JP2000100901A - Semiconductor manufacturing device - Google Patents

Semiconductor manufacturing device

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JP2000100901A
JP2000100901A JP27287298A JP27287298A JP2000100901A JP 2000100901 A JP2000100901 A JP 2000100901A JP 27287298 A JP27287298 A JP 27287298A JP 27287298 A JP27287298 A JP 27287298A JP 2000100901 A JP2000100901 A JP 2000100901A
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JP
Japan
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wafer
support
substrate
column
columns
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Application number
JP27287298A
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Japanese (ja)
Inventor
Fumio Morita
富実雄 森田
Masataka Fujishiro
雅隆 藤城
Akinobu Yamaoka
明暢 山岡
Hitoshi Oka
齊 岡
Noriyuki Dairoku
範行 大録
Yuichiro Tanaka
雄一郎 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Hitachi Ltd
Kokusai Electric Corp
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Publication date
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent damages to substrates, defects of films, and water marks, and so on, by improving the positioning accuracy of substrates by eliminating the fluctuation in a substrate holding section caused by the variation of the outside diameter of the substrates. SOLUTION: A semiconductor manufacturing device is provided with a plurality of substrate support columns 42 which can hold the peripheral of a substrate by rotation, a column support section 36 which is provided rotatably and holds the columns 42, an energizing means 50 provided between the column supporting section 36 and columns 42 to energize the columns 42 in the holding direction, and a rotating means 30 which rotates the support section 36. When the support section 36 and columns 42 are rotated, the columns 42 hold the peripheral of the substrate and, at the same time, are energized in the holding direction and the substrate is supported by the columns 42 in a state where the substrate is fixed to the columns 42.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハ等被処理
基板を水平姿勢で支持固定する基板支持固定機構を具備
した半導体製造装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus having a substrate supporting and fixing mechanism for supporting and fixing a substrate to be processed such as a wafer in a horizontal posture.

【0002】[0002]

【従来の技術】枚葉式CVD(Chemical Vapor Depositi
on)装置、スピンコータ、枚葉式洗浄装置等半導体製造
装置に於いて、ウェーハ等被処理基板は通常水平姿勢に
保たれた状態で各種処理が施される。従って、半導体製
造装置は被処理基板を水平姿勢で支持固定する為の基板
支持固定機構を具備している。
2. Description of the Related Art Single-wafer CVD (Chemical Vapor Depositi)
on) In a semiconductor manufacturing apparatus such as an apparatus, a spin coater, and a single-wafer cleaning apparatus, a substrate to be processed such as a wafer is usually subjected to various processes while being kept in a horizontal posture. Therefore, the semiconductor manufacturing apparatus includes a substrate supporting and fixing mechanism for supporting and fixing the substrate to be processed in a horizontal posture.

【0003】図12〜図16に於いて、従来の基板支持
固定機構を具備する枚葉式CVD装置を説明する。
Referring to FIGS. 12 to 16, a single-wafer CVD apparatus having a conventional substrate supporting and fixing mechanism will be described.

【0004】図12中1は搬送室であり、該搬送室1の
周囲に放射状に第1ロードロック室2、第1冷却室3、
第1処理室4、第2処理室5、第2冷却室6、第2ロー
ドロック室7間にはそれぞれゲートバルブ8,9,1
0,11が設けられ、前記第1ロードロック室2、第2
ロードロック室7には外部からウェーハカセット12を
搬入、搬出する為のゲートバルブ13,14が設けら
れ、前記各室1,2,3,4,5,6,7は気密構造と
なっている。
In FIG. 12, reference numeral 1 denotes a transfer chamber, and a first load lock chamber 2, a first cooling chamber 3,
Gate valves 8, 9, 1 are provided between the first processing chamber 4, the second processing chamber 5, the second cooling chamber 6, and the second load lock chamber 7, respectively.
0, 11 are provided, the first load lock chamber 2, the second
Gate valves 13 and 14 for loading and unloading the wafer cassette 12 from the outside are provided in the load lock chamber 7, and the chambers 1, 2, 3, 4, 5, 6, and 7 have an airtight structure. .

【0005】図13に示す様に前記第1ロードロック室
2にはカセットエレベータ15が設けられ、該カセット
エレベータ15の昇降台16には前記ウェーハカセット
12が乗置される様になっている。前記搬送室1にはウ
ェーハ搬送ロボット17が設けられ、該ウェーハ搬送ロ
ボット17は搬送アーム18を具備し、該搬送アーム1
8の先端に2股状のツィーザ19が設けられている。前
記第1冷却室3、第2冷却室6には特に図示しないがウ
ェーハ20が載置される載置台が設けられている。
[0005] As shown in FIG. 13, a cassette elevator 15 is provided in the first load lock chamber 2, and the wafer cassette 12 is mounted on an elevator 16 of the cassette elevator 15. The transfer chamber 1 is provided with a wafer transfer robot 17, which has a transfer arm 18.
A bifurcated tweezer 19 is provided at the tip of 8. Although not shown, a mounting table on which the wafer 20 is mounted is provided in the first cooling chamber 3 and the second cooling chamber 6.

【0006】前記第1処理室4には所要数(図示では4
本)のウェーハ支持ピン21が前記ウェーハ20の円周
を等分する位置に鉛直に設けられ(図14参照)、該各
ウェーハ支持ピン21はそれぞれ図示しない駆動装置に
より所定角度軸心を中心に回転可能となっている。
The first processing chamber 4 has a required number (4 in the figure).
The wafer support pins 21 are vertically provided at positions equally dividing the circumference of the wafer 20 (see FIG. 14), and each of the wafer support pins 21 is centered on a predetermined angle axis by a driving device (not shown). It is rotatable.

【0007】前記ウェーハ支持ピン21は上端部が扇形
状のウェーハ挾持部22を残置して切除され、切除部分
には水平なウェーハ載置面23が形成されている。前記
ウェーハ挾持部22の下端部には前記ウェーハ支持ピン
21の軸心を中心に円弧状に基板挾持溝24が刻設さ
れ、該基板挾持溝24の上面は外側上方向に傾斜するテ
ーパ面状を成し、該基板挾持溝24の下面は前記ウェー
ハ載置面23と同一面を形成している。
The wafer support pins 21 are cut away leaving a wafer holding portion 22 having a fan-shaped upper end, and a horizontal wafer mounting surface 23 is formed at the cut portion. A substrate holding groove 24 is formed at the lower end of the wafer holding portion 22 in an arc shape around the axis of the wafer support pin 21, and the upper surface of the substrate holding groove 24 has a tapered surface inclined upward and outward. The lower surface of the substrate holding groove 24 is flush with the wafer mounting surface 23.

【0008】前記ウェーハカセット12を前記ゲートバ
ルブ13を介して前記第1ロードロック室2内に搬入し
前記昇降台16に乗置する。前記ウェーハ搬送ロボット
17の前記ツィーザ19を前記ゲートバルブ8を介して
前記第1ロードロック室2内に挿入し、前記ウェーハカ
セット12から前記ウェーハ20を前記ツィーザ19に
移載する。前記ウェーハ20を載置した状態の前記ツィ
ーザ19を前記搬送室1内に戻した後、前記ゲートバル
ブ9を介して前記第1処理室4内に挿入する。前記ウェ
ーハ20の周縁部を前記各ウェーハ支持ピン21の前記
ウェーハ載置面23に載置させた後、前記駆動装置(図
示せず)により前記各ウェーハ支持ピン21を図15中
の時計回り方向に設定された角度だけ軸心を中心に回転
させる。図16に示す様に前記ウェーハ20の周縁部の
綾部が前記各基板挟持溝24の上面に当接し、前記ウェ
ーハ20の周縁部は前記各基板挟持溝24の上面と下面
とにより挾持され、前記ウェーハ20は前記各ウェーハ
支持ピン21に支持固定された状態となる。
The wafer cassette 12 is carried into the first load lock chamber 2 through the gate valve 13 and is placed on the lift 16. The tweezers 19 of the wafer transfer robot 17 are inserted into the first load lock chamber 2 via the gate valve 8, and the wafers 20 are transferred from the wafer cassette 12 to the tweezers 19. After returning the tweezers 19 on which the wafers 20 are placed into the transfer chamber 1, the tweezers 19 are inserted into the first processing chamber 4 via the gate valve 9. After the peripheral portion of the wafer 20 is mounted on the wafer mounting surface 23 of each of the wafer support pins 21, the wafer support pins 21 are moved clockwise in FIG. 15 by the driving device (not shown). Is rotated about the axis by the angle set in. As shown in FIG. 16, the twill of the peripheral portion of the wafer 20 abuts on the upper surface of each of the substrate holding grooves 24, and the peripheral portion of the wafer 20 is held between the upper surface and the lower surface of each of the substrate holding grooves 24. The wafer 20 is supported and fixed by the wafer support pins 21.

【0009】前記ツィーザ19を前記第1処理室4より
前記搬送室1に退避させる。前記処理室4内での前記ウ
ェーハ20の処理が完了すると、前記ウェーハ搬送ロボ
ット17により前記ツィーザ19を前記ゲートバルブ9
を介して前記第1処理室4内に挿入し、処理済みの前記
ウェーハ20を前記ツィーザ9に乗載する。前記第1処
理室4から前記ウェーハ20を搬出させ前記ゲートバル
ブ8を介して前記第1ロードロック室2内の前記ウェー
ハカセット12に前記ウェーハ20を戻し、前記ウェー
ハカセット12を外部へ搬出する。
The tweezers 19 are retracted from the first processing chamber 4 to the transfer chamber 1. When the processing of the wafer 20 in the processing chamber 4 is completed, the tweezer 19 is moved by the wafer transfer robot 17 to the gate valve 9.
, And the processed wafer 20 is loaded on the tweezer 9. The wafer 20 is unloaded from the first processing chamber 4 and returned to the wafer cassette 12 in the first load lock chamber 2 via the gate valve 8, and the wafer cassette 12 is unloaded.

【0010】又、前記ウェーハ20の処理で該ウェーハ
20が高温になる場合は前記第1ロードロック室2に戻
す前に前記第1冷却室3で一旦冷却し、冷却後前記第1
ロードロック室2に戻す。
When the temperature of the wafer 20 becomes high during the processing of the wafer 20, the wafer 20 is once cooled in the first cooling chamber 3 before returning to the first load lock chamber 2, and after cooling, the first cooling chamber 3 is cooled.
Return to load lock chamber 2.

【0011】前記第2ロードロック室7に搬入された前
記ウェーハカセット12の前記ウェーハ20も前述した
のと同様の手順で所要の処理が施された後、外部へ搬出
される。
The wafers 20 in the wafer cassette 12 carried into the second load lock chamber 7 are also subjected to required processing in the same procedure as described above, and then carried out.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】上記した従来の半導体
製造装置では、前記ウェーハ支持ピン21に前記ウェー
ハ20を支持固定させる場合、前記ウェーハ支持ピン2
1を常に一定角度回転させる様になっている。又、前記
ウェーハ20の形状については所定の範囲で公差が認め
られており、該ウェーハ20の外径寸法に公差内でばら
つきが生じる。従って、該ウェーハ20の外径寸法が小
さくなった場合には図17に示す様に前記ウェーハ挾持
部22と前記ウェーハ20の周縁部との係合代が小さく
なり、挾持が不安定となると共に前記ウェーハ20に遊
びが生じ、前記ウェーハ20の位置決め精度の向上が図
れなかったり、スピンコータの様に処理中前記ウェーハ
20を回転させる装置を用いた場合には該ウェーハ20
の周縁部と前記ウェーハ支持ピン21の前記ウェーハ載
置面23との間でスリップが起こり、前記ウェーハ20
の周縁部が削られパーティクル発生の原因となる虞れが
あった。
In the above-described conventional semiconductor manufacturing apparatus, when the wafer 20 is supported and fixed on the wafer support pins 21, the wafer support pins 2
1 is always rotated by a fixed angle. In addition, the shape of the wafer 20 has a tolerance within a predetermined range, and the outer diameter of the wafer 20 varies within the tolerance. Therefore, when the outer diameter of the wafer 20 is reduced, the margin of engagement between the wafer holding portion 22 and the peripheral portion of the wafer 20 is reduced as shown in FIG. 17, and the holding becomes unstable. In the case where play occurs in the wafer 20 and the positioning accuracy of the wafer 20 cannot be improved, or when a device for rotating the wafer 20 during processing such as a spin coater is used, the wafer 20
Slip occurs between the peripheral portion of the wafer and the wafer mounting surface 23 of the wafer support pin 21, and the wafer 20
There is a possibility that the peripheral portion of the substrate may be scraped and particles may be generated.

【0013】又、前記ウェーハ20の外径寸法が大きく
なった場合には図18に示す様に該ウェーハ20の周縁
部が前記ウェーハ支持ピン21の前記横溝24の奥に入
込み過ぎ、前記ウェーハ20の周縁部を挾持する力が強
過ぎて該ウェーハ20に反りが発生する虞れがあった。
その為、成膜されたウェーハ20の膜に無用の応力が作
用し、膜欠陥の要因となったり、又、洗浄装置に用いた
場合に前記ウェーハ20が下方に反ると洗浄液が該ウェ
ーハ20上に滞留しウォータマーク発生の原因となる虞
れがあった。
When the outer diameter of the wafer 20 is increased, the peripheral edge of the wafer 20 is too deep into the lateral groove 24 of the wafer support pins 21 as shown in FIG. There is a risk that the wafer 20 may be warped due to too strong a force for clamping the peripheral portion of the wafer.
For this reason, unnecessary stress acts on the film of the formed wafer 20 and causes a film defect, and when the wafer 20 is warped downward when used in a cleaning apparatus, the cleaning liquid is removed from the wafer 20. There is a possibility that the ink may stay on the upper surface and cause a watermark.

【0014】本発明は斯かる実情に鑑み、基板の外径寸
法のばらつきから生じる基板挾持部の基板挾持力のばら
つきをなくし、基板の位置決め精度を高め、基板の損傷
の防止、パーティクルの低減、膜の欠陥防止及びウォー
タマークの発生防止等を図るものである。
In view of such circumstances, the present invention eliminates variations in the substrate clamping force of the substrate clamping portion caused by variations in the outer diameter of the substrate, improves the positioning accuracy of the substrate, prevents damage to the substrate, reduces particles, The purpose is to prevent film defects and prevent the occurrence of watermarks.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明は、回転により基
板の周縁部を挾持可能な複数の基板支持支柱と、回転可
能に設けられ前記基板支持支柱を回転自在に挾持する支
柱支持部と、該支柱支持部と前記基板支持支柱との間に
設けられ該基板支持支柱を挾持方向に付勢する付勢手段
と、前記支柱支持部を回転させる回転手段とを具備する
半導体製造装置に係り、又、前記基板支持支柱と前記支
柱支持部とがストッパピンによって連結され、該ストッ
パピンが前記基板支持支柱と前記支柱支持部のどちらか
一方に固着されると共に他方に対して変位可能に設けら
れた半導体製造装置に係り、又、回転可能な回転駆動体
の外周に沿って前記支柱支持部が設けられ、前記回転駆
動体と前記支柱支持部とが連結された半導体製造装置に
係り、又、前記回転駆動体が回転板であり、該回転板と
前記支柱支持部のどちらか一方に係合ピンを設け、他方
に前記係合ピンに係脱可能な切欠部を設けた半導体製造
装置に係り、又、前記回転駆動体が回転板であり、該回
転板と前記支柱支持部とをリンクを介して連結した半導
体製造装置に係り、又、前記回転駆動体が内歯車であ
り、前記支柱支持部が前記内歯車に噛合する半導体製造
装置に係り、更に、前記付勢手段が捩りスプリングであ
る半導体製造装置に係り、更に又、前記支柱支持部が放
射状に設けられた弾性変形可能な支持片を有し、前記基
板支持支柱が前記支持片を介して前記支柱支持部に設け
られた半導体製造装置に係り、前記回転駆動体の回転に
より、前記支柱支持部材及び基板支持支柱が回転し、該
基板支持支柱は基板の周縁部を挾持すると共に挾持方向
に付勢され、該基板は前記各基板支持支柱に支持固定さ
れた状態となる。
According to the present invention, there are provided a plurality of substrate support columns capable of holding a peripheral portion of a substrate by rotation, a column support portion rotatably provided and rotatably holding the substrate support column. The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus comprising: urging means provided between the support column and the substrate support column to urge the substrate support column in a clamping direction; and rotating means for rotating the column support. Further, the substrate support column and the column support portion are connected by a stopper pin, and the stopper pin is fixed to one of the substrate support column and the column support portion and provided so as to be displaceable with respect to the other. The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, wherein the column support is provided along the outer periphery of a rotatable rotary driver, and the semiconductor manufacturing apparatus includes the rotary driver and the column support connected. Said times The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus in which a driving body is a rotating plate, and an engaging pin is provided on one of the rotating plate and the column support portion, and a cutout portion is provided on the other side of the engaging pin. The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus in which the rotary driver is a rotary plate, and the rotary plate and the column support are connected via a link, and the rotary driver is an internal gear, and the column support is The present invention relates to a semiconductor manufacturing device that meshes with the internal gear, further relates to a semiconductor manufacturing device in which the biasing means is a torsion spring, and further includes an elastically deformable support piece in which the support column is radially provided. According to a semiconductor manufacturing apparatus in which the substrate support column is provided on the column support section via the support piece, the rotation of the rotary driver rotates the column support member and the substrate support column, and The support pinches the periphery of the board Together is biased clamping direction, the substrate is in a state of being supported and fixed to each substrate support posts.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、図1〜図7を参照しつつ本
発明の第1の実施の形態を説明する。尚、図1〜図5
中、図12〜図16中と同等のものには同符号を付し、
説明は省略する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 5
The same reference numerals are given to the same components in FIGS.
Description is omitted.

【0017】円板状の回転板30が図示しない駆動装置
により回転可能且昇降可能に設けられ、該回転板30の
周縁部には全周に亘り、上部に段差部31が形成される
と共に周壁側から溝32が刻設され、上下2段の鍔部3
3,34が形成されている。該下段の鍔部34に垂直に
係合ピン35が植設され、該係合ピン35は前記上段の
鍔部33を貫通し上端は前記段差部31に突出してい
る。又、前記回転板30の周縁部上部及び前記溝32の
前記係合ピン35に対峙する部分は欠切され、逃げ部4
0が形成されている。
A disk-shaped rotary plate 30 is provided rotatably and vertically movable by a driving device (not shown). A step portion 31 is formed on the entire periphery of the peripheral portion of the rotary plate 30, and a peripheral wall is formed. A groove 32 is engraved from the side, and upper and lower two-stage flange portions 3 are formed.
3, 34 are formed. An engaging pin 35 is vertically implanted in the lower flange portion 34, and the engaging pin 35 penetrates through the upper flange portion 33 and an upper end protrudes from the step portion 31. Further, the upper portion of the peripheral portion of the rotary plate 30 and the portion of the groove 32 facing the engaging pin 35 are cut off, and the escape portion 4 is formed.
0 is formed.

【0018】前記回転板30の外側には該回転板30の
外周に沿って所要数の支柱支持部36が等間隔で鉛直に
設けられ、該支柱支持部36は軸心を中心に回転自在で
あると共に前記駆動装置(図示せず)により前記回転板
30と共に昇降可能となっている。前記支柱支持部36
は円筒の上下端部にそれぞれフランジ部37を形成させ
た形状を成し、該各フランジ部37,37の反回転板3
0側は前記支柱支持部36の軸心を中心とする円弧を成
している。前記各フランジ部37,37の前記回転板3
0側にはそれぞれ爪部29が形成され、該爪部29は前
記段差部31及び溝32に遊嵌し、前記爪部29には半
径方向に長い係合溝38が形成され、該係合溝38に前
記係合ピン35が係合している。前記爪部29に連続す
る外周壁には凹曲面部39が形成され、該凹曲面部39
の曲率半径は前記段差部31及び溝32の周壁の曲率半
径と等しく、前記凹曲面部39と前記段差部31、溝3
2の周壁は契合可能となっている。
On the outer side of the rotary plate 30, a required number of column support portions 36 are provided vertically at equal intervals along the outer periphery of the rotary plate 30, and the column support portions 36 are rotatable about an axis. In addition, the driving device (not shown) can move up and down together with the rotating plate 30. The support column 36
Has a shape in which flange portions 37 are formed at upper and lower ends of a cylinder, respectively.
The 0 side forms an arc centered on the axis of the support 36. The rotating plate 3 of each of the flange portions 37, 37
On the 0 side, a claw portion 29 is formed, and the claw portion 29 is loosely fitted in the step portion 31 and the groove 32, and the claw portion 29 is formed with a radially long engagement groove 38. The engaging pin 35 is engaged with the groove 38. A concave curved surface portion 39 is formed on the outer peripheral wall continuous with the claw portion 29, and the concave curved surface portion 39 is formed.
Is equal to the radius of curvature of the peripheral wall of the step portion 31 and the groove 32, and the concave curved portion 39, the step portion 31, the groove 3
The surrounding wall of No. 2 is available for agreement.

【0019】又、前記下端部側のフランジ部37にはス
トッパピン41が前記フランジ部37の軸心と平行に植
設され、該ストッパピン41は前記上段部側のフランジ
部37を貫通している。
A stopper pin 41 is implanted in the lower flange portion 37 in parallel with the axis of the flange portion 37. The stopper pin 41 passes through the upper flange portion 37. I have.

【0020】前記支柱支持部36には上方からウェーハ
支持支柱42が回転可能に嵌合している。該ウェーハ支
持支柱42は前記支柱支持部36に嵌合する軸部43
と、該軸部43と同一軸心で該軸部43より太径の支柱
部44と、該支柱部44に形成された円板状の鍔部45
とで構成されている。
A wafer support column 42 is rotatably fitted to the column support section 36 from above. The wafer support column 42 has a shaft 43 fitted to the column support 36.
A support 44 having the same axis as the shaft 43 and a larger diameter than the shaft 43; and a disk-shaped flange 45 formed on the support 44.
It is composed of

【0021】前記支柱部44は上端部が扇形状のウェー
ハ挾持部46を残置して切除され、切除部分には水平な
ウェーハ載置面47が形成されている。前記ウェーハ挾
持部46の下端部には前記支柱部44の軸心を中心に扇
状に基板挾持溝48が刻設され、該基板挾持溝48の上
面は外側上方向に傾斜するテーパ面状を成し、該基板挾
持溝48の下面は前記ウェーハ載置面47と同一面を形
成している。又、前記鍔部45には外周縁に沿って円弧
状の長孔49が穿設され、該長孔50に前記ストッパピ
ン41が遊嵌している。
The column portion 44 is cut away leaving a wafer holding portion 46 having a fan-shaped upper end, and a horizontal wafer mounting surface 47 is formed at the cut portion. At the lower end of the wafer holding portion 46, a substrate holding groove 48 is formed in a fan shape around the axis of the column portion 44, and the upper surface of the substrate holding groove 48 has a tapered surface inclined upward and outward. The lower surface of the substrate holding groove 48 is flush with the wafer mounting surface 47. An arc-shaped long hole 49 is formed in the flange 45 along the outer peripheral edge, and the stopper pin 41 is loosely fitted in the long hole 50.

【0022】前記鍔部45の下面と前記上端部側のフラ
ンジ部37の上面との間の前記支柱部44には捩りスプ
リング50が嵌設されている。該捩りスプリング50は
上端が前記鍔部45の下面に固着され、下端が前記上端
部側のフランジ部37の上面に固着され、前記ウェーハ
支持支柱42を前記支柱支持部材36に対して図1中の
時計回り方向に付勢している。前記捩りスプリング50
の反発力は前記ストッパピン41が前記長孔49の一端
に当接することにより所定の初期値に保持されている。
A torsion spring 50 is fitted to the support 44 between the lower surface of the flange 45 and the upper surface of the flange 37 on the upper end. The upper end of the torsion spring 50 is fixed to the lower surface of the flange 45, and the lower end of the torsion spring 50 is fixed to the upper surface of the flange 37 on the upper end side. Biased clockwise. The torsion spring 50
The repulsive force is maintained at a predetermined initial value by the stopper pin 41 abutting on one end of the long hole 49.

【0023】前記支柱支持部36の回転角(図5、図6
中のa度)は前記ウェーハ20の外径寸法が公差内の最
小寸法(図6中のr)であっても前記ウェーハ支持支柱
42の軸部43と前記支柱支持部36との間で前記支柱
支持部36に図1中の反時計回り方向に所定の回転変位
(図6中のb)が生じる様に設定されている。更に、前
記長孔49の長さは前記ウェーハ20の外径寸法が公差
内の最大寸法(図6中のR)の場合に前記ウェーハ支持
支柱42の軸部43と前記支柱支持部36との間で生じ
る回転変位(図6中のc)よりも更に前記ストッパピン
41が若干移動できる様になっている。又、前記ウェー
ハ支持支柱42の回転変位に伴う前記捩りスプリング5
0の反発力の増大は、前記基板挾持溝48に対して影響
のない値に設定されている。
The rotation angle of the support 36 (FIGS. 5 and 6)
(A degree in the middle) means that even if the outer diameter of the wafer 20 is the minimum dimension within the tolerance (r in FIG. 6), the distance between the shaft portion 43 of the wafer support column 42 and the column support section 36 can be reduced. It is set such that a predetermined rotational displacement (b in FIG. 6) is generated in the support column 36 in the counterclockwise direction in FIG. Further, when the outer diameter of the wafer 20 is the maximum dimension within the tolerance (R in FIG. 6), the length of the elongated hole 49 is different between the shaft 43 of the wafer support column 42 and the column support 36. The stopper pin 41 can be slightly moved further than the rotational displacement (c in FIG. 6) generated between them. Further, the torsion spring 5 associated with the rotational displacement of the wafer support column 42 is provided.
The increase of the repulsion force of 0 is set to a value that does not affect the substrate holding groove 48.

【0024】又、前記支柱支持部36に外接する様に円
筒状の外リング51が前記回転板30と同心に設けられ
ている。
A cylindrical outer ring 51 is provided concentrically with the rotary plate 30 so as to circumscribe the column support portion 36.

【0025】以下、作用を説明する。The operation will be described below.

【0026】前記駆動装置(図示せず)により前記回転
板30と共に前記各支柱支持部36を上昇させ、ウェー
ハ20をツィーザ19から前記各ウェーハ支持支柱42
のウェーハ載置面47に移載した後、前記回転板30を
図1、図4中の反時計回り方向に回転させる。図4に示
す様に前記係合ピン35が前記切欠部38に係合してい
るので、前記支柱支持部36及びウェーハ支持支柱42
は前記回転板30と逆方向、即ち図4中の時計回り方向
に回転する。前記支柱支持部36は前記逃げ部40があ
るので前記回転板30に干渉することなく回転し、又、
回転中、前記支柱支持部36は前記外リング51に外接
しているので、前記支柱支持部36及びウェーハ支持支
柱42の回転軸心が傾くことはない。
The driving device (not shown) raises the support columns 36 together with the rotating plate 30 and moves the wafer 20 from the tweezers 19 to the wafer support columns 42.
After the transfer to the wafer mounting surface 47, the rotating plate 30 is rotated in the counterclockwise direction in FIGS. As shown in FIG. 4, since the engaging pin 35 is engaged with the notch 38, the support column 36 and the wafer support column 42 are provided.
Rotates in the opposite direction to the rotating plate 30, that is, in the clockwise direction in FIG. The support column 36 rotates without interfering with the rotating plate 30 because the escape portion 40 is provided.
During rotation, the support column 36 is in circumscribed contact with the outer ring 51, so that the rotation axes of the support column 36 and the wafer support column 42 do not tilt.

【0027】前記支柱支持部36が所定角度、例えば図
5中のa度回転すると、前記係合ピン35は前記係合溝
38から抜脱し、前記フランジ部37の凹曲面部39が
前記段差部31の周壁に当接し、前記支柱支持部36の
同方向の回転は停止し、停止状態は前記凹曲面部39と
前記段差部31、溝32の周壁との契合によって維持さ
れる。
When the support post 36 is rotated by a predetermined angle, for example, a degrees in FIG. 5, the engaging pin 35 is pulled out of the engaging groove 38, and the concave curved surface 39 of the flange 37 is moved to the stepped portion. The abutment on the peripheral wall of the column 31 stops the rotation of the column supporting portion 36 in the same direction, and the stopped state is maintained by the engagement between the concave curved surface portion 39 and the peripheral wall of the step portion 31 and the groove 32.

【0028】前記ウェーハ支持支柱42は所要角度(図
5中のa度)回転する前に前記ウェーハ20の周縁部が
前記基板挾持溝47の上面に当接し、前記ウェーハ支持
支柱42の回転が停止する。該ウェーハ支持支柱42の
軸部43と前記支柱支持部材36との間で前記捩りスプ
リング50に抗して回転変位が発生し、前記ウェーハ支
持支柱42は前記支柱支持部36に対して図1中の反時
計回り方向に相対回転する。前記捩りスプリング50の
反発力により前記ウェーハ20の周縁部は前記基板挾持
溝48に所要挾持力で挾持され、前記ウェーハ20は前
記各ウェーハ支持支柱42に支持固定された状態とな
る。
Before the wafer support column 42 rotates by a required angle (a degree in FIG. 5), the peripheral portion of the wafer 20 comes into contact with the upper surface of the substrate holding groove 47, and the rotation of the wafer support column 42 stops. I do. Rotational displacement occurs between the shaft portion 43 of the wafer support column 42 and the column support member 36 against the torsion spring 50, and the wafer support column 42 moves relative to the column support portion 36 in FIG. Rotates counterclockwise relative to. Due to the repulsive force of the torsion spring 50, the peripheral portion of the wafer 20 is clamped by the substrate clamping groove 48 with a required clamping force, and the wafer 20 is supported and fixed to the wafer support columns 42.

【0029】前記ウェーハ20の外径寸法が公差内の最
小寸法(図6中のr)の場合でも前記ウェーハ支持支柱
42の軸部43と前記支柱支持部36との間で回転変位
(図6中のb)が生じ、充分な挾持力が発生し、又、前
記ウェーハ支持支柱42の回転変位に伴う前記捩りスプ
リング50の反発力の増大は、前記基板挾持溝48に対
して影響のない値に設定されているので、前記ウェーハ
20の周縁部に過大な挾持力が作用することはない。
Even when the outer diameter of the wafer 20 is the minimum dimension within the tolerance (r in FIG. 6), the rotational displacement between the shaft 43 of the wafer support column 42 and the column support 36 (FIG. 6). B) occurs, a sufficient clamping force is generated, and the increase in the repulsive force of the torsion spring 50 due to the rotational displacement of the wafer support column 42 has a value that does not affect the substrate clamping groove 48. , No excessive clamping force acts on the peripheral portion of the wafer 20.

【0030】前記ウェーハ20に所要の処理が施された
後、前記回転板30を図1中の時計回り方向に回転させ
る。前記切欠部38が前記係合ピン35に係合し、前記
支柱支持部36が前記回転板30と逆方向、即ち図1中
の反時計回り方向に回転する。前記ウェーハ支持支柱4
2の軸部43と前記支柱支持部36との間で回転変位が
発生し、前記ウェーハ支持支柱42は前記支柱支持部3
6に対して図1中の時計回り方向に相対回転する。前記
ストッパピン41の上端部が前記長孔49の一端に当接
し、前記ウェーハ支持支柱42は前記支柱支持部36と
共に回転し、前記基板挾持溝48が前記ウェーハ20の
周縁部を挾持した状態は解除される。
After the required processing is performed on the wafer 20, the rotating plate 30 is rotated clockwise in FIG. The notch 38 engages with the engagement pin 35, and the support column 36 rotates in the opposite direction to the rotary plate 30, that is, in the counterclockwise direction in FIG. The wafer support column 4
Rotational displacement occurs between the second shaft portion 43 and the column support portion 36, and the wafer support column 42 is attached to the column support portion 3.
6 relative to the clockwise direction in FIG. The upper end of the stopper pin 41 is in contact with one end of the long hole 49, the wafer support column 42 rotates together with the column support section 36, and the substrate holding groove 48 holds the peripheral portion of the wafer 20 in a state where it is held. It is released.

【0031】処理済みの前記ウェーハ20は前記ツィー
ザ19に乗載され、前記ウェーハ支持支柱42が前記回
転板30と共に下降した後、従来と同様の手順で外部に
搬出される。
The processed wafer 20 is mounted on the tweezers 19, and after the wafer supporting columns 42 have been lowered together with the rotary plate 30, the wafers 20 are carried out in the same manner as in the prior art.

【0032】尚、上記実施の形態に於いては、前記回転
板30側に前記係合ピン35が設けられているが、前記
支柱支持部36側に前記係合ピン35を設け、前記回転
板30側に前記係合ピン35が係脱可能な切欠部を設け
てもよい。
In the above embodiment, the engaging pins 35 are provided on the rotating plate 30 side. However, the engaging pins 35 are provided on the support column 36 side, and the rotating plate 30 is provided. A cutout portion on which the engagement pin 35 can be disengaged may be provided on the 30 side.

【0033】次に、図7及び図8を参照しつつ本発明の
第2の実施の形態を説明する。尚、図7及び図8中、図
1〜図6中と同等のものには同符号を付し、説明は省略
する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 and 8, the same components as those in FIGS. 1 to 6 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

【0034】円板状の回転板52が図示しない駆動装置
により回転可能且つ昇降可能に設けられ、該回転板52
の周縁部上面にはリンク53の一端部が枢着されてい
る。
A disk-shaped rotating plate 52 is provided rotatably and vertically movable by a driving device (not shown).
One end of a link 53 is pivotally attached to the upper surface of the peripheral edge of the link 53.

【0035】前記回転板52の外側には該回転板52の
外周に沿って所要数の支柱支持部54が等間隔で鉛直に
設けられ、該支柱支持部54は軸心を中心に回転可能で
あると共に前記駆動装置(図示せず)により前記回転板
52と共に昇降可能となっている。前記支柱支持部54
は円筒の上端部にフランジ部55を形成させた形状を成
し、該フランジ部55の上面に前記リンク53の他端部
が枢着されている。又、前記フランジ部55にはストッ
パピン41が前記フランジ部55の軸心と平行に植設さ
れ、該ストッパピン41はウェーハ支持支柱42の長孔
49に遊嵌している。
On the outside of the rotary plate 52, a required number of column support portions 54 are provided vertically at equal intervals along the outer periphery of the rotary plate 52, and the column support portions 54 are rotatable about an axis. Also, it can be moved up and down together with the rotary plate 52 by the driving device (not shown). The support column 54
Has a shape in which a flange 55 is formed at the upper end of a cylinder, and the other end of the link 53 is pivotally mounted on the upper surface of the flange 55. A stopper pin 41 is implanted in the flange 55 in parallel with the axis of the flange 55, and the stopper pin 41 is loosely fitted in the long hole 49 of the wafer support column 42.

【0036】以下、作用を説明する。尚、捩りスプリン
グ50及びストッパピン41の作用は第1の実施の形態
と同様なので説明は省略する。
The operation will be described below. The operations of the torsion spring 50 and the stopper pin 41 are the same as those of the first embodiment, and the description is omitted.

【0037】ウェーハ20をツィーザ19から各ウェー
ハ支持支柱42のウェーハ載置面47に移載した後、前
記回転板52を図8中の時計回り方向に回転させる。該
回転板52の回転は前記リンク53を介して前記支柱支
持部54に伝達され、前記支柱支持部54及びウェーハ
支持支柱42は前記回転板52と同方向、即ち図8中の
時計回り方向に回転する。前記ウェーハ20の周縁部は
前記基板挾持溝48に挾持され、前記ウェーハ20は前
記各ウェーハ支持支柱42に支持固定された状態とな
る。
After the wafer 20 is transferred from the tweezers 19 to the wafer mounting surface 47 of each wafer support column 42, the rotating plate 52 is rotated clockwise in FIG. The rotation of the rotary plate 52 is transmitted to the support column 54 via the link 53, and the support column 54 and the wafer support column 42 are in the same direction as the rotary plate 52, that is, clockwise in FIG. Rotate. The periphery of the wafer 20 is clamped by the substrate clamping groove 48, and the wafer 20 is supported and fixed by the wafer support columns 42.

【0038】前記ウェーハ20に所要の処理が施された
後、前述した動作と逆の動作が行われ、前記基板挾持溝
48が前記ウェーハ20の周縁部を挾持した状態は解除
され、処理済みの前記ウェーハ20は従来と同様の手順
で外部に搬出される。
After the required processing is performed on the wafer 20, the operation opposite to the above-described operation is performed, and the state in which the substrate holding groove 48 holds the peripheral portion of the wafer 20 is released, and the processed state is completed. The wafer 20 is unloaded to the outside in the same procedure as in the prior art.

【0039】次に図7及び図9を参照しつつ本発明の第
3の実施の形態を説明する。尚、図7及び図9中、図8
中と同等のものには同符号を付し、説明は省略する。
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In FIGS. 7 and 9, FIG.
The same components as those in the middle are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

【0040】円環状の内歯車56が図示しない駆動装置
により、回転可能且つ昇降可能に設けられている。
An annular internal gear 56 is provided rotatably and vertically movable by a driving device (not shown).

【0041】前記内歯車56には所要数の支柱支持部5
7が等間隔で噛合し、該支柱支持部57は軸心を中心に
回転可能であると共に前記駆動装置(図示せず)により
前記内歯車56と共に昇降可能となっている。前記支柱
支持部57は円筒の上端部にフランジ部58を形成させ
た形状を成し、該フランジ部58の周壁に外歯が形成さ
れている。又、前記フランジ部58にはストッパピン4
1が前記フランジ部58の軸心と平行に植設され、該ス
トッパピン41はウェーハ支持支柱42の長孔49に遊
嵌している。
The internal gear 56 has a required number of support members 5.
7 are meshed at equal intervals, and the column supporting portion 57 is rotatable about an axis and can be moved up and down together with the internal gear 56 by the driving device (not shown). The column support portion 57 has a shape in which a flange portion 58 is formed at the upper end of a cylinder, and external teeth are formed on a peripheral wall of the flange portion 58. The flange 58 is provided with a stopper pin 4.
The stopper pin 41 is loosely fitted in the long hole 49 of the wafer support column 42.

【0042】以下、作用を説明する。尚、捩りスプリン
グ50及びストッパピン41の作用は第1の実施の形態
と同様なので説明は省略する。
Hereinafter, the operation will be described. The operations of the torsion spring 50 and the stopper pin 41 are the same as those of the first embodiment, and the description is omitted.

【0043】ウェーハ20をツィーザ19から各ウェー
ハ支持支柱42のウェーハ載置面47に移載した後、前
記内歯車56を図9中の時計回り方向に回転させると、
前記支柱支持部57及びウェーハ支持支柱42は前記内
歯車56と同方向、即ち図9中の時計回り方向に回転す
る。前記ウェーハ20の周縁部は前記基板挾持溝48に
挾持され、前記ウェーハ20は前記各ウェーハ支持支柱
42に支持固定された状態となる。
After the wafer 20 has been transferred from the tweezers 19 to the wafer mounting surface 47 of each wafer support column 42, the internal gear 56 is rotated clockwise in FIG.
The support column 57 and the support column 42 rotate in the same direction as the internal gear 56, that is, clockwise in FIG. The periphery of the wafer 20 is clamped by the substrate clamping groove 48, and the wafer 20 is supported and fixed by the wafer support columns 42.

【0044】前記ウェーハ20に所要の処理が施された
後、前述した動作と逆の動作が行われ、前記基板挾持溝
48が前記ウェーハ20の周縁部を挾持した状態は解除
され、処理済みの前記ウェーハ20は従来と同様の手順
で外部に搬出される。
After the required processing is performed on the wafer 20, the operation opposite to the above-described operation is performed, and the state in which the substrate holding groove 48 holds the peripheral portion of the wafer 20 is released, and the processed state is completed. The wafer 20 is unloaded to the outside in the same procedure as in the prior art.

【0045】尚、上記第1、第2、第3の実施の形態に
於いては、前記支柱支持部36,54,57と前記ウェ
ーハ支持支柱42とを前記捩りスプリング50を介して
連結しているが、該捩りスプリング50を設けずに支柱
支持部とウェーハ支持支柱を以下の様に形成させてもよ
い。
In the first, second, and third embodiments, the support columns 36, 54, 57 and the wafer support column 42 are connected to each other via the torsion spring 50. However, the column supporting portion and the wafer supporting column may be formed as follows without providing the torsion spring 50.

【0046】以下、図10及び図11を参照しつつ説明
する。尚、支柱支持部に於いて、前記爪部29、係合溝
38は省略して図示している。
Hereinafter, description will be made with reference to FIGS. It should be noted that the claw portions 29 and the engagement grooves 38 are not shown in the column support portion.

【0047】弾性材料から成る支柱支持部59はフラン
ジ部60を有し、該フランジ部60の内周壁側には複数
(図示では8個)の支持片61が放射状に形成されてい
る。ウェーハ支持支柱62は細長い円柱形状を成し、上
端部に前記ウェーハ挾持部46及びウェーハ載置面47
を有すると共に下端部に前記支持片61の先端部が摺動
自在に嵌合するスリット溝63が刻設されている。該ス
リット溝63は前記ウェーハ挾持部46で前記ウェーハ
20の周縁部を挾持する時に前記ウェーハ支持支柱62
と前記支柱支持部59との間で生じる回転変位が最大に
なった場合でも、前記支持片61が抜脱しない深さとな
っている。
The column supporting portion 59 made of an elastic material has a flange portion 60, and a plurality of (eight in the drawing) supporting pieces 61 are formed radially on the inner peripheral wall side of the flange portion 60. The wafer support column 62 has an elongated cylindrical shape, and has a wafer holding portion 46 and a wafer mounting surface 47 at its upper end.
And a slit groove 63 is formed at the lower end of the support piece 61 so that the distal end of the support piece 61 is slidably fitted. The slit groove 63 is used to hold the wafer supporting column 62 when the peripheral portion of the wafer 20 is clamped by the wafer clamping portion 46.
Even when the rotational displacement generated between the support piece 59 and the support member 59 is maximized, the support piece 61 has such a depth that the support piece 61 does not come off.

【0048】前記支持片61とスリット溝63とを嵌合
させて前記ウェーハ支持支柱62と支柱支持部59とを
一体化させ、前記ウェーハ支持支柱62を前記支柱支持
部材59に対して相対回転させる。前記支柱支持部59
に前記回転板30からの回転力が作用すると、前記各支
持片61が撓み、該各支持片61の撓みにより反発力が
生じ、該各支持片61の反発力により前記ウェーハ20
の周縁部が前記基板挾持溝48に所要の力で挾持され、
前記ウェーハ20は前記各ウェーハ支持支柱62に支持
固定された状態となる。
The support piece 61 and the slit groove 63 are fitted to integrate the wafer support column 62 and the column support section 59, and the wafer support column 62 is rotated relative to the column support member 59. . The support column 59
When the rotational force from the rotary plate 30 acts on the wafer 20, the support pieces 61 bend, and the bending of the support pieces 61 generates a repulsive force.
Is held in the board holding groove 48 with a required force,
The wafer 20 is supported and fixed to each of the wafer support columns 62.

【0049】尚、図12に示す様に前記ウェーハ支持支
柱62と前記支柱支持部59は一体成形してもよい。
Incidentally, as shown in FIG. 12, the wafer support column 62 and the column support section 59 may be formed integrally.

【0050】又、上記第1、第2、第3の実施の形態に
於いて、前記ストッパピン41の上端部を前記鍔部45
に固着させ、前記フランジ部37,55,58に前記ス
トッパピン41が遊嵌可能な前記長孔49を穿設しても
よい。
In the first, second, and third embodiments, the upper end of the stopper pin 41 is connected to the flange 45.
, And the elongated holes 49 into which the stopper pins 41 can be loosely fitted may be formed in the flange portions 37, 55, 58.

【0051】更に、該長孔49は溝等他の欠如部であっ
てもよい。
Further, the elongated hole 49 may be another missing portion such as a groove.

【0052】更に又、前記支柱支持部36,54,57
が前記ウェーハ支持支柱42に回転可能に嵌合していて
もよい。
Further, the column support portions 36, 54, 57
May be rotatably fitted to the wafer support column 42.

【0053】[0053]

【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、基板の
外径寸法が公差内でばらついても基板挾持部で基板を所
要の挾持力で確実に挾持することができる。従って、装
置内部での基板の受渡しを確実に行うことができ、装置
全体の信頼性の向上が図れる。更に、基板の挾持力が弱
く、基板と基板支持支柱との間でスリップが生じ、パー
ティクルが発生したり、又、反対に基板の挾持力が強過
ぎて基板が反ったり、膜に余分な応力が作用し膜欠陥の
要因となったり、洗浄時にウォータマークが発生したり
等することがないので、歩留りの向上及び製作コストの
低減を図ることができる等種々の優れた効果を発揮す
る。
As described above, according to the present invention, even when the outer diameter of the substrate varies within the tolerance, the substrate can be securely clamped by the required clamping force at the substrate clamping portion. Therefore, the transfer of the substrate inside the apparatus can be reliably performed, and the reliability of the entire apparatus can be improved. Further, the clamping force of the substrate is weak, a slip occurs between the substrate and the substrate support column, and particles are generated. On the contrary, the substrate is warped due to too strong clamping force of the substrate, and extra stress is applied to the film. Does not cause a film defect, and does not cause a watermark at the time of cleaning, thereby exhibiting various excellent effects such as improvement in yield and reduction in manufacturing cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態を示す平面図であ
る。
FIG. 1 is a plan view showing a first embodiment of the present invention.

【図2】図1のA−A矢視図である。FIG. 2 is a view taken along the line AA of FIG. 1;

【図3】該実施の形態を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing the embodiment.

【図4】図2のB−B矢視図である。FIG. 4 is a view taken in the direction of arrows BB in FIG. 2;

【図5】該実施の形態に於ける動作を示す断面図であ
る。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing an operation in the embodiment.

【図6】ウェーハの外径寸法のばらつきに対するウェー
ハ支持支柱の回転角度の相違を示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing a difference in a rotation angle of a wafer support column with respect to a variation in an outer diameter dimension of a wafer.

【図7】ウェーハ搬送動作を示す斜視図である。FIG. 7 is a perspective view showing a wafer transfer operation.

【図8】本発明の第2の実施の形態を示す斜視図であ
る。
FIG. 8 is a perspective view showing a second embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第3の実施の形態を示す斜視図であ
る。
FIG. 9 is a perspective view showing a third embodiment of the present invention.

【図10】支柱支持部に放射状に支持片を設けた場合の
組立図である。
FIG. 10 is an assembly diagram in a case where support pieces are radially provided on a column support portion.

【図11】同前平面図である。FIG. 11 is a plan view of the same.

【図12】ウェーハ支持支柱と支柱支持部とを一体成形
した場合を示す斜視図である。
FIG. 12 is a perspective view showing a case where a wafer supporting column and a column supporting section are integrally formed.

【図13】従来の枚葉式CVD装置を示す平面図であ
る。
FIG. 13 is a plan view showing a conventional single-wafer CVD apparatus.

【図14】同前平面図である。FIG. 14 is a plan view of the same.

【図15】ウェーハをウェーハ支持ピンに支持固定させ
る動作を示す平面図である。
FIG. 15 is a plan view showing an operation of supporting and fixing a wafer to wafer support pins.

【図16】同前要部拡大図である。FIG. 16 is an enlarged view of a main part of the same.

【図17】ウェーハをウェーハ支持ピンに支持固定した
状態を示す側面図である。
FIG. 17 is a side view showing a state where the wafer is supported and fixed on the wafer support pins.

【図18】外径寸法の小さいウェーハをウェーハ支持ピ
ンに支持固定した状態を示す側面図である。
FIG. 18 is a side view showing a state where a wafer having a small outer diameter is supported and fixed on a wafer support pin.

【図19】外径寸法の大きいウェーハをウェーハ支持ピ
ンに支持固定した状態を示す側面図である。
FIG. 19 is a side view showing a state where a wafer having a large outer diameter is supported and fixed to wafer support pins.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20 ウェーハ 30 回転板 35 係合ピン 36 支柱支持部 38 係合溝 41 ストッパピン 42 ウェーハ支持支柱 50 捩りスプリング 52 回転板 53 リンク 54 支柱支持部 56 内歯車 57 支柱支持部 59 支柱支持部 61 支持片 62 ウェーハ支持支柱 DESCRIPTION OF SYMBOLS 20 Wafer 30 Rotating plate 35 Engagement pin 36 Post support part 38 Engagement groove 41 Stopper pin 42 Wafer support post 50 Torsion spring 52 Rotating plate 53 Link 54 Post support part 56 Internal gear 57 Post support part 59 Post support part 61 Support piece 62 Wafer support column

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤城 雅隆 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 山岡 明暢 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 岡 齊 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 大録 範行 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所内 (72)発明者 田中 雄一郎 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所内 Fターム(参考) 5F031 CA02 GA02 GA43 HA23 HA80 MA04 MA28  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Masataka Fujishiro 3-14-20 Higashinakano, Nakano-ku, Tokyo Kokusai Electric Co., Ltd. (72) Inventor Akiyoshi Yamaoka 3-14-20 Higashinakano, Nakano-ku, Tokyo Kokusai Electric Inside (72) Inventor Hitoshi Oka 3-14-20 Higashinakano, Nakano-ku, Tokyo International Electric Co., Ltd. (72) Inventor Noriyuki 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside Hitachi, Ltd. (72) Inventor Yuichiro Tanaka 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa F-term in Hitachi, Ltd. F-term (reference) 5F031 CA02 GA02 GA43 HA23 HA80 MA04 MA28

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 回転により基板の周縁部を挾持可能な複
数の基板支持支柱と、回転可能に設けられ前記基板支持
支柱を回転自在に挾持する支柱支持部と、該支柱支持部
と前記基板支持支柱との間に設けられ該基板支持支柱を
挾持方向に付勢する付勢手段と、前記支柱支持部を回転
させる回転手段とを具備することを特徴とする半導体製
造装置。
1. A plurality of substrate support columns capable of clamping a peripheral portion of a substrate by rotation, a column support portion rotatably provided to rotatably clamp the substrate support column, the column support portion and the substrate support. A semiconductor manufacturing apparatus comprising: a biasing means provided between a support and a biasing means for biasing the substrate support support in a clamping direction; and a rotating means for rotating the support support.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009044526A1 (en) * 2007-10-05 2009-04-09 Evatech Co., Ltd. Substrate holding mechanism, substrate delivery/reception mechanism, and substrate processing device

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