JP2000267282A - Positive photosensitive composition - Google Patents

Positive photosensitive composition

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JP2000267282A
JP2000267282A JP7405999A JP7405999A JP2000267282A JP 2000267282 A JP2000267282 A JP 2000267282A JP 7405999 A JP7405999 A JP 7405999A JP 7405999 A JP7405999 A JP 7405999A JP 2000267282 A JP2000267282 A JP 2000267282A
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JP
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carbon atoms
acid
alkyl
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JP7405999A
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Japanese (ja)
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Toru Fujimori
亨 藤森
Shiro Tan
史郎 丹
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a positive photosensitive compsn. which has high resolution and high sensitivity, which hardly produces a rough surface state, which has high dry etching durability and which gives an excellent resist pattern having a good squareness property of the profile by using a ternary resin having a specified structure and a specified compd. which produces an acid. SOLUTION: This compsn. contains (a) at least one kind of compd. expressed by formula I, II or the like which produces sulfonic acid by irradiation of active rays or radiation and (b) a resin which contains recurring units or the like expressed by formulae III and IV and which decomposes by the effect of an acid to increase solubility in an alkali developer. In formulae I, II, each of R1 to R5 may be same as or different from others, and is a hydrogen atom, alkyl group or the like, X is a specified anion of benzene sulfonic acid, naphthalene sulfonic acid or anthracene sulfonic acid, in formulae III, IV, R21 is a hydrogen atom or methyl group, R24 is a hydrogen atom, halogen atom or the like,(n)is an integer 1 to 3, each of R'1 and R'2 is a hydrogen atom or alkyl group, W is a divalent org. group, and R'3 is a chain alkyl group, cyclic alkyl group or the like.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、平版印刷板やIC
等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基
板の製造、更にその他のフォトファブリケーション工程
に使用されるポジ型感光性組成物に関するものである。
[0001] The present invention relates to a lithographic printing plate or an IC.
The present invention relates to a positive photosensitive composition used in a semiconductor manufacturing process such as the above, a circuit substrate such as a liquid crystal and a thermal head, and other photofabrication processes.

【0002】[0002]

【従来の技術】ポジ型フォトレジスト組成物としては、
米国特許第4,491,628 号、欧州特許第249,139 号等に記
載されている化学増幅系レジスト組成物がある。化学増
幅系ポジ型レジスト組成物は、遠紫外光等の放射線の照
射により露光部に酸を生成させ、この酸を触媒とする反
応によって、活性放射線の照射部と非照射部の現像液に
対する溶解性を変化させパターンを基板上に形成させる
パターン形成材料である。
2. Description of the Related Art Positive photoresist compositions include:
There is a chemically amplified resist composition described in U.S. Pat. No. 4,491,628 and European Patent No. 249,139. The chemically amplified positive resist composition generates an acid in the exposed portion by irradiation with radiation such as far ultraviolet light, and the reaction using the acid as a catalyst dissolves the active radiation-irradiated portion and the non-irradiated portion in the developing solution. This is a pattern forming material that changes the properties and forms a pattern on a substrate.

【0003】上記ポジ型化学増幅レジストは、アルカリ
可溶性樹脂、放射線露光によつて酸を発生する化合物
(光酸発生剤)、及び酸分解性基を有するアルカリ可溶
性樹脂に対する溶解阻止化合物から成る3成分系と、酸
との反応により分解しアルカリ可溶となる基を有する樹
脂と光酸発生剤からなる2成分系に大別できる。これら
2成分系あるいは3成分系のポジ型化学増幅レジストに
おいては、露光により光酸発生剤からの酸を介在させ
て、熱処理後現像してレジストパターンを得るものであ
る。
The above-mentioned positive chemically amplified resist comprises three components comprising an alkali-soluble resin, a compound capable of generating an acid upon exposure to radiation (photoacid generator), and a compound inhibiting dissolution of the alkali-soluble resin having an acid-decomposable group. It can be roughly classified into a two-component system comprising a resin having a group which is decomposed by the reaction with an acid and becomes alkali-soluble and a photoacid generator. In these two-component or three-component positive chemically amplified resists, a resist pattern is obtained by heat treatment and development with an acid from a photoacid generator being exposed by exposure.

【0004】ここで、上記のようなポジ型化学増幅レジ
ストにおいて用いられる酸との反応により分解しアルカ
リ可溶となる基を有する樹脂として、特開平8−123
032号公報には、酸分解性基としてアセタール基を含
むモノマーと、ヒドロキシスチレンと、ハロゲン原子、
アルキル基、アルコキシ基等がベンゼン環に置換したス
チレンとを含有する3元系共重合体が用いられている。
しかしながら、この樹脂を、ポジ型化学増幅レジストに
おける酸分解性基含有樹脂として用いても、未だ解像力
に改良の余地があった。最近、半導体デバイスの高集積
化が一層進んでいる現状から、ポジ型化学増幅レジスト
においても一層の高解像度化が望まれている。
Here, as a resin having a group which is decomposed by reaction with an acid used in a positive chemically amplified resist as described above and becomes alkali-soluble, JP-A-8-123
No. 032 discloses a monomer containing an acetal group as an acid-decomposable group, hydroxystyrene, a halogen atom,
A ternary copolymer containing styrene having an alkyl group, an alkoxy group, or the like substituted on a benzene ring has been used.
However, even if this resin is used as an acid-decomposable group-containing resin in a positive chemically amplified resist, there is still room for improvement in resolution. In recent years, with higher integration of semiconductor devices, further improvement in resolution of positive chemically amplified resists has been desired.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、高解像力、高感度で、表面ザラツキが少なく、ドラ
イエチング耐性が高く、しかも矩形性のよい優れたレジ
ストパターンが得られるポジ型感光性組成物を提供する
ことにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a positive photosensitive film having a high resolution, a high sensitivity, a small surface roughness, a high dry etching resistance, and an excellent resist pattern having good rectangularity. It is to provide a composition.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記諸特
性に留意し鋭意検討した結果、本発明の目的が、ポジ型
化学増幅系において、特定の構造を有する3元系の樹脂
と下記の酸を発生する特定の化合物とを用いることで達
成されることを見いだした。即ち、本発明は、下記構成
である。 (1)(a)活性光線又は放射線の照射により、スルホ
ン酸を発生する下記一般式(A−1)、(A−2)、
(A−3)、(A−4)、(A−5)、(A−6)及び
(A−7)で表される化合物のうち少なくとも1種、及
び(b)下記一般式(I)及び一般式(II)で表される
繰り返し構造単位若しくは下記一般式(I)、一般式
(II)及び一般式(III) で表される繰り返し構造単位を
含む、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶
解度が増大する樹脂、を含有することを特徴とするポジ
型感光性組成物。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have made intensive studies while paying attention to the above-mentioned characteristics, and as a result, the object of the present invention is to provide a positive type chemically amplified system with a ternary resin having a specific structure. It has been found that this can be achieved by using certain compounds that generate the following acids. That is, the present invention has the following configuration. (1) (a) The following general formulas (A-1), (A-2), which generate sulfonic acid upon irradiation with actinic rays or radiation;
(A-3), (A-4), (A-5), (A-6) and at least one of the compounds represented by (A-7), and (b) the following general formula (I) And a repeating structural unit represented by the general formula (II) or a repeating structural unit represented by the following general formulas (I), (II) and (III). A positive photosensitive composition comprising: a resin having an increased solubility in a developer.

【0007】[0007]

【化8】 Embedded image

【0008】式(A−1)、(A−2)中、R1 〜R5
は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、アルキル
基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、
ハロゲン原子、又は−S−R6 基を示す。R6 はアルキ
ル基、又はアリール基を示す。X- は、分岐状又は環状
の炭素数8個以上のアルキル基及びアルコキシ基の群の
中から選ばれる基を少なくとも1個有するか、直鎖状、
分岐状又は環状の炭素数4〜7個のアルキル基及びアル
コキシ基の群の中から選ばれる基を少なくとも2個有す
るか、もしくは直鎖状又は分岐状の炭素数1〜3個のア
ルキル基及びアルコキシ基の群の中から選ばれる基を少
なくとも3個有するか、1〜5個のハロゲン原子を有す
るか、若しくは直鎖状、分岐状、又は環状の炭素数1〜
10のエステル基を有するベンゼンスルホン酸、ナフタ
レンスルホン酸又はアントラセンスルホン酸のアニオン
を示す。
In the formulas (A-1) and (A-2), R 1 to R 5
May be the same or different, a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, a hydroxy group,
A halogen atom, or -S-R 6 group. R 6 represents an alkyl group or an aryl group. X has at least one group selected from the group consisting of a branched or cyclic alkyl group and an alkoxy group having 8 or more carbon atoms, or has a linear or
A branched or cyclic alkyl group having 4 to 7 carbon atoms and at least two groups selected from the group of alkoxy groups, or a linear or branched alkyl group having 1 to 3 carbon atoms and It has at least three groups selected from the group of alkoxy groups, has 1 to 5 halogen atoms, or has a linear, branched or cyclic carbon number of 1 to
The anion of benzenesulfonic acid, naphthalenesulfonic acid or anthracenesulfonic acid having 10 ester groups is shown.

【0009】[0009]

【化9】 Embedded image

【0010】式(A−3)中、R7 〜R10は、同一でも
異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、シクロア
ルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、又はハロゲン
原子を示す。X- は、分岐状又は環状の炭素数8個以上
のアルキル基及びアルコキシ基の群の中から選ばれる基
を少なくとも1個有するか、直鎖状、分岐状又は環状の
炭素数4〜7個のアルキル基及びアルコキシ基の群の中
から選ばれる基を少なくとも2個有するか、もしくは直
鎖状又は分岐状の炭素数1〜3個のアルキル基及びアル
コキシ基の群の中から選ばれる基を少なくとも3個有す
るベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸又はアン
トラセンスルホン酸のアニオンを示す。m、n、p及び
qは、各々1〜3の整数を示す。
In the formula (A-3), R 7 to R 10 may be the same or different and represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, a hydroxy group, or a halogen atom. X has at least one group selected from the group consisting of a branched or cyclic alkyl group having 8 or more carbon atoms and an alkoxy group, or has 4 to 7 linear, branched or cyclic carbon atoms. Having at least two groups selected from the group of alkyl groups and alkoxy groups, or a group selected from the group of linear or branched alkyl groups and alkoxy groups having 1 to 3 carbon atoms. The anion of benzenesulfonic acid, naphthalenesulfonic acid or anthracenesulfonic acid having at least three is shown. m, n, p and q each represent an integer of 1 to 3.

【0011】[0011]

【化10】 Embedded image

【0012】式(A−4)中、R11〜R13は、同一でも
異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、シクロア
ルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子
又は−S−R6 基を示す。R6 、X- は前記と同義であ
る。l、m及びnは、同じでも異なってもよく、1〜3
の整数を示す。l、m及びnが各々2又は3の場合、2
〜3個のR11〜R13のうちの各々の2個が互いに結合し
て、炭素環、複素環又は芳香環を含む5〜8個の元素か
ら成る環を形成してもよい。
In the formula (A-4), R 11 to R 13 may be the same or different, and represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, a hydroxy group, a halogen atom or —S—R 6 Represents a group. R 6 and X are as defined above. l, m and n may be the same or different;
Indicates an integer. when l, m and n are each 2 or 3, 2
To three two are bonded to each other in each of R 11 to R 13, they may form a ring consisting of five to eight elements including carbocyclic, heterocyclic or aromatic ring.

【0013】[0013]

【化11】 Embedded image

【0014】式(A−5)中、R14〜R16は、同一でも
異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、シクロア
ルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子
又は−S−R6 基を示す。R6 、X- は前記と同義であ
る。l、m及びnは、同じでも異なってもよく、1〜3
の整数を示す。l、m及びnが各々2又は3の場合、2
〜3個のR14〜R16のうちの各々の2個が互いに結合し
て、炭素環、複素環又は芳香環を含む5〜8個の元素か
ら成る環を形成してもよい。
In the formula (A-5), R 14 to R 16 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, a hydroxy group, a halogen atom, or —S—R 6 Represents a group. R 6 and X are as defined above. l, m and n may be the same or different;
Indicates an integer. when l, m and n are each 2 or 3, 2
Two each of the to three R 14 to R 16 are bonded to each other, they may form a ring consisting of five to eight elements including carbocyclic, heterocyclic or aromatic ring.

【0015】[0015]

【化12】 Embedded image

【0016】式(A−6)中、Yは置換基を有していて
もよい直鎖、分岐、環状アルキル基、置換されていても
よいアラルキル基、
In the formula (A-6), Y represents a linear, branched or cyclic alkyl group which may have a substituent, an aralkyl group which may be substituted,

【0017】[0017]

【化13】 Embedded image

【0018】で表される基を示す(R31〜R51は、同一
でも異なっていてもよく、水素原子、置換基を有してい
てもよい直鎖、分岐、環状アルキル基、アルコキシ基、
アシル基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アリ
ール基、アシロキシ基、アラルキル基もしくはアルコキ
シカルボニル基、又はホルミル基、ニトロ基、塩素原
子、臭素原子、ヨウ素原子、水酸基、もしくはシアノ基
を示し、R31〜R35、R36 〜R42及びR43〜R51はそれ
ぞれの群のうちの2つが結合して炭素及び/又はヘテロ
原子からなる5〜8員環を形成していもよい)。また、
Yは別のイミドスルホネート化合物の残基と結合してい
てもよい。Xは置換基を有していてもよい直鎖、分岐ア
ルキレン基、置換基を有していてもよくヘテロ原子を含
んでいてもよい単環又は多環環状アルキレン基、置換さ
れていてもよい直鎖、分岐アルケニレン基、置換されて
いてもよくヘテロ原子を含んでいてもよい単環又は多環
環状アルケニレン基、置換されていてもよいアリーレン
基、置換されていてもよいアラルキレン基を示す。ま
た、Xは別のイミドスルホネート残基と結合していても
よい。 Ar1 −SO2 −SO2 −Ar2 (A−7) 式(A−7)中、Ar1 、Ar2 は、同一でも異なって
いてもよく、置換もしくは未置換のアリール基を示す。
The group represented by the formula (R)31~ R51Are the same
And may have a hydrogen atom or a substituent.
Straight-chain, branched, cyclic alkyl, alkoxy,
Acyl group, acylamino group, sulfonylamino group, ant
Group, acyloxy group, aralkyl group or alkoxy
Sicarbonyl group, formyl group, nitro group, chlorine atom
Atom, bromine atom, iodine atom, hydroxyl group, or cyano group
And R31~ R35, R36 ~ R42And R43~ R51Is it
Two of each group are bonded to form carbon and / or hetero
And may form a 5- to 8-membered ring composed of atoms). Also,
Y is bonded to the residue of another imidosulfonate compound
You may. X represents a linear or branched group which may have a substituent;
Alkylene group, which may have a substituent and
A monocyclic or polycyclic alkylene group which may be substituted;
Optionally substituted straight-chain, branched alkenylene, substituted
Monocyclic or polycyclic, optionally containing heteroatoms
Cyclic alkenylene group, optionally substituted arylene
And an aralkylene group which may be substituted. Ma
In addition, even if X is bonded to another imidosulfonate residue,
Good. Ar1-SOTwo-SOTwo-ArTwo (A-7) In the formula (A-7), Ar1, ArTwoAre the same but different
And represents a substituted or unsubstituted aryl group.

【0019】[0019]

【化14】 Embedded image

【0020】式(I)〜(III)中、R21は水素原子又は
メチル基を表し、R23は酸の作用により分解しない基を
表し、R24は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ア
リール基、アルコキシ基、アシル基又はアシロキシ基を
表す。nは1〜3の整数を表す。式(II)中、R'1
R'2は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、又は
炭素数1〜4のアルキル基を表し、Wは2価の有機基を
表し、R'3は、総炭素数1〜20の置換基を有してもよ
い鎖状アルキル基、総炭素数3〜20の置換基を有して
もよい環状アルキル基、総炭素数6〜30の置換基を有
してもよいアリール基、又は総炭素数7〜30の置換基
を有してもよいアラルキル基を表す。 (2)前記式
(II)のR'3が、総炭素数11〜20の置換基を有して
もよい鎖状アルキル基、総炭素数11〜20の置換基を
有してもよい環状アルキル基、総炭素数11〜30の置
換基を有してもよいアリール基、又は総炭素数12〜3
0の置換基を有してもよいアラルキル基を表すことを特
徴とする上記(1)に記載のポジ型感光性組成物。 (3)前記式(II)のR'3が、総炭素数11〜18の置
換基を有してもよい鎖状アルキル基、総炭素数11〜1
8の置換基を有してもよい環状アルキル基、総炭素数1
1〜25の置換基を有してもよいアリール基、又は総炭
素数12〜25の置換基を有してもよいアラルキル基を
表すことを特徴とする上記(1)または(2)に記載の
ポジ型感光性組成物。 (4)酸により分解し得る基を有し、アルカリ現像液中
での溶解度が酸の作用により増大する、分子量3000
以下の低分子酸分解性溶解阻止化合物を含有することを
特徴とする上記(1)〜(3)に記載のポジ型感光性組
成物。
In the formulas (I) to (III), R 21 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 23 represents a group which is not decomposed by the action of an acid, and R 24 represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aryl group. Represents a group, an alkoxy group, an acyl group or an acyloxy group. n represents an integer of 1 to 3. In the formula (II), R ′ 1 ,
R ′ 2 may be the same or different and represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, W represents a divalent organic group, and R ′ 3 represents a total of 1 to 20 carbon atoms. A chain alkyl group which may have a substituent, a cyclic alkyl group which may have a substituent having 3 to 20 carbon atoms in total, an aryl group which may have a substituent having 6 to 30 carbon atoms in total, Or an aralkyl group which may have a substituent having 7 to 30 carbon atoms in total. (2) In the formula (II), R ′ 3 is a chain alkyl group which may have a substituent having 11 to 20 carbon atoms in total, and a cyclic group which may have a substituent having 11 to 20 carbon atoms in total. An alkyl group, an aryl group which may have a substituent having a total of 11 to 30 carbon atoms, or a total of 12 to 3 carbon atoms
The positive photosensitive composition according to the above (1), which represents an aralkyl group optionally having 0 substituents. (3) the formula R '3 are also good chain alkyl group having a total substitution group having a carbon number of 11 to 18 of (II), carbon atoms in total 11-1
Cyclic alkyl group optionally having 8 substituents, total carbon number 1
(1) or (2), which represents an aryl group optionally having 1 to 25 substituents or an aralkyl group optionally having 12 to 25 carbon atoms. Positive photosensitive composition. (4) having a group decomposable by an acid, and having a molecular weight of 3,000, in which the solubility in an alkali developer is increased by the action of an acid.
The positive photosensitive composition according to any one of the above (1) to (3), comprising the following low-molecular acid-decomposable dissolution inhibiting compound.

【0021】上記のように、光酸発生剤として上記特定
の構造を有する化合物と特定の3種の繰り返し単位を有
する樹脂を用いることにより、化学増幅型レジストにお
いて、見事に高い解像力が得られ、且つ光感度が高く、
高い矩形性の優れたレジストパターンが得られた。
As described above, by using the compound having the specific structure and the resin having the specific three types of repeating units as the photoacid generator, a superbly high resolving power can be obtained in a chemically amplified resist. And high light sensitivity,
An excellent resist pattern having high rectangularity was obtained.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、本発明に使用する化合物に
ついて詳細に説明する。 (a)光酸発生剤 一般式(A−1)〜(A−3)で示される光酸発生剤 前記一般式(A−1)〜(A−3)における、R1 〜R
6 及びR7 〜R10のアルキル基としては、置換基を有し
てもよい、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチ
ル基、sec−ブチル基、t−ブチル基のような炭素数
1〜4個のものが挙げられる。シクロアルキル基として
は、置換基を有してもよい、シクロプロピル基、シクロ
ペンチル基、シクロヘキシル基のような炭素数3〜8個
のものが挙げられる。アルコキシ基としては、メトキシ
基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ
基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキ
シ基、t−ブトキシ基のような炭素数1〜4個のものが
挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。アリ
ール基としては、フェニル基、トリル基、メトキシフェ
ニル基、ナフチル基のような置換基を有してもよい炭素
数6〜14個のものが挙げられる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the compounds used in the present invention will be described in detail. (A) Photoacid Generator Photoacid Generators Represented by General Formulas (A-1) to (A-3) R 1 to R in the General Formulas (A-1) to (A-3)
The alkyl group of 6 and R 7 to R 10 may have a substituent and may have a carbon number such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group and a t-butyl group. 1-4 are mentioned. Examples of the cycloalkyl group include those having 3 to 8 carbon atoms such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group and a cyclohexyl group which may have a substituent. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a hydroxyethoxy group, a propoxy group, an n-butoxy group, an isobutoxy group, a sec-butoxy group and a t-butoxy group. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom. Examples of the aryl group include those having 6 to 14 carbon atoms which may have a substituent such as a phenyl group, a tolyl group, a methoxyphenyl group and a naphthyl group.

【0023】置換基として好ましくは、炭素数1〜4個
のアルコキシ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原
子、沃素原子)、炭素数6〜10個のアリール基、炭素
数2〜6個のアルケニル基、シアノ基、ヒドロキシ基、
カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基等が
挙げられる。本発明で使用される一般式(A−1)〜
(A−3)で表わされるスルホニウム、ヨードニウム化
合物は、その対アニオン、X- として、分岐状又は環状
の炭素数8個以上、好ましくは10個以上のアルキル基
又はアルコキシ基を少なくとも1個以上有するか、直鎖
状、分岐状又は環状の炭素数4〜7個のアルキル基又は
アルコキシ基を少なくとも2個以上有するか、もしくは
直鎖状又は分岐状の炭素数1〜3個のアルキル基又はア
ルコキシ基を少なくとも3個有するか、1〜5個のハロ
ゲン原子を有するか、若しくは直鎖状、分岐状又は環状
の炭素数1〜10個のエステル基を有するベンゼンスル
ホン酸、ナフタレンスルホン酸又はアントラセンスルホ
ン酸のアニオンを有する。これにより露光後発生する酸
(上記基を有するベンゼンスルホン酸、ナフタレンスル
ホン酸、又はアントラセンスルホン酸)の拡散性が小さ
くなり、且つ該スルホニウム、ヨードニウム化合物の溶
剤溶解性が向上する。特に、拡散性を低減させるという
観点からは上記基として直鎖状のアルキル基又はアルコ
キシ基より、分岐状又は環状のアルキル基又はアルコキ
シ基又はエステル基の方が好ましい。また、ハロゲン原
子を有するものも好ましい。上記基が1個の場合は、直
鎖状と分岐状又は環状との拡散性の差異はより顕著にな
る。
The substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom or an iodine atom), an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, or an alkenyl having 2 to 6 carbon atoms. Group, cyano group, hydroxy group,
Examples thereof include a carboxy group, an alkoxycarbonyl group, and a nitro group. General formulas (A-1) to used in the present invention
The sulfonium or iodonium compound represented by (A-3) has at least one or more branched or cyclic, preferably 8 or more, preferably 10 or more alkyl or alkoxy groups as a counter anion, X −. Or at least two or more linear, branched or cyclic alkyl or alkoxy groups having 4 to 7 carbon atoms, or linear or branched alkyl groups or alkoxy groups having 1 to 3 carbon atoms Benzenesulfonic acid, naphthalenesulfonic acid or anthracenesulfonic acid having at least three groups, having 1 to 5 halogen atoms, or having a linear, branched or cyclic ester group having 1 to 10 carbon atoms Has an acid anion. This reduces the diffusivity of the acid (benzenesulfonic acid, naphthalenesulfonic acid or anthracenesulfonic acid having the above group) generated after exposure, and improves the solvent solubility of the sulfonium or iodonium compound. In particular, from the viewpoint of reducing diffusivity, a branched or cyclic alkyl group, alkoxy group, or ester group is more preferable as the above group than a linear alkyl group or alkoxy group. Further, those having a halogen atom are also preferable. When the number of the above groups is one, the difference in diffusivity between a straight chain and a branched or cyclic one becomes more remarkable.

【0024】炭素数8個以上、好ましくは炭素数8〜2
0個のアルキル基としては、分岐状又は環状のオクチル
基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、
トリデシル基、テトラデシル基、オクタデシル基等が挙
げられる。炭素数8個以上、好ましくは炭素数8〜20
個のアルコキシ基としては、分岐状又は環状のオクチル
オキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシ
ルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、
テトラデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基等が挙げ
られる。炭素数4〜7個のアルキル基としては、直鎖
状、分岐状又は環状のブチル基、ペンチル基、ヘキシル
基、ヘプチル基等が挙げられる。炭素数4〜7個のアル
コキシ基としては、直鎖状、分岐状又は環状のブトキシ
基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオ
キシ基等が挙げられる。炭素数1〜3個のアルキル基と
しては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプ
ロピル基が挙げられる。炭素数1〜3個のアルコキシ基
としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ
基、イソプロポキシ基が挙げられる。
C8 or more, preferably C8 to C2
Examples of the zero alkyl group include a branched or cyclic octyl group, a nonyl group, a decyl group, an undecyl group, a dodecyl group,
Examples include a tridecyl group, a tetradecyl group, and an octadecyl group. 8 or more carbon atoms, preferably 8 to 20 carbon atoms
As the alkoxy group, a branched or cyclic octyloxy group, a nonyloxy group, a decyloxy group, an undecyloxy group, a dodecyloxy group, a tridecyloxy group,
Examples include a tetradecyloxy group and an octadecyloxy group. Examples of the alkyl group having 4 to 7 carbon atoms include a linear, branched, or cyclic butyl group, a pentyl group, a hexyl group, and a heptyl group. Examples of the alkoxy group having 4 to 7 carbon atoms include a linear, branched or cyclic butoxy group, a pentyloxy group, a hexyloxy group, and a heptyloxy group. Examples of the alkyl group having 1 to 3 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, and an isopropyl group. Examples of the alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, and an isopropoxy group.

【0025】また、X- で表される芳香族スルホン酸に
は、上記特定の置換基以外に、ハロゲン原子(フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、沃素原子)、炭素数6〜10
個のアリール基、シアノ基、スルフィド基、ヒドロキシ
基、カルボキシ基、ニトロ基等を置換基として含有して
もよい。
Further, X - in the aromatic sulfonic acid represented by, in addition to the above specific substituent, a halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), C6-10
It may contain as substituents aryl groups, cyano groups, sulfide groups, hydroxy groups, carboxy groups, nitro groups and the like.

【0026】以下に、これらの化合物の具体例(A−1
−1)〜(A−1−66)、(A−2−1)〜(A−2
−59)、(A−3−1)〜(A−3−35)を示す
が、これに限定されるものではない。
Hereinafter, specific examples of these compounds (A-1)
-1) to (A-1-66), (A-2-1) to (A-2)
-59) and (A-3-1) to (A-3-35), but are not limited thereto.

【0027】[0027]

【化15】 Embedded image

【0028】[0028]

【化16】 Embedded image

【0029】[0029]

【化17】 Embedded image

【0030】[0030]

【化18】 Embedded image

【0031】[0031]

【化19】 Embedded image

【0032】[0032]

【化20】 Embedded image

【0033】[0033]

【化21】 Embedded image

【0034】[0034]

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【0035】[0035]

【化23】 Embedded image

【0036】[0036]

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【0037】[0037]

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【0038】[0038]

【化26】 Embedded image

【0039】[0039]

【化27】 Embedded image

【0040】[0040]

【化28】 Embedded image

【0041】[0041]

【化29】 Embedded image

【0042】[0042]

【化30】 Embedded image

【0043】[0043]

【化31】 Embedded image

【0044】[0044]

【化32】 Embedded image

【0045】[0045]

【化33】 Embedded image

【0046】[0046]

【化34】 Embedded image

【0047】[0047]

【化35】 Embedded image

【0048】[0048]

【化36】 Embedded image

【0049】[0049]

【化37】 Embedded image

【0050】[0050]

【化38】 Embedded image

【0051】[0051]

【化39】 Embedded image

【0052】[0052]

【化40】 Embedded image

【0053】[0053]

【化41】 Embedded image

【0054】[0054]

【化42】 Embedded image

【0055】[0055]

【化43】 Embedded image

【0056】尚、具体例中、nは直鎖、sは第2級、t
は第3級、iは分岐であることを示す。一般式(A−
1)〜(A−3)で表される化合物は、例えば対応する
Cl- 塩(一般式(A−1)〜(A−3)でX- をCl
- で置換した化合物)と、X- + で表わされる化合物
(X- は一般式(A−1)〜(A−3)の場合と同義、
+ はH+ 、Na+ 、K+ 、NH4 + 、N(CH3)4 +
等のカチオンを示す。)とを水溶液中で塩交換させるこ
とにより合成できる。
In the specific examples, n is linear, s is secondary, t
Represents tertiary and i represents branching. The general formula (A-
1) - (a compound represented by A-3), for example the corresponding Cl - salt (formula (A-1) X at ~ (A-3) - the Cl
And a compound represented by X - Y + (X - has the same meaning as in formulas (A-1) to (A-3);
Y + is H + , Na + , K + , NH 4 + , N (CH 3 ) 4 +
And the like. ) Can be synthesized by salt exchange in an aqueous solution.

【0057】一般式(A−4)、(A−5)で示される
光酸発生剤 一般式(A−4)、(A−5)において、R11〜R13
14〜R16におけるアルキル基、シクロアルキル基、ア
ルコキシ基、ハロゲン原子は前記R1 〜R5 のものと同
様のものを具体例として挙げることができる。R6 、X
- は、前記と同義である。
Photoacid generators represented by formulas (A-4) and (A-5) In formulas (A-4) and (A-5), R 11 to R 13 ,
Specific examples of the alkyl group, cycloalkyl group, alkoxy group and halogen atom in R 14 to R 16 are the same as those described above for R 1 to R 5 . R 6 , X
- have the same meanings as described above.

【0058】また、l、m、nが各々2又は3の場合、
2又は3個のR11〜R13あるいはR14〜R16のうちの各
々の2個が互いに結合して、炭素環、複素環又は芳香環
を含む5〜8個の元素からなる環を形成してもよい。
When l, m, and n are each 2 or 3,
Two or two of each of R 11 to R 13 or R 14 to R 16 are bonded to each other to form a ring composed of 5 to 8 elements including a carbon ring, a heterocyclic ring or an aromatic ring May be.

【0059】以下に、一般式(A−4)で表される化合
物の具体例(A−4−1)〜(A−4−28)、一般式
(A−5)で表される化合物の具体例(A−5−1)〜
(A−5−30)を示すが、これに限定されるものでは
ない。
Hereinafter, specific examples of the compound represented by the general formula (A-4) (A-4-1) to (A-4-28) and the compound represented by the general formula (A-5) Specific example (A-5-1)-
(A-5-30) is shown, but the invention is not limited to this.

【0060】[0060]

【化44】 Embedded image

【0061】[0061]

【化45】 Embedded image

【0062】[0062]

【化46】 Embedded image

【0063】[0063]

【化47】 Embedded image

【0064】[0064]

【化48】 Embedded image

【0065】[0065]

【化49】 Embedded image

【0066】[0066]

【化50】 Embedded image

【0067】[0067]

【化51】 Embedded image

【0068】[0068]

【化52】 Embedded image

【0069】[0069]

【化53】 Embedded image

【0070】[0070]

【化54】 Embedded image

【0071】[0071]

【化55】 Embedded image

【0072】尚、具体例中、nは直鎖、sは第2級、t
は第3級、iは分岐であることを示す。一般式(A−
4)、(A−5)で表される化合物は、例えば対応する
Cl- 塩(一般式(A−4)、(A−5)でX- をCl
- で置換した化合物)と、X- + で表わされる化合物
(X- は一般式(A−4)、(A−5)の場合と同義、
+ はH+ 、Na+ 、K+ 、NH4 + 、N(CH3)4 +
等のカチオンを示す。)とを水溶液中で塩交換させるこ
とにより合成できる。
In the specific examples, n is linear, s is secondary, t
Represents tertiary and i represents branching. The general formula (A-
4) (a compound represented by A-5) may, for example, the corresponding Cl - salt (formula (A-4), X in (A-5) - a Cl
- a compound) which was replaced by, X - Y + in the compound represented by (X - is the general formula (A-4), synonymous with the case of (A-5),
Y + is H + , Na + , K + , NH 4 + , N (CH 3 ) 4 +
And the like. ) Can be synthesized by salt exchange in an aqueous solution.

【0073】一般式(A−6)で表される光酸発生剤 前記一般式(A−6)におけるY及びR31〜R51の直
鎖、分岐、環状アルキル基としてはメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブ
チル基、t-ブチル基、ヘキシル基、オクチル基のような
炭素数1〜20個の直鎖又は分岐アルキル基及びシクロ
プロピル基、シクロペンチル基又はシクロヘキシル基等
の環状アルキル基が挙げられる。アルキル基の好ましい
置換基としてはアルコキシ基、アシル基、アシロキシ
基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
The photoacid generator represented by the general formula (A-6) The linear, branched or cyclic alkyl group of Y and R 31 to R 51 in the general formula (A-6) is a methyl group or an ethyl group. , A propyl group, an isopropyl group, a n-butyl group, a sec-butyl group, a t-butyl group, a hexyl group, a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms such as an octyl group and a cyclopropyl group, a cyclopentyl group Or a cyclic alkyl group such as a cyclohexyl group. Preferred substituents of the alkyl group include an alkoxy group, an acyl group, an acyloxy group, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom and the like.

【0074】また、Yのアラルキル基としてはベンジル
基もしくはフェネチル基のような炭素数7〜12個のア
ラルキル基が挙げられる。アラルキル基の好ましい置換
基としては、炭素数1〜4の低級アルキル基、炭素数1
〜4の低級アルコキシ基、ニトロ基、アセチルアミノ
基、ハロゲン原子等が挙げられる。
The aralkyl group for Y includes an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms such as a benzyl group or a phenethyl group. Preferable substituents for the aralkyl group include a lower alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and 1 carbon atom.
And lower alkoxy groups, nitro groups, acetylamino groups, and halogen atoms.

【0075】R31〜R51のアルコキシ基としてはメトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、
n-ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、t-ブ
トキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基のよう
な炭素数1〜20個のアルコキシ基又はエトキシエトキ
シ基等の置換基を有するアルコキシ基が挙げられる。ア
シル基としてはアセチル基、プロピオニル基、ベンゾイ
ル基等が挙げられる。アシルアミノ基としてはアセチル
アミノ基、プロピオニルアミノ基、ベンゾイルアミノ基
等が挙げられる。スルホニルアミノ基としてはメタンス
ルホニルアミノ基、エタンスルホニルアミノ基等炭素数
1〜4個のスルホニルアミノ基、p−トルエンスルホニ
ルアミノ基のような置換又は無置換のベンゼンスルホニ
ルアミノ基があげられる。アリール基としてはフェニル
基、トリル基、ナフチル基等が挙げられる。アルコキシ
カルボニル基としてはメトキシカルボニル基、エトキシ
カルボニル基、エトキシエトキシカルボニル基、オクチ
ルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等
の炭素数2〜20個のアルコキシカルボニル基があげら
れる。
The alkoxy groups represented by R 31 to R 51 include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group,
n-butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group, t-butoxy group, octyloxy group, alkoxy group having a substituent such as an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms such as dodecyloxy group or ethoxyethoxy group. No. Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, and a benzoyl group. Examples of the acylamino group include an acetylamino group, a propionylamino group and a benzoylamino group. Examples of the sulfonylamino group include a substituted or unsubstituted benzenesulfonylamino group such as a methanesulfonylamino group, an ethanesulfonylamino group, a sulfonylamino group having 1 to 4 carbon atoms, and a p-toluenesulfonylamino group. Examples of the aryl group include a phenyl group, a tolyl group, and a naphthyl group. Examples of the alkoxycarbonyl group include an alkoxycarbonyl group having 2 to 20 carbon atoms such as a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, an ethoxyethoxycarbonyl group, an octyloxycarbonyl group, and a dodecyloxycarbonyl group.

【0076】アシロキシ基としてはアセトキシ基、プロ
パノイルオキシ基、オクタノイルオキシ基、ベンゾイル
オキシ基のような炭素数2〜20個のアシロキシ基があ
げられる。アラルキル基としては置換又は無置換ベンジ
ル基、置換又は無置換フェネチル基等の炭素数7〜15
個のアラルキル基があげられる。アラルキル基の好まし
い置換基としては前記にあげたものと同じものがあげら
れる。
Examples of the acyloxy group include an acyloxy group having 2 to 20 carbon atoms such as an acetoxy group, a propanoyloxy group, an octanoyloxy group and a benzoyloxy group. The aralkyl group has 7 to 15 carbon atoms such as a substituted or unsubstituted benzyl group and a substituted or unsubstituted phenethyl group.
Aralkyl groups. Preferred substituents on the aralkyl group are the same as those described above.

【0077】R31〜R51においては、R31〜R35、R36
〜R42及びR43〜R51はそれぞれの群のうちの2つが結
合して炭素及び/又はヘテロ原子からなる5〜8員環を
形成していもよい。このような5〜8員環としては、例
えばシクロヘキサン、ピリジン、フラン又はピロリジン
があげられる。また、X、Yは別のイミドスルホネート
化合物の残基と結合していてもよく、2量体、3量体を
形成していてもよい。別のイミドスルホネートとして
は、一般式(A−6)で表される化合物で、X又はYの
ところで1価の基になったものがあげられる。
In R 31 to R 51 , R 31 to R 35 and R 36
To R 42 and R 43 to R 51 is two may be combined with each other to form a 5-8 membered ring consisting of carbon and / or hetero atoms of the each group. Examples of such a 5- to 8-membered ring include cyclohexane, pyridine, furan and pyrrolidine. X and Y may be bonded to a residue of another imide sulfonate compound, or may form a dimer or a trimer. As another imide sulfonate, a compound represented by the general formula (A-6) which is a monovalent group at X or Y can be mentioned.

【0078】Xのアルキレン基としては、直鎖又は分岐
の炭素数1〜10個のアルキレン基あるいはヘテロ原子
を含んでいてもよい単環又は多環の環状アルキレン基が
挙げられる。直鎖又は分岐のアルキレン基としてはメチ
レン基、エチレン基、プロピレン基又はオクチレン基等
があげられる。アルキレン基の好ましい置換基としては
アルコキシ基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、アシ
ルアミノ基、スルホニルアミノ基、ハロゲン原子、アリ
ール基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。ここで
挙げたアルコキシ基、アシル基、ニトロ基、アシルアミ
ノ基、スルホニルアミノ基、アリール基、アルコキシカ
ルボニル基はR31〜R51で挙げたものと同義である。ハ
ロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、
ヨウ素原子を挙げることができる。
Examples of the alkylene group represented by X include a linear or branched alkylene group having 1 to 10 carbon atoms or a monocyclic or polycyclic alkylene group which may contain a hetero atom. Examples of the linear or branched alkylene group include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, and an octylene group. Preferred substituents on the alkylene group include an alkoxy group, an acyl group, a formyl group, a nitro group, an acylamino group, a sulfonylamino group, a halogen atom, an aryl group, and an alkoxycarbonyl group. Here mentioned alkoxy group, an acyl group, a nitro group, an acylamino group, a sulfonylamino group, an aryl group, alkoxycarbonyl group have the same meanings as those mentioned in R 31 to R 51. As the halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom,
An iodine atom can be mentioned.

【0079】環状アルキレン基としてはシクロペンチレ
ン基、シクロヘキシレン基等の炭素数4〜8個の単環シ
クロアルキレン基、7−オキサビシクロ〔2.2.1〕
ヘプチレン基等の炭素数5〜15個の多環シクロアルキ
レン基が挙げられ、シクロアルキレン基の好ましい置換
基としては、炭素数1〜4個のアルキル基、アルコキシ
基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ
基、スルホニルアミノ基、ハロゲン原子、アリール基、
アルコキシカルボニル基が挙げられる。ここで挙げたア
ルコキシ基、アシル基、ニトロ基、アシルアミノ基、ス
ルホニルアミノ基、アリール基、アルコキシカルボニル
基はR31〜R51で挙げたものと同義である。ハロゲン原
子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原
子を挙げることができる。
Examples of the cyclic alkylene group include a monocyclic cycloalkylene group having 4 to 8 carbon atoms such as a cyclopentylene group and a cyclohexylene group, and 7-oxabicyclo [2.2.1].
Examples include a polycyclic cycloalkylene group having 5 to 15 carbon atoms such as a heptylene group. Preferred substituents of the cycloalkylene group include an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group, an acyl group, a formyl group, and a nitro group. Group, acylamino group, sulfonylamino group, halogen atom, aryl group,
An alkoxycarbonyl group. Here mentioned alkoxy group, an acyl group, a nitro group, an acylamino group, a sulfonylamino group, an aryl group, alkoxycarbonyl group have the same meanings as those mentioned in R 31 to R 51. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.

【0080】アリーレン基としてはフェニレン基、ナフ
チレン基等が挙げられる。アリーレン基の好ましい置換
基としてはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ
基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ
基、スルホニルアミノ基、ハロゲン原子、アリール基、
アルコキシカルボニル基が挙げられる。ここで挙げたア
ルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル
基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ基、スルホニ
ルアミノ基、アリール基、アルコキシカルボニル基はR
31〜R51で挙げたものと同義である。ハロゲン原子とし
てはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を挙
げることができる。
Examples of the arylene group include a phenylene group and a naphthylene group. Preferred substituents of the arylene group include an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an acyl group, a formyl group, a nitro group, an acylamino group, a sulfonylamino group, a halogen atom, an aryl group,
An alkoxycarbonyl group. The alkyl group, cycloalkyl group, alkoxy group, acyl group, formyl group, nitro group, acylamino group, sulfonylamino group, aryl group and alkoxycarbonyl group
31 those mentioned to R 51 is as defined above. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.

【0081】アルケニレン基としては炭素数2〜4個の
アルケニレン基があげられ、例えばエテニレン基、ブテ
ニレン基等が挙げられ、アルケニレン基の好ましい置換
基としてはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ
基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ
基、スルホニルアミノ基、ハロゲン原子、アリール基、
アルコキシカルボニル基が挙げられる。ここで挙げたア
ルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル
基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ基、スルホニ
ルアミノ基、アリール基、アルコキシカルボニル基はR
31〜R51で挙げたものと同義である。ハロゲン原子とし
てはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を挙
げることができる。環状アルケニレン基としてはシクロ
ぺンテニレン基、シクロヘキセニレン基、等の炭素数4
〜8個の単環シクロアルケニレン基、7−オキサビシク
ロ〔2,2,1〕ヘプテニレン基、ノルボルネニレン基
等の炭素数5〜15個の多環シクロアルケニレン基が挙
げられる。アラルキレン基としては、トリレン基、キシ
リレン基等が挙げられ、その置換基としてはアリーレン
基で挙げた置換基をあげることができる。以下に、これ
らの一般式(A−6)で表される化合物の具体例(A−
6−1)〜(A−6−49)を示すが、これに限定され
るものではない。
Examples of the alkenylene group include alkenylene groups having 2 to 4 carbon atoms, such as an ethenylene group and a butenylene group. Preferred examples of the alkenylene group include an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group and an acyl group. Group, formyl group, nitro group, acylamino group, sulfonylamino group, halogen atom, aryl group,
An alkoxycarbonyl group. The alkyl group, cycloalkyl group, alkoxy group, acyl group, formyl group, nitro group, acylamino group, sulfonylamino group, aryl group and alkoxycarbonyl group
31 those mentioned to R 51 is as defined above. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom. As the cyclic alkenylene group, a cyclopentenylene group, a cyclohexenylene group, etc.
And a polycyclic cycloalkenylene group having 5 to 15 carbon atoms, such as a monocyclic cycloalkenylene group of 8 to 8, a 7-oxabicyclo [2,2,1] heptenylene group and a norbornenylene group. Examples of the aralkylene group include a tolylene group and a xylylene group, and examples of the substituent include the substituents described for the arylene group. Hereinafter, specific examples of the compound represented by Formula (A-6) (A-
6-1) to (A-6-49), but the invention is not limited thereto.

【0082】[0082]

【化56】 Embedded image

【0083】[0083]

【化57】 Embedded image

【0084】[0084]

【化58】 Embedded image

【0085】[0085]

【化59】 Embedded image

【0086】[0086]

【化60】 Embedded image

【0087】[0087]

【化61】 Embedded image

【0088】[0088]

【化62】 Embedded image

【0089】[0089]

【化63】 Embedded image

【0090】[0090]

【化64】 Embedded image

【0091】一般式(A−6)で表される化合物は、G.
F.Jaubert 著、Ber.. 28,360(1895)の方法、D.E.Ames等
著、J.Chem.Soc..3518(1955)の方法、あるいはM.A.Stol
berg等著、J.Am. Chem.Soc..79,2615(1957) の方法等に
従い合成されたN−ヒドロキシイミド化合物とスルホン
酸クロリドとを塩基性条件下、例えばL.Bauer 等著、J.
Org.Chem..24,1294(1959) の方法に従い合成することが
可能である。
The compound represented by formula (A-6) is described in G.
28,360 (1895), DEAmes et al., J. Chem. Soc. 3518 (1955), or MAStol
berg et al., J. Am. Chem. Soc. 79, 2615 (1957), etc., using an N-hydroxyimide compound synthesized with a sulfonic acid chloride under basic conditions, for example, L. Bauer et al., J. Am. .
It can be synthesized according to the method of Org. Chem .. 24, 1294 (1959).

【0092】一般式(A−7)で表される光酸発生剤 一般式(A−7)中、Ar1 、Ar2 は、同一でも異な
っていてもよく、置換もしくは未置換のアリール基を示
す。ここで、アリール基としては、フェニル基、トリル
基、ナフチル基等が挙げられる。アリール基の置換基と
しては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ
基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ
基、スルホニルアミノ基、ハロゲン原子、アリール基、
アルコキシカルボニル基が挙げられる。ここで挙げたア
ルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル
基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ基、スルホニ
ルアミノ基、アリール基、アルコキシカルボニル基は上
記R31〜R51で挙げたものと同義である。ハロゲン原子
としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子
を挙げることができる。一般式(A−7)で表される光
酸発生剤の具体例としては以下に示す化合物(A−7−
1)〜(A−7−14)が挙げられるが、これらに限定
されるものではない。
The photoacid generator represented by the general formula (A-7) In the general formula (A-7), Ar 1 and Ar 2 may be the same or different, and represent a substituted or unsubstituted aryl group. Show. Here, examples of the aryl group include a phenyl group, a tolyl group, and a naphthyl group. Examples of the substituent of the aryl group include an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an acyl group, a formyl group, a nitro group, an acylamino group, a sulfonylamino group, a halogen atom, an aryl group,
An alkoxycarbonyl group. The alkyl group, cycloalkyl group, alkoxy group, acyl group, formyl group, nitro group, acylamino group, sulfonylamino group, aryl group, and alkoxycarbonyl group mentioned above have the same meanings as those described above for R 31 to R 51. is there. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom. Specific examples of the photoacid generator represented by the general formula (A-7) include the following compound (A-7-
1) to (A-7-14), but are not limited thereto.

【0093】[0093]

【化65】 Embedded image

【0094】[0094]

【化66】 Embedded image

【0095】上記一般式(A−7)で表される光酸発生
剤の合成としては、ジー.シー.デンサー.ジュニア.
ら著「ジャーナル オブ オルガニックケミストリー」
(G.C. Denser, Jr. ら著、「Journal of Organic Chemi
stry」) 31、3418〜3419 (1966) 記載の方法、テー.ピ
ー.ヒルドイッチ著「ジャーナル オブ ザ ケミカル
ソサイアティ」(T.P. Hilditch著「Journal of the C
hemical Society 」)93、1524〜1527 (1908) 記載の方
法、あるいはオー.ヒンズベルク著「ベリヒテデア ド
イチェン ヘミシエ ゲゼルシャフト」(O. Hinsberg
著、「Berichteder Deutschen Chemischen Gesellschaf
t」)49、2593〜2594(1918)記載の方法等にしたがい
合成できる。すなわち、硫酸水溶液中において、硫酸コ
バルトを用い、一般式(a)で示されるスルフィン酸よ
り合成する方法、キサントゲン酸エチルを用い、一般式
(b)で示されるスルホン酸クロリドより合成する方
法、あるいは塩基性条件下、一般式(a)で示されるス
ルフィン酸と一般式(b)で示されるスルホン酸クロリ
ドとを合成する方法等が挙げられる。 Ar1 −SO2H (a) Ar2 −SO2Cl (b) (ここで、Ar1 、Ar2 は一般式(A−7)で定義さ
れたものと同一の意味である。)
The synthesis of the photoacid generator represented by the general formula (A-7) is described in G. C. Dencer. Junior.
"Journal of Organic Chemistry"
(GC Denser, Jr. et al., `` Journal of Organic Chemi
stry ") 31, 3418-3419 (1966). P. Hilditch, `` Journal of the Chemical Society '' (TP Hilditch, `` Journal of the C
Chemical Society ") 93, 1524-1527 (1908). Hinsberg, "Berichtedea Deutschen Hemisie Geserschaft" (O. Hinsberg
Author, "Berichteder Deutschen Chemischen Gesellschaf
t ") 49, 2593-2594 (1918). That is, in an aqueous sulfuric acid solution, a method of synthesizing from a sulfinic acid represented by the general formula (a) using cobalt sulfate, a method of synthesizing from a sulfonic acid chloride represented by the general formula (b) using ethyl xanthate, or Under basic conditions, a method of synthesizing the sulfinic acid represented by the general formula (a) and the sulfonic acid chloride represented by the general formula (b) can be exemplified. Ar 1 —SO 2 H (a) Ar 2 —SO 2 Cl (b) (where Ar 1 and Ar 2 have the same meaning as defined in formula (A-7).)

【0096】本発明においては、上記一般式(A−1)
〜(A−7)で表される光酸発生剤のうち、一般式(A
−1)〜(A−5)で表される光酸発生剤が好ましく、
より好ましくは一般式(A−1)〜(A−4)で表され
る光酸発生剤である。これにより、解像度、感度が一層
優れるようになる。一般式(A−1)〜(A−7)で表
される化合物の組成物中の含量は、全組成物の固形分に
対し、0.1〜20重量%が好ましく、より好ましくは
0.5〜10重量%、更に好ましくは1〜7重量%であ
る。
In the present invention, the above-mentioned general formula (A-1)
Of the photoacid generators represented by formulas (A) to (A-7),
-1) to a photoacid generator represented by (A-5) are preferred,
More preferred are photoacid generators represented by formulas (A-1) to (A-4). As a result, the resolution and sensitivity are further improved. The content of the compounds represented by formulas (A-1) to (A-7) in the composition is preferably from 0.1 to 20% by weight, more preferably from 0.1 to 20% by weight, based on the solid content of the whole composition. It is 5 to 10% by weight, more preferably 1 to 7% by weight.

【0097】(b)前記一般式(I)、(II)及び(II
I) で表される構造の繰り返し単位を含み、酸の作用に
より分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹
(B) Formulas (I), (II) and (II)
A resin that contains a repeating unit having the structure represented by (I) and decomposes under the action of an acid to increase solubility in an alkaline developer.

【0098】一般式(I)、(II)及び(III)における
21は、水素原子又はメチル基である。
R 21 in the general formulas (I), (II) and (III) is a hydrogen atom or a methyl group.

【0099】一般式(II)におけるR'1 、R'2 のアル
キル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル
基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、s
ec−ブチル基、t−ブチル基等の炭素数1〜4個のア
ルキル基が挙げられる。Wにおける2価の有機基として
は、好ましくは置換基を有していてもよく、直鎖、分岐
あるいは環状のアルキレン基、アリーレン基、ヘテロア
リーレン基、アラルキレン基並びに、−S−、−C(=
O)−、−N(R'4 )−、−SO−、−SO2 −、−
CO2 −、−N(R'4)SO2 −あるいはこれらの基を
2つ以上組み合わせた2価の基を挙げることができる。
ここでR'4は水素原子又はアルキル基(アルキル基の具
体例としては上記R'1と同様のものが挙げられる)を挙
げることができる。
In formula (II), examples of the alkyl group of R ′ 1 and R ′ 2 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group and a s.
Examples thereof include an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as an ec-butyl group and a t-butyl group. The divalent organic group represented by W may preferably have a substituent, and may be a linear, branched or cyclic alkylene group, an arylene group, a heteroarylene group, an aralkylene group, and -S-, -C ( =
O) -, - N (R '4) -, - SO -, - SO 2 -, -
CO 2 —, —N (R ′ 4 ) SO 2 —, or a divalent group obtained by combining two or more of these groups can be exemplified.
Here, R ′ 4 can be a hydrogen atom or an alkyl group (specific examples of the alkyl group include the same as those described above for R ′ 1 ).

【0100】上記R'3の炭素数1〜20、好ましくは炭
素数11〜20、より好ましくは炭素数11〜18の鎖
状アルキルとしては、直鎖状であっても分岐状であって
もよく、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、
i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、t−ブ
チル基、n−ペンチル基、i−ペンチル基、t−ペンチ
ル基、n−ヘキシル基、i−ヘキシル基、t−ヘキシル
基、n−ヘプチル基、i−ヘプチル基、t−ヘプチル
基、n−オクチル基、i−オクチル基、t−オクチル
基、n−ノニル基、i−ノニル基、t−ノニル基、n−
デカニル基、i−デカニル基、t−デカニル基、n−ウ
ンデシル基、i−ウンデシル基、n−ドデシル基、i−
ドデシル基、n−トリデシル基、i−トリデシル基、n
−テトラデシル基、i−テトラデシル基、n−ペンタデ
シル基、i−ペンタデシル基、n−ヘキサデシル基、i
−ヘキサデシル基、n−ヘプタデシル基、i−ヘプタデ
シル基、n−オクタデシル基、i−オクタデシル基、n
−ノナデシル基、i−ノナデシル基等を挙げることがで
きる。
The chain alkyl having 1 to 20 carbon atoms, preferably 11 to 20 carbon atoms, more preferably 11 to 18 carbon atoms of R ′ 3 may be linear or branched. Well, for example, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group,
i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, i-pentyl group, t-pentyl group, n-hexyl group, i-hexyl group, t-hexyl group, n-heptyl group, i-heptyl group, t-heptyl group, n-octyl group, i-octyl group, t-octyl group, n-nonyl group, i-nonyl group, t-nonyl group, n-
Decanyl group, i-decanyl group, t-decanyl group, n-undecyl group, i-undecyl group, n-dodecyl group, i-
Dodecyl group, n-tridecyl group, i-tridecyl group, n
-Tetradecyl group, i-tetradecyl group, n-pentadecyl group, i-pentadecyl group, n-hexadecyl group, i
-Hexadecyl group, n-heptadecyl group, i-heptadecyl group, n-octadecyl group, i-octadecyl group, n
-Nonadecyl group, i-nonadecyl group and the like.

【0101】上記R'3の炭素数3〜20、好ましくは炭
素数11〜20、さらに好ましくは炭素数11〜18の
環状アルキルとしては、20までの炭素数で環を形成す
る場合でも置換基を有した環状アルキルでもよく、例え
ばシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル
基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオク
チル基、シクロノニル基、シクロデカニル基、シクロウ
ンデシル基、シクロドデシル基、シクロトリデシル基、
シクロトリデシル基、シクロテトラデシル基、シクロペ
ンタデシル基、シクロヘキサデシル基、シクロヘプタデ
シル基、シクロオクタデシル基、シクロノナデシル基、
4−シクロヘキシルシクロヘキシル基、4−n−ヘキシ
ルシクロヘキシル基、ペンタニルシクロヘキシル基、ヘ
キシルオキシシクロヘキシル基、ペンタニルオキシシク
ロヘキシル基等を挙げることができる。ここに挙げた以
外の置換環状アルキル基も上記範囲内であれば使用でき
ることができる。
[0102] The R '3 of 3 to 20 carbon atoms, preferably 11 to 20 carbon atoms, more preferably a cyclic alkyl of 11 to 18 carbon atoms, up to 20 substituents, even when they form a ring with the carbon number May be a cyclic alkyl having, for example, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclononyl group, cyclodecanyl group, cycloundecyl group, cyclododecyl group, cyclotridecyl group,
Cyclotridecyl group, cyclotetradecyl group, cyclopentadecyl group, cyclohexadecyl group, cycloheptadecyl group, cyclooctadecyl group, cyclononadecyl group,
Examples thereof include a 4-cyclohexylcyclohexyl group, a 4-n-hexylcyclohexyl group, a pentanylcyclohexyl group, a hexyloxycyclohexyl group, and a pentanyloxycyclohexyl group. Substituted cyclic alkyl groups other than those listed here can also be used within the above range.

【0102】上記R'3の炭素数6〜30、好ましくは炭
素数11〜30、より好ましくは炭素数11〜25のア
リール基としては、例えば、フェニル基、4−メチルフ
ェニル基、3−メチルフェニル基、2−メチルフェニル
基、4−エチルフェニル基、3−エチルフェニル基、2
−エチルフェニル基、4−n−プロピルフェニル基、3
−n−プロピルフェニル基、2−n−プロピルフェニル
基、4−i−プロピルフェニル基、3−i−プロピルフ
ェニル基、2−i−プロピルフェニル基、4−シクロプ
ロピルフェニル基、3−シクロプロピルフェニル基、2
−シクロプロピルフェニル基、4−n−ブチルフェニル
基、3−n−ブチルフェニル基、2−n−ブチルフェニ
ル基、4−i−ブチルフェニル基、3−i−ブチルフェ
ニル基、2−i−ブチルフェニル基、4−t−ブチルフ
ェニル基、3−t−ブチルフェニル基、2−t−ブチル
フェニル基、4−シクロブチルフェニル基、3−シクロ
ブチルフェニル基、2−シクロブチルフェニル基、4−
シクロペンチルフェニル基、4−シクロヘキシルフェニ
ル基、4−シクロヘプテニルフェニル基、4−シクロオ
クタニルフェニル基、2−シクロペンチルフェニル基、
2−シクロヘキシルフェニル基、2−シクロヘプテニル
フェニル基、2−シクロオクタニルフェニル基、3−シ
クロペンチルフェニル基、3−シクロヘキシルフェニル
基、3−シクロヘプテニルフェニル基、3−シクロオク
タニルフェニル基、4−シクロペンチルオキシフェニル
基、4−シクロヘキシルオキシフェニル基、4−シクロ
ヘプテニルオキシフェニル基、4−シクロオクタニルオ
キシフェニル基、2−シクロペンチルオキシフェニル
基、2−シクロヘキシルオキシフェニル基、2−シクロ
ヘプテニルオキシフェニル基、2−シクロオクタニルオ
キシフェニル基、3−シクロペンチルオキシフェニル
基、3−シクロヘキシルオキシフェニル基、3−シクロ
ヘプテニルオキシフェニル基、3−シクロオクタニルオ
キシフェニル基、4−n−ペンチルフェニル基、4−n
−ヘキシルフェニル基、4−n−ヘプテニルフェニル
基、4−n−オクタニルフェニル基、2−n−ペンチル
フェニル基、2−n−ヘキシルフェニル基、2−n−ヘ
プテニルフェニル基、2−n−オクタニルフェニル基、
3−n−ペンチルフェニル基、3−n−ヘキシルフェニ
ル基、3−n−ヘプテニルフェニル基、3−n−オクタ
ニルフェニル基、2,6−ジ−イソプロピルフェニル
基、2,3−ジ−イソプロピルフェニル基、2,4−ジ
−イソプロピルフェニル基、3,4−ジ−イソプロピル
フェニル基、3,6−ジ−t−ブチルフェニル基、2,
3−ジ−t−ブチルフェニル基、2,4−ジ−t−ブチ
ルフェニル基、3,4−ジ−t−ブチルフェニル基、
2,6−ジ−n−ブチルフェニル基、2,3−ジ−n−
ブチルフェニル基、2,4−ジ−n−ブチルフェニル
基、3,4−ジ−n−ブチルフェニル基、2,6−ジ−
i−ブチルフェニル基、2,3−ジ−i−ブチルフェニ
ル基、2,4−ジ−i−ブチルフェニル基、3,4−ジ
−i−ブチルフェニル基、2,6−ジ−t−アミルフェ
ニル基、2,3−ジ−t−アミルフェニル基、2,4−
ジ−t−アミルフェニル基、3,4−ジ−t−アミルフ
ェニル基、2,6−ジ−i−アミルフェニル基、2,3
−ジ−i−アミルフェニル基、2,4−ジ−i−アミル
フェニル基、3,4−ジ−i−アミルフェニル基、2,
6−ジ−n−ペンチルフェニル基、2,3−ジ−n−ペ
ンチルフェニル基、2,4−ジ−n−ペンチルフェニル
基、3,4−ジ−n−ペンチルフェニル基、4−アダマ
ンチルフェニル基、2−アダマンチルフェニル基、4−
イソボロニルフェニル基、3−イソボロニルフェニル
基、2−イソボロニルフェニル基、4−シクロペンチル
オキシフェニル基、4−シクロヘキシルオキシフェニル
基、4−シクロヘプテニルオキシフェニル基、4−シク
ロオクタニルオキシフェニル基、2−シクロペンチルオ
キシフェニル基、2−シクロヘキシルオキシフェニル
基、2−シクロヘプテニルオキシフェニル基、2−シク
ロオクタニルオキシフェニル基、3−シクロペンチルオ
キシフェニル基、3−シクロヘキシルオキシフェニル
基、3−シクロヘプテニルオキシフェニル基、3−シク
ロオクタニルオキシフェニル基、4−n−ペンチルオキ
シフェニル基、4−n−ヘキシルオキシフェニル基、4
−n−ヘプテニルオキシフェニル基、4−n−オクタニ
ルオキシフェニル基、2−n−ペンチルオキシフェニル
基、2−n−ヘキシルオキシフェニル基、2−n−ヘプ
テニルオキシフェニル基、2−n−オクタニルオキシフ
ェニル基、3−n−ペンチルオキシフェニル基、3−n
−ヘキシルオキシフェニル基、3−n−ヘプテニルオキ
シフェニル基、3−n−オクタニルオキシフェニル基、
2,6−ジ−イソプロピルオキシフェニル基、2,3−
ジ−イソプロピルオキシフェニル基、2,4−ジ−イソ
プロピルオキシフェニル基、3,4−ジ−イソプロピル
オキシフェニル基、2,6−ジ−t−ブチルオキシフェ
ニル基、2,3−ジ−t−ブチルオキシフェニル基、
2,4−ジ−t−ブチルオキシフェニル基、3,4−ジ
−t−ブチルオキシフェニル基、2,6−ジ−n−ブチ
ルオキシフェニル基、2,3−ジ−n−ブチルオキシフ
ェニル基、2,4−ジ−n−ブチルオキシフェニル基、
3,4−ジ−n−ブチルオキシフェニル基、2,6−ジ
−i−ブチルオキシフェニル基、2,3−ジ−i−ブチ
ルオキシフェニル基、2,4−ジ−i−ブチルオキシフ
ェニル基、3,4−ジ−i−ブチルオキシフェニル基、
2,6−ジ−t−アミルオキシフェニル基、2,3−ジ
−t−アミルオキシフェニル基、2,4−ジ−t−アミ
ルオキシフェニル基、3,4−ジ−t−アミルオキシフ
ェニル基、2,6−ジ−i−アミルオキシフェニル基、
2,3−ジ−i−アミルオキシフェニル基、2,4−ジ
−i−アミルオキシフェニル基、3,4−ジ−i−アミ
ルオキシフェニル基、2,6−ジ−n−ペンチルオキシ
フェニル基、2,3−ジ−n−ペンチルオキシフェニル
基、2,4−ジ−n−ペンチルオキシフェニル基、3,
4−ジ−n−ペンチルオキシフェニル基、4−アダマン
チルオキシフェニル基、3−アダマンチルオキシフェニ
ル基、2−アダマンチルオキシフェニル基、4−イソボ
ロニルオキシフェニル基、3−イソボロニルオキシフェ
ニル基、2−イソボロニルオキシフェニル基、等が挙げ
られこれらは上記範囲内であればさらに置換してもよく
上記例以外の置換基に限定しない。
[0102] 6-30 carbon atoms in the R '3, as is preferably 11 to 30 carbon atoms, more preferably an aryl group having 11 to 25 carbon atoms, e.g., phenyl, 4-methylphenyl, 3-methylphenyl Phenyl group, 2-methylphenyl group, 4-ethylphenyl group, 3-ethylphenyl group, 2
-Ethylphenyl group, 4-n-propylphenyl group, 3
-N-propylphenyl group, 2-n-propylphenyl group, 4-i-propylphenyl group, 3-i-propylphenyl group, 2-i-propylphenyl group, 4-cyclopropylphenyl group, 3-cyclopropyl Phenyl group, 2
-Cyclopropylphenyl group, 4-n-butylphenyl group, 3-n-butylphenyl group, 2-n-butylphenyl group, 4-i-butylphenyl group, 3-i-butylphenyl group, 2-i- Butylphenyl group, 4-t-butylphenyl group, 3-t-butylphenyl group, 2-t-butylphenyl group, 4-cyclobutylphenyl group, 3-cyclobutylphenyl group, 2-cyclobutylphenyl group, 4 −
A cyclopentylphenyl group, a 4-cyclohexylphenyl group, a 4-cycloheptenylphenyl group, a 4-cyclooctanylphenyl group, a 2-cyclopentylphenyl group,
2-cyclohexylphenyl group, 2-cycloheptenylphenyl group, 2-cyclooctanylphenyl group, 3-cyclopentylphenyl group, 3-cyclohexylphenyl group, 3-cycloheptenylphenyl group, 3-cyclooctanylphenyl group, 4-cyclopentyloxyphenyl group, 4-cyclohexyloxyphenyl group, 4-cycloheptenyloxyphenyl group, 4-cyclooctanyloxyphenyl group, 2-cyclopentyloxyphenyl group, 2-cyclohexyloxyphenyl group, 2-cyclohep A phenyloxyphenyl group, a 2-cyclooctanyloxyphenyl group, a 3-cyclopentyloxyphenyl group, a 3-cyclohexyloxyphenyl group, a 3-cycloheptenyloxyphenyl group, a 3-cyclooctanyloxyphenyl group, - pentylphenyl group, 4-n
-Hexylphenyl group, 4-n-heptenylphenyl group, 4-n-octanylphenyl group, 2-n-pentylphenyl group, 2-n-hexylphenyl group, 2-n-heptenylphenyl group, 2- n-octanylphenyl group,
3-n-pentylphenyl group, 3-n-hexylphenyl group, 3-n-heptenylphenyl group, 3-n-octanylphenyl group, 2,6-di-isopropylphenyl group, 2,3-di- Isopropylphenyl group, 2,4-di-isopropylphenyl group, 3,4-di-isopropylphenyl group, 3,6-di-t-butylphenyl group, 2,
3-di-t-butylphenyl group, 2,4-di-t-butylphenyl group, 3,4-di-t-butylphenyl group,
2,6-di-n-butylphenyl group, 2,3-di-n-
Butylphenyl group, 2,4-di-n-butylphenyl group, 3,4-di-n-butylphenyl group, 2,6-di-
i-butylphenyl group, 2,3-di-i-butylphenyl group, 2,4-di-i-butylphenyl group, 3,4-di-i-butylphenyl group, 2,6-di-t- Amylphenyl group, 2,3-di-t-amylphenyl group, 2,4-
Di-t-amylphenyl group, 3,4-di-t-amylphenyl group, 2,6-di-i-amylphenyl group, 2,3
-Di-i-amylphenyl group, 2,4-di-i-amylphenyl group, 3,4-di-i-amylphenyl group, 2,
6-di-n-pentylphenyl group, 2,3-di-n-pentylphenyl group, 2,4-di-n-pentylphenyl group, 3,4-di-n-pentylphenyl group, 4-adamantylphenyl Group, 2-adamantylphenyl group, 4-
Isobornylphenyl group, 3-isobornylphenyl group, 2-isobornylphenyl group, 4-cyclopentyloxyphenyl group, 4-cyclohexyloxyphenyl group, 4-cycloheptenyloxyphenyl group, 4-cyclooctanyl An oxyphenyl group, a 2-cyclopentyloxyphenyl group, a 2-cyclohexyloxyphenyl group, a 2-cycloheptenyloxyphenyl group, a 2-cyclooctanyloxyphenyl group, a 3-cyclopentyloxyphenyl group, a 3-cyclohexyloxyphenyl group, 3-cycloheptenyloxyphenyl group, 3-cyclooctanyloxyphenyl group, 4-n-pentyloxyphenyl group, 4-n-hexyloxyphenyl group, 4
-N-heptenyloxyphenyl group, 4-n-octenyloxyphenyl group, 2-n-pentyloxyphenyl group, 2-n-hexyloxyphenyl group, 2-n-heptenyloxyphenyl group, 2-n -Octanyloxyphenyl group, 3-n-pentyloxyphenyl group, 3-n
-Hexyloxyphenyl group, 3-n-heptenyloxyphenyl group, 3-n-octanyloxyphenyl group,
2,6-di-isopropyloxyphenyl group, 2,3-
Di-isopropyloxyphenyl group, 2,4-di-isopropyloxyphenyl group, 3,4-di-isopropyloxyphenyl group, 2,6-di-t-butyloxyphenyl group, 2,3-di-t- Butyloxyphenyl group,
2,4-di-t-butyloxyphenyl group, 3,4-di-t-butyloxyphenyl group, 2,6-di-n-butyloxyphenyl group, 2,3-di-n-butyloxyphenyl Group, 2,4-di-n-butyloxyphenyl group,
3,4-di-n-butyloxyphenyl group, 2,6-di-i-butyloxyphenyl group, 2,3-di-i-butyloxyphenyl group, 2,4-di-i-butyloxyphenyl Group, 3,4-di-i-butyloxyphenyl group,
2,6-di-t-amyloxyphenyl group, 2,3-di-t-amyloxyphenyl group, 2,4-di-t-amyloxyphenyl group, 3,4-di-t-amyloxyphenyl A 2,6-di-i-amyloxyphenyl group,
2,3-di-i-amyloxyphenyl group, 2,4-di-i-amyloxyphenyl group, 3,4-di-i-amyloxyphenyl group, 2,6-di-n-pentyloxyphenyl Group, 2,3-di-n-pentyloxyphenyl group, 2,4-di-n-pentyloxyphenyl group, 3,
4-di-n-pentyloxyphenyl group, 4-adamantyloxyphenyl group, 3-adamantyloxyphenyl group, 2-adamantyloxyphenyl group, 4-isobornyloxyphenyl group, 3-isobornyloxyphenyl group, Examples thereof include a 2-isoboronyloxyphenyl group, and these may be further substituted within the above range, and are not limited to substituents other than the above examples.

【0103】R'3の炭素数7〜30、好ましくは炭素数
12〜30、より好ましくは炭素数12〜25のアラル
キル基としては、例えば、フェニルエチル基、4−メチ
ルフェニルエチル基、3−メチルフェニルエチル基、2
−メチルフェニルエチル基、4−エチルフェニルエチル
基、3−エチルフェニルエチル基、2−エチルフェニル
エチル基、4−n−プロピルフェニルエチル基、3−n
−プロピルフェニルエチル基、2−n−プロピルフェニ
ルエチル基、4−i−プロピルフェニルエチル基、3−
i−プロピルフェニルエチル基、2−i−プロピルフェ
ニルエチル基、4−シクロプロピルフェニルエチル基、
3−シクロプロピルフェニルエチル基、2−シクロプロ
ピルフェニルエチル基、4−n−ブチルフェニルエチル
基、3−n−ブチルフェニルエチル基、2−n−ブチル
フェニルエチル基、4−i−ブチルフェニルエチル基、
3−i−ブチルフェニルエチル基、2−i−ブチルフェ
ニルエチル基、4−t−ブチルフェニルエチル基、3−
t−ブチルフェニルエチル基、2−t−ブチルフェニル
エチル基、4−シクロブチルフェニルエチル基、3−シ
クロブチルフェニルエチル基、2−シクロブチルフェニ
ルエチル基、4−シクロペンチルフェニルエチル基、4
−シクロヘキシルフェニルエチル基、4−シクロヘプテ
ニルフェニルエチル基、4−シクロオクタニルフェニル
エチル基、2−シクロペンチルフェニルエチル基、2−
シクロヘキシルフェニルエチル基、2−シクロヘプテニ
ルフェニルエチル基、2−シクロオクタニルフェニルエ
チル基、3−シクロペンチルフェニルエチル基、3−シ
クロヘキシルフェニルエチル基、3−シクロヘプテニル
フェニルエチル基、3−シクロオクタニルフェニルエチ
ル基、4−シクロペンチルオキシフェニルエチル基、4
−シクロヘキシルオキシフェニルエチル基、4−シクロ
ヘプテニルオキシフェニルエチル基、4−シクロオクタ
ニルオキシフェニルエチル基、2−シクロペンチルオキ
シフェニルエチル基、2−シクロヘキシルオキシフェニ
ルエチル基、2−シクロヘプテニルオキシフェニルエチ
ル基、2−シクロオクタニルオキシフェニルエチル基、
3−シクロペンチルオキシフェニルエチル基、3−シク
ロヘキシルオキシフェニルエチル基、3−シクロヘプテ
ニルオキシフェニルエチル基、3−シクロオクタニルオ
キシフェニルエチル基、4−n−ペンチルフェニルエチ
ル基、4−n−ヘキシルフェニルエチル基、4−n−ヘ
プテニルフェニルエチル基、4−n−オクタニルフェニ
ルエチル基、2−n−ペンチルフェニルエチル基、2−
n−ヘキシルフェニルエチル基、2−n−ヘプテニルフ
ェニルエチル基、2−n−オクタニルフェニルエチル
基、3−n−ペンチルフェニルエチル基、3−n−ヘキ
シルフェニルエチル基、3−n−ヘプテニルフェニルエ
チル基、3−n−オクタニルフェニルエチル基、2,6
−ジ−イソプロピルフェニルエチル基、2,3−ジ−イ
ソプロピルフェニルエチル基、2,4−ジ−イソプロピ
ルフェニルエチル基、3,4−ジ−イソプロピルフェニ
ルエチル基、2,6−ジ−t−ブチルフェニルエチル
基、2,3−ジ−t−ブチルフェニルエチル基、2,4
−ジ−t−ブチルフェニルエチル基、3,4−ジ−t−
ブチルフェニルエチル基、2,6−ジ−n−ブチルフェ
ニルエチル基、2,3−ジ−n−ブチルフェニルエチル
基、2,4−ジ−n−ブチルフェニルエチル基、3,4
−ジ−n−ブチルフェニルエチル基、2,6−ジ−i−
ブチルフェニルエチル基、2,3−ジ−i−ブチルフェ
ニルエチル基、2,4−ジ−i−ブチルフェニルエチル
基、3,4−ジ−i−ブチルフェニルエチル基、2,6
−ジ−t−アミルフェニルエチル基、2,3−ジ−t−
アミルフェニルエチル基、2,4−ジ−t−アミルフェ
ニルエチル基、3,4−ジ−t−アミルフェニルエチル
基、2,6−ジ−i−アミルフェニルエチル基、2,3
−ジ−i−アミルフェニルエチル基、2,4−ジ−i−
アミルフェニルエチル基、3,4−ジ−i−アミルフェ
ニルエチル基、2,6−ジ−n−ペンチルフェニルエチ
ル基、2,3−ジ−n−ペンチルフェニルエチル基、
2,4−ジ−n−ペンチルフェニルエチル基、3,4−
ジ−n−ペンチルフェニルエチル基、4−アダマンチル
フェニルエチル基、3−アダマンチルフェニルエチル
基、2−アダマンチルフェニルエチル基、4−イソボロ
ニルフェニルエチル基、3−イソボロニルフェニルエチ
ル基、2−イソボロニルフェニルエチル基、4−シクロ
ペンチルオキシフェニルエチル基、4−シクロヘキシル
オキシフェニルエチル基、4−シクロヘプテニルオキシ
フェニルエチル基、4−シクロオクタニルオキシフェニ
ルエチル基、2−シクロペンチルオキシフェニルエチル
基、2−シクロヘキシルオキシフェニルエチル基、2−
シクロヘプテニルオキシフェニルエチル基、2−シクロ
オクタニルオキシフェニルエチル基、3−シクロペンチ
ルオキシフェニルエチル基、3−シクロヘキシルオキシ
フェニルエチル基、3−シクロヘプテニルオキシフェニ
ルエチル基、3−シクロオクタニルオキシフェニルエチ
ル基、4−n−ペンチルオキシフェニルエチル基、4−
n−へキシルオキシフェニルエチル基、4−n−ヘプテ
ニルオキシフェニルエチル基、4−n−オクタニルオキ
シフェニルエチル基、2−n−ペンチルオキシフェニル
エチル基、2−n−ヘキシルオキシフェニルエチル基、
2−n−ヘプテニルオキシフェニルエチル基、2−n−
オクタニルオキシフェニルエチル基、3−n−ペンチル
オキシフェニルエチル基、3−n−ヘキシルオキシフェ
ニルエチル基、3−n−ヘプテニルオキシフェニルエチ
ル基、3−n−オクタニルオキシフェニルエチル基、
2,6−ジーイソプロピルオキシフェニルエチル基、
2,3−ジ−イソプロピルオキシフェニルエチル基、
2,4−ジ−イソプロピルオキシフェニルエチル基、
3,4一ジーイソプロピルオキシフェニルエチル基、
2,6−ジ−t−ブチルオキシフェニルエチル基、2,
3−ジ−t−ブチルオキシフェニルエチル基、2,4−
ジ−t−ブチルオキシフェニルエチル基、3,4−ジ−
t−ブチルオキシフェニルエチル基、2,6−ジ−n−
ブチルオキシフェニルエチル基、2,3−ジ−n−ブチ
ルオキシフェニルエチル基、2,4−ジ−n−ブチルオ
キシフェニルエチル基、3,4−ジ−n−ブチルオキシ
フェニルエチル基、2,6−ジ−i−ブチルオキシフェ
ニルエチル基、2,3−ジ−i−ブチルオキシフェニル
エチル基、2,4−ジ−i−ブチルオキシフェニルエチ
ル基、3,4−ジ−i−ブチルオキシフェニルエチル
基、2,6−ジ−t−アミルオキシフェニルエチル基、
2,3−ジ−t−アミルオキシフェニルエチル基、2,
4−ジ−t−アミルオキシフェニルエチル基、3,4−
ジ−t−アミルオキシフェニルエチル基、2,6−ジ−
i−アミルオキシフェニルエチル基、2,3−ジ−i−
アミルオキシフェニルエチル基、2,4−ジ−i−アミ
ルオキシフェニルエチル基、3,4−ジ−i−アミルオ
キシフェニルエチル基、2,6−ジ−n−ペンチルオキ
シフェニルエチル基、2,3−ジ−n−ペンチルオキシ
フェニルエチル基、2,4−ジ−n−ペンチルオキシフ
ェニルエチル基、3,4−ジ−n−ペンチルオキシフェ
ニルエチル基、4−アダマンチルオキシフェニルエチル
基、3−アダマンチルオキシフェニルエチル基、2−ア
ダマンチルオキシフェニルエチル基、4−イソボロニル
オキシフェニルエチル基、3−イソボロニルオキシフェ
ニルエチル基、2−イソボロニルオキシフェニルエチル
基、あるいは、上記アルキルがメチル基、プロピル基、
ブチル基等に置き換えたもの等が挙げられる。
The aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, preferably 12 to 30 carbon atoms, more preferably 12 to 25 carbon atoms for R ′ 3 includes, for example, phenylethyl group, 4-methylphenylethyl group, Methylphenylethyl group, 2
-Methylphenylethyl group, 4-ethylphenylethyl group, 3-ethylphenylethyl group, 2-ethylphenylethyl group, 4-n-propylphenylethyl group, 3-n
-Propylphenylethyl group, 2-n-propylphenylethyl group, 4-i-propylphenylethyl group, 3-
i-propylphenylethyl group, 2-i-propylphenylethyl group, 4-cyclopropylphenylethyl group,
3-cyclopropylphenylethyl group, 2-cyclopropylphenylethyl group, 4-n-butylphenylethyl group, 3-n-butylphenylethyl group, 2-n-butylphenylethyl group, 4-i-butylphenylethyl Group,
3-i-butylphenylethyl group, 2-i-butylphenylethyl group, 4-t-butylphenylethyl group, 3-
t-butylphenylethyl group, 2-t-butylphenylethyl group, 4-cyclobutylphenylethyl group, 3-cyclobutylphenylethyl group, 2-cyclobutylphenylethyl group, 4-cyclopentylphenylethyl group, 4
-Cyclohexylphenylethyl group, 4-cycloheptenylphenylethyl group, 4-cyclooctanylphenylethyl group, 2-cyclopentylphenylethyl group, 2-
Cyclohexylphenylethyl group, 2-cycloheptenylphenylethyl group, 2-cyclooctanylphenylethyl group, 3-cyclopentylphenylethyl group, 3-cyclohexylphenylethyl group, 3-cycloheptenylphenylethyl group, 3-cycloocta Nylphenylethyl group, 4-cyclopentyloxyphenylethyl group, 4
-Cyclohexyloxyphenylethyl group, 4-cycloheptenyloxyphenylethyl group, 4-cyclooctanyloxyphenylethyl group, 2-cyclopentyloxyphenylethyl group, 2-cyclohexyloxyphenylethyl group, 2-cycloheptenyloxyphenyl Ethyl group, 2-cyclooctanyloxyphenylethyl group,
3-cyclopentyloxyphenylethyl group, 3-cyclohexyloxyphenylethyl group, 3-cycloheptenyloxyphenylethyl group, 3-cyclooctanyloxyphenylethyl group, 4-n-pentylphenylethyl group, 4-n-hexyl Phenylethyl group, 4-n-heptenylphenylethyl group, 4-n-octanylphenylethyl group, 2-n-pentylphenylethyl group, 2-
n-hexylphenylethyl group, 2-n-heptenylphenylethyl group, 2-n-octanylphenylethyl group, 3-n-pentylphenylethyl group, 3-n-hexylphenylethyl group, 3-n-heptane Thenylphenylethyl group, 3-n-octanylphenylethyl group, 2,6
-Di-isopropylphenylethyl group, 2,3-di-isopropylphenylethyl group, 2,4-di-isopropylphenylethyl group, 3,4-di-isopropylphenylethyl group, 2,6-di-t-butyl Phenylethyl group, 2,3-di-t-butylphenylethyl group, 2,4
-Di-t-butylphenylethyl group, 3,4-di-t-
Butylphenylethyl group, 2,6-di-n-butylphenylethyl group, 2,3-di-n-butylphenylethyl group, 2,4-di-n-butylphenylethyl group, 3,4
-Di-n-butylphenylethyl group, 2,6-di-i-
Butylphenylethyl group, 2,3-di-i-butylphenylethyl group, 2,4-di-i-butylphenylethyl group, 3,4-di-i-butylphenylethyl group, 2,6
-Di-t-amylphenylethyl group, 2,3-di-t-
Amylphenylethyl group, 2,4-di-t-amylphenylethyl group, 3,4-di-t-amylphenylethyl group, 2,6-di-i-amylphenylethyl group, 2,3
-Di-i-amylphenylethyl group, 2,4-di-i-
Amylphenylethyl group, 3,4-di-i-amylphenylethyl group, 2,6-di-n-pentylphenylethyl group, 2,3-di-n-pentylphenylethyl group,
2,4-di-n-pentylphenylethyl group, 3,4-
Di-n-pentylphenylethyl group, 4-adamantylphenylethyl group, 3-adamantylphenylethyl group, 2-adamantylphenylethyl group, 4-isobornylphenylethyl group, 3-isoboronylphenylethyl group, 2- Isobornylphenylethyl group, 4-cyclopentyloxyphenylethyl group, 4-cyclohexyloxyphenylethyl group, 4-cycloheptenyloxyphenylethyl group, 4-cyclooctanyloxyphenylethyl group, 2-cyclopentyloxyphenylethyl group A 2-cyclohexyloxyphenylethyl group, 2-
Cycloheptenyloxyphenylethyl group, 2-cyclooctenyloxyphenylethyl group, 3-cyclopentyloxyphenylethyl group, 3-cyclohexyloxyphenylethyl group, 3-cycloheptenyloxyphenylethyl group, 3-cyclooctanyloxy Phenylethyl group, 4-n-pentyloxyphenylethyl group, 4-
n-hexyloxyphenylethyl group, 4-n-heptenyloxyphenylethyl group, 4-n-octanyloxyphenylethyl group, 2-n-pentyloxyphenylethyl group, 2-n-hexyloxyphenylethyl group ,
2-n-heptenyloxyphenylethyl group, 2-n-
An octanyloxyphenylethyl group, a 3-n-pentyloxyphenylethyl group, a 3-n-hexyloxyphenylethyl group, a 3-n-heptenyloxyphenylethyl group, a 3-n-octanyloxyphenylethyl group,
2,6-diisopropyloxyphenylethyl group,
2,3-di-isopropyloxyphenylethyl group,
2,4-di-isopropyloxyphenylethyl group,
3,4-diisopropyloxyphenylethyl group,
2,6-di-t-butyloxyphenylethyl group, 2,
3-di-t-butyloxyphenylethyl group, 2,4-
Di-t-butyloxyphenylethyl group, 3,4-di-
t-butyloxyphenylethyl group, 2,6-di-n-
Butyloxyphenylethyl group, 2,3-di-n-butyloxyphenylethyl group, 2,4-di-n-butyloxyphenylethyl group, 3,4-di-n-butyloxyphenylethyl group, 2, 6-di-i-butyloxyphenylethyl group, 2,3-di-i-butyloxyphenylethyl group, 2,4-di-i-butyloxyphenylethyl group, 3,4-di-i-butyloxy Phenylethyl group, 2,6-di-t-amyloxyphenylethyl group,
2,3-di-t-amyloxyphenylethyl group, 2,
4-di-t-amyloxyphenylethyl group, 3,4-
Di-t-amyloxyphenylethyl group, 2,6-di-
i-amyloxyphenylethyl group, 2,3-di-i-
Amyloxyphenylethyl group, 2,4-di-i-amyloxyphenylethyl group, 3,4-di-i-amyloxyphenylethyl group, 2,6-di-n-pentyloxyphenylethyl group, 2, 3-di-n-pentyloxyphenylethyl group, 2,4-di-n-pentyloxyphenylethyl group, 3,4-di-n-pentyloxyphenylethyl group, 4-adamantyloxyphenylethyl group, 3- An adamantyloxyphenylethyl group, a 2-adamantyloxyphenylethyl group, a 4-isobornyloxyphenylethyl group, a 3-isobornyloxyphenylethyl group, a 2-isoboronyloxyphenylethyl group, or the above alkyl is methyl Group, propyl group,
Those substituted with a butyl group and the like can be mentioned.

【0104】また、上記基の更なる置換基としては、水
酸基、ハロゲン原子(フツ素、塩素、臭素、ヨウ素)、
ニトロ基、シアノ基、上記のアルキル基、メトキシ基・
エトキシ基・ヒドロキシエトキシ基・プロポキシ基・ヒ
ドロキシプロポキシ基・n−ブトキシ基・イソブトキシ
基・sec−ブトキシ基・t−ブトキシ基等のアルコキ
シ基、メトキシカルボニル基・エトキシカルボニル基等
のアルコキシカルボニル基、ベンジル基・フエネチル基
・クミル基等のアラルキル基、アラルキルオキシ基、ホ
ルミル基・アセチル基・ブチリル基・ベンゾイル基・シ
アナミル基・バレリル基等のアシル基、ブチリルオキシ
基等のアシロキシ基、上記のアルケニル基、ビニルオキ
シ基・プロペニルオキシ基・アリルオキシ基・ブテニル
オキシ基等のアルケニルオキシ基、上記のアリール基、
フエノキシ基等のアリールオキシ基、ベンゾイルオキシ
基等のアリールオキシカルボニル基を挙げることができ
る。
Further, as further substituents of the above groups, a hydroxyl group, a halogen atom (fluorine, chlorine, bromine, iodine),
Nitro group, cyano group, the above alkyl group, methoxy group
Alkoxy groups such as ethoxy group, hydroxyethoxy group, propoxy group, hydroxypropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group, t-butoxy group, alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl group and ethoxycarbonyl group, and benzyl An aralkyl group such as a group, a phenethyl group or a cumyl group, an aralkyloxy group, an acyl group such as a formyl group, an acetyl group, a butyryl group, a benzoyl group, a cyanamyl group, or a valeryl group; an acyloxy group such as a butyryloxy group; Alkenyloxy group such as vinyloxy group, propenyloxy group, allyloxy group, butenyloxy group, the above aryl group,
Examples include an aryloxy group such as a phenoxy group and an aryloxycarbonyl group such as a benzoyloxy group.

【0105】R'3の置換基としては、好ましくは炭素数
11〜25のアリール基又は炭素数12〜25のアラル
キル基である。これらの置換基はさらに置換基を有して
もよく、置換アリール基や置換アラルキル基の炭素数が
この範囲内であればよい。
The substituent of R ′ 3 is preferably an aryl group having 11 to 25 carbon atoms or an aralkyl group having 12 to 25 carbon atoms. These substituents may further have a substituent, provided that the carbon number of the substituted aryl group or the substituted aralkyl group is within this range.

【0106】一般式(II)で表される構造単位を樹脂に
含有させることにより、該樹脂が酸の作用により分解
し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂とな
る。
When the resin contains the structural unit represented by the general formula (II), the resin is decomposed by the action of an acid, and the resin has an increased solubility in an alkaline developer.

【0107】R23における酸の作用により分解しない基
(酸安定基ともいう)としては、水素原子、ハロゲン原
子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、ア
リール基、アルキルオキシ基(但し、−O−第3級アル
キルは除く)、アシル基、シクロアルキルオキシ基、ア
ルケニルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボ
ニルオキシ基、アルキルアミドメチルオキシ基、アルキ
ルアミド基、アリールアミドメチル基、アリールアミド
基等が挙げられる。酸安定基としては、好ましくはアシ
ル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシ
基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基、アル
キルアミドオキシ基、アルキルアミド基であり、より好
ましくはアシル基、アルキルカルボニルオキシ基、アル
キルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキ
シ基である。
Examples of the group which is not decomposed by the action of an acid at R 23 (also referred to as an acid stable group) include a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an aryl group, and an alkyloxy group (provided that —O -Excluding tertiary alkyl), acyl group, cycloalkyloxy group, alkenyloxy group, aryloxy group, alkylcarbonyloxy group, alkylamidomethyloxy group, alkylamido group, arylamidomethyl group, arylamido group and the like. No. The acid stabilizer is preferably an acyl group, an alkylcarbonyloxy group, an alkyloxy group, a cycloalkyloxy group, an aryloxy group, an alkylamidooxy group or an alkylamido group, more preferably an acyl group or an alkylcarbonyloxy group. , An alkyloxy group, a cycloalkyloxy group, and an aryloxy group.

【0108】R23の酸安定基において、アルキル基とし
ては、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル
基、sec−ブチル基、t−ブチル基の様な炭素数1〜
4個のものが好ましく、シクロアルキル基としてはシク
ロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基、ア
ダマンチル基の様な炭素数3〜10個のものが好まし
く、アルケニル基としてはビニル基、プロペニル基、ア
リル基、ブテニル基の様な炭素数2〜4個のものが好ま
しく、アルケニル基としてはビニル基、プロペニル基、
アリル基、ブテニル基の様な炭素数2〜4個のものが好
ましく、アリール基としてはフエニル基、キシリル基、
トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル
基の様な炭素数6〜14個のものが好ましい。アルコキ
シ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエ
トキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、n
−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基等
の炭素数1〜4個のアルコキシ基が好ましい。
In the acid-stable group represented by R 23 , the alkyl group may be a group having 1 to carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group and a t-butyl group.
The cycloalkyl group is preferably a group having 3 to 10 carbon atoms such as a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclohexyl group, or an adamantyl group. The alkenyl group is preferably a vinyl group, a propenyl group, or an allyl group. And a butenyl group having 2 to 4 carbon atoms are preferable, and as the alkenyl group, a vinyl group, a propenyl group,
Those having 2 to 4 carbon atoms such as an allyl group and a butenyl group are preferable. As the aryl group, a phenyl group, a xylyl group,
Those having 6 to 14 carbon atoms such as a toluyl group, a cumenyl group, a naphthyl group and an anthracenyl group are preferred. Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a hydroxyethoxy group, a propoxy group, a hydroxypropoxy group, n
An alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms such as -butoxy group, isobutoxy group and sec-butoxy group is preferred.

【0109】上記R24におけるハロゲン原子としては、
フッ素、塩素、臭素、沃素が好ましく、アルキル基とし
ては、メチル、エチル、プロピル、n−ブチル、sec
−ブチル、t−ブチル、ヘキシル、オクチル等のような
炭素数1〜8個のものが好ましく、アリール基として
は、フェニル、キシリル、トルイル、クメニル、ナフチ
ル、アントラセニル等のような炭素数6〜14のものが
好ましい。アルコキシ基としては、メトキシ、エトキ
シ、ヒドロキシエトキシ、プロポキシ、ヒドロキシプロ
ポキシ、n−ブトキシ、イソブトキシ、sec−ブトキ
シ、t−ブトキシ等のような炭素数1〜4個のものが好
ましく、アシル基としては、ホルミル、アセチル、プロ
パノイル、ブタノイル、ベンゾイル等の炭素数1〜7の
ものが好ましく、アシロキシ基としては、アセトキシ、
プロプノイルオキシ、ブタノイルオキシ、ベンゾイルオ
キシ等の炭素数2〜7個のものが好ましい。
As the halogen atom for R 24 ,
Fluorine, chlorine, bromine and iodine are preferred. As the alkyl group, methyl, ethyl, propyl, n-butyl, sec.
Those having 1 to 8 carbon atoms such as -butyl, t-butyl, hexyl, octyl and the like are preferable. As the aryl group, those having 6 to 14 carbon atoms such as phenyl, xylyl, toluyl, cumenyl, naphthyl, anthracenyl and the like are preferable. Are preferred. As the alkoxy group, those having 1 to 4 carbon atoms such as methoxy, ethoxy, hydroxyethoxy, propoxy, hydroxypropoxy, n-butoxy, isobutoxy, sec-butoxy, t-butoxy and the like are preferable.As the acyl group, Preferred are those having 1 to 7 carbon atoms such as formyl, acetyl, propanoyl, butanoyl and benzoyl. As the acyloxy group, acetoxy,
Those having 2 to 7 carbon atoms, such as propnoyloxy, butanoyloxy and benzoyloxy, are preferred.

【0110】これら一般式(I)〜(III) で示される繰
り返し単位を含む樹脂は、例えば以下に示す方法により
合成される。即ち、一般式(I)で示される構造単位に
対応する重合性モノマーを単独重合又は共重合させて得
られた樹脂中のOH基を、一般式(II)の下記に示され
る基、
The resins containing the repeating units represented by the general formulas (I) to (III) are synthesized, for example, by the following method. That is, an OH group in a resin obtained by homopolymerizing or copolymerizing a polymerizable monomer corresponding to the structural unit represented by the general formula (I) is converted into a group represented by the following formula (II):

【0111】[0111]

【化67】 Embedded image

【0112】更に一般式(III) のR23で示される基にな
るように修飾、変換する方法、並びに一般式(I)に対
応する重合性モノマーと、一般式(II)に対応する重合
性モノマーと、一般式(III)に対応する重合性モノマー
とを共重合する方法、あるいは一般式(II)、(III) に
対応する重合性モノマーを単独重合又は共重合した後、
一般式(II)の上記基、R23で示される基の一部を加水
分解して一般式(I)の構造に変換する方法により合成
できる。
Further, a method for modifying and converting the compound to a group represented by R 23 in the general formula (III), a polymerizable monomer corresponding to the general formula (I) and a polymerizable monomer corresponding to the general formula (II) A method of copolymerizing a monomer and a polymerizable monomer corresponding to general formula (III), or after homopolymerizing or copolymerizing a polymerizable monomer corresponding to general formulas (II) and (III),
The group of formula (II), can be synthesized by the method of converting by hydrolyzing a part of the groups represented by R 23 in the structure of the general formula (I).

【0113】具体的には、上記一般式(I)に対応する
重合性モノマーを適当な溶媒及び触媒を用い、例えば、
特開平2−25850号、同3−223860号、同4
−211258号、同5−249682号等に記載され
たラジカル重合法で単独重合又は他の重合性モノマーと
共重合させた後、得られた樹脂中のOH基を例えば、特
開昭60−52845号、特開平5−19482号、同
4−219757号、同4−251259号、同5−2
49682号、同4−211258号、同5−1812
79号、同6−83059号、同6−194841号等
に記載の方法により、一般式(II)の上記基、R23で示
される基に修飾、変換する方法により合成される。ま
た、一般式(I)、(II)、(III)に対応するモノマ
ー、及び必要に応じて他の重合性モノマーを上記ラジカ
ル重合法等で、共重合させることにより合成される。ま
た、一般式(II)及び/又は(III)に対応するモノマ
ー、及び必要に応じて他の重合性モノマーを上記ラジカ
ル重合法により、あるいは特開平4−350657号、
同4−350658号、同6−41221号、同6−4
1222号、同6−65332号、同6−65333号
等に記載されたリビングアニオン重合法により、単独重
合又は共重合させた後、一般式(II)の上記基及び/又
はR23で示される基の一部を加水分解して一般式(I)
の構造に変換する方法、更に引き続き含量調整のため、
再度一般式(II)の上記基及び/又はR23で示される基
に修飾、変換する方法により合成される。
Specifically, a polymerizable monomer corresponding to the above general formula (I) is prepared by using a suitable solvent and catalyst, for example,
JP-A-2-25850, JP-A-3-223860, JP-A-4
After homopolymerization or copolymerization with another polymerizable monomer by a radical polymerization method described in, for example, JP-A-212258 and JP-A-5-249682, the OH group in the obtained resin is subjected to, for example, JP-A-60-52845. JP-A-5-19482, JP-A-4-219775, JP-A-4-251259, JP-A-5-192
No. 49682, No. 4-21258, No. 5-1812
79 items, the 6-83059 JP, by the method described in the 6-194841 Patent etc., the group of formula (II), modified group represented by R 23, it is synthesized by a method of converting. Further, it is synthesized by copolymerizing monomers corresponding to the general formulas (I), (II) and (III) and, if necessary, other polymerizable monomers by the above-mentioned radical polymerization method or the like. Further, monomers corresponding to the general formulas (II) and / or (III) and, if necessary, other polymerizable monomers are obtained by the above-mentioned radical polymerization method or JP-A-4-350657.
4-350658, 6-41221, 6-4
After homopolymerization or copolymerization by the living anionic polymerization method described in No. 1222, No. 6-65332, No. 6-65333, etc., the compound is represented by the above group of the general formula (II) and / or R 23. Part of the group is hydrolyzed to form a compound of the general formula (I)
The method of converting to the structure of
Said groups and / or modifications to the group represented by R 23 again formula (II), it is synthesized by a method of converting.

【0114】このような一般式(I)に対応する重合性
モノマーの具体例としては、以下に示すものが挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。
Specific examples of the polymerizable monomer corresponding to the general formula (I) include the following, but are not limited thereto.

【0115】[0115]

【化68】 Embedded image

【0116】[0116]

【化69】 Embedded image

【0117】一般式(II)で示される重合性モノマーの
具体例としては、上記化合物例(I−1)〜(I−2
3)のOH基を以下の基で置換したものが挙げられる。
Specific examples of the polymerizable monomer represented by the general formula (II) include the above compound examples (I-1) to (I-2).
Those obtained by substituting the OH group of 3) with the following groups are mentioned.

【0118】[0118]

【化70】 Embedded image

【0119】[0119]

【化71】 Embedded image

【0120】[0120]

【化72】 Embedded image

【0121】また、一般式(III) で示される重合性モノ
マーの具体例としては、以下のものが挙げられるが、こ
れらに限定されるものではない。
Further, specific examples of the polymerizable monomer represented by the general formula (III) include, but are not limited to, the following.

【0122】[0122]

【化73】 Embedded image

【0123】[0123]

【化74】 Embedded image

【0124】本発明において、酸の作用により分解し、
アルカリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹
脂は、一般式(I)、(II)及び(III) で表される構造
単位の他に共重合成分として他のモノマー単位を含んで
いてもよい。
In the present invention, it is decomposed by the action of an acid,
The resin having a group that increases the solubility in an alkaline developer contains other monomer units as copolymer components in addition to the structural units represented by the general formulas (I), (II) and (III). Is also good.

【0125】本発明で用いる樹脂は、アルカリ溶解速度
調整及び耐熱姓向上のために合成段階においてポリヒド
ロキシ化合物を添加して、ポリマー主鎖を多官能アセタ
ール基で連結する架橋部位を導入してもよい。ポリヒド
ロキシ化合物の添加量は樹脂の水酸基の数に対して、
0.01〜10mol%、好ましくは0.05〜8 mol
%、更に好ましくは0.1〜5 mol%である。ポリヒド
ロキシ化合物としては、フェノール性水酸基あるいアル
コール性水酸基を2〜6個持つものがあげられ、好まし
くは水酸基の数が2〜4個であり、更に好ましくは水酸
基の数が2又は3個である。以下に具体例を示すが、本
発明はこれらに限定されるものではない。
The resin used in the present invention may be prepared by adding a polyhydroxy compound at the synthesis stage to adjust the alkali dissolution rate and improve the heat resistance, and introducing a cross-linking site connecting the polymer main chain with a polyfunctional acetal group. Good. The amount of polyhydroxy compound added to the number of hydroxyl groups of the resin,
0.01 to 10 mol%, preferably 0.05 to 8 mol
%, More preferably 0.1 to 5 mol%. Examples of the polyhydroxy compound include those having 2 to 6 phenolic hydroxyl groups or alcoholic hydroxyl groups, preferably 2 to 4 hydroxyl groups, and more preferably 2 or 3 hydroxyl groups. is there. Specific examples are shown below, but the present invention is not limited to these.

【0126】[0126]

【化75】 Embedded image

【0127】一般式(I)〜(III)で示される繰り返し
構造単位、又は他の重合性モノマーからの繰り返し構造
単位は、各々一種、又は二種以上を組み合わせて樹脂中
に存在させてもよい。樹脂における一般式(I)で示さ
れる繰り返し構造単位の含量は、好ましくは30〜90
モル%、より好ましくは40〜85モル%、更に好まし
くは50〜80モル%である。樹脂における一般式(I
I)で示される繰り返し構造単位の含量は、好ましくは
3〜40モル%、より好ましくは5〜40モル%、更に
好ましくは10〜40モル%である。樹脂における一般
式(III) で示さ──繰り返し構造単位の含量は、好まし
くは5〜40モル%、より好ましくは7〜35モル%、
更に好ましくは7〜30モル%である。また本発明のポ
ジ型感光性組成物に含有される樹脂は、アルカリ現像液
に対する良好な現像性を維持するために、アルカリ可溶
性基、例えばフェノール性水酸基、カルボキシル基が導
入され得るように適切な他の重合性モノマーが共重合さ
れていてもよい。
The repeating structural units represented by formulas (I) to (III) or the repeating structural units derived from other polymerizable monomers may be present in the resin alone or in combination of two or more. . The content of the repeating structural unit represented by the general formula (I) in the resin is preferably from 30 to 90.
Mol%, more preferably 40 to 85 mol%, even more preferably 50 to 80 mol%. The general formula (I
The content of the repeating structural unit represented by I) is preferably 3 to 40 mol%, more preferably 5 to 40 mol%, and still more preferably 10 to 40 mol%. The content of the repeating structural unit represented by the general formula (III) in the resin is preferably 5 to 40 mol%, more preferably 7 to 35 mol%,
More preferably, it is 7 to 30 mol%. Further, the resin contained in the positive photosensitive composition of the present invention is suitable so that an alkali-soluble group, for example, a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group can be introduced in order to maintain good developability in an alkali developing solution. Other polymerizable monomers may be copolymerized.

【0128】上記の方法によって合成される上記一般式
(I)〜(III) の繰り返し構造単位を有する樹脂の分子
量は、重量平均(Mw:ポリスチレン標準)で2,00
0以上、好ましくは3,000〜200,000であ
り、より好ましくは5,000〜70,000である。
また、分散度(Mw/Mn)は、好ましくは1.0〜
4.0、より好ましくは1.0〜2.0、特に好ましく
は1.0〜1.6であり、分散度が小さい程、耐熱性、
画像形成性(パターンプロファイル、デフォーカスラチ
チュード等)が良好となる。上記一般式(I)〜(III)
の繰り返し構造単位を有する樹脂のポジ型感光性組成物
中(塗布溶媒を除く)の含有量は、好ましくは50〜9
9重量%、更に好ましくは70〜97重量%である。一
般式(I)〜(III) の繰り返し構造単位を有する樹脂の
具体例を以下に示すが、本発明がこれらに限定されるも
のではない。
The molecular weight of the resin having a repeating structural unit of the above general formulas (I) to (III) synthesized by the above method has a weight average (Mw: polystyrene standard) of 2,000.
It is 0 or more, preferably 3,000 to 200,000, and more preferably 5,000 to 70,000.
The degree of dispersion (Mw / Mn) is preferably 1.0 to
4.0, more preferably 1.0 to 2.0, particularly preferably 1.0 to 1.6. The smaller the degree of dispersion, the higher the heat resistance.
Image formability (pattern profile, defocus latitude, etc.) is improved. The above general formulas (I) to (III)
The content of the resin having a repeating structural unit of (a) excluding the coating solvent in the positive photosensitive composition is preferably 50 to 9
It is 9% by weight, more preferably 70 to 97% by weight. Specific examples of the resin having the repeating structural units of the general formulas (I) to (III) are shown below, but the present invention is not limited thereto.

【0129】[0129]

【化76】 Embedded image

【0130】[0130]

【化77】 Embedded image

【0131】[0131]

【化78】 Embedded image

【0132】[0132]

【化79】 Embedded image

【0133】[0133]

【化80】 Embedded image

【0134】[0134]

【化81】 Embedded image

【0135】[0135]

【化82】 Embedded image

【0136】[0136]

【化83】 Embedded image

【0137】[0137]

【化84】 Embedded image

【0138】[0138]

【化85】 Embedded image

【0139】[0139]

【化86】 Embedded image

【0140】[0140]

【化87】 Embedded image

【0141】[0141]

【化88】 Embedded image

【0142】上記、一般式(I)〜(III) の繰り返し構
造単位を有する樹脂以外に酸分解性基を有する樹脂を併
用してもよい。本発明における化学増幅型レジストにお
いて用いられる他の酸により分解し、アルカリ現像液中
での溶解性を増大させる基を有する樹脂としては、樹脂
の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸
で分解し得る基を有する樹脂である。この内、酸で分解
し得る基を側鎖に有する樹脂がより好ましい。酸で分解
し得る基として好ましい基は、−COOA0 、−O−B
0 基であり、更にこれらを含む基としては、−R0 −C
OOA0 、又は−Ar −O−B0 で示される基が挙げら
れる。ここでA0 は、−C(R01)(R02)(R03)、
−Si(R01)(R02)(R03)もしくは−C(R04
(R05)−O−R06基を示す。B0 は、−A0 又は−C
O−O−A0 基を示す(R0 、R01〜R06、及びArは
後述のものと同義)。
A resin having an acid-decomposable group may be used in combination with the resin having a repeating structural unit represented by the general formulas (I) to (III). The resin having a group which is decomposed by another acid used in the chemically amplified resist according to the present invention and which increases the solubility in an alkali developing solution includes a main chain or a side chain of the resin, or a main chain and a side chain. Is a resin having an acid-decomposable group. Among them, a resin having a group which can be decomposed by an acid in a side chain is more preferable. Preferred groups which can be decomposed by an acid are -COOA 0 , -OB
0 groups, and further containing these groups include -R 0 -C
OOA 0 or a group represented by -A r -O-B 0 . Here, A 0 is -C (R 01 ) (R 02 ) (R 03 ),
-Si (R 01 ) (R 02 ) (R 03 ) or -C (R 04 )
It represents a (R 05 ) -OR 06 group. B 0 is -A 0 or -C
Shows the O-O-A 0 group (R 0, R 01 ~R 06 , and Ar is same meaning as described later).

【0143】酸分解性基としては好ましくは、シリルエ
ーテル基、クミルエステル基、アセタール基、テトラヒ
ドロピラニルエーテル基、テトラヒドロピラニルエステ
ル基、エノールエーテル基、エノールエステル基、第3
級のアルキルエーテル基、第3級のアルキルエステル
基、第3級のアルキルカーボネート基等である。更に好
ましくは、第3級アルキルエステル基、第3級アルキル
カーボネート基、クミルエステル基、アセタール基、テ
トラヒドロピラニルエーテル基である。
The acid-decomposable group is preferably a silyl ether group, a cumyl ester group, an acetal group, a tetrahydropyranyl ether group, a tetrahydropyranyl ester group, an enol ether group, an enol ester group,
And a tertiary alkyl ester group and a tertiary alkyl carbonate group. More preferred are a tertiary alkyl ester group, a tertiary alkyl carbonate group, a cumyl ester group, an acetal group, and a tetrahydropyranyl ether group.

【0144】次に、これら酸で分解し得る基が側鎖とし
て結合する場合の母体樹脂としては、側鎖に−OHもし
くは−COOH、好ましくは−R0 −COOHもしくは
−Ar −OH基を有するアルカリ可溶性樹脂である。例
えば、後述するアルカリ可溶性樹脂を挙げることができ
る。
[0144] Next, as the matrix resin in the case where the group capable of decomposing by an acid is bonded as a side chain, -OH or -COOH in the side chain, preferably -R 0 -COOH or -A r -OH group It is an alkali-soluble resin having. For example, an alkali-soluble resin described below can be used.

【0145】これらアルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解
速度は、0.261Nテトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド(TMAH)で測定(23℃)して170
A/秒以上のものが好ましい。特に好ましくは330A
/秒以上のものである(Aはオングストローム)。ま
た、矩形プロファイルを達成する点から遠紫外光やエキ
シマレーザー光に対する透過率が高いアルカリ可溶性樹
脂が好ましい。好ましくは、1μm膜厚の248nmで
の透過率が20〜90%である。このような観点から、
特に好ましいアルカリ可溶性樹脂は、o−,m−,p−
ポリ(ヒドロキシスチレン)及びこれらの共重合体、水
素化ポリ(ヒドロキシスチレン)、ハロゲンもしくはア
ルキル置換ポリ(ヒドロキシスチレン)、ポリ(ヒドロ
キシスチレン)の一部、O−アルキル化もしくはO−ア
シル化物、スチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、α
−メチルスチレン−ヒドロキシスチレン共重合体及び水
素化ノボラック樹脂である。
The alkali dissolution rate of these alkali-soluble resins was measured (at 23 ° C.) using 0.261N tetramethylammonium hydroxide (TMAH).
A / sec or more is preferable. Particularly preferably 330A
/ Sec or more (A is angstroms). From the viewpoint of achieving a rectangular profile, an alkali-soluble resin having a high transmittance to far ultraviolet light or excimer laser light is preferable. Preferably, the transmittance at a wavelength of 248 nm with a thickness of 1 μm is 20 to 90%. From this perspective,
Particularly preferred alkali-soluble resins are o-, m-, p-
Poly (hydroxystyrene) and copolymers thereof, hydrogenated poly (hydroxystyrene), halogen- or alkyl-substituted poly (hydroxystyrene), part of poly (hydroxystyrene), O-alkylated or O-acylated product, styrene -Hydroxystyrene copolymer, α
-Methylstyrene-hydroxystyrene copolymer and hydrogenated novolak resin.

【0146】本発明に用いられる酸で分解し得る基を有
する樹脂は、アルカリ可溶性樹脂に酸で分解し得る基の
前駆体を反応させる、もしくは、酸で分解し得る基の結
合したアルカリ可溶性樹脂モノマーを種々のモノマーと
共重合して得ることができる。
The resin having an acid-decomposable group used in the present invention may be obtained by reacting an alkali-soluble resin with a precursor of an acid-decomposable group, or by bonding an acid-decomposable group to an alkali-soluble resin. It can be obtained by copolymerizing a monomer with various monomers.

【0147】上記光酸発生剤、酸で分解し得る基を有す
る樹脂とともに、後記する酸分解性低分子溶解阻止化合
物を混合することが好ましい。本発明に用いられる酸分
解性溶解阻止化合物としては、その構造中に酸で分解し
得る基を少なくとも2個有し、該酸分解性基間の距離が
最も離れた位置において、酸分解性基を除く結合原子を
少なくとも8個経由する化合物である。本発明におい
て、好ましくは酸分解性溶解阻止化合物は、その構造中
に酸で分解し得る基を少なくとも2個有し、該酸分解性
基間の距離が最も離れた位置において、酸分解性基を除
く結合原子を少なくとも10個、好ましくは少なくとも
11個、更に好ましくは少なくとも12個経由する化合
物、又は酸分解性基を少なくとも3個有し、該酸分解性
基間の距離が最も離れた位置において、酸分解性基を除
く結合原子を少なくとも9個、好ましくは少なくとも1
0個、更に好ましくは少なくとも11個経由する化合物
である。又、上記結合原子の好ましい上限は50個、更
に好ましくは30個である。本発明において、酸分解性
溶解阻止化合物が、酸分解性基を3個以上、好ましくは
4個以上有する場合、又酸分解性基を2個有するものに
おいても、該酸分解性基が互いにある一定の距離以上離
れている場合、アルカリ可溶性樹脂に対する溶解阻止性
が著しく向上する。なお、本発明における酸分解性基間
の距離は、酸分解性基を除く、経由結合原子数で示され
る。例えば、以下の化合物(1),(2)の場合、酸分
解性基間の距離は、各々結合原子4個であり、化合物
(3)では結合原子12個である。
It is preferable to mix an acid-decomposable low-molecular-weight dissolution-inhibiting compound described later together with the photoacid generator and the resin having an acid-decomposable group. The acid-decomposable dissolution inhibiting compound used in the present invention has at least two acid-decomposable groups in its structure, and at the position where the distance between the acid-decomposable groups is farthest away, the acid-decomposable group Is a compound having at least 8 bonding atoms excluding. In the present invention, the acid-decomposable dissolution-inhibiting compound preferably has at least two groups capable of being decomposed by an acid in its structure, and at the position where the distance between the acid-decomposable groups is farthest away, the acid-decomposable group A compound having at least 10, preferably at least 11, and more preferably at least 12 bonding atoms excluding the above, or a position where the distance between the acid-decomposable groups is the longest, having at least three acid-decomposable groups Has at least 9, preferably at least 1, bonding atoms excluding an acid-decomposable group.
It is a compound via 0, more preferably via at least 11. The preferred upper limit of the number of the bonding atoms is 50, more preferably 30. In the present invention, when the acid-decomposable dissolution-inhibiting compound has three or more, preferably four or more acid-decomposable groups, and even when the compound has two acid-decomposable groups, the acid-decomposable groups are mutually present. If they are separated by a certain distance or more, the dissolution inhibiting property with respect to the alkali-soluble resin is significantly improved. In addition, the distance between the acid-decomposable groups in the present invention is represented by the number of via bond atoms excluding the acid-decomposable groups. For example, in the case of the following compounds (1) and (2), the distance between the acid-decomposable groups is 4 bonding atoms, and in the compound (3), the bonding atom is 12 bonding atoms.

【0148】[0148]

【化89】 Embedded image

【0149】また、本発明の酸分解性溶解阻止化合物
は、1つのベンゼン環上に複数個の酸分解性基を有して
いてもよいが、好ましくは、1つのベンゼン環上に1個
の酸分解性基を有する骨格から構成される化合物であ
る。更に、本発明の酸分解性溶解阻止化合物の分子量は
3,000以下であり、好ましくは500〜3,00
0、更に好ましくは1,000〜2,500である。
Further, the acid-decomposable dissolution-inhibiting compound of the present invention may have a plurality of acid-decomposable groups on one benzene ring, but preferably one compound on one benzene ring. It is a compound composed of a skeleton having an acid-decomposable group. Further, the molecular weight of the acid-decomposable dissolution-inhibiting compound of the present invention is 3,000 or less, preferably 500 to 3,000.
0, more preferably 1,000 to 2,500.

【0150】本発明の好ましい実施態様においては、酸
により分解し得る基、即ち−COO−A0 、−O−B0
基を含む基としては、−R0 −COO−A0 、又は−A
r−O−B0 で示される基が挙げられる。ここでA
0 は、−C(R01)(R02)(R03)、−Si(R01
(R02)(R03)もしくは−C(R04)(R05)−O−
06基を示す。B0 は、A0 又は−CO−O−A0 基を
示す。R01、R02、R03、R04及びR05は、それぞれ同
一でも相異していてもよく、水素原子、アルキル基、シ
クロアルキル基、アルケニル基もしくはアリール基を示
し、R06はアルキル基もしくはアリール基を示す。但
し、R01〜R03の内少なくとも2つは水素原子以外の基
であり、又、R01〜R03、及びR04〜R06の内の2つの
基が結合して環を形成してもよい。R0 は置換基を有し
ていてもよい2価以上の脂肪族もしくは芳香族炭化水素
基を示し、−Ar−は単環もしくは多環の置換基を有し
ていてもよい2価以上の芳香族基を示す。
In a preferred embodiment of the present invention, an acid-decomposable group, ie, —COO-A 0 , —O-B 0
The group containing a group, -R 0 -COO-A 0, or -A
include groups represented by the r-O-B 0. Where A
0 is -C (R 01 ) (R 02 ) (R 03 ), -Si (R 01 )
(R 02 ) (R 03 ) or -C (R 04 ) (R 05 ) -O-
R represents a 06 group. B 0 represents A 0 or a —CO—OA 0 group. R 01 , R 02 , R 03 , R 04 and R 05 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group or an aryl group, and R 06 represents an alkyl group Alternatively, it represents an aryl group. However, at least two of R 01 to R 03 are groups other than a hydrogen atom, and two groups of R 01 to R 03 and R 04 to R 06 are bonded to form a ring. Is also good. R 0 represents a divalent or higher valent aliphatic or aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, and -Ar- represents a divalent or higher valent which may have a monocyclic or polycyclic substituent. Shows an aromatic group.

【0151】ここで、アルキル基としてはメチル基、エ
チル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル
基、t−ブチル基の様な炭素数1〜4個のものが好まし
く、シクロアルキル基としてはシクロプロピル基、シク
ロブチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基の様な
炭素数3〜10個のものが好ましく、アルケニル基とし
てはビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基の
様な炭素数2〜4個のものが好ましく、アリール基とし
てはフエニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル
基、ナフチル基、アントラセニル基の様な炭素数6〜1
4個のものが好ましい。また、置換基としては水酸基、
ハロゲン原子(フツ素、塩素、臭素、ヨウ素)、ニトロ
基、シアノ基、上記のアルキル基、メトキシ基・エトキ
シ基・ヒドロキシエトキシ基・プロポキシ基・ヒドロキ
シプロポキシ基・n−ブトキシ基・イソブトキシ基・s
ec−ブトキシ基・t−ブトキシ基等のアルコキシ基、
メトキシカルボニル基・エトキシカルボニル基等のアル
コキシカルボニル基、ベンジル基・フエネチル基・クミ
ル基等のアラルキル基、アラルキルオキシ基、ホルミル
基・アセチル基・ブチリル基・ベンゾイル基・シアナミ
ル基・バレリル基等のアシル基、ブチリルオキシ基等の
アシロキシ基、上記のアルケニル基、ビニルオキシ基・
プロペニルオキシ基・アリルオキシ基・ブテニルオキシ
基等のアルケニルオキシ基、上記のアリール基、フエノ
キシ基等のアリールオキシ基、ベンゾイルオキシ基等の
アリールオキシカルボニル基を挙げることができる。
Here, the alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group and a t-butyl group. Preferred are those having 3 to 10 carbon atoms such as cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclohexyl group and adamantyl group, and alkenyl groups having 2 to 2 carbon atoms such as vinyl group, propenyl group, allyl group and butenyl group. Preferably, the aryl group has 6 to 1 carbon atoms such as phenyl, xylyl, toluyl, cumenyl, naphthyl and anthracenyl.
Four are preferred. Further, as a substituent, a hydroxyl group,
Halogen atom (fluorine, chlorine, bromine, iodine), nitro group, cyano group, the above alkyl group, methoxy group, ethoxy group, hydroxyethoxy group, propoxy group, hydroxypropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, s
an alkoxy group such as an ec-butoxy group and a t-butoxy group,
Alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl group and ethoxycarbonyl group, aralkyl groups such as benzyl group, phenethyl group and cumyl group, aralkyloxy groups, acyl groups such as formyl group, acetyl group, butyryl group, benzoyl group, cyanamyl group, and valeryl group. Group, an acyloxy group such as a butyryloxy group, the above alkenyl group, a vinyloxy group.
Examples thereof include an alkenyloxy group such as a propenyloxy group, an allyloxy group, and a butenyloxy group, an aryloxy group such as the above-described aryl group and phenoxy group, and an aryloxycarbonyl group such as a benzoyloxy group.

【0152】酸により分解しうる基として、好ましく
は、シリルエーテル基、クミルエステル基、アセタール
基、テトラヒドロピラニルエーテル基、エノールエーテ
ル基、エノールエステル基、第3級のアルキルエーテル
基、第3級のアルキルエステル基、第3級のアルキルカ
ーボネート基等である。更に好ましくは、第3級アルキ
ルエステル基、第3級アルキルカーボネート基、クミル
エステル基、テトラヒドロピラニルエーテル基である。
The group decomposable with an acid is preferably a silyl ether group, a cumyl ester group, an acetal group, a tetrahydropyranyl ether group, an enol ether group, an enol ester group, a tertiary alkyl ether group, or a tertiary alkyl ether group. Alkyl ester groups, tertiary alkyl carbonate groups and the like. More preferred are a tertiary alkyl ester group, a tertiary alkyl carbonate group, a cumyl ester group, and a tetrahydropyranyl ether group.

【0153】酸分解性溶解阻止化合物としては、好まし
くは、特開平1−289946号、特開平1−2899
47号、特開平2−2560号、特開平3−12895
9号、特開平3−158855号、特開平3−1793
53号、特開平3−191351号、特開平3−200
251号、特開平3−200252号、特開平3−20
0253号、特開平3−200254号、特開平3−2
00255号、特開平3−259149号、特開平3−
279958号、特開平3−279959号、特開平4
−1650号、特開平4−1651号、特開平4−11
260号、特開平4−12356号、特開平4−123
57号、特願平3−33229号、特願平3−2307
90号、特願平3−320438号、特願平4−251
57号、特願平4−52732号、特願平4−1032
15号、特願平4−104542号、特願平4−107
885号、特願平4−107889号、同4−1521
95号等の明細書に記載されたポリヒドロキシ化合物の
フエノール性OH基の一部もしくは全部を上に示した
基、−R0 −COO−A0 もしくはB0 基で結合し、保
護した化合物が含まれる。
As the acid-decomposable dissolution-inhibiting compound, those described in JP-A-1-289946 and JP-A-1-2899 are preferred.
No. 47, JP-A-2-2560, JP-A-3-12895
9, JP-A-3-158855, JP-A-3-1793
No. 53, JP-A-3-191351, JP-A-3-200
No. 251, JP-A-3-200252, JP-A-3-20
0253, JP-A-3-200254, JP-A-3-2
0255, JP-A-3-259149, JP-A-3-259
279958, JP-A-3-279959, JP-A-4
JP-A-1650, JP-A-4-1651, JP-A-4-11
No. 260, JP-A-4-12356, JP-A-4-123
No. 57, Japanese Patent Application No. 3-33229, Japanese Patent Application No. 3-2307
No. 90, Japanese Patent Application No. 3-320438, Japanese Patent Application No. 4-251
No. 57, Japanese Patent Application No. 4-52732, Japanese Patent Application No. 4-1032
No. 15, Japanese Patent Application No. 4-104542, Japanese Patent Application No. 4-107
No. 885, Japanese Patent Application No. 4-107889 and No. 4-1521
Compounds in which some or all of the phenolic OH groups of the polyhydroxy compound described in the specification such as No. 95 are bonded and protected by the above-mentioned groups, -R 0 -COO-A 0 or B 0 groups, included.

【0154】更に好ましくは、特開平1−289946
号、特開平3−128959号、特開平3−15885
5号、特開平3−179353号、特開平3−2002
51号、特開平3−200252号、特開平3−200
255号、特開平3−259149号、特開平3−27
9958号、特開平4−1650号、特開平4−112
60号、特開平4−12356号、特開平4−1235
7号、特願平4−25157号、特願平4−10321
5号、特願平4−104542号、特願平4−1078
85号、特願平4−107889号、同4−15219
5号の明細書に記載されたポリヒドロキシ化合物を用い
たものが挙げられる。
More preferably, JP-A-1-289946.
JP-A-3-128959, JP-A-3-15885
5, JP-A-3-179353, JP-A-3-2002
No. 51, JP-A-3-200252, JP-A-3-200
255, JP-A-3-259149, JP-A-3-27
9958, JP-A-4-1650, JP-A-4-112
No. 60, JP-A-4-12356, JP-A-4-1235
7, Japanese Patent Application No. 4-25157, Japanese Patent Application No. 4-10321
No. 5, Japanese Patent Application No. 4-104542, Japanese Patent Application No. 4-1078
No. 85, Japanese Patent Application Nos. 4-107889 and 4-15219
No. 5 using the polyhydroxy compound described in the specification.

【0155】より具体的には、一般式[I]〜[XV
I]で表される化合物が挙げられる。
More specifically, general formulas [I] to [XV]
The compound represented by I] is mentioned.

【0156】[0156]

【化90】 Embedded image

【0157】[0157]

【化91】 Embedded image

【0158】[0158]

【化92】 Embedded image

【0159】[0159]

【化93】 Embedded image

【0160】R101 、R102 、R108 、R130 :同一で
も異なっていてもよく、水素原子、−R0−COO−C
(R01)(R02)(R03)又は−CO−O−C(R01
(R0 2)(R03)、但し、R0、R01、R02及びR03
定義は前記と同じである。
R 101 , R 102 , R 108 , R 130 : may be the same or different, and represent a hydrogen atom, -R 0 -COO-C
( R01 ) ( R02 ) ( R03 ) or -CO-OC ( R01 )
(R 0 2) (R 03 ), provided that the definition of R 0, R 01, R 02 and R 03 are as defined above.

【0161】R100 :−CO−,−COO−,−NHC
ONH−,−NHCOO−,−O−、−S−,−SO
−,−SO2−,−SO3−,もしくは
R 100 : -CO-, -COO-, -NHC
ONH-, -NHCOO-, -O-, -S-, -SO
-, -SO 2- , -SO 3- , or

【0162】[0162]

【化94】 Embedded image

【0163】ここで、G=2〜6 但し、G=2の時は
150 、R151 のうち少なくとも一方はアルキル基、 R150 、R151 :同一でも異なっていてもよく、水素原
子,アルキル基,アルコキシ基、−OH,−COOH,
−CN,ハロゲン原子,−R152 −COOR15 3 もしく
は−R154 −OH、 R152 、R154 :アルキレン基、 R153 :水素原子,アルキル基,アリール基,もしくは
アラルキル基、 R99、R103 〜R107 、R109 、R111 〜R118 、R
121 〜R123 、R128 〜R129 、R131 〜R134 、R
138 〜R141 及びR143 :同一でも異なっても良く、水
素原子,水酸基,アルキル基,アルコキシ基,アシル
基,アシロキシ基,アリール基,アリールオキシ基,ア
ラルキル基,アラルキルオキシ基,ハロゲン原子,ニト
ロ基,カルボキシル基,シアノ基,もしくは−N(R155)
(R156)(R155、R156:H,アルキル基,もしくはアリー
ル基) R110 :単結合,アルキレン基,もしくは
[0163] Here, G = 2 to 6, provided that at least one alkyl group of R 0.99, R 151 when the G = 2, R 150, R 151: may be the same or different, a hydrogen atom, an alkyl Group, alkoxy group, -OH, -COOH,
-CN, halogen atom, -R 152 -COOR 15 3 or -R 154 -OH, R 152, R 154: an alkylene group, R 153: a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or an aralkyl group,, R 99, R 103 To R 107 , R 109 , R 111 to R 118 , R
121 to R 123 , R 128 to R 129 , R 131 to R 134 , R
138 to R 141 and R 143 may be the same or different and include a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, an alkoxy group, an acyl group, an acyloxy group, an aryl group, an aryloxy group, an aralkyl group, an aralkyloxy group, a halogen atom, nitro Group, carboxyl group, cyano group, or -N ( R155 )
(R 156 ) (R 155 , R 156 : H, alkyl group or aryl group) R 110 : single bond, alkylene group, or

【0164】[0164]

【化95】 Embedded image

【0165】R157 、R159 :同一でも異なってもよ
く、単結合,アルキレン基,−O−,−S−,−CO
−,もしくはカルボキシル基、 R158 :水素原子,アルキル基,アルコキシ基,アシル
基,アシロキシ基,アリール基,ニトロ基,水酸基,シ
アノ基,もしくはカルボキシル基、但し、水酸基が酸分
解性基(例えば、t−ブトキシカルボニルメチル基、テ
トラヒドロピラニル基、1−エトキシ−1−エチル基、
1−t−ブトキシ−1−エチル基)で置き換ってもよ
い。
R 157 and R 159 may be the same or different, and represent a single bond, an alkylene group, —O—, —S—, —CO
— Or a carboxyl group, R 158 : a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an acyl group, an acyloxy group, an aryl group, a nitro group, a hydroxyl group, a cyano group, or a carboxyl group, provided that the hydroxyl group is an acid-decomposable group (for example, t-butoxycarbonylmethyl group, tetrahydropyranyl group, 1-ethoxy-1-ethyl group,
(1-t-butoxy-1-ethyl group).

【0166】R119 、R120 :同一でも異なってもよ
く、メチレン基,低級アルキル置換メチレン基,ハロメ
チレン基,もしくはハロアルキレン基、但し本願におい
て低級アルキル基とは炭素数1〜4のアルキル基を指
す、 R124 〜R127 :同一でも異なってもよく、水素原子も
しくはアルキル基、 R135 〜R137 :同一でも異なってもよく、水素原子,
アルキル基,アルコキシ基,アシル基,もしくはアシロ
キシ基、 R142 :水素原子,−R0−COO−C(R01
(R02)(R03)又は−CO−O−C(R01)(R02
(R03)、もしくは
R 119 and R 120 may be the same or different and each represents a methylene group, a lower alkyl-substituted methylene group, a halomethylene group, or a haloalkylene group, provided that the lower alkyl group is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. R 124 to R 127 may be the same or different and may be a hydrogen atom or an alkyl group; R 135 to R 137 may be the same or different and a hydrogen atom;
An alkyl group, an alkoxy group, an acyl group, or an acyloxy group, R 142 : a hydrogen atom, —R 0 —COO—C (R 01 )
( R02 ) ( R03 ) or -CO-OC ( R01 ) ( R02 )
(R 03 ), or

【0167】[0167]

【化96】 Embedded image

【0168】R144 、R145 :同一でも異なってもよ
く、水素原子,低級アルキル基,低級ハロアルキル基,
もしくはアリール基、 R146 〜R149 :同一でも異なっていてもよく、水素原
子,水酸基,ハロゲン原子,ニトロ基,シアノ基,カル
ボニル基,アルキル基,アルコキシ基,アルコキシカル
ボニル基,アラルキル基,アラルキルオキシ基,アシル
基,アシロキシ基,アルケニル基,アルケニルオキシ
基,アリール基,アリールオキシ基,もしくはアリール
オキシカルボニル基、但し、各4個の同一記号の置換基
は同一の基でなくてもよい、 Y:−CO−,もしくは−SO2−、 Z,B:単結合,もしくは−O−、 A:メチレン基,低級アルキル置換メチレン基,ハロメ
チレン基,もしくはハロアルキレン基、 E:単結合,もしくはオキシメチレン基、 a〜z,a1〜y1:複数の時、()内の基は同一又は異なっ
ていてもよい、 a〜q、s,t,v,g1〜i1,k1〜m1,o1,q1,s1,u1:0もしくは
1〜5の整数、 r,u,w,x,y,z,a1〜f1,p1,r1,t1,v1〜x1:0もしくは1〜
4の整数、 j1,n1,z1,a2,b2,c2,d2:0もしくは1〜3の整数、z1,a
2,c2,d2のうち少なくとも1つは1以上、 y1:3〜8の整数、 (a+b),(e+f+g),(k+l+m),(q+r+s),(w+x+y),(c1+d1),(g1+
h1+i1+j1),(o1+p1),(s1+t1)≧2、 (j1+n1)≦3、 (r+u),(w+z),(x+a1),(y+b1),(c1+e1),(d1+f1),(p1+r1),
(t1+v1),(x1+w1)≦4、但し一般式[V]の場合は(w+
z),(x+a1)≦5、 (a+c),(b+d),(e+h),(f+i),(g+j),(k+n),(l+o),(m+p),(q
+t),(s+v),(g1+k1),(h1+l1),(i1+m1),(o1+q1),(s1+u1)
≦5、 を表す。
R 144 and R 145 may be the same or different and represent a hydrogen atom, a lower alkyl group, a lower haloalkyl group,
Or an aryl group, R 146 to R 149 : may be the same or different, and may be hydrogen, hydroxyl, halogen, nitro, cyano, carbonyl, alkyl, alkoxy, alkoxycarbonyl, aralkyl, aralkyloxy A group, an acyl group, an acyloxy group, an alkenyl group, an alkenyloxy group, an aryl group, an aryloxy group, or an aryloxycarbonyl group, provided that the four substituents having the same symbols need not be the same group. : —CO— or —SO 2 —, Z, B: single bond or —O—, A: methylene group, lower alkyl-substituted methylene group, halomethylene group, or haloalkylene group; E: single bond or oxymethylene Groups, a to z, a1 to y1: when plural, the groups in parentheses may be the same or different; a to q, s, t, v, g1 to i1, k1 m1, o1, q1, s1, u1: 0 or an integer of 1 to 5, r, u, w, x, y, z, a1~f1, p1, r1, t1, v1~x1: 0 or 1
An integer of 4, j1, n1, z1, a2, b2, c2, d2: an integer of 0 or 1 to 3, z1, a
2, at least one of c2, d2 is 1 or more, y1: an integer of 3 to 8, (a + b), (e + f + g), (k + l + m), (q + r + s ), (w + x + y), (c1 + d1), (g1 +
h1 + i1 + j1), (o1 + p1), (s1 + t1) ≧ 2, (j1 + n1) ≦ 3, (r + u), (w + z), (x + a1), (y + b1), (c1 + e1), (d1 + f1), (p1 + r1),
(t1 + v1), (x1 + w1) ≦ 4, provided that (w +
z), (x + a1) ≦ 5, (a + c), (b + d), (e + h), (f + i), (g + j), (k + n), (l + o), (m + p), (q
+ t), (s + v), (g1 + k1), (h1 + l1), (i1 + m1), (o1 + q1), (s1 + u1)
≦ 5.

【0169】[0169]

【化97】 Embedded image

【0170】[0170]

【化98】 Embedded image

【0171】[0171]

【化99】 Embedded image

【0172】[0172]

【化100】 Embedded image

【0173】好ましい化合物骨格の具体例を以下に示
す。
Specific examples of preferred compound skeletons are shown below.

【0174】[0174]

【化101】 Embedded image

【0175】[0175]

【化102】 Embedded image

【0176】[0176]

【化103】 Embedded image

【0177】[0177]

【化104】 Embedded image

【0178】[0178]

【化105】 Embedded image

【0179】[0179]

【化106】 Embedded image

【0180】[0180]

【化107】 Embedded image

【0181】[0181]

【化108】 Embedded image

【0182】[0182]

【化109】 Embedded image

【0183】[0183]

【化110】 Embedded image

【0184】[0184]

【化111】 Embedded image

【0185】[0185]

【化112】 Embedded image

【0186】[0186]

【化113】 Embedded image

【0187】[0187]

【化114】 Embedded image

【0188】[0188]

【化115】 Embedded image

【0189】[0189]

【化116】 Embedded image

【0190】[0190]

【化117】 Embedded image

【0191】[0191]

【化118】 Embedded image

【0192】[0192]

【化119】 Embedded image

【0193】化合物(1)〜(63)中のRは、水素原
子、
R in the compounds (1) to (63) is a hydrogen atom,

【0194】[0194]

【化120】 Embedded image

【0195】を表す。但し、少なくとも2個、もしくは
構造により3個は水素原子以外の基であり、各置換基R
は同一の基でなくてもよい。この場合、該溶解阻止化合
物の含量は、感光性組成物の全重量(溶媒を除く)を基
準として3〜45重量%、好ましくは5〜30重量%、
より好ましくは10〜20重量%である。
Represents the following. However, at least two or three depending on the structure are groups other than hydrogen atoms, and each substituent R
May not be the same group. In this case, the content of the dissolution inhibiting compound is 3 to 45% by weight, preferably 5 to 30% by weight, based on the total weight of the photosensitive composition (excluding the solvent).
More preferably, it is 10 to 20% by weight.

【0196】更に、アルカリ溶解性を調節するために、
酸で分解し得る基を有さないアルカリ可溶性樹脂を混合
してもよい。そのようなアルカリ可溶性樹脂としては、
例えばノボラック樹脂、水素化ノボラツク樹脂、アセト
ン−ピロガロール樹脂、o−ポリヒドロキシスチレン、
m−ポリヒドロキシスチレン、p−ポリヒドロキシスチ
レン、水素化ポリヒドロキシスチレン、ハロゲンもしく
はアルキル置換ポリヒドロキシスチレン、ヒドロキシス
チレン−N−置換マレイミド共重合体、o/p−及びm
/p−ヒドロキシスチレン共重合体、ポリヒドロキシス
チレンの水酸基に対する一部O−アルキル化物(例え
ば、5〜30モル%のO−メチル化物等)もしくはO−
アシル化物(例えば、5〜30モル%のo−アセチル化
物等)、スチレン−無水マレイン酸共重合体、スチレン
−ヒドロキシスチレン共重合体、α−メチルスチレン−
ヒドロキシスチレン共重合体、カルボキシル基含有メタ
クリル系樹脂及びその誘導体を挙げることができるが、
これらに限定されるものではない。特に好ましいアルカ
リ可溶性樹脂はノボラック樹脂及びo−ポリヒドロキシ
スチレン、m−ポリヒドロキシスチレン、p−ポリヒド
ロキシスチレン及びこれらの共重合体、アルキル置換ポ
リヒドロキシスチレン、ポリヒドロキシスチレンの一部
O−アルキル化、もしくはO−アシル化物、スチレン−
ヒドロキシスチレン共重合体、α−メチルスチレン−ヒ
ドロキシスチレン共重合体である。該ノボラック樹脂は
所定のモノマーを主成分として、酸性触媒の存在下、ア
ルデヒド類と付加縮合させることにより得られる。
Further, in order to adjust the alkali solubility,
An alkali-soluble resin having no acid-decomposable group may be mixed. As such an alkali-soluble resin,
For example, novolak resin, hydrogenated novolak resin, acetone-pyrogallol resin, o-polyhydroxystyrene,
m-polyhydroxystyrene, p-polyhydroxystyrene, hydrogenated polyhydroxystyrene, halogen- or alkyl-substituted polyhydroxystyrene, hydroxystyrene-N-substituted maleimide copolymer, o / p- and m
/ P-hydroxystyrene copolymer, partially O-alkylated product (for example, 5 to 30 mol% of O-methylated product) to the hydroxyl group of polyhydroxystyrene or O-
Acylated product (for example, 5 to 30 mol% o-acetylated product), styrene-maleic anhydride copolymer, styrene-hydroxystyrene copolymer, α-methylstyrene-
Hydroxystyrene copolymer, carboxyl group-containing methacrylic resin and its derivatives can be mentioned,
It is not limited to these. Particularly preferred alkali-soluble resins are novolak resins and o-polyhydroxystyrene, m-polyhydroxystyrene, p-polyhydroxystyrene and copolymers thereof, alkyl-substituted polyhydroxystyrene, partial O-alkylation of polyhydroxystyrene, Or O-acylated product, styrene-
Hydroxystyrene copolymer and α-methylstyrene-hydroxystyrene copolymer. The novolak resin is obtained by subjecting a given monomer as a main component to addition condensation with an aldehyde in the presence of an acidic catalyst.

【0197】所定のモノマーとしては、フェノール、m
−クレゾール、p−クレゾール、o−クレゾール等のク
レゾール類、2,5−キシレノール、3,5−キシレノ
ール、3,4−キシレノール、2,3−キシレノール等
のキシレノール類、m−エチルフェノール、p−エチル
フェノール、o−エチルフェノール、p−t−ブチルフ
ェノール、p−オクチルフエノール、2,3,5−トリ
メチルフェノール等のアルキルフェノール類、p−メト
キシフェノール、m−メトキシフェノール、3,5−ジ
メトキシフェノール、2−メトキシ−4−メチルフェノ
ール、m−エトキシフェノール、p−エトキシフェノー
ル、m−プロポキシフェノール、p−プロポキシフェノ
ール、m−ブトキシフェノール、p−ブトキシフェノー
ル等のアルコキシフェノール類、2−メチル−4−イソ
プロピルフェノール等のビスアルキルフェノール類、m
−クロロフェノール、p−クロロフェノール、o−クロ
ロフェノール、ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノー
ルA、フェニルフェノール、レゾルシノール、ナフトー
ル等のヒドロキシ芳香化合物を単独もしくは2種類以上
混合して使用することができるが、これらに限定される
ものではない。
As the predetermined monomer, phenol, m
Cresols such as -cresol, p-cresol and o-cresol, xylenols such as 2,5-xylenol, 3,5-xylenol, 3,4-xylenol and 2,3-xylenol, m-ethylphenol, p- Alkylphenols such as ethylphenol, o-ethylphenol, pt-butylphenol, p-octylphenol, 2,3,5-trimethylphenol, p-methoxyphenol, m-methoxyphenol, 3,5-dimethoxyphenol, Alkoxyphenols such as -methoxy-4-methylphenol, m-ethoxyphenol, p-ethoxyphenol, m-propoxyphenol, p-propoxyphenol, m-butoxyphenol and p-butoxyphenol, 2-methyl-4-isopropyl Fenault Bis-alkylphenols etc., m
Hydroxychloro compounds such as -chlorophenol, p-chlorophenol, o-chlorophenol, dihydroxybiphenyl, bisphenol A, phenylphenol, resorcinol, and naphthol can be used alone or as a mixture of two or more, but are not limited thereto. It is not something to be done.

【0198】アルデヒド類としては、例えばホルムアル
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセ
トアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−
フェニルプロピルアルデヒド、o−ヒドロキシベンズア
ルデヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒド
ロキシベンズアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒ
ド、m−クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズア
ルデヒド、o−ニトロベンズアルデヒド、m−ニトロベ
ンズアルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、o−メ
チルベンズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、
p−メチルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデ
ヒド、p−n−ブチルベンズアルデヒド、フルフラー
ル、クロロアセトアルデヒド及びこれらのアセタール
体、例えばクロロアセトアルデヒドジエチルアセタール
等を使用することができるが、これらの中で、ホルムア
ルデヒドを使用するのが好ましい。これらのアルデヒド
類は、単独でもしくは2種類以上組み合わせて用いられ
る。酸性触媒としては塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸、シュウ
酸等を使用することができる。
Examples of the aldehydes include formaldehyde, paraformaldehyde, acetaldehyde, propionaldehyde, benzaldehyde, phenylacetaldehyde, α-phenylpropylaldehyde, β-
Phenylpropylaldehyde, o-hydroxybenzaldehyde, m-hydroxybenzaldehyde, p-hydroxybenzaldehyde, o-chlorobenzaldehyde, m-chlorobenzaldehyde, p-chlorobenzaldehyde, o-nitrobenzaldehyde, m-nitrobenzaldehyde, p-nitrobenzaldehyde, o -Methylbenzaldehyde, m-methylbenzaldehyde,
p-Methylbenzaldehyde, p-ethylbenzaldehyde, pn-butylbenzaldehyde, furfural, chloroacetaldehyde, and their acetal compounds, such as chloroacetaldehyde diethyl acetal, among which formaldehyde is used Is preferred. These aldehydes are used alone or in combination of two or more. As the acidic catalyst, hydrochloric acid, sulfuric acid, formic acid, acetic acid, oxalic acid and the like can be used.

【0199】こうして得られたノボラック樹脂の重量平
均分子量は、1,000〜30,000の範囲であるこ
とが好ましい。1,000未満では未露光部の現像後の
膜減りが大きく、30,000を越えると現像速度が小
さくなってしまう。特に好適なのは2,000〜20,
000の範囲である。また、ノボラック樹脂以外の前記
ポリヒドロキシスチレン、及びその誘導体、共重合体の
重量平均分子量は、2000以上、好ましくは5000
〜200000、より好ましくは10000〜1000
00である。また、レジスト膜の耐熱性を向上させると
いう観点からは、25000以上が好ましい。ここで、
重量平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフ
ィーのポリスチレン換算値をもって定義される。本発明
におけるこれらのアルカリ可溶性樹脂は2種類以上混合
して使用してもよい。本発明におけるこれらのアルカリ
可溶性樹脂の組成物中の添加量としては、好ましくは5
〜30重量%である。
The weight average molecular weight of the novolak resin thus obtained is preferably in the range of 1,000 to 30,000. If it is less than 1,000, the film loss of the unexposed portion after development is large, and if it exceeds 30,000, the developing speed is reduced. Particularly preferred are 2,000-20,
000. In addition, the weight average molecular weight of the polyhydroxystyrene other than the novolak resin, its derivative, and the copolymer is 2,000 or more, preferably 5,000.
~ 200,000, more preferably 10,000-1000
00. Further, from the viewpoint of improving the heat resistance of the resist film, 25,000 or more is preferable. here,
The weight average molecular weight is defined as a value in terms of polystyrene by gel permeation chromatography. These alkali-soluble resins in the present invention may be used as a mixture of two or more kinds. The addition amount of these alkali-soluble resins in the composition of the present invention is preferably 5
3030% by weight.

【0200】本発明に使用されるその他の成分 本発明の感光性組成物には必要に応じて、更に染料、顔
料、可塑剤、界面活性剤、光増感剤、有機塩基性化合物
及び現像液に対する溶解性を促進させるフエノール性O
H基を2個以上有する化合物等を含有させることができ
る。
Other components used in the present invention If necessary, the photosensitive composition of the present invention may further contain a dye, a pigment, a plasticizer, a surfactant, a photosensitizer, an organic basic compound, and a developer. Phenolic O that promotes solubility in water
A compound having two or more H groups can be contained.

【0201】本発明で使用できるフェノール性OH基を
2個以上有する化合物は、好ましくは分子量1000以
下のフェノール化合物である。また、分子中に少なくと
も2個のフェノール性水酸基を有することが必要である
が、これが10を越えると、現像ラチチュードの改良効
果が失われる。また、フェノ−ル性水酸基と芳香環との
比が0.5未満では膜厚依存性が大きく、また、現像ラ
チチュードが狭くなる傾向がある。この比が1.4を越
えると該組成物の安定性が劣化し、高解像力及び良好な
膜厚依存性を得るのが困難となって好ましくない。
The compound having two or more phenolic OH groups that can be used in the present invention is preferably a phenol compound having a molecular weight of 1,000 or less. Further, it is necessary to have at least two phenolic hydroxyl groups in the molecule. If the number exceeds 10, the effect of improving the development latitude is lost. When the ratio of the phenolic hydroxyl group to the aromatic ring is less than 0.5, the film thickness dependency is large, and the development latitude tends to be narrow. If this ratio exceeds 1.4, the stability of the composition deteriorates, and it becomes difficult to obtain high resolution and good film thickness dependency, which is not preferable.

【0202】このフェノール化合物の好ましい添加量は
樹脂に対して2〜50重量%であり、更に好ましくは5
〜30重量%である。50重量%を越えた添加量では、
現像残渣が悪化し、また現像時にパターンが変形すると
いう新たな欠点が発生して好ましくない。
The preferable addition amount of the phenol compound is 2 to 50% by weight based on the resin, more preferably 5 to 50% by weight.
3030% by weight. With an addition amount exceeding 50% by weight,
It is not preferable because a new defect that development residue is deteriorated and a pattern is deformed during development is generated.

【0203】このような分子量1000以下のフェノー
ル化合物は、例えば、特開平4−122938、特開平
2−28531、米国特許第4916210、欧州特許
第219294等に記載の方法を参考にして、当業者に
於て容易に合成することが出来る。フェノール化合物の
具体例を以下に示すが、本発明で使用できる化合物はこ
れらに限定されるものではない。
Such a phenol compound having a molecular weight of 1000 or less can be prepared by those skilled in the art by referring to the methods described in, for example, JP-A-4-122938, JP-A-2-28531, US Pat. No. 4,916,210, and EP 219294. It can be easily synthesized at Specific examples of the phenol compound are shown below, but the compounds that can be used in the present invention are not limited to these.

【0204】レゾルシン、フロログルシン、2,3,4
−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4′−
テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,3′,
4′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、アセト
ン−ピロガロール縮合樹脂、フロログルコシド、2,
4,2′,4′−ビフェニルテトロール、4,4′−チ
オビス(1,3−ジヒドロキシ)ベンゼン、2,2′,
4,4′−テトラヒドロキシジフェニルエーテル、2,
2′,4,4′−テトラヒドロキシジフェニルスルフォ
キシド、2,2′,4,4′−テトラヒドロキシジフェ
ニルスルフォン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メ
タン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロ
ヘキサン、4,4−(α−メチルベンジリデン)ビスフ
ェノール、α,α′,α″−トリス(4−ヒドロキシフ
ェニル)−1,3,5−トリイソプロピルベンゼン、
α,α′,α″−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−
1−エチル−4−イソプロピルベンゼン、1,2,2−
トリス(ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1,2−
トリス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)
プロパン、2,2,5,5−テトラキス(4−ヒドロキ
シフェニル)ヘキサン、1,2−テトラキス(4−ヒド
ロキシフェニル)エタン、1,1,3−トリス(ヒドロ
キシフェニル)ブタン、パラ〔α,α,α′,α′−テ
トラキス(4−ヒドロキシフェニル)〕−キシレン等を
挙げることができる。
Resorcin, phloroglucin, 2, 3, 4
-Trihydroxybenzophenone, 2,3,4,4'-
Tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,3 ',
4 ', 5'-hexahydroxybenzophenone, acetone-pyrogallol condensation resin, fluoroglucoside,
4,2 ', 4'-biphenyltetrol, 4,4'-thiobis (1,3-dihydroxy) benzene, 2,2',
4,4'-tetrahydroxydiphenyl ether, 2,
2 ', 4,4'-tetrahydroxydiphenylsulfoxide, 2,2', 4,4'-tetrahydroxydiphenylsulfone, tris (4-hydroxyphenyl) methane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) Cyclohexane, 4,4- (α-methylbenzylidene) bisphenol, α, α ′, α ″ -tris (4-hydroxyphenyl) -1,3,5-triisopropylbenzene,
α, α ', α "-tris (4-hydroxyphenyl)-
1-ethyl-4-isopropylbenzene, 1,2,2-
Tris (hydroxyphenyl) propane, 1,1,2-
Tris (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl)
Propane, 2,2,5,5-tetrakis (4-hydroxyphenyl) hexane, 1,2-tetrakis (4-hydroxyphenyl) ethane, 1,1,3-tris (hydroxyphenyl) butane, para [α, α , Α ', α'-tetrakis (4-hydroxyphenyl)]-xylene.

【0205】本発明で用いることのできる好ましい有機
塩基性化合物とは、フェノールよりも塩基性の強い化合
物である。中でも含窒素塩基性化合物が好ましい。好ま
しい化学的環境として、下記式(A)〜(E)の構造を
挙げることができる。
Preferred organic basic compounds that can be used in the present invention are compounds that are more basic than phenol. Among them, a nitrogen-containing basic compound is preferable. Preferred chemical environments include the structures of the following formulas (A) to (E).

【0206】[0206]

【化121】 Embedded image

【0207】更に好ましい化合物は、一分子中に異なる
化学的環境の窒素原子を2個以上有する含窒素塩基性化
合物であり、特に好ましくは、置換もしくは未置換のア
ミノ基と窒素原子を含む環構造の両方を含む化合物もし
くはアルキルアミノ基を有する化合物である。好ましい
具体例としては、置換もしくは未置換のグアニジン、置
換もしくは未置換のアミノピリジン、置換もしくは未置
換のアミノアルキルピリジン、置換もしくは未置換のア
ミノピロリジン、置換もしくは未置換のインダーゾル、
置換もしくは未置換のピラゾール、置換もしくは未置換
のピラジン、置換もしくは未置換のピリミジン、置換も
しくは未置換のプリン、置換もしくは未置換のイミダゾ
リン、置換もしくは未置換のピラゾリン、置換もしくは
未置換のピペラジン、置換もしくは未置換のアミノモル
フォリン、置換もしくは未置換のアミノアルキルモルフ
ォリン等が挙げられる。好ましい置換基は、アミノ基、
アミノアルキル基、アルキルアミノ基、アミノアリール
基、アリールアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、ア
シル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ
基、ニトロ基、水酸基、シアノ基である。特に好ましい
化合物として、グアニジン、1,1−ジメチルグアニジ
ン、1,1,3,3,−テトラメチルグアニジン、2−
アミノピリジン、3−アミノピリジン、4−アミノピリ
ジン、2−ジメチルアミノピリジン、4−ジメチルアミ
ノピリジン、2−ジエチルアミノピリジン、2−(アミ
ノメチル)ピリジン、2−アミノ−3−メチルピリジ
ン、2−アミノ−4−メチルピリジン、2−アミノ−5
−メチルピリジン、2−アミノ−6−メチルピリジン、
3−アミノエチルピリジン、4−アミノエチルピリジ
ン、3−アミノピロリジン、ピペラジン、N−(2−ア
ミノエチル)ピペラジン、N−(2−アミノエチル)ピ
ペリジン、4−アミノ−2,2,6,6−テトラメチル
ピペリジン、4−ピペリジノピペリジン、2−イミノピ
ペリジン、1−(2−アミノエチル)ピロリジン、ピラ
ゾール、3−アミノ−5−メチルピラゾール、5−アミ
ノ−3−メチル−1−p−トリルピラゾール、ピラジ
ン、2−(アミノメチル)−5−メチルピラジン、ピリ
ミジン、2,4−ジアミノピリミジン、4,6−ジヒド
ロキシピリミジン、2−ピラゾリン、3−ピラゾリン、
N−アミノモルフォリン、N−(2−アミノエチル)モ
ルフォリン等が挙げられるがこれに限定されるものでは
ない。
Further preferred compounds are nitrogen-containing basic compounds having two or more nitrogen atoms having different chemical environments in one molecule, and particularly preferred is a ring structure containing a substituted or unsubstituted amino group and a nitrogen atom. Or a compound having an alkylamino group. Preferred specific examples include substituted or unsubstituted guanidine, substituted or unsubstituted aminopyridine, substituted or unsubstituted aminoalkylpyridine, substituted or unsubstituted aminopyrrolidine, substituted or unsubstituted indazol,
Substituted or unsubstituted pyrazole, substituted or unsubstituted pyrazine, substituted or unsubstituted pyrimidine, substituted or unsubstituted purine, substituted or unsubstituted imidazoline, substituted or unsubstituted pyrazoline, substituted or unsubstituted piperazine, substituted Or, unsubstituted aminomorpholine, substituted or unsubstituted aminoalkylmorpholine and the like can be mentioned. Preferred substituents are an amino group,
An aminoalkyl group, an alkylamino group, an aminoaryl group, an arylamino group, an alkyl group, an alkoxy group, an acyl group, an acyloxy group, an aryl group, an aryloxy group, a nitro group, a hydroxyl group, and a cyano group. As particularly preferred compounds, guanidine, 1,1-dimethylguanidine, 1,1,3,3-tetramethylguanidine, 2-
Aminopyridine, 3-aminopyridine, 4-aminopyridine, 2-dimethylaminopyridine, 4-dimethylaminopyridine, 2-diethylaminopyridine, 2- (aminomethyl) pyridine, 2-amino-3-methylpyridine, 2-amino -4-methylpyridine, 2-amino-5
-Methylpyridine, 2-amino-6-methylpyridine,
3-aminoethylpyridine, 4-aminoethylpyridine, 3-aminopyrrolidine, piperazine, N- (2-aminoethyl) piperazine, N- (2-aminoethyl) piperidine, 4-amino-2,2,6,6 -Tetramethylpiperidine, 4-piperidinopiperidine, 2-iminopiperidine, 1- (2-aminoethyl) pyrrolidine, pyrazole, 3-amino-5-methylpyrazole, 5-amino-3-methyl-1-p- Tolylpyrazole, pyrazine, 2- (aminomethyl) -5-methylpyrazine, pyrimidine, 2,4-diaminopyrimidine, 4,6-dihydroxypyrimidine, 2-pyrazoline, 3-pyrazoline,
Examples include, but are not limited to, N-aminomorpholine, N- (2-aminoethyl) morpholine, and the like.

【0208】これらの含窒素塩基性化合物は、単独であ
るいは2種以上一緒に用いられる。含窒素塩基性化合物
の使用量は、感光性樹脂組成物(溶媒を除く)100重
量部に対し、通常、0.001〜10重量部、好ましく
は0.01〜5重量部である。0.001重量部未満で
は本発明の効果が得られない。一方、10重量部を超え
ると感度の低下や非露光部の現像性が悪化する傾向があ
る。
These nitrogen-containing basic compounds can be used alone or in combination of two or more. The amount of the nitrogen-containing basic compound to be used is generally 0.001-10 parts by weight, preferably 0.01-5 parts by weight, per 100 parts by weight of the photosensitive resin composition (excluding the solvent). If the amount is less than 0.001 part by weight, the effects of the present invention cannot be obtained. On the other hand, if it exceeds 10 parts by weight, the sensitivity tends to decrease and the developability of the unexposed part tends to deteriorate.

【0209】好適な染料としては油性染料及び塩基性染
料がある。具体的にはオイルイエロー#101、オイル
イエロー#103、オイルピンク#312、オイルグリ
ーンBG、オイルブルーBOS,オイルブルー#60
3、オイルブラックBY、オイルブラックBS、オイル
ブラックT−505(以上オリエント化学工業株式会社
製)、クリスタルバイオレット(CI42555)、メ
チルバイオレット(CI42535)、ローダミンB
(CI45170B)、マラカイトグリーン(CI42
000)、メチレンブルー(CI52015)等を挙げ
ることができる。
Preferred dyes include oil dyes and basic dyes. Specifically, Oil Yellow # 101, Oil Yellow # 103, Oil Pink # 312, Oil Green BG, Oil Blue BOS, Oil Blue # 60
3. Oil black BY, oil black BS, oil black T-505 (all manufactured by Orient Chemical Co., Ltd.), crystal violet (CI42555), methyl violet (CI42535), rhodamine B
(CI45170B), malachite green (CI42
000), methylene blue (CI52015) and the like.

【0210】さらに、下記に挙げるような分光増感剤を
添加し、使用する光酸発生剤が吸収を持たない遠紫外よ
り長波長領域に増感させることで、本発明の感光性組成
物をi又はg線に感度を持たせることができる。好適な
分光増感剤としては、具体的にはベンゾフェノン、p,
p’−テトラメチルジアミノベンゾフェノン、p,p’
−テトラエチルエチルアミノベンゾフェノン、2−クロ
ロチオキサントン、アントロン、9−エトキシアントラ
セン、アントラセン、ピレン、ペリレン、フェノチアジ
ン、ベンジル、アクリジンオレンジ、ベンゾフラビン、
セトフラビン−T、9,10−ジフェニルアントラセ
ン、9−フルオレノン、アセトフェノン、フェナントレ
ン、2−ニトロフルオレン、5−ニトロアセナフテン、
ベンゾキノン、2−クロロ−4−ニトロアニリン、N−
アセチル−p−ニトロアニリン、p−ニトロアニリ
ン、、N−アセチル−4−ニトロ−1−ナフチルアミ
ン、ピクラミド、アントラキノン、2−エチルアントラ
キノン、2−tert−ブチルアントラキノン1,2−ベン
ズアンスラキノン、3−メチル−1,3−ジアザ−1,
9−ベンズアンスロン、ジベンザルアセトン、1,2−
ナフトキノン、3,3’−カルボニル−ビス(5,7−
ジメトキシカルボニルクマリン)及びコロネン等である
がこれらに限定されるものではない。また、これらの分
光増感剤は、光源の遠紫外光の吸光剤としても使用可能
である。この場合、吸光剤は基板からの反射光を低減
し、レジスト膜内の多重反射の影響を少なくさせること
で、定在波改良の効果を発現する。
Further, a spectral sensitizer as described below is added to sensitize the photosensitive composition of the present invention to a longer wavelength region than far ultraviolet where the photoacid generator used has no absorption. Sensitivity can be given to i or g rays. Suitable spectral sensitizers include, specifically, benzophenone, p,
p'-tetramethyldiaminobenzophenone, p, p '
-Tetraethylethylaminobenzophenone, 2-chlorothioxanthone, anthrone, 9-ethoxyanthracene, anthracene, pyrene, perylene, phenothiazine, benzyl, acridine orange, benzoflavin,
Cetoflavin-T, 9,10-diphenylanthracene, 9-fluorenone, acetophenone, phenanthrene, 2-nitrofluorene, 5-nitroacenaphthene,
Benzoquinone, 2-chloro-4-nitroaniline, N-
Acetyl-p-nitroaniline, p-nitroaniline, N-acetyl-4-nitro-1-naphthylamine, picramide, anthraquinone, 2-ethylanthraquinone, 2-tert-butylanthraquinone 1,2-benzanthraquinone, 3- Methyl-1,3-diaza-1,
9-benzanthrone, dibenzalacetone, 1,2-
Naphthoquinone, 3,3′-carbonyl-bis (5,7-
Dimethoxycarbonylcoumarin) and coronene, but are not limited thereto. Further, these spectral sensitizers can also be used as a light absorbing agent for far ultraviolet light of a light source. In this case, the light absorbing agent exerts the effect of improving the standing wave by reducing the reflected light from the substrate and reducing the influence of multiple reflection in the resist film.

【0211】本発明のポジ型感光性組成物は、上記各成
分を溶解する溶媒に溶かして支持体上に塗布する。ここ
で使用する溶媒としては、エチレンジクロライド、シク
ロヘキサノン、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、γ
−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリ
コールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエ
チルエーテル、2−メトキシエチルアセテート、エチレ
ングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチ
ル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メ
チル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチ
ル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、N,N−
ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メ
チルピロリドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、こ
れらの溶媒を単独あるいは混合して使用する。
The positive photosensitive composition of the present invention is dissolved in a solvent in which each of the above components is dissolved, and coated on a support. As the solvent used here, ethylene dichloride, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, γ
-Butyrolactone, methyl ethyl ketone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 2-methoxyethyl acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, toluene, ethyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate , Methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, N, N-
Dimethylformamide, dimethylsulfoxide, N-methylpyrrolidone, tetrahydrofuran and the like are preferable, and these solvents are used alone or in combination.

【0212】上記溶媒に界面活性剤を加えることもでき
る。具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエーテ
ル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキ
シエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイ
ルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル
類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、
ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリ
オキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシ
エチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー
類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミ
テート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノ
オレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタント
リステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリ
オキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシ
エチレンソルビタンモノパルミテ−ト、ポリオキシエチ
レンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレン
ソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビ
タントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタ
ン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフト
ップEF301,EF303,EF352(新秋田化成
(株)製)、メガファックF171,F173 (大日
本インキ(株)製)、フロラ−ドFC430,FC43
1(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG71
0,サーフロンS−382,SC101,SC102,
SC103,SC104,SC105,SC106(旭
硝子(株)製)等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロ
キサンポリマーKP341(信越化学工業(株)製)や
アクリル酸系もしくはメタクリル酸系(共)重合ポリフ
ローNo.75,No.95(共栄社油脂化学工業
(株)製)等を挙げることができる。これらの界面活性
剤の配合量は、本発明の組成物中の固形分100重量部
当たり、通常、2重量部以下、好ましくは1重量部以下
である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよい
し、また、いくつかの組み合わせで添加することもでき
る。
A surfactant may be added to the above solvents. Specifically, polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene cetyl ether, polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octyl phenol ether,
Polyoxyethylene alkyl allyl ethers such as polyoxyethylene nonylphenol ether, polyoxyethylene / polyoxypropylene block copolymers, sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan monostearate, sorbitan monooleate, sorbitan trioleate, Sorbitan fatty acid esters such as sorbitan tristearate, polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopalmitate, polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyoxyethylene sorbitan trioleate, polyoxyethylene sorbitan tristearate Surfactants such as polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters such as acrylates and the like, F-top EF301, E 303, EF352 (manufactured by Shin Akita Kasei Co., Ltd.), Megafac F171, F173 (manufactured by Dainippon Ink Co., Ltd.), Flora - de FC430, FC43
1 (manufactured by Sumitomo 3M Limited), Asahi Guard AG71
0, Surflon S-382, SC101, SC102,
Fluorinated surfactants such as SC103, SC104, SC105, SC106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), and acrylic or methacrylic (co) polymerized polyflow No. 75, no. 95 (manufactured by Kyoeisha Yushi Kagaku Kogyo KK) and the like. The amount of these surfactants is usually 2 parts by weight or less, preferably 1 part by weight or less, per 100 parts by weight of the solids in the composition of the present invention. These surfactants may be added alone or in some combination.

【0213】上記感光性組成物を精密集積回路素子の製
造に使用されるような基板(例:シリコン/二酸化シリ
コン被覆)上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法
により塗布後、所定のマスクを通して露光し、ベークを
行い現像することにより良好なレジストパターンを得る
ことができる。
The photosensitive composition is applied on a substrate (eg, silicon / silicon dioxide coating) which is used for manufacturing precision integrated circuit devices by a suitable application method such as a spinner or a coater, and then passed through a predetermined mask. By exposing, baking and developing, a good resist pattern can be obtained.

【0214】本発明の感光性組成物の現像液としては、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア
水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルア
ミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチ
ルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチル
ジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノール
アミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン
類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム
塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカ
リ性水溶液を使用することができる。更に、上記アルカ
リ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加し
て使用することもできる。
The developer of the photosensitive composition of the present invention includes
Sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate,
Inorganic alkalis such as sodium silicate, sodium metasilicate and aqueous ammonia, primary amines such as ethylamine and n-propylamine, secondary amines such as diethylamine and di-n-butylamine, and triethylamine and methyldiethylamine Use alkaline aqueous solutions such as triamines, alcoholamines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide, and cyclic amines such as pyrrole and pichelidine. be able to. Further, an appropriate amount of an alcohol or a surfactant may be added to the above alkaline aqueous solution.

【0215】[0215]

【実施例】以下、本発明を実施例により更に具体的に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 〔合成例I−1 ビニルエーテルの合成〕p−シクロヘ
キシルフェノール83.1g(0.5モル)を300m
lのトルエンに溶解し、次いで2−クロロエチルビニル
エーテル150gを加え、さらに水酸化ナトリウム25
g、テトラブチルアンモニウムブロミド5g、トリエチ
ルアミン60gを加えて、120℃にて5時間加熱攪拌
した。反応液を水洗し、減圧留去にて過剰のクロロレチ
ルビニルエーテルとトルエンを除去した。得られたオイ
ル分から、減圧蒸留により、目的物であるp−シクロヘ
キシルフェノキシエチルビニルエーテル(X−1)を得
た。 〔合成例I−2、3、4、5、6、7、8、9〕合成例
I−1と同様にして、以下に示すビニルエーテルX−
2,X−3,X−4,X−5,X−6,X−7,X−
8,X−9をそれぞれ得た。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. [Synthesis Example I-1 Synthesis of vinyl ether] 83.1 g (0.5 mol) of p-cyclohexylphenol was added to 300 m
l of toluene, 150 g of 2-chloroethyl vinyl ether is added, and sodium hydroxide 25
g, 5 g of tetrabutylammonium bromide and 60 g of triethylamine, and the mixture was heated and stirred at 120 ° C. for 5 hours. The reaction solution was washed with water, and excess chlororetyl vinyl ether and toluene were removed by distillation under reduced pressure. From the obtained oil component, p-cyclohexylphenoxyethyl vinyl ether (X-1) was obtained by distillation under reduced pressure. [Synthesis Example I-2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9] In the same manner as in Synthesis Example I-1, vinyl ether X-
2, X-3, X-4, X-5, X-6, X-7, X-
8, X-9 were obtained, respectively.

【0216】[0216]

【化122】 Embedded image

【0217】[0219]

【化123】 Embedded image

【0218】〔合成例II−1〕p−アセトキシスチレン
32.4g(0.2モル)を酢酸ブチル120mlに溶
解し、窒素気流および攪拌下、80℃にてアゾビスイソ
ブチロニトリル(AIBN)0.033gを2.5時間
置きに3回添加し、最後に更に5時間攪拌を続けること
により、重合反応を行った。反応液をヘキサン1200
mlに投入し、白色の樹脂を析出させた。得られた樹脂
を乾燥後、メタノール150mlに溶解した。これに水
酸化ナトリウム7.7g(0.19モル)/水50ml
の水溶液を添加し、3時間加熱還流することにより加水
分解させた。その後、水200mlを加えて希釈し、塩
酸にて中和し白色の樹脂を析出させた。この樹脂を濾別
し、水洗・乾燥させた。更にテトラヒドロフラン200
mlに溶解し、5Lの超純水中に激しく攪拌しながら滴
下、再沈を行った。この再沈操作を3回繰り返した。得
られた樹脂を真空乾燥器中で120℃、12時間乾燥
し、ポリ(p−ヒドロキシスチレン)アルカリ可溶性樹
脂R−1を得た。得られた樹脂の重量平均分子量は15
000であった。
[Synthesis Example II-1] 32.4 g (0.2 mol) of p-acetoxystyrene was dissolved in 120 ml of butyl acetate, and azobisisobutyronitrile (AIBN) was added at 80 ° C. under a nitrogen stream and stirring. 0.033 g was added three times every 2.5 hours, and finally, stirring was continued for another 5 hours to carry out a polymerization reaction. The reaction solution was hexane 1200
Then, white resin was precipitated. After drying the obtained resin, it was dissolved in 150 ml of methanol. 7.7 g (0.19 mol) of sodium hydroxide / 50 ml of water
Was added thereto, and the mixture was hydrolyzed by heating under reflux for 3 hours. Thereafter, 200 ml of water was added for dilution, and neutralized with hydrochloric acid to precipitate a white resin. This resin was separated by filtration, washed with water and dried. Further tetrahydrofuran 200
The solution was dropped into 5 L of ultrapure water with vigorous stirring and reprecipitated. This reprecipitation operation was repeated three times. The obtained resin was dried in a vacuum dryer at 120 ° C. for 12 hours to obtain a poly (p-hydroxystyrene) alkali-soluble resin R-1. The weight average molecular weight of the obtained resin is 15
000.

【0219】〔合成例II−2〕常法に基づいて脱水、蒸
留精製したp−tert−ブトキシスチレンモノマー3
5.25g(0.2モル)およびスチレンモノマー5.
21g(0.05モル)をテトラヒドロフラン100m
lに溶解した。窒素気流および攪拌下、80℃にてアゾ
ビスイソブチロニトリル(AIBN)0.033gを
2.5時間置きに3回添加し、最後に更に5時間攪拌を
続けることにより、重合反応を行った。反応液をヘキサ
ン1200mlに投入し、白色の樹脂を析出させた。得
られた樹脂を乾燥後、テトラヒドロフラン150mlに
溶解した。これに4N塩酸を添加し、6時間加熱還流す
ることにより加水分解させた後、5Lの超純水に再沈
し、この樹脂を濾別し、水洗・乾燥させた。更にテトラ
ヒドロフラン200mlに溶解し、5Lの超純水中に激
しく攪拌しながら滴下、再沈を行った。この再沈操作を
3回繰り返した。得られた樹脂を真空乾燥器中で120
℃、12時間乾燥し、ポリ(p−ヒドロキシスチレン/
スチレン)共重合体アルカリ可溶性樹脂R−2を得た。
得られた樹脂の重量平均分子量は12000であった。
[Synthesis Example II-2] p-tert-butoxystyrene monomer 3 dehydrated and purified by distillation according to a conventional method
5.25 g (0.2 mol) and styrene monomer
21 g (0.05 mol) in tetrahydrofuran 100 m
l. Under a nitrogen stream and stirring, at 80 ° C., 0.033 g of azobisisobutyronitrile (AIBN) was added three times every 2.5 hours, and finally, stirring was continued for another 5 hours to carry out a polymerization reaction. . The reaction solution was poured into 1200 ml of hexane to precipitate a white resin. After drying the obtained resin, it was dissolved in 150 ml of tetrahydrofuran. 4N hydrochloric acid was added thereto, and the mixture was hydrolyzed by heating under reflux for 6 hours, and then reprecipitated in 5 L of ultrapure water. The resin was separated by filtration, washed with water and dried. Further, it was dissolved in 200 ml of tetrahydrofuran, and dropped and reprecipitated in 5 L of ultrapure water with vigorous stirring. This reprecipitation operation was repeated three times. The obtained resin is dried in a vacuum dryer for 120 minutes.
C. and dried for 12 hours.
A (styrene) copolymer alkali-soluble resin R-2 was obtained.
The weight average molecular weight of the obtained resin was 12,000.

【0220】〔合成例II−3〕p−アセトキシスチレン
32.4g(0.2モル)およびメタクリル酸メチル
7.01g(0.07モル)を酢酸ブチル120mlに
溶解し、窒素気流および攪拌下、80℃にてアゾビスイ
ソブチロニトリル(AIBN)0.033gを2.5時
間置きに3回添加し、最後に更に5時間攪拌を続けるこ
とにより、重合反応を行った。反応液をヘキサン120
0mlに投入し、白色の樹脂を析出させた。得られた樹
脂を乾燥後、メタノール200mlに溶解した。これに
水酸化ナトリウム7.7g(0.19モル)/水50m
lの水溶液を添加し、1時間加熱還流することにより加
水分解させた。その後、水200mlを加えて希釈し、
塩酸にて中和し白色の樹脂を析出させた。この樹脂を濾
別し、水洗・乾燥させた。更にテトラヒドロフラン20
0mlに溶解し、5Lの超純水中に激しく攪拌しながら
滴下、再沈を行った。この再沈操作を3回繰り返した。
得られた樹脂を真空乾燥器中で120℃、12時間乾燥
し、ポリ(p−ヒドロキシスチレン/メタクリル酸メチ
ル)共重合体アルカリ可溶性樹脂R−3を得た。得られ
た樹脂の重量平均分子量は10000であった。
[Synthesis Example II-3] 32.4 g (0.2 mol) of p-acetoxystyrene and 7.01 g (0.07 mol) of methyl methacrylate were dissolved in 120 ml of butyl acetate. At 80 ° C., 0.033 g of azobisisobutyronitrile (AIBN) was added three times every 2.5 hours, and finally, stirring was continued for another 5 hours to carry out a polymerization reaction. The reaction solution was hexane 120
The solution was added to 0 ml to precipitate a white resin. After drying the obtained resin, it was dissolved in 200 ml of methanol. 7.7 g (0.19 mol) of sodium hydroxide / 50 m of water
l of an aqueous solution was added, and the mixture was hydrolyzed by heating under reflux for 1 hour. Then, add 200 ml of water and dilute,
Neutralized with hydrochloric acid to precipitate a white resin. This resin was separated by filtration, washed with water and dried. Furthermore, tetrahydrofuran 20
The solution was dissolved in 0 ml, dropped into 5 L of ultrapure water with vigorous stirring, and reprecipitated. This reprecipitation operation was repeated three times.
The obtained resin was dried in a vacuum dryer at 120 ° C. for 12 hours to obtain a poly (p-hydroxystyrene / methyl methacrylate) copolymer alkali-soluble resin R-3. The weight average molecular weight of the obtained resin was 10,000.

【0221】〔合成例II−4〕日本曹達株式会社製、ポ
リ(p−ヒドロキシスチレン)(VP8000)をアル
カリ可溶性樹脂R−4とした。重量平均分子量は980
0であった。
[Synthesis Example II-4] Poly (p-hydroxystyrene) (VP8000) manufactured by Nippon Soda Co., Ltd. was used as alkali-soluble resin R-4. Weight average molecular weight is 980
It was 0.

【0222】 〔合成例III−1〕 合成例II−4で得られたアルカリ可溶性樹脂R−4 20g テトラヒドロフラン 80ml 合成例I−1で得られたビニルエーテルX−1 6.50g をフラスコ中で混合し、 p−トルエンスルホン酸 10mg を添加して、室温下18時間攪拌した。反応液を、超純
水5L中に激しく攪拌しながら滴下、再沈を行った。得
られた樹脂を真空乾燥器中で70℃下、12時間乾燥
し、本発明に係る置換基を有するアルカリ可溶性樹脂B
−1を得た。
Synthesis Example III-1 20 g of alkali-soluble resin R-4 obtained in Synthesis Example II-4 80 ml of tetrahydrofuran 6.50 g of vinyl ether X-1 obtained in Synthesis Example I-1 were mixed in a flask. Then, 10 mg of p-toluenesulfonic acid was added, and the mixture was stirred at room temperature for 18 hours. The reaction solution was dripped into 5 L of ultrapure water while vigorously stirring to reprecipitate. The obtained resin is dried in a vacuum dryer at 70 ° C. for 12 hours, and the alkali-soluble resin B having a substituent according to the present invention is obtained.
-1 was obtained.

【0223】〔合成例III−2〜III−15〕下記表1に
示したアルカリ可溶性樹脂とビニルエーテルを用い、合
成例III−1と同様にして本発明に係る置換基を有する
アルカリ可溶性樹脂B−2〜B−15を得た。
[Synthesis Examples III-2 to III-15] Using the alkali-soluble resin and vinyl ether shown in Table 1 below, the alkali-soluble resin B- having a substituent according to the present invention was prepared in the same manner as in Synthesis Example III-1. 2 to B-15 were obtained.

【0224】 〔合成例III−16〕 合成例II−4で得られたアルカリ可溶性樹脂R−4 20g テトラヒドロフラン 80ml 合成例I−1で得られたビニルエーテルX−1 6.50g をフラスコ中で混合し、 p−トルエンスルホン酸 10mg を添加して、室温下18時間攪拌した。さらに、ピリジ
ン1.6g、無水酢酸1.72gを添加し、室温下6時
間攪拌した。反応液を、超純水5L中に激しく攪拌しな
がら滴下、再沈を行った。得られた樹脂を真空乾燥器中
で70℃下、12時間乾燥し、本発明に係る置換基を有
するアルカリ可溶性樹脂B−16を得た。
[Synthesis Example III-16] 20 g of alkali-soluble resin R-4 obtained in Synthesis Example II-4 80 ml of tetrahydrofuran 6.50 g of vinyl ether X-1 obtained in Synthesis Example I-1 were mixed in a flask. Then, 10 mg of p-toluenesulfonic acid was added, and the mixture was stirred at room temperature for 18 hours. Further, 1.6 g of pyridine and 1.72 g of acetic anhydride were added, and the mixture was stirred at room temperature for 6 hours. The reaction solution was dripped into 5 L of ultrapure water while vigorously stirring to reprecipitate. The obtained resin was dried in a vacuum dryer at 70 ° C. for 12 hours to obtain an alkali-soluble resin B-16 having a substituent according to the present invention.

【0225】〔合成例III−17〜III−21〕下記表1
に示したアルカリ可溶性樹脂、ビニルエーテル、酸無水
物を用い、合成例III−1と同様にして本発明に係る置
換基を有するアルカリ可溶性樹脂B−17〜B−21を
得た。
[Synthesis Examples III-17 to III-21] Table 1 below
The alkali-soluble resins B-17 to B-21 having a substituent according to the present invention were obtained in the same manner as in Synthesis Example III-1 using the alkali-soluble resins, vinyl ethers, and acid anhydrides shown in (1).

【0226】[0226]

【表1】 [Table 1]

【0227】〔合成例IV−1〜IV−4〕下記表2に示し
たアルカリ可溶性樹脂と、下記式で示されるエチルビニ
ルエーテル(Y−1)、ナフチルオキシエチルビニルエ
ーテル(Y−2)、(ベンジルオキシエトキシ)エチル
ビニルエーテル(Y−3)を用い、樹脂C−1〜C−3
を得た。
[Synthesis Examples IV-1 to IV-4] Alkali-soluble resins shown in Table 2 below, ethyl vinyl ether (Y-1), naphthyloxyethyl vinyl ether (Y-2) and (benzyl Using (oxyethoxy) ethyl vinyl ether (Y-3), resins C-1 to C-3
I got

【0228】[0228]

【化124】 Embedded image

【0229】[0229]

【表2】 [Table 2]

【0230】(実施例1〜21、比較例1〜4) 〔感光性組成物の調製と評価〕下記表3に示す各素材を
PGMEA(プロピレングリコールモノエチルエーテル
アセテート)8gに溶解し、0.2μmのフィルターで
濾過してレジスト溶液を作成した。このレジスト溶液
を、スピンコーターを利用して、シリコンウエハー上に
塗布し、130℃、60秒間真空吸着型のホットプレー
トで乾燥して、膜厚0.8μmのレジスト膜を得た。
(Examples 1 to 21, Comparative Examples 1 to 4) [Preparation and Evaluation of Photosensitive Composition] Each of the materials shown in Table 3 below was dissolved in 8 g of PGMEA (propylene glycol monoethyl ether acetate). The solution was filtered through a 2 μm filter to prepare a resist solution. This resist solution was applied on a silicon wafer using a spin coater, and dried on a vacuum suction type hot plate at 130 ° C. for 60 seconds to obtain a resist film having a thickness of 0.8 μm.

【0231】[0231]

【表3】 [Table 3]

【0232】また、実施例に用いた各光酸発生剤および
有機塩基化合物を以下に示す。
The photoacid generators and organic base compounds used in the examples are shown below.

【0233】[0233]

【化125】 Embedded image

【0234】このレジスト膜に、248nmKrFエキ
シマレーザーステッパー(NA=0.45)を用いて露
光を行った。露光後100℃ホットプレートで60秒間
加熱を行い、直ちに0.26Nテトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液で60秒間浸
漬し、30秒間水でリンスして乾燥した。このようにし
て得られたシリコンウェハー上のパターンを走査型電子
顕微鏡で観察し、レジストの性能を評価した。その結果
を表3に示す。解像力は0.30μmのラインアンドス
ペースのマスクパターンを再現する露光量における限界
解像力を表す。得られたレジストパターンを光学顕微鏡
あるいはSEMで観察し表面のざらつきを評価した。表
面がきれいなものを○、若干ざらつきが観察されるもの
を△、顕著なざらつきのものを×とした。さらに、耐ド
ライエッチング性については、通常の方法にてドライエ
ッチを行い、ノボラック樹脂を1.0とした相対値にて
評価した。数値が1.0に近づいているものが良好なも
のとなる。また、パターンプロファイルの矩形性は、露
光・現像後SEMにより観察し、以下の基準で評価し
た。 ◎:パターン側壁と基板との角度が90度(即ち、垂
直)かつパターン側壁とパターン表面との角度が直角 ○:パターン側壁と基板との角度が85〜95度(ほぼ
垂直)かつパターン側壁とパターン表面との角度がほぼ
直角 ×:パターン側壁と基板との角度が85度以下あるいは
95度以上(テーパーあるいは逆テーパー)又はパター
ン側壁とパターン表面との角が丸い
This resist film was exposed using a 248 nm KrF excimer laser stepper (NA = 0.45). After the exposure, the film was heated on a hot plate at 100 ° C. for 60 seconds, immediately immersed in a 0.26 N aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) for 60 seconds, rinsed with water for 30 seconds, and dried. The pattern on the silicon wafer thus obtained was observed with a scanning electron microscope, and the performance of the resist was evaluated. Table 3 shows the results. The resolving power indicates a limit resolving power at an exposure amount for reproducing a 0.30 μm line and space mask pattern. The resulting resist pattern was observed with an optical microscope or SEM to evaluate the roughness of the surface. A sample with a clean surface was rated as ○, a sample with slight roughness observed was rated as Δ, and a sample with marked roughness was rated as ×. Further, the dry etching resistance was evaluated by a relative value with the novolak resin being 1.0, after performing dry etching by an ordinary method. Those with numerical values approaching 1.0 are good. The rectangularity of the pattern profile was observed by SEM after exposure and development, and evaluated according to the following criteria. A: The angle between the pattern side wall and the substrate is 90 degrees (that is, perpendicular) and the angle between the pattern side wall and the pattern surface is right. O: The angle between the pattern side wall and the substrate is 85 to 95 degrees (substantially perpendicular) and the pattern side wall. The angle between the pattern surface and the pattern surface is almost right. ×: The angle between the pattern side wall and the substrate is 85 degrees or less or 95 degrees or more (taper or reverse taper) or the angle between the pattern side wall and the pattern surface is round.

【0235】[0235]

【表4】 [Table 4]

【0236】表4の結果から明らかなように、本発明に
係る各実施例のポジ型フォトレジスト組成物は、それぞ
れ満足すべき結果を得たが、各比較例のフォトレジスト
組成物は、不満足なものであった。
As is clear from the results shown in Table 4, the positive photoresist compositions of the examples according to the present invention each obtained satisfactory results, but the photoresist compositions of the comparative examples did not. It was something.

【0237】[0237]

【発明の効果】本発明によれば、パターンプロファイル
の形状、特にパターンの側壁形状のスムーズ性に優れ、
ドライエッチング耐性が高く、表面ザラツキの少ない、
高感度で高解像力を有する優れた化学増幅型ポジ型フォ
トレジスト組成物が提供される。
According to the present invention, the smoothness of the shape of the pattern profile, particularly the shape of the side wall of the pattern, is excellent.
High dry etching resistance, less surface roughness,
An excellent chemically amplified positive photoresist composition having high sensitivity and high resolution is provided.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H025 AA00 AA01 AA02 AA03 AA09 AB03 AB15 AB16 AB20 AC01 AC04 AC08 AD03 BE00 BE07 BE10 BG00 CB16 CB17 CB41 CB45 CB52 CC20 FA17 2H096 AA06 AA25 AA26 AA30 BA11 EA02 EA03 EA05 GA08  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H025 AA00 AA01 AA02 AA03 AA09 AB03 AB15 AB16 AB20 AC01 AC04 AC08 AD03 BE00 BE07 BE10 BG00 CB16 CB17 CB41 CB45 CB52 CC20 FA17 2H096 AA06 AA25 AA26 AA30 EA02 GA03 EA02

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (a)活性光線又は放射線の照射によ
り、スルホン酸を発生する下記一般式(A−1)、(A
−2)、(A−3)、(A−4)、(A−5)、(A−
6)及び(A−7)で表される化合物のうち少なくとも
1種、及び(b)下記一般式(I)及び一般式(II)で
表される繰り返し構造単位若しくは下記一般式(I)、
一般式(II)及び一般式(III) で表される繰り返し構造
単位を含む、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中
での溶解度が増大する樹脂、を含有することを特徴とす
るポジ型感光性組成物。 【化1】 式(A−1)、(A−2)中、R1 〜R5 は、同一でも
異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、シクロア
ルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原
子、又は−S−R6 基を示す。R6 はアルキル基、又は
アリール基を示す。X- は、分岐状又は環状の炭素数8
個以上のアルキル基及びアルコキシ基の群の中から選ば
れる基を少なくとも1個有するか、直鎖状、分岐状又は
環状の炭素数4〜7個のアルキル基及びアルコキシ基の
群の中から選ばれる基を少なくとも2個有するか、直鎖
状又は分岐状の炭素数1〜3個のアルキル基及びアルコ
キシ基の群の中から選ばれる基を少なくとも3個有する
か、1〜5個のハロゲン原子を有するか、若しくは直鎖
状又は分岐状の炭素数1〜10のエステル基を有するベ
ンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸又はアントラ
センスルホン酸のアニオンを示す。 【化2】 式(A−3)中、R7 〜R10は、同一でも異なっていて
もよく、各々水素原子、アルキル基、シクロアルキル
基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、又はハロゲン原子を
示す。X- は、分岐状又は環状の炭素数8個以上のアル
キル基及びアルコキシ基の群の中から選ばれる基を少な
くとも1個有するか、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数
4〜7個のアルキル基及びアルコキシ基の群の中から選
ばれる基を少なくとも2個有するか、もしくは直鎖状又
は分岐状の炭素数1〜3個のアルキル基及びアルコキシ
基の群の中から選ばれる基を少なくとも3個有するベン
ゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸又はアントラセ
ンスルホン酸のアニオンを示す。m、n、p及びqは、
各々1〜3の整数を示す。 【化3】 式(A−4)中、R11〜R13は、同一でも異なっていて
もよく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ア
ルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子又は−S−R
6 基を示す。R6 、X- は前記と同義である。l、m及
びnは、同じでも異なってもよく、1〜3の整数を示
す。l、m及びnが各々2又は3の場合、2〜3個のR
11〜R13のうちの各々の2個が互いに結合して、炭素
環、複素環又は芳香環を含む5〜8個の元素から成る環
を形成してもよい。 【化4】 式(A−5)中、R14〜R16は、同一でも異なっていて
もよく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ア
ルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子又は−S−R
6 基を示す。R6 、X- は前記と同義である。l、m及
びnは、同じでも異なってもよく、1〜3の整数を示
す。l、m及びnが各々2又は3の場合、2〜3個のR
14〜R16のうちの各々の2個が互いに結合して、炭素
環、複素環又は芳香環を含む5〜8個の元素から成る環
を形成してもよい。 【化5】 式(A−6)中、Yは置換基を有していてもよい直鎖、
分岐、環状アルキル基、置換されていてもよいアラルキ
ル基、 【化6】 で表される基を示す(R31〜R51は、同一でも異なって
いてもよく、水素原子、置換基を有していてもよい直
鎖、分岐、環状アルキル基、アルコキシ基、アシル基、
アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アリール基、ア
シロキシ基、アラルキル基もしくはアルコキシカルボニ
ル基、又はホルミル基、ニトロ基、塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子、水酸基、もしくはシアノ基を示し、R
31〜R35、R36 〜R42及びR43〜R51はそれぞれの群の
うちの2つが結合して炭素及び/又はヘテロ原子からな
る5〜8員環を形成していもよい)。また、Yは別のイ
ミドスルホネート化合物の残基と結合していてもよい。
Xは置換基を有していてもよい直鎖、分岐アルキレン
基、置換基を有していてもよくヘテロ原子を含んでいて
もよい単環又は多環環状アルキレン基、置換されていて
もよい直鎖、分岐アルケニレン基、置換されていてもよ
くヘテロ原子を含んでいてもよい単環又は多環環状アル
ケニレン基、置換されていてもよいアリーレン基、置換
されていてもよいアラルキレン基を示す。また、Xは別
のイミドスルホネート残基と結合していてもよい。 Ar1 −SO2 −SO2 −Ar2 (A−7) 式(A−7)中、Ar1 、Ar2 は、同一でも異なって
いてもよく、置換もしくは未置換のアリール基を示す。 【化7】 式(I)〜(III)中、R21は水素原子又はメチル基を表
し、R23は酸の作用により分解しない基を表し、R24
水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、ア
ルコキシ基、アシル基又はアシロキシ基を表す。nは1
〜3の整数を表す。式(II)中、R'1、R'2は、同一で
も異なっていてもよく、水素原子、又は炭素数1〜4の
アルキル基を表し、Wは2価の有機基を表し、R'3は、
総炭素数1〜20の置換基を有してもよい鎖状アルキル
基、総炭素数3〜20の置換基を有してもよい環状アル
キル基、総炭素数6〜30の置換基を有してもよいアリ
ール基、又は総炭素数7〜30の置換基を有してもよい
アラルキル基を表す。
(1) by irradiation with actinic rays or radiation;
The following general formulas (A-1) and (A
-2), (A-3), (A-4), (A-5), (A-
6) and at least the compounds represented by (A-7)
One kind, and (b) the following general formulas (I) and (II)
A repeating structural unit represented by the following general formula (I),
The repeating structure represented by the general formula (II) and the general formula (III)
Decomposed by the action of acid containing unit
Characterized by containing a resin that increases the solubility in
Positive photosensitive composition. Embedded imageIn the formulas (A-1) and (A-2), R1~ RFiveIs the same
May be different and include a hydrogen atom, an alkyl group,
Alkyl group, alkoxy group, hydroxy group, halogen source
Child or -SR6Represents a group. R6Is an alkyl group, or
Indicates an aryl group. X-Is a branched or cyclic carbon number 8
Selected from the group of more than one alkyl and alkoxy groups
Having at least one group, linear, branched or
Cyclic alkyl and alkoxy groups having 4 to 7 carbon atoms
Having at least two groups selected from the group
Or branched alkyl groups having 1 to 3 carbon atoms and alcohols
Having at least three groups selected from the group of xyl groups
Having 1 to 5 halogen atoms, or linear
Having a linear or branched ester group having 1 to 10 carbon atoms.
Benzene sulfonic acid, naphthalene sulfonic acid or anthra
Shows the anion of sensulfonic acid. Embedded imageIn the formula (A-3), R7~ RTenAre the same but different
Each may be a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl
Group, an alkoxy group, a hydroxy group, or a halogen atom
Show. X-Is a branched or cyclic alkyl having 8 or more carbon atoms.
Groups selected from the group consisting of
Having at least one, linear, branched or cyclic carbon number
Selected from the group of 4-7 alkyl and alkoxy groups
Having at least two groups,
Is a branched alkyl group having 1 to 3 carbon atoms and alkoxy
Bennes having at least three groups selected from the group of groups
Zensulfonic acid, naphthalenesulfonic acid or anthracene
3 shows the anion of sulfonic acid. m, n, p and q are
Each represents an integer of 1 to 3. Embedded imageIn the formula (A-4), R11~ R13Are the same but different
Hydrogen, alkyl, cycloalkyl,
Alkoxy group, hydroxy group, halogen atom or -SR
6Represents a group. R6, X-Is as defined above. l, m and
And n may be the same or different and represent an integer of 1 to 3
You. When l, m and n are each 2 or 3, 2-3 R
11~ R13Two of each are bonded to each other to form a carbon
Ring consisting of 5 to 8 elements including ring, heterocycle or aromatic ring
May be formed. Embedded imageIn the formula (A-5), R14~ R16Are the same but different
Hydrogen, alkyl, cycloalkyl,
Alkoxy group, hydroxy group, halogen atom or -SR
6Represents a group. R6, X-Is as defined above. l, m and
And n may be the same or different and represent an integer of 1 to 3
You. When l, m and n are each 2 or 3, 2-3 R
14~ R16Two of each are bonded to each other to form a carbon
Ring consisting of 5 to 8 elements including ring, heterocycle or aromatic ring
May be formed. Embedded imageIn the formula (A-6), Y represents a linear group which may have a substituent,
Branched or cyclic alkyl group, optionally substituted aralkyl
Group,Represents a group represented by (R31~ R51Are the same but different
And may have a hydrogen atom or a substituent.
Chain, branch, cyclic alkyl group, alkoxy group, acyl group,
Acylamino group, sulfonylamino group, aryl group,
Siloxy group, aralkyl group or alkoxycarbonyl
Group, formyl group, nitro group, chlorine atom, bromine atom
Represents an iodine atom, a hydroxyl group, or a cyano group;
31~ R35, R36 ~ R42And R43~ R51Is for each group
Two of which combine to form carbon and / or heteroatoms
Or a 5- to 8-membered ring). Y is another
It may be bonded to the residue of the midosulfonate compound.
X is a linear or branched alkylene which may have a substituent
Group, which may have a substituent and contains a hetero atom
A monocyclic or polycyclic alkylene group, which may be substituted
Linear or branched alkenylene group, which may be substituted
Monocyclic or polycyclic alkoyls which may contain heteroatoms
Kenylene group, optionally substituted arylene group, substituted
Represents an aralkylene group which may be substituted. Also, X is different
May be bonded to the imidosulfonate residue of Ar1-SOTwo-SOTwo-ArTwo (A-7) In the formula (A-7), Ar1, ArTwoAre the same but different
And represents a substituted or unsubstituted aryl group. Embedded imageIn the formulas (I) to (III), Rtwenty oneRepresents a hydrogen atom or a methyl group
Then Rtwenty threeRepresents a group that is not decomposed by the action of an acid;twenty fourIs
Hydrogen atom, halogen atom, alkyl group, aryl group,
Represents a lucoxy group, an acyl group or an acyloxy group. n is 1
Represents an integer of 1 to 3. In the formula (II), R ′1, R 'TwoAre the same
May be different, a hydrogen atom, or a group having 1 to 4 carbon atoms.
R represents an alkyl group; W represents a divalent organic group;ThreeIs
Chain alkyl optionally having 1 to 20 carbon atoms
Group, a cyclic alkyl group which may have a substituent having 3 to 20 carbon atoms in total.
Ali group which may have a kill group or a substituent having 6 to 30 carbon atoms in total
Or a substituent having a total carbon number of 7 to 30.
Represents an aralkyl group.
【請求項2】 前記式(II)のR'3が、総炭素数11〜
20の置換基を有してもよい鎖状アルキル基、総炭素数
11〜20の置換基を有してもよい環状アルキル基、総
炭素数11〜30の置換基を有してもよいアリール基、
又は総炭素数12〜30の置換基を有してもよいアラル
キル基を表すことを特徴とする請求項1に記載のポジ型
感光性組成物。
2. The compound represented by the formula (II), wherein R ′ 3 is a total of 11 to 11 carbon atoms.
A chain alkyl group optionally having 20 substituents, a cyclic alkyl group optionally having 11 to 20 carbon atoms, and an aryl optionally having 11 to 30 carbon atoms Group,
The positive photosensitive composition according to claim 1, which represents an aralkyl group which may have a substituent having 12 to 30 carbon atoms in total.
【請求項3】 前記式(II)のR'3が、総炭素数11〜
18の置換基を有してもよい鎖状アルキル基、総炭素数
11〜18の置換基を有してもよい環状アルキル基、総
炭素数11〜25の置換基を有してもよいアリール基、
又は総炭素数12〜25の置換基を有してもよいアラル
キル基を表すことを特徴とする請求項1又は請求項2に
記載のポジ型感光性組成物。
3. The compound represented by the formula (II), wherein R ′ 3 has a total carbon number of 11 to 11.
A chain alkyl group optionally having 18 substituents, a cyclic alkyl group optionally having 11 to 18 carbon atoms, and an aryl optionally having 11 to 25 carbon atoms Group,
The positive photosensitive composition according to claim 1, wherein the positive photosensitive composition represents an aralkyl group which may have a substituent having 12 to 25 carbon atoms in total.
【請求項4】 酸により分解し得る基を有し、アルカリ
現像液中での溶解度が酸の作用により増大する、分子量
3000以下の低分子酸分解性溶解阻止化合物を含有す
ることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載
のポジ型感光性組成物。
4. A low molecular weight acid-decomposable dissolution inhibiting compound having a molecular weight of 3,000 or less, which has a group decomposable by an acid and whose solubility in an alkaline developer is increased by the action of an acid. The positive photosensitive composition according to claim 1.
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