JP2000144437A - Electroless plating method, electroless plating device, production of wiring board and device for producing wiring board - Google Patents

Electroless plating method, electroless plating device, production of wiring board and device for producing wiring board

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JP2000144437A
JP2000144437A JP10326345A JP32634598A JP2000144437A JP 2000144437 A JP2000144437 A JP 2000144437A JP 10326345 A JP10326345 A JP 10326345A JP 32634598 A JP32634598 A JP 32634598A JP 2000144437 A JP2000144437 A JP 2000144437A
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JP
Japan
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plating
electroless plating
plated
laser
plating solution
Prior art date
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JP10326345A
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Japanese (ja)
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Yoshihide Yamaguchi
欣秀 山口
Mikio Hongo
幹雄 本郷
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To easily form a thick plated film in a narrow region with high positional precision at a low cost by irradiating the surface of the object to be plated dipped into an electroless plating soln. contg. metallic ions, a complexing agent, a reducing agent, a pH regulator or the like with light beam and leaving standing it in the plating soln. for a prescribed time. SOLUTION: An object 1 to be plated whose surface has preferably been subjected to degreasing and cleaning is dipped into an electroless plating soln. contg. the metallic ions of copper, nickel, gold, palladium or the like, a complexing agent, a reducing agent and a pH regulator for the metallic ions. In this state, only the desired place of the surface of the object to be plated is irradiated with strong light beam, e.g. laser beam 2 of about 100 mW to 2,000 W for about 10 sec. In this way, the plating soln. is decomposed only in the microregion in the vicinity of the surface of the irradiated place by flash photolysis to deposit metallic oxide fine particles, which are reduced with the plating soln. to form metallic fine particles 3. This active metallic fine particles 3 act as a self-catalyst to form a thick plating film 4 on the irradiated place of the object 1 to be plated left standing in the plating soln.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は化学めっき皮膜の選
択的形成方法に係り、プリント配線板、セラミック配線
板、半導体基板、及び、TFT(薄膜トランジスタ)や
PDP(プラズマディスプレイパネル)などの高精細デ
ィスプレイ用配線基板といった電子部品に使用される配
線導体あるいは自動車部品などに好適な無電解めっき方
法及び装置、並びに、配線基板の製造方法及び装置に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for selectively forming a chemical plating film, and more particularly, to a printed wiring board, a ceramic wiring board, a semiconductor substrate, and a high definition display such as a TFT (thin film transistor) or PDP (plasma display panel). The present invention relates to an electroless plating method and apparatus suitable for wiring conductors used in electronic components such as wiring boards for automobiles or automobile parts, and a method and apparatus for manufacturing wiring boards.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えばプラスチック、セラミックス、ガ
ラスといった非導電性物質に、無電解めっき法によりめ
っきを施す場合、めっきに先立って、被めっき物の表面
を活性化する必要がある。この活性化処理は、触媒化処
理とも呼ばれており、通常、パラジウムや銀などのめっ
き触媒活性を有する貴金属の化合物を含む液体中に被め
っき物を浸漬し、その表面にめっき触媒活性種あるいは
その前駆体を吸着させることにより行われる。
2. Description of the Related Art When plating a non-conductive substance such as plastic, ceramics, and glass by an electroless plating method, it is necessary to activate the surface of an object to be plated prior to plating. This activation treatment is also referred to as catalysis treatment. Usually, the object to be plated is immersed in a liquid containing a compound of a noble metal having plating catalytic activity such as palladium or silver, and a plating catalytically active species or This is performed by adsorbing the precursor.

【0003】この通常の処理方法には、被めっき物表面
全体が一度に活性化できるという長所がある反面、所望
の狭い領域のみを活性化することができないという短所
がある。この方法により所望の箇所のみを選択的に活性
化するためには、あらかじめマスクを形成してからマス
クを含む全面を活性化し、しかる後に、マスクを除去す
るという煩雑な工程を経る必要がある。
The conventional processing method has an advantage that the entire surface of the object to be plated can be activated at one time, but has a disadvantage that only a desired narrow area cannot be activated. In order to selectively activate only a desired portion by this method, it is necessary to perform a complicated process of forming a mask in advance, activating the entire surface including the mask, and then removing the mask.

【0004】所望の狭い領域のみを選択的に活性化する
という目的に対して、有機パラジウム錯体を含む有機溶
剤を塗布した後に、フォトマスクを介してレーザ光又は
紫外光を照射することによって選択的に金属パラジウム
を析出させるという技術が知られている。しかしなが
ら、この技術によると、有機溶剤を多量に使用するた
め、作業環境の悪化を招くだけでなく、被めっき物が樹
脂製品である場合には、樹脂の溶解又は膨潤などにより
製品の変形が起こったりして、所望のめっき皮膜が選ら
れないという欠点がある。
[0004] For the purpose of selectively activating only a desired narrow region, an organic solvent containing an organic palladium complex is applied and then irradiated with laser light or ultraviolet light through a photomask. There is known a technique of depositing metallic palladium on the surface. However, according to this technique, a large amount of an organic solvent is used, which not only deteriorates the working environment, but also causes deformation of the product due to dissolution or swelling of the resin when the object to be plated is a resin product. However, there is a disadvantage that a desired plating film cannot be selected.

【0005】この様な欠点を改善した技術として、特開
平9−111463号公報では、シュウ酸銅とパラジウ
ム塩類とアルカリとを含有する活性化液を用いる方法が
提案されている。この技術では、パラジウム塩類として
塩化パラジウムのような水溶性の塩を使用することによ
って有機溶剤の使用を回避している。
As a technique for remedying such a drawback, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 9-111463 proposes a method using an activating liquid containing copper oxalate, palladium salts and alkali. In this technique, the use of an organic solvent is avoided by using a water-soluble salt such as palladium chloride as the palladium salt.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】この従来の活性化方法
では、活性触媒としていずれもパラジウムという貴金属
から合成される化合物を用いている。また、いずれの技
術もパラジウム化合物を含有する感光性膜を被めっき面
全面にいったん形成した後に、露光、現像によって不要
の箇所のパラジウム化合物を洗い流すという工程を通っ
ている。従って、被めっき物が大きい場合には、たとえ
実際にめっきする領域がわずかであっても、表面全体を
活性化するために多量の貴金属を消費することから、め
っき面積当たりの活性化コストがたいへん高くなってし
まうという問題がある。
In this conventional activation method, a compound synthesized from a noble metal called palladium is used as an active catalyst. Further, in each of the techniques, after a photosensitive film containing a palladium compound is once formed on the entire surface to be plated, an unnecessary portion of the palladium compound is washed away by exposure and development. Therefore, when the object to be plated is large, a large amount of noble metal is consumed to activate the entire surface even if the area to be actually plated is small, so that the activation cost per plating area is very high. There is a problem that it becomes expensive.

【0007】さらに、所望箇所の金属パラジウムが、表
面に付着した不要のパラジウム化合物を除去する現像処
理の際に、一緒に脱落してしまったり、あるいは、触媒
毒を吸着して失活したり、空気中で乾燥されることによ
って表面の一部が酸化してしまう恐れがある。
Further, the metal palladium at a desired location may be dropped off together during the development process for removing unnecessary palladium compounds attached to the surface, or may be deactivated by adsorbing a catalyst poison. A part of the surface may be oxidized by drying in the air.

【0008】一方、金属パラジウムの脱落を防止するた
めに現像条件を緩やかにすると、不要箇所のパラジウム
化合物が完全には除去されずに残存してしまい、これを
めっき液に浸漬すると、めっき液中に存在する還元剤の
作用によりパラジウム化合物が還元的に分解してパラジ
ウム金属が析出して、異常析出の原因になったり、めっ
き液の消耗を著しく速める原因になったりする場合があ
る。さらに、この活性化方法によれば、従来の非選択的
活性化処理と比べて工程が長いため、全体としての歩留
りが低下するという問題もある。
On the other hand, if the developing conditions are moderated to prevent the metal palladium from falling off, an unnecessary portion of the palladium compound remains without being completely removed. In some cases, a palladium compound is reductively decomposed by the action of a reducing agent present in the metal, and a palladium metal is deposited, which may cause abnormal deposition or significantly accelerate the consumption of the plating solution. Furthermore, according to this activation method, the number of steps is longer than that of the conventional non-selective activation treatment, so that there is a problem that the overall yield is reduced.

【0009】これに対して、レーザ照射によって生じる
熱起電力を利用して金めっき皮膜形成を促進する技術
(以下、「レーザ誘起めっき」と呼ぶ)が提案されてい
る(第12回「回路実装学術講演大会」予稿集215頁
(1998年3月)、及び、特開平6−280031号公
報)。
On the other hand, a technique for promoting the formation of a gold plating film by using a thermoelectromotive force generated by laser irradiation (hereinafter referred to as “laser-induced plating”) has been proposed (the 12th “Circuit Mounting”). Academic Lecture Meeting, "Proceedings, 215 pages (March 1998), and JP-A-6-280031.

【0010】このレーザ誘起めっきは、めっき溶液中に
浸漬した被めっき物にレーザ光を照射することにより、
局所的かつ高速に部分めっきを行うことができるもので
あり、上述の従来技術のようにマスクを用いる必要もな
い。
[0010] The laser-induced plating is performed by irradiating an object to be plated immersed in a plating solution with laser light.
Since partial plating can be performed locally and at high speed, it is not necessary to use a mask as in the above-described related art.

【0011】しかし、このレーザ誘起めっきでは、めっ
き反応の駆動力はレーザ照射によって生じた熱起電力が
主であるので、被めっき物の熱伝導性・熱容量によって
反応速度が大きく変化し、皮膜結晶が粗大化したりある
いは鬆が入ったりするため、その影響によってめっき皮
膜の特性が変化する。また、熱伝導性の低い物質にめっ
きする場合には、端部と中央部とで見かけの熱容量が変
わるため、被めっき物表面での皮膜特性の面内分布も大
きくなりがちである。従って、めっき皮膜を安定した品
質で形成するためには、被めっき物の材質、大きさや形
状によってレーザ照射条件を調整しなければならない。
However, in this laser-induced plating, the driving force of the plating reaction is mainly the thermo-electromotive force generated by laser irradiation, so that the reaction speed greatly changes depending on the thermal conductivity and heat capacity of the object to be plated. Becomes coarse or voids occur, and the characteristics of the plating film change due to the influence. In addition, when plating on a substance having low thermal conductivity, the apparent heat capacity changes between the end and the center, so that the in-plane distribution of the film properties on the surface of the object to be plated tends to be large. Therefore, in order to form a plating film with stable quality, laser irradiation conditions must be adjusted according to the material, size and shape of the object to be plated.

【0012】また、レーザ光を掃引して被めっき物表面
にラインなどの所望の形状を形成させる場合には、材
質、大きさや形状を一定にしたとしても、レーザ照射出
力とレーザ掃引速度との相互の複雑な関係によってめっ
き皮膜の断面形状が矩形となったり、団塊状となった
り、極端には破線状となったりするので、所望の断面形
状のめっき皮膜を得ることは困難である。
When a desired shape such as a line is formed on the surface of an object to be plated by sweeping a laser beam, even if the material, the size and the shape are fixed, the relationship between the laser irradiation output and the laser sweep speed is not affected. Since the cross-sectional shape of the plating film becomes rectangular, nodular, or extremely broken due to a complicated relationship with each other, it is difficult to obtain a plating film having a desired cross-sectional shape.

【0013】しかも、形成されためっき皮膜がヒートシ
ンクとして機能する結果、めっき面積の増大に反比例し
て熱起電力が減少するので、レーザ誘起めっきを用いて
大面積、あるいは長い線を形成することは容易でない。
熱起電力の低下を補填するためにレーザ照射出力を一定
の値よりも大きくしても、めっき液の沸騰が起こってし
まうのでめっき反応は速くはならず、めっき反応が停止
することもある。逆に、レーザ照射を長時間行うことに
よって大面積のめっき皮膜形成を狙っても、被めっき物
の被照射部への熱伝導が起こって照射部との間の温度差
が縮小し、あるいはめっき液全体が加熱されてしまうこ
とになって熱起電力が低下する。また長時間のレーザ照
射を行うとランニングコストが上昇するという別の問題
も発生する。
In addition, since the formed plating film functions as a heat sink, the thermoelectromotive force decreases in inverse proportion to the increase in the plating area. Therefore, it is not possible to form a large area or a long wire by using the laser induced plating. Not easy.
Even if the laser irradiation output is made larger than a certain value in order to compensate for the decrease in the thermoelectromotive force, the plating reaction will not be accelerated because the plating solution will boil, and the plating reaction may be stopped. Conversely, even if laser irradiation is performed for a long time to form a large-area plating film, heat conduction occurs to the irradiated part of the object to be plated, and the temperature difference between the irradiated part and the irradiated part is reduced, or The whole liquid is heated, and the thermoelectromotive force decreases. Another problem is that running the laser for a long time increases the running cost.

【0014】さらに、上記レーザ誘起めっきではレーザ
照射しながらめっきを行うため、めっき液の蒸気・ミス
トがレーザ光路を遮ることは避け難く、複雑・精緻な光
学系レーザ発振系とそれらを制御する高速処理可能な制
御系を備える大掛かりなレーザ照射装置を用いたとして
も、めっき皮膜の品質の安定に不可欠なレーザ照射出力
の微妙な調整を行うことは困難である。また、めっき液
成分による腐食などの影響で調整機能の劣化も起こりや
すい。
Further, in the laser-induced plating, since plating is performed while irradiating a laser, it is inevitable that vapor and mist of a plating solution obstruct the laser light path, and a complicated and precise optical laser oscillation system and a high-speed Even if a large-scale laser irradiation apparatus having a controllable system is used, it is difficult to finely adjust the laser irradiation output which is indispensable for stabilizing the quality of the plating film. In addition, the adjustment function is likely to deteriorate due to the influence of corrosion or the like by the plating solution component.

【0015】上記のようなさまざまな理由により、レー
ザ誘起めっきは製品品目が多岐にわたるめっき業界にお
いて実用上汎用できる技術とは言い難い。そこで、本願
発明は、レーザ照射出力の微妙な調整を要することな
く、狭い領域に位置精度よく、容易かつ低コストで厚い
めっき膜を形成することができ、めっき装置による自動
化に適する無電解めっき方法と、該方法を用いた配線基
板の製造方法及び装置とを提供することを目的とする。
For various reasons as described above, laser-induced plating is not a practically versatile technique in the plating industry, which has a wide variety of product items. Thus, the present invention provides an electroless plating method which can form a thick plating film easily and at low cost with good positional accuracy in a narrow area without requiring fine adjustment of laser irradiation output, and is suitable for automation by a plating apparatus. And a method and apparatus for manufacturing a wiring board using the method.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】発明者らは、無電解めっ
き反応が自己触媒的特性をもつことに着目して鋭意検討
した結果、無電解めっき液中に浸漬した被めっき物表面
の所望の箇所のみに強力な光線を照射して、いわゆるフ
ラッシュフォトリシスさせることにより、当該箇所の表
面近傍のミクロ領域のみでめっき液の分解が起こって金
属酸化物(もしくは金属水酸化物)微粒子が析出沈着
し、これがめっき液中の還元剤によって還元され、自己
触媒として作用することによって、活性化処理を無電解
めっき液そのもので行うことが可能であるという現象を
見出して本願発明に至った。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted intensive studies focusing on the fact that the electroless plating reaction has self-catalytic properties. By irradiating a so-called flash photolysis by irradiating an intense light beam only to the spot, the plating solution is decomposed only in the micro area near the surface of the spot, and metal oxide (or metal hydroxide) fine particles are deposited and deposited. However, the present inventors have found a phenomenon in which the activation treatment can be performed by the electroless plating solution itself by being reduced by a reducing agent in the plating solution and acting as an autocatalyst, leading to the present invention.

【0017】本願発明では、金属イオンと、該金属イオ
ンの錯化剤と、還元剤と、pH調整剤とを含む無電解め
っき液に被めっき物を浸漬することにより、該被めっき
物表面にめっき皮膜を形成する無電解めっき方法であっ
て、第1の無電解めっき液に浸漬した状態で、被めっき
物表面に光を照射する光照射工程と、被めっき物を第1
の無電解めっき液中で所定時間放置することにより、光
照射箇所にめっき皮膜を形成するめっき皮膜形成工程と
を、この順で有する方法が提供される。なお、めっき皮
膜形成工程の後に、第2の無電解めっき液に上記被めっ
き物を浸漬所定時間放置するめっき皮膜成長工程を、さ
らに設けてもよい。同様に、3種類以上のめっき液に順
次浸漬するようにしてもよい。
In the present invention, the object to be plated is immersed in an electroless plating solution containing a metal ion, a complexing agent for the metal ion, a reducing agent and a pH adjuster, so that the surface of the object to be plated is An electroless plating method for forming a plating film, comprising: a light irradiation step of irradiating a surface of a plating object with light in a state of being immersed in a first electroless plating solution;
And a plating film forming step of forming a plating film on a light-irradiated portion by leaving the substrate in the electroless plating solution for a predetermined time in this order. After the plating film forming step, a plating film growing step of immersing the object to be plated in the second electroless plating solution and leaving it to stand for a predetermined time may be further provided. Similarly, it may be soaked sequentially in three or more types of plating solutions.

【0018】また、本願発明では、この本願発明の無電
解めっき方法により、絶縁基板又は絶縁層の表面に上記
めっき皮膜からなる金属配線を形成する工程を有する配
線基板の製造方法が提供される。本願発明のめっき皮膜
形成方法は、微細な領域にも容易かつ正確にめっき皮膜
を形成できるため、配線の断線箇所の修復に特に適して
いる。この目的に用いる場合、配線の画像データと、該
配線の設計データ(例えば、CAD(計算機援用設計)
データ)とを比較することにより上記断線箇所を認識す
る工程を、さらに儲け、光照射工程において、該断線箇
所に光を照射するようにすれば、配線の修復を自動的か
つ正確に行うことができ、好ましい。
Further, according to the present invention, there is provided a method of manufacturing a wiring board having a step of forming a metal wiring comprising the above-mentioned plating film on a surface of an insulating substrate or an insulating layer by the electroless plating method of the present invention. Since the plating film forming method of the present invention can easily and accurately form a plating film even in a fine region, it is particularly suitable for repairing a broken wire portion. When used for this purpose, image data of wiring and design data of the wiring (for example, CAD (computer-aided design)
In the light irradiation step, light can be applied to the disconnection portion by comparing the data with the data) to repair the wiring automatically and accurately. Yes, it is.

【0019】さらに、本願発明では、無電解めっき液を
保持するためのめっき槽と、このめっき槽中に保持され
た無電解めっき液中に浸漬された処理対象基板の表面の
画像データを得るための撮像部と、その処理対象基板の
表面に光を照射するためのレーザ照射部と、レーザ照射
部の動作を制御する制御装置とを備える無電解めっき装
置と、該無電解めっき装置を備える配線基板の製造装置
とが提供される。なお、この無電解めっき装置の制御装
置は、配線の画像データと、該配線の設計データとを比
較することにより断線箇所を認識し、レーザ照射部を制
御して、当該断線箇所にレーザを照射する手段を備え
る。
Further, according to the present invention, a plating tank for holding an electroless plating solution and an image data of a surface of a substrate to be processed immersed in the electroless plating solution held in the plating bath are obtained. An electroless plating apparatus including an imaging section, a laser irradiation section for irradiating light to the surface of the substrate to be processed, a control device for controlling the operation of the laser irradiation section, and a wiring including the electroless plating apparatus An apparatus for manufacturing a substrate is provided. The control device of the electroless plating apparatus recognizes the broken portion by comparing the image data of the wiring with the design data of the wiring, controls the laser irradiation unit, and irradiates the broken portion with the laser. Means for performing

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】本願発明では、初めに、脱脂洗浄
処理を行って被めっき物表面の汚れ等を取るとともに被
めっき面のゼータ電位を触媒種が吸着しやすいように調
整することが望ましい。なお、本願発明を適用する被め
っき物としては、特に制限はないが、金属板などの導電
性物質に限らず、AlN,SiO2,Al23,SiC
などの無機系絶縁体、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、
プリント配線基板などの有機系絶縁体でも構わない。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the present invention, it is desirable to first perform a degreasing cleaning process to remove stains and the like on the surface of the object to be plated and adjust the zeta potential on the surface to be plated so that the catalyst species can be easily adsorbed. . The object to be plated to which the present invention is applied is not particularly limited, but is not limited to a conductive material such as a metal plate, and may be AlN, SiO 2 , Al 2 O 3 , SiC.
Such as inorganic insulators, phenolic resin, epoxy resin,
An organic insulator such as a printed wiring board may be used.

【0021】本願発明で使用する触媒種(あるいはその
前駆体)は、めっき液からin situで発生させたもので
あるため、その表面電位が大きくて吸着特性に優れてい
るが、この脱脂洗浄処理により、被めっき面への吸着を
確実に達成することができる。本願発明では無電解めっ
きの活性化前処理として公知慣例に用いられる活性化前
処理剤を使用することができる。例えば、シプレー社製
クリーナーコンディショナー231などが好適である。
Since the catalyst species (or its precursor) used in the present invention is generated in situ from a plating solution, it has a large surface potential and excellent adsorption characteristics. Thereby, adsorption to the surface to be plated can be reliably achieved. In the invention of the present application, an activation pretreatment agent commonly used and known as an activation pretreatment for electroless plating can be used. For example, a cleaner conditioner 231 manufactured by Shipley is suitable.

【0022】脱脂洗浄処理を行った被めっき物は、十分
に水洗した後、化学めっき液へ浸漬する。本願発明で
は、フラッシュフォトリシスによって金属酸化物や金属
水酸化物といった触媒又はその前駆体を析出させること
のできる組成であれば、公知慣用の化学めっき液も特に
問題はなく使用できるが、銅、ニッケル、パラジウム、
金の化学めっきに特に適している。なお、この段階で
は、すなわち、単にめっき液に浸漬しただけでは、被め
っき物表面は活性化された領域がないため、めっき反応
は全く認められない。
The object to be plated that has been subjected to the degreasing and washing treatment is sufficiently washed with water and then immersed in a chemical plating solution. In the present invention, a known and commonly used chemical plating solution can be used without any particular problem as long as the composition can precipitate a catalyst such as a metal oxide or a metal hydroxide or a precursor thereof by flash photolysis. Nickel, palladium,
Particularly suitable for chemical plating of gold. At this stage, that is, simply by immersion in the plating solution, there is no activated region on the surface of the object to be plated, and no plating reaction is observed.

【0023】本願発明に好適なめっき液の具体例として
は、次のようなものが挙げられる。すなわち、銅めっき
液としては、PCK社製CC4、(株)日立製作所製A
P2、SELECT、日立化成工業(株)製CUST−
201、CUST3000、アトテック社製ノビガント
HC,プリントガント820,ウルトラガント、奥野製
薬工業(株)OPC700,OPC750,OPC77
0、シプレー(株)社製キューポジットカッパーミック
ス328,キューポジット250,キューポジット25
1、(株)ワールドメタル社製MC−U,MCU−Hな
どが挙げられる。また、ニッケルめっき液としては、
(株)ワールドメタル社製リンデンシリーズ,ニボロン
−MO、メルテックス(株)製エンプレートNI−86
5,NI−419,NI−426,NI−870,NI
875、日本カニゼン(株)製カニボロン、奥野製薬工
業(株)製トップニコロンシリーズなどが挙げられる。
金めっき液としては、(株)ワールドメタル社製CAT
90,CAT99,CAT92プロセス,Mn−Au,
gold−8、日本高純度化学(株)製IM−GOLD
などが挙げられる。パラジウムめっき液としては、つぎ
の組成1又は組成2のものなどが挙げられる。
Specific examples of the plating solution suitable for the present invention include the following. That is, as the copper plating solution, CC4 manufactured by PCK and A4 manufactured by Hitachi, Ltd.
P2, SELECT, CUST- manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.
201, CUST3000, Novigant HC manufactured by Atotech, Print Gant 820, Ultra Gantt, Okuno Pharmaceutical Co., Ltd. OPC700, OPC750, OPC77
0, Cupposit Copper Mix 328, Cupposit 250, Cupposit 25 manufactured by Shipley Co., Ltd.
1, MC-U and MCU-H manufactured by World Metal Co., Ltd., and the like. Also, as the nickel plating solution,
Linden Series, Nibolon-MO manufactured by World Metal Co., Ltd., Emplate NI-86 manufactured by Meltex Co., Ltd.
5, NI-419, NI-426, NI-870, NI
875, Kaniboron manufactured by Nippon Kanigen Co., Ltd., Top Nicolon series manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd., and the like.
As the gold plating solution, CAT manufactured by World Metal Co., Ltd.
90, CAT99, CAT92 process, Mn-Au,
gold-8, IM-GOLD manufactured by Japan High Purity Chemical Co., Ltd.
And the like. Examples of the palladium plating solution include those having the following composition 1 or composition 2.

【0024】組成1:(1)塩化パラジウム0.01m
ol/L、(2)エチレンジアミン0.08mol/
L、(3)ホスフィン酸ナトリウム0.03mol/
L、(4)チオグリコール酸30mg/L。
Composition 1: (1) 0.01 m of palladium chloride
ol / L, (2) 0.08 mol of ethylenediamine /
L, (3) sodium phosphinate 0.03 mol /
L, (4) thioglycolic acid 30 mg / L.

【0025】組成2:(1)塩化パラジウム0.01m
ol/L、(2)エチレンジアミン0.08mol/
L、(3)チオグリコール酸50mg/L、(4)トリ
メチルアミンボラン0.06mol/L。
Composition 2: (1) 0.01 m of palladium chloride
ol / L, (2) 0.08 mol of ethylenediamine /
L, (3) 50 mg / L of thioglycolic acid, and (4) 0.06 mol / L of trimethylamine borane.

【0026】本願発明に好適なめっき液の濃度は、光線
を照射する場合は各処理液メーカが推奨する建浴濃度に
対して0.5倍〜2倍の範囲とし、光線照射を行わない
2番目以降のめっき液については、メーカが推奨する建
浴濃度に対して0.8〜1.2倍とすることが好まし
い。
The concentration of the plating solution suitable for the present invention, when irradiating light, is in the range of 0.5 to 2 times the building bath concentration recommended by each processing solution maker, and the irradiation of light is not performed. The plating solution for the second and subsequent plating baths is preferably 0.8 to 1.2 times the concentration of the building bath recommended by the manufacturer.

【0027】このようなめっき液に被めっき物を浸漬し
た後、本願発明では、被めっき物表面の所望の領域のみ
に強力な光線を照射する。この際の照射方法には、公知
慣例のものを特に問題はなく適用できる。所望の領域に
選択的に照射するために、例えば、フォトマスクを介し
て照射してもよいが、レーザビ−ムのように指向性の高
い線源を用いてビ−ム径を細く絞れば、微細領域の選択
的活性化に特に好都合である。レーザビ−ムを用いる場
合には、CO2レーザ、YAG(Yttrium Aluminium Gar
net)レーザ、アルゴンイオンレーザ、エキシマレーザ
などが好適であるが、特にこれらに限定させるわけでは
なく、また、これらと公知慣例の照射方法とを適宜組み
合わせたり、これらのレーザを相互に組み合わせて使用
したり、あるいは、これらの高調波を使用したりするこ
とも差し支えない。
After the object to be plated is immersed in such a plating solution, in the present invention, only a desired area on the surface of the object to be plated is irradiated with a strong light beam. As the irradiation method at this time, a known method can be applied without any particular problem. In order to selectively irradiate a desired area, the irradiation may be performed, for example, via a photomask. However, if the beam diameter is narrowed down using a highly directional radiation source such as a laser beam, It is particularly advantageous for the selective activation of fine regions. When a laser beam is used, a CO 2 laser, YAG (Yttrium Aluminum Gar)
net) A laser, an argon ion laser, an excimer laser, and the like are suitable, but are not particularly limited thereto, and these may be appropriately combined with a well-known irradiation method, or these lasers may be used in combination with each other. Or use these harmonics.

【0028】本願発明に好適なレーザ光出力の範囲は1
00mW〜2000Wであるが、より望ましくは、0.
5〜100Wである。レーザ出力が100mWより小さ
いと、フラッシュフォトリシスが起きにくくなり、その
結果、めっき触媒あるいはその前駆体となる金属塩酸化
物が生成しにくくなる場合がある。また逆に、2000
Wを越えると、めっき液の沸騰が起こってめっき触媒又
はその前駆体が生成しにくくなったり、あるいは、せっ
かく生成しても、触媒又はその前駆体の基板への付着
が、沸騰に伴う乱流によって妨げられたりするので、所
望のパターンを得にくくなる場合がある。
The range of laser light output suitable for the present invention is 1
00 mW to 2000 W, but more preferably 0.
5 to 100W. When the laser output is less than 100 mW, flash photolysis is less likely to occur, and as a result, a plating catalyst or a metal salt oxide serving as a precursor thereof may be less likely to be generated. Conversely, 2000
If W is exceeded, the plating solution will be boiled, making it difficult to produce a plating catalyst or its precursor, or even if it is produced, the catalyst or its precursor will adhere to the substrate, and the turbulent flow accompanying the boiling will occur. In some cases, it may be difficult to obtain a desired pattern.

【0029】一方、照射時間は10秒以内とすることが
好適であり、3秒以内とすることがさらに好ましい。照
射時間が10秒を越えると、めっき液の沸騰が起こって
めっき触媒又はその前駆体が生成しにくくなったり、あ
るいは、上述のレーザ誘起めっきが起こってめっき皮膜
特性が変動しやすくなる場合がある。
On the other hand, the irradiation time is preferably within 10 seconds, more preferably within 3 seconds. When the irradiation time exceeds 10 seconds, the plating solution may be boiled to make it difficult to generate a plating catalyst or a precursor thereof, or the above-described laser-induced plating may occur to easily change plating film characteristics. .

【0030】なお、照射光の発振形態は、連続発振、チ
ョッパ発振、パルス発振のいずれであっても構わない。
パルス発振にすることにより、出力波ピーク値を調整す
ることもできる。
The oscillation mode of the irradiation light may be any of continuous oscillation, chopper oscillation, and pulse oscillation.
By using pulse oscillation, the output wave peak value can be adjusted.

【0031】本願発明では、光が照射された被めっき物
表面のごく近傍では、めっき液中に溶解している金属塩
類(以下、錯体を含む)のフラッシュフォトリシスが起
こる。フォトリシスが表面近傍のみで起きてめっき液バ
ルク中で起こらない理由は、現時点ではよくわかってい
ないが、(1)照射光による被めっき面の温度上昇、
(2)めっき液による冷却作用、(3)前記(1)と
(2)とによって起きるめっき液のマイクロ撹拌作用、
(4)金属塩類の分子吸光、及び、(5)照射光と表面
からの反射光との干渉現象などが複雑に影響しているも
のと思われる。
In the present invention, flash photolysis of metal salts (hereinafter, including a complex) dissolved in the plating solution occurs very near the surface of the object to be irradiated with light. The reason why photolysis occurs only in the vicinity of the surface and does not occur in the bulk of the plating solution is unknown at this time, but (1) the temperature rise of the surface to be plated due to irradiation light,
(2) a cooling action by the plating solution, (3) a micro stirring action of the plating solution caused by the above (1) and (2),
It is thought that (4) the molecular absorption of metal salts and (5) the interference phenomenon between the irradiation light and the reflected light from the surface are complicatedly affected.

【0032】めっき液中に溶解していた金属塩類がフラ
ッシュフォトリシスを起こすと、金属酸化物もしくは金
属水酸化物の微粒子が析出する。例えば、銅めっき液か
らは酸化銅(Cu2O及び/又はCuO)、ニッケルめ
っき液からは水酸化ニッケル(NiOH及び/又はNi
(OH)2)が析出し、これが基板に沈着する。
When the metal salts dissolved in the plating solution cause flash photolysis, fine particles of metal oxide or metal hydroxide are precipitated. For example, copper oxide (Cu 2 O and / or CuO) from a copper plating solution, and nickel hydroxide (NiOH and / or Ni) from a nickel plating solution.
(OH) 2 ) precipitates and deposits on the substrate.

【0033】このようにして所望の領域のみに沈着した
金属酸化物もしくは金属水酸化物は、そのままでもめっ
き反応を触媒する活性を有しているが、めっき液中の還
元剤の作用によって次第に還元され、さらに高活性を有
する純金属になる。例えば、水酸化ニッケルのめっき液
中での還元反応を例示すると、以下のようになる。
The metal oxide or metal hydroxide deposited only in the desired region in this way has the activity of catalyzing the plating reaction as it is, but is gradually reduced by the action of the reducing agent in the plating solution. It becomes a pure metal having higher activity. For example, a reduction reaction of nickel hydroxide in a plating solution is exemplified as follows.

【0034】[0034]

【化1】 Embedded image

【0035】化学めっき反応は自己触媒的特性を有して
いるため、いったん反応が開始すればそれ以上の触媒は
不要である。従って、めっき反応の核となる物質はごく
わずかでよく、上記フラッシュフォトリシスによって析
出沈着した量で十分であって、光照射を繰り返す必要は
ない。しかし、めっきの初期付き回り性を確保するた
め、複数回繰り返して照射するしても構わない。なお、
本願発明では、従来のレーザ誘起めっきとは異なり、レ
ーザ照射により直接エネルギーを付与してめっき皮膜を
成長させるものではないことから、皮膜形成の間レーザ
を照射し続ける必要はない。
Since the chemical plating reaction has autocatalytic properties, once the reaction starts, no further catalyst is required. Therefore, the substance that becomes the nucleus of the plating reaction may be very small, and the amount deposited and deposited by the flash photolysis is sufficient, and there is no need to repeat light irradiation. However, irradiation may be repeated a plurality of times in order to secure the initial throwing power of plating. In addition,
In the present invention, unlike the conventional laser-induced plating, it is not necessary to directly apply energy by laser irradiation to grow the plating film, and therefore, it is not necessary to continuously irradiate the laser during the film formation.

【0036】上述のように、本願発明では、所望の箇所
のみを選択的に活性化処理した被めっき物を引き続き化
学銅めっき液中へ浸漬することによって、所望の箇所の
みへの選択的な化学めっき皮膜を形成することができ
る。その際、2種類以上の無電解めっき液を用意し、第
1の無電解めっき液中で選択的活性化を行った後、第2
の無電解めっき液中へ移して無電解めっき皮膜を形成し
てもよい。例えば、吸光係数の高い金属錯体を含有する
めっき液を第1の無電解めっき液として活性化を行った
後、めっき速度の速い無電解めっき液へ浸漬することに
よって高速めっきを行うなど、それぞれのめっき液の特
徴を生かして組み合わせることによってめっき速度を増
大したり、皮膜特性(電気伝導度、破断伸びなど)を改
善できるという効果がある。この他、第1の無電解めっ
き液と第2の無電解めっき液とで金属の種類を変え、例
えば第1の無電解めっきとして無電解パラジウムめっき
液、第2の無電解めっき液として無電解銅めっき液、と
することも差し支えない。
As described above, according to the present invention, the object to be plated, in which only the desired portions are selectively activated, is successively immersed in the chemical copper plating solution, so that only the desired portions can be selectively chemically treated. A plating film can be formed. At this time, two or more types of electroless plating solutions are prepared, and after selective activation is performed in the first electroless plating solution,
To form an electroless plating film. For example, after activating a plating solution containing a metal complex having a high extinction coefficient as a first electroless plating solution, high-speed plating is performed by immersion in an electroless plating solution having a high plating rate. There is an effect that the plating rate can be increased and the film properties (electrical conductivity, elongation at break, etc.) can be improved by combining the characteristics of the plating solution. In addition, the type of metal is changed between the first electroless plating solution and the second electroless plating solution. For example, the first electroless plating solution is an electroless palladium plating solution, and the second electroless plating solution is an electroless plating solution. A copper plating solution may be used.

【0037】本願発明によって提供される選択的めっき
皮膜形成方法は、配線基板の製造方法へと応用すること
ができる。本願発明の選択的めっき皮膜形成方法を用
い、CADデータに基づいて基板上を光照射掃引するこ
とによって、フォトマスクを使用しないで所望の配線を
形成できる。この方法によって配線基板を作成すると、
マスク伸縮などの影響を受けず、マスク作成のための工
数や時間を削減できる優れたプロセスが構築できる。ま
た、この方法は断線箇所の修復に適用することも容易で
ある。
The selective plating film forming method provided by the present invention can be applied to a method of manufacturing a wiring board. By using the selective plating film forming method of the present invention to sweep light on the substrate on the basis of CAD data, a desired wiring can be formed without using a photomask. When a wiring board is made by this method,
An excellent process can be constructed that is not affected by mask expansion and contraction and can reduce man-hours and time required for mask making. In addition, this method can be easily applied to the repair of a broken portion.

【0038】なお、本願発明のめっき皮膜形成方法は、
通常の方法により形成された絶縁基板や絶縁膜の表面に
配線を形成する場合に適用することもできる。すなわ
ち、本願発明の配線基板の製造方法は、(1)通常の方
法により形成された配線基板の断線箇所を本願発明のめ
っき皮膜形成方法により修復する工程を備えるものであ
ってもよく、(2)基板表面に第1の配線を形成する第
1の配線形成工程と、該第1の配線を覆うように基板表
面に所定のパターンの絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程
と、該絶縁膜表面に第2の配線を形成する第2の配線形
成工程とを備える配線基板の製造方法であって、第1の
配線及び/又は第2の配線を本願発明のめっき皮膜形成
方法により形成するものであってもよい。また、絶縁膜
形成工程と、第2の配線形成工程とを所望回数繰り返す
ことにより、多層配線基板としても構わない。
The plating film forming method of the present invention comprises:
The present invention can also be applied to the case where wiring is formed on the surface of an insulating substrate or an insulating film formed by a usual method. That is, the method of manufacturing a wiring board according to the present invention may include (1) a step of repairing a broken portion of the wiring board formed by a normal method using the plating film forming method of the present invention; A) a first wiring forming step of forming a first wiring on the substrate surface, an insulating film forming step of forming an insulating film of a predetermined pattern on the substrate surface so as to cover the first wiring, and A second wiring forming step of forming a second wiring in the wiring board, wherein the first wiring and / or the second wiring are formed by the plating film forming method of the present invention. There may be. Further, a multilayer wiring board may be formed by repeating the insulating film forming step and the second wiring forming step a desired number of times.

【0039】[0039]

【実施例】以下、本願発明の実施の形態を、図面を用い
て具体的に説明する。なお、ここでは説明を簡単にする
ために片面基板の作成例を示すが、同様の操作により両
面基板を作成することもできる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings. Here, for the sake of simplicity, an example of creating a single-sided board is shown, but a double-sided board can be created by the same operation.

【0040】<実施例1>本実施例におけるめっき処理
を、図1(a)及び(b)に模式的に図示する。縦横各
10cm、厚さ1.6mmのガラスエポキシ基板1(日
立化成工業(株)製の「MCL−E−67」の銅箔をエ
ッチング除去したもの)を被めっき物として用い、60
℃のシプレー社製「コンディショナー231」6%水溶
液に3分間浸漬した後、十分に水洗した。
<Embodiment 1> The plating process in this embodiment is schematically shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b). A glass epoxy substrate 1 (length and width: 10 cm, thickness: 1.6 mm, which is obtained by etching and removing copper foil of “MCL-E-67” manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was used as an object to be plated.
The sample was immersed in a 6% aqueous solution of "Conditioner 231" manufactured by Shipley Co. for 3 minutes, and then thoroughly washed with water.

【0041】図1(a)に示すように、上記基板1を液
温60℃、pH7.0に保持した(株)ワールドメタル
社製無電解ニッケルめっき液5「ニボロン−MO」を満
たしたパッドに浸漬し、アルゴンイオンレーザ2(最大
出力2W)を用いて、上記ガラスエポキシ基板の所望の
箇所を0.5秒間照射して酸化ニッケル微粒子3を吸着
させた。レーザ照射後、さらに基板をめっき液5に浸漬
し続け、約1時間後に取り出したところ、図1(b)に
示すように、所望の箇所のみにニッケル皮膜4の形成が
認められた。なお、図1(a)では、図を見やすくする
ため、金属微粒子3のハッチングは省略した。
As shown in FIG. 1A, a pad filled with an electroless nickel plating solution 5 "Nibolon-MO" manufactured by World Metal Co., Ltd., wherein the substrate 1 was maintained at a solution temperature of 60 ° C. and a pH of 7.0. Then, a desired portion of the glass epoxy substrate was irradiated with an argon ion laser 2 (maximum output 2 W) for 0.5 seconds to adsorb the nickel oxide fine particles 3. After the laser irradiation, the substrate was further immersed in the plating solution 5 and taken out about 1 hour later. As shown in FIG. 1 (b), the formation of the nickel film 4 was confirmed only at the desired locations. In FIG. 1A, hatching of the metal fine particles 3 is omitted for easy viewing.

【0042】<実施例2>本実施例では、被めっき物、
洗浄脱脂剤及びレーザ装置は実施例1と同じものを用い
たが、実施例1における無電解ニッケルめっき液に替え
て、液温50℃、pH9.0に保持した無電解パラジウ
ムめっき液を使用した。なお、無電解パラジウムめっき
液の組成は、(1)塩化パラジウム0.01ml/L、
(2)エチレンジアミン0.08mol/L、(3)ホ
スフィン酸ナトリウム0.03mol/L、及び、
(4)チオグリコール酸30mg/Lとした。
<Embodiment 2> In this embodiment, an object to be plated
The same cleaning degreasing agent and laser device as in Example 1 were used, but an electroless palladium plating solution maintained at a liquid temperature of 50 ° C. and pH 9.0 was used instead of the electroless nickel plating solution in Example 1. . The composition of the electroless palladium plating solution is as follows: (1) 0.01 ml / L palladium chloride;
(2) ethylene diamine 0.08 mol / L, (3) sodium phosphinate 0.03 mol / L, and
(4) Thioglycolic acid was 30 mg / L.

【0043】実施例1と同様に、基板表面の所望箇所に
0.5秒間のレーザ照射を行ってパラジウム微粒子を基
板表面に吸着させた後、レーザ照射を止めてから約1分
間めっき液に浸漬してパラジウム微粒子を成長させた。
この後、この基板をパラジウムめっき液から取り出し
て、十分に水洗した後、厚膜用化学銅めっき液AP2
((株)日立製作所製、pH12.2、液温68〜72
℃)へ浸漬して銅めっき皮膜を成長させ、1時間後に取
り出して被めっき領域の断面形状を観察したところ、上
記アルゴンレーザの被照射箇所のみに約3μmのめっき
皮膜が成長していた。
In the same manner as in Example 1, a desired portion of the substrate surface is irradiated with a laser beam for 0.5 seconds to adsorb fine palladium particles on the substrate surface, and then immersed in a plating solution for about 1 minute after stopping the laser irradiation. Thus, fine palladium particles were grown.
Thereafter, the substrate was taken out of the palladium plating solution, and after sufficiently washing with water, the chemical copper plating solution for thick film AP2 was removed.
(Manufactured by Hitachi, Ltd., pH 12.2, liquid temperature 68-72)
C.) to grow a copper plating film. After one hour, the copper plating film was taken out and observed for the cross-sectional shape of the region to be plated. As a result, a plating film having a thickness of about 3 μm had grown only at the portion irradiated with the argon laser.

【0044】<実施例3>本実施例では、被めっき物、
洗浄脱脂剤及びレーザ装置は実施例1と同じものを用い
たが、実施例1における無電解ニッケルめっき液に替え
て、シプレー社製化学銅めっき液「キューポジットカッ
パーミックス328(キューポジットカッパーミックス
328A(125ml/L)、キューポジットカッパー
ミックス328L(125ml/L)、及び、キューポ
ジットカッパーミックス328C(25ml/L)の混
合液、室温)を用いた。
<Embodiment 3> In this embodiment, an object to be plated
The same cleaning degreasing agent and laser device as in Example 1 were used, but instead of the electroless nickel plating solution in Example 1, a chemical copper plating solution manufactured by Shipley Co., Ltd. "Cuposit Copper Mix 328 (Cuposit Copper Mix 328A)" (125 ml / L), a mixture of Cupposit Copper Mix 328L (125 ml / L) and Cupposit Copper Mix 328C (25 ml / L) at room temperature.

【0045】実施例1と同様に、アルゴンイオンレーザ
を被めっき物表面の所望の箇所に照射し、100μm/
秒の速度で照射箇所を掃引した。所望のパターンのレー
ザ照射掃引をした後、めっき液中に約30分間浸漬して
から取り出したところ、レーザ掃引箇所のみに銅めっき
皮膜が成長していた。
In the same manner as in Example 1, a desired portion of the surface of the object to be plated was irradiated with an argon ion
The irradiation site was swept at a speed of seconds. After performing a laser irradiation sweep of a desired pattern, it was immersed in a plating solution for about 30 minutes and then taken out. As a result, a copper plating film had grown only at the laser sweep portion.

【0046】<実施例4>本実施例では、実施例3で作
製した基板を0.2規定の希硫酸で処理した後、さらに
第2の銅めっき液へ浸漬することによってめっき皮膜の
厚みを増大させた。本実施例で用いた第2の銅めっき液
は、厚膜用化学銅めっき液AP2((株)日立製作所
製、pH12.2、液温68〜72℃)であり、このめ
っき液へ12時間浸漬して、めっき皮膜を30μmの厚
さになるまで成長させた。
<Embodiment 4> In this embodiment, the substrate prepared in Embodiment 3 is treated with 0.2N diluted sulfuric acid and then immersed in a second copper plating solution to reduce the thickness of the plating film. Increased. The second copper plating solution used in this example is a chemical copper plating solution for thick film AP2 (manufactured by Hitachi, Ltd., pH 12.2, solution temperature 68-72 ° C.), and the plating solution is added to the plating solution for 12 hours. By immersion, the plating film was grown to a thickness of 30 μm.

【0047】<実施例5>本実施例では、被めっき物と
して日立化成工業(株)製「MCL−E−67」(サイ
ズは実施例1と同じ)を用いたが、銅箔を除去する際に
は、実施例1のように全面エッチングすることはせず、
所望の銅パターンを残した。このようにして作製した銅
パターン付きガラスエポキシ基板の銅パターンの一部を
ナイフで削り取ることによって配線断線箇所を形成させ
た。
<Embodiment 5> In this embodiment, "MCL-E-67" (size is the same as that of Embodiment 1) manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. was used as an object to be plated, but the copper foil was removed. In this case, the entire surface was not etched as in Example 1,
The desired copper pattern was left. By cutting off a part of the copper pattern of the glass epoxy substrate with the copper pattern thus produced with a knife, a broken wire portion was formed.

【0048】上記基板を、実施例3と同様にして、化学
銅めっき液に浸漬し、上述の配線断線箇所にレーザ照射
を行うことで、当該断線箇所にめっき触媒活性を有する
銅微粒子を付着させた。その後、実施例4と同様に厚膜
用化学銅めっき液へ1時間浸漬して銅めっき皮膜を成長
させたところ、上述の配線断線箇所にはめっき皮膜が成
長し、その両側の配線上へ成長しためっき皮膜と一体化
しており、電気的な接続には問題が見られなかった。
The above substrate is immersed in a chemical copper plating solution in the same manner as in Example 3, and laser irradiation is performed on the above-mentioned broken wire, so that copper fine particles having plating catalytic activity adhere to the broken wire. Was. Thereafter, the copper plating film was grown by immersion in a chemical copper plating solution for thick film for 1 hour as in Example 4, and the plating film grew at the above-mentioned wire breakage, and grew on the wiring on both sides thereof. No problem was observed in the electrical connection.

【0049】<実施例6>本実施例では、実施例5と同
様の、断線箇所に対するめっき処理を、図2に示すめっ
きシステム200を用いて行った。
<Embodiment 6> In this embodiment, the same plating treatment as that of Embodiment 5 for the disconnection portion was performed using the plating system 200 shown in FIG.

【0050】本実施例のめっきシステム200は、脱脂
洗浄処理用洗浄液を保持するための洗浄槽201と、基
板を水洗・乾燥するための水洗機構202と、めっき液
を保持するためのめっき槽203と、めっき皮膜を成長
させるための成長槽209と、めっき液槽ごと内部に固
定された処理対象基板を位置合わせするためのXYステ
ージ204と、これらの間で基板を搬送するための搬送
機構205と、XYステージの駆動部206と、基板表
面を撮影するためのCCD(電荷結合素子)カメラを備
える撮像部207と、基板表面にレーザを照射するため
のレーザ照射部208と、制御装置210とを備える。
The plating system 200 of this embodiment includes a cleaning tank 201 for holding a cleaning solution for degreasing cleaning, a water washing mechanism 202 for washing and drying a substrate, and a plating tank 203 for holding a plating solution. And a growth tank 209 for growing a plating film, an XY stage 204 for positioning a substrate to be processed fixed inside the plating solution tank, and a transport mechanism 205 for transporting the substrate therebetween. A driving unit 206 for an XY stage, an imaging unit 207 including a CCD (Charge Coupled Device) camera for photographing the substrate surface, a laser irradiation unit 208 for irradiating the substrate surface with a laser, and a control device 210. Is provided.

【0051】制御装置210は、水洗機構202、搬送
機構205、XYステージ駆動部206、撮像部207
及びレーザ照射部208の動作を制御するための情報処
理装置であり、主記憶装置211、CPU(中央演算処
理装置)212、入出力装置213及び外部記憶装置2
14を備える。外部記憶装置214には、CAD(計算
機援用設計)データベース220(図3に図示)が保持
されている。本願発明では、処理対象基板の配線の位置
情報を保持しているものであれば、周知慣用のCADデ
ータベースのいずれを用いても構わない。
The control device 210 includes a water washing mechanism 202, a transport mechanism 205, an XY stage driving section 206, and an imaging section 207.
And an information processing device for controlling the operation of the laser irradiation unit 208. The main storage device 211, a CPU (Central Processing Unit) 212, an input / output device 213, and an external storage device 2
14 is provided. The external storage device 214 holds a CAD (computer-aided design) database 220 (shown in FIG. 3). In the present invention, any known and commonly used CAD database may be used as long as it holds the position information of the wiring of the substrate to be processed.

【0052】なお、以下に説明する制御装置210の各
機能は、外部記憶装置214にあらかじめ保持され、主
記憶装置211に読み込まれたプログラムを、CPU2
12が実行することにより実現されるが、本願発明はこ
のようなソフトウエア及び汎用プロセッサによる実現手
段には限られず、例えばこれら各機能を実現するための
ハードワイヤードロジックを含むハードウエア装置や、
該ハードウエア装置と汎用プロセッサとの組み合わせに
より実現してもよい。
The functions of the control device 210 described below are stored in the external storage device 214 in advance, and the programs read into the main storage device 211 are executed by the CPU 2.
12, the present invention is not limited to such software and means for realizing by a general-purpose processor. For example, a hardware device including hard-wired logic for realizing each of these functions,
It may be realized by a combination of the hardware device and a general-purpose processor.

【0053】つぎに、制御装置210における処理の流
れを、図3を用いて説明する。なお、洗浄槽201に
は、実施例5と同様、あらかじめ、60℃のシプレー社
製「コンディショナー231」6%水溶液が保持されて
いる。また、めっき槽203には、実施例3と同様のキ
ューポジットカッパーミックス328液(室温)が保持
されており、成長槽209には、液温約70℃に保たれ
た(株)日立製作所製厚膜用化学銅めっき液AP2があ
らかじめ保持されている。
Next, the flow of processing in the control device 210 will be described with reference to FIG. As in the fifth embodiment, a 6% aqueous solution of “conditioner 231” manufactured by Shipley at 60 ° C. is held in the cleaning tank 201 in advance. The plating tank 203 holds the same cupposit copper mix 328 solution (room temperature) as in Example 3, and the growth tank 209 has a solution temperature of about 70 ° C. manufactured by Hitachi, Ltd. The chemical copper plating solution for thick film AP2 is held in advance.

【0054】制御装置210は、入出力装置212を介
してめっき処理が指示されると、まず、搬送機構205
により処理対象基板を洗浄槽201に投入し、3分後に
取り出して、水洗機構202へ搬送する(ステップ30
1)。次に、制御装置210は、水洗機構202の水噴
射バルブを開き、処理対象基板表面を水で洗浄した後
(ステップ302)、搬送機構205によりめっき槽2
03の所定の位置に固定し(ステップ303)、処理対
象基板を入れたまま、めっき槽203をXYステージ2
04の所定の位置に載置する(ステップ304)。
When a plating process is instructed through the input / output device 212, the control device 210 firstly controls the transport mechanism 205.
The substrate to be processed is put into the cleaning tank 201, taken out after 3 minutes, and transported to the water washing mechanism 202 (Step 30).
1). Next, the control device 210 opens the water injection valve of the water washing mechanism 202 to wash the surface of the substrate to be processed with water (step 302), and thereafter, the plating mechanism 2 is transferred by the transport mechanism 205.
03 (Step 303), and the plating tank 203 is moved to the XY stage 2 while the substrate to be processed is inserted.
04 (step 304).

【0055】続いて、制御装置210は、撮像部207
により処理対象基板の画像データを採取し、外部記憶装
置214に保持されたCADデータベースに登録された
配線情報と比較することにより断線箇所を検出して、レ
ーザ照射位置を決定する(ステップ305)。
Subsequently, the control device 210 controls the imaging unit 207
, The image data of the substrate to be processed is sampled, and the broken point is detected by comparing with the wiring information registered in the CAD database held in the external storage device 214 to determine the laser irradiation position (step 305).

【0056】次に、制御装置210は、XYステージ駆
動部206を制御してXYステージ204を操作し、載
置されためっき槽203内の基板を位置合わせした後
(ステップ306)、撮像部207によって処理対象基
板を再度撮影して、断線箇所(すなわちレーザ照射箇
所)の位置を認識して、さらに精密に位置合わせする
(ステップ307)。
Next, the control unit 210 controls the XY stage driving unit 206 to operate the XY stage 204 to align the substrate in the plating tank 203 on which it is mounted (step 306). Then, the substrate to be processed is photographed again, the position of the disconnection point (that is, the laser irradiation point) is recognized, and the position is more precisely aligned (step 307).

【0057】レーザ照射箇所が所定の位置(すなわち、
レーザ照射部208の光軸位置)に配置されると、制御
装置210は、レーザ照射部208を操作し、断線箇所
にレーザ光を掃引(100μm/秒)する。
When the laser irradiation position is at a predetermined position (ie,
When the control unit 210 is disposed at the optical axis position of the laser irradiation unit 208, the control unit 210 operates the laser irradiation unit 208 to sweep (100 μm / sec) the laser light to the broken position.

【0058】次に、制御装置210は、搬送機構205
によりめっき槽203をXYステージから降ろして(ス
テップ309)、所定時間(本実施例では30分)放置
した後、めっき槽203から処理対象基板を取り出して
成長槽209へ移す(311)。
Next, the controller 210 controls the transport mechanism 205
The plating bath 203 is lowered from the XY stage (step 309), left for a predetermined time (30 minutes in this embodiment), and then the substrate to be processed is taken out of the plating bath 203 and transferred to the growth bath 209 (311).

【0059】最後に、制御装置210は、所定時間(本
実施例では1時間)が経過すると、搬送機構205によ
り成長槽209から処理対象基板を取り出して(ステッ
プ312)、水洗機構202により洗浄し、乾燥する
(ステップ313)。
Finally, after a predetermined time (one hour in this embodiment) has elapsed, the control device 210 takes out the substrate to be processed from the growth tank 209 by the transport mechanism 205 (step 312), and cleans the substrate by the water washing mechanism 202. Then, it is dried (step 313).

【0060】このめっきシステムを用いて、実施例5と
同様に配線を断線させた基板を用い、断線箇所を修復す
る処理を行ったところ、実施例5と同様、良好な接続を
自動的に得ることができた。
Using this plating system, a process of repairing a broken portion was performed using a substrate with broken wires in the same manner as in Example 5, and a good connection was automatically obtained in the same manner as in Example 5. I was able to.

【0061】なお、本実施例では、めっき槽203で処
理した後、さらに成長槽209によりめっき皮膜を厚く
する処理を行っているが、1種類のめっき液のみで処理
する場合には、成長槽209及びステップ311,31
2の処理を省略してもよい。また、成長槽209への投
入の前に、前処理を行うようにしてもよい。
In this embodiment, after the treatment in the plating tank 203, the plating tank is further treated to increase the thickness of the plating film. However, in the case of treating with only one type of plating solution, the growth tank is used. 209 and steps 311, 31
Step 2 may be omitted. In addition, pre-processing may be performed before charging into the growth tank 209.

【0062】本実施例では、処理対象基板をXYステー
ジ上に配置した後、照射位置決定処理(ステップ30
5)を行っているが、ステップ304より前の段階であ
らかじめ照射位置を決定するようにしてもよい。このよ
うにする場合は、XYステージ204へのめっき槽20
3の載置後、基板表面の位置合わせマークなどによりス
テップ306の位置合わせを行い、その後撮像部207
により基板の画像データを取得して、当該画像データを
もとに精密位置合わせ(ステップ307)を行うように
してもよい。
In this embodiment, after the substrate to be processed is placed on the XY stage, the irradiation position determination processing (step 30)
Although 5) is performed, the irradiation position may be determined in advance before step 304. In this case, the plating tank 20 on the XY stage 204
After the mounting of No. 3, the alignment of Step 306 is performed using alignment marks on the substrate surface or the like.
, The image data of the substrate may be obtained, and the precise alignment (step 307) may be performed based on the image data.

【0063】[0063]

【発明の効果】本願発明によれば、レーザ照射出力の微
妙な調整を要することなく、狭い領域に位置精度よく、
容易かつ低コストで厚いめっき膜を形成することができ
る。
According to the present invention, fine positioning of laser irradiation output is not required, and positioning accuracy is small in a narrow area.
A thick plating film can be formed easily and at low cost.

【0064】本願発明の提供する技術により、従来技術
の有していた下記のような課題が解決できた。 (1) 本願発明によれば、被めっき物表面全体に触媒
前駆体膜を形成する必要がない。また、無電解ニッケル
めっきや無電解銅めっきでは貴金属やその化合物を使用
せずに選択的な活性化が可能である。従って、処理コス
トを低下させることが可能である。 (2) 従来は被めっき面全面に触媒の前駆体を成膜し
た後に不要箇所のみを除去するという工程を経る必要が
あったが、本願発明の技術によると必要箇所のみの選択
的活性化であるので不要箇所に触媒が残留することがな
い。 (3) 活性化不要箇所に触媒が付いていないため、め
っき異常析出の発生を抑制できる。 (4)無電解めっきにそのまま使用するめっき液中で活
性化するため、触媒の被毒や失活の危険がない。 (5)非選択的活性化処理と同程度の短い工程で選択的
活性化が可能である。 (6)めっき皮膜形成を微細領域のみで達成できるの
で、パターン修正などに簡便に適用できる。 (7)マスク製造やレジスト膜形成などの工程を最小限
に抑えることができるので、省資源かつ環境に優しい工
程が構築できる。
The technology provided by the present invention has solved the following problems of the prior art. (1) According to the present invention, there is no need to form a catalyst precursor film on the entire surface of the object to be plated. In electroless nickel plating or electroless copper plating, selective activation is possible without using a noble metal or a compound thereof. Therefore, the processing cost can be reduced. (2) Conventionally, after forming a catalyst precursor on the entire surface to be plated, it was necessary to go through a process of removing only unnecessary portions, but according to the technology of the present invention, selective activation of only necessary portions is required. As a result, the catalyst does not remain in unnecessary places. (3) Since a catalyst is not attached to a portion where activation is unnecessary, occurrence of abnormal plating can be suppressed. (4) There is no danger of catalyst poisoning or deactivation because the catalyst is activated in the plating solution used directly for electroless plating. (5) Selective activation can be performed in steps as short as non-selective activation processing. (6) Since plating film formation can be achieved only in a fine region, it can be easily applied to pattern correction and the like. (7) Since processes such as mask production and resist film formation can be minimized, resource-saving and environmentally friendly processes can be constructed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例1における配線基板の製造方法を示す概
略図である。
FIG. 1 is a schematic view illustrating a method for manufacturing a wiring board according to a first embodiment.

【図2】実施例6におけるめっきシステムの構成を示す
概略図である。
FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a configuration of a plating system according to a sixth embodiment.

【図3】実施例6のめっきシステムにおける制御装置の
処理の流れを示す流れ図である。
FIG. 3 is a flowchart showing a flow of processing of a control device in a plating system according to a sixth embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…処理対象基板(被めっき物)、2…照射光(レー
ザ)、3…金属微粒子、4…めっき皮膜、5…めっき
液、200…めっきシステム、201…洗浄槽、202
…水洗機構、203…めっき槽、204…XYステー
ジ、205…搬送機構、206…XYステージ駆動部、
207…撮像部、208…レーザ照射部、209…成長
槽、210…制御装置、211…主記憶装置、212…
CPU、213…入出力装置、214…外部記憶装置、
220…CADデータベース。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate to be processed (object to be plated), 2 ... Irradiation light (laser), 3 ... Metal fine particles, 4 ... Plating film, 5 ... Plating solution, 200 ... Plating system, 201 ... Cleaning tank, 202
, A washing mechanism, 203, a plating tank, 204, an XY stage, 205, a transport mechanism, 206, an XY stage driving unit,
207: imaging unit, 208: laser irradiation unit, 209: growth tank, 210: control unit, 211: main storage unit, 212:
CPU, 213: input / output device, 214: external storage device,
220 CAD database.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4K022 AA03 AA18 AA42 BA03 BA08 BA14 BA18 CA03 CA08 DA01 DB30 5E343 BB23 BB24 BB44 BB48 DD34 EE02 ER51 GG11 GG20  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4K022 AA03 AA18 AA42 BA03 BA08 BA14 BA18 CA03 CA08 DA01 DB30 5E343 BB23 BB24 BB44 BB48 DD34 EE02 ER51 GG11 GG20

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】金属イオンと、該金属イオンの錯化剤と、
還元剤と、pH調整剤とを含む無電解めっき液に被めっ
き物を浸漬することにより、該被めっき物表面にめっき
皮膜を形成する無電解めっき方法において、 第1の無電解めっき液に浸漬した状態で、上記被めっき
物表面に光を照射する光照射工程と、 上記被めっき物を第1の無電解めっき液中で所定時間放
置することにより、上記照射箇所にめっき皮膜を形成す
るめっき皮膜形成工程とを、この順で有することを特徴
とする無電解めっき方法。
1. A metal ion, a complexing agent for the metal ion,
In the electroless plating method of forming a plating film on the surface of the object to be plated by immersing the object to be plated in an electroless plating solution containing a reducing agent and a pH adjusting agent, the immersion in the first electroless plating solution A light irradiating step of irradiating the surface of the object to be illuminated with light in a state in which the object has been plated, and leaving the object to be plated in the first electroless plating solution for a predetermined time to form a plating film on the irradiated portion. And a film forming step in this order.
【請求項2】上記第1の無電解めっき液に浸漬する前
に、 上記被めっき物の表面を、脱脂、洗浄する脱脂洗浄工程
を、さらに有することを特徴とする請求項1記載の無電
解めっき方法。
2. The electroless electroless electroless machine according to claim 1, further comprising a degreasing cleaning step of degreasing and cleaning the surface of the object to be plated before immersion in the first electroless plating solution. Plating method.
【請求項3】上記金属イオンは、銅、ニッケル、金、パ
ラジウムのいずれかのイオンであることを特徴とする請
求項1記載の無電解めっき方法。
3. The electroless plating method according to claim 1, wherein the metal ion is any one of copper, nickel, gold, and palladium.
【請求項4】上記光の照射は、フォトマスクを介して所
定のパターンに行われることを特徴とする請求項1記載
の無電解めっき方法。
4. The electroless plating method according to claim 1, wherein the light irradiation is performed in a predetermined pattern through a photomask.
【請求項5】上記光の照射は、レーザ光を掃引すること
により所定のパターンに行われることを特徴とする請求
項1記載の無電解めっき方法。
5. The electroless plating method according to claim 1, wherein the irradiation of the light is performed in a predetermined pattern by sweeping a laser beam.
【請求項6】上記光は、CO2レーザ、YAGレーザ、
アルゴンイオンレーザ、及びエキシマレーザのいずれか
であることを特徴とする請求項1記載の無電解めっき方
法。
6. The light source is a CO 2 laser, a YAG laser,
The electroless plating method according to claim 1, wherein the method is one of an argon ion laser and an excimer laser.
【請求項7】上記めっき皮膜形成工程の後に、 第2の無電解めっき液に上記被めっき物を浸漬所定時間
放置するめっき皮膜成長工程を、さらに有することを特
徴とする請求項1記載の無電解めっき方法。
7. The method according to claim 1, further comprising, after said plating film forming step, a plating film growing step of immersing said object to be plated in a second electroless plating solution for a predetermined time. Electroplating method.
【請求項8】請求項1記載の無電解めっき方法により、
絶縁基板又は絶縁層の表面に上記めっき皮膜からなる金
属配線を形成する工程を有することを特徴とする配線基
板の製造方法。
8. An electroless plating method according to claim 1,
A method for manufacturing a wiring board, comprising a step of forming a metal wiring made of the plating film on a surface of an insulating substrate or an insulating layer.
【請求項9】上記金属配線の形成は、配線の断線箇所に
行われることを特徴とする請求項8記載の配線基板の製
造方法。
9. The method according to claim 8, wherein the formation of the metal wiring is performed at a location where the wiring is broken.
【請求項10】上記断線箇所を有する配線の画像データ
と、該配線の設計データとを比較することにより上記断
線箇所を認識する工程を、さらに備え、 上記光照射工程は、該断線箇所に上記光を照射する工程
であることを特徴とする請求項8記載の配線基板の製造
方法。
10. The method according to claim 10, further comprising the step of comparing the image data of the wiring having the disconnection location with the design data of the wiring to recognize the disconnection location. 9. The method according to claim 8, wherein the step of irradiating light is performed.
【請求項11】無電解めっき液を保持するためのめっき
槽と、 上記めっき槽中に保持された上記無電解めっき液中に浸
漬された処理対象基板の表面の画像データを得るための
撮像部と、 上記めっき槽中に保持された上記無電解めっき液中に浸
漬された処理対象基板の表面に、レーザを照射するため
のレーザ照射部と、 上記レーザ照射部の動作を制御する制御装置とを備え、 上記制御装置は、 上記断線箇所を有する配線の画像データと、該配線の設
計データとを比較することにより上記断線箇所を認識
し、レーザ照射部を制御して、当該断線箇所にレーザを
照射する手段を備えることを特徴とする無電解めっき装
置。
11. A plating tank for holding an electroless plating solution, and an imaging unit for obtaining image data of a surface of a substrate to be processed immersed in the electroless plating solution held in the plating tank. A laser irradiation unit for irradiating a laser on the surface of the processing target substrate immersed in the electroless plating solution held in the plating tank, and a control device for controlling the operation of the laser irradiation unit The control device, the image data of the wiring having the disconnection location, by recognizing the disconnection location by comparing the design data of the wiring, controlling the laser irradiation unit, the laser at the disconnection location An electroless plating apparatus, comprising: means for irradiating the substrate.
【請求項12】上記無電解めっき装置を備えることを特
徴とする配線基板の製造装置。
12. An apparatus for manufacturing a wiring board, comprising the above electroless plating apparatus.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002038827A1 (en) * 2000-11-08 2002-05-16 Chang, Chak, Man, Thomas Plasma electroplating
JP2005060828A (en) * 2003-07-28 2005-03-10 Masaya Ichimura Photodeposition gold plating method and gold plating formation apparatus
EP1558067A1 (en) * 2002-10-28 2005-07-27 Bridgestone Corporation Electromagnetic wave shielding light transmitting window material and process for producin the same
KR100904251B1 (en) 2008-01-28 2009-06-25 한국생산기술연구원 Selective adsorption method of novel precious metal catalyst on polymer surface
WO2017002425A1 (en) * 2015-06-29 2017-01-05 公立大学法人兵庫県立大学 Composite material and production method for same, and production device for same

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002038827A1 (en) * 2000-11-08 2002-05-16 Chang, Chak, Man, Thomas Plasma electroplating
EP1558067A1 (en) * 2002-10-28 2005-07-27 Bridgestone Corporation Electromagnetic wave shielding light transmitting window material and process for producin the same
EP1558067A4 (en) * 2002-10-28 2008-07-09 Bridgestone Corp Electromagnetic wave shielding light transmitting window material and process for producin the same
JP2005060828A (en) * 2003-07-28 2005-03-10 Masaya Ichimura Photodeposition gold plating method and gold plating formation apparatus
US7641944B2 (en) 2003-07-28 2010-01-05 Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho Method for forming gold plating
JP4521228B2 (en) * 2003-07-28 2010-08-11 正也 市村 Gold plating method by light deposition and gold plating film forming apparatus
KR100904251B1 (en) 2008-01-28 2009-06-25 한국생산기술연구원 Selective adsorption method of novel precious metal catalyst on polymer surface
WO2009096691A3 (en) * 2008-01-28 2009-10-29 한국생산기술연구원 Method for selective adsorption of noble metal catalyst onto surface of polymer
WO2017002425A1 (en) * 2015-06-29 2017-01-05 公立大学法人兵庫県立大学 Composite material and production method for same, and production device for same
JP2017017111A (en) * 2015-06-29 2017-01-19 公立大学法人兵庫県立大学 Composite material, and method and device for producing the same

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