JP2000010285A - Positive type photoresist composition for exposure with far ultraviolet ray - Google Patents

Positive type photoresist composition for exposure with far ultraviolet ray

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JP2000010285A
JP2000010285A JP10173379A JP17337998A JP2000010285A JP 2000010285 A JP2000010285 A JP 2000010285A JP 10173379 A JP10173379 A JP 10173379A JP 17337998 A JP17337998 A JP 17337998A JP 2000010285 A JP2000010285 A JP 2000010285A
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JP
Japan
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group
acid
embedded image
substituent
resin
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JP10173379A
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Japanese (ja)
Inventor
Kenichiro Sato
健一郎 佐藤
Toshiaki Aoso
利明 青合
Yasumasa Kawabe
保雅 河辺
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the occurrence of a cracking by incorporating a specified compd. besides an acid decomposable resin and a photo-acid generating agent. SOLUTION: This positive type photoresist compsn. contains a resin which is decomposed by the action of an acid to increase its alkali solubility, a compd. which generates the acid when irradiated with active rays of light or radiation and a compd. represented by the formula. In the formula, R1 is a di- to hexavalent combining group, R2-R4 may be mutually the same or different and are each a hydrocarbon group which may have a substituent, an amino group or the like, R6-R9 may be mutually the same or different and are each H, or the like, A is a divalent org. combining group or the like, (a) is an integer of 2-6, (1) is an integer of 0-6, (m) is an integer of 0-4 and (n) is an integer of 0-6. The compd. of the formula has at least one acid decomposable group in a part other than R1.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、超LSIや高容量
マイクロチップの製造などの超マイクロリソグラフィプ
ロセスやその他のフォトファブリケ−ションプロセスに
使用するポジ型フォトレジスト組成物に関するものであ
る。更に詳しくは、エキシマレ−ザ−光を含む遠紫外線
領域を使用して高精細化したパターンを形成しうるポジ
型フォトレジスト組成物に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a positive photoresist composition for use in an ultra-microlithography process such as the production of an VLSI or a high-capacity microchip and other photofabrication processes. More specifically, the present invention relates to a positive photoresist composition capable of forming a high-definition pattern using a far ultraviolet region including excimer laser light.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、集積回路はその集積度を益々高め
ており、超LSIなどの半導体基板の製造に於いてはハ
ーフミクロン以下の線幅から成る超微細パターンの加工
が必要とされるようになってきた。その必要性を満たす
ためにフォトリソグラフィーに用いられる露光装置の使
用波長は益々短波化し、今では、遠紫外線の中でも短波
長のエキシマレーザー光(XeCl、KrF、ArFな
ど)を用いることが検討されるまでになってきている。
この波長領域におけるリソグラフィーのパターン形成に
用いられるものとして、化学増幅系レジストがある。
2. Description of the Related Art In recent years, the degree of integration of integrated circuits has been increasing more and more, and in the manufacture of semiconductor substrates such as VLSIs, processing of ultrafine patterns having a line width of less than half a micron is required. It has become In order to satisfy the need, the wavelength used in an exposure apparatus used for photolithography is becoming shorter and shorter, and now it is considered to use excimer laser light (XeCl, KrF, ArF, etc.) having a short wavelength among far ultraviolet rays. Up to now.
A chemically amplified resist is used for forming a pattern in lithography in this wavelength region.

【0003】一般に化学増幅系レジストは、通称2成分
系、2.5成分系、3成分系の3種類に大別することが
できる。2成分系は、光分解により酸を発生する化合物
(以後、光酸発生剤という)とバインダー樹脂とを組み
合わせている。該バインダー樹脂は、酸の作用により分
解して、樹脂のアルカリ現像液中での溶解性を増加させ
る基(酸分解性基ともいう)を分子内に有する樹脂であ
る。2.5成分系はこうした2成分系に更に酸分解性基
を有する低分子化合物を含有する。3成分系は光酸発生
剤とアルカリ可溶性樹脂と上記低分子化合物を含有する
ものである。
In general, chemically amplified resists can be broadly classified into three types: so-called two-component, 2.5-component and three-component resists. The two-component system combines a compound that generates an acid by photolysis (hereinafter referred to as a photoacid generator) and a binder resin. The binder resin is a resin having in its molecule a group (also referred to as an acid-decomposable group) that decomposes under the action of an acid to increase the solubility of the resin in an alkaline developer. The 2.5-component system further contains a low-molecular compound having an acid-decomposable group in such a two-component system. The three-component system contains a photoacid generator, an alkali-soluble resin, and the above low molecular compound.

【0004】上記化学増幅系レジストは紫外線や遠紫外
線照射用のフォトレジストに適しているが、その中でさ
らに使用上の要求特性に対応する必要がある。例えば、
KrFエキシマレーザーの248nmの光を用いる場合
に特に光吸収の少ないヒドロキシスチレン系のポリマ−
に保護基としてアセタ−ル基やケタ−ル基を導入したポ
リマ−を用いたレジスト組成物が提案されている。特開
平2−141636、特開平2−19847、特開平4
−219757、特開平5−281745号公報などが
その例である。そのほかt−ブトキシカルボニルオキシ
基やp−テトラヒドロピラニルオキシ基を酸分解基とす
る同様の組成物が特開平2−209977、特開平3−
206458、特開平2−19847号公報などに提案
されている。これらは、KrFエキシマレーザーの24
8nmの光を用いる場合には適していても、ArFエキ
シマレーザーを光源に用いるときは、本質的になお吸光
度が大き過ぎるために感度が低い。さらにそれに付随す
るその他の欠点、例えば解像性の劣化、フォ−カス許容
度の劣化、パターンプロファイルの劣化などの問題があ
り、なお改善を要する点が多い。
The above-mentioned chemically amplified resist is suitable for a photoresist for irradiating ultraviolet rays or far ultraviolet rays, but among them, it is necessary to further meet the required characteristics in use. For example,
When using 248 nm light of a KrF excimer laser, a hydroxystyrene-based polymer having a low light absorption is particularly used.
There has been proposed a resist composition using a polymer having an acetal group or a ketal group introduced as a protective group. JP-A-2-141636, JP-A-2-19847, JP-A-4
For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-281745 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-281745 are examples. In addition, similar compositions using a t-butoxycarbonyloxy group or a p-tetrahydropyranyloxy group as an acid-decomposable group are disclosed in JP-A-2-209977 and JP-A-3-209.
206458 and JP-A-2-19847. These are 24 KrF excimer lasers.
Although suitable when using 8 nm light, sensitivity is low when using an ArF excimer laser as the light source, because the absorbance is still essentially too high. In addition, there are other disadvantages associated therewith, such as deterioration of resolution, deterioration of focus tolerance, deterioration of pattern profile, and the like, and many points still need improvement.

【0005】したがってArF光源用のフォトレジスト
組成物としては、部分的にヒドロキシ化したスチレン系
樹脂よりもさらに吸収の少ない(メタ)アクリル系樹脂
を光によつて酸を発生する化合物と組み合わせたフォト
レジスト組成物が提案されている。例えば特開平7−1
99467号、同7−252324号などがある。中で
も特開平6−289615ではアクリル酸のカルボキシ
ル基の酸素に3級炭素有機基がエステル結合した樹脂が
開示されている。
[0005] Accordingly, a photoresist composition for an ArF light source is a photoresist composition in which a (meth) acrylic resin having a lower absorption than a partially hydroxylated styrene resin is combined with a compound capable of generating an acid by light. Resist compositions have been proposed. For example, JP-A-7-1
No. 99467 and No. 7-252324. Among them, JP-A-6-289615 discloses a resin in which a tertiary carbon organic group is ester-bonded to oxygen of a carboxyl group of acrylic acid.

【0006】さらに特開平7−234511号ではアク
リル酸エステルとフマル酸エステルの双方を繰り返し単
位とする酸分解性樹脂が開示されているが、パターンプ
ロファイル、基板密着性などが不十分であり、満足な性
能が得られていないのが実情である。
Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-234511 discloses an acid-decomposable resin having both an acrylic ester and a fumaric ester as a repeating unit. It is a fact that no good performance has been obtained.

【0007】更にまた、ドライエッチング耐性付与の目
的で脂環式炭化水素部位が導入された樹脂が提案されて
いるが、脂環式炭化水素部位導入の弊害として系が極め
て疎水的になるがために、従来レジスト現像液として幅
広く用いられてきたテトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド(以下TMAH)水溶液での現像が困難となった
り、現像中に基板からレジストが剥がれてしまうなどの
現象が見られる。このようなレジストの疎水化に対応し
て、現像液にイソプロピルアルコールなどの有機溶媒を
混ぜるなどの対応が検討され、一応の成果が見られるも
のの、レジスト膜の膨潤の懸念やプロセスが煩雑になる
など必ずしも問題が解決されたとは言えない。レジスト
の改良というアプローチでは親水基の導入により疎水的
な種々の脂環式炭化水素部位を補うという施策も数多く
なされている。
Further, a resin into which an alicyclic hydrocarbon moiety has been introduced for the purpose of imparting dry etching resistance has been proposed. However, the introduction of an alicyclic hydrocarbon moiety has a disadvantage that the system becomes extremely hydrophobic. In addition, phenomena such as difficulty in developing with an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (hereinafter referred to as TMAH), which has been widely used as a resist developing solution, and peeling of the resist from the substrate during the development are observed. In response to such a resist hydrophobization, measures such as mixing an organic solvent such as isopropyl alcohol with a developing solution have been studied. Although some results have been obtained, concerns about the swelling of the resist film and the process become complicated. This does not necessarily mean that the problem has been solved. In the approach of improving the resist, many measures have been taken to supplement various hydrophobic alicyclic hydrocarbon sites by introducing a hydrophilic group.

【0008】特開平8−82925号公報には、テルペ
ノイド骨格を有する化合物、具体的にはテルペノイド骨
格を有する光酸発生剤や、テルペノイド骨格を有する樹
脂を含有するフォトレジスト組成物が開示されている。
しかしながら、この公報に実質的に開示されている技術
では、感度が不十分であった。更に、レジストパターン
プロファイルや、クラッキングの発生の防止という点で
未だ改良の余地があった。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-82925 discloses a photoresist composition containing a compound having a terpenoid skeleton, specifically, a photoacid generator having a terpenoid skeleton and a resin having a terpenoid skeleton. .
However, the technology substantially disclosed in this publication has insufficient sensitivity. Further, there is still room for improvement in resist pattern profiles and prevention of cracking.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、遠紫
外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用する上記
ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の
課題を解決することで、短波長光源に対して、感度が優
れ、パターンプロファイルが優れ、クラッキングの発生
が防止できるポジ型フォトレジスト組成物を提供するこ
とである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the problem of the above-mentioned technology for improving the performance inherent in microphotofabrication using far ultraviolet light, especially ArF excimer laser light, and to provide a short wavelength light source. An object of the present invention is to provide a positive photoresist composition having excellent sensitivity, excellent pattern profile, and capable of preventing cracking.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、ポジ型化
学増幅系におけるレジスト組成物の構成材料を鋭意検討
した結果、酸分解性樹脂と光酸発生剤に、更に特定の構
造の化合物を用いることにより、本発明の目的が達成さ
れることを知り、本発明に至った。即ち、上記目的は下
記構成によって達成される。
Means for Solving the Problems The present inventors have conducted intensive studies on the constituent materials of a resist composition in a positive-type chemical amplification system, and have found that an acid-decomposable resin and a photoacid generator are further compounded with a compound having a specific structure. It has been found that the object of the present invention is achieved by using, and the present invention has been achieved. That is, the above object is achieved by the following constitutions.

【0011】(1) 酸の作用により分解しアルカリに
対する溶解性が増加する樹脂、活性光線または放射線の
照射により酸を発生する化合物及び下記一般式(I)で
示される化合物を含有することを特徴とする遠紫外線露
光用ポジ型フォトレジスト組成物。
(1) It contains a resin which decomposes under the action of an acid to increase solubility in alkali, a compound which generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, and a compound represented by the following general formula (I). Positive photoresist composition for deep ultraviolet exposure.

【0012】[0012]

【化2】 Embedded image

【0013】一般式(I)中、R1 は、2価〜6価の連
結基を表す。R2 〜R4 は、同じでも異なってもよく、
置換基を有していてもよい炭化水素基、アルコキシ基、
ハロゲン原子、水酸基、アミノ基、−COOR0 、−C
OOR 5 、−NH−C(=O)−R5 、又は−NH−S
2 −R5 を表す。R5 は、置換基を有していてもよい
炭化水素基を表す。R0 は、−COOR0 で酸の作用に
より分解する基(酸分解性基)を構成する基を表す。R
6 〜R9 は、同じでも異なってもよく、水素原子、置換
基を有していてもよい炭化水素基、ハロゲン原子、シア
ノ基、−COOR0 、−COOR5 、又は−CO−X−
A−R10を表す。Xは、酸素原子、硫黄原子、−NH
−、−NHSO2 −、又は−NHSO2 NH−を表す。
Aは、単結合もしくは2価の有機連結基を表す。R
10は、置換基を有していてもよい炭化水素基、ラクトン
基、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、又はシア
ノ基を表す。aは、2〜6の整数を表す。lは、0〜6
の整数を表し、mは0〜4の整数を表し、nは、0〜6
の整数を表す。一般式(I)で示される化合物には、R
1 以外の部分に少なくとも1つの酸分解性基を有する。
In the general formula (I), R1 Is a divalent to hexavalent ream
Represents a linking group. RTwo~ RFourCan be the same or different,
A hydrocarbon group which may have a substituent, an alkoxy group,
Halogen atom, hydroxyl group, amino group, -COOR0, -C
OOR Five, -NH-C (= O) -RFiveOr -NH-S
OTwo-RFiveRepresents RFiveMay have a substituent
Represents a hydrocarbon group. R0Is -COOR0In the action of acid
It represents a group constituting a more decomposable group (acid-decomposable group). R
6~ R9May be the same or different and represent a hydrogen atom,
A hydrocarbon group which may have a group, a halogen atom,
NO group, -COOR0, -COORFiveOr -CO-X-
ARTenRepresents X is an oxygen atom, a sulfur atom, -NH
-, -NHSOTwo-Or-NHSOTwoRepresents NH-.
A represents a single bond or a divalent organic linking group. R
TenIs an optionally substituted hydrocarbon group, lactone
Group, hydroxyl group, alkoxy group, carboxyl group, or shea
Represents a no group. a represents an integer of 2 to 6. l is 0-6
M represents an integer of 0 to 4 and n represents 0 to 6
Represents an integer. The compound represented by the general formula (I) includes R
1And at least one other acid-decomposable group.

【0014】(2) 前記樹脂が、脂環式構造を有する
ことを特徴とする前記(1)に記載の遠紫外線露光用ポ
ジ型フォトレジスト組成物。 (3) 露光光として、170nm〜220nmの波長
の遠紫外線を用いることを特徴とする前記(1)又は
(2)に記載の遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組
成物。
(2) The positive photoresist composition for deep ultraviolet exposure according to (1), wherein the resin has an alicyclic structure. (3) The positive photoresist composition for deep ultraviolet exposure according to the above (1) or (2), wherein far ultraviolet rays having a wavelength of 170 nm to 220 nm are used as the exposure light.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明に使用する化合物に
ついて詳細に説明する。 (一般式(I)で表される化合物)−C(=O)−O−
0 で表される酸分解性基を構成するR0 としては、t
−ブチル基、t−アミル基等の3級アルキル基、イソボ
ロニル基、1−エトキシエチル基、1−ブトキシエチル
基、1−イソブトキシエチル基、1−シクロヘキシロキ
シエチル基等の1−アルコキシエチル基、1−メトキシ
メチル基、1−エトキシメチル基等のアルコキシメチル
基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル
基、トリアルキルシリル基、3−オキソシクロヘキシル
基、メバロニックラクトン等のラクトン基等を挙げるこ
とができる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the compounds used in the present invention will be described in detail. (Compound represented by Formula (I)) -C (= O) -O-
R 0 constituting the acid-decomposable group represented by R 0 is t
Tertiary alkyl groups such as -butyl group and t-amyl group, isobornyl group, 1-ethoxyethyl group, 1-butoxyethyl group, 1-alkoxyethyl group such as 1-isobutoxyethyl group and 1-cyclohexyloxyethyl group And lactone groups such as an alkoxymethyl group such as 1-methoxymethyl group and 1-ethoxymethyl group, a tetrahydropyranyl group, a tetrahydrofuranyl group, a trialkylsilyl group, a 3-oxocyclohexyl group, and a mevalonic lactone. Can be.

【0016】R2 〜R4 、R5 、R6 〜R9 、R10にお
ける炭化水素基としては、、好ましくはアルキル基、シ
クロアルキル基を挙げることができる。アルキル基とし
ては、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル
基、sec−ブチル基のような炭素数1〜4個のものが
挙げられる。シクロアルキル基としては、シクロプロピ
ル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマン
チル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テト
ラシクロドデカニル基等を挙げることができる。アルコ
キシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものが挙げること
ができる。ハロゲン原子としては、フッソ原子、塩素原
子、臭素原子等が挙げられる。上記炭化水素基の更なる
置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ
基、アルコキシカルボニル基、アシル基、アシロキシ
基、シアノ基等が挙げられる。
The hydrocarbon group for R 2 to R 4 , R 5 , R 6 to R 9 and R 10 is preferably an alkyl group or a cycloalkyl group. Examples of the alkyl group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, and a sec-butyl group. Examples of the cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, an adamantyl group, a norbornyl group, a tricyclodecanyl group, and a tetracyclododecanyl group. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, and a bromine atom. Further substituents on the hydrocarbon group include a hydroxyl group, a halogen atom, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an acyl group, an acyloxy group, a cyano group and the like.

【0017】R1 の2〜6価の連結基としては、2価〜
3価の窒素原子、2価〜4価の炭素原子、ヘテロ原子を
含んでいてもよい、2〜6価の炭化水素基が挙げられ
る。ヘテロ原子を含んでいてもよい、2〜6価の炭化水
素基としては、2〜6価の脂肪族炭化水素基、2〜6価
の脂環式基が挙げられ、ヘテロ原子としては酸素原子、
硫黄原子、窒素原子が挙げられる。2〜6価の脂肪族炭
化水素基としては、炭素原子2〜4個を含む2〜6価の
脂肪族炭化水素基が挙げられる。2〜6価の脂環式基と
しては、骨格として炭素原子が5〜30個を含むもの
で、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン、及び
後記する脂環式構造の骨格が挙げられ、それらが2価〜
6価になったものが挙げられる。
As the divalent to hexavalent linking group for R 1 , divalent to
Examples thereof include a trivalent nitrogen atom, a divalent to tetravalent carbon atom, and a divalent to hexavalent hydrocarbon group which may contain a hetero atom. Examples of the divalent to hexavalent hydrocarbon group which may contain a hetero atom include a divalent to hexavalent aliphatic hydrocarbon group and a divalent to hexavalent alicyclic group. ,
Examples include a sulfur atom and a nitrogen atom. Examples of the divalent to hexavalent aliphatic hydrocarbon group include divalent to hexavalent aliphatic hydrocarbon groups containing 2 to 4 carbon atoms. Examples of the divalent to hexavalent alicyclic group include those having 5 to 30 carbon atoms as a skeleton, and specific examples thereof include cyclopentane, cyclohexane, and a skeleton of an alicyclic structure described below. Divalent ~
Hexavalent ones are mentioned.

【0018】Aの2価の連結基としては、置換基を有し
ていても良いアルキレン基、エーテル基、チオエーテル
基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフォン
アミド基、ウレタン基、又はウレア基よりなる群から選
択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表
す。置換基を有していてもよいアルキレン基としては、
下記で示される基を挙げることができる。 −〔C(Ra )(Rb )〕r − 式中、 Ra 、Rb :水素原子、アルキル基、置換アルキル基、
ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表し、両者は同
一でも異なっていてもよく、アルキル基としてはメチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基
等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基よりなる群
から選択された置換基を表す。置換アルキル基の置換基
としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げ
ることができる。アルコキシ基としてはメトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4
個のものを挙げることができる。rは1〜10の整数を
表す。一般式(I)で示される化合物には、R1 の部分
以外に酸分解性基を少なくとも1つを有する。酸分解性
基は、好ましくは、R6 〜R9 のいずれかに含有するこ
とができる。
As the divalent linking group for A, an alkylene group which may have a substituent, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, an ester group, an amide group, a sulfonamide group, a urethane group, or a urea group A single or a combination of two or more groups selected from the group consisting of As the alkylene group which may have a substituent,
The groups shown below can be exemplified. -[C (R a ) (R b )] r-wherein R a and R b are a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group,
Represents a halogen atom, a hydroxyl group, or an alkoxy group; they may be the same or different; and the alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, or a butyl group, and more preferably a methyl group. Represents a substituent selected from the group consisting of a group, an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group. Examples of the substituent of the substituted alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom and an alkoxy group. Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group.
Individuals can be mentioned. r represents an integer of 1 to 10. The compound represented by the general formula (I) has at least one acid-decomposable group other than the moiety of R 1 . The acid-decomposable group can be preferably contained in any of R 6 to R 9 .

【0019】上記の中でも、R1 としては、炭素数1〜
6個の2〜6価のアルキル残基、アルキル置換してもよ
い窒素原子、シクロペンチル残基、シクロヘキシル残
基、ノルボルナン残基、トリシクロデカン残基、フラン
残基、ピラン残基が好ましく、R2 〜R4 としては、各
々メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、
水酸基、塩素原子、臭素原子、アミノ基又は酸分解性基
が好ましい。R6 〜R9としては、各々メチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、シアノ基、、酸分
解性基、塩素原子、メトキシカルボニル基、エトキシカ
ルボニル基、ヒドロキシエトキシカルボニル基が好まし
い。
Among the above, R 1 has 1 to 1 carbon atoms.
Six divalent to hexavalent alkyl residues, a nitrogen atom which may be alkyl-substituted, a cyclopentyl residue, a cyclohexyl residue, a norbornane residue, a tricyclodecane residue, a furan residue and a pyran residue are preferred. 2 to R 4 each represent a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group,
A hydroxyl group, a chlorine atom, a bromine atom, an amino group or an acid-decomposable group is preferred. As R 6 to R 9 , a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a cyano group, an acid-decomposable group, a chlorine atom, a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, and a hydroxyethoxycarbonyl group are preferable.

【0020】一般式(I)で示される化合物の具体例を
以下に示すが、本発明の内容がこれらに限定されるもの
ではない。
Specific examples of the compound represented by formula (I) are shown below, but the present invention is not limited thereto.

【0021】[0021]

【化3】 Embedded image

【0022】[0022]

【化4】 Embedded image

【0023】[0023]

【化5】 Embedded image

【0024】[0024]

【化6】 Embedded image

【0025】[0025]

【化7】 Embedded image

【0026】上記一般式(I)で示される化合物の合成
においては、それに対応するジテルペノイド化合物とア
ルコール類を反応させた後、ビニル化合物とのディール
ス−アルダー反応を行い、更に水添反応を行うことによ
り目的の化合物を得ることができる。置換基導入に際し
てはSimonsen et al.著 「Terpe
ns Ed.2」を参考にできる。本発明において、一
般式(I)で示される化合物の組成物中の添加量として
は組成物中の全重量(固形分)に対して、通常1〜60
重量%、好ましくは3〜50重量%である。
In the synthesis of the compound represented by the above general formula (I), a corresponding diterpenoid compound is reacted with an alcohol, followed by a Diels-Alder reaction with a vinyl compound, followed by a hydrogenation reaction. To obtain the desired compound. When introducing a substituent, Simonsen et al. Written by Terpe
ns Ed. 2 "can be referred to. In the present invention, the amount of the compound represented by the general formula (I) in the composition is usually 1 to 60 with respect to the total weight (solid content) in the composition.
%, Preferably 3 to 50% by weight.

【0027】以下、酸の作用により分解し、アルカリ現
像液中での溶解性が増加する樹脂(酸分解性樹脂ともい
う)について説明する。まず、酸分解性樹脂としては、
酸の作用により分解しうる基(酸分解性基ともいう)を
有し、脂環式構造を有するものが好ましい。脂環式構造
は、樹脂の側鎖にあっても、主鎖にあっても、その両方
にあってもよい。また脂環式構造は、多環式構造や有橋
式構造のものを包含する。また、酸分解性基は、脂環式
構造に含まれてもよいし、別の繰り返し単位に含まれて
もよい。脂環式構造の骨格としては、シクロペンタン、
シクロヘキサン、あるいは下記構造が挙げられる。
Hereinafter, a resin (also referred to as an acid-decomposable resin) which is decomposed by the action of an acid and has increased solubility in an alkali developer will be described. First, as the acid-decomposable resin,
Those having a group that can be decomposed by the action of an acid (also referred to as an acid-decomposable group) and having an alicyclic structure are preferable. The alicyclic structure may be in the side chain, main chain, or both of the resin. The alicyclic structure includes those having a polycyclic structure and a bridged structure. Further, the acid-decomposable group may be contained in the alicyclic structure, or may be contained in another repeating unit. As the skeleton of the alicyclic structure, cyclopentane,
Examples include cyclohexane or the following structures.

【0028】[0028]

【化8】 Embedded image

【0029】[0029]

【化9】 Embedded image

【0030】上記の中でも、シクロペンタン、シクロヘ
キサン、(5)、(6)、(7)、(9)、(10)、
(13)、(14)、(15)、(23)、(28)、
(36)、(37)、(42)、(47)が好ましい。
Among the above, cyclopentane, cyclohexane, (5), (6), (7), (9), (10),
(13), (14), (15), (23), (28),
(36), (37), (42) and (47) are preferred.

【0031】以下、酸分解性樹脂の好ましい例を示す。 酸分解性樹脂(a) 下記一般式(aI)、(aII)又は(aIII )で表され
る1価の多環型の脂環式基のうち少なくとも1つと、酸
の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解性を増
大させる基とを有する樹脂。
Hereinafter, preferred examples of the acid-decomposable resin will be described. Acid-decomposable resin (a) At least one of monovalent polycyclic alicyclic groups represented by the following general formula (aI), (aII) or (aIII) is decomposed by the action of an acid to form an alkali. A resin having a group that increases solubility in a developer.

【0032】[0032]

【化10】 Embedded image

【0033】式(aI)〜(aIII)中、R11〜R15は同
じでも異なっていてもよく、置換基を有していても良
い、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、ア
シロキシ基、アルキニル基、ハロゲン原子、シアノ基も
しくは、 −R16−O−R17基、 −R18−CO−O−R19基、 −R20−CO−NR2122基、 −R23−O−CO−R24基、 −R25−CO−X1 −A1 −R26、 −R25−CO−X1 −A2 −R27、 −R25−CO−NHSO2 −X2 −A−R27又は、 −COOZを表す。
In the formulas (aI) to (aIII), R 11 to R 15 may be the same or different, and may have a substituent, such as an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an acyloxy group, alkynyl group, a halogen atom, a cyano group or, -R 16 -O-R 17 group, -R 18 -CO-O-R 19 group, -R 20 -CO-NR 21 R 22 groups, -R 23 -O- CO-R 24 groups, -R 25 -CO-X 1 -A 1 -R 26 , -R 25 -CO-X 1 -A 2 -R 27 , -R 25 -CO-NHSO 2 -X 2 -A- Represents R 27 or —COOZ.

【0034】R17、R19は同じでも異なっていてもよ
く、水素原子、置換基を有していても良い、アルキル
基、シクロアルキル基、アルケニル基、−Z、又は−O
−R17もしくは−CO−O−R19で酸の作用により分解
してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基(酸分
解性基)を構成する基を表す。Zは下記に示す基であ
る。
R 17 and R 19 may be the same or different, and may be a hydrogen atom, which may have a substituent, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, -Z or -O
-R 17 or -CO-OR 19 represents a group constituting a group (acid-decomposable group) which is decomposed by the action of an acid to increase solubility in an alkaline developer. Z is a group shown below.

【0035】[0035]

【化11】 Embedded image

【0036】R29〜R36は、同じでも異なってもよく、
水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基を表
す。a、bは、各々1又は2を表す。R21〜R22、R24
は同じでも異なっていてもよく、水素原子、置換基を有
していても良い、アルキル基、シクロアルキル基又はア
ルケニル基を表し、R21とR22が結合して環を形成して
も良い。R16、R18、R20、R23は同じでも異なってい
てもよく、単結合もしくは、置換基を有していても良
い、アルキレン基、アルケニレン基、又はシクロアルキ
レン基を表す。
R 29 to R 36 may be the same or different;
Represents a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent. a and b each represent 1 or 2. R 21 to R 22 , R 24
May be the same or different and represent a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, a cycloalkyl group or an alkenyl group, and R 21 and R 22 may combine to form a ring . R 16 , R 18 , R 20 and R 23 may be the same or different and represent a single bond or an alkylene group, alkenylene group or cycloalkylene group which may have a substituent.

【0037】R25は、単結合、置換基を有していても良
い、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。X1
は、酸素原子、硫黄原子、又は−NH−を表す。X2
は、単結合又は−NH−を表す。Aは、単結合、置換基
を有していても良いアルキレン基、エーテル基、チオエ
ーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スル
フォンアミド基、ウレタン基、又はウレア基よりなる群
から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせ
を表す。
R 25 represents a single bond, an alkylene group or a cycloalkylene group which may have a substituent. X 1
Represents an oxygen atom, a sulfur atom, or -NH-. X 2
Represents a single bond or -NH-. A is selected from the group consisting of a single bond, an alkylene group which may have a substituent, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, an ester group, an amide group, a sulfonamide group, a urethane group, and a urea group. Represents a single or a combination of two or more groups.

【0038】A1 は、置換基を有していても良いアルキ
レン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、
エステル基よりなる群から選択される単独あるいは2つ
以上の基の組み合わせを表す。A2 は、置換基を有して
いても良いアルキレン基、エーテル基、チオエーテル
基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフォン
アミド基、ウレタン基、又はウレア基よりなる群から選
択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表
し、但し、少なくとも1つは、スルフォンアミド基、ウ
レタン基、又はウレア基から選択される。
A 1 represents an alkylene group which may have a substituent, an ether group, a thioether group, a carbonyl group,
It represents a single or a combination of two or more groups selected from the group consisting of ester groups. A 2 is an alkylene group which may have a substituent, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, an ester group, an amide group, a sulfonamide group, a urethane group, or a urea group alone or Represents a combination of two or more groups, provided that at least one is selected from a sulfonamide group, a urethane group, or a urea group.

【0039】R26は、−COOH、−COOR19、−O
17、−COOZ、−CN、水酸基、又は−CO−NH
−SO2−R40を表す。R27は、−COOH、−COO
19、−OR17、−CN、水酸基、−CO−NH−
40、−CO−NH−SO2−R40、−Z、置換基を有
していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はア
ルコキシ基を表す。 R40:置換基を有していてもよい、アルキル基又はシク
ロアルキル基を表す。l、m、n、p、qは同じでも異
なっていてもよく、0又は1〜5の整数を示す。
R 26 is -COOH, -COOR 19 , -O
R 17 , —COOZ, —CN, a hydroxyl group, or —CO—NH
It represents a -SO 2 -R 40. R 27 represents —COOH, —COO
R 19, -OR 17, -CN, a hydroxyl group, -CO-NH-
R 40 , —CO—NH—SO 2 —R 40 , —Z, an alkyl group, a cycloalkyl group or an alkoxy group which may have a substituent; R 40 represents an alkyl group or a cycloalkyl group which may have a substituent. l, m, n, p and q may be the same or different and represent 0 or an integer of 1 to 5.

【0040】ここで、l、m、n、p又はqが2以上の
場合、各複数個のR11〜R15は同一でも相異していても
良く、その2個のR11〜R15が、同一炭素原子上に置換
する場合、その2個でカルボニル基(=O)又はチオカ
ルボニル基(=S)を表しても良く、更に2個のR11
15が、隣接する炭素原子上に置換する場合はその2個
で互いに結合し、それら炭素原子間の二重結合を表して
も良い。また、R11〜R15が各々2個以上置換している
場合、その2個のR11〜R15が互いに結合して環を形成
してもよい。一般式(aI)、(aII)又は(aIII )
で表される1価の多環型の脂環式基の結合手の位置は、
それら炭化水素多環構造中のいずれの位置でも良い。
[0040] Here, l, m, n, when p or q is 2 or more, each plurality of R 11 to R 15 may also be different from be the same, the two R 11 to R 15 Are substituted on the same carbon atom, two of which may represent a carbonyl group (= O) or a thiocarbonyl group (= S), and two of R 11 to
When R 15 substitutes on adjacent carbon atoms, these two may be bonded to each other to represent a double bond between the carbon atoms. When two or more of R 11 to R 15 are each substituted, the two R 11 to R 15 may be bonded to each other to form a ring. Formula (aI), (aII) or (aIII)
The position of the bond of the monovalent polycyclic alicyclic group represented by
Any position in the hydrocarbon polycyclic structure may be used.

【0041】 以下酸分解性樹脂(a)について詳述す
る。上記一般式(aI)〜(aIII )の多環型の脂環式
基と酸分解性基は、母体樹脂中のいずれの場所にも結合
させることができる。即ち、上記一般式(aI)〜(a
III )の多環型の脂環式基と酸分解性基が、母体樹脂中
の異なる繰り返し単位に結合してもよいし、同一の繰り
返し単位に結合してもよいし、更にその両方の場合が樹
脂中に併存している場合も含まれる。本発明に係わる樹
脂における一般式(aI)〜一般式(aIII)で表される基
を有する繰り返し構造単位としては、一般式(aI)〜
一般式(aIII )で表される基を有するものであればいず
れのものでも用いることができるが、好ましくは、下記
一般式(aIV )〜(aVI )で表される繰り返し構造単位
であり、より好ましくは、下記一般式(aIV )で表され
る繰り返し構造単位である。
[0041] Hereinafter, the acid-decomposable resin (a) will be described in detail.
You. Polycyclic alicyclic compounds of the above general formulas (aI) to (aIII)
Groups and acid-decomposable groups are bonded anywhere in the base resin
Can be done. That is, the general formulas (aI) to (a)
III) The polycyclic alicyclic group and the acid-decomposable group in the base resin
May be linked to different repeating units of
May be linked to a return unit, or both
It also includes the case where it coexists in fat. Tree according to the present invention
Groups represented by general formulas (aI) to (aIII) in fats and oils
The repeating structural unit having the general formula (aI)
Any compounds having a group represented by the general formula (aIII)
Any of these can be used, but preferably
Repeating structural units represented by formulas (aIV) to (aVI)
And more preferably represented by the following general formula (aIV)
Is a repeating structural unit.

【0042】[0042]

【化12】 Embedded image

【0043】式(aIV )〜(aVI )中、R65、R66、R
68〜R70は同じでも異なってもよく、水素原子、ハロゲ
ン原子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表
す。R67は、シアノ基、−CO−OR77又は−CO−N
7879を表す。Aは同じでも異なってもよく、単結合
であるか、置換基を有していても良い、アルキレン基、
アルケニレン基もしくはシクロアルキレン基、エーテル
基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミ
ド基、スルフォンアミド基、ウレタン基、又はウレア基
よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の
組合せ、−SO2 −、−O−CO−R80−、−CO−O
−R81−、又は−CO−NR 82−R83−を表す。
In the formulas (aIV) to (aVI), R65, R66, R
68~ R70May be the same or different, a hydrogen atom, a halogen
Atom, cyano group, alkyl group or haloalkyl group
You. R67Is a cyano group, -CO-OR77Or -CO-N
R78R79Represents A may be the same or different, and is a single bond
Or an alkylene group which may have a substituent,
Alkenylene or cycloalkylene, ether
Group, thioether group, carbonyl group, ester group,
Group, sulfonamide group, urethane group, or urea group
A single or two or more groups selected from the group consisting of
Combination, -SOTwo -, -O-CO-R80-, -CO-O
-R81-Or -CO-NR 82-R83Represents-.

【0044】R77は水素原子、置換基を有していても良
い、アルキル基、シクロアルキル基もしくはアルケニル
基、又は−CO−OR77で酸分解性基を構成する基を表
す。R78、R79、R82は同じでも異なってもよく、水素
原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロ
アルキル基又はアルケニル基を表す。またR78とR79
結合して環を形成しても良い。R80〜R81、R83は同じ
でも異なってもよく、単結合もしくは、2価のアルキレ
ン基、アルケニレン基又はシクロアルキレン基を表し、
更にこれらの基は、エーテル基、エステル基、アミド
基、ウレタン基あるいはウレイド基とともに2価の基を
形成しても良い。Yは、上記の一般式(aI)〜(aII
I)で表される多環型の脂環式基を表す。
R 77 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an alkenyl group which may have a substituent, or a group constituting an acid-decomposable group by —CO—OR 77 . R 78 , R 79 and R 82 may be the same or different and represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an alkenyl group which may have a substituent. R 78 and R 79 may combine to form a ring. R 80 to R 81 and R 83 may be the same or different and represent a single bond or a divalent alkylene group, alkenylene group or cycloalkylene group;
Further, these groups may form a divalent group together with an ether group, an ester group, an amide group, a urethane group or a ureide group. Y represents the above general formulas (aI) to (aII)
It represents a polycyclic alicyclic group represented by I).

【0045】また、酸分解性樹脂(a)は、上記一般式
(aIV )、(aV)又は(aVI )で表される繰り返し構
造単位のうち少なくとも一つと、下記一般式(aVII) 、
(aVIII )又は(aIX )で表される繰り返し構造単位の
うち少なくとも一つを有し、酸の作用により分解してア
ルカリ現像液中での溶解性が増大する樹脂であることが
好ましい。
The acid-decomposable resin (a) comprises at least one of the repeating structural units represented by the above general formula (aIV), (aV) or (aVI), and the following general formula (aVII):
It is preferable that the resin has at least one of the repeating structural units represented by (aVIII) or (aIX) and is decomposed by the action of an acid to increase the solubility in an alkaline developer.

【0046】[0046]

【化13】 Embedded image

【0047】式(aVII) 〜(aIX )中、R71、R72、R
74〜R76は同じでも異なってもよく、水素原子、ハロゲ
ン原子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表
す。R73は、上記R67と同義である。Aは、上記一般式
(aIV )〜(aVI )に記載のものと同義である。Bは、
酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解性を
増大させる基である。
In the formulas (aVII) to (aIX), R 71 , R 72 , R
74 to R 76 may be the same or different, represent a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group or a haloalkyl group. R 73 has the same meaning as R 67 described above. A has the same meaning as that described in the above general formulas (aIV) to (aVI). B is
It is a group that is decomposed by the action of an acid to increase solubility in an alkaline developer.

【0048】更に、酸分解性樹脂(a)が、更にカルボ
キシル基を有する下記一般式(aX)、(aXI)又は
(aXII)で表される繰り返し構造単位のうち少なくとも
一つを含有することが好ましい。
Further, the acid-decomposable resin (a) may further contain at least one of the repeating structural units having a carboxyl group and represented by the following general formula (aX), (aXI) or (aXII). preferable.

【0049】[0049]

【化14】 Embedded image

【0050】一般式(aX)〜(aXII)中、R84
85、R87〜R89は同じでも異なってもよく、水素原
子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基又はハロアル
キル基を表す。R86はシアノ基、カルボキシル基、−C
O−OR90又は−CO−NR9192を表す。Aは、上記
一般式(aIV)〜(aVI)に記載のものと同義である。
90は置換基を有していても良い、アルキル基、シクロ
アルキル基、アルケニル基を表す。R91、R92は同じで
も異なってもよく、水素原子、置換基を有していても良
い、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を
表し、R91とR92が結合して環を形成しても良い。
In the general formulas (aX) to (aXII), R 84 ,
R 85 and R 87 to R 89 may be the same or different and represent a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group or a haloalkyl group. R 86 represents a cyano group, a carboxyl group, —C
Represents O-OR 90 or -CO-NR 91 R 92 ; A has the same meaning as that described in the general formulas (aIV) to (aVI).
R 90 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an alkenyl group which may have a substituent. R 91 and R 92 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, a cycloalkyl group or an alkenyl group, and R 91 and R 92 combine to form a ring You may.

【0051】前記一般式におけるR11〜R15、R17、R
19、R21、R22、R24、R29〜R36、R40、R45
65、R66、R68〜R70、R71、R72、R74〜R79、R
82、R84、R85、R87〜R92のアルキル基としては、好
ましくは置換基を有していても良い、メチル基、エチル
基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘ
キシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基のような
炭素数1〜8個のものが挙げられる。R11〜R15
17、R19、R21、R22、R24、R29〜R36、R40、R
45、R65、R66、R68〜R70、R71、R72、R74
79、R82、R84、R85、R87〜R92におけるシクロア
ルキル基としては、好ましくは置換基を有していても良
い、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキ
シル基、アダマンチル基、2−メチル−2−アダマンチ
ル基、ノルボルニル基、ボロニル基、イソボロニル基、
トリシクロデカニル基、ジシクロペンテニル基、ノボル
ナンエポキシ基、メンチル基、イソメンチル基、ネオメ
ンチル基、テトラシクロドデカニル基等を挙げることが
できる。
R 11 to R 15 , R 17 and R in the above formula
19, R 21, R 22, R 24, R 29 ~R 36, R 40, R 45,
R 65 , R 66 , R 68 to R 70 , R 71 , R 72 , R 74 to R 79 , R
As the alkyl group of 82 , R 84 , R 85 , and R 87 to R 92 , a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, which may optionally have a substituent, Examples thereof include those having 1 to 8 carbon atoms such as a hexyl group, a 2-ethylhexyl group and an octyl group. R 11 to R 15 ,
R 17, R 19, R 21 , R 22, R 24, R 29 ~R 36, R 40, R
45, R 65, R 66, R 68 ~R 70, R 71, R 72, R 74 ~
The cycloalkyl group for R 79 , R 82 , R 84 , R 85 , and R 87 to R 92 is preferably a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, an adamantyl group, which may have a substituent. -Methyl-2-adamantyl group, norbornyl group, boronyl group, isobornyl group,
Examples include a tricyclodecanyl group, a dicyclopentenyl group, a nobornane epoxy group, a menthyl group, an isomenthyl group, a neomenthyl group, and a tetracyclododecanyl group.

【0052】アルケニル基としては、好ましくは置換基
を有していても良い、ビニル基、プロペニル基、アリル
基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、シクロ
ヘキセニル基の様な炭素数2〜6個のものが挙げられ
る。R11〜R15、R27のアルコキシ基としては、置換基
を有していてもよい、メトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものが挙げら
れる。R11〜R15のアシロキシ基として、置換基を有し
ていてもよい、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等の炭
素数1〜4個のものが挙げられる。R11〜R15のアルキ
ニル基としては、好ましくはアセチル基、プロパルギル
基の様な炭素数2〜4個のものが挙げられる。
The alkenyl group preferably has 2 to 6 carbon atoms such as vinyl, propenyl, allyl, butenyl, pentenyl, hexenyl and cyclohexenyl which may have a substituent. One. Examples of the alkoxy group represented by R 11 to R 15 and R 27 include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group which may have a substituent. Examples of the acyloxy group for R 11 to R 15 include those having 1 to 4 carbon atoms, such as an acetoxy group and a butyryloxy group, which may have a substituent. The alkynyl group represented by R 11 to R 15 preferably has 2 to 4 carbon atoms such as an acetyl group and a propargyl group.

【0053】ここで、l、m、n、p又はqが2以上の
場合、各複数個のR11〜R15は同一でも相異していても
良く、各複数個のR11〜R15のうちの2個のR11〜R15
が、同一炭素原子上に置換する場合、その2個でカルボ
ニル基(=O)又はチオカルボニル基(=S)を表して
も良い。更に各複数個のR11〜R15のうちの2個のR11
〜R15が、隣接する炭素原子上に置換する場合はその2
個で互いに結合し、それら炭素原子間の二重結合を表し
ても良い。ここで、形成される炭素原子間の二重結合
は、炭素−炭素間の共役2重結合を形成しないことが好
ましい。また、R11〜R15が各々2個以上置換している
場合、そのうち2個のR11〜R 15が互いに結合して環を
形成してもよい。このような環としては、好ましくはシ
クロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル
基、シクロヘプチル基、テトラヒドロフラニル基、テト
ラヒドロピラニル基等のヘテロ原子を含んでいてもよい
3〜8員環の環が挙げられる。これら環は更に置換基を
有していてもよい。一般式(aI)、(aII)又は(a
III )で表される1価の多環型の脂環式基の結合手の位
置は、それら炭化水素多環構造中のいずれの位置でも良
く、好ましくはステロイド骨格の3位、7位、12位で
ある。
Here, l, m, n, p or q is 2 or more.
In the case, each of a plurality of R11~ RFifteenAre the same or different
Well, each R11~ RFifteenR of two of11~ RFifteen
Are substituted on the same carbon atom, the two
Represents a nyl group (= O) or a thiocarbonyl group (= S)
Is also good. Furthermore, a plurality of R11~ RFifteenR of two of11
~ RFifteenIs substituted on an adjacent carbon atom.
Represents a double bond between those carbon atoms
May be. Where the double bond between the formed carbon atoms
Preferably does not form a conjugated double bond between carbon and carbon.
Good. Also, R11~ RFifteenReplaces two or more of each
In the case, two of them R11~ R FifteenAre bonded to each other to form a ring
It may be formed. Such a ring is preferably
Chloropropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl
Group, cycloheptyl group, tetrahydrofuranyl group, tet
May contain heteroatoms such as lahydropyranyl groups
A 3- to 8-membered ring is exemplified. These rings further have a substituent.
You may have. Formula (aI), (aII) or (a
III) Position of the bond of the monovalent polycyclic alicyclic group represented by
The position can be at any position in the hydrocarbon polycyclic structure.
Preferably at positions 3, 7 and 12 of the steroid skeleton
is there.

【0054】R65、R66、R68〜R70、R71、R72、R
74〜R76、R84、R85、R87〜R89のハロアルキル基と
しては、好ましくはフッ素原子、塩素原子、臭素原子が
置換した炭素数1〜4個のアルキル基、例えばフルオロ
メチル基、クロロメチル基、ブロモメチル基、フルオロ
エチル基、クロロエチル基、ブロモエチル基等が挙げら
れる。本発明において、ハロゲン原子としては、フッ素
原子、塩素原子、臭素原子等を挙げることができる。
R 65 , R 66 , R 68 to R 70 , R 71 , R 72 , R
As the haloalkyl group of 74 to R 76 , R 84 , R 85 , R 87 to R 89 , preferably a fluorine atom, a chlorine atom or a bromine atom-substituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, for example, a fluoromethyl group, Examples thereof include a chloromethyl group, a bromomethyl group, a fluoroethyl group, a chloroethyl group, and a bromoethyl group. In the present invention, examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, and a bromine atom.

【0055】R16、R18、R20、R23、Aのアルキレン
基としては、好ましくは置換基を有していても良い、メ
チレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘ
キシレン基、オクチレン基等の炭素数1〜8個のものが
挙げられる。アルケニレン基としては、好ましくは置換
基を有していても良い、エテニレン基、プロペニレン
基、ブテニレン基等の炭素数2〜6個のものが挙げられ
る。シクロアルキレン基としては、好ましくは置換基を
有していても良い、シクロペンチレン基、シクロヘキシ
レン基等の炭素数5〜8個のものが挙げられる。
The alkylene group of R 16 , R 18 , R 20 , R 23 and A is preferably a methylene group, ethylene group, propylene group, butylene group, hexylene group, octylene group which may have a substituent. Examples thereof include groups having 1 to 8 carbon atoms. The alkenylene group preferably has 2 to 6 carbon atoms such as an ethenylene group, a propenylene group and a butenylene group which may have a substituent. Examples of the cycloalkylene group preferably include those having 5 to 8 carbon atoms such as a cyclopentylene group and a cyclohexylene group which may have a substituent.

【0056】R25、A、A1 、A2 の置換基を有してい
てもよいアルキレン基としては、下記で示される基を挙
げることができる。 −〔C(Ra )(Rb )〕r − 式中、 Ra 、Rb :水素原子、アルキル基、置換アルキル基、
ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表し、両者は同
一でも異なっていてもよく、アルキル基としてはメチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基
等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基よりなる群
から選択された置換基を表す。置換アルキル基の置換基
としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げ
ることができる。アルコキシ基としてはメトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4
個のものを挙げることができる。rは1〜10の整数を
表す。R25のシクロアルキレン基としては、好ましくは
置換基を有していても良い、シクロペンチレン基、シク
ロヘキシレン基等の炭素数5〜8個のものが挙げられ
る。
Examples of the alkylene group which may have a substituent for R 25 , A, A 1 and A 2 include the following groups. -[C (R a ) (R b )] r-wherein R a and R b are a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group,
Represents a halogen atom, a hydroxyl group, or an alkoxy group; they may be the same or different; and the alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, or a butyl group, and more preferably a methyl group. Represents a substituent selected from the group consisting of a group, an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group. Examples of the substituent of the substituted alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom and an alkoxy group. Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group.
Individuals can be mentioned. r represents an integer of 1 to 10. Examples of the cycloalkylene group represented by R 25 include those having 5 to 8 carbon atoms, such as a cyclopentylene group and a cyclohexylene group, which may have a substituent.

【0057】またA2 は、スルフォンアミド基、ウレタ
ン基、ウレイド基の少なくとも1つの基を含み、これら
とアルキレン基、置換アルキレン基、エーテル基、チオ
エーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、ス
ルフォンアミド基、ウレタン基、又はウレア基よりなる
群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わ
せた2価の基とで、2価の基を形成してもよい。一般式
(aI)〜(a III)中、l、m、n、p又はqは0又
は1〜5の整数を示すが、好ましくは0又は1〜2の整
数を示す。
A 2 contains at least one group selected from the group consisting of a sulfonamide group, a urethane group and a ureido group. A divalent group may be formed with a divalent group selected from the group consisting of an amide group, a urethane group, and a urea group alone or in combination of two or more groups. Formulas (aI) to (a) In III), l, m, n, p or q represents 0 or an integer of 1 to 5, preferably 0 or an integer of 1 to 2.

【0058】またR80〜R81、R83のアルキレン基、ア
ルケニレン基、シクロアルキレン基は、上記で示した基
と同様のものが挙げられ、更にそれら基と、エーテル
基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基の
少なくとも1つの基とが一緒になって2価の基を形成し
たものも挙げられる。また、R21とR22あるいはR78
79とが結合して窒素原子とともに形成する環として
は、5〜8員環を形成するものが好ましく、具体的には
ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。
The alkylene group, alkenylene group and cycloalkylene group represented by R 80 to R 81 and R 83 are the same as those described above, and furthermore, these groups are combined with an ether group, an ester group or an amide group. , A urethane group and a ureido group together form a divalent group. Further, as the ring formed by combining R 21 and R 22 or R 78 and R 79 with a nitrogen atom, a ring forming a 5- to 8-membered ring is preferable, and specifically, pyrrolidine, piperidine, piperazine and the like are preferable. No.

【0059】R17、R19、R77及びBは、酸分解性基を
構成する。ここで、本発明に係わる樹脂において、酸分
解性基は、一般式(aI)〜(aIII )で示される基の
構造中(例えば、−O−R17又は−CO−O−R19とし
て)に含まれてもよいし、一般式(aI)〜(aIII )
で示される基を有する繰り返し構造単位中(例えば、−
CO−O−R77として)に含まれてもよいし、更にその
他の繰り返し構造単位中に含まれてもよいし、これら場
所のうち複数の場所に含まれてもよい。酸分解性基とし
ては、例えば、酸の作用により加水分解し酸を形成する
基、更には酸の作用により炭素カチオンが脱離し酸を形
成する基が挙げられる。好ましくは下記一般式(XII
I)、(XIV)で表される基である。これにより、経時安
定性が優れるようになる。
R 17 , R 19 , R 77 and B constitute an acid-decomposable group. Here, in the resin according to the present invention, the acid-decomposable group is represented by a group represented by the general formulas (aI) to (aIII) (for example, as -OR 17 or -CO-OR 19 ). And the compounds represented by the general formulas (aI) to (aIII)
In a repeating structural unit having a group represented by (for example,-
CO-OR 77 ), may be further included in other repeating structural units, or may be included in a plurality of these positions. Examples of the acid-decomposable group include a group which is hydrolyzed by the action of an acid to form an acid, and a group which forms an acid by elimination of a carbon cation by the action of an acid. Preferably, the following general formula (XII
These are groups represented by (I) and (XIV). Thereby, the stability over time becomes excellent.

【0060】[0060]

【化15】 Embedded image

【0061】ここで、R97〜R99は、それぞれ同一でも
相異していても良く、水素原子、又は置換基を有してい
ても良い、アルキル基、シクロアルキル基もしくはアル
ケニル基を表す。但し、式(XIII)のR97〜R99の内、
少なくとも1つは水素原子以外の基である。R100 は置
換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル
基又はアルケニル基を表す。また式(XIII)のR97〜R
99の内の2つ、又は式(XIV)のR97〜R98、R100 の内
の2つの基が結合して3〜8個の炭素原子、ヘテロ原子
から成る環構造を形成しても良い。このような環として
は具体的にはシクロプロピル基、シクロペンチル基、シ
クロヘキシル基、シクロヘプチル基、1−シクロヘキセ
ニル基、2−テトラヒドロフラニル基、2−テトラヒド
ロピラニル基等が挙げられる。Z1 〜Z2 は、同じでも
異なってもよく、酸素原子又はイオウ原子を表す。
Here, R 97 to R 99 may be the same or different and represent a hydrogen atom or an alkyl group, a cycloalkyl group or an alkenyl group which may have a substituent. However, among R 97 to R 99 in the formula (XIII),
At least one is a group other than a hydrogen atom. R 100 represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an alkenyl group which may have a substituent. Further, R 97 to R of the formula (XIII)
Even if two of 99 or two of R 97 to R 98 and R 100 of the formula (XIV) combine to form a ring structure composed of 3 to 8 carbon atoms and hetero atoms. good. Specific examples of such a ring include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a 1-cyclohexenyl group, a 2-tetrahydrofuranyl group, a 2-tetrahydropyranyl group, and the like. Z 1 and Z 2 may be the same or different and represent an oxygen atom or a sulfur atom.

【0062】ここでアルキル基、シクロアルキル基とし
ては、上記R11〜R15で示したものと同様のものが好ま
しい。アルケニル基としては、好ましくは置換基を有し
ていてもよい、ビニル基、プロペニル基、アリル基、ブ
テニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセ
ニル基等の炭素数2〜6個のものが挙げられる。また、
酸分解性基として、好ましいものとして、−C(=O)
−O−R(ここでRはトリメチルシリル基、t−ブチル
ジメチルシリル基、ジイソプロピルメチルシリル基等の
トリアルキルシリル基、メバロニックラクトン基、又は
3−オキソシクロヘキシル基を表す。)も挙げることが
できる。
Here, as the alkyl group and the cycloalkyl group, the same groups as those described above for R 11 to R 15 are preferable. The alkenyl group preferably has 2 to 6 carbon atoms such as a vinyl group, a propenyl group, an allyl group, a butenyl group, a pentenyl group, a hexenyl group, and a cyclohexenyl group which may have a substituent. Can be Also,
As the acid-decomposable group, preferred is -C (= O)
—OR (where R represents a trialkylsilyl group such as a trimethylsilyl group, a t-butyldimethylsilyl group, a diisopropylmethylsilyl group, a mevalonic lactone group, or a 3-oxocyclohexyl group) may also be mentioned. it can.

【0063】また上記詳述した各置換基における更なる
置換基としては、好ましくは水酸基、ハロゲン原子(フ
ッ素、塩素、臭素、ヨウ素)、ニトロ基、シアノ基、ア
ミド基、スルホンアミド基、R11〜R15のアルキル基、
メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロ
ポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のア
ルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニ
ル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチ
ル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチ
リルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基が挙げら
れる。
Further substituents in each of the above-mentioned substituents are preferably a hydroxyl group, a halogen atom (fluorine, chlorine, bromine, iodine), a nitro group, a cyano group, an amide group, a sulfonamide group, R 11 An alkyl group of ~ R 15 ,
Methoxy group, ethoxy group, hydroxyethoxy group, propoxy group, hydroxypropoxy group, alkoxy group such as butoxy group, methoxycarbonyl group, alkoxycarbonyl group such as ethoxycarbonyl group, formyl group, acetyl group, acyl group such as benzoyl group, Examples include an acyloxy group such as an acetoxy group and a butyryloxy group, and a carboxy group.

【0064】本発明に係わる樹脂中における上記一般式
(aI)〜(aIII )で示される脂環式基を有する繰り
返し構造単位(好ましくは一般式(aIV)〜(aVI)で
表される繰り返し構造単位)の含有量は、耐ドライエッ
チング性、アルカリ現像性等とのバランスにより調整さ
れるが、全繰り返し単位に対して20モル%以上含有す
ることが好ましく、より好ましくは30〜80モル%、
更に好ましくは40〜65モル%の範囲である。
In the resin according to the present invention, a repeating structural unit having an alicyclic group represented by the above general formulas (aI) to (aIII) (preferably a repeating structure represented by the general formulas (aIV) to (aVI)) The content of (unit) is adjusted by the balance with dry etching resistance, alkali developability, and the like, but is preferably 20 mol% or more, more preferably 30 to 80 mol%, based on all repeating units.
More preferably, it is in the range of 40 to 65 mol%.

【0065】また本発明に係わる樹脂中における上記酸
分解性基を有する繰り返し構造単位(好ましくは一般式
(aVII)〜(aIX)で表される繰り返し構造単位)の含
有量は、アルカリ現像性、基板密着性等の性能により調
整されるが、全繰り返し単位に対して好ましくは5〜8
0モル%、より好ましくは10〜70モル%、また更に
好ましくは20〜60モル%の範囲で使用される。ここ
でこの酸分解性基含有繰り返し構造単位の含有量は、上
記一般式(aI)〜(aIII )で示される基を有する繰
り返し構造単位中に含まれる酸分解性基も含めた樹脂中
の全ての酸分解性基含有繰り返し構造単位の量である。
In the resin according to the present invention, the content of the repeating structural unit having an acid-decomposable group (preferably the repeating structural unit represented by any one of formulas (aVII) to (aIX)) is as follows. It is adjusted according to the performance such as the substrate adhesion, but is preferably 5 to 8 for all the repeating units.
It is used in the range of 0 mol%, more preferably 10 to 70 mol%, and still more preferably 20 to 60 mol%. Here, the content of the acid-decomposable group-containing repeating structural unit is determined by the total content of the resin including the acid-decomposable group contained in the repeating structural unit having a group represented by the general formulas (aI) to (aIII). Of the acid-decomposable group-containing repeating structural unit.

【0066】酸分解性樹脂の繰り返し単位に対応する単
量体の合成は一般的には分子内に一般式(aI)〜(a
III )の部分構造を有するアルコール等と重合性の官能
基を分子内に有するカルボン酸やその誘導体とのエステ
ル化反応や、あるいはイミドとの反応により得ることが
できる。さらに本発明の繰り返し単位を含むポリマーは
対応する単量体をアゾ系等の一般的なラジカル開始剤を
用いて重合するか、あるいは常法に従ってカチオン重
合、アニオン重合によっても得られる。また所望により
得られたポリマーを官能基変換してもよい。以下に、一
般式(aIV)〜(aVI)で表される繰り返し構造単位の
具体例(a1)〜(a131) を示すが、本発明がこれに限定
されるものではない。
The synthesis of the monomer corresponding to the repeating unit of the acid-decomposable resin is generally carried out in the molecule by the general formulas (aI) to (a).
It can be obtained by an esterification reaction of an alcohol having a partial structure of III) with a carboxylic acid having a polymerizable functional group in the molecule or a derivative thereof, or a reaction with an imide. Further, the polymer containing the repeating unit of the present invention can be obtained by polymerizing the corresponding monomer using a general radical initiator such as an azo type, or by cationic polymerization or anionic polymerization according to a conventional method. If desired, the obtained polymer may be converted into a functional group. Hereinafter, specific examples (a1) to (a131) of the repeating structural units represented by formulas (aIV) to (aVI) are shown, but the present invention is not limited thereto.

【0067】[0067]

【化16】 Embedded image

【0068】[0068]

【化17】 Embedded image

【0069】[0069]

【化18】 Embedded image

【0070】[0070]

【化19】 Embedded image

【0071】[0071]

【化20】 Embedded image

【0072】[0072]

【化21】 Embedded image

【0073】[0073]

【化22】 Embedded image

【0074】[0074]

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【0075】[0075]

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【0076】[0076]

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【0077】[0077]

【化26】 Embedded image

【0078】[0078]

【化27】 Embedded image

【0079】[0079]

【化28】 Embedded image

【0080】[0080]

【化29】 Embedded image

【0081】[0081]

【化30】 Embedded image

【0082】[0082]

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【0083】[0083]

【化32】 Embedded image

【0084】[0084]

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【0085】[0085]

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【0086】[0086]

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【0087】[0087]

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【0088】[0088]

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【0089】[0089]

【化38】 Embedded image

【0090】[0090]

【化39】 Embedded image

【0091】[0091]

【化40】 Embedded image

【0092】[0092]

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【0093】[0093]

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【0094】[0094]

【化43】 Embedded image

【0095】[0095]

【化44】 Embedded image

【0096】[0096]

【化45】 Embedded image

【0097】[0097]

【化46】 Embedded image

【0098】[0098]

【化47】 Embedded image

【0099】[0099]

【化48】 Embedded image

【0100】以下に、酸分解性基を有する繰り返し単位
として、一般式(aVII)〜(aXI)で表される繰り返し
構造単位の具体例(b1)〜(b42)及び具体例(b-43 )
〜(b-122)を示すが、本発明がこれに限定されるもの
ではない。
Hereinafter, specific examples (b1) to (b42) and specific examples (b-43) of the repeating structural units represented by formulas (aVII) to (aXI) as the repeating unit having an acid-decomposable group will be given.
To (b-122), but the present invention is not limited thereto.

【0101】[0101]

【化49】 Embedded image

【0102】[0102]

【化50】 Embedded image

【0103】[0103]

【化51】 Embedded image

【0104】[0104]

【化52】 Embedded image

【0105】[0105]

【化53】 Embedded image

【0106】[0106]

【化54】 Embedded image

【0107】[0107]

【化55】 Embedded image

【0108】[0108]

【化56】 Embedded image

【0109】[0109]

【化57】 Embedded image

【0110】[0110]

【化58】 Embedded image

【0111】[0111]

【化59】 Embedded image

【0112】[0112]

【化60】 Embedded image

【0113】[0113]

【化61】 Embedded image

【0114】[0114]

【化62】 Embedded image

【0115】[0115]

【化63】 Embedded image

【0116】[0116]

【化64】 Embedded image

【0117】[0117]

【化65】 Embedded image

【0118】[0118]

【化66】 Embedded image

【0119】[0119]

【化67】 Embedded image

【0120】[0120]

【化68】 Embedded image

【0121】[0121]

【化69】 Embedded image

【0122】[0122]

【化70】 Embedded image

【0123】[0123]

【化71】 Embedded image

【0124】[0124]

【化72】 Embedded image

【0125】[0125]

【化73】 Embedded image

【0126】[0126]

【化74】 Embedded image

【0127】酸分解性樹脂(a)において、カルボキシ
ル基は、上記一般式(aI)〜(aIII )の基を有する
繰り返し構造単位中に含まれてもよいし、酸分解性基を
有する繰り返し構造単位中に含まれてもよいし、それら
とは別の繰り返し構造単位中に含まれてもよい。更にこ
れらのカルボキシル基の置換場所のうち複数の場所に含
まれてもよい。カルボキシル基を有する繰り返し構造単
位としては、上記一般式(aX)〜(aXII)で表される
繰り返し構造単位が好ましい。
In the acid-decomposable resin (a), a carboxyl group may be contained in a repeating structural unit having a group represented by the above general formulas (aI) to (aIII), or a repeating structure having an acid-decomposable group. It may be contained in a unit or may be contained in another repeating structural unit different from them. Further, it may be contained in a plurality of positions among the substitution positions of these carboxyl groups. As the repeating structural unit having a carboxyl group, the repeating structural units represented by the above general formulas (aX) to (aXII) are preferable.

【0128】本発明に係わる樹脂中における上記カルボ
キシル基を有する繰り返し構造単位(好ましくは一般式
(aX)〜(aXII)で表される繰り返し構造単位)の含
有量は、アルカリ現像性、基板密着性、更には感度等の
性能により調整されるが、全繰り返し単位に対して好ま
しくは0〜60モル%、より好ましくは0〜40モル
%、また更に好ましくは0〜20モル%の範囲である。
ここで、このカルボキシル基含有繰り返し構造単位の含
有量は、カルボキシル基を含有する上記一般式(aI)
〜(aIII )で示される基を有する繰り返し構造単位及
びカルボキシル基を含有する酸分解性基含有繰り返し構
造単位も含めた、樹脂中の全てのカルボキシル基含有繰
り返し構造単位の量である。以下に一般式(aX)〜
(aXII)で表される繰り返し構造単位の具体例(c1)
〜(c18)を示すが、本発明がこれに限定されるもの
ではない。
The content of the repeating structural unit having a carboxyl group (preferably the repeating structural units represented by formulas (aX) to (aXII)) in the resin according to the present invention is determined by alkali developability and substrate adhesion. Although it is adjusted by the performance such as sensitivity, it is preferably in the range of 0 to 60 mol%, more preferably 0 to 40 mol%, and still more preferably 0 to 20 mol%, based on all repeating units.
Here, the content of the carboxyl group-containing repeating structural unit is determined by the above-mentioned general formula (aI) containing a carboxyl group.
(AIII) is the amount of all the carboxyl group-containing repeating structural units in the resin, including the repeating structural unit having a group represented by (aIII) and the carboxyl group-containing acid-decomposable group-containing repeating structural unit. The general formulas (aX) to
Specific example of repeating structural unit represented by (aXII) (c1)
To (c18), but the present invention is not limited thereto.

【0129】[0129]

【化75】 Embedded image

【0130】[0130]

【化76】 Embedded image

【0131】一般式(aI)〜(aIII )を含有する繰
り返し単位としては、特に一般式(aIV )が好ましい。
更に酸分解性樹脂(a)としては一般式(aIV)単独、
あるいは、一般式(aIV)と一般式(aVII )との組合
せ、一般式(aIV)と一般式(aX)との組合せ、一般
式(aIV)と一般式(aVII )、一般式(aX)との組
合せが好ましい。また、下記の他の重合性モノマーを組
み合わせても良い。
The repeating unit containing the general formulas (aI) to (aIII) is particularly preferably the general formula (aIV).
Further, as the acid-decomposable resin (a), general formula (aIV) alone,
Alternatively, a combination of general formula (aIV) and general formula (aVII), a combination of general formula (aIV) and general formula (aX), a general formula (aIV) and general formula (aVII), and a general formula (aX) Are preferred. Further, other polymerizable monomers described below may be combined.

【0132】一般式(aI)〜(aIII )で示される基
を有する繰り返し構造単位(好ましくは一般式(aIV)
〜(aVI)繰り返し構造単位)、酸分解性基を有する繰
り返し構造単位(好ましくは一般式(aVII)〜(aIX)
で表される繰り返し構造単位)、必要に応じカルボキシ
ル基を有する繰り返し構造単位(好ましくは一般式(a
X)〜(aXII)で表される繰り返し構造単位)あるいは
他の重合性モノマーを含有する酸分解性樹脂(a)は、
各構造に対応する不飽和モノマーのラジカル、カチオ
ン、又はアニオン重合により合成される。更に詳しくは
前記に示した好ましい組成に基づき各モノマーを配合
し、適当な溶媒中、約10〜40重量%のモノマー濃度
にて重合触媒を添加し、必要に応じ加温して重合され
る。
A repeating structural unit having a group represented by any one of formulas (aI) to (aIII) (preferably a compound represented by formula (aIV)
To (aVI) repeating structural unit) and a repeating structural unit having an acid-decomposable group (preferably, formulas (aVII) to (aIX)).
A repeating structural unit having a carboxyl group, if necessary (preferably a compound of the general formula (a)
X) to (aXII)) or an acid-decomposable resin (a) containing another polymerizable monomer,
It is synthesized by radical, cationic or anionic polymerization of an unsaturated monomer corresponding to each structure. More specifically, each monomer is blended based on the preferred composition described above, a polymerization catalyst is added at a monomer concentration of about 10 to 40% by weight in an appropriate solvent, and the mixture is heated and polymerized as needed.

【0133】酸分解性樹脂(b) 下記一般式(bI)及び一般式(bII)で表される繰り
返し単位と、酸の作用により分解する基とを含有する樹
脂。
Acid-decomposable resin (b) A resin containing a repeating unit represented by the following general formula (bI) or (bII) and a group decomposed by the action of an acid.

【0134】[0134]

【化77】 Embedded image

【0135】式中、Rb1、Rb2は、各々独立に、水素原
子、シアノ基、水酸基、−COOH、−COORb5、−
CO−NH−Rb6、−CO−NH−SO2 −Rb6、置換
されていてもよい、アルキル基、アルコキシ基あるいは
環状炭化水素基、又は下記−Y基を表す。 b5は、置換
基を有していてもよい、アルキル基、環状炭化水素基又
は下記−Y基を表す。 −Y基:
In the formula, Rb1, Rb2Are each independently a hydrogen source
, Cyano group, hydroxyl group, -COOH, -COORb5, −
CO-NH-Rb6, -CO-NH-SOTwo -Rb6, Replace
An alkyl group, an alkoxy group or
Represents a cyclic hydrocarbon group or the following -Y group. Rb5Replace
Alkyl group, cyclic hydrocarbon group or
Represents the following -Y group. -Y group:

【0136】[0136]

【化78】 Embedded image

【0137】Rb6は、置換基を有していてもよい、アル
キル基又は環状炭化水素基を表す。R29〜R36は、各々
独立に、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキ
ル基を表す。a、bは1又は2を表す。Rb3、Rb4は、
各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子、又は
置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Xは、酸
素原子、硫黄原子、−NH−、−NHSO2 −又は−N
HSO2 NH−を表す。Aは単結合又は2価の連結基を
表す。Zは、2つの炭素原子(C−C)とともに、置換
基を有していてもよい脂環式構造を形成するための原子
団(好ましくは置換基を有していてもよい有橋式脂環式
構造を形成するための原子団)を表す。
R b6 represents an alkyl group or a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent. R 29 to R 36 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent. a and b represent 1 or 2. R b3 and R b4 are
Each independently represents a hydrogen atom, a cyano group, a halogen atom, or an alkyl group which may have a substituent. X represents an oxygen atom, a sulfur atom, -NH -, - NHSO 2 - or -N
Represents HSO 2 NH—. A represents a single bond or a divalent linking group. Z is an atomic group for forming an alicyclic structure which may have a substituent together with two carbon atoms (C-C) (preferably a bridged aliphatic which may have a substituent) Atom group for forming a cyclic structure).

【0138】前記一般式(bII)が、下記一般式(bII
−A)又は一般式(bII−B)であることが好ましい。
The general formula (bII) is represented by the following general formula (bII)
-A) or a general formula (bII-B).

【0139】[0139]

【化79】 Embedded image

【0140】式(bII−A)、(bII−B)中、Rb10
〜Rb13 は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シ
アノ基、−COOH、−COORb5(Rb5は置換基を有
していてもよい、アルキル基、環状炭化水素基又は前記
の−Y基を表す)、酸の作用により分解する基、−C
(=O)−X−A−Rb14 、又は置換基を有していても
よいアルキル基あるいは環状炭化水素基を表す。また、
b10 〜Rb13 のうち少なくとも2つが結合して環を形
成してもよい。nは0又は1を表す。Xは、酸素原子、
硫黄原子、−NH−、−NHSO2 −又は−NHSO2
NH−を表す。Rb14 は、−COOH、−COORb5
−CN、水酸基、置換基を有していてもよいアルコキシ
基、−CO−NH−Rb6、−CO−NH−SO2 −Rb6
(Rb5、Rb6は前記と同義である)又は前記の−Y基を
表す。Aは、単結合又は2価の連結基を表す。
In the formulas (bII-A) and (bII-B), R b10
To R b13 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, -COOH, -COOR b5 (where R b5 may have a substituent, an alkyl group, a cyclic hydrocarbon group, or the above -Y Represents a group), a group decomposed by the action of an acid, -C
(= O) —X—A—R b14 , or an optionally substituted alkyl group or cyclic hydrocarbon group. Also,
At least two members out of Rb10 to Rb13 may combine to form a ring. n represents 0 or 1. X is an oxygen atom,
Sulfur atom, -NH -, - NHSO 2 - or -NHSO 2
Represents NH-. R b14 represents —COOH, —COOR b5 ,
-CN, a hydroxyl group, an optionally substituted alkoxy group, -CO-NH-R b6, -CO-NH-SO 2 -R b6
(R b5 and R b6 have the same meanings as described above) or the above-described —Y group. A represents a single bond or a divalent linking group.

【0141】 以下酸分解性樹脂(b)について説明す
る。上記一般式(bI)において、Rb1、Rb2は、各々
独立に、水素原子、シアノ基、水酸基、−COOH、−
COORb5、−CO−NH−Rb6、−CO−NH−SO
2 −Rb6、置換されていてもよい、アルキル基、アルコ
キシ基あるいは環状炭化水素基、又は上記−Y基を表
す。Rb6は、置換基を有していてもよい、アルキル基又
は環状炭化水素基を表す。Rb5は、置換基を有していて
もよい、アルキル基、環状炭化水素基又は上記−Y基を
表す。上記−Y基のR29〜R36は、各々独立に、水素原
子又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
a、bは1又は2を表す。Xは、酸素原子、硫黄原子、
−NH−、−NHSO2 −又は−NHSO2 NH−を表
す。Aは2価の連結基を表す。
[0141] Hereinafter, the acid-decomposable resin (b) will be described.
You. In the above general formula (bI), Rb1, Rb2Are each
Independently, a hydrogen atom, a cyano group, a hydroxyl group, -COOH,-
COORb5, -CO-NH-Rb6, -CO-NH-SO
Two -Rb6, An optionally substituted alkyl group, alcohol
Represents a xy group, a cyclic hydrocarbon group, or the above-described -Y group.
You. Rb6Represents an optionally substituted alkyl group or
Represents a cyclic hydrocarbon group. Rb5Has a substituent
May be an alkyl group, a cyclic hydrocarbon group or the above-described -Y group.
Represent. R of the above -Y group29~ R36Are each independently a hydrogen source
And represents an alkyl group which may have a substituent or a substituent.
a and b represent 1 or 2. X represents an oxygen atom, a sulfur atom,
-NH-, -NHSOTwo -Or-NHSOTwo NH-
You. A represents a divalent linking group.

【0142】上記Rb1、Rb2、Rb5、Rb6、R29〜R36
におけるアルキル基としては、炭素数1〜10個の直鎖
状あるいは分岐状アルキル基が好ましく、より好ましく
は炭素数1〜6個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基で
あり、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、s
ec−ブチル基、t−ブチル基である。上記Rb1
b2、Rb5、Rb6における環状炭化水素基としては、シ
クロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル
基、アダマンチル基、2−メチル−2−アダマンチル
基、ノルボルニル基、ボロニル基、イソボロニル基、ト
リシクロデカニル基、ジシクロペンテニル基、ノボルナ
ンエポキシ基、メンチル基、イソメンチル基、ネオメン
チル基、テトラシクロドデカニル基等を挙げることがで
きる。上記Rb1、Rb2におけるアルコキシ基としては、
メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等
の炭素数1〜4個のものを挙げることができる。
The above R b1 , R b2 , R b5 , R b6 , R 29 to R 36
Is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, further preferably a methyl group , Ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, s
an ec-butyl group and a t-butyl group. The above R b1 ,
Examples of the cyclic hydrocarbon group for R b2 , R b5 , and R b6 include cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl, adamantyl, 2-methyl-2-adamantyl, norbornyl, boronyl, isobornyl, and tricyclodecayl. Examples include a nyl group, a dicyclopentenyl group, a nobornane epoxy group, a menthyl group, an isomenthyl group, a neomenthyl group, and a tetracyclododecanyl group. Examples of the alkoxy group in R b1 and R b2 include:
Examples thereof include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group.

【0143】上記アルキル基、環状炭化水素基、アルコ
キシ基の更なる置換基としては、水酸基、ハロゲン原
子、カルボキシル基、アルコキシ基、アシル基、シアノ
基、アシルオキシ基等を挙げることができる。ハロゲン
原子としては、塩素原子、臭素原子、フッソ素原子、沃
素原子等を挙げることができる。アルコキシ基として
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等の炭素数1〜4個のものを挙げることができ、アシ
ル基としてはホルミル基、アセチル基等を挙げることが
でき、アシルオキシ基としてはアセトキシ基等を挙げる
ことができる。
Further substituents of the above-mentioned alkyl group, cyclic hydrocarbon group and alkoxy group include a hydroxyl group, a halogen atom, a carboxyl group, an alkoxy group, an acyl group, a cyano group and an acyloxy group. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group. Examples of the acyl group include a formyl group and an acetyl group. Examples thereof include an acetoxy group.

【0144】上記一般式(bI)におけるAの2価の連
結基としては、アルキレン基、置換アルキレン基、エー
テル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、
アミド基、スルフォンアミド基、ウレタン基、ウレア基
よりる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組
み合わせが挙げられる。上記Aにおけるアルキレン基、
置換アルキレン基としては、下記式で表される基を挙げ
ることができる。 −〔C(Ra )(Rb )〕r − 式中、Ra 、Rb は、水素原子、アルキル基、置換アル
キル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表し、
両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ま
しくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基から選択される。置換アルキル基の置換基としては、
水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることがで
きる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のも
のを挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素
原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げること
ができる。rは1〜10の整数を表す。
The divalent linking group represented by A in the general formula (bI) includes an alkylene group, a substituted alkylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, an ester group,
A single group selected from the group consisting of an amide group, a sulfonamide group, a urethane group, and a urea group, or a combination of two or more groups may be used. An alkylene group for the above A,
Examples of the substituted alkylene group include groups represented by the following formula. -[C (R a ) (R b )] r-wherein R a and R b represent a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group,
Both may be the same or different. As the alkyl group, a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, and a butyl group is preferable, and a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group are more preferable. As the substituent of the substituted alkyl group,
Examples include a hydroxyl group, a halogen atom and an alkoxy group. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom. r represents an integer of 1 to 10.

【0145】上記一般式(bI)で表される繰り返し単
位の具体例として次の[bI−1]〜 [bI−65]
が挙げられるが、本発明はこれらの具体例に限定される
ものではない。
Specific examples of the repeating unit represented by the above general formula (bI) include the following [bI-1] to [bI-65].
However, the present invention is not limited to these specific examples.

【0146】[0146]

【化80】 Embedded image

【0147】[0147]

【化81】 Embedded image

【0148】[0148]

【化82】 Embedded image

【0149】[0149]

【化83】 Embedded image

【0150】[0150]

【化84】 Embedded image

【0151】[0151]

【化85】 Embedded image

【0152】上記一般式(bII)において、Rb3、Rb4
は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子、
又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Z
は、2つの炭素原子(C−C)とともに、置換基を有し
ていてもよい脂環式構造を形成するための原子団を表
す。
In the above general formula (bII), R b3 and R b4
Is independently a hydrogen atom, a cyano group, a halogen atom,
Or an alkyl group which may have a substituent. Z
Represents an atomic group for forming an alicyclic structure which may have a substituent together with two carbon atoms (C-C).

【0153】上記Rb3、Rb4におけるハロゲン原子とし
ては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を
挙げることができる。上記Rb3、Rb4におけるアルキル
基としては、炭素数1〜10個の直鎖状あるいは分岐状
アルキル基が好ましく、より好ましくは炭素数1〜6個
の直鎖状あるいは分岐状アルキル基であり、更に好まし
くはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、
t−ブチル基である。
Examples of the halogen atom in R b3 and R b4 include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom and an iodine atom. As the alkyl group for R b3 and R b4 , a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable, and a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is more preferable. More preferably methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group,
t-butyl group.

【0154】上記Rb3、Rb4のアルキル基における更な
る置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、カルボキシ
ル基、アルコキシ基、アシル基、シアノ基、アシルオキ
シ基等を挙げることができる。ハロゲン原子としては塩
素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げるこ
とができ、アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のも
のを挙げることができ、アシル基としてはホルミル基、
アセチル基等を挙げることができ、アシルオキシ基とし
てはアセトキシ基等を挙げることができる。
Further substituents in the alkyl groups of R b3 and R b4 include a hydroxyl group, a halogen atom, a carboxyl group, an alkoxy group, an acyl group, a cyano group, an acyloxy group and the like. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom and an iodine atom, and examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group. And formyl group as acyl group,
An acetyl group and the like can be mentioned, and an acyloxy group can be an acetoxy group and the like.

【0155】上記Zの脂環式構造を形成するための原子
団は、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素の繰り
返し単位を形成する原子団であり、中でも有橋式の脂環
式炭化水素の繰り返し単位を形成する有橋式脂環式構造
を形成するための原子団が好ましい。形成される脂環式
炭化水素の骨格としては、前記で示した構造が挙げられ
る。
The atomic group for forming the alicyclic structure of Z is an atomic group for forming a repeating unit of an alicyclic hydrocarbon which may have a substituent. An atomic group for forming a bridged alicyclic structure forming a cyclic hydrocarbon repeating unit is preferable. The skeleton of the alicyclic hydrocarbon to be formed includes the structures shown above.

【0156】上記脂環式炭化水素の骨格には置換基を有
していてもよい。そのような置換基としては、上記一般
式(bII−A)あるいは(bII−B)中のRb10 〜R
b13 を挙げることができる。上記有橋式の脂環式炭化水
素を有する繰り返し単位の中でも、上記一般式(bII−
A)あるいは(bII−B)で表される繰り返し単位が更
に好ましい。上記一般式(bII−A)あるいは(bII−
B)において、Rb10 〜Rb13 は、各々独立に、水素原
子、ハロゲン原子、シアノ基、−COOH、−COOR
b5(Rb5は置換基を有していてもよい、アルキル基、環
状炭化水素基又は上記と同様の−Y基を表す)、酸の作
用により分解する基、−C(=O)−X−A−Rb14
又は置換基を有していてもよいアルキル基あるいは環状
炭化水素基を表す。nは0又は1を表す。Xは、酸素原
子、硫黄原子、−NH−、−NHSO2 −又は−NHS
2 NH−を表す。Rb14 は、−COOH、−COOR
b5、−CN、水酸基、置換基を有していてもよいアルコ
キシ基、−CO−NH−Rb6、−CO−NH−SO2
b6(Rb5、Rb6は前記と同義である。)又は上記一般
式(bI)におけると同様の−Y基を表す。Aは、単結
合または2価の連結基を表す。
The skeleton of the alicyclic hydrocarbon may have a substituent. Examples of such a substituent include R b10 to R b in the general formula (bII-A) or (bII-B).
b13 can be mentioned. Among the repeating units having a bridged alicyclic hydrocarbon, among the repeating units having the general formula (bII-
The repeating unit represented by A) or (bII-B) is more preferred. The above general formula (bII-A) or (bII-
In B), R b10 to R b13 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, -COOH, -COOR
b5 (R b5 represents an alkyl group, a cyclic hydrocarbon group or an —Y group similar to the above, which may have a substituent), a group decomposed by the action of an acid, —C (= O) —X -AR b14 ,
Or an alkyl group or a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent. n represents 0 or 1. X represents an oxygen atom, a sulfur atom, -NH -, - NHSO 2 - or -NHS
Representing the O 2 NH-. R b14 represents —COOH, —COOR
b5, -CN, hydroxyl, optionally substituted alkoxy group, -CO-NH-R b6, -CO-NH-SO 2 -
R b6 (R b5 and R b6 have the same meanings as described above) or the same -Y group as in the above general formula (bI). A represents a single bond or a divalent linking group.

【0157】酸分解性樹脂(b)において、酸分解性基
は、上記−C(=O)−X−A−R b1、−C(=O)−
X−A−Rb2に含まれてもよいし、一般式(bII)のZ
の置換基として含まれてもよい。酸分解性基の構造とし
ては、−C(=O)−X1 −R0 で表される。式中、R
0 としては、t−ブチル基、t−アミル基等の3級アル
キル基、イソボロニル基、1−エトキシエチル基、1−
ブトキシエチル基、1−イソブトキシエチル基、1−シ
クロヘキシロキシエチル基等の1−アルコキシエチル
基、1−メトキシメチル基、1−エトキシメチル基等の
アルコキシメチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラ
ヒドロフラニル基、トリアルキルシリル基、3−オキソ
シクロヘキシル基等を挙げることができる。X1 は、上
記Xと同義である。
In the acid-decomposable resin (b), an acid-decomposable group
Is -C (= O) -XA-R b1, -C (= O)-
XARb2Or Z in the general formula (bII)
May be included as a substituent. The structure of the acid-decomposable group
-C (= O) -X1 -R0 It is represented by Where R
0 Are tertiary alkyl groups such as t-butyl group and t-amyl group.
Kill group, isobornyl group, 1-ethoxyethyl group, 1-
Butoxyethyl group, 1-isobutoxyethyl group, 1-si
1-alkoxyethyl such as chlorohexyloxyethyl group
Group, 1-methoxymethyl group, 1-ethoxymethyl group, etc.
Alkoxymethyl group, tetrahydropyranyl group, tetra
Hydrofuranyl group, trialkylsilyl group, 3-oxo
Examples include a cyclohexyl group. X1 Is on
Synonymous with X.

【0158】上記Rb10 〜Rb13 におけるハロゲン原子
としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子
等を挙げることができる。
Examples of the halogen atom in R b10 to R b13 include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom and an iodine atom.

【0159】上記Rb10 〜Rb13 におけるアルキル基と
しては、炭素数1〜10個の直鎖状あるいは分岐状アル
キル基が好ましく、より好ましくは炭素数1〜6個の直
鎖状あるいは分岐状アルキル基であり、更に好ましくは
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n
−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブ
チル基である。
The alkyl group for R b10 to R b13 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. And more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, n
-Butyl group, isobutyl group, sec-butyl group and t-butyl group.

【0160】上記Rb10 〜Rb13 における環状炭化水素
基としては、例えば環状アルキル基、有橋式炭化水素で
あり、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘ
キシル基、アダマンチル基、2−メチル−2−アダマン
チル基、ノルボルニル基、ボロニル基、イソボロニル
基、トリシクロデカニル基、ジシクロペンテニル基、ノ
ボルナンエポキシ基、メンチル基、イソメンチル基、ネ
オメンチル基、テトラシクロドデカニル基等を挙げるこ
とができる。上記Rb10 〜Rb13 のうち少なくとも2つ
が結合して形成する環としては、シクロペンテン、シク
ロヘキセン、シクロヘプタン、シクロオクタン等の炭素
数5〜12の環が挙げられる。
The cyclic hydrocarbon group for R b10 to R b13 is, for example, a cyclic alkyl group or a bridged hydrocarbon group, such as cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, adamantyl group, 2-methyl-2-adamantyl. Groups, norbornyl group, boronyl group, isobornyl group, tricyclodecanyl group, dicyclopentenyl group, nobornane epoxy group, menthyl group, isomenthyl group, neomenthyl group, tetracyclododecanyl group and the like. Examples of the ring formed by bonding at least two of R b10 to R b13 include a ring having 5 to 12 carbon atoms such as cyclopentene, cyclohexene, cycloheptane, and cyclooctane.

【0161】上記Rb14 におけるアルコキシ基として
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等の炭素数1〜4個のものを挙げることができる。
Examples of the alkoxy group for R b14 include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group.

【0162】上記アルキル基、環状炭化水素基、アルコ
キシ基における更なる置換基としては、水酸基、ハロゲ
ン原子、カルボキシル基、アルコキシ基、アシル基、シ
アノ基、アシルオキシ基等を挙げることができる。ハロ
ゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、
沃素原子等を挙げることができる。アルコキシ基として
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等の炭素数1〜4個のものが挙げることができ、アシ
ル基としてはホルミル基、アセチル基等を挙げることが
でき、アシルオキシ基としてはアセトキシ基等を挙げる
ことができる。
Further substituents in the above alkyl group, cyclic hydrocarbon group and alkoxy group include a hydroxyl group, a halogen atom, a carboxyl group, an alkoxy group, an acyl group, a cyano group and an acyloxy group. As the halogen atom, a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom,
And iodine atoms. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group. Examples of the acyl group include a formyl group and an acetyl group. Examples thereof include an acetoxy group.

【0163】上記Aの2価の連結基としては、上記一般
式(bI)におけるAの2価の連結基と同様に、単結
合、アルキレン基、置換アルキレン基、エーテル基、チ
オエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、
スルフォンアミド基、ウレタン基、ウレア基よりなる群
から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせ
が挙げられる。上記Aにおけるアルキレン基、置換アル
キレン基としては、下記式で表される基を挙げることが
できる。 −〔C(Ra )(Rb )〕r − 式中、Ra 、Rb は、水素原子、アルキル基、置換アル
キル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表し、
両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ま
しくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基から選択される。置換アルキル基の置換基としては、
水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることがで
きる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のも
のを挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素
原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げること
ができる。rは1〜10の整数を表す。
Examples of the divalent linking group of A include a single bond, an alkylene group, a substituted alkylene group, an ether group, a thioether group, and a carbonyl group, similarly to the divalent linking group of A in formula (bI). , An ester group, an amide group,
A single one selected from the group consisting of a sulfonamide group, a urethane group, and a urea group, or a combination of two or more groups is exemplified. Examples of the alkylene group and substituted alkylene group in A include groups represented by the following formula. -[C (R a ) (R b )] r-wherein R a and R b represent a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group,
Both may be the same or different. As the alkyl group, a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, and a butyl group is preferable, and a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group are more preferable. As the substituent of the substituted alkyl group,
Examples include a hydroxyl group, a halogen atom and an alkoxy group. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom. r represents an integer of 1 to 10.

【0164】酸分解性樹脂(b)においては、酸の作用
により分解する基は、一般式(bI)で表される繰り返
し単位あるいは一般式(bII)で表される繰り返し単位
あるいは後記共重合成分の繰り返し単位のうち少なくと
も1つの繰り返し単位に含有すればよい。
In the acid-decomposable resin (b), the group decomposed by the action of an acid is a repeating unit represented by the general formula (bI), a repeating unit represented by the general formula (bII) or a copolymer component described below. May be contained in at least one of the repeating units of the formula (1).

【0165】上記一般式(bII−A)あるいは一般式
(bII−B)におけるRb10 〜Rb13の各種置換基は、
上記一般式(bII)における脂環式構造を形成するため
の原子団ないし有橋式脂環式構造を形成するための原子
団Zの置換基ともなるものである。
The various substituents of R b10 to R b13 in the general formula (bII-A) or (bII-B) are
In the formula (bII), it also serves as a substituent of the atomic group for forming the alicyclic structure or the atomic group Z for forming the bridged alicyclic structure.

【0166】上記一般式(bII−A)あるいは一般式
(bII−B)で表される繰り返し単位の具体例として次
の[bII−1]〜[bII−167]が挙げられるが、本
発明はこれらの具体例に限定されるものではない。
Specific examples of the repeating unit represented by formula (bII-A) or (bII-B) include the following [bII-1] to [bII-167]. It is not limited to these specific examples.

【0167】[0167]

【化86】 Embedded image

【0168】[0168]

【化87】 Embedded image

【0169】[0169]

【化88】 Embedded image

【0170】[0170]

【化89】 Embedded image

【0171】[0171]

【化90】 Embedded image

【0172】[0172]

【化91】 Embedded image

【0173】[0173]

【化92】 Embedded image

【0174】[0174]

【化93】 Embedded image

【0175】[0175]

【化94】 Embedded image

【0176】[0176]

【化95】 Embedded image

【0177】[0177]

【化96】 Embedded image

【0178】[0178]

【化97】 Embedded image

【0179】[0179]

【化98】 Embedded image

【0180】[0180]

【化99】 Embedded image

【0181】[0181]

【化100】 Embedded image

【0182】[0182]

【化101】 Embedded image

【0183】[0183]

【化102】 Embedded image

【0184】酸分解性樹脂(b)は、一般式(bI)で
表される繰り返し単位及び一般式(bII)(一般式(b
II−A)、一般式(bII−B)を含む)で表される繰り
返し単位のそれぞれの1種あるいは複数種を含む以外
に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着
性、レジストプロファイル、さらにレジストの一般的な
必要要件である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的
で、様々な単量体の繰り返し単位を含む共重合体とする
ことができる。好ましい共重合成分としては,下記一般
式〔bIII〕〜〔bIV〕で表される繰り返し単位を
挙げることができる。
The acid-decomposable resin (b) comprises a repeating unit represented by the general formula (bI) and a compound represented by the general formula (bII) (general formula (b
II-A), including one or more of the respective repeating units represented by general formula (bII-B)), dry etching resistance, standard developer suitability, substrate adhesion, resist profile, Further, for the purpose of adjusting the resolution, heat resistance, sensitivity, and the like, which are general requirements of a resist, a copolymer containing repeating units of various monomers can be used. Preferred copolymer components include repeating units represented by the following general formulas [bIII] to [bIV].

【0185】[0185]

【化103】 Embedded image

【0186】ここで、Zは酸素原子、−NH−、−N
(−Rb20 )−、−N(−OSO2 b20 )−を表し、
b20 も前記と同様の(置換)アルキル基、(置換)環
状炭化水素基を意味を有する。上記一般式〔bIII〕
〜〔bIV〕で表される繰り返し単位の具体例として次
の [bIII−1]〜[bIII−8]、[bIV−
1]〜[bIV−8]が挙げられるが、これらの具体例
に限定されるものではない。
Here, Z is an oxygen atom, -NH-, -N
(-Rb20)-, -N (-OSOTwo R b20)-
Rb20Is also the same as the above (substituted) alkyl group, (substituted) ring
Hydrocarbon groups have meaning. The above general formula [bIII]
Specific examples of the repeating unit represented by the formulas
[BIII-1] to [bIII-8], [bIV-
1] to [bIV-8], and specific examples thereof.
However, the present invention is not limited to this.

【0187】[0187]

【化104】 Embedded image

【0188】[0188]

【化105】 Embedded image

【0189】本発明に係る酸分解性樹脂(b)におい
て、一般式(bI)で表される繰り返し単位及び一般式
(bII)(一般式(bII−A)、一般式(bII−B)も
含む)で表される繰り返し単位の含有量は、所望のレジ
ストのドライエッチング耐性、感度、パターンのクラッ
キング防止、基板密着性、レジストプロファイル、さら
には一般的なレジストの必要要件である解像力、耐熱
性、等を勘案して適宜設定することができる。一般的
に、本発明に係る酸分解性樹脂(b)における一般式
(bI)で表される繰り返し単位又は一般式(bII)で
表される繰り返し単位の含有量は、各々、樹脂の全単量
体繰り返し単位中30モル%以上が適当であり、好まし
くは40モル%以上、更に好ましくは50モル%以上で
ある。
In the acid-decomposable resin (b) according to the present invention, the repeating unit represented by the general formula (bI) and the general formula (bII) (the general formulas (bII-A) and (bII-B)) The content of the repeating unit represented by the formula (1) includes the desired resist dry etching resistance, sensitivity, pattern cracking prevention, substrate adhesion, resist profile, and the resolving power and heat resistance which are necessary requirements of general resists. , Etc., can be set as appropriate. Generally, the content of the repeating unit represented by the general formula (bI) or the repeating unit represented by the general formula (bII) in the acid-decomposable resin (b) according to the present invention, The amount is suitably at least 30 mol%, preferably at least 40 mol%, more preferably at least 50 mol%, in the monomer repeating unit.

【0190】また、本発明に係る酸分解性樹脂(b)に
おいて、上記好ましい共重合成分の単量体に基づく繰り
返し単位の樹脂中の含有量も、所望のジストの性能に応
じて適宜設定することができるが、一般的に、一般式
(bI)で表される繰り返し単位及び一般式(bII)で
表される繰り返し単位を合計した総モル数に対して99
モル%以下が好ましく、より好ましくは90モル%以
下、さらに好ましくは80モル%以下である。
Further, in the acid-decomposable resin (b) according to the present invention, the content of the repeating unit based on the monomer of the preferable copolymer component in the resin is appropriately set according to the desired distaste performance. In general, the total number of moles of the repeating unit represented by the general formula (bI) and the repeating unit represented by the general formula (bII) is 99%.
It is preferably at most 90 mol%, more preferably at most 90 mol%, even more preferably at most 80 mol%.

【0191】また、本発明に係る酸分解性樹脂(b)に
おいては、酸の作用により分解する基は、一般式(b
I)で表される繰り返し単位、一般式(bII)で表され
る繰り返し単位、更には共重合成分の単量体に基づく繰
り返し単位のいずれに含有されていても差し支えない
が、酸の作用により分解する基を含有する繰り返し単位
の含有量は、樹脂の全単量体繰り返し単位中8〜60モ
ル%が適当であり、好ましくは10〜55モル%、更に
好ましくは12〜50モル%である。
In the acid-decomposable resin (b) according to the present invention, the group decomposed by the action of an acid is represented by the general formula (b)
It may be contained in any of the repeating unit represented by I), the repeating unit represented by the general formula (bII), and the repeating unit based on the monomer of the copolymerization component. The content of the repeating unit containing a decomposable group is suitably from 8 to 60 mol%, preferably from 10 to 55 mol%, more preferably from 12 to 50 mol%, based on all monomer repeating units of the resin. .

【0192】本発明に係る酸分解性樹脂(b)は、一般
に、一般式(bII)で表される繰り返し単位に相当する
単量体及び無水マレイン酸と、共重合成分を用いる場合
は該共重合成分の単量体とを、重合触媒の存在下に共重
合させ、得られた共重合体の無水マレイン酸の繰り返し
単位を、塩基性あるいは酸性条件下にアルコール類と開
環エステル化し、あるいは加水分解し、しかる後生成し
たカルボン酸部位を所望の置換基に変換することにより
合成することができる。
The acid-decomposable resin (b) according to the present invention generally comprises a monomer corresponding to the repeating unit represented by the general formula (bII), maleic anhydride, and a copolymerizable component. With the monomer of the polymerization component, copolymerized in the presence of a polymerization catalyst, the repeating unit of maleic anhydride of the obtained copolymer, esterification with alcohols under basic or acidic conditions, or It can be synthesized by hydrolyzing and then converting the carboxylic acid moiety generated thereafter to a desired substituent.

【0193】酸分解性樹脂(c) 下記一般式(cI)で表される繰り返し単位を含む、酸
の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する
樹脂。
Acid-decomposable resin (c) A resin containing a repeating unit represented by the following general formula (cI) and decomposed by the action of an acid to increase the solubility in alkali.

【0194】[0194]

【化106】 Embedded image

【0195】式中、Rc1〜Rc8は、同じでも異なっても
よく、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル
基、置換基を有していてもよい環状炭化水素基、ハロゲ
ン原子、シアノ基、酸の作用により分解する基、又は−
C(=O)−X−A−Rc9を表す。 m/n;1/9〜9/1 m+n;10〜100 X;酸素原子、硫黄原子、−NH−、−NHSO2 −、
−NHSO2 NH−から選ばれる2価の結合基、 Rc9;−COOH、−COORc10 (Rc10 はRc11
よび下記ラクトン構造の定義と同義)、−CN、水酸
基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、−CO−
NH−Rc11 、−CO−NH−SO2 −Rc11 又は上記
に示した−Y基を表す。 Rc11 ;置換基を有していてもよいアルキル基、置換基
を有していてもよい環状アルキル基、 A;単結合、アルキレン基、置換アルキレン基、エーテ
ル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、ア
ミド基、スルフォンアミド基、ウレタン基、又はウレア
基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基
の組み合わせ、を表す。
In the formula, R c1 to R c8 may be the same or different, and represent a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent, a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent, An atom, a cyano group, a group that decomposes under the action of an acid, or-
Represents C (= O) -X-A-R c9 . m / n; 1 / 9~9 / 1 m + n; 10~100 X; oxygen atom, a sulfur atom, -NH -, - NHSO 2 - ,
A divalent linking group selected from —NHSO 2 NH—, R c9 ; —COOH, —COOR c10 (where R c10 has the same meaning as R c11 and the definition of the following lactone structure), —CN, a hydroxyl group, and a substituent. An optionally substituted alkoxy group, -CO-
NH-R c11, represents a -CO-NH-SO 2 -R c11 or -Y group shown above. R c11 : an alkyl group which may have a substituent, a cyclic alkyl group which may have a substituent, A: a single bond, an alkylene group, a substituted alkylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, an ester A single group selected from the group consisting of a group, an amide group, a sulfonamide group, a urethane group, and a urea group, or a combination of two or more groups.

【0196】以下、酸分解性樹脂(c)について説明す
る。上記一般式(cI)において、Rc1〜Rc8における
酸の作用により分解する基(酸分解性基ともいう)とし
ては、−C(=O)−X1 −R0 で表される基が挙げら
れる。ここで、R0 としては、t−ブチル基、t−アミ
ル基等の3級アルキル基、イソボロニル基、1−エトキ
シエチル基、1−ブトキシエチル基、1−イソブトキシ
エチル基、1−シクロヘキシロキシエチル基等の1−ア
ルコキシエチル基、1−メトキシメチル基、1−エトキ
シメチル基等のアルコキシメチル基、テトラヒドロピラ
ニル基、テトラヒドロフラニル基、トリアルキルシリル
基、3−オキソシクロヘキシル基等を挙げることができ
る。ここでX1 としては、前記Xと同義である。
The acid-decomposable resin (c) will be described below. In the general formula (cI), the group decomposed by the action of an acid in R c1 to R c8 (also referred to as an acid-decomposable group) includes a group represented by —C (= O) —X 1 —R 0. No. Here, R 0 is a tertiary alkyl group such as a t-butyl group, a t-amyl group, an isobornyl group, a 1-ethoxyethyl group, a 1-butoxyethyl group, a 1-isobutoxyethyl group, a 1-cyclohexyloxy group. Examples include 1-alkoxyethyl groups such as ethyl groups, alkoxymethyl groups such as 1-methoxymethyl groups and 1-ethoxymethyl groups, tetrahydropyranyl groups, tetrahydrofuranyl groups, trialkylsilyl groups, and 3-oxocyclohexyl groups. Can be. Here, X 1 has the same meaning as X described above.

【0197】Rc1〜Rc8、Rc11 におけるアルキル基と
しては、炭素数1〜10個の直鎖状あるいは分岐状アル
キル基が好ましく、より好ましくは炭素数1〜6個の直
鎖状あるいは分岐状アルキル基であり、更に好ましくは
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n
−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブ
チル基である。
The alkyl group for R c1 to R c8 and R c11 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and more preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. Alkyl group, more preferably methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n
-Butyl group, isobutyl group, sec-butyl group and t-butyl group.

【0198】Rc1〜Rc8における環状炭化水素基として
は、例えば環状アルキル基、有橋式炭化水素であり、シ
クロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル
基、アダマンチル基、2−メチル−2−アダマンチル
基、ノルボルニル基、ボロニル基、イソボロニル基、ト
リシクロデカニル基、ジシクロペンテニル基、ノボルナ
ンエポキシ基、メンチル基、イソメンチル基、ネオメン
チル基、テトラシクロドデカニル基等を挙げることがで
きる。
Examples of the cyclic hydrocarbon group for R c1 to R c8 include, for example, a cyclic alkyl group and a bridged hydrocarbon group, such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, an adamantyl group and a 2-methyl-2-adamantyl group. , Norbornyl, boronyl, isobornyl, tricyclodecanyl, dicyclopentenyl, nobornane epoxy, menthyl, isomenthyl, neomenthyl, tetracyclododecanyl and the like.

【0199】Rc9におけるアルコキシ基としては、メト
キシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭
素数1〜4個のものが挙げることができる。
Examples of the alkoxy group for R c9 include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group.

【0200】Rc11 における環状アルキル基としては、
シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル
基、アダマンチル基、2−メチル−2−アダマンチル
基、ノルボルニル基、ボロニル基、イソボロニル基、ト
リシクロデカニル基、ジシクロペンテニル基、ノボルナ
ンエポキシ基、メンチル基、イソメンチル基、ネオメン
チル基、テトラシクロドデカニル基等を挙げることがで
きる。
As the cyclic alkyl group for R c11 ,
Cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, adamantyl group, 2-methyl-2-adamantyl group, norbornyl group, boronyl group, isobornyl group, tricyclodecanyl group, dicyclopentenyl group, nobornane epoxy group, menthyl group, Examples include an isomenthyl group, a neomenthyl group, and a tetracyclododecanyl group.

【0201】上記アルキル基、環状アルキル基、アルコ
キシ基における更なる置換基としては、水酸基、ハロゲ
ン原子、カルボキシル基、アルコキシ基、アシル基、シ
アノ基、アシルオキシ基等を挙げることができる。アル
コキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものが挙げるこ
とができ、アシル基としてはホルミル基、アセチル基等
を挙げることができ、アシルオキシ基としてはアセトキ
シ基等を挙げることができる。
Further substituents in the above alkyl group, cyclic alkyl group and alkoxy group include a hydroxyl group, a halogen atom, a carboxyl group, an alkoxy group, an acyl group, a cyano group, an acyloxy group and the like. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group. Examples of the acyl group include a formyl group and an acetyl group. Examples thereof include an acetoxy group.

【0202】Aにおけるアルキレン基、置換アルキレン
基としては、下記で示される基を挙げることができる。 −〔C(Ra )(Rb )〕r − 式中、 Ra 、Rb :水素原子、アルキル基、置換アルキル基、
ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表し、両者は同
一でも異なっていてもよく、アルキル基としてはメチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基
等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基よりなる群
から選択された置換基を表す。置換アルキル基の置換基
としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げ
ることができる。アルコキシ基としてはメトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4
個のものを挙げることができる。rは1〜10の整数を
表す。上記一般式(cI)において、ハロゲン原子とし
ては塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙
げることができる。
Examples of the alkylene group and substituted alkylene group in A include the groups shown below. -[C (R a ) (R b )] r-wherein R a and R b are a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group,
Represents a halogen atom, a hydroxyl group, or an alkoxy group; they may be the same or different; and the alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, or a butyl group, and more preferably a methyl group. Represents a substituent selected from the group consisting of a group, an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group. Examples of the substituent of the substituted alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom and an alkoxy group. Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group.
Individuals can be mentioned. r represents an integer of 1 to 10. In the general formula (cI), examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom.

【0203】上記一般式(cI)においては、上記酸分
解性基と−C(=O)−X−A−R c9は同じ繰り返し単
位に両方含まれてもよいし、別々の繰り返し単位に含ま
れてもよい。
In the general formula (cI), the acid content
A decomposable group and -C (= O) -XA-R c9Is the same repeating unit
May be included in both positions or included in separate repeating units
It may be.

【0204】酸分解性樹脂(c)はノルボルネン骨格を
有する単量体を重合、必要ならポリマー反応することに
より得られる。重合反応に関してはアゾ系開始剤等の一
般的なラジカル開始剤を用いたラジカル重合によっても
得ることができるが、より好ましくは遷移金属錯体等の
配位重合触媒を用いた開環重合により合成される。また
開環重合により得られた樹脂は安定性や光学吸収の観点
から還元して用いるのが好ましい。酸分解性樹脂(c)
は、一般式(cI)の単量体繰り返し単位を1種あるい
は複数含む以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液
適性、基板密着性、レジストプロファイル、さらにレジ
ストの一般的な必要要件である解像力、耐熱性、感度等
を調節する目的で様々な単量体繰り返し単位との共重合
体として使用することができる。好ましい共重合成分と
しては下記一般式(cV)又は(cVI)で表される繰
り返し単位を挙げることができる。
The acid-decomposable resin (c) is obtained by polymerizing a monomer having a norbornene skeleton and, if necessary, conducting a polymer reaction. The polymerization reaction can be obtained by radical polymerization using a general radical initiator such as an azo initiator, but is more preferably synthesized by ring-opening polymerization using a coordination polymerization catalyst such as a transition metal complex. You. The resin obtained by the ring-opening polymerization is preferably reduced and used from the viewpoint of stability and optical absorption. Acid-decomposable resin (c)
May include, besides containing one or more monomer repeating units of the general formula (cI), dry etching resistance, standard developer suitability, substrate adhesion, resist profile, and resolution, which is a general requirement of resist, It can be used as a copolymer with various monomer repeating units for the purpose of adjusting heat resistance, sensitivity and the like. Preferred examples of the copolymer component include a repeating unit represented by the following general formula (cV) or (cVI).

【0205】[0205]

【化107】 Embedded image

【0206】ここで、Zは前記一般式(bIII)ある
いは(bIV)のところで説明したものと同義である。
酸分解性樹脂(c)の好ましい繰り返し単位の組み合わ
せとしては下記に示すものを挙げることができる。但
し、これに限られるものではない。
Here, Z has the same meaning as that described in the formula (bIII) or (bIV).
Preferred combinations of repeating units of the acid-decomposable resin (c) include the following. However, it is not limited to this.

【0207】[0207]

【化108】 Embedded image

【0208】[0208]

【化109】 Embedded image

【0209】[0209]

【化110】 Embedded image

【0210】[0210]

【化111】 Embedded image

【0211】[0211]

【化112】 Embedded image

【0212】[0212]

【化113】 Embedded image

【0213】[0213]

【化114】 Embedded image

【0214】酸分解性樹脂(c)において酸の作用によ
り分解する基は一般式(cI)或いは共重合成分中に含
有される。
The group decomposed by the action of an acid in the acid-decomposable resin (c) is contained in the general formula (cI) or a copolymer component.

【0215】酸分解性樹脂(c)において、各繰り返し
単位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や
標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、
さらにはレジストの一般的な必要要件である解像力、耐
熱性、感度等を調節するために適宜設定される。
In the acid-decomposable resin (c), the molar ratio of each repeating unit is determined according to the dry etching resistance of the resist, suitability for a standard developer, substrate adhesion, resist profile, and the like.
Further, it is appropriately set in order to adjust resolution, heat resistance, sensitivity, and the like, which are general necessary requirements for a resist.

【0216】但し、酸分解性樹脂(c)中、一般式(c
I)で表される繰り返し単位の含有量は、全単量体繰り
返し単位中10モル%以上であり、好ましくは20モル
%以上、更に好ましくは30モル%以上である。また、
酸分解性樹脂(c)中、酸分解性基を含有する繰り返し
単位の含有量は、全単量体繰り返し単位中10〜90モ
ル%であり、好ましくは15〜85モル%、更に好まし
くは20〜80モル%である。密着性を付与するカルボ
キシル基の含有量は、樹脂中0.05〜2.0ミリ当量
/gであり、好ましくは0.1〜1.8ミリ当量/g、
更に好ましくは0.3〜1.5ミリ当量/gである。
However, in the acid-decomposable resin (c), the compound represented by the general formula (c)
The content of the repeating unit represented by I) is at least 10 mol%, preferably at least 20 mol%, more preferably at least 30 mol%, based on all monomer repeating units. Also,
In the acid-decomposable resin (c), the content of the repeating unit containing an acid-decomposable group is from 10 to 90 mol%, preferably from 15 to 85 mol%, more preferably from 20 to 90 mol%, based on all monomer repeating units. ~ 80 mol%. The content of the carboxyl group imparting adhesion is 0.05 to 2.0 meq / g in the resin, preferably 0.1 to 1.8 meq / g,
More preferably, it is 0.3 to 1.5 meq / g.

【0217】以下、酸の作用により分解しアルカリに対
する溶解性が増加する樹脂(c)を構成する一般式(c
I)で示される各繰り返し単位の具体例を以下に示す
が、本発明の内容が決してこれらに限られるものではな
い。
The general formula (c) constituting the resin (c) which is decomposed by the action of an acid and has increased solubility in alkalis
Specific examples of each repeating unit represented by I) are shown below, but the content of the present invention is by no means limited to these.

【0218】[0218]

【化115】 Embedded image

【0219】[0219]

【化116】 Embedded image

【0220】[0220]

【化117】 Embedded image

【0221】[0221]

【化118】 Embedded image

【0222】[0222]

【化119】 Embedded image

【0223】[0223]

【化120】 Embedded image

【0224】[0224]

【化121】 Embedded image

【0225】[0225]

【化122】 Embedded image

【0226】[0226]

【化123】 Embedded image

【0227】[0227]

【化124】 Embedded image

【0228】[0228]

【化125】 Embedded image

【0229】[0229]

【化126】 Embedded image

【0230】[0230]

【化127】 Embedded image

【0231】[0231]

【化128】 Embedded image

【0232】[0232]

【化129】 Embedded image

【0233】[0233]

【化130】 Embedded image

【0234】上記のような更なる単量体に基づく繰り返
し単位の樹脂中の含有量は、一般式(cI)で示される
繰り返し構造単位の総モル数に対して99モル%以下が
好ましく、より好ましくは90モル%以下、さらに好ま
しくは80モル%以下である。99モル%を越えると本
発明の効果が十分に発現しないため好ましくない。
The content of the repeating unit based on the further monomer in the resin is preferably 99 mol% or less based on the total number of moles of the repeating structural unit represented by the general formula (cI). It is preferably at most 90 mol%, more preferably at most 80 mol%. If it exceeds 99 mol%, the effect of the present invention is not sufficiently exhibited, so that it is not preferable.

【0235】上記の酸分解性樹脂の他にも、以下のよう
な樹脂も本発明において使用することができる。 ・Journal of Photopolymer Science and Technology V
ol.10, No.4 (1997),p545〜p550における545頁に記
載の共重合体、及び547頁の表2に記載の5つの共重
合体。 ・Journal of Photopolymer Science and Technology V
ol.10, No.4 (1997),p561〜p570における562頁図2
に記載のカルボン酸ポリマーの部分保護樹脂。 ・Journal of Photopolymer Science and Technology V
ol.10, No.3 (1997),p511〜p520における514頁図1
に記載の4元共重合体。 ・SPIE, Vol.3049, (1997), p113〜p123における116
頁のスキーム1に記載の樹脂3a。
In addition to the above-mentioned acid-decomposable resins, the following resins can also be used in the present invention.・ Journal of Photopolymer Science and Technology V
ol. 10, No. 4 (1997), p545-p550, p. 545, and 5 copolymers, p.・ Journal of Photopolymer Science and Technology V
ol. 10, No. 4 (1997), p.562 to p.570, FIG.
4. A partially protected resin of the carboxylic acid polymer according to 1 ..・ Journal of Photopolymer Science and Technology V
ol. 10, No. 3 (1997), pp. 514 to 520, FIG.
The quaternary copolymer according to 1.・ SPIE, Vol. 3049, (1997), 116 in p113-p123
Resin 3a as described in scheme 1 on page.

【0236】このような酸分解性樹脂は、本発明の効果
が有効に得られる範囲内で、更に以下のような単量体を
繰り返し単位として共重合させることができるが、これ
らに限定されるものではない。これにより、前記樹脂に
要求される性能、特に(1)塗布溶剤に対する溶解性、
(2)製膜性(ガラス転移点)、(3)アルカリ現像
性、(4)膜べり(親疎水性、アルカリ可溶性基選
択)、(5)未露光部の基板への密着性、(6)ドライ
エッチング耐性、の微調整が可能となる。このような共
重合単量体としては、例えば、アクリル酸エステル類、
メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリ
ルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニル
エステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個
有する化合物などを挙げることができる。
Such an acid-decomposable resin can be further copolymerized as a repeating unit with the following monomers as long as the effects of the present invention can be effectively obtained, but are not limited thereto. Not something. Thereby, the performance required for the resin, particularly (1) solubility in a coating solvent,
(2) film-forming properties (glass transition point), (3) alkali developability, (4) film loss (hydrophilic / hydrophobic, alkali-soluble group selection), (5) adhesion of unexposed portions to substrate, (6) Fine adjustment of dry etching resistance becomes possible. As such a comonomer, for example, acrylates,
Examples thereof include compounds having one addition-polymerizable unsaturated bond selected from methacrylates, acrylamides, methacrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, and the like.

【0237】具体的には、例えばアクリル酸エステル
類、例えばアルキル(アルキル基の炭素原子数は1〜1
0のものが好ましい)アクリレート(例えば、アクリル
酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、ア
クリル酸アミル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル
酸エチルヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸−
t−オクチル、クロルエチルアクリレート、2−ヒドロ
キシエチルアクリレート2,2−ジメチルヒドロキシプ
ロピルアクリレート、5−ヒドロキシペンチルアクリレ
ート、トリメチロールプロパンモノアクリレート、ペン
タエリスリトールモノアクリレート、ベンジルアクリレ
ート、メトキシベンジルアクリレート、フルフリルアク
リレート、テトラヒドロフルフリルアクリレートな
ど);
Specifically, for example, acrylates such as alkyl (the alkyl group has 1 to 1 carbon atoms)
Acrylates (for example, methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, amyl acrylate, cyclohexyl acrylate, ethylhexyl acrylate, octyl acrylate, acrylate-
t-octyl, chloroethyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate 2,2-dimethylhydroxypropyl acrylate, 5-hydroxypentyl acrylate, trimethylolpropane monoacrylate, pentaerythritol monoacrylate, benzyl acrylate, methoxybenzyl acrylate, furfuryl acrylate, Tetrahydrofurfuryl acrylate, etc.);

【0238】メタクリル酸エステル類、例えばアルキル
(アルキル基の炭素原子数は1〜10のものが好まし
い。)メタクリレート(例えばメチルメタクリレート、
エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソ
プロピルメタクリレート、アミルメタクリレート、ヘキ
シルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、
ベンジルメタクリレート、クロルベンジルメタクリレー
ト、オクチルメタクリレート、2−ヒドロキシエチルメ
タクリレート、4−ヒドロキシブチルメタクリレート、
5−ヒドロキシペンチルメタクリレート、2,2−ジメ
チル−3−ヒドロキシプロピルメタクリレート、トリメ
チロールプロパンモノメタクリレート、ペンタエリスリ
トールモノメタクリレート、フルフリルメタクリレー
ト、テトラヒドロフルフリルメタクリレートなど);
Methacrylic esters such as alkyl (preferably having 1 to 10 carbon atoms in the alkyl group) methacrylate (eg, methyl methacrylate,
Ethyl methacrylate, propyl methacrylate, isopropyl methacrylate, amyl methacrylate, hexyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate,
Benzyl methacrylate, chlorobenzyl methacrylate, octyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate,
5-hydroxypentyl methacrylate, 2,2-dimethyl-3-hydroxypropyl methacrylate, trimethylolpropane monomethacrylate, pentaerythritol monomethacrylate, furfuryl methacrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, etc.);

【0239】アクリルアミド類、例えばアクリルアミ
ド、N−アルキルアクリルアミド、(アルキル基として
は炭素原子数1〜10のもの、例えばメチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、t−ブチル基、ヘプチル
基、オクチル基、シクロヘキシル基、ヒドロキシエチル
基などがある。)、N,N−ジアルキルアクリルアミド
(アルキル基としては炭素原子数1〜10のもの、例え
ばメチル基、エチル基、ブチル基、イソブチル基、エチ
ルヘキシル基、シクロヘキシル基などがある。)、N−
ヒドロキシエチル−N−メチルアクリルアミド、N−2
−アセトアミドエチル−N−アセチルアクリルアミドな
ど;
Acrylamides, for example, acrylamide, N-alkylacrylamide, (where the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms, for example, methyl, ethyl, propyl, butyl, t-butyl, heptyl, octyl Group, cyclohexyl group, hydroxyethyl group, etc.), N, N-dialkylacrylamide (alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, for example, methyl group, ethyl group, butyl group, isobutyl group, ethylhexyl group, Cyclohexyl group, etc.), N-
Hydroxyethyl-N-methylacrylamide, N-2
-Acetamidoethyl-N-acetylacrylamide and the like;

【0240】メタクリルアミド類、例えばメタクリルア
ミド、N−アルキルメタクリルアミド(アルキル基とし
ては炭素原子数1〜10のもの、例えばメチル基、エチ
ル基、t−ブチル基、エチルヘキシル基、ヒドロキシエ
チル基、シクロヘキシル基などがある。)、N,N−ジ
アルキルメタクリルアミド(アルキル基としてはエチル
基、プロピル基、ブチル基などがある。)、N−ヒドロ
キシエチル−N−メチルメタクリルアミドなど;
Methacrylamides, for example, methacrylamide, N-alkyl methacrylamide (alkyl having 1 to 10 carbon atoms, for example, methyl, ethyl, t-butyl, ethylhexyl, hydroxyethyl, cyclohexyl) Groups, etc.), N, N-dialkylmethacrylamide (an alkyl group includes an ethyl group, a propyl group, a butyl group, etc.), N-hydroxyethyl-N-methylmethacrylamide and the like;

【0241】アリル化合物、例えばアリルエステル類
(例えば酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸ア
リル、ラウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステア
リン酸アリル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳
酸アリルなど)、アリルオキシエタノールなど;
Allyl compounds such as allyl esters (eg, allyl acetate, allyl caproate, allyl caprylate, allyl laurate, allyl palmitate, allyl stearate, allyl benzoate, allyl acetoacetate, allyl lactate), allyloxy Ethanol, etc .;

【0242】ビニルエーテル類、例えばアルキルビニル
エーテル(例えばヘキシルビニルエーテル、オクチルビ
ニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキシル
ビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、エト
キシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエーテ
ル、1−メチル−2,2−ジメチルプロピルビニルエー
テル、2−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキシエ
チルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニルエー
テル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエチル
アミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチルビニ
ルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒドロフ
ルフリルビニルエーテルなど);
Vinyl ethers such as alkyl vinyl ethers (eg, hexyl vinyl ether, octyl vinyl ether, decyl vinyl ether, ethylhexyl vinyl ether, methoxyethyl vinyl ether, ethoxyethyl vinyl ether, chloroethyl vinyl ether, 1-methyl-2,2-dimethylpropyl vinyl ether, 2-ethyl Butyl vinyl ether, hydroxyethyl vinyl ether, diethylene glycol vinyl ether, dimethylaminoethyl vinyl ether, diethylaminoethyl vinyl ether, butylaminoethyl vinyl ether, benzyl vinyl ether, tetrahydrofurfuryl vinyl ether, etc.);

【0243】ビニルエステル類、例えばビニルブチレー
ト、ビニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテー
ト、ビニルジエチルアセテート、ビニルバレート、ビニ
ルカプロエート、ビニルクロルアセテート、ビニルジク
ロルアセテート、ビニルメトキシアセテート、ビニルブ
トキシアセテート、ビニルアセトアセテート、ビニルラ
クテート、ビニル−β−フェニルブチレート、ビニルシ
クロヘキシルカルボキシレートなど;
Vinyl esters such as vinyl butyrate, vinyl isobutyrate, vinyl trimethyl acetate, vinyl diethyl acetate, vinyl valate, vinyl caproate, vinyl chloroacetate, vinyl dichloroacetate, vinyl methoxy acetate, vinyl butoxy acetate, Vinyl acetoacetate, vinyl lactate, vinyl-β-phenylbutyrate, vinylcyclohexylcarboxylate and the like;

【0244】イタコン酸ジアルキル類(例えばイタコン
酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジブチル
など);フマール酸のジアルキルエステル類(例えばジ
ブチルフマレートなど)又はモノアルキルエステル類;
アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イタコン酸、
無水マレイン酸、マレイミド、アクリロニトリル、メタ
クリロニトリル、マレイロニトリル等がある。
Dialkyl itaconates (eg, dimethyl itaconate, diethyl itaconate, dibutyl itaconate, etc.); dialkyl esters of fumaric acid (eg, dibutyl fumarate, etc.) or monoalkyl esters;
Acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, itaconic acid,
Examples include maleic anhydride, maleimide, acrylonitrile, methacrylonitrile, maleilenitrile, and the like.

【0245】その他にも、上記種々の繰り返し単位と共
重合可能である付加重合性の不飽和化合物であればよ
い。また、上記更なる共重合成分の単量体に基づく繰り
返し単位の樹脂中の含有量も、所望のレジストの性能に
応じて適宜設定することができるが、一般的に、必須繰
り返し単位を合計した総モル数に対して99モル%以下
が好ましく、より好ましくは90モル%以下、さらに好
ましくは80モル%以下である。
In addition, any addition-polymerizable unsaturated compound copolymerizable with the above-mentioned various repeating units may be used. Further, the content of the repeating unit based on the monomer of the further copolymerization component in the resin can also be appropriately set according to the desired performance of the resist, but generally, the total of the essential repeating units is calculated. It is preferably at most 99 mol%, more preferably at most 90 mol%, even more preferably at most 80 mol%, based on the total mole number.

【0246】上記のような酸分解性樹脂の分子量は、重
量平均(Mw:ポリスチレン標準)で好ましくは1,0
00〜1,000,000、より好ましくは1,500
〜500,000、更に好ましくは2,000〜20
0,000、更に好ましくは2,500〜100,00
0の範囲であり、大きい程、耐熱性等が向上する一方
で、現像性等が低下し、これらのバランスにより好まし
い範囲に調整される。本発明において、上記のような酸
分解性樹脂の中でも、上記酸分解性樹脂(a)と酸分解
性樹脂(b)が好ましい。これらの酸分解性樹脂を用い
ることにより、クラッキングの発生の防止が一層効果的
になる。
The molecular weight of the acid-decomposable resin as described above is preferably 1,0 by weight average (Mw: polystyrene standard).
00 to 1,000,000, more preferably 1,500
~ 500,000, more preferably 2,000 ~ 20
000, more preferably 2,500 to 100,00
It is in the range of 0, and as the value is larger, the heat resistance and the like are improved, while the developability and the like are reduced. The balance is adjusted to a preferable range. In the present invention, the acid-decomposable resin (a) and the acid-decomposable resin (b) are preferable among the acid-decomposable resins as described above. By using these acid-decomposable resins, the occurrence of cracking can be more effectively prevented.

【0247】本発明のポジ型フォトレジスト組成物にお
いて、酸分解性樹脂の組成物全体中の添加量は、全レジ
スト固形分中40〜99重量%が好ましく、より好まし
くは50〜97重量%である。
In the positive photoresist composition of the present invention, the addition amount of the acid-decomposable resin in the whole composition is preferably 40 to 99% by weight, more preferably 50 to 97% by weight based on the total resist solids. is there.

【0248】次に、本発明のポジ型フォトレジスト組成
物における活性光線又は放射線の照射により酸を発生す
る化合物(光酸発生剤)について説明する。光酸発生剤
は2つの性質を満たすことが必要である。すなわち、
(1)露光光に対する透明性(但し、光ブリーチ性がな
い場合)と、(2)レジスト感度を確保するための十分
な光分解性である。しかし、このような矛盾する必要要
件を満たす分子設計指針は明確でないのが現状である
が、例えば次のような例を挙げることができる。すなわ
ち、特開平7−25846号公報、特開平7−2823
7号公報、特開平7−92675号公報、特開平8−2
7102号公報に記載の2−オキソシクロヘキシル基を
有する脂肪族アルキスルフォニウム塩類、および、N−
ヒドロキシスクシンイミドスルフォネート類などを挙げ
ることができる。さらには J. Photopolym. Sci. Techn
ol., Vol 7, No3, p 423 (1994) 等に記載があり、下記
一般式(VI)で示すことができるスルフォニウム塩、下
記一般式(VII)で示すことができるジスルフォン類、下
記一般式(VIII)で表される化合物などを挙げることが
できる。
Next, the compound (photoacid generator) which generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation in the positive photoresist composition of the present invention will be described. The photoacid generator needs to satisfy two properties. That is,
(1) transparency to exposure light (provided that there is no light bleaching property); and (2) sufficient photodegradability to ensure resist sensitivity. However, at present, there is no clear guideline for molecular design that satisfies such contradictory requirements. For example, the following examples can be given. That is, JP-A-7-25846 and JP-A-7-2823
7, JP-A-7-92675, JP-A-8-2
Aliphatic alkulfonium salts having a 2-oxocyclohexyl group described in JP-A-7102, and N-
Hydroxysuccinimide sulfonates and the like can be mentioned. Furthermore, J. Photopolym. Sci. Techn
ol., Vol 7, No. 3, p 423 (1994) and the like, and sulfonium salts represented by the following general formula (VI), disulfones represented by the following general formula (VII), and the following general formula The compound represented by (VIII) can be mentioned.

【0249】[0249]

【化131】 Embedded image

【0250】ここで、R12〜R15は各々アルキル基、環
状アルキル基を表す。これらは互いに同じでも異なって
もよい。また、下記一般式(IX)で示されるN−ヒドロ
キシマレインイミドスルフォネート類も好適である。
Here, R 12 to R 15 each represent an alkyl group or a cyclic alkyl group. These may be the same or different from each other. Further, N-hydroxymaleimide sulphonates represented by the following general formula (IX) are also suitable.

【0251】[0251]

【化132】 Embedded image

【0252】ここでR16、R17は、同じでも異なっても
よく、水素原子、炭素数1〜6個のアルキル基またはシ
クロアルキル基を表す。R16とR17とがアルキレン基を
介して結合し、環を形成していてもよい。R18は、アル
キル基、ペルフルオロアルキル基、シクロアルキル基ま
たは樟脳置換体を表す。このようなN−ヒドロキシマレ
インイミドスルフォネート類は光感度の点で特に好まし
い。
Here, R 16 and R 17 may be the same or different and represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a cycloalkyl group. R 16 and R 17 may be bonded via an alkylene group to form a ring. R 18 represents an alkyl group, a perfluoroalkyl group, a cycloalkyl group or a substituted camphor. Such N-hydroxymaleimide sulphonates are particularly preferred in terms of photosensitivity.

【0253】上記一般式(IX)におけるR16、R17にお
ける炭素数1〜6個のアルキル基としては、メチル基、
エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル
基、イソブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、
n−ヘキシル基を挙げることができる。中でも好ましい
のはメチル基、エチル基、プロピル基であり、メチル
基、エチル基が更に好ましい。炭素数6個以下のシクロ
アルキル基としてはシクロプロピル基、シクロペンチル
基、シクロヘキシル基を挙げることができる。好ましく
はシクロペンチル基、シクロヘキシル基である。R16
17がアルキレン鎖により互いに環を形成する場合とし
ては、例えばシクロヘキシル基、ノルボルニル基、トリ
シクロデカニル基を形成する場合などを挙げることがで
きる。
As the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms for R 16 and R 17 in the general formula (IX), a methyl group,
Ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, n-pentyl group,
An n-hexyl group can be mentioned. Among them, preferred are a methyl group, an ethyl group and a propyl group, and a methyl group and an ethyl group are more preferred. Examples of the cycloalkyl group having 6 or less carbon atoms include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group. Preferably, they are a cyclopentyl group and a cyclohexyl group. R 16 ,
Examples of the case where R 17 forms a ring with each other by an alkylene chain include a case where a cyclohexyl group, a norbornyl group, and a tricyclodecanyl group are formed.

【0254】R18のアルキル基としてはメチル基、エチ
ル基、プロピル基を初めとする直鎖状の炭素数1〜20
個のアルキル基や、イソプロピル基、イソブチル基、t
ert−ブチル基、ネオペンチル基を初めとする分岐し
た炭素数1〜20個のアルキル基を挙げることができ
る。好ましくは炭素数1〜16個の直鎖あるいは分岐し
たアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数4〜15
個の直鎖あるいは分岐したアルキル基である。ペルフル
オロアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペン
タフルオロエチル基を初めとする直鎖の炭素数1〜20
個のペルフルオロアルキル基や、ヘプタフルオロイソプ
ロピル基、ノナフルオロtert−ブチル基を初めとする分
岐した炭素数1〜20個のペルフルオロアルキル基を挙
げることができる。好ましくは炭素数1〜16個の直鎖
あるいは分岐したペルフルオロアルキル基である。環状
のアルキル基としてはシクロペンチル基、シクロヘキシ
ル基の様な単環状の環状のアルキル基や、デカリル基、
ノルボルニル基、トリシクロデカニル基のような複数環
状のアルキル基を挙げることができる。
As the alkyl group for R 18, a linear C 1-20 alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, or a propyl group may be used.
Alkyl groups, isopropyl groups, isobutyl groups, t
Examples thereof include a branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms such as an tert-butyl group and a neopentyl group. It is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 16 carbon atoms, and more preferably 4 to 15 carbon atoms.
Linear or branched alkyl groups. Examples of the perfluoroalkyl group include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group and other straight-chain carbon atoms having 1 to 20 carbon atoms.
And a branched perfluoroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms such as a perfluoroalkyl group, a heptafluoroisopropyl group, and a nonafluoro tert-butyl group. Preferably, it is a linear or branched perfluoroalkyl group having 1 to 16 carbon atoms. As the cyclic alkyl group, a monocyclic cyclic alkyl group such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group, a decalyl group,
Examples thereof include a plurality of cyclic alkyl groups such as a norbornyl group and a tricyclodecanyl group.

【0255】このような光酸発生剤の組成物中の添加量
は、ポジ型フォトレジスト組成物の全固形分中、0.1
〜20重量%が好ましく、より好ましくは0.5〜15
重量%、更に好ましくは1〜10重量%である。
The amount of such a photoacid generator added to the composition is 0.1% of the total solid content of the positive photoresist composition.
To 20% by weight, more preferably 0.5 to 15% by weight.
%, More preferably 1 to 10% by weight.

【0256】本発明のポジ型フォトレジスト組成物に
は、上記のような光酸発生剤以外にも、以下のような光
酸発生剤を併用してもよい。
In the positive photoresist composition of the present invention, the following photoacid generator may be used in addition to the above photoacid generator.

【0257】以下のような併用可能な光酸発生剤の組成
物中の添加量は、ポジ型フォトレジスト組成物全体の固
形分中で2重量%以下であり、更に好ましくは1重量%
以下がよい。たとえば S.I.Schlesinger,Photogr.Sci.E
ng.,18,387(1974)、T.S.Bal etal,Polymer,21,423(198
0) 等に記載のジアゾニウム塩、米国特許第4,069,055
号、同4,069,056 号、同 Re 27,992号、特開平3-140,14
0 号等に記載のアンモニウム塩、D.C.Necker etal,Macr
omolecules,17,2468(1984)、C.S.Wen etal,Teh,Proc.Co
nf.Rad.Curing ASIA,p478 Tokyo,Oct(1988) 、米国特許
第4,069,055 号、同4,069,056 号等に記載のホスホニウ
ム塩、J.V.Crivello etal,Macromorecules,10(6),1307
(1977) 、Chem.&Eng.News,Nov.28,p31(1988) 、欧州特
許第104,143 号、同第339,049 号、同第410,201 号、特
開平2-150,848 号、特開平2-296,514 号等に記載のヨー
ドニウム塩、J.V.Crivello etal,Polymer J.17,73(198
5) 、J.V.Crivello etal.J.Org.Chem.,43,3055(1978)
、W.R.Watt etal,J.Polymer Sci.,Polymer Chem.Ed.,2
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1141(1981) 、J.V.Crivello etal,J.PolymerSci.,Polym
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同161,811 号、同410,201 号、同339,049 号、同233,56
7 号、同297,443 号、同297,442 号、米国特許第4,933,
377 号、同3,902,114 号、同4,760,013 号、同4,734,44
4 号、同2,833,827 号、獨国特許第2,904,626 号、同3,
604,580 号、同3,604,581 号等に記載のスルホニウム
塩、J.V.Crivello etal,Macromorecules,10(6),1307(19
77) 、J.V.Crivello etal,J.PolymerSci.,Polymer Che
m.Ed., 17,1047(1979) 等に記載のセレノニウム塩、C.
S.Wen etal,Teh,Proc.Conf.Rad.Curing ASIA,p478 Toky
o,Oct(1988) 等に記載のアルソニウム塩等のオニウム
塩、米国特許第3,905,815 号、特公昭46-4605 号、特開
昭48-36281号、特開昭55-32070号、特開昭60-239736
号、特開昭61-169835 号、特開昭61-169837 号、特開昭
62-58241号、特開昭62-212401 号、特開昭63-70243号、
特開昭63-298339 号等に記載の有機ハロゲン化合物、K.
Meier etal,J.Rad.Curing,13(4),26(1986)、T.P.Gill
etal,Inorg.Chem.,19,3007(1980)、D.Astruc,Acc.Chem.
Res.,19(12),377(1896) 、特開平2-161445号等に記載の
有機金属/有機ハロゲン化物、S.Hayase etal,J.Polym
er Sci.,25,753(1987)、 E.Reichmanis etal,J.Pholymer
Sci.,Polymer Chem.Ed.,23,1(1985)、 Q.Q.Zhu etal,J.
Photochem.,36,85,39,317(1987)、 B.Amit etal,Tetrahe
dron Lett.,(24)2205(1973)、D.H.R.Barton etal,J.Chem
Soc.,3571(1965)、 P.M.Collins etal,J.Chem.SoC.,Per
kin I,1695(1975)、 M.Rudinstein etal,Tetrahedron Le
tt.,(17),1445(1975)、 J.W.Walker etalJ.Am.Chem.So
c.,110,7170(1988)、 S.C.Busman etal,J.Imaging Techn
ol.,11(4),191(1985)、 H.M.Houlihan etal,Macormolecu
les,21,2001(1988)、P.M.Collins etal,J.Chem.Soc.,Che
m.Commun.,532(1972)、S.Hayase etal,Macromolecules,1
8,1799(1985)、 E.Reichmanisetal,J.Electrochem.Soc.,
Solid State Sci.Technol.,130(6)、 F.M.Houlihan eta
l,Macromolcules,21,2001(1988)、欧州特許第0290,750
号、同046,083 号、同156,535 号、同271,851 号、同0,
388,343 号、 米国特許第3,901,710 号、同4,181,531
号、特開昭60-198538 号、特開昭53-133022 号等に記載
のo−ニトロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、M.
TUNOOKA etal,Polymer Preprints Japan,35(8)、G.Bern
er etal,J.Rad.Curing,13(4)、 W.J.Mijs etal,Coating
Technol.,55(697),45(1983),Akzo 、 H.Adachi etal,Po
lymer Preprints,Japan,37(3)、欧州特許第0199,672号、
同84515 号、同044,115 号、同618,564 号、同0101,122
号、米国特許第4,371,605 号、同4,431,774 号、特開昭
64-18143号、特開平2-245756号、特開平3-140109号等に
記載のイミノスルフォネ−ト等に代表される光分解して
スルホン酸を発生する化合物、特開昭61-166544 号等に
記載のジスルホン化合物を挙げることができる。
The amount of the photoacid generator which can be used in combination as described below is 2% by weight or less, more preferably 1% by weight, of the solid content of the whole positive photoresist composition.
The following is good. For example, SISchlesinger, Photogr.Sci.E
ng., 18,387 (1974), TSBal etal, Polymer, 21,423 (198
0) etc., U.S. Pat.No.4,069,055
No. 4,069,056, Re 27,992, JP-A-3-140,14
Ammonium salts described in No. 0 etc., DCNecker etal, Macr
omolecules, 17, 2468 (1984), CSwen et al, Teh, Proc. Co.
nf.Rad.Curing ASIA, p478 Tokyo, Oct (1988), U.S. Pat.Nos. 4,069,055, 4,069,056, phosphonium salts described in JVCrivello et al., Macromorecules, 10 (6), 1307.
(1977), Chem. & Eng. News, Nov. 28, p31 (1988), European Patent Nos. 104,143, 339,049, 410,201, JP-A-2-150,848, JP-A-2-296,514, etc. Described iodonium salts, JVCrivello etal, Polymer J. 17, 73 (198
5), JVCrivello et al. J. Org. Chem., 43, 3055 (1978)
, WRWatt et al., J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 2
2,1789 (1984), JVCrivello etal, Polymer Bull., 14,
279 (1985), JVCrivello etal, Macromorecules, 14 (5),
1141 (1981), JVCrivello et al, J. PolymerSci., Polym
er Chem. Ed., 17, 2877 (1979), EP 370,693,
No. 161,811, No. 410,201, No. 339,049, No. 233,56
No. 7, 297,443, 297,442, U.S. Pat.
No. 377, No. 3,902,114, No. 4,760,013, No. 4,734,44
No. 4, No. 2,833,827, Dokoku Patent No. 2,904,626, No. 3,
Nos. 604,580 and 3,604,581, and the sulfonium salts described in JVCrivello et al., Macromorecules, 10 (6), 1307 (19
77), JVCrivello etal, J. PolymerSci., Polymer Che
m.Ed., 17,1047 (1979), etc.
S.Wen etal, Teh, Proc.Conf.Rad.Curing ASIA, p478 Toky
o, Oct (1988) and the like onium salts such as arsonium salts, U.S. Pat.No. 3,905,815, JP-B-46-4605, JP-A-48-36281, JP-A-55-32070, JP-A-60 -239736
No., JP-A-61-169835, JP-A-61-169837, JP-A-61-169837
No. 62-58241, JP-A-62-212401, JP-A-63-70243,
Organic halogen compounds described in JP-A-63-298339, etc.
Meier et al., J. Rad. Curing, 13 (4), 26 (1986), TPGill
etal, Inorg.Chem., 19, 3007 (1980), D. Astruc, Acc.
Res., 19 (12), 377 (1896), and organic metal / organic halides described in JP-A-2-14145, S. Hayase et al., J. Polym
er Sci., 25, 753 (1987), E. Reichmanis et al., J. Pholimer
Sci., Polymer Chem. Ed., 23, 1 (1985), QQ Zhu et al., J.
Photochem., 36, 85, 39, 317 (1987), B. Amit etal, Tetrahe
dron Lett., (24) 2205 (1973), DHR Barton et al., J. Chem.
Soc., 3571 (1965), PMCollins et al., J. Chem.SoC., Per
kin I, 1695 (1975), M. Rudinstein et al, Tetrahedron Le
tt., (17), 1445 (1975), JWWalker etal J. Am. Chem. So
c., 110, 7170 (1988), SCBusman et al, J. Imaging Techn
ol., 11 (4), 191 (1985), HMHoulihan et al, Macormolecu
les, 21, 2001 (1988), PM Collins et al., J. Chem. Soc., Che
m.Commun., 532 (1972), S.Hayase etal, Macromolecules, 1
8,1799 (1985), E. Reichmanisetal, J. Electrochem. Soc.,
Solid State Sci.Technol., 130 (6), FMHoulihan eta
1, Macromolcules, 21, 2001 (1988), European Patent 0290,750
Nos. 046,083, 156,535, 271,851, 0,
U.S. Pat.Nos. 3,901,710 and 4,181,531
, A photoacid generator having an o-nitrobenzyl-type protecting group described in JP-A-60-198538, JP-A-53-133022, etc.
TUNOOKA etal, Polymer Preprints Japan, 35 (8), G. Bern
er etal, J.Rad.Curing, 13 (4), WJMijs etal, Coating
Technol., 55 (697), 45 (1983), Akzo, H. Adachi et al, Po
lymer Preprints, Japan, 37 (3), European Patent No. 0199,672,
No. 84515, No. 044,115, No. 618,564, No. 0101,122
No. 4,371,605, U.S. Pat.
64-18143, JP-A-2-245756, compounds that generate sulfonic acid upon photolysis represented by iminosulfonate and the like described in JP-A-3-140109, and JP-A-61-166544. The disulfone compounds described above can be exemplified.

【0258】また、これらの光により酸を発生する基、
あるいは化合物をポリマーの主鎖または側鎖に導入した
化合物、たとえば、M.E.Woodhouse etal,J.Am.Chem.So
c.,104,5586(1982) 、S.P.Pappas etal,J.Imaging Sc
i.,30(5),218(1986) 、S.Kondoetal,Makromol.Chem.,Ra
pid Commun.,9,625(1988)、Y.Yamada etal,Makromol.C
hem.,152,153,163(1972) 、J.V.Crivello etal,J.Polym
erSci.,Polymer Chem.Ed., 17,3845(1979) 、米国特許
第3,849,137 号、獨国特許第3914407 号、特開昭63-266
53号、特開昭55-164824 号、特開昭62-69263号、特開昭
63-146038 号、特開昭63-163452 号、特開昭62-153853
号、特開昭63-146029 号等に記載の化合物を用いること
ができる。
Further, a group capable of generating an acid by these lights,
Alternatively, a compound having a compound introduced into a main chain or a side chain of a polymer, for example, MEWoodhouse et al., J. Am. Chem.
c., 104, 5586 (1982), SPPappas et al, J. Imaging Sc
i., 30 (5), 218 (1986), S. Kondoetal, Makromol.Chem., Ra
pid Commun., 9,625 (1988), Y.Yamada et al., Makromol.C
hem., 152, 153, 163 (1972), JVCrivello etal, J. Polym
erSci., Polymer Chem. Ed., 17,3845 (1979), U.S. Patent No. 3,849,137, Dokoku Patent No. 3,914,407, JP-A-63-266.
No. 53, JP-A-55-164824, JP-A-62-69263, JP-A-Showa
63-146038, JP-A-63-163452, JP-A-62-153853
And the compounds described in JP-A-63-146029 and the like can be used.

【0259】さらにV.N.R.Pillai,Synthesis,(1),1(198
0)、A.Abad etal,Tetrahedron Lett.,(47)4555(1971)、
D.H.R.Barton etal,J.Chem.Soc.,(C),329(1970) 、米国
特許第3,779,778 号、欧州特許第126,712 号等に記載の
光により酸を発生する化合物も使用することができる。
Further, VNRPillai, Synthesis, (1), 1 (198
0), A. Abad etal, Tetrahedron Lett., (47) 4555 (1971),
DHR Barton et al., J. Chem. Soc., (C), 329 (1970), U.S. Pat. No. 3,779,778, EP 126,712, and the like, can also be used compounds which generate an acid by light.

【0260】上記併用可能な活性光線または放射線の照
射により分解して酸を発生する化合物の中で、特に有効
に用いられるものを以下に例示する。
Among the above compounds which can be used together and which generate an acid by being decomposed by irradiation with actinic rays or radiation, those particularly effectively used are exemplified below.

【0261】[0261]

【化133】 Embedded image

【0262】本発明のポジ型感光性組成物には、必要に
応じて更に上記以外の酸分解性溶解阻止化合物、染料、
可塑剤、界面活性剤、光増感剤、有機塩基性化合物、現
像液に対する溶解性を促進させる化合物等を含有させる
ことができる。
The positive photosensitive composition of the present invention may further contain, if necessary, an acid-decomposable dissolution inhibiting compound other than those described above, a dye,
A plasticizer, a surfactant, a photosensitizer, an organic basic compound, a compound that promotes solubility in a developer, and the like can be contained.

【0263】本発明の感光性組成物は、上記各成分を溶
解する溶媒に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用
する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、γ−ブチ
ロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル、2−メトキシエチルアセテート、エチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリ
コールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳
酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、
エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、N,N−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロ
リドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶
媒を単独あるいは混合して使用する。
The photosensitive composition of the present invention is dissolved in a solvent capable of dissolving each of the above components and applied on a support. As the solvent used here, ethylene dichloride, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, γ-butyrolactone, methyl ethyl ketone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 2-methoxyethyl acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate , Propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, toluene, ethyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, methyl methoxypropionate,
Ethyl ethoxypropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, N, N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, N-methylpyrrolidone, tetrahydrofuran and the like are preferable, and these solvents are used alone or in combination.

【0264】上記溶媒に界面活性剤を加えることもでき
る。具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエーテ
ル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキ
シエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイ
ルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル
類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、
ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリ
オキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシ
エチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー
類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミ
テート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノ
オレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタント
リステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリ
オキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシ
エチレンソルビタンモノパルミテ−ト、ポリオキシエチ
レンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレン
ソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビ
タントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタ
ン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフト
ップEF301,EF303,EF352(新秋田化成
(株)製)、メガファックF171,F173 (大日
本インキ(株)製)、フロラ−ドFC430,FC43
1(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG71
0,サーフロンS−382,SC101,SC102,
SC103,SC104,SC105,SC106(旭
硝子(株)製)等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロ
キサンポリマーKP341(信越化学工業(株)製)や
アクリル酸系もしくはメタクリル酸系(共)重合ポリフ
ローNo.75,No.95(共栄社油脂化学工業
(株)製)等を挙げることができる。これらの界面活性
剤の配合量は、本発明の組成物中の固形分100重量部
当たり、通常、2重量部以下、好ましくは1重量部以下
である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよい
し、また、いくつかの組み合わせで添加することもでき
る。
A surfactant may be added to the above solvents. Specifically, polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene cetyl ether, polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octyl phenol ether,
Polyoxyethylene alkyl allyl ethers such as polyoxyethylene nonylphenol ether, polyoxyethylene / polyoxypropylene block copolymers, sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan monostearate, sorbitan monooleate, sorbitan trioleate, Sorbitan fatty acid esters such as sorbitan tristearate, polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopalmitate, polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyoxyethylene sorbitan trioleate, polyoxyethylene sorbitan tristearate Surfactants such as polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters such as acrylates, etc .; 303, EF352 (manufactured by Shin Akita Kasei Co., Ltd.), Megafac F171, F173 (manufactured by Dainippon Ink Co., Ltd.), Flora - de FC430, FC43
1 (manufactured by Sumitomo 3M Limited), Asahi Guard AG71
0, Surflon S-382, SC101, SC102,
Fluorinated surfactants such as SC103, SC104, SC105, SC106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), and acrylic or methacrylic (co) polymerized polyflow No. 75, no. 95 (manufactured by Kyoeisha Yushi Kagaku Kogyo KK) and the like. The amount of these surfactants is usually 2 parts by weight or less, preferably 1 part by weight or less, per 100 parts by weight of the solids in the composition of the present invention. These surfactants may be added alone or in some combination.

【0265】本発明のこのようなポジ型フォトレジスト
組成物は基板上に塗布され、薄膜を形成する。この塗膜
の膜厚は0.4〜1.5μmが好ましい。上記感光性組
成物を精密集積回路素子の製造に使用されるような基板
(例:シリコン/二酸化シリコン被覆)上にスピナー、
コーター等の適当な塗布方法により塗布後、所定のマス
クを通して露光し、ベークを行い現像することにより良
好なレジストパターンを得ることができる。ここで露光
光としては、好ましくは250nm以下、より好ましく
は220nm以下の波長の遠紫外線である。具体的に
は、KrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエ
キシマレーザー(193nm)、F2 エキシマレーザー
(157nm)、X線、電子ビーム等が挙げられる。
The positive photoresist composition of the present invention is applied on a substrate to form a thin film. The thickness of this coating film is preferably from 0.4 to 1.5 μm. Spinning the photosensitive composition onto a substrate (eg, silicon / silicon dioxide coating) such as used in the manufacture of precision integrated circuit devices;
After coating by an appropriate coating method such as a coater or the like, exposure is performed through a predetermined mask, baking and development are performed, whereby a good resist pattern can be obtained. Here, the exposure light is preferably far ultraviolet light having a wavelength of 250 nm or less, more preferably 220 nm or less. Specifically, a KrF excimer laser (248 nm), an ArF excimer laser (193 nm), an F 2 excimer laser (157 nm), an X-ray, an electron beam, and the like can be given.

【0266】本発明の感光性組成物の現像液としては、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア
水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルア
ミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチ
ルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチル
ジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノール
アミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン
類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム
塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカ
リ性水溶液を使用することができる。更に、上記アルカ
リ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加し
て使用することもできる。
As the developer for the photosensitive composition of the present invention,
Sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate,
Inorganic alkalis such as sodium silicate, sodium metasilicate and aqueous ammonia, primary amines such as ethylamine and n-propylamine, secondary amines such as diethylamine and di-n-butylamine, and triethylamine and methyldiethylamine Use alkaline aqueous solutions such as triamines, alcoholamines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide, and cyclic amines such as pyrrole and pichelidine. be able to. Further, an appropriate amount of an alcohol or a surfactant may be added to the above alkaline aqueous solution.

【0267】[0267]

【実施例】次に、本発明を実施例によって更に具体的に
説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるもので
はない。 合成例1: (1)樹脂Aの合成 下記単量体a 5.3g、 単量体aのシアノエチルエステル 9.6g、 t−ブチルアクリレート 3.2g、 和光純薬社製V−65 0.6g、及び ブチルメルカブタン 0.3g をTHF80gに溶解した溶液を、窒素気流下、50℃
に加温したTHF10g入りの反応容器に2時間かけて
滴下した。滴下終了後そのまま2時間攪拌した。更に、
V−65を0.2g添加した後再度4時間攪拌した。反
応液を室温まで放冷し、水3Lに晶析した。析出した粉
体を濾取し、樹脂A16gを回収した。得られた樹脂A
の重量平均分子量をGPCを用いて、標準ポリスチレン
換算で測定したところ8,300であった。
EXAMPLES Next, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples. Synthesis Example 1: (1) Synthesis of resin A 5.3 g of monomer a shown below, 9.6 g of cyanoethyl ester of monomer a, 3.2 g of t-butyl acrylate, 0.6 g of V-65 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd. And a solution of 0.3 g of butyl mercaptan dissolved in 80 g of THF at 50 ° C. under a nitrogen stream.
Was dropped into a reaction vessel containing 10 g of THF heated over 2 hours. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred for 2 hours. Furthermore,
After adding 0.2 g of V-65, the mixture was again stirred for 4 hours. The reaction solution was allowed to cool to room temperature, and crystallized in 3 L of water. The precipitated powder was collected by filtration, and 16 g of Resin A was recovered. Resin A obtained
Was 8,300 as measured by GPC using standard polystyrene standards.

【0268】[0268]

【化134】 Embedded image

【0269】(2)樹脂Bの合成 8−(t−ブトキシカルボニル)テトラシクロドデカ−
3−エンと無水マレイン酸の等モル混合物をTHFに溶
解し、固形分濃度60%の溶液を作った。これを3つ口
フラスコに仕込み、窒素気流下60℃に加熱した。温度
が安定した後和光純薬社製ラジカル開始剤V−65を5
mol%添加し、そのまま6時間加熱した。加熱終了後の反
応液をトルエン/ヘキサン混合溶媒に晶析し、析出した
粉体を濾取した。得られた粉体を2−シアノエタノール
と塩基性条件下反応を行い、反応終了後蒸溜水に晶析し
た。析出した白色の粉体を再度水洗し、目的物である樹
脂Bを得た。得られた樹脂BのNMRスペクトルからt
−ブチル基の残存、目的物の生成を確認した。また得ら
れた樹脂BのGPCによる分子量分析を行った結果、ポ
リスチレン換算の重量平均分子量は10,600であっ
た。
(2) Synthesis of resin B 8- (t-butoxycarbonyl) tetracyclododeca-
An equimolar mixture of 3-ene and maleic anhydride was dissolved in THF to make a solution having a solid content of 60%. This was charged in a three-necked flask and heated to 60 ° C. under a nitrogen stream. After the temperature was stabilized, 5 radical initiators V-65 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd. were added.
mol%, and heated as it was for 6 hours. After completion of the heating, the reaction solution was crystallized in a mixed solvent of toluene / hexane, and the precipitated powder was collected by filtration. The obtained powder was reacted with 2-cyanoethanol under basic conditions, and crystallized in distilled water after completion of the reaction. The precipitated white powder was washed again with water to obtain the target resin B. From the NMR spectrum of the obtained resin B, t
-It was confirmed that the butyl group remained and the desired product was formed. The resin B obtained was subjected to a molecular weight analysis by GPC, and as a result, the weight average molecular weight in terms of polystyrene was 10,600.

【0270】(3)樹脂Cの合成 5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物及び、
これとシクロペンタジエンとの反応物(モル比で50/
50)を乾燥クロロベンゼンに溶解させた溶液を、六塩
化タングステン0.15mol%、トリエチルアミン
0.3mol%の乾燥クロロベンゼン溶液に加え攪拌し
た。30℃で18時間攪拌し、メタノールに再沈して、
白色の酸無水物樹脂を取り出した。次に、これをグリシ
ンと反応させ酸無水物部位を開環させた後、ジシクロヘ
キシルカルボジイミド共存下t−ブチルアルコールと反
応させることにより、目的の樹脂Cを得た。樹脂C中の
各繰り返し単位(下記に示す)の組成比はNMR測定か
ら18/32/18/32であった。得られた樹脂Cの
GPC測定を行ったところ、標準ポリヒドロキシスチレ
ン換算での重量平均分子量は13200であった。
(3) Synthesis of Resin C 5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride and
A reaction product of this and cyclopentadiene (50/50 by mole ratio)
A solution of 50) dissolved in dry chlorobenzene was added to a dry chlorobenzene solution containing 0.15 mol% of tungsten hexachloride and 0.3 mol% of triethylamine, followed by stirring. Stir at 30 ° C. for 18 hours, reprecipitate in methanol,
The white acid anhydride resin was removed. Next, this was reacted with glycine to open the acid anhydride site, and then reacted with t-butyl alcohol in the presence of dicyclohexylcarbodiimide to obtain the desired resin C. The composition ratio of each repeating unit (shown below) in the resin C was 18/32/18/32 from NMR measurement. GPC measurement of the obtained resin C showed that the weight average molecular weight in terms of standard polyhydroxystyrene was 13,200.

【0271】[0271]

【化135】 Embedded image

【0272】(4)樹脂Dの合成 欧州特許公報0789278号の合成例2にしたがって
下記構造の樹脂を合成した。得られた樹脂DのGPC測
定を行ったところ、標準ポリヒドロキシスチレン換算で
の重量平均分子量は33,000であった。樹脂D
(4) Synthesis of Resin D A resin having the following structure was synthesized according to Synthesis Example 2 of European Patent Publication No. 0789278. GPC measurement of the obtained resin D showed that the weight average molecular weight in terms of standard polyhydroxystyrene was 33,000. Resin D

【0273】[0273]

【化136】 Embedded image

【0274】(5)樹脂(E)の合成 特開平8−82925号公報における第(25)頁に記
載の(合成例I−2)の方法と全く同様の方法で、共重
合体(樹脂(E))を得た。 合成例2; (1)溶解阻止剤〔I−1〕の合成 アビエチン酸100gを塩化チオニルと反応させること
により対応する酸塩化物に変換した後、これを十分冷却
したペンタエリスリトール1/4当量のピリジン溶液に
ゆっくりと滴下する。滴下終了後、反応混合液を室温ま
で昇温し、2時間攪拌した。反応終了後、反応液を蒸留
水に晶析し、析出した固体をデカンテーションにより取
り出し、さらに5%NaOH水溶液で洗浄した。残った
固体をオートクレーブに投入し、次にt−ブチルアクリ
レート100gと混合し、オートクレーブを密閉後、1
00℃で10時間加熱攪拌した。反応終了後反応混合物
から過剰のt−ブチルアクリレートを減圧留去した後、
残った固体を常法により水添反応した。最後にシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにより精製し目的物である
化合物[I−1]36gを得た。
(5) Synthesis of Resin (E) The copolymer (resin (E)) was prepared in exactly the same manner as the method of (Synthesis Example I-2) described on page (25) in JP-A-8-82925. E)) was obtained. Synthesis Example 2; (1) Synthesis of dissolution inhibitor [I-1] 100 g of abietic acid was converted to the corresponding acid chloride by reacting with thionyl chloride, and then this was cooled to 1/4 equivalent of pentaerythritol sufficiently cooled. Slowly add dropwise to the pyridine solution. After the addition was completed, the reaction mixture was heated to room temperature and stirred for 2 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was crystallized in distilled water, and the precipitated solid was taken out by decantation and further washed with a 5% aqueous NaOH solution. The remaining solid was put into an autoclave, and then mixed with 100 g of t-butyl acrylate.
The mixture was heated and stirred at 00 ° C. for 10 hours. After completion of the reaction, excess t-butyl acrylate was distilled off from the reaction mixture under reduced pressure.
The remaining solid was hydrogenated by a conventional method. Finally, the product was purified by silica gel column chromatography to obtain 36 g of the target compound [I-1].

【0275】(2)溶解阻止剤〔I−5〕の合成 合成例(1)のペンタエリスリトールの代わりにトリシ
クロデカンジメチロールを用いた他は合成例(1)と同
様の方法で化合物[I−5]を合成した。 (3)溶解阻止剤〔I−12〕の合成 合成例(1)のペンタエリスリトールの代わりにトリエ
タノールアミンを用いた他は合成例(1)と同様の方法
で化合物[I−12]を合成した。
(2) Synthesis of dissolution inhibitor [I-5] The compound [I-5] was prepared in the same manner as in Synthesis Example (1) except that tricyclodecanedimethylol was used instead of pentaerythritol in Synthesis Example (1). -5] was synthesized. (3) Synthesis of dissolution inhibitor [I-12] Compound [I-12] was synthesized in the same manner as in Synthesis Example (1) except that triethanolamine was used instead of pentaerythritol in Synthesis Example (1). did.

【0276】 〔実施例・比較例〕 上記合成例で合成した各樹脂それぞれ 10gと、 光酸発生剤として4−ヒドロキシナフチルジメチルスルフォニウムトリフレー ト 0.2g、および 表1に記載の各一般式(I)で示される化合物 3g を固形分14重量%の割合で2−ヘプタノン(必要に応
じで2−ヒドロキシプロピオン酸を混ぜる)に溶解した
後、0.1μmのミクロフィルターでろ過、ポジ型フォ
トレジスト組成物溶液を調製した。
[Examples / Comparative Examples] 10 g of each resin synthesized in the above synthesis example, 0.2 g of 4-hydroxynaphthyldimethylsulfonium triflate as a photoacid generator, and each general compound shown in Table 1 After dissolving 3 g of the compound represented by the formula (I) in 2-heptanone (mixing with 2-hydroxypropionic acid as needed) at a solid content of 14% by weight, the mixture was filtered through a 0.1 μm microfilter, and the positive type was filtered. A photoresist composition solution was prepared.

【0277】(評価試験)得られたポジ型フォトレジス
ト組成物溶液をスピンコータを利用してシリコンウエハ
ー上に塗布し、135℃で90秒間乾燥、約0.5μm
のポジ型フォトレジスト膜を作成し、それにArFエキ
シマレーザー(193nm)で露光した。露光後の加熱
処理を135℃で90秒間行い、2.38%のテトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像、蒸留水で
リンスし、レジストパターンプロファイルを得た。
(Evaluation Test) The obtained positive type photoresist composition solution was applied on a silicon wafer by using a spin coater, dried at 135 ° C. for 90 seconds, and dried at about 0.5 μm.
Was prepared and exposed to an ArF excimer laser (193 nm). A heat treatment after the exposure was performed at 135 ° C. for 90 seconds, developed with a 2.38% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide, and rinsed with distilled water to obtain a resist pattern profile.

【0278】〔感度〕:0.35μmのマスクパターン
を再現する最低露光量(mJ/cm2)をもって定義し
た。 〔プロファイル〕:得られたパターンを走査型電子顕微
鏡で観察し、矩形なプロファイルが得られたものを○、
矩形でないプロファイルが得られたものを×とした。 〔クラッキング数〕:4インチのBare Si基板上
に各レジスト膜を0.5μmに塗布し、130℃で90
秒間乾燥した。その後ステッパーNSR−1505EX
を用いて1mm×3mmの長方形の大パターンを露光量を2
mJ/cm2 〜100mJ/cm2 まで2mJ/cm2
刻みで50ショット露光し、露光後加熱を130℃で9
0秒間行った。その後、2.38%TMAHで現像し、
露光部で塗膜がはじめに溶けきる露光量の光を当てたパ
ターンから数えて5ショット分のパターンを光学式顕微
鏡で観察、クラックの数を数えた。上記評価結果を表1
に示す。
[Sensitivity]: Defined as the minimum exposure (mJ / cm 2 ) for reproducing a 0.35 μm mask pattern. [Profile]: Obtained pattern was observed with a scanning electron microscope, and a rectangular profile was obtained.
A sample having a non-rectangular profile was evaluated as x. [Cracking number]: Each resist film was applied to a thickness of 0.5 μm on a 4-inch Bare Si substrate,
Dried for seconds. Then stepper NSR-1505EX
1mm x 3mm rectangular large pattern using 2
mJ / cm 2 ~100mJ / cm 2 to 2mJ / cm 2
Expose 50 shots in increments and heat after exposure to 9 at 130 ° C.
Performed for 0 seconds. Then, develop with 2.38% TMAH,
Five shots of the pattern were observed with an optical microscope, counting from the pattern to which the coating film was first melted at the exposure part, and the number of cracks was counted. Table 1 shows the evaluation results.
Shown in

【0279】[0279]

【表1】 [Table 1]

【0280】表1から明らかなように、比較例は、全て
の点で問題を含む。一方、本発明のポジ型フォトレジス
ト組成物はそのすべてについて満足がいくレベルにあ
る。すなわち、ArFエキシマレーザー露光を始めとす
る遠紫外線を用いたリソグラフィーに好適である。
As is evident from Table 1, the comparative examples have problems in all respects. On the other hand, all of the positive photoresist compositions of the present invention are at a satisfactory level. That is, it is suitable for lithography using far ultraviolet rays such as ArF excimer laser exposure.

【0281】[0281]

【発明の効果】本発明は、特に170nm〜220nmとい
う波長領域の光に対して十分好適であり、感度が優れ、
更にクラッキング数の低減が実現し、良好なレジストパ
ターンプロファイルが得られるポジ型フォトレジスト組
成物を提供できる。
The present invention is particularly suitable for light in the wavelength range of 170 nm to 220 nm, and has excellent sensitivity.
Further, it is possible to provide a positive photoresist composition which can reduce the number of cracks and can obtain a good resist pattern profile.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河辺 保雅 静岡県榛原郡吉田町川尻4000番地 富士写 真フイルム株式会社内 Fターム(参考) 2H025 AA01 AB16 AC04 AD03 BE00 BE07 BG00 BJ01 CB51 CB52 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yasumasa Kawabe 4000F, Kawajiri, Yoshida-cho, Haibara-gun, Shizuoka Prefecture F-term in Fujisha Shin Film Co., Ltd.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 酸の作用により分解しアルカリに対する
溶解性が増加する樹脂、活性光線または放射線の照射に
より酸を発生する化合物及び下記一般式(I)で示され
る化合物を含有することを特徴とする遠紫外線露光用ポ
ジ型フォトレジスト組成物。 【化1】 一般式(I)中、R1 は、2価〜6価の連結基を表す。
2 〜R4 は、同じでも異なってもよく、置換基を有し
ていてもよい炭化水素基、アルコキシ基、ハロゲン原
子、水酸基、アミノ基、−COOR0 、−COOR 5
−NH−C(=O)−R5 、又は−NH−SO2 −R5
を表す。R5 は、置換基を有していてもよい炭化水素基
を表す。R0 は、−COOR0 で酸の作用により分解す
る基(酸分解性基)を構成する基を表す。R6 〜R
9 は、同じでも異なってもよく、水素原子、置換基を有
していてもよい炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、
−COOR0 、−COOR5 、又は−CO−X−A−R
10を表す。Xは、酸素原子、硫黄原子、−NH−、−N
HSO2 −、又は−NHSO2 NH−を表す。Aは、単
結合もしくは2価の有機連結基を表す。R10は、置換基
を有していてもよい炭化水素基、ラクトン基、水酸基、
アルコキシ基、カルボキシル基、又はシアノ基を表す。
aは、2〜6の整数を表す。lは、0〜6の整数を表
し、mは0〜4の整数を表し、nは、0〜6の整数を表
す。一般式(I)で示される化合物には、R1 以外の部
分に少なくとも1つの酸分解性基を有する。
Claims 1. An acid which decomposes under the action of an acid to alkali
For resin with increased solubility, actinic rays or radiation
A compound capable of generating more acid and represented by the following general formula (I)
For deep ultraviolet exposure, characterized by containing
Di-type photoresist composition. Embedded imageIn the general formula (I), R1 Represents a divalent to hexavalent linking group.
RTwo~ RFourMay be the same or different and have a substituent
Hydrocarbon group, alkoxy group, halogen atom
, Hydroxyl group, amino group, -COOR0, -COOR Five,
-NH-C (= O) -RFiveOr -NH-SOTwo-RFive
Represents RFiveIs a hydrocarbon group which may have a substituent
Represents R0Is -COOR0Decomposed by the action of acid
(Acid-decomposable group). R6~ R
9May be the same or different and have a hydrogen atom or a substituent.
A hydrocarbon group, a halogen atom, a cyano group,
-COOR0, -COORFiveOr -CO-X-A-R
TenRepresents X represents an oxygen atom, a sulfur atom, -NH-, -N
HSOTwo-Or-NHSOTwoRepresents NH-. A is simply
Represents a bond or a divalent organic linking group. RTenIs a substituent
May have a hydrocarbon group, a lactone group, a hydroxyl group,
Represents an alkoxy group, a carboxyl group, or a cyano group.
a represents an integer of 2 to 6. l represents an integer of 0 to 6
And m represents an integer of 0 to 4, and n represents an integer of 0 to 6.
You. The compound represented by the general formula (I) includes R1Parts other than
At least one acid-decomposable group per minute.
【請求項2】 前記樹脂が、脂環式構造を有することを
特徴とする請求項1に記載の遠紫外線露光用ポジ型フォ
トレジスト組成物。
2. The positive photoresist composition for deep UV exposure according to claim 1, wherein the resin has an alicyclic structure.
【請求項3】 露光光として、170nm〜220nm
の波長の遠紫外線を用いることを特徴とする請求項1又
は2に記載の遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成
物。
3. Exposure light of 170 nm to 220 nm
The positive photoresist composition for exposure to far ultraviolet light according to claim 1 or 2, wherein far ultraviolet light having a wavelength of:
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