JP2000054153A - 電子部品の電極形成方法 - Google Patents
電子部品の電極形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 たとえば誘電体共振器の電極を銅の無電解め
っきにより形成したとき、電極となる銅膜中に空孔が生
じ、電極の電気抵抗を低くすることができず、Ｑ特性に
対する損失がもたらされる。 【解決手段】 誘電体共振器１のためのセラミック素体
２上に、電極３となる銅膜を無電解めっきにより形成し
た後、この誘電体共振器１を加圧状態に置き、空孔を潰
し、電極３の電気抵抗を低下させる。空孔は、潰された
結果、空孔潰痕５として、電極３となる銅膜中に残る。
っきにより形成したとき、電極となる銅膜中に空孔が生
じ、電極の電気抵抗を低くすることができず、Ｑ特性に
対する損失がもたらされる。 【解決手段】 誘電体共振器１のためのセラミック素体
２上に、電極３となる銅膜を無電解めっきにより形成し
た後、この誘電体共振器１を加圧状態に置き、空孔を潰
し、電極３の電気抵抗を低下させる。空孔は、潰された
結果、空孔潰痕５として、電極３となる銅膜中に残る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電子部品の電極
形成方法に関するもので、特に、無電解めっきを用いる
電子部品の電極形成方法に関するものである。
形成方法に関するもので、特に、無電解めっきを用いる
電子部品の電極形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３には、この発明にとって興味ある誘
電体共振器１が断面図で示されている。
電体共振器１が断面図で示されている。
【０００３】ここに図示した誘電体共振器１は、筒状の
セラミック素体２を備えている。セラミック素体２の外
周面、内周面および両端面を含む表面上には、金属膜か
らなる電極３が形成されている。
セラミック素体２を備えている。セラミック素体２の外
周面、内周面および両端面を含む表面上には、金属膜か
らなる電極３が形成されている。
【０００４】上述の電極３は、たとえば、銅を無電解め
っきすることによって形成される。また、このような無
電解めっきの前処理工程として、通常、セラミック素体
２の表面に対して、脱脂処理、エッチング処理、感受性
化処理および活性化処理が施される。
っきすることによって形成される。また、このような無
電解めっきの前処理工程として、通常、セラミック素体
２の表面に対して、脱脂処理、エッチング処理、感受性
化処理および活性化処理が施される。
【０００５】また、無電解めっき工程の後には、不活性
雰囲気中で熱処理されることがある。この熱処理は、無
電解めっき工程において析出した銅の粒子成長をもたら
すもので、これによって、粒子間抵抗を減少させ、Ｑ特
性を向上させる。
雰囲気中で熱処理されることがある。この熱処理は、無
電解めっき工程において析出した銅の粒子成長をもたら
すもので、これによって、粒子間抵抗を減少させ、Ｑ特
性を向上させる。
【０００６】また、上述した不活性雰囲気中での熱処理
の後に、防錆処理が施され、銅めっき膜すなわち電極３
の表面に酸化防止膜が形成されることもある。
の後に、防錆処理が施され、銅めっき膜すなわち電極３
の表面に酸化防止膜が形成されることもある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図４には、図３の部分
Ａが拡大されて示されている。
Ａが拡大されて示されている。
【０００８】前述したように、電極３となる金属膜を無
電解めっきにより形成した場合、めっき析出反応に伴
い、図４に示すように、電極３となる金属膜中に空孔４
が発生する。このような空孔４は、電極３の電気抵抗を
増す方向に作用し、その結果、Ｑ特性に対する損失をも
たらし、誘電体共振器１の特性の向上や小型化を阻害す
る原因となる。
電解めっきにより形成した場合、めっき析出反応に伴
い、図４に示すように、電極３となる金属膜中に空孔４
が発生する。このような空孔４は、電極３の電気抵抗を
増す方向に作用し、その結果、Ｑ特性に対する損失をも
たらし、誘電体共振器１の特性の向上や小型化を阻害す
る原因となる。
【０００９】なお、前述した不活性雰囲気中での熱処理
は、無電解めっき工程において析出した銅の粒子成長に
は寄与するが、空孔４を消滅させるには至らない。
は、無電解めっき工程において析出した銅の粒子成長に
は寄与するが、空孔４を消滅させるには至らない。
【００１０】そこで、この発明の目的は、上述したよう
な問題を解決し得る、電子部品の電極形成方法を提供し
ようとすることである。
な問題を解決し得る、電子部品の電極形成方法を提供し
ようとすることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明は、電子部品の
表面上の所定箇所に無電解めっきを施すことにより電極
となる金属膜を形成する、無電解めっき工程を備える、
電子部品の電極形成方法に向けられるものであって、上
述した技術的課題を解決するため、無電解めっき工程を
実施した後に、電子部品を加圧状態に置く、加圧工程を
備えることを特徴としている。
表面上の所定箇所に無電解めっきを施すことにより電極
となる金属膜を形成する、無電解めっき工程を備える、
電子部品の電極形成方法に向けられるものであって、上
述した技術的課題を解決するため、無電解めっき工程を
実施した後に、電子部品を加圧状態に置く、加圧工程を
備えることを特徴としている。
【００１２】この発明において、無電解めっき工程と加
圧工程との間、および／または加圧工程の後に、電子部
品を熱処理する熱処理工程をさらに備えることが好まし
い。
圧工程との間、および／または加圧工程の後に、電子部
品を熱処理する熱処理工程をさらに備えることが好まし
い。
【００１３】この発明に係る電子部品の電極形成方法に
備える無電解めっき工程は、たとえば、銅を無電解めっ
きする工程である。
備える無電解めっき工程は、たとえば、銅を無電解めっ
きする工程である。
【００１４】また、この発明に係る電極形成方法が有利
に適用される電子部品としては、たとえば、セラミック
電子部品があり、さらに特定的には、誘電体共振器があ
る。
に適用される電子部品としては、たとえば、セラミック
電子部品があり、さらに特定的には、誘電体共振器があ
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】この発明の一実施形態を説明する
ため、前述した図３を再び参照する。
ため、前述した図３を再び参照する。
【００１６】この発明に従って、図３に示すような誘電
体共振器１を得るため、まず、セラミック素体２が用意
される。セラミック素体２は、たとえば、Ｍｇ−Ｔｉ−
Ｃａ系の誘電体から構成される。
体共振器１を得るため、まず、セラミック素体２が用意
される。セラミック素体２は、たとえば、Ｍｇ−Ｔｉ−
Ｃａ系の誘電体から構成される。
【００１７】次に、セラミック素体２の表面が脱脂処理
される。この脱脂処理にあたっては、たとえば、４０〜
５０℃のケイ酸塩水溶液中にセラミック素体２を１０分
間程度浸漬することが行なわれる。
される。この脱脂処理にあたっては、たとえば、４０〜
５０℃のケイ酸塩水溶液中にセラミック素体２を１０分
間程度浸漬することが行なわれる。
【００１８】次いで、セラミック素体２の表面は、エッ
チング処理される。このエッチング処理にあたっては、
たとえば、３０〜４０℃のホウフッ化水素酸水溶液中に
セラミック素体２を１０分間程度浸漬することが行なわ
れる。
チング処理される。このエッチング処理にあたっては、
たとえば、３０〜４０℃のホウフッ化水素酸水溶液中に
セラミック素体２を１０分間程度浸漬することが行なわ
れる。
【００１９】次いで、セラミック素体２の表面は、感受
性化処理される。この感受性化処理にあたっては、たと
えば、２０〜３０℃の塩化第１錫水溶液中にセラミック
素体２を１０分間程度浸漬することが行なわれる。
性化処理される。この感受性化処理にあたっては、たと
えば、２０〜３０℃の塩化第１錫水溶液中にセラミック
素体２を１０分間程度浸漬することが行なわれる。
【００２０】次いで、セラミック素体２の表面は、活性
化処理される。この活性化処理にあたっては、たとえ
ば、２０〜３０℃の塩化パラジウム水溶液にセラミック
素体２を１０分間程度浸漬することが行なわれる。
化処理される。この活性化処理にあたっては、たとえ
ば、２０〜３０℃の塩化パラジウム水溶液にセラミック
素体２を１０分間程度浸漬することが行なわれる。
【００２１】次に、セラミック素体２の表面に、たとえ
ば銅の無電解めっきが施される。この無電解めっきにあ
たっては、たとえば、４０〜５０℃の硫酸銅−ＥＤＴＡ
−ホルマリン−ＮａＯＨ組成のめっき浴中にセラミック
素体２を４０分間程度浸漬することが行なわれる。この
ようにして、セラミック素体２の表面上に、電極３とな
る銅膜を形成した、誘電体共振器１として必要な構造が
得られる。
ば銅の無電解めっきが施される。この無電解めっきにあ
たっては、たとえば、４０〜５０℃の硫酸銅−ＥＤＴＡ
−ホルマリン−ＮａＯＨ組成のめっき浴中にセラミック
素体２を４０分間程度浸漬することが行なわれる。この
ようにして、セラミック素体２の表面上に、電極３とな
る銅膜を形成した、誘電体共振器１として必要な構造が
得られる。
【００２２】次いで、上述した無電解めっき反応を停止
させるとともに、誘電体共振器１上に付着しためっき成
分を除去するため、たとえば、２０〜３０℃のイオン交
換水を用いて１０分間程度水洗処理される。
させるとともに、誘電体共振器１上に付着しためっき成
分を除去するため、たとえば、２０〜３０℃のイオン交
換水を用いて１０分間程度水洗処理される。
【００２３】次いで、上述の水洗水を除去するため、乾
燥工程に付される。この乾燥工程では、たとえば、７０
〜８０℃の温風が２０分間程度付与される。
燥工程に付される。この乾燥工程では、たとえば、７０
〜８０℃の温風が２０分間程度付与される。
【００２４】次に、誘電体共振器１は、不活性雰囲気中
で熱処理される。この熱処理においては、たとえば、窒
素雰囲気中で６００〜６５０℃の温度が、１０分間程
度、誘電体共振器１に対して付与される。この熱処理に
よって、電極３となる銅膜を構成する銅の析出粒子を成
長させ、粒子間抵抗を減少させ、Ｑ特性の向上が図られ
る。
で熱処理される。この熱処理においては、たとえば、窒
素雰囲気中で６００〜６５０℃の温度が、１０分間程
度、誘電体共振器１に対して付与される。この熱処理に
よって、電極３となる銅膜を構成する銅の析出粒子を成
長させ、粒子間抵抗を減少させ、Ｑ特性の向上が図られ
る。
【００２５】次に、誘電体共振器１は、加圧状態に置か
れる。この加圧工程は、この発明の特徴となる工程であ
って、この加圧工程では、たとえば、不活性雰囲気中
で、２０００ａｔｍ程度の圧力が、１時間程度、誘電体
共振器１に対して付与される。なお、このとき、たとえ
ば２０００ａｔｍといった高圧力を得るため、不活性ガ
スを加熱により膨張させる装置を用いる場合、この加圧
工程において、たとえば６００℃程度の温度が誘電体共
振器１に付与されることもある。
れる。この加圧工程は、この発明の特徴となる工程であ
って、この加圧工程では、たとえば、不活性雰囲気中
で、２０００ａｔｍ程度の圧力が、１時間程度、誘電体
共振器１に対して付与される。なお、このとき、たとえ
ば２０００ａｔｍといった高圧力を得るため、不活性ガ
スを加熱により膨張させる装置を用いる場合、この加圧
工程において、たとえば６００℃程度の温度が誘電体共
振器１に付与されることもある。
【００２６】このような加圧処理を行なったとき、電極
３となる銅膜中の図４に示した空孔４は、図１に示すよ
うに潰される。図１は、図４に相当する図であって、図
３の部分Ａを拡大して示したものである。図１におい
て、空孔４が潰された結果として生じた空孔潰痕５が図
示されている。このように、空孔４が潰されることによ
って、電極３となる銅膜の電気抵抗が減少し、その結
果、Ｑ特性の向上がもたらされる。
３となる銅膜中の図４に示した空孔４は、図１に示すよ
うに潰される。図１は、図４に相当する図であって、図
３の部分Ａを拡大して示したものである。図１におい
て、空孔４が潰された結果として生じた空孔潰痕５が図
示されている。このように、空孔４が潰されることによ
って、電極３となる銅膜の電気抵抗が減少し、その結
果、Ｑ特性の向上がもたらされる。
【００２７】次に、電極３となる銅膜が防錆処理され
る。この防錆処理のため、たとえば、２０〜３０℃の銅
防錆剤を含む防錆液中に、５分間程度、誘電体共振器１
を浸漬することが行なわれる。
る。この防錆処理のため、たとえば、２０〜３０℃の銅
防錆剤を含む防錆液中に、５分間程度、誘電体共振器１
を浸漬することが行なわれる。
【００２８】次に、誘電体共振器１が防錆液から取り出
され、そこに付着した水分が除去される。この水分の除
去にあたっては、たとえば、７０〜８０℃の温風が、誘
電体共振器１に対して、２０分間程度付与する乾燥処理
が実施される。
され、そこに付着した水分が除去される。この水分の除
去にあたっては、たとえば、７０〜８０℃の温風が、誘
電体共振器１に対して、２０分間程度付与する乾燥処理
が実施される。
【００２９】このようにして、図１に示すように、電極
３となる銅膜に、空孔潰痕５のみを残し、空孔４のな
い、誘電体共振器１を得ることができる。
３となる銅膜に、空孔潰痕５のみを残し、空孔４のな
い、誘電体共振器１を得ることができる。
【００３０】上述した実施形態に従いながら、以下の表
１に示すように、エッチング処理の有無および加圧処理
の有無の点でそれぞれ異なる、試料１〜４を作製した。
そして、試料１〜４のそれぞれについて、無負荷Ｑを、
１．５ＧＨｚの測定周波数の下で１／４λＴＥＭモード
で励振させながら測定した。これら試料１〜４のそれぞ
れの無負荷Ｑの測定結果が、表１および図２に示されて
いる。
１に示すように、エッチング処理の有無および加圧処理
の有無の点でそれぞれ異なる、試料１〜４を作製した。
そして、試料１〜４のそれぞれについて、無負荷Ｑを、
１．５ＧＨｚの測定周波数の下で１／４λＴＥＭモード
で励振させながら測定した。これら試料１〜４のそれぞ
れの無負荷Ｑの測定結果が、表１および図２に示されて
いる。
【００３１】
【表１】 表１に示すように、試料１および２では、エッチング処
理が施され、他方、試料３および４では、エッチング処
理が施されていない。また、この発明の特徴となる加圧
処理については、試料２および４において施し、試料１
および３においては施していない。
理が施され、他方、試料３および４では、エッチング処
理が施されていない。また、この発明の特徴となる加圧
処理については、試料２および４において施し、試料１
および３においては施していない。
【００３２】まず、表１および図２に示した無負荷Ｑと
加圧処理の有無との関連について注目すると、試料１お
よび２の間あるいは試料３および４の間で比較すればわ
かるように、加圧処理を施した試料２および４の無負荷
Ｑは、それぞれ、加圧処理を施していない試料１および
３の無負荷Ｑより向上している。
加圧処理の有無との関連について注目すると、試料１お
よび２の間あるいは試料３および４の間で比較すればわ
かるように、加圧処理を施した試料２および４の無負荷
Ｑは、それぞれ、加圧処理を施していない試料１および
３の無負荷Ｑより向上している。
【００３３】次に、無負荷Ｑとエッチング処理の有無と
の関連について考察する。このエッチング処理は、セラ
ミック素体２と電極３のための銅膜とのコンタクト性
（密着強度）を向上させるのに寄与するものである。こ
のコンタクト性が良好でないと、セラミック素体２と電
極３のための銅膜との間に隙間が生じ、電極３の有効面
積が小さくなり、その結果、Ｑ特性が劣化する。
の関連について考察する。このエッチング処理は、セラ
ミック素体２と電極３のための銅膜とのコンタクト性
（密着強度）を向上させるのに寄与するものである。こ
のコンタクト性が良好でないと、セラミック素体２と電
極３のための銅膜との間に隙間が生じ、電極３の有効面
積が小さくなり、その結果、Ｑ特性が劣化する。
【００３４】しかしながら、特に試料４に注目すると、
エッチング処理を施していなくても、この発明の特徴と
なる加圧処理を施すことにより、エッチング処理および
加圧処理の双方を施した試料２に匹敵する無負荷Ｑが得
られており、また、エッチング処理を施したが、加圧処
理を施さなかった試料１に比べると、むしろ無負荷Ｑが
向上していることがわかる。
エッチング処理を施していなくても、この発明の特徴と
なる加圧処理を施すことにより、エッチング処理および
加圧処理の双方を施した試料２に匹敵する無負荷Ｑが得
られており、また、エッチング処理を施したが、加圧処
理を施さなかった試料１に比べると、むしろ無負荷Ｑが
向上していることがわかる。
【００３５】したがって、この発明の特徴となる加圧処
理によれば、エッチング処理の有無に実質的に左右され
ることなく、Ｑ特性を向上させることができ、エッチン
グ処理の省略を可能にする。
理によれば、エッチング処理の有無に実質的に左右され
ることなく、Ｑ特性を向上させることができ、エッチン
グ処理の省略を可能にする。
【００３６】以上、この発明を、図示した特定の実施形
態に関連して説明したが、この発明の範囲内において、
その他、種々の実施形態が可能である。
態に関連して説明したが、この発明の範囲内において、
その他、種々の実施形態が可能である。
【００３７】たとえば、上述した実施形態では、電極３
となる金属膜は、銅を無電解めっきすることによって形
成されたが、他の金属を無電解めっきする場合において
も、この発明を適用することができる。
となる金属膜は、銅を無電解めっきすることによって形
成されたが、他の金属を無電解めっきする場合において
も、この発明を適用することができる。
【００３８】また、上述した実施形態では、熱処理工程
を、無電解めっき工程と加圧工程との間で実施したが、
これに代えて、あるいはこれに加えて、加圧工程の後に
実施してもよい。
を、無電解めっき工程と加圧工程との間で実施したが、
これに代えて、あるいはこれに加えて、加圧工程の後に
実施してもよい。
【００３９】また、上述した実施形態では、電子部品と
して、セラミック電子部品、より特定的には、誘電体共
振器１が示されたが、他の材料構成あるいは他の機能を
有する電子部品に対しても、この発明を適用することが
できる。
して、セラミック電子部品、より特定的には、誘電体共
振器１が示されたが、他の材料構成あるいは他の機能を
有する電子部品に対しても、この発明を適用することが
できる。
【００４０】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、電子
部品の表面上の所定箇所に無電解めっきを施すことによ
り、電極となる金属膜を形成した後、この電子部品を加
圧状態に置く、加圧工程が実施されるので、電極となる
金属膜中の空孔を潰し、この金属膜の電気抵抗を低下さ
せることができる。
部品の表面上の所定箇所に無電解めっきを施すことによ
り、電極となる金属膜を形成した後、この電子部品を加
圧状態に置く、加圧工程が実施されるので、電極となる
金属膜中の空孔を潰し、この金属膜の電気抵抗を低下さ
せることができる。
【００４１】したがって、この発明が、たとえば誘電体
共振器の電極形成に適用されると、無負荷Ｑが、誘電体
の理論無負荷Ｑにより近づけることができ、誘電体共振
器の特性を向上させ、また、小型化を図ることが可能に
なる。
共振器の電極形成に適用されると、無負荷Ｑが、誘電体
の理論無負荷Ｑにより近づけることができ、誘電体共振
器の特性を向上させ、また、小型化を図ることが可能に
なる。
【００４２】また、上述した加圧工程は、電極となる金
属膜と電子部品とのコンタクト性を向上させることがで
きる。そのため、通常、セラミック電子部品において、
このコンタクト性を向上させるために行なわれているエ
ッチング処理を省略することもできる。したがって、排
水規制の対象となっているホウ素やフッ素を含むたとえ
ばホウフッ化水素酸水溶液のようなエッチング処理液の
使用が不要となるため、環境保護の点でも好ましい。
属膜と電子部品とのコンタクト性を向上させることがで
きる。そのため、通常、セラミック電子部品において、
このコンタクト性を向上させるために行なわれているエ
ッチング処理を省略することもできる。したがって、排
水規制の対象となっているホウ素やフッ素を含むたとえ
ばホウフッ化水素酸水溶液のようなエッチング処理液の
使用が不要となるため、環境保護の点でも好ましい。
【図１】図３の部分Ａを拡大して示す断面図であり、こ
の発明の一実施形態による電極形成方法によって形成さ
れた電極３を示す。
の発明の一実施形態による電極形成方法によって形成さ
れた電極３を示す。
【図２】この発明の実施形態に従って、表１に示した条
件で作製された試料１〜４の無負荷Ｑを示す図である。
件で作製された試料１〜４の無負荷Ｑを示す図である。
【図３】この発明にとって興味ある誘電体共振器１を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】図３の部分Ａを拡大して示す、図１に相当する
断面図であり、この発明が解決しようとする課題を説明
するためのものである。
断面図であり、この発明が解決しようとする課題を説明
するためのものである。
１ 誘電体共振器 ２ セラミック素体 ３ 電極 ４ 空孔 ５ 空孔潰痕
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高野 良比古 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 沼田 外志 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 4K022 AA04 AA41 BA08 CA03 CA06 DA01 DB06 DB08 EA01 EA02 5J006 HA03 LA02 LA25 LA28
Claims (5)
- 【請求項１】 電子部品の表面上の所定箇所に無電解め
っきを施すことにより電極となる金属膜を形成する、無
電解めっき工程と、 その後、前記電子部品を加圧状態に置く、加圧工程とを
備える、電子部品の電極形成方法。 - 【請求項２】 前記無電解めっき工程と前記加圧工程と
の間、および／または前記加圧工程の後に、前記電子部
品を熱処理する熱処理工程をさらに備える、請求項１に
記載の電子部品の電極形成方法。 - 【請求項３】 前記無電解めっき工程は、銅を無電解め
っきする工程を含む、請求項１または２に記載の電子部
品の電極形成方法。 - 【請求項４】 前記電子部品が、セラミック電子部品で
ある、請求項１ないし３のいずれかに記載の電子部品の
電極形成方法。 - 【請求項５】 前記セラミック電子部品が、誘電体共振
器である、請求項４に記載の電子部品の電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22405598A JP2000054153A (ja) | 1998-08-07 | 1998-08-07 | 電子部品の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22405598A JP2000054153A (ja) | 1998-08-07 | 1998-08-07 | 電子部品の電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000054153A true JP2000054153A (ja) | 2000-02-22 |
Family
ID=16807885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22405598A Pending JP2000054153A (ja) | 1998-08-07 | 1998-08-07 | 電子部品の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000054153A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006152431A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-06-15 | Alps Electric Co Ltd | めっき基板、無電解めっき方法およびこの方法を用いた回路形成方法 |
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