JP2000138274A - Processing unit - Google Patents

Processing unit

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JP2000138274A
JP2000138274A JP10326057A JP32605798A JP2000138274A JP 2000138274 A JP2000138274 A JP 2000138274A JP 10326057 A JP10326057 A JP 10326057A JP 32605798 A JP32605798 A JP 32605798A JP 2000138274 A JP2000138274 A JP 2000138274A
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JP
Japan
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light
processing
laser
tube
laser light
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JP10326057A
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Japanese (ja)
Inventor
Shuji Moriya
修司 守谷
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a processing unit, capable of correctly recognizing the state of particles, in a processing box in real time by using laser light. SOLUTION: A processing device for receiving in a processing box 20 a plurality of bodies W stacked on a boat 30 and for subjecting the bodies W to a predetermined processing has a laser-emitting unit 54 for emitting a laser light L, a light guide unit 56 for guiding the laser light L into the processing box 20 and for causing the light to radiate in the direction between the bodies W, a light guide unit 58 for receiving the laser light L transmitted between the bodies W and for introducing to the outside of the processing box 20, a light-receiving unit 60 for detecting the light introduced by the light-guide unit 58, and a particle evaluating unit 62 for evaluating the existing state of particles in the processing box 20, based on the detection value of the light-receiving unit 60. The state of the particles in the processing box can be recognized correctly in real time by using the laser light.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等を
処理する処理容器内のパーティクルの存在状況をモニタ
することが可能な処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus capable of monitoring the presence of particles in a processing container for processing a semiconductor wafer or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体デバイスを製造するため
には半導体ウエハに対して成膜、エッチング、酸化、拡
散等の各種の処理が施される。例えば一度に多数枚のウ
エハ表面に成膜するCVD装置においては、ウエハボー
ト上に半導体ウエハを例えば等ピッチで多段に載置し、
これを所定の温度に加熱しながらウエハ表面に成膜用の
ガスを供給し、このガスの分解生成物、或いは反応生成
物をウエハ上に堆積させて膜形成を行なうようになって
いる。製造される半導体ウエハの歩留りを向上させるた
めには、歩留り低下の主な原因となるパーティクルの管
理を十分に行わなければならない。例えば処理容器内壁
やウエハボートにある程度以上の量の不要な膜が付着す
ると、これが剥がれたりすることによってパーティクル
が発生し、このパーティクルがウエハ表面に付着して欠
陥を生ぜしめることになる。そのため、ある程度以上の
不要な膜が処理容器内壁やウエハボートの表面に付着し
たら、これらをクリーニングして不要な膜を除去するク
リーニング操作を行なっているが、そのクリーニング時
期を決定するための一手法として、処理容器内で発生す
るパーティクル数をモニタして評価することが行なわれ
ている。
2. Description of the Related Art Generally, in order to manufacture a semiconductor device, various processes such as film formation, etching, oxidation and diffusion are performed on a semiconductor wafer. For example, in a CVD apparatus in which a film is formed on a large number of wafers at once, semiconductor wafers are placed on a wafer boat in, for example, multiple stages at an equal pitch.
A film forming gas is supplied to the surface of the wafer while heating the film to a predetermined temperature, and a decomposition product or a reaction product of the gas is deposited on the wafer to form a film. In order to improve the yield of semiconductor wafers to be manufactured, it is necessary to sufficiently manage particles that mainly cause a decrease in yield. For example, if an unnecessary film of a certain amount or more adheres to the inner wall of the processing container or the wafer boat, the unnecessary film is peeled off to generate particles, and the particles adhere to the wafer surface to cause defects. Therefore, when an unnecessary film of a certain degree or more adheres to the inner wall of the processing container or the surface of the wafer boat, a cleaning operation is performed to remove the unnecessary film by cleaning them. As a method, the number of particles generated in a processing container is monitored and evaluated.

【0003】このパーティクルの評価の方法は、非常に
清浄でパーティクルがほとんど付着していないベアウエ
ハをモニタウエハとして用い、これに製品ウエハと同時
に成膜してこの表面に付着増加したパーティクル数をカ
ウントする方法や例えば、特開平6−13325号公報
に開示されているように、処理容器の排気系に排気ガス
中に含まれるパーティクル数をカウントするカウンタを
設ける方法が存在する。例えばこのカウンタを設ける手
法を図13を用いて説明すると、図13中において、符
号2は例えば2重管構造の縦型の処理容器であり、この
処理容器2の内部にはウエハボート4に略等ピッチで多
段に支持された多数の半導体ウエハWが収容される。そ
して、この処理容器2に、内部雰囲気を真空引きするた
めに途中に真空ポンプ6を介設した排気系8が接続され
ており、この排気系8の途中にカウンタ10を設けて排
ガス中のパーティクル数をカウントするようになってい
る。
[0003] In this method of evaluating particles, a bare wafer which is very clean and has few particles adhered thereto is used as a monitor wafer, and a film is formed on the bare wafer at the same time as a product wafer, and the number of particles attached to the surface is counted. There is a method and a method of providing a counter for counting the number of particles contained in exhaust gas in an exhaust system of a processing container as disclosed in, for example, JP-A-6-13325. For example, a method of providing this counter will be described with reference to FIG. 13. In FIG. 13, reference numeral 2 denotes, for example, a vertical processing container having a double-tube structure. A large number of semiconductor wafers W supported in multiple stages at equal pitches are accommodated. An exhaust system 8 provided with a vacuum pump 6 on the way to evacuate the internal atmosphere is connected to the processing vessel 2, and a counter 10 is provided on the way of the exhaust system 8 so that particles in the exhaust gas are provided. It is designed to count the number.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したパ
ーティクル評価手法の内で、モニタウエハを用いる手法
は、この清浄なモニタウエハはかなり高価なので、ラン
ニングコストが高騰してしまう。特に、6インチ、8イ
ンチのウエハに対して、今後主流になると考えれる12
インチウエハは1枚のモニタウエハ(ベアウエハ)の価
格が非常に高く、ランニングコストを大幅に高騰させて
しまう問題がある。更に、このモニタウエハを用いる場
合には、評価結果が出るまでにある程度以上の時間を要
することから、モニタウエハと同時に処理した製品ウエ
ハが後工程の製品加工にすでに流れてしまって、場合に
よっては無駄が生じたり、或いはパーティクル評価結果
が悪いことから処理容器をクリーニングすべきにもかか
わらずに、これを行なわないで次のロットの製品ウエハ
を同じ処理容器で成膜処理するなどして一層歩留りを低
下させる原因にもなっていた。
Among the above-mentioned particle evaluation methods, the method using a monitor wafer increases the running cost because the clean monitor wafer is quite expensive. In particular, it is considered that 6 inch and 8 inch wafers will become mainstream in the future.
An inch wafer has a problem that the price of one monitor wafer (bare wafer) is extremely high, and the running cost is greatly increased. Furthermore, when this monitor wafer is used, it takes a certain amount of time before an evaluation result is obtained, so that a product wafer processed simultaneously with the monitor wafer has already flowed to a product process in a later process, and in some cases, Despite the need to clean the processing container due to waste or bad particle evaluation results, the product wafer of the next lot is formed in the same processing container without performing this, but the yield is further increased. Was also causing the decline.

【0005】これに対して、排気系8にカウンタ10を
設けてパーティクルをカウントする手法は、リアルタイ
ムで処理容器2内のパーティクルの存在状況を把握でき
る点で優れている。しかしながら、処理容器内の実際の
パーティクルの状況とカウンタでカウントされるパーテ
ィクル数との相関関係はそれ程強くはなく、信頼性が十
分ではない。例えば、処理容器2内で発生したパーティ
クルがカウンタ10へ流入する前に、どこかのガス流路
でトラップされてしまってカウンタではパーティクル数
が少なめにカウントされたり、或いは逆に、過去に堆積
したパーティクルが処理容器内壁から一気に剥がれ落ち
るなどしてカウンタでは実際の処理容器内のパーティク
ル状態よりも多めにパーティクル数がカウントされる場
合があり、パーティクル評価の信頼性がそれ程高いもの
ではなかった。
On the other hand, the method of providing the exhaust system 8 with the counter 10 to count particles is excellent in that the presence state of the particles in the processing vessel 2 can be grasped in real time. However, the correlation between the actual state of the particles in the processing container and the number of particles counted by the counter is not so strong, and the reliability is not sufficient. For example, before the particles generated in the processing container 2 flow into the counter 10, the particles are trapped in some gas flow path, and the number of particles is reduced by the counter, or conversely, accumulated in the past. In some cases, the counter counts a larger number of particles than the actual state of the particles in the processing container due to the particles peeling off from the inner wall of the processing container at a stretch, and the reliability of the particle evaluation is not so high.

【0006】本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、レーザ光を用いることによって、リアルタイ
ムで処理容器内のパーティクルの存在状況を正確に認識
することができる処理装置を提供することにある。
[0006] The present invention focuses on the above problems,
It was created to solve this effectively. An object of the present invention is to provide a processing apparatus capable of accurately recognizing the presence state of particles in a processing container in real time by using laser light.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項1に規定する発明
は、被処理体ボートに多段に載置された複数の被処理体
を処理容器内に収容して所定の処理を施すようにした処
理装置において、レーザ光を出力するレーザ発光手段
と、前記レーザ光を前記処理容器内へ導入して前記被処
理体間を通過する方向へ放射させる光導入手段と、前記
被処理体間を通過したレーザ光を受けて前記処理容器の
外へ導出させる光導出手段と、この光導出手段に導かれ
た光を検出する受光手段と、この受光手段の検出値に基
づいて前記処理容器内におけるパーティクルの存在状態
を判別するパーティクル評価手段とを備えるようにした
ものである。
According to a first aspect of the present invention, a plurality of workpieces mounted in multiple stages on a boat to be processed are accommodated in a processing vessel to perform predetermined processing. In the processing apparatus, a laser emitting unit that outputs laser light, a light introducing unit that introduces the laser light into the processing container and emits the laser light in a direction passing between the processing objects, and passes between the processing objects. Light deriving means for receiving the extracted laser light and guiding the light out of the processing container, light receiving means for detecting light guided by the light deriving means, and particles in the processing container based on a detection value of the light receiving means. And a particle evaluation means for determining the state of existence of the object.

【0008】これにより、レーザ発光手段から出力され
たレーザ光は、光導入手段により処理容器内へ導入さ
れ、被処理体間を通過するように放射される。この放射
されたレーザ光は途中にパーティクルが浮遊していると
僅かな間だけ一時的に遮断されたり、或いは一時的に光
量が低下する。このレーザ光は、光導出手段で受けられ
て処理容器の外へ導かれ、受光手段で検出されることに
なる。そして、この受光手段の検出結果に基づいて、パ
ーティクル評価手段がリアルタイムで処理容器内のパー
ティクルの存在状態を判別することになる。この場合、
請求項2に規定するように、例えば前記光導入手段は、
前記処理容器内に垂直に起立された中空の光導入管と、
この光導入管の先端に設けられて前記レーザ光を水平方
向へ反射させる第1反射ミラーとよりなり、前記光導出
手段は、前記第1反射ミラーにより反射されたレーザ光
を垂直方向へ反射させる第2反射ミラーと、この第2反
射ミラーで反射された光を導出させるために処理容器内
に垂直に起立させて設けた中空の光導出管とより形成す
ることができる。また、請求項3に規定するように、前
記光導入管及び光導出管は、不透明材料より形成するこ
とができ、請求項4に規定するように、前記不透明材料
は、SiCより形成することができる。
Thus, the laser light output from the laser emitting means is introduced into the processing vessel by the light introducing means and emitted so as to pass between the objects to be processed. When the emitted laser light has particles floating on the way, the emitted laser light is temporarily interrupted for a short time, or the amount of light is temporarily reduced. This laser light is received by the light deriving means, guided to the outside of the processing container, and detected by the light receiving means. Then, based on the detection result of the light receiving means, the particle evaluation means determines the presence state of the particles in the processing container in real time. in this case,
As defined in claim 2, for example, the light introducing means comprises:
A hollow light introduction tube vertically erected in the processing container,
A first reflecting mirror is provided at the tip of the light introducing tube to reflect the laser light in the horizontal direction, and the light guide means reflects the laser light reflected by the first reflecting mirror in the vertical direction. It can be formed by a second reflection mirror and a hollow light extraction tube provided vertically upright in the processing container to extract the light reflected by the second reflection mirror. Further, the light introduction tube and the light extraction tube may be formed of an opaque material, as defined in claim 3, and the opaque material may be formed of SiC, as defined in claim 4. it can.

【0009】このように、光導入管及び光導出管を不透
明材料で形成することにより、外乱光の侵入を断ち、ノ
イズが混入することを防止することが可能となる。ま
た、請求項5に規定するように、前記光導入管及び光導
出管は、透明材料よりなり、その内壁面には不透明なコ
ーティング膜が形成することができる。。この場合に
も、コーティング膜により外乱光の侵入を断つことがで
きるのでノイズの混入を防止することが可能となる。こ
の場合、請求項6に規定するように、例えば前記透明材
料は、SiO2 よりなり、前記コーティング膜はSiC
により形成することができる。また、請求項7に規定す
るように、前記光導入管及び光導出管の先端は気密に封
止されており、この封止部には光を通過させるための透
過窓が形成されるようにしてもよい。このように、光導
入管内及び光導出管内を封止することにより、この内部
に処理ガス等が導入することを防止でき、管内に不要な
膜等が付着することを阻止することができる。
As described above, by forming the light introducing tube and the light guiding tube with an opaque material, it is possible to prevent the intrusion of disturbance light and prevent noise from being mixed. Further, as defined in claim 5, the light introducing tube and the light guiding tube are made of a transparent material, and an opaque coating film can be formed on the inner wall surface. . In this case as well, the intrusion of disturbance light can be cut off by the coating film, so that it is possible to prevent noise from being mixed. In this case, for example, the transparent material is made of SiO 2 and the coating film is made of SiC.
Can be formed. Further, as set forth in claim 7, the tips of the light introducing tube and the light guiding tube are hermetically sealed, and a transparent window for transmitting light is formed in the sealed portion. You may. As described above, by sealing the inside of the light introducing tube and the inside of the light guiding tube, it is possible to prevent the processing gas or the like from being introduced into the inside, and to prevent an unnecessary film or the like from adhering to the inside of the tube.

【0010】更に、請求項8に規定するように、前記レ
ーザ光は、ビーム径が非常に小さくなされて且つ微細な
間隔で平行に走る2本のレーザビームよりなるようにし
てもよい。これによれば、外乱ノイズによる悪影響を略
確実に断つことができる。また、請求項9に規定するよ
うに、被処理体ボートに多段に載置された複数の被処理
体を処理容器内に収容して所定の処理を施すようにした
処理装置において、レーザ光を出力するレーザ発光手段
と、前記レーザ光を前記処理容器内へ導入して前記被処
理体間を通過する方向へ放射させる光導入手段と、前記
被処理体間を通過したレーザ光のパーティクルによる散
乱光を受けて前記処理容器の外へ導出させる光導出手段
と、この光導出手段に導かれた光を検出する受光手段
と、この受光手段の検出値に基づいて前記処理容器内に
おけるパーティクルの存在状態を判別するパーティクル
評価手段とを備えるようにしてもよい。これによれば、
レーザ光の散乱光によりパーティクル状態を判断するこ
とが可能となる。
Further, the laser beam may be composed of two laser beams having a very small beam diameter and running in parallel at a fine interval. According to this, an adverse effect due to disturbance noise can be almost certainly cut off. According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus in which a plurality of processing objects mounted in multiple stages on a processing object boat are accommodated in a processing container to perform predetermined processing. A laser emitting means for outputting, a light introducing means for introducing the laser light into the processing container and emitting the laser light in a direction passing between the processing objects, and scattering of the laser light passing between the processing objects by particles. A light deriving unit that receives light and guides the light out of the processing container; a light receiving unit that detects light guided by the light deriving unit; and the presence of particles in the processing container based on a detection value of the light receiving unit. Particle evaluation means for determining a state may be provided. According to this,
The particle state can be determined based on the scattered light of the laser light.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る処理装置の
一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図1は本発明
に係る処理装置を示す構成図、図2は処理装置内の本発
明の特徴部分を取り出して示した拡大図、図3は光導入
管を示す断面図、図4はレーザ光を示す拡大模式図であ
る。ここでは処理装置としてCVDによる縦型の成膜装
置を例にとって説明する。図示するようにこの成膜装置
12は、筒体状の石英製の内筒14とその外側に所定の
間隙18を介して同心円状に配置した石英製の外筒16
とよりなる2重管構造の処理容器20を有しており、そ
の外側は、加熱ヒータ等の加熱手段22と断熱材24を
備えた加熱炉26により覆われている。上記加熱手段2
2は断熱材24の内面に全面に亘って設けられている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the processing apparatus according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a configuration diagram showing a processing apparatus according to the present invention, FIG. 2 is an enlarged view showing a characteristic portion of the present invention in the processing apparatus, FIG. 3 is a cross-sectional view showing a light introducing tube, and FIG. FIG. Here, a vertical film forming apparatus by CVD will be described as an example of the processing apparatus. As shown in the drawing, the film forming apparatus 12 includes a cylindrical inner cylinder 14 made of quartz and an outer cylinder 16 made of quartz concentrically arranged outside the inner cylinder 14 with a predetermined gap 18 interposed therebetween.
, And the outside thereof is covered by a heating furnace 26 provided with a heating means 22 such as a heater and a heat insulating material 24. The heating means 2
2 is provided on the entire inner surface of the heat insulating material 24.

【0012】処理容器20の下端は、例えばステンレス
スチール製の筒体状のマニホールド28によって支持さ
れており、内筒14の下端は、マニホールド28の内壁
より内側へ突出させたリング状の支持板28Aにより支
持され、このマニホールド28の下方より多数枚の被処
理体としての半導体ウエハWを載置した石英製のウエハ
ボート(被処理体ボート)30が昇降可能に挿脱自在に
なされている。本実施例の場合において、このウエハボ
ート30には、例えば180枚のウエハを略等ピッチで
多段に支持できるようになっている。
The lower end of the processing vessel 20 is supported by a cylindrical manifold 28 made of, for example, stainless steel, and the lower end of the inner cylinder 14 has a ring-shaped support plate 28A projecting inward from the inner wall of the manifold 28. , And a quartz wafer boat (object boat) 30 on which a number of semiconductor wafers W as objects to be processed are mounted from below the manifold 28, and can be vertically inserted and removed. In the case of the present embodiment, the wafer boat 30 can support, for example, 180 wafers at substantially equal pitches in multiple stages.

【0013】このウエハボート30は、石英製の保温筒
32を介して回転テーブル34上に載置されており、こ
の回転テーブル34は、マニホールド28の下端開口部
を開閉する蓋部36を貫通する回転軸38上に支持され
る。そして、この回転軸38の貫通部には、例えば磁性
流体シール40が介設され、この回転軸38を気密にシ
ールしつつ回転可能に支持している。また、蓋部36の
周辺部とマニホールド28の下端部には、例えばOリン
グ等よりなるシール部材42が介設されており、容器内
のシール性を保持している。
The wafer boat 30 is mounted on a rotary table 34 via a heat insulating tube 32 made of quartz. The rotary table 34 passes through a lid 36 that opens and closes a lower end opening of the manifold 28. It is supported on a rotating shaft 38. For example, a magnetic fluid seal 40 is interposed in the penetrating portion of the rotating shaft 38, and rotatably supports the rotating shaft 38 while hermetically sealing it. Further, a seal member 42 made of, for example, an O-ring is provided between the periphery of the lid 36 and the lower end of the manifold 28 to maintain the sealing property in the container.

【0014】上記した回転軸38は、例えばボートエレ
ベータ等の昇降機構44に支持されたアーム46の先端
に取り付けられており、ウエハボート30及び蓋部36
等を一体的に昇降できるようになされている。マニホー
ルド28の側部には、内筒14内に流量制御された成膜
ガスや不活性ガス、例えばN2 ガスを導入するガス導入
ノズル48が設けられている。また、マニホールド28
の側部には、内筒14と外筒16との間隙18の底部か
ら容器内の雰囲気を排出する排気口50が設けられてお
り、この排気口50には、図示しない真空ポンプ等を介
設した真空排気系が接続されている。そして、上記蓋部
36には、本発明の特徴とするパーティクル検出機構5
2が設けられる。図2にも示すように具体的には、この
パーティクル検出機構52は、レーザ光Lを出力するレ
ーザ発光手段54と、このレーザ光Lを処理容器20内
へ導入してその長さ方向、すなわちここでは上方向へ導
いてウエハW間へ放射させる光導入手段56と、放射さ
れたレーザ光を受けて処理容器20の長さ方向、すなわ
ちここでは下方向へ導いて外へ導出させる光導出手段5
8と、この導出された光を検出する受光手段60と、こ
の検出値に基づいて処理容器20内のパーティクル状態
を判別するパーティクル評価手段62とにより主に構成
されている。
The rotating shaft 38 is attached to the tip of an arm 46 supported by an elevating mechanism 44 such as a boat elevator.
Etc. can be moved up and down integrally. A gas introduction nozzle 48 for introducing a film formation gas or an inert gas, for example, N 2 gas, whose flow rate is controlled into the inner cylinder 14 is provided on a side portion of the manifold 28. Also, the manifold 28
An exhaust port 50 for exhausting the atmosphere in the container from the bottom of the gap 18 between the inner cylinder 14 and the outer cylinder 16 is provided on the side of the container. The exhaust port 50 is connected to a vacuum pump or the like (not shown). The installed evacuation system is connected. The lid 36 has a particle detection mechanism 5 that is a feature of the present invention.
2 are provided. As shown in FIG. 2, specifically, the particle detection mechanism 52 includes a laser light emitting unit 54 that outputs a laser beam L, and the laser beam L that is introduced into the processing container 20 and the length direction thereof, that is, Here, a light introducing means 56 for guiding upward and emitting the light between the wafers W, and a light guiding means for receiving the emitted laser light in the longitudinal direction of the processing container 20, that is, guiding the light downward and leading it outward. 5
8, light receiving means 60 for detecting the derived light, and particle evaluation means 62 for determining the state of particles in the processing container 20 based on the detected value.

【0015】図中、30Aはウエハボート30の支柱で
あり、各ウエハWは支柱30Aに等ピッチで形成された
支持溝31に載置して支持されている。上記レーザ発光
手段54は、半導体レーザ素子よりなり、例えばArレ
ーザ素子やYAGレーザ素子を用いることができる。光
導入手段56は、例えば不透明材料よりなる断面中空
(図3参照)のパイプ状の光導入管64を有しており、
この光導入管64を、蓋部36の周辺部に形成した貫通
孔に挿通させて、処理容器20の内筒14内に垂直に起
立させた状態で設置している。この光導入管64の取付
部には、Oリング等のシール部材66を介設して気密性
を保持している。そして、この光導入管64の下端部は
気密にシールされており、ここに上記レーザ発光手段5
4を取り付け固定して上方向へレーザ光Lを出力して中
空状の光導入管64内を進行させるようになっている。
In FIG. 1, reference numeral 30A denotes a column of a wafer boat 30, and each wafer W is mounted on and supported by a support groove 31 formed at a constant pitch on the column 30A. The laser emitting means 54 is composed of a semiconductor laser element, and for example, an Ar laser element or a YAG laser element can be used. The light introducing means 56 has a pipe-shaped light introducing tube 64 having a hollow section (see FIG. 3) made of, for example, an opaque material.
The light introducing tube 64 is inserted into a through hole formed in the peripheral portion of the lid 36 and is set upright in the inner cylinder 14 of the processing container 20. Airtightness is maintained at a mounting portion of the light introducing tube 64 by interposing a sealing member 66 such as an O-ring. The lower end of the light introducing tube 64 is hermetically sealed.
The laser light L is output upward while the laser light 4 is attached and fixed, and travels through the hollow light introducing tube 64.

【0016】また、光導入管64の上端には、略45度
で傾斜された第1反射ミラー68が取り付けられてお
り、上記光導入管64内を進行してきたレーザ光Lを水
平方向へ反射して、この反射レーザ光Lを所定の位置に
おけるウエハ間に通過させるようになっている。この第
1反射ミラー68としては単なる反射鏡或いは直角プリ
ズム等を用いることができる。このように構成された上
記光導入手段56に対して、上記光導出手段58はウエ
ハボート30を挟んで略反対側に設置される。この光導
出手段58は、先の光導出手段56と全く同様に構成さ
れ、例えば不透明材料よりなる断面中空(図3参照)の
パイプ状の光導出管70を有しており、この光導出管7
0を、蓋部36の周辺部に形成した貫通孔に挿通させ
て、処理容器20の内筒14内に垂直に起立させた状態
で設置している。この光導出管70の取付部には、Oリ
ング等のシール部材72を介設して気密性を保持してい
る。そして、この光導出管70の下端部は気密にシール
されており、ここに上記受光手段60を取り付け固定し
て、中空状の光導出管70内を下方向へ進行してきたレ
ーザ光Lを検出するようになっている。
A first reflecting mirror 68 inclined at approximately 45 degrees is attached to the upper end of the light introducing tube 64, and reflects the laser light L traveling in the light introducing tube 64 in the horizontal direction. Then, the reflected laser light L is passed between the wafers at a predetermined position. As the first reflection mirror 68, a simple reflection mirror, a right-angle prism, or the like can be used. The light deriving means 58 is installed on the substantially opposite side of the wafer introducing boat 30 with respect to the light introducing means 56 thus configured. The light guiding means 58 is configured in exactly the same manner as the light guiding means 56, and has a hollow pipe-shaped light guiding pipe 70 made of, for example, an opaque material (see FIG. 3). 7
0 is inserted into a through-hole formed in the peripheral portion of the lid 36, and is set upright in the inner cylinder 14 of the processing container 20. An airtightness is maintained at a mounting portion of the light guide tube 70 by interposing a seal member 72 such as an O-ring. The lower end of the light guide tube 70 is hermetically sealed. The light receiving means 60 is attached and fixed to the light guide tube 70 to detect the laser beam L traveling downward in the hollow light guide tube 70. It is supposed to.

【0017】また、この光導出管70の上端には、略4
5度で傾斜された第2反射ミラー74が上記第1反射ミ
ラー68と対向するように取り付けられており、ウエハ
間を水平方向へ進行してきたレーザ光Lをこの第2反射
ミラー74で下方向へ反射させて上記光導出管70内を
進行させるようになっている。この第2反射ミラー74
も、単なる反射鏡或いは直角プリズム等を用いることが
できる。また、上記受光手段60としては、光センサ、
例えばフォトダイオード等を用いることができる。そし
て、上記受光手段60における受光信号は、例えばマイ
クロコンピュータ等よりなるパーティクル評価手段62
へ送られ、パーティクルの有無或いはサイズ等を検出で
きるようになっている。
At the upper end of the light guide tube 70, approximately 4
A second reflecting mirror 74, which is inclined at 5 degrees, is mounted so as to face the first reflecting mirror 68, and the laser light L traveling horizontally between the wafers is directed downward by the second reflecting mirror 74. And travels inside the light guide tube 70. This second reflection mirror 74
Also, a simple reflecting mirror or a right-angle prism or the like can be used. Further, as the light receiving means 60, an optical sensor,
For example, a photodiode or the like can be used. The light receiving signal from the light receiving means 60 is transmitted to a particle evaluation means 62 such as a microcomputer.
To detect the presence / absence or size of particles.

【0018】本実施例では、図3に示すように、光導入
管64及び光導出管70の内径D1は5mm程度、外径
D2は7mm程度に設定されている。また、レーザ発光
手段54から出力されたレーザ光Lは図4に示すように
具体的には、ビーム径が非常に小さくなされて、且つ微
細な間隔で平行に走る2本のレーザビームL1、L2よ
りなっている。各レーザビームL1、L2の直径d1、
d2はそれぞれ1mm以下であり、また、両レーザビー
ムL1、L2の間隔Hは、1〜2mm程度である。この
場合、レーザ光Lがウエハ間を通過する際に、両レーザ
ビームL1、L2が上下に高さ方向に沿って平行になる
ように設定されている。これにより、下限の限界値とし
て直径が0.3μm程度までのパーティクルの存否を確
認することが可能となる。
In this embodiment, as shown in FIG. 3, the inner diameter D1 of the light introducing tube 64 and the light guiding tube 70 is set to about 5 mm, and the outer diameter D2 is set to about 7 mm. As shown in FIG. 4, the laser beam L output from the laser emitting means 54 has two laser beams L1 and L2 having a very small beam diameter and running in parallel at a fine interval. Is made up of The diameter d1 of each laser beam L1, L2,
d2 is 1 mm or less, respectively, and the interval H between the two laser beams L1 and L2 is about 1 to 2 mm. In this case, when the laser light L passes between the wafers, the two laser beams L1 and L2 are set to be vertically parallel in the height direction. This makes it possible to confirm the presence or absence of particles having a diameter of about 0.3 μm as the lower limit.

【0019】次に、以上のように構成された装置の動作
について説明する。まず、ウエハがアンロード状態で成
膜装置が待機状態の時には、処理容器20はプロセス温
度、例えば620℃、或いはそれよりも低い温度に維持
されており、常温の多数枚、例えば180枚のウエハW
が載置された状態のウエハボート30を処理容器20内
にその下方より上昇させてロードし、蓋部36でマニホ
ールド28の下端開口部を閉じることにより容器内を密
閉する。そして、処理容器20内を所定のプロセス圧に
維持すると共に、ウエハ温度が上昇して所定のプロセス
温度に安定するまで待機し、その後、所定の成膜ガス、
例えばシラン等をガス導入ノズル48から流量制御しつ
つ処理容器20内に導入し、また、希釈N2 ガスも所定
量ずつ導入する。成膜ガスは、ノズル48から内筒14
内に導入され、その後にこの中を回転されているウエハ
Wと接触しつつ成膜反応して上昇して、天井部から内筒
14と外筒16との間の間隙18を流下して、排気口5
0から容器外へ排出される。
Next, the operation of the apparatus configured as described above will be described. First, when the film forming apparatus is in the standby state with the wafers unloaded, the processing container 20 is maintained at the process temperature, for example, 620 ° C. or lower, and a large number of wafers at normal temperature, for example, 180 wafers W
Is loaded into the processing container 20 by lifting the wafer boat 30 from below, and the lid 36 closes the lower end opening of the manifold 28 to seal the inside of the container. Then, while maintaining the inside of the processing container 20 at a predetermined process pressure, the process waits until the wafer temperature rises and stabilizes at the predetermined process temperature.
For example, silane or the like is introduced into the processing container 20 while controlling the flow rate from the gas introduction nozzle 48, and a diluted N 2 gas is also introduced at a predetermined amount. The deposition gas is supplied from the nozzle 48 to the inner cylinder 14.
And then rises by contacting with the wafer W being rotated therethrough to form a film-forming reaction and flow down from the ceiling through the gap 18 between the inner cylinder 14 and the outer cylinder 16, Exhaust port 5
It is discharged out of the container from 0.

【0020】さて、このように成膜処理が行なわれてい
る間に、パーティクル検出機構52により、処理容器2
0内のパーティクルの状況がリアルタイムで検出されて
いる。すなわち、図1及び図2に示すようにレーザ発光
手段54より上方へ向けて出力されたレーザ光Lは、光
導入手段56の中空状の光導入管64内を上方へ直進
し、この上端の第1反射ミラー68によって水平方向へ
反射される。この時、ウエハ間にパーティクルが浮遊し
ておれば、このパーティクルがレーザ光Lを遮断するこ
とにより、その存在を確認することができる。この反射
レーザ光Lは、ウエハ間を例えばその直径方向に通って
反対側に位置する光導出手段58の第2反射ミラー74
に当たり、これにより下方向へ反射される。この反射レ
ーザ光Lは、中空状の光導出管70内を下方向へ進行
し、この下端に設けた受光手段60により検出され、こ
の検出結果はパーティクル評価手段62へ入力されてそ
の評価が行なわれる。
While the film forming process is being performed as described above, the particle detecting mechanism 52 causes the processing container 2 to be processed.
The state of the particles within 0 is detected in real time. That is, as shown in FIG. 1 and FIG. 2, the laser light L output upward from the laser light emitting means 54 travels straight upward in the hollow light introducing pipe 64 of the light introducing means 56, and The light is reflected in the horizontal direction by the first reflection mirror 68. At this time, if particles are floating between the wafers, the presence of the particles can be confirmed by blocking the laser beam L. The reflected laser light L passes through the wafers, for example, in the diametric direction, and is located on the opposite side.
, Thereby being reflected downward. The reflected laser light L travels downward in the hollow light guide tube 70, and is detected by the light receiving means 60 provided at the lower end thereof. The detection result is input to the particle evaluation means 62 for evaluation. It is.

【0021】図4は上下に略平行に配列された状態で水
平方向に走るレーザビームL1、L2よりなるレーザ光
の光路途中にパーティクルPが通過した時の状態を模式
的に示している。パーティクルPは、ガス流の流れに沿
って、ここでは例えば下方から上方へ向かって流れて行
く状態を示している。勿論、パーティクルPが逆方向に
流れても検出することができる。上昇するパーティクル
Pは、まず、下方のレーザビームL2を一時的に遮断
し、そして、間隔Hだけ上昇した時に次に、レーザビー
ムL1を一時的に遮断することになる。この時の両レー
ザビームL1、L2の検出結果は、例えば図5に示すよ
うに出力され、ここではレーザビームを遮断している長
さだけパルスが立つようになっている。すなわち、先に
レーザビームL2の検出結果にパルスが立ち、次に僅か
な時間Tだけ経過した時にレーザビームL1の検出結果
にパルスが立っている。この時間Tは、間隔Hの間をパ
ーティクルPが上昇するに要する時間である。このよう
に、両レーザビームL1、L2の検出結果に、一定の時
間遅れで2つのパルスが立った時に1つのパーティクル
の存在を認識する。
FIG. 4 schematically shows a state in which a particle P passes through the middle of the optical path of a laser beam composed of laser beams L1 and L2 running in the horizontal direction in a state where the particles P are arranged substantially vertically in the vertical direction. The particles P show a state of flowing along the flow of the gas flow, for example, from below to above. Of course, even if the particle P flows in the reverse direction, it can be detected. The rising particle P first temporarily blocks the lower laser beam L2, and then temporarily blocks the laser beam L1 when it rises by the interval H. The detection results of the two laser beams L1 and L2 at this time are output, for example, as shown in FIG. 5. Here, a pulse is set up for the length in which the laser beam is blocked. That is, a pulse first rises in the detection result of the laser beam L2, and then a pulse rises in the detection result of the laser beam L1 when a short time T has elapsed. The time T is a time required for the particles P to rise during the interval H. As described above, the presence of one particle is recognized when two pulses rise with a certain time delay in the detection results of both laser beams L1 and L2.

【0022】また、上昇するパーティクルPが必ずしも
両レーザビームL1、L2を横切るとは限らず、例えば
いずれか一方のレーザビームのみを遮断して上昇して行
く場合も考えられる。そのため、両レーザビームL1、
L2の検出結果のいずれか一方のみにパルスが立った場
合にも1つのパーティクルの存在を認識する。これに対
して、この種の信号系には一般的に外乱、すなわちノイ
ズが侵入することは避けられないが、このようなノイズ
は、例えば両レーザビームL1、L2の検出結果の片方
のみに侵入することは非常に少なく、ノイズが侵入する
とすれば、両レーザビームL1、L2の検出結果に同時
に侵入することになる。従って、両レーザビームL1、
L2の検出結果において、図6に示すように同時にパル
スが立つような状況があれば、これはパーティクルの存
在を示すものではなく、ノイズであるとしてパーティク
ルをカウントしないようにする。
Further, the rising particle P does not always cross both the laser beams L1 and L2. For example, it may be considered that only one of the laser beams is interrupted and the rising particle P rises. Therefore, both laser beams L1,
Even when a pulse rises in only one of the detection results of L2, the presence of one particle is recognized. On the other hand, in general, it is inevitable that disturbance, that is, noise enters this kind of signal system, but such noise enters, for example, only one of the detection results of both laser beams L1 and L2. It is very unlikely that noise will penetrate into the detection results of both laser beams L1 and L2 at the same time. Therefore, both laser beams L1,
In the detection result of L2, if there is a situation in which a pulse rises at the same time as shown in FIG. 6, this does not indicate the presence of the particle, and the particle is not counted because it is noise.

【0023】従って、直径が略0.3μm以上のパーテ
ィクルPを、ノイズの影響を受けることなく略正確にカ
ウントすることができるので、処理容器内のパーティク
ルの状況をリアルタイムで正確にモニタして認識するこ
とが可能となり、しかもパーティクル評価の信頼性を向
上させることができる。従って、処理容器20やウエハ
ボート30の適正なクリーニング時期を正確に認識する
ことができる。また、処理容器20やこの中の部材は、
例えば成膜処理を行なう場合には1000℃程度の高温
状態になるので、この輻射光が外乱として作用する傾向
にあるが、光導入管64や光導出管70は外乱光をカッ
トする不透明材料、例えばSiCで形成されているの
で、この点よりも、検出結果にノイズが侵入することを
防止でき、パーティクル評価の信頼性を更に向上させる
ことができる。
Therefore, particles P having a diameter of about 0.3 μm or more can be counted almost accurately without being affected by noise, so that the state of the particles in the processing container can be accurately monitored and recognized in real time. And the reliability of the particle evaluation can be improved. Therefore, it is possible to accurately recognize an appropriate cleaning time for the processing container 20 and the wafer boat 30. Further, the processing container 20 and the members therein are
For example, when a film forming process is performed, a high temperature state of about 1000 ° C. occurs, so that the radiant light tends to act as disturbance. For example, since it is made of SiC, it is possible to prevent noise from invading the detection result, and it is possible to further improve the reliability of particle evaluation.

【0024】更には、図5におけるパルスの高さやパル
スの幅をレーザ光Lの強度や遮断時間の長さに比例する
ようにしておけば、これにより、パーティクルPの粒径
も認識することが可能となる。上記実施例においては、
光導入管64及び光導出管70の材料を不透明な材料、
例えばSiCにより形成する場合を例にとって説明した
が、これに限定されず、例えば成形が容易な石英(Si
2 )により形成してもよい。この場合、石英は透明材
料なので、この内壁面に不透明なコーティング膜を施す
ようにする。図7はこのような光導入管(光導出管)の
変形例を示す部分側面図であり、図8は図7中のB−B
線矢視断面図である。この場合には、光導入管64及び
光導出管70は、成形が容易な石英で形成され、その内
側面に不透明材料、例えばSiCよりなるコーティング
膜76を均一に形成している。これにより、先のSiC
製の管と同様な作用効果、すなわちノイズの侵入を防止
するようになっている。
Furthermore, if the pulse height and pulse width in FIG. 5 are made to be proportional to the intensity of the laser beam L and the length of the cut-off time, the particle size of the particles P can be recognized. It becomes possible. In the above embodiment,
An opaque material for the material of the light introducing tube 64 and the light guiding tube 70;
For example, the case of forming with SiC has been described as an example, but the present invention is not limited to this. For example, quartz (Si
O 2 ). In this case, since quartz is a transparent material, an opaque coating film is applied to the inner wall surface. FIG. 7 is a partial side view showing a modified example of such a light introduction tube (light extraction tube), and FIG. 8 is a sectional view taken along line BB in FIG.
FIG. In this case, the light introduction tube 64 and the light extraction tube 70 are formed of quartz which is easy to mold, and a coating film 76 made of an opaque material, for example, SiC is uniformly formed on the inner surface thereof. As a result, the SiC
The same operation and effect as the pipe made of steel, that is, the intrusion of noise is prevented.

【0025】また、以上の各実施例では、光導入管64
及び光導出管70の上端は、処理容器20内へ開放され
ているが、これらの光導入管64内や光導出管70内へ
成膜ガスが侵入してこの内壁面に不要な膜が付着する恐
れがある。そこで、図9に示すように、各光導入管64
及び光導出管70のそれぞれの上端を光が通過する透明
な材料、例えば石英により気密に封止する封止部78、
80を設けるようにしてもよい。これによれば、各光導
入管64内や光導出管70の内壁に不要な膜が付着する
ことを防止できるので、レーザ光Lにノイズが侵入する
ことを防止でき、パーティクル評価の信頼性を一層向上
させることができる。
In each of the above embodiments, the light introducing tube 64 is used.
The upper end of the light guide tube 70 is open to the inside of the processing container 20, but a film forming gas enters the light guide tube 64 and the light guide tube 70, and an unnecessary film adheres to the inner wall surface. Might be. Therefore, as shown in FIG.
A sealing portion 78 that hermetically seals with a transparent material through which light passes, for example, quartz, at the upper end of each of the light guide tubes 70;
80 may be provided. According to this, since an unnecessary film can be prevented from adhering to the inside of each light introducing tube 64 and the inner wall of the light guiding tube 70, noise can be prevented from entering the laser beam L, and the reliability of particle evaluation can be improved. It can be further improved.

【0026】また、光導入管64、光導出管70及びこ
れらの先端を封止する封止部78、80として透明な材
料、例えば石英を用いた場合には、図10及び図11に
示すようにコーティング膜82、84は、それぞれの光
導入管64及び光導出管70の内壁面のみならず、封止
部78、80の内壁面にも、その中央部を除いて形成す
る。そして、中央部は、レーザ光Lを透過する透過窓8
6、88とする。尚、図11は図10中のC−C線矢視
図である。これによれば、図9に示す光導入管64や光
導出管70と同様な作用効果を発揮できるのみならず、
各管64、70の上端から侵入する外乱光を一層小さく
できるので、ノイズによる影響を更に抑制することが可
能となる。また、以上の各実施例では、光導出手段58
は、ウエハ間を通過してくるレーザ光を反射して処理容
器20の外へ導出しているが、これに限定されず、例え
ばレーザ光LがパーティクルPに当たるときに生ずる散
乱光を上記光導出手段58で受けて検出するようにして
もよい。図12はこの変形例において光導入手段と光導
出手段の上端部分の平面図を示している。この場合に
は、この光導出手段58は、光導入手段56からのレー
ザ光Lの進行方向に対して同一平面内で略直交する方
向、すなわち直角方向に配置する。また、レーザ光Lの
進行方向には、レーザ光Lを吸収するストップ部材92
を設けておけばよい。これにより、レーザ光Lがパーテ
ィクルPに衝突すると散乱光LSが例えば略放射状に発
生し、光導出手段58の第2反射ミラー74によりこの
散乱光LSを反射して取り込むことができる。
When a transparent material, for example, quartz is used for the light introducing tube 64, the light guiding tube 70, and the sealing portions 78 and 80 for sealing the ends thereof, as shown in FIGS. The coating films 82 and 84 are formed not only on the inner wall surfaces of the light introducing tube 64 and the light guiding tube 70 but also on the inner wall surfaces of the sealing portions 78 and 80 except for the central portions thereof. The central portion is a transmission window 8 through which the laser light L passes.
6, 88. FIG. 11 is a view taken along line CC in FIG. According to this, not only the same operation and effect as the light introduction tube 64 and the light extraction tube 70 shown in FIG.
Since disturbance light entering from the upper ends of the tubes 64 and 70 can be further reduced, the influence of noise can be further suppressed. In each of the above embodiments, the light deriving unit 58
Reflects the laser light passing between the wafers and guides the reflected light to the outside of the processing chamber 20, but is not limited to this. For example, scattered light generated when the laser light L impinges on the particles P It may be received and detected by the means 58. FIG. 12 is a plan view of the upper end portions of the light introducing means and the light deriving means in this modification. In this case, the light deriving means 58 is arranged in a direction substantially orthogonal to the traveling direction of the laser light L from the light introducing means 56 in the same plane, that is, in a direction perpendicular to the same plane. A stop member 92 for absorbing the laser light L is provided in the traveling direction of the laser light L.
Should be provided. As a result, when the laser light L collides with the particles P, scattered light LS is generated, for example, in a substantially radial manner, and the scattered light LS can be reflected and taken in by the second reflection mirror 74 of the light guide means 58.

【0027】また、光導入手段56及び光導出手段58
の高さ位置は、特に限定されないが、例えば最もパーテ
ィクルの発生が多くなると予想される位置、例えばウエ
ハボート30のボトム近傍に位置させるのがよく、或い
は高さ位置を変えた複数組の光導入手段と光導出手段を
設けるようにしてもよい。尚、ここでは2重管構造の処
理装置を用いて成膜処理を行なう場合を例にとって説明
したが、本発明は、この種の構造に限らず、例えば単管
構造の処理装置にも適用でき、また、成膜処理ならず、
他のエッチングや酸化拡散やアニール処理等にも適用で
きるのは勿論である。
The light introducing means 56 and the light deriving means 58
The height position is not particularly limited. For example, the height position is preferably set to a position where the generation of particles is expected to be most increased, for example, a position near the bottom of the wafer boat 30, or a plurality of sets of light introduction with different height positions. Means and light deriving means may be provided. Here, the case where the film forming process is performed using the processing apparatus having the double tube structure has been described as an example, but the present invention is not limited to this type of structure, and can be applied to, for example, a processing apparatus having a single tube structure. Also, without the film forming process,
Of course, the present invention can be applied to other etching, oxidation diffusion, annealing, and the like.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の処理装置
によれば、次のように優れた作用効果を発揮することが
できる。請求項1または2に規定する発明によれば、被
処理体間にレーザ光を照射してこの照射されたレーザ光
の検出結果によりパーティクルの有無を判別するように
したので、処理容器内のパーティクルの存在状態をリア
ルタイムで認識して評価することができる。従って、処
理容器や被処理体ボートの適正なクリーニング時期を正
確に認識することができる。また、請求項3乃至7に規
定する発明によれば、照射されたレーザ光に外乱光が侵
入することを防止できるので、パーティクルの評価の信
頼性を向上させることができる。更に、請求項8に規定
する発明によれば、レーザ光を2本のレーザビームで形
成しているので、外乱の侵入を更に抑制してパーティク
ルの評価の信頼性を一層向上させることができる。ま
た、請求項9に規定する発明によれば、被処理体間にレ
ーザ光を照射してその散乱光に基づいてパーティクルの
有無を判断するようにしたので、処理容器内のパーティ
クルの存在状態をリアルタイムで認識して評価すること
ができる。
As described above, according to the processing apparatus of the present invention, the following excellent functions and effects can be exhibited. According to the invention defined in claim 1 or 2, the laser light is irradiated between the objects to be processed, and the presence or absence of the particles is determined based on the detection result of the irradiated laser light. Can be recognized and evaluated in real time. Therefore, it is possible to accurately recognize an appropriate cleaning time for the processing container and the boat to be processed. Further, according to the inventions defined in claims 3 to 7, since disturbance light can be prevented from entering the irradiated laser light, the reliability of particle evaluation can be improved. Further, according to the invention defined in claim 8, since the laser light is formed by two laser beams, it is possible to further suppress the intrusion of disturbance and to further improve the reliability of particle evaluation. Further, according to the invention defined in claim 9, since the presence or absence of particles is determined based on the scattered light by irradiating a laser beam between the objects to be processed, the presence state of the particles in the processing container is determined. It can be recognized and evaluated in real time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る処理装置を示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing a processing apparatus according to the present invention.

【図2】処理装置内の本発明の特徴部分を取り出して示
した拡大図である。
FIG. 2 is an enlarged view showing a characteristic portion of the present invention in the processing apparatus.

【図3】光導入管を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a light introducing tube.

【図4】レーザ光を示す拡大模式図である。FIG. 4 is an enlarged schematic view showing a laser beam.

【図5】パーティクルを検出した時の受光手段の出力波
形を示す図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating an output waveform of a light receiving unit when a particle is detected.

【図6】ノイズが侵入した時の受光手段の出力波形を示
す図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating an output waveform of a light receiving unit when noise enters.

【図7】光導入管(光導出管)の変形例を示す部分側面
図である。
FIG. 7 is a partial side view showing a modified example of the light introduction tube (light extraction tube).

【図8】図7中のB−B線矢視断面図である。8 is a sectional view taken along line BB in FIG. 7;

【図9】光導入管(光導出管)の先端を封止した状態を
示す断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a state in which the tip of a light introduction tube (light extraction tube) is sealed.

【図10】光導入管(光導出管)の先端を封止した状態
の他の変形例を示す断面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating another modified example of a state in which the tip of a light introduction tube (light extraction tube) is sealed.

【図11】図10中のC−C線矢視図である。11 is a view taken along line CC in FIG. 10;

【図12】本発明の変形例において光導入手段と光導出
手段の上端部分の平面図である。
FIG. 12 is a plan view of an upper end portion of a light introduction unit and a light extraction unit in a modification of the present invention.

【図13】一般的な縦型の処理装置を示す概略構成図で
ある。
FIG. 13 is a schematic configuration diagram showing a general vertical processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

12 成膜装置(処理装置) 14 内筒 16 外筒 20 処理容器 28 マニホールド 30 ウエハボート(被処理体ボート) 52 パーティクル検出機構 54 レーザ発光手段 56 光導入手段 58 光導出手段 60 受光手段 62 パーティクル評価手段 64 光導入管 68 第1反射ミラー 70 光導出管 74 第2反射ミラー 76 コーティング膜 78,80 封止部 82,84 コーティング膜 86,88 透過窓 L レーザ光 LS 散乱光 W 半導体ウエハ(被処理体) Reference Signs List 12 film forming apparatus (processing apparatus) 14 inner cylinder 16 outer cylinder 20 processing container 28 manifold 30 wafer boat (object boat) 52 particle detection mechanism 54 laser emission means 56 light introduction means 58 light derivation means 60 light reception means 62 particle evaluation Means 64 Light introduction tube 68 First reflection mirror 70 Light extraction tube 74 Second reflection mirror 76 Coating film 78,80 Sealing portion 82,84 Coating film 86,88 Transmission window L Laser light LS Scattered light W Semiconductor wafer (to be processed) body)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G06M 1/272 G06M 1/272 H01L 21/02 H01L 21/02 D Fターム(参考) 2G043 AA03 CA06 DA08 EA14 FA03 FA05 GA02 GA04 GB03 GB17 HA02 HA05 KA09 LA01 MA01 2G059 AA05 BB09 DD15 EE02 FF04 FF06 GG01 JJ13 JJ17 KK01 LL04 NN01 4G057 AA00 4M106 AA20 BA05 CA41 DH01 DH12 DH32 DH37 DH60 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G06M 1/272 G06M 1/272 H01L 21/02 H01L 21/02 DF term (Reference) 2G043 AA03 CA06 DA08 EA14 FA03 FA05 GA02 GA04 GB03 GB17 HA02 HA05 KA09 LA01 MA01 2G059 AA05 BB09 DD15 EE02 FF04 FF06 GG01 JJ13 JJ17 KK01 LL04 NN01 4G057 AA00 4M106 AA20 BA05 CA41 DH01 DH12 DH32 DH37 DH60

Claims (9)

【特許請求の範囲】 】[Claims]] 【請求項1】 被処理体ボートに多段に載置された複数
の被処理体を処理容器内に収容して所定の処理を施すよ
うにした処理装置において、レーザ光を出力するレーザ
発光手段と、前記レーザ光を前記処理容器内へ導入して
前記被処理体間を通過する方向へ放射させる光導入手段
と、前記被処理体間を通過したレーザ光を受けて前記処
理容器の外へ導出させる光導出手段と、この光導出手段
に導かれた光を検出する受光手段と、この受光手段の検
出値に基づいて前記処理容器内におけるパーティクルの
存在状態を判別するパーティクル評価手段とを備えたこ
とを特徴とする処理装置。
1. A processing apparatus in which a plurality of processing objects mounted in multiple stages on a processing object boat are accommodated in a processing container to perform a predetermined processing, and a laser emitting means for outputting a laser beam. A light introducing means for introducing the laser light into the processing container and emitting the laser light in a direction passing between the processing objects, and receiving the laser light passing between the processing objects and guiding the laser light out of the processing container Light deriving means for detecting light guided by the light deriving means, and particle evaluation means for determining the presence state of the particles in the processing container based on a detection value of the light receiving means. A processing device characterized by the above-mentioned.
【請求項2】 前記光導入手段は、前記処理容器内に垂
直に起立された中空の光導入管と、この光導入管の先端
に設けられて前記レーザ光を水平方向へ反射させる第1
反射ミラーとよりなり、前記光導出手段は、前記第1反
射ミラーにより反射されたレーザ光を垂直方向へ反射さ
せる第2反射ミラーと、この第2反射ミラーで反射され
た光を導出させるために処理容器内に垂直に起立させて
設けた中空の光導出管とよりなることを特徴とする請求
項1記載の処理装置。
2. The light introducing means includes: a hollow light introducing tube vertically erected in the processing container; and a first light introducing tube provided at a tip of the light introducing tube and reflecting the laser light in a horizontal direction.
A light reflecting means for reflecting the laser light reflected by the first reflecting mirror in a vertical direction; and a light reflecting means for guiding the light reflected by the second reflecting mirror. 2. The processing apparatus according to claim 1, further comprising a hollow light guide tube provided upright in the processing container.
【請求項3】 前記光導入管及び光導出管は、不透明材
料よりなることを特徴とする請求項2記載の処理装置。
3. The processing apparatus according to claim 2, wherein said light introducing tube and said light guiding tube are made of an opaque material.
【請求項4】 前記不透明材料は、SiCよりなること
を特徴とする請求項3記載の処理装置。
4. The processing apparatus according to claim 3, wherein said opaque material is made of SiC.
【請求項5】 前記光導入管及び光導出管は、透明材料
よりなり、その内壁面には不透明なコーティング膜が形
成されていることを特徴とする請求項2記載の処理装
置。
5. The processing apparatus according to claim 2, wherein the light introducing tube and the light guiding tube are made of a transparent material, and an opaque coating film is formed on an inner wall surface.
【請求項6】 前記透明材料は、SiO2 よりなり、
前記コーティング膜はSiCよりなることを特徴とする
請求項5記載の処理装置。
6. The transparent material is made of SiO 2 ,
The processing apparatus according to claim 5, wherein the coating film is made of SiC.
【請求項7】 前記光導入管及び光導出管の先端は気密
に封止されており、この封止部には光を通過させるため
の透過窓が形成されていることを特徴とする請求項2乃
至6のいずれかに記載の処理装置。
7. The light-introducing tube and the light-outgoing tube are hermetically sealed at their ends, and a transparent window through which light passes is formed in the sealed portion. 7. The processing apparatus according to any one of 2 to 6.
【請求項8】 前記レーザ光は、ビーム径が非常に小さ
くなされて且つ微細な間隔で平行に走る2本のレーザビ
ームよりなることを特徴とする請求項1乃至7のいずれ
かに記載の処理装置。
8. The process according to claim 1, wherein the laser beam is composed of two laser beams having a very small beam diameter and running in parallel at a fine interval. apparatus.
【請求項9】 被処理体ボートに多段に載置された複数
の被処理体を処理容器内に収容して所定の処理を施すよ
うにした処理装置において、レーザ光を出力するレーザ
発光手段と、前記レーザ光を前記処理容器内へ導入して
前記被処理体間を通過する方向へ放射させる光導入手段
と、前記被処理体間を通過したレーザ光のパーティクル
による散乱光を受けて前記処理容器の外へ導出させる光
導出手段と、この光導出手段に導かれた光を検出する受
光手段と、この受光手段の検出値に基づいて前記処理容
器内におけるパーティクルの存在状態を判別するパーテ
ィクル評価手段とを備えたことを特徴とする処理装置。
9. A processing apparatus in which a plurality of processing objects mounted in multiple stages on a processing object boat are accommodated in a processing container to perform a predetermined processing, and a laser emitting means for outputting laser light. A light introducing unit that introduces the laser light into the processing container and emits the laser light in a direction passing between the processing objects, and receives the laser light scattered by particles of the laser light passing between the processing objects to perform the processing. Light deriving means for guiding light out of the container, light receiving means for detecting light guided by the light deriving means, and particle evaluation for determining the presence state of particles in the processing container based on a detection value of the light receiving means And a processing unit.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010032371A (en) * 2008-07-29 2010-02-12 Kobe Steel Ltd Sample observing apparatus
JP2010505118A (en) * 2006-09-29 2010-02-18 サイバーオプティクス セミコンダクタ インコーポレイテッド Particle sensor integrated with substrate

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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