JP2000156624A - Surface acoustic wave device and its production - Google Patents
Surface acoustic wave device and its productionInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、弾性表面波フィ
ルタ、遅延線等として使用される弾性表面波素子および
その製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device used as a surface acoustic wave filter, a delay line, and the like, and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】中心周波数が数１０〜１００ＭＨｚの弾
性表面波フィルタ（ＳＡＷフィルタ）は、水晶基板等の
圧電基板に電極を配置することにより製造されており、
その際には特性重視で作られているため、比較的大型な
構造になりやすい。しかし、チューナー装置の小型化お
よび製造コスト、歩留り等を考えると、ＳＡＷフィルタ
ーの小型化が必要である。そこで、小型でかつ現状レベ
ルの電気特性を有するものを作製することを考えると、
従来の水晶基板単体ではこれに応えることは困難であ
り、レーリー波速度が遅く、電気機械結合係数（Ｋ２）
が大きい、ＺｎＯ圧電性薄膜を形成した複合水晶基板に
よるデバイスが有望である。2. Description of the Related Art A surface acoustic wave filter (SAW filter) having a center frequency of several tens to 100 MHz is manufactured by disposing electrodes on a piezoelectric substrate such as a quartz substrate.
In that case, since it is made with an emphasis on characteristics, it tends to have a relatively large structure. However, considering the miniaturization of the tuner device, the manufacturing cost, the yield, and the like, it is necessary to reduce the size of the SAW filter. Therefore, considering manufacturing a compact product with the current level of electrical characteristics,
It is difficult to meet this with a conventional quartz substrate alone, the Rayleigh wave velocity is low, and the electromechanical coupling coefficient (K 2 )
A device using a composite quartz substrate on which a ZnO piezoelectric thin film is formed is promising.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】このＺｎＯ膜の形成に
は、通常、ＲＦスパッタリング法を用いるが、ＺｎＯ膜
の圧電特性を生かすためには、結晶性の良い高配向の膜
が必要である。ＺｎＯ膜は、成膜条件（基板温度、ガス
圧等）により形成される膜の性状が大きく異なることが
わかっており、基板温度を低温（２５℃〜２００℃）に
加熱してスパッタリングを行うことにより表面形状がな
めらかで良好な結晶膜が得られる。しかし、基板温度が
低いと膜の応力が大きくなって基板が凸状に反るという
問題がある。一方、基板を高温（４００℃）に加熱して
スパッタリングを行えば、上記反りの問題は避けられ結
晶の配向性も良いが、膜の表面が荒れる現象がある。と
ころで上記膜の表面には、電気信号の入出力のために電
極を配置する必要があり、上記膜の表面が荒れている
と、電極の配置を良好に行うことが困難になる。また、
その結果、素子としての特性が劣化する問題もある。こ
のため、上記温度の中間の温度でスパッタリングする方
法が最も有望であるが、基板の反りおよび膜の表面性状
に関し、それぞれ少なからず問題を抱えることになる。In order to form the ZnO film, an RF sputtering method is usually used. However, in order to utilize the piezoelectric characteristics of the ZnO film, a highly oriented film having good crystallinity is required. It is known that the properties of the formed ZnO film vary greatly depending on the film forming conditions (substrate temperature, gas pressure, etc.), and sputtering is performed by heating the substrate temperature to a low temperature (25 ° C. to 200 ° C.). Thereby, a favorable crystal film having a smooth surface shape can be obtained. However, there is a problem that when the substrate temperature is low, the stress of the film increases and the substrate warps in a convex shape. On the other hand, if the substrate is heated to a high temperature (400 ° C.) and sputtering is performed, the above-mentioned problem of warpage can be avoided and the crystal orientation is good, but there is a phenomenon that the surface of the film is roughened. By the way, it is necessary to arrange electrodes on the surface of the film for inputting and outputting electric signals. If the surface of the film is rough, it is difficult to arrange the electrodes properly. Also,
As a result, there is a problem that the characteristics as an element are deteriorated. For this reason, a method of sputtering at a temperature intermediate to the above temperature is the most promising, but there are some problems concerning the warpage of the substrate and the surface properties of the film.
【０００４】本発明は、上記事情を背景としてなされた
ものであり、基板の反りを招くことなく、基板に形成さ
れる圧電性薄膜の表面性状を滑らかにすることができる
弾性表面波素子の製造方法を提供することを目的とし、
さらには圧電性薄膜に電極が良好に形成された弾性表面
波用素子を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and is intended to manufacture a surface acoustic wave device capable of smoothing the surface properties of a piezoelectric thin film formed on a substrate without causing the substrate to warp. To provide a way,
It is another object of the present invention to provide a surface acoustic wave element in which electrodes are preferably formed on a piezoelectric thin film.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の弾性表面波素子のうち第１の発明は、基板
上に金属薄膜が形成され、その上層に１種または数種の
遷移金属元素と酸素、硫黄等のＶＩ族の元素からなる化
合物の圧電性薄膜が形成されており、該圧電性薄膜の表
面部に電極が配置されていることを特徴とする。第２の
発明の弾性表面波素子は、第１の発明の弾性表面波素子
において、金属薄膜が、アモルファスまたはアモルファ
スに近い金属からなることを特徴とする。Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, a first aspect of the surface acoustic wave element of the present invention is that a metal thin film is formed on a substrate, and one or several transitions are formed on the metal thin film. A piezoelectric thin film of a compound comprising a metal element and a group VI element such as oxygen and sulfur is formed, and an electrode is disposed on a surface portion of the piezoelectric thin film. A surface acoustic wave element according to a second aspect of the present invention is the surface acoustic wave element according to the first aspect, wherein the metal thin film is made of an amorphous or nearly amorphous metal.
【０００６】さらに、本発明の弾性表面波素子の製造方
法は、基板上に金属薄膜を形成し、その後、該金属薄膜
の上層に、前記基板を２００℃〜３５０℃に加熱した薄
膜形成手段により圧電性薄膜を形成することを特徴とす
る。Further, in the method of manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention, a metal thin film is formed on a substrate, and thereafter, the substrate is heated to 200 to 350 ° C. by a thin film forming means on the metal thin film. It is characterized in that a piezoelectric thin film is formed.
【０００７】本発明における基板には、従来の単体材と
同材質である水晶を使用することができ、水晶基板の周
波数温度特性を生かしながら、圧電性薄膜との間で複合
圧電材料として機能させることができる。なお、基板に
はその他に、従来、基板として使用されていたタンタル
酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の材料を使用すること
ができる。また、基板には、上記した複合圧電材料とし
ての機能は期待せず、圧電性薄膜の支持体として使用す
るものであってもよい。The substrate of the present invention can be made of quartz, which is the same material as a conventional single material, and functions as a composite piezoelectric material with the piezoelectric thin film while utilizing the frequency temperature characteristics of the quartz substrate. be able to. In addition, other materials such as lithium tantalate and lithium niobate which have been conventionally used as the substrate can be used for the substrate. Further, the substrate is not expected to function as the above-described composite piezoelectric material, and may be used as a support for a piezoelectric thin film.
【０００８】次に、基板上に形成される金属薄膜は、そ
の後に形成される圧電性薄膜よりは十分に薄いものとす
る。その厚さは特に限定されないが、０．１〜１μｍの
厚さで形成することができる。また金属薄膜の形成方法
も特に限定されるものではなく、真空蒸着、スパッタ等
の常法の薄膜形成方法を適宜採用することができる。ま
た、金属薄膜の形成は、基板の全面または圧電性薄膜が
形成される予定領域の全面に行ってもよいが、少なくと
も後述する電極が形成される面下に、部分的にまたは電
極に反ってパターン化して形成することもできる。な
お、金属薄膜を構成する材料としては、アルミニウム、
金、銅のいずれかを用いることができ、またはこれらを
主成分とする合金をもちいることができる。なお、金属
薄膜の材質の選択に際しては、圧電性薄膜に設けられる
電極と同材質のものとすることができる。また、金属薄
膜は結晶質であるよりもアモルファスまたはアモルファ
スに近い金属からなるものが望ましい。これは、金属薄
膜を結晶質でない上記構造で構成することにより、金属
薄膜の上層に形成される圧電性薄膜が配向性が高い良質
の単結晶になり、圧電特性を向上させて、より特性の優
れた弾性表面波素子が得られるためである。なお、金属
薄膜が結晶質の場合に、その上層に圧電性薄膜を形成す
ると、圧電性薄膜は多結晶構造になり、上記単結晶相の
圧電性薄膜よりも特性の点では劣ることが認められる。
なお、上記のように金属薄膜は完全なアモルファスとな
るのが最も望ましいが、アモルファスと結晶とが混在す
る場合に、アモルファスが体積割合で５０％を超えるよ
うなアモルファスに近いものであっても圧電性薄膜を良
質に単結晶化するという点で効果がある。 また、アモ
ルファスまたはアモルファスに近い金属薄膜は、金属薄
膜形成時に、雰囲気調整、加熱温度等の薄膜形成条件を
適宜調整することにより得ることができる。Next, the metal thin film formed on the substrate is sufficiently thinner than the piezoelectric thin film formed thereafter. Although the thickness is not particularly limited, it can be formed with a thickness of 0.1 to 1 μm. The method for forming the metal thin film is not particularly limited, and a conventional thin film forming method such as vacuum deposition or sputtering can be appropriately employed. Further, the metal thin film may be formed on the entire surface of the substrate or on the entire surface of the region where the piezoelectric thin film is to be formed. It can also be formed by patterning. The materials constituting the metal thin film include aluminum,
Either gold or copper can be used, or an alloy containing these as a main component can be used. When selecting the material of the metal thin film, the same material as the electrode provided on the piezoelectric thin film can be used. Further, it is desirable that the metal thin film is made of an amorphous or nearly amorphous metal rather than a crystalline one. This is because, by configuring the metal thin film with the above structure that is not crystalline, the piezoelectric thin film formed on the metal thin film becomes a high-quality single crystal with high orientation, improving the piezoelectric characteristics and improving the characteristics. This is because an excellent surface acoustic wave element can be obtained. When the metal thin film is crystalline and a piezoelectric thin film is formed thereon, the piezoelectric thin film has a polycrystalline structure, and it is recognized that the piezoelectric thin film is inferior in characteristics to the single crystal phase piezoelectric thin film. .
It is most desirable that the metal thin film be completely amorphous as described above. However, when amorphous and crystal are mixed, even if the amorphous volume is more than 50% by volume, the piezoelectric film is made of piezoelectric material. This is effective in that the conductive thin film is monocrystallized with good quality. In addition, an amorphous or near-amorphous metal thin film can be obtained by appropriately adjusting thin film forming conditions such as atmosphere adjustment and heating temperature when forming the metal thin film.
【０００９】次に、金属薄膜が形成された基板の上層
に、圧電性薄膜を形成する。この圧電性薄膜の種類とし
てはＺｎＯが特徴的であるが、本発明としてはこれに限
定されるものではなく、１種または数種の遷移金属元素
と酸素、硫黄等のＶＩ族の元素からなる化合物で圧電性
を示すであればよく、さらにはレーリー波速度が小さ
く、Ｋ２が大きい等の所望の特性を有するものが望まし
い。上記圧電性薄膜の形成方法としては、代表的にはス
パッタリング、真空蒸着等の薄膜形成手段を挙げること
ができるが、本発明としては、特にその手段が限定され
るものではない。また、その際の条件については特に限
定されないが、基板の加熱温度については２００〜３５
０℃とするのが望ましい。この加熱温度範囲にすること
により、圧電性薄膜の結晶性が向上するとともに、膜の
応力によって基板が反るのを防止することができる。ま
た、上記加熱温度範囲では、比較的低温であることか
ら、金属薄膜をアモルファスまたはアモルファスに近い
金属で構成した場合に、圧電薄膜の形成に際し、金属薄
膜が結晶化するのを防止できる。また、圧電性薄膜は、
上記した金属薄膜に比べて十分な厚さを有していること
が必要であり、これにより金属薄膜は圧電性薄膜によっ
て覆われる。その厚さを例示すると、５〜２０μｍが挙
げられる。Next, a piezoelectric thin film is formed on the substrate on which the metal thin film is formed. The type of the piezoelectric thin film is characterized by ZnO, but the present invention is not limited to ZnO. The piezoelectric thin film is composed of one or several transition metal elements and group VI elements such as oxygen and sulfur. compound long exhibit piezoelectricity, yet has a small Rayleigh wave velocity, it is desirable to have the desired properties such as K 2 is large. As a method of forming the piezoelectric thin film, typically, there can be mentioned thin film forming means such as sputtering and vacuum deposition. However, the present invention is not particularly limited to such means. The conditions at that time are not particularly limited, but the heating temperature of the substrate is 200 to 35.
Desirably, it is 0 ° C. By setting the heating temperature range, the crystallinity of the piezoelectric thin film is improved, and the substrate can be prevented from warping due to the stress of the film. Further, since the heating temperature is relatively low in the heating temperature range, when the metal thin film is made of an amorphous or nearly amorphous metal, it is possible to prevent the metal thin film from being crystallized when forming the piezoelectric thin film. In addition, the piezoelectric thin film
It is necessary that the metal thin film has a sufficient thickness as compared with the above-mentioned metal thin film, so that the metal thin film is covered with the piezoelectric thin film. An example of the thickness is 5 to 20 μm.
【００１０】上記により得られる圧電材料には、圧電性
薄膜上に電極が配置される。電極の材質としてはアルミ
ニウムまたはアルミニウム電極が一般的であり、本発明
の電極においてもこれらの材料で構成することができ
る。但し、本発明としては、電極の材質が特定のものに
限定されるものではない。また、電極の配置方法も特に
限定されるものではなく、常法に従って、例えばフォト
リソグラフィ等によって電極を形成、配置することがで
きる。なお、本発明によれば、基板に形成される圧電性
薄膜は、結晶性がよく、また表面性状に優れているの
で、その表面に良好に電極を配置することができ、製造
効率も向上する。また、その結果、電極を良好に配置で
きないことによる特性の劣化を招くこともない。この表
面性状の改善の詳細な作用は十分に明らかではないが、
基板上に形成した金属薄膜が、その上方において圧電性
薄膜の表面性状の改善に寄与していることは明らかであ
る。In the piezoelectric material obtained as described above, electrodes are disposed on a piezoelectric thin film. As a material of the electrode, aluminum or an aluminum electrode is generally used, and the electrode of the present invention can also be formed of these materials. However, in the present invention, the material of the electrode is not limited to a specific material. The method for arranging the electrodes is not particularly limited, and the electrodes can be formed and arranged according to a conventional method, for example, by photolithography. According to the present invention, since the piezoelectric thin film formed on the substrate has good crystallinity and excellent surface properties, electrodes can be favorably arranged on the surface, and the production efficiency is improved. . In addition, as a result, deterioration of characteristics due to the inability to arrange the electrodes properly does not occur. Although the detailed effects of this improvement in surface properties are not fully understood,
It is clear that the metal thin film formed on the substrate contributes to improving the surface properties of the piezoelectric thin film above the metal thin film.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下に、本発明の一実施形態を図
１に基づき説明する。水晶基板１の表面に真空蒸着によ
り金属薄膜としてアモルファスからなるアルミニウム薄
膜２を形成し、その後、水晶基板１をアルミニウム薄膜
２とともに２００〜３５０℃に加熱して、ＺｎＯターゲ
ット（図示しない）を用いてスパッタリング（薄膜形成
手段の一つ）を行う。このスパッタリングにより、水晶
基板１上には、アルミニウム薄膜２（金属薄膜）を覆う
ようにしてＺｎＯ膜（圧電性薄膜）３が形成される。上
記スパッタリングの結果得られたＺｎＯ膜３は、なめら
かな表面性状を有しており、また単結晶でかつ結晶性が
良好な圧電材料が得られる。次いで、この圧電材料の表
面、すなわちＺｎＯ膜３上にアルミニウム膜を真空蒸着
し、その後、フォトリソグラフィの手法により所定のパ
ターンでアルミニウム電極４を形成する。この電極４に
形成に際しては、ＺｎＯ膜の表面性状が良好であるた
め、電極４を良好に形成することができ、電極配置に伴
う特性の劣化のない弾性表面波素子５が得られる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. An amorphous aluminum thin film 2 is formed as a metal thin film on the surface of a quartz substrate 1 by vacuum evaporation, and then the quartz substrate 1 is heated together with the aluminum thin film 2 to 200 to 350 ° C. using a ZnO target (not shown). Sputtering (one of thin film forming means) is performed. By this sputtering, a ZnO film (piezoelectric thin film) 3 is formed on the quartz substrate 1 so as to cover the aluminum thin film 2 (metal thin film). The ZnO film 3 obtained as a result of the above-mentioned sputtering has a smooth surface property, and a piezoelectric material which is single crystal and has good crystallinity can be obtained. Next, an aluminum film is vacuum-deposited on the surface of the piezoelectric material, that is, on the ZnO film 3, and then an aluminum electrode 4 is formed in a predetermined pattern by a photolithography technique. When the electrode 4 is formed, since the surface properties of the ZnO film are good, the electrode 4 can be formed satisfactorily, and the surface acoustic wave device 5 with no deterioration in characteristics due to the electrode arrangement can be obtained.
【００１２】[0012]
【実施例】次に、本発明の表面性状を確認するため、上
記実施形態の条件にて、水晶基板１の表面に、０．６μ
ｍの厚さでアモルファスからなるアルミニウム薄膜２を
形成し、以下に示す成膜条件でその上層に１０μｍの厚
さでＺｎＯ膜３を形成した。成膜条件は次の通りであ
る。 高周波電源：１ｋｗ ガ ス：アルゴン、酸素 ガス比率：（アルゴン／酸素＝８／２） ガス圧：５×１０−３Ｔｏｒｒ 基板温度：３００℃ 基板距離：６０ｍｍ（ターゲット基板間距離）EXAMPLE Next, in order to confirm the surface properties of the present invention, 0.6 μm was applied to the surface of the quartz substrate 1 under the conditions of the above embodiment.
An aluminum thin film 2 made of amorphous was formed with a thickness of m, and a ZnO film 3 was formed thereon with a thickness of 10 μm under the following film forming conditions. The film forming conditions are as follows. High frequency power supply: 1 kw Gas: argon, oxygen Gas ratio: (argon / oxygen = 8/2) Gas pressure: 5 × 10 −3 Torr Substrate temperature: 300 ° C. Substrate distance: 60 mm (distance between target substrates)
【００１３】なお、図２中（ａ）は、水晶基板１の全面
にアルミニウム薄膜２を形成したものであり、図２
（ｂ）は、水晶基板１の一部にアルミニウム薄膜２を形
成し、一部では、アルミニウム薄膜２を形成することな
く直接基板１上にＺｎＯ膜１３を形成したものである。
さらに、比較のため、図２（ｃ）に示すように、基板１
上にアルミニウム薄膜２を形成することなく直接にＺｎ
Ｏ膜３を形成した。FIG. 2A shows a crystal substrate 1 having an aluminum thin film 2 formed on the entire surface thereof.
(B) shows a structure in which an aluminum thin film 2 is formed on a part of a quartz substrate 1 and a ZnO film 13 is formed on the substrate 1 directly without forming the aluminum thin film 2 on a part.
Further, for comparison, as shown in FIG.
Zn directly without forming the aluminum thin film 2 on it
An O film 3 was formed.
【００１４】図３は、上記により得られた圧電材料を断
面した斜視方向からの顕微鏡写真である。図３中（ａ）
は、図２（ａ）の圧電材料の顕微鏡写真（倍率５０００
倍）であり、ＺｎＯ膜３は単結晶からなるとともに表面
一面に亘り、滑らかな表面性状を有している。図３
（ｂ）は、図２（ｂ）の圧電材料の顕微鏡写真（倍率２
０００倍）であり、アルミニウム薄膜２が形成されてい
る部分の上方に形成されているＺｎＯ膜３ａは配向性の
高い単結晶からなるとともに滑らかな表面を有している
のに対し、アルミニウム薄膜を形成することなく直接に
ＺｎＯ膜が形成されている部分３ｂでは、ＺｎＯ膜３ｂ
が配向性の良好でない多結晶からなるとともに、その表
面が荒れていることが分かる。さらに、図３（ｃ）は、
図２（ｃ）の圧電材料の顕微鏡写真（倍率５０００倍）
であり、ＺｎＯ膜１３は、多結晶からなるとともに、そ
の表面は一面に亘って荒れていることが分かる。以上の
点から、アルミニウム薄膜の形成が、その上方において
ＺｎＯ膜の表面性状を滑らかにしていることが理解され
る。また、金属薄膜がアモルファスからなることにより
その上層のＺｎＯ膜が配向性の高い単結晶になることが
分かる。FIG. 3 is a photomicrograph from a perspective direction of a cross section of the piezoelectric material obtained as described above. (A) in FIG.
Is a micrograph (magnification: 5000) of the piezoelectric material of FIG.
The ZnO film 3 is made of a single crystal and has a smooth surface property over the entire surface. FIG.
(B) is a micrograph (magnification: 2) of the piezoelectric material of FIG.
The ZnO film 3a formed above the portion where the aluminum thin film 2 is formed is made of a single crystal with high orientation and has a smooth surface. In the portion 3b where the ZnO film is directly formed without being formed, the ZnO film 3b
It can be seen that is composed of polycrystal having poor orientation and has a rough surface. Further, FIG. 3 (c)
A micrograph of the piezoelectric material shown in FIG. 2C (magnification: 5000).
It can be seen that the ZnO film 13 is made of polycrystal and the surface is rough over one surface. From the above points, it is understood that the formation of the aluminum thin film smoothes the surface properties of the ZnO film above it. Further, it can be seen that when the metal thin film is made of amorphous, the ZnO film thereover becomes a single crystal with high orientation.
【００１５】また、上記において、圧電性薄膜の形成に
際し、基板温度を変えて成膜を行い、得られた圧電性薄
膜の面ピーク強度を測定した。図４は、スパッタリング
時の水晶基板温度とＸ線回折による面ピーク強度との特
性図である。この図から明らかなように、水晶基板温度
が２００℃〜３５０℃の範囲で、結晶性が向上すること
が判る。In the above, when forming the piezoelectric thin film, the film was formed by changing the substrate temperature, and the surface peak intensity of the obtained piezoelectric thin film was measured. FIG. 4 is a characteristic diagram of the temperature of the quartz substrate at the time of sputtering and the surface peak intensity by X-ray diffraction. As is apparent from this figure, the crystallinity is improved when the temperature of the quartz substrate is in the range of 200 ° C. to 350 ° C.
【００１６】[0016]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の弾性表面
波素子の製造方法によれば、基板上に、表面性状が良好
で結晶性に優れた圧電性薄膜が形成されるので、この圧
電性薄膜上に電極を配置して弾性表面波素子を構成すれ
ば、特性の劣化を招くことなく、レーリー波速度が遅
く、電気機械結合係数（Ｋ２）が大きい素子を得ること
ができ、素子の小型化が可能になり、また製造コスト、
歩留りが向上する効果がある。As described above, according to the method of manufacturing a surface acoustic wave device of the present invention, a piezoelectric thin film having good surface properties and excellent crystallinity is formed on a substrate. When electrodes are arranged on a conductive thin film to constitute a surface acoustic wave element, an element having a low Rayleigh wave velocity and a large electromechanical coupling coefficient (K 2 ) can be obtained without deteriorating characteristics. Can be downsized, and the manufacturing cost,
This has the effect of improving the yield.
【図１】 本発明の一実施形態を示す工程図である。FIG. 1 is a process chart showing an embodiment of the present invention.
【図２】 本発明の実施例において比較する圧電材料の
断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a piezoelectric material to be compared in an example of the present invention.
【図３】 同じく、圧電材料の斜視方向からの図面代用
写真である。FIG. 3 is also a drawing substitute photograph of a piezoelectric material from a perspective direction.
【図４】 水晶基板温度とＸ線回折による面ピーク強度
との関係を示す特性図である。FIG. 4 is a characteristic diagram showing a relationship between a quartz substrate temperature and a surface peak intensity by X-ray diffraction.
１ 水晶基板 ２ アルミニウム薄膜 ３ ＺｎＯ膜 ４ アルミニウム電極 ５ 弾性表面波素子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Quartz substrate 2 Aluminum thin film 3 ZnO film 4 Aluminum electrode 5 Surface acoustic wave element
フロントページの続き (72)発明者 米内 敏文 千葉県四街道市鷹の台１丁目３番 株式会 社日本製鋼所内 (72)発明者 海老沢 孝 千葉県四街道市鷹の台１丁目３番 株式会 社日本製鋼所内 (72)発明者 岸田 和人 東京都渋谷区道玄坂１丁目14番地６号 株 式会社ケンウッド内 (72)発明者 竹之内 敦 東京都渋谷区道玄坂１丁目14番地６号 株 式会社ケンウッド内 Ｆターム(参考） 5J097 AA06 AA29 AA32 EE08 FF02 HA03 KK00 KK07 KK09 Continued on the front page (72) Inventor Toshifumi Yoneuchi 1-3-3 Takanodai, Yokkaido, Chiba Prefecture Inside Japan Steel Works (72) Inventor Takashi Ebisawa 1-3-3 Takanodai, Yotsukaido City, Chiba Japan Works (72 ) Inventor Kazuhito Kishida 1-14-6 Dogenzaka, Shibuya-ku, Tokyo Inside Kenwood Corporation (72) Inventor Atsushi Takenouchi 1-14-6 Dogenzaka, Shibuya-ku Tokyo, Japan F-term in Kenwood Corporation (reference) 5J097 AA06 AA29 AA32 EE08 FF02 HA03 KK00 KK07 KK09
Claims (3)
に１種または数種の遷移金属元素と酸素、硫黄等のＶＩ
族の元素からなる化合物の圧電性薄膜が形成されてお
り、該圧電性薄膜の表面部に電極が配置されていること
を特徴とする弾性表面波素子1. A metal thin film is formed on a substrate, and one or several transition metal elements and a VI such as oxygen, sulfur, etc. are formed thereon.
A piezoelectric thin film of a compound comprising a group III element, and an electrode disposed on the surface of the piezoelectric thin film;
ファスに近い金属からなることを特徴とする請求項１記
載の弾性表面波素子2. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the metal thin film is made of an amorphous or nearly amorphous metal.
金属薄膜の上層に、前記基板を２００℃〜３５０℃に加
熱した薄膜形成手段により圧電性薄膜を形成することを
特徴とする弾性表面波素子の製造方法3. A resilient method comprising: forming a metal thin film on a substrate; and forming a piezoelectric thin film on the metal thin film by a thin film forming means in which the substrate is heated to 200 ° C. to 350 ° C. Method for manufacturing surface acoustic wave device
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10251043A JP2000156624A (en) | 1998-09-04 | 1998-09-04 | Surface acoustic wave device and its production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1998
- 1998-09-04 JP JP10251043A patent/JP2000156624A/en active Pending
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