JP2000285833A - Display device - Google Patents

Display device

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JP2000285833A
JP2000285833A JP11087751A JP8775199A JP2000285833A JP 2000285833 A JP2000285833 A JP 2000285833A JP 11087751 A JP11087751 A JP 11087751A JP 8775199 A JP8775199 A JP 8775199A JP 2000285833 A JP2000285833 A JP 2000285833A
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JP
Japan
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substrate
partition
spacer
display device
stripe
Prior art date
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Pending
Application number
JP11087751A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yumi Fukuda
由美 福田
Miki Mori
三樹 森
Atsuko Iida
敦子 飯田
Masayuki Saito
雅之 斉藤
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device for preventing spacer static charging, and avoiding element breakdown, and to provide an element having a structure for widely holding a distance between two substrates for composing an image display device. SOLUTION: This display device comprises a back panel 1 mounting a cathode substrate, a front panel 2 forming an anode electrode 3, and a barrier rib formed on the both panels. The barrier ribs on the both panels are formed and brought into contact with each other in a direction perpendicular mutually. Furthermore, an intermediate substrate having a spacer on at least one side is interposed between a first substrate provided with a plurality of function element formed on the substrate, for example the back substrate, and a second substrate provided with electrodes formed on the substrate, for example the front substrate.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は真空気密容器に関す
るものであり、特に電界放出カソードを封入する真空気
密容器に関する。
The present invention relates to a vacuum hermetic container, and more particularly to a vacuum hermetic container enclosing a field emission cathode.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、図11に示す電界放出装置および
その製造方法が有る。これはカソード板( 本発明では背
面パネルと称する) 101上にメッキで形成した金属ス
ペーサ107と、アノード板108上に形成された絶縁
スペーサ109とを重畳させたものであり、金属スペー
サ107をゲッタと兼ねられる点と、カソード板101
上のゲートライン103をスペーサ形成用メッキ電極1
06と兼ねられる点を挙げている。しかし、この本従来
例ではカソード板101上のスペーサ107の材料が金
属であるため、素子の短絡防止の点からアノード板10
8上のスペーサ109の材料を絶縁体にせざるを得な
い。すると、素子の駆動の際に、カソード板101から
放出された電子はアノード板108に近づくに従って広
がり、一部はアノード板108上のスペーサ109に衝
突しスペーサ109の帯電を引き起こすと予想され。従
って、この従来例のようにアノード側が絶縁体スペーサ
109、カソード側が金属スペーサ107の場合、帯電
したアノード側スペーサ109が素子の破壊を引き起こ
すという問題が有る。
2. Description of the Related Art Conventionally, there is a field emission device shown in FIG. This is obtained by superposing a metal spacer 107 formed by plating on a cathode plate (referred to as a rear panel in the present invention) 101 and an insulating spacer 109 formed on an anode plate 108. And the cathode plate 101
The upper gate line 103 is connected to the plating electrode 1 for forming a spacer.
06. However, in this conventional example, since the material of the spacer 107 on the cathode plate 101 is a metal, the anode plate 10 is prevented from a short circuit prevention of the element.
The material of the spacer 109 on the substrate 8 must be an insulator. Then, when the element is driven, the electrons emitted from the cathode plate 101 are expected to spread as approaching the anode plate 108, and a part of the electrons collide with the spacer 109 on the anode plate 108, causing the spacer 109 to be charged. Therefore, in the case where the anode side is the insulator spacer 109 and the cathode side is the metal spacer 107 as in this conventional example, there is a problem that the charged anode side spacer 109 causes destruction of the element.

【0003】また、PDPやFEDのスペーサ構造およ
びその製造には、様々な方法が提案されている。構造と
しては、ストライプ構造、メッシュ構造などがある。製
法としては印刷法、サンドブラスト法、板状あるいは枠
状のスペーサを介する方法などがある。
Various methods have been proposed for the spacer structures of PDPs and FEDs and their manufacture. Examples of the structure include a stripe structure and a mesh structure. Examples of the manufacturing method include a printing method, a sand blast method, a method using a plate-shaped or frame-shaped spacer, and the like.

【0004】しかし、上述の方法では、背面基板と前面
基板の間隔を500μm を超えるようにすることは難し
かった。つまり、印刷法においては、多数回印刷を繰り
返し重ねていく製法上、印刷回数に限界があり、形成高
さに限界があった。サンドブラスト法においては、膜厚
が厚くなるに従い隔壁の形状が崩れてくる課題があっ
た。ストライプ構造においては、ストライプ状のスペー
サの設置方法に課題があった。枠状スペーサにおいて
は、数mmの板を精度よくエッチングすることおよびめっ
きにより開口部を有する数mm厚の板を形成することが難
しいなどの問題があった。
However, in the above-mentioned method, it is difficult to make the distance between the back substrate and the front substrate exceed 500 μm. That is, in the printing method, there is a limit to the number of times of printing and a limit to the formation height due to a manufacturing method in which printing is repeated many times. In the sandblasting method, there is a problem that the shape of the partition wall is destroyed as the film thickness increases. In the stripe structure, there is a problem in a method of installing the stripe-shaped spacer. The frame-shaped spacer has problems such as difficulty in etching a plate of several mm with high accuracy and forming a plate of several mm having an opening by plating.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】従来の電界放出装置
は、カソード板から放出された電子が広がって、アノー
ド側スペーサに衝突して帯電させ、画素を構成する素子
の破壊を引き起こすという問題が有った。そこで本発明
は、スペーサの帯電を防止し、画素の破壊を回避した表
示装置を提供する事を課題とする。
The conventional field emission device has a problem in that electrons emitted from the cathode plate spread and collide with the anode-side spacer to be charged, thereby causing the destruction of the element constituting the pixel. Was. Therefore, an object of the present invention is to provide a display device in which the charging of a spacer is prevented and the destruction of pixels is avoided.

【0006】また、従来の方法では背面基板と前面基板
の間隔を、ミリオーダに保つ構造、製法を得ることは困
難であった。そこで、本発明は、背面基板と前面基板の
間隔を、ミリオーダに保つ構造を有するスペーサを提供
することを課題とする。
Further, it has been difficult to obtain a structure and a manufacturing method in which the distance between the rear substrate and the front substrate is kept in the order of millimeters by the conventional method. Therefore, an object of the present invention is to provide a spacer having a structure for keeping a distance between a rear substrate and a front substrate on the order of millimeters.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項1の表示装置は、
エミッタアレイを有する電界放出型のカソード基板を形
成した第1の基板と、この第1の基板に対向して配置さ
れアノード電極を形成した第2の基板とを有する表示装
置において、前記第1の基板上にストライプ状の第1の
隔壁が形成され、この隔壁の方向と交差する方向であっ
て前記第2の基板上にストライプ状の第2の隔壁が形成
され、前記第1及び第2の隔壁が接触していることを特
徴とする。ここで、交差する方向とは、望ましくは直交
する方向であるが、直交(90度)から30度の範囲で
交差する事が表示画素の内部の圧力を均一でしかも経時
変化に対して十分な気密構造をしかも量産性よく形成す
る事ができ、画面全体のコントラストの均一性、色むら
の低減の信頼性を上げる点から好ましい。
According to a first aspect of the present invention, a display device includes:
In a display device comprising: a first substrate on which a field emission type cathode substrate having an emitter array is formed; and a second substrate which is arranged to face the first substrate and has an anode electrode formed thereon, A first partition having a stripe shape is formed on a substrate, and a second partition having a stripe shape is formed on the second substrate in a direction intersecting with the direction of the partition, and the first and second stripes are formed. The partition walls are in contact with each other. Here, the intersecting direction is desirably an orthogonal direction, but intersecting in the range of orthogonal (90 degrees) to 30 degrees makes the pressure inside the display pixel uniform and sufficient with respect to aging. This is preferable because an airtight structure can be formed with good mass productivity, and the uniformity of the contrast of the entire screen and the reliability of reduction of color unevenness are improved.

【0008】請求項2の表示装置は、請求項1におい
て、前記第1、第2の隔壁が絶縁体より成ることを特徴
とする。請求項3の表示装置は、請求項1において、前
記第1の隔壁が絶縁体より形成され、前記第2の隔壁が
導電体より形成されていることを特徴とする。
A display device according to a second aspect is the display device according to the first aspect, wherein the first and second partition walls are made of an insulator. According to a third aspect of the present invention, in the display device according to the first aspect, the first partition is formed of an insulator, and the second partition is formed of a conductor.

【0009】請求項4の表示装置は、請求項1におい
て、前記第2の基板上に隔壁と直交する方向の溝が形成
されていることを特徴とする。請求項5の表示装置は、
電子放出素子が表面に形成された第1の基板と、電極が
形成された第2の基板と、前記第1の基板及び前記第2
の基板間に介在するスペーサ一体型の中間基板とを具備
する事を特徴とする表示装置。請求項6の表示装置は、
請求項5において、前記中間基板が補助電極を兼ねるこ
とを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the display device of the first aspect, a groove is formed on the second substrate in a direction perpendicular to the partition wall. The display device of claim 5 is
A first substrate having an electron-emitting device formed on a surface thereof, a second substrate having electrodes formed thereon, the first substrate and the second substrate;
And a spacer-integrated intermediate substrate interposed between the substrates. The display device of claim 6 is
In claim 5, the intermediate substrate also serves as an auxiliary electrode.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】即ち、本発明第1による真空気密
容器では、エミッタアレイを有する電界放出型のカソー
ド基板を直接形成、或いは搭載した第1の基板と、第1
の基板に離間・対向して配置され、アノード電極を形成
した第2の基板とを有し、該第1の基板上にストライプ
状の隔壁が形成され、該第1の基板状に形成されたスト
ライプ状隔壁の方向と直交する方向のストライプ状隔壁
が第2の基板上に形成され、該第1、第2の基板上スト
ライプ状隔壁が接触していることを特徴とするものであ
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the vacuum-tight container according to the first aspect of the present invention, a first substrate on which a field emission type cathode substrate having an emitter array is directly formed or mounted,
A second substrate on which an anode electrode is formed, which is disposed so as to be separated from and opposed to the first substrate, a stripe-shaped partition is formed on the first substrate, and the second substrate is formed in the first substrate shape. A stripe-shaped partition wall in a direction perpendicular to the direction of the stripe-shaped partition wall is formed on the second substrate, and the stripe-shaped partition walls on the first and second substrates are in contact with each other.

【0011】第1のストライプ状隔壁はカソード基板の
エミッタアレイの形成されていない領域に形成されてお
り、第2のストライプ状隔壁はアノード基板上の、前記
エミッタアレイの直上の位置以外の領域に、第1の隔壁
のストライプ方向と直交する方向に形成されている。前
記第1、第2のストライプ状隔壁は、第1、第2の基板
間の間隙を一定に保つ為に設けられており、格子点状に
点在する交点において互いに接触することで、大気圧の
荷重で両基板間がたわむみのを防いでいる。第1、第2
の基板両方に隔壁を形成することによって、片側に基板
のみに隔壁を形成する場合と比べて2倍のアスペクト比
が得られる。さらに、第1の隔壁と第2の隔壁を直交し
て配置するため、第1、第2の隔壁の位置合わせが不要
である上に、隔壁間が仕切られた空間にならないため、
片側のみに隔壁を形成した場合に、隔壁間が仕切られた
空間になってしまい真空封止の際の排気効率が悪いとい
う問題が発生せず、良好な排気効率を維持できる。
The first stripe-shaped partition is formed in a region of the cathode substrate where the emitter array is not formed, and the second stripe-shaped partition is formed in a region on the anode substrate other than a position immediately above the emitter array. Are formed in a direction orthogonal to the stripe direction of the first partition. The first and second stripe-shaped barrier ribs are provided to keep the gap between the first and second substrates constant, and are brought into contact with each other at intersections interspersed in a lattice point so that the atmospheric pressure is maintained. This load prevents deflection between the two substrates. 1st, 2nd
By forming the partitions on both of the substrates, an aspect ratio twice as high as that obtained by forming the partitions on only one substrate on one side can be obtained. Furthermore, since the first partition and the second partition are arranged orthogonally, it is not necessary to align the first and second partitions, and the partition does not form a space between the partitions.
When the partition walls are formed only on one side, the space between the partition walls becomes a partitioned space, and the problem that the exhaust efficiency at the time of vacuum sealing is poor does not occur, and good exhaust efficiency can be maintained.

【0012】本発明第1において、第1の基板上のカソ
ード基板と第2の基板上のアノード基板との間には高電
圧がかかるため、前記第1、第2の基板上の隔壁を絶縁
体で形成することにより、カソード、アノード基板間の
電気的短絡およびそれに起因する素子の破壊を防止する
ことができる。絶縁体の種類は、ガラス、セラミック、
導体に絶縁処理を施したものなど、絶縁性を確保できる
ものであれば全てを適用できるが、ガラス、セラミック
がより望ましい。
In the first aspect of the present invention, since a high voltage is applied between the cathode substrate on the first substrate and the anode substrate on the second substrate, the partition walls on the first and second substrates are insulated. By being formed of a body, it is possible to prevent an electrical short circuit between the cathode and the anode substrate and destruction of the element due to the electrical short. Insulator types are glass, ceramic,
Any material can be applied as long as it can secure insulation, such as a conductor subjected to insulation treatment, but glass and ceramic are more preferable.

【0013】また、エミッタアレイから放出される電子
は、放出された直後すなわちカソード基板近傍では電界
に対してほぼ平行に進むが、アノード基板側に近づくに
従い広がりを持つ。従ってアノード基板近傍の隔壁には
電子が衝突する可能性が有るため、前記第2の隔壁を導
電体で形成しアノード基板上へ短絡させることにより、
第2の隔壁の帯電およびそれに起因する放出電子の偏向
や素子の破壊を防ぐことができる。ただし、この場合、
前記第1の隔壁は絶縁体で形成され、十分な高さを持た
せることがカソード、アノード基板間の短絡やそれに起
因する素子の破壊を防ぐ上で必要である。導電体の種類
は金属がより望ましい。
[0013] The electrons emitted from the emitter array travel almost parallel to the electric field immediately after being emitted, that is, in the vicinity of the cathode substrate, but expand as they approach the anode substrate side. Therefore, since electrons may collide with the partition near the anode substrate, the second partition is formed of a conductor and short-circuited on the anode substrate.
It is possible to prevent the charging of the second partition and the deflection of emitted electrons and the destruction of the element due to the charging. However, in this case,
The first partition is formed of an insulator and needs to have a sufficient height in order to prevent a short circuit between the cathode and anode substrates and the destruction of the element due to the short circuit. Metal is more desirable as the type of conductor.

【0014】さらに排気効率を向上させるため、本発明
による真空気密容器では前記第2の基板上に、第2の隔
壁と直交する方向の溝が形成されていることを特徴とす
るものである。隔壁に排気孔を形成した場合には隔壁の
強度が低下するという欠点が有るが、基板上に溝を形成
することにより隔壁の強度を低下させること無く排気効
率を向上させることができる。溝の幅は第1、第2の隔
壁の幅と同程度あるいはそれ以下が望ましく、溝の深さ
は第2の基板の厚さの1/ 2以下、より望ましくは1/
3以下がよい。
In order to further improve the evacuation efficiency, the vacuum-tight container according to the present invention is characterized in that a groove is formed on the second substrate in a direction perpendicular to the second partition. When the exhaust holes are formed in the partition walls, there is a disadvantage that the strength of the partition walls is reduced. However, by forming the groove on the substrate, the exhaust efficiency can be improved without lowering the strength of the partition walls. The width of the groove is desirably about the same as or less than the width of the first and second partition walls, and the depth of the groove is not more than 1/2 of the thickness of the second substrate, more desirably 1 /.
3 or less is good.

【0015】また、本発明による真空気密容器では、エ
ミッタアレイを有する電界放出型のカソード基板を直接
形成、或いは搭載した第1の基板と、第1の基板に離間
・対向して配置され、アノード電極を形成した第2の基
板とを有し、該第1の基板上にストライプ状の隔壁が形
成され、該第1の基板上に形成されたストライプ状隔壁
の方向と直交する方向のストライプ状隔壁が第2の基板
上に形成され、該第1、第2の基板上ストライプ状の隔
壁間に、格子状の構造を有しかつ格子点間の隔壁が一つ
以上の間隙を有するような構造体が積層されていること
を特徴とするものである。前記格子状の構造の格子点
は、前記第1、第2の隔壁と重なるように形成されてい
る。格子状の構造体の材料としては絶縁体でも導電体で
も良いが、代表的なものとしてはガラス、金属等が考え
られる。格子点間の隔壁に間隙を有するような格子状の
構造体の形成方法としては、例えば線材を積層させる、
または編むといった手法が挙げられる。この場合の線材
の外径は前記第1、第2の隔壁の幅と同等あるいはそれ
以下が望ましい。格子状の構造を積層することにより、
よりアスペクト比の高いスペーサを供給することができ
る。また、格子状の構造が一つ以上の間隙を有するた
め、高排気効率を維持しつつ、高アスペクト比のスペー
サを提供することができる。
Further, in the vacuum-tight container according to the present invention, a first substrate on which a field emission type cathode substrate having an emitter array is directly formed or mounted, and a first substrate, which is spaced apart from and opposed to the first substrate, are disposed. A second substrate having electrodes formed thereon, wherein a stripe-shaped partition is formed on the first substrate, and a stripe is formed in a direction orthogonal to a direction of the stripe-shaped partition formed on the first substrate. A partition is formed on a second substrate, and the partition between the stripes on the first and second substrates has a lattice-like structure and the partition between lattice points has one or more gaps. The structure is characterized by being laminated. The lattice points of the lattice structure are formed so as to overlap the first and second partition walls. The material of the lattice structure may be an insulator or a conductor, but typical examples include glass and metal. As a method of forming a lattice-like structure having a gap in a partition between lattice points, for example, laminating wires,
Alternatively, a technique such as knitting may be used. In this case, the outer diameter of the wire is desirably equal to or less than the width of the first and second partition walls. By laminating the lattice-like structure,
A spacer having a higher aspect ratio can be supplied. In addition, since the lattice structure has one or more gaps, a spacer having a high aspect ratio can be provided while maintaining high exhaust efficiency.

【0016】本発明では、主に表示装置の応用を目的と
して、第2の基板を透光性を有する基板とし、透明電極
からなるアノード電極と蛍光体を積層したが、例えば電
力変換素子を応用目的とする場合には、アノード電極層
を形成した基板を用いる事により、本発明の構成で、十
分な強度を保持した電力変換素子が実現出来る。
In the present invention, for the purpose of mainly applying the display device, the second substrate is a light-transmitting substrate, and the anode electrode made of a transparent electrode and the phosphor are laminated. For the purpose, by using the substrate on which the anode electrode layer is formed, a power conversion element having sufficient strength can be realized by the structure of the present invention.

【0017】また、本発明は、基板上に形成される複数
の機能素子を有する第1の基板、例えば背面基板と、基
板上に形成された電極を有する第2の基板、例えば前面
基板とが、少なくとも一方に、スペーサを有するスペー
サ一体型の中間基板を介した構造とすることで、第1の
基板と第2の基板の間隔をミリオーダに保つ構造を有す
る画像表示装置を提供する。
According to the present invention, a first substrate having a plurality of functional elements formed on a substrate, for example, a rear substrate, and a second substrate having electrodes formed on the substrate, for example, a front substrate, are provided. An image display device having a structure in which a distance between a first substrate and a second substrate is maintained in a milli-order by providing a structure in which at least one of them has a spacer-integrated intermediate substrate having a spacer interposed therebetween.

【0018】さらにまた、上述の中間基板が補助電極を
兼ねるようにすることで、放電を安定させることができ
るようになる。さらに、補助電極にゲート電圧と同じ電
圧を印加したり、可変したりすることで、より高品位の
放電を得ることができるようになる。
Further, by making the above-mentioned intermediate substrate also serve as an auxiliary electrode, the discharge can be stabilized. Further, by applying or changing the same voltage as the gate voltage to the auxiliary electrode, higher-quality discharge can be obtained.

【0019】上述の中間基板にスペーサを有するものと
して、例えば以下の構造を用いることができる。中間基
板としては、画像表示装置の画素に対応する開口を有す
るように、厚さ50μm 〜300μm の板をエッチング
したもの、アディティブ法により、50〜250μm の
厚さとしたもの、数十μm 径の細線を編んだものを用い
る。中間基板として細線を用いる場合は、細線に張力を
与え形状を保つことが必要である。また、エッチングを
用いる場合、先にスペーサを形成し、その後にエッチン
グする方法を用いてもよい。なお、エッチングや、めっ
きにより厚さ500μm におよぶ基板を用いて、上述の
ような開口部を有する形状を得ることは困難である。そ
の中間基板の一方の面に、例えばスクリーン印刷により
厚さ300μm のスペーサを形成する。ここでは、中間
基板の片面にスペーサを形成することを述べたが、スペ
ーサを中間基板の両側に設けた構造とすることも可能で
ある。この場合、上述の方法を用いるとこの場合、スペ
ーサの厚さは両面で600μm プラス中間基板の厚さと
なる。
As the above-mentioned intermediate substrate having a spacer, for example, the following structure can be used. As the intermediate substrate, a substrate having a thickness of 50 μm to 300 μm etched so as to have an opening corresponding to the pixel of the image display device, a substrate having a thickness of 50 to 250 μm by an additive method, a fine wire having a diameter of several tens μm Use a knitted version. When a fine wire is used as the intermediate substrate, it is necessary to apply tension to the fine wire to maintain the shape. In the case of using etching, a method in which a spacer is formed first and then etching is performed may be used. It is difficult to obtain a shape having the above-mentioned opening by using a substrate having a thickness of 500 μm by etching or plating. A spacer having a thickness of 300 μm is formed on one surface of the intermediate substrate by, for example, screen printing. Here, the spacer is formed on one surface of the intermediate substrate. However, a structure in which the spacer is provided on both sides of the intermediate substrate may be employed. In this case, using the above-described method, in this case, the thickness of the spacer is 600 μm on both sides plus the thickness of the intermediate substrate.

【0020】上述したスペーサが形成された中間基板
と、基板上に形成さた隔壁を重ね合せることで、背面基
板と前面基板を所望の間隔にすることが達成される。例
えば、その間隔を1mmにしたい場合は、前面基板に印刷
により高さ300μm の隔壁を形成し、上述したように
片側300μm 、両側で厚さ600μm のスペーサを形
成した厚さ100μm の中間基板のを介した構造とすれ
ばよい。
By overlapping the intermediate substrate on which the above-described spacers are formed and the partition walls formed on the substrate, a desired distance between the rear substrate and the front substrate can be achieved. For example, if the spacing is to be 1 mm, a 300 μm high partition is formed on the front substrate by printing, and a 100 μm thick intermediate substrate having a 300 μm spacer on one side and a 600 μm thick spacer on both sides is formed as described above. What is necessary is just to set it as the structure which interposed.

【0021】[0021]

【実施例】以下に、例示的ではあるが限定的ではない実
施例によって本発明をより深く理解する事ができる。 (実施例1)図1(a)は本発明の実施例1である真空
気密容器の一部を模式的に示した分解斜視図で、図1
(b)は断面図である。
The present invention can be better understood with reference to the following illustrative but non-limiting examples. (Embodiment 1) FIG. 1A is an exploded perspective view schematically showing a part of a vacuum-tight container which is Embodiment 1 of the present invention.
(B) is a sectional view.

【0022】透光性と絶縁性を有する前面パネル2の内
面には、透光性のアノード電極3が所定のパターンで配
設され、アノード電極3には蛍光体層4が被着されてい
る。前面パネル2と対面する絶縁性の背面パネル1の内
面には、電子源としての電界放出形エミッタアレイ5、
エミッタライン6および絶縁層を介して設けられたゲー
トライン7とを有している。前記エミッタアレイ5は複
数個例えば24個で一画素を形成しており、赤、緑、青
の三画素で構成される一絵素のサイズは例えば400μ
m ×400μm で、絵素ピッチは例えば450μm ×4
50μm となっている。エミッタアレイの絵素間にはス
トライプ状に幅40μm 、ピッチ450μm 、高さ1mm
の第1の隔壁8が形成されている。前面パネル2の背面
パネル1に面した側には前面パネル2の絵素間に対応す
る位置に、第1の隔壁8の方向と直交する方向に幅40
μm 、ピッチ450μm 、高さ1mmのストライプ状の第
2の隔壁9が形成されている。前面パネル2と背面パネ
ル1が接合されると、第1の隔壁8と第2の隔壁9は互
いに接触し、パネルが真空封止された後にパネル表面に
かかる大気圧に対してパネルを維持する事ができる。次
に、図2を用いて本実施例の製造工程を説明する。厚さ
3mmのガラス板10にアノード電極3を形成後、絵素間
の領域に、幅40μm 、ピッチ450μm のストライプ
状に、ガラスペーストをスクリーン印刷法により印刷し
120℃で乾燥する。この工程を10回前後繰り返した
後450℃で一括焼成して幅40μm 、ピッチ450μ
m 、高さ1mmのストライプ状の隔壁9を形成する( 図2
(a))。ここでは、繰り返し印刷法を用いたが、マク
スに柔軟性があるものを用いた場合には、450μmの
厚さを一括で抜く(転写する)方法を用いることもでき
る。次に、隔壁9の間に蛍光体4を塗布、焼成後、パタ
ーニングして画素を形成し、前面パネル2を得る( 図2
(b)) 。
A light-transmitting anode electrode 3 is arranged in a predetermined pattern on the inner surface of the front panel 2 having light-transmitting and insulating properties, and a phosphor layer 4 is attached to the anode electrode 3. . On the inner surface of the insulating back panel 1 facing the front panel 2, a field emission type emitter array 5 as an electron source,
It has an emitter line 6 and a gate line 7 provided via an insulating layer. The emitter array 5 has a plurality of pixels, for example, 24 pixels, and forms one pixel. The size of one pixel composed of three pixels of red, green, and blue is, for example, 400 μm.
m × 400 μm, and the pixel pitch is, for example, 450 μm × 4
It is 50 μm. The width between the picture elements of the emitter array is 40μm, the pitch is 450μm, and the height is 1mm.
The first partition 8 is formed. On the side of the front panel 2 facing the rear panel 1, a width 40 in the direction perpendicular to the direction of the first partition 8 is provided at a position corresponding to the space between the picture elements of the front panel 2.
A second partition 9 in the form of a stripe having a thickness of 1 μm, a pitch of 450 μm, and a height of 1 mm is formed. When the front panel 2 and the rear panel 1 are joined, the first partition 8 and the second partition 9 contact each other and maintain the panel against the atmospheric pressure applied to the panel surface after the panel is vacuum sealed. Can do things. Next, the manufacturing process of this embodiment will be described with reference to FIG. After forming the anode electrode 3 on the glass plate 10 having a thickness of 3 mm, a glass paste is printed by a screen printing method in a stripe shape having a width of 40 μm and a pitch of 450 μm in a region between picture elements, and dried at 120 ° C. After repeating this process about 10 times, it is baked at 450 ° C. and the width is 40 μm and the pitch is 450 μm.
m, a stripe-shaped partition wall 9 having a height of 1 mm is formed (FIG. 2).
(A)). Here, the repetitive printing method is used. However, when a flexible mask is used, a method of collectively removing (transferring) a thickness of 450 μm can be used. Next, the phosphor 4 is applied between the partition walls 9, baked, and then patterned to form pixels, thereby obtaining the front panel 2 (FIG. 2).
(B)).

【0023】厚さ3mmのガラス板11にエミッタライン
5、エミッタアレイ6、ゲートライン7を形成した後
に、絵素間の領域に前面パネル2上に形成した隔壁9の
方向と直交する方向に、幅40μm 、ピッチ450μm
のストライプ状にガラスペーストをスクリーン印刷法に
より印刷し、120℃で乾燥する。この印刷、乾燥工程
を10回前後繰り返した後450℃で一括焼成して幅4
0μm、ピッチ450μm 、高さ1mmのストライプ状の
隔壁8を形成し、背面パネル1を得る( 図2(c)) 。
After the emitter lines 5, the emitter array 6, and the gate lines 7 are formed on the glass plate 11 having a thickness of 3 mm, the direction perpendicular to the direction of the partition 9 formed on the front panel 2 is formed in the region between the picture elements. 40μm width, 450μm pitch
The glass paste is printed in a stripe shape by a screen printing method, and dried at 120 ° C. This printing and drying process is repeated about 10 times and then baked at 450 ° C.
A stripe-shaped partition wall 8 having a thickness of 0 μm, a pitch of 450 μm and a height of 1 mm is formed to obtain a back panel 1 (FIG. 2C).

【0024】次に、厚さ0. 5 mm 高さ2 mm の枠状構
造体12に鉛酸化物を主成分とする低融点ガラス13を
塗布し、前面パネル2に位置合わせして低融点ガラス1
3を仮焼成した後、枠状構造体12のもう一方の側にも
低融点ガラス13を塗布、仮焼成する。上記前面パネル
2と枠状構造体12を仮固定したものと、背面パネル1
とを真空槽14に入れ、槽内を10- 7Torr台に排気す
る。背面パネル1を設置したヒータ15を介して背面パ
ネル1を430℃まで昇温した状態で、前面パネル2を
位置合わせし、背面パネル1上に固定して、低融点ガラ
ス13を焼成し、真空気密容器を得る(図2(d))。
本実施例のように、非表示領域であるブラックマトリッ
クスに対応した微細な幅の隔壁でも、十分な強度でパネ
ル間を支える事が可能になる。よって、両パネルの間隔
を一定に保持することができ、十分な表示エリアを確保
出来るとともに、輝度のばらつきもなく、耐圧性能に優
れた大面積の表示装置の実現が可能になる。
Next, a low-melting glass 13 containing lead oxide as a main component is applied to a frame-like structure 12 having a thickness of 0.5 mm and a height of 2 mm. 1
After preliminarily firing 3, low melting glass 13 is applied to the other side of frame-shaped structure 12 and preliminarily fired. The front panel 2 and the frame-like structure 12 temporarily fixed, and the rear panel 1
Put the door to the vacuum chamber 14, the inside of the tank 10 - evacuating the 7 Torr stand. With the temperature of the rear panel 1 raised to 430 ° C. via the heater 15 on which the rear panel 1 is installed, the front panel 2 is aligned and fixed on the rear panel 1, and the low-melting glass 13 is baked and vacuumed. An airtight container is obtained (FIG. 2D).
As in this embodiment, even a partition having a fine width corresponding to a black matrix which is a non-display area can support the panels with sufficient strength. Therefore, the distance between the panels can be kept constant, a sufficient display area can be ensured, and a large-area display device with no luminance variation and excellent withstand voltage performance can be realized.

【0025】本発明による真空気密容器では、エミッタ
アレイを有する電界放出型のカソード基板を直接形成、
或いは搭載した第1の基板と、アノード電極を形成した
第2の基板との両方にストライプ状隔壁を形成すること
によって、片側の基板のみに隔壁を形成する場合と比べ
て2倍のアスペクト比が得られる。さらに、第1の隔壁
と第2の隔壁を直交して配置するため、第1、第2の隔
壁の位置合わせが不要である上に、隔壁間が仕切られた
空間にならないため、片側のみに隔壁を形成した場合
に、隔壁間が仕切られた空間になってしまい真空封止の
際の排気効率が悪いという問題が発生せず、良好な排気
効率を維持できる。次に、前記第1、第2の基板上の隔
壁を絶縁体で形成することにより、カソード、アノード
基板間の電気的短絡およびそれに起因する素子の破壊を
防止することができる。また、前記第2の隔壁を導電体
で形成しカソード基板上へ短絡させることにより、第1
の隔壁より電子が衝突する可能性が高い第2の隔壁の帯
電およびそれに起因する放出電子の偏向や素子の破壊を
防ぐことができる。
In the vacuum-tight container according to the present invention, a field emission type cathode substrate having an emitter array is directly formed,
Alternatively, by forming stripe-shaped partitions on both the mounted first substrate and the second substrate on which the anode electrode is formed, an aspect ratio twice as large as that in a case where the partitions are formed only on one substrate is provided. can get. Further, since the first partition and the second partition are arranged orthogonally, it is not necessary to align the first and second partitions, and the partition does not become a space partitioned between the partitions. When the partition walls are formed, there is no problem that the spaces between the partition walls are partitioned and the exhaust efficiency at the time of vacuum sealing is poor, and good exhaust efficiency can be maintained. Next, by forming the partition walls on the first and second substrates with an insulator, it is possible to prevent an electrical short between the cathode and anode substrates and destruction of the element due to the electrical short. Further, the second partition is formed of a conductor and short-circuited on the cathode substrate, whereby the first partition is formed.
It is possible to prevent charging of the second partition wall, which is more likely to collide with electrons than the partition wall, and deflection of emitted electrons and destruction of the element due to the charging.

【0026】次に、前記第2の基板上に、第2の隔壁と
直交する方向の溝を形成することにより、隔壁の強度を
維持しつつ排気効率を向上させることができる。また、
第1、第2の基板上ストライプ状の隔壁間に、格子点間
の隔壁に一つ以上の間隙を有する格子状の構造体を積層
することにより、高排気効率を維持しつつ、よりアスペ
クト比の高いスペーサを供給することができる。
Next, by forming a groove in the direction perpendicular to the second partition on the second substrate, the exhaust efficiency can be improved while maintaining the strength of the partition. Also,
By laminating a lattice-like structure having one or more gaps between the lattice-like partition walls between the stripe-like partition walls on the first and second substrates, a high aspect ratio can be maintained while maintaining high pumping efficiency. Can be supplied.

【0027】(実施例2)前面パネルを図3に示す以下
の方法で作製した以外は実施例1と同様な真空気密容器
を作製する。
(Example 2) A vacuum-tight container similar to that of Example 1 is produced except that the front panel is produced by the following method shown in FIG.

【0028】厚さ3mmのガラス板10にアノード電極用
導体層を形成後、PEP 工程およびエッチングによりアノ
ード電極3を形成する。この時、アノード電極3の間の
隔壁を形成する領域に、幅40μm 、ピッチ450μm
のストライプ状の隔壁形成用電極16を同時形成してお
く。次に、こうして形成した隔壁形成用電極16以外の
領域に、幅110μm 、ピッチ450μm のストライプ
状レジストマスク17を、厚膜用レジストを用いたPEP
工程を繰り返すことにより厚さ1mm以上に形成する。隔
壁形成用電極16に負の電位を与えながら電解メッキ液
中に浸漬することによりメッキ処理を施して、隔壁形成
用電極16上にニッケル等からなる幅40μm 、ピッチ
450μm 、高さ1mmのストライプ状金属隔壁9を形成
する。その後、隔壁9間に蛍光体4を塗布、焼成後、パ
ターニングして画素を形成し、前面パネル2を得る。
After forming a conductor layer for an anode electrode on a glass plate 10 having a thickness of 3 mm, an anode electrode 3 is formed by a PEP process and etching. At this time, a region having a width of 40 μm and a pitch of 450 μm
Are formed at the same time. Next, a stripe-shaped resist mask 17 having a width of 110 μm and a pitch of 450 μm is applied to a region other than the partition wall forming electrode 16 formed in this manner by PEP using a thick-film resist.
The thickness is formed to 1 mm or more by repeating the process. A plating process is performed by immersing the electrode 16 for forming a partition wall in an electrolytic plating solution while applying a negative potential to the electrode 16 for forming a partition wall. A metal partition 9 is formed. After that, the phosphor 4 is applied between the partition walls 9, baked, and then patterned to form pixels, thereby obtaining the front panel 2.

【0029】ここでは、電解メッキを行ったが、無電解
メッキ等の他のメッキ方法を使用することもできる。本
実施例のように、前面パネル2側の隔壁9を導体で形成
したことにより、背面パネル上のエミッタから放出され
た電子流束が前面パネル2側に近づくにつれて広がり前
面パネル側の隔壁9に衝突した場合にも、隔壁9内を電
子が流れるため、電子流の湾曲や素子の破壊の原因とな
る隔壁9の帯電を防止することができる。また、背面パ
ネル側の隔壁を絶縁体で十分な高さに形成しているた
め、アノード・カソード間の短絡を回避できる。
Here, electrolytic plating is performed, but other plating methods such as electroless plating can also be used. Since the partition 9 on the front panel 2 side is formed of a conductor as in this embodiment, the electron flux emitted from the emitter on the rear panel spreads toward the front panel 2 side and spreads on the partition 9 on the front panel side. Even in the case of a collision, electrons flow in the partition walls 9, so that the charging of the partition walls 9, which causes the bending of the electron flow and the destruction of the element, can be prevented. Further, since the partition on the rear panel side is formed with a sufficient height using an insulator, a short circuit between the anode and the cathode can be avoided.

【0030】(実施例3)前面パネルを図4に示す以下
の方法で作製した。また真空封着には、真空管方式を用
いた。厚さ3mmのガラス板10に深さ1 mm 、幅50μ
m 、ピッチ450μm のストライプ状の溝18をダイシ
ングにより形成する( 図4(a)、(b)。この時、溝
18は背面パネル上に形成する隔壁と平行に形成する。
このガラス板10にアノード電極3を形成すると、溝1
8のアスペクト比とアノード電極3の形成法によって、
溝18におけるアノード電極3は図4(c)、もしくは
図4(d)の様になる。絵素間の領域に、溝18と直交
する方向の幅40μm 、ピッチ450μmのストライプ
状に、ガラスペーストをスクリーン印刷法により印刷し
120℃で乾燥する。この工程を10回前後繰り返した
後450℃で一括焼成して幅40μm 、ピッチ450μ
m 、高さ1mmのストライプ状の隔壁9を形成する。その
後隔壁9間に蛍光体4を塗布、焼成後、パターニングし
て画素を形成し、前面パネル2を得る( 図4(e)) 。
Example 3 A front panel was manufactured by the following method shown in FIG. A vacuum tube method was used for vacuum sealing. A glass plate 10 having a thickness of 3 mm has a depth of 1 mm and a width of 50 μm.
4 (a) and 4 (b). At this time, the grooves 18 are formed in parallel with the partition walls formed on the rear panel.
When the anode electrode 3 is formed on the glass plate 10, the grooves 1
8 and the method of forming the anode electrode 3,
The anode electrode 3 in the groove 18 is as shown in FIG. 4 (c) or FIG. 4 (d). In a region between picture elements, a glass paste is printed by a screen printing method in a stripe shape having a width of 40 μm and a pitch of 450 μm in a direction orthogonal to the groove 18 and dried at 120 ° C. After repeating this process about 10 times, it is baked at 450 ° C. and the width is 40 μm and the pitch is 450 μm.
m, a stripe-shaped partition wall 9 having a height of 1 mm is formed. After that, the phosphor 4 is applied between the partition walls 9, baked, and then patterned to form pixels, thereby obtaining the front panel 2 (FIG. 4E).

【0031】18を図5に示すように、アノード電極3
の間にアノード電極3と平行に形成することも可能であ
る。この場合、前面パネル2上の隔壁9がアノード電極
3と直交するので、背面パネル上の隔壁をゲートライン
と直交する方向、すなわちエミッタラインと平行に形成
すれば良い。
As shown in FIG.
It can be formed in parallel with the anode electrode 3. In this case, since the partition 9 on the front panel 2 is orthogonal to the anode electrode 3, the partition on the rear panel may be formed in a direction orthogonal to the gate line, that is, parallel to the emitter line.

【0032】次に、図2 (d)のチャンバー方式とは別
の真空管方式により封着を行った。つまり、背面パネル
と前面パネルを枠状構造体および低融点ガラスにより固
定し、その一部あるいは、背面パネルまたは前面パネル
の一部に排気管を取り付け、背面パネル・前面パネル・
枠状構造体で囲まれた領域の真空排気を行った。このと
きパネルを350 ℃のオーブンに入れ排気を行った。
Next, sealing was performed by a vacuum tube system different from the chamber system of FIG. 2 (d). In other words, the rear panel and the front panel are fixed with a frame-like structure and low-melting glass, and an exhaust pipe is attached to a part of the frame or a part of the rear panel or the front panel.
The area surrounded by the frame-like structure was evacuated. At this time, the panel was placed in an oven at 350 ° C. and evacuated.

【0033】本実施例のように、前面パネル2上に溝1
8が形成されていることにより、隔壁9の強度を損なう
こと無く排気効率が一層向上し、排気にかかる時間を著
しく低減することができる。
As in the present embodiment, the groove 1 is formed on the front panel 2.
With the formation of 8, the exhaust efficiency can be further improved without impairing the strength of the partition 9, and the time required for exhaust can be significantly reduced.

【0034】(実施例4)図6は本発明の実施例4であ
る真空気密容器の一部を模式的に示す分解斜視図であ
る。前面パネル2および背面パネル1は実施例1と同様
である。背面パネル1、前面パネル2間に、ガラスクロ
スを積層して形成した格子状の構造体19が積層されて
いる。格子状の構造体19の格子点は、背面パネル1上
の隔壁8と前面パネル2上の隔壁9の接点と重なるよう
に形成されている。この真空気密容器の作製方法は以下
の通りである。
(Embodiment 4) FIG. 6 is an exploded perspective view schematically showing a part of a vacuum-tight container which is Embodiment 4 of the present invention. The front panel 2 and the back panel 1 are the same as in the first embodiment. A lattice-shaped structure 19 formed by laminating glass cloth is laminated between the back panel 1 and the front panel 2. The grid points of the grid-like structure 19 are formed so as to overlap the contact points of the partition walls 8 on the back panel 1 and the partition walls 9 on the front panel 2. The method for producing this vacuum tight container is as follows.

【0035】実施例1と同様に前面パネルおよび背面パ
ネルを作製する。線径40μm のガラス繊維を450μ
m ピッチの格子状に編んだ厚さ80μmのガラスクロス
5枚20を格子点が重なるように位置合わせして( 図
7) 、枠状の治具に固定する。これをケイ弗化水素酸の
SiO 2過飽和溶液中に浸漬し溶液に硼酸を添加すると、
溶液中に酸化珪素SiO 2が析出するため、ガラスクロス
表面19に一様にSiO 2膜が堆積する。治具により位置
合わせしていたガラスクロスの格子点間にもSiO 2が堆
積するため、5枚のガラスクロスは互いに接続され厚さ
400〜500μm のガラスクロスになる。表面にSiO
2を5μm 堆積させた後に、溶液より取り出し治具を取
りはずすと、50μm 幅、450μm ピッチ、高さ45
0μm の格子状の構造体を得る。
A front panel and a rear panel are manufactured in the same manner as in the first embodiment. 450μ glass fiber with a wire diameter of 40μm
Five 80 μm-thick glass cloths 20 knitted in a grid pattern with m pitches are aligned so that the grid points overlap (FIG. 7), and fixed to a frame-shaped jig. This is called hydrofluoric acid
When immersed in SiO 2 supersaturated solution and boric acid is added to the solution,
Since silicon oxide SiO 2 is precipitated in the solution, a SiO 2 film is uniformly deposited on the glass cloth surface 19. To SiO 2 is deposited in between the grid points of the glass was aligned cross by jig, the five glass cloth are connected to each other becomes a glass cloth having a thickness of 400-500. SiO on the surface
2 was deposited at 5 μm and then removed from the solution and the jig was removed to obtain a 50 μm width, 450 μm pitch, and a height of 45 μm.
A 0 μm lattice-like structure is obtained.

【0036】厚さ0. 5 mm 高さ2. 5 mm の枠状構造
体12に鉛酸化物を主成分とする低融点ガラス13を塗
布し、前面パネル2に位置合わせして低融点ガラス13
を仮焼成した後、枠状構造体12のもう一方の側にも低
融点ガラス13を塗布、仮焼成する。上記前面パネル2
と枠状構造体12を仮固定したものに、メッシュ20と
背面パネル1とを位置合わせして搭載し真空槽14に入
れ、槽内を10- 7Torr台に排気する。背面パネル1を
設置したヒータ15を介して背面パネル1を430℃ま
で昇温した状態で、前面パネル2を位置合わせし、背面
パネル1上に固定して、低融点ガラス13を焼成し、真
空気密容器を得る。
A low-melting glass 13 composed mainly of lead oxide is applied to a frame-like structure 12 having a thickness of 0.5 mm and a height of 2.5 mm.
Is calcined, a low-melting glass 13 is applied to the other side of the frame-shaped structure 12 and calcined. Front panel 2
And a frame-shaped structure 12 to those temporarily fixed, placed in a vacuum chamber 14 mounted in alignment with the mesh 20 and the rear panel 1, the inside of the tank 10 - evacuating the 7 Torr stand. With the temperature of the rear panel 1 raised to 430 ° C. via the heater 15 on which the rear panel 1 is installed, the front panel 2 is aligned and fixed on the rear panel 1, and the low-melting glass 13 is baked and vacuumed. Obtain an airtight container.

【0037】本実施例のように、背面パネル1上の隔壁
8と前面パネル2上の隔壁9との間にさらに格子状の構
造体を積層することにより、よりアスペクト比の高いス
ペーサを供給することができる。また、格子状の構造体
をガラスクロスを積層して形成することにより、格子点
以外のガラスクロス間に間隙を有するため、排気効率が
より向上する。
As in this embodiment, a spacer having a higher aspect ratio is supplied by further laminating a lattice-like structure between the partition 8 on the back panel 1 and the partition 9 on the front panel 2. be able to. Further, by forming the lattice-like structure by laminating glass cloths, since there is a gap between the glass cloths other than the lattice points, the exhaust efficiency is further improved.

【0038】(実施例5)前面パネルと格子状の構造を
以下のように作製した以外は、実施例4と同様に真空気
密容器を作製する。厚さ3mmのガラス板にアノード電極
用導体層を形成後、PEP 工程およびエッチングによりア
ノード電極を形成する。この時、絵素間の隔壁を形成す
る領域に、幅40μm 、ピッチ450μm のストライプ
状の隔壁形成用電極を同時形成しておく。次に、こうし
て形成した隔壁形成用電極以外の領域に、幅110μm
、ピッチ450μm のストライプ状レジストマスク
を、厚膜用レジストを用いたPEP 工程を繰り返すことに
より厚さ1mm以上に形成する。隔壁形成用電極に負の電
位を与えながら電解メッキ液中に浸漬することによりメ
ッキ処理を施して、隔壁形成用電極上にニッケル等から
なる幅40μm 、ピッチ450μm 、高さ1 mm のスト
ライプ状金属隔壁を形成する。その後ストライプ間に蛍
光体を塗布、焼成後、パターニングして画素を形成し、
前面パネルを得る。線径40μm 、オープニング410
μm のステンレススクリーンメッシュを5枚、格子点が
重なるように位置合わせして枠状の治具に固定する。こ
れに負の電位を与えながら電解メッキ液中に浸漬するこ
とにより、ステンレスメッシュ表面に一様にニッケル等
金属メッキ膜をコーティングする。治具により位置合わ
せしていたステンレスメッシュの格子点間にも金属が堆
積するため、5枚のステンレスメッシュは互いに接続さ
れ厚さ400〜500μm の一枚の金属メッシュにな
る。表面にニッケル等金属を5μm 堆積させた後に、溶
液より取り出し治具を取りはずすと、50μm 幅、45
0μm ピッチ 、高さ450μm の格子状の構造を得
る。ここでは、前面パネル側の隔壁および格子状構造形
成時のメッキ処理に電解メッキを行ったが、無電解メッ
キ等の他のメッキ方法を使用することもできる。前面パ
ネル側の隔壁および格子状の構造体を導体で形成したこ
とにより、背面パネル上のエミッタから放出された電子
流束が前面パネルに近づくにつれて広がり前面パネル側
の隔壁や格子状の構造体に衝突した場合にも、隔壁内、
および格子状の構造体内部を電子が流れるため、電子流
の湾曲や素子の破壊の原因となる隔壁或いは格子状の構
造体の帯電を防止することができる。また、背面パネル
側の隔壁を絶縁体で十分な高さに形成しているため、ア
ノード・カソード間の短絡を回避できる。
Example 5 A vacuum-tight container is produced in the same manner as in Example 4, except that the front panel and the lattice-like structure are produced as follows. After forming a conductive layer for an anode electrode on a glass plate having a thickness of 3 mm, an anode electrode is formed by a PEP process and etching. At this time, stripe-shaped partition wall forming electrodes having a width of 40 μm and a pitch of 450 μm are simultaneously formed in a region where a partition between picture elements is formed. Next, a region of 110 μm
Then, a stripe-shaped resist mask having a pitch of 450 μm is formed to a thickness of 1 mm or more by repeating the PEP process using a resist for a thick film. A plating process is performed by immersing the electrode for forming a partition wall in an electrolytic plating solution while giving a negative potential, and a stripe-shaped metal of nickel or the like having a width of 40 μm, a pitch of 450 μm, and a height of 1 mm is formed on the partition formation electrode. A partition is formed. After that, apply phosphor between the stripes, bake, and pattern to form pixels,
Get the front panel. Wire diameter 40μm, opening 410
Five stainless screen meshes of 5 μm are aligned and fixed to a frame-shaped jig so that grid points overlap. This is immersed in an electrolytic plating solution while giving a negative potential to uniformly coat the surface of the stainless steel mesh with a metal plating film such as nickel. Since the metal is also deposited between the lattice points of the stainless steel mesh that has been aligned by the jig, the five stainless steel meshes are connected to each other to form a single metal mesh having a thickness of 400 to 500 μm. After depositing a metal such as nickel on the surface to a thickness of 5 μm, the jig was taken out of the solution and removed.
A grid-like structure having a pitch of 0 μm and a height of 450 μm is obtained. Here, electrolytic plating is performed for plating at the time of forming the partition and lattice structure on the front panel side, but other plating methods such as electroless plating can also be used. By forming the partition and lattice-like structure on the front panel side with conductors, the electron flux emitted from the emitter on the rear panel spreads as it approaches the front panel and spreads on the partition and lattice-like structure on the front panel side. In the event of a collision,
In addition, since electrons flow inside the lattice-shaped structure, it is possible to prevent the partition walls or the lattice-shaped structure from being charged, which may cause a curving of the electron flow or destruction of the element. Further, since the partition on the rear panel side is formed with a sufficient height using an insulator, a short circuit between the anode and the cathode can be avoided.

【0039】( 実施例6)図8に、本発明の画像表示装
置を構成する主な部材を含む組立図を示す。本実施例で
は、画像表示装置として、FEDを用いた。図8におい
て、81は背面基板、82は中間基板、83と84は中
間基板上に形成されたスペーサ、85は前面基板、86
は前面基板上に形成されたスペーサである。図8におい
て、従来技術を用いているものは、図示していないが、
背面基板81上には、FEDを構成するエミッタ、ゲー
ト、カソード配線、ゲート配線、およびそれらの層間絶
縁膜が形成されている。同様に前面基板85上には、ア
ノード電極、蛍光体膜、メタルバック等が形成されてい
る。エミッタおよびゲートの形成には、スピント法、グ
レイ法、転写モールド法などが提案されており、そのい
ずれを用いてもよいが、ここでは、転写モールド法によ
り形成した。
(Embodiment 6) FIG. 8 is an assembly view including main members constituting an image display device of the present invention. In this embodiment, an FED is used as the image display device. 8, reference numeral 81 denotes a rear substrate, 82 denotes an intermediate substrate, 83 and 84 denote spacers formed on the intermediate substrate, 85 denotes a front substrate, 86
Is a spacer formed on the front substrate. In FIG. 8, the one using the conventional technique is not shown,
On the rear substrate 81, an emitter, a gate, a cathode wiring, a gate wiring, and an interlayer insulating film thereof which constitute the FED are formed. Similarly, on the front substrate 85, an anode electrode, a phosphor film, a metal back and the like are formed. For the formation of the emitter and the gate, a Spindt method, a Gray method, a transfer molding method, and the like have been proposed, and any of them may be used. Here, the emitter and the gate are formed by the transfer molding method.

【0040】アノード電極、蛍光体膜、メタルバック等
が形成された前面基板85にスクリーン印刷法によって
厚さ300μm のスペーサ86を形成した。本実施例で
は、1回の印刷で形成されるガラススペーサ厚さは約1
5μm であったので、20回の重ね塗りを行った。
A spacer 86 having a thickness of 300 μm was formed by a screen printing method on a front substrate 85 on which an anode electrode, a phosphor film, a metal back and the like were formed. In this embodiment, the thickness of the glass spacer formed by one printing is about 1
Since it was 5 μm, 20 recoatings were performed.

【0041】次に、図9に示したようにアディティブ法
で作製した厚さ100μm のニッケルの中間基板を用意
した。中間基板には、開口部87が形成されている。開
口部87の形状は、400μm ×100μm 、それが縦
方向に453μm ピッチ、横方向に151μm ピッチで
並んでいる。
Next, as shown in FIG. 9, a nickel intermediate substrate having a thickness of 100 μm manufactured by the additive method was prepared. An opening 87 is formed in the intermediate substrate. The shape of the openings 87 is 400 μm × 100 μm, which are arranged at a pitch of 453 μm in the vertical direction and at a pitch of 151 μm in the horizontal direction.

【0042】この中間基板に印刷により高さ300μm
のスペーサ84を形成し、次に中間基板の裏面に同様に
スペーサ83(図示せず)を形成した。ここでは、ガラ
スペーストの印刷を用いたので印刷後焼成を行ったが、
スペーサとしては、金属を用いても構わない。あるい
は、一方を金属スペーサ、一方を絶縁スペーサとしても
構わない。ここで、スペーサの形成方法として印刷法を
用いたが、スペーサの形成は、サンドブラストなど他の
方法を用いることもできる。
The height of the intermediate substrate is 300 μm by printing.
Was formed, and then a spacer 83 (not shown) was similarly formed on the back surface of the intermediate substrate. Here, since printing of glass paste was used, baking was performed after printing,
A metal may be used as the spacer. Alternatively, one may be a metal spacer and one may be an insulating spacer. Here, the printing method is used as a method of forming the spacer, but other methods such as sandblasting can be used to form the spacer.

【0043】上述のように形成したスペーサ付中間基板
と前面基板、背面基板を図8の様に重ね合せ、図10に
示したようなFEDを作製した。図10において、88
は、枠材を含め真空封止をした構造、89は、背面基板
に形成された配線から中間基板に電位を与えるためのト
ランスファーである。
The intermediate substrate with spacer formed as described above, the front substrate, and the rear substrate were overlapped as shown in FIG. 8 to produce an FED as shown in FIG. In FIG.
Is a vacuum sealed structure including the frame material, and 89 is a transfer for applying a potential from the wiring formed on the rear substrate to the intermediate substrate.

【0044】中間基板に電位をあたえることによる効果
は、中間基板を電子の広がりを防ぐ収束電極として用い
ることや、中間基板に与える電圧や駆動法によっては、
階調制御に用いることもできる。ここでは収束電極とし
て用いた。収束電極としての電圧は、ゲート電圧以上で
アノード電圧以下であるが、一般的には、30〜80Vの範
囲である。さらに、ゲート電圧と同じ電圧とするが消費
電力、回路規模の点から望ましい。収束電極には一定電
圧を印加しておく方法、ゲートに同期させて駆動する方
法がある。ここでは、45Vの一定電位を与えた。
The effect of applying a potential to the intermediate substrate is dependent on the use of the intermediate substrate as a focusing electrode for preventing the spread of electrons, the voltage applied to the intermediate substrate, and the driving method.
It can also be used for gradation control. Here, it was used as a focusing electrode. The voltage as the focusing electrode is equal to or higher than the gate voltage and equal to or lower than the anode voltage, but is generally in the range of 30 to 80V. Further, although the same voltage as the gate voltage is used, it is desirable in terms of power consumption and circuit scale. There are a method of applying a constant voltage to the focusing electrode and a method of driving the focusing electrode in synchronization with the gate. Here, a constant potential of 45 V was applied.

【0045】なお、図8および、図10のように、スペ
ーサを互い違いに重ね合せた構造とすることで、容器内
の排気効率向上が図られている。一般的にスペーサの断
面形状は矩形であるが、円形であっても構わない。ま
た、スペーサ同士、スペーサが基板に搭載される部分を
くさび型のはめ合わせ、オスメス形状などの勘合形状と
することでスペーサの位置ずれ防止や、強度の増加をは
かってもよい。
As shown in FIGS. 8 and 10, the structure in which the spacers are alternately overlapped improves the exhaust efficiency of the container. Generally, the cross-sectional shape of the spacer is rectangular, but may be circular. In addition, the wedge-shaped fitting of the spacers and the portion where the spacers are mounted on the substrate may be formed into a fitting shape such as a male-female shape to prevent displacement of the spacers and increase the strength.

【0046】また、スペーサはRGBからなる絵素を単
位として配置(R/G/B/スペーサ//R/G/B/
スペーサ)しているが、R、G、Bの画素を単位として
配置(R/スペーサ//G/スペーサ//B/スペー
サ)しても構わない。
The spacers are arranged in units of RGB picture elements (R / G / B / spacer // R / G / B /
(Spacer), but may be arranged in units of R, G, and B pixels (R / spacer // G / spacer // B / spacer).

【0047】本実施例では、中間基板として導体を用い
たが、FEDの特性によっては、必ずしも補助電極は必
要ないので、その場合には、中間基板はガラスなどの絶
縁体で形成してもよい。ガラスの時には、感光性ガラス
を用いることで、ばらつきに少ない開口を得ることがで
きる。
In this embodiment, the conductor is used as the intermediate substrate. However, depending on the characteristics of the FED, the auxiliary electrode is not necessarily required. In this case, the intermediate substrate may be formed of an insulator such as glass. . In the case of glass, by using photosensitive glass, an opening with little variation can be obtained.

【0048】以上説明したように、本発明の画像表示装
置は、基板上に形成される複数の機能素子を有する第1
の基板と、基板上に形成された電極を有する第2の基板
とを、少なくとも一方に、スペーサを有する、スペーサ
一体型の中間基板を介して封止する構造とすることで、
第1の基板と第2の基板の間隔を広く保つ構造とするこ
とができる。
As described above, the image display device according to the present invention has a first function having a plurality of functional elements formed on a substrate.
And a second substrate having electrodes formed on the substrate, at least one of which has a spacer, has a structure in which the spacer is integrated via a spacer-integrated intermediate substrate.
A structure in which the distance between the first substrate and the second substrate is kept wide can be provided.

【0049】[0049]

【発明の効果】上記構成によって、スペーサの帯電を防
止し、素子の破壊に起因する画素の破壊を回避した表示
装置を提供する事ができる。また、背面基板と前面基板
の間隔を、ミリオーダに保つのに適したスペーサ構造を
有する表示装置を提供する事ができる。
According to the above arrangement, it is possible to provide a display device in which the charging of the spacer is prevented and the destruction of the pixel due to the destruction of the element is avoided. In addition, it is possible to provide a display device having a spacer structure suitable for keeping a distance between the back substrate and the front substrate on the order of millimeters.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施例1である真空気密容器の一部
を模式的に示す図。
FIG. 1 is a diagram schematically illustrating a part of a vacuum-tight container that is Embodiment 1 of the present invention.

【図2】 本発明の実施例1の製造方法を模式的に示し
た工程図である。
FIG. 2 is a process diagram schematically showing a manufacturing method of Example 1 of the present invention.

【図3】 本発明の実施例2の製造方法を模式的に示し
た工程図である。
FIG. 3 is a process diagram schematically showing a manufacturing method according to a second embodiment of the present invention.

【図4】 本発明の実施例3の製造方法を模式的に示し
た工程図である。
FIG. 4 is a process chart schematically showing a manufacturing method according to a third embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の実施例3の別の態様を示した斜視図
である。
FIG. 5 is a perspective view showing another embodiment of the third embodiment of the present invention.

【図6】 本発明の実施例4である真空気密容器の一
部を模式的に示す分解斜視図である。
FIG. 6 is an exploded perspective view schematically illustrating a part of a vacuum-tight container that is Embodiment 4 of the present invention.

【図7】 本発明の実施例4の製造方法の一部を示した
工程図である。
FIG. 7 is a process chart showing a part of the manufacturing method according to the fourth embodiment of the present invention.

【図8】 本発明の実施例6の画像表示装置の概略構成
を示す斜視図。
FIG. 8 is a perspective view illustrating a schematic configuration of an image display device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図9】 本発明の実施例6のスペーサ付中間基板を示
す平面図。
FIG. 9 is a plan view showing an intermediate substrate with spacers according to a sixth embodiment of the present invention.

【図10】 本発明の実施例6の画像表示装置の断面
図。
FIG. 10 is a sectional view of an image display device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図11】 従来例を示す分解斜視図である。FIG. 11 is an exploded perspective view showing a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…背面パネル2…前面パネル3…アノード電極4, 1
02…蛍光体 5…エミッタアレイ、6, 10, 202…エミッタライ
ン、7, 106, 203…ゲートライン、8…第1の隔
壁、9…第2の隔壁、10…前面基板、11…背面基
板、12…枠状構造体、13, 110…シール材、14
…真空漕、15…ヒータ、16…隔壁形成用電極、17
…レジストマスク、18…排気用溝、19…ガラスクロ
ス、20…格子状構造、100…アノード基板、103
…カソード基板、105…絶縁層、107…エミッタ、
108…低融点ガラスパターン、109…支持柱、11
1…ガラスファイバ束、112…Ni、113…磁石含有
ペースト、114…ガラス基板、115…接着剤、11
6…接着剤コート基板、201…カソード板、204…
電子放出部、205…画素、206…スペーサ形成用電
極、207…金属スペーサ、208…アノード板209
…絶縁スペーサ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Back panel 2 ... Front panel 3 ... Anode electrode 4, 1
02: Phosphor 5: Emitter array, 6, 10, 202: Emitter line, 7, 106, 203: Gate line, 8: First partition, 9: Second partition, 10: Front substrate, 11: Back substrate , 12 ... frame-like structure, 13, 110 ... sealing material, 14
... vacuum tank, 15 ... heater, 16 ... electrode for forming partition walls, 17
... resist mask, 18 ... exhaust groove, 19 ... glass cloth, 20 ... lattice structure, 100 ... anode substrate, 103
... a cathode substrate, 105 ... an insulating layer, 107 ... an emitter,
108: low melting point glass pattern, 109: support column, 11
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Glass fiber bundle, 112 ... Ni, 113 ... Magnet-containing paste, 114 ... Glass substrate, 115 ... Adhesive, 11
6 ... adhesive coated substrate, 201 ... cathode plate, 204 ...
Electron emitting portion, 205: pixel, 206: spacer forming electrode, 207: metal spacer, 208: anode plate 209
… Insulating spacer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01J 29/87 H01J 29/87 (72)発明者 飯田 敦子 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 斉藤 雅之 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内 Fターム(参考) 5C032 AA01 CC05 CC10 CD04 5C036 EE01 EE03 EE09 EE14 EE15 EE17 EF01 EF06 EF09 EG01 EG12 EG19 EG22 EG28 EG31 EH06 EH08 EH26 5C094 BA04 BA21 DA12 EA04 EA05 EB02 EC04 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01J 29/87 H01J 29/87 (72) Inventor Atsuko Iida 33 Shinisogo-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Yokohama, Japan (72) Inventor Masayuki Saito 33, Shinisogo-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture F-term (reference) 5C032 AA01 CC05 CC10 CD04 5C036 EE01 EE03 EE09 EE14 EE15 EE17 EF01 EF06 EF09 EG01 EG12 EG19 EG22 EG28 EG31 EH06 EH08 EH26 5C094 BA04 BA21 DA12 EA04 EA05 EB02 EC04

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】エミッタアレイを有する電界放出型のカソ
ード基板を形成した第1の基板と、この第1の基板に対
向して配置されアノード電極を形成した第2の基板とを
有する表示装置において、前記第1の基板上にストライ
プ状の第1の隔壁が形成され、この隔壁の方向と交差す
る方向であって前記第2の基板上にストライプ状の第2
の隔壁が形成され、前記第1及び第2の隔壁が接触して
いることを特徴とする表示装置。
1. A display device comprising: a first substrate on which a field emission type cathode substrate having an emitter array is formed; and a second substrate disposed opposite to the first substrate and having an anode electrode formed thereon. A first stripe-shaped partition is formed on the first substrate, and a second stripe-shaped second partition is formed on the second substrate in a direction intersecting the direction of the partition.
Wherein the first and second partitions are in contact with each other.
【請求項2】前記第1、第2の隔壁が絶縁体より成るこ
とを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
2. The display device according to claim 1, wherein said first and second partition walls are made of an insulator.
【請求項3】前記第1の隔壁が絶縁体より形成され、前
記第2の隔壁が導電体より形成されていることを特徴と
する請求項1に記載の表示装置。
3. The display device according to claim 1, wherein the first partition is formed of an insulator, and the second partition is formed of a conductor.
【請求項4】前記第2の基板上に隔壁と直交する方向の
溝が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の
表示装置。
4. The display device according to claim 1, wherein a groove is formed on the second substrate in a direction perpendicular to the partition wall.
【請求項5】電子放出素子が表面に形成された第1の基
板と、電極が形成された第2の基板と、前記第1の基板
及び前記第2の基板間に介在するスペーサ一体型の中間
基板とを具備する事を特徴とする表示装置。
5. A first substrate having an electron emission element formed on a surface thereof, a second substrate having electrodes formed thereon, and a spacer-integrated type interposed between the first substrate and the second substrate. A display device comprising an intermediate substrate.
【請求項6】前記中間基板が補助電極を兼ねることを特
徴とする請求項5に記載の表示装置。
6. The display device according to claim 5, wherein said intermediate substrate also serves as an auxiliary electrode.
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