JP2000349959A - Image sensor - Google Patents

Image sensor

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JP2000349959A
JP2000349959A JP11157648A JP15764899A JP2000349959A JP 2000349959 A JP2000349959 A JP 2000349959A JP 11157648 A JP11157648 A JP 11157648A JP 15764899 A JP15764899 A JP 15764899A JP 2000349959 A JP2000349959 A JP 2000349959A
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JP
Japan
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light
image sensor
optical sensor
reading surface
substrate
Prior art date
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Application number
JP11157648A
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Japanese (ja)
Inventor
Takashi Morimoto
隆史 森本
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Minolta Co Ltd
Original Assignee
Minolta Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a simple configuration, with which an image can be read clearly and which is superior in durability by providing a thin-film shaped light shielding means, having a plurality of pinholes formed with one ratio to a plurality of pixels between an optical sensor array and a read surface and making light from the read surface pass through a pinhole to lead it to a pixel. SOLUTION: The relative position between each pixel 11a and a pinhole 13a in the horizontal direction, etc., unequivocally decides that the pixel 11a is irradiated with the light from which position on a reading surface M. Then, each pixel 11a will not be irradiated with a light from a wide range on the surface M. Light shielding films 15 prevent the light from the same point on the surface M from passing through a different pinhole 13a. The films 15 regulate the correspondence relation to one-to-one between a position on the surface M and a pixel 13a. Thus, light from a separating position on the surface M is prevented from being made incident on the same pixel 11a.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ファクシミリ、ス
キャナ等に用いられるイメージセンサに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image sensor used for a facsimile, a scanner, and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】ファクシミリ、スキャナ等の簡易な画像
読み取り装置では、原稿との相対位置を変えながら画像
を読み取っていくイメージセンサが用いられている。こ
のようなイメージセンサは、原稿画像が配置される読み
取り面と光センサアレイの間隔が小さく設定され、等倍
で原稿画像を読み取るようになっており、密着型と呼ば
れる。密着型イメージセンサの例を図9、10に示す。
2. Description of the Related Art A simple image reading apparatus such as a facsimile or a scanner uses an image sensor which reads an image while changing a relative position with respect to a document. In such an image sensor, the distance between the reading surface on which the document image is arranged and the optical sensor array is set small, and the document image is read at the same magnification. 9 and 10 show examples of the contact type image sensor.

【0003】図9のイメージセンサ7は、画素71aが
1次元に配列された光センサアレイ71を備えており、
また、光センサアレイ71と読み取り面Mの間にマイク
ロレンズアレイ72を備えている。(a)は画素71a
の配列方向に対して垂直な方向から見た正面図、(b)
は画素71aの配列方向から見た側面図である。マイク
ロレンズアレイ72の各レンズ72aは、複数の画素7
1aにまたがる大きさを有しており、読み取り面M上の
近隣部位からの光を隣合う複数の画素71aに導く。イ
メージセンサ7は、光センサアレイ71の側方に線状の
光源73を有しており、光源73からの光で読み取り面
Mを照明する。
The image sensor 7 shown in FIG. 9 includes an optical sensor array 71 in which pixels 71a are arranged one-dimensionally.
Further, a micro lens array 72 is provided between the optical sensor array 71 and the reading surface M. (A) is a pixel 71a
Front view as seen from a direction perpendicular to the arrangement direction of (b)
Is a side view seen from the arrangement direction of the pixels 71a. Each lens 72a of the micro lens array 72 has a plurality of pixels 7
1a, and guides light from a neighboring portion on the reading surface M to a plurality of adjacent pixels 71a. The image sensor 7 has a linear light source 73 beside the optical sensor array 71, and illuminates the reading surface M with light from the light source 73.

【0004】図10のイメージセンサ8は、画素81a
が1次元に配列された光センサアレイ81を備えている
が、マイクロレンズアレイをもたない。(a)は正面
図、(b)は側面図である。このイメージセンサ8で
は、イメージセンサ7よりも、光センサアレイ81が読
み取り面Mに一層近づけて配置されており、各画素81
aには読み取り面Mからの光が直接導かれる。光センサ
アレイ81を保護するために、読み取り面Mに接する保
護ガラス板84が設けられている。光センサアレイ81
は透明な基板85上に形成されており、読み取り面Mは
基板85を透過した外部からの光で照明される。
[0004] The image sensor 8 shown in FIG.
Are provided with an optical sensor array 81 arranged one-dimensionally, but without a microlens array. (A) is a front view, (b) is a side view. In the image sensor 8, the optical sensor array 81 is arranged closer to the reading surface M than the image sensor 7.
Light from the reading surface M is directly guided to a. In order to protect the optical sensor array 81, a protective glass plate 84 in contact with the reading surface M is provided. Optical sensor array 81
Are formed on a transparent substrate 85, and the reading surface M is illuminated with external light transmitted through the substrate 85.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】図9のイメージセンサ
7では、マイクロレンズアレイ72の各レンズ72aに
よって、光センサアレイ71の画素71aと読み取り面
M上の位置が対応づけられる。この対応づけが厳密にな
されるようにするためには、マイクロレンズアレイ72
の各レンズ72aを精度よく作製する必要があり、ま
た、光センサアレイ71とマイクロレンズアレイ72の
相対位置を精度よく合わせる必要もある。このため、画
像の読み取りが正確に行えないイメージセンサになるお
それがある。また、イメージセンサ7の製造工程は煩雑
である。
In the image sensor 7 shown in FIG. 9, the pixels 71a of the optical sensor array 71 correspond to the positions on the reading surface M by the lenses 72a of the micro lens array 72. In order to make this association strict, the micro lens array 72
It is necessary to manufacture each lens 72a with high accuracy, and it is also necessary to precisely match the relative positions of the optical sensor array 71 and the micro lens array 72. For this reason, there is a possibility that the image sensor may not be able to read an image accurately. Further, the manufacturing process of the image sensor 7 is complicated.

【0006】一方、図10のイメージセンサ8は、光セ
ンサアレイ81の画素81aと読み取り面M上の位置と
を対応づける手段をもたない。このため、読み取り面M
上の異なる部位からの光が同一の画素81aに入射して
読み取った画像が不鮮明になるのを防止するために、光
センサアレイ81と読み取り面Mとの距離をできる限り
小さくする必要がある。したがって、保護ガラス板84
を薄くしなければならず、耐久性が損なわれ易い。
On the other hand, the image sensor 8 shown in FIG. 10 has no means for associating the pixels 81a of the optical sensor array 81 with the positions on the reading surface M. Therefore, the reading surface M
The distance between the optical sensor array 81 and the reading surface M needs to be made as small as possible in order to prevent light from different parts above from being incident on the same pixel 81a to make the read image unclear. Therefore, the protective glass plate 84
Must be made thinner, and the durability is easily impaired.

【0007】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたもので、画像を鮮明に読み取ることが可能で耐久性
に優れた簡素な構成の密着型イメージセンサを提供する
ことを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a contact type image sensor having a simple structure capable of clearly reading an image and having excellent durability. .

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、原稿画像を光センサアレイによって読
み取るイメージセンサであって、原稿画像を位置させる
読み取り面に光センサアレイを接近して配置したものに
おいて、光センサアレイの複数の画素に対して1つの割
合で形成された複数のピンホールを有する薄膜状の遮光
手段を、光センサアレイと読み取り面との間に備え、読
み取り面からの光を遮光手段のピンホールを通過させて
光センサアレイの画素に導くようにする。
According to the present invention, there is provided an image sensor for reading an original image by an optical sensor array, wherein the optical sensor array is brought close to a reading surface on which the original image is positioned. In the arrangement, a thin film light-shielding means having a plurality of pinholes formed at one ratio for a plurality of pixels of the optical sensor array is provided between the optical sensor array and the reading surface. Is passed through the pinhole of the light shielding means and guided to the pixels of the optical sensor array.

【0009】このイメージセンサでは、光センサアレイ
の各画素に入射する光は、画素とピンホールの位置関係
で定まる読み取り面上の特定位置からのもののみとな
り、その特定位置の近隣部位からの光は同一画素に入射
しない。したがって、画像を鮮明に読み取ることができ
る。この作用は読み取り面と光センサアレイとの距離を
大きくしても損なわれず、読み取り面と遮光手段の間に
比較的厚い保護部材を配置することも可能である。
In this image sensor, light incident on each pixel of the optical sensor array is only from a specific position on the reading surface determined by the positional relationship between the pixel and the pinhole. Do not enter the same pixel. Therefore, an image can be clearly read. This effect is not impaired even if the distance between the reading surface and the optical sensor array is increased, and a relatively thick protective member can be arranged between the reading surface and the light shielding means.

【0010】ここで、光センサアレイをアモルファス半
導体によって透明な基板の上面に形成し、遮光手段をそ
の基板の下面に形成するとよい。このようにすると、ピ
ンホールを有する遮光手段の形成がきわめて容易にな
り、ピンホールと光センサアレイの画素との位置合わせ
も容易であるから、製造効率が高まる。基板は、透明
で、かつ、光センサアレイ作製時の温度に耐えられるも
のであればどのような材料で作製してもよく、例えばガ
ラス製とすることができる。このとき、アモルファス半
導体を用いることで、光センサアレイの形成に支障はな
い。
Here, the optical sensor array may be formed on the upper surface of a transparent substrate using an amorphous semiconductor, and the light shielding means may be formed on the lower surface of the substrate. This makes it extremely easy to form the light blocking means having the pinholes, and also facilitates the alignment between the pinholes and the pixels of the optical sensor array, thereby increasing the manufacturing efficiency. The substrate may be made of any material as long as it is transparent and can withstand the temperature at the time of producing the optical sensor array. For example, the substrate may be made of glass. At this time, the use of the amorphous semiconductor does not hinder the formation of the optical sensor array.

【0011】また、読み取り面上の同一点からの光が遮
光手段のピンホールの1つのみを通過するように、読み
取り面からの光を規制する規制手段を備えるとよい。読
み取り面上の離れた位置からの光が異なるピンホールを
通過して同一画素に入射することが防止され、読み取っ
た画像の鮮明度が低下するおそれがない。
Further, it is preferable to provide a regulating means for regulating light from the reading surface so that light from the same point on the reading surface passes through only one of the pin holes of the light shielding means. Light from a distant position on the reading surface is prevented from passing through different pinholes and entering the same pixel, and there is no possibility that the sharpness of the read image is reduced.

【0012】外部からの光により読み取り面を照明する
ようにしてもよく、読み取り面を照明する照明手段を備
えるようにしてもよい。
The reading surface may be illuminated by external light, or illumination means for illuminating the reading surface may be provided.

【0013】光センサアレイの画素および遮光手段のピ
ンホールを2次元に配列し、照明手段として遮光手段と
読み取り面の間に複数の面発光素子を備える構成とする
こともできる。このようにすると、一度に広い範囲を読
み取ることが可能になり、また、その範囲全体を十分に
照明することができる。
The pixels of the optical sensor array and the pinholes of the light shielding means may be two-dimensionally arranged, and a plurality of surface light emitting elements may be provided between the light shielding means and the reading surface as illumination means. In this way, a wide range can be read at a time, and the entire range can be sufficiently illuminated.

【0014】光センサアレイは受けた光によって生じる
電荷を増倍させる増倍型とするのが好ましい。外部から
の光によって読み取り面を照明する構成では、光量不足
により、読み取った画像が全体に暗くコントラストの低
いものとなることがあるが、増倍型の光センサアレイを
用いることにより、この問題が回避される。また、照明
手段を備える構成でも、増倍型の光センサアレイを用い
ることで、読み取り周期を短縮することが可能になっ
て、画像の読み取りを速やかに行うことができる。
The photosensor array is preferably of a multiplication type for multiplying electric charges generated by the received light. In a configuration in which the reading surface is illuminated by external light, the read image may be entirely dark and have low contrast due to insufficient light quantity.However, the use of a multiplication-type optical sensor array solves this problem. Be avoided. Further, even in the configuration including the illumination means, the reading cycle can be shortened by using the multiplication type optical sensor array, and the image can be read quickly.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明のイメージセンサの
実施形態について図面を参照しながら説明する。図1に
第1の実施形態のイメージセンサ1の構成を模式的に示
す。イメージセンサ1は、多数の画素11aが1次元に
配列された光センサアレイ11を備えており、ラインセ
ンサとして構成されている。図1において、(a)は画
素11aの配列方向に対して垂直な方向から見た正面断
面図、(b)は画素11aの配列方向から見た側面断面
図である。
Embodiments of an image sensor according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 schematically shows the configuration of the image sensor 1 according to the first embodiment. The image sensor 1 includes an optical sensor array 11 in which a large number of pixels 11a are arranged one-dimensionally, and is configured as a line sensor. 1A is a front cross-sectional view as viewed from a direction perpendicular to the arrangement direction of the pixels 11a, and FIG. 1B is a side cross-sectional view as viewed from the arrangement direction of the pixels 11a.

【0016】光センサアレイ11は、厚さ1〜数mm程
度の細長い透明な基板12の上面にアモルファス半導体
によって形成されており、基板12側から光を受けるよ
うに設定されている。基板12はガラスまたはプラスチ
ック製であり、上下両面ともに平坦で均一な厚さを有す
る。光センサアレイ11の画素11aは一定のピッチで
配列されており、各画素11aの大きさは数十μm程度
である。
The optical sensor array 11 is formed of an amorphous semiconductor on an elongated transparent substrate 12 having a thickness of about 1 mm to several mm, and is set to receive light from the substrate 12 side. The substrate 12 is made of glass or plastic, and has a flat and uniform thickness on both upper and lower surfaces. The pixels 11a of the optical sensor array 11 are arranged at a constant pitch, and the size of each pixel 11a is about several tens of μm.

【0017】基板12の下面には、厚さ数十μm以下の
遮光膜13が設けられており、遮光膜13には画素11
aの配列方向に沿って複数のピンホール13aが形成さ
れている。ピンホール13aの口径は画素11aと同程
度以下の大きさである。ピンホール13aは、複数の画
素11aに対して1つの割合で、一定のピッチで配列さ
れている。遮光膜13およびピンホール13aは、例え
ば、Alの蒸着およびフォトリソグラフィーによるAl
蒸着膜のパターニングで形成されている。図示しない
が、基板12の側面および端面にも遮光膜が設けられて
おり、基板12にはピンホール13aのみから光が入
る。
On the lower surface of the substrate 12, a light shielding film 13 having a thickness of several tens μm or less is provided.
A plurality of pinholes 13a are formed along the arrangement direction of "a". The diameter of the pinhole 13a is smaller than or equal to that of the pixel 11a. The pinholes 13a are arranged at a constant pitch at a ratio of one to a plurality of pixels 11a. The light-shielding film 13 and the pinhole 13a are made of, for example, Al by evaporation and photolithography.
It is formed by patterning a deposited film. Although not shown, a light-shielding film is also provided on the side surface and the end surface of the substrate 12, and light enters the substrate 12 from only the pinhole 13a.

【0018】基板12は透明な基板14上に固定されて
おり、遮光膜13は基板14の上面に密着している。基
板14は、ガラスまたは硬質のプラスチック製であり、
均一で基板12と同程度の厚さを有する。基板14は基
板12よりもやや幅が広く、基板14上面の基板12側
方の部位は露出している。基板14の内部には、ピンホ
ール13aの配列方向に対して垂直な複数の遮光膜15
が設けられている。遮光膜15は、隣合うピンホール1
3aの中央に位置する。
The substrate 12 is fixed on a transparent substrate 14, and the light shielding film 13 is in close contact with the upper surface of the substrate 14. The substrate 14 is made of glass or hard plastic,
It has a uniform thickness similar to that of the substrate 12. The substrate 14 is slightly wider than the substrate 12, and a portion of the upper surface of the substrate 14 on the side of the substrate 12 is exposed. A plurality of light-shielding films 15 perpendicular to the arrangement direction of the pinholes 13 a are provided inside the substrate 14.
Is provided. The light-shielding film 15 is formed between adjacent pinholes 1.
It is located at the center of 3a.

【0019】イメージセンサ1は、基板14の下面が原
稿に接した状態で、原稿の画像を読み取る。すなわち、
基板14の下面がイメージセンサ1の読み取り面Mであ
る。基板14は、読み取り面Mと遮光膜13の距離を一
定に保つとともに、遮光膜13を保護する機能を有す
る。読み取り面Mは基板14の上面から入射する外部か
らの光で照明される。
The image sensor 1 reads an image of a document while the lower surface of the substrate 14 is in contact with the document. That is,
The lower surface of the substrate 14 is the reading surface M of the image sensor 1. The substrate 14 has a function of keeping the distance between the reading surface M and the light shielding film 13 constant and protecting the light shielding film 13. The reading surface M is illuminated with external light incident from the upper surface of the substrate 14.

【0020】読み取り面Mに位置する原稿からの光は、
遮光膜13のピンホール13aを通過して、光センサア
レイ11の画素11aに入射する。各画素11aに読み
取り面M上のどの位置からの光が入射するかは、画素1
1aとピンホール13aの水平方向の相対位置、基板1
2、14の厚さ、および基板12、14の屈折率によっ
て一義的に定まる。したがって、各画素11aに読み取
り面M上の広い範囲からの光が入射することはなく、イ
メージセンサ1は原稿の画像を鮮明に読み取ることがで
きる。
The light from the document located on the reading surface M is
The light passes through the pinhole 13 a of the light shielding film 13 and enters the pixel 11 a of the optical sensor array 11. The position on the reading surface M from which light enters the pixel 11a is determined by the pixel 1
1a and the pinhole 13a in the horizontal direction relative to each other,
It is uniquely determined by the thicknesses of the substrates 2 and 14 and the refractive indexes of the substrates 12 and 14. Accordingly, light from a wide range on the reading surface M does not enter each pixel 11a, and the image sensor 1 can clearly read the image of the document.

【0021】基板12、14の厚さは、2つの遮光膜1
5の間に位置する読み取り面Mの範囲の光が、その範囲
に対向する全ての画素11aに入射するように、基板1
2、14の材料の屈折率を考慮して設定されている。
The thickness of each of the substrates 12 and 14 is
5 so that light in the range of the reading surface M located between the pixels 5 and 5 is incident on all the pixels 11a facing the range.
The values are set in consideration of the refractive indices of the materials 2 and 14.

【0022】遮光膜15は、読み取り面Mに対向する各
ピンホール13aの視野を制限して、読み取り面M上の
同一点からの光が異なるピンホール13aを通過するの
を防止する。すなわち、遮光膜15は、読み取り面M上
の位置と画素13aの対応関係を1対1に規定する。こ
れにより、読み取り面M上の離れた位置からの光が同一
の画素11aに入射するのが防がれて、読み取った画像
の鮮明さが低下するのを確実に避けることができる。な
お、基板14は、端面に遮光膜15を形成した小片を接
合して形成されている。
The light-shielding film 15 restricts the field of view of each pinhole 13a facing the reading surface M, and prevents light from the same point on the reading surface M from passing through different pinholes 13a. That is, the light shielding film 15 defines the correspondence between the position on the reading surface M and the pixel 13a on a one-to-one basis. This prevents light from a distant position on the reading surface M from being incident on the same pixel 11a, and it is possible to reliably prevent the sharpness of the read image from deteriorating. The substrate 14 is formed by joining small pieces each having a light-shielding film 15 formed on an end face.

【0023】光センサアレイ11の各画素11aからの
出力信号は、不図示の信号処理回路によって処理され
る。信号処理回路は、光センサアレイ11の出力信号に
A/D変換、シェーディング補正、ガンマ補正等の諸処
理を施して、1ライン分の画像を表す画像信号を生成す
る。その際、信号処理回路は、同一のピンホール13a
からの光を受ける複数の画素11a(以下、この画素の
集合を画素ブロックという)ごとに出力信号の順番を反
転させて、隣合う画素ブロックの信号が連続するように
する。イメージセンサ1と原稿の相対位置を光センサア
レイ11の画素11aの配列方向に対して垂直な方向に
次第に変えていくことにより、2次元の原稿の画像が読
み取られる。
An output signal from each pixel 11a of the optical sensor array 11 is processed by a signal processing circuit (not shown). The signal processing circuit performs various processes such as A / D conversion, shading correction, and gamma correction on the output signal of the optical sensor array 11 to generate an image signal representing an image for one line. At that time, the signal processing circuit is connected to the same pinhole 13a.
The order of the output signal is inverted for each of a plurality of pixels 11a (hereinafter, this set of pixels is referred to as a pixel block) that receives light from, so that signals of adjacent pixel blocks are continuous. By gradually changing the relative position between the image sensor 1 and the document in a direction perpendicular to the arrangement direction of the pixels 11a of the optical sensor array 11, a two-dimensional document image is read.

【0024】光センサアレイ11の構成を図8に示す。
光センサアレイ11は、基板12の上面に、ITO製の
透明な電極16、光電変換層17、Al製の不透明な電
極18、保護膜19を順に積層して形成されている。光
電変換層17は、アモルファス半導体のP型層17p、
アモルファス半導体の真性層17i、およびアモルファ
ス半導体のN型層17nより成るPIN構造のアバラン
シェフォトダイオードである。電極16、18間に逆バ
イアスの電圧が印加された状態で光を受けることによっ
て、光電変換層17に生成した電荷がアバランシェ現象
によって増倍されて出力される。
FIG. 8 shows the configuration of the optical sensor array 11.
The optical sensor array 11 is formed by sequentially laminating a transparent electrode 16 made of ITO, a photoelectric conversion layer 17, an opaque electrode 18 made of Al, and a protective film 19 on the upper surface of a substrate 12. The photoelectric conversion layer 17 includes a P-type layer 17p of an amorphous semiconductor,
This is an avalanche photodiode having a PIN structure including an intrinsic layer 17i of an amorphous semiconductor and an n-type layer 17n of an amorphous semiconductor. When light is received in a state where a reverse bias voltage is applied between the electrodes 16 and 18, the charge generated in the photoelectric conversion layer 17 is multiplied by the avalanche phenomenon and output.

【0025】読み取り面Mを外部からの光で照明するイ
メージセンサ1では、環境条件によって読み取り面Mが
暗くなることがあるが、増倍機能を有する光センサアレ
イ11を備えたことで、読み取った画像は、常に明るく
コントラストの高い良質のものとなる。なお、光電変換
を行う層と増倍を行う層を別の層として両者を積層した
構成のアバランシェフォトダイオードを、光センサアレ
イとして用いるようにしてもよい。
In the image sensor 1 that illuminates the reading surface M with external light, the reading surface M may be dark depending on environmental conditions. However, the reading is performed by providing the optical sensor array 11 having a multiplication function. The image is always of good quality with high brightness and high contrast. Note that an avalanche photodiode having a configuration in which a layer for performing photoelectric conversion and a layer for performing multiplication are formed as separate layers and both layers are stacked may be used as an optical sensor array.

【0026】なお、ここでは基板12を基板14の上に
固定した構成としたが、基板14を省略することも可能
である。その場合、基板12の材料と空気との屈折率を
考慮して基板12の厚さを設定するとともに、遮光膜1
5に相当する薄板状の遮光部材を基板12の下面に取り
付ける。また、基板12の下面すなわち遮光膜13を読
み取り面Mから一定距離に保つための部材を備えるよう
にする。ピンホール13aの形状は任意に設定してよ
く、円形、長方形、正方形等が好ましい。
Although the substrate 12 is fixed on the substrate 14 here, the substrate 14 can be omitted. In this case, the thickness of the substrate 12 is set in consideration of the refractive index of the material of the substrate 12 and air, and the light shielding film 1 is formed.
5 is attached to the lower surface of the substrate 12. Further, a member for keeping the lower surface of the substrate 12, that is, the light shielding film 13 at a fixed distance from the reading surface M is provided. The shape of the pinhole 13a may be set arbitrarily, and is preferably a circle, rectangle, square, or the like.

【0027】第2の実施形態のイメージセンサ2の側面
断面図を図2に示す。イメージセンサ2は、第1の実施
形態のイメージセンサ1に、読み取り面Mを照明するた
めの光源21を備えたものである。光源21はLEDア
レイ、蛍光管、EL素子等より成る線状のものであり、
基板12の側面に沿って配置されている。光源21が発
した光は基板14を透過して、光センサアレイ11に対
向する読み取り面Mの一端から他端までを均一に照明す
る。他の構成はイメージセンサ1と同じであり、重複す
る説明は省略する。
FIG. 2 is a side sectional view of the image sensor 2 according to the second embodiment. The image sensor 2 includes the image sensor 1 of the first embodiment and a light source 21 for illuminating the reading surface M. The light source 21 is a linear light source including an LED array, a fluorescent tube, an EL element, and the like.
It is arranged along the side surface of the substrate 12. The light emitted from the light source 21 passes through the substrate 14 and uniformly illuminates from one end to the other end of the reading surface M facing the optical sensor array 11. The other configuration is the same as that of the image sensor 1, and a duplicate description will be omitted.

【0028】光源21を備えたイメージセンサ2では、
読み取り面Mが常に明るく照明されるから、光センサア
レイ11を、外部キャリア注入を阻止する阻止型あるい
は光導電性を利用する光導電型等の、増倍機能をもたな
い通常の光センサとすることができる。ただし、光セン
サアレイ11として増倍機能をもつものを使用すると、
光電変換時間を短くしても十分な電荷が発生するから、
光電変換の周期を短くして速やかに画像を読み取ること
が可能であり、読み取り効率の面で好ましい。
In the image sensor 2 having the light source 21,
Since the reading surface M is always brightly illuminated, the optical sensor array 11 is replaced with a normal optical sensor having no multiplication function, such as a blocking type for blocking external carrier injection or a photoconductive type utilizing photoconductivity. can do. However, if an optical sensor array 11 having a multiplication function is used,
Even if the photoelectric conversion time is shortened, sufficient charges are generated,
An image can be read quickly by shortening the period of photoelectric conversion, which is preferable in terms of reading efficiency.

【0029】第3の実施形態のイメージセンサ3の正面
断面図を図3に示す。このイメージセンサ3は、イメー
ジセンサ1の遮光膜15に代えて、開口20aを有する
不透明な基板20を基板12と基板14の間に設けて、
開口20aの下端縁でピンホール13aの視野を制限す
るようにしたものである。開口20aはピンホール13
aと同じピッチで複数設けられており、ピンホール13
aは開口20aの中央に位置する。基板20の厚さは、
例えば数百μm〜1mm程度である。開口20aの大き
さは基板20の厚さに応じて定める。
FIG. 3 is a front sectional view of the image sensor 3 according to the third embodiment. In this image sensor 3, an opaque substrate 20 having an opening 20a is provided between the substrate 12 and the substrate 14 instead of the light shielding film 15 of the image sensor 1,
The visual field of the pinhole 13a is limited by the lower edge of the opening 20a. The opening 20a is a pinhole 13
a are provided at the same pitch as
a is located at the center of the opening 20a. The thickness of the substrate 20 is
For example, it is about several hundred μm to 1 mm. The size of the opening 20a is determined according to the thickness of the substrate 20.

【0030】第4の実施形態のイメージセンサ4の構成
を図4に模式的に示す。イメージセンサ4は、多数の画
素31aが2次元に配列された光センサアレイ31を備
えており、エリアセンサとして構成されている。図4に
おいて、(a)は正面断面図、(b)は側面断面図であ
る。
FIG. 4 schematically shows the structure of the image sensor 4 according to the fourth embodiment. The image sensor 4 includes an optical sensor array 31 in which many pixels 31a are two-dimensionally arranged, and is configured as an area sensor. 4A is a front sectional view, and FIG. 4B is a side sectional view.

【0031】光センサアレイ31は、厚さ1〜数mm程
度の長方形の透明な基板32の上面に、アモルファス半
導体によって形成されており、基板32側から光を受け
るように設定されている。基板32はガラスまたはプラ
スチック製であり、上下両面ともに平坦で均一な厚さを
有する。光センサアレイ31の画素31aは一定のピッ
チで配列されており、各画素31aの大きさは数十μm
程度である。
The optical sensor array 31 is formed of an amorphous semiconductor on the upper surface of a rectangular transparent substrate 32 having a thickness of about 1 to several mm, and is set to receive light from the substrate 32 side. The substrate 32 is made of glass or plastic, and has a flat and uniform thickness on both upper and lower surfaces. The pixels 31a of the optical sensor array 31 are arranged at a constant pitch, and the size of each pixel 31a is several tens μm.
It is about.

【0032】基板32の下面には、厚さ数十μm以下の
遮光膜33が設けられており、遮光膜33には、複数の
画素31aに対して1つの割合で、複数のピンホール3
3aが一定のピッチで2次元に形成されている。ピンホ
ール33aの口径は画素31aと同程度以下の大きさで
ある。図示しないが、基板32の側面にも遮光膜が設け
られており、基板32にはピンホール33aのみから光
が入る。
On the lower surface of the substrate 32, a light-shielding film 33 having a thickness of several tens of μm or less is provided.
3a are formed two-dimensionally at a constant pitch. The diameter of the pinhole 33a is substantially equal to or smaller than that of the pixel 31a. Although not shown, a light-shielding film is also provided on the side surface of the substrate 32, and light enters the substrate 32 only from the pinhole 33a.

【0033】基板32は不透明な基板40上に固定され
ており、基板40は透明な基板34上に固定されてい
る。基板34、40は基板32と略同じ大きさである。
基板34は、ガラスまたは硬質のプラスチック製であ
り、基板32と同程度の厚さを有する。基板34の下面
がイメージセンサ4の読み取り面Mであり、基板34
は、読み取り面Mと遮光膜33の距離を一定に保つとと
もに、遮光膜33を保護する。
The substrate 32 is fixed on an opaque substrate 40, and the substrate 40 is fixed on a transparent substrate 34. The substrates 34 and 40 have substantially the same size as the substrate 32.
The substrate 34 is made of glass or hard plastic, and has a thickness similar to that of the substrate 32. The lower surface of the substrate 34 is the reading surface M of the image sensor 4,
Keeps the distance between the reading surface M and the light shielding film 33 constant and protects the light shielding film 33.

【0034】基板40は、図3に示した基板20と同様
に、ピンホール33aの視野を制限するためのもので、
ピンホール33aに対応して開口40aが2次元に形成
されている。基板40の下面を図5に示す。基板40の
下面の開口40aで囲まれる各部位には、LED、EL
素子等より成る面状の発光素子41が設けられている。
読み取り面Mの全体は、発光素子41が発する光によっ
て均一な明るさで照明される。発光素子41を備えたこ
とにより、基板40は図3の基板20よりも厚くなって
おり、その開口40aは開口20aよりも大きく設定さ
れている。
The substrate 40 is for limiting the visual field of the pinhole 33a, similarly to the substrate 20 shown in FIG.
An opening 40a is two-dimensionally formed corresponding to the pinhole 33a. FIG. 5 shows the lower surface of the substrate 40. Each part surrounded by the opening 40a on the lower surface of the substrate 40 includes an LED, an EL,
A planar light emitting element 41 made of an element or the like is provided.
The entire reading surface M is illuminated with light emitted from the light emitting element 41 with uniform brightness. Due to the provision of the light emitting element 41, the substrate 40 is thicker than the substrate 20 of FIG. 3, and the opening 40a is set to be larger than the opening 20a.

【0035】イメージセンサ4による原稿の画像の読み
取りの原理は、イメージセンサ1と同じであり、ピンホ
ール33aによって各画素31aと読み取り面M上の1
つの位置が対応づけられる。ただし、読み取り面Mの2
次元の範囲を2次元の画素ブロックで読み取る本実施形
態のイメージセンサ4では、1次元の範囲を1次元の画
素ブロックで読み取るイメージセンサ1と比べて、読み
取り効率が大幅に向上する。読み取り面Mを照明するた
めの発光素子41を備えたイメージセンサ4において
も、光センサアレイ31に増幅機能をもたせる必要はな
いが、増幅機能をもたせると読み取り効率がさらに向上
して好ましいといえる。
The principle of reading an image of a document by the image sensor 4 is the same as that of the image sensor 1, and each pixel 31a and one pixel on the reading surface M are pinhole 33a.
Are associated with each other. However, 2 of the reading surface M
In the image sensor 4 of the present embodiment that reads a one-dimensional range with a two-dimensional pixel block, the reading efficiency is greatly improved compared to the image sensor 1 that reads a one-dimensional range with a one-dimensional pixel block. In the image sensor 4 including the light emitting element 41 for illuminating the reading surface M, the optical sensor array 31 does not need to have an amplification function. However, it is preferable to provide the amplification function because the reading efficiency is further improved.

【0036】第5の実施形態のイメージセンサ5の正面
断面図を図6に示す。イメージセンサ5は、イメージセ
ンサ4の不透明な基板40に代えて、イメージセンサ1
の遮光膜15と同様の遮光膜35を基板34の内部に備
えたものである。遮光膜35は、ピンホール33aを取
り囲むように、直交する2方向に設けられている。発光
素子41は、遮光膜33の下面に直接設けられている。
他の構成はイメージセンサ4と同様である。
FIG. 6 is a front sectional view of the image sensor 5 according to the fifth embodiment. The image sensor 5 replaces the opaque substrate 40 of the image sensor 4 with the image sensor 1
A light shielding film 35 similar to the light shielding film 15 of FIG. The light shielding film 35 is provided in two orthogonal directions so as to surround the pinhole 33a. The light emitting element 41 is provided directly on the lower surface of the light shielding film 33.
Other configurations are the same as those of the image sensor 4.

【0037】第6の実施形態のイメージセンサ6の正面
断面図を図7に示す。イメージセンサ6は、画素31a
が2次元に配列された光センサアレイ31を有する構成
において、読み取り面Mを側方から照明するようにした
ものである。ピンホール33aが形成された遮光膜33
の下面に、ピンホール33aの視野を制限するための不
透明な基板40が設けられ、その下面に導光板43が設
けられている。導光板43の側面には、LEDアレイ、
蛍光管、EL素子等より成る線状の光源42が1対設け
られている。
FIG. 7 is a front sectional view of the image sensor 6 according to the sixth embodiment. The image sensor 6 includes a pixel 31a
Is configured to illuminate the reading surface M from the side in the configuration having the optical sensor array 31 arranged two-dimensionally. Light-shielding film 33 with pinhole 33a formed
An opaque substrate 40 for limiting the field of view of the pinhole 33a is provided on the lower surface of the light guide plate 33, and a light guide plate 43 is provided on the lower surface thereof. On the side surface of the light guide plate 43, an LED array,
A pair of linear light sources 42 including a fluorescent tube, an EL element, and the like are provided.

【0038】光源42からの光は導光板43に導かれて
読み取り面M全体を照明する。この構成では読み取り面
Mを均一な明るさで照明することは難しくなるが、各画
素31aの出力信号の強度を白色のテスト原稿を用いて
あらかじめ測定しておくことにより、信号処理回路の処
理で明るさの不均一さを補正することができる。光源4
2は、導光板43の少なくとも1つの側面に設ければよ
く、全ての側面に設けてもよい。
Light from the light source 42 is guided to the light guide plate 43 to illuminate the entire reading surface M. In this configuration, it is difficult to illuminate the reading surface M with uniform brightness. However, by measuring the intensity of the output signal of each pixel 31a in advance using a white test document, the signal processing circuit can perform processing. Brightness non-uniformity can be corrected. Light source 4
2 may be provided on at least one side surface of the light guide plate 43, and may be provided on all side surfaces.

【0039】イメージセンサ4の基板34のように読み
取り面Mに接する透明な基板は備えられておらず、導光
板43は読み取り面Mから離間している。イメージセン
サ6は、読み取り面Mに接するローラ(不図示)を備え
ており、このローラによって遮光膜33と読み取り面M
との距離を一定に保ちながら、ローラの軸に対して垂直
な方向に移動させることができる。導光板43の下に読
み取り面Mに接する透明な基板を備える構成とすること
も、もちろん可能である。
There is no transparent substrate in contact with the reading surface M like the substrate 34 of the image sensor 4, and the light guide plate 43 is separated from the reading surface M. The image sensor 6 includes a roller (not shown) in contact with the reading surface M.
Can be moved in a direction perpendicular to the axis of the roller while keeping the distance to the roller constant. Of course, a configuration in which a transparent substrate that is in contact with the reading surface M is provided below the light guide plate 43 is also possible.

【0040】[0040]

【発明の効果】本発明のイメージセンサでは、ピンホー
ルを有する遮光手段によって、光センサアレイの各画素
に読み取り面の特定位置のみから光を導くことができ、
読み取り面上の近隣部位からの光の重なり合いによるコ
ントラストの低下が避けられる。したがって、光センサ
アレイのほかにピンホールを有する遮光手段を備えると
いうきわめて簡素な構成でありながら、画像を鮮明に読
み取ることができる。また、光センサアレイや遮光手段
を読み取り面のごく近傍に配置する必要がなく、比較的
厚い保護板を備えることも可能である。したがって、光
センサアレイや遮光手段が損傷し難く、耐久性に優れた
イメージセンサとなる。
According to the image sensor of the present invention, light can be guided to each pixel of the optical sensor array only from a specific position on the reading surface by the light shielding means having a pinhole.
It is possible to avoid a decrease in contrast due to overlapping of light from neighboring portions on the reading surface. Therefore, it is possible to read an image clearly with a very simple configuration including a light shielding means having a pinhole in addition to the optical sensor array. Further, it is not necessary to dispose the optical sensor array and the light shielding means very close to the reading surface, and a relatively thick protective plate can be provided. Therefore, the optical sensor array and the light shielding means are hardly damaged, and the image sensor has excellent durability.

【0041】光センサアレイをアモルファス半導体によ
って透明な基板の上面に形成し、遮光手段をその基板の
下面に形成する構成では、組み立てに際して光センサア
レイの画素と遮光手段のピンホールとの位置合わせをす
る必要がなく、製造効率が向上する。アモルファス半導
体を用いることで、広範囲の材質の基板を用いて、光セ
ンサアレイを容易に形成することも可能である。
In a configuration in which the optical sensor array is formed on the upper surface of a transparent substrate using an amorphous semiconductor and the light shielding means is formed on the lower surface of the substrate, the alignment between the pixels of the optical sensor array and the pinholes of the light shielding device is required during assembly. It is not necessary to do so, and the production efficiency is improved. By using an amorphous semiconductor, an optical sensor array can be easily formed using a substrate made of a wide range of materials.

【0042】また、読み取り面上の同一点からの光が遮
光手段のピンホールの1つのみを通過するように、読み
取り面からの光を規制する規制手段を備えると、読み取
った画像の鮮明度が低下するおそれがない。
Further, when a regulating means for regulating light from the reading surface is provided so that light from the same point on the reading surface passes through only one of the pinholes of the light shielding means, the sharpness of the read image can be improved. There is no danger of lowering.

【0043】外部からの光により読み取り面を照明する
構成では、小型で軽量なイメージセンサとなる。読み取
り面を照明する照明手段を備える構成では、読み取った
画像は、環境条件によらず常に明るいものとなる。
In a configuration in which the reading surface is illuminated with external light, a small and lightweight image sensor is obtained. In the configuration including the illumination unit that illuminates the reading surface, the read image is always bright regardless of environmental conditions.

【0044】光センサアレイの画素と遮光手段のピンホ
ールを2次元に配列し、照明手段として遮光手段と読み
取り面の間に複数の面発光素子を備えると、1度に広い
範囲を読み取ることが可能になって読み取り速度が向上
し、しかも、読み取った画像の全体が明るくなる。
If the pixels of the optical sensor array and the pinholes of the light shielding means are two-dimensionally arranged and a plurality of surface light emitting elements are provided between the light shielding means and the reading surface as illumination means, a wide range can be read at a time. As a result, the reading speed is improved, and the whole of the read image is brighter.

【0045】光センサアレイを増倍型とすると、照明手
段を備えない構成であっても、読み取った画像を明るく
することができる。また、読み取り周期を短縮すること
が可能になって、読み取り速度が向上する。
If the photosensor array is of a multiplication type, the read image can be brightened even if it has a configuration without illumination means. Further, the reading cycle can be shortened, and the reading speed is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 第1の実施形態のイメージセンサの構成を模
式的に示す正面断面図および側面断面図。
FIG. 1 is a front sectional view and a side sectional view schematically illustrating a configuration of an image sensor according to a first embodiment.

【図2】 第2の実施形態のイメージセンサの構成を模
式的に示す側面断面図。
FIG. 2 is a side cross-sectional view schematically illustrating a configuration of an image sensor according to a second embodiment.

【図3】 第3の実施形態のイメージセンサの構成を模
式的に示す正面断面図。
FIG. 3 is a front cross-sectional view schematically illustrating a configuration of an image sensor according to a third embodiment.

【図4】 第4の実施形態のイメージセンサの構成を模
式的に示す正面断面図および側面断面図。
FIG. 4 is a front cross-sectional view and a side cross-sectional view schematically illustrating a configuration of an image sensor according to a fourth embodiment.

【図5】 第4の実施形態のイメージセンサのピンホー
ルの視野を制限する基板の下面図。
FIG. 5 is a bottom view of a substrate that limits a visual field of a pinhole of the image sensor according to the fourth embodiment.

【図6】 第5の実施形態のイメージセンサの構成を模
式的に示す正面断面図。
FIG. 6 is a front cross-sectional view schematically illustrating a configuration of an image sensor according to a fifth embodiment.

【図7】 第6の実施形態のイメージセンサの構成を模
式的に示す正面断面図。
FIG. 7 is a front cross-sectional view schematically illustrating a configuration of an image sensor according to a sixth embodiment.

【図8】 各実施形態のイメージセンサの光センサアレ
イの構成例を模式的に示す断面図。
FIG. 8 is a cross-sectional view schematically illustrating a configuration example of an optical sensor array of the image sensor according to each embodiment.

【図9】 従来のイメージセンサの構成を模式的に示す
正面図および側面図。
FIG. 9 is a front view and a side view schematically showing a configuration of a conventional image sensor.

【図10】 従来の他のイメージセンサの構成を模式的
に示す正面図および側面図。
FIG. 10 is a front view and a side view schematically showing a configuration of another conventional image sensor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、2、3 イメージセンサ 11 光センサアレイ 11a 画素 12 透明基板 13 遮光膜(遮光手段) 13a ピンホール 14 透明基板 15 遮光膜(規制手段) 16 電極 17 光電変換層 18 電極 20 不透明基板(規制手段) 20a 開口 21 光源(照明手段) 4、5、6 イメージセンサ 31 光センサアレイ 31a 画素 32 透明基板 33 遮光膜(遮光手段) 33a ピンホール 34 透明基板 35 遮光膜(規制手段) 40 不透明基板(規制手段) 40a 開口 41 発光素子(照明手段) 42 光源(照明手段) 43 導光板(照明手段) 1, 2, 3 Image sensor 11 Optical sensor array 11a Pixel 12 Transparent substrate 13 Light-shielding film (light-shielding means) 13a Pinhole 14 Transparent substrate 15 Light-shielding film (restriction means) 16 Electrode 17 Photoelectric conversion layer 18 Electrode 20 Opaque substrate (restriction means) 20a opening 21 light source (illuminating means) 4, 5, 6 image sensor 31 optical sensor array 31a pixel 32 transparent substrate 33 light shielding film (light shielding means) 33a pinhole 34 transparent substrate 35 light shielding film (restriction means) 40 opaque substrate (restriction) Means) 40a opening 41 light emitting element (illuminating means) 42 light source (illuminating means) 43 light guide plate (illuminating means)

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 原稿画像を光センサアレイによって読み
取るイメージセンサであって、原稿画像を位置させる読
み取り面に前記光センサアレイを接近して配置したもの
において、 前記光センサアレイの複数の画素に対して1つの割合で
形成された複数のピンホールを有する薄膜状の遮光手段
を、前記光センサアレイと前記読み取り面との間に備
え、前記読み取り面からの光を前記遮光手段のピンホー
ルを通過させて前記光センサアレイの画素に導くことを
特徴とするイメージセンサ。
1. An image sensor for reading an original image by an optical sensor array, wherein the optical sensor array is arranged close to a reading surface on which the original image is located. A light-shielding means in the form of a thin film having a plurality of pinholes formed at one ratio between the optical sensor array and the reading surface, and passing light from the reading surface through the pinholes of the light-shielding means. And directing the light to pixels of the optical sensor array.
【請求項2】 前記光センサアレイはアモルファス半導
体によって透明な基板の上面に形成されており、前記遮
光手段は前記基板の下面に形成されていることを特徴と
する請求項1に記載のイメージセンサ。
2. The image sensor according to claim 1, wherein the optical sensor array is formed on an upper surface of a transparent substrate by an amorphous semiconductor, and the light shielding unit is formed on a lower surface of the substrate. .
【請求項3】 前記読み取り面上の同一点からの光が前
記遮光手段のピンホールの1つのみを通過するように、
前記読み取り面からの光を規制する規制手段を備えるこ
とを特徴とする請求項1または請求項2に記載のイメー
ジセンサ。
3. The method according to claim 1, wherein light from the same point on the reading surface passes through only one of the pinholes of the light shielding means.
The image sensor according to claim 1, further comprising a regulation unit that regulates light from the reading surface.
【請求項4】 外部からの光により前記読み取り面を照
明することを特徴とする請求項1または請求項2に記載
のイメージセンサ。
4. The image sensor according to claim 1, wherein the reading surface is illuminated by external light.
【請求項5】 前記読み取り面を照明する照明手段を備
えることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の
イメージセンサ。
5. The image sensor according to claim 1, further comprising illumination means for illuminating the reading surface.
【請求項6】 前記光センサアレイの画素および前記遮
光手段のピンホールは2次元に配列されており、前記照
明手段として前記遮光手段と前記読み取り面の間に複数
の面発光素子を備えることを特徴とする請求項5に記載
のイメージセンサ。
6. The pixel of the optical sensor array and the pinholes of the light shielding unit are two-dimensionally arranged, and a plurality of surface light emitting elements are provided as the illumination unit between the light shielding unit and the reading surface. The image sensor according to claim 5, wherein:
【請求項7】 前記光センサアレイは受けた光によって
生じる電荷を増倍させる増倍型の光センサアレイである
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のイメ
ージセンサ。
7. The image sensor according to claim 1, wherein the photosensor array is a multiplication type photosensor array that multiplies electric charges generated by received light.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018506806A (en) * 2015-03-25 2018-03-08 アップル インコーポレイテッド Electronic device comprising a pinhole array mask above an optical image sensor and associated method
US10282582B2 (en) 2015-09-30 2019-05-07 Apple Inc. Finger biometric sensor for generating three dimensional fingerprint ridge data and related methods
US10885299B2 (en) 2016-05-23 2021-01-05 Apple Inc. Electronic device including pin hole array mask above optical image sensor and laterally adjacent light source and related methods
US11239275B2 (en) 2016-05-23 2022-02-01 Apple Inc. Electronic device including processing circuitry for sensing images from spaced apart sub-arrays and related methods

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018506806A (en) * 2015-03-25 2018-03-08 アップル インコーポレイテッド Electronic device comprising a pinhole array mask above an optical image sensor and associated method
US10360431B2 (en) 2015-03-25 2019-07-23 Apple Inc. Electronic device including pin hole array mask above optical image sensor and related methods
US10282582B2 (en) 2015-09-30 2019-05-07 Apple Inc. Finger biometric sensor for generating three dimensional fingerprint ridge data and related methods
US10885299B2 (en) 2016-05-23 2021-01-05 Apple Inc. Electronic device including pin hole array mask above optical image sensor and laterally adjacent light source and related methods
US11239275B2 (en) 2016-05-23 2022-02-01 Apple Inc. Electronic device including processing circuitry for sensing images from spaced apart sub-arrays and related methods

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