JP2001135688A - Air blower device and inspecting device equipped with the same - Google Patents

Air blower device and inspecting device equipped with the same

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JP2001135688A
JP2001135688A JP31307199A JP31307199A JP2001135688A JP 2001135688 A JP2001135688 A JP 2001135688A JP 31307199 A JP31307199 A JP 31307199A JP 31307199 A JP31307199 A JP 31307199A JP 2001135688 A JP2001135688 A JP 2001135688A
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JP
Japan
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semiconductor wafer
inspection
clean
stage
image
Prior art date
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Application number
JP31307199A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuyuki Suzuki
保之 鈴木
Taketo Miyashita
丈人 宮下
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP31307199A priority Critical patent/JP2001135688A/en
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  • Structures Of Non-Positive Displacement Pumps (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To properly attain inspection of a microfine pattern by maintaining an environment in which inspection of a semiconductor wafer or the like is operated in a high clean level. SOLUTION: Air blowers 5a and 5b are provided with a fan 102 and a motor 103 for rotating the fan 102. In the air blowers 5a and 5b, the motor 103 for rotating the fan 102 is housed in an exhaust box 104, and connected through a bearing 105 projected from the exhaust box 104 with the fan 102. Then, a sucking part 108 constituted of a sucking pump 106 and a tube 107 for connecting the sucking pump 106 with the exhaust box 104 is arranged in the air blowers 5a and 5b, and air in the exhaust box 104 is discharged to the outside part of a clean air unit 4 with metallic powder or powdered chemical substances or the like generated at the bearing 105 at the time of rotating the fan 102.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、清浄な空気を供給
する送風装置及びこの送風装置を備えかつ所定のデバイ
スパターンが形成された半導体ウェハ等の検査に用いら
れる検査装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a blower for supplying clean air and an inspection apparatus provided with the blower and used for inspection of a semiconductor wafer or the like on which a predetermined device pattern is formed.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスは、半導体ウェハ上に微
細なデバイスパターンを形成することにより作製され
る。このようなデバイスパターンを形成するときに、半
導体ウェハ上に塵埃等が付着したり、傷が付いたりし
て、欠陥が生じることがある。このような欠陥が生じた
半導体デバイスは、不良デバイスとなり、歩留まりを低
下させる。
2. Description of the Related Art A semiconductor device is manufactured by forming a fine device pattern on a semiconductor wafer. When such a device pattern is formed, dust or the like may adhere to the semiconductor wafer or may be damaged, thereby causing a defect. A semiconductor device having such a defect becomes a defective device and reduces the yield.

【0003】したがって、製造ラインの歩留まりを高い
水準で安定させるためには、塵埃や傷等によって発生す
る欠陥を早期に発見し、その原因を突き止め、製造設備
や製造プロセスに対して有効な対策を講じることが好ま
しい。
[0003] Therefore, in order to stabilize the yield of a production line at a high level, defects generated by dust and scratches are found at an early stage, the causes thereof are identified, and effective measures are taken for production facilities and production processes. It is preferable to take it.

【0004】そこで、欠陥が発見された場合には、検査
装置を用いて、その欠陥が何であるかを調べて分類分け
を行い、その欠陥の原因となった設備やプロセスを特定
するようにしている。ここで、欠陥が何であるかを調べ
る検査装置は、いわば光学顕微鏡のようなものであり、
欠陥を拡大して見ることで、その欠陥が何であるかを識
別するようにしている。
[0004] Therefore, when a defect is found, an inspection device is used to check the type of the defect and classify the defect, thereby identifying the equipment or process that caused the defect. I have. Here, the inspection device for checking what the defect is is like an optical microscope, so to speak.
By looking at a defect in an enlarged manner, it tries to identify what the defect is.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、以上のよう
な検査を行う際に半導体ウェハ上に塵埃等が付着する
と、適切な検査を行うことができない。したがって、半
導体ウェハの検査は、クリーンな環境の中で行う必要が
ある。
When dust or the like adheres to the semiconductor wafer during the above-described inspection, an appropriate inspection cannot be performed. Therefore, the inspection of the semiconductor wafer needs to be performed in a clean environment.

【0006】半導体ウェハの検査を行う環境をクリーン
に保つ方法としては、検査装置の本体部分をクリーンボ
ックスで覆い、このクリーンボックスの内部を高いクリ
ーン度に保つ方法が有効である。この場合、検査対象で
ある半導体ウェハを密閉式の容器に入れて搬送し、この
容器を介して半導体ウェハをクリーンボックス内に移送
するようにすれば、検査装置が設置される環境全体を高
いクリーン度に保たなくとも、半導体ウェハ上に塵埃等
が付着することを有効に抑制して、半導体ウェハの検査
を適切に行うことが可能となる。
As a method for keeping the environment for inspecting semiconductor wafers clean, it is effective to cover the main body of the inspection apparatus with a clean box and keep the inside of the clean box at a high degree of cleanliness. In this case, the semiconductor wafer to be inspected is transported in a sealed container, and the semiconductor wafer is transferred into a clean box via this container, so that the entire environment in which the inspection apparatus is installed is highly clean. Even if the temperature is not kept high, it is possible to effectively suppress the attachment of dust and the like on the semiconductor wafer, and to appropriately inspect the semiconductor wafer.

【0007】ところで、検査対象である半導体ウェハの
デバイスパターンは、半導体デバイスの高集積化に伴っ
て、ますます微細化しており、近年では線幅が0.18
μm以下にまでなってきている。このような微細なパタ
ーンの検査を行う上では、従来あまり問題とされていな
かったような非常に微細な塵埃等も適切な検査を阻害す
る要因となる。したがって、このような微細なパターン
の検査を適切に行うために、検査を行う環境を更に高い
クリーン度に保ち、検査の過程で非常に微細な塵埃等が
生じても、これが半導体ウェハ上に付着することを有効
に防止する必要が生じてきている。
Meanwhile, device patterns of semiconductor wafers to be inspected are becoming finer and finer as semiconductor devices become more highly integrated.
μm or less. In inspecting such a fine pattern, very fine dust, which has not been considered a problem in the past, is a factor that hinders an appropriate inspection. Therefore, in order to properly inspect such fine patterns, the inspection environment is kept at a higher level of cleanliness, and even if extremely fine dusts or the like are generated during the inspection process, they adhere to the semiconductor wafer. It has become necessary to effectively prevent such situations.

【0008】本発明は、以上のような実情に鑑みて創案
されたものであり、高いクリーン環境を実現する送風装
置及びこの送風装置を備え、微細なパターンの検査を適
切に行う検査装置を提供することを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides an air blower for realizing a high clean environment and an inspection apparatus equipped with the air blower for appropriately inspecting a fine pattern. It is intended to be.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成すべく鋭意検討を重ねた結果、送風装置を用いてク
リーンボックス内に空気を供給する際に、ファンの駆動
時に生じる粉末の落下を有効に防止して、クリーンボッ
クス内に清浄な空気を供給して微細なパターンの検査を
適切に行うことができることを見出すに至った。
Means for Solving the Problems As a result of diligent studies to achieve the above object, the present inventor has found that when air is supplied into a clean box using a blower, powder generated when a fan is driven is generated. We have found that it is possible to effectively prevent the falling and supply clean air into the clean box to properly inspect the fine pattern.

【0010】本発明に係る送風装置は、以上のような知
見に基づいて創案されたものであって、ファンと、軸受
けを介してファンと連結されて、該ファンを駆動するモ
ータと、モータを収納する排気ボックスと、排気ボック
ス内の空気を吸引する吸引部とを備え、この吸引部がフ
ァンを回転駆動する際に軸受けにおいて生じる粉末を排
気ボックス内の空気とともに吸引して外部に排出する。
[0010] The blower according to the present invention has been devised based on the above knowledge, and includes a fan, a motor connected to the fan via a bearing to drive the fan, and a motor. An exhaust box to be housed is provided, and a suction unit for sucking air in the exhaust box is provided. When the suction unit rotates the fan, the powder generated in the bearing is sucked together with the air in the exhaust box and discharged to the outside.

【0011】また、本発明に係る検査装置は、被検査物
の検査を行う装置本体部と、装置本体部を内部に収容す
るクリーンボックスと、クリーンボックスの上部に設け
られ、クリーンボックスの内部に清浄な空気を供給する
送風装置を有する空気供給部とを備え、この送風装置
が、ファンと、軸受けを介してファンと連結され、該フ
ァンを駆動するモータと、モータを収納する排気ボック
スと、排気ボックス内の空気を吸引する吸引部とを備
え、該吸引部が排気ボックス内の空気とともに、モータ
とファンとを連結する軸受けに生じる粉末を吸引し、空
気供給部の外部に排出する。
The inspection apparatus according to the present invention includes an apparatus main body for inspecting an object to be inspected, a clean box accommodating the apparatus main body therein, and a clean box provided above the clean box. An air supply unit having a blower for supplying clean air, the blower is connected to the fan via a bearing, a motor driving the fan, and an exhaust box containing the motor, A suction unit for sucking air in the exhaust box; the suction unit sucks together with the air in the exhaust box, powder generated in a bearing connecting the motor and the fan, and discharges the powder to the outside of the air supply unit.

【0012】この送風装置及び送風装置を備える検査装
置によれば、ファンを駆動するモータを排気ボックス内
に収納し、この排気ボックス内の空気とともに、ファン
とモータとを連結する軸受けにおいて発生する金属粉や
粉末化したグリス等の粉末を吸引して外部に排出する。
これにより、ファンの駆動により軸受けから生じる粉末
のクリーンボックス内への落下を有効に防止し、清浄な
空気を供給して装置本体部による被検査物の検査を適切
に行うことができる。
According to the blower and the inspection apparatus including the blower, the motor for driving the fan is housed in the exhaust box, and the metal generated in the bearing connecting the fan and the motor together with the air in the exhaust box. Powder and powder such as powdered grease are sucked and discharged to the outside.
As a result, it is possible to effectively prevent the powder generated from the bearing from dropping into the clean box by driving the fan, supply clean air, and appropriately inspect the inspection object by the apparatus main body.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0014】本発明を適用した検査装置の外観を図1に
示す。この検査装置1は、所定のデバイスパターンが形
成された半導体ウェハの検査を行うためのものであり、
半導体ウェハに形成されたデバイスパターンに欠陥が発
見された場合に、その欠陥が何であるかを調べて分類分
けを行うものである。
FIG. 1 shows the appearance of an inspection apparatus to which the present invention is applied. This inspection apparatus 1 is for inspecting a semiconductor wafer on which a predetermined device pattern is formed,
When a defect is found in a device pattern formed on a semiconductor wafer, the defect is determined by examining what the defect is.

【0015】図1に示すように、この検査装置1は、半
導体ウェハの検査を行う環境をクリーンに保つためのク
リーンユニット2を備えている。このクリーンユニット
2は、ステンレス鋼板等が折り曲げ加工され、中空の箱
状に形成されてなるクリーンボックス3と、このクリー
ンボックス3の上部に一体に設けられたクリーンエアユ
ニット4とを備えている。
As shown in FIG. 1, the inspection apparatus 1 includes a clean unit 2 for keeping an environment for inspecting a semiconductor wafer clean. The clean unit 2 includes a clean box 3 formed by bending a stainless steel plate or the like to form a hollow box, and a clean air unit 4 integrally provided above the clean box 3.

【0016】クリーンボックス3には、所定の箇所に窓
部3aが設けられており、検査者がこの窓部3aからク
リーンボックス3の内部を視認できるようになされてい
る。
The clean box 3 is provided with a window 3a at a predetermined location so that an inspector can visually recognize the inside of the clean box 3 from the window 3a.

【0017】クリーンエアユニット4は、クリーンボッ
クス3内に清浄な空気を供給するためのものであり、ク
リーンボックス3の上部の異なる位置にそれぞれ配設さ
れた2つの送風機5a,5bと、これら送風機5a,5
bとクリーンボックス3との間に配設された図示しない
エアフィルタとを備えている。エアフィルタは、例え
ば、HEPAフィルタ(High Efficiency Particulate
Air Filter)やULPAフィルタ(Ultra Low Penetrat
ion Air Filter)等の高性能エアフィルタである。そし
て、このクリーンエアユニット4は、送風機5a,5b
により送風される空気中の塵埃等を高性能エアフィルタ
によって除去し、清浄な空気として、クリーンボックス
3の内部に供給するようになされている。
The clean air unit 4 is for supplying clean air into the clean box 3, and includes two blowers 5a and 5b disposed at different positions on the upper portion of the clean box 3, respectively. 5a, 5
b and an air filter (not shown) disposed between the clean box 3. The air filter is, for example, a HEPA filter (High Efficiency Particulate).
Air Filter) and ULPA Filter (Ultra Low Penetrat)
ion Air Filter). The clean air unit 4 is provided with blowers 5a, 5b
The dust and the like in the air blown by the above are removed by a high-performance air filter and supplied as clean air into the clean box 3.

【0018】送風機5a,5bは、図2に示すように、
吸気フランジ100を介して筐体101内に取り入れた
外部の空気を、強制的にクリーンボックス3側に送り出
すファン102と、このファン102を回転操作するモ
ータ103とを備える。送風機5a,5bにおいては、
ファン102を回転操作するモータ103が、排気ボッ
クス104内に収納されており、この排気ボックス10
4から突き出る軸受け105を介してファン102と連
結されている。そして、送風機5a,5bには、吸引ポ
ンプ106と、この吸引ポンプ106と排気ボックス1
04とを接続するチューブ107とからなる吸引部10
8が配設されており、排気ボックス104内の空気をク
リーンエアユニット4の外部に排出する。
The blowers 5a and 5b are, as shown in FIG.
The air conditioner includes a fan 102 forcibly sending outside air taken into the housing 101 through the intake flange 100 to the clean box 3 side, and a motor 103 for rotating the fan 102. In the blowers 5a and 5b,
A motor 103 for rotating the fan 102 is housed in an exhaust box 104.
4 and is connected to the fan 102 via a bearing 105 protruding from the fan 102. The blowers 5a and 5b have a suction pump 106, and the suction pump 106 and the exhaust box 1
Suction unit 10 comprising tube 107 for connecting to tube 04
8 is disposed, and discharges the air in the exhaust box 104 to the outside of the clean air unit 4.

【0019】ところで、クリーンエアユニット4では、
送風機5a,5bによる送風時、すなわちファン102
の回転操作時に、ファン102とモータ103とを連結
する軸受け105に摩擦が生じる。このファン102回
転時の摩擦により、該軸受け105自体が削れてできた
金属粉や、軸受け105に塗布されたグリス等の化学物
質が粉末化したもの等が、軸受け105において発生す
る。クリーンエアユニット4においては、この金属粉や
粉末化した化学物質等が、上述した吸引部108によっ
て排気ボックス108内の空気とともに外部に排出され
る。したがって、クリーンユニット4は、ファン102
の回転時に軸受け105において発生する金属粉や粉末
化した化学物質等がクリーンボックス3内に落下して被
検査物たる半導体ウェハに付着することが有効に防止さ
れ、クリーンボックス3内に送り出す空気を清浄に保
つ。
By the way, in the clean air unit 4,
When air is blown by the blowers 5a and 5b,
During the rotation operation, friction occurs in the bearing 105 that connects the fan 102 and the motor 103. Due to the friction during rotation of the fan 102, metal powder produced by shaving the bearing 105 itself and powdered chemical substances such as grease applied to the bearing 105 are generated in the bearing 105. In the clean air unit 4, the metal powder and the powdered chemical substance are discharged to the outside together with the air in the exhaust box 108 by the suction unit 108 described above. Therefore, the clean unit 4 includes the fan 102
It is effectively prevented that metal powder, powdered chemical substance, and the like generated in the bearing 105 at the time of rotation fall into the clean box 3 and adhere to the semiconductor wafer as the inspection object. Keep clean.

【0020】また、クリーンエアユニット4は、送風機
5a,5bのモータ103を収納する排気ボックス10
4が、モータ103の駆動時の振動をクリーンボックス
3に伝えないように、防振ゴム109を介してクリーン
ボックス3に取り付けられるモータ架台110に支持さ
れている。
The clean air unit 4 is provided with an exhaust box 10 for accommodating the motors 103 of the blowers 5a and 5b.
The motor 4 is supported by a motor mount 110 attached to the clean box 3 via an anti-vibration rubber 109 so as not to transmit vibration when the motor 103 is driven to the clean box 3.

【0021】本発明を適用した検査装置1では、このク
リーンエアユニット4からクリーンボックス3内に供給
される清浄な空気の風量を、2つの送風機5a,5b毎
に個別に制御することによって、クリーンボックス3内
の気流を適切にコントロールすることができるようにな
されているが、これについては詳細を後述する。なお、
ここでは、クリーンエアユニット4が2つの送風機5
a,5bを備える例を説明するが、送風機の数はクリー
ンボックス3の大きさや形状に合わせて決定すればよ
く、3つ以上の送風機を備える構成とされていてもよ
い。この場合には、クリーンエアユニット4からクリー
ンボックス3内に供給される清浄な空気の風量が、各送
風機毎に個別に制御されることになる。
In the inspection apparatus 1 to which the present invention is applied, the amount of clean air supplied from the clean air unit 4 into the clean box 3 is individually controlled for each of the two blowers 5a and 5b, thereby providing a clean air. The airflow in the box 3 can be appropriately controlled, which will be described later in detail. In addition,
Here, the clean air unit 4 includes two blowers 5
Although an example including a and 5b will be described, the number of blowers may be determined according to the size and shape of the clean box 3, and a configuration including three or more blowers may be employed. In this case, the amount of clean air supplied from the clean air unit 4 into the clean box 3 is individually controlled for each blower.

【0022】クリーンボックス3は、支持脚6によって
床板上に支持されており、その下端部が開放された構造
となっている。そして、クリーンエアユニット4からク
リーンボックス3内に供給された空気は、主にこのクリ
ーンボックス3の下端部からクリーンボックス3の外部
に排出されるようになされている。また、クリーンボッ
クス3の側面部には、詳細を後述するが、所定の箇所に
開口領域が設けられており、クリーンエアユニット4か
らクリーンボックス3内に供給された空気が、このクリ
ーンボックス3の側面部に設けられた開口領域からも外
部に排出されるようになされている。
The clean box 3 is supported on a floor plate by supporting legs 6, and has a structure in which a lower end portion is opened. The air supplied from the clean air unit 4 into the clean box 3 is mainly discharged from the lower end of the clean box 3 to the outside of the clean box 3. As will be described in detail later, an opening area is provided at a predetermined location on a side surface of the clean box 3, and air supplied from the clean air unit 4 into the clean box 3 is used for cleaning the clean box 3. The air is also discharged to the outside from an opening region provided on the side surface.

【0023】クリーンユニット2は、以上のように、ク
リーンボックス3内にクリーンエアユニット4からの清
浄な空気を常時供給し、クリーンボックス3内を気流と
なって循環した空気をクリーンボックス3の外部に排出
させる。これによって、クリーンボックス3内にて発生
した塵埃等をこの空気と共にクリーンボックス3の外部
に排出させ、クリーンボックス3の内部環境を、例えば
クラス1程度の非常に高いクリーン度に保つようにして
いる。
As described above, the clean unit 2 always supplies the clean air from the clean air unit 4 to the clean box 3, and circulates the air circulated in the clean box 3 to the outside of the clean box 3. To be discharged. As a result, dust and the like generated in the clean box 3 are discharged to the outside of the clean box 3 together with the air, so that the internal environment of the clean box 3 is maintained at a very high degree of cleanness, for example, about class 1. .

【0024】また、クリーンボックス3は、外部から塵
埃等を含んだ空気が内部に進入する事を防止するため
に、内部の気圧が常に陽圧に保たれている。
The inside pressure of the clean box 3 is always maintained at a positive pressure in order to prevent air containing dust and the like from entering the inside from outside.

【0025】そして、この検査装置1は、図3に示すよ
うに、クリーンボックス3の内部に装置本体10が収容
され、クリーンボックス3の中で、この装置本体10に
よって、所定のデバイスパターンが形成された半導体ウ
ェハの検査が行われるようになされている。ここで、被
検査物となる半導体ウェハは、所定の密閉式の容器7に
入れて搬送され、この容器7を介して、クリーンボック
ス3の内部に移送される。なお、図3は、クリーンボッ
クス3の内部を図1中矢印A1方向から見た様子を示し
ている。
As shown in FIG. 3, the inspection apparatus 1 has an apparatus main body 10 housed in a clean box 3 and a predetermined device pattern is formed by the apparatus main body 10 in the clean box 3. Inspection of the semiconductor wafer is performed. Here, the semiconductor wafer to be inspected is transported in a predetermined hermetically sealed container 7, and transferred to the inside of the clean box 3 via the container 7. FIG. 3 shows the inside of the clean box 3 as viewed from the direction of arrow A1 in FIG.

【0026】容器7は、底部7aと、この底部7aに固
定されたカセット7bと、底部7aに着脱可能に係合さ
れてカセット7bを覆うカバー7cとを有している。被
検査物となる半導体ウェハは、複数枚が所定間隔を存し
て重ね合わされるようにカセット7bに装着され、底部
7aとカバー7cとで密閉される。
The container 7 has a bottom 7a, a cassette 7b fixed to the bottom 7a, and a cover 7c detachably engaged with the bottom 7a to cover the cassette 7b. The semiconductor wafers to be inspected are mounted on the cassette 7b such that a plurality of the semiconductor wafers are overlapped at a predetermined interval, and are sealed by the bottom 7a and the cover 7c.

【0027】そして、半導体ウェハの検査を行う際は、
先ず、半導体ウェハが入れられた容器7がクリーンボッ
クス3の所定の位置に設けられた容器設置スペース8に
設置される。この容器設置スペース8には、後述するエ
レベータ22の昇降台22a上面がクリーンボックス3
の外部に臨むように配されており、容器7は、その底部
7aがこのエレベータ22の昇降台22a上に位置する
ように、容器設置スペース8に設置される。
When inspecting a semiconductor wafer,
First, a container 7 containing a semiconductor wafer is installed in a container installation space 8 provided at a predetermined position of the clean box 3. In the container installation space 8, an upper surface of an elevator 22a of an elevator 22 to be described later is
The container 7 is installed in the container installation space 8 such that the bottom 7a is located on the elevator 22a of the elevator 22.

【0028】容器7が容器設置スペース8に設置される
と、容器7の底部7aとカバー7cとの係合が解除され
る。そして、エレベータ20の昇降台20aが図3中矢
印B方向に下降操作されることによって、容器7の底部
7a及びカセット7bが、カバー7cから分離してクリ
ーンボックス3の内部に移動する。これにより、被検査
物である半導体ウェハが、外気に晒されることなくクリ
ーンボックス3の内部に移送されることになる。
When the container 7 is set in the container setting space 8, the engagement between the bottom 7a of the container 7 and the cover 7c is released. When the elevator 20a of the elevator 20 is lowered in the direction of arrow B in FIG. 3, the bottom 7a of the container 7 and the cassette 7b are separated from the cover 7c and moved into the clean box 3. Thereby, the semiconductor wafer to be inspected is transferred into the clean box 3 without being exposed to the outside air.

【0029】半導体ウェハがクリーンボックス3内に移
送されると、後述する搬送用ロボット23により、検査
対象の半導体ウェハがカセット7bから取り出されて検
査が行われる。
When the semiconductor wafer is transferred into the clean box 3, the semiconductor robot to be inspected is taken out of the cassette 7b and inspected by the transfer robot 23 described later.

【0030】検査装置1は、以上のように、高いクリー
ン度に保たれたクリーンボックス3の内部で半導体ウェ
ハの検査を行うようにしているので、検査時に半導体ウ
ェハに塵埃等が付着して適切な検査が阻害されるといっ
た不都合を有効に回避することができる。しかも、被検
査物となる半導体ウェハを密閉式の容器7に入れて搬送
し、この容器7を介して半導体ウェハをクリーンボック
ス3の内部に移送するようにしているので、クリーンボ
ックス3の内部と容器7の内部だけを十分なクリーン度
に保っておけば、検査装置1が設置される環境全体のク
リーン度を高めなくても、半導体ウェハへの塵埃等の付
着を有効に防止することができる。
As described above, the inspection apparatus 1 performs the inspection of the semiconductor wafer inside the clean box 3 maintained at a high degree of cleanliness. Inconveniences such as obstruction of a simple test can be effectively avoided. In addition, the semiconductor wafer to be inspected is placed in a sealed container 7 and transported, and the semiconductor wafer is transferred into the clean box 3 via the container 7. If only the inside of the container 7 is maintained at a sufficient degree of cleanness, it is possible to effectively prevent dust and the like from adhering to the semiconductor wafer without increasing the cleanliness of the entire environment in which the inspection device 1 is installed. .

【0031】このように必要な場所のクリーン度だけを
局所的に高めるようにすることで、高いクリーン度を実
現しつつ、且つ、クリーン環境を実現するためのコスト
を大幅に抑えることができる。なお、密閉式の容器7と
クリーンボックス3との機械的なインターフェースとし
ては、いわゆるSMIF(standard mechanical interf
ace)が好適であり、その場合、密閉式の容器7として
は、いわゆるSMIF−PODが用いられる。
By locally increasing only the degree of cleanliness at a necessary place in this way, it is possible to achieve a high degree of cleanliness and significantly reduce the cost for realizing a clean environment. The mechanical interface between the closed container 7 and the clean box 3 is a so-called SMIF (standard mechanical interface).
ace) is preferable, and in that case, a so-called SMIF-POD is used as the closed container 7.

【0032】また、この検査装置1は、図1に示すよう
に、装置本体10を操作するためのコンピュータ等が配
される外部ユニット50を備えている。この外部ユニッ
ト50は、クリーンボックス3の外部に設置されてい
る。この外部ユニット50には、半導体ウェハを撮像し
た画像等を表示するための表示装置51や、検査時の各
種条件等を表示するための表示装置52、装置本体10
への指示入力等を行うための入力装置53等も配されて
いる。そして、半導体ウェハの検査を行う検査者は、外
部ユニット50に配された表示装置51,52を見なが
ら、外部ユニット50に配された入力装置53から必要
な指示を入力して半導体ウェハの検査を行う。
Further, as shown in FIG. 1, the inspection apparatus 1 includes an external unit 50 in which a computer for operating the apparatus body 10 is arranged. This external unit 50 is installed outside the clean box 3. The external unit 50 includes a display device 51 for displaying an image or the like obtained by imaging a semiconductor wafer, a display device 52 for displaying various conditions at the time of inspection, and a device body 10.
An input device 53 and the like for inputting an instruction and the like are also provided. The inspector who inspects the semiconductor wafer inputs necessary instructions from the input device 53 arranged in the external unit 50 while viewing the display devices 51 and 52 arranged in the external unit 50, and inspects the semiconductor wafer. I do.

【0033】次に、クリーンボックス3の内部に配設さ
れた装置本体10について、詳細に説明する。
Next, the apparatus body 10 provided inside the clean box 3 will be described in detail.

【0034】装置本体10は、図3に示すように、支持
台11を備えている。この支持台11は、装置本体10
の各機構を支持するための台である。この支持台11の
底部には支持脚12が取り付けられており、支持台11
及び支持台11上に設けられた各機構は、この支持脚1
2によってクリーンボックス3とは独立に床板上に支持
される構造となっている。
As shown in FIG. 3, the apparatus main body 10 includes a support 11. The support base 11 is used to
Is a table for supporting each of the mechanisms. A support leg 12 is attached to the bottom of the support base 11.
And each mechanism provided on the support base 11 supports the support leg 1
2 has a structure supported on a floor plate independently of the clean box 3.

【0035】支持台11上には、除振台13を介して、
被検査物となる半導体ウェハが載置される検査用ステー
ジ14が設けられている。
On the support table 11, via a vibration isolation table 13,
An inspection stage 14 on which a semiconductor wafer to be inspected is placed is provided.

【0036】除振台13は、床からの振動や、検査用ス
テージ14を移動操作した際に生じる振動等を抑制する
ためのものであり、検査用ステージ14が設置される石
定盤13aと、この石定盤13aを支える複数の可動脚
部13bとを備えている。そして、この除振台13は、
振動が生じたときにその振動を検知して可動脚部13b
を駆動し、石定盤13a及びこの石定盤13a上に設置
された検査用ステージ14の振動を速やかに打ち消すよ
うにしている。
The anti-vibration table 13 is for suppressing vibrations from the floor and vibrations generated when the inspection stage 14 is moved, and is provided with a stone platen 13a on which the inspection stage 14 is installed. And a plurality of movable legs 13b for supporting the stone surface plate 13a. And this vibration isolation table 13
When the vibration occurs, the vibration is detected and the movable leg 13b is detected.
Is driven to quickly cancel the vibration of the stone base 13a and the inspection stage 14 installed on the stone base 13a.

【0037】この検査装置1では、微細なデバイスパタ
ーンが形成された半導体ウェハの検査を行うため、僅か
な振動でも検査の障害となる場合がある。特に、この検
査装置1では、紫外光を用いて高分解能での検査を行う
ため、振動の影響が大きく現れやすい。そこで、この検
査装置1では、除振台13上に検査用ステージ14を設
置することによって、検査用ステージ14に僅かな振動
が生じた場合であっても、この振動を速やかに打ち消
し、振動の影響を抑えて、紫外光を用いて高分解能での
検査を行う際の検査能力を向上させるようにしている。
In the inspection apparatus 1, since a semiconductor wafer on which a fine device pattern is formed is inspected, even a slight vibration may hinder the inspection. In particular, since the inspection apparatus 1 performs inspection at a high resolution using ultraviolet light, the influence of vibration is likely to be large. Therefore, in the inspection apparatus 1, by installing the inspection stage 14 on the anti-vibration table 13, even if a slight vibration occurs in the inspection stage 14, the vibration is quickly canceled out, and the vibration is reduced. Influence is suppressed, and the inspection capability at the time of performing inspection at high resolution using ultraviolet light is improved.

【0038】なお、除振台13上に検査用ステージ14
を安定的に設置するには、除振台13の重心がある程度
低い位置にあることが望ましい。そこで、この検査装置
1においては、石定盤13aの下端部に切り欠き部13
cを設け、可動脚部13bがこの切り欠き部13cにて
石定盤13aを支えるようにして、除振台13の重心を
下げるようにしている。
The inspection stage 14 is placed on the vibration isolation table 13.
In order to stably install the vibration isolator, it is desirable that the center of gravity of the vibration isolation table 13 is located at a somewhat lower position. Therefore, in this inspection device 1, the notch 13 is formed at the lower end of the stone platen 13a.
c is provided so that the movable leg 13b supports the stone surface plate 13a at the notch 13c, thereby lowering the center of gravity of the vibration isolation table 13.

【0039】なお、検査用ステージ14を移動操作した
際に生じる振動等は、事前にある程度予測することがで
きる。このような振動を事前に予測して除振台13を動
作させるようにすれば、検査用ステージ14に生じる振
動を未然に防止することが可能である。したがって、検
査装置1は、検査用ステージ14を移動操作した際に生
じる振動等を事前に予測して除振台13を動作させるよ
うになされていることが望ましい。
It should be noted that vibrations or the like generated when the inspection stage 14 is moved can be predicted to some extent in advance. If the vibration isolation table 13 is operated by predicting such vibrations in advance, it is possible to prevent the vibrations occurring on the inspection stage 14 from occurring. Therefore, it is desirable that the inspection apparatus 1 operates the anti-vibration table 13 by predicting in advance vibrations and the like that occur when the inspection stage 14 is moved.

【0040】検査用ステージ14は、被検査物となる半
導体ウェハを支持するためのステージである。この検査
用ステージ14は、被検査物となる半導体ウェハを支持
するとともに、この半導体ウェハを所定の検査対象位置
へと移動させる機能も備えている。
The inspection stage 14 is a stage for supporting a semiconductor wafer to be inspected. The inspection stage 14 has a function of supporting a semiconductor wafer to be inspected and a function of moving the semiconductor wafer to a predetermined inspection target position.

【0041】具体的には、検査用ステージ14は、除振
台13上に設置されたXステージ15と、Xステージ1
5上に設置されたYステージ16と、Yステージ16上
に設置されたθステージ17と、θステージ17上に設
置されたZステージ18と、Zステージ18上に設置さ
れた吸着プレート19とを備えている。
Specifically, the inspection stage 14 includes an X stage 15 installed on the vibration isolation table 13 and an X stage 1
5, a Y stage 16 installed on the Y stage 16, a θ stage 17 installed on the Y stage 16, a Z stage 18 installed on the θ stage 17, and a suction plate 19 installed on the Z stage 18. Have.

【0042】Xステージ15及びYステージ16は、水
平方向に移動するステージであり、Xステージ15とY
ステージ16とで、被検査物となる半導体ウェハを互い
に直交する方向に移動させ、検査対象のデバイスパター
ンを所定の検査位置へと導くようにしている。
The X stage 15 and the Y stage 16 are stages that move in the horizontal direction.
The stage 16 moves semiconductor wafers to be inspected in directions orthogonal to each other, and guides a device pattern to be inspected to a predetermined inspection position.

【0043】θステージ17は、いわゆる回転ステージ
であり、半導体ウェハを回転させるためのものである。
半導体ウェハの検査時には、θステージ17により、例
えば、半導体ウェハ上のデバイスパターンが画面に対し
て水平又は垂直となるように、半導体ウェハを回転させ
る。
The θ stage 17 is a so-called rotary stage for rotating a semiconductor wafer.
When inspecting the semiconductor wafer, the semiconductor wafer is rotated by the θ stage 17 so that, for example, the device pattern on the semiconductor wafer is horizontal or vertical to the screen.

【0044】Zステージ18は、鉛直方向に移動するス
テージであり、ステージの高さを調整するためのもので
ある。半導体ウェハの検査時には、Zステージ18によ
り、半導体ウェハの検査面が適切な高さとなるように、
ステージの高さを調整する。
The Z stage 18 is a stage that moves in the vertical direction and adjusts the height of the stage. When inspecting a semiconductor wafer, the Z stage 18 is used to adjust the inspection surface of the semiconductor wafer to an appropriate height.
Adjust the height of the stage.

【0045】吸着プレート19は、検査対象の半導体ウ
ェハを吸着して固定するためのものである。半導体ウェ
ハの検査時に、検査対象の半導体ウェハは、この吸着プ
レート19上に載置され、この吸着プレート18により
吸着されて、不要な動きが抑制される。
The suction plate 19 is for sucking and fixing the semiconductor wafer to be inspected. During the inspection of the semiconductor wafer, the semiconductor wafer to be inspected is placed on the suction plate 19 and is sucked by the suction plate 18 to suppress unnecessary movement.

【0046】また、除振台12上には、検査用ステージ
14上に位置するように支持部材20によって支持され
た光学ユニット21が配されている。この光学ユニット
21は、半導体ウェハの検査時に、半導体ウェハの画像
を撮像するためのものである。そして、この光学ユニッ
ト21は、検査対象の半導体ウェハの画像の撮像を可視
光を用いて低分解能にて行う機能と、検査対象の半導体
ウェハの画像の撮像を紫外光を用いて高分解能にて行う
機能とを兼ね備えている。
An optical unit 21 supported by a support member 20 is disposed on the vibration isolation table 12 so as to be positioned on the inspection stage 14. The optical unit 21 is for taking an image of a semiconductor wafer when inspecting the semiconductor wafer. The optical unit 21 has a function of capturing an image of a semiconductor wafer to be inspected at low resolution using visible light, and a function of capturing an image of a semiconductor wafer to be inspected at high resolution using ultraviolet light. It also has the function to perform.

【0047】また、支持台11上には、図3及び図4に
示すように、被検査物となる半導体ウェハが装着された
カセット7bを容器7から取り出してクリーンボックス
3内に移動させるエレベータ22が設けられている。さ
らに、支持台11上には、図4に示すように、半導体ウ
ェハを搬送するための搬送用ロボット23と、半導体ウ
ェハを検査用ステージ14上に載置する前にそのセンタ
ー出しと位相出しとを行うプリアライナ24とが設けら
れている。なお、図4は装置本体10を上側から見た様
子を模式的に示す平面図である。
As shown in FIGS. 3 and 4, an elevator 22 for taking out a cassette 7b on which a semiconductor wafer to be inspected is mounted from the container 7 and moving the cassette 7b into the clean box 3, as shown in FIGS. Is provided. Further, as shown in FIG. 4, a transfer robot 23 for transferring the semiconductor wafer, and centering and phase setting of the semiconductor wafer before placing the semiconductor wafer on the inspection stage 14 are provided on the support base 11 as shown in FIG. Is provided. FIG. 4 is a plan view schematically showing the apparatus main body 10 viewed from above.

【0048】エレベータ22は、上昇及び下降動作され
る昇降台22aを有しており、容器7がクリーンボック
ス3の容器設置スペース8に設置されて容器7の底部7
aとカバー7cとの係合が解除されたときに、昇降台2
2aが下降操作されることによって、容器7の底部7a
及びこれに固定されたカセット7bをクリーンボックス
3の内部に移動させる。
The elevator 22 has an elevating platform 22a that can be moved up and down. The container 7 is installed in the container installation space 8 of the clean box 3, and the bottom 7 of the container 7
a when the engagement between the cover a and the cover 7c is released.
The lower portion 2a is operated to lower the bottom portion 7a of the container 7.
Then, the cassette 7b fixed thereto is moved into the clean box 3.

【0049】搬送用ロボット23は、先端部に吸着機構
23aが設けられた操作アーム23bを有しており、こ
の操作アーム23bを移動操作して、その先端部に設け
られた吸着機構23aにより半導体ウェハを吸着し、ク
リーンボックス3内における半導体ウェハの搬送を行う
ようになされている。
The transfer robot 23 has an operation arm 23b provided with a suction mechanism 23a at the tip thereof, and operates the operation arm 23b to move the semiconductor arm by the suction mechanism 23a provided at the tip. The wafer is sucked, and the semiconductor wafer is transported in the clean box 3.

【0050】プリアライナ24は、半導体ウェハに予め
形成されているオリエンテーションフラット及びノッチ
を基準として、半導体ウェハの位相出し及びセンター出
しを行うものである。検査装置1は、半導体ウェハを検
査用ステージ14上に載置する前に、プリアライナ24
によってその位相出し等を行うことにより、検査の効率
を向上させるようになされている。
The pre-aligner 24 performs phase and centering of the semiconductor wafer with reference to an orientation flat and a notch formed in advance on the semiconductor wafer. The inspection apparatus 1 sets the pre-aligner 24 before placing the semiconductor wafer on the inspection stage 14.
In this way, the efficiency of the inspection is improved by performing the phase setting or the like.

【0051】半導体ウェハを検査用ステージ14上に設
置する際は、先ず、エレベータ22により容器7の底部
7a及びカセット7bがクリーンボックス3の内部に移
動される。そして、カセット7bに装着された複数枚の
半導体ウェハの中から検査対象の半導体ウェハが選択さ
れ、選択された半導体ウェハが搬送用ロボット23によ
りカセット7bから取り出される。
When the semiconductor wafer is placed on the inspection stage 14, first, the bottom 7 a of the container 7 and the cassette 7 b are moved into the clean box 3 by the elevator 22. Then, a semiconductor wafer to be inspected is selected from the plurality of semiconductor wafers mounted on the cassette 7b, and the selected semiconductor wafer is taken out of the cassette 7b by the transfer robot 23.

【0052】カセット7bから取り出された半導体ウェ
ハは、搬送用ロボット23によりプリアライナ24へと
搬送される。プリアライナ24へ搬送された半導体ウェ
ハは、このプリアライナ24によって位相出しやセンタ
ー出しが行われる。そして、位相出しやセンター出しが
行われた半導体ウェハが、搬送用ロボット23により検
査用ステージ14へと搬送され、吸着プレート19上に
載置されて検査が行われる。
The semiconductor wafer taken out of the cassette 7b is transferred to the pre-aligner 24 by the transfer robot 23. The semiconductor wafer conveyed to the pre-aligner 24 is subjected to phase setting and center setting by the pre-aligner 24. Then, the semiconductor wafer on which the phase setting and the center setting have been performed is transferred to the inspection stage 14 by the transfer robot 23, and is placed on the suction plate 19 to perform the inspection.

【0053】検査対象の半導体ウェハが検査用ステージ
14へと搬送されると、搬送用ロボット23によって次
に検査する半導体ウェハがカセット7bから取り出さ
れ、プリアライナ24へと搬送される。そして、先に検
査用ステージ14へと搬送された半導体ウェハの検査が
行われている間に、次に検査する半導体ウェハの位相出
しやセンター出しが行われる。そして、先に検査用ステ
ージ14へと搬送された半導体ウェハの検査が終了する
と、次に検査する半導体ウェハが検査用ステージ14へ
と速やかに搬送される。
When the semiconductor wafer to be inspected is transported to the inspection stage 14, the semiconductor wafer to be inspected next is taken out of the cassette 7b by the transport robot 23 and transported to the pre-aligner 24. Then, while the inspection of the semiconductor wafer previously conveyed to the inspection stage 14 is being performed, the phase of the semiconductor wafer to be inspected next and the centering are performed. When the inspection of the semiconductor wafer previously transported to the inspection stage 14 is completed, the next semiconductor wafer to be inspected is immediately transported to the inspection stage 14.

【0054】検査装置1は、以上のように、検査対象の
半導体ウェハを検査用ステージ14へ搬送する前に、予
めプリアライナ24により位相出しやセンター出しを行
っておくことにより、検査用ステージ14による半導体
ウェハの位置決めに要する時間を短縮することができ
る。また、検査装置1は、先に検査用ステージ14へと
搬送された半導体ウェハの検査が行われている時間を利
用して、次に検査する半導体ウェハをカセット7bから
取り出し、プリアライナ24による位相出しやセンター
出しを行うことにより、全体での時間の短縮を図ること
ができ、効率よく検査を行うことができる。
As described above, the inspection apparatus 1 performs the phase setting and the center setting by the pre-aligner 24 before transporting the semiconductor wafer to be inspected to the inspection stage 14 so that the inspection stage 14 The time required for positioning the semiconductor wafer can be reduced. Further, the inspection apparatus 1 takes out the semiconductor wafer to be inspected next from the cassette 7b by using the time during which the inspection of the semiconductor wafer previously carried to the inspection stage 14 is being performed, and performs phase detection by the pre-aligner 24. By performing the centering and the centering, the overall time can be reduced, and the inspection can be performed efficiently.

【0055】ところで、この検査装置1において、エレ
ベータ22と、搬送用ロボット23と、プリアライナ2
4とは、図4に示すように、それぞれが直線上に並ぶよ
うに支持台11上に設置されている。そして、エレベー
タ22と搬送用ロボット23との間の距離L1と、搬送
用ロボット23とプリアライナ24との間の距離L2と
が略等しい距離となるように、それぞれの設置位置が決
定されている。さらに、搬送用ロボット23から見て、
エレベータ22やプリアライナ24が並ぶ方向と略直交
する方向に、検査用テーブル14が位置するような配置
とされている。
In the inspection apparatus 1, the elevator 22, the transfer robot 23, the pre-aligner 2
4 are installed on the support base 11 so as to be aligned on a straight line as shown in FIG. The respective installation positions are determined so that the distance L1 between the elevator 22 and the transfer robot 23 is substantially equal to the distance L2 between the transfer robot 23 and the pre-aligner 24. Further, from the viewpoint of the transfer robot 23,
The inspection table 14 is arranged so as to be positioned in a direction substantially orthogonal to the direction in which the elevators 22 and the pre-aligners 24 are arranged.

【0056】検査装置1は、各機構が以上のような配置
とされていることにより、被検査物である半導体ウェハ
の搬送を迅速且つ正確に行うことができる。
The inspection apparatus 1 can quickly and accurately transport a semiconductor wafer, which is an object to be inspected, by arranging each mechanism as described above.

【0057】すなわち、この検査装置1では、エレベー
タ22と搬送用ロボット23との間の距離L1と、搬送
用ロボット23とプリアライナ24との間の距離L2と
が略等しい距離となっているので、搬送用ロボット23
のアーム23bの長さを変えることなく、カセット7b
から取り出した半導体ウェハをプリアライナ24に搬送
することがでる。したがって、この検査装置1では、搬
送用ロボット23のアーム23bの長さを変えたときに
生じる誤差等が問題とならないので、半導体ウェハをプ
リアライナ24へと搬送する動作を正確に行うことがで
きる。また、エレベータ22と搬送用ロボット23とプ
リアライナ24とが直線上に並んでいるので、搬送用ロ
ボット23は直線的な動きのみにより、カセット7bか
ら取り出した半導体ウェハをプリアライナ24に搬送す
ることがでる。したがって、この検査装置1では、半導
体ウェハをプリアライナ24へと搬送する動作を極めて
正確に且つ迅速に行うことができる。
That is, in the inspection device 1, the distance L1 between the elevator 22 and the transfer robot 23 is substantially equal to the distance L2 between the transfer robot 23 and the pre-aligner 24. Transfer robot 23
Without changing the length of the arm 23b of the cassette 7b.
The semiconductor wafer taken out of the wafer can be transferred to the pre-aligner 24. Therefore, in the inspection apparatus 1, since an error or the like generated when the length of the arm 23b of the transfer robot 23 is changed does not matter, the operation of transferring the semiconductor wafer to the pre-aligner 24 can be performed accurately. Further, since the elevator 22, the transfer robot 23, and the pre-aligner 24 are arranged in a straight line, the transfer robot 23 can transfer the semiconductor wafer taken out of the cassette 7b to the pre-aligner 24 only by linear movement. . Therefore, in the inspection apparatus 1, the operation of transporting the semiconductor wafer to the pre-aligner 24 can be performed extremely accurately and quickly.

【0058】さらに、この検査装置1では、搬送用ロボ
ット23から見て、エレベータ22やプリアライナ24
が並ぶ方向と略直交する方向に、検査用テーブル14が
位置するような配置とされているので、搬送用ロボット
23が直線的な動きをすることで、半導体ウェハを検査
用テーブル14へ搬送することができる。したがって、
この検査装置1では、半導体ウェハを検査用テーブル1
4へと搬送する動作を極めて正確に且つ迅速に行うこと
ができる。特に、この検査装置1では、微細なデバイス
パターンが形成された半導体ウェハの検査を行うため、
被検査物である半導体ウェハの搬送及び位置決めを極め
て正確に行う必要があるので、以上のような配置が非常
に有効である。
Further, in the inspection apparatus 1, as viewed from the transfer robot 23, the elevator 22 and the pre-aligner 24
Are arranged so that the inspection table 14 is positioned in a direction substantially perpendicular to the direction in which the semiconductor wafers are arranged, so that the semiconductor wafer is transported to the inspection table 14 by the linear movement of the transport robot 23. be able to. Therefore,
In this inspection apparatus 1, a semiconductor wafer is placed on an inspection table 1
4 can be performed very accurately and quickly. In particular, the inspection apparatus 1 inspects a semiconductor wafer on which a fine device pattern is formed.
Since the transfer and positioning of the semiconductor wafer to be inspected must be performed very accurately, the above arrangement is very effective.

【0059】次に、上記検査装置1について、図5のブ
ロック図を参照して更に詳細に説明する。
Next, the inspection apparatus 1 will be described in more detail with reference to the block diagram of FIG.

【0060】図5に示すように、検査装置1の外部ユニ
ット50には、表示装置51及び入力装置53aが接続
された画像処理用コンピュータ60と、表示装置52及
び入力装置53bが接続された制御用コンピュータ61
とが配されている。なお、前掲した図1では、画像処理
用コンピュータ60に接続された入力装置53aと、制
御用コンピュータ61に接続された入力装置53bとを
まとめて、入力装53として図示している。
As shown in FIG. 5, the external unit 50 of the inspection apparatus 1 has an image processing computer 60 connected to a display device 51 and an input device 53a, and a control device connected to a display device 52 and an input device 53b. Computer 61
And are arranged. In FIG. 1, the input device 53a connected to the image processing computer 60 and the input device 53b connected to the control computer 61 are collectively shown as the input device 53.

【0061】画像処理用コンピュータ60は、半導体ウ
ェハを検査するときに、光学ユニット21の内部に設置
されたCCD(charge-coupled device)カメラ30,
31により半導体ウェハを撮像した画像を取り込んで処
理するコンピュータである。すなわち、この検査装置1
は、光学ユニット21の内部に設置されたCCDカメラ
30,31により撮像した半導体ウェハの画像を、画像
処理用コンピュータ60により処理して解析することに
より、半導体ウェハの検査を行う。
When inspecting a semiconductor wafer, the image processing computer 60 operates to charge the CCD (charge-coupled device) camera 30 installed inside the optical unit 21.
A computer that takes in and processes an image obtained by imaging a semiconductor wafer by 31. That is, this inspection device 1
Performs inspection of the semiconductor wafer by processing and analyzing the image of the semiconductor wafer captured by the CCD cameras 30 and 31 installed inside the optical unit 21 by the image processing computer 60.

【0062】なお、画像処理用コンピュータ60に接続
された入力装置53aは、CCDカメラ30,31から
取り込んだ画像の解析等に必要な指示を、画像処理用コ
ンピュータ30に対して入力するためのものであり、例
えば、マウス等のポインティングデバイスやキーボード
等からなる。また、画像処理用コンピュータ60に接続
された表示装置51は、CCDカメラ30,31から取
り込んだ画像の解析結果等を表示するためのものであ
り、例えば、CRTディスプレイや液晶ディスプレイ等
からなる。
The input device 53a connected to the image processing computer 60 is used to input, to the image processing computer 30, instructions necessary for analyzing images captured from the CCD cameras 30, 31 and the like. And comprises, for example, a pointing device such as a mouse, a keyboard, and the like. The display device 51 connected to the image processing computer 60 is for displaying analysis results of images taken from the CCD cameras 30 and 31, and is composed of, for example, a CRT display or a liquid crystal display.

【0063】制御用コンピュータ61は、半導体ウェハ
を検査するときに、検査用ステージ14、エレベータ2
2、搬送用ロボット23及びプリアライナ24、並びに
光学ユニット12の内部の各機器等を制御するためのコ
ンピュータである。すなわち、この検査装置1は、半導
体ウェハの検査を行う際に、検査対象の半導体ウェハの
画像が、光学ユニット21の内部に設置されたCCDカ
メラ30,31により撮像されるように、制御用コンピ
ュータ61により、検査用ステージ14、エレベータ2
2、搬送用ロボット23及びプリアライナ24、並びに
光学ユニット21の内部の各機器等を制御する。
When inspecting the semiconductor wafer, the control computer 61 performs the inspection stage 14, the elevator 2
2. A computer for controlling the transfer robot 23, the pre-aligner 24, and each device inside the optical unit 12. That is, the inspection apparatus 1 controls the control computer so that an image of the semiconductor wafer to be inspected is picked up by the CCD cameras 30 and 31 installed inside the optical unit 21 when inspecting the semiconductor wafer. 61, the inspection stage 14, the elevator 2
2. It controls the transfer robot 23, the pre-aligner 24, and each device inside the optical unit 21.

【0064】また、制御用コンピュータ61は、クリー
ンエアユニット4の送風機5a,5bを制御する機能を
有する。すなわち、この検査装置1は、クリーンエアユ
ニット4の送風機5a,5bを制御用コンピュータ61
が制御することによって、半導体ウェハの検査を行う際
に、クリーンボックス3内に清浄な空気を常時供給し、
また、クリーンボックス3内の気流をコントロールでき
るようにしている。
The control computer 61 has a function of controlling the blowers 5a and 5b of the clean air unit 4. That is, the inspection apparatus 1 controls the blowers 5 a and 5 b of the clean air unit 4
Is controlled to constantly supply clean air into the clean box 3 when inspecting a semiconductor wafer,
Further, the air flow in the clean box 3 can be controlled.

【0065】なお、制御用コンピュータ61に接続され
た入力装置53bは、検査用ステージ14、エレベータ
22、搬送用ロボット23及びプリアライナ24、光学
ユニット21の内部の各機器、並びにクリーンエアユニ
ット4の送風機5a,5b等を制御するのに必要な指示
を、制御用コンピュータ61に対して入力するためのも
のであり、例えば、マウス等のポインティングデバイス
やキーボード等からなる。また、制御用コンピュータ6
1に接続された表示装置52は、半導体ウェハの検査時
の各種条件等を表示するためのものであり、例えば、C
RTディスプレイや液晶ディスプレイ等からなる。
The input device 53 b connected to the control computer 61 includes the inspection stage 14, the elevator 22, the transfer robot 23 and the pre-aligner 24, each device inside the optical unit 21, and the blower of the clean air unit 4. This is for inputting an instruction necessary for controlling 5a, 5b and the like to the control computer 61, and includes, for example, a pointing device such as a mouse or a keyboard. The control computer 6
1 is for displaying various conditions and the like at the time of inspection of a semiconductor wafer.
It consists of an RT display, a liquid crystal display and the like.

【0066】また、画像処理用コンピュータ60と制御
用コンピュータ61とは、メモリリンク機構により、互
いにデータのやり取りが可能とされている。すなわち、
画像処理用コンピュータ60と制御用コンピュータ61
は、それぞれに設けられたメモリリンクインターフェー
ス60a,61aを介して互いに接続されており、画像
処理用コンピュータ60と制御用コンピュータ51との
間で、互いにデータのやり取りが可能となっている。
The image processing computer 60 and the control computer 61 can exchange data with each other by a memory link mechanism. That is,
Image processing computer 60 and control computer 61
Are connected to each other via memory link interfaces 60a and 61a provided respectively, so that the image processing computer 60 and the control computer 51 can exchange data with each other.

【0067】一方、検査装置1のクリーンボックス3の
内部には、密閉式の容器7に入れられて搬送されてきた
半導体ウェハを、この容器7のカセット7bから取り出
して検査用ステージ14に設置する機構として、上述し
たように、エレベータ22、搬送用ロボット23及びプ
リアライナ24が配されている。これらは、外部ユニッ
ト50に配された制御用コンピュータ61に、ロボット
制御インターフェース61bを介して接続されている。
そして、エレベータ22、搬送用ロボット23及びプリ
アライナ24には、制御用コンピュータ61からロボッ
ト制御インターフェース61bを介して、制御信号が送
られる。
On the other hand, inside the clean box 3 of the inspection apparatus 1, the semiconductor wafer placed in the closed container 7 and conveyed is taken out from the cassette 7 b of the container 7 and set on the inspection stage 14. As described above, the elevator 22, the transfer robot 23, and the pre-aligner 24 are arranged as mechanisms. These are connected to a control computer 61 arranged in the external unit 50 via a robot control interface 61b.
Then, control signals are sent from the control computer 61 to the elevator 22, the transfer robot 23, and the pre-aligner 24 via the robot control interface 61b.

【0068】すなわち、密閉式の容器7に入れられて搬
送されてきた半導体ウェハを、この容器7のカセット7
bから取り出して検査用ステージ14に設置する際は、
制御用コンピュータ61からロボット制御インターフェ
ース61bを介して、エレベータ22、搬送用ロボット
23及びプリアライナ24に制御信号が送出される。そ
して、エレベータ22、搬送用ロボット23及びプリア
ライナ24がこの制御信号に基づいて動作し、上述した
ように、密閉式の容器7に入れられて搬送されてきた半
導体ウェハを、この容器7のカセット7bから取り出し
て、プリアライナ25による位相出し及びセンター出し
を行い、検査用ステージ14に設置する。
That is, the semiconductor wafers transferred and carried in the sealed container 7 are transferred to the cassette 7 of the container 7.
b, when it is taken out and installed on the inspection stage 14,
Control signals are sent from the control computer 61 to the elevator 22, the transfer robot 23, and the pre-aligner 24 via the robot control interface 61b. Then, the elevator 22, the transfer robot 23, and the pre-aligner 24 operate based on the control signal, and as described above, the semiconductor wafers that have been transported in the closed container 7 are transferred to the cassette 7b of the container 7. , And the phase and center are set by the pre-aligner 25 and set on the inspection stage 14.

【0069】また、検査装置1のクリーンボックス3の
内部には除振台13が配されており、この除振台13上
に、上述したように、Xステージ15、Yステージ1
6、θステージ17、Zステージ18及び吸着プレート
19を備えた検査用ステージ14が設置されている。
Further, an anti-vibration table 13 is provided inside the clean box 3 of the inspection apparatus 1, and the X-stage 15 and the Y-stage 1
6, an inspection stage 14 including a θ stage 17, a Z stage 18, and a suction plate 19 is provided.

【0070】ここで、Xステージ15、Yステージ1
6、θステージ17、Zステージ18及び吸着プレート
19は、外部ユニット50に配された制御用コンピュー
タ61に、ステージ制御インターフェース61cを介し
て接続されている。そして、Xステージ15、Yステー
ジ16、θステージ17、Zステージ18及び吸着プレ
ート19には、制御用コンピュータ61からステージ制
御インターフェース61cを介して、制御信号が送られ
る。
Here, the X stage 15 and the Y stage 1
6, the θ stage 17, the Z stage 18, and the suction plate 19 are connected to a control computer 61 arranged in the external unit 50 via a stage control interface 61c. Then, control signals are sent from the control computer 61 to the X stage 15, the Y stage 16, the θ stage 17, the Z stage 18, and the suction plate 19 via the stage control interface 61c.

【0071】すなわち、半導体ウェハの検査を行う際
は、制御用コンピュータ61からステージ制御インター
フェース61cを介して、Xステージ15、Yステージ
16、θステージ17、Zステージ18及び吸着プレー
ト19に制御信号が送出される。そして、Xステージ1
5、Yステージ16、θステージ17、Zステージ18
及び吸着プレート19が、この制御信号に基づいて動作
し、吸着プレート19により検査対象の半導体ウェハを
吸着して固定するとともに、Xステージ15、Yステー
ジ16、θステージ17及びZステージ18により、半
導体ウェハを所定の位置、角度及び高さとなるように移
動する。
That is, when inspecting a semiconductor wafer, control signals are sent from the control computer 61 to the X stage 15, the Y stage 16, the θ stage 17, the Z stage 18, and the suction plate 19 via the stage control interface 61c. Sent out. And X stage 1
5, Y stage 16, θ stage 17, Z stage 18
The suction plate 19 operates on the basis of the control signal to suck and fix the semiconductor wafer to be inspected by the suction plate 19, and the semiconductor stage is controlled by the X stage 15, the Y stage 16, the θ stage 17 and the Z stage 18. The wafer is moved to a predetermined position, angle and height.

【0072】また、除振台12上には、上述したよう
に、光学ユニット21も設置されている。この光学ユニ
ット21は、半導体ウェハの検査時に半導体ウェハの画
像を撮像するためのものであり、上述したように、検査
対象の半導体ウェハの画像の撮像を可視光を用いて低分
解能にて行う機能と、検査対象の半導体ウェハの画像の
撮像を紫外光を用いて高分解能にて行う機能とを兼ね備
えている。
As described above, the optical unit 21 is also provided on the vibration isolation table 12. The optical unit 21 is for taking an image of the semiconductor wafer at the time of inspecting the semiconductor wafer, and as described above, the function of taking an image of the semiconductor wafer to be inspected at a low resolution using visible light. And a function of capturing an image of a semiconductor wafer to be inspected with high resolution using ultraviolet light.

【0073】この光学ユニット21の内部には、可視光
にて半導体ウェハの画像を撮像するための機構として、
可視光用CCDカメラ30と、ハロゲンランプ32と、
可視光用光学系33と、可視光用対物レンズ34と、可
視光用オートフォーカス制御部35とが配されている。
Inside the optical unit 21, a mechanism for capturing an image of a semiconductor wafer with visible light is provided.
A CCD camera 30 for visible light, a halogen lamp 32,
An optical system 33 for visible light, an objective lens 34 for visible light, and an autofocus controller 35 for visible light are arranged.

【0074】そして、可視光にて半導体ウェハの画像を
撮像する際は、ハロゲンランプ32を点灯させる。ここ
で、ハロゲンランプ32の駆動源は、外部ユニット50
に配された制御用コンピュータ61に、光源制御インタ
ーフェース61dを介して接続されている。そして、ハ
ロゲンランプ32の駆動源には、制御用コンピュータ6
1から光源制御インターフェース61dを介して制御信
号が送られる。ハロゲンランプ32の点灯/消灯は、こ
の制御信号に基づいて行われる。
When an image of the semiconductor wafer is taken with visible light, the halogen lamp 32 is turned on. Here, the driving source of the halogen lamp 32 is the external unit 50.
Is connected via a light source control interface 61d to a control computer 61 arranged in the computer. The driving source of the halogen lamp 32 includes the control computer 6.
1 transmits a control signal via the light source control interface 61d. The turning on / off of the halogen lamp 32 is performed based on this control signal.

【0075】そして、可視光にて半導体ウェハの画像を
撮像する際は、ハロゲンランプ32を点灯させ、このハ
ロゲンランプ32からの可視光を、可視光用光学系33
及び可視光用対物レンズ34を介して半導体ウェハにあ
てて、半導体ウェハを照明する。そして、可視光により
照明された半導体ウェハの像を可視光用対物レンズ34
により拡大し、その拡大像を可視光用CCDカメラ30
により撮像する。
When taking an image of a semiconductor wafer with visible light, the halogen lamp 32 is turned on, and the visible light from the halogen lamp 32 is transmitted to the visible light optical system 33.
Then, the semiconductor wafer is illuminated by being applied to the semiconductor wafer via the visible light objective lens 34. Then, the image of the semiconductor wafer illuminated by the visible light is converted into a visible light objective lens 34.
And enlarges the enlarged image with the visible light CCD camera 30.
To capture an image.

【0076】ここで、可視光用CCDカメラ30は、外
部ユニット50に配された画像処理用コンピュータ60
に、画像取込インターフェース60bを介して接続され
ている。そして、可視光用CCDカメラ30により撮像
された半導体ウェハの画像は、画像取込インターフェー
ス60bを介して画像処理用コンピュータ60に取り込
まれる。
Here, the visible light CCD camera 30 is connected to an image processing computer 60 provided in the external unit 50.
Are connected via an image capture interface 60b. Then, the image of the semiconductor wafer captured by the visible light CCD camera 30 is captured by the image processing computer 60 via the image capturing interface 60b.

【0077】また、上述のように可視光にて半導体ウェ
ハの画像を撮像する際は、可視光用オートフォーカス制
御部35により、自動焦点位置合わせを行う。すなわ
ち、可視光用オートフォーカス制御部35により、可視
光用対物レンズ34と半導体ウェハの間隔が可視光用対
物レンズ34の焦点距離に一致しているか否かを検出
し、一致していない場合には、可視光用対物レンズ34
又はZステージ18を動かして、半導体ウェハの検査対
象面が可視光用対物レンズ34の焦点面に一致するよう
にする。
When an image of a semiconductor wafer is captured with visible light as described above, the visible light autofocus controller 35 performs automatic focus positioning. That is, the visible light autofocus control unit 35 detects whether or not the distance between the visible light objective lens 34 and the semiconductor wafer matches the focal length of the visible light objective lens 34. Is a visible light objective lens 34
Alternatively, the Z stage 18 is moved so that the inspection target surface of the semiconductor wafer coincides with the focal plane of the visible light objective lens 34.

【0078】ここで、可視光用オートフォーカス制御部
35は、外部ユニット50に配された制御用コンピュー
タ61に、オートフォーカス制御インターフェース61
eを介して接続されている。そして、可視光用オートフ
ォーカス制御部35には、制御用コンピュータ61から
オートフォーカス制御インターフェース61eを介して
制御信号が送られる。可視光用オートフォーカス制御部
35による可視光用対物レンズ34の自動焦点位置合わ
せは、この制御信号に基づいて行われる。
Here, the visible light auto-focus control unit 35 is provided with an auto-focus control interface 61 to a control computer 61 arranged in the external unit 50.
e. Then, a control signal is sent from the control computer 61 to the visible light autofocus control unit 35 via the autofocus control interface 61e. Automatic focus positioning of the visible light objective lens 34 by the visible light autofocus controller 35 is performed based on this control signal.

【0079】また、光学ユニット21の内部には、紫外
光にて半導体ウェハの画像を撮像するための機構とし
て、紫外光用CCDカメラ31と、紫外光レーザ光源3
6と、紫外光用光学系37と、紫外光用対物レンズ38
と、紫外光用オートフォーカス制御部39とが配されて
いる。
Further, inside the optical unit 21, as a mechanism for picking up an image of a semiconductor wafer with ultraviolet light, an ultraviolet CCD camera 31 and an ultraviolet laser light source 3 are provided.
6, an optical system 37 for ultraviolet light, and an objective lens 38 for ultraviolet light
And an ultraviolet light autofocus control section 39.

【0080】そして、紫外光にて半導体ウェハの画像を
撮像する際は、紫外光レーザ光源36を点灯させる。こ
こで、紫外光レーザ光源36の駆動源は、外部ユニット
50に配された制御用コンピュータ61に、光源制御イ
ンターフェース61dを介して接続されている。そし
て、紫外光レーザ光源36の駆動源には、制御用コンピ
ュータ61から光源制御インターフェース61dを介し
て制御信号が送られる。紫外光レーザ光源36の点灯/
消灯は、この制御信号に基づいて行われる。
When an image of the semiconductor wafer is taken with ultraviolet light, the ultraviolet laser light source 36 is turned on. Here, the drive source of the ultraviolet laser light source 36 is connected to a control computer 61 arranged in the external unit 50 via a light source control interface 61d. A control signal is sent from the control computer 61 to the drive source of the ultraviolet laser light source 36 via the light source control interface 61d. Turning on / off the ultraviolet laser light source 36
The light is turned off based on this control signal.

【0081】なお、紫外光レーザ光源36には、波長が
266nm程度の紫外光レーザを出射するものを用いる
ことが好ましい。波長が266nm程度の紫外光レーザ
は、YAGレーザの4倍波として得られる。また、レー
ザ光源としては、発振波長が166nm程度のものも開
発されており、そのようなレーザ光源を上記紫外光レー
ザ光源36として用いてもよい。
It is preferable to use an ultraviolet laser light source that emits an ultraviolet laser having a wavelength of about 266 nm. An ultraviolet light laser having a wavelength of about 266 nm is obtained as a fourth harmonic of a YAG laser. Further, a laser light source having an oscillation wavelength of about 166 nm has been developed, and such a laser light source may be used as the ultraviolet laser light source.

【0082】紫外光にて半導体ウェハの画像を撮像する
際は、紫外光レーザ光源36を点灯させ、この紫外光レ
ーザ光源36からの紫外光を、紫外光用光学系37及び
紫外光用対物レンズ38を介して半導体ウェハにあて
て、半導体ウェハを照明する。そして、紫外光により照
明された半導体ウェハの像を紫外光用対物レンズ38に
より拡大し、その拡大像を紫外光用CCDカメラ31に
より撮像する。
When capturing an image of a semiconductor wafer with ultraviolet light, the ultraviolet laser light source 36 is turned on, and the ultraviolet light from the ultraviolet laser light source 36 is transmitted to the ultraviolet optical system 37 and the objective lens for ultraviolet light. The semiconductor wafer is illuminated by being applied to the semiconductor wafer via 38. Then, the image of the semiconductor wafer illuminated by the ultraviolet light is enlarged by the ultraviolet light objective lens 38, and the enlarged image is captured by the ultraviolet light CCD camera 31.

【0083】ここで、紫外光用CCDカメラ31は、外
部ユニット50に配された画像処理用コンピュータ60
に、画像取込インターフェース60cを介して接続され
ている。そして、紫外光用CCDカメラ31により撮像
された半導体ウェハの画像は、画像取込インターフェー
ス60cを介して画像処理用コンピュータ60に取り込
まれる。
The ultraviolet light CCD camera 31 is connected to an image processing computer 60 provided in the external unit 50.
Are connected via an image capture interface 60c. The image of the semiconductor wafer captured by the ultraviolet light CCD camera 31 is captured by the image processing computer 60 via the image capturing interface 60c.

【0084】また、上述のように紫外光にて半導体ウェ
ハの画像を撮像する際は、紫外光用オートフォーカス制
御部39により、自動焦点位置合わせを行う。すなわ
ち、紫外光用オートフォーカス制御部39により、紫外
光用対物レンズ38と半導体ウェハの間隔が紫外光用対
物レンズ38の焦点距離に一致しているか否かを検出
し、一致していない場合には、紫外光用対物レンズ38
又はZステージ18を動かして、半導体ウェハの検査対
象面が紫外光用対物レンズ38の焦点面に一致するよう
にする。
When the image of the semiconductor wafer is picked up by the ultraviolet light as described above, the automatic focus position is adjusted by the ultraviolet light autofocus control section 39. That is, the autofocus controller 39 for ultraviolet light detects whether or not the interval between the objective lens 38 for ultraviolet light and the semiconductor wafer matches the focal length of the objective lens 38 for ultraviolet light. Is the objective lens 38 for ultraviolet light.
Alternatively, the Z stage 18 is moved so that the inspection surface of the semiconductor wafer coincides with the focal plane of the ultraviolet light objective lens 38.

【0085】ここで、紫外光用オートフォーカス制御部
39は、外部ユニット50に配された制御用コンピュー
タ61に、オートフォーカス制御インターフェース61
eを介して接続されている。そして、紫外光用オートフ
ォーカス制御部39には、制御用コンピュータ61から
オートフォーカス制御インターフェース61eを介して
制御信号が送られる。紫外光用オートフォーカス制御部
39による紫外光用対物レンズ38の自動焦点位置合わ
せは、この制御信号に基づいて行われる。
Here, the auto-focus control section 39 for ultraviolet light transmits an auto-focus control interface 61 to a control computer 61 arranged in the external unit 50.
e. Then, a control signal is sent from the control computer 61 to the ultraviolet light autofocus control section 39 via the autofocus control interface 61e. Automatic focusing of the ultraviolet light objective lens 38 by the ultraviolet light autofocus control unit 39 is performed based on this control signal.

【0086】また、クリーンエアユニット4には、上述
したように、2つの送風機5a,5bが設けられてい
る。これらの送風機5a,5bは、外部ユニット50に
配された制御用コンピュータ61に、風量制御インター
フェース61fを介して接続されている。そして、クリ
ーンエアユニット4の送風機5a,5bには、制御用コ
ンピュータ61から風量制御インターフェース61fを
介して、制御信号が送られる。送風機5a,5bの回転
数の制御やオン/オフの切り替え等は、この制御信号に
基づいて行われる。
[0086] The clean air unit 4 is provided with two blowers 5a and 5b as described above. These blowers 5a and 5b are connected to a control computer 61 arranged in the external unit 50 via an air volume control interface 61f. A control signal is sent from the control computer 61 to the blowers 5a and 5b of the clean air unit 4 via the air volume control interface 61f. Control of the number of rotations of the blowers 5a and 5b, switching on / off, and the like are performed based on this control signal.

【0087】次に、上記検査装置1の光学ユニット21
の光学系について、図6を参照して更に詳細に説明す
る。なお、ここでは、オートフォーカス制御部35,3
9についての説明は省略し、検査対象の半導体ウェハを
照明する光学系と、検査対象の半導体ウェハを撮像する
光学系とについて説明する。
Next, the optical unit 21 of the inspection apparatus 1
Will be described in more detail with reference to FIG. Here, the auto focus control units 35 and 3
The description of 9 will be omitted, and an optical system for illuminating the semiconductor wafer to be inspected and an optical system for imaging the semiconductor wafer to be inspected will be described.

【0088】図6に示すように、光学ユニット21は、
可視光にて半導体ウェハの画像を撮像するための光学系
として、ハロゲンランプ32と、可視光用光学系33
と、可視光用対物レンズ34とを備えている。
As shown in FIG. 6, the optical unit 21
As an optical system for capturing an image of a semiconductor wafer with visible light, a halogen lamp 32 and an optical system 33 for visible light are used.
And a visible light objective lens 34.

【0089】ハロゲンランプ32からの可視光は、光フ
ァイバ40によって可視光用光学系33へと導かれる。
可視光用光学系33へと導かれた可視光は、先ず、2つ
のレンズ41,42を透過してハーフミラー43に入射
する。そして、ハーフミラー43に入射した可視光は、
ハーフミラー43によって可視光用対物レンズ34へ向
けて反射され、可視光用対物レンズ34を介して半導体
ウェハに入射する。これにより、半導体ウェハが可視光
により照明される。
The visible light from the halogen lamp 32 is guided by the optical fiber 40 to the visible light optical system 33.
The visible light guided to the visible light optical system 33 first passes through the two lenses 41 and 42 and enters the half mirror 43. Then, the visible light incident on the half mirror 43 is
The light is reflected by the half mirror 43 toward the objective lens 34 for visible light, and enters the semiconductor wafer via the objective lens 34 for visible light. Thereby, the semiconductor wafer is illuminated with the visible light.

【0090】そして、可視光により照明された半導体ウ
ェハの像は、可視光用対物レンズ34により拡大され、
ハーフミラー43及び撮像用レンズ44を透過して、可
視光用CCDカメラ30により撮像される。すなわち、
可視光により照明された半導体ウェハからの反射光が、
可視光用対物レンズ34、ハーフミラー43及び撮像用
レンズ44を介して可視光用CCDカメラ30に入射
し、これにより、半導体ウェハの拡大像が可視光用CC
Dカメラ30によって撮像される。そして、可視光用C
CDカメラ30によって撮像された半導体ウェハの画像
(以下、可視画像と称する。)は、画像処理用コンピュ
ータ60へと送られる。
Then, the image of the semiconductor wafer illuminated by the visible light is enlarged by the visible light objective lens 34,
The light passes through the half mirror 43 and the imaging lens 44 and is imaged by the visible light CCD camera 30. That is,
The reflected light from the semiconductor wafer illuminated by visible light
The light enters the visible light CCD camera 30 via the visible light objective lens 34, the half mirror 43, and the imaging lens 44.
The image is taken by the D camera 30. And C for visible light
An image of the semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a visible image) captured by the CD camera 30 is sent to the image processing computer 60.

【0091】また、光学ユニット21は、紫外光にて半
導体ウェハの画像を撮像するための光学系として、紫外
光レーザ光源36と、紫外光用光学系37と、紫外光用
対物レンズ38とを備えている。
The optical unit 21 includes an ultraviolet laser light source 36, an ultraviolet optical system 37, and an ultraviolet objective lens 38 as an optical system for capturing an image of a semiconductor wafer with ultraviolet light. Have.

【0092】紫外光レーザ光源36からの紫外光は、光
ファイバ45によって紫外光用光学系37へ導かれる。
紫外光用光学系37へと導かれた紫外光は、先ず、2つ
のレンズ46,47を透過してハーフミラー48に入射
する。そして、ハーフミラー48に入射した可視光は、
ハーフミラー48によって紫外光用対物レンズ38へ向
けて反射され、紫外光用対物レンズ38を介して半導体
ウェハに入射する。これにより、半導体ウェハが紫外光
により照明される。
The ultraviolet light from the ultraviolet laser light source 36 is guided to an ultraviolet light optical system 37 by an optical fiber 45.
The ultraviolet light guided to the ultraviolet light optical system 37 first passes through the two lenses 46 and 47 and enters the half mirror 48. Then, the visible light incident on the half mirror 48 is
The light is reflected by the half mirror 48 toward the ultraviolet light objective lens 38 and is incident on the semiconductor wafer via the ultraviolet light objective lens 38. Thereby, the semiconductor wafer is illuminated by the ultraviolet light.

【0093】そして、紫外光により照明された半導体ウ
ェハの像は、紫外光用対物レンズ38により拡大され、
ハーフミラー48及び撮像用レンズ49を透過して、紫
外光用CCDカメラ31により撮像される。すなわち、
紫外光により照明された半導体ウェハからの反射光が、
紫外光用対物レンズ38、ハーフミラー48及び撮像用
レンズ49を介して紫外光用CCDカメラ31に入射
し、これにより、半導体ウェハの拡大像が紫外光用CC
Dカメラ31によって撮像される。そして、紫外光用C
CDカメラ31によって撮像された半導体ウェハの画像
(以下、紫外画像と称する。)は、画像処理用コンピュ
ータ60へと送られる。
Then, the image of the semiconductor wafer illuminated with the ultraviolet light is enlarged by the ultraviolet light objective lens 38,
The light passes through the half mirror 48 and the imaging lens 49 and is imaged by the ultraviolet light CCD camera 31. That is,
The reflected light from the semiconductor wafer illuminated by ultraviolet light,
The light enters the ultraviolet light CCD camera 31 via the ultraviolet light objective lens 38, the half mirror 48, and the imaging lens 49, whereby the enlarged image of the semiconductor wafer is converted to the ultraviolet light CC.
The image is captured by the D camera 31. And UV light C
The image of the semiconductor wafer (hereinafter, referred to as an ultraviolet image) captured by the CD camera 31 is sent to the image processing computer 60.

【0094】以上のような検査装置1では、可視光より
も短波長の光である紫外光により、半導体ウェハの画像
を撮像して検査することができるので、可視光を用いて
欠陥の検出や分類分けを行う場合に比べて、より微細な
欠陥の検出や分類分けを行うことができる。
In the inspection apparatus 1 described above, an image of a semiconductor wafer can be imaged and inspected by ultraviolet light having a wavelength shorter than that of visible light. As compared with the case of performing classification, finer defects can be detected and classified.

【0095】しかも、上記検査装置1では、可視光用の
光学系と紫外光用の光学系とを兼ね備えており、可視光
を用いた低分解能での半導体ウェハの検査と、紫外光を
用いた高分解能での半導体ウェハの検査との両方を行う
ことができる。したがって、上記検査装置1では、可視
光を用いた低分解能での半導体ウェハの検査により、大
きい欠陥の検出や分類分けを行い、且つ、紫外光を用い
た高分解能での半導体ウェハの検査により、小さい欠陥
の検出や分類分けを行うといったことも可能である。
In addition, the inspection apparatus 1 has both an optical system for visible light and an optical system for ultraviolet light, and inspects a semiconductor wafer at a low resolution using visible light, and uses an ultraviolet light. Inspection of a semiconductor wafer with high resolution can be performed. Therefore, the inspection apparatus 1 detects and classifies large defects by inspecting a semiconductor wafer at low resolution using visible light, and inspects a semiconductor wafer at high resolution using ultraviolet light. It is also possible to detect and classify small defects.

【0096】なお、上記検査装置1において、紫外光用
対物レンズ40の開口数NAは、大きい方が好ましく、
例えば0.9以上とする。このように、紫外光用対物レ
ンズ40として、開口数NAの大きなレンズを用いるこ
とで、より微細な欠陥の検出が可能となる。
In the inspection apparatus 1, it is preferable that the numerical aperture NA of the ultraviolet light objective lens 40 is large.
For example, it is set to 0.9 or more. As described above, by using a lens having a large numerical aperture NA as the ultraviolet light objective lens 40, it is possible to detect a finer defect.

【0097】ところで、半導体ウェハの欠陥が、引っ掻
き傷のように色情報が無く凹凸だけからなる場合、可干
渉性を持たない光では、その欠陥を見ることは殆どでき
ない。これに対して、レーザ光のように可干渉性に優れ
た光を用いた場合には、引っ掻き傷のように色情報が無
く凹凸だけからなる欠陥であっても、凹凸の段差近辺で
光が干渉することにより、当該欠陥をはっきりと見るこ
とができる。そして、上記検査装置1では、紫外光の光
源として紫外域のレーザ光を出射する紫外光レーザ光源
36を用いている。したがって、上記検査装置1では、
引っ掻き傷のように色情報が無く凹凸だけからなる欠陥
であっても、当該欠陥をはっきりと検出することができ
る。すなわち、上記検査装置1では、ハロゲンランプ3
2からの可視光(インコヒーレント光)では検出が困難
な位相情報を、紫外光レーザ光源36からの紫外光レー
ザ(コヒーレント光)を用いて、容易に検出することが
できる。
When a defect in a semiconductor wafer consists of only irregularities without color information, such as a scratch, the defect can hardly be seen with light having no coherence. On the other hand, when light having excellent coherence, such as laser light, is used, even when a defect such as a scratch has no color information and consists only of irregularities, light is generated in the vicinity of the irregularities. By interfering, the defect can be clearly seen. The inspection apparatus 1 uses an ultraviolet laser light source 36 that emits laser light in the ultraviolet region as a light source of ultraviolet light. Therefore, in the above inspection device 1,
Even a defect such as a scratch, which has no color information and consists only of irregularities, can be clearly detected. That is, in the inspection apparatus 1, the halogen lamp 3
Phase information, which is difficult to detect with visible light (incoherent light) from 2, can be easily detected using the ultraviolet laser (coherent light) from the ultraviolet laser light source 36.

【0098】次に、上記検査装置1で半導体ウェハを検
査するときの手順の一例を、図7のフローチャートを参
照して説明する。なお、図7のフローチャートでは、検
査対象の半導体ウェハが検査用ステージ14に設置され
た状態以降の処理の手順を示している。また、図7に示
すフローチャートは、半導体ウェハ上の欠陥の位置が予
め分かっている場合に、その欠陥を上記検査装置1によ
り検査して分類分けを行うときの手順の一例を示してい
る。また、ここでは、半導体ウェハ上に同様なデバイス
パターンが多数形成されているものとし、欠陥の検出や
分類分けは、欠陥がある領域の画像(欠陥画像)と、そ
の他の領域の画像(参照画像)とを撮像し、それらを比
較することで行うものとする。
Next, an example of a procedure for inspecting a semiconductor wafer by the inspection apparatus 1 will be described with reference to a flowchart of FIG. Note that the flowchart of FIG. 7 illustrates a procedure of a process after a state where the semiconductor wafer to be inspected is set on the inspection stage 14. Further, the flowchart shown in FIG. 7 shows an example of a procedure when the defect is inspected by the inspection apparatus 1 and the classification is performed when the position of the defect on the semiconductor wafer is known in advance. Here, it is assumed that a number of similar device patterns are formed on a semiconductor wafer, and the detection and classification of defects are performed by using an image of a defective area (a defect image) and an image of another area (a reference image). ) Is taken and compared.

【0099】先ず、ステップS1−1に示すように、制
御用コンピュータ61に欠陥位置座標ファイルを読み込
む。ここで、欠陥位置座標ファイルは、半導体ウェハ上
の欠陥の位置に関する情報が記述されたファイルであ
り、欠陥検出装置等により、半導体ウェハ上の欠陥の位
置を予め計測して作成しておく。そして、ここでは、そ
の欠陥位置座標ファイルを制御用コンピュータ61に読
み込む。
First, as shown in step S1-1, a defect position coordinate file is read into the control computer 61. Here, the defect position coordinate file is a file in which information relating to the position of the defect on the semiconductor wafer is described, and is created by measuring the position of the defect on the semiconductor wafer in advance by a defect detection device or the like. Then, here, the defect position coordinate file is read into the control computer 61.

【0100】次に、ステップS1−2において、制御用
コンピュータ61によりXステージ15及びYステージ
16を駆動させ、欠陥位置座標ファイルが示す欠陥位置
座標へ半導体ウェハを移動させ、半導体ウェハの検査対
象領域が可視光用対物レンズ34の視野内に入るように
する。
Next, in step S1-2, the X stage 15 and the Y stage 16 are driven by the control computer 61 to move the semiconductor wafer to the defect position coordinates indicated by the defect position coordinate file. In the field of view of the objective lens 34 for visible light.

【0101】次に、ステップS1−3において、制御用
コンピュータ61により可視光用オートフォーカス制御
部35を駆動させ、可視光用対物レンズ34の自動焦点
位置合わせを行う。
Next, in step S1-3, the visible light autofocus controller 35 is driven by the control computer 61 to perform automatic focus position adjustment of the visible light objective lens.

【0102】次に、ステップS1−4において、可視光
用CCDカメラ30により半導体ウェハの画像を撮像
し、撮像した可視画像を画像処理用コンピュータ60に
送る。なお、ここで撮像される可視画像は、欠陥位置座
標ファイルが示す欠陥位置座標における画像、すなわ
ち、欠陥があるとされる領域の画像(以下、欠陥画像と
称する。)である。
Next, in step S1-4, an image of the semiconductor wafer is captured by the visible light CCD camera 30, and the captured visible image is sent to the image processing computer 60. The visible image captured here is an image at the defect position coordinates indicated by the defect position coordinate file, that is, an image of a region where a defect is present (hereinafter, referred to as a defect image).

【0103】次に、ステップS1−5において、制御用
コンピュータ61によりXステージ15及びYステージ
16を駆動させ、参照位置座標へ半導体ウェハを移動さ
せて、半導体ウェハの参照領域が可視光用対物レンズ3
4の視野内に入るようにする。ここで、参照領域は、半
導体ウェハの検査対象領域以外の領域であって、半導体
ウェハの検査対象領域におけるデバイスパターンと同様
なデバイスパターンが形成されている領域である。
Next, in step S1-5, the X stage 15 and the Y stage 16 are driven by the control computer 61 to move the semiconductor wafer to the reference position coordinates. 3
4 so that it is within the field of view. Here, the reference region is a region other than the inspection target region of the semiconductor wafer, and is a region where a device pattern similar to the device pattern in the inspection target region of the semiconductor wafer is formed.

【0104】次に、ステップS1−6において、制御用
コンピュータ61により可視光用オートフォーカス制御
部35を駆動させ、可視光用対物レンズ34の自動焦点
位置合わせを行う。
Next, in step S1-6, the visible light autofocus control unit 35 is driven by the control computer 61 to perform automatic focusing of the visible light objective lens.

【0105】次に、ステップS1−7において、可視光
用CCDカメラ30により半導体ウェハの画像を撮像
し、撮像した可視画像を画像処理用コンピュータ60に
送る。なお、ここで撮像される可視画像は、半導体ウェ
ハの検査対象領域におけるデバイスパターンと同様なデ
バイスパターンが形成されている領域の画像(以下、参
照画像と称する。)である。
Next, in step S1-7, an image of the semiconductor wafer is captured by the visible light CCD camera 30, and the captured visible image is sent to the image processing computer 60. Note that the visible image captured here is an image of a region where a device pattern similar to the device pattern in the inspection target region of the semiconductor wafer is formed (hereinafter, referred to as a reference image).

【0106】次に、ステップS1−8において、画像処
理用コンピュータ60により、ステップS1−4で取り
込んだ欠陥画像と、ステップS1−7で取り込んだ参照
画像とを比較し、欠陥画像から欠陥を検出する。そし
て、欠陥が検出できた場合には、ステップS1−9へ進
み、欠陥が検出できなかった場合には、ステップS1−
11へ進む。
Next, in step S1-8, the image processing computer 60 compares the defect image captured in step S1-4 with the reference image captured in step S1-7, and detects a defect from the defect image. I do. If a defect is detected, the process proceeds to step S1-9. If a defect is not detected, the process proceeds to step S1-9.
Proceed to 11.

【0107】ステップS1−9では、画像処理用コンピ
ュータ60により、検出された欠陥が何であるかを調べ
て分類分けを行う。そして、欠陥の分類分けができた場
合には、ステップS1−10へ進み、欠陥の分類分けが
できなかった場合には、ステップS1−11へ進む。
In step S1-9, the image processing computer 60 checks what the detected defect is and performs classification. If the defect can be classified, the process proceeds to step S1-10. If the defect cannot be classified, the process proceeds to step S1-11.

【0108】ステップS1−10では、欠陥の分類結果
を保存する。ここで、欠陥の分類結果は、例えば、画像
処理用コンピュータ60や制御用コンピュータ61に接
続された記憶装置に保存する。なお、欠陥の分類結果
は、画像処理用コンピュータ60や制御用コンピュータ
61にネットワークを介して接続された他のコンピュー
タに転送して保存するようにしてもよい。
In step S1-10, the defect classification result is stored. Here, the defect classification result is stored in, for example, a storage device connected to the image processing computer 60 or the control computer 61. Note that the defect classification result may be transferred to another computer connected to the image processing computer 60 or the control computer 61 via a network, and may be stored.

【0109】ステップS1−10での処理が完了した
ら、半導体ウェハの欠陥の分類分けが完了したこととな
るので、これで処理を終了する。ただし、半導体ウェハ
上に複数の欠陥がある場合には、ステップS1−2へ戻
って、他の欠陥の検出及び分類分けを行うようにしても
よい。
When the processing in step S1-10 is completed, it means that the classification of the defects in the semiconductor wafer has been completed, and the processing is completed. However, when there are a plurality of defects on the semiconductor wafer, the process may return to step S1-2 to detect and classify other defects.

【0110】一方、ステップS1−8で欠陥検出ができ
なかった場合や、ステップS1−9で欠陥の分類分けが
できなかった場合には、ステップS1−11以降へ進
み、紫外光を用いて高分解能での撮像を行って欠陥の検
出や分類分けを行う。
On the other hand, if the defect cannot be detected in step S1-8, or if the defect cannot be classified in step S1-9, the process proceeds to step S1-11 and the subsequent steps. Defect detection and classification are performed by imaging at a resolution.

【0111】その場合は、先ず、ステップS1−11に
おいて、制御用コンピュータ61によりXステージ15
及びYステージ16を駆動させ、欠陥位置座標ファイル
が示す欠陥位置座標へ半導体ウェハを移動させて、半導
体ウェハの検査対象領域が紫外光用対物レンズ38の視
野内に入るようにする。
In this case, first, in step S1-11, the X stage 15 is controlled by the control computer 61.
Then, the Y stage 16 is driven to move the semiconductor wafer to the defect position coordinates indicated by the defect position coordinate file, so that the inspection target area of the semiconductor wafer falls within the field of view of the ultraviolet light objective lens 38.

【0112】次に、ステップS1−12において、制御
用コンピュータ61により紫外光用オートフォーカス制
御部39を駆動させ、紫外光用対物レンズ38の自動焦
点位置合わせを行う。
Next, in step S1-12, the control computer 61 drives the ultraviolet light autofocus control section 39 to perform automatic focusing of the ultraviolet light objective lens.

【0113】次に、ステップS1−13において、紫外
光用CCDカメラ31により半導体ウェハの画像を撮像
し、撮像した紫外画像を画像処理用コンピュータ60に
送る。なお、ここで撮像される紫外画像は、欠陥位置座
標ファイルが示す欠陥位置座標における画像、すなわち
欠陥画像である。また、ここでの欠陥画像の撮像は、可
視光よりも短波長の光である紫外光を用いて、可視光を
用いた場合の撮像よりも高分解能にて行う。
Next, in step S1-13, an image of the semiconductor wafer is taken by the ultraviolet CCD camera 31, and the taken ultraviolet image is sent to the image processing computer 60. The ultraviolet image captured here is an image at the defect position coordinates indicated by the defect position coordinate file, that is, a defect image. In addition, imaging of the defect image here is performed with higher resolution than imaging using visible light, using ultraviolet light that is light having a shorter wavelength than visible light.

【0114】次に、ステップS1−14において、制御
用コンピュータ61によりXステージ15及びYステー
ジ16を駆動させ、参照位置座標へ半導体ウェハを移動
させて、半導体ウェハの参照領域が紫外光用対物レンズ
38の視野内に入るようにする。ここで、参照領域は、
半導体ウェハの検査対象領域以外の領域であって、半導
体ウェハの検査対象領域におけるデバイスパターンと同
様なデバイスパターンが形成されている領域である。
Next, in step S1-14, the X stage 15 and the Y stage 16 are driven by the control computer 61 to move the semiconductor wafer to the reference position coordinates, and the reference region of the semiconductor wafer is moved to the ultraviolet objective lens. 38. Here, the reference area is
This is an area other than the inspection target area of the semiconductor wafer, in which a device pattern similar to the device pattern in the inspection target area of the semiconductor wafer is formed.

【0115】次に、ステップS1−15において、制御
用コンピュータ61により紫外光用オートフォーカス制
御部39を駆動させ、紫外光用対物レンズ38の自動焦
点位置合わせを行う。
Next, at step S1-15, the control computer 61 drives the ultraviolet light autofocus control section 39 to perform automatic focus position adjustment of the ultraviolet light objective lens 38.

【0116】次に、ステップS1−16において、紫外
光用CCDカメラ31により半導体ウェハの画像を撮像
し、撮像した紫外画像を画像処理用コンピュータ60に
送る。なお、ここで撮像される紫外画像は、半導体ウェ
ハの検査対象領域におけるデバイスパターンと同様なデ
バイスパターンが形成されている領域の画像、すなわち
参照画像である。また、ここでの参照画像の撮像は、可
視光よりも短波長の光である紫外光を用いて、可視光を
用いた場合よりも高分解能にて行う。
Next, in step S1-16, an image of the semiconductor wafer is captured by the ultraviolet CCD camera 31, and the captured ultraviolet image is sent to the image processing computer 60. The ultraviolet image captured here is an image of a region where a device pattern similar to the device pattern in the inspection target region of the semiconductor wafer is formed, that is, a reference image. The imaging of the reference image here is performed at a higher resolution than when visible light is used by using ultraviolet light that is light having a shorter wavelength than visible light.

【0117】次に、ステップS1−17において、画像
処理用コンピュータ60により、ステップS1−13で
取り込んだ欠陥画像と、ステップS1−16で取り込ん
だ参照画像とを比較し、欠陥画像から欠陥を検出する。
そして、欠陥が検出できた場合には、ステップS1−1
8へ進み、欠陥が検出できなかった場合には、ステップ
S1−19へ進む。
Next, in step S1-17, the image processing computer 60 compares the defect image captured in step S1-13 with the reference image captured in step S1-16, and detects a defect from the defect image. I do.
If a defect can be detected, step S1-1
Proceeding to step S8, if no defect is detected, proceeding to step S1-19.

【0118】ステップS1−18では、画像処理用コン
ピュータ60により、検出された欠陥が何であるかを調
べて分類分けを行う。そして、欠陥の分類分けができた
場合には、ステップS1−10へ進み、上述したよう
に、欠陥の分類結果を保存する。一方、欠陥の分類分け
ができなかった場合には、ステップS1−19へ進む。
In step S1-18, the image processing computer 60 checks what the detected defect is and classifies it. If the defect classification has been completed, the process proceeds to step S1-10, and the defect classification result is stored as described above. On the other hand, if the defect cannot be classified, the process proceeds to step S1-19.

【0119】ステップS1−19では、欠陥の分類分け
ができなかったことを示す情報を保存する。ここで、欠
陥の分類分けができなかったことを示す情報は、例え
ば、画像処理用コンピュータ60や制御用コンピュータ
61に接続された記憶装置に保存する。なお、この情報
は、画像処理用コンピュータ60や制御用コンピュータ
61にネットワークを介して接続された他のコンピュー
タに転送して保存するようにしてもよい。
In step S1-19, information indicating that the defect cannot be classified is stored. Here, information indicating that the defect cannot be classified is stored, for example, in a storage device connected to the image processing computer 60 or the control computer 61. Note that this information may be transferred to another computer connected to the image processing computer 60 or the control computer 61 via a network and stored.

【0120】以上のような手順により、先ず、可視光用
CCDカメラ30により撮像された画像を処理して解析
することで低分解能にて半導体ウェハの検査を行い、可
視光での欠陥の検出や分類分けができなかった場合に、
次に、紫外光用CCDカメラ31により撮像された画像
を処理して解析することで高分解能にて半導体ウェハの
検査を行う。
According to the above-described procedure, first, an image picked up by the visible light CCD camera 30 is processed and analyzed to inspect the semiconductor wafer at a low resolution, and it is possible to detect a defect by visible light When classification was not possible,
Next, the semiconductor wafer is inspected with high resolution by processing and analyzing the image captured by the ultraviolet CCD camera 31.

【0121】ここで、CCDカメラ30,31によって
撮像された参照画像及び欠陥画像から欠陥を検出する手
法について、図8を参照して説明する。
Here, a method of detecting a defect from a reference image and a defect image picked up by the CCD cameras 30 and 31 will be described with reference to FIG.

【0122】図8(a)は、検査対象領域におけるデバ
イスパターンと同様なデバイスパターンが形成されてい
る参照領域の画像、すなわち参照画像の一例を示してい
る。また、図8(b)は、欠陥があるとされる検査対象
領域の画像、すなわち欠陥画像の一例を示している。
FIG. 8A shows an example of an image of a reference area where a device pattern similar to the device pattern in the inspection target area is formed, that is, an example of a reference image. FIG. 8B shows an example of an image of an inspection target area determined to have a defect, that is, a defect image.

【0123】このような参照画像及び欠陥画像から欠陥
を検出する際は、参照画像から色情報や濃淡情報などに
基づいて、図8(c)に示すようにデバイスパターンを
抽出する。また、参照画像と欠陥画像から差の画像を求
め、差の大きな部分を図8(d)に示すように欠陥とし
て抽出する。
When detecting a defect from such a reference image and a defect image, a device pattern is extracted from the reference image as shown in FIG. 8C based on color information, density information, and the like. Further, a difference image is obtained from the reference image and the defect image, and a portion having a large difference is extracted as a defect as shown in FIG.

【0124】そして、図8(e)に示すように、図8
(c)に示したデバイスパターン抽出結果の画像と、図
8(d)に示した欠陥抽出結果の画像とを重ね合わせた
画像を得て、欠陥がデバイスパターンに存在する割合な
どを、欠陥に関する特徴量として抽出する。
Then, as shown in FIG.
An image obtained by superimposing the image of the device pattern extraction result shown in FIG. 8C and the image of the defect extraction result shown in FIG. 8D is obtained. It is extracted as a feature value.

【0125】以上のような手法により、CCDカメラ3
0,31によって撮像された参照画像及び欠陥画像を画
像処理用コンピュータ60で処理し解析することで欠陥
を検出し、半導体ウェハの検査を行うことができる。
By the above-described method, the CCD camera 3
The image processing computer 60 processes and analyzes the reference image and the defect image captured by 0 and 31 to detect a defect and inspect a semiconductor wafer.

【0126】検査装置1は、上述したように、先ず、可
視光用CCDカメラ30により撮像された画像を処理し
て解析することで低分解能にて半導体ウェハの検査を行
い、可視光での欠陥の検出や分類分けができなかった場
合に、次に、紫外光用CCDカメラ31により撮像され
た画像を処理して解析することで高分解能にて半導体ウ
ェハの検査を行うようにしているので、可視光だけを用
いて欠陥の検出や分類分けを行う場合に比べて、より微
細な欠陥の検出や分類分けを行うことができる。
As described above, the inspection apparatus 1 first inspects the semiconductor wafer at a low resolution by processing and analyzing the image picked up by the visible light CCD camera 30, and inspects the defect by visible light. If the detection and classification cannot be performed, the semiconductor wafer is inspected at a high resolution by processing and analyzing the image captured by the ultraviolet CCD camera 31. It is possible to detect and classify finer defects as compared with the case of detecting and classifying defects using only visible light.

【0127】ただし、可視光を用いて低分解能にて撮像
した方が、一度に撮像できる領域が広いので、欠陥が十
分に大きい場合には、可視光を用いて低分解能にて半導
体ウェハの検査を行った方が効率が良い。したがって、
最初から紫外光を用いて欠陥の検査や分類分けを行うの
ではなく、上述のように、最初に可視光を用いて欠陥の
検査や分類分けを行うようにすることで、より効率良く
半導体ウェハの検査を行うことができる。
However, when imaging with low resolution using visible light, the area that can be imaged at a time is wider. Therefore, when the defect is sufficiently large, inspection of the semiconductor wafer with low resolution using visible light is performed. Is more efficient. Therefore,
Rather than using ultraviolet light to inspect and classify defects from the beginning, as described above, inspecting and classifying defects using visible light first enables more efficient semiconductor wafers. Inspection can be performed.

【0128】ところで、この検査装置1では、上述した
ように、半導体ウェハの検査を行う装置本体10をクリ
ーンボックス3の内部に設置し、クリーンボックス3の
内部に清浄な空気を供給して高いクリーン度に保つこと
によって、検査が行われる環境のクリーン度のみを局所
的に高め、クリーンな環境の中で検査が行えるようにし
ている。
In the inspection apparatus 1, as described above, the apparatus main body 10 for inspecting semiconductor wafers is installed inside the clean box 3, and clean air is supplied to the inside of the clean box 3 to provide high cleanliness. By keeping the temperature at a high level, only the cleanness of the environment in which the inspection is performed is locally increased, and the inspection can be performed in a clean environment.

【0129】しかしながら、このような構造の検査装置
1では、半導体ウェハの検査を行う際に、検査用ステー
ジ14や搬送用ロボット23等が動作されることに伴っ
て、クリーンボックス3内に摩耗粉等の塵埃が発生する
場合がある。そして、この湯にクリーンボックス3内に
発生した塵埃等が検査用ステージ14上に設置された半
導体ウェハや、容器7を介してクリーンボックス3内に
搬送されてきた半導体ウェハに付着すると、適切な検査
が阻害されてしまう。したがって、検査装置1において
は、クリーンボックス3内で発生した塵埃等を半導体ウ
ェハに付着させることなく速やかにクリーンボックス3
の外部に排出することが重要である。
However, in the inspection apparatus 1 having such a structure, when a semiconductor wafer is inspected, the abrasion powder is placed in the clean box 3 as the inspection stage 14 and the transfer robot 23 are operated. Dust may be generated. When dust or the like generated in the clean box 3 adheres to the semiconductor wafer placed on the inspection stage 14 or the semiconductor wafer transported into the clean box 3 via the container 7, an appropriate Inspection will be hindered. Therefore, in the inspection apparatus 1, the dust and the like generated in the clean box 3 are quickly attached to the semiconductor wafer without adhering to the semiconductor wafer.
It is important to discharge to the outside.

【0130】特に、この検査装置1では、紫外光レーザ
光源36や紫外光用CCDカメラ31等を用いて、例え
ば、線幅が0.18μm以下とされた非常に微細なデバ
イスパターンを高分解能にて検査するようになされてい
るので、これまであまり問題とならなかったような微細
な塵埃等も適切な検査を阻害する要因となる。
In particular, in the inspection apparatus 1, for example, an extremely fine device pattern having a line width of 0.18 μm or less can be converted to a high resolution by using the ultraviolet laser light source 36, the ultraviolet CCD camera 31, or the like. Since fine inspection is performed, fine dust and the like, which has not been a problem so far, can be a factor that hinders appropriate inspection.

【0131】そこで、この検査装置1では、クリーンボ
ックス3内の気流を適切にコントロールすることによっ
て、クリーンボックス3内で発生した塵埃等を、非常に
微細なものも含めてクリーンボックス3の外部に効果的
に排出し、半導体ウェハに付着させないようにしてい
る。
Therefore, in the inspection apparatus 1, dust and the like generated in the clean box 3 including the very fine ones can be discharged to the outside of the clean box 3 by appropriately controlling the air flow in the clean box 3. It is effectively discharged so that it does not adhere to the semiconductor wafer.

【0132】具体的には、この検査装置1では、クリー
ンエアユニット4からクリーンボックス3内に供給され
る清浄な空気の風量を、送風機5a,5b毎に個別に制
御することによって、クリーンボックス3内の気流を自
在にコントロールできるようにしている。
Specifically, in the inspection apparatus 1, the amount of clean air supplied from the clean air unit 4 into the clean box 3 is individually controlled for each of the blowers 5a and 5b, so that the clean box 3 is controlled. The airflow inside can be controlled freely.

【0133】クリーンエアユニット4からクリーンボッ
クス3内に供給される清浄な空気の風量を、送風機5
a,5b毎に個別に制御する方法としては、例えば、送
風機5a,5bの回転数を個別に調整することが考えら
れる。検査装置1では、上述したように、送風機5a,
5bが、風量制御インターフェース61fを介して制御
用コンピュータ61に接続されている。そして、制御用
コンピュータ61から風量制御インターフェース61f
を介して送風機5a,5bに制御信号を送出することに
よって、送風機5a,5bの回転数を制御することがで
きるようになされている。
The amount of clean air supplied from the clean air unit 4 into the clean box 3 is determined by the blower 5
As a method of controlling individually for each of a and 5b, for example, it is conceivable to individually adjust the rotation speed of the blowers 5a and 5b. In the inspection device 1, as described above, the blowers 5a,
5b is connected to the control computer 61 via the air volume control interface 61f. Then, the air volume control interface 61f is sent from the control computer 61.
By transmitting a control signal to the blowers 5a and 5b via the controller, the rotation speeds of the blowers 5a and 5b can be controlled.

【0134】したがって、この検査装置1では、検査者
が入力装置53bを介して制御用コンピュータ61に必
要な指示を入力することによって、送風機5a,5bの
回転数を個別に調整し、クリーンエアユニット4からク
リーンボックス3内に供給される清浄な空気の風量を、
送風機5a,5b毎に個別に制御することができる。
Therefore, in the inspection apparatus 1, the inspector inputs necessary instructions to the control computer 61 via the input device 53b, thereby individually adjusting the rotation speeds of the blowers 5a and 5b, and The amount of clean air supplied into the clean box 3 from 4 is
It can be controlled individually for each of the blowers 5a and 5b.

【0135】送風機5a,5bから送風される空気は、
高性能エアフィルタを通過することによって塵埃等が除
去された清浄な空気とされ、これら送風機5a,5bの
下方に位置するクリーンボックス3内の各領域に、ダウ
ンフローとしてそれぞれ送られることになる。ここで、
送風機5a,5bからの空気の風量がそれぞれ同じであ
るとすると、これら送風機5a,5bの下方に位置する
クリーンボックス3内の各領域における風速が、クリー
ンボックス3の形状やクリーンボックス3内における装
置本体10の配置等に依存する各領域の広さに応じてそ
れぞれ異なったものとなる。そして、この各領域におけ
る風速の違いに起因して、予期しない乱気流が生じ、ク
リーンボックス3内に発生した塵埃等を巻き上げて半導
体ウェハに付着させてしまう場合がある。
The air blown from the blowers 5a and 5b is
By passing through the high-performance air filter, the air is converted into clean air from which dust and the like are removed, and is sent as a downflow to each area in the clean box 3 located below these blowers 5a and 5b. here,
Assuming that the air volume from the blowers 5a and 5b is the same, the wind speed in each area in the clean box 3 located below the blowers 5a and 5b depends on the shape of the clean box 3 and the device in the clean box 3. The respective areas are different depending on the size of each area depending on the arrangement of the main body 10 and the like. Then, unexpected turbulence may occur due to the difference in wind speed in each region, and dust and the like generated in the clean box 3 may be rolled up and attached to the semiconductor wafer.

【0136】検査装置1では、送風機5a,5bの回転
数を個別に調整して、クリーンエアユニット4からクリ
ーンボックス3内に供給される清浄な空気の風量を、送
風機5a,5b毎に個別に制御することによって、例え
ば、クリーンボックス3内の各領域における風速を均一
にすることができるので、半導体ウェハへの塵埃等の付
着を有効に防止することが可能である。
In the inspection apparatus 1, the rotation speed of the blowers 5a and 5b is individually adjusted, and the amount of clean air supplied from the clean air unit 4 into the clean box 3 is individually adjusted for each of the blowers 5a and 5b. By controlling, for example, the wind speed in each area in the clean box 3 can be made uniform, so that it is possible to effectively prevent dust and the like from adhering to the semiconductor wafer.

【0137】また、半導体ウェハへの塵埃等の付着を防
止するには、クリーンボックス3内に供給された清浄な
空気を、半導体ウェハが設置される検査用ステージ14
上や半導体ウェハが装着されたカセット7b内に導くこ
とが非常に有効である。このように、半導体ウェハが設
置される検査用ステージ14上や半導体ウェハが装着さ
れたカセット7b内に清浄な空気を導くようにすれば、
塵埃等を巻き上げた乱気流が検査用ステージ14上やカ
セット7b内に進入してくることを有効に防止すること
ができるばかりでなく、仮に、検査ステージ14上に設
置された半導体ウェハやカセット7b内に装着された半
導体ウェハに塵埃等が付着した場合にも、これを除去し
て、クリーンボックス3の外部に効果的に排出すること
ができる。
To prevent dust and the like from adhering to the semiconductor wafer, clean air supplied into the clean box 3 is removed from the inspection stage 14 on which the semiconductor wafer is installed.
It is very effective to guide the wafer into the cassette 7b on which the semiconductor wafer is mounted. As described above, if clean air is guided on the inspection stage 14 on which the semiconductor wafer is installed or the cassette 7b on which the semiconductor wafer is mounted,
In addition to effectively preventing the turbulence that has taken up dust and the like from entering on the inspection stage 14 and the cassette 7b, it is also possible to temporarily prevent the semiconductor wafer or the cassette 7b installed on the inspection stage 14 Even when dust or the like adheres to the semiconductor wafer mounted in the box, the dust and the like can be removed and can be effectively discharged to the outside of the clean box 3.

【0138】検査装置1では、送風機5a,5bの回転
数を個別に調整し、クリーンエアユニット4からクリー
ンボックス3内に供給される清浄な空気の風量を、送風
機5a,5b毎に個別に制御することによって、クリー
ンボックス3内の気流を適切にコントロールすることが
できるので、清浄な空気を半導体ウェハが設置される検
査用ステージ14上や半導体ウェハが装着されたカセッ
ト7b内に導いて、半導体ウェハへの塵埃等の付着を有
効に防止することが可能である。
In the inspection device 1, the rotation speeds of the blowers 5a and 5b are individually adjusted, and the amount of clean air supplied from the clean air unit 4 into the clean box 3 is individually controlled for each of the blowers 5a and 5b. By doing so, the airflow in the clean box 3 can be appropriately controlled, so that clean air is guided to the inspection stage 14 on which the semiconductor wafer is installed or the cassette 7b on which the semiconductor wafer is mounted, and It is possible to effectively prevent dust and the like from adhering to the wafer.

【0139】なお、クリーンボックス3内の気流は、気
流可視化装置を用いれば目視により確認することができ
る。したがって、検査者は、クリーンボックス3内の気
流を目視により確認しながら、クリーンエアユニット4
からクリーンボックス3内に供給される清浄な空気の風
量を、送風機5a,5b毎に個別に制御して、クリーン
ボックス3内の気流が適切なものとなるようにコントロ
ールすることができる。
The air flow in the clean box 3 can be visually confirmed by using an air flow visualization device. Therefore, the inspector can visually check the air flow in the clean box 3 while checking the clean air unit 4.
, The amount of clean air supplied into the clean box 3 can be individually controlled for each of the blowers 5a and 5b, so that the air flow in the clean box 3 can be controlled appropriately.

【0140】また、クリーンエアユニット4からクリー
ンボックス3内に供給される清浄な空気の風量を、送風
機5a,5b毎に個別に制御する方法としては、図9に
示すように、クリーンエアユニット4のクリーンボック
ス3と対向する側に、開口部を有する仕切板70を設
け、この仕切板70の開口部の開口率を、送風機5a,
5bに対応した位置毎に個別に調整することが考えられ
る。換言すると、送風機5aに対応した位置の仕切板7
0の開口部の開口率と、送風機5bに対応した位置の仕
切板70の開口部の開口率とを個別に調整するようにす
れば、クリーンエアユニット4からクリーンボックス3
内に供給される清浄な空気の風量を、送風機5a,5b
毎に個別に制御することができる。
As a method of individually controlling the amount of clean air supplied from the clean air unit 4 into the clean box 3 for each of the blowers 5a and 5b, as shown in FIG. A partition plate 70 having an opening is provided on the side facing the clean box 3 and the opening ratio of the opening of the partition plate 70 is determined by the blower 5a,
It is conceivable to adjust individually for each position corresponding to 5b. In other words, the partition plate 7 at a position corresponding to the blower 5a
0, and the opening ratio of the opening of the partition plate 70 at a position corresponding to the blower 5b can be individually adjusted.
The blower 5a, 5b
Each can be controlled individually.

【0141】クリーンエアユニット4とクリーンボック
ス3とを仕切る仕切板70は、例えば、所定の開口率を
有するパンチングメタル71,72が重ね合わされてな
る。仕切板70は、これらパンチングメタル71,72
の重ね方を変えることにより、その開口率を変化させる
ことができる。検査装置1では、これら2枚のパンチン
グメタル71,72の重ね方を、送風機5aに対応した
位置と送風機5bに対応した位置とでそれぞれ個別に調
整し、仕切板70の開口部の開口率を、送風機5a,5
bに対応した位置毎に個別に調整するようにしている。
The partition plate 70 for separating the clean air unit 4 and the clean box 3 is formed by, for example, superposing punching metals 71 and 72 having a predetermined opening ratio. The partition plate 70 is provided with these punched metals 71, 72.
The aperture ratio can be changed by changing the way of overlapping. In the inspection device 1, the way of stacking the two punched metals 71 and 72 is individually adjusted at a position corresponding to the blower 5 a and a position corresponding to the blower 5 b, and the opening ratio of the opening of the partition plate 70 is adjusted. , Blowers 5a, 5
The adjustment is individually made for each position corresponding to b.

【0142】なお、送風機5aに対応した位置からクリ
ーンボックス3内に供給する清浄な空気の風量の好まし
い値と、送風機5bに対応した位置からクリーンボック
ス3内に供給する清浄な空気の風量の好ましい値とが予
め分かっている場合には、送風機5aに対応した位置と
送風機5bに対応した位置とに、それぞれ好ましい風量
が確保できる開口率のパンチングメタルを配設し、これ
を仕切板70としてもよい。
It is to be noted that a preferable value of the amount of clean air supplied into the clean box 3 from the position corresponding to the blower 5a and a preferable value of the amount of clean air supplied into the clean box 3 from the position corresponding to the blower 5b. If the value is known in advance, punching metal having an opening ratio that can secure a preferable air volume is disposed at a position corresponding to the blower 5a and a position corresponding to the blower 5b, and this is also used as the partition plate 70. Good.

【0143】なお、以上は、クリーンエアユニット4が
2つの送風機5a,5bを備える例を説明したが、送風
機の数はクリーンボックス3の大きさや形状に合わせて
決定すればよく、3つ以上の送風機を備える構成とされ
ていてもよい。この場合には、クリーンエアユニット4
からクリーンボックス3内に供給される清浄な空気の風
量が、各送風機毎に個別に制御されることになる。
In the above description, the example in which the clean air unit 4 includes two blowers 5a and 5b has been described. However, the number of blowers may be determined in accordance with the size and shape of the clean box 3, and three or more blowers may be used. It may be configured to include a blower. In this case, the clean air unit 4
, The amount of clean air supplied into the clean box 3 is individually controlled for each blower.

【0144】また、この検査装置1では、クリーンボッ
クス3内に供給された清浄な空気を半導体ウェハが設置
される検査用ステージ14上に導くために、図3及び図
10に示すように、検査用ステージ14の側方に位置す
るクリーンボックス3の側面部に開口領域80が設けら
れている。なお、図10は、クリーンユニット2を図3
中矢印A2方向から見た様子を示す側面図である。
Further, in this inspection apparatus 1, as shown in FIGS. 3 and 10, in order to guide the clean air supplied into the clean box 3 onto the inspection stage 14 on which the semiconductor wafer is installed, as shown in FIGS. An opening area 80 is provided on the side surface of the clean box 3 located on the side of the use stage 14. FIG. 10 shows the clean unit 2 in FIG.
It is a side view which shows the mode seen from the middle arrow A2 direction.

【0145】具体的には、例えば、検査用ステージ14
の側方に位置するクリーンボックス3の側面部に所定の
開口率を有するパンチングメタルがはめ込まれ、このパ
ンチングメタルがはめ込まれた部分が開口領域80とさ
れている。検査装置1は、以上のように、検査用ステー
ジ14の側方に位置するクリーンボックス3の側面部に
開口領域80が設けられることにより、クリーンエアユ
ニット4からダウンフローとしてクリーンボックス3内
に供給された清浄な空気の一部を、検査用ステージ14
上を通過させて、その側方に設けられた開口領域80に
導き、この開口領域80からクリーンボックス3の外部
に排出させることができる。
More specifically, for example, the inspection stage 14
A punching metal having a predetermined opening ratio is fitted into a side surface portion of the clean box 3 located on the side of the clean box 3, and a portion where the punching metal is fitted is an opening region 80. As described above, the inspection apparatus 1 supplies the clean box 3 as a downflow from the clean air unit 4 by providing the opening area 80 on the side surface of the clean box 3 located on the side of the test stage 14. A part of the clean air that has been
After passing through the upper part, it can be guided to an opening area 80 provided on the side thereof, and can be discharged to the outside of the clean box 3 from this opening area 80.

【0146】また、この検査装置1では、クリーンボッ
クス3内に供給された清浄な空気を半導体ウェハが設置
される検査用ステージ14上に適切に導くために、図3
及び図10に示すように、クリーンボックス3の側面部
に内方に向かって張り出す張出部81が設けられ、クリ
ーンボックス3内の気室が、検査用テーブル14の下端
部を境に分離されている。この張出部81は、所定の開
口率のパンチングメタルよりなり、クリーンユニット4
からダウンフローとしてクリーンボックス3内に供給さ
れた清浄な空気の一部をクリーンボックス3の下端部に
導くと共に、他の一部を横方向に流し、検査テーブル1
4上に導く。なお、この張出部81の先端部は、装置本
体10から僅かな隙間を存して離間した状態とされてい
る。これは、クリーンボックス3に生じた振動を装置本
体10に伝えないためである。この検査装置1では、上
述したように、僅かな振動も検査の障害となるので、こ
のような振動対策が非常に有効である。
In order to appropriately guide the clean air supplied into the clean box 3 onto the inspection stage 14 on which the semiconductor wafer is installed, the inspection apparatus 1 shown in FIG.
As shown in FIG. 10, an overhang 81 is provided on the side surface of the clean box 3 so as to project inward, and the air chamber in the clean box 3 is separated at the lower end of the inspection table 14. Have been. The overhang portion 81 is made of punched metal having a predetermined aperture ratio, and
A part of the clean air supplied into the clean box 3 as a down flow from the inspection table 1 is guided to the lower end of the clean box 3 and the other part is caused to flow in the horizontal direction.
Lead on 4. The tip of the overhang 81 is separated from the apparatus main body 10 with a slight gap. This is because vibration generated in the clean box 3 is not transmitted to the apparatus main body 10. In the inspection apparatus 1, as described above, even a slight vibration interferes with the inspection. Therefore, such a measure against the vibration is very effective.

【0147】以上のように、クリーンエアユニット4か
ら供給された清浄な空気を半導体ウェハが設置される検
査用ステージ14上に導き、この検査用ステージ14上
を通過させるようにすれば、クリーンボックス3内の塵
埃等を巻き上げた乱気流が検査用ステージ14上に進入
してくることを有効に防止することができる。
As described above, the clean air supplied from the clean air unit 4 is guided onto the inspection stage 14 on which the semiconductor wafer is installed, and is allowed to pass over the inspection stage 14. It is possible to effectively prevent the turbulent air that has wound up the dust and the like in 3 from entering the inspection stage 14.

【0148】また、クリーンエアユニット4から供給さ
れた清浄な空気を半導体ウェハが設置される検査用ステ
ージ14上に導き、この検査用ステージ14上を通過さ
せるようにすれば、検査ステージ14上に設置された半
導体ウェハに塵埃等が付着した場合であっても、清浄な
空気によってこの塵埃等を半導体ウェハから除去し、開
口領域80を介してクリーンボックス3の外部に適切に
排出させることができる。
In addition, if the clean air supplied from the clean air unit 4 is guided onto the inspection stage 14 on which the semiconductor wafer is installed and is passed over the inspection stage 14, the inspection stage 14 Even when dust or the like adheres to the installed semiconductor wafer, the dust and the like can be removed from the semiconductor wafer by clean air and can be appropriately discharged to the outside of the clean box 3 through the opening region 80. .

【0149】なお、この検査装置1において、検査用ス
テージ14の側方に設けられた開口領域80及び張出部
81は、上述した仕切板70と同様に、2枚のパンチン
グメタルを重ね合わせ、一方のパンチングメタルを可動
にした構成とされていてもよい。この場合には、開口領
域80及び張出部81の開口率を自在に変化させること
ができるので、クリーンボックス3内の気流をコントロ
ールする上で非常に有利である。
In the inspection apparatus 1, the opening area 80 and the overhang 81 provided on the side of the inspection stage 14 are formed by laminating two punching metals like the partition plate 70 described above. One of the punching metals may be movable. In this case, the opening ratio of the opening region 80 and the overhang portion 81 can be freely changed, which is very advantageous in controlling the airflow in the clean box 3.

【0150】また、この検査装置1では、クリーンボッ
クス3内に供給された清浄な空気を半導体ウェハが装着
されたカセット7b内に導くために、図1に示すよう
に、クリーンボックス3のカセット7bが収容される箇
所の側方に位置する側面部に、開口領域90が設けられ
ている。
In this inspection apparatus 1, as shown in FIG. 1, the cassette 7b of the clean box 3 is used to guide the clean air supplied into the clean box 3 into the cassette 7b on which the semiconductor wafer is mounted. An opening region 90 is provided in a side surface portion located on a side of a place where the is accommodated.

【0151】具体的には、例えば、クリーンボックス3
のカセット7bが収容される箇所の側方に位置する側面
部に所定の開口率を有するパンチングメタルがはめ込ま
れ、このパンチングメタルがはめ込まれた部分が開口領
域90とされている。検査装置1は、以上のように、ク
リーンボックス3のカセット7bが収容される箇所の側
方に位置する側面部に開口領域90が設けられることに
より、クリーンエアユニット4からダウンフローとして
クリーンボックス3内に供給された清浄な空気の一部
を、クリーンボックス3内に移送されたカセット7b内
を通過させて、その側方に設けられた開口領域90に導
き、この開口領域90からクリーンボックス3の外部に
排出させることができる。
Specifically, for example, the clean box 3
A punching metal having a predetermined opening ratio is fitted into a side surface portion located at a side of a place where the cassette 7b is accommodated, and a portion where the punching metal is fitted is an opening region 90. As described above, the inspection device 1 is provided with the opening area 90 on the side surface located on the side of the place where the cassette 7b of the clean box 3 is accommodated, so that the clean box 3 A part of the clean air supplied to the inside is passed through the cassette 7b transferred into the clean box 3 and guided to an open area 90 provided on the side thereof. Can be discharged to the outside.

【0152】また、この検査装置1では、クリーンボッ
クス3内に供給された清浄な空気を半導体ウェハが装着
されたカセット7b内に適切に導くために、図11に示
すように、クリーンボックス3内のカセット7bが収容
される箇所の近傍に、カセット7bが収容される箇所に
向かって傾斜する傾斜ガイド部91が設けられている。
Further, in this inspection apparatus 1, as shown in FIG. 11, in order to appropriately guide the clean air supplied into the clean box 3 into the cassette 7b in which the semiconductor wafer is mounted, the inside of the clean box 3 is changed. In the vicinity of the location where the cassette 7b is accommodated, an inclined guide portion 91 inclined toward the location where the cassette 7b is accommodated is provided.

【0153】具体的には、装置本体10の支持台11上
に、搬送用ロボット23やプリアライナ24が設置され
る設置板92が、クリーンボックス3に設けられた張出
部81と同じ高さ位置で設けられ、この設置板92の一
端側に、カセット7bが収容される箇所に向かって傾斜
する傾斜ガイド部91が設けられている。なお、図11
は、クリーンボックス3内の装置本体10を、エレベー
タ22や搬送用ロボット23、プリアライナ24等が配
設された側から見た様子を示す斜視図である。
Specifically, an installation plate 92 on which the transfer robot 23 and the pre-aligner 24 are installed is placed on the support base 11 of the apparatus main body 10 at the same height position as the overhang portion 81 provided on the clean box 3. At one end of the installation plate 92, there is provided an inclined guide portion 91 which is inclined toward a place where the cassette 7b is stored. Note that FIG.
FIG. 3 is a perspective view showing a state in which the apparatus main body 10 in the clean box 3 is viewed from the side where the elevator 22, the transfer robot 23, the pre-aligner 24 and the like are provided.

【0154】このように、クリーンボックス3内のカセ
ット7bが収容される箇所の近傍に、カセット7bが収
容される箇所に向かって傾斜する傾斜ガイド部91が設
けられることにより、クリーンボックス3内に供給され
た清浄な空気を傾斜ガイド部91により案内し、半導体
ウェハが装着されたカセット7b内に適切に導くことが
できる。
As described above, the inclined guide portion 91 which is inclined toward the location where the cassette 7b is accommodated is provided near the location where the cassette 7b is accommodated in the clean box 3, so that the clean box 3 is provided with the inclined guide portion 91. The supplied clean air can be guided by the inclined guide portion 91 and appropriately guided into the cassette 7b in which the semiconductor wafer is mounted.

【0155】以上のように、クリーンエアユニット4か
ら供給された清浄な空気を半導体ウェハが装着されたカ
セット7b内に導き、このカセット7b内を通過させる
ようにすれば、クリーンボックス3内の塵埃等を巻き上
げた乱気流がカセット7b内に進入してくることを有効
に防止することができる。
As described above, the clean air supplied from the clean air unit 4 is guided into the cassette 7b on which the semiconductor wafer is mounted, and is allowed to pass through the cassette 7b. It is possible to effectively prevent the turbulent air that has been wound up from entering the cassette 7b.

【0156】また、クリーンエアユニット4から供給さ
れた清浄な空気を半導体ウェハが装着されたカセット7
b内に導き、このカセット7b内を通過させるようにす
れば、カセット7b内に装着された半導体ウェハに塵埃
等が付着した場合であっても、清浄な空気によってこの
塵埃等を半導体ウェハから除去し、開口領域90を介し
てクリーンボックス3の外部に適切に排出させることが
できる。
Further, the clean air supplied from the clean air unit 4 is supplied to the cassette 7 on which the semiconductor wafer is mounted.
b, and pass through the cassette 7b, even if dust or the like adheres to the semiconductor wafer mounted in the cassette 7b, the dust or the like is removed from the semiconductor wafer by clean air. Then, it is possible to appropriately discharge the outside of the clean box 3 through the opening region 90.

【0157】なお、この検査装置1において、クリーン
ボックス3のカセット7bが収容される箇所の側方に設
けられた開口領域90は、上述した仕切板70と同様
に、2枚のパンチングメタルを重ね合わせ、一方のパン
チングメタルを可動にした構成とされていてもよい。こ
の場合には、開口領域90の開口率を自在に変化させる
ことができるので、クリーンボックス3内の気流をコン
トロールする上で非常に有利である。
In this inspection apparatus 1, the opening area 90 provided on the side of the clean box 3 where the cassette 7b is accommodated is formed by laminating two punched metals like the partition plate 70 described above. In combination, one of the punching metals may be made movable. In this case, the opening ratio of the opening region 90 can be freely changed, which is very advantageous in controlling the airflow in the clean box 3.

【0158】また、この検査装置1では、図11に示す
ように、装置本体10の検査用テーブル14が配設され
た領域と、エレベータ22や搬送用ロボット23、プリ
アライナ24等が配設された領域との間に、これらの領
域を仕切る仕切壁93が設けられている。
Further, in this inspection apparatus 1, as shown in FIG. 11, the area where the inspection table 14 of the apparatus main body 10 is disposed, the elevator 22, the transfer robot 23, the pre-aligner 24, and the like are disposed. Between the regions, a partition wall 93 that partitions these regions is provided.

【0159】この仕切壁93は、検査用テーブル14が
配設された領域に生じた微細な塵埃等が、エレベータ2
2や搬送用ロボット23、プリアライナ24等が配設さ
れた領域に進入することを防止するためのものであり、
具体的には、光学ユニット21を支持する支持部材20
の下端部に、所定の高さで上側に立ち上げられた立ち上
げ片が一体形成され、この立ち上げ片が仕切壁93とさ
れている。
The partition wall 93 prevents fine dust and the like generated in the area where the inspection table 14 is provided from
2 and the transfer robot 23, the pre-aligner 24, etc., are prevented from entering the area where they are disposed.
Specifically, the support member 20 supporting the optical unit 21
Is formed integrally at the lower end of the upper surface at a predetermined height, and the raised portion serves as a partition wall 93.

【0160】検査装置1は、以上のように、装置本体1
0の検査用テーブル14が配設された領域と、エレベー
タ22や搬送用ロボット23、プリアライナ24等が配
設された領域との間に、これらの領域を仕切る仕切壁9
3が設けられることにより、クリーンエアユニット4か
ら供給された清浄な空気を半導体ウェハが装着されたカ
セット7b内に導くときに、検査用テーブル14が配設
された領域に生じた微細な塵埃等が清浄な空気と共にカ
セット7内に進入してしまうといった不都合を有効に防
止することができる。
As described above, the inspection apparatus 1 includes the
0 between the area where the inspection table 14 is disposed and the area where the elevator 22, the transport robot 23, the pre-aligner 24 and the like are disposed.
When the clean air supplied from the clean air unit 4 is introduced into the cassette 7b on which the semiconductor wafer is mounted, fine dust and the like generated in the area where the inspection table 14 is provided by providing the clean air unit 4. Can be effectively prevented from entering the cassette 7 together with clean air.

【0161】なお、以上の説明では、本発明を適用した
検査装置1を、半導体ウェハの欠陥が何であるかを調べ
るために用いるものとしてきた。しかし、本発明に係る
検査装置1の用途は、半導体ウェハの欠陥識別以外の用
途にも使用可能である。すなわち、本発明に係る検査装
置1は、例えば、半導体ウェハ上に形成したデバイスパ
ターンが、所望するパターン通りに適切な形状に形成さ
れているか否かを検査するのに用いることもできる。更
に、本発明に係る検査装置1の用途は、半導体ウェハの
検査に限定されるものでもなく、本発明に係る検査装置
1は、微細パターンの検査に対して広く適用可能であ
り、例えば、微細なパターンが形成されたフラットパネ
ルディスプレイの検査などにも有効である。
In the above description, the inspection apparatus 1 to which the present invention is applied has been used for checking what the defect is in the semiconductor wafer. However, the use of the inspection apparatus 1 according to the present invention can be used for purposes other than the defect identification of the semiconductor wafer. That is, the inspection apparatus 1 according to the present invention can be used, for example, to inspect whether a device pattern formed on a semiconductor wafer is formed in an appropriate shape as a desired pattern. Further, the use of the inspection device 1 according to the present invention is not limited to inspection of a semiconductor wafer, and the inspection device 1 according to the present invention is widely applicable to inspection of fine patterns. It is also effective for inspection of flat panel displays on which various patterns are formed.

【0162】[0162]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る送風装置及びこの送風装置を備える検査装置では、フ
ァンの回転時に軸受けにおいて発生する金属粉や粉末化
した化学物質等の粉末がモータを収納する排気ボックス
内の空気とともに外部に排出されるため、クリーンボッ
クス内に送り出す空気を清浄に保ってこれらの粉末が被
検査物に付着することを有効に防止し、被検査物の検査
を適切に行うことができる。
As described above in detail, in the blower according to the present invention and the inspection apparatus provided with the blower, the powder such as metal powder or powdered chemical substance generated in the bearing when the fan rotates is used for the motor. Is discharged to the outside together with the air in the exhaust box, which keeps the air sent into the clean box clean and effectively prevents these powders from adhering to the inspection object. Can be done properly.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明を適用した検査装置の外観を示す斜視図
である。
FIG. 1 is a perspective view showing the appearance of an inspection apparatus to which the present invention is applied.

【図2】上記検査装置に配設される送風機の縦断面図で
ある。
FIG. 2 is a vertical sectional view of a blower provided in the inspection device.

【図3】上記検査装置のクリーンボックスの内部に配設
された装置本体を図1中矢印A1方向から見た様子を示
す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a state in which an apparatus main body disposed inside a clean box of the inspection apparatus is viewed from a direction of an arrow A1 in FIG. 1;

【図4】上記検査装置の装置本体を上側から見た様子を
模式的に示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view schematically showing a state where the apparatus main body of the inspection apparatus is viewed from above.

【図5】上記検査装置の一構成例を示すブロック図であ
る。
FIG. 5 is a block diagram showing a configuration example of the inspection device.

【図6】上記検査装置の光学ユニットの光学系の一構成
例を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a configuration example of an optical system of an optical unit of the inspection device.

【図7】上記検査装置で半導体ウェハの検査を行うとき
の手順の一例を示すフローチャートである。
FIG. 7 is a flowchart showing an example of a procedure when a semiconductor wafer is inspected by the inspection apparatus.

【図8】参照画像と欠陥画像とから欠陥を検出する手法
を説明するための図である。
FIG. 8 is a diagram for explaining a method of detecting a defect from a reference image and a defect image.

【図9】上記検査装置のクリーンボックスとクリーンエ
アユニットとを分離した状態を模式的に示す斜視図であ
る。
FIG. 9 is a perspective view schematically showing a state where a clean box and a clean air unit of the inspection apparatus are separated.

【図10】上記検査装置のクリーンボックスを図2中矢
印A2方向から見た様子を示す側面図である。
FIG. 10 is a side view showing a state where the clean box of the inspection apparatus is viewed from the direction of arrow A2 in FIG.

【図11】上記検査装置の装置本体の斜視図である。FIG. 11 is a perspective view of an apparatus main body of the inspection apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 検査装置、2 クリーンユニット、3 クリーンボ
ックス、4 クリーンエアユニット、5a,5b 送風
機、10 装置本体、14 検査用ステージ、21 光
学ユニット、22 エレベータ、23 搬送用ロボッ
ト、24 プリアライナ、30 可視光用CCDカメ
ラ、31 紫外光用CCDカメラ、32 ハロゲンラン
プ、33 可視光用光学系、34 可視光用対物レン
ズ、36 紫外光レーザ光源、37 紫外光用光学系、
38 紫外光用対物レンズ、50 外部ユニット、5
1,52 表示装置、53 入力装置、60 画像処理
用コンピュータ、61 制御用コンピュータ、70 仕
切板、71,72 パンチングメタル、80 開口領
域、81 張出部、90 開口領域、91 傾斜ガイド
部、92 設置板、93 仕切壁,102 ファン,1
03 モータ,104 排気ボックス,105 軸受
け,106 吸引ポンプ,107 チューブ,108
吸引部
Reference Signs List 1 inspection device, 2 clean unit, 3 clean box, 4 clean air unit, 5a, 5b blower, 10 device body, 14 inspection stage, 21 optical unit, 22 elevator, 23 transport robot, 24 pre-aligner, 30 for visible light CCD camera, 31 ultraviolet CCD camera, 32 halogen lamp, 33 visible light optical system, 34 visible light objective lens, 36 ultraviolet laser light source, 37 ultraviolet light optical system,
38 Objective lens for ultraviolet light, 50 External unit, 5
1, 52 display device, 53 input device, 60 image processing computer, 61 control computer, 70 partition plate, 71, 72 punching metal, 80 opening area, 81 overhang, 90 opening area, 91 inclination guide section, 92 Installation board, 93 partition, 102 fan, 1
03 motor, 104 exhaust box, 105 bearing, 106 suction pump, 107 tube, 108
Suction unit

フロントページの続き Fターム(参考) 4M106 AA01 CA39 CA41 CA70 DB04 DB07 DB08 DB12 DB19 DB21 DH12 DJ04 DJ05 DJ06 DJ07 DJ15 DJ17 DJ18 DJ19 DJ20 DJ21 DJ23 DJ32 Continued on the front page F-term (reference) 4M106 AA01 CA39 CA41 CA70 DB04 DB07 DB08 DB12 DB19 DB21 DH12 DJ04 DJ05 DJ06 DJ07 DJ15 DJ17 DJ18 DJ19 DJ20 DJ21 DJ23 DJ32

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ファンと、 軸受けを介して上記ファンと連結され、該ファンを駆動
するモータと、 上記モータを収納する排気ボックスと、 上記排気ボックス内の空気を吸引する吸引部とを備え、 上記吸引部は、上記ファンを回転駆動する際に上記軸受
けにおいて生じる粉末を上記排気ボックス内の空気とと
もに吸引して外部に排出することを特徴とする送風装
置。
A motor connected to the fan via a bearing for driving the fan; an exhaust box housing the motor; and a suction unit for sucking air in the exhaust box. The blower, wherein the suction unit sucks powder generated in the bearing together with air in the exhaust box and discharges the powder to the outside when the fan is rotationally driven.
【請求項2】 被検査物の検査を行う装置本体部と、 上記装置本体部を内部に収容するクリーンボックスと、 上記クリーンボックスの上部に設けられ、上記クリーン
ボックスの内部に清浄な空気を供給する送風装置を有す
る空気供給部とを備え、 上記送風装置は、ファンと、軸受けを介して上記ファン
と連結され、該ファンを駆動するモータと、上記モータ
を収納する排気ボックスと、上記排気ボックス内の空気
を吸引する吸引部とを有し、該吸引部が上記排気ボック
ス内の空気とともに、上記モータと上記ファンとを連結
する軸受けに生じる粉末を吸引し、上記空気供給部の外
部に排出することを特徴とする検査装置。
2. An apparatus main body for inspecting an object to be inspected, a clean box accommodating the apparatus main body therein, and a clean air provided at an upper portion of the clean box for supplying clean air into the clean box. An air supply unit having a blower that performs the operation, the blower is connected to the fan via a fan and a bearing, and a motor that drives the fan; an exhaust box that houses the motor; and an exhaust box. A suction unit that sucks air inside the air supply unit. The suction unit sucks powder generated in a bearing connecting the motor and the fan together with the air in the exhaust box, and discharges the powder to the outside of the air supply unit. An inspection apparatus characterized in that:
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