JP2000346618A - Method and apparatus for precise alignment for rectangular beam - Google Patents

Method and apparatus for precise alignment for rectangular beam

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JP2000346618A
JP2000346618A JP16135099A JP16135099A JP2000346618A JP 2000346618 A JP2000346618 A JP 2000346618A JP 16135099 A JP16135099 A JP 16135099A JP 16135099 A JP16135099 A JP 16135099A JP 2000346618 A JP2000346618 A JP 2000346618A
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mark
magnification
image
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work
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JP16135099A
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Japanese (ja)
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Yasumasa Suga
恭正 菅
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Sumitomo Heavy Industries Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a position measuring apparatus capable of simply retrieving a position measuring mark and measuring an accurate position. SOLUTION: A position measuring apparatus has a coaxial type binocular two-magnification projection optical system 60 for focusing an alignment mark on a work W, first and second photographing units 71, 72 for converting a low one-magnification image and a high two-magnification image projected by the system 60 into image signals, and an image processor 80 for suitably signal processing the image signals output from the units 71, 72. First, the work W is conveyed to a stage 30, a large global mark is searched and aligned by the unit 71, and a fine mark disposed at a center of the global mark is guided to an image filed of the unit 72. Thus, the work W can be accurately measured only by moving the work W in the case of the searching and aligning, and the position of the work W can be rapidly measured.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術の分野】本発明は、半導体薄膜の製
造に用いられるレーザアニール装置等に適用され、測定
対象物である被加工体をアライメントする等の目的でそ
の測定対象物の位置を計測する位置計測装置及び方法に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is applied to a laser annealing apparatus or the like used for manufacturing a semiconductor thin film, and measures the position of an object to be measured for the purpose of aligning the object to be processed. The present invention relates to an apparatus and a method for position measurement.

【0002】[0002]

【従来の技術】レーザアニール装置では、ガラス基板上
に形成したアモルファス状の半導体薄膜をレーザで加熱
して結晶化する。このようなレーザアニール装置におい
て、レーザのライン状のビームやスポット状のビームを
ガラス基板上で走査する必要が生じる場合がある。この
ような走査に際しては、位置計測装置を利用してステー
ジ上に載置したガラス基板を高精度で位置検出してアラ
イメントする必要が生じることがある。
2. Description of the Related Art In a laser annealing apparatus, an amorphous semiconductor thin film formed on a glass substrate is crystallized by heating with a laser. In such a laser annealing apparatus, it may be necessary to scan a laser linear beam or spot beam on a glass substrate. At the time of such scanning, it may be necessary to detect the position of the glass substrate placed on the stage with high accuracy using a position measuring device and perform alignment.

【0003】従来の位置計測装置では、ガラス基板等の
ワークの位置計測を正確かつ迅速に行うため、ワークの
表面に形成した位置決めマークをCCDカメラで読み取
り、読み取った画像データに必要な画像処理を施して位
置検出信号を得ている。
In a conventional position measuring device, in order to accurately and quickly measure the position of a work such as a glass substrate, a positioning mark formed on the surface of the work is read by a CCD camera, and necessary image processing is performed on the read image data. To obtain a position detection signal.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
画像処理を行う場合、ワーク上の位置決めマークを予め
CCDカメラの画界中に入れる作業が必要である。特に
高精度の位置決めが要求される場合、位置決めマークも
小さくなり、位置決めマークをCCDカメラの画界中に
入れる作業が極めて困難となる。具体的には、ワーク上
の位置決めマークを画界中に入れるための探索作業が必
要となり、位置決めマークが存在する可能性がある全領
域に亘ってステージを移動させ、画界中に位置決めマー
クが存在するか否かを確認する必要があり、位置計測が
極めて時間を要するものとなっている。
However, when performing the above-described image processing, it is necessary to insert a positioning mark on the work into the field of view of the CCD camera in advance. In particular, when high-precision positioning is required, the positioning mark becomes small, and it is extremely difficult to insert the positioning mark into the field of view of the CCD camera. Specifically, it is necessary to perform a search operation to put the positioning mark on the workpiece into the field of view, move the stage over the entire area where the positioning mark may exist, and move the stage to the position of the positioning mark in the field of view. It is necessary to confirm whether or not it exists, and the position measurement is extremely time-consuming.

【0005】そこで、本発明は、位置決めマーク等の位
置計測用のマークの探索が簡易で、かつ、正確な位置計
測が可能な位置計測装置及び方法を提供することを目的
とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a position measuring device and a method which can easily search for a mark for position measurement such as a positioning mark and perform accurate position measurement.

【0006】[0006]

【課題を解決するため手段】上記課題を解決するため、
本発明に係る位置計測装置は、測定対象物を載置するス
テージと、同一の光軸を有するとともに、ステージ上の
測定対象物の像を所定の第1倍率とこの第1倍率より大
きな第2倍率とで個別に投影する2眼2倍率の投影光学
系とを備える。
In order to solve the above-mentioned problems,
The position measuring device according to the present invention has the same optical axis as the stage on which the object to be measured is mounted, and converts the image of the object to be measured on the stage to a predetermined first magnification and a second magnification larger than the first magnification. And a two-lens, two-magnification projection optical system that individually projects at different magnifications.

【0007】上記位置計測装置では、同一の光軸を有す
るとともに、ステージ上の測定対象物の像を第1倍率と
これより高い第2倍率とで個別に投影する投影光学系を
備えるので、所定の第1マークとこの第1マークより小
さい第2マークとを表面の所定位置に付した測定対象物
をステージ上に載置するならば、第1マークの像を第1
倍率で撮影し、両マークの相対位置に相当する量だけ投
影光学系をステージに対して相対的に移動させることに
より、第2マークを投影光学系の第2倍率の視野中に配
置することができる。つまり、第1マークを第1倍率で
撮影した結果を利用することによって第2マークのサー
チアライメントが可能になり、このサーチアライメント
によって第2倍率の視野中に配置された第2マークを利
用して精密な位置計測が可能になる。これにより、位置
計測用のマークの探索が簡易となり、正確な位置計測が
可能となる。なお、第2マークの中心を第1マークの中
心と一致させた場合、第1マークの像を第1倍率で撮影
し、撮影された第1倍率の像を視野の中心に移動させる
ように投影光学系をステージに対して相対的に移動させ
るだけで、第2マークを投影光学系の第2倍率の視野中
に簡易に配置することができる。この際、2眼2倍率の
投影光学系としては、第1倍率の視野の中心部をこれよ
り高倍率の第2倍率で拡大観察できるものである限り、
各種の同軸光学系を使用するとこができる。
The position measuring device has a projection optical system having the same optical axis and individually projecting an image of the object to be measured on the stage at a first magnification and a second magnification higher than the first magnification. If the object to be measured having the first mark and the second mark smaller than the first mark at predetermined positions on the surface is placed on the stage, the image of the first mark is changed to the first mark.
By photographing at a magnification and moving the projection optical system relative to the stage by an amount corresponding to the relative position of both marks, the second mark can be arranged in the field of view of the projection optical system at the second magnification. it can. That is, the search alignment of the second mark can be performed by using the result of photographing the first mark at the first magnification, and the search alignment is performed by using the second mark arranged in the field of view of the second magnification. Precise position measurement becomes possible. Thereby, the search for the position measurement mark is simplified, and accurate position measurement is possible. When the center of the second mark coincides with the center of the first mark, an image of the first mark is photographed at the first magnification, and the photographed image of the first magnification is projected to be moved to the center of the visual field. By simply moving the optical system relatively to the stage, the second mark can be easily arranged in the field of view of the projection optical system at the second magnification. At this time, as long as the projection optical system of the two-lens two-magnification system can observe the center of the field of view at the first magnification at a higher magnification at the second magnification,
This can be achieved by using various coaxial optics.

【0008】ここで、第1及び第2倍率は、要求される
計測精度に応じて適宜設定することができる。サーチア
ライメントの迅速という観点からは、視野を大きくとる
ことすなわち第1倍率を小さくすることが望ましい。し
かしながら、画像処理によって位置計測を行う場合、精
度確保の観点から第2倍率には通常下限値があるので、
第1倍率を必要以上に小さくすると、倍率差が大きくな
り、第1倍率でサーチアライメントを行って第2マーク
を第2倍率の視野中に配置することが困難となる。ま
た、第1及び第2マークのサイズは、それぞれ第1及び
第2倍率の視野範囲内に収まるものである必要がある。
特に、第1マークのサイズは、第1倍率の視野範囲内に
おいて観察しやすいものとするため、測定対象物のステ
ージ上への載置精度にも依存するが、第1倍率の視野範
囲より十分小さいものとすることが好ましい。さらに、
第2マークのサイズは、サーチアライメントの精度を考
慮して設定する必要がある。すなわち、サーチアライメ
ントの誤差によって第2マークが第2倍率の視野の中心
からずれた位置に配置される場合であっても、第2倍率
の視野が第2マークに比較して十分大きければ第2倍率
で第2マークを常に捕らえることができるようになり、
目的とする精密な計測を確実に実行できるようになる。
Here, the first and second magnifications can be set appropriately according to the required measurement accuracy. From the viewpoint of quick search alignment, it is desirable to increase the field of view, that is, to reduce the first magnification. However, when performing position measurement by image processing, since the second magnification usually has a lower limit value from the viewpoint of ensuring accuracy,
If the first magnification is made smaller than necessary, the magnification difference becomes large, and it becomes difficult to perform search alignment at the first magnification and arrange the second mark in the field of view of the second magnification. Further, the sizes of the first and second marks need to be within the visual field ranges of the first and second magnifications, respectively.
In particular, the size of the first mark depends on the accuracy of placing the measurement target on the stage in order to make it easy to observe in the field of view of the first magnification. Preferably, it is small. further,
The size of the second mark needs to be set in consideration of the accuracy of the search alignment. In other words, even when the second mark is arranged at a position deviated from the center of the field of view of the second magnification due to an error in the search alignment, if the field of view of the second magnification is sufficiently larger than the second mark, the second mark is obtained. You can always catch the second mark with the magnification,
The intended precise measurement can be reliably performed.

【0009】また、上記位置計測装置の好ましい態様で
は、ステージを投影光学系に対して相対的に移動させる
駆動手段と、投影光学系によって投影された第1倍率の
像を画像信号に変換する第1撮像装置と、投影光学系に
よって投影された第2倍率の像を画像信号に変換する第
2撮像装置と、第1撮像装置から出力される第1倍率の
像についての画像信号に基づいて駆動手段を動作させ
て、第2倍率の像を第2撮像装置の画界中に導く制御手
段とをさらに備える。
In a preferred aspect of the position measuring device, a driving means for moving the stage relatively to the projection optical system, and a driving means for converting an image of the first magnification projected by the projection optical system into an image signal. (1) an imaging device, a second imaging device that converts an image of the second magnification projected by the projection optical system into an image signal, and driving based on an image signal of the first magnification image output from the first imaging device Control means for operating the means to guide the image at the second magnification into the field of view of the second imaging device.

【0010】上記位置計測装置では、制御手段が、第1
撮像装置から出力される第1倍率の像についての画像信
号に基づいて駆動手段を動作させて、第2倍率の像を第
2撮像装置の画界中に導くので、位置計測自動化、迅速
化、高精度化することができる。
In the above position measuring device, the control means includes a
The driving unit is operated based on the image signal of the first magnification image output from the imaging device to guide the image of the second magnification into the field of the second imaging device. High accuracy can be achieved.

【0011】なお、上記位置計測装置は、レーザアニー
ル装置に組み込んで好適である。レーザアニール装置
は、ガラス基板上に形成したアモルファス状の半導体薄
膜を加熱するレーザ光を発生する光源と、このレーザ光
をライン状或いはスポット状にして基板上に導く照射光
学系とを備える。そして、駆動手段は、測定対象物であ
るガラス基板を載置したステージを投影光学系や照射光
学系に対して相対的に移動させるものとする。この場
合、位置計測装置によって、照射光学系に対してガラス
基板を精密にアライメントできるので、レーザアニール
の工程制御がより精密となり、高品質の半導体薄膜を得
ることができる。
It is preferable that the position measuring device is incorporated in a laser annealing device. The laser annealing apparatus includes a light source that generates laser light for heating an amorphous semiconductor thin film formed on a glass substrate, and an irradiation optical system that guides the laser light to the substrate in a line or spot shape. Then, the driving unit moves the stage on which the glass substrate as the measurement target is mounted relative to the projection optical system and the irradiation optical system. In this case, since the glass substrate can be precisely aligned with the irradiation optical system by the position measuring device, the process control of the laser annealing becomes more precise, and a high-quality semiconductor thin film can be obtained.

【0012】また、本発明に係る位置計測方法は、所定
の第1マークとこの第1マークより小さい第2マークと
を表面の所定位置に付した測定対象物をステージ上に載
置する工程と、同一の光軸を有するとともにステージ上
の測定対象物の像を所定の第1倍率とこの第1倍率より
大きな第2倍率とで個別に投影可能な2眼2倍率の投影
光学系により、第1マークの像を第1倍率で撮影する工
程と、投影光学系によって撮影された第1倍率の像に基
づいて投影光学系をステージに対して相対的に移動させ
ることにより、第2マークを投影光学系の第2倍率の視
野中に配置する工程とを備える。
In addition, the position measuring method according to the present invention includes a step of placing an object to be measured having a predetermined first mark and a second mark smaller than the first mark at a predetermined position on the surface on a stage. A two-lens, two-magnification projection optical system having the same optical axis and capable of individually projecting an image of the measurement object on the stage at a predetermined first magnification and a second magnification larger than the first magnification. Projecting an image of one mark at a first magnification and projecting a second mark by moving the projection optical system relative to a stage based on the image of the first magnification photographed by the projection optical system; Disposing the optical system in the field of view of the second magnification of the optical system.

【0013】上記位置計測方法では、投影光学系によっ
て撮影された第1マークの第1倍率の像に基づいて投影
光学系をステージに対して相対的に移動させることによ
り、第2マークを投影光学系の第2倍率の視野中に配置
するので、位置計測用の第2マークを迅速に第2倍率の
視野中に収めることができ、この第2マーク利用した精
密な計測が可能になる。つまり、位置計測マークの探索
が簡易となり、正確な位置計測が可能となる。
In the above position measuring method, the second mark is projected by moving the projection optical system relative to the stage based on the image of the first mark of the first magnification photographed by the projection optical system. Since it is arranged in the field of view of the second magnification of the system, the second mark for position measurement can be quickly contained in the field of view of the second magnification, and precise measurement using the second mark can be performed. That is, the search for the position measurement mark is simplified, and accurate position measurement is possible.

【0014】なお、第2マークの中心が第1マークの中
心と一致する場合、第2マークを投影光学系の第2倍率
の視野中に配置するサーチアライメントが迅速となり、
効率的な位置計測が可能となる。
When the center of the second mark coincides with the center of the first mark, the search alignment for arranging the second mark in the field of view of the projection optical system at the second magnification becomes rapid.
Efficient position measurement becomes possible.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】〔第1実施形態〕以下、本発明に
係る第1実施形態の位置計測装置及び方法について、図
面を参照しつつ具体的に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [First Embodiment] Hereinafter, a position measuring apparatus and method according to a first embodiment of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

【0016】図1は、実施形態の位置計測装置を組み込
んだレーザアニール装置の構造を概念的に説明する図で
ある。レーザアニール装置は、ガラス板であるワークW
上に形成したアモルファス状Si等の半導体薄膜を加熱
するためのエキシマレーザその他のレーザ光ALを発生
するレーザ光源10と、このレーザ光ALをライン状或
いはスポット状にして所定の照度でワークW上に入射さ
せる照射光学系20と、ワークWを載置してX−Y面内
で滑らかに移動可能であるとともにZ軸の回りに回転可
能なステージ30と、ワークWを載置したステージ30
を照射光学系20等に対して必要量だけ移動させる駆動
手段であるステージ駆動装置40とを備える。なお、照
射光学系20は、例えば入射したレーザ光ALを均一な
分布とするホモジナイザ20aと、ホモジナイザ20a
を経たレーザ光ALを所定のビーム形状に絞るスリット
を有するマスク20bと、マスク20bのスリット像を
ワークW上に縮小投影する投影レンズ20cとからなる
ものとすることができる。
FIG. 1 is a diagram conceptually illustrating the structure of a laser annealing device incorporating the position measuring device of the embodiment. The laser annealing apparatus is a work W which is a glass plate.
A laser light source 10 for generating an excimer laser or other laser light AL for heating a semiconductor thin film of amorphous Si or the like formed thereon, and forming the laser light AL in a line or spot shape on the work W at a predetermined illuminance. Irradiating optical system 20, a stage 30 on which a work W is placed and which can be smoothly moved in the XY plane and rotatable around the Z axis, and a stage 30 on which the work W is placed
And a stage driving device 40, which is a driving means for moving the laser beam by a required amount with respect to the irradiation optical system 20 and the like. The irradiation optical system 20 includes, for example, a homogenizer 20a that makes the incident laser beam AL a uniform distribution, and a homogenizer 20a.
And a projection lens 20c for reducing and projecting the slit image of the mask 20b onto the workpiece W.

【0017】さらに、このレーザアニール装置は、位置
計測装置として、上記ステージ30及びステージ駆動装
置40のほか、ステージ30の移動量を光学的な情報や
電気的な情報として検出する移動量計測装置50と、ワ
ークW上のアライメントマークを一対の像として結像す
る同軸タイプで2眼2倍率の投影光学系60と、投影光
学系60によって投影された比較的低倍の第1倍率の像
を画像信号に変換する第1撮像装置71と、投影光学系
60によって投影された比較的高倍率の第2倍率の像を
画像信号に変換する第2撮像装置72と、第1及び第2
撮像装置71、72から出力された画像信号に適当な信
号処理を施す画像処理装置80と、ワークW表面を照明
するため投影光学系60に照明光を供給する照明用ラン
プ65とを備える。なお、主制御装置85は、この位置
計測装置のみならず、レーザアニール装置の各部の動作
を統括的に制御する。
Further, this laser annealing apparatus is a position measuring device, in addition to the stage 30 and the stage driving device 40, a moving amount measuring device 50 for detecting the moving amount of the stage 30 as optical information or electric information. A projection optical system 60 of a two-lens, two-magnification type that forms an alignment mark on the work W as a pair of images, and a relatively low magnification first magnification image projected by the projection optical system 60. A first imaging device 71 for converting the image into a signal, a second imaging device 72 for converting an image of the second magnification having a relatively high magnification projected by the projection optical system 60 into an image signal, and a first and a second imaging device.
An image processing device 80 that performs appropriate signal processing on image signals output from the imaging devices 71 and 72 and an illumination lamp 65 that supplies illumination light to the projection optical system 60 for illuminating the surface of the work W are provided. The main controller 85 controls not only the position measuring device but also the operation of each part of the laser annealing device.

【0018】投影光学系60についてより詳細に説明す
る。この投影光学系60は、既に述べたように同軸タイ
プの2眼2倍率の光学系であり、ステージ30上のワー
クWの像を比較的低倍率の第1倍率で第1撮像装置71
上に投影する第1レンズ系61a、61bと、これを比
較的高倍の第2倍率で第2撮像装置72上に投影する第
2レンズ系62a、62bと、ワークWからの像光IL
を分割して第1レンズ系61a、61b及び第2レンズ
系62a、62bに導くハーフミラー63と、レーザ光
源10と異なる波長の照明光を発生する照明用ランプ6
5からの照明光をケーブル66を介して第2撮像装置7
2の光軸上に導く落射照明系67とを備える。
The projection optical system 60 will be described in more detail. The projection optical system 60 is a coaxial type two-lens two-magnification optical system as described above, and converts the image of the work W on the stage 30 to a first imaging device 71 at a relatively low first magnification.
First lens systems 61a and 61b projecting upward, second lens systems 62a and 62b projecting the first lens systems 61a and 61b onto the second imaging device 72 at a relatively high second magnification, and image light IL from the work W
A half mirror 63 that divides the laser light into first lens systems 61a and 61b and second lens systems 62a and 62b, and an illumination lamp 6 that generates illumination light having a wavelength different from that of the laser light source 10.
Illumination light from the second imaging device 7 via the cable 66
And an epi-illumination system 67 for guiding the light onto the second optical axis.

【0019】ここで、第1レンズ系61a、61bと、
第2レンズ系62a、62bとは、光軸を共有する同軸
光学系となっている。つまり、第1レンズ系61a、6
1bの光軸に沿ってワークWから出射した像光ILは、
ハーフミラー63で反射された場合には第1撮像装置7
1の画界の中心に入射するとともに、ハーフミラー63
を透過した場合には第2レンズ系62a、62bの光軸
に沿って第2撮像装置72の画界の中心に入射する。ま
た、落射照明系67も、第2レンズ系62a、62bと
同軸に配置されており、第1及び第2撮像装置71、7
2の画界に対応するワークW上の領域が一様に照明され
る。
Here, first lens systems 61a and 61b,
The second lens systems 62a and 62b are coaxial optical systems sharing an optical axis. That is, the first lens systems 61a, 61
The image light IL emitted from the work W along the optical axis 1b is
When the light is reflected by the half mirror 63, the first imaging device 7
1 and enters the center of the
Is transmitted to the center of the field of view of the second imaging device 72 along the optical axes of the second lens systems 62a and 62b. The epi-illumination system 67 is also coaxially arranged with the second lens systems 62a and 62b, and the first and second imaging devices 71 and 7
A region on the workpiece W corresponding to the second field is uniformly illuminated.

【0020】なお、第1撮像装置71は、固体撮像素子
であるCCD素子からなり、レンズ61bと併せてCC
Dカメラ73を構成する。このCCDカメラ73は、レ
ンズ61aを収容する鏡筒75の一端に固定されてい
る。一方、第2撮像装置72も、CCD素子からなり、
レンズ62bと併せてCCDカメラ74を構成する。こ
のCCDカメラ74は、レンズ61aを収容する鏡筒7
6の一端に固定されている。両鏡筒76の他端は、ハー
フミラー63を収納するケースに固定されている。
The first imaging device 71 is composed of a CCD which is a solid-state imaging device.
The D camera 73 is configured. The CCD camera 73 is fixed to one end of a lens barrel 75 that houses the lens 61a. On the other hand, the second imaging device 72 also includes a CCD element,
A CCD camera 74 is configured together with the lens 62b. The CCD camera 74 includes a lens barrel 7 containing a lens 61a.
6 is fixed to one end. The other ends of both barrels 76 are fixed to a case that houses half mirror 63.

【0021】図2は、ステージ30に載置されるワーク
Wの表面に形成されるアライメントマークの配置の一例
を示す図である。図示のアライメントマークM1、M2
は、ともに明暗2値の十字パターンを大小組み合わせた
2重パターンである。
FIG. 2 is a diagram showing an example of the arrangement of alignment marks formed on the surface of the work W placed on the stage 30. Alignment marks M1, M2 shown
Are double patterns in which light and dark binary cross patterns are combined in magnitude.

【0022】第1アライメントマークM1は、ワークW
の4隅の一箇所に形成されており、第2アライメントマ
ークM2は、ワークWの4隅の他の箇所に形成されてい
る。このように、第1及び第2アライメントマークM
1、M2をワークW上の2箇所に形成しているのは、ワー
クWの位置だけでなくワークWの回転も検出するためで
ある。つまり、第1及び第2アライメントマークM1、
M2の位置計測により、ワークW上の2つの基準点の座
標が分かることになり、ワークWの姿勢を修正した上で
ワークWを適正な位置に移動させるアライメントが可能
になる。
The first alignment mark M1 indicates that the workpiece W
Are formed at one of the four corners of the work W, and the second alignment mark M2 is formed at the other of the four corners of the work W. Thus, the first and second alignment marks M
1. The reason why M2 is formed at two places on the work W is to detect not only the position of the work W but also the rotation of the work W. That is, the first and second alignment marks M1,
By measuring the position of M2, the coordinates of the two reference points on the work W can be known, so that the alignment of moving the work W to an appropriate position after correcting the posture of the work W becomes possible.

【0023】図3は、図2のアライメントマークの形状
を説明する拡大図である。図3(a)は、背景が暗い場
合におけるアライメントマークの一例を示し、図3
(b)は、背景が明るい場合におけるアライメントマー
クの他の例を示す。図3(a)のアライメントマークの
場合、第1マークである白十字のグローバルマークM11
の中心に対称中心を一致させてグローバルマークM11よ
りもサイズが小さい第2マークである黒十字のファイン
マークM12を配置する。また、図3(b)のアライメン
トマークの場合、第1マークである黒十字のグローバル
マークM11’の中心に対称中心を一致させてグローバル
マークM11’よりもサイズが小さい第2マークである白
十字のファインマークM12’を配置している。
FIG. 3 is an enlarged view for explaining the shape of the alignment mark of FIG. FIG. 3A shows an example of an alignment mark when the background is dark, and FIG.
(B) shows another example of the alignment mark when the background is bright. In the case of the alignment mark shown in FIG. 3A, a white mark global mark M11 which is the first mark.
The black mark fine mark M12, which is the second mark smaller in size than the global mark M11, is arranged so that the center of symmetry coincides with the center of the mark. In the case of the alignment mark shown in FIG. 3B, the center of symmetry coincides with the center of the black mark global mark M11 'as the first mark, and the white mark as the second mark smaller in size than the global mark M11'. Are arranged.

【0024】図4は、図3(a)のアライメントマーク
を利用した位置検出を説明する図である。図4(a)
は、図3(a)のアライメントマークの画像を示したも
ので、図4(b)は、図3(a)のアライメントマーク
のY方向の積算光量をX座標の関数として示すグラフで
ある。この積算光量は、アライメントマークの画像を画
像処理装置80で画像処理することによって得られる。
すなわち、アライメントマークの像は第1撮像装置71
に投影されるが、第1撮像装置71の画像信号の出力は
画素単位のデータであるので、画像処理装置80でこれ
らの画像信号を各X座標ごとにY方向に全て加算するこ
とにより、図4(b)のような分布が得られる。グラフ
から明らかなように、グローバルマークM11の白十字の
縦棒に対応する部分でピークが現れる。この分布を適当
な閾値THで処理すると、グローバルマークM11のY方
向に延びる一対のエッジに対応する一対のX座標(X1,
X2)が得られ、これら一対のX座標(X1,X2)を平均
すれば、グローバルマークM11の中心のX座標を決定す
ることができる。
FIG. 4 is a view for explaining position detection using the alignment marks shown in FIG. FIG. 4 (a)
3A shows an image of the alignment mark of FIG. 3A, and FIG. 4B is a graph showing the integrated light amount in the Y direction of the alignment mark of FIG. 3A as a function of the X coordinate. This integrated light amount is obtained by performing image processing on the image of the alignment mark by the image processing device 80.
That is, the image of the alignment mark is
However, since the output of the image signal of the first imaging device 71 is data on a pixel basis, the image processing device 80 adds all these image signals in the Y direction for each X coordinate, thereby A distribution as shown in FIG. 4 (b) is obtained. As is clear from the graph, a peak appears at a portion corresponding to the white cross vertical bar of the global mark M11. When this distribution is processed with an appropriate threshold value TH, a pair of X coordinates (X1, X1) corresponding to a pair of edges extending in the Y direction of the global mark M11.
X2) is obtained, and by averaging the pair of X coordinates (X1, X2), the X coordinate of the center of the global mark M11 can be determined.

【0025】以上は、グローバルマークM11のX座標を
決定する場合の説明であったが、このグローバルマーク
M11のY座標も同様である。すなわち、画像処理装置8
0において第1撮像装置71からの画像信号を各Y座標
ごとにX方向に加算することにより、図4(b)と同様
の分布が得られ、上記と同様の手順によってグローバル
マークM11の中心のY座標を決定することができる。
In the above description, the X coordinate of the global mark M11 is determined, but the same applies to the Y coordinate of the global mark M11. That is, the image processing device 8
At 0, by adding the image signal from the first imaging device 71 in the X direction for each Y coordinate, a distribution similar to that shown in FIG. 4B is obtained, and the center of the global mark M11 is obtained by the same procedure as described above. The Y coordinate can be determined.

【0026】以上のようにしてグローバルマークM11の
座標を決定してやれば、グローバルマークM11の中心に
配置されたファインマークM12を第2撮像装置72の画
界の中心にほぼ正確に移動させることができる。
When the coordinates of the global mark M11 are determined as described above, the fine mark M12 arranged at the center of the global mark M11 can be moved almost exactly to the center of the field of view of the second image pickup device 72. .

【0027】ファインマークM12を第2撮像装置72の
画界のほぼ中心に位置させることができれば、グローバ
ルマークM11に適用した上記位置検出方法をファインマ
ークM12の位置検出にも適用できる。よって、ファイン
マークM12についても、そのXY座標を正確に決定する
ことができる。この場合、第2撮像装置72は、拡大率
が大きく、より細かい画素単位でワークWの画像を検出
するので、より精密な位置検出が可能となる。
If the fine mark M12 can be positioned substantially at the center of the field of view of the second image pickup device 72, the above-described position detection method applied to the global mark M11 can be applied to the position detection of the fine mark M12. Therefore, the XY coordinates of the fine mark M12 can be accurately determined. In this case, the second imaging device 72 has a large enlargement ratio and detects an image of the work W in finer pixel units, so that more precise position detection is possible.

【0028】以下、本実施形態のレーザアニール装置の
動作について説明する。まず、レーザアニール装置のス
テージ30上にワークWを搬送して載置する。次に、ア
ニール用のレーザ光ALを導く照射光学系20に対して
ステージ30上のワークWをアライメントする。次に、
照射光学系20に対してステージ30を適宜移動させな
がら、レーザ光源10からのレーザ光ALをライン状或
いはスポット状にしてワークW上に入射させる。ワーク
W上には、アモルファスSi等の非晶質半導体の薄膜が
形成されており、レーザ光ALの照射によって半導体が
アニール、再結晶化され、電気的特性の優れた半導体薄
膜を提供することができる。
Hereinafter, the operation of the laser annealing apparatus of the present embodiment will be described. First, the work W is transported and placed on the stage 30 of the laser annealing apparatus. Next, the work W on the stage 30 is aligned with the irradiation optical system 20 that guides the annealing laser beam AL. next,
While appropriately moving the stage 30 with respect to the irradiation optical system 20, the laser light AL from the laser light source 10 is incident on the workpiece W in a line shape or a spot shape. On the work W, a thin film of an amorphous semiconductor such as amorphous Si is formed, and the semiconductor is annealed and recrystallized by irradiation with the laser beam AL to provide a semiconductor thin film having excellent electrical characteristics. it can.

【0029】照射光学系20に対してステージ30上の
ワークWをアライメントするに際しては、位置計測装置
を利用する。すなわち、ステージ30をステージ駆動装
置40によって適宜移動させて、第1アライメントマー
クM1、すなわちグローバルマークM11及びファインマ
ークM12を第1撮像装置71の画界内に導く(ステップ
S1)。ステージ30上のワークWの位置は一定の搬送
精度範囲(実施例では、0.5〜1mm)内に収まって
いるので、投影光学系60に対してステージ30を適宜
移動させて、第1レンズ系61a、61bの視野内、す
なわち第1撮像装置71の画界(実施例では、5mmサ
イズ)中に第1アライメントマークM1を移動させるこ
とができる。例えば、ワークW上の第1アライメントマ
ークM1の位置をデータとして予め入力し記憶しておけ
ば、第1アライメントマークM1の位置データに基づい
て、ステージ30を適宜移動させて、第1撮像装置71
の画界中に第1アライメントマークM1をほぼ確実に入
れることが保証される。
When aligning the work W on the stage 30 with respect to the irradiation optical system 20, a position measuring device is used. That is, the stage 30 is appropriately moved by the stage driving device 40, and the first alignment mark M1, that is, the global mark M11 and the fine mark M12 are guided into the field of the first imaging device 71 (step S1). Since the position of the work W on the stage 30 is within a certain range of the conveyance accuracy (in the embodiment, 0.5 to 1 mm), the stage 30 is appropriately moved with respect to the projection optical system 60, and the first lens The first alignment mark M1 can be moved within the field of view of the systems 61a and 61b, that is, within the field of view of the first imaging device 71 (5 mm size in the embodiment). For example, if the position of the first alignment mark M1 on the work W is previously input and stored as data, the stage 30 is appropriately moved based on the position data of the first alignment mark M1, and the first imaging device 71
It is assured that the first alignment mark M1 is almost certainly inserted into the field of view.

【0030】次に、第1アライメントマークM1のうち
まずグローバルマークM11について、画像処理装置80
において低倍率の第1撮像装置71からの画像信号を図
4に示した方法で処理することによりその位置を計測す
る(ステップS2)。なお、第1撮像装置71の画素と
ステージ30上の距離との間には精密な対応関係があ
り、第1撮像装置71の中心、すなわち第1レンズ系6
1a、61bの光軸からグローバルマークM11の中心ま
での距離のXY成分が精密に判定できる。
Next, among the first alignment marks M1, first, for the global mark M11, the image processing device 80
In, the position is measured by processing the image signal from the first imaging device 71 with a low magnification by the method shown in FIG. 4 (step S2). Note that there is a precise correspondence between the pixels of the first imaging device 71 and the distance on the stage 30, and the center of the first imaging device 71, ie, the first lens system 6
The XY components of the distance from the optical axes 1a and 61b to the center of the global mark M11 can be accurately determined.

【0031】次に、移動量計測装置50で移動量を計測
しながら、ステージ駆動装置40を駆動してステージ3
0をXY面内で移動させることにより、第1レンズ系6
1a、61bの光軸にグローバルマークM11の中心を一
致させる(ステップS3)。なお、移動量計測装置50
が計測する移動量は、ステップS2で求めた距離に対応
する。この際、グローバルマークM11による位置決め精
度は、実施例では〜10μm程度である。以上のような
サーチアライメントにより、グローバルマークM11の中
心に配置されたファインマークM12を高倍率の第2撮像
装置72の画界(実施例では、0.5mmサイズ)中に
確実に移動させることができる。
Next, while measuring the moving amount by the moving amount measuring device 50, the stage driving device 40 is driven to
0 in the XY plane, the first lens system 6
The center of the global mark M11 is made to coincide with the optical axes of 1a and 61b (step S3). In addition, the movement amount measuring device 50
Corresponds to the distance obtained in step S2. At this time, the positioning accuracy by the global mark M11 is about 10 μm in the embodiment. By the search alignment as described above, the fine mark M12 arranged at the center of the global mark M11 can be surely moved into the field of view (0.5 mm size in the embodiment) of the high-magnification second imaging device 72. it can.

【0032】次に、ファインマークM12について、画像
処理装置80において第2撮像装置72からの画像信号
を図4に示したと同様の方法で処理することによりその
位置を計測する(ステップS4)。なお、第2撮像装置
72の画素とステージ30上の距離との間には精密な対
応関係があり、第2撮像装置72の中心、すなわち第2
レンズ系62a、62bの光軸からファインマークM12
の中心までの距離が精密に判定できる。ファインマーク
M12による位置計測精度は、実施例では〜1μm程度で
ある。
Next, the position of the fine mark M12 is measured by processing the image signal from the second image pickup device 72 in the image processing device 80 in the same manner as shown in FIG. 4 (step S4). Note that there is a precise correspondence between the pixel of the second imaging device 72 and the distance on the stage 30, and the center of the second imaging device 72, ie, the second
From the optical axis of the lens systems 62a and 62b, the fine mark M12
The distance to the center of can be determined accurately. The position measurement accuracy of the fine mark M12 is about 1 μm in the embodiment.

【0033】ここで、ファインマークM12の位置を計測
している投影光学系60は、レーザアニール用の照射光
学系20に対して所定の位置関係にあり、この位置関係
は、予め計測され、或いは調整されている。したがっ
て、第2レンズ系62a、62bの光軸からファインマ
ークM12の中心までの距離を、上記位置関係に基づい
て、レーザアニール用の照射光学系20からファインマ
ークM12の中心までの距離に換算することができる(ス
テップS5)。以上により、第1アライメントマークM
1の精密な座標決定が可能になる。
Here, the projection optical system 60 for measuring the position of the fine mark M12 has a predetermined positional relationship with the irradiation optical system 20 for laser annealing, and this positional relationship is measured in advance or Has been adjusted. Therefore, the distance from the optical axis of the second lens system 62a, 62b to the center of the fine mark M12 is converted to the distance from the laser annealing irradiation optical system 20 to the center of the fine mark M12 based on the above positional relationship. (Step S5). Thus, the first alignment mark M
1 enables precise coordinate determination.

【0034】以上の計測(ステップS1〜S5)は、第
2アライメントマークM2についても同様に行われ、第
2アライメントマークM2についても精密な座標決定が
可能になる(ステップS6)。なお、実施例では、第2
撮像装置72の1画素を1μmとし、1μm程度の精度
で位置検出が行われた。
The above measurement (steps S1 to S5) is similarly performed for the second alignment mark M2, and precise coordinates can be determined for the second alignment mark M2 (step S6). In the embodiment, the second
One pixel of the imaging device 72 was set to 1 μm, and position detection was performed with an accuracy of about 1 μm.

【0035】次に、ステップS5、S6で得た第1及び
第2アライメントマークM1、M2の精密な座標測定結果
に基づいて、照射光学系20に対してワークWをアライ
メントする(ステップS7)。具体的には、照射光学系
20を基準とした第1及び第2アライメントマークM
1、M2のファインマークについての座標測定値に基づい
て、ワークWの位置と回転を求め、この結果からレーザ
アニールの開始に際して必要となる位置に必要な回転姿
勢でワークWを配置する。
Next, the work W is aligned with the irradiation optical system 20 based on the precise coordinate measurement results of the first and second alignment marks M1 and M2 obtained in steps S5 and S6 (step S7). Specifically, the first and second alignment marks M based on the irradiation optical system 20
1. The position and rotation of the work W are obtained based on the coordinate measurement values for the fine mark of M2, and the work W is arranged at the necessary position at the start of laser annealing based on the result and the required rotation posture.

【0036】次に、照射光学系20から照射されるレー
ザスポットやレーザライン等のレーザ光ALを、ステー
ジ駆動装置40及び移動量計測装置50を用いてワーク
W上で走査させながら、ワークW上のアモルファス薄膜
を再結晶化させ、ワークW上に多結晶薄膜を順次形成す
る。この際、移動量計測装置50で移動量を観測しなが
らステージ駆動装置40によってステージ30をX方向
又はY方向に移動させることで、レーザ光ALの走査が
可能になる。また、照射光学系20に走査機能を持たせ
ること、例えば照射光学系20内部のマスク20bを移
動させることによっても、レーザ光ALの走査が可能に
なる。
Next, a laser beam AL such as a laser spot or a laser line irradiated from the irradiation optical system 20 is scanned on the work W by using the stage driving device 40 and the movement amount measuring device 50. Is recrystallized to sequentially form a polycrystalline thin film on the work W. At this time, by scanning the stage 30 in the X direction or the Y direction by the stage driving device 40 while observing the movement amount with the movement amount measuring device 50, the scanning with the laser beam AL becomes possible. The scanning of the laser beam AL can also be performed by giving the irradiation optical system 20 a scanning function, for example, by moving a mask 20b inside the irradiation optical system 20.

【0037】以上説明した第1実施形態の位置計測方法
によれば、ワークWをステージ30上に搬送載置した後
において、グローバルマークM11を用いたサーチアライ
メントによるワークWの移動のみで高精度の位置計測が
可能になり、ワークWの位置計測が迅速なものとなる。
また、グローバルマークM11とファインマークM12の輪
郭を相似形としているので、両マークM11、M12を計測
する際の画像計測アルゴリズムをほぼ共通のものとでき
るので、演算処理等を簡素化することができる。
According to the position measuring method of the first embodiment described above, after the work W is conveyed and mounted on the stage 30, high precision can be obtained only by moving the work W by search alignment using the global mark M11. The position can be measured, and the position of the workpiece W can be quickly measured.
Further, since the outlines of the global mark M11 and the fine mark M12 are similar, the image measurement algorithm for measuring the marks M11 and M12 can be made substantially common, so that the arithmetic processing and the like can be simplified. .

【0038】〔第2実施形態〕以下、本発明に係る第2
実施形態の位置計測装置及び方法について、図面を参照
しつつ具体的に説明する。なお、第2実施形態は、第1
実施形態の変形例であり、位置計測装置の構造自体は第
1実施形態の装置と同じであるが、ワークの表面に形成
されるアライメントマークの形状や配置が第1実施形態
の装置と異なっている。このため位置計測のアルゴリズ
ムは、第1実施形態の場合と多少異なるものとなってい
る。
[Second Embodiment] Hereinafter, a second embodiment according to the present invention will be described.
The position measuring device and method according to the embodiment will be specifically described with reference to the drawings. In the second embodiment, the first
This is a modification of the embodiment, and the structure of the position measuring device itself is the same as the device of the first embodiment, but the shape and arrangement of the alignment marks formed on the surface of the workpiece are different from those of the device of the first embodiment. I have. For this reason, the position measurement algorithm is slightly different from that in the first embodiment.

【0039】図5は、ステージ30(図1参照)上に載
置されるワークWの表面に形成されるアライメントマー
クの配置を説明する斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view for explaining the arrangement of the alignment marks formed on the surface of the work W placed on the stage 30 (see FIG. 1).

【0040】第1及び第2グローバルマークM111、M2
11は、ワークWの4隅のいずれかにそれぞれ形成されて
いる。両グローバルマークM111、M211は、ワークX軸
について座標が等しく、ワークY軸について座標が異な
っている。一方、第1及び第2ファインマークM112、
M212は、ワークW上の加工領域PAの近傍にそれぞれ
配置されている。両ファインマークM112、M212は、ワ
ークX軸について座標が等しく、ワークY軸について座
標が異なっている。なお、加工領域PAは、投影レンズ
20cによってマスク20bのスリット像等を投影すべ
き領域であり、ワークW上に適当な間隔で配列されてい
る(図面では、2つのみ例示)。
First and second global marks M111, M2
Reference numerals 11 are formed at any of the four corners of the work W. The two global marks M111 and M211 have the same coordinates on the work X axis and different coordinates on the work Y axis. On the other hand, the first and second fine marks M112,
M212 are arranged near the processing area PA on the work W, respectively. The fine marks M112 and M212 have the same coordinates on the work X axis and different coordinates on the work Y axis. The processing area PA is an area where a slit image or the like of the mask 20b is to be projected by the projection lens 20c, and is arranged at an appropriate interval on the work W (only two are illustrated in the drawing).

【0041】第1及び第2グローバルマークM111、M2
11の位置計測により、ワークW周辺の2つの基準点の座
標が分かることになり、ワークWの姿勢を修正した上
で、第1及び第2ファインマークM112、M212のそれぞ
れを高倍率側の第2撮像装置72の画界に入れるサーチ
アライメント(グローバルアライメント)が可能にな
る。一方、第1及び第2ファインマークM112、M212の
位置計測により、これらに対応する加工領域PA周辺の
2つの基準点の精密な座標が分かるので、ワークWを適
宜移動させて、マスク20bのスリット像を加工領域P
A上に精密に投影することができる。
First and second global marks M111, M2
By the position measurement of 11, the coordinates of the two reference points around the work W can be known, and after correcting the posture of the work W, each of the first and second fine marks M112 and M212 is moved to the second position on the high magnification side. 2. Search alignment (global alignment) in the field of view of the two imaging devices 72 becomes possible. On the other hand, by measuring the positions of the first and second fine marks M112 and M212, the precise coordinates of the two reference points around the processing area PA corresponding thereto can be determined. Processing image P
A can be precisely projected on A.

【0042】図6は、図5のアライメントマークの形状
を説明する拡大図である。図6(a)は、暗い背景に白
十字を付したアライメントマークM111、M112の一例を
示し、図6(b)は、明るい背景に黒十字を付したアラ
イメントマークM111’、M112’の例を示す。なお、図
6(a)に示すような第1グローバルマークM111を利
用した位置検出では、画像処理装置80によりアライメ
ントマークのX方向及びY方向の積算光量を算出するこ
とによって図4(b)のような分布が得られ、第1グロ
ーバルマークM111の中心のX−Y座標を決定すること
ができる。同様手法で、第2グローバルマークM112の
中心のX−Y座標も決定することができる。さらに、第
1及び第2ファインマークM112、M212についても、サ
イズは異なるが、画像処理装置80で同様の処理を行う
ことによってX−Y座標を決定することができる。
FIG. 6 is an enlarged view for explaining the shape of the alignment mark of FIG. FIG. 6A shows an example of alignment marks M111 and M112 with a white cross on a dark background, and FIG. 6B shows an example of alignment marks M111 'and M112' with a black cross on a light background. Show. In the position detection using the first global mark M111 as shown in FIG. 6A, the integrated light amount in the X direction and the Y direction of the alignment mark is calculated by the image processing device 80, thereby obtaining the position shown in FIG. With such a distribution, the XY coordinates of the center of the first global mark M111 can be determined. In the same manner, the XY coordinates of the center of the second global mark M112 can be determined. Further, although the first and second fine marks M112 and M212 have different sizes, the XY coordinates can be determined by performing similar processing in the image processing device 80.

【0043】以下、本実施形態のレーザアニール装置の
アライメント動作等について説明する。まず、ステージ
30をステージ駆動装置40によって適宜移動させて、
第1グローバルマークM111を第1撮像装置71の画界
内に導く。そして、画像処理装置80において低倍率の
第1撮像装置71からの画像信号を処理することにより
第1グローバルマークM111の位置(X−Y座標)を計
測する。以上の計測は、第2グローバルマークM112に
ついても同様に行われ、第2グローバルマークM112に
ついても位置を計測する。
Hereinafter, the alignment operation and the like of the laser annealing apparatus of this embodiment will be described. First, the stage 30 is appropriately moved by the stage driving device 40,
The first global mark M111 is guided into the field of view of the first imaging device 71. Then, the position (X-Y coordinate) of the first global mark M111 is measured by processing the image signal of the low magnification from the first imaging device 71 in the image processing device 80. The above measurement is similarly performed for the second global mark M112, and the position is also measured for the second global mark M112.

【0044】次に、主制御装置85にて、第1及び第2
グローバルマークM111、M112の測定位置(座標値)に
基づいて、ワークWをステージ30上に載置した際の目
標値からの大体の位置ズレ量(ΔXg,ΔYg,Δθg)
を計算する。
Next, the main controller 85 controls the first and second
Based on the measurement positions (coordinate values) of the global marks M111 and M112, the approximate positional deviation amounts (ΔXg, ΔYg, Δθg) from the target values when the work W is mounted on the stage 30
Is calculated.

【0045】次に、移動量計測装置50で移動量を計測
しながら、ステージ駆動装置40を駆動してステージ3
0をXY面内で並進乃至回転移動させ、第1ファインマ
ークM112を第2撮像装置72の画界内に導く。この
際、第1ファインマークM112について予定された座標
値を上記のようにして得た位置ズレ量(ΔXg,ΔYg,
Δθg)に基づいて補正して実際の座標値に換算するの
で、第1ファインマークM112は高倍率の第2撮像装置
72の画界内に必ず入ることになる。そして、画像処理
装置80においてこの第2撮像装置72からの画像信号
を処理することにより第1ファインマークM112の精密
な位置を計測する。以上の計測は、第2ファインマーク
M212についても同様に行われ、第2ファインマークM2
12についても精密な位置を計測する。
Next, while measuring the movement amount by the movement amount measuring device 50, the stage driving device 40 is driven to
0 is translated or rotated in the XY plane to guide the first fine mark M112 into the field of view of the second imaging device 72. At this time, the coordinate values (ΔXg, ΔYg, ΔYg,
Since the correction is performed based on Δθg) and the coordinate value is converted into an actual coordinate value, the first fine mark M112 always enters the field of view of the second imaging device 72 with high magnification. Then, the image processing device 80 processes the image signal from the second imaging device 72 to measure the precise position of the first fine mark M112. The above measurement is similarly performed for the second fine mark M212, and the second fine mark M2
Measure the precise position for 12 as well.

【0046】次に、上記のようにして得た第1及び第2
ファインマークM112、M212の精密な座標測定結果に基
づいて、ワークWの位置と回転、すなわち位置ズレ量
(ΔXf,ΔYf,Δθf)を求め、この結果からレーザ
アニールの開始に際して必要となる位置に必要な回転姿
勢でワークWを精密に配置する。なお、ワークWのXY
軸上の基準位置(加工開始位置)は、例えばマスク20
bのXY軸上の対応する基準位置とアライメントされ、
ワークWの回転角θは、加工方向に対応するが、マスク
20bの回転角θとアライメントされる。
Next, the first and second samples obtained as described above are obtained.
Based on the precise coordinate measurement results of the fine marks M112 and M212, the position and rotation of the work W, that is, the amount of positional deviation (ΔXf, ΔYf, Δθf) are obtained. The work W is precisely arranged with a proper rotation posture. The XY of the work W
The reference position (processing start position) on the axis is, for example, the mask 20.
b is aligned with the corresponding reference position on the XY axes,
The rotation angle θ of the work W corresponds to the processing direction, but is aligned with the rotation angle θ of the mask 20b.

【0047】次に、照射光学系20から照射されるライ
ン状のレーザ光ALを、ステージ駆動装置40及び移動
量計測装置50を用いてワークW上の加工領域PA内で
走査させながら、ワークW上の加工領域PAのアモルフ
ァス薄膜を再結晶化させ、ワークW上に多結晶薄膜を順
次形成する。この際、移動量計測装置50で移動量を観
測しながらステージ駆動装置40によってステージ30
をX方向又はY方向に移動させることで、レーザ光AL
の走査が可能になる。さらに、1つの加工領域PAにお
けるレーザ光ALの走査が終了すると、ステージ30を
ステップ移動させて次の加工領域PAにおいてレーザ光
ALの走査を行う。ある加工領域PAから次の加工領域
PAに移動する際には、アライメントの精度を高めるた
め、このような次の加工領域PAの近傍に配置された第
1及び第2ファインマークM112、M212の精密な座標測
定を行って位置ズレ量(ΔXf,ΔYf,Δθf)を修正
することもできる。
Next, while scanning the linear laser light AL emitted from the irradiation optical system 20 within the processing area PA on the work W using the stage driving device 40 and the movement amount measuring device 50, the work W The amorphous thin film in the upper processing area PA is recrystallized, and a polycrystalline thin film is sequentially formed on the work W. At this time, while observing the movement amount with the movement amount measuring device 50, the stage driving device 40
Is moved in the X direction or the Y direction so that the laser beam AL
Can be scanned. Further, when the scanning of the laser beam AL in one processing area PA is completed, the stage 30 is moved stepwise to scan the laser beam AL in the next processing area PA. When moving from one processing area PA to the next processing area PA, the precision of the first and second fine marks M112 and M212 arranged near such a next processing area PA is improved in order to increase the alignment accuracy. It is also possible to correct the positional deviation amount (ΔXf, ΔYf, Δθf) by performing a proper coordinate measurement.

【0048】以上説明した第2実施形態の位置計測方法
によれば、低倍率のCCDカメラ73を利用して2箇所
に形成された大きなグローバルマークM111、M211を画
像計測して、ワークWの搬入時の位置ズレ量(△Xg,
△Yg,△θg)を求めて高倍率用マークの位置を補正
し、高倍率のCCDカメラ74を利用して2箇所に形成
された小さなファインマークM112、M212を画像計測し
て、微少な位置ズレ量(ΔXf,ΔYf,Δθf)を求め
て加工開始点位置及び加工方向を補正するので、より精
度よく、高速にアライメントを行うことができる。
According to the position measurement method of the second embodiment described above, the large global marks M111 and M211 formed at two locations are image-measured using the low-magnification CCD camera 73, and the work W is loaded. Displacement amount at the time (△ Xg,
ΔYg, Δθg), the position of the high-magnification mark is corrected, and small fine marks M112 and M212 formed at two locations are image-measured using the high-magnification CCD camera 74 to determine the minute position. Since the processing start point position and the processing direction are corrected by calculating the deviation amounts (ΔXf, ΔYf, Δθf), alignment can be performed more accurately and at high speed.

【0049】以上実施形態に即してこの発明を説明した
が、この発明は上記実施形態に限定されるものではな
い。グローバルマークM11、M111とファインマークM1
2、M112の輪郭は、十字に限られるものではなく、例え
ば大小一対の輪帯とすることができ、両者のサイズの比
も目的とする位置計測精度や画界の広さ等に応じて適宜
調節することができる。さらに、グローバルマークM1
1、M111とファインマークM12、M112の輪郭は、相似
形に限られるものではなく、例えばグローバルマークM
11、M111を輪帯とし、ファインマークM12、M112を十
字にするなど、各種のマーク形状を組み合わせることが
できる。さらに、グローバルマークM11、M111やファ
インマークM12、M112の明暗コントラストも、要求精
度やワークWの加工性、表面色等に応じて適宜設定でき
る。
Although the present invention has been described with reference to the embodiment, the present invention is not limited to the above embodiment. Global mark M11, M111 and fine mark M1
2. The contour of M112 is not limited to a cross, and may be, for example, a pair of large and small rings, and the size ratio between the two may be appropriately determined according to the target position measurement accuracy, the size of the field of view, and the like. Can be adjusted. Furthermore, the global mark M1
The contours of M1 and M111 and the fine marks M12 and M112 are not limited to similar shapes.
A variety of mark shapes can be combined, such as a ring zone for 11, 111 and a cross for fine marks M12, M112. Further, the contrast of the global marks M11, M111 and the fine marks M12, M112 can be appropriately set according to required accuracy, workability of the work W, surface color, and the like.

【0050】また、同軸タイプの2眼2倍率の投影光学
系60も、図1に示す構造のものに限定されず、低倍率
の像を第1撮像装置71に投影し、低倍率の像とほぼ中
心が一致し高倍率の像を第2撮像装置72に投影できる
光学系であれば、各種光学系を用いることができる。
The coaxial type two-lens, two-magnification projection optical system 60 is not limited to the structure shown in FIG. 1, but projects a low-magnification image onto the first image pickup device 71 to produce a low-magnification image. Various optical systems can be used as long as the centers are substantially the same and can project a high-magnification image onto the second imaging device 72.

【0051】また、上記の位置計測装置は、レーザ光A
Lを用いてワークW上の半導体層をアニーリングするも
のであったが、レーザ光源10や照射光学系20等の構
造を適宜変更すれば、半導体材料のアニールのみならず
各種材料の改質、切断、溶着等を可能にするパルスレー
ザ加工装置等とすることができる。
In addition, the above-mentioned position measuring device uses the laser light A
L is used to anneal the semiconductor layer on the work W. However, if the structures of the laser light source 10 and the irradiation optical system 20 are appropriately changed, not only the annealing of the semiconductor material but also the modification and cutting of various materials can be performed. , A pulse laser processing apparatus or the like that enables welding and the like.

【0052】[0052]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る位置計測装置によれば、同一の光軸を有するとと
もに、ステージ上の測定対象物の像を第1倍率と高倍の
第2倍率とで個別に投影する投影光学系を備えるので、
所定の第1マークとこの第1マークより小さい第2マー
クとを表面の所定位置に付した測定対象物をステージ上
に載置するならば、第1マークの像を第1倍率で撮影
し、両マークの相対位置に相当する量だけ投影光学系を
ステージに対して相対的に移動させることにより、第2
マークを投影光学系の第2倍率の視野中に配置すること
ができる。つまり、第1マークを第1倍率で撮影した結
果を利用することによって第2マークのサーチアライメ
ントが可能になり、このサーチアライメントによって第
2倍率の視野中に配置された第2マークを利用して精密
な位置計測が可能になる。これにより、位置計測用のマ
ークの探索が簡易となり、正確な位置計測が可能とな
る。
As is apparent from the above description, according to the position measuring apparatus of the present invention, the image of the object to be measured on the stage has the same optical axis and the second magnification of the first magnification and the high magnification. Since it has a projection optical system that projects individually with the magnification,
If an object to be measured having a predetermined first mark and a second mark smaller than the first mark attached to a predetermined position on the surface is placed on a stage, an image of the first mark is photographed at a first magnification, By moving the projection optical system relative to the stage by an amount corresponding to the relative position of both marks, the second
The mark can be located in the field of view of the projection optical system at the second magnification. That is, the search alignment of the second mark can be performed by using the result of photographing the first mark at the first magnification, and the search alignment is performed by using the second mark arranged in the field of view of the second magnification. Precise position measurement becomes possible. Thereby, the search for the position measurement mark is simplified, and accurate position measurement is possible.

【0053】また、本発明に係る位置計測方法によれ
ば、投影光学系によって撮影された第1マークの第1倍
率の像に基づいて投影光学系をステージに対して相対的
に移動させることにより、第2マークを投影光学系の第
2倍率の視野中に配置するので、位置計測用の第2マー
クを利用して精密な計測が可能になる。つまり、位置計
測マークの探索が簡易となり、正確な位置計測が可能と
なる。
According to the position measuring method of the present invention, the projection optical system is moved relative to the stage based on the image of the first mark of the first magnification photographed by the projection optical system. Since the second mark is disposed in the field of view of the second magnification of the projection optical system, precise measurement can be performed using the second mark for position measurement. That is, the search for the position measurement mark is simplified, and accurate position measurement is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1実施形態の位置計測装置を組み込んだレー
ザアニール装置を説明する図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a laser annealing apparatus incorporating a position measuring device according to a first embodiment.

【図2】図1の装置のステージに載置されたワーク上の
位置計測マークを説明する図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a position measurement mark on a work placed on a stage of the apparatus of FIG.

【図3】(a)は、図2の位置計測マークの詳細な形状
を説明する図であり、(b)はその変形例である。
3A is a diagram illustrating a detailed shape of a position measurement mark in FIG. 2, and FIG. 3B is a modified example thereof.

【図4】図3の位置計測マークの位置計測アルゴリズム
を説明する図であり、(a)は、図3(a)の画像に対
応し、(b)はその画像の積算輝度を説明するグラフで
ある。
4A and 4B are diagrams illustrating a position measurement algorithm of the position measurement mark in FIG. 3; FIG. 4A is a graph corresponding to the image in FIG. 3A, and FIG. It is.

【図5】第2実施形態の位置計測マークの配置を説明す
る斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view illustrating an arrangement of position measurement marks according to a second embodiment.

【図6】(a)は、図5の位置計測マークの詳細な形状
を説明する図であり、(b)はその変形例である。
6A is a diagram illustrating a detailed shape of the position measurement mark in FIG. 5, and FIG. 6B is a modified example thereof.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 レーザ光源 20 照射光学系 30 ステージ 40 ステージ駆動装置 50 移動量計測装置 60 投影光学系 61a,61b 第1レンズ系 62a,62b 第2レンズ系 65 照明用ランプ 71,72 第1及び第2撮像装置 73,74 カメラ 80 画像処理装置 85 主制御装置 IL 像光 M1,M2 第1及び第2アライメントマーク DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Laser light source 20 Irradiation optical system 30 Stage 40 Stage driving device 50 Moving amount measuring device 60 Projection optical system 61a, 61b First lens system 62a, 62b Second lens system 65 Illumination lamp 71, 72 First and second imaging device 73, 74 Camera 80 Image processing device 85 Main control device IL Image light M1, M2 First and second alignment marks

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2F065 AA03 AA17 AA20 BB28 CC17 DD06 FF01 FF04 FF67 GG04 HH04 HH05 JJ03 JJ05 JJ26 LL30 LL63 MM03 MM16 PP12 QQ27 QQ29 QQ31 QQ42 TT02 UU07 5B047 AA12 BA02 BA08 BC04 BC09 BC16 CA12 CA14 5F031 CA05 HA57 JA04 JA38 KA06 MA27 MA30 5F052 AA02 BA18 BB07  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2F065 AA03 AA17 AA20 BB28 CC17 DD06 FF01 FF04 FF67 GG04 HH04 HH05 JJ03 JJ05 JJ26 LL30 LL63 MM03 MM16 PP12 QQ27 QQ29 QQ31 QQ42 TT02 UU07 BA12CA05 BC05CAB HA57 JA04 JA38 KA06 MA27 MA30 5F052 AA02 BA18 BB07

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 測定対象物を載置するステージと、 同一の光軸を有するとともに、前記ステージ上の測定対
象物の像を所定の第1倍率と当該第1倍率より大きな第
2倍率とで個別に投影する2眼2倍率の投影光学系とを
備える位置計測装置。
A stage on which the object to be measured is mounted; and an image of the object to be measured on the stage having the same optical axis and a predetermined first magnification and a second magnification larger than the first magnification. A position measuring device comprising: a two-lens, two-magnification projection optical system that individually projects.
【請求項2】 前記ステージを前記投影光学系に対して
相対的に移動させる駆動手段と、前記投影光学系によっ
て投影された前記第1倍率の像を画像信号に変換する第
1撮像装置と、前記投影光学系によって投影された前記
第2倍率の像を画像信号に変換する第2撮像装置と、前
記第1撮像装置から出力される前記第1倍率の像につい
ての画像信号に基づいて前記駆動手段を動作させて、前
記第2倍率の像を前記第2撮像装置の画界中に導く制御
手段とを備えることを特徴とする請求項1記載の位置計
測装置。
A driving unit configured to move the stage relative to the projection optical system; a first imaging device configured to convert the first magnification image projected by the projection optical system into an image signal; A second imaging device that converts the second magnification image projected by the projection optical system into an image signal, and the driving based on the image signal of the first magnification image output from the first imaging device. 2. The position measuring apparatus according to claim 1, further comprising control means for operating the means to guide the image at the second magnification into the field of view of the second imaging device.
【請求項3】 所定の第1マークと当該第1マークより
小さい第2マークとを表面の所定位置に付した測定対象
物をステージ上に載置する工程と、 同一の光軸を有するとともに前記ステージ上の測定対象
物の像を所定の第1倍率と当該第1倍率より大きな第2
倍率とで個別に投影可能な2眼2倍率の投影光学系によ
り、前記第1マークの像を第1倍率で撮影する工程と、 前記投影光学系によって撮影された前記第1倍率の像に
基づいて前記投影光学系を前記ステージに対して相対的
に移動させることにより、前記第2マークを前記投影光
学系の前記第2倍率の視野中に配置する工程とを備える
位置計測方法。
3. A step of placing on a stage an object to be measured on which a predetermined first mark and a second mark smaller than the first mark are attached at predetermined positions on the surface; An image of the object to be measured on the stage is set at a predetermined first magnification and a second magnification larger than the first magnification.
A step of photographing the image of the first mark at a first magnification by a two-lens two-magnification projection optical system capable of individually projecting a magnification and a magnification, based on the image of the first magnification photographed by the projection optical system; Disposing the second mark in the field of view of the projection optical system at the second magnification by moving the projection optical system relative to the stage.
【請求項4】 前記第2マークは、前記第1マークと中
心が一致することを特徴とする請求項3記載の位置計測
方法。
4. The position measuring method according to claim 3, wherein the center of the second mark coincides with the center of the first mark.
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