JP2000124092A - 水素イオン注入剥離法によってｓｏｉウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたｓｏｉウエーハ - Google Patents
水素イオン注入剥離法によってｓｏｉウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたｓｏｉウエーハInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 水素イオン注入剥離法において、剥離後にＳ
ＯＩ層表面に残留するダメージ層、表面粗さを、ＳＯＩ
層の膜厚均一性を維持しつつ除去することにより、高品
質のＳＯＩウエーハを製造する方法を提供する。 【解決手段】 水素イオン注入剥離法によってＳＯＩウ
エーハを製造する方法において、結合熱処理後、酸化性
雰囲気下の熱処理によりＳＯＩ層に酸化膜を形成した後
に該酸化膜を除去し、次に還元性雰囲気下の熱処理を加
えるＳＯＩウエーハを製造する方法。および、水素イオ
ン注入剥離法によってＳＯＩウエーハを製造する方法に
おいて、剥離熱処理後、酸化性雰囲気下の熱処理により
ＳＯＩ層に酸化膜を形成した後に該酸化膜を除去し、次
に還元性雰囲気下の熱処理を加えるＳＯＩウエーハを製
造する方法。および、これらの方法で製造されたＳＯＩ
ウエーハ。
ＯＩ層表面に残留するダメージ層、表面粗さを、ＳＯＩ
層の膜厚均一性を維持しつつ除去することにより、高品
質のＳＯＩウエーハを製造する方法を提供する。 【解決手段】 水素イオン注入剥離法によってＳＯＩウ
エーハを製造する方法において、結合熱処理後、酸化性
雰囲気下の熱処理によりＳＯＩ層に酸化膜を形成した後
に該酸化膜を除去し、次に還元性雰囲気下の熱処理を加
えるＳＯＩウエーハを製造する方法。および、水素イオ
ン注入剥離法によってＳＯＩウエーハを製造する方法に
おいて、剥離熱処理後、酸化性雰囲気下の熱処理により
ＳＯＩ層に酸化膜を形成した後に該酸化膜を除去し、次
に還元性雰囲気下の熱処理を加えるＳＯＩウエーハを製
造する方法。および、これらの方法で製造されたＳＯＩ
ウエーハ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、イオン注入したウ
エーハを結合後に剥離してＳＯＩ（Silicon On Insulat
or）ウエーハを製造する、いわゆる水素イオン注入剥離
法（スマートカット法とも呼ばれている）において、剥
離後にＳＯＩ層上に残留するダメージ層、表面粗さを除
去するとともに、工程の簡略化を図る方法に関する。
エーハを結合後に剥離してＳＯＩ（Silicon On Insulat
or）ウエーハを製造する、いわゆる水素イオン注入剥離
法（スマートカット法とも呼ばれている）において、剥
離後にＳＯＩ層上に残留するダメージ層、表面粗さを除
去するとともに、工程の簡略化を図る方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、ＳＯＩウエーハの製造方法とし
て、イオン注入したウエーハを結合後に剥離してＳＯＩ
ウエーハを製造する方法（水素イオン注入剥離法：スマ
ートカット法と呼ばれる技術）が新たに注目され始めて
いる。この方法は、二枚のシリコンウエーハの内、少な
くとも一方に酸化膜を形成すると共に、一方のシリコン
ウエーハの上面から水素イオンまたは希ガスイオンを注
入し、該ウエーハ内部に微小気泡層（封入層）を形成さ
せた後、該イオンを注入した方の面を酸化膜を介して他
方のシリコンウエーハと密着させ、その後熱処理（剥離
熱処理）を加えて微小気泡層を劈開面として一方のウエ
ーハを薄膜状に剥離し、さらに熱処理（結合熱処理）を
加えて強固に結合してＳＯＩウエーハとする技術（特開
平５−２１１１２８号参照）である。この方法では、劈
開面（剥離面）は良好な鏡面であり、ＳＯＩ層の膜厚の
均一性も高いＳＯＩウエーハが比較的容易に得られてい
る。
て、イオン注入したウエーハを結合後に剥離してＳＯＩ
ウエーハを製造する方法（水素イオン注入剥離法：スマ
ートカット法と呼ばれる技術）が新たに注目され始めて
いる。この方法は、二枚のシリコンウエーハの内、少な
くとも一方に酸化膜を形成すると共に、一方のシリコン
ウエーハの上面から水素イオンまたは希ガスイオンを注
入し、該ウエーハ内部に微小気泡層（封入層）を形成さ
せた後、該イオンを注入した方の面を酸化膜を介して他
方のシリコンウエーハと密着させ、その後熱処理（剥離
熱処理）を加えて微小気泡層を劈開面として一方のウエ
ーハを薄膜状に剥離し、さらに熱処理（結合熱処理）を
加えて強固に結合してＳＯＩウエーハとする技術（特開
平５−２１１１２８号参照）である。この方法では、劈
開面（剥離面）は良好な鏡面であり、ＳＯＩ層の膜厚の
均一性も高いＳＯＩウエーハが比較的容易に得られてい
る。
【０００３】しかし、水素イオン注入剥離法によりＳＯ
Ｉウエーハを作製する場合においては、剥離後のＳＯＩ
ウエーハ表面にイオン注入によるダメージ層が存在し、
また表面粗さが通常のシリコンウエーハの鏡面に比べて
大きなものとなる。したがって、水素イオン注入剥離法
では、このようなダメージ層、表面粗さを除去すること
が必要になる。従来、このダメージ層等を除去するため
に、結合熱処理後の最終工程においては、タッチポリッ
シュと呼ばれる研磨代の極めて少ない鏡面研磨が行われ
ていた。
Ｉウエーハを作製する場合においては、剥離後のＳＯＩ
ウエーハ表面にイオン注入によるダメージ層が存在し、
また表面粗さが通常のシリコンウエーハの鏡面に比べて
大きなものとなる。したがって、水素イオン注入剥離法
では、このようなダメージ層、表面粗さを除去すること
が必要になる。従来、このダメージ層等を除去するため
に、結合熱処理後の最終工程においては、タッチポリッ
シュと呼ばれる研磨代の極めて少ない鏡面研磨が行われ
ていた。
【０００４】しかし、ＳＯＩ層に機械加工である研磨を
してしまうと、研磨の取り代が均一でないために、水素
イオン注入、剥離によって達成されたＳＯＩ層の膜厚均
一性が悪化してしまうという問題が生じる。また、結合
熱処理後に鏡面研磨をするのでは、工程が多く煩雑であ
り、コスト的にも不利である。
してしまうと、研磨の取り代が均一でないために、水素
イオン注入、剥離によって達成されたＳＯＩ層の膜厚均
一性が悪化してしまうという問題が生じる。また、結合
熱処理後に鏡面研磨をするのでは、工程が多く煩雑であ
り、コスト的にも不利である。
【０００５】そこで、剥離後のＳＯＩウエーハに酸化性
雰囲気下の熱処理を行い、ＳＯＩ層に酸化膜を形成した
後、該酸化膜を除去する、いわゆる犠牲酸化を行うこと
によりダメージ層を除去する方法が提案された。この方
法であれば、機械加工である研磨によらずダメージ層を
除去することができる。
雰囲気下の熱処理を行い、ＳＯＩ層に酸化膜を形成した
後、該酸化膜を除去する、いわゆる犠牲酸化を行うこと
によりダメージ層を除去する方法が提案された。この方
法であれば、機械加工である研磨によらずダメージ層を
除去することができる。
【０００６】しかし、この犠牲酸化のみでは、ＳＯＩ層
表面の表面粗さを十分に改善することができないため
に、結局、面粗さの改善のために機械研磨であるタッチ
ポリッシュが必要となり、ＳＯＩ層の膜厚均一性を劣化
させてしまう。また、酸化性雰囲気下の熱処理を行う
と、ＳＯＩ層表面のダメージに起因してＯＳＦ（酸化誘
起積層欠陥）が発生することがある。
表面の表面粗さを十分に改善することができないため
に、結局、面粗さの改善のために機械研磨であるタッチ
ポリッシュが必要となり、ＳＯＩ層の膜厚均一性を劣化
させてしまう。また、酸化性雰囲気下の熱処理を行う
と、ＳＯＩ層表面のダメージに起因してＯＳＦ（酸化誘
起積層欠陥）が発生することがある。
【０００７】そこで、水素イオン注入剥離法で得られた
ＳＯＩウエーハの表面を研磨することなく還元性雰囲気
で熱処理することにより、ＳＯＩ層のダメージを回復さ
せ、面粗さを改善する方法が提案された。この方法であ
れば、剥離後のＳＯＩ層に残るダメージとＳＯＩ層表面
の面粗さを膜厚均一性を維持したまま改善することがで
きる。
ＳＯＩウエーハの表面を研磨することなく還元性雰囲気
で熱処理することにより、ＳＯＩ層のダメージを回復さ
せ、面粗さを改善する方法が提案された。この方法であ
れば、剥離後のＳＯＩ層に残るダメージとＳＯＩ層表面
の面粗さを膜厚均一性を維持したまま改善することがで
きる。
【０００８】しかし、水素イオン注入剥離法で得られた
ＳＯＩウエーハのＳＯＩ層中のダメージは、表面側が大
きく、内部になるに従い小さくなる。従って、上記のよ
うな還元性の熱処理を加えると、ダメージの回復はＳＯ
Ｉ層の内部から表面側に進行することになるが、表面側
のダメージが大きい場合には、高温、長時間の熱処理が
必要とされ、高温、長時間の熱処理を行っても、場合に
よっては完全に回復できないこともあった。
ＳＯＩウエーハのＳＯＩ層中のダメージは、表面側が大
きく、内部になるに従い小さくなる。従って、上記のよ
うな還元性の熱処理を加えると、ダメージの回復はＳＯ
Ｉ層の内部から表面側に進行することになるが、表面側
のダメージが大きい場合には、高温、長時間の熱処理が
必要とされ、高温、長時間の熱処理を行っても、場合に
よっては完全に回復できないこともあった。
【０００９】ダメージの大きさや深さは、水素イオン注
入の注入エネルギーの大きさやドーズ量に起因するもの
であるので、例えば、厚いＳＯＩ層や厚い埋め込み酸化
膜を有するＳＯＩウエーハを製造する場合に注入エネル
ギーを大きくする必要があるような場合や、剥離熱処理
を低温で行う目的によりドーズ量を大きくする必要があ
るような場合には、上記の問題は顕著になる。
入の注入エネルギーの大きさやドーズ量に起因するもの
であるので、例えば、厚いＳＯＩ層や厚い埋め込み酸化
膜を有するＳＯＩウエーハを製造する場合に注入エネル
ギーを大きくする必要があるような場合や、剥離熱処理
を低温で行う目的によりドーズ量を大きくする必要があ
るような場合には、上記の問題は顕著になる。
【００１０】さらに、水素等の還元性雰囲気下で高温、
長時間の熱処理を行うと、ＳＯＩ層表面のシリコンがエ
ッチングされて膜厚均一性が劣化すると共に、埋め込み
酸化膜にエッチピットが生じることがあった。これは、
ＳＯＩ層にＣＯＰ（CrystalOriginated Particle ）の
ような欠陥があり、それが下地の酸化膜までつながって
いると、ＣＯＰは消滅せずにそのまま残るか、あるいは
拡大することもあるため、欠陥を通して侵入した水素等
によって埋め込み酸化膜までもがエッチングされてしま
い、ここにピットが形成されることが原因である。この
エッチピットは、その近傍のＳＯＩ層にも影響を与える
ため問題であった。
長時間の熱処理を行うと、ＳＯＩ層表面のシリコンがエ
ッチングされて膜厚均一性が劣化すると共に、埋め込み
酸化膜にエッチピットが生じることがあった。これは、
ＳＯＩ層にＣＯＰ（CrystalOriginated Particle ）の
ような欠陥があり、それが下地の酸化膜までつながって
いると、ＣＯＰは消滅せずにそのまま残るか、あるいは
拡大することもあるため、欠陥を通して侵入した水素等
によって埋め込み酸化膜までもがエッチングされてしま
い、ここにピットが形成されることが原因である。この
エッチピットは、その近傍のＳＯＩ層にも影響を与える
ため問題であった。
【００１１】以上のように、水素イオン注入剥離法によ
って得られるＳＯＩウエーハのダメージ層や表面粗さを
ＳＯＩ層の膜厚均一性を維持しつつ除去するために、種
々の方法が提案されたが、いまだに満足できるものはな
く、適切な解決方法が望まれていた。
って得られるＳＯＩウエーハのダメージ層や表面粗さを
ＳＯＩ層の膜厚均一性を維持しつつ除去するために、種
々の方法が提案されたが、いまだに満足できるものはな
く、適切な解決方法が望まれていた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明はこの
ような問題点に鑑みなされたもので、水素イオン注入剥
離法において、剥離後にＳＯＩ層表面に残留するダメー
ジ層、表面粗さを、ＳＯＩ層の膜厚均一性を維持しつつ
除去することにより、高品質のＳＯＩウエーハを製造す
る方法を提供すると共に、ウエーハ製造の生産性を向上
させることを目的とする。
ような問題点に鑑みなされたもので、水素イオン注入剥
離法において、剥離後にＳＯＩ層表面に残留するダメー
ジ層、表面粗さを、ＳＯＩ層の膜厚均一性を維持しつつ
除去することにより、高品質のＳＯＩウエーハを製造す
る方法を提供すると共に、ウエーハ製造の生産性を向上
させることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の請求項１に記載した発明は、水素イオン注
入剥離法によってＳＯＩウエーハを製造する方法におい
て、結合熱処理後、酸化性雰囲気下の熱処理によりＳＯ
Ｉ層に酸化膜を形成した後に該酸化膜を除去し、次に還
元性雰囲気下の熱処理を加えることを特徴とするＳＯＩ
ウエーハを製造する方法である。
め、本発明の請求項１に記載した発明は、水素イオン注
入剥離法によってＳＯＩウエーハを製造する方法におい
て、結合熱処理後、酸化性雰囲気下の熱処理によりＳＯ
Ｉ層に酸化膜を形成した後に該酸化膜を除去し、次に還
元性雰囲気下の熱処理を加えることを特徴とするＳＯＩ
ウエーハを製造する方法である。
【００１４】このように、結合熱処理後、酸化性雰囲気
下の熱処理によりＳＯＩ層に酸化膜を形成してから酸化
膜を除去する犠牲酸化を行うことにより、酸化膜中にＳ
ＯＩ層表面のダメージ層の一部または全部を取り込むこ
とができるので、これを除去すればダメージ層を効率良
く除去することができる。そして、次に還元性雰囲気下
の熱処理を加えることにより、ＳＯＩ層に残留するダメ
ージ層を回復させるとともに、表面粗さを改善すること
ができ、すでにＳＯＩ層表面のダメージ層の一部または
全部を除去しているので熱処理時間も短時間とすること
ができる。そのため、ＳＯＩ層や埋め込み酸化膜がエッ
チングされることも防止できる。さらに、この方法で
は、機械加工である研磨等を行う必要がないため、ＳＯ
Ｉ層の膜厚均一性が劣化することもなく、水素イオン注
入剥離法により極めて高品質のＳＯＩウエーハを、より
高生産性で製造することができる。
下の熱処理によりＳＯＩ層に酸化膜を形成してから酸化
膜を除去する犠牲酸化を行うことにより、酸化膜中にＳ
ＯＩ層表面のダメージ層の一部または全部を取り込むこ
とができるので、これを除去すればダメージ層を効率良
く除去することができる。そして、次に還元性雰囲気下
の熱処理を加えることにより、ＳＯＩ層に残留するダメ
ージ層を回復させるとともに、表面粗さを改善すること
ができ、すでにＳＯＩ層表面のダメージ層の一部または
全部を除去しているので熱処理時間も短時間とすること
ができる。そのため、ＳＯＩ層や埋め込み酸化膜がエッ
チングされることも防止できる。さらに、この方法で
は、機械加工である研磨等を行う必要がないため、ＳＯ
Ｉ層の膜厚均一性が劣化することもなく、水素イオン注
入剥離法により極めて高品質のＳＯＩウエーハを、より
高生産性で製造することができる。
【００１５】また、本発明の請求項２に記載した発明
は、水素イオン注入剥離法によってＳＯＩウエーハを製
造する方法において、剥離熱処理後、酸化性雰囲気下の
熱処理によりＳＯＩ層に酸化膜を形成した後に該酸化膜
を除去し、次に還元性雰囲気下の熱処理を加えることを
特徴とするＳＯＩウエーハを製造する方法である。
は、水素イオン注入剥離法によってＳＯＩウエーハを製
造する方法において、剥離熱処理後、酸化性雰囲気下の
熱処理によりＳＯＩ層に酸化膜を形成した後に該酸化膜
を除去し、次に還元性雰囲気下の熱処理を加えることを
特徴とするＳＯＩウエーハを製造する方法である。
【００１６】このように、剥離熱処理後、酸化性雰囲気
下の熱処理によりＳＯＩ層に酸化膜を形成してから酸化
膜を除去することにより、酸化膜中にＳＯＩ層表面のダ
メージ層の一部または全部を取り込むことができるの
で、これを除去することによりダメージ層を効率良く除
去することができる。そして、還元性雰囲気下の熱処理
を加えることにより、ＳＯＩ層に残留するダメージ層を
回復させるとともに、表面粗さを改善することができ、
すでにＳＯＩ層表面のダメージ層の一部または全部を除
去しているので短時間で効果的に熱処理を行うことがで
きる。そのため、ＳＯＩ層や埋め込み酸化膜がエッチン
グされることも防止できる。さらに、この方法では、機
械加工である研磨等を行う必要がないため、ＳＯＩ層の
膜厚均一性が劣化することもない。
下の熱処理によりＳＯＩ層に酸化膜を形成してから酸化
膜を除去することにより、酸化膜中にＳＯＩ層表面のダ
メージ層の一部または全部を取り込むことができるの
で、これを除去することによりダメージ層を効率良く除
去することができる。そして、還元性雰囲気下の熱処理
を加えることにより、ＳＯＩ層に残留するダメージ層を
回復させるとともに、表面粗さを改善することができ、
すでにＳＯＩ層表面のダメージ層の一部または全部を除
去しているので短時間で効果的に熱処理を行うことがで
きる。そのため、ＳＯＩ層や埋め込み酸化膜がエッチン
グされることも防止できる。さらに、この方法では、機
械加工である研磨等を行う必要がないため、ＳＯＩ層の
膜厚均一性が劣化することもない。
【００１７】この場合、酸化膜を形成してから結合熱処
理を行えば、酸化膜が結合熱処理中の表面保護膜の役割
を果たすことになり、結合熱処理を非酸化性雰囲気で行
う場合に生ずるＳＯＩ層表面のエッチングを防ぐことが
できる。あるいは、この酸化性雰囲気下での熱処理もし
くは還元性熱処理を、結合熱処理をも兼ねるものとする
こともできる。このようにすれば、結合熱処理を別個独
立して行う必要はなくなり、水素イオン注入剥離法によ
り極めて高品質のＳＯＩウエーハを、より簡略な工程と
し高生産性で製造することができる。
理を行えば、酸化膜が結合熱処理中の表面保護膜の役割
を果たすことになり、結合熱処理を非酸化性雰囲気で行
う場合に生ずるＳＯＩ層表面のエッチングを防ぐことが
できる。あるいは、この酸化性雰囲気下での熱処理もし
くは還元性熱処理を、結合熱処理をも兼ねるものとする
こともできる。このようにすれば、結合熱処理を別個独
立して行う必要はなくなり、水素イオン注入剥離法によ
り極めて高品質のＳＯＩウエーハを、より簡略な工程と
し高生産性で製造することができる。
【００１８】この場合、請求項３に記載したように、前
記還元性雰囲気下の熱処理は、急速加熱・急速冷却装置
を用いて１０００〜１３００℃の温度範囲で、１〜６０
秒間行うことが好ましい。このように、還元性雰囲気下
の熱処理を急速加熱・急速冷却装置を用いて、１０００
〜１３００℃の高い温度で、１〜６０秒間の短時間に行
えば、極めて短時間で効率よくＳＯＩウエーハ表面のダ
メージ層および面粗さを改善することができる。さら
に、ＳＯＩ層や埋め込み酸化膜がエッチングされること
を防止することもできる。
記還元性雰囲気下の熱処理は、急速加熱・急速冷却装置
を用いて１０００〜１３００℃の温度範囲で、１〜６０
秒間行うことが好ましい。このように、還元性雰囲気下
の熱処理を急速加熱・急速冷却装置を用いて、１０００
〜１３００℃の高い温度で、１〜６０秒間の短時間に行
えば、極めて短時間で効率よくＳＯＩウエーハ表面のダ
メージ層および面粗さを改善することができる。さら
に、ＳＯＩ層や埋め込み酸化膜がエッチングされること
を防止することもできる。
【００１９】また、請求項４に記載したように、前記還
元性雰囲気は、１００％水素雰囲気、あるいは水素とア
ルゴンの混合雰囲気とすることが好ましい。このような
熱処理雰囲気とすれば、確実にＳＯＩ層の表面のダメー
ジ層および表面粗さを改善することができる。
元性雰囲気は、１００％水素雰囲気、あるいは水素とア
ルゴンの混合雰囲気とすることが好ましい。このような
熱処理雰囲気とすれば、確実にＳＯＩ層の表面のダメー
ジ層および表面粗さを改善することができる。
【００２０】さらに、本発明の請求項５に記載したよう
に、前記酸化性雰囲気下の熱処理によりＳＯＩ層に形成
される酸化膜の厚さは、酸化膜形成前におけるＳＯＩ層
表面のダメージ層の厚さの２倍以上とすることができ
る。このように、酸化性雰囲気下の熱処理によりＳＯＩ
層に形成される酸化膜の厚さを、酸化膜形成前における
ＳＯＩ層表面のダメージ層の厚さの２倍以上とすれば、
形成される酸化膜中にダメージ層のほぼ全部を取り込む
ことができるので、後に行う還元性雰囲気下の熱処理時
間はさらに短くすることができ、効率良くダメージ層等
の除去を行うことができる。
に、前記酸化性雰囲気下の熱処理によりＳＯＩ層に形成
される酸化膜の厚さは、酸化膜形成前におけるＳＯＩ層
表面のダメージ層の厚さの２倍以上とすることができ
る。このように、酸化性雰囲気下の熱処理によりＳＯＩ
層に形成される酸化膜の厚さを、酸化膜形成前における
ＳＯＩ層表面のダメージ層の厚さの２倍以上とすれば、
形成される酸化膜中にダメージ層のほぼ全部を取り込む
ことができるので、後に行う還元性雰囲気下の熱処理時
間はさらに短くすることができ、効率良くダメージ層等
の除去を行うことができる。
【００２１】さらに、請求項６に記載したように、前記
酸化性雰囲気下の熱処理温度は、前記還元性雰囲気下の
熱処理温度より低温とすることが好ましい。これは、酸
化性雰囲気下の熱処理を行うと、ＳＯＩ層表面のダメー
ジに起因してＯＳＦが発生することがあるが、酸化性雰
囲気下の熱処理温度よりも高温でその後の還元性雰囲気
下の熱処理を行えば、ＳＯＩ層表面に発生したＯＳＦが
除去されやすいからである。
酸化性雰囲気下の熱処理温度は、前記還元性雰囲気下の
熱処理温度より低温とすることが好ましい。これは、酸
化性雰囲気下の熱処理を行うと、ＳＯＩ層表面のダメー
ジに起因してＯＳＦが発生することがあるが、酸化性雰
囲気下の熱処理温度よりも高温でその後の還元性雰囲気
下の熱処理を行えば、ＳＯＩ層表面に発生したＯＳＦが
除去されやすいからである。
【００２２】そして、請求項７に記載したように、前記
酸化性雰囲気下の熱処理温度は、１０００℃以下とする
ことが好ましい。このように酸化性雰囲気下の熱処理温
度を１０００℃以下とすることにより、ＳＯＩ層にＯＳ
Ｆが発生することを防ぐことができる。
酸化性雰囲気下の熱処理温度は、１０００℃以下とする
ことが好ましい。このように酸化性雰囲気下の熱処理温
度を１０００℃以下とすることにより、ＳＯＩ層にＯＳ
Ｆが発生することを防ぐことができる。
【００２３】そして、請求項８に記載したように、請求
項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の方法により
製造されたＳＯＩウエーハは、ＳＯＩ層のダメージ層が
なく、表面粗さも改善され、且つ膜厚均一性も優れた高
品質のＳＯＩウエーハとなる。
項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の方法により
製造されたＳＯＩウエーハは、ＳＯＩ層のダメージ層が
なく、表面粗さも改善され、且つ膜厚均一性も優れた高
品質のＳＯＩウエーハとなる。
【００２４】以下、本発明についてさらに詳述するが、
本発明はこれらに限定されるものではない。本発明は、
水素イオン注入剥離法によりＳＯＩウエーハを製造する
に際して、結合熱処理後あるいは剥離熱処理後に、犠牲
酸化と還元性雰囲気下の熱処理とを組み合わせて行うこ
とにより、ＳＯＩ層の膜厚均一性を維持しつつ、ＳＯＩ
層のダメージ層及び表面粗さを除去することができるこ
とを見出し、諸条件を精査して完成されたものである。
本発明はこれらに限定されるものではない。本発明は、
水素イオン注入剥離法によりＳＯＩウエーハを製造する
に際して、結合熱処理後あるいは剥離熱処理後に、犠牲
酸化と還元性雰囲気下の熱処理とを組み合わせて行うこ
とにより、ＳＯＩ層の膜厚均一性を維持しつつ、ＳＯＩ
層のダメージ層及び表面粗さを除去することができるこ
とを見出し、諸条件を精査して完成されたものである。
【００２５】すなわち、従来の方法のうち、犠牲酸化の
みを行う方法では、ＳＯＩ層のダメージ層を除去するこ
とはできても表面粗さを十分に改善することはできず、
結局ＳＯＩ層の膜厚均一性を劣化させる研磨等を行わな
くてはならなかった。一方、還元性雰囲気下の熱処理の
みを行う方法では、ＳＯＩ層の表面側のダメージ層を回
復させるのに長時間を要し、長時間の熱処理を行うこと
によりＳＯＩ層や埋め込み酸化膜がエッチングされる等
の弊害があった。
みを行う方法では、ＳＯＩ層のダメージ層を除去するこ
とはできても表面粗さを十分に改善することはできず、
結局ＳＯＩ層の膜厚均一性を劣化させる研磨等を行わな
くてはならなかった。一方、還元性雰囲気下の熱処理の
みを行う方法では、ＳＯＩ層の表面側のダメージ層を回
復させるのに長時間を要し、長時間の熱処理を行うこと
によりＳＯＩ層や埋め込み酸化膜がエッチングされる等
の弊害があった。
【００２６】そこで、本発明ではこれら二つの工程を組
み合わせて行うこととした。すなわち、まず犠牲酸化に
より、ダメージの大きい表面側のダメージ層を除去して
しまう。そして還元性雰囲気下の熱処理により、残りの
ダメージの小さいバルク側のダメージ層のダメージを回
復させ、かつ表面粗さを改善する。このようにすれば、
研磨等の機械的な加工は不要であり、ＳＯＩ層の膜厚均
一性を維持しつつ、ダメージ層の除去と表面粗さの改善
をすることが可能である。さらに、還元性雰囲気下の熱
処理時間を短くすることができるため、ＳＯＩ層や埋め
込み酸化膜がエッチングされることを防止することがで
きる。さらに、犠牲酸化により生じたＯＳＦを後に行う
還元性雰囲気下の熱処理で除去することができるという
効果も有するものとなる。
み合わせて行うこととした。すなわち、まず犠牲酸化に
より、ダメージの大きい表面側のダメージ層を除去して
しまう。そして還元性雰囲気下の熱処理により、残りの
ダメージの小さいバルク側のダメージ層のダメージを回
復させ、かつ表面粗さを改善する。このようにすれば、
研磨等の機械的な加工は不要であり、ＳＯＩ層の膜厚均
一性を維持しつつ、ダメージ層の除去と表面粗さの改善
をすることが可能である。さらに、還元性雰囲気下の熱
処理時間を短くすることができるため、ＳＯＩ層や埋め
込み酸化膜がエッチングされることを防止することがで
きる。さらに、犠牲酸化により生じたＯＳＦを後に行う
還元性雰囲気下の熱処理で除去することができるという
効果も有するものとなる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら説明するが、本発明はこれらに限定され
るものではない。ここで、図１は本発明の水素イオン注
入剥離法でＳＯＩウエーハを製造する方法の製造工程の
一例を示すフロー図である。
を参照しながら説明するが、本発明はこれらに限定され
るものではない。ここで、図１は本発明の水素イオン注
入剥離法でＳＯＩウエーハを製造する方法の製造工程の
一例を示すフロー図である。
【００２８】以下、本発明を２枚のシリコンウエーハを
結合する場合を中心に説明する。まず、図１の水素イオ
ン注入剥離法において、工程（ａ）では、２枚のシリコ
ン鏡面ウエーハを準備するものであり、デバイスの仕様
に合った支持基板となるベースウエーハ１とＳＯＩ層と
なるボンドウエーハ２を準備する。次に工程（ｂ）で
は、そのうちの少なくとも一方のウエーハ、ここではボ
ンドウエーハ２を熱酸化し、その表面に約０．１〜２．
０μｍ厚の酸化膜３を形成する。
結合する場合を中心に説明する。まず、図１の水素イオ
ン注入剥離法において、工程（ａ）では、２枚のシリコ
ン鏡面ウエーハを準備するものであり、デバイスの仕様
に合った支持基板となるベースウエーハ１とＳＯＩ層と
なるボンドウエーハ２を準備する。次に工程（ｂ）で
は、そのうちの少なくとも一方のウエーハ、ここではボ
ンドウエーハ２を熱酸化し、その表面に約０．１〜２．
０μｍ厚の酸化膜３を形成する。
【００２９】工程（ｃ）では、表面に酸化膜を形成した
ボンドウエーハ２の片面に対して水素イオンまたは希ガ
スイオン、ここでは水素イオンを注入し、イオンの平均
進入深さにおいて表面に平行な微小気泡層（封入層）４
を形成させる。工程（ｄ）は、水素イオンを注入したボ
ンドウエーハ２の水素イオン注入面に、ベースウエーハ
１を酸化膜を介して重ね合せて密着させる工程であり、
常温の清浄な雰囲気下で２枚のウエーハの表面同士を接
触させることにより、接着剤等を用いることなくウエー
ハ同士が接着する。
ボンドウエーハ２の片面に対して水素イオンまたは希ガ
スイオン、ここでは水素イオンを注入し、イオンの平均
進入深さにおいて表面に平行な微小気泡層（封入層）４
を形成させる。工程（ｄ）は、水素イオンを注入したボ
ンドウエーハ２の水素イオン注入面に、ベースウエーハ
１を酸化膜を介して重ね合せて密着させる工程であり、
常温の清浄な雰囲気下で２枚のウエーハの表面同士を接
触させることにより、接着剤等を用いることなくウエー
ハ同士が接着する。
【００３０】次に、工程（ｅ）は、封入層４を境界とし
て剥離することによって、剥離ウエーハ５とＳＯＩウエ
ーハ６（ＳＯＩ層７＋埋め込み酸化膜３＋ベースウエー
ハ１）に分離する剥離熱処理工程で、例えば不活性ガス
雰囲気下約５００℃以上の温度で熱処理を加えれば、結
晶の再配列と気泡の凝集とによって剥離ウエーハ５とＳ
ＯＩウエーハ６に分離される。そして、この剥離したま
まのＳＯＩウエーハ表面のＳＯＩ層７には、ダメージ層
８が残留する。
て剥離することによって、剥離ウエーハ５とＳＯＩウエ
ーハ６（ＳＯＩ層７＋埋め込み酸化膜３＋ベースウエー
ハ１）に分離する剥離熱処理工程で、例えば不活性ガス
雰囲気下約５００℃以上の温度で熱処理を加えれば、結
晶の再配列と気泡の凝集とによって剥離ウエーハ５とＳ
ＯＩウエーハ６に分離される。そして、この剥離したま
まのＳＯＩウエーハ表面のＳＯＩ層７には、ダメージ層
８が残留する。
【００３１】ここまでの工程は、本発明の方法も、従来
の水素イオン注入剥離法と同じである。そして、本発明
は、この剥離工程後、請求項１のような方法と、請求項
２のような方法に分かれる。
の水素イオン注入剥離法と同じである。そして、本発明
は、この剥離工程後、請求項１のような方法と、請求項
２のような方法に分かれる。
【００３２】まず、請求項１の方法では、剥離工程の
後、従来通り工程（ｆ）で、結合熱処理工程を行う。こ
の工程は、前記工程（ｄ）（ｅ）の密着工程および剥離
熱処理工程で密着させたウエーハ同士の結合力では、そ
のままデバイス工程で使用するには弱いので、結合熱処
理としてＳＯＩウエーハ６に高温の熱処理を施し結合強
度を十分なものとする。この熱処理は例えば不活性ガス
雰囲気下、１０００〜１３００℃で３０分から２時間の
範囲で行うことが好ましい。
後、従来通り工程（ｆ）で、結合熱処理工程を行う。こ
の工程は、前記工程（ｄ）（ｅ）の密着工程および剥離
熱処理工程で密着させたウエーハ同士の結合力では、そ
のままデバイス工程で使用するには弱いので、結合熱処
理としてＳＯＩウエーハ６に高温の熱処理を施し結合強
度を十分なものとする。この熱処理は例えば不活性ガス
雰囲気下、１０００〜１３００℃で３０分から２時間の
範囲で行うことが好ましい。
【００３３】そして、次に従来法ではタッチポリッシュ
等の研磨の工程を行い、ＳＯＩ層７の表面である剥離面
に存在するダメージ層および表面粗さを除去する工程を
行うが、本発明では、工程（ｇ）において、まず酸化性
雰囲気下の熱処理を行い、ＳＯＩ層７に酸化膜１３を形
成して、ダメージ層８を酸化膜１３に取り込むようにす
る。
等の研磨の工程を行い、ＳＯＩ層７の表面である剥離面
に存在するダメージ層および表面粗さを除去する工程を
行うが、本発明では、工程（ｇ）において、まず酸化性
雰囲気下の熱処理を行い、ＳＯＩ層７に酸化膜１３を形
成して、ダメージ層８を酸化膜１３に取り込むようにす
る。
【００３４】そして、工程（ｈ）では、ＳＯＩ層７に形
成した酸化膜１３を除去する。この酸化膜１３の除去
は、例えばＨＦを含む水溶液でエッチングすることによ
り行えばよい。ＨＦを含む水溶液でエッチングするよう
にすれば、酸化膜１３のみがエッチングにより除去さ
れ、犠牲酸化によりダメージ層を除去したＳＯＩウエー
ハ６を得ることができる。しかも、このようなウエーハ
のＨＦ処理は簡単であるとともに低コストであるという
有利性もある。
成した酸化膜１３を除去する。この酸化膜１３の除去
は、例えばＨＦを含む水溶液でエッチングすることによ
り行えばよい。ＨＦを含む水溶液でエッチングするよう
にすれば、酸化膜１３のみがエッチングにより除去さ
れ、犠牲酸化によりダメージ層を除去したＳＯＩウエー
ハ６を得ることができる。しかも、このようなウエーハ
のＨＦ処理は簡単であるとともに低コストであるという
有利性もある。
【００３５】さらに、工程（ｉ）では、還元性雰囲気下
の熱処理を施し、ＳＯＩ層７の表面の残留ダメージ層
８、及び表面粗さを改善する。このように、犠牲酸化熱
処理後、還元性雰囲気下の熱処理を加えることによっ
て、ＳＯＩ層表面に残留するダメージ層８、及び表面粗
さを、膜厚均一性を悪化させることなく除去することが
でき、すでにダメージ層８の一部あるいは全部を工程
（ｇ）（ｈ）の犠牲酸化熱処理で除去してしまっている
ので、還元性雰囲気下の熱処理は短時間で効率良く終了
させることができる。そのためＳＯＩ層７や埋め込み酸
化膜３がエッチングされることを防止することができ
る。
の熱処理を施し、ＳＯＩ層７の表面の残留ダメージ層
８、及び表面粗さを改善する。このように、犠牲酸化熱
処理後、還元性雰囲気下の熱処理を加えることによっ
て、ＳＯＩ層表面に残留するダメージ層８、及び表面粗
さを、膜厚均一性を悪化させることなく除去することが
でき、すでにダメージ層８の一部あるいは全部を工程
（ｇ）（ｈ）の犠牲酸化熱処理で除去してしまっている
ので、還元性雰囲気下の熱処理は短時間で効率良く終了
させることができる。そのためＳＯＩ層７や埋め込み酸
化膜３がエッチングされることを防止することができ
る。
【００３６】一方、本発明の請求項２の方法では、剥離
工程の後、単独の結合熱処理工程（ｆ）を行うことな
く、ＳＯＩ層７の表面を研磨することなく、直接工程
（ｇ）の酸化性雰囲気下の熱処理を行う。
工程の後、単独の結合熱処理工程（ｆ）を行うことな
く、ＳＯＩ層７の表面を研磨することなく、直接工程
（ｇ）の酸化性雰囲気下の熱処理を行う。
【００３７】すなわち、剥離熱処理後、すぐに酸化性雰
囲気下の熱処理を加えた後（工程（ｇ））、酸化膜１３
を除去し（工程（ｈ））、還元性雰囲気下の熱処理を加
えることによって（工程（ｉ））、ＳＯＩ層７の表面に
残留するダメージ層８、表面粗さを除去する。この場
合、酸化性雰囲気下の熱処理（工程（ｇ））と酸化膜１
３の除去（工程（ｈ））の間に、結合熱処理（工程
（ｆ））を行うことができる。このようにすると、機械
的な研磨をする必要がなくなり、膜厚均一性を悪化させ
ることがなくなることに加えて、酸化膜１３が結合熱処
理中の表面保護膜の役割を果たすため、結合熱処理の非
酸化性雰囲気によって、ＳＯＩ層７の表面がエッチング
され、面あれが生ずるのを防ぐ効果がある。一方、結合
熱処理（工程（ｆ））を省略してしまい、還元性雰囲気
下の熱処理（工程（ｉ））を結合熱処理（工程（ｆ））
をも兼ねるものとすることもできる。このようにする
と、結合熱処理を単独で行う必要がなくなるので、より
簡略な工程とすることができ、高品質なＳＯＩウエーハ
の生産性の向上にも寄与することができる。
囲気下の熱処理を加えた後（工程（ｇ））、酸化膜１３
を除去し（工程（ｈ））、還元性雰囲気下の熱処理を加
えることによって（工程（ｉ））、ＳＯＩ層７の表面に
残留するダメージ層８、表面粗さを除去する。この場
合、酸化性雰囲気下の熱処理（工程（ｇ））と酸化膜１
３の除去（工程（ｈ））の間に、結合熱処理（工程
（ｆ））を行うことができる。このようにすると、機械
的な研磨をする必要がなくなり、膜厚均一性を悪化させ
ることがなくなることに加えて、酸化膜１３が結合熱処
理中の表面保護膜の役割を果たすため、結合熱処理の非
酸化性雰囲気によって、ＳＯＩ層７の表面がエッチング
され、面あれが生ずるのを防ぐ効果がある。一方、結合
熱処理（工程（ｆ））を省略してしまい、還元性雰囲気
下の熱処理（工程（ｉ））を結合熱処理（工程（ｆ））
をも兼ねるものとすることもできる。このようにする
と、結合熱処理を単独で行う必要がなくなるので、より
簡略な工程とすることができ、高品質なＳＯＩウエーハ
の生産性の向上にも寄与することができる。
【００３８】以上の工程を経て結晶品質が高く、膜厚均
一性の高いＳＯＩ層７を有する高品質のＳＯＩウエーハ
６を製造することができる（工程（ｊ））。
一性の高いＳＯＩ層７を有する高品質のＳＯＩウエーハ
６を製造することができる（工程（ｊ））。
【００３９】そして、上記のような工程（ｇ）の酸化性
雰囲気下の熱処理で形成される酸化膜１３の厚さは、酸
化膜１３形成前におけるＳＯＩ層７表面のダメージ層８
の厚さの２倍以上とすることが好ましい。これは、シリ
コンの熱酸化は浸透型であり、シリコン表面に熱酸化膜
を形成すると、シリコンの表層部のうち、形成される酸
化膜の厚さの約半分の深さの層が酸化膜に取り込まれる
からである。したがって、ダメージ層８の厚さの２倍以
上の膜厚の酸化膜１３を形成するようにすれば、酸化膜
１３にダメージ層８の全部分を取り込むことができるの
で、後に行う還元性雰囲気下の熱処理の負担を軽減し、
還元性熱処理時間を短縮することができる。しかし、本
発明はこれに限定されず、ＳＯＩ層７の厚さや埋め込み
酸化膜３の厚さ等の条件により、形成する酸化膜１３の
膜厚を任意に変更し、犠牲酸化によるダメージ層８の除
去と、還元性熱処理によるダメージ層８の回復との割合
を変化させることも可能である。
雰囲気下の熱処理で形成される酸化膜１３の厚さは、酸
化膜１３形成前におけるＳＯＩ層７表面のダメージ層８
の厚さの２倍以上とすることが好ましい。これは、シリ
コンの熱酸化は浸透型であり、シリコン表面に熱酸化膜
を形成すると、シリコンの表層部のうち、形成される酸
化膜の厚さの約半分の深さの層が酸化膜に取り込まれる
からである。したがって、ダメージ層８の厚さの２倍以
上の膜厚の酸化膜１３を形成するようにすれば、酸化膜
１３にダメージ層８の全部分を取り込むことができるの
で、後に行う還元性雰囲気下の熱処理の負担を軽減し、
還元性熱処理時間を短縮することができる。しかし、本
発明はこれに限定されず、ＳＯＩ層７の厚さや埋め込み
酸化膜３の厚さ等の条件により、形成する酸化膜１３の
膜厚を任意に変更し、犠牲酸化によるダメージ層８の除
去と、還元性熱処理によるダメージ層８の回復との割合
を変化させることも可能である。
【００４０】また、この工程（ｇ）における酸化熱処理
の熱処理温度は、後に行う還元性熱処理の熱処理温度よ
りも低温とすることが好ましく、より好ましくは１００
０℃以下とする。これは、前述したように、酸化性雰囲
気下の熱処理を行うことにより発生するＯＳＦは、後の
還元性熱処理により除去することができるが、酸化性熱
処理の熱処理温度よりも高温でその後の還元性熱処理を
行うことにより、ＯＳＦが除去され易くなるからであ
る。さらに酸化熱処理を１０００℃以下の温度で行うこ
とにより、ＯＳＦの発生自体を抑制することができるた
め、この低い温度範囲で熱処理を行うことがより好まし
いのである。
の熱処理温度は、後に行う還元性熱処理の熱処理温度よ
りも低温とすることが好ましく、より好ましくは１００
０℃以下とする。これは、前述したように、酸化性雰囲
気下の熱処理を行うことにより発生するＯＳＦは、後の
還元性熱処理により除去することができるが、酸化性熱
処理の熱処理温度よりも高温でその後の還元性熱処理を
行うことにより、ＯＳＦが除去され易くなるからであ
る。さらに酸化熱処理を１０００℃以下の温度で行うこ
とにより、ＯＳＦの発生自体を抑制することができるた
め、この低い温度範囲で熱処理を行うことがより好まし
いのである。
【００４１】また、上記のような工程（ｉ）の還元性雰
囲気下の熱処理を効率良く行うためには、急速加熱・急
速冷却装置を用いて１０００〜１３００℃の温度範囲
で、１〜６０秒間行うことが好ましい。このように、犠
牲酸化熱処理後のＳＯＩウエーハに急速加熱・急速冷却
装置を用いて還元性雰囲気下の熱処理を施せば、極めて
短時間で効率よくＳＯＩウエーハ表面のダメージ層８お
よび表面粗さを改善することができる。さらに、短時間
で効率良く還元性熱処理を行うことができるので、ＳＯ
Ｉ層７や埋め込み酸化膜３のエッチングを防止する効果
はより高いものとなる。
囲気下の熱処理を効率良く行うためには、急速加熱・急
速冷却装置を用いて１０００〜１３００℃の温度範囲
で、１〜６０秒間行うことが好ましい。このように、犠
牲酸化熱処理後のＳＯＩウエーハに急速加熱・急速冷却
装置を用いて還元性雰囲気下の熱処理を施せば、極めて
短時間で効率よくＳＯＩウエーハ表面のダメージ層８お
よび表面粗さを改善することができる。さらに、短時間
で効率良く還元性熱処理を行うことができるので、ＳＯ
Ｉ層７や埋め込み酸化膜３のエッチングを防止する効果
はより高いものとなる。
【００４２】このような、ＳＯＩウエーハを還元性雰囲
気下で急速加熱・急速冷却することができる装置として
は、熱放射によるランプ加熱器のような装置を挙げるこ
とができる。また、市販されているものとして、例えば
ＡＳＴ社製、ＳＨＳ−２８００のような装置を挙げるこ
とができ、これらは特別複雑で高価なものではない。
気下で急速加熱・急速冷却することができる装置として
は、熱放射によるランプ加熱器のような装置を挙げるこ
とができる。また、市販されているものとして、例えば
ＡＳＴ社製、ＳＨＳ−２８００のような装置を挙げるこ
とができ、これらは特別複雑で高価なものではない。
【００４３】ここで、本発明で用いたシリコン単結晶ウ
エーハの急速加熱・急速冷却装置（ＲＴＡ装置）の一例
を示す。図３は、ＲＴＡ装置の概略図である。図３の熱
処理装置２０は、炭化珪素あるいは石英からなるベルジ
ャ２１を有し、このベルジャ２１内でウエーハを熱処理
するようになっている。加熱は、ベルジャ２１を囲繞す
るように配置される加熱ヒータ２２，２２’によって行
う。この加熱ヒータは上下方向で分割されており、それ
ぞれ独立に供給される電力を制御できるようになってい
る。もちろん加熱方式は、これに限定されるものではな
く、いわゆる輻射加熱、高周波加熱方式としてもよい。
加熱ヒータ２２，２２’の外側には、熱を遮蔽するため
のハウジング２３が配置されている。
エーハの急速加熱・急速冷却装置（ＲＴＡ装置）の一例
を示す。図３は、ＲＴＡ装置の概略図である。図３の熱
処理装置２０は、炭化珪素あるいは石英からなるベルジ
ャ２１を有し、このベルジャ２１内でウエーハを熱処理
するようになっている。加熱は、ベルジャ２１を囲繞す
るように配置される加熱ヒータ２２，２２’によって行
う。この加熱ヒータは上下方向で分割されており、それ
ぞれ独立に供給される電力を制御できるようになってい
る。もちろん加熱方式は、これに限定されるものではな
く、いわゆる輻射加熱、高周波加熱方式としてもよい。
加熱ヒータ２２，２２’の外側には、熱を遮蔽するため
のハウジング２３が配置されている。
【００４４】炉の下方には、水冷チャンバ２４とベース
プレート２５が配置され、ベルジャ２１内と、外気とを
封鎖している。そしてウエーハ２８はステージ２７上に
保持されるようになっており、ステージ２７はモータ２
９によって上下動自在な支持軸２６の上端に取りつけら
れている。水冷チャンバ２４には横方向からウエーハを
炉内に出し入れできるように、ゲートバルブによって開
閉可能に構成される不図示のウエーハ挿入口が設けられ
ている。また、ベースプレート２５には、ガス流入口と
排気口が設けられており、炉内ガス雰囲気を調整できる
ようになっている。
プレート２５が配置され、ベルジャ２１内と、外気とを
封鎖している。そしてウエーハ２８はステージ２７上に
保持されるようになっており、ステージ２７はモータ２
９によって上下動自在な支持軸２６の上端に取りつけら
れている。水冷チャンバ２４には横方向からウエーハを
炉内に出し入れできるように、ゲートバルブによって開
閉可能に構成される不図示のウエーハ挿入口が設けられ
ている。また、ベースプレート２５には、ガス流入口と
排気口が設けられており、炉内ガス雰囲気を調整できる
ようになっている。
【００４５】以上のような熱処理装置２０によって、ウ
エーハの急速加熱・急速冷却する熱処理は次のように行
われる。まず、加熱ヒータ２２，２２’によってベルジ
ャ２１内を、例えば１０００〜１３００℃の所望温度に
加熱し、その温度に保持する。分割された加熱ヒータそ
れぞれを独立して供給電力を制御すれば、ベルジャ２１
内を高さ方向に沿って温度分布をつけることができる。
したがって、ウエーハの処理温度は、ステージ２７の位
置、すなわち支持軸２６の炉内への挿入量によって決定
することができる。
エーハの急速加熱・急速冷却する熱処理は次のように行
われる。まず、加熱ヒータ２２，２２’によってベルジ
ャ２１内を、例えば１０００〜１３００℃の所望温度に
加熱し、その温度に保持する。分割された加熱ヒータそ
れぞれを独立して供給電力を制御すれば、ベルジャ２１
内を高さ方向に沿って温度分布をつけることができる。
したがって、ウエーハの処理温度は、ステージ２７の位
置、すなわち支持軸２６の炉内への挿入量によって決定
することができる。
【００４６】ベルジャ２１内が所望温度で維持されたな
ら、熱処理装置２０に隣接して配置される、不図示のウ
エーハハンドリング装置によってウエーハを水冷チャン
バ２４の挿入口から入れ、最下端位置で待機させたステ
ージ２７上に例えばＳｉＣボートを介してウエーハを乗
せる。この時、水冷チャンバ２４およびベースプレート
２５は水冷されているので、ウエーハはこの位置では高
温化しない。
ら、熱処理装置２０に隣接して配置される、不図示のウ
エーハハンドリング装置によってウエーハを水冷チャン
バ２４の挿入口から入れ、最下端位置で待機させたステ
ージ２７上に例えばＳｉＣボートを介してウエーハを乗
せる。この時、水冷チャンバ２４およびベースプレート
２５は水冷されているので、ウエーハはこの位置では高
温化しない。
【００４７】そして、ウエーハのステージ２７上への載
置が完了したなら、すぐにモータ２９によって支持軸２
６を炉内に挿入することによって、ステージ２７を１０
００℃以上の所望温度位置まで上昇させ、ステージ上の
ウエーハに高温熱処理を加える。この場合、水冷チャン
バ２４内のステージ下端位置から、所望温度位置までの
移動には、例えば２０秒程度しかかからないので、ウエ
ーハは急速に加熱されることになる。
置が完了したなら、すぐにモータ２９によって支持軸２
６を炉内に挿入することによって、ステージ２７を１０
００℃以上の所望温度位置まで上昇させ、ステージ上の
ウエーハに高温熱処理を加える。この場合、水冷チャン
バ２４内のステージ下端位置から、所望温度位置までの
移動には、例えば２０秒程度しかかからないので、ウエ
ーハは急速に加熱されることになる。
【００４８】そして、ステージ２７を所望温度位置で、
所定時間停止（１秒間以上）させることによって、ウエ
ーハに停止時間分の高温熱処理を加えることができる。
所定時間が経過し高温熱処理が終了したなら、すぐにモ
ータ２９によって支持軸２６を炉内から引き抜くことに
よって、ステージ２７を下降させ水冷チャンバ２４内の
下端位置とする。この下降動作も、例えば２０秒程度で
行うことができる。ステージ２７上のウエーハは、水冷
チャンバ２４およびベースプレート２５が水冷されてい
るので、急速に冷却される。最後に、ウエーハハンドリ
ング装置によって、ウエーハを取り出すことによって、
熱処理を完了する。さらに熱処理するウエーハがある場
合には、熱処理装置２０の温度を降温させてないので、
次々にウエーハを投入し連続的に熱処理をすることがで
きる。
所定時間停止（１秒間以上）させることによって、ウエ
ーハに停止時間分の高温熱処理を加えることができる。
所定時間が経過し高温熱処理が終了したなら、すぐにモ
ータ２９によって支持軸２６を炉内から引き抜くことに
よって、ステージ２７を下降させ水冷チャンバ２４内の
下端位置とする。この下降動作も、例えば２０秒程度で
行うことができる。ステージ２７上のウエーハは、水冷
チャンバ２４およびベースプレート２５が水冷されてい
るので、急速に冷却される。最後に、ウエーハハンドリ
ング装置によって、ウエーハを取り出すことによって、
熱処理を完了する。さらに熱処理するウエーハがある場
合には、熱処理装置２０の温度を降温させてないので、
次々にウエーハを投入し連続的に熱処理をすることがで
きる。
【００４９】また、上記工程（ｉ）における還元性雰囲
気下の熱処理の雰囲気としては、１００％水素雰囲気、
あるいは水素とアルゴンの混合雰囲気とすることが好ま
しい。このような熱処理雰囲気とすれば、ＳＯＩウエー
ハ表面に害となるような被膜を形成することもなく、確
実にＳＯＩウエーハの表面のダメージ層、表面粗さを改
善することができるからである。
気下の熱処理の雰囲気としては、１００％水素雰囲気、
あるいは水素とアルゴンの混合雰囲気とすることが好ま
しい。このような熱処理雰囲気とすれば、ＳＯＩウエー
ハ表面に害となるような被膜を形成することもなく、確
実にＳＯＩウエーハの表面のダメージ層、表面粗さを改
善することができるからである。
【００５０】
【実施例】以下、本発明の実施例および比較例を挙げて
具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるもの
ではない。 （実施例）チョクラルスキー法により作製された結晶方
位〈１００〉で、導電型がｐ型で、抵抗率が２０Ω・ｃ
ｍのシリコン単結晶インゴットから、直径１５０ｍｍの
シリコン鏡面ウエーハを作製した。これらをボンドウエ
ーハとベースウエーハに分け、図１（ａ）〜（ｊ）に示
す工程に従った本発明の水素イオン注入剥離法によりＳ
ＯＩウエーハを製造することにした。
具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるもの
ではない。 （実施例）チョクラルスキー法により作製された結晶方
位〈１００〉で、導電型がｐ型で、抵抗率が２０Ω・ｃ
ｍのシリコン単結晶インゴットから、直径１５０ｍｍの
シリコン鏡面ウエーハを作製した。これらをボンドウエ
ーハとベースウエーハに分け、図１（ａ）〜（ｊ）に示
す工程に従った本発明の水素イオン注入剥離法によりＳ
ＯＩウエーハを製造することにした。
【００５１】まず、図１の（ａ）〜（ｅ）にしたがい、
ボンドウエーハ２を剥離して、ＳＯＩウエーハ６を得
た。この時、ＳＯＩ層７の厚さを４００ｎｍ、埋め込み
酸化膜３の厚さは７００ｎｍとし、その他イオンの注入
等の主な条件は次の通りとした。 １）水素注入条件：Ｈ+ イオン、注入エネルギー １２
５ｋｅＶ 注入線量 ８×１０16／ｃｍ2 ２）剥離熱処理条件：Ｎ2 ガス雰囲気下、５００℃、３
０分
ボンドウエーハ２を剥離して、ＳＯＩウエーハ６を得
た。この時、ＳＯＩ層７の厚さを４００ｎｍ、埋め込み
酸化膜３の厚さは７００ｎｍとし、その他イオンの注入
等の主な条件は次の通りとした。 １）水素注入条件：Ｈ+ イオン、注入エネルギー １２
５ｋｅＶ 注入線量 ８×１０16／ｃｍ2 ２）剥離熱処理条件：Ｎ2 ガス雰囲気下、５００℃、３
０分
【００５２】こうして厚さ４００ｎｍのＳＯＩ層７を有
するＳＯＩウエーハ６を得ることができたが、図１
（ｅ）の剥離したままのＳＯＩウエーハ６の表面（剥離
面）の表面粗さを、原子間力顕微鏡法により１μｍ角で
測定したところ、それぞれＲＭＳ値（二乗平均平方根粗
さ）で、平均７．５ｎｍであった。この値は、通常の鏡
面研磨されたシリコンウエーハの表面粗さの１０倍以上
の値で、剥離したままのＳＯＩ層の表面は局部的な面粗
れが大きいことがわかる。
するＳＯＩウエーハ６を得ることができたが、図１
（ｅ）の剥離したままのＳＯＩウエーハ６の表面（剥離
面）の表面粗さを、原子間力顕微鏡法により１μｍ角で
測定したところ、それぞれＲＭＳ値（二乗平均平方根粗
さ）で、平均７．５ｎｍであった。この値は、通常の鏡
面研磨されたシリコンウエーハの表面粗さの１０倍以上
の値で、剥離したままのＳＯＩ層の表面は局部的な面粗
れが大きいことがわかる。
【００５３】また、図１（ｅ）の、剥離したままのＳＯ
Ｉウエーハ６の剥離面のダメージ層８の深さを調べるた
め、ＫＯＨ水溶液によるエッチングを行い、表面からの
エッチング除去量を変えたＳＯＩウエーハを準備した。
そして、これらのＳＯＩウエーハを、Ｈ．Ｇａｓｓｅｌ
（Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１４０，ｐ
ｐ１７１３，１９９３）らにより開示された四段セコエ
ッチング法を行った後顕微鏡観察して、その表面に存在
するピット密度をカウントすることによって測定した。
エッチング除去量は、０、５０、１００、１５０、２０
０、２５０、３００ｎｍとした。測定結果を、図２の曲
線ａに示した。
Ｉウエーハ６の剥離面のダメージ層８の深さを調べるた
め、ＫＯＨ水溶液によるエッチングを行い、表面からの
エッチング除去量を変えたＳＯＩウエーハを準備した。
そして、これらのＳＯＩウエーハを、Ｈ．Ｇａｓｓｅｌ
（Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１４０，ｐ
ｐ１７１３，１９９３）らにより開示された四段セコエ
ッチング法を行った後顕微鏡観察して、その表面に存在
するピット密度をカウントすることによって測定した。
エッチング除去量は、０、５０、１００、１５０、２０
０、２５０、３００ｎｍとした。測定結果を、図２の曲
線ａに示した。
【００５４】この図から、剥離直後のＳＯＩウエーハ６
の表面には深さ約１５０ｎｍのダメージ層があることが
わかる。なお、１５０ｎｍより深い所で観察されるピッ
トは、もともとボンドウエーハに存在する結晶欠陥の密
度であると思われる。
の表面には深さ約１５０ｎｍのダメージ層があることが
わかる。なお、１５０ｎｍより深い所で観察されるピッ
トは、もともとボンドウエーハに存在する結晶欠陥の密
度であると思われる。
【００５５】また、図１（ｅ）の、剥離したままのＳＯ
Ｉウエーハ６のＳＯＩ層７の膜厚を測定し、膜厚均一性
を求めた。膜厚測定は、反射分光法で行い、ＳＯＩウエ
ーハ６の面内を外周から１０ｍｍを除いて、１ｍｍピッ
チで数千点測定した。測定値のσ（標準偏差）は、０．
９ｎｍであり、従って膜厚均一性（±３σ）は±２．７
ｎｍで、悪くとも±３ｎｍ以内であることがわかった。
従って、剥離後のＳＯＩ層７の膜厚均一性は極めて良好
であることがわかった。
Ｉウエーハ６のＳＯＩ層７の膜厚を測定し、膜厚均一性
を求めた。膜厚測定は、反射分光法で行い、ＳＯＩウエ
ーハ６の面内を外周から１０ｍｍを除いて、１ｍｍピッ
チで数千点測定した。測定値のσ（標準偏差）は、０．
９ｎｍであり、従って膜厚均一性（±３σ）は±２．７
ｎｍで、悪くとも±３ｎｍ以内であることがわかった。
従って、剥離後のＳＯＩ層７の膜厚均一性は極めて良好
であることがわかった。
【００５６】次に、図１（ｆ）の結合熱処理工程は、後
の工程（ｉ）の還元性雰囲気下の熱処理で兼ねるものと
して省略し、図１（ｇ）で、結合熱処理後のＳＯＩウエ
ーハ６を、研磨することなく、水蒸気を含む酸素雰囲気
中、９００℃の温度で１５０分間熱処理を加え、ＳＯＩ
層７の表面に約３４０ｎｍの熱酸化膜を形成した。この
酸化膜の厚さはダメージ層８の厚さの２倍以上であるた
め、ダメージ層８は完全に酸化膜中に取り込まれること
となった。
の工程（ｉ）の還元性雰囲気下の熱処理で兼ねるものと
して省略し、図１（ｇ）で、結合熱処理後のＳＯＩウエ
ーハ６を、研磨することなく、水蒸気を含む酸素雰囲気
中、９００℃の温度で１５０分間熱処理を加え、ＳＯＩ
層７の表面に約３４０ｎｍの熱酸化膜を形成した。この
酸化膜の厚さはダメージ層８の厚さの２倍以上であるた
め、ダメージ層８は完全に酸化膜中に取り込まれること
となった。
【００５７】次に、図１（ｈ）で、この表面に熱酸化膜
を有するＳＯＩウエーハ６を、ＨＦ濃度１０％のフッ酸
水溶液に浸漬することによって、表面の熱酸化を完全に
除去した。この場合、エッチング終了後のウエーハを直
ちに水洗して乾燥することによって、エッチングに伴う
新たな面粗れ等が発生しないようにした。
を有するＳＯＩウエーハ６を、ＨＦ濃度１０％のフッ酸
水溶液に浸漬することによって、表面の熱酸化を完全に
除去した。この場合、エッチング終了後のウエーハを直
ちに水洗して乾燥することによって、エッチングに伴う
新たな面粗れ等が発生しないようにした。
【００５８】さらに図１（ｉ）で、犠牲酸化熱処理後の
ＳＯＩウエーハ６を、研磨することなく、図３に示した
急速加熱・急速冷却装置を用いて、水素を含む還元性雰
囲気下の熱処理を施した。熱処理条件は、水素１００％
雰囲気下、１２２５℃で４５秒間とした。なお、熱処理
前には、ＳＯＩウエーハ６を汚染しないように、熱処理
前洗浄をした。この洗浄は、いわゆるＲＣＡ洗浄として
広く知られている、（アンモニア／過酸化水素水）、
（塩酸／過酸化水素水）の２段洗浄を行った。
ＳＯＩウエーハ６を、研磨することなく、図３に示した
急速加熱・急速冷却装置を用いて、水素を含む還元性雰
囲気下の熱処理を施した。熱処理条件は、水素１００％
雰囲気下、１２２５℃で４５秒間とした。なお、熱処理
前には、ＳＯＩウエーハ６を汚染しないように、熱処理
前洗浄をした。この洗浄は、いわゆるＲＣＡ洗浄として
広く知られている、（アンモニア／過酸化水素水）、
（塩酸／過酸化水素水）の２段洗浄を行った。
【００５９】そして、還元性雰囲気下の熱処理後のＳＯ
Ｉ層７の表面粗さを、原子間力顕微鏡法により１μｍ角
で再び測定したところ、それぞれＲＭＳ値で、平均０．
２８ｎｍであり、面粗さは著しく改善されていた。この
値は、通常の鏡面研磨されたシリコンウエーハの表面粗
さと同等であり、還元性雰囲気下の熱処理によって著し
い表面粗さの改善が図られたことがわかる。
Ｉ層７の表面粗さを、原子間力顕微鏡法により１μｍ角
で再び測定したところ、それぞれＲＭＳ値で、平均０．
２８ｎｍであり、面粗さは著しく改善されていた。この
値は、通常の鏡面研磨されたシリコンウエーハの表面粗
さと同等であり、還元性雰囲気下の熱処理によって著し
い表面粗さの改善が図られたことがわかる。
【００６０】また、このＳＯＩウエーハ６のダメージ層
の深さを調べるため、ＫＯＨ水溶液によるエッチングを
行い、表面からのエッチング除去量を変えたＳＯＩウエ
ーハを準備した。そして、これらのＳＯＩウエーハを、
前記Ｈ．Ｇａｓｓｅｌらにより開示された四段セコエッ
チング法を行った後顕微鏡観察して、その表面に存在す
るピット密度をカウントすることによって測定した。エ
ッチング除去量は、０、５０、１００、１５０ｎｍとし
た。測定結果を、図２の曲線ｂに示した。この図から、
犠牲酸化と還元性雰囲気下の熱処理後のＳＯＩウエーハ
の表面には、研磨を行っていないにもかかわらず、ダメ
ージ層がなくなっていることがわかる。すなわち、ＳＯ
Ｉ層７の表面欠陥密度は、約２００個／ｃｍ2 以下であ
り、深さ方向にこの値は変化せず、確実にダメージ層が
除去されていることがわかる。
の深さを調べるため、ＫＯＨ水溶液によるエッチングを
行い、表面からのエッチング除去量を変えたＳＯＩウエ
ーハを準備した。そして、これらのＳＯＩウエーハを、
前記Ｈ．Ｇａｓｓｅｌらにより開示された四段セコエッ
チング法を行った後顕微鏡観察して、その表面に存在す
るピット密度をカウントすることによって測定した。エ
ッチング除去量は、０、５０、１００、１５０ｎｍとし
た。測定結果を、図２の曲線ｂに示した。この図から、
犠牲酸化と還元性雰囲気下の熱処理後のＳＯＩウエーハ
の表面には、研磨を行っていないにもかかわらず、ダメ
ージ層がなくなっていることがわかる。すなわち、ＳＯ
Ｉ層７の表面欠陥密度は、約２００個／ｃｍ2 以下であ
り、深さ方向にこの値は変化せず、確実にダメージ層が
除去されていることがわかる。
【００６１】また、このＳＯＩウエーハのＳＯＩ層の膜
厚を前記と同様に反射分光法で測定し、再び膜厚均一性
を求めた。その結果、測定値のσは、０．９ｎｍであ
り、従って膜厚均一性（±３σ）は±２．７ｎｍで、剥
離直後と同一の値であった。従って、本発明で製造され
るＳＯＩウエーハのＳＯＩ層の膜厚均一性は、極めて良
好であることがわかった。
厚を前記と同様に反射分光法で測定し、再び膜厚均一性
を求めた。その結果、測定値のσは、０．９ｎｍであ
り、従って膜厚均一性（±３σ）は±２．７ｎｍで、剥
離直後と同一の値であった。従って、本発明で製造され
るＳＯＩウエーハのＳＯＩ層の膜厚均一性は、極めて良
好であることがわかった。
【００６２】（比較例）実施例と同様にして、図１
（ａ）〜（ｅ）に従い、水素イオン注入剥離法によっ
て、ボンドウエーハ２を剥離したＳＯＩウエーハ６を得
た。この比較例では、実施例と同様に結合熱処理工程
（ｆ）を省略し、なおかつ工程（ｇ）（ｈ）の犠牲酸化
熱処理工程も行わないこととした。そして、工程（ｉ）
の還元性雰囲気下の熱処理を、実施例と同一の条件で、
急速加熱・急速冷却装置を用いてＳＯＩウエーハ６に施
した。
（ａ）〜（ｅ）に従い、水素イオン注入剥離法によっ
て、ボンドウエーハ２を剥離したＳＯＩウエーハ６を得
た。この比較例では、実施例と同様に結合熱処理工程
（ｆ）を省略し、なおかつ工程（ｇ）（ｈ）の犠牲酸化
熱処理工程も行わないこととした。そして、工程（ｉ）
の還元性雰囲気下の熱処理を、実施例と同一の条件で、
急速加熱・急速冷却装置を用いてＳＯＩウエーハ６に施
した。
【００６３】その後、ＳＯＩ層の表面粗さを実施例と同
様に原子間力顕微鏡法により測定した。また、このＳＯ
Ｉウエーハのダメージ層の状態を前記四段セコエッチン
グ法を行った後顕微鏡観察して、その表面に存在するピ
ット密度をカウントすることによって測定した。エッチ
ング除去量は、０、５０、１００、１５０、２００、２
５０、３００ｎｍとした。測定結果を図２の曲線ｃに示
した。さらにＳＯＩ層の膜厚を実施例と同様に反射分光
法により測定した。
様に原子間力顕微鏡法により測定した。また、このＳＯ
Ｉウエーハのダメージ層の状態を前記四段セコエッチン
グ法を行った後顕微鏡観察して、その表面に存在するピ
ット密度をカウントすることによって測定した。エッチ
ング除去量は、０、５０、１００、１５０、２００、２
５０、３００ｎｍとした。測定結果を図２の曲線ｃに示
した。さらにＳＯＩ層の膜厚を実施例と同様に反射分光
法により測定した。
【００６４】この比較例のＳＯＩ層の表面粗さは、ＲＭ
Ｓ値で平均０．２９ｎｍであり、表面粗さは改善されて
いた。また、ＳＯＩ層の膜厚均一性はσが０．９ｎｍ
で、酸化膜厚均一性（±３σ）は±２．７ｎｍであり、
剥離直後の膜厚均一性が維持されていることがわかっ
た。しかし、図２の曲線ｃに示したように、ダメージが
表面から約５０ｎｍの深さまでに残留しており、ダメー
ジ層が完全に除去されていないことがわかった。このダ
メージ層は、結局、研磨等で除去せざるを得ず、ＳＯＩ
層の膜厚均一性が劣化することが予想される。
Ｓ値で平均０．２９ｎｍであり、表面粗さは改善されて
いた。また、ＳＯＩ層の膜厚均一性はσが０．９ｎｍ
で、酸化膜厚均一性（±３σ）は±２．７ｎｍであり、
剥離直後の膜厚均一性が維持されていることがわかっ
た。しかし、図２の曲線ｃに示したように、ダメージが
表面から約５０ｎｍの深さまでに残留しており、ダメー
ジ層が完全に除去されていないことがわかった。このダ
メージ層は、結局、研磨等で除去せざるを得ず、ＳＯＩ
層の膜厚均一性が劣化することが予想される。
【００６５】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００６６】例えば、上記では２枚のシリコンウエーハ
を結合してＳＯＩウエーハを作製する場合を中心に説明
したが、本発明は、この場合に限定されるものではな
く、シリコンウエーハにイオン注入後に絶縁性ウエーハ
と結合し、シリコンウエーハを剥離してＳＯＩウエーハ
を製造する場合にも当然に適用可能である。
を結合してＳＯＩウエーハを作製する場合を中心に説明
したが、本発明は、この場合に限定されるものではな
く、シリコンウエーハにイオン注入後に絶縁性ウエーハ
と結合し、シリコンウエーハを剥離してＳＯＩウエーハ
を製造する場合にも当然に適用可能である。
【００６７】また、本発明のＳＯＩウエーハの製造工程
も、図１に示したものに限定されるものではなく、この
工程には、洗浄、熱処理等の他の工程が付加されること
もあるし、あるいは一部工程順の入れ替え、省略等が目
的に応じて適宜行うことができるものである。
も、図１に示したものに限定されるものではなく、この
工程には、洗浄、熱処理等の他の工程が付加されること
もあるし、あるいは一部工程順の入れ替え、省略等が目
的に応じて適宜行うことができるものである。
【００６８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、水素
イオン注入剥離法において、剥離後に、犠牲酸化と還元
性雰囲気下の熱処理を組み合わせて行うことにより、Ｓ
ＯＩ層に残留するダメージ層、表面粗さを、ＳＯＩ層の
膜厚均一性を維持しつつ、効率良く除去することができ
る。したがって、きわめて高品質のＳＯＩウエーハを高
生産性で製造することができる。
イオン注入剥離法において、剥離後に、犠牲酸化と還元
性雰囲気下の熱処理を組み合わせて行うことにより、Ｓ
ＯＩ層に残留するダメージ層、表面粗さを、ＳＯＩ層の
膜厚均一性を維持しつつ、効率良く除去することができ
る。したがって、きわめて高品質のＳＯＩウエーハを高
生産性で製造することができる。
【図１】（ａ）〜（ｊ）は、本発明の水素イオン注入剥
離法によるＳＯＩウエーハの製造工程の一例を示すフロ
ー図である。
離法によるＳＯＩウエーハの製造工程の一例を示すフロ
ー図である。
【図２】剥離後のＳＯＩウエーハのダメージ層を測定し
た結果図である。
た結果図である。
【図３】急速加熱・急速冷却装置の一例を示した、概略
図である。
図である。
１…ベースウエーハ、 ２…ボンドウエーハ、 ３，１
３…酸化膜、４…水素イオン注入微小気泡層（封入
層）、 ５…剥離ウエーハ、６…ＳＯＩウエーハ、 ７
…ＳＯＩ層、 ８…ダメージ層、２０…熱処理装置、
２１…ベルジャ、 ２２，２２’…加熱ヒータ、２３…
ハウジング、 ２４…水冷チャンバ、 ２５…ベースプ
レート、２６…支持軸、 ２７…ステージ、 ２８…Ｓ
ＯＩウエーハ、２９…モータ。
３…酸化膜、４…水素イオン注入微小気泡層（封入
層）、 ５…剥離ウエーハ、６…ＳＯＩウエーハ、 ７
…ＳＯＩ層、 ８…ダメージ層、２０…熱処理装置、
２１…ベルジャ、 ２２，２２’…加熱ヒータ、２３…
ハウジング、 ２４…水冷チャンバ、 ２５…ベースプ
レート、２６…支持軸、 ２７…ステージ、 ２８…Ｓ
ＯＩウエーハ、２９…モータ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 楯 直人 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越半 導体株式会社半導体磯部研究所内 (72)発明者 三谷 清 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越半 導体株式会社半導体磯部研究所内
Claims (8)
- 【請求項１】 水素イオン注入剥離法によってＳＯＩウ
エーハを製造する方法において、結合熱処理後、酸化性
雰囲気下の熱処理によりＳＯＩ層に酸化膜を形成した後
に該酸化膜を除去し、次に還元性雰囲気下の熱処理を加
えることを特徴とするＳＯＩウエーハを製造する方法。 - 【請求項２】 水素イオン注入剥離法によってＳＯＩウ
エーハを製造する方法において、剥離熱処理後、酸化性
雰囲気下の熱処理によりＳＯＩ層に酸化膜を形成した後
に該酸化膜を除去し、次に還元性雰囲気下の熱処理を加
えることを特徴とするＳＯＩウエーハを製造する方法。 - 【請求項３】 前記還元性雰囲気下の熱処理は、急速加
熱・急速冷却装置を用いて１０００〜１３００℃の温度
範囲で、１〜６０秒間行うことを特徴とする請求項１ま
たは請求項２に記載のＳＯＩウエーハを製造する方法。 - 【請求項４】 前記還元性雰囲気を、１００％水素雰囲
気、あるいは水素とアルゴンの混合雰囲気とすることを
特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記
載のＳＯＩウエーハを製造する方法。 - 【請求項５】 前記酸化性雰囲気下の熱処理によりＳＯ
Ｉ層に形成される酸化膜の厚さは、酸化膜形成前におけ
るＳＯＩ層表面のダメージ層の厚さの２倍以上とするこ
とを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項
に記載のＳＯＩウエーハを製造する方法。 - 【請求項６】 前記酸化性雰囲気下の熱処理温度は、前
記還元性雰囲気下の熱処理温度より低温とすることを特
徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載
のＳＯＩウエーハを製造する方法。 - 【請求項７】 前記酸化性雰囲気下の熱処理温度は、１
０００℃以下とすることを特徴とする請求項１ないし請
求項６のいずれか１項に記載のＳＯＩウエーハを製造す
る方法。 - 【請求項８】 請求項１ないし請求項７のいずれか１項
に記載の方法により製造されたＳＯＩウエーハ。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10314018A JP2000124092A (ja) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | 水素イオン注入剥離法によってｓｏｉウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたｓｏｉウエーハ |
| PCT/JP1999/005588 WO2000024059A1 (fr) | 1998-10-16 | 1999-10-08 | Procede de production de tranche soi utilisant un procede de separation d'implantation d'ions hydrogene et tranche soi produite a l'aide du procede |
| EP99970791.2A EP1045448B1 (en) | 1998-10-16 | 1999-10-08 | A method of fabricating soi wafer by hydrogen ion delamination method |
| US09/555,687 US6372609B1 (en) | 1998-10-16 | 1999-10-08 | Method of Fabricating SOI wafer by hydrogen ION delamination method and SOI wafer fabricated by the method |
| KR1020007006562A KR100607186B1 (ko) | 1998-10-16 | 1999-10-08 | 수소이온 주입 박리법에 의한 ｓｏｉ 웨이퍼 제조방법 및그 방법으로 제조된 ｓｏｉ 웨이퍼 |
| TW088117706A TW521314B (en) | 1998-10-16 | 1999-10-13 | Method of fabricating SOI wafer by hydrogen ion delamination method and SOI wafer fabricated by the method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10314018A JP2000124092A (ja) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | 水素イオン注入剥離法によってｓｏｉウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたｓｏｉウエーハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000124092A true JP2000124092A (ja) | 2000-04-28 |
Family
ID=18048221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10314018A Pending JP2000124092A (ja) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | 水素イオン注入剥離法によってｓｏｉウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたｓｏｉウエーハ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6372609B1 (ja) |
| EP (1) | EP1045448B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000124092A (ja) |
| KR (1) | KR100607186B1 (ja) |
| TW (1) | TW521314B (ja) |
| WO (1) | WO2000024059A1 (ja) |
Cited By (94)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6660606B2 (en) | 2000-09-29 | 2003-12-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor-on-insulator annealing method |
| JP2004247469A (ja) * | 2003-02-13 | 2004-09-02 | Seiko Epson Corp | トランジスタの製造方法及びこれを用いて製造されたトランジスタ、複合基板の製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 |
| WO2004090986A1 (ja) | 2003-04-02 | 2004-10-21 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | 貼り合わせ半導体基板およびその製造方法 |
| JP2004533726A (ja) * | 2001-06-28 | 2004-11-04 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト | 半導体材料からなるフィルムまたは層およびフィルムまたは層の製造方法 |
| JP2004535685A (ja) * | 2001-07-16 | 2004-11-25 | エス．オー．アイ．テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ | 表面状態を改善する方法 |
| JP2004538627A (ja) * | 2001-07-04 | 2004-12-24 | エス．オー．アイ．テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ | 表面しわを減少させる方法 |
| JP2005005674A (ja) * | 2003-05-21 | 2005-01-06 | Canon Inc | 基板製造方法及び基板処理装置 |
| WO2005024925A1 (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-17 | Sumco Corporation | Ｓｏｉウェーハの作製方法 |
| US6884696B2 (en) | 2001-07-17 | 2005-04-26 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for producing bonding wafer |
| JP2005533384A (ja) * | 2002-07-18 | 2005-11-04 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 電気的に活性な薄膜を移送するための方法 |
| JP2006203087A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Sumco Corp | 薄膜ｓｏｉウェーハのマイクロラフネス評価方法 |
| JP2006216807A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Sumco Corp | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
| WO2006092886A1 (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-08 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 貼り合わせウエーハの製造方法及び貼り合わせウエーハ |
| US7256104B2 (en) | 2003-05-21 | 2007-08-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate manufacturing method and substrate processing apparatus |
| JP2007527604A (ja) * | 2003-12-03 | 2007-09-27 | エス．オー．アイ．テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ | ウェハの表面粗さを改善する方法 |
| US7294539B2 (en) | 2005-03-29 | 2007-11-13 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor substrate, semiconductor device, method of manufacturing semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor device |
| US7316943B2 (en) | 2005-07-13 | 2008-01-08 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing semiconductor apparatus having drain/source on insulator |
| JP2008021992A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Soitec Silicon On Insulator Technologies | 接合界面安定化のための熱処理 |
| US7358147B2 (en) | 2004-01-08 | 2008-04-15 | Sumco Corporation | Process for producing SOI wafer |
| US7368340B2 (en) | 2005-03-08 | 2008-05-06 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of making semiconductor devices |
| US7425495B2 (en) | 2005-12-15 | 2008-09-16 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing semiconductor substrate and semiconductor device |
| US7425484B2 (en) | 2005-03-09 | 2008-09-16 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
| EP1993128A2 (en) | 2007-05-17 | 2008-11-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing soi substrate |
| US7465641B2 (en) | 2005-03-29 | 2008-12-16 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing a semiconductor device |
| EP2009687A2 (en) | 2007-06-29 | 2008-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing an SOI substrate and method of manufacturing a semiconductor device |
| EP2009694A2 (en) | 2007-06-29 | 2008-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| EP2048705A2 (en) | 2007-10-10 | 2009-04-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Manufacturing method of SOI substrate |
| CN101425454A (zh) * | 2007-10-31 | 2009-05-06 | 株式会社半导体能源研究所 | Soi衬底的制造方法 |
| US7541258B2 (en) | 2004-12-01 | 2009-06-02 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device |
| US7601601B2 (en) | 2007-05-11 | 2009-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US7638845B2 (en) | 2005-10-03 | 2009-12-29 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device with buried conductive layer |
| US7678668B2 (en) | 2007-07-04 | 2010-03-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of SOI substrate and manufacturing method of semiconductor device |
| US7750345B2 (en) | 2007-05-18 | 2010-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7767547B2 (en) | 2008-02-06 | 2010-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Manufacturing method of SOI substrate |
| US7781306B2 (en) | 2007-06-20 | 2010-08-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor substrate and method for manufacturing the same |
| US7781308B2 (en) | 2007-12-03 | 2010-08-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| US7825007B2 (en) | 2007-05-11 | 2010-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of joining a plurality of SOI substrates on a glass substrate by a heat treatment |
| US7829432B2 (en) | 2008-06-25 | 2010-11-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| US7842583B2 (en) | 2007-12-27 | 2010-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2010272853A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-12-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| US7847352B2 (en) | 2006-01-18 | 2010-12-07 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US7851318B2 (en) | 2007-11-01 | 2010-12-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing semiconductor device |
| US7855132B2 (en) | 2007-04-03 | 2010-12-21 | Sumco Corporation | Method of manufacturing bonded wafer |
| US7867877B2 (en) | 2004-01-30 | 2011-01-11 | Sumco Corporation | Method for manufacturing SOI wafer |
| US7875532B2 (en) | 2007-06-15 | 2011-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Substrate for manufacturing semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7927957B2 (en) | 2008-09-12 | 2011-04-19 | Sumco Corporation | Method for producing bonded silicon wafer |
| US7955874B2 (en) | 2008-12-25 | 2011-06-07 | Sumco Corporation | Method of producing bonded silicon wafer |
| US7982250B2 (en) | 2007-09-21 | 2011-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7989305B2 (en) | 2007-10-10 | 2011-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate using cluster ion |
| US7994022B2 (en) | 2007-10-19 | 2011-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor substrate and semiconductor device and manufacturing method of the same |
| US8003483B2 (en) | 2008-03-18 | 2011-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| JP2011193010A (ja) * | 2011-04-28 | 2011-09-29 | Hitachi Cable Ltd | 半導体ウェハ及び高周波電子デバイス用半導体ウェハ |
| US8030177B2 (en) | 2008-11-13 | 2011-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor devices using embrittled layers |
| US8044464B2 (en) | 2007-09-21 | 2011-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8053332B2 (en) | 2009-01-21 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate and semiconductor device |
| JP2011228681A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体基板の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
| JP2011228650A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体基板の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
| US8101501B2 (en) | 2007-10-10 | 2012-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| US8119490B2 (en) | 2008-02-04 | 2012-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| US8143170B2 (en) | 2009-02-13 | 2012-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| US8143134B2 (en) | 2008-10-03 | 2012-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| US8187953B2 (en) | 2008-09-05 | 2012-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing SOI substrate |
| US8232598B2 (en) | 2007-09-20 | 2012-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| US8236668B2 (en) | 2007-10-10 | 2012-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| US8247308B2 (en) | 2008-07-22 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| JP2012160713A (ja) * | 2011-01-14 | 2012-08-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｓｏｉ基板の作製方法 |
| JP2012164975A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｓｏｉ基板の作製方法 |
| JP2012169449A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| US8263476B2 (en) | 2007-07-23 | 2012-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of SOI substrate |
| US8283238B2 (en) | 2007-06-28 | 2012-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Layer transfer process for semiconductor device |
| JP2012204327A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Sen Corp | イオン注入方法及びイオン注入装置 |
| JP2012222294A (ja) * | 2011-04-13 | 2012-11-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| WO2012164822A1 (ja) | 2011-05-30 | 2012-12-06 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法及び貼り合わせｓｏｉウェーハ |
| US8329520B2 (en) | 2009-04-02 | 2012-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device using a laser annealing process |
| US8383491B2 (en) | 2008-09-29 | 2013-02-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor substrate |
| US8431451B2 (en) | 2007-06-29 | 2013-04-30 | Semicondutor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| JP2013084663A (ja) * | 2011-10-06 | 2013-05-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせｓｏｉウェーハの製造方法 |
| WO2013088636A1 (ja) | 2011-12-15 | 2013-06-20 | 信越半導体株式会社 | Ｓｏｉウェーハの製造方法 |
| US8470648B2 (en) | 2007-08-24 | 2013-06-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2013138248A (ja) * | 2000-11-06 | 2013-07-11 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | ターゲット基板に結合される少なくとも一の薄層を備えた積層構造の作製方法 |
| WO2013102968A1 (ja) | 2012-01-06 | 2013-07-11 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせｓｏｉウェーハの製造方法 |
| WO2013111242A1 (ja) | 2012-01-24 | 2013-08-01 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせｓｏｉウェーハの製造方法 |
| US8598013B2 (en) | 2007-10-10 | 2013-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate and semiconductor device |
| US8772130B2 (en) | 2011-08-23 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of SOI substrate |
| US8802534B2 (en) | 2011-06-14 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming SOI substrate and apparatus for forming the same |
| US8871610B2 (en) | 2008-10-02 | 2014-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| WO2014192207A1 (ja) | 2013-05-29 | 2014-12-04 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| US8936999B2 (en) | 2011-01-07 | 2015-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of SOI substrate |
| WO2015111383A1 (ja) | 2014-01-27 | 2015-07-30 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの洗浄槽及び貼り合わせウェーハの製造方法 |
| US9136141B2 (en) | 2010-08-05 | 2015-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor substrate |
| WO2015141121A1 (ja) * | 2014-03-18 | 2015-09-24 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| WO2016059748A1 (ja) * | 2014-10-17 | 2016-04-21 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| KR20160132017A (ko) | 2014-03-10 | 2016-11-16 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 접합 soi웨이퍼의 제조방법 |
| JP2017005201A (ja) * | 2015-06-15 | 2017-01-05 | 信越半導体株式会社 | Ｓｏｉウェーハの製造方法 |
Families Citing this family (178)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0989593A3 (en) * | 1998-09-25 | 2002-01-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate separating apparatus and method, and substrate manufacturing method |
| TW484184B (en) | 1998-11-06 | 2002-04-21 | Canon Kk | Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method |
| JP2000150836A (ja) | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Canon Inc | 試料の処理システム |
| US6672358B2 (en) | 1998-11-06 | 2004-01-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Sample processing system |
| JP3975634B2 (ja) * | 2000-01-25 | 2007-09-12 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェハの製作法 |
| WO2002015244A2 (en) * | 2000-08-16 | 2002-02-21 | Massachusetts Institute Of Technology | Process for producing semiconductor article using graded expitaxial growth |
| US6808956B2 (en) | 2000-12-27 | 2004-10-26 | Honeywell International Inc. | Thin micromachined structures |
| US6582985B2 (en) * | 2000-12-27 | 2003-06-24 | Honeywell International Inc. | SOI/glass process for forming thin silicon micromachined structures |
| JP4304879B2 (ja) * | 2001-04-06 | 2009-07-29 | 信越半導体株式会社 | 水素イオンまたは希ガスイオンの注入量の決定方法 |
| US6734762B2 (en) | 2001-04-09 | 2004-05-11 | Motorola, Inc. | MEMS resonators and method for manufacturing MEMS resonators |
| DE10124038A1 (de) | 2001-05-16 | 2002-11-21 | Atmel Germany Gmbh | Verfahren zur Herstellung vergrabener Bereiche |
| DE10124032B4 (de) | 2001-05-16 | 2011-02-17 | Telefunken Semiconductors Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung von Bauelementen auf einem SOI-Wafer |
| DE10124030A1 (de) | 2001-05-16 | 2002-11-21 | Atmel Germany Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Wafers |
| US6912330B2 (en) * | 2001-05-17 | 2005-06-28 | Sioptical Inc. | Integrated optical/electronic circuits and associated methods of simultaneous generation thereof |
| US7045878B2 (en) | 2001-05-18 | 2006-05-16 | Reveo, Inc. | Selectively bonded thin film layer and substrate layer for processing of useful devices |
| US6956268B2 (en) | 2001-05-18 | 2005-10-18 | Reveo, Inc. | MEMS and method of manufacturing MEMS |
| JP2002353423A (ja) | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Canon Inc | 板部材の分離装置及び処理方法 |
| JP2002353081A (ja) | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Canon Inc | 板部材の分離装置及び分離方法 |
| US7749910B2 (en) * | 2001-07-04 | 2010-07-06 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Method of reducing the surface roughness of a semiconductor wafer |
| US7883628B2 (en) * | 2001-07-04 | 2011-02-08 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Method of reducing the surface roughness of a semiconductor wafer |
| US7163826B2 (en) | 2001-09-12 | 2007-01-16 | Reveo, Inc | Method of fabricating multi layer devices on buried oxide layer substrates |
| US6875671B2 (en) | 2001-09-12 | 2005-04-05 | Reveo, Inc. | Method of fabricating vertical integrated circuits |
| JP2003095798A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-03 | Hoya Corp | 単結晶基板の製造方法 |
| WO2003038884A2 (en) * | 2001-10-29 | 2003-05-08 | Analog Devices Inc. | A method for bonding a pair of silicon wafers together and a semiconductor wafer |
| US7052974B2 (en) * | 2001-12-04 | 2006-05-30 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Bonded wafer and method of producing bonded wafer |
| FR2834820B1 (fr) * | 2002-01-16 | 2005-03-18 | Procede de clivage de couches d'une tranche de materiau | |
| US6784071B2 (en) * | 2003-01-31 | 2004-08-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Bonded SOI wafer with <100> device layer and <110> substrate for performance improvement |
| AU2003222003A1 (en) * | 2002-03-14 | 2003-09-29 | Amberwave Systems Corporation | Methods for fabricating strained layers on semiconductor substrates |
| US6995430B2 (en) | 2002-06-07 | 2006-02-07 | Amberwave Systems Corporation | Strained-semiconductor-on-insulator device structures |
| US7335545B2 (en) * | 2002-06-07 | 2008-02-26 | Amberwave Systems Corporation | Control of strain in device layers by prevention of relaxation |
| US20030227057A1 (en) * | 2002-06-07 | 2003-12-11 | Lochtefeld Anthony J. | Strained-semiconductor-on-insulator device structures |
| US7074623B2 (en) * | 2002-06-07 | 2006-07-11 | Amberwave Systems Corporation | Methods of forming strained-semiconductor-on-insulator finFET device structures |
| US7307273B2 (en) * | 2002-06-07 | 2007-12-11 | Amberwave Systems Corporation | Control of strain in device layers by selective relaxation |
| US6794227B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-09-21 | Seh America, Inc. | Method of producing an SOI wafer |
| US6953736B2 (en) | 2002-07-09 | 2005-10-11 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. | Process for transferring a layer of strained semiconductor material |
| US6767474B2 (en) * | 2002-07-19 | 2004-07-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid ejector head having a planar passivation layer |
| KR100465527B1 (ko) * | 2002-11-21 | 2005-01-13 | 주식회사 실트론 | Ｓｏｉ 웨이퍼의 결함 제거 및 표면 경면화 방법 |
| JP4407127B2 (ja) * | 2003-01-10 | 2010-02-03 | 信越半導体株式会社 | Ｓｏｉウエーハの製造方法 |
| US6875656B2 (en) * | 2003-05-22 | 2005-04-05 | Texas Instruments Incorporated | Method for improving silicon-on-insulator (SOI) film uniformity on a semiconductor wafer |
| FR2856841A1 (fr) * | 2003-06-24 | 2004-12-31 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une structure empilee par transfert de couche mince. |
| FR2858462B1 (fr) * | 2003-07-29 | 2005-12-09 | Soitec Silicon On Insulator | Procede d'obtention d'une couche mince de qualite accrue par co-implantation et recuit thermique |
| KR20060030911A (ko) * | 2003-07-29 | 2006-04-11 | 에스. 오. 이. 떼끄 씰리꽁 오 냉쉴라또흐 떼끄놀로지 | 공동-임플란트 및 열적 아닐링에 의한 개선된 품질의 박층제조방법 |
| FR2858715B1 (fr) * | 2003-08-04 | 2005-12-30 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de detachement de couche de semiconducteur |
| WO2005024918A1 (ja) * | 2003-09-08 | 2005-03-17 | Sumco Corporation | Ｓｏｉウェーハおよびその製造方法 |
| US7910218B2 (en) | 2003-10-22 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings |
| KR100970075B1 (ko) * | 2003-10-24 | 2010-07-16 | 두산인프라코어 주식회사 | 건설중장비의 조향장치 |
| US7031564B2 (en) * | 2003-11-05 | 2006-04-18 | Tyler Sims | Heat transfer structures |
| US7672558B2 (en) * | 2004-01-12 | 2010-03-02 | Honeywell International, Inc. | Silicon optical device |
| US7217584B2 (en) * | 2004-03-18 | 2007-05-15 | Honeywell International Inc. | Bonded thin-film structures for optical modulators and methods of manufacture |
| US7149388B2 (en) * | 2004-03-18 | 2006-12-12 | Honeywell International, Inc. | Low loss contact structures for silicon based optical modulators and methods of manufacture |
| US7177489B2 (en) * | 2004-03-18 | 2007-02-13 | Honeywell International, Inc. | Silicon-insulator-silicon thin-film structures for optical modulators and methods of manufacture |
| US20050214989A1 (en) * | 2004-03-29 | 2005-09-29 | Honeywell International Inc. | Silicon optoelectronic device |
| FR2874454B1 (fr) | 2004-08-19 | 2006-11-24 | Commissariat Energie Atomique | Element en couches minces et procede de fabrication associe |
| US7670436B2 (en) | 2004-11-03 | 2010-03-02 | Applied Materials, Inc. | Support ring assembly |
| US7402520B2 (en) * | 2004-11-26 | 2008-07-22 | Applied Materials, Inc. | Edge removal of silicon-on-insulator transfer wafer |
| US7393733B2 (en) | 2004-12-01 | 2008-07-01 | Amberwave Systems Corporation | Methods of forming hybrid fin field-effect transistor structures |
| US7659206B2 (en) * | 2005-01-18 | 2010-02-09 | Applied Materials, Inc. | Removal of silicon oxycarbide from substrates |
| US7208325B2 (en) * | 2005-01-18 | 2007-04-24 | Applied Materials, Inc. | Refreshing wafers having low-k dielectric materials |
| US7344957B2 (en) * | 2005-01-19 | 2008-03-18 | Texas Instruments Incorporated | SOI wafer with cooling channels and a method of manufacture thereof |
| US7884432B2 (en) * | 2005-03-22 | 2011-02-08 | Ametek, Inc. | Apparatus and methods for shielding integrated circuitry |
| US7244630B2 (en) * | 2005-04-05 | 2007-07-17 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | A1InGaP LED having reduced temperature dependence |
| EP1868230B1 (en) * | 2005-04-06 | 2013-10-23 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Manufacting method of soi wafer and soi wafer manufactured by this method |
| US8617672B2 (en) | 2005-07-13 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Localized surface annealing of components for substrate processing chambers |
| US7762114B2 (en) * | 2005-09-09 | 2010-07-27 | Applied Materials, Inc. | Flow-formed chamber component having a textured surface |
| US20070069225A1 (en) * | 2005-09-27 | 2007-03-29 | Lumileds Lighting U.S., Llc | III-V light emitting device |
| US8334155B2 (en) * | 2005-09-27 | 2012-12-18 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Substrate for growing a III-V light emitting device |
| US9127362B2 (en) * | 2005-10-31 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Process kit and target for substrate processing chamber |
| US20070101927A1 (en) * | 2005-11-10 | 2007-05-10 | Honeywell International Inc. | Silicon based optical waveguide structures and methods of manufacture |
| US7362443B2 (en) | 2005-11-17 | 2008-04-22 | Honeywell International Inc. | Optical gyro with free space resonator and method for sensing inertial rotation rate |
| US8647484B2 (en) * | 2005-11-25 | 2014-02-11 | Applied Materials, Inc. | Target for sputtering chamber |
| US7463360B2 (en) * | 2006-04-18 | 2008-12-09 | Honeywell International Inc. | Optical resonator gyro with integrated external cavity beam generator |
| US20070274655A1 (en) * | 2006-04-26 | 2007-11-29 | Honeywell International Inc. | Low-loss optical device structure |
| US7454102B2 (en) | 2006-04-26 | 2008-11-18 | Honeywell International Inc. | Optical coupling structure |
| US7535576B2 (en) * | 2006-05-15 | 2009-05-19 | Honeywell International, Inc. | Integrated optical rotation sensor and method for sensing rotation rate |
| US20070283884A1 (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Applied Materials, Inc. | Ring assembly for substrate processing chamber |
| KR100831447B1 (ko) * | 2006-07-03 | 2008-05-21 | 에스. 오. 이. 떼끄 씰리꽁 오 냉쉴라또흐 떼끄놀로지 | 반도체 웨이퍼의 표면 거칠기 개선 방법 |
| JP2008016534A (ja) * | 2006-07-04 | 2008-01-24 | Sumco Corp | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| JP2008028070A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Sumco Corp | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| JP5231449B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2013-07-10 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 平滑なウェハの製造方法 |
| US7981262B2 (en) * | 2007-01-29 | 2011-07-19 | Applied Materials, Inc. | Process kit for substrate processing chamber |
| JP2008211164A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体発光装置及びその製造方法 |
| FR2912258B1 (fr) | 2007-02-01 | 2009-05-08 | Soitec Silicon On Insulator | "procede de fabrication d'un substrat du type silicium sur isolant" |
| FR2912259B1 (fr) * | 2007-02-01 | 2009-06-05 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'un substrat du type "silicium sur isolant". |
| US8083963B2 (en) * | 2007-02-08 | 2011-12-27 | Applied Materials, Inc. | Removal of process residues on the backside of a substrate |
| WO2008123117A1 (en) * | 2007-03-26 | 2008-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Soi substrate and method for manufacturing soi substrate |
| WO2008123116A1 (en) | 2007-03-26 | 2008-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Soi substrate and method for manufacturing soi substrate |
| CN101281912B (zh) * | 2007-04-03 | 2013-01-23 | 株式会社半导体能源研究所 | Soi衬底及其制造方法以及半导体装置 |
| US7875881B2 (en) * | 2007-04-03 | 2011-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device |
| EP1978554A3 (en) | 2007-04-06 | 2011-10-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor substrate comprising implantation and separation steps |
| SG178762A1 (en) * | 2007-04-13 | 2012-03-29 | Semiconductor Energy Lab | Display device, method for manufacturing display device, and soi substrate |
| KR101447048B1 (ko) * | 2007-04-20 | 2014-10-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Ｓｏｉ 기판 및 반도체장치의 제조방법 |
| KR101440930B1 (ko) * | 2007-04-20 | 2014-09-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Ｓｏｉ 기판의 제작방법 |
| US7767542B2 (en) * | 2007-04-20 | 2010-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Manufacturing method of SOI substrate |
| KR101436116B1 (ko) * | 2007-04-27 | 2014-09-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Ｓｏｉ 기판 및 그 제조 방법, 및 반도체 장치 |
| US8119501B2 (en) * | 2007-05-17 | 2012-02-21 | Agere Systems Inc. | Method for separating a semiconductor wafer into individual semiconductor dies using an implanted impurity |
| US7851804B2 (en) * | 2007-05-17 | 2010-12-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| EP1993127B1 (en) * | 2007-05-18 | 2013-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of SOI substrate |
| KR101634970B1 (ko) * | 2007-05-18 | 2016-06-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법 |
| US9059247B2 (en) * | 2007-05-18 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate and method for manufacturing semiconductor device |
| US8513678B2 (en) | 2007-05-18 | 2013-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| EP1993126B1 (en) * | 2007-05-18 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing methods of semiconductor substrate |
| KR101400699B1 (ko) * | 2007-05-18 | 2014-05-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기판 및 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| US7942969B2 (en) | 2007-05-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
| CN101681807B (zh) * | 2007-06-01 | 2012-03-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件的制造方法 |
| JP5459899B2 (ja) * | 2007-06-01 | 2014-04-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US7776718B2 (en) * | 2007-06-25 | 2010-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor substrate with reduced gap size between single-crystalline layers |
| KR101484296B1 (ko) | 2007-06-26 | 2015-01-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기판의 제작방법 |
| US7807520B2 (en) * | 2007-06-29 | 2010-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP5498670B2 (ja) * | 2007-07-13 | 2014-05-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体基板の作製方法 |
| JP5135935B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2013-02-06 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウエーハの製造方法 |
| US7795114B2 (en) * | 2007-08-10 | 2010-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing methods of SOI substrate and semiconductor device |
| US8114722B2 (en) * | 2007-08-24 | 2012-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP5367330B2 (ja) * | 2007-09-14 | 2013-12-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Ｓｏｉ基板の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
| JP5463017B2 (ja) * | 2007-09-21 | 2014-04-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 基板の作製方法 |
| US8067793B2 (en) | 2007-09-27 | 2011-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including storage capacitor with yttrium oxide capacitor dielectric |
| JP2009135430A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| US7955950B2 (en) * | 2007-10-18 | 2011-06-07 | International Business Machines Corporation | Semiconductor-on-insulator substrate with a diffusion barrier |
| JP5248838B2 (ja) * | 2007-10-25 | 2013-07-31 | 信越化学工業株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
| WO2009057669A1 (en) * | 2007-11-01 | 2009-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing photoelectric conversion device |
| US8163628B2 (en) * | 2007-11-01 | 2012-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor substrate |
| JP5548351B2 (ja) * | 2007-11-01 | 2014-07-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US7816234B2 (en) * | 2007-11-05 | 2010-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP5248994B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2013-07-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換装置の製造方法 |
| JP5248995B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2013-07-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換装置の製造方法 |
| US7863169B2 (en) * | 2007-11-30 | 2011-01-04 | International Business Machines Corporation | Lithography for printing constant line width features |
| JP5464843B2 (ja) * | 2007-12-03 | 2014-04-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Ｓｏｉ基板の作製方法 |
| JP5572307B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2014-08-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換装置の製造方法 |
| US20090179160A1 (en) * | 2008-01-16 | 2009-07-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor substrate manufacturing apparatus |
| JP5404064B2 (ja) | 2008-01-16 | 2014-01-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レーザ処理装置、および半導体基板の作製方法 |
| JP5503876B2 (ja) * | 2008-01-24 | 2014-05-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体基板の製造方法 |
| US7820527B2 (en) * | 2008-02-20 | 2010-10-26 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Cleave initiation using varying ion implant dose |
| KR20090101119A (ko) * | 2008-03-21 | 2009-09-24 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | Ｓｏｉ 웨이퍼의 제조 방법 |
| JP2009260313A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-11-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｓｏｉ基板の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
| JP2009260315A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-11-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｓｏｉ基板の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
| JP5654206B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2015-01-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Ｓｏｉ基板の作製方法及び該ｓｏｉ基板を用いた半導体装置 |
| EP2105957A3 (en) * | 2008-03-26 | 2011-01-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing soi substrate and method for manufacturing semiconductor device |
| US8278713B2 (en) | 2008-03-28 | 2012-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US7939389B2 (en) | 2008-04-18 | 2011-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US7956415B2 (en) | 2008-06-05 | 2011-06-07 | International Business Machines Corporation | SOI transistor having a carrier recombination structure in a body |
| US7951656B2 (en) * | 2008-06-06 | 2011-05-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP5452590B2 (ja) * | 2008-06-20 | 2014-03-26 | 天錫 李 | 薄膜製造方法 |
| US8338218B2 (en) * | 2008-06-26 | 2012-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device module and manufacturing method of the photoelectric conversion device module |
| CN102099894B (zh) | 2008-08-27 | 2014-04-16 | S.O.I.Tec绝缘体上硅技术公司 | 制造半导体结构或使用具有选择或受控晶格参数的半导体材料层的器件的方法 |
| FR2935538B1 (fr) * | 2008-09-01 | 2010-12-24 | Commissariat Energie Atomique | Substrat pour composant electronique ou electromecanique et nanoelements. |
| JP5580010B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2014-08-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| SG160310A1 (en) * | 2008-10-02 | 2010-04-29 | Semiconductor Energy Lab | Manufacturing method of semiconductor substrate and semiconductor device |
| US8741740B2 (en) * | 2008-10-02 | 2014-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| JP2010114431A (ja) | 2008-10-10 | 2010-05-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｓｏｉ基板の作製方法 |
| CN102292810A (zh) * | 2008-11-26 | 2011-12-21 | Memc电子材料有限公司 | 用于处理绝缘体上硅结构的方法 |
| US8278167B2 (en) * | 2008-12-18 | 2012-10-02 | Micron Technology, Inc. | Method and structure for integrating capacitor-less memory cell with logic |
| US7927975B2 (en) | 2009-02-04 | 2011-04-19 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor material manufacture |
| FR2942073B1 (fr) * | 2009-02-10 | 2011-04-29 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de realisation d'une couche de cavites |
| US8048773B2 (en) * | 2009-03-24 | 2011-11-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| US20110089429A1 (en) * | 2009-07-23 | 2011-04-21 | Venkatraman Prabhakar | Systems, methods and materials involving crystallization of substrates using a seed layer, as well as products produced by such processes |
| US8361890B2 (en) * | 2009-07-28 | 2013-01-29 | Gigasi Solar, Inc. | Systems, methods and materials including crystallization of substrates via sub-melt laser anneal, as well as products produced by such processes |
| WO2011020124A2 (en) * | 2009-08-14 | 2011-02-17 | Gigasi Solar, Inc. | Backside only contact thin-film solar cells and devices, systems and methods of fabricating same, and products produced by processes thereof |
| US8318588B2 (en) * | 2009-08-25 | 2012-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for reprocessing semiconductor substrate, method for manufacturing reprocessed semiconductor substrate, and method for manufacturing SOI substrate |
| JP5713603B2 (ja) * | 2009-09-02 | 2015-05-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Ｓｏｉ基板の作製方法 |
| US8956951B2 (en) | 2009-09-04 | 2015-02-17 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI wafer |
| WO2011043178A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Reprocessing method of semiconductor substrate, manufacturing method of reprocessed semiconductor substrate, and manufacturing method of soi substrate |
| US8314018B2 (en) * | 2009-10-15 | 2012-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| WO2011061580A1 (en) | 2009-11-18 | 2011-05-26 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Methods of fabricating semiconductor structures and devices using glass bonding layers, and semiconductor structures and devices formed by such methods |
| JP5706670B2 (ja) | 2009-11-24 | 2015-04-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Ｓｏｉ基板の作製方法 |
| WO2011066485A2 (en) * | 2009-11-25 | 2011-06-03 | Gigasi Solar, Inc. | Systems, methods and products including features of laser irradiation and/or cleaving of silicon with other substrates or layers |
| US8288249B2 (en) * | 2010-01-26 | 2012-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| JP5926887B2 (ja) * | 2010-02-03 | 2016-05-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Ｓｏｉ基板の作製方法 |
| US8652925B2 (en) | 2010-07-19 | 2014-02-18 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating isolated capacitors and structure thereof |
| US8395213B2 (en) | 2010-08-27 | 2013-03-12 | Acorn Technologies, Inc. | Strained semiconductor using elastic edge relaxation of a stressor combined with buried insulating layer |
| TWI500118B (zh) | 2010-11-12 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體基底之製造方法 |
| US9123529B2 (en) | 2011-06-21 | 2015-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for reprocessing semiconductor substrate, method for manufacturing reprocessed semiconductor substrate, and method for manufacturing SOI substrate |
| CN103258716B (zh) | 2012-02-16 | 2016-03-09 | 财团法人工业技术研究院 | 制作具有织化表面的半导体层的方法、制作太阳能电池的方法 |
| US8895347B2 (en) | 2012-02-16 | 2014-11-25 | Industrial Technology Research Institute | Method for fabricating semiconductor layer having textured surface and method for fabricating solar cell |
| US9532150B2 (en) | 2013-03-05 | 2016-12-27 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Eardrum supported nanomembrane transducer |
| US9202711B2 (en) * | 2013-03-14 | 2015-12-01 | Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) | Semiconductor-on-insulator wafer manufacturing method for reducing light point defects and surface roughness |
| FR3032555B1 (fr) * | 2015-02-10 | 2018-01-19 | Soitec | Procede de report d'une couche utile |
| CN106601615B (zh) * | 2016-12-27 | 2020-05-15 | 上海新傲科技股份有限公司 | 提高键合强度的退火方法 |
| US10715939B2 (en) | 2018-09-13 | 2020-07-14 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Eardrum transducer with nanoscale membrane |
| WO2023049172A1 (en) | 2021-09-22 | 2023-03-30 | Acorn Semi, Llc | MULTI-FINGER RF nFET HAVING BURIED STRESSOR LAYER AND ISOLATION TRENCHES BETWEEN GATES |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03109731A (ja) * | 1989-09-25 | 1991-05-09 | Seiko Instr Inc | 半導体基板の製造方法 |
| JPH04115511A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Fujitsu Ltd | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
| TW211621B (ja) * | 1991-07-31 | 1993-08-21 | Canon Kk | |
| DE69334324D1 (de) * | 1992-01-30 | 2010-05-06 | Canon Kk | Herstellungsverfahren für Halbleitersubstrat |
| JP3237888B2 (ja) * | 1992-01-31 | 2001-12-10 | キヤノン株式会社 | 半導体基体及びその作製方法 |
| JPH07183477A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Nec Corp | 半導体基板の製造方法 |
| JPH09260620A (ja) | 1996-03-25 | 1997-10-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 結合ウエーハの製造方法およびこの方法で製造される結合ウエーハ |
| SG65697A1 (en) * | 1996-11-15 | 1999-06-22 | Canon Kk | Process for producing semiconductor article |
| JP3257624B2 (ja) | 1996-11-15 | 2002-02-18 | キヤノン株式会社 | 半導体部材の製造方法 |
| ATE261612T1 (de) * | 1996-12-18 | 2004-03-15 | Canon Kk | Vefahren zum herstellen eines halbleiterartikels unter verwendung eines substrates mit einer porösen halbleiterschicht |
| JPH10275905A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ |
-
1998
- 1998-10-16 JP JP10314018A patent/JP2000124092A/ja active Pending
-
1999
- 1999-10-08 KR KR1020007006562A patent/KR100607186B1/ko active IP Right Grant
- 1999-10-08 WO PCT/JP1999/005588 patent/WO2000024059A1/ja active IP Right Grant
- 1999-10-08 US US09/555,687 patent/US6372609B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-10-08 EP EP99970791.2A patent/EP1045448B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-10-13 TW TW088117706A patent/TW521314B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (148)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6660606B2 (en) | 2000-09-29 | 2003-12-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor-on-insulator annealing method |
| JP2013138248A (ja) * | 2000-11-06 | 2013-07-11 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | ターゲット基板に結合される少なくとも一の薄層を備えた積層構造の作製方法 |
| JP2004533726A (ja) * | 2001-06-28 | 2004-11-04 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト | 半導体材料からなるフィルムまたは層およびフィルムまたは層の製造方法 |
| JP2004538627A (ja) * | 2001-07-04 | 2004-12-24 | エス．オー．アイ．テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ | 表面しわを減少させる方法 |
| JP2004535685A (ja) * | 2001-07-16 | 2004-11-25 | エス．オー．アイ．テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ | 表面状態を改善する方法 |
| US6884696B2 (en) | 2001-07-17 | 2005-04-26 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for producing bonding wafer |
| JP2005533384A (ja) * | 2002-07-18 | 2005-11-04 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 電気的に活性な薄膜を移送するための方法 |
| JP2004247469A (ja) * | 2003-02-13 | 2004-09-02 | Seiko Epson Corp | トランジスタの製造方法及びこれを用いて製造されたトランジスタ、複合基板の製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 |
| JP4556378B2 (ja) * | 2003-02-13 | 2010-10-06 | セイコーエプソン株式会社 | トランジスタの製造方法及び複合基板の製造方法 |
| JP4509488B2 (ja) * | 2003-04-02 | 2010-07-21 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 貼り合わせ基板の製造方法 |
| JP2004311526A (ja) * | 2003-04-02 | 2004-11-04 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体基板およびその製造方法 |
| US7491342B2 (en) | 2003-04-02 | 2009-02-17 | Sumco Corporation | Bonded semiconductor substrate manufacturing method thereof |
| WO2004090986A1 (ja) | 2003-04-02 | 2004-10-21 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | 貼り合わせ半導体基板およびその製造方法 |
| JP2005005674A (ja) * | 2003-05-21 | 2005-01-06 | Canon Inc | 基板製造方法及び基板処理装置 |
| US7256104B2 (en) | 2003-05-21 | 2007-08-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate manufacturing method and substrate processing apparatus |
| JP4552856B2 (ja) * | 2003-09-05 | 2010-09-29 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | Ｓｏｉウェーハの作製方法 |
| JPWO2005024925A1 (ja) * | 2003-09-05 | 2007-11-08 | 株式会社Sumco | Ｓｏｉウェーハの作製方法 |
| WO2005024925A1 (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-17 | Sumco Corporation | Ｓｏｉウェーハの作製方法 |
| US7563697B2 (en) | 2003-09-05 | 2009-07-21 | Sumco Corporation | Method for producing SOI wafer |
| JP2007527604A (ja) * | 2003-12-03 | 2007-09-27 | エス．オー．アイ．テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ | ウェハの表面粗さを改善する方法 |
| JP4694372B2 (ja) * | 2003-12-03 | 2011-06-08 | エス．オー．アイ．テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ | ウェハの表面粗さを改善する方法 |
| US7358147B2 (en) | 2004-01-08 | 2008-04-15 | Sumco Corporation | Process for producing SOI wafer |
| US7867877B2 (en) | 2004-01-30 | 2011-01-11 | Sumco Corporation | Method for manufacturing SOI wafer |
| US7541258B2 (en) | 2004-12-01 | 2009-06-02 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device |
| JP2006203087A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Sumco Corp | 薄膜ｓｏｉウェーハのマイクロラフネス評価方法 |
| JP2006216807A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Sumco Corp | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
| WO2006092886A1 (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-08 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 貼り合わせウエーハの製造方法及び貼り合わせウエーハ |
| US7368340B2 (en) | 2005-03-08 | 2008-05-06 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of making semiconductor devices |
| US7425484B2 (en) | 2005-03-09 | 2008-09-16 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
| US7465641B2 (en) | 2005-03-29 | 2008-12-16 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US7294539B2 (en) | 2005-03-29 | 2007-11-13 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor substrate, semiconductor device, method of manufacturing semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor device |
| US7316943B2 (en) | 2005-07-13 | 2008-01-08 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing semiconductor apparatus having drain/source on insulator |
| US7638845B2 (en) | 2005-10-03 | 2009-12-29 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device with buried conductive layer |
| US7425495B2 (en) | 2005-12-15 | 2008-09-16 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing semiconductor substrate and semiconductor device |
| US7847352B2 (en) | 2006-01-18 | 2010-12-07 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US8216916B2 (en) | 2006-07-13 | 2012-07-10 | S.O.I. Tec Silicon On Insulator Technologies | Treatment for bonding interface stabilization |
| US8461018B2 (en) | 2006-07-13 | 2013-06-11 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Treatment for bonding interface stabilization |
| JP2008021992A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Soitec Silicon On Insulator Technologies | 接合界面安定化のための熱処理 |
| US7855132B2 (en) | 2007-04-03 | 2010-12-21 | Sumco Corporation | Method of manufacturing bonded wafer |
| US7902041B2 (en) | 2007-05-11 | 2011-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US7825007B2 (en) | 2007-05-11 | 2010-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of joining a plurality of SOI substrates on a glass substrate by a heat treatment |
| US8629433B2 (en) | 2007-05-11 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US7601601B2 (en) | 2007-05-11 | 2009-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8030174B2 (en) | 2007-05-17 | 2011-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| US7666757B2 (en) | 2007-05-17 | 2010-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| EP1993128A2 (en) | 2007-05-17 | 2008-11-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing soi substrate |
| US7750345B2 (en) | 2007-05-18 | 2010-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7875532B2 (en) | 2007-06-15 | 2011-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Substrate for manufacturing semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8390067B2 (en) | 2007-06-15 | 2013-03-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Substrate for manufacturing semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8912624B2 (en) | 2007-06-20 | 2014-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor substrate and method for manufacturing the same |
| US7781306B2 (en) | 2007-06-20 | 2010-08-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor substrate and method for manufacturing the same |
| US8283238B2 (en) | 2007-06-28 | 2012-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Layer transfer process for semiconductor device |
| US8324077B2 (en) | 2007-06-29 | 2012-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8361873B2 (en) | 2007-06-29 | 2013-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing an SOI substrate and method of manufacturing a semiconductor device |
| US7915684B2 (en) | 2007-06-29 | 2011-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7727846B2 (en) | 2007-06-29 | 2010-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Method of manufacturing an SOI substrate and method of manufacturing a semiconductor device |
| US8431451B2 (en) | 2007-06-29 | 2013-04-30 | Semicondutor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| EP2009687A2 (en) | 2007-06-29 | 2008-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing an SOI substrate and method of manufacturing a semiconductor device |
| EP2009694A2 (en) | 2007-06-29 | 2008-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7678668B2 (en) | 2007-07-04 | 2010-03-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of SOI substrate and manufacturing method of semiconductor device |
| US8263476B2 (en) | 2007-07-23 | 2012-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of SOI substrate |
| US8470648B2 (en) | 2007-08-24 | 2013-06-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8232598B2 (en) | 2007-09-20 | 2012-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| US8044464B2 (en) | 2007-09-21 | 2011-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7982250B2 (en) | 2007-09-21 | 2011-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8581309B2 (en) | 2007-09-21 | 2013-11-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7989305B2 (en) | 2007-10-10 | 2011-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate using cluster ion |
| US8598013B2 (en) | 2007-10-10 | 2013-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate and semiconductor device |
| US8236668B2 (en) | 2007-10-10 | 2012-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| EP2048705A2 (en) | 2007-10-10 | 2009-04-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Manufacturing method of SOI substrate |
| US8409966B2 (en) | 2007-10-10 | 2013-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| US8101501B2 (en) | 2007-10-10 | 2012-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| US8828844B2 (en) | 2007-10-10 | 2014-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of SOI substrate |
| US7994022B2 (en) | 2007-10-19 | 2011-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor substrate and semiconductor device and manufacturing method of the same |
| US8227866B2 (en) | 2007-10-19 | 2012-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor substrate and semiconductor device and manufacturing method of the same |
| US8207045B2 (en) | 2007-10-31 | 2012-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| CN101425454A (zh) * | 2007-10-31 | 2009-05-06 | 株式会社半导体能源研究所 | Soi衬底的制造方法 |
| US9837300B2 (en) | 2007-10-31 | 2017-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| US7696058B2 (en) | 2007-10-31 | 2010-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| US7851318B2 (en) | 2007-11-01 | 2010-12-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing semiconductor device |
| US8481393B2 (en) | 2007-11-01 | 2013-07-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing semiconductor device |
| CN101937861A (zh) * | 2007-11-01 | 2011-01-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法 |
| US7781308B2 (en) | 2007-12-03 | 2010-08-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| US7842583B2 (en) | 2007-12-27 | 2010-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device |
| US8119490B2 (en) | 2008-02-04 | 2012-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| US7939426B2 (en) | 2008-02-06 | 2011-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of SOI substrate |
| US7767547B2 (en) | 2008-02-06 | 2010-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Manufacturing method of SOI substrate |
| US8003483B2 (en) | 2008-03-18 | 2011-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| US8383487B2 (en) | 2008-03-18 | 2013-02-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| US7829432B2 (en) | 2008-06-25 | 2010-11-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| US8198173B2 (en) | 2008-06-25 | 2012-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| US8247308B2 (en) | 2008-07-22 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| US8187953B2 (en) | 2008-09-05 | 2012-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing SOI substrate |
| US7927957B2 (en) | 2008-09-12 | 2011-04-19 | Sumco Corporation | Method for producing bonded silicon wafer |
| US8383491B2 (en) | 2008-09-29 | 2013-02-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor substrate |
| US8871610B2 (en) | 2008-10-02 | 2014-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| US8143134B2 (en) | 2008-10-03 | 2012-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| US8658508B2 (en) | 2008-10-03 | 2014-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| US8030177B2 (en) | 2008-11-13 | 2011-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor devices using embrittled layers |
| US7955874B2 (en) | 2008-12-25 | 2011-06-07 | Sumco Corporation | Method of producing bonded silicon wafer |
| US8053332B2 (en) | 2009-01-21 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate and semiconductor device |
| US8338270B2 (en) | 2009-01-21 | 2012-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate and semiconductor device |
| US8143170B2 (en) | 2009-02-13 | 2012-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| US8329520B2 (en) | 2009-04-02 | 2012-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device using a laser annealing process |
| JP2010272853A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-12-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| US8324084B2 (en) | 2010-03-31 | 2012-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device |
| JP2011228650A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体基板の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
| US8445358B2 (en) | 2010-03-31 | 2013-05-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2011228681A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体基板の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
| US9136141B2 (en) | 2010-08-05 | 2015-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor substrate |
| US8936999B2 (en) | 2011-01-07 | 2015-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of SOI substrate |
| JP2012160713A (ja) * | 2011-01-14 | 2012-08-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｓｏｉ基板の作製方法 |
| US8877607B2 (en) | 2011-01-14 | 2014-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| JP2012164975A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｓｏｉ基板の作製方法 |
| US8735263B2 (en) | 2011-01-21 | 2014-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| JP2012169449A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| JP2012204327A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Sen Corp | イオン注入方法及びイオン注入装置 |
| JP2012222294A (ja) * | 2011-04-13 | 2012-11-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| JP2011193010A (ja) * | 2011-04-28 | 2011-09-29 | Hitachi Cable Ltd | 半導体ウェハ及び高周波電子デバイス用半導体ウェハ |
| WO2012164822A1 (ja) | 2011-05-30 | 2012-12-06 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法及び貼り合わせｓｏｉウェーハ |
| US8987109B2 (en) | 2011-05-30 | 2015-03-24 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing bonded wafer and bonded SOI wafer |
| US8802534B2 (en) | 2011-06-14 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming SOI substrate and apparatus for forming the same |
| US8772130B2 (en) | 2011-08-23 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of SOI substrate |
| JP2013084663A (ja) * | 2011-10-06 | 2013-05-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせｓｏｉウェーハの製造方法 |
| US9240344B2 (en) | 2011-12-15 | 2016-01-19 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI wafer |
| WO2013088636A1 (ja) | 2011-12-15 | 2013-06-20 | 信越半導体株式会社 | Ｓｏｉウェーハの製造方法 |
| US9076840B2 (en) | 2012-01-06 | 2015-07-07 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing a bonded SOI wafer |
| WO2013102968A1 (ja) | 2012-01-06 | 2013-07-11 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせｓｏｉウェーハの製造方法 |
| WO2013111242A1 (ja) | 2012-01-24 | 2013-08-01 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせｓｏｉウェーハの製造方法 |
| US9093497B2 (en) | 2012-01-24 | 2015-07-28 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing bonded SOI wafer |
| JP2013153016A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせｓｏｉウェーハの製造方法 |
| WO2014192207A1 (ja) | 2013-05-29 | 2014-12-04 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| JP2014232806A (ja) * | 2013-05-29 | 2014-12-11 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| KR20160013037A (ko) | 2013-05-29 | 2016-02-03 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 접합 웨이퍼의 제조방법 |
| WO2015111383A1 (ja) | 2014-01-27 | 2015-07-30 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの洗浄槽及び貼り合わせウェーハの製造方法 |
| KR20160110397A (ko) | 2014-01-27 | 2016-09-21 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 반도체 웨이퍼의 세정조 및 접합 웨이퍼의 제조방법 |
| KR20160132017A (ko) | 2014-03-10 | 2016-11-16 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 접합 soi웨이퍼의 제조방법 |
| US9793154B2 (en) | 2014-03-10 | 2017-10-17 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing bonded SOI wafer |
| US9773694B2 (en) | 2014-03-18 | 2017-09-26 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing bonded wafer |
| KR20160134661A (ko) | 2014-03-18 | 2016-11-23 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 접합웨이퍼의 제조방법 |
| JP2015177150A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-10-05 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| WO2015141121A1 (ja) * | 2014-03-18 | 2015-09-24 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| WO2016059748A1 (ja) * | 2014-10-17 | 2016-04-21 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| JP2017005201A (ja) * | 2015-06-15 | 2017-01-05 | 信越半導体株式会社 | Ｓｏｉウェーハの製造方法 |
| KR20180016394A (ko) * | 2015-06-15 | 2018-02-14 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | Soi웨이퍼의 제조방법 |
| US10204824B2 (en) | 2015-06-15 | 2019-02-12 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for producing SOI wafer |
| TWI685019B (zh) * | 2015-06-15 | 2020-02-11 | 日商信越半導體股份有限公司 | 絕緣體上矽晶圓的製造方法 |
| KR102327330B1 (ko) | 2015-06-15 | 2021-11-17 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | Soi웨이퍼의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010033179A (ko) | 2001-04-25 |
| TW521314B (en) | 2003-02-21 |
| EP1045448B1 (en) | 2016-04-27 |
| EP1045448A1 (en) | 2000-10-18 |
| WO2000024059A1 (fr) | 2000-04-27 |
| US6372609B1 (en) | 2002-04-16 |
| KR100607186B1 (ko) | 2006-08-01 |
| EP1045448A4 (en) | 2005-03-09 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050628 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060207 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060517 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060727 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060727 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060831 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20060929 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081113 |