JP2000286176A - Semiconductor substrate processing unit and display method of its processing status - Google Patents

Semiconductor substrate processing unit and display method of its processing status

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JP2000286176A
JP2000286176A JP11092892A JP9289299A JP2000286176A JP 2000286176 A JP2000286176 A JP 2000286176A JP 11092892 A JP11092892 A JP 11092892A JP 9289299 A JP9289299 A JP 9289299A JP 2000286176 A JP2000286176 A JP 2000286176A
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Japan
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semiconductor substrate
processing apparatus
displayed
displaying
processing
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JP11092892A
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Japanese (ja)
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Yuki Numata
由起 沼田
Hidetsugu Setoyama
英嗣 瀬戸山
Ryuichi Nemoto
隆一 根本
Kazuhisa Machida
和久 町田
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To recognize status of processing quickly and surely by showing detailed information about a selected portion of a displayed configuration diagram using a drawing or text, and by showing more detailed information about a selected portion of the detailed information. SOLUTION: A semiconductor substrate processing unit which processes wafers is installed in a room RA, containing a transfer machine 116 and processing chambers 101 and 102, which is isolated with a wall 125. The processing status of the semiconductor substrate processing unit, which processes wafers is shown on the display screen of a monitor and control terminal, recognizing the status of processing operation, state of wafer transfer, etc., in real time by using drawings or text. When a fault occurs somewhere in the unit, the faulty portion flashes in red or is indicated in two colors which are alternated. Selecting the faulty portion shows the corrective action with respect to the fault.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板処理装
置における処理状況の表示方法及び半導体基板処理装置
に係り、特に、半導体基板処理装置における被処理基板
の処理状況、半導体基板処理装置の各部分の故障等の状
況を、作業者に判り易い状態で表示することを可能にし
た半導体基板処理装置における処理状況の表示方法及び
半導体基板処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of displaying a processing status in a semiconductor substrate processing apparatus and a semiconductor substrate processing apparatus, and more particularly, to a processing status of a substrate to be processed in a semiconductor substrate processing apparatus and various parts of the semiconductor substrate processing apparatus. TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method of displaying a processing status in a semiconductor substrate processing apparatus and a semiconductor substrate processing apparatus capable of displaying a situation such as a failure of the semiconductor substrate in a state easily understood by an operator.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体基板処理装置は、エッチ
ング装置、アッシング装置、スパッタ装置、CVD装置
等を主たる構成装置として備え、さらに、これらの装置
に大気搬送ロボットにより半導体ウェハ(以下、単にウ
ェハという)の受け渡しを行う搬送室(メインフレー
ム)、ウェハキャリアから搬送室へのウェハの受け渡し
を行う移載機(大気ローダ)等を備えて構成されてい
る。そして、半導体基板処理装置の処理状況は、監視制
御を行う端末の表示画面上に、系統図、基板状態表示
図、排気系統図等により表示されるのが一般的である。
2. Description of the Related Art Generally, a semiconductor substrate processing apparatus includes an etching apparatus, an ashing apparatus, a sputtering apparatus, a CVD apparatus, and the like as main components, and further includes a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) provided by an atmospheric transfer robot. ), And a transfer machine (atmosphere loader) for transferring wafers from the wafer carrier to the transfer chamber. The processing status of the semiconductor substrate processing apparatus is generally displayed on a display screen of a terminal that performs monitoring and control by a system diagram, a substrate state display diagram, an exhaust system diagram, and the like.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】前述した従来技術によ
る処理状況の表示は、系統図等により表示されているた
め、実際の装置の内部の状況を直接作業者に知らせるこ
とができず、また、装置内に故障が生じた場合、故障箇
所が系統図内に表示されても、その位置が装置内の何処
であるかは、ある程度装置の構成に関して習熟している
作業者でないと判らないという問題点を有している。
Since the display of the processing status according to the prior art described above is displayed by a system diagram or the like, it is not possible to directly notify the operator of the actual status inside the apparatus. When a failure occurs in the device, even if the location of the failure is displayed in the system diagram, the location of the failure in the device cannot be known unless it is an operator who is somewhat familiar with the configuration of the device. Have a point.

【0004】本発明の目的は、前記従来技術による処理
状況の表示の問題点を解決し、作業者が容易に装置内部
における状況を素早くしかも確実に知ることができ、故
障の発生に際しても、何処で故障が発生しているかを具
体的な装置の位置として知ることができるように装置内
部における状況を表示することを可能にした半導体基板
処理装置における処理状況の表示方法及び半導体基板処
理装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the problem of the display of the processing status according to the prior art, so that the operator can easily and quickly know the status inside the apparatus, and even if a failure occurs, the operator can find out where the failure occurs. Provided is a method of displaying a processing status in a semiconductor substrate processing apparatus and a semiconductor substrate processing apparatus capable of displaying a state inside the apparatus so that a specific position of the apparatus can be known as to whether a failure has occurred in the apparatus. Is to do.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明によれば前記目的
は、半導体基板上に半導体装置を形成する半導体基板の
処理を行う半導体基板処理装置における処理状況の表示
方法において、半導体基板処理装置の処理状況を監視制
御する端末の表示画面上に、複数の部屋から構成される
半導体基板処理装置の構成図を表示し、表示されている
構成図の中の一部が選択されると、選択された部分に関
する詳細情報を、図面または文字により表示し、さら
に、詳細情報の中の一部が選択されると、選択された部
分に関するさらに詳細な情報を表示することにより達成
される。
According to the present invention, there is provided a method for displaying a processing status in a semiconductor substrate processing apparatus for processing a semiconductor substrate which forms a semiconductor device on a semiconductor substrate. On the display screen of the terminal that monitors and controls the processing status, a configuration diagram of the semiconductor substrate processing apparatus composed of a plurality of rooms is displayed, and when a part of the displayed configuration diagram is selected, it is selected. This is achieved by displaying detailed information on the selected part by drawing or text, and when a part of the detailed information is selected, displaying more detailed information on the selected part.

【0006】また、前記目的は、前述において、選択さ
れた部分に関する図面または文字により表示されている
選択された部分に関する詳細情報の中の一部が選択され
ると、選択された部分に関する保守、点検の手順、部品
交換の要否に関する情報を順次表示することにより達成
される。
The object of the present invention is that, when a part of the detailed information on the selected part displayed by the drawing or the character on the selected part is selected, the maintenance on the selected part is performed. This is achieved by sequentially displaying information on the inspection procedure and the necessity of component replacement.

【0007】また、前記目的は、前記表示される構成図
を、前記表示画面を見る位置から実際の装置を見た場合
と同様に見えるように、実際の設置の向きと表示される
装置の向きとを一致させるように表示することにより達
成される。
[0007] Further, the object is that the displayed configuration diagram and the orientation of the displayed device are set so that the displayed configuration diagram looks the same as when the actual device is viewed from the position where the display screen is viewed. This is achieved by displaying so that

【0008】また、前記目的は、故障発生時、表示され
ている構成図内の故障発生箇所を、明滅させて、複数の
色を切り替えて、あるいは、周囲と異なる色により表示
することにより、また、前記故障発生箇所が選択される
と、故障の詳細を表示し、さらに、故障の詳細の表示の
中の一部が選択されると、故障の対処方法を表示するこ
とにより達成される。
The object of the present invention is to provide a display device in which, when a failure occurs, a failure occurrence location in the displayed configuration diagram is blinked and a plurality of colors are switched or displayed in a color different from the surroundings. When the fault occurrence location is selected, the details of the fault are displayed, and when a part of the details of the fault is selected, a method for dealing with the fault is displayed.

【0009】また、前記目的は、半導体基板上に半導体
装置を形成する半導体基板の処理を行う半導体基板処理
装置における処理状況の表示方法において、半導体基板
処理装置の処理条件としてのパラメータをの入力、決定
を行い、または、実際のパラメータを表示する表形式と
グラフ形式との表示形式間の切り換えが可能な入力画面
を表示することにより、前記表形式またはグラフ形式の
表示形式の中で処理条件の編集が可能であり、一方の形
式での編集の結果を他方の形式に反映させるようにする
ことにより達成される。
Further, the object of the present invention is to provide a method for displaying a processing status in a semiconductor substrate processing apparatus for processing a semiconductor substrate on which a semiconductor device is formed on a semiconductor substrate, comprising: inputting a parameter as a processing condition of the semiconductor substrate processing apparatus; By making a determination or displaying an input screen that can be switched between a display format of a table format and a display format for displaying actual parameters, the processing conditions can be set in the display format of the table format or the graph format. Editing is possible and is achieved by having the result of editing in one format be reflected in the other format.

【0010】さらに、前記目的は、前記表形式で表示さ
れた処理条件の中の任意のパラメータが選択されると、
そのパラメータについてのグラフ形式の表示を行うこと
により、また、前記グラフ式で表示された処理条件の中
の任意のパラメータが選択されると、そのパラメータに
ついての表形式の表示を行うことことにより達成され
る。
[0010] Further, the above-mentioned object is achieved when an arbitrary parameter is selected from the processing conditions displayed in the table format.
Achieved by displaying the parameter in a graph format and, when an arbitrary parameter is selected from the processing conditions displayed in the graph formula, displaying the parameter in a table format. Is done.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明による半導体基板処
理装置における処理状況の表示方法及び半導体基板処理
装置の一実施形態を図面により詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment of a method for displaying a processing status in a semiconductor substrate processing apparatus and a semiconductor substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0012】図1は本発明の一実施形態による表示方法
を適用する半導体基板処理装置の構成例を説明する平面
図であり、まず、半導体基板処理装置の構成とその処理
動作について説明する。図1において、101、102
は処理室A、B、103、104は処理室A、Bの扉、
105は排気口、106は搬送室、107、108はク
ーリング室A、B、109は真空アーム、110はロー
ドロック室、111はアンロードロック室、112〜1
15は扉、116は移載機、117はアライメント部、
118は大気アーム、119はクリーニング基板、12
0はロードポート、121はウェハキャリア、122は
ウェハキャリア扉、123は未処理ウェハ、124は処
理済ウェハ、125、126は壁である。
FIG. 1 is a plan view illustrating a configuration example of a semiconductor substrate processing apparatus to which a display method according to an embodiment of the present invention is applied. First, a configuration of a semiconductor substrate processing apparatus and a processing operation thereof will be described. In FIG. 1, 101, 102
Are processing chambers A and B, 103 and 104 are doors of processing chambers A and B,
105 is an exhaust port, 106 is a transfer chamber, 107 and 108 are cooling chambers A, B, and 109 are vacuum arms, 110 is a load lock chamber, 111 is an unload lock chamber, and 112-1.
15 is a door, 116 is a transfer machine, 117 is an alignment unit,
118 is an atmospheric arm, 119 is a cleaning substrate, 12
0 is a load port, 121 is a wafer carrier, 122 is a wafer carrier door, 123 is an unprocessed wafer, 124 is a processed wafer, and 125 and 126 are walls.

【0013】本発明が適用される半導体基板処理装置
は、図1に示すように、処理時に真空に引かれる部屋で
ある処理室101、102、搬送室106、ロードロッ
ク室110、アンロードロック室111と、大気圧の状
態にある移載機116、複数のロードポート120とに
より構成される。処理室101、102は、内部に搬送
されてきた半導体基板であるウェハに対してプラズマを
用いた処理を行う部屋であり、搬送室106との間に扉
103、104が設けられ、ウェハがセットされた後
は、扉103、104が閉じられた状態で処理が行われ
る。
As shown in FIG. 1, a semiconductor substrate processing apparatus to which the present invention is applied includes processing chambers 101 and 102 which are vacuum chambers during processing, a transfer chamber 106, a load lock chamber 110, and an unload lock chamber. 111, a transfer machine 116 at atmospheric pressure, and a plurality of load ports 120. The processing chambers 101 and 102 are chambers for performing processing using a plasma on a wafer, which is a semiconductor substrate transferred into the processing chamber, and doors 103 and 104 are provided between the processing chamber 101 and the transfer chamber 106 so that the wafer can be set. After that, the process is performed with the doors 103 and 104 closed.

【0014】搬送室106は、装置の稼動時に真空状態
に引かれており、クーリング室107、108を備えて
いる。そして、この搬送室106には、被処理ウェハを
ロードロック室110を介して移載機116から受け取
り、処理室101、102内に搬送し、処理済みのウェ
ハを処理室101、102から取り出し、クーリング室
107、108で冷却した後、アンロードロック室11
1を介して移載機116に戻す2本のアームを持つ真空
状態で作動する搬送ロボットのアーム(以下、真空アー
ムという)109が備えられている。なお、クーリング
室107、108は、搬送室106の一部として構成さ
れたクーリング用の場所であり、搬送室106との間に
扉等を設けて搬送室106とは独立させたものではない
が、ここでは、クーリング室という名称で呼ぶことにす
る。
The transfer chamber 106 is evacuated during operation of the apparatus and has cooling chambers 107 and 108. In the transfer chamber 106, the wafer to be processed is received from the transfer device 116 via the load lock chamber 110, transferred into the processing chambers 101 and 102, and the processed wafer is taken out from the processing chambers 101 and 102. After cooling in the cooling chambers 107 and 108, the unload lock chamber 11
An arm (hereinafter, referred to as a vacuum arm) 109 of a transfer robot that operates in a vacuum state and has two arms that return to the transfer device 116 through the transfer arm 1 is provided. The cooling chambers 107 and 108 are cooling locations configured as a part of the transfer chamber 106, and are not independent of the transfer chamber 106 by providing a door or the like between the cooling chambers 107 and 108. Here, it will be referred to as a cooling room.

【0015】ロードロック室110、アンロードロック
室111は、搬送室106と移載機116との間でウェ
ハを受け渡すためのバッファ室として機能し、ウェハを
搬送する度に、真空に引かれたり大気圧の状態に制御さ
れる。このため、搬送室106側と移載機116との間
に扉が設けられている。移載機116から未処理のウェ
ハを処理室101または102に搬送する場合、ロード
ロック室110の搬送室106側の扉112を閉じた状
態で、移載機116側の扉114が開かれて、その内部
が大気圧状態とされて移載機116からウェハがロード
ロック室110に搬送され、移載機116側の扉114
が閉じられる。その後、ロードロック室110が、真空
に引かれ真空状態になったとき、搬送室106側の扉1
12が開かれて、ウェハは、真空アーム109により搬
送室106内に取り込まれる。
The load lock chamber 110 and the unload lock chamber 111 function as buffer chambers for transferring wafers between the transfer chamber 106 and the transfer device 116. Each time a wafer is transferred, a vacuum is drawn. Or controlled to atmospheric pressure. For this reason, a door is provided between the transfer chamber 106 and the transfer device 116. When an unprocessed wafer is transferred from the transfer device 116 to the processing chamber 101 or 102, the door 114 on the transfer device 116 side is opened while the door 112 on the transfer chamber 106 side of the load lock chamber 110 is closed. The wafer is transferred from the transfer device 116 to the load lock chamber 110 with the inside thereof at atmospheric pressure, and the door 114 on the transfer device 116 side is set.
Is closed. Thereafter, when the load lock chamber 110 is evacuated to a vacuum state, the door 1 on the transfer chamber 106 side is closed.
12 is opened, and the wafer is taken into the transfer chamber 106 by the vacuum arm 109.

【0016】また、処理済のウェハを搬送室106から
移載機116に搬送する場合、アンロードロック室11
1の移載機116側の扉115を閉じた状態で、搬送室
106側の扉113を開いて(このとき、アンロードロ
ック室111は真空状態にある)、処理済のウェハを真
空アーム109によりアンロードロック室111に搬送
する。その後、搬送室106側の扉113を閉じ、アン
ロードロック室111に大気を導入して大気圧状態と
し、移載機116側の扉115を開き、処理済のウェハ
を移載機116側に搬送させる。
When the processed wafer is transferred from the transfer chamber 106 to the transfer machine 116, the unload lock chamber 11
With the door 115 on the transfer machine 116 side closed, the door 113 on the transfer chamber 106 side is opened (at this time, the unload lock chamber 111 is in a vacuum state), and the processed wafer is transferred to the vacuum arm 109. To the unload lock chamber 111. Thereafter, the door 113 on the transfer chamber 106 side is closed, the atmosphere is introduced into the unload lock chamber 111 to be in an atmospheric pressure state, the door 115 on the transfer device 116 side is opened, and the processed wafer is transferred to the transfer device 116 side. To be transported.

【0017】移載機116は、大気圧の状態で動作し、
外部から持ち込まれる未処理のウェハを処理室側に渡
し、処理室側からの処理済のウェハを外部に引き渡すイ
ンタフェースとしての機能を実行するものである。移載
機116は、外部から持ち込まれる未処理のウェハを処
理室側に渡し、処理室側からの処理済のウェハを外部に
引き渡すためのウェハの搬送を行う大気状態の中で動作
する搬送ロボットのアーム(以下、大気アームという)
118と、処理室側に渡すウェハの位置合わせを行うた
めのアライメント部117とを備えている。
The transfer machine 116 operates at atmospheric pressure,
An unprocessed wafer brought in from the outside is transferred to the processing chamber, and a function as an interface for transferring a processed wafer from the processing chamber to the outside is executed. The transfer machine 116 transfers an unprocessed wafer brought in from the outside to the processing chamber side, and transfers the processed wafer from the processing chamber side to the outside. Arm (hereinafter referred to as atmospheric arm)
118 and an alignment unit 117 for aligning a wafer to be transferred to the processing chamber.

【0018】移載機116内の大気アーム118は、未
処理のウェハを複数のロードポート120の所定の1つ
の上に載置されたウェハキャリア121から取り出して
アライメント部117に搬送し、アライメントを終了し
た未処理のウェハをロードロック室110に搬送し、ま
た、逆に、処理済のウェハをアンロードロック室111
から所定のロードポート120上のウェハキャリア12
1まで搬送する。
The atmospheric arm 118 in the transfer machine 116 takes out an unprocessed wafer from the wafer carrier 121 mounted on a predetermined one of the plurality of load ports 120 and transports the unprocessed wafer to the alignment unit 117 to perform alignment. The completed unprocessed wafer is transported to the load lock chamber 110, and conversely, the processed wafer is transferred to the unload lock chamber 111.
From the wafer carrier 12 on the predetermined load port 120
Convey to 1

【0019】ロードポート120は、1台の基板処理装
置の移送機116に対して複数台設けられており、外部
から持ちこまれた内部に複数枚の未処理ウェハを収納し
ているウェハキャリア121が載置される。ウェハキャ
リア121内の未処理ウェハを処理室側に搬送する場
合、ロードポート120に設けられている機構によりウ
ェハキャリア121の扉122、図示しない移載機11
6側の扉が開かれ、未処理ウェハは、移載機116内の
大気アーム118によりウェハキャリア121から取り
出されて、移送機116内に取り込まれる。
A plurality of load ports 120 are provided for the transfer machine 116 of one substrate processing apparatus, and a wafer carrier 121 accommodating a plurality of unprocessed wafers in the inside carried from the outside is provided. Is placed. When an unprocessed wafer in the wafer carrier 121 is transported to the processing chamber side, the door 122 of the wafer carrier 121 and the transfer machine 11 (not shown) are provided by a mechanism provided in the load port 120.
The door on the sixth side is opened, and the unprocessed wafer is taken out of the wafer carrier 121 by the atmospheric arm 118 in the transfer machine 116 and taken into the transfer machine 116.

【0020】前述したような処理動作によりウェハの処
理を行う半導体基板処理装置は、移載機116から処理
室101、102までの部分が壁125で仕切られた1
つの部屋RAの中に設置される。また、処理装置全体が
設置される部屋は、壁126によりロードポート120
が設置される部屋RBと、前述の部屋RAを囲む部屋R
Cとに仕切られている。そして、前述した部屋RA、R
B、RCは、それぞれの室内の空気が、所定のクリーン
度以下に保持されている。
In the semiconductor substrate processing apparatus for processing a wafer by the processing operation as described above, the portion from the transfer device 116 to the processing chambers 101 and 102 is divided by a wall 125.
It is installed in one room RA. The room in which the entire processing apparatus is installed is connected to the load port 120 by the wall 126.
RB in which room is installed, and room R surrounding room RA described above.
C. And the above-mentioned rooms RA, R
In B and RC, the air in each room is maintained at a predetermined cleanness or less.

【0021】部屋RBは、搬送ラインとしての部屋であ
り、ウェハキャリア121へのウェハのセット、ウェハ
の検査等のために、ウェハが室内空気に直接さらされる
可能性があるため、最もクリーン度を高く保持しておく
必要のある部屋である。また、部屋RCは、作業員等の
出入りの多い場所であり、クリーン度をそれほど上げる
必要のない部屋である。さらに、部屋RAは、装置のメ
ンテナンス等のために、操作パネルを外したり、装置内
部を開けたりすることがあり、装置内部に塵埃を侵入さ
せないために、部屋RBに次ぐクリーン度を保持してお
く必要があり、できれば、部屋RBと同程度のクリーン
度に保持しておく。なお、ウェハがFOUP等の密閉さ
れた容器に入れられた状態で搬送されて移載機に結合さ
れる場合、移載機の内部のみのクリーン度を上げておけ
ば、部屋RBのクリーン度をそれほど高く保持する必要
はない。
The room RB is a room serving as a transfer line. Since the wafer may be directly exposed to the room air for setting the wafer on the wafer carrier 121 and inspecting the wafer, the room RB has the highest cleanliness. This room needs to be kept high. Further, the room RC is a place where workers and the like frequently enter and leave, and it is a room where it is not necessary to increase the cleanliness so much. Further, in the room RA, the operation panel may be removed or the inside of the device may be opened for maintenance of the device or the like. In order to prevent dust from entering the inside of the device, the room RA is maintained at a clean degree next to the room RB. It is necessary to keep it as clean as possible in the room RB if possible. When a wafer is transported in a sealed container such as a FOUP and combined with a transfer machine, if the cleanness of only the inside of the transfer machine is increased, the cleanness of the room RB is reduced. There is no need to hold that high.

【0022】本発明の実施形態による半導体基板処理装
置における処理状況の表示は、前述したような構成を持
ち、ウェハに対する処理を行う半導体基板処理装置の処
理状況の表示を、監視制御端末の表示画面上に、半導体
基板処理装置の構成図を表示した上で、その内部での処
理動作の状況、ウェハの搬送の状態、故障の発生等をリ
アルタイムに表示するようにしたものであり、図1に示
す構成図も表示画面に表示された画面例の1つである。
The display of the processing status in the semiconductor substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention has the above-described configuration, and the display of the processing status of the semiconductor substrate processing apparatus for processing a wafer is performed by the display screen of the monitoring control terminal. The configuration diagram of the semiconductor substrate processing apparatus is displayed above, and the status of processing operations inside the apparatus, the state of wafer transfer, the occurrence of a failure, and the like are displayed in real time. The configuration diagram shown is also one of the screen examples displayed on the display screen.

【0023】図1に示す例の中には、未処理ウェハ12
3、処理済ウェハ124、クリーニング基板119が示
されているが、これらが表示画面上に表示される場合、
表示色を変える等により、これらのウェハが区別できる
ように表示される。例えば、未処理ウェハ123を灰
色、処理済ウェハ124を虹色、クリーニング基板11
9を黄色に表示する。なお、クリーニング基板119
は、処理室101、102の周壁の汚れ等を清掃する際
に、基板ホルダを保護するカバーとして使用される。
In the example shown in FIG.
3, the processed wafer 124 and the cleaning substrate 119 are shown, but when these are displayed on the display screen,
By changing the display color or the like, these wafers are displayed so that they can be distinguished. For example, the unprocessed wafer 123 is gray, the processed wafer 124 is iridescent, and the cleaning substrate 11 is
9 is displayed in yellow. The cleaning substrate 119
Is used as a cover for protecting the substrate holder when cleaning dirt on the peripheral walls of the processing chambers 101 and 102.

【0024】また、図1に示す例において、処理室A1
01は、現在処理中であることを示すために、例えば、
アルゴンの放電色である薄い赤紫色に表示され、処理中
のウェハの処理時間が、処理室の周辺にほぼ円形に配置
される複数の排気口105の表示色を、例えば、明るく
表示するように変えて表示される。この場合、ほぼ円形
に配置される複数の排気口105の全てが明るい表示と
なったとき、被処理ウェハに対する処理が終了したこと
を示す。
In the example shown in FIG. 1, the processing chamber A1
01 indicates that it is currently being processed, for example,
The display color of the plurality of exhaust ports 105, which are displayed in a light red-purple color, which is the discharge color of argon, and the processing time of the wafer being processed, is displayed in a substantially circular shape around the processing chamber, for example, so as to be brightly displayed. Changed and displayed. In this case, when all of the plurality of exhaust ports 105 arranged in a substantially circular shape have a bright display, it indicates that the processing on the wafer to be processed has been completed.

【0025】また、処理室B102は、図1に示す例で
は、ウェハの処理が可能な状態で待機していることを示
すため、例えば、ピンクで表示される。また、すでに説
明したように、ロードロック室110、アンロードロッ
ク室111は、ウェハの搬送時に、大気圧特されたり、
真空に引かれたりするので、例えば、真空に引かれてい
る状態の場合ピンクに、大気圧とされている状態の場合
水色に表示される。
In the example shown in FIG. 1, the processing chamber B102 is displayed in pink, for example, to indicate that the processing chamber B102 is in a standby state in which a wafer can be processed. In addition, as described above, the load lock chamber 110 and the unload lock chamber 111 are subjected to the atmospheric pressure when transferring the wafer,
Since a vacuum is applied, for example, pink is displayed when the vacuum is applied, and light blue when the atmospheric pressure is applied.

【0026】さらに、前述で説明した装置が設置される
部屋を含む周辺の部屋RA、RB、RCの部分は、表示
される装置の背景となる部分であるが、これらの部屋の
色を背景色の濃度を変えて表示する等により、各部屋の
クリーン度が相違していることが判るように表示され
る。
Further, the surrounding rooms RA, RB, and RC including the room where the apparatus described above is installed are the background parts of the displayed apparatus. For example, by changing the density of the room and displaying it, it is displayed so that the cleanliness of each room is different.

【0027】図2は半導体基板処理装置と監視制御用端
末との配置による表示画面内に表示される装置の表示例
の変化を説明する図であり、以下、これについて説明す
る。
FIG. 2 is a diagram for explaining a change in a display example of the device displayed on the display screen due to the arrangement of the semiconductor substrate processing apparatus and the monitoring control terminal, which will be described below.

【0028】本発明の実施形態による表示は、図示しな
い監視制御用端末の表示画面を作業者が見る場合に、表
示されている装置の設置状況を、実際の装置の設置状況
と一致させるように表示を行うようにしている。すなわ
ち、監視制御用端末は、図2(a)に示すように、装置
周辺のA面〜D面の何れの位置に置かれてもよいが、作
業者が監視制御用端末の表示画面を見ながら、監視制御
用端末の背後に設置される実際の装置を見ることができ
る位置(壁等があるとしてもその向う側が見えるとし
て)に配置される。
The display according to the embodiment of the present invention is arranged such that, when an operator views the display screen of the monitor control terminal (not shown), the displayed installation status of the device matches the actual installation status of the device. Display is performed. In other words, as shown in FIG. 2A, the monitoring control terminal may be placed in any of the positions A to D around the device, but the operator views the display screen of the monitoring control terminal. However, it is arranged at a position where it is possible to see the actual device installed behind the monitoring control terminal (assuming that the opposite side is visible even if there is a wall or the like).

【0029】そして、A面方向から表示画面を見ること
ができるようにA面側に監視制御用端末を配置した場
合、図2(b)に示すように、表示画面内には、A面方
向から実際の装置を見たと同様な配置で装置が表示され
る。同様に、B、C、Dの各面方向から表示画面を見る
ことができるように、B、C、Dの面側に監視制御用端
末を配置した場合、図2(c)、図2(d)、図2
(e)に示すように、表示画面内には、それぞれの方向
から実際の装置を見たと同様な配置で装置が表示され
る。
Then, when the monitoring control terminal is arranged on the side A so that the display screen can be viewed from the side of the side A, as shown in FIG. The device is displayed in the same arrangement as when viewing the actual device from. Similarly, when the monitoring control terminal is arranged on the side of B, C, and D so that the display screen can be viewed from each of the directions of B, C, and D, FIGS. d), FIG.
As shown in (e), the devices are displayed on the display screen in the same arrangement as when the actual device is viewed from each direction.

【0030】なお、図2に示している表示例は、処理装
置を平面的に示しているが、3次元的に表示される場合
も同様に、表示画面内には、それぞれの方向から実際の
装置を見たと同様な配置で装置が表示される。また、本
発明は、監視制御用端末の設置位置に係わらず、端末に
設けられるスイッチ等により切り替えて、前述したよう
な各方向から見たような表示を行わせることもできる。
さらに、本発明は、別の監視制御用端末を処理装置の近
くでなく、離れた別の場所にローカル端末として設置し
た場合にも、前述と同様な表示を行わせることができ
る。
Although the display example shown in FIG. 2 shows the processing device in a plan view, the display screen is also displayed in a three-dimensional manner. The device is displayed in the same arrangement as when viewing the device. In addition, according to the present invention, regardless of the installation position of the monitoring control terminal, switching can be performed by a switch or the like provided on the terminal, and a display as viewed from each direction as described above can be performed.
Further, according to the present invention, the same display as described above can be performed even when another monitoring control terminal is installed as a local terminal not in the vicinity of the processing device but in a remote place away from the processing device.

【0031】本発明の実施形態は、前述のような表示を
行うことにより、監視制御用端末の表示画面を見ている
作業者は、表示されているある部分に故障が発生した場
合等に、その故障部所と、実際の装置の部所との対応を
直ちに理解することができ、迅速な故障に対する対処を
行うことが可能となる。
According to the embodiment of the present invention, by performing the above-described display, an operator who is looking at the display screen of the monitoring and control terminal can be used in the event that a failure occurs in a displayed portion. It is possible to immediately understand the correspondence between the failed part and the part of the actual device, and it is possible to quickly deal with the failure.

【0032】図3は半導体基板処理装置を処理動作可能
に立ち上げる状態の表示画面の変化を説明する図であ
り、次に、これについて説明する。
FIG. 3 is a diagram for explaining a change in a display screen in a state where the semiconductor substrate processing apparatus is started up so as to be capable of performing a processing operation. This will be described next.

【0033】図3(a)に示す画面例は、装置に電源ス
イッチを入れた直後の状態を示す例で、大気圧の状態で
使用される移載機116と、複数のロードポート120
とが他の部分より明るく表示されて、移載機116と、
複数のロードポート120とが使用可能な状態にあるこ
とを示している。そして、この例では、真空状態になっ
て初めて処理可能となる処理室101、102、搬送室
106、ロードロック室110、アンロードロック室1
11は、まだ、準備が整えられておらず、背景色と同系
の色で暗く表示される。
FIG. 3A shows an example of a screen immediately after the power switch is turned on. The transfer apparatus 116 used under atmospheric pressure and a plurality of load ports 120 are shown in FIG.
Are displayed brighter than the other parts, and the transfer device 116,
This indicates that a plurality of load ports 120 can be used. In this example, the processing chambers 101 and 102, the transfer chamber 106, the load lock chamber 110, and the unload lock chamber 1 that can be processed only after the vacuum state is reached.
No. 11 has not been prepared yet, and is darkly displayed in a color similar to the background color.

【0034】作業者は、処理室101、102、搬送室
106、ロードロック室110、アンロードロック室1
11を真空にして処理を開始しようとする場合、画面上
に表示されている図示しないソフトボタンをマウスカー
ソルにより選択する、あるいは、表示画面がタッチパネ
ル機能を備えていれば、ソフトボタンに指を触れること
により、処理室101、102、搬送室106、ロード
ロック室110、アンロードロック室111の排気が可
能な状態に装置が制御される。
The workers are processing chambers 101 and 102, transfer chamber 106, load lock chamber 110, and unload lock chamber 1.
When the process is to be started by setting the vacuum to 11, a soft button (not shown) displayed on the screen is selected with a mouse cursor, or a finger is touched on the soft button if the display screen has a touch panel function. Thus, the apparatus is controlled so that the processing chambers 101 and 102, the transfer chamber 106, the load lock chamber 110, and the unload lock chamber 111 can be exhausted.

【0035】装置の排気が指示され、排気可能な状態に
なると、図3(b)に示すように、前記表示画面上に表
示されている複数の排気を要する部屋である処理室10
1、102、搬送室106、ロードロック室110、ア
ンロードロック室111の近くにそれらの部屋のそれぞ
れに対応する排気ボタンが表示される。作業者が、表示
されている排気ボタンを前述と同様に選択すると、対応
する部屋の排気が開始される。図3(b)に示す例は、
ロードロック室110の排気が完了したことを、ロード
ロック室110を明るく表示することにより表示し、他
の部屋はまだ排気が開始されていない状態であるとして
暗く表示している例である。排気ボタンが選択され、装
置の排気が開始されると、そのボタンの近くに、排気完
了までの時間が排気残時間として表示される。図示例で
は、数字によりこの残時間を示しているが、砂時計、時
計の文字盤等の絵により、排気終了までの残時間を表示
するようにしてもよい。
When the evacuation of the apparatus is instructed and the evacuation is possible, as shown in FIG. 3B, the processing room 10 which is a room requiring a plurality of evacuation displayed on the display screen.
1, 102, the transfer chamber 106, the load lock chamber 110, and the unload lock chamber 111, an exhaust button corresponding to each of those rooms is displayed. When the operator selects the displayed exhaust button in the same manner as described above, the exhaust of the corresponding room is started. The example shown in FIG.
In this example, the completion of the exhaust of the load lock chamber 110 is displayed by brightly displaying the load lock chamber 110, and the other rooms are darkly displayed as the exhaust has not been started yet. When the evacuation button is selected and the evacuation of the apparatus is started, a time until the evacuation is completed is displayed near the button as the remaining evacuation time. In the illustrated example, the remaining time is indicated by a numeral, but the remaining time until the end of exhaust may be displayed by a picture such as an hourglass or a clock face.

【0036】前述のように各部屋の排気が進められ、搬
送室106、ロードロック室110、アンロードロック
室111が排気完了した状態を図3(c)に示してい
る。前述した場合と同様に、排気が完了した部屋を明る
く表示して、排気完了を表示している。処理室101、
102についても、排気完了時に明るく表示される。
FIG. 3C shows a state in which the exhaust of each room has been advanced as described above, and the transfer chamber 106, the load lock chamber 110, and the unload lock chamber 111 have been completely exhausted. As in the case described above, the room in which the exhaust is completed is displayed brightly, and the completion of the exhaust is displayed. Processing chamber 101,
102 is also displayed brightly when exhaust is completed.

【0037】前述したように、本発明の実施形態によれ
ば、作業開始前の装置の立ち上げ時に、装置内の各部の
準備状況を装置を構成する部分毎に表示して、準備の完
了を確実に作業者に知らせることができる。
As described above, according to the embodiment of the present invention, when the apparatus is started up before the start of the work, the preparation status of each part in the apparatus is displayed for each part constituting the apparatus, and the completion of the preparation is indicated. It is possible to reliably inform the worker.

【0038】図4〜図7はウェハの処理を行っている状
況を処理の手順に従って表示している例を説明する図で
あり、次に、図4〜図7を参照して、ウェハの処理状況
の表示について説明する。
FIGS. 4 to 7 are views for explaining an example in which the status of the processing of the wafer is displayed according to the processing procedure. Next, referring to FIGS. 4 to 7, the processing of the wafer will be described. The status display will be described.

【0039】図3により説明した手順により装置の処理
開始の準備ができると、図4(a)に示すように、装置
の全てが明るく表示される。作業者がウェハに対する処
理の開始をソフトボタン等により指示すると、図4
(b)に示すように、移載機116内の大気アーム11
8が未処理ウェハ123を収納しているウェハキャリア
121が載置されているロードポート120の位置に移
動する。
When the apparatus is ready to start processing according to the procedure described with reference to FIG. 3, all of the apparatuses are displayed bright as shown in FIG. When the operator instructs the start of the processing on the wafer by using a soft button or the like, FIG.
As shown in (b), the atmospheric arm 11 in the transfer machine 116
8 moves to the position of the load port 120 where the wafer carrier 121 containing the unprocessed wafer 123 is placed.

【0040】次に、図4(c)に示すように、ウェハキ
ャリア扉122が開かれ、大気アーム118は、未処理
ウェハ123を移載機116の内部に取り込み、図4
(d)に示すように、未処理ウェハ123をアライメン
ト部117に搬送する。未処理ウェハ123のアライメ
ントが終了すると、図4(e)に示すように、アライメ
ント部117に置かれている未処理ウェハ123の周囲
の色が緑色に変化して、アライメントの処理が終了した
ことを表示する。すると、大気アーム118は、図4
(f)に示すように、アライメント処理が終了したウェ
ハをロードロック室110の位置まで搬送する。なお、
この時点で、ロードロック室110は、大気圧の状態と
なるように制御されており、ロードロック室110は、
例えば水色に表示されて、大気圧の状態になっているこ
とが示される。
Next, as shown in FIG. 4 (c), the wafer carrier door 122 is opened, and the atmospheric arm 118 takes in the unprocessed wafer 123 into the transfer device 116.
As shown in (d), the unprocessed wafer 123 is transported to the alignment unit 117. When the alignment of the unprocessed wafer 123 is completed, the color around the unprocessed wafer 123 placed in the alignment unit 117 changes to green, as shown in FIG. Is displayed. Then, the atmospheric arm 118
As shown in (f), the wafer having undergone the alignment process is transported to the position of the load lock chamber 110. In addition,
At this point, the load lock chamber 110 is controlled to be in an atmospheric pressure state.
For example, it is displayed in light blue to indicate that it is at atmospheric pressure.

【0041】次に、ロードロック室110の移載機11
6側の扉114が開かれ、大気アーム118が、図5
(a)に示すように、未処理ウェハ123をロードロッ
ク室110内に搬入する。大気アーム118が退避後、
ロードロック室110の移載機116側の扉114が閉
じられて、ロードロック室110が真空に引かれ、その
後、図5(b)に示すように、ロードロック室110の
搬送室106側の扉112が開かれる。
Next, the transfer machine 11 in the load lock chamber 110
The door 114 on the sixth side is opened, and the atmosphere arm 118 is moved to the position shown in FIG.
As shown in (a), the unprocessed wafer 123 is carried into the load lock chamber 110. After the atmosphere arm 118 has evacuated,
The door 114 of the load lock chamber 110 on the transfer machine 116 side is closed, and the load lock chamber 110 is evacuated. Thereafter, as shown in FIG. The door 112 is opened.

【0042】次に、図5(c)に示すように、搬送室1
06内の真空アームがロードロック室110内に延び
て、未処理ウェハ123を取り出し、図5(d)に示す
ように、扉103が開かれた処理室A101に搬入す
る。このとき、すでに、ロードロック室110の搬送室
106側の扉112は閉じられている。次に、処理室A
101の扉103が閉じられて、図5(e)に示すよう
に、処理室A101にウェハの処理のために必要な反応
ガス等が注入される。反応ガス等の注入の状態が、処理
室を、例えば、紫色に表示する、ガス供給用の配管を表
示する等により示される。反応ガス等の注入が終了すれ
ば、プラズマを使用するウェハの処理が開始され、この
処理中、処理室A101は、例えば、放電のパターンの
形状に合わせて薄い赤紫により放電している状態を模擬
するように表示される。この場合の、処理時間の経過
は、すでに説明したように、排気口の色を変えることに
より表示される。時間経過は、表示画面上の別の場所に
時間を示すインジケータに表示するようにしてもよい。
Next, as shown in FIG.
The vacuum arm in 06 extends into the load lock chamber 110, takes out the unprocessed wafer 123, and carries it into the processing chamber A101 with the door 103 opened as shown in FIG. At this time, the door 112 on the transfer chamber 106 side of the load lock chamber 110 has already been closed. Next, processing chamber A
The door 103 of 101 is closed, and as shown in FIG. 5E, a reaction gas or the like necessary for processing a wafer is injected into the processing chamber A101. The state of the injection of the reaction gas or the like is indicated by, for example, displaying the processing chamber in purple or displaying a gas supply pipe. When the injection of the reaction gas or the like is completed, the processing of the wafer using the plasma is started, and during this processing, the processing chamber A101 is in a state where the processing chamber A101 is discharging with a thin red purple according to the shape of the discharge pattern, for example. It is displayed to simulate. In this case, the elapse of the processing time is displayed by changing the color of the exhaust port as described above. The elapsed time may be displayed on another indicator on the display screen, which indicates the time.

【0043】処理室A101での処理が終了すると、処
理室内部のウェハは、処理済のウェハ124となったこ
とを示すため虹色が付けられた状態に表示され、図6
(a)に示すように、処理室A101の扉103が開か
れる。搬送室106内の真空アーム109は、図6
(b)に示すように、処理室A101から処理の済んだ
ウェハを取り出し、図6(c)に示すように、その処理
済のウェハをクーリング室A107に搬送する。処理済
のウェハは、クーリング室A107で冷却された後、図
6(d)に示すように、真空アーム109によりクーリ
ング室A107から取り出され、図6(e)に示すよう
に、搬送室106側の扉113が開かれたアンロードロ
ック室111内に搬送される。その後、図6(f)に示
すように、アンロードロック室111の搬送室106側
の扉113が閉じられる。
When the processing in the processing chamber A101 is completed, the wafer in the processing chamber A101 is displayed in a rainbow-colored state to indicate that the processed wafer 124 has been processed.
As shown in (a), the door 103 of the processing chamber A101 is opened. The vacuum arm 109 in the transfer chamber 106 is
As shown in FIG. 6B, the processed wafer is taken out of the processing chamber A101, and the processed wafer is transferred to the cooling chamber A107 as shown in FIG. 6C. After the processed wafer is cooled in the cooling chamber A107, as shown in FIG. 6D, it is taken out of the cooling chamber A107 by the vacuum arm 109, and as shown in FIG. Is transported into the unload lock chamber 111 where the door 113 is opened. Thereafter, as shown in FIG. 6F, the door 113 on the transfer chamber 106 side of the unload lock chamber 111 is closed.

【0044】次に、アンロードロック室111が大気圧
状態とされ、そのことが、図7(a)に示すように、例
えば、アンロードロック室111を水色に表示して示さ
れる。アンロードロック室111が、大気圧の状態にな
ると、アンロードロック室111の移載機116側の扉
115が開かれ、図7(b)に示すように、移載機11
6内の大気アーム118が、アンロードロック室111
内の処理済のウェハを取り出して、図7(c)に示すよ
うに、移載機116内に搬送する。このとき、アンロー
ドロック室111の移載機116側の扉115が閉じら
れて、図7(d)に示すように、アンロードロック室1
11が排気される。
Next, the unload lock chamber 111 is brought to the atmospheric pressure state, for example, as shown in FIG. 7A, by displaying the unload lock chamber 111 in light blue. When the unload lock chamber 111 is at atmospheric pressure, the door 115 on the transfer device 116 side of the unload lock chamber 111 is opened, and as shown in FIG.
6 and the unload lock chamber 111
The processed wafer is taken out and transferred into the transfer device 116 as shown in FIG. At this time, the door 115 on the transfer machine 116 side of the unload lock chamber 111 is closed, and as shown in FIG.
11 is exhausted.

【0045】移載機116内の大気アーム118は、ウ
ェハを乗せて所定のロードポート120の位置に移動
し、図7(e)に示すように、ロードポート120上の
扉122が開かれたウェハキャリアに処理済のウェハを
搬送する。大気アームが引き込まれて、一連の処理動作
が終了し、図7(f)に示すように、装置は、初期状態
となる。
The atmosphere arm 118 in the transfer device 116 carries the wafer and moves to a predetermined position of the load port 120, and the door 122 on the load port 120 is opened as shown in FIG. The processed wafer is transferred to a wafer carrier. When the atmospheric arm is retracted, a series of processing operations is completed, and the apparatus is in an initial state as shown in FIG.

【0046】前述で説明したウェハの処理の表示は、2
つの処理室の一方を使用して1枚のウェハの処理を行う
ものとして説明したが、2つの処理室を使用して処理を
行う場合、前述の各処理の動作が、組み合わされた状態
で行われる。また、半導体基板処理装置は、さらに多数
の処理室を備えるものもあるが、その場合にも、前述の
処理動作を組み合わせることにより、複数の処理室を用
いる処理を重複して進めることができる。
The display of the wafer processing described above is 2
Although it has been described that one wafer is processed using one of the two processing chambers, when processing is performed using two processing chambers, the operations of the above-described processing are performed in a combined state. Will be In addition, some semiconductor substrate processing apparatuses further include a large number of processing chambers. In such a case, the processing using a plurality of processing chambers can be performed in an overlapping manner by combining the processing operations described above.

【0047】また、前述の説明において、搬送室106
内の真空アーム109の2本のアームの使い分けについ
て説明していないが、例えば、2本のアームの一方は、
冷たい状態のウェハの搬送に使用され、他方は、処理室
での処理を終わった熱い状態のウェハを搬送するために
使用される。
In the above description, the transfer chamber 106
Although it is not described how to use the two arms of the vacuum arm 109 inside, for example, one of the two arms is
It is used to transport a cold wafer, and the other is used to transport a hot wafer that has been processed in a processing chamber.

【0048】前述において、1枚のウェハの処理が正常
に終了するまでを説明したが、処理の途中等において、
装置のどこかで故障が生じると、例えば、その部分が赤
く表示され、赤く点滅して表示され、あるいは、異なる
色を交互に切り替えて表示されて、表示画面を見ている
作業者に故障が発生したことを知らせる。
In the above description, the processing up to the normal end of processing of one wafer has been described.
If a failure occurs in any part of the device, for example, the part is displayed in red, flashing in red, or alternately displayed in different colors, and the worker looking at the display screen has a failure. Notify that it has occurred.

【0049】そして、作業者は、故障が発生した場合、
その故障が発生した場所を指で触れる、あるいは、マウ
スカーソルにより選択すること等により、その場所に関
する情報を表示画面に表示させることができる。また、
作業者は、正常な動作が行われている場合にも、ある場
所に関する情報を見たい場合、その場所を指で触れる、
あるいは、マウスカーソルにより選択すること等によ
り、その場所に関する情報を表示画面に表示させること
ができる。
Then, when a failure occurs, the operator
By touching the place where the failure has occurred with a finger or selecting it with a mouse cursor, information on the place can be displayed on the display screen. Also,
Workers should touch the place with their finger if they want to see information about the place even when the operation is normal.
Alternatively, information on the location can be displayed on the display screen by selecting with a mouse cursor or the like.

【0050】図8は前述の場合の例として、ロードロッ
ク室に関する情報を表示させた画面例を説明する図であ
る。
FIG. 8 is a view for explaining an example of a screen on which information relating to the load lock room is displayed as an example in the case described above.

【0051】作業者が、例えば、ロードロック室110
の表示を指示すると、図8に示す例のように、ロードロ
ック室110に接続される排気系、ガス供給系の系統図
が示されると共に、縮小された全体図が表示される。そ
して、例えば、ロードロック室110が真空状態を示し
ているときに、表示を行わせた場合、その真空度、各ゲ
ート弁等の状態等が表示される。また、故障が生じてい
る場合、故障している部分、図示の例では、故障してい
る弁、排気装置DRP1等が、赤等の色で表示されて示
される。また、真空度が不足した等の故障の場合、真空
度を検出しているセンサであるバキュームスイッチVS
11の色が赤等に変化して、異常を作業者に知らせる。
When the worker, for example, loads the load lock chamber 110,
Is displayed, a system diagram of the exhaust system and the gas supply system connected to the load lock chamber 110 is displayed as in the example shown in FIG. 8, and a reduced general view is displayed. Then, for example, when the display is performed while the load lock chamber 110 indicates a vacuum state, the degree of vacuum, the state of each gate valve, and the like are displayed. In the case where a failure has occurred, the failed portion, in the illustrated example, the failed valve, the exhaust device DRP1, and the like are displayed and shown in a color such as red. In the case of a failure such as insufficient vacuum, the vacuum switch VS, which is a sensor for detecting the degree of vacuum, is used.
The color 11 changes to red or the like to notify the operator of the abnormality.

【0052】また、本発明の実施形態は、図には示して
いないが、故障を示す赤等の色で表示された部分を選択
すると、その部分の詳細を前述したように表示すると同
時に、表示されている故障部位をさらに選択することに
より、その故障に対する対処方法を表示することができ
る。
Further, in the embodiment of the present invention, although not shown in the figure, when a portion displayed in a color such as red indicating a failure is selected, the details of the portion are displayed as described above, and at the same time, the display is performed. By further selecting the failed part, a countermeasure for the failure can be displayed.

【0053】さらに、本発明の実施形態は、故障等の異
常時以外に、装置内の何処かの部分が選択され、その部
分の詳細が表示された後、その詳細表示の中の何処かの
部分を選択することにより、その部分の保守、点検の手
順、部品交換の要否等を順次表示させるようにすること
ができる。
Further, according to the embodiment of the present invention, except for an abnormality such as a failure, any part in the apparatus is selected, the details of the part are displayed, and then any part of the detailed display is displayed. By selecting a part, maintenance, inspection procedures, necessity of component replacement, and the like of the part can be sequentially displayed.

【0054】前述で説明した本発明の実施形態は、色に
より、あるいは、色を変化させることにより、装置内の
種々の状況あるいは状況の変化を表示するとして説明し
たが、紫外線等の存在が処理に悪影響を与える場合、装
置を設置する環境の照明が黄色等の単色により照明され
る場合があり、本発明は、このような条件の中でも、前
述した色の識別が可能な表示色を選択しておくとよい。
In the embodiments of the present invention described above, various situations or changes in situations in the apparatus are displayed by color or by changing colors. If it adversely affects the environment, the lighting of the environment in which the device is installed may be illuminated by a single color such as yellow, and the present invention selects a display color capable of discriminating the above-described colors even under such conditions. Good to keep.

【0055】さらに、本発明の実施形態は、処理室にお
ける処理ガスの注入条件、マイクロ波入力条件、磁場発
生条件等の処理条件を、監視制御端末の表示画面から入
力して設定することができる。
Further, in the embodiment of the present invention, processing conditions such as processing gas injection conditions, microwave input conditions, and magnetic field generation conditions in the processing chamber can be input and set from the display screen of the monitoring control terminal. .

【0056】図9は処理室における処理条件の設定画面
例を説明する図であり、以下、これについて説明する。
FIG. 9 is a view for explaining an example of a screen for setting processing conditions in the processing chamber, which will be described below.

【0057】図9(a)は処理室における処理条件を表
形式により示したもので、この表は、例えば、処理のス
テップ番号と、各ステップにおける処理時間と、各ステ
ップにおける処理ガスの注入条件、マイクロ波入力条
件、磁場発生条件等のパラメータとにより構成される。
図示の表において、パラメータの値の代わりに記載され
ている「/」は、前のステップのパラメータ値と次のス
テップのパラメータ値との間を、そのステップの中で直
線的に変化させていくことを示している。なお、この意
味を「/」以外の他の記号等により示すようにしてもよ
い。
FIG. 9A shows the processing conditions in the processing chamber in the form of a table. The table shows, for example, the processing step number, the processing time in each step, and the processing gas injection conditions in each step. , Microwave input conditions, magnetic field generation conditions, and other parameters.
In the illustrated table, “/” described in place of the parameter value changes between the parameter value of the previous step and the parameter value of the next step linearly in that step. It is shown that. This meaning may be indicated by a symbol other than “/”.

【0058】作業者は、処理の開始に先立って、図9
(a)に示すような表形式の処理条件を表示画面上に表
示し、各ステップの処理時間、各ステップでの処理条件
を決めるパラメータを入力することにより、ウェハの処
理条件を設定する。このような処理条件は、その全てを
作業者に入力させてもよいが、一般的には、ウェハに対
する処理内容により予め記憶されている標準の処理条件
が設定された表を呼び出し、その表の中の処理条件を変
更するようにしてもよい。また、過去に使用した処理条
件の表を記憶しておき、これらの表の1つを呼び出し
て、そのまま、あるいは、その表の中の処理条件を変更
して使用することもできる。過去の表の呼び出しは、使
用日時、基板の処理形式、基板の種類等のキーワード等
を用いることにより行うことができる。
Prior to the start of the processing, the worker should
The processing conditions in a tabular form as shown in FIG. 3A are displayed on a display screen, and the processing time of each step and the parameters for determining the processing conditions in each step are input to set the processing conditions of the wafer. Such processing conditions may all be input by an operator, but generally, a table in which standard processing conditions stored in advance according to the processing content of the wafer are set is called, and the table is referred to. The middle processing condition may be changed. Also, a table of processing conditions used in the past may be stored, and one of these tables may be called up and used as it is or by changing the processing conditions in the table. The call of the past table can be performed by using keywords such as date and time of use, processing format of the substrate, type of the substrate, and the like.

【0059】表示画面内には、「グラフ」というソフト
ボタンが表と共に表示され、作業者がこのボタンを選択
すると、図9(a)に示す表の内容が時間の経過に対す
るパラメータの変化として、図9(b)に示すように、
グラフ形式により表示される。作業者は、このグラフ形
式で表示されたパラメータを画面上で、マウス等を用い
てパラメータの時間経過に対する変化等を変更する編集
を行うこともできる。そして、このグラフ表示画面内に
「表」というソフトボタンが表示され、これを使用し
て、表の表示に戻ることができる。グラフ形式の中で、
前述した編集を行った場合、その結果が、表形式のデー
タの中に反映される。
On the display screen, a soft button "Graph" is displayed together with a table. When the operator selects this button, the contents of the table shown in FIG. As shown in FIG.
Displayed in graph format. The operator can edit the parameter displayed in the graph format on the screen by using a mouse or the like to change a change in the parameter with the passage of time. Then, a soft button "table" is displayed on the graph display screen, and the user can return to the display of the table by using the soft button. In the graph format,
When the above-described editing is performed, the result is reflected in tabular data.

【0060】また、表からグラフを表示させる場合に、
表内の1つのパラメータを選択してから「グラフ」のボ
タンを選択すると、そのパラメータについてのみのグラ
フが表示される。これにより、作業者は、特に、グラフ
形式に表示することが有効なパラメータについて、選択
したパラメータの時間経過に対する変化を、余分な情報
が排除された状態で容易に確認することができる。さら
に、グラフ形式に表示されているパラメータの1つを選
択してから「表」のボタンを選択すると、そのパラメー
タについてのみのデータが表形式で表示される。これに
より、作業者は、グラフ形式の表示で、詳細な数値デー
タを確認したいパラメータがある場合、そのパラメータ
の数値データを、余分な情報が排除された状態で容易に
確認することができる。
When displaying a graph from a table,
When one parameter in the table is selected and then the button of “Graph” is selected, a graph for only that parameter is displayed. Thereby, the operator can easily confirm the change of the selected parameter with respect to the passage of time, particularly with respect to the parameters that are effective to be displayed in the graph format, without any extra information. Further, when one of the parameters displayed in the graph format is selected and then the button of “table” is selected, data only for the parameter is displayed in the table format. Thus, when there is a parameter whose detailed numerical data is desired to be confirmed on the display in the graph format, the operator can easily confirm the numerical data of the parameter without any extra information.

【0061】[0061]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、作
業者が容易に装置内部における状況を素早くしかも確実
に知ることができ、故障の発生に際しても、何処で故障
が発生しているかを具体的な装置の位置として知ること
ができるように装置内部における状況を表示することが
できる。
As described above, according to the present invention, the operator can easily and quickly know the situation inside the apparatus, and when a failure occurs, it is possible to determine where the failure has occurred. The situation inside the device can be displayed so that it can be known as a specific position of the device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態による表示方法を適用する
半導体基板処理装置の構成例を説明する平面図である。
FIG. 1 is a plan view illustrating a configuration example of a semiconductor substrate processing apparatus to which a display method according to an embodiment of the present invention is applied.

【図2】半導体基板処理装置と監視制御用端末との配置
による表示画面内に表示される装置の表示例の変化を説
明する図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a change in a display example of a device displayed on a display screen due to an arrangement of a semiconductor substrate processing device and a monitoring control terminal.

【図3】半導体基板処理装置を処理動作可能に立ち上げ
る状態の表示画面の変化を説明する図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a change in a display screen in a state where the semiconductor substrate processing apparatus is started up so as to be capable of performing a processing operation.

【図4】ウェハの処理を行っている状況を処理の手順に
従って表示している例を説明する図(その1)である。
FIG. 4 is a diagram (part 1) for explaining an example in which a situation in which a wafer is being processed is displayed according to a processing procedure;

【図5】ウェハの処理を行っている状況を処理の手順に
従って表示している例を説明する図(その2)である。
FIG. 5 is a diagram (part 2) for explaining an example in which a state of processing a wafer is displayed according to a processing procedure.

【図6】ウェハの処理を行っている状況を処理の手順に
従って表示している例を説明する図(その3)である。
FIG. 6 is a diagram (part 3) for explaining an example in which a state in which a wafer is being processed is displayed according to a processing procedure;

【図7】ウェハの処理を行っている状況を処理の手順に
従って表示している例を説明する図(その4)である。
FIG. 7 is a diagram (part 4) for explaining an example in which the state of processing a wafer is displayed according to the processing procedure.

【図8】ロードロック室に関する情報を表示させた画面
例を説明する図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating an example of a screen on which information regarding a load lock room is displayed.

【図9】処理室における処理条件の設定画面例を説明す
る図である。
FIG. 9 is a diagram illustrating an example of a setting screen of processing conditions in a processing chamber.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101、102 処理室A、B 103、104 処理室A、Bの扉 105 排気口 106 搬送室 107、108 クーリング室A、B 109 真空アーム 110 ロードロック室 111 アンロードロック室 112〜115 扉 116 移載機 117 アライメント部 118 大気アーム 119 クリーニング基板 120 ロードポート 121 ウェハキャリア 122 ウェハキャリア扉 123 未処理ウェハ 124 処理済ウェハ 125、126 壁 101, 102 Processing chambers A, B 103, 104 Doors of processing chambers A, B 105 Exhaust port 106 Transfer chamber 107, 108 Cooling chamber A, B 109 Vacuum arm 110 Load lock chamber 111 Unload lock chamber 112-115 Door 116 Transfer Loading machine 117 Alignment unit 118 Atmospheric arm 119 Cleaning substrate 120 Load port 121 Wafer carrier 122 Wafer carrier door 123 Unprocessed wafer 124 Processed wafer 125, 126 Wall

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 根本 隆一 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所デザイン研究所内 (72)発明者 町田 和久 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所デザイン研究所内 Fターム(参考) 5F004 AA00 BB18 BC08 CB20 5F045 AA08 AA19 BB08 BB10 BB20 DP01 DP02 DQ10 GB15  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Ryuichi Nemoto 1-280 Higashi-Koikekubo, Kokubunji-shi, Tokyo Inside the Design Laboratory, Hitachi, Ltd. F term in the design laboratory (reference) 5F004 AA00 BB18 BC08 CB20 5F045 AA08 AA19 BB08 BB10 BB20 DP01 DP02 DQ10 GB15

Claims (18)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体基板上に半導体装置を形成する半
導体基板の処理を行う半導体基板処理装置における処理
状況の表示方法において、半導体基板処理装置の処理状
況を監視制御する端末の表示画面上に、複数の部屋から
構成される半導体基板処理装置の構成図を表示し、表示
されている構成図の中の一部が選択されると、選択され
た部分に関する詳細情報を、図面または文字により表示
し、さらに、詳細情報の中の一部が選択されると、選択
された部分に関するさらに詳細な情報を表示することを
特徴とする半導体基板処理装置における処理状況の表示
方法。
1. A method for displaying a processing status in a semiconductor substrate processing apparatus for processing a semiconductor substrate on which a semiconductor device is formed on a semiconductor substrate, comprising the steps of: A configuration diagram of the semiconductor substrate processing apparatus including a plurality of rooms is displayed, and when a part of the displayed configuration diagram is selected, detailed information on the selected portion is displayed by drawing or text. A method of displaying a processing status in the semiconductor substrate processing apparatus, wherein, when a part of the detailed information is selected, more detailed information on the selected part is displayed.
【請求項2】 半導体基板上に半導体装置を形成する半
導体基板の処理を行う半導体基板処理装置における処理
状況の表示方法において、半導体基板処理装置の処理状
況を監視制御する端末の表示画面上に、複数の部屋から
構成される半導体基板処理装置の構成図を表示し、表示
されている構成図の中の一部が選択されると、選択され
た部分に関する詳細情報を、図面または文字により表示
し、さらに、詳細情報の中の一部が選択されると、選択
された部分に関する保守、点検の手順、部品交換の要否
に関する情報を順次表示することを特徴とする半導体基
板処理装置における処理状況の表示方法。
2. A method for displaying a processing status in a semiconductor substrate processing apparatus for processing a semiconductor substrate on which a semiconductor device is formed on a semiconductor substrate, the method comprising: displaying a processing status of the semiconductor substrate processing apparatus on a display screen of a terminal; A configuration diagram of the semiconductor substrate processing apparatus including a plurality of rooms is displayed, and when a part of the displayed configuration diagram is selected, detailed information on the selected portion is displayed by drawing or text. Further, when a part of the detailed information is selected, information on maintenance, inspection procedures, and necessity of component replacement for the selected part is sequentially displayed. Display method.
【請求項3】 半導体基板上に半導体装置を形成する半
導体基板の処理を行う半導体基板処理装置における処理
状況の表示方法において、半導体基板処理装置の処理状
況を監視制御する端末の表示画面上に、複数の部屋から
構成される半導体基板処理装置の構成図を表示し、か
つ、表示される構成図は、前記表示画面を見る位置から
実際の装置を見た場合と同様に見えるように、実際の設
置の向きと表示される装置の向きとを一致させるように
表示が行われることを特徴とする半導体基板処理装置に
おける処理状況の表示方法。
3. A method for displaying a processing status in a semiconductor substrate processing apparatus for processing a semiconductor substrate forming a semiconductor device on a semiconductor substrate, the method comprising: displaying a processing status of the semiconductor substrate processing apparatus on a display screen of a terminal; A configuration diagram of the semiconductor substrate processing apparatus composed of a plurality of rooms is displayed, and the displayed configuration diagram is similar to that of a case where the actual apparatus is viewed from the position where the display screen is viewed. A display method for displaying a processing status in a semiconductor substrate processing apparatus, wherein the display is performed so that the installation direction and the displayed apparatus direction coincide with each other.
【請求項4】 半導体基板上に半導体装置を形成する半
導体基板の処理を行う半導体基板処理装置における処理
状況の表示方法において、半導体基板処理装置の処理状
況を監視制御する端末の表示画面上に、複数の部屋から
構成される半導体基板処理装置の構成図を表示すると共
に、故障発生時、表示されている構成図内の故障発生箇
所を、明滅させて、複数の色を切り替えて、あるいは、
周囲と異なる色により表示することを特徴とする半導体
基板処理装置における処理状況の表示方法。
4. A method for displaying a processing status in a semiconductor substrate processing apparatus for processing a semiconductor substrate on which a semiconductor device is formed on a semiconductor substrate, the method comprising: displaying on a display screen of a terminal for monitoring and controlling the processing status of the semiconductor substrate processing apparatus; In addition to displaying the configuration diagram of the semiconductor substrate processing apparatus composed of a plurality of rooms, when a failure occurs, a failure occurrence location in the displayed configuration diagram blinks, and a plurality of colors are switched, or
A method for displaying a processing status in a semiconductor substrate processing apparatus, wherein the processing status is displayed in a color different from the surroundings.
【請求項5】 前記故障発生箇所が選択されると、故障
の詳細を表示し、さらに、故障の詳細の表示の中の一部
が選択されると、故障の対処方法を表示することを特徴
とする請求項4記載の半導体基板処理装置における処理
状況の表示方法。
5. When the failure occurrence location is selected, details of the failure are displayed, and when a part of the details of the failure is selected, a method for dealing with the failure is displayed. 5. A method for displaying a processing status in the semiconductor substrate processing apparatus according to claim 4.
【請求項6】 半導体基板上に半導体装置を形成する半
導体基板の処理を行う半導体基板処理装置における処理
状況の表示方法において、半導体基板処理装置の処理条
件としてのパラメータの入力、決定を行い、または、実
際のパラメータを表示する表形式とグラフ形式との表示
形式間の切り換えが可能な入力画面を表示することを特
徴とする半導体基板処理装置における処理状況の表示方
法。
6. A method for displaying a processing status in a semiconductor substrate processing apparatus for processing a semiconductor substrate on which a semiconductor device is formed on a semiconductor substrate, comprising inputting and determining parameters as processing conditions of the semiconductor substrate processing apparatus; A method for displaying a processing status in a semiconductor substrate processing apparatus, wherein an input screen capable of switching between a display format for displaying actual parameters and a display format for displaying parameters is displayed.
【請求項7】 前記表形式またはグラフ形式の表示形式
の中で処理条件の編集が可能であり、一方の形式での編
集の結果が他方の形式に反映されることを特徴とする請
求項6記載の半導体基板処理装置における処理状況の表
示方法。
7. The processing condition can be edited in the display format of the table format or the graph format, and the result of editing in one format is reflected in the other format. A method for displaying a processing status in the semiconductor substrate processing apparatus according to the above.
【請求項8】 前記表形式で表示された処理条件の中の
任意のパラメータが選択されると、そのパラメータにつ
いてのグラフ形式の表示を行うことを特徴とする請求項
6記載の半導体基板処理装置における処理状況の表示方
法。
8. The semiconductor substrate processing apparatus according to claim 6, wherein when an arbitrary parameter is selected from the processing conditions displayed in the table format, the parameter is displayed in a graph format. How to display the processing status in.
【請求項9】 前記グラフ式で表示された処理条件の中
の任意のパラメータが選択されると、そのパラメータに
ついての表形式の表示を行うことを特徴とする請求項6
記載の半導体基板処理装置における処理状況の表示方
法。
9. The method according to claim 6, wherein when an arbitrary parameter is selected from among the processing conditions displayed in the graph, the parameter is displayed in a table format.
A method for displaying a processing status in the semiconductor substrate processing apparatus according to the above.
【請求項10】 半導体基板上に半導体装置を形成する
半導体基板の処理を行う半導体基板処理装置において、
半導体基板処理装置の処理状況を監視制御する端末の表
示画面上に、複数の部屋から構成される半導体基板処理
装置の構成図を表示する手段と、表示されている構成図
の中の一部が選択されると、選択された部分に関する詳
細情報を、図面または文字により表示する手段と、詳細
情報の中の一部が選択されると、選択された部分に関す
るさらに詳細な情報を表示する手段とによる処理状況表
示手段を備えたことを特徴とする半導体基板処理装置。
10. A semiconductor substrate processing apparatus for processing a semiconductor substrate that forms a semiconductor device on a semiconductor substrate,
Means for displaying a configuration diagram of a semiconductor substrate processing apparatus composed of a plurality of rooms on a display screen of a terminal that monitors and controls the processing status of the semiconductor substrate processing apparatus, and a part of the displayed configuration diagram is Means for displaying, when selected, detailed information on the selected part by drawing or text, and means for displaying more detailed information on the selected part when a part of the detailed information is selected. A semiconductor substrate processing apparatus, comprising: a processing status display unit according to claim 1.
【請求項11】 半導体基板上に半導体装置を形成する
半導体基板の処理を行う半導体基板処理装置において、
半導体基板処理装置の処理状況を監視制御する端末の表
示画面上に、複数の部屋から構成される半導体基板処理
装置の構成図を表示する手段と、表示されている構成図
の中の一部が選択されると、選択された部分に関する詳
細情報を、図面または文字により表示する手段と、詳細
情報の中の一部が選択されると、選択された部分に関す
る保守、点検の手順、部品交換の要否に関する情報を順
次表示することを特徴とする半導体基板処理装置。
11. A semiconductor substrate processing apparatus for processing a semiconductor substrate that forms a semiconductor device on a semiconductor substrate,
Means for displaying a configuration diagram of a semiconductor substrate processing apparatus composed of a plurality of rooms on a display screen of a terminal that monitors and controls the processing status of the semiconductor substrate processing apparatus, and a part of the displayed configuration diagram is When selected, means for displaying detailed information on the selected part by drawing or text, and when a part of the detailed information is selected, maintenance, inspection procedures, parts replacement for the selected part A semiconductor substrate processing apparatus for sequentially displaying information on necessity.
【請求項12】 半導体基板上に半導体装置を形成する
半導体基板の処理を行う半導体基板処理装置において、
半導体基板処理装置の処理状況を監視制御する端末の表
示画面上に、複数の部屋から構成される半導体基板処理
装置の構成図を表示する手段とを備え、該手段が、表示
される構成図を、前記表示画面を見る位置から実際の装
置を見た場合と同様に見えるように、実際の設置の向き
と表示される装置の向きとを一致させるように表示する
処理状況表示手段を備えたことを特徴とする半導体基板
処理装置。
12. A semiconductor substrate processing apparatus for processing a semiconductor substrate for forming a semiconductor device on a semiconductor substrate,
Means for displaying a configuration diagram of a semiconductor substrate processing apparatus composed of a plurality of rooms on a display screen of a terminal for monitoring and controlling the processing status of the semiconductor substrate processing apparatus, wherein the means is configured to be displayed. Processing status display means for displaying the actual installation direction and the direction of the displayed device so as to match the actual installation from the position where the display screen is viewed. A semiconductor substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.
【請求項13】 半導体基板上に半導体装置を形成する
半導体基板の処理を行う半導体基板処理装置において、
半導体基板処理装置の処理状況を監視制御する端末の表
示画面上に、複数の部屋から構成される半導体基板処理
装置の構成図を表示する手段と、故障発生時、表示され
ている構成図内の故障発生箇所を、明滅させて、複数の
色を切り替えて、あるいは、周囲と異なる色により表示
する手段とによる処理状況表示手段を備えたことを特徴
とする半導体基板処理装置。
13. A semiconductor substrate processing apparatus for processing a semiconductor substrate that forms a semiconductor device on a semiconductor substrate,
Means for displaying a configuration diagram of a semiconductor substrate processing apparatus composed of a plurality of rooms on a display screen of a terminal for monitoring and controlling the processing status of the semiconductor substrate processing apparatus; A semiconductor substrate processing apparatus comprising: processing status display means for blinking a failure occurrence location, switching between a plurality of colors, or displaying a color different from the surroundings.
【請求項14】 前記処理状況表示手段は、前記故障発
生箇所が選択されると、故障の詳細を表示する手段と、
故障の詳細の表示の中の一部が選択されると、故障の対
処方法を表示する手段とを備えたことを特徴とする請求
項13記載の半導体基板処理装置。
14. The processing status display means, when the failure occurrence location is selected, displays details of the failure,
14. The semiconductor substrate processing apparatus according to claim 13, further comprising: means for displaying a measure for coping with the failure when a part of the details of the failure is selected.
【請求項15】 半導体基板上に半導体装置を形成する
半導体基板の処理を行う半導体基板処理装置において、
半導体基板処理装置の処理条件としてのパラメータを決
定する表形式とグラフ形式との表示形式間の切り換えが
可能な入力画面を表示する処理状況表示手段を備えたこ
とを特徴とする半導体基板処理装置。
15. A semiconductor substrate processing apparatus for processing a semiconductor substrate that forms a semiconductor device on a semiconductor substrate,
A semiconductor substrate processing apparatus, comprising: processing status display means for displaying an input screen capable of switching between a table format and a graph format for determining parameters as processing conditions of the semiconductor substrate processing device.
【請求項16】 前記表形式またはグラフ形式の表示形
式の中で処理条件の編集が可能であり、一方の形式での
編集の結果が他方の形式に反映されることを特徴とする
請求項15記載の半導体基板処理装置。
16. The processing condition can be edited in the display format of the table format or the graph format, and the result of editing in one format is reflected in the other format. 13. The semiconductor substrate processing apparatus according to claim 1.
【請求項17】 前記処理状況表示手段は、前記表形式
で表示された処理条件の中の任意のパラメータが選択さ
れると、そのパラメータについてのグラフ形式の表示を
行う手段を備えたことを特徴とする請求項15記載の半
導体基板処理装置。
17. The apparatus according to claim 1, wherein the processing status display means includes a means for displaying, when an arbitrary parameter is selected from the processing conditions displayed in the table format, the parameter in a graph format. 16. The semiconductor substrate processing apparatus according to claim 15, wherein
【請求項18】 前記処理状況表示手段は、前記グラフ
形式で表示された処理条件の中の任意のパラメータが選
択されると、そのパラメータについての表形式の表示を
行う手段を備えたことを特徴とする請求項15記載の半
導体基板処理装置。
18. The apparatus according to claim 18, wherein the processing status display means includes a means for displaying, when an arbitrary parameter is selected from the processing conditions displayed in the graph format, the parameter in a table format. 16. The semiconductor substrate processing apparatus according to claim 15, wherein
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005259930A (en) * 2004-03-11 2005-09-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processor and processing method
WO2006059625A1 (en) * 2004-11-30 2006-06-08 Nikon Corporation Device processing system, information display method, program, and recording medium
JP2007005822A (en) * 2001-04-26 2007-01-11 Tokyo Electron Ltd System for scheduling wafer movement in wafer treatment tool, and its method
JP2008306137A (en) * 2007-06-11 2008-12-18 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate treating equipment
US20130271945A1 (en) 2004-02-06 2013-10-17 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
JP2014044506A (en) * 2012-08-24 2014-03-13 Fujifilm Corp Data display device, method, and program, data structure, and recording medium
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2017147308A (en) * 2016-02-16 2017-08-24 株式会社荏原製作所 Substrate processing device
US9857599B2 (en) 2007-10-24 2018-01-02 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US10101666B2 (en) 2007-10-12 2018-10-16 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007005822A (en) * 2001-04-26 2007-01-11 Tokyo Electron Ltd System for scheduling wafer movement in wafer treatment tool, and its method
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
US9885959B2 (en) 2003-04-09 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator
US9760014B2 (en) 2003-10-28 2017-09-12 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US10281632B2 (en) 2003-11-20 2019-05-07 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US10241417B2 (en) 2004-02-06 2019-03-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10234770B2 (en) 2004-02-06 2019-03-19 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US20130271945A1 (en) 2004-02-06 2013-10-17 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10007194B2 (en) 2004-02-06 2018-06-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
JP2005259930A (en) * 2004-03-11 2005-09-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processor and processing method
JP4730309B2 (en) * 2004-11-30 2011-07-20 株式会社ニコン Device processing system, information display method, program, and recording medium
JPWO2006059625A1 (en) * 2004-11-30 2008-06-05 株式会社ニコン Device processing system, information display method, program, and recording medium
WO2006059625A1 (en) * 2004-11-30 2006-06-08 Nikon Corporation Device processing system, information display method, program, and recording medium
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
JP2008306137A (en) * 2007-06-11 2008-12-18 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate treating equipment
US10101666B2 (en) 2007-10-12 2018-10-16 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9857599B2 (en) 2007-10-24 2018-01-02 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2014044506A (en) * 2012-08-24 2014-03-13 Fujifilm Corp Data display device, method, and program, data structure, and recording medium
JP2017147308A (en) * 2016-02-16 2017-08-24 株式会社荏原製作所 Substrate processing device

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