor chip, the connection portion of the lead, and the connection means with a resin so that a second external terminal portion is exposed. Manufacturing method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36211499A JP2001177007A (en) | 1999-12-21 | 1999-12-21 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36211499A JP2001177007A (en) | 1999-12-21 | 1999-12-21 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001177007A true JP2001177007A (en) | 2001-06-29 |
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ID=18475955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP36211499A Pending JP2001177007A (en) | 1999-12-21 | 1999-12-21 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001177007A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003100988A (en) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
| US7495319B2 (en) | 2004-03-04 | 2009-02-24 | Panasonic Corporation | Resin-encapsulated semiconductor device and lead frame, and method for manufacturing the same |
| JP2009135406A (en) * | 2007-11-02 | 2009-06-18 | Dainippon Printing Co Ltd | Resin-sealed semiconductor device, etching member used for the same, method for manufacturing resin-sealed semiconductor device, and stacked type resin-sealed semiconductor device |
| JP2015035554A (en) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | Semiconductor device |
| JP2018170331A (en) * | 2017-03-29 | 2018-11-01 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | Semiconductor device |
-
1999
- 1999-12-21 JP JP36211499A patent/JP2001177007A/en active Pending
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|---|---|---|---|---|
| JP2003100988A (en) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
| US7495319B2 (en) | 2004-03-04 | 2009-02-24 | Panasonic Corporation | Resin-encapsulated semiconductor device and lead frame, and method for manufacturing the same |
| JP2009135406A (en) * | 2007-11-02 | 2009-06-18 | Dainippon Printing Co Ltd | Resin-sealed semiconductor device, etching member used for the same, method for manufacturing resin-sealed semiconductor device, and stacked type resin-sealed semiconductor device |
| JP2015035554A (en) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | Semiconductor device |
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