JP2001164186A - Composition for film forming, process for forming film and insulating film - Google Patents

Composition for film forming, process for forming film and insulating film

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JP2001164186A JP2000220271A JP2000220271A JP2001164186A JP 2001164186 A JP2001164186 A JP 2001164186A JP 2000220271 A JP2000220271 A JP 2000220271A JP 2000220271 A JP2000220271 A JP 2000220271A JP 2001164186 A JP2001164186 A JP 2001164186A
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孝彦 黒澤
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Yoshihide Jo
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圭二 今野
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淳 塩田
Kinji Yamada
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composition for forming a polyorganosiloxane film which composition gives a film having a low dielectric constant and a high elastic modulus which film is useful as an insulating film between layers in a semiconductor device or the like. SOLUTION: The composition for forming a film contains (A) a condensed material obtained by hydrolyzing and condensing at least one selected from the group consisting of compounds of general formulas (1), (2) and (3) in the presence of an alkali metal catalyst and (B) a condensed material obtained by hydrolyzing and condensing at least one selected from the group consisting of compounds of general formulas (1), (2) and (3) in the presence of an acid catalyst. Ra(Si)(OR1)4-a (1) Si(OR2)4 (2) R3a(R4O)3-b Si-(R7)d-Si(OR5)3-c R6c (3) (wherein R is hydrogen, fluorine or a monovalent organic group; R1 to R6 are each a monovalent organic group; R7 is oxygen, phenylene or -(CH2)n-, a is an integer of 1-2; b and d are each a number of 0-2; d is 0 or 1; and n is an integer of 1-6).

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ポリオルガノシロ
キサン系の膜形成用組成物に関し、さらに詳しくは、半
導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、低比誘電
率、かつ高弾性率を有する膜が形成可能なポリオルガノ
シロキサン系の膜形成用組成物に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a polyorganosiloxane-based film-forming composition, and more specifically, a film having a low relative dielectric constant and a high elastic modulus is used as an interlayer insulating film material in a semiconductor device or the like. The present invention relates to a polyorganosiloxane-based film-forming composition that can be formed.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体素子などにおける層間絶縁
膜として、CVD法などの真空プロセスで形成されたシ
リカ(SiO2 )膜が多用されている。そして、近年、
より均一な層間絶縁膜を形成することを目的として、S
OG(Spin on Glass)膜と呼ばれるテト
ラアルコキシランの加水分解生成物を主成分とする塗布
型の絶縁膜も使用されるようになっている。また、半導
体素子などの高集積化に伴い、有機SOGと呼ばれるポ
リオルガノシロキサンを主成分とする低比誘電率の層間
絶縁膜が開発されている。しかしながら、現在、知られ
ている有機SOGの比誘電率は、3〜4程度であり、そ
れより優れた低比誘電率を有し、かつ充分な機械的強度
を有するものは知られていない。
2. Description of the Related Art Conventionally, a silica (SiO 2 ) film formed by a vacuum process such as a CVD method is often used as an interlayer insulating film in a semiconductor device or the like. And in recent years
In order to form a more uniform interlayer insulating film, S
A coating type insulating film called a OG (Spin on Glass) film containing a hydrolysis product of tetraalkoxylane as a main component has also been used. In addition, with the high integration of semiconductor elements and the like, an interlayer insulating film called organic SOG having a low relative dielectric constant containing polyorganosiloxane as a main component has been developed. However, at present, the relative permittivity of known organic SOG is about 3 to 4, and no one having a low relative permittivity superior to that and sufficient mechanical strength is known.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を解決するための膜形成用の組成物に関し、さらに詳し
くは、例えば半導体素子などにおける層間絶縁膜とし
て、低比誘電率で、かつ高弾性率の硬化膜を形成するこ
とが可能なポリオルガノシロキサン系の膜形成用組成物
を提供することを目的とする。
The present invention relates to a film forming composition for solving the above-mentioned problems, and more specifically, it has a low relative dielectric constant and is used as an interlayer insulating film in a semiconductor device or the like. An object of the present invention is to provide a polyorganosiloxane-based film-forming composition capable of forming a cured film having a high elastic modulus.

【0004】[0004]

〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、b〜cは同一または異なり、0〜2の整数、R7 は酸素原子、フェニレン基または−(CH2n −で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕[In the formula, R 3 to R 6 are the same or different, each is a monovalent organic group, b to c are the same or different, an integer of 0 to 2, R 7 is an oxygen atom, a phenylene group or —(CH 2 ) n A group represented by -(wherein n is an integer of 1 to 6), and d represents 0 or 1. ]

ここで、(A)加水分解縮合物のGPC法による重量平
均分子量は、5万〜1,000万であることが好まし
い。また、(B)成分の加水分解縮合物のGPC法によ
る重量平均分子量は、500〜30万であることが好ま
しい。さらに、上記(A)成分は、一般式(2)で表さ
れる化合物の加水分解縮合物(完全加水分解縮合物換
算)を25〜75重量%含有することが好ましい。さら
に、上記(A)成分は、一般式(1)で表される化合物
および一般式(2)で表される化合物からなるシラン化
合物の加水分解縮合物であることが好ましい。また、上
記(A)成分と(B)成分の割合は、(A)成分(完全
加水分解縮合物換算)100重量部に対し、(B)成分
(完全加水分解縮合物換算)が1〜900重量部が好ま
しい。さらに、本発明の膜形成用組成物のpHは、7以
下であることが好ましい。次に、本発明は、上記膜形成
用組成物を基板に塗布し、加熱することを特徴とする膜
の形成方法に関する。ここで、上記膜の形成方法によっ
て得られる膜の用途としては、絶縁膜が好ましい。次
に、本発明は、上記絶縁膜を有する半導体装置に関す
る。
Here, the weight average molecular weight of the (A) hydrolysis-condensation product by the GPC method is preferably 50,000 to 10,000,000. The weight average molecular weight of the hydrolyzed condensate of the component (B) by the GPC method is preferably 500 to 300,000. Further, the component (A) preferably contains 25 to 75% by weight of a hydrolysis-condensation product (calculated as a complete hydrolysis-condensation product) of the compound represented by the general formula (2). Furthermore, the component (A) is preferably a hydrolysis-condensation product of a silane compound consisting of a compound represented by the general formula (1) and a compound represented by the general formula (2). In addition, the ratio of the component (A) to the component (B) is 1 to 900 for the component (B) (completely hydrolyzed condensate) to 100 parts by weight of the component (A) (completely hydrolyzed condensate). Parts by weight are preferred. Further, the pH of the film forming composition of the present invention is preferably 7 or less. Next, the present invention relates to a method for forming a film, which comprises applying the film forming composition to a substrate and heating the substrate. Here, an insulating film is preferable as a use of the film obtained by the film forming method. Next, the present invention relates to a semiconductor device having the insulating film.

【0005】[0005]

【発明の実施の形態】本発明は、膜を形成するベースポ
リマーとして、(A)成分〔化合物(1),(2)およ
び(3)の群から選ばれた少なくとも1種を、アルカリ
触媒の存在下に、加水分解、縮合してなる加水分解縮合
物(加水分解物および/またはその縮合物)〕、ならび
に(B)成分〔化合物(1),(2)および(3)の群
から選ばれた少なくとも1種を、酸触媒の存在下に、加
水分解、縮合してなる加水分解縮合物(加水分解物およ
び/またはその縮合物)〕を用いた、ポリオルガノシロ
キサン系の膜形成用組成物である。この本発明の組成物
を、浸漬またはスピンコート法などにより、シリコンウ
エハなどの基材に塗布し、加熱により、(A)〜(B)
成分の熱重縮合を行なうと、(A)〜(B)成分がガラ
ス質または巨大高分子の膜を形成し、得られる膜は、低
比誘電率で、かつ高弾性率のため機械的強度に優れ、層
間絶縁膜材料を形成することができる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention uses, as a base polymer for forming a film, at least one selected from the group of the component (A) [compounds (1), (2) and (3) as an alkali catalyst]. Selected from the group consisting of hydrolysis condensates (hydrolysates and/or condensates thereof) obtained by hydrolysis and condensation in the presence of the present invention, and component (B) [compounds (1), (2) and (3)] Polyorganosiloxane-based film-forming composition using a hydrolyzed condensate (hydrolyzed product and/or condensate thereof) obtained by hydrolyzing and condensing at least one selected from the above in the presence of an acid catalyst. It is a thing. This composition of the present invention is applied to a substrate such as a silicon wafer by a dipping or spin coating method, and heated (A) to (B).
When the components are subjected to thermal polycondensation, the components (A) to (B) form a glassy or macromolecular film, and the resulting film has a low relative dielectric constant and a high elastic modulus, and thus has a high mechanical strength. It is excellent and an interlayer insulating film material can be formed.

【0006】ここで、本発明において、加水分解とは、
上記(A)〜(B)成分を構成する化合物(1)〜
(3)中のR1 O−,R2 O−基,R4 O−基およびR
5 O−基が水と反応してシラノール基を生成することで
ある。また、本発明において、縮合とは、(A)〜
(B)成分を構成する化合物(1)〜(3)の加水分解
物のシラノール基が縮合してSi−O−Si結合を形成
したものであるが、本発明では、シラノール基がすべて
縮合している必要はなく、僅かな一部のシラノール基が
縮合したもの、縮合の程度が異なっているものの混合物
などをも生成することを包含した概念である。
Here, in the present invention, hydrolysis means
Compound (1)-constituting the components (A)-(B)
(3) in R 1 O-, R 2 O- group, R 4 O-group and R
The 5 O-group reacts with water to form a silanol group. Further, in the present invention, the condensation means (A) to
The silanol groups of the hydrolysates of the compounds (1) to (3) constituting the component (B) are condensed to form a Si—O—Si bond, but in the present invention, all the silanol groups are condensed. It is not necessary that the silanol groups are condensed, and it is a concept including generation of a mixture of a small amount of silanol groups, a mixture of different degrees of condensation, and the like.

【0007】(A)加水分解縮合物 (A)加水分解縮合物は、上記化合物(1)〜(3)の
群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物をアルカ
リ触媒の存在下に、加水分解・縮合して得られる。以
下、化合物(1)〜(3)、アルカリ触媒について説明
する。 化合物(1);上記一般式(1)において、RおよびR
1 の1価の有機基としては、アルキル基、アリール基、
アリル基、グリシジル基などを挙げることができる。ま
た、一般式(1)において、Rは1価の有機基、特にア
ルキル基またはフェニル基であることが好ましい。ここ
で、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基などが挙げられ、好ましくは炭素数1〜
5であり、これらのアルキル基は鎖状でも、分岐してい
てもよく、さらに水素原子がフッ素原子などに置換され
ていてもよい。一般式(1)において、アリール基とし
ては、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、エ
チルフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル
基、フルオロフェニル基などを挙げることができる。
(A) Hydrolytic Condensate The (A) hydrolytic condensate is obtained by hydrolyzing at least one silane compound selected from the group consisting of the compounds (1) to (3) in the presence of an alkali catalyst. -It is obtained by condensation. The compounds (1) to (3) and the alkali catalyst will be described below. Compound (1); R and R in the general formula (1)
The 1 monovalent organic group, an alkyl group, an aryl group,
Examples thereof include allyl group and glycidyl group. Further, in the general formula (1), R is preferably a monovalent organic group, particularly an alkyl group or a phenyl group. Here, examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, and the like, preferably having 1 to 1 carbon atoms.
5, these alkyl groups may be linear or branched, and the hydrogen atom may be substituted with a fluorine atom or the like. In the general formula (1), examples of the aryl group include a phenyl group, a naphthyl group, a methylphenyl group, an ethylphenyl group, a chlorophenyl group, a bromophenyl group and a fluorophenyl group.

【0008】一般式(1)で表される化合物の具体例と
しては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、ト
リ−n−プロポキシシラン、トリ−iso−プロポキシ
シラン、トリ−n−ブトキシシラン、トリ−sec−ブ
トキシシラン、トリ−tert−ブトキシシラン、トリ
フェノキシシラン、フルオロトリメトキシシラン、フル
オロトリエトキシシラン、フルオロトリ−n−プロポキ
シシラン、フルオロトリ−iso−プロポキシシラン、
フルオロトリ−n−ブトキシシラン、フルオロトリ−s
ec−ブトキシシラン、フルオロトリ−tert−ブト
キシシラン、フルオロトリフェノキシシランなど;
Specific examples of the compound represented by the general formula (1) include trimethoxysilane, triethoxysilane, tri-n-propoxysilane, tri-iso-propoxysilane, tri-n-butoxysilane and tri-. sec-butoxysilane, tri-tert-butoxysilane, triphenoxysilane, fluorotrimethoxysilane, fluorotriethoxysilane, fluorotri-n-propoxysilane, fluorotri-iso-propoxysilane,
Fluorotri-n-butoxysilane, fluorotri-s
ec-butoxysilane, fluorotri-tert-butoxysilane, fluorotriphenoxysilane and the like;

【0009】メチルトリメトキシシラン、メチルトリエ
トキシシラン、メチルトリ−n−プロポキシシラン、メ
チルトリ−iso−プロポキシシラン、メチルトリ−n
−ブトキシシラン、メチルトリ−sec−ブトキシシラ
ン、メチルトリ−tert−ブトキシシラン、メチルト
リフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチ
ルトリエトキシシラン、エチルトリ−n−プロポキシシ
ラン、エチルトリ−iso−プロポキシシラン、エチル
トリ−n−ブトキシシラン、エチルトリ−sec−ブト
キシシラン、エチルトリ−tert−ブトキシシラン、
エチルトリフェノキシシラン、ビニルトリメトキシシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ−n−プロ
ポキシシラン、ビニルトリ−iso−プロポキシシラ
ン、ビニルトリ−n−ブトキシシラン、ビニルトリ−s
ec−ブトキシシラン、ビニルトリ−tert−ブトキ
シシラン、ビニルトリフェノキシシラン、n−プロピル
トリメトキシシラン、n−プロピルトリエトキシシラ
ン、n−プロピルトリ−n−プロポキシシラン、n−プ
ロピルトリ−iso−プロポキシシラン、n−プロピル
トリ−n−ブトキシシラン、n−プロピルトリ−sec
−ブトキシシラン、n−プロピルトリ−tert−ブト
キシシラン、n−プロピルトリフェノキシシラン、i−
プロピルトリメトキシシラン、i−プロピルトリエトキ
シシラン、i−プロピルトリ−n−プロポキシシラン、
i−プロピルトリ−iso−プロポキシシラン、i−プ
ロピルトリ−n−ブトキシシラン、i−プロピルトリ−
sec−ブトキシシラン、i−プロピルトリ−tert
−ブトキシシラン、i−プロピルトリフェノキシシラ
ン、n−ブチルトリメトキシシラン、n−ブチルトリエ
トキシシラン、n−ブチルトリ−n−プロポキシシラ
ン、n−ブチルトリ−iso−プロポキシシラン、n−
ブチルトリ−n−ブトキシシラン、n−ブチルトリ−s
ec−ブトキシシラン、n−ブチルトリ−tert−ブ
トキシシラン、n−ブチルトリフェノキシシラン、se
c−ブチルトリメトキシシラン、sec−ブチルトリエ
トキシシラン、sec−ブチル−トリ−n−プロポキシ
シラン、sec−ブチル−トリ−iso−プロポキシシ
ラン、sec−ブチル−トリ−n−ブトキシシラン、s
ec−ブチル−トリ−sec−ブトキシシラン、sec
−ブチル−トリ−tert−ブトキシシラン、sec−
ブチル−トリフェノキシシラン、t−ブチルトリメトキ
シシラン、t−ブチルトリエトキシシラン、t−ブチル
トリ−n−プロポキシシラン、t−ブチルトリ−iso
−プロポキシシラン、t−ブチルトリ−n−ブトキシシ
ラン、t−ブチルトリ−sec−ブトキシシラン、t−
ブチルトリ−tert−ブトキシシラン、t−ブチルト
リフェノキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フ
ェニルトリエトキシシラン、フェニルトリ−n−プロポ
キシシラン、フェニルトリ−iso−プロポキシシラ
ン、フェニルトリ−n−ブトキシシラン、フェニルトリ
−sec−ブトキシシラン、フェニルトリ−tert−
ブトキシシラン、フェニルトリフェノキシシラン、ビニ
ルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ
−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエト
キシシラン、γ−トリフロロプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−トリフロロプロピルトリエトキシシランなど;
Methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltri-n-propoxysilane, methyltri-iso-propoxysilane, methyltri-n
-Butoxysilane, methyltri-sec-butoxysilane, methyltri-tert-butoxysilane, methyltriphenoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, ethyltri-n-propoxysilane, ethyltri-iso-propoxysilane, ethyltri-n -Butoxysilane, ethyltri-sec-butoxysilane, ethyltri-tert-butoxysilane,
Ethyltriphenoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltri-n-propoxysilane, vinyltri-iso-propoxysilane, vinyltri-n-butoxysilane, vinyltri-s.
ec-butoxysilane, vinyltri-tert-butoxysilane, vinyltriphenoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, n-propyltriethoxysilane, n-propyltri-n-propoxysilane, n-propyltri-iso-propoxysilane , N-propyltri-n-butoxysilane, n-propyltri-sec
-Butoxysilane, n-propyltri-tert-butoxysilane, n-propyltriphenoxysilane, i-
Propyltrimethoxysilane, i-propyltriethoxysilane, i-propyltri-n-propoxysilane,
i-Propyltri-iso-propoxysilane, i-propyltri-n-butoxysilane, i-propyltri-
sec-butoxysilane, i-propyltri-tert
-Butoxysilane, i-propyltriphenoxysilane, n-butyltrimethoxysilane, n-butyltriethoxysilane, n-butyltri-n-propoxysilane, n-butyltri-iso-propoxysilane, n-
Butyltri-n-butoxysilane, n-butyltri-s
ec-butoxysilane, n-butyltri-tert-butoxysilane, n-butyltriphenoxysilane, se
c-butyltrimethoxysilane, sec-butyltriethoxysilane, sec-butyl-tri-n-propoxysilane, sec-butyl-tri-iso-propoxysilane, sec-butyl-tri-n-butoxysilane, s
ec-butyl-tri-sec-butoxysilane, sec
-Butyl-tri-tert-butoxysilane, sec-
Butyl-triphenoxysilane, t-butyltrimethoxysilane, t-butyltriethoxysilane, t-butyltri-n-propoxysilane, t-butyltri-iso.
-Propoxysilane, t-butyltri-n-butoxysilane, t-butyltri-sec-butoxysilane, t-
Butyltri-tert-butoxysilane, t-butyltriphenoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, phenyltri-n-propoxysilane, phenyltri-iso-propoxysilane, phenyltri-n-butoxysilane, phenyltri -Sec-butoxysilane, phenyltri-tert-
Butoxysilane, phenyltriphenoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, γ
-Aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ-trifluoropropyltrimethoxysilane, γ-trifluoropropyltrisilane Ethoxysilane etc.;

【0010】ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエ
トキシシラン、ジメチル−ジ−n−プロポキシシラン、
ジメチル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジメチル−
ジ−n−ブトキシシラン、ジメチル−ジ−sec−ブト
キシシラン、ジメチル−ジ−tert−ブトキシシラ
ン、ジメチルジフェノキシシラン、ジエチルジメトキシ
シラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチル−ジ−n
−プロポキシシラン、ジエチル−ジ−iso−プロポキ
シシラン、ジエチル−ジ−n−ブトキシシラン、ジエチ
ル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジエチル−ジ−te
rt−ブトキシシラン、ジエチルジフェノキシシラン、
ジ−n−プロピルジメトキシシラン、ジ−n−プロピル
ジエトキシシラン、ジ−n−プロピル−ジ−n−プロポ
キシシラン、ジ−n−プロピル−ジ−iso−プロポキ
シシラン、ジ−n−プロピル−ジ−n−ブトキシシラ
ン、ジ−n−プロピル−ジ−sec−ブトキシシラン、
ジ−n−プロピル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジ
−n−プロピル−ジ−フェノキシシラン、ジ−iso−
プロピルジメトキシシラン、ジ−iso−プロピルジエ
トキシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−n−プロポ
キシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−iso−プロ
ポキシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−n−ブトキ
シシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−sec−ブトキ
シシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−tert−ブト
キシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−フェノキシシ
ラン、ジ−n−ブチルジメトキシシラン、ジ−n−ブチ
ルジエトキシシラン、ジ−n−ブチル−ジ−n−プロポ
キシシラン、ジ−n−ブチル−ジ−iso−プロポキシ
シラン、ジ−n−ブチル−ジ−n−ブトキシシラン、ジ
−n−ブチル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジ−n−
ブチル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジ−n−ブチ
ル−ジ−フェノキシシラン、ジ−sec−ブチルジメト
キシシラン、ジ−sec−ブチルジエトキシシラン、ジ
−sec−ブチル−ジ−n−プロポキシシラン、ジ−s
ec−ブチル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジ−s
ec−ブチル−ジ−n−ブトキシシラン、ジ−sec−
ブチル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジ−sec−ブ
チル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジ−sec−ブ
チル−ジ−フェノキシシラン、ジ−tert−ブチルジ
メトキシシラン、ジ−tert−ブチルジエトキシシラ
ン、ジ−tert−ブチル−ジ−n−プロポキシシラ
ン、ジ−tert−ブチル−ジ−iso−プロポキシシ
ラン、ジ−tert−ブチル−ジ−n−ブトキシシラ
ン、ジ−tert−ブチル−ジ−sec−ブトキシシラ
ン、ジ−tert−ブチル−ジ−tert−ブトキシシ
ラン、ジ−tert−ブチル−ジ−フェノキシシラン、
ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニル−ジ−エトキ
シシラン、ジフェニル−ジ−n−プロポキシシラン、ジ
フェニル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジフェニル
−ジ−n−ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−sec−
ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−tert−ブトキシ
シラン、ジフェニルジフェノキシシラン、ジビニルトリ
メトキシシランなど;を挙げることができる。
Dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, dimethyl-di-n-propoxysilane,
Dimethyl-di-iso-propoxysilane, dimethyl-
Di-n-butoxysilane, dimethyl-di-sec-butoxysilane, dimethyl-di-tert-butoxysilane, dimethyldiphenoxysilane, diethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, diethyl-di-n
-Propoxysilane, diethyl-di-iso-propoxysilane, diethyl-di-n-butoxysilane, diethyl-di-sec-butoxysilane, diethyl-di-te
rt-butoxysilane, diethyldiphenoxysilane,
Di-n-propyldimethoxysilane, di-n-propyldiethoxysilane, di-n-propyl-di-n-propoxysilane, di-n-propyl-di-iso-propoxysilane, di-n-propyl-di -N-butoxysilane, di-n-propyl-di-sec-butoxysilane,
Di-n-propyl-di-tert-butoxysilane, di-n-propyl-di-phenoxysilane, di-iso-
Propyldimethoxysilane, di-iso-propyldiethoxysilane, di-iso-propyl-di-n-propoxysilane, di-iso-propyl-di-iso-propoxysilane, di-iso-propyl-di-n-butoxy. Silane, di-iso-propyl-di-sec-butoxysilane, di-iso-propyl-di-tert-butoxysilane, di-iso-propyl-di-phenoxysilane, di-n-butyldimethoxysilane, di-n -Butyldiethoxysilane, di-n-butyl-di-n-propoxysilane, di-n-butyl-di-iso-propoxysilane, di-n-butyl-di-n-butoxysilane, di-n-butyl -Di-sec-butoxysilane, di-n-
Butyl-di-tert-butoxysilane, di-n-butyl-di-phenoxysilane, di-sec-butyldimethoxysilane, di-sec-butyldiethoxysilane, di-sec-butyl-di-n-propoxysilane, J-s
ec-butyl-di-iso-propoxysilane, di-s
ec-butyl-di-n-butoxysilane, di-sec-
Butyl-di-sec-butoxysilane, di-sec-butyl-di-tert-butoxysilane, di-sec-butyl-di-phenoxysilane, di-tert-butyldimethoxysilane, di-tert-butyldiethoxysilane, Di-tert-butyl-di-n-propoxysilane, di-tert-butyl-di-iso-propoxysilane, di-tert-butyl-di-n-butoxysilane, di-tert-butyl-di-sec-butoxy Silane, di-tert-butyl-di-tert-butoxysilane, di-tert-butyl-di-phenoxysilane,
Diphenyldimethoxysilane, diphenyl-di-ethoxysilane, diphenyl-di-n-propoxysilane, diphenyl-di-iso-propoxysilane, diphenyl-di-n-butoxysilane, diphenyl-di-sec-
Butoxysilane, diphenyl-di-tert-butoxysilane, diphenyldiphenoxysilane, divinyltrimethoxysilane and the like;

【0011】好ましくは、メチルトリメトキシシラン、
メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−n−プロポキ
シシラン、メチルトリ−iso−プロポキシシラン、エ
チルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、
ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラ
ン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキ
シシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエト
キシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエ
トキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニ
ルジエトキシシランである。これらは、1種あるいは2
種以上を同時に使用してもよい。
Preferably, methyltrimethoxysilane,
Methyltriethoxysilane, methyltri-n-propoxysilane, methyltri-iso-propoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane,
It is vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, diethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane. These are 1 or 2
More than one species may be used simultaneously.

【0012】化合物(2);上記一般式(2)におい
て、1価の有機基としては、先の一般式(1)と同様な
有機基を挙げることができる。一般式(2)で表される
化合物の具体例としては、テトラメトキシシラン、テト
ラエトキシシラン、テトラ−n−プロポキシシラン、テ
トラ−iso−プロポキシシラン、テトラ−n−ブトキ
シラン、テトラ−sec−ブトキシシラン、テトラ−t
ert−ブトキシシラン、テトラフェノキシシランなど
が挙げられる。
Compound (2): In the above general formula (2), examples of the monovalent organic group include the same organic groups as in the above general formula (1). Specific examples of the compound represented by the general formula (2) include tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetra-iso-propoxysilane, tetra-n-butoxylan and tetra-sec-butoxysilane. , Tetra-t
Examples include ert-butoxysilane and tetraphenoxysilane.

【0013】化合物(3);上記一般式(3)におい
て、1価の有機基としては、先の一般式(1)と同様な
有機基を挙げることができる。一般式(3)のうち、R
7 が酸素原子の化合物としては、ヘキサメトキシジシロ
キサン、ヘキサエトキシジシロキサン、ヘキサフェノキ
シジシロキサン、1,1,1,3,3−ペンタメトキシ
−3−メチルジシロキサン、1,1,1,3,3−ペン
タエトキシ−3−メチルジシロキサン、1,1,1,
3,3−ペンタフェノキシ−3−メチルジシロキサン、
1,1,1,3,3−ペンタメトキシ−3−エチルジシ
ロキサン、1,1,1,3,3−ペンタエトキシ−3−
エチルジシロキサン、1,1,1,3,3−ペンタフェ
ノキシ−3−エチルジシロキサン、1,1,1,3,3
−ペンタメトキシ−3−フェニルジシロキサン、1,
1,1,3,3−ペンタエトキシ−3−フェニルジシロ
キサン、1,1,1,3,3−ペンタフェノキシ−3−
フェニルジシロキサン、1,1,3,3−テトラメトキ
シ−1,3−ジメチルジシロキサン、1,1,3,3−
テトラエトキシ−1,3−ジメチルジシロキサン、1,
1,3,3−テトラフェノキシ−1,3−ジメチルジシ
ロキサン、1,1,3,3−テトラメトキシ−1,3−
ジエチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラエトキ
シ−1,3−ジエチルジシロキサン、1,1,3,3−
テトラフェノキシ−1,3−ジエチルジシロキサン、
1,1,3,3−テトラメトキシ−1,3−ジフェニル
ジシロキサン、1,1,3,3−テトラエトキシ−1,
3−ジフェニルジシロキサン、1,1,3,3−テトラ
フェノキシ−1,3−ジフェニルジシロキサン、1,
1,3−トリメトキシ−1,3,3−トリメチルジシロ
キサン、1,1,3−トリエトキシ−1,3,3−トリ
メチルジシロキサン、1,1,3−トリフェノキシ−
1,3,3−トリメチルジシロキサン、1,1,3−ト
リメトキシ−1,3,3−トリエチルジシロキサン、
1,1,3−トリエトキシ−1,3,3−トリエチルジ
シロキサン、1,1,3−トリフェノキシ−1,3,3
−トリエチルジシロキサン、1,1,3−トリメトキシ
−1,3,3−トリフェニルジシロキサン、1,1,3
−トリエトキシ−1,3,3−トリフェニルジシロキサ
ン、1,1,3−トリフェノキシ−1,3,3−トリフ
ェニルジシロキサン、1,3−ジメトキシ−1,1,
3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジエトキ
シ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,
3−ジフェノキシ−1,1,3,3−テトラメチルジシ
ロキサン、1,3−ジメトキシ−1,1,3,3−テト
ラエチルジシロキサン、1,3−ジエトキシ−1,1,
3,3−テトラエチルジシロキサン、1,3−ジフェノ
キシ−1,1,3,3−テトラエチルジシロキサン、
1,3−ジメトキシ−1,1,3,3−テトラフェニル
ジシロキサン、1,3−ジエトキシ−1,1,3,3−
テトラフェニルジシロキサン、1,3−ジフェノキシ−
1,1,3,3−テトラフェニルジシロキサンなどを挙
げることができる。
Compound (3): In the above general formula (3), examples of the monovalent organic group include the same organic groups as in the above general formula (1). R in the general formula (3)
Compounds in which 7 is an oxygen atom include hexamethoxydisiloxane, hexaethoxydisiloxane, hexaphenoxydisiloxane, 1,1,1,3,3-pentamethoxy-3-methyldisiloxane, 1,1,1,3 ,3-pentaethoxy-3-methyldisiloxane, 1,1,1,
3,3-pentaphenoxy-3-methyldisiloxane,
1,1,1,3,3-pentamethoxy-3-ethyldisiloxane, 1,1,1,3,3-pentaethoxy-3-
Ethyldisiloxane, 1,1,1,3,3-pentaphenoxy-3-ethyldisiloxane, 1,1,1,3,3
-Pentamethoxy-3-phenyldisiloxane, 1,
1,1,3,3-pentaethoxy-3-phenyldisiloxane, 1,1,1,3,3-pentaphenoxy-3-
Phenyldisiloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-dimethyldisiloxane, 1,1,3,3-
Tetraethoxy-1,3-dimethyldisiloxane, 1,
1,3,3-tetraphenoxy-1,3-dimethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-
Diethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraethoxy-1,3-diethyldisiloxane, 1,1,3,3-
Tetraphenoxy-1,3-diethyldisiloxane,
1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-diphenyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraethoxy-1,
3-diphenyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraphenoxy-1,3-diphenyldisiloxane, 1,
1,3-trimethoxy-1,3,3-trimethyldisiloxane, 1,1,3-triethoxy-1,3,3-trimethyldisiloxane, 1,1,3-triphenoxy-
1,3,3-trimethyldisiloxane, 1,1,3-trimethoxy-1,3,3-triethyldisiloxane,
1,1,3-triethoxy-1,3,3-triethyldisiloxane, 1,1,3-triphenoxy-1,3,3
-Triethyldisiloxane, 1,1,3-trimethoxy-1,3,3-triphenyldisiloxane, 1,1,3
-Triethoxy-1,3,3-triphenyldisiloxane, 1,1,3-triphenoxy-1,3,3-triphenyldisiloxane, 1,3-dimethoxy-1,1,
3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,
3-diphenoxy-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetraethyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1,
3,3-tetraethyldisiloxane, 1,3-diphenoxy-1,1,3,3-tetraethyldisiloxane,
1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1,3,3-
Tetraphenyldisiloxane, 1,3-diphenoxy-
1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane etc. can be mentioned.

【0014】これらのうち、ヘキサメトキシジシロキサ
ン、ヘキサエトキシジシロキサン、1,1,3,3−テ
トラメトキシ−1,3−ジメチルジシロキサン、1,
1,3,3−テトラエトキシ−1,3−ジメチルジシロ
キサン、1,1,3,3−テトラメトキシ−1,3−ジ
フェニルジシロキサン、1,3−ジメトキシ−1,1,
3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジエトキ
シ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,
3−ジメトキシ−1,1,3,3−テトラフェニルジシ
ロキサン、1,3−ジエトキシ−1,1,3,3−テト
ラフェニルジシロキサンなどを、好ましい例として挙げ
ることができる。
Of these, hexamethoxydisiloxane, hexaethoxydisiloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-dimethyldisiloxane, 1,
1,3,3-tetraethoxy-1,3-dimethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-diphenyldisiloxane, 1,3-dimethoxy-1,1,
3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,
Preferred examples include 3-dimethoxy-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane and the like.

【0015】また、一般式(3)において、dが0の化
合物としては、ヘキサメトキシジシラン、ヘキサエトキ
シジシラン、ヘキサフェノキシジシラン、1,1,1,
2,2−ペンタメトキシ−2−メチルジシラン、1,
1,1,2,2−ペンタエトキシ−2−メチルジシラ
ン、1,1,1,2,2−ペンタフェノキシ−2−メチ
ルジシラン、1,1,1,2,2−ペンタメトキシ−2
−エチルジシラン、1,1,1,2,2−ペンタエトキ
シ−2−エチルジシラン、1,1,1,2,2−ペンタ
フェノキシ−2−エチルジシラン、1,1,1,2,2
−ペンタメトキシ−2−フェニルジシラン、1,1,
1,2,2−ペンタエトキシ−2−フェニルジシラン、
1,1,1,2,2−ペンタフェノキシ−2−フェニル
ジシラン、1,1,2,2−テトラメトキシ−1,2−
ジメチルジシラン、1,1,2,2−テトラエトキシ−
1,2−ジメチルジシラン、1,1,2,2−テトラフ
ェノキシ−1,2−ジメチルジシラン、1,1,2,2
−テトラメトキシ−1,2−ジエチルジシラン、1,
1,2,2−テトラエトキシ−1,2−ジエチルジシラ
ン、1,1,2,2−テトラフェノキシ−1,2−ジエ
チルジシラン、1,1,2,2−テトラメトキシ−1,
2−ジフェニルジシラン、1,1,2,2−テトラエト
キシ−1,2−ジフェニルジシラン、1,1,2,2−
テトラフェノキシ−1,2−ジフェニルジシラン、1,
1,2−トリメトキシ−1,2,2−トリメチルジシラ
ン、1,1,2−トリエトキシ−1,2,2−トリメチ
ルジシラン、1,1,2−トリフェノキシ−1,2,2
−トリメチルジシラン、1,1,2−トリメトキシ−
1,2,2−トリエチルジシラン、1,1,2−トリエ
トキシ−1,2,2−トリエチルジシラン、1,1,2
−トリフェノキシ−1,2,2−トリエチルジシラン、
1,1,2−トリメトキシ−1,2,2−トリフェニル
ジシラン、1,1,2−トリエトキシ−1,2,2−ト
リフェニルジシラン、1,1,2−トリフェノキシ−
1,2,2−トリフェニルジシラン、1,2−ジメトキ
シ−1,1,2,2−テトラメチルジシラン、1,2−
ジエトキシ−1,1,2,2−テトラメチルジシラン、
1,2−ジフェノキシ−1,1,2,2−テトラメチル
ジシラン、1,2−ジメトキシ−1,1,2,2−テト
ラエチルジシラン、1,2−ジエトキシ−1,1,2,
2−テトラエチルジシラン、1,2−ジフェノキシ−
1,1,2,2−テトラエチルジシラン、1,2−ジメ
トキシ−1,1,2,2−テトラフェニルジシラン、
1,2−ジエトキシ−1,1,2,2−テトラフェニル
ジシラン、1,2−ジフェノキシ−1,1,2,2−テ
トラフェニルジシランなどを挙げることができる。
Further, in the general formula (3), as the compound in which d is 0, hexamethoxydisilane, hexaethoxydisilane, hexaphenoxydisilane, 1,1,1,
2,2-pentamethoxy-2-methyldisilane, 1,
1,1,2,2-pentaethoxy-2-methyldisilane, 1,1,1,2,2-pentaphenoxy-2-methyldisilane, 1,1,1,2,2-pentamethoxy-2
-Ethyldisilane, 1,1,1,2,2-pentaethoxy-2-ethyldisilane, 1,1,1,2,2-pentaphenoxy-2-ethyldisilane, 1,1,1,2,2
-Pentamethoxy-2-phenyldisilane, 1,1,
1,2,2-pentaethoxy-2-phenyldisilane,
1,1,1,2,2-pentaphenoxy-2-phenyldisilane, 1,1,2,2-tetramethoxy-1,2-
Dimethyldisilane, 1,1,2,2-tetraethoxy-
1,2-dimethyldisilane, 1,1,2,2-tetraphenoxy-1,2-dimethyldisilane, 1,1,2,2
-Tetramethoxy-1,2-diethyldisilane, 1,
1,2,2-tetraethoxy-1,2-diethyldisilane, 1,1,2,2-tetraphenoxy-1,2-diethyldisilane, 1,1,2,2-tetramethoxy-1,
2-diphenyldisilane, 1,1,2,2-tetraethoxy-1,2-diphenyldisilane, 1,1,2,2-
Tetraphenoxy-1,2-diphenyldisilane, 1,
1,2-trimethoxy-1,2,2-trimethyldisilane, 1,1,2-triethoxy-1,2,2-trimethyldisilane, 1,1,2-triphenoxy-1,2,2
-Trimethyldisilane, 1,1,2-trimethoxy-
1,2,2-triethyldisilane, 1,1,2-triethoxy-1,2,2-triethyldisilane, 1,1,2
-Triphenoxy-1,2,2-triethyldisilane,
1,1,2-trimethoxy-1,2,2-triphenyldisilane, 1,1,2-triethoxy-1,2,2-triphenyldisilane, 1,1,2-triphenoxy-
1,2,2-triphenyldisilane, 1,2-dimethoxy-1,1,2,2-tetramethyldisilane, 1,2-
Diethoxy-1,1,2,2-tetramethyldisilane,
1,2-diphenoxy-1,1,2,2-tetramethyldisilane, 1,2-dimethoxy-1,1,2,2-tetraethyldisilane, 1,2-diethoxy-1,1,2,
2-tetraethyldisilane, 1,2-diphenoxy-
1,1,2,2-tetraethyldisilane, 1,2-dimethoxy-1,1,2,2-tetraphenyldisilane,
Examples thereof include 1,2-diethoxy-1,1,2,2-tetraphenyldisilane and 1,2-diphenoxy-1,1,2,2-tetraphenyldisilane.

【0016】これらのうち、ヘキサメトキシジシラン、
ヘキサエトキシジシラン、1,1,2,2−テトラメト
キシ−1,2−ジメチルジシラン、1,1,2,2−テ
トラエトキシ−1,2−ジメチルジシラン、1,1,
2,2−テトラメトキシ−1,2−ジフェニルジシラ
ン、1,2−ジメトキシ−1,1,2,2−テトラメチ
ルジシラン、1,2−ジエトキシ−1,1,2,2−テ
トラメチルジシラン、1,2−ジメトキシ−1,1,
2,2−テトラフェニルジシラン、1,2−ジエトキシ
−1,1,2,2−テトラフェニルジシランなどを、好
ましい例として挙げることができる。
Of these, hexamethoxydisilane,
Hexaethoxydisilane, 1,1,2,2-tetramethoxy-1,2-dimethyldisilane, 1,1,2,2-tetraethoxy-1,2-dimethyldisilane, 1,1,
2,2-tetramethoxy-1,2-diphenyldisilane, 1,2-dimethoxy-1,1,2,2-tetramethyldisilane, 1,2-diethoxy-1,1,2,2-tetramethyldisilane, 1,2-dimethoxy-1,1,
Preferred examples include 2,2-tetraphenyldisilane and 1,2-diethoxy-1,1,2,2-tetraphenyldisilane.

【0017】さらに、一般式(3)において、R7 が−
(CH2 n −で表される基の化合物としては、ビス
(トリメトキシシリル)メタン、ビス(トリエトキシシ
リル)メタン、ビス(トリ−n−プロポキシシリル)メ
タン、ビス(トリ−i−プロポキシシリル)メタン、ビ
ス(トリ−n−ブトキシシリル)メタン、ビス(トリ−
sec−ブトキシシリル)メタン、ビス(トリ−t−ブ
トキシシリル)メタン、1,2−ビス(トリメトキシシ
リル)エタン、1,2−ビス(トリエトキシシリル)エ
タン、1,2−ビス(トリ−n−プロポキシシリル)エ
タン、1,2−ビス(トリ−i−プロポキシシリル)エ
タン、1,2−ビス(トリ−n−ブトキシシリル)エタ
ン、1,2−ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)エ
タン、1,2−ビス(トリ−t−ブトキシシリル)エタ
ン、1−(ジメトキシメチルシリル)−1−(トリメト
キシシリル)メタン、1−(ジエトキシメチルシリル)
−1−(トリエトキシシリル)メタン、1−(ジ−n−
プロポキシメチルシリル)−1−(トリ−n−プロポキ
シシリル)メタン、1−(ジ−i−プロポキシメチルシ
リル)−1−(トリ−i−プロポキシシリル)メタン、
1−(ジ−n−ブトキシメチルシリル)−1−(トリ−
n−ブトキシシリル)メタン、1−(ジ−sec−ブト
キシメチルシリル)−1−(トリ−sec−ブトキシシ
リル)メタン、1−(ジ−t−ブトキシメチルシリル)
−1−(トリ−t−ブトキシシリル)メタン、1−(ジ
メトキシメチルシリル)−2−(トリメトキシシリル)
エタン、1−(ジエトキシメチルシリル)−2−(トリ
エトキシシリル)エタン、1−(ジ−n−プロポキシメ
チルシリル)−2−(トリ−n−プロポキシシリル)エ
タン、1−(ジ−i−プロポキシメチルシリル)−2−
(トリ−i−プロポキシシリル)エタン、1−(ジ−n
−ブトキシメチルシリル)−2−(トリ−n−ブトキシ
シリル)エタン、1−(ジ−sec−ブトキシメチルシ
リル)−2−(トリ−sec−ブトキシシリル)エタ
ン、1−(ジ−t−ブトキシメチルシリル)−2−(ト
リ−t−ブトキシシリル)エタン、ビス(ジメトキシメ
チルシリル)メタン、ビス(ジエトキシメチルシリル)
メタン、ビス(ジ−n−プロポキシメチルシリル)メタ
ン、ビス(ジ−i−プロポキシメチルシリル)メタン、
ビス(ジ−n−ブトキシメチルシリル)メタン、ビス
(ジ−sec−ブトキシメチルシリル)メタン、ビス
(ジ−t−ブトキシメチルシリル)メタン、1,2−ビ
ス(ジメトキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス
(ジエトキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス(ジ
−n−プロポキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス
(ジ−i−プロポキシメチルシリル)エタン、1,2−
ビス(ジ−n−ブトキシメチルシリル)エタン、1,2
−ビス(ジ−sec−ブトキシメチルシリル)エタン、
1,2−ビス(ジ−t−ブトキシメチルシリル)エタ
ン、1,2−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、
1,2−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,2
−ビス(トリ−n−プロポキシシリル)ベンゼン、1,
2−ビス(トリ−i−プロポキシシリル)ベンゼン、
1,2−ビス(トリ−n−ブトキシシリル)ベンゼン、
1,2−ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,2−ビス(トリ-t- ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,3−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、
1,3−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,3
−ビス(トリ−n−プロポキシシリル)ベンゼン、1,
3−ビス(トリ−i−プロポキシシリル)ベンゼン、
1,3−ビス(トリ−n−ブトキシシリル)ベンゼン、
1,3−ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,3−ビス(トリ−t−ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,4−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、
1,4−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,4
−ビス(トリ−n−プロポキシシリル)ベンゼン、1,
4−ビス(トリ−i−プロポキシシリル)ベンゼン、
1,4−ビス(トリ−n−ブトキシシリル)ベンゼン、
1,4−ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,4−ビス(トリ−t−ブトキシシリル)ベンゼ
ンなど挙げることができる。
Further, in the general formula (3), R 7 is −
Examples of the compound represented by (CH 2 ) n − include bis(trimethoxysilyl)methane, bis(triethoxysilyl)methane, bis(tri-n-propoxysilyl)methane, bis(tri-i-propoxy). Silyl)methane, bis(tri-n-butoxysilyl)methane, bis(tri-
sec-butoxysilyl)methane, bis(tri-t-butoxysilyl)methane, 1,2-bis(trimethoxysilyl)ethane, 1,2-bis(triethoxysilyl)ethane, 1,2-bis(tri- n-propoxysilyl)ethane, 1,2-bis(tri-i-propoxysilyl)ethane, 1,2-bis(tri-n-butoxysilyl)ethane, 1,2-bis(tri-sec-butoxysilyl) Ethane, 1,2-bis(tri-t-butoxysilyl)ethane, 1-(dimethoxymethylsilyl)-1-(trimethoxysilyl)methane, 1-(diethoxymethylsilyl)
-1-(triethoxysilyl)methane, 1-(di-n-
Propoxymethylsilyl)-1-(tri-n-propoxysilyl)methane, 1-(di-i-propoxymethylsilyl)-1-(tri-i-propoxysilyl)methane,
1-(di-n-butoxymethylsilyl)-1-(tri-
n-butoxysilyl)methane, 1-(di-sec-butoxymethylsilyl)-1-(tri-sec-butoxysilyl)methane, 1-(di-t-butoxymethylsilyl)
-1-(tri-t-butoxysilyl)methane, 1-(dimethoxymethylsilyl)-2-(trimethoxysilyl)
Ethane, 1-(diethoxymethylsilyl)-2-(triethoxysilyl)ethane, 1-(di-n-propoxymethylsilyl)-2-(tri-n-propoxysilyl)ethane, 1-(di-i -Propoxymethylsilyl)-2-
(Tri-i-propoxysilyl)ethane, 1-(di-n
-Butoxymethylsilyl)-2-(tri-n-butoxysilyl)ethane, 1-(di-sec-butoxymethylsilyl)-2-(tri-sec-butoxysilyl)ethane, 1-(di-t-butoxy) Methylsilyl)-2-(tri-t-butoxysilyl)ethane, bis(dimethoxymethylsilyl)methane, bis(diethoxymethylsilyl)
Methane, bis(di-n-propoxymethylsilyl)methane, bis(di-i-propoxymethylsilyl)methane,
Bis(di-n-butoxymethylsilyl)methane, bis(di-sec-butoxymethylsilyl)methane, bis(di-t-butoxymethylsilyl)methane, 1,2-bis(dimethoxymethylsilyl)ethane, 1, 2-bis(diethoxymethylsilyl)ethane, 1,2-bis(di-n-propoxymethylsilyl)ethane, 1,2-bis(di-i-propoxymethylsilyl)ethane, 1,2-
Bis(di-n-butoxymethylsilyl)ethane, 1,2
-Bis(di-sec-butoxymethylsilyl)ethane,
1,2-bis(di-t-butoxymethylsilyl)ethane, 1,2-bis(trimethoxysilyl)benzene,
1,2-bis(triethoxysilyl)benzene, 1,2
-Bis(tri-n-propoxysilyl)benzene, 1,
2-bis(tri-i-propoxysilyl)benzene,
1,2-bis(tri-n-butoxysilyl)benzene,
1,2-bis(tri-sec-butoxysilyl)benzene, 1,2-bis(tri-t-butoxysilyl)benzene, 1,3-bis(trimethoxysilyl)benzene,
1,3-bis(triethoxysilyl)benzene, 1,3
-Bis(tri-n-propoxysilyl)benzene, 1,
3-bis(tri-i-propoxysilyl)benzene,
1,3-bis(tri-n-butoxysilyl)benzene,
1,3-bis(tri-sec-butoxysilyl)benzene, 1,3-bis(tri-t-butoxysilyl)benzene, 1,4-bis(trimethoxysilyl)benzene,
1,4-bis(triethoxysilyl)benzene, 1,4
-Bis(tri-n-propoxysilyl)benzene, 1,
4-bis(tri-i-propoxysilyl)benzene,
1,4-bis(tri-n-butoxysilyl)benzene,
Examples thereof include 1,4-bis(tri-sec-butoxysilyl)benzene and 1,4-bis(tri-t-butoxysilyl)benzene.

【0018】これらのうち、ビス(トリメトキシシリ
ル)メタン、ビス(トリエトキシシリル)メタン、1,
2−ビス(トリメトキシシリル)エタン、1,2−ビス
(トリエトキシシリル)エタン、1−(ジメトキシメチ
ルシリル)−1−(トリメトキシシリル)メタン、1−
(ジエトキシメチルシリル)−1−(トリエトキシシリ
ル)メタン、1−(ジメトキシメチルシリル)−2−
(トリメトキシシリル)エタン、1−(ジエトキシメチ
ルシリル)−2−(トリエトキシシリル)エタン、ビス
(ジメトキシメチルシリル)メタン、ビス(ジエトキシ
メチルシリル)メタン、1,2−ビス(ジメトキシメチ
ルシリル)エタン、1,2−ビス(ジエトキシメチルシ
リル)エタン、1,2−ビス(トリメトキシシリル)ベ
ンゼン、1,2−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼ
ン、1,3−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、
1,3−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,4
−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス
(トリエトキシシリル)ベンゼンなどを好ましい例とし
て挙げることができる。
Of these, bis(trimethoxysilyl)methane, bis(triethoxysilyl)methane, 1,
2-bis(trimethoxysilyl)ethane, 1,2-bis(triethoxysilyl)ethane, 1-(dimethoxymethylsilyl)-1-(trimethoxysilyl)methane, 1-
(Diethoxymethylsilyl)-1-(triethoxysilyl)methane, 1-(dimethoxymethylsilyl)-2-
(Trimethoxysilyl)ethane, 1-(diethoxymethylsilyl)-2-(triethoxysilyl)ethane, bis(dimethoxymethylsilyl)methane, bis(diethoxymethylsilyl)methane, 1,2-bis(dimethoxymethyl) (Silyl)ethane, 1,2-bis(diethoxymethylsilyl)ethane, 1,2-bis(trimethoxysilyl)benzene, 1,2-bis(triethoxysilyl)benzene, 1,3-bis(trimethoxysilyl) )benzene,
1,3-bis(triethoxysilyl)benzene, 1,4
Preferred examples include -bis(trimethoxysilyl)benzene and 1,4-bis(triethoxysilyl)benzene.

【0019】本発明において、(A)成分を構成する化
合物(1)〜(3)としては、上記化合物(1),
(2)および(3)の1種もしくは2種以上を用いるこ
とができる。
In the present invention, the compounds (1) to (3) constituting the component (A) include the compounds (1),
One or more of (2) and (3) can be used.

【0020】なお、上記(A)成分を構成する化合物
(1)〜(3)の群から選ばれた少なくとも1種のシラ
ン化合物を加水分解、縮合させる際に、R1 O−基,R
2 O−基,R4 O−基およびR5 O−基の総量1モル当
たり、5〜50モルの水を用いることが好ましく、7〜
30モルの水を加えることが特に好ましい。添加する水
の量が5モルより少ない場合は、十分な比誘電率と弾性
率が得られない場合があり、一方、50モルより多い場
合は、加水分解および縮合反応中のポリマーの析出やゲ
ル化が生じる場合がある。
When at least one silane compound selected from the group consisting of the compounds (1) to (3) constituting the component (A) is hydrolyzed and condensed, R 1 O-group, R
It is preferable to use 5 to 50 mol of water per 1 mol of the total amount of 2 O-groups, R 4 O-groups and R 5 O-groups, and 7 to
It is particularly preferred to add 30 mol of water. When the amount of water added is less than 5 mol, sufficient relative dielectric constant and elastic modulus may not be obtained, while when it is more than 50 mol, precipitation of polymer or gel during hydrolysis and condensation reaction may occur. May occur.

【0021】アルカリ触媒;本発明の(A)加水分解縮
合物を製造するに際しては、上記化合物(1)〜(3)
の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を加水
分解、縮合させる際に、アルカリ触媒を用いる。アルカ
リ触媒としては、無機塩基のほか、有機塩基などが挙げ
られる。ここで、無機塩基としては、例えば、アンモニ
ア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウ
ム、水酸化カルシウムなどを挙げることができる。ま
た、有機塩基としては、例えば、メタノールアミン、エ
タノールアミン、プロパノールアミン、ブタノールアミ
ン、N−メチルメタノールアミン、N−エチルメタノー
ルアミン、N−プロピルメタノールアミン、N−ブチル
メタノールアミン、N−メチルエタノールアミン、N−
エチルエタノールアミン、N−プロピルエタノールアミ
ン、N−ブチルエタノールアミン、N−メチルプロパノ
ールアミン、N−エチルプロパノールアミン、N−プロ
ピルプロパノールアミン、N−ブチルプロパノールアミ
ン、N−メチルブタノールアミン、N−エチルブタノー
ルアミン、N−プロピルブタノールアミン、N−ブチル
ブタノールアミン、N,N−ジメチルメタノールアミ
ン、N,N−ジエチルメタノールアミン、N,N−ジプ
ロピルメタノールアミン、N,N−ジブチルメタノール
アミン、N,N−ジメチルエタノールアミン、N,N−
ジエチルエタノールアミン、N,N−ジプロピルエタノ
ールアミン、N,N−ジブチルエタノールアミン、N,
N−ジメチルプロパノールアミン、N,N−ジエチルプ
ロパノールアミン、N,N−ジプロピルプロパノールア
ミン、N,N−ジブチルプロパノールアミン、N,N−
ジメチルブタノールアミン、N,N−ジエチルブタノー
ルアミン、N,N−ジプロピルブタノールアミン、N,
N−ジブチルブタノールアミン、N−メチルジメタノー
ルアミン、N−エチルジメタノールアミン、N−プロピ
ルジメタノールアミン、N−ブチルジメタノールアミ
ン、N−メチルジエタノールアミン、N−エチルジエタ
ノールアミン、N−プロピルジエタノールアミン、N−
ブチルジエタノールアミン、N−メチルジプロパノール
アミン、N−エチルジプロパノールアミン、N−プロピ
ルジプロパノールアミン、N−ブチルジプロパノールア
ミン、N−メチルジブタノールアミン、N−エチルジブ
タノールアミン、N−プロピルジブタノールアミン、N
−ブチルジブタノールアミン、N−(アミノメチル)メ
タノールアミン、N−(アミノメチル)エタノールアミ
ン、N−(アミノメチル)プロパノールアミン、N−
(アミノメチル)ブタノールアミン、N−(アミノエチ
ル)メタノールアミン、N−(アミノエチル)エタノー
ルアミン、N−(アミノエチル)プロパノールアミン、
N−(アミノエチル)ブタノールアミン、N−(アミノ
プロピル)メタノールアミン、N−(アミノプロピル)
エタノールアミン、N−(アミノプロピル)プロパノー
ルアミン、N−(アミノプロピル)ブタノールアミン、
N−(アミノブチル)メタノールアミン、N−(アミノ
ブチル)エタノールアミン、N−(アミノブチル)プロ
パノールアミン、N−(アミノブチル)ブタノールアミ
ン、メトキシメチルアミン、メトキシエチルアミン、メ
トキシプロピルアミン、メトキシブチルアミン、エトキ
シメチルアミン、エトキシエチルアミン、エトキシプロ
ピルアミン、エトキシブチルアミン、プロポキシメチル
アミン、プロポキシエチルアミン、プロポキシプロピル
アミン、プロポキシブチルアミン、ブトキシメチルアミ
ン、ブトキシエチルアミン、ブトキシプロピルアミン、
ブトキシブチルアミン、メチルアミン、エチルアミン、
プロピルアミン、ブチルアミン、N,N−ジメチルアミ
ン、N,N−ジエチルアミン、N,N−ジプロピルアミ
ン、N,N−ジブチルアミン、トリメチルアミン、トリ
エチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミ
ン、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、テト
ラエチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラプロピ
ルアンモニウムハイドロキサイド、テトラブチルアンモ
ニウムハイドロキサイド、テトラメチルエチレンジアミ
ン、テトラエチルエチレンジアミン、テトラプロピルエ
チレンジアミン、テトラブチルエチレンジアミン、メチ
ルアミノメチルアミン、メチルアミノエチルアミン、メ
チルアミノプロピルアミン、メチルアミノブチルアミ
ン、エチルアミノメチルアミン、エチルアミノエチルア
ミン、エチルアミノプロピルアミン、エチルアミノブチ
ルアミン、プロピルアミノメチルアミン、プロピルアミ
ノエチルアミン、プロピルアミノプロピルアミン、プロ
ピルアミノブチルアミン、ブチルアミノメチルアミン、
ブチルアミノエチルアミン、ブチルアミノプロピルアミ
ン、ブチルアミノブチルアミン、ピリジン、ピロール、
ピペラジン、ピロリジン、ピペリジン、ピコリン、モル
ホリン、メチルモルホリン、ジアザビシクロオクラン、
ジアザビシクロノナン、ジアザビシクロウンデセン、水
酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルア
ンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸
化テトラブチルアンモニウムなどを挙げることができ
る。これらのアルカリ触媒は、1種あるいは2種以上を
同時に使用してもよい。
Alkali catalyst: In producing the hydrolysis-condensation product (A) of the present invention, the above compounds (1) to (3) are used.
When hydrolyzing and condensing at least one silane compound selected from the group, an alkali catalyst is used. Examples of the alkali catalyst include inorganic bases and organic bases. Here, examples of the inorganic base include ammonia, sodium hydroxide, potassium hydroxide, barium hydroxide, calcium hydroxide and the like. Examples of the organic base include methanol amine, ethanol amine, propanol amine, butanol amine, N-methyl methanol amine, N-ethyl methanol amine, N-propyl methanol amine, N-butyl methanol amine, N-methyl ethanol amine. , N-
Ethylethanolamine, N-Propylethanolamine, N-Butylethanolamine, N-Methylpropanolamine, N-Ethylpropanolamine, N-Propylpropanolamine, N-Butylpropanolamine, N-Methylbutanolamine, N-Ethylbutanol Amine, N-propylbutanolamine, N-butylbutanolamine, N,N-dimethylmethanolamine, N,N-diethylmethanolamine, N,N-dipropylmethanolamine, N,N-dibutylmethanolamine, N,N -Dimethylethanolamine, N,N-
Diethylethanolamine, N,N-dipropylethanolamine, N,N-dibutylethanolamine, N,
N-dimethylpropanolamine, N,N-diethylpropanolamine, N,N-dipropylpropanolamine, N,N-dibutylpropanolamine, N,N-
Dimethylbutanolamine, N,N-diethylbutanolamine, N,N-dipropylbutanolamine, N,
N-dibutylbutanolamine, N-methyldimethanolamine, N-ethyldimethanolamine, N-propyldimethanolamine, N-butyldimethanolamine, N-methyldiethanolamine, N-ethyldiethanolamine, N-propyldiethanolamine, N −
Butyldiethanolamine, N-methyldipropanolamine, N-ethyldipropanolamine, N-propyldipropanolamine, N-butyldipropanolamine, N-methyldibutanolamine, N-ethyldibutanolamine, N-propyldibutanol Amine, N
-Butyldibutanolamine, N-(aminomethyl)methanolamine, N-(aminomethyl)ethanolamine, N-(aminomethyl)propanolamine, N-
(Aminomethyl)butanolamine, N-(aminoethyl)methanolamine, N-(aminoethyl)ethanolamine, N-(aminoethyl)propanolamine,
N-(aminoethyl)butanolamine, N-(aminopropyl)methanolamine, N-(aminopropyl)
Ethanolamine, N-(aminopropyl)propanolamine, N-(aminopropyl)butanolamine,
N-(aminobutyl)methanolamine, N-(aminobutyl)ethanolamine, N-(aminobutyl)propanolamine, N-(aminobutyl)butanolamine, methoxymethylamine, methoxyethylamine, methoxypropylamine, methoxybutylamine, Ethoxymethylamine, ethoxyethylamine, ethoxypropylamine, ethoxybutylamine, propoxymethylamine, propoxyethylamine, propoxypropylamine, propoxybutylamine, butoxymethylamine, butoxyethylamine, butoxypropylamine,
Butoxybutylamine, methylamine, ethylamine,
Propylamine, butylamine, N,N-dimethylamine, N,N-diethylamine, N,N-dipropylamine, N,N-dibutylamine, trimethylamine, triethylamine, tripropylamine, tributylamine, tetramethylammonium hydroxide , Tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetramethylethylenediamine, tetraethylethylenediamine, tetrapropylethylenediamine, tetrabutylethylenediamine, methylaminomethylamine, methylaminoethylamine, methylaminopropylamine, Methylaminobutylamine, ethylaminomethylamine, ethylaminoethylamine, ethylaminopropylamine, ethylaminobutylamine, propylaminomethylamine, propylaminoethylamine, propylaminopropylamine, propylaminobutylamine, butylaminomethylamine,
Butylaminoethylamine, butylaminopropylamine, butylaminobutylamine, pyridine, pyrrole,
Piperazine, pyrrolidine, piperidine, picoline, morpholine, methylmorpholine, diazabicyclooclan,
Examples thereof include diazabicyclononane, diazabicycloundecene, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide and the like. These alkali catalysts may be used either individually or in combination of two or more.

【0022】上記アルカリ触媒の使用量は、化合物
(1)〜(3)中のR1 O−基,R2 O−基,R4 O−
基およびR5 O−基で表される基の総量1モルに対し
て、通常、0.00001〜0.5モル、好ましくは
0.00005〜0.5モルである。アルカリ触媒の使
用量が上記範囲内であれば、反応中のポリマーの析出や
ゲル化の恐れが少ない。
The amount of the alkali catalyst used is such that R 1 O-group, R 2 O-group and R 4 O-in the compounds (1) to (3).
It is usually 0.00001 to 0.5 mol, preferably 0.00005 to 0.5 mol, based on 1 mol of the total amount of the group and the group represented by the R 5 O-group. When the amount of the alkali catalyst used is within the above range, there is little risk of polymer precipitation or gelation during the reaction.

【0023】このようにして得られる(A)加水分解縮
合物の分子量は、GPC(屈折率,粘度,光散乱測定)
法による重量平均分子量で、好ましくは5万〜1,00
0万、さらに好ましくは10万〜900万、特に好まし
くは20万〜800万である。5万未満では、十分な比
誘電率と弾性率が得られない場合があり、一方、1,0
00万より大きい場合は、塗膜の均一性が低下する場合
がある。また、このようにして得られる(A)加水分解
縮合物は、粒子状の形態をとっていないことにより、基
板状への塗布性が優れるという特徴を有している。粒子
状の形態をとっていないことは、例えば透過型電子顕微
鏡観察(TEM)により確認される。
The molecular weight of the (A) hydrolyzed condensate thus obtained is GPC (refractive index, viscosity, light scattering measurement).
Weight average molecular weight according to the method, preferably 50,000 to 1,000
It is preferably 100,000, more preferably 100,000 to 9,000,000, and particularly preferably 200,000 to 8,000,000. If it is less than 50,000, sufficient relative dielectric constant and elastic modulus may not be obtained, while
If it is more than ,000,000, the uniformity of the coating film may be deteriorated. Further, the hydrolysis-condensation product (A) thus obtained is characterized in that it is not in the form of particles and therefore has excellent coatability on a substrate. The fact that it does not have a particulate form is confirmed by, for example, transmission electron microscope observation (TEM).

【0024】なお、(A)成分中、各成分を完全加水分
解縮合物に換算したときに、化合物(2)は、化合物
(1)〜(3)の総量中、5〜75重量%、好ましくは
10〜70重量%、さらに好ましくは15〜70重量%
である。また、化合物(1)および/または(3)は、
化合物(1)〜(3)の総量中、95〜25重量%、好
ましくは90〜30重量%、さらに好ましくは85〜3
0重量%である。化合物(2)が、化合物(1)〜
(3)の総量中、5〜75重量%であることが、得られ
る塗膜の弾性率が高く、かつ低誘電性に特に優れる。こ
こで、本発明において、完全加水分解縮合物とは、化合
物(1)〜(3)中のR1 O−基,R2 O−基,R4
−基およびR5 O−基が100%加水分解してSiOH
基となり、さらに完全に縮合してシロキサン構造となっ
たものをいう。また、(A)成分としては、得られる組
成物の貯蔵安定性がより優れるので、化合物(1)およ
び化合物(2)の加水分解縮合物であることが好まし
い。
In the component (A), when each component is converted into a complete hydrolysis-condensation product, the compound (2) is 5 to 75% by weight, preferably 5 to 75% by weight in the total amount of the compounds (1) to (3). Is 10 to 70% by weight, more preferably 15 to 70% by weight
Is. Further, the compound (1) and/or (3) is
In the total amount of the compounds (1) to (3), 95 to 25% by weight, preferably 90 to 30% by weight, more preferably 85 to 3% by weight.
It is 0% by weight. Compound (2) is compound (1)-
When it is 5 to 75% by weight in the total amount of (3), the elastic modulus of the obtained coating film is high and the low dielectric property is particularly excellent. Here, in the present invention, the complete hydrolysis-condensation product means the R 1 O-group, R 2 O-group and R 4 O in the compounds (1) to (3).
- group and R 5 O-group 100% hydrolyzed to the SiOH
It is a base and is further condensed completely to form a siloxane structure. Further, the component (A) is preferably a hydrolysis-condensation product of the compound (1) and the compound (2), because the storage stability of the obtained composition is more excellent.

【0025】さらに、(A)加水分解縮合物では、化合
物(1)〜(3)の群から選ばれた少なくとも1種のシ
ラン化合物を、アルカリ触媒の存在下に加水分解・縮合
して、加水分解縮合物とし、好ましくはその重量平均分
子量を5万〜1,000万となすが、その後、組成物の
pHを7以下に調整することが好ましい。pHを調整す
る方法としては、(1)pH調整剤を添加する方法、
(2)常圧または減圧下で、組成物中よりアルカリ触媒
を留去する方法、(3)窒素、アルゴンなどのガスをバ
ブリングすることにより、組成物中からアルカリ触媒を
除去する方法、(4)イオン交換樹脂により、組成物中
からアルカリ触媒を除く方法、などが挙げられる。これ
らの方法は、それぞれ、組み合わせて用いてもよい。
Further, in the hydrolysis-condensation product (A), at least one silane compound selected from the group consisting of compounds (1) to (3) is hydrolyzed and condensed in the presence of an alkali catalyst to give a hydrolysis product. The decomposition-condensation product is used, and the weight average molecular weight thereof is preferably 50,000 to 10,000,000. After that, it is preferable to adjust the pH of the composition to 7 or less. As a method of adjusting pH, (1) a method of adding a pH adjusting agent,
(2) A method of distilling the alkali catalyst from the composition under normal pressure or a reduced pressure, (3) A method of removing the alkali catalyst from the composition by bubbling a gas such as nitrogen or argon, (4) ) A method of removing the alkali catalyst from the composition with an ion exchange resin, and the like. Each of these methods may be used in combination.

【0026】ここで、上記pH調整剤としては、無機酸
や有機酸が挙げられる。無機酸としては、例えば、塩
酸、硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸、ホウ酸、シュウ酸な
どを挙げることができる。また、有機酸としては、例え
ば、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキ
サン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン
酸、シュウ酸、マレイン酸、メチルマロン酸、アジピン
酸、セバシン酸、没食子酸、酪酸、メリット酸、アラキ
ドン酸、シキミ酸、2−エチルヘキサン酸、オレイン
酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチ
ル酸、安息香酸、p−アミノ安息香酸、p−トルエンス
ルホン酸、ベンゼンスルホン酸、モノクロロ酢酸、ジク
ロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、
マロン酸、スルホン酸、フタル酸、フマル酸、クエン
酸、酒石酸、コハク酸などを挙げることができる。な
お、上記の酸を触媒として合成された後述する(B)加
水分解縮合物をブレンドすることもできる。
Here, examples of the pH adjusting agent include inorganic acids and organic acids. Examples of the inorganic acid include hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid, phosphoric acid, boric acid, oxalic acid and the like. Examples of the organic acid include acetic acid, propionic acid, butanoic acid, pentanoic acid, hexanoic acid, heptanoic acid, octanoic acid, nonanoic acid, decanoic acid, oxalic acid, maleic acid, methylmalonic acid, adipic acid, sebacic acid. , Gallic acid, butyric acid, mellitic acid, arachidonic acid, shikimic acid, 2-ethylhexanoic acid, oleic acid, stearic acid, linoleic acid, linoleic acid, salicylic acid, benzoic acid, p-aminobenzoic acid, p-toluenesulfonic acid, Benzenesulfonic acid, monochloroacetic acid, dichloroacetic acid, trichloroacetic acid, trifluoroacetic acid, formic acid,
Examples thereof include malonic acid, sulfonic acid, phthalic acid, fumaric acid, citric acid, tartaric acid and succinic acid. It is also possible to blend (B) a hydrolyzed condensate, which will be described later, synthesized using the above acid as a catalyst.

【0027】上記pH調整剤による組成物のpHは、7
以下、好ましくは1〜6に調整される。このように、加
水分解縮合物の重量平均分子量を5万〜1,000万と
なしたのち、上記pH調整剤により上記範囲内にpHを
調整することにより、得られる組成物の貯蔵安定性が向
上するという効果が得られる。pH調整剤の使用量は、
組成物のpHが上記範囲内となる量であり、その使用量
は、適宜選択される。
The pH of the composition prepared by the above pH adjusting agent is 7
Hereinafter, it is preferably adjusted to 1 to 6. Thus, after the hydrolysis-condensation product has a weight average molecular weight of 50,000 to 10,000,000 and the pH is adjusted within the above range by the pH adjusting agent, the storage stability of the obtained composition is improved. The effect of improvement is obtained. The amount of pH adjuster used is
The pH of the composition is within the above range, and the amount used is appropriately selected.

【0028】(B)加水分解縮合物 (B)加水分解縮合物は、上記化合物(1)〜(3)の
群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を酸触媒
の存在下に、加水分解・縮合して得られる。ここで、化
合物(1)〜(3)の種類や加水分解・縮合に用いられ
る水の量は、(A)加水分解縮合物に用いられるシラン
化合物や水の量と同様であるので、省略する。なお、上
記(B)成分を構成する化合物(1)〜(3)の群から
選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を加水分解、縮
合させる際に、R1 O−基,R2 O−基,R4 O−基お
よびR5 O−基の総量1モルあたり、0.25〜5モル
の水を用いることが好ましく、0.3〜3モルの水を加
えることが特に好ましい。添加する水の量が0.25〜
5モルの範囲内であれば、塗膜の均一性が低下する恐れ
がなく、また、加水分解および縮合反応中のポリマーの
析出やゲル化の恐れも少ないためである。
(B) Hydrolytic Condensate The (B) hydrolytic condensate is obtained by hydrolyzing at least one silane compound selected from the group consisting of the compounds (1) to (3) in the presence of an acid catalyst. -It is obtained by condensation. Here, the types of the compounds (1) to (3) and the amount of water used for hydrolysis/condensation are the same as the amounts of the silane compound and water used for the (A) hydrolysis-condensation product, and therefore omitted. .. In addition, at the time of hydrolyzing and condensing at least one silane compound selected from the group consisting of the compounds (1) to (3) constituting the component (B), an R 1 O— group and an R 2 O— group are used. , R 4 O- group and R 5 O- group are preferably used in an amount of 0.25 to 5 mol, and particularly preferably 0.3 to 3 mol of water per mol. The amount of water added is 0.25
This is because if it is within the range of 5 mol, the uniformity of the coating film is not likely to be deteriorated, and the precipitation or gelation of the polymer during the hydrolysis and condensation reaction is less likely to occur.

【0029】酸触媒;本発明の(B)加水分解縮合物を
製造するには、上記化合物(1)〜(3)の群から選ば
れた少なくとも1種のシラン化合物を加水分解、縮合さ
せる際に、酸触媒を用いる。ここで、酸触媒の種類とし
ては、上記(A)加水分解縮合物の調製の際に用いられ
ることのあるpH調整剤である無機酸や有機酸と同様で
あるので、その説明は省略する。なお、酸触媒として
は、有機酸が好ましい。
Acid catalyst: To produce the (B) hydrolysis-condensation product of the present invention, at the time of hydrolyzing and condensing at least one silane compound selected from the group of the above-mentioned compounds (1) to (3). An acid catalyst is used. Here, since the type of the acid catalyst is the same as the inorganic acid or the organic acid which is the pH adjuster which may be used in the preparation of the (A) hydrolysis-condensation product, the description thereof will be omitted. The acid catalyst is preferably an organic acid.

【0030】上記酸触媒の使用量も、化合物(1)〜
(3)中のR1 O−基,R2 O−基,R4 O−基および
5 O−基で表される基の総量1モルに対して、通常、
0.00001〜0.5モル、好ましくは0.0000
5〜0.1モルである。酸触媒の使用量が上記範囲内で
あれば、反応中のポリマーの析出やゲル化の恐れが少な
い。
The amount of the above-mentioned acid catalyst to be used is also compound (1) to
Usually, based on 1 mol of the total amount of the groups represented by R 1 O-group, R 2 O-group, R 4 O-group and R 5 O-group in (3),
0.00001 to 0.5 mol, preferably 0.0000
It is 5 to 0.1 mol. When the amount of the acid catalyst used is within the above range, there is little risk of polymer precipitation or gelation during the reaction.

【0031】このようにして得られる(B)加水分解縮
合物の分子量は、GPC(屈折率,粘度,光散乱測定)
法による重量平均分子量で、好ましくは500〜30
万、さらに好ましくは700〜20万、特に好ましくは
1,000〜10万である。500未満では、塗膜の均
一性が低下する場合があり、一方、30万より大きい場
合は、貯蔵安定性が得られない場合がある。また、この
ようにして得られる(B)加水分解縮合物も、粒子状の
形態をとっていないことにより、基板状への塗布性が優
れるという特徴を有している。粒子状の形態をとってい
ないことは、例えば透過型電子顕微鏡観察(TEM)に
より確認される。
The molecular weight of the (B) hydrolyzed condensate thus obtained is GPC (refractive index, viscosity, light scattering measurement).
Weight average molecular weight by the method, preferably 500 to 30
10,000, more preferably 700 to 200,000, and particularly preferably 1,000 to 100,000. If it is less than 500, the uniformity of the coating film may deteriorate, while if it is more than 300,000, storage stability may not be obtained. Further, the hydrolyzed condensate (B) thus obtained is characterized in that it is not in the form of particles and thus has excellent coatability on a substrate. The fact that it does not have a particulate form is confirmed by, for example, transmission electron microscope observation (TEM).

【0032】(A)成分と(B)成分の割合 本発明の膜形成用組成物は、上記(A)〜(B)成分を
含有するが、両者の割合は、(A)成分(完全加水分解
縮合物換算)100重量部に対し、(B)(完全加水分
解縮合物換算)が好ましくは1〜900重量部、さらに
好ましくは3〜800重量部、特に好ましくは5〜80
0重量部である。(B)成分が1重量部未満では、得ら
れる塗膜の機械的強度が充分でない場合があり、一方、
900重量部を超えると、充分な低比誘電率が得られな
い場合がある。
Ratio of Component (A) and Component (B) The film-forming composition of the present invention contains the above-mentioned components (A) to (B). (B) (completely hydrolyzed condensate) based on 100 parts by weight (decomposed condensate), preferably 1 to 900 parts by weight, more preferably 3 to 800 parts by weight, and particularly preferably 5 to 80 parts by weight.
0 parts by weight. If the amount of component (B) is less than 1 part by weight, the resulting coating film may not have sufficient mechanical strength.
If it exceeds 900 parts by weight, a sufficient low relative dielectric constant may not be obtained.

【0033】(C)溶媒 本発明の膜形成用組成物は、(A)加水分解縮合物と
(B)加水分解縮合物とを、(C)溶媒に溶解または分
散してなる。この(C)溶媒としては、アルコール系溶
媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒およびエステル系溶媒
の群から選ばれた少なくとも1種が挙げられる。
(C) Solvent The film-forming composition of the present invention comprises (A) a hydrolytic condensate and (B) a hydrolytic condensate dissolved or dispersed in a (C) solvent. Examples of the solvent (C) include at least one selected from the group consisting of alcohol solvents, ketone solvents, amide solvents and ester solvents.

【0034】ここで、アルコール系溶媒としては、メタ
ノール、エタノール、n−プロパノール、i−プロパノ
ール、n−ブタノール、i−ブタノール、sec−ブタ
ノール、t−ブタノール、n−ペンタノール、i−ペン
タノール、2−メチルブタノール、sec−ペンタノー
ル、t−ペンタノール、3−メトキシブタノール、n−
ヘキサノール、2−メチルペンタノール、sec−ヘキ
サノール、2−エチルブタノール、sec−ヘプタノー
ル、ヘプタノール−3、n−オクタノール、2−エチル
ヘキサノール、sec−オクタノール、n−ノニルアル
コール、2,6−ジメチルヘプタノール−4、n−デカ
ノール、sec−ウンデシルアルコール、トリメチルノ
ニルアルコール、sec−テトラデシルアルコール、s
ec−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘ
キサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5−
トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、
ジアセトンアルコールなどのモノアルコール系溶媒;
Here, as the alcohol solvent, methanol, ethanol, n-propanol, i-propanol, n-butanol, i-butanol, sec-butanol, t-butanol, n-pentanol, i-pentanol, 2-methylbutanol, sec-pentanol, t-pentanol, 3-methoxybutanol, n-
Hexanol, 2-methylpentanol, sec-hexanol, 2-ethylbutanol, sec-heptanol, heptanol-3, n-octanol, 2-ethylhexanol, sec-octanol, n-nonyl alcohol, 2,6-dimethylheptanol -4, n-decanol, sec-undecyl alcohol, trimethylnonyl alcohol, sec-tetradecyl alcohol, s
ec-heptadecyl alcohol, phenol, cyclohexanol, methylcyclohexanol, 3,3,5-
Trimethylcyclohexanol, benzyl alcohol,
Monoalcohol solvents such as diacetone alcohol;

【0035】エチレングリコール、1,2−プロピレン
グリコール、1,3−ブチレングリコール、ペンタンジ
オール−2,4、2−メチルペンタンジオール−2,
4、ヘキサンジオール−2,5、ヘプタンジオール−
2,4、2−エチルヘキサンジオール−1,3、ジエチ
レングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレ
ングリコール、トリプロピレングリコールなどの多価ア
ルコール系溶媒;エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレン
グリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコール
モノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシル
エーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、
エチレングリコールモノ−2−エチルブチルエーテル、
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール
モノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテ
ル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノ
ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、
ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルなどの多
価アルコール部分エーテル系溶媒;などを挙げることが
できる。これらのアルコール系溶媒は、1種あるいは2
種以上を同時に使用してもよい。
Ethylene glycol, 1,2-propylene glycol, 1,3-butylene glycol, pentanediol-2,4,2-methylpentanediol-2,
4, hexanediol-2,5, heptanediol-
Polyhydric alcohol solvents such as 2,4,2-ethylhexanediol-1,3, diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol and tripropylene glycol; ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl Ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monohexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether,
Ethylene glycol mono-2-ethylbutyl ether,
Diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether , Dipropylene glycol monoethyl ether,
Examples thereof include polyhydric alcohol partial ether solvents such as dipropylene glycol monopropyl ether. These alcohol solvents are used alone or in combination.
More than one species may be used simultaneously.

【0036】これらアルコールのうち、n−プロパノー
ル、i−プロパノール、n−ブタノール、i−ブタノー
ル、sec−ブタノール、t−ブタノール、n−ペンタ
ノール、i−ペンタノール、2−メチルブタノール、s
ec−ペンタノール、t−ペンタノール、3−メトキシ
ブタノール、n−ヘキサノール、2−メチルペンタノー
ル、sec−ヘキサノール、2−エチルブタノール、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレング
リコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモ
ノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチル
エーテルなどが好ましい。
Of these alcohols, n-propanol, i-propanol, n-butanol, i-butanol, sec-butanol, t-butanol, n-pentanol, i-pentanol, 2-methylbutanol, s.
ec-pentanol, t-pentanol, 3-methoxybutanol, n-hexanol, 2-methylpentanol, sec-hexanol, 2-ethylbutanol, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether. , Propylene glycol monobutyl ether and the like are preferable.

【0037】ケトン系溶媒としては、アセトン、メチル
エチルケトン、メチル−n−プロピルケトン、メチル−
n−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−i−ブチ
ルケトン、メチル−n−ペンチルケトン、エチル−n−
ブチルケトン、メチル−n−ヘキシルケトン、ジ−i−
ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノ
ン、2−ヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、2,4
−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノ
ン、フェンチョンなどのほか、アセチルアセトン、2,
4−ヘキサンジオン、2,4−ヘプタンジオン、3,5
−ヘプタンジオン、2,4−オクタンジオン、3,5−
オクタンジオン、2,4−ノナンジオン、3,5−ノナ
ンジオン、5−メチル−2,4−ヘキサンジオン、2,
2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオン、
1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4−ヘ
プタンジオンなどのβ−ジケトン類などが挙げられる。
これらのケトン系溶媒は、1種あるいは2種以上を同時
に使用してもよい。
As the ketone solvent, acetone, methyl ethyl ketone, methyl-n-propyl ketone, methyl-
n-butyl ketone, diethyl ketone, methyl-i-butyl ketone, methyl-n-pentyl ketone, ethyl-n-
Butyl ketone, methyl-n-hexyl ketone, di-i-
Butyl ketone, trimethylnonanone, cyclohexanone, 2-hexanone, methylcyclohexanone, 2,4
-Pentanedione, acetonylacetone, acetophenone, fenchon, etc., as well as acetylacetone, 2,
4-hexanedione, 2,4-heptanedione, 3,5
-Heptanedione, 2,4-octanedione, 3,5-
Octanedione, 2,4-nonanedione, 3,5-nonanedione, 5-methyl-2,4-hexanedione, 2,
2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedione,
Examples include β-diketones such as 1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-heptanedione.
These ketone solvents may be used either individually or in combination of two or more.

【0038】アミド系溶媒としては、ホルムアミド、N
−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N−エチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルム
アミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,
N−ジメチルアセトアミド、N−エチルアセトアミド、
N,N−ジエチルアセトアミド、N−メチルプロピオン
アミド、N−メチルピロリドン、N−ホルミルモルホリ
ン、N−ホルミルピペリジン、N−ホルミルピロリジ
ン、N−アセチルモルホリン、N−アセチルピペリジ
ン、N−アセチルピロリジンなどが挙げられる。これら
アミド系溶媒は、1種あるいは2種以上を同時に使用し
てもよい。
As the amide solvent, formamide, N
-Methylformamide, N,N-dimethylformamide, N-ethylformamide, N,N-diethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N,
N-dimethylacetamide, N-ethylacetamide,
Examples include N,N-diethylacetamide, N-methylpropionamide, N-methylpyrrolidone, N-formylmorpholine, N-formylpiperidine, N-formylpyrrolidine, N-acetylmorpholine, N-acetylpiperidine, N-acetylpyrrolidine and the like. Be done. These amide solvents may be used either individually or in combination of two or more.

【0039】エステル系溶媒としては、ジエチルカーボ
ネート、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、炭酸ジエチ
ル、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、γ
−バレロラクトン、酢酸n−プロピル、酢酸i−プロピ
ル、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、酢酸sec−ブ
チル、酢酸n−ペンチル、酢酸sec−ペンチル、酢酸
3−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2−エ
チルブチル、酢酸2−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、
酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸
n−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢
酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリ
コールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコール
モノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−
n−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメ
チルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテ
ル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢
酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジ
プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリ
コール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エ
チル、プロピオン酸n−ブチル、プロピオン酸i−アミ
ル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−n−ブチル、乳酸
メチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル、乳酸n−アミ
ル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジ
エチルなどが挙げられる。これらエステル系溶媒は、1
種あるいは2種以上を同時に使用してもよい。以上の
(C)溶媒は、1種あるいは2種以上を混合して使用す
ることができる。
Ester solvents include diethyl carbonate, ethylene carbonate, propylene carbonate, diethyl carbonate, methyl acetate, ethyl acetate, γ-butyrolactone, γ.
-Valerolactone, n-propyl acetate, i-propyl acetate, n-butyl acetate, i-butyl acetate, sec-butyl acetate, n-pentyl acetate, sec-pentyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, methylpentyl acetate, acetic acid 2-ethylbutyl, 2-ethylhexyl acetate, benzyl acetate,
Cyclohexyl acetate, methyl cyclohexyl acetate, n-nonyl acetate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monoacetate
n-butyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether acetate, glycol diacetate, acetic acid Methoxytriglycol, ethyl propionate, n-butyl propionate, i-amyl propionate, diethyl oxalate, di-n-butyl oxalate, methyl lactate, ethyl lactate, n-butyl lactate, n-amyl lactate, malonic acid Examples thereof include diethyl, dimethyl phthalate, and diethyl phthalate. These ester solvents are 1
One kind or two or more kinds may be used at the same time. The above (C) solvent may be used alone or in combination of two or more.

【0040】本発明の膜形成用組成物は、上記の(C)
溶媒を含有するが、(A)〜(B)成分を構成する化合
物(1)〜(3)を加水分解および/または縮合する際
に、同様の溶媒を使用することができる。
The film-forming composition of the present invention has the above-mentioned (C).
Although containing a solvent, the same solvent can be used when the compounds (1) to (3) constituting the components (A) to (B) are hydrolyzed and/or condensed.

【0041】具体的には、水およびアルカリ触媒(ある
いは酸触媒)を添加した上記(C)溶媒中に、化合物
(1)〜(3)の少なくとも1種を一括または断続的あ
るいは連続的に添加したのち、さらに加水分解および縮
合反応を行う。この際の反応温度としては、通常、0〜
100℃、好ましくは15〜90℃である。
Specifically, at least one of the compounds (1) to (3) is added all at once, intermittently or continuously to the solvent (C) to which water and an alkali catalyst (or acid catalyst) are added. After that, hydrolysis and condensation reactions are further performed. The reaction temperature at this time is usually 0 to
The temperature is 100°C, preferably 15 to 90°C.

【0042】その他の添加剤 本発明で得られる膜形成用組成物には、さらに界面活性
剤などの成分を添加してもよい。界面活性剤としては、
例えば、ノニオン系界面活性剤、アニオン系界面活性
剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤などが挙げ
られ、さらには、シリコーン系界面活性剤、ポリアルキ
レンオキシド系界面活性剤、含フッ素界面活性剤などを
挙げることができる。なお、本発明の組成物中には、塗
膜を均一にするために、シリカ粒子が含まれていないこ
とが望ましい。
Other Additives The film-forming composition obtained in the present invention may further contain components such as a surfactant. As a surfactant,
Examples thereof include nonionic surfactants, anionic surfactants, cationic surfactants, amphoteric surfactants, and the like. Furthermore, silicone surfactants, polyalkylene oxide surfactants, fluorine-containing surfactants, etc. An agent etc. can be mentioned. The composition of the present invention preferably contains no silica particles in order to make the coating film uniform.

【0043】組成物の調製方法 本発明の組成物を調製するに際しては、例えば、水とア
ルカリ触媒(または酸触媒)を添加した(C)溶媒中
に、化合物(1)〜(3)の少なくとも1種(以下「シ
ラン化合物」ともいう)を一括または断続的もしくは連
続的に添加して、通常、0〜100℃、好ましくは15
〜90℃で1〜12時間撹拌し、加水分解および縮合反
応を行う。調製の各段階において、濃縮または(C)溶
媒添加による希釈を行うことで任意の濃度に調整でき
る。
Method for Preparing Composition When preparing the composition of the present invention, for example, at least compounds (1) to (3) are added to a solvent (C) containing water and an alkali catalyst (or an acid catalyst). One kind (hereinafter, also referred to as “silane compound”) is added all at once or intermittently or continuously, and usually 0 to 100° C., preferably 15
Stir at ~90°C for 1-12 hours to carry out hydrolysis and condensation reactions. At each stage of preparation, the concentration can be adjusted to any concentration by concentrating or diluting by adding a solvent (C).

【0044】本発明の組成物の調製方法の具体例として
は、下記(1)〜(12)の方法などにより、(A)成
分あるいは(B)成分を調製し、次いで、得られた
(A)〜(B)成分をブレンドすればよい。 (1)水、アルカリ触媒(または酸触媒)および(C)
溶媒からなる混合物に、所定量のシラン化合物を加え
て、加水分解・縮合反応を行ない、(A)加水分解縮合
物〔または(B)加水分解縮合物〕を得る。 (2)水、アルカリ触媒(または酸触媒)および(C)
溶媒からなる混合物に、所定量のシラン化合物を連続的
あるいは断続的に添加して、加水分解、縮合反応を行な
い、(A)加水分解縮合物〔または(B)加水分解縮合
物〕を得る。 (3)所定のシラン化合物および(C)溶媒からなる混
合物に、水、アルカリ触媒(または酸触媒)および必要
に応じて(C)溶媒からなる混合物を加えて、加水分解
・縮合反応を行ない、(A)加水分解縮合物〔または
(B)加水分解縮合物〕を得る。 (4)所定のシラン化合物および(C)溶媒からなる混
合物に、水、アルカリ触媒(または酸触媒)および必要
に応じて(C)溶媒からなる混合物を連続的あるいは断
続的に添加して、加水分解・縮合反応を行ない、(A)
加水分解縮合物〔または(B)加水分解縮合物〕を得
る。
As a specific example of the method for preparing the composition of the present invention, the component (A) or the component (B) is prepared by the following methods (1) to (12), and then obtained (A). )-(B) components may be blended. (1) Water, alkali catalyst (or acid catalyst) and (C)
A predetermined amount of a silane compound is added to a mixture of solvents to carry out a hydrolysis/condensation reaction to obtain (A) hydrolysis-condensation product [or (B) hydrolysis-condensation product]. (2) Water, alkali catalyst (or acid catalyst) and (C)
A predetermined amount of a silane compound is continuously or intermittently added to a mixture of solvents to carry out hydrolysis and condensation reaction to obtain (A) hydrolysis-condensation product [or (B) hydrolysis-condensation product]. (3) A mixture of water, an alkali catalyst (or an acid catalyst) and, if necessary, a solvent of (C) is added to a mixture of a predetermined silane compound and a solvent of (C) to carry out a hydrolysis/condensation reaction, (A) Hydrolytic condensate [or (B) Hydrolytic condensate] is obtained. (4) To a mixture of a predetermined silane compound and (C) solvent, water, an alkali catalyst (or an acid catalyst) and, if necessary, a mixture of (C) solvent are added continuously or intermittently to obtain water. Carry out decomposition and condensation reaction (A)
A hydrolysis-condensation product [or (B) hydrolysis-condensation product] is obtained.

【0045】(5)所定のシラン化合物、アルカリ触媒
(または酸触媒)および(C)溶媒からなる混合物に、
水および必要に応じて(C)溶媒からなる混合物を加え
て、加水分解・縮合反応を行ない、(A)加水分解縮合
物〔または(B)加水分解縮合物〕を得る。 (6)所定のシラン化合物、アルカリ触媒(または酸触
媒)および(C)溶媒からなる混合物に、水および必要
に応じて(C)溶媒からなる混合物を連続的あるいは断
続的に添加して、加水分解・縮合反応を行ない、(A)
加水分解縮合物〔または(B)加水分解縮合物〕を得
る。 (7)所定量の水および必要に応じて(C)溶媒からな
る混合物に、所定量のシラン化合物、アルカリ触媒(ま
たは酸触媒)および必要に応じて(C)溶媒からなる混
合物を加えて、加水分解・縮合反応を行ない、(A)加
水分解縮合物〔または(B)加水分解縮合物〕を得る。 (8)所定量の水および必要に応じて(C)溶媒からな
る混合物に、所定量のシラン化合物、アルカリ触媒(ま
たは酸触媒)および必要に応じて(C)溶媒からなる混
合物を、連続的あるいは断続的に添加して、加水分解・
縮合反応を行ない、(A)加水分解縮合物〔または
(B)加水分解縮合物〕を得る。
(5) A mixture of a predetermined silane compound, an alkali catalyst (or acid catalyst) and (C) solvent,
A mixture of water and, if necessary, a solvent (C) is added to carry out a hydrolysis/condensation reaction to obtain a hydrolysis-condensation product (A) (or a hydrolysis-condensation product (B)). (6) Water and, if necessary, a mixture composed of the solvent (C) are continuously or intermittently added to a mixture composed of a predetermined silane compound, an alkali catalyst (or an acid catalyst) and a solvent (C) to add water. Decomposition/condensation reaction (A)
A hydrolysis-condensation product [or (B) hydrolysis-condensation product] is obtained. (7) To a mixture of a predetermined amount of water and, if necessary, a solvent (C), a mixture of a predetermined amount of a silane compound, an alkali catalyst (or an acid catalyst) and, if necessary, a solvent (C) is added, A hydrolysis/condensation reaction is performed to obtain (A) hydrolysis-condensation product [or (B) hydrolysis-condensation product]. (8) A mixture of a predetermined amount of water and, if necessary, a solvent (C) is continuously added with a mixture of a predetermined amount of a silane compound, an alkali catalyst (or an acid catalyst) and, if necessary, a solvent (C). Or add it intermittently to
A condensation reaction is carried out to obtain (A) hydrolysis-condensation product [or (B) hydrolysis-condensation product].

【0046】(9)所定量の水、シラン化合物および必
要に応じて(C)溶媒からなる混合物に、所定量のアル
カリ触媒(または酸触媒)および必要に応じて(C)溶
媒からなる混合物を加えて、加水分解・縮合反応を行な
い、(A)加水分解縮合物〔または(B)加水分解縮合
物〕を得る。 (10)所定量の水、シラン化合物および必要に応じて
(C)溶媒からなる混合物に、所定量のアルカリ触媒
(または酸触媒)および必要に応じて(C)溶媒からな
る混合物を、連続的あるいは断続的に添加して、加水分
解・縮合反応を行ない、(A)加水分解縮合物〔または
(B)加水分解縮合物〕を得る。 (11)所定量のアルカリ触媒(または酸触媒)および
必要に応じて(C)溶媒からなる混合物に、所定量の
水、シラン化合物および必要に応じて(C)溶媒からな
る混合物を加えて、加水分解・縮合反応を行ない、
(A)加水分解縮合物〔または(B)加水分解縮合物〕
を得る。 (12)所定量のアルカリ触媒(または酸触媒)および
必要に応じて(C)溶媒からなる混合物に、所定量の
水、シラン化合物および必要に応じて(C)溶媒からな
る混合物を、連続的あるいは断続的に添加して、加水分
解・縮合反応を行ない、(A)加水分解縮合物〔または
(B)加水分解縮合物〕を得る。なお、本発明におい
て、シラン化合物を加水分解・縮合する際の反応液の固
形分濃度は、通常、0.1〜50重量%である。
(9) To a mixture of a predetermined amount of water, a silane compound and, if necessary, a solvent (C), a mixture of a predetermined amount of an alkali catalyst (or acid catalyst) and, if necessary, a solvent (C). In addition, hydrolysis/condensation reaction is performed to obtain (A) hydrolysis-condensation product [or (B) hydrolysis-condensation product]. (10) A mixture of a predetermined amount of water, a silane compound and, if necessary, a solvent (C) is continuously added with a mixture of a predetermined amount of an alkali catalyst (or an acid catalyst) and, if necessary, a solvent (C). Alternatively, it is added intermittently to carry out hydrolysis/condensation reaction to obtain (A) hydrolysis-condensation product [or (B) hydrolysis-condensation product]. (11) A mixture of a predetermined amount of an alkali catalyst (or an acid catalyst) and, if necessary, a solvent (C) is added with a mixture of a predetermined amount of water, a silane compound, and optionally a solvent (C), Conducts hydrolysis and condensation reactions,
(A) Hydrolytic condensate [or (B) Hydrolytic condensate]
To get (12) A mixture of a predetermined amount of an alkali catalyst (or an acid catalyst) and, if necessary, a solvent (C) is continuously added with a mixture of a predetermined amount of water, a silane compound and, if necessary, a solvent (C). Alternatively, it is added intermittently to carry out hydrolysis/condensation reaction to obtain (A) hydrolysis-condensation product [or (B) hydrolysis-condensation product]. In the present invention, the solid content concentration of the reaction liquid when the silane compound is hydrolyzed/condensed is usually 0.1 to 50% by weight.

【0047】このようにして得られる本発明の組成物の
全固形分濃度は、好ましくは、2〜50重量%、好まし
くは2〜30重量%であり、使用目的に応じて適宜調整
される。組成物の全固形分濃度が2〜50重量%である
と、塗膜の膜厚が適当な範囲となり、保存安定性もより
優れるものである。なお、この全固形分濃度の調整は、
必要であれば、濃縮および上記(C)溶媒による希釈に
よって行われる。
The total solid content concentration of the composition of the present invention thus obtained is preferably 2 to 50% by weight, preferably 2 to 30% by weight, and is appropriately adjusted according to the purpose of use. When the total solid content concentration of the composition is 2 to 50% by weight, the film thickness of the coating film is in an appropriate range and the storage stability is further excellent. In addition, adjustment of this total solid content concentration,
If necessary, it is carried out by concentration and dilution with the solvent (C).

【0048】このようにして得られる本発明の組成物
は、必要に応じて、フィルターでろ過したのち、使用す
ることができる。フィルターは、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、セルロース、セルロースアセテート、ポリ
プロピレン、ポリエーテルサルホン、四フッ化エチレン
(PTFE)、ポリアミドなどの材質のものを使用する
ことができる。好ましくは、孔径0.2μm以下のPT
FE製フィルター、特に好ましくは、孔径0.05μm
以下のPTFE製フィルターを用いることが、組成物中
の異物を除去し、得られる塗膜の均一性が優れる点で好
ましい。上記のようなフィルターは、材質や孔径の異な
るものを組み合わせて使用することができ、また、同一
材質や孔径の異なるものを、複数個組み合わせて使用す
ることもできる。
The composition of the present invention thus obtained can be used after filtering with a filter, if necessary. The filter may be made of polyester, polycarbonate, cellulose, cellulose acetate, polypropylene, polyether sulfone, tetrafluoroethylene (PTFE), polyamide or the like. Preferably, a PT with a pore size of 0.2 μm or less
FE filter, particularly preferably pore size 0.05 μm
It is preferable to use the following PTFE filter because foreign matter in the composition is removed and the resulting coating film has excellent uniformity. The filters described above can be used in combination with different materials and different pore diameters, or a plurality of filters with the same material and different pore diameters can be used in combination.

【0049】本発明の組成物を用いて膜を形成するに
は、まず本発明の組成物を基板に塗布し、塗膜を形成す
る。ここで、本発明の組成物を塗布することができる基
板としては、半導体、ガラス、セラミックス、金属など
が挙げられる。また、塗布方法としては、スピンコー
ト、ディッピング、ローラーブレードなどが挙げられ
る。本発明の組成物は、特にシリコンウエハ、SiO2
ウエハ、SiNウエハなどの上に塗布され、絶縁膜とす
ることに適している。
To form a film using the composition of the present invention, first, the composition of the present invention is applied to a substrate to form a coating film. Here, examples of the substrate to which the composition of the present invention can be applied include semiconductors, glass, ceramics, metals and the like. The coating method may, for example, be spin coating, dipping or roller blade. The composition according to the invention is especially suitable for silicon wafers, SiO 2
It is suitable for forming an insulating film by coating on a wafer, SiN wafer, or the like.

【0050】この際の加熱方法としては、ホットプレー
ト、オーブン、ファーネスなどを使用することができ、
加熱雰囲気としては、大気下、窒素雰囲気、アルゴン雰
囲気、真空下、酸素濃度をコントロールした減圧下など
で行なうことができる。ここで、加熱処理条件は、窒素
雰囲気、アルゴン雰囲気、真空下もしくは酸素濃度10
0ppm以下にコントロールした減圧下で、450℃以
下の温度で処理することが好ましい。また、上記の
(A)成分の硬化速度を制御するため、必要に応じて、
段階的に加熱したり、窒素、空気、酸素、減圧などの雰
囲気を選択することができる。
As a heating method at this time, a hot plate, an oven, a furnace or the like can be used,
The heating atmosphere may be an atmosphere, a nitrogen atmosphere, an argon atmosphere, a vacuum, a reduced pressure in which the oxygen concentration is controlled, or the like. Here, the heat treatment conditions are a nitrogen atmosphere, an argon atmosphere, a vacuum, or an oxygen concentration of 10
It is preferable to perform the treatment at a temperature of 450° C. or lower under a reduced pressure controlled to 0 ppm or less. In addition, in order to control the curing speed of the component (A), if necessary,
Stepwise heating or an atmosphere such as nitrogen, air, oxygen or reduced pressure can be selected.

【0051】このようにして得られる本発明の膜の比誘
電率は、低比誘電率であり、通常、2.7〜1.5、好
ましくは2.6〜1.5、さらに好ましくは2.5〜
1.5である。
The relative permittivity of the film of the present invention thus obtained is a low relative permittivity, usually 2.7 to 1.5, preferably 2.6 to 1.5, and more preferably 2. .5-
It is 1.5.

【0052】また、本発明の膜は、高弾性率を有し、ヤ
ング率が、通常、3〜10GPa、好ましくは4〜10
GPaである。この弾性率は、本発明に記載の方法で調
製した(A)〜(B)成分の加水分解縮合物を本発明記
載の方法で焼成することにより得られる。
The film of the present invention has a high elastic modulus and a Young's modulus of usually 3 to 10 GPa, preferably 4 to 10 GPa.
GPa. This elastic modulus can be obtained by firing the hydrolysis-condensation product of the components (A) to (B) prepared by the method described in the present invention by the method described in the present invention.

【0053】さらに、本発明の膜は、膜密度が、通常、
0.5〜1.4g/cm3 、好ましくは0.5〜1.3
g/cm3 、さらに好ましくは0.5〜1.2g/cm
3 である。膜密度が0.5g/cm3 未満では、塗膜の
機械的強度が低下し、一方、1.4g/cm3 を超える
と、低比誘電率が得られない。
Further, the film of the present invention usually has a film density of
0.5-1.4 g/cm 3 , preferably 0.5-1.3
g/cm 3 , more preferably 0.5 to 1.2 g/cm
Is 3 . When the film density is less than 0.5 g/cm 3 , the mechanical strength of the coating film decreases, while when it exceeds 1.4 g/cm 3 , a low relative dielectric constant cannot be obtained.

【0054】さらに、本発明の膜は、吸水性が低い点に
特徴を有し、例えば、塗膜を127℃、2.5atm、
100%RHの環境に1時間放置した場合、放置後の塗
膜のIRスペクトル観察からは塗膜への水の吸着は認め
られない。この低吸水性は、例えば、本発明における膜
形成用組成物中の化合物(2)の含有量を本発明に記載
の範囲とすることにより得ることができる。
Further, the film of the present invention is characterized in that it has a low water absorption property. For example, a coating film at 127° C., 2.5 atm,
When left in an environment of 100% RH for 1 hour, adsorption of water to the coating film is not observed from the IR spectrum observation of the coating film after standing. This low water absorption can be obtained, for example, by setting the content of the compound (2) in the film forming composition of the present invention to the range described in the present invention.

【0055】本発明の膜は、絶縁性に優れ、高弾性率で
あり、さらに塗布膜の均一性、比誘電率特性、塗膜の耐
クラック性、塗膜の表面硬度に優れることから、LS
I、システムLSI、DRAM、SDRAM、RDRA
M、D−RDRAMなどの半導体素子用層間絶縁膜、半
導体素子の表面コート膜などの保護膜、多層配線基板の
層間絶縁膜、液晶表示素子用の保護膜や絶縁膜などの用
途に有用である。また、本発明の絶縁膜を有する半導体
装置は、金属配線間に本発明の膜を絶縁膜として有する
ものである。
The film of the present invention is excellent in insulating property, has a high elastic modulus, and is excellent in uniformity of the coating film, relative dielectric constant characteristics, crack resistance of the coating film, and surface hardness of the coating film.
I, system LSI, DRAM, SDRAM, RDRA
It is useful for applications such as an interlayer insulating film for semiconductor elements such as M and D-RDRAM, a protective film such as a surface coating film for semiconductor elements, an interlayer insulating film for a multilayer wiring board, a protective film or an insulating film for liquid crystal display elements. .. A semiconductor device having the insulating film of the present invention has the film of the present invention as an insulating film between metal wirings.

【0056】[0056]

【実施例】以下、本発明を実施例を挙げてさらに具体的
に説明する。ただし、以下の記載は、本発明の態様例を
概括的に示すものであり、特に理由なく、かかる記載に
より本発明は限定されるものではない。なお、実施例お
よび比較例中の部および%は、特記しない限り、それぞ
れ重量部および重量%であることを示している。また、
各種の評価は、次のようにして行なった。
EXAMPLES The present invention will be described more specifically below with reference to examples. However, the following description generally shows an example of the embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to the description by no particular reason. In the examples and comparative examples, parts and% are parts by weight and% by weight, respectively, unless otherwise specified. Also,
Various evaluations were performed as follows.

【0057】重量平均分子量 下記条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィ
ー(GPC)(屈折率,粘度,光散乱測定)法により測
定した。試料溶液:シラン化合物の加水分解縮合物を、
固形分濃度が0.25%となるように、10mMのLi
Brを含むメタノールで希釈し、GPC(屈折率,粘
度,光散乱測定)用試料溶液とした。 装置:東ソー(株)製、GPCシステム モデル GP
C−8020 東ソー(株)製、カラム Alpha5000/300
0 ビスコテック社製、粘度検出器および光散乱検出器 モデル T−60 デュアルメーター キャリア溶液:10mMのLiBrを含むメタノール キャリア送液速度:1ml/min カラム温度:40℃
Weight average molecular weight It was measured by gel permeation chromatography (GPC) (refractive index, viscosity, light scattering measurement) method under the following conditions. Sample solution: Hydrolyzed condensate of silane compound
10 mM Li so that the solid content concentration is 0.25%.
It was diluted with methanol containing Br to prepare a sample solution for GPC (refractive index, viscosity, light scattering measurement). Equipment: Tosoh Corp., GPC system model GP
C-8020 Tosoh Corp. column, Alpha 5000/300
0 Viscotec, viscosity detector and light scattering detector model T-60 dual meter Carrier solution: Methanol containing 10 mM LiBr Carrier transfer rate: 1 ml/min Column temperature: 40°C

【0058】貯蔵安定性 本発明の組成物80mlを容量100mlのガラス製ね
じ口瓶に入れて密閉し、40℃オートクレーブ中で1ヶ
月放置した。放置前後のサンプルを2,500rpm、
31秒のスピンコート条件で塗布し、実施例の方法で焼
成したときの膜厚を光学式膜厚計(Rudolph T
echnologies社製、Spectra Las
er200)にて測定し、その変化率{〔(放置後のサ
ンプルの膜厚−放置前のサンプルの膜厚)/放置前のサ
ンプルの膜厚〕×100}を算出し、下記基準にて評価
した。 ◎:膜厚変化率< 5% ○:膜厚変化率<10% ×:膜厚変化率≧10%
Storage stability 80 ml of the composition of the present invention was placed in a glass screw cap bottle having a volume of 100 ml, sealed, and left for 1 month in a 40° C. autoclave. Samples before and after standing at 2,500 rpm,
The film thickness when applied under a spin coating condition of 31 seconds and baked by the method of the example is an optical film thickness meter (Rudolph T
Spectra Las manufactured by technologies
er200), and the rate of change {[(thickness of sample after leaving-thickness of sample before leaving)/thickness of sample before leaving]×100} is calculated and evaluated according to the following criteria. did. ⊚: Thickness change rate <5% ◯: Thickness change rate <10% ×: Thickness change rate ≧10%

【0059】比誘電率 得られた膜に対して蒸着法によりアルミニウム電極パタ
ーンを形成させ比誘電率測定用サンプルを作成した。該
サンプルを周波数100kHzの周波数で、横河・ヒュ
ーレットパッカード(株)製、HP16451B電極お
よびHP4284AプレシジョンLCRメータを用いて
CV法により当該塗膜の比誘電率を測定した。膜密度 密度は、膜の膜厚と膜の面積から求めた体積と、膜の重
量から算出した。弾性率(ヤング率 ) 得られた膜を、ナノインデンターXP(MST社製)を
用いて、連続剛性測定法により測定した。
Relative permittivity An aluminum electrode pattern was formed on the obtained film by a vapor deposition method to prepare a sample for measuring a relative permittivity. The relative dielectric constant of the coating film was measured by the CV method using a HP16451B electrode and HP4284A precision LCR meter manufactured by Yokogawa-Hewlett-Packard Co., Ltd. at a frequency of 100 kHz. The film density was calculated from the volume obtained from the film thickness and film area, and the film weight. Elastic Modulus (Young's Modulus ) The obtained film was measured by a continuous stiffness measuring method using Nanoindenter XP (manufactured by MST).

【0060】吸水性 得られた塗膜を127℃、2.5atm、100%R
H、の環境に1時間放置し、放置後の塗膜のIRスペク
トルを観察した。放置前の塗膜のIRスペクトルと比較
して、3,500cm-1付近のH2 Oに起因する吸収の
有無を観察し、吸水性を下記基準に従い評価した。 ○:吸収無し ×:吸収有り
Water absorption The coating film obtained was applied at 127° C., 2.5 atm, 100% R
It was left in the environment of H for 1 hour, and the IR spectrum of the coating film after standing was observed. The presence or absence of absorption due to H 2 O around 3,500 cm −1 was observed by comparing with the IR spectrum of the coating film before standing, and water absorption was evaluated according to the following criteria. ○: Not absorbed ×: Absorbed

【0061】参考例1〔(A−1)成分の調製〕 25%アンモニア水溶液5g、超純水320gおよびエ
タノール600gの混合溶液中にメチルトリメトキシシ
ラン15g(完全加水分解縮合物換算7.4g)とテト
ラエトキシシラン20g(完全加水分解縮合物換算5.
8g)を加え60℃で3時間反応をさせたのち、プロピ
レングリコールモノプロピルエーテル200gを加え、
その後、減圧下で全溶液量200gとなるまで濃縮し、
固形分含有量6.6%の(A−1)成分組成物溶液を得
た。得られた(A−1)成分の重量平均分子量は、30
万であった。
Reference Example 1 [Preparation of component (A-1)] 15 g of methyltrimethoxysilane (7.4 g in terms of complete hydrolysis condensate) in a mixed solution of 5 g of 25% aqueous ammonia, 320 g of ultrapure water and 600 g of ethanol. And 20 g of tetraethoxysilane (5.
8 g) was added and reacted at 60° C. for 3 hours, then 200 g of propylene glycol monopropyl ether was added,
Then, concentrate under reduced pressure until the total solution amount becomes 200 g,
A (A-1) component composition solution having a solid content of 6.6% was obtained. The weight average molecular weight of the obtained component (A-1) was 30.
It was good.

【0062】参考例2〔(A−1)成分の調製〕 参考例1記載の(A−1)成分溶液200gをさらに全
容液量140gとなるまで濃縮し、その後、酢酸の10
%プロピレングリコールモノプロピルエーテル溶液10
gを添加し、固形分含有量8.8%の組成物溶液を得
た。得られた(A)成分の重量平均分子量は、30万で
あった。また、電導度滴定により求めた残留シラノール
のカウント数は、酢酸添加前後で変化が認められなかっ
た。
Reference Example 2 [Preparation of component (A-1)] 200 g of the component (A-1) solution described in Reference Example 1 was further concentrated to a total volume of 140 g, and then 10 parts of acetic acid was added.
% Propylene glycol monopropyl ether solution 10
g was added to obtain a composition solution having a solid content of 8.8%. The weight average molecular weight of the obtained component (A) was 300,000. In addition, the residual silanol count determined by conductivity titration did not change before and after the addition of acetic acid.

【0063】参考例3〔(B)成分の調製〕 テトラメトキシシラン101.3g(完全加水分解縮合
物換算;40.0g)、メチルトリメトキシシラン20
3.0g(完全加水分解縮合物換算;100.0g)、
ジメチルジメトキシシラン97.3g(完全加水分解縮
合物換算;60.0g)、プロピレングリコールモノプ
ロピルエーテル559.3g、メチル−n−ペンチルケ
トン239.7gの混合溶液に、マレイン酸1.0g
(触媒/SiOR=0.001mol比)を水157.
7g(H2 O/SiOR=1.0mol比)に溶かした
水溶液を、室温で1時間かけて滴下した。混合物の滴下
終了後、さらに60℃で2時間反応させたのち、減圧下
で全溶液量1,000gになるまで濃縮し、固形分含有
量20%の(B)成分を得た。得られた(B)成分の重
量平均分子量は、3,000であった。
Reference Example 3 [Preparation of component (B)] 101.3 g of tetramethoxysilane (in terms of complete hydrolysis-condensation product; 40.0 g), methyltrimethoxysilane 20
3.0 g (completely hydrolyzed condensate; 100.0 g),
Dimethyldimethoxysilane 97.3 g (completely hydrolyzed condensate; 60.0 g), propylene glycol monopropyl ether 559.3 g, and methyl-n-pentyl ketone 239.7 g were mixed with 1.0 g of maleic acid.
(Catalyst/SiOR=0.001 mol ratio) was added to water 157.
An aqueous solution dissolved in 7 g (H 2 O/SiOR=1.0 mol ratio) was added dropwise at room temperature over 1 hour. After the addition of the mixture was completed, the mixture was further reacted at 60° C. for 2 hours and then concentrated under reduced pressure until the total amount of the solution reached 1,000 g to obtain a component (B) having a solid content of 20%. The weight average molecular weight of the obtained component (B) was 3,000.

【0064】参考例4〔(A−2)成分の調製〕 参考例1において、25%アンモニア水溶液5gの代わ
りに25%水酸化テトラメチルアンモニウム0.5gを
使用したこと以外は、参考例1と同様にして、重量平均
分子量100万の成分の得た。この成分を参考例2と同
様に処理を行った。得られた(A−2)成分の重量平均
分子量は、100万であった。また、電導度滴定により
求めた残留シラノールのカウント数は、酢酸添加前後で
変化が認められなかった。
Reference Example 4 [Preparation of component (A-2)] Reference Example 1 except that 0.5 g of 25% tetramethylammonium hydroxide was used instead of 5 g of 25% aqueous ammonia solution. Similarly, a component having a weight average molecular weight of 1,000,000 was obtained. This component was treated as in Reference Example 2. The weight average molecular weight of the obtained component (A-2) was 1,000,000. In addition, the residual silanol count determined by conductivity titration did not change before and after the addition of acetic acid.

【0065】比較参考例1 超純水320gの代わりに超純水32g、エタノール6
00gの代わりにエタノール888gを用いた以外は、
参考例1と同様の操作を行い、固形分含有量6.6%の
組成物溶液を得た。得られた組成物のポリスチレン換算
分子量は、4万であった。
Comparative Reference Example 1 32 g of ultrapure water and 6 parts of ethanol were used instead of 320 g of ultrapure water.
Other than using 888 g of ethanol instead of 00 g,
The same operation as in Reference Example 1 was performed to obtain a composition solution having a solid content of 6.6%. The polystyrene reduced molecular weight of the obtained composition was 40,000.

【0066】実施例1 参考例1記載の(A−1)成分溶液96.5gと、参考
例3記載の(B)成分溶液3.5gを混合し、固形分含
有量7.1%の組成物溶液を得た。得られた組成物を、
8インチシリコンウエハ上にスピンコート法により塗布
し、大気中80℃で5分間、次いで窒素下200℃で5
分間加熱したのち、さらに真空中で340℃、360
℃、380℃の順で、それぞれ、30分間ずつ加熱し、
さらに真空下425℃で1時間加熱し、無色透明の膜を
形成した。得られた膜の評価結果を表1に示す。
Example 1 96.5 g of the component (A-1) solution described in Reference Example 1 and 3.5 g of the component (B) solution described in Reference Example 3 were mixed to give a composition having a solid content of 7.1%. A product solution was obtained. The composition obtained,
It is applied on an 8-inch silicon wafer by spin coating, and the temperature is 80° C. for 5 minutes, and then under nitrogen at 200° C. for 5 minutes.
After heating for 3 minutes, further vacuum at 340 ℃, 360
℃, 380 ℃ in that order, each heating for 30 minutes,
Further, it was heated under vacuum at 425° C. for 1 hour to form a colorless transparent film. The evaluation results of the obtained film are shown in Table 1.

【0067】実施例2 参考例2記載の(A−1)成分溶液84.1gと、参考
例3記載の(B)成分溶液15.9gを混合し、固形分
含有量10.6%の組成物溶液を得た。得られた組成物
を、8インチシリコンウエハ上にスピンコート法により
塗布し、大気中80℃で5分間、次いで窒素下200℃
で5分間加熱したのち、さらに真空中で340℃、36
0℃、380℃の順で、それぞれ、30分間ずつ加熱
し、さらに真空下425℃で1時間加熱し、無色透明の
膜を形成した。得られた膜の評価結果を表1に示す。
Example 2 84.1 g of the component (A-1) solution described in Reference Example 2 and 15.9 g of the component (B) solution described in Reference Example 3 were mixed to give a composition having a solid content of 10.6%. A product solution was obtained. The obtained composition was applied onto an 8-inch silicon wafer by a spin coating method, and the atmosphere was heated at 80° C. for 5 minutes, and then under nitrogen at 200° C.
After heating at 340°C for 5 minutes in vacuum,
The film was heated in the order of 0° C. and 380° C. for 30 minutes each, and further heated under vacuum at 425° C. for 1 hour to form a colorless transparent film. The evaluation results of the obtained film are shown in Table 1.

【0068】実施例3 参考例4記載の(A−2)成分溶液84.1gと、参考
例3記載の(B)成分溶液15.9gを混合し、固形分
含有量10.6%の組成物溶液を得た。得られた組成物
を8インチシリコンウエハ上にスピンコート法により塗
布し、大気中80℃で5分間、次いで窒素下200℃で
5分間加熱したのち、さらに真空下で340℃、360
℃、380℃の順でそれぞれ30分間ずつ加熱し、さら
に真空下425℃で1時間加熱し、無色透明の膜を形成
した。得られた膜の評価結果を表1に示す。
Example 3 84.1 g of the component (A-2) solution described in Reference Example 4 and 15.9 g of the component (B) solution described in Reference Example 3 were mixed to give a composition having a solid content of 10.6%. A product solution was obtained. The obtained composition was applied onto an 8-inch silicon wafer by a spin coating method, heated in the atmosphere at 80° C. for 5 minutes and then under nitrogen at 200° C. for 5 minutes, and further under vacuum at 340° C. and 360°.
C. and 380.degree. C. in that order for 30 minutes each, and further under vacuum at 425.degree. C. for 1 hour to form a colorless transparent film. The evaluation results of the obtained film are shown in Table 1.

【0069】比較例1 比較参考例1記載の組成物溶液87.6gと、参考例3
記載の(B)成分溶液12.4gを混合し、固形分含有
量8.3%の組成物溶液を得た。得られた組成物を、8
インチシリコンウエハ上にスピンコート法により塗布
し、大気中80℃で5分間、次いで窒素下200℃で5
分間加熱したのち、さらに真空中で340℃、360
℃、380℃の順で、それぞれ、30分間ずつ加熱し、
さらに真空下425℃で1時間加熱し、無色透明の膜を
形成した。得られた膜の評価結果を表1に示す。
Comparative Example 1 87.6 g of the composition solution described in Comparative Reference Example 1 and Reference Example 3
The component solution (12.4 g) described above was mixed to obtain a composition solution having a solid content of 8.3%. The obtained composition was
It is coated on an inch silicon wafer by a spin coating method at 80° C. in the atmosphere for 5 minutes, and then under nitrogen at 200° C. for 5 minutes.
After heating for 3 minutes, further vacuum at 340 ℃, 360
℃, 380 ℃ in that order, each heating for 30 minutes,
Further, it was heated under vacuum at 425° C. for 1 hour to form a colorless transparent film. The evaluation results of the obtained film are shown in Table 1.

【0070】[0070]

【表1】 [Table 1]

【0071】[0071]

【発明の効果】本発明によれば、得られる膜が低比誘電
率かつ高弾性率であり、半導体素子などにおける層間絶
縁膜材料として有用なポリオルガノシロキサン系の膜形
成用組成物を提供することができる。
According to the present invention, a polyorganosiloxane-based film-forming composition having a low relative dielectric constant and a high elastic modulus, which is useful as an interlayer insulating film material in a semiconductor device or the like, is provided. be able to.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 徐 榮秀 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 今野 圭二 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 塩田 淳 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 山田 欣司 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Fターム(参考) 4J035 BA06 CA01K CA022 CA06K CA162 EA01 EB03 LA03 LB01 4J038 DL021 DL022 DL031 DL032 DL041 DL042 DL161 DL162 HA096 HA336 HA376 HA416 HA476 JA37 JA38 JB01 JB03 JB04 JB09 JB25 JB39 JC13 KA04 LA03 MA08 MA10 MA14 NA11 NA21 PA19 PB09 PC02 PC03 5F058 AA10 AB07 AC03 AF04 AG01 AH01 AH02 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Eihide Xu, 2-11-24 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo JSR Co., Ltd.(72) Keiji Konno 2-11-24 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo JS-R Incorporated (72) Inventor Atsushi Shiota 2-11-24 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo JR S Co., Ltd. (72) Inventor Kinji Yamada 2-11-24 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo JS R F Term (reference) 4J035 BA06 CA01K CA022 CA06K CA162 EA01 EB03 LA03 LB01 4J038 DL021 DL022 DL031 DL032 DL041 DL042 DL161 DL162 HA096 HA336 HA376 HA416 HA476 JA37 JA38 JB01 JB03 JB04 PA10 MA21 NA0A02 MAB09 JA08 A19 MA14 NA21 MA02 MAB09 A02 MA10 A02 MA03 A02 MA02 AB07 AC03 AF04 AG01 AH01 AH02

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)下記一般式(1)で表される化合
物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般
式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも
1種のシラン化合物をアルカリ触媒の存在下に加水分解
し、縮合した加水分解縮合物、ならびに(B)下記一般
式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表され
る化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群
から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を酸触媒の
存在下に加水分解し、縮合した加水分解縮合物を含有す
ることを特徴とする膜形成用組成物。 Ra Si(OR1 4-a ・・・・・(1) (式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機
基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。) Si(OR2 4 ・・・・・(2) (式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si−(R7 d −Si(OR5 3-c 6 c ・・・・・(3) 〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価
の有機基、b〜cは同一または異なり、0〜2の整数、
7 は酸素原子、フェニレン基または−(CH2n
で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、d
は0または1を示す。〕
1. At least one selected from the group consisting of: (A) a compound represented by the following general formula (1), a compound represented by the following general formula (2) and a compound represented by the following general formula (3). Hydrolysis condensate obtained by hydrolyzing and condensing one kind of silane compound in the presence of an alkali catalyst, and (B) a compound represented by the following general formula (1) and a compound represented by the following general formula (2) And a film containing a hydrolyzed condensate obtained by hydrolyzing at least one silane compound selected from the group of compounds represented by the following general formula (3) in the presence of an acid catalyst. Forming composition. R a Si(OR 1 ) 4-a (1) (wherein R is a hydrogen atom, a fluorine atom or a monovalent organic group, R 1 is a monovalent organic group, and a is 1 to 2). Si(OR 2 ) 4 (2) (In the formula, R 2 represents a monovalent organic group.) R 3 b (R 4 O) 3-b Si-( R 7 ) d- Si(OR 5 ) 3-c R 6 c (3) [In the formula, R 3 to R 6 are the same or different and each is a monovalent organic group, and b to c are the same. Or differently, an integer from 0 to 2,
R 7 is an oxygen atom, a phenylene group or —(CH 2 ) n
A group represented by (where n is an integer of 1 to 6), d
Represents 0 or 1. ]
【請求項2】 (A)成分の加水分解縮合物のGPC法
による重量平均分子量が5万〜1,000万である請求
項1記載の膜形成用組成物。
2. The film-forming composition according to claim 1, wherein the hydrolyzed condensate of the component (A) has a weight average molecular weight of 50,000 to 10,000,000 as measured by the GPC method.
【請求項3】 (B)成分の加水分解縮合物のGPC法
による重量平均分子量が500〜30万である請求項1
記載の膜形成用組成物。
3. The weight average molecular weight of the hydrolyzed condensate of the component (B) according to the GPC method is 500 to 300,000.
The film-forming composition as described above.
【請求項4】 (A)成分が一般式(2)で表される化
合物の加水分解縮合物(完全加水分解縮合物換算)を5
〜75重量%含有する請求項1〜3いずれか1項記載の
膜形成用組成物。
4. The component (A) is a hydrolysis-condensation product (converted to a complete hydrolysis-condensation product) of the compound represented by the general formula (2).
The film-forming composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the film-forming composition contains 5 to 75% by weight.
【請求項5】 (A)成分が一般式(1)で表される化
合物および一般式(2)で表される化合物からなるシラ
ン化合物の加水分解縮合物である請求項1〜4いずれか
1項記載の膜形成用組成物。
5. The component (A) is a hydrolyzed condensate of a silane compound comprising a compound represented by the general formula (1) and a compound represented by the general formula (2). A film-forming composition as described in the item.
【請求項6】 (A)成分(完全加水分解縮合物換算)
100重量部に対し、(B)成分(完全加水分解縮合物
換算)を1〜900重量部含有する請求項1〜5いずれ
か1項記載の膜形成用組成物。
6. Component (A) (in terms of complete hydrolysis condensate)
The film-forming composition according to claim 1, which contains 1 to 900 parts by weight of the component (B) (completely hydrolyzed condensate) based on 100 parts by weight.
【請求項7】 pHが7以下である請求項1〜6いずれ
か1項記載の膜形成用組成物。
7. The film-forming composition according to claim 1, which has a pH of 7 or less.
【請求項8】 請求項1〜7いずれか1項記載の膜形成
用組成物を基板に塗布し、加熱することを特徴とする膜
の形成方法。
8. A method for forming a film, which comprises applying the film-forming composition according to claim 1 to a substrate and heating the substrate.
【請求項9】 請求項8記載の膜の形成方法によって得
られる絶縁膜。
9. An insulating film obtained by the method for forming a film according to claim 8.
【請求項10】 請求項9記載の絶縁膜を有する半導体
装置。
10. A semiconductor device having the insulating film according to claim 9.
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002020688A (en) * 2000-07-06 2002-01-23 Jsr Corp Process for producing film forming composition film forming composition, film forming process and silica film
JP2002167438A (en) * 2000-11-29 2002-06-11 Jsr Corp Silicon polymer, composition for forming film and material for forming insulating film
JP2003064305A (en) * 2001-08-27 2003-03-05 Jsr Corp Method for producing film-forming composition, film- forming composition, method for forming film and silica- based film
JP2005314616A (en) * 2004-04-30 2005-11-10 Shin Etsu Chem Co Ltd Silicone coating composition and article to be coated
US7119354B2 (en) 2003-04-09 2006-10-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film
US7126208B2 (en) 2002-11-13 2006-10-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device
US7132473B2 (en) 2002-11-13 2006-11-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device
US7205338B2 (en) 2003-03-10 2007-04-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device
US7239018B2 (en) 2003-03-10 2007-07-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Composition for forming a porous film prepared by hydrolysis and condensation of an alkoxysilane using a trialkylmethylammonium hydroxide catalyst
US7332446B2 (en) 2003-03-27 2008-02-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film and semiconductor device
US7341775B2 (en) 2002-11-13 2008-03-11 Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device
US7357961B2 (en) 2003-04-09 2008-04-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device
WO2008066060A1 (en) * 2006-11-30 2008-06-05 Jsr Corporation Method for producing polymer, composition for forming insulating film, and silica insulating film and method for producing the same
US7786022B2 (en) 2007-02-16 2010-08-31 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for forming insulating film with low dielectric constant

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0353529A (en) * 1989-07-21 1991-03-07 Catalysts & Chem Ind Co Ltd Semiconductor device and manufacture thereof
JPH0354279A (en) * 1989-07-21 1991-03-08 Catalysts & Chem Ind Co Ltd Preparation of coating liquid for forming silica film
JPH0410418A (en) * 1990-04-26 1992-01-14 Catalysts & Chem Ind Co Ltd Semiconductor device
JPH0766188A (en) * 1993-08-26 1995-03-10 Catalysts & Chem Ind Co Ltd Semiconductor device
JPH09315812A (en) * 1996-03-25 1997-12-09 Catalysts & Chem Ind Co Ltd Coating solution for low dielectric constant silica based coating film formation and base body with low dielectric constant coating film
JPH1112540A (en) * 1997-06-24 1999-01-19 Hitachi Chem Co Ltd Coating liquid for forming silica-based coating film, silica-based coating film and semiconductor device using the same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0353529A (en) * 1989-07-21 1991-03-07 Catalysts & Chem Ind Co Ltd Semiconductor device and manufacture thereof
JPH0354279A (en) * 1989-07-21 1991-03-08 Catalysts & Chem Ind Co Ltd Preparation of coating liquid for forming silica film
JPH0410418A (en) * 1990-04-26 1992-01-14 Catalysts & Chem Ind Co Ltd Semiconductor device
JPH0766188A (en) * 1993-08-26 1995-03-10 Catalysts & Chem Ind Co Ltd Semiconductor device
JPH09315812A (en) * 1996-03-25 1997-12-09 Catalysts & Chem Ind Co Ltd Coating solution for low dielectric constant silica based coating film formation and base body with low dielectric constant coating film
JPH1112540A (en) * 1997-06-24 1999-01-19 Hitachi Chem Co Ltd Coating liquid for forming silica-based coating film, silica-based coating film and semiconductor device using the same

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002020688A (en) * 2000-07-06 2002-01-23 Jsr Corp Process for producing film forming composition film forming composition, film forming process and silica film
JP2002167438A (en) * 2000-11-29 2002-06-11 Jsr Corp Silicon polymer, composition for forming film and material for forming insulating film
JP2003064305A (en) * 2001-08-27 2003-03-05 Jsr Corp Method for producing film-forming composition, film- forming composition, method for forming film and silica- based film
US7341775B2 (en) 2002-11-13 2008-03-11 Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device
US7126208B2 (en) 2002-11-13 2006-10-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device
US7132473B2 (en) 2002-11-13 2006-11-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device
US7239018B2 (en) 2003-03-10 2007-07-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Composition for forming a porous film prepared by hydrolysis and condensation of an alkoxysilane using a trialkylmethylammonium hydroxide catalyst
US7205338B2 (en) 2003-03-10 2007-04-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device
US7332446B2 (en) 2003-03-27 2008-02-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film and semiconductor device
US7119354B2 (en) 2003-04-09 2006-10-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film
US7357961B2 (en) 2003-04-09 2008-04-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device
JP2005314616A (en) * 2004-04-30 2005-11-10 Shin Etsu Chem Co Ltd Silicone coating composition and article to be coated
WO2008066060A1 (en) * 2006-11-30 2008-06-05 Jsr Corporation Method for producing polymer, composition for forming insulating film, and silica insulating film and method for producing the same
JPWO2008066060A1 (en) * 2006-11-30 2010-03-04 Jsr株式会社 Method for producing polymer, composition for forming insulating film, silica-based insulating film and method for producing the same
US7786022B2 (en) 2007-02-16 2010-08-31 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for forming insulating film with low dielectric constant

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