JP2000242754A - Ic card - Google Patents

Ic card

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JP2000242754A
JP2000242754A JP11044834A JP4483499A JP2000242754A JP 2000242754 A JP2000242754 A JP 2000242754A JP 11044834 A JP11044834 A JP 11044834A JP 4483499 A JP4483499 A JP 4483499A JP 2000242754 A JP2000242754 A JP 2000242754A
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signal
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clock signal
data
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信一 長谷部
Hideaki Koreida
秀昭 是此田
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Toshiba Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To insure a stable data writing operation to a built-in EEPROM even when power supply energy is insufficient when a non-contact type IC card is made to be separated from a host. SOLUTION: This non-contact type IC card includes an IC chip where an antenna coil performing the transmission and reception of an RF signal, a semiconductor memory and a control circuit are formed. In such a case, the IC chip contains a circuit 82 generating an interval power supply voltage from an RF signal input, a circuit 85 restoring a received data signal, a circuit 84 generating a system clock, an EEPROM 87c, a circuit 12 which receives an internal power supply and generates a boosted voltage for EEPROM supply, a detection circuit 11 which detects when the internal power supply voltage falls below a fixed value and outputs a detection flag and a control circuit 15 which controls so that data rewriting to the EEPROM can not be performed when the detection flag signal is received.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ICカードに係
り、特に内部電源電圧低下検出回路、電源昇圧回路、乱
数発生回路に関するもので、例えば電波を用いて電力の
受信およびデータの送受信を行う非接触型のカードとか
接触型のICカードなどに使用されるものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an IC card, and more particularly to an internal power supply voltage drop detecting circuit, a power supply boosting circuit, and a random number generating circuit. It is used for a contact-type card or a contact-type IC card.

【0002】[0002]

【従来の技術】図7(a)は、電波を用いてデータを送
受信する非接触型のタグ識別(RadioFrequency Identif
ication;RFID)システムの全体の構成の一例を示
す。
2. Description of the Related Art FIG. 7A shows a non-contact tag identification (RadioFrequency Identif) for transmitting and receiving data using radio waves.
1 shows an example of the overall configuration of a communication (RFID) system.

【0003】このRFIDシステムは、パーソナルコン
ピュータ、コントローラ、アンテナ等で構成されるホス
トと、トランスポンダあるいはデータ・キャリアと称さ
れる非接触型タグで構成される。
[0003] This RFID system comprises a host comprising a personal computer, a controller, an antenna and the like, and a non-contact tag called a transponder or a data carrier.

【0004】非接触型タグは、図7(b)、(c)に示
すように、電力受信、データ受信/送信を兼ねるアンテ
ナコイル71と、メモリおよびASICが1チップ化さ
れたモノリシックRFIDチップ72を内蔵するシンプ
ルな構成であり、以下、無線カードと記す。
As shown in FIGS. 7 (b) and 7 (c), a non-contact type tag includes an antenna coil 71 for both power reception and data reception / transmission, and a monolithic RFID chip 72 in which a memory and an ASIC are integrated into one chip. , And is hereinafter referred to as a wireless card.

【0005】上記したようなRFIDシステムによれ
ば、ホスト側から必要に応じてコマンドおよびデータを
電波の搬送波信号に乗せて送信し、無線カード側ではそ
の搬送波信号により必要な電力を発生させ、データの書
き込みおよび読み出しと送信に利用してホスト側に情報
を返すので、電池が不要である。
According to the above-described RFID system, the host transmits commands and data on a carrier signal of a radio wave as necessary, and the wireless card generates necessary power based on the carrier signal to generate data. Since information is returned to the host side for use in writing, reading, and transmission of data, a battery is unnecessary.

【0006】したがって、ホスト側は、無線カードのメ
モリの記憶内容を電波を使って非接触で読み取り、メモ
リの内容を書き換えることにより、RFIDシステムを
人の入退出などの管理に活用することが可能である。
[0006] Therefore, the host can use the RFID system for management of entry and exit of a person by reading the stored contents of the memory of the wireless card in a non-contact manner using radio waves and rewriting the contents of the memory. It is.

【0007】例えば服のポケットに定期券用の無線カー
ドを入れたまま改札したり、無線カードを自動車につけ
て走り、高速道路の料金所でいちいち精算するために止
まらなくて済むようにするとか、人との介在なしに駐車
場の出入りを監視・管理するなどの用途が考えられる。
また、家畜や回遊魚の行動を管理するために使用するこ
とが可能である。
[0007] For example, a ticket gate with a wireless card for a commuter pass in a clothes pocket, a ticket with a wireless card, and a running, so that it is not necessary to stop at a tollgate on an expressway without having to stop. Applications such as monitoring and managing the entrance and exit of parking lots without human intervention are conceivable.
It can also be used to manage the behavior of livestock and migratory fish.

【0008】図8は、図7中の無線カードの従来例を具
体的に示す。
FIG. 8 specifically shows a conventional example of the wireless card shown in FIG.

【0009】即ち、アンテナコイル71は、外部から入
力する電波(例えばデータ信号により振幅変調されたA
SK信号)を検知してRF信号を生成するLC回路(L
はインダクタンス、Cはキャパシタンス)として作用す
る。
That is, the antenna coil 71 is connected to an externally input radio wave (for example, A-wave modulated by a data signal).
LC circuit (L) that detects an SK signal and generates an RF signal
Acts as an inductance, and C acts as a capacitance.

【0010】前記チップ72は、前記アンテナコイルか
らRF信号入力端子81に入力するRF信号を整流・平
滑・定電圧化して無線カードの内部電源(直流電圧)を
生成する内部電源生成回路82と、この内部電源生成回
路で生成された電源電圧の立ち上がりを検出してパワー
オン信号を出力するパワーオン回路83と、前記RF信
号入力を波形整形し、必要に応じて分周してシステムク
ロック信号を生成するクロック生成回路84と、前記R
F信号入力をフィルタ処理してコマンド信号、データ信
号を復元するデータ復調回路85と、送信パルス生成回
路86と、半導体メモリ部87と、制御回路88とを具
備する。
The chip 72 includes an internal power supply generating circuit 82 for rectifying, smoothing, and converting the RF signal input from the antenna coil to the RF signal input terminal 81 to generate an internal power supply (DC voltage) of the wireless card. A power-on circuit 83 for detecting a rise of the power supply voltage generated by the internal power supply generation circuit and outputting a power-on signal; a waveform shaping of the RF signal input; A clock generation circuit 84 for generating the clock signal;
A data demodulation circuit 85 for restoring a command signal and a data signal by filtering the F signal input, a transmission pulse generation circuit 86, a semiconductor memory unit 87, and a control circuit 88 are provided.

【0011】前記制御回路88は、CPU(中央処理装
置)(あるいは制御ロジック回路)を有し、前記内部電
源およびシステムクロック信号が入力する。
The control circuit 88 has a CPU (central processing unit) (or control logic circuit), and receives the internal power supply and a system clock signal.

【0012】前記送信パルス生成回路86は、前記RF
信号入力端子81と接地電位端との間に接続された例え
ばNMOSトランジスタが接続されてなり、そのゲート
に前記CPU88の送信データ出力ポートから送信デー
タが与えられる。
The transmission pulse generating circuit 86 is provided with the RF
For example, an NMOS transistor connected between the signal input terminal 81 and the ground potential terminal is connected, and transmission data is given to a gate of the gate from a transmission data output port of the CPU 88.

【0013】前記半導体メモリ部87には、プログラム
や固定データを格納したROM(読み出し専用メモリ)
87a、データを一時的に格納するためのRAM(ラン
ダムアクセスメモリ)87b、データを長期間格納可能
な不揮発性メモリおよびメモリアドレス選択回路87d
を含む。
The semiconductor memory unit 87 has a ROM (read only memory) storing programs and fixed data.
87a, RAM (random access memory) 87b for temporarily storing data, nonvolatile memory and memory address selection circuit 87d capable of storing data for a long period of time
including.

【0014】上記不揮発性メモリとして、例えばEEP
ROM(電気的消去・再書込可能なメモリ)あるいはF
RAM(強誘電体メモリ)が使用されるが、本例ではデ
ータの書き替え(消去および書き込み)に昇圧電圧を必
要とするEEPROM87cが使用されている。これに
対応して、前記内部電源を受けて前記昇圧電圧を生成す
るための電源昇圧回路89が設けられている。
As the nonvolatile memory, for example, EEP
ROM (electrically erasable / rewritable memory) or F
A RAM (ferroelectric memory) is used. In this example, an EEPROM 87c that requires a boosted voltage for data rewriting (erasing and writing) is used. Correspondingly, a power supply boosting circuit 89 for receiving the internal power supply and generating the boosted voltage is provided.

【0015】ところで、前述したように、無線カードを
使用する際、電波を送信するホスト(リード/ライト
側)に接近させてエネルギーの供給を受けると共にデー
タの授受を行い、必要に応じて前記EEPROM87c
にデータの書き込みを行う。
As described above, when the wireless card is used, the wireless card is approached to the host (read / write side) for transmitting radio waves to receive the supply of energy and to exchange data.
Write data to

【0016】この際、無線カードがホストに接近してい
る場合には、供給される電界が強力であり、EEPRO
M87cに対するデータ書き込みの途中で電源エネルギ
ーが不足するおそれはないが、無線カードがホストから
離れていくと、供給される電界が弱くなり、データ書き
込みの途中で電源エネルギーが不足し、書き込み動作を
中止しなければならないという不具合が発生することが
あった。
At this time, when the wireless card is close to the host, the supplied electric field is strong, and the EEPRO
There is no danger of power shortage in the middle of writing data to M87c, but when the wireless card moves away from the host, the supplied electric field weakens, and in the middle of data writing, power supply becomes insufficient and the writing operation is stopped. There was a problem that the user had to do this.

【0017】この対策の一例として、従来、前記EEP
ROM87cに対して実際にはデータを記憶させないが
擬似書き込み動作を行わせ、無線カードの電源電圧が低
下しないか否かの確認を行う機能を正規の書き込み動作
の前に追加することによって、無線カードの安定な動作
を維持する方法がある。
As an example of this measure, the conventional EEP
By adding a function of checking whether or not the power supply voltage of the wireless card does not drop before the regular writing operation, the wireless card is not actually stored in the ROM 87c but performing a pseudo write operation. There is a way to maintain stable operation of

【0018】しかし、このような方法は、無線カードに
対するデータ書き込みの処理時間が余分にかかるという
問題がある。
However, such a method has a problem that extra time is required for writing data to the wireless card.

【0019】また、前記対策の他の例として、前記内部
電源生成回路82で生成された電源電圧を検出し、ある
程度以下に低下した場合に前記EEPROM87cに対
するデータ書き込み動作を停止する方法がある。
As another example of the above countermeasure, there is a method of detecting the power supply voltage generated by the internal power supply generation circuit 82 and stopping the data writing operation to the EEPROM 87c when the power supply voltage drops below a certain level.

【0020】しかし、このような方法は、内部電源生成
回路82が有する応答遅れに起因して電源電圧低下への
対応動作が遅れがちになるという問題がある。
However, such a method has a problem in that the response to the power supply voltage drop tends to be delayed due to the response delay of the internal power supply generation circuit 82.

【0021】一方、前記EEPROM87cに対してパ
ルス状の昇圧電圧を供給するための電源昇圧回路89の
昇圧特性は、例えば図9に示すように、立ち上がりおよ
び立ち下がりの傾斜が比較的緩やかであることが重要で
ある。この理由は、パルス状の昇圧電圧の立ち上がりが
急峻であると、EEPROM87cのメモリセルにエネ
ルギーの衝撃が加わり、メモリセルにダメージが与えら
れ、EEPROM87cの書き替え回数が大幅に低下
(例えば105 オーダーから104 オーダーに低下)し
てしまうことにある。
On the other hand, the boosting characteristic of the power supply boosting circuit 89 for supplying a pulsed boosted voltage to the EEPROM 87c is that the rising and falling slopes are relatively gentle as shown in FIG. is important. The reason is that if the rising of the pulse-like boost voltage is steep, energy shock is applied to the memory cell of the EEPROM 87c, and the memory cell is damaged, and the number of rewriting of the EEPROM 87c is greatly reduced (for example, 10 5 order). To 10 4 orders).

【0022】そこで、従来は、図9に示した昇圧特性の
ように、パルス状の昇圧電圧の立ち上がりおよび立ち下
がりの傾斜が比較的緩やかになるように設定している
が、その分だけデータ書き込み時間が余分にかかり、デ
ータ処理時間が余分にかかるという不具合があった。
Therefore, conventionally, as shown in the boosting characteristic shown in FIG. 9, the rising and falling slopes of the pulsed boosted voltage are set to be relatively gentle. There is a problem that it takes extra time and data processing time.

【0023】なお、このような不具合は、接触型のIC
カードに内蔵するEEPROMに対して昇圧電圧を供給
するための電源昇圧回路の昇圧特性が図9に示したよう
な場合にも、同様に生じる。
Such a problem is caused by a contact type IC.
The same applies to the case where the boosting characteristic of the power boosting circuit for supplying the boosted voltage to the EEPROM incorporated in the card is as shown in FIG.

【0024】一方、例えば識別番号データの発生タイミ
ングを制御するために乱数信号を生成する際、従来は、
CPU88を用いてソフトウエア的な処理により乱数信
号を生成しているので、乱数が常に必ずしも不規則に生
成されるわけではない。即ち、乱数生成開始時の初期値
を一致させると、同じ乱数が生成されるという不具合が
あった。
On the other hand, for example, when generating a random number signal to control the generation timing of identification number data,
Since the random number signal is generated by software processing using the CPU 88, the random number is not always generated irregularly. That is, if the initial values at the start of random number generation are made to match, the same random number is generated.

【0025】なお、一般に、ICカードにおいて乱数信
号は様々の用途が知られており、接触型のICカード
に、例えば暗号鍵のデータの書き込みを制御するために
CPUを用いて乱数信号を生成する場合には、やはり上
記したような不具合がある。
In general, a random number signal is used for various purposes in an IC card. For example, a random number signal is generated in a contact type IC card by using a CPU to control writing of encryption key data. In such a case, the above-mentioned problem still exists.

【0026】[0026]

【発明が解決しようとする課題】上記したように、無線
カードがホストから離れていくと供給される電界が弱く
なり、データ書き込みの途中で電源エネルギーが不足
し、書き込み動作を中止しなければならないという不具
合を防止する従来の対策は、無線カードに対するデータ
書き込みの処理時間が余分にかかるという問題、あるい
は内部電源生成回路が有する応答遅れに起因して電源電
圧低下への対応動作が遅れがちになるという問題があっ
た。
As described above, when the wireless card moves away from the host, the electric field supplied becomes weaker, the power supply energy becomes insufficient during data writing, and the writing operation must be stopped. The conventional countermeasures to prevent such a problem are that the processing time for writing data to the wireless card takes extra time, or the response to the power supply voltage drop tends to be delayed due to the response delay of the internal power supply generation circuit. There was a problem.

【0027】また、従来のICカードは、内蔵するEE
PROMに対して昇圧電圧を供給するための電源昇圧回
路の昇圧特性に起因して、データ書き込み時間が余分に
かかり、データ処理時間が余分にかかるという問題があ
った。
The conventional IC card has a built-in EE
Due to the boosting characteristic of the power supply boosting circuit for supplying the boosted voltage to the PROM, there is a problem that extra data writing time and extra data processing time are required.

【0028】また、従来のICカードは、内蔵する乱数
信号発生回路をCPUによるソフトウエア的な処理によ
り乱数信号を生成することに起因して、乱数が常に必ず
しも不規則には生成されるないという問題があった。
Also, in the conventional IC card, the random number is not always generated irregularly because the built-in random number signal generation circuit generates a random number signal by software processing by the CPU. There was a problem.

【0029】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、ホストから離れていくにつれてデータ書き込
みの途中で電源エネルギーが不足した場合でも、内蔵す
るEEPROMに対する安定したデータ書き込み動作を
保証し得る非接触型のICカードを提供することを目的
とする。
The present invention has been made in order to solve the above problems, and ensures a stable data write operation to a built-in EEPROM even when power supply energy is insufficient during data write as the distance from the host increases. An object of the present invention is to provide a non-contact type IC card to be obtained.

【0030】また、本発明は、内蔵するEEPROMに
対してパルス状の昇圧電圧を供給するための電源昇圧回
路の昇圧特性を改善し、データ書き込み時間、データ処
理時間を短縮し得るICカードを提供することを目的と
する。
Further, the present invention provides an IC card capable of improving a boosting characteristic of a power supply boosting circuit for supplying a pulsed boosted voltage to a built-in EEPROM and shortening a data writing time and a data processing time. The purpose is to do.

【0031】また、本発明は、内蔵する乱数信号発生回
路によるハードウエア的な処理により乱数信号を不規則
に生成し得るICカードを提供することを目的とする。
Another object of the present invention is to provide an IC card which can generate a random number signal irregularly by hardware processing by a built-in random number signal generation circuit.

【0032】[0032]

【課題を解決するための手段】本発明の第1のICカー
ドは、電力の受信、データの送受信を兼ねるアンテナコ
イルおよび半導体メモリ、制御回路が形成された集積回
路チップを内蔵する非接触型のICカードにおいて、前
記集積回路チップには、前記アンテナコイルから入力す
る高周波信号から内部電源電圧を生成する内部電源生成
回路と、前記アンテナコイルから入力する高周波信号か
ら受信データ信号を復元するデータ復調回路と、前記ア
ンテナコイルから入力する高周波信号に基づいてシステ
ムクロック信号を生成するクロック生成回路と、電気的
消去・再書込可能なメモリと、前記内部電源電圧を受け
て前記メモリに供給するための昇圧電圧を生成する電源
昇圧回路と、前記内部電源電圧が一定値以下へ低下した
時を検出して検出フラグ信号を出力する内部電源電圧低
下検出回路と、前記内部電源電圧を受けて動作し、前記
検出フラグ信号を受けない期間は前記メモリに対するデ
ータの書き替えが可能となるように制御し、前記検出フ
ラグ信号を受けた時には前記メモリに対するデータの書
き替えが不可能となるように制御する制御回路とを具備
することを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a non-contact type IC card including an antenna coil, a semiconductor memory, and an integrated circuit chip on which a control circuit is formed for both receiving power and transmitting and receiving data. In the IC card, the integrated circuit chip includes an internal power supply generating circuit for generating an internal power supply voltage from a high-frequency signal input from the antenna coil, and a data demodulation circuit for restoring a received data signal from the high-frequency signal input from the antenna coil A clock generation circuit that generates a system clock signal based on a high-frequency signal input from the antenna coil; an electrically erasable / rewritable memory; and a memory for receiving the internal power supply voltage and supplying the memory to the memory. A power supply booster circuit for generating a boosted voltage, and detecting when the internal power supply voltage drops below a certain value; An internal power supply voltage drop detection circuit that outputs a lag signal; and operates by receiving the internal power supply voltage, and controls so that data can be rewritten to the memory during a period in which the detection flag signal is not received. A control circuit for controlling so that rewriting of data in the memory becomes impossible when a flag signal is received.

【0033】本発明の第2のICカードは、電気的消去
・再書込可能なメモリと、電源電圧を受け、この電源電
圧をクロック信号に応じて昇圧して前記メモリに供給す
る電源昇圧回路と、システムクロック信号に基づいて前
記クロック信号を生成し、前記昇圧電圧の立上がり時の
初期には第1の周期を有する第1のクロック信号を生成
し、その後は前記第1の周期より長い第2の周期を有す
る第2のクロック信号を生成する昇圧クロック生成回路
と、前記電源電圧を受けて動作し、前記メモリに対する
データの書き替えを制御する制御回路とを具備し、前記
電源昇圧回路は、前記クロック信号が供給されることに
より昇圧電圧の立上がり時の初期には傾斜が急俊にな
り、それ以降は傾斜が緩やかになる昇圧特性を持つこと
を特徴とする。
A second IC card according to the present invention comprises an electrically erasable / rewritable memory, a power supply boosting circuit for receiving a power supply voltage, boosting the power supply voltage in response to a clock signal, and supplying the boosted voltage to the memory. Generating a clock signal based on a system clock signal, generating a first clock signal having a first cycle at the beginning of the rising of the boosted voltage, and thereafter generating a first clock signal having a first cycle longer than the first cycle. A boost clock generating circuit that generates a second clock signal having a cycle of 2; and a control circuit that operates in response to the power supply voltage and controls rewriting of data in the memory. In addition, the supply of the clock signal has a step-up characteristic in which the slope becomes steep at the initial stage when the boosted voltage rises, and thereafter becomes gentler thereafter.

【0034】本発明の第3のICカードは、第1の周波
数を有する第1のクロック信号が初段のデータ入力端に
入力し、前記第1の周波数よりも低い第2の周波数を有
する第2のクロック信号が各段のシフトクロック入力端
に入力する複数段のシフト回路からなるシフトレジスタ
と、前記シフトレジスタの各段出力を所定のタイミング
でラッチする複数個のラッチ回路からなるデータレジス
タと、前記データレジスタのラッチタイミングを制御す
る制御回路とを具備することを特徴とする。
According to the third IC card of the present invention, a first clock signal having a first frequency is input to a data input terminal of a first stage, and a second clock signal having a second frequency lower than the first frequency. A shift register composed of a plurality of stages of shift circuits for inputting the clock signal to the shift clock input terminal of each stage, and a data register composed of a plurality of latch circuits for latching the output of each stage of the shift register at a predetermined timing. A control circuit for controlling the latch timing of the data register.

【0035】本発明の第4のICカードは、第3のIC
カードにおいて、前記第1のクロック信号を発生する第
1のクロック発生回路および第2のクロック信号を発生
する第2のクロック発生回路を具備する。
The fourth IC card according to the present invention comprises a third IC card.
The card includes a first clock generation circuit for generating the first clock signal and a second clock generation circuit for generating a second clock signal.

【0036】本発明の第5のICカードは、第4のIC
カードにおいて、前記第1のクロック発生回路および第
2のクロック発生回路は、これらとは別の目的で使用さ
れているクロック発生回路が兼用されることを特徴とす
る。
A fifth IC card according to the present invention comprises a fourth IC card.
In the card, the first clock generation circuit and the second clock generation circuit are also used as a clock generation circuit used for another purpose.

【0037】本発明の第6のICカードは、第3のIC
カードにおいて、前記第1のクロック信号および第2の
クロック信号の少なくとも一方はシステムクロック信号
を用いることを特徴とする。
A sixth IC card according to the present invention comprises a third IC card.
In the card, at least one of the first clock signal and the second clock signal uses a system clock signal.

【0038】本発明の第7のICカードは、第6のIC
カードにおいて、前記第1のクロック信号として前記シ
ステムクロック信号を用い、前記第2のクロック発生回
路として、前記システムクロック信号を分周して第2の
クロック信号を発生する分周回路を用いることを特徴と
する。
A seventh IC card according to the present invention comprises a sixth IC card.
In the card, it is preferable that the system clock signal is used as the first clock signal, and a frequency dividing circuit that divides the system clock signal to generate a second clock signal is used as the second clock generating circuit. Features.

【0039】[0039]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0040】図1は、本発明の第1の実施の形態に係る
無線カードのICチップの一例を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of an IC chip of a wireless card according to the first embodiment of the present invention.

【0041】図1に示す無線カードは、図7を参照して
前述したRFIDシステムの非接触型タグとして用いら
れるものであり、図8を参照して前述した従来例の無線
カードと比べて、(1)内部電源電圧低下検出回路11
が付加されている点、(2)電源昇圧回路12にクロッ
ク信号を供給するための昇圧クロック生成回路13の構
成および昇圧特性、(3)乱数信号発生回路14の構成
が異なり、その他はほぼ同じである。
The wireless card shown in FIG. 1 is used as a non-contact type tag of the RFID system described above with reference to FIG. 7, and is different from the conventional wireless card described above with reference to FIG. (1) Internal power supply voltage drop detection circuit 11
Are added, (2) the configuration and the boost characteristic of the boost clock generation circuit 13 for supplying the clock signal to the power supply boost circuit 12, and (3) the configuration of the random number signal generation circuit 14 are different, and the others are almost the same. It is.

【0042】即ち、図1に示す無線カードは、メモリと
ASICが1チップ化されたモノリシックRFIDチッ
プ10および電力受信、データ受信/送信を兼ねるアン
テナコイル71(外部から入力する例えば13.57M
Hzの電波を検知してRF信号を生成するLC回路とし
て作用する)を内蔵する。
That is, the wireless card shown in FIG. 1 has a monolithic RFID chip 10 in which a memory and an ASIC are integrated into one chip, and an antenna coil 71 (for example, a 13.57M input from outside, which receives and transmits power and receives / transmits data).
(Which acts as an LC circuit that detects RF radio waves and generates an RF signal).

【0043】前記モノリシックRFIDチップ10は、
前記アンテナコイルからRF信号入力端子81に入力す
るRF信号を整流・平滑・定電圧化して無線カードの内
部電源(直流電圧)を生成する内部電源生成回路82
と、この内部電源生成回路で生成された電源電圧の立ち
上がりを検出してパワーオン信号を出力するパワーオン
回路83と、前記RF信号入力を波形整形し、必要に応
じて分周してシステムクロック信号(本例では13.5
7MHz)を生成するクロック生成回路84と、前記R
F信号入力をフィルタ処理してコマンド信号、データ信
号を復元するデータ復調回路85と、送信パルス生成回
路86と、半導体メモリ部87、乱数信号発生回路1
4、制御回路15とを具備する。
The monolithic RFID chip 10 includes:
An internal power supply generation circuit 82 for rectifying, smoothing, and constant voltage the RF signal input from the antenna coil to the RF signal input terminal 81 to generate an internal power supply (DC voltage) of the wireless card.
A power-on circuit 83 for detecting a rise of a power supply voltage generated by the internal power supply generation circuit and outputting a power-on signal; a waveform shaping of the RF signal input; Signal (13.5 in this example)
7 MHz), and a clock generation circuit 84 for generating the R
A data demodulation circuit 85 for filtering an F signal input to restore a command signal and a data signal; a transmission pulse generation circuit 86; a semiconductor memory unit 87;
4, a control circuit 15 is provided.

【0044】前記制御回路15は、CPUあるいは制御
ロジック回路を有し、前記内部電源およびシステムクロ
ック信号が入力する。
The control circuit 15 has a CPU or a control logic circuit, and receives the internal power supply and a system clock signal.

【0045】前記送信パルス生成回路86は、前記RF
信号入力端子81と接地電位端との間に接続された例え
ばNMOSトランジスタが接続されてなり、そのゲート
に前記制御回路15の送信データ出力ポートから送信デ
ータが与えられる。
The transmission pulse generation circuit 86 is provided with the RF
For example, an NMOS transistor connected between the signal input terminal 81 and the ground potential terminal is connected, and the transmission data is supplied from the transmission data output port of the control circuit 15 to its gate.

【0046】前記半導体メモリ部87は、プログラムや
固定データを格納したROM(読み出し専用メモリ)8
7a、データを一時的に格納するためのRAM(ランダ
ムアクセスメモリ)87b、データを長期間格納可能な
不揮発性メモリ(EEPROMあるいはFRAM)およ
びメモリアドレス選択回路87dを含む。
The semiconductor memory unit 87 includes a ROM (read only memory) 8 storing programs and fixed data.
7a, a RAM (random access memory) 87b for temporarily storing data, a nonvolatile memory (EEPROM or FRAM) capable of storing data for a long time, and a memory address selection circuit 87d.

【0047】本例では、上記不揮発性メモリとして、デ
ータの書き替え(消去および書き込み)に昇圧電圧を必
要とするEEPROM87cが使用されている。これに
対応して、前記内部電源を受けて前記昇圧電圧を生成す
るための電源昇圧回路12が設けられている。
In this embodiment, an EEPROM 87c that requires a boosted voltage for rewriting (erasing and writing) data is used as the nonvolatile memory. Correspondingly, a power supply booster circuit 12 for receiving the internal power supply and generating the boosted voltage is provided.

【0048】さらに、上記電源昇圧回路12にクロック
信号を供給するための昇圧クロック生成回路13と、外
部入力レベルの低下につれて内部電源電圧が一定値以下
へ低下した時を検出して検出フラグ信号を出力し、この
検出フラグを前記制御回路15のフラグ入力ポートに入
力させるための内部電源電圧低下検出回路(外部入力レ
ベル低下検出回路)11が設けられている。
Further, a boosting clock generation circuit 13 for supplying a clock signal to the power supply boosting circuit 12 and a detection flag signal for detecting when the internal power supply voltage falls below a predetermined value as the external input level decreases. An internal power supply voltage drop detection circuit (external input level drop detection circuit) 11 for outputting the detection flag and inputting the detection flag to the flag input port of the control circuit 15 is provided.

【0049】前記内部電源電圧低下検出回路11は、前
記RF信号入力端子81と内部電源生成回路82との間
の信号経路に挿入された電流検出用抵抗111と、前記
内部電源を受けてバンドギャップ基準電圧を生成するバ
ンドギャップ基準電源112と、前記内部電源を動作電
源とし、前記電流検出用抵抗111に生じた電圧降下
(電流検出電圧)をバンドギャップ基準電圧と比較し、
内部電源電圧がバンドギャップ基準電圧以下へ低下した
時を検出して検出フラグ信号を出力する電圧比較回路1
13とを有する。
The internal power supply voltage drop detection circuit 11 includes a current detection resistor 111 inserted in a signal path between the RF signal input terminal 81 and the internal power supply generation circuit 82, and a band gap receiving the internal power supply. A bandgap reference power supply 112 for generating a reference voltage, and the internal power supply is used as an operation power supply, and a voltage drop (current detection voltage) generated in the current detection resistor 111 is compared with a bandgap reference voltage.
A voltage comparison circuit 1 that detects when the internal power supply voltage drops below the bandgap reference voltage and outputs a detection flag signal.
13.

【0050】前記制御回路15は、上記検出フラグ信号
が入力しない間はEEPROM87cへのデータ書き込
みを許容し、検出フラグ信号が入力すると、EEPRO
M87cへのデータ書き込みに必要な電源エネルギーが
不足する程度に無線カードがホストから離れてホストか
ら供給される電界が弱くなったと判定し、EEPROM
87cへのデータ書き込み動作を停止させる制御機能を
有する。
The control circuit 15 allows data writing to the EEPROM 87c while the detection flag signal is not input.
When the wireless card is separated from the host and the electric field supplied from the host is weakened to the extent that the power energy required for writing data to the M87c is insufficient, the EEPROM is determined.
It has a control function to stop the operation of writing data to 87c.

【0051】一方、前記電源昇圧回路12は、例えば図
2に示すようにスイッチ素子SW群とキャパシタC群と
からなり、スイッチ素子SW群が相補的なクロック信号
φ、/φによりスイッチ制御される。この構成および動
作はよく知られているので説明を省略するが、クロック
信号の周期に対応して昇圧電圧が制御される。
On the other hand, the power supply boosting circuit 12 comprises, for example, a switch element SW group and a capacitor C group as shown in FIG. 2, and the switch element SW group is switch-controlled by complementary clock signals φ and / φ. . Since this configuration and operation are well known, description thereof will be omitted, but the boosted voltage is controlled according to the cycle of the clock signal.

【0052】そして、前記昇圧クロック生成回路13
は、例えば図3に示すように構成されており、内部電源
電圧を動作電源とし、前記システムクロック信号に基づ
いてクロック信号を生成する。
The boost clock generation circuit 13
Is configured as shown in FIG. 3, for example, and uses an internal power supply voltage as an operation power supply and generates a clock signal based on the system clock signal.

【0053】即ち、図3に示した昇圧クロック生成回路
13は、前記システムクロック信号入力を所定数カウン
トした後に論理レベルが反転する切換タイミング信号を
生成するタイミングカウンタ131と、前記システムク
ロック信号入力をカウントするバイナリカウンタ132
と、セレクタ133とからなる。
That is, the boosting clock generation circuit 13 shown in FIG. 3 includes a timing counter 131 for generating a switching timing signal for inverting a logic level after counting the system clock signal input by a predetermined number, and the system clock signal input. Binary counter 132 to count
And a selector 133.

【0054】このセレクタ133は、前記バイナリカウ
ンタ132の2つの相異なる回路段から出力する第1の
周期を有する相補信号および第2の周期を有する相補信
号を前記タイミングカウンタ131の切換タイミング信
号の論理レベルに応じて切換え選択し、第1のクロック
信号φ1、/φ1あるいは第2のクロック信号φ2、/
φ2として出力する。
The selector 133 converts a complementary signal having a first cycle and a complementary signal having a second cycle output from two different circuit stages of the binary counter 132 into a logic of a switching timing signal of the timing counter 131. Switching is selected according to the level, and the first clock signal φ1, / φ1 or the second clock signal φ2, /
Output as φ2.

【0055】即ち、図4に示すように、昇圧クロック生
成回路13は、内部電源電圧の立上がり時の初期には第
1の周期を有する第1のクロック信号φ1、/φ1を生
成し、その後は第2の周期(前記第1の周期より長い)
を有する第2のクロック信号φ2、/φ2を生成する。
That is, as shown in FIG. 4, boost clock generation circuit 13 generates first clock signals φ1 and / φ1 having the first cycle at the beginning of the rise of the internal power supply voltage, and thereafter. Second cycle (longer than the first cycle)
To generate the second clock signals φ2 and / φ2.

【0056】このように周期が制御されたクロック信号
φ1、/φ1あるいはφ2、/φ2が電源昇圧回路12
に前記クロック信号φ、/φとして供給されると、電源
昇圧回路12から出力する昇圧電圧は、図5に示すよう
に、立上がり時の初期には傾斜が急俊になり、それ以降
(昇圧がほぼ完了する付近を含む)は傾斜が緩やかにな
る昇圧特性を持つようになる。
The clock signal φ1, / φ1 or φ2, / φ2 whose cycle is controlled in this manner is supplied to the power supply booster circuit 12.
5, the boosted voltage output from the power supply boosting circuit 12 has a steep slope at the beginning of the rise, as shown in FIG. (Including the area near the completion) almost has a step-up characteristic in which the slope becomes gentle.

【0057】したがって、EEPROM87cへのデー
タ書き込みに際して、昇圧電圧が高くなる付近では緩や
かに変化するのでEEPROM87cへの衝撃を抑制す
ることができ、しかも、昇圧電圧の立上がり自体は急俊
であるので全体の処理時間を短縮することが可能にな
る。
Therefore, when data is written to the EEPROM 87c, the impact on the EEPROM 87c can be suppressed because the voltage changes gently in the vicinity of an increase in the boosted voltage. Processing time can be reduced.

【0058】なお、昇圧クロック生成回路13から出力
するクロック信号の周期を制御する手段は上記実施例に
限られるものではなく、また、電源昇圧回路12から出
力する昇圧電圧の昇圧特性を制御する手段は上記実施例
に限られるものではない。
The means for controlling the cycle of the clock signal output from the boosted clock generation circuit 13 is not limited to the above embodiment, and the means for controlling the boosting characteristic of the boosted voltage output from the power supply boosting circuit 12 Is not limited to the above embodiment.

【0059】一方、前記乱数信号発生回路14は、例え
ば識別番号データの発生タイミングを制御するために用
いられる乱数信号をハードウエア的に生成するように、
例えば図6に示すように構成されている。
On the other hand, the random number signal generation circuit 14 generates a random number signal used for controlling the generation timing of the identification number data by hardware, for example.
For example, it is configured as shown in FIG.

【0060】即ち、図6において、第1のクロック発生
回路61は第1の周波数(例えば1〜10数MHzの範
囲内の周波数)を有する第1のクロック信号CK1を発
生し、第2のクロック発生回路62は前記第1の周波数
よりも十分に低い第2の周波数を有する第2のクロック
信号CK2を発生する。
That is, in FIG. 6, a first clock generation circuit 61 generates a first clock signal CK1 having a first frequency (for example, a frequency in the range of 1 to several tens of MHz) and a second clock signal CK1. The generation circuit 62 generates a second clock signal CK2 having a second frequency sufficiently lower than the first frequency.

【0061】この場合、各クロック発生回路61、62
は、無線カード内の他の部分で使用されている別の目的
を有するクロック発生回路を兼用したり、各クロック信
号の少なくとも一方として外部からのクロック信号入力
を利用することにより、チップの回路規模を抑えるよう
にしてもよい。
In this case, each of the clock generation circuits 61 and 62
The circuit size of the chip can be increased by also using a clock generation circuit having another purpose used in another part of the wireless card, or by using an external clock signal input as at least one of the clock signals. May be suppressed.

【0062】例えば前記システムクロック信号入力を第
1のクロック信号CK1として用いる場合には、第1の
クロック発生回路61を省略し、前記第2のクロック発
生回路62として、システムクロック信号入力を分周し
て第2のクロック信号CK2を発生する分周回路(図示
せず)を用いるようにしてもよい。
For example, when the system clock signal input is used as the first clock signal CK1, the first clock generation circuit 61 is omitted and the system clock signal input is divided by the second clock generation circuit 62. Then, a frequency dividing circuit (not shown) for generating the second clock signal CK2 may be used.

【0063】あるいは、前記システムクロック信号入力
を第2のクロック信号CK2として用いる場合には、第
2のクロック発生回路62を省略し、前記第1のクロッ
ク発生回路61として、システムクロック信号入力を逓
倍して第1のクロック信号CK1を発生する逓倍回路を
用いるようにしてもよい。
Alternatively, when the system clock signal input is used as the second clock signal CK2, the second clock generation circuit 62 is omitted, and the system clock signal input is multiplied by the first clock generation circuit 61. Then, a multiplying circuit for generating the first clock signal CK1 may be used.

【0064】前記第1のクロック信号CK1は、複数
(n)段のシフト回路からなるシフトレジスタ63(段
数nは、発生させたい乱数の桁数により決まる)の初段
のデータ入力端Dに入力され、各段のシフトクロック入
力端CKには前記第2のクロック信号CK2が入力され
る。
The first clock signal CK1 is input to a first stage data input terminal D of a shift register 63 composed of a plurality of (n) stages of shift circuits (the number n of stages is determined by the number of digits of a random number to be generated). The second clock signal CK2 is input to the shift clock input terminal CK of each stage.

【0065】この場合、第1のクロック信号CK1より
も周波数が十分に低く、第1のクロック信号とは周波数
の相関がない(位相が異なる)第2のクロック信号CK
2によって第1のクロック信号CK1を取り込むタイミ
ングを制御するので、上記シフトレジスタ63の各段出
力には乱数信号(無相関データ)が生成されるようにな
る。
In this case, the frequency of the second clock signal CK is sufficiently lower than that of the first clock signal CK1, and the frequency of the second clock signal CK is different from that of the first clock signal (the phase is different).
2, the timing at which the first clock signal CK1 is fetched is controlled, so that a random number signal (uncorrelated data) is generated at each stage output of the shift register 63.

【0066】なお、第1のクロック信号CK1と第2の
クロック信号CK2の周波数の高低関係が上記とは逆で
あると、上記シフトレジスタ63の各段出力は、全て
“H”あるいは“L”になるおそれがあり、乱数信号が
生成されない。
If the frequency relationship between the first clock signal CK1 and the second clock signal CK2 is opposite to the above, all the outputs of the shift register 63 become "H" or "L". And a random number signal is not generated.

【0067】上記シフトレジスタ63の各段出力は、n
個のラッチ回路からなるデータレジスタ64に入力し、
前記制御回路15から所定のタイミングで供給されるラ
ッチ信号によりラッチされる。このデータレジスタ64
の出力(乱数信号)は、前記制御回路15から所定のタ
イミングで供給される出力イネーブル信号により制御さ
れる出力ゲート回路65を経てデータバスに出力されて
利用される。
The output of each stage of the shift register 63 is n
Input to the data register 64 composed of latch circuits,
It is latched by a latch signal supplied from the control circuit 15 at a predetermined timing. This data register 64
(Random number signal) is output to the data bus via an output gate circuit 65 controlled by an output enable signal supplied at a predetermined timing from the control circuit 15 and used.

【0068】上記のような図6に示した乱数信号発生回
路によれば、非常に簡単なハードウエア構成でありなが
ら、乱数信号を不規則に生成し、識別番号データの発生
タイミングを制御したり、ビット数が多い暗号鍵データ
を発生させることが可能になる。
According to the random number signal generation circuit shown in FIG. 6 as described above, the random number signal is generated irregularly and the generation timing of the identification number data is controlled even though the hardware configuration is very simple. , It is possible to generate encryption key data having a large number of bits.

【0069】なお、前記実施例では、ホストとの間で送
受信する電波は、データ信号により振幅変調されたAS
K信号である場合を示したが、これに限らず、データ信
号により周波数変調されたFSK信号である場合にも本
発明を適用可能である。
In the above embodiment, the radio wave transmitted to and received from the host is an AS signal amplitude-modulated by the data signal.
Although the case where the signal is a K signal is shown, the present invention is not limited to this, and the present invention can be applied to a case where the signal is an FSK signal frequency-modulated by a data signal.

【0070】また、前記実施例にける内部電源電圧低下
回路11の適用は非接触型のICカードに限定される
が、電源昇圧回路12、昇圧クロック生成回路13、乱
数信号発生回路14は、非接触型のICカードに限ら
ず、接触型のICカードにも適用可能である。
Although the application of the internal power supply voltage lowering circuit 11 in the above embodiment is limited to a non-contact type IC card, the power supply booster circuit 12, booster clock generation circuit 13, and random number signal generation circuit 14 The present invention can be applied not only to a contact type IC card but also to a contact type IC card.

【0071】[0071]

【発明の効果】上述したように本発明によれば、ホスト
側から離れていくにつれてデータ書き込みの途中で電源
エネルギーが不足した場合でも、内蔵するEEPROM
に対する安定したデータ書き込み動作を保証し得る非接
触型のICカードを提供することができる。
As described above, according to the present invention, even if power supply energy becomes insufficient during data writing as the distance from the host increases, the built-in EEPROM can be used.
A non-contact type IC card which can guarantee a stable data write operation for the IC card.

【0072】また、本発明によれば、内蔵するEEPR
OMに対して昇圧電圧を供給するための電源昇圧回路の
昇圧特性を改善し、データ書き込み時間、データ処理時
間を短縮し得る接触型あるいは非接触型のICカードを
提供することができる。
According to the present invention, the built-in EEPR
It is possible to provide a contact type or non-contact type IC card capable of improving a boosting characteristic of a power supply boosting circuit for supplying a boosted voltage to the OM and shortening a data writing time and a data processing time.

【0073】また、本発明によれば、内蔵する乱数信号
発生回路によるハードウエア的な処理により乱数信号を
不規則に生成し得る接触型あるいは非接触型のICカー
ドを提供することができる。
Further, according to the present invention, it is possible to provide a contact type or non-contact type IC card which can randomly generate a random number signal by hardware-based processing by a built-in random number signal generation circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係る無線カードの
ICチップの一例を示す回路図。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of an IC chip of a wireless card according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1中の電源昇圧回路の一例を示す回路図。FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a power supply boosting circuit in FIG. 1;

【図3】図1中の昇圧クロック生成回路の一例を示す回
路図。
FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of a boost clock generation circuit in FIG. 1;

【図4】図3の昇圧クロック生成回路の出力信号の一例
を示す波形図。
4 is a waveform chart showing an example of an output signal of the boost clock generation circuit of FIG.

【図5】図4のクロック信号が図2の電源昇圧回路に供
給された場合の昇圧電圧の一例を示す波形図。
FIG. 5 is a waveform chart showing an example of a boosted voltage when the clock signal of FIG. 4 is supplied to the power supply boosting circuit of FIG. 2;

【図6】図1中の乱数信号発生回路の一例を示す回路
図。
FIG. 6 is a circuit diagram showing an example of a random number signal generation circuit in FIG. 1;

【図7】非接触型のタグ識別システム(RFIDシステ
ム)の構成の一例を示すブロック図。
FIG. 7 is a block diagram showing an example of a configuration of a non-contact type tag identification system (RFID system).

【図8】図7中の無線カードの内部回路の従来例を具体
的に示す回路図。
8 is a circuit diagram specifically showing a conventional example of an internal circuit of the wireless card in FIG. 7;

【図9】図8中の電源昇圧回路の昇圧特性を示す波形
図。
FIG. 9 is a waveform chart showing boost characteristics of the power boost circuit in FIG. 8;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…RFIDチップ、 11…内部電源電圧低下検出回路、 12…電源昇圧回路、 13…昇圧クロック生成回路、 14…乱数信号発生回路、 15…制御回路、 71…アンテナコイル、 81…RF信号入力端子、 82…内部電源生成回路、 83…パワーオン回路、 84…クロック生成回路、 85…データ復調回路、 86…送信パルス生成回路、 87…半導体メモリ部、 87c…EEPROM。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... RFID chip, 11 ... Internal power supply voltage drop detection circuit, 12 ... Power supply boost circuit, 13 ... Boost clock generation circuit, 14 ... Random number signal generation circuit, 15 ... Control circuit, 71 ... Antenna coil, 81 ... RF signal input terminal 82, an internal power supply generation circuit, 83, a power-on circuit, 84, a clock generation circuit, 85, a data demodulation circuit, 86, a transmission pulse generation circuit, 87, a semiconductor memory unit, 87c, an EEPROM.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電力の受信、データの送受信を兼ねるア
ンテナコイルと、半導体メモリおよび制御回路が形成さ
れた集積回路チップとを内蔵する非接触型のICカード
において、前記集積回路チップには、 前記アンテナコイルから入力する高周波信号から内部電
源電圧を生成する内部電源生成回路と、 前記アンテナコイルから入力する高周波信号から受信デ
ータ信号を復元するデータ復調回路と、 前記アンテナコイルから入力する高周波信号に基づいて
システムクロック信号を生成するクロック生成回路と、 電気的消去・再書込可能なメモリと、 前記内部電源電圧を受けて前記メモリに供給するための
昇圧電圧を生成する電源昇圧回路と、 前記内部電源電圧が一定値以下へ低下した時を検出して
検出フラグ信号を出力する内部電源電圧低下検出回路
と、 前記内部電源電圧を受けて動作し、前記検出フラグ信号
を受けない期間は前記メモリに対するデータの書き替え
が可能となるように制御し、前記検出フラグ信号を受け
た時には前記メモリに対するデータの書き替えが不可能
となるように制御する制御回路とを具備することを特徴
とするICカード。
1. A non-contact type IC card including an antenna coil for receiving power and transmitting and receiving data and an integrated circuit chip on which a semiconductor memory and a control circuit are formed, wherein the integrated circuit chip includes: An internal power supply generation circuit that generates an internal power supply voltage from a high-frequency signal input from the antenna coil; a data demodulation circuit that restores a received data signal from a high-frequency signal input from the antenna coil; and a high-frequency signal input from the antenna coil. A clock generation circuit that generates a system clock signal by using the same, an electrically erasable and rewritable memory, a power supply booster circuit that receives the internal power supply voltage and generates a boosted voltage to be supplied to the memory, Internal power supply voltage drop that detects when the power supply voltage drops below a certain value and outputs a detection flag signal A detection circuit, which operates upon receiving the internal power supply voltage, controls so that data can be rewritten to the memory during a period in which the detection flag signal is not received, and controls the memory when receiving the detection flag signal. An IC card, comprising: a control circuit for controlling data rewriting to be impossible.
【請求項2】 請求項1記載のICカードにおいて、前
記内部電源電圧低下検出回路は、 前記高周波信号が入力する端子と前記内部電源生成回路
との間の信号経路に挿入された電流検出用抵抗と、 前記内部電源電圧を受けてバンドギャップ基準電圧を生
成するバンドギャップ基準電源と、 前記電流検出用抵抗に生じた電流検出電圧を前記バンド
ギャップ基準電圧と比較し、内部電源電圧がバンドギャ
ップ基準電圧以下へ低下した時を検出して前記検出フラ
グ信号を出力する電圧比較回路とを具備することを特徴
とするICカード。
2. The IC card according to claim 1, wherein the internal power supply voltage drop detection circuit includes a current detection resistor inserted in a signal path between a terminal to which the high-frequency signal is input and the internal power supply generation circuit. A bandgap reference power supply that receives the internal power supply voltage and generates a bandgap reference voltage; and compares a current detection voltage generated in the current detection resistor with the bandgap reference voltage, and determines that the internal power supply voltage is a bandgap reference. An IC card, comprising: a voltage comparison circuit that detects when the voltage drops below a voltage and outputs the detection flag signal.
【請求項3】 電気的消去・再書込可能なメモリと、 電源電圧を受け、この電源電圧をクロック信号に応じて
昇圧して前記メモリに供給する電源昇圧回路と、 システムクロック信号に基づいて前記クロック信号を生
成し、前記昇圧電圧の立上がり時の初期には第1の周期
を有する第1のクロック信号を生成し、その後は前記第
1の周期より長い第2の周期を有する第2のクロック信
号を生成する昇圧クロック生成回路と、 前記電源電圧を受けて動作し、前記メモリに対するデー
タの書き替えを制御する制御回路とを具備し、 前記電源昇圧回路は、前記クロック信号が供給されるこ
とにより昇圧電圧の立上がり時の初期には傾斜が急俊に
なり、それ以降は傾斜が緩やかになる昇圧特性を持つこ
とを特徴とするICカード。
3. A memory capable of electrically erasing and rewriting, a power supply boosting circuit for receiving a power supply voltage, boosting the power supply voltage according to a clock signal and supplying the boosted power supply to the memory, and a system clock signal. Generating the clock signal, generating a first clock signal having a first cycle at an initial stage when the boosted voltage rises, and then generating a second clock signal having a second cycle longer than the first cycle. A boost clock generation circuit that generates a clock signal; and a control circuit that operates in response to the power supply voltage and controls rewriting of data in the memory. The power supply booster circuit is supplied with the clock signal. Accordingly, an IC card having a boosting characteristic in which the slope becomes steep at an early stage when the boosted voltage rises, and thereafter becomes gentler thereafter.
【請求項4】 請求項3記載のICカードにおいて、前
記昇圧クロック生成回路は、 システムクロック信号入力を所定数カウントした後に論
理レベルが反転する切換タイミング信号を生成するタイ
ミングカウンタと、 前記システムクロック信号入力をカウントするバイナリ
カウンタと、 前記バイナリカウンタの2つの異なる回路段から出力す
る第1の周期を有する信号および第2の周期を有する信
号を前記タイミングカウンタの切換タイミング信号の論
理レベルに応じて切換え選択し、第1のクロック信号あ
るいは第2のクロック信号として出力するセレクタとを
具備することを特徴とするICカード。
4. The IC card according to claim 3, wherein the boost clock generation circuit generates a switching timing signal for inverting a logic level after counting a predetermined number of system clock signal inputs, and the system clock signal. A binary counter for counting inputs, and a signal having a first cycle and a signal having a second cycle output from two different circuit stages of the binary counter are switched according to a logic level of a switching timing signal of the timing counter. A selector for selecting and outputting as a first clock signal or a second clock signal.
【請求項5】 第1の周波数を有する第1のクロック信
号が初段のデータ入力端に入力し、前記第1の周波数よ
りも低い第2の周波数を有する第2のクロック信号が各
段のシフトクロック入力端に入力する複数段のシフト回
路からなるシフトレジスタと、 前記シフトレジスタの各段出力を所定のタイミングでラ
ッチする複数個のラッチ回路からなるデータレジスタ
と、 前記データレジスタのラッチタイミングを制御する制御
回路とを具備することを特徴とするICカード。
5. A first clock signal having a first frequency is input to a first stage data input terminal, and a second clock signal having a second frequency lower than the first frequency is shifted by each stage. A shift register including a plurality of stages of shift circuits input to a clock input terminal, a data register including a plurality of latch circuits for latching the output of each stage of the shift register at a predetermined timing, and controlling a latch timing of the data register An IC card, comprising:
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