FR3033042A1

FR3033042A1 - DEVICE FOR DETECTING ELECTROMAGNETIC RADIATION COMPRISING AN EVENT OF RELEASE ENCAPSULATION STRUCTURE

Info

Publication number: FR3033042A1
Application number: FR1551487A
Authority: FR
Inventors: Geoffroy Dumont; Laurent Carle; Pierre Imperinetti; Stephane Pocas; Jean-Jacques Yon
Original assignee: Commissariat a lEnergie Atomique CEA; Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Current assignee: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Priority date: 2015-02-20
Filing date: 2015-02-20
Publication date: 2016-08-26

Abstract

L'invention porte sur un dispositif de détection (1) de rayonnement électromagnétique, comprenant : - un substrat (3), - au moins un détecteur thermique (2), disposé sur le substrat, - une structure d'encapsulation (5) du détecteur, comportant une couche d'encapsulation (6) s'étendant autour et au-dessus du détecteur de manière à définir avec le substrat une cavité (4) dans laquelle le détecteur est situé, - la couche d'encapsulation comportant au moins un orifice traversant (8), dit évent de libération, l'évent présentant un profil, dans un plan parallèle au plan du substrat, de forme oblongue, caractérisé en ce que l'évent de libération présente un profil transversal, dans un plan transversal orthogonal au plan du substrat, dont la largeur croît à mesure que la distance au substrat augmente.The invention relates to a device for detecting (1) electromagnetic radiation, comprising: - a substrate (3), - at least one thermal detector (2), arranged on the substrate, - an encapsulation structure (5) of the detector, having an encapsulation layer (6) extending around and above the detector so as to define with the substrate a cavity (4) in which the detector is located, - the encapsulation layer comprising at least one through orifice (8), said release vent, the vent having a profile, in a plane parallel to the plane of the substrate, of oblong shape, characterized in that the release vent has a transverse profile, in an orthogonal transverse plane to the plane of the substrate, whose width increases as the distance to the substrate increases.

Description

1 DISPOSITIF DE DETECTION DE RAYONNEMENT ELECTROMAGNETIQUE COMPORTANT UNE STRUCTURE D'ENCAPSULATION A EVENT DE LIBERATION DOMAINE TECHNIQUE Le domaine de l'invention est celui des dispositifs de détection de rayonnement électromagnétique, en particulier infrarouge ou térahertz, comportant au moins un détecteur thermique et une structure d'encapsulation qui forme une cavité hermétique dans laquelle est logé le détecteur thermique, la structure d'encapsulation comportant au moins un évent de libération. L'invention s'applique notamment au domaine de l'imagerie et de la thermographie thermique. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Un dispositif de détection de rayonnement électromagnétique, par exemple infrarouge ou térahertz, comprend au moins un détecteur thermique et habituellement une matrice de détecteurs thermiques, dits élémentaires, où chaque détecteur comporte chacun une portion apte à absorber le rayonnement à détecter. Dans le but d'assurer l'isolation thermique des détecteurs thermiques, chaque portion se présente habituellement sous la forme d'une membrane suspendue au-dessus du substrat et isolée thermiquement de celui-ci par des éléments de maintien et d'isolation thermique. Ces éléments de maintien assurent également une fonction électrique en reliant électriquement les détecteurs thermiques à un circuit de lecture généralement disposé dans le substrat.The field of the invention is that of devices for detecting electromagnetic radiation, in particular infrared or terahertz radiation, comprising at least one thermal detector and a structure that can be used for detecting electromagnetic radiation. encapsulation which forms a hermetic cavity in which is housed the thermal detector, the encapsulation structure comprising at least one release vent. The invention applies in particular to the field of imaging and thermal thermography. STATE OF THE PRIOR ART A device for detecting electromagnetic radiation, for example infrared or terahertz, comprises at least one thermal detector and usually a matrix of thermal detectors, said elementary, where each detector each comprises a portion able to absorb the radiation to be detected. . In order to insure the thermal insulation of the thermal detectors, each portion is usually in the form of a membrane suspended above the substrate and thermally insulated from the latter by holding and thermal insulation elements. These holding elements also provide an electrical function by electrically connecting the thermal detectors to a reading circuit generally disposed in the substrate.

Pour assurer un fonctionnement optimal des détecteurs, un faible niveau de pression est requis. Pour cela, les détecteurs sont généralement confinés, ou encapsulés, seuls ou à plusieurs, dans des cavités hermétiques sous vide ou sous pression réduite. La figure 1 illustre un exemple de dispositif de détection 1 adapté à détecter un rayonnement infrarouge, plus précisément un pixel du dispositif de détection formé ici d'un 3033042 2 détecteur bolométrique 2 reposant sur un substrat 3 et disposé seul dans une cavité hermétique 4, tel que décrit dans la publication de Dumont et al, Current progress on pixel level packaging for uncooled IRFPA, Proc. SPIE 8353, Infrared Technology and Applications XXXVIII, 8353112012.To ensure optimal detector operation, a low level of pressure is required. For this purpose, the detectors are generally confined or encapsulated, alone or in groups, in hermetic cavities under vacuum or under reduced pressure. FIG. 1 illustrates an example of detection device 1 adapted to detect infrared radiation, more precisely a pixel of the detection device formed here of a bolometric detector 2 resting on a substrate 3 and arranged alone in a sealed cavity 4, as described in the publication by Dumont et al., Current Progress on Pixel Level Packaging for Uncooled IRFPA, Proc. SPIE 8353, Infrared Technology and Applications XXXVIII, 8353112012.

5 Dans cet exemple, le dispositif de détection 1 comporte une structure d'encapsulation 5, également appelée capsule, qui définit la cavité 4 dans laquelle se situe le détecteur bolométrique 2. La structure d'encapsulation 5 comporte une couche mince d'encapsulation 6 qui définit avec le substrat 3 la cavité 4, et une couche mince de scellement 7 qui recouvre la couche d'encapsulation 6 et assure l'herméticité de la cavité 10 4. Les couches d'encapsulation 6 et de scellement 7 sont transparentes au rayonnement électromagnétique à détecter. Le dispositif de détection 1 est réalisé par des techniques de dépôt de couches minces et notamment des couches sacrificielles. Au cours du procédé de réalisation, les couches sacrificielles sont éliminées et évacuées hors de la cavité au travers d'un ou plusieurs évents 15 de libération 8 prévus dans la couche d'encapsulation 6. La couche de scellement 7 assure, après élimination des couches sacrificielles et mise sous vide de la cavité 4, le bouchage des évents de libération 8. Cependant, il reste un besoin pour améliorer la qualité d'herméticité de la cavité sans impacter la durée et/ou la complexité des étapes du procédé de réalisation du dispositif de 20 détection. EXPOSÉ DE L'INVENTION L'invention a pour but de remédier au moins en partie aux inconvénients de l'art antérieur, et notamment de proposer un dispositif de détection de rayonnement électromagnétique dont au moins un détecteur thermique est disposé dans une cavité formée par une structure d'encapsulation, dont le risque de rupture de l'herméticité de la cavité est réduit.In this example, the detection device 1 comprises an encapsulation structure 5, also called capsule, which defines the cavity 4 in which the bolometric detector 2 is located. The encapsulation structure 5 comprises a thin encapsulation layer 6. which defines with the substrate 3 the cavity 4, and a thin sealing layer 7 which covers the encapsulation layer 6 and ensures the hermeticity of the cavity 4. The encapsulation 6 and sealing layers 7 are transparent to the radiation electromagnetic to detect. The detection device 1 is produced by thin film deposition techniques and in particular sacrificial layers. During the production process, the sacrificial layers are removed and discharged from the cavity through one or more release vents 8 provided in the encapsulation layer 6. The sealing layer 7 ensures, after removal of the layers sacrificial and evacuation of the cavity 4, the clogging of the release vents 8. However, there remains a need to improve the hermetic integrity of the cavity without impacting the duration and / or complexity of the steps of the method of producing the detection device. DISCLOSURE OF THE INVENTION The object of the invention is to remedy at least in part the drawbacks of the prior art, and in particular to propose an electromagnetic radiation detection device of which at least one thermal detector is disposed in a cavity formed by a encapsulation structure, the risk of rupture of the hermeticity of the cavity is reduced.

3033042 3 L'invention propose à cet effet un dispositif de détection d'un rayonnement électromagnétique comprenant un substrat, au moins un détecteur thermique disposé sur le substrat, une structure d'encapsulation du détecteur thermique, comportant une couche d'encapsulation s'étendant autour et au-dessus du détecteur thermique de manière à 5 définir avec le substrat une cavité dans laquelle le détecteur thermique est situé, la couche d'encapsulation comportant au moins un orifice traversant dit évent de libération présentant, dans un plan parallèle au plan du substrat, une forme oblongue. Selon l'invention, l'évent de libération présente un profil transversal, dans un plan orthogonal au plan du substrat, dont la largeur croît à mesure que la distance au substrat 10 augmente. La structure d'encapsulation peut comporter en outre une couche de scellement recouvrant la couche d'encapsulation de manière à rendre la cavité hermétique, la couche de scellement comportant une bordure qui s'étend dans le sens de l'épaisseur de la couche de scellement, à partir de la bordure de l'évent de libération, avec un angle a non nul par 15 rapport à un axe sensiblement orthogonal au plan du substrat, le profil transversal de l'évent de libération formant un angle p par rapport au même axe orthogonal supérieur à l'angle a. Le ou les détecteurs thermiques comportent chacun une membrane adaptée à absorber le rayonnement à détecter, suspendue au-dessus du substrat et isolée thermiquement de 20 celui-ci par des clous d'ancrage et des bras d'isolation thermique. La couche d'encapsulation peut comprendre au moins un orifice traversant dit évent de libération, chaque évent de libération étant disposé de sorte qu'au moins un détecteur thermique ait un unique évent de libération en regard de la membrane absorbante correspondante, de préférence au droit du centre de ladite membrane.For this purpose, the invention proposes a device for detecting an electromagnetic radiation comprising a substrate, at least one thermal detector disposed on the substrate, an encapsulation structure of the thermal detector, comprising a layer of encapsulation extending around and above the thermal detector so as to define with the substrate a cavity in which the thermal detector is located, the encapsulation layer comprising at least one through hole said release vent having, in a plane parallel to the plane of the substrate, an oblong shape. According to the invention, the release vent has a transverse profile, in a plane orthogonal to the plane of the substrate, whose width increases as the distance to the substrate 10 increases. The encapsulation structure may further comprise a sealing layer covering the encapsulation layer so as to make the cavity hermetic, the sealing layer having a border extending in the direction of the thickness of the sealing layer. from the edge of the release vent, with a non-zero angle α to an axis substantially orthogonal to the plane of the substrate, the transverse profile of the release vent forming an angle p with respect to the same axis orthogonal greater than the angle a. The thermal detector or detectors each comprise a membrane adapted to absorb the radiation to be detected, suspended above the substrate and thermally insulated therefrom by anchoring nails and heat-insulating arms. The encapsulation layer may comprise at least one through orifice, said release vent, each release vent being arranged such that at least one thermal detector has a single release vent facing the corresponding absorbent membrane, preferably at the right from the center of said membrane.

25 Chaque membrane absorbante peut comporter un orifice traversant, situé au droit de l'évent de libération correspondant, de dimensions égales ou supérieures à celles dudit l'évent.Each absorbent membrane may comprise a through orifice, located in line with the corresponding release vent, of dimensions equal to or greater than those of said vent.

3033042 4 La membrane suspendue peut comporter un empilement d'une couche bolométrique, d'une couche diélectrique structurée de manière à former deux portions distinctes, et d'une couche électriquement conductrice structurée de manière à former trois électrodes, dont deux électrodes destinées à être portées à une même potentiel électrique encadrent 5 la troisième électrode dite centrale destinée à être portée à un potentiel électrique différent, chaque électrode étant au contact de la couche bolométrique, l'électrode centrale étant électriquement isolée des autres électrodes par la couche diélectrique, l'orifice traversant l'électrode centrale et la couche bolométrique dans une zone située dans les portions de la couche diélectrique.The suspended membrane may comprise a stack of a bolometric layer, a dielectric layer structured so as to form two distinct portions, and an electrically conductive layer structured so as to form three electrodes, two electrodes of which are intended to be brought to the same electrical potential frame the third said central electrode intended to be brought to a different electrical potential, each electrode being in contact with the bolometric layer, the central electrode being electrically isolated from the other electrodes by the dielectric layer, the orifice passing through the central electrode and the bolometric layer in an area located in the portions of the dielectric layer.

10 La structure d'encapsulation peut comporter en outre une couche de scellement recouvrant la couche d'encapsulation de manière à rendre la cavité hermétique, le substrat comprenant une couche d'accroche disposée en regard de l'orifice traversant de la membrane correspondante, adaptée à assurer l'adhésion du matériau de la couche de scellement.The encapsulation structure may further comprise a sealing layer covering the encapsulation layer so as to make the cavity hermetic, the substrate comprising a tie layer disposed opposite the corresponding through orifice of the corresponding membrane. to ensure the adhesion of the material of the sealing layer.

15 La couche d'accroche peut s'étendre sous l'ensemble de la membrane correspondante et être réalisée en un matériau adapté pour assurer en outre la réflexion du rayonnement électromagnétique à détecter. La couche d'accroche peut comporter en outre des portions sur lesquelles reposent les clous de maintien, et/ou des portions sur lesquelles reposent des portions d'appui interne 20 de la couche d'encapsulation, et être réalisée en un matériau apte à assurer l'adhésion des clous de maintien et/ou des portions d'appui. Le dispositif de détection peut comporter une matrice de détecteurs thermiques, la couche d'encapsulation comprenant au moins une portion, dite portion d'appui interne, située entre deux détecteurs adjacents, qui prend appui directement sur le substrat.The adhesion layer may extend under the whole of the corresponding membrane and be made of a material adapted to further ensure the reflection of the electromagnetic radiation to be detected. The tie layer may further comprise portions on which the holding nails rest, and / or portions on which rest internal support portions 20 of the encapsulation layer, and be made of a material capable of ensuring adhesion of holding nails and / or support portions. The detection device may comprise a matrix of thermal detectors, the encapsulation layer comprising at least one portion, called the internal support portion, located between two adjacent detectors, which bears directly on the substrate.

25 La portion d'appui interne peut présenter un profil, dans un plan parallèle au plan du substrat, de forme oblongue, de préférence aux extrémités longitudinales arrondies.The internal bearing portion may have a profile, in a plane parallel to the plane of the substrate, of oblong shape, preferably at the rounded longitudinal ends.

3033042 5 La portion d'appui interne peut comporter une paroi latérale et une partie inférieure, ladite paroi latérale s'étendant dans un plan sensiblement orthogonal au plan du substrat sur toute la hauteur de la cavité, et la partie inférieure étant au contact du substrat. Au moins une portion d'appui interne peut être disposée entre deux membranes 5 absorbantes adjacentes et deux clous d'ancrage adjacents, chacun desdits clous d'ancrage participant au maintien desdites membranes adjacentes, la portion d'appui interne étant orientée longitudinalement le long desdites membranes. La couche d'encapsulation peut comprendre une paroi périphérique qui entoure la matrice de détecteurs, et qui présente une section, dans un plan parallèle au plan du substrat, de 10 forme carrée ou rectangulaire, dont les coins sont arrondis. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres aspects, buts, avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée suivante de formes de réalisation préférées de celle-ci, 15 donnée à titre d'exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés sur lesquels : la figure 1 est une vue schématique en coupe d'un dispositif de détection selon un mode de réalisation ; la figure 2 est une représentation schématique en vue de dessus d'un évent de 20 libération selon un mode de réalisation, dans lequel l'évent présente un profil de forme oblongue à extrémités arrondies ; la figure 3 est une vue schématique en coupe d'un dispositif de détection selon un autre mode de réalisation, dans lequel le profil transversal de l'évent est évasé vers la couche de scellement ; 25 la figure 4 est une vue schématique en coupe d'un dispositif de détection selon un autre mode de réalisation, dans lequel l'évent de libération est disposé au droit de la membrane suspendue d'un détecteur ; 3033042 6 les figures 5 et 6 sont des vues schématiques d'un dispositif de détection selon un autre mode de réalisation, en vue de dessus (figure 5) et en coupe (figure 6), dans lequel la membrane suspendue comporte une couche diélectrique intermédiaire ; les figures 7 à 9 sont des vues schématiques d'un dispositif de détection selon un 5 autre mode de réalisation, dans lequel la structure d'encapsulation comporte des portions d'appui interne ; les figures 10 à 12 sont des vues en coupe d'un dispositif de détection représenté sur la figure 7, à différentes étapes du procédé de réalisation ; les figures 13 et 14 sont des représentations partielles et schématiques, en vue de 10 dessus, de la paroi périphérique de la couche d'encapsulation selon un mode de réalisation, où la paroi comporte une portion arrondie. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Sur les figures et dans la suite de la description, les mêmes références représentent les 15 éléments identiques ou similaires. La figure 1, décrite en partie en référence à l'exemple de l'art antérieur, illustre un exemple de dispositif de détection de rayonnement électromagnétique selon un mode de réalisation. Dans cet exemple, le dispositif de détection 1 de rayonnement électromagnétique est 20 adapté à détecter un rayonnement infrarouge ou térahertz. Il comporte une matrice de détecteurs thermiques 2, dits élémentaires. La figure 1 est une vue partielle du dispositif de détection et ne représente qu'un seul détecteur, ici disposé dans une cavité dite élémentaire. Il comprend un substrat 3, par exemple en silicium, comprenant un circuit de lecture (non 25 représenté) par exemple réalisé en technologie CMOS, permettant d'appliquer les polarisations nécessaires au fonctionnement des détecteurs et de lire les informations issues de ceux-ci.The inner bearing portion may comprise a lateral wall and a lower part, said lateral wall extending in a plane substantially orthogonal to the plane of the substrate over the entire height of the cavity, and the lower part being in contact with the substrate . At least one inner bearing portion may be disposed between two adjacent absorbent membranes and two adjacent anchoring nails, each of said anchor nails participating in maintaining said adjacent membranes, the inner bearing portion being oriented longitudinally along said membranes. The encapsulation layer may comprise a peripheral wall which surrounds the detector array, and which has a section, in a plane parallel to the substrate plane, of square or rectangular shape, the corners of which are rounded. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Other aspects, objects, advantages and features of the invention will become more apparent upon reading the following detailed description of preferred embodiments thereof, given by way of non-limiting example, and made with reference to the accompanying drawings in which: Figure 1 is a schematic sectional view of a detection device according to one embodiment; Figure 2 is a schematic top view of a release vent according to one embodiment, wherein the vent has an oblong shape profile with rounded ends; Figure 3 is a schematic sectional view of a detection device according to another embodiment, wherein the transverse profile of the vent is flared towards the sealing layer; FIG. 4 is a schematic sectional view of a detection device according to another embodiment, in which the release vent is disposed in line with the suspended membrane of a detector; FIGS. 5 and 6 are diagrammatic views of a detection device according to another embodiment, seen from above (FIG. 5) and in section (FIG. 6), in which the suspended membrane comprises an intermediate dielectric layer; ; Figures 7 to 9 are schematic views of a detection device according to another embodiment, wherein the encapsulation structure has internal bearing portions; Figures 10 to 12 are sectional views of a detection device shown in Figure 7, at different stages of the production method; Figures 13 and 14 are partial and schematic representations, in top view, of the peripheral wall of the encapsulation layer according to one embodiment, wherein the wall has a rounded portion. DETAILED DESCRIPTION OF PARTICULAR EMBODIMENTS In the figures and in the remainder of the description, the same references represent the same or similar elements. FIG. 1, described in part with reference to the example of the prior art, illustrates an example of an electromagnetic radiation detection device according to one embodiment. In this example, the electromagnetic radiation detection device 1 is adapted to detect infrared or terahertz radiation. It comprises a matrix of thermal detectors 2, said elementary. FIG. 1 is a partial view of the detection device and represents only one detector, here disposed in a so-called elementary cavity. It comprises a substrate 3, for example silicon, comprising a read circuit (not shown) for example made in CMOS technology, for applying the polarizations necessary for the operation of the detectors and to read the information from them.

3033042 7 Le détecteur thermique 2 comprend une portion adaptée à absorber le rayonnement à détecter. Cette portion absorbante est généralement isolée thermiquement du substrat et peut être disposée au niveau d'une membrane 9, dite absorbante, suspendue au-dessus du substrat 3 par des éléments de maintien et d'isolation thermique 11 tels que des clous 5 d'ancrage 11a associés à des bras d'isolation thermique 11b. Les membranes 9 sont espacées du substrat 3 d'une distance typiquement comprise entre 1um et 5um, de préférence 2um quand les détecteurs sont conçus pour la détection d'un rayonnement infrarouge de longueur d'onde comprise entre 8um et 14u.m. Dans la suite de la description, le détecteur thermique 2 est un bolomètre dont la 10 membrane absorbante 9 comporte un matériau thermistance dont la conductivité électrique varie en fonction de l'échauffement de la membrane. Cependant, cet exemple est donné à titre illustratif et est nullement limitatif. Tout autre type de détecteur thermique peut être utilisé, par exemple des détecteurs pyroélectriques, ferroélectriques, voire des thermopiles.The thermal detector 2 comprises a portion adapted to absorb the radiation to be detected. This absorbent portion is generally thermally insulated from the substrate and may be disposed at a so-called absorbent membrane 9 suspended above the substrate 3 by holding and thermal insulating elements 11 such as anchoring nails. 11a associated with thermal insulation arms 11b. The membranes 9 are spaced apart from the substrate 3 by a distance typically between 1 μm and 5 μm, preferably 2 μm when the detectors are designed for the detection of infrared radiation with a wavelength of between 8 μm and 14 μm. In the following description, the thermal detector 2 is a bolometer whose absorbent membrane 9 comprises a thermistor material whose electrical conductivity varies as a function of the heating of the membrane. However, this example is given for illustrative purposes and is in no way limiting. Any other type of thermal detector may be used, for example pyroelectric, ferroelectric or even thermopile detectors.

15 Dans cet exemple, un pixel du dispositif de détection comporte un détecteur 2 ainsi que ses propres clous d'ancrage 11a et bras d'isolation thermique (non représentés). D'autres configurations sont possibles, notamment lorsqu'une matrice de détecteurs est disposée dans une même cavité. Dans ce cas, les détecteurs peuvent être rapprochés les uns des autres, notamment en reliant les bras d'isolation thermique de différents détecteurs 20 thermiques voisins à un même clou d'ancrage, l'architecture de lecture des détecteurs thermiques étant alors adaptée, comme le décrivent les documents EP1106980 et EP1359400. Il en résulte une amélioration de la sensibilité des détecteurs de par l'allongement des bras d'isolation et une augmentation du taux de remplissage par la réduction de la surface de chaque pixel non dédiée à l'absorption du rayonnement 25 électromagnétique. Le dispositif de détection est ainsi particulièrement adapté aux petits pas de matriçage, par exemple entre 25um et 17um, voire 12u.m. Le dispositif de détection 1 comporte une structure d'encapsulation 5, ou capsule, qui définit, avec le substrat 3, une cavité hermétique 4 à l'intérieur de laquelle se trouve ici le détecteur thermique 2. La structure d'encapsulation 5 est formée d'une couche mince 3033042 8 d'encapsulation 6 déposée de sorte qu'elle comporte une paroi périphérique 6a qui entoure le détecteur 2 et une paroi supérieure 6b qui s'étend au-dessus du détecteur 2. La paroi supérieure 6b est sensiblement plane et s'étend au-dessus de la membrane suspendue 9 à une distance par exemple comprise entre 0,5um et 5um, de préférence 5 1,5um. La couche d'encapsulation comporte au moins un orifice traversant, dit évent de libération, destiné à permettre l'évacuation des couches sacrificielles lors du procédé de réalisation du dispositif. La structure d'encapsulation comporte en outre une couche de scellement qui recouvre la couche d'encapsulation et obture l'évent de libération. Cette couche de scellement 10 présente habituellement une fonction supplémentaire d'antireflet. Selon un mode de réalisation représenté sur la figure 2, le profil de l'évent de libération 8, dans un plan parallèle au plan du substrat, présente une forme oblongue, donc allongée. Sa petite dimension X, mesurée dans le sens de la largeur de l'évent, est choisie de manière à assurer un scellement efficace de l'évent, et sa grande dimension Y, mesurée dans le sens 15 de la longueur de l'évent, peut être ajustée pour faciliter le transit des espèces réactives et des produits de réaction de gravure du matériau des couches sacrificielles en cours d'élimination, ce qui permet d'optimiser le temps d'évacuation des couches sacrificielles. A ce titre, la largeur X peut être typiquement comprise entre environ 150nm et 600nm, alors que la grande dimension Y peut être de l'ordre de quelques microns, par exemple 20 5um. De plus, la forme oblongue de l'évent 8 présente au moins une extrémité longitudinale, de préférence les deux extrémités longitudinales, arrondies. L'extrémité longitudinale est une extrémité de l'évent suivant l'axe longitudinal de celui-ci. A titre d'exemple, la forme arrondie d'une extrémité peut être un arc de cercle dont le rayon de courbure peut être 25 égal à la moitié de la largeur moyenne X de l'évent. Plus généralement, elle peut correspondre à une forme courbe continue, comme dans l'exemple de la figure 2, circulaire ou elliptique, ou à une succession de segments droits ou sensiblement courbes.In this example, a pixel of the detection device comprises a detector 2 as well as its own anchoring nails 11a and thermal insulation arm (not shown). Other configurations are possible, especially when a matrix of detectors is arranged in the same cavity. In this case, the detectors can be brought closer to one another, in particular by connecting the thermal insulation arms of different neighboring thermal detectors to one and the same anchoring nail, the reading architecture of the thermal detectors then being adapted, as describe the documents EP1106980 and EP1359400. This results in an improvement of the sensitivity of the detectors by the lengthening of the isolation arms and an increase in the filling rate by reducing the area of each pixel not dedicated to the absorption of the electromagnetic radiation. The detection device is thus particularly suitable for small matriculation steps, for example between 25um and 17um, or even 12u.m. The detection device 1 comprises an encapsulation structure 5, or capsule, which defines, with the substrate 3, a hermetic cavity 4 inside which is located here the thermal detector 2. The encapsulation structure 5 is formed of a thin encapsulation layer 6 deposited so that it comprises a peripheral wall 6a which surrounds the detector 2 and an upper wall 6b which extends above the detector 2. The upper wall 6b is substantially flat and extends above the suspended membrane 9 at a distance for example between 0.5um and 5um, preferably 1.5um. The encapsulation layer comprises at least one through orifice, called release vent, intended to allow the evacuation of the sacrificial layers during the device manufacturing process. The encapsulation structure further comprises a sealing layer which covers the encapsulation layer and closes the release vent. This sealing layer 10 usually has an additional antireflection function. According to an embodiment shown in Figure 2, the profile of the release vent 8, in a plane parallel to the plane of the substrate, has an oblong shape, so elongate. Its small dimension X, measured in the direction of the width of the vent, is chosen so as to ensure effective sealing of the vent, and its large dimension Y, measured in the direction of the length of the vent, can be adjusted to facilitate the transit of the reactive species and the etching reaction products of the material of the sacrificial layers being eliminated, which makes it possible to optimize the evacuation time of the sacrificial layers. In this respect, the width X may typically be between about 150 nm and 600 nm, whereas the large dimension Y may be of the order of a few microns, for example 20 μm. In addition, the oblong shape of the vent 8 has at least one longitudinal end, preferably both longitudinal ends, rounded. The longitudinal end is an end of the vent along the longitudinal axis thereof. For example, the rounded shape of one end may be an arc whose radius of curvature may be half of the average width X of the vent. More generally, it may correspond to a continuous curved shape, as in the example of FIG. 2, circular or elliptical, or to a succession of straight or substantially curved segments.

3033042 9 Les inventeurs ont montré que cette forme d'évent permet d'éviter les risques de formation de fissures partant de la couche d'encapsulation 6 et se propageant dans la couche de scellement 7. Il est en effet essentiel d'éviter tout risque de fissures susceptibles de rompre l'herméticité de la cavité, surtout lorsqu'une même cavité loge une matrice de 5 détecteur car un défaut local d'herméticité pourrait conduire à la perte fonctionnelle du dispositif complet. Comme le montre la figure 3, les inventeurs ont observé que la couche de scellement 7, en bordure des évents 8, a tendance à s'étendre verticalement, c'est-à-dire dans le sens de l'épaisseur de la couche 7, avec un angle a non nul par rapport à la normale, c'est-à-dire 10 par rapport à un axe orthogonal au plan du substrat, en particulier lorsqu'une technique de dépôt de couche mince sous vide est utilisée, telle que l'évaporation ou la pulvérisation à basse pression. La largeur moyenne X des évents peut être choisie en fonction de l'épaisseur e de la couche de scellement 7 déposée, de la fraction d'épaisseur B de la couche de scellement assurant effectivement l'herméticité, et de l'angle de croissance a, à 15 partir de la relation : X = 2.e.(1-B).tan(a) A titre d'exemple, pour une technique de dépôt de la couche de scellement par évaporation, l'angle a est typiquement de l'ordre de 15° à 20°. Pour une épaisseur e de couche de scellement de 1800nm et si l'on souhaite que 1200nm de couche assure 20 l'herméticité (B=2/3), on obtient une largeur moyenne X de l'évent de l'ordre de 320nm à 410nm. Par ailleurs, comme représenté sur la figure 3, l'évent de libération 8 présente une section transversale, dans un plan orthogonal à celui du substrat, qui présente une forme dont la largeur augmente à mesure qu'on s'éloigne du substrat 3. En d'autres termes, l'évent 8 a 25 un profil transversal évasé vers l'extérieur de la cavité. Il est donc plus étroit au niveau de son orifice inférieur débouchant sur la cavité et plus large au niveau de son orifice supérieur débouchant hors de la cavité. A titre d'exemple, la largeur )(eau niveau de l'orifice inférieur peut être de l'ordre de 100nm à 350nm alors que la largeur Xsup au niveau de l'orifice 3033042 10 supérieur peut être de l'ordre de 250nm à 800nm. Dans cet exemple, la couche d'encapsulation 6 présente une épaisseur de l'ordre de 800nm. Il résulte de cette forme de la section transversale de l'évent 8 qu'elle permet d'améliorer la qualité de scellement de l'évent. Plus précisément, pour une même épaisseur e de couche de scellement, les 5 inventeurs ont observé que la fraction B de couche qui assure effectivement le scellement est supérieure au cas où l'évent présenterait une section transversale droite, ce qui améliore la qualité de scellement. Une telle section transversale de l'évent peut être obtenue en générant une pente sur les flancs de la résine avant gravure de l'évent soit par fluage post-développement, soit en 10 modifiant les conditions d'exposition et/ou de développement de la résine (dose d'insolation, focus, température et durée des recuits post-exposition) d'une façon connue par l'homme du métier. Une telle section transversale de l'évent peut également être obtenue lors de la gravure sèche de l'évent en ajoutant une composante isotrope à la gravure par exemple en ajoutant de l'oxygène dans la chimie utilisée pour graver l'évent.The inventors have shown that this form of vent makes it possible to avoid the risk of cracks forming starting from the encapsulation layer 6 and propagating in the sealing layer 7. It is indeed essential to avoid any risk. cracks likely to break the hermeticity of the cavity, especially when the same cavity houses a detector matrix because a local defect hermeticity could lead to the functional loss of the complete device. As shown in FIG. 3, the inventors have observed that the sealing layer 7, bordering the vents 8, has a tendency to extend vertically, that is to say in the direction of the thickness of the layer 7 with a non-zero angle to the normal, i.e. 10 relative to an axis orthogonal to the plane of the substrate, particularly when a vacuum thin-film deposition technique is used, such as evaporation or low pressure spraying. The average width X of the vents can be chosen as a function of the thickness e of the sealing layer 7 deposited, the thickness fraction B of the sealing layer effectively ensuring the hermeticity, and the angle of growth a. from the relation: X = 2.e. (1-B) .tan (a) By way of example, for a technique of deposition of the evaporation seal layer, the angle a is typically the order of 15 ° to 20 °. For a sealing layer thickness e of 1800 nm and if it is desired that 1200 nm of layer ensures hermeticity (B = 2/3), an average width X of the vent of the order of 320 nm is obtained. 410nm. Furthermore, as shown in FIG. 3, the release vent 8 has a cross section, in a plane orthogonal to that of the substrate, which has a shape whose width increases as one moves away from the substrate 3. In other words, the vent 8 has a transverse profile flared outwardly of the cavity. It is therefore narrower at its lower orifice opening on the cavity and wider at its upper orifice opening out of the cavity. For example, the width (water level of the lower orifice may be of the order of 100 nm to 350 nm while the width Xsup at the level of the upper orifice may be of the order of 250 nm to 800 nm In this example, the encapsulation layer 6 has a thickness of the order of 800 nm It results from this shape of the cross-section of the vent 8 that it makes it possible to improve the sealing quality of the More specifically, for the same thickness of the sealing layer, the inventors have observed that the fraction B of the layer which effectively ensures the seal is greater in the case where the vent has a straight cross-section, which improves the quality. Such a cross-section of the vent may be obtained by generating a slope on the sidewalls of the resin prior to etching the vent either by post-development creep or by modifying the conditions of exposure and / or development of resin (exposure dose, focus, temperature and duration of post-exposure annealing) in a manner known to those skilled in the art. Such a cross section of the vent can also be obtained during the dry etching of the vent by adding an isotropic component to the etching for example by adding oxygen in the chemistry used to etch the vent.

15 Dans le cas où la couche d'encapsulation 6 est constituée de silicium, l'ajout de gaz fluorés dans la chimie de gravure tels que SF6 ou CF4 contribuera également à accroître la composante isotrope de la gravure. L'effet bénéfique de ce profil particulier de l'évent se manifeste notamment lorsque l'angle 3 que fait le profil de l'évent avec la normale au substrat est supérieur à l'angle a défini 20 précédemment. A titre d'exemple, pour une épaisseur de couche d'encapsulation de 800nm et pour une largeur Xe de l'orifice inférieur de 100nm, la largeur Xsup de l'orifice supérieur peut être supérieure à 530nm ((3=15°), voire supérieure à 680nm ((3=20°). Dans le mode de réalisation de la figure 3, l'évent 8 est disposé en bordure de la cavité 4, mais il peut être situé à d'autres endroits de la cavité.In the case where the encapsulation layer 6 is made of silicon, the addition of fluorinated gases in the etch chemistry such as SF6 or CF4 will also contribute to increasing the isotropic component of the etching. The beneficial effect of this particular profile of the vent is particularly apparent when the angle 3 that the profile of the vent with the normal to the substrate is greater than the angle α defined above. By way of example, for an encapsulation layer thickness of 800 nm and for a width Xe of the lower orifice of 100 nm, the width Xsup of the upper orifice may be greater than 530 nm ((3 = 15 °), and even greater than 680nm ((3 = 20 °). In the embodiment of Figure 3, the vent 8 is disposed at the edge of the cavity 4, but it may be located at other locations in the cavity.

25 A ce titre, selon un mode de réalisation illustré sur la figure 4, la couche d'encapsulation 6 comporte au moins un évent de libération 8 disposé de sorte qu'au moins un détecteur thermique 2 présent dans la cavité 4 ait un unique évent de libération 8 situé en regard de sa membrane absorbante 9, de préférence au droit du centre de la membrane absorbante 3033042 11 9. Ainsi, la réalisation de l'évent est simplifiée de par son éloignement des zones à forte topographie que sont les tranchées (décrites plus loin), ce qui permet d'obtenir un bon contrôle dimensionnel de la forme de l'évent. De plus, les inventeurs ont constaté que ce positionnement d'un unique évent en regard de la membrane absorbante du détecteur 5 thermique permet de s'affranchir, après élimination des couches sacrificielles, de la présence de résidus de couches sacrificielles accrochés à la membrane. La présence de ces résidus a notamment été observée lorsqu'au moins deux évents par détecteur sont disposés de part et d'autre de la membrane. Les résidus sont généralement situés dans une zone équidistante des différents évents, dans laquelle se trouve la membrane suspendue.As such, according to an embodiment illustrated in FIG. 4, the encapsulation layer 6 comprises at least one release vent 8 arranged such that at least one thermal detector 2 present in the cavity 4 has a single vent release 8 located opposite its absorbent membrane 9, preferably to the right of the center of the absorbent membrane 3033042 11 9. Thus, the realization of the vent is simplified by its distance from areas with a high topography that are the trenches ( described later), which provides a good dimensional control of the shape of the vent. In addition, the inventors have found that this positioning of a single vent opposite the absorbent membrane of the thermal detector makes it possible to overcome, after elimination of the sacrificial layers, the presence of sacrificial layer residues attached to the membrane. The presence of these residues has in particular been observed when at least two vents per detector are arranged on either side of the membrane. The residues are generally located in an equidistant zone of the different vents, in which is the suspended membrane.

10 Ils peuvent modifier les propriétés optiques et/ou électriques et/ou thermiques de la membrane (par exemple par augmentation de la masse de la membrane ce qui induit une diminution du temps de réponse du détecteur), voire modifier le niveau de pression résiduelle sous l'effet d'un dégazage progressif. De plus, l'étape d'élimination des couches sacrificielles est optimisée, notamment en termes de durée d'élimination des couches 15 sacrificielles, par un effet conjugué entre la forme oblongue de l'évent et la position centrale de celui-ci vis-à-vis du détecteur. Dans le cas où la cavité 4 loge un unique détecteur thermique 2, la couche d'encapsulation 6 comporte alors un unique évent de libération 8 situé en regard de la membrane absorbante 9 du détecteur thermique. En général, le dispositif de détecteur comporte une 20 matrice de détecteurs thermiques 2 où chaque détecteur est encapsulé dans une unique cavité. La structure d'encapsulation comporte alors une matrice de cavités toutes formées par la même couche d'encapsulation. Au niveau de chaque cavité, la couche d'encapsulation comporte un unique évent de libération disposé en regard de la membrane absorbante du détecteur logé dans la cavité.They can modify the optical and / or electrical and / or thermal properties of the membrane (for example by increasing the mass of the membrane which induces a decrease in the response time of the detector), or even modify the residual pressure level under the effect of a gradual degassing. In addition, the step of eliminating the sacrificial layers is optimized, particularly in terms of the elimination time of the sacrificial layers, by a conjugated effect between the oblong shape of the vent and the central position of the latter. to the detector. In the case where the cavity 4 houses a single thermal detector 2, the encapsulation layer 6 then comprises a single release vent 8 located opposite the absorbent membrane 9 of the thermal detector. In general, the detector device comprises an array of thermal detectors 2 where each detector is encapsulated in a single cavity. The encapsulation structure then comprises a matrix of cavities all formed by the same encapsulation layer. At each cavity, the encapsulation layer comprises a single release vent disposed opposite the absorbent membrane of the detector housed in the cavity.

25 Dans le cas où la cavité 4 loge une pluralité de détecteurs thermiques 2, la couche d'encapsulation comporte alors au moins un évent de libération, et de préférence une pluralité d'évents de libération disposés de sorte qu'au moins une partie desdits détecteurs thermiques 2 ait chacun un unique évent de libération 8 situé en regard de la membrane absorbante 9 correspondante. Chaque détecteur thermique de la matrice peut avoir un 3033042 12 unique évent disposé en regard de la membrane absorbante correspondante. Alternativement, une partie seulement des détecteurs thermiques peut avoir chacun un unique évent de libération situé en regard de la membrane correspondante. Il est alors avantageux que, pour une ligne ou une colonne de détecteurs thermiques, les évents de 5 libération soient disposés tous les N impair détecteurs. Cela permet d'éviter que des résidus de couches sacrificielles soient présents au niveau de la membrane absorbante d'un détecteur non pourvu d'un évent de libération. A titre d'exemple, dans le cas où N=3, deux détecteurs voisins non pourvus d'évent de libération sont disposés entre deux détecteurs pourvus chacun d'un unique évent de libération. Dans cet exemple, aucun des détecteurs 10 thermiques, qu'ils soient ou non pourvus d'un évent de libération, ne verra sa membrane absorbante dégradée par la présence de résidus de couche sacrificielle. Cette variante de réalisation est particulièrement avantageuse dans le cas des faibles pas de matriçage, par exemple lorsque le pas de disposition des détecteurs est de l'ordre de 12um ou moins. Il est alors avantageux de prévoir un orifice traversant 19 au niveau de la membrane 9 du 15 détecteur, situé au droit de l'évent 8 correspondant, et dont les dimensions sont égales ou supérieures à celles de l'évent 8, moyennant une marge de sécurité pour tenir compte d'un éventuel désalignement de l'évent et/ou de l'orifice de la membrane qui peut être de l'ordre de 200nm à 500nm. Ainsi, lors du dépôt de la couche de scellement, une portion du matériau de scellement susceptible de tomber au travers de l'évent ne viendra pas se 20 déposer sur la membrane mais traversera l'orifice de la membrane et se déposera sur le substrat. Il est alors avantageux de prévoir une couche d'accroche, sous la membrane 9, au niveau de l'orifice traversant 19, pour assurer l'accroche de l'agglomérat de scellement qui serait tombé. Ainsi, lors de l'étape de scellement de la cavité, dans le cas où une quantité de 25 matière de la couche de scellement traverserait l'évent, elle viendrait se déposer et adhérer sur la couche d'accroche. Cela permet notamment de s'affranchir du type de matériau présent en surface du substrat, et plus précisément du matériau utilisé pour passiver la face supérieure du substrat.In the case where the cavity 4 houses a plurality of thermal detectors 2, the encapsulation layer then comprises at least one release vent, and preferably a plurality of release vents arranged so that at least a portion of said thermal detectors 2 each have a single release vent 8 located opposite the corresponding absorbent membrane 9. Each thermal detector of the matrix may have a single vent arranged opposite the corresponding absorbent membrane. Alternatively, only a portion of the thermal detectors may each have a single release vent located opposite the corresponding membrane. It is then advantageous that, for a line or a column of thermal detectors, the release vents are arranged all the N odd detectors. This makes it possible to prevent sacrificial layer residues from being present at the level of the absorbent membrane of a detector not provided with a release vent. By way of example, in the case where N = 3, two adjacent detectors not provided with a release vent are arranged between two detectors each provided with a single release vent. In this example, none of the thermal detectors, whether or not provided with a release vent, will see its absorbent membrane degraded by the presence of sacrificial layer residues. This variant embodiment is particularly advantageous in the case of small stamping steps, for example when the detector layout pitch is of the order of 12 μm or less. It is then advantageous to provide a through orifice 19 at the membrane 9 of the detector, located at the right of the corresponding vent 8, and whose dimensions are equal to or greater than those of the vent 8, with a margin of safety to account for any misalignment of the vent and / or the orifice of the membrane which can be of the order of 200nm to 500nm. Thus, during the deposition of the sealing layer, a portion of the sealing material likely to fall through the vent will not deposit on the membrane but will pass through the orifice of the membrane and settle on the substrate. It is then advantageous to provide a tie layer, under the membrane 9, at the through orifice 19, to ensure the attachment of the sealing agglomerate which would have fallen. Thus, during the step of sealing the cavity, in the case where a quantity of material of the sealing layer would pass through the vent, it would settle and adhere to the bonding layer. This allows in particular to overcome the type of material present on the surface of the substrate, and more specifically the material used to passivate the upper face of the substrate.

3033042 13 Cette couche d'accroche 14, peut s'étendre, de manière continue ou discontinue, au niveau de différentes zones de la cavité, plus précisément sous la membrane 9 et en regard de son orifice traversant 19 pour assurer l'accroche du matériau de scellement susceptible de tomber au travers de l'évent 8 ; sous l'ensemble de la membrane 9 pour assurer une 5 fonction optique de réflexion du rayonnement à détecter ; au niveau de différentes tranchées pour la protection du substrat 3 pendant l'étape de gravure lors de la formation des tranchées et pour améliorer l'accroche de la couche d'encapsulation 6 sur le substrat ; et au niveau des clous d'ancrage 11a pour améliorer l'accroche des clous sur le substrat et améliorer la conduction électrique entre les clous et le circuit de lecture disposé dans le 10 substrat. L'épaisseur de cette couche d'accroche est de préférence constante sur toute son étendue, et notamment au niveau des différentes zones mentionnées précédemment. Cette couche d'accroche peut être réalisée en chrome ou titane, en aluminium, en nitrure de titane, par exemple sous forme d'empilement des matériaux cités, ou autre matériau adapté, et présenter une épaisseur de l'ordre de 100nm à 400nm.This attachment layer 14 may extend, continuously or discontinuously, at different areas of the cavity, more precisely under the membrane 9 and opposite its through orifice 19 to ensure the grip of the material. sealant capable of falling through the vent 8; under the entire membrane 9 to provide an optical reflection function of the radiation to be detected; at the level of different trenches for the protection of the substrate 3 during the etching step during the formation of the trenches and to improve the grip of the encapsulation layer 6 on the substrate; and at the anchoring nails 11a to improve the grip of the nails on the substrate and to improve the electrical conduction between the nails and the read circuit disposed in the substrate. The thickness of this attachment layer is preferably constant over its entire extent, and especially at the different areas mentioned above. This tie layer may be made of chromium or titanium, aluminum, titanium nitride, for example in the form of a stack of the materials mentioned, or other suitable material, and have a thickness of the order of 100 nm to 400 nm.

15 Selon un mode de réalisation représenté sur les figures 5 et 6, les détecteurs 2 dont la membrane 9 comporte un orifice traversant 19 présentent une architecture de membrane à isolation électrique intermédiaire, telle que décrite dans le document EP1067372. La figure 5 est une vue de dessus d'une membrane absorbante 9 d'un détecteur bolométrique selon ce type d'architecture. Elle est reliée à quatre clous d'ancrage 11a et 20 est suspendue par le biais de deux bras d'isolation thermique 11b. La figure 6 est une vue en coupe selon le plan A-A de la figure 5. La membrane 9 comporte une couche d'un matériau bolométrique 20 (donc résistif), par exemple du silicium amorphe dopé ou de l'oxyde de vanadium. Elle comporte également une couche d'un matériau diélectrique 21, déposée sur la couche bolométrique 20 et qui 25 recouvre celle-ci sur deux zones distinctes 21a, 21b. Elle comporte également une couche d'un matériau électriquement conducteur 22, déposée sur la couche diélectrique 21 et la couche bolométrique 20 et gravée localement sur toute la largeur de la membrane jusqu'à la couche diélectrique de manière à former 3033042 14 trois portions conductrices distinctes 22a, 22b, 22c. La couche conductrice 22 se prolonge sur les bras d'isolation 11b pour relier électriquement les trois portions 22a, 22b, 22c au circuit de lecture. Parmi les trois portions conductrices, deux portions 22a, 22c situées aux extrémités de la membrane 9 sont électriquement reliées à deux parties d'un même bras 5 d'isolation 11b et forment ainsi deux électrodes destinées à être portées à un même potentiel électrique. Ces deux portions d'extrémités 22a, 22c encadrent une portion centrale 22b reliée à un autre bras d'isolation qui forme une électrode destinée à être portée à un autre potentiel électrique. La couche diélectrique 21 est gravée de sorte que chaque électrode 22a, 22b, 22c est en 10 contact électrique avec le matériau bolométrique 20 et que les électrodes d'extrémités 22a, 22c sont électriquement isolées de l'électrode centrale 22b. Dans ce mode de réalisation, la membrane absorbante 9 comporte un orifice traversant 19, ici de profil oblong, disposé au centre de l'électrode centrale 22b. De préférence, l'orifice 19 est disposé au niveau où la couche diélectrique 21 est gravée. L'orifice 19 traverse ainsi 15 uniquement l'électrode centrale 22b et la couche bolométrique 20. De préférence, la distance, mesurée dans le sens de la largeur de l'orifice 19, entre la bordure de l'orifice et la bordure de la couche diélectrique 21, en regard de l'orifice, est supérieure ou égale à l'épaisseur de la couche bolométrique 20 en contact avec l'électrode centrale 22b dans cette zone. Par ce positionnement de l'orifice, toute influence de celui-ci sur les propriétés 20 électriques de la membrane absorbante est minimisée voire supprimée. L'exemple décrit en référence aux figures 14 et 15 montre une couche bolométrique 20 dans la partie inférieure de la membrane 9, sur laquelle reposent la couche diélectrique 21 et les électrodes 22a, 22b, 22c. Cependant, un agencement inversé des couches est également réalisable, dans lequel les électrodes 22a, 22b, 22c sont situées dans la partie 25 inférieure de la membrane 9, sur lesquelles reposent la couche diélectrique 21 puis la couche bolométrique 20. Selon un mode de réalisation représenté sur les figures 7, 8 et 9, la structure d'encapsulation 5 comporte en outre au moins une portion d'appui interne 12 située entre 3033042 15 deux détecteurs adjacents 2, et de préférence une pluralité de portions d'appui interne. Certaines portions d'appui interne peuvent en outre être disposées en périphérie de la matrice de détecteurs 2, en bordure de la cavité 4. Les portions d'appui interne 12 sont formées par la couche mince d'encapsulation 6, qui comporte ainsi de manière continue la 5 paroi périphérique 6a, la paroi supérieure 6b et les portions d'appui interne 12. Les portions d'appui interne 12 reposent, ou prennent appui, directement sur le substrat 3. En d'autres termes, elles sont en contact direct avec le substrat. Ces portions d'appui interne 12 permettent ainsi de renforcer la tenue mécanique de la capsule 5. L'adhérence de la capsule 5 sur le substrat 3 est ainsi assurée d'une part par une partie inférieure de la 10 paroi périphérique 6a de la couche d'encapsulation 6 qui repose sur le substrat en périphérie de la cavité, et d'autre part par la ou les portions d'appui interne 12 disposée(s) dans la cavité. Cette multiplicité de surfaces de contact, réparties en bordure de la cavité et à l'intérieur de celle-ci, permet de renforcer la tenue mécanique de la capsule. Par repose directement sur, ou prennent appui directement sur le substrat, on entend que 15 les portions d'appui interne 12 est en contact directement avec le substrat 3, que ce soit avec le matériau constitutif du substrat ou avec une couche mince déposée sur la surface du substrat, par exemple une couche de passivation ou une couche d'accroche, que ces couches minces s'étendent de manière continue ou non. Les portions d'appui interne ne reposent donc pas sur le substrat par l'intermédiaire d'éléments tridimensionnels tels que 20 les éléments de maintien des membranes suspendues. Les inventeurs ont en effet constaté que, lorsque des portions d'appui de la couche d'encapsulation reposent, non pas sur le substrat, mais sur les éléments de maintien des membranes suspendues, plus précisément sur les clous d'ancrage, des problèmes d'adhérence de la capsule sur le substrat apparaissent, qui peuvent conduire à un 25 décollement voire à la destruction de la capsule. Il semble en effet que les clous d'ancrage offrent une surface de contact et une planéité insuffisantes pour assurer une bonne adhérence des portions d'appui de la couche d'encapsulation. Le dispositif de détection selon l'invention réduit ainsi les risques de décollement de la capsule liés aux contraintes mécaniques qui siègent dans les couches minces de la capsule, qu'il s'agisse des contraintes 3033042 16 intrinsèques desdites couches minces ou des contraintes extrinsèques résultant de la dilatation thermique différentielle de la capsule relativement au substrat. Ainsi, la structure d'encapsulation 5 définit une cavité hermétique 4 qui loge la matrice de détecteurs thermiques 2, cette cavité 4 présentant une forme de réseau de sous-cavités, 5 ou alvéoles, communicantes entre elles, qui logent chacune un sous-ensemble de détecteurs thermiques. Les alvéoles sont séparées les unes des autres par les portions d'appui interne. Comme expliqué précédemment, ce réseau d'alvéoles est délimité par la même couche d'encapsulation 6 qui s'étend de manière continue de manière à former les parois périphérique 6a et supérieure 6b de la cavité 4 ainsi que les portions d'appui interne 10 12. Ainsi, le dispositif de détection de rayonnement 1 comporte une cavité hermétique 4 qui loge une pluralité de détecteurs thermiques 2 tout en présentant une tenue mécanique de cavité renforcée par la présence de la ou des portions d'appui interne 12 qui reposent directement sur le substrat 3. Le fait de loger une pluralité de détecteurs thermiques 2 dans 15 la cavité autorise l'augmentation du taux de remplissage, par exemple en diminuant le pas de matriçage ou en agrandissant les membranes absorbantes 9, voire en mutualisant les clous d'ancrage 11a. Par ailleurs, le couplage électrique parasite entre détecteurs 2 est évité dans la mesure où les portions d'appui interne 12 ne sont pas en contact des clous d'ancrage. Ce dispositif autorise en outre l'allongement des bras d'isolation thermique 11b 20 pour améliorer l'isolation thermique des membranes absorbantes 9. La figure 8 est une vue en coupe selon le plan A-A du dispositif de détection 1 représenté sur la figure 7. Elle montre plus en détail la couche d'encapsulation 6 s'étendant de manière continue autour et au-dessus de la matrice de détecteurs 2 de manière à former la cavité 4. La paroi périphérique 6a forme la bordure de la cavité et la paroi supérieure 6b s'étend 25 au-dessus des détecteurs 2. La paroi périphérique 6a présente une partie inférieure 6c périphérique qui est en appui, ou repose, directement sur le substrat, de manière à assurer l'adhésion de la capsule sur le substrat.According to an embodiment shown in FIGS. 5 and 6, the detectors 2 whose membrane 9 comprises a through-orifice 19 have a membrane architecture with intermediate electrical insulation, as described in the document EP1067372. FIG. 5 is a top view of an absorbent membrane 9 of a bolometric detector according to this type of architecture. It is connected to four anchoring nails 11a and 20 is suspended by means of two heat insulating arms 11b. Figure 6 is a sectional view along the plane A-A of Figure 5. The membrane 9 comprises a layer of a bolometric material 20 (therefore resistive), for example doped amorphous silicon or vanadium oxide. It also comprises a layer of a dielectric material 21 deposited on the bolometric layer 20 and which covers the latter on two distinct zones 21a, 21b. It also comprises a layer of an electrically conductive material 22 deposited on the dielectric layer 21 and the bolometric layer 20 and etched locally over the entire width of the membrane to the dielectric layer so as to form three distinct conductive portions. 22a, 22b, 22c. The conductive layer 22 is extended on the isolation arm 11b to electrically connect the three portions 22a, 22b, 22c to the read circuit. Among the three conductive portions, two portions 22a, 22c located at the ends of the membrane 9 are electrically connected to two parts of a single isolation arm 11b and thus form two electrodes intended to be carried at the same electrical potential. These two end portions 22a, 22c surround a central portion 22b connected to another isolation arm which forms an electrode intended to be taken to another electrical potential. The dielectric layer 21 is etched so that each electrode 22a, 22b, 22c is in electrical contact with the bolometric material 20 and the end electrodes 22a, 22c are electrically isolated from the center electrode 22b. In this embodiment, the absorbent membrane 9 has a through hole 19, here of oblong profile, disposed in the center of the central electrode 22b. Preferably, the orifice 19 is disposed at the level where the dielectric layer 21 is etched. The orifice 19 thus passes through only the central electrode 22b and the bolometric layer 20. Preferably, the distance, measured in the direction of the width of the orifice 19, between the edge of the orifice and the edge of the dielectric layer 21, facing the orifice, is greater than or equal to the thickness of the bolometric layer 20 in contact with the central electrode 22b in this area. By this positioning of the orifice, any influence of it on the electrical properties of the absorbent membrane is minimized or even eliminated. The example described with reference to FIGS. 14 and 15 shows a bolometric layer 20 in the lower part of the membrane 9, on which the dielectric layer 21 and the electrodes 22a, 22b, 22c rest. However, an inverted arrangement of the layers is also feasible, in which the electrodes 22a, 22b, 22c are located in the lower part of the membrane 9, on which the dielectric layer 21 and then the bolometric layer 20 rest. According to one embodiment 7, 8 and 9, the encapsulation structure 5 further comprises at least one inner support portion 12 located between two adjacent detectors 2, and preferably a plurality of internal support portions. Some internal bearing portions may also be disposed at the periphery of the detector array 2, at the edge of the cavity 4. The internal support portions 12 are formed by the thin encapsulation layer 6, which thus comprises continues the peripheral wall 6a, the upper wall 6b and the internal bearing portions 12. The inner bearing portions 12 rest, or bear directly on the substrate 3. In other words, they are in direct contact with the substrate. These internal support portions 12 thus make it possible to reinforce the mechanical strength of the capsule 5. The adhesion of the capsule 5 to the substrate 3 is thus ensured on the one hand by a lower part of the peripheral wall 6a of the layer encapsulation 6 which rests on the substrate at the periphery of the cavity, and secondly by the or internal support portions 12 disposed (s) in the cavity. This multiplicity of contact surfaces, distributed on the edge of the cavity and on the inside thereof, makes it possible to reinforce the mechanical strength of the capsule. By directly resting on, or bearing directly on the substrate, it is meant that the internal bearing portions 12 are in direct contact with the substrate 3, whether with the material constituting the substrate or with a thin layer deposited on the substrate. surface of the substrate, for example a passivation layer or a tie layer, whether these thin layers extend continuously or not. The internal support portions therefore do not rest on the substrate via three-dimensional elements such as the holding elements of the suspended membranes. The inventors have indeed found that when support portions of the encapsulation layer rest, not on the substrate, but on the holding elements of the suspended membranes, more specifically on the anchoring nails, problems of adhesion of the capsule to the substrate occurs, which can lead to detachment or even destruction of the capsule. It seems indeed that the anchoring nails provide insufficient contact surface and flatness to ensure good adhesion of the support portions of the encapsulation layer. The detection device according to the invention thus reduces the risks of detachment of the capsule due to the mechanical stresses that sit in the thin layers of the capsule, whether intrinsic stresses of said thin layers or extrinsic stresses resulting differential thermal expansion of the capsule relative to the substrate. Thus, the encapsulation structure 5 defines a hermetic cavity 4 which houses the matrix of thermal detectors 2, this cavity 4 having a form of network of sub-cavities, or cells, communicating with each other, which each house a subset thermal detectors. The cells are separated from each other by the internal support portions. As explained above, this network of cells is delimited by the same encapsulation layer 6 which extends continuously so as to form the peripheral walls 6a and 6b of the upper cavity 4 and the inner support portions 10 12. Thus, the radiation detection device 1 comprises a hermetic cavity 4 which houses a plurality of thermal detectors 2 while having a cavity mechanical strength reinforced by the presence of the internal support portion or portions 12 which rest directly on the substrate 3. The fact of accommodating a plurality of thermal detectors 2 in the cavity makes it possible to increase the degree of filling, for example by decreasing the matrixing pitch or by enlarging the absorbing membranes 9, or even by pooling the nails anchoring 11a. Furthermore, parasitic electrical coupling between detectors 2 is avoided insofar as the internal bearing portions 12 are not in contact with the anchoring nails. This device also allows the elongation of the heat-insulating arms 11b to improve the thermal insulation of the absorbent membranes 9. FIG. 8 is a sectional view along the plane AA of the detection device 1 represented in FIG. It shows in more detail the encapsulation layer 6 extending continuously around and above the detector array 2 so as to form the cavity 4. The peripheral wall 6a forms the edge of the cavity and the upper wall 6b extends above the detectors 2. The peripheral wall 6a has a peripheral lower portion 6c which bears or rests directly on the substrate, so as to ensure the adhesion of the capsule to the substrate.

3033042 17 La figure 9 est une vue en coupe selon le plan B-B du dispositif de détection 1 représenté sur la figure 7. Sur cette figure, les portions d'appui interne 12 présentent chacune une paroi latérale périphérique 12a et une partie inférieure 12b, et prennent appui directement sur le substrat 3 au niveau de la paroi inférieure 12b. En d'autres termes, chaque portion 5 d'appui interne 12 est en contact directement avec le substrat 3, que ce soit avec le matériau constitutif du substrat 3 ou, comme mentionné précédemment, avec une couche mince déposée à la surface du substrat. Comme représenté sur la figure 7, les portions d'appui interne 12 peuvent présenter un profil, dans le plan du substrat, de forme oblongue, c'est-à-dire allongée. Elles peuvent être 10 disposées chacune entre deux membranes suspendues adjacentes et deux clous d'ancrage voisins, de manière à optimiser le taux de remplissage. Les extrémités du profil oblong des portions d'appui interne 12 peuvent être arrondies, de manière à renforcer l'adhérence de celles-ci sur le substrat 3 par une meilleure répartition des contraintes mécaniques. La largeur des portions d'appui interne peut être inférieure à 1,5um, par exemple comprise 15 entre 0,5um et 0,8um, et la longueur peut être ajustée en fonction de l'espace disponible entre les détecteurs et notamment les clous d'ancrage. Dans l'exemple de la figure 7, les bras d'isolation thermique 11b s'étendent principalement suivant un premier axe, et les portions d'appui interne 12 de la capsule 5 s'étendent suivant un second axe orthogonal au premier axe, entre deux membranes 9 adjacentes et deux 20 clous d'ancrage 11a voisins. La largeur et la longueur des portions d'appui interne peuvent être optimisées en bénéficiant de la surface laissée libre dans cette zone par l'absence de bras d'isolation thermique. La surface des portions d'appui interne en contact avec le substrat peut ainsi être importante, ce qui améliore l'adhérence et la tenue mécanique de la capsule.FIG. 9 is a sectional view along the plane BB of the detection device 1 shown in FIG. 7. In this figure, the internal bearing portions 12 each have a peripheral lateral wall 12a and a lower portion 12b, and bear directly on the substrate 3 at the bottom wall 12b. In other words, each internal support portion 12 is in direct contact with the substrate 3, whether with the constituent material of the substrate 3 or, as mentioned above, with a thin layer deposited on the surface of the substrate. As shown in FIG. 7, the internal bearing portions 12 may have a profile, in the plane of the substrate, of oblong, that is to say elongated, shape. They may each be arranged between two adjacent suspended membranes and two adjacent anchoring nails, so as to optimize the filling ratio. The ends of the oblong profile of the internal support portions 12 may be rounded, so as to enhance the adhesion thereof to the substrate 3 by a better distribution of mechanical stresses. The width of the internal support portions may be less than 1.5 μm, for example between 0.5 μm and 0.8 μm, and the length may be adjusted as a function of the space available between the sensors and in particular the nails. anchor. In the example of FIG. 7, the heat-insulating arms 11b extend mainly along a first axis, and the internal bearing portions 12 of the capsule 5 extend along a second axis orthogonal to the first axis, between two adjacent membranes 9 and two neighboring anchoring nails 11a. The width and length of the internal support portions can be optimized by benefiting from the area left free in this area by the absence of heat insulation arm. The surface of the internal bearing portions in contact with the substrate can thus be large, which improves the adhesion and the mechanical strength of the capsule.

25 Un exemple de procédé de réalisation est maintenant détaillé, en référence aux figures 10 à 12 qui sont des vues, en coupe selon l'axe C-C, du dispositif de détection représenté sur la figure 7.An exemplary embodiment method is now detailed, with reference to FIGS. 10 to 12 which are views, in section along the C-C axis, of the detection device shown in FIG. 7.

3033042 18 Le dispositif de détection 1 comprend un substrat 3 dans lequel est prévu un circuit de lecture et de commande des détecteurs thermiques 2. Le substrat 3 peut comprendre une couche de passivation 13, par exemple en oxyde de silicium SiO ou nitrure de silicium SiN. Selon un mode de réalisation détaillé par la suite, le substrat 3 peut également comprendre 5 une couche d'accroche 14, continue ou non, déposée sur la couche de passivation 13. La couche d'accroche 14 peut être réalisée en titane ou en chrome, et présenter une épaisseur par exemple comprise environ entre 100nm et 300nm. De manière connue en soi, on dépose une première couche sacrificielle 15 et on réalise les clous d'ancrage 11a, les bras d'isolation thermique 11b et les membranes absorbantes 9 10 dans et sur cette couche sacrificielle 15. La couche sacrificielle peut être réalisée en polyimide voire en un matériau minéral tel que de l'oxyde de silicium, du polysilicium ou du silicium amorphe. Comme l'illustre la figure 11, une deuxième couche sacrificielle 16 est ensuite déposée sur la première couche sacrificielle 15, les éléments d'ancrage 11a et d'isolation thermique 11b 15 et les membranes absorbantes 9. Elle est de préférence réalisée dans le même matériau que celui de la première couche sacrificielle 15 et présente une épaisseur par exemple comprise entre 0,5um et 5u.m. Des étapes de photolithographie et de gravure, par exemple de gravure RIE, sont réalisées de manière à former, de préférence au cours d'une séquence d'étapes communes, des 20 tranchées 17, 18 au travers de toute l'épaisseur des couches sacrificielles, c'est-à-dire jusqu'au substrat 3, plus précisément ici jusqu'à la couche d'accroche 14. Une première tranchée 17 est réalisée de manière à s'étendre de manière continue autour de la matrice de détecteurs 2 et est destinée à la réalisation ultérieure de la paroi périphérique de la structure d'encapsulation, et au moins une seconde tranchée 18, de préférence plusieurs, 25 est réalisée entre deux détecteurs adjacents 2 dans le but de former par la suite la portion d'appui interne. Les premières et secondes tranchées 17, 18 présentent une profondeur sensiblement identique, de sorte que la paroi périphérique de la structure d'encapsulation et les parois latérales des portions d'appui présentent in fine une hauteur sensiblement 3033042 19 identique. Le procédé est ainsi simplifié, notamment en ce qui concerne le contrôle de la profondeur de gravure. Dans le cas où les couches sacrificielles 15, 16 sont en polyimide, le procédé de réalisation des tranchées peut impliquer le dépôt d'une couche de protection minérale (non 5 représentée), par exemple en SiN ou en SiO, ou encore en silicium amorphe, sur la surface de la deuxième couche sacrificielle 16. Une étape de photolithographie permet alors de définir des ouvertures dans une couche de résine aux endroits où il est prévu de graver les tranchées. La gravure des tranchées est ensuite réalisée en 2 étapes, une première étape au cours de laquelle la couche de protection est gravée, par exemple par gravure RIE, au 10 droit des ouvertures de la résine, une deuxième étape au cours de laquelle la première et la deuxième couche sacrificielle sont gravées, par exemple par gravure RIE, jusqu'au substrat au droit des ouvertures obtenues dans la couche de protection à la première étape de gravure. A ce stade, la couche de protection peut être supprimée. Cet enchaînement d'étapes est justifié par des contraintes de compatibilité chimique des 15 couches en présence et par des contraintes géométriques (facteur de forme des tranchées). En effet, la couche de résine disparait au cours de la deuxième étape de gravure du polyimide car ces couches sont toutes de nature organique, par conséquent similairement sensibles à la chimie de gravure mise en oeuvre à la deuxième étape. L'ouverture de la couche de protection est alors utilisée comme relais pour continuer à 20 limiter la gravure aux zones où l'on souhaite réaliser les tranchées. Le procédé de la deuxième étape de gravure est par ailleurs adapté pour garantir une grande anisotropie de gravure, ce qui permet d'obtenir des facteurs de forme élevés et des flancs de gravure verticaux (orthogonaux au plan du substrat) sans présence de surplomb. Il est en outre adapté pour garantir une sélectivité élevée d'une part vis-à-vis de la couche de protection 25 (en SiN ou SiO) et d'autre part vis-à-vis de la surface du substrat, généralement recouverte d'une couche de passivation isolante en SiO ou SiN. Cette sélectivité élevée est avantageuse car elle permet de réduire l'épaisseur de la couche de protection (typiquement à 30 nm), ce qui est de nature à faciliter son élimination ultérieure.The detection device 1 comprises a substrate 3 in which a circuit for reading and controlling the thermal detectors 2 is provided. The substrate 3 may comprise a passivation layer 13, for example made of silicon oxide SiO or silicon nitride SiN. . According to an embodiment detailed below, the substrate 3 may also comprise a tie layer 14, continuous or not, deposited on the passivation layer 13. The attachment layer 14 may be made of titanium or chromium , and have a thickness for example between about 100nm and 300nm. In a manner known per se, a first sacrificial layer 15 is deposited and the anchoring nails 11a, the heat-insulating arms 11b and the absorbent membranes 9 are produced in and on this sacrificial layer 15. The sacrificial layer can be produced polyimide or even a mineral material such as silicon oxide, polysilicon or amorphous silicon. As illustrated in FIG. 11, a second sacrificial layer 16 is then deposited on the first sacrificial layer 15, the anchoring elements 11a and thermal insulation 11b and the absorbent membranes 9. It is preferably made in the same material as that of the first sacrificial layer 15 and has a thickness for example between 0.5um and 5u.m. Photolithography and etching steps, for example RIE etching, are carried out so as to form, preferably during a sequence of common steps, trenches 17, 18 through the entire thickness of the sacrificial layers. , that is to say up to the substrate 3, more precisely here up to the tie layer 14. A first trench 17 is made to extend continuously around the detector matrix 2 and is intended for the subsequent production of the peripheral wall of the encapsulation structure, and at least one second trench 18, preferably several, is made between two adjacent detectors 2 for the purpose of subsequently forming the bearing portion internal. The first and second trenches 17, 18 have a substantially identical depth, so that the peripheral wall of the encapsulation structure and the side walls of the bearing portions have in fine a substantially identical height. The method is thus simplified, especially as regards the control of the etching depth. In the case where the sacrificial layers 15, 16 are made of polyimide, the process for producing the trenches may involve the deposition of a mineral protection layer (not shown), for example of SiN or SiO, or of amorphous silicon. on the surface of the second sacrificial layer 16. A photolithography step then makes it possible to define openings in a resin layer where the trenches are to be etched. The etching of the trenches is then carried out in two steps, a first step during which the protective layer is etched, for example by RIE etching, to the right of the openings of the resin, a second step during which the first and the second sacrificial layer are etched, for example by RIE etching, to the substrate at the level of the openings obtained in the protective layer at the first etching step. At this point, the protective layer can be removed. This sequence of steps is justified by constraints of chemical compatibility of the layers in the presence and by geometrical constraints (trench form factor). Indeed, the resin layer disappears during the second step of etching the polyimide because these layers are all organic in nature, therefore similarly sensitive to the etch chemistry implemented in the second step. The opening of the protective layer is then used as a relay to continue to limit the etching to the areas where it is desired to make the trenches. The method of the second etching step is also adapted to ensure a great anisotropy of etching, which allows to obtain high form factors and vertical etching flanks (orthogonal to the plane of the substrate) without the presence of overhang. It is further adapted to ensure a high selectivity on the one hand vis-à-vis the protective layer 25 (SiN or SiO) and secondly vis-à-vis the surface of the substrate, generally covered with an insulating passivation layer of SiO or SiN. This high selectivity is advantageous because it makes it possible to reduce the thickness of the protective layer (typically at 30 nm), which is likely to facilitate its subsequent removal.

3033042 20 Les tranchées 17, 18, notamment les secondes tranchées 18 destinées à la réalisation des portions d'appui interne, présentent un rapport de forme élevé. A titre d'exemple, des tranchées de largeur inférieure ou égale à 1,5um, par exemple comprise entre 0,5um et 0,8um peuvent être réalisées dans une couche de polyimide d'épaisseur comprise entre 5 2um et 6um, par exemple 4u.m. La longueur des secondes tranchées 18 peut être adaptée en fonction des contraintes d'intégration compacte et de robustesse de la capsule, et peut être de l'ordre de quelques microns à quelques millimètres. Ces dimensions des tranchées permettent de réaliser une matrice de détecteurs thermiques à un pas de matriçage particulièrement faible, par exemple 17um voire 12u.m.The trenches 17, 18, in particular the second trenches 18 intended for producing the internal bearing portions, have a high aspect ratio. By way of example, trenches of width less than or equal to 1.5 μm, for example between 0.5 μm and 0.8 μm, may be produced in a layer of polyimide with a thickness of between 5 μm and 6 μm, for example 4 μm. .m. The length of the second trenches 18 can be adapted according to the constraints of compact integration and robustness of the capsule, and can be of the order of a few microns to a few millimeters. These dimensions of the trenches make it possible to produce a matrix of thermal detectors with a particularly low matriculation step, for example 17 μm or even 12 μm.

10 La couche d'accroche 14 est de préférence réalisée en un matériau vis-à-vis duquel la gravure des tranchées est sélective, de manière à éviter toute gravure du substrat. Le matériau peut être du titane, du chrome et la couche d'accroche peut présenter une épaisseur de l'ordre de 100nm à 300nm. Comme le montre la figure 12, une couche mince d'encapsulation 6, transparente au 15 rayonnement à détecter, est ensuite déposée selon une technique de dépôt conforme adaptée pour obtenir un bon recouvrement des flancs verticaux des tranchées 17, 18, avec une épaisseur de couche sensiblement constante. Il peut s'agir par exemple d'une couche de silicium amorphe élaboré par CVD ou par iPVD, d'une épaisseur typiquement comprise entre environ 200nm et 2000nm lorsqu'elle est mesurée sur une surface plane. Le dépôt 20 de la couche d'encapsulation 6 sur une surface structurée par des tranchées dont au moins une tranchée périphérique 17 continue (périmètre fermé) conduit à la formation de la capsule 5, réalisée avec le matériau de la couche d'encapsulation et formant, en contact avec le substrat 3, une cavité 4 dans laquelle est logée la matrice de détecteurs. Le recouvrement des flancs des tranchées internes 18 par la couche d'encapsulation 6 permet 25 de reproduire la forme des tranchées internes pour former des portions d'appui interne 12, de préférence de forme oblongue avec des extrémités arrondies. Notons que ces portions d'appui interne 12 peuvent être pleines ou creuses (constituées de deux parois espacées) selon que la largeur des tranchées internes 18 est respectivement petite ou grande devant l'épaisseur de la couche d'encapsulation 6.The tie layer 14 is preferably made of a material with respect to which the etching of the trenches is selective, so as to avoid any etching of the substrate. The material may be titanium, chromium and the tie layer may have a thickness of the order of 100 nm to 300 nm. As shown in FIG. 12, a thin encapsulation layer 6, transparent to the radiation to be detected, is then deposited according to a conformal deposition technique adapted to obtain a good overlap of the vertical sides of the trenches 17, 18, with a thickness of substantially constant layer. It may be for example a layer of amorphous silicon developed by CVD or iPVD, a thickness typically between about 200nm and 2000nm when measured on a flat surface. The deposition 20 of the encapsulation layer 6 on a surface structured by trenches of which at least one peripheral trench 17 continues (closed perimeter) leads to the formation of the capsule 5, made with the material of the encapsulation layer and forming , in contact with the substrate 3, a cavity 4 in which is housed the matrix of detectors. The covering of the sides of the internal trenches 18 by the encapsulation layer 6 makes it possible to reproduce the shape of the internal trenches so as to form internal bearing portions 12, preferably of oblong shape with rounded ends. Note that these internal support portions 12 may be solid or hollow (consisting of two spaced walls) depending on whether the width of the inner trenches 18 is respectively small or large in front of the thickness of the encapsulation layer 6.

3033042 21 Des orifices traversants, formant des évents de libération 8 destinés à permettre l'évacuation des couches sacrificielles 15, 16 hors de la cavité 4, sont ensuite réalisés par photolithographie et gravure dans la couche d'encapsulation 6. Chaque évent 8 présente un profil, dans un plan parallèle au plan du substrat, de forme oblongue, c'est-à-dire 5 allongée aux extrémités arrondies. Le profil transversal de chaque évent, dans un plan orthogonal à celui du substrat, présente une forme évasée, qui s'élargit à mesure qu'on s'éloigne du substrat. On élimine ensuite les couches sacrificielles 15, 16 par attaque chimique, préférentiellement en phase gazeuse ou en phase vapeur selon la nature des couches 10 sacrificielles (phase gazeuse dans le cas du polyimide décrit ici), de manière à former la cavité 4 logeant la matrice de détecteurs 2, et les portions d'appui interne 12. De par la forme oblongue de l'évent, cette étape est optimisée en termes de durée. Une couche de scellement (non représentée sur la figure 12) est ensuite déposée sur la couche d'encapsulation 6 avec une épaisseur suffisante pour assurer le scellement, ou 15 bouchage, des évents de libération 8. La qualité de l'herméticité est renforcée de par les extrémités arrondies de la forme oblongue des évents 8, ainsi que par la forme évasée de des évents. La couche de scellement est transparente au rayonnement électromagnétique à détecter et peut présenter une fonction d'antireflet pour optimiser la transmission du rayonnement 20 au travers de la structure d'encapsulation. A ce titre, elle peut être formée de sous-couches de germanium et de sulfure de zinc dans le cas d'un rayonnement à détecter dans la gamme des longueurs d'onde allant de 8um à 12um, par exemple une première sous-couche de germanium de 1,7um environ puis une deuxième sous-couche de sulfure de zinc de 1,2um environ. La couche de scellement est de préférence déposée par une technique de dépôt 25 de couches minces sous vide, comme l'évaporation sous vide d'une source chauffée par faisceau d'électrons (EBPVD) ou comme la pulvérisation cathodique ou par faisceau d'ions. On obtient ainsi une cavité hermétique 4 sous vide ou pression réduite dans laquelle est logée la matrice de détecteurs thermiques 2.Through-holes, forming release vents 8 intended to allow the evacuation of the sacrificial layers 15, 16 out of the cavity 4, are then produced by photolithography and etching in the encapsulation layer 6. Each vent 8 has a profile, in a plane parallel to the plane of the substrate, of oblong shape, that is to say elongated with rounded ends. The transverse profile of each vent, in a plane orthogonal to that of the substrate, has a flared shape, which widens as one moves away from the substrate. The sacrificial layers 15, 16 are then removed by chemical etching, preferably in the gas phase or in the vapor phase, depending on the nature of the sacrificial layers (gaseous phase in the case of the polyimide described here), so as to form the cavity 4 housing the matrix. detectors 2, and internal support portions 12. Due to the oblong shape of the vent, this step is optimized in terms of duration. A sealing layer (not shown in FIG. 12) is then deposited on the encapsulation layer 6 with a thickness sufficient to seal or plug the release vents 8. The quality of the hermeticity is reinforced by by the rounded ends of the oblong shape of the vents 8, as well as by the flared shape of the vents. The sealing layer is transparent to the electromagnetic radiation to be detected and may have an antireflection function to optimize the transmission of radiation through the encapsulation structure. As such, it may be formed of sublayers of germanium and zinc sulfide in the case of a radiation to be detected in the wavelength range from 8um to 12um, for example a first underlayer of germanium of about 1.7um then a second sublayer of zinc sulphide of about 1.2um. The sealant layer is preferably deposited by a vacuum thin-film deposition technique, such as vacuum evaporation of an electron beam heated source (EBPVD) or cathode sputtering or ion beam sputtering. . In this way, a sealed cavity 4 is obtained under vacuum or reduced pressure in which the matrix of thermal detectors 2 is housed.

3033042 22 Selon un mode de réalisation représenté sur les figures 7, 13 et 14, la couche d'encapsulation 6 est déposée sur le pourtour de la matrice de détecteurs 2 de sorte que la section de la couche présente, dans un plan parallèle au plan du substrat, une forme à coins arrondis.According to an embodiment shown in FIGS. 7, 13 and 14, the encapsulation layer 6 is deposited on the periphery of the detector matrix 2 so that the section of the layer has a plane parallel to the plane. of the substrate, a shape with rounded corners.

5 Ainsi, la paroi périphérique 6a de la couche d'encapsulation 6 est formée, au niveau de chaque coin, de deux portions 6a-1, 6a-2 s'étendant de manière sensiblement rectiligne, suivant chacune un axe orthogonal l'un à l'autre. Les portions rectilignes 6a-1 et 6a-2 ne se rejoignent pas suivant un angle droit mais sont reliées l'une à l'autre par une portion arrondie 6a-3.Thus, the peripheral wall 6a of the encapsulation layer 6 is formed, at each corner, with two portions 6a-1, 6a-2 extending substantially rectilinear, each along an orthogonal axis, one to the other. The rectilinear portions 6a-1 and 6a-2 do not meet at a right angle but are connected to each other by a rounded portion 6a-3.

10 Par portion arrondie, on entend une portion présentant au moins un segment courbe, par exemple circulaire ou elliptique, ou au moins un segment droit, et de préférence plusieurs segments droits, s'étendant suivant un axe non colinéaire à l'axe respectif des portions rectilignes. La figure 13 présente un exemple de portion arrondie 6a-3 sous forme d'un segment en arc 15 de cercle reliant les portions rectilignes 6a-1 et 6a-2. Le rayon de cet arc de cercle, mesuré à partir de la surface externe de la portion arrondie 6a-3, c'est-à-dire orientée vers l'extérieur de la cavité (cercle exinscrit), peut être supérieur ou égal à deux fois la largeur L de la paroi périphérique. De préférence, la dimension de la portion arrondie est telle que le rayon d'un cercle inscrit, c'est-à-dire tangent à la surface interne, orientée vers la cavité, 20 de la portion arrondie est supérieur ou égal à deux fois la largeur L. La largeur L est définie comme la largeur moyenne d'une portion sensiblement rectiligne 6a-1, 6a-2 de la paroi périphérique 6a. La portion arrondie 6a-3 présente de préférence une largeur sensiblement égale à celle des portions rectilignes. La figure 14 présente un autre exemple de la portion arrondie, en variante de celui de la 25 figure 13. Dans cet exemple, la portion arrondie 6a-3 est formée par la succession de deux segments droits inclinés l'un vis-à-vis de l'autre. On peut définir un cercle exinscrit, tangent à la surface externe de chaque segment. L'orientation des segments peut être telle que le rayon du cercle exinscrit est supérieur ou égal à deux fois la largeur L de la paroi 3033042 23 périphérique. De préférence, l'orientation des segments est telle que le rayon d'un cercle inscrit, c'est-à-dire tangent à la surface interne des segments, est supérieur ou égal à deux fois la largeur L. A titre d'exemple, la largeur L de la paroi périphérique de la couche d'encapsulation peut 5 être comprise entre 200nm et 2um environ. Le rayon du cercle exinscrit ou inscrit est supérieur ou égal à une valeur comprise entre 400nm et 4um en fonction de la largeur L, par exemple 2um dans le cas d'une largeur L égale à 800nm. Les inventeurs ont observé que la réalisation de portions arrondies au niveau des coins de la capsule améliore l'adhérence de celle-ci sur le substrat. Il a en effet été observé que 10 l'adhérence de la capsule n'est pas homogène le long de la paroi périphérique et que les coins de la capsule présentent une adhérence renforcée lorsque des portions arrondies sont réalisées. Ainsi, lorsque la capsule comporte des coins arrondis et des portions d'appui interne, on obtient une adhérence globale de la capsule sur le substrat renforcée, de par un effet 15 conjugué entre la multiplicité des surfaces d'appui et le renfort localisé de l'adhérence aux coins de la cavité. Bien entendu, la structure d'encapsulation à coins arrondis, décrite ici dans le cas où une même cavité loge une matrice de détecteurs, peut être utilisée dans le cas où plusieurs cavités hermétiques sont réalisées, chacune logeant un unique détecteur. 20By rounded portion is meant a portion having at least one curved, for example circular or elliptical segment, or at least one straight segment, and preferably several straight segments, extending along a non-collinear axis to the respective axis of the straight portions. Fig. 13 shows an example of a rounded portion 6a-3 in the form of a circular arc segment connecting the straight portions 6a-1 and 6a-2. The radius of this arc of a circle, measured from the outer surface of the rounded portion 6a-3, that is to say oriented towards the outside of the cavity (excluded circle), may be greater than or equal to two times the width L of the peripheral wall. Preferably, the size of the rounded portion is such that the radius of an inscribed circle, i.e., tangential to the inner surface, facing the cavity, of the rounded portion is greater than or equal to twice width L. The width L is defined as the average width of a substantially rectilinear portion 6a-1, 6a-2 of the peripheral wall 6a. The rounded portion 6a-3 preferably has a width substantially equal to that of the rectilinear portions. FIG. 14 shows another example of the rounded portion, as a variant of that of FIG. 13. In this example, the rounded portion 6a-3 is formed by the succession of two inclined straight segments facing each other. the other. We can define a circle exinscrit, tangent to the outer surface of each segment. The orientation of the segments may be such that the radius of the outer circle is greater than or equal to twice the width L of the peripheral wall. Preferably, the orientation of the segments is such that the radius of an inscribed circle, that is to say tangent to the inner surface of the segments, is greater than or equal to twice the width L. By way of example the width L of the peripheral wall of the encapsulation layer may be from about 200 nm to about 2 μm. The radius of the circle exinscribed or inscribed is greater than or equal to a value between 400 nm and 4 μm as a function of the width L, for example 2 μm in the case of a width L equal to 800 nm. The inventors have observed that the production of rounded portions at the corners of the capsule improves the adhesion of the latter to the substrate. It has been observed that the adhesion of the capsule is not homogeneous along the peripheral wall and that the corners of the capsule have a reinforced adhesion when rounded portions are made. Thus, when the capsule has rounded corners and internal bearing portions, overall adhesion of the capsule to the reinforced substrate is obtained by a conjugated effect between the multiplicity of the bearing surfaces and the localized reinforcement of the capsule. adhesion to the corners of the cavity. Of course, the encapsulation structure with rounded corners, described here in the case where the same cavity houses a matrix of detectors, can be used in the case where several hermetic cavities are made, each housing a single detector. 20

Claims

REVENDICATIONS1. Electromagnetic radiation detection device (1), comprising: a substrate (3), at least one thermal detector (2), disposed on the substrate (3), an encapsulation structure (5) of the thermal detector (2), having an encapsulation layer (6) extending around and above the thermal detector (2) so as to define with the substrate (3) a cavity (4) in which the thermal detector (2) is located, the encapsulation layer comprising at least one through orifice (8), said release vent having, in a plane parallel to the plane of the substrate, an oblong shape, characterized in that the release vent (8) has a transverse profile, in a plane orthogonal to the plane of the substrate, whose width increases as the distance to the substrate increases.

2. Detection device according to claim 1, wherein the encapsulation structure (5) further comprises a sealing layer (7) covering the encapsulation layer (6) so as to make the cavity (4) hermetic, the sealing layer (7) having a border extending in the direction of the thickness of the sealing layer (7) from the edge of the release vent (8) with an angle α zero relative to an axis substantially orthogonal to the plane of the substrate, and wherein the transverse profile of the release vent (8) forms an angle (3 with respect to the same orthogonal axis greater than the angle a.

3. Detection device according to claim 1 or 2, wherein said at least one thermal detector (2) each comprises a membrane (9) adapted to absorb the radiation to be detected, suspended above the substrate (3) and thermally insulated of the latter by anchoring nails (11a) and heat-insulating arms (11b). 3033042 25

4. Detection device according to claim 3, wherein the encapsulation layer (6) comprises at least one through orifice (8) called release vent, each release vent (8) being arranged so that at least one thermal detector (2) has a single release vent (8) facing the corresponding absorbent membrane (9), preferably in line with the center of said membrane (9).

5. Detection device according to claim 4, wherein each absorbent membrane (9) has a through orifice (19), located at the right of the corresponding release vent (8), of dimensions equal to or greater than those of said vent (8).

6. Detection device according to claim 5, wherein the suspended membrane comprises a stack of a bolometric layer, a dielectric layer structured to form two distinct portions, and an electrically conductive layer (22) structured so as to form three electrodes (22a, 22b, 22c), of which two electrodes (22a, 22c) intended to be carried at the same electrical potential frame the third electrode (22b) said central unit intended to be brought to a different electrical potential, each electrode being in contact with the bolometric layer (20), the central electrode (22b) being electrically isolated from the other electrodes (22a, 22c) by the dielectric layer (21) , the orifice passing through the central electrode (22b) and the bolometric layer (20) in an area located in the portions (21a, 21b) of the dielectric layer (21). 20

7. Detection device according to claim 5 or 6, wherein the encapsulation structure (5) further comprises a sealing layer (7) covering the encapsulation layer (6) so as to make the cavity (4) hermetic, and wherein the substrate (3) comprises a tie layer (14) arranged facing the through hole (19) of the membrane (9) corresponding, and adapted to ensure the adhesion of the material of the layer 25 (7).

8. Detection device according to claim 7, wherein the attachment layer (14) extends under the entire membrane (9) corresponding and is made of a material adapted to further ensure the reflection of electromagnetic radiation to detect. 3033042 26

9. Detection device according to claim 7 or 8, wherein the attachment layer (14) further comprises portions on which the holding nails (11a) rest, and / or portions on which portions of internal support (12) of the encapsulation layer (6), and is made of a material capable of ensuring the adhesion of the holding nails and / or support portions.

10. Detection device according to any one of claims 1 to 9, comprising a matrix of thermal detectors (2), wherein the encapsulation layer (6) comprises at least a portion (12), said support portion internal, located between two adjacent detectors (2), which bears directly on the substrate. 10

11. Detection device according to claim 10, wherein the inner bearing portion (12) has a profile, in a plane parallel to the plane of the substrate (3), of oblong shape, preferably at the ends rounded longitudinal.

The sensing device according to claim 10 or 11, wherein the inner bearing portion (12) has a side wall (12a) and a lower portion (12b), said side wall (12a) extending in a plane substantially orthogonal to the plane of the substrate over the entire height of the cavity (4), and the lower part (12b) being in contact with the substrate (3).

13. Detection device according to any one of claims 10 to 12 according to claim 3, wherein at least one inner support portion (12) is disposed between two adjacent absorbent membranes (9) and two nails anchoring (11a) adjacent, each of said anchoring nails participating in maintaining said adjacent membranes, and wherein the inner bearing portion (12) is oriented longitudinally along said membranes (9).

The sensing device according to any one of claims 1 to 13, wherein the encapsulation layer (6) comprising a peripheral wall (6a) which surrounds the detector array, and which has a section, in a plane parallel to the plane of the substrate, of square or rectangular shape, whose corners are rounded.