JP2000258299A - 光デバイスの特性評価システム - Google Patents
光デバイスの特性評価システムInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 波長可変短パルス光源を用いて、光デバイス
の特性を的確に、かつ、容易に評価することができる光
デバイスの特性評価システムを提供する。 【解決手段】 ｆｓファイバーレーザー１から出力され
る短パルスを光ファイバー３に入射し、光ファイバー３
中の非線形効果によって、波長のシフトしたｆｓソリト
ンパルスＳを生成する。このソリトンパルスＳの波長は
励起パルスＲの強度を変化させるだけで、ほぼ線形に変
化させることができる。このｆｓソリトンパルスＳを被
測定デバイス４に入射し、サンプリングオシロスコープ
５を用いて時間応答を観測する。更に、その観測結果を
パーソナルコンピューター６を用いてフーリエ変換し、
被測定デバイス４の周波数応答特性を得る。
の特性を的確に、かつ、容易に評価することができる光
デバイスの特性評価システムを提供する。 【解決手段】 ｆｓファイバーレーザー１から出力され
る短パルスを光ファイバー３に入射し、光ファイバー３
中の非線形効果によって、波長のシフトしたｆｓソリト
ンパルスＳを生成する。このソリトンパルスＳの波長は
励起パルスＲの強度を変化させるだけで、ほぼ線形に変
化させることができる。このｆｓソリトンパルスＳを被
測定デバイス４に入射し、サンプリングオシロスコープ
５を用いて時間応答を観測する。更に、その観測結果を
パーソナルコンピューター６を用いてフーリエ変換し、
被測定デバイス４の周波数応答特性を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光デバイスの特性
評価システムに係り、特に波長可変短パルス光源を用い
た光デバイスの特性評価システムに関するものである。
評価システムに係り、特に波長可変短パルス光源を用い
た光デバイスの特性評価システムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の光通信技術の発展に伴い、光デバ
イスの時間応答にますます高速化が求められるようにな
り、それらの特性を評価することは徐々に難しくなって
きている。また、広い波長帯を用いる波長多重光通信の
発展に伴い、デバイスの波長依存性を評価することが重
要な課題となってきている。
イスの時間応答にますます高速化が求められるようにな
り、それらの特性を評価することは徐々に難しくなって
きている。また、広い波長帯を用いる波長多重光通信の
発展に伴い、デバイスの波長依存性を評価することが重
要な課題となってきている。
【０００３】短パルス光を光デバイスに外部から入射
し、その時間応答を測定することによって、デバイスの
周波数特性を評価することはできるが、これまで、短パ
ルス光源は、装置が大きく、取り扱いが困難であった。
また、これまで短パルス光の波長を変化させるには、複
雑な光学装置が必要で、波長依存性の測定は容易ではな
かった。
し、その時間応答を測定することによって、デバイスの
周波数特性を評価することはできるが、これまで、短パ
ルス光源は、装置が大きく、取り扱いが困難であった。
また、これまで短パルス光の波長を変化させるには、複
雑な光学装置が必要で、波長依存性の測定は容易ではな
かった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本願発明者
は、光ファイバーとフェムト秒（ｆｓ）ファイバーレー
ザーの組み合わせによって、コンパクトで安定な波長可
変ｆｓソリトンパルス生成装置を既に特願平１０−２７
５６０４号として提案している。
は、光ファイバーとフェムト秒（ｆｓ）ファイバーレー
ザーの組み合わせによって、コンパクトで安定な波長可
変ｆｓソリトンパルス生成装置を既に特願平１０−２７
５６０４号として提案している。
【０００５】本発明は、かかる波長可変短パルス光源を
用いて、光デバイスの特性を的確に、かつ、容易に評価
することができる光デバイスの特性評価システムを提供
することを目的とする。
用いて、光デバイスの特性を的確に、かつ、容易に評価
することができる光デバイスの特性評価システムを提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕光デバイスの特性評価システムにおいて、波長可
変短パルス光源と、この波長可変短パルス光源から出力
される短パルス光を導入する被測定デバイスと、この被
測定デバイスの特性を評価する装置とを具備するように
したものである。
成するために、 〔１〕光デバイスの特性評価システムにおいて、波長可
変短パルス光源と、この波長可変短パルス光源から出力
される短パルス光を導入する被測定デバイスと、この被
測定デバイスの特性を評価する装置とを具備するように
したものである。
【０００７】〔２〕上記〔１〕記載の光デバイスの特性
評価システムにおいて、前記被測定デバイスは光受光器
である。
評価システムにおいて、前記被測定デバイスは光受光器
である。
【０００８】〔３〕上記〔１〕記載の光デバイスの特性
評価システムにおいて、前記被測定デバイスは光増幅器
である。
評価システムにおいて、前記被測定デバイスは光増幅器
である。
【０００９】〔４〕上記〔１〕記載の光デバイスの特性
評価システムにおいて、前記被測定デバイスは光発光素
子である。
評価システムにおいて、前記被測定デバイスは光発光素
子である。
【００１０】〔５〕上記〔１〕記載の光デバイスの特性
評価システムにおいて、前記被測定デバイスは光ファイ
バーである。
評価システムにおいて、前記被測定デバイスは光ファイ
バーである。
【００１１】〔６〕上記〔１〕記載の光デバイスの特性
評価システムにおいて、前記波長可変短パルス光源から
出力されるソリトンパルスとソリトンパルスに変換され
なかった励起パルスを前記被測定デバイスに入射し、出
力において励起パルスとソリトンパルスの時間差を測定
し、波長分散の波長依存性を評価するようにしたもので
ある。
評価システムにおいて、前記波長可変短パルス光源から
出力されるソリトンパルスとソリトンパルスに変換され
なかった励起パルスを前記被測定デバイスに入射し、出
力において励起パルスとソリトンパルスの時間差を測定
し、波長分散の波長依存性を評価するようにしたもので
ある。
【００１２】〔７〕上記〔１〕記載の光デバイスの特性
評価システムにおいて、前記波長可変短パルス光源から
得られる２つのソリトンパルスで前記被測定デバイスを
励起し、後から入射されるソリトンパルスで反作用の時
間変化を測定し、その２つの出力を分波して、それぞれ
受光器で検波して観測し、観測結果をコンピュータに取
り込み、解析し、前記被測定デバイスの時間応答を得る
ようにしたものである。
評価システムにおいて、前記波長可変短パルス光源から
得られる２つのソリトンパルスで前記被測定デバイスを
励起し、後から入射されるソリトンパルスで反作用の時
間変化を測定し、その２つの出力を分波して、それぞれ
受光器で検波して観測し、観測結果をコンピュータに取
り込み、解析し、前記被測定デバイスの時間応答を得る
ようにしたものである。
【００１３】〔８〕上記〔７〕記載の光デバイスの特性
評価システムにおいて、前記被測定デバイスは可飽和吸
収素子である。
評価システムにおいて、前記被測定デバイスは可飽和吸
収素子である。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１５】図１は本発明の第１実施例を示す波長可変
ｆｓ短パルス光源を用いた光デバイスの特性評価装置の
模式図、図２は本発明の第１実施例を示すサンプリング
オシロスコープで観測した光受光器の時間応答の測定例
を示す図、図３は時間応答から求めた光受光器の周波数
応答の解析例を示す図である。
ｆｓ短パルス光源を用いた光デバイスの特性評価装置の
模式図、図２は本発明の第１実施例を示すサンプリング
オシロスコープで観測した光受光器の時間応答の測定例
を示す図、図３は時間応答から求めた光受光器の周波数
応答の解析例を示す図である。
【００１６】図１において、１は短パルス光源（ｆｓフ
ァイバーレーザー）、２は短パルス光源１からの光特性
を調整する光特性調整器、３はこの光特性調整器２から
入射パルスを入射するとともに、出力パルスの波長を線
形に変化させることができる光ファイバー、Ｒは励起パ
ルス、Ｓはソリトンパルス、４はそのソリトンパルスＳ
が入射される被測定デバイス（光受光器）、５はサンプ
リングオシロスコープ、６はパーソナルコンピュータで
ある。
ァイバーレーザー）、２は短パルス光源１からの光特性
を調整する光特性調整器、３はこの光特性調整器２から
入射パルスを入射するとともに、出力パルスの波長を線
形に変化させることができる光ファイバー、Ｒは励起パ
ルス、Ｓはソリトンパルス、４はそのソリトンパルスＳ
が入射される被測定デバイス（光受光器）、５はサンプ
リングオシロスコープ、６はパーソナルコンピュータで
ある。
【００１７】このように、ｆｓファイバーレーザー１か
ら出力される短パルスを光ファイバー３に入射し、光フ
ァイバー３中の非線形効果によって、波長をシフトした
ｆｓソリトンパルスＳを生成する。このソリトンパルス
Ｓの波長は励起パルスの強度を変化させるだけで、ほぼ
線形に変化させることができる。このｆｓソリトンパル
スＳを被測定デバイス４に入射し、サンプリングオシロ
スコープ５を用いて時間応答を観測する。更に、その観
測結果をパーソナルコンピュータ６を用いてフーリエ変
換することにより、光デバイスの周波数応答特性を得る
ことができる。
ら出力される短パルスを光ファイバー３に入射し、光フ
ァイバー３中の非線形効果によって、波長をシフトした
ｆｓソリトンパルスＳを生成する。このソリトンパルス
Ｓの波長は励起パルスの強度を変化させるだけで、ほぼ
線形に変化させることができる。このｆｓソリトンパル
スＳを被測定デバイス４に入射し、サンプリングオシロ
スコープ５を用いて時間応答を観測する。更に、その観
測結果をパーソナルコンピュータ６を用いてフーリエ変
換することにより、光デバイスの周波数応答特性を得る
ことができる。
【００１８】また、ソリトンパルスの波長を変化させる
ことによって、光受光器の周波数応答や光デバイスの量
子効率の波長依存性を測定することができる。
ことによって、光受光器の周波数応答や光デバイスの量
子効率の波長依存性を測定することができる。
【００１９】被測定デバイス４が光受光器である場合に
は、図２に示すように、サンプリングオシロスコープ５
で観測した光受光器４の時間応答の測定を行うことがで
きる。なお、図２において、縦軸は強度、横軸は時間を
示している。
は、図２に示すように、サンプリングオシロスコープ５
で観測した光受光器４の時間応答の測定を行うことがで
きる。なお、図２において、縦軸は強度、横軸は時間を
示している。
【００２０】そして、図３に示すように、その時間応答
から求めた光受光器４の周波数応答の測定を行うことが
できる。図３において、縦軸は応答、横軸は周波数を表
している。
から求めた光受光器４の周波数応答の測定を行うことが
できる。図３において、縦軸は応答、横軸は周波数を表
している。
【００２１】図４は本発明の第２実施例を示す波長可変
ｆｓ短パルス光源を用いた光デバイスの特性評価装置の
模式図である。なお、上記した実施例と同様の部分には
同じ符号を付している。
ｆｓ短パルス光源を用いた光デバイスの特性評価装置の
模式図である。なお、上記した実施例と同様の部分には
同じ符号を付している。
【００２２】図４において、１は短パルス光源（ｆｓフ
ァイバーレーザー）、２は短パルス光源１からの光特性
を調整する光特性調整器、３はこの光特性調整器２から
入射パルスを入射するとともに、出力パルスの波長を線
形に変化させることができる光ファイバー、Ｒは励起パ
ルス、Ｓはソリトンパルス、７はそのソリトンパルスＳ
が入射される被測定デバイスとしての光発光素子、５は
サンプリングオシロスコープ、６はパーソナルコンピュ
ータである。
ァイバーレーザー）、２は短パルス光源１からの光特性
を調整する光特性調整器、３はこの光特性調整器２から
入射パルスを入射するとともに、出力パルスの波長を線
形に変化させることができる光ファイバー、Ｒは励起パ
ルス、Ｓはソリトンパルス、７はそのソリトンパルスＳ
が入射される被測定デバイスとしての光発光素子、５は
サンプリングオシロスコープ、６はパーソナルコンピュ
ータである。
【００２３】このように被測定デバイスとしては、発光
素子７を挙げることができ、その発光素子７の時間応答
から求める周波数測定と、その波長依存性の測定を行う
ことができる。
素子７を挙げることができ、その発光素子７の時間応答
から求める周波数測定と、その波長依存性の測定を行う
ことができる。
【００２４】図５は本発明の第３実施例を示す波長可変
短パルス光源を用いた光デバイスの特性評価装置の模式
図である。なお、上記した実施例と同様の部分には同じ
符号を付してそれらの説明は省略する。
短パルス光源を用いた光デバイスの特性評価装置の模式
図である。なお、上記した実施例と同様の部分には同じ
符号を付してそれらの説明は省略する。
【００２５】この実施例では、光デバイスとして、被測
定光増幅器を用いて、その特性評価を行う。すなわち、
短パルス光源１から波長可変ソリトンパルスＳを被測定
光増幅器３１に入射し、透過光を高速受光器１３で検波
し、サンプリングオシロスコープ（光パワーメータでも
よい）１４で観測する。
定光増幅器を用いて、その特性評価を行う。すなわち、
短パルス光源１から波長可変ソリトンパルスＳを被測定
光増幅器３１に入射し、透過光を高速受光器１３で検波
し、サンプリングオシロスコープ（光パワーメータでも
よい）１４で観測する。
【００２６】すると、透過光の波形の変化から、被測定
光増幅器３１の周波数特性を測定することができる。
光増幅器３１の周波数特性を測定することができる。
【００２７】また、ソリトンパルスＳの強度を調整する
ことによって、光増幅器の入射光強度依存性を測定する
ことができる。
ことによって、光増幅器の入射光強度依存性を測定する
ことができる。
【００２８】さらに、ソリトンパルスＳの波長を変化さ
せることによって、波長依存性を測定することができ
る。
せることによって、波長依存性を測定することができ
る。
【００２９】図６は本発明の第４実施例を示す波長可変
ｆｓソリトンパルス光源を用いた光ファイバーの波長分
散の測定系を示す図である。なお、第１実施例と同じ部
分については、同じ符号を付してそれらの説明は省略す
る。
ｆｓソリトンパルス光源を用いた光ファイバーの波長分
散の測定系を示す図である。なお、第１実施例と同じ部
分については、同じ符号を付してそれらの説明は省略す
る。
【００３０】この図において、１は短パルス光源（波長
可変ｆｓソリトンパルス光源）、１１は光結合器（カプ
ラ）、１２は被測定ファイバー、１３は高速受光器、１
４はサンプリングオシロシコープ、１５はパーソナルコ
ンピュータである。
可変ｆｓソリトンパルス光源）、１１は光結合器（カプ
ラ）、１２は被測定ファイバー、１３は高速受光器、１
４はサンプリングオシロシコープ、１５はパーソナルコ
ンピュータである。
【００３１】図６に示すように、短パルス光源（波長可
変ｆｓソリトンパルス光源）１からは、波長を可変にで
きるソリトンパルスＳと、ソリトンパルスＳに変換され
なかった励起パルスＲ1 が光結合器（カプラ）１１を介
して被測定ファイバー１２へ出力される。この２つのパ
ルスを、被測定ファイバー１２に入射し、２つのパルス
Ｒ1 ，Ｓの時間差の変化を測定することによって、被測
定ファイバー１２の波長分散を測定する。また、ソリト
ンパルスＳの波長をシフトさせることによって、波長分
散の波長依存性を得ることができる。時間波形は高速光
受光器１３で受光し、サンプリングオシロスコープ１４
を用いて観測する。観測された時間波形はパーソナルコ
ンピュータ１５にて解析され、被測定ファイバー１２の
分散値の波長依存性が規定される。
変ｆｓソリトンパルス光源）１からは、波長を可変にで
きるソリトンパルスＳと、ソリトンパルスＳに変換され
なかった励起パルスＲ1 が光結合器（カプラ）１１を介
して被測定ファイバー１２へ出力される。この２つのパ
ルスを、被測定ファイバー１２に入射し、２つのパルス
Ｒ1 ，Ｓの時間差の変化を測定することによって、被測
定ファイバー１２の波長分散を測定する。また、ソリト
ンパルスＳの波長をシフトさせることによって、波長分
散の波長依存性を得ることができる。時間波形は高速光
受光器１３で受光し、サンプリングオシロスコープ１４
を用いて観測する。観測された時間波形はパーソナルコ
ンピュータ１５にて解析され、被測定ファイバー１２の
分散値の波長依存性が規定される。
【００３２】図７は本発明に係る波長可変ｆｓソリトン
パルス光源から得られる２つのパルスの時間波形の測定
例を示す図であり、ここで、縦軸は強度、横軸は時間を
示している。図７（ａ）は１０ｋｍファイバーの入射前
のパルスの時間波形、図７（ｂ）は１０ｋｍファイバー
の伝搬後のパルスの時間波形図である。
パルス光源から得られる２つのパルスの時間波形の測定
例を示す図であり、ここで、縦軸は強度、横軸は時間を
示している。図７（ａ）は１０ｋｍファイバーの入射前
のパルスの時間波形、図７（ｂ）は１０ｋｍファイバー
の伝搬後のパルスの時間波形図である。
【００３３】図８はその２つのパルスの時間差から求め
た波長分散の測定例を示す図である。ここで、横軸は波
長（ｎｍ）、縦軸は群速度分散β2 （ｐｓ2 ／ｋｍ）を
示している。
た波長分散の測定例を示す図である。ここで、横軸は波
長（ｎｍ）、縦軸は群速度分散β2 （ｐｓ2 ／ｋｍ）を
示している。
【００３４】なお、この実施例では、波長分散の２次分
散β2 について述べたが、波長分散の３次分散β3 につ
いての測定を行うこともできる。また、光損失の波長依
存性についての測定を行うこともできる。
散β2 について述べたが、波長分散の３次分散β3 につ
いての測定を行うこともできる。また、光損失の波長依
存性についての測定を行うこともできる。
【００３５】図９は本発明の第５実施例を示す波長可変
ｆｓ短パルス光源を用いた光デバイスの特性評価装置の
模式図である。なお、上記実施例と同じ部分について
は、同じ符号を付してそれらについては説明を省略す
る。
ｆｓ短パルス光源を用いた光デバイスの特性評価装置の
模式図である。なお、上記実施例と同じ部分について
は、同じ符号を付してそれらについては説明を省略す
る。
【００３６】この実施例においては、波長可変短パルス
光源１から得られる光ファイバー３に２つのパルス
Ｓ1 ，Ｓ2 を生成させて、この２つのソリトンパルスＳ
1 ，Ｓ2を光結合器（カプラ）１１を介して前記被測定
デバイスである光ファイバー１２に入射し、該２つのパ
ルスＳ1 ，Ｓ2 の時間差の変化を測定し、波長分散の波
長依存性を評価するようにしている。
光源１から得られる光ファイバー３に２つのパルス
Ｓ1 ，Ｓ2 を生成させて、この２つのソリトンパルスＳ
1 ，Ｓ2を光結合器（カプラ）１１を介して前記被測定
デバイスである光ファイバー１２に入射し、該２つのパ
ルスＳ1 ，Ｓ2 の時間差の変化を測定し、波長分散の波
長依存性を評価するようにしている。
【００３７】図１０は本発明の第６実施例を示す波長可
変短パルス光源を用いた被測定デバイスの時間応答の測
定例を示す模式図である。なお、上記した実施例と同様
の部分については、同じ符号を付してそれらの説明は省
略する。
変短パルス光源を用いた被測定デバイスの時間応答の測
定例を示す模式図である。なお、上記した実施例と同様
の部分については、同じ符号を付してそれらの説明は省
略する。
【００３８】この図に示すように、短パルス光源（波長
可変短パルス光源）１を用いると、時間差を持った２つ
のｆｓパルスＳ1 ，Ｓ2 を生成することができる。この
２つのパルスＳ1 ，Ｓ2 を被測定デバイス４（例えば、
半導体可飽和吸収光素子）に入射し、先に入射するパル
スＳ2 で被測定デバイス４を励起し、２つ目のパルスＳ
1 でその反作用の時間変化を測定する。２つの出力はＰ
ＢＳ（偏光ビームスプリッタ）２１で分波され、それぞ
れ受光器２２，２３で検波され、ディジタルオシロスコ
ープ２４で観測される。観測結果はパーソナルコンピュ
ータ２５に取り込まれ、解析の結果、被測定デバイス４
の時間応答が得られる。このような、半導体可飽和吸収
光素子の場合、時間応答（周波数特性）とその波長特
性、光吸収率の波長依存性、光吸収率の強度依存性につ
いての測定を行うことができる。
可変短パルス光源）１を用いると、時間差を持った２つ
のｆｓパルスＳ1 ，Ｓ2 を生成することができる。この
２つのパルスＳ1 ，Ｓ2 を被測定デバイス４（例えば、
半導体可飽和吸収光素子）に入射し、先に入射するパル
スＳ2 で被測定デバイス４を励起し、２つ目のパルスＳ
1 でその反作用の時間変化を測定する。２つの出力はＰ
ＢＳ（偏光ビームスプリッタ）２１で分波され、それぞ
れ受光器２２，２３で検波され、ディジタルオシロスコ
ープ２４で観測される。観測結果はパーソナルコンピュ
ータ２５に取り込まれ、解析の結果、被測定デバイス４
の時間応答が得られる。このような、半導体可飽和吸収
光素子の場合、時間応答（周波数特性）とその波長特
性、光吸収率の波長依存性、光吸収率の強度依存性につ
いての測定を行うことができる。
【００３９】図１１は本発明の第７実施例を示す波長可
変ｆｓ短パルス光源を用いた光デバイスの特性評価装置
の模式図である。なお、上記実施例と同じ部分について
は、同じ符号を付してそれらについては説明を省略す
る。
変ｆｓ短パルス光源を用いた光デバイスの特性評価装置
の模式図である。なお、上記実施例と同じ部分について
は、同じ符号を付してそれらについては説明を省略す
る。
【００４０】この実施例においては、波長可変短パルス
光源１から先に出力されるソリトンパルスに変換されな
かった励起パルスＲ1 で前記被測定デバイス４を励起
し、後から入射するソリトンパルスＳ3 で反作用の時間
変化を測定し、その２つの出力を分波して、それぞれ受
光器２２，２３で検波して観測し、観測結果をコンピュ
ータ２５に取り込み、解析し、前記被測定デバイス４の
時間応答を得る。
光源１から先に出力されるソリトンパルスに変換されな
かった励起パルスＲ1 で前記被測定デバイス４を励起
し、後から入射するソリトンパルスＳ3 で反作用の時間
変化を測定し、その２つの出力を分波して、それぞれ受
光器２２，２３で検波して観測し、観測結果をコンピュ
ータ２５に取り込み、解析し、前記被測定デバイス４の
時間応答を得る。
【００４１】このように、本発明によれば、１つのシス
テムで光デバイスの周波数特性と、その波長依存性を従
来よりも広帯域に測定することができる。
テムで光デバイスの周波数特性と、その波長依存性を従
来よりも広帯域に測定することができる。
【００４２】また、システムが従来と比較して非常にコ
ンパクトであり、操作が容易である。
ンパクトであり、操作が容易である。
【００４３】更に、光源の調整、特に波長の調整が容易
なため、特性評価を容易に行うことができる。
なため、特性評価を容易に行うことができる。
【００４４】本発明は、特に、光通信の分野に広く用い
られることが期待される。
られることが期待される。
【００４５】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００４６】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。
【００４７】ｆｓファイバーレーザーから出力される短
パルス光を光ファイバーに入射し、ファイバー中の非線
形効果によって、波長のシフトしたｆｓソリトンパルス
を生成する。このソリトンパルスの波長は励起パルスの
強度を変化させるだけで、ほぼ線形に変化させることが
できる。このｆｓソリトンパルスを被測定デバイスに入
射し、サンプリングオシロスコープを用いて時間応答を
観測する。更に、観測結果をコンピュータを用いてフー
リエ変換し、被測定デバイスの周波数応答特性を評価す
ることができる。
パルス光を光ファイバーに入射し、ファイバー中の非線
形効果によって、波長のシフトしたｆｓソリトンパルス
を生成する。このソリトンパルスの波長は励起パルスの
強度を変化させるだけで、ほぼ線形に変化させることが
できる。このｆｓソリトンパルスを被測定デバイスに入
射し、サンプリングオシロスコープを用いて時間応答を
観測する。更に、観測結果をコンピュータを用いてフー
リエ変換し、被測定デバイスの周波数応答特性を評価す
ることができる。
【００４８】また、ソリトンパルスの波長を変化させる
ことによって、周波数応答や光デバイスの量子効率の波
長依存性を測定することができる。
ことによって、周波数応答や光デバイスの量子効率の波
長依存性を測定することができる。
【００４９】更に、励起光とソリトンパルスを用いて、
光ファイバーの波長分散の測定を広帯域に渡って行うこ
ともできる。
光ファイバーの波長分散の測定を広帯域に渡って行うこ
ともできる。
【００５０】また、２つの短パルスを生成することによ
って、光スイッチ等に用いられる半導体可飽和吸収素子
の時間応答特性を測定できる。
って、光スイッチ等に用いられる半導体可飽和吸収素子
の時間応答特性を測定できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例を示す波長可変ｆｓ短パル
ス光源を用いた光デバイスの特性評価装置の模式図であ
る。
ス光源を用いた光デバイスの特性評価装置の模式図であ
る。
【図２】本発明の第１実施例を示すサンプリングオシロ
スコープで観測した光受光器の時間応答の測定例を示す
図である。
スコープで観測した光受光器の時間応答の測定例を示す
図である。
【図３】時間応答から求めた光受光器の周波数応答の解
析例を示す図である。
析例を示す図である。
【図４】本発明の第２実施例を示す波長可変短パルス光
源を用いた光デバイスの特性評価装置の模式図である。
源を用いた光デバイスの特性評価装置の模式図である。
【図５】本発明の第３実施例を示す波長可変短パルス光
源を用いた光デバイスの特性評価装置の模式図である。
源を用いた光デバイスの特性評価装置の模式図である。
【図６】本発明の第４実施例を示す波長可変ｆｓソリト
ンパルス光源を用いた光ファイバーの波長分散の測定系
を示す図である。
ンパルス光源を用いた光ファイバーの波長分散の測定系
を示す図である。
【図７】本発明に係る波長可変ｆｓソリトンパルス光源
から得られる２つのパルスの時間波形の測定例を示す図
である。
から得られる２つのパルスの時間波形の測定例を示す図
である。
【図８】本発明に係る２つのパルスの時間差から求めた
波長分散の測定例を示す図である。
波長分散の測定例を示す図である。
【図９】本発明の第５実施例を示す波長可変ｆｓ短パル
ス光源を用いた光デバイスの特性評価装置の模式図であ
る。
ス光源を用いた光デバイスの特性評価装置の模式図であ
る。
【図１０】本発明の第６実施例を示す波長可変ｆｓ短パ
ルス光源を用いた光デバイスの特性評価装置の模式図で
ある。
ルス光源を用いた光デバイスの特性評価装置の模式図で
ある。
【図１１】本発明の第７実施例を示す波長可変短パルス
光源を用いた光デバイスの特性評価装置の模式図であ
る。
光源を用いた光デバイスの特性評価装置の模式図であ
る。
１ 短パルス光源 ２ 光特性調整器 ３ 光ファイバー ４ 被測定デバイス ５，１４ サンプリングオシロスコープ ６，１５，２５ パーソナルコンピュータ ７ 発光素子 １１ 光結合器（カプラ） １２ 被測定ファイバー １３ 高速受光器 ２１ ＰＢＳ（偏光ビームスプリッタ） ２２，２３ 受光器 ２４ ディジタルオシロスコープ ３１ 被測定光増幅器 Ｒ 励起パルス Ｒ1 ソリトンパルスに変換されなかった励起パルス Ｓ，Ｓ1 ，Ｓ2 ，Ｓ3 ソリトンパルス
Claims (8)
- 【請求項１】 光デバイスの特性評価システムにおい
て、（ａ）波長可変短パルス光源と、（ｂ）該波長可変
短パルス光源から出力される短パルス光を導入する被測
定デバイスと、（ｃ）該被測定デバイスの特性を評価す
る装置とを具備することを特徴とする光デバイスの特性
評価システム。 - 【請求項２】 請求項１記載の光デバイスの特性評価シ
ステムにおいて、前記被測定デバイスは光受光器である
ことを特徴とする光デバイスの特性評価システム。 - 【請求項３】 請求項１記載の光デバイスの特性評価シ
ステムにおいて、前記被測定デバイスは光増幅器である
ことを特徴とする光デバイスの特性評価システム。 - 【請求項４】 請求項１記載の光デバイスの特性評価シ
ステムにおいて、前記被測定デバイスは光発光素子であ
ることを特徴とする光デバイスの特性評価システム。 - 【請求項５】 請求項１記載の光デバイスの特性評価シ
ステムにおいて、前記被測定デバイスは光ファイバーで
あることを特徴とする光デバイスの特性評価システム。 - 【請求項６】 請求項１記載の光デバイスの特性評価シ
ステムにおいて、前記波長可変短パルス光源から出力さ
れるソリトンパルスとソリトンパルスに変換されなかっ
た励起パルスを前記被測定デバイスに入射し、出力にお
いて励起パルスとソリトンパルスの時間差を測定し、波
長分散の波長依存性を評価することを特徴とする光デバ
イスの特性評価システム。 - 【請求項７】 請求項１記載の光デバイスの特性評価シ
ステムにおいて、前記波長可変短パルス光源から得られ
る２つのソリトンパルスで前記被測定デバイスを励起
し、後から入射されるソリトンパルスで反作用の時間変
化を測定し、その２つの出力を分波して、それぞれ受光
器で検波して観測し、観測結果をコンピュータに取り込
み、解析し、前記被測定デバイスの時間応答を得ること
を特徴とする光デバイスの特性評価システム。 - 【請求項８】 請求項７記載の光デバイスの特性評価シ
ステムにおいて、前記被測定デバイスは可飽和吸収素子
であることを特徴とする光デバイスの特性評価システ
ム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06041399A JP3393081B2 (ja) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | 光デバイスの特性評価システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06041399A JP3393081B2 (ja) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | 光デバイスの特性評価システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000258299A true JP2000258299A (ja) | 2000-09-22 |
| JP3393081B2 JP3393081B2 (ja) | 2003-04-07 |
Family
ID=13141485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06041399A Expired - Fee Related JP3393081B2 (ja) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | 光デバイスの特性評価システム |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3393081B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002046715A1 (fr) * | 2000-11-22 | 2002-06-13 | Center For Advanced Science And Technology Incubation, Ltd. | Procede et equipement de mesure de dispersion de longueur d'onde |
| JP2002296146A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Anritsu Corp | 時間応答測定方法および装置 |
| JP2010025913A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-02-04 | Mitsubishi Electric Corp | 波長分散測定装置及び波長分散測定方法 |
| JP2010281708A (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-16 | Anritsu Corp | 光部品評価装置 |
-
1999
- 1999-03-08 JP JP06041399A patent/JP3393081B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
| WO2002046715A1 (fr) * | 2000-11-22 | 2002-06-13 | Center For Advanced Science And Technology Incubation, Ltd. | Procede et equipement de mesure de dispersion de longueur d'onde |
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| JP4621374B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2011-01-26 | アンリツ株式会社 | 時間応答測定方法および装置 |
| JP2010025913A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-02-04 | Mitsubishi Electric Corp | 波長分散測定装置及び波長分散測定方法 |
| JP2010281708A (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-16 | Anritsu Corp | 光部品評価装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3393081B2 (ja) | 2003-04-07 |
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