JP2001100707A - Driving method of electrooptical device, driving circuit, electrooptical device and electronic equipment - Google Patents

Driving method of electrooptical device, driving circuit, electrooptical device and electronic equipment

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JP2001100707A JP27753099A JP27753099A JP2001100707A JP 2001100707 A JP2001100707 A JP 2001100707A JP 27753099 A JP27753099 A JP 27753099A JP 27753099 A JP27753099 A JP 27753099A JP 2001100707 A JP2001100707 A JP 2001100707A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To conduct a high quality gradation displaying by binarizing the signals being applied to data lines and to increase the number of gradation regardless of data transfer interval. SOLUTION: In the driving method, data signals, which instruct applications of the voltages that turn on or off each pixel, are successively generated in accordance with gradation data and written into the memory of each pixel in each of plural subfields that are made by dividing one field. At least a data transfer interval is passed, the voltages are applied to each of the pixels in accordance with the data signals.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、パルス幅変調によ
り階調表示制御を行う電気光学装置の駆動方法、駆動回
路および電気光学装置ならびに電子機器に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a driving method, a driving circuit, an electro-optical device, and an electronic apparatus for an electro-optical device for performing gradation display control by pulse width modulation.

【0002】[0002]

【従来の技術】電気光学装置、例えば、電気光学材料と
して液晶を用いた液晶表示装置は、陰極線管(CRT)
に変わるディスプレイデバイスとして、各種情報処理機
器の表示部や液晶テレビなどに広く用いられている。
2. Description of the Related Art An electro-optical device, for example, a liquid crystal display device using liquid crystal as an electro-optical material is a cathode ray tube (CRT).
It is widely used in display units of various information processing devices, liquid crystal televisions, and the like.

【0003】ここで、従来の電気光学装置は、例えば、
次のように構成されている。すなわち、従来の電気光学
装置は、マトリクス状に配列した画素電極と、この画素
電極に接続されたTFT(Thin Film Transistor:薄膜
トランジスタ)のようなスイッチング素子などが設けら
れた素子基板と、画素電極に対向する対向電極が形成さ
れた対向基板と、これら両基板の間に充填された電気光
学材料たる液晶とから構成される。そして、このような
構成において、走査線を介してスイッチング素子に走査
信号を印加すると、当該スイッチング素子が導通状態と
なる。この導通状態の際に、データ線を介して画素電極
に、階調に応じた電圧の画像信号を印加すると、当該画
素電極および対向電極の間の液晶層に画像信号の電圧に
応じた電荷が蓄積される。電荷蓄積後、当該スイッチン
グ素子をオフ状態としても、当該液晶層における電荷の
蓄積は、液晶層自身の容量性や蓄積容量などによって維
持される。このように、各スイッチング素子を駆動さ
せ、蓄積させる電荷量を階調に応じて制御すると、画素
毎に液晶の配向状態が変化するので、画素毎に濃度が変
化することとなる。このため、階調表示することが可能
となるのである。
Here, a conventional electro-optical device is, for example,
It is configured as follows. That is, the conventional electro-optical device includes a pixel electrode arranged in a matrix, an element substrate provided with a switching element such as a TFT (Thin Film Transistor) connected to the pixel electrode, and a pixel electrode. It comprises an opposing substrate on which opposing opposing electrodes are formed, and a liquid crystal as an electro-optical material filled between the two substrates. In such a configuration, when a scanning signal is applied to a switching element via a scanning line, the switching element is turned on. In this conductive state, when an image signal of a voltage corresponding to the gradation is applied to the pixel electrode via the data line, a charge corresponding to the voltage of the image signal is applied to the liquid crystal layer between the pixel electrode and the counter electrode. Stored. After the charge storage, even if the switching element is turned off, the charge storage in the liquid crystal layer is maintained by the capacitance of the liquid crystal layer itself, the storage capacitance, and the like. As described above, when the switching elements are driven and the amount of charge to be stored is controlled according to the gradation, the alignment state of the liquid crystal changes for each pixel, so that the density changes for each pixel. Therefore, it is possible to perform gradation display.

【0004】この際、各画素の液晶層に電荷を蓄積させ
るのは一部の期間で良いため、第1に、走査線駆動回路
によって、各走査線を順次選択するとともに、第2に、
走査線の選択期間において、データ線駆動回路によっ
て、データ線を順次選択し、第3に、選択されたデータ
線に、階調に応じた電圧の画像信号をサンプリングする
構成により、走査線およびデータ線を複数の画素につい
て共通化した時分割マルチプレックス駆動が可能とな
る。
[0004] At this time, it is sufficient to accumulate electric charges in the liquid crystal layer of each pixel during a part of the period. First, each scanning line is sequentially selected by a scanning line driving circuit, and secondly,
In the scanning line selection period, the data lines are sequentially selected by the data line driving circuit, and thirdly, the selected data lines are sampled with an image signal of a voltage corresponding to a gray scale. Time-division multiplex driving in which a line is shared by a plurality of pixels becomes possible.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、データ
線に印加される画像信号は、階調に対応する電圧、すな
わちアナログ信号である。このため、電気光学装置の周
辺回路には、D/A変換回路やオペアンプなどが必要と
なるので、装置全体のコスト高を招致してしまう。さら
に、これらのD/A変換回路、オペアンプなどの特性
や、各種の配線抵抗などの不均一性に起因して、表示ム
ラが発生するので、高品質な表示が極めて困難である、
という問題があり、特に、高精細な表示を行う場合に顕
著となる。
However, the image signal applied to the data line is a voltage corresponding to the gradation, that is, an analog signal. For this reason, a peripheral circuit of the electro-optical device requires a D / A conversion circuit, an operational amplifier, and the like, thereby increasing the cost of the entire device. Furthermore, display unevenness occurs due to the characteristics of the D / A conversion circuit and the operational amplifier, and the non-uniformity of various wiring resistances, so that high-quality display is extremely difficult.
This problem is particularly noticeable when performing high-definition display.

【0006】本発明は、上述した事情に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、高品質・高精細
な階調表示が可能な電気光学装置、その駆動方法、その
駆動回路、さらには、この電気光学装置を用いた電子機
器を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide an electro-optical device capable of high-quality and high-definition gradation display, a driving method thereof, a driving circuit thereof, Another object of the present invention is to provide an electronic device using the electro-optical device.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第1の発明は、フィールド毎に1画面分の各画素の
階調データを受け取り、これらの階調データに従って、
各々メモリを備えた複数の画素のオンオフ駆動を行う電
気光学装置の駆動方法であって、1フィールドを分割し
た複数のサブフィールドの各々において、各画素をオン
にする電圧またはオフにする電圧の印加を指示するデー
タ信号を前記階調データに応じて順次生成して各画素の
メモリに書込み、少なくとも、全画素のメモリに対して
前記データ信号の書込みが行われる期間であるデータ転
送期間の経過後に、各画素に対して当該データ信号に応
じた電圧の印加を行うことを特徴とする電気光学装置の
駆動方法を提供するものである。
In order to achieve the above object, a first aspect of the present invention is to receive grayscale data of each pixel for one screen for each field, and according to the grayscale data,
A driving method of an electro-optical device that performs on / off driving of a plurality of pixels each including a memory, and in each of a plurality of subfields obtained by dividing one field, application of a voltage for turning on or off a pixel. Are sequentially generated in accordance with the grayscale data and written into the memory of each pixel, and at least after a data transfer period, which is a period during which the writing of the data signal is performed to the memories of all the pixels, is performed. And a method for driving an electro-optical device, wherein a voltage corresponding to the data signal is applied to each pixel.

【0008】この発明によれば、1フィールドにおい
て、画素をオン(またはオフ)にする電圧の印加時間
が、当該画素の階調に応じてパルス幅変調される結果、
実効値制御による階調表示が行われることとなる。この
際、各サブフィールドにおいては、画素のオンまたはオ
フを指示するだけで済むので、画素への指示信号とし
て、2値信号(すなわち、HレベルかLレベルかしか取
り得ないディジタル信号)を用いることができる。従っ
て、この発明では、画素への印加信号がディジタル信号
となるので、素子特性や配線抵抗などの不均一性に起因
する表示ムラが抑えられる結果、高品質かつ高精細な階
調表示が可能となる。
According to the present invention, in one field, the application time of the voltage for turning on (or off) the pixel is pulse width modulated in accordance with the gradation of the pixel.
The gradation display by the effective value control is performed. At this time, in each subfield, it is only necessary to instruct ON or OFF of the pixel. Therefore, a binary signal (that is, a digital signal which can take only H level or L level) is used as the instruction signal to the pixel. Can be. Therefore, in the present invention, since the signal applied to the pixel is a digital signal, display unevenness due to non-uniformity such as element characteristics and wiring resistance is suppressed, and high-quality and high-definition gradation display is possible. Become.

【0009】なお、本発明において、1フィールドと
は、水平走査信号および垂直走査信号に同期して水平走
査および垂直走査することにより、1枚のラスタ画像を
形成するのに要する期間という意味合いで用いている。
In the present invention, one field is used to mean a period required to form one raster image by performing horizontal scanning and vertical scanning in synchronization with a horizontal scanning signal and a vertical scanning signal. ing.

【0010】また、この発明によれば、少なくともデー
タ転送期間が経過した後に、画素内のメモリに書込まれ
たデータ信号に応じて画素をオンにする電圧または画素
をオフにする電圧のいずれかを各画素に印加するように
なっている。このため、データ信号に応じて画素をオン
オフ駆動する期間を、データ転送期間の長さとは無関係
に設定できるから、高階調の画像表示が可能となる。
According to the present invention, at least after a data transfer period has elapsed, either a voltage for turning on the pixel or a voltage for turning off the pixel in accordance with the data signal written to the memory in the pixel Is applied to each pixel. Therefore, the period during which the pixels are turned on and off in accordance with the data signal can be set irrespective of the length of the data transfer period, and a high-gradation image can be displayed.

【0011】なお、本発明において、データ転送期間と
は、前記データ信号のいずれかの画素への書込みが開始
されてから各データ信号が1画面分の全画素のメモリに
対して書込まれるまでの期間を意味する。
In the present invention, a data transfer period is defined as a period from the start of writing of the data signal to any pixel to the writing of each data signal to the memory of all pixels for one screen. Means the period.

【0012】この第1の発明の一態様において、各サブ
フィールドにおけるデータ転送期間の間、各画素のメモ
リに書込まれたデータ信号とは無関係に、画素をオンに
する電圧または画素をオフにする電圧のいずれかを各画
素に対して印加する。
In one embodiment of the first invention, during the data transfer period in each subfield, the voltage for turning on the pixel or the turning off of the pixel is performed independently of the data signal written in the memory of each pixel. Is applied to each pixel.

【0013】第2の発明は、フィールド毎に1画面分の
各画素の階調データを受け取り、これらの階調データに
従って、複数のデータ線と複数の走査線との各交差に対
応して配設され、各々メモリを備えた複数の画素を駆動
する電気光学装置の駆動回路であって、1フィールドを
分割した複数のサブフィールドの各々において、データ
線から画素への電圧印加を可能にする走査信号を、前記
走査線の各々に順次供給する走査線駆動回路と、前記複
数のサブフィールドの各々において、画素をオンにする
電圧またはオフにする電圧の印加を指示するデータ信号
を前記階調データに応じて順次生成し、前記走査信号が
供給される間、当該データ信号を各画素内のメモリに書
込むべく各データ線に供給するデータ線駆動回路と、前
記複数のサブフィールドの各々において、少なくとも、
全画素のメモリに対して前記データ信号の書込みが行わ
れる期間であるデータ転送期間の経過後に、前記各画素
のメモリに書込まれたデータ信号に応じて画素がオンオ
フ駆動されるように、各画素に印加される電圧を制御す
る電圧制御回路とを具備することを特徴とする電気光学
装置の駆動回路を提供するものである。
According to a second aspect of the present invention, gradation data of each pixel for one screen is received for each field, and according to the gradation data, the gradation data is arranged corresponding to each intersection of a plurality of data lines and a plurality of scanning lines. A driving circuit of an electro-optical device for driving a plurality of pixels each having a memory, wherein scanning is performed to enable application of a voltage from a data line to a pixel in each of a plurality of subfields obtained by dividing one field. A scanning line driving circuit for sequentially supplying a signal to each of the scanning lines; and a data signal for instructing application of a voltage for turning on or off a pixel in each of the plurality of subfields. A data line driving circuit that supplies the data signal to each data line so as to write the data signal to a memory in each pixel while the scanning signal is supplied; In each field, at least,
After a data transfer period, which is a period during which the data signal is written to the memories of all the pixels, each pixel is turned on and off in accordance with the data signal written to the memory of each of the pixels. And a voltage control circuit for controlling a voltage applied to the pixel.

【0014】この第2の発明は、上記第1の発明を電気
光学装置の駆動回路として具現したものであり、上記第
1の発明と同様な効果を奏する。
The second invention embodies the first invention as a drive circuit for an electro-optical device, and has the same effects as the first invention.

【0015】この第2の発明の一態様において、前記電
圧制御回路は、各サブフィールドにおけるデータ転送期
間の間、各画素のメモリに書込まれたデータ信号とは無
関係に画素がオンまたはオフとなるように、各画素に印
加される電圧を制御する。
In one embodiment of the second invention, during the data transfer period in each subfield, the voltage control circuit turns the pixel on or off irrespective of the data signal written in the memory of each pixel. Thus, the voltage applied to each pixel is controlled.

【0016】第3の発明は、複数の走査線と複数のデー
タ線との各交差に対応して配設され、各々メモリを備え
た複数の画素を有する電気光学装置であって、1フィー
ルドを分割した複数のサブフィールドの各々において、
データ線から画素への電圧印加を可能にする走査信号
を、前記走査線の各々に順次供給する走査線駆動回路
と、前記複数のサブフィールドの各々において、画素を
オンにする電圧またはオフにする電圧の印加を指示する
データ信号を前記階調データに応じて順次生成し、前記
走査信号が供給される間、当該データ信号を各画素内の
メモリに書込むべく各データ線に供給するデータ線駆動
回路と、前記サブフィールドの各々において、少なくと
も、全画素のメモリに対して前記データ信号の書込みが
行われる期間であるデータ転送期間の経過後に、前記各
画素のメモリに書込まれたデータ信号に応じて画素がオ
ンオフ駆動されるように、各画素に印加される電圧を制
御する電圧制御回路とを具備することを特徴とする電気
光学装置を提供するものである。
According to a third aspect of the invention, there is provided an electro-optical device having a plurality of pixels provided at respective intersections of a plurality of scanning lines and a plurality of data lines and each including a memory. In each of the divided subfields,
A scanning line driving circuit for sequentially supplying a scanning signal enabling voltage application from a data line to a pixel to each of the scanning lines; and a voltage for turning on or off a pixel in each of the plurality of subfields A data line for sequentially generating a data signal instructing the application of a voltage in accordance with the grayscale data and supplying the data signal to each data line so as to write the data signal to a memory in each pixel while the scanning signal is supplied A driving circuit and, in each of the subfields, at least a data signal written to the memory of each pixel after a lapse of a data transfer period during which the data signal is written to the memory of all pixels. And a voltage control circuit that controls a voltage applied to each pixel so that the pixel is driven on and off in response to the electro-optical device. It is.

【0017】この第3の発明は、上記第1の発明を電気
光学装置として具現したものであり、上記第1の発明と
同様な効果を奏する。
The third aspect of the present invention embodies the first aspect of the invention as an electro-optical device, and has the same effects as the first aspect of the invention.

【0018】この第3の発明の一態様において、前記電
圧制御回路は、各サブフィールドにおけるデータ転送期
間の間、各画素のメモリに書込まれたデータ信号とは無
関係に画素がオンまたはオフとなるように、各画素に印
加される電圧を制御する。
In one embodiment of the third invention, during the data transfer period in each subfield, the voltage control circuit turns the pixel on or off regardless of the data signal written in the memory of each pixel. Thus, the voltage applied to each pixel is controlled.

【0019】第4の発明は、複数の走査線と複数のデー
タ線との各交差に対応して配設され、各々メモリを備え
た複数の画素を有する電気光学装置であって、1フィー
ルドを分割した複数のサブフィールドの各々において、
データ線から画素への電圧印加を可能にする走査信号
を、前記走査線の各々に順次供給する走査線駆動回路
と、前記複数のサブフィールドの各々において、画素を
オンにする電圧またはオフにする電圧の印加を指示する
データ信号を前記階調データに応じて順次生成し、前記
走査信号が供給される間、当該データ信号を各データ線
に供給するデータ線駆動回路とを具備し、前記各画素
は、画素電極と、前記画素電極に対向した対向電極と、
前記画素電極および対向電極に挟持された電気光学材料
と、前記走査線を介して走査信号が与えられることによ
り前記データ線を介して供給されるデータ信号を記憶す
るメモリと、前記複数のサブフィールドの各々におい
て、少なくとも、全画素のメモリに対して前記データ信
号の書込みが行われる期間であるデータ転送期間の経過
後に、前記メモリに書込まれたデータ信号に応じて2種
類の電圧の一方を選択して前記画素電極に印加する選択
回路とを有することを特徴とする電気光学装置を提供す
るものである。
According to a fourth aspect of the invention, there is provided an electro-optical device having a plurality of pixels which are provided corresponding to respective intersections of a plurality of scanning lines and a plurality of data lines and each have a memory. In each of the divided subfields,
A scanning line driving circuit for sequentially supplying a scanning signal enabling voltage application from a data line to a pixel to each of the scanning lines; and a voltage for turning on or off a pixel in each of the plurality of subfields A data line driving circuit for sequentially generating a data signal instructing the application of a voltage in accordance with the grayscale data, and supplying the data signal to each data line while the scanning signal is supplied; The pixel includes a pixel electrode, a counter electrode facing the pixel electrode,
An electro-optic material sandwiched between the pixel electrode and the counter electrode; a memory for storing a data signal supplied through the data line when a scan signal is supplied through the scan line; and the plurality of sub-fields. In each of the above, at least after a lapse of a data transfer period during which the data signal is written to the memory of all the pixels, one of two types of voltages is applied according to the data signal written to the memory. And a selection circuit for selecting and applying the selected pixel electrode to the pixel electrode.

【0020】この第4の発明も、上記第1の発明を電気
光学装置として具現したものであり、上記第1の発明と
同様な効果を奏する。
The fourth invention also embodies the first invention as an electro-optical device, and has the same effects as the first invention.

【0021】この第4の発明の一態様において、前記画
素の選択回路は、各サブフィールドにおけるデータ転送
期間の間、前記メモリに書込まれたデータ信号とは無関
係に2種類の電圧の一方を選択して前記画素電極に印加
するようになっている。
In one embodiment of the fourth invention, during the data transfer period in each subfield, the pixel selection circuit applies one of two types of voltages irrespective of a data signal written in the memory. Selected and applied to the pixel electrode.

【0022】この発明は、上記電気光学装置自体を単体
で製造または製造する他、この電気光学装置を表示装置
として備えた電気機器として製造または販売するという
態様で実施することも可能である。
The present invention can be embodied by manufacturing or manufacturing the above-described electro-optical device itself, or by manufacturing or selling the electro-optical device as an electric device provided as a display device.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図面を参照して説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0024】<本実施形態における電気光学装置の駆動
方法>まず、本実施形態に係る装置の理解を容易にする
ため、本実施形態における電気光学装置の駆動方法につ
いて説明する。
<Driving Method of Electro-Optical Device According to the Present Embodiment> First, a driving method of the electro-optical device according to the present embodiment will be described to facilitate understanding of the device according to the present embodiment.

【0025】一般に、電気光学材料として液晶を用いた
液晶装置において、液晶に印加される電圧実効値と相対
透過率(または反射率)との関係は、電圧無印加状態に
おいて黒表示を行うノーマリーブラックモードを例にと
れば、図6に示すような関係にある。なお、ここでいう
相対透過率とは、透過光量の最低値および最高値を、そ
れぞれ0%および100%として正規化したものであ
る。図6に示すように、液晶の透過率は、液晶層に対す
る印加電圧が閾値VTH1より小さい場合には0%であ
るが、印加電圧が閾値VTH1以上であり、かつ、飽和
電圧VTH2以下である場合には、印加電圧に対して非
線形に増加する。そして、印加電圧が飽和電圧VTH2
以上である場合、液晶の透過率は印加電圧によらず一定
値を維持する。
In general, in a liquid crystal device using a liquid crystal as an electro-optical material, the relationship between the effective voltage value applied to the liquid crystal and the relative transmittance (or reflectance) is such that a normally black display is performed when no voltage is applied. Taking the black mode as an example, the relationship is as shown in FIG. Here, the relative transmittance is a value obtained by normalizing the minimum value and the maximum value of the transmitted light amount as 0% and 100%, respectively. As shown in FIG. 6, the transmittance of the liquid crystal is 0% when the applied voltage to the liquid crystal layer is smaller than the threshold value VTH1, but when the applied voltage is not less than the threshold value VTH1 and not more than the saturation voltage VTH2. Increases nonlinearly with applied voltage. The applied voltage is the saturation voltage VTH2
In this case, the transmittance of the liquid crystal maintains a constant value regardless of the applied voltage.

【0026】さて、液晶の透過率を0%と100%との
間の中間的な透過率にするためには、図6に示す電圧/
透過率特性において電圧VTH1と電圧VTH2との間
にある当該透過率に対応して実効電圧を液晶層に印加す
る必要がある。従来の技術の下では、このような中間階
調を得るための電圧がD/A変換回路やオペアンプなど
のアナログ回路によって生成され、画素電極に印加され
ていた。
Now, in order to make the transmittance of the liquid crystal intermediate between 0% and 100%, the voltage / voltage shown in FIG.
In the transmittance characteristics, it is necessary to apply an effective voltage to the liquid crystal layer corresponding to the transmittance between the voltage VTH1 and the voltage VTH2. Under the conventional technology, a voltage for obtaining such an intermediate gradation is generated by an analog circuit such as a D / A conversion circuit or an operational amplifier and applied to a pixel electrode.

【0027】しかし、このような駆動方法によって画素
電極に印加される電圧は、アナログ回路の特性や各種の
配線抵抗などのばらつきによる影響を受けやすく、さら
に、画素同士でみて不均一となりやすいので、高品質か
つ高精細な階調表示が困難であった。
However, the voltage applied to the pixel electrode by such a driving method is easily affected by variations in analog circuit characteristics, various wiring resistances, and the like. It has been difficult to display high-quality and high-definition gradations.

【0028】そこで、本実施形態に係る電気光学装置で
は、次のような方法により画素の駆動を行う。なお、本
明細書において、1フィールドとは、水平走査信号およ
び垂直走査信号に同期して水平走査および垂直走査する
ことにより、1枚のラスタ画像を形成するのに要する時
間である。
Therefore, in the electro-optical device according to the present embodiment, the pixels are driven by the following method. In this specification, one field is a time required to form one raster image by performing horizontal scanning and vertical scanning in synchronization with a horizontal scanning signal and a vertical scanning signal.

【0029】まず、1フィールドを6つのサブフィール
ドに分割し、各サブフィールド単位で液晶層に対する電
圧印加を行う。各サブフィールドでは、液晶層に対し、
透過率0%に対応した電圧(例えば図6における電圧V
L(=0V)または透過率100%に対応した電圧(例
えば図6における電圧VH)を印加する。
First, one field is divided into six subfields, and a voltage is applied to the liquid crystal layer in each subfield. In each subfield, the liquid crystal layer
The voltage corresponding to the transmittance of 0% (for example, the voltage V in FIG. 6)
L (= 0 V) or a voltage corresponding to the transmittance of 100% (for example, the voltage VH in FIG. 6) is applied.

【0030】その際、1フィールド内において電圧VH
が印加される時間と電圧VLが印加される時間との比率
が階調データに応じた比率となるように、電圧VHの印
加を行うサブフィールドおよび電圧VLの印加を行うサ
ブフィールドを階調データに応じて決定する。このよう
にすることで、階調データに応じた実効電圧が液晶層に
印加され、透過率0%と透過率100%との間の中間的
な階調での表示が可能となるのである。
At this time, the voltage VH within one field
The sub-field for applying the voltage VH and the sub-field for applying the voltage VL are set so that the ratio between the time during which the voltage is applied and the time when the voltage VL is applied is a ratio corresponding to the gradation data. Determined according to. By doing so, an effective voltage corresponding to the gradation data is applied to the liquid crystal layer, and display with an intermediate gradation between 0% transmittance and 100% transmittance becomes possible.

【0031】A:第1実施形態 <電気的構成>図1は、本発明の第1実施形態に係る電
気光学装置の電気的な構成を示すブロック図である。こ
の電気光学装置は、電気光学材料として液晶を用いた液
晶装置であり、素子基板と対向基板とが互いに一定の間
隙を保って貼付され、この間隙に電気光学材料たる液晶
が挟持される構成となっている。また、この電気光学装
置では、素子基板として半導体基板が用いられており、
この素子基板に画素を駆動するトランジスタとともに、
周辺駆動回路などが形成されている。図1には、この素
子基板に形成された回路の構成が示されている。
A: First Embodiment <Electrical Configuration> FIG. 1 is a block diagram showing an electrical configuration of an electro-optical device according to a first embodiment of the present invention. This electro-optical device is a liquid crystal device using liquid crystal as an electro-optical material, in which an element substrate and a counter substrate are adhered with a certain gap therebetween, and a liquid crystal as an electro-optical material is sandwiched in this gap. Has become. In this electro-optical device, a semiconductor substrate is used as an element substrate,
Along with transistors that drive pixels on this element substrate,
A peripheral drive circuit and the like are formed. FIG. 1 shows a configuration of a circuit formed on the element substrate.

【0032】図1に示すように、素子基板上における表
示領域101aには、複数本の走査線112がX(行)
方向に延在して形成され、複数本のデータ線114aお
よびデータ線114bがY(列)方向に延在して形成さ
れている。各データ線114bの一端は、画素110を
介して隣接する1本のデータ線114aにインバータ1
14cを介して接続されており、各データ線114aお
よびデータ線114bとが対をなすようになっている。
そして、画素110は、走査線112と、一対のデータ
線114aおよび114bとの各交差に対応して設けら
れて、マトリクス状に配列している。本実施形態では、
説明の便宜上、走査線112の総本数をm本とし、デー
タ線114aおよび114bのそれぞれの総本数をn本
として(m、nはそれぞれ2以上の整数)、m行×n列
のマトリクス型表示装置として説明するが、本発明をこ
れに限定する趣旨ではない。
As shown in FIG. 1, in the display area 101a on the element substrate, a plurality of scanning lines 112 are arranged in X (row).
The plurality of data lines 114a and 114b are formed to extend in the Y (column) direction. One end of each data line 114b is connected to one adjacent data line 114a via the pixel 110 by the inverter 1
The data lines 114a and 114b are connected to each other via a pair 14c.
The pixels 110 are provided corresponding to the intersections of the scanning lines 112 and the pair of data lines 114a and 114b, and are arranged in a matrix. In this embodiment,
For convenience of explanation, the total number of the scanning lines 112 is m, and the total number of the data lines 114a and 114b is n (m and n are integers of 2 or more), and a matrix-type display of m rows × n columns Although described as an apparatus, the present invention is not limited to this.

【0033】図1において、タイミング信号生成回路2
00は、図示せぬ上位装置から供給される垂直走査信号
Vs、水平走査信号Hsおよびドットクロック信号DC
LKに従って、各種のタイミング信号やクロック信号な
どを生成する装置である。このタイミング信号生成回路
200によって生成される信号のうち主要なものを列挙
すると次の通りである。 a.交流化駆動信号LCOM この交流化駆動信号LCOMは、対向基板の対向電極1
08に印加される。本実施形態において交流化駆動信号
LCOMは、VHからVL(=0V)へ、VL(=0
V)からVHへ、という具合に1フィールド毎にレベル
反転を繰り返す。ここで、電圧VHは、前掲図6におい
て説明したものである。なお、説明の便宜上、この交流
化駆動信号LCOMのレベルに関しては、VHを単にH
レベルと呼び、VLを単にLレベルと呼ぶ場合がある。 b.スタートパルスDY このスタートパルスは、1フィールドを6分割した各サ
ブフィールドの最初に出力されるパルス信号である。 c.クロック信号CLY このクロック信号CLYは、走査側(Y側)の水平走査
期間を規定する信号である。 d.ラッチパルスLP このラッチパルスLPは、水平走査期間の最初に出力さ
れるパルス信号であって、クロック信号CLYのレベル
遷移(すなわち、立ち上がりおよび立ち下がり)時に出
力されるものである。 e.クロック信号CLX このクロック信号CLXは、いわゆるドットクロックに
よって規定される信号である。
In FIG. 1, a timing signal generation circuit 2
00 denotes a vertical scanning signal Vs, a horizontal scanning signal Hs, and a dot clock signal DC supplied from a higher-level device (not shown).
This is a device that generates various timing signals and clock signals according to the LK. The main signals among the signals generated by the timing signal generation circuit 200 are as follows. a. Alternating drive signal LCOM This alternating drive signal LCOM is applied to the opposite electrode 1 of the opposite substrate.
08. In the present embodiment, the AC drive signal LCOM changes from VH to VL (= 0 V) and VL (= 0
From V) to VH, level inversion is repeated for each field. Here, the voltage VH is as described in FIG. For convenience of explanation, the level of the AC drive signal LCOM is simply expressed as VH
In some cases, the VL is simply called an L level. b. Start pulse DY This start pulse is a pulse signal output at the beginning of each subfield obtained by dividing one field into six. c. Clock Signal CLY This clock signal CLY is a signal that defines a horizontal scanning period on the scanning side (Y side). d. Latch Pulse LP The latch pulse LP is a pulse signal output at the beginning of the horizontal scanning period, and is output when the level of the clock signal CLY changes (that is, rises and falls). e. Clock signal CLX This clock signal CLX is a signal defined by a so-called dot clock.

【0034】以上がタイミング信号生成回路200によ
って生成される主要な信号の概要である。
The above is the outline of the main signals generated by the timing signal generation circuit 200.

【0035】図1において、走査線駆動回路130は、
いわゆるYシフトレジスタと呼ばれるものであり、サブ
フィールドの最初に供給されるスタートパルスDYをク
ロック信号CLYに従って転送し、走査線112の各々
に走査信号G1、G2、G3、…、Gmとして順次排他
的に供給するものである。
In FIG. 1, the scanning line driving circuit 130
A so-called Y shift register transfers a start pulse DY supplied at the beginning of a subfield in accordance with a clock signal CLY, and sequentially and exclusively supplies each of the scanning lines 112 with scanning signals G1, G2, G3,. Is to be supplied to

【0036】データ線駆動回路140は、ある水平走査
期間において2値信号Dsをデータ線114aの本数に
相当するn個順次ラッチした後、ラッチしたn個の2値
信号Dsを、次の水平走査期間において、それぞれ対応
するデータ線114aにデータ信号d1、d2、d3、
…、dnとして一斉に供給するものである。このデータ
線駆動回路140の具体的な構成は、図2に示される通
りである。
The data line drive circuit 140 sequentially latches n binary signals Ds corresponding to the number of the data lines 114a in a certain horizontal scanning period, and then uses the latched n binary signals Ds in the next horizontal scanning. During the period, the data signals d1, d2, d3,.
.., Dn are supplied all at once. The specific configuration of the data line driving circuit 140 is as shown in FIG.

【0037】図2に示すように、このデータ線駆動回路
140は、Xシフトレジスタ1410と、第1のラッチ
回路1420と、第2のラッチ回路1430とから構成
されている。Xシフトレジスタ1410は、水平走査期
間の最初に供給されるラッチパルスLPをクロック信号
CLXに従って転送し、ラッチ信号S1、S2、S3、
…、Snとして順次排他的に供給するものである。第1
のラッチ回路1420は、2値信号Dsをラッチ信号S
1、S2、S3、…、Snの立ち下がりにおいて順次ラ
ッチするものである。第2のラッチ回路1430は、第
1のラッチ回路1420によりラッチされた2値信号D
sの各々をラッチパルスLPの立ち下がりにおいて一斉
にラッチするとともに、データ線114aの各々にデー
タ信号d1、d2、d3、…、dnとして供給するもの
である。一方、各データ線114bはインバータ114
cを介して各データ線114aに接続されているから、
各データ線114bには、上記データ信号d1、d2、
d3、…、dnをレベル反転した信号が供給される。
As shown in FIG. 2, the data line driving circuit 140 includes an X shift register 1410, a first latch circuit 1420, and a second latch circuit 1430. The X shift register 1410 transfers the latch pulse LP supplied at the beginning of the horizontal scanning period in accordance with the clock signal CLX, and outputs the latch signals S1, S2, S3,
.., Sn are sequentially and exclusively supplied. First
Latch circuit 1420 converts the binary signal Ds to the latch signal S
1, S2, S3,..., Sn are sequentially latched at the falling edge. The second latch circuit 1430 outputs the binary signal D latched by the first latch circuit 1420.
s are simultaneously latched at the falling edge of the latch pulse LP, and are supplied to the data lines 114a as data signals d1, d2, d3,..., dn. On the other hand, each data line 114b is connected to the inverter 114
is connected to each data line 114a via the
The data signals d1, d2,
A signal whose level is inverted from d3,..., dn is supplied.

【0038】ここで、本明細書においては、1つのサブ
フィールド内において、いずれかの画素に対してデータ
信号の書込みが開始されてから、全ての画素に対してデ
ータ信号の書込みが終了するまでの期間を「データ転送
期間」と呼ぶ。具体的には、走査線駆動回路130から
最初の走査信号G1(図1中最も上段に位置する走査線
112への走査信号)の出力が開始されてから、最後の
走査信号Gm(最も下段に位置する走査線112への走
査信号)の出力が終了するまでの期間が、データ転送期
間に相当する期間である。なお、図7(詳細は後述す
る)に示すように、実際には各サブフィールドの開始時
点(すなわち、スタートパルスDYの立ち上がり時点)
と、最初の走査信号G1の出力開始時点とは時間的にず
れているが、以下では説明の便宜上、データ転送期間の
開始点をスタートパルスDYの立ち上がり時点であるも
のとして説明を進める。
Here, in this specification, from the start of writing of a data signal to any pixel in one subfield to the end of writing of a data signal to all pixels. Is referred to as a “data transfer period”. Specifically, after the output of the first scanning signal G1 (the scanning signal to the scanning line 112 located at the uppermost stage in FIG. 1) from the scanning line driving circuit 130 is started, the last scanning signal Gm (the lowermost stage) is output. The period until the output of the scanning signal (the scanning signal to the located scanning line 112) ends is a period corresponding to the data transfer period. As shown in FIG. 7 (details will be described later), actually, the start time of each subfield (that is, the rising time of the start pulse DY)
And the time when the output of the first scanning signal G1 is started is shifted in time, but for convenience of description, the following description will be given on the assumption that the start point of the data transfer period is the rising point of the start pulse DY.

【0039】さて、本実施形態では、上述したように、
1フィールドを6個のサブフィールドSf0〜Sf5に
分割し、これらの各サブフィールド単位で、5ビットの
階調データに対応した画素のオンオフ駆動を行う。ここ
で、各サブフィールドの時間長は、上記データ転送期間
の時間長と、所定の重みを有する実効電圧を画素に与え
得るだけの時間長との合計となっている。以下、各サブ
フィールドの具体的な時間長について説明する(図8参
照)。 a.サブフィールドSf0は、データ転送期間の時間長
と、前掲図6における電圧VTH1相当の実効電圧を液
晶層に与え得るだけの時間長とを合わせた時間長となっ
ている。 b.サブフィールドSf1は、データ転送期間の時間長
と、重み「1」に相当する実効電圧を画素に与え得るだ
けの時間長とを合わせた時間長となっている。 c.サブフィールドSf2は、データ転送期間の時間長
と、重み「2」に相当する実効電圧を画素に与え得るだ
けの時間長とを合わせた時間長となっている。 d.サブフィールドSf3は、データ転送期間の時間長
と、重み「4」に相当する実効電圧を画素に与え得るだ
けの時間長とを合わせた時間長となっている。 e.サブフィールドSf4は、データ転送期間の時間長
と、重み「8」に相当する実効電圧を画素に与え得るだ
けの時間長とを合わせた時間長となっている。 f.サブフィールドSf5は、データ転送期間の時間長
と、重み「16」に相当する実効電圧を画素に与え得る
だけの時間長とを合わせた時間長となっている。
In the present embodiment, as described above,
One field is divided into six subfields Sf0 to Sf5, and on / off driving of pixels corresponding to 5-bit gradation data is performed in each of these subfields. Here, the time length of each subfield is the sum of the time length of the data transfer period and the time length enough to give an effective voltage having a predetermined weight to the pixel. Hereinafter, a specific time length of each subfield will be described (see FIG. 8). a. The subfield Sf0 is a time length obtained by adding the time length of the data transfer period and the time length capable of applying an effective voltage equivalent to the voltage VTH1 in FIG. 6 to the liquid crystal layer. b. The subfield Sf1 has a time length obtained by adding a time length of the data transfer period and a time length capable of giving an effective voltage corresponding to the weight “1” to the pixel. c. The subfield Sf2 has a time length obtained by adding a time length of the data transfer period and a time length capable of giving an effective voltage corresponding to the weight “2” to the pixel. d. The subfield Sf3 has a time length obtained by adding the time length of the data transfer period and the time length enough to give an effective voltage corresponding to the weight “4” to the pixel. e. The subfield Sf4 has a time length obtained by adding the time length of the data transfer period and the time length capable of giving an effective voltage corresponding to the weight “8” to the pixel. f. The subfield Sf5 has a time length obtained by adding a time length of the data transfer period and a time length capable of giving an effective voltage corresponding to the weight “16” to the pixel.

【0040】各サブフィールドSf0〜Sf5の時間長
は以上のように選定されており、1フィールド内におい
て電圧VHが印加される時間と電圧VLが印加される時
間との比率が階調データに応じた比率となるように、電
圧VHの印加を行うサブフィールドおよび電圧VLの印
加を行うサブフィールドを階調データに応じて決定す
る。そして、これにより、階調データに応じた32階調
の画像表示が可能となっている。
The time length of each of the subfields Sf0 to Sf5 is selected as described above, and the ratio of the time during which the voltage VH is applied to the time during which the voltage VL is applied within one field depends on the gradation data. The subfield to which the voltage VH is applied and the subfield to which the voltage VL is applied are determined in accordance with the grayscale data so that the above ratio is obtained. Thus, it is possible to display an image of 32 gradations according to the gradation data.

【0041】次に、図3を参照して、画素110の具体
的な構成について説明する。
Next, a specific configuration of the pixel 110 will be described with reference to FIG.

【0042】本実施形態における画素110は、画素自
体に1ビットのディジタル信号を記憶するメモリと、こ
のメモリに記憶されたディジタル信号に応じて電圧Vo
nまたはVoffを選択して画素電極に印加する回路と
が設けられている。
The pixel 110 in this embodiment has a memory for storing a 1-bit digital signal in the pixel itself, and a voltage Vo in accordance with the digital signal stored in the memory.
a circuit for selecting n or Voff and applying it to the pixel electrode.

【0043】図3において、インバータ121および1
22は、一方の出力端子が他方の入力端子に接続されて
おり、全体として1ビットのメモリを構成している。ト
ランジスタ116aおよび116bは、この1ビットの
メモリに対して書込みを行うときにオン状態とされるス
イッチングトランジスタであり、各々のドレインはイン
バータ121および122の各出力端子に接続され、各
々のゲートは走査信号Giを供給する走査線112に接
続されている。また、トランジスタ116aのソースに
はデータ線114aが、トランジスタ116bのソース
にはデータ線114bが、それぞれ接続されている。こ
こで、データ線114aには、上述したデータ線駆動回
路140から信号dj(j=1〜n)がそのまま供給さ
れる一方、データ線114bにはこの信号djをレベル
反転した信号が供給される。これらの各データ線上の信
号は、トランジスタ116aおよび116bを介してイ
ンバータ121および122からなるメモリに与えら
れ、このメモリに書込まれる。
Referring to FIG. 3, inverters 121 and 1
Reference numeral 22 has one output terminal connected to the other input terminal, and forms a 1-bit memory as a whole. Transistors 116a and 116b are switching transistors that are turned on when data is written to the one-bit memory, each drain is connected to each output terminal of inverters 121 and 122, and each gate is scanned. It is connected to the scanning line 112 that supplies the signal Gi. The data line 114a is connected to the source of the transistor 116a, and the data line 114b is connected to the source of the transistor 116b. Here, the signal dj (j = 1 to n) is supplied as it is from the data line driving circuit 140 to the data line 114a, while a signal obtained by inverting the level of the signal dj is supplied to the data line 114b. . The signals on each of these data lines are applied to a memory composed of inverters 121 and 122 via transistors 116a and 116b, and are written into this memory.

【0044】トランスミッションゲート123は、入力
端が電圧Vonを供給する配線に接続されており、出力
端が画素電極118に接続されている。また、トランス
ミッションゲート124は、入力端が電圧Voffを供
給する配線に接続されており、出力端が画素電極118
に接続されている。これらのトランスミッションゲート
123および124は、いずれもHレベルのゲート信号
を与えられることによりオンになるゲートであり、これ
らには上記メモリにおけるインバータ121および12
2の各出力信号がゲート信号として供給される。
The transmission gate 123 has an input terminal connected to a wiring for supplying the voltage Von, and an output terminal connected to the pixel electrode 118. The transmission gate 124 has an input terminal connected to a wiring for supplying the voltage Voff, and an output terminal connected to the pixel electrode 118.
It is connected to the. Each of these transmission gates 123 and 124 is a gate which is turned on when an H level gate signal is applied thereto, and includes inverters 121 and 12 in the above memory.
2 are supplied as gate signals.

【0045】ここで、この画素の動作について説明す
る。
Here, the operation of this pixel will be described.

【0046】まず、走査線112にHレベルの走査信号
Giが出力され、トランジスタ116aおよび116b
がオン状態となっているときに、Hレベルのデータ信号
djがデータ線114aに、Lレベルの信号/djがデ
ータ線114bにそれぞれ出力されたとする。この場
合、インバータ121の出力信号がHレベル、インバー
タ122の出力信号がLレベルとなるため、トランスミ
ッションゲート123のみがオン状態となり、このトラ
ンスミッションゲート123を介して電圧Vonが画素
電極118に印加される。
First, an H-level scanning signal Gi is output to the scanning line 112, and the transistors 116a and 116b
Is turned on, an H-level data signal dj is output to the data line 114a, and an L-level signal / dj is output to the data line 114b. In this case, since the output signal of inverter 121 is at H level and the output signal of inverter 122 is at L level, only transmission gate 123 is turned on, and voltage Von is applied to pixel electrode 118 via transmission gate 123. .

【0047】次に、走査線112に対する走査信号Gi
がLレベルになると、トランジスタ116aおよび11
6bはオフ状態となり、インバータ121および122
はそれ以前の出力信号レベルをそのまま維持する。この
間、インバータ121の出力信号のみがHレベルとなる
ため、トランスミッションゲート123を介して電圧V
onが画素電極118に印加され続けることとなる。
Next, the scanning signal Gi for the scanning line 112
Goes low, transistors 116a and 11a
6b is turned off, and inverters 121 and 122 are turned off.
Maintains the previous output signal level. During this time, since only the output signal of the inverter 121 is at the H level, the voltage V
on will be continuously applied to the pixel electrode 118.

【0048】その後、走査線112に対する走査信号G
iが再びHレベルとなり、トランジスタ116aおよび
116bがオン状態となっているときに、Lレベルのデ
ータ信号djがデータ線114aに、Hレベルの信号/
djがデータ線114bにそれぞれ出力されたとする。
この場合、インバータ121の出力信号がLレベル、イ
ンバータ122の出力信号がHレベルとなるため、トラ
ンスミッションゲート124のみがオン状態となり、こ
のトランスミッションゲート124を介して電圧Vof
fが画素電極118に印加される。
Thereafter, the scanning signal G for the scanning line 112
When i becomes H level again and transistors 116a and 116b are turned on, L level data signal dj is applied to data line 114a to generate H level signal /.
Assume that dj is output to the data line 114b.
In this case, since the output signal of inverter 121 is at L level and the output signal of inverter 122 is at H level, only transmission gate 124 is turned on, and voltage Vof is transmitted through transmission gate 124.
f is applied to the pixel electrode 118.

【0049】そして、走査線112に対する走査信号G
iがLレベルになると、上述したように、インバータ1
21および122はそれ以前の出力レベルをそのまま維
持し、トランスミッションゲート124を介して電圧V
offが画素電極118に印加され続けることとなる。
このように、画素110はメモリを内蔵しているため、
画素電極に対する印加電圧がリークによって揮発すると
いった事態が生じないという利点がある。
Then, the scanning signal G for the scanning line 112
When i becomes the L level, as described above, the inverter 1
21 and 122 maintain the previous output level as they are, and apply the voltage V
off is continuously applied to the pixel electrode 118.
Thus, since the pixel 110 has a built-in memory,
There is an advantage that a situation in which the voltage applied to the pixel electrode volatilizes due to leakage does not occur.

【0050】なお、以下では、便宜的に、データ線11
4aに対してHレベルのデータ信号が、データ線114
bに対してLレベルの信号が供給された結果、インバー
タ121の出力信号がHレベル、インバータ122の出
力信号がLレベルで保持された状態を「メモリにHレベ
ルの信号が書込まれた状態」と呼ぶ。これに対し、デー
タ線114aに対してLレベルのデータ信号が、データ
線114bに対してHレベルの信号が供給された結果、
インバータ121の出力信号がLレベル、インバータ1
22の出力信号がHレベルで保持された状態を「メモリ
にLレベルの信号が書込まれた状態」とする。すなわ
ち、データ線駆動回路140からHレベルのデータ信号
が出力された場合にはメモリにHレベルの信号が書込ま
れ、画素電極118には電圧Vonが印加される。一
方、データ線駆動回路140からLレベルのデータ信号
が出力された場合にはメモリにLレベルの信号が書込ま
れ、画素電極118には電圧Voffが印加されること
となる。
In the following, for convenience, the data lines 11
4a, the H level data signal is applied to the data line 114.
The state in which the output signal of the inverter 121 is maintained at the H level and the output signal of the inverter 122 is maintained at the L level as a result of the supply of the L level signal ". On the other hand, as a result of the L level data signal being supplied to the data line 114a and the H level signal being supplied to the data line 114b,
When the output signal of inverter 121 is at L level and inverter 1
The state where the output signal of No. 22 is held at the H level is referred to as “the state where the signal of the L level is written in the memory”. That is, when an H-level data signal is output from the data line driving circuit 140, the H-level signal is written in the memory, and the voltage Von is applied to the pixel electrode 118. On the other hand, when an L-level data signal is output from the data line driving circuit 140, the L-level signal is written to the memory, and the voltage Voff is applied to the pixel electrode 118.

【0051】さて、本実施形態においては、これらの各
画素の画素電極118に印加される電圧VonおよびV
offのレベルが、所定の条件の下で、VL(=0V)
およびVHのいずれかに切換わるようになっている。図
1において、電圧制御回路160は、これらの電圧Vo
nおよびVoffのレベルを制御するためのものであ
る。具体的には、電圧制御回路160には、電圧VHお
よびVL、データ転送期間であることを示すデータ転送
信号DT、ならびに交流化駆動信号LCOMが入力され
る一方、これらの各信号に応じてHレベル(=VH)ま
たはLレベル(=VL=0V)に設定された電圧Von
およびVoffが出力される。ここで、データ転送信号
DTは、データ転送期間であるか否かを示す信号であ
り、タイミング信号生成回路200によって生成される
ものであり、具体的には、例えば、スタートパルスDY
の立ち上がりと同時に立ち上がるとともに、走査信号G
mの立ち下がりと同時にたち下がるパルス信号である
(図4参照)。
In this embodiment, the voltages Von and V applied to the pixel electrode 118 of each pixel are described.
The off level is VL (= 0 V) under a predetermined condition.
And VH. In FIG. 1, the voltage control circuit 160 controls these voltages Vo
This is for controlling the levels of n and Voff. Specifically, the voltage control circuit 160 receives the voltages VH and VL, the data transfer signal DT indicating the data transfer period, and the AC drive signal LCOM, and outputs H according to each of these signals. Voltage Von set to level (= VH) or L level (= VL = 0V)
And Voff are output. Here, the data transfer signal DT is a signal indicating whether or not it is a data transfer period and is generated by the timing signal generation circuit 200. Specifically, for example, the start pulse DY
Rise at the same time as the rise of the scanning signal G
This is a pulse signal that falls simultaneously with the fall of m (see FIG. 4).

【0052】以下、図4を参照して、電圧制御回路16
0による制御の結果、電圧VonおよびVoffのレベ
ルがどのように変化するのかを説明する。なお、以下で
は、サブフィールド内のデータ転送期間内における変化
とデータ転送期間が経過した後の期間(以下、「非転送
期間」という)内におけるレベルとに分けて説明する。
また、以下では、説明の便宜上、電圧VonおよびVo
ffのレベルに関しては、VHを単にHレベルと呼び、
VLを単にLレベルと呼ぶ場合がある。 a.データ転送期間内 データ転送期間内においては、電圧制御回路160は、
画素中のメモリに書込まれた信号に関わらず、画素をオ
フにする電圧が印加されるように、電圧VonおよびV
offのレベルを切換える。具体的には、交流化駆動信
号LCOMがHレベルであるフィールド内のデータ転送
期間においては、電圧Von、VoffともにHレベル
となる一方、交流化駆動信号LCOMがLレベルである
フィールド内のデータ転送期間においては、電圧Vo
n、VoffともにLレベルとなる。すなわち、メモリ
に書込まれた信号に従って電圧VonおよびVoffの
いずれが画素電極118に印加された場合であっても、
交流化駆動信号LCOMと画素電極118に対する印加
電圧とのレベル差は0Vとなるため、画素はオフとな
る。 b.非転送期間内 データ転送期間経過後、すなわち非転送期間内において
は、直前のデータ転送期間において画素中のメモリに書
込まれた信号に応じて、画素をオンオフ駆動するための
電圧が画素に印加されるように、電圧VonおよびVo
ffのレベルが決定される。具体的には、交流化駆動信
号LCOMがHレベルであるフィールドにおいてはVo
nをLレベルに、VoffをHレベルにする一方、交流
化駆動信号LCOMがLレベルであるフィールドにおい
てはVonをHレベルに、VoffをLレベルにする。
この結果、画素110中のメモリに書込まれた信号がH
レベルである場合(すなわち、画素電極118に電圧V
onが印加される場合)には、画素110をオンする電
圧が印加され、画素110中のメモリに書込まれた信号
がLレベルである場合(すなわち、画素電極118に電
圧Voffが印加される場合)には、画素をオフする電
圧が印加されることとなる。
Hereinafter, referring to FIG.
How the levels of voltages Von and Voff change as a result of the control by 0 will be described. In the following, a description will be given of a change in a data transfer period in a subfield and a level in a period after the data transfer period has elapsed (hereinafter, referred to as a “non-transfer period”).
In the following, for convenience of description, the voltages Von and Vo
Regarding the level of ff, VH is simply called H level,
VL may be simply referred to as L level. a. During the data transfer period During the data transfer period, the voltage control circuit 160
Regardless of the signal written to the memory in the pixel, the voltages Von and V
The level of off is switched. Specifically, during the data transfer period in the field where the AC drive signal LCOM is at the H level, both the voltages Von and Voff are at the H level, while the data transfer in the field where the AC drive signal LCOM is at the L level. During the period, the voltage Vo
Both n and Voff are at the L level. That is, regardless of which of the voltages Von and Voff is applied to the pixel electrode 118 according to the signal written in the memory,
Since the level difference between the AC drive signal LCOM and the voltage applied to the pixel electrode 118 is 0 V, the pixel is turned off. b. Within the non-transfer period After the elapse of the data transfer period, that is, within the non-transfer period, a voltage for driving the pixel on and off is applied to the pixel in accordance with the signal written to the memory in the pixel during the immediately preceding data transfer period. Voltage Von and Vo
The level of ff is determined. Specifically, in a field where the AC drive signal LCOM is at the H level, Vo
While n is set to L level and Voff is set to H level, Von is set to H level and Voff is set to L level in a field where the AC drive signal LCOM is at L level.
As a result, the signal written to the memory in the pixel 110 becomes H
Level (that is, the voltage V
When “on” is applied, a voltage for turning on the pixel 110 is applied, and when the signal written to the memory in the pixel 110 is at the L level (ie, the voltage Voff is applied to the pixel electrode 118). In this case, a voltage for turning off the pixel is applied.

【0053】このように、本実施形態では、データ転送
期間の間はメモリに書込まれた信号とは無関係に常に画
素がオフになる一方、データ転送期間の経過後には、当
該データ転送期間においてメモリに書込まれた信号に応
じた信号によって画素がオンオフ駆動されるようになっ
ている。
As described above, in the present embodiment, the pixels are always turned off during the data transfer period irrespective of the signal written in the memory, and after the data transfer period, the pixels are turned off during the data transfer period. The pixel is driven to be turned on and off by a signal corresponding to the signal written in the memory.

【0054】次に、図1に示すデータ変換回路300
は、各サブフィールドにおいて、各画素に対応した上記
5ビットの階調データから当該画素のオンオフ駆動を指
示する2値信号Dsを生成するものである。図5は、サ
ブフィールド番号および階調データと2値信号Dsとの
関係を示している。データ変換回路300は、内部のメ
モリに同図に示すようなテーブルを保持しており、この
メモリには、サブフィールド番号と階調データとがアド
レスとして与えられるようになっている。この結果、デ
ータ変換回路300からは、サブフィールド番号および
階調データに応じた2値信号Dsが出力される。
Next, the data conversion circuit 300 shown in FIG.
Is for generating a binary signal Ds for instructing on / off driving of the pixel from the 5-bit grayscale data corresponding to each pixel in each subfield. FIG. 5 shows the relationship between the subfield number and gradation data and the binary signal Ds. The data conversion circuit 300 holds a table as shown in the figure in an internal memory, and this memory is provided with a subfield number and gradation data as an address. As a result, the data conversion circuit 300 outputs a binary signal Ds corresponding to the subfield number and the gradation data.

【0055】ここで、サブフィールド番号は、1フィー
ルド内における各サブフィールドの番号であり、「0」
〜「5」までのいずれかの値である。このサブフィール
ド番号を生成する方法に関しては各種考えられるが、例
えばスタートパルスDYを計数するとともに、交流化駆
動信号LCOMのレベル遷移(立ち上がりおよび立ち下
がり)によって当該計数結果がリセットされるカウンタ
を設け、このカウンタから得られるカウント値をサブフ
ィールド番号として用いてもよい。データ変換回路30
0は、このようにして得られるサブフィールド番号と階
調データとの組み合わせに対応したオンオフデータを2
値信号Dsとして出力する。
Here, the subfield number is the number of each subfield in one field, and is "0".
To any one of values up to “5”. There are various methods for generating the subfield number. For example, a counter is provided which counts the start pulse DY and resets the counting result by a level transition (rising and falling) of the AC drive signal LCOM. The count value obtained from this counter may be used as a subfield number. Data conversion circuit 30
0 indicates that the on / off data corresponding to the combination of the subfield number and the gradation data thus obtained is 2
It is output as a value signal Ds.

【0056】ここで、Hレベルの2値信号Dsは画素内
の画素電極118に対して電圧Vonを印加する作用を
呈し、Lレベルの2値信号Dsは画素内の画素電極11
8に対して電圧Voffを印加する作用を呈することと
なる。例えば、データ変換回路300からHレベルの信
号Dsが出力され、この結果いずれかのデータ線114
aにHレベルのデータ信号が出力されたとすると、メモ
リにはHレベルの信号が書込まれるため、画素電極11
8には電圧Vonが印加されるのである。図5に例示す
るように、階調データが00000である場合には、全
てのサブフィールドにおいてLレベルの2値信号Dsが
出力される。この結果、当該画素の画素電極118に
は、全てのサブフィールドにおいて電圧Voffが印加
されることとなる。また、階調データが00001であ
る場合には、サブフィールドSf0およびSf1におい
てHレベルの2値信号Dsが出力される一方、その他の
サブフィールドにおいてはLレベルの2値信号Dsが出
力される。この結果、当該画素の画素電極118には、
サブフィールドSf0およびSf1において電圧Von
が印加される一方、サブフィールドSf2〜Sf5にお
いて電圧Voffが印加される。
Here, the H-level binary signal Ds has the effect of applying the voltage Von to the pixel electrode 118 in the pixel, and the L-level binary signal Ds has the effect of applying the voltage Von to the pixel electrode 11 in the pixel.
8 has the effect of applying the voltage Voff. For example, an H-level signal Ds is output from the data conversion circuit 300, and as a result, any of the data lines 114
If an H-level data signal is output to a, the H-level signal is written to the memory, and the pixel electrode 11
8, the voltage Von is applied. As illustrated in FIG. 5, when the gradation data is 00000, the L-level binary signal Ds is output in all the subfields. As a result, the voltage Voff is applied to the pixel electrode 118 of the pixel in all subfields. When the gradation data is 00001, the H-level binary signal Ds is output in the subfields Sf0 and Sf1, while the L-level binary signal Ds is output in the other subfields. As a result, the pixel electrode 118 of the pixel
In subfields Sf0 and Sf1, voltage Von
Is applied, while the voltage Voff is applied in the subfields Sf2 to Sf5.

【0057】なお、図5に示すように、サブフィールド
Sf0では、階調データが00001以上である場合
に、階調データとは無関係にHレベルの2値信号Dsが
出力される。これは、上述したように、前掲図6におけ
る電圧VTH1相当の実効電圧を当該画素に印加するた
めに、データ変換回路300からデータ線駆動回路14
0に出力されるものである。
As shown in FIG. 5, in the subfield Sf0, when the gradation data is equal to or more than 00001, the H-level binary signal Ds is output regardless of the gradation data. This is because, as described above, in order to apply an effective voltage equivalent to the voltage VTH1 in FIG.
0 is output.

【0058】データ変換回路300において生成された
2値信号Dsは、走査線駆動回路130およびデータ線
駆動回路140の動作に同期して出力する必要があるの
で、図1に示すように、データ変換回路300に対し
て、スタートパルスDYと、水平走査に同期するクロッ
ク信号CLYと、水平走査期間の最初を規定するラッチ
パルスLPと、ドットクロック信号に相当するクロック
信号CLXとが供給されるようになっている。
Since the binary signal Ds generated in the data conversion circuit 300 needs to be output in synchronization with the operation of the scanning line driving circuit 130 and the data line driving circuit 140, as shown in FIG. The circuit 300 is supplied with a start pulse DY, a clock signal CLY synchronized with horizontal scanning, a latch pulse LP defining the beginning of a horizontal scanning period, and a clock signal CLX corresponding to a dot clock signal. Has become.

【0059】<動作>次に、上述した実施形態に係る電
気光学装置の動作について説明する。図7は、この電気
光学装置の動作を示すタイミングチャートである。
<Operation> Next, the operation of the electro-optical device according to the above-described embodiment will be described. FIG. 7 is a timing chart showing the operation of the electro-optical device.

【0060】まず、交流化駆動信号LCOMは、1フィ
ールド(1f)毎にレベル反転して、対向電極108に
印加される。一方、スタートパルスDYは、各サブフィ
ールドの開始タイミングにおいてタイミング信号生成回
路200から出力される。
First, the AC drive signal LCOM is inverted for each field (1f) and applied to the counter electrode 108. On the other hand, the start pulse DY is output from the timing signal generation circuit 200 at the start timing of each subfield.

【0061】ここで、交流化駆動信号LCOMがHレベ
ルとなる1フィールドにおいて、サブフィールドSf0
の開始を規定するスタートパルスDYが供給されると、
走査線駆動回路130(図1参照)におけるクロック信
号CLYに従った転送によって、走査信号G1、G2、
G3、…、Gmが順次排他的に出力される。なお、図7
に示すように、データ転送期間は、最も短いサブフィー
ルドよりもさらに短い期間に設定されている。
Here, in one field in which the AC drive signal LCOM becomes H level, the subfield Sf0
Is supplied, the start pulse DY defining the start of
By the transfer according to the clock signal CLY in the scanning line driving circuit 130 (see FIG. 1), the scanning signals G1, G2,
, Gm are sequentially and exclusively output. FIG.
As shown in (1), the data transfer period is set to a period shorter than the shortest subfield.

【0062】さて、走査信号G1、G2、G3、…、G
mは、それぞれクロック信号CLYの半周期に相当する
パルス幅を有し、また、上から数えて1本目の走査線1
12に対応する走査信号G1は、スタートパルスDYが
供給された後、クロック信号CLYが最初に立ち上がっ
てから、少なくともクロック信号CLYの半周期だけ遅
延して出力される。従って、サブフィールドの最初にス
タートパルスDYが供給されてから、走査信号G1が出
力されるまでに、ラッチパルスLPの1ショット(G
0)がデータ線駆動回路140に供給されることとな
る。
Now, the scanning signals G1, G2, G3,.
m has a pulse width corresponding to a half cycle of the clock signal CLY, and the first scanning line 1 counted from the top.
The scanning signal G1 corresponding to 12 is output with a delay of at least a half cycle of the clock signal CLY after the clock signal CLY first rises after the start pulse DY is supplied. Therefore, one shot (G) of the latch pulse LP is supplied after the start pulse DY is supplied at the beginning of the subfield and before the scanning signal G1 is output.
0) is supplied to the data line drive circuit 140.

【0063】そこで、このラッチパルスLPの1ショッ
ト(G0)が供給された場合について検討してみる。ま
ず、このラッチパルスLPの1ショット(G0)がデー
タ線駆動回路140に供給されると、データ線駆動回路
140(図2参照)におけるクロック信号CLXに従っ
た転送によって、ラッチ信号S1、S2、S3、…、S
nが水平走査期間(1H)に順次排他的に出力される。
なお、ラッチ信号S1、S2、S3、…、Snは、それ
ぞれクロック信号CLXの半周期に相当するパルス幅を
有している。
The case where one shot (G0) of the latch pulse LP is supplied will be examined. First, when one shot (G0) of the latch pulse LP is supplied to the data line driving circuit 140, the data line driving circuit 140 (see FIG. 2) transfers the latch signals S1, S2, S3, ..., S
n are sequentially and exclusively output during the horizontal scanning period (1H).
Each of the latch signals S1, S2, S3,..., Sn has a pulse width corresponding to a half cycle of the clock signal CLX.

【0064】この際、図2における第1のラッチ回路1
420は、ラッチ信号S1の立ち下がりにおいて、上か
ら数えて1本目の走査線112と、左から数えて1本目
のデータ線114aとの交差に対応する画素110への
2値信号Dsをラッチし、次に、ラッチ信号S2の立ち
下がりにおいて、上から数えて1本目の走査線112
と、左から数えて2本目のデータ線114aとの交差に
対応する画素110への2値信号Dsをラッチし、以
下、同様に、上から数えて1本目の走査線112と、左
から数えてn本目までの各データ線114aとの各交差
に対応する各画素110への2値信号Dsを順次ラッチ
する。
At this time, the first latch circuit 1 shown in FIG.
420 latches the binary signal Ds to the pixel 110 corresponding to the intersection of the first scanning line 112 counted from the top and the first data line 114a counted from the left at the falling of the latch signal S1. Next, at the falling of the latch signal S2, the first scanning line 112 counted from the top
, The binary signal Ds to the pixel 110 corresponding to the intersection with the second data line 114a counted from the left is latched. Similarly, the first scanning line 112 counted from the top and the left are counted from the left. Then, the binary signal Ds to each pixel 110 corresponding to each intersection with the nth data line 114a is sequentially latched.

【0065】これにより、まず、図1において上から1
本目の走査線112との交差に対応する画素1行分の2
値信号Dsが、第1のラッチ回路1420により点順次
的にラッチされることとなる。なお、データ変換回路3
00は、第1のラッチ回路1420によるラッチのタイ
ミングに合わせて、各画素の階調データを2値信号Ds
に変換して出力する。この変換は、前掲図5に示した真
理値表に従って実行される。
As a result, first, in FIG.
2 for one row of pixels corresponding to the intersection with the actual scan line 112
The value signal Ds is latched point-sequentially by the first latch circuit 1420. The data conversion circuit 3
00 indicates that the grayscale data of each pixel is converted into a binary signal Ds in accordance with the timing of latching by the first latch circuit 1420.
And output. This conversion is performed according to the truth table shown in FIG.

【0066】次に、クロック信号CLYが立ち下がっ
て、走査信号G1が出力されると、図1において上から
数えて1本目の走査線112が選択される結果、当該走
査線112との交差に対応する画素110のトランジス
タ116がすべてオンとなる。一方、当該クロック信号
CLYの立ち下がりによってラッチパルスLPが出力さ
れる。そして、このラッチパルスLPの立ち下がりタイ
ミングにおいて、第2のラッチ回路1430は、第1の
ラッチ回路1420によって点順次的にラッチされた2
値信号Dsを、対応するデータ線114aの各々にデー
タ信号d1、d2、d3、…、dnとして一斉に供給す
る。この際に、データ線114bの各々にはデータ信号
をレベル反転した信号が供給される。この動作により、
上から数えて1行目の各画素110内のメモリには、各
データ信号の書込みが同時に行われることとなる。
Next, when the clock signal CLY falls and the scanning signal G1 is output, the first scanning line 112 counted from the top in FIG. All the transistors 116 of the corresponding pixel 110 are turned on. On the other hand, the falling edge of the clock signal CLY outputs the latch pulse LP. Then, at the falling timing of the latch pulse LP, the second latch circuit 1430 performs dot-sequential latching by the first latch circuit 1420 in a dot-sequential manner.
The value signal Ds is simultaneously supplied to each of the corresponding data lines 114a as data signals d1, d2, d3,..., Dn. At this time, a signal obtained by level inverting the data signal is supplied to each of the data lines 114b. By this operation,
Writing of each data signal to the memory in each pixel 110 in the first row counted from the top is performed simultaneously.

【0067】この書込みと並行して、図1において上か
ら2本目の走査線112との交差に対応する画素1行分
の2値信号Dsが、第1のラッチ回路1420により点
順次的にラッチされる。
In parallel with this writing, a binary signal Ds for one row of pixels corresponding to the intersection with the second scanning line 112 from the top in FIG. Is done.

【0068】一方、電圧制御回路160は、前掲図4に
例示したように、電圧VonおよびVoffの電圧値を
制御する。ここでは、交流化駆動信号LCOMがHレベ
ルの場合を想定しているため、データ転送期間において
は、VonおよびVoffともにHレベルに設定すると
ともに、非転送期間においては、VonをLレベルに、
VoffをHレベルにそれぞれ設定する。
On the other hand, the voltage control circuit 160 controls the voltage values of the voltages Von and Voff as illustrated in FIG. Here, since it is assumed that the AC drive signal LCOM is at the H level, both Von and Voff are set to the H level during the data transfer period, and Von is set to the L level during the non-transfer period.
Voff is set to the H level.

【0069】以後同様な動作が、m本目の走査線112
に対応する走査信号Gmが出力されるまで繰り返され
る。すなわち、ある走査信号Gi(iは、1≦i≦mを
満たす整数)が出力される1水平走査期間(1H)にお
いては、i本目の走査線112に対応する画素110の
1行分に対するデータ信号d1〜dnの書込みと、(i
+1)本目の走査線112に対応する画素110の1行
分に対する2値信号Dsの点順次的なラッチとが並行し
て行われることとなる。なお、画素110内のメモリに
書込まれたデータ信号は、次のサブフィールドにおいて
新たなデータ信号が書込まれるまで保持される。
Thereafter, a similar operation is performed for the m-th scanning line 112.
Is repeated until the scanning signal Gm corresponding to the is output. That is, during one horizontal scanning period (1H) in which a certain scanning signal Gi (i is an integer satisfying 1 ≦ i ≦ m) is output, data for one row of pixels 110 corresponding to the i-th scanning line 112 is provided. Writing the signals d1 to dn and (i
+1) Point-sequential latching of the binary signal Ds for one row of the pixels 110 corresponding to the first scanning line 112 is performed in parallel. The data signal written in the memory in the pixel 110 is held until a new data signal is written in the next subfield.

【0070】さらに、フィールドが切り換わり、交流化
駆動信号LCOMがLレベルに反転した場合において
も、各サブフィールドにおいて同様な動作が繰り返され
る。ただし、電圧制御回路160は、前掲図4に示した
ように、データ転送期間においては電圧Von、Vof
fともにLレベルに設定するとともに、非転送期間にお
いては電圧VonをHレベルに、VoffをLレベルに
設定するように切換わる。
Further, even when the field is switched and the AC drive signal LCOM is inverted to L level, the same operation is repeated in each subfield. However, as shown in FIG. 4, the voltage control circuit 160 controls the voltages Von and Vof during the data transfer period.
Both f are set to L level, and in the non-transfer period, switching is performed so that the voltage Von is set to H level and Voff is set to L level.

【0071】次に、このような動作が行われる結果、画
素110における液晶層に印加される電圧について検討
する。図8は、階調データと、画素110における画素
電極118への印加波形を示すタイミングチャートであ
る。
Next, as a result of such an operation, a voltage applied to the liquid crystal layer in the pixel 110 will be examined. FIG. 8 is a timing chart showing the gradation data and the waveform applied to the pixel electrode 118 in the pixel 110.

【0072】図8に示すように、各サブフィールドにお
けるデータ転送期間内(図8において斜線を付した区
間)においては、各画素内のメモリに対していずれのレ
ベルのデータ信号が書込まれているかに関わらず、画素
をオフする電圧が印加される。例えば、交流化駆動信号
LCOMがHレベルであるフィールド内のデータ転送期
間においては、電圧制御回路160によって電圧Von
およびVoffともにHレベルに設定されている。従っ
て、当該期間においては、画素内のメモリにいずれのレ
ベルの信号が書込まれている場合であっても(すなわ
ち、画素に対して電圧VonおよびVoffのいずれが
印加されている場合であっても)、画素はオフとなる。
これに対し、非転送期間においては、電圧制御回路16
0により、電圧VonはLレベルに、VoffはHレベ
ルに、それぞれ設定されている。従って、画素110内
のメモリにHレベルの信号が記憶されている場合(すな
わち、画素電極118に電圧Vonが印加されている場
合)には画素がオンとなる一方、画素内のメモリにLレ
ベルの信号が記憶されている場合(すなわち、画素電極
118に電圧Voffが印加されている場合)には画素
がオフとなる。
As shown in FIG. 8, during the data transfer period in each subfield (the hatched section in FIG. 8), a data signal of any level is written to the memory in each pixel. Voltage is applied to turn off the pixel. For example, during a data transfer period in a field where the AC drive signal LCOM is at the H level, the voltage control circuit 160 controls the voltage Von.
And Voff are both set to H level. Therefore, in this period, no matter what level of signal is written to the memory in the pixel (that is, whether any of the voltages Von and Voff is applied to the pixel). ), The pixel is turned off.
On the other hand, during the non-transfer period, the voltage control circuit 16
By 0, the voltage Von is set to the L level and Voff is set to the H level. Therefore, when an H-level signal is stored in the memory in the pixel 110 (that is, when the voltage Von is applied to the pixel electrode 118), the pixel is turned on, while the L-level is stored in the memory in the pixel. Is stored (that is, when the voltage Voff is applied to the pixel electrode 118), the pixel is turned off.

【0073】例えば、交流化駆動信号LCOMがHレベ
ルであり、ある画素の階調データが00000である場
合、図5に示したテーブルに従う結果、当該画素内のメ
モリには、全てのサブフィールドSf0〜Sf5にわた
ってLレベルの信号が書込まれる。この場合、データ転
送期間において画素がオフとなるのはもちろん、非転送
期間においても、全てのサブフィールドにおいて、画素
電極118には電圧Voff(VH)が印加される。こ
の結果、1フィールドにおいて液晶層に印加される電圧
実効値は0Vとなる。従って、当該画素の透過率は、階
調データ00000に対応して0%となる。
For example, when the AC drive signal LCOM is at the H level and the gradation data of a certain pixel is 00000, as a result of following the table shown in FIG. 5, all the subfields Sf0 are stored in the memory in the pixel. An L level signal is written over Sf5. In this case, the voltage Voff (VH) is applied to the pixel electrode 118 in all the subfields, not only during the data transfer period but also during the non-transfer period during the non-transfer period. As a result, the effective value of the voltage applied to the liquid crystal layer in one field is 0V. Therefore, the transmittance of the pixel is 0% corresponding to the gradation data 00000.

【0074】また、ある画素の階調データが00001
である場合、図5に示したテーブルに従う結果、当該画
素内のメモリには、サブフィールドSf0およびSf1
においてはHレベルの信号が書込まれる一方、その他の
サブフィールドにおいてはLレベルの信号が書込まれ
る。この結果、サブフィールドSf0およびSf1(デ
ータ転送期間および非転送期間)においては、画素電極
118に対して電圧Vonが印加される。ただし、デー
タ転送期間においては、交流化駆動信号LCOMと画素
電極118に印加される電圧Vonとのレベル差は0V
であるため、画素はオフとなる。一方、非転送期間にお
いては、電圧Vonのレベルが反転する(Lレベルとな
る)ため、画素電極118には画素をオンとする電圧が
印加される。また、サブフィールドSf2〜Sf5にお
いては、データ転送期間および非転送期間ともに画素を
オフとする電圧が印加される。この結果、階調データ0
0001に対応した実効電圧が画素に与えられることと
なり、その階調データに応じた透過率が得られる。
When the gradation data of a certain pixel is 00001,
, The result in accordance with the table shown in FIG. 5 indicates that the subfields Sf0 and Sf1 are stored in the memory in the pixel.
, An H level signal is written, while an L level signal is written in other subfields. As a result, the voltage Von is applied to the pixel electrode 118 in the subfields Sf0 and Sf1 (data transfer period and non-transfer period). However, during the data transfer period, the level difference between the AC drive signal LCOM and the voltage Von applied to the pixel electrode 118 is 0 V
, The pixel is turned off. On the other hand, in the non-transfer period, since the level of the voltage Von is inverted (becomes L level), a voltage for turning on the pixel is applied to the pixel electrode 118. In the subfields Sf2 to Sf5, a voltage for turning off the pixels is applied in both the data transfer period and the non-transfer period. As a result, the gradation data 0
An effective voltage corresponding to 0001 is applied to the pixel, and a transmittance corresponding to the gradation data is obtained.

【0075】さらに、ある画素の階調データが0001
0であるとき、図5に示したテーブルに従う結果、当該
画素内のメモリにはサブフィールドSf0およびSf2
においてはHレベルの信号が書込まれる一方、その他の
サブフィールドにおいてはLレベルの信号が書込まれ
る。この結果、サブフィールドSf0およびSf2にお
いては、画素電極118に対して電圧Vonが印加され
るが、上述したのと同様の理由により、データ転送期間
においては画素がオフとなる一方、非転送期間において
は画素がオンとなる。また、サブフィールドSf1およ
びSf3〜Sf5においては画素をオフとする電圧が印
加される。この結果、階調データ00010に対応した
実効電圧が画素に与えられることとなり、その階調デー
タに応じた透過率が得られる。
Further, the gradation data of a certain pixel is 0001
When it is 0, as a result according to the table shown in FIG. 5, the subfields Sf0 and Sf2 are stored in the memory in the pixel.
, An H level signal is written, while an L level signal is written in other subfields. As a result, in the subfields Sf0 and Sf2, the voltage Von is applied to the pixel electrode 118. For the same reason as described above, the pixel is turned off during the data transfer period, while being turned off during the non-transfer period. Turns on the pixel. In the subfields Sf1 and Sf3 to Sf5, a voltage for turning off the pixel is applied. As a result, an effective voltage corresponding to the gradation data 00010 is applied to the pixel, and a transmittance corresponding to the gradation data is obtained.

【0076】他の階調データが与えられた場合も同様で
あり、階調データに応じた個数のサブフィールド内の非
転送期間において画素がオンとなる結果、その階調デー
タに応じた透過率が得られる。
The same applies to the case where another gradation data is given. As a result, the pixels are turned on during the non-transfer period in the number of subfields corresponding to the gradation data, and as a result, the transmittance corresponding to the gradation data is obtained. Is obtained.

【0077】次に、交流化駆動信号LCOMがLレベル
になると、Hレベルの場合に印加されていた電圧をレベ
ル反転した電圧が画素電極118に印加される。このた
め、交流化駆動信号LCOMがHレベルの場合に各液晶
層に印加された電圧は、交流化駆動信号LCOMがLレ
ベルの場合の印加電圧とは極性を反転したものであっ
て、かつ、その絶対値は等しいものとなる。従って、液
晶層に直流成分が印加される事態が回避される結果、液
晶の劣化が防止されることになる。
Next, when the AC drive signal LCOM becomes L level, a voltage obtained by inverting the voltage applied in the case of H level is applied to the pixel electrode 118. For this reason, the voltage applied to each liquid crystal layer when the AC drive signal LCOM is at the H level has a polarity inverted from the applied voltage when the AC drive signal LCOM is at the L level, and Their absolute values are equal. Therefore, a situation in which a DC component is applied to the liquid crystal layer is avoided, so that deterioration of the liquid crystal is prevented.

【0078】このような本実施形態に係る電気光学装置
によれば、1フィールドが複数のサブフィールドSf0
〜Sf5に分割され、各サブフィールド毎に、画素にH
レベルまたはLレベルが書込まれ、1フィールドにおけ
る電圧実効値が制御される。このため、データ線114
aおよび114bに供給されるデータ信号は、Hレベル
またはLレベルのみであって、2値的であるため、駆動
回路などの周辺回路においては、高精度のD/A変換回
路やオペアンプなどのような、アナログ信号を処理する
ための回路は不要となる。このため、回路構成が大幅に
簡略化されるので、装置全体のコストを低く抑えること
が可能となる。
According to the electro-optical device according to this embodiment, one field includes a plurality of subfields Sf0.
~ Sf5, and the H
The level or the L level is written, and the effective voltage value in one field is controlled. Therefore, the data line 114
Since the data signals supplied to a and 114b are only at H level or L level and are binary, a peripheral circuit such as a driving circuit may use a high-precision D / A conversion circuit or an operational amplifier. Further, a circuit for processing an analog signal becomes unnecessary. Therefore, the circuit configuration is greatly simplified, and the cost of the entire device can be reduced.

【0079】さらに、データ線114aおよび114b
に供給されるデータ信号(djおよび/dj)は2値的
であるため、素子特性や配線抵抗などの不均一性に起因
する表示ムラが原理的に発生しない。このため、本実施
形態に係る電気光学装置によれば、高品位かつ高精細な
階調表示が可能となる。
Further, data lines 114a and 114b
Since the data signals (dj and / dj) supplied to are binary, display unevenness due to non-uniformity such as element characteristics and wiring resistance does not occur in principle. Therefore, according to the electro-optical device according to the present embodiment, high-quality and high-definition gradation display can be performed.

【0080】また、本実施形態においては、複数のサブ
フィールドの各々において、データ転送期間が経過した
後にメモリに書込まれた信号に応じた電圧を画素電極1
18に印加するようになっている。このため、各サブフ
ィールドにおいて、各画素への電圧の印加に関してデー
タ転送期間と非転送期間とを区別することなく、各画素
に対してデータ信号が供給された直後から当該データ信
号に応じた電圧を画素電極に印加する駆動方法(以下、
「他の駆動方法」という)と比較して、以下の利点があ
る。
In this embodiment, in each of the plurality of subfields, a voltage corresponding to a signal written to the memory after the elapse of the data transfer period is applied to the pixel electrode 1.
18. For this reason, in each sub-field, immediately after a data signal is supplied to each pixel, a voltage corresponding to the data signal is applied to each pixel without distinction between a data transfer period and a non-transfer period with respect to application of a voltage to each pixel. Is applied to the pixel electrode (hereinafter, referred to as a driving method).
There are the following advantages as compared with "another driving method").

【0081】図9(a)は、上記他の駆動方法を用いた
場合の、各サブフィールドとデータ転送期間および電圧
印加期間との関係を示すタイミングチャートである。同
図中に「電圧印加期間」として示すように、上記他の駆
動方法においては、ある画素に対してデータ信号djが
供給されると、直ちに当該データ信号djに応じた電圧
が画素電極に印加され、次のサブフィールドにおいて新
たなデータ信号dj+1が供給されるまでこの電圧が維
持されるようになっている。なお、図9(a)において
は、スタートパルスDYが出力された直後(すなわち、
データ転送期間の開始直後)にデータ信号が供給される
画素を例としているため、サブフィールドの開始直後か
ら電圧が印加されるようになっている。もちろん、例え
ば1画面の最後にデータ信号が供給される画素(すなわ
ち、データ転送期間の最後にデータ信号が供給される画
素)においては、データ転送期間の最後の時点から電圧
印加期間が開始することとなる。
FIG. 9A is a timing chart showing the relationship between each subfield, the data transfer period, and the voltage application period when the above-mentioned other driving method is used. In the other driving method, when a data signal dj is supplied to a certain pixel, a voltage corresponding to the data signal dj is immediately applied to the pixel electrode as shown as a “voltage application period” in FIG. This voltage is maintained until a new data signal dj + 1 is supplied in the next subfield. Note that in FIG. 9A, immediately after the start pulse DY is output (that is,
Since a pixel to which a data signal is supplied immediately after the start of the data transfer period) is shown as an example, a voltage is applied immediately after the start of the subfield. Of course, for example, in the pixel to which the data signal is supplied at the end of one screen (that is, the pixel to which the data signal is supplied at the end of the data transfer period), the voltage application period starts from the end of the data transfer period. Becomes

【0082】ここで、このような方法において、表示可
能な階調数を増加させる場合について検討してみる。
Here, the case where the number of displayable gradations is increased in such a method will be examined.

【0083】表示可能な階調数を増加させるためには、
画素に印加され得る実効電圧の値の種類(個数)をより
多くする必要がある。そして、このためには、画素に対
してより小さい実効電圧を与え得るサブフィールドを設
けなければならない。別の表現をすれば、画素に電圧が
印加される時間がより短い(=小さい電圧実効値を与え
得る)サブフィールドを設ける必要があるのである。
In order to increase the number of displayable gradations,
It is necessary to increase the types (number) of effective voltage values that can be applied to pixels. For this purpose, a subfield that can provide a smaller effective voltage to the pixel must be provided. In other words, it is necessary to provide a subfield in which the voltage is applied to the pixel for a shorter time (= which can give a small effective value of the voltage).

【0084】ところが、図9(a)に示す方法の場合、
各サブフィールドの時間長をデータ転送期間の時間長よ
りも短くすることができない。換言すれば、電圧印加期
間の時間長をデータ転送期間の時間長よりも短くするこ
とができない。この結果、1つのサブフィールドの時間
長を短縮し、電圧印加時間の時間長とデータ転送期間の
時間長とを等しくした場合に印加可能な実効電圧よりも
小さい実効電圧を、画素に対して印加することができな
い。ここで、データ転送期間を短縮することができれ
ば、1つのサブフィールドにおける電圧印加期間をさら
に短縮することができるため、階調数を増やすこともで
きるが、各駆動回路等の性能上、データ転送期間の短縮
には限界がある。結局、上述した他の駆動方法において
は、画像表示の多階調化に限界があるのである。
However, in the case of the method shown in FIG.
The time length of each subfield cannot be shorter than the time length of the data transfer period. In other words, the time length of the voltage application period cannot be shorter than the data transfer period. As a result, the time length of one subfield is reduced, and an effective voltage smaller than the effective voltage that can be applied when the time length of the voltage application time is equal to the time length of the data transfer period is applied to the pixel. Can not do it. Here, if the data transfer period can be shortened, the voltage application period in one subfield can be further shortened, so that the number of gradations can be increased. There is a limit to shortening the period. After all, in the other driving methods described above, there is a limit to the multi-gradation of the image display.

【0085】これに対し、本実施形態においては、図9
(b)に示すように、データ転送期間の経過後にメモリ
に書込まれた信号に応じて画素をオンまたはオフするよ
うになっている。なお、図9(b)において「電圧印加
期間」とは、メモリに書込まれた信号に応じて画素をオ
ンする電圧またはオフする電圧を印加する期間であり、
上記実施形態における「非転送期間」に相当する期間で
ある。
On the other hand, in the present embodiment, FIG.
As shown in (b), the pixels are turned on or off in accordance with a signal written in the memory after the elapse of the data transfer period. Note that in FIG. 9B, the “voltage application period” is a period in which a voltage for turning on or off a pixel is applied in accordance with a signal written in the memory.
This is a period corresponding to the “non-transfer period” in the above embodiment.

【0086】上述したように、階調数を増加させるため
には、画素に対してより小さい電圧実効値を与え得るサ
ブフィールド、すなわち、画素に電圧が印加される時間
がより短いサブフィールドを設ける必要がある。ここ
で、上記他の方法においては、電圧印加期間の時間長を
データ転送期間の時間長よりも短くできないという制約
があったが、本実施形態に係る方法によれば、電圧印加
時間の時間長をデータ転送期間の時間長の如何に関わら
ず自由に設定できる。つまり、いかに小さい実効電圧を
与え得るサブフィールドをも設けることができるのであ
る。
As described above, in order to increase the number of gradations, a subfield that can give a smaller effective voltage value to a pixel, that is, a subfield in which a voltage is applied to a pixel for a shorter time, is provided. There is a need. Here, in the other methods described above, there is a restriction that the time length of the voltage application period cannot be shorter than the time length of the data transfer period. However, according to the method according to the present embodiment, the time length of the voltage application time is reduced. Can be freely set regardless of the time length of the data transfer period. That is, it is possible to provide a subfield capable of giving a very small effective voltage.

【0087】以上説明したように、本実施形態に係る方
法によれば、データ転送期間の時間長の如何に関わら
ず、非転送期間、すなわち各画素にデータ信号に応じた
電圧が印加される期間を任意に設定することができる。
この結果、電圧印加期間(非転送期間)を短縮すること
により、画像表示の多階調化を実現することができると
いう利点がある。換言すれば、多階調表示を行う場合で
あっても、データ転送期間の短い高性能の駆動回路は必
要とならない。
As described above, according to the method according to the present embodiment, regardless of the time length of the data transfer period, the non-transfer period, that is, the period during which a voltage corresponding to the data signal is applied to each pixel. Can be set arbitrarily.
As a result, by shortening the voltage application period (non-transfer period), there is an advantage that it is possible to realize multiple gradations of image display. In other words, even when performing multi-gradation display, a high-performance drive circuit with a short data transfer period is not required.

【0088】B:第2実施形態 次に、本発明の第2実施形態について説明する。なお、
本実施形態の全体構成は、前掲図1に示した第1実施形
態の構成と同様であるため、その説明を省略する。
B: Second Embodiment Next, a second embodiment of the present invention will be described. In addition,
The overall configuration of the present embodiment is the same as the configuration of the first embodiment shown in FIG. 1 described above, and a description thereof will be omitted.

【0089】上記第1実施形態においては、データ転送
期間と非転送期間とで電圧VonおよびVoffのレベ
ルを切換える電圧制御回路160を設け、これにより、
データ転送期間においてはメモリにいずれの信号が書込
まれている場合であっても画素をオフとする電圧が印加
されるようにした。これに対し、本実施形態において
は、画素内に設けた回路により、この機能を実現するよ
うになっている。
In the first embodiment, the voltage control circuit 160 for switching the levels of the voltages Von and Voff between the data transfer period and the non-transfer period is provided.
In the data transfer period, a voltage for turning off the pixel is applied regardless of which signal is written to the memory. On the other hand, in the present embodiment, this function is realized by a circuit provided in the pixel.

【0090】図10は、本実施形態に係る電気光学装置
における画素110の構成を示す図である。なお、図1
0において、前掲図3に示した各部と共通する部分につ
いては図3と同一の符号を付し、その詳細な説明を省略
する。
FIG. 10 is a diagram showing a configuration of the pixel 110 in the electro-optical device according to the present embodiment. FIG.
At 0, the same reference numerals as in FIG. 3 denote the same parts as those in FIG. 3, and a detailed description thereof will be omitted.

【0091】図10に示すように、本実施形態における
画素110には、NANDゲート125が設けられてい
る。このNANDゲート125の一方の入力端子はイン
バータ121の出力端子に接続されており、メモリに書
込まれた信号が入力される。また、NANDゲート12
5の他方の入力端子にはデータ転送信号DTをレベル反
転した信号/DTが入力されるようになっている。NA
NDゲート125の出力端子には、トランスミッション
ゲート124およびインバータ126が並列に接続され
ており、このインバータ126の出力端子にはトランス
ミッションゲート123が接続されている。
As shown in FIG. 10, the pixel 110 in this embodiment is provided with a NAND gate 125. One input terminal of the NAND gate 125 is connected to the output terminal of the inverter 121, and receives the signal written in the memory. The NAND gate 12
A signal / DT obtained by inverting the level of the data transfer signal DT is input to the other input terminal of the input terminal 5. NA
A transmission gate 124 and an inverter 126 are connected in parallel to an output terminal of the ND gate 125, and a transmission gate 123 is connected to an output terminal of the inverter 126.

【0092】これらのトランスミッションゲート123
および124は、いずれもHレベルのゲート信号が与え
られることによりオンになるゲートである。具体的に
は、トランスミッションゲート124には、上記NAN
Dゲート125の出力信号がゲート信号として供給さ
れ、トランスミッションゲート123には、NANDゲ
ート125の出力信号がインバータ126を介してレベ
ル反転された信号がゲート信号として供給される。
These transmission gates 123
And 124 are gates which are turned on when an H level gate signal is applied. Specifically, the transmission gate 124 has the NAN
An output signal of the D gate 125 is supplied as a gate signal, and a signal obtained by inverting the output signal of the NAND gate 125 via an inverter 126 is supplied to the transmission gate 123 as a gate signal.

【0093】また、上記第1実施形態においては、各サ
ブフィールド内のデータ転送期間と非転送期間との切り
換わりに応じて、電圧VonおよびVoffのレベルを
電圧制御回路160によって切換える構成とした。これ
に対し、本実施形態においては、図11に示すように、
電圧Voffは交流化駆動信号LCOMと同一のレベル
となる一方、電圧Vonは交流化駆動信号LCOMを反
転したレベル信号となるように、電圧制御回路160が
動作する。
In the first embodiment, the voltage control circuit 160 switches the levels of the voltages Von and Voff in accordance with the switching between the data transfer period and the non-transfer period in each subfield. On the other hand, in the present embodiment, as shown in FIG.
The voltage control circuit 160 operates so that the voltage Voff is at the same level as the AC drive signal LCOM, while the voltage Von is a level signal obtained by inverting the AC drive signal LCOM.

【0094】次に、図10および図11を参照して、上
記画素110内の画素電極118に印加される電圧につ
いて説明する。なお、以下では、データ転送期間と非転
送期間とに分けて説明する。 a.データ転送期間 データ転送期間内においてはデータ転送信号DTがHレ
ベルとなるため、NANDゲート125の一方の入力端
子に入力される信号/DTはLレベルとなる(図11参
照)。この結果、他方の入力端子(すなわち、インバー
タ121に接続された入力端子)にいずれのレベルの信
号が入力されるかに関わらず、NANDゲート125か
らはHレベルの信号が出力される。このため、トランス
ミッションゲート124のみがオンとなるから、画素電
極118には電圧Voffが印加される。ここで、図1
1に示したように、本実施形態においては電圧Voff
が交流化駆動信号LCOMと同じレベルとなっているか
ら、データ転送期間においては、メモリにいずれのレベ
ルの信号が書込まれているかに関わらず、画素はオフと
なる。 b.非転送期間 非転送期間、すなわち、図11中の斜線を付した区間に
おいては、メモリに書込まれた信号に応じて画素電極1
18に対して電圧VonまたはVoffが印加され、画
素がオンオフ駆動される。詳述すると、以下の通りであ
る。
Next, a voltage applied to the pixel electrode 118 in the pixel 110 will be described with reference to FIGS. In the following, a description will be given separately for a data transfer period and a non-transfer period. a. Data Transfer Period During the data transfer period, the data transfer signal DT goes high, so that the signal / DT input to one input terminal of the NAND gate 125 goes low (see FIG. 11). As a result, the H level signal is output from the NAND gate 125 regardless of which level signal is input to the other input terminal (that is, the input terminal connected to the inverter 121). Therefore, only the transmission gate 124 is turned on, so that the voltage Voff is applied to the pixel electrode 118. Here, FIG.
As shown in FIG. 1, in this embodiment, the voltage Voff
Are at the same level as the AC drive signal LCOM, the pixel is turned off during the data transfer period regardless of which level signal is being written to the memory. b. Non-Transfer Period In the non-transfer period, that is, in the hatched section in FIG. 11, the pixel electrode 1 is turned on in accordance with the signal written in the memory.
A voltage Von or Voff is applied to the pixel 18 to drive the pixel on and off. The details are as follows.

【0095】非転送期間においては、データ転送信号D
TがLレベルとなるため、NANDゲート125の一方
の入力端子に入力される信号/DTはHレベルとなる
(図11参照)。この結果、インバータ121の出力信
号をレベル反転した信号がNANDゲート125から出
力される。具体的には、当該非転送期間の直前のデータ
転送期間において、メモリにHレベルの信号が書込まれ
た場合(すなわち、インバータ121の出力信号がHレ
ベル、インバータ122の出力信号がLレベルに保持さ
れている場合)、NANDゲート125からはLレベル
の信号が出力される。この結果、トランスミッションゲ
ート123のみがオンとなるから、画素電極118には
電圧Vonが印加されることとなる。ここで、図11に
示したように、電圧Vonは交流化駆動信号LCOMと
は反対のレベルとなっているから、画素はオンとなる。
In the non-transfer period, the data transfer signal D
Since T goes low, the signal / DT input to one input terminal of the NAND gate 125 goes high (see FIG. 11). As a result, a signal obtained by inverting the output signal of the inverter 121 is output from the NAND gate 125. Specifically, in the data transfer period immediately before the non-transfer period, when an H-level signal is written to the memory (that is, the output signal of the inverter 121 is at the H level and the output signal of the inverter 122 is at the L level). If the signal is held), an L-level signal is output from the NAND gate 125. As a result, only the transmission gate 123 is turned on, so that the voltage Von is applied to the pixel electrode 118. Here, as shown in FIG. 11, the voltage Von is at a level opposite to that of the AC drive signal LCOM, so that the pixel is turned on.

【0096】一方、メモリにLレベルの信号が書込まれ
た場合(すなわち、インバータ121の出力信号がLレ
ベル、インバータ122の出力信号がHレベルに保持さ
れている場合)、NANDゲート125からはHレベル
の信号が出力される。この結果、トランスミッションゲ
ート124のみがオンとなるから、画素電極118には
電圧Voffが印加されることとなる。上述したよう
に、電圧Voffは交流化駆動電圧LCOMのレベルと
等しくなっているため、画素はオフとなる。
On the other hand, when an L-level signal is written in the memory (ie, when the output signal of inverter 121 is at the L level and the output signal of inverter 122 is at the H level), NAND gate 125 outputs An H level signal is output. As a result, only the transmission gate 124 is turned on, so that the voltage Voff is applied to the pixel electrode 118. As described above, since the voltage Voff is equal to the level of the AC drive voltage LCOM, the pixel is turned off.

【0097】このように、本実施形態においては、デー
タ転送期間においては画素は常にオフになるとともに、
データ転送期間の経過後にメモリに書込まれた信号に応
じて画素がオン/オフ駆動されることとなる。この結
果、階調データと、当該階調データが与えられたときの
画素電極118への印加電圧との関係は、上記第1実施
形態において例示した図8と同じになる。
As described above, in this embodiment, the pixels are always turned off during the data transfer period,
The pixels are turned on / off according to the signal written to the memory after the elapse of the data transfer period. As a result, the relationship between the gradation data and the voltage applied to the pixel electrode 118 when the gradation data is given is the same as that illustrated in FIG. 8 illustrated in the first embodiment.

【0098】このように、本実施形態によっても、上記
第1実施形態と同様の効果が得られる。また、上記実施
形態においては、データ転送期間と非転送期間との切り
換わりに同期して1フィールド内において何度も電圧V
onおよびVoffのレベルを切換える必要があった
が、本実施形態によれば、1フィールド内においては電
圧VonおよびVoffのレベルを切換える必要がない
ため、上記実施形態と比較して消費電力を低く抑えるこ
とができるという利点がある。
As described above, according to the present embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained. Further, in the above embodiment, the voltage V is repeatedly set within one field in synchronization with the switching between the data transfer period and the non-transfer period.
Although it is necessary to switch the levels of on and Voff, according to the present embodiment, it is not necessary to switch the levels of the voltages Von and Voff within one field, so that the power consumption is suppressed to be lower than in the above embodiment. There is an advantage that can be.

【0099】C:変形例 以上この発明の実施形態について説明したが、上記実施
形態はあくまでも例示であり、上記実施形態に対して
は、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加
えることができる。変形例としては、例えば以下のよう
なものが考えられる。
C: Modifications Although the embodiment of the present invention has been described above, the above embodiment is merely an example, and various modifications may be made to the above embodiment without departing from the spirit of the present invention. Can be. For example, the following modifications can be considered.

【0100】<変形例1> (1)第1の態様 上記第1実施形態においては、データ転送期間において
画素を常にオフとするようにしたが、データ転送期間に
おいて画素を常にオンにするようにしてもよい。以下、
図12を参照して、この場合の電圧VonおよびVof
fの変化を説明する。なお、本態様における電圧Von
およびVoffのレベル変化の様子は、図12中の
(a)の部分に示されている。 a.データ転送期間内 データ転送期間内においては、電圧制御回路160は、
画素中のメモリに書込まれた信号に関わらず、画素をオ
ンにする電圧が印加されるように、電圧VonおよびV
offのレベルを切換える。具体的には、交流化駆動信
号LCOMがHレベルであるフィールドにおいては、電
圧Von、VoffともにLレベルにする一方、交流化
駆動信号LCOMがLレベルであるフィールドにおいて
は、電圧Von、VoffともにHレベルとする。この
結果、データ転送期間においては、メモリに書込まれた
信号に従って電圧VonおよびVoffのいずれが画素
電極118に印加された場合であっても、画素はオンと
なる。 b.非転送期間内 非転送期間内においては、電圧制御回路160は、メモ
リに書込まれた信号に応じて画素をオンオフ駆動するた
めの電圧が画素に印加されるように、電圧Vonおよび
Voffを切換える。具体的には、交流化駆動信号LC
OMがHレベルであるフィールドにおいては電圧Von
をLレベルに、電圧VoffをHレベルにする一方、交
流化駆動信号LCOMがLレベルであるフィールドにお
いては電圧VonをHレベルに、電圧VoffをLレベ
ルにする。この結果、画素中のメモリに書込まれた信号
に応じて画素がオンオフ駆動されることとなる。
<Modification 1> (1) First Mode In the first embodiment, the pixels are always turned off during the data transfer period. However, the pixels are always turned on during the data transfer period. You may. Less than,
Referring to FIG. 12, voltages Von and Vof in this case are shown.
The change of f will be described. Note that the voltage Von in this embodiment is
The state of the level change of Voff and Voff is shown in part (a) of FIG. a. During the data transfer period During the data transfer period, the voltage control circuit 160
Regardless of the signal written to the memory in the pixel, the voltages Von and V
The level of off is switched. Specifically, in a field where the AC drive signal LCOM is at the H level, both the voltages Von and Voff are set to the L level, while in a field where the AC drive signal LCOM is at the L level, both the voltages Von and Voff are set to the H level. Level. As a result, in the data transfer period, the pixel is turned on regardless of which of the voltages Von and Voff is applied to the pixel electrode 118 in accordance with the signal written in the memory. b. Within the non-transfer period During the non-transfer period, the voltage control circuit 160 switches the voltages Von and Voff such that a voltage for driving the pixel on and off is applied to the pixel in accordance with the signal written in the memory. . Specifically, the AC drive signal LC
In the field where OM is at the H level, the voltage Von
To the L level and the voltage Voff to the H level, while in the field where the AC drive signal LCOM is the L level, the voltage Von is set to the H level and the voltage Voff is set to the L level. As a result, the pixel is turned on and off in accordance with the signal written to the memory in the pixel.

【0101】ここで、本態様においては、データ転送期
間において強制的に画素をオンとするため、1フィール
ド内の各データ転送期間における電圧実効値が、図6に
示す電圧VTH1と同じかそれよりも小さくなるように
データ転送期間の長さ等を選定する必要がある。ここ
で、1フィールド内のデータ転送期間における電圧実効
値が、上記電圧VTH1と等しくなるように設定した場
合には、上記第1実施形態におけるサブフィールドSf
0(電圧VTH1に相当する実効電圧を画素に与え得る
だけの時間長に設定されたサブフィールド)を設ける必
要がなくなる。一方、1フィールド内のデータ転送期間
における電圧実効値が、上記電圧VTH1よりも小さく
なるように設定した場合には、電圧VTH1と当該電圧
実効値との差に相当する電圧をサブフィールドSf0に
おいて画素電極に与えればよいから、サブフィールドS
f0の時間長をより短縮することができる。
In this embodiment, since the pixels are forcibly turned on during the data transfer period, the effective voltage value in each data transfer period in one field is equal to or lower than the voltage VTH1 shown in FIG. It is necessary to select the length of the data transfer period and the like so that the data transfer time is also reduced. Here, when the effective voltage value in the data transfer period in one field is set to be equal to the voltage VTH1, the subfield Sf in the first embodiment is set.
It is not necessary to provide 0 (a subfield set to a time length long enough to apply an effective voltage corresponding to the voltage VTH1 to the pixel). On the other hand, when the effective voltage value in the data transfer period within one field is set to be smaller than the voltage VTH1, the voltage corresponding to the difference between the voltage VTH1 and the effective voltage value is set in the subfield Sf0 in the pixel. Since it only needs to be given to the electrodes, the subfield S
The time length of f0 can be further reduced.

【0102】(2)第2の態様 上記第1実施形態においてはデータ転送期間において画
素を常にオフとするようにし、上記第1の態様において
はデータ転送期間において画素を常にオンとするように
したが、各サブフィールド内のデータ転送期間毎に画素
をオンまたはオフするようにしてもよい。すなわち、例
えば、1つのフィールド内において、サブフィールドS
f0〜Sf2内のデータ転送期間においては画素をオン
とし、サブフィールドSf3〜Sf5内のデータ転送期
間においては画素をオフとするようにしてもよい。この
場合の電圧VonおよびVoffのレベル変化の様子を
図12(b)に示す。
(2) Second Mode In the first embodiment, the pixels are always turned off during the data transfer period. In the first mode, the pixels are always turned on during the data transfer period. However, the pixels may be turned on or off for each data transfer period in each subfield. That is, for example, in one field, the subfield S
The pixels may be turned on during the data transfer period in f0 to Sf2, and may be turned off during the data transfer period in subfields Sf3 to Sf5. FIG. 12B shows how the levels of the voltages Von and Voff change in this case.

【0103】交流化駆動信号LCOMがHレベルである
場合、同図に示すように、サブフィールドSf0〜Sf
2内のデータ転送期間においては、電圧Von、Vof
fともにLレベルに設定される。従って、サブフィール
ドSf0〜Sf2内のデータ転送期間においては、画素
内のメモリに書込まれた信号がいずれのレベルであるか
に関わらず、画素はオンとなる。同様に交流化駆動信号
LCOMがHレベルである場合、サブフィールドSf3
〜Sf5内のデータ転送期間においては、電圧Von、
VoffともにHレベルに設定される。従って、サブフ
ィールドSf3〜Sf5内のデータ転送期間において
は、画素内のメモリに書込まれた信号がいずれのレベル
であるかに関わらず、画素はオフとなる。一方、交流化
駆動信号LCOMがLレベルに切換わった場合には、サ
ブフィールドSf0〜Sf2内のデータ転送期間におい
ては電圧Von、VoffともにHレベルに設定される
ため、当該期間においては画素がオンとなる一方、サブ
フィールドSf3〜Sf5内のデータ転送期間において
は電圧Von、VoffともにLレベルに設定されるた
め、当該期間においては画素がオフとなる。なお、非転
送期間においてメモリに書込まれた信号に応じて画素が
オンオフ駆動される点は上記各実施形態と同様である。
When the AC drive signal LCOM is at the H level, as shown in FIG.
2 during the data transfer period, the voltages Von, Vof
Both f are set to L level. Therefore, during the data transfer period in the subfields Sf0 to Sf2, the pixel is turned on regardless of the level of the signal written in the memory in the pixel. Similarly, when the AC drive signal LCOM is at the H level, the sub-field Sf3
During the data transfer period within Sf5 to Sf5, the voltages Von,
Both Voff are set to the H level. Therefore, during the data transfer period in the subfields Sf3 to Sf5, the pixel is turned off regardless of the level of the signal written to the memory in the pixel. On the other hand, when the AC drive signal LCOM is switched to the L level, both the voltages Von and Voff are set to the H level during the data transfer period in the subfields Sf0 to Sf2. On the other hand, in the data transfer period in the subfields Sf3 to Sf5, since the voltages Von and Voff are both set to the L level, the pixel is turned off in that period. It is to be noted that the pixels are turned on and off in response to the signal written to the memory during the non-transfer period, as in the above embodiments.

【0104】本態様によれば、例えば、データ転送期間
において画素をオフにするサブフィールドと、データ転
送期間において画素をオンにするサブフィールドとを適
当に選択することにより、1フィールドにおけるデータ
転送期間における電圧実効値を、上述した電圧VTH1
と等しい値(またはこれに近い値)となるように調節す
ることができる。こうした場合には、電圧VTH1に相
当する実効電圧を与えるためのサブフィールドSf0
を、1フィールド内に含ませる必要がなくなる。なお、
上述した例においては、連続するサブフィールドSf0
〜Sf2、およびサブフィールドSf3〜Sf5毎に、
データ転送期間において画素をオンまたはオフするよう
にしたが、これに限らず、例えばサブフィールドSf
0、Sf2およびSf4内のデータ転送期間においては
画素をオンにし、サブフィールドSf1、Sf3および
Sf5内のデータ転送期間においては画素をオフにす
る、というように、データ転送期間内において画素をオ
ンまたはオフとするサブフィールドが連続しないように
してもよいことはもちろんである。
According to this aspect, for example, by appropriately selecting a subfield for turning off the pixel in the data transfer period and a subfield for turning on the pixel in the data transfer period, At the voltage VTH1 described above.
The value can be adjusted so as to be equal to (or close to). In such a case, subfield Sf0 for providing an effective voltage corresponding to voltage VTH1 is provided.
Need not be included in one field. In addition,
In the example described above, the continuous subfield Sf0
To Sf2 and subfields Sf3 to Sf5,
Although the pixels are turned on or off during the data transfer period, the present invention is not limited to this. For example, the subfield Sf
The pixel is turned on or off during the data transfer period, such as turning on the pixel during the data transfer period within 0, Sf2 and Sf4, and turning off the pixel during the data transfer period within the subfields Sf1, Sf3 and Sf5. It goes without saying that the subfields to be turned off may not be continuous.

【0105】(3)第3の態様 また、上記第2実施形態における画素の構成を図13に
示すものに変更すれば、上記第1の態様と同様に、デー
タ転送期間内において常に画素をオンとすることができ
る。なお、図13に示す各部において、上記第2実施形
態において示した図10と共通する各部については同一
の符号を付し、その説明を省略する。
(3) Third Aspect If the configuration of the pixel in the second embodiment is changed to that shown in FIG. 13, the pixel is always turned on during the data transfer period as in the first aspect. It can be. In addition, in the respective units illustrated in FIG. 13, the same units as those in FIG. 10 illustrated in the second embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

【0106】同図に示すように、本変形例における画素
110は、前掲図10に示した画素110と比較して、
NANDゲート125およびインバータ126の接続の
仕方が異なる。具体的には、NANDゲート125の一
方の入力端子はインバータ122の出力端子に接続され
ており、メモリに書込まれた信号が入力される。また、
NANDゲート125の他方の入力端子にはデータ転送
信号DTをレベル反転した信号/DTが入力されるよう
になっている。一方、NANDゲート125の出力端子
は、トランスミッションゲート123およびインバータ
126に接続されている。このインバータ126の出力
端子は、トランスミッションゲート124に接続されて
いる。
As shown in the figure, the pixel 110 in this modification is different from the pixel 110 shown in FIG.
The way of connecting the NAND gate 125 and the inverter 126 is different. Specifically, one input terminal of the NAND gate 125 is connected to the output terminal of the inverter 122, and receives the signal written in the memory. Also,
A signal / DT obtained by inverting the level of the data transfer signal DT is input to the other input terminal of the NAND gate 125. On the other hand, the output terminal of the NAND gate 125 is connected to the transmission gate 123 and the inverter 126. The output terminal of the inverter 126 is connected to the transmission gate 124.

【0107】次に、本態様における各信号の具体的な変
化の様子について説明する。 a.データ転送期間 データ転送期間内においてはデータ転送信号DTがHレ
ベルとなるためNANDゲート125の一方の入力端子
に入力される信号/DTはLレベルとなる。この結果、
他方の入力端子(すなわち、インバータ122に接続さ
れた入力端子)にいずれのレベルの信号が入力されるか
に関わらず、NANDゲート125からはHレベルの信
号が出力される。この結果、トランスミッションゲート
123のみがオンとなるから、画素電極18には電圧V
onが印加される。ここで、電圧Vonは、交流化駆動
信号LCOMのレベルが反転されたものであるため、デ
ータ転送期間においては、メモリにいずれのレベルの信
号が書込まれているかに関わらず、画素はオンとなる。 b.非転送期間 非転送期間内においてはデータ転送信号DTがLレベル
となるため、NANDゲート125の一方の入力端子に
入力される信号/DTはHレベルとなる。この結果、N
ANDゲート125からの出力信号は、インバータ12
2の出力信号をレベル反転した信号となる。具体的に
は、当該非転送期間の直前のデータ転送期間において、
メモリにHレベルの信号が書込まれた場合(すなわち、
インバータ121の出力信号がHレベル、インバータ1
22の出力信号がLレベルに保持されている場合)、N
ANDゲート125からはHレベルの信号が出力され
る。この結果、トランスミッションゲート123のみが
オンとなるから、画素電極118には電圧Vonが印加
されることとなる。ここで、前掲図11に示したよう
に、電圧Vonは交流化駆動信号LCOMを反転したレ
ベルであるため、画素はオンとなる。一方、メモリにL
レベルの信号が書込まれた場合(すなわち、インバータ
121の出力信号がLレベル、インバータ122の出力
信号がHレベルに保持されている場合)、NANDゲー
ト125からはLレベルの信号が出力される。この結
果、インバータ126を介してHレベルの信号が供給さ
れるトランスミッションゲート124のみがオンとなる
から、画素電極118には電圧Voffが印加されるこ
ととなる。電圧Voffは交流化駆動信号LCOMと同
一のレベルであるから画素はオフとなる。
Next, a specific change in each signal in this embodiment will be described. a. Data Transfer Period During the data transfer period, the data transfer signal DT goes high, so that the signal / DT input to one input terminal of the NAND gate 125 goes low. As a result,
Regardless of which level signal is input to the other input terminal (that is, the input terminal connected to the inverter 122), the H level signal is output from the NAND gate 125. As a result, only the transmission gate 123 is turned on, so that the voltage V
on is applied. Here, since the voltage Von is obtained by inverting the level of the AC drive signal LCOM, during the data transfer period, the pixel is turned on irrespective of the signal of which level is written in the memory. Become. b. Non-Transfer Period During the non-transfer period, since the data transfer signal DT is at L level, the signal / DT input to one input terminal of the NAND gate 125 is at H level. As a result, N
The output signal from the AND gate 125 is
2 is a signal obtained by inverting the level of the output signal. Specifically, in the data transfer period immediately before the non-transfer period,
When an H-level signal is written to the memory (ie,
The output signal of the inverter 121 is at the H level,
22 is held at L level), N
An H-level signal is output from AND gate 125. As a result, only the transmission gate 123 is turned on, so that the voltage Von is applied to the pixel electrode 118. Here, as shown in FIG. 11, the voltage Von is at a level obtained by inverting the AC drive signal LCOM, so that the pixel is turned on. On the other hand, L
When a level signal is written (that is, when the output signal of inverter 121 is held at the L level and the output signal of inverter 122 is held at the H level), a signal at the L level is output from NAND gate 125. . As a result, only the transmission gate 124 to which the H-level signal is supplied via the inverter 126 is turned on, so that the voltage Voff is applied to the pixel electrode 118. Since the voltage Voff is at the same level as the AC drive signal LCOM, the pixel is turned off.

【0108】このように、本態様においては、データ転
送期間においては画素は常にオンとなるとともに、非転
送期間においてはメモリに書込まれた信号に応じて画素
がオン/オフ駆動されることとなる。なお、1フィール
ド内のデータ転送期間における電圧実効値については、
上記第1の態様に示した条件と同様の条件で設定すれば
よい。
As described above, in this embodiment, the pixels are always turned on during the data transfer period, and are turned on / off according to the signal written to the memory during the non-transfer period. Become. The effective voltage value during the data transfer period in one field is:
What is necessary is just to set under conditions similar to the conditions shown in the said 1st aspect.

【0109】上記各実施形態および本変形例に示したよ
うに、データ転送期間においては画素をオンするように
してもオフするようにしてもよい。要は、1つのサブフ
ィールドにおいて、データ転送期間においてはメモリに
書込まれた信号とは無関係に画素がオンオフ駆動される
一方、データ転送期間が経過した後にはじめて、当該デ
ータ転送期間においてメモリに書込まれた信号に応じた
電圧が画素に対して印加されるようにすれば、上記第1
実施形態において示した効果を得ることができる。
As described in each of the above embodiments and this modification, the pixels may be turned on or off during the data transfer period. In short, in one subfield, pixels are turned on and off during the data transfer period irrespective of the signal written to the memory, but are written to the memory during the data transfer period only after the elapse of the data transfer period. If the voltage corresponding to the input signal is applied to the pixel, the first
The effects shown in the embodiment can be obtained.

【0110】<変形例2>上記各実施形態においては、
各サブフィールドにおいて画素に印加される実効電圧に
対して各々異なる重み付けをしたため、各サブフィール
ドの時間長は異なるものであったが、各サブフィールド
の時間長はこれに限られるものではない。例えば1フィ
ールドを32個のサブフィールドSf0〜Sf31に分
割し、サブフィールドSf0(電圧VTH1に相当する
電圧実効値を印加するためのサブフィールド)以外のサ
ブフィールドSf1〜Sf31の時間長を同じにしても
よい。図14は、この場合のサブフィールド番号および
階調データと、2値信号Dsとの関係を例示するテーブ
ルである。データ変換回路300は、同図に示すテーブ
ルに従って、階調データに応じた2値信号Dsを出力
し、データ線駆動回路140は、この2値信号をデータ
信号として各画素に供給する。そして、各サブフィール
ドにおいてデータ転送期間内は画素をオフにし(上記変
形例1に示したようにオンとしてもよい)、データ転送
期間経過後にメモリに書込まれた信号に従って画素をオ
ンオフ駆動するようにすればよい。このようにしても、
上記各実施形態と同様の効果を得ることができる。
<Modification 2> In each of the above embodiments,
Since the effective voltage applied to the pixel in each subfield is differently weighted, the time length of each subfield is different, but the time length of each subfield is not limited to this. For example, one field is divided into 32 subfields Sf0 to Sf31, and the time lengths of the subfields Sf1 to Sf31 other than the subfield Sf0 (subfield for applying a voltage effective value corresponding to the voltage VTH1) are made the same. Is also good. FIG. 14 is a table exemplifying the relationship between the subfield number and gradation data and the binary signal Ds in this case. The data conversion circuit 300 outputs a binary signal Ds corresponding to the gradation data according to the table shown in FIG. 3, and the data line driving circuit 140 supplies the binary signal as a data signal to each pixel. Then, in each subfield, the pixel is turned off during the data transfer period (the pixel may be turned on as described in the first modification), and the pixel is driven on and off according to a signal written in the memory after the elapse of the data transfer period. What should I do? Even if you do this,
The same effects as in the above embodiments can be obtained.

【0111】<液晶装置の全体構成>次に、上述した実
施形態や応用形態に係る電気光学装置の構造について、
図15および図16を参照して説明する。ここで、図1
5は、電気光学装置100の構成を示す平面図であり、
図16は、図15におけるA−A’線の断面図である。
<Overall Configuration of Liquid Crystal Device> Next, with respect to the structure of the electro-optical device according to the above-described embodiment and application,
This will be described with reference to FIGS. Here, FIG.
5 is a plan view showing the configuration of the electro-optical device 100,
FIG. 16 is a sectional view taken along line AA ′ in FIG.

【0112】これらの図に示されるように、電気光学装
置100は、画素電極118などが形成された素子基板
101と、対向電極108などが形成された対向基板1
02とが、互いにシール材104によって一定の間隙を
保って貼り合わせられるとともに、この間隙に電気光学
材料としての液晶105が挟持された構造となってい
る。なお、実際には、シール材104には切欠部分があ
って、ここを介して液晶105が封入された後、封止材
により封止されるが、これらの図においては省略されて
いる。
As shown in these figures, the electro-optical device 100 includes an element substrate 101 on which a pixel electrode 118 and the like are formed, and a counter substrate 1 on which a counter electrode 108 and the like are formed.
02 are bonded to each other with a certain gap therebetween by a sealant 104, and a liquid crystal 105 as an electro-optical material is sandwiched in this gap. Actually, the sealing material 104 has a cutout portion, and after the liquid crystal 105 is sealed through the cutout portion, it is sealed with a sealing material, but is omitted in these drawings.

【0113】ここで、素子基板101は、上述したよう
に半導体基板であるため不透明である。このため、画素
電極118は、アルミニウムなどの反射性金属から形成
されて、電気光学装置100は、反射型として用いられ
ることになる。これに対して、対向基板102は、ガラ
スなどから構成されるので透明である。
The element substrate 101 is opaque because it is a semiconductor substrate as described above. Therefore, the pixel electrode 118 is formed of a reflective metal such as aluminum, and the electro-optical device 100 is used as a reflective type. On the other hand, the counter substrate 102 is transparent because it is made of glass or the like.

【0114】さて、素子基板101において、シール材
104の内側かつ表示領域101aの外側領域には、遮
光膜106が設けられている。この遮光膜106が形成
される領域内のうち、領域130aには走査線駆動回路
130が形成され、また、領域140aにはデータ線駆
動回路140が形成されている。すなわち、遮光膜10
6は、この領域に形成される駆動回路に光が入射するの
を防止している。この遮光膜106には、対向電極10
8とともに、交流化駆動信号LCOMが印加される構成
となっている。このため、遮光膜106が形成された領
域では、液晶層への印加電圧がほぼゼロとなるので、画
素電極118の電圧無印加状態と同じ表示状態となる。
On the element substrate 101, a light-shielding film 106 is provided inside the sealant 104 and outside the display area 101a. In the region where the light-shielding film 106 is formed, the scanning line driving circuit 130 is formed in the region 130a, and the data line driving circuit 140 is formed in the region 140a. That is, the light shielding film 10
Numeral 6 prevents light from entering a drive circuit formed in this region. This light-shielding film 106 has a counter electrode 10
8 together with the AC drive signal LCOM. For this reason, in the region where the light-shielding film 106 is formed, the voltage applied to the liquid crystal layer becomes substantially zero, and the display state is the same as the state where no voltage is applied to the pixel electrode 118.

【0115】また、素子基板101において、データ線
駆動回路140が形成される領域140a外側であっ
て、シール材104を隔てた領域107には、複数の接
続端子が形成されて、外部からの制御信号や電源などを
入力する構成となっている。
In the element substrate 101, a plurality of connection terminals are formed outside the region 140a where the data line driving circuit 140 is formed and separated from the sealing material 104 by external control. It is configured to input signals and power.

【0116】一方、対向基板102の対向電極108
は、基板貼合部分における4隅のうち、少なくとも1箇
所において設けられた導通材(図示省略)によって、素
子基板101における遮光膜106および接続端子と電
気的な導通が図られている。すなわち、交流化駆動信号
LCOMは、素子基板101に設けられた接続端子を介
して、遮光膜106に、さらに、導通材を介して対向電
極108に、それぞれ印加される構成となっている。
On the other hand, the counter electrode 108 of the counter substrate 102
Is electrically connected to the light-shielding film 106 and the connection terminals of the element substrate 101 by a conductive material (not shown) provided in at least one of the four corners of the substrate bonding portion. That is, the AC drive signal LCOM is applied to the light-shielding film 106 via the connection terminal provided on the element substrate 101 and further to the counter electrode 108 via the conductive material.

【0117】ほかに、対向基板102には、電気光学装
置100の用途に応じて、例えば、直視型であれば、第
1に、ストライプ状や、モザイク状、トライアングル状
等に配列したカラーフィルタが設けられ、第2に、例え
ば、金属材料や樹脂などからなる遮光膜(ブラックマト
リクス)が設けられる。なお、色光変調の用途の場合に
は、例えば、後述するプロジェクタのライトバルブとし
て用いる場合には、カラーフィルタは形成されない。ま
た、直視型の場合、電気光学装置100に光を対向基板
102側から照射するフロントライトが必要に応じて設
けられる。くわえて、素子基板101および対向基板1
02の電極形成面には、それぞれ所定の方向にラビング
処理された配向膜(図示省略)などが設けられて、電圧
無印加状態における液晶分子の配向方向を規定する一
方、対向基板101の側には、配向方向に応じた偏光子
(図示省略)が設けられる。ただし、液晶105とし
て、高分子中に微小粒として分散させた高分子分散型液
晶を用いれば、前述の配向膜や偏光子などが不要となる
結果、光利用効率が高まるので、高輝度化や低消費電力
化などの点において有利である。
In addition, depending on the use of the electro-optical device 100, for example, first, in the case of a direct-view type, first, color filters arranged in a stripe shape, a mosaic shape, a triangle shape, or the like are provided on the counter substrate 102. Second, a light-shielding film (black matrix) made of, for example, a metal material or a resin is provided. In the case of color light modulation, for example, when used as a light valve of a projector described later, no color filter is formed. In the case of a direct-view type, a front light for irradiating the electro-optical device 100 with light from the counter substrate 102 side is provided as necessary. In addition, the element substrate 101 and the counter substrate 1
On the electrode forming surface 02, an alignment film (not shown) rubbed in a predetermined direction is provided to define the alignment direction of the liquid crystal molecules when no voltage is applied. Is provided with a polarizer (not shown) according to the orientation direction. However, when a polymer-dispersed liquid crystal in which fine particles are dispersed in a polymer is used as the liquid crystal 105, the above-described alignment film and polarizer are not required, and the light use efficiency is increased. This is advantageous in terms of low power consumption and the like.

【0118】<その他>また、実施形態においては、電
気光学装置を構成する素子基板101を半導体基板と
し、ここに、画素電極118に接続されるトランジスタ
116や、駆動回路の構成素子などを、MOS型FET
で形成したが、本発明は、これに限られない。例えば、
素子基板101を、ガラスや石英などの非晶質基板と
し、ここに半導体薄膜を堆積してTFTを形成する構成
としても良い。このようにTFTを用いると、素子基板
101として透明基板を用いることができる。
<Others> In the embodiment, the element substrate 101 constituting the electro-optical device is a semiconductor substrate, and the transistor 116 connected to the pixel electrode 118 and the components of the driving circuit are MOS transistors. Type FET
However, the present invention is not limited to this. For example,
The element substrate 101 may be an amorphous substrate such as glass or quartz, and a semiconductor thin film may be deposited thereon to form a TFT. When a TFT is used in this manner, a transparent substrate can be used as the element substrate 101.

【0119】さらに、電気光学材料としては、液晶のほ
かに、エレクトロルミネッセンス素子(EL)などを用
いて、その電気光学効果により表示を行う装置に適用可
能である。すなわち、本発明は、上述した構成と類似の
構成を有する電気光学装置、特に、オンまたはオフの2
値的な表示を行う画素を用いて、階調表示を行う電気光
学装置のすべてに適用可能である。なお、上記各実施形
態において示したように電気光学材料として液晶を用い
た場合には、交流化駆動信号LCOMを1フィールド毎
にレベル反転し、液晶層に直流成分が印加される事態を
回避するようにしたが、電気光学材料として上述したエ
レクトロルミネッセンス素子を用いた場合には、このよ
うに交流駆動する必要はない。
Further, as an electro-optical material, in addition to a liquid crystal, an electroluminescent element (EL) or the like can be used, and the present invention can be applied to a device for performing display by the electro-optical effect. In other words, the present invention provides an electro-optical device having a configuration similar to the above-described configuration, particularly, an on-off device or an on-off device.
The present invention can be applied to all electro-optical devices that perform gradation display using pixels that perform a value display. When a liquid crystal is used as the electro-optical material as described in each of the above embodiments, the level of the AC drive signal LCOM is inverted every field to avoid a situation in which a DC component is applied to the liquid crystal layer. However, when the above-described electroluminescent element is used as the electro-optical material, it is not necessary to perform the AC driving.

【0120】<電子機器>次に、上述した液晶装置を具
体的な電子機器に用いた例のいくつかについて説明す
る。
<Electronic Equipment> Next, some examples in which the above-described liquid crystal device is used in specific electronic equipment will be described.

【0121】<その1:プロジェクタ>まず、実施形態
に係る電気光学装置をライトバルブとして用いたプロジ
ェクタについて説明する。図17は、このプロジェクタ
の構成を示す平面図である。この図に示されるように、
プロジェクタ1100内部には、偏光照明装置1110
がシステム光軸PLに沿って配置されている。この偏光
照明装置1110において、ランプ1112からの出射
光は、リフレクタ1114による反射で略平行な光束と
なって、第1のインテグレータレンズ1120に入射す
る。これにより、ランプ1112からの出射光は、複数
の中間光束に分割される。この分割された中間光束は、
第2のインテグレータレンズを光入射側に有する偏光変
換素子1130によって、偏光方向がほぼ揃った一種類
の偏光光束(s偏光光束)に変換されて、偏光照明装置
1110から出射されることとなる。
<Part 1: Projector> First, a projector using the electro-optical device according to the embodiment as a light valve will be described. FIG. 17 is a plan view showing the configuration of this projector. As shown in this figure,
Inside the projector 1100, a polarized light illumination device 1110 is provided.
Are arranged along the system optical axis PL. In the polarized light illuminating device 1110, the light emitted from the lamp 1112 becomes a substantially parallel light beam due to reflection by the reflector 1114, and enters the first integrator lens 1120. As a result, the light emitted from the lamp 1112 is split into a plurality of intermediate light beams. This split intermediate beam is
The polarization conversion element 1130 having the second integrator lens on the light incident side converts the light into one type of polarized light beam (s-polarized light beam) having a substantially uniform polarization direction, and emits it from the polarized light illuminating device 1110.

【0122】さて、偏光照明装置1110から出射され
たs偏光光束は、偏光ビームスプリッタ1140のs偏
光光束反射面1141によって反射される。この反射光
束のうち、青色光(B)の光束がダイクロイックミラー
1151の青色光反射層にて反射され、反射型の電気光
学装置100Bによって変調される。また、ダイクロイ
ックミラー1151の青色光反射層を透過した光束のう
ち、赤色光(R)の光束は、ダイクロイックミラー11
52の赤色光反射層にて反射され、反射型の液電気光学
装置100Rによって変調される。一方、ダイクロイッ
クミラー1151の青色光反射層を透過した光束のう
ち、緑色光(G)の光束は、ダイクロイックミラー11
52の赤色光反射層を透過して、反射型の電気光学装置
100Gによって変調される。
Now, the s-polarized light beam emitted from the polarized light illuminator 1110 is reflected by the s-polarized light beam reflecting surface 1141 of the polarizing beam splitter 1140. Of this reflected light beam, the light beam of blue light (B) is reflected by the blue light reflecting layer of the dichroic mirror 1151, and is modulated by the reflection-type electro-optical device 100B. Further, among the light beams transmitted through the blue light reflecting layer of the dichroic mirror 1151, the light beam of red light (R) is
The light is reflected by the red light reflection layer 52 and is modulated by the reflection type liquid electro-optical device 100R. On the other hand, among the light beams transmitted through the blue light reflecting layer of the dichroic mirror 1151, the light beam of green light (G) is
The light passes through the 52 red light reflecting layer and is modulated by the reflection-type electro-optical device 100G.

【0123】このようにして、電気光学装置100R、
100G、100Bによってそれぞれ色光変調された赤
色、緑色、青色の光は、ダイクロイックミラー115
2、1151、偏光ビームスプリッタ1140によって
順次合成された後、投写光学系1160によって、スク
リーン1170に投写されることとなる。なお、電気光
学装置100R、100Bおよび100Gには、ダイク
ロイックミラー1151、1152によって、R、G、
Bの各原色に対応する光束が入射するので、カラーフィ
ルタは必要ない。
Thus, the electro-optical device 100R,
The red, green, and blue lights, each of which has been color-modulated by 100G and 100B, are output to a dichroic mirror 115.
2, 1151, and are sequentially synthesized by the polarizing beam splitter 1140, and then projected on the screen 1170 by the projection optical system 1160. Note that the electro-optical devices 100R, 100B, and 100G are provided with dichroic mirrors 1151 and 1152 for R, G,
Since a light beam corresponding to each primary color of B enters, no color filter is required.

【0124】<その2:モバイル型コンピュータ>次
に、上記電気光学装置を、モバイル型のパーソナルコン
ピュータに適用した例について説明する。図18は、こ
のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
図において、コンピュータ1200は、キーボード12
02を備えた本体部1204と、表示ユニット1206
とから構成されている。この表示ユニット1206は、
先に述べた電気光学装置100の前面にフロントライト
を付加することにより構成されている。
<Part 2: Mobile Computer> Next, an example in which the electro-optical device is applied to a mobile personal computer will be described. FIG. 18 is a perspective view showing the configuration of this personal computer.
In the figure, a computer 1200 includes a keyboard 12
02, a display unit 1206,
It is composed of This display unit 1206 is
It is configured by adding a front light to the front surface of the electro-optical device 100 described above.

【0125】なお、この構成では、電気光学装置100
を反射直視型として用いることになるので、画素電極1
18において、反射光が様々な方向に散乱するように、
凹凸が形成される構成が望ましい。
In this configuration, the electro-optical device 100
Is used as a reflection direct-view type, so that the pixel electrode 1
At 18, the reflected light is scattered in various directions,
A configuration in which unevenness is formed is desirable.

【0126】<その3:携帯電話機>さらに、上記電気
光学装置を、携帯電話機に適用した例について説明す
る。図19は、この携帯電話機の構成を示す斜視図であ
る。図において、携帯電話機1300は、複数の操作ボ
タン1302のほか、受話口1304、送話口1306
とともに、電気光学装置100を備えるものである。こ
の電気光学装置100にも、必要に応じてその前面にフ
ロントライトが設けられる。また、この構成でも、電気
光学装置100が反射直視型として用いられることにな
るので、画素電極118に凹凸が形成される構成が望ま
しい。
<Part 3: Mobile phone> Further, an example in which the above-described electro-optical device is applied to a mobile phone will be described. FIG. 19 is a perspective view showing the configuration of the mobile phone. In the figure, a mobile phone 1300 includes a plurality of operation buttons 1302, an earpiece 1304, and a mouthpiece 1306.
In addition, an electro-optical device 100 is provided. The electro-optical device 100 is also provided with a front light on its front surface as needed. Also in this configuration, since the electro-optical device 100 is used as a reflection direct-view type, a configuration in which the pixel electrode 118 has unevenness is desirable.

【0127】なお、電子機器としては、図17〜図19
を参照して説明した他にも、液晶テレビや、ビューファ
インダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カー
ナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワー
ドプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、PO
S端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられ
る。そして、これらの各種電子機器に対して、実施形態
や応用形態に係る電気光学装置が適用可能なのは言うま
でもない。
FIGS. 17 to 19 show the electronic devices.
In addition to those described with reference to the above, a liquid crystal television, a viewfinder type, a video tape recorder of a monitor direct-view type, a car navigation device, a pager, an electronic organizer, a calculator, a word processor, a workstation, a videophone, a PO
An S terminal, a device equipped with a touch panel, and the like are included. Needless to say, the electro-optical device according to the embodiment or the applied form can be applied to these various electronic devices.

【0128】[0128]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
データ線に印加される信号が2値化されているため、高
品位な階調表示が可能となる。また、データ転送期間が
経過した後に、画素内のメモリに書込まれた信号に応じ
て画素をオンまたはオフにする電圧を印加するようにな
っているため、データ転送期間の如何に関わらず、電圧
印加期間を任意に設定することができる。従って、表示
画像の多階調化を容易に実現することができるという利
点がある。
As described above, according to the present invention,
Since the signals applied to the data lines are binarized, high-quality gradation display is possible. Further, after the data transfer period has elapsed, a voltage for turning on or off the pixel is applied in accordance with a signal written to the memory in the pixel, so that regardless of the data transfer period, The voltage application period can be set arbitrarily. Therefore, there is an advantage that it is possible to easily realize multi-gradation of a display image.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施形態に係る電気光学装置の電気
的な構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram illustrating an electrical configuration of an electro-optical device according to an embodiment of the invention.

【図2】 同電気光学装置におけるデータ線駆動回路の
構成を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration of a data line driving circuit in the same electro-optical device.

【図3】 同電気光学装置における画素の構成を示すブ
ロック図である。
FIG. 3 is a block diagram illustrating a configuration of a pixel in the electro-optical device.

【図4】 同電気光学装置における電圧VonおよびV
offのレベルを示す図である。
FIG. 4 shows voltages Von and V in the electro-optical device.
It is a figure which shows the level of off.

【図5】 同電気光学装置におけるデータ変換回路の機
能を示す真理値表である。
FIG. 5 is a truth table showing functions of a data conversion circuit in the electro-optical device.

【図6】 同電気光学装置における電圧−透過率特性を
示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing voltage-transmittance characteristics in the same electro-optical device.

【図7】 同電気光学装置の動作を示すタイミングチャ
ートである。
FIG. 7 is a timing chart showing an operation of the electro-optical device.

【図8】 同電気光学装置において対向基板に印加され
る電圧、および画素電極に印加される電圧を、フィール
ド単位で示すタイミングチャートである。
FIG. 8 is a timing chart showing a voltage applied to a counter substrate and a voltage applied to a pixel electrode in the same electro-optical device in field units.

【図9】 同電気光学装置における効果を説明するため
の図である。
FIG. 9 is a diagram for describing an effect in the electro-optical device.

【図10】 本発明の他の実施形態に係る電気光学装置
における画素の構成を示すブロック図である。
FIG. 10 is a block diagram showing a configuration of a pixel in an electro-optical device according to another embodiment of the present invention.

【図11】 同電気光学装置における電圧Vonおよび
Voffのレベルの変化を説明するためのタイミングチ
ャートである。
FIG. 11 is a timing chart for explaining changes in levels of voltages Von and Voff in the same electro-optical device.

【図12】 本発明の変形例における電圧Vonおよび
Voffのレベルの変化を説明するためのタイミングチ
ャートである。
FIG. 12 is a timing chart for explaining changes in levels of voltages Von and Voff in a modification of the present invention.

【図13】 本発明の変形例における画素の構成を示す
ブロック図である。
FIG. 13 is a block diagram showing a configuration of a pixel according to a modification of the present invention.

【図14】 本発明の変形例におけるデータ変換回路の
機能を示す真理値表である。
FIG. 14 is a truth table showing functions of a data conversion circuit according to a modification of the present invention.

【図15】 同電気光学装置の構造を示す平面図であ
る。
FIG. 15 is a plan view showing the structure of the electro-optical device.

【図16】 同電気光学装置の構造を示す断面図であ
る。
FIG. 16 is a sectional view showing the structure of the electro-optical device.

【図17】 同電気光学装置を適用した電子機器の一例
たるプロジェクタの構成を示す断面図である。
FIG. 17 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a projector as an example of an electronic apparatus to which the electro-optical device is applied.

【図18】 同電気光学装置を適用した電子機器の一例
たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図であ
る。
FIG. 18 is a perspective view illustrating a configuration of a personal computer as an example of an electronic apparatus to which the electro-optical device is applied.

【図19】 同電気光学装置を適用した電子機器の一例
たる携帯電話機の構成を示す斜視図である。
FIG. 19 is a perspective view illustrating a configuration of a mobile phone as an example of an electronic apparatus to which the electro-optical device is applied.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100……電気光学装置 101……素子基板 101a……表示領域 102……対向基板 105……液晶(電気光学材料) 108……対向電極 112……走査線 114a,114b……データ線 116a,116b……トランジスタ 118……画素電極 130……走査線駆動回路 140……データ線駆動回路 1410……Xシフトレジスタ 1420……第1のラッチ回路 1430……第2のラッチ回路 160……電圧制御回路 200……タイミング信号生成回路 300……データ変換回路 100 electro-optical device 101 element substrate 101 a display area 102 counter substrate 105 liquid crystal (electro-optical material) 108 counter electrode 112 scanning lines 114 a and 114 b data lines 116 a and 116 b ... Transistor 118 Pixel electrode 130 Scan line drive circuit 140 Data line drive circuit 1410 X shift register 1420 First latch circuit 1430 Second latch circuit 160 Voltage control circuit 200 timing signal generation circuit 300 data conversion circuit

フロントページの続き Fターム(参考) 2H093 NA16 NA31 NA55 NA56 NC22 NC31 NC34 NC40 NC49 ND06 ND15 ND39 NG01 NG02 5C006 AA01 AA02 AA03 AA22 AB05 AC02 AC24 AC28 AF44 AF51 BB16 BC03 BC06 BC12 BF03 BF04 BF24 BF26 BF27 EC01 EC05 EC11 EC13 FA56 5C080 AA10 BB05 CC01 CC03 DD30 EE29 FF09 GG05 GG08 GG12 JJ01 JJ02 JJ03 JJ04 JJ05 JJ06 KK02 KK07 KK43 Continued on the front page F term (reference) 2H093 NA16 NA31 NA55 NA56 NC22 NC31 NC34 NC40 NC49 ND06 ND15 ND39 NG01 NG02 5C006 AA01 AA02 AA03 AA22 AB05 AC02 AC24 AC28 AF44 AF51 BB16 BC03 BC06 BC12 BF03 BF04 EC27 EC05 AA10 BB05 CC01 CC03 DD30 EE29 FF09 GG05 GG08 GG12 JJ01 JJ02 JJ03 JJ04 JJ05 JJ06 KK02 KK07 KK43

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 フィールド毎に1画面分の各画素の階調
データを受け取り、これらの階調データに従って、各々
メモリを備えた複数の画素のオンオフ駆動を行う電気光
学装置の駆動方法であって、 1フィールドを分割した複数のサブフィールドの各々に
おいて、 各画素をオンにする電圧またはオフにする電圧の印加を
指示するデータ信号を前記階調データに応じて順次生成
して各画素のメモリに書込み、少なくとも、全画素のメ
モリに対して前記データ信号の書込みが行われる期間で
あるデータ転送期間の経過後に、各画素に対して当該デ
ータ信号に応じた電圧の印加を行うことを特徴とする電
気光学装置の駆動方法。
1. A driving method for an electro-optical device which receives gradation data of each pixel for one screen for each field, and performs on / off driving of a plurality of pixels each including a memory according to the gradation data. In each of a plurality of subfields obtained by dividing one field, a data signal instructing application of a voltage for turning on or off a pixel is sequentially generated in accordance with the grayscale data, and is stored in a memory of each pixel. In writing, at least after a data transfer period, which is a period during which the data signal is written to the memories of all the pixels, a voltage corresponding to the data signal is applied to each pixel. A driving method of the electro-optical device.
【請求項2】 各サブフィールドにおけるデータ転送期
間の間、各画素のメモリに書込まれたデータ信号とは無
関係に、画素をオンにする電圧または画素をオフにする
電圧のいずれかを各画素に対して印加することを特徴と
する請求項1に記載の電気光学装置の駆動方法。
2. During a data transfer period in each subfield, regardless of a data signal written in a memory of each pixel, a voltage for turning on the pixel or a voltage for turning off the pixel is applied to each pixel. The method of driving an electro-optical device according to claim 1, wherein the voltage is applied to the device.
【請求項3】 フィールド毎に1画面分の各画素の階調
データを受け取り、これらの階調データに従って、複数
のデータ線と複数の走査線との各交差に対応して配設さ
れ、各々メモリを備えた複数の画素を駆動する電気光学
装置の駆動回路であって、 1フィールドを分割した複数のサブフィールドの各々に
おいて、データ線から画素への電圧印加を可能にする走
査信号を、前記走査線の各々に順次供給する走査線駆動
回路と、 前記複数のサブフィールドの各々において、画素をオン
にする電圧またはオフにする電圧の印加を指示するデー
タ信号を前記階調データに応じて順次生成し、前記走査
信号が供給される間、当該データ信号を各画素内のメモ
リに書込むべく各データ線に供給するデータ線駆動回路
と、 前記複数のサブフィールドの各々において、少なくと
も、全画素のメモリに対して前記データ信号の書込みが
行われる期間であるデータ転送期間の経過後に、前記各
画素のメモリに書込まれたデータ信号に応じて画素がオ
ンオフ駆動されるように、各画素に印加される電圧を制
御する電圧制御回路とを具備することを特徴とする電気
光学装置の駆動回路。
3. Receiving gradation data of each pixel for one screen for each field, and corresponding to each intersection of a plurality of data lines and a plurality of scanning lines in accordance with the gradation data, A driving circuit of an electro-optical device that drives a plurality of pixels including a memory, wherein in each of a plurality of subfields obtained by dividing one field, a scanning signal that enables voltage application from a data line to a pixel is provided. A scanning line driving circuit for sequentially supplying each of the scanning lines; and a data signal for instructing application of a voltage for turning on a pixel or a voltage for turning off a pixel in each of the plurality of sub-fields in accordance with the gradation data. A data line driving circuit for generating and supplying the data signal to each data line so as to write the data signal to a memory in each pixel while the scanning signal is supplied; and each of the plurality of sub-fields. , At least after a lapse of a data transfer period during which the data signal is written to the memories of all the pixels, the pixels are driven on and off in accordance with the data signals written to the memories of the respective pixels And a voltage control circuit for controlling a voltage applied to each pixel.
【請求項4】 前記電圧制御回路は、各サブフィールド
におけるデータ転送期間の間、各画素のメモリに書込ま
れたデータ信号とは無関係に画素がオンまたはオフとな
るように、各画素に印加される電圧を制御することを特
徴とする請求項3に記載の電気光学装置の駆動回路。
4. The voltage control circuit applies a voltage to each pixel such that the pixel is turned on or off regardless of a data signal written in a memory of the pixel during a data transfer period in each subfield. 4. The driving circuit according to claim 3, wherein the applied voltage is controlled.
【請求項5】 複数の走査線と複数のデータ線との各交
差に対応して配設され、各々メモリを備えた複数の画素
を有する電気光学装置であって、 1フィールドを分割した複数のサブフィールドの各々に
おいて、データ線から画素への電圧印加を可能にする走
査信号を、前記走査線の各々に順次供給する走査線駆動
回路と、 前記複数のサブフィールドの各々において、画素をオン
にする電圧またはオフにする電圧の印加を指示するデー
タ信号を前記階調データに応じて順次生成し、前記走査
信号が供給される間、当該データ信号を各画素内のメモ
リに書込むべく各データ線に供給するデータ線駆動回路
と、 前記サブフィールドの各々において、少なくとも、全画
素のメモリに対して前記データ信号の書込みが行われる
期間であるデータ転送期間の経過後に、前記各画素のメ
モリに書込まれたデータ信号に応じて画素がオンオフ駆
動されるように、各画素に印加される電圧を制御する電
圧制御回路とを具備することを特徴とする電気光学装
置。
5. An electro-optical device having a plurality of pixels provided at respective intersections of a plurality of scanning lines and a plurality of data lines and each including a memory, the plurality of pixels being divided into one field. In each of the sub-fields, a scanning line driving circuit that sequentially supplies a scanning signal enabling voltage application from a data line to a pixel to each of the scanning lines; and turning on a pixel in each of the plurality of sub-fields. A data signal for instructing the application of a voltage to turn on or off is sequentially generated according to the grayscale data, and while the scanning signal is supplied, each data signal is written to a memory in each pixel. A data line driving circuit for supplying data to a line; and a data transfer period in each of the subfields, at least a period during which the data signal is written to memories of all pixels. And a voltage control circuit for controlling a voltage applied to each pixel so that the pixel is turned on and off in accordance with a data signal written in the memory of each pixel after the lapse of Electro-optical device.
【請求項6】 前記電圧制御回路は、各サブフィールド
におけるデータ転送期間の間、各画素のメモリに書込ま
れたデータ信号とは無関係に画素がオンまたはオフとな
るように、各画素に印加される電圧を制御することを特
徴とする請求項5に記載の電気光学装置。
6. The voltage control circuit applies a voltage to each pixel such that the pixel is turned on or off during a data transfer period in each subfield regardless of a data signal written in a memory of the pixel. The electro-optical device according to claim 5, wherein the applied voltage is controlled.
【請求項7】 複数の走査線と複数のデータ線との各交
差に対応して配設された複数の画素を有する電気光学装
置であって、 1フィールドを分割した複数のサブフィールドの各々に
おいて、データ線から画素への電圧印加を可能にする走
査信号を、前記走査線の各々に順次供給する走査線駆動
回路と、 前記複数のサブフィールドの各々において、画素をオン
にする電圧またはオフにする電圧の印加を指示するデー
タ信号を前記階調データに応じて順次生成し、前記走査
信号が供給される間、当該データ信号を各データ線に供
給するデータ線駆動回路とを具備し、 前記各画素は、 画素電極と、 前記画素電極に対向した対向電極と、 前記画素電極および対向電極に挟持された電気光学材料
と、 前記走査線を介して走査信号が与えられることにより前
記データ線を介して供給されるデータ信号を記憶するメ
モリと、 前記複数のサブフィールドの各々において、少なくと
も、全画素のメモリに対して前記データ信号の書込みが
行われる期間であるデータ転送期間の経過後に、前記メ
モリに書込まれたデータ信号に応じて2種類の電圧の一
方を選択して前記画素電極に印加する選択回路とを有す
ることを特徴とする電気光学装置。
7. An electro-optical device having a plurality of pixels arranged corresponding to respective intersections of a plurality of scanning lines and a plurality of data lines, wherein each of a plurality of sub-fields obtained by dividing one field is provided. A scanning line driving circuit that sequentially supplies a scanning signal that enables voltage application from a data line to a pixel to each of the scanning lines; and a voltage that turns on a pixel or an off voltage in each of the plurality of subfields. A data line driving circuit for sequentially generating a data signal instructing application of a voltage to be applied in accordance with the grayscale data, and supplying the data signal to each data line while the scanning signal is supplied, Each pixel is provided with a pixel electrode, a counter electrode facing the pixel electrode, an electro-optical material sandwiched between the pixel electrode and the counter electrode, and a scan signal given through the scan line. A memory for storing a data signal supplied through the data line, and a data transfer period in which, in each of the plurality of subfields, at least a period in which the data signal is written to the memories of all the pixels. And a selection circuit for selecting one of two types of voltages according to the data signal written in the memory after the elapse of the time and applying the selected voltage to the pixel electrode.
【請求項8】 前記画素の選択回路は、各サブフィール
ドにおけるデータ転送期間の間、前記メモリに書込まれ
たデータ信号とは無関係に2種類の電圧の一方を選択し
て前記画素電極に印加することを特徴とする請求項7に
記載の電気光学装置。
8. The pixel selection circuit selects one of two types of voltages and applies it to the pixel electrode during a data transfer period in each subfield regardless of a data signal written in the memory. The electro-optical device according to claim 7, wherein:
【請求項9】 請求項5から8のいずれか1の請求項に
記載の電気光学装置を表示装置として備えることを特徴
とする電子機器。
9. An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 5 as a display device.
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