JP2001030170A - Processing water generating device and cutting device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、被加工物の洗浄や
切削の際にその被加工物に供給される加工水を生成する
加工水生成装置及びそれを搭載した切削装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing water generator for generating processing water supplied to a workpiece when cleaning or cutting the workpiece, and a cutting apparatus equipped with the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば、ダイシング装置を用いて半導体
ウェーハを切削してダイシングする場合は、半導体ウェ
ーハを冷却するための切削水を半導体ウェーハに供給す
ると共に、半導体ウェーハ上に滞留した切削水を除去す
る洗浄水を供給する。また、切削後は、半導体ウェーハ
の表面に付着したコンタミを洗浄水の噴射により洗浄す
る。このように使用される切削水、洗浄水のような加工
水としては、通常は不純物が混入していない純水が使用
される。2. Description of the Related Art For example, when dicing by cutting a semiconductor wafer using a dicing apparatus, cutting water for cooling the semiconductor wafer is supplied to the semiconductor wafer, and cutting water remaining on the semiconductor wafer is removed. Supply wash water. After the cutting, contaminants adhering to the surface of the semiconductor wafer are cleaned by spraying cleaning water. As processing water such as cutting water and cleaning water used in this way, pure water containing no impurities is usually used.
【０００３】ところが、純水は比抵抗値が１８ＭΩ・ｃ
ｍと非常に高く導電性が低いため、純水を半導体ウェー
ハに供給しながら切削や洗浄を行うと静電気が生じ、こ
の静電気によりコンタミ（切削屑）が半導体ウェーハに
付着するという問題がある。そこで、純水に二酸化炭素
を混合して炭酸水を生成し、この炭酸水を加工水として
使用することにより加工水に導電性を持たせ、静電気が
発生するのを防止するという工夫がなされている。However, pure water has a specific resistance of 18 MΩ · c.
Since the conductivity is extremely high and the conductivity is low, static electricity is generated when cutting or cleaning is performed while supplying pure water to the semiconductor wafer, and this static electricity causes contamination (cutting chips) to adhere to the semiconductor wafer. Therefore, carbon dioxide is mixed with pure water to generate carbonated water, and this carbonated water is used as processing water to impart conductivity to the processing water and to prevent generation of static electricity. I have.
【０００４】例えば、図３に示すように、保持テーブル
３４に保持された半導体ウェーハＷを高速回転する切削
ブレード３７を備えた切削手段３６によって切削する場
合においては、切削手段３６に加工水生成装置４０が連
結され、この加工水生成装置４０から供給される加工水
が、ノズル１２から供給される切削水、洗浄水噴射部２
９から噴射される洗浄水として使用されて切削が行われ
る。For example, as shown in FIG. 3, when a semiconductor wafer W held by a holding table 34 is cut by a cutting means 36 provided with a cutting blade 37 which rotates at a high speed, a cutting water generating device is attached to the cutting means 36. The processing water supplied from the processing water generation device 40 is connected to the cutting water supplied from the nozzle 12 and the cleaning water injection unit 2.
Cutting is performed by using as washing water injected from 9.
【０００５】ここで、加工水生成装置４０には、純水を
供給する純水供給手段１１と、二酸化炭素を供給する二
酸化炭素供給手段１９とを備えており、純水供給手段１
１はキャッチ弁１５及び第一の流量調整弁１６を介して
混合タンク１４に連結され、二酸化炭素供給手段１９は
第二の流量調整弁１７及びストップ弁１８を介して混合
タンク１４に連結されている。そして、混合タンク１４
において純水と二酸化炭素とが混合されて生成された炭
酸水は、第三の流量調整弁４１により流量を調整されて
切削手段３６の加工水流入部２５、２６に連結されてい
る。また、ｐＨ測定器２３によって炭酸水の酸性度を測
定し、この測定結果に基づいて、第二の流量調整手段１
７を調整して二酸化炭素を混合させる割合を調整するこ
ともできる。Here, the processing water generator 40 includes a pure water supply means 11 for supplying pure water and a carbon dioxide supply means 19 for supplying carbon dioxide.
1 is connected to the mixing tank 14 via a catch valve 15 and a first flow control valve 16, and the carbon dioxide supply means 19 is connected to the mixing tank 14 via a second flow control valve 17 and a stop valve 18. I have. And the mixing tank 14
The carbonated water generated by mixing the pure water and the carbon dioxide in the above is adjusted in flow rate by a third flow rate control valve 41 and connected to the machining water inflow portions 25 and 26 of the cutting means 36. Further, the acidity of the carbonated water is measured by the pH meter 23, and based on the measurement result, the second flow rate adjusting means 1 is used.
7 can be adjusted to adjust the ratio of mixing carbon dioxide.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】このように構成される
加工水生成装置４０において生成された加工水は、二酸
化炭素を混合させることにより導電性が増し、比抵抗値
が小さくなって静電気が発生しにくくなるが、二酸化炭
素を混合させたことによって酸性度が高くなる。このた
め、このように酸性度の高くなった加工水を使用して切
削を行うと、切削ブレード３７の母体金属を腐食させた
り、半導体ウェーハＷにアルミニウムにより形成された
ボンディングパッドを腐食させたりするという問題があ
る。従って、実際には、二酸化炭素の混合比率を低くす
ることにより、加工水の比抵抗値を、静電気の発生を完
全に防止することができない値である０．３ＭΩ・ｃｍ
程度としている。The processing water generated in the processing water generating apparatus 40 configured as described above has an increased conductivity by mixing carbon dioxide, a specific resistance value is reduced, and static electricity is generated. However, the mixing of carbon dioxide increases the acidity. Therefore, when cutting is performed using the processing water having a high acidity as described above, the base metal of the cutting blade 37 is corroded, or the bonding pad formed of aluminum on the semiconductor wafer W is corroded. There is a problem. Therefore, actually, by lowering the mixing ratio of carbon dioxide, the specific resistance of the processing water is reduced to 0.3 MΩ · cm, which is a value at which generation of static electricity cannot be completely prevented.
About.
【０００７】また、図３に示したように、半導体ウェー
ハを切削する場合だけでなく、半導体ウェーハを洗浄す
る場合にも同様に比抵抗値が０．３ＭΩ・ｃｍ程度の加
工水を使用している。従って、いずれの場合にも静電気
の発生を完全に防止することができず、静電気によりコ
ンタミが付着し、被加工物の品質を低下させる原因とな
っている。As shown in FIG. 3, not only when a semiconductor wafer is cut, but also when a semiconductor wafer is cleaned, processing water having a specific resistance of about 0.3 MΩ · cm is used. I have. Therefore, in any case, generation of static electricity cannot be completely prevented, and contaminants adhere due to static electricity, which is a cause of lowering the quality of a workpiece.
【０００８】このように、被加工物の切削、洗浄のよう
に加工水を使用した加工においては、加工水の比抵抗値
を低くして静電気の発生を防止すると共に、被加工物や
切削ブレードの腐食を防止することに課題を有してい
る。[0008] As described above, in processing using processing water such as cutting and cleaning of a workpiece, the specific resistance value of the processing water is reduced to prevent the generation of static electricity, and the workpiece and the cutting blade are removed. There is a problem in preventing corrosion of steel.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の具体的手段として本発明は、被加工物を洗浄または加
工する際に使用する加工水を生成する加工水生成装置で
あって、加工水を被加工物に供給するノズルと、該ノズ
ルに加工水を供給する加工水供給経路と、該加工水供給
経路に連結し純水を供給する純水供給源とを含み、加工
水供給経路には、加工水に二酸化炭素を供給する二酸化
炭素供給手段と、アルカリ水を供給するアルカリ水供給
手段とが連結されている加工水生成装置を提供する。SUMMARY OF THE INVENTION As a specific means for solving the above-mentioned problems, the present invention relates to a processing water generating apparatus for generating processing water used for cleaning or processing a workpiece, comprising: A processing water supply path including a nozzle for supplying water to the workpiece, a processing water supply path for supplying processing water to the nozzle, and a pure water supply source connected to the processing water supply path and supplying pure water; Provides a processing water generating apparatus in which a carbon dioxide supply means for supplying carbon dioxide to processing water and an alkaline water supply means for supplying alkaline water are connected.
【００１０】そしてこの加工水生成装置は、加工水供給
経路には、炭酸水とアルカリ水とを混合する混合タンク
が含まれること、アルカリ水はアンモニア水であるこ
と、ノズルから被加工物に供給される加工水が中性とな
るようにアルカリ水を供給することを付加的要件とす
る。In the processing water generating apparatus, the processing water supply path includes a mixing tank for mixing carbonated water and alkaline water, that the alkaline water is ammonia water, and that the processing water is supplied from a nozzle to the workpiece. An additional requirement is to supply alkaline water so that the processing water to be neutralized.
【００１１】また本発明は、被加工物を保持する保持手
段と、該保持手段に保持された被加工物を切削する切削
ブレードと、該切削ブレードと該被加工物に供給する加
工水を生成する加工水生成装置とから少なくとも構成さ
れる切削装置であって、加工水生成装置は、上記構成の
の加工水生成装置であり、切削ブレードに隣接する位置
にノズルが配設され、該ノズルから被加工物と切削ブレ
ードとに加工水を供給する切削装置を提供する。Further, the present invention provides a holding means for holding a workpiece, a cutting blade for cutting the workpiece held by the holding means, and a processing water for supplying the cutting blade and the workpiece. A machining water generating device having at least a cutting water, wherein the machining water generating device is the machining water generating device having the above-described configuration, and a nozzle is disposed at a position adjacent to the cutting blade. Provided is a cutting device for supplying machining water to a workpiece and a cutting blade.
【００１２】このように構成される加工水生成装置及び
切削装置によれば、加工水の比抵抗値が極めて低いた
め、被加工物の切削や洗浄の際にこの加工水を用いるこ
とで、静電気の発生を防止することができ、これにより
被加工物へのコンタミの付着を防止することができる。According to the processing water generating device and the cutting device configured as described above, the specific resistance value of the processing water is extremely low. Can be prevented, thereby preventing contamination from being adhered to the workpiece.
【００１３】更に、この加工水は比抵抗値が極めて低い
にもかかわらず、ほぼ中性であるため、切削ブレードや
被加工物の腐食を防止することができる。Further, the processing water is substantially neutral despite its extremely low specific resistance, so that corrosion of the cutting blade and the workpiece can be prevented.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態として、ま
ず、図１に示す切削装置３０に加工水生成装置１０を搭
載した場合を例に挙げて説明する。なお、図３に示した
従来の加工水生成装置４０と共通する部位については同
一の符号を付して説明することとする。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS As an embodiment of the present invention, a case where a machining water generating device 10 is mounted on a cutting device 30 shown in FIG. 1 will first be described as an example. In addition, parts common to the conventional processing water generation device 40 shown in FIG. 3 will be described with the same reference numerals.
【００１５】図１に示す切削装置３０は、被加工物を保
持する保持手段３４と、保持手段３４に保持された被加
工物を切削する切削ブレード３７と、装置内部に搭載し
た加工水生成装置１０とを少なくとも備えている。A cutting device 30 shown in FIG. 1 includes a holding means 34 for holding a workpiece, a cutting blade 37 for cutting the workpiece held by the holding means 34, and a machining water generator mounted inside the apparatus. 10 at least.
【００１６】この切削装置３０を用いて被加工物、例え
ば半導体ウェーハを切削するときは、切削しようとする
半導体ウェーハＷは、保持テープＴを介してフレームＦ
に保持された状態でカセット３１に複数収容されてお
り、搬出入手段３２によってカセット３１から搬出さ
れ、更に第一の搬送手段３３によって保持テーブル３４
まで搬送され吸引保持される。When a workpiece, for example, a semiconductor wafer is cut using the cutting device 30, the semiconductor wafer W to be cut is placed on the frame F via the holding tape T.
Are stored in the cassette 31 while being held in the cassette 31, are carried out of the cassette 31 by the carrying-in / out means 32, and are further held by the holding table 34 by the first carrying means 33.
And is held by suction.
【００１７】そして、保持テーブル３４がＸ軸方向に移
動してアライメント手段３５の直下に位置付けられ、こ
こで切削すべき領域が検出された後、更に保持テーブル
３４が同方向に移動することによって、切削手段３６の
作用を受け、切削水、洗浄水の供給と共に高速回転する
切削ブレード３７と接触して切削が行われる。Then, the holding table 34 moves in the X-axis direction and is positioned immediately below the alignment means 35. After the area to be cut is detected here, the holding table 34 further moves in the same direction. Under the action of the cutting means 36, cutting is performed by contact with the cutting blade 37 which rotates at high speed together with the supply of cutting water and cleaning water.
【００１８】また、切削後の半導体ウェーハＷは、第二
の搬送手段３８によって洗浄手段３９に搬送され、洗浄
水により表面に付着したコンタミが洗浄される。The semiconductor wafer W after cutting is transported to the cleaning means 39 by the second transport means 38, and the contamination adhering to the surface is cleaned by the cleaning water.
【００１９】図２は、切削装置３０に搭載した加工水生
成装置１０の構成を示したもので、図３に示した加工水
生成装置４０と同様に、純水を供給する純水供給源１１
を備えており、純水供給源１１から被加工物に加工水を
供給するノズル１２までが加工水供給経路１３により連
結されている。なお、図２の例の場合のノズル１２は切
削手段３６において切削ブレード３７に隣接する位置に
配設されたものであるが、ノズルは切削後の洗浄を行う
洗浄手段３９に配設することもできる。FIG. 2 shows the configuration of the machining water generator 10 mounted on the cutting device 30. Similar to the machining water generator 40 shown in FIG. 3, a pure water supply source 11 for supplying pure water is provided.
And a nozzle 12 for supplying processing water from the pure water supply source 11 to the workpiece is connected by a processing water supply path 13. Although the nozzle 12 in the example of FIG. 2 is provided at a position adjacent to the cutting blade 37 in the cutting means 36, the nozzle may be provided in the cleaning means 39 for cleaning after cutting. it can.
【００２０】加工水供給経路１３には、混合タンク１４
が設けられており、純水供給源１１は、キャッチ弁１５
及び第一の流量調整弁１６を介して混合タンク１４に連
結されている。また、混合タンク１４には、第二の流量
調整弁１７及びストップ弁１８を介して二酸化炭素供給
手段１９が連結されている。The processing water supply path 13 includes a mixing tank 14
The pure water supply source 11 is provided with a catch valve 15.
And a mixing tank 14 via a first flow control valve 16. Further, a carbon dioxide supply means 19 is connected to the mixing tank 14 via a second flow control valve 17 and a stop valve 18.
【００２１】混合タンク１４においては、第一の流量調
整弁１６及び第二の流量調整弁１７を調整することによ
り、適宜の割合で純水と二酸化炭素とが混合される。こ
こでは、例えば比抵抗値が０．０６ＭΩ・ｃｍの炭酸水
が生成される。In the mixing tank 14, pure water and carbon dioxide are mixed at an appropriate ratio by adjusting the first flow control valve 16 and the second flow control valve 17. Here, for example, carbonated water having a specific resistance of 0.06 MΩ · cm is generated.
【００２２】また、加工水供給経路１３における混合タ
ンク１４とノズル１２との間には中和タンク１８ａが介
在しており、この中和タンク１８ａにはキャッチ弁２０
及び第三の流量調整弁２１を介してアルカリ水供給手段
２２が連結されている。A neutralization tank 18a is interposed between the mixing tank 14 and the nozzle 12 in the processing water supply path 13, and a catch valve 20 is provided in the neutralization tank 18a.
An alkaline water supply means 22 is connected via a third flow control valve 21.
【００２３】中和タンク１８ａには、混合タンク１４に
おいて生成された炭酸水が流入すると共に、アルカリ水
供給手段２２から流出するアルカリ水が流量調整弁２１
においてその流量を調整されて流入し、ここで炭酸水が
中和される。なお、混合タンク１４と中和タンク１８ａ
との間には第一のｐＨ測定器２３が連結されており、第
一のｐＨ測定器によって混合タンクにおいて生成された
炭酸水の酸性度を測定することができるため、この測定
結果に基づき第一の流量調整弁１６及び第二の流量調整
弁１７を調整することにより炭酸水の酸性度を所望の値
とすることができる。The carbonated water generated in the mixing tank 14 flows into the neutralization tank 18a, and the alkaline water flowing out from the alkaline water supply means 22 flows into the neutralization tank 18a.
At which the flow rate is adjusted and flows in, where the carbonated water is neutralized. The mixing tank 14 and the neutralization tank 18a
A first pH measuring device 23 is connected between the first pH measuring device and the first pH measuring device, so that the acidity of the carbonated water generated in the mixing tank can be measured by the first pH measuring device. By adjusting the one flow control valve 16 and the second flow control valve 17, the acidity of the carbonated water can be set to a desired value.
【００２４】一方、アルカリ水供給手段２２からは、ア
ルカリ水が流出し、第三の流量調整弁２１において流量
を調整され、中和タンク１８ａにおいて適宜の割合で混
合タンク１４から供給される炭酸水と混合される。アル
カリ水としては、炭酸水（Ｈ２ＣＯ３）との間で塩をつ
くらないもの、例えばアンモニア水が使用される。On the other hand, the alkaline water flows out of the alkaline water supply means 22, the flow rate of which is adjusted by the third flow control valve 21, and the carbonated water supplied from the mixing tank 14 at an appropriate ratio in the neutralization tank 18a. Mixed with. As the alkaline water, one that does not form a salt with carbonated water (H2CO3), for example, ammonia water is used.
【００２５】中和タンク１８ａにおいては、炭酸水とア
ルカリ水とを混合することにより、中性に近い加工水が
生成される。そして、中和タンク１８ａは、第四の流量
調整弁２４を介して、切削手段３６の加工水流入部２
５、２６に連結されており、中性に近い加工水は、第四
の流量調整弁２４によって流量を調整されて切削手段３
６に供給され、加工水流入部２５から流入した加工水は
切削水として使用され、加工水流入部２６から流入した
加工水は洗浄水として使用される。In the neutralization tank 18a, near neutral water is generated by mixing carbonated water and alkaline water. Then, the neutralization tank 18a is connected to the machining water inflow portion 2 of the cutting means 36 via the fourth flow control valve 24.
5 and 26, the flow of near neutral water is adjusted by the fourth flow control valve 24 so that the cutting means 3
6, the processing water flowing from the processing water inflow section 25 is used as cutting water, and the processing water flowing from the processing water inflow section 26 is used as cleaning water.
【００２６】中和タンク１８ａとノズル１２との間に
は、第二のｐＨ測定器２７及び比抵抗値測定器２８が連
結されており、第二のｐＨ測定器２７において中性にな
っているか否かを測定し、測定結果によっては第三の流
量調整弁２１を調整する。A second pH measuring device 27 and a specific resistance value measuring device 28 are connected between the neutralization tank 18a and the nozzle 12, so that the second pH measuring device 27 is neutral. The third flow rate control valve 21 is adjusted depending on the measurement result.
【００２７】比抵抗値測定器２８においては、炭酸水と
アルカリ水とを混合させて生成された加工水の比抵抗値
が測定されるが、ここで測定された測定値は、アルカリ
水を混合させる前の炭酸水の比抵抗値よりも大幅に小さ
くなることが実験により判明した。具体的には、混合タ
ンク１４で生成された炭酸水の比抵抗値が０．０６ＭΩ
・ｃｍであったにもかかわらず、比抵抗値測定器２８に
おける測定値は０．００４ＭΩ・ｃｍであった。The resistivity measuring device 28 measures the resistivity of processing water generated by mixing carbonated water and alkaline water, and the measured value is determined by mixing alkaline water. Experiments have shown that the specific resistance value of the carbonated water before the application is greatly reduced. Specifically, the specific resistance value of the carbonated water generated in the mixing tank 14 is 0.06 MΩ.
The measured value of the specific resistance value measuring device 28 was 0.004 MΩ · cm despite the fact that it was cm.
【００２８】これは、混合タンク１８において純水と二
酸化炭素（ＣＯ2）とを混合させて生成した炭酸水（Ｈ2
ＣＯ3）と、アルカリ水、例えばアンモニア水（ＮＨ4Ｏ
Ｈ）とが混合されることにより、水素イオンと水塩基と
が反応して中和されると共に、残されたＣＯ3のマイナ
スイオンとＮＨ4のプラスイオンがしばらくイオンの状
態で散在することで、比抵抗値を極端に低下させている
からであると考えられる。This is because carbonated water (H 2 ) generated by mixing pure water and carbon dioxide (CO 2 ) in the mixing tank 18
CO 3 ) and alkaline water, for example, ammonia water (NH 4 O)
H), hydrogen ions and water base react and neutralize, and the remaining negative ions of CO 3 and positive ions of NH 4 are scattered in an ion state for a while. It is considered that the specific resistance value is extremely reduced.
【００２９】このように構成される加工水生成装置１０
を搭載した切削装置３０において半導体ウェーハＷを切
削する際は、図２に示したように、切削手段３６の加工
水流入部２５、２６にほぼ中性でかつ比抵抗値の低い加
工水が供給される。そして、加工水流入部２５から流入
した加工水は、切削水としてノズル１２から半導体ウェ
ーハＷと切削ブレード３７との接触部に供給される。一
方、加工水流入部２６から流入した加工水は、洗浄水と
して洗浄水噴出部２９から半導体ウェーハＷ上に噴出さ
れ、滞留した切削水を除去する。[0029] The processing water generating apparatus 10 configured as described above.
When the semiconductor wafer W is cut by the cutting device 30 equipped with the cutting water, as shown in FIG. 2, substantially neutral processing water having a low specific resistance value is supplied to the processing water inflow portions 25 and 26 of the cutting means 36. Is done. The processing water flowing from the processing water inflow section 25 is supplied as cutting water from the nozzle 12 to a contact portion between the semiconductor wafer W and the cutting blade 37. On the other hand, the processing water that has flowed in from the processing water inflow portion 26 is jetted as cleaning water onto the semiconductor wafer W from the cleaning water jetting portion 29, and the accumulated cutting water is removed.
【００３０】このように、アルカリ水の混合により酸性
度が低くなってほぼ中性となり、かつ、比抵抗値も低い
値となった加工水を切削水、洗浄水として使用した場合
は、比抵抗値が低いために、導電性が高く静電気が発生
することがなく、コンタミが半導体ウェーハＷの表面に
付着することがほとんどない。従って、半導体ウェーハ
Ｗの切削により形成されたチップの品質を高く維持する
ことができる。As described above, when the processing water whose acidity is reduced by mixing the alkaline water to become almost neutral and the specific resistance value of which is also low is used as the cutting water and the washing water, the specific resistance is reduced. Since the value is low, the conductivity is high, static electricity is not generated, and contamination hardly adheres to the surface of the semiconductor wafer W. Therefore, the quality of the chips formed by cutting the semiconductor wafer W can be kept high.
【００３１】また、加工水はほぼ中性であるため、切削
ブレード３７や半導体ウェーハＷに形成されたボンディ
ングパッドが腐食するという問題も発生しなくなる。Further, since the processing water is substantially neutral, the problem that the cutting blade 37 and the bonding pad formed on the semiconductor wafer W are corroded does not occur.
【００３２】切削の終了後は、洗浄手段３９によって切
削済みの半導体ウェーハＷが洗浄されるが、ここでも洗
浄水として加工水生成装置１０によって生成された加工
水を用いることにより、上記と同様に静電気の発生及び
ボンディングパッドの腐食を防止することができる。After the cutting is completed, the cut semiconductor wafer W is cleaned by the cleaning means 39. In this case, too, the processing water generated by the processing water generator 10 is used as the cleaning water. Generation of static electricity and corrosion of the bonding pad can be prevented.
【００３３】なお、本実施の形態においては、加工水生
成装置１０を切削装置３０に搭載した場合について説明
したが、加工水生成装置１０は、単独の洗浄装置とし
て、または研磨装置などの他の装置に搭載若しくは連結
して使用することもできる。In the present embodiment, the case where the machining water generator 10 is mounted on the cutting device 30 has been described. However, the machining water generator 10 may be used as a single cleaning device or another device such as a polishing device. It can be mounted on or connected to an apparatus.
【００３４】[0034]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る加工
水生成装置及び切削装置によれば、加工水の比抵抗値が
極めて低いため、被加工物の切削や洗浄の際にこの加工
水を用いることで、静電気の発生を防止することができ
る。従って、被加工物へのコンタミの付着を防いで被加
工物の表面をきれいにして被加工物の品質を高くするこ
とができる。As described above, according to the processing water generating apparatus and the cutting apparatus according to the present invention, the specific resistance value of the processing water is extremely low. By using, the generation of static electricity can be prevented. Accordingly, it is possible to prevent contamination from adhering to the workpiece, clean the surface of the workpiece, and improve the quality of the workpiece.
【００３５】更に、この加工水は比抵抗値が極めて低い
にもかかわらず、ほぼ中性であるため、切削ブレードの
腐食を防止して寿命を長くすることができると共に、被
加工物、例えば半導体ウェーハの表面に形成されたボン
ディングパッドの腐食を防止して品質の低下を防止する
ことができる。Further, the processing water is almost neutral despite its extremely low specific resistance value, so that the cutting water can be prevented from being corroded to prolong the service life and to be processed, for example, a semiconductor. It is possible to prevent corrosion of the bonding pads formed on the surface of the wafer and to prevent deterioration in quality.
【図１】本発明に係る切削装置を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a cutting device according to the present invention.
【図２】本発明に係る加工水生成装置の構成を示す説明
図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a configuration of a processing water generation device according to the present invention.
【図３】従来の加工水生成装置の構成を示す説明図であ
る。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a configuration of a conventional processing water generation device.
１０…加工水生成装置 １１…純水供給源 １２…ノズル １３…加工水供給経路 １４…混合タンク １５…キャッチ弁 １６…第一の流量弁 １７…第二の流量弁 １８…ストップ弁 １８ａ…中和タンク １９…二酸化炭素供給手段 ２０…キャッチ弁 ２１…第三の流量調整弁 ２２…アルカリ水供給手段 ２３…第一のｐＨ測定器 ２４…第四の流量調整弁 ２５、２６…加工水流入部 ２７…第二のｐＨ測定器 ２８…比抵抗値測定器 ２９…洗浄水噴出部 ３０…切削装置 ３１…カセット ３２…搬出入手段 ３３…第一の搬送手段 ３４…保持テーブル ３５…アライメント手段 ３６…切削手段 ３７…切削ブレード ３８…第二の搬送手段 ３９…洗浄手段 ４０…加工水生成装置 ４１…第三の流量調整弁 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Processing water generator 11 ... Pure water supply source 12 ... Nozzle 13 ... Processing water supply path 14 ... Mixing tank 15 ... Catch valve 16 ... First flow valve 17 ... Second flow valve 18 ... Stop valve 18a ... Medium Sum tank 19 ... carbon dioxide supply means 20 ... catch valve 21 ... third flow control valve 22 ... alkaline water supply means 23 ... first pH meter 24 ... fourth flow control valve 25, 26 ... processing water inflow section 27 second pH measuring device 28 specific resistance value measuring device 29 washing water jetting part 30 cutting device 31 cassette 32 loading / unloading means 33 first transporting means 34 holding table 35 alignment means 36 Cutting means 37 Cutting blade 38 Second transport means 39 Cleaning means 40 Processing water generator 41 Third flow regulating valve
Claims (5)
する加工水を生成する加工水生成装置であって、 加工水を被加工物に供給するノズルと、該ノズルに加工
水を供給する加工水供給経路と、該加工水供給経路に連
結し純水を供給する純水供給源とを含み、 該加工水供給経路には、加工水に二酸化炭素を供給する
二酸化炭素供給手段と、アルカリ水を供給するアルカリ
水供給手段とが連結されている加工水生成装置。1. A processing water generating apparatus for generating processing water used for cleaning or processing a workpiece, a nozzle for supplying the processing water to the workpiece, and supplying the processing water to the nozzle. A processing water supply path, a pure water supply source connected to the processing water supply path and supplying pure water, the processing water supply path includes a carbon dioxide supply unit that supplies carbon dioxide to the processing water, A processing water generator connected to an alkaline water supply means for supplying water.
水とを混合する混合タンクが含まれる請求項１に記載の
加工水生成装置。2. The processing water generating apparatus according to claim 1, wherein the processing water supply path includes a mixing tank for mixing carbonated water and alkaline water.
１または２に記載の加工水生成装置。3. The processing water generator according to claim 1, wherein the alkaline water is ammonia water.
が中性となるようにアルカリ水を供給する請求項１乃至
３に記載の加工水生成装置。4. The processing water generating apparatus according to claim 1, wherein the processing apparatus supplies alkaline water so that processing water supplied from the nozzle to the workpiece becomes neutral.
手段に保持された被加工物を切削する切削ブレードと、
該切削ブレードと該被加工物に供給する加工水を生成す
る加工水生成装置とから少なくとも構成される切削装置
であって、 該加工水生成装置は、請求項１乃至４に記載の加工水生
成装置であり、 該切削ブレードに隣接する位置にノズルが配設され、該
ノズルから該被加工物と該切削ブレードとに加工水を供
給する切削装置。5. A holding means for holding a workpiece, a cutting blade for cutting the workpiece held by the holding means,
A cutting apparatus comprising at least the cutting blade and a processing water generator for generating processing water to be supplied to the workpiece, wherein the processing water generator according to any one of claims 1 to 4. A cutting device, wherein a nozzle is provided at a position adjacent to the cutting blade, and the nozzle supplies working water to the workpiece and the cutting blade.
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